JP6333152B2 - Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method - Google Patents

Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6333152B2
JP6333152B2 JP2014212882A JP2014212882A JP6333152B2 JP 6333152 B2 JP6333152 B2 JP 6333152B2 JP 2014212882 A JP2014212882 A JP 2014212882A JP 2014212882 A JP2014212882 A JP 2014212882A JP 6333152 B2 JP6333152 B2 JP 6333152B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
map
substrate
supply position
pattern
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014212882A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016082100A5 (en
JP2016082100A (en
Inventor
裕充 山口
裕充 山口
山▲崎▼ 拓郎
拓郎 山▲崎▼
智美 舩吉
智美 舩吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014212882A priority Critical patent/JP6333152B2/en
Publication of JP2016082100A publication Critical patent/JP2016082100A/en
Publication of JP2016082100A5 publication Critical patent/JP2016082100A5/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6333152B2 publication Critical patent/JP6333152B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、生成方法、情報処理装置インプリント方法及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a generation method, an information processing apparatus , an imprint method, and an article manufacturing method .

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の1つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド(原版)と基板上の樹脂(インプリント材)とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。かかるインプリント装置では、樹脂硬化法として、一般に、紫外線などの光の照射によって基板上の樹脂を硬化させる光硬化法が採用されている。また、インプリント装置では、基板上に樹脂を供給(塗布)する際に、例えば、インクジェット法を用いて基板上に樹脂の液滴の配列を形成している。   The imprint technique is a technique that enables transfer of a nanoscale fine pattern, and has attracted attention as one of nanolithography techniques for mass production of semiconductor devices and magnetic storage media. The imprint apparatus using the imprint technique cures the resin in a state where the mold (original plate) on which the pattern is formed and the resin (imprint material) on the substrate are in contact with each other, and pulls the mold away from the cured resin. A pattern is formed on the substrate. Such an imprint apparatus generally employs a photocuring method in which a resin on a substrate is cured by irradiation with light such as ultraviolet rays. In the imprint apparatus, when resin is supplied (applied) onto a substrate, an array of resin droplets is formed on the substrate using, for example, an inkjet method.

インプリント装置では、モールドのパターンへの樹脂の充填が不十分(未充填)である場合、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる。このような樹脂の充填不足に起因するパターンの欠陥を低減するためには、モールドと基板上の樹脂とを接触させてから光を照射するまでの時間(充填時間)を長くして、樹脂がモールドのパターンに完全に充填されるまで待つ必要がある。但し、モールドのパターンへの樹脂の充填時間が長くなると、スループットが低下するという問題が生じる。   In the imprint apparatus, when the resin is not sufficiently filled (unfilled) in the mold pattern, a defect is generated in the pattern formed on the substrate. In order to reduce the defect of the pattern due to such insufficient filling of the resin, the time (filling time) from the contact between the mold and the resin on the substrate to the irradiation of light is lengthened, and the resin It is necessary to wait until the mold pattern is completely filled. However, if the filling time of the resin in the mold pattern becomes long, there arises a problem that the throughput is lowered.

モールドのパターン領域は、一般に、デバイスの配線部となるラインアンドスペースなど(密度が高く、微細なパターン)が形成された通常領域と、ダミーパターンやアライメントマークなど(密度が低く、面積が広いパターン)が形成された特殊領域とを含む。モールドのパターン領域のうち、通常領域では、樹脂の充填時間が短く、特殊領域では、樹脂の充填時間が長くなる傾向がある。従って、樹脂の充填時間は、特殊領域での樹脂の充填時間を基準として決定される。また、特殊領域は、その面積が大きく、必要とする樹脂の量も比較的多いため、基板上に形成される残膜厚(モールドのパターン領域の凸部と基板との間に形成される樹脂の膜厚)が他の領域と比較して均一になりにくい。スループットを向上させるためには、特殊領域において、樹脂の未充填の防止及び残膜厚の均一性を実現しながら、樹脂の充填時間を通常領域と同等にすることが必要である。そこで、モールドのパターン領域、特に、特殊領域に対応する基板上の領域における樹脂の液滴の供給位置を示すマップ(樹脂塗布パターン)を最適化する技術が提案されている(特許文献1及び2参照)。   The pattern area of the mold is generally a normal area in which line and space (high density and fine pattern) that forms the wiring part of the device is formed, and a dummy pattern or alignment mark (pattern with low density and wide area). ) Is formed. Of the pattern areas of the mold, the resin filling time tends to be short in the normal area, and the resin filling time tends to be long in the special area. Accordingly, the resin filling time is determined based on the resin filling time in the special region. Also, since the special area has a large area and requires a relatively large amount of resin, the remaining film thickness formed on the substrate (resin formed between the convex part of the mold pattern area and the substrate) Film thickness) is difficult to be uniform compared to other regions. In order to improve the throughput, it is necessary to make the resin filling time equal to that in the normal region while preventing unfilling of the resin and uniformity of the remaining film thickness in the special region. Therefore, techniques for optimizing a map (resin coating pattern) indicating a resin droplet supply position in a mold pattern region, particularly, a region on a substrate corresponding to a special region have been proposed (Patent Documents 1 and 2). reference).

特許文献1には、モールドのパターンの設計情報に基づいて、モールドのパターン領域を特殊領域と特殊領域以外の領域とに分けて樹脂の液滴の供給位置を示すマップをそれぞれ設定する技術が開示されている。かかる技術では、モールドのパターン領域から、大きな寸法のパターン(大パターン)が形成された領域である特殊領域を予め抽出し、かかる特殊領域に対応する基板上の領域における樹脂の液滴の供給位置を、大パターンから所定の範囲内に設定する。次いで、特殊領域を除いた残りの領域に対応する基板上の領域における樹脂の液滴の供給位置を設定する。   Patent Document 1 discloses a technique for setting a map indicating a resin droplet supply position by dividing a mold pattern area into a special area and an area other than the special area based on design information of the mold pattern. Has been. In such a technique, a special region, which is a region in which a large-sized pattern (large pattern) is formed, is extracted in advance from a mold pattern region, and a resin droplet supply position in a region on the substrate corresponding to the special region. Is set within a predetermined range from the large pattern. Next, a resin droplet supply position in an area on the substrate corresponding to the remaining area excluding the special area is set.

特許文献2には、モールドのパターンの密度及び形状(寸法)に基づいて、モールドのパターン領域を複数の領域に分割し、かかる複数の領域のそれぞれに対応する基板上の領域ごとに供給すべき樹脂の量(供給量)を決定する技術が開示されている。かかる技術では、モールドのパターンの寸法と樹脂の充填時間との関係に基づいて、基板上の領域ごとに樹脂の供給量が決定される。また、決定された樹脂の供給量が所定の時間内にモールドのパターンに充填されるかどうかを判定し、所定の時間内に充填されないと判定された場合には、所定時間内に充填されるように、樹脂の供給量が補正される。   In Patent Document 2, based on the density and shape (dimension) of the mold pattern, the pattern area of the mold should be divided into a plurality of areas and supplied to each area on the substrate corresponding to each of the plurality of areas. A technique for determining the amount (feed amount) of resin is disclosed. In this technique, the amount of resin to be supplied is determined for each region on the substrate based on the relationship between the dimension of the mold pattern and the resin filling time. Further, it is determined whether or not the determined resin supply amount is filled in the mold pattern within a predetermined time. If it is determined that the resin pattern is not filled within the predetermined time, the resin is filled within the predetermined time. As described above, the resin supply amount is corrected.

特開2013−197389号公報JP 2013-197389 A 特許第5289006号公報Japanese Patent No. 5289006

特許文献1では、モールドの特殊領域の直下や近傍に樹脂の液滴を供給することで、特殊領域における樹脂の充填時間を短くすることが可能である。しかしながら、モールドの特殊領域の内部に供給される樹脂の液滴の数が少ない場合には、樹脂の未充填が発生したり、残膜厚が薄くなったりする可能性がある。このように、モールドの特殊領域の直下や近傍に樹脂の液滴を供給するだけでは、充填時間を短くすることはできても、欠陥がなく、残膜厚が均一なパターン(インプリント結果)を得ることは難しい。   In Patent Document 1, it is possible to shorten the resin filling time in the special region by supplying resin droplets directly below or in the vicinity of the special region of the mold. However, when the number of resin droplets supplied to the inside of the special area of the mold is small, there is a possibility that unfilling of the resin occurs or the remaining film thickness becomes thin. In this way, even if the resin droplets are supplied just under or near the special area of the mold, the filling time can be shortened, but there is no defect and the pattern with a uniform residual film thickness (imprint result) Hard to get.

また、特許文献2では、ラインアンドスペースが形成された通常領域、及び、特殊パターンであるコンタクトホールが形成された特殊領域のそれぞれについて、モールドのパターンの寸法と樹脂の充填時間との関係に基づいて、樹脂塗布パターンを生成している。この際、特殊領域では通常領域よりも充填時間が長くなるため、特殊領域への樹脂の供給量を増やすように補正している。しかしながら、特許文献2は、短時間で充填可能な樹脂の供給量を求めることを開示しているだけであって、特殊領域に対して、樹脂の液滴の供給位置を具体的にどのように設定しているのかを開示していない。従って、特許文献2では、モールドのパターンへの樹脂の充填時間を短くすることはできても、樹脂の液滴の配置が考慮されていない領域では、残膜厚が均一にならない可能性がある。このように、特許文献2においても、欠陥がなく、残膜厚が均一なパターンを得ることは難しい。   Further, in Patent Document 2, based on the relationship between the dimension of the mold pattern and the resin filling time for each of the normal region in which the line and space is formed and the special region in which the contact hole which is a special pattern is formed. Thus, a resin coating pattern is generated. At this time, since the filling time is longer in the special area than in the normal area, correction is performed so as to increase the amount of resin supplied to the special area. However, Patent Document 2 only discloses obtaining a supply amount of a resin that can be filled in a short time, and specifically how to supply a resin droplet with respect to a special region. It is not disclosed whether it is set. Therefore, in Patent Document 2, there is a possibility that the remaining film thickness may not be uniform in a region where the arrangement of resin droplets is not taken into consideration even though the resin filling time in the mold pattern can be shortened. . Thus, even in Patent Document 2, it is difficult to obtain a pattern having no defect and a uniform remaining film thickness.

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、インプリント材の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利な樹脂の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法を提供することを例示的目的とする。   The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and is a map showing a resin droplet supply position advantageous in shortening the filling time of the imprint material and realizing the uniformity of the remaining film thickness. It is an exemplary object to provide a generating method for generating.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての生成方法は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法であって、前記モールドのパターン領域のうちの第1寸法の第1パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第1領域における前記インプリント材の液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する第1工程と、前記パターン領域のうちの前記第1寸法よりも大きい寸法の第2パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第2領域における前記インプリント材の液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する第2工程と、前記第1マップと前記第2マップとを合成して前記マップを生成する第3工程と、を有し、前記第3工程は、前記第1マップと前記第2マップとを合成する際に、前記第1マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第1供給位置のうち、前記第1供給位置と当該第1供給位置に隣接する前記第2供給位置との間隔が許容範囲外の前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記間隔が前記許容範囲内に収まるように、前記第1供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする。 To achieve the above object, a method for generating according to one aspect of the present invention is the imprinting of forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, the imprint material in the substrate the droplets A generation method for generating a map showing a supply position of the mold, wherein the imprint material in the first region on the substrate corresponding to a region where the first pattern of the first dimension is formed in the pattern region of the mold A first step of generating a first map indicating a first supply position of the liquid droplets on the substrate corresponding to an area where a second pattern having a dimension larger than the first dimension is formed in the pattern area; the imprint and a second step of generating a second map representing the second supply position of the droplets of the material synthesized by the Ma and the second map and the first map in the second region of the A third step of generating flop, said third step, when synthesizing the second map and the first map, the droplet of the imprint material in the first map the of first supply position, the supply position of the imprint material droplets outside spacing tolerance between the second feed position adjacent to the first supply position and the first supply position, the intervals the allowable An adjustment step of adjusting the first supply position so as to fall within the range is included.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、インプリント材の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利な樹脂の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide a generation method for generating a map showing a supply position of a resin droplet that is advantageous in shortening the filling time of an imprint material and realizing uniformity of a residual film thickness. Can do.

インプリント装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of an imprint apparatus. 生成部の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of a production | generation part. インプリント処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an imprint process. インプリント処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an imprint process. インプリント処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an imprint process. 第1の実施形態におけるマップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the process which produces | generates the map in 1st Embodiment. 供給量分布情報の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of supply amount distribution information. 特殊領域情報の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of special area information. 特殊領域を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a special area | region. 中間マップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of an intermediate map. 特殊マップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a special map. 図10に示す中間マップと、図11に示す特殊マップとを合成して得られるマップを示す図である。It is a figure which shows the map obtained by synthesize | combining the intermediate map shown in FIG. 10, and the special map shown in FIG. 最終的なマップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a final map. 図6に示すS203からS205までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。7 is a flowchart for explaining in detail processing from S203 to S205 shown in FIG. 6. 図10に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of intermediate map shown in FIG. 図11に示す特殊マップの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of special map shown in FIG. 図15に示す中間マップと図16に示す特殊マップとを合成した合成マップを示す図である。It is a figure which shows the synthetic | combination map which synthesize | combined the intermediate | middle map shown in FIG. 15, and the special map shown in FIG. 最終的なマップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a final map. 第2の実施形態におけるマップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the process which produces | generates the map in 2nd Embodiment. 中間マップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of an intermediate map. 参照マップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a reference map. 最終的なマップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a final map. 図19に示すS403からS405までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。20 is a flowchart for explaining in detail processing from S403 to S405 shown in FIG. 図20に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of intermediate map shown in FIG. 図21に示す特殊マップの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of special map shown in FIG. 図20に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of intermediate map shown in FIG. 最終的なマップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a final map. ディスペンサから吐出された樹脂の基板上での拡がりの状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the expansion on the board | substrate of the resin discharged from the dispenser. 樹脂の液滴の体積量と液滴の拡がり時間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the volume amount of the droplet of resin, and the spreading time of a droplet. 第3の実施形態におけるマップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the process which produces | generates the map in 3rd Embodiment. 特殊マップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a special map.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、インプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、基板上のインプリント材をモールドで成形するインプリント処理を行う。インプリント装置100は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離す(離型する)ことで基板上にパターンを形成する。本実施形態では、インプリント材として、樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。但し、本発明は、樹脂硬化法を限定するものではなく、熱によって樹脂を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of the imprint apparatus 100. The imprint apparatus 100 is a lithographic apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device or the like. The imprint apparatus 100 performs an imprint process for forming an imprint material on a substrate with a mold. The imprint apparatus 100 cures the imprint material while the imprint material on the substrate is in contact with the mold, and forms a pattern on the substrate by separating the mold from the cured imprint material. To do. In the present embodiment, a resin is used as the imprint material, and a photocuring method in which the resin is cured by irradiation with ultraviolet rays is employed as the resin curing method. However, the present invention does not limit the resin curing method, and may employ a thermosetting method in which the resin is cured by heat.

インプリント装置100は、モールド101を保持するヘッド102と、照射部103と、基板104を保持するステージ105と、ディスペンサ110と、樹脂供給部111と、制御部130と、格納部131と、生成部132とを有する。   The imprint apparatus 100 includes a head 102 that holds a mold 101, an irradiation unit 103, a stage 105 that holds a substrate 104, a dispenser 110, a resin supply unit 111, a control unit 130, a storage unit 131, and a generation unit. Part 132.

モールド101は、基板104に対向する面に、基板104に供給された樹脂120に転写すべきパターンが形成されたパターン領域101aを有する。モールド101は、例えば、矩形の外形形状を有する。モールド101は、基板上の樹脂120を硬化させるための紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。   The mold 101 has a pattern region 101 a in which a pattern to be transferred to the resin 120 supplied to the substrate 104 is formed on the surface facing the substrate 104. The mold 101 has, for example, a rectangular outer shape. The mold 101 is made of a material that transmits ultraviolet light for curing the resin 120 on the substrate, such as quartz.

ヘッド102は、モールド101を真空吸引力又は静電気力によって保持(固定)する。ヘッド102は、モールド101をz軸方向に駆動する(移動させる)駆動機構を含む。ヘッド102は、基板上に供給された未硬化の樹脂120にモールド101を押印する機能、及び、基板上の硬化した樹脂120からモールド101を引き離す機能を有する。   The head 102 holds (fixes) the mold 101 by vacuum suction or electrostatic force. The head 102 includes a drive mechanism that drives (moves) the mold 101 in the z-axis direction. The head 102 has a function of impressing the mold 101 on the uncured resin 120 supplied onto the substrate and a function of pulling the mold 101 away from the cured resin 120 on the substrate.

照射部103は、基板上の樹脂120を硬化させる機能を有する。照射部103は、例えば、ハロゲンランプやLDEなどを含み、モールド101を介して、基板上の樹脂120に紫外線を照射する。   The irradiation unit 103 has a function of curing the resin 120 on the substrate. The irradiation unit 103 includes, for example, a halogen lamp or LDE, and irradiates the resin 120 on the substrate with ultraviolet rays via the mold 101.

基板104は、モールド101のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板などを含む。   The substrate 104 is a substrate onto which the pattern of the mold 101 is transferred, and includes, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (Silicon on Insulator) substrate.

ステージ105は、基板104を保持する基板チャックと、モールド101と基板104との位置合わせ(アライメント)を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、x軸方向及びy軸方向に基板104を駆動する(移動させる)。また、かかる駆動機構は、x軸方向及びy軸方向だけではなく、z軸方向及びθ(z軸周りの回転)方向に基板104を駆動する機能や基板104の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。   The stage 105 includes a substrate chuck that holds the substrate 104 and a drive mechanism for performing alignment (alignment) between the mold 101 and the substrate 104. Such a drive mechanism includes, for example, a coarse drive system and a fine drive system, and drives (moves) the substrate 104 in the x-axis direction and the y-axis direction. In addition, the driving mechanism has a function of driving the substrate 104 not only in the x-axis direction and the y-axis direction but also in the z-axis direction and θ (rotation around the z-axis) direction and a tilt function for correcting the tilt of the substrate 104. May be provided.

樹脂供給部111は、未硬化の樹脂120を保管するタンクを含む。樹脂供給部111は、供給管を介して、ディスペンサ110に対して未硬化の樹脂120を供給する。   The resin supply unit 111 includes a tank that stores the uncured resin 120. The resin supply unit 111 supplies uncured resin 120 to the dispenser 110 via a supply pipe.

ディスペンサ110は、例えば、基板104に対して樹脂120の液滴を吐出する複数のノズルを含み、基板上に樹脂120を供給(塗布)する。ディスペンサ110における樹脂120の供給量の単位は「滴」であり、樹脂120の1滴あたりの量は、数ピコリットルである。また、ディスペンサ110から樹脂120を滴下可能な基板上の位置は、数μmごとと決まっている。   For example, the dispenser 110 includes a plurality of nozzles that discharge droplets of the resin 120 to the substrate 104 and supplies (applies) the resin 120 onto the substrate. The unit of the supply amount of the resin 120 in the dispenser 110 is “droplet”, and the amount per drop of the resin 120 is several picoliters. The position on the substrate where the resin 120 can be dropped from the dispenser 110 is determined every several μm.

樹脂供給部111からディスペンサ110に樹脂120を供給しながらステージ105を駆動(スキャン駆動又はステップ駆動)させるとともに、ディスペンサ110から樹脂120の液滴を吐出することで、基板上に樹脂120の液滴の配列が形成される。   While supplying the resin 120 from the resin supply unit 111 to the dispenser 110, the stage 105 is driven (scan driving or step driving), and the droplet of the resin 120 is discharged from the dispenser 110, whereby the droplet of the resin 120 is applied onto the substrate. Is formed.

制御部130は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体(動作)を制御する。制御部130は、インプリント装置100の各部を制御して、インプリント処理を行う。また、制御部130は、生成部132を制御してインプリント処理に使用するマップを生成し、かかるマップを格納部131に格納する。ここで、マップとは、樹脂120の液滴の基板上における供給位置を示すものであって、樹脂塗布パターン、インプリントレシピ、ドロップレシピなどとも呼ばれる。   The control unit 130 includes a CPU, a memory, and the like, and controls the entire (operation) of the imprint apparatus 100. The control unit 130 controls each unit of the imprint apparatus 100 to perform imprint processing. Further, the control unit 130 controls the generation unit 132 to generate a map used for imprint processing, and stores the map in the storage unit 131. Here, the map indicates a supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate, and is also called a resin application pattern, an imprint recipe, a drop recipe, or the like.

図2は、マップを生成する生成部132の構成を示す概略図である。生成部132は、マップを処理する処理部を備えた情報処理装置で構成され、設計情報設定部150と、パラメータ設定部151と、抽出部152と、液滴数算出部153と、決定部154と、出力部155とを含む。   FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of the generation unit 132 that generates a map. The generation unit 132 includes an information processing apparatus including a processing unit that processes a map, and includes a design information setting unit 150, a parameter setting unit 151, an extraction unit 152, a droplet number calculation unit 153, and a determination unit 154. And an output unit 155.

設計情報設定部150は、モールド101に形成されているパターンの設計情報を設定(入力)する。パラメータ設定部151は、モールド101(パターン領域101a)の面積やパターン部の凹凸形状の深さ、残膜厚(RLT)などの設定情報、樹脂120の拡がりに関する情報を設定(入力)する。また、パラメータ設定部151は、モールド101のパターンの凹部への樹脂120の充填時間、基板上で必要な樹脂120の液滴の間隔などの制約条件を設定する。   The design information setting unit 150 sets (inputs) the design information of the pattern formed on the mold 101. The parameter setting unit 151 sets (inputs) setting information such as the area of the mold 101 (pattern region 101a), the depth of the uneven shape of the pattern unit, the remaining film thickness (RLT), and the spread of the resin 120. Further, the parameter setting unit 151 sets constraints such as the filling time of the resin 120 into the concave portions of the pattern of the mold 101 and the interval between the droplets of the resin 120 necessary on the substrate.

抽出部152は、設計情報設定部150で設定された設計情報に基づいて、モールド101のパターン領域101aから特殊領域を抽出し、本実施形態では、特殊領域の位置、サイズ及び形状を特殊領域情報として抽出する。特殊領域とは、ダミーパターンやアライメントマークなどの大きな寸法のパターンやパターン周囲長が長いパターンが形成された領域であって、樹脂120の充填に長い時間を必要とする領域である。   The extraction unit 152 extracts a special region from the pattern region 101a of the mold 101 based on the design information set by the design information setting unit 150. In this embodiment, the extraction unit 152 determines the position, size, and shape of the special region. Extract as The special region is a region where a pattern with a large size such as a dummy pattern or an alignment mark or a pattern with a long pattern peripheral length is formed, and is a region that requires a long time to fill the resin 120.

液滴数算出部153は、インプリント処理を行う基板上のインプリント領域に供給すべき樹脂120の供給量、即ち、樹脂120の液滴数を算出する。液滴数算出部153は、例えば、設計情報設定部150で設定された設計情報、抽出部152で抽出された特殊領域情報、モールド101の面積や凹凸深さ、残膜厚、ディスペンサ110からの樹脂120の液滴の体積などに基づいて、液滴数を算出する。   The droplet number calculation unit 153 calculates the supply amount of the resin 120 to be supplied to the imprint region on the substrate on which the imprint process is performed, that is, the number of droplets of the resin 120. The droplet number calculation unit 153 includes, for example, the design information set by the design information setting unit 150, the special region information extracted by the extraction unit 152, the area and unevenness depth of the mold 101, the remaining film thickness, The number of droplets is calculated based on the volume of the droplets of the resin 120 and the like.

決定部154は、基板上における樹脂120の液滴の配列、即ち、樹脂120の液滴の供給位置を決定する。決定部154は、例えば、設計情報設定部150で設定された設計情報、抽出部152で抽出された特殊領域情報、液滴数算出部153で算出された樹脂120の液滴数、及び、パラメータ設定部151で設定された制約情報に基づいて、供給位置を決定する。   The determination unit 154 determines the arrangement of the droplets of the resin 120 on the substrate, that is, the supply position of the droplets of the resin 120. The determination unit 154 includes, for example, design information set by the design information setting unit 150, special region information extracted by the extraction unit 152, the number of droplets of the resin 120 calculated by the droplet number calculation unit 153, and parameters Based on the constraint information set by the setting unit 151, the supply position is determined.

出力部155は、決定部154で決定された基板上における樹脂120の液滴の供給位置に基づいて、指摘された形式でマップを出力する。出力部155で出力されたマップは、格納部131に格納される。   The output unit 155 outputs a map in the indicated format based on the supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate determined by the determination unit 154. The map output by the output unit 155 is stored in the storage unit 131.

インプリント装置100では、生成部132で生成され、格納部131に格納されたマップをディスペンサ110に設定し、かかるマップに従って、ディスペンサ110における各ノズルの液滴の吐出を制御する。   In the imprint apparatus 100, a map generated by the generation unit 132 and stored in the storage unit 131 is set in the dispenser 110, and ejection of droplets of each nozzle in the dispenser 110 is controlled according to the map.

インプリント装置100におけるインプリント処理について詳細に説明する。図3は、インプリント装置100におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。インプリント処理は、上述したように、制御部130がインプリント装置100の各部を統括的に制御することで行われる。   The imprint process in the imprint apparatus 100 will be described in detail. FIG. 3 is a flowchart for explaining imprint processing in the imprint apparatus 100. As described above, the imprint process is performed by the control unit 130 controlling the respective units of the imprint apparatus 100 in an integrated manner.

S100では、基板104に形成すべきパターンを形成可能なモールド101をインプリント装置100に搬入し、かかるモールド101をヘッド102に保持させる。モールド101は、例えば、フォトマスクに用いる透明な石英基板に、設計情報に対応する凹凸のパターンが形成されたものである。モールド101には、一般的に、そのパターンを識別するためのIDが設定されている。   In S <b> 100, a mold 101 capable of forming a pattern to be formed on the substrate 104 is carried into the imprint apparatus 100, and the mold 101 is held by the head 102. For example, the mold 101 is formed by forming an uneven pattern corresponding to design information on a transparent quartz substrate used for a photomask. The mold 101 is generally set with an ID for identifying the pattern.

S101では、ヘッド102に保持されたモールド101のIDを読み取り、かかるIDに基づいて、モールド101のパターン情報、具体的には、パターンの配置、線幅及び密度、或いは、パターンの形状の計測結果などを取得する。   In S101, the ID of the mold 101 held by the head 102 is read, and the pattern information of the mold 101, specifically, the pattern arrangement, line width and density, or pattern shape measurement result based on the ID. Get etc.

S102では、インプリント装置100に搭載されたディスペンサ110に関するディスペンサ情報を取得する。ここで、ディスペンサ情報は、例えば、ディスペンサ110の種類及びノズル数、吐出性能である平均吐出量、ノズルごとの吐出量のばらつき、基板上での着弾位置のばらつきなどを含む。ディスペンサ110には、一般には、そのディスペンサ情報を識別するためのIDが設定されているため、かかるIDを読み取ることで、インプリント装置100に搭載されたディスペンサ110に関するディスペンサ情報を取得することができる。   In S102, dispenser information related to the dispenser 110 mounted on the imprint apparatus 100 is acquired. Here, the dispenser information includes, for example, the type and the number of nozzles of the dispenser 110, the average discharge amount that is discharge performance, the discharge amount variation for each nozzle, the landing position variation on the substrate, and the like. Since the dispenser 110 is generally set with an ID for identifying the dispenser information, the dispenser information related to the dispenser 110 mounted on the imprint apparatus 100 can be acquired by reading the ID. .

S103では、基板104をインプリント装置100に搬入し、図4(a)に示すように、かかる基板104をステージ105に保持させる。   In step S103, the substrate 104 is carried into the imprint apparatus 100, and the substrate 104 is held on the stage 105 as shown in FIG.

S104では、S101で取得したモールド101のパターン情報と、S102で取得したディスペンサ110のディスペンサ情報とに基づいて、格納部131に格納されたマップから最適なマップを選択し、かかるマップをディスペンサ110に設定する。上述したように、マップは、樹脂120の液滴の基板上における供給位置を示すものである。マップは、モールド101のパターンの配置、線幅及び密度などのパターン情報に基づいて生成される。マップは、目標とする充填時間に対して、欠陥や残膜厚の異常のないインプリント処理が可能なように最適化されている。   In S104, based on the pattern information of the mold 101 acquired in S101 and the dispenser information of the dispenser 110 acquired in S102, an optimal map is selected from the maps stored in the storage unit 131, and the map is stored in the dispenser 110. Set. As described above, the map indicates the supply position of the droplet of the resin 120 on the substrate. The map is generated based on pattern information such as the pattern arrangement, line width, and density of the mold 101. The map is optimized so that imprint processing can be performed with respect to the target filling time without any defect or abnormality in the remaining film thickness.

S105では、基板のショット領域のうち、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定する。ここで、ショット領域とは、1回のインプリント処理でパターンが形成される領域を意味するものとする。また、対象ショット領域とは、これからインプリント処理を行うショット領域を意味するものとする。本実施形態では、例えば、図4(b)に示すように、基板104において連続するショット領域S1、S2、S3、S4、・・・の順にインプリント処理を行う。但し、インプリント処理の順序は、図4(b)に示すようなものに限定されるものではなく、千鳥格子順であってもよいし、ランダムであってもよい。   In S105, a shot area that has not been subjected to imprint processing among the shot areas of the substrate is designated as a target shot area. Here, the shot area means an area where a pattern is formed by one imprint process. Further, the target shot area means a shot area where imprint processing will be performed from now on. In this embodiment, for example, as shown in FIG. 4B, imprint processing is performed in the order of shot areas S1, S2, S3, S4,. However, the order of the imprint processing is not limited to the order shown in FIG. 4B, and may be a houndstooth order or a random order.

S106では、ディスペンサ110によって、基板上に樹脂120を供給する。この際、ディスペンサ110は、図4(c)に示すように、S104で設定されたマップに従って、ステージ105の移動に応じて基板上に樹脂120の液滴を順次吐出する。また、ディスペンサ110が基板104に対して移動しながら樹脂120の液滴を基板上に吐出してもよい。   In S <b> 106, the dispenser 110 supplies the resin 120 onto the substrate. At this time, as shown in FIG. 4C, the dispenser 110 sequentially discharges the droplets of the resin 120 on the substrate according to the movement of the stage 105 according to the map set in S104. Alternatively, the droplets of the resin 120 may be discharged onto the substrate while the dispenser 110 moves relative to the substrate 104.

S107では、押印処理を行う。具体的には、まず、図5(a)に示すように、樹脂120が供給された基板104に対して、モールド101を近接させる。次いで、図5(b)に示すように、モールド101と基板104との位置合わせを行いながら、モールド101と基板上の樹脂120とを接触させる。そして、モールド101のパターンに樹脂120が充填されるまで、かかる状態を維持する。モールド101と基板上の樹脂120とを接触させた初期段階では、モールド101のパターンへの樹脂120の充填が不十分であるため、パターンの隅に充填欠陥を生じている。但し、時間が経過していくにつれて、モールド101のパターンの隅々まで樹脂120が充填され、充填欠陥が減少する。充填時間は、ラインアンドスペースなどのような微細なパターンほど短く、ダミーパターンやアライメントマークなどのような特殊なパターンほど長くなる。   In S107, a stamping process is performed. Specifically, first, as shown in FIG. 5A, the mold 101 is brought close to the substrate 104 to which the resin 120 is supplied. Next, as shown in FIG. 5B, the mold 101 and the resin 120 on the substrate are brought into contact with each other while aligning the mold 101 and the substrate 104. Then, this state is maintained until the pattern of the mold 101 is filled with the resin 120. At the initial stage when the mold 101 and the resin 120 on the substrate are brought into contact with each other, the resin 120 is insufficiently filled into the pattern of the mold 101, and thus a filling defect is generated at the corner of the pattern. However, as time passes, the resin 120 is filled into every corner of the pattern of the mold 101, and the filling defects are reduced. The filling time is shorter for fine patterns such as line and space, and is longer for special patterns such as dummy patterns and alignment marks.

S108では、硬化処理を行う。具体的には、モールド101のパターンに樹脂120を十分充填させた後、図5(c)に示すように、照射部103によって、モールド101の裏面から樹脂120に紫外線を所定時間照射して、基板上の樹脂120を硬化させる。   In S108, a curing process is performed. Specifically, after sufficiently filling the pattern of the mold 101 with the resin 120, as shown in FIG. 5C, the irradiation unit 103 irradiates the resin 120 with ultraviolet rays from the back surface of the mold 101 for a predetermined time, The resin 120 on the substrate is cured.

S109では、離型処理を行う。具体的には、図5(d)に示すように、モールド101と基板104との間隔を広げることで、基板上の硬化した樹脂120からモールド101を引き離す。これにより、基板上にモールド101のパターンに対応する樹脂パターン121が形成される。   In S109, a mold release process is performed. Specifically, as shown in FIG. 5D, the mold 101 is separated from the cured resin 120 on the substrate by widening the interval between the mold 101 and the substrate 104. Thereby, the resin pattern 121 corresponding to the pattern of the mold 101 is formed on the substrate.

S110では、基板104の全てのショット領域にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板104の全てのショット領域にインプリント処理を行っていない場合には、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定するために、S105に移行する。S105からS110までの処理を繰り返すことで、基板104の全てのショット領域に樹脂パターン121が形成される。一方、基板104の全てのショット領域にインプリント処理を行った場合には、S111に移行する。   In S110, it is determined whether imprint processing has been performed on all shot regions of the substrate 104. If the imprint process has not been performed on all the shot areas of the substrate 104, the process proceeds to S105 in order to designate a shot area on which the imprint process has not been performed as the target shot area. By repeating the processing from S105 to S110, the resin pattern 121 is formed in all shot regions of the substrate 104. On the other hand, when the imprint process has been performed on all shot areas of the substrate 104, the process proceeds to S111.

S111では、全てのショット領域にインプリント処理が行われた基板104を、インプリント装置100から搬出する。インプリント装置100から搬出された基板104は、樹脂パターン121をマスクとして下層側が加工(例えば、エッチング)される。半導体デバイスを製造する際には、これらの処理がプロセスのレイヤごとに繰り返される。   In step S <b> 111, the substrate 104 that has been subjected to the imprint process on all shot areas is unloaded from the imprint apparatus 100. The lower layer side of the substrate 104 carried out from the imprint apparatus 100 is processed (for example, etched) using the resin pattern 121 as a mask. When manufacturing a semiconductor device, these processes are repeated for each layer of the process.

以下、各実施形態において、樹脂120の液滴の基板上における供給位置や供給量を示すマップを生成する処理(生成方法)について詳細に説明する。   Hereinafter, in each embodiment, a process (generation method) for generating a map indicating the supply position and supply amount of the droplets of the resin 120 on the substrate will be described in detail.

<第1の実施形態>
第1の実施形態では、モールド101のパターン情報に基づいて、マップを生成する処理について説明する。図6は、マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
<First Embodiment>
In the first embodiment, a process of generating a map based on the pattern information of the mold 101 will be described. FIG. 6 is a flowchart for explaining a process of generating a map.

S200では、モールド101のパターンの設計情報から基板上の各領域に必要な樹脂120の供給量(塗布量)を算出した供給量分布を取得する。供給量分布は、モールド101の通常領域(例えば、ラインアンドスペースが主に形成された領域)及び特殊領域(例えば、ダミーパターンやアライメントマークが主に形成された領域)におけるパターン(凹凸)の位置、形状及び深さなどに基づいて算出される。   In S200, a supply amount distribution obtained by calculating the supply amount (application amount) of the resin 120 necessary for each region on the substrate from the pattern design information of the mold 101 is acquired. The supply amount distribution is the position of the pattern (unevenness) in the normal region (for example, a region in which line and space is mainly formed) and a special region (for example, a region in which dummy patterns and alignment marks are mainly formed). , Based on the shape and depth.

本実施形態では、供給量分布情報として、図7に示すように、基板上における樹脂120の供給量分布を濃淡の多値情報に変換した画像データを用いる。図7を参照するに、領域301a乃至301cは、モールド101の通常領域及び特殊領域おけるパターンの位置、形状及び深さなどに基づいて算出された濃淡を示している。領域301aは、パターンの深さが深く、樹脂120の必要体積が大きい領域を示している。領域301bは、パターンの深さが浅く、樹脂120の必要体積が領域301aよりも小さい領域を示している。領域301cは、パターンがなく、樹脂120の必要体積が領域301bよりも小さい領域を示している。   In the present embodiment, as the supply amount distribution information, as shown in FIG. 7, image data obtained by converting the supply amount distribution of the resin 120 on the substrate into light and shade multi-value information is used. Referring to FIG. 7, regions 301 a to 301 c indicate shades calculated based on the pattern position, shape, depth, and the like in the normal region and special region of the mold 101. A region 301a indicates a region where the pattern is deep and the required volume of the resin 120 is large. The region 301b indicates a region where the pattern depth is shallow and the required volume of the resin 120 is smaller than the region 301a. The region 301c has no pattern and indicates a region where the required volume of the resin 120 is smaller than that of the region 301b.

S201では、モールド101のパターンの設計情報に基づいて、モールド101のパターン領域101aから特殊領域を抽出する。本実施形態では、モールド101の特殊領域の位置、サイズ及び形状を特殊領域情報として抽出する。図8は、特殊領域情報の一例を示す図である。図8を参照するに、領域302a及び302bは、モールド101のパターン領域101aにおける特殊領域の位置、形状及び深さなどに基づいて算出された濃淡を示している。領域302aは、パターンの面積が広く、パターンの深さが浅く、樹脂120の必要体積が小さい領域を示し、領域302bは、パターンの面積が広く、パターンの深さが深く、樹脂120の必要体積が領域302aよりも大きい領域を示している。具体的には、モールド101のパターン領域101aから、寸法が予め設定された基準寸法よりも大きい寸法の特殊パターンが形成された特殊領域を抽出して、濃淡の多値情報に変換する。   In S <b> 201, a special area is extracted from the pattern area 101 a of the mold 101 based on the pattern design information of the mold 101. In the present embodiment, the position, size, and shape of the special area of the mold 101 are extracted as special area information. FIG. 8 is a diagram illustrating an example of the special area information. Referring to FIG. 8, areas 302 a and 302 b indicate shades calculated based on the position, shape, depth, and the like of the special area in the pattern area 101 a of the mold 101. The region 302a indicates a region where the pattern area is large, the pattern depth is shallow, and the required volume of the resin 120 is small, and the region 302b indicates that the pattern area is large, the pattern depth is deep, and the required volume of the resin 120 Indicates an area larger than the area 302a. Specifically, a special area in which a special pattern having a dimension larger than a preset reference dimension is extracted from the pattern area 101a of the mold 101, and is converted into light and shade multi-value information.

本実施形態では、モールド101のパターンの寸法は、パターン面積(領域の面積)とパターン周囲長(領域の周囲の長さ)とを用いて算出され、以下の式(1)に示すように、パターン面積をパターン周囲長で除算したものとしている。
パターンの寸法=(パターン面積)/(パターン周囲長) ・・・(1)
図9(a)及び図9(b)のそれぞれは、図8に示す領域302a及び302bを拡大して示す図である。領域302aには、図9(a)に示すように、インプリント処理が行われた基板104に形成された残膜厚を計測するための計測パターンが形成されている。領域302aは、1辺の長さがL1の正方形形状を有している。また、領域302bには、インプリント処理においてモールド101と基板104との位置合わせを行うためのアライメントマークが形成され、かかるアライメントマークは、線幅L3の十字パターンで構成されている。領域302bは、1辺の長さがL2の正方形形状を有している。領域302a及び302bに形成されたパターンは、いずれも、その寸法((パターン面積)/(パターン周囲長))が基準寸法よりも大きくなっている。
In the present embodiment, the dimension of the pattern of the mold 101 is calculated using the pattern area (area of the area) and the pattern peripheral length (perimeter of the area), as shown in the following equation (1): The pattern area is divided by the pattern perimeter.
Pattern dimension = (Pattern area) / (Pattern perimeter) (1)
Each of FIG. 9A and FIG. 9B is an enlarged view of regions 302a and 302b shown in FIG. As shown in FIG. 9A, a measurement pattern for measuring the remaining film thickness formed on the substrate 104 on which the imprint process has been performed is formed in the region 302a. The region 302a has a square shape with one side length L1. In the region 302b, an alignment mark for aligning the mold 101 and the substrate 104 in the imprint process is formed, and the alignment mark is configured by a cross pattern having a line width L3. The region 302b has a square shape whose one side is L2. Each of the patterns formed in the regions 302a and 302b has a dimension ((pattern area) / (pattern peripheral length)) larger than the reference dimension.

S202では、S200で取得された供給量分布情報、S201で抽出された特殊領域情報、及び、ディスペンサ110から吐出される樹脂120の液滴のサイズに基づいて、基板上のインプリント領域内に必要な樹脂120の液滴数を算出する。ここで、インプリント領域は、1回のインプリント処理でパターンが形成される領域、即ち、1つのショット領域に相当する。   In S202, it is necessary in the imprint area on the substrate based on the supply amount distribution information acquired in S200, the special area information extracted in S201, and the size of the droplet of the resin 120 discharged from the dispenser 110. The number of droplets of resin 120 is calculated. Here, the imprint area corresponds to an area where a pattern is formed by one imprint process, that is, one shot area.

S203では、供給量分布情報及び特殊領域情報に基づいて、モールド101のパターン領域101aのうちの通常領域に対応する基板上の第1領域に供給する樹脂120の液滴の位置を決定して中間マップを生成する。換言すれば、中間マップとして、ラインアンドスペースなどの第1寸法の第1パターンが形成された通常領域に対応する基板上の第1領域における液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する。   In step S203, based on the supply amount distribution information and the special region information, the position of the droplet of the resin 120 supplied to the first region on the substrate corresponding to the normal region of the pattern region 101a of the mold 101 is determined to be intermediate. Generate a map. In other words, a first map indicating the first supply position of the droplet in the first region on the substrate corresponding to the normal region where the first pattern of the first dimension such as line and space is formed is generated as the intermediate map. To do.

具体的には、まず、S200で取得した供給量分布情報から、S201で抽出した特殊領域情報を除いて多値分布データを生成する。供給量分布情報から特殊領域情報を除いた多値分布データを生成することで、モールド101の特殊領域に対応する基板上の第2領域に供給することになる樹脂120の液滴数と等しい数がS202で算出した液滴数から除かれることになる。次いで、かかる多値分布データをハーフトーン処理によって2値化して、ディスペンサ110における樹脂120の液滴の吐出及び非吐出を指定する情報に変換することで中間マップを生成する。ハーフトーン処理としては、公知技術である誤差拡散法を用いることができる。図10は、S203で生成された中間マップの一例を示す図である。図10では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点304aで示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点304bで示している。   Specifically, first, multi-value distribution data is generated by removing the special area information extracted in S201 from the supply amount distribution information acquired in S200. A number equal to the number of droplets of the resin 120 to be supplied to the second region on the substrate corresponding to the special region of the mold 101 by generating multi-value distribution data excluding the special region information from the supply amount distribution information. Is removed from the number of droplets calculated in S202. Next, the multi-value distribution data is binarized by halftone processing, and converted into information designating ejection and non-ejection of the droplets of the resin 120 in the dispenser 110, thereby generating an intermediate map. As the halftone process, a known error diffusion method can be used. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of the intermediate map generated in S203. In FIG. 10, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a black dot 304a, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a white point 304b. Is shown.

S204では、特殊領域情報及び特殊領域における制約を設定した制約条件に基づいて、モールド101のパターン領域101aのうちの特殊領域に対応する基板上の第2領域に供給する樹脂120の液滴の位置を決定して特殊マップを生成する。換言すれば、特殊マップとして、ダミーパターンなどの第1寸法よりも大きい第2寸法の第2パターンが形成された特殊領域に対応する基板上の第2領域における液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する。   In S204, the position of the droplet of the resin 120 supplied to the second region on the substrate corresponding to the special region of the pattern region 101a of the mold 101 based on the special region information and the restriction condition in which the special region is set. To generate a special map. In other words, as the special map, the second supply position of the droplet in the second region on the substrate corresponding to the special region in which the second pattern having the second dimension larger than the first dimension such as the dummy pattern is formed is shown. A second map is generated.

具体的には、特殊領域情報及び制約条件に基づいて、各特殊領域で中心となる位置(中心位置)の直下、即ち、かかる中心位置に対応する基板上の位置に樹脂120の液滴の供給位置を設定する。ここで、特殊領域の中心位置が樹脂120の液滴の配置(供給位置)を許容する位置と一致しない場合には、液滴の配置を許容する位置で中心位置に最も近い位置を液滴の供給位置として設定する。本実施形態では、特殊領域の中心位置を液滴の供給位置として設定しているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊領域の重心位置や特殊領域におけるパターンの深さが最も深い位置を液滴の供給位置として設定してもよい。図11は、S204で生成された特殊マップの一例を示す図である。図11では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点305aで示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点305bで示している。   Specifically, based on the special area information and the constraint conditions, the droplets of the resin 120 are supplied to a position immediately below the center position (center position) in each special area, that is, a position on the substrate corresponding to the center position. Set the position. Here, when the center position of the special region does not coincide with the position where the placement (supply position) of the resin 120 is permitted, the position closest to the center position at the position where the placement of the droplet is allowed is set. Set as supply position. In the present embodiment, the center position of the special region is set as the droplet supply position, but the present invention is not limited to this. For example, the position of the center of gravity of the special area or the position where the depth of the pattern in the special area is the deepest may be set as the droplet supply position. FIG. 11 is a diagram illustrating an example of the special map generated in S204. In FIG. 11, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a black dot 305a, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a white point 305b. Is shown.

S205では、S203で生成された中間マップ、S204で生成された特殊マップ、及び、基板上における樹脂120の液滴の配置制約として設定された液滴の間隔に基づいて、最終的なマップを生成する。換言すれば、中間マップと特殊マップとを合成して最終的なマップを生成する。   In S205, a final map is generated based on the intermediate map generated in S203, the special map generated in S204, and the interval of droplets set as the arrangement constraint of the droplets of the resin 120 on the substrate. To do. In other words, the final map is generated by combining the intermediate map and the special map.

具体的には、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を追加し、必要に応じて、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整する。特に、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置と中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置との間隔が、制約条件として設定した間隔に近づくように、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整する。例えば、特殊マップにおける樹脂120の液滴のある供給位置と、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置とが近接している場合、そのままインプリント処理を行うと、その領域での残膜厚が設定値よりも厚くなってしまう。従って、制約条件として設定した間隔に近づくように、基板上における樹脂120の液滴の供給位置を調整(変更)することが必要となる。これは、モールド101の特殊領域に対応する基板上の第2領域においては、樹脂120の液滴の供給位置と供給量との双方を最適化することを意味する。モールド101のパターンへの樹脂120の充填時間と基板上における樹脂120の液滴の間隔との関係については、実験などによって予め求めて制約条件として設定する。本実施形態では、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置と中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置との間隔を調整しているが、これに限定されるものではなく、充填時間を短くするための条件であれば適用可能である。   More specifically, the resin 120 droplet supply position in the special map is added to the resin 120 droplet supply position in the intermediate map, and the resin 120 droplet supply position in the intermediate map is set as necessary. adjust. In particular, the droplets of the resin 120 in the intermediate map are arranged so that the interval between the droplet 120 supply position in the special map and the resin 120 droplet supply position in the intermediate map approaches the interval set as the constraint condition. Adjust the supply position. For example, if the supply position of the droplets of the resin 120 in the special map and the supply position of the droplets of the resin 120 in the intermediate map are close to each other, if the imprint process is performed as it is, the remaining film thickness in that region Becomes thicker than the set value. Therefore, it is necessary to adjust (change) the supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate so as to approach the interval set as the constraint condition. This means that in the second region on the substrate corresponding to the special region of the mold 101, both the supply position and supply amount of the droplets of the resin 120 are optimized. The relationship between the filling time of the resin 120 into the pattern of the mold 101 and the interval between the droplets of the resin 120 on the substrate is obtained in advance through experiments or the like and set as a constraint condition. In the present embodiment, the interval between the supply position of the droplets of the resin 120 in the special map and the supply position of the droplets of the resin 120 in the intermediate map is adjusted. However, the present invention is not limited to this. Any condition for shortening can be applied.

図12は、図10に示す中間マップと、図11に示す特殊マップとを合成して得られるマップを示す図である。図12を参照するに、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に対応する点304aに、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に対応する点305aが追加されている。図13は、最終的なマップの一例を示す図である。図13では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点306aで示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点306bで示している。図13を参照するに、図12と比較して、樹脂120の液滴の供給位置が近接している部分では、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置305aから離れるように、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置304aが調整されている。また、樹脂120の液滴の供給位置が離れている部分では、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置305aに近づくように、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置304aが調整されている。   12 is a diagram showing a map obtained by combining the intermediate map shown in FIG. 10 and the special map shown in FIG. Referring to FIG. 12, a point 305a corresponding to the supply position of the droplet of resin 120 in the special map is added to a point 304a corresponding to the supply position of the droplet of resin 120 in the intermediate map. FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a final map. In FIG. 13, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 droplets on the substrate is indicated by black dots 306a, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 droplets on the substrate is indicated by white dots 306b. Is shown. Referring to FIG. 13, compared with FIG. 12, in the portion where the droplet supply position of the resin 120 is close, in the intermediate map, away from the droplet 120 supply position 305 a in the special map. The droplet supply position 304a of the resin 120 is adjusted. In addition, in the portion where the supply position of the droplet of the resin 120 is remote, the supply position 304a of the droplet of the resin 120 in the intermediate map is adjusted so as to approach the supply position 305a of the droplet of the resin 120 in the special map. Yes.

S206では、S205で生成されたマップ、即ち、樹脂120の液滴の基板上における供給位置を示す最終的なマップを格納部131に格納する。   In S <b> 206, the map generated in S <b> 205, that is, the final map indicating the supply position of the droplet of the resin 120 on the substrate is stored in the storage unit 131.

本実施形態では、マップを生成する処理において、ハーフトーン処理として誤差拡散法を用いているが、これに限定されるものではなく、ディザ法などの他の手法も適用可能である。また、ハーフトーン処理以外の手法でも、基板上の必要な領域に必要量の液滴を配置できる手法であれば適用可能である。例えば、算出された樹脂120の液滴数を、規則的な格子位置に配置する格子パターンなども適用可能である。格子パターン(格子形状)としては、正方格子、長方形格子、三角格子、ひし形格子、六角形格子などの多角形を用いた格子が適用可能である。   In the present embodiment, the error diffusion method is used as the halftone processing in the process of generating the map. However, the present invention is not limited to this, and other methods such as a dither method can be applied. Also, a technique other than the halftone process can be applied as long as it can arrange a necessary amount of droplets in a necessary area on the substrate. For example, a lattice pattern in which the calculated number of droplets of the resin 120 is arranged at a regular lattice position is also applicable. As the lattice pattern (lattice shape), a lattice using a polygon such as a square lattice, a rectangular lattice, a triangular lattice, a rhombus lattice, or a hexagonal lattice is applicable.

また、本実施形態では、マップとして、樹脂120の液滴の吐出及び非吐出を指定する2値情報に変換したデータを用いているが、データの形式を特に限定するものではない。例えば、マップとして、基板上における樹脂120の液滴の供給位置を基板上の相対位置座標で表した数値データを用いることも可能である。また、マップには、基板上における樹脂120の各液滴の量(液滴量)に関する情報を追加することも可能である。   In this embodiment, data converted into binary information designating ejection and non-ejection of droplets of the resin 120 is used as the map, but the data format is not particularly limited. For example, as the map, it is also possible to use numerical data representing the supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate with relative position coordinates on the substrate. In addition, it is possible to add information related to the amount (droplet amount) of each droplet of the resin 120 on the substrate to the map.

本実施形態では、S203において多値分布データを生成する際に、供給量分布情報から特殊領域情報を除いているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊パターンの形状によっては特殊領域に供給する樹脂120の液滴を増加させることで充填時間が短くなる場合もある。このような場合には、供給量分布情報のまま、或いは、特殊領域情報を増やしたデータを用いることも可能である。   In the present embodiment, when the multi-value distribution data is generated in S203, the special region information is excluded from the supply amount distribution information. However, the present invention is not limited to this. For example, depending on the shape of the special pattern, the filling time may be shortened by increasing the droplets of the resin 120 supplied to the special region. In such a case, it is possible to use the supply amount distribution information as it is or data obtained by increasing the special area information.

モールド101のパターンへの充填時間が短くなり、且つ、基板上に形成される残膜厚が均一になるように、モールド101の特殊領域に対応する基板上の第2領域における樹脂120の液滴の供給位置を決定することが効果的である。   The droplet of resin 120 in the second region on the substrate corresponding to the special region of the mold 101 so that the filling time for the pattern of the mold 101 is shortened and the remaining film thickness formed on the substrate is uniform. It is effective to determine the supply position.

ここで、S203からS205までの処理について、具体的な例をあげて詳細に説明する。図14は、S203からS205までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。   Here, the processing from S203 to S205 will be described in detail with a specific example. FIG. 14 is a flowchart for explaining in detail the processing from S203 to S205.

S300では、S203で説明したように、モールド101のパターン領域101aのうちの通常領域に対応する基板上の第1領域における樹脂120の液滴の供給位置を示す中間マップを生成する。図15は、図10に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。図15では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点で示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点で示している。   In S300, as described in S203, an intermediate map indicating the supply position of the droplets of the resin 120 in the first region on the substrate corresponding to the normal region of the pattern region 101a of the mold 101 is generated. FIG. 15 is an enlarged view showing a part of the intermediate map shown in FIG. In FIG. 15, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 droplets on the substrate is indicated by black dots, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 droplets on the substrate is indicated by white dots. ing.

S301では、S204で説明したように、モールド101のパターン領域101aのうちの特殊領域に対応する基板上の第2領域における樹脂120の液滴の供給位置を示す特殊マップを生成する。図16は、図11に示す特殊マップの一部を拡大して示す図である。図16では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点401a、401b及び401cで示し、3箇所の黒点401a乃至401cのうち、黒点401aと黒点401bとが近接して存在している。これは、モールド101のパターン領域101aにおける黒点401a及び401bのそれぞれに対応する特殊パターン同士が近接していることを意味する。モールド101のパターン領域101aにおいて、基板104のショット領域の周辺部や各デバイスを切り離すためにショット領域内に設けられているスクライブライン領域には、複数の特殊パターンが近接していることが一般的に知られている。   In S301, as described in S204, a special map indicating the supply position of the droplet of the resin 120 in the second region on the substrate corresponding to the special region in the pattern region 101a of the mold 101 is generated. FIG. 16 is an enlarged view showing a part of the special map shown in FIG. In FIG. 16, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by black dots 401a, 401b, and 401c, and among the three black spots 401a to 401c, the black spot 401a and the black spot 401b are close. Exist. This means that the special patterns corresponding to the black spots 401a and 401b in the pattern area 101a of the mold 101 are close to each other. In the pattern region 101a of the mold 101, a plurality of special patterns are generally close to the scribe line region provided in the shot region in order to separate the peripheral portion of the shot region of the substrate 104 and each device. Known to.

S302では、中間マップと特殊マップとを合成し、即ち、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を追加して合成マップを生成する。図17(a)は、図15に示す中間マップと図16に示す特殊マップとを合成した合成マップを示す図である。図17(a)では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点で示している。図17(a)を参照するに、図15に示す中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に対して、図16に示す特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置が追加されている。   In S302, the intermediate map and the special map are combined, that is, the combined map is generated by adding the supply position of the droplet of the resin 120 in the special map to the supply position of the droplet of the resin 120 in the intermediate map. FIG. 17A is a diagram showing a composite map obtained by combining the intermediate map shown in FIG. 15 and the special map shown in FIG. In FIG. 17A, the supply position (droplet discharge) of the droplets of the resin 120 on the substrate is indicated by black dots. Referring to FIG. 17A, the resin 120 droplet supply position in the special map shown in FIG. 16 is added to the resin 120 droplet supply position in the intermediate map shown in FIG.

S303では、S302で生成された合成マップにおいて、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整する。まず、中間マップ及び樹脂120の液滴の配置の制約を設定した制約条件に基づいて、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置、即ち、黒点401a乃至401cの近傍に存在する通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を選択する。ここで、制約条件には、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を選択するための条件として、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離を設定する。本実施形態では、かかる距離を500μmに設定し、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離が500μm以内の範囲に存在する通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を選択する。但し、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置のうち、黒点401cに対応する供給位置から500μm以内の範囲には、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置がない。このような場合には、黒点401cに対応する樹脂120の液滴の供給位置から最短距離に存在する(即ち、最も近い)通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を選択するようにすればよい。   In S303, the supply position of the droplets of the resin 120 in the intermediate map is adjusted in the composite map generated in S302. First, based on the constraint conditions that set the constraints on the placement of the droplets of the intermediate map and the resin 120, the supply position of the droplets of the resin 120 corresponding to the special pattern, that is, the normal pattern existing in the vicinity of the black spots 401a to 401c. The supply position of the droplet of the resin 120 corresponding to is selected. Here, as the constraint condition, a distance from the droplet 120 supply position corresponding to the special pattern is set as a condition for selecting the droplet 120 supply position corresponding to the normal pattern. In the present embodiment, the distance is set to 500 μm, and the droplet 120 supply position of the resin 120 corresponding to the normal pattern within a range of 500 μm or less from the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern. Select. However, among the supply positions of the droplets of the resin 120 corresponding to the special pattern, there is no supply position of the droplets of the resin 120 corresponding to the normal pattern in a range within 500 μm from the supply position corresponding to the black spot 401c. In such a case, the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the normal pattern existing at the shortest distance (that is, the closest) from the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the black spot 401c is selected. do it.

図7(b)は、図17(a)に示す合成マップにおいて、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置、即ち、黒点401a乃至401cのそれぞれから500μmの範囲402を示す図である。図7(b)では、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置のうち、供給位置の調整対象として選択された供給位置を、点403a、403b、403c及び403dで示している。点403a、403b及び403cに対応する供給位置は、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置のうち、黒点401a及び401bに対応する供給位置からの距離が500μmの範囲内に存在するため、調整対象として選択されている。一方、点403dに対応する供給位置は、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置のうち、黒点401cに対応する供給位置からの距離が最短であるため、調整対象として選択されている。   FIG. 7B is a diagram showing a droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern, that is, a range 402 of 500 μm from each of the black spots 401a to 401c in the composite map shown in FIG. . In FIG. 7B, among the supply positions of the droplets of the resin 120 corresponding to the normal pattern, supply positions selected as supply position adjustment targets are indicated by points 403a, 403b, 403c, and 403d. The supply positions corresponding to the points 403a, 403b, and 403c are within the range of 500 μm from the supply position corresponding to the black points 401a and 401b among the supply positions of the droplets of the resin 120 corresponding to the special pattern. , Has been selected for adjustment. On the other hand, the supply position corresponding to the point 403d is selected as the adjustment target because the distance from the supply position corresponding to the black point 401c is the shortest among the droplet 120 supply positions corresponding to the special pattern. .

次に、調整対象として選択された樹脂120の液滴の供給位置を、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を考慮しながら調整する(移動させる)。本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置、即ち、3つの黒点401a乃至401cのそれぞれに斥力又は引力を働かせて、調整対象として選択された通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を決定する。ここで、別の制約条件として、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。本実施形態では、かかる間隔を300μmに設定している。そして、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離が300μmの範囲内に、調整対象として選択された通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置が存在する場合には、斥力を働かせる。特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離が300μmの範囲内の液滴の供給位置に働かせる力を斥力とする理由を説明する。例えば、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴のある供給位置と通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置とが近接している場合、そのままインプリント処理を行うと、基板上に形成される残膜厚が設定値よりも厚くなってしまう。これは、モールド101の特殊領域において、樹脂120の液滴の体積が必要以上に大きくなるからである。そこで、基板上における樹脂120の液滴の供給位置が近接しすぎている場合には、供給位置の間隔を設定した間隔に近づけて、基板上における樹脂120の液滴が離れるように、供給位置を調整(変更)する。換言すれば、モールド101の特殊領域に対応する基板上の第2領域における樹脂120の液滴の供給位置及び供給量が最適になるように、樹脂120の液滴の供給位置を調整する。   Next, the supply position of the droplet of the resin 120 selected as the adjustment target is adjusted (moved) in consideration of the supply position of the droplet of the resin 120 corresponding to the special pattern. In this embodiment, the resin 120 corresponding to the normal pattern selected as the adjustment target by applying a repulsive force or an attractive force to each of the three black dots 401a to 401c in the droplet 120 supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern. The droplet supply position is determined. Here, as another constraint, the maximum distance that can be separated because adjacent droplets contact each other on the substrate after the droplets of the resin 120 are supplied onto the substrate until the droplets are formed by the mold 101. Set the interval. In this embodiment, the interval is set to 300 μm. When the droplet 120 supply position corresponding to the normal pattern selected as the adjustment target exists within the range of 300 μm from the droplet 120 supply position corresponding to the special pattern. , Use repulsion. The reason why the force acting on the droplet supply position within the range of 300 μm from the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern is a repulsive force will be described. For example, when the supply position of the droplets of the resin 120 corresponding to the special pattern and the supply position of the droplets of the resin 120 corresponding to the normal pattern are close to each other, the imprint process is performed on the substrate as it is. The remaining film thickness is thicker than the set value. This is because the volume of the droplet of the resin 120 becomes larger than necessary in the special region of the mold 101. Therefore, when the supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate is too close, the supply position is set so that the droplets of the resin 120 on the substrate are separated from each other by bringing the interval between the supply positions closer to the set interval. Adjust (change). In other words, the resin 120 droplet supply position is adjusted so that the resin 120 droplet supply position and supply amount in the second region on the substrate corresponding to the special region of the mold 101 are optimized.

このように、本実施形態では、中間マップと特殊マップとを合成する際に、中間マップにおける液滴のうち、ある液滴の供給位置と当該供給位置に隣接する特殊マップにおける液滴の供給位置との間隔が許容範囲外の液滴を選択する。そして、選択した液滴について、かかる間隔が許容範囲内に収まるように、中間マップにおける液滴の供給位置を調整する。具体的には、中間マップにおける液滴のうち、許容範囲の上限を超える液滴について、かかる液滴の供給位置を特殊マップにおける液滴の供給位置に近づけるように、その供給位置を調整する。なお、許容範囲の上限は、上述したように、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。また、中間マップにおける液滴のうち、許容範囲の下限を超える液滴について、かかる液滴の供給位置を特殊マップにおける液滴の供給位置から遠ざけるように、その供給位置を調整する。なお、許容範囲の下限は、上述したように、モールド101で基板上の樹脂120を成形したときに基板上に形成すべき残膜厚(設定値)に基づいて決定される。   As described above, in the present embodiment, when combining the intermediate map and the special map, among the droplets in the intermediate map, a certain droplet supply position and a droplet supply position in the special map adjacent to the supply position. A droplet whose interval is outside the allowable range is selected. Then, for the selected droplet, the droplet supply position in the intermediate map is adjusted so that the interval falls within the allowable range. Specifically, among the droplets in the intermediate map, the droplets that exceed the upper limit of the allowable range are adjusted so that the droplet supply position approaches the droplet supply position in the special map. The upper limit of the allowable range is that, as described above, adjacent droplets on the substrate come in contact between the time when the droplets of the resin 120 are supplied onto the substrate and the time when the droplets are formed by the mold 101. Set the maximum distance that can be separated. Further, among the droplets in the intermediate map, the supply position of the droplet exceeding the lower limit of the allowable range is adjusted so that the supply position of the droplet is away from the supply position of the droplet in the special map. Note that the lower limit of the allowable range is determined based on the remaining film thickness (set value) to be formed on the substrate when the resin 120 on the substrate is molded by the mold 101 as described above.

S304では、S302で生成された合成マップ、及び、S303で調整された中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に基づいて、最終的なマップを生成する。   In S304, a final map is generated based on the supply position of the droplets of the resin 120 in the composite map generated in S302 and the intermediate map adjusted in S303.

図18は、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置(黒点401a乃至401c)に斥力又は引力を働かせて、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置(点403a乃至403d)を調整して得られた最終的なマップを示す図である。図18では、中間マップにおける通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置、即ち、点403a乃至403dのそれぞれを調整した後の供給位置を、点405a乃至405dで示している。また、図18には、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置、即ち、黒点401a乃至401cのそれぞれから300μmの範囲404も示している。図18を参照するに、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置、即ち、点405a乃至405dのそれぞれは、範囲404に近づくように調整されている。具体的には、点405a乃至405cは、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置である黒点401a及び401bから離れ、且つ、範囲404に近づくように調整されている。一方、点405dは、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置である黒点401cに近づき、且つ、範囲404に近づくように調整されている。従って、黒点401aに供給された液滴と点405aに供給された液滴とは、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に接触することになる。換言すれば、基板上に供給された樹脂120とモールド101とが接触するまでの間に、黒点401aに供給された液滴と点405aに供給された液滴とは、接触することになる。また、黒点401bに供給された液滴と点405b及び405cに供給された液滴とは、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に接触することになる。換言すれば、基板上に供給された樹脂120とモールド101とが接触するまでの間に、黒点401bに供給された液滴と点405b及び405cに供給された液滴とは、接触することになる。同様に、黒点401cに供給された液滴と点405dに供給された液滴とは、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間(基板上に供給された樹脂120とモールド101とが接触するまでの間)に接触することになる。そして、モールド101の特殊領域への樹脂120の充填は、深さ方向の充填に要する時間と等しいため、非常に短時間で行われることになる。   FIG. 18 shows a droplet supply position (points 403a to 403d) of the resin 120 corresponding to the normal pattern by applying a repulsive force or an attractive force to the supply position (black dots 401a to 401c) of the resin 120 corresponding to the special pattern. It is a figure which shows the final map obtained by adjusting this. In FIG. 18, the supply positions of the droplets of the resin 120 corresponding to the normal pattern in the intermediate map, that is, the supply positions after adjusting each of the points 403a to 403d are indicated by points 405a to 405d. FIG. 18 also shows a droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern, that is, a range 404 of 300 μm from each of the black dots 401a to 401c. Referring to FIG. 18, the supply position of the droplet of resin 120 corresponding to the normal pattern, that is, each of the points 405 a to 405 d is adjusted to approach the range 404. Specifically, the points 405 a to 405 c are adjusted so as to be away from the black points 401 a and 401 b that are the supply positions of the droplets of the resin 120 corresponding to the special pattern and to approach the range 404. On the other hand, the point 405d is adjusted so as to approach the black point 401c, which is the supply position of the droplet of the resin 120 corresponding to the special pattern, and to approach the range 404. Therefore, the droplet supplied to the black spot 401a and the droplet supplied to the spot 405a are in contact between the time when the droplet of the resin 120 is supplied onto the substrate and the time when the droplet is formed by the mold 101. become. In other words, the droplet supplied to the black point 401a and the droplet supplied to the point 405a are in contact until the resin 120 supplied on the substrate comes into contact with the mold 101. The droplets supplied to the black dots 401b and the droplets supplied to the points 405b and 405c are in contact between the time when the droplets of the resin 120 are supplied onto the substrate and the time when the droplets are formed by the mold 101. Will do. In other words, the droplets supplied to the black dots 401b and the droplets supplied to the points 405b and 405c are in contact until the resin 120 supplied on the substrate comes into contact with the mold 101. Become. Similarly, the droplet supplied to the black point 401c and the droplet supplied to the point 405d are from the time when the droplet of the resin 120 is supplied onto the substrate until the droplet is formed by the mold 101 (on the substrate). Until the resin 120 supplied to the mold 101 comes into contact with the mold 101). Since the filling of the resin 120 into the special region of the mold 101 is equal to the time required for filling in the depth direction, the filling is performed in a very short time.

本実施形態では、制約条件として、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離又は間隔を2種類設定しているが、これに限定されるものではない。モールド101の特殊領域への樹脂120の充填時間を予め計測したデータに基づいて範囲を設定した条件なども適用可能である。例えば、本実施形態では、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定している。但し、基板上で隣接する液滴が接触しない場合でも、それらを可能な限り近づけておくことで効果を得ることが可能である。   In this embodiment, two types of distances or intervals from the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern are set as the constraint conditions, but the present invention is not limited to this. A condition in which a range is set based on data obtained by measuring the filling time of the resin 120 in the special region of the mold 101 in advance can also be applied. For example, in the present embodiment, the maximum distance that can be separated because adjacent droplets contact each other on the substrate after the droplets of the resin 120 are supplied onto the substrate until the droplets are formed by the mold 101. Is set. However, even when adjacent droplets do not contact on the substrate, it is possible to obtain an effect by keeping them as close as possible.

更に、本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置から指定された範囲内に存在する、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置の全てを調整対象として選択しているが、これに限定されるものではない。例えば、実験データに基づいて、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置のうち一部の供給位置を調整対象として選択してもよい。   Furthermore, in this embodiment, all the droplet 120 supply positions corresponding to the normal pattern that are within the specified range from the droplet 120 supply position corresponding to the special pattern are selected as adjustment targets. However, the present invention is not limited to this. For example, a part of supply positions of the droplets of the resin 120 corresponding to the normal pattern may be selected as an adjustment target based on experimental data.

また、本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置のみに斥力又は引力を働かせているが、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置にも同様な力を働かせることも可能である。このような場合にも、斥力及び引力のうちのどちらを設定するのかについて、適切に条件を定めることが必要である。   In this embodiment, repulsive force or attractive force is applied only to the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern, but the same force is also applied to the droplet 120 supply position corresponding to the normal pattern. It is also possible to work. Even in such a case, it is necessary to appropriately determine whether to set repulsive force or attractive force.

また、本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離に応じて、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を調整しているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置からの距離に応じて、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を、単純に、特殊領域の中心位置から離す方向に移動させてもよい。換言すれば、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置と通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置との関係を考慮して液滴の供給位置を調整することで、特殊領域への樹脂120の充填時間を短くすることができればよい。   In the present embodiment, the supply position of the droplets of the resin 120 corresponding to the normal pattern is adjusted according to the distance from the supply position of the droplets of the resin 120 corresponding to the special pattern. Is not to be done. For example, according to the distance from the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern, the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the normal pattern is simply moved away from the center position of the special area. You may let them. In other words, the droplet supply position is adjusted in consideration of the relationship between the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the special pattern and the droplet supply position of the resin 120 corresponding to the normal pattern. It is only necessary that the filling time of the resin 120 in the region can be shortened.

本実施形態によれば、特殊パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置に対して、通常パターンに対応する樹脂120の液滴の供給位置を調整することで、樹脂120の充填時間を短くし、充填欠陥を低減して残膜厚を均一化することができる。このように、本実施形態では、樹脂120の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利なマップを生成することができる。   According to this embodiment, the filling time of the resin 120 is shortened by adjusting the supply position of the droplet of the resin 120 corresponding to the normal pattern with respect to the supply position of the droplet of the resin 120 corresponding to the special pattern. In addition, filling defects can be reduced and the remaining film thickness can be made uniform. Thus, in this embodiment, it is possible to generate a map that is advantageous in reducing the filling time of the resin 120 and realizing the uniformity of the remaining film thickness.

<第2の実施形態>
第2の実施形態では、モールド101のパターン領域101aの全面に対応するマップを生成し、かかるマップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整して最終的なマップを生成する処理について説明する。図19は、マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
<Second Embodiment>
In the second embodiment, a process of generating a map corresponding to the entire surface of the pattern region 101a of the mold 101 and adjusting the supply position of the droplets of the resin 120 in the map to generate a final map will be described. FIG. 19 is a flowchart for explaining a process of generating a map.

S400乃至S402のそれぞれの処理は、第1の実施形態で説明したS200乃至S202の処理と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。   Since the processes of S400 to S402 are the same as the processes of S200 to S202 described in the first embodiment, detailed description thereof is omitted here.

S403では、供給量分布情報に基づいて、モールド101のパターン領域101aの全面に対応する基板上の領域に供給する樹脂120の液滴の位置を決定して中間マップを生成する。換言すれば、中間マップとして、モールド101のパターン領域101aの全面に対応する基板上の領域における液滴の供給位置を示す第1マップを生成する。   In S403, based on the supply amount distribution information, the position of the droplet of the resin 120 supplied to the region on the substrate corresponding to the entire surface of the pattern region 101a of the mold 101 is determined, and an intermediate map is generated. In other words, as the intermediate map, a first map indicating the droplet supply position in the region on the substrate corresponding to the entire surface of the pattern region 101a of the mold 101 is generated.

具体的には、S400で取得した供給量分布情報の多値分布データをハーフトーン処理によって2値化して、ディスペンサ110における樹脂120の液滴の吐出及び非吐出を指定する情報に変換することで中間マップを生成する。ハーフトーン処理としては、第1の実施形態と同様に、公知技術である誤差拡散法を用いることができる。図20は、S403で生成された中間マップの一例を示す図である。図20では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点501aで示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点501bで示している。   Specifically, the multi-value distribution data of the supply amount distribution information acquired in S400 is binarized by halftone processing, and converted into information designating discharge and non-discharge of the droplets of the resin 120 in the dispenser 110. Generate an intermediate map. As the halftone process, a known error diffusion method can be used as in the first embodiment. FIG. 20 is a diagram illustrating an example of the intermediate map generated in S403. In FIG. 20, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 droplets on the substrate is indicated by black dots 501a, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 droplets on the substrate is indicated by white dots 501b. Is shown.

S404では、特殊領域情報及び特殊領域における制約を設定した制約条件に基づいて、特殊領域の位置を考慮するための参照位置を設定した参照マップを生成する。   In S404, a reference map in which a reference position for considering the position of the special area is set is generated based on the special area information and the restriction condition in which the restriction in the special area is set.

具体的には、特殊領域情報及び制約条件に基づいて、各特殊領域で中心となる位置(中心位置)の直下、即ち、かかる中心位置に対応する基板上の位置に参照位置を設定する。ここで、特殊領域の中心位置が樹脂120の液滴の配置(供給位置)を許容する位置と一致しない場合には、液滴の配置を許容する位置で中心位置に最も近い位置を参照位置として設定する。本実施形態では、特殊領域の中心位置を参照位置として設定しているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊領域の重心位置や特殊領域におけるパターンの深さが最も深い位置を参照位置として設定してもよい。図21は、S404で生成された参照マップの一例を示す図である。図21では、基板上における参照位置を黒点502aで示し、基板上における参照位置以外の位置を白点502bで示している。   Specifically, based on the special area information and the constraint conditions, the reference position is set at a position immediately below the center position (center position) in each special area, that is, a position on the substrate corresponding to the center position. Here, when the center position of the special region does not coincide with the position where the liquid droplet placement (supply position) of the resin 120 is allowed, the position closest to the center position at the position where the liquid drop placement is allowed is set as the reference position. Set. In the present embodiment, the center position of the special area is set as the reference position, but the present invention is not limited to this. For example, the position of the center of gravity of the special area or the position where the depth of the pattern in the special area is the deepest may be set as the reference position. FIG. 21 is a diagram illustrating an example of the reference map generated in S404. In FIG. 21, a reference position on the substrate is indicated by a black point 502a, and a position other than the reference position on the substrate is indicated by a white point 502b.

S405では、S403で生成された中間マップ、S404で生成された参照マップ、及び、基板上における樹脂120の液滴の配置制約として設定された液滴の間隔に基づいて、最終的なマップを生成する。   In S405, a final map is generated based on the intermediate map generated in S403, the reference map generated in S404, and the droplet interval set as the arrangement constraint of the droplets of the resin 120 on the substrate. To do.

具体的には、参照マップを考慮して、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置のうち、特殊領域の近傍に対応する基板上の領域に位置する供給位置を調整して(移動させて)、最終的なマップを生成する。特に、参照マップにおける参照位置と中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置との間隔が、制約条件として設定した間隔に近づくように、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整する。制約条件としての間隔は、第1の実施形態と同様に、実験から求めて設定することで、残膜厚の均一化も可能となっている。   Specifically, in consideration of the reference map, among the supply positions of the droplets of the resin 120 in the intermediate map, the supply position located in the area on the substrate corresponding to the vicinity of the special area is adjusted (moved). ) Generate the final map. In particular, the supply position of the droplets of the resin 120 in the intermediate map is adjusted so that the interval between the reference position in the reference map and the supply position of the droplets of the resin 120 in the intermediate map approaches the interval set as the constraint condition. Similar to the first embodiment, the interval as the constraint condition can be obtained by experiment and set to make the remaining film thickness uniform.

図22は、S405で生成された最終的なマップの一例を示す図である。図22では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点503aで示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点503bで示している。図22を参照するに、図24に示す中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に対して、かかる供給位置が参照位置に対応する黒点502aの近傍に位置するように調整されている。   FIG. 22 is a diagram illustrating an example of the final map generated in S405. In FIG. 22, the supply position (droplet discharge) of the droplet of the resin 120 on the substrate is indicated by a black dot 503a, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the droplet of the resin 120 on the substrate is indicated by a white point 503b. Is shown. Referring to FIG. 22, the supply position of the resin 120 droplets in the intermediate map shown in FIG. 24 is adjusted so that the supply position is located in the vicinity of the black point 502a corresponding to the reference position.

S406では、S405で生成されたマップ、即ち、樹脂120の液滴の基板上における供給位置を示す最終的なマップを格納部131に格納する。   In S <b> 406, the map generated in S <b> 405, that is, the final map indicating the supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate is stored in the storage unit 131.

本実施形態において、マップを生成する処理で用いられる各種計算や設定については、第1の実施形態と同様に特に限定されるものではなく、樹脂120の充填時間を短くするための条件を満たすものであれば適用可能である。   In the present embodiment, various calculations and settings used in the process of generating the map are not particularly limited as in the first embodiment, and satisfy the conditions for shortening the filling time of the resin 120. If so, it is applicable.

ここで、S403からS405までの処理について、具体的な例をあげて詳細に説明する。図23は、S403からS405までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。   Here, the processing from S403 to S405 will be described in detail with a specific example. FIG. 23 is a flowchart for explaining the processing from S403 to S405 in detail.

S500では、S403で説明したように、モールド101のパターン領域101aの全面に対応する基板上の領域における樹脂120の液滴の供給位置を示す中間マップを生成する。図24は、図20に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。図24では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点で示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点で示している。   In S500, as described in S403, an intermediate map indicating the supply position of the droplets of the resin 120 in the region on the substrate corresponding to the entire surface of the pattern region 101a of the mold 101 is generated. 24 is an enlarged view of a part of the intermediate map shown in FIG. In FIG. 24, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a black dot, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a white dot. ing.

S501では、S404で説明したように、参照位置を設定した参照マップを生成する。図25は、図21に示す参照マップの一部を拡大して示す図である。図21では、参照位置を点601a、601b及び601cで示し、3箇所の点601a乃至601cのうち、点601aと点601bとが近接して存在している。   In S501, as described in S404, a reference map in which a reference position is set is generated. FIG. 25 is an enlarged view of a part of the reference map shown in FIG. In FIG. 21, the reference positions are indicated by points 601a, 601b, and 601c, and among the three points 601a to 601c, the point 601a and the point 601b are close to each other.

S502では、S500で生成された中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整する。まず、中間マップ、参照マップ及び樹脂120の液滴の配置の制約を設定した制約条件に基づいて、参照位置、即ち、点601a乃至601cの近傍に存在する樹脂120の液滴の供給位置を選択する。ここで、制約条件には、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を選択するための条件として、参照位置からの距離を設定する。本実施形態では、かかる距離を500μmに設定し、参照位置からの距離が500μm以内の範囲に存在する樹脂120の液滴の供給位置を選択する。但し、参照位置から500μm以内の範囲に樹脂120の液滴の供給位置がない場合には、参照位置から最短距離に存在する(即ち、最も近い)供給位置を選択するようにすればよい。   In S502, the supply position of the droplet of resin 120 in the intermediate map generated in S500 is adjusted. First, the reference position, that is, the supply position of the droplets of the resin 120 existing in the vicinity of the points 601a to 601c is selected on the basis of the constraint conditions that set the constraints on the arrangement of the droplets of the intermediate map, the reference map and the resin 120 To do. Here, as the constraint condition, a distance from the reference position is set as a condition for selecting the supply position of the droplet of the resin 120 in the intermediate map. In the present embodiment, the distance is set to 500 μm, and the supply position of the droplets of the resin 120 existing within the range of the distance from the reference position within 500 μm is selected. However, when there is no supply position of the droplet of the resin 120 within the range of 500 μm from the reference position, the supply position that is present at the shortest distance from the reference position (that is, the closest) may be selected.

図26は、図24に示す中間マップに対して、図25に示す参照マップにおける参照位置に対応する点601a乃至601c、及び、点601a乃至601cのそれぞれから500μmの範囲602を追加した図である。図26では、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置のうち、供給位置の調整対象として選択された供給位置を、点603a、603b、603c、603d、603e及び603fで示している。点603a乃至603fに対応する供給位置は、参照位置に対応する点601a及び601bの少なくとも一方からの距離が500μmの範囲内に存在するため、調整対象として選択されている。一方、点603e及び603fに対応する供給位置は、参照位置に対応する点601cからの距離が最短であるため、調整対象として選択されている。   26 is a diagram in which points 601a to 601c corresponding to the reference positions in the reference map shown in FIG. 25 and a range 602 of 500 μm from the points 601a to 601c are added to the intermediate map shown in FIG. . In FIG. 26, among the supply positions of the droplets of the resin 120 in the intermediate map, supply positions selected as supply position adjustment targets are indicated by points 603a, 603b, 603c, 603d, 603e, and 603f. The supply positions corresponding to the points 603a to 603f are selected as adjustment targets because the distance from at least one of the points 601a and 601b corresponding to the reference position is within a range of 500 μm. On the other hand, the supply positions corresponding to the points 603e and 603f are selected as adjustment targets because the distance from the point 601c corresponding to the reference position is the shortest.

次に、調整対象として選択された樹脂120の液滴の供給位置を、参照位置を考慮しながら調整する(移動させる)。本実施形態では、3つの参照位置、即ち、3つの点601a乃至601cのそれぞれに引力を働かせて、調整対象として選択された樹脂120の液滴の供給位置を決定する。換言すれば、調整対象として選択された樹脂120の液滴の供給位置が参照位置である点601a乃至601cのそれぞれに近づくように、点601a乃至601cのそれぞれに引力を設定する。この際、参照位置からの距離が500μmの範囲外の樹脂120の液滴の供給位置(点603e及び603f)については、より大きな引力が働くように、点601cには、点601a及び601bに設定する引力よりも大きな引力を設定する。ここで、別の制約条件として、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。本実施形態では、第1の実施形態と同様に、かかる間隔を300μmに設定している。   Next, the supply position of the droplet of the resin 120 selected as the adjustment target is adjusted (moved) in consideration of the reference position. In the present embodiment, an attractive force is applied to each of the three reference positions, that is, the three points 601a to 601c, and the supply position of the droplet of the resin 120 selected as the adjustment target is determined. In other words, the attractive force is set to each of the points 601a to 601c so that the supply position of the droplet of the resin 120 selected as the adjustment target approaches each of the points 601a to 601c which are reference positions. At this time, with respect to the supply position (points 603e and 603f) of the droplets of the resin 120 whose distance from the reference position is outside the range of 500 μm, the points 601a and 601b are set at the point 601c so that a larger attractive force is applied. Set an attractive force greater than the attractive force to be applied. Here, as another constraint, the maximum distance that can be separated because adjacent droplets contact each other on the substrate after the droplets of the resin 120 are supplied onto the substrate until the droplets are formed by the mold 101. Set the interval. In the present embodiment, the interval is set to 300 μm, as in the first embodiment.

S503では、S500で生成された中間マップ、及び、S502で調整された中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置に基づいて、最終的なマップを生成する。   In S503, a final map is generated based on the supply position of the droplets of the resin 120 in the intermediate map generated in S500 and the intermediate map adjusted in S502.

図27は、参照位置(点601a乃至601c)に引力を働かせて、樹脂120の液滴の供給位置(点603a乃至603f)を調整して得られた最終的なマップを示す図である。図27では、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置、即ち、点603a乃至603fのそれぞれを調整した後の供給位置を、点605a乃至605fで示している。また、図27には、参照位置、即ち、点601a乃至601cのそれぞれから300μmの範囲604も示している。   FIG. 27 is a diagram illustrating a final map obtained by adjusting the droplet supply position (points 603a to 603f) of the resin 120 by applying an attractive force to the reference positions (points 601a to 601c). In FIG. 27, the supply positions of the droplets of the resin 120 in the intermediate map, that is, the supply positions after adjusting the points 603a to 603f are indicated by points 605a to 605f. FIG. 27 also shows a reference position, that is, a range 604 of 300 μm from each of the points 601a to 601c.

図27を参照するに、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置、即ち、点605a乃至605fのそれぞれは、範囲604に近づくように調整されている。具体的には、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置である点605a及び605cのそれぞれは、参照位置に対応する点601a及び601bと同一になるように調整されている。また、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置である点605b及び605dのそれぞれは、範囲604に近づくように調整されている。一方、中間マップにおける樹脂120の液滴の供給位置である点605e及び605fのそれぞれは、範囲404に近づくように、且つ、参照位置に対応する点601cからの距離が等しくなるように調整されている。これは、調整前の供給位置である点603e及び603fは、参照位置に対応する点601cからの距離が等しい位置に存在しているため、それぞれに働く引力が等しいことに起因する。従って、点605aに供給された液滴と点605bに供給された液滴とは、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間(基板上に供給された樹脂120とモールド101とが接触するまでの間)に接触することになる。また、点605cに供給された液滴と点605dに供給された液滴とは、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に接触することになる。同様に、点605eに供給された液滴と点605fに供給された液滴とは、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に接触することになる。そして、モールド101の特殊領域への樹脂120の充填は、深さ方向の充填に要する時間と等しいため、非常に短時間で行われることになる。   Referring to FIG. 27, the supply position of the droplet of resin 120 in the intermediate map, that is, each of the points 605 a to 605 f is adjusted so as to approach the range 604. Specifically, the points 605a and 605c that are the supply positions of the droplets of the resin 120 in the intermediate map are adjusted to be the same as the points 601a and 601b corresponding to the reference positions. Also, each of the points 605 b and 605 d which are the supply positions of the droplets of the resin 120 in the intermediate map is adjusted so as to approach the range 604. On the other hand, the points 605e and 605f, which are the supply positions of the droplets of the resin 120 in the intermediate map, are adjusted so as to approach the range 404 and to have the same distance from the point 601c corresponding to the reference position. Yes. This is because the points 603e and 603f, which are the supply positions before adjustment, exist at positions where the distances from the point 601c corresponding to the reference position are equal, and therefore, the attractive forces acting on them are the same. Therefore, the liquid droplet supplied to the point 605a and the liquid droplet supplied to the point 605b are from the time when the liquid droplet of the resin 120 is supplied onto the substrate to the time when the droplet is formed by the mold 101 (on the substrate). Until the supplied resin 120 and the mold 101 come into contact with each other). In addition, the droplet supplied to the point 605c and the droplet supplied to the point 605d are in contact between the time when the droplet of the resin 120 is supplied onto the substrate and the time when the droplet is formed by the mold 101. become. Similarly, the liquid droplet supplied to the point 605e and the liquid droplet supplied to the point 605f come into contact between the time when the liquid droplet of the resin 120 is supplied onto the substrate and the time when the liquid droplet is formed by the mold 101. It will be. Since the filling of the resin 120 into the special region of the mold 101 is equal to the time required for filling in the depth direction, the filling is performed in a very short time.

このように、本実実施形態では、モールド101のパターンのうち特殊パターンの位置に対応する基板上の参照位置とかかる参照位置に隣接する樹脂120の液滴の供給位置との間隔が許容範囲内に収まるように、中間マップにおける液滴の供給位置を調整する。なお、特殊パターンとは、上述したように、モールド101のパターンのうち基準寸法よりも大きい寸法のパターン(ダミーパターンやアライメントマーク)である。この際、参照位置と樹脂120の液滴の供給位置とが同一となるように、中間マップにおける液滴の供給位置を調整してもよい。また、許容範囲は、基板上に液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する前記液滴が接触するために離間可能な最大の間隔、及び、基板上に形成すべき残膜厚に基づいて決定される。   As described above, in the present embodiment, the interval between the reference position on the substrate corresponding to the position of the special pattern among the patterns of the mold 101 and the supply position of the droplet of the resin 120 adjacent to the reference position is within an allowable range. The droplet supply position in the intermediate map is adjusted so as to fall within the range. As described above, the special pattern is a pattern (dummy pattern or alignment mark) having a dimension larger than the reference dimension among the patterns of the mold 101. At this time, the droplet supply position in the intermediate map may be adjusted so that the reference position is the same as the droplet supply position of the resin 120. Further, the allowable range is a maximum interval that can be separated because the adjacent droplets contact on the substrate between the time when the droplet is supplied onto the substrate and the time when the droplet is formed by the mold 101, and It is determined based on the remaining film thickness to be formed on the substrate.

本実施形態では、参照位置との距離が近い2つの供給位置については、参照位置からの距離が等しくなるように調整しているが、これに限定されるものではない。参照位置からの距離の比率に応じて、制約条件の範囲内に供給位置が存在するように調整してもよい。   In the present embodiment, the two supply positions that are close to the reference position are adjusted to have the same distance from the reference position, but the present invention is not limited to this. Depending on the ratio of the distance from the reference position, the supply position may be adjusted to exist within the range of the constraint condition.

本実施形態によれば、モールド101のパターン領域101aの全面に対応する樹脂120の液滴の供給位置を、特殊領域の位置に対応する参照位置を考慮して調整することで、樹脂120の充填時間を短くし、充填欠陥を低減して残膜厚を均一化することができる。このように、本実施形態では、樹脂120の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利なマップを生成することができる。   According to the present embodiment, the filling position of the resin 120 is adjusted by adjusting the supply position of the droplet of the resin 120 corresponding to the entire surface of the pattern area 101a of the mold 101 in consideration of the reference position corresponding to the position of the special area. Time can be shortened, filling defects can be reduced, and the remaining film thickness can be made uniform. Thus, in this embodiment, it is possible to generate a map that is advantageous in reducing the filling time of the resin 120 and realizing the uniformity of the remaining film thickness.

<第3の実施形態>
第3の実施形態では、通常領域に対応する基板上の第1領域には第1サイズの液滴を供給し、特殊領域に対応する基板上の第2領域には第1サイズよりも小さい第2サイズの液滴を供給する場合において、マップを生成する処理について説明する。第3の実施形態では、基板上に樹脂120を供給する際に、第1サイズ(通常の液滴量)の液滴、又は、第2サイズ(通常よりも小さい液滴量)の液滴を吐出できるように、ディスペンサ110が設定されている。例えば、第2サイズは、第1サイズの1/2になるように設定される。この場合、同一の液滴量を得るために、1つの第1サイズの液滴に対して第2サイズの液滴では、2倍の液滴数にする必要がある。図28は、ディスペンサ110から吐出された樹脂120の液滴の基板上での拡がりの状態を示す図である。図28では、第1サイズの液滴700aの基板上での拡がりと、第2サイズの液滴700bの基板上での拡がりを示している。
<Third Embodiment>
In the third embodiment, a first size droplet is supplied to the first region on the substrate corresponding to the normal region, and the second region on the substrate corresponding to the special region is smaller than the first size. A process for generating a map when supplying droplets of two sizes will be described. In the third embodiment, when the resin 120 is supplied onto the substrate, droplets of the first size (normal droplet amount) or droplets of the second size (droplet amount smaller than normal) are supplied. The dispenser 110 is set so that it can be discharged. For example, the second size is set to be ½ of the first size. In this case, in order to obtain the same droplet amount, it is necessary to double the number of droplets in the second size with respect to one first size droplet. FIG. 28 is a diagram illustrating a state in which droplets of the resin 120 discharged from the dispenser 110 spread on the substrate. FIG. 28 shows the spread of the first size droplet 700a on the substrate and the spread of the second size droplet 700b on the substrate.

ここで、モールド101の特殊領域に対応する基板上の第2領域に第2サイズの液滴を供給する理由について説明する。図29は、樹脂120の液滴のサイズとしての体積量と、モールド101における樹脂120の液滴の拡がり時間との関係を示す図である。図29を参照するに、樹脂120の液滴の体積を小さくすることで、モールド101のパターンへの充填時間が短くなることがわかる。従って、基板上に同一量の樹脂120の液滴を供給する場合には、体積が小さい液滴を供給することで、充填時間を短くすることができる。モールド101のパターン領域101aのうちの特殊領域は、上述したように、通常領域と比較して、充填時間が長くなる領域である。そのため、特殊領域に対応する基板上の第2領域に第2サイズの液滴を供給数することは、充填時間の短縮に非常に有効である。一方、樹脂120の液滴のサイズを小さくすると、必要となる液滴数が増加するため、樹脂120の液滴を高速に吐出可能なディスペンサ110を用いる必要がある。但し、樹脂120の液滴の吐出回数の増加は、ディスペンサ110の寿命を縮めることになる。更に、樹脂120の液滴のサイズを小さくすることは、サテライトやミストなどの吐出不安定要因を生じることもある。従って、基板上の全ての領域に対して、樹脂120の液滴のサイズを小さくして供給することは、ディスペンサ110の信頼性の観点から好ましくない。そこで、本実施形態では、通常領域に対応する基板上の第1領域には第1サイズの液滴を供給し、特殊領域に対応する基板上の第2領域には第1サイズよりも小さい第2サイズの液滴を供給することにしている。   Here, the reason why the second size droplet is supplied to the second region on the substrate corresponding to the special region of the mold 101 will be described. FIG. 29 is a diagram showing the relationship between the volume amount as the size of the droplets of the resin 120 and the spreading time of the droplets of the resin 120 in the mold 101. Referring to FIG. 29, it can be seen that the filling time of the pattern of the mold 101 is shortened by reducing the volume of the droplet of the resin 120. Therefore, when supplying the same amount of droplets of the resin 120 on the substrate, the filling time can be shortened by supplying droplets having a small volume. As described above, the special region in the pattern region 101a of the mold 101 is a region in which the filling time is longer than the normal region. Therefore, supplying the second size droplets to the second region on the substrate corresponding to the special region is very effective for shortening the filling time. On the other hand, if the size of the droplets of the resin 120 is reduced, the required number of droplets increases. Therefore, it is necessary to use the dispenser 110 that can eject the droplets of the resin 120 at high speed. However, an increase in the number of ejections of the resin 120 droplets shortens the life of the dispenser 110. Furthermore, reducing the size of the droplets of the resin 120 may cause ejection instability factors such as satellites and mist. Therefore, it is not preferable from the viewpoint of the reliability of the dispenser 110 to supply the droplets of the resin 120 with a reduced size to all regions on the substrate. Therefore, in the present embodiment, the first size droplet is supplied to the first area on the substrate corresponding to the normal area, and the second area on the substrate corresponding to the special area is smaller than the first size. Two size droplets are to be supplied.

図30は、マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。S600乃至S602のそれぞれの処理は、第1の実施形態で説明したS200乃至S202の処理と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。   FIG. 30 is a flowchart for explaining a process of generating a map. Since each process of S600 to S602 is the same as the process of S200 to S202 described in the first embodiment, a detailed description thereof is omitted here.

S603では、供給量分布情報及び特殊領域情報に基づいて、モールド101のパターン領域101aのうちの通常領域に対応する基板上の第1領域に供給する樹脂120の液滴の位置を決定して中間マップを生成する。換言すれば、中間マップとして、ラインアンドスペースなどの第1寸法の第1パターンが形成された通常領域に対応する基板上の第1領域における第1サイズの液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する。   In step S603, based on the supply amount distribution information and the special region information, the position of the droplet of the resin 120 supplied to the first region on the substrate corresponding to the normal region in the pattern region 101a of the mold 101 is determined to be intermediate. Generate a map. In other words, as the intermediate map, the first supply position of the first size droplet in the first area on the substrate corresponding to the normal area where the first pattern of the first dimension such as line and space is formed is shown. One map is generated.

S604では、特殊領域情報及び特殊領域における制約を設定した制約条件に基づいて、モールド101のパターン領域101aのうちの特殊領域に対応する基板上の第2領域に供給する樹脂120の液滴の位置を決定して特殊マップを生成する。換言すれば、特殊マップとして、ダミーパターンなどの第1寸法よりも大きい第2寸法の第2パターンが形成された特殊領域に対応する基板上の第2領域における第1サイズよりも小さい第2サイズの液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する。   In step S604, the position of the droplet of the resin 120 supplied to the second region on the substrate corresponding to the special region of the pattern region 101a of the mold 101 based on the special region information and the constraint condition in which the special region is set. To generate a special map. In other words, as the special map, a second size smaller than the first size in the second region on the substrate corresponding to the special region in which the second pattern having the second dimension larger than the first dimension, such as a dummy pattern, is formed. A second map indicating the second supply position of the droplets is generated.

具体的には、特殊領域情報及び制約条件に基づいて、各特殊領域で中心となる位置(中心位置)の直下、即ち、かかる中心位置に対応する基板上の位置に樹脂120の液滴の供給位置を設定する。ここで、特殊領域の中心位置が樹脂120の液滴の配置(供給位置)を許容する位置と一致しない場合には、液滴の配置を許容する位置で中心位置に最も近い位置を液滴の供給位置として設定する。また隣接する液滴の供給位置は、制約条件として設定した間隔と等しくなるように設定される。かかる間隔としては、他の実施形態と同様に、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。ここで、基板上に樹脂120の液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間とは、上述したように、基板上に供給された樹脂120とモールド101とが接触するまでの間である。また、特殊領域に対応する基板上の第2領域に供給する樹脂120の液滴のサイズ(第2サイズ)は、通常領域に対応する基板上の第1領域に供給する樹脂120の液滴のサイズ(第1サイズ)の1/2としている。従って、特殊マップにおける樹脂120の液滴の供給位置の数を2倍にする必要がある。また、この際、互いに隣接する第2サイズの液滴の間隔が許容範囲内に収まるように、参照マップにおける樹脂120の液滴の供給位置を調整する必要がある。かかる許容範囲は、基板上に液滴を供給してからモールド101で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する前記液滴が接触するために離間可能な最大の間隔、及び、基板上に形成すべき残膜厚に基づいて決定される。   Specifically, based on the special area information and the constraint conditions, the droplets of the resin 120 are supplied to a position immediately below the center position (center position) in each special area, that is, a position on the substrate corresponding to the center position. Set the position. Here, when the center position of the special region does not coincide with the position where the placement (supply position) of the resin 120 is permitted, the position closest to the center position at the position where the placement of the droplet is allowed is set. Set as supply position. Adjacent droplet supply positions are set to be equal to the interval set as a constraint. As in the case of the other embodiments, the interval between the liquid droplets of the resin 120 supplied on the substrate and the time when the droplets are formed by the mold 101 is in contact with the adjacent droplets on the substrate. Set the maximum distance that can be separated. Here, between the time when the droplet of the resin 120 is supplied onto the substrate and the time when the droplet is formed by the mold 101, the resin 120 supplied on the substrate and the mold 101 come into contact as described above. Until. Further, the size (second size) of the droplet of resin 120 supplied to the second region on the substrate corresponding to the special region is the size of the droplet of resin 120 supplied to the first region on the substrate corresponding to the normal region. One half of the size (first size) is used. Therefore, it is necessary to double the number of droplet 120 supply positions on the special map. Further, at this time, it is necessary to adjust the supply position of the droplets of the resin 120 on the reference map so that the interval between the droplets of the second size adjacent to each other falls within the allowable range. Such an allowable range is the maximum distance that can be separated because the adjacent droplets contact on the substrate between the time when the droplet is supplied to the substrate and the time when the droplet is formed by the mold 101, and the substrate It is determined based on the remaining film thickness to be formed above.

図31は、S604で生成された特殊マップの一例を示す図である。図31では、基板上における樹脂120の液滴の供給位置(液滴の吐出)を黒点701aで示し、基板上における樹脂120の液滴の非供給位置(液滴の非吐出)を白点701bで示している。図31を参照するに、図11に示す参照マップ(第1サイズの液滴を供給する場合における特殊マップ)と比較して、樹脂120の液滴の供給位置の数が2倍になっていることがわかる。   FIG. 31 is a diagram illustrating an example of the special map generated in S604. In FIG. 31, the supply position (droplet discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a black dot 701a, and the non-supply position (droplet non-discharge) of the resin 120 on the substrate is indicated by a white point 701b. Is shown. Referring to FIG. 31, compared to the reference map shown in FIG. 11 (a special map in the case of supplying a first size droplet), the number of droplet 120 supply positions of the resin 120 is doubled. I understand that.

S605では、S603で生成された中間マップ及びS604で生成された特殊マップに基づいて、最終的なマップを生成する。換言すれば、中間マップと特殊マップとを合成して最終的なマップを生成する。   In S605, a final map is generated based on the intermediate map generated in S603 and the special map generated in S604. In other words, the final map is generated by combining the intermediate map and the special map.

S606では、S605で生成されたマップ、即ち、樹脂120の液滴の基板上における供給位置を示す最終的なマップを格納部131に格納する。   In S <b> 606, the map generated in S <b> 605, that is, the final map indicating the supply position of the droplets of the resin 120 on the substrate is stored in the storage unit 131.

本実施形態では、基板上に供給する樹脂120の液滴のサイズごとにマップを生成しているが、これに限定されるものではない。例えば、モールド101のパターン領域101aの全面に対応する基板上の領域における樹脂120の液滴の供給位置を示すマップにおいて、各供給位置に対する液滴のサイズを指定するサイズ情報を生成してディスペンサ110を制御してもよい。   In the present embodiment, the map is generated for each droplet size of the resin 120 supplied onto the substrate, but the present invention is not limited to this. For example, in the map indicating the supply position of the droplet of the resin 120 in the area on the substrate corresponding to the entire surface of the pattern area 101a of the mold 101, the dispenser 110 generates size information specifying the droplet size for each supply position. May be controlled.

また、本実施形態では、第2サイズが第1サイズの1/2になるように設定されているが、これに限定されるものではない。ディスペンサ110からの樹脂120の液滴の吐出が安定し、信頼性を十分に確保できるサイズであれば適用可能である。   In the present embodiment, the second size is set to ½ of the first size, but the present invention is not limited to this. Any size can be applied as long as the ejection of the droplets of the resin 120 from the dispenser 110 is stable and sufficiently reliable.

本実施形態では、通常領域に対応する基板上の第1領域における第1サイズの液滴の供給位置を示す中間マップ、及び、特殊領域に対応する基板上の第2領域における第2サイズの液滴の供給位置を示す特殊マップのそれぞれを生成する。そして、中間マップ及び特殊マップを合成して最終的なマップを生成することで、樹脂120の充填時間を短くし、充填欠陥を低減して残膜厚を均一化することができる。このように、本実施形態では、樹脂120の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利なマップを生成することができる。   In the present embodiment, the intermediate map indicating the supply position of the first size droplet in the first region on the substrate corresponding to the normal region, and the second size liquid in the second region on the substrate corresponding to the special region. Each of the special maps indicating the drop supply position is generated. Then, by synthesizing the intermediate map and the special map to generate a final map, the filling time of the resin 120 can be shortened, filling defects can be reduced, and the remaining film thickness can be made uniform. Thus, in this embodiment, it is possible to generate a map that is advantageous in reducing the filling time of the resin 120 and realizing the uniformity of the remaining film thickness.

本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。   The present invention supplies a program that realizes one or more functions of the above-described embodiments to a system or apparatus via a network or a storage medium, and one or more processors in a computer of the system or apparatus read and execute the program This process can be realized. It can also be realized by a circuit (for example, ASIC) that realizes one or more functions.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

100:インプリント装置 101:モールド 104:基板 110:ディスペンサ 120:樹脂 130:制御部 131:格納部 132:生成部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Imprint apparatus 101: Mold 104: Board | substrate 110: Dispenser 120: Resin 130: Control part 131: Storage part 132: Generation part

Claims (11)

モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法であって、
前記モールドのパターン領域のうちの第1寸法の第1パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第1領域における前記インプリント材の液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する第1工程と、
前記パターン領域のうちの前記第1寸法よりも大きい寸法の第2パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第2領域における前記インプリント材の液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する第2工程と、
前記第1マップと前記第2マップとを合成して前記マップを生成する第3工程と、を有し、
前記第3工程は、前記第1マップと前記第2マップとを合成する際に、前記第1マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第1供給位置のうち、前記第1供給位置と当該第1供給位置に隣接する前記第2供給位置との間隔が許容範囲外の前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記間隔が前記許容範囲内に収まるように、前記第1供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする生成方法。
In an imprint process for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, a generation method for generating a map indicating a supply position of droplets of the imprint material on the substrate,
Generating a first map indicating a first supply position of the imprint liquid droplets in the first region on the substrate corresponding to a region where the first pattern of the first dimension is formed in the pattern region of the mold. A first step of
Second indicating a second supply position of the droplet of the imprint material in a second region on the substrate corresponding to a region where a second pattern having a size larger than the first size is formed in the pattern region. A second step of generating a map ;
And a third step of generating the map by combining the first map and the second map ,
In the third step, when combining the first map and the second map , among the first supply positions of the droplets of the imprint material in the first map , the first supply position and the second map With respect to the supply position of the droplets of the imprint material whose interval from the second supply position adjacent to the first supply position is outside the allowable range, the first supply position is set so that the interval falls within the allowable range. A generation method comprising an adjustment step of adjusting.
前記調整工程では、前記第1マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第1供給位置のうち、前記許容範囲の上限を超える前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記インプリント材の液滴の第1供給位置を前記第2供給位置に近づけるように、前記第1供給位置を調整する請求項1に記載の生成方法。 Wherein in the adjustment step, one of the first supply position of the liquid droplet of the imprint material in the first map, the supply position of the liquid droplet of the imprintable material exceeding the upper limit of the allowable range, of the imprint material The generation method according to claim 1, wherein the first supply position is adjusted so that the first supply position of the droplet is brought close to the second supply position. 前記許容範囲の上限は、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給してから前記モールドと前記インプリント材の液滴とが接触するまでの間に前記基板上で隣接する前記インプリント材の液滴同士が接触するために離間可能な最大の間隔に基づいて決定されることを特徴とする請求項2に記載の生成方法。 The upper limit of the allowable range, the imprint adjacent in the substrate between the supplying droplets of the imprint material on the substrate until the drop of the imprint material and the mold are in contact The generation method according to claim 2, wherein the generation method is determined based on a maximum distance at which the droplets of the material can be separated to come into contact with each other. 前記調整工程では、前記第1マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第1供給位置のうち、前記許容範囲の下限を超える前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記インプリント材の液滴の第1供給位置を前記第2供給位置から遠ざけるように、前記第1供給位置を調整する請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の生成方法。 Wherein in the adjustment step, one of the first supply position of the liquid droplet of the imprint material in the first map, the supply position of the liquid droplet of the imprintable material which exceeds the lower limit of the allowable range, of the imprint material 4. The generation method according to claim 1, wherein the first supply position is adjusted such that the first supply position of the droplet is moved away from the second supply position. 5. 前記許容範囲の下限は、前記モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成したときに前記基板上に形成すべき前記インプリント材の厚さに基づいて決定されることを特徴とする請求項4に記載の生成方法。   The lower limit of the allowable range is determined based on the thickness of the imprint material to be formed on the substrate when the imprint material pattern is formed on the substrate using the mold. The generation method according to claim 4. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法であって、
前記モールドのパターン領域のうちの第1寸法の第1パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第1領域における第1サイズの液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する第1工程と、
前記モールドのパターン領域のうちの前記第1寸法よりも大きい寸法の第2パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第2領域における前記第1サイズよりも小さい第2サイズの液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する第2工程と、
前記第1マップと前記第2マップとを合成して前記マップを生成する第3工程と、を有し、
前記第3工程は、互いに隣接する前記第2サイズの液滴の間隔が許容範囲内に収まるように、前記第2供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする生成方法。
In an imprint process for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, a generation method for generating a map indicating a supply position of droplets of the imprint material on the substrate,
Generating a first map indicating a first supply position of a first size droplet in a first region on the substrate corresponding to a region where a first pattern of a first dimension is formed in a pattern region of the mold; The first step;
The droplets of the second size smaller than the first size in the second region on the substrate corresponding to the region where the second pattern having a size larger than the first size is formed in the pattern region of the mold. A second step of generating a second map indicating the second supply position;
And a third step of generating the map by combining the first map and the second map ,
The generation method characterized in that the third step includes an adjustment step of adjusting the second supply position so that the interval between the droplets of the second size adjacent to each other is within an allowable range.
前記許容範囲は、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給してから前記モールドと前記インプリント材の液滴とが接触するまでの間に前記基板上で隣接する前記インプリント材の液滴同士が接触するために離間可能な最大の間隔、及び、前記モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成したときに前記基板上に形成すべき前記インプリント材の厚さに基づいて決定されることを特徴とする請求項6に記載の生成方法。 The allowable range, the imprint material to be adjacent the substrate during the supplying droplets of the imprint material on the substrate until the drop of the imprint material and the mold are in contact The maximum distance that can be separated for the droplets to come into contact with each other, and the thickness of the imprint material to be formed on the substrate when the imprint material pattern is formed on the substrate using the mold The generation method according to claim 6, wherein the generation method is determined based on: モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する処理を行う処理部を有する情報処理装置であって、
前記処理部は、
前記モールドのパターン領域のうちの第1寸法の第1パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第1領域における前記インプリント材の液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する第1工程と、
前記パターン領域のうちの前記第1寸法よりも大きい寸法の第2パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第2領域における前記インプリント材の液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する第2工程と、
前記第1マップと前記第2マップとを合成して前記マップを生成する第3工程と、を行い、
前記第3工程は、前記第1マップと前記第2マップとを合成する際に、前記第1マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第1供給位置のうち、前記第1供給位置と当該第1供給位置に隣接する前記第2供給位置との間隔が許容範囲外の前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記間隔が前記許容範囲内に収まるように、前記第1供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする情報処理装置。
Information processing apparatus having a processing unit for performing processing for generating a map indicating a supply position of droplets of the imprint material on the substrate in imprint processing for forming a pattern of the imprint material on the substrate using a mold Because
The processor is
Generating a first map indicating a first supply position of the imprint liquid droplets in the first region on the substrate corresponding to a region where the first pattern of the first dimension is formed in the pattern region of the mold. A first step of
Second indicating a second supply position of the droplet of the imprint material in a second region on the substrate corresponding to a region where a second pattern having a size larger than the first size is formed in the pattern region. A second step of generating a map ;
Performed, a third step of generating the map by synthesizing the second map and the first map,
In the third step, when combining the first map and the second map , among the first supply positions of the droplets of the imprint material in the first map , the first supply position and the second map With respect to the supply position of the droplets of the imprint material whose interval from the second supply position adjacent to the first supply position is outside the allowable range, the first supply position is set so that the interval falls within the allowable range. An information processing apparatus comprising an adjusting step for adjusting.
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する処理を行う処理部を有する情報処理装置であって、
前記処理部は、
前記モールドのパターン領域のうちの第1寸法の第1パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第1領域における第1サイズの液滴の第1供給位置を示す第1マップを生成する第1工程と、
前記モールドのパターン領域のうちの前記第1寸法よりも大きい寸法の第2パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第2領域における前記第1サイズよりも小さい第2サイズの液滴の第2供給位置を示す第2マップを生成する第2工程と、
前記第1マップと前記第2マップとを合成して前記マップを生成する第3工程と、を行い、
前記第3工程は、互いに隣接する前記第2サイズの液滴の間隔が許容範囲内に収まるように、前記第2供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする情報処理装置。
Information processing apparatus having a processing unit for performing processing for generating a map indicating a supply position of droplets of the imprint material on the substrate in imprint processing for forming a pattern of the imprint material on the substrate using a mold Because
The processor is
Generating a first map indicating a first supply position of a first size droplet in a first region on the substrate corresponding to a region where a first pattern of a first dimension is formed in a pattern region of the mold; The first step;
The droplets of the second size smaller than the first size in the second region on the substrate corresponding to the region where the second pattern having a size larger than the first size is formed in the pattern region of the mold. A second step of generating a second map indicating the second supply position;
Performed, a third step of generating the map by synthesizing the second map and the first map,
The information processing apparatus according to claim 3, wherein the third step includes an adjustment step of adjusting the second supply position so that an interval between the droplets of the second size adjacent to each other is within an allowable range.
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
請求項1乃至のうちいずれか1項に記載の生成方法を用いて、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する工程と、
前記マップに従って、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給する工程と、
前記基板上に供給された前記インプリント材の液滴を前記モールドで成形する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold,
Using the generation method according to any one of claims 1 to 7 to generate a map indicating a supply position of droplets of the imprint material on the substrate;
Supplying droplets of the imprint material on the substrate according to the map ;
Forming a droplet of the imprint material supplied on the substrate with the mold;
The imprint method characterized by having.
請求項10に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する加工工程と、を有し、
前記加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
Forming an imprint material pattern on a substrate using the imprint method according to claim 10 ;
A processing step of processing the substrate on which the pattern is formed in the step,
A method for manufacturing an article, wherein the article is manufactured from the substrate processed by the processing step.
JP2014212882A 2014-10-17 2014-10-17 Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method Active JP6333152B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014212882A JP6333152B2 (en) 2014-10-17 2014-10-17 Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014212882A JP6333152B2 (en) 2014-10-17 2014-10-17 Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016082100A JP2016082100A (en) 2016-05-16
JP2016082100A5 JP2016082100A5 (en) 2017-08-31
JP6333152B2 true JP6333152B2 (en) 2018-05-30

Family

ID=55956474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014212882A Active JP6333152B2 (en) 2014-10-17 2014-10-17 Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6333152B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7112249B2 (en) * 2018-05-23 2022-08-03 キヤノン株式会社 DATA GENERATION METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD
JP7286400B2 (en) * 2019-04-24 2023-06-05 キヤノン株式会社 Molding Apparatus, Determining Method, and Article Manufacturing Method
JP7441037B2 (en) * 2019-12-13 2024-02-29 キヤノン株式会社 Imprint device, information processing device, imprint method, and article manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7762186B2 (en) * 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2007296783A (en) * 2006-05-01 2007-11-15 Canon Inc Working device/method and device manufacturing method
JP4908369B2 (en) * 2007-10-02 2012-04-04 株式会社東芝 Imprint method and imprint system
US8512797B2 (en) * 2008-10-21 2013-08-20 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation with edge weighting
JP5337114B2 (en) * 2010-07-30 2013-11-06 株式会社東芝 Pattern formation method
JP2012069701A (en) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp Imprint method, semiconductor integrated circuit manufacturing method, and drop recipe preparation method
JP2012129381A (en) * 2010-12-16 2012-07-05 Canon Inc Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of goods
JP5694219B2 (en) * 2012-03-21 2015-04-01 株式会社東芝 Drop position setting program, imprint method, and imprint apparatus
JP5462903B2 (en) * 2012-03-23 2014-04-02 株式会社東芝 Droplet arrangement method, pattern formation method, droplet arrangement program, droplet arrangement apparatus, and template pattern design method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016082100A (en) 2016-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9046763B2 (en) Pattern forming method
KR102048608B1 (en) Imprint system and method of manufacturing article
JP6329425B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
US20210114284A1 (en) Imprint method and template
JP6823374B2 (en) Methods for analyzing pattern defects, imprinting equipment, and manufacturing methods for articles
KR102426957B1 (en) Imprint apparatus, and method of manufacturing an article
JP6329437B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP7137344B2 (en) Imprint Apparatus, Article Manufacturing Method, Information Processing Apparatus, Map Editing Support Method, and Storage Medium
JP6333152B2 (en) Generation method, information processing apparatus, imprint method, and article manufacturing method
CN108153107A (en) Imprinting apparatus and article manufacturing method
JP2010076219A (en) Method for processing substrate by nanoimprint
JP6714378B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JP2019186477A (en) Imprint device, imprint method, and article manufacturing method
JP2010123757A (en) Method of forming pattern and program
US10120276B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP2018133379A (en) Imprint method for correcting variation in filling state of droplets
JP2011161711A (en) Imprinting method and imprint apparatus
US11215921B2 (en) Residual layer thickness compensation in nano-fabrication by modified drop pattern
KR20210080218A (en) Nanofabrication method with correction of distortion whithin an imprint system
JP2014033069A (en) Patterning method and dispenser
JP5275419B2 (en) Pattern formation method
KR20190133600A (en) Data generation method, imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article
KR20210148907A (en) Control method, program, imprint method, and article manufacturing method
JP6305800B2 (en) Mask manufacturing apparatus and mask manufacturing method
KR102286380B1 (en) Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170614

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170713

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170825

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180424

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6333152

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151