JP6322832B2 - 移動出口開口部を有するイオン移動度分離装置 - Google Patents
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Description
イオン誘導路を形成するように配置された複数の電極を有するイオンガイドを提供するステップと、
イオンを上記イオン誘導路内に閉じ込めるために、RF(高周波)電圧を上記電極の少なくとも一部に供給するステップと、
直流(DC)電圧勾配を上記イオンガイドの縦軸の少なくとも一部分に沿って維持するステップであって、上記電圧勾配は、イオンがイオンガイドを通過するとそのイオン移動度に応じて分離するように、イオンガイドに沿ってイオンを付勢し、時間が経過すると、それに沿って上記直流電圧勾配が維持される上記イオンガイドの上記一部分は、上記イオンガイドに沿って移動するステップと、
イオンが異なる時間に異なる位置で上記イオンガイドを出るように、上記イオンガイドに沿って移動するイオン出口領域を提供するステップとを含む。
イオン誘導路を形成するように配置された複数の電極を有するイオンガイドと、
イオンを上記イオン誘導路内に閉じ込めるために、RF電圧を上記電極の少なくとも一部に供給するように配置および構成された装置と、
時間が経過すると、それに沿って上記直流電圧勾配が維持される上記イオンガイドの上記一部分が、上記イオンガイドに沿って移動するように、上記イオンガイドの縦軸の少なくとも一部に沿って直流電圧勾配を維持するように配置および構成された装置と、
使用において、イオンが異なる時間に異なる位置で上記イオンガイドを出るように、上記イオンガイドに沿って移動するイオン出口領域を提供するように配置および構成された装置とを備える。
(a)(i)エレクトロスプレーイオン化(ESI)イオン源;(ii)大気圧光イオン化(APPI)イオン源;(iii)大気圧化学イオン化(APCI)イオン源;(iv)マトリックス支援レーザー脱離イオン化(MALDI)イオン源;(v)レーザー脱離イオン化(LDI)イオン源;(vi)大気圧イオン化(API)イオン源、(vii)シリコン上脱離イオン化(DIOS)イオン源;(viii)電子衝撃(EI)イオン源;(ix)化学イオン化(CI)イオン源;(x)電界イオン化(FI)イオン源;(xi)電界脱離(FD)イオン源;(xii)誘導結合プラズマ(ICP)イオン源;(xiii)高速原子衝撃(FAB)イオン源;(xiv)液化二次イオン質量分析(LSIMS)イオン源;(xv)脱離エレクトロスプレーイオン化(DESI)イオン源;(xvi)ニッケルー63放射性イオン源;(xvii)大気圧マトリクス支援レーザー脱離イオン化イオン源;(xviii)サーモスプレーイオン源;(xix)大気サンプリンググロー放電イオン化(ASGDI)イオン源;(xx)グロー放電(GD)イオン源;および(xxi)インパクタイオン源からなる群から選択されるイオン源;および/または
(b)1つ以上の連続またはパルスイオン源;および/または
(c)1つ以上のさらなるイオンガイド;および/または
(d)1つ以上のさらなるイオン移動度分離装置および/または1つ以上の電界非対称イオン移動度分光計装置;および/または
(e)1つ以上のイオントラップまたは1つ以上のイオントラップ領域;および/または
(f)(i)衝突誘起解離(CID)フラグメンテーション(断片化)装置;(ii)表面誘起解離(SID)フラグメンテーション装置;(iii)電子移動解離(ETD)フラグメンテーション装置;(iv)電子捕獲解離(ECD)フラグメンテーション装置;(v)電子衝突または電子衝撃解離フラグメンテーション装置;(vi)光誘起解離(PID)フラグメンテーション装置;(vii)レーザー誘起解離フラグメンテーション装置;(viii)赤外線誘起解離装置;(ix)紫外線誘起解離装置;(x)ノズル‐スキマインターフェースフラグメンテーション装置;(xi)イン‐ソースフラグメンテーション装置;(xii)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーション装置;(xiii)熱源または温度源フラグメンテーション装置;(xiv)電場誘起フラグメンテーション装置;(xv)磁場誘起フラグメンテーション装置;(xvi)酵素消化または酵素分解フラグメンテーション装置;(xvii)イオン‐イオン反応フラグメンテーション装置;(xviii)イオン‐分子反応フラグメンテーション装置;(xix)イオン‐原子反応フラグメンテーション装置;(xx)イオン‐準安定イオン反応フラグメンテーション装置;(xxi)イオン‐準安定分子反応フラグメンテーション装置;(xxii)イオン‐準安定原子反応フラグメンテーション装置;(xxiii)イオンの反応により付加イオンまたはプロダクトイオンを形成するイオン‐イオン反応装置;(xxiv)イオンの反応により付加イオンまたはプロダクトイオンを形成するイオン‐分子反応装置;(xxv)イオンの反応により付加イオンまたはプロダクトイオンを形成するイオン‐原子反応装置;(xxvi)イオンの反応により付加イオンまたはプロダクトイオンを形成するイオン‐準安定イオン反応装置;(xxvii)イオンの反応により付加イオンまたはプロダクトイオンを形成するイオン‐準安定分子反応装置;(xxviii)イオンの反応により付加イオンまたはプロダクトイオンを形成するイオン‐準安定原子反応装置;および(xxix)電子イオン化解離(EID)フラグメンテーション装置からなる群から選択される1つ以上の衝突セル、フラグメンテーションセルまたは反応セル;および/または
(g)(i)四重極質量分析計;(ii)2次元または線形四重極質量分析計;(iii)ポール(Paul)または3次元四重極質量分析計;(iv)ぺニング(Penning)トラップ型質量分析計;(v)イオントラップ型質量分析計;(vi)磁場型質量分析計;(vii)イオンサイクロトロン共鳴(ICR)質量分析計;(viii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(FTICR)質量分析計;(ix)静電またはオービトラップ型質量分析計;(x)フーリエ変換静電またはオービトラップ型質量分析計;(xi)フーリエ変換質量分析計;(xii)飛行時間型質量分析計;(xiii)直交加速飛行時間型質量分析計;および(xiv)線形加速飛行時間型質量分析計からなる群から選択される質量分析計;および/または
(h)1つ以上のエネルギー分析器または静電エネルギー分析器;および/または
(i)1つ以上のイオン検出器;および/または
(j)(i)四重極質量フィルタ;(ii)2次元または線形四重極イオントラップ;(iii)ポールまたは3次元四重極イオントラップ;(iv)ぺニングイオントラップ;(v)イオントラップ;(vi)磁場型質量フィルタ;(vii)飛行時間型質量フィルタ;および(viii)ウィーン(Wien)フィルタからなる群から選択される1つ以上の質量フィルタ;および/または
(k)イオンをパルス状にするための装置またはイオンゲート;および/または
(l)実質的に連続的なイオンビームをパルスイオンビームに変換するための装置
をさらに備えてもよい。
(i)C型トラップと外側樽形電極および同軸の内側紡錘形電極を備えるオービトラップ(RTM)質量分析計であって、第1動作モードで、イオンは、C型トラップに伝達され、次にオービトラップ(RTM)質量分析計に注入され、第2動作モードで、イオンは、C型トラップに、次に衝突セルまたは電子移動解離装置に伝達されて、少なくとも一部のイオンが、フラグメントイオンに断片化され、フラグメントイオンは、次にオービトラップ(RTM)質量分析計に注入される前にC型トラップに伝達される、質量分析計;および/または
(ii)使用においてイオンを透過させる開口部を各々有する複数の電極を備え、該電極の間隔がイオン通路の長さに沿って大きくなり、イオンガイドの上流部の電極の開口部が第1の直径を有し、イオンガイドの下流部の電極の開口部が第1の直径より小さい第2の直径を有し、交流電圧またはRF電圧の逆位相が、使用において連続する電極に印加される、積層リング型イオンガイド
のいずれかをさらに備えてもよい。
上記式において、tは装置のドリフト領域を通るイオンドリフト時間であり、tFWHMは、信号の半分の高さでのピーク幅であり、Lは、ドリフト領域の長さであり、Eは、電界強度であり、zは、分析されているイオン上の電荷数であり、eは、単位電子電荷であり、Vは、装置のドリフト領域前後のポテンシャル差であり(E=V/L)、kは、ボルツマン定数であり、Tは、ドリフト領域のドリフトガスの温度である。
Claims (25)
- イオンをそのイオン移動度に応じて分離する方法であって、
イオン誘導路を形成するように配置された複数の電極を有するイオンガイドを提供するステップと、
イオンを前記イオン誘導路内に閉じ込めるために、前記電極の少なくとも一部にRF電圧を供給するステップと、
直流電圧勾配を前記イオン誘導路の少なくとも一部分に沿って維持するステップであって、前記直流電圧勾配は、イオンがイオンガイドを通過するとそのイオン移動度に応じて分離するように、イオンガイドに沿ってイオンを付勢し、前記イオンガイドの前記一部分であって、当該一部分に沿って前記直流電圧勾配が維持される前記イオンガイドの前記一部分は、時間が経過すると前記イオンガイドに沿って移動するステップと、
イオンがイオン出口領域の前記複数の電極の1つ以上の電極によって閉じ込められないように、前記複数の電極の前記1つ以上の電極に供給される電圧を変更するステップであって、前記イオン出口領域は、イオンが異なる時間に異なる位置で前記イオンガイドを出るように、前記イオンガイドに沿って移動するステップとを含む方法。 - 前記直流電圧勾配は、第1の高ポテンシャル端、及び、第2の低ポテンシャル端を有し、
前記方法は、前記直流電圧勾配を、前記直流電圧勾配の前記第1の高ポテンシャル端から前記第2の低ポテンシャル端に向かう方向に対応する方向に、前記イオンガイドに沿って移動させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記直流電圧勾配は、第1の高ポテンシャル端、及び、第2の低ポテンシャル端を有し、
前記直流電圧勾配および前記イオン出口領域は、前記イオン出口領域が前記直流電圧勾配の前記第2の低ポテンシャル端に留まり、イオンが前記直流電圧勾配の前記第2の低ポテンシャル端に達した時に前記イオンがイオンガイドを出るように時間の経過と共に前記イオンガイドに沿って移動する、請求項1または2に記載の方法。 - 前記直流電圧勾配は、第1の高ポテンシャル端、及び、第2の低ポテンシャル端を有し、
前記方法は、前記直流電圧勾配が前記イオンガイドに沿って移動するのに伴い、前記直流電圧勾配の前記第1の高ポテンシャル端に、イオンが前記直流電圧勾配の前記第1の高ポテンシャル端から前記直流電圧勾配の領域から出るのを阻止するためのポテンシャル障壁を提供するステップをさらに含む、請求項1、2または3に記載の方法。 - イオンが前記ポテンシャル障壁に隣接して存在して、前記直流電圧勾配の下方に移動しないように、第1の高い速度で前記イオンガイドに沿って前記直流電圧勾配を移動させ、次にイオンが前記ポテンシャル障壁から離れて前記直流電圧勾配の下方に移動して、イオン移動度に応じて分離するように、前記直流電圧勾配が前記イオンガイドに沿って移動する速度を第2の低い速度まで下げるステップを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記直流電圧勾配が前記第1の高い速度で移動している場合には、イオン移動度の高いイオンおよびイオン移動度の低いイオンを、前記ポテンシャル障壁に隣接して存在させ、前記直流電圧勾配が前記第2の低い速度で移動している場合には、イオン移動度の低いイオンを、前記ポテンシャル障壁に隣接して存在させるが、高移動度のイオンは、前記直流電圧勾配の下方に移動させて、イオン移動度に応じて分離させる、請求項5に記載の方法。
- イオン移動度の低い前記イオンが前記直流電圧勾配の下方に移動して、イオン移動度に応じて分離するように、前記直流電圧勾配が前記イオンガイドの周りを移動している前記速度を前記第2の低い速度より低い第3の速度まで下げるステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記イオンガイドは、閉ループイオン誘導路を形成し、前記直流電圧勾配の前記速度は、イオン移動度の高い前記イオンおよび/またはイオン移動度の低い前記イオンが前記直流電圧勾配の下方に移動する間に前記イオンガイドの周りで複数サイクル駆動されるように選択される、請求項6または7に記載の方法。
- 前記直流電圧勾配は、第1の高ポテンシャル端、及び、第2の低ポテンシャル端を有し、
前記方法は、イオンが前記直流電圧勾配の前記第2の低ポテンシャル端から、前記直流電圧勾配の領域から出るのを阻止するためのポテンシャル障壁を、前記直流電圧勾配の前記第2の低ポテンシャル端に提供するステップをさらに含む、請求項1または2に記載の方法。 - イオンが前記直流電圧勾配によって前記ポテンシャル障壁に向かう方向に押されるように、前記直流電圧勾配を一定に保持するか、または前記直流電圧勾配を第1の低い速度で前記イオンガイドに沿って移動させ、次にイオンが前記直流電圧勾配の上方に移動して、イオン移動度に応じて分離し始めるように、前記直流電圧勾配が前記イオンガイドに沿って移動する速度を第2の高い速度まで上げるステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記直流電圧勾配が一定であるか、または前記第1の低い速度で移動している場合には、イオン移動度の高いイオンおよびイオン移動度の低いイオンを、前記ポテンシャル障壁に隣接して存在させ、前記直流電圧勾配が前記第2の高い速度で移動している場合には、イオン移動度の高いイオンを、前記ポテンシャル障壁に隣接して存在させるが、イオン移動度の低いイオンは、前記第1の高ポテンシャル端の方に向かって前記直流電圧勾配の上方に移動させて、イオン移動度に応じて分離させる、請求項10に記載の方法。
- イオン移動度の高い前記イオンが前記直流電圧勾配の上方に移動して、イオン移動度に応じて分離し始めるように、前記直流電圧勾配が前記イオンガイドの周りを移動する速度を前記第2の高い速度より高い第3の速度まで上げるステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記イオンガイドは、閉ループイオン誘導路を形成し、前記直流電圧勾配の前記速度は、イオン移動度の高い前記イオンおよび/またはイオン移動度の低い前記イオンが前記直流電圧勾配の上方に移動する間に、前記イオンガイドの周りで複数サイクル駆動されるように選択される、請求項11または12に記載の方法。
- 前記イオン出口領域は、前記直流電圧勾配の前記第1の高ポテンシャル端で維持されるように前記イオンガイドに沿って移動し、前記イオンは、前記直流電圧勾配の上方に移動して、前記第1の高ポテンシャル端で前記イオンガイドを出る、請求項10〜〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 第1のポテンシャルは、イオンを半径方向に閉じ込めるために前記イオン出口領域の外部の前記電極に印加され、第2の異なるポテンシャルは、イオンが前記イオンガイドを出るのを許可するかまたは出させるために前記イオン出口領域の内部の一つ以上の電極に印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の異なるポテンシャルは、前記イオン出口領域が前記イオンガイドに沿って移動するように、前記イオンガイドに沿った連続する電極に順次印加される、請求項15に記載の方法。
- 前記複数の電極は、開口電極を含み、前記電極および前記電極の開口部は、前記開口部を通って前記イオンガイドの周りでイオンを誘導するように整列されている、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
- 各開口電極の前記開口部は、前記電極の端縁に開放端を有するように前記電極の前記端縁から前記電極内に延びるスロットである、請求項17に記載の方法。
- 少なくとも1つのゲート電極を各スロットの前記開放端に隣接して設け、イオンが前記イオン出口領域の外部の前記イオンガイドの領域で前記スロットの前記開放端を出るのを阻止するために、前記ゲート電極に第1のポテンシャルを印加し、イオンが前記イオン出口領域の内部の前記イオンガイドの領域で前記スロットの前記開放端を出るのを許可するかまたは出させるために、第2のポテンシャルを前記ゲート電極に印加するステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記電極は、前記イオン誘導路の少なくとも一部分が、湾曲し、これにより曲率半径を有するように配置され、各スロットの最少寸法が前記曲率半径に実質的に平行であり最大寸法が前記曲率半径に実質的に垂直である、請求項18または19に記載の方法。
- 前記イオンガイドは、閉ループイオン誘導路を形成し、前記直流電圧勾配および前記イオン出口領域は、前記イオンガイドの周りを移動する、請求項1〜20のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜21のいずれか一項に記載の方法に従ってイオンを分離するステップを含む、質量分析の方法。
- イオン移動度分離器であって、
イオン誘導路を形成するように配置された複数の電極を有するイオンガイドと、
イオンを前記イオン誘導路内に閉じ込めるために、前記電極の少なくとも一部にRF電圧を供給するように配置および構成された装置と、
前記イオン誘導路の少なくとも一部であって、当該一部に沿って直流電圧勾配が維持される前記イオン誘導路の少なくとも一部が、時間が経過すると前記イオンガイドに沿って移動するように、前記イオン誘導路の前記一部に沿って前記直流電圧勾配を維持するように配置および構成された装置と、
イオンがイオン出口領域の前記複数の電極の1つ以上の電極によって閉じ込められないように、前記複数の電極の前記1つ以上の電極に供給される電圧を変更するように配置および構成された装置であって、前記イオン出口領域は、使用においてイオンが異なる時間に異なる位置で前記イオンガイドを出るように、前記イオンガイドに沿って移動するように配置および構成された装置とを備える、イオン移動度分離器。 - 前記イオン移動度分離器は、請求項1〜〜21のいずれか一項に記載の方法を行うように配置および構成される、請求項23に記載のイオン移動度分離器。
- 請求項23又は24に記載のイオン移動度分離器を備える、質量分析計。
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