JP6216619B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。 Embodiments described herein relate generally to a plasma processing apparatus.
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、プラズマ処理装置を用いて被処理体に対してプラズマ処理が行われる。プラズマ処理は、処理ガスのプラズマによるエッチングや成膜といった種々の処理を含む。 In the manufacture of an electronic device such as a semiconductor device, plasma processing is performed on an object to be processed using a plasma processing apparatus. The plasma treatment includes various treatments such as etching using a treatment gas plasma and film formation.
プラズマ処理に用いられるプラズマ処理装置は、プラズマ処理空間を画成する処理容器を備えている。この処理容器の側壁には、被処理体の搬入出用の搬送路が形成されている。また、処理容器の側壁内面を保護するシールド部材(デポシールド)が、当該側壁内面に沿って設けられている。このシールド部材には、被処理体の搬入出のために、搬送路に対面する開口が形成されている。さらに、シールド部材の開口を開閉するよう昇降可能なシャッターが、側壁内面とシールド部材との間に設けられている。シャッター及びシールド部材は、通常、アルミニウムから構成されている。また、シャッターは、通常、シールド部材の開口を閉じるときに、シールド部材に接するようになっている。このようなプラズマ処理装置は、例えば、特開2007−165659号公報(特許文献1)に記載されている。 A plasma processing apparatus used for plasma processing includes a processing container that defines a plasma processing space. A conveyance path for carrying in / out the object to be processed is formed on the side wall of the processing container. A shield member (depot shield) that protects the inner surface of the side wall of the processing container is provided along the inner surface of the side wall. The shield member is formed with an opening facing the conveyance path for loading and unloading the object to be processed. Further, a shutter that can be moved up and down to open and close the opening of the shield member is provided between the inner surface of the side wall and the shield member. The shutter and the shield member are usually made of aluminum. Further, the shutter is normally in contact with the shield member when closing the opening of the shield member. Such a plasma processing apparatus is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-165659 (Patent Document 1).
プラズマ処理装置では、シャッターとシールド部材との接触が繰り返されると、シールド部材及びシャッターが削られ、アルミニウムから構成されたパーティクルが発生し得る。発生したパーティクルがプラズマに曝されると、当該パーティクルは、例えば、フッ化アルミニウム又は酸化アルミニウムといったパーティクルへと変質する。このように変質したパーティクルは、被処理体に付着し得る。 In the plasma processing apparatus, when the contact between the shutter and the shield member is repeated, the shield member and the shutter are scraped, and particles composed of aluminum can be generated. When the generated particles are exposed to plasma, the particles change into particles such as aluminum fluoride or aluminum oxide. The particles thus altered can adhere to the object to be processed.
このような背景から、シャッター及びシールド部材からのパーティクルの発生を抑制可能なプラズマ処理装置が必要とされている。 From such a background, a plasma processing apparatus capable of suppressing generation of particles from the shutter and the shield member is required.
一側面においては、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、処理容器、載置台、シールド部材、及びシャッターを備える。処理容器は側壁を有しており、当該側壁には被処理体の搬入出用の搬送路が形成されている。載置台は、処理容器内に設けられている。シールド部材は、載置台を囲むように前記側壁の内面に沿って設けられている。シールド部材には、搬送路に面する開口が形成されている。シャッターは、開口の開閉のための部材であり、昇降可能である。シャッターは、前記開口に対面可能な第1部分、及びシールド部材の下方において該シールド部材に対面する第2部分を有する。シールド部材は、下部を有し、当該下部には、シャッターの第2部分に対面する被接触面が設けられている。同様に、シャッターの第2部分には、シールド部材の被接触面に当接可能な接触部が設けられている。シャッターの第1部分は、シールド部材との間に間隙を介して前記開口を閉鎖するよう構成されている。シールド部材の被接触面及びシャッターの接触部は、ハステロイから構成されている。 In one aspect, a plasma processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed is provided. The plasma processing apparatus includes a processing container, a mounting table, a shield member, and a shutter. The processing container has a side wall, and a transfer path for carrying in and out the object to be processed is formed on the side wall. The mounting table is provided in the processing container. The shield member is provided along the inner surface of the side wall so as to surround the mounting table. The shield member has an opening facing the conveyance path. The shutter is a member for opening and closing the opening and can be moved up and down. The shutter has a first portion that can face the opening, and a second portion that faces the shield member below the shield member. The shield member has a lower portion, and a contacted surface facing the second portion of the shutter is provided in the lower portion. Similarly, the second portion of the shutter is provided with a contact portion that can contact the contacted surface of the shield member. The first portion of the shutter is configured to close the opening with a gap between the first member and the shield member. The contacted surface of the shield member and the contact portion of the shutter are made of Hastelloy.
上記一側面に係るプラズマ処理装置では、シールド部材の開口を閉じる状態において、シャッターの第1部分は、シールド部材との間に間隙を介して当該開口に対面するようになっている。また、この状態では、シャッターの第2部分に設けられた接触部が、シールド部材の被接触面に接するようになっている。これら接触部及び被接触面は、ハステロイから構成されている。したがって、シャッター及びシールド部材からのパーティクルの発生が抑制され得る。 In the plasma processing apparatus according to the one aspect, the first portion of the shutter faces the opening with a gap between the first member and the shield member in a state where the opening of the shield member is closed. In this state, the contact portion provided in the second portion of the shutter is in contact with the contacted surface of the shield member. These contact portions and contacted surfaces are made of Hastelloy. Therefore, the generation of particles from the shutter and the shield member can be suppressed.
一形態においては、シャッターの第2部分には溝が形成されており、接触部は当該溝に嵌め込まれるハステロイ製の弾性部材であってもよい。また、接触部、すなわちハステロイ製の弾性部材は、スパイラル状の部材であってもよい。この形態によれば、接触部が消耗した際に当該接触部を取り替えることができる。また、シャッターの全体をハステロイから構成するよりも、シャッターを安価に提供することができる。 In one embodiment, a groove may be formed in the second portion of the shutter, and the contact portion may be a Hastelloy elastic member fitted into the groove. The contact portion, that is, the elastic member made of Hastelloy may be a spiral member. According to this aspect, when the contact portion is consumed, the contact portion can be replaced. Also, the shutter can be provided at a lower cost than when the entire shutter is made of Hastelloy.
一形態においては、シャッターの第1部分及び前記第2部分は、アルミニウム製であり、且つ、互いに分離可能であってもよい。また、この形態では、接触部、即ち、弾性部材は、スパイラル状の部材であってもよい。 In one form, the first part and the second part of the shutter may be made of aluminum and separable from each other. In this embodiment, the contact portion, that is, the elastic member may be a spiral member.
一形態においては、シャッターの第1部分及び第2部分は、互いに分離可能であり、第1部分はアルミニウムから構成されており、シャッターの第2部分はハステロイから構成されており、前記接触部を提供してもよい。この形態によれば、接触部が消耗した際に当該接触部を構成する第2部分を取り替えることができる。また、シャッターの全体をハステロイから構成するよりも、シャッターを安価に提供することができる。 In one form, the first part and the second part of the shutter are separable from each other, the first part is made of aluminum, the second part of the shutter is made of Hastelloy, and the contact portion is May be provided. According to this aspect, when the contact portion is consumed, the second portion constituting the contact portion can be replaced. Also, the shutter can be provided at a lower cost than when the entire shutter is made of Hastelloy.
一形態においては、シールド部材は、開口が形成され且つ前記下部を含むアルミニウム製の本体を有し、下部において第2部分に対面する領域には溝が形成されており、該下部の該溝には被接触面を提供するハステロイ製のバルク部材が設けられていてもよい。また、バルク部材は、下部から取り外し可能であってもよい。この形態によれば、被接触面が消耗した際に、シールド部材の全体を取り替えることなく、当該被接触面を提供する部分のみを取り替えることができる。したがって、シールド部材を安価に提供することが可能である。 In one embodiment, the shield member has an aluminum main body including an opening and including the lower portion, and a groove is formed in a region facing the second portion in the lower portion. May be provided with a Hastelloy bulk member that provides a contacted surface. The bulk member may be removable from the lower part. According to this aspect, when the contacted surface is consumed, only the portion providing the contacted surface can be replaced without replacing the entire shield member. Therefore, the shield member can be provided at a low cost.
以上説明したように、シャッター及びシールド部材からのパーティクルの発生を抑制可能なプラズマ処理装置が提供される。 As described above, a plasma processing apparatus capable of suppressing the generation of particles from the shutter and the shield member is provided.
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。 Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図1においては、プラズマ処理装置の縦断面が概略的に示されている。図1に示すプラズマ処理装置10は、被処理体(以下、「ウエハW」という)にプラズマ処理を行うための装置である。
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a plasma processing apparatus according to an embodiment. FIG. 1 schematically shows a longitudinal section of a plasma processing apparatus. A
プラズマ処理装置10は、処理容器12を備えている。処理容器12は、その内部において処理空間Sを画成している。プラズマ処理装置10では、処理空間SにウエハWが収容され、当該ウエハWに対するプラズマ処理が施される。
The
一実施形態において、処理容器12は、側壁12a、底部12b、及び、天部12cを含んでいる。側壁12aは、略円筒形状を有している。この側壁12aは、その中心軸線である軸線Zを中心にして鉛直方向に延在している。以下、本明細書では、軸線Zが延在する方向を、「軸線Z方向」、「鉛直方向」、「上下」ということがある。また、軸線Zに対して放射方向を「径方向」ということがある。さらに、軸線Zを中心とする円弧に沿った方向を「周方向」ということがある。
In one embodiment, the processing container 12 includes a
側壁12aの下端側には底部12bが設けられており、当該側壁12aの上端側には天部12cが設けられている。また、側壁12aには、ウエハWを処理容器12内に搬入し、処理容器12の内部からウエハWを搬出するための搬送路CPが形成されている。この搬送路CPは、ゲートバルブGVによって開閉することが可能となっている。
A
プラズマ処理装置10は、載置台20を更に備えている。載置台20は、処理容器12内に設けられている。この載置台20を囲むように、処理容器12の側壁12aの内面に沿ってシールド部材60が設けられている。シールド部材60は、プラズマ処理によって発生する反応生成物が側壁12aの内面に堆積することを防止するための部材である。シールド部材60は、略円筒形状の部材であり、その中心軸線は軸線Zに略一致している。このシールド部材60には、搬送路CPに対面する開口OP(図2及び図3参照)が形成されている。
The
また、図1に示すように、処理容器12内には、シールド部材60の開口OPを開閉するためのシャッター70が設けられている。シャッター70は、昇降可能である。シャッター70は、駆動装置40に接続されている。駆動装置40は、シャッター70を上下に移動させる。具体的には、シャッター70は、プラズマ処理時など、開口OPを閉鎖する場合には、第1領域に位置する。一方、シャッター70は、ウエハWの搬入出時など、開口OPを搬送路CPに対して開放する場合には、第2領域に位置する。この第2領域は、第1領域よりも下方の領域である。なお、シールド部材60及びシャッター70の詳細については、後述する。
As shown in FIG. 1, a
載置台20は、下部電極LE、及び、静電チャックESCを含んでいる。下部電極LEは、マッチングユニットMUを介して、高周波電源RFGに接続されている。高周波電源RFGは、イオン引き込み用の高周波電力(高周波バイアス電力)を発生する。静電チャックESCは、下部電極LE上に設けられている。静電チャックESCは、その上面に載置されたウエハWをクーロン力によって吸着して、当該ウエハWを保持する。 The mounting table 20 includes a lower electrode LE and an electrostatic chuck ESC. The lower electrode LE is connected to the high frequency power supply RFG through the matching unit MU. The high frequency power supply RFG generates high frequency power (high frequency bias power) for ion attraction. The electrostatic chuck ESC is provided on the lower electrode LE. The electrostatic chuck ESC holds the wafer W by adsorbing the wafer W placed on the upper surface thereof by Coulomb force.
一例において、下部電極LEは、第1プレート22a及び第2プレート22bを含んでいる。第1プレート22aは、略円盤状の部材である。また、第1プレート22aは、導電性の部材であり、例えば、アルミニウムから構成されている。この第1プレート22aは、略筒状の支持部SP1によって支持されている。支持部SP1は、底部12bから上方に延びており、第1プレート22aの下面の周縁領域に当接している。この支持部SP1は、石英といった絶縁体から構成されている。
In one example, the lower electrode LE includes a
第2プレート22bは、第1プレート22a上に設けられている。第2プレート22bは、略円盤状の部材である。また、第2プレート22bは、導電性の部材であり、例えば、アルミニウムから構成されている。この第2プレート22bは、第1プレート22aに導通している。
The
第1プレート22aには、マッチングユニットMUを介して高周波電源RFGが電気的に接続されている。高周波電源RFGは、ウエハWに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、13.65MHzの高周波バイアス電力を出力する。マッチングユニットMUは、高周波電源RFG側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器12といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容している。この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。
A high frequency power supply RFG is electrically connected to the
第2プレート22bの内部には、冷媒室RCが設けられている。この冷媒室RCには、チラーユニットから配管PP1,PP2を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環するように供給される。このように循環される冷媒によって、静電チャックESC上のウエハWの温度が、制御され得る。さらに、伝熱ガス供給部からの伝熱ガス、例えば、Heガスが供給管PP3を介して静電チャックESCの上面とウエハWの裏面との間に供給される。
A refrigerant chamber RC is provided inside the
静電チャックESCは、第2プレート22bの上面の上に設けられている。静電チャックESCは、略円盤形状を有している。静電チャックESCは、ウエハWを静電吸着力で保持する。そのため、静電チャックESCは、誘電体膜の間に挟まれた電極膜EFを含んでいる。電極膜EFには、直流電源DSがスイッチSWを介して電気的に接続されている。静電チャックESCは、直流電源DSから印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、その上面にウエハWを吸着し、当該ウエハWを保持することができる。
The electrostatic chuck ESC is provided on the upper surface of the
また、静電チャックESCの誘電体膜内には、ヒータHC及びヒータHEが設けられている。ヒータHCは、静電チャックESCの中央領域に設けられている。ヒータHCには、ヒータ電源HP1が接続されている。ヒータ電源HP1は、ヒータHCに対して交流電力を供給する。ヒータHEは、ヒータHCよりも径方向外側に設けられている。ヒータHEには、ヒータ電源HP2が接続されている。ヒータ電源HP2は、ヒータHEに交流電力を供給する。 A heater HC and a heater HE are provided in the dielectric film of the electrostatic chuck ESC. The heater HC is provided in the central region of the electrostatic chuck ESC. A heater power source HP1 is connected to the heater HC. The heater power supply HP1 supplies AC power to the heater HC. The heater HE is provided radially outside the heater HC. A heater power source HP2 is connected to the heater HE. The heater power supply HP2 supplies AC power to the heater HE.
また、静電チャックESC及び下部電極LEには、これらを鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されており、当該貫通孔には、プッシャーピンLPが通されている。プッシャーピンLPは、ウエハWの搬入出時に上昇し、その上端においてウエハWを支持する。 Further, the electrostatic chuck ESC and the lower electrode LE are formed with through holes penetrating them in the vertical direction, and pusher pins LP are passed through the through holes. The pusher pin LP rises when the wafer W is loaded / unloaded, and supports the wafer W at the upper end thereof.
また、静電チャックESCの径方向外側には、フォーカスリングFRが設けられている。フォーカスリングFRは、静電チャックESCを囲むように、静電チャックESCのエッジ及びウエハWのエッジに沿って環状に延在している。フォーカスリングFRは、石英といった誘電体から構成されている。フォーカスリングFRは、ウエハWのエッジの外側におけるシース電位を調整するために設けられており、ウエハWのプラズマ処理の面内均一性に寄与する。 A focus ring FR is provided on the outer side in the radial direction of the electrostatic chuck ESC. The focus ring FR extends annularly along the edge of the electrostatic chuck ESC and the edge of the wafer W so as to surround the electrostatic chuck ESC. The focus ring FR is made of a dielectric such as quartz. The focus ring FR is provided to adjust the sheath potential outside the edge of the wafer W, and contributes to in-plane uniformity of plasma processing of the wafer W.
フォーカスリングFRの下方には、筒状部TP1が設けられている。筒状部TP1は、アルミナといった絶縁体から構成されている。筒状部TP1は、円筒形状を有しており、下部電極LEの外周面に沿って延在している。 A cylindrical portion TP1 is provided below the focus ring FR. The cylindrical portion TP1 is made of an insulator such as alumina. The cylindrical part TP1 has a cylindrical shape and extends along the outer peripheral surface of the lower electrode LE.
筒状部TP1とフォーカスリングFRとの間には、環状部APが設けられている。環状部APは、アルミナといった絶縁体から構成されている。環状部APは、第2プレート22bの外周面に沿って環状に延在している。この環状部APの上面は、フォーカスリングFRの下面に接している。また、環状部APの下面は、筒状部TP1の上端に接している。
An annular part AP is provided between the cylindrical part TP1 and the focus ring FR. The annular portion AP is made of an insulator such as alumina. The annular portion AP extends in an annular shape along the outer peripheral surface of the
環状部APの周縁部の下方には、筒状部TP2が設けられている。筒状部TP2は、略円筒形状を有している。この筒状部TP2は、筒状部TP1及び支持部SP1の外周に沿って延在している。筒状部TP2は、導電性の材料、例えば、アルミニウムから構成されている。なお、筒状部TP2の表面には、イットリア(Y2O3)製の膜が形成されていてもよい。或いは、筒状部TP2の表面には、酸化処理が施されていてもよい。 A cylindrical part TP2 is provided below the peripheral part of the annular part AP. The cylindrical part TP2 has a substantially cylindrical shape. The tubular portion TP2 extends along the outer periphery of the tubular portion TP1 and the support portion SP1. The cylindrical portion TP2 is made of a conductive material, for example, aluminum. A film made of yttria (Y 2 O 3 ) may be formed on the surface of the cylindrical portion TP2. Or the oxidation process may be given to the surface of the cylindrical part TP2.
筒状部TP2の外周面及び環状部APの外周面から側壁12a及びシールド部材60までの間の空間は、排気路VLになっている。排気路VLは、底部12bまで延びており、当該底部12bに取り付けられた排気管を介して排気装置30に接続されている。排気装置30は、圧力調整器、及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有している。この排気装置30を動作させることにより、載置台20の外周から排気路VLを介してガスを排気することが、また、処理容器12内の処理空間Sを所望の真空度まで減圧することができる。
A space between the outer peripheral surface of the cylindrical portion TP2 and the outer peripheral surface of the annular portion AP and the
鉛直方向において排気路VLの中間には、バッフル板BPが設けられている。バッフル板BPは、軸線Zを中心として環状に延在する板状の部材である。このバッフル板BPには、複数の貫通孔が形成されている。これら貫通孔は、鉛直方向においてバッフル板BPを貫通している。このバッフル板BPの内側縁部は、筒状部TP2と環状部APとの間に設けられている。また、バッフル板BPの外側縁部は、シールド部材60によって支持されている。
A baffle plate BP is provided in the middle of the exhaust path VL in the vertical direction. The baffle plate BP is a plate-like member that extends in an annular shape about the axis Z. A plurality of through holes are formed in the baffle plate BP. These through holes penetrate the baffle plate BP in the vertical direction. The inner edge portion of the baffle plate BP is provided between the tubular portion TP2 and the annular portion AP. Further, the outer edge portion of the baffle plate BP is supported by the
また、プラズマ処理装置10は、プラズマ生成部PG及びガス供給部GSを更に備えている。プラズマ生成部PGは、ガス供給部GSから供給されるガスを励起させるためのエネルギーを処理容器12内に導入する。一実施形態において、プラズマ生成部PGは、天部12cに設けられている。一例において、プラズマ生成部PGは、マイクロ波を処理容器12内に導入する。プラズマ生成部PGは、容量結合型のプラズマ源であってもよい。この場合には、プラズマ生成部PGは、上部電極であってもよい。プラズマ生成部PGが上部電極である場合には、プラズマ生成用の高周波電力を発生する高周波電源は、上部電極及び下部電極LEのうち一方に接続され得る。或いは、プラズマ生成部PGは、誘導結合型のプラズマ源であってもよい。或いは、プラズマ生成部PGは、マイクロ波供給部であってもよい。
The
ガス供給部GSは、処理容器12内にガスを供給する。このガスがプラズマ生成部PGによって与えられるエネルギーによって励起され、励起されたガスによりプラズマ処理が行われる。一例においては、図1に示すように、ガス供給部GSは、ガス導入管50を有する。ガス導入管50は、処理容器12の外部から内部まで延在している。ガス導入管50には、ガスソース52が接続されている。ガスソース52は、ウエハWに対して行うプラズマ処理に応じたガスを流量制御された状態で供給する。なお、ガス供給部GSは、図1に示された形態に限定されるものではない。例えば、ガス供給部GSは、ガス導入管50に代えて、又は、これに加えて、天部12cからガスを供給するものであってもよい。また、プラズマ生成部PGが上部電極である場合には、ガス供給部GSは、上部電極によって構成されるシャワーヘッドであってもよい。
The gas supply unit GS supplies gas into the processing container 12. This gas is excited by the energy given by the plasma generator PG, and plasma processing is performed by the excited gas. In one example, as shown in FIG. 1, the gas supply unit GS includes a
以下、シールド部材60及びシャッター70の詳細について説明する。図2は、一実施形態に係るシールド部材及びシャッターを示す断面図であり、シャッターが第1領域に位置してシールド部材の開口を閉鎖している状態を示している。また、図3は、一実施形態に係るシールド部材の斜視図であり、図4は、図3に示すシールド部材の一部を拡大して示す破断斜視図である。また、図5は、一実施形態に係るシャッターの分解斜視図であり、図6は、図5に示すシャッターの断面図である。
Hereinafter, details of the
図3に示すように、シールド部材60は、本体60mを有している。本体60mは、略円筒形状を有しており、図1に示すように、その中心軸線が軸線Zに略一致するように側壁12aに沿って設けられている。本体60mは、例えば、アルミニウムから構成されている。本体60mの表面には、イットリア(Y2O3)膜が形成されていてもよく、或いは、酸化処理が施されていてもよい。
As shown in FIG. 3, the
一実施形態において、図2、図3、及び図4に示すように、本体60mは、フランジ部60fを含んでいる。フランジ部60fは、本体60mの最上部を構成している。フランジ部60fは、本体60mの外径を当該本体60mの最上部において拡大している。このフランジ部60fは、図2に示すように、側壁12aによって支持されている。具体的には、側壁12aは上下に分離可能な二つのパーツを含んでおり、これら二つのパーツ間にフランジ部60fは挟持されている。
In one embodiment, as shown in FIGS. 2, 3, and 4, the
また、本体60mは、図2、図3、及び図4に示すように、下部60bを含んでいる。下部60bは、本体60mの最下部を構成している。下部60bは、高さ方向、即ち軸線Zが延在する方向(以下、「軸線Z方向」という)に所定の厚みを有し、本体60mの最下部において当該本体60mの内径及び外径を縮小している。
The
本体60mには、開口OPが形成されている。この開口OPは、図2に示すように、搬送路CPに面するように設けられている。図2、図3、及び図4に示すように、本体60mは、この開口OPを上方及び周方向の両側から囲む薄肉部60cを含んでいる。また、本体60mは、薄肉部60cの上側及び周方向の両側において本体60mを構成する厚肉部60dを含んでいる。この薄肉部60cの径方向の厚みは、厚肉部60dの当該径方向の厚みよりも薄くなっている。また、薄肉部60cの内周面及び厚肉部60dの内周面は連続しており、本体60mの内周面60iを構成している。したがって、薄肉部60cの外周面は、厚肉部60dの外周面よりも、軸線Zに近づけられている。
An opening OP is formed in the
薄肉部60cは、端面60t1及び一対の端面60t2を有している。端面60t1は、開口OPの上方において周方向に延びており、下方を向いた面となっている。また、一対の端面60t2は、端面60t1の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。これら端面60t1,60t2と本体60mの内周面60iとの間の境界である縁60eは、開口OPを上方から画成するよう周方向に延在しており、また、開口OPを周方向の両側から画成するよう鉛直方向に延在している。また、開口OPは、下部60bの縁60gによって下方から画成されている。この縁60gは、下部60bの外周面の上縁を構成している。
The
図4に示すように、厚肉部60dは、端面60p1及び一対の端面60p2を有している。端面60p1は、周方向に延びる面であり、下方を向いた面となっている。端面60p1は、端面60t1よりも上方且つ径方向外側において延在している。また、一対の端面60p2は、端面60p1の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。一対の端面60p1は、一対の端面60t1よりも周方向において開口OPから離れており、また、一対の端面60t1よりも径方向外側において延在している。
As shown in FIG. 4, the
下部60bの外周面は、薄肉部60cの内周面、即ち内周面60iよりも軸線Zに若干近づけられている。即ち、下部60bの外周面の軸線Zからの距離は、内周面60iの軸線Zからの距離よりも小さくなっている。この下部60bの外周面、薄肉部60cの端面60t1,60t2、及び、厚肉部60dの端面60p1,60p2は、シャッター70が上下動して当該シャッター70の第1部分70aが収容される空間を画成している。
The outer peripheral surface of the
また、図2及び図4に示すように、下部60bの下面側には、周方向に延在する溝が形成されている。この溝内には、ハステロイ製のバルク部材62が嵌め込まれている。このバルク部材62の下面は、被接触面62bを構成している。また、バルク部材62は、下部60bに対してねじ留めすることが可能となっている。即ち、バルク部材62は、下部60bから取り外し可能となっている。
Further, as shown in FIGS. 2 and 4, a groove extending in the circumferential direction is formed on the lower surface side of the
図5及び図6に示すように、シャッター70は、第1部分70a及び第2部分70bを有している。第1部分70aは、シャッター70が開口OPを閉鎖するときに、当該開口OPに対面する部分である。第1部分70aは、例えば、アルミニウムから構成されている。第1部分70aの表面には、イットリア(Y2O3)製の膜が形成されていてもよい。或いは、第1部分70aの表面には、酸化処理が施されていてもよい。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
第1部分70aは、周方向に延在する板状をなしている。一実施形態では、第1部分70aは、厚肉部70c及び薄肉部70dを含んでいる。厚肉部70cは、内面、及び、当該内面よりも軸線Zから遠い外面とを含んでいる。厚肉部70cの内面の曲率半径は、軸線Zからの開口OPまでの距離と略一致している。また、厚肉部70cは、端面70t1及び一対の端面70t2を含んでいる。端面70t1は、厚肉部70cの上端の面であり、周方向に延びており、上方を向いた面となっている。また、一対の端面70t2は、端面70t1の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。
The
薄肉部70dは、厚肉部70cの径方向外側の領域から周方向及び上方に突出するように設けられている。この薄肉部70dは、端面70p1及び一対の端面70p2を含んでいる。端面70p1は、薄肉部70dの上端の面であり、周方向に延びており、上方を向いた面となっている。この端面70p1は、端面70t1よりも上方且つ径方向外側において延在している。また、一対の端面70p2は、端面70p1の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。一対の端面70p2は、一対の端面70t2よりも径方向外側に設けられており、第1部分70aの周方向の中心に対して、一対の端面70t2よりも離れている。
The thin-
第2部分70bは、第1部分70aの下端に結合している。第2部分70bは、一実施形態では、アルミニウムから構成されている。第2部分70bの表面には、イットリア(Y2O3)製の膜が形成されていてもよい。或いは、第2部分70bの表面には、酸化処理が施されていてもよい。この第2部分70bは、周方向に延在する板状をなしている。第2部分70bの径方向の長さは、第1部分70aの径方向の長さよりも長くなっている。第1部分70aは、当該第1部分70aの下端が第2部分70bの径方向外側の領域上に位置するように、設置される。即ち、第2部分70bは、径方向内側の領域70rにおいて、その上面が露出するように、第1部分70aをその上に搭載する。第1部分70aと第2部分70bは、互いにねじ留めされることにより、結合される。換言すると、第1部分70a及び第2部分70bは、互いに分離可能な構造となっている。
The
第2部分70bの領域70rの上面側には、溝70gが形成されている。この溝70gは、周方向に延在している。溝70gには、ハステロイ製の接触部72が嵌め込まれている。この接触部72は、一実施形態では、弾性部材である。一例においては、接触部72は、周方向に延びる弧を中心としたスパイラル状に形成されている。
A
かかるシャッター70によって開口OPを閉鎖する際には、当該シャッター70は、第2領域から上方に移動され第1領域に配置される。第1領域においてシャッター70が配置されると、図2に示すように、シャッター70の第1部分70aは、開口OPに対面するようになっている。具体的には、第1部分70aの厚肉部70cの内面が開口OPに沿うようになっている。この状態において、第1部分70aの端面70t1は、シールド部材60の端面60t1に対して間隙を介して対面する。また、第1部分70aの一対の端面70t2はそれぞれ、シールド部材60の一対の端面60t2に間隙を介して対面する。また、第1部分70aの端面70p1は、シールド部材60の端面60p1に対して間隙を介して対面する。また、第1部分70aの一対の端面70p2はそれぞれ、シールド部材60の一対の端面60p2に間隙を介して対面する。さらに、シャッター70の端面70t1と端面70p1の間、及び、一対の端面70p1と一対の端面70p2の間を接続する面が、シールド部材60の端面60t1と端面60p1の間、及び、一対の端面60t2と一対の端面60p2の間を接続する面と、径方向において間隙を介して対面する。これにより、開口OPの上方及び周方向の両側においては、ラビリンス構造の間隙が形成される。
When the opening OP is closed by the
また、シャッター70が第1領域に配置されているときには、シャッター70の第2部分70bが、シールド部材60の下部60bに下方から対面する。また、接触部72のみが被接触面62bに当接する。このように、シャッター70とシールド部材60は、接触部72と被接触面62bのみにおいて互いに接するので、シャッター70及びシールド部材60からのパーティクルの発生が抑制される。
Further, when the
また、シャッター70によれば、接触部72が消耗した際には、接触部72のみを取り替えることができる。したがって、シャッター70の全体をハステロイから構成するよりも、シャッター70を安価に提供することができる。
Further, according to the
以下、別の実施形態について説明する。図7は、別の実施形態に係るシャッターを示す分解斜視図である。図7に示すシャッター170は、シャッター70と同様に第1部分70aを有している。シャッター170は、第2部分170bを備えている。シャッター170の第2部分170bは、シャッター70の第2部分70bと異なり、その全体がハステロイから構成されている。また、シャッター170の第2部分170bには、溝70gは形成されていない。このシャッター170では、第2部分170bがハステロイ製の接触部を提供している。かかるシャッター170によれば、接触部が消耗した際に、第2部分170bのみを交換することができる。したがって、シャッター170を安価に提供することができる。
Hereinafter, another embodiment will be described. FIG. 7 is an exploded perspective view showing a shutter according to another embodiment. The
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、シャッターの全体がハステロイから構成されていてもよい。この場合には、シャッターの第1部分及び第2部分は、分離可能でなくてもよく、一体化されたものであってもよい。また、シールド部材の全体がハステロイ空構成されていてもよい。この場合には、シールド部材の下部が被接触面を提供することになる。したがって、シールド部材はバルク部材を備える必要がなく、また、シールド部材にバルク部材を装着するために溝は形成されていなくてもよい。 Although various embodiments have been described above, various modifications can be made without being limited to the above-described embodiments. For example, the entire shutter may be made of hastelloy. In this case, the first part and the second part of the shutter may not be separable and may be integrated. Further, the entire shield member may be configured as hastelloy. In this case, the lower part of the shield member provides the contacted surface. Therefore, the shield member does not need to include a bulk member, and the groove may not be formed in order to attach the bulk member to the shield member.
10…プラズマ処理装置、12…処理容器、CP…搬送路、12a…側壁、20…載置台、40…駆動装置(シャッター駆動用)、60…シールド部材、60m…本体、OP…開口、60c…薄肉部、60t1,60t2…端面、60d…厚肉部、60p1,60p2…端面、60e…縁、60b…下部、60g…縁、62…バルク部材、62b…被接触面、70…シャッター、70a…第1部分、70b…第2部分、70c…厚肉部、70t1,70t2…端面、70d…薄肉部、70p1,70p2…端面、70g…溝、72…接触部。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
被処理体の搬入出用の搬送路が形成された側壁を有する処理容器と、
前記処理容器内に設けられた載置台と、
前記載置台を囲むように前記側壁の内面に沿って設けられたシールド部材であり、前記搬送路に面する開口が形成された該シールド部材と、
前記開口用の昇降可能なシャッターと、
を備え、
前記シャッターは、前記開口に対面可能な第1部分、及び前記シールド部材の下方において該シールド部材に対面する第2部分を有し、
前記シールド部材は、前記第2部分に対面する被接触面を含む下部を有し、
前記第2部分には、前記被接触面に当接可能な接触部が設けられており、
前記シャッターの前記第1部分は、前記シールド部材との間に間隙を介して前記開口を閉鎖し、
前記被接触面及び前記接触部は、ハステロイから構成されている、
プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus for performing plasma processing on an object to be processed,
A processing container having a side wall in which a conveyance path for carrying in and out the object to be processed is formed;
A mounting table provided in the processing container;
A shield member provided along the inner surface of the side wall so as to surround the mounting table, the shield member having an opening facing the transport path, and
A vertically movable shutter for the opening;
With
The shutter has a first portion that can face the opening, and a second portion that faces the shield member below the shield member,
The shield member includes a lower portion including a contacted surface facing the second portion;
The second portion is provided with a contact portion capable of contacting the contacted surface,
The first portion of the shutter closes the opening with a gap between the first member and the shield member,
The contacted surface and the contact portion are made of Hastelloy,
Plasma processing equipment.
前記接触部は、前記溝に嵌め込まれるハステロイ製の弾性部材である、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 A groove is formed in the second portion,
The contact portion is an elastic member made of Hastelloy that is fitted into the groove.
The plasma processing apparatus according to claim 1.
請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。 The elastic member is a spiral member,
The plasma processing apparatus according to claim 2 or 3.
前記第1部分はアルミニウムから構成されており、
前記第2部分はハステロイから構成されており、前記接触部を提供する、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 The first part and the second part are separable from each other;
The first portion is made of aluminum;
The second part is made of Hastelloy and provides the contact portion;
The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記下部において前記第2部分に対面する領域には溝が形成されており、該下部の該溝には前記被接触面を提供するハステロイ製のバルク部材が設けられており、
前記バルク部材は、前記下部から取り外し可能である、
請求項1〜5の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 The shield member has an aluminum body in which the opening is formed and includes the lower part,
A groove is formed in a region facing the second part in the lower portion, and a bulk member made of Hastelloy that provides the contacted surface is provided in the groove in the lower portion,
The bulk member is removable from the lower part,
The plasma processing apparatus as described in any one of Claims 1-5.
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