JP6071640B2 - Processing device, processing method - Google Patents

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Description

本発明は、加工対象の部材にレーザを照射して加工を行う加工装置および加工方法に関する。   The present invention relates to a processing apparatus and a processing method for performing processing by irradiating a member to be processed with a laser.

被加工部材に対して切断や穴あけ等の加工を行う加工装置として、レーザを用いる加工装置がある(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。特許文献1および特許文献2に記載の加工装置は、被加工部材にレーザを照射することで、被加工部材に対して切断や穴あけを行う。また、特許文献1には、被加工部材に少なくとも2種類の波長のレーザ光を照射して穴加工を行うレーザ加工方法であって、穴の径よりも小さなスポット径の第1のレーザ光を穴の内周に沿って照射して加工するステップと、穴の径よりも小さなスポット径で、且つ第1のレーザ光よりも波長の長い第2のレーザ光を穴の内周よりも内側に照射するステップとを有し、後のステップによって、前のステップで加工されずに残った部分を加工するレーザ加工方法が記載されている。また、特許文献1には、ガルバノミラーを組み合わせて、第1のレーザ光の照射位置をずらす装置が記載されている。特許文献2には、レンズを保持する構造体にコイルを設け、ベースに永久磁石を設けた構成とし、コイルを駆動することでレンズを回転運動させて、集光点を旋回させることが記載されている。   As a processing apparatus that performs processing such as cutting and drilling on a workpiece, there is a processing apparatus that uses a laser (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). The processing apparatuses described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2 perform cutting and drilling on a workpiece by irradiating the workpiece with a laser. Further, Patent Document 1 discloses a laser processing method for performing hole processing by irradiating a workpiece with laser beams having at least two types of wavelengths, and a first laser beam having a spot diameter smaller than the diameter of the hole. A step of irradiating and processing along the inner periphery of the hole, and a second laser beam having a spot diameter smaller than the diameter of the hole and having a wavelength longer than that of the first laser beam inside the inner periphery of the hole And a step of irradiating, and a laser processing method is described in which a portion remaining without being processed in the previous step is processed in a later step. Patent Document 1 describes an apparatus for shifting the irradiation position of the first laser beam by combining galvanometer mirrors. Patent Document 2 describes a structure in which a coil is provided on a structure that holds a lens, a permanent magnet is provided on a base, and the lens is rotated by driving the coil to rotate a condensing point. ing.

また、本出願人が先に出願した特許文献3には、COレーザ発振器およびエキシマレーザ発振器を備え、2つのレーザとしてCOレーザビームとエキシマレーザビームとを使用し、COレーザビームを照射することによりプラスチック部材あるいはFRP部材の切断または穴あけを行った後、引き続いてエキシマレーザビームをその切断面および近傍に照射して当該切断面に生起した炭化層あるいは熱影響層を除去する加工装置が記載されている。特許文献3に記載の加工装置は、エキシマレーザビームをその横断面がリング状のレーザビームとし、該レーザビームの中空部にCOレーザビームを挿通し、両レーザビームの光軸を同一にした後、両レーザビームを同一の伝送経路で伝送し、プラスチック部材あるいはFRP部材の切断または穴あけ加工部の近傍まで導き、該近傍にて再び両レーザビームを分離することが記載されている。 Patent Document 3 previously filed by the present applicant includes a CO 2 laser oscillator and an excimer laser oscillator, and uses a CO 2 laser beam and an excimer laser beam as two lasers, and irradiates the CO 2 laser beam. After the cutting or drilling of the plastic member or the FRP member, the processing apparatus for subsequently removing the carbonized layer or the heat-affected layer generated on the cut surface by irradiating the excimer laser beam on and near the cut surface Have been described. The processing apparatus described in Patent Document 3 uses an excimer laser beam as a laser beam having a ring-shaped cross section, and inserts a CO 2 laser beam into the hollow portion of the laser beam so that the optical axes of both laser beams are the same. Thereafter, it is described that both laser beams are transmitted through the same transmission path, guided to the vicinity of a cutting or drilling portion of the plastic member or FRP member, and the laser beams are separated again in the vicinity.

特開2011−110598号公報JP 2011-110598 A 特許第2828871号公報Japanese Patent No. 2828871 特許第2831215号公報Japanese Patent No. 283215

しかしながら、特許文献1および特許文献2に記載の加工装置は、ノズルの開口径をレーザの旋回径よりも一回り大きくする必要がある。加工品質を維持するためには、ノズルから被加工部材に吹きつけるガスの流速を維持する必要があり、そのためにはノズルにかけるガスの圧力を開口径によらず一定にすることが望ましい。このため、ノズルの開口面積が増大することは、ノズルから被加工部材に吹きつけるガスの消費量が面積比で増大するという課題があった。このため、ノズルの開口径を大きくすることは、ガスコストが増加するという課題があった。また、特許文献1から特許文献3に記載の加工装置は、加工精度を高くするためには装置構成を複雑にする必要があるという課題があった。   However, in the processing apparatuses described in Patent Document 1 and Patent Document 2, it is necessary to make the opening diameter of the nozzle one time larger than the turning diameter of the laser. In order to maintain the processing quality, it is necessary to maintain the flow rate of the gas blown from the nozzle to the workpiece, and for this purpose, it is desirable to make the pressure of the gas applied to the nozzle constant regardless of the opening diameter. For this reason, the increase in the opening area of the nozzle has a problem that the consumption of gas blown from the nozzle to the workpiece is increased in area ratio. For this reason, enlarging the opening diameter of the nozzle has a problem that the gas cost increases. Moreover, the processing apparatuses described in Patent Document 1 to Patent Document 3 have a problem that the apparatus configuration needs to be complicated in order to increase the processing accuracy.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡単な構成で、ガスの消費量を抑え、より高い精度の加工を行うことが可能である加工装置および加工方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a processing apparatus and a processing method capable of performing processing with higher accuracy while suppressing gas consumption with a simple configuration. And

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工装置は、被加工部材にレーザを照射して加工処理を行う加工装置であって、前記レーザを前記被加工部材に対して旋回させるレーザ旋回部と、前記レーザ旋回部で旋回されたレーザを集光させる集光光学系と、前記レーザを被加工部材に照射するノズルと、を有する、前記被加工部材にレーザを照射する照射ヘッドと、前記照射ヘッドの動作を制御する制御装置と、を有し、前記ノズルは、前記被加工部材に照射されるレーザが通過する第1ノズル部と、前記第1ノズル部の周囲に配置され、前記被加工部材に吹きつけられるアシストガスが通過する第2ノズル部と、を有し、前記レーザ旋回部は、前記レーザを屈折させる第1プリズムと、前記第1プリズムと対面する位置に配置され当該第1プリズムから出力されたレーザを屈折させる第2プリズムと、前記第1プリズムを回転させる第1回転機構と、前記第2プリズムを回転させる第2回転機構と、を有し、前記制御装置は、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射させる前記レーザの旋回数と、の関係に基づいて、前記第1回転機構および前記第2回転機構を制御し、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを調整することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, a processing apparatus of the present invention is a processing apparatus that performs processing by irradiating a workpiece with a laser, and the laser is applied to the workpiece. A laser rotating unit that rotates, a condensing optical system that condenses the laser rotated by the laser rotating unit, and a nozzle that irradiates the workpiece with the laser. An irradiation head; and a control device that controls the operation of the irradiation head, wherein the nozzle is disposed around the first nozzle portion and a first nozzle portion through which a laser beam irradiated to the workpiece is passed. And a second nozzle part through which an assist gas blown against the workpiece passes, and the laser swivel part is a first prism that refracts the laser, and a position facing the first prism. Arranged A second prism that refracts the laser output from the first prism, a first rotation mechanism that rotates the first prism, and a second rotation mechanism that rotates the second prism, and the control The apparatus controls the first rotation mechanism and the second rotation mechanism based on a relationship between at least an allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece and the number of rotations of the laser irradiated on the workpiece. The rotational speed and phase angle difference of the first prism and the second prism are adjusted.

また、上記加工装置において、前記第1ノズル部には、シールドガスが供給されることが好ましい。   Moreover, in the said processing apparatus, it is preferable that shield gas is supplied to the said 1st nozzle part.

また、上記加工装置において、前記アシストガスと前記シールドガスとは、ガス種が異なっていても構わない。   In the processing apparatus, the assist gas and the shield gas may be different in gas type.

また、上記加工装置において、前記加工処理は、切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形の少なくとも1つを含むことが好ましい。   In the processing apparatus, it is preferable that the processing includes at least one of cutting processing, drilling processing, welding processing, cladding processing, surface modification processing, surface finishing processing, and laser additive manufacturing.

また、上記加工装置において、前記熱影響層は、再溶融層、酸化層、クラック、ドロスの少なくとも1つを含むことが好ましい。   In the processing apparatus, the heat-affected layer preferably includes at least one of a remelted layer, an oxide layer, a crack, and dross.

また、上記加工装置において、前記被加工部材は、インコネル(登録商標)、ハステロイ(登録商標)、ステンレス、セラミック、鋼、炭素鋼、耐熱鋼、セラミックス、シリコン、チタン、タングステン、樹脂、プラスチックス、繊維強化プラスチック、複合材、Ni基耐熱合金のいずれかの材料で作成されていることが好ましい。   In the processing apparatus, the workpiece is made of Inconel (registered trademark), Hastelloy (registered trademark), stainless steel, ceramic, steel, carbon steel, heat resistant steel, ceramics, silicon, titanium, tungsten, resin, plastics, It is preferably made of any material of fiber reinforced plastic, composite material, and Ni-base heat-resistant alloy.

また、上記加工装置において、前記制御装置は、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射させる前記レーザの旋回数と、前記レーザの旋回径と、の関係に基づいて、前記第1回転機構および前記第2回転機構を制御し、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを調整することが好ましい。   Further, in the above processing apparatus, the control device has a relationship between at least the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece, the number of revolutions of the laser to be irradiated on the workpiece, and the revolution diameter of the laser. Based on this, it is preferable to control the first rotation mechanism and the second rotation mechanism to adjust the rotation speed and the phase angle difference between the first prism and the second prism.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、上記加工装置を用いて、被加工部材にレーザを照射して加工処理を行う加工方法であって、レーザを出力する出力ステップと、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射される前記レーザの旋回数と、の関係に基づいて、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを決定する決定ステップと、前記第1回転機構および前記第2回転機構を決定した回転数と位相角の差とで回転させる回転ステップと、前記被加工部材に対して前記レーザを旋回させつつ照射する照射ステップと、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the processing method of the present invention is a processing method for performing processing by irradiating a workpiece with a laser using the above processing apparatus, and outputting the laser Based on the relationship between the output step, the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece, and the number of rotations of the laser irradiated to the workpiece. A determination step for determining a difference between a rotation speed and a phase angle, a rotation step for rotating the first rotation mechanism and the second rotation mechanism with a determined difference between the rotation speed and the phase angle, and the workpiece And irradiating the laser while rotating the laser.

また、上記加工方法において、前記被加工部材の熱影響層の厚みと、前記被加工部材の表面および裏面の溶融物の飛散量もしくは飛散長さと、前記被加工部材に吹きつけるガスの圧力と、前記ガスの流量と、の関係に基づいて、前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記飛散量もしくは飛散長さと、を満足する範囲に前記ガスの圧力と流量とを制御することが好ましい。   Further, in the above processing method, the thickness of the heat-affected layer of the workpiece, the scattering amount or the scattering length of the melt on the front and back surfaces of the workpiece, the pressure of the gas blown to the workpiece, Controlling the pressure and flow rate of the gas within a range satisfying the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece and the scattering amount or scattering length based on the relationship with the gas flow rate. preferable.

また、上記加工方法において、前記被加工部材に対して多段階で加工してもよい。   In the above processing method, the member to be processed may be processed in multiple stages.

また、上記加工方法において、前記決定ステップは、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射される前記レーザの旋回数と、前記レーザの旋回径と、の関係に基づいて、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを決定することが好ましい。   Further, in the above processing method, the determining step includes a relationship between at least the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece, the number of revolutions of the laser irradiated on the workpiece, and the radius of the laser. It is preferable to determine the rotation speed and the phase angle difference between the first prism and the second prism based on the above.

本発明の加工装置および加工方法によれば、第2ノズル部から被加工部材にガスを吹きつけることから、簡単な構成で、第1ノズル部の開口径を大きくしてもガスの消費量を抑えることができるという効果を奏する。また、第1ノズル部の開口径を大きくしてもガスの消費量を抑えることができるので、第1ノズル部の開口径を大きくし、被加工部材に照射するレーザの旋回径を大きくすることができるという効果を奏する。また、第1プリズムと第2プリズムとの位相角の差を変えるだけで被加工部材に照射させるレーザの旋回径が可変となるので、簡単な構成にすることができるという効果を奏する。また、第1プリズムと第2プリズムとの位相角の差を制御し被加工部材に照射されるレーザの旋回径を可変とすることで、加工条件により適した旋回径で加工処理を行うことができるようになる。これにより、要求される加工品質を満たすことができ、より高い精度の加工を高速で行うことが可能であるという効果を奏する。   According to the processing apparatus and the processing method of the present invention, the gas is blown from the second nozzle portion to the workpiece, so that the gas consumption can be reduced even if the opening diameter of the first nozzle portion is increased with a simple configuration. There is an effect that it can be suppressed. Further, since the gas consumption can be suppressed even if the opening diameter of the first nozzle portion is increased, the opening diameter of the first nozzle portion is increased and the turning diameter of the laser irradiated to the workpiece is increased. There is an effect that can be. In addition, since the turning diameter of the laser irradiated onto the workpiece can be changed only by changing the phase angle difference between the first prism and the second prism, there is an effect that a simple configuration can be achieved. In addition, by controlling the difference in phase angle between the first prism and the second prism and making the turning diameter of the laser irradiated to the workpiece variable, it is possible to perform processing with a turning diameter suitable for the processing conditions. become able to. As a result, the required processing quality can be satisfied, and it is possible to perform processing with higher accuracy at high speed.

図1は、第1実施形態に係る加工装置の構成例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a processing apparatus according to the first embodiment. 図2は、第1実施形態に係る照射ヘッドの概略構成を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the irradiation head according to the first embodiment. 図3は、第1実施形態に係る照射ヘッドのレーザ旋回部からノズルまでを拡大して示す拡大模式図である。FIG. 3 is an enlarged schematic diagram showing an enlarged view from the laser turning portion to the nozzle of the irradiation head according to the first embodiment. 図4は、ノズルの構成例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a nozzle. 図5は、ノズルの構成例を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a nozzle. 図6は、被加工部材に照射されるレーザの照射位置の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of the irradiation position of the laser irradiated on the workpiece. 図7は、穴あけ加工された被加工部材の断面の説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a cross section of a workpiece to be drilled. 図8は、加工装置の制御動作の一例を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing an example of the control operation of the machining apparatus. 図9は、加工装置が照射するレーザの照射動作の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a laser irradiation operation performed by the processing apparatus. 図10は、加工装置が照射するレーザの軌跡の一例を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of a locus of a laser irradiated by the processing apparatus. 図11は、加工装置が照射するレーザの軌跡の一例を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of a locus of a laser irradiated by the processing apparatus. 図12は、加工装置が照射するレーザの軌跡の一例を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram illustrating an example of a locus of a laser irradiated by the processing apparatus. 図13は、複数回に分けて穴あけ加工する際のレーザの軌跡の一例を示す模式図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of a laser trajectory when drilling in multiple times. 図14は、斜めに穴あけ加工する際の動作の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of an operation when drilling obliquely. 図15は、レーザ旋回部の動作の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of the operation of the laser turning unit. 図16は、ノズルが噴射するアシストガスの圧力の説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of the pressure of the assist gas ejected by the nozzle. 図17は、加工装置による切断加工の動作の説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of an operation of cutting by the processing apparatus. 図18は、切断加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of a heat-affected layer of a workpiece to be cut. 図19は、加工装置による溶接加工の動作の説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram of a welding operation performed by the processing apparatus. 図20は、溶接加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram of a heat-affected layer of a workpiece processed by welding. 図21は、加工装置によるクラッディング加工の動作の説明図である。FIG. 21 is an explanatory diagram of the operation of the cladding process by the processing apparatus. 図22は、クラッディング加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。FIG. 22 is an explanatory diagram of the heat-affected layer of the workpiece processed by the cladding process. 図23は、加工装置による表面改質加工の動作の説明図である。FIG. 23 is an explanatory diagram of the operation of surface modification processing by the processing apparatus. 図24は、表面改質加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。FIG. 24 is an explanatory diagram of a heat-affected layer of a workpiece subjected to surface modification processing. 図25は、第2実施形態に係る照射ヘッドの概略構成を示す説明図である。FIG. 25 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of an irradiation head according to the second embodiment. 図26は、加工装置による被加工部材の加工例を示す図である。FIG. 26 is a diagram illustrating a processing example of a member to be processed by the processing apparatus. 図27は、図26に示す被加工部材を反対側から見た図である。FIG. 27 is a view of the workpiece shown in FIG. 26 as viewed from the opposite side.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る加工装置の構成例を示す模式図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a processing apparatus according to the first embodiment.

加工装置10は、図1に示すように、レーザ発振器12と、案内光学系14と、照射ヘッド16と、加工ステージ20と、X軸移動機構22と、C軸回転機構24と、Y軸移動機構26と、Z軸移動機構28と、制御装置30と、を含む。加工装置10は、加工ステージ20を囲む門型ブリッジ32を有する。加工装置10は、加工ステージ20上に保持される被加工部材Wにレーザを照射し、被加工部材Wを加工する。ここで、本実施形態では、加工ステージ20の水平面をXY平面とし、加工ステージ20の水平面に直交する方向をZ軸方向としている。また、本実施形態では、Z軸回りの回転方向をC軸方向としている。   As shown in FIG. 1, the processing apparatus 10 includes a laser oscillator 12, a guide optical system 14, an irradiation head 16, a processing stage 20, an X-axis moving mechanism 22, a C-axis rotating mechanism 24, and a Y-axis moving. A mechanism 26, a Z-axis moving mechanism 28, and a control device 30 are included. The processing apparatus 10 includes a portal bridge 32 that surrounds the processing stage 20. The processing apparatus 10 processes the workpiece W by irradiating the workpiece W held on the processing stage 20 with a laser. Here, in the present embodiment, the horizontal plane of the processing stage 20 is the XY plane, and the direction orthogonal to the horizontal plane of the processing stage 20 is the Z-axis direction. In this embodiment, the rotation direction around the Z axis is the C axis direction.

ここで、被加工部材Wは、例えば、板状の部材である。被加工部材Wとしては、種々の材料、例えば、インコネル(登録商標)、ハステロイ(登録商標)、ステンレス、セラミック、鋼、炭素鋼、耐熱鋼、セラミックス、シリコン、チタン、タングステン、樹脂、プラスチックス、Ni基耐熱合金等で作成された部材を用いることができる。また、被加工部材Wとして、炭素繊維強化プラスチック(CFRP:Carbon Fiber Reinforced Plastics)、ガラス繊維強化プラスチック(GFRP:Glass Fiber Reinforced Plastics)、ガラス長繊維強化プラスチック(GMT:Glass-mat Reinforced Thermoplastics)等の繊維強化プラスチック、鋼板以外の鉄合金、アルミ合金等の各種金属、種々の複合材等で作成された部材も用いることができる。また、本実施形態において、加工処理は、切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形のいずれかであり、これらの加工を組み合わせることもできる。   Here, the workpiece W is, for example, a plate-like member. As the workpiece W, various materials such as Inconel (registered trademark), Hastelloy (registered trademark), stainless steel, ceramic, steel, carbon steel, heat resistant steel, ceramics, silicon, titanium, tungsten, resin, plastics, A member made of a Ni-base heat-resistant alloy or the like can be used. In addition, as the workpiece W, carbon fiber reinforced plastics (CFRP), glass fiber reinforced plastics (GFRP), glass-mat reinforced plastics (GMT), etc. Members made of fiber reinforced plastic, iron alloys other than steel plates, various metals such as aluminum alloys, various composite materials, and the like can also be used. In the present embodiment, the processing is any one of cutting, drilling, welding, cladding, surface modification, surface finishing, and laser additive manufacturing, and these processes can be combined. .

レーザ発振器12は、レーザを出力する装置であり、加工装置10の門型ブリッジ32に併設される。レーザ発振器12は、例えば、光ファイバを媒質としてレーザを出力するファイバレーザ出力装置、または、短パルスのレーザを出力する短パルスレーザ出力装置などが用いられる。ファイバレーザ出力装置としては、例えば、ファブリペロー型ファイバレーザ出力装置やリング型ファイバレーザ出力装置を用いることができ、これらの出力装置が励起されることによりレーザが発振される。ファイバレーザ出力装置のファイバは、例えば、エルビウム(Er)、ネオジム(Nd)、イッテルビウム(Yb)等の希土類元素が添加されたシリカガラスを用いることができる。短パルスレーザ出力装置としては、レーザの発振源として例えば、チタンサファイアレーザを用いることができ、パルス幅が100ピコ秒以下のパルスを発振することができる。また、YAGレーザやYVO4レーザ等のナノ秒オーダーパルス発振をするレーザも使用可能である。   The laser oscillator 12 is a device that outputs a laser, and is attached to the portal bridge 32 of the processing device 10. As the laser oscillator 12, for example, a fiber laser output device that outputs a laser using an optical fiber as a medium, or a short pulse laser output device that outputs a short pulse laser is used. As the fiber laser output device, for example, a Fabry-Perot type fiber laser output device or a ring type fiber laser output device can be used, and the laser is oscillated when these output devices are excited. As the fiber of the fiber laser output device, for example, silica glass to which a rare earth element such as erbium (Er), neodymium (Nd), ytterbium (Yb) is added can be used. As the short pulse laser output device, for example, a titanium sapphire laser can be used as a laser oscillation source, and a pulse having a pulse width of 100 picoseconds or less can be oscillated. Further, a laser that oscillates in nanosecond order pulses, such as a YAG laser or a YVO4 laser, can also be used.

案内光学系14は、レーザ発振器12から出力されたレーザを照射ヘッド16へ案内する光学系である。案内光学系14は、本実施形態では、例えば、光ファイバである。案内光学系14は、一方の端部がレーザ発振器12のレーザ出射口と接続され、他方の端部が照射ヘッド16のレーザ入射端と接続される。案内光学系14は、レーザ発振器12のレーザ出射口から照射ヘッド16の入射端へレーザを導光する。   The guide optical system 14 is an optical system that guides the laser output from the laser oscillator 12 to the irradiation head 16. In this embodiment, the guide optical system 14 is an optical fiber, for example. The guide optical system 14 has one end connected to the laser emission port of the laser oscillator 12 and the other end connected to the laser incident end of the irradiation head 16. The guide optical system 14 guides the laser from the laser emission port of the laser oscillator 12 to the incident end of the irradiation head 16.

照射ヘッド16は、案内光学系14で案内されたレーザを旋回させつつ被加工部材Wに照射する。また、照射ヘッド16は、レーザをプリズムで屈折させることで、屈折前のレーザの光路と被加工部材Wに照射されるレーザの光路とをオフセットする。さらに、照射ヘッド16は、レーザを集光させて、被加工部材Wに照射する。また、照射ヘッド16は、照射ヘッドカバー16aにより覆われる。照射ヘッド16の構造については、後述する。   The irradiation head 16 irradiates the workpiece W while turning the laser guided by the guide optical system 14. Further, the irradiation head 16 offsets the laser light path before refraction and the laser light path irradiated to the workpiece W by refracting the laser with a prism. Further, the irradiation head 16 focuses the laser and irradiates the workpiece W. The irradiation head 16 is covered with an irradiation head cover 16a. The structure of the irradiation head 16 will be described later.

加工ステージ20は、表面に載置された被加工部材Wを保持する機構である。加工ステージ20は、被加工部材Wを保持する表面が基準面(例えば、加工装置10の設置面)に対して水平面(XY平面)である。   The processing stage 20 is a mechanism that holds the workpiece W placed on the surface. In the processing stage 20, the surface holding the workpiece W is a horizontal plane (XY plane) with respect to a reference plane (for example, an installation surface of the processing apparatus 10).

X軸移動機構22は、加工ステージ20を支持するX軸ステージであって、加工ステージ20をX軸方向に移動させることで、X軸方向の所定の位置に被加工部材Wを移動させる。   The X-axis moving mechanism 22 is an X-axis stage that supports the processing stage 20, and moves the workpiece W to a predetermined position in the X-axis direction by moving the processing stage 20 in the X-axis direction.

C軸回転機構24は、X軸移動機構22と加工ステージ20との間に配置される。つまり、C軸回転機構24は、X軸移動機構22に支持されており、加工ステージ20を支持する。C軸回転機構24は、加工ステージ20をC軸方向に回転駆動することにより、C軸方向の所定の位置に被加工部材Wを回転させる。   The C-axis rotation mechanism 24 is disposed between the X-axis movement mechanism 22 and the processing stage 20. That is, the C-axis rotating mechanism 24 is supported by the X-axis moving mechanism 22 and supports the processing stage 20. The C-axis rotating mechanism 24 rotates the workpiece W to a predetermined position in the C-axis direction by rotationally driving the processing stage 20 in the C-axis direction.

Y軸移動機構26は、Z軸移動機構28を支持しつつ、照射ヘッド16をY軸方向に移動させる。これにより、Y軸移動機構26は、Y軸方向の所定の位置に照射ヘッド16を移動させる。   The Y-axis moving mechanism 26 moves the irradiation head 16 in the Y-axis direction while supporting the Z-axis moving mechanism 28. Thereby, the Y-axis moving mechanism 26 moves the irradiation head 16 to a predetermined position in the Y-axis direction.

Z軸移動機構28は、照射ヘッド16を支持しつつ、照射ヘッド16をZ軸方向の所定位置に移動させる。   The Z-axis moving mechanism 28 moves the irradiation head 16 to a predetermined position in the Z-axis direction while supporting the irradiation head 16.

加工装置10は、X軸移動機構22と、C軸回転機構24と、Y軸移動機構26と、Z軸移動機構28と、を用いて、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、C軸方向の4軸方向に加工ステージ20と照射ヘッド16とを相対的に移動させることで、被加工部材Wとレーザとの相対位置関係を4軸方向に移動させる。   The processing apparatus 10 uses an X-axis movement mechanism 22, a C-axis rotation mechanism 24, a Y-axis movement mechanism 26, and a Z-axis movement mechanism 28, and uses an X-axis direction, a Y-axis direction, a Z-axis direction, By relatively moving the processing stage 20 and the irradiation head 16 in the four axial directions of the axial direction, the relative positional relationship between the workpiece W and the laser is moved in the four axial directions.

制御装置30は、レーザ発振器12と照射ヘッド16とX軸移動機構22とC軸回転機構24とY軸移動機構26とZ軸移動機構28とにそれぞれ接続され、各部の動作を制御する。制御装置30は、例えば、レーザ発振器12から出力されるレーザの各種条件を調整したり、X軸移動機構22とC軸回転機構24とY軸移動機構26とZ軸移動機構28とにより照射ヘッド16および加工ステージ20を移動させて被加工部材Wに対する照射ヘッド16の位置を調整したり、被加工部材Wの条件(材質、厚み等)や加工処理の条件から熱影響層の許容厚みを検出して設定したり、照射ヘッド16から被加工部材Wに照射されるレーザの後述する旋回数や旋回径Rを制御したりする。   The control device 30 is connected to the laser oscillator 12, the irradiation head 16, the X-axis moving mechanism 22, the C-axis rotating mechanism 24, the Y-axis moving mechanism 26, and the Z-axis moving mechanism 28, and controls the operation of each part. For example, the control device 30 adjusts various conditions of the laser output from the laser oscillator 12 or uses an X-axis moving mechanism 22, a C-axis rotating mechanism 24, a Y-axis moving mechanism 26, and a Z-axis moving mechanism 28 to irradiate the irradiation head. 16 and the processing stage 20 are moved to adjust the position of the irradiation head 16 with respect to the workpiece W, and the allowable thickness of the heat-affected layer is detected from the conditions (material, thickness, etc.) of the workpiece W and the processing conditions. Or the number of turns and the turning radius R, which will be described later, of the laser irradiated to the workpiece W from the irradiation head 16 are controlled.

次に、図2から図6を用いて、照射ヘッド16について説明する。図2は、第1実施形態に係る照射ヘッドの概略構成を示す説明図である。図3は、第1実施形態に係る照射ヘッドのレーザ旋回部からノズルまでを拡大して示す拡大模式図である。図4は、ノズルの構成例を示す模式図である。図5は、ノズルの構成例を示す模式図である。図6は、被加工部材に照射されるレーザの照射位置の説明図である。   Next, the irradiation head 16 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the irradiation head according to the first embodiment. FIG. 3 is an enlarged schematic diagram showing an enlarged view from the laser turning portion to the nozzle of the irradiation head according to the first embodiment. FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a nozzle. FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a nozzle. FIG. 6 is an explanatory diagram of the irradiation position of the laser irradiated on the workpiece.

照射ヘッド16は、図2および図3に示すように、コリメート光学系34と、レーザ旋回部35と、反射光学系36と、集光光学系37と、ノズル38と、割出機構39と、撮像手段40と、ギャップ検出手段41と、支持部材42と、を含む。照射ヘッド16は、案内光学系14から出力されるレーザLの光路において、上流側から下流側に向かって、コリメート光学系34、レーザ旋回部35、反射光学系36、集光光学系37、ノズル38の順で配置される。照射ヘッド16は、案内光学系14から出力されたレーザLをノズル38に対面する被加工部材Wに向けて照射する。照射ヘッド16は、案内光学系14から出力されるレーザLの光路において、上流側から下流側に向かって、コリメート光学系34、レーザ旋回部35、反射光学系36、集光光学系37、ノズル38の順で配置されている。照射ヘッド16は、コリメート光学系34とレーザ旋回部35と反射光学系36と集光光学系37とにそれぞれ分割可能である。照射ヘッド16は、案内光学系14から出力されたレーザLをノズル38に対面する被加工部材Wに向けて照射する。   2 and 3, the irradiation head 16 includes a collimating optical system 34, a laser swivel unit 35, a reflection optical system 36, a condensing optical system 37, a nozzle 38, an indexing mechanism 39, The imaging means 40, the gap detection means 41, and the support member 42 are included. The irradiation head 16 includes a collimating optical system 34, a laser turning unit 35, a reflecting optical system 36, a condensing optical system 37, and a nozzle from the upstream side toward the downstream side in the optical path of the laser L output from the guide optical system 14. They are arranged in the order of 38. The irradiation head 16 irradiates the laser beam L output from the guide optical system 14 toward the workpiece W facing the nozzle 38. The irradiation head 16 includes a collimating optical system 34, a laser turning unit 35, a reflecting optical system 36, a condensing optical system 37, and a nozzle from the upstream side toward the downstream side in the optical path of the laser L output from the guide optical system 14. They are arranged in the order of 38. The irradiation head 16 can be divided into a collimating optical system 34, a laser turning unit 35, a reflection optical system 36, and a condensing optical system 37, respectively. The irradiation head 16 irradiates the laser beam L output from the guide optical system 14 toward the workpiece W facing the nozzle 38.

コリメート光学系34は、案内光学系14のレーザLが出射される端面に対向して配置される。つまり、コリメート光学系34は、案内光学系14とレーザ旋回部35との間に配置される。コリメート光学系34は、コリメータレンズ等を備えており、案内光学系14から出力されたレーザLをコリメート光とし、レーザ旋回部35に向けて出射する。   The collimating optical system 34 is disposed so as to face the end face from which the laser L of the guide optical system 14 is emitted. That is, the collimating optical system 34 is disposed between the guide optical system 14 and the laser turning unit 35. The collimating optical system 34 includes a collimator lens or the like, and uses the laser L output from the guide optical system 14 as collimated light and emits the laser L toward the laser turning unit 35.

レーザ旋回部35は、光路の中心P周りにレーザLを回転させて、被加工部材Wに照射レーザ、つまりレーザLの照射位置IPを旋回させる。レーザ旋回部35は、第1プリズム51と、第2プリズム52と、第1回転機構53と、第2回転機構54と、を有する。レーザ旋回部35は、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を変化させることができる。   The laser turning unit 35 rotates the laser L around the center P of the optical path, and turns the irradiated laser beam, that is, the irradiation position IP of the laser L, to the workpiece W. The laser turning unit 35 includes a first prism 51, a second prism 52, a first rotation mechanism 53, and a second rotation mechanism 54. The laser turning unit 35 can change the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52.

第1プリズム51は、レーザLを屈折させて、光軸OAに対して傾ける。第2プリズム52は、第1プリズム51で屈折されたレーザLを再度屈折させて、集光する位置を制御する。これにより、レーザ旋回部35を通過したレーザLは、通過前のレーザLの光路に対してずれた光路で出力される。   The first prism 51 refracts the laser L and tilts it with respect to the optical axis OA. The second prism 52 controls the position where the laser L refracted by the first prism 51 is refracted again and condensed. As a result, the laser L that has passed through the laser swivel unit 35 is output in an optical path that is deviated from the optical path of the laser L before passing through.

第1プリズム51は、レーザLが入射される入射面51aと、レーザLが出射される出射面51bと、を有する。   The first prism 51 has an incident surface 51a on which the laser L is incident and an output surface 51b on which the laser L is emitted.

入射面51aは、光軸OAに対して僅かに傾く平坦面である。入射面51aは、光軸OAに対する傾きが1°未満である。つまり、入射面51aは、案内光学系14から出力されたレーザLが入射する時、入射面51aで反射するレーザを光軸OAからずらすことができる。これにより、第1プリズム51は、入射面51aから案内光学系14に向かって反射するレーザの反射量を抑え、レーザ発振器12の出射口に向かって反射するレーザの量を抑制することができる。   The incident surface 51a is a flat surface that is slightly inclined with respect to the optical axis OA. The incident surface 51a has an inclination with respect to the optical axis OA of less than 1 °. That is, the incident surface 51a can shift the laser reflected by the incident surface 51a from the optical axis OA when the laser L output from the guide optical system 14 is incident. Thus, the first prism 51 can suppress the amount of laser reflected from the incident surface 51a toward the guide optical system 14, and can suppress the amount of laser reflected toward the exit of the laser oscillator 12.

出射面51bは、出射するレーザLを屈折させる傾きの平坦面である。これにより、第1プリズム51は、案内光学系14から出力されたレーザLを屈折させて、光軸OAに対して傾ける。   The emission surface 51b is a flat surface with a slope that refracts the emitted laser L. Accordingly, the first prism 51 refracts the laser L output from the guide optical system 14 and tilts it with respect to the optical axis OA.

第2プリズム52は、レーザLが入射される入射面52aと、レーザLが出射される出射面52bと、を有する。   The second prism 52 has an incident surface 52a on which the laser L is incident and an emission surface 52b on which the laser L is emitted.

入射面52aは、第1プリズム51から出力されたレーザLを屈折させる傾きの平坦面である。これにより、第2プリズム52は、第1プリズム51で屈折されたレーザLを再度屈折させて、集光する位置を制御する。すなわち、第2プリズム52は、レーザ旋回部35を通過前のレーザLの光路に対して、レーザ旋回部35を通過したレーザLの光路をずらして出力する。   The incident surface 52a is a flat surface having an inclination for refracting the laser L output from the first prism 51. Accordingly, the second prism 52 controls the position where the laser L refracted by the first prism 51 is refracted again and condensed. That is, the second prism 52 outputs the optical path of the laser L that has passed through the laser swivel unit 35 by shifting the optical path of the laser L before passing through the laser swivel unit 35.

出射面52bは、入射面52aで屈折したレーザLの光軸に対して僅かに傾く平坦面である。出射面52bは、入射面52aで屈折したレーザLの光軸に対する傾きが1°未満である。つまり、出射面52bは、第1プリズム51から出力されたレーザLが出射する時、出射面52bで反射するレーザLを、入射面52aで屈折したレーザLの光軸からずらすことができる。これにより、第2プリズム52は、出射面52bから案内光学系14に向かって反射するレーザLの反射量を抑え、レーザ発振器12の出射口に向かって反射するレーザLの量を抑制することができる。   The exit surface 52b is a flat surface that is slightly inclined with respect to the optical axis of the laser L refracted by the entrance surface 52a. The exit surface 52b has an inclination of less than 1 ° with respect to the optical axis of the laser L refracted by the entrance surface 52a. That is, when the laser L output from the first prism 51 is emitted, the emission surface 52b can shift the laser L reflected by the emission surface 52b from the optical axis of the laser L refracted by the incidence surface 52a. Thereby, the second prism 52 suppresses the reflection amount of the laser L reflected from the emission surface 52b toward the guide optical system 14, and suppresses the amount of the laser L reflected toward the emission port of the laser oscillator 12. it can.

第1回転機構53は、図3に示すように、第1プリズム51を保持する第1スピンドル55と、第1スピンドル55が内部に挿入され当該第1スピンドル55を回転させる第1中空モータ56と、を有する。第2回転機構54は、第2プリズム52を保持する第2スピンドル57と、第2スピンドル57が内部に挿入され当該第2スピンドル57を回転させる第2中空モータ58と、を有する。第1回転機構53と第2回転機構54とは、互いに同期回転および相対回転可能である。   As shown in FIG. 3, the first rotation mechanism 53 includes a first spindle 55 that holds the first prism 51, a first hollow motor 56 that is inserted into the first spindle 55 and rotates the first spindle 55, Have. The second rotation mechanism 54 includes a second spindle 57 that holds the second prism 52, and a second hollow motor 58 that is inserted into the second spindle 57 and rotates the second spindle 57. The first rotation mechanism 53 and the second rotation mechanism 54 can be synchronously rotated and relatively rotated with each other.

第1スピンドル55と第2スピンドル57とは、レーザLの光路の部分が中空の筒状部材である。第1スピンドル55には、レーザLの進行方向の先側に第1プリズム51が固定されている。第2スピンドル57には、レーザLの進行方向の後側に第2プリズム52が固定されている。第1スピンドル55と第2スピンドル57とは、軸受59および軸受60を介して支持される。軸受59および軸受60は、例えば、転がり玉軸受等の転がり軸受である。   The first spindle 55 and the second spindle 57 are cylindrical members whose optical path portion of the laser L is hollow. A first prism 51 is fixed to the first spindle 55 on the front side in the traveling direction of the laser L. A second prism 52 is fixed to the second spindle 57 on the rear side in the traveling direction of the laser L. The first spindle 55 and the second spindle 57 are supported via a bearing 59 and a bearing 60. The bearing 59 and the bearing 60 are rolling bearings such as rolling ball bearings, for example.

第1中空モータ56は、第1スピンドル55の外周面に固定された中空ロータ61と、中空ロータ61に対向配置されたステータ62と、を有する。第1中空モータ56は、第1スピンドル55とともに第1プリズム51を回転させる。第2中空モータ58は、第2スピンドル57の外周面に固定された中空ロータ63と、中空ロータ63に対向配置されたステータ64と、を有する。第2中空モータ58は、第2スピンドル57とともに第2プリズム52を回転させる。第1プリズム51と第2プリズム52とは、互いに同期回転および相対回転可能である。   The first hollow motor 56 includes a hollow rotor 61 fixed to the outer peripheral surface of the first spindle 55, and a stator 62 disposed to face the hollow rotor 61. The first hollow motor 56 rotates the first prism 51 together with the first spindle 55. The second hollow motor 58 includes a hollow rotor 63 fixed to the outer peripheral surface of the second spindle 57 and a stator 64 disposed so as to face the hollow rotor 63. The second hollow motor 58 rotates the second prism 52 together with the second spindle 57. The first prism 51 and the second prism 52 are capable of synchronous rotation and relative rotation.

また、第1回転機構53および第2回転機構54は、それぞれ、回転部(第1スピンドル55および中空ロータ61、第2スピンドル57および中空ロータ63)と固定部(ステータ62、ステータ64)との相対的な位置、回転数を検出するエンコーダ65を備える。エンコーダ65は、上記回転部側に固定される識別子66と、上記固定部側に固定され、識別子66を検出する検出部67と、を有する。エンコーダ65は、検出部67で識別子66を検出することで、上記回転部の相対的な位置を検出することができる。エンコーダ65は、検出した上記回転部の回転数および回転位置(位相角)の情報を制御装置30に出力する。また、エンコーダ65としては、例えば、回転位置(位相角)を数千分の一度(0.001度以下)の分解能で検出する検出機器を用いることが好ましい。   The first rotating mechanism 53 and the second rotating mechanism 54 are respectively composed of a rotating part (first spindle 55 and hollow rotor 61, second spindle 57 and hollow rotor 63) and a fixing part (stator 62, stator 64). An encoder 65 for detecting the relative position and the rotational speed is provided. The encoder 65 includes an identifier 66 that is fixed to the rotating unit side, and a detection unit 67 that is fixed to the fixed unit side and detects the identifier 66. The encoder 65 can detect the relative position of the rotating unit by detecting the identifier 66 by the detecting unit 67. The encoder 65 outputs the detected information on the rotational speed and rotational position (phase angle) of the rotating unit to the control device 30. As the encoder 65, for example, it is preferable to use a detection device that detects the rotational position (phase angle) with a resolution of several thousandths (0.001 degrees or less).

第1回転機構53と第2回転機構54とは、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を変えることができる。これにより、図6に示すように、レーザ照射点を回転軸の光路の中心Pから第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差に対応する距離(旋回径R)だけ離れた照射位置IPまで偏心させることができる。この第1プリズム51と前記第2プリズム52との位相角の差を維持しながら、第1回転機構53と第2回転機構54とを同回転周期で同期回転させる場合、レーザ照射点は旋回径Rの円軌道を描く。また、第1プリズム51と前記第2プリズム52とを非同期回転(異なる回転周期で回転)させる場合には、レーザ照射点の旋回径を増減させながらレーザ照射点を旋回させることができ、任意の曲線軌道を描くことも可能である。   The first rotation mechanism 53 and the second rotation mechanism 54 can change the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52. Thereby, as shown in FIG. 6, the laser irradiation point is irradiated from the center P of the optical path of the rotation axis by a distance corresponding to the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52 (turning radius R). Eccentricity can be achieved up to the position IP. When the first rotation mechanism 53 and the second rotation mechanism 54 are synchronously rotated at the same rotation period while maintaining the difference in phase angle between the first prism 51 and the second prism 52, the laser irradiation point is the turning diameter. Draw a circular orbit of R. Further, when the first prism 51 and the second prism 52 are asynchronously rotated (rotated at different rotation cycles), the laser irradiation point can be rotated while increasing or decreasing the turning diameter of the laser irradiation point. It is also possible to draw a curved trajectory.

なお、本実施形態において、第1中空モータ56と第2中空モータ58との位相角の差とは、第1中空モータ56と第2中空モータ58との回転位置(位相角)の相対的なずれの角度のことをいう。また、第1中空モータ56と第2中空モータ58との位相角の差の誤差とは、第1中空モータ56と第2中空モータ58との位相のずれの角度の誤差のことをいう。   In the present embodiment, the difference in phase angle between the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 is the relative rotational position (phase angle) between the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58. This is the angle of deviation. The error in the phase angle difference between the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 refers to an error in the phase shift angle between the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58.

また、旋回径Rとは、図2および図4に示すように、光路の中心Pから被加工部材Wに照射されるレーザLの照射位置IPまでの距離のことをいい、被加工部材Wに照射されるレーザLが中心P周りに旋回する半径のことをいう。旋回径Rは、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を変えることにより被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回径Rが変わるので、可変である。旋回数とは、被加工部材Wに照射されるレーザLの照射位置IPが中心P周りに旋回する単位時間当たりの回数のことをいう。   Further, as shown in FIG. 2 and FIG. 4, the turning radius R means a distance from the center P of the optical path to the irradiation position IP of the laser L irradiated to the workpiece W. This is the radius at which the irradiated laser L turns around the center P. The turning radius R is variable because the turning radius R of the laser L irradiated to the workpiece W is changed by changing the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52. The number of turns refers to the number of times per unit time that the irradiation position IP of the laser L irradiated to the workpiece W turns around the center P.

反射光学系36は、図2および図3に示すように、レーザ旋回部35を通過したレーザLを反射する第1反射ミラー71と、第1反射ミラー71で反射したレーザLを再び反射する第2反射ミラー72と、筒部73と、ノズル装着部74と、を有する。反射光学系36は、第1反射ミラー71と第2反射ミラー72とにより、レーザ旋回部35から出力されたレーザLを集光光学系37に向けて反射する。つまり、反射光学系36は、レーザ旋回部35のレーザの光路と、集光光学系37のレーザの光路と、をオフセットする。第2反射ミラー72は、ハーフミラーであり、被加工部材Wの加工部位を撮像手段40で撮像可能とする。筒部73とノズル装着部74とは、継手部75で連結される。   As shown in FIGS. 2 and 3, the reflection optical system 36 includes a first reflection mirror 71 that reflects the laser L that has passed through the laser turning section 35, and a first reflection mirror 71 that reflects the laser L reflected by the first reflection mirror 71 again. It has a two-reflection mirror 72, a cylinder part 73, and a nozzle mounting part 74. The reflection optical system 36 reflects the laser L output from the laser turning unit 35 toward the condensing optical system 37 by the first reflection mirror 71 and the second reflection mirror 72. That is, the reflection optical system 36 offsets the optical path of the laser of the laser turning unit 35 and the optical path of the laser of the condensing optical system 37. The second reflection mirror 72 is a half mirror, and allows the imaging unit 40 to image the processed part of the workpiece W. The cylinder part 73 and the nozzle mounting part 74 are connected by a joint part 75.

集光光学系37は、複数のレンズを有しており、この複数のレンズにより、第2反射ミラー72で反射されたレーザLを集光し、所定の焦点距離、焦点深度となるレーザLを形成する。集光光学系37は、被加工部材Wに所定のスポット径のレーザLを照射する。   The condensing optical system 37 has a plurality of lenses, and the laser L reflected by the second reflecting mirror 72 is collected by the plurality of lenses, and the laser L having a predetermined focal length and focal depth is collected. Form. The condensing optical system 37 irradiates the workpiece W with a laser L having a predetermined spot diameter.

ノズル38は、集光光学系37を介してノズル装着部74に装着される。ノズル38は、被加工部材Wの加工点で生じるスパッタ等により集光光学系37が汚損するのを防ぐための透光部材76を有する。また、ノズル38は、図4および図5に示すように、本体部38aと、第1ノズル部77と、第2ノズル部78と、を有する。本体部38aは、レーザLの進行方向の先側に向かうにつれて次第に径が縮小する中空の円錐形状である。   The nozzle 38 is mounted on the nozzle mounting portion 74 via the condensing optical system 37. The nozzle 38 has a translucent member 76 for preventing the condensing optical system 37 from being contaminated by sputtering or the like generated at a processing point of the workpiece W. Moreover, the nozzle 38 has the main-body part 38a, the 1st nozzle part 77, and the 2nd nozzle part 78, as shown in FIG.4 and FIG.5. The main body portion 38a has a hollow conical shape whose diameter gradually decreases toward the front side in the traveling direction of the laser L.

第1ノズル部77は、レーザLの進行方向の先側の開口径Kが、レーザLの旋回径Rよりも一回り大きい。第1ノズル部77は、レーザLの進行方向の反対側にシールドガスG1の供給口77aを有する。第1ノズル部77は、ガス供給源80のシールドガス供給配管80aを介して供給口77aにシールドガスG1が供給される。つまり、第1ノズル部77は、被加工部材Wに照射されるレーザLを通過させると同時に、透光部材76へのスパッタの付着等を抑えるためのシールドガスG1を通過させることができる。ガス供給源80は、第1ノズル部77に供給するシールドガスG1のガス圧や流量等を調整する図示しない調整手段を有する。調整手段は、例えば、調整弁などを用いることができる。   In the first nozzle portion 77, the opening diameter K on the front side in the traveling direction of the laser L is slightly larger than the turning diameter R of the laser L. The first nozzle portion 77 has a supply port 77a for the shielding gas G1 on the opposite side of the traveling direction of the laser L. In the first nozzle portion 77, the shield gas G <b> 1 is supplied to the supply port 77 a through the shield gas supply pipe 80 a of the gas supply source 80. That is, the first nozzle portion 77 can pass the laser L irradiated to the workpiece W and, at the same time, the shield gas G <b> 1 for suppressing adhesion of spatter to the translucent member 76. The gas supply source 80 includes adjustment means (not shown) that adjusts the gas pressure, flow rate, and the like of the shield gas G1 supplied to the first nozzle portion 77. As the adjusting means, for example, an adjusting valve or the like can be used.

第2ノズル部78は、本体部38aの外周面と内周面との間に形成される。第2ノズル部78は、第1ノズル部77の周囲に等間隔で、中心Pを中心とする同心円状に配置される。第2ノズル部78は、レーザLの進行方向の反対側にアシストガスG2の供給口78aを有する。第2ノズル部78は、ガス供給源80のアシストガス供給配管80bを介して供給口78aにアシストガスG2が供給される。つまり、第2ノズル部78は、被加工部材Wに吹きつけるためのガスとしてアシストガスG2を通過させることができる。ガス供給源80は、第2ノズル部78に供給するアシストガスG2のガス圧や流量等を調整する図示しない調整手段を有する。調整手段は、例えば、調整弁などを用いることができる。   The second nozzle portion 78 is formed between the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the main body portion 38a. The second nozzle part 78 is arranged around the first nozzle part 77 at a regular interval in a concentric manner with the center P as the center. The second nozzle portion 78 has an assist gas G2 supply port 78a on the opposite side of the laser L traveling direction. In the second nozzle portion 78, the assist gas G2 is supplied to the supply port 78a via the assist gas supply pipe 80b of the gas supply source 80. That is, the second nozzle portion 78 can pass the assist gas G2 as a gas for blowing on the workpiece W. The gas supply source 80 includes an adjusting unit (not shown) that adjusts the gas pressure, flow rate, and the like of the assist gas G <b> 2 supplied to the second nozzle unit 78. As the adjusting means, for example, an adjusting valve or the like can be used.

また、第2ノズル部78は、第1ノズル部77よりも小さい穴径である。ここで、第2ノズル部78が第1ノズル部77よりも小さい穴径であるとは、第1ノズル部77からアシストガスG2を噴射する場合と比べて、アシストガスG2の消費量を抑えることができ、且つ、被加工部材Wに向けて噴射するアシストガスG2の流速と圧力とを高めることができる穴径であることをいう。これにより、第2ノズル部78は、アシストガスG2の消費量を抑えつつ、加工に適した圧力、流量のアシストガスG2を噴射することができる。   Further, the second nozzle part 78 has a smaller hole diameter than the first nozzle part 77. Here, the fact that the second nozzle portion 78 has a smaller hole diameter than the first nozzle portion 77 means that the consumption amount of the assist gas G2 is suppressed as compared with the case where the assist gas G2 is injected from the first nozzle portion 77. And the hole diameter can increase the flow velocity and pressure of the assist gas G2 injected toward the workpiece W. Thereby, the 2nd nozzle part 78 can inject the assist gas G2 of the pressure suitable for a process, and flow volume, suppressing the consumption of the assist gas G2.

本実施形態において、シールドガスG1またはアシストガスG2は、例えば、空気、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、キセノンガス、ヘリウムガス、または、これらの混合ガスを用いることができる。シールドガスG1またはアシストガスG2として、酸化反応熱を加工処理に利用できる酸素ガスを用いた場合、金属等の被加工部材Wに対する加工速度をより向上させることができる。また、シールドガスG1またはアシストガスG2として、熱影響層としての酸化被膜の生成を抑える窒素ガスやアルゴンガス等を用いた場合、金属等の被加工部材Wに対する加工精度をより向上させることができる。また、シールドガスG1またはアシストガスG2のガス種、混合比、および、ノズル38からの噴出量(圧力)などは、被加工部材Wの種類や加工モード等の加工条件に応じて変えることができる。   In the present embodiment, for example, air, nitrogen gas, oxygen gas, argon gas, xenon gas, helium gas, or a mixed gas thereof can be used as the shield gas G1 or the assist gas G2. When oxygen gas capable of utilizing oxidation reaction heat for processing is used as the shielding gas G1 or the assist gas G2, the processing speed for the workpiece W such as metal can be further improved. Moreover, when nitrogen gas, argon gas, etc. which suppress the production | generation of the oxide film as a heat influence layer are used as shielding gas G1 or assist gas G2, the processing precision with respect to to-be-processed members W, such as a metal, can be improved more. . Further, the gas type, the mixing ratio, the ejection amount (pressure) from the nozzle 38 and the like of the shield gas G1 or the assist gas G2 can be changed according to the processing conditions such as the type of the workpiece W and the processing mode. .

割出機構39は、図2および図3に示すように、割出軸81と、中空モータ82と、割出角度検出手段83と、を有する。割出軸81は、ノズル装着部74に連結され、ノズル装着部74と一体で回転する。割出軸81は、軸受84でY軸回りに回転可能に支持される。軸受84は、例えば、静圧軸受(流体軸受)である。中空モータ82は、割出軸81の外周面に固定された中空ロータ85と、中空ロータ85に対向して配置されたステータ86と、を有する。   As shown in FIGS. 2 and 3, the indexing mechanism 39 includes an indexing shaft 81, a hollow motor 82, and an indexing angle detection unit 83. The index shaft 81 is connected to the nozzle mounting portion 74 and rotates integrally with the nozzle mounting portion 74. The index shaft 81 is supported by a bearing 84 so as to be rotatable around the Y axis. The bearing 84 is, for example, a static pressure bearing (fluid bearing). The hollow motor 82 includes a hollow rotor 85 fixed to the outer peripheral surface of the indexing shaft 81 and a stator 86 disposed to face the hollow rotor 85.

中空モータ82は、割出軸81を回転中心とし、ノズル装着部74に装着されたノズル38を割出軸81回り(矢印d方向)に首振り可能に駆動する。すなわち、中空モータ82は、ノズル38をY軸回りに首振り可能に駆動する。これにより、割出機構39は、割出軸81を回転中心として反射光学系36のノズル装着部74を回転させ、この回転に伴って、割出軸81の同軸上に配置された第2反射ミラー72を回転させることができるので、割出角度を変更しても第2反射ミラー72で反射したレーザLをノズル38から照射することができる。また、割出機構39は、ノズル装着部74およびノズル38を一体で首振りさせるので、首振り部分の大型化を抑制することができる。   The hollow motor 82 drives the nozzle 38 mounted on the nozzle mounting portion 74 around the indexing shaft 81 (in the direction of the arrow d) so as to swing around the indexing shaft 81 as a rotation center. That is, the hollow motor 82 drives the nozzle 38 so as to be able to swing around the Y axis. As a result, the indexing mechanism 39 rotates the nozzle mounting portion 74 of the reflective optical system 36 around the indexing shaft 81 as the center of rotation, and the second reflection disposed coaxially with the indexing shaft 81 with this rotation. Since the mirror 72 can be rotated, the laser L reflected by the second reflecting mirror 72 can be emitted from the nozzle 38 even if the indexing angle is changed. Further, since the indexing mechanism 39 swings the nozzle mounting portion 74 and the nozzle 38 integrally, the enlargement of the swinging portion can be suppressed.

割出角度検出手段83は、回転部(割出軸81および中空ロータ85)と固定部(ステータ86)との相対的な位置(割出角度)を検出するエンコーダを備える。エンコーダは、検出した上記回転部の割出角度の情報を制御装置30に出力する。このように、割出機構39を用いる場合、加工装置10は、X軸移動機構22、C軸回転機構24、Y軸移動機構26、Z軸移動機構28、割出機構39、を用いて、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、C軸方向、首振り方向からなる5軸方向に加工ステージ20と照射ヘッド16とを相対的に移動させることで、被加工部材Wと照射するレーザLとの相対位置関係を5軸方向に移動させることができる。   The index angle detection means 83 includes an encoder that detects a relative position (index angle) between the rotating portion (index shaft 81 and hollow rotor 85) and the fixed portion (stator 86). The encoder outputs information of the detected index angle of the rotating unit to the control device 30. Thus, when using the indexing mechanism 39, the processing apparatus 10 uses the X-axis moving mechanism 22, the C-axis rotating mechanism 24, the Y-axis moving mechanism 26, the Z-axis moving mechanism 28, and the indexing mechanism 39, Laser that irradiates the workpiece W by relatively moving the processing stage 20 and the irradiation head 16 in the five-axis direction including the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, the C-axis direction, and the swinging direction. The relative positional relationship with L can be moved in the 5-axis direction.

撮像手段40は、例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等を有するカメラである。撮像手段40は、レーザLの照射位置IPや旋回径Rなどを撮像し、この撮像した画像から画像データを生成し、制御装置30に画像データを出力する。撮像手段40は、ノズル装着部74を挟んでノズル38と対向する位置で、ノズル装着部74に装着される。撮像手段40は、光路の中心Pと同軸上に配置される。   The imaging means 40 is a camera having, for example, a CCD (Charge Coupled Device) image sensor. The imaging unit 40 images the irradiation position IP of the laser L, the turning radius R, and the like, generates image data from the captured image, and outputs the image data to the control device 30. The imaging means 40 is mounted on the nozzle mounting portion 74 at a position facing the nozzle 38 with the nozzle mounting portion 74 interposed therebetween. The imaging means 40 is arranged coaxially with the center P of the optical path.

ギャップ検出手段41は、レーザ光を用いたギャップ測定装置である。ギャップ検出手段41は、被加工部材Wに照射されるレーザLの焦点と、被加工部材Wとのギャップを検出する。ギャップ検出手段41は、検出したギャップを制御装置30に出力する。ギャップ検出手段41は、撮像手段40に連結されており、光路の中心Pと同軸上に配置される。   The gap detecting means 41 is a gap measuring device using laser light. The gap detector 41 detects a gap between the focal point of the laser L irradiated to the workpiece W and the workpiece W. The gap detection unit 41 outputs the detected gap to the control device 30. The gap detection means 41 is connected to the imaging means 40 and is arranged coaxially with the center P of the optical path.

支持部材42は、Y軸移動機構26に支持される。支持部材42は、レーザ旋回部35と割出機構39とを支持する。   The support member 42 is supported by the Y-axis movement mechanism 26. The support member 42 supports the laser turning unit 35 and the index mechanism 39.

次に、図6から図8を用いて、加工装置10による加工処理について説明する。図7は、穴あけ加工された被加工部材の断面の説明図である。図8は、加工装置の制御動作の一例を示すフローチャートである。   Next, the processing performed by the processing apparatus 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is an explanatory view of a cross section of a workpiece to be drilled. FIG. 8 is a flowchart showing an example of the control operation of the machining apparatus.

まず、加工装置10(制御装置30)は、図8に示すように、加工モードを決定する(ステップST1)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、オペレータ等の作業員によって入力された、切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形のいずれを実行するかを示す操作を確認し、確認した操作に基づいて、加工モードを決定する。   First, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines a processing mode as shown in FIG. 8 (step ST1). For example, the processing device 10 (the control device 30) performs any of cutting, drilling, welding, cladding, surface modification, surface finishing, and laser additive manufacturing, which are input by an operator or other operator. An operation indicating whether to execute is confirmed, and a processing mode is determined based on the confirmed operation.

次に、加工装置10(制御装置30)は、被加工部材Wの材質や厚みを決定する(ステップST2)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、作業員によって入力された、被加工部材Wの材質や厚みを入力する操作を確認し、確認した操作に基づいて、被加工部材Wの材質や厚みを決定する。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines the material and thickness of the workpiece W (step ST2). For example, the processing device 10 (the control device 30) confirms an operation of inputting the material and thickness of the workpiece W input by the worker, and based on the confirmed operation, the material and thickness of the workpiece W To decide.

次に、加工装置10(制御装置30)は、加工条件を決定する(ステップST3)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、作業員によって入力された、ステップST1で決定した加工モードにおいて被加工部材Wに施す加工処理の位置や形状、深さ等の加工条件を入力する操作を確認し、確認した操作に基づいて、被加工部材Wに施す加工処理の位置や形状、深さ等の加工条件を決定する。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines a processing condition (step ST3). For example, the processing device 10 (the control device 30) inputs the processing conditions such as the position, shape, and depth of processing performed on the workpiece W in the processing mode determined in step ST1 input by the worker. Then, based on the confirmed operation, processing conditions such as the position, shape, and depth of the processing performed on the workpiece W are determined.

次に、加工装置10(制御装置30)は、熱影響層Wa(図7参照)の許容厚みを決定する(ステップST4)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、ステップST1で決定した加工モード、ステップST2で決定した被加工部材Wの材質や厚み、ステップST3で決定した加工条件、をそれぞれ取得し、加工モードと被加工部材Wの材質や厚みと加工条件と熱影響層Waの許容厚みとの相関関係を定めた制御マップ(加工条件制御マップ)を参照して、熱影響層Waの許容厚みを決定する。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines the allowable thickness of the heat affected layer Wa (see FIG. 7) (step ST4). For example, the processing device 10 (the control device 30) acquires the processing mode determined in step ST1, the material and thickness of the workpiece W determined in step ST2, and the processing conditions determined in step ST3, respectively. The allowable thickness of the heat-affected layer Wa is determined with reference to a control map (processing condition control map) that defines the correlation between the material and thickness of the workpiece W, the processing conditions, and the allowable thickness of the heat-affected layer Wa.

次に、加工装置10(制御装置30)は、レーザLの許容旋回数、許容旋回径を決定する(ステップST5)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、ステップST4で決定した熱影響層Waの許容厚みに基づいて、熱影響層Waの厚みとレーザLの旋回数と旋回径Rとの相関関係を定めた制御マップ(旋回条件制御マップ)を参照して、熱影響層Waの厚みTH(図5参照)が許容厚みを超えないレーザLの許容旋回数範囲および許容旋回径範囲を決定する。なお、ステップST5においては、ステップST1で決定した加工モードが穴あけ加工の場合、旋回径Rは必須ではないため、旋回数のみを決定してもよい。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines the allowable number of turns and the allowable turn diameter of the laser L (step ST5). For example, the processing device 10 (the control device 30) determines the correlation between the thickness of the heat-affected layer Wa, the number of revolutions of the laser L, and the turning diameter R based on the allowable thickness of the heat-affected layer Wa determined in step ST4. With reference to the control map (turning condition control map), the allowable turning number range and the allowable turning diameter range of the laser L in which the thickness TH (see FIG. 5) of the heat-affected layer Wa does not exceed the allowable thickness are determined. In step ST5, when the machining mode determined in step ST1 is drilling, the turning radius R is not essential, so only the number of turns may be determined.

次に、加工装置10(制御装置30)は、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数、位相角の差を決定する(ステップST6)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、ステップST5で決定したレーザLの許容旋回数範囲に含まれる旋回数を第1プリズム51および第2プリズム52の回転数として決定し、レーザLの旋回径Rと第1プリズム51および第2プリズム52の位相角の差との相関関係を定めた制御マップ(位相角制御マップ)を参照し、ステップST5で決定したレーザLの許容旋回径範囲に含まれる位相角の差を第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差として決定する。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines the difference between the rotational speeds and phase angles of the first prism 51 and the second prism 52 (step ST6). For example, the processing device 10 (the control device 30) determines the number of turns included in the allowable number of turns of the laser L determined in step ST5 as the number of rotations of the first prism 51 and the second prism 52, and turns the laser L. Referring to a control map (phase angle control map) that defines the correlation between the diameter R and the difference in phase angle between the first prism 51 and the second prism 52, it is included in the allowable turning radius range of the laser L determined in step ST5. The phase angle difference to be determined is determined as the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52.

次に、加工装置10(制御装置30)は、レーザ出力を決定する(ステップST7)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、ステップST4で決定した熱影響層Waの許容厚みを取得し、熱影響層Waの厚みとレーザLの出力との相関関係を定めた制御マップ(レーザ出力制御マップ)を参照し、レーザLのピーク出力およびパルス幅を選択し、レーザ出力を決定する。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines a laser output (step ST7). For example, the processing device 10 (the control device 30) acquires the allowable thickness of the heat-affected layer Wa determined in step ST4, and determines a correlation between the thickness of the heat-affected layer Wa and the output of the laser L (laser). With reference to the output control map), the peak output and pulse width of the laser L are selected, and the laser output is determined.

次に、加工装置10(制御装置30)は、アシストガス噴射条件を決定する(ステップST8)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、ステップST2で決定した被加工部材Wの材質や厚み、ステップST3で決定した加工条件、ステップST5で決定したレーザLの許容旋回数、許容旋回径、ステップST7で決定したレーザ出力などに基づいて、アシストガスG2の圧力や流量を決定する。また、同時に、加工装置10(制御装置30)は、ステップST2で決定した被加工部材Wの材質や厚み、ステップST3で決定した加工条件、ステップST5で決定したレーザLの許容旋回数、許容旋回径、ステップST7で決定したレーザ出力などに基づいて、シールドガスG1の圧力や流量を決定する。なお、ステップST8においては、被加工部材Wの熱影響層Waの厚みと、被加工部材Wの表面および裏面の溶融物の飛散量もしくは飛散長さと、被加工部材Wに吹きつけるアシストガスG2の圧力と、被加工部材Wに吹きつけるアシストガスG2の流量と、の関係に基づいて、被加工部材Wの熱影響層Waの許容厚みと、前記飛散量もしくは前記飛散長さと、を満足する範囲にアシストガスG2の圧力と流量とを決定し、アシストガスG2の圧力と流量とを制御してもよい。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) determines assist gas injection conditions (step ST8). For example, the processing device 10 (the control device 30) determines the material and thickness of the workpiece W determined in step ST2, the processing conditions determined in step ST3, the allowable number of revolutions of the laser L determined in step ST5, the allowable rotational diameter, Based on the laser output determined in step ST7, the pressure and flow rate of the assist gas G2 are determined. At the same time, the processing device 10 (control device 30) determines the material and thickness of the workpiece W determined in step ST2, the processing conditions determined in step ST3, the allowable number of revolutions of the laser L determined in step ST5, and the allowable number of turns. Based on the diameter and the laser output determined in step ST7, the pressure and flow rate of the shield gas G1 are determined. Note that, in step ST8, the thickness of the heat-affected layer Wa of the workpiece W, the amount of splash or the length of the melt on the front and back surfaces of the workpiece W, and the assist gas G2 sprayed on the workpiece W Based on the relationship between the pressure and the flow rate of the assist gas G2 blown to the workpiece W, a range that satisfies the allowable thickness of the heat-affected layer Wa of the workpiece W and the scattering amount or the scattering length Alternatively, the pressure and flow rate of the assist gas G2 may be determined, and the pressure and flow rate of the assist gas G2 may be controlled.

次に、加工装置10(制御装置30)は、被加工部材Wに対して加工を実行する(ステップST9)。例えば、加工装置10(制御装置30)は、ステップST8で決定したアシストガス噴射条件に基づいてガス供給源80からアシストガスG2を供給してノズル38(第2ノズル部78)から噴射し、ステップST8でアシストガス噴射条件と同時に決定したシールドガスG1の噴射条件に基づいてガス供給源80からシールドガスG1を供給してノズル38(第1ノズル部77)から噴射し、ステップST7で決定したレーザ出力に基づいてレーザ発振器12を発振させてレーザLを出射させると同時に、ステップST6で決定した回転数と位相角の差とに基づき第1中空モータ56および第2中空モータ58の回転を調整し、被加工部材Wに対してレーザLを照射し、加工を実行する。上述したステップST1からステップST9により、加工装置10(制御装置30)は、被加工部材Wに加工処理を施す。   Next, the processing apparatus 10 (control apparatus 30) performs processing on the workpiece W (step ST9). For example, the processing device 10 (the control device 30) supplies the assist gas G2 from the gas supply source 80 based on the assist gas injection conditions determined in step ST8, and injects it from the nozzle 38 (second nozzle portion 78). Based on the injection condition of the shield gas G1 determined simultaneously with the assist gas injection condition in ST8, the shield gas G1 is supplied from the gas supply source 80 and injected from the nozzle 38 (first nozzle portion 77), and the laser determined in step ST7 Based on the output, the laser oscillator 12 is oscillated to emit the laser L, and at the same time, the rotations of the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 are adjusted based on the rotational speed and the phase angle difference determined in step ST6. Then, the workpiece L is irradiated with a laser L to execute processing. The processing apparatus 10 (control apparatus 30) performs the processing on the workpiece W through the above-described steps ST1 to ST9.

ここで、ステップST1で決定した加工モードが穴あけ加工の場合、ステップST9において、レーザ発振器12から出射されたレーザLは、案内光学系14を介して照射ヘッド16の入射端に入射し、図2、図4および図6に示すように、ステップST6で決定した回転数と位相角の差とで矢印a方向に回転する第1プリズム51および第2プリズム52により屈折し、屈折前のレーザLの光軸OAと同軸となる光路の中心Pから偏心した位置に照射される。この状態で第1プリズム51と第2プリズム52とを同じ回転周期で回転させると、レーザ照射点が屈折前のレーザLの光軸OAと同軸となる回転軸の光路の中心P周りに旋回し、中心Pを旋回中心とする仮想円IC上をレーザLの照射位置IPが移動し、被加工部材Wに穴Wbがあけられる。なお、ステップST1で決定した加工モードが穴あけ加工の場合、穴径は設定値によりほぼ決まる。これに対して溶接加工、クラッディング加工などは、熱影響層Waや表面、裏面の飛散物量の制御を旋回数に加えて、旋回径Rも用いることが可能である。   Here, when the machining mode determined in step ST1 is drilling, in step ST9, the laser L emitted from the laser oscillator 12 is incident on the incident end of the irradiation head 16 via the guide optical system 14, and FIG. 4 and FIG. 6, the first prism 51 and the second prism 52 that rotate in the direction of the arrow a are refracted by the rotational speed determined in step ST6 and the difference in phase angle, and the laser L before refraction is refracted. Irradiation is performed at a position eccentric from the center P of the optical path coaxial with the optical axis OA. When the first prism 51 and the second prism 52 are rotated at the same rotation period in this state, the laser irradiation point turns around the optical path center P of the rotation axis that is coaxial with the optical axis OA of the laser L before refraction. The irradiation position IP of the laser L moves on the virtual circle IC with the center P as the turning center, and a hole Wb is made in the workpiece W. When the machining mode determined in step ST1 is drilling, the hole diameter is almost determined by the set value. On the other hand, in the welding process, the cladding process, and the like, it is possible to use the turning radius R in addition to the number of turnings to control the amount of scattered matter on the heat-affected layer Wa and the front and back surfaces.

次に、図9から図16を用いて、加工装置10によるレーザLの照射動作について説明する。図9は、加工装置が照射するレーザの照射動作の説明図である。図10は、加工装置が照射するレーザの軌跡の一例を示す模式図である。図11は、加工装置が照射するレーザの軌跡の一例を示す模式図である。図12は、加工装置が照射するレーザの軌跡の一例を示す模式図である。図13は、複数回に分けて穴あけ加工する際のレーザの軌跡の一例を示す模式図である。図14は、斜めに穴あけ加工する際の動作の説明図である。図15は、レーザ旋回部の動作の説明図である。図16は、ノズルが噴射するアシストガスの圧力の説明図である。   Next, the laser L irradiation operation by the processing apparatus 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is an explanatory diagram of a laser irradiation operation performed by the processing apparatus. FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of a locus of a laser irradiated by the processing apparatus. FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of a locus of a laser irradiated by the processing apparatus. FIG. 12 is a schematic diagram illustrating an example of a locus of a laser irradiated by the processing apparatus. FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of a laser trajectory when drilling in multiple times. FIG. 14 is an explanatory diagram of an operation when drilling obliquely. FIG. 15 is an explanatory diagram of the operation of the laser turning unit. FIG. 16 is an explanatory diagram of the pressure of the assist gas ejected by the nozzle.

一定周期でON/OFFさせて被加工部材WにレーザLを照射する場合、図9に示すように、加工装置10は、レーザLのON/OFFの周期を、照射位置IPの旋回周期の非整数倍とすることが好ましい。すなわち、加工装置10は、レーザLのON/OFFの周期と、照射位置IPの旋回周期とをずらすことにより、一周目はレーザLを照射位置IPaに照射し、二周目はレーザLを照射位置IPbに照射することができる。つまり、加工装置10は、三周目以降も動揺にレーザLのON/OFFを繰り返すことで、照射位置を順次ずらすことができる。これにより、加工装置10は、レーザLの照射位置が各周回でずれ、被加工部材Wの加工対象の領域に効率よくレーザLを照射することができる。   When irradiating the workpiece L with the laser L by turning it ON / OFF at a constant cycle, as shown in FIG. 9, the processing apparatus 10 sets the ON / OFF cycle of the laser L to the non-rotation cycle of the irradiation position IP. An integer multiple is preferable. That is, the processing apparatus 10 irradiates the irradiation position IPa with the laser L in the first round and the laser L in the second round by shifting the ON / OFF period of the laser L and the turning period of the irradiation position IP. The position IPb can be irradiated. That is, the processing apparatus 10 can sequentially shift the irradiation position by repeating ON / OFF of the laser L swaying after the third round. Thereby, the processing apparatus 10 can irradiate the laser L efficiently to the region to be processed of the workpiece W by shifting the irradiation position of the laser L in each round.

また、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を連続的に変化させつつ第1プリズム51および第2プリズム52を回転させる場合、図10に示すように、加工装置10は、中心Pから徐々に離れる渦巻状の軌跡TRでレーザLを被加工部材Wに照射することができる。これにより、加工装置10は、渦巻状にレーザLを照射することで、レーザLが入りにくくなる厚みを有する被加工部材Wに対しても精度良く加工することができる。   Further, when the first prism 51 and the second prism 52 are rotated while continuously changing the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52, as shown in FIG. The workpiece L can be irradiated with the laser L along a spiral trajectory TR that gradually moves away from the center P. Thereby, the processing apparatus 10 can process with high precision also to the to-be-processed member W which has the thickness which becomes difficult for the laser L to enter by irradiating the laser L in a spiral shape.

同様に、図11および図12に示すように、加工装置10は、楕円状やハート状の軌跡TRで被加工部材WにレーザLを照射することもできる。つまり、加工装置10は、第1プリズム51および第2プリズム52を回転させつつ第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を連続的に変えることで、レーザLの旋回径Rを変え、種々の軌跡TRでレーザLを被加工部材Wに照射することができる。すなわち、加工装置10は、第1プリズム51と第2プリズム52との回転および位相角の差を制御することで、種々の形状の軌跡TRでレーザLを被加工部材Wに照射することができる。   Similarly, as shown in FIGS. 11 and 12, the processing apparatus 10 can also irradiate the workpiece W with a laser L along an elliptical or heart-shaped trajectory TR. That is, the processing apparatus 10 continuously changes the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52 while rotating the first prism 51 and the second prism 52, thereby changing the turning radius R of the laser L. In other words, the workpiece W can be irradiated with the laser L along various trajectories TR. In other words, the processing apparatus 10 can irradiate the workpiece W with the laser L along the trajectory TR having various shapes by controlling the rotation and the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52. .

また、被加工部材Wに対して施す加工処理に適したレーザLの旋回径Rを光学上の理論値から算出した後、熱影響層Waを考慮してその旋回径Rを補正する場合、図13に示すように、加工装置10は、一周目は穴あけ加工する目標穴の穴径よりも小さい円形状の軌跡TRaでレーザLを被加工部材Wに照射し、二周目は穴あけ加工する目標穴の穴径と同じ大きさの円形状の軌跡TRbでレーザLを被加工部材Wに照射する。この場合、一周目のレーザLの旋回径Raは目標穴よりも小さい旋回径とし、二周目のレーザLの旋回径Rbは目標穴をあけるための旋回径を光学上の理論値から算出した後に目標穴において熱影響層Waの厚みTHが許容厚みの範囲内となるように補正した旋回径とすることが好ましい。これにより、レーザLが被加工部材Wに最初に照射される一周目では熱の拡がりが大きくなるが、加工装置10は、一周目では目標穴よりも小さい穴をあけることで熱の拡がりを抑え、二周目で目標穴をあけることができる。つまり、加工装置10は、一周目で粗加工し、二周目で仕上げ加工することができるので、高精度で加工することができる。   In addition, when the turning radius R of the laser L suitable for the processing performed on the workpiece W is calculated from a theoretical optical value, the turning radius R is corrected in consideration of the heat affected layer Wa. As shown in FIG. 13, the processing apparatus 10 irradiates the workpiece W with the laser L with a circular trajectory TRa smaller than the hole diameter of the target hole to be drilled in the first round, and the target to drill in the second round. The workpiece W is irradiated with the laser L along a circular trajectory TRb having the same size as the hole diameter. In this case, the turning radius Ra of the laser L in the first round is set to be smaller than the target hole, and the turning radius Rb of the laser L in the second round is calculated from a theoretical optical value for turning the target hole. It is preferable that the turning diameter is corrected so that the thickness TH of the heat-affected layer Wa is within the allowable thickness range in the target hole later. As a result, the heat spread is increased in the first round when the laser beam L is first irradiated to the workpiece W, but the processing apparatus 10 suppresses the heat spread by making a hole smaller than the target hole in the first round. In the second round, the target hole can be drilled. That is, since the processing apparatus 10 can perform rough processing in the first round and finish processing in the second round, processing can be performed with high accuracy.

また、複数の異なる材料の層を有する被加工部材Wに斜めの穴Wcをあける場合、例えば、セラミック層W1と金属層W2とを有する薄板状の被加工部材Wに対して傾斜角αが20°から40°の斜めの穴Wcをあける場合、図14から図16に示すように、加工装置10は、割出機構39によりノズル38の割出角度を20°から40°とし、セラミック層W1では、照射するレーザLの旋回数を相対的に遅くして照射位置IPにおける単位時間当たりのエネルギを高くすると同時に、アシストガスG2の圧力と流量とを相対的に低くして穴あけ加工する。また、加工装置10は、金属層W2では、照射するレーザLの旋回数を相対的に速くして照射位置IPにおける単位時間当たりのエネルギを低くすると同時に、アシストガスG2の圧力と流量とを相対的に高くして穴あけ加工する。   In addition, when an oblique hole Wc is formed in the workpiece W having a plurality of layers of different materials, for example, the inclination angle α is 20 with respect to the thin plate-like workpiece W having the ceramic layer W1 and the metal layer W2. When making an oblique hole Wc of from 40 ° to 40 °, as shown in FIGS. 14 to 16, the processing apparatus 10 sets the indexing angle of the nozzle 38 to 20 ° to 40 ° by the indexing mechanism 39, and the ceramic layer W1. Then, the number of revolutions of the laser L to be irradiated is relatively slowed to increase the energy per unit time at the irradiation position IP, and at the same time, the pressure and flow rate of the assist gas G2 are relatively lowered to perform drilling. Further, in the metal layer W2, the processing apparatus 10 relatively reduces the energy per unit time at the irradiation position IP by relatively increasing the number of revolutions of the laser L to be irradiated, and at the same time, relatively compares the pressure and flow rate of the assist gas G2. To make it higher.

これにより、加工装置10は、熱影響層Waの厚みTHを抑えつつ熱伝導性の比較的に低いセラミック層W1に高精度で穴をあけることができ、熱影響層Waの厚みTHを抑えつつ熱伝導性の比較的に高い金属層W2に高精度で穴をあけることができる。さらに、加工装置10は、セラミック層W1および金属層W2のそれぞれの穴あけにかかる所要時間を短縮することができる。つまり、加工装置10は、セラミック層W1および金属層W2のそれぞれに適した加工条件で加工する多段階加工を行うことができるので、セラミック層W1および金属層W2を一直線状に貫く加工品質の高い斜めの穴Wcをあけることができる。   Thereby, the processing apparatus 10 can make a hole with high accuracy in the ceramic layer W1 having a relatively low thermal conductivity while suppressing the thickness TH of the heat-affected layer Wa, while suppressing the thickness TH of the heat-affected layer Wa. It is possible to make a hole in the metal layer W2 having a relatively high thermal conductivity with high accuracy. Furthermore, the processing apparatus 10 can shorten the time required for drilling each of the ceramic layer W1 and the metal layer W2. That is, since the processing apparatus 10 can perform multi-step processing that is performed under processing conditions suitable for the ceramic layer W1 and the metal layer W2, the processing quality is high so as to penetrate the ceramic layer W1 and the metal layer W2 in a straight line. An oblique hole Wc can be formed.

また、加工装置10は、セラミック層W1と金属層W2との境界付近では、金属層W2側に照射するレーザLの軌跡TRが、セラミック層W1側に照射するレーザLの軌跡TRよりも相対的に小さくなる非真円形状とする。これにより、加工装置10は、金属層W2の熱影響層Waの厚みTHを抑えることができ、セラミック層W1よりも穴あけ加工速度が相対的に速い金属層W2の穴あけの進行速度を抑えることができる。つまり、加工装置10は、セラミック層W1と金属層W2とを同様に穴あけできる。すなわち、加工装置10は、セラミック層W1および金属層W2のそれぞれに適した加工条件で加工する多段階加工を行うことができ、セラミック層W1および金属層W2を一直線状に貫く加工品質の高いストレート穴をあけることができる。   Further, in the processing apparatus 10, near the boundary between the ceramic layer W <b> 1 and the metal layer W <b> 2, the trajectory TR of the laser L irradiating the metal layer W <b> 2 side is relative to the trajectory TR of the laser L irradiating the ceramic layer W <b> 1 side. The non-circular shape becomes smaller. Thereby, the processing apparatus 10 can suppress the thickness TH of the heat-affected layer Wa of the metal layer W2, and can suppress the drilling speed of the metal layer W2, which is relatively faster than the ceramic layer W1. it can. That is, the processing apparatus 10 can similarly drill the ceramic layer W1 and the metal layer W2. That is, the processing apparatus 10 can perform multi-stage processing that is processed under processing conditions suitable for the ceramic layer W1 and the metal layer W2, and has a high processing quality straight through the ceramic layer W1 and the metal layer W2. A hole can be drilled.

また、加工装置10は、上記多段階加工において、各段階に適したガス種のアシストガスG2を用いることにより、より適した加工条件で被加工部材Wに加工処理することができる。   Further, the processing apparatus 10 can perform processing on the workpiece W under more suitable processing conditions by using the assist gas G2 of the gas type suitable for each step in the multi-step processing.

また、加工装置10は、互いに異なるガス種のシールドガスG1とアシストガスG2とをノズル38に供給し、被加工部材Wの加工部位でシールドガスG1とアシストガスG2とを混合させて混合ガスを作成し、作成した混合ガスの雰囲気下で被加工部材Wを加工することができる。これにより、加工装置10は、容易に混合ガスを得ることができ、ガス比、ガス種、圧力や流量などを容易に変更することもできる。つまり、加工装置10は、加工に適した混合ガスを用いて加工することができる。   Further, the processing apparatus 10 supplies a shielding gas G1 and an assist gas G2 of different gas types to the nozzle 38, and mixes the shielding gas G1 and the assist gas G2 at a processing site of the workpiece W to generate a mixed gas. The workpiece W can be processed under the atmosphere of the prepared mixed gas. Thereby, the processing apparatus 10 can obtain a mixed gas easily, and can also change a gas ratio, a gas kind, a pressure, a flow volume, etc. easily. That is, the processing apparatus 10 can perform processing using a mixed gas suitable for processing.

また、加工装置10は、被加工部材Wの材質や加工モードによりスパッタの発生量が異なるので、スパッタの発生量に応じてシールドガスG1の圧力と流量とを調整することができる。これにより、加工装置10は、透光部材76へのスパッタの付着を抑え、透光部材76の交換等のメンテナンス間隔を延ばすことができる。   Further, since the amount of spatter generated varies depending on the material of the workpiece W and the processing mode, the processing apparatus 10 can adjust the pressure and flow rate of the shield gas G1 according to the amount of spatter generated. Thereby, the processing apparatus 10 can suppress the adhesion of spatter to the translucent member 76 and can extend a maintenance interval such as replacement of the translucent member 76.

また、加工装置10は、撮像手段40により被加工部材W上の加工部位を観察しつつ、照射するレーザLの焦点と被加工部材Wとのギャップをギャップ検出手段41検出して加工処理を行うことができるので、加工調整作業などが容易に行えるようになる。   Further, the processing apparatus 10 performs processing by detecting the gap between the focal point of the laser L to be irradiated and the processing target member W while observing the processing site on the processing target member W by the imaging unit 40. Therefore, processing adjustment work and the like can be easily performed.

また、加工装置10は、第1回転機構53が第1中空モータ56で駆動され、第2回転機構54が第2中空モータ58で駆動され、割出機構39が中空モータ82で駆動されることから、第1回転機構53、第2回転機構54、割出機構39のそれぞれにはバックラッシュがないので、第1回転機構53および第2回転機構54による第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を高精度に制御することができ、割出機構39によるノズル38の割出角度を高精度に制御することができる。これにより、加工装置10は、被加工部材Wに照射するレーザLの旋回径Rを高精度に制御することができ、被加工部材Wに照射するレーザLの割出角度を高精度に制御することができる。   In the processing apparatus 10, the first rotation mechanism 53 is driven by the first hollow motor 56, the second rotation mechanism 54 is driven by the second hollow motor 58, and the indexing mechanism 39 is driven by the hollow motor 82. Therefore, each of the first rotation mechanism 53, the second rotation mechanism 54, and the indexing mechanism 39 has no backlash, so that the first prism 51 and the second prism 52 by the first rotation mechanism 53 and the second rotation mechanism 54 Therefore, the index angle of the nozzle 38 by the index mechanism 39 can be controlled with high accuracy. Thereby, the processing apparatus 10 can control the turning diameter R of the laser L irradiated to the workpiece W with high accuracy, and can control the index angle of the laser L applied to the workpiece W with high accuracy. be able to.

また、加工装置10は、被加工部材Wに対して旋回するレーザLのパワーを周回ごとに変調することが好ましい。例えば、加工装置10は、熱影響層Waの広がりを抑えるために、被加工部材Wの加工部位に対するレーザLのパワー(出力)を周回ごとに変調する。加工装置10は、レーザLの出力の変調として、例えば、パルス変調、リニア変調、高周波重畳変調などを用いることで、被加工部材Wに施す加工処理に適したレーザLを出力する。これにより、加工装置10は、被加工部材Wに対する加工品質を安定化することができる。   Moreover, it is preferable that the processing apparatus 10 modulates the power of the laser L turning with respect to the workpiece W for each turn. For example, the processing apparatus 10 modulates the power (output) of the laser L with respect to the processing portion of the workpiece W for each turn in order to suppress the spread of the heat-affected layer Wa. The processing apparatus 10 outputs a laser L suitable for processing performed on the workpiece W by using, for example, pulse modulation, linear modulation, high-frequency superposition modulation, or the like as the modulation of the output of the laser L. Thereby, the processing apparatus 10 can stabilize the processing quality with respect to the workpiece W.

また、加工装置10は、第1中空モータ56と第2中空モータ58との位相角の差の誤差を0.1°以内とすることが好ましい。つまり、加工装置10は、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差の誤差を0.1°以内とすることが好ましい。この場合、制御装置30は、エンコーダ65から出力された第1スピンドル55および第2スピンドル57の回転数と回転位置(位相角)とに基づいて、上述したステップST6で決定した第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差の誤差を0.1°以内とする。これにより、加工装置10は、第1プリズム51および第2プリズム52の光学特性にもよるが、旋回径Rのずれを数十μm以内とすることができ、被加工部材Wに対して精度良くレーザLを照射して加工することができる。   Moreover, it is preferable that the processing apparatus 10 sets the difference in phase angle between the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 within 0.1 °. That is, it is preferable that the processing apparatus 10 sets the error of the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52 to be within 0.1 °. In this case, the control device 30 includes the first prism 51 determined in step ST6 described above based on the rotation speed and rotation position (phase angle) of the first spindle 55 and the second spindle 57 output from the encoder 65. The error of the phase angle difference from the second prism 52 is set to within 0.1 °. Thereby, although the processing apparatus 10 is based on the optical characteristic of the 1st prism 51 and the 2nd prism 52, the shift | offset | difference of turning radius R can be made into several dozen micrometer, and it is accurately with respect to the to-be-processed member W. The laser L can be irradiated for processing.

また、加工装置10は、レーザLの出力周波数が1kHz未満では、第1プリズム51および第2プリズム52を20rpm以上で回転させることが好ましく、レーザLの出力周波数が1kHz以上では、第1プリズム51および第2プリズム52を200rpm以上で回転させることが好ましい。つまり、加工装置10は、被加工部材Wに照射するレーザLの旋回数を、レーザLの出力周波数が1kHz未満では20rpm以上とすることが好ましく、レーザLの出力周波数が1kHz以上では200rpm以上とすることが好ましい。   The processing apparatus 10 preferably rotates the first prism 51 and the second prism 52 at 20 rpm or more when the output frequency of the laser L is less than 1 kHz, and the first prism 51 when the output frequency of the laser L is 1 kHz or more. It is preferable to rotate the second prism 52 at 200 rpm or more. That is, the processing apparatus 10 preferably sets the number of revolutions of the laser L irradiated to the workpiece W to 20 rpm or more when the output frequency of the laser L is less than 1 kHz, and 200 rpm or more when the output frequency of the laser L is 1 kHz or more. It is preferable to do.

加工装置10は、レーザLの出力周波数に応じて第1プリズム51および第2プリズム52の回転数を調節することで、加工をより高速に行うことができ、さらに加工精度をより向上することができる。すなわち、加工装置10は、レーザLの出力周波数が相対的に高い場合は、被加工部材Wに照射されるレーザLのエネルギが相対的に高くなることから、レーザLを相対的に高速旋回させ、レーザLの出力周波数が相対的に低い場合は、被加工部材Wに照射されるレーザLのエネルギが相対的に低くなることから、レーザLを相対的に低速旋回させる。また、被加工部材Wに照射されるレーザLを相対的に高速旋回させることで、一定範囲において均一にレーザLを照射することができ、レーザLの出力が一部に集中することを抑制できる。これにより、加工装置10は、熱影響層Waの厚みTHの制御を行いやすくなり、加工精度を高くすることもできる。また、被加工部材Wに照射されるレーザLを相対的に高速旋回させることで、レーザLを相対的に高出力にしても熱影響(熱ダメージの影響)を抑制し、熱影響層Waの厚みTHを抑え、加工品質を維持しつつ加工速度を高速化することができる。   The processing apparatus 10 can perform the processing at a higher speed by adjusting the rotational speeds of the first prism 51 and the second prism 52 in accordance with the output frequency of the laser L, and further improve the processing accuracy. it can. That is, when the output frequency of the laser L is relatively high, the processing apparatus 10 relatively rotates the laser L at a high speed because the energy of the laser L applied to the workpiece W is relatively high. When the output frequency of the laser L is relatively low, the energy of the laser L applied to the workpiece W is relatively low, so that the laser L is rotated relatively slowly. In addition, by rotating the laser L irradiated to the workpiece W at a relatively high speed, it is possible to irradiate the laser L uniformly in a certain range, and to suppress the output of the laser L from being concentrated on a part. . As a result, the processing apparatus 10 can easily control the thickness TH of the heat-affected layer Wa, and the processing accuracy can be increased. Further, by rotating the laser L irradiated to the workpiece W at a relatively high speed, even if the laser L is output at a relatively high power, the thermal influence (the influence of thermal damage) is suppressed, and the heat affected layer Wa The processing speed can be increased while suppressing the thickness TH and maintaining the processing quality.

また、加工装置10は、被加工部材Wとして鋼板などの金属材料を用いることで、好適に切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工あるいはレーザ積層造形することができ、且つ、切断面をより好適な形状とすることができる。これにより、加工装置10は、加工精度を高くすることができる。また、加工装置10は、旋回させながらレーザLを照射することで、レーザLの出力が一部に集中することを抑制することができることから、高出力のレーザLを用いることができるようになるので、溶接加工やクラッディング加工に好適に使用することができ、耐熱性の高い材料にも好適に使用することができる。   Further, the processing apparatus 10 uses a metal material such as a steel plate as the workpiece W, so that cutting, drilling, welding, cladding, surface modification, surface finishing, or laser lamination modeling is preferably performed. And the cut surface can be made into a more suitable shape. Thereby, the processing apparatus 10 can make processing precision high. Further, since the processing apparatus 10 can suppress the output of the laser L from being concentrated on a part by irradiating the laser L while turning, the high-power laser L can be used. Therefore, it can be suitably used for welding and cladding, and can also be suitably used for materials having high heat resistance.

また、加工装置10は、第1回転機構53を第1中空モータ56で回転駆動し、第2回転機構54を第2中空モータ58で回転駆動することから、第1中空モータ56および第2中空モータ58の径方向を小型化することができるので、照射ヘッド16を小型化することができる。つまり、加工装置10の大型化を抑制することができる。   Further, since the processing apparatus 10 rotates the first rotation mechanism 53 with the first hollow motor 56 and rotates the second rotation mechanism 54 with the second hollow motor 58, the first hollow motor 56 and the second hollow motor 56 are driven. Since the radial direction of the motor 58 can be reduced, the irradiation head 16 can be reduced in size. That is, the enlargement of the processing apparatus 10 can be suppressed.

また、加工装置10は、制御装置30が第1回転機構53および第2回転機構54の回転数を決定することにより、熱影響層Waの厚みTHを許容厚み以下としつつ被加工部材Wを加工することができる。   Further, in the processing apparatus 10, the control device 30 determines the number of rotations of the first rotation mechanism 53 and the second rotation mechanism 54, thereby processing the workpiece W while setting the thickness TH of the heat-affected layer Wa to an allowable thickness or less. can do.

次に、図17から図24を用いて、加工装置10による他の加工例について説明する。図17は、加工装置による切断加工の動作の説明図である。図18は、切断加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。図19は、加工装置による溶接加工の動作の説明図である。図20は、溶接加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。図21は、加工装置によるクラッディング加工の動作の説明図である。図22は、クラッディング加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。図23は、加工装置による表面改質加工の動作の説明図である。図24は、表面改質加工された被加工部材の熱影響層の説明図である。   Next, another example of processing by the processing apparatus 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 17 is an explanatory diagram of an operation of cutting by the processing apparatus. FIG. 18 is an explanatory diagram of a heat-affected layer of a workpiece to be cut. FIG. 19 is an explanatory diagram of a welding operation performed by the processing apparatus. FIG. 20 is an explanatory diagram of a heat-affected layer of a workpiece processed by welding. FIG. 21 is an explanatory diagram of the operation of the cladding process by the processing apparatus. FIG. 22 is an explanatory diagram of the heat-affected layer of the workpiece processed by the cladding process. FIG. 23 is an explanatory diagram of the operation of surface modification processing by the processing apparatus. FIG. 24 is an explanatory diagram of a heat-affected layer of a workpiece subjected to surface modification processing.

加工装置10は、加工モードが切断加工の場合、図17および図18に示すように、XY平面(水平面)のうちの任意の方向である矢印b方向に照射ヘッド16を走査させることにより、軌跡TRのようにレーザLを旋回させつつ矢印b方向に照射し、熱影響層Waの厚みTHを許容厚み以下に抑えることができる。これにより、加工装置10は、レーザLを照射幅Dで被加工部材Wに照射し、照射幅Dで被加工部材Wを切断することができる。また、加工装置10は、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数を制御することにより、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回数を制御し、熱影響層Waの厚みTHの許容厚みを制御することができる。   When the processing mode is cutting, the processing apparatus 10 scans the irradiation head 16 in the direction of the arrow b, which is an arbitrary direction in the XY plane (horizontal plane), as shown in FIGS. 17 and 18. It is possible to irradiate in the direction of the arrow b while turning the laser L like TR, and to suppress the thickness TH of the heat-affected layer Wa to an allowable thickness or less. Thereby, the processing apparatus 10 can irradiate the workpiece W with the irradiation width D with the laser L and cut the workpiece W with the irradiation width D. Further, the processing apparatus 10 controls the number of revolutions of the laser L applied to the workpiece W by controlling the number of rotations of the first prism 51 and the second prism 52, and the thickness TH of the heat affected layer Wa is controlled. The allowable thickness can be controlled.

また、加工装置10は、加工モードが溶接加工の場合、図19および図20に示すように、矢印b方向(XY平面のうちの任意の方向)に照射ヘッド16を走査させながらレーザLの照射位置IPに溶接ワイヤ91等を供給することにより、軌跡TRのようにレーザLを旋回させつつ矢印b方向に照射する。これにより、加工装置10は、例えば、I形などの開先形状である一方の被加工部材W3と他方の被加工部材W4とを溶接部Wdで溶接することができる。また、加工装置10は、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数を制御することにより、一方の被加工部材W3と他方の被加工部材W4との開先に照射されるレーザLの旋回数を制御し、熱影響層Waの厚みTHを許容厚みを制御することができる。   Further, when the processing mode is welding, the processing apparatus 10 irradiates the laser L while scanning the irradiation head 16 in the arrow b direction (any direction on the XY plane) as shown in FIGS. 19 and 20. By supplying the welding wire 91 or the like to the position IP, irradiation is performed in the direction of the arrow b while turning the laser L as shown by the trajectory TR. Thereby, the processing apparatus 10 can weld one processed member W3 which is groove shape, such as I shape, and the other processed member W4 by the welding part Wd, for example. Further, the processing apparatus 10 controls the rotational speed of the first prism 51 and the second prism 52, thereby turning the laser L irradiated to the groove between one processed member W3 and the other processed member W4. By controlling the number, the thickness TH of the heat-affected layer Wa can be controlled.

また、加工装置10は、加工モードがクラッディング加工の場合、図21および図22に示すように、矢印b方向(XY平面のうちの任意の方向)に照射ヘッド16を走査させながらレーザLの照射位置IPに肉盛り材ワイヤ92等を供給することにより、軌跡TRのようにレーザLを旋回させつつ矢印b方向に照射する。これにより、加工装置10は、被加工部材W上に肉盛り部Weを形成することができる。また、加工装置10は、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数を制御することにより、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回数を制御し、熱影響層Waの厚みTHの許容厚みを制御することができる。   In addition, when the processing mode is the cladding processing, the processing apparatus 10 performs scanning of the irradiation head 16 in the arrow b direction (any direction in the XY plane) as shown in FIGS. 21 and 22. By supplying the build-up material wire 92 or the like to the irradiation position IP, the laser beam L is irradiated in the direction of the arrow b while turning the laser L as shown by the trajectory TR. Thereby, the processing apparatus 10 can form the build-up portion We on the workpiece W. Further, the processing apparatus 10 controls the number of revolutions of the laser L applied to the workpiece W by controlling the number of rotations of the first prism 51 and the second prism 52, and the thickness TH of the heat affected layer Wa is controlled. The allowable thickness can be controlled.

また、加工装置10は、加工モードが表面改質加工の場合、図23および図24に示すように、矢印b方向(XY平面のうちの任意の方向)に照射ヘッド16を走査させることにより、軌跡TRのようにレーザLを旋回させつつ矢印b方向に照射する。これにより、加工装置10は、レーザLを照射幅Daで被加工部材Wに照射することで、例えば、被加工部材Wの表面を平滑化したり、被加工部材Wの表面の材料粒子を微細化したりし、被加工部材Wの表面を改質した表面改質部Wfを形成することができる。また、加工装置10は、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数を制御することにより、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回数を制御し、熱影響層Waの厚みTHの許容厚みを制御することができる。   Further, when the processing mode is surface modification processing, the processing apparatus 10 scans the irradiation head 16 in the arrow b direction (any direction in the XY plane) as shown in FIGS. 23 and 24, Irradiate in the direction of arrow b while turning the laser L as shown by the trajectory TR. Thereby, the processing apparatus 10 irradiates the workpiece W with the irradiation width Da, for example, to smooth the surface of the workpiece W or to refine the material particles on the surface of the workpiece W. In other words, the surface modified portion Wf obtained by modifying the surface of the workpiece W can be formed. Further, the processing apparatus 10 controls the number of revolutions of the laser L applied to the workpiece W by controlling the number of rotations of the first prism 51 and the second prism 52, and the thickness TH of the heat affected layer Wa is controlled. The allowable thickness can be controlled.

本実施形態において、被加工部材Wの熱影響層Waは、被加工部材Wに照射されたレーザLにより形成される再溶融層、酸化層、クラック、ドロスを少なくとも1つ含む。再溶融層は、加工時に、レーザLの照射により被加工部材Wの固体が液体化し、再び固体化した層である。再溶融層は、加工モードにより異なるが、穴あけ加工、切断加工の場合、レーザLの照射方向(進行方向)の先に形成される層ではなく、レーザLの照射方向(進行方向)に直交する方向に形成される層であり、レーザLを照射することで形成された穴Wbの内周面や、切断された被加工部材Wの切断面に形成されるものである。また、再溶融層は、加工モードが溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形の場合、レーザLの照射方向(進行方向)の先と照射方向に直交する方向とに形成される層であり、レーザLを照射することで形成された溶接部Wdの周囲や下側、肉盛り部Weの周囲や下側、表面改質部Wfの周囲や下側に形成されるものである。   In the present embodiment, the heat-affected layer Wa of the workpiece W includes at least one of a remelted layer, an oxide layer, a crack, and dross formed by the laser L irradiated to the workpiece W. The remelted layer is a layer in which the solid of the workpiece W is liquefied by the irradiation of the laser L during processing and is solidified again. Although the remelted layer differs depending on the processing mode, in the case of drilling or cutting, the remelted layer is not a layer formed at the tip of the laser L irradiation direction (traveling direction), but is orthogonal to the laser L irradiation direction (traveling direction). It is a layer formed in the direction, and is formed on the inner peripheral surface of the hole Wb formed by irradiating the laser L and the cut surface of the cut workpiece W. The remelted layer has a direction orthogonal to the irradiation direction (traveling direction) of the laser L when the processing mode is welding, cladding, surface modification, surface finishing, or laser additive manufacturing. Formed on the periphery of the welded portion Wd formed by irradiating the laser L, the periphery of the welded portion Wd, the periphery of the welded portion Wed and the surface of the surface modified portion Wf. It is what is done.

酸化層は、被加工部材Wが金属等である場合、アシストガスG2として酸素を使用した際に、被加工部材Wの穴Wbの内周面や切断面に形成される酸化被膜である。クラックは、レーザLの照射により被加工部材Wが急速加熱され、この急速加熱時に被加工部材Wの穴Wbの内周面や切断面に生じる微細なひび割れ(マイクロクラック)である。ドロスは、被加工部材Wの穴あけ時や切断時などに液体化した材料が溶融物となって、被加工部材Wの穴Wbの内周面や切断面に付着して固体化した付着物である。被加工部材Wの熱影響層Waの厚みは、再溶融層の厚み、酸化被膜の厚み、ひび割れの深さ、付着物の厚みを含む。   When the workpiece W is a metal or the like, the oxide layer is an oxide film formed on the inner peripheral surface or the cut surface of the hole Wb of the workpiece W when oxygen is used as the assist gas G2. The crack is a fine crack (micro crack) generated on the inner peripheral surface or the cut surface of the hole Wb of the workpiece W during the rapid heating of the workpiece W by the laser L irradiation. The dross is a deposit that is solidified by adhering to the inner peripheral surface or the cut surface of the hole Wb of the workpiece W as a molten material that has been liquefied when drilling or cutting the workpiece W. is there. The thickness of the heat-affected layer Wa of the workpiece W includes the thickness of the remelted layer, the thickness of the oxide film, the depth of cracks, and the thickness of deposits.

許容厚みは、切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形の少なくとも1つを含む加工処理を被加工部材Wに施した際に、穴Wbの内周面、切断部分や溶接部Wdの熱影響層Waの厚みTH、肉盛り部Weや表面改質部Wfの熱影響層Waの厚みTHなどが、加工処理を施された製品としての被加工部材Wにおいて許容できる範囲内の厚みである。   The permissible thickness is determined when the workpiece W is subjected to processing including at least one of cutting processing, drilling processing, welding processing, cladding processing, surface modification processing, surface finishing processing, and laser additive manufacturing. The thickness TH of the heat-affected layer Wa of the inner peripheral surface, the cut portion and the welded portion Wd, the thickness TH of the heat-affected layer Wa of the built-up portion We and the surface modified portion Wf, and the like as a processed product The thickness is within a range that is acceptable for the workpiece W.

また、許容厚みは、加工モードにより異なるが、穴あけ加工、切断加工の場合、レーザLの照射方向(進行方向)に直交する方向の長さである。また、許容厚みは、加工モードが溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形の場合、レーザLの照射方向(進行方向)の長さ、および、レーザLの照射方向に直交する方向の長さである。   The allowable thickness differs depending on the processing mode, but in the case of drilling or cutting, the allowable thickness is a length in a direction orthogonal to the irradiation direction (traveling direction) of the laser L. The allowable thickness is the length in the irradiation direction (traveling direction) of the laser L and the irradiation of the laser L when the processing mode is welding, cladding, surface modification, surface finishing, or laser additive manufacturing. It is the length in the direction orthogonal to the direction.

[第2実施形態]
次に、第2実施形態に係る照射ヘッド16について説明する。図25は、第2実施形態に係る照射ヘッドの概略構成を示す説明図である。第2実施形態に係る照射ヘッド16の基本的構成は、第1実施形態に係る加工装置10の照射ヘッド16と同様であるので、同一部分の構成の説明は省略する。第2実施形態に係る照射ヘッド16は、コリメート光学系34、レーザ旋回部35、集光光学系37のそれぞれのレーザLの光路が直線状(同軸上)に並んで一体的に連結される。
[Second Embodiment]
Next, the irradiation head 16 according to the second embodiment will be described. FIG. 25 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of an irradiation head according to the second embodiment. Since the basic configuration of the irradiation head 16 according to the second embodiment is the same as that of the irradiation head 16 of the processing apparatus 10 according to the first embodiment, description of the configuration of the same portion is omitted. In the irradiation head 16 according to the second embodiment, the optical paths of the lasers L of the collimating optical system 34, the laser swivel unit 35, and the condensing optical system 37 are integrally connected in a straight line (coaxial).

照射ヘッド16は、図25に示すように、コリメート光学系34と、レーザ旋回部35と、集光光学系37と、ノズル38と、を有する。照射ヘッド16は、案内光学系14から出力されるレーザLの光路において、上流側から下流側に向かって、コリメート光学系34、レーザ旋回部35、集光光学系37、ノズル38の順で配置される。照射ヘッド16は、案内光学系14から出力されたレーザLをノズル38に対面する位置に配置された被加工部材Wに向けて照射する。   As shown in FIG. 25, the irradiation head 16 includes a collimating optical system 34, a laser turning unit 35, a condensing optical system 37, and a nozzle 38. The irradiation head 16 is arranged in the order of the collimating optical system 34, the laser turning portion 35, the condensing optical system 37, and the nozzle 38 from the upstream side to the downstream side in the optical path of the laser L output from the guide optical system 14. Is done. The irradiation head 16 irradiates the workpiece L disposed at a position facing the nozzle 38 with the laser L output from the guide optical system 14.

レーザ旋回部35は、第1回転機構53で回転駆動され、第1プリズム51を支持する中空筒状の第1スピンドル55と、第2回転機構54で回転駆動され、第2プリズム52を支持する中空筒状の第2スピンドル57と、を有する。これにより、照射ヘッド16は、光路の中心P周りにレーザLを回転させて、被加工部材Wに照射されるレーザLの照射位置IPを旋回させる。   The laser turning unit 35 is rotationally driven by the first rotating mechanism 53 and is driven by the hollow cylindrical first spindle 55 that supports the first prism 51 and the second rotating mechanism 54 to support the second prism 52. And a hollow cylindrical second spindle 57. Thereby, the irradiation head 16 rotates the laser L around the center P of the optical path to rotate the irradiation position IP of the laser L irradiated to the workpiece W.

また、照射ヘッド16は、第1回転機構53および第2回転機構54の回転数、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を制御することにより、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回径R、旋回数および軌跡TRなどを加工モード等に合わせて変えることができる。   Further, the irradiation head 16 irradiates the workpiece W by controlling the number of rotations of the first rotation mechanism 53 and the second rotation mechanism 54 and the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52. The turning diameter R, the number of turns, the trajectory TR, etc. of the laser L can be changed in accordance with the machining mode.

また、照射ヘッド16は、撮像手段40、ギャップ検出手段41などを有し、第1プリズム51と第2プリズム52との回転数や位相角の差を制御することにより、上記第1実施形態に係る照射ヘッド16と同様の加工を行うことができる。   The irradiation head 16 includes an imaging unit 40, a gap detection unit 41, and the like, and controls the difference in rotation speed and phase angle between the first prism 51 and the second prism 52, thereby achieving the first embodiment. The same processing as that of the irradiation head 16 can be performed.

[実験例]
ここで、加工装置10を用いて被加工部材Wに施した穴あけ加工の実験例について説明する。図26は、加工装置による被加工部材の加工例を示す図である。図27は、図26に示す被加工部材を反対側から見た図である。
[Experimental example]
Here, an experimental example of drilling performed on the workpiece W using the processing apparatus 10 will be described. FIG. 26 is a diagram illustrating a processing example of a member to be processed by the processing apparatus. FIG. 27 is a view of the workpiece shown in FIG. 26 as viewed from the opposite side.

被加工部材Wに照射するレーザLは、レーザピークパワーを100W〜20kW、周波数を5Hz〜10kHz、パルス幅を1μs〜100ms、照射時間を10ms〜10秒、焦点距離を40〜400mm、旋回数を20〜5000rpmとした。アシストガスは、圧力が0.1〜1MPaの酸素を用いたが、空気や窒素でもよいし、アルゴンガス(Ar)やキセノンガス(Xe)等の希ガスでもよい。また、被加工部材Wは、厚さが0.5〜10mmのインコネル(登録商標)を用いた。   The laser L irradiating the workpiece W has a laser peak power of 100 W to 20 kW, a frequency of 5 Hz to 10 kHz, a pulse width of 1 μs to 100 ms, an irradiation time of 10 ms to 10 seconds, a focal length of 40 to 400 mm, and the number of turns. The speed was 20 to 5000 rpm. As the assist gas, oxygen having a pressure of 0.1 to 1 MPa is used. However, air or nitrogen may be used, or a rare gas such as argon gas (Ar) or xenon gas (Xe) may be used. In addition, as the workpiece W, Inconel (registered trademark) having a thickness of 0.5 to 10 mm was used.

加工装置10により上記条件で加工を行った結果を図26および図27に示す。ここで、図26は、被加工部材Wの表面(レーザの入射側)を示し、図27は、被加工部材Wの裏面を示す。本実験例では、図26および図27に示すように、被加工部材Wに穴Wbを形成した。加工装置10は、上記条件で加工を行うことで、レーザの照射時間が0.2秒であっても、穴Wbの周囲にゆがみや凹凸が少なく、高い精度で加工できていることがわかった。   The result of processing under the above conditions by the processing apparatus 10 is shown in FIGS. Here, FIG. 26 shows the front surface (laser incident side) of the workpiece W, and FIG. 27 shows the back surface of the workpiece W. In this experimental example, as shown in FIGS. 26 and 27, a hole Wb was formed in the workpiece W. It was found that the processing apparatus 10 was processed with high accuracy by performing the processing under the above conditions, even when the laser irradiation time was 0.2 seconds, with little distortion and unevenness around the hole Wb. .

以上のように、実施形態に係る加工装置10によれば、第2ノズル部78から被加工部材WにアシストガスG2を吹きつけることから、加工装置10、すなわちレーザ加工装置を簡単かつ小型な構成で、第1ノズル部77の開口径Kを大きくしてもアシストガスG2の消費量を抑えることができるという効果を奏する。また、第1ノズル部77の開口径Kを大きくしてもアシストガスG2の消費量を抑えることができるので、第1ノズル部77の開口径Kを大きくし、被加工部材Wに照射するレーザLの旋回径Rを大きくすることができるという効果を奏する。また、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を変えるだけで、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回径Rを変えることができるので、加工装置10を簡単な構成にすることができるという効果を奏する。また、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を制御し、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回径Rを変えることで、加工モードや加工条件により適した旋回径Rで加工処理を行うことができるようになる。これにより、要求される加工品質を満たすことができ、より高い精度の加工を高速で行うことが可能であるという効果を奏する。   As described above, according to the processing apparatus 10 according to the embodiment, the assist gas G2 is blown from the second nozzle portion 78 to the workpiece W. Therefore, the processing apparatus 10, that is, the laser processing apparatus is configured simply and with a small size. Thus, even if the opening diameter K of the first nozzle portion 77 is increased, the consumption amount of the assist gas G2 can be suppressed. Further, since the consumption amount of the assist gas G2 can be suppressed even when the opening diameter K of the first nozzle portion 77 is increased, the laser that irradiates the workpiece W with the opening diameter K of the first nozzle portion 77 being increased. There is an effect that the turning radius R of L can be increased. Further, since the turning radius R of the laser L irradiated to the workpiece W can be changed simply by changing the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52, the machining apparatus 10 can be simply configured. There is an effect that can be made. Further, by controlling the difference in phase angle between the first prism 51 and the second prism 52 and changing the turning radius R of the laser L irradiated to the workpiece W, the turning radius suitable for the processing mode and processing conditions is changed. Processing can be performed with R. As a result, the required processing quality can be satisfied, and it is possible to perform processing with higher accuracy at high speed.

なお、上記実施形態において、加工装置10は、ファイバレーザ出力装置や短パルスレーザ出力装置を用いているが、これらに限定されず、被加工部材Wに対して加工処理を施すことができるレーザLを出力するレーザ出力装置であればよい。これにより、加工装置10は、種々のレーザ出力装置を利用することができ、加工用途に応じて適したレーザ出力装置を用いることができる。   In the above embodiment, the processing device 10 uses a fiber laser output device or a short pulse laser output device. However, the processing device 10 is not limited to this, and the laser L capable of processing the workpiece W is processed. Any laser output device may be used. Thereby, the processing apparatus 10 can utilize various laser output apparatuses, and can use a laser output apparatus suitable for the processing application.

また、ファイバレーザ出力装置は、連続波発振(Continuous Wave Operation)あるいはパルス発振(Pulsed Operation)のいずれかの方式を用いるレーザ出力装置であってもよい。ファイバレーザ出力装置は、連続波発振の場合、高出力を得やすいことから、切断加工や溶接加工などに好適に使用することができ、パルス発振の場合、熱的影響を抑えやすいことから、微細加工などに好適に使用することができる。   Further, the fiber laser output device may be a laser output device that uses either continuous wave operation or pulsed operation. The fiber laser output device can easily be used for cutting and welding because it is easy to obtain a high output in the case of continuous wave oscillation. In the case of pulse oscillation, it is easy to suppress the thermal influence. It can be suitably used for processing and the like.

また、ファイバレーザ出力装置は、被加工部材Wに照射するレーザLの断面の光強度分布が、ガウシアンモード(シングルモード)あるいはマルチモードであってもよい。ファイバレーザ出力装置は、ガウシアンモードの場合、照射位置IPのスポット径を絞り込みやすく、高出力を得やすいことから、溶接加工、切断加工および極微細な穴あけ加工などに好適に使用することができ、マルチモードの場合、母材への熱的影響を抑えやすいことから、表面改質加工、表面仕上げ加工およびブレージング加工などに好適に使用することができる。   In the fiber laser output device, the light intensity distribution of the cross section of the laser L irradiated to the workpiece W may be Gaussian mode (single mode) or multimode. The fiber laser output device can be suitably used for welding processing, cutting processing, and extremely fine drilling because it is easy to narrow down the spot diameter at the irradiation position IP and easily obtain a high output in the case of the Gaussian mode. In the case of the multi-mode, it is easy to suppress the thermal influence on the base material, so that it can be suitably used for surface modification processing, surface finishing processing, brazing processing, and the like.

また、上記実施形態において、加工装置10は、板状の被加工部材Wを加工しているが、被加工部材Wの形状は特に限定されず、種々の形状とすることができる。また、加工装置10は、切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形を組み合わせて被加工部材Wに対して加工処理を施してもよい。また、加工装置10は、レーザLの照射位置IPを制御することで、屈曲点を有する軌跡TRで照射したり、湾曲形状を有する軌跡TRで照射したりすることもできる。これにより、加工装置10は、被加工部材Wに対して、レーザLを旋回しつつ照射する各種加工処理を施すことができる。   Moreover, in the said embodiment, although the processing apparatus 10 processes the plate-shaped to-be-processed member W, the shape of the to-be-processed member W is not specifically limited, It can be set as various shapes. Further, the processing apparatus 10 may perform processing on the workpiece W by combining cutting processing, drilling processing, welding processing, cladding processing, surface modification processing, surface finishing processing, and laser additive manufacturing. Further, the processing apparatus 10 can irradiate with a trajectory TR having a bending point or irradiate with a trajectory TR having a curved shape by controlling the irradiation position IP of the laser L. Thereby, the processing apparatus 10 can perform various types of processing for irradiating the workpiece W while turning the laser L.

また、加工装置10は、加工精度を高くすることができるため、被加工部材Wとして鋼板などの金属材料を用いることが好ましいが、これに限定されず、被加工部材Wとして、インコネル(登録商標)、ハステロイ(登録商標)、ステンレス、セラミック、鋼、炭素鋼、セラミックス、シリコン、チタン、タングステン、樹脂、プラスチックス、繊維強化プラスチック、複合材、Ni基耐熱合金のうち少なくともいずれかの材料で作成されていればよい。また、加工装置10は、熱影響(熱ダメージの影響)を低減や除去できるため、熱影響を低減や除去して加工を行う必要のある各種材料、複合材に用いることができる。これにより、加工装置10は、種々の材料に対して加工処理を施すことができる。   In addition, since the processing apparatus 10 can increase the processing accuracy, it is preferable to use a metal material such as a steel plate as the workpiece W. However, the processing device 10 is not limited to this, and Inconel (registered trademark) is used as the workpiece W. ), Hastelloy (registered trademark), stainless steel, ceramic, steel, carbon steel, ceramics, silicon, titanium, tungsten, resin, plastics, fiber reinforced plastic, composite material, Ni-base heat-resistant alloy It only has to be done. Moreover, since the processing apparatus 10 can reduce or remove the thermal influence (the influence of thermal damage), it can be used for various materials and composites that need to be processed by reducing or removing the thermal influence. Thereby, the processing apparatus 10 can process a various material.

また、加工装置10は、レーザLの照射位置IPと被加工部材Wとの相対位置を移動させるために、被加工部材Wを移動させてもよく、照射ヘッド16を移動させてもよく、被加工部材Wと照射ヘッド16とを移動させてもよい。これにより、加工装置10は、被加工部材Wに対してより高速で加工処理を施すことができる。   Further, the processing apparatus 10 may move the workpiece W or the irradiation head 16 in order to move the relative position between the irradiation position IP of the laser L and the workpiece W. The processing member W and the irradiation head 16 may be moved. Thereby, the processing apparatus 10 can process the workpiece W at a higher speed.

また、上記実施形態において、被加工部材W上でレーザLを旋回させつつ当該レーザの旋回径Rを変更する加工装置10について説明したが、加工装置10は、照射されるレーザLの旋回径Rを変えた場合、旋回するレーザの照射位置IPの移動速度(例えば、仮想円IC上の線速度)が一定となるように、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数を制御してもよい。これにより、加工装置10は、被加工部材Wに照射されるレーザLの照射位置IPにおける単位時間当たりのエネルギを一定とすることができる。   Moreover, in the said embodiment, although the processing apparatus 10 which changes the turning diameter R of the said laser while turning the laser L on the to-be-processed member W was demonstrated, the processing apparatus 10 is the turning diameter R of the laser L irradiated. If the rotation speed of the first prism 51 and the second prism 52 is controlled so that the moving speed of the irradiation position IP of the turning laser (for example, the linear speed on the virtual circle IC) is constant, Good. Thereby, the processing apparatus 10 can make the energy per unit time constant at the irradiation position IP of the laser L irradiated to the workpiece W.

また、加工装置10は、被加工部材Wにあけたパイロット穴を撮像手段40で撮像し、撮像したパイロット穴の画像データから穴径を測定し、測定した穴径と照射したレーザLの条件(ピーク出力やパルス幅、旋回数、旋回径Rなど)とから熱影響層Waの厚みTHを推定し、推定した熱影響層Waの厚みTHから該熱影響層Waの許容厚みの範囲となるレーザLの旋回数と旋回径Rとを決定し、決定したレーザLの旋回数と旋回径Rとで第1中空モータ56および第2中空モータ58の回転数と位相角の差とを制御装置30で制御し、本穴をあけてもよい。これにより、加工装置10は、被加工部材Wの熱影響層Waの厚みTHが許容厚みの範囲内となるように、より正確に制御することができる。   Moreover, the processing apparatus 10 images the pilot hole drilled in the workpiece W with the imaging means 40, measures the hole diameter from the image data of the captured pilot hole, and the conditions of the measured hole diameter and the irradiated laser L ( The thickness TH of the heat-affected layer Wa is estimated from the peak output, pulse width, swirling number, swirling diameter R, etc.), and the laser falls within the allowable thickness range of the heat-affected layer Wa from the estimated thickness TH of the heat-affected layer Wa. The turning number of L and the turning diameter R are determined, and the controller 30 determines the rotational speed and phase angle difference between the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 based on the determined turning number of the laser L and the turning diameter R. It is also possible to control and to make a main hole. Thereby, the processing apparatus 10 can control more accurately so that the thickness TH of the heat-affected layer Wa of the workpiece W is within the allowable thickness range.

また、加工装置10は、コリメート光学系34、レーザ旋回部35、反射光学系36、集光光学系37などを冷却ジャケット等の冷却機構により冷却してもよい。これにより、加工装置10は、レーザLによるレンズやミラーなどの温度上昇を抑えることができるので、照射ヘッド16の光学特性を安定化し、レーザLの照射位置IPを高精度に制御することができる。   Further, the processing apparatus 10 may cool the collimating optical system 34, the laser turning unit 35, the reflection optical system 36, the condensing optical system 37, and the like by a cooling mechanism such as a cooling jacket. Thereby, since the processing apparatus 10 can suppress the temperature rise of a lens, a mirror, etc. by the laser L, the optical characteristic of the irradiation head 16 can be stabilized and the irradiation position IP of the laser L can be controlled with high accuracy. .

また、上記実施形態において、加工装置10は、ギャップ検出手段41が集光光学系37の集光レンズに対向する位置(真後ろ)に配置されているが、レーザLの焦点と被加工部材Wとのギャップとを検出できる位置であればよいので、照射ヘッド16の他の位置に配置してもよい。これにより、加工装置10は、装置の形態に応じてギャップ検出手段41の取付位置を変更することができる。   Moreover, in the said embodiment, although the processing apparatus 10 is arrange | positioned in the position (just behind) where the gap detection means 41 opposes the condensing lens of the condensing optical system 37, the focus of the laser L, the to-be-processed member W, and As long as it is a position that can detect the gap, it may be arranged at another position of the irradiation head 16. Thereby, the processing apparatus 10 can change the attachment position of the gap detection means 41 according to the form of an apparatus.

また、上記実施形態において、加工装置10は、第1プリズム51の入射面51aの傾きを1°未満とし、第2プリズム52の出射面52bの傾きを1°未満としたが、第1プリズム51の入射面51aで反射したレーザ、および、第2プリズム52の出射面52bで反射したレーザがレーザ発振器12の出射口に到達しない傾きであればよい。これにより、加工装置10は、案内光学系14の長さに応じて入射面51aおよび出射面52bの傾きを変えることができる。また、入射面51aが上記傾きとなるようにプリズムホルダに第1プリズム51を取り付けてもよく、出射面52bが上記傾きとなるようにプリズムホルダに第2プリズム52を取り付けてもよい。   In the above embodiment, the processing apparatus 10 sets the inclination of the incident surface 51a of the first prism 51 to less than 1 ° and the inclination of the output surface 52b of the second prism 52 to less than 1 °. It is sufficient that the laser beam reflected by the incident surface 51 a and the laser beam reflected by the emission surface 52 b of the second prism 52 do not reach the emission port of the laser oscillator 12. Thereby, the processing apparatus 10 can change the inclination of the entrance surface 51a and the exit surface 52b according to the length of the guide optical system 14. In addition, the first prism 51 may be attached to the prism holder so that the incident surface 51a has the inclination, and the second prism 52 may be attached to the prism holder so that the emission surface 52b has the inclination.

また、セラミック層W1と金属層W2とを有する被加工部材Wに対して二段階で条件を変えて加工する方法を説明したが、これに限定されず、例えば、三層以上であれば三段階で条件を変えて加工することができ、多層であれば多段階で条件を変えて加工(多段階加工)することができる。また、セラミック層W1および金属層W2の他に、種々の材料を用いることができる。これにより、加工装置10は、被加工部材Wに多段階で加工処理を施すことができ、被加工部材Wの材質に適した加工条件で加工を行うことができる。   Moreover, although the method to process by changing conditions in two steps with respect to the workpiece W having the ceramic layer W1 and the metal layer W2 has been described, the present invention is not limited to this. In the case of multiple layers, it can be processed in multiple stages with different conditions (multi-stage processing). In addition to the ceramic layer W1 and the metal layer W2, various materials can be used. Thus, the processing apparatus 10 can perform processing on the workpiece W in multiple stages, and can perform processing under processing conditions suitable for the material of the workpiece W.

また、第1中空モータ56および第2中空モータ58のうち少なくとも一方は、超音波モータであってもよい。これにより、加工装置10は、第1中空モータ56および第2中空モータ58の位相角(回転位置)の位置決め精度を容易に向上することができる。   Further, at least one of the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 may be an ultrasonic motor. Thereby, the processing apparatus 10 can easily improve the positioning accuracy of the phase angle (rotational position) of the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58.

また、被加工部材Wに照射されるレーザLの旋回数を上げたり、レーザLのパルス幅を短くしたりしてもよい。これにより、加工装置10は、熱影響層Waの厚みTHをより薄くすることができる。   Further, the number of revolutions of the laser L irradiated to the workpiece W may be increased, or the pulse width of the laser L may be shortened. Thereby, the processing apparatus 10 can make the thickness TH of the heat affected layer Wa thinner.

また、被加工部材W上のレーザLの照射位置IPからの飛散物の量とレーザLの旋回数との相関関係を定めた制御マップ(飛散物制御マップ)を参照し、第1プリズム51および第2プリズム52の回転数、第1プリズム51と第2プリズム52との位相角の差を決定し、決定した回転数と位相角の差とで第1中空モータ56および第2中空モータ58を回転させてもよい。これにより、加工装置10は、熱影響層Waの厚みTHと、飛散物の量とを抑えることができる。   Further, referring to a control map (a scattered matter control map) that defines the correlation between the amount of scattered matter from the irradiation position IP of the laser L on the workpiece W and the number of rotations of the laser L, the first prism 51 and The rotational speed of the second prism 52 and the phase angle difference between the first prism 51 and the second prism 52 are determined, and the first hollow motor 56 and the second hollow motor 58 are controlled by the determined rotational speed and the phase angle difference. It may be rotated. Thereby, the processing apparatus 10 can suppress the thickness TH of the heat-affected layer Wa and the amount of scattered matter.

また、上記実施形態において、シールドガスG1およびアシストガスG2を同一のガス種としているが、互いに異なるガス種であってもよい。これにより、加工装置10は、加工モードや加工条件、被加工部材Wの材質等に適したシールドガスG1やアシストガスG2を用いて加工することができる。   Moreover, in the said embodiment, although shield gas G1 and assist gas G2 are made into the same gas kind, mutually different gas kinds may be sufficient. Thereby, the processing apparatus 10 can process using the shielding gas G1 and the assist gas G2 suitable for the processing mode, processing conditions, the material of the workpiece W, and the like.

また、上記実施形態において、案内光学系14は、光ファイバであるが、これに限定されず、ミラーやレンズを組み合わせ、レーザLを反射や集光等して照射ヘッド16に案内してもよい。これにより、照射ヘッド16は、種々の加工装置で利用することができる。   In the above embodiment, the guide optical system 14 is an optical fiber. However, the guide optical system 14 is not limited thereto, and may be guided to the irradiation head 16 by combining a mirror or a lens and reflecting or condensing the laser L. . Thereby, the irradiation head 16 can be utilized with various processing apparatuses.

また、上記実施形態において、X軸移動機構22により相対移動する加工ステージ20について説明しているが、加工ステージ20は、XYステージまたはXYZステージ等であってもよい。また、照射ヘッド16をXYZの三方向に相対移動させてもよく、照射ヘッド16をアームで支持し、XYZの3軸方向に加え、C軸方向に移動させてもよい。これにより、照射ヘッド16は、種々の形態の加工装置に利用することができる。   In the above-described embodiment, the processing stage 20 that is relatively moved by the X-axis moving mechanism 22 has been described. However, the processing stage 20 may be an XY stage or an XYZ stage. Further, the irradiation head 16 may be relatively moved in three directions of XYZ, or the irradiation head 16 may be supported by an arm and moved in the C-axis direction in addition to the three axes of XYZ. Thereby, the irradiation head 16 can be used for various types of processing apparatuses.

10 加工装置
12 レーザ発振器
14 案内光学系
16 照射ヘッド
16a 照射ヘッドカバー
20 加工ステージ
22 X軸移動機構
24 C軸回転機構
26 Y軸移動機構
28 Z軸移動機構
30 制御装置
32 門形ブリッジ
34 コリメート光学系
35 レーザ旋回部
36 反射光学系
37 集光光学系
38 ノズル
39 割出機構
40 撮像手段
41 ギャップ検出手段
42 支持部材
50 冷却機構
51 第1プリズム
52 第2プリズム
53 第1回転機構
54 第2回転機構
55 第1スピンドル
56 第1中空モータ
57 第2スピンドル
58 第2中空モータ
59,60 軸受
61,63 中空ロータ
62,64 ステータ
65 エンコーダ
66 識別子
67 検出部
71 第1反射ミラー
72 第2反射ミラー
73 筒部
74 ノズル装着部
75 継手部
76 透光部材
77 第1ノズル部
77a,78a 供給口
78 第2ノズル部
80 ガス供給源
80a シールドガス供給配管
80b アシストガス供給配管
81 割出軸
82 中空モータ
83 割出角度検出手段
84 軸受
85 中空ロータ
86 ステータ
91 溶接ワイヤ
92 肉盛り材ワイヤ
a,b,d 矢印
IC 仮想円
D,Da 幅
G1 シールドガス
G2 アシストガス
IP,IPa,IPb 照射位置
K 開口径
L レーザ
OA 光軸
P 中心
R,Ra,Rb 旋回径
TH 厚み
TR,TRa,TRb 軌跡
W 被加工部材
W1 セラミック層
W2 金属層
W3 一方の被加工部材
W4 他方の被加工部材
Wa 熱影響層
Wb 穴
Wc 斜めの穴
Wd 溶接部
We 肉盛り部
Wf 表面改質部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Processing apparatus 12 Laser oscillator 14 Guide optical system 16 Irradiation head 16a Irradiation head cover 20 Processing stage 22 X-axis moving mechanism 24 C-axis rotating mechanism 26 Y-axis moving mechanism 28 Z-axis moving mechanism 30 Controller 32 Portal bridge 34 Collimating optical system 35 Laser turning portion 36 Reflecting optical system 37 Condensing optical system 38 Nozzle 39 Indexing mechanism 40 Imaging means 41 Gap detecting means 42 Support member 50 Cooling mechanism 51 First prism 52 Second prism 53 First rotating mechanism 54 Second rotating mechanism 55 First spindle 56 First hollow motor 57 Second spindle 58 Second hollow motor 59, 60 Bearing 61, 63 Hollow rotor 62, 64 Stator 65 Encoder 66 Identifier 67 Detector 67 First reflection mirror 72 Second reflection mirror 73 Tube Part 74 Nozzle mounting part 7 Joint part 76 Translucent member 77 First nozzle part 77a, 78a Supply port 78 Second nozzle part 80 Gas supply source 80a Shield gas supply pipe 80b Assist gas supply pipe 81 Indexing shaft 82 Hollow motor 83 Indexing angle detection means 84 Bearing 85 Hollow rotor 86 Stator 91 Welding wire 92 Overlay wire a, b, d Arrow IC Virtual circle D, Da Width G1 Shield gas G2 Assist gas IP, IPa, IPb Irradiation position K Aperture diameter L Laser OA Optical axis P Center R , Ra, Rb Swivel diameter TH thickness TR, TRa, TRb Trajectory W Work piece W1 Ceramic layer W2 Metal layer W3 One work piece W4 Other work piece Wa Heat affected layer Wb Hole Wc Diagonal hole Wd Welded part We Overlaying part Wf Surface modification part

Claims (11)

被加工部材にレーザを照射して加工処理を行う加工装置であって、
前記レーザを前記被加工部材に対して旋回させるレーザ旋回部と、前記レーザ旋回部で旋回されたレーザを集光させる集光光学系と、前記レーザを被加工部材に照射するノズルと、を有する、前記被加工部材にレーザを照射する照射ヘッドと、
前記照射ヘッドの動作を制御する制御装置と、を有し、
前記ノズルは、前記被加工部材に照射されるレーザが通過する第1ノズル部と、前記第1ノズル部の周囲に配置され、前記被加工部材に吹きつけられるアシストガスが通過する第2ノズル部と、を有し、
前記レーザ旋回部は、前記レーザを屈折させる第1プリズムと、前記第1プリズムと対面する位置に配置され当該第1プリズムから出力されたレーザを屈折させる第2プリズムと、前記第1プリズムを回転させる第1回転機構と、前記第2プリズムを回転させる第2回転機構と、を有し、
前記制御装置は、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射させる前記レーザの旋回数と、の関係に基づいて、前記第1回転機構および前記第2回転機構を制御し、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを調整することを特徴とする加工装置。
A processing apparatus for performing processing by irradiating a workpiece with a laser,
A laser swivel unit that swivels the laser with respect to the workpiece; a condensing optical system that focuses the laser swung by the laser swivel unit; and a nozzle that irradiates the workpiece with the laser. An irradiation head for irradiating the workpiece with a laser;
A control device for controlling the operation of the irradiation head,
The nozzle includes a first nozzle portion through which a laser irradiated to the workpiece member passes, and a second nozzle portion that is disposed around the first nozzle portion and through which an assist gas blown to the workpiece member passes. And having
The laser swivel unit rotates a first prism that refracts the laser, a second prism that is disposed at a position facing the first prism and that refracts the laser output from the first prism, and rotates the first prism. A first rotating mechanism for rotating and a second rotating mechanism for rotating the second prism;
The control device includes the first rotation mechanism and the second rotation mechanism based on a relationship between at least an allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece and the number of rotations of the laser irradiated on the workpiece. To adjust the rotational speed and phase angle difference of the first prism and the second prism.
前記第1ノズル部には、シールドガスが供給されることを特徴とする請求項1に記載の加工装置。   The processing apparatus according to claim 1, wherein a shielding gas is supplied to the first nozzle portion. 前記アシストガスと前記シールドガスとは、ガス種が異なることを特徴とする請求項2に記載の加工装置。   The processing apparatus according to claim 2, wherein the assist gas and the shield gas have different gas types. 前記加工処理は、切断加工、穴あけ加工、溶接加工、クラッディング加工、表面改質加工、表面仕上げ加工、レーザ積層造形の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の加工装置。   4. The method according to claim 1, wherein the processing includes at least one of cutting, drilling, welding, cladding, surface modification, surface finishing, and laser additive manufacturing. The processing apparatus according to claim 1. 前記熱影響層は、再溶融層、酸化層、クラック、ドロスの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の加工装置。   The processing apparatus according to claim 1, wherein the heat-affected layer includes at least one of a remelted layer, an oxide layer, a crack, and dross. 前記被加工部材は、インコネル(登録商標)、ハステロイ(登録商標)、ステンレス、セラミック、鋼、炭素鋼、耐熱鋼、セラミックス、シリコン、チタン、タングステン、樹脂、プラスチックス、繊維強化プラスチック、複合材、Ni基耐熱合金のいずれかの材料で作成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の加工装置。   The workpiece is Inconel (registered trademark), Hastelloy (registered trademark), stainless steel, ceramic, steel, carbon steel, heat-resistant steel, ceramics, silicon, titanium, tungsten, resin, plastics, fiber reinforced plastic, composite material, The processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the processing apparatus is made of any material of a Ni-base heat-resistant alloy. 前記制御装置は、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射させる前記レーザの旋回数と、前記レーザの旋回径と、の関係に基づいて、前記第1回転機構および前記第2回転機構を制御し、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを調整することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の加工装置。   The control device performs the first rotation based on a relationship between at least the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece, the number of revolutions of the laser irradiated on the workpiece, and the radius of revolution of the laser. The mechanism and the second rotation mechanism are controlled to adjust the rotation speed and the difference in phase angle between the first prism and the second prism. The processing apparatus as described. 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の加工装置を用いて、被加工部材にレーザを照射して加工処理を行う加工方法であって、
レーザを出力する出力ステップと、
少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射される前記レーザの旋回数と、の関係に基づいて、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを決定する決定ステップと、
前記第1回転機構および前記第2回転機構を決定した回転数と位相角の差とで回転させる回転ステップと、
前記被加工部材に対して前記レーザを旋回させつつ照射する照射ステップと、を有することを特徴とする加工方法。
A processing method for performing processing by irradiating a workpiece with a laser using the processing apparatus according to claim 1,
An output step of outputting a laser;
Based on the relationship between at least the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece and the number of rotations of the laser irradiated to the workpiece, the rotation speed and phase angle of the first prism and the second prism A decision step to determine the difference between
A rotation step of rotating the first rotation mechanism and the second rotation mechanism with a determined rotation speed and a phase angle difference;
An irradiation step of irradiating the workpiece while rotating the laser.
前記被加工部材の熱影響層の厚みと、前記被加工部材の表面および裏面の溶融物の飛散量もしくは飛散長さと、前記被加工部材に吹きつけるガスの圧力と、前記ガスの流量と、の関係に基づいて、
前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記飛散量もしくは飛散長さと、を満足する範囲に前記ガスの圧力と流量とを制御することを特徴とする請求項8に記載の加工方法。
The thickness of the heat-affected layer of the workpiece, the amount or length of splash of the melt on the front and back surfaces of the workpiece, the pressure of the gas blown onto the workpiece, and the flow rate of the gas Based on the relationship
The processing method according to claim 8, wherein the pressure and flow rate of the gas are controlled within a range satisfying an allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece and the scattering amount or scattering length.
前記被加工部材に対して多段階で加工することを特徴とする請求項8または請求項9に記載の加工方法。   The processing method according to claim 8 or 9, wherein the workpiece is processed in multiple stages. 前記決定ステップは、少なくとも前記被加工部材の熱影響層の許容厚みと、前記被加工部材に照射される前記レーザの旋回数と、前記レーザの旋回径と、の関係に基づいて、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムの回転数と位相角の差とを決定することを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか一項に記載の加工方法。   The determining step is based on the relationship between at least the allowable thickness of the heat-affected layer of the workpiece, the number of revolutions of the laser irradiated to the workpiece, and the radius of revolution of the laser. The processing method according to any one of claims 8 to 10, wherein a rotational speed and a phase angle difference between the prism and the second prism are determined.
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