JP6218414B2 - Resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

Resist composition and method for producing resist pattern Download PDF

Info

Publication number
JP6218414B2
JP6218414B2 JP2013075875A JP2013075875A JP6218414B2 JP 6218414 B2 JP6218414 B2 JP 6218414B2 JP 2013075875 A JP2013075875 A JP 2013075875A JP 2013075875 A JP2013075875 A JP 2013075875A JP 6218414 B2 JP6218414 B2 JP 6218414B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
formula
carbon atoms
hydrocarbon group
represented
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013075875A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013235252A (en
Inventor
市川 幸司
幸司 市川
崇裕 安江
崇裕 安江
真吾 藤田
真吾 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2013075875A priority Critical patent/JP6218414B2/en
Publication of JP2013235252A publication Critical patent/JP2013235252A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6218414B2 publication Critical patent/JP6218414B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。   The present invention relates to a resist composition, a method for producing a resist pattern using the resist composition, and the like.

特許文献1には、樹脂と、酸発生剤と、2,6−ジイソプロピルアニリンからなるクエンチャーと、溶剤とからなるレジスト組成物が記載されている。   Patent Document 1 describes a resist composition comprising a resin, an acid generator, a quencher composed of 2,6-diisopropylaniline, and a solvent.

特開2006−257078号公報JP 2006-257078 A

従来のレジスト組成物は、レジストパターン製造時のCD均一性(CDU)が必ずしも十分に満足できない場合があった。   Conventional resist compositions may not always have sufficient CD uniformity (CDU) during the production of resist patterns.

本発明は、以下の発明を含む。
[1](A)酸不安定基を有する樹脂、
(B1)式(II)で表される酸発生剤及び
(D)式(I)で表される化合物を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、
D1及びRD2は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアシル基、炭素数2〜7のアシルオキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
m’及びn’は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、m’が2以上の場合、複数のRD1は同一又は互いに相異なり、n’が2以上の場合、複数のRD2は同一又は互いに相異なる。]
[式(II)中、
II1及びRII2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
II1は、単結合、炭素数1〜6のアルカンジイル基、炭素数4〜8の2価の脂環式炭化水素基、−(CH−CO−O−*又は−(CH−CO−O−CH−(CH−*を表し、アルカンジイル基及び−(CH−に含まれるメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。tは、1〜12の整数を表す。uは、0〜12の整数を表す。*は、YII1との結合手を表す。
II1は、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
II3、RII4、RII5、RII6及びRII7は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基又は炭素数2〜12のアシルオキシ基を表す。
スルホニウムカチオンを含む環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
rは、1〜3の整数を表す。
II8は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。
sは、0〜3の整数を表し、sが2以上の場合、複数のRII8は同一又は相異なる。]
[2]さらに式(III)で表される酸発生剤を含む[1]記載のレジスト組成物。
[式(III)中、
III1及びRIII2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
III1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
III1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
[3]式(II)のLII1が、単結合またはメチレン基である[1]又は[2]記載のレジスト組成物。
[4]式(III)のZが、トリアリールスルホニウムカチオンである[1]〜[3]のいずれか記載のレジスト組成物。
[5]さらに溶剤を含有する[1]〜[4]のいずれか記載のレジスト組成物。
[6](1)[1]〜[5]のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。
The present invention includes the following inventions.
[1] (A) a resin having an acid labile group,
(B1) A resist composition containing an acid generator represented by formula (II) and (D) a compound represented by formula (I).
[In the formula (I),
R D1 and R D2 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 7 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, or a carbon number Represents 2 to 7 alkoxycarbonyl groups, nitro groups or halogen atoms.
m ′ and n ′ each independently represents an integer of 0 to 4. When m ′ is 2 or more, a plurality of R D1 are the same or different from each other, and when n ′ is 2 or more, a plurality of R D2 Are the same or different from each other. ]
[In the formula (II),
R II1 and R II2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L II1 is a single bond, an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 8 carbon atoms, — (CH 2 ) t —CO—O— * or — (CH 2 ) T —CO—O—CH 2 — (CH 2 ) u — *, and the methylene group contained in the alkanediyl group and — (CH 2 ) u — may be replaced by an oxygen atom. t represents an integer of 1 to 12. u represents an integer of 0 to 12. * Represents a bond with YII1 .
Y II1 represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group is an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group. It may be replaced with.
R II3, R II4, R II5 , R II6 and R II7 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, having 2 to 7 carbon atoms An alkoxycarbonyloxy group or an acyloxy group having 2 to 12 carbon atoms is represented.
The methylene group contained in the ring containing the sulfonium cation may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
r represents an integer of 1 to 3.
R II8 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
s represents an integer of 0 to 3, and when s is 2 or more, the plurality of R II8 are the same or different. ]
[2] The resist composition according to [1], further comprising an acid generator represented by the formula (III).
[In the formula (III),
R III1 and R III2 are each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
L III1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by a fluorine atom or a hydroxy group, The methylene group contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Y III1 represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an optionally substituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, and the alkyl group and The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Z + represents an organic cation. ]
[3] The resist composition according to [1] or [2], wherein L II1 in formula (II) is a single bond or a methylene group.
[4] The resist composition according to any one of [1] to [3], wherein Z + in formula (III) is a triarylsulfonium cation.
[5] The resist composition according to any one of [1] to [4], further containing a solvent.
[6] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [5] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

本発明のレジスト組成物によれば、優れたCD均一性(CDU)で、レジストパターンを製造することができる。   According to the resist composition of the present invention, a resist pattern can be produced with excellent CD uniformity (CDU).

本明細書では、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 In this specification, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having the structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " To do. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
(A)酸不安定基を有する樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)、
(B1)式(II)で表される酸発生剤(以下「酸発生剤(II)」という場合がある)及び
(D)式(I)で表される化合物(以下「化合物(I)」という場合がある)を含有する。
本発明のレジスト組成物は、さらに、式(III)で表される酸発生剤(以下「酸発生剤(III)」という場合がある)及び/又は溶剤(E)を含有していることが好ましい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
(A) a resin having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”),
(B1) an acid generator represented by formula (II) (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (II)”) and (D) a compound represented by formula (I) (hereinafter “compound (I)”) In some cases).
The resist composition of the present invention may further contain an acid generator represented by formula (III) (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (III)”) and / or a solvent (E). preferable.

〈樹脂(A)〉
樹脂(A)は、酸不安定基を有する樹脂である。酸不安定基を有する樹脂は、酸不安定基を有するモノマー(以下「酸不安定モノマー(a1)」という場合がある)の1種又は2種以上から導かれる。また、樹脂(A)は、上述した酸不安定基を備える限り、後述する酸安定モノマーに由来する構造単位、当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等を含んでいてもよい。
<Resin (A)>
The resin (A) is a resin having an acid labile group. The resin having an acid labile group is derived from one or more monomers having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile monomer (a1)”). Moreover, as long as the resin (A) has the acid labile group described above, the resin (A) may contain a structural unit derived from an acid-stable monomer described later, a structural unit derived from a monomer known in the art, and the like.

〈酸不安定基を有するモノマー(a1)〉
酸不安定基を有するモノマー(a1)は、少なくとも酸不安定基を有するモノマーである。酸不安定基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基などが挙げられる。
<Monomer (a1) having acid labile group>
The monomer (a1) having an acid labile group is a monomer having at least an acid labile group. Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

[式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
[式(2)中、Ra1'及びRa2'は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3'は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2'及びRa3'は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる−CH−は、−O―又は―S−で置き換わってもよい。]
In Expression (1), R a1 ~R a3 each independently represent a cycloaliphatic hydrocarbon radical of the alkyl group or 3 to 20 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms, R a1 and R a2 are each Bonding to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-. ]

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて20以下である。
単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。
アルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
式(1)においては、Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。
Examples of the alkyl group represented by R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group.
Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and the following groups (* represents a bond).
Examples of the alicyclic hydrocarbon group substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.
In Formula (1), the alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、例えば、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。*は−O−との結合手を表す。
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. * Represents a bond with -O-.

式(1)で表される酸不安定基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。 Examples of the acid labile group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), groups in which R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert-butoxycarbonyl). Group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane) -1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1'〜Ra3'の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
a2'及びRa3'が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、2価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
式(2)においては、Ra1'及びRa2'のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
式(2)で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。
Examples of the hydrocarbon group for R a1 ′ to R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include a divalent aliphatic hydrocarbon group.
In Formula (2), it is preferable that at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.

酸不安定モノマー(a1)は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The acid labile monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー(a1)を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If a resin obtained by polymerizing an acid labile monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist pattern can be improved.

酸不安定基と脂環式炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーとして、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位を誘導するモノマー又は式(a1−2)で表される構造単位を誘導するモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   The (meth) acrylic monomer having an acid labile group and an alicyclic hydrocarbon group is preferably a monomer for deriving a structural unit represented by formula (a1-1) or represented by formula (a1-2). And a monomer that induces a structural unit. These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2) are represented by the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), respectively. The monomer that derives the structural unit (a1-1) and the monomer that derives the structural unit (a1-2) may be referred to as a monomer (a1-1) and a monomer (a1-2), respectively.

[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて10以下である。具体的には、式(1)のRa1〜Ra3の脂環式炭化水素基と同様の基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group for R a6 and R a7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group. The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group for R a6 and R a7 may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. . In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 10 or less including the carbon number of the alkyl group. Specific examples include the same groups as the alicyclic hydrocarbon groups represented by R a1 to R a3 in the formula (1).
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー(a1−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers respectively represented by formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) are preferred, and monomers represented by formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) are preferred. More preferred.

モノマー(a1−2)としては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)、式(a1−2−4)、式(a1−2−9)、及び式(a1−2−10)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)及び式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Examples of the monomer (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth). Examples include acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate. Monomers respectively represented by formula (a1-2-1) to formula (a1-2-12) are preferred, and are represented by formula (a1-2-3), formula (a1-2-4), and formula (a1-2-2). 9) and monomers represented by formula (a1-2-10) are more preferred, and monomers represented by formula (a1-2-3) and formula (a1-2-9) are more preferred.

樹脂(A)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When the resin (A) contains the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), the total content thereof is usually 10 to 95 mol with respect to all the structural units of the resin (A). %, Preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol%.

他の酸不安定モノマー(a1)としては、例えば、酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
〜Lは、酸素原子、硫黄原子又は−O−(CH2k1−CO−O−で表される基を表す。ここで、k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手である。
は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
s1及びs1’は、それぞれ独立して、0〜4の整数を表す。
As another acid labile monomer (a1), for example, a monomer represented by formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (hereinafter referred to as “monomer (a1-5)”) May be used).
In formula (a1-5),
R 31 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
L 1 to L 3 represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—. Here, k1 represents an integer of 1 to 7, and * is a bond with a carbonyl group (—CO—).
Z 1 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the methylene group contained in the alkanediyl group may be replaced with an oxy group or a carbonyl group.
s1 and s1 ′ each independently represents an integer of 0 to 4.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
は、酸素原子が好ましい。
及びLは、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であると好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
は、単結合又は−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 1 is preferably an oxygen atom.
One of L 2 and L 3 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z 1 is preferably a single bond or —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、以下のモノマーが挙げられる。
Examples of the monomer (a1-5) include the following monomers.

樹脂(A)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜50モル%の範囲が好ましく、3〜45モル%の範囲がより好ましく、5〜40モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content thereof is preferably in the range of 1 to 50 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). The range of 45 mol% is more preferable, and the range of 5 to 40 mol% is more preferable.

〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という場合がある)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という場合がある)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
<Acid stable monomer>
As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Acid-stable monomer having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or acid-stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid-stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit derived from (sometimes) is used, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV light, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a phenolic hydroxy which is a hydroxystyrene. An acid-stable monomer having a group is used. When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1). use. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。
Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a2−1−1)〜式(a2−1−6)で表されるモノマーが好ましく、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)で表されるモノマーがより好ましく、式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers represented by formula (a2-1-1) to formula (a2-1-6) are preferred, and monomers represented by formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4) are more preferred. The monomer represented by formula (a2-1-1) or formula (a2-1-3) is more preferable.

樹脂(A)が式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常3〜45モル%であり、好ましくは5〜40モル%であり、より好ましくは3〜35モル%であり、さらに好ましくは3〜20モル%である。   When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 3 to 45 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). , Preferably it is 5-40 mol%, More preferably, it is 3-35 mol%, More preferably, it is 3-20 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1が2以上のとき、複数のRa21は同一又は相異なり、q1が2以上のとき、複数のRa22は同一又は相異なり、r1が2以上のとき、複数のRa23は、同一又は相異なる。
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1 is 2 or more, a plurality of R a21 are the same or different, when q1 is 2 or more, a plurality of R a22 are the same or different, and when r1 is 2 or more, a plurality of R a23 are the same or different Different.

a21〜Ra23のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group represented by R a21 to R a23 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, and a sec-butyl group.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are preferably each independently —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, More preferably, it is -O-. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a3−1−1)〜式(a3−1−4)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)、式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−2−3)、式(a3−2−4)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. Formula (a3-1-1) to Formula (a3-1-4), Formula (a3-2-1) to Formula (a3-2-4), Formula (a3-3-1) to Formula (a3-3) -4) is preferable, and each of the monomers represented by formula (a3-1-1), formula (a3-1-2), formula (a3-2-3), and formula (a3-2-4) The monomer represented by Formula (a3-1-1) or Formula (a3-2-3) is more preferable.

樹脂(A)がラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。   When the resin (A) includes a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring, the content is usually 5 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A), Preferably it is 10-65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%.

樹脂(A)は、酸不安定モノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。
アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に、式(a1−1)で表される構造単位)の含有率は、好ましくは酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位の合計量に対して15モル%以上である。アダマンチル基を有する構造単位の比率が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。
When the resin (A) is a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer, the structural unit derived from the acid labile monomer (a1) is based on 100 mol% of all structural units. Preferably it is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-60 mol%.
The content of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the structural unit represented by the formula (a1-1)) is preferably relative to the total amount of structural units derived from the acid labile monomer (a1). 15 mol% or more. When the ratio of the structural unit having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A)は、好ましくは、酸不安定モノマー(a1)と、酸安定モノマーとの共重合体である。この共重合体において、モノマー(a1)は、より好ましくは式(a1−1)で表される構造単位を誘導するモノマー及び式(a1−2)で表される構造単位を誘導するモノマー(好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該モノマー)の少なくとも1種、さらに好ましくは式(a1−1)で表される構造単位を誘導するモノマーである。また、酸安定モノマーは、好ましくは、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)である。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。   The resin (A) is preferably a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer. In this copolymer, the monomer (a1) is more preferably a monomer that induces a structural unit represented by the formula (a1-1) and a monomer that induces a structural unit represented by the formula (a1-2) (preferably Is a monomer for deriving at least one of cyclohexyl group and cyclopentyl group), more preferably a structural unit represented by the formula (a1-1). The acid stable monomer is preferably an acid stable monomer (a2) having a hydroxy group and / or an acid stable monomer (a3) having a lactone ring. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, and the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is more preferably a γ-butyrolactone ring. The acid-stable monomer (a3-1) and the acid-stable monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring.

樹脂(A)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
Each structural unit constituting the resin (A) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, and further preferably 15,000 or less).

本発明のレジスト組成物の樹脂としては、上述した樹脂(A)以外の樹脂、例えば、上述した酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位を含有せず、酸安定モノマーに由来する構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂等が含有されていてもよい。
本発明のレジスト組成物においては、樹脂の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中80質量%以上99質量%以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
As the resin of the resist composition of the present invention, a resin other than the resin (A) described above, for example, a structural unit derived from an acid stable monomer without containing a structural unit derived from the acid labile monomer (a1) described above. In addition, a resin composed of a structural unit derived from a known monomer used in the field may be contained.
In the resist composition of the present invention, the resin content is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later. The solid content in the composition and the resin content relative thereto can be measured, for example, by a known analytical means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈酸発生剤(II)〉
酸発生剤(II)は、式(II)で表される塩を含む。
[式(II)中、
II1及びRII2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
II1は、単結合、炭素数1〜6のアルカンジイル基、炭素数4〜8の2価の脂環式炭化水素基、−(CH−CO−O−*又は−(CH−CO−O−CH−(CH−*を表し、アルカンジイル基及び−(CH−に含まれるメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。tは、1〜12の整数を表す。uは、0〜12の整数を表す。*は、YII1との結合手を表す。
II1は、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
II3、RII4、RII5、RII6及びRII7は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基又は炭素数2〜12のアシルオキシ基を表す。
スルホニウムカチオンを含む環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
rは、1〜3の整数を表す。
II8は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。
sは、0〜3の整数を表し、sが2以上の場合、複数のRII8は同一又は相異なる。]
式(II)において、正電荷を有する側を「有機カチオン」と、負電荷を有する側を「スルホン酸アニオン」と、それぞれ称することがある。
<Acid generator (II)>
The acid generator (II) includes a salt represented by the formula (II).
[In the formula (II),
R II1 and R II2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L II1 is a single bond, an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 8 carbon atoms, — (CH 2 ) t —CO—O— * or — (CH 2 ) T —CO—O—CH 2 — (CH 2 ) u — *, and the methylene group contained in the alkanediyl group and — (CH 2 ) u — may be replaced by an oxygen atom. t represents an integer of 1 to 12. u represents an integer of 0 to 12. * Represents a bond with YII1 .
Y II1 represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group is an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group. It may be replaced with.
R II3, R II4, R II5 , R II6 and R II7 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, having 2 to 7 carbon atoms An alkoxycarbonyloxy group or an acyloxy group having 2 to 12 carbon atoms is represented.
The methylene group contained in the ring containing the sulfonium cation may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
r represents an integer of 1 to 3.
R II8 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
s represents an integer of 0 to 3, and when s is 2 or more, the plurality of R II8 are the same or different. ]
In the formula (II), a side having a positive charge may be referred to as an “organic cation”, and a side having a negative charge may be referred to as a “sulfonate anion”.

II1及びRII2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
式(II)においては、RII1及びRII2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、ともにフッ素原子がより好ましい。
Examples of the perfluoroalkyl group of R II1 and R II2 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, and a perfluoropentyl group. And a perfluorohexyl group.
In the formula (II), R II1 and R II2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, and more preferably a fluorine atom.

II1のアルカンジイル基としては、直鎖状アルカンジイル基又は分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
直鎖状アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基等が挙げられる。
分岐状アルカンジイル基としては、直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有した分岐状アルカンジイル基、例えば、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等が挙げられる。
アルカンジイル基に含まれるメチレン基が酸素原子に置き換わった基としては、−CH−O−、−CH−CH−O−、−CH−CH−CH−O−、−CH−CH−O−CH−などが挙げられ、中でも、−CH−CH−O−が好ましい。
Examples of the alkanediyl group of L II1 include a linear alkanediyl group or a branched alkanediyl group.
Examples of linear alkanediyl groups include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group. And hexane-1,6-diyl group.
Examples of the branched alkanediyl group include a linear alkanediyl group, an alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, and a sec-butyl group). A branched alkanediyl group having a side chain such as butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1, 2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group and the like can be mentioned.
The group a methylene group contained in the alkanediyl group is replaced with an oxygen atom, -CH 2 -O -, - CH 2 -CH 2 -O -, - CH 2 -CH 2 -CH 2 -O -, - CH 2 -CH 2 -O-CH 2 - is like, among others, -CH 2 -CH 2 -O- are preferred.

II1の2価の脂環式炭化水素基としては、シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,2−ジイル基、1−メチルシクロヘキサン−1,2−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,2−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基等が挙げられる。 Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group represented by L II1 include cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, 1-methylcyclohexane-1, Examples include cycloalkanediyl groups such as 2-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,2-diyl group, and cyclooctane-1,5-diyl group.

II1の−(CH−CO−O−*としては、−CH−CO−O−*、−(CH−CO−O−*、−(CH−CO−O−*、−(CH−CO−O−*、−(CH−CO−O−*及び−(CH−CO−O−*などが挙げられ、中でも、−CH−CO−O−*、−(CH−CO−O−*が好ましい。 Of L II1 - (CH 2) a t -CO-O- * is, -CH 2 -CO-O - * , - (CH 2) 2 -CO-O - *, - (CH 2) 3 -CO- O— *, — (CH 2 ) 4 —CO—O— *, — (CH 2 ) 6 —CO—O— *, — (CH 2 ) 8 —CO—O— *, etc. CH 2 —CO—O— * and — (CH 2 ) 2 —CO—O— * are preferred.

II1の−(CH−CO−O−CH−(CH−*としては、−CH−CO−O−CH−*、−CH−CO−O−CH−CH−*、−CH−CO−O−CH−(CH−*、−CH−CO−O−CH−CH−O−*、−CH−CO−O−CH−CH−O−CH−*などが挙げられる。
なかでも、LII1は単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基が好ましく、単結合またはメチレン基がより好ましい。
Of L II1 - (CH 2) t -CO-O-CH 2 - (CH 2) u - The *, -CH 2 -CO-O- CH 2 - *, - CH 2 -CO-O-CH 2 -CH 2 - *, - CH 2 -CO-O-CH 2 - (CH 2) 2 - *, - CH 2 -CO-O-CH 2 -CH 2 -O - *, - CH 2 -CO-O -CH 2 -CH 2 -O-CH 2 - * , and the like.
Among these, LII1 is preferably a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably a single bond or a methylene group.

II1の脂環式炭化水素基としては、例えば、以下の式(Y1)〜式(Y11)で表される単環式又は多環式のシクロアルキル基が挙げられる。また、環原子としてのみ炭素原子を有するシクロアルキル基に留まらず、環原子の炭素原子に炭素数1〜12のアルキル基が結合してなる基、例えば、以下の式(Y27)〜式(Y29)で表される基もシクロアルキル基とする。脂環式炭化水素基としては、好ましく、炭素数3〜12のシクロアルキル基である。
この脂環式炭化水素基に置換されていてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子(但し、フッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Ri1で表される基(式中、Ri1は、炭素数1〜16の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基もしくは炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)等が挙げられる。
また、YII1の脂環式炭化水素基が有する置換基である炭素数6〜18の芳香族炭化水素基及び炭素数7〜21のアラルキル基は、さらに、例えば、炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y II1 include monocyclic or polycyclic cycloalkyl groups represented by the following formulas (Y1) to (Y11). In addition to cycloalkyl groups having carbon atoms only as ring atoms, groups in which an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is bonded to carbon atoms of the ring atoms, for example, the following formulas (Y27) to (Y29): ) Is also a cycloalkyl group. The alicyclic hydrocarbon group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms.
Examples of the substituent that may be substituted with this alicyclic hydrocarbon group include, for example, a halogen atom (excluding a fluorine atom), a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and a 6 to 18 carbon atoms. An aromatic hydrocarbon group, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, a glycidyloxy group or a group represented by — (CH 2 ) j2 —O—CO—R i1 (wherein R i1 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, j2 being 0 to 4 Represents an integer).
In addition, the aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms and the aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, which are substituents of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y II1 , further include, for example, an alkyl having 1 to 8 carbon atoms. It may be substituted with a group, a halogen atom or a hydroxy group.

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p−メチルフェニル基、p−エチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−シクロへキシルフェニル基、p−メトキシフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
As the alkoxy group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentoxy group, n-hexoxy group, heptoxy group, octoxy group , 2-ethylhexoxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, p-methylphenyl group, p-ethylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-cyclohexylphenyl group, p-methoxyphenyl group, p- Examples include an adamantylphenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a mesityl group, a biphenyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a 2,6-diethylphenyl group, and an aryl group such as 2-methyl-6-ethylphenyl.
Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, trityl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group and the like.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.

i1の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などのアルキル基が挙げられる。
i1の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。
i1の芳香族炭化水素基としては、上記と同様のものが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group for R i1 include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group for R i1 may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group and methylnorbornyl group, and groups shown below.
Examples of the aromatic hydrocarbon group for R i1 are the same as those described above.

II1の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子、スルホニル基(−SO−)又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基(脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基)、環状ケトン基(脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基)、スルトン環基(脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基)及びラクトン環基(脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基)等、例えば、以下の式(Y12)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。 Examples of the group in which the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group of Y II1 is replaced by an oxygen atom, a sulfonyl group (—SO 2 —) or a carbonyl group include, for example, a cyclic ether group (included in the alicyclic hydrocarbon group). A group in which one or two of the methylene groups are replaced by oxygen atoms), a cyclic ketone group (a group in which one or two of the methylene groups contained in the alicyclic hydrocarbon group are replaced by carbonyl groups), a sultone ring group ( Of the methylene groups contained in the alicyclic hydrocarbon group, two adjacent methylene groups are groups in which the oxygen atom and the sulfonyl group are replaced, respectively, and the lactone ring group (the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group). Among these, groups represented by the following formulas (Y12) to (Y26) include, for example, groups in which two adjacent methylene groups are each replaced by an oxygen atom and a carbonyl group. That.

上記式中、*はLII1との結合手を表す。
II1としては、なかでも、式(Y1)〜式(Y19)、式(Y27)〜式(Y29)のいずれかで表される基が好ましく、式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)、式(Y19)、式(Y27)、式(Y28)又は式(Y29)で表される基がより好ましく、式(Y11)又は式(Y14)で表される基がさらに好ましい。
In the above formula, * represents a bond with L II1 .
Y II1 is preferably a group represented by any one of formula (Y1) to formula (Y19), formula (Y27) to formula (Y29), and is represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y Y15), a formula (Y19), a formula (Y27), a formula (Y28) or a group represented by formula (Y29) is more preferred, and a group represented by formula (Y11) or formula (Y14) is more preferred.

ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having a hydroxy group include the following.

炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms include the following.

−(CH2j2−O−CO−Ri1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having a group represented by — (CH 2 ) j2 —O—CO—R i1 include the following.

II1としては、置換基を有していてもよいアダマンチル基がさらにより好ましく、アダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基がさらに好ましい。 Y II1 is more preferably an adamantyl group which may have a substituent, and further preferably an adamantyl group or a hydroxyadamantyl group.

スルホン酸アニオンとしては、以下の式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)のいずれかで表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。また、Ri2は、YII1で表される脂環式炭化水素基の環原子の炭素原子に結合してなる基であり、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ri3は、YII1で表される脂環式炭化水素基に結合する芳香族炭化水素基の置換基であり、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。 Examples of the sulfonate anion include sulfonate anions represented by any of the following formulas (b1-1-1) to (b1-1-9). R i2 is a group formed by bonding to a carbon atom of the ring atom of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y II1 , preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methyl group. R i3 is a substituent of the aromatic hydrocarbon group bonded to the alicyclic hydrocarbon group represented by Y II1 , preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methyl group.

スルホン酸アニオンとしては、LII1が単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基であり、YII1が無置換の飽和環状炭化水素基であるものが好ましい。このようなスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
As the sulfonate anion, one in which L II1 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms and Y II1 is an unsubstituted saturated cyclic hydrocarbon group is preferable. Examples of such sulfonate anions include the following.

スルホン酸アニオンのなかでも、以下に示すスルホン酸アニオンが好ましい。
Of the sulfonate anions, the following sulfonate anions are preferred.

II3〜RII7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
II3〜RII7のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
II3〜RII7のアルコキシカルボニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
II3〜RII7のアシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。
II8のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group of R II3 to R II7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.
Examples of the alkoxy group of R II3 to R II7 include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
Examples of the alkoxycarbonyloxy group of R II3 to R II7 include a methoxycarbonyloxy group and a t-butoxycarbonyloxy group.
Examples of the acyloxy group for R II3 to R II7 include an acetyloxy group and a benzyloxy group.
Examples of the alkyl group of R II8 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.

スルホニウムカチオンを含む環に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of those in which the methylene group contained in the ring containing the sulfonium cation is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include the following.

式(II)における有機カチオンとしては、例えば、以下のカチオン等が挙げられる。
Examples of the organic cation in the formula (II) include the following cations.

式(II)で表される塩としては、例えば、下記表に記載のスルホン酸アニオンと有機カチオンとの組み合わせからなる塩が挙げられる。   Examples of the salt represented by the formula (II) include a salt composed of a combination of a sulfonate anion and an organic cation described in the following table.

なかでも以下に示す塩が好ましい。
Of these, the salts shown below are preferred.



式(II)で表される塩は、例えば、式(II−a)で表される塩と式(II−b)で表される塩とを溶剤中で反応させることにより製造することができる。
(式中、RII1、RII2、RII3、RII4、RII5、RII6、RII7、RII8、LII1、s、r及びYII1は、それぞれ前記と同義である。)
溶剤としては、クロロホルム等が挙げられる。
式(II−b)で表される塩は、例えば特開2008−209917号公報に記載された方法によって製造することができる。
The salt represented by the formula (II) can be produced, for example, by reacting the salt represented by the formula (II-a) with the salt represented by the formula (II-b) in a solvent. .
(Wherein, R II1, R II2, R II3, R II4, R II5, R II6, R II7, R II8, L II1, s, r and Y II1 are as defined above, respectively.)
Examples of the solvent include chloroform.
The salt represented by the formula (II-b) can be produced, for example, by the method described in JP2008-209917A.

式(II−a)で表される塩は、式(II−c)で表される塩と式(II−d)で表される化合物とを触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
(式中、RII3、RII4、RII5、RII6、RII7、RII8、s及びrは、それぞれ前記と同義である。)
触媒としては、安息香酸銅(II)等が挙げられる。
溶剤としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。
式(II−c)で表される塩としては、ジフェニルヨードニウム ベンゼンスルホネート等が挙げられる。
式(II−d)で表される化合物としては、ペンタメチレンスルフィド、1,4−チオキサン、テトラヒドロチオフェン等が挙げられる。
The salt represented by the formula (II-a) is produced by reacting the salt represented by the formula (II-c) with the compound represented by the formula (II-d) in a solvent in the presence of a catalyst. can do.
(Wherein, R II3, R II4, R II5, R II6, R II7, R II8, s and r are as defined above, respectively.)
Examples of the catalyst include copper (II) benzoate.
Examples of the solvent include monochlorobenzene.
Examples of the salt represented by the formula (II-c) include diphenyliodonium benzenesulfonate.
Examples of the compound represented by the formula (II-d) include pentamethylene sulfide, 1,4-thioxan, and tetrahydrothiophene.

また、別法として、式(II)で表される塩は、例えば、式(II−a’)で表される塩と式(II−b’)で表される化合物とを触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
(式中、RII1、RII2、RII3、RII4、RII5、RII6、RII7、RII8、LII1、s、r及びYII1は、それぞれ前記と同義である。)
触媒としては、二安息香酸銅(II)等が挙げられる。
溶剤としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。
式(II−b’)で表される化合物としては、ペンタメチレンスルフィド、1,4−チオキサン、テトラヒドロチオフェン等が挙げられる。
As another method, for example, the salt represented by the formula (II) includes, for example, a salt represented by the formula (II-a ′) and a compound represented by the formula (II-b ′) in the presence of a catalyst. It can manufacture by making it react in a solvent.
(Wherein, R II1, R II2, R II3, R II4, R II5, R II6, R II7, R II8, L II1, s, r and Y II1 are as defined above, respectively.)
Examples of the catalyst include copper (II) dibenzoate.
Examples of the solvent include monochlorobenzene.
Examples of the compound represented by the formula (II-b ′) include pentamethylene sulfide, 1,4-thioxan, tetrahydrothiophene and the like.

式(II−a’)で表される塩としては、式(II−c’)で表される塩と式(II−d’)で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
(式中、RII1、RII2、RII3、RII4、RII5、RII6、RII7、LII1及びYII1は、それぞれ前記と同義である。)
溶剤としては、クロロホルム、水等が挙げられる。
式(II−c’)で表される塩としては、ジフェニルヨードニウムクロライド等が挙げられる。
式(II−d’)で表される塩は、例えば特開2008−209917号公報に記載された方法によって製造することができる。
As a salt represented by the formula (II-a ′), a salt represented by the formula (II-c ′) and a salt represented by the formula (II-d ′) are reacted in a solvent. Can be manufactured.
(Wherein, R II1, R II2, R II3, R II4, R II5, R II6, R II7, L II1 and Y II1 are as defined above, respectively.)
Examples of the solvent include chloroform and water.
Examples of the salt represented by the formula (II-c ′) include diphenyliodonium chloride.
The salt represented by the formula (II-d ′) can be produced, for example, by the method described in JP2008-209917A.

〈酸発生剤(III)〉
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤(II)に加えて、酸発生剤(III)をさらに含有していてもよい。
酸発生剤(III)は、式(III)で表される塩を含む。
[式(III)中、
III1及びRIII2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
III1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
III1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
<Acid generator (III)>
The resist composition of the present invention may further contain an acid generator (III) in addition to the acid generator (II).
The acid generator (III) includes a salt represented by the formula (III).
[In the formula (III),
R III1 and R III2 are each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
L III1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by a fluorine atom or a hydroxy group, The methylene group contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Y III1 represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an optionally substituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, and the alkyl group and The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Z + represents an organic cation. ]

III1及びRIII2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式(III)では、RIII1及びRIII2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
The perfluoroalkyl group R III1 and R III2, for example, a trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, a perfluoro sec- butyl group, perfluoro-tert- butyl group, perfluoropentyl group And perfluorohexyl group.
In formula (III), R III1 and R III2 are each independently preferably an fluorine atom or a trifluoromethyl group, more preferably a fluorine atom.

III1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチルブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,2−ジイル基、1−メチルシクロヘキサン−1,2−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,2−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−2,3−ジイル基、ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group of L III1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon group, and these A combination of two or more of the groups may be used.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group); For example, 1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4 A branched alkanediyl group such as a diyl group or 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, 1-methylcyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclo A monocyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon group which is a cycloalkanediyl group such as an octane-1,2-diyl group or a cyclooctane-1,5-diyl group;
A polycyclic group such as norbornane-2,3-diyl group, norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. A bivalent alicyclic saturated hydrocarbon group etc. are mentioned.

III1の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−7)が挙げられる。なお、式(b1−1)〜式(b1−7)は、その左右を式(III)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側でC(RIII1)(RIII2)−と結合し、右側で−YIII1と結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−7)の具体例も同様である。 Examples of the group in which the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group of L III1 is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include formula (b1-1) to formula (b1-7). In addition, Formula (b1-1)-Formula (b1-7) have described the right and left according to Formula (III), and among two bonds represented by *, C (R III1) (R III2) - bound to, binds -Y III1 right. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-7).

式(b1−1)〜式(b1−7)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。
b5は、単結合又は炭素数1〜14の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b6は、炭素数1〜15の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb5及びLb6の合計炭素数の上限は15である。
b7は、単結合又は炭素数1〜15の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b8は、炭素数1〜15の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb7及びLb8の合計炭素数の上限は16である。
b9は、単結合又は炭素数1〜13の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b10は、炭素数1〜14の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は14である。
b11及びLb12は、単結合又は炭素数1〜11の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b13は、炭素数1〜12の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb11、Lb12及びLb13の合計炭素数の上限は12である。
b14及びLb15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜13の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b16は、炭素数1〜14の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb14、Lb15及びLb16の合計炭素数の上限は14である。
中でも、LIII1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれか、より好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)で表される2価の基であり、より好ましくは、Lb2が単結合又は−CH−である式(b1−1)で表される2価の基である。
In formula (b1-1) to formula (b1-7),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b6 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b5 and L b6 is 15.
L b7 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b8 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b7 and L b8 is 16.
L b9 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b10 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b9 and L b10 is 14.
L b11 and L b12 each represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
L b13 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 , L b12 and L b13 is 12.
L b14 and L b15 each independently represent a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b16 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b14 , L b15 and L b16 is 14.
Among them, L III1 is preferably a divalent group represented by any one of formula (b1-1) to formula (b1-4), more preferably represented by formula (b1-1) or formula (b1-2). And more preferably a divalent group represented by the formula (b1-1) wherein L b2 is a single bond or —CH 2 —.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.

式(b1−7)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Examples of the divalent group represented by the formula (b1-7) include the following.

III1の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子が、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換された場合の具体例は例えば、以下のものが挙げられる。


Specific examples when the hydrogen atom contained in the aliphatic saturated hydrocarbon group of L III1 is substituted with a fluorine atom or a hydroxy group include the following.


III1のアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜6のアルキル基が挙げられる。
III1の脂環式炭化水素基としては、上述した式(Y1)〜式(Y11)で表される基及び式(Y27)〜式(Y29)で表される基が挙げられる。
これらアルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す)などが挙げられる。
III1の置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。
The alkyl group for Y III1 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y III1 include the groups represented by the formulas (Y1) to (Y11) and the groups represented by the formulas (Y27) to (Y29).
Examples of the substituent for these alkyl group and alicyclic hydrocarbon group include a halogen atom, a hydroxy group, an oxo group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxy group-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and a carbon number. An alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, Glycidyloxy group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or the number of carbon atoms) Represents an aromatic hydrocarbon group of 6 to 18. j2 represents an integer of 0 to 4).
The alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, aralkyl group and the like, which are the substituent of Y III1 , may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxy group, and an oxo group.

ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。   Examples of the hydroxy group-containing alkyl group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.

III1の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル構造(−CH−が−O−で置き換わった基)、オキソ基を有する脂環式炭化水素基(−CH−が−CO−で置き換わった基)、スルトン環基(隣り合う2つの−CH−が、それぞれ、−O−又は−SO−で置き換わった基)又はラクトン環基(隣り合う2つの−CH−が、それぞれ、−O−又は−CO−で置き換わった基)等が挙げられる。 Examples of the group in which the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group of Y III1 is replaced by an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group include a cyclic ether structure (a group in which —CH 2 — is replaced by —O—), An alicyclic hydrocarbon group having an oxo group (a group in which —CH 2 — is replaced by —CO—) and a sultone ring group (two adjacent —CH 2 — are each represented by —O— or —SO 2 —, respectively. A substituted group) or a lactone ring group (a group in which two adjacent —CH 2 — are replaced by —O— or —CO—, respectively).

特に、YIII1の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、上述した式(Y12)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。
なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。
In particular, examples of the group in which the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group of Y III1 is replaced by an oxygen atom, a sulfonyl group, or a carbonyl group include the groups represented by the above formulas (Y12) to (Y26). It is done.
Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15) or formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

III1としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y III1 include the following.

III1は、好ましくは置換基(例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、オキソアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基である。 Y III1 is preferably an adamantyl group which may have a substituent (for example, a hydroxy group, an oxo group, etc.), more preferably an adamantyl group, an oxoadamantyl group or a hydroxyadamantyl group.

式(III)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(III1−1−1)〜式(III1−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。
式(III)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
The sulfonate anion in the salt represented by the formula (III) is preferably an anion represented by the formula (III1-1-1) to the formula (III1-1-9). In the following formulae, the definition of the substituent has the same meaning as described above, and the substituents R b2 and R b3 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group).
Specific examples of the sulfonate anion in the salt represented by the formula (III) include anions described in JP 2010-204646 A.

酸発生剤(III)に含まれる有機カチオンZ+は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。 Examples of the organic cation Z + contained in the acid generator (III) include organic onium cations, such as organic sulfonium cations, organic iodonium cations, organic ammonium cations, benzothiazolium cations, and organic phosphonium cations. Among these, an organic sulfonium cation and an organic iodonium cation are preferable, and an arylsulfonium cation is more preferable.

さらに好ましくは、例えば、式(Z1)〜式(Z4)で表されるカチオン等が挙げられる。
More preferably, for example, cations represented by the formulas (Z1) to (Z4) may be used.

式(Z1)〜式(Z4)中、
〜Pは、それぞれ独立に、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表すか、PとPとは、一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
In formula (Z1) to formula (Z4),
Do P a to P c each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms? , P a and P b may together form a ring containing a sulfur atom. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group is a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be a halogen atom, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or It may be substituted with an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.

及びPは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
及びPは、それぞれ独立に、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜36の脂環式炭化水素基を表すか、P及びPが一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成する。
は、水素原子、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
及びPが一緒になってそれらが結合する−CH−CO−を含む環を形成してもよい
P 4 and P 5 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
P 6 and P 7 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or P 6 and P 7 taken together Forms a ring containing a sulfur atom to which.
P 8 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
P 9 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group is an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or 1 carbon atom. It may be substituted with ˜12 alkylcarbonyloxy groups.
P 8 and P 9 together may form a ring containing —CH—CO— to which they are attached.

10〜P15は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
Eは、−S−又は−O−を表す。
i、j、p、r、x及びyは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
qは0又は1を表す。
v及びwは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
iが2以上のとき、複数のPは互いに同一又は相異なり、jが2以上のとき、複数のPは互いに同一又は相異なり、pが2以上のとき、複数のP10は互いに同一又は相異なり、rが2以上のとき、複数のP11は互いに同一又は相異なり、vが2以上のとき、複数のP12は互いに同一又は相異なり、wが2以上のとき、複数のP13は互いに同一又は相異なり、xが2以上のとき、複数のP14は互いに同一又は相異なり、yが2以上のとき、複数のP15は互いに同一又は相異なる。
P < 10 > -P < 15 > represents a hydroxyl group, a C1-C12 aliphatic hydrocarbon group, or a C1-C12 alkoxy group each independently.
E represents -S- or -O-.
i, j, p, r, x and y each independently represents an integer of 0 to 5;
q represents 0 or 1;
v and w each independently represent an integer of 0 to 4.
When i is 2 or more, the plurality of P 4 are the same or different from each other. When j is 2 or more, the plurality of P 5 are the same or different from each other. When p is 2 or more, the plurality of P 10 are the same. Or, when r is 2 or more, a plurality of P 11 are the same or different from each other, when v is 2 or more, a plurality of P 12 are the same or different from each other, and when w is 2 or more, a plurality of P 11 13 are the same or different from each other. When x is 2 or more, the plurality of P 14 are the same or different from each other, and when y is 2 or more, the plurality of P 15 are the same or different from each other.

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、例えば、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。*は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。
水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基及び炭素数3〜18の脂環式炭化水素基が好ましい。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. Is mentioned.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alicyclic hydrocarbon group include a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group include an aralkyl group, and specifically include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. Groups and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, and dimethylcyclohexane. Examples thereof include a cycloalkyl group such as a hexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, a methylnorbornyl group, and the following groups. * Represents a bond with an adamantane ring or a cyclohexane ring.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aliphatic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a methylnorbornyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, and a methyl group. A norbornyl group, an isobornyl group, etc. are mentioned.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
When the aromatic hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group or an alicyclic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and the alicyclic hydrocarbon having 3 to 18 carbon atoms Groups are preferred.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、4−メトキシフェニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
As an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, an n-hexoxy group, a heptoxy group, an octoxy group , 2-ethylhexoxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
As an aromatic hydrocarbon group by which the hydrogen atom was substituted by the alkoxy group, 4-methoxyphenyl group etc. are mentioned, for example.
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

とPとが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子、つまり、−O−、−S−、−CO−を含んでいてもよい。この環は、3員環〜18員環が挙げられ、好ましくは3員環〜12員環又は4〜18員環である。
及びPが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子、つまり、−O−、−S−、−CO−を含んでいてもよい。この環は、3員環〜12員環が挙げられ、好ましくは3員環〜7員環である。
及びPが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、−CH−CO−を含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子、つまり、−O−、−S−、−CO−を含んでいてもよい。この環は、3員環〜12員環が挙げられ、好ましくは3員環〜7員環である。
Examples of the ring and the P a and P b together form a monocyclic, polycyclic, aromatic or non-aromatic, it may be any of the rings of the saturated and unsaturated, sulfur atom In addition, one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms, that is, —O—, —S—, or —CO— may be further included. This ring includes a 3-membered ring to a 18-membered ring, preferably a 3-membered ring to a 12-membered ring or a 4- to 18-membered ring.
The ring formed by combining P 6 and P 7 may be any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated rings, and a sulfur atom If it contains one or more, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms, that is, —O—, —S—, or —CO—. This ring includes a 3-membered ring to a 12-membered ring, preferably a 3-membered ring to a 7-membered ring.
The ring formed by combining P 8 and P 9 may be any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated, and —CH— As long as it contains CO-, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms, that is, -O-, -S-, -CO-. This ring includes a 3-membered ring to a 12-membered ring, preferably a 3-membered ring to a 7-membered ring.

及びPが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環及び1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
及びPが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which P 6 and P 7 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium ring. Etc.
Examples of the ring formed with —CH—CO— to which P 8 and P 9 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

式(Z1)〜式(Z4)で表されるカチオンの中でも、式(Z1)が好ましく、式(Z5)で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、z1=z2=z3=0)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、z1=z2=0、z3=1であり、Pがメチル基である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、z1=z2=z3=1であり、P、P及びPがいずれもメチル基である。)がさらに好ましい。 Among the cations represented by the formulas (Z1) to (Z4), the formula (Z1) is preferable, the cation represented by the formula (Z5) is more preferable, and the triphenylsulfonium cation (in the formula (Z5), z1 = z2 = z3 = 0), in diphenyl tolyl sulfonium cation (formula (Z5), a z1 = z2 = 0, z3 = 1, P 3 is a methyl group.) or tri tolyl sulfonium cation (formula (Z5) in Z1 = z2 = z3 = 1 and P 1 , P 2 and P 3 are all methyl groups.

式(Z5)中、
〜Pは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表すか、P〜Pから選ばれる2つが一緒になってヘテロ原子を有してもよい環を形成してもよい。
z1、z2及びz3は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。z1が2以上のとき、複数のPは、互いに同一又は相異なり、z2が2以上のとき、複数のPは、互いに同一又は相異なり、z3が2以上のとき、複数のPは、互いに同一又は相異なる。
In formula (Z5),
P 1 to P 3 are each independently a halogen atom, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. Or two selected from P 1 to P 3 may be combined to form a ring that may have a hetero atom.
z1, z2 and z3 each independently represents an integer of 0 to 5. When z1 is 2 or more, a plurality of P 1 are the same or different from each other, when z2 is 2 or more, P 2 are the same or different from each other, when z3 is 2 or more, a plurality of P 3 is Are the same or different from each other.

〜Pから選ばれる2つが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。
〜Pの脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜19である。
なかでも、P〜Pは、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表すか、P〜Pから選ばれる2つが一緒になって−O−を表し、硫黄原子を含む環を形成することが好ましい。z1〜z3は、それぞれ独立に、好ましくは0又は1である。
The ring formed by combining two selected from P 1 to P 3 may be any of monocyclic, polycyclic, aromatic and non-aromatic rings. As long as it contains the above, it may contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms.
The P 1 to P 3 aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 12 carbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon group preferably has 4 to 19 carbon atoms.
Among them, each of P 1 to P 3 independently represents a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or P 1 two selected from to P 3 is represent together -O-, it is preferable to form a ring containing a sulfur atom. z1 to z3 are preferably each independently 0 or 1.

式(Z1)又は式(Z5)で表されるカチオンとしては、以下のものが挙げられる。
Examples of the cation represented by the formula (Z1) or the formula (Z5) include the following.

式(Z5)で表されるカチオンのうち、硫黄原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。
The following are mentioned as a specific example of the cation in which the ring containing a sulfur atom was formed among the cations represented by a formula (Z5).

式(Z1)で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation represented by the formula (Z1) include the following.

式(Z2)で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation represented by the formula (Z2) include the following.

式(Z3)で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation represented by the formula (Z3) include the following.

式(Z4)で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation represented by the formula (Z4) include the following.

酸発生剤(III)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のスルホン酸アニオンと有機カチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン(III1−1−1)〜アニオン(III1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(III1−1−3)〜(III1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが挙げられる。   The acid generator (III) is a combination of the above-described sulfonate anion and organic cation. The above-mentioned sulfonate anion and organic cation can be arbitrarily combined, and preferably any one of anion (III1-1-1) to anion (III1-1-9) and cation (b2-1-1) Combinations, and combinations of any one of anions (III1-1-3) to (III1-1-5) and a cation (b2-3) can be mentioned.

酸発生剤(III)としては、好ましくは、式(III−1)〜式(III−18)で表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤である式(III−1)、式(III−2)、式(III−3)、式(III−6)、式(III−7)、式(III−11)、式(III−12)、式(III−13)、式(III−14)及び式(III−18)が挙げられる。   The acid generator (III) preferably includes salts represented by the formulas (III-1) to (III-18), more preferably a formula which is an acid generator containing a triphenylsulfonium cation. (III-1), Formula (III-2), Formula (III-3), Formula (III-6), Formula (III-7), Formula (III-11), Formula (III-12), Formula (III) III-13), formula (III-14) and formula (III-18).

式(III)で表される酸発生剤は、当該分野で公知の方法によって製造することができる。   The acid generator represented by the formula (III) can be produced by a method known in the art.

<酸発生剤(II)及び酸発生剤(III)以外の酸発生剤>
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤(II)及び酸発生剤(III)以外の酸発生剤(以下場合により、「酸発生剤(B)」という)をさらに含有していてもよい。酸発生剤(B)としては、公知の酸発生剤を使用できる。
酸発生剤(B)としては、イオン性酸発生剤でも、非イオン性発生剤でもよいが、イオン性酸発生剤が好ましい。酸発生剤(II)の有機カチオン及び酸発生剤(III)の有機カチオンとは異なるカチオンを「その他のカチオン」とし、酸発生剤(II)のスルホン酸アニオン及び酸発生剤(III)のスルホン酸アニオンとは異なるアニオンを「その他のアニオン」とすると、イオン性酸発生剤としては、その他のカチオンとその他のアニオンとの組み合わせ、酸発生剤(II)又は酸発生剤(III)の有機カチオンとその他のアニオンとの組み合わせ、その他のカチオンと酸発生剤(II)又は酸発生剤(III)のスルホン酸アニオンとの組み合わせが挙げられる。
<Acid generator other than acid generator (II) and acid generator (III)>
The resist composition of the present invention may further contain an acid generator (hereinafter referred to as “acid generator (B)”) other than the acid generator (II) and the acid generator (III). A known acid generator can be used as the acid generator (B).
The acid generator (B) may be an ionic acid generator or a nonionic generator, but an ionic acid generator is preferred. The cation different from the organic cation of the acid generator (II) and the organic cation of the acid generator (III) is referred to as “other cation”, and the sulfonate anion of the acid generator (II) and the sulfone of the acid generator (III) When an anion different from the acid anion is referred to as “other anion”, as the ionic acid generator, a combination of another cation and another anion, an organic cation of an acid generator (II) or an acid generator (III) And other anions, and combinations of other cations and acid generator (II) or acid generator (III) sulfonate anions.

本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤(II)、酸発生剤(III)及び酸発生剤(B)の合計含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは40質量部以下であり、より好ましくは35質量部以下である。
特に、酸発生剤(II)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。
酸発生剤(III)を含有する場合には、その含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。この場合、酸発生剤(II)と酸発生剤(III)との含有量比(質量比)は、好ましくは5:95〜95:5であり、より好ましくは10:90〜90:10である。
In the resist composition of the present invention, the total content of the acid generator (II), the acid generator (III) and the acid generator (B) is preferably 1 mass with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Part or more, more preferably 3 parts by weight or more. Moreover, it is 40 mass parts or less with respect to 100 mass parts of resin (A), More preferably, it is 35 mass parts or less.
In particular, the content of the acid generator (II) is preferably 1 part by mass or more and more preferably 3 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Moreover, Preferably it is 30 mass parts or less, More preferably, it is 25 mass parts or less.
When the acid generator (III) is contained, the content thereof is preferably 1 part by mass or more and more preferably 3 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Moreover, Preferably it is 30 mass parts or less, More preferably, it is 25 mass parts or less. In this case, the content ratio (mass ratio) of the acid generator (II) and the acid generator (III) is preferably 5:95 to 95: 5, more preferably 10:90 to 90:10. is there.

〈式(I)で表される化合物〉
化合物(I)は、式(I)で表される。
[式(I)中、
D1及びRD2は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアシル基、炭素数2〜7のアシルオキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
m’及びn’は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、m’が2以上の場合、複数のRD1は同一又は互いに相異なり、n’が2以上の場合、複数のRD2は同一又は互いに相異なる。]
<Compound represented by formula (I)>
Compound (I) is represented by formula (I).
[In the formula (I),
R D1 and R D2 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 7 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, or a carbon number Represents 2 to 7 alkoxycarbonyl groups, nitro groups or halogen atoms.
m ′ and n ′ each independently represents an integer of 0 to 4. When m ′ is 2 or more, a plurality of R D1 are the same or different from each other, and when n ′ is 2 or more, a plurality of R D2 Are the same or different from each other. ]

炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基、並びに、これらが組合わせられた基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基等のシクロアルキル基、ノルボニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基、4−ヘキシルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、アントリル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
これらの組み合わせとしては、アルキル−シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、アラルキル基(例えば、フェニルメチル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニル−1−プロピル基、1−フェニル−2−プロピル基、2−フェニル−2−プロピル基、3−フェニル−1−プロピル基、4−フェニル−1−ブチル基、5−フェニル−1−ペンチル基、6−フェニル−1−ヘキシル基等)等が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group in which these are combined.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, and nonyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and may be either saturated or unsaturated. Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclononyl group, and cyclododecyl group, norbornyl group, adamantyl group, and the like.
As aromatic hydrocarbon group, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-propylphenyl group 4-isopropylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 4-hexylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, anthryl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group , Aryl groups such as mesityl group, biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
These combinations include alkyl-cycloalkyl groups, cycloalkyl-alkyl groups, aralkyl groups (eg, phenylmethyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenyl-1-propyl group, 1- Phenyl-2-propyl group, 2-phenyl-2-propyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-butyl group, 5-phenyl-1-pentyl group, 6-phenyl-1-hexyl Group) and the like.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、例えば、上記アルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基及びイソブチリルオキシ基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, and a hexyloxy group.
As an alkoxycarbonyl group, the group which the carbonyl group couple | bonded with the said alkoxy group is mentioned, for example.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, and an isobutyryloxy group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom.

D1及びRD2は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシルオキシ基、炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子であることが好ましい。
m’及びn’は、それぞれ独立に、0〜3の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、0又は1がさらに好ましく、0が特に好ましい。
R D1 and R D2 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an acyl group having 2 to 5 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 5 carbon atoms, or a carbon number It is preferably 2 to 5 alkoxycarbonyl group, nitro group or halogen atom.
m ′ and n ′ are each independently preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, still more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

化合物(I)としては、以下の化合物が挙げられる。
Examples of compound (I) include the following compounds.

化合物(I)は、「Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296」に記載の方法で製造することができる。また、化合物(I)は、市販されている化合物を用いることができる。   Compound (I) can be produced by the method described in “Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296”. Compound (I) may be a commercially available compound.

化合物(I)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of compound (I) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably 0.01 to 5% by mass in the solid content of the resist composition. About 1% by mass.

〈溶剤(E)〉
溶剤(E)の含有率は、例えばレジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content of the solvent (E) is, for example, 90% by mass or more in the resist composition, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more, for example 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less. It is. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may contain 1 type independently, and may contain 2 or more types.

〈塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)〉
塩基性化合物(C)はクエンチャーとして作用する化合物である。
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)で表される化合物〜式(C8)で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The basic compound (C) is a compound that acts as a quencher.
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。] [In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一又は相異なる。]
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 are the same or different. ]

[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は同一又は相異なる。]
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 are the same or different. ]

[式(C5)及び式(C6)中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は、同一又は相異なる。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
[In Formula (C5) and Formula (C6), R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, when o3 is 2 or more, the plurality of R c14 are the same or different, and when p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same or Different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

[式(C7)及び式(C8)中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一又は相異なり、及びs3が2以上であるとき、複数のRc20は同一又は相異なる。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Wherein (C7) and formula (C8), R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R c18 are the same or different, and when r3 is 2 or more, the plurality of R c19 are the same. Or when different and when s3 is 2 or more, the plurality of R c20 are the same or different.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
In the formulas (C1) to (C8), examples of the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, the alkoxy group, and the alkanediyl group are the same as those described above.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) in the solid content of the resist composition is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably 0.8. It is about 01 to 1% by mass.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

<レジスト組成物の調製>
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(II)及び化合物(I)、並びに必要に応じて用いられる溶剤(E)、酸発生剤(III)、酸発生剤(B)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A), an acid generator (II) and a compound (I), and a solvent (E), an acid generator (III) and an acid generator (B) used as necessary. It can be prepared by mixing the basic compound (C) and the other component (F). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A step of heating the composition layer after exposure and (5) a step of developing the composition layer after heating.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行い、溶剤が除去された組成物層を形成する。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が好ましい。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking) or using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C., for example. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) Using various lasers such as those that convert wavelength of laser light from the laser and emit harmonic laser light in the far-ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate electron beams or extreme ultraviolet light (EUV), etc. Can do.

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)する。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃が好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間が好ましい。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、酢酸ブチル又は2−ヘプタノンを含む現像液を利用して現像する。
The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example.
The composition layer after heating is usually developed using a developer containing butyl acetate or 2-heptanone using a developing device.

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノンなどのケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤;アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly a liquid. It is suitable as a resist composition for immersion exposure and useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
化合物の構造は、MASS(LC:Agilent製1100型、MASS:Agilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)で確認した。
樹脂(A)の組成比(樹脂(A)製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂(A)に対する共重合比)は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
装置:HLC−8120GPC型(東ソー社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The structure of the compound was confirmed by MASS (LC: Agilent 1100 type, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF type).
The composition ratio of the resin (A) (copolymerization ratio of the structural unit derived from each monomer used for the production of the resin (A) to the resin (A)) is the amount of unreacted monomer in the reaction liquid after the polymerization is finished. It measured using the chromatography, and computed by calculating | requiring the monomer amount used for superposition | polymerization from the obtained result. The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography. The analysis conditions for gel permeation chromatography are as follows.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

合成例1:式(II−3)で表される塩の合成
Synthesis Example 1: Synthesis of salt represented by formula (II-3)

特開2008−209917号公報に記載された方法によって得られた式(II−3−b)で表される化合物30.00部、式(II−3−a)で表される塩35.50部、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、さらに、このクロロホルム層にイオン交換水30部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル100部を加えて23℃で30分間攪拌し、ろ過することにより、式(II−3−c)で表される塩48.57部を得た。   30.00 parts of a compound represented by the formula (II-3-b) obtained by the method described in JP 2008-209917 A, 35.50 of a salt represented by the formula (II-3-a) Part, 100 parts of chloroform, and 50 parts of ion-exchanged water were stirred at 23 ° C. for 15 hours. Since the obtained reaction liquid was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and 30 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. The chloroform layer was concentrated, 100 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue, the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and filtered to give the salt represented by formula (II-3-c) 48. 57 parts were obtained.

式(II−3−c)で表される塩20.00部、式(II−3−d)で表される化合物2.84部及びモノクロロベンゼン250部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.21部を添加し、さらに、100℃で1時間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた残渣に、クロロホルム200部及びイオン交換水50部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水50部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を5回繰り返した。得られた有機層を濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル53.51部に溶解し、濃縮した。その後、tert−ブチルメチルエーテル113.05部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式(II−3)で表される塩10.47部を得た。 20.00 parts of a salt represented by the formula (II-3-c), 2.84 parts of a compound represented by the formula (II-3-d) and 250 parts of monochlorobenzene were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. . To the obtained mixed liquid, 0.21 part of copper (II) dibenzoate was added, and the mixture was further stirred at 100 ° C. for 1 hour. The resulting reaction solution was concentrated. To the obtained residue, 200 parts of chloroform and 50 parts of ion-exchanged water were added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, separated, and the organic layer was taken out. 50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and separated to take out the organic layer. This washing operation was repeated 5 times. The obtained organic layer was concentrated. The obtained residue was dissolved in 53.51 parts of acetonitrile and concentrated. Thereafter, 113.05 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, followed by filtration to obtain 10.47 parts of the salt represented by the formula (II-3).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 237.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 237.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

合成例2:式(II−7)で表される塩の合成
Synthesis Example 2: Synthesis of salt represented by formula (II-7)

式(II−7−a)で表される塩11.26部、式(II−7−b)で表される化合物10.00部、クロロホルム50部及びイオン交換水25部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて23℃で30分間攪拌し、ろ過することにより、式(II−7−c)で表される塩11.75部を得た。   11.26 parts of a salt represented by the formula (II-7-a), 10.00 parts of a compound represented by the formula (II-7-b), 50 parts of chloroform and 25 parts of ion-exchanged water were charged at 23 ° C. For 15 hours. Since the obtained reaction liquid was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and further 15 parts of ion-exchanged water was added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. The chloroform layer was concentrated, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting residue, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes and filtered to obtain the salt represented by the formula (II-7-c) 11. 75 parts were obtained.

式(II−7−c)で表される塩11.71部、式(II−7−d)で表される化合物1.70部及びモノクロロベンゼン46.84部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.12部を添加し、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた残渣に、クロロホルム50部及びイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を8回繰り返した。得られた有機層を濃縮した。得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式(II−7)で表される塩6.84部を得た。 11.71 parts of a salt represented by the formula (II-7-c), 1.70 parts of a compound represented by the formula (II-7-d) and 46.84 parts of monochlorobenzene were charged at 23 ° C. for 30 minutes. Stir. To the obtained mixed liquid, 0.12 part of copper (II) dibenzoate was added, and the mixture was further stirred at 100 ° C. for 30 minutes. The resulting reaction solution was concentrated. To the obtained residue, 50 parts of chloroform and 12.50 parts of ion-exchanged water were added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to take out the organic layer. 12.50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to take out the organic layer. This washing operation was repeated 8 times. The obtained organic layer was concentrated. To the obtained residue, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added, stirred, and filtered to obtain 6.84 parts of the salt represented by the formula (II-7).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 237.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.0
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 237.1
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

合成例3:式(II−8)で表される塩の合成
Synthesis Example 3: Synthesis of salt represented by formula (II-8)

式(II−8−a)で表される塩1.97部及びクロロホルム30部を仕込んだ後、ジエチル硫酸0.94部を滴下し、23℃で1時間攪拌した。得られた式(II−8−b)で表される塩を含む溶液に、特開2008−94835号公報に記載された方法で合成した式(II−8−c)で表される塩3.23部及びイオン交換水15部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水10部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル25.40部を加えて23℃で30分間攪拌した後、ろ過することにより、式(II−8−d)で表される塩2.79部を得た。   After adding 1.97 parts of the salt represented by the formula (II-8-a) and 30 parts of chloroform, 0.94 part of diethyl sulfuric acid was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour. The salt 3 represented by the formula (II-8-c) synthesized by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-94835 was added to the obtained solution containing the salt represented by the formula (II-8-b). .23 parts and 15 parts of ion-exchanged water were charged and stirred at 23 ° C. for 15 hours. Since the obtained reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and 10 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. The chloroform layer is concentrated, 25.40 parts of tert-butyl methyl ether is added to the obtained residue, and the mixture is stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered, which is represented by the formula (II-8-d) 2.79 parts of salt were obtained.

式(II−8−d)で表される塩2.70部、式(II−8−e)で表される化合物0.67部及びモノクロロベンゼン21.60部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.03部を添加した後、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム40.50部、イオン交換水13.50部及び28%アンモニア水0.15部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水13.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を3回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル36.55部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式(II−8)で表される塩1.16部を得た。 2.70 parts of a salt represented by the formula (II-8-d), 0.67 part of a compound represented by the formula (II-8-e) and 21.60 parts of monochlorobenzene were charged, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Stir. After adding 0.03 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for 30 minutes further. After concentrating the resulting reaction solution, 40.50 parts of chloroform, 13.50 parts of ion exchanged water and 0.15 part of 28% aqueous ammonia were added to the resulting residue, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer was taken out by liquid separation. 13.50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to extract the organic layer. This washing operation was repeated three times. After concentration of the obtained organic layer, 36.55 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue, and the mixture was stirred and filtered to obtain the salt 1. represented by the formula (II-8). 16 parts were obtained.

MASS(ESI(+)Spectrum):M 195.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.0
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 195.1
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

合成例4:式(II−9)で表される塩の合成
Synthesis Example 4: Synthesis of salt represented by formula (II-9)

式(II−9−a)で表される塩1.97部及びクロロホルム30部を仕込んだ後、ジエチル硫酸0.87部を滴下し、23℃で1時間攪拌した。得られた式(II−9−b)で表される塩を含む溶液に、式(II−9−c)で表される塩3.01部及びイオン交換水15部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水10部を添加し、水洗した。この操作を6回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル21.20部を加えて23℃で30分間攪拌した後、ろ過することにより、式(II−9−d)で表される塩2.57部を得た。   After charging 1.97 parts of the salt represented by the formula (II-9-a) and 30 parts of chloroform, 0.87 parts of diethylsulfuric acid was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour. The solution containing the salt represented by the formula (II-9-b) thus obtained was charged with 3.01 parts of the salt represented by the formula (II-9-c) and 15 parts of ion-exchanged water at 23 ° C. Stir for 15 hours. Since the obtained reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and 10 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 6 times. The chloroform layer is concentrated, 21.20 parts of tert-butyl methyl ether is added to the obtained residue, and the mixture is stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by filtration, which is represented by the formula (II-9-d). 2.57 parts of salt were obtained.

式(II−9−d)で表される塩2.49部、式(II−9−e)で表される化合物0.59部及びモノクロロベンゼン20部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.03部を添加した後、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム37.50部、イオン交換水12.50部及び28%アンモニア水0.15部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を3回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル18.45部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式(II−9)で表される塩1.30部を得た。 2.49 parts of a salt represented by the formula (II-9-d), 0.59 parts of a compound represented by the formula (II-9-e) and 20 parts of monochlorobenzene were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. . After adding 0.03 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for 30 minutes further. After concentrating the obtained reaction solution, 37.50 parts of chloroform, 12.50 parts of ion-exchanged water and 0.15 part of 28% ammonia water were added to the obtained residue, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer was taken out by liquid separation. 12.50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out the organic layer. This washing operation was repeated three times. After concentrating the obtained organic layer, 18.45 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue and stirred, followed by filtration to obtain a salt 1. represented by the formula (II-9). 30 parts were obtained.

MASS(ESI(+)Spectrum):M 209.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.0
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 209.1
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

合成例5:式(II−10)で表される塩の合成
Synthesis Example 5: Synthesis of salt represented by formula (II-10)

式(II−10−a)で表される塩4.44部及びメタノール90部を仕込んだ後、ジエチル硫酸2.11部を滴下し、23℃で1時間攪拌した。得られた式(II−10−b)で表される塩を含む溶液に、式(II−10−c)で表される塩7.55部を仕込み、23℃で12時間攪拌した。得られた反応液を濃縮し、得られた残渣に、イオン交換水55.28部を加えて23℃で30分間攪拌した後、上澄み液を除去した。得られた残渣に、アセトニトリル10部を加えて23℃で30分間攪拌した後、濃縮することにより、式(II−10−d)で表される塩3.57部を得た。   After charging 4.44 parts of the salt represented by the formula (II-10-a) and 90 parts of methanol, 2.11 parts of diethylsulfuric acid was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour. To the obtained solution containing the salt represented by the formula (II-10-b), 7.55 parts of the salt represented by the formula (II-10-c) was charged and stirred at 23 ° C. for 12 hours. The obtained reaction solution was concentrated, and 55.28 parts of ion-exchanged water was added to the resulting residue and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of acetonitrile was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then concentrated to obtain 3.57 parts of a salt represented by the formula (II-10-d).

式(II−10−d)で表される塩3.57部、式(II−10−e)で表される化合物0.86部及びモノクロロベンゼン35.68部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.04部を添加した後、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム44.60部、イオン交換水14.87部及び28%アンモニア水0.15部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水14.87部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を3回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル18.65部を加えて攪拌した後、上澄み液を除去した。得られた残渣に、アセトニトリル10部を加えて23℃で30分間攪拌した後、濃縮することにより、式(II−10)で表される塩0.85部を得た。 A salt represented by the formula (II-10-d) (3.57 parts), a compound represented by the formula (II-10-e) (0.86 parts) and monochlorobenzene (35.68 parts) were charged, and the mixture was charged at 23 ° C. for 30 minutes. Stir. After adding 0.04 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for 30 minutes further. After concentrating the resulting reaction solution, 44.60 parts of chloroform, 14.87 parts of ion-exchanged water and 0.15 part of 28% aqueous ammonia were added to the resulting residue, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer was taken out by liquid separation. After adding 14.87 parts of ion-exchanged water to the collected organic layer and stirring at 23 ° C. for 30 minutes, the organic layer was separated by liquid separation. This washing operation was repeated three times. After the obtained organic layer was concentrated, 18.65 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue and stirred, and then the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of acetonitrile was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and concentrated to obtain 0.85 part of a salt represented by the formula (II-10).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 195.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 195.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

合成例6:式(II−11)で表される塩の合成
Synthesis Example 6: Synthesis of salt represented by formula (II-11)

式(II−11−a)で表される塩1.97部及びメタノール40部を仕込んだ後、ジエチル硫酸0.87部を滴下し、23℃で1時間攪拌した。得られた式(II−11−b)で表される塩を含む溶液に、式(II−11−c)で表される塩3.13部を仕込み、23℃で12時間攪拌した。得られた反応液を濃縮し、得られた残渣に、イオン交換水30.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、ろ過することにより、式(II−11−d)で表される塩2.10部を得た。   After charging 1.97 parts of the salt represented by the formula (II-11-a) and 40 parts of methanol, 0.87 part of diethylsulfuric acid was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour. To the obtained solution containing the salt represented by the formula (II-11-b), 3.13 parts of the salt represented by the formula (II-11-c) was charged and stirred at 23 ° C. for 12 hours. The obtained reaction solution is concentrated, and 30.50 parts of ion-exchanged water is added to the resulting residue, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes, followed by filtration to express the formula (II-11-d). 2.10 parts of the salt was obtained.

式(II−11−d)で表される塩2.01部、式(II−11−e)で表される化合物0.46部及びモノクロロベンゼン18.40部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.02部を添加した後、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム34.50部、イオン交換水11.50部及び28%アンモニア水0.15部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水11.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を3回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル13.45部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式(II−11)で表される塩0.77部を得た。 A salt represented by formula (II-11-d) (2.01 parts), a compound represented by formula (II-11-e) (0.46 parts) and monochlorobenzene (18.40 parts) were charged, and the mixture was charged at 23 ° C. for 30 minutes. Stir. After adding 0.02 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for 30 minutes further. After concentrating the obtained reaction solution, 34.50 parts of chloroform, 11.50 parts of ion-exchanged water and 0.15 part of 28% aqueous ammonia were added to the obtained residue, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer was taken out by liquid separation. 11.50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out the organic layer. This washing operation was repeated three times. After concentration of the obtained organic layer, 13.45 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue, and the mixture was stirred and then filtered to obtain a salt of the salt represented by the formula (II-11) 0. 77 parts were obtained.

MASS(ESI(+)Spectrum):M 209.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 209.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

合成例7:式(III−5)で表される塩の合成
式(III−5−a)で表される塩50.49部及びクロロホルム252.44部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した後、式(III−5−b)で表される化合物16.27部を滴下し、23℃で1時間攪拌することにより、式(III−5−c)で表される塩を含む溶液を得た。得られた式(III−5−c)で表される塩を含む溶液に、式(III−5−d)で表される塩48.80部及びイオン交換水84.15部を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水84.15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭3.88部を添加攪拌し、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル125.87部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル20.62部及びtert−ブチルメチルエーテル309.30部を加えて23℃で30分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、n−ヘプタン200部を添加、23℃で30分間攪拌し、ろ過することにより、式(III−5)で表される塩61.54部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 375.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
Synthesis Example 7: Synthesis of salt represented by formula (III-5)
50.49 parts of the salt represented by the formula (III-5-a) and 252.44 parts of chloroform are charged into a reactor and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then represented by the formula (III-5-b). 16.27 parts of the compound was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour to obtain a solution containing a salt represented by the formula (III-5-c). To the obtained solution containing the salt represented by the formula (III-5-c), 48.80 parts of the salt represented by the formula (III-5-d) and 84.15 parts of ion-exchanged water are added, The mixture was stirred at 23 ° C. for 12 hours. Since the resulting reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and removed, and 84.15 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. To the obtained chloroform layer, 3.88 parts of activated carbon was added and stirred, followed by filtration. The collected filtrate was concentrated, and 125.87 parts of acetonitrile was added to the resulting residue, and the mixture was stirred and concentrated. To the obtained residue, 20.62 parts of acetonitrile and 309.30 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained residue, 200 parts of n-heptane was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered to obtain 61.54 parts of the salt represented by the formula (III-5).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 375.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

樹脂の合成
樹脂の合成において使用したモノマーを下記に示す。
Resin synthesis Monomers used in resin synthesis are shown below.

〔樹脂A1の合成〕
モノマー(D)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(E):モノマー(B):モノマー(F):モノマー(C)〕が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×10の共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。
[Synthesis of Resin A1]
Monomer (D), monomer (E), monomer (B), monomer (F), and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (E): monomer (B): monomer (F): Monomer (C)] was mixed at 30: 14: 6: 20: 30, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.0. × give 10 3 of copolymer in 60% yield. This copolymer has the following structural units, and is designated as resin A1.

〔樹脂A2の合成〕
モノマー(D)、モノマー(G)、モノマー(B)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(G):モノマー(B):モノマー(F):モノマー(C)〕が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.4×10の共重合体を収率62%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。
[Synthesis of Resin A2]
Monomer (D), monomer (G), monomer (B), monomer (F), and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (G): monomer (B): monomer (F): Monomer (C)] was mixed at 30: 14: 6: 20: 30, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.4. × give 10 3 of copolymer in 62% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2.

〔樹脂A3の合成〕
モノマー(A)、モノマー(B)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(A):モノマー(B):モノマー(C)〕が、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを80℃で約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(質量比メタノール:水=4:1)に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×10である共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。
[Synthesis of Resin A3]
Monomer (A), monomer (B) and monomer (C) are mixed so that the molar ratio [monomer (A): monomer (B): monomer (C)] is 50:25:25, , 1.5 mass times dioxane was mixed with respect to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. Then, this was heated at 80 ° C. for about 8 hours to carry out polymerization. Thereafter, the polymerization reaction solution was poured into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (mass ratio methanol: water = 4: 1) to precipitate the resin. This resin is filtered and collected, dissolved again in dioxane, poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and the precipitated resin is filtered and collected three times for reprecipitation. Purification gave a copolymer having a weight average molecular weight of about 9.2 × 10 3 in a yield of 60%. This copolymer has structural units derived from the following monomers, and is referred to as Resin A3.

〔樹脂A4の合成〕
モノマー(D)、モノマー(H)、モノマー(B)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(H):モノマー(B):モノマー(F):モノマー(C)〕が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.2×10の共重合体を収率68%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A4とする。
[Synthesis of Resin A4]
Monomer (D), monomer (H), monomer (B), monomer (F) and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (H): monomer (B): monomer (F): Monomer (C)] was mixed at 30: 14: 6: 20: 30, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin obtained was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 8.2. × give 10 3 of the copolymer at 68% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A4.

〔樹脂A5の合成〕
モノマー(D)、モノマー(H)、モノマー(I)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(H):モノマー(I):モノマー(F):モノマー(C)〕が、35:15:3:27:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×10の共重合体を収率73%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A5とする。
[Synthesis of Resin A5]
Monomer (D), monomer (H), monomer (I), monomer (F) and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (H): monomer (I): monomer (F): The monomer (C)] was mixed so as to be 35: 15: 3: 27: 20, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.9. × give 10 3 of copolymer in 73% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A5.

〔樹脂A6の合成〕
モノマー(D)、モノマー(H)、モノマー(I)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(H):モノマー(I):モノマー(F):モノマー(C)〕が、45:14:2.5:22:16.5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.95mol%及び2.85mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/イオン交換水=4/1の混合用液に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量7.8×10の共重合体を収率73%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A6とする。
[Synthesis of Resin A6]
Monomer (D), monomer (H), monomer (I), monomer (F) and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (H): monomer (I): monomer (F): Monomer (C)] was mixed so as to be 45: 14: 2.5: 22: 16.5, and propylene glycol monomethyl ether acetate of 1.5 mass times the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.95 mol% and 2.85 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 73 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / ion-exchanged water = 4/1 mixing solution to precipitate a resin, which was filtered to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of 7.8 × 10 3. The yield was 73%. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A6.

<レジスト組成物の調製>
表2に示す成分を、表2に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
The components shown in Table 2 were dissolved in the following solvent in the parts by mass shown in Table 2, and further filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<樹脂>
A1〜A6:樹脂の合成で合成した樹脂A1〜A6
<酸発生剤>
II−3:
II−7:
II−8:
II−9:
II−10:
II−11:
III−3:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成
III−5:
B1:特開2007−161707号公報の実施例に従って合成
<Resin>
A1 to A6: Resins A1 to A6 synthesized by resin synthesis
<Acid generator>
II-3:
II-7:
II-8:
II-9:
II-10:
II-11
III-3: synthesized according to the examples of JP 2010-152341 A
III-5:
B1: Synthesis according to the example of JP 2007-161707 A

<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<式(I)で表される化合物>
D1:(東京化成工業(株)製)
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
<Compound represented by formula (I)>
D1: (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
2−ヘプタノン 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts 2-heptanone 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<レジストパターンの製造>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記表2の各レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物が塗布されたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表2の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ100nm/ホール径70nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表2の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Manufacture of resist pattern>
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 78 nm. Formed. Next, each of the resist compositions in Table 2 was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 85 nm. The silicon wafer coated with the resist composition was pre-baked on a direct hot plate at a temperature described in the “PB” column of Table 2 for 60 seconds to form a composition layer. ArF excimer laser stepper for immersion exposure (XT: 1900Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light) on a silicon wafer on which the composition layer is formed, and a contact hole pattern (hole pitch) Using a mask for forming (100 nm / hole diameter 70 nm), the exposure amount was changed stepwise to perform exposure. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, the silicon wafer was post-exposure baked on a hot plate at a temperature described in the “PEB” column of Table 2 for 60 seconds. Next, this silicon wafer was subjected to paddle development for 60 seconds with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to obtain a resist pattern.

各レジストパターンにおいて、ホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。   In each resist pattern, an exposure amount at which the hole diameter becomes 55 nm was defined as effective sensitivity.

<CD均一性(CDU)評価>
実効感度において、レジストパターンのホール径を、一つのホールにつき24回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ上に形成された400個のホールについて平均ホール径を測定し、これらを母集団として標準偏差を求めた。
標準偏差が1.55nm未満の場合を「◎」、
標準偏差が1.55nm以上2.00nm未満の場合を「○」、
標準偏差が2.00nm以上の場合を「×」、
として、それぞれ判断した。その結果を表3に示す。表3においては、括弧内の数字は、標準偏差値(nm)を示す。
<Evaluation of CD uniformity (CDU)>
In terms of effective sensitivity, the hole diameter of the resist pattern was measured 24 times per hole, and the average value was taken as the average hole diameter of one hole. The average hole diameter was measured for 400 holes formed on the same wafer, and the standard deviation was determined using these as the population.
When the standard deviation is less than 1.55 nm,
When the standard deviation is 1.55 nm or more and less than 2.00 nm, “○”,
“X” when the standard deviation is 2.00 nm or more,
Judged as each. The results are shown in Table 3. In Table 3, the numbers in parentheses indicate standard deviation values (nm).

<レジスト組成物の調製>
以下に示す成分の各々を表4に示す質量部で、下記の溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in the following solvent in the parts by mass shown in Table 4 and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.


<ネガ型レジストパターンの製造>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるように塗布(スピンコート)した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表4の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ90nm/ホール径55nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表4の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル(東京化成工業(株)製)を用いて、23℃で20秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。
<Manufacture of negative resist pattern>
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic reflective film having a thickness of 78 nm on the wafer. A prevention film was formed. Next, on the organic antireflection film, the above resist composition was applied (spin coated) so that the film thickness after drying was 85 nm. After coating, the silicon wafer was pre-baked on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PB” column of Table 4 to form a composition layer. ArF excimer stepper for immersion exposure (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light) on a silicon wafer on which the composition layer is formed, and a contact hole pattern (hole pitch 90 nm) Using a mask for forming a hole diameter of 55 nm), the exposure amount was changed stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 4. Next, the composition layer on the silicon wafer is developed by using a butyl acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a developing solution by a dynamic dispensing method at 23 ° C. for 20 seconds, thereby forming a negative resist pattern. Manufactured.

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が45nmとなる露光量を実効感度とした。   In the resist pattern obtained after development, the exposure amount at which the hole diameter formed using the mask was 45 nm was defined as the effective sensitivity.

<CD均一性(CDU)評価>
実効感度において、レジストパターンのホール径を、一つのホールにつき24回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ上に形成された400個のホールについて平均ホール径を測定し、これらを母集団として標準偏差を求めた。
標準偏差が2.00nm未満の場合を「○」、
標準偏差が2.00nm以上の場合を「×」、
として、それぞれ判断した。その結果を表5に示す。表5においては、括弧内の数字は、標準偏差値(nm)を示す。
<Evaluation of CD uniformity (CDU)>
In terms of effective sensitivity, the hole diameter of the resist pattern was measured 24 times per hole, and the average value was taken as the average hole diameter of one hole. The average hole diameter was measured for 400 holes formed on the same wafer, and the standard deviation was determined using these as the population.
If the standard deviation is less than 2.00 nm,
“X” when the standard deviation is 2.00 nm or more,
Judged as each. The results are shown in Table 5. In Table 5, the numbers in parentheses indicate standard deviation values (nm).

本発明のレジスト組成物によれば、優れたCD均一性(CDU)で、レジストパターンを得ることができる。   According to the resist composition of the present invention, a resist pattern can be obtained with excellent CD uniformity (CDU).

Claims (6)

(A)酸不安定基を有する樹脂、
(B1)式(II)で表される酸発生剤及び
(D)式(I)で表される化合物を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、
D1及びRD2は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアシル基、炭素数2〜7のアシルオキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
m’及びn’は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、m’が2以上の場合、複数のRD1は同一又は互いに相異なり、n’が2以上の場合、複数のRD2は同一又は互いに相異なる。]
[式(II)中、
II1及びRII2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
II1は、単結合、炭素数1〜6のアルカンジイル基、炭素数4〜8の2価の脂環式炭化水素基、−(CH2t−CO−O−*又は−(CH2t−CO−O−CH2−(CH2u−*を表し、アルカンジイル基及び−(CH2u−に含まれるメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。tは、1〜12の整数を表す。uは、0〜12の整数を表す。*は、YII1との結合手を表す。
II1は、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
II3、RII4、RII5、RII6及びRII7は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基又は炭素数2〜12のアシルオキシ基を表す。
スルホニウムカチオンを含む環に含まれるメチレン基の少なくとも一つが酸素原子で置き換わっている。
rは、1〜3の整数を表す。
II8は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。
sは、0〜3の整数を表し、sが2以上の場合、複数のRII8は同一又は相異なる。]
(A) a resin having an acid labile group,
(B1) A resist composition containing an acid generator represented by formula (II) and (D) a compound represented by formula (I).
[In the formula (I),
R D1 and R D2 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 7 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, or a carbon number Represents 2 to 7 alkoxycarbonyl groups, nitro groups or halogen atoms.
m ′ and n ′ each independently represent an integer of 0 to 4. When m ′ is 2 or more, a plurality of R D1 are the same or different from each other, and when n ′ is 2 or more, a plurality of R D2 Are the same or different from each other. ]
[In the formula (II),
R II1 and R II2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L II1 represents a single bond, an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 8 carbon atoms, — (CH 2 ) t —CO—O— * or — (CH 2 ) T —CO—O—CH 2 — (CH 2 ) u — *, the alkanediyl group and the methylene group contained in — (CH 2 ) u — may be replaced by an oxygen atom. t represents an integer of 1 to 12. u represents an integer of 0 to 12. * Represents a bond with Y II1 .
Y II1 represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group is an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group. It may be replaced with.
R II3, R II4, R II5 , R II6 and R II7 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, having 2 to 7 carbon atoms An alkoxycarbonyloxy group or an acyloxy group having 2 to 12 carbon atoms is represented.
At least one of the methylene groups contained in the ring containing the sulfonium cation is replaced with an oxygen atom.
r represents an integer of 1 to 3.
R II8 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
s represents an integer of 0 to 3, and when s is 2 or more, the plurality of R II8 are the same or different. ]
さらに式(III)で表される酸発生剤を含む請求項1記載のレジスト組成物。
[式(III)中、
III1及びRIII2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
III1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
III1は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
The resist composition according to claim 1, further comprising an acid generator represented by the formula (III).
[In the formula (III),
R III1 and R III2 are each independently represent a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
L III1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by a fluorine atom or a hydroxy group, The methylene group contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Y III1 represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an optionally substituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, and the alkyl group and The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Z + represents an organic cation. ]
式(II)のLII1が、単結合またはメチレン基である請求項1又は2記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1 or 2, wherein L II1 in formula (II) is a single bond or a methylene group. 式(III)のZ+が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項2又は3記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 2 or 3, wherein Z + in formula (III) is a triarylsulfonium cation. さらに溶剤を含有する請求項1〜4のいずれか記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition in any one of Claims 1-4 containing a solvent. (1)請求項1〜5のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 1-5 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
JP2013075875A 2012-04-09 2013-04-01 Resist composition and method for producing resist pattern Active JP6218414B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013075875A JP6218414B2 (en) 2012-04-09 2013-04-01 Resist composition and method for producing resist pattern

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012088162 2012-04-09
JP2012088162 2012-04-09
JP2013075875A JP6218414B2 (en) 2012-04-09 2013-04-01 Resist composition and method for producing resist pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013235252A JP2013235252A (en) 2013-11-21
JP6218414B2 true JP6218414B2 (en) 2017-10-25

Family

ID=49761378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013075875A Active JP6218414B2 (en) 2012-04-09 2013-04-01 Resist composition and method for producing resist pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6218414B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6140508B2 (en) * 2013-02-08 2017-05-31 富士フイルム株式会社 Pattern forming method and electronic device manufacturing method
JP7316022B2 (en) * 2016-05-13 2023-07-27 住友化学株式会社 RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN MANUFACTURING METHOD

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097075A (en) * 1996-06-07 1998-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition
JP5439139B2 (en) * 2009-11-30 2014-03-12 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2011248342A (en) * 2010-04-28 2011-12-08 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition
TWI499581B (en) * 2010-07-28 2015-09-11 Sumitomo Chemical Co Photoresist composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013235252A (en) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5852490B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5829939B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5841453B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5866100B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6246480B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5977594B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6022788B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6054801B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP2014115624A (en) Resist composition and resist pattern production method
JP6195748B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6274755B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5864340B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6218414B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6205156B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6195749B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5977595B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6060024B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP2013008023A (en) Resist composition and production method of resist pattern
JP6261876B2 (en) Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6202821B2 (en) Polymerizable compound, resin, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5934536B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5869940B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6030842B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6174363B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5864342B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160302

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170516

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170919

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6218414

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350