JP6066876B2 - Method for manufacturing surface nanoscale, axial, and photonic devices - Google Patents

Method for manufacturing surface nanoscale, axial, and photonic devices Download PDF

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関連出願の相互参照
本願は、2012年9月25日出願の米国仮出願第61/705258号の特典を主張し、参照により本明細書に組み込まれる。
This application claims the benefit of US Provisional Application No. 61 / 705,258, filed Sep. 25, 2012, and is hereby incorporated by reference.

本発明は、表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスを製造する方法に関し、より詳細には、「特徴付けおよび補正」プロセスを利用して、SNAPデバイスの長さに沿った有効半径を局所的に修正し、サブオングストローム精度で所望の光学的特性を作成することに関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a surface nanoscale axial photonic (SNAP) device, and more particularly, utilizes a “characterization and correction” process to determine the effective radius along the length of the SNAP device. It relates to locally modifying and creating the desired optical properties with sub-angstrom accuracy.

当技術分野で周知のミニチュア共振フォトニック・デバイスは、結合高Q値空洞(例えば、リング共振器、フォトニック結晶共振器など)から作成される。共振は、円形構造(光ファイバの外周の周りなど)内で生み出されるウィスパリング・ギャラリー・モード(WGM)を循環させる結果であり、構造の外周の周りを移動するWGMは、かすめ入射で繰り返しの内反射を受ける。光の漏れは、こうした構造内では非常に小さくすることができ、高い固有Q値が得られる。Q値は一般に、共振器(または任意のタイプの振動デバイス)に貯蔵されたエネルギーに対するエネルギー損失の尺度と定義され、共振器の中心周波数をその帯域幅で割ったものによって特徴付けることができる(「高Q」共振器に関する一般的な値は、10程度以上の値である)。したがって、好ましい「高Q」共振器は、比較的狭く、鋭いピークの共振特徴に関連付けられる。 Miniature resonant photonic devices well known in the art are made from coupled high-Q cavities (eg, ring resonators, photonic crystal resonators, etc.). Resonance is the result of circulating a whispering gallery mode (WGM) created within a circular structure (such as around the outer periphery of an optical fiber), and the WGM moving around the outer periphery of the structure is repetitive at grazing incidence. Receives internal reflection. Light leakage can be very small within such a structure, resulting in a high intrinsic Q value. The Q factor is generally defined as a measure of energy loss relative to the energy stored in the resonator (or any type of vibrating device) and can be characterized by the center frequency of the resonator divided by its bandwidth (“ Typical values for “high Q” resonators are on the order of 10 9 or more). Thus, the preferred “high Q” resonator is associated with a relatively narrow, sharp peak resonance feature.

従来型共振器構造は、そのサイズが伝播する光信号の波長程度以上である特徴を作成することによって作成される。例えば、周知のリングまたはトロイドまたは球は、通常は数十ミクロンの寸法である。そのような構造は一般に、リソグラフィ技法(例えば、シリコン材料をエッチングして、特徴パターンを作成する)を使用して作成され、表面あらさの望ましくない結果が伴う。リソグラフィ関連のあらさの結果、伝播する光信号が散乱し、デバイスのQ値が低下する。さらに、従来型製造プロセスの不正確さにより、複数のデバイスを互いに結合して、より複雑な構造を形成することができる精度が制限される。性能に関して一定の利点をもたらす、さらに小さい寸法(すなわち、サブ波長)で共振器を作成することが有用なはずであるが、そのような小さい寸法により、製造上の追加の困難が課される。   Conventional resonator structures are created by creating features whose size is greater than or equal to the wavelength of the propagating optical signal. For example, known rings or toroids or spheres are typically tens of microns in size. Such structures are typically created using lithographic techniques (eg, etching a silicon material to create a feature pattern) with the undesirable consequences of surface roughness. Lithography-related roughness results in scattering of the propagating optical signal, which reduces the Q value of the device. Furthermore, inaccuracies in conventional manufacturing processes limit the accuracy with which multiple devices can be coupled together to form more complex structures. While it would be useful to create a resonator with smaller dimensions (ie, sub-wavelengths) that provide certain advantages with respect to performance, such small dimensions impose additional manufacturing difficulties.

以前には、本発明者らは、空洞共振器を作成するためにファイバの半径のサブ波長サイズの摂動を使用して、光ファイバ内、光ファイバに沿った様々な複雑な結合フォトニック・マイクロデバイスを開発した。複数のマイクロ構造を所与の長さの光ファイバに沿って形成し、互いに結合して、複雑なフォトニック・マイクロデバイスを作成することができる。このデバイス構造の詳細は、2012年8月23日付けの米国公開第2012/0213474号に見い出すことができ、参照により本明細書に組み込まれる。   Previously, we have used perturbations of the sub-wavelength size of the fiber radius to create a cavity resonator, and various complex coupled photonic micros inside and along the optical fiber. Developed a device. Multiple microstructures can be formed along a given length of optical fiber and combined together to create complex photonic microdevices. Details of this device structure can be found in US Publication No. 2012/0213474 dated 23 August 2012 and is incorporated herein by reference.

しかし、こうしたデバイスの比較的長い連鎖を作成しようと試みるとき、その性能が製造誤差によって損なわれ始め、誤差は連鎖の長さと共に成長する。1つの誤差源は、ファイバの半径のナノメートルスケールの非一様性であることがあり、次いでそれが累積的に継続し、連鎖に沿ったすべてのデバイスに影響を及ぼすことがある。マイクロ共振器の長連鎖を作成する際の他の製造誤差源は、限定はしないが、ファイバの表面汚染、システム・アライメントの不完全性(すなわち、最初の例での有効半径変動を生み出すのに使用されるシステム)、有効半径変動を生み出すのに使用されるビーム出力のゆらぎ、感光性ファイバ内の非一様なドーピング・プロファイルなどを含む。   However, when attempting to create a relatively long chain of such devices, its performance begins to be compromised by manufacturing errors, which grow with the chain length. One source of error may be nanometer-scale non-uniformity of the fiber radius, which then continues cumulatively and may affect all devices along the chain. Other sources of manufacturing error in creating a long chain of microresonators include, but are not limited to, fiber surface contamination, system alignment imperfections (i.e., to produce effective radius variation in the first example) System used), fluctuations in beam power used to produce effective radius variations, non-uniform doping profiles within the photosensitive fiber, and the like.

米国公開第2012/0213474号明細書US Publication No. 2012/0213474

当技術分野で残っている必要は本発明によって対処され、本発明は、表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスを製造する方法に関し、より詳細には、インライン補正プロセスを利用して、SNAPデバイスの長さに沿った有効半径を局所的に修正し、サブオングストローム精度で所望の光学的特性を作成することに関する。   The need remaining in the art is addressed by the present invention, which relates to a method of manufacturing a surface nanoscale axial photonic (SNAP) device, and more particularly, utilizing an in-line correction process, It relates to locally modifying the effective radius along the length of the SNAP device to create the desired optical properties with sub-angstrom accuracy.

一実施形態によれば、本発明は、複数の別々の光マイクロデバイスを備える表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスの有効半径変動を特徴付け、補正する方法を説明する。この方法は、(1)製造されたままのSNAPデバイスを特徴付け、各光マイクロデバイスの局所有効半径値を求めるステップと、製造されたままのSNAPデバイスを較正し、所定の「処理」(すなわち、時間依存アニーリング・プロセスまたはUV放射露光)に関連する有効半径の変化と定義される、適切な補正係数を求めるステップと、次いで(3)いくつかの処理の適用によって個々のマイクロデバイスを補正するステップであって、個々のマイクロデバイスに適用される処理数が、必要な補正量および較正するステップで求めた補正係数によって求められるステップとを含む。特徴付け操作および補正操作のいくつかの反復を実施することができ、オングストロオーム未満の有効半径変動が達成される。この方法を実施する装置も開示される。   According to one embodiment, the present invention describes a method for characterizing and correcting the effective radius variation of a surface nanoscale axial photonic (SNAP) device comprising a plurality of separate optical microdevices. The method includes (1) characterizing the as-manufactured SNAP device, determining a local effective radius value for each optical microdevice, and calibrating the as-manufactured SNAP device to obtain a predetermined “process” (ie, Determining an appropriate correction factor, defined as the change in effective radius associated with the time-dependent annealing process or UV radiation exposure), and then (3) correcting individual microdevices by application of several processes And a step in which the number of processes applied to each microdevice is determined by a necessary correction amount and a correction coefficient determined in the calibration step. Several iterations of characterization and correction operations can be performed, and effective radius variations of less than angstrom are achieved. An apparatus for carrying out this method is also disclosed.

別の実施形態では、本発明は、表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスの共振特性の特徴付けおよび補正を実施する装置を説明する。この装置は、SNAPデバイスを形成する個々の光マイクロデバイスについて局所共振波長値を測定する特徴付けステージと、個々の光マイクロデバイスに所定の数の処理(アニーリング・プロセスまたはUV放射露光)を適用する露光ステージであって、所定の処理数が、既知のアニーリング・エネルギーおよび持続時間、またはUV放射露光に関連する有効半径の既知の変化に基づいて計算される露光ステージとを含む。   In another embodiment, the present invention describes an apparatus that performs characterization and correction of resonance characteristics of surface nanoscale axial photonic (SNAP) devices. The apparatus applies a characterization stage that measures local resonant wavelength values for the individual optical microdevices forming the SNAP device, and a predetermined number of processes (annealing process or UV radiation exposure) on the individual optical microdevices. An exposure stage, wherein a predetermined number of processes is calculated based on known annealing energy and duration, or a known change in effective radius associated with UV radiation exposure.

以下の議論の間に、添付の図面を参照することにより、本発明のこれらおよび他の実施形態が明らかとなるであろう。   These and other embodiments of the present invention will become apparent during the following discussion by reference to the accompanying drawings.

ここで図面を参照し、図面では、同様の番号がいくつかの図の同様の部分を表す。   Reference is now made to the drawings, wherein like numerals represent like parts in the several views.

光ファイバの先細り区間内のウィスパリング・ギャラリー・モード(WGM)共振をサポートする例示的構成を示す図である。FIG. 3 illustrates an example configuration that supports whispering gallery mode (WGM) resonances within a tapered section of an optical fiber. 光ファイバの「ボトル状」先細り領域内で作成される代替共振構造を示す図である。FIG. 5 shows an alternative resonant structure created in a “bottle” tapered region of an optical fiber. 光ファイバの縦方向範囲に沿って分散する複数のマイクロ共振器を含むように形成された表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスを示す図である。FIG. 2 illustrates a surface nanoscale axial photonic (SNAP) device formed to include a plurality of microresonators that are distributed along the longitudinal extent of an optical fiber. 図3のSNAPデバイスを作成するのに使用することのできる例示的アニーリング・プロセスを示す図である。FIG. 4 illustrates an exemplary annealing process that can be used to create the SNAP device of FIG. 感光性光ファイバで図3のSNAPデバイスを作成するのに使用することのできる例示的UV放射プロセスを示す図である。FIG. 4 illustrates an exemplary UV radiation process that can be used to create the SNAP device of FIG. 3 with a photosensitive optical fiber. 図3に示すデバイスなどのSNAPデバイスの共振特徴を特徴付け、補正するために本発明に従って形成された例示的較正(特徴付け)および補正(露光)構成を示す図である。FIG. 4 illustrates an exemplary calibration (characterization) and correction (exposure) configuration formed in accordance with the present invention to characterize and correct a resonant feature of a SNAP device, such as the device shown in FIG. 図6の較正構成の例示的部分の拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of an exemplary portion of the calibration configuration of FIG. 本発明に従って形成された30個の共振器のセットを含むSNAPデバイスに関連する一連の表面プロットを含み、図8(a)は、SNAPデバイスの初期形成後の共振器のセットの表面プロットであり、図8(b)は、較正操作の後の同一のSNAPデバイスの表面プロットであり、図8(c)は、本発明による各マイクロ共振器に対する個々の補正操作を実施した後のSNAPデバイスの表面プロットである。FIG. 8 (a) is a surface plot of a set of resonators after initial formation of a SNAP device, including a series of surface plots associated with a SNAP device including a set of 30 resonators formed in accordance with the present invention. FIG. 8 (b) is a surface plot of the same SNAP device after the calibration operation, and FIG. 8 (c) shows the SNAP device after performing individual correction operations for each microresonator according to the present invention. It is a surface plot. 図8の測定した表面プロットに関連する有効半径変動の一連のプロットを含み、プロット1が図8(a)に関連し、プロット2が図8(b)に関連し、プロット3が図8(c)に関連する図である。8 includes a series of effective radius variation plots associated with the measured surface plot, plot 1 associated with FIG. 8 (a), plot 2 associated with FIG. 8 (b), and plot 3 associated with FIG. It is a figure relevant to c).

図1は、上記で引用した本発明者らの同時係属出願により完全に説明されているように、光ファイバの先細り区間でWGMを生み出すのに利用される例示的構成を示す。図示するように光ファイバ10(以後、「デバイス・ファイバ10」と呼ぶ)の区間が、先細り領域12を含むように形成され、先細り領域12では、先細りがナノメートルスケールで形成される。すなわち、デバイス・ファイバ10の半径が、ファイバの長さに応じてナノメートルスケールで低減するように形成される。先細り領域12の例示的長さlは一般に、伝播する光信号の波長程度である(例えば、1.3または1.5μmの入力信号では、1ミクロン程度の長さlを有する先細り領域が適している)。以下でより詳細に説明するように、ファイバ半径の修正(すなわち、「先細り」)は、ファイバの実際の半径の物理的変化、ファイバの屈折率の局所的修正、または物理的半径変化と屈折率変化の両方を含むことができ、本願ではそのすべてを光ファイバの「有効半径」の変化と呼ぶ。   FIG. 1 illustrates an exemplary configuration utilized to create a WGM in a tapered section of an optical fiber, as fully described by our co-pending application cited above. As shown in the figure, a section of the optical fiber 10 (hereinafter referred to as “device fiber 10”) is formed so as to include a tapered region 12, and the tapered region 12 is formed with a taper on the nanometer scale. That is, the radius of the device fiber 10 is formed to decrease on a nanometer scale depending on the length of the fiber. The exemplary length l of the tapered region 12 is generally on the order of the wavelength of the propagating optical signal (e.g., for a 1.3 or 1.5 μm input signal, a tapered region having a length l on the order of 1 micron is suitable. ) As described in more detail below, fiber radius modification (ie, “tapering”) is a physical change in the actual radius of the fiber, a local modification of the refractive index of the fiber, or a change in physical radius and refractive index. Both changes can be included, all referred to herein as changes in the “effective radius” of the optical fiber.

図1の説明を続けると、光マイクロファイバ14が、デバイス・ファイバ10に入力光信号を供給する。一般には、「マイクロファイバ」は、伝播する波長の約0.1から10倍程度の直径を有する光ファイバと定義され、1.5μmの信号では、これは0.15〜15ミクロン程度の直径となる。エバネッセント結合を生み出す任意の適切なタイプの光導波デバイスを使用して、デバイス・ファイバ10に入力信号を供給することができ、この議論では、単に便宜上「マイクロファイバ」という用語を使用するに過ぎないことを理解されたい。図1を参照すると、エバネッセント結合が生じ、マイクロファイバ14に沿って伝播する光信号の少なくとも一部がデバイス・ファイバ10に移送されるように、光マイクロファイバ14がデバイス・ファイバ10の十分近くに配置される。   Continuing with the description of FIG. 1, an optical microfiber 14 provides an input optical signal to the device fiber 10. In general, a “microfiber” is defined as an optical fiber having a diameter on the order of about 0.1 to 10 times the propagating wavelength, and for a 1.5 μm signal this is about 0.15 to 15 microns in diameter. Become. Any suitable type of optical waveguide device that produces evanescent coupling can be used to provide the input signal to the device fiber 10 and this discussion merely uses the term “microfiber” for convenience. Please understand that. Referring to FIG. 1, the optical microfiber 14 is sufficiently close to the device fiber 10 so that evanescent coupling occurs and at least a portion of the optical signal propagating along the microfiber 14 is transferred to the device fiber 10. Be placed.

光源16が、光信号0をマイクロファイバ14に導入するのに使用されるものとして示されている。図1に示すように、光信号0がマイクロファイバ14に沿って伝播するとき、一部はデバイス・ファイバ10の先細り領域12にエバネッセントに結合し、デバイス・ファイバ10内のデバイス・ファイバ10とマイクロファイバ14との間の重なりの近傍内でWGMを生み出す。光信号0は、マイクロファイバ14に沿って引き続き伝播し、最終的に検出器18に結合され、以下で詳細に論じるように、検出器18は、受信した信号の特性を測定して、デバイス・ファイバ10内の共振挙動を監視する。   A light source 16 is shown as being used to introduce an optical signal 0 into the microfiber 14. As shown in FIG. 1, as the optical signal 0 propagates along the microfiber 14, a portion is evanescently coupled to the tapered region 12 of the device fiber 10, and the device fiber 10 in the device fiber 10 and the microfiber A WGM is created in the vicinity of the overlap with the fiber 14. The optical signal 0 continues to propagate along the microfiber 14 and is finally coupled to the detector 18, as discussed in detail below, the detector 18 measures the characteristics of the received signal and The resonant behavior in the fiber 10 is monitored.

以下で論じるデバイス・ファイバ10に沿ったWGMの特性長は、Δz〜100μm程度である。その結果、この長さに沿ったナノメートルスケールのファイバ半径変動は、1メートル程度の極めて大きい曲率半径rに対応する。図1の構成では、WGMに関連する共振が、転換点zと、マイクロファイバ14がデバイス・ファイバ10に結合する点(図1では点zとして示す)との間で完全に閉じ込められることを示すことができる。 The characteristic length of WGM along the device fiber 10 discussed below is on the order of Δz to 100 μm. As a result, nanometer-scale fiber radius variation along this length corresponds to a very large radius of curvature r on the order of 1 meter. In the configuration of FIG. 1, a resonance associated with the WGM is a turning point z t, microfibers 14 are confined entirely between the point of attachment to the device fiber 10 (shown as in Fig. 1 point z l) Can be shown.

図2は、デバイス・ファイバ10が、図1のデバイスで示すような先細り領域12の代わりに「ボトル」領域20を含む構成を示す。図2を参照すると、デバイス・ファイバ10の領域20は、単調増加するファイバ半径を有する第1の部分22と、その後に続く、単調減少するファイバ半径を有する第2の部分24とを含む。やはり、こうした単調増加および単調減少はナノメートルスケールである。マイクロファイバ14は、上記で説明したのと同様に、ボトル領域20内でWGMを励起するのに使用される。この構成では、WGMは、デバイス・ファイバ10に沿って、転換点zt1とzt2との間で閉じ込められる。 FIG. 2 shows a configuration in which device fiber 10 includes a “bottle” region 20 instead of a tapered region 12 as shown in the device of FIG. Referring to FIG. 2, region 20 of device fiber 10 includes a first portion 22 having a monotonically increasing fiber radius followed by a second portion 24 having a monotonically decreasing fiber radius. Again, these monotonic increases and monotonic decreases are on the nanometer scale. The microfiber 14 is used to excite the WGM within the bottle region 20 as described above. In this configuration, the WGM is confined along the device fiber 10 between the turning points z t1 and z t2 .

本発明では、デバイス・ファイバ10(具体的には、先細り領域12、22、または24)は、以下のように定義される、小さいナノメートルスケールの半径変動を有すると仮定する。
r(z)−r=Δr(z)
上式で、rは公称ファイバ半径であり、zはファイバ軸と定義される。マイクロファイバ14によって励起されるWGMは、以下によって定義される波長の近傍で共振を受ける。
λ=λ=2πneff/q
上式で、qは大きい正の整数であり、neffはWGMの実効屈折率である。この解析では、マイクロファイバ14は、共振の近くの波長λを有し、すなわち|λ−λ|<<λ/qである、位置z=zのデバイス・ファイバ10の表面で放射されるコヒーレント光の点光源であるとみなされる。図2に示す構成について、半径変動Δr(z)が完全に局所化された状態(「ボトル状態」とも呼ばれる)をサポートすることも示すことができる。上記で定義されるのと同一のパラメータを有する従来の光ファイバでは、図2の構成により、2pm程度のΔλFSRの値が得られる。
In the present invention, it is assumed that device fiber 10 (specifically, tapered region 12, 22, or 24) has a small nanometer-scale radius variation, defined as follows.
r (z) −r 0 = Δr (z)
Where r 0 is the nominal fiber radius and z is defined as the fiber axis. The WGM excited by the microfiber 14 undergoes resonance in the vicinity of the wavelength defined by
λ = λ q = 2πn eff r 0 / q
In the above equation, q is a large positive integer, and n eff is the effective refractive index of WGM. In this analysis, the microfiber 14 has a wavelength λ c near resonance, ie, | λ c −λ q | << λ q / q, at the surface of the device fiber 10 at position z = z 1. It is considered to be a point source of emitted coherent light. For the configuration shown in FIG. 2, it can also be shown that the radius variation Δr (z) supports a fully localized state (also referred to as “bottle state”). With a conventional optical fiber having the same parameters as defined above, a Δλ FSR value of about 2 pm is obtained with the configuration of FIG.

上述の現象は今や、こうしたタイプの有効半径変動を有する光ファイバの区間内でWGMを生み出す能力に基づいて、より複雑なデバイスへの研究を広げた。具体的には、表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)は、光ファイバの半径および/またはその屈折率の平滑かつ劇的に小さいナノスケール変動(すなわち、「有効半径変動」)によって作成される微視的光学デバイスに関する新興の研究分野である。   The phenomenon described above has now expanded research into more complex devices based on the ability to generate WGM within a section of optical fiber with this type of effective radius variation. Specifically, surface nanoscale axial photonics (SNAPs) are created by smooth and dramatically small nanoscale variations in optical fiber radius and / or its refractive index (ie, “effective radius variation”). This is an emerging field of research on microscopic optical devices.

図3は、単一の光ファイバに沿って形成された複数のN個の微視的光学デバイスの例示的SNAPデバイス30を示す。この例では、SNAPデバイス30は、光ファイバ34の長さに沿って配設された複数のN個のマイクロ共振器32を備える。図示するように、共振器32−1、32−2、...、32−Nがファイバ34に沿って形成され、(例えば)50μm程度の共振器間間隔で分離される。このデバイスでは、導入されるWGMは、それぞれの別々の共振器32−iの閉込め内の光ファイバ34の外周の周りを循環し、光ファイバ34の縦軸zに沿ってゆっくりと伝播する。SNAPデバイス30の光伝播の方向は、縦軸zに沿って進むその光と定義され、光がそのエネルギーをシーケンス中の次のマイクロ共振器に伝達し始める前に、各マイクロ共振器内のファイバの外周の周りの光の周期的回転の結果として、必然的に(既知の光の速度と比べて)「低速」となる。   FIG. 3 shows an exemplary SNAP device 30 of a plurality of N microscopic optical devices formed along a single optical fiber. In this example, the SNAP device 30 includes a plurality of N microresonators 32 disposed along the length of the optical fiber 34. As shown, resonators 32-1, 32-2,. . . , 32-N are formed along the fiber 34 and separated by an inter-resonator spacing of (for example) about 50 μm. In this device, the introduced WGM circulates around the outer periphery of the optical fiber 34 within the confinement of each separate resonator 32-i and propagates slowly along the longitudinal axis z of the optical fiber 34. The direction of light propagation of the SNAP device 30 is defined as that light traveling along the longitudinal axis z, and the fiber in each microresonator before the light begins to transfer its energy to the next microresonator in the sequence. As a result of the periodic rotation of light around the perimeter of the inevitably, it is “slow” (compared to the known speed of light).

上述の構成と同じく、光信号は、マイクロファイバ14を介して、光源16と光検出器18との間で結合されるSNAPデバイス30にエバネッセントに結合される。図3に示す特定の実施形態では、SNAPデバイス30は、例えば15〜20μm程度の半径rを有する「無芯」シリカ光ファイバ34から形成される。数ナノメートル(nm)程度の有効半径Δr(z)の局所的変動を導入することにより、複数のマイクロ共振器32−1から32−Nが形成される。 Similar to the configuration described above, the optical signal is evanescently coupled via the microfiber 14 to a SNAP device 30 that is coupled between the light source 16 and the photodetector 18. In the particular embodiment shown in FIG. 3, the SNAP device 30 is formed from a “coreless” silica optical fiber 34 having a radius r 0 on the order of 15-20 μm, for example. By introducing a local variation of the effective radius Δr (z) on the order of several nanometers (nm), a plurality of microresonators 32-1 to 32-N are formed.

ほとんどの場合、SNAPデバイスは、引抜きシリカ・ファイバ(drawn silica fiber)から製造され、その結果、シリカWGMマイクロ共振器と同様の低損失および高Q値を示す(しかし、シリカ以外の材料を使用できることも企図される)。さらに、こうしたSNAPデバイスの特性軸波長(characteristic axial wavelength)は光の波長よりもずっと長く、それにより、こうしたSNAPデバイスは光の基本特性の調査(例えば、トンネル効果、点光源による停止、暗状態の形成など)にとって好都合となる。しかし、シリカ以外の他の光学的材料(例えば、他の酸化物および非酸化物ガラス、またはシリコン、ゲルマニウム、リン化インジウムなどの結晶材料)、一般には、注目の光放射波長を適切に透過する任意の材料からSNAPデバイスを形成できることを理解されたい。さらに、こうしたSNAPデバイスは、従来の円筒形の光ファイバ以外の形態(すなわち、球状、環状、放物型)を取ることができる。   In most cases, SNAP devices are manufactured from drawn silica fiber, which results in low loss and high Q values similar to silica WGM microresonators (but that materials other than silica can be used) Is also contemplated). In addition, the characteristic axial wavelength of such SNAP devices is much longer than the wavelength of light, so that these SNAP devices can investigate basic characteristics of light (e.g., tunneling, point-source deactivation, dark state For example). However, other optical materials other than silica (eg, other oxide and non-oxide glasses, or crystalline materials such as silicon, germanium, indium phosphide) generally transmit appropriately the light emission wavelength of interest. It should be understood that a SNAP device can be formed from any material. Furthermore, such SNAP devices can take forms other than conventional cylindrical optical fibers (ie, spherical, annular, parabolic).

基板ベースの光マイクロデバイスに勝るSNAPデバイスの利点は、上述のように、光ファイバ半径のナノメートルスケールの変動と共に、強いミクロンスケールの光の局所化を生み出す能力に帰すことができ、サブナノスケールの有効半径変動を達成する可能性がある。この精度は、マイクロフォトニック・デバイス(すなわち、シリコン基板ベースのフォトニック・デバイス)の従来のリソグラフィ製造で達成される精度よりもかなり高い。比較のために、リソグラフィ製造の特性再現性は数ナノメートル程度であるのに対して、本発明のSNAPデバイス再現性は、オングストロオーム(少なくとも1桁小さい)未満にすることができる。   The advantages of SNAP devices over substrate-based optical microdevices can be attributed to the ability to produce strong micron-scale light localization, along with nanometer-scale variations in optical fiber radius, as described above. Possible to achieve effective radius variation. This accuracy is significantly higher than that achieved with conventional lithographic manufacturing of microphotonic devices (ie, silicon substrate-based photonic devices). For comparison, the lithographic fabrication characteristic reproducibility is on the order of a few nanometers, whereas the SNAP device reproducibility of the present invention can be less than angstroms (at least an order of magnitude smaller).

現在までのところ、SNAPデバイスについてナノスケールの有効半径の変動を導入するのに少なくとも2つの異なる製造方法が利用されてきた。図4に示すように、第1の方法は、COレーザ・ビームを用いた光ファイバの局所的アニーリングに基づく。この手法では、COビームにさらされているファイバの局所化した部分(すなわち、ファイバのその部分がアニーリングされている)内の張力の解放によって光ファイバ半径のナノスケールの修正が生み出される。ファイバ内のこの元の張力は周知の現象であり、光学的プリフォームからファイバを引き出すプロセス中に生み出され、定位置に「凍結」される。したがって、アニーリング・ビームの印加により、張力が緩和され、その地点での有効半径が修正される。光ファイバ40の区間Aの拡大図が図4に示されており、異なる位置でアニーリングを実施することに関連する半径の局所的変動を見ることができる。放物型レンズ42の焦点距離を変更すること、ならびにレーザ源のビーム出力および露光時間を変更することにより、この方法を使用して形成されたSNAPマイクロ共振器の軸寸法を修正することができる。 To date, at least two different manufacturing methods have been utilized to introduce nanoscale effective radius variations for SNAP devices. As shown in FIG. 4, the first method is based on local annealing of an optical fiber using a CO 2 laser beam. In this approach, a nanoscale modification of the fiber radius is created by the release of tension in the localized portion of the fiber that is exposed to the CO 2 beam (ie, that portion of the fiber is annealed). This original tension in the fiber is a well-known phenomenon and is created during the process of pulling the fiber from the optical preform and “frozen” into place. Thus, application of the annealing beam relaxes the tension and modifies the effective radius at that point. An enlarged view of section A of optical fiber 40 is shown in FIG. 4 where the local variations in radius associated with performing annealing at different locations can be seen. By changing the focal length of the parabolic lens 42 and changing the beam output and exposure time of the laser source, the axial dimensions of the SNAP microresonator formed using this method can be modified. .

図5に示されるように、第2の方法は、感光性光ファイバ(例えば、Geドープされたファイバ)に適用可能であり、UV放射を使用して光ファイバの有効半径を修正する。図5に示す構成では、ファイバに感光性を導入する特定のドーパントを含むように光ファイバ50が形成され、ドーパント濃度は、生み出すことのできる有効半径変化量に関係付けられる。図5に示す構成では、UVビームは、適切に構成された振幅マスク52を通過し、振幅マスク52は、感光性ファイバ50内でUV光による干渉縞を生じさせる。このUV放射の存在により、含まれるドーパントの特性が修正され、したがって放射が当てられた区間内のファイバ50の「有効」半径が修正される。所望のSNAPデバイス構造を作成するように振幅マスクの詳細が決定される。UVで導入される有効半径の変化を示す、ファイバ10の区間Bの拡大図も図5に示されている。   As shown in FIG. 5, the second method is applicable to photosensitive optical fibers (eg, Ge-doped fibers) and uses UV radiation to modify the effective radius of the optical fiber. In the configuration shown in FIG. 5, the optical fiber 50 is formed to include a specific dopant that introduces photosensitivity to the fiber, and the dopant concentration is related to the amount of effective radius change that can be produced. In the configuration shown in FIG. 5, the UV beam passes through an appropriately configured amplitude mask 52 that causes interference fringes due to UV light in the photosensitive fiber 50. The presence of this UV radiation modifies the properties of the included dopant, and thus modifies the “effective” radius of the fiber 50 in the section where the radiation is applied. Amplitude mask details are determined to create the desired SNAP device structure. An enlarged view of section B of fiber 10 showing the change in effective radius introduced by UV is also shown in FIG.

アニーリング方法は、「ステップおよび反復」プロセスと同様に考えることができ、COビームが、第1の位置Aでアニーリングを実施し、第2の位置Bに移動してアニーリング・プロセスを反復し、各位置が所望のマイクロ共振器位置に関連付けられる。あるいは、それぞれの別々のデバイスの位置を画定するように振幅マスクが適切に形成される限り、単一のUV露光を使用して複数のマイクロ共振器デバイスを形成することができる。 The annealing method can be thought of as a “step and iteration” process, in which the CO 2 beam performs annealing at a first position A, moves to a second position B and repeats the annealing process, Each position is associated with a desired microresonator position. Alternatively, multiple microresonator devices can be formed using a single UV exposure as long as the amplitude mask is appropriately formed to define the location of each separate device.

理論上は、こうした技法のいずれかを使用して、光サポート材料(シリカ・ファイバなど)の単一の鎖に沿ってマイクロ共振器の比較的長い連鎖を形成することができるが、様々な製造誤差により、例示的連鎖の長さが、比較的少ない数のマイクロ共振器に制限される。こうした誤差は、例えば、元の光ファイバ半径の(nmスケールの)非一様性、ファイバに沿った様々な位置での表面汚染、アニーリング温度、出力の意図しないゆらぎ、UV露光のゆらぎ、感光性を生み出すドーピング・レベルなどを含む。より大規模のデバイスでは問題ではないが、これらおよび他の要素はすべて、ナノスケール・レベルの半径変動で誤差を導入することに寄与し、それにより、上述の方式でSNAPデバイスを作成する能力が制限される。こうしたSNAPデバイスは、共振挙動を生み出すためにオングストロオーム精度の修正に依拠するからである。こうした識別されるパラメータのうちの1つまたは複数のどんな小さな変動も、こうしたデバイスの機能を制限する。   Theoretically, any of these techniques can be used to form relatively long chains of microresonators along a single chain of optical support material (such as silica fiber) Errors limit the length of the exemplary chain to a relatively small number of microresonators. These errors include, for example, non-uniformity (in nm scale) of the original optical fiber radius, surface contamination at various locations along the fiber, annealing temperature, unintentional output fluctuations, UV exposure fluctuations, photosensitivity Including doping levels that produce While not a problem for larger devices, all of these and other factors contribute to introducing errors with nanoscale-level radius variations, thereby enabling the ability to create SNAP devices in the manner described above. Limited. This is because such SNAP devices rely on angstrom-ohm accuracy corrections to produce resonant behavior. Any small variation in one or more of these identified parameters limits the function of such devices.

本発明は、SNAPデバイスの製造に「特徴付けおよび補正」プロセスを導入することにより、この残っている問題に対処する。以下で詳細に説明するように、(場合によって)アニーリング・プロセスまたはUV放射露光のどちらかの形態の「処理」は、最終的なSNAPデバイスをその共振特徴のサブオングストロームの精度で作成する方式で、当初生み出された有効半径変動が局所的に「トリミング」するために使用される。以下で説明するように、補正処理を適用するのに使用されるプロセスの詳細は、最初の例でデバイスを作成するのに使用されるものと同様である。   The present invention addresses this remaining problem by introducing a “characterization and correction” process in the manufacture of SNAP devices. As will be described in detail below, “processing” in the form of either (optionally) an annealing process or UV radiation exposure is a way to create the final SNAP device with sub-angstrom accuracy of its resonant features. The effective radius variation produced initially is used to locally “trim”. As will be described below, the details of the process used to apply the correction process are similar to those used to create the device in the first example.

アニーリング・プロセスを利用することに関連する例示的実施形態では、ファイバの有効半径の変化と、ファイバの区間に印加されるアニーリング・エネルギーの時間依存の露光のパラメータとの間に本質的に線形の関係があることが判明している。例えば、以下で論じるように、特徴付けおよび補正プロセスの較正部分の間に、COビームからの54msパルスからなる処理が、19μmの半径を有する光ファイバの有効半径の0.054Åの変化を生み出す。したがって、連鎖に沿った各共振器内に存在する局所的誤差を知ることにより、本発明のプロセスの補正部分は、一連のアニーリング処理を利用して、各共振器の半径を個々に調整し、所望のSNAPデバイスを作成する。 In an exemplary embodiment related to utilizing an annealing process, the change in effective fiber radius is essentially linear between the time dependent exposure parameters of the annealing energy applied to the fiber section. It has been found that there is a relationship. For example, as discussed below, during the calibration portion of the characterization and correction process, processing consisting of 54 ms pulses from the CO 2 beam produces a 0.054Å change in the effective radius of an optical fiber having a 19 μm radius. . Thus, by knowing the local errors present in each resonator along the chain, the correction part of the process of the present invention utilizes a series of annealing processes to individually adjust the radius of each resonator, Create the desired SNAP device.

図6は、本発明に従ってSNAPデバイスを較正および補正するのに使用することのできる例示的実験セットアップ60を示す。図示するセットアップ60は、露光ステージ62および特徴付けステージ64を含む。この議論では、(図4および5に示すような)適切な方法を使用して第1の例のSNAPデバイスを作成したと想定する。具体的には、選択したプロセスを使用して、(空芯)光ファイバの区間に沿って30個のマイクロ共振器の連鎖を作成し、マイクロ共振器を作成する前にファイバが公称半径19μmを有したと想定する。各共振器は、50μmの間隔で分離され、この特定の例では、(サブオングストローム精度で)1564.3nmの同一の共振波長λをすべて示す共振器のセットを作成することが望ましかった。   FIG. 6 illustrates an exemplary experimental setup 60 that can be used to calibrate and correct a SNAP device in accordance with the present invention. The illustrated setup 60 includes an exposure stage 62 and a characterization stage 64. This discussion assumes that the first example SNAP device was created using an appropriate method (as shown in FIGS. 4 and 5). Specifically, using a selected process, create a chain of 30 microresonators along the section of the (air core) optical fiber, and before creating the microresonator, the fiber has a nominal radius of 19 μm. Assume that you have. Each resonator was separated by a 50 μm spacing, and in this particular example it was desirable to create a set of resonators that all showed the same resonant wavelength λ of 1564.3 nm (with sub-angstrom accuracy).

共振波長のわずかサブオングストロームの変動で30個の共振器のセットを設けるために必要である可能性がある補正量を求めるために、本発明のプロセスでの第1のステップは、作製されたままのマイクロ共振器のセットを特徴付ける(すなわち、それぞれの個々の共振器の共振波長を求める)ことである。その目的で、図6に示すように、SNAPデバイスが構成60の特徴付けステージ64内に配置され、特徴付けステージ64は、SNAPデバイスを形成するそれぞれの個々のマイクロ共振器の共振波長を測定するのに使用される。   In order to determine the amount of correction that may be required to provide a set of 30 resonators with only a sub-angstrom variation of the resonant wavelength, the first step in the process of the present invention remains as fabricated. Characterizing a set of microresonators (ie, determining the resonant wavelength of each individual resonator). To that end, as shown in FIG. 6, a SNAP device is placed in the characterization stage 64 of the configuration 60, which measures the resonant wavelength of each individual microresonator that forms the SNAP device. Used to.

参照により組み込まれている本発明者らの同時係属出願に詳細に論じられているように、作成したマイクロ共振器のマイクロファイバベースの測定のセットを使用することによって共振構造の特性を特徴付けることができる。特徴付けステージ64は、光源66を使用して光ビームを生成し、その後で光ビームが、マイクロファイバ70まで先細になる光68ファイバに結合されることにより、この測定を実施する。上述のように、マイクロファイバ70は、第1の位置S1でSNAPデバイス72の表面Sに接触し、したがって、それにより、光信号の一部が位置D1でSNAPデバイス72にエバネッセントに結合される。信号がSNAPデバイス72に沿ったマイクロ共振器位置に結合されるために、WGMは、SNAPデバイス72の外周の周りを循環し、マイクロファイバ70に沿って引き続き伝播する光信号に摂動を導入する。修正された光信号は、引き続きマイクロファイバ70を通過し、最終的には光ファイバ76を介して検出器74に結合される。図7は、SNAPデバイス72の表面位置S1と接触するときのマイクロファイバ70のクローズアップ図である。   As discussed in detail in our co-pending application, which is incorporated by reference, the characteristics of the resonant structure can be characterized by using a microfiber-based set of measurements of the created microresonator. it can. The characterization stage 64 performs this measurement by using a light source 66 to generate a light beam that is then coupled to an optical 68 fiber that tapers to the microfiber 70. As described above, the microfiber 70 contacts the surface S of the SNAP device 72 at the first location S1, so that a portion of the optical signal is evanescently coupled to the SNAP device 72 at location D1. In order for the signal to be coupled to microresonator locations along the SNAP device 72, the WGM introduces perturbations into the optical signal that circulates around the periphery of the SNAP device 72 and continues to propagate along the microfiber 70. The modified optical signal continues to pass through the microfiber 70 and is finally coupled to the detector 74 via the optical fiber 76. FIG. 7 is a close-up view of the microfiber 70 when it contacts the surface position S1 of the SNAP device 72. FIG.

SNAPデバイス72に沿って形成されたマイクロ共振器のセットを完全に特徴付けるために、マイクロファイバ70がSNAPデバイス72の縦軸に対して並進し、連鎖に沿った各マイクロ共振器に関連する一連の測定値が生み出される。例えば、(図に示されるように)マイクロファイバ70が前方および後方に移動することを可能にする固定アセンブリ90でマイクロファイバ70を保持することができる。並進ステージ94に取り付けられる固定アセンブリ92でSNAPデバイス72自体を保持することができる。特徴付けを実施する際に、マイクロファイバ70がまずSNAPデバイス72に触れ、初期測定が行われる。次いで、マイクロファイバ70が引き戻され、SNAPデバイス72に対するマイクロファイバ70の並進が行われ、マイクロファイバ70が新しい表面位置に接触し、マイクロファイバがSNAPデバイス72の長さに沿ったいくつかの位置に接触するとき、以下同様である。   In order to fully characterize the set of microresonators formed along the SNAP device 72, the microfiber 70 translates relative to the longitudinal axis of the SNAP device 72 and is associated with each series of microresonators along the chain. A measurement is generated. For example, the microfiber 70 can be held by a securing assembly 90 that allows the microfiber 70 to move forward and backward (as shown). The SNAP device 72 itself can be held by a fixed assembly 92 attached to the translation stage 94. In performing the characterization, the microfiber 70 first touches the SNAP device 72 and an initial measurement is made. The microfiber 70 is then pulled back, translation of the microfiber 70 relative to the SNAP device 72 is performed, the microfiber 70 contacts the new surface location, and the microfiber is in several positions along the length of the SNAP device 72. The same applies when contacting.

図8(a)は、30連鎖SNAPデバイス72の表面プロットであり、このプロットは、上述のようにマイクロファイバ70を使用する一連の測定によって形成される。こうした測定は、1.3pm程度の波長分解能で得られたものであり、測定は、SNAPデバイス72の長さに沿って10μmの間隔で分離される。この特定のSNAPデバイス72が、同一の共振波長をそれぞれ示す一連の30個の「一様な」マイクロ共振器として形成されるように意図されたことを想起して、初期製造プロセスの結果を分析することができる。   FIG. 8 (a) is a surface plot of a 30-chain SNAP device 72, which is formed by a series of measurements using the microfiber 70 as described above. These measurements were obtained with a wavelength resolution on the order of 1.3 pm, and the measurements are separated at 10 μm intervals along the length of the SNAP device 72. Recalling that this particular SNAP device 72 was intended to be formed as a series of 30 “uniform” microresonators, each representing the same resonant wavelength, the results of the initial manufacturing process were analyzed. can do.

図8(a)のスペクトルを検討する際に、スペクトルが所望の波長λ=1564.3nm付近の基本伝送(共振)帯と、その後に続くバンド・ギャップとを示すことが示される。共振の(望ましくない)波長変動Δλが、左側の垂直軸上の目盛で示されている。この特定の例では、共振波長の変動は6Å程度である。図9の曲線1は、本明細書で説明している30個のマイクロ共振器の連鎖に関する共振波長の望ましくない変動を示し、水平軸は、各マイクロ共振器の位置をSNAPデバイスに沿った距離の関数として定義する。上記で論じたように、この望ましくない変動は、製造プロセスでの1つまたは複数の誤差によって生み出され、マイクロ共振器の長い連鎖を作成するためには、こうした変動を著しく、好ましくはサブオングストローム・レベルまで低減することが望ましい。   When examining the spectrum of FIG. 8 (a), it is shown that the spectrum shows a fundamental transmission (resonance) band near the desired wavelength λ = 1564.3 nm, followed by a band gap. The resonant (undesirable) wavelength variation Δλ is shown on the scale on the left vertical axis. In this particular example, the resonance wavelength variation is on the order of 6 mm. Curve 1 in FIG. 9 shows the undesired variation in resonance wavelength for the 30 microresonator chain described herein, where the horizontal axis represents the position of each microresonator along the distance along the SNAP device. Defined as a function of As discussed above, this undesirable variation is created by one or more errors in the manufacturing process, and in order to create a long chain of microresonators, these variations are significant, preferably sub-angstroms. It is desirable to reduce it to a level.

本発明によれば、まず較正プロセスを実施して、所定のアニーリング・パルスに関連する有効半径変化量(すなわち、「補正係数」)を求めることにより、変動が低減される。個々のマイクロ共振器の半径を修正してSNAPデバイスの全体の一様性を改善するための、求めた補正係数。実際、この「特徴付けおよび補正」プロセスを複数回実施することができ、追加の反復は、所望のレベルの精度が達成されるまで各マイクロ共振器の有効半径を微調整するのに使用される。説明している「一様」共振器のセットを作成する場合、この「所望の精度」は、例えば、すべての30個の共振器がわずか±0.7Åだけ変動する(標準偏差0.12Å)ことがある共振波長を示すSNAPデバイスを作成することである。   In accordance with the present invention, the variation is reduced by first performing a calibration process to determine the effective radius change (ie, “correction factor”) associated with a given annealing pulse. The correction factor determined to modify the radius of the individual microresonator to improve the overall uniformity of the SNAP device. In fact, this “characterization and correction” process can be performed multiple times, with additional iterations used to fine tune the effective radius of each microresonator until the desired level of accuracy is achieved. . When creating the set of “uniform” resonators described, this “desired accuracy” is, for example, all 30 resonators vary by only ± 0.7 mm (standard deviation 0.12 mm). Creating a SNAP device that exhibits a certain resonant wavelength.

図6を参照すると、SNAPデバイス72を露光ステージ62に移動することによって例示的較正プロセスが実施される。露光ステージ62は、COレーザ・ビーム源80を含むものとして示されており、COレーザ・ビーム源80は、制御ビーム・シャッタ82および放物型レンズ84を通じてビームを送り、アニーリング・ビーム・エネルギーをSNAPデバイス72上の所望の位置に集束させる。それぞれの時間依存アニーリング処理の露光時間およびエネルギーは、制御シャッタ82によって決定され、ビームのスポット・サイズは、放物型レンズ84の焦点距離によって制御される。制御される持続時間および出力の一連のアニーリング処理が使用され、連鎖に沿ったマイクロ共振器のセットの有効半径が修正される。ある場合には、増加した数のアニーリング処理が、連鎖に沿った各マイクロ共振器に適用され、単一の処理が、連鎖中の第1のマイクロ共振器に適用され、2つの処理が、連鎖中の第2のマイクロ共振器に連続して適用され、一連の3つの処理が、連鎖中の第3のマイクロ共振器に適用され、以下同様である(すなわち、m個のアニーリング処理が、連鎖に沿ったm番目の共振器に適用される)。この特定の例では、各アニーリング・プロセスは露光長54msを有し、各マイクロ共振器に対するアニーリング・プロセスの再配置が、SNAPデバイス72を増分式に移動するように並進ステージ94を移動することによって制御された。 With reference to FIG. 6, an exemplary calibration process is performed by moving the SNAP device 72 to the exposure stage 62. Exposure stage 62 is shown as including a CO 2 laser beam source 80, a CO 2 laser beam source 80 sends a beam through the control beam shutter 82 and parabolic lens 84, the annealing beam Energy is focused to a desired location on the SNAP device 72. The exposure time and energy of each time-dependent annealing process is determined by the control shutter 82, and the beam spot size is controlled by the focal length of the parabolic lens 84. A series of controlled duration and output annealing processes are used to modify the effective radius of the set of microresonators along the chain. In some cases, an increased number of annealing processes are applied to each microresonator along the chain, a single process is applied to the first microresonator in the chain, and the two processes are chained. Applied in succession to the second microresonator in the series, a series of three processes applied to the third microresonator in the chain, and so on (i.e., m annealing processes are chained). Applied to the m th resonator along the line). In this particular example, each annealing process has an exposure length of 54 ms, and the relocation of the annealing process for each microresonator moves the translation stage 94 to move the SNAP device 72 incrementally. Controlled.

この較正ステップの完了時に、SNAPデバイス72が特徴付けステージ64に戻され、特徴付けステージ64は、マイクロファイバ70を使用して、同一の共振波長測定プロセスを反復し、連鎖に沿った各マイクロ共振器の修正後の共振波長を求める。図8(b)は、こうした「較正後」マイクロ共振器によってそのとき与えられる共振を示し、図9のプロット2は、図8(b)の測定に関する、連鎖に沿った有効半径の変動を示す。   At the completion of this calibration step, the SNAP device 72 is returned to the characterization stage 64, which uses the microfiber 70 to repeat the same resonant wavelength measurement process, with each microresonance along the chain. Find the corrected resonant wavelength of the instrument. FIG. 8 (b) shows the resonance then provided by such a “post-calibration” microresonator, and plot 2 of FIG. 9 shows the variation in effective radius along the chain for the measurement of FIG. 8 (b). .

較正プロセスは、それぞれの個々の共振器に対する既知の修正を導入するので、プロット1および2の結果を評価して、単一の「処理」に関連する有効半径変動を求めることが可能である。このことが図9のプロット3で示されており、プロット3はプロット1と2の差である。プロット3は、マイクロ共振器に適用されるアニーリング処理数と、その有効半径の変化(したがって、共振波長の変化)との間の線形関係をはっきりと示す。この特定のデバイスでは、COレーザ源からの(シャッタ82によって制御される)単一の54msパルスが有効半径の変化+0.054Åを導入することが判明した。ここで、この+0.054Åの値が、SNAPデバイス72を形成するマイクロ共振器を補正するプロセスの残りの部分に関する「補正係数」と定義される。 Since the calibration process introduces known corrections for each individual resonator, the results of plots 1 and 2 can be evaluated to determine the effective radius variation associated with a single “process”. This is illustrated by plot 3 in FIG. 9, which is the difference between plots 1 and 2. Plot 3 clearly shows the linear relationship between the number of annealing treatments applied to the microresonator and the change in its effective radius (and hence the change in resonance wavelength). In this particular device, it has been found that a single 54 ms pulse (controlled by shutter 82) from the CO 2 laser source introduces a change in effective radius +0.054 Å. Here, this value of + 0.054Å is defined as the “correction factor” for the remainder of the process of correcting the microresonator forming the SNAP device 72.

実際、この補正係数を求めた後は、SNAPデバイス72を形成するそれぞれの別々の共振器が、その特定の共振波長を修正するのに必要な適切な数の処理を使用することにより、露光ステージ62内で補正される。例えば、連鎖に沿った共振器#4の共振波長を0.27Åだけ増大させる必要があると想定する。この場合、求めた補正係数に基づいて、レーザ源からの5個の処理のセットが、所望の共振波長を生み出す方式で、その有効半径を適切に調節する。共振器#12は、その値を補正するのに必要な処理は2つだけであることがあり、以下同様である。図8(c)は、この補正プロセスを実施し、わずか0.56Å程度の共振波長の変動を示すSNAPデバイス72に沿った30個のマイクロ共振器のセットを作成した結果を示す。   In fact, after determining this correction factor, each separate resonator forming the SNAP device 72 uses the appropriate number of processes necessary to modify that particular resonant wavelength, thereby exposing the exposure stage. 62 is corrected. For example, assume that the resonant wavelength of resonator # 4 along the chain needs to be increased by 0.27 mm. In this case, based on the determined correction factor, a set of five treatments from the laser source appropriately adjusts its effective radius in a manner that produces the desired resonant wavelength. Resonator # 12 may only require two processes to correct its value, and so on. FIG. 8 (c) shows the result of performing this correction process and creating a set of 30 microresonators along the SNAP device 72 that exhibits a resonant wavelength variation of only about 0.56 mm.

この例は、アニーリング手順を使用する補正プロセスを説明するが、感光性SNAPデバイスについて、同様にUV放射プロセスを適用することができ(すなわち、測定、較正、次いで補正)、特定の時間依存UV放射プロセスが、共振波長の所望の量の変化をもたらすことに関連する特定の「処理」と定義されることを理解されたい。   This example describes a correction process using an annealing procedure, but for photosensitive SNAP devices, a UV radiation process can be applied as well (ie, measurement, calibration, then correction) and a specific time-dependent UV radiation. It should be understood that a process is defined as a specific “treatment” associated with providing the desired amount of change in resonant wavelength.

上述のように、(アニーリングまたはUV放射を使用して)第1のセットの補正を行った後は、SNAPデバイスを特徴付けステージ64に戻すことができ、そのスペクトルを再決定する。1つまたは複数の共振器デバイスの有効半径を「トリミングする」ことに関する任意のさらなる修正を実施することができる。SNAPデバイスの所望の最終的特性が達成されるまで(この場合、連鎖全体に沿った一様な共振値)、このプロセスは、特徴付けステージと露光ステージとの間の追加の反復を続行することができる。実際、実験的プロセスは、±0.15Å程度の一様性を有する30個のマイクロ共振器のセットを作成することが判明した。   As described above, after performing the first set of corrections (using annealing or UV radiation), the SNAP device can be returned to the characterization stage 64 and its spectrum re-determined. Any further modifications related to “trimming” the effective radius of one or more resonator devices may be implemented. This process continues with additional iterations between the characterization stage and the exposure stage until the desired final characteristics of the SNAP device are achieved (in this case, a uniform resonance value along the entire chain) Can do. In fact, the experimental process has been found to produce a set of 30 microresonators with a uniformity on the order of ± 0.15 cm.

この特定の実験では、同一の共振波長をすべて示す共振器のセットを作成することが望まれた。一般には、任意の所望の構成を示すようにSNAPデバイスを形成できることを理解されたい(恐らくは、各共振器が異なる共振波長、または可同調波長、またはこれらの可能性の任意の組合せを有する)。   In this particular experiment, it was desired to create a set of resonators that exhibited all of the same resonant wavelength. In general, it should be understood that a SNAP device can be formed to exhibit any desired configuration (perhaps each resonator has a different resonant wavelength, or tunable wavelength, or any combination of these possibilities).

上述の較正および補正プロセスの多くの変形形態を使用できることを理解されたい。例えば、補正処理の出力および露光時間を修正することができ、低い出力レベルは、比較的小さい有効半径の変化を生み出し、したがって「より細かい」解像度を結果としてもたらす。さらに、上述の較正プロセスは、連鎖に沿った各共振器に対して適用される、増分式の増大する一連の処理を利用するが、別の較正プロセスは、共振器のサブセットのみを使用して補正係数を求めることができる。実際、図9を参照すると、プロット3の線型性が、より少数の共振器を使用して適切な補正係数を求めることができるようなものであることは明らかである。   It should be understood that many variations of the calibration and correction process described above can be used. For example, the power and exposure time of the correction process can be modified, and a low power level produces a relatively small effective radius change, thus resulting in a “finer” resolution. In addition, the calibration process described above utilizes an incremental and increasing series of processes applied to each resonator along the chain, while another calibration process uses only a subset of the resonators. A correction coefficient can be obtained. In fact, referring to FIG. 9, it is clear that the linearity of plot 3 is such that an appropriate correction factor can be determined using a smaller number of resonators.

さらに、本発明の較正および補正プロセスは任意の適切な光導波材料内に形成されたマイクロ共振器と共に有用であると考えられる。シリカは、1つのそのような例示的材料に過ぎない。共振を測定および較正することができる限り、求めた補正係数に基づいて個々の共振波長を修正するプロセスは、サブオングストローム精度を達成することを可能にする。   Furthermore, the calibration and correction process of the present invention is believed useful with microresonators formed in any suitable optical waveguide material. Silica is just one such exemplary material. As long as the resonance can be measured and calibrated, the process of modifying the individual resonant wavelengths based on the determined correction factor makes it possible to achieve sub-angstrom accuracy.

Claims (21)

別々の光マイクロデバイスの長い連鎖として形成された複数の別々の光マイクロデバイスを備える表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスの有効半径変動を特徴付け、補正する方法であって、
製造されたままのSNAPデバイスを特徴付け、前記長い連鎖に沿った前記複数の別々の光マイクロデバイスの局所有効半径値を求めること、
前記製造されたままのSNAPデバイスを較正し、単一の所定の時間依存有効半径変更処理に関連する有効半径の変化と定義される補正係数を求めること、および
いくつかの有効半径変更処理の適用によって前記別々の光マイクロデバイスの長い連鎖に沿った前記別々マイクロデバイスのそれぞれを補正することであって、前記別々マイクロデバイスのそれぞれに適用される処理数が、その光マイクロデバイスに必要な有効半径補正量および前記較正するステップで求めた前記補正係数によって求められる、補正すること
を含む方法。
A method for characterizing and correcting effective radius variation of a surface nanoscale axial photonic (SNAP) device comprising a plurality of separate optical microdevices formed as a long chain of separate optical microdevices, comprising:
Characterizing the as-manufactured SNAP device and determining a local effective radius value of the plurality of separate optical microdevices along the long chain ;
Calibrating the as-manufactured SNAP device to determine a correction factor defined as a change in effective radius associated with a single predetermined time-dependent effective radius change process, and application of several effective radius change processes wherein the method comprising correcting each of the separate optical micro device along a separate long chain of light microdevice, processing number of the is applied to each of the separate optical microdevices, in the light microdevice by A method comprising a correction determined by a required effective radius correction amount and the correction factor determined in the calibrating step.
前記較正するステップが、
前記別々の光マイクロデバイスの長い連鎖に沿ったいくつかの前記別々の光マイクロデバイスに所定の数の処理を適用することであって、各光マイクロデバイスが、異なる数の処理を受ける、適用すること、
処理した前記光マイクロデバイスのそれぞれの前記局所有効半径値を測定すること、および
初期の製造されたままの前記光マイクロデバイスの局所有効半径値と、処理後の局所有効半径値との差に基づいて補正係数を求めること
を含む請求項1に記載の方法。
The step of calibrating comprises:
Applying a predetermined number of processes to a number of said separate optical microdevices along a long chain of said separate optical microdevices, each optical microdevice undergoing a different number of processes about,
Measuring the local effective radius value of each of the processed optical microdevices, and based on the difference between the local effective radius value of the initially fabricated optical microdevice and the local effective radius value after processing The method of claim 1 including determining a correction factor.
前記適用するステップの間に、各光マイクロデバイスに適用される処理数が増分式に増加する請求項2に記載の方法。   3. The method of claim 2, wherein during the applying step, the number of processes applied to each optical microdevice increases incrementally. 前記処理数が1つずつ増加する請求項3に記載の方法。   The method according to claim 3, wherein the number of processes increases by one. 前記SNAPデバイスを形成する各光マイクロデバイスが、較正するステップの間に処理される請求項2に記載の方法。   The method of claim 2, wherein each optical microdevice forming the SNAP device is processed during a calibration step. 前記有効半径変更処理が、局所半径の物理的変化を導入する時間依存アニーリング・プロセスである請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the effective radius change process is a time-dependent annealing process that introduces a physical change in local radius. レーザ源が、前記時間依存アニーリング・プロセスを実施するのに使用され、前記レーザ源アウトプットの持続時間および出力が、局所光マイクロデバイスで生み出される半径変化量を定義するように制御される請求項6に記載の方法。   A laser source is used to perform the time-dependent annealing process, and the duration and output of the laser source output are controlled to define the amount of radius change produced by a local optical microdevice. 6. The method according to 6. COレーザ源が使用される請求項7に記載の方法。 The method of claim 7, CO 2 laser source is used. 前記SNAPデバイスが感光性デバイスであり、前記有効半径変更処理が、屈折率変化を導入し、有効半径の変化を生み出す時間依存UV放射プロセスである請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the SNAP device is a photosensitive device and the effective radius changing process is a time-dependent UV radiation process that introduces a refractive index change and produces a change in effective radius. UV源の持続時間および出力が、局所光マイクロデバイスで生み出される屈折率変化量を定義するように制御される請求項9に記載の方法。   The method of claim 9, wherein the duration and output of the UV source are controlled to define the amount of refractive index change produced by the local light microdevice. 前記SNAPデバイスが光ファイバの長さに沿って形成される請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the SNAP device is formed along the length of an optical fiber. 前記SNAPデバイスが、数十μm程度の公称半径を有する空芯光ファイバの長さに沿って形成される請求項11に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the SNAP device is formed along the length of an air-core optical fiber having a nominal radius on the order of tens of μm. 前記SNAPデバイスが、複数の別々の光マイクロ共振器を含むように形成される請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the SNAP device is formed to include a plurality of separate optical microresonators. 前記特徴付けするステップが、各光マイクロ共振器について製造されたままの前記光マイクロ共振器の共振波長を求めるのに使用される請求項13に記載の方法。   14. The method of claim 13, wherein the characterizing step is used to determine a resonant wavelength of the optical microresonator as fabricated for each optical microresonator. 前記較正するステップおよび補正するステップが所定の回数反復される請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the calibrating and correcting steps are repeated a predetermined number of times. 前記較正するステップおよび補正するステップが、1オングストロオーム未満の有効半径変動誤差が達成されるまで反復される請求項15に記載の方法。   The method of claim 15, wherein the steps of calibrating and correcting are repeated until an effective radius variation error of less than 1 angstrom is achieved. 別々の光マイクロデバイスの長い連鎖として形成された複数の別々の光マイクロデバイスを備える表面ナノスケール・アキシャル・フォトニック(SNAP)デバイスの共振特性の特徴付けおよび補正を実施する装置であって、
前記長い連鎖に沿って形成された前記別々の光マイクロデバイスのそれぞれについて局所共振波長値を測定する特徴付けステージと、
前記長い連鎖に沿って形成された前記別々の光マイクロデバイスのそれぞれに所定の数の有効半径変更処理を適用する露光ステージであって、前記所定の処理数が、個々の処理の既知のエネルギーおよび持続時間に関連し、単一の有効半径変更処理に関連する有効半径の既知の変化に基づいて計算される露光ステージと
を備える装置。
An apparatus for characterizing and correcting resonance characteristics of a surface nanoscale axial photonic (SNAP) device comprising a plurality of separate optical microdevices formed as a long chain of separate optical microdevices, comprising:
A characterization stage for measuring a local resonant wavelength value for each of the separate optical microdevices formed along the long chain ;
An exposure stage that applies a predetermined number of effective radius changing processes to each of the separate optical microdevices formed along the long chain , wherein the predetermined number of processes comprises a known energy of each process and An exposure stage that is related to the duration and is calculated based on a known change in effective radius associated with a single effective radius change process .
前記特徴付けステージが光源および検出器を含み、光マイクロファイバがそれらの間に、前記光源から前記検出器への光信号の伝播をサポートするように配設され、前記光マイクロファイバが、前記SNAPデバイスの長さに沿った離間した位置と接触し、伝播する光信号の一部を前記SNAPデバイスとエバネッセントに結合し、前記検出器が前記長い連鎖に沿って形成された前記複数の別々の光マイクロデバイスの局所有効半径値を測定する方式で前記伝播信号を摂動するウィスパリング・ギャラリー・モード(WGM)を導入する請求項17に記載の装置。 The characterization stage includes a light source and a detector, and an optical microfiber is disposed therebetween to support propagation of an optical signal from the light source to the detector, the optical microfiber being connected to the SNAP. The plurality of separate lights that are in contact with spaced locations along the length of the device, couple a portion of the propagating optical signal to the SNAP device and evanescent, and wherein the detector is formed along the long chain 18. The apparatus of claim 17, introducing a whispering gallery mode (WGM) that perturbs the propagating signal in a manner that measures a local effective radius value of a microdevice. 前記露光ステージがレーザ源、制御ビーム・シャッタ、および放物型レンズを含み、前記レーザ源が、SNAPデバイスの表面に向けられる所定の出力のアニーリング・レーザ・ビームを供給するためのものであり、前記制御ビーム・シャッタが、SNAPデバイス表面上のレーザ・ビームの出力レベルおよび露光時間を制御するのに使用され、前記放物型レンズが、SNAPデバイス表面上の前記レーザ・ビームのスポット・サイズを求めるのに使用される請求項17に記載の装置。   The exposure stage includes a laser source, a control beam shutter, and a parabolic lens, the laser source for providing a predetermined output annealing laser beam directed to the surface of the SNAP device; The control beam shutter is used to control the power level and exposure time of the laser beam on the surface of the SNAP device, and the parabolic lens controls the spot size of the laser beam on the surface of the SNAP device. The device according to claim 17, which is used for determining. 前記制御ビーム・シャッタが、マイクロ秒の長さのアニーリング・ビーム・パルスを生み出す請求項19に記載の装置。   20. The apparatus of claim 19, wherein the control beam shutter produces a microsecond long annealing beam pulse. 前記露光ステージが、UV放射源、制御ビーム・シャッタ、および放物型レンズを含み、前記UV放射源が、SNAPデバイスの表面に向けられる所定のパワーのビームを供給するためのものであり、前記制御ビーム・シャッタが、SNAPデバイス表面上のUV放射の出力レベルおよび露光時間を制御するのに使用され、前記放物型レンズが、SNAPデバイス表面上の放射のスポット・サイズを求めるのに使用される請求項17に記載の装置。   The exposure stage includes a UV radiation source, a control beam shutter, and a parabolic lens, wherein the UV radiation source provides a beam of a predetermined power directed at the surface of the SNAP device; A control beam shutter is used to control the power level and exposure time of UV radiation on the SNAP device surface, and the parabolic lens is used to determine the spot size of radiation on the SNAP device surface. The apparatus according to claim 17.
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