JP6187899B2 - Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、固体電解コンデンサ及びその製造方法に関し、特に誘電体層の形成技術に関する。 The present invention relates to a solid electrolytic capacitor and a method for manufacturing the same, and more particularly to a technique for forming a dielectric layer.
固体電解コンデンサは、コンデンサ素子と、コンデンサ素子を被覆した外装体と、陽極端子と、陰極端子とを備えている。コンデンサ素子は、多孔質焼結体からなる陽極体と、陽極体に植立された陽極リードと、陽極体の表面に形成された誘電体層と、誘電体層の表面に形成された電解質層と、電解質層の外周面に形成された陰極層とを有している。ここで、陽極体は、陽極リードが植立された弁金属粉末の成型体を作製し、この成型体に対して熱処理を施すことにより形成される。成型体の熱処理により、弁金属粉末が焼結すると共に、陽極リードには、その表面に存在する弁金属粉末が融着し、これにより陽極体と陽極リードとが一体化される。誘電体層は、陽極体を構成する弁金属の表面(多孔質焼結体の表面)を電気化学的に酸化させることにより形成される。 The solid electrolytic capacitor includes a capacitor element, an exterior body that covers the capacitor element, an anode terminal, and a cathode terminal. The capacitor element includes an anode body made of a porous sintered body, an anode lead planted on the anode body, a dielectric layer formed on the surface of the anode body, and an electrolyte layer formed on the surface of the dielectric layer And a cathode layer formed on the outer peripheral surface of the electrolyte layer. Here, the anode body is formed by producing a molded body of valve metal powder in which anode leads are planted, and subjecting this molded body to heat treatment. By heat treatment of the molded body, the valve metal powder is sintered, and the valve metal powder existing on the surface of the anode lead is fused, whereby the anode body and the anode lead are integrated. The dielectric layer is formed by electrochemically oxidizing the surface of the valve metal constituting the anode body (the surface of the porous sintered body).
陽極端子は陽極リードに電気的に接続され、陰極端子は陰極層に電気的に接続されている。外装体は、陽極端子及び陰極端子が外装体から引き出される様に、例えば金型を用いた樹脂モールドにより形成されている。 The anode terminal is electrically connected to the anode lead, and the cathode terminal is electrically connected to the cathode layer. The exterior body is formed by, for example, a resin mold using a mold so that the anode terminal and the cathode terminal are pulled out from the exterior body.
上述の様なリードタイプの固体電解コンデンサにおいては、コンデンサ素子への端子の取付け時や、樹脂モールド時において、陽極体のうち陽極リードの根元近傍の領域に応力が集中し易い。このため、その領域において、誘電体層にクラック等の欠陥が生じ易かった。誘電体層に生じた欠陥は、漏れ電流を増加させる原因となる。そこで、その様な領域において誘電体層の膜厚を大きくすることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In the lead-type solid electrolytic capacitor as described above, stress tends to concentrate on a region of the anode body near the root of the anode lead when the terminal is attached to the capacitor element or during resin molding. For this reason, defects such as cracks are likely to occur in the dielectric layer in that region. Defects generated in the dielectric layer cause an increase in leakage current. Accordingly, it has been proposed to increase the thickness of the dielectric layer in such a region (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、端子の取付け時や樹脂モールド時には、陽極体において、陽極リードが植立された端面とは反対側の端面を含んだ領域にも応力が生じ易く、従ってその領域には誘電体層の欠陥が生じ易かった。このため、特許文献1に記載の技術を用いたとしても、漏れ電流の増加を十分に抑制することが困難であった。
However, during terminal mounting or resin molding, stress is likely to occur in the area including the end face opposite to the end face where the anode lead is planted in the anode body. It was easy to occur. For this reason, even if the technique described in
そこで、本発明の目的は、漏れ電流の増加が抑制された固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a solid electrolytic capacitor in which an increase in leakage current is suppressed and a method for manufacturing the same.
本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法は、工程(a)〜(c)を有している。工程(a)では、陽極リードが植立された第1端面と、第1端面とは反対側の第2端面とを有する陽極体を準備する。工程(b)では、陽極体全体を第1化成液に浸漬させた状態において、第1化成液と陽極体との間に第1電圧を印加し、これにより、陽極体を構成する導電性材料の表面を酸化させる。工程(b)の後、工程(c)において、陽極体のうち第1端面を含む第1領域を第2化成液の液面上に露出させると共に、陽極体のうち第2端面を含む第2領域を第2化成液に浸漬させた状態において、第2化成液と陽極体との間に、第1電圧より大きい第2電圧を印加し、これにより、第2領域において導電性材料の表面を酸化させる。尚、工程(a)〜(c)は、後述の実施形態にて説明する陽極作製工程、第1化成処理工程、及び第2化成処理工程にそれぞれ対応している。 The method for manufacturing a solid electrolytic capacitor according to the present invention includes steps (a) to (c). In the step (a), an anode body having a first end face on which an anode lead is planted and a second end face opposite to the first end face is prepared. In the step (b), in a state where the entire anode body is immersed in the first chemical conversion liquid, a first voltage is applied between the first chemical conversion liquid and the anode body, and thereby the conductive material constituting the anode body Oxidize the surface. After the step (b), in the step (c), the first region including the first end surface of the anode body is exposed on the liquid surface of the second chemical conversion solution, and the second region including the second end surface of the anode body is included. In a state where the region is immersed in the second chemical conversion solution, a second voltage larger than the first voltage is applied between the second chemical conversion solution and the anode body, and thereby, the surface of the conductive material is applied to the second region. Oxidize. In addition, process (a)-(c) respond | corresponds to the anode preparation process, 1st chemical conversion treatment process, and 2nd chemical conversion treatment process which are demonstrated by below-mentioned embodiment, respectively.
上記製造方法によれば、工程(b)及び(c)により、陽極体の第2領域に形成される誘電体層の平均膜厚が、陽極体の第1領域に形成される誘電体層の平均膜厚より大きくなる。従って、第2領域において、誘電体層の膜厚が大きくなる。よって、固体電解コンデンサの製造時や使用時に陽極体が外力を受け、陽極体の第2領域に応力が生じた場合でも、第2領域に存在する誘電体層にはクラック等の欠陥が生じ難く、その結果、固体電解コンデンサにおいて漏れ電流の増加が抑制される。 According to the above manufacturing method, the average film thickness of the dielectric layer formed in the second region of the anode body in steps (b) and (c) is the same as that of the dielectric layer formed in the first region of the anode body. It becomes larger than the average film thickness. Therefore, the thickness of the dielectric layer is increased in the second region. Therefore, even when the anode body receives an external force during manufacture or use of the solid electrolytic capacitor and stress is generated in the second region of the anode body, defects such as cracks are hardly generated in the dielectric layer existing in the second region. As a result, an increase in leakage current is suppressed in the solid electrolytic capacitor.
上記製造方法では、工程(c)において、第2化成液の液面を、陽極リードの下端面近傍の位置に調節するか、若しくは陽極リードの下端面と陽極体の第2端面との間に調節した状態において、第2化成液と陽極体との間に第2電圧を印加することが好ましい。 In the manufacturing method, in step (c), the liquid surface of the second chemical conversion liquid is adjusted to a position near the lower end surface of the anode lead, or between the lower end surface of the anode lead and the second end surface of the anode body. In the adjusted state, it is preferable to apply a second voltage between the second chemical conversion liquid and the anode body.
本発明に係る固体電解コンデンサは、陽極体と、誘電体層と、電解質層とを備えている。陽極体は、陽極リードが植立された第1端面と、第1端面とは反対側の第2端面とを有している。誘電体層は、陽極体を構成する導電性材料の表面に形成されている。電解質層は、誘電体層上に形成されている。そして、陽極体のうち第1端面を含む第1領域における誘電体層の平均膜厚より、陽極体のうち第2端面を含む第2領域における誘電体層の平均膜厚が大きくなっている。 The solid electrolytic capacitor according to the present invention includes an anode body, a dielectric layer, and an electrolyte layer. The anode body has a first end face on which the anode lead is planted, and a second end face opposite to the first end face. The dielectric layer is formed on the surface of the conductive material constituting the anode body. The electrolyte layer is formed on the dielectric layer. And the average film thickness of the dielectric layer in the 2nd area | region which contains a 2nd end surface among anode bodies is larger than the average film thickness of the dielectric layer in the 1st area | region including a 1st end surface among anode bodies.
上記固体電解コンデンサによれば、陽極体のうち応力が生じ易い第2領域において、誘電体層の膜厚が大きくなる。よって、固体電解コンデンサの製造時や使用時に陽極体が外力を受け、陽極体の第2領域に応力が生じた場合でも、第2領域に存在する誘電体層にはクラック等の欠陥が生じ難く、従って漏れ電流の増加が抑制される。 According to the solid electrolytic capacitor, the thickness of the dielectric layer is increased in the second region where stress is likely to occur in the anode body. Therefore, even when the anode body receives an external force during manufacture or use of the solid electrolytic capacitor and stress is generated in the second region of the anode body, defects such as cracks are hardly generated in the dielectric layer existing in the second region. Therefore, an increase in leakage current is suppressed.
上記固体電解コンデンサの具体的構成において、第2領域のうち陽極体内に位置する陽極リードの端部に近い領域における誘電体層の平均膜厚が、第1領域のうちその外周面に近い領域における誘電体層の平均膜厚より大きくなっている。 In the specific configuration of the solid electrolytic capacitor, the average film thickness of the dielectric layer in the region near the end of the anode lead located in the anode body in the second region is in the region near the outer peripheral surface in the first region. It is larger than the average film thickness of the dielectric layer.
本発明に係る固体電解コンデンサ及びその製造方法によれば、漏れ電流の増加が抑制される。 According to the solid electrolytic capacitor and the manufacturing method thereof according to the present invention, an increase in leakage current is suppressed.
<固体電解コンデンサの構成>
図1は、本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサを概念的に示した断面図である。図1に示す様に、固体電解コンデンサは、コンデンサ素子1と、外装体2と、陽極端子3と、陰極端子4とを備えている。コンデンサ素子1は、陽極体11と、陽極リード12と、誘電体層13と、電解質層14と、陰極層15とを有している。
<Configuration of solid electrolytic capacitor>
FIG. 1 is a cross-sectional view conceptually showing a solid electrolytic capacitor according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the solid electrolytic capacitor includes a
陽極体11は、導電性を有する多孔質焼結体から構成されると共に、陽極リード12が植立された第1端面11aと、第1端面11aとは反対側の第2端面11bとを有している。更に、陽極体11は、第1端面11aを含む第1領域R1と、第2端面11bを含む第2領域R2とを有している。本実施形態においては、第1領域R1と第2領域R2との境界面Bsが、陽極リード12の延在方向に対して略垂直に拡がると共に、陽極体11内に位置する陽極リード12の端面12aと同じ位置に設定されている。
The
陽極体11の形状には、直方体や円柱等、様々な形状を採用することが出来る。陽極リード12は、導電性を有するワイヤから構成されている。陽極体11及び陽極リード12を構成する導電性材料には、同種又は異種の材料が用いられる。導電性材料としては、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)等の弁金属が用いられる。特に、チタン、タンタル、アルミニウム、及びニオブは、それらの表面を酸化させることより誘電率の高い酸化被膜(誘電体層13)が形成されるため、使用する材料として適している。尚、導電性材料には、2種類以上の弁金属から成る合金や、弁金属と他の物質から成る合金等、弁金属を主成分として含む合金を用いてもよい。
Various shapes such as a rectangular parallelepiped and a cylinder can be adopted as the shape of the
誘電体層13は、陽極体11を構成する導電性材料の表面(多孔質焼結体の表面)に形成されている。誘電体層13は、陽極体11を構成する導電性材料の表面を酸化させることにより形成された酸化被膜である。従って、誘電体層13は、陽極体11の外周面、及び陽極体11に存在する微細な孔Hの内壁面に形成されている(図2参照)。尚、図1では、誘電体層13のうち、陽極体11の外周面に形成されている部分のみが、模式的に示されている。
The
次に、誘電体層13の膜厚について説明する。図2は、図1に示されるII領域の微細構造を模式的に示した図である。図2に示される様に、第2領域R2における誘電体層13の平均膜厚が、第1領域R1における誘電体層13の平均膜厚より大きくなっている。ここで、第1領域R1においては、その位置に応じて誘電体層13の膜厚T1が変化していると考えられる。そして、第1領域R1では、その外周面に近い領域Ra(図1参照)において、誘電体層13の膜厚T1が比較的大きくなっていると考えられる。同様に、第2領域R2においても、その位置に応じて誘電体層13の膜厚T2が変化していると考えられる。そして、第2領域R2では、陽極体11内に位置する陽極リード12の端部121に近い領域Rb(図1参照)において、誘電体層13の膜厚T2が比較的小さくなっていると考えられる。本実施形態においては、この様な領域Ra及びRbを比較した場合でも、領域Rbにおける誘電体層13の平均膜厚が、領域Raにおける誘電体層13の平均膜厚より大きくなっている。
Next, the film thickness of the
誘電体層13の膜厚T1及びT2は、例えば走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて陽極体11の断面を観察することにより調べることが出来る。又、誘電体層13の平均膜厚は、例えば次の様な方法により求められる。即ち、陽極体11の断面の複数箇所(例えば5箇所)にて誘電体層13の膜厚を測定し、それらの膜厚の平均値を平均膜厚として求める。この様な方法により、第1領域R1における誘電体層13の平均膜厚と、第2領域R2における誘電体層13の平均膜厚とを求め、これらを比較することが出来る。
The film thicknesses T1 and T2 of the
尚、本実施形態においては、第1領域R1と第2領域R2との境界面Bsが陽極リード12の端面12aと同じ位置に設定されているが、これに限定されるものではない。境界面Bsは、陽極リード12の端面12a近傍の位置に設定されてもよいし、端面12aと第2端面11bとの間の位置に設定されてもよい。この様に境界面Bsを設定することにより、固体電解コンデンサの静電容量の低下が抑えられる。
In the present embodiment, the boundary surface Bs between the first region R1 and the second region R2 is set at the same position as the
電解質層14は、誘電体層13の表面に形成されている。具体的には、電解質層14は、誘電体層13の外周面、及び陽極体11に存在する微細な孔H(図2参照)の内壁に形成されている。尚、図1では、電解質層14のうち、誘電体層13の外周面に形成されている部分のみが、模式的に示されている。又、図2では、電解質層14の図示が省略されている。電解質層14を構成する電解質材料には、二酸化マンガン等の導電性無機材料、TCNQ(Tetracyano-quinodimethane)錯塩や導電性高分子等の導電性有機材料が用いられる。尚、電解質材料には、これらの導電性無機材料や導電性有機材料に限定されない種々の物質を用いることが出来る。
The
陰極層15は、電解質層14の外周面に形成されている。具体的には、陰極層15は、電解質層14の外周面に形成されたカーボン層(図示せず)と、該カーボン層の外周面に形成された銀ペイント層(図示せず)とから構成されている。尚、この様な構成に限らず、陰極層15には、集電機能を有する様々な構成を採用することが出来る。
The
図1に示す様に、外装体2は、コンデンサ素子1を被覆している。外装体2の構成材料には、エポキシ樹脂等の電気絶縁性材料が用いられる。陽極端子3は、陽極リード12に電気的に接続されると共に、外装体2の側面2a(図1において左側面)から引き出されている。更に、陽極端子3は、外装体2の側面2a及び下面2cに沿って折り曲げられており、陽極端子3の端部31が外装体2の下面2cに配されている。陰極端子4は、導電性接着材5を介して陰極層15に電気的に接続されると共に、外装体2の側面2b(図1において右側面)から引き出されている。更に、陰極端子4は、外装体2の側面2b及び下面2cに沿って折り曲げられており、陰極端子4の端部41が外装体2の下面2cに配されている。この様に、端部31及び41は、固体電解コンデンサの下面電極を構成している。
As shown in FIG. 1, the
<固体電解コンデンサの製造方法>
次に、本実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法について、具体的に説明する。本実施形態の製造方法では、素子作製工程、接続工程、及び外装体形成工程が、順に実行される。又、素子作製工程では、陽極作製工程、第1化成処理工程、第2化成処理工程、電解質層形成工程、及び陰極層形成工程が、順に実行される。
<Method for manufacturing solid electrolytic capacitor>
Next, a method for manufacturing the solid electrolytic capacitor according to the present embodiment will be specifically described. In the manufacturing method of the present embodiment, the element manufacturing process, the connecting process, and the exterior body forming process are sequentially performed. Further, in the element manufacturing process, an anode manufacturing process, a first chemical conversion process, a second chemical conversion process, an electrolyte layer forming process, and a cathode layer forming process are sequentially performed.
陽極作製工程では、先ず、弁金属粉末の成型体を作製する。具体的には、金型内に弁金属粉末を充填すると共に、成型体に陽極リード12が植立されることとなる様に金型内に陽極リード12を挿入する。その後、金型に対して圧力を付加することにより、弁金属粉末を所定形状(直方体や円柱等)に押し固める。成型体の作製後、成型体に対して熱処理を施すことによって弁金属粉末を焼結させ、これにより陽極体11となる多孔質焼結体を作製する。このとき、陽極リード12には、その表面に存在する弁金属粉末が融着し、これにより陽極体11と陽極リード12とが一体化される。尚、陽極作製工程では、弁金属粉末に代えて、弁金属を主成分として含む合金等の導電性粉末を用いてもよい。この様な合金として、弁金属を50原子%以上含んだものが好ましい。
In the anode manufacturing step, first, a molded body of valve metal powder is manufactured. Specifically, the
固体電解コンデンサの大容量化を実現させるためには、陽極作製工程において、100000μF・V/g以上の弁金属粉末を用いて多孔質焼結体を作製することが好ましい。 In order to realize a large capacity of the solid electrolytic capacitor, it is preferable to produce a porous sintered body using a valve metal powder of 100000 μF · V / g or more in the anode production process.
図3は、第1化成処理工程の説明に用いられる概念図である。図3に示す様に、第1化成処理工程では、陽極体11全体に対して化成処理を施す。具体的には、先ず、陽極リード12の先端部122を金属フレーム81に固定する。これにより、陽極体11は、その第1端面11aを上方へ向けた状態で金属フレーム81に保持される。次に、陽極体11全体を、第1端面11aを上方へ向けた状態のまま、リン酸水溶液やアジピン酸水溶液等の第1化成液61に浸漬させる。これにより、陽極体11に存在する微細な孔Hの内側に第1化成液61が浸透する。次に、第1化成液61中に設けられた陰極板71と、陽極リード12との間に、第1電圧V1を印加する。これにより、陽極体11を構成する導電性材料の表面(多孔質焼結体の表面)を、電気化学的に酸化させる(陽極酸化)。その結果、陽極体11を構成する導電性材料の表面に、誘電体層13となる酸化被膜が形成される。尚、第1化成液61中の電解質の濃度は、0.001〜10wt%であることが好ましい。又、第1電圧V1は、定格電圧の2倍以上の電圧であることが好ましい。
FIG. 3 is a conceptual diagram used for explaining the first chemical conversion treatment step. As shown in FIG. 3, in the first chemical conversion treatment step, chemical conversion treatment is performed on the
図4は、第2化成処理工程の説明に用いられる概念図である。図4に示す様に、第2化成処理工程では、陽極体11の第2領域R2に対して化成処理を施す。具体的には、先ず、陽極リード12の先端部122を金属フレーム82に固定する。これにより、陽極体11は、その第1端面11aを上方へ向けた状態で金属フレーム82に保持される。次に、陽極体11を、第1端面11aを上方へ向けた状態のまま、リン酸水溶液やアジピン酸水溶液等の第2化成液62に浸漬させる。このとき、陽極体11の第1領域R1を第2化成液62の液面62a上に露出させると共に、陽極体11の第2領域R2を第2化成液62に浸漬させる。本実施形態においては、陽極リード12の端面12a(図4において下端面)と第2化成液62の液面62aとが略同一平面で揃う様に、陽極体11が第2化成液62に浸けられる。これにより、陽極体11の第2領域R2に存在する微細な孔Hの内側に第2化成液62が浸透する。尚、第2化成処理工程では、第2化成液62の液面62aを、陽極リード12の端面12a近傍の位置に調節してもよいし、端面12aと第2端面11bとの間に調節してもよい。この様に液面62aを調節することにより、固体電解コンデンサの静電容量の低下が抑えられる。
FIG. 4 is a conceptual diagram used for explaining the second chemical conversion treatment step. As shown in FIG. 4, in the second chemical conversion treatment step, chemical conversion treatment is performed on the second region R <b> 2 of the
次に、第2領域R2を第2化成液62に浸漬させた状態において、第2化成液62中に設けられた陰極板72と、陽極リード12との間に、第2電圧V2を印加する。これにより、陽極体11の第2領域R2において、導電性材料の表面(多孔質焼結体の表面)を更に電気化学的に酸化させる(陽極酸化)。その結果、第2領域R2において、酸化被膜の膜厚が大きくなる。
Next, in a state where the second region R2 is immersed in the second
尚、第2化成処理工程後において、第2領域R2における酸化被膜の膜厚は、第1領域R1における酸化被膜の膜厚の1.05〜2.5倍であることが好ましい。この様な膜厚となる様に第2領域R2において酸化を進行させるためには、第2化成液62中の電解質の濃度は、0.001〜10wt%であることが好ましい。又、第2電圧V2は、第1電圧V1より大きく設定されることが好ましく、第1電圧V1の1.05〜2.5倍の電圧に設定されることが特に好ましい。これらの好ましい条件によれば、酸化被膜の膜厚を、例えば電圧の印加時間等の制御因子により制御し易くなる。
In addition, it is preferable that the film thickness of the oxide film in 2nd area | region R2 is 1.05-2.5 times the film thickness of the oxide film in 1st area | region R1 after a 2nd chemical conversion treatment process. In order to advance the oxidation in the second region R2 so as to have such a film thickness, the concentration of the electrolyte in the second
第2化成液62には、第1化成処理工程にて用いた第1化成液61を用いてもよいし、第1化成液61とは異なる化成液を用いてもよい。第2化成液62として第1化成液61を用いる場合、第1化成処理工程の後、陽極体11全体を第1化成液61から引き上げてしまわずに、次の第2化成処理工程へ移ることが出来る。即ち、第1化成処理工程の後、陽極体11を所定の距離だけ引き上げることにより、第1領域R1を第2化成液62の液面62a上に露出させつつ、第2領域R2を第2化成液62に浸漬させておくことが出来る。一方、第2化成液62として第1化成液61とは異なる化成液を用いる場合、処理槽への化成液の入替えや別の処理槽の用意が必要となるが、電解質の種類や濃度を変更することが可能となる。
As the second
第1化成処理工程の後であって第2化成処理工程の前に、洗浄工程を設けてもよい。洗浄工程では、陽極体11を洗浄することにより、陽極体11に付着した第1化成液61を除去する。これにより、陽極体11の第1領域R1において、第1化成液61の残存が原因となって第2化成処理工程にて酸化被膜の膜厚が大きくなることが防止される。又、洗浄工程にて第1化成液61を除去した後、リン酸等の電解質を含まない水溶液を陽極体11に含浸させた状態において、第2化成処理工程を実行してもよい。これにより、陽極体11の第1領域R1において、第2化成処理工程にて酸化被膜の膜厚が大きくなることを抑制することが出来る。
A cleaning step may be provided after the first chemical conversion treatment step and before the second chemical conversion treatment step. In the cleaning process, the
電解質層形成工程では、重合法や塗布法を用いて、誘電体層13の表面に電解質層14を形成する。重合法には、化学重合法や電解重合法等の手法が存在する。重合法を用いて電解質層14を形成する場合、先ず、陽極リード12の先端部122を金属フレームに固定する。これにより、陽極体11は、その第1端面11aを上方へ向けた状態で金属フレームに保持される。次に、陽極体11を、導電性高分子を生成するための重合液に浸漬させる。これにより、陽極体11に存在する微細な孔Hの内側に重合液が浸透する。その後、重合液中のモノマーを重合させることにより、誘電体層13の外周面及び微細な孔Hの内壁に導電性高分子が生成され、その導電性高分子により電解質層14が形成される。
In the electrolyte layer forming step, the
塗布法を用いて電解質層14を形成する場合、先ず、陽極リード12の先端部122を金属フレームに固定する。これにより、陽極体11は、その第1端面11aを上方へ向けた状態で金属フレームに保持される。次に、陽極体11を、導電性高分子が溶解した溶液や導電性高分子が分散した分散液に浸漬させる。これにより、陽極体11に存在する微細な孔Hの内側に溶液又は分散液が浸透する。その後、陽極体11を溶液又は分散液から引き上げ、陽極体11に付着した溶液又は分散液を乾燥させる。これにより、誘電体層13の外周面及び微細な孔Hの内壁に導電性高分子が残存し、その導電性高分子により電解質層14が形成される。
When forming the
陰極層形成工程では、電解質層14の外周面に、陰極層15となるカーボン層及び銀ペイント層を形成する。具体的には、陽極体11をカーボンペーストに浸漬させることにより、電解質層14の外周面にカーボン層を形成する。次に、陽極体11を銀ペーストに浸漬させることにより、カーボン層の外周面に銀ペイント層を形成する。これにより、コンデンサ素子1が完成する。
In the cathode layer forming step, a carbon layer and a silver paint layer to be the
接続工程では、陽極端子3と陽極リード12とを、これらの接続箇所に溶接等の加工を施すことにより、互いに電気的及び機械的に接続する。又、陰極端子4と陰極層15とを、これらの間に導電性接着材5を介在させることにより、互いに電気的及び機械的に接続する。
In the connection step, the
外装体形成工程では、エポキシ樹脂等の樹脂を用いて外装体2をモールドすることにより、外装体2によってコンデンサ素子1を被覆する。このとき、陽極端子3及び陰極端子4が外装体2の側面2a及び2bからそれぞれ引き出される様に、外装体2を形成する。外装体2の形成後、陽極端子3を、外装体2の側面2a及び下面2cに沿って折り曲げる。又、陰極端子4を、外装体2の側面2b及び下面2cに沿って折り曲げる。これにより、図1に示される固体電解コンデンサが完成する。
In the exterior body forming step, the
図1に示す様に、第1領域R1には陽極体11が陽極リード12に結合した部分が多く存在する一方で、第2領域R2にはその様な部分が殆ど存在していない。従って、陽極体11が外力を受けた場合、第2領域R2には応力が生じ易い。一方、本実施形態によれば、第1化成処理工程及び第2化成処理工程により、陽極体11の第2領域R2に形成される誘電体層13の平均膜厚が、陽極体11の第1領域R1に形成される誘電体層13の平均膜厚より大きくなる。従って、第2領域R2において、誘電体層13の膜厚が大きくなる。よって、固体電解コンデンサの製造時や使用時に陽極体11が外力を受け、陽極体11の第2領域R2に応力が生じた場合でも、第2領域R2に存在する誘電体層13にはクラック等の欠陥が生じ難く、その結果、固体電解コンデンサにおいて漏れ電流の増加が抑制される。
As shown in FIG. 1, the first region R1 has many portions where the
上述した様に、電解質層形成工程では、陽極リード12の先端部122が金属フレームに固定された状態(陽極体11の第1端面11aが上方へ向けられた状態)で、重合法や塗布法を用いて電解質層14が形成される。しかし、この様な形成方法によれば、陽極体11の第2端面11bに、導電性高分子から成る突起(以下、「導電性高分子の突起」と称す)が形成される虞があった。具体的には、以下の通りである。
As described above, in the electrolyte layer forming step, the polymerization method or the coating method is performed in a state where the
化学重合法の場合には、陽極体11を、重合液への浸漬後に重合液から引き上げる際、陽極体11に付着した重合液の一部が、陽極体11の第2端面11bから垂れ落ちる。そして、液垂れや液溜まりが原因となって、第2端面11bに導電性高分子の突起が形成される。同様に、塗布法の場合にも、陽極体11を溶液又は分散液から引き上げた際、液垂れや液溜まりが原因となって、第2端面11bに導電性高分子の突起が形成される。
In the case of the chemical polymerization method, when the
又、電解重合法の場合には、陽極体11を重合液に浸漬させた際、処理槽の底に設けられた陰極板と陽極体11の第2端面11bとが対向することになる。このため、第2端面11bにおいて、電解質層14が部分的に陰極板へ向けて成長し、これにより導電性高分子の突起が形成される。
In the case of the electrolytic polymerization method, when the
導電性高分子の突起は、電解質層形成工程後の製造過程において外力を受け易い。そして、突起が外力を受けた場合、陽極体11の第2領域R2に応力が生じ易い。従って、導電性高分子の突起は、第2領域R2において誘電体層13にクラック等の欠陥を生じる原因になる虞があった。そこで、この様な突起が生じた場合、突起を除去することが考えられる。しかし、突起を除去する際、陽極体11に大きな力が加わることによって陽極体11の第2領域R2に応力が発生し、それが原因となって第2領域R2において誘電体層13にクラック等の欠陥が生じる虞がある。
The protrusion of the conductive polymer is easily subjected to external force in the manufacturing process after the electrolyte layer forming step. When the protrusion receives an external force, stress is easily generated in the second region R2 of the
本実施形態によれば、上述した様に、陽極体11の第2領域R2における誘電体層13の平均膜厚が、陽極体11の第1領域R1における誘電体層13の平均膜厚より大きくなる。従って、陽極体11の第2端面11bに導電性高分子の突起が存在し、その突起が原因となって第2領域R2に応力が生じた場合でも、第2領域R2に存在する誘電体層13にはクラック等の欠陥が生じ難い。又、突起を除去する際に第2領域R2に応力が発生した場合でも、第2領域R2に存在する誘電体層13にはクラック等の欠陥が生じ難い。よって、固体電解コンデンサにおいて漏れ電流の増加が抑制される。
According to the present embodiment, as described above, the average film thickness of the
100000μF・V/g以上の弁金属粉末を用いて多孔質焼結体(陽極体11)を作製した場合、固体電解コンデンサの大容量化の実現が可能となる一方で、陽極体11の強度が低下することになる。これは、陽極体11を構成する弁金属粉末の粒径が小さくなることで、弁金属粒子間の結合面積が小さくなるためであると考えられる。このため、固体電解コンデンサの製造時や使用時に陽極体11が外力を受けた場合、弁金属粒子間の粒界に応力が発生することによって粒界の結合力が弱まり、その結果、その粒界近傍の誘電体層13にクラック等の欠陥が生じ易くなる。本実施形態によれば、上述した様に、応力が生じ易い第2領域R2において誘電体層13の膜厚が大きくなる。従って、第2領域R2に応力が生じた場合でも、第2領域R2に存在する誘電体層13にはクラック等の欠陥が生じ難い。よって、固体電解コンデンサにおいて、漏れ電流の増加が抑制される。即ち、本実施形態によれば、100000μF・V/g以上の弁金属粉末を用いることによって大容量化を実現しつつ、漏れ電流の増加を抑制することが出来る。
When a porous sintered body (anode body 11) is produced using a valve metal powder of 100000 μF · V / g or more, it is possible to realize a large capacity of the solid electrolytic capacitor, while the strength of the
更に、本実施形態によれば、陽極体11の第1領域R1では、第2化成処理工程において導電性材料の表面の酸化は殆ど進行しない。このため、第2化成処理工程後においても、陽極体11の第1領域R1では、第1化成処理工程で形成された誘電体層13の膜厚が維持され、従って誘電体層13の膜厚は小さいままである。よって、陽極体11の第1領域R1では、大きな静電容量を持ったコンデンサ成分が生じ、その結果、固体電解コンデンサの静電容量の低下が抑制される。
Furthermore, according to this embodiment, in the first region R1 of the
そして、本実施形態の第2化成処理工程においては、陽極リード12の端面12a(図4において下端面)と第2化成液62の液面62aとが略同一平面で揃う様に、陽極体11が第2化成液62に浸けられる。従って、第1領域R1と第2領域R2とは、陽極リード12の端面12aと同じ位置又はその近傍の位置に境界面Bsを有することになる。即ち、誘電体層13の膜厚が大きくなる領域(第2領域R2)が、陽極体11のうち応力が生じ易い領域に限定されることになる。よって、本実施形態によれば、静電容量の低下が抑制されると共に、漏れ電流の増加が抑制される。
Then, in the second chemical conversion treatment step of the present embodiment, the
更に、本実施形態によれば、第2化成液62に陽極体11を浸漬させる際、陽極体11を降下又は上昇させる距離を調整するといった簡単な制御により、第2化成液62に浸漬させる部分(第2領域R2)の高さを調整することが出来る。よって、第2化成処理工程を実行した場合でも、固体電解コンデンサの製造方法が煩雑化することがない。
Further, according to the present embodiment, when the
尚、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。 In addition, each part structure of this invention is not restricted to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the technical scope as described in a claim.
上記実施形態の一例として、次の条件により固体電解コンデンサ(定格電圧6.3V、定格静電容量220μF)を作製した(実施例1)。即ち、陽極作製工程では、陽極体11として、100000μF・V/g以上のタンタル粉末を用いて多孔質焼結体を作製した。又、陽極リード12としてタンタルワイヤを用いた。第1化成処理工程では、第1化成液61としてリン酸水溶液を用い、第1電圧V1を16Vに設定した。第2化成処理工程では、第2化成液62としてリン酸水溶液を用い、第2電圧V2を20Vに設定した。電解質層形成工程では、電解質層14に含まれる導電性高分子としてポリピロールを生成した。
As an example of the above embodiment, a solid electrolytic capacitor (rated voltage 6.3 V, rated capacitance 220 μF) was produced under the following conditions (Example 1). That is, in the anode preparation step, a porous sintered body was prepared using tantalum powder of 100000 μF · V / g or more as the
実施例1との比較のために、第2化成処理工程を行わずに2種類の固体電解コンデンサ(定格電圧6.3V、定格静電容量220μF)を作製した(比較例1及び2)。比較例1では、第1化成処理工程での第1電圧V1を、実施例1の第1化成処理工程での印加電圧と同じ16Vとした。一方、比較例2では、第1化成処理工程での第1電圧V1を、実施例1の第2化成処理工程での印加電圧と同じ20Vとした。尚、他の条件は、実施例1と同じである。 For comparison with Example 1, two types of solid electrolytic capacitors (rated voltage 6.3 V, rated capacitance 220 μF) were produced without performing the second chemical conversion treatment step (Comparative Examples 1 and 2). In Comparative Example 1, the first voltage V1 in the first chemical conversion treatment step was set to 16 V, which is the same as the applied voltage in the first chemical conversion treatment step of Example 1. On the other hand, in Comparative Example 2, the first voltage V1 in the first chemical conversion treatment step was set to 20 V, which is the same as the applied voltage in the second chemical conversion treatment step of Example 1. Other conditions are the same as those in the first embodiment.
又、実施例1との比較のために、第1及び第2化成処理工程を行う際に第1電圧V1と第2電圧V2とを同じ電圧に設定して2種類の固体電解コンデンサ(定格電圧6.3V、定格静電容量220μF)を作製した(比較例3及び4)。比較例3では、第1電圧V1及び第2電圧V2を、実施例1の第1化成処理工程での印加電圧と同じ16Vとした。比較例4では、第1電圧V1及び第2電圧V2を、実施例1の第2化成処理工程での印加電圧と同じ20Vとした。尚、他の条件は、実施例1と同じである。 For comparison with the first embodiment, the first voltage V1 and the second voltage V2 are set to the same voltage when the first and second chemical conversion treatment steps are performed, and two types of solid electrolytic capacitors (rated voltage) are used. 6.3 V, rated capacitance 220 μF) (Comparative Examples 3 and 4). In Comparative Example 3, the first voltage V1 and the second voltage V2 were set to 16 V, which is the same as the applied voltage in the first chemical conversion treatment process of Example 1. In Comparative Example 4, the first voltage V1 and the second voltage V2 were set to 20 V, which was the same as the applied voltage in the second chemical conversion treatment process of Example 1. Other conditions are the same as those in the first embodiment.
更に、実施例1との比較のために、第1化成処理工程と第2化成処理工程の順序を入れ替えて固体電解コンデンサ(定格電圧6.3V、定格静電容量220μF)を作製した(比較例5)。又、比較例5では、第1電圧V1及び第2電圧V2を、実施例1の第1化成処理工程での印加電圧と同じ16Vとした。尚、他の条件は、実施例1と同じである。 Furthermore, for comparison with Example 1, the order of the first chemical conversion treatment step and the second chemical conversion treatment step was changed to produce a solid electrolytic capacitor (rated voltage 6.3 V, rated capacitance 220 μF) (Comparative Example). 5). In Comparative Example 5, the first voltage V1 and the second voltage V2 were set to 16 V, which is the same as the applied voltage in the first chemical conversion treatment process of Example 1. Other conditions are the same as those in the first embodiment.
上記実施形態の他の例として、次の条件により固体電解コンデンサ(定格電圧6.3V、定格静電容量220μF)を作製した(実施例2)。即ち、陽極作製工程では、陽極体11として、200000μF・V/g以上のタンタル粉末を用いて多孔質焼結体を作製した。第1化成処理工程では第1電圧V1を19Vに設定し、第2化成処理工程では第2電圧V2を23Vに設定した。尚、他の条件は、実施例1と同じである。
As another example of the above embodiment, a solid electrolytic capacitor (rated voltage: 6.3 V, rated capacitance: 220 μF) was manufactured under the following conditions (Example 2). That is, in the anode production step, a porous sintered body was produced using tantalum powder of 200000 μF · V / g or more as the
又、実施例2との比較のために、第2化成処理工程を行わずに固体電解コンデンサ(定格電圧6.3V、定格静電容量220μF)を作製した(比較例6)。比較例6では、第1化成処理工程での第1電圧V1を、実施例2の第1化成処理工程での印加電圧と同じ19Vとした。尚、他の条件は、実施例2と同じである。 Further, for comparison with Example 2, a solid electrolytic capacitor (rated voltage 6.3 V, rated capacitance 220 μF) was produced without performing the second chemical conversion treatment step (Comparative Example 6). In Comparative Example 6, the first voltage V1 in the first chemical conversion treatment step was set to 19 V, which is the same as the applied voltage in the first chemical conversion treatment step of Example 2. Other conditions are the same as in the second embodiment.
実施例1及び2、並びに比較例1〜6の固体電解コンデンサについて、静電容量及び漏れ電流を測定した。静電容量の測定条件として、測定時の周波数を120Hzとした。漏れ電流の測定は、固体電解コンデンサに定格電圧を5分間印加した後に行った。実施例1及び比較例1〜5についての測定結果が、表1に示されている。又、実施例2及び比較例6についての測定結果が、表2に示されている。尚、表1及び2では、各例の静電容量が、実施例の静電容量を基準とした割合(静電容量比)により示されている。又、各例の漏れ電流が、実施例の漏れ電流を基準とした割合(漏れ電流比)により示されている。 About the solid electrolytic capacitor of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1-6, the electrostatic capacitance and the leakage current were measured. As a measurement condition of the capacitance, the frequency at the time of measurement was 120 Hz. The leakage current was measured after a rated voltage was applied to the solid electrolytic capacitor for 5 minutes. The measurement results for Example 1 and Comparative Examples 1 to 5 are shown in Table 1. The measurement results for Example 2 and Comparative Example 6 are shown in Table 2. In Tables 1 and 2, the capacitance of each example is shown as a ratio (capacitance ratio) based on the capacitance of the example. Further, the leakage current of each example is indicated by a ratio (leakage current ratio) based on the leakage current of the example.
表1に示される様に、比較例1は、実施例1と比べて漏れ電流が顕著に大きくなっている。これは、応力が生じやすい第2領域R2と他の領域とにおいて誘電体層13の膜厚が同じであるが故に、漏れ電流の増加を抑制することが出来なかったためであると考えられる。又、比較例2は、漏れ電流の増加が抑制されてはいるものの、実施例1と比べて静電容量が著しく小さくなっている。これは、誘電体層13の膜厚が全体的に大きくなっているからであると考えられる。この様な比較例1及び2に対し、実施例1では、静電容量の低下が抑制されると共に、漏れ電流の増加が抑制されている。又、表2に示される測定結果から、実施例2についても同様のことが言える。
As shown in Table 1, the leakage current of Comparative Example 1 is significantly larger than that of Example 1. This is presumably because the increase in leakage current could not be suppressed because the thickness of the
表1に示される様に、比較例3では、実施例1と比べて漏れ電流が大きくなっている。これは、第2化成処理工程において第2電圧V2が小さく、従って第2領域R2における誘電体層13の膜厚が十分に大きくならなかったからであると考えられる。従って、実施例1と比較例3との比較により、実施例1の様に第2電圧V2を第1電圧V1より大きく設定することが、漏れ電流の増加の抑制に大きく寄与することを確認することが出来た。
As shown in Table 1, the leakage current is larger in Comparative Example 3 than in Example 1. This is presumably because the second voltage V2 was small in the second chemical conversion treatment step, and thus the film thickness of the
比較例4では、漏れ電流の増加が抑制されてはいるものの、実施例1と比べて静電容量が著しく小さくなっている。これは、比較例2と同様、誘電体層13の膜厚が全体的に大きくなっているからであると考えられる。
In Comparative Example 4, although the increase in leakage current is suppressed, the capacitance is significantly smaller than that in Example 1. This is considered to be because the film thickness of the
更に、表1に示される様に、比較例5は、実施例1と比べて漏れ電流が顕著に大きくなっている。従って、実施例1と比較例5との比較により、第2化成処理工程(陽極体11に対して部分的に化成処理を施す工程)を第1化成処理工程(陽極体11全体に対して化成処理を施す工程)の後に行うことが、漏れ電流の増加の抑制に大きく寄与することを確認することが出来た。
Furthermore, as shown in Table 1, the leakage current of Comparative Example 5 is significantly larger than that of Example 1. Therefore, by comparing Example 1 and Comparative Example 5, the second chemical conversion treatment step (the step of subjecting the
1 コンデンサ素子
11 陽極体
11a 第1端面
11b 第2端面
12 陽極リード
12a 端面
13 誘電体層
14 電解質層
15 陰極層
61 第1化成液
62 第2化成液
62a 液面
121 端部
R1 第1領域
R2 第2領域
V1 第1電圧
V2 第2電圧
DESCRIPTION OF
Claims (2)
(b)前記陽極体全体を第1化成液に浸漬させた状態において、前記第1化成液と前記陽極体との間に第1電圧を印加し、これにより、前記陽極体を構成する導電性材料の表面を酸化させる工程と、
(c)前記工程(b)の後、前記陽極体のうち前記第1端面を含む第1領域を第2化成液の液面上に露出させると共に、前記陽極体のうち前記第2端面を含む第2領域を前記第2化成液に浸漬させた状態において、前記第2化成液と前記陽極体との間に、前記第1電圧より大きい第2電圧を印加し、これにより、前記第2領域において前記導電性材料の表面を酸化させる工程と、
を有する、固体電解コンデンサの製造方法。 (A) preparing an anode body having a first end face on which an anode lead is planted and a second end face opposite to the first end face;
(B) In a state where the entire anode body is immersed in the first chemical conversion liquid, a first voltage is applied between the first chemical conversion liquid and the anode body, and thereby the conductivity constituting the anode body. Oxidizing the surface of the material;
(C) After the step (b), the first region including the first end face of the anode body is exposed on the liquid surface of the second chemical liquid, and the second end face of the anode body is included. In a state where the second region is immersed in the second chemical conversion solution, a second voltage higher than the first voltage is applied between the second chemical conversion solution and the anode body, and thereby the second region. Oxidizing the surface of the conductive material in
A method for producing a solid electrolytic capacitor.
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