JP6316936B2 - Carbide structure and method for producing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 204
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 179
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 179
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 60
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 50
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 40
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 38
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 51
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 11
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 9
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 208000010392 Bone Fractures Diseases 0.000 description 6
- 206010017076 Fracture Diseases 0.000 description 6
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910009043 WC-Co Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- -1 PCD or PCBN Substances 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021446 cobalt carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);carbonate Chemical compound [Co+2].[O-]C([O-])=O ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 238000009527 percussion Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000013201 Stress fracture Diseases 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
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- E21B10/00—Drill bits
- E21B10/46—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts
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- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B10/00—Drill bits
- E21B10/46—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts
- E21B10/56—Button-type inserts
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B10/00—Drill bits
- E21B10/46—Drill bits characterised by wear resisting parts, e.g. diamond inserts
- E21B10/56—Button-type inserts
- E21B10/567—Button-type inserts with preformed cutting elements mounted on a distinct support, e.g. polycrystalline inserts
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F5/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
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- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Fluid Mechanics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Earth Drilling (AREA)
- Drilling Tools (AREA)
- Milling, Broaching, Filing, Reaming, And Others (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Description
分野
本開示は、超硬構築物及び該構築物の製造方法、特に、排他的ではないが、基板に付着した多結晶ダイヤモンド(PCD)構造を含む構築物、並びにそれを含む工具、特に、排他的ではないが、岩石分解若しくは掘削で使用するため、又は地中へのボーリングのための工具に関する。
FIELD The present disclosure relates to cemented carbide constructions and methods for making the constructions, in particular, but not exclusively, constructions comprising a polycrystalline diamond (PCD) structure attached to a substrate, and tools comprising the same, in particular not exclusive. Relates to tools for use in rock breaking or excavation or for drilling into the ground.
背景
多結晶ダイヤモンド(PCD)及び多結晶立方晶窒化ホウ素(PCBN)等の多結晶超硬材料は、岩石、金属、セラミック、複合材及び木質含有材料等の硬質材料又は研磨材を切削、機械加工、掘削又は分解するための種々多様の工具に使用し得る。特に、PCD材料を含む切削要素の形態の工具インサートは、地中にボーリングして油又はガスを抽出するためのドリルビットに広く使用されている。超硬工具インサートの可使時間は、剥離及びチッピングによる等の超硬材料の破壊によって、又は工具インサートの摩耗によって制限され得る。
岩石ドリルビット又は他の切削工具で使用するもの等の切削要素は典型的に、接合端／面を有する基板と、この基板の接合面に、例えば、焼結プロセスによって結合した切削層を形成する超硬材料との形態のボディを有する。基板は、一般的に超硬タングステン合金(cemented tungsten carbide)と呼ばれることもある炭化タングステン・コバルト合金で形成され、超硬材料層は、典型的に多結晶ダイヤモンド(PCD)、多結晶立方晶窒化ホウ素(PCBN)又は耐熱性生成物(thermally stable product)TSP材料、例えば耐熱性多結晶ダイヤモンドである。
多結晶ダイヤモンド(PCD)は、超硬材料(超砥粒材料又は超硬質材料とも呼ばれる)の例であり、ダイヤモンド結晶粒間の隙間を画定する骨格集合体を形成する実質的に連晶した(inter-grown)ダイヤモンド結晶粒の集合体を含む。PCD材料は典型的に少なくとも約80体積%のダイヤモンドを含み、例えば、約5GPaより高い超高圧、及び少なくとも約1,200℃の温度にダイヤモンド結晶粒の凝集集合体をさらすことによって好都合に作製される。隙間を全体的又は部分的に充填する材料をフィラー又はバインダー材料と呼ぶことができる。
Background Polycrystalline cemented carbide materials such as polycrystalline diamond (PCD) and polycrystalline cubic boron nitride (PCBN) cut and machine hard materials or abrasives such as rocks, metals, ceramics, composites and wood-containing materials Can be used with a wide variety of tools for drilling or disassembling. In particular, tool inserts in the form of cutting elements comprising PCD material are widely used in drill bits for boring into the ground to extract oil or gas. The pot life of a cemented carbide tool insert can be limited by destruction of the cemented carbide material, such as by peeling and chipping, or by wear of the tool insert.
Cutting elements, such as those used in rock drill bits or other cutting tools, typically form a substrate having a bonded end / face and a cutting layer bonded to the bonded surface of the substrate, for example, by a sintering process. It has a body in the form of super hard material. The substrate is formed of a tungsten carbide-cobalt alloy, commonly referred to as cemented tungsten carbide, and the carbide layer is typically polycrystalline diamond (PCD), polycrystalline cubic nitride. Boron (PCBN) or a thermally stable product TSP material, such as refractory polycrystalline diamond.
Polycrystalline diamond (PCD) is an example of a superhard material (also called superabrasive material or superhard material) that is substantially intergrowth forming a skeletal aggregate that defines the interstices between diamond grains ( inter-grown) includes aggregates of diamond grains. PCD materials typically contain at least about 80 volume percent diamond, and are conveniently made, for example, by subjecting the aggregate of diamond grains to an ultra-high pressure greater than about 5 GPa and a temperature of at least about 1200 ° C. A material that completely or partially fills the gap can be referred to as a filler or binder material.
PCDは、典型的にダイヤモンド結晶粒の連晶を促進するコバルト等の焼結助剤の存在下で形成される。PCDに適した焼結助剤は一般的に、ある程度ダイヤモンドを溶解し、ダイヤモンドの再沈殿を触媒するそれらの機能のためダイヤモンド用溶媒・触媒材料とも呼ばれる。ダイヤモンド用溶媒・触媒材料は、ダイヤモンドが熱力学的に安定である圧力と温度の条件でのダイヤモンド結晶粒間のダイヤモンドの成長又は直接的なダイヤモンド・トゥー・ダイヤモンド連晶を促進できる材料と理解されている。結果として、焼結PCD生成物内の隙間は、残存溶媒・触媒材料で全体的又は部分的に充填され得る。最も典型的には、PCDは、PCD用のコバルト溶媒・触媒源を与える超硬コバルトタングステン合金基板上に形成されることが多い。ダイヤモンド結晶粒間の実質的な理路整然とした連晶を促進しない材料自体は、ダイヤモンド結晶粒と強い結合を形成し得るが、PCD焼結用溶媒・触媒には適さない。
適切な基板の形成に使用し得る超硬タングステン合金は、炭化タングステン粒子／結晶粒とコバルトを一緒に混合してから加熱して凝固させることによって、コバルトマトリックス内に分散された炭化物粒子から形成される。PCD又はPCBN等の超硬材料層を有する切削要素を形成するためには、ニオブエンクロージャー等の耐火金属エンクロージャー内で超硬タングステン合金ボディの隣にダイヤモンド粒子若しくは結晶粒又はCBN結晶粒を置いて、ダイヤモンド結晶粒又はCBN結晶粒間の粒間結合が起こり、多結晶超硬ダイヤモンド又は多結晶CBN層を形成するような高圧及び高温にさらす。
場合によっては、超硬材料層への付着前に基板を完全に硬化させてよく、他の場合には、基板はグリーン、すなわち、完全には硬化されていなくてよい。後者の場合、基板はHTHP焼結プロセス中に完全に硬化し得る。基板は粉末形態であってよく、超硬材料層を焼結するために用いる焼結プロセス中に凝固し得る。
PCD is typically formed in the presence of a sintering aid such as cobalt that promotes intergrowth of diamond grains. Sintering aids suitable for PCD are generally also referred to as diamond solvent and catalyst materials because of their ability to dissolve diamond to some extent and catalyze the reprecipitation of diamond. A solvent / catalyst material for diamond is understood as a material that can promote diamond growth between diamond grains or direct diamond-to-diamond intergrowth under pressure and temperature conditions where diamond is thermodynamically stable. ing. As a result, the gaps in the sintered PCD product can be wholly or partially filled with residual solvent / catalyst material. Most typically, the PCD is often formed on a cemented carbide tungsten alloy substrate that provides a source of cobalt solvent and catalyst for the PCD. A material itself that does not promote a substantial orderly continuous crystal between diamond crystal grains can form a strong bond with diamond crystal grains, but is not suitable as a solvent or catalyst for PCD sintering.
A cemented tungsten alloy that can be used to form a suitable substrate is formed from carbide particles dispersed in a cobalt matrix by mixing tungsten carbide particles / grains and cobalt together and then solidifying by heating. The In order to form a cutting element having a layer of carbide material such as PCD or PCBN, diamond particles or grains or CBN grains are placed next to the carbide tungsten alloy body in a refractory metal enclosure such as a niobium enclosure, Intergranular bonding between diamond grains or CBN grains occurs and is exposed to high pressures and temperatures that form polycrystalline carbide diamond or polycrystalline CBN layers.
In some cases, the substrate may be fully cured prior to application to the superhard material layer, and in other cases the substrate may be green, i.e., not fully cured. In the latter case, the substrate can be fully cured during the HTHP sintering process. The substrate may be in powder form and may solidify during the sintering process used to sinter the superhard material layer.
アースボーリング分野における生産性改善に向けた絶え間なく増大する流れが、岩石を切削するために使用する材料にかつてないほど大きい要求を突き付けている。詳細には、より速い切削速度及びより長い工具寿命を達成するために耐摩耗性及び耐衝撃性が改善されたPCD材料が必要とされている。
PCD材料を含む切削要素又は工具インサートは、油及びガス掘削産業で地中にボーリングするためのドリルビットに広く用いられている。岩石の掘削及び他の作業は、高い耐摩耗性及び耐衝撃性を必要とする。多結晶ダイヤモンド(PCD)研磨カッターの成功を制限する因子の1つは、PCD材料と被削材との間の摩擦に起因する熱の発生である。この熱がダイヤモンド層の熱分解を引き起こす。熱分解は、PCD層の亀裂及び剥離の増加によるカッターの摩耗率を高めるのみならず、ダイヤモンドのグラファイトへの逆変換を増やし、これが磨損を増やす。
PCD複合材の耐摩耗性を改善するために用いる方法は、複合材の耐衝撃性の低下をもたらすことが多い。
The ever-increasing flow of productivity improvement in the earth boring sector places unprecedented demands on the materials used to cut rock. In particular, there is a need for PCD materials with improved wear and impact resistance to achieve higher cutting speeds and longer tool life.
Cutting elements or tool inserts containing PCD materials are widely used in drill bits for drilling underground in the oil and gas drilling industry. Rock excavation and other operations require high wear and impact resistance. One factor that limits the success of polycrystalline diamond (PCD) abrasive cutters is the generation of heat due to friction between the PCD material and the workpiece. This heat causes thermal decomposition of the diamond layer. Pyrolysis not only increases the wear rate of the cutter due to increased cracking and delamination of the PCD layer, but also increases the reverse conversion of diamond to graphite, which increases wear.
Methods used to improve the wear resistance of PCD composites often result in a reduction in the impact resistance of the composite.
最大の耐摩耗性グレードのPCDは、通常それが磨滅してしまう前のカッターの壊滅的な破壊に悩まされる。これらのカッターの使用中、壊滅的な破損が起こる、すなわち、PCDの大部分が脆化様式で壊れて外れるときのような臨界長に達するまで亀裂が成長する。従来法で焼結したPCDの使用中に遭遇するこれらの長い速く成長する亀裂は、工具寿命を短縮することになる。
さらに、それらの高い強度にもかかわらず、多結晶ダイヤモンド(PCD)材料は通常それらの低い破壊靱性のため衝撃破壊を受けやすい。材料の高い強度及び耐摩耗性に悪影響を与えることなく破壊靭性を改善することは困難なタスクである。
従って、良い又は改善された耐摩耗性、耐破壊性及び耐衝撃性を有するPCD複合材並びに該複合材の製造方法が要望されている。
The largest wear-resistant grade PCD usually suffers from the catastrophic destruction of the cutter before it wears out. During the use of these cutters, catastrophic failure occurs, that is, the crack grows until a critical length is reached, such as when most of the PCD breaks away in a brittle manner. These long, fast-growing cracks encountered during the use of conventionally sintered PCD will reduce tool life.
Moreover, despite their high strength, polycrystalline diamond (PCD) materials are usually susceptible to impact fracture due to their low fracture toughness. Improving fracture toughness without adversely affecting the high strength and wear resistance of the material is a difficult task.
Accordingly, there is a need for PCD composites having good or improved wear resistance, fracture resistance and impact resistance, and methods for producing the composites.
概要
第一態様から見ると、超硬相と、この超硬相に分散した非超硬相とを含み、超硬相は複数の相互結合した超硬結晶粒を含む、多結晶超硬材料のボディを含んでなる超硬多結晶構築物であって、
非超硬相は、超硬結晶粒と化学的に反応せず、かつ多結晶超硬材料のボディの約10体積%未満を形成する粒子又は結晶粒を含む、超硬多結晶構築物を提供する。
第二態様から見ると、下記工程：
超硬材料の粒子又は結晶粒の集合体を準備する工程；
超硬結晶粒と化学的に反応せず、超硬材料の粒径の約30%未満の粒径を有する材料の粒子又は結晶粒を含んでなる非超硬結晶粒又は粒子の集合体を準備する工程；
超硬材料の集合体と非超硬結晶粒の集合体を組み合わせて焼結前アセンブリを形成する工程；及び
焼結前アセンブリを超硬結晶粒用の触媒／溶媒材料の存在下で、超硬材料が熱力学的にグラファイトより安定である約5.5GPa以上の超高圧と温度で処理して、超硬材料の結晶粒を一緒に焼結して多結晶超硬構築物を形成する工程
を含んでなる超硬多結晶構築物の製造方法であって、
超硬結晶粒は粒間結合を示し、かつそれらの間に複数の隙間領域を画定し、非超硬相は、多結晶材料内に分散され、かつ多結晶超硬材料のボディの約10vol%未満を形成し、いずれの残存触媒／溶媒も複数の隙間領域を少なくとも部分的に充填している、
方法を提供する。
さらなる態様から見ると、上で定義した超硬多結晶構築物を含む工具であって、切削、製粉、研削、掘削、アースボーリング、岩石掘削又は他の研磨用途のための工具を提供する。
工具は、例えば、アースボーリング又は岩石掘削用のドリルビット、油及びガス掘削産業で用いる回転式固定カッタービット、或いは回転コーンドリルビット、穴開け工具、拡張可能工具、リーマー又は他のアースボーリング工具を構成し得る。
別の態様から見ると、上で定義した超硬多結晶構築物を含んでなるドリルビット若しくはカッター又はそのための部品を提供する。
以下、例として、添付図面を参照して本発明について述べる。
Overview Viewed from the first aspect, a polycrystalline cemented carbide material includes a cemented carbide phase and a non-carbide phase dispersed in the cemented carbide phase, and the cemented carbide phase includes a plurality of interconnected cemented carbide grains. A super hard polycrystalline structure comprising a body,
The non-carbide phase provides a cemented carbide polycrystalline structure that includes particles or grains that do not chemically react with the cemented carbide grains and that form less than about 10% by volume of the body of the polycrystalline cemented carbide material. .
Viewed from the second aspect, the following steps:
Preparing an aggregate of particles or crystal grains of superhard material;
Prepare non-carbide crystal grains or aggregates of particles that do not chemically react with cemented carbide grains and that comprise particles or grains of material having a grain size less than about 30% of the grain size of the cemented carbide material The step of:
Combining a collection of cemented carbide materials and a collection of non-carbide grains to form a pre-sinter assembly; and pre-sintering the assembly in the presence of a catalyst / solvent material for cemented carbide grains; Processing at ultra-high pressures and temperatures above about 5.5 GPa, where the material is thermodynamically more stable than graphite, and sintering the grains of cemented carbide material together to form a polycrystalline cemented carbide structure. A method for producing a super hard polycrystalline structure comprising:
The cemented carbide grains exhibit intergranular bonding and define a plurality of interstitial regions therebetween, the non-carbide phase is dispersed within the polycrystalline material, and about 10 vol% of the body of the polycrystalline cemented carbide material Less than that, and any residual catalyst / solvent at least partially fills the plurality of interstitial regions,
Provide a method.
Viewed from a further aspect, there is provided a tool comprising a carbide polycrystalline structure as defined above for cutting, milling, grinding, drilling, earth boring, rock drilling or other polishing applications.
Tools include, for example, drill bits for earth boring or rock drilling, rotary fixed cutter bits used in the oil and gas drilling industry, or rotating cone drill bits, drilling tools, expandable tools, reamers or other earth boring tools. Can be configured.
Viewed from another aspect, there is provided a drill bit or cutter or part therefor comprising a carbide polycrystalline construct as defined above.
The invention will now be described by way of example with reference to the accompanying drawings.
説明
本明細書で使用する場合、「超硬材料」は、少なくとも約28GPaのビッカース硬度を有する材料である。ダイヤモンド及び立方晶窒化ホウ素(cBN)材料が超硬材料の例である。
本明細書で使用する場合、「超硬構築物」は、多結晶超硬材料のボディを含む構築物を意味する。該構築物では、基板が構築物に付着していてよく、或いは多結晶材料のボディが自立し、支持されていなくてよい。
本明細書で使用する場合、多結晶ダイヤモンド(PCD)は、ダイヤモンド結晶粒の集合体を含むタイプの多結晶超硬(PCS)材料であって、ダイヤモンド結晶粒の実質的部分は互いに直接相互結合し、ダイヤモンド含量は該材料の少なくとも約80体積パーセントである。PCD材料の一実施形態では、ダイヤモンド結晶粒間の隙間は、ダイヤモンド用触媒を含むバインダー材料で少なくとも部分的に充填されていてよい。本明細書で使用する場合、「隙間」又は「格子間領域」は、PCD材料のダイヤモンド結晶粒間の領域である。PCD材料の実施形態では、隙間又は格子間領域はダイヤモンド以外の材料で実質的又は部分的に充填され、或いはそれらは実質的に空であってよい。PCD材料は、触媒材料が隙間から除去され、ダイヤモンド結晶粒間の格子間空隙を残す少なくとも1つの領域を含んでよい。
超硬材料用の「触媒材料」は、超硬材料の成長又は焼結を促進することができる。
本明細書で使用する用語「基板」は、その上に超硬材料層が形成されるいずれの基板をも意味する。例えば、本明細書で使用する「基板」は、別の基板上に形成された移行層であってもよい。
本明細書で使用する場合、用語「一体的に形成された」領域又は部分は、互いに隣接して作り出され、かつ異なる種類の材料で隔てられていない。
DESCRIPTION As used herein, a “superhard material” is a material having a Vickers hardness of at least about 28 GPa. Diamond and cubic boron nitride (cBN) materials are examples of superhard materials.
As used herein, “carbide construct” means a construct comprising a body of polycrystalline cemented carbide material. In the construct, the substrate may be attached to the construct, or the body of polycrystalline material may be self-supporting and unsupported.
As used herein, polycrystalline diamond (PCD) is a type of polycrystalline carbide (PCS) material that contains an aggregate of diamond grains, wherein a substantial portion of the diamond grains are directly interconnected with each other. And the diamond content is at least about 80 volume percent of the material. In one embodiment of the PCD material, the interstices between the diamond grains may be at least partially filled with a binder material comprising a diamond catalyst. As used herein, “interstices” or “interstitial regions” are regions between diamond grains of PCD material. In embodiments of the PCD material, the gaps or interstitial regions may be substantially or partially filled with a material other than diamond, or they may be substantially empty. The PCD material may include at least one region in which the catalyst material is removed from the gaps, leaving an interstitial void between the diamond grains.
A “catalytic material” for a cemented carbide material can promote the growth or sintering of the cemented carbide material.
As used herein, the term “substrate” means any substrate on which a superhard material layer is formed. For example, a “substrate” as used herein may be a transition layer formed on another substrate.
As used herein, the term “integrally formed” regions or portions are created adjacent to each other and are not separated by different types of materials.
図1に示す実施形態では、切削要素1は、基板10を含み、基板10の上には超硬材料の層12が形成されている。基板10は、超硬タングステン合金等の硬質材料で形成され得る。超硬材料12は、例えば、多結晶ダイヤモンド(PCD)、又は耐熱性PCD(TSP)等の熱的に安定な生成物であってよい。切削要素1は、ドラッグビットボディ(図示せず)等のビットボディ中に取り付けてよく、例えば、地中にボーリングするためのドリルビット用のカッターインサートとして用いるのに適し得る。
基板の反対側の超硬材料の露出上面は切削面14を形成し、これが、その縁16と共に、使用中に切削を行なう面である
基板10の一端に、超硬材料層12との界面を形成する接合面18があり、この接合面で超硬材料層12が基板10の一端に付着している。図1の実施形態で示すように、基板10は一般的に円柱状であり、周囲面20と周囲側面(peripheral top edge)22を有する。
In the embodiment shown in FIG. 1, the cutting
The exposed upper surface of the cemented carbide material on the opposite side of the substrate forms a cutting
本明細書で使用する場合、PCDグレードは、ダイヤモンド結晶粒の体積含量及びサイズの観点から、ダイヤモンド結晶粒間の格子間領域の体積含量と、この格子間領域内に存在し得る材料の組成とを特徴づけたPCD材料である。あるグレードのPCD材料は、該グレードに適した粒度分布を有するダイヤモンド結晶粒の凝集集合体を準備する工程、場合により凝集集合体に触媒材料又は添加剤材料を導入する工程、及びダイヤモンド用触媒材料源の存在下、ダイヤモンドがグラファイトより熱力学的に安定であり、かつ触媒材料が溶融する圧力と温度に凝集集合体をさらす工程を含む方法により調製可能である。これらの条件下では、溶融触媒材料が触媒材料源から凝集集合体中に浸透し、焼結プロセスでダイヤモンド結晶粒間の直接的な連晶を促してPCD構造を形成する可能性がある。凝集集合体は、ルーズなダイヤモンド結晶粒又はバインダー材料で結び付けられたダイヤモンド結晶粒を含んでよく、前記ダイヤモンド結晶粒は天然又は合成ダイヤモンド結晶粒であってよい。
異なるPCDグレードは異なるミクロ構造及び異なる機械的特性、例えば弾性(又はヤング)率E、弾性係数、抗折力(transverse rupture strength)(TRS)、靭性(例えばいわゆるK1C靭性)、硬度、密度及び熱膨張係数(CTE)等を有し得る。異なるPCDグレードは、使用中に異なって機能することもある。例えば、異なるPCDグレードの摩耗率及び破壊抵抗は異なり得る。
全てのPCDグレードは、ダイヤモンド用触媒材料の例であるコバルト金属を含む材料で充填された格子間領域を含み得る。
As used herein, PCD grades refer to the volume content of interstitial regions between diamond grains and the composition of materials that may exist in these interstitial regions in terms of the volume content and size of diamond grains. Is a PCD material that characterizes A grade of PCD material comprises a step of preparing an aggregate of diamond grains having a particle size distribution suitable for the grade, optionally a step of introducing a catalyst material or additive material into the aggregate, and a catalyst material for diamond In the presence of the source, the diamond is thermodynamically more stable than graphite and can be prepared by a process that includes subjecting the aggregate to a pressure and temperature at which the catalyst material melts. Under these conditions, the molten catalyst material can penetrate from the source of the catalyst material into the aggregate and promote a direct intergrowth between diamond grains in the sintering process to form a PCD structure. Agglomerated aggregates may include loose diamond grains or diamond grains bound with a binder material, which may be natural or synthetic diamond grains.
Different PCD grades have different microstructures and different mechanical properties such as elastic (or Young) modulus E, elastic modulus, transverse rupture strength (TRS), toughness (e.g. so-called K 1 C toughness), hardness, density And coefficient of thermal expansion (CTE). Different PCD grades may function differently during use. For example, the wear rate and puncture resistance of different PCD grades can be different.
All PCD grades may include interstitial regions filled with a material comprising cobalt metal, which is an example of a diamond catalyst material.
PCD構造12は、1つ以上のPCDグレードを含んでよい。
図2a及び2bは、図1の超硬層12を形成するPCD材料の実施形態を通してPCDミクロ構造を概略的に示す断面図である。例えば、セラミック酸化物で形成された粒子30を含む非反応性相が、ダイヤモンド相マトリックス32中に分散されて、局在化応力集中部及び／又はミクロ欠陥として作用する。ここで、ダイヤモンド相マトリックス32は、ダイヤモンド結晶粒で形成された従来のPCDと、その中に分散した触媒バインダー相33とを指す。非反応性相30は、例えば、アルミナ、ジルコニア、酸化タンタル及びイットリアの1種以上の酸化物で形成された酸化物を含み得る。分散した非反応性相粒子30の粒径は、一部の実施形態では、ダイヤモンド結晶粒のサイズの30%を超えない。非反応性相粒子30をダイヤモンド粉末と混合し、次にこの複合材を例えば、HPHTでのコバルト浸透を伴う伝統的手段で焼結して触媒バインダーを与えてダイヤモンド結晶粒間の粒間結合を形成することができる。非反応性粒子は、超硬相、例えば、ダイヤモンドに対して非反応性であり、かつバインダー相に溶けず、超硬(例えばダイヤモンド)粒子に接着しないようにバインダー相とも反応しない。すなわち、図2bに示すように、超硬粒子と、相互結合したダイヤモンド結晶粒間及び相互結合したダイヤモンド結晶粒間の複数の格子間空間（この空間のいくつかは残存バインダー相で少なくとも部分的に充填され得る）内に局在化し得る非反応性粒子との間に2面間結合は実質的に存在しない。
一部の実施形態では、非反応性相粒子30は、焼結PCD材料の5体積%未満を構成する。他の実施形態では、非反応性相粒子30は、焼結PCD材料の3体積%未満を占め、或いはさらに、場合によっては、焼結PCD材料の1体積%未満を構成する。
これらの分散非反応性相粒子30は、サイズに応じて、バインダープールの内側又はダイヤモンド結晶粒間に局在化し得る。
The
2a and 2b are cross-sectional views schematically illustrating the PCD microstructure through an embodiment of the PCD material forming the cemented
In some embodiments, the
These dispersed
超硬材料の結晶粒は、例えば、ダイヤモンド結晶粒又は粒子であってよい。焼結前の出発混合物では、それらは、例えば、バイモーダルであってよい。すなわち、供給原料は、ダイヤモンド粗粒分とダイヤモンド微細粒分の混合物を含む。一部の実施形態では、粗粒分は、例えば約10〜60μmの範囲の平均粒径を有し得る。「平均粒径」とは、個々の粒子／結晶粒が「平均」に相当する平均粒径を有する範囲のサイズを有することを意味する。微細粒分の平均粒径は、粗粒分のサイズ未満、例えば、粗粒分のサイズの約1/10〜6/10であり、一部の実施形態では、例えば約0.1〜20μmの範囲であり得る。
一部の実施形態では、ダイヤモンド微細粒分に対するダイヤモンド粗粒分の質量比は、約50%〜約97%の粗ダイヤモンドの範囲であり、ダイヤモンド微細粒分の質量比は、約3%〜約50%であり得る。他の実施形態では、粗粒分対微細粒分の質量比は、約70:30〜約90:10の範囲であろう。
さらなる実施形態では、粗粒分対微細粒分の質量比は、例えば約60:40〜約80:20の範囲であってよい。
一部の実施形態では、粗粒分と微細粒分の粒度分布は重ならず、一部の実施形態では、成形体の異なるサイズの成分は、マルチモーダル分布を作り上げる別々のサイズ粒分間の大きさの順で分けられる。
一部の実施形態は、超硬材料の粗粒分と微細粒分との間の広いバイモーダルサイズ分布から成るが、一部の実施形態は、サイズの大きさの順で分けられる3つ又は4つ以上でさえのサイズモード、例えば、平均粒径が20μm、2μm、200nm及び20nmである粒径のブレンドを含んでよい。
ダイヤモンド粒子／結晶粒の微細粒分、粗粒分、又はその間の他のサイズへのサイジングは、より大きいダイヤモンド結晶粒のジェット・ミリング等の既知プロセスによって可能である。
The crystal grains of the superhard material may be diamond crystal grains or particles, for example. In the starting mixture before sintering, they can be, for example, bimodal. That is, the feedstock contains a mixture of coarse diamond particles and fine diamond particles. In some embodiments, the coarse fraction can have an average particle size in the range of, for example, about 10-60 μm. “Average particle size” means that individual particles / crystal grains have a size in a range having an average particle size corresponding to “average”. The average particle size of the fine particles is less than the size of the coarse particles, for example, about 1/10 to 6/10 of the size of the coarse particles, and in some embodiments, for example, in the range of about 0.1 to 20 μm. possible.
In some embodiments, the mass ratio of diamond coarse grain to diamond fine grain ranges from about 50% to about 97% crude diamond, and the mass ratio of diamond fine grain is about 3% to about 97%. It can be 50%. In other embodiments, the mass ratio of coarse to fine particles will range from about 70:30 to about 90:10.
In further embodiments, the mass ratio of coarse to fine fraction can range from, for example, about 60:40 to about 80:20.
In some embodiments, the coarse and fine particle size distributions do not overlap, and in some embodiments, the different sized components of the shaped body are the size of the separate sized particle sizes that make up the multimodal distribution. Divided in order of size.
Some embodiments consist of a wide bimodal size distribution between the coarse and fine fractions of the cemented carbide material, but some embodiments have three or three separated in size order. Even more than four size modes may be included, for example blends of particle sizes with average particle sizes of 20 μm, 2 μm, 200 nm and 20 nm.
Sizing the diamond particles / grains to fine, coarse, or other sizes in between is possible by known processes such as jet milling of larger diamond grains.
超硬材料が多結晶ダイヤモンド材料である実施形態では、多結晶ダイヤモンド材料を形成するために使用するダイヤモンド結晶粒は天然又は合成であってよい。
一部の実施形態では、バインダー触媒／溶媒はコバルト又はいくつかの他の鉄族元素、例えば鉄若しくはニッケル、又はその合金を含み得る。周期表のIV〜VI族の金属の炭化物、窒化物、ホウ化物、及び酸化物は、焼結混合物に添加し得る非ダイヤモンド材料の他の例である。一部の実施形態では、バインダー／触媒／焼結助剤はCoであってよい。
超硬金属炭化物基板は、組成が通常であってよく、従って、IVB、VB、又はVIB族金属のいずれを含んでもよく、これらがコバルト、ニッケル若しくは鉄、又はその合金の存在下で加圧及び焼結される。一部の実施形態では、金属炭化物は炭化タングステンである。
図2a及び2bのミクロ構造を有する図1のカッターは、例えば、以下のように製作することができる。
本明細書で使用する場合、「グリーンボディ」は、焼結すべき結晶粒と、結晶粒を結び付ける手段、例えばバインダー、例えば有機バインダーとを、さらに非反応性相30と共に含んでなるボディである。
超硬構築物の実施形態は、超硬材料の結晶粒又は粒子と、非反応性相と、有機バインダー等のバインダーとを含んでなるグリーンボディの調製方法によって作製可能である。グリーンボディは、超硬結晶粒の焼結を促進するための触媒材料を含んでもよい。グリーンボディは、結晶粒又は粒子をバインダー／触媒と組み合わせ、それらを、意図した焼結ボディの全体形状と実質的に同じ全体形状に成形し、バインダーを乾燥させることによって作製可能である。バインダー材料の少なくとも一部は、例えば、それを燃焼させることによって除去可能である。グリーンボディは、圧縮プロセス、射出プロセ又は他の方法、例えば鋳造、押出、堆積モデリング法を含めた方法で形成可能である。
超硬構築物用のグリーンボディを、予形成した超硬合金基板等の基板上に置いて焼結前アセンブリを形成し、技術上周知なように、これを超高圧炉用カプセルに封入することができる。基板は、超硬結晶粒の焼結を促進するための触媒材料源を与えることができる。一部の実施形態では、超硬結晶粒はダイヤモンド結晶粒であり、基板はコバルト・タングステン超硬合金であり、基板中のコバルトがダイヤモンド結晶粒を焼結するための触媒源である。焼結前アセンブリは追加の触媒材料源を含んでもよい。
In embodiments where the superhard material is a polycrystalline diamond material, the diamond grains used to form the polycrystalline diamond material may be natural or synthetic.
In some embodiments, the binder catalyst / solvent may include cobalt or some other iron group element, such as iron or nickel, or alloys thereof. Carbides, nitrides, borides, and oxides of Group IV to VI metals of the periodic table are other examples of non-diamond materials that can be added to the sintering mixture. In some embodiments, the binder / catalyst / sintering aid may be Co.
The carbide metal carbide substrate may be conventional in composition and thus may include any of IVB, VB, or VIB group metals, which are pressurized and present in the presence of cobalt, nickel or iron, or alloys thereof. Sintered. In some embodiments, the metal carbide is tungsten carbide.
The cutter of FIG. 1 having the microstructure of FIGS. 2a and 2b can be produced, for example, as follows.
As used herein, a “green body” is a body comprising crystal grains to be sintered and means for binding the crystal grains, such as a binder, eg, an organic binder, together with a
Embodiments of the cemented carbide construct can be made by a method for preparing a green body comprising crystal grains or particles of cemented carbide material, a non-reactive phase, and a binder such as an organic binder. The green body may include a catalyst material for promoting the sintering of the cemented carbide grains. Green bodies can be made by combining grains or particles with a binder / catalyst, forming them into an overall shape that is substantially the same as the overall shape of the intended sintered body, and drying the binder. At least a portion of the binder material can be removed, for example, by burning it. The green body can be formed by compression processes, injection processes or other methods such as casting, extrusion, deposition modeling methods.
A green body for a cemented carbide structure can be placed on a preformed cemented carbide substrate or other substrate to form a pre-sintering assembly, which can be encapsulated in an ultra high pressure furnace capsule as is well known in the art. it can. The substrate can provide a source of catalytic material to promote sintering of the cemented carbide grains. In some embodiments, the cemented carbide grains are diamond grains, the substrate is a cobalt tungsten cemented carbide, and the cobalt in the substrate is a catalyst source for sintering the diamond grains. The pre-sinter assembly may include an additional source of catalyst material.
あるバージョンでは、本方法は、焼結前アセンブリを含むカプセルをプレス中に装填する工程及びグリーンボディを、超硬材料が熱力学的に安定である超高圧と温度にさらして超硬結晶粒を焼結する工程を含み得る。一部の実施形態では、グリーンボディは、ダイヤモンド結晶粒を含んでよく、アセンブリをさらす圧力は少なくとも約5GPaであり、温度は少なくとも約1,300℃である。
あるバージョンの方法は、例えば焼結前に、非反応性相の結晶粒／粒子をダイヤモンド結晶粒と混合する追加工程を含む、PCT出願公開第WO2009/128034号に開示されている方法を利用して、ダイヤモンド複合構造を作製する工程を含み得る。ダイヤモンド粒子と、非反応性相粒子と、コバルト等の金属バインダー材料とを含む粉末ブレンドは、これらの粒子を組み合わせて、それらを一緒にブレンドすることによって調製可能である。有効な粉末調製技術、例えばホモジナイザーと共に湿式又は乾式多方向ミキシング、遊星ボールミリング及び高せん断ミキシング技術を用いて粉末をブレンドすることができる。一実施形態では、ダイヤモンド粒子の平均径は少なくとも約50μmであってよく、粉末を混合することによって、場合によっては、粉末を一緒に手で撹拌することによって他の粒子と組み合わせることができる。一バージョンの方法では、その後のバインダー材料への変換に適した前駆体材料を粉末ブレンドに含めてよく、一バージョンの方法では、グリーンボディへの浸透に適した形態で金属バインダー材料を導入してよい。粉末ブレンドをダイ又は型内に堆積させ、例えば一軸圧縮又は他の圧縮法、例えば冷間等方圧加圧(cold isostatic pressing)(CIP)により圧縮してグリーンボディを形成することができる。グリーンボディを技術上周知の焼結プロセスに供して焼結品を形成することができる。一バージョンでは、本方法は、焼結前アセンブリを含むカプセルをプレス中に装填する工程及び超硬材料が熱力学的に安定である超高圧と温度にグリーンボディをさらして超硬結晶粒を形成する工程を含むことができる。
焼結後、多結晶超硬構築物を研磨してサイジングすることができ、必要に応じて、そのようにして作製された多結晶超硬材料のボディの上に約0.4mmの高さの45度に面取りした面を含めてよい。
焼結品を引き続きダイヤモンドが熱的に安定である圧力と温度の処理にさらして非ダイヤモンド炭素の一部又は全てを変換してダイヤモンドに戻し、ダイヤモンド複合構造を作り出すことができる。ダイヤモンド合成の分野で周知の超高圧炉を使用することができ、第2焼結プロセスでは圧力は少なくとも約5.5GPaであり、温度は少なくとも約1,250℃であってよい。
In one version, the method includes loading the capsule containing the pre-sinter assembly into the press and the green body by subjecting the cemented carbide grains to an ultra-high pressure and temperature at which the cemented carbide material is thermodynamically stable. A step of sintering may be included. In some embodiments, the green body may include diamond grains, the pressure exposing the assembly is at least about 5 GPa, and the temperature is at least about 1,300 ° C.
One version of the method utilizes the method disclosed in PCT Application Publication No. WO2009 / 128034, which includes the additional step of mixing non-reactive phase grains / grains with diamond grains, for example, prior to sintering. A step of producing a diamond composite structure. A powder blend comprising diamond particles, non-reactive phase particles, and a metal binder material such as cobalt can be prepared by combining these particles and blending them together. Powders can be blended using effective powder preparation techniques such as wet or dry multi-directional mixing, planetary ball milling and high shear mixing techniques with a homogenizer. In one embodiment, the average diameter of the diamond particles can be at least about 50 μm and can be combined with other particles by mixing the powder and, in some cases, by manually stirring the powder together. In one version of the method, a precursor material suitable for subsequent conversion to a binder material may be included in the powder blend, and in one version of the method, the metal binder material is introduced in a form suitable for penetration into the green body. Good. The powder blend can be deposited in a die or mold and compressed by, for example, uniaxial compression or other compression methods, such as cold isostatic pressing (CIP) to form a green body. The green body can be subjected to a sintering process known in the art to form a sintered article. In one version, the method includes the steps of loading a capsule containing a pre-sinter assembly into a press and forming a hard grain by exposing the green body to ultra high pressure and temperature where the hard material is thermodynamically stable. The process of carrying out can be included.
After sintering, the polycrystalline cemented carbide construct can be polished and sized, if necessary, 45 degrees above the height of about 0.4 mm above the body of polycrystalline cemented carbide material so produced Chamfered surfaces may be included.
The sintered article can then be subjected to pressure and temperature treatments where the diamond is thermally stable to convert some or all of the non-diamond carbon back to diamond, creating a diamond composite structure. Ultra-high pressure furnaces well known in the field of diamond synthesis can be used, and in the second sintering process the pressure can be at least about 5.5 GPa and the temperature can be at least about 1,250 ° C.
超硬構築物のさらなる実施形態は、PCD構造と、ダイヤモンド複合構造用前駆体構造とを準備する工程、各構造をそれぞれの補完的形状に形成する工程、PCD構造とダイヤモンド複合構造を超硬合金基板上に組み立てて、結合していないアセンブリを形成する工程、及び結合していないアセンブリを少なくとも約5.5GPaの圧力と少なくとも約1,250℃の温度にさらしてPCD構築物を形成する工程を含む方法により作製可能である。前駆体構造は、炭化物粒子及びダイヤモンド又は非ダイヤモンド炭素材料、例えばグラファイト、非反応性相粒子、並びにコバルト等の金属を含むバインダー材料を含み得る。前駆体構造は、ダイヤモンド又は非ダイヤモンド炭素の粒子と炭化物材料の粒子とを含む粉末ブレンドを圧縮することにより形成されたグリーンボディであってよい。
一部の実施形態では、例えば、ダイヤモンド及び炭化物材料の両ボディに加えて非反応性相及び焼結助剤／バインダー／触媒を粉末として利用して単一のUHP/HTプロセスで同時に焼結する。ダイヤモンド結晶粒、非反応性相粒子、炭化物集合体の混合物をHP/HT反応セルアセンブリに入れてHP/HT加工にさらす。選択されるHP/HT加工条件は、研磨粒子の隣接結晶粒間の結晶間結合、及び場合により、焼結粒子の超硬合金基板への連結を引き起こすのに十分である。一実施形態では、加工条件は、一般的に少なくとも約1200℃の温度及び約5GPa超えの超高圧に約3〜120分間課すことを含む。
別の実施形態では、超硬多結晶材料の焼結中にHP/HTプレス内で結び付ける前に別個のプロセスで基板を予備焼結することができる。
さらなる実施形態では、基板と多結晶超硬材料のボデイを両方とも予成形する。例えば、超硬結晶粒／粒子と非反応性相粒子のバイモーダル供給原料及び任意的なこれも粉末形態のカルボナートバインダー・触媒を一緒に混合し、混合物を適切な形状のキャニスタに詰めてからプレス内で極端に高い圧力及び温度にさらす。典型的に、圧力は少なくとも5GPaであり、温度は少なくとも約1200℃である。多結晶超硬材料の予成形ボディを次に予成形炭化物基板の上面の適切な位置に置き(バインダー触媒を組み入れる)、アセンブリを適切な形状のキャニスタ内に置く。このアセンブリを次にプレス内で高温高圧にさらす。この場合もやはり温度と圧力の程度はそれぞれ少なくとも約1200℃及び5GPaである。このプロセス中に溶媒／触媒は基板から超硬材料のボデイ中に移動し、バインダー・触媒として作用して層内に連晶をもたらし、多結晶超硬材料層を基板に結合するためにも働く。この焼結プロセスは、超硬多結晶材料のボデイを基板に結合するためにも役立つ。
Further embodiments of the cemented carbide structure include a step of preparing a PCD structure and a precursor structure for a diamond composite structure, a step of forming each structure in a complementary shape, and a PCD structure and a diamond composite structure as a cemented carbide substrate. Can be fabricated by a method comprising assembling above to form an unbonded assembly and subjecting the unbonded assembly to a pressure of at least about 5.5 GPa and a temperature of at least about 1,250 ° C. to form a PCD construct It is. The precursor structure may include a binder material comprising carbide particles and a diamond or non-diamond carbon material such as graphite, non-reactive phase particles, and a metal such as cobalt. The precursor structure may be a green body formed by compressing a powder blend comprising diamond or non-diamond carbon particles and carbide material particles.
In some embodiments, for example, a non-reactive phase and a sintering aid / binder / catalyst are used as powders in addition to both the body of diamond and carbide material and are simultaneously sintered in a single UHP / HT process. . A mixture of diamond grains, non-reactive phase particles, and carbide aggregate is placed in an HP / HT reaction cell assembly and subjected to HP / HT processing. The HP / HT processing conditions selected are sufficient to cause intercrystalline bonding between adjacent grains of abrasive particles and, in some cases, coupling of sintered particles to a cemented carbide substrate. In one embodiment, the processing conditions generally include subjecting to a temperature of at least about 1200 ° C. and an ultra high pressure of greater than about 5 GPa for about 3 to 120 minutes.
In another embodiment, the substrate can be pre-sintered in a separate process prior to bonding in the HP / HT press during sintering of the carbide polycrystalline material.
In a further embodiment, both the substrate and the body of polycrystalline carbide material are preformed. For example, by mixing together cemented carbide grains / particles and non-reactive phase particle bimodal feedstock and optionally also a carbonate binder / catalyst in powder form and filling the mixture into a suitably shaped canister. Subject to extremely high pressures and temperatures in the press. Typically, the pressure is at least 5 GPa and the temperature is at least about 1200 ° C. The preformed body of polycrystalline cemented carbide material is then placed in the appropriate position on the top surface of the preformed carbide substrate (incorporating a binder catalyst) and the assembly is placed in a suitably shaped canister. This assembly is then subjected to high temperature and pressure in a press. Again, the temperature and pressure levels are at least about 1200 ° C. and 5 GPa, respectively. During this process, the solvent / catalyst moves from the substrate into the body of the superhard material, acts as a binder and catalyst, resulting in intergrowth in the layer and also serves to bond the polycrystalline superhard material layer to the substrate. . This sintering process also serves to bond the body of carbide polycrystalline material to the substrate.
超硬合金基板が十分なダイヤモンド用溶媒／触媒を含有せず、かつ超高圧での焼結中にPCD構造が基板上に一体成形される実施形態では、溶媒／触媒材料を超硬合金基板以外の材料源からダイヤモンド結晶粒の凝集集合体に取り込むか又は導入することができる。溶媒／触媒材料は、超高圧での焼結工程の直前及び該工程中にダイヤモンド結晶粒の凝集集合体中に基板から浸透するコバルトを含むことができる。しかしながら、基板中のコバルト又は他の溶媒／触媒材料の含量が低い実施形態では、特にその含量が超硬合金材料の約11質量パーセント未満のときには、PCDを形成するための凝集集合体の良い焼結を確実にするためには代替源を与える必要があり得る。
ダイヤモンド用溶媒／触媒は、粉末形態の溶媒／触媒材料をダイヤモンド結晶粒とブレンドすること、ダイヤモンド結晶粒の表面上に溶媒／触媒材料を堆積させること、又は基板以外の材料源から溶媒／触媒材料を凝集集合体中に浸透させることを含めた種々の方法により、焼結工程の前又は焼結工程の一部として、ダイヤモンド結晶粒の凝集集合体に導入可能である。ダイヤモンド用溶媒／触媒材料、例えばコバルトをダイヤモンド結晶粒の表面上に堆積させる方法は技術上周知であり、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、スパッタコーティング、電気化学的方法、無電解コーティング法及び原子層堆積(ALD)が挙げられる。それぞれの利点及び欠点は、焼結補助材料及び堆積させるコーティング構造の性質、並びに結晶粒の特徴次第であることが分かるであろう。
同様に、種々の手段によって非反応性相粒子を導入することができ、例えば、焼結前に非反応材料でダイヤモンド結晶粒又は粒子をコーティングすることがでできる。
In embodiments where the cemented carbide substrate does not contain sufficient diamond solvent / catalyst and the PCD structure is integrally formed on the substrate during sintering at ultra high pressure, the solvent / catalyst material is other than the cemented carbide substrate. Can be incorporated into or introduced into the aggregate of diamond grains from any source. The solvent / catalyst material may comprise cobalt that penetrates from the substrate into the aggregate of diamond grains immediately before and during the ultra-high pressure sintering process. However, in embodiments where the content of cobalt or other solvent / catalyst material in the substrate is low, particularly when the content is less than about 11 percent by weight of the cemented carbide material, good firing of the aggregate to form the PCD. It may be necessary to provide alternative sources to ensure ligation.
Solvents / catalysts for diamond include solvent / catalyst materials in powder form blended with diamond grains, solvent / catalyst materials deposited on the surface of diamond grains, or solvent / catalyst materials from a source other than the substrate Can be introduced into the aggregate of diamond crystal grains by various methods including infiltrating into the aggregate and before the sintering process or as part of the sintering process. Methods for depositing diamond solvent / catalyst materials such as cobalt on the surface of diamond grains are well known in the art, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), sputter coating, electrochemical methods, electroless coating Methods and atomic layer deposition (ALD). It will be appreciated that the advantages and disadvantages of each depend on the nature of the sintering aid and the coating structure to be deposited, as well as the characteristics of the grains.
Similarly, non-reactive phase particles can be introduced by various means, for example, the diamond grains or particles can be coated with a non-reactive material prior to sintering.
一実施形態では、第一に前駆体材料を堆積させてから該前駆体材料を元素金属コバルトを含む材料に変換することによって、コバルト等のバインダー／触媒をダイヤモンド結晶の表面上に堆積させ得る。例えば、第一工程で下記反応を用いてダイヤモンド結晶粒面上に炭酸コバルトを堆積させ得る。
Co(NO3)2＋Na2CO3→CoCO3＋2NaNO3
ダイヤモンド用のコバルト又は他の溶媒／触媒のための炭酸塩又は他の前駆体の堆積は、PCT特許公開第WO/2006/032982号に記載の方法を利用して達成可能である。次に例えば、以下のような熱分解反応を利用して炭酸コバルトをコバルトと水に変換することができる。
CoCO3→CoO＋CO2
CoO＋H2→Co＋H2O
In one embodiment, a binder / catalyst such as cobalt may be deposited on the surface of the diamond crystal by first depositing the precursor material and then converting the precursor material to a material comprising elemental metal cobalt. For example, cobalt carbonate can be deposited on the diamond crystal grain surface using the following reaction in the first step.
Co (NO 3 ) 2 + Na 2 CO 3 → CoCO 3 + 2NaNO 3
The deposition of carbonate or other precursors for cobalt for diamond or other solvents / catalysts can be achieved using the method described in PCT Patent Publication No. WO / 2006/032982. Next, for example, cobalt carbonate can be converted into cobalt and water using the following thermal decomposition reaction.
CoCO 3 → CoO + CO 2
CoO + H 2 → Co + H 2 O
別の実施形態では、コバルト粉末又はコバルトへの前駆体、例えば炭酸コバルトをダイヤモンド結晶粒とブレンドすることができる。コバルト等の溶媒／触媒への前駆体を使用する場合、凝集集合体を焼結する前に元素形の溶媒／触媒材料を生じさせるための反応を引き起こすためには該材料を熱処理する必要があり得る。
一部の実施形態では、超硬合金基板は、バインダー材料で結び付けられた炭化タングステン粒子で形成可能であり、このバインダー材料はCo、Ni及びCrの合金を含む。炭化タングステン粒子は、基板の少なくとも70質量パーセント、最大で95質量パーセントを形成してよい。バインダー材料は、約10〜50wt.%のNi、約0.1〜10wt.%のCrを含み、残余質量パーセントはCoから成る。
ここで、単に例示として提供し、本発明を限定することを意図していない下記実施例を参照してさらに詳細に実施形態について後述する。
In another embodiment, cobalt powder or a precursor to cobalt, such as cobalt carbonate, can be blended with diamond grains. When using a precursor to a solvent / catalyst such as cobalt, the material must be heat treated to cause a reaction to produce the elemental solvent / catalyst material prior to sintering the aggregate. obtain.
In some embodiments, the cemented carbide substrate can be formed of tungsten carbide particles bonded with a binder material, the binder material comprising an alloy of Co, Ni, and Cr. The tungsten carbide particles may form at least 70 weight percent and up to 95 weight percent of the substrate. The binder material comprises about 10-50 wt.% Ni, about 0.1-10 wt.% Cr, and the remaining weight percentage consists of Co.
Embodiments will now be described in further detail with reference to the following examples, which are provided for illustration only and are not intended to limit the invention.
実施例1
1μmの平均粒径を有する0.5gのジルコニアを、4μmの平均粒径を有する50gのバイモーダルダイヤモンド粉末に加えた。凝集集合体を60mlのメタノール中でCo-WCミリングボールと共にボールミル粉砕した。ミリングボール：粉末の比は5：1であり、90rpmで1時間ミル粉砕を行なった。予形成したWC-Co基板の上面に2.1gの該混合物を載せ、6.8GPaと1450℃の高圧高温HPHT条件下で焼結した。PCDカッターを回収し、加工かつ分析した。結果については図3〜5を参照して後述する。
実施例2：
Example 1
0.5 g of zirconia having an average particle size of 1 μm was added to 50 g of bimodal diamond powder having an average particle size of 4 μm. The aggregated aggregate was ball milled with Co-WC milling balls in 60 ml of methanol. The milling ball: powder ratio was 5: 1 and milled for 1 hour at 90 rpm. 2.1 g of the mixture was placed on the top surface of a pre-formed WC-Co substrate and sintered under 6.8 GPa and 1450 ° C. high pressure and high temperature HPHT conditions. The PCD cutter was collected, processed and analyzed. The results will be described later with reference to FIGS.
Example 2:
1μmの平均粒径を有する1.5gのジルコニアを、4μmの平均粒径を有する50gのバイモーダルダイヤモンド粉末に加えた。凝集集合体を60mlのメタノール中でCo-WCミリングボールと共にボールミル粉砕した。ミリングボール：粉末の比は5：1であり、90rpmで1時間ミル粉砕を行なった。予形成したWC-Co基板の上面に2.1gの該混合物を載せ、6.8GPaと1450℃の高圧高温HPHT条件下で焼結した。PCDカッターを回収し、加工かつ分析した。
結果については図3〜5を参照して後述する。
1.5 g of zirconia having an average particle size of 1 μm was added to 50 g of bimodal diamond powder having an average particle size of 4 μm. The aggregated aggregate was ball milled with Co-WC milling balls in 60 ml of methanol. The milling ball: powder ratio was 5: 1 and milled for 1 hour at 90 rpm. 2.1 g of the mixture was placed on the top surface of a pre-formed WC-Co substrate and sintered under 6.8 GPa and 1450 ° C. high pressure and high temperature HPHT conditions. The PCD cutter was collected, processed and analyzed.
The results will be described later with reference to FIGS.
実施例3：
1μmの平均粒径を有する0.25gのジルコニアを、3μmの平均粒径を有する50gのユニモーダルダイヤモンド粉末に加えた。凝集集合体を60mlのメタノール中でCo-WCミリングボールと共にボールミル粉砕した。ミリングボール：粉末の比は5：1であり、90rpmで1時間ミル粉砕を行なった。予形成したWC-Co基板の上面に2.1gの該混合物を載せ、6.8GPaと1450℃の高圧高温HPHT条件下で焼結した。PCDカッターを回収し、加工かつ分析した。
結果については図3〜5を参照して後述する。
Example 3:
0.25 g of zirconia having an average particle size of 1 μm was added to 50 g of unimodal diamond powder having an average particle size of 3 μm. The aggregated aggregate was ball milled with Co-WC milling balls in 60 ml of methanol. The milling ball: powder ratio was 5: 1 and milled for 1 hour at 90 rpm. 2.1 g of the mixture was placed on the top surface of a pre-formed WC-Co substrate and sintered under 6.8 GPa and 1450 ° C. high pressure and high temperature HPHT conditions. The PCD cutter was collected, processed and analyzed.
The results will be described later with reference to FIGS.
実施例4：
1μmの平均粒径を有する0.5gのジルコニアを、3μmの平均粒径を有する50gのユニモーダルダイヤモンド粉末に加えた。凝集集合体を60mlのメタノール中でCo-WCミリングボールと共にボールミル粉砕した。ミリングボール：粉末の比は5：1であり、90rpmで1時間ミル粉砕を行なった。予形成したWC-Co基板の上面に2.1gの該混合物を載せ、6.8GPaと1450℃の高圧高温HPHT条件下で焼結した。PCDカッターを回収し、加工かつ分析した。
結果については図3〜5を参照して後述する。
Example 4:
0.5 g of zirconia having an average particle size of 1 μm was added to 50 g of unimodal diamond powder having an average particle size of 3 μm. The aggregated aggregate was ball milled with Co-WC milling balls in 60 ml of methanol. The milling ball: powder ratio was 5: 1 and milled for 1 hour at 90 rpm. 2.1 g of the mixture was placed on the top surface of a pre-formed WC-Co substrate and sintered under 6.8 GPa and 1450 ° C. high pressure and high temperature HPHT conditions. The PCD cutter was collected, processed and analyzed.
The results will be described later with reference to FIGS.
実施例5：
1μmの平均粒径を有する1.5gのジルコニアを、3μmの平均粒径を有する50gのユニモーダルダイヤモンド粉末に加えた。凝集集合体を60mlのメタノール中でCo-WCミリングボールと共にボールミル粉砕した。ミリングボール：粉末の比は5：1であり、90rpmで1時間ミル粉砕を行なった。予形成したWC-Co基板の上面に2.1gの該混合物を載せ、6.8GPaと1450℃の高圧高温HPHT条件下で焼結した。PCDカッターを回収し、加工かつ分析した。
結果については図3〜5を参照して後述する。
Example 5:
1.5 g of zirconia having an average particle size of 1 μm was added to 50 g of unimodal diamond powder having an average particle size of 3 μm. The aggregated aggregate was ball milled with Co-WC milling balls in 60 ml of methanol. The milling ball: powder ratio was 5: 1 and milled for 1 hour at 90 rpm. 2.1 g of the mixture was placed on the top surface of a pre-formed WC-Co substrate and sintered under 6.8 GPa and 1450 ° C. high pressure and high temperature HPHT conditions. The PCD cutter was collected, processed and analyzed.
The results will be described later with reference to FIGS.
PCD材料の種々のサンプルを調製し、いくつかの試験にサンプルを供して分析した。これらの試験結果を図3〜5に示す。
完成PCDサンプルを従来の花崗岩ターニング試験に3分間供することによって種々のPCDサンプルの耐アブレシブ摩耗性を分析した。機械加工プロセス中の摩耗瘢痕進行をモニターした。結果を図3に示す。上記実施例1に従って形成したPCD成形体(完成PCD中に0.5vol%のジルコニアを有する)の摩耗瘢痕を、PCDマトリックスにいずれのジルコニアをも添加しない従来のPCDの参考サンプル(Ref 1)と比較した。さらに、PCD中に1vol%のジルコニアを含む実施形態及びPCD中に1vol%のジルコニアを含む実施形態によりサンプルを調製した。
図3に示す結果から、摩耗瘢痕長が従来のPCDより短いので、少量のジルコニアの添加がPCDの耐摩耗性を改善することが分かるであろう。
実施例1に従って形成したPCD成形体を立ボーリングミル試験で、浸出(Ref Z)及び非浸出(Ref NZ)の両方の市販の多結晶ダイヤモンドカッター要素と比較した。この試験では、ワークピース中へボーリングするカッター要素の通過数の関数として摩耗平面積を測定した。得られた結果を図4のグラフに示す。結果は、切削長に対してプロットされる全摩耗瘢痕面積の指標を提供する。実施例1に従って形成したPCD成形体は、比較のため同試験に供した浸出と非浸出の両方の従来のPCD成形体で生じるより大きい切削長及び小さい摩耗瘢痕面積をもたらし得ることが分かるであろう。この試験の従来のPCD成形体は、約4μmの平均ダイヤモンド粒径を有するバイモーダル混合物であるRef 2を含んだ。実際に、図4は、PCDのこの実施形態において、ジルコニアを添加しない従来のPCDに比べて切削長の96%の改善を示している。
さらに、0.5vol%のジルコニアを含む実施例3のPCD実施形態の非浸出(NZ)サンプルを、約3μmの平均ダイヤモンド粒径を有するユニモーダルダイヤモンド供給原料から形成した従来の非浸出PCDサンプルと比較した。結果を図5に示す。この試験は、ジルコニアを添加しない従来のPCDに比べてカッターの寿命の104%の改善を示した。
Various samples of PCD material were prepared and subjected to analysis for several tests. These test results are shown in FIGS.
The abrasive wear resistance of various PCD samples was analyzed by subjecting the finished PCD samples to the conventional granite turning test for 3 minutes. The progress of wear scar during the machining process was monitored. The results are shown in Figure 3. Abrasion scar of a PCD molded body formed according to Example 1 above (having 0.5 vol% zirconia in the finished PCD) compared to a reference sample of conventional PCD (Ref 1) without any zirconia added to the PCD matrix did. In addition, samples were prepared according to embodiments containing 1 vol% zirconia in the PCD and embodiments containing 1 vol% zirconia in the PCD.
From the results shown in FIG. 3, it can be seen that the addition of a small amount of zirconia improves the wear resistance of PCD because the wear scar length is shorter than conventional PCD.
PCD compacts formed according to Example 1 were compared in a vertical boring mill test to both leached (Ref Z) and non-leached (Ref NZ) commercial polycrystalline diamond cutter elements. In this test, the wear area was measured as a function of the number of cutter elements passing through the workpiece. The obtained results are shown in the graph of FIG. The result provides an indication of the total wear scar area plotted against the cutting length. It can be seen that the PCD compact formed according to Example 1 can result in a larger cutting length and a smaller wear scar area that occurs with both leached and non-leached conventional PCD compacts subjected to the same test for comparison. Let's go. The conventional PCD compact for this test contained
In addition, the non-leached (NZ) sample of the Example 3 PCD embodiment containing 0.5 vol% zirconia compared to a conventional non-leached PCD sample formed from a unimodal diamond feedstock having an average diamond particle size of about 3 μm. did. The results are shown in FIG. This test showed a 104% improvement in cutter life over conventional PCD with no zirconia added.
特定の理論によって拘束されることを望むものではないが、PCDの破壊性能は、本明細書に記載の一部の実施形態に従うPCDマトリックス中のミクロ欠陥及び／又は応力集中部の導入を通じて改善し得ると考えられる。ミクロ欠陥及び／又は応力集中部が、使用中にPCD材料における亀裂の分岐又は複数の亀裂前縁(crack front)を促し、結果として種々の亀裂先端間で利用可能な歪みエネルギー又はエネルギー放出速度(G)を再分配することになると考えられる。荷重下に複数亀裂を引き起こし得る材料は、たった1つの主亀裂を有する材料よりタフに振る舞うであろう。複数の亀裂前縁は、該材料に供給された正味のエネルギーをいくつかの亀裂間に分け、結果として該材料による亀裂の成長速度をずっと遅くするからである。このようなミクロ欠陥を含めたPCD材料の適用の最終結果は、使用中、従来のPCDに比べて摩耗瘢痕上で惹起される亀裂数が増加し、ひいてはそれぞれ個々の亀裂に利用できる歪みエネルギーを減らし、それゆえに成長速度を遅くし、より短い亀裂が生じる。理想的ケースは、摩耗速度が亀裂成長速度に匹敵する場合であり、この場合、摩耗瘢痕の後方に亀裂が見えないだろう。その結果、焼結PCDから抜け出た先端又は結晶粒のない滑らかな摩耗瘢痕外観を形成する。 While not wishing to be bound by any particular theory, the fracture performance of PCD is improved through the introduction of micro defects and / or stress concentrations in the PCD matrix according to some embodiments described herein. It is thought to get. Micro-defects and / or stress concentrations promote crack branching or multiple crack fronts in the PCD material during use, resulting in strain energy or energy release rate available between the various crack tips ( G) will be redistributed. A material that can cause multiple cracks under load will be tougher than a material with only one main crack. This is because multiple crack leading edges divide the net energy supplied to the material between several cracks, resulting in a much slower rate of crack growth by the material. The end result of the application of PCD materials including such micro-defects is that, in use, the number of cracks induced on the wear scar is increased compared to conventional PCD, and thus the strain energy available for each individual crack. Reducing, and hence slowing the growth rate, resulting in shorter cracks. The ideal case is when the wear rate is comparable to the crack growth rate, in which case no cracks will be visible behind the wear scar. The result is a smooth wear scar appearance with no tips or grains exiting the sintered PCD.
セラミックの非反応性相の添加は、結果として生じる本発明の材料中の従来のPCDに比べて低いコバルト含量によりPCDの熱安定性を高める効果をも有し得る。
これらのミクロ欠陥のサイズ、形状及び分布をPCD材料の最終用途に合わせることができる。材料の全体的な耐摩耗性を有意に損ねることなく、破壊抵抗を改善できると考えられ、このことはPCD切削工具にとって望ましい。
従って、実施形態は、その高い耐摩耗性を損ねることなくPCD材料を強化する手段を提供することができる。これは、ミクロ欠陥をPCDマトリックス中に工作する(engineer)ことによって達成可能である。この概念は、利用可能な破壊エネルギーの再分配又は消散に役立つ複数の亀裂前縁又は欠陥を作り出せるようにすることによって機能する。これらの欠陥は、亀裂の分岐を促進することもでき、これはエネルギー消散の別のメカニズムである。最終結果は、それぞれ個々の亀裂が急速に増やせるように利用できるエネルギーが不十分であり、従ってこれは亀裂の成長速度を著しく下げ得る。
これらの工作構造の立ボーラー試験は、従来のPCDに比べて、PCD切削工具寿命の相当な延長を示し、かつ耐摩耗性の低下はない。
試験中の摩耗瘢痕発達の観察は、脆性型ミクロ破壊(例えば剥離又はチッピング)を示すことなく、より大きな摩耗瘢痕を作り出し、より長い工具寿命をもたらす材料の能力を示した。試験中にカッター工具寿命の100%の向上、すなわち、同一の平均ダイヤモンド結晶粒径の従来の未処理PCDの2倍の寿命が認められた。
従って、高い摩耗性能と破壊性能を併せ持つPCD材料の実施形態を形成することができる。
The addition of a ceramic non-reactive phase can also have the effect of increasing the thermal stability of the PCD due to the lower cobalt content compared to the conventional PCD in the resulting material of the present invention.
The size, shape and distribution of these micro defects can be tailored to the end use of the PCD material. It is believed that fracture resistance can be improved without significantly compromising the overall wear resistance of the material, which is desirable for PCD cutting tools.
Thus, embodiments can provide a means for strengthening PCD material without compromising its high wear resistance. This can be achieved by engineering micro defects into the PCD matrix. This concept works by allowing the creation of multiple crack leading edges or defects that help redistribute or dissipate the available fracture energy. These defects can also promote crack branching, which is another mechanism of energy dissipation. The end result is that there is not enough energy available so that each individual crack can be rapidly increased, so this can significantly reduce the growth rate of the crack.
The vertical borer test of these machined structures shows a significant extension of the PCD cutting tool life and no reduction in wear resistance compared to conventional PCD.
Observation of wear scar development during the test showed the ability of the material to create larger wear scars and provide longer tool life without showing brittle type microfracture (eg, delamination or chipping). During the test, a 100% improvement in cutter tool life was observed, i.e. twice that of conventional untreated PCD with the same average diamond crystal grain size.
Therefore, an embodiment of a PCD material having both high wear performance and fracture performance can be formed.
図1を参照して述べたPCD要素10を焼結後にさらに加工することができる。例えば、PCD構造の、作業面若しくは側面又は作業面と側面の両方に隣接する領域から触媒材料を除去することができる。これは、PCD構造を酸で処理してダイヤモンド結晶粒間から触媒材料を浸出させることによって、又は電気化学的方法等の他の方法で行なうことができる。このようにして、PCD構造の表面から少なくとも約50μm又は少なくとも約100μmの深さ伸長している、実質的に多孔性であり得る熱的に安定な領域を与えることができ、さらにPCD要素の熱安定性を増強することができる。
さらに、超硬合金支持体に結合したPCD構造を含んでなる図1の構造中のPCDボディは、例えば、研磨によって作製又は完成して、実質的に円柱状であり、かつ実質的に平面の作業面、或いは一般的にドーム型、先のとがった型、丸みを帯びた円錐型又は円錐台型の作業面を有するPCD要素を提供することができる。このPCD要素は、例えば、地中へボーリングするための回転式せん断(若しくはドラッグ)ビット、又はパーカッションドリルビット、又は採掘若しくはアスファルト分解用ピックに使用するのに適し得る。
The
Further, the PCD body in the structure of FIG. 1 comprising a PCD structure bonded to a cemented carbide support is substantially cylindrical and substantially planar and made, for example, by polishing. A PCD element can be provided that has a work surface, or generally a dome, pointed, rounded cone or frusto-conical work surface. This PCD element may be suitable for use in, for example, a rotating shear (or drag) bit for boring into the ground, or a percussion drill bit, or a mining or asphalt picking pick.
種々の実施形態についていくつかの実施例を参照して述べたが、当業者は、種々の変更を加えることができ、等価物をその要素と置き換えることができ、かつこれらの実施例は、開示した特定の実施形態を限定する意図でないことを理解するであろう。例えば、非反応性相粒子の形態のミクロ欠陥は、種々のやり方でPCD中に導入可能であり、一部の実施形態では、PCDの部分的な焼結を通じてダイヤモンド結晶粒境界に沿ってミクロ欠陥が導入されるようにHPHT焼結条件を修正することによって導入可能である。これらの分散した非反応性相粒子は、サイズに応じて、バインダープールの内側又はダイヤモンド結晶粒間内に局在化し得る。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕超硬相と、この超硬相に分散した非超硬相とを含み、前記超硬相は複数の相互結合した超硬結晶粒を含む、多結晶超硬材料のボディを含んでなる超硬多結晶構築物であって、
前記非超硬相は、前記超硬結晶粒と化学的に反応せず、かつ前記多結晶超硬材料のボディの約10体積%未満を形成する粒子又は結晶粒を含む、前記超硬多結晶構築物。
〔２〕前記超硬結晶粒が天然及び／又は合成ダイヤモンド結晶粒を含み、前記超硬多結晶構築物が多結晶ダイヤモンド構築物を形成している、前記〔1〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔３〕前記非超硬相がさらにバインダー相を含む、前記〔1〕又は〔2〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔４〕前記バインダー相が、コバルト、及び／又は1種以上の他の鉄族元素、例えば鉄若しくはニッケル、又はその合金、及び／又は周期表のIV〜VI族の金属の1種以上の炭化物、窒化物、ホウ化物、及び酸化物を含む、前記〔3〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔５〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない粒子又は結晶粒が、前記バインダー相材料に溶解せず、それによって前記多結晶材料のボディ内で未焼結のままであり、前記多結晶材料内に欠陥を形成するようなものである、前記〔3〕又は〔4〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔６〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない粒子又は結晶粒が、酸化物材料、例えばアルミナ、ジルコニア、イットリア、シリカ、若しくは酸化タンタル等の酸化物、又はその任意の組み合わせのいずれか1種以上を含む、前記〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物。
〔７〕前記多結晶材料のボディに界面に沿って結合した超硬合金基板をさらに含む、前記〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物。
〔８〕前記超硬合金基板が、バインダー材料で結び付けられた炭化タングステン粒子を含み、前記バインダー材料はCo、Ni及びCrの合金を含む、前記〔7〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔９〕前記超硬合金基板が、約8〜13質量%又は体積%のバインダー材料を含む、前記〔7〕又は〔8〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔１０〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない粒子又は結晶粒が、前記超硬結晶粒の粒径の約30%以下の粒径を有する、前記〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物。
〔１１〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない粒子又は結晶粒が、前記多結晶超硬材料のボディの約0.5〜約5体積%を形成する、前記〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物。
〔１２〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない粒子又は結晶粒が、前記多結晶超硬材料のボディの約0.5〜約2体積%を形成する、前記〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物。
〔１３〕前記超硬材料のボディの少なくとも一部が、ダイヤモンド用触媒材料を実質的に含まず、前記部分は熱的に安定な領域を形成している、前記〔1〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物。
〔１４〕前記熱的に安定な領域が、最大で2質量パーセントのダイヤモンド用触媒材料を含む、前記〔13〕に記載の超硬多結晶構築物。
〔１５〕超硬合金支持体に結合した前記〔1〕〜〔14〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物を含んでなる、地中にボーリングするための回転式せん断ビット、又はパーカッションドリルビット用の超硬多結晶構築物。
〔１６〕下記工程：
超硬材料の粒子又は結晶粒の集合体を準備する工程；
前記超硬結晶粒と化学的に反応せず、前記超硬材料の粒径の約30%未満の粒径を有する材料の粒子又は結晶粒を含んでなる非超硬結晶粒又は粒子の集合体を準備する工程；
前記超硬材料の集合体と非超硬結晶粒の集合体を組み合わせて焼結前アセンブリを形成する工程；及び
前記焼結前アセンブリを前記超硬結晶粒用の触媒／溶媒材料の存在下で、前記超硬材料が熱力学的にグラファイトより安定である約5.5GPa以上の超高圧と温度で処理して、前記超硬材料の結晶粒を一緒に焼結して多結晶超硬構築物を形成する工程
を含んでなる超硬多結晶構築物の形成方法であって、
前記超硬結晶粒は粒間結合を示し、かつそれらの間に複数の隙間領域を画定し、前記非超硬相は前記多結晶材料内に分散され、かつ前記多結晶超硬材料のボディの約10vol%未満を形成し、いずれの残存触媒／溶媒も複数の前記隙間領域を少なくとも部分的に充填している、前記方法。
〔１７〕前記超硬材料の結晶粒の集合体を準備する工程が、ダイヤモンド結晶粒の集合体を準備する工程を含む、前記〔16〕に記載の方法。
〔１８〕前記ダイヤモンド結晶粒の集合体を準備する工程が、第1平均径を有する第1粒分と第2平均径を有する第2粒分とを有する結晶粒の集合体を準備する工程を含み、前記第1粒分は約10〜60μmの範囲の平均粒径を有し、かつ前記第2粒分は、前記粗粒分の粒径未満の平均粒径を有する、前記〔17〕に記載の方法。
〔１９〕前記第2粒分が、前記第1粒分の粒径の約1/10〜6/10の平均粒径を有する、前記〔18〕の方法。
〔２０〕前記第1粒分の平均粒径が約10〜60μmであり、かつ前記第2粒分の平均粒径が約0.1〜20μmである、前記〔16〕〜〔19〕のいずれか1項の方法。
〔２１〕前記第2粒分に対する前記第1粒分の質量比が約50%〜約97%の範囲であり、前記第2粒分の質量比が約3%〜約50質量%の範囲である、前記〔18〕〜〔20〕のいずれか1項の方法。
〔２２〕前記第1粒分対前記第2粒分の質量パーセント比が約60:40である、前記〔18〕の方法。
〔２３〕前記第1粒分対前記第2粒分の質量パーセント比が約70:30である、前記〔18〕の方法。
〔２４〕前記第1粒分対前記第2粒分の質量パーセント比が約90:10である、前記〔18〕の方法。
〔２５〕前記第1粒分対前記第2粒分の質量パーセント比が約80:20である、前記〔18〕の方法。
〔２６〕前記超硬材料の結晶粒の集合体を準備する工程が、前記第1及び第2粒分の粒径分布が重ならない結晶粒の集合体を準備する工程を含む、前記〔18〕〜〔25〕のいずれか1項の方法。
〔２７〕前記超硬材料の結晶粒の集合体を準備する工程が、3つ以上の粒径モードを準備して、連合平均粒径を有する粒径ブレンドを含む結晶粒のマルチモーダル集合体を形成する工程を含む、前記〔18〕〜〔26〕のいずれか1項の方法。
〔２８〕前記粒分の平均粒径が大きさの順で分けられる、前記〔18〕の方法。
〔２９〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない材料の粒子又は結晶粒を含んでなる非超硬結晶粒又は粒子の集合体を準備する工程が、酸化物、炭化物、ジルコニア、アルミナ、イットリア、及び酸化タンタルのいずれか1種以上を含む材料の集合体を準備する工程を含む、前記〔16〕〜〔28〕のいずれか1項の方法。
〔３０〕前記粒子又は結晶粒の集合体を組み合わせる工程が、前記粒子又は結晶粒を混合する工程を含む、前記〔16〕〜〔29〕のいずれか1項の方法。
〔３１〕前記粒子又は結晶粒の集合体を組み合わせる工程が、前記超硬材料の粒子又は結晶粒と化学的に反応しない前記非超硬材料の粒子又は結晶粒で前記超硬結晶粒又は粒子をコーティングする工程を含む、前記〔16〕〜〔29〕のいずれか1項の方法。
〔３２〕前記超硬結晶粒と化学的に反応しない材料の集合体を準備する工程が、前記多結晶超硬材料のボデイの約0.5〜5vol%を形成するための結晶粒又は粒子を準備する工程を含む、前記〔16〕〜〔31〕のいずれか1項の方法。
〔３３〕切削、採掘、研削、掘削、アースボーリング、岩石掘削又は他の研磨用途のための、前記〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物を含んでなる工具。
〔３４〕前記工具が、アースボーリング又は岩石掘削用のドリルビットを含む、前記〔33〕に記載の工具。
〔３５〕前記工具が、油及びガス掘削産業で用いる回転式固定カッタービットを含む、前記〔33〕に記載の工具。
〔３６〕前記工具が回転コーンドリルビット、穴開け工具、拡張可能工具、リーマー又は他のアースボーリング工具である、前記〔33〕に記載の工具。
〔３７〕前記〔1〕〜〔15〕のいずれか1項に記載の超硬多結晶構築物を含んでなるドリルビット若しくはカッター又はそのための部品。
〔３８〕いずれか1つの実施形態に関連して、当該実施形態を添付図面で実証しながら実質的に前述したとおりの超硬多結晶構築物。
〔３９〕いずれか1つの実施形態に関連して、当該実施形態を添付図面で実証しながら実質的に前述したとおりの超硬多結晶構築物の製造方法。
While various embodiments have been described with reference to several examples, those skilled in the art can make various modifications, replace equivalents with the elements, and these examples are disclosed. It will be understood that the particular embodiments described are not intended to be limiting. For example, microdefects in the form of non-reactive phase particles can be introduced into the PCD in various ways, and in some embodiments, microdefects along the diamond grain boundary through partial sintering of the PCD. Can be introduced by modifying the HPHT sintering conditions so that is introduced. These dispersed non-reactive phase particles can be localized inside the binder pool or between diamond grains, depending on the size.
Another aspect of the present invention may be as follows.
[1] A cemented carbide phase and a non-carbide phase dispersed in the cemented carbide phase, wherein the cemented carbide phase includes a body of polycrystalline cemented carbide material including a plurality of interconnected cemented carbide grains. A super hard polycrystalline structure comprising:
The non-carbide phase includes particles or grains that do not chemically react with the cemented carbide grains and that form less than about 10% by volume of the body of the polycrystalline cemented carbide material. Constructs.
[2] The cemented carbide polycrystalline structure according to [1], wherein the cemented carbide crystal grains include natural and / or synthetic diamond crystal grains, and the cemented carbide polycrystalline structure forms a polycrystalline diamond construct.
[3] The cemented carbide polycrystalline structure according to [1] or [2], wherein the non-carbide phase further includes a binder phase.
[4] The binder phase is cobalt and / or one or more other iron group elements, such as iron or nickel, or an alloy thereof, and / or one or more carbides of metals of groups IV to VI of the periodic table. The cemented carbide polycrystalline structure according to [3] above, including a nitride, a boride, and an oxide.
[5] Particles or crystal grains that do not chemically react with the cemented carbide grains do not dissolve in the binder phase material, and thus remain unsintered in the body of the polycrystalline material, The cemented carbide polycrystalline structure according to the above [3] or [4], which is such that a defect is formed in the material.
[6] The particles or crystal grains that do not chemically react with the cemented carbide grains are any one of oxide materials, for example, oxides such as alumina, zirconia, yttria, silica, tantalum oxide, or any combination thereof. The cemented carbide polycrystalline structure according to any one of the above [1] to [5], comprising seeds or more.
[7] The cemented carbide polycrystalline structure according to any one of [1] to [6], further including a cemented carbide substrate bonded to the body of the polycrystalline material along an interface.
[8] The cemented carbide polycrystalline structure according to [7], wherein the cemented carbide substrate includes tungsten carbide particles bonded with a binder material, and the binder material includes an alloy of Co, Ni, and Cr.
[9] The cemented carbide polycrystalline structure according to [7] or [8], wherein the cemented carbide substrate includes about 8 to 13% by mass or volume% of a binder material.
[10] Any of the above [1] to [9], wherein the particles or crystal grains that do not chemically react with the cemented carbide grains have a grain size of about 30% or less of the grain size of the cemented carbide grains. The cemented carbide polycrystalline structure according to
[11] Any of [1] to [10] above, wherein the particles or crystal grains that do not chemically react with the cemented carbide grains form about 0.5 to about 5 volume% of the body of the polycrystalline cemented carbide material. The cemented carbide polycrystalline structure according to
[12] Any of [1] to [10] above, wherein the particles or crystal grains that do not chemically react with the cemented carbide grains form about 0.5 to about 2% by volume of the body of the polycrystalline cemented carbide material. The cemented carbide polycrystalline structure according to
[13] At least a part of the body of the cemented carbide material does not substantially contain a catalyst material for diamond, and the part forms a thermally stable region. The cemented carbide polycrystalline structure according to any one of the above.
[14] The cemented carbide polycrystalline structure according to [13], wherein the thermally stable region includes a catalyst material for diamond of 2 mass percent at the maximum.
[15] A rotary shear bit for boring into the ground, comprising the cemented carbide polycrystalline structure according to any one of [1] to [14] bonded to a cemented carbide support, or Carbide polycrystalline construction for percussion drill bits.
[16] The following steps:
Preparing an aggregate of particles or crystal grains of superhard material;
Non-carbide crystal grains or aggregates of particles comprising particles or grains of a material that does not chemically react with the cemented carbide grains and has a grain size of less than about 30% of the grain size of the cemented carbide material Preparing the step;
Combining the aggregate of cemented carbide material and the aggregate of non-carbide crystal grains to form a pre-sinter assembly; and
Treating the pre-sinter assembly in the presence of a catalyst / solvent material for the cemented carbide grains at an ultra-high pressure and temperature of about 5.5 GPa or more, wherein the cemented carbide material is thermodynamically more stable than graphite; Sintering together the grains of the cemented carbide material to form a polycrystalline cemented carbide structure
A method for forming a carbide polycrystalline construct comprising
The cemented carbide grains exhibit intergranular bonds and define a plurality of interstitial regions therebetween, the non-carbide phase is dispersed within the polycrystalline material, and the body of the polycrystalline cemented carbide material The method, wherein less than about 10 vol% is formed and any residual catalyst / solvent at least partially fills the plurality of gap regions.
[17] The method according to [16], wherein the step of preparing an aggregate of crystal grains of the superhard material includes a step of preparing an aggregate of diamond crystal grains.
[18] The step of preparing an aggregate of diamond crystal grains includes the step of preparing an aggregate of crystal grains having a first grain portion having a first average diameter and a second grain portion having a second average diameter The first grain portion has an average particle size in the range of about 10 to 60 μm, and the second particle portion has an average particle size less than the particle size of the coarse particle, in [17] The method described.
[19] The method according to [18], wherein the second grain size has an average particle size of about 1/10 to 6/10 of the first grain size.
[20] Any one of [16] to [19] above, wherein the average particle size of the first grain is about 10 to 60 μm and the average particle size of the second grain is about 0.1 to 20 μm. Section method.
[21] The mass ratio of the first grain to the second grain is in the range of about 50% to about 97%, and the mass ratio of the second grain is in the range of about 3% to about 50% by mass. The method according to any one of [18] to [20] above.
[22] The method of [18] above, wherein the mass percentage ratio of the first grain to the second grain is about 60:40.
[23] The method of [18] above, wherein the mass percentage ratio of the first grain to the second grain is about 70:30.
[24] The method of [18] above, wherein the mass percentage ratio of the first grain to the second grain is about 90:10.
[25] The method of [18] above, wherein the mass percentage ratio of the first grain to the second grain is about 80:20.
[26] The step of preparing the aggregate of crystal grains of the cemented carbide material includes the step of preparing an aggregate of crystal grains in which the particle size distributions of the first and second grains do not overlap. The method of any one of-[25].
[27] The step of preparing the aggregate of crystal grains of the cemented carbide material prepares a multimodal aggregate of crystal grains including a grain size blend having an associated average grain size by preparing three or more grain size modes. The method according to any one of [18] to [26] above, which comprises a step of forming.
[28] The method according to [18], wherein the average particle size of the particles is divided in order of size.
[29] The step of preparing non-carbide crystal grains or aggregates of particles comprising material grains or crystal grains that do not chemically react with the cemented carbide grains includes oxide, carbide, zirconia, alumina, yttria And the method according to any one of [16] to [28] above, comprising the step of preparing an assembly of materials containing any one or more of tantalum oxide.
[30] The method according to any one of [16] to [29], wherein the step of combining the aggregate of particles or crystal grains includes the step of mixing the particles or crystal grains.
[31] The step of combining the aggregates of the particles or crystal grains is obtained by combining the cemented carbide grains or particles with the particles or crystal grains of the non-superhard material that do not chemically react with the particles or crystal grains of the cemented carbide material. The method according to any one of [16] to [29] above, which comprises a coating step.
[32] The step of preparing an aggregate of materials that do not chemically react with the cemented carbide grains provides crystal grains or particles for forming about 0.5 to 5 vol% of the body of the polycrystalline cemented carbide material. The method according to any one of [16] to [31], comprising a step.
[33] The cemented carbide polycrystalline structure according to any one of [1] to [15] for cutting, mining, grinding, excavation, earth boring, rock excavation, or other polishing applications. tool.
[34] The tool according to [33], wherein the tool includes an earth boring or a drill bit for rock excavation.
[35] The tool according to [33], wherein the tool includes a rotary fixed cutter bit used in the oil and gas drilling industry.
[36] The tool according to [33], wherein the tool is a rotary cone drill bit, a drilling tool, an expandable tool, a reamer, or another earth boring tool.
[37] A drill bit or a cutter comprising the cemented carbide polycrystalline structure according to any one of [1] to [15] or a part therefor.
[38] A cemented carbide polycrystalline construct substantially as described above in connection with any one embodiment, with the embodiment demonstrated in the accompanying drawings.
[39] A method for producing a cemented carbide polycrystalline structure substantially as described above while demonstrating the embodiment with reference to the accompanying drawings in relation to any one embodiment.
Claims (20)
前記非超硬相は、前記超硬ダイヤモンド結晶粒と化学的に反応せず、かつ前記超硬多結晶ダイヤモンド材料のボディの１０体積％未満を形成する粒子又は結晶粒を含む、前記超硬多結晶ダイヤモンド構築物。 A carbide diamond phase, and a non-carbide phase dispersed in the cemented carbide diamond phase, the superhard diamond phase comprises carbide diamond grains in which a plurality of interconnected, including a body of polycrystalline diamond material A carbide polycrystalline diamond construct comprising:
The non-carbide phase, including the super hard diamond grains and not chemically react, and the superhard polycrystalline particles form less than 1 0% by volume of the body of diamond material or crystal grains, said superhard Polycrystalline diamond construction.
超硬ダイヤモンド材料の粒子又は結晶粒の集合体を準備する工程；
前記超硬ダイヤモンド結晶粒と化学的に反応せず、前記超硬ダイヤモンド材料の粒径の３０％未満の粒径を有する材料の粒子又は結晶粒を含んでなる非超硬結晶粒又は粒子の集合体を準備する工程；
前記超硬ダイヤモンド材料の集合体と非超硬結晶粒の集合体を組み合わせて焼結前アセンブリを形成する工程；及び
前記焼結前アセンブリを前記超硬ダイヤモンド結晶粒用溶媒・触媒材料の存在下で、前記超硬ダイヤモンド材料が熱力学的にグラファイトより安定である５．５ＧＰａ以上の超高圧と温度で処理して、前記超硬ダイヤモンド材料の結晶粒を一緒に焼結して超硬多結晶ダイヤモンド構築物を形成する工程
を含んでなる超硬多結晶ダイヤモンド構築物の形成方法であって、
前記超硬ダイヤモンド結晶粒は粒間結合を示し、かつそれらの間に複数の隙間領域を画定し、前記非超硬相は前記多結晶ダイヤモンド材料内に分散され、かつ前記超硬多結晶ダイヤモンド材料のボディの１０ｖｏｌ％未満を形成し、いずれの残存溶媒・触媒も複数の前記隙間領域を少なくとも部分的に充填している、前記方法。 The following process:
Providing an aggregate of particles or crystal grains of cemented carbide diamond material;
The super hard diamond grains and not chemically react, said superhard diamond material comprising particles or grains of the material having a particle size of less than 3 0% of the particle size of the non-carbide grains or particles Preparing the assembly;
Combining the aggregate of cemented carbide diamond material and the aggregate of non-carbide crystal grains to form a pre-sinter assembly; and
Wherein the sintering the sintered pre-assembly in the presence of the super hard diamond grains for solvent-catalyst materials, said superhard diamond material is more stable than thermodynamically graphite 5. Was treated with more ultra-high pressure and temperature 5 GPa, the method of forming crystal grains by sintering together carbide polycrystalline diamond construct comprising the step of forming a superhard polycrystalline diamond construct superhard diamond material Because
The super hard diamond grains showed an intergranular binding and defining a plurality of interstitial regions therebetween, said non-carbide phase are dispersed within said polycrystalline diamond material and said ultra hard polycrystalline diamond material of forming a less than 1 0 vol% of the body, any residual solvent, catalyst is also at least partially fill the plurality of the gap region, said method.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB1305871.4 | 2013-03-31 | ||
| GBGB1305871.4A GB201305871D0 (en) | 2013-03-31 | 2013-03-31 | Superhard constructions & methods of making same |
| PCT/EP2014/056463 WO2014161818A2 (en) | 2013-03-31 | 2014-03-31 | Superhard constructions & methods of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016520504A JP2016520504A (en) | 2016-07-14 |
| JP6316936B2 true JP6316936B2 (en) | 2018-04-25 |
Family
ID=48445085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016505786A Active JP6316936B2 (en) | 2013-03-31 | 2014-03-31 | Carbide structure and method for producing the same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US20160251741A1 (en) |
| EP (1) | EP2981633A2 (en) |
| JP (1) | JP6316936B2 (en) |
| CN (2) | CN110157967A (en) |
| GB (2) | GB201305871D0 (en) |
| WO (1) | WO2014161818A2 (en) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB201318640D0 (en) * | 2013-10-22 | 2013-12-04 | Element Six Abrasives Sa | Superhard constructions & methods of making same |
| GB201423410D0 (en) * | 2014-12-31 | 2015-02-11 | Element Six Abrasives Sa | Superhard constructions & method of making same |
| US11434136B2 (en) | 2015-03-30 | 2022-09-06 | Diamond Innovations, Inc. | Polycrystalline diamond bodies incorporating fractionated distribution of diamond particles of different morphologies |
| CN104962793B (en) * | 2015-06-23 | 2017-04-26 | 中南钻石有限公司 | Polycrystalline diamond compact with excellent electric conductivity and method for manufacturing polycrystalline diamond compact |
| GB201523182D0 (en) * | 2015-12-31 | 2016-02-17 | Element Six Uk Ltd | Super hard constructions & methods of making same |
| CN105525345B (en) * | 2016-02-18 | 2018-06-26 | 长春阿尔玛斯科技有限公司 | Polycrystalline diamond synthesizing superhard material and its production technology |
| DE102016207028A1 (en) * | 2016-04-26 | 2017-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Carbide with toughening structure |
| GB201622472D0 (en) * | 2016-12-31 | 2017-02-15 | Element Six (Uk) Ltd | Superhard constructions & methods of making same |
| US10603719B2 (en) * | 2017-08-31 | 2020-03-31 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Cutting elements and methods for fabricating diamond compacts and cutting elements with functionalized nanoparticles |
| CN107904471B (en) * | 2017-11-14 | 2019-05-24 | 陕西理工大学 | Low-density erosion resistant cemented carbide material and preparation method thereof |
| CN108585855B (en) * | 2018-01-26 | 2020-07-28 | 西南交通大学 | Polycrystalline diamond sintered body of selenium catalyst and preparation method thereof |
| GB201918378D0 (en) * | 2019-12-13 | 2020-01-29 | Element Six Uk Ltd | Polycrystalline diamond with iron-containing binder |
| CN111850335B (en) * | 2020-07-27 | 2022-04-29 | 深圳市海明润超硬材料股份有限公司 | Diamond composite sheet easy to remove cobalt and preparation method thereof |
| CN113968736B (en) * | 2021-12-01 | 2022-12-30 | 西南交通大学 | Polycrystalline diamond sintered body of tellurium catalyst and preparation method thereof |
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| GB201210658D0 (en) * | 2012-06-15 | 2012-08-01 | Element Six Abrasives Sa | Superhard constructions & methods of making same |
| GB201215565D0 (en) * | 2012-08-31 | 2012-10-17 | Element Six Abrasives Sa | Polycrystalline diamond construction and method for making same |
-
2013
- 2013-03-31 GB GBGB1305871.4A patent/GB201305871D0/en not_active Ceased
-
2014
- 2014-03-31 WO PCT/EP2014/056463 patent/WO2014161818A2/en active Application Filing
- 2014-03-31 JP JP2016505786A patent/JP6316936B2/en active Active
- 2014-03-31 EP EP14713509.9A patent/EP2981633A2/en not_active Withdrawn
- 2014-03-31 GB GB1405736.8A patent/GB2512500B/en active Active
- 2014-03-31 CN CN201910369381.3A patent/CN110157967A/en active Pending
- 2014-03-31 CN CN201480028602.6A patent/CN105209649A/en active Pending
- 2014-03-31 US US14/778,409 patent/US20160251741A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-01-29 US US15/881,882 patent/US20190017153A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-02-14 US US17/670,573 patent/US20220411900A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB201305871D0 (en) | 2013-05-15 |
| WO2014161818A3 (en) | 2014-12-24 |
| JP2016520504A (en) | 2016-07-14 |
| US20220411900A1 (en) | 2022-12-29 |
| US20190017153A1 (en) | 2019-01-17 |
| WO2014161818A2 (en) | 2014-10-09 |
| GB201405736D0 (en) | 2014-05-14 |
| GB2512500A (en) | 2014-10-01 |
| CN110157967A (en) | 2019-08-23 |
| CN105209649A (en) | 2015-12-30 |
| GB2512500B (en) | 2015-10-07 |
| EP2981633A2 (en) | 2016-02-10 |
| US20160251741A1 (en) | 2016-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170403 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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