JP6280070B2 - 歪みセンサーおよび歪み検出方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の歪みセンサーの1構成例において、前記グラフェンは、シリコンカーバイド製の前記基板の熱融解によって基板上に作製されたエピタキシャルグラフェンであることを特徴とするものである。
グラフェン2のエネルギー分散関係構造を図2に示す。図2の垂直方向はエネルギーE(k)を表し、水平方向は波数kを表している。グラフェン2のエネルギー分散関係構造は、K点とK’点と呼ばれる波数の値でそれぞれ、2つの円錐をつなげたような分散構造をしている。円錐100が伝導帯のエネルギー、円錐101が価電子帯のエネルギーであり、円錐100と101とが点で接しているので、半導体のようなエネルギーギャップが存在しない。つまり金属である。
Claims (4)
- 基板上に配置された、水分子が吸着したグラフェンと、
このグラフェン上に形成された電極と、
前記グラフェンにレーザ光を照射し、前記水分子の振動を通じて前記グラフェンの格子を振動させる光源と、
前記グラフェンの抵抗の変化または前記グラフェンに流れる電流の変化を前記電極を介して検出することにより、前記グラフェンの歪みまたは前記グラフェンに加えられた応力を検出する検出手段とを備えることを特徴とする歪みセンサー。 - 請求項1記載の歪みセンサーにおいて、
前記グラフェンは、シリコンカーバイド製の前記基板の熱融解によって基板上に作製されたエピタキシャルグラフェンであることを特徴とする歪みセンサー。 - 基板上に配置された、水分子が吸着したグラフェンにレーザ光を照射し、前記水分子の振動を通じて前記グラフェンの格子を振動させるステップと、
前記グラフェンの抵抗の変化または前記グラフェンに流れる電流の変化を、前記グラフェン上に形成された電極を介して検出することにより、前記グラフェンの歪みまたは前記グラフェンに加えられた応力を検出するステップとを含むことを特徴とする歪み検出方法。 - 請求項3記載の歪み検出方法において、
前記グラフェンは、シリコンカーバイド製の前記基板の熱融解によって基板上に作製されたエピタキシャルグラフェンであることを特徴とする歪み検出方法。
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