JP6185268B2 - Substrate storage container - Google Patents
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Description
本発明は、基板収納容器に係り、特に、たとえば半導体ウェハを収納する基板収納容器に関する。 The present invention relates to a substrate storage container, and more particularly to a substrate storage container that stores, for example, a semiconductor wafer.
この種の基板収納容器は、たとえば下記特許文献1に開示されているように、開口が形成された容器本体と、該開口を閉塞する蓋体と、から構成されている。 This type of substrate storage container includes, for example, a container body in which an opening is formed and a lid that closes the opening, as disclosed in Patent Document 1 below.
容器本体には、それが横置きの状態にある場合、開口の両側の内側壁に、複数の半導体ウェハを水平状態に、かつ垂直方向に並設させて載置する支持部材と、該開口から奥行方向の内側壁に、前記支持部材に載置された各半導体ウェハを係止し得るリアリテーナと、が備えられている。 When the container body is in a horizontally placed state, a support member for placing a plurality of semiconductor wafers horizontally and vertically on the inner side walls on both sides of the opening, and from the opening A rear retainer capable of locking each semiconductor wafer placed on the support member is provided on the inner wall in the depth direction.
また、蓋体の裏面には、該蓋体が容器本体の開口を閉塞させた際に、前記リアリテーナとともに半導体ウェハを前記支持部材から持ち上げるように係止させるフロントリテーナが備えられている。 The rear surface of the lid is provided with a front retainer for locking the semiconductor wafer together with the rear retainer so that the semiconductor wafer is lifted from the support member when the lid closes the opening of the container body.
ここで、蓋体を容器本体の開口に閉塞させた際に、各半導体ウェハを支持部材から持ち上げるようにしてフロントリテーナとリアリテーナとで係止させるようにしているのは、半導体ウェハの破損を防止するためである。 Here, when the lid is closed to the opening of the container body, each semiconductor wafer is lifted from the support member and locked by the front retainer and the rear retainer to prevent damage to the semiconductor wafer. It is to do.
また、このように構成される基板収納容器は、その蓋体が上方になるように縦置き状態にして、たとえば工場内で輸送させる場合がある。このように基板収納容器に収納された各半導体ウェハを垂直状態でリアリテーナに係止させて配置させることによって、半導体ウェハの破損を防止するようにしている。 Further, the substrate storage container configured as described above may be transported in a factory, for example, in a vertically placed state so that the lid body is directed upward. As described above, the semiconductor wafers stored in the substrate storage container are arranged in the vertical state by being locked to the rear retainer, thereby preventing the semiconductor wafers from being damaged.
しかし、上述した基板収納容器は、縦置きから横置きにした後に蓋体を外した際に、基板はフロントリテーナの係止が解除されて、基板の前端部が支持部材に載置されるようになるが、該支持部材との間の摩擦が大きく、次の工程で、他の装置によって半導体ウェハを移載できる位置まで該半導体ウェハが支持部材上を移動(摺動)できないという不都合が生じていた。 However, in the above-described substrate storage container, when the lid is removed after being placed from the vertical position to the horizontal position, the front retainer of the substrate is released and the front end portion of the substrate is placed on the support member. However, the friction with the support member is large, and in the next step, the semiconductor wafer cannot move (slide) on the support member to a position where the semiconductor wafer can be transferred by another apparatus. It was.
このような不都合は、半導体ウェハに限らず、たとえばマスクガラス等の他の基板であっても同様に生じる。 Such an inconvenience occurs not only in the semiconductor wafer but also in other substrates such as mask glass.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、蓋体を外した際に、フロントリテーナの係止が解除された基板が支持部材上をスムーズに所定の位置にまで移動できるようにした基板収納容器を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and when the cover is removed, the substrate whose front retainer is released can be smoothly moved to a predetermined position on the support member. An object of the present invention is to provide a substrate storage container.
本発明は、以下の構成によって把握される。
(1)本発明の基板収納容器は、側面の一部に開口を有する容器本体と、前記開口を閉塞させる蓋体と、を備え、前記容器本体の前記開口の両側の内側壁に前記開口側から奥行側に延在されて設けられ、垂直方向に並設される複数の各基板を水平状態で載置する支持部材と、前記各基板を係止可能な前記支持部材の前記開口の奥行側に設けられた奥行側支持部と、前記蓋体の裏面に設けられ、前記蓋体が前記開口を閉塞させた際に、前記奥行側支持部とともに前記支持部材から持ち上げるように前記各基板を係止させるフロントリテーナと、を有し、前記支持部材は、前記開口側の前記基板に対する静止摩擦係数が前記開口の奥行側支持部の前記基板に対する静止摩擦係数よりも小さく形成されていることを特徴とする。
(2)本発明の基板収納容器は、(1)の構成において、前記支持部材の前記開口側の前記基板に対する静止摩擦係数および前記開口の奥行側支持部の前記基板に対する静止摩擦係数は、それぞれ、前記支持部材の表面に形成されたシボ加工の粗さによって設定されていることを特徴とする。
(3)本発明の基板収納容器は、(2)の構成において、 前記支持部材の前記開口側のシボ加工の粗さは、0.5〜3μmの範囲に設定され、前記開口の奥行側支持部のシボ加工の粗さは、2〜10μmの範囲に設定されていることを特徴とする。
(4)本発明の基板収納容器は、(1)の構成において、前記支持部材の前記開口側の端面は面取りがなされた曲面となっていることを特徴とする。
(5)本発明の基板収納容器は、(2)の構成において、前記支持部材の前記開口の奥行側支持部は奥行方向に高さが大きくなる傾斜部を有し、前記傾斜部にシボ加工がなされていることを特徴とする。
(6)本発明の基板収納容器は、(5)の構成において、シボ加工の粗さは前記傾斜部の高さによって異なっていることを特徴とする。
(7)本発明の基板収納容器は、(1)の構成において、前記容器本体の前記開口から奥行方向の内側壁に設けられ、前記各基板を係止可能なリアリテーナを有したことを特徴とする請求項1に記載の基板収納容器。
The present invention is grasped by the following composition.
(1) The substrate storage container of the present invention includes a container main body having an opening in a part of a side surface and a lid for closing the opening, and the opening side is provided on inner walls on both sides of the opening of the container main body. A support member that extends from the depth to the depth side and places a plurality of substrates arranged in parallel in the vertical direction in a horizontal state, and the depth side of the opening of the support member that can lock the substrates A depth-side support portion provided on the back surface of the lid body, and when the lid body closes the opening, each substrate is engaged with the depth-side support portion so as to be lifted from the support member. And the support member is formed such that a static friction coefficient with respect to the substrate on the opening side is smaller than a static friction coefficient with respect to the substrate on the depth side support portion of the opening. And
(2) In the substrate storage container of the present invention, in the configuration of (1), the static friction coefficient with respect to the substrate on the opening side of the support member and the static friction coefficient with respect to the substrate of the depth side support portion of the opening are respectively It is set by the roughness of the embossing process formed on the surface of the support member.
(3) The substrate storage container of the present invention is the configuration of (2), wherein the roughness of the embossing on the opening side of the support member is set in a range of 0.5 to 3 μm, and the depth side support of the opening The graining roughness of the part is set in a range of 2 to 10 μm.
(4) The substrate storage container of the present invention is characterized in that, in the configuration of (1), the end surface on the opening side of the support member is a chamfered curved surface.
(5) The substrate storage container according to the present invention is the structure of (2), wherein the depth-side support portion of the opening of the support member has an inclined portion whose height is increased in the depth direction, and the inclined portion is textured. It is characterized by being made.
(6) The substrate storage container of the present invention is characterized in that, in the configuration of (5), the roughness of the embossing varies depending on the height of the inclined portion.
(7) The substrate storage container of the present invention is characterized in that, in the configuration of (1), a rear retainer is provided on the inner wall in the depth direction from the opening of the container body and can lock the substrates. The substrate storage container according to claim 1.
このように構成した基板収納容器によれば、蓋体を外した際に、フロントリテーナの係止が解除された基板が支持部材上をスムーズに所定の位置にまで移動できるようにできる。 According to the substrate storage container configured in this manner, when the lid is removed, the substrate whose front retainer is released can be smoothly moved to a predetermined position on the support member.
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態(以下、実施形態)について詳細に説明する。なお、実施形態の説明の全体を通して同じ要素には同じ番号を付している。
(実施形態1)
図1は、本発明の基板収納容器の全体の構成を示す斜視図である。なお、図1に示す基板収納容器100は横置きの状態で示したものとなっている。図1において、基板収納容器100は、容器本体10と、容器本体10に対して着脱される蓋体30と、から構成されている。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter, embodiments) will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the same number is assigned to the same element throughout the description of the embodiment.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the substrate storage container of the present invention. The substrate storage container 100 shown in FIG. 1 is shown in a horizontal state. In FIG. 1, the substrate storage container 100 includes a container body 10 and a lid body 30 that is attached to and detached from the container body 10.
容器本体10は、蓋体30によって閉塞される開口11が側面の一部に設けられている。容器本体10の開口11の両側の内側面には、それぞれ、複数の半導体ウェハWを支持する支持部材20が一対(一方の支持部材は図示されていない)設けられている。 The container body 10 is provided with an opening 11 that is closed by a lid body 30 at a part of the side surface. A pair of support members 20 for supporting the plurality of semiconductor wafers W (one support member is not shown) are provided on the inner side surfaces on both sides of the opening 11 of the container body 10.
半導体ウェハWは、その径がたとえば300mmであり、容器本体10にたとえば25枚収納できるようになっている。 The diameter of the semiconductor wafer W is, for example, 300 mm, and for example, 25 sheets can be stored in the container body 10.
それぞれの支持部材20は、容器本体10の開口11から奥行方向(図中y方向)に延在する棚板21が、垂直方向(図中z方向)に並設されて形成されている。棚板21の数は収納する半導体ウェハWの数に応じて設けられている(たとえば25個)。 Each support member 20 is formed by arranging a shelf plate 21 extending in the depth direction (y direction in the figure) from the opening 11 of the container body 10 in the vertical direction (z direction in the figure). The number of shelf plates 21 is provided according to the number of semiconductor wafers W to be stored (for example, 25).
容器本体10の上面にはロボティックフランジ13が取り付けられ、容器本体10の開口11の両側の外側面にはそれぞれ把持ハンドル14が取り付けられている。また、容器本体10の下面には、半導体ウェハWを加工する加工装置(図示せず)に基板収納容器100を近接させて配置させる際の位置決め部材(図示せず)が形成されている。 A robotic flange 13 is attached to the upper surface of the container body 10, and gripping handles 14 are attached to the outer surfaces on both sides of the opening 11 of the container body 10. In addition, a positioning member (not shown) for placing the substrate storage container 100 close to a processing apparatus (not shown) for processing the semiconductor wafer W is formed on the lower surface of the container body 10.
図2では、たとえば3個の半導体ウェハWが示され、該半導体ウェハWが、支持部材20の所定の棚板21に載置されることによって、容器本体10内において水平に支持されるには、支持部材20の所定の棚板21に載置されるようにする。
なお、図3は、容器本体10をその開口11が上方になるように傾けた場合を示した図である。容器本体10に半導体ウェハWが収納され蓋体30が装着された基板収納容器100は、その搬送の段階で、図3に示すように傾けられた状態で搬送される場合がある。
In FIG. 2, for example, three semiconductor wafers W are shown, and the semiconductor wafers W are horizontally supported in the container body 10 by being placed on a predetermined shelf plate 21 of the support member 20. Then, it is placed on a predetermined shelf 21 of the support member 20.
FIG. 3 is a view showing a case where the container body 10 is tilted so that the opening 11 is upward. The substrate storage container 100 in which the semiconductor wafer W is stored in the container main body 10 and the lid 30 is mounted may be transferred in an inclined state as shown in FIG.
この場合において、容器本体10に収納された各半導体ウェハWは奥行側支持部18の溝となる2つの傾斜部21Bの変曲点の近傍に係止され垂直状態で配置されるようになる。 In this case, each semiconductor wafer W accommodated in the container main body 10 is locked in the vicinity of the inflection point of the two inclined portions 21 </ b> B serving as the grooves of the depth-side support portion 18 and is arranged in a vertical state.
図1に戻り、容器本体10の開口11を閉塞する蓋体30は、その裏面(開口11と対向する面)において、フロントリテーナ32が垂直方向(図中z方向)に延在されて設けられている。フロントリテーナ32は、蓋体30を容器本体10に装着した際に該容器本体10に収納される半導体ウェハWと対向する面に、複数の溝32Aが垂直方向(図中z方向)に並設されて形成されている。溝32Aは、上下(図中y方向)のそれぞれに傾斜部を有する断面がほぼV字状をなす形状となっている。 Returning to FIG. 1, the lid 30 that closes the opening 11 of the container body 10 is provided with a front retainer 32 extending in the vertical direction (z direction in the figure) on the back surface (the surface facing the opening 11). ing. The front retainer 32 has a plurality of grooves 32 </ b> A arranged in parallel in the vertical direction (z direction in the drawing) on the surface facing the semiconductor wafer W accommodated in the container body 10 when the lid 30 is attached to the container body 10. Has been formed. The groove 32A has a substantially V-shaped cross section having inclined portions on the top and bottom (y direction in the figure).
フロントリテーナ32の各溝32Aは、基板収納容器100を加工装置に搭載したときの基準水平面からの高さが奥行側支持部18の溝21Cと等しくなるように形成されている。図4は、蓋体30を容器本体10に装着した際に、蓋体30に取り付けられたフロントリテーナ32の溝32Aに半導体ウェハWの周縁の一部が係止されている状態を示している。フロントリテーナ32の各溝32A、奥行側支持部18の各溝21Cは、基板収納容器100を加工装置に搭載したときの基準水平面からの高さが支持部材20の各棚板21の上面よりも若干高く形成されているため、半導体ウェハWが、図4に示すように、フロントリテーナ32の溝32Aおよび奥行側支持部18の各溝21Cに係止された場合、いままで前記支持部材20の各棚板21に載置されていた半導体ウェハWは各棚板21から若干持ち上げるようになる。 Each groove 32A of the front retainer 32 is formed such that the height from the reference horizontal plane when the substrate storage container 100 is mounted on the processing apparatus is equal to the groove 21C of the depth-side support portion 18. FIG. 4 shows a state in which a part of the periphery of the semiconductor wafer W is locked in the groove 32A of the front retainer 32 attached to the lid 30 when the lid 30 is attached to the container body 10. . Each groove 32 </ b> A of the front retainer 32 and each groove 21 </ b> C of the depth-side support portion 18 are higher than the upper surface of each shelf plate 21 of the support member 20 in height from the reference horizontal plane when the substrate storage container 100 is mounted on the processing apparatus. Since the semiconductor wafer W is formed slightly higher, as shown in FIG. 4, when the semiconductor wafer W is locked in the grooves 32 </ b> A of the front retainer 32 and the grooves 21 </ b> C of the depth-side support portion 18, The semiconductor wafer W placed on each shelf board 21 is slightly lifted from each shelf board 21.
蓋体30は、図1に示すように、容器本体10のリム部5内に着脱自在に嵌合されて開口部3を塞ぐ嵌合プレート(蓋体本体)8と、左右一対のカバープレート9とを有している。嵌合プレート8は、周縁部から立設された周壁8aを有し、中央が窪んだ皿型を成している。嵌合プレート8の周壁8aには、係止爪6を出没させるための開口8bが形成されている。嵌合プレート8の窪みには、同心円周上に配置され外方に突出する複数の円弧状リブが設けられている。さらに、嵌合プレート8
の容器本体10側の面には、半導体ウェハWに接触する上述したフロントリテーナ32が設置され、このフロントリテーナ32により半導体ウェハWの容器本体10の開口11の方向への移動と、半導体ウェハWにおける周方向への移動とを規制し、半導体ウェハWを保持するようになっている。
As shown in FIG. 1, the lid 30 includes a fitting plate (lid body) 8 that is detachably fitted in the rim portion 5 of the container body 10 and closes the opening 3, and a pair of left and right cover plates 9. And have. The fitting plate 8 has a peripheral wall 8a erected from the peripheral edge portion, and has a dish shape with a depressed center. On the peripheral wall 8a of the fitting plate 8, an opening 8b for allowing the locking claw 6 to appear and disappear is formed. The recess of the fitting plate 8 is provided with a plurality of arc-shaped ribs which are arranged on a concentric circumference and project outward. Furthermore, the fitting plate 8
The above-described front retainer 32 that contacts the semiconductor wafer W is installed on the surface of the container main body 10, and the front retainer 32 moves the semiconductor wafer W in the direction of the opening 11 of the container main body 10, and the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W is held by restricting movement in the circumferential direction.
蓋体30の裏面の周辺には、シールガスケット34が設けられ、蓋体30の容器本体10への装着において、シールガスケット34が容器本体10の開口11の周辺に当接され、基板収納容器100の気密性を確保できるようになっている。 A seal gasket 34 is provided around the back surface of the lid 30. When the lid 30 is attached to the container body 10, the seal gasket 34 is brought into contact with the periphery of the opening 11 of the container body 10, and the substrate storage container 100. The airtightness of can be secured.
図5(a)は、支持部材20を構成する棚板21を示す平面図である。また、図5(b)は、棚板21を側面から観た側面図である。図5(a)、(b)では、いずれも棚板21の一つに載置される半導体ウェハWを併せて描画している。 FIG. 5A is a plan view showing the shelf plate 21 constituting the support member 20. Moreover, FIG.5 (b) is the side view which looked at the shelf board 21 from the side surface. 5A and 5B, the semiconductor wafer W placed on one of the shelf boards 21 is drawn together.
図5(a)に示すように、棚板21の上面は、それに載置される半導体ウェハWの周縁に近接し半導体ウェハWの外方において高さの高い段差部21Aを有して形成されている。 As shown in FIG. 5A, the upper surface of the shelf board 21 is formed to have a stepped portion 21A that is close to the periphery of the semiconductor wafer W placed thereon and has a high height outside the semiconductor wafer W. ing.
また、棚板21の容器本体20の奥行側支持部18は、半導体ウェハWが図中y方向へ移動(蓋体30の装着の際のフロントリテーナ32の当接による移動)した際に、半導体ウェハWの後端部を若干持ち上げる傾斜部21Bを有するように構成されている。この傾斜部21B及び傾斜部21Bの変曲点の近傍が奥行側支持部の溝21Cとなる。 Further, the depth side support portion 18 of the container body 20 of the shelf plate 21 is configured so that the semiconductor wafer W moves in the y direction in the drawing (moves due to the contact of the front retainer 32 when the lid 30 is attached). An inclined portion 21B for slightly lifting the rear end portion of the wafer W is provided. The vicinity of the inflection point of the inclined portion 21B and the inclined portion 21B is a groove 21C of the depth side support portion.
棚板21の上述した傾斜部21Bは、前記支持部材20の各棚板21に載置されていた半導体ウェハWを各棚板21から若干持ち上げる機能を有する。 The above-described inclined portion 21 </ b> B of the shelf plate 21 has a function of slightly lifting the semiconductor wafer W placed on each shelf plate 21 of the support member 20 from each shelf plate 21.
図6(a)は、図2に示した容器本体10の断面を斜視的に観た図で、図6(b)は支持部材20の棚板21の開口11側の前端部の拡大図を、図6(c)は支持部材20の棚板21の奥行側支持部18の拡大図を示している。 6A is a perspective view of the cross section of the container body 10 shown in FIG. 2, and FIG. 6B is an enlarged view of the front end of the support member 20 on the side of the opening 11 of the shelf 21. FIG. 6C shows an enlarged view of the depth side support portion 18 of the shelf plate 21 of the support member 20.
図6(a)に示すように、支持部材20の各棚板21において、それら前端部の上面であって、半導体ウェハWが載置される箇所(図中散点領域Qで示す)にシボ加工がなされている。この場合のシボ加工の粗さは、たとえば、0.5〜3μmの範囲に設定されている。シボ加工された領域(図中Qの領域)は該シボ加工が施されていない領域よりも半導体ウェハWに対する静止摩擦係数が小さくなっている。なお、図7に示すように、棚板21のシボ加工がなされた表面を有する開口11側の端面21Tは面取りがなされた曲面Rを有するようになっている。 As shown in FIG. 6A, in each shelf plate 21 of the support member 20, the top surface of the front end portion is embossed at a place (indicated by a dotted area Q in the drawing) where the semiconductor wafer W is placed. Processing has been done. The roughness of the embossing in this case is set in the range of 0.5 to 3 μm, for example. The region subjected to the texture processing (region Q in the drawing) has a smaller coefficient of static friction with respect to the semiconductor wafer W than the region where the texture processing is not performed. As shown in FIG. 7, the end surface 21 </ b> T on the side of the opening 11 having the surface subjected to the texture processing of the shelf plate 21 has a curved surface R that is chamfered.
また、図6(c)に示すように、支持部材20の各棚板21において、それら奥行側支持部18の上面であって、半導体ウェハWが載置される箇所(図中散点領域Pで示す)にシボ加工がなされている。この場合のシボ加工の粗さは、たとえば、2〜10μmの範囲に設定されている。シボ加工された領域(図中Pの領域)は該シボ加工が施されていない領域よりも半導体ウェハWに対する静止摩擦係数を小さくすることができるようになる。 Moreover, as shown in FIG.6 (c), in each shelf board 21 of the support member 20, it is the upper surface of these depth side support parts 18, Comprising: The location (spot area P in a figure) where the semiconductor wafer W is mounted. (Shown with). The roughness of the texture processing in this case is set in the range of 2 to 10 μm, for example. The area subjected to the textured process (area P in the figure) can have a smaller static friction coefficient with respect to the semiconductor wafer W than the area not subjected to the textured process.
なお、各棚板21の奥行側支持部18には傾斜部21Bが形成されていることは上述した通りであるが、シボ加工は該傾斜部21Bの表面にもなされており、その粗さは、たとえば、2〜10μmの範囲に設定されている。この場合、傾斜部21Bの表面におけるシボ加工は、傾斜部21Bの高さによって異なるようにしてもよい。 As described above, the depth side support portion 18 of each shelf board 21 is formed with the inclined portion 21B, but the embossing is also performed on the surface of the inclined portion 21B, and the roughness thereof is as follows. For example, it is set in the range of 2 to 10 μm. In this case, the embossing on the surface of the inclined portion 21B may be different depending on the height of the inclined portion 21B.
上述したように、シボ加工の粗さは各棚板21の前端部の表面において0.5〜3μmの範囲に、各棚板21の奥行側支持部18の表面において2〜10μmの範囲に設定されていることから、支持部材20は、開口11側(前端部)の半導体ウェハWに対する静止摩擦係数は開口11の奥行側(奥行側支持部18)の半導体ウェハWに対する静止摩擦係数よりも小さく形成されることになる。 As described above, the roughness of the embossing is set in the range of 0.5 to 3 μm on the surface of the front end portion of each shelf plate 21 and in the range of 2 to 10 μm on the surface of the depth side support portion 18 of each shelf plate 21. Therefore, the support member 20 has a static friction coefficient with respect to the semiconductor wafer W on the opening 11 side (front end portion) smaller than a static friction coefficient with respect to the semiconductor wafer W on the depth side (depth side support portion 18) of the opening 11. Will be formed.
なお、支持部材20の成形に使用する金型の表面を部分的に梨地や皮シボ等のシボ加工をしておき、これを成形時に支持部材20の表面に転写することにより形成することができる。金型に対するシボ加工は、サンドブラスト、放電加工、エッチング等により行われる。 The surface of the mold used for forming the support member 20 can be formed by partially applying a texture such as satin or leather to the surface and transferring it to the surface of the support member 20 at the time of molding. . The embossing on the mold is performed by sandblasting, electric discharge machining, etching, or the like.
このように構成された基板収納容器によれば、蓋体30の取り外し時に、半導体ウェハWが奥行側支持部18から支持部材20の棚板21にスライドするが、棚板21の表面にシボ加工された領域P、Q、すなわち摩擦抵抗の小さい領域を形成しているので、半導体ウェハWが奥行側支持部18の傾斜部21Bの途中で停止することがなく、他の装置によって半導体ウェハWを移載できる位置まで該半導体ウェハWが棚板21上を移動(摺動)できるようになる。 According to the thus configured substrate storage container, when the lid 30 is removed, the semiconductor wafer W slides from the depth-side support 18 to the shelf 21 of the support member 20, but the surface of the shelf 21 is textured. The formed regions P and Q, that is, the regions having a small frictional resistance are formed, so that the semiconductor wafer W is not stopped in the middle of the inclined portion 21B of the depth-side support portion 18, and the semiconductor wafer W is formed by another device. The semiconductor wafer W can move (slide) on the shelf plate 21 to a position where it can be transferred.
この場合、支持部材20の各棚板21において、前端部の半導体ウェハWに対する静止摩擦係数が奥行側支持部18の半導体ウェハWに対する静止摩擦係数よりも小さく形成されており、棚板21の前端部における滑りを奥行側支持部18において適度に抑制できる等の設定ができることから、適切な位置まで半導体ウェハWを棚板21上で移動(摺動)させることができるという効果を奏する。 In this case, in each shelf plate 21 of the support member 20, the static friction coefficient of the front end portion with respect to the semiconductor wafer W is formed smaller than the static friction coefficient of the depth side support portion 18 with respect to the semiconductor wafer W. Since it is possible to set such that the slip in the portion can be moderately suppressed in the depth-side support portion 18, the semiconductor wafer W can be moved (slid) on the shelf plate 21 to an appropriate position.
(実施形態2)
上述した実施形態において、奥行側支持部の替わりにリアリテーナを設けてもよい。その際の形態は、以下の通りである。
(Embodiment 2)
In the above-described embodiment, a rear retainer may be provided instead of the depth side support portion. The form at that time is as follows.
図8は、実施形態2における基板収納容器の全体の構成を示す斜視図である。なお、図8に示す基板収納容器100は横置きの状態で示したものとなっている。図8において、基板収納容器100は、容器本体10と、容器本体10に対して着脱される蓋体30と、容器本体10の開口11から奥行方向の内側壁に設けられ、容器本体10の開口11を上方にして傾けた際に、各半導体ウェハWを垂直状態で係止させるリアリテーナ15と、から構成されている。なお、容器本体10の底部に取り付けられるボトムプレート40は、その形状を判り易く示すため容器本体10から分離させて描画させている。 FIG. 8 is a perspective view showing the overall configuration of the substrate storage container in the second embodiment. Note that the substrate storage container 100 shown in FIG. 8 is shown in a horizontally placed state. In FIG. 8, the substrate storage container 100 is provided on the inner wall in the depth direction from the opening 11 of the container body 10, the lid body 30 that is attached to and detached from the container body 10, and the opening of the container body 10. The rear retainer 15 is configured to lock each semiconductor wafer W in a vertical state when the head 11 is tilted upward. The bottom plate 40 attached to the bottom of the container body 10 is drawn separately from the container body 10 in order to show the shape of the bottom plate 40 in an easily understandable manner.
リアリテーナ15は、開口11側の面において複数の溝15Aが垂直方向(図中z方向)に並設されて形成されている。 The rear retainer 15 is formed by arranging a plurality of grooves 15 </ b> A in the vertical direction (z direction in the drawing) on the surface on the opening 11 side.
また、溝15Aは、上下(図中y方向)のそれぞれに傾斜部を有する断面がほぼV字状をなす形状となっている。 Further, the groove 15A has a shape in which a cross section having inclined portions on the upper and lower sides (y direction in the drawing) is substantially V-shaped.
リアリテーナ15の各溝15Aは、基板収納容器100を加工装置に搭載したときの基準水平面からの高さがそれぞれに対応する支持部材20の各棚板21の上面よりも若干高くなるように形成されている。図11は、支持部材20およびリアリテーナ15によって支持された1枚の半導体ウェハWが示されている。これら半導体ウェハWが容器本体10内において水平に支持されるには、支持部材20の所定の棚板21に載置されるともにリアリテーナ15の所定の溝15Aに収納されるようにする。ここで、上述したように、リアリテーナ15の溝15Aは、基板収納容器100を加工装置に搭載したときの基準水平面からの高さが支持部材20に対応する棚板21の上面よりも若干高くなるように形成されているためリアリテーナ15の側において若干上方へ反るようになっている。 Each groove 15A of the rear retainer 15 is formed such that the height from the reference horizontal plane when the substrate storage container 100 is mounted on the processing apparatus is slightly higher than the upper surface of each shelf 21 of the corresponding support member 20. ing. FIG. 11 shows one semiconductor wafer W supported by the support member 20 and the rear retainer 15. In order for these semiconductor wafers W to be horizontally supported in the container body 10, they are placed on a predetermined shelf 21 of the support member 20 and stored in a predetermined groove 15 </ b> A of the rear retainer 15. Here, as described above, the height of the groove 15A of the rear retainer 15 from the reference horizontal plane when the substrate storage container 100 is mounted on the processing apparatus is slightly higher than the upper surface of the shelf board 21 corresponding to the support member 20. Therefore, the rear retainer 15 is slightly warped upward.
図10は、容器本体10をその開口11が上方になるように傾けた場合を示した図である。この場合において、容器本体10に収納された各半導体ウェハWはリアリテーナ15の溝15Aに係止され垂直状態で配置されるようになる。リアリテーナ15の溝15Aは、この溝15Aに係止された半導体ウェハWが転倒するのを規制できるように、図11において、溝15Aの水平方向(図中y方向)の中心線から一方に位置する垂直壁(符号15AVで示す)と、該中心線から他方に位置する傾斜面(符号15AHで示す)を有するように構成されている。 FIG. 10 is a view showing a case where the container body 10 is tilted so that the opening 11 is directed upward. In this case, each semiconductor wafer W accommodated in the container body 10 is locked in the groove 15A of the rear retainer 15 and arranged in a vertical state. In FIG. 11, the groove 15A of the rear retainer 15 is positioned on one side from the center line in the horizontal direction (y direction in the drawing) of the groove 15A so that the semiconductor wafer W locked in the groove 15A can be prevented from falling. And an inclined surface (indicated by reference numeral 15AH) located on the other side from the center line.
リアリテーナ15のV字形状の下方に形成された傾斜部は、奥行側支持部に形成される傾斜部と同様の機能を有するようになっている。 The inclined portion formed below the V shape of the rear retainer 15 has the same function as the inclined portion formed on the depth side support portion.
図8に戻り、蓋体30は、その両脇のそれぞれに、係止片33が取り付けられ、これら係止片33が容器本体10の開口11の両脇のそれぞれに取り付けられた係止部16に係止されることにより、蓋体30の容器本体10への装着がなされるようになっている。 Returning to FIG. 8, the lid 30 has locking pieces 33 attached to both sides thereof, and the locking portions 16 to which the locking pieces 33 are attached to both sides of the opening 11 of the container body 10. The lid 30 is attached to the container main body 10 by being locked to.
(実施形態3)
上述した2つの実施形態では、半導体ウェハWを収納する基板収納容器100について説明したものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえばマスクガラス等の他の基板を収納する基板収納装置等にも適用できることはいうまでもない。
(Embodiment 3)
In the two embodiments described above, the substrate storage container 100 that stores the semiconductor wafer W has been described. However, the present invention is not limited to this, and it is needless to say that the present invention can be applied to a substrate storage device for storing other substrates such as mask glass.
以上、実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されないことは言うまでもない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。また、その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, it cannot be overemphasized that the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiments. Further, it is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can also be included in the technical scope of the present invention.
100……基板収納容器、6……係止爪、8……嵌合プレート(蓋体本体)、8a……周壁、8b……開口、9……カバープレート、10……容器本体、11……開口、13……ロボティックフランジ、14……把持ハンドル、15……リアリテーナ、15A……溝、16……係止部、18……奥行側支持部、20……支持部材、21……棚板、21A……段差部、21B……傾斜部、21C……溝、30……蓋体、32……フロントリテーナ、32A……溝、33……係止片、34……シールガスケット、40……ボトムプレート、41……位置決め部材。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Substrate storage container, 6 ... Locking claw, 8 ... Fitting plate (lid body), 8a ... Peripheral wall, 8b ... Opening, 9 ... Cover plate, 10 ... Container body, 11 ... ... Opening, 13 ... Robotic flange, 14 ... Grip handle, 15 ... Rear retainer, 15A ... Groove, 16 ... Locking part, 18 ... Depth side support part, 20 ... Support member, 21 ... Shelf plate, 21A: Stepped portion, 21B ... Inclined portion, 21C ... Groove, 30 ... Lid, 32 ... Front retainer, 32A ... Groove, 33 ... Locking piece, 34 ... Seal gasket, 40: Bottom plate, 41: Positioning member.
Claims (5)
前記開口を閉塞させる蓋体と、を備え、
前記容器本体の前記開口の両側の内側壁に前記開口側から奥行側に延在されて設けられ、垂直方向に並設される複数の各基板を水平状態で載置する支持部材と、
前記容器本体の前記開口から奥行方向の内側壁に設けられ、前記各基板を係止可能な前記支持部材の前記開口の奥行側に設けられた奥行側支持部と、
前記蓋体の裏面に設けられ、前記蓋体が前記開口を閉塞させた際に、前記奥行側支持部とともに前記支持部材から持ち上げるように前記各基板を係止させる溝が形成されたフロントリテーナと、を有し、
前記支持部材は、前記開口側の前記基板に対する静止摩擦係数が、前記開口の奥行側支持部が有している奥行方向に高さが大きくなる傾斜部の前記基板に対する静止摩擦係数よりも小さく形成され、
前記支持部材の前記開口側の前記基板に対する静止摩擦係数および前記開口の奥行側支持部の前記基板に対する静止摩擦係数は、それぞれ、前記支持部材の表面に形成されたシボ加工の粗さによって設定され、
前記傾斜部は前記奥行側支持部に形成された溝の下部に形成され、
前記フロントリテーナに形成された溝は、基準水平面からの高さが前記奥行側支持部に形成された溝と等しくなるように形成される
ことを特徴とする基板収納容器。 A container body having an opening in a part of the side surface;
A lid that closes the opening;
A support member that is provided extending from the opening side to the depth side on the inner side walls on both sides of the opening of the container body, and that supports a plurality of substrates arranged in parallel in a vertical direction in a horizontal state;
A depth-side support provided on the inner side wall in the depth direction from the opening of the container body, provided on the depth side of the opening of the support member capable of locking the substrates; and
A front retainer provided on the back surface of the lid, and formed with grooves for locking the substrates so as to be lifted from the support member together with the depth-side support when the lid closes the opening; Have
The support member is formed such that the static friction coefficient with respect to the substrate on the opening side is smaller than the static friction coefficient with respect to the substrate of the inclined portion whose height increases in the depth direction which the depth side support portion of the opening has. It is,
The static friction coefficient with respect to the substrate on the opening side of the support member and the static friction coefficient with respect to the substrate of the depth side support portion of the opening are respectively set by the roughness of the embossing process formed on the surface of the support member. ,
The inclined portion is formed in a lower portion of a groove formed in the depth side support portion,
The groove formed in the front retainer is formed so that the height from the reference horizontal plane is equal to the groove formed in the depth side support portion.
A substrate storage container.
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