JP6076921B2 - 波長多重送信器 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の実施形態1に係る波長多重送信器の構成を示す。123は波長多重送信器モジュールであり、122は1つの半導体チップである波長多重送信器、121は光ファイバである。半導体チップ122は、4つのDFB半導体レーザ101−104、4つの電界吸収(EA)型の光変調器105−108、1つの多モード干渉(MMI)型の4対1の光合波器113からなる。すなわち、半導体チップ122は、DFB半導体レーザとEA変調器が集積された、4つのEA−DFBを備える。109−112はMMI型4対1光合波器113の入力導波路、114は光合波器113の出力導波路である。
lane0:1294.53−1296.59nm
lane1:1299.02−1301.09nm
lane2:1303.54−1305.63nm
lane3:1308.09−1310.19nm
の範囲にあり、またEA変調器による変調レートは25Gb/sもしくは28Gb/sであるが、本発明は上記に捕われるものではない。EA−DFBの台数が変化すれば、laneの数も間隔も変わるからである。
図4に、本発明の実施形態2に係る波長多重送信器の構成を示す。232は波長多重送信器モジュールであり、230と231は半導体チップである波長多重送信器、229は光ファイバである。
lane0 1294.53−1296.59nm
lane1 1299.02−1301.09nm
lane2 1303.54−1305.63nm
lane3 1308.09−1310.19nm
の範囲にあり、またEA変調器による変調レートは25Gb/sもしくは28Gb/sであるが、本発明は上記に捕われるものではない。EA−DFBの台数が変化すれば、laneの数も間隔も変わるからである。
105−108、205−208、305−308、405−408 EA光変調器
109−112、114、209−212、215、309−312、314、409−412、415 導波路
113、213、214、313、413、414 MMI光合波器
115、217、218、315、417、418 拡散光
116、119、219、220、227、316、319、419、420、427、 レンズ
117、221、222、317、421、422 平行光
118、226、318、426 アイソレータ
151、501 n電極
152、502 n−InP基板
153、503 n−InPクラッド層
154、504 活性層
155、505 ガイド層
156、506 p−InPクラッド層
157 コンタクト層
158、507 DFB半導体レーザの電極
159、512 λ/4位相シフト
120、228、320、428 収束光
121、229、321、429 ファイバ
122、230、231、322、430、431 半導体チップ
123、232、323、432 波長多重送信器モジュール
223、423 ミラー
224、424 半波長板
225、425 偏波フィルタ
508 EA変調器の吸収層
509 EA変調器の電極
510 コア層
511 InP
Claims (4)
- 発振波長の異なる複数のDFB半導体レーザと、
前記複数のDFB半導体レーザの各々に接続された複数の電界吸収型光変調器と、
前記複数の電界吸収型光変調器から出射された信号光を合波する合波器と、
を備え、
発振波長が最も短い前記DFB半導体レーザは、共振長よりも短い回折格子を有し、前記回折格子は前記電界吸収型光変調器と接続された端面から離間して形成されており、
発振波長が最も長い前記DFB半導体レーザは、回折格子が共振長と同じ長さであり、
前記複数のDFB半導体レーザ、前記複数の電界吸収型光変調器および前記合波器は、全て単一の半導体チップに形成されていることを特徴とする波長多重送信器。 - 前記複数のDFB半導体レーザは、発振波長が短いほど回折格子が共振長に対して短いことを特徴とする請求項1に記載の波長多重送信器。
- 前記合波器は、前記複数の電界吸収型光変調器と接続された複数の第1の合波器からなり、前記複数の第1の合波器から出射された信号光を合波する第2の合波器をさらに備え、
前記複数のDFB半導体レーザ、前記複数の電界吸収型光変調器および前記複数の第1の合波器は、複数の半導体チップに形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の波長多重送信器。 - 前記第2の合波器は、偏波多重方式の合波器であることを特徴とする請求項3に記載の波長多重送信器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014008974A JP6076921B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-01-21 | 波長多重送信器 |
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JP2015138845A JP2015138845A (ja) | 2015-07-30 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110890690A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种半导体激光相干阵列及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
JP3450169B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2003-09-22 | Necエレクトロニクス株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ |
JP4690569B2 (ja) * | 2001-04-02 | 2011-06-01 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光送信装置。 |
JP2008294124A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子 |
JP5913878B2 (ja) * | 2011-09-20 | 2016-04-27 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体レーザ素子、それを備える光送信モジュール、光トランシーバ、及び半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2013168513A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザおよび光半導体装置 |
-
2014
- 2014-01-21 JP JP2014008974A patent/JP6076921B2/ja active Active
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CN110890690A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种半导体激光相干阵列及其制备方法 |
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JP2015138845A (ja) | 2015-07-30 |
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