JP6208974B2

JP6208974B2 - Resist composition and method for producing resist pattern

Info

Publication number: JP6208974B2
Application number: JP2013095113A
Authority: JP
Inventors: 市川　幸司; 幸司市川; 貴行宮川; 山口　訓史; 訓史山口
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2012-05-15
Filing date: 2013-04-30
Publication date: 2017-10-04
Anticipated expiration: 2033-04-30
Also published as: JP2013257539A

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。 The present invention relates to a resist composition, a method for producing a resist pattern using the resist composition, and the like.

特許文献１には、式（ｕ−Ａ）で表される構造単位及び式（ｕ−Ｃ）で表される構造単位からなる樹脂と、トリフェニルスルホニウムトリフレートとからなるレジスト組成物が記載されている。
また、レジスト組成物から、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する際、アルカリ現像液で現像するとポジ型レジストパターンが得られ、有機溶剤で現像するとネガ型レジストパターンが得られることが知られている（非特許文献１）。 Patent Document 1 describes a resist composition comprising a resin composed of a structural unit represented by the formula (u-A) and a structural unit represented by the formula (u-C), and triphenylsulfonium triflate. ing.
Further, it is known that when a resist pattern is formed from a resist composition by photolithography, a positive resist pattern is obtained when developed with an alkaline developer, and a negative resist pattern is obtained when developed with an organic solvent ( Non-patent document 1).

特開２０００−１２２２９４号公報JP 2000-122294 A

テクノタイムズ社発行月刊ディスプレイ ’１１６月号ｐ．３１Published by Techno Times Inc. Monthly Display '11 June p. 31

本発明の目的は、優れた解像度であるレジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a resist composition capable of producing a resist pattern having an excellent resolution.

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、並びに、酸不安定基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
［式（Ｉ）中、
Ｒ¹は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ａ¹は、単結合、^＊−Ａ²−Ｏ−、^＊−Ａ²−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ａ²−ＣＯ−Ｏ−Ａ³−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ａ²−Ｏ−ＣＯ−Ａ³−Ｏ−を表す。
＊は−Ｏ−との結合手を表す。
Ａ²及びＡ³は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。］
［２］酸不安定基を有する酸発生剤が、式（ＩＩ−０）で表される酸発生剤である［１］記載のレジスト組成物。
［式（ＩＩ−０）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ⁰¹は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ⁴は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
環Ｗ¹は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の炭化水素環を表す。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
［３］さらに溶剤を含有する［１］又は［２］記載のレジスト組成物。
［４］（１）上記［１］〜［３］のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] A resist composition comprising a resin comprising a structural unit represented by formula (I) and a structural unit having an acid labile group, and an acid generator having an acid labile group.
[In the formula (I),
R ¹ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A ¹ is a single bond, ^* —A ² —O—, ^* —A ² —CO—O—, ^* —A ² —CO—O—A ³ —CO—O—, or ^* —A ² —O—CO. -A ³ represents a -O-.
* Represents a bond with -O-.
A ² and A ³ each independently represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[2] The resist composition according to [1], wherein the acid generator having an acid labile group is an acid generator represented by the formula (II-0).
[In the formula (II-0),
Q ¹ and Q ² each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L ⁰¹ represents a C 1-20 divalent hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and —CH ₂ — contained in the hydrocarbon group is —CO— or —O—. It may be replaced with.
R ⁴ represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
Ring W ¹ represents a hydrocarbon ring optionally having from 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent.
Z ⁺ represents an organic cation. ]
[3] The resist composition according to [1] or [2], further containing a solvent.
[4] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [3] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

本発明のレジスト組成物によれば、高解像度のレジストパターンを製造することができる。 According to the resist composition of the present invention, a high-resolution resist pattern can be produced.

本明細書において「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。 The term "(meth) acrylic monomer" as used herein means at least one monomer having a structure of "CH ₂ = CH-CO-" or _{_{"CH 2 = C (CH 3)}} -CO- " . Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
（Ａ）式（Ｉ）で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）、及び
（Ｂ）酸不安定基を有する酸発生剤を含有する。
本発明のレジスト組成物は、さらに溶剤（Ｅ）を含有していることが好ましい。 <Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
(A) a resin containing a structural unit represented by formula (I) and a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and (B) an acid having an acid labile group Contains a generator.
It is preferable that the resist composition of the present invention further contains a solvent (E).

〈樹脂（Ａ）〉
樹脂（Ａ）は、式（Ｉ）で表される構造単位と酸不安定基を有する構造単位とを有し、さらに、酸不安定基を有さない構造単位を有していてもよい。
本明細書において、「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。 <Resin (A)>
The resin (A) has a structural unit represented by the formula (I) and a structural unit having an acid labile group, and may further have a structural unit having no acid labile group.
In the present specification, the “acid labile group” is a group having a leaving group and forming a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group) by leaving the leaving group by contact with an acid. Means.

〈式（Ｉ）で表される構造単位〉
樹脂（Ａ）は、式（Ｉ）で表される構造単位（以下「構造単位（Ｉ）」という場合がある）を有する。
［式（Ｉ）中、
Ｒ¹は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ａ¹は、単結合、^＊−Ａ²−Ｏ−、^＊−Ａ²−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ａ²−ＣＯ−Ｏ−Ａ³−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ａ²−Ｏ−ＣＯ−Ａ³−Ｏ−を表す。
＊は−Ｏ−との結合手を表す。
Ａ²及びＡ³は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。］ <Structural unit represented by formula (I)>
The resin (A) has a structural unit represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I)”).
[In the formula (I),
R ¹ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A ¹ is a single bond, ^* —A ² —O—, ^* —A ² —CO—O—, ^* —A ² —CO—O—A ³ —CO—O—, or ^* —A ² —O—CO. -A ³ represents a -O-.
* Represents a bond with -O-.
A ² and A ³ each independently represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]

式（Ｉ）におけるＲ¹のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ¹のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ¹のハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などが挙げられる。
Ｒ¹は、好ましくは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは、水素原子、メチル基又はエチル基である。 Examples of the halogen atom for R ¹ in formula (I) include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Examples of the alkyl group for R ¹ include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl group. , Preferably it is a C1-C4 alkyl group, More preferably, it is a methyl group or an ethyl group.
Examples of the alkyl group having a halogen atom for R ¹ include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl group, perfluoro group. Examples include a hexyl group, a trichloromethyl group, a tribromomethyl group, and a triiodomethyl group.
R ¹ is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

Ａ²及びＡ³のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基及びヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基などが挙げられる。
Ａ¹は、好ましくは、単結合又は^＊−Ａ²−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは、単結合、−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｃ₂Ｈ₄−ＣＯ−Ｏ−である。 Examples of the alkanediyl group of A ² and A ³ include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane-1,5. -Diyl group and hexane-1,6-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1, Examples include 4-diyl group and 2-methylbutane-1,4-diyl group.
A ¹ is preferably a single bond or ^* —A ² —CO—O—, more preferably a single bond, —CH ₂ —CO—O— or —C ₂ H ₄ —CO—O—. .

構造単位（Ｉ）の具体例を以下に示す。
Specific examples of the structural unit (I) are shown below.

式（ａａ−１）〜式（ａａ−６）でそれぞれ表される構造単位について、Ｒ¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（Ｉ）の具体例として挙げることができる。 Regarding the structural units represented by formula (aa-1) to formula (aa-6), structural units in which the methyl group corresponding to R ¹ is replaced with a hydrogen atom are also exemplified as specific examples of structural unit (I). Can do.

構造単位（Ｉ）は、式（Ｉ’）で表される化合物（以下、場合により「化合物（Ｉ’）」という。）から誘導される。
［式（Ｉ’）中、Ｒ¹及びＡ¹は上記と同じ意味を表す。］ The structural unit (I) is derived from a compound represented by the formula (I ′) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I ′)”).
[In formula (I ′), R ¹ and A ¹ represent the same meaning as described above. ]

化合物（Ｉ’）におけるＡ¹が＊−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−（＊は−ＣＯ−Ｏ−との結合手を表す。）である、式（Ｉ’−１）で表される化合物は、式（Ｉ’−１−ａ）で表される化合物と、式（Ｉ’−１−ｂ）で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより得ることができる。ここで溶剤としては、塩化メチレン、テトラヒドロフラン及びアセトニトリルなどが好ましく用いられる。
［式中、Ｒ¹は上記と同じ意味を表す。］ The compound represented by the formula (I′-1), wherein A ¹ in the compound (I ′) is * —CH ₂ —CO—O— (* represents a bond to —CO—O—), The compound represented by formula (I′-1-a) can be obtained by reacting the compound represented by formula (I′-1-b) in a solvent. Here, methylene chloride, tetrahydrofuran, acetonitrile, and the like are preferably used as the solvent.
[Wherein R ¹ represents the same meaning as described above. ]

式（Ｉ’−１−ａ）で表される化合物は、式（Ｉ’−１−ｃ）で表される化合物と、式（Ｉ’−１−ｄ）で表される化合物とを、反応させることにより得ることができる。この反応は、塩化メチレン、テトラヒドロフラン及びアセトニトリルなどの溶媒の存在下で行われることが好ましい。
［式中、Ｒ¹は上記と同じ意味を表す。］
この反応においては、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどの縮合触媒を用いることもできる。 The compound represented by the formula (I′-1-a) is obtained by reacting the compound represented by the formula (I′-1-c) with the compound represented by the formula (I′-1-d). Can be obtained. This reaction is preferably carried out in the presence of a solvent such as methylene chloride, tetrahydrofuran and acetonitrile.
[Wherein R ¹ represents the same meaning as described above. ]
In this reaction, a condensation catalyst such as dicyclohexylcarbodiimide can also be used.

式（Ｉ’−１−ｃ）で表される化合物としては、以下の化合物などが挙げられる。
式（Ｉ’−１−ｃ）で表される化合物として、目的の化合物（Ｉ’）に対応したＡ¹及びＲ¹を有する化合物を用いれば、目的の化合物（Ｉ’）を得ることができる。式（Ｉ’−１−ｃ）及び式（Ｉ’−１−ｄ）で表される化合物は、市場から容易に入手できる。 Examples of the compound represented by the formula (I′-1-c) include the following compounds.
If a compound having A ¹ and R ¹ corresponding to the target compound (I ′) is used as the compound represented by the formula (I′-1-c), the target compound (I ′) can be obtained. . The compounds represented by formula (I′-1-c) and formula (I′-1-d) are easily available from the market.

化合物（Ｉ’）としては、例えば、以下のものが挙げられる。
式（ａａ’−１）〜式（ａａ’−６）でそれぞれ表される化合物（Ｉ’）について、Ｒ¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、化合物（Ｉ’）の具体例として挙げることができる。 Examples of compound (I ′) include the following.
Regarding the compound (I ′) represented by each of the formulas (aa′-1) to (aa′-6), the structural unit in which the methyl group corresponding to R ¹ is replaced with a hydrogen atom is also represented by the compound (I ′). Specific examples can be given.

構造単位（Ｉ）の含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、好ましくは１〜８０モル％であり、より好ましくは２〜７５モル％であり、さらに好ましくは３〜７０モル％であり、特に好ましくは５〜６５モル％である。 The content of the structural unit (I) is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 2 to 75 mol%, still more preferably 3 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). %, Particularly preferably 5 to 65 mol%.

〈酸不安定基を有する構造単位〉
酸不安定基を有する構造単位（以下「酸不安定構造単位」という場合がある）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「酸不安定モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
酸不安定基としては、例えば、式（１）で表される基、式（２）で表される基などが挙げられる。 <Structural unit having acid labile group>
A structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile structural unit”) is derived from a monomer having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile monomer (a1)”). .
Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

［式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。＊は結合手を表す。］
［式（２）中、Ｒ^a1'及びＲ^a2'は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^a3'は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a2'及びＲ^a3'は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］ [In the formula (1), R ^a1 , R ^a2 and R ^a3 each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof. R ^a1 and R ^a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
[In Formula (2), R ^{a1 ′} and R ^{a2 ′} each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R ^{a3 ′} represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R ^{a2 ′} and R ^{a3 ′} are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-. ]

Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で表される脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて２０以下である。
単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。
アルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
式（１）においては、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で表される脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６である。 ^Examples of the alkyl group represented by R ^a1 , R ^a2 and R ^a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group represented by R ^a1 , R ^a2 and R ^a3 may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group is an alkyl group. May be substituted. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group.
Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and the following groups (* represents a bond).
Examples of the alicyclic hydrocarbon group substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.
In the formula (1), the alicyclic hydrocarbon group represented by R ^a1 , R ^a2 and R ^a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、例えば、下記の基が挙げられる。２価の炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。各式中、Ｒ^a3は上記と同じ意味であり、＊は−Ｏ−との結合手を表す。
Examples of —C (R ^a1 ) (R ^a2 ) (R ^a3 ) in the case where R ^a1 and R ^a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. In each formula, R ^a3 has the same meaning as described above, and * represents a bond to —O—.

式（１）で表される基としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）などが挙げられる。 Examples of the group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R ^{a1 to} R ^a3 are alkyl groups, preferably a tert-butoxycarbonyl group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R ^a1 , R ^a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R ^a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane-1- Yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R ^a1 and R ^a2 are alkyl groups, and R ^a3 is an adamantyl group).

Ｒ^a1' 、Ｒ^a2'及びＲ^a3' で表される炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^a2'及びＲ^a3'が互いに結合して形成する２価の炭化水素基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon group represented by R ^{a1 ′} , R ^{a2 ′} and R ^{a3 ′} include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group obtained by combining these.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R ^{a2 ′} and R ^{a3 ′} include a divalent aliphatic hydrocarbon group.

式（２）においては、Ｒ^a1'及びＲ^a2'のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
式（２）で表される基の具体例としては、例えば、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。
In Formula (2), it is preferable that at least one of R ^{a1 ′} and R ^{a2 ′} is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.

酸不安定モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。 The acid labile monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。 Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If the resin composition (A) having a structural unit derived from an acid labile monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used in the resist composition, the resolution of the resist pattern can be improved. it can.

式（１）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは式（ａ１−１）で表される構造単位又は式（ａ１−２）で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。本明細書では、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位を、それぞれ構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）と、構造単位（ａ１−１）を誘導するモノマー及び構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーを、それぞれモノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）という場合がある。 As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having a group represented by formula (1), preferably a structural unit represented by formula (a1-1) or a structure represented by formula (a1-2) Units are listed. These may be contained independently and 2 or more types may be contained. In this specification, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2) are represented by the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), respectively. The monomer that derives the structural unit (a1-1) and the monomer that derives the structural unit (a1-2) may be referred to as a monomer (a1-1) and a monomer (a1-2), respectively.

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］ [In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L ^a1 and L ^a2 each independently represent —O— or ^* —O— (CH ₂ ) _k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R ^a4 and R ^a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R ^a6 and R ^a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｋ1−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて１０以下である。具体的には、式（１）のＲ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で表される基と同様の基が挙げられる。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。 L ^a1 and L ^a2 are preferably —O— or ^* —O— (CH ₂ ) _k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R ^a4 and R ^a5 are preferably methyl groups.
The alkyl group for R ^a6 and R ^a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group for R ^a6 and R ^a7 may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. . In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 10 or less including the carbon number of the alkyl group. Specific examples include the same groups as those represented by R ^a1 , R ^a2 and R ^a3 in formula (1).
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー（ａ１−１）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned. Among these, a monomer represented by any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) is preferable, and any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) is preferable. The monomer represented by is more preferable.

モノマー（ａ１−２）としては、例えば、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）で表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１−２−９）又は式（ａ１−２−１０）で表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）又は式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。
Examples of the monomer (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth). Examples include acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate. Monomers represented by formula (a1-2-1) to formula (a1-2-12) are preferred, and are represented by formula (a1-2-3), formula (a1-2-4), formula (a1-2-9) Or a monomer represented by formula (a1-2-10) is more preferred, and a monomer represented by formula (a1-2-3) or formula (a1-2-9) is more preferred.

樹脂（Ａ）が式（ａ１−１）で表される構造単位及び／又は式（ａ１−２）で表される構造単位を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。 When the resin (A) includes a structural unit represented by the formula (a1-1) and / or a structural unit represented by the formula (a1-2), the total content thereof is the total structure of the resin (A). It is 10-95 mol% normally with respect to a unit, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

他の酸不安定モノマー（ａ１）としては、例えば、酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−５）」という場合がある）を用いてもよい。
式（ａ１−５）中、
Ｒ³¹は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−［ＣＨ₂］_k4−ＣＯ−Ｌ^a34−基を表す。ここで、ｋ４は１〜４の整数を表す。＊は、Ｌ^a31との結合手を表す。
Ｌ^a31、Ｌ^a32、Ｌ^a33及びＬ^a34は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３の整数を表す。
ｓ１’は、０〜３の整数を表す。 As another acid labile monomer (a1), for example, a monomer represented by formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (hereinafter referred to as “monomer (a1-5)”) May be used).
In formula (a1-5),
R ³¹ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
Z ^a1 represents a single bond or a * — [CH ₂ ] _k4 —CO—L ^a34 — group. Here, k4 represents an integer of 1 to 4. * Represents a bond with L ^a31 .
L ^a31 , L ^a32 , L ^a33 and L ^a34 each independently represent —O— or —S—.
s1 represents an integer of 1 to 3.
s1 ′ represents an integer of 0 to 3.

式（ａ１−５）においては、Ｒ³¹は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ^a31は、酸素原子が好ましい。
Ｌ^a32及びＬ^a33は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。 In formula (a1-5), R ³¹ is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L ^a31 is preferably an oxygen atom.
One of L ^a32 and L ^a33 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z ^a1 is preferably a single bond or * —CH ₂ —CO—O—.

モノマー（ａ１−５）としては、以下のモノマーが挙げられる。
Examples of the monomer (a1-5) include the following monomers.

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、３〜４５モル％がより好ましく、５〜４０モル％がさらに好ましい。 When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content is preferably from 1 to 50 mol%, preferably from 3 to 45 mol, based on all structural units of the resin (A). % Is more preferable, and 5 to 40 mol% is more preferable.

〈酸不安定基を有さない構造単位〉
酸不安定基を有さない構造単位（以下「酸安定構造単位」という場合がある）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）から導かれる。
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）」という場合がある）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）」という場合がある）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。 <Structural unit without acid labile group>
The structural unit having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable structural unit”) is derived from a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”).
As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Acid-stable monomer having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or acid-stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid-stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit derived from (sometimes) is used, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。 <Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for high energy beam exposure such as KrF excimer laser exposure (248 nm), electron beam or EUV (ultra-ultraviolet light), the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a hydroxystyrene. An acid stable monomer having a certain phenolic hydroxy group is used. When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1). use. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。
式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。 Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
In formula (a2-1),
L ^a3 represents —O— or ^* —O— (CH ₂ ) _k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R ^a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R ^a15 and R ^a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式（ａ２−１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。 In the formula (a2-1), L ^a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R ^a14 is preferably a methyl group.
R ^a15 is preferably a hydrogen atom.
R ^a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. A monomer represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-6) is preferable, and represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4). The monomer represented by Formula (a2-1-1) or Formula (a2-1-3) is more preferable.

樹脂（Ａ）が式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは２〜２０モル％である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 1 to 45 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). , Preferably it is 1-40 mol%, More preferably, it is 1-35 mol%, More preferably, it is 2-20 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）〉
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。 <Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される。これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。 The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

式（ａ３−１）、式（ａ３−２）及び式（ａ３−３）中、
Ｌ^a4、Ｌ^a5及びＬ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。
ｋ３は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a18、Ｒ^a19及びＲ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は同一又は相異なり、ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は同一又は相異なり、ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は、同一又は相異なる。 In formula (a3-1), formula (a3-2) and formula (a3-3),
L ^a4 , L ^a5 and L ^a6 each independently represent —O— or ^* —O— (CH ₂ ) _k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R ^a18 , R ^a19 and R ^a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R ^a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R ^a22 and R ^a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1 is 2 or more, a plurality of R ^a21 are the same or different, when q1 is 2 or more, a plurality of R ^a22 are the same or different, and when r1 is 2 or more, a plurality of R ^a23 are the same or different Different.

Ｒ^a21、Ｒ^a22及びＲ^a23のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。 ^Examples of the alkyl group for R ^a21 , R ^a22 and R ^a23 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, and a sec-butyl group.

式（ａ３−１）、式（ａ３−２）及び式（ａ３−３）では、Ｌ^a4、Ｌ^a5及びＬ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ３は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。
Ｒ^a18、Ｒ^a19、Ｒ^a20及びＲ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。 In formula (a3-1), formula (a3-2) and formula (a3-3), L ^a4 , L ^a5 and L ^a6 are each independently —O— or ^* —O— (CH ₂ ) _k3 —. CO-O- is preferable, and -O- is more preferable. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R ^a18 , R ^a19 , R ^a20 and R ^a21 are preferably methyl groups.
R ^a22 and R ^a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1, q1 and r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式（ａ３−１−１）〜（ａ３−１−４）、（ａ３−２−１）〜（ａ３−２−４）、（ａ３−３−１）〜（ａ３−３−４）で表されるモノマーが好ましく、下式（ａ３−１−１）〜（ａ３−１−２）、（ａ３−２−３）〜（ａ３−２−４）で表されるモノマーがより好ましく、下式（ａ３−１−１）又は（ａ３−２−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。 Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. In the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-4), (a3-2-1) to (a3-2-4), (a3-3-1) to (a3-3-4) Monomers represented by the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-2) and (a3-2-3) to (a3-2-4) are more preferred, A monomer represented by formula (a3-1-1) or (a3-2-3) is more preferable.

樹脂（Ａ）がラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。 When the resin (A) includes a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring, the content is usually 5 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A), Preferably it is 10-65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%.

樹脂（Ａ）が、構造単位（Ｉ）と酸不安定構造単位とのみからなる樹脂である場合、これらの含有率はそれぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、
構造単位（Ｉ）；１〜８０モル％
酸不安定構造単位；２０〜９９モル％
が好ましく、
構造単位（Ｉ）；５〜６５モル％
酸不安定構造単位；３５〜９５モル％
がより好ましい。 When the resin (A) is a resin composed only of the structural unit (I) and the acid labile structural unit, these contents are respectively relative to the total structural unit of the resin (A),
Structural unit (I); 1 to 80 mol%
Acid-labile structural unit; 20-99 mol%
Is preferred,
Structural unit (I); 5-65 mol%
Acid labile structural unit; 35-95 mol%
Is more preferable.

樹脂（Ａ）が、構造単位（Ｉ）と酸不安定構造単位と酸安定構造単位とからなる樹脂である場合、これらの含有率はそれぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、
構造単位（Ｉ）；１〜８０モル％
酸不安定構造単位；１７〜９６モル％
酸安定構造単位；３〜８２モル％
が好ましく、
構造単位（Ｉ）；２〜７５モル％
酸不安定構造単位；２０〜９３モル％
酸安定構造単位；５〜７８モル％
がより好ましく、
構造単位（Ｉ）；５〜６５モル％
酸不安定構造単位；３０〜９０モル％
酸安定構造単位；５〜６５モル％
がさらに好ましい。 When the resin (A) is a resin composed of the structural unit (I), the acid labile structural unit, and the acid stable structural unit, these content rates are respectively based on the total structural units of the resin (A),
Structural unit (I); 1 to 80 mol%
Acid-labile structural unit; 17-96 mol%
Acid stable structural unit; 3-82 mol%
Is preferred,
Structural unit (I); 2-75 mol%
Acid-labile structural unit; 20 to 93 mol%
Acid stable structural unit; 5-78 mol%
Is more preferred,
Structural unit (I); 5-65 mol%
Acid-labile structural unit; 30 to 90 mol%
Acid stable structural unit; 5 to 65 mol%
Is more preferable.

樹脂（Ａ）は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位（特に、式（ａ１−１）で表される構造単位）を、好ましくは酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位の合計量に対して１５モル％以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の比率が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。 Resin (A) is a structural unit derived from a monomer having an adamantyl group (particularly a structural unit represented by formula (a1-1)), preferably a total of structural units derived from an acid labile monomer (a1). It is preferable to contain 15 mol% or more with respect to the quantity. When the ratio of the structural unit having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（Ｉ）と酸不安定構造単位と酸安定構造単位とからなる樹脂、すなわち、化合物（Ｉ’）と、酸不安定モノマー（ａ１）と、酸安定モノマーとの共重合体である。
この共重合体において、酸不安定構造単位は、好ましくは構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位）の少なくとも一種、より好ましくは構造単位（ａ１−１）である。
酸安定構造単位は、好ましくは酸安定モノマー（ａ２）に由来する構造単位及び酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位の少なくとも一種である。酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−１）で表されるモノマーである。酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される酸安定モノマー及び式（ａ３−２）で表される酸安定モノマーの少なくとも一種である。 The resin (A) is preferably a resin comprising a structural unit (I), an acid labile structural unit, and an acid stable structural unit, that is, the compound (I ′), the acid labile monomer (a1), and an acid stable It is a copolymer with a monomer.
In this copolymer, the acid labile structural unit is preferably at least one of the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) (preferably the structural unit having a cyclohexyl group or a cyclopentyl group), more preferably. Is a structural unit (a1-1).
The acid stable structural unit is preferably at least one of a structural unit derived from the acid stable monomer (a2) and a structural unit derived from the acid stable monomer (a3). The acid stable monomer (a2) is preferably a monomer represented by the formula (a2-1). The acid stable monomer (a3) is preferably at least one of an acid stable monomer represented by the formula (a3-1) and an acid stable monomer represented by the formula (a3-2).

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上（より好ましくは３，０００以上、さらに好ましくは４，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。 Each structural unit constituting the resin (A) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, and further preferably 15,000 or less).

樹脂（Ａ）の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中８０質量％以上９９質量％以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、レジスト組成物の総量から溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計量を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。 The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total amount of components excluding the solvent (E) from the total amount of the resist composition. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈樹脂（Ａ）以外の樹脂〉
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含有していてもよい。このような樹脂としては、例えば、酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位、酸安定モノマーに由来する構造単位の他、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂が挙げられる。
本発明のレジスト組成物が、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含む場合、これらの含有率は、樹脂の総量に対して、通常０．１〜５０質量％であり、好ましくは０．５〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％である。 <Resin other than resin (A)>
The resist composition of the present invention may contain a resin other than the resin (A). Examples of such a resin include a resin comprising a structural unit derived from an acid labile monomer (a1), a structural unit derived from an acid stable monomer, or a structural unit derived from a known monomer used in the field. Can be mentioned.
When the resist composition of this invention contains resin other than resin (A), these content rates are 0.1-50 mass% normally with respect to the total amount of resin, Preferably 0.5-30 It is mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.

〈酸発生剤（Ｂ）〉
酸発生剤（Ｂ）は、酸不安定基を有する。ここで「酸不安定基」は、上述したように、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基であって、例えば、上述の式（１）で表される基、式（２）で表される基などが挙げられる。酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、特開２００９−１４５４０８号公報、特開２００９−２２９６０３号公報及び特開２０１０−１１１６６０号公報に記載されている酸発生剤及び式（ＩＩ−０）で表される塩（以下「酸発生剤（ＩＩ−０）」という場合がある。）が挙げられる。
［式（ＩＩ−０）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ⁰¹は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ⁴は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
環Ｗ¹は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の炭化水素環を表す。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ <Acid generator (B)>
The acid generator (B) has an acid labile group. Here, as described above, the “acid labile group” is a group that forms a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group) by leaving the leaving group by contact with an acid, for example, Examples include the group represented by the above formula (1) and the group represented by the formula (2). Examples of the acid generator (B) include the acid generators described in JP-A 2009-145408, JP-A 2009-229603, and JP-A 2010-111660, and Formula (II-0). And salts represented by the following (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (II-0)”).
[In the formula (II-0),
Q ¹ and Q ² each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L ⁰¹ represents a C 1-20 divalent hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and —CH ₂ — contained in the hydrocarbon group is —CO— or —O—. It may be replaced with.
R ⁴ represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
Ring W ¹ represents a hydrocarbon ring optionally having from 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent.
Z ⁺ represents an organic cation. ]

式（ＩＩ−０）において、Ｑ¹及びＱ²のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｑ¹及びＱ²は、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。 In the formula (II-0), examples of the perfluoroalkyl group of Q ¹ and Q ² include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluoro sec-butyl group, perfluoro group. Examples thereof include a tert-butyl group, a perfluoropentyl group, and a perfluorohexyl group.
Q ¹ and Q ² are preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

Ｌ⁰¹における置換基を有してもよい２価の炭化水素基としては、アルカンジイル基又は式（ＩＩ−０−Ｌ⁰¹）で表される２価の基が挙げられる。
［式（ＩＩ−０−Ｌ⁰¹）中、
Ｌ⁰²及びＬ⁰³は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
環Ｗ⁰²は、炭素数３〜１２の飽和炭化水素環を表し、該飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ₂−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
ｖは、０〜２の整数を表す。
Ｒ⁵は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｗは、０〜２の整数を表す。ｗが２である場合、複数のＲ⁵は同じであっても異なっていてもよい。
ただし、Ｌ⁰²及びＬ⁰³のアルカンジイル基に含まれる炭素原子の数と、環Ｗ⁰²の飽和炭化水素環に含まれる炭素原子の数と、Ｒ⁵のアルキル基に含まれる炭素原子の総数との合計は、２０以下である。］ Examples of the divalent hydrocarbon group which may have a substituent in L ⁰¹ include an alkanediyl group or a divalent group represented by the formula (II-0-L ⁰¹ ).
[In the formula (II-0-L ⁰¹ )
L ⁰² and L ⁰³ each independently represent an alkanediyl group having 1 to 8 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the alkanediyl group may be replaced by —O— or —CO—.
Ring W ⁰² represents a saturated hydrocarbon ring having 3 to 12 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the saturated hydrocarbon ring may be replaced by —CO— or —O—.
v represents an integer of 0 to 2.
R ⁵ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
w represents an integer of 0 to 2. When w is 2, the plurality of R ⁵ may be the same or different.
Provided that the number of carbon atoms contained in the alkanediyl group of L ⁰² and L ⁰³ , the number of carbon atoms contained in the saturated hydrocarbon ring of ring W ⁰² , and the total number of carbon atoms contained in the alkyl group of R ⁵ Is 20 or less. ]

Ｌ⁰¹、Ｌ⁰²及びＬ⁰³のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
特に、Ｌ⁰²は、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ⁰⁴−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ⁰⁵−Ｏ−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ⁰⁶−ＣＯ−Ｏ−（Ｌ⁰⁴は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、Ｌ⁰⁵は、炭素数１〜５のアルカンジイル基を表し、Ｌ⁰⁶は、炭素数１〜４のアルカンジイル基を表し、＊は−Ｃ（Ｑ¹）（Ｑ²）−との結合手を表す。）であることが好ましい。 Examples of the alkanediyl group of L ⁰¹ , L ⁰² and L ⁰³ include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane- Linear alkanediyl groups such as 1,5-diyl group and hexane-1,6-diyl group; 1-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2- Examples thereof include branched alkanediyl groups such as methylpropane-1,2-diyl group, 1-methylbutane-1,4-diyl group, and 2-methylbutane-1,4-diyl group.
In particular, L ⁰² represents ^* —CO—O—L ⁰⁴ —, ^* —CO—O—L ⁰⁵ —O— or ^* —CO—O—L ⁰⁶ —CO—O— (L ⁰⁴ represents a single bond or carbon Represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, L ⁰⁵ represents an alkanediyl group having 1 to 5 carbon atoms, L ⁰⁶ represents an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents —C (Q ¹ ) (Represents a bond with (Q ² ) —).

Ｌ⁰³は、^＊−Ｏ−Ｌ⁰⁷−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ⁰⁸−（Ｌ⁰⁷は、炭素数１〜７のアルカンジイル基を表し、Ｌ⁰⁸は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、＊は環Ｗ⁰²との結合手を表す。）であることが好ましい。 L ⁰³ represents ^* —O—L ⁰⁷ — or ^* —CO—O—L ⁰⁸ — (L ⁰⁷ represents an alkanediyl group having 1 to 7 carbon atoms, and L ⁰⁸ represents an alkanediyl having 1 to 6 carbon atoms. Represents a group, and * represents a bond to the ring W ⁰² .

環Ｗ⁰²の飽和炭化水素環とは、不飽和結合を含まない、炭素及び水素のみからなる環をいう。環Ｗ⁰²の飽和炭化水素環としては、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環等が挙げられ、アダマンタン環が好ましい。 The saturated hydrocarbon ring of the ring W ⁰² refers to a ring composed of only carbon and hydrogen that does not contain an unsaturated bond. Examples of the saturated hydrocarbon ring of the ring W ⁰² include a cyclohexane ring and an adamantane ring, and an adamantane ring is preferable.

Ｒ⁵の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基イソプロピル基、ブチル墓、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、へキシル基等が挙げられ、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。 Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms of R ⁵ include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl grave, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. C1-C4 alkyl group is preferable, C1-C2 alkyl group is more preferable, and a methyl group is especially preferable.

式（ＩＩ−０−Ａ）で表される２価の基としては、例えば、以下で表される２価の基などが挙げられる。
［式（ＩＩ−０−Ａ）中、Ｗ⁰²、Ｒ⁵、ｖ及びｗは、上記と同じ意味を表す。
＊は、結合手を表す。］ Examples of the divalent group represented by the formula (II-0-A) include a divalent group represented by the following.
[In the formula (II-0-A), W ⁰² , R ⁵ , v and w represent the same meaning as described above.
* Represents a bond. ]

Ｒ⁴の炭化水素基としては、上述したように、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせを含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。Ｒ⁴としては、特に、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。 As described above, the hydrocarbon group of R ⁴ includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group, and the aliphatic hydrocarbon group includes a chain type, a cyclic type, and a combination thereof. As the aliphatic hydrocarbon group, an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group are preferable. R ⁴ is particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

環Ｗ¹の炭化水素環としては、炭素数３〜１２の炭化水素環が好ましい。なかでも、飽和の炭化水素環がより好ましく、シクロヘキサン環及びアダマンタン環がさらに好ましい。式（ＩＩ−Ａ）で表される基としては、下記の基がより好ましい。＊は−Ｏ−との結合手を表す。
As the hydrocarbon ring of the ring W ^1, a hydrocarbon ring having 3 to 12 carbon atoms is preferable. Of these, a saturated hydrocarbon ring is more preferable, and a cyclohexane ring and an adamantane ring are more preferable. As the group represented by the formula (II-A), the following groups are more preferable. * Represents a bond with -O-.

環Ｗ¹における炭化水素環が有する置換基としては、Ｒ⁴以外に、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−４）で表される基等が挙げられる。なかでも、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−４）で表される基が好ましく、さらに、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−４）で表される基がより好ましい。＊は環Ｗ¹との結合手を表す。
特に、環Ｗ¹における炭化水素環の置換基においては、アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。 Examples of the substituent hydrocarbon ring having in the ring W ^1, in addition to R ^4, halogen atom or hydroxy group optionally substituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted with a halogen atom or a hydroxyl group Examples thereof include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxy group, and groups represented by formulas (II-1) to (II-4). Among them, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a hydroxy group, a hydroxy group, a formula (II-1) to a formula The group represented by (II-4) is preferable, and further, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxy group, and formulas (II-1) to (II-4) The group represented is more preferred. * Represents a bond to ring W ¹ .
In particular, in the substituent of the hydrocarbon ring in the ring W ^1, the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group. preferable.

［式（ＩＩ−１）中、Ａ²は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ⁵は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
［式（ＩＩ−２）中、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
［式（ＩＩ−３）中、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
［式（ＩＩ−４）中、
Ｌ³は、炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
環Ｗ³は、炭素数３〜１８の飽和炭化水素環を表し、該飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ₂−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ¹⁴は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基又は炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシ基を表す。
ｔは、０〜３の整数を表す。ｔが２又は３である場合、複数のＲ¹⁴は同一又は相異なる。］ [In Formula (II-1), A ² represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R ⁵ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[In Formula (II-2), R ⁶ , R ⁷ and R ⁸ each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[In Formula (II-3), R ⁹ , R ¹⁰ and R ¹¹ each independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[In the formula (II-4),
L ³ represents an alkanediyl group having 1 to 10 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the alkanediyl group may be replaced by —O— or —CO—.
Ring W ³ represents a saturated hydrocarbon ring having ^{3 to} 18 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the saturated hydrocarbon ring may be replaced by —CO— or —O—.
R ¹⁴ is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxy group, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 1 to 6 carbon atoms. Represents a hydroxyalkoxy group.
t represents an integer of 0 to 3. When t is 2 or 3, the plurality of R ¹⁴ are the same or different. ]

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子置換アルキル基及びハロゲン原子置換アルコキシ基としては、フッ素原子で置換されているアルキル基及びアルコキシ基が好ましい。
ヒドロキシ基置換アルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
ヒドロキシ基置換アルコキシ基としては、ヒドロキシメトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、ヒドロキシプロポキシ基等が挙げられる。
飽和炭化水素環としては、上述した脂環式炭化水素環と同様のものが挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。 Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
As the halogen atom-substituted alkyl group and the halogen atom-substituted alkoxy group, an alkyl group and an alkoxy group substituted with a fluorine atom are preferable.
Examples of the hydroxy group-substituted alkyl group include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
Examples of the hydroxy group-substituted alkoxy group include a hydroxymethoxy group, a hydroxyethoxy group, a hydroxypropoxy group, and the like.
As a saturated hydrocarbon ring, the thing similar to the alicyclic hydrocarbon ring mentioned above is mentioned.
Examples of the alkoxycarbonyl group include groups in which a carbonyl group is bonded to an alkoxy group such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.

式（ＩＩ−４）におけるＬ³は、^＊−Ｏ−Ｌ⁷−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ⁸−ＣＯ−Ｏ−Ｌ⁹−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ¹⁰−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−ＣＯ−Ｌ¹¹−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ¹²−Ｏ−であることが好ましく、^＊−Ｏ−Ｌ⁷−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ¹⁰−ＣＯ−Ｏ−がより好ましく、^＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−Ｃ₂Ｈ₄−Ｏ−が特に好ましい。ここで、Ｌ⁷〜Ｌ¹²は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、＊は環Ｗ¹との結合手を表す。
環Ｗ³の飽和炭化水素環としては、上述した脂環式炭化水素環と同様のものが挙げられる。 L ³ in the formula (II-4) represents ^* —O—L ⁷ —CO—O—, ^* —O—L ⁸ —CO—O—L ⁹ —O—, ^* —CO—O—L ¹⁰ —CO. -O-, ^* -O-CO-L ¹¹ -O- or ^* -OL ¹² -O- is preferred, ^* -O-L ⁷ -CO-O- or ^* -CO-OL ¹⁰ -CO-O-are more ^{_{preferred, * -O-CH 2 -CO-}} O- or ^{_{* -O-CH 2 -CO-O}} -C 2 H 4 -O- is particularly preferred. Here, L < ⁷ > -L < ¹² > represents a C1-C8 alkanediyl group each independently, and * represents the bond with ring W < ¹ >.
Examples of the saturated hydrocarbon ring of ring W ³ include the same as the above-described alicyclic hydrocarbon ring.

式（ＩＩ−１）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (II-1) include the following groups.

式（ＩＩ−２）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (II-2) include the following groups.

式（ＩＩ−３）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (II-3) include the following groups.

式（ＩＩ−４）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
式（ＩＩ−４）で表される基のなかでも、式（ＩＩ−４−１）及び式（ＩＩ−４−２）で表される基が好ましい。 Examples of the group represented by the formula (II-4) include the following groups.
Of the groups represented by the formula (II-4), groups represented by the formula (II-4-1) and the formula (II-4-2) are preferable.

なかでも、Ｌ⁰¹は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ₂−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。すなわち、式（ＩＩ−０）で表される塩としては、式（ＩＩ）で表される塩が好ましい。
［式（ＩＩ）中、
Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ⁴、環Ｗ¹及びＺ⁺は、式（ＩＩ−０）と同義である。
Ｌ¹は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ₂−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。］ Among these, L ⁰¹ is preferably a single bond or an alkanediyl group having 1 to 10 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the alkanediyl group may be replaced by —CO— or —O—. . That is, the salt represented by the formula (II-0) is preferably a salt represented by the formula (II).
[In the formula (II),
^{^{^{Q 1, Q 2, R 4}}} , + ring W ¹ and Z are as defined for formula (II-0).
L ¹ represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 10 carbon atoms, and —CH ₂ — contained in the alkanediyl group may be replaced by —CO— or —O—. ]

Ｌ¹のアルカンジイル基としては、上述したアルカンジイル基と同様のものが挙げられる。 Examples of the alkanediyl group of L ¹ include the same alkanediyl groups as described above.

Ｌ¹のアルカンジイル基における−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基は、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）のいずれかが挙げられる式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（ＩＩ）に合わせて記載しており、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）−と結合し、＊で表される２つの結合手のうち、右側で−ＣＯ−と結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）の具体例も同様である。 The group in which —CH ₂ — in the alkanediyl group of L ¹ is replaced by —O— or —CO— is, for example, a group represented by any one of formulas (b1-) to (b1-6) (b1- 1) to (b1-6) are described in accordance with the formula (II) on the left and right, and are bonded to C (Q ¹ ) (Q ² ) — on the left side, and two bonds represented by * Combine with -CO- on the right side of the hand. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-6).

［式中、Ｌ^b2〜Ｌ^b13は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表す。］ [Wherein, L ^{b2 to} L ^b13 each independently represents an alkanediyl group having 1 to 8 carbon atoms. ]

式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Ｌ¹としては、なかでも、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれか、より好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）、さらに好ましくは、単結合又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ¹¹−（Ｌ¹¹は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、＊は−ＣＱ¹Ｑ²−との結合手を表す）である。 Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.
L ¹ is preferably any one of formula (b1-1) to formula (b1-4), more preferably formula (b1-1) or formula (b1-2), and even more preferably a single bond. Or ^* —CO—O—L ¹¹ — (L ¹¹ represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and * represents a bond to —CQ ¹ Q ² —).

さらに、塩（ＩＩ）としては、以下の式（ＩＩ−４ａ）で表される塩が好ましい。
［式（ＩＩ−４ａ）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｌ¹、Ｒ⁴、環Ｗ¹、Ｌ³、環Ｗ³、Ｒ¹⁴、ｔ及びＺ⁺は、上記と同じ意味を表す。］ Furthermore, as the salt (II), a salt represented by the following formula (II-4a) is preferable.
[In formula (II-4a), Q ¹ , Q ² , L ¹ , R ⁴ , ring W ¹ , L ³ , ring W ³ , R ¹⁴ , t and Z ⁺ represent the same meaning as described above. ]

式（ＩＩ−０）で表される塩としては、例えば、以下の塩が挙げられる。下記式において、Ｚ⁺は前記と同義である。
Examples of the salt represented by the formula (II-0) include the following salts. In the following formula, Z ⁺ has the same meaning as described above.

式（ＩＩ）で表される塩に含まれる有機カチオン（Ｚ⁺）は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、以下の式（ｂ２−１）、式（ｂ２−２）、式（ｂ２−３）及び式（ｂ２−４）のいずれかで表される有機カチオンである。 Examples of the organic cation (Z ⁺ ) contained in the salt represented by the formula (II) include organic onium cations such as organic sulfonium cation, organic iodonium cation, organic ammonium cation, benzothiazolium cation, and organic phosphonium cation. And preferably an organic sulfonium cation or an organic iodonium cation, and more preferably any of the following formulas (b2-1), (b2-2), (b2-3) and (b2-4) It is an organic cation represented by

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^b4〜Ｒ^b6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、この炭化水素基は、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基及び炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基が好ましい。前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を有していてもよい。また、Ｒ^b4とＲ^b5が一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表し、ｍ２が２以上であるとき、複数のＲ^b7は同一でも異なってもよく、ｎ２が２以上であるとき、複数のＲ^b8は同一でも異なってもよい。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表すか、Ｒ^b9とＲ^b10が一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成する。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b11とＲ^b12が一緒になってそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含む環を形成する。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b12は、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、前記アルキル基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。 In formula (b2-1) to formula (b2-4),
R ^{b4 to} R ^b6 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms, and this hydrocarbon group is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic group having 3 to 36 carbon atoms. A hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms are preferred. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group is a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may have a halogen atom, a hydroxy group, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. R ^b4 and R ^b5 may be combined to form a ring containing a sulfur atom.
R ^b7 and R ^b8 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represents an integer of 0 to 5, and when m2 is 2 or more, the plurality of R ^b7 may be the same or different. When n2 is 2 or more, the plurality of R ^b8 are It may be the same or different.
R ^b9 and R ^b10 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or R ^b9 and R ^{b10 taken} together Forms a ring containing a sulfur atom to which. The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.
R ^b11 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
R ^b11 and R ^b12 together form a ring containing —CH—CO— to which they are attached. The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.
R ^b12 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms, and hydrogen contained in the alkyl group The atom may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or 1 carbon atom. It may be substituted with an -12 alkoxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkylcarbonyloxy group having 1 to 12 carbon atoms.

Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^b13は同一でも異なってもよく、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^b14は同一でも異なってもよく、ｑ２が２以上のとき、複数のＲ^b15は同一でも異なってもよく、ｒ２が２以上のとき、複数のＲ^b16は同一でも異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^b17は同一でも異なってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^b18は、同一でも異なってもよい。 R ^{b13 to} R ^b18 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
L ^b11 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, the plurality of R ^b13 may be the same or different. When p2 is 2 or more, the plurality of R ^b14 may be the same or different. When q2 is 2 or more, the plurality of R ^b15 is When r2 is 2 or more, a plurality of R ^b16 may be the same or different. When s2 is 2 or more, a plurality of R ^b17 may be the same or different, and t2 is 2 or more. Sometimes, the plurality of R ^b18 may be the same or different.

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b12のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、例えば、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。
特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２である。 Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. Is mentioned. In particular, the alkyl group of R ^{b9 to} R ^b12 preferably has 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alicyclic hydrocarbon group include a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group include an aralkyl group, and specifically include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. Groups and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group. And cycloalkyl groups such as cycloheptyl group, cyclooctyl group, and cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and the following groups.
In particular, the alicyclic hydrocarbon group of R ^{b9 to} R ^b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms.

水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基、つまり、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aliphatic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, a methylnorbornyl group, and an isobornyl group. Groups and the like.
As an aromatic hydrocarbon group, phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-ethylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-cyclohexylphenyl group, p-methoxyphenyl group And aryl groups such as p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, biphenylyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
When the aromatic hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group or an alicyclic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and the alicyclic hydrocarbon having 3 to 18 carbon atoms Groups are preferred.
Examples of the alkyl group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group, that is, an aralkyl group, include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、４−メトキシフェニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げら
れる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。 As the alkoxy group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group, heptyloxy group Octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
As an aromatic hydrocarbon group by which the hydrogen atom was substituted by the alkoxy group, 4-methoxyphenyl group etc. are mentioned, for example.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

Ｒ^b9〜Ｒ^b12の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２であり、特に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等が好ましい。
Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２であり、特に、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基及びイソボルニル基等が好ましい。
Ｒ^b12の芳香族炭化水素基は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等が好ましい。
Ｒ^b12の、水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基、すなわちアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
Ｒ^b9とＲ^b10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12とが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。 The aliphatic hydrocarbon group represented by R ^{b9 to} R ^b12 preferably has 1 to 12 carbon atoms, and in particular, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert group. -A butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group and the like are preferable.
The alicyclic hydrocarbon group of R ^{b9 to} R ^b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and in particular, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl. Group, cyclodecyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group and isobornyl group are preferable.
The aromatic hydrocarbon group for R ^b12 includes a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a biphenylyl group, and A naphthyl group and the like are preferable.
^Examples of the alkyl group in which a hydrogen atom of R ^b12 is substituted with an aromatic hydrocarbon group, that is, an aralkyl group, include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which R ^b9 and R ^b10 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and 1,4-oxathian-4-ium. A ring etc. are mentioned.
Examples of the ring formed with —CH—CO— in which R ^b11 and R ^b12 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくは、カチオン（ｂ２−１）であり、より好ましくは、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンであり、さらに好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０）、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝０、ｘ２＝１であり、Ｒ^b21がメチル基である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝１であり、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21がいずれもメチル基である。）である。 Among the cation (b2-1) to cation (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, the cation represented by the formula (b2-1-1) is more preferable, and the cation (b2-1) is more preferable. Are triphenylsulfonium cations (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0), diphenyltolylsulfonium cations (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = 0, x2 = 1 And R ^b21 is a methyl group.) Or a tolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 1, and R ^b19 , R ^b20 and R ^b21 are all methyl. Group.)

式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ^b19〜Ｒ^b21から選ばれる２つが一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。
ｖ２が２以上のとき、複数のＲ^b19は同一又は相異なり、ｗ２が２以上のとき、複数のＲ^b20は同一又は相異なり、ｘ２が２以上のとき、複数のＲ^b21は同一又は相異なる。 In formula (b2-1-1),
R ^{b19 to} R ^b21 are each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom) hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. Represents an alicyclic hydrocarbon group. It is also possible that two selected from R ^b19 to R ^b21 together form a ring containing a sulfur atom.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, the plurality of R ^b19 are the same or different, when w2 is 2 or more, the plurality of R ^b20 are the same or different, and when x2 is 2 or more, the plurality of R ^b21 are the same or different. .

なかでも、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である。 Among them, R ^b19 , R ^b20 and R ^b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or a carbon number of 1 to 12 Of the alkoxy group.

カチオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたカチオンが挙げられる。 Specific examples of the cation include those described in JP2010-204646A.

例えば、カチオン（ｂ２−１−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。
For example, the following cations are mentioned as a cation (b2-1-1).

カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオンが挙げられる。
カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオンが挙げられる。
Examples of the cation (b2-2) include the following cations.
Examples of the cation (b2-3) include the following cations.

式（ＩＩ−０）で表される塩は、スルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。スルホン酸アニオンと有機カチオンとは任意に組み合わせることができる。式（ＩＩ−０）で表される塩の具体例を表１に示す。なお、表１において、式（ｂ１−ｓ−１）で表される塩などを、その式番号に応じて、「（ｂ１−ｓ−１）」などと表し、式（ｂ２−ｃ−１）で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、「（ｂ２−ｃ−１）」などと表す。 The salt represented by the formula (II-0) is a combination of a sulfonate anion and an organic cation. A sulfonate anion and an organic cation can be arbitrarily combined. Specific examples of the salt represented by the formula (II-0) are shown in Table 1. In Table 1, the salt represented by the formula (b1-s-1) is represented as “(b1-s-1)” according to the formula number, and the formula (b2-c-1) Is represented as “(b2-c-1)” or the like according to the formula number.

さらに好ましい酸発生剤（ＩＩ−０）としては、以下のものが挙げられる。
More preferable acid generator (II-0) includes the following.

酸発生剤（ＩＩ）が酸に不安定な基として式（ＩＩａ）で表される基を有する場合、該酸発生剤中に含まれる式（ＩＩａ）で表される基は、酸の作用により分解し、カルボキシ基を形成する基であることが好ましい。
このような酸発生剤が有する式（ＩＩａ）で表される基は、以下の方法で、酸の作用により分解し、カルボキシ基に変換したかどうか確認できる。
例えば、式（ＩＩａ）で表される基を有する酸発生剤を、溶剤に溶解させて、酸添加後、加熱することにより、式（ＩＩａ）で表される基がカルボキシ基及びビニル化合物に変換される。
溶剤としては、ジメチルホルムアミドが好ましい。
酸としては、塩酸が好ましい。
（Ｒ⁴は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^4’は、水素原子又は炭素数１〜１１の炭化水素基を表す。） When the acid generator (II) has a group represented by the formula (IIa) as an acid labile group, the group represented by the formula (IIa) contained in the acid generator is A group that decomposes to form a carboxy group is preferred.
It can be confirmed whether the group represented by the formula (IIa) of such an acid generator is decomposed by the action of an acid and converted into a carboxy group by the following method.
For example, an acid generator having a group represented by the formula (IIa) is dissolved in a solvent, and after adding an acid, the group represented by the formula (IIa) is converted into a carboxy group and a vinyl compound by heating. Is done.
As the solvent, dimethylformamide is preferable.
As the acid, hydrochloric acid is preferred.
(R ⁴ represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R ^{4 ′} represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.)

式（ＩＩ−０）で表される塩は、例えば、以下の方法（ａ）〜（ｆ）及びそれに準じた方法によって製造することができる。なお、以下の式における符号は、特に断りない限り、上記と同義である。
（ａ）式（ＩＩ）で表される塩のうち、Ｌ¹が単結合である式（ＩＩ−１Ａ）で表される塩は、式（ＩＩ−１−ａ）で表される化合物と、式（ＩＩ−１−ｂ）で表される化合物とを塩基触媒下で反応させることにより製造することができる。
溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。塩基触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
式（ＩＩ−１−ｂ）で表される化合物は、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成することができる。 The salt represented by the formula (II-0) can be produced, for example, by the following methods (a) to (f) and a method analogous thereto. In addition, the code | symbol in the following formulas is synonymous with the above unless there is particular notice.
(A) Among the salts represented by the formula (II), the salt represented by the formula (II-1A) in which L ¹ is a single bond is a compound represented by the formula (II-1-a); It can manufacture by making the compound represented by a formula (II-1-b) react under a base catalyst.
Examples of the solvent include chloroform. Examples of the base catalyst include lithium amide.
The compound represented by the formula (II-1-b) can be synthesized by the method described in JP-A-2008-13551.

（ｂ）式（ＩＩ）で表される塩のうち、Ｌ¹が−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−である式（ＩＩ−２Ａ）で表される塩は以下の方法で製造することができる。
まず、式（ＩＩ−１−ａ）で表される化合物と、式（ＩＩ−２−ｃ）で表される化合物とを、塩基性触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−２−ｄ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
次いで、式（ＩＩ−１−ｂ）で表される塩と式（ＩＩ−２−ｄ）で表される化合物とを塩基触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−２）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。塩基触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。 (B) Among the salts represented by the formula (II), the salt represented by the formula (II-2A) in which L ¹ is —CO—O—CH ₂ — can be produced by the following method.
First, the compound represented by the formula (II-1-a) and the compound represented by the formula (II-2-c) are reacted in the presence of a basic catalyst to thereby produce the formula (II-2-d). ) Can be obtained. Examples of the solvent include tetrahydrofuran. Examples of the base catalyst include pyridine.
Next, the salt represented by the formula (II-1-b) and the compound represented by the formula (II-2-d) are reacted in the presence of a base catalyst to represent the formula (II-2). A salt can be obtained. Examples of the solvent include chloroform. Examples of the base catalyst include lithium amide.

［式中、Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。］
ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。 [Wherein, X ¹ and X ² each independently represent a halogen atom. ]
As the halogen atom, a chlorine atom is preferable.

（ｃ）式（ＩＩ）で表される塩のうち、Ｌ¹が単結合であり、かつ環Ｗ¹の置換基が式（ＩＩ−４）であり、Ｌ³が^＊−Ｏ−Ｌ⁷−ＣＯ−Ｏ−（＊は環Ｗ¹との結合手）である化合物（ＩＩ−３Ａ）は、以下の方法で製造することができる。
(C) Among the salts represented by the formula (II), L ¹ is a single bond, the substituent of the ring W ¹ is the formula (II-4), and L ³ is ^* —O—L ⁷ —. Compound (II-3A) which is CO—O— (* is a bond to ring W ¹ ) can be produced by the following method.

まず、式（ｂ１−ａ）で表される化合物と式（ｂ１−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ１−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
First, a compound represented by formula (b1-c) is obtained by reacting a compound represented by formula (b1-a) with a compound represented by formula (b1-b) under a basic catalyst. be able to. Examples of the solvent include tetrahydrofuran. Examples of the base catalyst include pyridine.

次いで、式（ｂ１−ｃ）で表される化合物と式（ｂ１−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ１−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
Next, the compound represented by the formula (b1-e) is obtained by reacting the compound represented by the formula (b1-c) with the compound represented by the formula (b1-d) in the presence of a catalyst. it can. Examples of the solvent include dimethylformamide. Examples of the catalyst include potassium carbonate and potassium iodide.

さらに、式（ｂ１−ｅ）で表される化合物と式（ｂ１−ｆ）で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−３Ａ）で表される塩を得ることができる。反応は溶媒中で行ってもよい。溶媒としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。触媒としては、硫酸等が挙げられる。
式（ｂ１−ｆ）で表される塩は、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成することができる。
Furthermore, the salt represented by the formula (II-3A) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (b1-e) with the salt represented by the formula (b1-f) under a catalyst. it can. The reaction may be performed in a solvent. Examples of the solvent include monochlorobenzene. Examples of the catalyst include sulfuric acid.
The salt represented by the formula (b1-f) can be synthesized by the method described in JP-A-2008-127367.

（ｄ）式（ＩＩ−０）で表される塩として、例えば、式（ＩＩ−０Ａ）で表される塩の製造方法を下記に示す。
(D) As a salt represented by Formula (II-0), the manufacturing method of the salt represented by Formula (II-0A) is shown below, for example.

式（ＩＩ−０Ａ−ａ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ａ−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ１−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
［Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。］ A compound represented by the formula (b1-c) by reacting a compound represented by the formula (II-0A-a) and a compound represented by the formula (II-0A-b) under a basic catalyst. Can be obtained. Examples of the solvent include tetrahydrofuran. Examples of the base catalyst include pyridine.
[X ¹ and X ² each independently represents a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a chlorine atom is preferable. ]

次いで、式（ＩＩ−０Ａ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ａ−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ａ−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
Next, by reacting the compound represented by the formula (II-0A-c) and the compound represented by the formula (II-0A-d) under a catalyst, the compound represented by the formula (II-0A-e) is represented. Can be obtained. Examples of the solvent include dimethylformamide. Examples of the catalyst include potassium carbonate and potassium iodide.

さらに、式（ＩＩ−０Ａ−ｆ）で表される塩と式（ＩＩ−０Ａ−ｇ）で表される化合物とを反応させることにより、式（ＩＩ−０Ａ−ｈ）で表される塩を得ることができる。
式（ＩＩ−０Ａ−ｆ）で表される塩は、例えば、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成することができる。
Furthermore, by reacting the salt represented by the formula (II-0A-f) with the compound represented by the formula (II-0A-g), the salt represented by the formula (II-0A-h) Can be obtained.
The salt represented by the formula (II-0A-f) can be synthesized, for example, by the method described in JP2008-13551A.

続いて、式（ＩＩ−０Ａ−ｅ）で表される化合物と式（ＩＩ−０A−ｈ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ａ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。
Subsequently, the compound represented by the formula (II-0A-e) and the salt represented by the formula (II-0A-h) are reacted in a solvent to represent the compound represented by the formula (II-0A). Can be obtained. Examples of the solvent include acetonitrile.

（ｅ）例えば、式（ＩＩ−０Ｂ）で表される塩の製造方法を下記に示す。
(E) For example, a method for producing a salt represented by the formula (II-0B) is shown below.

まず、式（ＩＩ−０Ａ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ｂ−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｂ−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
First, a compound represented by the formula (II-0A-c) and a compound represented by the formula (II-0B-d) are reacted with each other under a catalyst, thereby being represented by the formula (II-0B-e). Can be obtained. Examples of the solvent include dimethylformamide. Examples of the catalyst include potassium carbonate and potassium iodide.

次いで、式（ＩＩ−０Ｂ−ｆ）で表される塩と式（ＩＩ−０Ｂ−ｇ）で表される化合物とを反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｂ−ｈ）で表される塩を得ることができる。
式（ＩＩ−０Ｂ−ｆ）で表される塩は、例えば、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成することができる。
Next, the salt represented by the formula (II-0B-h) is reacted with the compound represented by the formula (II-0B-g) to react with the salt represented by the formula (II-0B-h). Can be obtained.
The salt represented by the formula (II-0B-f) can be synthesized, for example, by the method described in JP-A-2008-13551.

さらに、式（ＩＩ−０Ｂ−ｅ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ｂ−ｈ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｂ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。
Furthermore, the compound represented by the formula (II-0B-e) and the salt represented by the formula (II-0B-h) are reacted in a solvent to represent the formula (II-0B). A salt can be obtained. Examples of the solvent include acetonitrile.

（ｆ）式（ＩＩ−０Ｃ）で表される塩の製造方法を下記に示す。
(F) The manufacturing method of the salt represented by Formula (II-0C) is shown below.

まず、式（ＩＩ−０Ｃ−ａ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ｃ−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｃ−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。
First, by reacting a compound represented by the formula (II-0C-a) and a compound represented by the formula (II-0C-b) under a basic catalyst, the formula (II-0C-c) The compounds represented can be obtained. Examples of the solvent include tetrahydrofuran. Examples of the base catalyst include dimethylaminopyridine.

次いで、式（ＩＩ−０Ｃ−ｃ）で表される化合物を触媒下、分子内反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｃ−ｄ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。触媒としては、ｍ−クロロ過安息香酸等が挙げられる。
Next, a compound represented by the formula (II-0C-d) can be obtained by intramolecular reaction of the compound represented by the formula (II-0C-c) in the presence of a catalyst. Examples of the solvent include chloroform. Examples of the catalyst include m-chloroperbenzoic acid.

さらに、式（ＩＩ−０Ｃ−ｄ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ａ−ｆ）で表される塩とを触媒下反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｃ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
Further, the compound represented by the formula (II-0C-d) and the salt represented by the formula (II-0A-f) are reacted in the catalyst to form a salt represented by the formula (II-0C). Can be obtained. Examples of the solvent include chloroform. Examples of the catalyst include lithium amide.

式（ＩＩ−０）で表される塩は、酸発生剤として使用する時、単独でも複数種を併用してもよい。
また、本発明のレジスト組成物は、上述した式（ＩＩ−０）で表される塩に加えて、式（ＩＩ−０）で表される塩以外の、酸発生剤として公知の塩（例えば、塩（ＩＩ−０）に含まれる有機カチオン及び公知のアニオン（塩（ＩＩ−０）に含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオン）からなる塩並びに塩（ＩＩ−０）に含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン（塩（ＩＩ−０）に含まれる有機カチオン以外のカチオン）からなる塩等）を、酸発生剤として含んでいてもよい。 The salt represented by the formula (II-0) may be used alone or in combination of two or more kinds when used as an acid generator.
In addition to the salt represented by the formula (II-0) described above, the resist composition of the present invention includes salts known as acid generators other than the salt represented by the formula (II-0) (for example, A salt composed of an organic cation contained in the salt (II-0) and a known anion (anion other than the sulfonate anion contained in the salt (II-0)), and a sulfonate anion contained in the salt (II-0) and A known cation (such as a salt comprising a cation other than the organic cation contained in the salt (II-0)) may be contained as an acid generator.

式（ＩＩ−０）で表される塩と併用する酸発生剤としては、例えば、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−２０）でそれぞれ表されるものが挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−１８）、式（Ｂ１−１９）又は式（Ｂ１−２０）でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。 As an acid generator used together with the salt represented by a formula (II-0), what is each represented by a formula (B1-1)-a formula (B1-20) is mentioned, for example. Among them, those containing an arylsulfonium cation are preferable, and the formula (B1-1), formula (B1-2), formula (B1-3, formula (B1-6), formula (B1-7), formula (B1-11) A salt represented by formula (B1-12), formula (B1-13), formula (B1-14), formula (B1-18), formula (B1-19) or formula (B1-20), preferable.

本発明のレジスト組成物において、酸発生剤として酸発生剤（Ｂ）のみを含有する場合、酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは３０質量部以下（より好ましくは２５質量部以下）である。
また、酸発生剤（Ｂ）以外の酸発生剤を併用する場合、この酸発生剤と酸発生剤（Ｂ）との合計量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対しては、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは４０質量部以下（より好ましくは３５質量部以下）である。この場合、酸発生剤（Ｂ）：その他の酸発生剤の含有量の比（質量）は、例えば、５：９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは１５：８５〜８５：１５である。 In the resist composition of the present invention, when only the acid generator (B) is contained as the acid generator, the content of the acid generator (B) is preferably 1 mass with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Part or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 30 parts by mass or less (more preferably 25 parts by mass or less).
When an acid generator other than the acid generator (B) is used in combination, the total amount of the acid generator and the acid generator (B) is preferably 1 with respect to 100 parts by mass of the resin (A). It is at least part by mass (more preferably at least 3 parts by mass), preferably at most 40 parts by mass (more preferably at most 35 parts by mass). In this case, the ratio (mass) of the content of the acid generator (B): other acid generator is, for example, 5:95 to 95: 5, preferably 10:90 to 90:10, more preferably 15: 85-85: 15.

〈溶剤（Ｅ）〉
溶剤（Ｅ）の含有率は、例えばレジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、例えば９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。 <Solvent (E)>
The content of the solvent (E) is, for example, 90% by mass or more in the resist composition, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more, for example 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less. It is. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤（Ｅ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。 Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may contain 1 type independently, and may contain 2 or more types.

〈塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物には、クエンチャーとして作用する塩基性化合物（Ｃ）が含有されていてもよい。
塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物（Ｃ）として、好ましくは、式（Ｃ１）で表される化合物〜式（Ｃ８）で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げられる。 <Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The resist composition of the present invention may contain a basic compound (C) that acts as a quencher.
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

［式（Ｃ１）中、Ｒ^c1、Ｒ^c2及びＲ^c3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］ [In formula (C1), R ^c1 , R ^c2 and R ^c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

［式（Ｃ１−１）中、Ｒ^c2及びＲ^c3は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^c4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c4は同一又は相異なる。］ [In Formula (C1-1), R ^c2 and R ^c3 represent the same meaning as described above.
R ^c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R ^c4 are the same or different. ]

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、Ｒ^c5、Ｒ^c6、Ｒ^c7及びＲ^c8は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c9は同一又は相異なる。］ [In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R ^c5 , R ^c6 , R ^c7 and R ^c8 each independently represent the same meaning as R ^c1 .
R ^c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R ^c9 are the same or different. ]

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13及びＲ^c16は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c14、Ｒ^c15及びＲ^c17は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｏ３及びｐ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｏ３が２以上であるとき、複数のＲ^c14は同一又は相異なり、ｐ３が２以上であるとき、複数のＲ^c15は、同一又は相異なる。
Ｌ^c1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］ [In Formula (C5) and Formula (C6), R ^c10 , R ^c11 , R ^c12 , R ^c13 and R ^c16 each independently represent the same meaning as R ^c1 .
R ^c14 , R ^c15 and R ^c17 each independently represent the same meaning as R ^c4 .
o3 and p3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when o3 is 2 or more, the plurality of R ^c14 are the same or different, and when p3 is 2 or more, the plurality of R ^c15 are the same or Different.
L ^c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、Ｒ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｑ３が２以上であるとき、複数のＲ^c18は同一又は相異なり、ｒ３が２以上であるとき、複数のＲ^c19は同一又は相異なり、及びｓ３が２以上であるとき、複数のＲ^c20は同一又は相異なる。
Ｌ^c2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］ Wherein (C7) and formula ^{(C8), R c18, R} c19 and R ^c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R ^c4.
q3, r3 and s3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R ^c18 are the same or different, and when r3 is 2 or more, the plurality of R ^c19 are the same. Or when different and when s3 is 2 or more, the plurality of R ^c20 are the same or different.
L ^c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。 In the formulas (C1) to (C8), examples of the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, the alkoxy group, and the alkanediyl group are the same as those described above.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。 Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン、４−メチルピリジン等が挙げられる。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。 Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。 As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、０．０１〜５質量％程度であり、より好ましく０．０１〜３質量％程度であり、特に好ましく０．０１〜１質量％程度である。 The content of the basic compound (C) in the solid content of the resist composition is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably 0.8. It is about 01 to 1% by mass.

〈その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。その他成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。 <Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, for example, sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes and the like can be used.

＜レジスト組成物の調製＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）、酸不安定基を有する酸発生剤（例えば、酸発生剤（ＩＩ−０）等）、並びに必要に応じて用いられる溶剤（Ｅ）、酸発生剤（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。 <Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A), an acid generator having an acid labile group (for example, an acid generator (II-0), etc.), a solvent (E) used as necessary, and an acid generator. It can prepare by mixing an agent (B), a basic compound (C), and another component (F). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。 <Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) The process of heating the composition layer after exposure, (5) The process of developing the composition layer after a heating is included.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜等が形成されていてもよい。 Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater. Examples of the substrate include an inorganic substrate such as a silicon wafer. Before applying the resist composition, the substrate may be washed or an antireflection film or the like may be formed.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行い、溶剤が除去された組成物層を形成する。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が好ましい。また、圧力は、１〜１．０×１０⁵Ｐａ程度が好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking) or using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C., for example. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 ⁵ Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F ₂ excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) Using various lasers such as those that convert wavelength of laser light from the laser and emit harmonic laser light in the far-ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate electron beams or extreme ultraviolet light (EUV), etc. Can do.

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）する。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、５〜６０℃が好ましく、現像時間は、５〜３００秒間が好ましい。 The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., and the development time is preferably 5 to 300 seconds.

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。 When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノンなどのケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤；アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。 In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。 It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。 <Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly a liquid. It is suitable as a resist composition for immersion exposure and useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
化合物の構造は、ＭＡＳＳ（ＬＣ：Ａｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳ：Ａｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型又はＬＣ／ＭＳＤＴＯＦ型）で確認した。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、下記の条件で求めた値である。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製） The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The structure of the compound was confirmed by MASS (LC: Agilent 1100 type, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF type).
The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography under the following conditions.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

合成例１（モノマー（Ｍ−Ｋ）の合成）
式（Ｋ−１）で表される化合物３３．４８部、ジシクロヘキシルカルボジイミド２３．９３部及び塩化メチレン４０部を、反応器に仕込み、混合した。得られた混合物を０℃程度まで冷却した後、式（Ｋ−２）で表される化合物１８．８３部を加え、０℃程度のまま、１時間攪拌した。２３℃まで昇温し、さらに３０分間攪拌した。不溶物をろ過して除去し、得られたろ液を濃縮して、式（Ｋ−３）で表される化合物４４．２８部を得た。 Synthesis Example 1 (Synthesis of monomer (M-K))
33.48 parts of the compound represented by the formula (K-1), 23.93 parts of dicyclohexylcarbodiimide and 40 parts of methylene chloride were charged into a reactor and mixed. After cooling the obtained mixture to about 0 ° C., 18.83 parts of the compound represented by the formula (K-2) was added, and the mixture was stirred for about 1 hour while maintaining about 0 ° C. The temperature was raised to 23 ° C. and the mixture was further stirred for 30 minutes. Insoluble matters were removed by filtration, and the obtained filtrate was concentrated to obtain 44.28 parts of a compound represented by the formula (K-3).

前記のようにして得られた式（Ｋ−３）で表される化合物１９．４２部、式（Ｋ−４）で表される化合物１８．２２部及びアセトニトリル２００部を、反応器に仕込み、混合した。得られた混合物を５０℃で３時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム３００部及びイオン交換水１５０部を加え、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水１５０部で水洗し、有機層を濃縮した。濃縮物を、カラム分取（カラム分取条件固定相：メルク社製シリカゲル６０−２００メッシュ展開溶媒：酢酸エチル）することにより、式（Ｍ−Ｋ）で表される化合物１２．８９部を得た。
ＭＳ（質量分析）：３０８．１（分子イオンピーク） A reactor was charged with 19.42 parts of the compound represented by the formula (K-3) obtained as described above, 18.22 parts of the compound represented by the formula (K-4) and 200 parts of acetonitrile. Mixed. The resulting mixture was stirred at 50 ° C. for 3 hours. The obtained mixture was concentrated, 300 parts of chloroform and 150 parts of ion-exchanged water were added, and the organic layer was recovered by a liquid separation operation. The recovered organic layer was washed with 150 parts of ion exchange water, and the organic layer was concentrated. The concentrate is subjected to column fractionation (column fractionation conditions stationary phase: silica gel 60-200 mesh manufactured by Merck & Co., Ltd. developing solvent: ethyl acetate) to obtain 12.89 parts of a compound represented by the formula (M-K). It was.
MS (mass spectrometry): 308.1 (molecular ion peak)

合成例２：式（ＩＩ−４９）で表される塩の合成
式（ＩＩ４９−ａ）で表される化合物（商品名：ＨＡＤＭ、出光製）２６．４４部、ジオキサン８０．００部を仕込み、２３℃で攪拌下、水酸化ナトリウム４．４０部をイオン交換水８０．００部に溶解した水溶液を３０分かけて滴下し、９０℃で３６時間攪拌した。反応マスを冷却し、イオン交換水４００．００部、酢酸エチル５００．０部及び塩化ナトリウム２００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層に３Ｎ塩酸４００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層にイオン交換水４００．００部を添加し、攪拌し、分液を行った。この水洗を３回行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ４９−ｂ）で表される化合物７．８９部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比） Synthesis Example 2: Synthesis of salt represented by formula (II-49)
A compound represented by the formula (II49-a) (trade name: HADM, manufactured by Idemitsu) 26.44 parts and dioxane 80.00 parts were charged, and under stirring at 23 ° C., 4.40 parts of sodium hydroxide was ion-exchanged water. An aqueous solution dissolved in 80.00 parts was dropped over 30 minutes and stirred at 90 ° C. for 36 hours. The reaction mass was cooled, 400.00 parts of ion-exchanged water, 500.0 parts of ethyl acetate and 200.0 parts of sodium chloride were added, stirred, and separated. To the obtained organic layer, 400.0 parts of 3N hydrochloric acid was added, stirred, and separated. To the obtained organic layer, 400.00 parts of ion exchanged water was added, stirred, and separated. This washing with water was performed three times. The recovered organic layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 7.89 parts of a compound represented by the formula (II49-b).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 1/1 (volume ratio)

式（ＩＩ４９−ｃ）で表される化合物（商品名：ＣＡＮＬクラレ製）４．６１部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、式（ＩＩ４９−ｂ）で表される化合物３．９３部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ４９−ｄ）で表される化合物２．２４部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：酢酸エチル A compound represented by the formula (II49-c) (trade name: manufactured by CANL Kuraray) (4.61 parts) and N, N′-dimethylformamide (25.00 parts) were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, 1.66 parts of potassium carbonate and 0.84 part of potassium iodide were charged and stirred at 50 ° C. for 1 hour. The obtained mixture was cooled to 40 ° C., and a solution prepared by dissolving 3.93 parts of the compound represented by the formula (II49-b) in 25.00 parts of N, N′-dimethylformamide was added dropwise over 1 hour. And stirred at 75 ° C. for 5 hours. The obtained mixture was cooled to 23 ° C., 60.00 parts of chloroform and 60.00 parts of 1N hydrochloric acid were added, and the mixture was stirred and separated. The collected organic layer was repeatedly washed with 60.00 parts of ion-exchanged water until the aqueous layer became neutral. The recovered organic layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 2.24 parts of a compound represented by the formula (II49-d).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; made by Merck developing solvent: ethyl acetate

式（ＩＩ４９−ｅ）で表される塩を特開２００８−１２７３６７号公報実施例１に記載された方法で合成した。式（ＩＩ４９−ｅ）で表される塩１．７５部、モノクロロベンゼン４０．００部及び式（ＩＩ４９−ｄ）で表される化合物１．８７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、硫酸０．１６部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮し、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（ＩＩ−４９）で表される塩０．４４部を得た。 A salt represented by the formula (II49-e) was synthesized by the method described in Example 1 of JP-A-2008-127367. 1.75 parts of a salt represented by the formula (II49-e), 40.00 parts of monochlorobenzene and 1.87 parts of a compound represented by the formula (II49-d) were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. 0.16 parts and 10.00 parts of molecular sieve (trade name: Molecular sieve 4A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were charged, followed by reflux dehydration at 130 ° C. for 3 hours. The obtained reaction product was concentrated, charged with 100 parts of chloroform and 50 parts of ion-exchanged water, and stirred and separated. Water washing was performed 3 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated. The resulting concentrate was dissolved by adding 20 parts of acetonitrile, concentrated, added with 20 parts of ethyl acetate and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 20 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated to obtain 0.44 parts of a salt represented by the formula (II-49) as an oily substance.

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ５４７．２ MS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
MS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 547.2

合成例３：式（ＩＩ−４１）で表される塩の合成
Synthesis Example 3: Synthesis of salt represented by formula (II-41)

１，３−アダマンタンジオール２５０部及びテトラヒドロフラン２０００部を仕込み、室温で攪拌し、ピリジン１４２部を仕込み、４０℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド２５４部及びテトラヒドロフラン５００部の混合溶液を８０分かけて滴下した。その後、４０℃で８時間攪拌し、５℃に温度を下げた。５℃に冷却したイオン交換水１０００部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル６００部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、５℃の１０％炭酸カリウム水溶液６００部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。回収された有機層にさらに、イオン交換水６００部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ４１−ａ）で表される化合物７５部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比） 250 parts of 1,3-adamantanediol and 2000 parts of tetrahydrofuran were charged, stirred at room temperature, 142 parts of pyridine were charged, and the temperature was raised to 40 ° C. Further, a mixed solution of 254 parts of chloroacetyl chloride and 500 parts of tetrahydrofuran was added dropwise over 80 minutes. Then, it stirred at 40 degreeC for 8 hours, and temperature was lowered | hung to 5 degreeC. 1000 parts of ion-exchanged water cooled to 5 ° C. was added and stirred, and the aqueous layer was recovered by liquid separation. 600 parts of ethyl acetate was added to the recovered aqueous layer, and the organic layer was recovered by liquid separation. To the collected organic layer, 600 parts of a 10% potassium carbonate aqueous solution at 5 ° C. was added, washed, and separated to recover the organic layer. Further, 600 parts of ion-exchanged water was added to the recovered organic layer and washed with water, followed by liquid separation to recover the organic layer. This washing operation was repeated 3 times. The collected organic layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 75 parts of the compound represented by the formula (II41-a).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 1/1 (volume ratio)

式（ＩＩ４１−ｂ）で表される化合物（商品名：ＨＡＤＭ、出光製）２６．４４部、ジオキサン８０．００部を仕込み、２３℃で攪拌下、水酸化ナトリウム４．４０部をイオン交換水８０．００部に溶解した水溶液を３０分かけて滴下し、９０℃で３６時間攪拌した。反応マスを冷却し、イオン交換水４００．００部、酢酸エチル５００．０部及び塩化ナトリウム２００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層に３Ｎ塩酸４００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層にイオン交換水４００．００部を添加し、攪拌し、分液を行った。この水洗を３回行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ４１−ｃ）で表される化合物７．８９部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比） A compound represented by formula (II41-b) (trade name: HADM, manufactured by Idemitsu) 26.44 parts and dioxane 80.00 parts were charged, and stirred at 23 ° C., 4.40 parts of sodium hydroxide was ion-exchanged water. An aqueous solution dissolved in 80.00 parts was dropped over 30 minutes and stirred at 90 ° C. for 36 hours. The reaction mass was cooled, 400.00 parts of ion-exchanged water, 500.0 parts of ethyl acetate and 200.0 parts of sodium chloride were added, stirred, and separated. To the obtained organic layer, 400.0 parts of 3N hydrochloric acid was added, stirred, and separated. To the obtained organic layer, 400.00 parts of ion exchanged water was added, stirred, and separated. This washing with water was performed three times. The recovered organic layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 7.89 parts of a compound represented by the formula (II41-c).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 1/1 (volume ratio)

式（ＩＩ４１−ａ）で表される化合物４．８８部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、式（ＩＩ４１−ｃ）で表される化合物３．９３部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ４１−ｄ）で表される化合物２．５４部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：酢酸エチル 4.88 parts of the compound represented by the formula (II41-a) and 25.00 parts of N, N′-dimethylformamide were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, 1.66 parts of potassium carbonate and 0.84 part of potassium iodide were charged and stirred at 50 ° C. for 1 hour. The obtained mixture was cooled to 40 ° C., and a solution prepared by dissolving 3.93 parts of the compound represented by the formula (II41-c) in 25.00 parts of N, N′-dimethylformamide was added dropwise over 1 hour. And stirred at 75 ° C. for 5 hours. The obtained mixture was cooled to 23 ° C., 60.00 parts of chloroform and 60.00 parts of 1N hydrochloric acid were added, and the mixture was stirred and separated. The collected organic layer was repeatedly washed with 60.00 parts of ion-exchanged water until the aqueous layer became neutral. The collected organic layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 2.54 parts of a compound represented by the formula (II41-d).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; made by Merck developing solvent: ethyl acetate

式（ＩＩ４１−ｅ）で表される塩を特開２００８−１２７３６７号公報実施例１に記載された方法で合成した。式（ＩＩ４１−ｅ）で表される塩２．１９部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（ＩＩ４１−ｄ）で表される化合物２．４３部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮し、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（ＩＩ−４１）で表される塩０．６２部を得た。 A salt represented by the formula (II41-e) was synthesized by the method described in Example 1 of JP2008-127367A. 2.19 parts of a salt represented by the formula (II41-e), 50.00 parts of monochlorobenzene and 2.43 parts of a compound represented by the formula (II41-d) were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. 0.20 parts and 10.00 parts of molecular sieve (trade name: Molecular sieve 4A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were charged, followed by reflux dehydration at 130 ° C. for 3 hours. The obtained reaction product was concentrated, charged with 100 parts of chloroform and 50 parts of ion-exchanged water, and stirred and separated. Water washing was performed 3 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated. The resulting concentrate was dissolved by adding 20 parts of acetonitrile, concentrated, added with 20 parts of ethyl acetate and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 20 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated to obtain 0.62 part of a salt represented by the formula (II-41) as an oily substance.

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ５６１．２ MS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
MS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 561.2

合成例４：式（ＩＩ−１）で表される塩の合成
式（ＩＩ１−ａ）で表される塩４．９８部及びアセトニトリル２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（ＩＩ１−ｂ）で表される化合物２．１７部を添加し、７０℃で２時間攪拌し、式（ＩＩ１−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。得られた式（ＩＩ１−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、５０℃で、式（ＩＩ１−ｄ）で表される化合物１．８６部、クロロホルム１４．９１部及びアセトニトリル２．７９部の混合溶液を１時間かけて滴下し、さらに、５０℃で１２時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム４０部及び２％シュウ酸水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗の操作をさらに５回行った。得られた有機層に活性炭０．８０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（ＩＩ−１）で表される塩５．２４部を得た。 Synthesis Example 4: Synthesis of salt represented by formula (II-1)
4.98 parts of the salt represented by the formula (II1-a) and 25.00 parts of acetonitrile were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 2.17 parts of the compound represented by the formula (II1-b) was added, and the mixture was stirred at 70 ° C. for 2 hours to obtain a solution containing the compound represented by the formula (II1-c). To the obtained solution containing the compound represented by the formula (II1-c), at 50 ° C., 1.86 parts of the compound represented by the formula (II1-d), 14.91 parts of chloroform and 2.79 parts of acetonitrile. Was added dropwise over 1 hour, and the mixture was further stirred at 50 ° C. for 12 hours. The resulting reaction was concentrated. To the obtained concentrate, 40 parts of chloroform and 20 parts of 2% oxalic acid water were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. 20 parts of ion-exchanged water was added to the obtained organic layer, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was further performed 5 times. The obtained organic layer was charged with 0.80 part of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated, and 50 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting concentrate and stirred. The resulting supernatant was removed and concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and concentrated to obtain 5.24 parts of the salt represented by the formula (II-1).

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ３３７．１ MASS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
^{MASS (ESI (-) Spectrum)} : M - 337.1

合成例５：式（ＩＩ−９）で表される塩の合成
Synthesis Example 5: Synthesis of salt represented by formula (II-9)

温度計及び攪拌装置を備えたフラスコに、水素化ナトリウム５．７８部及びテトラヒドロフラン１５．００部を仕込み、０℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、式（ＩＩ９−ａ）で表される化合物（５−ヒドロキシ−２−アダマンタノン、東京化成製）１１．００部及びテトラヒドロフラン４０．００部の混合溶液を０℃で２時間かけて添加し、０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、さらに、メトキシメチルクロライド８．５０部を０℃で４０分かけて添加し、０℃で２時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水５５．００部及び酢酸エチル２２０．００部を添加し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水５５．００部を添加し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層を濃縮することにより、式（ＩＩ９−ｂ）で表される化合物１４．０３部を得た。 A flask equipped with a thermometer and a stirrer was charged with 5.78 parts of sodium hydride and 15.00 parts of tetrahydrofuran, and stirred at 0 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, a mixed solution of 11.00 parts of a compound represented by the formula (II9-a) (5-hydroxy-2-adamantanone, manufactured by Tokyo Chemical Industry) and 40.00 parts of tetrahydrofuran was added at 0 ° C. for 2 hours. And added at 0 ° C. for 1 hour. To the obtained mixture, 8.50 parts of methoxymethyl chloride was further added at 0 ° C. over 40 minutes, and the mixture was stirred at 0 ° C. for 2 hours. To the obtained mixture, 55.00 parts of ion-exchanged water and 220.00 parts of ethyl acetate were added, and liquid separation was performed to recover the organic layer. To the recovered organic layer, 55.00 parts of ion exchange water was added, and liquid separation was performed to recover the organic layer. The recovered organic layer was concentrated to obtain 14.03 parts of a compound represented by the formula (II9-b).

温度計及び攪拌装置を備えたフラスコに、テトラヒドロフラン６．００部、塩化リチウム１．６７部及び塩化亜鉛０．４１部を添加し、室温で３０分間攪拌した。得られた混合物に、エチルマグネシウムクロライド４０．７６ｍｌを２３℃で１時間かけて添加した後、０℃に冷却し、式（ＩＩ９−ｂ）で表される化合物６．００部及びテトラヒドロフラン１２．００部の混合溶液を１時間かけて添加し、さらに、０℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、酢酸１．６０部を添加し、３０分間攪拌した。得られた混合物を濃縮した後、酢酸エチル３６．００部及び飽和塩化アンモニウム水溶液１２．００部を添加し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水１２．００部を添加し、分液を行って有機層を回収した。水洗操作を３回行った。回収された有機層に、硫酸マグネシウム１．００部を添加し、攪拌した後、ろ過した。回収されたろ液層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ９−ｃ）で表される化合物５．００部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比） To a flask equipped with a thermometer and a stirrer, 6.00 parts of tetrahydrofuran, 1.67 parts of lithium chloride and 0.41 parts of zinc chloride were added and stirred at room temperature for 30 minutes. To the obtained mixture, 40.76 ml of ethylmagnesium chloride was added at 23 ° C. over 1 hour, then cooled to 0 ° C., and 6.00 parts of the compound represented by the formula (II9-b) and tetrahydrofuran 12.00 were added. Part of the mixed solution was added over 1 hour, and the mixture was further stirred at 0 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, 1.60 parts of acetic acid was added and stirred for 30 minutes. After concentrating the obtained mixture, 36.00 parts of ethyl acetate and 12.00 parts of a saturated aqueous ammonium chloride solution were added, and liquid separation was performed to recover the organic layer. To the recovered organic layer, 12.00 parts of ion-exchanged water was added, and liquid separation was performed to recover the organic layer. The washing operation was performed 3 times. To the collected organic layer, 1.00 part of magnesium sulfate was added, stirred and filtered. The collected filtrate layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 5.00 parts of a compound represented by the formula (II9-c).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 1/1 (volume ratio)

特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で得た式（ＩＩ９−ｄ）で表される化合物５．００部、クロロホルム３０．００部、式（ＩＩ９−ｃ）で表される化合物３．１２部、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ５Ａ、和光純薬製）７．００部及びリチウムアミド０．１４部を仕込み、８０℃で１２０時間加熱還流した後、ろ過した。得られたろ液に、シュウ酸０．２８部及びイオン交換水７．５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を６回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル６．８８部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣を濃縮することにより、式（ＩＩ９−ｄ）で表される化合物０．２２部を得た。得られた式（ＩＩ９−ｄ）で表される化合物０．２２部をクロロホルム１０部に溶解し、１Ｎ塩酸５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、分液を行った。得られた有機層を濃縮して、式（ＩＩ−９）で表される塩０．１５部を得た。 2. 5.00 parts of a compound represented by the formula (II9-d) obtained by the method described in JP-A-2008-13551, 30.00 parts of chloroform, a compound represented by the formula (II9-c) 12 parts, molecular sieve (trade name: Molecular sieve 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 7.00 part and lithium amide 0.14 part were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 120 hours, and then filtered. The obtained filtrate was charged with 0.28 part of oxalic acid and 7.50 parts of ion-exchanged water, and stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 part of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered. After the filtrate was concentrated, 6.88 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate to dissolve it, concentrated, 10 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was concentrated to obtain 0.22 parts of a compound represented by the formula (II9-d). 0.22 part of the compound represented by the formula (II9-d) thus obtained was dissolved in 10 parts of chloroform, 5 parts of 1N hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation. The obtained organic layer was concentrated to obtain 0.15 part of a salt represented by the formula (II-9).

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ３５３．１ MS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
MS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 353.1

合成例６：式（ＩＩ−２１３）で表される塩の合成
２−メチル−２−アダマンタノール２５．００部及びテトラヒドロフラン２００部を仕込み、室温で攪拌し、２−メチル−２−アダマンタノールの溶解確認後、ピリジン１４．２７部を仕込み、４０℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド２５．４７部及びテトラヒドロフラン５０部の混合溶液を１時間かけて滴下した。滴下後、４０℃で８時間攪拌し、５℃に温度を下げた。５℃に冷却したイオン交換水１００部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル６５部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、５℃の１０％炭酸カリウム水溶液６５部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水６５部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にｎ−ヘプタン４０．００部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式（ＩＩ−２１３−ａ）で表される化合物１７．６２部を得た。 Synthesis Example 6: Synthesis of salt represented by formula (II-213)
Charge 25.00 parts of 2-methyl-2-adamantanol and 200 parts of tetrahydrofuran, and stir at room temperature. After confirming dissolution of 2-methyl-2-adamantanol, charge 14.27 parts of pyridine and raise the temperature to 40 ° C. did. Further, a mixed solution of 25.47 parts of chloroacetyl chloride and 50 parts of tetrahydrofuran was added dropwise over 1 hour. After dropping, the mixture was stirred at 40 ° C. for 8 hours, and the temperature was lowered to 5 ° C. 100 parts of ion-exchanged water cooled to 5 ° C. was added and stirred, and the aqueous layer was recovered by liquid separation. 65 parts of ethyl acetate was added to the recovered aqueous layer, and the organic layer was recovered by liquid separation. To the recovered organic layer, 65 parts of a 10% potassium carbonate aqueous solution at 5 ° C. is added and washed, and after separating and recovering the organic layer, 65 parts of ion-exchanged water is further added to the recovered organic layer. The organic layer was recovered by washing with water and liquid separation. This washing operation was repeated 3 times. The recovered organic layer is concentrated, 40.00 parts of n-heptane is added to the obtained concentrate, and the mixture is stirred, filtered, dried, and the compound represented by the formula (II-213-a) 17.62 parts were obtained.

式（ＩＩ−２１３−ｂ）で表される化合物１５．００部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド７５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム６．４０部及びヨウ化カリウム１．９２部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、式（ＩＩ−２１３−ａ）で表される化合物１６．８７部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド３３．７４部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、５０℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、酢酸エチル３００部及びイオン交換水１５０部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水１５０部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にｎ−ヘプタン１５０部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式（ＩＩ−２１３−ｃ）で表される化合物２２．６７部を得た。 15.00 parts of a compound represented by the formula (II-213-b) and 75 parts of N, N′-dimethylformamide were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, 6.40 parts of potassium carbonate and 1.92 parts of potassium iodide were charged and stirred at 50 ° C. for 1 hour. A solution prepared by dissolving 16.87 parts of the compound represented by the formula (II-213-a) in 33.74 parts of N, N′-dimethylformamide was added dropwise to the obtained mixture over 1 hour, and the mixture was stirred at 50 ° C. Stir for 5 hours. The obtained mixture was cooled to 23 ° C., 300 parts of ethyl acetate and 150 parts of ion-exchanged water were added, and the mixture was stirred and separated. The collected organic layer was repeatedly washed with 150 parts of ion-exchanged water until the aqueous layer became neutral. The recovered organic layer was concentrated, 150 parts of n-heptane was added to the resulting concentrate, and the mixture was stirred, filtered, dried, and the compound represented by formula (II-213-c) 22. 67 parts were obtained.

式（ＩＩ−２１３−ｃ）で表される化合物１５．００部及びアセトニトリル７５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、水素化ホウ素ナトリウム０．７１部及びイオン交換水１０．６３部を仕込み、５℃で３時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水５０部及び酢酸エチル１００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水５０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（ＩＩ−２１３−ｄ）で表される化合物１２．４３部を得た。 15.00 parts of a compound represented by the formula (II-213-c) and 75 parts of acetonitrile were charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 5 ° C. To the obtained mixture, 0.71 part of sodium borohydride and 10.63 parts of ion-exchanged water were added and stirred at 5 ° C. for 3 hours. To the obtained mixture, 50 parts of ion-exchanged water and 100 parts of ethyl acetate were added, stirred and separated. The recovered organic layer was repeatedly washed with 50.00 parts of ion-exchanged water until the aqueous layer became neutral. After the collected organic layer is concentrated, a compound represented by the formula (II-213-d) is obtained by separating a column (silica gel 60-200 mesh; developed solvent: ethyl acetate) under the following conditions. 12.43 parts were obtained.

式（ＩＩ−２１３−ｅ）で表される塩を、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成した。
式（ＩＩ−２１３−ｅ）で表される塩１０．００部及びアセトニトリル６０部を仕込み、４０℃で３０分間攪拌し、式（ＩＩ−２１３−ｆ）で表される化合物４．４４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌することにより、式（ＩＩ−２１３−ｇ）で表される化合物を含む溶液を得た。 A salt represented by the formula (II-213-e) was synthesized by the method described in JP 2008-127367 A.
First, 10.00 parts of a salt represented by the formula (II-213-e) and 60 parts of acetonitrile were charged, stirred at 40 ° C. for 30 minutes, and 4.44 parts of a compound represented by the formula (II-213-f) were added. The solution containing the compound represented by the formula (II-213-g) was obtained by charging and stirring at 50 ° C. for 1 hour.

得られた式（ＩＩ−２１３−ｇ）で表される化合物を含む溶液に、式（ＩＩ−２１３−ｄ）で表される化合物９．１９部を仕込み、２３℃で１時間攪拌した。得られた反応マスに、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を５回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル５０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル５０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルクシリカゲル６０−２００メッシュ展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（ＩＩ−２１３）で表される塩１６．８４部を得た。 To the obtained solution containing the compound represented by the formula (II-213-g), 9.19 parts of the compound represented by the formula (II-213-d) was charged and stirred at 23 ° C. for 1 hour. To the obtained reaction mass, 100 parts of chloroform and 50 parts of ion-exchanged water were added, and the mixture was stirred and separated. Water washing was performed 5 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. After concentrating the filtrate, 50 parts of acetonitrile was added to dissolve the resulting concentrate, the mixture was concentrated, 50 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated, and the resulting concentrate was fractionated in a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain the formula (II-213). ) Was obtained.

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ５５９．２ MS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
MS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 559.2

合成例７：式（ＩＩ−１８３）で表される塩の合成
Synthesis Example 7: Synthesis of salt represented by formula (II-183)

式（ＩＩ−１８３−ａ）で表される化合物（商品名：ＮＬＡ−ｔＢｕ、クラレ製）２５．４３部、テトラヒドロフラン１００．００部及びトリフルオロ酢酸１．１４部を仕込み、５０℃で２時間攪拌した。その後、ヨウ化カリウム０．４２部を添加し、５０℃で１０時間攪拌した。得られた混合物にイオン交換水３０．００部及び酢酸エチル６０．００部を添加し、攪拌した後、分液を行い、有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水３０．００部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。この分液水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮後、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−１８３−ｂ）で表される化合物１８．９部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１０／１（容量比） A compound represented by the formula (II-183-a) (trade name: NLA-tBu, manufactured by Kuraray Co., Ltd.) 25.43 parts, 100.00 parts of tetrahydrofuran and 1.14 parts of trifluoroacetic acid were charged, and the mixture was heated at 50 ° C. for 2 hours. Stir. Thereafter, 0.42 part of potassium iodide was added and stirred at 50 ° C. for 10 hours. After adding 30.00 parts of ion-exchanged water and 60.00 parts of ethyl acetate to the obtained mixture and stirring, liquid separation was performed to recover the organic layer. To the collected organic layer, 30.00 parts of ion-exchanged water was added and washed, followed by liquid separation to recover the organic layer. This liquid separation washing operation was repeated 3 times. The recovered organic layer was concentrated and then fractionated on a column under the following conditions to obtain 18.9 parts of a compound represented by the formula (II-183-b).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 10/1 (volume ratio)

２−メチル−２−アダマンタノール２５０部及びテトラヒドロフラン２０００部を仕込み、室温で攪拌し、２−メチル−２−アダマンタノールの溶解確認後、ピリジン１４２．７３部を仕込み、４０℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド２５４．７４部及びテトラヒドロフラン５０９部の混合溶液を８０分かけて滴下した。滴下後、４０℃で８時間攪拌し、５℃に温度を下げた。５℃に冷却したイオン交換水１０５２部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル６３１部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、５℃の１０％炭酸カリウム水溶液６３１部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水６３１部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物にｎ−ヘプタン５００部を添加し、攪拌した後、ろ過後、乾燥して、式（ＩＩ−１８３−ｃ）で表される化合物１９５部を得た。 250 parts of 2-methyl-2-adamantanol and 2000 parts of tetrahydrofuran were charged and stirred at room temperature. After confirming dissolution of 2-methyl-2-adamantanol, 142.73 parts of pyridine were charged and the temperature was raised to 40 ° C. Further, a mixed solution of 254.74 parts of chloroacetyl chloride and 509 parts of tetrahydrofuran was added dropwise over 80 minutes. After dropping, the mixture was stirred at 40 ° C. for 8 hours, and the temperature was lowered to 5 ° C. 1052 parts of ion-exchanged water cooled to 5 ° C. was added and stirred, and the aqueous layer was recovered by liquid separation. To the recovered aqueous layer, 631 parts of ethyl acetate was added, and the mixture was separated to recover the organic layer. The recovered organic layer was washed by adding 631 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution at 5 ° C., and separated to recover the organic layer. Then, 631 parts of ion-exchanged water was further added to the recovered organic layer. The organic layer was recovered by washing with water and liquid separation. This washing operation was repeated 3 times. The recovered organic layer is concentrated, 500 parts of n-heptane is added to the resulting concentrate, and the mixture is stirred, filtered, dried, and 195 parts of a compound represented by the formula (II-183-c). Got.

式（ＩＩ−１８３−ｂ）で表される化合物１０．２０部及びジメチルホルムアミド１０２．０５部を仕込み、室温で攪拌し、式（ＩＩ−１８３−ｂ）で表される化合物を溶解した。その後、炭酸カリウム３．５６部及びヨウ化カリウム０．８９部を添加し、５０℃に昇温した。さらに１時間攪拌した後、１００℃に昇温した。得られた混合物に式（ＩＩ−１８３−ｃ）で表される化合物１２．５０部及びジメチルホルムアミド３７．５０部の混合溶解液を６０分かけて添加し、１００℃で３時間攪拌した。得られた混合物を室温に戻した後、イオン交換水１６６．７０部及び酢酸エチル３３３．４０部を添加した後、攪拌し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層に、５％炭酸カリウム水溶液８３．３５部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層に、さらにイオン交換水１６６．７０部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を５回繰り返して行った。回収された有機層に、硫酸マグネシウム１部を添加し、攪拌した後、ろ過して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮した後、ｎ−ヘプタン５５．５部を添加し、室温で１時間攪拌した後、析出物をろ過して取り出し、乾燥して、式（ＩＩ−１８３−ｄ）で表される化合物１６．８０部を得た。 10.20 parts of a compound represented by the formula (II-183-b) and 102.05 parts of dimethylformamide were charged and stirred at room temperature to dissolve the compound represented by the formula (II-183-b). Thereafter, 3.56 parts of potassium carbonate and 0.89 parts of potassium iodide were added, and the temperature was raised to 50 ° C. After further stirring for 1 hour, the temperature was raised to 100 ° C. A mixed solution of 12.50 parts of the compound represented by the formula (II-183-c) and 37.50 parts of dimethylformamide was added to the obtained mixture over 60 minutes, and the mixture was stirred at 100 ° C. for 3 hours. After returning the obtained mixture to room temperature, 166.70 parts of ion-exchanged water and 333.40 parts of ethyl acetate were added, followed by stirring and liquid separation to recover the organic layer. To the collected organic layer, 83.35 parts of 5% aqueous potassium carbonate solution was added and washed, and liquid separation was performed to collect the organic layer. To the collected organic layer, 166.70 parts of ion-exchanged water was further added for washing, and liquid separation was performed to collect the organic layer. This washing operation was repeated 5 times. 1 part of magnesium sulfate was added to the recovered organic layer, and the mixture was stirred and then filtered to recover the organic layer. After the collected organic layer was concentrated, 55.5 parts of n-heptane was added and stirred at room temperature for 1 hour, and then the precipitate was filtered off, dried and dried according to formula (II-183-d). 16.80 parts of the compound represented were obtained.

式（ＩＩ−１８３−ｅ）で表される塩を、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成した。式（ＩＩ−１８３−ｅ）で表される塩４．５２部、クロロホルム３０．００部、式（ＩＩ−１８３−ｄ）で表される化合物４．４４部、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ５Ａ、和光純薬製）５．００部及びリチウムアミド０．１４部を仕込み、８０℃で５時間加熱還流した後、ろ過した。得られたろ液に、シュウ酸０．２８部及びイオン交換水７．５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を６回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル７．００部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（ＩＩ−１８３）で表される塩０．８９部を得た。 A salt represented by the formula (II-183-e) was synthesized by the method described in JP-A-2008-13551. 4.52 parts of salt represented by formula (II-183-e), 30.00 parts of chloroform, 4.44 parts of compound represented by formula (II-183-d), molecular sieve (trade name: molecular sieve) 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts and 0.14 part of lithium amide were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 5 hours, and filtered. The obtained filtrate was charged with 0.28 part of oxalic acid and 7.50 parts of ion-exchanged water, and stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 part of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered. After the filtrate was concentrated, 7.00 parts of acetonitrile was added to dissolve the resulting concentrate, and the mixture was concentrated, concentrated, 10 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated to obtain 0.89 part of a salt represented by the formula (II-183) as an oily substance.

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ５６１．１ MS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
MS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 561.1

合成例８：式（ＩＩ−１６７）で表される塩の合成
Synthesis Example 8: Synthesis of salt represented by formula (II-167)

式（ＩＩ−１６７−ａ）で表される化合物（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、和光純薬製）１６．４２部及びテトラヒドロフラン５３．２９部を仕込み、２３℃で攪拌溶解した。得られた混合物に、２３℃でジメチルアミノピリジン２．４４部を添加した後、５０℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、さらに、２−メチル−２−アダマンタノール１６．６３部及びテトラヒドロフラン５３．２９部の混合溶液を１時間かけて滴下し、５０℃で１０時間攪拌した。得られた混合物にイオン交換水３０部及び酢酸エチル６０部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水３０部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。この分液水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮後、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−１６７−ｂ）で表される化合物２５．２部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１（容量比） 16.42 parts of a compound represented by the formula (II-167-a) (5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 53.29 parts of tetrahydrofuran were charged and dissolved by stirring at 23 ° C. did. To the obtained mixture, 2.44 parts of dimethylaminopyridine was added at 23 ° C., followed by stirring at 50 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, a mixed solution of 16.63 parts of 2-methyl-2-adamantanol and 53.29 parts of tetrahydrofuran was further added dropwise over 1 hour, followed by stirring at 50 ° C. for 10 hours. To the obtained mixture, 30 parts of ion-exchanged water and 60 parts of ethyl acetate were added and washed, followed by liquid separation to recover the organic layer. 30 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer for washing, and liquid separation was performed to collect the organic layer. This liquid separation washing operation was repeated 3 times. The collected organic layer was concentrated and then fractionated on a column under the following conditions to obtain 25.2 parts of a compound represented by the formula (II-167-b).
Developing medium: silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 20/1 (volume ratio)

式（ＩＩ−１６７−ｂ）で表される化合物１６．５０部及びクロロホルム２００．００部を仕込み、２３℃で攪拌し、式（ＩＩ−１６７−ｂ）で表される化合物を溶解した後、２３℃でｍ−クロロ過安息香酸１７．３０部を添加し、２３℃で６時間攪拌した。得られた混合物にイオン交換水３０部及び酢酸エチル６０部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層にイオン交換水３０部を添加して洗浄し、分液を行って有機層を回収した。この分液水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−１６７−ｃ）で表される化合物１４．７部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１（容量比）
After charging 16.50 parts of the compound represented by the formula (II-167-b) and 200.00 parts of chloroform and stirring at 23 ° C., the compound represented by the formula (II-167-b) was dissolved. 17.23 parts of m-chloroperbenzoic acid was added at 23 ° C., and the mixture was stirred at 23 ° C. for 6 hours. To the obtained mixture, 30 parts of ion-exchanged water and 60 parts of ethyl acetate were added and washed, followed by liquid separation to recover the organic layer. 30 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer for washing, and liquid separation was performed to collect the organic layer. This liquid separation washing operation was repeated 3 times. After the collected organic layer was concentrated, 14.7 parts of a compound represented by the formula (II-167-c) was obtained by fractionating the column under the following conditions.
Developing medium: silica gel 60-200 mesh; manufactured by Merck developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 20/1 (volume ratio)

式（ＩＩ−１６７−ｄ）で表される塩を、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成した。式（ＩＩ−１６７−ｄ）で表される塩４．５２部、クロロホルム３０．００部、式（ＩＩ−１６７−ｃ）で表される化合物３．８１部、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ５Ａ、和光純薬製）５．００部及びリチウムアミド０．１４部を仕込み、８０℃で５時間加熱還流した後、ろ過した。得られたろ液に、シュウ酸０．２８部及びイオン交換水７．５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を６回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル７．００部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（ＩＩ−１６７）で表される塩１．１２部を得た。 A salt represented by the formula (II-167-d) was synthesized by the method described in JP-A-2008-13551. 4.52 parts of salt represented by formula (II-167-d), 30.00 parts of chloroform, 3.81 parts of compound represented by formula (II-167-c), molecular sieve (trade name: molecular sieve) 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts and 0.14 part of lithium amide were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 5 hours, and filtered. The obtained filtrate was charged with 0.28 part of oxalic acid and 7.50 parts of ion-exchanged water, and stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 part of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered. After the filtrate was concentrated, 7.00 parts of acetonitrile was added to dissolve the resulting concentrate, and the mixture was concentrated, concentrated, 10 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated to obtain 1.12 parts of a salt represented by the formula (II-167) as an oily substance.

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ５０３．１ MS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 263.1
MS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 503.1

合成例９：式（Ｂ１−５）で表される塩の合成
式（Ｂ１−５−ａ）で表される塩５０．４９部及びクロロホルム２５２．４４部を反応器に仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、式（Ｂ１−５−ｂ）で表される化合物１６．２７部を滴下し、２３℃で１時間攪拌することにより、式（Ｂ１−５−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｂ１−５−ｃ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｂ１−５−ｄ）で表される塩４８．８０部及びイオン交換水８４．１５部を添加し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水８４．１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭３．８８部を添加攪拌し、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル１２５．８７部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル２０．６２部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０９．３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、ｎ−ヘプタン２００部を添加、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１−５）で表される塩６１．５４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁺ ３７５．２
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^- ３３９．１ Synthesis Example 9: Synthesis of salt represented by formula (B1-5)
50.49 parts of the salt represented by the formula (B1-5-a) and 252.44 parts of chloroform are charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then represented by the formula (B1-5-b). 16.27 parts of the compound was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour to obtain a solution containing a salt represented by the formula (B1-5-c). To the obtained solution containing the salt represented by the formula (B1-5-c), 48.80 parts of the salt represented by the formula (B1-5-d) and 84.15 parts of ion-exchanged water are added, The mixture was stirred at 23 ° C. for 12 hours. Since the resulting reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and removed, and 84.15 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. To the obtained chloroform layer, 3.88 parts of activated carbon was added and stirred, followed by filtration. The collected filtrate was concentrated, and 125.87 parts of acetonitrile was added to the resulting residue, and the mixture was stirred and concentrated. To the obtained residue, 20.62 parts of acetonitrile and 309.30 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained residue, 200 parts of n-heptane was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered to obtain 61.54 parts of the salt represented by the formula (B1-5).
MASS (ESI (+) Spectrum): M ⁺ 375.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M ⁻ 339.1

樹脂（Ａ）の合成
樹脂（Ａ）の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。
以下、これらのモノマーを、その符号に応じて、「モノマー（Ｍ−Ａ）」〜「モノマー（Ｍ−Ｌ）」という。 Synthesis of Resin (A) Compounds (monomers) used in the synthesis of resin (A) are shown below.
Hereinafter, these monomers are referred to as “monomer (MA)” to “monomer (ML)” depending on the reference numerals.

〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｇ）、モノマー（Ｍ−Ｅ）、モノマー（Ｍ−Ｂ）、モノマー（Ｍ−Ｈ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｇ）：モノマー（Ｍ−Ｅ）：モノマー（Ｍ−Ｂ）：モノマー（Ｍ−Ｈ）：モノマー（Ｍ−Ｋ））が３２：７：８：４３：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．６×１０³の樹脂Ａ１（共重合体）を収率８０％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin A1]
As a monomer, a monomer (MG), a monomer (ME), a monomer (MB), a monomer (M-H), and a monomer (M-K) are used, and the molar ratio (monomer (MG) : Monomer (ME): Monomer (MB): Monomer (M-H): Monomer (M-K)) were mixed so that the ratio was 32: 7: 8: 43: 10. 1.5 mass times dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.6. A × 10 ³ resin A1 (copolymer) was obtained in a yield of 80%. This resin A1 has the following structural units.

〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｆ）、モノマー（Ｍ−Ｉ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｆ）：モノマー（Ｍ−Ｉ）：モノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｋ））が４５：１４：２．５：２２．５：１６となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．８×１０³の樹脂Ａ２（共重合体）を収率７１％で得た。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin A2]
As a monomer, a monomer (MF), a monomer (M-I), a monomer (M-J), a monomer (MD) and a monomer (M-K) are used, and the molar ratio (monomer (MF)) : Monomer (M-I): monomer (M-J): monomer (MD): monomer (M-K)) were mixed so that 45: 14: 2.5: 22.5: 16, Dioxane of 1.5 mass times the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 8.8. A × 10 ³ resin A2 (copolymer) was obtained with a yield of 71%. This resin A2 has the following structural units.

〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｆ）、モノマー（Ｍ−Ｉ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）、モノマー（Ｍ−Ｈ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ｆ）：モノマー（Ｍ−Ｉ）：モノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｈ）：モノマー（Ｍ−Ｋ））が４５：１４：２．５：１７．５：５：１６となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．３×１０³の樹脂Ａ３（共重合体）を収率６９％で得た。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin A3]
As a monomer, a monomer (M−F), a monomer (M−I), a monomer (M−J), a monomer (M−D), a monomer (M−H), and a monomer (M−K) are used, and a molar ratio thereof. (Monomer (MF): Monomer (M-I): Monomer (M-J): Monomer (MD): Monomer (M-H): Monomer (M-K))) 45: 14: 2. It mixed so that it might become 5: 17.5: 5: 16, and the dioxane of 1.5 mass times the total monomer amount was added, and it was set as the solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 8.3. A × 10 ³ resin A3 (copolymer) was obtained in a yield of 69%. This resin A3 has the following structural units.

〔樹脂Ａ４の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｆ）、モノマー（Ｍ−Ｌ）、モノマー（Ｍ−Ｊ）、モノマー（Ｍ−Ｄ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比〔モノマー（Ｍ−Ｆ）：モノマー（Ｍ−Ｌ）：モノマー（Ｍ−Ｊ）：モノマー（Ｍ−Ｄ）：モノマー（Ｍ−Ｋ）〕が４５：１４：２．５：２２．５：１６となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．２×１０³の樹脂Ａ４（共重合体）を収率６６％で得た。この樹脂Ａ４は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin A4]
As a monomer, a monomer (MF), a monomer (ML), a monomer (MJ), a monomer (MD), and a monomer (MK) are used, and the molar ratio [monomer (MF) : Monomer (ML): monomer (M-J): monomer (MD): monomer (M-K)] is mixed to be 45: 14: 2.5: 22.5: 16, A solution was prepared by adding propylene glycol monomethyl ether acetate of 1.5 mass times the total monomer amount. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin A4 (copolymer) having a molecular weight of 8.2 × 10 ³ was obtained in a yield of 66%. This resin A4 has the following structural units.

〔樹脂Ａ５の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ｇ）、モノマー（Ｍ−Ｌ）、モノマー（Ｍ−Ｂ）、モノマー（Ｍ−Ｈ）及びモノマー（Ｍ−Ｋ）を用い、そのモル比〔モノマー（Ｍ−Ｇ）：モノマー（Ｍ−Ｌ）：モノマー（Ｍ−Ｂ）：モノマー（Ｍ−Ｈ）：モノマー（Ｍ−Ｋ）〕が３２：７：８：４３：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．９×１０³の樹脂Ａ５（共重合体）を収率８２％で得た。この樹脂Ａ５は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin A5]
As a monomer, a monomer (MG), a monomer (ML), a monomer (MB), a monomer (M-H), and a monomer (M-K) are used, and the molar ratio [monomer (MG) : Monomer (ML): monomer (MB): monomer (M-H): monomer (M-K)] to be 32: 7: 8: 43: 10 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin A5 (copolymer) having a molecular weight of 7.9 × 10 ³ was obtained in a yield of 82%. This resin A5 has the following structural units.

〔樹脂Ｈ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｍ−Ａ）及びモノマー（Ｍ−Ｃ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｍ−Ａ）：モノマー（Ｍ−Ｃ））が４０：６０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．４ｍｏｌ％及び４．２ｍｏｌ％添加し、これらを７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量５．０×１０³の樹脂Ｈ１（共重合体）を収率９２％で得た。この樹脂Ｈ１は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin H1]
Monomer (MA) and monomer (MC) are used as monomers and mixed so that the molar ratio (monomer (MA): monomer (MC)) is 40:60. An amount of 1.5 mass times dioxane was added to prepare a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 1.4 mol% and 4.2 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 70 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and the reprecipitation operation of filtering the resin was performed twice, and the weight average molecular weight was 5.0. A × 10 ³ resin H1 (copolymer) was obtained in a yield of 92%. This resin H1 has the following structural units.

＜レジスト組成物の調製＞
以下に示す成分の各々を表２に示す質量部で溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。 <Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in a solvent at parts by mass shown in Table 2, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

＜樹脂＞
Ａ１〜Ａ５、Ｈ１：樹脂Ａ１〜樹脂Ａ５、樹脂Ｈ１
＜酸発生剤＞
ＩＩ−３３：特開２００８−６９１４６号公報の実施例に従って合成
酸発生剤ＩＩ−３３５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９３５ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１６ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した。その後、酸発生剤ＩＩ−３３の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成しており、以下の化合物であることを確認した。
<Resin>
A1 to A5, H1: Resin A1 to Resin A5, Resin H1
<Acid generator>
II-33: synthesized according to examples of JP-A-2008-69146
50 mg of acid generator II-33 was dissolved in 0.7935 g of dimethyl sulfoxide, 0.0216 g of 20% hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 1 hour. Then, when the decomposition product of acid generator II-33 was confirmed, carboxylic acid was producing | generating and it confirmed that it was the following compounds.

ＩＩ−４９：
酸発生剤ＩＩ−４９５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９４８ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１２ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した。その後、酸発生剤ＩＩ−４９の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
II-49:
50 mg of acid generator II-49 was dissolved in 0.7948 g of dimethyl sulfoxide, 0.0212 g of 20% hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 1 hour. Then, when the decomposition product of acid generator II-49 was confirmed, carboxylic acid produced | generated and it confirmed that it was the following compounds.

ＩＩ−４１：
酸発生剤ＩＩ−４１５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９５８ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１６ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した。その後、酸発生剤ＩＩ−４１の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
II-41:
50 mg of acid generator II-41 was dissolved in 0.7958 g of dimethyl sulfoxide, 0.0216 g of 20% hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 1 hour. Then, when the decomposition product of acid generator II-41 was confirmed, carboxylic acid produced | generated and it confirmed that it was the following compounds.

ＩＩ−１：
酸発生剤ＩＩ−１５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９２１ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２０８ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した。その後、酸発生剤ＩＩ−１の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
II-1:
50 mg of acid generator II-1 was dissolved in 0.7921 g of dimethyl sulfoxide, 0.0208 g of 20% hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 1 hour. Then, when the decomposition product of acid generator II-1 was confirmed, carboxylic acid produced | generated and it confirmed that it was the following compounds.

ＩI−９：
酸発生剤ＩＩ−９５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９４２ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２２１ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌したあと、酸発生剤ＩＩ−９の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
II-9:
50 mg of acid generator II-9 was dissolved in 0.7942 g of dimethyl sulfoxide, 0.0221 g of 20% hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 1 hour, and then a decomposition product of acid generator II-9 was confirmed. However, it was confirmed that carboxylic acid was produced and was the following compound.

ＩＩ−２１３：
酸発生剤ＩＩ−２１３５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９４６ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１９ｇを添加し、１００℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−２１３の分解物を、¹Ｈ−ＮＭＲによって分析した。その結果、カルボキシ基及びビニルプロトン(分解物)に帰属するピークが確認された。 II-213:
The acid generator II-213 50 mg was dissolved in dimethyl sulfoxide 0.7946G, adding 20% hydrochloric acid 0.0219G, After stirring for 1 hour at 100 ° C., decomposed substance of the acid generator II-213, ¹ Analysis by H-NMR. As a result, peaks attributable to carboxy groups and vinyl protons (decomposed product) were confirmed.

ＩＩ−１８３：
酸発生剤ＩＩ−１８３５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９２１ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２０４ｇを添加し、１００℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−１８３の分解物を、¹Ｈ−ＮＭＲによって分析した。その結果、カルボキシ基及びビニルプロトン(分解物)に帰属するピークが確認された。 II-183:
The acid generator II-183 50 mg was dissolved in dimethyl sulfoxide 0.7921G, adding 20% hydrochloric acid 0.0204G, After stirring for 1 hour at 100 ° C., decomposed substance of the acid generator II-183, ¹ Analysis by H-NMR. As a result, peaks attributable to carboxy groups and vinyl protons (decomposed product) were confirmed.

ＩＩ−１６７：
酸発生剤ＩＩ−１６７５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９３３ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２０８ｇを添加し、１００℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−１６７の分解物を、¹Ｈ−ＮＭＲによって分析した。その結果、カルボキシ基及びビニルプロトン(分解物)に帰属するピークが確認された。 II-167:
The acid generator II-167 50 mg was dissolved in dimethyl sulfoxide 0.7933G, adding 20% hydrochloric acid 0.0208G, After stirring for 1 hour at 100 ° C., decomposed substance of the acid generator II-167, ¹ Analysis by H-NMR. As a result, peaks attributable to carboxy groups and vinyl protons (decomposed product) were confirmed.

Ｂ１−３：特開２０１０−１５２３４１号公報の実施例に従って合成
Ｂ１−５：
Ｂ２：トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−１０５ミドリ化学（株）製） B1-3: synthesized according to the example of JP 2010-152341 A
B1-5:
B2: Triphenylsulfonium triflate (manufactured by TPS-105 Midori Chemical Co., Ltd.)

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ１：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製） <Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル２０部
２−ヘプタノン２０部
γ−ブチロラクトン３．５部 <Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts Propylene glycol monomethyl ether 20 parts 2-heptanone 20 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

実施例１〜１９及び比較例１
＜ネガ型レジストパターンの製造＞
１２インチのシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の組成物層の膜厚が１００ｎｍとなるようにスピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークして、シリコンウェハ上に組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマレーザステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４ＡｎｎｕｌａｒＸ−Ｙ偏光照明］で、１：１ラインアンドスペースパターン（ピッチ７０ｎｍ〜１００ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。 Examples 1 to 19 and Comparative Example 1
<Manufacture of negative resist pattern>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer, and baked under the conditions of 205 ° C. and 60 seconds, whereby an organic layer having a thickness of 78 nm was obtained. An antireflection film was formed. Next, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness of the composition layer after drying (pre-baking) was 100 nm. After coating, the composition layer was formed on the silicon wafer by pre-baking on a direct hot plate at the temperature described in the column “PB” in Table 2 for 60 seconds. An ArF excimer laser stepper for immersion exposure (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized illumination) is applied to the silicon wafer on which the composition layer is formed at 1: 1 line and Using a mask for forming a space pattern (pitch 70 nm to 100 nm), the exposure was changed in stages and exposed. Note that ultrapure water was used as the immersion medium. After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 2. Next, the composition layer on the silicon wafer was subjected to dynamic dispense development at 23 ° C. for 20 seconds using butyl acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a developer, thereby producing a negative resist pattern. .

＜解像度評価＞
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、
４３ｎｍを解像しているものを◎、
４５ｎｍを解像しているものを○、
４５ｎｍを解像していないか、解像しているがトップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。
その結果を表３に示す。カッコ内の数値は、解像度を示す。 <Resolution evaluation>
Observe the resist pattern with a scanning electron microscope,
What resolves 43nm ◎,
○, which resolves 45nm
The case where 45 nm was not resolved or resolved but the top was round, there was tailing, or pattern collapse was observed was marked as x.
The results are shown in Table 3. The number in parentheses indicates the resolution.

実施例２０〜３８及び比較例２
現像液を、２−ヘプタノン（協和醗酵（株）製）に代える以外は、上記と同様の操作を行ってネガ型レジストパターンを製造し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表４に示す。 Examples 20 to 38 and Comparative Example 2
Except for changing the developer to 2-heptanone (manufactured by Kyowa Hakko Co., Ltd.), the same operation as above was performed to produce a negative resist pattern, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 4.

上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、高解像度のネガ型レジストパターンを製造できることがわかる。 From the above results, it can be seen that a high-resolution negative resist pattern can be produced according to the resist composition of the present invention.

＜レジスト組成物の調製＞
以下に示す成分の各々を表５に示す質量部で、下記の溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。 <Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in the following solvent in parts by mass shown in Table 5 and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

実施例３９〜４５及び比較例３
＜レジストパターンの製造＞
１２インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表５の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）して組成物層を形成した。こうしてレジスト組成物膜（組成物層）を形成したウェハーに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４ＡｎｎｕｌａｒＸ−Ｙ偏光］を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表５の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。 Examples 39 to 45 and Comparative Example 3
<Manufacture of resist pattern>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 78 nm. An organic antireflection film was formed. Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 85 nm.
The obtained silicon wafer was pre-baked (PB) for 60 seconds at a temperature described in the “PB” column of Table 5 on a direct hot plate to form a composition layer. On the wafer on which the resist composition film (composition layer) was thus formed, an ArF excimer stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light] The line and space pattern was subjected to immersion exposure by changing the exposure amount stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 5, and further with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 60 seconds. Paddle development was performed to obtain a resist pattern.

得られたレジストパターンにおいて、５０ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。 In the obtained resist pattern, the exposure amount at which the line width and space width of the 50 nm line-and-space pattern were 1: 1 was defined as effective sensitivity.

＜解像度評価＞
実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、
４３ｎｍを解像しているものを◎、
４５ｎｍを解像しているものを○、
４５ｎｍを解像していないか、解像しているがトップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。
その結果を表６に示す。カッコ内の数値は、解像度を示す。 <Resolution evaluation>
In effective sensitivity, the resist pattern is observed with a scanning electron microscope.
What resolves 43nm ◎,
○, which resolves 45nm
The case where 45 nm was not resolved or resolved but the top was round, there was tailing, or pattern collapse was observed was marked as x.
The results are shown in Table 6. The number in parentheses indicates the resolution.

本発明のレジスト組成物によれば、高解像度のレジストパターンを製造でき、半導体の微細加工等に利用することができる。 According to the resist composition of the present invention, a high-resolution resist pattern can be produced and used for fine processing of semiconductors.

Claims

Containing a structural unit represented by formula (I), a structural unit having an acid labile group, a resin comprising a structural unit represented by formula (a2-1), and an acid generator having an acid labile group Resist composition for organic solvent development .
[In the formula (I),
R ¹ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A ¹ is a single bond, ^* —A ² —O—, ^* —A ² —CO—O—, ^* —A ² —CO—O—A ³ —CO—O—, or ^* —A ² —O—CO. -A ³ represents a -O-.
* Represents a bond with -O-.
A ² and A ³ each independently represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
In formula (a2-1),
L ^a3 represents —O— or ^* —O— (CH ₂ ) _k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R ^a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R ^a15 represents a hydrogen atom or a methyl group,
R ^a16 represents a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

The resist composition according to claim 1, wherein the acid generator having an acid labile group is an acid generator represented by the formula (II-0).
[In the formula (II-0),
Q ¹ and Q ² each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L ⁰¹ represents a C 1-20 divalent hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and —CH ₂ — contained in the hydrocarbon group is —CO— or —O—. It may be replaced with.
R ⁴ represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
Ring W ¹ represents a hydrocarbon ring optionally having from 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent.
Z ⁺ represents an organic cation. ]

Furthermore, the resist composition of Claim 1 or 2 containing a solvent.

(1) The process of apply | coating the resist composition as described in any one of Claims 1-3 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising: a step of heating the composition layer after exposure; and (5) a step of developing the composition layer after heating with an organic solvent .