JP6124978B1 - End treatment method for rubber insulated cable - Google Patents
End treatment method for rubber insulated cable Download PDFInfo
- Publication number
- JP6124978B1 JP6124978B1 JP2015233072A JP2015233072A JP6124978B1 JP 6124978 B1 JP6124978 B1 JP 6124978B1 JP 2015233072 A JP2015233072 A JP 2015233072A JP 2015233072 A JP2015233072 A JP 2015233072A JP 6124978 B1 JP6124978 B1 JP 6124978B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductive layer
- cable
- rubber
- layer
- external semiconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Cable Accessories (AREA)
- Processing Of Terminals (AREA)
Abstract
【課題】端末処理に要する作業時間を短縮できるとともに、作業品質を向上できるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法を提供する。【解決手段】本発明に係るゴム絶縁ケーブルの端末処理方法は、少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が樹脂材料で形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料で形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、（Ａ）所要長の外部半導電層を、当該外部半導電層の融点以上の温度で加熱する工程と、（Ｂ）外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、を備える。【選択図】図２Provided is a rubber insulated cable terminal processing method capable of reducing work time required for terminal processing and improving work quality. A terminal treatment method for a rubber-insulated cable according to the present invention includes at least a cable insulator and an outer semiconductive layer on an outer periphery of the cable insulator, and the outer semiconductive layer is formed of a resin material. A method for treating a rubber-insulated cable terminal, wherein the cable insulator is formed of a rubber material that can withstand a use temperature higher than the melting point of the external semiconductive layer, and (A) the external semiconductive layer having a required length is A step of heating at a temperature equal to or higher than the melting point of the external semiconductive layer; and (B) a step of lifting and peeling the heated portion of the external semiconductive layer by hand. [Selection] Figure 2
Description
本発明は、ゴム絶縁ケーブルの端末処理方法に関し、特に、外部半導電層の剥離方法に関する。 The present invention relates to a method for treating an end of a rubber insulated cable, and more particularly to a method for peeling an external semiconductive layer.
一般に、６６００Ｖ以上の高圧の電力ケーブルは、中心から順に、ケーブル導体、内部半導電層、ケーブル絶縁体、外部半導電層、及びケーブルシース等を備えている。最近では、内部半導電層、ケーブル絶縁体及び外部半導電層を押出成形によって一括に形成する、またはケーブル絶縁体、外部半導電層及びケーブルシースを押出成形によって一括に形成する、三層一括押出という製法が普及し、一般的な製法となっている。三層一括押出製法によれば、作業効率が向上し、製造時のリードタイムを大幅に短縮することができる。 In general, a high-voltage power cable of 6600 V or more includes a cable conductor, an internal semiconductive layer, a cable insulator, an external semiconductive layer, a cable sheath, and the like in order from the center. Recently, three-layer batch extrusion, in which the inner semiconductive layer, the cable insulator and the outer semiconductive layer are collectively formed by extrusion, or the cable insulator, the outer semiconductive layer and the cable sheath are collectively formed by extrusion. This manufacturing method has become widespread and has become a general manufacturing method. According to the three-layer batch extrusion method, the working efficiency is improved and the lead time at the time of production can be greatly shortened.
このような電力ケーブルの終端接続部や中間接続部を組み立てる場合、各層を露出させるための端末処理（いわゆる段剥ぎ）が行われる。電力ケーブルの端末処理において、外部半導電層の除去作業は、通常、作業者が外部半導電層に刃物で切り込みを入れ、徐々に外部半導電層を剥離していくことにより行われる。このとき、ケーブル絶縁体が損傷すると電力ケーブルの絶縁破壊リスクが増大するため、外部半導電層の除去作業は、時間をかけて慎重に行われる。特許文献１、２には、外部半導電層の除去作業を容易化するための治具や方法が開示されている。 When assembling such a terminal connection portion or intermediate connection portion of a power cable, terminal processing (so-called step peeling) for exposing each layer is performed. In the terminal processing of the power cable, the external semiconductive layer is usually removed by an operator cutting the external semiconductive layer with a blade and gradually peeling the external semiconductive layer. At this time, if the cable insulator is damaged, the risk of dielectric breakdown of the power cable increases, and therefore, the operation of removing the outer semiconductive layer is carefully performed over time. Patent Documents 1 and 2 disclose jigs and methods for facilitating the removal of the external semiconductive layer.
しかしながら、ケーブル設計によって外部半導電層の厚さは異なり、刃を入れる深さも異なるため、現状、汎用性に富む治具、工具はなく、実務では臨機応変な対応が要求される。したがって、作業者の熟練度によって仕上がり具合がばらつき、終端接続部や中間接続部の品質にもばらつきが生じる虞がある。 However, the thickness of the external semiconductive layer varies depending on the cable design, and the depth of insertion of the blades also varies. Therefore, there are currently no highly versatile jigs and tools, and practical support is required in practice. Therefore, the degree of finish varies depending on the skill level of the operator, and the quality of the terminal connection portion and the intermediate connection portion may also vary.
特に、三層一括押出製法によって製造されるゴム絶縁ケーブルの場合、層ごとに押出成形が行われる場合に比較して、ケーブル絶縁体と外部半導電層との密着性が高いため、外部半導電層だけを剥離することは極めて困難である。例えば、外部半導電層に切り込みを入れて短冊状に分割し、ペンチなどで外部半導電層を引き剥がそうとした場合に、外部半導電層にゴム製のケーブル絶縁体が引き攣られて部分的に剥離され、ケーブル絶縁体が損傷することもある。三層一括押出製法によるゴム絶縁ケーブルの場合、熟練者であっても、ケーブル絶縁体を損傷させることなく外部半導電層を除去することは困難であり、場合によっては数十時間を要することもある。 In particular, in the case of a rubber insulated cable manufactured by a three-layer extrusion method, the adhesion between the cable insulator and the external semiconductive layer is higher than when extrusion is performed for each layer, so that the external semiconductive It is very difficult to peel only the layers. For example, when an external semiconductive layer is cut and divided into strips, and the external semiconductive layer is peeled off with pliers, etc. May be peeled off and damage the cable insulation. In the case of rubber-insulated cables using the three-layer extrusion method, it is difficult for even an expert to remove the outer semiconductive layer without damaging the cable insulation, and in some cases it may take several tens of hours. is there.
なお、プラスチック絶縁ケーブルは、ゴム絶縁ケーブルに比較してケーブル絶縁体が硬質であるため、三層一括押出製法により製造される場合であっても、従来の端末処理方法によって外部半導電層を剥離することができる。 In addition, the plastic insulation cable has a harder cable insulation than the rubber insulation cable, so even if it is manufactured by the three-layer batch extrusion method, the external semiconductive layer is peeled off by the conventional terminal treatment method. can do.
本発明の目的は、端末処理に要する作業時間を大幅に短縮できるとともに、作業品質を向上できるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法を提供することである。 The objective of this invention is providing the terminal processing method of the rubber | gum insulated cable which can improve working quality while shortening the working time required for a terminal process significantly.
本発明の一側面を反映したゴム絶縁ケーブルの端末処理方法は、
少なくとも、ケーブル絶縁体と、前記ケーブル絶縁体の外周に外部半導電層とを備え、前記外部半導電層が半導電性の架橋ポリエチレンで形成され、前記ケーブル絶縁体が前記外部半導電層の融点よりも高い使用温度に耐えるエチレンプロピレンゴムで形成され、前記ケーブル絶縁体及び前記外部半導電層が一括押出成形により形成されるゴム絶縁ケーブルの端末処理方法であって、
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、予め切り込みを形成することなく、ガスバーナーにより２００℃以上の温度で前記外部半導電層が軟化するまで全体的に加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とする。
An end treatment method for a rubber-insulated cable reflecting one aspect of the present invention,
At least a cable insulator and an outer semiconductive layer on an outer periphery of the cable insulator, wherein the outer semiconductive layer is formed of semiconductive cross-linked polyethylene , and the cable insulator has a melting point of the outer semiconductive layer. It is formed of ethylene propylene rubber that can withstand higher use temperature, and the cable insulator and the outer semiconductive layer are formed by batch extrusion, and is a terminal treatment method for a rubber insulated cable,
(A) A step of heating the external semiconductive layer having a required length entirely with a gas burner at a temperature of 200 ° C. or more until the external semiconductive layer is softened without forming a cut in advance .
(B) a step of rolling up and peeling off the heated portion of the outer semiconductive layer by hand;
It is characterized by providing.
本発明によれば、ケーブル絶縁体を損傷させることなく、容易に外部半導電層を除去することができる。したがって、作業効率が大幅に改善され、端末処理に要する作業時間を飛躍的に短縮することができるとともに、作業品質の向上を図ることができる。 According to the present invention, the external semiconductive layer can be easily removed without damaging the cable insulator. Therefore, the work efficiency is greatly improved, the work time required for the terminal processing can be drastically shortened, and the work quality can be improved.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１は、本発明の一実施の形態に係る端末処理方法を適用し得るゴム絶縁ケーブル１を示す図である。図１に示すように、ゴム絶縁ケーブル１は、中心から順に、ケーブル導体１１、内部半導電層１２、ケーブル絶縁体１３、外部半導電層１４、ケーブル遮へい層１５、押さえ巻き層１６、及びケーブルシース（防食層）１７を備える。各層１２〜１７は、ケーブル導体１１と同心円状に形成される。なお、本発明の端末処理方法を適用し得るゴム絶縁ケーブルの構造としては、少なくとも、ケーブル絶縁体１３と、ケーブル絶縁体１３の外周に形成される外部半導電層１４とを備えていればよい。 FIG. 1 is a diagram showing a rubber insulated cable 1 to which a terminal processing method according to an embodiment of the present invention can be applied. As shown in FIG. 1, the rubber-insulated cable 1 includes, in order from the center, a cable conductor 11, an inner semiconductive layer 12, a cable insulator 13, an outer semiconductive layer 14, a cable shielding layer 15, a press winding layer 16, and a cable. A sheath (anticorrosion layer) 17 is provided. Each of the layers 12 to 17 is formed concentrically with the cable conductor 11. In addition, as a structure of the rubber insulated cable to which the terminal processing method of the present invention can be applied, at least the cable insulator 13 and the external semiconductive layer 14 formed on the outer periphery of the cable insulator 13 may be provided. .
ケーブル導体１１は、銅又はアルミニウムを主成分とする金属材料からなる素線（例えばすずめっき軟銅線）の集合体であり、円形より線又は分割圧縮より線で構成される。内部半導電層１２及び外部半導電層１４は、例えば半導電性架橋ポリエチレン等、融点がケーブル絶縁体１３に対して低い樹脂材料で形成される。内部半導電層１２はケーブル導体１１の外周に形成され、外部半導電層１４はケーブル絶縁体１３の外周に形成される。 The cable conductor 11 is an aggregate of strands (for example, tin-plated annealed copper wire) made of a metal material containing copper or aluminum as a main component, and is composed of a circular strand or a split compression strand. The inner semiconductive layer 12 and the outer semiconductive layer 14 are formed of a resin material whose melting point is lower than that of the cable insulator 13, such as semiconductive cross-linked polyethylene. The inner semiconductive layer 12 is formed on the outer periphery of the cable conductor 11, and the outer semiconductive layer 14 is formed on the outer periphery of the cable insulator 13.
ケーブル絶縁体１３は、外部半導電層１４の融点よりも高い使用温度に耐えるゴム材料（例えばエチレンプロピレンゴム等）で形成される。ケーブル遮へい層１５は、外部半導電層１４の外周に、例えば銅テープを螺旋状に巻回することにより形成される。ケーブルシース１７は、ケーブル遮へい層１５の外周に、押さえ巻き層１６を介して、例えば塩化ビニルで形成される。内部半導電層１２、ケーブル絶縁体１３及び外部半導電層１４は、三層一括押出製法によって形成される。 The cable insulator 13 is formed of a rubber material (for example, ethylene propylene rubber or the like) that can withstand a use temperature higher than the melting point of the outer semiconductive layer 14. The cable shielding layer 15 is formed by, for example, spirally winding a copper tape around the outer periphery of the outer semiconductive layer 14. The cable sheath 17 is formed of, for example, vinyl chloride on the outer periphery of the cable shielding layer 15 via the press winding layer 16. The inner semiconductive layer 12, the cable insulator 13, and the outer semiconductive layer 14 are formed by a three-layer batch extrusion method.
なお、ケーブル絶縁体１３を形成するゴム材料には、エチレンプロピレンゴムの他、例えば天然ゴム、イソプレンゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどを適用できる。また、外部半導電層１４を形成する樹脂材料には、例えば半導電性の架橋ポリエチレンが用いられる。ここでは、ケーブル絶縁体１３は、使用温度が１５０℃であるエチレンプロピレンゴムで形成されているので、外部半導電層１４を形成する架橋ポリエチレンの融点である７０〜１００℃よりも高い使用温度に耐える。 The rubber material forming the cable insulator 13 includes, for example, natural rubber, isoprene rubber, acrylic rubber, butyl rubber, butadiene rubber, styrene butadiene rubber, chloroprene rubber, nitrile rubber, silicone rubber, and fluorine rubber in addition to ethylene propylene rubber. Etc. can be applied. In addition, as a resin material for forming the outer semiconductive layer 14, for example, semiconductive cross-linked polyethylene is used. Here, since the cable insulator 13 is formed of ethylene propylene rubber having a use temperature of 150 ° C., the cable insulator 13 has a use temperature higher than 70 to 100 ° C. which is the melting point of the crosslinked polyethylene forming the outer semiconductive layer 14. Endure.
ゴム絶縁ケーブル１の終端接続部又は中間接続部を組み立てる際、ゴム絶縁ケーブル１の端末部から所要長（例えば３ｍ）で段剥ぎすることにより各層が露出される。ケーブルシース１７、押さえ巻き層１６及びケーブル遮へい層１５が所定の方法により除去された後、外部半導電層１４が除去される。この外部半導電層１４の除去作業に、本発明の端末処理方法が適用される。本発明は、少なくとも、ケーブル絶縁体１３と、外部半導電層１４とを備えるゴム絶縁ケーブル１のように、ケーブル絶縁体１３と外部半導電層１４が一括押出製法により形成され、密着性が極めて高い場合に特に有用である。 When assembling the terminal connection portion or the intermediate connection portion of the rubber-insulated cable 1, each layer is exposed by stripping from the end portion of the rubber-insulated cable 1 with a required length (for example, 3 m). After the cable sheath 17, the presser winding layer 16, and the cable shielding layer 15 are removed by a predetermined method, the outer semiconductive layer 14 is removed. The terminal processing method of the present invention is applied to the operation of removing the external semiconductive layer 14. In the present invention, the cable insulator 13 and the external semiconductive layer 14 are formed by a batch extrusion manufacturing method as in the rubber-insulated cable 1 including at least the cable insulator 13 and the external semiconductive layer 14, and the adhesion is extremely high. Especially useful when it is high.
具体的には、まず、所要長の外部半導電層１４を、当該外部半導電層１４の融点以上の温度で加熱する（工程Ａ）。外部半導電層１４が半導電性の架橋ポリエチレンで形成される場合、融点は７０〜１００℃であるので、加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは２００℃以上である。終端接続部又は中間接続部を組み立てる現場において端末処理を行う場合、外部半導電層１４の加熱にはＬＰガスバーナー（着火温度４９３℃）が用いられる。 Specifically, first, the required length of the external semiconductive layer 14 is heated at a temperature equal to or higher than the melting point of the external semiconductive layer 14 (step A). When the outer semiconductive layer 14 is formed of semiconductive cross-linked polyethylene, the melting point is 70 to 100 ° C., so the heating temperature is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher. When terminal treatment is performed at the site where the terminal connection portion or the intermediate connection portion is assembled, an LP gas burner (ignition temperature 493 ° C.) is used to heat the outer semiconductive layer 14.
そして、外部半導電層１４の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る（工程Ｂ）。工程Ａにより外部半導電層１４は軟化しているので、手で扱きながら捲り上げることにより容易に除去することができる。外部半導電層１４の加熱部分を、冷えないうちに手で扱くため、耐熱性手袋を用いるのが好ましい。 Then, the heated part of the external semiconductive layer 14 is rolled up and peeled off while being handled by hand (process B). Since the outer semiconductive layer 14 is softened by the process A, the outer semiconductive layer 14 can be easily removed by rolling it up while being handled by hand. In order to handle the heated part of the external semiconductive layer 14 by hand before it cools, it is preferable to use heat resistant gloves.
加熱温度を１００℃以上、すなわち架橋ポリエチレンの融点＋３０℃以上とすることで、外部半導電層１４を軟化させることができ、手作業で扱き落とすことができる。さらに、加熱温度を２００℃以上、すなわち架橋ポリエチレンの融点＋１００℃以上とすることで、外部半導電層１４を極めて簡単に剥離することができ、作業時間が格段に短縮される。例えば、加熱温度を１００℃にした場合の作業に比較して、加熱温度を２００℃にした場合の作業は、作業時間で１０分程度短縮される他、外部半導電層１４をより剥ぎ易く、剥離後のケーブル絶縁体１３の表面がより滑らかになる（外部半導電層１４が残らない）ため、作業性が非常に高い。 By setting the heating temperature to 100 ° C. or higher, that is, the melting point of crosslinked polyethylene + 30 ° C. or higher, the outer semiconductive layer 14 can be softened and manually handled. Furthermore, by setting the heating temperature to 200 ° C. or higher, that is, the melting point of crosslinked polyethylene + 100 ° C. or higher, the external semiconductive layer 14 can be peeled off very easily, and the working time is remarkably shortened. For example, compared to the operation when the heating temperature is 100 ° C., the operation when the heating temperature is 200 ° C. is shortened by about 10 minutes in the work time, and the external semiconductive layer 14 is more easily peeled off. Since the surface of the cable insulator 13 after peeling becomes smoother (the outer semiconductive layer 14 does not remain), workability is very high.
なお、工程Ａにおける加熱時間は、外部半導電層１４が軟化する程度でよく、例えばガスバーナーで炙る時間は、一箇所につき数秒〜数十秒でよい。また、所要長の外部半導電層を一度に加熱した後で剥離する必要はない。所要長が数ｍに及ぶ場合は、工程Ａ、Ｂを繰り返し行う方が、効率良く外部半導電層１４を除去することができる。また、工程Ａ、Ｂは、剥離した外部半導電層１４を遂次剥離すべき所要長の途中で切断しながら行ってもよい。 In addition, the heating time in the process A may be such that the outer semiconductive layer 14 is softened. For example, the time for burning with a gas burner may be several seconds to several tens of seconds per place. Also, it is not necessary to peel off the required length of the external semiconductive layer after heating it at once. When the required length reaches several meters, the external semiconductive layer 14 can be efficiently removed by repeating Steps A and B. Steps A and B may be performed while cutting the peeled outer semiconductive layer 14 in the middle of the required length to be peeled off.
図２Ａは、実施の形態に係る端末処理方法を適用したときの外部半導電層１４の剥離状態（仕上がり具合）を示す図である。図２Ｂは、従来の端末処理方法を適用したときの外部半導電層１４の剥離状態を示す図である。 FIG. 2A is a diagram illustrating a peeled state (finished state) of the external semiconductive layer 14 when the terminal processing method according to the embodiment is applied. FIG. 2B is a diagram showing a peeled state of the external semiconductive layer 14 when a conventional terminal processing method is applied.
図２Ａに示すように、実施の形態に係る端末処理方法で外部半導電層１４を除去した場合、ケーブル絶縁体１３の剥離面は非常に滑らかとなり、光沢も観察することができる。これに対して、図２Ｂに示すように、従来の端末処理方法で外部半導電層１４を除去した場合、外部半導電層１４にケーブル絶縁体１３が引き攣られて、ケーブル絶縁体１３の剥離面はささくれのように荒れている。このように、実施の形態に係る端末処理方法で外部半導電層１４を除去することにより、絶縁破壊リスクを低減することができる。 As shown in FIG. 2A, when the outer semiconductive layer 14 is removed by the terminal processing method according to the embodiment, the peeled surface of the cable insulator 13 becomes very smooth and gloss can be observed. On the other hand, as shown in FIG. 2B, when the external semiconductive layer 14 is removed by the conventional terminal processing method, the cable insulator 13 is pulled by the external semiconductive layer 14, and the cable insulator 13 is peeled off. The surface is rough like a chicken. Thus, the dielectric breakdown risk can be reduced by removing the external semiconductive layer 14 by the terminal processing method according to the embodiment.
また、３００ｃｍの外部半導電層１４を表面が平滑で、ささくれ立たないように剥離するのに要する時間は、従来の端末処理方法では半日から１日かかるのに対して、実施の形態の端末処理方法では２０分程度であり、格段に短縮される。 In addition, the time required for peeling off the 300 cm outer semiconductive layer 14 so that the surface is smooth and does not stand up is half a day to one day in the conventional terminal processing method, whereas the terminal processing of the embodiment The method takes about 20 minutes and is significantly shortened.
このように、実施の形態に係るゴム絶縁ケーブル１の端末処理方法は、（Ａ）所要長の外部半導電層１４を、当該外部半導電層１４の融点以上の温度（例えば架橋ポリエチレンの場合は２００℃以上）で加熱する工程と、（Ｂ）外部半導電層１４の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、を備える。 Thus, in the terminal treatment method of the rubber insulated cable 1 according to the embodiment, (A) the external semiconductive layer 14 having a required length is set to a temperature equal to or higher than the melting point of the external semiconductive layer 14 (for example, in the case of cross-linked polyethylene). A step of heating at 200 ° C. or higher, and (B) a step of lifting and peeling off the heated portion of the external semiconductive layer 14 by hand.
この端末処理方法によれば、刃物によって切り込みを形成しないので、刃の深さを調整する作業が不要となり、また、ケーブル絶縁体１３を傷つける不安がないため、スピード重視で作業を行っても一定の作業品質が確保される。このように、ケーブル絶縁体１３を損傷させることなく、容易に外部半導電層１４を除去することができる。したがって、作業効率が大幅に改善され、ゴム絶縁ケーブル１の端末処理に要する作業時間を飛躍的に短縮することができるとともに、作業品質の向上を図ることができる。 According to this terminal processing method, since the incision is not formed by the blade, there is no need to adjust the depth of the blade, and there is no fear of damaging the cable insulator 13, so even if the operation is performed with an emphasis on speed, it is constant. Work quality is ensured. Thus, the external semiconductive layer 14 can be easily removed without damaging the cable insulator 13. Therefore, work efficiency is greatly improved, work time required for terminal processing of the rubber-insulated cable 1 can be drastically shortened, and work quality can be improved.
また、耐熱手袋等、耐熱性の保護具を装着するだけで、安全かつ簡便に作業を行うことができる。また、使用する工具は、ＬＰガスバーナー等の汎用品であるため、加熱温度の管理がしやすく、仕上がり品質に生じるばらつきは小さい。さらには、外部半導電層１４を手で扱き落とすという簡便な作業であるため、作業者の習熟度は要求されず、短期間で技術を習得することができる。 In addition, it is possible to work safely and simply by wearing a heat-resistant protective device such as heat-resistant gloves. Moreover, since the tool to be used is a general-purpose product such as an LP gas burner, it is easy to manage the heating temperature, and there is little variation in the finished quality. Furthermore, since it is a simple work of handling off the external semiconductive layer 14 by hand, the skill of the worker is not required and the technique can be learned in a short period of time.
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be changed without departing from the gist thereof.
例えば、本発明の端末処理方法は、ケーブル絶縁体と外部半導電層が一括押出製法で形成されるゴム絶縁ケーブルだけでなく、層ごとに押出成形されるゴム絶縁ケーブルにも適用できる。 For example, the terminal treatment method of the present invention can be applied not only to a rubber-insulated cable in which a cable insulator and an external semiconductive layer are formed by a batch extrusion method, but also to a rubber-insulated cable that is extruded for each layer.
また例えば、外部半導電層を加熱する熱源には、オーブンやリボンヒータを適用することもできる。いずれも入手しやすい設備であるため、汎用性が高い。 Further, for example, an oven or a ribbon heater can be applied as a heat source for heating the external semiconductive layer. All are easy to obtain, so they are highly versatile.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
１ ゴム絶縁ケーブル
１１ ケーブル導体
１２ 内部半導電層
１３ ケーブル絶縁体
１４ 外部半導電層
１５ ケーブル遮へい層
１６ 押さえ巻き層
１７ ケーブルシース
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Rubber-insulated cable 11 Cable conductor 12 Internal semiconductive layer 13 Cable insulator 14 External semiconductive layer 15 Cable shielding layer 16 Pressing winding layer 17 Cable sheath
Claims (1)
（Ａ）所要長の前記外部半導電層を、予め切り込みを形成することなく、ガスバーナーにより２００℃以上の温度で前記外部半導電層が軟化するまで全体的に加熱する工程と、
（Ｂ）前記外部半導電層の加熱した部分を手で扱きながら捲り上げて剥ぎ取る工程と、
を備えることを特徴とするゴム絶縁ケーブルの端末処理方法。 At least a cable insulator and an outer semiconductive layer on an outer periphery of the cable insulator, wherein the outer semiconductive layer is formed of semiconductive cross-linked polyethylene , and the cable insulator has a melting point of the outer semiconductive layer. It is formed of ethylene propylene rubber that can withstand higher use temperature, and the cable insulator and the outer semiconductive layer are formed by batch extrusion, and is a terminal treatment method for a rubber insulated cable,
(A) A step of heating the external semiconductive layer having a required length entirely with a gas burner at a temperature of 200 ° C. or more until the external semiconductive layer is softened without forming a cut in advance .
(B) a step of rolling up and peeling off the heated portion of the outer semiconductive layer by hand;
A terminal treatment method for a rubber-insulated cable, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015233072A JP6124978B1 (en) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | End treatment method for rubber insulated cable |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015233072A JP6124978B1 (en) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | End treatment method for rubber insulated cable |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6124978B1 true JP6124978B1 (en) | 2017-05-10 |
| JP2017103847A JP2017103847A (en) | 2017-06-08 |
Family
ID=58704702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015233072A Active JP6124978B1 (en) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | End treatment method for rubber insulated cable |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6124978B1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233086A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-12 | Hitachi Cable Ltd | Separation process for external semiconduction layer of inslated plast ic cable |
| JPS5314390A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ep rubber insulation cable having outer semiconductive layer |
| JPS5638907A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-14 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Method of removing external semiconductive layer in rubber or plastic cable |
| JPS5769111U (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-26 | ||
| JP2001210149A (en) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Insulated wire and method and device for removing insulation thereof |
-
2015
- 2015-11-30 JP JP2015233072A patent/JP6124978B1/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233086A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-12 | Hitachi Cable Ltd | Separation process for external semiconduction layer of inslated plast ic cable |
| JPS5314390A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ep rubber insulation cable having outer semiconductive layer |
| JPS5638907A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-14 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Method of removing external semiconductive layer in rubber or plastic cable |
| JPS5769111U (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-26 | ||
| JP2001210149A (en) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Insulated wire and method and device for removing insulation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017103847A (en) | 2017-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6752545B2 (en) | Method for determining peeling parameters for stripping cables | |
| CN110993154A (en) | Ultrahigh-pressure submarine cable soft joint and manufacturing method thereof | |
| CN105826874A (en) | Screw type cutter for peeling cable longitudinally and peeling method thereof | |
| US9545743B2 (en) | Readily strippable cable | |
| CN114026758A (en) | Method and apparatus for processing cable | |
| JP6124978B1 (en) | End treatment method for rubber insulated cable | |
| CN105958391A (en) | Screw-type cable circumferential peeling cutter and method | |
| KR101980133B1 (en) | Method for molting sheath of MI cable go through for rotation prescribed labor | |
| KR102295139B1 (en) | cable stripper | |
| CN205304113U (en) | Middle and high voltage crosslinked cable core barker | |
| CN107196242A (en) | 110kV cross-linked power cable insulation transition joint manufacture crafts | |
| EP3499645B1 (en) | Method of preparing epoxy coated bus bars for use in electrical distribution equipment | |
| CN103618263A (en) | Cable peeling and cutting tool | |
| US3474517A (en) | Method and apparatus for preparing cross - linked polyethylene cables for terminations and splices | |
| CN106448943A (en) | Process for annealing electric cables | |
| CN114069352A (en) | Terminal pressing method for end of electronic wire harness | |
| JP7166422B1 (en) | Coating stripping method, coating stripping device and coating stripping blade | |
| US20170125986A1 (en) | Cable Accessory Removal Tool | |
| EP3840147A1 (en) | A cable stripper and a method for removing insulation from a cable | |
| JP7502842B2 (en) | Manufacturing method of rectangular wire | |
| JPH04289712A (en) | Method of stripping intermediate insulator of cable | |
| KR20230000076U (en) | Automatic wire cutting and stripping device with wire-changeable blade | |
| JP2022045093A (en) | Method for manufacturing rectangular wire | |
| JPS5838893B2 (en) | How to continuously regenerate enameled wire | |
| JPH03235606A (en) | Terminal curing method for crosslinked polyethylene insulated cable core |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6124978 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |