JP6294486B2 - 超高出力単一モードファイバーレーザーシステム - Google Patents

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Description

本開示は、実質的に基本モードにおいてMWレベルのピーク及びkWレベルの平均出力で放射する単一モード(SM,single mode)超高出力ファイバーレーザーシステムに関する。特に、本開示のSMファイバーシステムは、ポンプ源及びシード源を備えた据え置き型筐体と、筐体から離隔されたレーザーヘッドと、筐体とヘッドとの間の拘束されていない伝達ケーブルと、伝達ケーブルを通って少なくとも部分的に延在し且つレーザーヘッドに直接接続された下流端を有するブースターとを含む。
ダブルクラッドファイバーを用いることによって、希土類ドープファイバー源からの出力が過去十年間において劇的に上昇しており、出力、ビーム品質、全体的な効率、及び波長柔軟性に関して顕著な性能を有する多様なファイバーレーザーシステムがもたらされている。しかしながら依然として、現代の高出力ファイバーレーザーシステムの出力のスケーリングは、増え続ける産業の需要を満たすには程遠い。
現状では、当該分野における進展は、抽出可能な最大エネルギーの限界と、非線形効果の発現とにおいて主に制限されている。利得媒体の飽和エネルギーは、どれだけ多くのエネルギーを増幅器に蓄えることができるのかを決定するための重要なパラメータであり、
sat=hνeff/{(σes+σas)Γ} (1)
によって与えられる。ここで、σes、σasはそれぞれ、信号波長での放出断面積、吸収断面積であり、hνは、周波数νにおける信号エネルギーであり、Aeffはアクティブドープ領域の面積であり、Γは、アクティブ領域との信号の重なりである。
非線形効果の悪影響、特に誘導ブリルアン散乱(SBS,stimulated Brillouin scattering)及び誘導ラマン散乱(SRS,stimulated Raman scattering)が、信号からパワーを奪い、致命的な損傷を生じさせ得る。当業者に知られているように、モード面積の増大と、ファイバー長さの減少とによってその軽減が可能である。より大きなコアはファイバー断面積全体のより大きな部分を占めて、より大きなポンプ吸収を有するので、最適なファイバー長さは、Aeffと反比例する。従って、当然に、コア面積の増大は、より短い長さにつながる。
しかしながら、コアを無制限に増大させることはできない。単一モード動作では、コア直径を増大させるほど、コアとクラッドとの間の屈折率差nを減少させなければならず、特定の閾値を超えると、曲げの影響を受け易くなる。nが最小値に固定されている場合、コア直径の更なる増大は、マルチモード動作をもたらす。これは許容可能なものではあるが、モード間における不可避で望ましくないエネルギー移動によって、コアサイズが制限される。マルチモードファイバーにおけるモード間のモード結合効率は、
η≒(λ)/Δneff 2p (2)
によって与えられる。ここで、kは、屈折率及びマイクロベンドの変動による摂動振幅であり、neffは、異なるモード間における有効屈折率の差であり、pは、ファイバーに対する機械的摂動を記述するフィッティングパラメータ(その値は>0)である。従って、小さなモード結合のためには、大きなneffが望ましい。残念ながら、Aeffが増大すると、neffが減少し、特定の点において、モード結合を減少させることができなくなる。
高出力レーザー及び増幅器の全ての応用において、大きなAeffの更なる問題として、デバイス出力を空間的に変換及び集束させることが挙げられる。これは、ガウスビームによって最良に達成される。従って、高出力デバイスに対する重要な基準は、完全なガウス空間プロファイルからの逸脱の大きさMである(M=1が完全なガウスモードである)。
現状の好ましいレーザー設計は、低いMを有する基本モードでの動作を提供する手段に注力しているが、それでも、ファイバーは複数のモードを誘導し得る。これを達成するために開示されている一手段は、互いに接合された複数の別々のファイバーを含む増幅システムを設計することである。特に、そのシステムは、テーパー部にSM信号光を誘導する均一寸法のSMパッシブファイバーを備えて構成され、そのテーパー部は、テーパー部の出力部に接合された均一寸法のMM(マルチモード)増幅ファイバーの基本モードのサイズに実質的に一致するサイズへと、SMのMFD(モードフィールド径)を断熱的に広げるように構成される。多数のファイバー部品に起因して、スプライス損失が許容不能に高くなり得る。更に、上述のような多部品システムの製造は時間的に非効率であり、コストがかかる。更に、NLE(非線形効果)及び曲げ損失の問題の低い閾値が更に問題になる。
最近、ファイバーレーザー産業は、ファイバー増幅器のスケーラビリティ(拡張性)に対処するために増幅鎖の出力段において典型的に使用されている結晶ファイバーロッドに目を向けている。空気孔クラッド技術に基づいて、結晶ファイバーロッドは、実質的に基本モードのみをサポートすることができる大直径のコアを取り囲むダブルクラッド構造を含む。
ロッドファイバーのドープコアは、非常に小さなNA(開口数)を有し、典型的には低いドーパント濃度を有する溶融シリカ/石英製である。上述の三つの特性全てが、ファイバーロッドに基づいたレーザーシステムのスケーラビリティに悪影響を与え得る。
低い開口数(典型的には略0.02を超えない)は、レーザーシステムがCW(連続波)又はパルス方式で動作するかに依存してkW〜MW範囲の超高出力に達するのに必要な量でドープコアに結合し得る高出力ポンプ光の量を制限する。従って、十分な量のポンプ光は、ダブルクラッドファイバーの内側クラッドのみに結合することができる。当業者に知られているように、クラッド結合ポンプ光の吸収は、コア結合光の吸収よりも実質的に低い。従って、クラッド結合ポンプ光を完全に利用するためには、ファイバーロッドが、典型には50cmを超え、数メートルに達することも多い長さを有することが望ましい。従って、最も短いファイバーロッドであっても、NLEによって悪影響を受ける。勿論、これは、レーザー出力のスケーラビリティを致命的に制限する。
イッテルビウム(Yb)等のイオンの低濃度とは、典型的に略700ppmである。このような低いドーパント濃度では、ポンプ光の吸収も低い。適切な吸収を提供するためにも、ファイバーロッドの全長を伸ばすことが望ましいが、これは、NLEの低い閾値に起因して増幅器の出力のスケーラビリティを制限する。
ファイバーロッドの開口端(オープンエンド)構造も関心のある分野である。典型的には、空隙全体にわたる入力信号の入射は、マイクロ光学系によってのみ実現可能である。これは、当然に、システム全体の構成を複雑にして、システムを扱い難くて高価なものにする。空隙又は空気孔の存在は、熱伝導特性を低下させる。特に、空気孔は、熱の散逸を遅くして、これは、ロッド自体を損傷させ得て、環境を害し得る。
以上まとめると、高出力ファイバーシステムの設計は、以下の要因によって困難な課題に直面している:一般的にはファイバー、特にファイバーロッドにおける非線形効果; 高次モード(HOM,high order mode)に対する基本モードパワーの損失; ポンプ輝度; そして勿論、過度の発熱。各要因は独立して出力のスケーリングを制限するものであるが、ブースター増幅段(最終利得段)において、これらは相互に関係もする。
従って、既知のシステムの上述の欠点を実質的に解消する超高出力ファイバーレーザーシステムが必要とされている。
この必要性は、本開示の超高出力SMファイバーレーザーシステムによって満たされる。本開示のシステムは、実質的に基本モードにおいてMWレベルのピーク出力及び数十kWの平均出力で放出を行うことができる。
一態様によると、本開示のシステムは、柔軟で均一な寸法の入力ファイバーと、入力ファイバーから離れる方向に広がる真っ直ぐな円錐台形のファイバーロッドという二つの異なる形状の部分を備えて構成されたブースター増幅器を含む。増幅器は、コアの全断面にわたって略1000ppmから略5000ppmまでの高濃度の希土類元素のイオンでドープされたリン酸塩コアを含む。入力ファイバー部分に沿って延伸するコアの入力部分は、基本モード(FM,fundamental mode)又は少数の高次モード(HOM,high order mode)のみを誘導するように構成される。ファイバーロッドに沿って広がるコアの出力部分は、後述のように増幅が実質的に抑制される多重モードをサポートすることができる出力端部を有する。
本開示の構造的態様の一つは、FMの領域とコアの領域との間で可能な最大の重なりを含む。特に、FMの領域(Afm)は、コアの全長にわたってコアの領域(A)の0.65を超える。このような大きな重なりは、どのHOMの増幅よりも顕著に大きなFMの増幅を与える。
本開示の更なる態様は、ファイバーロッドの直径の大きなコア端部内に高出力MMポンプ光をポンピングすることを含む。ポンプ光は、略0.1以上であるコアの開口数NAよりも低い開口数NAを特徴とする。対向する伝播方向、上記ポンプ光のNA、及びFMの大きなモードフィールド直径が、テーパー状のコア部分の非常に小さな軸方向長さに沿ったポンプ光の効果的な吸収にとって好適な条件を与える。その軸方向長さは略30cmを超えず、好ましくは略10cmの長さである。このような限られた長さでは、NLE(非線形効果)に対する閾値が非常に高いので、出力のスケーリングが、単一の基本モード又は非常に少数のHOMにおいて最大MWレベルのピーク出力にまで顕著に改善可能である。
本開示の更なる態様は、基本モードと重ならないコアの縁領域に関する。コアの全断面が、希土類イオンや発光活性剤でドープされるので、コアの縁領域における自然放出及び/又はHOMの増幅が特に懸念される。
しかしながら、本開示のポンプ源は、コアの縁領域における発光体の吸収をブリーチするのに必要な密度よりもはるかに高い出力密度を有するポンプ光を放出するように構成される。言い換えると、ポンプ光は、対向する伝播方向においてコアの出力領域内に結合され、ポンプ光の出力密度が、信号の基本モードと重なるコア領域の希土類イオンを反転ささせることができる。同時に、このようなポンプ光は、重ならない領域内の発光体を反転させるには不十分であり、HOM及び/又は自然放出の増幅と比較してはるかに大きいFMの増幅をもたらす。
ポンプ源は、
波長λ の低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
サブポンプ波長λ sp のサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
サブポンプ波長λ sp のサブポンプ放射を波長λ のポンプ信号に変換するYbドープ多重モードファイバー波長変換器とを備えて構成されていて、
波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
nを高出力半導体レーザーダイオードの数、Bを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、n×Bに実質的に等しい輝度と、
を各高出力半導体レーザーダイオードの出力、nを高出力半導体レーザーダイオードの数として、nP に実質的に等しい出力とを有する。
本開示の構造の上記及び他の態様、特徴及び利点は、図面と共に以下の具体的な説明から容易に明らかになる。
本開示の超高出力ファイバーレーザーシステムの極めて概略的な図である。 図1のシステムの一実施形態の概略図である。 HOMを抑制する機構を説明するための本開示で構成された構造の概略図である。 高出力MMファイバーポンプ源の概略図である。
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。可能な限り、同一又は同様の番号が図面において用いられていて、同一又は同様の部分やステップを指称する。図面は単純化されていて、正確な縮尺ではない。特に断らない限り、明細書及び特許請求の範囲における用語は、ファイバーレーザーの分野において当業者にとって一般的で慣用されている意味を有するものである。“結合”との用語及び同様の用語は、必ずしも直接的な接続を意味するものではなく、自由空間や中間要素を介した機械的光学的接続も含む。
図1は、例えば、主発振器/出力増幅器(又はブースター)(MOPA,master oscillator/power amplifier)構成を有する超高出力レーザーシステム10の極めて概念的な図を示し、特に、発振器/シード12と、ブースター増幅器15とを有する。二つの増幅カスケードのみが図示されているが、シードとブースターとの間に追加の中間増幅カスケードを容易に用いることができることは当業者に容易に理解される。
シード12は、所定のシステムにおけるファイバーコンポーネントにドープされた希土類元素のイオンに応じて略960nmから略2000nmまで等の広範な波長範囲内の所望の波長λにおいてSM信号光を放出するように動作可能である。例えば、イッテルビウム(Yb)、エルビウム(Er)、ネオジム(Nd)、ツリウム(Tm)が単に例として挙げられる。高出力を要する産業及び軍事レーザーの応用ではYbイオンが最も広く用いられており、以下の説明はこの特定の種類のドーパントに集中するが、ファイバーレーザー分野の当業者には、あらゆる可能な希土類元素に対する普遍的な教示を与えるものである。イオン濃度は、発光体の具体的な種類に応じて略1000ppmから略5000ppmまでの間で異なる。ブースター15は、好ましくは偏波保持(PM,polarization maintaining)リン酸塩ファイバーで構成されるが、通常の非PMリン酸塩アクティブファイバーも本開示の範囲内において使用可能である。
図2を参照すると、ブースター増幅器15は、ファイバー部分25及びファイバーロッド部分14を含む一体のファイバーからファイバーロッドまでの利得媒体で構成され、ファイバーロッド部分14は数センチメートルから数十センチメートルまでの範囲の長さを有する。例えば、ファイバーロッド部分14は略10cmから略30cmまでの長さとなり得る。代わりに、部分25と部分14を、互いに接合された別々の部品として構成し得る。ファイバーロッド部分14は、所望の波長λにおけるファイバー部分25からのSM又は少数の高次モードの信号光を受光する直径の小さな入力端部22と、多重モードをサポートする直径の大きな出力端部24とを備えた略円錐台形の形状を有する。MMポンプ源16は、対向する伝播方向においてブースター15のコア出力端部24内に結合されるポンプ光λpcdを放出する。反対側のブースター15の入力端部では、他のポンプ源18が、同じ伝播方向においてファイバー部分25の入力端部22内に結合されるMMポンプ光を放出する。
レーザー媒体の利得は、利得媒体中のポンプ光強度と、入力レーザー放射と媒体との相互作用長(例えば、吸収長)との積である。kWレベルに達する極めて高いポンプ出力及びNLE(非線形効果)に対する高い閾値のため、システム10は、以下で説明するように、ブースター15の直径の大きな端部24を通して実質的に基本モードにおいて、略5kWの平均出力、又は最大MWレベルのピーク出力で放出を行うように動作可能である。
システム10は、好ましくはパルス方式で動作するが、場合によっては、連続波(CW,continuous wave)動作でも利用可能である。従って、ブースター15は、入力端部22と出力端部24との間に延伸して、例えばYbイオンでドープされたコア26と、コア26を取り囲むクラッド28とを含む。コア26の入力端部22から延伸する入力領域は、均一な直径を有して構成され、コア26に結合されたシード12からのSM信号光に応答して励起される単一の基本モードと、又はHOMのうち極めて少数のモードとのいずれかのみを誘導するような寸法にされる。これは、ブースター15及び伝達ファイバーそれぞれのコアを整列させることによって達成される。また、入力端部22は、基本モード(FM,fundamental mode)のモードフィールド直径(MFD,mode field diameter)を有するように構成され得て、そのMFDは、シード12から放出されてSMフィードファイバー23に沿って伝達されるSM信号光のMFDに実質的に一致する。
コア26の入力領域は、多重モードをサポートする出力端部に向けてファイバーロッド部分14に沿って断熱的に広がるモード移行領域30に達する。任意の均一に構成された下流領域29においてファイバーロッド部分14の構造が終わる。円筒状又は円錐状の断面を有する石英ブロック27が、出力信号の高出力密度を低下させるように構成される。ブースター15及びポンプ源16は、以下で説明するように、出力領域24に沿ったHOM及び/又は自然放出の増幅を抑制するように構成される。
図3は、ブースター15のファイバーロッド部分14に沿ったHOM及び/又は望ましくない自然放出の増幅を抑制するための本開示の機構を示す。ブースターのコア26は、一種以上の希土類元素でその全断面にわたってドープされて、実質的に0.1以上のNAを有するように構成される。更に、コア26の全長は、中心領域Aの略0.65がFM(基本モード)42と重なるように構造化され、つまり、FMと重ならずHOM及び/又は自然放出が増幅可能な領域である、コア26の周辺領域Ano52は小さく残される。
周辺領域Ano52におけるこの増幅は、コア26の開口数NAにほぼ一致し、好ましくはNAよりも小さなNALp(つまり、NALp<NA)でポンプ光50を放出するようにポンプ源16を構成することによって大幅に抑制される。結果として、FMは、コア26の全長にわたって基本モードのサイズと少なくとも同じ大きさのサイズを有するポンプ光の中に閉じ込められる。言い換えると、ポンプ光の出力密度は、重ならないコア領域Anoをブリーチするのに必要な出力密度よりもはるかに高い。従って、コア26のAno領域は、基底準位及び高エネルギー準位において実質的に等しい数のイオンによって特徴付けられ、つまり、ポンプ光の更なる注入は光の増幅をもたらさない。同時に、コア26の重なる領域Aでは、高エネルギー準位におけるイオンの数が、基底準位における数よりも連続的に高くなり、FMの増幅が続き、コア26の重ならない領域AnoにおけるHOM及びSE(自然放出)の増幅よりもはるかに高いFMの増幅がもたらされる。
ファイバーロッド部分14の円錐の開口角は、少なくとも一部の吸収されなかったポンプ光Lpが、ヒートシンクに取り囲まれ得るファイバー部分25に入射する前に分離されるように制御可能に選択される。ポンプ光は、多様な角度でブースター15内に結合される。比較的大きな角度を有する光線は、比較的容易に外に漏れ出す。小さな角度を有する光線、つまりブースター15の軸にほぼ平行に伝播する光線は、クラッドに入射すると、表面に達した後において反射光線の分離を提供するのに十分大きな角度でクラッドから反射する。
図3及び図4を参照すると、ポンプ源16は、MMファイバーレーザーシステムとして構成され、例えば980nm範囲でシード光を発生させる一つ以上の組み合わせのシード32と、ポンプ光を受光及び増幅して、ブースター15内に結合される高出力高輝度のポンプ光を出力するMM波長変換器34とを含む。ポンプ光は、図3に関して上述したように、ブースター15の大きなコア端部24内に結合される。
波長変換器34は、Ybイオンでドープされた多重モードコアを有するアクティブファイバーを含み、複数の半導体レーザーダイオードの組み合わせを含むサブポンプシステム36によってサイドポンピングされる。サブポンプシステム36は、サブポンプ波長λspで変換器34内に結合されるサブポンプ光を発生させ、λspは、Δλ=λ−λsp<0/1λspとなるように選択され、ここでλはポンプ出力波長(信号光の波長と同じ)である。波長が近いことが、高い量子効率、つまりは、低い熱関連損失に寄与する。上述のように、波長変換器34は、λspの波長のサブポンプ放出を、可能な限り信号光長λに近い1マイクロメートル範囲のポンプ波長λpcdに変換する。例えば、ポンプ源16が略1016μmのポンプ光を発生させるように構成される一方、信号光は略1030μmで放出される。
ポンプシード32は、例えば、単一の又は複数の組み合わせの強力なピッグテールMMレーザーダイオード又はファイバーベースのシードとして構成され、980nmの波長範囲の滑らかでスパイクの無い信号光を少なくとも略0.1rmsの二乗平均平方根(rms,root mean square)値に対応するノイズレベルで発生させる。ダイオードは、略0.1から0.13までの範囲のNAも有する。ポンプシード32からの光は、数十ワットから数百ワットの間で異なる出力を有し得る。ポンプ源16の出力の具体的な波長λpcdは、吸収ピークに最も近い波長において変換器34をポンピングするように選択される。
波長変換器34のMM Ybドープアクティブファイバーは、ダブルクラッド又は通常の構成を有し得て、例えば略50から150マイクロメートル(又はこれ以上)の範囲内で異なり得るコア直径を有し得る。更に、変換器34のYbドープファイバーは、略0.05から0.1までの間で異なるNAを有するように構成される。
波長変換器34からのポンプ光の出力は、非常に高くなることができ、サブポンプアセンブリ(例えばサイドポンピング変換器34)において組み合わせられたHP(高出力)半導体レーザーダイオード36の数、そして勿論変換器34の数に依存する。従って、ポンプ光の出力はP≒N×Pldとなり、ここでNはHPレーザーダイオードの数であり、Pldは、個々のダイオードの出力である。勿論、ポンプ光の出力Pは、HPレーザーダイオードの組み合わせの出力に加えられ得るシード光の出力にも依存する。ポンプ光は、例えば920nmの波長で放出されて、信号光の伝播方向と同じ方向及び対向する方向の両方に沿って伝播し得る。レーザーダイオードの数として、互いに組み合わせられた最大90個のダイオードが挙げられる。各ダイオードは、例えば100ワットのポンプ光を出力し得る。従って、ポンプ源16は、所望のポンプ波長において数kWのポンプ光を出力することができる。サブポンプアセンブリがサイドポンピング波長変換器34に関して示されているが、複数のレーザーダイオード36を含むエンドポンピング構成も当業者にとって容易に実現可能である点に留意されたい。
ポンプ光の高出力レベルPplは、シード光と比較してポンプ光の輝度(B,brightness)の改善に大きく寄与する。輝度Bは、Po/BPPに略等しくなり得て、ここでBPPは、1/2D×NAとして決定可能なビームパラメータの積であり、Dはコア直径、NAは開口数である。このNAは、実際的には信号光のNA以下であるので、出力が実質的に均一であるとすると、ポンプ出力の輝度は、従来技術の最も強力なMMコンバイナの輝度の10倍以上となり得る。
ポンプ源は、
波長λ の低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
サブポンプ波長λ sp のサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
サブポンプ波長λ sp のサブポンプ放射を波長λ のポンプ信号に変換するYbドープ多重モードファイバー波長変換器とを備えて構成されていて、
波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
nを高出力半導体レーザーダイオードの数、Bを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、n×Bに実質的に等しい輝度と、
を各高出力半導体レーザーダイオードの出力、nを高出力半導体レーザーダイオードの数として、nP に実質的に等しい出力とを有する。
コア中のYb3+ドーパントの濃度は有利には比較的低い。本開示によると、好ましくは、Ybイオンの濃度は50ppmから100ppmまでの間で異なる。しかしながら、この範囲は略10〜200ppmの範囲まで拡張可能である。
代わりに、ポンプ源16は、複数の高出力MMレーザーダイオードを備えて構成され得る。しかしながら、この構成のポンプの輝度は、上記ファイバーレーザー構成の輝度に匹敵するものではない。コア26の出力端部24内へのポンプ光の結合は、ミラー又はレンズ42(図2)を用いて実現され得る。
図2に戻ると、SM信号光の結合でコア26の入力領域22に励起されるFMは、例えば920nmの波長でポンプ光を放出するポンプ源18によって更に増幅される。可能なポンピング方法の一つは、信号光も受光するWDM(波長分割マルチプレクサ)20を用いた複数のダイオードを含み得る。WDM20からの出力信号は、コア26の入力端部22にどちらも結合される二つの異なる周波数を有する。代わりに、破線で示されるように、双方向サイドポンピング方法を用いることもできる。この方法によると、複数のレーザーダイオードによって放出されるポンプ光は、ブースター15の入力領域に沿って同じ伝播方向及び対向する伝播方向においてクラッド28に結合される。
添付図面を参照して本発明の一以上の好ましい実施形態について説明してきたが、本発明はそれらの詳細な実施形態に限られないことを理解されたい。例えば、本開示のシステムは、CW方式でも動作可能である。多様な波長、ファイバーパラメータ、希土類ドーパント等の多様な変更、修正、適応が、上述の発明の範囲又は要旨を逸脱することなく、当業者によって行われ得る。
項1
単一モード又は少数モード超高出力ファイバーレーザーシステムであって、
筐体と、
筐体内に収容されて、ポンプ光を放出するポンプ源と、
筐体に取り付けられ、伝播方向に単一モード(SM)信号光を放出するように動作可能なシード源と、
筐体内部に少なくとも部分的に延伸し、シード源からの経路に沿ってSM信号光を誘導するSMシード出力ファイバーと、
筐体から或る距離で離隔されたレーザーヘッドと、
筐体とレーザーヘッドとの間に延伸する伝達ケーブルと、
細長の入力ファイバー部分と出力ファイバーロッド部分とを含む、拘束されていない一体のファイバーからファイバーロッドまでのブースター(増幅器)であって、増幅器が多重モード(MM)コアと、ブースターの両端の間においてコアを取り囲む少なくとも一つのクラッドとを備えて構成されていて、コアが、
入力ファイバー部分に沿って延伸する均一な寸法の入力コア領域であって、高次モード(HOM)の励起せずに、SMを受光及び誘導するようにシードファイバーのモードフィールド直径(MFD)に実質的に一致するMFDを備えて構成された均一な寸法の入力コア領域、
入力コア領域から広がるモード変換コア領域であって、HOMの励起を抑制しながら、SMのMEDを広げるするように構成されたモード変換コア領域、及び、
モード変換コア領域からブースターの出力ファイバーロッド部分に沿って延伸する均一な寸法の増幅コア領域であって、入力コア領域よりも短く、入力コア領域の直径よりも大きな直径を有する増幅コア領域、
を含む、ブースター増幅器と、
レーザーヘッドに取り付けられた反射体であって、ブースターをエンドポンピングするため、ポンプ光が反射体の表面に入射して、対向する伝播方向に反射体から反射されるようにポンプ源に動作可能に結合された反射体と、を備え、
拘束されていない一体のブースターが、
少なくとも部分的に伝達ケーブルの内部に配置されていて、且つ、
伝達ケーブルの下流端部に突出し、且つレーザーヘッド内部に収容されるブースターのファイバーロッド部分を有する、
ファイバーレーザーシステム。
項2
入力コア領域及びモード変換コア領域が伝達ケーブルの内部に配置されている、項1に記載のファイバーレーザーシステム。
項3
伝達ケーブルの内側表面とブースターとの間に冷却剤を更に備える項1に記載のファイバーレーザーシステム。
項4
少なくとも一つのポンプ光伝達ファイバーを更に備える項1に記載のファイバーレーザーシステム。
項5
ポンプ光伝達ファイバーが、伝達ケーブルの内部に延伸していて、レーザーヘッドに結合された放出端部を有する、項4に記載のファイバーレーザーシステム。
項6
伝達ケーブルを間隔を空けて取り囲む複数のレーザー光伝達ファイバーを更に備える項4に記載のファイバーレーザーシステム。
10 超高出力レーザーシステム
12 発振器/シード
15 ブースター増幅器
16 多重モードポンプ源
18 ポンプ源
20 波長分割マルチプレクサ
22 入力端部
24 出力端部

Claims (21)

  1. 細長の入力ファイバー部分及び出力ファイバーロッド部分を含む一体のファイバーからファイバーロッドまでのブースター増幅器と、
    多重モードポンプ源と、を備える超高出力単一モードファイバーレーザーシステムであって、
    前記増幅器が、コアと、増幅器の両端の間において前記コアを取り囲むクラッドとを備えて構成されていて、前記コアが、
    前記入力ファイバー部分の長さ方向に沿って延伸していて、伝播方向に単一モードを導波するように構成された柔軟で均一な寸法の入力コア領域と、
    前記入力コア領域から前記ファイバーロッド部分の長さ方向に沿って前記コアの出力コア端部に向けて延伸していて、前記コアの断面の中心領域と重なる基本モードの領域で基本モード及び高次モードをサポートする真っ直ぐな出力コア領域と、を含み、
    前記ファイバーロッド部分が、略10cmから略30cmまでの間の長さと、少なくとも略0.1の開口数とを有して構成されていて、
    前記多重モードポンプ源が、前記コアの開口数よりも低い開口数を有し且つ対向する伝播方向で前記出力コア端部に結合されるポンプ光を放出するように動作し、前記ポンプ光の出力密度が、基本モードと重ならない前記コアの領域をブリーチするのに必要とされる密度よりも高く、
    前記増幅器が、略5kWを超える平均出力、又はMWレベルに達するピーク出力で単一モードの出力を放出する、超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  2. 前記増幅器の出力端部に接合されていて、円筒断面又は略円錐断面を有するコアレスシリカガラスロッドを更に備える請求項1に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  3. 前記出力コア領域が、円錐台形状のモード変換部分を備えて構成されている、請求項1に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  4. 前記出力コア領域が、前記円錐台形状のモード変換部分から延伸していて且つ前記出力コア端部を含む均一に構成された部分を更に有する、請求項3に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  5. 前記ポンプ源が、
    波長λの低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
    サブポンプ波長λspのサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
    前記サブポンプ波長λspのサブポンプ放射を前記波長λのポンプ信号に変換するYbドープ多重モードファイバー波長変換器とを備えて構成されていて、
    前記波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
    前記低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
    nを高出力半導体レーザーダイオードの数、Bを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、n×Bに実質的に等しい輝度と、
    を各高出力半導体レーザーダイオードの出力、nを高出力半導体レーザーダイオードの数として、nPに実質的に等しい出力とを有する、請求項1に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  6. 前記入力コア領域内に結合される単一モードの信号光を放出するシードと、
    前記シードと入力コア端部との間に配置された波長分割マルチプレクサと、
    前記信号光と前記入力コア端部内に結合される追加のポンプ光とを組み合わせるように構成された前記波長分割マルチプレクサに結合される多重モードポンプ光を放出する追加のポンプ源とを更に備える請求項1に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  7. 前記入力コア領域を双方向サイドポンピングするように動作する追加のポンプ源を更に備える請求項6に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  8. 前記シードが、略960nmから約2μmまでの波長において前記信号光を放出する、請求項6に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  9. 前記基本モードが、前記コアの全長にわたって前記コアの断面に少なくとも0.65の割合で重なる、請求項1に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  10. 前記ブースター増幅器が、発光体でドープされた偏波保持リン酸塩アクティブファイバーを含み、ドープされた発光体の濃度が略1000ppmから略5000ppmまでの間である、請求項1に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
  11. コアと前記コアを取り囲む少なくとも一つのクラッドとを有する細長の均一な構造のファイバー部分及びファイバーロッド部分を備えて構成されたブースター増幅器と、
    多重モードポンプ源と、を備えるファイバーモジュールであって、
    前記コアが、
    前記ファイバー部分に沿った伝播方向で誘導される単一モード又は少数の高次モードをサポートする均一な構造の入力コア領域と
    前記ファイバーロッド部分に沿って延伸していて、基本モード及び高次モードをサポートする寸法の出力コア端部に向けて広がる出力コア領域と、を有し、
    前記コアが、前記基本モードが前記コアの全長にわたって前記コアの断面の中心領域と重なるように構成されていて、
    前記多重モードポンプ源が、前記コアの全長にわたって前記基本モードを閉じ込めるように前記コアの開口数よりも低い開口数を有し且つ対向する伝播方向において前記出力コア端部内に結合されるポンプ光を放出するように動作し、
    前記増幅器が略5kWを超える平均出力又はMWレベルに達するピーク出力で実質的に基本モードの出力を放出する、ファイバーモジュール。
  12. 前記ファイバーロッド部分が、略10cmから略30cmまでの長さと、少なくとも0.1の開口数とを備えて構成されていて、基本モードと重なる前記コアの中心領域が、前記コアの断面の少なくとも0.65に等しく、前記ポンプ光の出力密度が、基本モードと重ならない前記コアの領域をブリーチするのに必要な密度よりも高い、請求項11に記載のファイバーモジュール。
  13. 前記増幅器の出力端部に接合されていて、円筒断面又は略円錐断面を有するコアレスシリカガラスロッドを更に備える請求項11に記載のファイバーモジュール。
  14. 前記コアがリン酸塩及び希土類発光体でドープされていて、前記希土類発光体が最大500ppmの濃度でドープされている、請求項11に記載のファイバーモジュール。
  15. 前記出力コア領域が、前記均一な構造の入力コア領域から延伸する円錐台形状のモード移行領域と、前記入力コア領域の直径よりも大きな直径を有する均一に構成された下流領域とを含む、請求項11に記載のファイバーモジュール。
  16. 前記ポンプ源が、
    波長λの低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
    サブポンプ波長λspのサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
    前記サブポンプ波長λspのサブポンプ放射を前記波長λのポンプ信号に変換するYbドープ多重モードファイバー波長変換器と、を備えて構成されていて、
    前記波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
    前記低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
    nを高出力半導体レーザーダイオードの数、Bを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、n×Bに実質的に等しい輝度と、
    を各高出力半導体レーザーダイオードの出力、nを高出力半導体レーザーダイオードの数として、nPに実質的に等しい出力とを有する、請求項11に記載のファイバーモジュール。
  17. 前記入力コア領域の上流端部に結合される多重モードポンプ光を放出する追加のポンプ源を更に備える請求項11に記載のファイバーモジュール。
  18. 前記増幅器の出力が、略960nmから略2000nmまでの間の波長で放出される、請求項11に記載のファイバーモジュール。
  19. 前記ブースター増幅器が、一体構造、又は前記ファイバー部分及び前記ファイバーロッド部分が互いに接合されている二体構造を有する、請求項11に記載のファイバーモジュール。
  20. 光を増幅するためのシステムであって、
    コアと前記コアを取り囲む少なくとも一つのクラッドとを有する細長の均一な構造のファイバー部分及びファイバーロッド部分を有する光ファイバー増幅器と、
    多重モードポンプ源とを備え、
    前記コアが、
    前記ファイバー部分に沿って伝播方向に誘導される単一モード又は少数の高次モードをサポートする均一な構造の入力コア領域と、
    前記ファイバーロッド部分に沿って延伸していて、前記コアの断面の中心サブ領域と重なる基本モードの領域で基本モード及び高次モードをサポートする寸法にされた出力コア端部に受けて広がる出力コア領域と、を含み、
    前記多重モードポンプ源が、前記コアの開口数よりも低い開口数を有し且つ対向する伝播方向で前記出力コア端部に結合されるポンプ光を放出するように動作し、前記基本モードが前記コアの全長にわたって前記基本モードと少なくとも同じ大きさのサイズを有するポンプ光の内部に閉じ込められ、
    前記増幅器が、略5kWを超える平均出力又はMWレベルに達するピーク出力で実質的に基本モードの出力を放出する、システム。
  21. 前記コアが、少なくとも0.1の開口数を有して構成されていて、前記ファイバーロッド部分が略10cmから略30cmまでの長さで延伸していて、前記ポンプ光が前記コアの開口数よりも低い開口数を有する、請求項20に記載のシステム。
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