JP6255147B2 - Cutting device and method for cutting workpiece - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ光を照射することによって被加工物を分断する装置および方法に関する。 The present invention relates to an apparatus and method for dividing a workpiece by irradiating a laser beam.
ガラス板やサファイア基板などの硬くて脆い材料(脆性材料)を切り出す加工方法として、種々の手法が公知である。例えば、ガラス板の加工として、切り分けたい材料の端部から線状にダイヤモンドの結晶などで浅い傷(初期亀裂)を設けるいわゆる罫書きを行い、形成された初期亀裂の両側に力をかけて該初期亀裂を厚み方向に進展させて分断する方法が広く知られている。 Various methods are known as processing methods for cutting out hard and brittle materials (brittle materials) such as glass plates and sapphire substrates. For example, as processing of a glass plate, so-called scoring is performed in which shallow scratches (initial cracks) are formed with diamond crystals or the like linearly from the edge of the material to be cut, and force is applied to both sides of the formed initial cracks to A method of dividing an initial crack in the thickness direction is widely known.
しかしながら、係る手法の場合、分断作業に際して、罫書きの深さや力の与え方などによっては、分断面に傾きが生じたり、予想外の方向へ割れてしまったりするなどして、所望の分断精度が出ず、最悪の場合、材料全体の破損の危険性もある。 However, in the case of such a method, the desired cutting accuracy may occur during the cutting operation, depending on the depth of the scribing and how to apply the force, and the dividing surface may be inclined or cracked in an unexpected direction. In the worst case, there is a risk of damage to the entire material.
また、被加工物の端部に初期亀裂を与えておき、該端部からレーザ光による加熱走査を行うことより、亀裂を進展させて被加工物を分断する手法も広く知られている(例えば、特許文献1参照)。 In addition, a method is also widely known in which an initial crack is given to an end portion of a workpiece, and the workpiece is divided by advancing the crack by performing heating scanning with a laser beam from the end portion (for example, , See Patent Document 1).
係る手法の場合、分断対象たる脆性材料が均質であって発生する応力場が理想的なものであるならば、亀裂進展の位置や方向などを高精度に制御できる可能性はあるが、現実には、材料の不均質性や、加熱エネルギー分布の不均一性や、加熱点の高精度な位置制御の困難さなどの点から、高精度で亀裂進展を制御することは難しい。ここでいう高精度とは、μmオーダーの精度での位置制御を想定している。 In the case of such a method, if the brittle material to be divided is homogeneous and the stress field generated is ideal, the position and direction of crack propagation may be controlled with high precision, but in reality, However, it is difficult to control the crack growth with high accuracy in view of the non-uniformity of the material, the non-uniformity of the heating energy distribution, and the difficulty of high-precision position control of the heating point. Here, high accuracy is assumed to be position control with accuracy on the order of μm.
しかも、被加工物の端部では、応力分散が生じ、応力分布が均等でなくなるなどの理由から、亀裂進展制御においては、加工手順の制限や敢えて加熱点をずらす処理などが必要となる(例えば、特許文献2参照)。 Moreover, at the end of the work piece, stress dispersion occurs and the stress distribution is not uniform. For crack growth control, it is necessary to limit the processing procedure or to deliberately shift the heating point (for example, , See Patent Document 2).
また、表面に単位パターンが2次元的に配列された脆性材料を単位パターン毎の個片に(チップ単位に)切り出す場合など、互いに直交する2方向での切り出しを、レーザ割断によって行おうとする場合、ある一方向に切り出した後にそれに直交する方向に切り出しを行うことになるが、大量のチップ加工のような場合には初期亀裂の与え方などがより煩雑になる。 Also, when cutting a brittle material in which unit patterns are two-dimensionally arranged on the surface into pieces (in chip units) for each unit pattern, cutting in two directions orthogonal to each other by laser cleaving After cutting in one direction, cutting is performed in a direction perpendicular thereto, but in the case of a large amount of chip processing, how to give an initial crack becomes more complicated.
以上の手法の組合せとして、ダイヤモンドやビッカース圧子などによって微小な傷(初期亀裂)を硬脆性材料基板(例えばガラス、シリコン、セラミックス、サファイアなど)の端部に設けたうえで、基板裏面側にレーザ光吸収材を配置し、基板裏面に焦点を合わせたレーザ照射による局所加熱を行い、これによって生じる応力集中によって亀裂を進展させてガラスを分断する手法も知られている(例えば、特許文献3参照)。 As a combination of the above methods, a minute scratch (initial crack) is provided on the edge of a hard and brittle material substrate (eg glass, silicon, ceramics, sapphire, etc.) with diamond or Vickers indenter, and then laser is applied to the back side of the substrate. A technique is also known in which a light absorbing material is arranged, local heating is performed by laser irradiation focused on the back surface of the substrate, and cracks are developed by stress concentration caused thereby, thereby dividing the glass (see, for example, Patent Document 3). ).
あるいは、あらかじめ被加工物の表面に、機械的にあるいはレーザ光の照射によって罫書き線やスクライブラインと称される線状の加工痕を施した後、係る加工痕に沿ってレーザ光による照射加熱を行い、該加工痕からのクラック進展を生じさせることで被加工物を分断する手法も公知である(例えば、特許文献4および特許文献5参照)。 Alternatively, a linear processing mark called a scribe line or scribe line is mechanically or laser beam irradiated on the surface of the workpiece in advance, and then irradiation heating with laser light is performed along the processing mark. And a method of dividing the workpiece by causing the crack to progress from the processing trace is also known (see, for example, Patent Document 4 and Patent Document 5).
なお、特許文献3には、罫書き線と反対側の面からレーザを照射して分断を行う態様も開示されている。 Note that Patent Document 3 also discloses an aspect in which a laser is irradiated from a surface opposite to the ruled line to perform division.
特許文献3に開示された手法の場合、レーザ光によって直接に加熱されるのはあくまでレーザ光吸収材であり、硬脆性材料基板はあくまで、レーザ光吸収材からの熱伝導によって間接的に加熱されるのみである。それゆえ、熱伝導の均一性の確保が難しく、引張応力が意図した方向に作用するとは限らない。また、特許文献1に開示されているような従来のレーザ割断と同じく、亀裂の進展方向を制御することは難しい。従って、係る手法によって精度の良い分断を行うことは難しい。 In the case of the method disclosed in Patent Document 3, it is only the laser light absorber that is directly heated by the laser light, and the hard and brittle material substrate is indirectly heated by the heat conduction from the laser light absorber. Only. Therefore, it is difficult to ensure the uniformity of heat conduction, and the tensile stress does not always act in the intended direction. Further, like the conventional laser cleaving disclosed in Patent Document 1, it is difficult to control the direction of crack propagation. Therefore, it is difficult to perform accurate division by such a method.
また、特許文献4および特許文献5に具体的に開示されているのは、機械的にあるいはレーザ光により形成した加工痕に沿ってCO2レーザを照射することにより被加工物を分断する態様に過ぎず、係る分断を効率的に生じさせる手法については、必ずしも開示されてはいない。 In addition, what is specifically disclosed in Patent Document 4 and Patent Document 5 is an aspect in which a workpiece is divided by irradiating a CO 2 laser mechanically or along a processing mark formed by laser light. However, a technique for efficiently generating such division is not necessarily disclosed.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、脆性材料からなる被加工物を高精度かつ効率的に分断することができる技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of dividing a workpiece made of a brittle material with high accuracy and efficiency.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、被加工物を分断する加工を行う装置であって、被加工物を載置固定するステージと、第1の出射源から出射された第1のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記ステージに載置固定された前記被加工物の上面であるスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工手段と、第2の出射源から出射された、前記被加工物の内部で吸収される第2のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物の内部を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱手段と、を備え、前記照射加熱手段が、前記第2のレーザ光の照射によって前記スクライブ面を含む前記被加工物の内部であって前記スクライブラインの近傍に形成される引張応力場を、前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることによって移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインに沿って順次に生じさせることにより、前記被加工物を分断する、ことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is an apparatus for performing processing for dividing a workpiece, and a stage for placing and fixing the workpiece, and a first emitted from a first emission source. A scribe line is formed on the scribe surface by irradiating the scribe surface, which is the upper surface of the workpiece placed and fixed on the stage, while scanning the laser beam relative to the stage. By irradiating the second laser light emitted from the processing means and the second emission source and absorbed inside the workpiece along the scribe line while being relatively scanned with respect to the stage. Irradiation heating means for heating the inside of the workpiece along the scribe line, and the irradiation heating means applies the second laser light to the scribe surface. The tensile stress field formed inside the workpiece and in the vicinity of the scribe line is moved by relatively scanning the second laser light along the scribe line, Dividing the workpiece by causing the progress of cracks from the scribe line to the non-scribe surface, which are generated when the scribe line is located in the tensile stress field, sequentially along the scribe line; It is characterized by that.
請求項2の発明は、請求項1に記載の分断装置であって、前記第2のレーザ光がEr−YAGレーザもしくはNd−YAGレーザのいずれかである、ことを特徴とする。 A second aspect of the present invention is the cutting apparatus according to the first aspect, wherein the second laser light is either an Er-YAG laser or an Nd-YAG laser.
請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の分断装置であって、前記照射加熱手段が、前記第2の出射源から出射された前記第2のレーザ光の照射範囲を調整する調整機構を備え、前記調整機構によって照射範囲が調整された前記第2のレーザ光を前記スクライブ面に照射する、ことを特徴とする。 A third aspect of the present invention is the cutting apparatus according to the first or second aspect, wherein the irradiation heating means adjusts an irradiation range of the second laser beam emitted from the second emission source. An adjusting mechanism for irradiating the scribe surface with the second laser light whose irradiation range is adjusted by the adjusting mechanism.
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の分断装置であって、前記第1のレーザ光がYAGレーザの3倍高調波である、ことを特徴とする。 According to a fourth aspect of the invention, there is provided the dividing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the first laser beam is a third harmonic of a YAG laser.
請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の分断装置であって、前記ステージが前記被加工物を保持した状態で水平面内で回転自在とされてなり、前記ステージを水平面内で回転させることによって前記ステージに載置固定された前記被加工物の水平面内における姿勢を補正するアライメント処理を行うアライメント処理手段、をさらに備え、前記アライメント処理を行った前記被加工物に対して前記スクライブ加工手段による前記スクライブラインの形成と、前記照射加熱手段による加熱とを行う、ことを特徴とする。 A fifth aspect of the present invention is the cutting apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the stage is rotatable in a horizontal plane while holding the workpiece, and the stage Alignment processing means for performing alignment processing for correcting the posture of the workpiece placed and fixed on the stage in the horizontal plane by rotating the workpiece in the horizontal plane, and the workpiece subjected to the alignment processing On the other hand, the formation of the scribe line by the scribe processing means and the heating by the irradiation heating means are performed.
請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の分断装置であって、前記被加工物に対して冷却流体を噴射する冷却流体供給手段、をさらに備え、前記照射加熱手段が、前記冷却流体供給手段による前記冷却流体の噴射によって前記引張応力場を冷却しつつ、前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることによって移動させる、ことを特徴とする。 A sixth aspect of the present invention is the cutting apparatus according to any one of the first to fifth aspects, further comprising a cooling fluid supply means for injecting a cooling fluid to the workpiece, and the irradiation heating. The means moves the second laser light by relatively scanning the scribe line while cooling the tensile stress field by jetting the cooling fluid by the cooling fluid supply means. And
請求項7の発明は、被加工物を分断する方法であって、第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、第2の出射源から前記被加工物の内部で吸収される第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物の内部を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、を備え、前記照射加熱工程においては、前記第2のレーザ光の照射によって前記スクライブ面を含む前記被加工物の内部であって前記スクライブラインの近傍に形成される引張応力場を、前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることによって移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインに沿って順次に生じさせることにより、前記被加工物を分断する、ことを特徴とする。 The invention according to claim 7 is a method of dividing a workpiece, wherein the first laser beam is emitted from a first emission source, and the first laser beam is directed to the scribe surface of the workpiece. By irradiating, a scribe process for forming a scribe line on the scribe surface, and a second laser beam absorbed inside the workpiece from a second emission source is emitted, and the second laser beam is emitted. Irradiating from the side of the scribe surface along the scribe line to heat the inside of the workpiece along the scribe line, and in the irradiation heating step, the second The tensile stress field formed in the vicinity of the scribe line inside the workpiece including the scribe surface by the irradiation of the laser beam is applied to the second laser beam. And by moving the scribe line relative to the non-scribe surface, the scribe line causes a crack progress from the scribe line to the non-scribe surface caused by the scribe line being located in the tensile stress field. The workpiece is divided by being sequentially generated along the line.
請求項8の発明は、請求項7に記載の分断方法であって、前記第2のレーザ光がEr−YAGレーザもしくはNd−YAGレーザのいずれかである、ことを特徴とする。 The invention of claim 8 is the dividing method according to claim 7, wherein the second laser light is either an Er-YAG laser or an Nd-YAG laser.
請求項9の発明は、請求項7または請求項8に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、前記第2の出射源から出射された前記第2のレーザ光の照射範囲を調整機構によって調整したうえで前記第2のレーザ光を前記スクライブ面に照射する、ことを特徴とする。 The invention of claim 9 is the dividing method according to claim 7 or claim 8, wherein the irradiation range of the second laser beam emitted from the second emission source is set in the irradiation heating step. The second scribe surface is irradiated with the second laser light after adjustment by an adjustment mechanism.
請求項10の発明は、請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の分断方法であって、前記第1のレーザ光がYAGレーザの3倍高調波である、ことを特徴とする。 A tenth aspect of the invention is the dividing method according to any one of the seventh to ninth aspects, wherein the first laser beam is a third harmonic of a YAG laser.
請求項11の発明は、請求項7ないし請求項10のいずれかに記載の分断方法であって、前記被加工物の水平面内における姿勢を補正するアライメント処理工程、をさらに備え、前記アライメント処理工程を行った前記被加工物に対して、前記スクライブ加工工程と前記照射加熱工程とを行う、ことを特徴とする。 The invention of claim 11 is the dividing method according to any one of claims 7 to 10, further comprising an alignment processing step of correcting a posture of the workpiece in a horizontal plane, wherein the alignment processing step The scribe processing step and the irradiation heating step are performed on the workpiece that has been subjected to.
請求項12の発明は、請求項7ないし請求項11のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、前記第1のレーザ光の被照射位置において溶融および再固化を生じさせ、前記被照射位置を変質領域とすることによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。 A twelfth aspect of the invention is the dividing method according to any of the seventh to eleventh aspects, wherein in the scribing step, melting and resolidification occur at the irradiated position of the first laser beam. The scribe line is formed by setting the irradiated position as an altered region.
請求項13の発明は、請求項7ないし請求項11のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、前記第1のレーザ光の被照射位置においてアブレーションを生じさせ、前記被照射位置に溝部を形成することによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。 Invention of Claim 13 is the dividing method in any one of Claim 7 thru | or 11, Comprising: In the said scribing process, ablation is produced in the irradiated position of said 1st laser beam, The scribe line is formed by forming a groove at the irradiated position.
請求項14の発明は、請求項7ないし請求項12のいずれかに記載の分断方法であって、前記照射加熱工程を、前記引張応力場を冷却しつつ行うことを特徴とする。 A fourteenth aspect of the present invention is the cutting method according to any one of the seventh to twelfth aspects, wherein the irradiation heating step is performed while cooling the tensile stress field.
請求項15の発明は、請求項14に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程を、冷却流体の噴射によって前記引張応力場を冷却しつつ行うことを特徴とする。 A fifteenth aspect of the invention is the dividing method according to the fourteenth aspect, wherein the irradiation heating step is performed while cooling the tensile stress field by jetting a cooling fluid.
請求項16の発明は、請求項7ないし請求項15のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、互いに直交する第1の方向と第2の方向とにおいてそれぞれ所定のピッチにて複数のスクライブラインを形成し、前記照射加熱工程においては、前記第1の方向に延在する前記スクライブラインに沿った照射加熱を行った後、前記第2の方向に延在する前記スクライブラインに沿った照射加熱を行う、ことを特徴とする。 The invention according to claim 16 is the dividing method according to any one of claims 7 to 15, wherein, in the scribing step, predetermined in each of a first direction and a second direction orthogonal to each other. A plurality of scribe lines are formed at a pitch, and in the irradiation heating step, after performing irradiation heating along the scribe lines extending in the first direction, the extension extending in the second direction. Irradiation heating is performed along the scribe line.
請求項17の発明は、請求項16に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、前記第2のレーザ光の照射ビーム径を、前記スクライブラインを形成する際のピッチ以下とする、ことを特徴とする。 The invention according to claim 17 is the dividing method according to claim 16, wherein, in the irradiation heating step, an irradiation beam diameter of the second laser light is set to be equal to or smaller than a pitch when the scribe line is formed. It is characterized by that.
請求項1ないし請求項17の発明によれば、第1のレーザ光を照射することによってあらかじめ被加工物の分断予定位置に高精度に形成されたスクライブラインに沿って第2のレーザ光を照射し、被加工物の内部を加熱することで、スクライブラインに対し引張応力を作用させ、スクライブラインから非スクライブ面へのクラックの進展をスクライブラインの延在方向に沿って順次に生じさせることで、被加工物を精度よく分断することができる。しかも、スクライブラインの形成に引き続いて、同一の装置内でレーザ加熱による引張応力の発生を行うことができるので、高精度な分断加工を効率的に行うことができる。また、従来行っていた、スクライブ加工を行う装置から分断を行うブレーカへと被加工物を載置し直す必要が無くなるので、分断加工の工程が簡略化される。 According to the invention of Claims 1 to 17, the second laser beam is irradiated along the scribe line formed with high precision in advance at the planned cutting position of the workpiece by irradiating the first laser beam. By heating the inside of the workpiece, tensile stress is applied to the scribe line, and the crack progresses from the scribe line to the non-scribe surface sequentially along the extending direction of the scribe line. The workpiece can be divided with high accuracy. Moreover, since the tensile stress can be generated by laser heating in the same apparatus following the formation of the scribe line, highly accurate cutting can be performed efficiently. In addition, since it is not necessary to place the workpiece again on the breaker that performs cutting from a conventional scribing apparatus, the cutting process is simplified.
<加工の基本原理>
まず、本実施の形態に係る加工(分断加工)の基本原理について説明する。本実施の形態において行う分断加工は、概略、被加工物(分断対象物)Wの分断予定位置に対して第1のレーザ光(スクライブ用レーザ光)を照射することによってスクライブラインSLを形成した後、第2のレーザ光(加熱用レーザ光)の照射による加熱(レーザ加熱)を行うことで該スクライブラインSL近傍に応力場を生じさせ、これによって初期亀裂であるスクライブラインSLから亀裂(クラック)を進展させることで、被加工物を分断するというものである。
<Basic principles of processing>
First, the basic principle of processing (parting processing) according to the present embodiment will be described. In the cutting process performed in the present embodiment, the scribe line SL is formed by irradiating the first laser beam (scribing laser beam) to the scheduled cutting position of the workpiece (dividing object) W. After that, a stress field is generated in the vicinity of the scribe line SL by performing heating (laser heating) by irradiation with a second laser beam (heating laser beam), thereby causing a crack (crack from the scribe line SL as an initial crack). ) To divide the work piece.
被加工物Wとしては、例えば、ガラス板やサファイア基板などの脆性材料、あるいはそれら脆性材料からなる基板の表面に薄膜層などによって単位パターンが2次元的に形成されたもの(以下、パターン付き基板)などが該当する。 As the workpiece W, for example, a brittle material such as a glass plate or a sapphire substrate, or a unit pattern two-dimensionally formed by a thin film layer on the surface of a substrate made of such a brittle material (hereinafter referred to as a patterned substrate). ).
図1は、分断加工の原理を模式的に示す図である。より具体的には、図1は、被加工物Wにあらかじめ形成されたスクライブラインSLに沿って加熱用レーザ光LBhを照射することにより、レーザ加熱を行う様子を示している。 FIG. 1 is a diagram schematically showing the principle of parting. More specifically, FIG. 1 shows a state in which laser heating is performed by irradiating the laser beam LBh for heating along a scribe line SL formed in advance on the workpiece W.
なお、以降の説明においては、被加工物WにおいてスクライブラインSLが形成されている面、もしくはスクライブラインSLの形成が予定される面をスクライブ面W1と称し、該スクライブ面W1の反対面を非スクライブ面W2と称する。また、図1においては、加熱用レーザ光LBhが矢印AR1にて示す走査方向(当然ながらスクライブラインSLの延在方向でもある)を移動することによりスクライブ面W1を走査する様子を示しているが、これに代わり、加熱用レーザ光LBhがある照射位置にて固定的に照射される一方で、被加工物Wが図示しない移動手段にて移動させられることによって、加熱用レーザ光LBhによる矢印AR1方向への相対的な走査が実現される態様であってもよい。 In the following description, the surface of the workpiece W on which the scribe line SL is formed or the surface on which the scribe line SL is scheduled to be formed is referred to as a scribe surface W1, and the surface opposite to the scribe surface W1 is defined as a non-surface. This is referred to as a scribe surface W2. Further, FIG. 1 shows a state where the laser beam LBh for heating scans the scribe surface W1 by moving in the scanning direction indicated by the arrow AR1 (which is of course also the extending direction of the scribe line SL). Instead, while the heating laser beam LBh is fixedly irradiated at a certain irradiation position, the workpiece W is moved by a moving means (not shown), whereby the arrow AR1 by the heating laser beam LBh. A mode in which relative scanning in the direction is realized may be employed.
図1に示す場合においては、被加工物Wの表面で吸収が生じる加熱用レーザ光LBhを照射する場合を例示している。なお、このような加熱用レーザ光LBhとしては、長波長レーザであるCO2レーザ(波長9.4μm〜10.6μm)がある。係る場合、加熱用レーザ光LBhが照射されると、被加工物Wのスクライブ面W1における加熱用レーザ光LBhの照射領域は加熱されて膨張し、図1に示すように圧縮応力場SF1となる。一方で、該圧縮応力場SF1の外周領域は収縮し、引張応力場SF2となる。スクライブラインSLがこの引張応力場SF2に含まれると、被加工物Wにおいては、該スクライブラインSLの側方において引張応力TSが作用する。係る引張応力TSの作用により、スクライブラインSLから非スクライブ面W2側の分断予定位置L0に向けてクラックCRが進展する。加えて、上述のように、加熱用レーザ光LBhはスクライブラインSLに沿って相対的に走査されるので、これに伴い、引張応力場SF2もスクライブラインSLに沿って移動する。すると、非スクライブ面W2側へとクラックCRが進展する箇所が、スクライブラインSLの延在方向、つまりは加熱用レーザ光LBhの走査方向に沿って遷移していくこととなる。それゆえ、加熱用レーザ光LBhを、スクライブ面W1側の分断予定位置に設けられたスクライブラインSLの一方端から他方端に至るまで照射すれば、スクライブラインSLの形成位置全体で、分断予定位置L0へのクラックCRの進展を順次に生じさせることができるので、結果として、被加工物Wを分断することができる。 In the case shown in FIG. 1, the case where the laser beam LBh for heating which absorbs on the surface of the workpiece W is irradiated is illustrated. Such a heating laser beam LBh includes a CO 2 laser (wavelength: 9.4 μm to 10.6 μm) which is a long wavelength laser. In such a case, when the heating laser beam LBh is irradiated, the irradiation region of the heating laser beam LBh on the scribe surface W1 of the workpiece W is heated and expands to become a compressive stress field SF1 as shown in FIG. . On the other hand, the outer peripheral region of the compressive stress field SF1 contracts to become a tensile stress field SF2. When the scribe line SL is included in the tensile stress field SF2, the tensile stress TS acts on the workpiece W on the side of the scribe line SL. Due to the action of the tensile stress TS, the crack CR advances from the scribe line SL toward the scheduled cutting position L0 on the non-scribe surface W2. In addition, since the heating laser beam LBh is relatively scanned along the scribe line SL as described above, the tensile stress field SF2 also moves along the scribe line SL. Then, the portion where the crack CR progresses toward the non-scribe surface W2 side transitions along the extending direction of the scribe line SL, that is, the scanning direction of the heating laser beam LBh. Therefore, if the heating laser beam LBh is irradiated from one end to the other end of the scribe line SL provided at the planned slicing position on the scribe surface W1 side, the planned slicing position at the entire scribe line SL formation position. Since the progress of the crack CR to L0 can be sequentially generated, the workpiece W can be divided as a result.
ただし、図1に示すように被加工物Wの表面で吸収が生じる加熱用レーザ光LBhを用いた場合、スクライブ面W1においては加熱用レーザ光LBhの照射領域が必ず圧縮応力場SF1となる。それゆえ、加熱用レーザ光LBhの照射領域ではスクライブラインSLに対して圧縮応力CSが作用する。係る圧縮応力CSは、上述した引張応力場SF2におけるクラックCRの進展を妨げるように作用するので、図1に示す場合、クラックCRが進展するのは加熱用レーザ光LBhの照射領域の周囲に限られてしまう。 However, when the heating laser beam LBh that is absorbed on the surface of the workpiece W is used as shown in FIG. 1, the irradiation region of the heating laser beam LBh is necessarily the compressive stress field SF1 on the scribe surface W1. Therefore, the compressive stress CS acts on the scribe line SL in the irradiation region of the heating laser beam LBh. Since the compressive stress CS acts so as to prevent the crack CR from progressing in the tensile stress field SF2 described above, the crack CR only propagates around the irradiation region of the heating laser beam LBh in the case shown in FIG. It will be.
そこで、本実施の形態においては、被加工物Wの内部で吸収を生じさせる態様にて、加熱用レーザ光LBhによる照射加熱を行うようにする。図2は、本実施の形態に係る分断加工の途中の様子を模式的に示す断面図である。なお、図2においては、スクライブラインSLが溝部として形成される場合を例示しているが、後述するように、スクライブラインSLの形成態様はこれに限られるものではない(図6も同様)。 Therefore, in the present embodiment, irradiation heating with the laser beam LBh for heating is performed in such a manner that absorption is generated inside the workpiece W. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a state in the middle of the cutting process according to the present embodiment. 2 illustrates the case where the scribe line SL is formed as a groove, the form of the scribe line SL is not limited to this as described later (the same applies to FIG. 6).
図2に示す場合、加熱用レーザ光LBhがスクライブラインSLに沿って照射される点は、図1に示す場合と同様であるが、加熱用レーザ光LBhを吸収することで加熱されて圧縮応力場SF1となるのは、被加工物Wの内部の領域である。そして、スクライブラインSLの形成されてなるスクライブ面W1を含め、当該領域の外周領域が引張応力場SF2となる。係る場合、スクライブラインSLの形成位置は引張応力場SF2のみに含まれるので、非スクライブ面W2へのクラックCRの進展が圧縮応力の作用によって妨げられることがない。それゆえ、クラックCRの進展が効率的に生じる。 In the case shown in FIG. 2, the point that the heating laser beam LBh is irradiated along the scribe line SL is the same as the case shown in FIG. 1, but it is heated by absorbing the heating laser beam LBh and compressed stress. The field SF1 is a region inside the workpiece W. And the outer peripheral area | region of the said area | region including the scribe surface W1 in which the scribe line SL is formed becomes the tensile stress field SF2. In such a case, since the formation position of the scribe line SL is included only in the tensile stress field SF2, the progress of the crack CR to the non-scribe surface W2 is not hindered by the action of the compressive stress. Therefore, the crack CR progresses efficiently.
また、係る態様にて被加工物Wを分断する場合、被加工物Wを正確に位置決めした上でスクライブ面W1上の所定の位置に精度良く形成されてなるスクライブラインSLを初期亀裂として、非スクライブ面W2側へとクラックCRを進展させることになる。通常、スクライブラインSLの長さに比べて被加工物Wの厚みは十分に小さく、また、加熱用レーザ光LBhによって形成される引張応力場SF2は比較的均一であるので、分断位置のずれは生じにくい。すなわち、本実施の形態においては、精度の優れた分断が可能となる。結果として、μmオーダーの精度での分断が可能となる。 Further, when the workpiece W is divided in such a manner, the scribe line SL formed accurately at a predetermined position on the scribe surface W1 after accurately positioning the workpiece W is used as an initial crack. The crack CR is advanced toward the scribe surface W2. Usually, the thickness of the workpiece W is sufficiently small compared to the length of the scribe line SL, and the tensile stress field SF2 formed by the heating laser beam LBh is relatively uniform. Hard to occur. That is, in this embodiment, it is possible to perform division with excellent accuracy. As a result, it is possible to divide with an accuracy of μm order.
なお、表面にLEDパターンが2次元的に形成されたサファイア基板であるLED製造用基板などのパターン付き基板を、単位パターン毎の個片に(チップ単位に)分断する場合など、分断予定位置が格子状に設定されている場合、互いに直交する第1の方向と第2の方向とにおいてそれぞれ複数のスクライブラインSLが順次に形成されたうえで、それぞれの方向について、順次に加熱用レーザ光LBhによる加熱が行われる。係る場合、加熱用レーザ光LBhによってある第1の方向に延在するスクライブラインSL(第1のスクライブライン)に沿ったレーザ加熱を行うと、これに直交する他のスクライブラインSL(第2のスクライブライン)との格子点近傍では、部分的に、第2の方向に延在する第2のスクライブラインにおいてもわずかに非スクライブ面W2へのクラックCRの進展は生じる。しかしながら、係る場合においても、後で第2のスクライブラインに沿ったレーザ加熱を行うことで、精度には問題のない分断が行える。 In addition, when a substrate with a pattern, such as an LED manufacturing substrate, which is a sapphire substrate having an LED pattern two-dimensionally formed on the surface, is divided into individual pieces for each unit pattern (on a chip basis), When set in a lattice shape, a plurality of scribe lines SL are sequentially formed in the first direction and the second direction orthogonal to each other, and then the laser beam LBh for heating is sequentially applied in each direction. Is heated. In this case, when laser heating is performed along the scribe line SL (first scribe line) extending in a first direction by the heating laser beam LBh, another scribe line SL (second In the vicinity of the lattice point with the scribe line), the crack CR slightly progresses to the non-scribe surface W2 even in the second scribe line extending in the second direction. However, even in such a case, by performing laser heating along the second scribe line later, it is possible to perform division without any problem in accuracy.
スクライブ用レーザ光には、被加工物Wの材質等に応じて適宜のパルスレーザ光を選択して用いればよい。例えば、サファイア基板や、サファイア基板を用いて作製されたパターン付き基板であるLED製造用基板が被加工物Wである場合であれば、YAGレーザの3倍高調波(波長355nm)を用いるのが好適な一例である。また、分断予定位置での分断の精度および確実性を高めるためには、スクライブラインSLはできるだけ細く形成されることが望ましいことから、スクライブ用レーザ光は数μm〜十数μm程度の照射範囲(照射ビーム径)で照射されるようにする。また、加工効率(エネルギーの利用効率)の観点から、スクライブ用レーザ光は、被加工物Wのスクライブ面W1あるいは内部のスクライブ面W1近傍(スクライブ面W1から数十μm程度までの範囲)で合焦するように照射される。なお、本実施の形態において、照射ビーム径とは、照射するレーザビームの断面のエネルギー分布がガウス分布形状であると仮定した場合に、そのエネルギー値が中心の最高値の1/e2以上である領域の直径をいう。 As the scribing laser beam, an appropriate pulse laser beam may be selected and used according to the material of the workpiece W or the like. For example, if the LED manufacturing substrate, which is a patterned substrate manufactured using a sapphire substrate or a sapphire substrate, is the workpiece W, the third harmonic (wavelength 355 nm) of the YAG laser is used. This is a preferred example. Further, in order to improve the accuracy and certainty of the division at the planned division position, it is desirable that the scribe line SL be formed as thin as possible. Therefore, the scribe laser beam has an irradiation range of about several μm to several tens of μm ( (Irradiation beam diameter). In addition, from the viewpoint of processing efficiency (energy utilization efficiency), the scribing laser light is combined on the scribe surface W1 of the workpiece W or in the vicinity of the internal scribe surface W1 (range from the scribe surface W1 to about several tens of μm). Irradiated in a sharp manner. In the present embodiment, the irradiation beam diameter is an energy value of 1 / e 2 or more of the center maximum value assuming that the energy distribution of the cross section of the laser beam to be irradiated is a Gaussian distribution shape. The diameter of a certain area.
また、スクライブラインSLについては、スクライブ用レーザ光の被照射位置において物質を蒸発させることによって形成される断面視三角形状もしくはくさび形状の溝部がスクライブラインSLとされる態様であってもよいし、当該被照射位置において物質を溶融・再固化させる(融解改質させる)ことによって形成される断面視三角形状もしくはくさび形状の変質領域がスクライブラインSLとされる態様であってもよい。いずれの態様を取るかに応じて、スクライブ用レーザ光の照射条件(パルス幅、繰り返し周波数、ピークパワー密度、走査速度など)が定められる。また、図1ではスクライブラインSLが連続的に形成されている場合を例示しているが、スクライブラインSLの形成態様はこれに限られない。例えば、分断予定位置に沿って点線状もしくは破線状にスクライブラインSLが形成される態様であってもよい。 In addition, the scribe line SL may be in a form in which a triangular or wedge-shaped groove portion formed by evaporating a substance at the irradiation position of the scribe laser beam is the scribe line SL, A mode in which the altered region having a triangular shape or a wedge shape in sectional view formed by melting and re-solidifying (melt-modifying) a substance at the irradiated position may be a scribe line SL. Irradiation conditions (pulse width, repetition frequency, peak power density, scanning speed, etc.) of the scribing laser beam are determined depending on which mode is used. Moreover, although the case where the scribe line SL is continuously formed is illustrated in FIG. 1, the form of the scribe line SL is not limited to this. For example, the aspect in which the scribe line SL is formed in a dotted line shape or a broken line shape along the scheduled division position may be used.
一方、加熱用レーザ光LBhとしては、Er−YAGレーザの基本波(波長2940nm)や、Nd−YAGレーザの基本波(波長1064nm)を用いるのが好適である。これらのレーザ光であれば、ガラスやサファイアの内部における吸収を好適に生じさせることが出来る。なお、スクライブラインSLの形成という、被加工物の加工を目的として照射するスクライブ用レーザ光とは異なり、加熱用レーザ光LBhは、被加工物を加熱することによって加熱領域に形成される圧縮応力場SF1の周囲に引張応力場SF2を形成するという目的で照射されるものである。それゆえ、被加工物を破壊や変質させないようにすることや、引張応力場SF2をなるべく広く形成させるようにするうえにおいては、加熱用レーザ光LBhの照射範囲はスクライブ用レーザ光に比べて大きくてよい。例えば、被加工物の厚みが150μmの場合では、100μm〜1000μm程度であればよい。 On the other hand, as the heating laser beam LBh, it is preferable to use the fundamental wave of an Er-YAG laser (wavelength 2940 nm) or the fundamental wave of an Nd-YAG laser (wavelength 1064 nm). If it is these laser beams, the absorption in the inside of glass or sapphire can be produced suitably. Note that, unlike the scribe laser beam irradiated for the purpose of processing the workpiece, which is the formation of the scribe line SL, the heating laser beam LBh is a compressive stress formed in the heating region by heating the workpiece. Irradiation is performed for the purpose of forming a tensile stress field SF2 around the field SF1. Therefore, the irradiation range of the heating laser beam LBh is larger than that of the scribing laser beam in order to prevent the workpiece from being broken or altered or to form the tensile stress field SF2 as wide as possible. It's okay. For example, when the thickness of the workpiece is 150 μm, it may be about 100 μm to 1000 μm.
ただし、パターン付き基板から矩形形状のチップを切り出すような場合においては、加熱用レーザ光LBhの照射ビーム径を、チップの平面サイズ(分断予定位置のピッチとほぼ同等)と同じかそれ以下に設定する。これよりも照射ビーム径を大きくした場合、分断が良好に行われず、所定の形状のチップが得られなくなることが生じ、好ましくない。 However, in the case of cutting a rectangular chip from a substrate with a pattern, the irradiation beam diameter of the heating laser beam LBh is set to be equal to or smaller than the planar size of the chip (approximately equal to the pitch of the planned cutting position). To do. If the irradiation beam diameter is made larger than this, it is not preferable because the division is not performed well and a chip having a predetermined shape cannot be obtained.
<分断装置>
次に、上述した加工原理に基づいて被加工物の分断を行う分断装置について説明する。図3は、分断装置100の構成を概略的に示す図である。
<Severing device>
Next, a cutting apparatus for cutting a workpiece based on the above-described processing principle will be described. FIG. 3 is a diagram schematically showing the configuration of the cutting apparatus 100.
図3に示すように、分断装置100は、ステージ部10と、スクライブ用レーザ光学系20と、加熱用レーザ光学系30と、位置読み取り光学系40とを主として備える。また、分断装置100は、例えば図示しないCPU、ROM、RAMなどからなり、スクライブ用レーザ光学系20、加熱用レーザ光学系30、および位置読み取り光学系40などとの間で種々の信号を授受することにより、各構成要素の動作を制御する制御系50を備える。なお、制御系50は他の構成要素と一体のものとして分断装置100の本体に組み込まれる態様であってもよいし、例えばパーソナルコンピュータ等で構成されて、分断装置100の本体とは別に設けられる態様であってもよい。 As shown in FIG. 3, the cutting apparatus 100 mainly includes a stage unit 10, a scribing laser optical system 20, a heating laser optical system 30, and a position reading optical system 40. In addition, the cutting device 100 includes, for example, a CPU, ROM, RAM, and the like (not shown), and exchanges various signals with the scribing laser optical system 20, the heating laser optical system 30, the position reading optical system 40, and the like. Thus, a control system 50 for controlling the operation of each component is provided. Note that the control system 50 may be incorporated in the main body of the cutting apparatus 100 as an integral part of other components, or may be configured by, for example, a personal computer and provided separately from the main body of the cutting apparatus 100. An aspect may be sufficient.
ステージ部10は、主として、XYステージ11と、該XYステージ11の上に設けられた加工用ステージ12とから構成される。 The stage unit 10 mainly includes an XY stage 11 and a processing stage 12 provided on the XY stage 11.
XYステージ11は、制御系50からの駆動制御信号sg1に基づいて、水平面内(XY平面内)の互いに直交する2つの方向(X方向、Y方向)に移動自在とされてなる。なお、XYステージ11の位置情報信号sg2は絶えず制御系にフィードバックされる。 The XY stage 11 is movable in two directions (X direction and Y direction) orthogonal to each other in the horizontal plane (in the XY plane) based on the drive control signal sg1 from the control system 50. The position information signal sg2 of the XY stage 11 is constantly fed back to the control system.
加工用ステージ12は、その上に被加工物Wを載置固定するための部位である。加工用ステージ12は図示しない吸着機構を備えており、制御系50からの吸着制御信号sg3に基づいて吸着機構を作動させることにより、加工用ステージ12の上面12aに被加工物Wを吸着固定するように構成されている。また、加工用ステージ12は、図示しない回転駆動機構を備えており、制御系50からの回転制御信号sg4に基づいて水平面内で回転動作が行えるようにもなっている。 The processing stage 12 is a part for mounting and fixing the workpiece W thereon. The processing stage 12 includes a suction mechanism (not shown), and the workpiece W is suction-fixed to the upper surface 12a of the processing stage 12 by operating the suction mechanism based on the suction control signal sg3 from the control system 50. It is configured as follows. Further, the processing stage 12 is provided with a rotation drive mechanism (not shown) so that it can rotate in a horizontal plane based on a rotation control signal sg4 from the control system 50.
なお、図3においては図示を省略するが、加工用ステージ12への固定にあたっては、被加工物Wの非スクライブ面W2側(載置面側)に粘着性のフィルムを貼り付け、該フィルムともども被加工物Wを固定する態様であってもよい。 In addition, although illustration is abbreviate | omitted in FIG. 3, when fixing to the stage 12 for a process, an adhesive film is affixed on the non-scribe surface W2 side (mounting surface side) of the to-be-processed W, and also with this film The aspect which fixes the to-be-processed object W may be sufficient.
スクライブ用レーザ光学系20は、制御系50から与えられるスクライブ用レーザ制御信号sg5に基づいて、スクライブ用レーザ光を被加工物Wに対して照射する部位である。 The scribing laser optical system 20 is a part that irradiates the workpiece W with the scribing laser light based on the scribing laser control signal sg5 provided from the control system 50.
図4は、スクライブ用レーザ光学系20の詳細構成を示す図である。図4に示すように、スクライブ用レーザ光学系20は、スクライブ用レーザ光LBsの光源(出射源)であるレーザ発振器21と、レーザ発振器21から出射されたスクライブ用レーザ光LBsの光量調整を行うためのアッテネータ22と、スクライブ用レーザ光LBsの焦点調整を行うための対物レンズ23とを主として備える。なお、上述のように、スクライブ用レーザ光LBsとしては、被加工物Wの材質等に応じたパルスレーザ光が用いられるので、レーザ発振器21は、使用するスクライブ用レーザ光LBsの種類に応じて選択されればよい。 FIG. 4 is a diagram showing a detailed configuration of the scribing laser optical system 20. As shown in FIG. 4, the scribing laser optical system 20 adjusts the amount of light of the laser oscillator 21 that is a light source (emission source) of the scribing laser light LBs and the scribing laser light LBs emitted from the laser oscillator 21. Attenuator 22 for the purpose and an objective lens 23 for adjusting the focus of the scribing laser beam LBs are mainly provided. As described above, since the pulse laser beam corresponding to the material or the like of the workpiece W is used as the scribe laser beam LBs, the laser oscillator 21 corresponds to the type of the scribe laser beam LBs to be used. It only has to be selected.
また、スクライブ用レーザ光学系20には、スクライブ用レーザ光LBsを反射することによってスクライブ用レーザ光LBsの光路の向きを適宜に切り替えるミラー24も備わっている。なお、図4においてはミラー24が1つのみ備わる場合を例示しているが、ミラー24の数はこれには限られず、スクライブ用レーザ光学系20内部あるいはさらに分断装置100内部におけるレイアウト上の要請その他の理由から、さらに多くのミラー24が設けられ、スクライブ用レーザ光LBsの光路が適宜に設定される態様であってもよい。 The scribing laser optical system 20 also includes a mirror 24 that appropriately switches the direction of the optical path of the scribing laser beam LBs by reflecting the scribing laser beam LBs. 4 illustrates the case where only one mirror 24 is provided. However, the number of mirrors 24 is not limited to this, and layout requirements within the scribing laser optical system 20 or further within the cutting apparatus 100 are illustrated. For other reasons, more mirrors 24 may be provided, and the optical path of the scribing laser beam LBs may be appropriately set.
より詳細には、レーザ発振器21には、スクライブ用レーザ光LBsの出射/非出射を切り替えるためのシャッター21aが設けられてなる。シャッター21aの開閉動作は、スクライブ用レーザ制御信号sg5の一種であるON/OFF制御信号sg5aに基づいて制御される。また、アッテネータ22におけるスクライブ用レーザ光LBsの光量の調整は、スクライブ用レーザ制御信号sg5の一種である出力パワー制御信号sg5bに基づいて制御される。 More specifically, the laser oscillator 21 is provided with a shutter 21a for switching between emission / non-emission of the scribing laser beam LBs. The opening / closing operation of the shutter 21a is controlled based on an ON / OFF control signal sg5a which is a kind of scribe laser control signal sg5. The adjustment of the amount of the scribing laser light LBs in the attenuator 22 is controlled based on an output power control signal sg5b which is a kind of the scribing laser control signal sg5.
スクライブ用レーザ光学系20においては、レーザ発振器21から出射され、アッテネータ22によって光量が調整されたスクライブ用レーザ光LBsが、被加工物Wのスクライブ面W1あるいは内部のスクライブ面W1近傍(スクライブ面W1から数十μm程度までの範囲)で合焦するように、かつ、照射ビーム径が数μm〜十数μm程度となるように、対物レンズ23の配置位置が調整される。これにより、良好なスクライブラインSLが形成される。 In the scribing laser optical system 20, the scribing laser beam LBs emitted from the laser oscillator 21 and adjusted in light amount by the attenuator 22 is near the scribing surface W1 of the workpiece W or the inner scribing surface W1 (the scribing surface W1). To the range of about several tens of μm), and the position of the objective lens 23 is adjusted so that the irradiation beam diameter is about several μm to several tens of μm. Thereby, a favorable scribe line SL is formed.
加熱用レーザ光学系30は、制御系50から与えられる加熱用レーザ制御信号sg6に基づいて、加熱用レーザ光を被加工物Wに対して照射する部位である。 The heating laser optical system 30 is a part that irradiates the workpiece W with the heating laser light based on the heating laser control signal sg6 provided from the control system 50.
図5は、加熱用レーザ光学系30の詳細構成を示す図である。図5に示すように、加熱用レーザ光学系30は、加熱用レーザ光LBhの光源(出射源)であるレーザ発振器31と、レーザ発振器31から出射された加熱用レーザ光LBhの光量調整を行うためのアッテネータ32と、被加工物Wに対する加熱用レーザ光LBhの照射範囲を調整するためのビーム調整機構33と、加熱用レーザ光LBhの焦点調整を行うための対物レンズ34とを主として備える。上述のように、加熱用レーザ光LBhとしてはEr−YAGレーザもしくはNd−YAGレーザを用いるので、レーザ発振器31はいずれかのレーザの発振器である。 FIG. 5 is a diagram showing a detailed configuration of the heating laser optical system 30. As shown in FIG. 5, the heating laser optical system 30 adjusts the amount of light of the laser beam LBh emitted from the laser oscillator 31, which is a light source (emission source) of the heating laser beam LBh, and the laser oscillator 31. The attenuator 32 for adjusting, the beam adjusting mechanism 33 for adjusting the irradiation range of the heating laser beam LBh to the workpiece W, and the objective lens 34 for adjusting the focus of the heating laser beam LBh are mainly provided. As described above, since the Er-YAG laser or the Nd-YAG laser is used as the heating laser beam LBh, the laser oscillator 31 is an oscillator of one of the lasers.
また、加熱用レーザ光学系30には、加熱用レーザ光LBhを反射することによって加熱用レーザ光LBhの光路の向きを適宜に切り替えるミラー35も備わっている。なお、図5においてはミラー35が1つのみ備わる場合を例示しているが、ミラー35の数はこれには限られず、加熱用レーザ光学系30内部あるいはさらに分断装置100内部におけるレイアウト上の要請その他の理由から、さらに多くのミラー35が設けられ、加熱用レーザ光LBhの光路が適宜に設定される態様であってもよい。 The heating laser optical system 30 is also provided with a mirror 35 that appropriately switches the direction of the optical path of the heating laser beam LBh by reflecting the heating laser beam LBh. FIG. 5 illustrates the case where only one mirror 35 is provided, but the number of mirrors 35 is not limited to this, and the layout requirements in the heating laser optical system 30 or further in the cutting apparatus 100 are not limited. For other reasons, more mirrors 35 may be provided, and the optical path of the heating laser beam LBh may be appropriately set.
より詳細には、レーザ発振器31には、加熱用レーザ光LBhの出射/非出射を切り替えるためのシャッター31aが設けられてなる。シャッター31aの開閉動作は、加熱用レーザ制御信号sg6の一種であるON/OFF制御信号sg6aに基づいて制御される。また、アッテネータ32における加熱用レーザ光LBhの光量の調整は、加熱用レーザ制御信号sg6の一種である出力パワー制御信号sg6bに基づいて制御される。 More specifically, the laser oscillator 31 is provided with a shutter 31a for switching between emission / non-emission of the heating laser beam LBh. The opening / closing operation of the shutter 31a is controlled based on an ON / OFF control signal sg6a which is a kind of the heating laser control signal sg6. The adjustment of the amount of the heating laser beam LBh in the attenuator 32 is controlled based on an output power control signal sg6b which is a kind of the heating laser control signal sg6.
また、ビーム調整機構33は、レーザ発振器31から直線的に出射された加熱用レーザ光LBhの照射範囲を調整するために備わる。ビーム調整機構33は、例えば、種々のレンズを適宜に組み合わせることによって実現され、それらのレンズの位置を調整することにより、被加工物Wに対して加熱用レーザ光LBhを適切な照射範囲で照射出来るようになっている。なお、図5においては、ビーム調整機構33による調整によって、加熱用レーザ光LBhが、レーザ発振器31から出射されたときのビーム径よりも大きな照射範囲で被加工物Wに照射される場合を例示している。 The beam adjusting mechanism 33 is provided for adjusting the irradiation range of the heating laser beam LBh linearly emitted from the laser oscillator 31. The beam adjusting mechanism 33 is realized by appropriately combining various lenses, for example, and adjusting the positions of these lenses to irradiate the workpiece W with the heating laser beam LBh in an appropriate irradiation range. It can be done. 5 exemplifies the case where the workpiece W is irradiated with an irradiation range larger than the beam diameter when emitted from the laser oscillator 31 by the adjustment by the beam adjustment mechanism 33. doing.
位置読み取り光学系40は、加工用ステージ12に吸着固定された被加工物Wを図示しないCCDカメラなどで撮像し、得られた撮像画像のデータを画像情報信号sg7として制御系50に与える。制御系50は、得られた画像情報信号sg7に基づいて、XYステージ11の移動範囲や、スクライブ用レーザ光LBsや加熱用レーザ光LBhの照射位置などの設定を行う。 The position reading optical system 40 images the workpiece W attracted and fixed to the processing stage 12 with a CCD camera (not shown) or the like, and supplies the obtained captured image data to the control system 50 as an image information signal sg7. Based on the obtained image information signal sg7, the control system 50 sets the movement range of the XY stage 11, the irradiation position of the scribing laser beam LBs and the heating laser beam LBh, and the like.
以上のような構成を有する分断装置100においては、被加工物Wを加工用ステージ12に吸着固定させた状態でXYステージ11を移動させることにより、被加工物Wを、スクライブ用レーザ光学系20、加熱用レーザ光学系30、および位置読み取り光学系40のそれぞれに対して下方から対向配置できるようになっている。なお、係る場合において、被加工物Wは、スクライブ面W1が上面(非載置面)となるように加工用ステージ12に固定される。 In the cutting apparatus 100 having the above configuration, the workpiece W is moved to the scribe laser optical system 20 by moving the XY stage 11 while the workpiece W is attracted and fixed to the machining stage 12. The heating laser optical system 30 and the position reading optical system 40 can be opposed to each other from below. In this case, the workpiece W is fixed to the processing stage 12 so that the scribe surface W1 is the upper surface (non-mounting surface).
そして、被加工物Wをスクライブ用レーザ光学系20と対向配置させた状態で、スクライブ用レーザ光学系20から被加工物Wに対してスクライブ用レーザ光LBsを照射しつつXYステージ11を移動させることにより、被加工物Wに対するスクライブ用レーザ光LBsの相対走査が実現される。スクライブ面W1のあらかじめ想定された分断予定位置に沿ってスクライブ用レーザ光LBsを相対的に走査させることで、スクライブラインSLを形成することが出来る。 Then, the XY stage 11 is moved while irradiating the workpiece W with the scribe laser beam LBs from the scribe laser optical system 20 in a state where the workpiece W is disposed opposite to the scribe laser optical system 20. Thus, relative scanning of the scribing laser beam LBs with respect to the workpiece W is realized. A scribe line SL can be formed by relatively scanning the scribe laser beam LBs along a predetermined expected cutting position of the scribe surface W1.
同様に、被加工物Wを加熱用レーザ光学系30と対向配置させた状態で、加熱用レーザ光学系30から被加工物Wに対して加熱用レーザ光LBhを照射しつつXYステージ11を移動させることにより、被加工物Wに対する加熱用レーザ光LBhの相対走査が実現される。スクライブ用レーザ光LBsの照射によって形成されたスクライブラインSLに沿って加熱用レーザ光LBhを相対的に走査させることで、スクライブラインSLからクラックCRを被加工物Wの非スクライブ面W2の分断予定位置に向けて進展させ、これによって、被加工物Wを分断することが出来る。 Similarly, the XY stage 11 is moved while the workpiece W is irradiated with the heating laser beam LBh from the heating laser optical system 30 while the workpiece W is disposed opposite to the heating laser optical system 30. By doing so, relative scanning of the heating laser beam LBh with respect to the workpiece W is realized. By making the heating laser beam LBh relatively scan along the scribe line SL formed by the irradiation of the scribe laser beam LBs, the crack CR is scheduled to be divided from the scribe line SL to the non-scribe surface W2 of the workpiece W. The workpiece W can be divided by the progress toward the position.
また、分断装置100においては、被加工物Wを位置読み取り光学系40と対向配置させた状態で位置読み取り光学系40による被加工物Wの撮像を行い、得られる撮像画像データに基づいて、被加工物Wの水平面内における傾き(姿勢)を補正するアライメント動作を行うことが出来る。具体的には、制御系50が、該撮像画像データの画像内容(例えば、アライメントマークの配置位置や繰り返しパターンの配置位置など)に基づいて、被加工物Wの水平面内における傾き(XYステージ11の移動方向からの傾き)を特定し、係る傾きがキャンセルされるように、加工用ステージ12に対して回転制御信号sg4を与えて、該加工用ステージ12を回転させる。被加工物Wの水平面内における傾きを特定する主要としては、パターンマッチング法など、公知の手法を適用することが出来る。 Further, in the cutting apparatus 100, the workpiece W is imaged by the position reading optical system 40 in a state in which the workpiece W is disposed opposite to the position reading optical system 40, and based on the obtained captured image data, An alignment operation for correcting the inclination (posture) of the workpiece W in the horizontal plane can be performed. Specifically, the control system 50 determines the inclination (XY stage 11) of the workpiece W in the horizontal plane based on the image content of the captured image data (for example, the alignment mark arrangement position and the repeated pattern arrangement position). The rotation control signal sg4 is given to the processing stage 12 so that the inclination is canceled, and the processing stage 12 is rotated. As a main for specifying the inclination of the workpiece W in the horizontal plane, a known method such as a pattern matching method can be applied.
通常の分断加工の場合は、スクライブ面W1が上面(非載置面)となるように被加工物Wが加工用ステージ12に固定された状態で、位置読み取り光学系40による撮像とその後のアライメント処理が行われた上で、スクライブ用レーザ光学系20によるスクライブラインSLの形成が行われ、さらに、加熱用レーザ光学系30において加熱用レーザ光LBhが照射されることにより、被加工物Wが分断される。 In the case of normal cutting, imaging by the position reading optical system 40 and subsequent alignment in a state where the workpiece W is fixed to the processing stage 12 so that the scribe surface W1 is an upper surface (non-mounting surface). After the processing, the scribe line SL is formed by the scribe laser optical system 20, and further, the heating laser light LBh is irradiated in the heating laser optical system 30, whereby the workpiece W is formed. Divided.
<引張応力場の冷却>
引張応力場SF2におけるクラックCRの進展をより効果的に引き起こす手法として引張応力場SF2を冷却する手法がある。
<Cooling of tensile stress field>
There is a method of cooling the tensile stress field SF2 as a method of causing the crack CR to progress more effectively in the tensile stress field SF2.
図6および図7は、スクライブ面W1に加熱用レーザ光LBhが照射される構成において、引張応力場SF2を冷却する様子を示す模式図である。図6は、スクライブラインSLの延在方向に垂直な被加工物Wの断面図であり、図7は、被加工物Wの上面図である。 6 and 7 are schematic views showing a state in which the tensile stress field SF2 is cooled in the configuration in which the laser beam LBh for heating is irradiated on the scribe surface W1. 6 is a cross-sectional view of the workpiece W perpendicular to the extending direction of the scribe line SL, and FIG. 7 is a top view of the workpiece W.
図6および図7においては、加熱用レーザ光LBhによってスクライブ面W1を矢印AR1にて示す走査方向に走査する際に、形成される引張応力場SF2のうち走査方向後方の部分に対して、冷却ガスCGが噴射されている。 6 and FIG. 7, when the scribe surface W1 is scanned in the scanning direction indicated by the arrow AR1 with the laser beam LBh for heating, the rear portion in the scanning direction of the formed tensile stress field SF2 is cooled. Gas CG is injected.
係る態様にて冷却を行うと、引張応力場SF2の冷却された箇所と、加熱用レーザ光LBhの照射によって加熱されてなる圧縮応力場SF1との温度差がより高くなり、引張応力場SF2における引張応力がより強められる。これにより、クラックCRの進展の確実性が高められる。結果として、被加工物Wをより精度よく分断することが出来るようになる。 When cooling is performed in this manner, the temperature difference between the cooled portion of the tensile stress field SF2 and the compressive stress field SF1 heated by irradiation with the heating laser beam LBh becomes higher, and the tensile stress field SF2 Tensile stress is increased. Thereby, the certainty of progress of crack CR is improved. As a result, the workpiece W can be divided more accurately.
なお、冷却ガスCGとしては、例えば不活性ガスなど、被加工物Wと反応しないガスを適宜に用いればよい。 As the cooling gas CG, a gas that does not react with the workpiece W, such as an inert gas, may be appropriately used.
図8は、図3ないし図5に示した分断装置100において冷却ガスCGの噴射を実現する構成の一例を概略的に示す図である。すなわち、図8に示す場合においては、加熱用レーザ光学系30に冷却ガスCGを噴射するためのノズル36が付設されており、冷却ガス供給源37から供給管38を通じて供給される冷却ガスCGを、加熱用レーザ光LBhの走査(相対走査)と同期させてノズル36から引張応力場SF2に向けて噴射することができるようになっている。 FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of a configuration for realizing the injection of the cooling gas CG in the cutting apparatus 100 shown in FIGS. 3 to 5. That is, in the case shown in FIG. 8, the nozzle 36 for injecting the cooling gas CG is attached to the heating laser optical system 30, and the cooling gas CG supplied from the cooling gas supply source 37 through the supply pipe 38 is supplied. The nozzle 36 can be ejected toward the tensile stress field SF2 in synchronization with the scanning (relative scanning) of the heating laser beam LBh.
ただし、引張応力場SF2を冷却する態様は、以上のような冷却ガスCGの噴射によるものには限られず、被加工物との反応性や、分断装置の腐食等の問題がなければ、液体による冷却を行ってもよい。つまりは、ガスおよび液体を含む流体による冷却を行うようにしてもよい。また、固体冷媒を引張応力場SF2に近接または接触させることにて冷却を行うような態様であってもよい。 However, the mode of cooling the tensile stress field SF2 is not limited to that by the injection of the cooling gas CG as described above. If there is no problem such as reactivity with the workpiece and corrosion of the cutting apparatus, the liquid is used. Cooling may be performed. In other words, cooling by a fluid containing gas and liquid may be performed. Moreover, the aspect which cools by making a solid refrigerant | coolant approach or contact the tensile stress field SF2 may be sufficient.
以上、説明したように、本実施の形態によれば、スクライブ用レーザ光を照射することによってあらかじめ被加工物の分断予定位置に形成されたスクライブラインに沿って加熱用レーザ光を照射し、被加工物の内部を加熱することで、スクライブラインに対し引張応力を作用させ、スクライブラインから非スクライブ面へのクラックの進展をスクライブラインの延在方向に沿って順次に生じさせることで、被加工物を分断することができる。また、引張応力場を冷却することで、クラックの進展をより効率的に引き起こすことが出来る。 As described above, according to the present embodiment, the laser beam for heating is irradiated along the scribe line that is formed in advance at the planned cutting position of the workpiece by irradiating the laser beam for scribe. By heating the inside of the work piece, tensile stress is applied to the scribe line, and the progress of cracks from the scribe line to the non-scribe surface is sequentially generated along the extending direction of the scribe line. You can divide things. Moreover, the crack can be more efficiently caused by cooling the tensile stress field.
しかも、スクライブ用レーザ光を照射してクライブラインを形成するスクライブ加工は、高精度に加工対象位置を位置決めしたうえで行うことが可能である。それゆえ、同一の装置内で、分断予定位置に高精度にスクライブラインを形成し、これに引き続いて、レーザ加熱による引張応力の発生を行うようにすることで、高精度な分断加工を効率的に行うことが可能となる。 Moreover, the scribing process for forming the scribe line by irradiating the scribing laser beam can be performed after positioning the processing target position with high accuracy. Therefore, a highly accurate cutting process can be efficiently performed by forming a scribe line with high accuracy at the planned cutting position in the same device and subsequently generating tensile stress by laser heating. Can be performed.
10 ステージ部
11 XYステージ
12 加工用ステージ
20 スクライブ用レーザ光学系
21 レーザ発振器
21a シャッター
22 アッテネータ
23 対物レンズ
24 ミラー
30 加熱用レーザ光学系
31 レーザ発振器
31a シャッター
32 アッテネータ
33 ビーム調整機構
34 対物レンズ
35 ミラー
36 ノズル
37 冷却ガス供給源
38 供給管
40 光学系
50 制御系
100 分断装置
CG 冷却ガス
CR クラック
CS 圧縮応力
L0 分断予定位置
LBh 加熱用レーザ光
LBs スクライブ用レーザ光
SF1 圧縮応力場
SF2 引張応力場
SL スクライブライン
TS 引張応力
W 被加工物
W1 (被加工物の)スクライブ面
W2 (被加工物の)非スクライブ面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Stage part 11 XY stage 12 Processing stage 20 Scribe laser optical system 21 Laser oscillator 21a Shutter 22 Attenuator 23 Objective lens 24 Mirror 30 Heating laser optical system 31 Laser oscillator 31a Shutter 32 Attenuator 33 Beam adjustment mechanism 34 Objective lens 35 Mirror 36 Nozzle 37 Cooling gas supply source 38 Supply pipe 40 Optical system 50 Control system 100 Cutting device CG Cooling gas CR Crack CS Compressive stress L0 Scheduled cutting position LBh Heating laser beam LBs Scribing laser beam SF1 Compressive stress field SF2 Tensile stress field SL Scribe line TS Tensile stress W Workpiece W1 (Workpiece) scribe surface W2 (Workpiece) non-scribe surface
Claims (2)
被加工物を載置固定するステージと、
第1の出射源から出射された第1のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記ステージに載置固定された前記被加工物の上面であるスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にアブレーションを生じさせてスクライブラインを形成するスクライブ加工手段と、
第2の出射源から出射された、前記被加工物の内部で吸収される第2のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物の内部を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱手段と、
前記被加工物に対して冷却流体を噴射する冷却流体供給手段と、
を備え、
前記照射加熱手段が、前記第2のレーザ光の照射によって前記スクライブ面を含む前記被加工物の内部であって前記スクライブラインの近傍に形成される引張応力場を、前記冷却流体供給手段による前記冷却流体の噴射によって冷却しつつ、前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることによって移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインに沿って順次に生じさせることにより、前記被加工物を分断する、
ことを特徴とする分断装置。 An apparatus for performing processing to divide a workpiece,
A stage for mounting and fixing the workpiece;
By irradiating the first laser beam emitted from the first emission source onto the scribe surface which is the upper surface of the workpiece placed and fixed on the stage while being relatively scanned with respect to the stage. Scribing means for ablating the scribe surface to form a scribe line;
The workpiece is irradiated by irradiating the second laser light emitted from the second emission source and absorbed inside the workpiece along the scribe line while being relatively scanned with respect to the stage. Irradiation heating means for heating the inside along the scribe line,
A cooling fluid supply means for injecting a cooling fluid to the workpiece;
With
The irradiation heating means generates a tensile stress field formed in the vicinity of the scribe line inside the workpiece including the scribe surface by the irradiation of the second laser light by the cooling fluid supply means. The second laser beam is moved by being relatively scanned along the scribe line while being cooled by jetting a cooling fluid, thereby causing the scribe line to be located in the tensile stress field. The progress of cracks from the scribe line to the non-scribe surface is sequentially generated along the scribe line, thereby dividing the workpiece.
A cutting device characterized by that.
第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にアブレーションを生じさせてスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、
第2の出射源から前記被加工物の内部で吸収される第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物の内部を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、
を備え、
前記照射加熱工程においては、前記第2のレーザ光の照射によって前記スクライブ面を含む前記被加工物の内部であって前記スクライブラインの近傍に形成される引張応力場を冷却しつつ、前記第2のレーザ光を前記スクライブラインに沿って相対的に走査させることによって移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインに沿って順次に生じさせることにより、前記被加工物を分断する、
ことを特徴とする被加工物の分断方法。 A method of dividing a workpiece,
A first laser beam is emitted from a first emission source, and the scribe surface of the workpiece is irradiated with the first laser beam, thereby causing ablation on the scribe surface to form a scribe line. Scribing process to
A second laser beam that is absorbed inside the workpiece is emitted from a second emission source, and the second laser beam is irradiated along the scribe line from the scribe surface side. An irradiation heating step of heating the inside of the workpiece along the scribe line;
With
In the irradiation heating step, the second stress is generated while cooling the tensile stress field formed in the vicinity of the scribe line inside the workpiece including the scribe surface by the irradiation of the second laser beam. The laser beam is moved by relatively scanning along the scribe line, and thereby the crack progresses from the scribe line to the non-scribe surface caused by the scribe line being positioned in the tensile stress field. Are divided along the scribe line to divide the workpiece.
A method for dividing a workpiece, characterized in that.
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