JP6232041B2 - Film forming method and film forming apparatus - Google Patents

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Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、成膜方法および成膜装置に関する。   Various aspects and embodiments of the present invention relate to a film forming method and a film forming apparatus.

有機化合物を用いて発光させる有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子は、ガラス基板上に形成された有機層を、陽極層（アノード）および陰極層（カソード）により挟み込む構造が一般的である。有機層は、水分に弱く、水分が混入すると、特性が変化して非発光点（ダークスポット）が発生し、有機ＥＬ素子の寿命を縮める一因となる。このため、外部の水分や酸素を透過させないように膜の封止性を高めることは非常に重要である。   An organic EL (Electro-Luminescence) element that emits light using an organic compound generally has a structure in which an organic layer formed on a glass substrate is sandwiched between an anode layer (anode) and a cathode layer (cathode). The organic layer is vulnerable to moisture, and when moisture is mixed, the characteristics change and non-light emitting points (dark spots) are generated, which contributes to shortening the lifetime of the organic EL element. For this reason, it is very important to improve the sealing property of the film so as not to allow external moisture and oxygen to permeate.

外部の湿気などから有機層を保護する方法としては、例えば、アルミニウム等で形成された封止缶を用いる方法が提案されている（たとえば、特許文献１を参照）。このような方法によれば、有機ＥＬ素子上に封止缶をシール材で貼り付け、さらに封止缶の内部に乾燥剤を取りつけることにより有機ＥＬ素子を封止および乾燥させる。これにより、有機ＥＬ素子への水分の混入を防止することができる。   As a method for protecting the organic layer from external moisture or the like, for example, a method using a sealing can made of aluminum or the like has been proposed (for example, see Patent Document 1). According to such a method, the organic EL element is sealed and dried by attaching the sealing can on the organic EL element with the sealing material and further attaching the desiccant to the inside of the sealing can. Thereby, mixing of moisture into the organic EL element can be prevented.

特開２００５−１６６２６５号公報JP 2005-166265 A

ところで、上記の方法では、水分に対する耐性は高いものの、有機ＥＬ素子全体としてある程度の厚さが必要である。そのため、薄い、軽い、屈曲させることができる等の有機ＥＬ素子本来の長所を発揮させることができない。   By the way, in the above method, although the tolerance to moisture is high, the organic EL element as a whole needs a certain thickness. Therefore, the original advantages of the organic EL element such as being thin, light, and bendable cannot be exhibited.

本発明の一側面は、基板上に形成されている素子を封止する封止膜の成膜方法であって、第１の供給工程、第１の成膜工程、第２の供給工程、第２の成膜工程、第３の供給工程、およびプラズマ処理工程を含む。第１の供給工程では、シリコン含有ガスとハロゲン元素含有ガスとを含む混合ガス、または、シリコン含有ガスと窒素よりも電気的負性が強い官能基を含有するガスとを含む混合ガスが処理容器内に供給される。第１の成膜工程では、処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された混合ガスにより、素子を覆うように封止膜が成膜される。第２の供給工程では、ハロゲン元素含有ガスおよび窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスのいずれも含まず、シリコン含有ガスを含む第２の混合ガスが処理容器内に供給される。第２の成膜工程では、処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された第２の混合ガスにより、第１の成膜工程において成膜された第１の封止膜を覆うように第２の封止膜が成膜される。第３の供給工程では、水素ガスが処理容器内に供給される。プラズマ処理工程では、処理容器内で生成された水素ガスのプラズマにより、第２の成膜工程において成膜された第２の封止膜の表面がプラズマ処理される。   One aspect of the present invention is a method for forming a sealing film for sealing an element formed over a substrate, the first supply process, the first film formation process, the second supply process, 2 film forming step, third supply step, and plasma processing step. In the first supply step, a mixed gas containing a silicon-containing gas and a halogen element-containing gas, or a mixed gas containing a silicon-containing gas and a gas containing a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen is a processing container. Supplied in. In the first film formation step, a sealing film is formed so as to cover the element with a mixed gas activated by plasma generated in the processing container. In the second supply step, neither the halogen element-containing gas nor the gas having a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen is contained, and the second mixed gas containing the silicon-containing gas is supplied into the processing container. . In the second film forming step, the second sealing gas formed in the first film forming step is covered with the second mixed gas activated by the plasma generated in the processing container so as to cover the first sealing film. 2 sealing film is formed. In the third supply step, hydrogen gas is supplied into the processing container. In the plasma treatment step, the surface of the second sealing film formed in the second film formation step is subjected to plasma treatment by the hydrogen gas plasma generated in the treatment container.

本発明の種々の側面および実施形態によれば、防湿性が高く薄い、有機ＥＬ等の素子を封止する封止膜を提供することができる成膜方法および成膜装置が実現される。   According to various aspects and embodiments of the present invention, a film forming method and a film forming apparatus capable of providing a sealing film for sealing an element such as an organic EL that is highly moisture-proof and thin are realized.

図１は、第１の実施形態に係る成膜装置の一例を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a film forming apparatus according to the first embodiment. 図２は、高周波アンテナの構成の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of the configuration of the high-frequency antenna. 図３は、発光モジュールの製造手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing procedure of the light emitting module. 図４は、第１の実施形態に係る発光モジュールの構造の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the light emitting module according to the first embodiment. 図５は、第１の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the first embodiment. 図６は、水素結合の強弱関係の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a hydrogen bond strength relationship. 図７は、第２の実施形態に係る発光モジュールの構造の一例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of the structure of the light emitting module according to the second embodiment. 図８は、フッ素の濃度と膜密度の関係の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of the relationship between the fluorine concentration and the film density. 図９は、第２の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the second embodiment. 図１０は、第２の実施形態において混合ガスに含まれる各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas included in the mixed gas in the second embodiment. 図１１は、第３の実施形態に係る封止膜の構造の一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the sealing film according to the third embodiment. 図１２は、第３の実施形態に係る第２の膜の形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a second film forming process according to the third embodiment. 図１３は、第３の実施形態において混合ガスに含まれる各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas included in the mixed gas in the third embodiment. 図１４は、第４の実施形態に係る封止膜の構造の一例を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the sealing film according to the fourth embodiment. 図１５は、第４の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 15 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the fourth embodiment. 図１６は、第５の実施形態に係る成膜装置の一例を示す縦断面図である。FIG. 16 is a longitudinal sectional view showing an example of a film forming apparatus according to the fifth embodiment. 図１７は、第５の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 17 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the fifth embodiment. 図１８は、第５の実施形態において処理室内に供給される各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas supplied into the processing chamber in the fifth embodiment. 図１９は、ＨＦによるエッチングレートと、ＷＶＴＲ（Water Vapor Transmission Rate）との関係の一例を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing an example of the relationship between the etching rate by HF and WVTR (Water Vapor Transmission Rate). 図２０は、ＨＦによるＳｉＮ膜のエッチングレートの一例を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing an example of the etching rate of the SiN film by HF. 図２１は、ＳｉＮ膜に水分子が侵入する過程の一例を説明する模式図である。FIG. 21 is a schematic diagram illustrating an example of a process in which water molecules enter the SiN film. 図２２は、水素状態のプラズマ反応シミュレーションの結果の一例を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating an example of a result of a hydrogen state plasma reaction simulation. 図２３は、水素プラズマによるＳｉＮ膜の状態変化の一例を説明する模式図である。FIG. 23 is a schematic diagram for explaining an example of a state change of the SiN film due to hydrogen plasma. 図２４は、第６の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 24 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the sixth embodiment. 図２５は、第６の実施形態において処理室内に供給される各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。FIG. 25 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas supplied into the processing chamber in the sixth embodiment. 図２６は、第７の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。FIG. 26 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the seventh embodiment. 図２７は、封止膜の構造の他の例を示す説明図である。FIG. 27 is an explanatory view showing another example of the structure of the sealing film. 図２８は、フッ素の濃度勾配の一例を説明する説明図である。FIG. 28 is an explanatory diagram illustrating an example of a fluorine concentration gradient. 図２９は、フッ素の濃度勾配の他の例を説明する説明図である。FIG. 29 is an explanatory diagram illustrating another example of the fluorine concentration gradient.

開示する成膜方法は、１つの実施形態において、基板上に形成されている素子を封止する封止膜の成膜方法であって、第１の供給工程、第１の成膜工程、第２の供給工程、第２の成膜工程、第３の供給工程、および第１のプラズマ処理工程を含む。第１の供給工程では、シリコン含有ガスとハロゲン元素含有ガスとを含む第１の混合ガス、または、シリコン含有ガスと窒素よりも電気的負性が強い官能基を含有するガスとを含む第１の混合ガスが処理容器内に供給される。第１の成膜工程では、処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された混合ガスにより、素子を覆うように封止膜が成膜される。第２の供給工程では、ハロゲン元素含有ガスおよび窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスのいずれも含まず、シリコン含有ガスを含む第２の混合ガスが処理容器内に供給される。第２の成膜工程では、処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された第２の混合ガスにより、第１の成膜工程において成膜された第１の封止膜を覆うように第２の封止膜が成膜される。第３の供給工程では、水素ガスが処理容器内に供給される。第１のプラズマ処理工程では、処理容器内で生成された水素ガスのプラズマにより、第２の成膜工程において成膜された第２の封止膜の表面がプラズマ処理される。   In one embodiment, the disclosed film formation method is a film formation method for a sealing film that seals an element formed on a substrate, and includes a first supply process, a first film formation process, 2 supply process, 2nd film-forming process, 3rd supply process, and 1st plasma treatment process. In the first supply step, a first mixed gas containing a silicon-containing gas and a halogen element-containing gas, or a first mixed gas containing a silicon-containing gas and a gas containing a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen. The mixed gas is supplied into the processing container. In the first film formation step, a sealing film is formed so as to cover the element with a mixed gas activated by plasma generated in the processing container. In the second supply step, neither the halogen element-containing gas nor the gas having a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen is contained, and the second mixed gas containing the silicon-containing gas is supplied into the processing container. . In the second film forming step, the second sealing gas formed in the first film forming step is covered with the second mixed gas activated by the plasma generated in the processing container so as to cover the first sealing film. 2 sealing film is formed. In the third supply step, hydrogen gas is supplied into the processing container. In the first plasma treatment step, the surface of the second sealing film formed in the second film formation step is plasma-treated by the hydrogen gas plasma generated in the treatment container.

ここで、シリコン含有ガスは、好ましくはシラン系ガスである。シラン系ガスとは、例えば、ＳｉＨ４（モノシラン）、Ｓｉ２Ｈ６（ジシラン）、またはＳｉ３Ｈ８（トリシラン）など、ＳｉｎＨ２ｎ＋２（ｎは自然数）で表されるガスを言う。   Here, the silicon-containing gas is preferably a silane-based gas. The silane-based gas refers to a gas represented by SinH2n + 2 (n is a natural number) such as SiH4 (monosilane), Si2H6 (disilane), or Si3H8 (trisilane).

また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、第２の成膜工程と第３の供給工程との間に、処理容器内のガスを排気する排気工程をさらに含んでもよく、第２の封止膜の表面は、第２の成膜工程の後に大気に暴露されることなく、第１のプラズマ処理工程において、水素ガスのプラズマによりプラズマ処理されてもよい。   In addition, in one embodiment, the disclosed film formation method may further include an exhaust process for exhausting the gas in the processing container between the second film formation process and the third supply process. The surface of the sealing film may be plasma-treated with hydrogen gas plasma in the first plasma treatment step without being exposed to the atmosphere after the second film-formation step.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第３の供給工程では、水素ガスと希ガスとを含む第３の混合ガスが処理容器内に供給されてもよく、第１のプラズマ処理工程では、処理容器内で生成された第３の混合ガスのプラズマにより、第２の封止膜の表面がプラズマ処理されてもよい。   In one embodiment of the disclosed deposition method, in the third supply step, a third mixed gas containing hydrogen gas and a rare gas may be supplied into the processing container, and the first plasma processing is performed. In the step, the surface of the second sealing film may be subjected to plasma treatment by the plasma of the third mixed gas generated in the processing container.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の混合ガスには、窒素含有ガス、シリコン含有ガス、およびフッ素含有ガスが含まれてもよい。   In one embodiment of the disclosed film forming method, the first mixed gas may include a nitrogen-containing gas, a silicon-containing gas, and a fluorine-containing gas.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態における第１の混合ガスにおいて、シリコン含有ガスの流量に対する窒素含有ガスの流量の比は、０．８〜１．１の範囲内であり、シリコン含有ガスの流量に対するフッ素含有ガスの流量の比は、０．１〜０．４の範囲であってもよい。   Further, in the first mixed gas in one embodiment of the disclosed film formation method, the ratio of the flow rate of the nitrogen-containing gas to the flow rate of the silicon-containing gas is in the range of 0.8 to 1.1, and the silicon-containing gas The ratio of the flow rate of the fluorine-containing gas to the flow rate of the gas may be in the range of 0.1 to 0.4.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、窒素含有ガスは、Ｎ２ガスまたはＮＨ３ガスであり、シリコン含有ガスは、ＳｉＨ４ガスであり、フッ素含有ガスは、好ましくはフッ素含有シリコン化合物であり、例えば、ＳｉＦ４ガス、ＳｉＨ３Ｆガス、ＳｉＨ２Ｆ２ガス、またはＳｉＨｘＦ４−ｘ（ｘは１から３までの整数）ガスのいずれかであってもよい。   In one embodiment of the disclosed film forming method, the nitrogen-containing gas is N2 gas or NH3 gas, the silicon-containing gas is SiH4 gas, and the fluorine-containing gas is preferably a fluorine-containing silicon compound. For example, any of SiF4 gas, SiH3F gas, SiH2F2 gas, or SiHxF4-x (x is an integer from 1 to 3) gas may be used.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、ハロゲン元素含有ガスは、ＳｉＣｌ４ガス、ＳｉＨｘＣｌ４−ｘ（ｘは１から３までの整数）ガス、ＳｉＨ３Ｆガス、またはＳｉＨｘＦｙＣｌｚ（ｘ、ｙ、およびｚはｘ＋ｙ＋ｚ＝４を満たす自然数）ガスのいずれかであってもよい。   In one embodiment of the disclosed deposition method, the halogen element-containing gas may be SiCl 4 gas, SiHxCl 4 -x (x is an integer from 1 to 3) gas, SiH 3 F gas, or SiHxFyClz (x, y, and z). Is a natural number satisfying x + y + z = 4).

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の混合ガスにはハロゲン元素含有ガスとしてフッ素含有ガスが含まれてもよく、第１の封止膜中のフッ素の濃度は、１０ａｔｏｍ％以下であってもよい。   In one embodiment of the disclosed deposition method, the first mixed gas may contain a fluorine-containing gas as a halogen element-containing gas, and the concentration of fluorine in the first sealing film is 10 atoms. % Or less.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の混合ガスにはハロゲン元素含有ガスとして塩素含有ガスが含まれてもよく、第１の封止膜中の塩素の濃度は、１０ａｔｏｍ％以下であってもよい。   In one embodiment of the disclosed deposition method, the first mixed gas may contain a chlorine-containing gas as a halogen element-containing gas, and the concentration of chlorine in the first sealing film is 10 atoms. % Or less.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第２の封止膜の厚さは、第１の封止膜の厚さの２〜４倍の範囲内であってもよい。   In one embodiment of the disclosed film formation method, the thickness of the second sealing film may be in a range of 2 to 4 times the thickness of the first sealing film.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の混合ガスには、シリコン含有ガス、ハロゲン元素含有ガス、および窒素含有ガス、または、シリコンおよびハロゲン元素含有ガスならびに窒素含有ガスが含まれてもよく、第２の混合ガスには、シリコン含有ガスおよび窒素含有ガスが含まれてもよい。   In one embodiment of the disclosed deposition method, the first mixed gas includes a silicon-containing gas, a halogen element-containing gas, and a nitrogen-containing gas, or a silicon and halogen element-containing gas and a nitrogen-containing gas. The second mixed gas may include a silicon-containing gas and a nitrogen-containing gas.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の混合ガスには、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４ガス、およびＮ２ガス、または、ＳｉＨｘＦ４−ｘガスおよびＮＨ３ガスが含まれてもよく、第２の混合ガスには、ＳｉＨ４ガスおよびＮ２ガスが含まれてもよい。   In one embodiment of the disclosed deposition method, the first mixed gas may include SiH 4 gas, SiF 4 gas, and N 2 gas, or SiHxF 4 -x gas and NH 3 gas. The mixed gas may include SiH 4 gas and N 2 gas.

また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、第２の混合ガスを処理容器内に供給する第４の供給工程と、第１の成膜工程が行われる前に、処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された第２の混合ガスにより、素子を覆うように第３の封止膜を成膜する第４の成膜工程とをさらに含んでもよく、第１の供給工程は、第４の成膜工程が行われた後に実行されてもよく、第１の成膜工程では、プラズマにより活性化された第１の混合ガスにより、第４の成膜工程において成膜された第３の封止膜を覆うように第１の封止膜が成膜されてもよい。   In one embodiment, the disclosed film formation method includes a fourth supply process for supplying the second mixed gas into the processing container, and a process in the processing container before the first film forming process is performed. A fourth film forming step of forming a third sealing film so as to cover the element with the second mixed gas activated by the generated plasma, and the first supplying step may include The first film forming process may be performed after the fourth film forming process is performed. In the first film forming process, the film is formed in the fourth film forming process by the first mixed gas activated by plasma. The first sealing film may be formed so as to cover the third sealing film.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第３の封止膜の厚さは、第１の封止膜の厚さの０．５〜１．５倍の範囲内であってもよい。   In one embodiment of the disclosed film formation method, the thickness of the third sealing film may be in a range of 0.5 to 1.5 times the thickness of the first sealing film. Good.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第４の成膜工程と第１の供給工程との間には、水素ガスを処理容器内に供給する第５の供給工程と、処理容器内で生成された水素ガスのプラズマにより、第４の成膜工程において成膜された第３の封止膜の表面をプラズマ処理する第２のプラズマ処理工程とが含まれてもよい。   In one embodiment of the disclosed film forming method, a fifth supply step for supplying hydrogen gas into the processing container and a processing container are provided between the fourth film forming step and the first supply step. And a second plasma treatment step of performing plasma treatment on the surface of the third sealing film formed in the fourth film formation step by plasma of hydrogen gas generated therein.

また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、第１の供給工程および第１の成膜工程を第１の工程とし、第２の供給工程および第２の成膜工程を第２の工程とし、第３の供給工程および第１のプラズマ処理工程を第３の工程とし第４の供給工程および第４の成膜工程を第４の工程とし、第５の供給工程および第２のプラズマ処理工程を第５の工程とした場合、第１の工程と、第４の工程と、第５の工程とは、第２の工程および第３の工程が行われる前に、第４の工程、第５の工程、および第１の工程の順に複数回繰り返されてもよい。   In one embodiment, the disclosed film formation method includes the first supply process and the first film formation process as the first process, and the second supply process and the second film formation process as the second process. A third supply step and a first plasma treatment step as a third step, a fourth supply step and a fourth film formation step as a fourth step, and a fifth supply step and a second plasma. When the processing step is the fifth step, the first step, the fourth step, and the fifth step are the fourth step, before the second step and the third step are performed, It may be repeated a plurality of times in the order of the fifth step and the first step.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の供給工程では、第１の混合ガスにおける、ハロゲン元素含有ガスまたは窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスの割合を、０から所定割合まで増加させ、その後に所定割合から０まで減少させてもよい。   In one embodiment of the disclosed film forming method, in the first supply step, the ratio of the gas having a functional group having a stronger electrical negative property than the halogen element-containing gas or nitrogen in the first mixed gas is set. , It may be increased from 0 to a predetermined rate and then decreased from a predetermined rate to 0.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の供給工程では、ハロゲン元素含有ガスとしてフッ素含有ガスが用いられ、所定割合は、第１の封止膜中のフッ素の濃度の最大値が４〜６ａｔｏｍ％の範囲内の値となるように、第１の混合ガスにおける、ハロゲン元素含有ガスまたは窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスの割合が調整されてもよい。   In one embodiment of the disclosed film formation method, the first supply step uses a fluorine-containing gas as the halogen element-containing gas, and the predetermined ratio is the maximum of the fluorine concentration in the first sealing film. The ratio of the gas having a functional group having a stronger electrical negative property than the halogen element-containing gas or nitrogen in the first mixed gas may be adjusted so that the value is in the range of 4 to 6 atom%. .

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、窒素よりも電気的負性が強い官能基は、カルボニル基またはカルボキシレート基であってもよい。   In one embodiment of the disclosed film forming method, the functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen may be a carbonyl group or a carboxylate group.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、カルボニル基は、−Ｃ（＝Ｏ）−で表される官能基であってもよく、カルボキシレート基は、（Ｒ）−ＣＯＯＨで表される官能基であってもよい。   In one embodiment of the disclosed film formation method, the carbonyl group may be a functional group represented by —C (═O) —, and the carboxylate group is represented by (R) —COOH. It may be a functional group.

また、開示する成膜方法の１つの実施形態において、第１の成膜工程における基板の温度は、１０〜７０℃の範囲内の温度であってもよい。   In one embodiment of the disclosed film formation method, the temperature of the substrate in the first film formation step may be a temperature in the range of 10 to 70 ° C.

また、開示する成膜装置は、１つの実施形態において、処理容器と、処理容器内に第１の混合ガスを供給するガス供給部と、処理容器内において第１の混合ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、上記した成膜方法を実行する制御部とを備える。   In one embodiment, the disclosed film forming apparatus generates a plasma of the first mixed gas in the processing container, a gas supply unit that supplies the first mixed gas into the processing container, and the processing container. A plasma generation unit and a control unit that executes the film forming method described above are provided.

以下に、開示する成膜方法および成膜装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示される発明が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。   Hereinafter, embodiments of the disclosed film forming method and film forming apparatus will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the invention disclosed by this embodiment is not limited. In addition, the embodiments can be appropriately combined within a range that does not contradict processing contents.

（第１の実施形態）
［成膜装置１０の構成］
図１は、第１の実施形態に係る成膜装置１０の一例を示す縦断面図である。成膜装置１０は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を用いたプラズマ処理装置として構成される。成膜装置１０は、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な処理容器１を有する。この処理容器１は分解可能に組み立てられており、接地線１ａにより接地されている。処理容器１は、誘電体壁２により上下にアンテナ室３および処理室４に区画されている。誘電体壁２は処理室４の天井壁を構成している。誘電体壁２は、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックスまたは石英等で構成されている。 (First embodiment)
[Configuration of Film Forming Apparatus 10]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a film forming apparatus 10 according to the first embodiment. The film forming apparatus 10 is configured as a plasma processing apparatus using inductively coupled plasma (ICP). The film forming apparatus 10 includes, for example, a rectangular tube-shaped airtight processing container 1 made of aluminum whose inner wall surface is anodized. The processing container 1 is assembled so as to be disassembled, and is grounded by a ground wire 1a. The processing container 1 is partitioned into an antenna chamber 3 and a processing chamber 4 by a dielectric wall 2 in the vertical direction. The dielectric wall 2 constitutes the ceiling wall of the processing chamber 4. The dielectric wall 2 is made of ceramics such as Al 2 O 3 or quartz, for example.

誘電体壁２の下側部分には、処理ガス供給用のシャワー筐体１１が嵌め込まれている。シャワー筐体１１は例えば十字状に設けられており、誘電体壁２を下から支持する。なお、上記誘電体壁２を支持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示せず）により処理容器１の天井に吊された状態となっている。   A shower casing 11 for supplying a processing gas is fitted into the lower portion of the dielectric wall 2. The shower housing 11 is provided in a cross shape, for example, and supports the dielectric wall 2 from below. The shower housing 11 that supports the dielectric wall 2 is suspended from the ceiling of the processing container 1 by a plurality of suspenders (not shown).

シャワー筐体１１は、導電性材料、望ましくは金属、例えば汚染物が発生しないようにその内面が陽極酸化処理されたアルミニウム等で構成されている。シャワー筐体１１には、水平に伸びるガス流路１２が形成されている。ガス流路１２には、下方に向かって延びる複数のガス吐出孔１２ａが連通している。一方、誘電体壁２の上面中央には、ガス流路１２に連通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス供給管２０ａは、処理容器１の天井から処理容器１の外側へ貫通し、ガス供給系２０に接続されている。   The shower casing 11 is made of a conductive material, preferably a metal, for example, aluminum whose inner surface is anodized so as not to generate contaminants. The shower casing 11 is formed with a gas flow path 12 extending horizontally. A plurality of gas discharge holes 12 a extending downward are communicated with the gas flow path 12. On the other hand, a gas supply pipe 20 a is provided at the center of the upper surface of the dielectric wall 2 so as to communicate with the gas flow path 12. The gas supply pipe 20 a penetrates from the ceiling of the processing container 1 to the outside of the processing container 1 and is connected to the gas supply system 20.

ガス供給系２０は、ガス供給源２００、流量制御器２０１、弁２０２、ガス供給源２０３、流量制御器２０４、弁２０５、ガス供給源２０６、流量制御器２０７、および弁２０８を有する。   The gas supply system 20 includes a gas supply source 200, a flow rate controller 201, a valve 202, a gas supply source 203, a flow rate controller 204, a valve 205, a gas supply source 206, a flow rate controller 207, and a valve 208.

ガス供給源２００は、例えば窒素等を含有する第１のガスの供給源であり、マスフローコントローラ等の流量制御器２０１および弁２０２を介して、ガス供給管２０ａに接続されている。ガス供給源２０３は、例えばシリコン等を含有する第２のガスの供給源であり、マスフローコントローラ等の流量制御器２０４および弁２０５を介して、ガス供給管２０ａに接続されている。ガス供給源２０６は、例えばフッ素等を含有する第３のガスの供給源であり、マスフローコントローラ等の流量制御器２０７および弁２０８を介して、ガス供給管２０ａに接続されている。   The gas supply source 200 is a supply source of a first gas containing, for example, nitrogen or the like, and is connected to the gas supply pipe 20a via a flow rate controller 201 such as a mass flow controller and a valve 202. The gas supply source 203 is a second gas supply source containing, for example, silicon, and is connected to the gas supply pipe 20a via a flow rate controller 204 such as a mass flow controller and a valve 205. The gas supply source 206 is a third gas supply source containing, for example, fluorine or the like, and is connected to the gas supply pipe 20a via a flow rate controller 207 such as a mass flow controller and a valve 208.

ガス供給系２０から供給された処理ガスは、ガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１内に供給され、その下面のガス吐出孔１２ａから処理室４内へ吐出される。   The processing gas supplied from the gas supply system 20 is supplied into the shower casing 11 through the gas supply pipe 20a, and is discharged into the processing chamber 4 from the gas discharge holes 12a on the lower surface thereof.

処理容器１におけるアンテナ室３の側壁３ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持棚５が設けられている。誘電体壁２は、支持棚５の上に載置されている。   A support shelf 5 is provided between the side wall 3 a of the antenna chamber 3 and the side wall 4 a of the processing chamber 4 in the processing container 1. The dielectric wall 2 is placed on the support shelf 5.

アンテナ室３内には、誘電体壁２の上に誘電体壁２に面するように高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配設されている。高周波アンテナ１３は、絶縁部材で形成されたスペーサ１３ａにより誘電体壁２から所定距離（例えば５０ｍｍ以下の距離）で離間している。アンテナ室３の中央部付近には、鉛直に延びる４つの給電部材１６が設けられており、給電部材１６には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。給電部材１６は、前述のガス供給管２０ａの周囲に設けられている。   In the antenna chamber 3, a radio frequency (RF) antenna 13 is disposed on the dielectric wall 2 so as to face the dielectric wall 2. The high frequency antenna 13 is separated from the dielectric wall 2 by a predetermined distance (for example, a distance of 50 mm or less) by a spacer 13a formed of an insulating member. Near the central portion of the antenna chamber 3, four power supply members 16 extending vertically are provided, and a high-frequency power source 15 is connected to the power supply member 16 via a matching unit 14. The power supply member 16 is provided around the gas supply pipe 20a.

高周波電源１５は、所定の周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力を高周波アンテナ１３に供給する。そして、高周波電力が供給された高周波アンテナ１３により、処理室４内に誘導電界が形成される。そして、処理室４内に形成された誘導電界により、シャワー筐体１１から吐出された処理ガスのプラズマが生成される。この際の高周波電源１５の出力は、プラズマを発生させるのに十分な値になるように適宜設定される。高周波アンテナ１３およびシャワー筐体１１は、プラズマ生成部の一例である。   The high frequency power supply 15 supplies high frequency power of a predetermined frequency (for example, 13.56 MHz) to the high frequency antenna 13. An induction electric field is formed in the processing chamber 4 by the high frequency antenna 13 to which the high frequency power is supplied. Then, plasma of the processing gas discharged from the shower casing 11 is generated by the induction electric field formed in the processing chamber 4. At this time, the output of the high frequency power supply 15 is appropriately set so as to have a value sufficient to generate plasma. The high frequency antenna 13 and the shower housing 11 are examples of a plasma generation unit.

処理室４内の下方には、誘電体壁２を挟んで高周波アンテナ１３と対向するように、ガラス基板Ｇが載置されるサセプタ２２が設けられている。サセプタ２２は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等で構成されている。サセプタ２２に載置されたガラス基板Ｇは、静電チャック（図示せず）によりサセプタ２２に吸着保持される。   A susceptor 22 on which the glass substrate G is placed is provided below the processing chamber 4 so as to face the high-frequency antenna 13 with the dielectric wall 2 interposed therebetween. The susceptor 22 is made of a conductive material, for example, aluminum whose surface is anodized. The glass substrate G placed on the susceptor 22 is attracted and held on the susceptor 22 by an electrostatic chuck (not shown).

サセプタ２２は、導体枠２４内に収納され、さらに、中空の支柱２５に支持される。支柱２５は、気密状態を維持しつつ、処理容器１の底部を貫通している。また、支柱２５は、処理容器１外に配設された昇降機構（図示せず）に支持され、ガラス基板Ｇの搬入および搬出時に昇降機構によりサセプタ２２が上下方向に駆動される。   The susceptor 22 is accommodated in the conductor frame 24 and further supported by the hollow support column 25. The support | pillar 25 has penetrated the bottom part of the processing container 1, maintaining an airtight state. Moreover, the support | pillar 25 is supported by the raising / lowering mechanism (not shown) arrange | positioned outside the processing container 1, and the susceptor 22 is driven to an up-down direction by the raising / lowering mechanism at the time of carrying in and carrying out of the glass substrate G.

なお、サセプタ２２を収納する導体枠２４と処理容器１の底部との間には、支柱２５を気密に包囲するベローズ２６が配設されている。これにより、サセプタ２２の上下動によっても処理室４内の気密性が保たれる。また、処理室４の側壁４ａには、ガラス基板Ｇを搬入および搬出するための開口部２７ａおよびそれを開閉するゲートバルブ２７が設けられている。   A bellows 26 that hermetically surrounds the support column 25 is disposed between the conductor frame 24 that houses the susceptor 22 and the bottom of the processing container 1. Thereby, the airtightness in the processing chamber 4 is maintained even when the susceptor 22 moves up and down. The side wall 4a of the processing chamber 4 is provided with an opening 27a for loading and unloading the glass substrate G and a gate valve 27 for opening and closing the opening 27a.

サセプタ２２には、中空の支柱２５内に設けられた給電棒２５ａにより、整合器２８を介して高周波電源２９が接続されている。高周波電源２９は、所定の周波数（例えば６ＭＨｚ）のバイアス用の高周波電力をサセプタ２２に印加する。バイアス用の高周波電力により、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的にガラス基板Ｇに引き込まれる。   A high frequency power source 29 is connected to the susceptor 22 via a matching unit 28 by a power feeding rod 25 a provided in the hollow column 25. The high frequency power supply 29 applies bias high frequency power having a predetermined frequency (for example, 6 MHz) to the susceptor 22. The ions in the plasma generated in the processing chamber 4 are effectively drawn into the glass substrate G by the high frequency power for bias.

また、サセプタ２２内には、ガラス基板Ｇの温度を制御するためのセラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサとが設けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部材に接続される配管や配線は、いずれも中空の支柱２５を通して処理容器１の外部へ導出される。処理室４の底部には、排気管３１を介して真空ポンプ等を含む排気装置３０が接続される。排気装置３０は、処理室４内を排気し、処理室４内が所定の真空雰囲気となるように制御する。   The susceptor 22 is provided with a temperature control mechanism including a heating means such as a ceramic heater for controlling the temperature of the glass substrate G, a refrigerant flow path, and the like, and a temperature sensor (both not shown). ). Pipes and wires connected to these mechanisms and members are all led out of the processing vessel 1 through the hollow support column 25. An exhaust device 30 including a vacuum pump and the like is connected to the bottom of the processing chamber 4 through an exhaust pipe 31. The exhaust device 30 evacuates the inside of the processing chamber 4 and controls the inside of the processing chamber 4 to be in a predetermined vacuum atmosphere.

成膜装置１０には、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を含む制御部５０が接続されている。成膜装置１０内の各構成部、例えば電源系やガス供給系、駆動系、更には、高周波電源１５および高周波電源２９等は、制御部５０によって制御される。制御部５０には、オペレータが成膜装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含むユーザーインターフェース５１が接続されている。   A controller 50 including a microprocessor (computer) is connected to the film forming apparatus 10. Each component in the film forming apparatus 10, for example, the power supply system, the gas supply system, the drive system, and the high frequency power supply 15 and the high frequency power supply 29 are controlled by the control unit 50. Connected to the control unit 50 is a user interface 51 including a keyboard for an operator to input commands for managing the film forming apparatus 10, a display for visualizing and displaying the operating status of the film forming apparatus 10, and the like. ing.

更に、制御部５０には、各種処理を制御部５０に実行させるための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１０の各構成部に処理を実行させるための処理レシピ等が格納された記憶部５２が接続されている。制御プログラムや処理レシピ等は記憶部５２の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよく、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、制御プログラムや処理レシピ等は、他の装置から、例えば通信回線を介して伝送されて記憶部５２内に適宜格納させるようにしてもよい。   Further, the control unit 50 stores a control program for causing the control unit 50 to execute various processes, a process recipe for causing each component of the film forming apparatus 10 to execute processes according to the processing conditions, and the like. A storage unit 52 is connected. Control programs, processing recipes, and the like are stored in a storage medium in the storage unit 52. The storage medium may be a hard disk or a semiconductor memory, or may be portable such as a CDROM, DVD, flash memory or the like. Further, the control program, the processing recipe, and the like may be transmitted from another device via, for example, a communication line and stored in the storage unit 52 as appropriate.

制御部５０は、ユーザーインターフェース５１を介したユーザからの指示に応じて、任意の制御プログラムや処理レシピ等を記憶部５２から読み出して実行することで、成膜装置１０において所望の処理を実現する。   The control unit 50 reads out and executes an arbitrary control program, processing recipe, and the like from the storage unit 52 in accordance with an instruction from the user via the user interface 51, thereby realizing a desired process in the film forming apparatus 10. .

［高周波アンテナ１３の構成］
図２は、高周波アンテナ１３の構成の一例を示す平面図である。図２に示すように、高周波アンテナ１３は、例えば、外形が略正方形状の８重アンテナである。高周波アンテナ１３は、高周波アンテナ１３の中心から、高周波アンテナ１３の周囲へ渦巻き状に延びる８本のアンテナ線１３０〜１３７を有する。８本のアンテナ線１３０〜１３７は、２本ずつが１組となって、それぞれの組が、４つの給電部４１〜４４のいずれかに接続されている。４つの給電部４１〜４４のそれぞれは、４本の給電部材１６のいずれかに接続されている。 [Configuration of High Frequency Antenna 13]
FIG. 2 is a plan view showing an example of the configuration of the high-frequency antenna 13. As shown in FIG. 2, the high-frequency antenna 13 is, for example, an eight-fold antenna whose outer shape is substantially square. The high frequency antenna 13 has eight antenna lines 130 to 137 that spirally extend from the center of the high frequency antenna 13 to the periphery of the high frequency antenna 13. Of the eight antenna wires 130 to 137, two each are one set, and each set is connected to one of the four power feeding portions 41 to 44. Each of the four power supply units 41 to 44 is connected to one of the four power supply members 16.

８本のアンテナ線１３０〜１３７は、コンデンサ１８を介してそれぞれ接地されている。８本のアンテナ線１３０〜１３７は、ほぼ同じ長さを有しており、それぞれの端部に接続されているコンデンサ１８の容量もほぼ同一となっている。これにより、８本のアンテナ線１３０〜１３７のそれぞれに流れる電流は、ほぼ同じ値となる。   The eight antenna wires 130 to 137 are grounded via the capacitor 18. The eight antenna wires 130 to 137 have substantially the same length, and the capacitances of the capacitors 18 connected to the respective ends are also substantially the same. As a result, the current flowing through each of the eight antenna wires 130 to 137 has substantially the same value.

次に、以上のように構成される成膜装置１０を用いて基板に対して所定の膜を形成する際の概略動作について説明する。   Next, a schematic operation when a predetermined film is formed on the substrate using the film forming apparatus 10 configured as described above will be described.

まず、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して搬送機構（図示せず）により基板が処理室４内に搬入され、サセプタ２２の載置面上に載置される。そして、制御部５０は、静電チャック（図示せず）を制御して基板をサセプタ２２上に吸着保持させる。   First, the gate valve 27 is opened, and the substrate is loaded into the processing chamber 4 by the transport mechanism (not shown) through the opening 27 a and placed on the placement surface of the susceptor 22. Then, the control unit 50 controls the electrostatic chuck (not shown) to attract and hold the substrate on the susceptor 22.

次に、制御部５０は、ガス供給系２０を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａから処理室４内に処理ガスを吐出させると共に、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内を真空排気させることにより、処理室４内を所定の圧力雰囲気に制御する。   Next, the control unit 50 controls the gas supply system 20 to discharge the processing gas into the processing chamber 4 from the gas discharge hole 12 a of the shower housing 11 and also controls the exhaust device 30 to control the exhaust pipe 31. The inside of the processing chamber 4 is controlled to a predetermined pressure atmosphere by evacuating the processing chamber 4 via

次に、制御部５０は、高周波電源２９を制御して、例えば６ＭＨｚの高周波をサセプタ２２に印加する。また、制御部５０は、高周波電源１５を制御して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を高周波アンテナ１３に印加する。これにより、処理室４内に均一な誘導電界が形成される。   Next, the control unit 50 controls the high frequency power supply 29 to apply a high frequency of, for example, 6 MHz to the susceptor 22. Further, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 to apply a high frequency of, for example, 13.56 MHz to the high frequency antenna 13. Thereby, a uniform induced electric field is formed in the processing chamber 4.

このようにして形成された誘導電界により、高密度の誘導結合プラズマが生成され、生成されたプラズマによって処理室４内に供給された処理ガスが解離する。そして、生成された成膜種が基板上に堆積し、所定の材質の膜が基板上に形成される。   A high-density inductively coupled plasma is generated by the induction electric field formed in this manner, and the processing gas supplied into the processing chamber 4 is dissociated by the generated plasma. And the produced | generated film-forming seed | species accumulates on a board | substrate, and the film | membrane of a predetermined material is formed on a board | substrate.

［発光モジュール１００の製造手順］
図３は、発光モジュール１００の製造手順の一例を示すフローチャートである。図４は、第１の実施形態に係る発光モジュール１００の構造の一例を示す断面図である。 [Manufacturing Procedure of Light Emitting Module 100]
FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing procedure of the light emitting module 100. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the light emitting module 100 according to the first embodiment.

まず、ガラス基板Ｇ上に、ＳｉＮ（窒化シリコン）等により反射防止膜１０１を形成する反射防止膜形成工程が実行される（Ｓ１０）。そして、ステップＳ１０において形成された反射防止膜１０１上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＺｎＯ（Zinc Oxide）等により透明電極１０２を形成する透明電極形成工程が実行される（Ｓ１１）。そして、ステップＳ１１において形成された透明電極１０２上に、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の発光物質を含む有機発光層１０３を形成する有機発光層形成工程が実行される（Ｓ１２）。   First, an antireflection film forming step of forming the antireflection film 101 on the glass substrate G with SiN (silicon nitride) or the like is executed (S10). Then, a transparent electrode forming step is performed in which the transparent electrode 102 is formed on the antireflection film 101 formed in step S10 by using ITO (Indium Tin Oxide), ZnO (Zinc Oxide), or the like (S11). Then, an organic light emitting layer forming step for forming an organic light emitting layer 103 containing a light emitting substance such as a low molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex is performed on the transparent electrode 102 formed in step S11 ( S12).

次に、ステップＳ１２において形成された有機発光層１０３上に、例えばアルミニウム等により金属電極１０４を形成する金属電極形成工程が実行される（Ｓ１３）。ステップＳ１０〜Ｓ１３の工程により、反射防止膜１０１、透明電極１０２、有機発光層１０３、および金属電極１０４を有する有機ＥＬ素子１０６がガラス基板Ｇ上に形成される。そして、有機ＥＬ素子１０６を覆うように封止膜１０５を形成する封止膜形成工程が実行される（Ｓ１４）。以上の工程により、例えば図４に示すような構造の発光モジュール１００が形成される。   Next, a metal electrode forming step is performed in which the metal electrode 104 is formed of, for example, aluminum on the organic light emitting layer 103 formed in step S12 (S13). The organic EL element 106 having the antireflection film 101, the transparent electrode 102, the organic light emitting layer 103, and the metal electrode 104 is formed on the glass substrate G by steps S <b> 10 to S <b> 13. And the sealing film formation process which forms the sealing film 105 so that the organic EL element 106 may be covered is performed (S14). Through the above steps, for example, the light emitting module 100 having a structure as shown in FIG. 4 is formed.

［封止膜形成工程の詳細］
図５は、第１の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る封止膜形成工程は、例えば図１に示した成膜装置１０を用いて行われる。 [Details of sealing film forming process]
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the first embodiment. The sealing film forming process according to the present embodiment is performed using, for example, the film forming apparatus 10 shown in FIG.

まず、成膜装置１０のゲートバルブ２７が開けられ、他の装置によって有機ＥＬ素子１０６が形成されたガラス基板Ｇが、開口部２７ａを介して処理室４内に搬入される（Ｓ１００）。そして、制御部５０は、静電チャックを制御して、ガラス基板Ｇをサセプタ２２上に吸着保持させる。   First, the gate valve 27 of the film forming apparatus 10 is opened, and the glass substrate G on which the organic EL element 106 is formed by another apparatus is carried into the processing chamber 4 through the opening 27a (S100). The control unit 50 controls the electrostatic chuck to attract and hold the glass substrate G on the susceptor 22.

次に、制御部５０は、ガス供給系２０内の流量制御器２０１および弁２０２を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して、第１のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第１のガスを供給する（Ｓ１０１）。本実施形態において、第１のガスは、例えばＮ２ガスである。制御部５０は、第１のガスの流量が例えば２７ｓｃｃｍとなるように、流量制御器２０１を制御する。   Next, the control unit 50 controls the flow rate controller 201 and the valve 202 in the gas supply system 20 to discharge the first gas into the processing chamber 4 through the gas discharge hole 12 a of the shower housing 11. By doing so, the first gas is supplied into the processing chamber 4 (S101). In the present embodiment, the first gas is, for example, N 2 gas. The control unit 50 controls the flow rate controller 201 so that the flow rate of the first gas becomes 27 sccm, for example.

次に、制御部５０は、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内に導入されたガスを排気させることにより、処理室４内を所定の圧力雰囲気に調整する（Ｓ１０２）。制御部５０は、処理室４内を真空排気することにより、例えば０．５Ｐａの圧力に調整するように排気装置３０を制御する。   Next, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to exhaust the gas introduced into the processing chamber 4 through the exhaust pipe 31, thereby adjusting the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere ( S102). The controller 50 controls the exhaust device 30 so as to adjust the pressure to, for example, 0.5 Pa by evacuating the inside of the processing chamber 4.

次に、制御部５０は、高周波電源２９を制御して、例えば６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ２２に印加する。また、制御部５０は、高周波電源１５を制御して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波アンテナ１３に印加する。これにより、高周波アンテナ１３によって処理室４内に誘導電界が形成される。高周波アンテナ１３に印加される高周波電力は、例えば２０００Ｗである。処理室４内に形成された誘導電界により、処理室４内において第１のガスのプラズマが生成される（Ｓ１０３）。   Next, the control unit 50 controls the high frequency power supply 29 to apply, for example, high frequency power of 6 MHz to the susceptor 22. Further, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 to apply, for example, high frequency power of 13.56 MHz to the high frequency antenna 13. Thereby, an induction electric field is formed in the processing chamber 4 by the high frequency antenna 13. The high frequency power applied to the high frequency antenna 13 is 2000 W, for example. Plasma of the first gas is generated in the processing chamber 4 by the induced electric field formed in the processing chamber 4 (S103).

次に、制御部５０は、ガス供給系２０内の流量制御器２０４、弁２０５、流量制御器２０７、および弁２０８をそれぞれ制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して、第２および第３のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第２および第３のガスを供給する（Ｓ１０４）。本実施形態において、第２のガスは、例えばＳｉＨ４ガスであり、第３のガスは、例えばＳｉＦ４ガスである。   Next, the control unit 50 controls the flow rate controller 204, the valve 205, the flow rate controller 207, and the valve 208 in the gas supply system 20, respectively, through the gas discharge hole 12a of the shower housing 11, and The second and third gases are discharged into the processing chamber 4 by supplying the second and third gases into the processing chamber 4 (S104). In the present embodiment, the second gas is, for example, SiH4 gas, and the third gas is, for example, SiF4 gas.

制御部５０は、第２のガス（本実施形態ではＳｉＨ４ガス）の流量に対する第１のガス（本実施形態ではＮ２ガス）の流量の比が、例えば０．８〜１．１の範囲内の値となるように、流量制御器２０４を制御する。本実施例において、第１のガスの流量は例えば２７ｓｃｃｍであるため、制御部５０は、第２のガスの流量が例えば２６〜３１ｓｃｃｍの範囲内の流量となるように流量制御器２０１および流量制御器２０４を制御する。   The control unit 50 has a ratio of the flow rate of the first gas (N2 gas in this embodiment) to the flow rate of the second gas (SiH4 gas in this embodiment) within a range of, for example, 0.8 to 1.1. The flow controller 204 is controlled so as to be a value. In the present embodiment, since the flow rate of the first gas is, for example, 27 sccm, the controller 50 controls the flow rate controller 201 and the flow rate control so that the flow rate of the second gas becomes a flow rate in the range of, for example, 26 to 31 sccm. The device 204 is controlled.

また、制御部５０は、第２のガス（本実施形態ではＳｉＨ４ガス）の流量に対する第３のガス（本実施形態ではＳｉＦ４ガス）の流量の比が、例えば０．１〜０．４の範囲内の値となるように、流量制御器２０４および流量制御器２０７を制御する。制御部５０は、第２のガスの流量が例えば２６〜３１ｓｃｃｍの範囲内の流量となるように流量制御器２０４を制御し、第３のガスの流量が例えば５〜１０ｓｃｃｍの範囲内の流量となるように流量制御器２０７を制御する。   Further, the control unit 50 has a ratio of the flow rate of the third gas (SiF 4 gas in the present embodiment) to the flow rate of the second gas (SiH 4 gas in the present embodiment) in a range of, for example, 0.1 to 0.4. The flow rate controller 204 and the flow rate controller 207 are controlled so as to be within the values. The controller 50 controls the flow rate controller 204 so that the flow rate of the second gas is in the range of 26 to 31 sccm, for example, and the flow rate of the third gas is in the range of 5 to 10 sccm, for example. The flow controller 207 is controlled so that

これにより、処理室４内において第１のガス、第２のガス、および第３のガスを含む混合ガスのプラズマが生成される。そして、生成されたプラズマによって第１のガス、第２のガス、および第３のガスが解離し、生成された成膜種が、ガラス基板Ｇ上に形成された有機ＥＬ素子１０６を覆うように堆積し始める。   As a result, plasma of a mixed gas containing the first gas, the second gas, and the third gas is generated in the processing chamber 4. The first gas, the second gas, and the third gas are dissociated by the generated plasma so that the generated film-forming species covers the organic EL element 106 formed on the glass substrate G. Start to deposit.

次に、制御部５０は、所定時間待機することにより、成膜種の堆積により封止膜１０５が所定の膜厚になるまで待機する（Ｓ１０５）。そして、所定時間が経過した後、制御部５０は、高周波電源１５および高周波電源２９を制御して高周波電力の印加を停止し、弁２０２、弁２０５、および弁２０８を制御して、第１のガス、第２のガス、および第３のガスの供給を停止する（Ｓ１０６）。そして、制御部５０は、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内を真空排気する。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して発光モジュール１００が処理室４から搬出される。   Next, the control unit 50 waits for a predetermined time until the sealing film 105 reaches a predetermined film thickness due to deposition of the film forming species (S105). Then, after the predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 and the high frequency power supply 29 to stop the application of the high frequency power, and controls the valve 202, the valve 205, and the valve 208 to control the first The supply of the gas, the second gas, and the third gas is stopped (S106). Then, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to evacuate the processing chamber 4 through the exhaust pipe 31. Then, the gate valve 27 is opened, and the light emitting module 100 is carried out of the processing chamber 4 through the opening 27a.

図５に示した封止膜形成工程において、本実施形態のプロセス条件をまとめると、以下のようになる。
Ｎ２／ＳｉＨ４／ＳｉＦ４＝２７／３１〜２６／５〜１０ｓｃｃｍ
高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）：２０００Ｗ（１．５〜２Ｗ／ｃｍ2）
処理室４内圧力：０．５Ｐａ
Ｇａｐ：１５０ｍｍ
ガラス基板Ｇの温度：７０℃
封止膜中のフッ素濃度：１０ａｔｍ％以下 In the sealing film forming step shown in FIG. 5, the process conditions of the present embodiment are summarized as follows.
N2 / SiH4 / SiF4 = 27/31 to 26/5 to 10 sccm
High frequency power (13.56 MHz): 2000 W (1.5-2 W / cm 2 )
Processing chamber 4 internal pressure: 0.5 Pa
Gap: 150mm
Temperature of glass substrate G: 70 ° C
Fluorine concentration in the sealing film: 10 atm% or less

なお、Ｇａｐとは、誘電体壁２とガラス基板Ｇとの間の距離を示す。なお、本実施形態においてＧａｐは１５０ｍｍであるが、８０〜２００ｍｍの範囲であればよい。また、本実施形態において処理室４内の圧力は０．５Ｐａであるが、０．５〜２Ｐａの範囲であればよい。また、本実施形態においてガラス基板Ｇの温度は７０℃であるが、１０〜７０℃の範囲であればよい。   Gap indicates the distance between the dielectric wall 2 and the glass substrate G. In this embodiment, the gap is 150 mm, but may be in the range of 80 to 200 mm. In the present embodiment, the pressure in the processing chamber 4 is 0.5 Pa, but may be in the range of 0.5 to 2 Pa. Moreover, although the temperature of the glass substrate G is 70 degreeC in this embodiment, it should just be the range of 10-70 degreeC.

通常、ＳｉＮ膜は非晶質であるが、完全に均一では無く、成膜の過程で粒子状に成長し、粒子が集合した構造を持っている。粒子の内部は非常に緻密であるが、粒子と粒子の間は微細な隙間が形成されている。そのため、その隙間が、Ｈ２Ｏ（水分）が侵入・透過する経路となる場合がある。従って、このＳｉＮ粒子間の結びつきを強化することで水分の侵入・透過をより強力に防止することができる。ここで、シリコンを含有する材料ガスを用いてＳｉＮ膜を形成する場合、ＳｉＮ膜中に水素が混入する。この水素は、ＳｉＮ膜中で、ＳｉＮ粒子の間に水素結合を形成する。これにより、ＳｉＮ粒子のみで構成されたＳｉＮ膜に比べて、ＳｉＮ粒子の結び付きが強化され、ＳｉＮ粒子のみで構成されたＳｉＮ膜よりも膜密度の高いＳｉＮ膜が形成される。   Usually, the SiN film is amorphous, but is not completely uniform, and has a structure in which particles are grown and aggregated in the process of film formation. The inside of the particle is very dense, but a fine gap is formed between the particles. Therefore, the gap may become a path through which H 2 O (moisture) enters and permeates. Therefore, the penetration and permeation of moisture can be prevented more strongly by strengthening the bond between the SiN particles. Here, when the SiN film is formed using a material gas containing silicon, hydrogen is mixed into the SiN film. This hydrogen forms hydrogen bonds between SiN particles in the SiN film. Thereby, compared with the SiN film composed only of SiN particles, the bonding of SiN particles is strengthened, and a SiN film having a higher film density than the SiN film composed only of SiN particles is formed.

また、ＳｉＮ膜中では、水素結合により水素原子は強い正電荷を帯びる。水分子は、極性分子であり、水分子の酸素原子は、負電荷を帯びている。そのため、ＳｉＮ膜中に進入した水分子の酸素原子は、ＳｉＮ膜中の水素結合に引き寄せられる。これにより、水素が混入したＳｉＮ膜では、水分子の通り抜けを防止する効果がある。   In the SiN film, hydrogen atoms are strongly positively charged due to hydrogen bonding. The water molecule is a polar molecule, and the oxygen atom of the water molecule is negatively charged. Therefore, oxygen atoms of water molecules that have entered the SiN film are attracted to hydrogen bonds in the SiN film. Thereby, the SiN film mixed with hydrogen has an effect of preventing water molecules from passing through.

また、水素が混入したＳｉＮ膜には、ＮＨ・・・ＮＨ間の水素結合が存在する。封止膜の形成工程においてフッ素を含有するＳｉＦ４ガスを添加することにより、ＳｉＮ膜中にフッ素が混入し、ＳｉＮ膜中にＮＨ４+・・・Ｆ-間の水素結合が発生する。 In addition, hydrogen bonds between NH... NH exist in the SiN film mixed with hydrogen. By adding fluorine-containing SiF 4 gas in the sealing film forming step, fluorine is mixed into the SiN film, and hydrogen bonds between NH 4 + ... F − are generated in the SiN film.

図６は、水素結合の強弱関係の一例を示す図である。図６は、以下の非特許文献１に開示されている。
非特許文献１：G. R. Desiraju, Acc. Chem. Res. 35, 565 (2002). FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a hydrogen bond strength relationship. FIG. 6 is disclosed in Non-Patent Document 1 below.
Non-Patent Document 1: GR Desiraju, Acc. Chem. Res. 35, 565 (2002).

図６は、様々な水素結合の種類を結合の強さに応じて並べた図である。図６の左側にある水素結合の種類ほど結合力が強く、更に同じ横軸上ならば上側にあるほど水素結合の結合力が強い。図６に示されているように、ＮＨ４+・・・Ｆ-間の水素結合は、ＮＨ・・・ＮＨ間の水素結合よりも強い（図６の破線矢印）。そのため、ＳｉＮ膜中にフッ素を含有するＳｉＦ４ガスを添加すると、ＳｉＮ膜中にＮＨ４+・・・Ｆ-間の水素結合が形成され、ＳｉＮ粒子の間の水素結合が強化される。これにより、ＳｉＮ膜中のＳｉＮ粒子間の結び付きが強くなり、ＳｉＮ膜の膜密度がさらに高くなる。ＳｉＮ膜の膜密度が高くなると、水分子が通り抜ける隙間が少なくなる。これにより、ＳｉＦ４ガスを添加して形成されたＳｉＮ膜では、水分子の通り抜けがさらに抑止され、封止膜としての防湿性が向上する。 FIG. 6 is a diagram in which various types of hydrogen bonds are arranged according to bond strength. The type of hydrogen bond on the left side of FIG. 6 has a stronger binding force, and further on the same horizontal axis, the stronger the hydrogen bond strength, the higher the level. As shown in FIG. 6, the hydrogen bond between NH 4 + ... F − is stronger than the hydrogen bond between NH. Therefore, when SiF 4 gas containing fluorine is added to the SiN film, hydrogen bonds between NH 4 + ... F − are formed in the SiN film, and the hydrogen bonds between the SiN particles are strengthened. Thereby, the connection between the SiN particles in the SiN film is strengthened, and the film density of the SiN film is further increased. As the film density of the SiN film increases, the gap through which water molecules pass is reduced. Thereby, in the SiN film formed by adding SiF 4 gas, the passage of water molecules is further suppressed, and the moisture resistance as a sealing film is improved.

ただし、封止膜１０５内のフッ素の濃度が高すぎると、大気中の水分と反応して変色する場合がある。そのため、本実施形態では、封止膜１０５内のフッ素の濃度が１０ａｔｏｍ％以下となるように、ＳｉＨ４ガスの流量に対すＳｉＦ４ガスの流量の比を、例えば０．１〜０．４の範囲内の値となるように制御している。なお、第３のガスとして、例えば塩素含有ガスを用いる場合、封止膜１０５内の塩素の濃度が１０ａｔｏｍ％以下となるように、ＳｉＨ４ガスの流量に対す塩素含有ガスの流量の比を制御することが好ましい。   However, if the concentration of fluorine in the sealing film 105 is too high, it may change color by reacting with moisture in the atmosphere. Therefore, in this embodiment, the ratio of the flow rate of SiF 4 gas to the flow rate of SiH 4 gas is set within a range of, for example, 0.1 to 0.4 so that the concentration of fluorine in the sealing film 105 is 10 atom% or less. It is controlled to become the value of. For example, when a chlorine-containing gas is used as the third gas, the ratio of the flow rate of the chlorine-containing gas to the flow rate of the SiH 4 gas is controlled so that the concentration of chlorine in the sealing film 105 is 10 atom% or less. It is preferable.

以上、第１の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０によれば、防湿性が高い封止膜を提供することができる。これにより、薄く防湿性が高い発光モジュール１００を製造することができる。   The first embodiment has been described above. According to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, a sealing film having high moisture resistance can be provided. Thereby, the thin light emitting module 100 with high moisture resistance can be manufactured.

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態における封止膜は、多層構造である点が、第１の実施形態における封止膜とは異なる。なお、本実施形態で用いられる成膜装置１０の構成は、図１および図２を用いて説明した第１の実施形態における成膜装置１０の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略についても、図３を用いて説明した第１の実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略と同様であるため、以下に説明する点を除き、詳細な説明を省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. The sealing film in the present embodiment is different from the sealing film in the first embodiment in that it has a multilayer structure. Note that the configuration of the film forming apparatus 10 used in the present embodiment is the same as the structure of the film forming apparatus 10 in the first embodiment described with reference to FIGS. . The outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the present embodiment is also the same as the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the first embodiment described with reference to FIG. Except for this, detailed description is omitted.

［発光モジュール１００の構造］
図７は、第２の実施形態に係る発光モジュール１００の構造の一例を示す断面図である。発光モジュール１００は、例えば図７に示すように、ガラス基板Ｇ上に積層された有機ＥＬ素子１０６と、有機ＥＬ素子１０６を覆うように有機ＥＬ素子１０６上に積層された封止膜１０５とを有する。本実施形態における封止膜１０５は、第１の膜１０７、第２の膜１０８、および第３の膜１０９を有する。 [Structure of Light Emitting Module 100]
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the light emitting module 100 according to the second embodiment. For example, as illustrated in FIG. 7, the light emitting module 100 includes an organic EL element 106 stacked on a glass substrate G and a sealing film 105 stacked on the organic EL element 106 so as to cover the organic EL element 106. Have. The sealing film 105 in this embodiment includes a first film 107, a second film 108, and a third film 109.

第１の膜１０７は、有機ＥＬ素子１０６を覆うように、ｄ１の厚さで有機ＥＬ素子１０６上に積層される。第２の膜１０８は、第１の膜１０７を覆うように、ｄ２の厚さで第１の膜１０７上に積層される。第３の膜１０９は、第２の膜１０８を覆うように、ｄ３の厚さで第２の膜１０８上に積層される。本実施形態において、第１の膜１０７の厚さｄ１は、第２の膜１０８の厚さｄ２の０．５〜１．５倍の範囲内の厚さである。また、本実施形態において、第３の膜１０９の厚さｄ３は、第２の膜１０８の厚さｄ２の２倍以上（例えば２〜４倍の範囲内）の厚さである。   The first film 107 is laminated on the organic EL element 106 with a thickness of d1 so as to cover the organic EL element 106. The second film 108 is stacked on the first film 107 with a thickness of d2 so as to cover the first film 107. The third film 109 is stacked on the second film 108 with a thickness of d3 so as to cover the second film 108. In the present embodiment, the thickness d1 of the first film 107 is in the range of 0.5 to 1.5 times the thickness d2 of the second film 108. In the present embodiment, the thickness d3 of the third film 109 is twice or more (for example, in the range of 2 to 4 times) the thickness d2 of the second film 108.

第２の膜１０８は、フッ素が添加されたＳｉＮ膜である。本実施形態において、第２の膜１０８には、４〜６ａｔｏｍ％の濃度（例えば、５ａｔｏｍ％）のフッ素が添加される。なお、第２の膜１０８に添加される元素は、フッ素以外に、塩素等のハロゲン元素であってもよく、窒素よりも電気的負性が強い官能基を有する分子が添加されてもよい。また、第１の膜１０７および第３の膜１０９は、フッ素等のハロゲン元素または窒素よりも電気的負性が強い官能基を有する分子が添加されていないＳｉＮ膜である。   The second film 108 is a SiN film to which fluorine is added. In this embodiment, fluorine having a concentration of 4 to 6 atom% (for example, 5 atom%) is added to the second film 108. Note that an element added to the second film 108 may be a halogen element such as chlorine in addition to fluorine, or a molecule having a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen may be added. The first film 107 and the third film 109 are SiN films to which a molecule having a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen or a halogen element such as fluorine is not added.

図８は、フッ素の濃度と膜密度の関係の一例を示す図である。ＳｉＮ膜中に含まれるフッ素の濃度に応じて、ＳｉＮ膜の膜密度が変化する。そして、例えば図８の実験結果に示すように、ＳｉＮ膜中に含まれるフッ素の濃度が４〜６ａｔｏｍ％の範囲内の濃度である場合に、ＳｉＮ膜の膜密度が極大値をとる。ＳｉＮ膜である第２の膜１０８の膜密度が高くなると、水分子が通り抜ける隙間が少なくなる。これにより、第２の膜１０８を含む封止膜１０５の防湿性が向上する。   FIG. 8 is a diagram showing an example of the relationship between the fluorine concentration and the film density. The film density of the SiN film changes according to the concentration of fluorine contained in the SiN film. For example, as shown in the experimental results of FIG. 8, when the concentration of fluorine contained in the SiN film is in the range of 4 to 6 atom%, the film density of the SiN film takes a maximum value. As the film density of the second film 108, which is a SiN film, increases, the gap through which water molecules pass is reduced. Thereby, the moisture resistance of the sealing film 105 including the second film 108 is improved.

ここで、有機ＥＬ素子１０６上に、第１の膜１０７を介在させずに、フッ素が添加された第２の膜１０８を積層させるとすれば、第２の膜１０８に含まれるフッ素により有機ＥＬ素子１０６がダメージを受ける場合がある。そのため、フッ素が添加されていない第１の膜１０７で有機ＥＬ素子１０６を覆ってから、その上にフッ素が添加された第２の膜１０８を積層させる。これにより、第２の膜１０８に含まれるフッ素による有機ＥＬ素子１０６へのダメージを防止することができる。   Here, if the second film 108 to which fluorine is added is stacked on the organic EL element 106 without the first film 107 interposed, the organic EL is generated by fluorine contained in the second film 108. The element 106 may be damaged. Therefore, after covering the organic EL element 106 with the first film 107 to which fluorine is not added, the second film 108 to which fluorine is added is laminated thereon. Thereby, damage to the organic EL element 106 due to fluorine contained in the second film 108 can be prevented.

また、第２の膜１０８は、大気に晒されると、第２の膜１０８中のフッ素が大気中の高濃度の酸素などと反応し膜が劣化する。これにより、第２の膜１０８の膜密度が低下し、防湿性が低下する。これを防止するために、本実施形態では、第２の膜１０８上に第３の膜１０９が積層される。これにより、第２の膜１０８は、第３の膜１０９により大気から保護される。これにより、第３の膜１０９は、第２の膜１０８の酸化を抑制し、第２の膜１０８の防湿性の低下を抑制することができる。   In addition, when the second film 108 is exposed to the atmosphere, fluorine in the second film 108 reacts with high-concentration oxygen in the atmosphere and the film deteriorates. As a result, the film density of the second film 108 decreases, and the moisture resistance decreases. In order to prevent this, the third film 109 is laminated on the second film 108 in this embodiment. Thereby, the second film 108 is protected from the atmosphere by the third film 109. Accordingly, the third film 109 can suppress the oxidation of the second film 108 and suppress the decrease in moisture resistance of the second film 108.

［封止膜形成工程の詳細］
図９は、第２の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図１０は、第２の実施形態において混合ガスに含まれる各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。本実施形態に係る封止膜形成工程は、例えば図１に示した成膜装置１０を用いて行われる。 [Details of sealing film forming process]
FIG. 9 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the second embodiment. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas included in the mixed gas in the second embodiment. The sealing film forming process according to the present embodiment is performed using, for example, the film forming apparatus 10 shown in FIG.

まず、成膜装置１０のゲートバルブ２７が開けられ、他の装置によって有機ＥＬ素子１０６が形成されたガラス基板Ｇが、開口部２７ａを介して処理室４内に搬入される（Ｓ２００）。そして、制御部５０は、静電チャックを制御して、ガラス基板Ｇをサセプタ２２上に吸着保持させる。   First, the gate valve 27 of the film forming apparatus 10 is opened, and the glass substrate G on which the organic EL element 106 is formed by another apparatus is carried into the processing chamber 4 through the opening 27a (S200). The control unit 50 controls the electrostatic chuck to attract and hold the glass substrate G on the susceptor 22.

次に、制御部５０は、例えば図１０に示す時刻ｔ1において、流量制御器２０１および弁２０２を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して、第１のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第１のガスの供給を開始する（Ｓ２０１）。本実施形態において、第１のガスは、例えばＮ２ガスである。制御部５０は、第１のガスの流量が例えば２７ｓｃｃｍとなるように流量制御器２０１を制御する。 Next, the control unit 50, for example, at time t 1 shown in FIG. 10, by controlling the flow controller 201 and valve 202, through the gas discharge holes 12a of the shower enclosure 11, the processing chamber a first gas By discharging into the process chamber 4, the supply of the first gas into the process chamber 4 is started (S201). In the present embodiment, the first gas is, for example, N 2 gas. The control unit 50 controls the flow rate controller 201 so that the flow rate of the first gas is 27 sccm, for example.

次に、制御部５０は、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内に導入されたガスを排気させることにより、処理室４内を所定の圧力雰囲気に調整する（Ｓ２０２）。制御部５０は、処理室４内の圧力が例えば０．５Ｐａとなるように排気装置３０を制御する。   Next, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to exhaust the gas introduced into the processing chamber 4 through the exhaust pipe 31, thereby adjusting the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere ( S202). The control unit 50 controls the exhaust device 30 so that the pressure in the processing chamber 4 becomes, for example, 0.5 Pa.

次に、制御部５０は、高周波電源２９を制御して、例えば６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ２２に印加する。また、制御部５０は、高周波電源１５を制御して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波アンテナ１３に印加する。これにより、高周波アンテナ１３によって処理室４内に誘導電界が形成される。高周波アンテナ１３に印加される高周波電力は、例えば２０００Ｗである。処理室４内に形成された誘導電界により、処理室４内において第１のガスのプラズマが生成される（Ｓ２０３）。   Next, the control unit 50 controls the high frequency power supply 29 to apply, for example, high frequency power of 6 MHz to the susceptor 22. Further, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 to apply, for example, high frequency power of 13.56 MHz to the high frequency antenna 13. Thereby, an induction electric field is formed in the processing chamber 4 by the high frequency antenna 13. The high frequency power applied to the high frequency antenna 13 is 2000 W, for example. Plasma of the first gas is generated in the processing chamber 4 by the induced electric field formed in the processing chamber 4 (S203).

次に、制御部５０は、例えば図１０に示す時刻ｔ2において、流量制御器２０４および弁２０５を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して、第２のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第２のガスの供給を開始する（Ｓ２０４）。本実施形態において、第２のガスは、例えばＳｉＨ４ガスである。制御部５０は、第１のガスおよび第２のガスの流量の合計が、例えば第１の実施形態における第１のガス、第２のガス、および第３のガスの流量の合計とほぼ等しくなるように、第１のガスおよび第２のガスの流量をそれぞれ制御する。本実施形態では、ステップＳ２０１で例えば２７ｓｃｃｍとなるように第１のガスの流量が調整されたため、制御部５０は、第２のガスの流量を例えば３６ｓｃｃｍとなるように流量制御器２０４を制御する。これにより、処理室４内に生成されたプラズマによって第１のガスおよび第２のガスが解離し、生成された成膜種が、ガラス基板Ｇ上に形成された有機ＥＬ素子１０６を覆うように堆積し始める。制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ１の第１の膜１０７が有機ＥＬ素子１０６上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０５）。 Next, the control unit 50, for example, at time t 2 shown in FIG. 10, by controlling the flow controller 204 and valve 205, through the gas discharge holes 12a of the shower enclosure 11, the processing chamber a second gas By discharging into the process chamber 4, the supply of the second gas into the process chamber 4 is started (S204). In the present embodiment, the second gas is, for example, SiH4 gas. In the control unit 50, the sum of the flow rates of the first gas and the second gas is substantially equal to the sum of the flow rates of the first gas, the second gas, and the third gas in the first embodiment, for example. As described above, the flow rates of the first gas and the second gas are respectively controlled. In the present embodiment, since the flow rate of the first gas is adjusted to be, for example, 27 sccm in step S201, the control unit 50 controls the flow rate controller 204 so that the flow rate of the second gas is, for example, 36 sccm. . Thereby, the first gas and the second gas are dissociated by the plasma generated in the processing chamber 4 so that the generated film-forming species covers the organic EL element 106 formed on the glass substrate G. Start to deposit. The controller 50 waits for a predetermined time until the first film 107 having the thickness d1 is stacked on the organic EL element 106 by deposition of the film-forming species (S205).

そして、所定時間が経過した時刻ｔ3（図１０参照）において、制御部５０は、流量制御器２０７および弁２０８を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して、第３のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第３のガスの供給を開始する（Ｓ２０６）。本実施形態において、第３のガスは、例えばＳｉＦ４ガスである。制御部５０は、第３のガスの流量が例えば５ｓｃｃｍとなるように流量制御器２０７を制御する。なお、制御部５０は、第１のガス、第２のガス、および第３のガスの合計の流量が一定となるように、例えば、第２のガスの流量を、第３のガスの流量分減少させる。これにより、第２のガスの流量は、例えば図１０に示すように、３６ｓｃｃｍから３１ｓｃｃｍに減少する。 Then, at time t 3 (see FIG. 10) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the flow rate controller 207 and the valve 208 to perform the third operation via the gas discharge hole 12a of the shower housing 11. By discharging the gas into the processing chamber 4, the supply of the third gas into the processing chamber 4 is started (S206). In the present embodiment, the third gas is, for example, SiF4 gas. The control unit 50 controls the flow rate controller 207 so that the flow rate of the third gas is, for example, 5 sccm. For example, the control unit 50 sets the flow rate of the second gas to the flow rate of the third gas so that the total flow rate of the first gas, the second gas, and the third gas is constant. Decrease. As a result, the flow rate of the second gas decreases from 36 sccm to 31 sccm, for example, as shown in FIG.

これにより、処理室４内に生成されたプラズマによって第１のガス、第２のガス、および第３のガスが解離し、生成された成膜種が、ステップＳ２０５において形成された第１の膜１０７を覆うように堆積し始める。制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ２の第２の膜１０８が第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０７）。   Thereby, the first gas, the second gas, and the third gas are dissociated by the plasma generated in the processing chamber 4, and the generated film formation species is the first film formed in step S <b> 205. Deposition begins to cover 107. The controller 50 waits for a predetermined time until the second film 108 having the thickness d2 is stacked on the first film 107 by deposition of the film forming species (S207).

そして、所定時間が経過した時刻ｔ4（図１０参照）において、制御部５０は、弁２０８を制御して、処理室４内への第３のガスの供給を停止する（Ｓ２０８）。制御部５０は、第３のガスの供給停止に伴い、第２のガスの流量を、第３のガスの供給開始前の流量に戻す。これにより、第２のガスの流量は、例えば図１０に示すように、３１ｓｃｃｍから３６ｓｃｃｍに増加する。 Then, at time t 4 when the predetermined time has elapsed (see FIG. 10), the control unit 50 controls the valve 208 to stop the supply of the third gas into the processing chamber 4 (S208). The control unit 50 returns the flow rate of the second gas to the flow rate before starting the supply of the third gas, with the stop of the supply of the third gas. As a result, the flow rate of the second gas increases from 31 sccm to 36 sccm, for example, as shown in FIG.

そして、処理室４内に生成されたプラズマによって第１のガスおよび第２のガスが解離し、生成された成膜種が第２の膜１０８上に堆積し始める。制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ３の第３の膜１０９が第２の膜１０８上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０９）。   Then, the first gas and the second gas are dissociated by the plasma generated in the processing chamber 4, and the generated film formation species starts to be deposited on the second film 108. The controller 50 waits for a predetermined time until the third film 109 having the thickness d3 is stacked on the second film 108 by deposition of the film forming species (S209).

そして、所定時間が経過した時刻ｔ5（図１０参照）において、制御部５０は、高周波電源１５および高周波電源２９を制御して高周波電力の印加を停止し、弁２０２および弁２０５を制御して、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ２１０）。そして、制御部５０は、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内を真空排気する。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して発光モジュール１００が処理室４から搬出される。 Then, at time t 5 (see FIG. 10) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 and the high frequency power supply 29 to stop the application of the high frequency power, and controls the valve 202 and the valve 205. Then, the supply of the first gas and the second gas is stopped (S210). Then, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to evacuate the processing chamber 4 through the exhaust pipe 31. Then, the gate valve 27 is opened, and the light emitting module 100 is carried out of the processing chamber 4 through the opening 27a.

以上、第２の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０によれば、フッ素が添加されたＳｉＮ膜を封止膜に用いる場合に、有機ＥＬ素子１０６とフッ素が添加されたＳｉＮ膜との間に、フッ素が添加されていないＳｉＮ膜を介在させる。これにより、フッ素による有機ＥＬ素子１０６へのダメージを防止することができる。また、本実施形態の成膜装置１０によれば、フッ素が添加されたＳｉＮ膜を、フッ素が添加されていないＳｉＮ膜で覆う。これにより、フッ素が添加されたＳｉＮ膜は、大気中の酸素による酸化から保護され、防湿性の低下が抑制される。   The second embodiment has been described above. According to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, when a SiN film added with fluorine is used as a sealing film, fluorine is added between the organic EL element 106 and the SiN film added with fluorine. No SiN film is interposed. Thereby, the damage to the organic EL element 106 by fluorine can be prevented. Further, according to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, the SiN film to which fluorine is added is covered with the SiN film to which fluorine is not added. As a result, the SiN film to which fluorine is added is protected from oxidation by oxygen in the atmosphere, and a decrease in moisture resistance is suppressed.

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。本実施形態における封止膜は、フッ素が添加された第２の膜１０８において、厚さ方向にフッ素の濃度の勾配を有する点が、第２の実施形態における封止膜とは異なる。なお、本実施形態で用いられる成膜装置１０の構成は、図１および図２を用いて説明した第１の実施形態における成膜装置１０の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略についても、図３を用いて説明した第１の実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略と同様であるため、以下に説明する点を除き、詳細な説明を省略する。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described. The sealing film in the present embodiment is different from the sealing film in the second embodiment in that the second film 108 to which fluorine is added has a gradient of fluorine concentration in the thickness direction. Note that the configuration of the film forming apparatus 10 used in the present embodiment is the same as the structure of the film forming apparatus 10 in the first embodiment described with reference to FIGS. . The outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the present embodiment is also the same as the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the first embodiment described with reference to FIG. Except for this, detailed description is omitted.

［発光モジュール１００の構造］
図１１は、第３の実施形態に係る封止膜１０５の構造の一例を示す断面図である。本実施形態における封止膜１０５は、例えば図１１に示すように、第１の膜１０７、第２の膜１０８、および第３の膜１０９を有する。本実施形態における第２の膜１０８は、例えば図１１に示すように、第１層１０８ａ、第２層１０８ｂ、および第３層１０８ｃを有する。 [Structure of Light Emitting Module 100]
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the sealing film 105 according to the third embodiment. The sealing film 105 in the present embodiment includes a first film 107, a second film 108, and a third film 109 as shown in FIG. 11, for example. For example, as shown in FIG. 11, the second film 108 in the present embodiment includes a first layer 108a, a second layer 108b, and a third layer 108c.

第１層１０８ａは、ｄ４の厚さで形成され、第１の膜１０７から第３の膜１０９へ向かう第１層１０８ａの厚さ方向において、フッ素の濃度が増加する濃度勾配を有する。第１層１０８ａにおけるフッ素の濃度は、例えば０から所定濃度まで単調に増加する。本実施形態において、所定濃度は、フッ素が４〜６ａｔｏｍ％（例えば、５ａｔｏｍ％）となる濃度である。第２層１０８ｂは、ｄ５の厚さで形成され、所定濃度のフッ素を有する層である。第３層１０８ｃは、ｄ６の厚さで形成され、第１の膜１０７から第３の膜１０９へ向かう第３層１０８ｃの厚さ方向において、フッ素の濃度が減少する濃度勾配を有する。第３層１０８ｃにおけるフッ素の濃度は、例えば所定濃度から０まで単調に減少する。   The first layer 108a is formed with a thickness of d4, and has a concentration gradient in which the fluorine concentration increases in the thickness direction of the first layer 108a from the first film 107 toward the third film 109. The concentration of fluorine in the first layer 108a monotonously increases from 0 to a predetermined concentration, for example. In the present embodiment, the predetermined concentration is a concentration at which fluorine is 4 to 6 atom% (for example, 5 atom%). The second layer 108b is a layer formed with a thickness of d5 and having a predetermined concentration of fluorine. The third layer 108c is formed with a thickness of d6, and has a concentration gradient in which the fluorine concentration decreases in the thickness direction of the third layer 108c from the first film 107 to the third film 109. The fluorine concentration in the third layer 108c decreases monotonously from a predetermined concentration to 0, for example.

［第２の膜の形成工程の詳細］
図１２は、第３の実施形態に係る第２の膜１０８の形成工程の一例を示すフローチャートである。図１２は、図９に示した封止膜形成工程のうち、第２の膜１０８が形成される工程（図９に示したステップＳ２０６〜Ｓ２０８）に対応する処理について示している。図１３は、第３の実施形態において混合ガスに含まれる各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。 [Details of Second Film Formation Step]
FIG. 12 is a flowchart showing an example of the formation process of the second film 108 according to the third embodiment. FIG. 12 shows a process corresponding to the step (steps S206 to S208 shown in FIG. 9) in which the second film 108 is formed in the sealing film formation step shown in FIG. FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas included in the mixed gas in the third embodiment.

例えば、処理室４内に供給された第１のガスおよび第２のガスのプラズマにより、第１のガスおよび第２のガスの成膜種が有機ＥＬ素子１０６上に堆積し、時刻ｔ3（図１３参照）において、有機ＥＬ素子１０６上に所定の厚さの第１の膜１０７が積層される。そして、制御部５０は、例えば図１３に示すように、時刻ｔ3において、第３のガスの供給を開始すると共に、流量制御器２０４および流量制御器２０７を制御することにより、第２のガスと第３のガスの合計の流量を維持しながら第３のガスの流量を０から増加させる（Ｓ２２０）。第２のガスの流量は、例えば図１３に示すように、第３のガスの流量の増加に伴い減少する。これにより、厚さが増すに従ってフッ素の濃度が増加する第１層１０８ａが第１の膜１０７上に積層される。 For example, the first gas and the second gas plasma supplied into the processing chamber 4 deposit film deposition species of the first gas and the second gas on the organic EL element 106, and the time t 3 ( In FIG. 13, a first film 107 having a predetermined thickness is stacked on the organic EL element 106. Then, for example, as shown in FIG. 13, the control unit 50 starts the supply of the third gas at time t 3 and controls the flow rate controller 204 and the flow rate controller 207, whereby the second gas is supplied. The flow rate of the third gas is increased from 0 while maintaining the total flow rate of the third gas and the third gas (S220). For example, as shown in FIG. 13, the flow rate of the second gas decreases as the flow rate of the third gas increases. Accordingly, the first layer 108 a in which the concentration of fluorine increases as the thickness increases is stacked on the first film 107.

制御部５０は、厚さｄ４の第１層１０８ａが第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２２１）。所定時間が経過すると、第３のガスの流量は、所定の流量まで増加する。ここで、所定の流量とは、第１層１０８ｂにおけるフッ素の濃度が、４〜６ａｔｏｍ％（例えば、５ａｔｏｍ％）となる流量である。また、図１３では、第２のガスおよび第３のガスの流量が直線状に変化しているが、第２のガスおよび第３のガスの流量の変化は、曲線状に変化してもよく、ステップ状に変化してもよい。   The controller 50 waits for a predetermined time until the first layer 108a having the thickness d4 is stacked on the first film 107 (S221). When the predetermined time elapses, the flow rate of the third gas increases to a predetermined flow rate. Here, the predetermined flow rate is a flow rate at which the fluorine concentration in the first layer 108b is 4 to 6 atom% (for example, 5 atom%). In FIG. 13, the flow rates of the second gas and the third gas change linearly, but the change of the flow rates of the second gas and the third gas may change in a curved shape. , It may change stepwise.

そして、所定時間が経過した時刻ｔ31（図１３参照）において、制御部５０は、流量制御器２０４および流量制御器２０７を制御することにより、第３のガスの流量を所定の流量で維持する（Ｓ２２２）。これにより、厚さ方向においてフッ素の濃度が所定の濃度に維持された第２層１０８ｂが第１層１０８ａ上に積層される。 Then, at time t 31 (see FIG. 13) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the flow rate controller 204 and the flow rate controller 207 to maintain the flow rate of the third gas at the predetermined flow rate. (S222). Thus, the second layer 108b in which the fluorine concentration is maintained at a predetermined concentration in the thickness direction is laminated on the first layer 108a.

制御部５０は、厚さｄ５の第２層１０８ｂが第１層１０８ａ上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２２３）。そして、所定時間が経過した時刻ｔ32（図１３参照）において、制御部５０は、流量制御器２０４および流量制御器２０７を制御することにより、第２のガスと第３のガスの合計の流量を維持しながら第３のガスの流量を所定の流量から減少させる（Ｓ２２４）。第２のガスの流量は、例えば図１３に示すように、第３のガスの流量の減少に伴い増加する。これにより、厚さが増すに従ってフッ素の濃度が減少する第３層１０８ｃが第２層１０８ｂ上に積層される。 The controller 50 waits for a predetermined time until the second layer 108b having the thickness d5 is stacked on the first layer 108a (S223). Then, at time t 32 when the predetermined time has elapsed (see FIG. 13), the control unit 50 controls the flow rate controller 204 and the flow rate controller 207 to thereby obtain the total flow rate of the second gas and the third gas. While maintaining the above, the flow rate of the third gas is decreased from the predetermined flow rate (S224). For example, as shown in FIG. 13, the flow rate of the second gas increases as the flow rate of the third gas decreases. As a result, the third layer 108c in which the fluorine concentration decreases as the thickness increases is stacked on the second layer 108b.

制御部５０は、厚さｄ６の第３層１０８ｃが第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２２５）。所定時間が経過すると、第３のガスの流量は０ｓｃｃｍとなる。そして、制御部５０は、弁２０８を制御して、処理室４内への第３のガスの供給を停止し、図９のステップＳ２０９以降の処理を実行する。これにより、図１１に示した第２の膜１０８が形成される。   The controller 50 waits for a predetermined time until the third layer 108c having the thickness d6 is stacked on the first film 107 (S225). When the predetermined time elapses, the flow rate of the third gas becomes 0 sccm. And the control part 50 controls the valve | bulb 208, stops supply of the 3rd gas in the process chamber 4, and performs the process after step S209 of FIG. Thereby, the second film 108 shown in FIG. 11 is formed.

以上、第３の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０によれば、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づく程、フッ素の濃度が高くなる第２の膜１０８が形成される。ここで、第２の膜１０８に接する第１の膜１０７および第３の膜１０９にはフッ素が添加されていないため、第１の膜１０７および第３の膜１０９は、第２の膜１０８よりも膜密度が低い。第２の膜１０８にフッ素の濃度勾配が設けられていない場合、膜密度の異なる第１の膜１０７と第２の膜１０８との境界、および、第２の膜１０８と第３の膜１０９との境界には、膜密度の差に応じたストレスがかかる場合がある。   The third embodiment has been described above. According to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, the second film 108 having a higher fluorine concentration is formed as it approaches the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. Here, since fluorine is not added to the first film 107 and the third film 109 which are in contact with the second film 108, the first film 107 and the third film 109 are more than the second film 108. The film density is low. When the second film 108 is not provided with a fluorine concentration gradient, the boundary between the first film 107 and the second film 108 having different film densities, and the second film 108 and the third film 109 In some cases, a stress corresponding to the difference in film density is applied to the boundary.

これに対し、本実施形態の第２の膜１０８では、第１の膜１０７と接する面および第３の膜１０９と接する面におけるフッ素の濃度は０に近い値となる。そのため、第１の膜１０７と第２の膜１０８との境界、および、第２の膜１０８と第３の膜１０９との境界にかかるストレスを低減することができ、第１の膜１０７と第２の膜１０８の密着性、および、第２の膜１０８と第３の膜１０９の密着性を高めることができる。   On the other hand, in the second film 108 of this embodiment, the fluorine concentration on the surface in contact with the first film 107 and the surface in contact with the third film 109 is a value close to zero. Therefore, stress applied to the boundary between the first film 107 and the second film 108 and the boundary between the second film 108 and the third film 109 can be reduced, and the first film 107 and the first film 107 can be reduced. The adhesion between the second film 108 and the adhesion between the second film 108 and the third film 109 can be improved.

また、本実施形態の第２の膜１０８では、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づく程、フッ素の濃度が高くなる。そのため、第２の膜１０８内に膜密度の高い領域が形成され、高い防湿効果を得ることができる。   Further, in the second film 108 of the present embodiment, the concentration of fluorine increases as it approaches the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. Therefore, a region having a high film density is formed in the second film 108, and a high moisture-proof effect can be obtained.

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。本実施形態における封止膜は、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互に積層される点が、第２の実施形態における封止膜とは異なる。なお、本実施形態で用いられる成膜装置１０の構成は、図１および図２を用いて説明した第１の実施形態における成膜装置１０の構成と同様であり、本実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略は、図３を用いて説明した第１の実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略と同様である。そのため、以下に説明する点を除き、成膜装置１０の構成および発光モジュール１００の製造手順の概略に関する説明を省略する。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described. The sealing film in the present embodiment is that the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which fluorine is not added are alternately stacked. Different from membrane. The configuration of the film forming apparatus 10 used in the present embodiment is the same as the structure of the film forming apparatus 10 in the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2, and the light emitting module 100 in the present embodiment. The outline of the manufacturing procedure is the same as the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 according to the first embodiment described with reference to FIG. Therefore, except for the points described below, descriptions on the configuration of the film forming apparatus 10 and the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 are omitted.

［封止膜１０５の構造］
図１４は、第４の実施形態に係る封止膜１０５の構造の一例を示す断面図である。本実施形態における封止膜１０５は、例えば図１４に示すように、第１の膜１０７および第２の膜１０８が交互に複数積層され、最上層に第３の膜１０９が積層された構造である。図１４に例示した封止膜１０５では、第１の膜１０７および第２の膜１０８が交互にｎ0回ずつ積層されている。 [Structure of sealing film 105]
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the sealing film 105 according to the fourth embodiment. For example, as shown in FIG. 14, the sealing film 105 in this embodiment has a structure in which a plurality of first films 107 and second films 108 are alternately stacked, and a third film 109 is stacked on the uppermost layer. is there. In the sealing film 105 illustrated in FIG. 14, the first film 107 and the second film 108 are alternately stacked n 0 times.

それぞれの第１の膜１０７−１〜１０７−ｎ0は、略同一の厚さｄ７で形成される。また、それぞれの第２の膜１０８−１〜１０８−ｎ0は、略同一の厚さｄ８で形成される。また、それぞれの第１の膜１０７−１〜１０７−ｎ0の厚さｄ７は、それぞれの第２の膜１０８−１〜１０８−ｎ0の厚さｄ８の０．５〜１．５倍の厚さである。また、第３の膜１０９は、それぞれの第２の膜１０８−１〜１０８−ｎ0の厚さｄ８の２倍以上（例えば２〜４倍の範囲内）の厚さｄ９で形成される。 Each first layer 107-1 to 107-n 0 of are formed at substantially the same thickness d7. The second layer 108-1 to 108-n 0 respectively are formed at substantially the same thickness d8. The thickness d7 of the respective first layer 107-1 to 107-n 0 is the second respective films 108-1 to 108-n 0.5 to 1.5 times the thickness d8 0 Is the thickness. The third film 109 is formed to a thickness d9 of more than twice the respective second layer 108-1 to 108-n thickness d8 of 0 (e.g., within the range of 2 to 4 times).

なお、それぞれの第１の膜１０７−１〜１０７−ｎ0の厚さｄ７は、第２の実施形態における第１の膜１０７の厚さｄ１より薄くてもよい。また、それぞれの第２の膜１０８−１〜１０８−ｎ0の厚さｄ８は、第２の実施形態における第２の膜１０８の厚さｄ２より薄くてもよい。また、第３の膜１０９の厚さｄ９は、第２の実施形態における第３の膜１０９の厚さｄ３より薄くてもよい。 The thickness d7 of the respective first layer 107-1 to 107-n 0 may be thinner than the thickness d1 of the first layer 107 in the second embodiment. The thickness d8 of the respective second layer 108-1 to 108-n 0 may be thinner than the thickness d2 of the second layer 108 in the second embodiment. Further, the thickness d9 of the third film 109 may be smaller than the thickness d3 of the third film 109 in the second embodiment.

［封止膜形成工程の詳細］
図１５は、第４の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る封止膜形成工程は、例えば図１に示した成膜装置１０を用いて行われる。 [Details of sealing film forming process]
FIG. 15 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the fourth embodiment. The sealing film forming process according to the present embodiment is performed using, for example, the film forming apparatus 10 shown in FIG.

まず、制御部５０は、第１の膜１０７および第２の膜１０８を交互に積層させる回数を示す定数ｎ0を受け付けると共に、第１の膜１０７および第２の膜１０８を交互に積層させる回数をカウントするための変数ｎを０に初期化する（Ｓ３００）。そして、制御部５０は、ステップＳ３０１〜Ｓ３０５に示す処理を実行する。ステップＳ３０１〜Ｓ３０５の処理は、図９を用いて説明したステップＳ２００〜Ｓ２０４の処理と同様であるため、説明を省略する。 First, the control unit 50 receives a constant n 0 indicating the number of times of alternately laminating the first film 107 and the second film 108, and the number of times of laminating the first film 107 and the second film 108 alternately. Is initialized to 0 (S300). And the control part 50 performs the process shown to step S301-S305. The processing in steps S301 to S305 is the same as the processing in steps S200 to S204 described with reference to FIG.

ステップＳ３０５において、処理室４内に生成されたプラズマによって第１のガスおよび第２のガスが解離し、生成された成膜種が、ガラス基板Ｇ上に形成された有機ＥＬ素子１０６を覆うように堆積し始める。制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ７の第１の膜１０７が積層されるまで所定時間待機する（Ｓ３０６）。   In step S <b> 305, the first gas and the second gas are dissociated by the plasma generated in the processing chamber 4, so that the generated film-forming species covers the organic EL element 106 formed on the glass substrate G. Begins to deposit. The controller 50 waits for a predetermined time until the first film 107 having the thickness d7 is stacked by depositing the film-forming species (S306).

そして、所定時間が経過した場合、制御部５０は、流量制御器２０７および弁２０８を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して、第３のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第３のガスの供給を開始する（Ｓ３０７）。本実施形態において、制御部５０は、例えばＳｉＦ４ガスである第３のガスの流量を、例えば５ｓｃｃｍとなるように制御し、例えばＳｉＨ４ガスである第２のガスの流量を、例えば３１ｓｃｃｍとなるように制御する。   When the predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the flow rate controller 207 and the valve 208 to discharge the third gas into the processing chamber 4 through the gas discharge hole 12a of the shower housing 11. As a result, the supply of the third gas into the processing chamber 4 is started (S307). In the present embodiment, the control unit 50 controls the flow rate of the third gas that is, for example, SiF 4 gas so as to be, for example, 5 sccm, and the flow rate of the second gas that is, for example, SiH 4 gas, becomes, for example, 31 sccm. To control.

これにより、処理室４内に生成されたプラズマによって第１のガス、第２のガス、および第３のガスが解離し、生成された成膜種が、ステップＳ３０５において形成された第１の膜１０７を覆うように堆積し始める。制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ８の第２の膜１０８が第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ３０８）。   Thereby, the first gas, the second gas, and the third gas are dissociated by the plasma generated in the processing chamber 4, and the generated film formation species is the first film formed in step S <b> 305. Deposition begins to cover 107. The control unit 50 waits for a predetermined time until the second film 108 having the thickness d8 is stacked on the first film 107 by deposition of the film forming species (S308).

そして、所定時間が経過した後、制御部５０は、弁２０８を制御して、処理室４内への第３のガスの供給を停止する（Ｓ３０９）。制御部５０は、第３のガスの供給停止に伴い、第２のガスの流量を、第３のガスの供給開始前の流量である、例えば３６ｓｃｃｍに戻す。   Then, after a predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the valve 208 to stop the supply of the third gas into the processing chamber 4 (S309). When the supply of the third gas is stopped, the control unit 50 returns the flow rate of the second gas to, for example, 36 sccm, which is the flow rate before starting the supply of the third gas.

そして、制御部５０は、変数ｎが、ステップＳ３００で受け付けた定数ｎ0に達したか否かを判定する（Ｓ３１０）。変数ｎが定数ｎ0に達していない場合（Ｓ３１０：Ｎｏ）、制御部５０は、変数ｎを１増やし（Ｓ３１３）、再びステップＳ３０６に示した処理を実行する。 Then, the control unit 50 determines whether or not the variable n has reached the constant n 0 received in step S300 (S310). When the variable n has not reached the constant n 0 (S310: No), the control unit 50 increases the variable n by 1 (S313), and executes the process shown in step S306 again.

一方、変数ｎが定数ｎ0に達した場合（Ｓ３１０：Ｙｅｓ）、制御部５０は、処理室４内に生成された第１のガスおよび第２のガスのプラズマによって厚さｄ９の第３の膜１０９が第２の膜１０８上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ３１１）。 On the other hand, when the variable n reaches the constant n 0 (S310: Yes), the control unit 50 performs the third d9 with the thickness d9 by the plasma of the first gas and the second gas generated in the processing chamber 4. It waits for a predetermined time until the film 109 is laminated on the second film 108 (S311).

そして、所定時間が経過した後、制御部５０は、高周波電源１５および高周波電源２９を制御して高周波電力の印加を停止し、弁２０２および弁２０５を制御して、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ３１２）。そして、制御部５０は、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内を真空排気する。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して発光モジュール１００が処理室４から搬出される。   Then, after a predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 and the high frequency power supply 29 to stop the application of the high frequency power, and controls the valve 202 and the valve 205 to control the first gas and the second gas. The gas supply is stopped (S312). Then, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to evacuate the processing chamber 4 through the exhaust pipe 31. Then, the gate valve 27 is opened, and the light emitting module 100 is carried out of the processing chamber 4 through the opening 27a.

以上、第４の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０によれば、フッ素が添加されたＳｉＮ膜を封止膜に用いる場合に、フッ素が添加されたＳｉＮ膜と、フッ素が添加されていないＳｉＮ膜とを交互に繰り返し積層させる。これにより、フッ素の添加量を抑えつつ、水分子のトラップ効果を高めることができる。   The fourth embodiment has been described above. According to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, when a SiN film to which fluorine is added is used as the sealing film, the SiN film to which fluorine is added and the SiN film to which fluorine is not added are alternately repeated. Laminate. Thereby, the trapping effect of water molecules can be enhanced while suppressing the amount of fluorine added.

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。本実施形態における封止膜１０５は、第２の実施形態における封止膜１０５と同様に、第１の膜１０７、第２の膜１０８、および第３の膜１０９を有する。ただし、本実施形態における封止膜１０５では、第３の膜１０９の表面が第４のガスのプラズマにより処理される点が、第２の実施形態における封止膜１０５とは異なる。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment will be described. The sealing film 105 in this embodiment includes a first film 107, a second film 108, and a third film 109, similarly to the sealing film 105 in the second embodiment. However, the sealing film 105 in the present embodiment is different from the sealing film 105 in the second embodiment in that the surface of the third film 109 is treated with the plasma of the fourth gas.

図１６は、第５の実施形態に係る成膜装置１０の一例を示す縦断面図である。なお、図１６に示した本実施形態における成膜装置１０の構成は、以下に説明する点を除き、図１および図２を用いて説明した第１の実施形態における成膜装置１０の構成と同様であるため、重複する説明は省略する。   FIG. 16 is a longitudinal sectional view showing an example of a film forming apparatus 10 according to the fifth embodiment. The configuration of the film forming apparatus 10 in the present embodiment shown in FIG. 16 is the same as that of the film forming apparatus 10 in the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 except for the points described below. Since it is the same, the overlapping description is omitted.

本実施形態におけるガス供給系２０は、ガス供給源２００、流量制御器２０１、弁２０２、ガス供給源２０３、流量制御器２０４、弁２０５、ガス供給源２０６、流量制御器２０７、弁２０８、ガス供給源２０９、流量制御器２１０、および弁２１１を有する。ガス供給源２０９は、例えばＨ２ガスを含む第４のガスの供給源であり、マスフローコントローラ等の流量制御器２１０および弁２１１を介して、ガス供給管２０ａに接続されている。ガス供給系２０は、ガス供給部の一例である。   The gas supply system 20 in the present embodiment includes a gas supply source 200, a flow rate controller 201, a valve 202, a gas supply source 203, a flow rate controller 204, a valve 205, a gas supply source 206, a flow rate controller 207, a valve 208, and a gas. It has a supply source 209, a flow rate controller 210, and a valve 211. The gas supply source 209 is a supply source of a fourth gas including, for example, H2 gas, and is connected to the gas supply pipe 20a via a flow rate controller 210 such as a mass flow controller and a valve 211. The gas supply system 20 is an example of a gas supply unit.

本実施形態における高周波アンテナ１３の構成は、図２を用いて説明した第１の実施形態における高周波アンテナ１３の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略については、図３を用いて説明した第１の実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略と同様であるため、詳細な説明を省略する。   The configuration of the high-frequency antenna 13 in this embodiment is the same as the configuration of the high-frequency antenna 13 in the first embodiment described with reference to FIG. The outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the present embodiment is the same as the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the first embodiment described with reference to FIG. .

［封止膜形成工程の詳細］
図１７は、第５の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図１８は、第５の実施形態において処理室４内に供給される各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。図１７に示す封止膜形成工程は、例えば図１６に示した成膜装置１０の制御部５０によって実行される。図１７に示す封止膜形成工程は、成膜方法の一例である。なお、図１７に示すフローチャートにおいて、図９と同一の符号を付した処理は、図９を用いて説明した処理と同様であるため、以下ではその概略のみを示し、詳細な説明を省略する。 [Details of sealing film forming process]
FIG. 17 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the fifth embodiment. FIG. 18 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas supplied into the processing chamber 4 in the fifth embodiment. The sealing film forming process shown in FIG. 17 is executed by the control unit 50 of the film forming apparatus 10 shown in FIG. 16, for example. The sealing film forming step illustrated in FIG. 17 is an example of a film forming method. In the flowchart shown in FIG. 17, the process denoted by the same reference numeral as that in FIG. 9 is the same as the process described with reference to FIG. 9.

まず、図９に示したステップＳ２００からＳ２１０までの処理が実行される。即ち、成膜装置１０のゲートバルブ２７が開けられ、有機ＥＬ素子１０６が形成されたガラス基板Ｇが処理室４内に搬入される（Ｓ２００）。そして、制御部５０は、例えば図１８に示す時刻ｔ1において、処理室４内に第１のガス（例えばＮ２ガス）の供給を開始し（Ｓ２０１）、処理室４内を所定の圧力雰囲気（例えば０．５Ｐａ）に調整する（Ｓ２０２）。そして、制御部５０は、サセプタ２２および高周波アンテナ１３に高周波電力をそれぞれ印加することにより、処理室４内において第１のガスのプラズマを生成する（Ｓ２０３）。 First, the processing from steps S200 to S210 shown in FIG. 9 is executed. That is, the gate valve 27 of the film forming apparatus 10 is opened, and the glass substrate G on which the organic EL element 106 is formed is carried into the processing chamber 4 (S200). Then, for example, at time t 1 shown in FIG. 18, the controller 50 starts supplying the first gas (for example, N 2 gas) into the processing chamber 4 (S201), and the processing chamber 4 is filled with a predetermined pressure atmosphere (S201). For example, the pressure is adjusted to 0.5 Pa (S202). And the control part 50 produces | generates the plasma of 1st gas in the process chamber 4 by applying high frequency electric power to the susceptor 22 and the high frequency antenna 13, respectively (S203).

次に、制御部５０は、例えば図１８に示す時刻ｔ2において、処理室４内に第２のガス（例えばＳｉＨ４ガス）の供給を開始し（Ｓ２０４）、成膜種の堆積により厚さｄ１の第１の膜１０７が有機ＥＬ素子１０６上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０５）。第１の膜１０７は、第３の封止膜の一例である。また、第１のガスおよび第２のガスの混合ガスは、第２の混合ガスの一例である。そして、所定時間が経過した時刻ｔ3（図１８参照）において、制御部５０は、処理室４内に第３のガス（例えばＳｉＦ４ガス）の供給を開始し（Ｓ２０６）、成膜種の堆積により厚さｄ２の第２の膜１０８が第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０７）。第２の膜１０８は、第１の封止膜の一例である。また、第１のガス、第２のガス、および第３のガスの混合ガスは、第１の混合ガスの一例である。 Next, the control unit 50 starts supplying the second gas (for example, SiH 4 gas) into the processing chamber 4 at time t 2 shown in FIG. 18, for example (S204), and the thickness d1 is deposited by deposition of the film-forming species. The first film 107 waits for a predetermined time until it is stacked on the organic EL element 106 (S205). The first film 107 is an example of a third sealing film. The mixed gas of the first gas and the second gas is an example of the second mixed gas. Then, at time t 3 (see FIG. 18) when a predetermined time has elapsed, the control unit 50 starts supplying a third gas (for example, SiF 4 gas) into the processing chamber 4 (S206), and deposits the film-forming species. Thus, the process waits for a predetermined time until the second film 108 having the thickness d2 is laminated on the first film 107 (S207). The second film 108 is an example of a first sealing film. The mixed gas of the first gas, the second gas, and the third gas is an example of the first mixed gas.

次に、所定時間が経過した時刻ｔ4（図１８参照）において、制御部５０は、処理室４内への第３のガスの供給を停止し（Ｓ２０８）、成膜種の堆積により厚さｄ３の第３の膜１０９が第２の膜１０８上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０９）。第３の膜１０９は、第２の封止膜の一例である。そして、所定時間が経過した時刻ｔ5（図１８参照）において、制御部５０は、高周波電力の印加を停止し、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ２１０）。これにより、例えば図７に示したように、有機ＥＬ素子１０６は、第１の膜１０７、第２の膜１０８、および第３の膜１０９を含む封止膜１０５で覆われる。 Next, at time t 4 (see FIG. 18) when a predetermined time has elapsed, the control unit 50 stops the supply of the third gas into the processing chamber 4 (S208), and the thickness is increased by deposition of the film forming species. It waits for a predetermined time until the third film 109 of d3 is laminated on the second film 108 (S209). The third film 109 is an example of a second sealing film. Then, at time t 5 (see FIG. 18) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 stops the application of the high frequency power and stops the supply of the first gas and the second gas (S210). Thereby, for example, as shown in FIG. 7, the organic EL element 106 is covered with the sealing film 105 including the first film 107, the second film 108, and the third film 109.

次に、制御部５０は、排気装置３０を制御して、排気管３１を介して処理室４内を真空排気する（Ｓ４００）。そして、処理室４内が真空排気された時刻ｔ6（図１８参照）において、制御部５０は、流量制御器２１０および弁２１１を制御して、シャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａから第４のガスを処理室４内に吐出させることにより、処理室４内に第４のガスの供給を開始する（Ｓ４０１）。本実施形態において、第４のガスは、例えばＨ２ガスである。なお、第４のガスは、Ｈ２ガスと、Ｎ２ガス等の不活性ガスとが混合されたガスであってもよい。 Next, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to evacuate the processing chamber 4 through the exhaust pipe 31 (S400). Then, at the time t 6 (see FIG. 18) when the inside of the processing chamber 4 is evacuated, the control unit 50 controls the flow rate controller 210 and the valve 211 to perform the fourth operation from the gas discharge hole 12a of the shower housing 11. Is discharged into the processing chamber 4 to start supplying the fourth gas into the processing chamber 4 (S401). In the present embodiment, the fourth gas is, for example, H2 gas. Note that the fourth gas may be a gas in which an H2 gas and an inert gas such as an N2 gas are mixed.

次に、制御部５０は、排気装置３０を制御して処理室４内を所定の圧力雰囲気に調整する（Ｓ４０２）。制御部５０は、処理室４内の圧力が例えば１Ｐａとなるように排気装置３０を制御する。   Next, the control unit 50 controls the exhaust device 30 to adjust the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere (S402). The control unit 50 controls the exhaust device 30 so that the pressure in the processing chamber 4 becomes, for example, 1 Pa.

次に、制御部５０は、高周波電源１５を制御して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波アンテナ１３に印加する。これにより、高周波アンテナ１３によって処理室４内に誘導電界が形成される。高周波アンテナ１３に印加される高周波電力は、例えば２０００Ｗである。処理室４内に形成された誘導電界により、処理室４内において第４のガスのプラズマが生成される（Ｓ４０３）。そして、第４のガスのプラズマに含まれる活性種により、第３の膜１０９の表面が改質される。なお、本実施形態において、第４のガスには、例えばＨ２ガスが含まれる。そのため、以下では、第４のガスのプラズマを、水素プラズマと記載する。   Next, the control unit 50 controls the high frequency power supply 15 to apply, for example, high frequency power of 13.56 MHz to the high frequency antenna 13. Thereby, an induction electric field is formed in the processing chamber 4 by the high frequency antenna 13. The high frequency power applied to the high frequency antenna 13 is 2000 W, for example. A plasma of the fourth gas is generated in the processing chamber 4 by the induced electric field formed in the processing chamber 4 (S403). Then, the surface of the third film 109 is modified by the active species contained in the plasma of the fourth gas. In the present embodiment, the fourth gas includes, for example, H 2 gas. Therefore, hereinafter, the plasma of the fourth gas is described as hydrogen plasma.

次に、所定時間が経過した時刻ｔ7（図１８参照）において、制御部５０は、高周波電源１５を制御して高周波電力の印加を停止し、弁２１１を制御して、第４のガスの供給を停止する（Ｓ４０４）。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して発光モジュール１００が処理室４から搬出される。 Next, at time t 7 (see FIG. 18) when a predetermined time has elapsed, the control unit 50 controls the high-frequency power supply 15 to stop the application of the high-frequency power and controls the valve 211 to control the fourth gas. Supply is stopped (S404). Then, the gate valve 27 is opened, and the light emitting module 100 is carried out of the processing chamber 4 through the opening 27a.

ステップＳ４０３において、第３の膜１０９の表面を、水素プラズマにより処理する条件をまとめると、以下の通りである。
第４のガス：Ｈ２＝２５０ｓｃｃｍ
高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）：２０００Ｗ
処理室４内の圧力：１Ｐａ
ガラス基板Ｇの温度：７０℃ The conditions for treating the surface of the third film 109 with hydrogen plasma in step S403 are summarized as follows.
Fourth gas: H2 = 250 sccm
High frequency power (13.56 MHz): 2000 W
Pressure in the processing chamber 4: 1 Pa
Temperature of glass substrate G: 70 ° C

［評価］
図１９は、ＨＦによるエッチングレートと、ＷＶＴＲとの関係の一例を示す図である。図１９において、縦軸は１．０％に希釈されたＨＦ（フッ酸）によるＳｉＮ膜のエッチングレートを示し、横軸はＳｉＮ膜のＷＶＴＲを示す。図１９から明らかなように、ＨＦによるエッチングレートと、ＷＶＴＲとの間には、一定の相関関係が存在する。即ち、ＨＦによるエッチングレートが低いほど、ＷＶＴＲが低くなる。これは、ＳｉＮ膜の緻密性が高いほど、ＨＦ分子および水分子がＳｉＮ膜を通過しにくくなり、ＨＦによるエッチングレートが低くなると共に、水分子がＳｉＮ膜を通過する割合が低くなるためと考えられる。即ち、ＨＦによるエッチングレートが低いＳｉＮ膜は、ＷＶＴＲの値も低いと考えられる。カルシウム法を用いた場合、ＷＶＴＲの測定には１か月以上かかるため、頻繁な測定が難しい。そのため、以下では、封止膜１０５の評価として、ＷＶＴＲでの評価に代えて、ＨＦによるエッチングレートでの評価を行う。 [Evaluation]
FIG. 19 is a diagram showing an example of the relationship between the etching rate by HF and WVTR. In FIG. 19, the vertical axis represents the etching rate of the SiN film by HF (hydrofluoric acid) diluted to 1.0%, and the horizontal axis represents the WVTR of the SiN film. As is clear from FIG. 19, there is a certain correlation between the etching rate by HF and WVTR. That is, the lower the etching rate by HF, the lower the WVTR. This is because the higher the density of the SiN film, the more difficult the HF molecules and water molecules pass through the SiN film, the HF etching rate decreases, and the ratio of water molecules passing through the SiN film decreases. It is done. That is, a SiN film having a low etching rate by HF is considered to have a low WVTR value. When the calcium method is used, WVTR measurement takes more than one month, so frequent measurement is difficult. Therefore, in the following, as the evaluation of the sealing film 105, the evaluation at the etching rate by HF is performed instead of the evaluation by the WVTR.

図２０は、ＨＦによるＳｉＮ膜のエッチングレートの一例を示す図である。図２０において、縦軸はＨＦに浸した場合にエッチングされたＳｉＮ膜の膜厚を示し、横軸は時間を示す。図２０では、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜と、水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜とにおけるＨＦによるエッチングレートの測定結果の一例が示されている。   FIG. 20 is a diagram showing an example of the etching rate of the SiN film by HF. In FIG. 20, the vertical axis indicates the thickness of the SiN film etched when immersed in HF, and the horizontal axis indicates time. FIG. 20 shows an example of the measurement result of the etching rate by HF in the SiN film not treated with hydrogen plasma and the SiN film treated with hydrogen plasma.

図２０に示した「水素プラズマ処理あり（１）」は、ＳｉＮ膜の成膜後に、発光モジュール１００を処理室４から搬出して大気に暴露し、その後、再び処理室４内に搬入して水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜におけるエッチングレートを示す。また、図２０に示した「水素プラズマ処理あり（２）」は、発光モジュール１００を大気に暴露することなく、ＳｉＮ膜の成膜と水素プラズマによる処理とが真空中で連続して行われたＳｉＮ膜におけるエッチングレートを示す。   In “Hydrogen plasma treatment (1)” shown in FIG. 20, after the SiN film is formed, the light emitting module 100 is unloaded from the processing chamber 4 and exposed to the atmosphere, and then loaded into the processing chamber 4 again. The etching rate in the SiN film processed by hydrogen plasma is shown. In the case of “hydrogen plasma treatment (2)” shown in FIG. 20, the SiN film formation and the hydrogen plasma treatment were continuously performed in vacuum without exposing the light emitting module 100 to the atmosphere. The etching rate in a SiN film is shown.

図２０から明らかなように、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜では、水素プラズマによる処理が行われたいずれのＳｉＮ膜よりも、ＨＦによるエッチングレートが高い。従って、水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜は、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜よりもＷＶＴＲが低いと考えられる。   As is apparent from FIG. 20, the SiN film not treated with hydrogen plasma has a higher etching rate with HF than any SiN film treated with hydrogen plasma. Therefore, it is considered that the SiN film treated with hydrogen plasma has a lower WVTR than the SiN film not treated with hydrogen plasma.

なお、図２０では、ＨＦによるエッチングレートの違いを分かりやすくするために、緻密性が比較的低くなる処理条件で成膜されたＳｉＮ膜を用いて、水素プラズマによる処理を行わなかった場合と、水素プラズマによる処理を行った場合とで、ＨＦによるエッチングレートを測定している。緻密性が比較的高くなる処理条件で成膜されたＳｉＮ膜を用いた場合では、ＨＦ溶液に３００秒間浸した場合に、水素プラズマによる処理が行われなかったＳｉＮ膜では１３．５７ｎｍの厚さのＳｉＮ膜がエッチングされ、水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜では９．４７ｎｍの厚さのＳｉＮ膜がエッチングされた。このように、緻密性が比較的高いＳｉＮ膜を用いた場合でも、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜では、水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜よりも、ＨＦによるエッチングレートが高くなった。   In FIG. 20, in order to make the difference in etching rate due to HF easier to understand, a SiN film formed under processing conditions with relatively low density is used and no treatment with hydrogen plasma is performed. The etching rate with HF is measured when the treatment with hydrogen plasma is performed. In the case of using a SiN film formed under a processing condition in which the denseness is relatively high, a thickness of 13.57 nm is obtained for a SiN film that has not been processed with hydrogen plasma when immersed in an HF solution for 300 seconds. The SiN film was etched, and the SiN film having a thickness of 9.47 nm was etched in the SiN film that was treated with hydrogen plasma. Thus, even when a SiN film having a relatively high density is used, the etching rate by HF is higher in the SiN film that has not been processed by hydrogen plasma than in the SiN film that has been processed by hydrogen plasma. became.

図２１は、ＳｉＮ膜に水分子が侵入する過程の一例を説明する模式図である。ＳｉＮ膜には、例えば図２１の破線で示すように、多数のグレイン（グレイン６０および６１等）が含まれる。グレインの境界には、シリコン原子や窒素原子の未結合手が多く含まれる。   FIG. 21 is a schematic diagram illustrating an example of a process in which water molecules enter the SiN film. The SiN film contains a large number of grains (grains 60 and 61, etc.) as indicated by broken lines in FIG. Grain boundaries contain many dangling bonds of silicon and nitrogen atoms.

水分子は、例えば図２１の破線矢印に示すように、グレインの境界の隙間からＳｉＮ膜内に侵入する。ＳｉＮ膜内に侵入した水分子は、やがてＳｉＮ膜を通り抜けて、下層膜に到達する。本実施形態において、第３の膜１０９は、ＳｉＮ膜であるため、第３の膜１０９においても、グレインの境界の隙間から水分子が第３の膜１０９内に侵入する。第３の膜１０９内に侵入した水分子は、やがて第３の膜１０９を通り抜けて第２の膜１０８に到達する。そして、第２の膜１０８に到達した水分子は、時間はかかるものの、第２の膜１０８および第１の膜１０７を通り抜けて有機ＥＬ素子１０６に到達する。そのため、第３の膜１０９の表面を、水分子が侵入しにくい構造にすることが、水分子が封止膜１０５を通り抜けて有機ＥＬ素子１０６に到達するのに要する時間を長くする上で有効であると考えられる。   Water molecules enter the SiN film from the gaps between the grain boundaries, for example, as indicated by broken line arrows in FIG. Water molecules that have entered the SiN film eventually pass through the SiN film and reach the lower layer film. In the present embodiment, since the third film 109 is a SiN film, water molecules also enter the third film 109 from the gap between the grain boundaries in the third film 109. The water molecules that have entered the third film 109 eventually pass through the third film 109 and reach the second film 108. Then, although it takes time, the water molecules that have reached the second film 108 pass through the second film 108 and the first film 107 and reach the organic EL element 106. Therefore, making the surface of the third film 109 into a structure in which water molecules do not easily penetrate is effective in increasing the time required for the water molecules to pass through the sealing film 105 and reach the organic EL element 106. It is thought that.

図２２は、水素状態のプラズマ反応シミュレーションの結果の一例を示す図である。図２２の例では、水素プラズマによる処理の条件に基づいてプラズマ反応シミュレーションが行われた。例えば図２２に示すように、水素プラズマ中では、Ｈ２分子以外では、Ｈ*ラジカルが支配的である。 FIG. 22 is a diagram illustrating an example of a result of a hydrogen state plasma reaction simulation. In the example of FIG. 22, a plasma reaction simulation is performed based on the conditions of treatment with hydrogen plasma. For example, as shown in FIG. 22, in the hydrogen plasma, H * radicals are dominant except for H2 molecules.

従って、水素プラズマによる処理では、例えば図２３（ａ）に示すように、シリコン原子や窒素原子の未結合手が多く含まれるＳｉＮ膜の表面に、プラズマ中に多く含まれるＨ*ラジカルが降り注ぐ。これにより、例えば図２３（ｂ）に示すように、シリコン原子や窒素原子の未結合手とＨ*ラジカルとが結合し、シリコン原子や窒素原子の未結合手が水素原子により終端される。これにより、グレイン間の隙間が小さくなり、例えば図２３（ｂ）の破線矢印に示すように、水分子がＳｉＮ膜内に侵入しにくくなる。 Accordingly, in the treatment with hydrogen plasma, for example, as shown in FIG. 23A, H * radicals contained in the plasma abundantly pour onto the surface of the SiN film containing a large number of dangling bonds of silicon atoms and nitrogen atoms. Thus, for example, as shown in FIG. 23B, the dangling bonds of silicon atoms and nitrogen atoms and H * radicals are bonded, and the dangling bonds of silicon atoms and nitrogen atoms are terminated by hydrogen atoms. As a result, the gap between the grains is reduced, and it becomes difficult for water molecules to enter the SiN film, for example, as shown by the broken line arrows in FIG.

さらに、ＳｉＮ膜内の未結合手が水素原子により終端されることで、ＳｉＮ膜内の水素原子の数が多くなる。そのため、ＳｉＮ膜内の窒素原子と水素原子との間の水素結合の数も多くなる。これにより、各グレインの隙間がさらに小さくなる。これにより、水分子はＳｉＮ膜である第３の膜１０９内にさらに侵入しにくくなる。従って、水分子が封止膜１０５を通り抜けて有機ＥＬ素子１０６に到達するのに要する時間を長くすることができる。   Further, the dangling bonds in the SiN film are terminated by hydrogen atoms, so that the number of hydrogen atoms in the SiN film increases. Therefore, the number of hydrogen bonds between nitrogen atoms and hydrogen atoms in the SiN film also increases. This further reduces the gap between the grains. As a result, water molecules are less likely to enter the third film 109, which is a SiN film. Accordingly, it is possible to lengthen the time required for water molecules to pass through the sealing film 105 and reach the organic EL element 106.

なお、図２０に示すように、水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜であれば、成膜後に一旦大気に暴露されたとしても、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜よりもＨＦによるエッチングレートは低い。ただし、水素プラズマによる処理の前に、ＳｉＮ膜が大気に暴露されると、ＳｉＮ膜の表面が酸化され、表面にＳｉＯＮの層が形成される。そのため、大気に暴露された後に水素プラズマによる処理が行われた場合、Ｈ*ラジカルがＳｉＯＮの層に妨げられ、ＳｉＯＮの層の下のＳｉＮ膜に到達するＨ*ラジカルの量が減少する。そのため、Ｈ*ラジカルによって未結合手が終端された層の厚さは、ＳｉＯＮの層が形成されていないＳｉＮ膜よりも、ＳｉＯＮの層が形成されたＳｉＮ膜の方が薄くなる。Ｈ*ラジカルによって未結合手が終端された層の厚さが厚いほど、緻密なＳｉＮ膜が厚くなるため水分子が膜内に侵入しにくく、ＷＶＴＲが低くなると考えられる。 As shown in FIG. 20, if the SiN film is treated with hydrogen plasma, even if it is once exposed to the atmosphere after deposition, it is more HF-induced than the SiN film that is not treated with hydrogen plasma. The etching rate is low. However, if the SiN film is exposed to the atmosphere before the treatment with hydrogen plasma, the surface of the SiN film is oxidized, and a SiON layer is formed on the surface. Therefore, when a treatment with hydrogen plasma is performed after exposure to the atmosphere, the H * radicals are blocked by the SiON layer, and the amount of H * radicals reaching the SiN film under the SiON layer is reduced. Therefore, the thickness of the layer in which dangling bonds are terminated by H * radicals is thinner in the SiN film in which the SiON layer is formed than in the SiN film in which the SiON layer is not formed. It is considered that the thicker the layer in which dangling bonds are terminated by H * radicals, the thicker the SiN film becomes, so that water molecules are less likely to enter the film and the WVTR is lowered.

また、ＳｉＯＮの層では、酸素原子同士が反発し合うため、グレイン間の隙間が大きくなる。そのため、ＳｉＯＮの層では、水素プラズマによる処理が行われたＳｉＮ膜よりも水分子が侵入しやすくなると考えられる。そのため、水素プラズマによる処理の前に大気に暴露されたＳｉＮ膜のＷＶＴＲは、ＳｉＮ膜の成膜と水素プラズマによる処理とが大気に暴露されることなく真空中で連続して行われたＳｉＮ膜のＷＶＴＲよりも高い値となる。従って、ＷＶＴＲの低いＳｉＮ膜を得るためには、ＳｉＮ膜の成膜と水素プラズマによる処理とは、大気に暴露されることなく真空中において連続して行われることが好ましい。   Further, in the SiON layer, oxygen atoms repel each other, so that a gap between grains becomes large. Therefore, it is considered that water molecules are more likely to enter the SiON layer than the SiN film that has been treated with hydrogen plasma. Therefore, the SiN film WVTR exposed to the atmosphere before the treatment with the hydrogen plasma is a SiN film in which the formation of the SiN film and the treatment with the hydrogen plasma are continuously performed in vacuum without being exposed to the atmosphere. It becomes a value higher than WVTR. Therefore, in order to obtain a SiN film having a low WVTR, it is preferable that the formation of the SiN film and the treatment with hydrogen plasma are continuously performed in a vacuum without being exposed to the atmosphere.

以上、第５の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０によれば、封止膜１０５のＷＶＴＲをさらに低くすることができる。   The fifth embodiment has been described above. According to the film forming apparatus 10 of the present embodiment, the WVTR of the sealing film 105 can be further reduced.

なお、本実施形態では、第２の実施形態における封止膜１０５と同様の構成の封止膜１０５に対して水素プラズマによる処理を行ったが、第３の実施形態で示された、厚さ方向にフッ素の濃度勾配を有する第２の膜１０８を含む封止膜１０５に対しても、本実施形態の技術を適用することができる。   In this embodiment, the treatment with the hydrogen plasma is performed on the sealing film 105 having the same configuration as that of the sealing film 105 in the second embodiment. However, the thickness shown in the third embodiment is not limited. The technique of this embodiment can also be applied to the sealing film 105 including the second film 108 having a fluorine concentration gradient in the direction.

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。本実施形態における封止膜１０５は、第５の実施形態における封止膜１０５と同様に、第１の膜１０７、第２の膜１０８、および第３の膜１０９を有し、第３の膜１０９の表面に水素プラズマによる処理が行われる。ただし、本実施形態における封止膜１０５では、第１の膜１０７に第２の膜１０８が積層される前に、第１の膜１０７の表面にも水素プラズマによる処理が行われる点が、第５の実施形態における封止膜１０５とは異なる。 (Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment will be described. The sealing film 105 in the present embodiment has a first film 107, a second film 108, and a third film 109, like the sealing film 105 in the fifth embodiment. The surface of 109 is treated with hydrogen plasma. However, in the sealing film 105 in this embodiment, the surface of the first film 107 is also treated with hydrogen plasma before the second film 108 is stacked on the first film 107. This is different from the sealing film 105 in the fifth embodiment.

なお、本実施形態で用いられる成膜装置１０の構成は、図１６を用いて説明した第５の実施形態における成膜装置１０の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における高周波アンテナ１３の構成は、図２を用いて説明した第１の実施形態における高周波アンテナ１３の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略についても、図３を用いて説明した第１の実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略と同様であるため、以下に説明する点を除き、詳細な説明を省略する。   The configuration of the film forming apparatus 10 used in the present embodiment is the same as the structure of the film forming apparatus 10 in the fifth embodiment described with reference to FIG. In addition, the configuration of the high-frequency antenna 13 in the present embodiment is the same as the configuration of the high-frequency antenna 13 in the first embodiment described with reference to FIG. The outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the present embodiment is also the same as the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the first embodiment described with reference to FIG. Except for this, detailed description is omitted.

［封止膜形成工程の詳細］
図２４は、第６の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。図２５は、第６の実施形態において処理室４内に供給される各処理ガスの流量の変化の一例を示す図である。本実施形態に係る封止膜形成工程は、例えば図１６に示した成膜装置１０の制御部５０によって実行される。なお、図２４に示すフローチャートにおいて、図９または図１７と同一の符号を付した処理は、図９または図１７を用いて説明した処理と同様であるため、以下ではその概略のみを示し、詳細な説明を省略する。 [Details of sealing film forming process]
FIG. 24 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the sixth embodiment. FIG. 25 is a diagram illustrating an example of a change in the flow rate of each processing gas supplied into the processing chamber 4 in the sixth embodiment. The sealing film forming process according to the present embodiment is executed by, for example, the control unit 50 of the film forming apparatus 10 illustrated in FIG. In the flowchart shown in FIG. 24, the process denoted by the same reference numeral as in FIG. 9 or FIG. 17 is the same as the process described with reference to FIG. 9 or FIG. The detailed explanation is omitted.

まず、図９に示したステップＳ２００からＳ２１０までの処理が実行される。即ち、成膜装置１０のゲートバルブ２７が開けられ、有機ＥＬ素子１０６が形成されたガラス基板Ｇが処理室４内に搬入される（Ｓ２００）。そして、制御部５０は、例えば図２５に示す時刻ｔ1において、処理室４内に第１のガス（例えばＮ２ガス）の供給を開始し（Ｓ２０１）、処理室４内を所定の圧力雰囲気（例えば０．５Ｐａ）に調整する（Ｓ２０２）。そして、制御部５０は、サセプタ２２および高周波アンテナ１３に高周波電力をそれぞれ印加することにより、処理室４内において第１のガスのプラズマを生成する（Ｓ２０３）。 First, the processing from steps S200 to S210 shown in FIG. 9 is executed. That is, the gate valve 27 of the film forming apparatus 10 is opened, and the glass substrate G on which the organic EL element 106 is formed is carried into the processing chamber 4 (S200). Then, for example, at time t 1 shown in FIG. 25, the controller 50 starts supplying the first gas (for example, N 2 gas) into the processing chamber 4 (S201), and the processing chamber 4 is filled with a predetermined pressure atmosphere (S201). For example, the pressure is adjusted to 0.5 Pa (S202). And the control part 50 produces | generates the plasma of 1st gas in the process chamber 4 by applying high frequency electric power to the susceptor 22 and the high frequency antenna 13, respectively (S203).

次に、制御部５０は、例えば図２５に示す時刻ｔ2において、処理室４内に第２のガス（例えばＳｉＨ４ガス）の供給を開始し（Ｓ２０４）、成膜種の堆積により厚さｄ１の第１の膜１０７が有機ＥＬ素子１０６上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０５）。そして、制御部５０は、所定時間が経過した時刻ｔ31（図２５参照）において、高周波電力の印加を停止し、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ５００）。 Next, the control unit 50, for example, at time t 2 shown in FIG. 25, the supply of the second gas (e.g., SiH4 gas) starts the process chamber 4 (S204), the thickness of the deposition species deposit d1 The first film 107 waits for a predetermined time until it is stacked on the organic EL element 106 (S205). Then, the control unit 50 at time t 31 the predetermined time has elapsed (see FIG. 25), to stop the application of the high frequency power, to stop the supply of the first gas and the second gas (S500).

次に、制御部５０は、図１７に示したステップＳ４００からＳ４０４の処理を実行する。即ち、制御部５０は、処理室４内を真空排気し（Ｓ４００）、処理室４内が真空排気された時刻ｔ32（図２５参照）において、処理室４内に第４のガス（例えばＨ２ガス）の供給を開始する（Ｓ４０１）。そして、制御部５０は、処理室４内を所定の圧力雰囲気に調整し（Ｓ４０２）、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波アンテナ１３に印加する。高周波アンテナ１３によって処理室４内に形成された誘導電界により、処理室４内において第４のガスのプラズマが生成され（Ｓ４０３）、第４のガスのプラズマに含まれる活性種（Ｈ*ラジカル）により、第１の膜１０７の表面が改質される。そして、所定時間が経過した時刻ｔ33（図２５参照）において、制御部５０は、高周波アンテナ１３への高周波電力の印加を停止し、第４のガスの供給を停止する（Ｓ４０４）。 Next, the control unit 50 executes the processing of steps S400 to S404 shown in FIG. That is, the control unit 50 evacuates the processing chamber 4 (S400), and at time t 32 (see FIG. 25) when the processing chamber 4 is evacuated, a fourth gas (for example, H 2) Gas supply is started (S401). Then, the control unit 50 adjusts the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere (S402), and applies, for example, high frequency power of 13.56 MHz to the high frequency antenna 13. A plasma of the fourth gas is generated in the processing chamber 4 by the induction electric field formed in the processing chamber 4 by the high frequency antenna 13 (S403), and the active species (H * radical) contained in the plasma of the fourth gas. Thus, the surface of the first film 107 is modified. Then, at time t 33 (see FIG. 25) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 stops the application of the high frequency power to the high frequency antenna 13 and stops the supply of the fourth gas (S404).

次に、制御部５０は、処理室４内を真空排気する（Ｓ５０１）。そして、処理室４内が真空排気された時刻ｔ34（図２５参照）において、制御部５０は、処理室４内に第１のガス（例えばＮ２ガス）の供給を開始し（Ｓ５０２）、処理室４内を所定の圧力雰囲気（例えば０．５Ｐａ）に調整する（Ｓ５０３）。そして、制御部５０は、サセプタ２２および高周波アンテナ１３に高周波電力をそれぞれ印加することにより、処理室４内において第１のガスのプラズマを生成する（Ｓ５０４）。そして、制御部５０は、例えば図２５に示す時刻ｔ35において、処理室４内に第２のガス（例えばＳｉＨ４ガス）および第３のガス（例えばＳｉＦ４ガス）の供給を開始する（Ｓ５０５）。 Next, the control unit 50 evacuates the inside of the processing chamber 4 (S501). At time t 34 (see FIG. 25) when the inside of the processing chamber 4 is evacuated, the control unit 50 starts supplying the first gas (for example, N 2 gas) into the processing chamber 4 (S502). The inside of the chamber 4 is adjusted to a predetermined pressure atmosphere (for example, 0.5 Pa) (S503). And the control part 50 produces | generates the plasma of 1st gas in the process chamber 4 by applying high frequency electric power to the susceptor 22 and the high frequency antenna 13, respectively (S504). Then, the control unit 50, for example, at time t 35 shown in FIG. 25, to start the supply of the second gas into the process chamber 4 (e.g. SiH4 gas) and the third gas (e.g. SiF4 gas) (S505).

次に、図９に示したステップＳ２０７からＳ２１０までの処理が実行される。即ち、制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ２の第２の膜１０８が第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０７）。そして、所定時間が経過した時刻ｔ4（図２５参照）において、制御部５０は、処理室４内への第３のガスの供給を停止し（Ｓ２０８）、成膜種の堆積により厚さｄ３の第３の膜１０９が第２の膜１０８上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ２０９）。そして、所定時間が経過した時刻ｔ5（図２５参照）において、制御部５０は、高周波電力の印加を停止し、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ２１０）。これにより、例えば図７に示したように、有機ＥＬ素子１０６は、第１の膜１０７、第２の膜１０８、および第３の膜１０９を含む封止膜１０５で覆われる。 Next, the processing from step S207 to S210 shown in FIG. 9 is executed. That is, the control unit 50 waits for a predetermined time until the second film 108 having the thickness d2 is stacked on the first film 107 by deposition of the film forming species (S207). Then, at time t 4 (see FIG. 25) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 stops the supply of the third gas into the processing chamber 4 (S208), and the thickness d3 is deposited by deposition of the film forming species. The third film 109 waits for a predetermined time until it is stacked on the second film 108 (S209). Then, at time t 5 (see FIG. 25) when the predetermined time has elapsed, the control unit 50 stops the application of the high frequency power and stops the supply of the first gas and the second gas (S210). Thereby, for example, as shown in FIG. 7, the organic EL element 106 is covered with the sealing film 105 including the first film 107, the second film 108, and the third film 109.

次に、制御部５０は、再びステップＳ４００からＳ４０４に示した処理を実行する。これにより、例えば図２５に示すように、処理室４内が真空排気された時刻ｔ6（図２５参照）において、処理室４内に第４のガスの供給が開始され、処理室４内に第４のガスのプラズマが生成される。そして、所定時間が経過した時刻ｔ7において、高周波電力の印加が停止され、第４のガスの供給が停止される。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して発光モジュール１００が処理室４から搬出される。 Next, the control unit 50 executes the processing shown in steps S400 to S404 again. Thus, for example, as shown in FIG. 25, at time t 6 (see FIG. 25) when the inside of the processing chamber 4 is evacuated, the supply of the fourth gas into the processing chamber 4 is started. A fourth gas plasma is generated. At time t 7 the predetermined time has elapsed, the application of high-frequency power is stopped, the supply of the fourth gas is stopped. Then, the gate valve 27 is opened, and the light emitting module 100 is carried out of the processing chamber 4 through the opening 27a.

以上、第６の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０は、第１の膜１０７が成膜された後に、第１の膜１０７上に第２の膜１０８が成膜される前に、第１の膜１０７の表面に対してさらに水素プラズマによる処理を行う。これにより、第１の膜１０７のＷＶＴＲを低くすることができ、封止膜１０５全体のＷＶＴＲをさらに低くすることができる。   The sixth embodiment has been described above. The film forming apparatus 10 according to the present embodiment is formed on the surface of the first film 107 after the first film 107 is formed and before the second film 108 is formed on the first film 107. In addition, treatment with hydrogen plasma is further performed. Thereby, the WVTR of the first film 107 can be lowered, and the WVTR of the entire sealing film 105 can be further lowered.

また、本実施形態の成膜装置１０は、第１の膜１０７が成膜された後に、第１の膜１０７を大気に暴露させることなく、第１の膜１０７の表面に対して水素プラズマによる処理を行う。これにより、第１の膜１０７のＷＶＴＲを低くすることができる。なお、第１の膜１０７が成膜された後に、第１の膜１０７が大気に暴露されてもよい。この場合であっても、その後に第１の膜１０７の表面に対して水素プラズマによる処理が行われれば、第１の膜１０７のＷＶＴＲを、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜のＷＶＴＲよりも低くすることができる。   Further, the film forming apparatus 10 of the present embodiment uses the hydrogen plasma on the surface of the first film 107 without exposing the first film 107 to the atmosphere after the first film 107 is formed. Process. Thereby, the WVTR of the first film 107 can be lowered. Note that the first film 107 may be exposed to the atmosphere after the first film 107 is formed. Even in this case, if the surface of the first film 107 is subsequently treated with hydrogen plasma, the WVTR of the first film 107 is changed to the WVTR of the SiN film that has not been treated with hydrogen plasma. Can be lower.

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態について説明する。本実施形態における封止膜１０５は、第４の実施形態における封止膜１０５と同様に、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互にｎ0回積層された構造を有する。ただし、本実施形態における封止膜１０５では、第１の膜１０７が積層される都度、第１の膜１０７の表面に水素プラズマによる処理が行われる点、および、第３の膜１０９の表面に水素プラズマによる処理が行われる点が、第４の実施形態における封止膜１０５とは異なる。 (Seventh embodiment)
Next, a seventh embodiment will be described. In the sealing film 105 in the present embodiment, the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which no fluorine is added are alternated as in the sealing film 105 in the fourth embodiment. N 0 times. However, in the sealing film 105 in this embodiment, each time the first film 107 is stacked, the surface of the first film 107 is treated with hydrogen plasma, and on the surface of the third film 109. The processing by hydrogen plasma is different from the sealing film 105 in the fourth embodiment.

なお、本実施形態で用いられる成膜装置１０の構成は、図１６を用いて説明した第５の実施形態における成膜装置１０の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における高周波アンテナ１３の構成は、図２を用いて説明した第１の実施形態における高周波アンテナ１３の構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略についても、図３を用いて説明した第１の実施形態における発光モジュール１００の製造手順の概略と同様であるため、以下に説明する点を除き、詳細な説明を省略する。   The configuration of the film forming apparatus 10 used in the present embodiment is the same as the structure of the film forming apparatus 10 in the fifth embodiment described with reference to FIG. In addition, the configuration of the high-frequency antenna 13 in the present embodiment is the same as the configuration of the high-frequency antenna 13 in the first embodiment described with reference to FIG. The outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the present embodiment is also the same as the outline of the manufacturing procedure of the light emitting module 100 in the first embodiment described with reference to FIG. Except for this, detailed description is omitted.

［封止膜形成工程の詳細］
図２６は、第７の実施形態に係る封止膜形成工程の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る封止膜形成工程は、例えば図１６に示した成膜装置１０の制御部５０によって実行される。なお、図２６に示すフローチャートにおいて、図１５または図１７と同一の符号を付した処理は、図１５または図１７を用いて説明した処理と同様であるため、以下ではその概略のみを示し、詳細な説明を省略する。 [Details of sealing film forming process]
FIG. 26 is a flowchart illustrating an example of a sealing film forming process according to the seventh embodiment. The sealing film forming process according to the present embodiment is executed by, for example, the control unit 50 of the film forming apparatus 10 illustrated in FIG. In the flowchart shown in FIG. 26, the process denoted by the same reference numeral as in FIG. 15 or FIG. 17 is the same as the process described with reference to FIG. 15 or FIG. The detailed explanation is omitted.

まず、図１５に示したステップＳ３００からＳ３０５までの処理が実行される。即ち、制御部５０は、まず、第１の膜１０７および第２の膜１０８を交互に積層させる回数を示す定数ｎ0を受け付け、変数ｎを０に初期化する（Ｓ３００）。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、有機ＥＬ素子１０６が形成されたガラス基板Ｇが処理室４内に搬入される（Ｓ３０１）。そして、制御部５０は、処理室４内に第１のガス（例えばＮ２ガス）の供給を開始し（Ｓ３０２）、処理室４内を所定の圧力雰囲気（例えば０．５Ｐａ）に調整する（Ｓ３０３）。そして、制御部５０は、サセプタ２２および高周波アンテナ１３に高周波電力をそれぞれ印加することにより、処理室４内において第１のガスのプラズマを生成する（Ｓ３０４）。そして、制御部５０は、処理室４内に第２のガス（例えばＳｉＨ４ガス）の供給を開始する（Ｓ３０５）。 First, the processing from step S300 to S305 shown in FIG. 15 is executed. That is, the control unit 50 first receives a constant n 0 indicating the number of times the first film 107 and the second film 108 are alternately stacked, and initializes the variable n to 0 (S300). Then, the gate valve 27 is opened, and the glass substrate G on which the organic EL element 106 is formed is carried into the processing chamber 4 (S301). Then, the control unit 50 starts supplying the first gas (for example, N 2 gas) into the processing chamber 4 (S302), and adjusts the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere (for example, 0.5 Pa) (S303). ). And the control part 50 produces | generates the plasma of 1st gas in the process chamber 4 by applying high frequency electric power to the susceptor 22 and the high frequency antenna 13, respectively (S304). And the control part 50 starts supply of 2nd gas (for example, SiH4 gas) in the process chamber 4 (S305).

次に、制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ７の第１の膜１０７が有機ＥＬ素子１０６上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ３０６）。そして、制御部５０は、高周波電力の印加を停止し、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ６００）。   Next, the control unit 50 waits for a predetermined time until the first film 107 having a thickness d7 is stacked on the organic EL element 106 by deposition of the film forming species (S306). And the control part 50 stops the application of high frequency electric power, and stops supply of 1st gas and 2nd gas (S600).

次に、制御部５０は、図１７に示したステップＳ４００からＳ４０４の処理を実行する。即ち、制御部５０は、処理室４内を真空排気し（Ｓ４００）、処理室４内に第４のガス（例えばＨ２ガス）の供給を開始する（Ｓ４０１）。そして、制御部５０は、処理室４内を所定の圧力雰囲気に調整し（Ｓ４０２）、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波アンテナ１３に印加する。高周波アンテナ１３によって処理室４内に形成された誘導電界により、処理室４内において第４のガスのプラズマが生成され（Ｓ４０３）、第４のガスのプラズマに含まれる活性種により、第１の膜１０７の表面が改質される。そして、制御部５０は、高周波アンテナ１３への高周波電力の印加を停止し、第４のガスの供給を停止する（Ｓ４０４）。   Next, the control unit 50 executes the processing of steps S400 to S404 shown in FIG. That is, the control unit 50 evacuates the inside of the processing chamber 4 (S400), and starts supplying a fourth gas (for example, H2 gas) into the processing chamber 4 (S401). Then, the control unit 50 adjusts the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere (S402), and applies, for example, high frequency power of 13.56 MHz to the high frequency antenna 13. A plasma of the fourth gas is generated in the processing chamber 4 by the induction electric field formed in the processing chamber 4 by the high-frequency antenna 13 (S403), and the first active species contained in the plasma of the fourth gas generates the first gas. The surface of the film 107 is modified. And the control part 50 stops the application of the high frequency electric power to the high frequency antenna 13, and stops supply of 4th gas (S404).

次に、制御部５０は、処理室４内を真空排気する（Ｓ６０１）。そして、制御部５０は、処理室４内に第１のガス（例えばＮ２ガス）の供給を開始し（Ｓ６０２）、処理室４内を所定の圧力雰囲気（例えば０．５Ｐａ）に調整する（Ｓ６０３）。そして、制御部５０は、サセプタ２２および高周波アンテナ１３に高周波電力をそれぞれ印加することにより、処理室４内において第１のガスのプラズマを生成する（Ｓ６０４）。そして、制御部５０は、処理室４内に第２のガス（例えばＳｉＨ４ガス）および第３のガス（例えばＳｉＦ４ガス）の供給を開始する（Ｓ６０５）。   Next, the control unit 50 evacuates the inside of the processing chamber 4 (S601). Then, the controller 50 starts supplying the first gas (for example, N 2 gas) into the processing chamber 4 (S602), and adjusts the inside of the processing chamber 4 to a predetermined pressure atmosphere (for example, 0.5 Pa) (S603). ). And the control part 50 produces | generates the plasma of 1st gas in the process chamber 4 by applying high frequency electric power to the susceptor 22 and the high frequency antenna 13, respectively (S604). And the control part 50 starts supply of 2nd gas (for example, SiH4 gas) and 3rd gas (for example, SiF4 gas) in the process chamber 4 (S605).

次に、制御部５０は、成膜種の堆積により厚さｄ８の第２の膜１０８が第１の膜１０７上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ３０８）。そして、所定時間が経過した後に、制御部５０は、処理室４内への第３のガスの供給を停止し（Ｓ３０９）、変数ｎが定数ｎ0に達したか否かを判定する（Ｓ３１０）。変数ｎが定数ｎ0に達していない場合（Ｓ３１０：Ｎｏ）、制御部５０は、変数ｎを１増やし（Ｓ３１３）、再びステップＳ３０６に示した処理を実行する。 Next, the control unit 50 waits for a predetermined time until the second film 108 having a thickness d8 is stacked on the first film 107 by deposition of the film-forming species (S308). Then, after a predetermined time has elapsed, the control unit 50, the supply of the third gas into the processing chamber 4 is stopped (S309), the variable n is equal to or it has reached a constant n 0 (S310 ). When the variable n has not reached the constant n 0 (S310: No), the control unit 50 increases the variable n by 1 (S313), and executes the process shown in step S306 again.

一方、変数ｎが定数ｎ0に達した場合（Ｓ３１０：Ｙｅｓ）、制御部５０は、処理室４内に生成された第１のガスおよび第２のガスのプラズマによって厚さｄ９の第３の膜１０９が第２の膜１０８上に積層されるまで所定時間待機する（Ｓ３１１）。所定時間が経過した後、制御部５０は、高周波電力の印加を停止し、第１のガスおよび第２のガスの供給を停止する（Ｓ３１２）。そして、制御部５０は、再びステップＳ４００からＳ４０４に示した処理を実行する。そして、ゲートバルブ２７が開けられ、開口部２７ａを介して発光モジュール１００が処理室４から搬出され、本フローチャートに示した封止膜形成工程が終了する。 On the other hand, when the variable n reaches the constant n 0 (S310: Yes), the control unit 50 performs the third d9 with the thickness d9 by the plasma of the first gas and the second gas generated in the processing chamber 4. It waits for a predetermined time until the film 109 is laminated on the second film 108 (S311). After the predetermined time has elapsed, the controller 50 stops the application of the high frequency power and stops the supply of the first gas and the second gas (S312). And the control part 50 performs the process shown to step S400 to S404 again. Then, the gate valve 27 is opened, and the light emitting module 100 is unloaded from the processing chamber 4 through the opening 27a, and the sealing film forming process shown in this flowchart is completed.

以上、第７の実施形態について説明した。本実施形態の成膜装置１０は、第１の膜１０７が積層される都度、第１の膜１０７の表面に水素プラズマによる処理を行う。さらに、本実施形態の成膜装置１０は、第３の膜１０９の表面にも水素プラズマによる処理を行う。これにより、本実施形態の成膜装置１０は、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互に複数回積層された封止膜１０５において、封止膜１０５全体のＷＶＴＲをさらに低くすることができる。   The seventh embodiment has been described above. In the film forming apparatus 10 of this embodiment, each time the first film 107 is stacked, the surface of the first film 107 is treated with hydrogen plasma. Furthermore, the film forming apparatus 10 according to the present embodiment also performs treatment with hydrogen plasma on the surface of the third film 109. As a result, the film forming apparatus 10 of the present embodiment includes the sealing film 105 in which the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which fluorine is not added are alternately stacked a plurality of times. Further, the WVTR of the entire sealing film 105 can be further reduced.

なお、それぞれの第１の膜１０７および第３の膜１０９に対して行われる水素プラズマによる処理は、第１の膜１０７および第３の膜１０９が大気に暴露させることなく行われることが好ましい。しかし、第１の膜１０７および第３の膜１０９が大気に暴露されてもよい。この場合であっても、第１の膜１０７および第３の膜１０９に対して水素プラズマによる処理が行われれば、該第１の膜１０７および該第３の膜１０９のＷＶＴＲを、水素プラズマによる処理が行われていないＳｉＮ膜のＷＶＴＲよりも低くすることができる。これにより、封止膜１０５全体のＷＶＴＲを低くすることができる。また、本実施形態では、全ての第１の膜１０７に対して水素プラズマによる処理が行われるが、封止膜１０５全体として所望のＷＶＴＲが達成可能であれば、必ずしも全ての第１の膜１０７に対して水素プラズマによる処理が行われなくてもよい。   Note that the treatment with hydrogen plasma performed on each of the first film 107 and the third film 109 is preferably performed without exposing the first film 107 and the third film 109 to the atmosphere. However, the first film 107 and the third film 109 may be exposed to the atmosphere. Even in this case, if the first film 107 and the third film 109 are processed by hydrogen plasma, the WVTR of the first film 107 and the third film 109 is changed by hydrogen plasma. It can be made lower than the WVTR of the SiN film that has not been processed. Thereby, the WVTR of the entire sealing film 105 can be lowered. In the present embodiment, all the first films 107 are treated with hydrogen plasma. However, as long as a desired WVTR can be achieved for the entire sealing film 105, all the first films 107 are not necessarily processed. However, the treatment with hydrogen plasma may not be performed.

なお、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。   In addition, this invention is not limited to above-described embodiment, Many deformation | transformation are possible within the range of the summary.

例えば、上記した各実施形態において、窒素等を含有する第１のガスは、例えばＮ２ガスであるが、他の形態として、第１のガスは、ＮＨ３ガスであってもよい。   For example, in each of the embodiments described above, the first gas containing nitrogen or the like is, for example, N 2 gas, but as another form, the first gas may be NH 3 gas.

また、上記した各実施形態において、フッ素等を含有する第３のガスは、例えばＳｉＦ４ガスであるが、他の形態として、第３のガスは、ＳｉＨ３ＦガスやＳｉＨ２Ｆ２ガス等のＳｉＨｘＦ４−ｘ（ｘは１から３までの整数）ガスであってもよい。   In each of the above-described embodiments, the third gas containing fluorine or the like is, for example, SiF4 gas. However, as another form, the third gas is SiHxF4-x (x such as SiH3F gas or SiH2F2 gas). May be an integer from 1 to 3) gas.

また、上記した各実施形態において、第３のガスは、フッ素等を含有するガスであるが、ハロゲン元素を含有するガスであれば、第３のガスは、フッ素に代えてフッ素以外のハロゲン元素を含有するガスであってもよい。ハロゲン元素を含有する第３のガスとしては、例えば、ＳｉＣｌ４ガス、ＳｉＨｘＣｌ４−ｘ（ｘは１から３までの整数）ガス、またはＳｉＨｘＦｙＣｌｚ（ｘ、ｙ、およびｚはｘ＋ｙ＋ｚ＝４を満たす自然数）ガス等が考えられる。また、塩素含有ガスを添加することによっても、同様に、ＮＨ・・・ＮＨ間の水素結合よりも結合力の強いＮＨ４+・・・Ｃｌ-の水素結合を形成することができる。 In each of the embodiments described above, the third gas is a gas containing fluorine or the like. However, if the gas contains a halogen element, the third gas is a halogen element other than fluorine instead of fluorine. It may be a gas containing Examples of the third gas containing a halogen element include SiCl4 gas, SiHxCl4-x (x is an integer from 1 to 3) gas, or SiHxFyClz (x, y, and z are natural numbers satisfying x + y + z = 4) gas. Etc. are considered. Similarly, by adding a chlorine-containing gas, a hydrogen bond of NH 4 + ... Cl − having a stronger binding force than a hydrogen bond between NH.

また、上記した各実施形態では、第３のガスとしてＳｉＦ４ガスを用いたが、他の形態として、窒素よりも電気的負性の強い官能基を含有するガスを、第３のガスとして用いてもよい。電気的負性の強い官能基には電子が付着しやすい。また、電気的負性の強い官能基は、電気陰性度が強いＦやＣｌと同様に、プラズマ中でガスから分解・分離後および膜中においても電気的に陰性を保つことで水素結合を形成しやすい。窒素よりも電気的負性の強い官能基としては、例えば、カルボニル基やカルボキシレート基等が考えられる。カルボニル基：−Ｃ（＝Ｏ）−、または、カルボキシレート基：（Ｒ）−ＣＯＯＨなどの官能基を持ったガスを添加すると、ＳｉＮ膜中にこれら官能基が混入し、同様にＮＨ・・・ＮＨ間の水素結合よりも強いＮＨ・・・Ｏ＝Ｃの水素結合や、ＮＨ４+ＲＣＯＯ-などの水素結合が形成され、ＳｉＮ粒子の間の水素結合が強化される。これにより、ＳｉＮ膜中のＳｉＮ粒子間の結び付きが強くなり、ＳｉＮ膜の膜密度がさらに高くなる。 Moreover, in each above-mentioned embodiment, although SiF4 gas was used as 3rd gas, as another form, the gas containing a functional group stronger in electrical negative than nitrogen is used as 3rd gas. Also good. Electrons tend to adhere to functional groups with strong electrical negatives. In addition, functional groups with strong electronegativeity, like F and Cl with strong electronegativity, form hydrogen bonds by being electrically negative after being decomposed and separated from gas in the plasma and in the membrane. It's easy to do. Examples of the functional group having a stronger electrical negativeness than nitrogen include a carbonyl group and a carboxylate group. When a gas having a functional group such as a carbonyl group: —C (═O) — or a carboxylate group: (R) —COOH is added, these functional groups are mixed into the SiN film. hydrogen bonds and a strong NH · · · O = C than hydrogen bonds between NH, NH4 + RCOO - hydrogen bonds, such as are formed, the hydrogen bond between the SiN particles is enhanced. Thereby, the connection between the SiN particles in the SiN film is strengthened, and the film density of the SiN film is further increased.

また、上記した第２から第７の実施形態では、フッ素が添加された第２の膜１０８と、有機ＥＬ素子１０６との間に、フッ素が添加されていない第１の膜１０７が設けられたが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、第２の膜１０８中のフッ素の濃度が低い場合には、第２の膜１０８と有機ＥＬ素子１０６との間に、第１の膜１０７が設けられなくてもよい。特に、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づく程、フッ素の濃度が高くなるように、フッ素の濃度勾配が設けられている場合には、第２の膜１０８の上下の面におけるフッ素の濃度は０の近い値となる。そのため、フッ素の濃度勾配が設けられた第２の膜１０８を用いる場合、有機ＥＬ素子１０６上に第２の膜１０８を積層しても、第２の膜１０８に含まれるフッ素が有機ＥＬ素子１０６に与えるダメージは少ないと考えられる。   In the second to seventh embodiments described above, the first film 107 not added with fluorine is provided between the second film 108 added with fluorine and the organic EL element 106. However, the disclosed technique is not limited to this. For example, as another form, when the concentration of fluorine in the second film 108 is low, the first film 107 may not be provided between the second film 108 and the organic EL element 106. . In particular, in the case where a fluorine concentration gradient is provided so that the concentration of fluorine increases toward the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108, the second film The fluorine concentration on the upper and lower surfaces of 108 is close to zero. Therefore, in the case where the second film 108 provided with a fluorine concentration gradient is used, even if the second film 108 is stacked over the organic EL element 106, the fluorine contained in the second film 108 remains in the organic EL element 106. It is considered that there is little damage to.

また、上記した第３の実施形態における第２の膜１０８では、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心付近に、フッ素の濃度が略一定の第２層１０８ｂが設けられたが、他の形態として、第２の膜１０８には第２層１０８ｂは設けられなくてもよい。この場合、第２の膜１０８には、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づく程フッ素の濃度が高くなる第１層１０８ａおよび第３層１０８ｃが含まれる。第１層１０８ａおよび第３層１０８ｃは、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づくに従って、フッ素の濃度が０から所定濃度まで増加する。ここで、所定濃度とは、フッ素が例えば４〜６ａｔｏｍ％（好ましくは５ａｔｏｍ％）となる濃度である。   In the second film 108 in the third embodiment described above, the second layer 108b having a substantially constant fluorine concentration is provided near the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. Although provided, as another form, the second layer 108 b is not necessarily provided in the second film 108. In this case, the second film 108 includes a first layer 108 a and a third layer 108 c in which the concentration of fluorine increases in the thickness direction of the second film 108 as it approaches the center of the second film 108. . In the first layer 108 a and the third layer 108 c, the fluorine concentration increases from 0 to a predetermined concentration as it approaches the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. Here, the predetermined concentration is a concentration at which fluorine becomes, for example, 4 to 6 atom% (preferably 5 atom%).

また、上記した第４の実施形態では、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互に積層され、フッ素が添加された第２の膜１０８には、添加されるフッ素の濃度勾配が設けられていないが、開示の技術はこれに限られない。例えば、フッ素が添加されたそれぞれの第２の膜１０８には、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づく程、フッ素の濃度が高くなるように、フッ素の濃度勾配が設けられてもよい。これにより、第４の実施形態において、第１の膜１０７と第２の膜１０８との境界、および、第２の膜１０８と第３の膜１０９との境界にかかるストレスを低減することができる。また、この場合、第７の実施形態に示したように、第１の膜１０７が積層される都度、第１の膜１０７の表面に水素プラズマによる処理が行われてもよい。   In the fourth embodiment described above, the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which fluorine is not added are alternately stacked, and the second film to which fluorine is added. 108 does not have a concentration gradient of added fluorine, but the disclosed technique is not limited thereto. For example, in each of the second films 108 to which fluorine is added, the concentration of fluorine increases in the thickness direction of the second film 108 so that the concentration of fluorine increases toward the center of the second film 108. A concentration gradient may be provided. Thereby, in the fourth embodiment, it is possible to reduce the stress applied to the boundary between the first film 107 and the second film 108 and the boundary between the second film 108 and the third film 109. . In this case, as shown in the seventh embodiment, the surface of the first film 107 may be treated with hydrogen plasma each time the first film 107 is stacked.

また、例えば図２７に示すように、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互にｎ0回積層された封止膜１０５において、ｎ0回のおよそ半分の回数で積層された第２の膜１０８のフッ素濃度が最大になるように、各第２の膜１０８のフッ素濃度を段階的に増加または減少させてもよい。具体的には、第１の膜１０７および第２の膜１０８の積層回数を示す定数ｎ0が偶数である場合、例えば、ｎ0／２＋１回目で積層された第２の膜１０８のフッ素濃度が最大になり、定数ｎ0が奇数である場合、例えば、（ｎ0＋１）／２回目で積層された第２の膜１０８のフッ素濃度が最大になるように、各第２の膜１０８のフッ素濃度を段階的に増加または減少させる。 For example, as shown in FIG. 27, in the sealing film 105 in which the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which fluorine is not added are alternately stacked n 0 times, as zero fluorine concentration of the second film 108 are stacked in the number of about half of maximized, may be a fluorine concentration of the second film 108 stepwise increased or decreased. Specifically, when the constant n 0 indicating the number of times the first film 107 and the second film 108 are stacked is an even number, for example, the fluorine concentration of the second film 108 stacked at the n 0/2 + 1th time is When the constant n 0 is an odd number and is an odd number, for example, the fluorine concentration of each second film 108 is maximized so that the fluorine concentration of the second film 108 stacked in the (n 0 +1) / 2 time is maximized. Increase or decrease the concentration step by step.

ここで、フッ素濃度が最大の第２の膜１０８がｎx回目に積層された第２の膜１０８である場合、１回目からｎx−１回目までには、第２の膜１０８がｎx−１回積層される。フッ素濃度が最大の第２の膜１０８のフッ素濃度をＸとした場合、１回目からｎx−１回目までに積層される第２の膜１０８のフッ素濃度は、フッ素濃度Ｘを（ｎx−１）＋１で等分した値を増加分として算出する。そして、１回目からｎx−１回目までの第２の膜１０８では、算出された増加分ずつフッ素濃度を段階的に増加させて積層させる。 Here, if the fluorine concentration is the second layer 108 where the second layer 108 of the maximum are stacked in n x time, the time of the first to n x -1-th, second layer 108 is n x -Laminated once. Assuming that the fluorine concentration of the second film 108 having the maximum fluorine concentration is X, the fluorine concentration of the second film 108 stacked from the first to n x −1 times is the fluorine concentration X ( nx − 1) The value equally divided by +1 is calculated as the increment. Then, in the second film 108 from the first time to n x −1 time, the fluorine concentration is increased stepwise by the calculated increment.

一方、ｎx＋１回目からｎ0回目までには、第２の膜１０８がｎ0−ｎx回積層される。フッ素濃度が最大の第２の膜１０８のフッ素濃度をＸとした場合、ｎx＋１回目からｎ0回目までに積層される第２の膜１０８のフッ素濃度は、フッ素濃度Ｘを（ｎ0−ｎx）＋１で等分した値をフッ素濃度の減少分として算出する。そして、ｎx＋１回目からｎ0回目までの第２の膜１０８では、算出された減少分ずつフッ素濃度を段階的に減少させて積層させる。 On the other hand, the second film 108 is laminated n 0 −n x times from the n x + 1th to the n 0th time. Assuming that the fluorine concentration of the second film 108 having the maximum fluorine concentration is X, the fluorine concentration of the second film 108 stacked from the n x + 1st to the n 0th times is the fluorine concentration X (n 0 − The value equally divided by (n x ) +1 is calculated as the decrease in fluorine concentration. Then, in the second film 108 from the n x + 1th time to the n 0th time, the fluorine concentration is decreased step by step by the calculated decrease amount.

図２７には、ｎ0＝７、ｎx＝４、Ｘ＝５ａｔｏｍ％の封止膜１０５が例示されている。図２７に例示した封止膜１０５では、ｎ＝１〜ｎxまでは、５／（（４−１）＋１）＝１．２５ａｔｏｍ％ずつフッ素濃度が増加している。また、図２７に例示した封止膜１０５では、ｎ＝ｎx〜ｎ0までは、５／（（７−４）＋１）＝１．２５ａｔｏｍ％ずつフッ素濃度が減少している。 FIG. 27 illustrates the sealing film 105 with n 0 = 7, n x = 4, and X = 5 atom%. In the sealing film 105 illustrated in FIG. 27, until n = 1 to n x is 5 / ((4-1) +1) = by 1.25Atom% fluorine concentration is increasing. In the sealing film 105 illustrated in FIG. 27, the fluorine concentration is decreased by 5 / ((7−4) +1) = 1.25 atom% from n = n x to n 0 .

このように、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互に積層された封止膜１０５において、封止膜１０５の厚さ方向において、封止膜１０５の中心に近い位置に積層される第２の膜１０８程、フッ素の濃度が段階的に高くなるように設定されることにより、封止膜１０５全体として膜ストレスをさらに軽減することができる。また、この場合、第７の実施形態に示したように、第１の膜１０７が積層される都度、第１の膜１０７の表面に水素プラズマによる処理が行われてもよい。   As described above, in the sealing film 105 in which the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which no fluorine is added are alternately stacked, in the thickness direction of the sealing film 105, The second film 108 laminated closer to the center of the sealing film 105 is set such that the fluorine concentration is increased stepwise, thereby further reducing the film stress as the entire sealing film 105. Can do. In this case, as shown in the seventh embodiment, the surface of the first film 107 may be treated with hydrogen plasma each time the first film 107 is stacked.

なお、図２７に例示した封止膜１０５において、各第２の膜１０８の厚さは同一であってもよく、フッ素濃度の値に応じて第２の膜１０８の厚さは異なってもよい。また、第１の膜１０７についても、各第２の膜１０８の厚さは同一であってもよく、隣接する第２の膜１０８のフッ素濃度の値に応じて異なってもよい。   In the sealing film 105 illustrated in FIG. 27, the thickness of each second film 108 may be the same, and the thickness of the second film 108 may be different depending on the value of the fluorine concentration. . In the first film 107, the thickness of each second film 108 may be the same, or may be different depending on the fluorine concentration value of the adjacent second film 108.

また、図２７に例示した封止膜１０５において、各第２の膜１０８には、厚さ方向においてフッ素濃度の勾配が設けられてもよい。この場合、各第２の膜１０８に設けられるフッ素濃度の勾配は、例えば図２８に示すように、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づくほど、濃度が高くなるように設定されてもよい。図２８に示した例では、第２の膜１０８の厚さ方向において、第１の膜１０７との境界から第２の膜１０８の中心付近へ向かって、第２の膜１０８中のフッ素濃度が０から所定濃度Ｄまで増加し、中心付近では所定濃度Ｄが維持される。ここで、所定濃度Ｄとは、対象となる第２の膜１０８について、ｎ0、ｎx、およびＸの値に応じて定まる濃度である。 In the sealing film 105 illustrated in FIG. 27, each second film 108 may be provided with a gradient of fluorine concentration in the thickness direction. In this case, for example, as shown in FIG. 28, the gradient of the fluorine concentration provided in each second film 108 is such that the concentration is closer to the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. It may be set to be higher. In the example shown in FIG. 28, the fluorine concentration in the second film 108 increases from the boundary with the first film 107 toward the vicinity of the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. It increases from 0 to a predetermined density D, and the predetermined density D is maintained near the center. Here, the predetermined concentration D is a concentration determined according to the values of n 0 , nx , and X for the target second film 108.

なお、例えば図２９に示すように、第２の膜１０８中のフッ素濃度は、第２の膜１０８の厚さ方向において、第１の膜１０７との境界から第２の膜１０８の中心付近へ向かって０から所定濃度Ｄまで増加し、その後、所定濃度Ｄが維持されることなく、所定濃度Ｄから０まで減少してもよい。   For example, as shown in FIG. 29, the fluorine concentration in the second film 108 is from the boundary with the first film 107 to the vicinity of the center of the second film 108 in the thickness direction of the second film 108. Alternatively, it may increase from 0 to a predetermined density D, and thereafter decrease from the predetermined density D to 0 without maintaining the predetermined density D.

このように、フッ素が添加された第２の膜１０８と、フッ素が添加されていない第１の膜１０７とが交互に積層された封止膜１０５において、各第２の膜１０８に、第２の膜１０８の厚さ方向において、第２の膜１０８の中心に近づくほどフッ素の濃度が高くなるように濃度の勾配を設けると共に、第１の膜１０７との境界付近では、第２の膜１０８中のフッ素濃度を０にする。これにより、各第２の膜１０８の中に、所定の濃度のフッ素を有する層を形成することができると共に、第１の膜１０７と第２の膜１０８との間に発生するストレスを低減することができる。   As described above, in the sealing film 105 in which the second film 108 to which fluorine is added and the first film 107 to which fluorine is not added are alternately stacked, the second film 108 includes a second film 108. In the thickness direction of the first film 108, a concentration gradient is provided so that the concentration of fluorine increases as it approaches the center of the second film 108, and in the vicinity of the boundary with the first film 107, the second film 108. The fluorine concentration in the inside is set to zero. Accordingly, a layer having a predetermined concentration of fluorine can be formed in each second film 108, and stress generated between the first film 107 and the second film 108 can be reduced. be able to.

また、上記した第５から第７の実施形態において、第４のガスは、Ｈ２ガスと、Ａｒ等の希ガスとが混合されたガスであってもよい。第４のガスに希ガスが含まれることにより、希ガスの原子やイオンによって、ＳｉＮ膜の表面が押し固められる。これにより、ＳｉＮ膜の表面の緻密性がさらに高まり、ＳｉＮ膜のＷＶＴＲがさらに低くなることが期待される。また、第４のガスに希ガスが含まれることにより、プラズマが立ちすくなり、プロセスの安定性が高まる。   In the fifth to seventh embodiments described above, the fourth gas may be a gas in which H2 gas and a rare gas such as Ar are mixed. By containing the rare gas in the fourth gas, the surface of the SiN film is pressed and solidified by the atoms and ions of the rare gas. Thereby, it is expected that the surface density of the SiN film is further increased and the WVTR of the SiN film is further decreased. In addition, when the fourth gas contains a rare gas, plasma is easily generated and process stability is improved.

また、上記した実施形態では、プラズマ源として誘導結合プラズマを利用したＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜を行う成膜装置１０を例に説明したが、プラズマを用いたＣＶＤ法により成膜を行う成膜装置１０であれば、プラズマ源は誘導結合プラズマに限られず、容量結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマなど、任意のプラズマ源が用いられてもよい。   In the embodiment described above, the film forming apparatus 10 that performs film formation by the CVD (Chemical Vapor Deposition) method using inductively coupled plasma as the plasma source has been described as an example. However, the film formation is performed by the CVD method using plasma. As long as the film forming apparatus 10 performs, the plasma source is not limited to inductively coupled plasma, and any plasma source such as capacitively coupled plasma, microwave plasma, and magnetron plasma may be used.

また、上記した実施形態では、有機ＥＬ素子１０６を封止する封止膜１０５の成膜方法について説明したが、封止膜１０５が封止する素子は、有機ＥＬ素子１０６に限られない。本発明は、有機ＥＬ素子１０６以外に、例えば、半導体素子や太陽電池素子などの素子を封止する膜の成膜方法に対しても適用することができる。   In the above-described embodiment, the method for forming the sealing film 105 that seals the organic EL element 106 has been described. However, the element that is sealed by the sealing film 105 is not limited to the organic EL element 106. In addition to the organic EL element 106, the present invention can also be applied to a film forming method for sealing a device such as a semiconductor element or a solar cell element.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者には明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be made to the above-described embodiment. In addition, it is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

Ｇ ガラス基板
１ 処理容器
１０２ 透明電極
１０５ 封止膜 G Glass substrate 1 Processing container 102 Transparent electrode 105 Sealing film

Claims (21)

基板上に形成されている素子を封止する封止膜の成膜方法であって、
シリコン含有ガスとハロゲン元素含有ガスとを含む第１の混合ガス、または、シリコン含有ガスと窒素よりも電気的負性が強い官能基を含有するガスとを含む第１の混合ガスを処理容器内に供給する第１の供給工程と、
前記処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された前記第１の混合ガスにより、前記素子を覆うように第１の封止膜を成膜する第１の成膜工程と、
ハロゲン元素含有ガスおよび窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスのいずれも含まず、シリコン含有ガスを含む第２の混合ガスを前記処理容器内に供給する第２の供給工程と、
前記処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された前記第２の混合ガスにより、前記第１の成膜工程において成膜された前記第１の封止膜を覆うように第２の封止膜を成膜する第２の成膜工程と、
水素ガスを前記処理容器内に供給する第３の供給工程と、
前記処理容器内で生成された水素ガスのプラズマにより、前記第２の成膜工程において成膜された前記第２の封止膜の表面をプラズマ処理する第１のプラズマ処理工程と
を含み、
前記ハロゲン元素含有ガスは、ＳｉＣｌ４ガス、ＳｉＨｘＣｌ４−ｘ（ｘは１から３までの整数）ガス、またはＳｉＨｘＦｙＣｌｚ（ｘ、ｙ、およびｚはｘ＋ｙ＋ｚ＝４を満たす自然数）ガスのいずれかであることを特徴とする成膜方法。 A method for forming a sealing film for sealing an element formed on a substrate,
A first mixed gas containing a silicon-containing gas and a halogen element-containing gas, or a first mixed gas containing a silicon-containing gas and a gas containing a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen is contained in the processing container. A first supply step of supplying to
A first film forming step of forming a first sealing film so as to cover the element by the first mixed gas activated by the plasma generated in the processing container;
A second supply step of supplying a second mixed gas containing a silicon-containing gas into the processing container, which does not include any of a halogen element-containing gas and a gas having a functional group that is more electrically negative than nitrogen;
Second sealing is performed so as to cover the first sealing film formed in the first film-forming step by the second mixed gas activated by the plasma generated in the processing container. A second film forming step for forming a film;
A third supply step of supplying hydrogen gas into the processing container;
The plasma of the hydrogen gas generated in the processing chamber, looking contains a first plasma treatment step of plasma processing the film-formed the surface of the second sealing film in the second film forming step,
The halogen element-containing gas is any one of SiCl4 gas, SiHxCl4-x (x is an integer from 1 to 3) gas, or SiHxFyClz (x, y, and z are natural numbers satisfying x + y + z = 4) gas. A characteristic film forming method. 前記第２の成膜工程と前記第３の供給工程との間に、前記処理容器内のガスを排気する排気工程をさらに含み、
前記第２の封止膜の表面は、前記第２の成膜工程の後に大気に暴露されることなく、前記第１のプラズマ処理工程において、水素ガスのプラズマによりプラズマ処理されることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。 An exhaust process for exhausting the gas in the processing container between the second film formation process and the third supply process;
The surface of the second sealing film is plasma-treated with hydrogen gas plasma in the first plasma processing step without being exposed to the atmosphere after the second film-forming step. The film forming method according to claim 1. 前記第３の供給工程では、水素ガスと希ガスとを含む第３の混合ガスが前記処理容器内に供給され、
前記第１のプラズマ処理工程では、前記処理容器内で生成された前記第３の混合ガスのプラズマにより、前記第２の封止膜の表面がプラズマ処理されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜方法。 In the third supply step, a third mixed gas containing hydrogen gas and a rare gas is supplied into the processing container,
The surface of the second sealing film is plasma-treated by the plasma of the third mixed gas generated in the processing vessel in the first plasma processing step. 2. The film forming method according to 2. 前記第１の混合ガスには、窒素含有ガス、シリコン含有ガス、およびフッ素含有ガスが含まれることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 1, wherein the first mixed gas includes a nitrogen-containing gas, a silicon-containing gas, and a fluorine-containing gas. 前記第１の混合ガスにおいて、前記シリコン含有ガスの流量に対する前記窒素含有ガスの流量の比は、０．８〜１．１の範囲内であり、
前記シリコン含有ガスの流量に対する前記フッ素含有ガスの流量の比は、０．１〜０．４の範囲であることを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。 In the first mixed gas, a ratio of a flow rate of the nitrogen-containing gas to a flow rate of the silicon-containing gas is in a range of 0.8 to 1.1,
The film forming method according to claim 4, wherein a ratio of a flow rate of the fluorine-containing gas to a flow rate of the silicon-containing gas is in a range of 0.1 to 0.4. 前記窒素含有ガスは、Ｎ２ガスまたはＮＨ３ガスであり、
前記シリコン含有ガスは、ＳｉＨ４ガスであり、
前記フッ素含有ガスは、ＳｉＦ４ガスまたはＳｉＨｘＦ４−ｘ（ｘは１から３までの整数）ガスであることを特徴とする請求項４または５に記載の成膜方法。 The nitrogen-containing gas is N2 gas or NH3 gas,
The silicon-containing gas is SiH4 gas,
6. The film forming method according to claim 4, wherein the fluorine-containing gas is SiF4 gas or SiHxF4-x (x is an integer from 1 to 3) gas. 前記第１の混合ガスには、前記ハロゲン元素含有ガスとしてフッ素含有ガスが含まれ、前記第１の封止膜中のフッ素の濃度は、１０ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の成膜方法。 The first mixed gas includes a fluorine-containing gas as the halogen element-containing gas, and the concentration of fluorine in the first sealing film is 10 atom% or less. the film deposition method according to any one of 6. 前記第１の混合ガスには、前記ハロゲン元素含有ガスとして塩素含有ガスが含まれ、前記第１の封止膜中の塩素の濃度は、１０ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の成膜方法。 2. The first mixed gas includes a chlorine-containing gas as the halogen element-containing gas, and a concentration of chlorine in the first sealing film is 10 atom% or less. the film deposition method according to any one of 3. 前記第２の封止膜の厚さは、前記第１の封止膜の厚さの２〜４倍の範囲内であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の成膜方法。 The thickness of the second sealing film according to any one of claims 1 to 8, characterized in that in the range of 2-4 times the thickness of the first sealing film Film forming method. 前記第１の混合ガスには、シリコン含有ガス、ハロゲン元素含有ガス、および窒素含有ガス、または、シリコンおよびハロゲン元素含有ガスならびに窒素含有ガスが含まれ、
前記第２の混合ガスには、シリコン含有ガスおよび窒素含有ガスが含まれることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の成膜方法。 The first mixed gas includes a silicon-containing gas, a halogen element-containing gas, and a nitrogen-containing gas, or a silicon and halogen element-containing gas and a nitrogen-containing gas,
Wherein the second mixed gas, the film forming method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that includes a silicon-containing gas and nitrogen containing gas. 前記第１の混合ガスには、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４ガス、およびＮ２ガス、または、ＳｉＨｘＦ４−ｘガスおよびＮＨ３ガスが含まれ、
前記第２の混合ガスには、ＳｉＨ４ガスおよびＮ２ガスが含まれることを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。 The first mixed gas includes SiH4 gas, SiF4 gas, and N2 gas, or SiHxF4-x gas and NH3 gas,
Wherein the second mixed gas, film forming method according to claim 1 0, characterized in that includes SiH4 gas and N2 gas. 前記第２の混合ガスを前記処理容器内に供給する第４の供給工程と、
前記第１の成膜工程が行われる前に、前記処理容器内で生成されたプラズマにより活性化された前記第２の混合ガスにより、前記素子を覆うように第３の封止膜を成膜する第４の成膜工程と
をさらに含み、
前記第１の供給工程は、前記第４の成膜工程が行われた後に実行され、
前記第１の成膜工程では、
プラズマにより活性化された前記第１の混合ガスにより、前記第４の成膜工程において成膜された前記第３の封止膜を覆うように前記第１の封止膜が成膜されることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の成膜方法。 A fourth supply step of supplying the second mixed gas into the processing container;
Before the first film forming step is performed, a third sealing film is formed so as to cover the element with the second mixed gas activated by the plasma generated in the processing container. And a fourth film forming step.
The first supply step is performed after the fourth film forming step is performed,
In the first film formation step,
The first sealing film is formed by the first mixed gas activated by plasma so as to cover the third sealing film formed in the fourth film forming step. the film deposition method according to any one of claims 1 1 1, wherein the. 前記第３の封止膜の厚さは、前記第１の封止膜の厚さの０．５〜１．５倍の範囲内であることを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。 The thickness of the third sealing film deposition according to claim 1 2, characterized in that in the range of 0.5 to 1.5 times the thickness of the first sealing film Method. 前記第４の成膜工程と前記第１の供給工程との間には、
水素ガスを前記処理容器内に供給する第５の供給工程と、
前記処理容器内で生成された水素ガスのプラズマにより、前記第４の成膜工程において成膜された前記第３の封止膜の表面をプラズマ処理する第２のプラズマ処理工程と
が含まれることを特徴とする請求項１２または１３に記載の成膜方法。 Between the fourth film formation step and the first supply step,
A fifth supply step of supplying hydrogen gas into the processing container;
A second plasma processing step of plasma-treating the surface of the third sealing film formed in the fourth film-forming step with plasma of hydrogen gas generated in the processing container. the film forming method according to claim 1 2 or 1 3, characterized in. 前記第１の供給工程および前記第１の成膜工程を第１の工程とし、前記第２の供給工程および前記第２の成膜工程を第２の工程とし、前記第３の供給工程および前記第１のプラズマ処理工程を第３の工程とし、前記第４の供給工程および前記第４の成膜工程を第４の工程とし、前記第５の供給工程および前記第２のプラズマ処理工程を第５の工程とした場合、前記第１の工程と、前記第４の工程と、前記第５の工程とは、前記第２の工程および前記第３の工程が行われる前に、前記第４の工程、前記第５の工程、および前記第１の工程の順に複数回繰り返されることを特徴とする請求項１４に記載の成膜方法。 The first supply step and the first film formation step are defined as a first step, the second supply step and the second film formation step are defined as a second step, and the third supply step and the The first plasma treatment step is the third step, the fourth supply step and the fourth film formation step are the fourth step, and the fifth supply step and the second plasma treatment step are the second step. In the case of the fifth step, the first step, the fourth step, and the fifth step are the same as the fourth step before the second step and the third step are performed. step, the fifth step, and the film forming method according to claim 1 4, characterized in that it is repeated several times in the order of the first step. 前記第１の供給工程では、
前記第１の混合ガスにおける、ハロゲン元素含有ガスまたは窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスの割合を、０から所定割合まで増加させ、その後に前記所定割合から０まで減少させることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の成膜方法。 In the first supply step,
In the first mixed gas, the ratio of the halogen element-containing gas or the gas having a functional group having a stronger electrical negative property than nitrogen is increased from 0 to a predetermined ratio, and then decreased from the predetermined ratio to 0. the film deposition method according to any one of claims 1 1 to 5, characterized in. 前記第１の供給工程では、前記ハロゲン元素含有ガスとしてフッ素含有ガスが用いられ、前記所定割合は、前記第１の封止膜中のフッ素の濃度の最大値が４〜６ａｔｏｍ％の範囲内の値となるように、前記第１の混合ガスにおける、ハロゲン元素含有ガスまたは窒素よりも電気的負性の強い官能基を有するガスの割合が調整されることを特徴とする請求項１６に記載の成膜方法。 In the first supply step, a fluorine-containing gas is used as the halogen element-containing gas, and the predetermined ratio is such that the maximum value of the concentration of fluorine in the first sealing film is in the range of 4 to 6 atom%. to a value, according to claim 1 6, characterized in that in the first gas mixture, the proportion of gas having a strong functional group having an electrically negative than halogen-containing gas or nitrogen is adjusted The film forming method. 前記官能基は、カルボニル基またはカルボキシレート基であることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の成膜方法。 The functional group, film forming method according to any one of claims 1 1 7, characterized in that the carbonyl group or a carboxylate group. 前記カルボニル基は、−Ｃ（＝Ｏ）−で表される官能基であり、
前記カルボキシレート基は、（Ｒ）−ＣＯＯＨで表される官能基であることを特徴とする請求項１８に記載の成膜方法。 The carbonyl group is a functional group represented by -C (= O)-,
The film forming method according to claim 18 , wherein the carboxylate group is a functional group represented by (R) —COOH. 前記第１の成膜工程における前記基板の温度は、１０〜７０℃の範囲内の温度であることを特徴とする請求項１から１９のいずれか一項に記載の成膜方法。 The temperature of the substrate in the first film-forming step, the film forming method according to any one of claims 1 to 19, characterized in that a temperature in the range of 10 to 70 ° C.. 処理容器と、
前記処理容器内に前記第１の混合ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内において前記第１の混合ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
請求項１から２０のいずれか一項に記載の成膜方法を実行する制御部と
を備えることを特徴とする成膜装置。 A processing vessel;
A gas supply unit for supplying the first mixed gas into the processing container;
A plasma generating section for generating plasma of the first mixed gas in the processing container;
Film forming apparatus characterized in that it comprises a control unit for executing the film forming method according to any one of claims 1 2 0.
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