JP6063767B2 - Failure diagnosis method for electron beam drawing apparatus, electron beam drawing apparatus - Google Patents
Failure diagnosis method for electron beam drawing apparatus, electron beam drawing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP6063767B2 JP6063767B2 JP2013032269A JP2013032269A JP6063767B2 JP 6063767 B2 JP6063767 B2 JP 6063767B2 JP 2013032269 A JP2013032269 A JP 2013032269A JP 2013032269 A JP2013032269 A JP 2013032269A JP 6063767 B2 JP6063767 B2 JP 6063767B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- failure diagnosis
- unit
- control unit
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 title claims description 104
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 22
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000802478 Sylvirana guentheri Brevinin-2GHa Proteins 0.000 description 1
- 101000906575 Sylvirana guentheri Guentherin Proteins 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N tevenel Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC=C([C@@H](O)[C@@H](CO)NC(=O)C(Cl)Cl)C=C1 HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明の実施形態は、マスク基板を電子線により描画する電子線描画装置の故障診断方法及び電子線描画装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to an electron beam drawing apparatus failure diagnosis method and an electron beam drawing apparatus for drawing a mask substrate with an electron beam.
半導体装置の製造に使用されるマスク基板の作成には、電子線描画装置が使用されている。電子線描画装置では、電子線をマスク基板に照射して、マスク基板に塗布されているレジストを露光してパターンを描画している。この描画されたパターン(描画パターン)の良否判定は、通常、レジスト現像後に行われるため、描画パターンに不具合がある場合、再度、マスク基板にパターンを描画することになる。 An electron beam drawing apparatus is used to create a mask substrate used for manufacturing a semiconductor device. In the electron beam drawing apparatus, a pattern is drawn by irradiating a mask substrate with an electron beam and exposing a resist applied to the mask substrate. The quality determination of the drawn pattern (drawing pattern) is usually performed after resist development, so that if there is a defect in the drawing pattern, the pattern is drawn again on the mask substrate.
ところが、近年では、半導体装置の微細化が進んでおり、マスク基板に描画されるパターンも微細化している。このため、マスク基板への描画に必要な時間が増大している。例えば、描画パターンにもよるが、マスク基板一枚を描画するのに、十数時間必要な場合もある。このため、現像後に描画パターンに不具合が発見された場合、膨大な時間を浪費することになる。 However, in recent years, semiconductor devices have been miniaturized, and patterns drawn on a mask substrate have also been miniaturized. For this reason, the time required for drawing on the mask substrate is increased. For example, depending on the drawing pattern, it may take ten or more hours to draw one mask substrate. For this reason, if a defect is found in the drawing pattern after development, a huge amount of time is wasted.
そこで、従来の電子線描画装置では、電子線描画装置(例えば、電子線描画装置を構成するレジスタ、演算素子や回路等)の故障診断を行い、電子線描画装置による描画パターンの不具合を未然に防止するようにしている。しかしながら、従来の電子線描画装置では、電子線描画装置の故障診断中にマスク基板を描画することができないため、電子線描画装置の故障診断に必要な時間がそのまま電子線描画装置のダウンタイムとなっている。 Therefore, in the conventional electron beam drawing apparatus, failure diagnosis of the electron beam drawing apparatus (for example, a register, an arithmetic element, a circuit, or the like constituting the electron beam drawing apparatus) is performed, and a defect in the drawing pattern by the electron beam drawing apparatus is obviated. I try to prevent it. However, in the conventional electron beam drawing apparatus, the mask substrate cannot be drawn during the failure diagnosis of the electron beam drawing apparatus. Therefore, the time required for the failure diagnosis of the electron beam drawing apparatus remains as it is as the downtime of the electron beam drawing apparatus. It has become.
また、現在では、マスク基板に描画されるパターンの微細化に合わせて、電子線描画装置も高性能化しており、故障診断に必要な時間が増大している(例えば、一回5分の故障診断を一日2回行うだけでも、一年間では2.5日を故障診断に使用することになる)。このため、ダウンタイムの時間も増大している。そこで、従来の電子線描画装置には、ロードロックの真空引き時やマスク基板の搬送中に電子線描画装置の故障診断を行い、電子線描画装置のダウンタイムを低減するようにしたものがある(特許文献1参照)。 At present, as the pattern drawn on the mask substrate is miniaturized, the electron beam drawing apparatus has also been improved in performance, and the time required for failure diagnosis has increased (for example, a failure for 5 minutes at a time). Even if the diagnosis is performed twice a day, 2.5 days will be used for fault diagnosis in one year). For this reason, the time of downtime is also increasing. Therefore, some conventional electron beam lithography systems reduce the downtime of the electron beam lithography system by diagnosing the failure of the electron beam lithography system during evacuation of the load lock or during transfer of the mask substrate. (See Patent Document 1).
以上のように、電子線描画装置の故障診断によるダウンタイムの低減が従来から求められている。本実施形態は、故障診断によるダウンタイムを低減することができる電子線描画装置の故障診断方法及び電子線描画装置を提供することを目的とする。 As described above, reduction of downtime by failure diagnosis of an electron beam drawing apparatus has been conventionally demanded. An object of the present embodiment is to provide an electron beam drawing apparatus failure diagnosis method and an electron beam drawing apparatus that can reduce downtime due to failure diagnosis.
本発明の実施形態に係る電子線描画装置の故障診断方法は、電子線によりマスク基板に所望のパターンを描画する電子線描画装置の故障診断方法であって、前記ステージ上に設けられた校正用マークに前記電子線を照射し、校正データを取得する工程と、前記校正データを取得する間、自己の故障の有無を診断する工程と、を有する。 A failure diagnosis method for an electron beam lithography apparatus according to an embodiment of the present invention is a failure diagnosis method for an electron beam lithography apparatus that draws a desired pattern on a mask substrate using an electron beam, and is used for calibration provided on the stage. Irradiating the mark with the electron beam to acquire calibration data, and diagnosing the presence or absence of a self failure while acquiring the calibration data .
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施形態)
図1は、実施形態に係る電子線描画装置10の模式図(一部断面図)である。図2は、電子鏡筒500及び制御機構600の構成を示す模式図である。以下、図1,図2を参照して、電子線描画装置10の構成について説明する。
(Embodiment)
FIG. 1 is a schematic view (partially sectional view) of an electron
図1に示すように、電子線描画装置10は、インターフェース(I/F)100と、搬入出(I/O)チャンバ200と、ロボットチャンバ(Rチャンバ)300と、ライティングチャンバ(Wチャンバ)400と、電子鏡筒500と、制御機構600と、ゲートバルブG1〜G3とを備える。
As shown in FIG. 1, the electron
I/F100は、本実施形態で使用するマスク基板Wが収容された容器C(例えば、SMIFPod)を載置する載置台110と、マスク基板Wを搬送する搬送ロボット120とを備える。マスク基板Wは、表面に遮光膜が形成された石英基板等であり、前記遮光膜上にはレジストが塗布されている。
The I / F 100 includes a mounting table 110 on which a container C (for example, SMIFPod) containing a mask substrate W used in this embodiment is mounted, and a
I/Oチャンバ200は、Rチャンバ300内を真空(低気圧)に保ったままマスク基板Wを搬入出するためのロードロックチャンバである。I/Oチャンバ200には、I/F100との間にゲートバルブG1が設けられており、図示しない真空ポンプと、ガス供給系とを備える。真空ポンプは、例えば、ドライポンプやターボ分子ポンプ等であり、I/Oチャンバ200内を真空引きする。ガス供給系は、I/Oチャンバ200を大気圧とする際にI/Oチャンバ200内へベント用ガス(例えば、窒素ガスやCDA(Clean Dry Gas))を供給する。
The I /
I/Oチャンバ200内を真空引きする際は、I/Oチャンバ200に接続された真空ポンプを用いて真空引きする。また、I/Oチャンバ200内を大気圧に戻す際には、ガス供給系からベント用ガスが供給され、I/Oチャンバ200内が大気圧となる。なお、I/Oチャンバ200内を真空引きする際及び大気圧とする際には、ゲートバルブG1,G2はClose(閉)される。
When the inside of the I /
Rチャンバ300は、マスク基板Wの搬送ロボット310を備える。Rチャンバ300は、ゲートバルブG2を介してI/Oチャンバ200と接続されている。搬送ロボット310は、I/Oチャンバ200及びWチャンバ400間で、マスク基板Wを搬送する。なお、図示していないが、Rチャンバ300には、マスク基板Wを位置決め(アライメント)するためのアライメントチャンバ及びマスク基板Wに載置する基板カバーHを収容する収容チャンバと、Rチャンバ300を真空引きする真空ポンプ(例えば、Cryoポンプやターボ分子ポンプ等)が設けられている。
The
Wチャンバ400は、ステージ410と、駆動機構420と、レーザー測長系430と、図示しない真空ポンプ(例えば、Cryoポンプやターボ分子ポンプ)を備え、ゲートバルブG3を介してRチャンバ300と接続されている。
The
ステージ410は、マスク基板Wを載置するための台であり、Rチャンバ300の搬送ロボット310によりマスク基板Wがステージ410上に載置される。ステージ410上には、ステージ410位置の計測に使用する反射鏡(ミラー)Mと、電子線Bの照射量や照射位置の校正に使用するアライメントマークAM(例えば、ファラデーカップ等)が設けられている。
The
駆動機構420(例えば、モータ)は、ステージ410を駆動する。レーザー測長系430は、ステージ410の位置を検出するための干渉計である。レーザー測長系430は、ステージ410上に設けられている反射鏡Mにレーザーを照射して反射光を受光し、照射光と反射光との干渉から反射鏡Mとの距離を算出する。
A drive mechanism 420 (for example, a motor) drives the
また、図示していないが、Wチャンバ400は、Wチャンバ400内を真空引きするための真空ポンプ(例えば、Cryoポンプやターボ分子ポンプ)を備える。Wチャンバ400内は、この真空ポンプにより真空引きされ、電子描画が可能な圧力に保たれる。
Although not shown, the
電子鏡筒500は、電子銃510と、偏向器(deflector)511〜513と、静電レンズ521〜523と、アパーチャ531,532とを備える。電子銃510は、電子線Bを照射する。偏向器511〜513は、電子線Bを偏向する。静電レンズ521〜523は、電子線Bのフォーカスや非点を調整する。アパーチャ531,532は、電子線Bの形状やサイズ、ON/OFFを制御するための開口板である。
The
電子銃510から照射される電子線Bは、偏向器511〜513、静電レンズ521〜523及びアパーチャ531,532により、位置、フォーカス、非点、形状、サイズ等を調整され、ステージ410上に載置されたマスク基板W上に照射される。
The position, focus, astigmatism, shape, size, etc. of the electron beam B emitted from the
(制御機構600の構成)
制御機構600は、展開部610と、描画制御部620と、偏向部630と、ステージ制御部640とを備える。なお、制御機構600の各構成は、プロセッサ、メモリ等により構成される。
(Configuration of control mechanism 600)
The
なお、上記、展開部610、偏向部630及びステージ制御部640は、描画制御部620からの指示により、通常の動作を実行するモード(描画モード)と、自己の故障診断を行うモード(診断モード)とを切り替えて動作する構成となっている。展開部610、偏向部630及びステージ制御部640には、それぞれモード設定用のレジスタが設けられており、通常は、描画モードが優先となるようにレジスタが設定されている。以下、各構成について各モードごとに説明する。
The developing
(描画モード)
展開部610は、マスク基板への描画パターンを記述したデータ(以下、パターンデータと記載する)を電子線描画装置10で理解可能な描画データ(言語)に展開(変換)する。なお、パターンデータは、例えば、CADで記述される。
(Drawing mode)
The
具体的には、展開部610は、パターンデータをマスク基板を多数のエリアに分割し、各エリアに描画されるパターンの描画に必要な電子線のショットサイズ、形状、ドーズ量、位置等で構成される描画データに変換する。展開部610は、展開後の描画データを所定の単位(例えば、分割したエリア)ごとに順次出力する。
Specifically, the
描画制御部620は、展開部610へのパターンデータの展開と展開後の描画データの転送を制御する。また、描画制御部620は、展開部610,偏向部630及びステージ制御部640の故障診断動作の開始及び停止を制御する。
The
偏向部630は、展開部610から転送される描画データに基づいて偏向器511〜513を制御し、電子線Bの照射位置や形状等を調整する。偏向部630からの信号は、増幅器であるAMP-1〜AMP-3で増幅された後に偏向器511〜513にそれぞれ印加される。また、偏向部630は、展開部610から転送される描画データに基づいてステージ制御部640を制御する。
The deflecting
ステージ制御部640は、レーザー測長系430からの距離情報に基づいてステージ410の位置をリアルタイムに検出する。また、ステージ制御部640は、偏向部630からの指示に基づいて駆動機構420を制御し、ステージ410を駆動する。
The
(診断モード)
展開部610、偏向部630及びステージ制御部640は、描画制御部620からの指示に基づいて、自己の故障の有無を診断する。展開部610、偏向部630及びステージ制御部640の各メモリには、故障診断プログラムが記憶されており、この故障診断プログラムを実行することで、展開部610、偏向部630、ステージ制御部640は、自己の故障の有無を診断する。
(Diagnostic mode)
The
故障診断には、通信エラー(例えば、光通信時の通信異常)、メモリの読み出し・書き込み(Read/Write)エラー、計算誤り(レジスタの異常)、メモリの空き容量の診断等が含まれる。なお、上記メモリには、描画データのバッファメモリ、校正用パラメータ(校正データ)を記憶するメモリ、デバック用のメモリなどを含む。また、上記故障診断は、チェックサムや巡回冗長検査(Cyclic Redundancy Check: CRC)等を利用して行われる。 The failure diagnosis includes a communication error (for example, a communication error during optical communication), a memory read / write (Read / Write) error, a calculation error (register error), a memory free capacity diagnosis, and the like. The memory includes a drawing data buffer memory, a memory for storing calibration parameters (calibration data), a debugging memory, and the like. The failure diagnosis is performed using a checksum, a cyclic redundancy check (CRC), or the like.
(電子線描画装置10の動作)
図3〜図5は、電子線描画装置10の故障診断時の動作を示すフローチャートである。以下、図1〜図5を参照して、電子線描画装置10の故障診断時の動作を説明する。
(Operation of the electron beam drawing apparatus 10)
3 to 5 are flowcharts showing operations at the time of failure diagnosis of the electron
(パターンデータ展開中の故障診断動作)
初めに、図1〜図3を参照して、パターンデータ展開中の電子線描画装置10の故障診断時の動作について説明する。この故障診断では、展開部610でパターンデータを展開中に、使用していない偏向部630及びステージ制御部640の故障診断を行うことで、故障診断によるダウンタイムを効果的に低減している。
(Failure diagnosis operation during pattern data development)
First, with reference to FIGS. 1 to 3, an operation at the time of failure diagnosis of the electron
電子線描画装置10の描画動作が開始されると、描画制御部620は、展開部610へパターンデータの描画データへの展開を指示する(ステップS101)。次に、描画制御部620は、偏向部630及びステージ制御部640に、自己の故障診断を開始するよう指示する(ステップS102)。該指示により偏向部630及びステージ制御部640は、描画モードから診断モードに切り替わる。
When the drawing operation of the electron
展開部610は、描画制御部620からの指示によりパターンデータの描画データへの展開を開始する(ステップS103)。偏向部630及びステージ制御部640は、描画制御部620からの指示により偏向部630及びステージ制御部640の故障診断を開始する(ステップS104)。
The
展開部610は、パターンデータを展開し、所定の単位になると展開後の描画データを転送する準備が完了したことを示す転送準備完了報告を描画制御部620へ伝達する(ステップS105)。描画制御部620は、展開部610から転送準備完了報告を受け取ると、偏向部630及びステージ制御部640へ故障診断を中断するよう指示する(ステップS106)。
The
偏向部630及びステージ制御部640は、自己の故障診断を中止し、故障診断が終了した項目(どこまで故障診断が終了したか)と故障診断結果をメモリに記憶する(ステップS107)。次に、偏向部630及びステージ制御部640は、故障診断の結果を描画制御部620へ転送する(ステップS108)。
The deflecting
描画制御部620は、故障診断結果に異常があるかをチェックする(ステップS109)。故障診断結果に異常がある場合(ステップS109のYES)、描画制御部620は、描画を停止する等、異常時に対応する処理を実行する(ステップS110)。故障診断結果に異常がない場合(ステップS109のNO)、描画制御部620は、展開部610へ描画データを転送するように指示する(ステップS111)。また、描画制御部620は、偏向部630及びステージ制御部640に描画制御を開始するように指示する(ステップS112)。該指示後、偏向部630及びステージ制御部640は、診断モードから描画モードに切り替わる。
The
展開部610は、描画制御部620からの指示により展開した描画データを転送する(ステップS113)。偏向部630及びステージ制御部640は、展開部610から転送される描画データに基づいて描画処理を継続する(ステップS114)。なお、展開部610は、描画データ転送後、次のパターンデータの展開を開始する。
The developing
以上のように、パターンデータを展開部610で展開している間、使用していない偏向部630及びステージ制御部640の故障診断を行っている。このため、故障診断によるダウンタイムを効果的に低減することができる。また、故障診断を中止する場合に、どこまで故障診断が終了したかを記憶しているので、次回の故障診断時に続きから故障診断を行うことができる。このため、故障診断が中断する度に、故障診断を始めからやり直す必要がない。結果、故障診断によるダウンタイムをより効果的に低減することができる。
As described above, while the pattern data is developed by the
(描画中の故障診断動作)
次に、図1,図2及び図4を参照して、描画中の電子線描画装置10の故障診断時の動作について説明する。この故障診断では、任意のエリアの描画が終了した後、次に描画を行うエリアが電子線の照射領域(偏向領域)に入るまでの間、使用していない展開部610及び偏向部630の故障診断を行うことで、故障診断によるダウンタイムを効果的に低減している。
(Failure diagnosis operation during drawing)
Next, with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 4, the operation at the time of failure diagnosis of the electron
所定のエリア内の描画動作が完了すると(ステップS201)、描画制御部620は、展開部610及び偏向部630に自己の故障診断を開始するよう指示する(ステップS202)。該指示により展開部610及び偏向部630は、描画モードから診断モードに切り替わる。ステージ制御部640は、次に描画を行うエリアが、電子線の照射領域(偏向領域)に入るまでステージ410を移動させる(ステップS203)。
When the drawing operation in the predetermined area is completed (step S201), the
展開部610及び偏向部630は、描画制御部620からの指示により自己の故障診断を開始する(ステップS204)。ステージ制御部640は、次に描画を行うエリアが、電子線の照射領域(偏向領域)に入るまでステージ410が移動すると、ステージ410の移動が完了したことを示す移動完了報告を描画制御部620へ伝達する(ステップS204)。
The developing
描画制御部620は、ステージ制御部640から移動完了報告を受け取ると、展開部610及び偏向部630へ故障診断を中断するよう指示する(ステップS205)。展開部610及び偏向部630は、故障診断を中止し、故障診断が終了した項目(どこまで故障診断が終了したか)と故障診断結果とをメモリに記憶する(ステップS206)。次に、展開部610及び偏向部630は、故障診断の結果を描画制御部620へ転送する(ステップS207)。
When the
描画制御部620は、故障診断結果に異常があるかをチェックする(ステップS208)。故障診断結果に異常がある場合(ステップS208のYES)、描画制御部620は、描画を停止する等、異常時に対応する処理を実行する(ステップS209)。故障診断結果に異常がない場合(ステップS208のNO)、描画制御部620は、展開部610及び偏向部630に描画動作を継続するように指示する(ステップS210)。該指示により、展開部610及び偏向部630は、診断モードから描画モードに切り替わる。
The
以上のように、任意のエリアの描画が終了した後、次に描画を行うエリアが電子線の照射領域(偏向領域)に入るまでの間、使用していない展開部610及び偏向部630の故障診断を行っている。このため、故障診断によるダウンタイムを効果的に低減することができる。また、故障診断を中止する場合に、どこまで故障診断が終了したかを記憶しているので、次回の故障診断時に続きから故障診断を行うことができる。このため、故障診断が中断する度に、故障診断を始めからやり直す必要がない。結果、故障診断によるダウンタイムをより効果的に低減することができる。
As described above, after the drawing of an arbitrary area is completed, the developing
(校正用パラメータ取得中の故障診断動作)
次に、図1,図2及び図5を参照して、校正用パラメータを取得中の電子線描画装置10の故障診断時の動作について説明する。この故障診断では、偏向部630及びステージ制御部640を使用して、校正用パラメータを取得している間、使用していない展開部610の故障診断を行うことで、故障診断によるダウンタイムを効果的に低減している。
(Failure diagnosis operation during acquisition of calibration parameters)
Next, the operation at the time of failure diagnosis of the electron
電子線描画装置10では、定期的にアライメントマークAMを利用して、電子線Bの照射量や照射位置の校正が行われる。このため、この校正用パラメータの取得時に、使用していない展開部610の故障診断を行うことで、故障診断によるダウンタイムを大幅に低減することができる。
In the electron
描画制御部620は、偏向部630及びステージ制御部640に校正用パラメータの取得を指示する(ステップS301)。偏向部630及びステージ制御部640は、メモリに記憶されている校正用パラメータを更新するために、ステージ410上に設けられているアライメントマークAMを利用して校正用パラメータの取得を開始する(ステップS302)。
The
描画制御部620は、展開部610に自己の故障診断を行うように指示する(ステップS303)。該指示により展開部610は、描画モードから診断モードに切り替わる。展開部610は、描画制御部620からの指示により自己の故障診断を開始する(ステップS304)。
The
偏向部630及びステージ制御部640は、校正用パラメータの取得が完了すると、校正用パラメータの取得が完了したことを示す取得完了報告を描画制御部620へ伝達する(ステップS305)。描画制御部620は、取得完了報告を受け取ると、展開部610へ故障診断を中断するよう指示する(ステップS306)。
When the acquisition of the calibration parameter is completed, the
展開部610は、故障診断を中止し、故障診断が終了した項目(どこまで故障診断が終了したか)と故障診断結果とをメモリに記憶する(ステップS307)。次に、展開部610は、故障診断の結果を描画制御部620へ転送する(ステップS308)。
The
描画制御部620は、故障診断結果に異常があるかをチェックする(ステップS309)。故障診断結果に異常がある場合(ステップS309のYES)、描画制御部620は、描画を停止する等、異常時に対応する処理を実行する(ステップS310)。故障診断結果に異常がない場合(ステップS309のNO)、描画制御部620は、展開部610に、そのまま描画動作を継続するよう指示する(ステップS310)。該指示後、展開部610は、診断モードから描画モードに切り替わる。
The
以上のように、偏向部630及びステージ制御部640を使用して、校正用パラメータを取得している間、に使用していない展開部610の故障診断を行っている。このため、故障診断によるダウンタイムを効果的に低減することができる。また、故障診断を中止する場合に、どこまで故障診断が終了したかを記憶しているので、次回の故障診断時に続きから故障診断を行うことができる。このため、故障診断が中断する度に、故障診断を始めからやり直す必要がない。結果、故障診断によるダウンタイムをより効果的に低減することができる。
As described above, while the
(その他の実施形態)
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記実施形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、上記実施形態においては、描画中に描画データをバックアップするメモリの故障診断を行うようにしてもよい。
(Other embodiments)
In addition, although some embodiment of this invention was described, the said embodiment is an illustration and does not intend limiting this invention to the said embodiment. The above embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. For example, in the above embodiment, failure diagnosis of a memory that backs up drawing data during drawing may be performed.
10…電子線描画装置、110…載置台、120…搬送ロボット、200…I/Oチャンバ、300…Rチャンバ、310…搬送ロボット、400…Wチャンバ、410…ステージ、420…駆動機構、430…レーザー測長系、500…電子鏡筒、510…電子銃、511-513…偏向器、521-523…静電レンズ、531,532…アパーチャ、600…制御機構、610…展開部、620…描画制御部、630…偏向部、640…ステージ制御部。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記ステージ上に設けられた校正用マークに前記電子線を照射し、校正データを取得する工程と、
前記校正データを取得する間、自己の故障の有無を診断する工程と、
を有する電子線描画装置の故障診断方法。 A failure diagnosis method for an electron beam drawing apparatus for drawing a desired pattern on a mask substrate placed on a stage by an electron beam,
Irradiating the calibration mark provided on the stage with the electron beam to obtain calibration data;
Diagnosing the presence or absence of a self failure while acquiring the calibration data;
A fault diagnosis method for an electron beam lithography apparatus having
校正用マークが設けられ、前記マスク基板を載置するステージと、
前記電子線を偏向する偏向部と、
前記ステージを駆動するステージ制御部と、
前記パターンのパターンデータを描画データに展開し、自己の故障診断を行う展開部と、
前記校正用マークに前記電子線を照射して校正データを取得することを、前記偏向部および前記ステージ制御部に指示するとともに、前記校正データを取得する間に前記展開部に故障診断を行うことを指示する制御部と、
を備える電子線描画装置。 An electronic beam drawing apparatus for drawing a desired pattern by the Lima disk substrate to an electron beam,
A calibration mark is provided, and a stage on which the mask substrate is placed;
And a deflection unit for deflecting the previous Symbol electron beam,
And a stage control unit for driving the previous Symbol stage,
A development unit that develops pattern data of the pattern into drawing data, and performs self-failure diagnosis;
Instructing the deflection unit and the stage control unit to acquire calibration data by irradiating the calibration mark with the electron beam, and performing failure diagnosis on the developing unit while acquiring the calibration data A control unit for instructing
Bei obtain an electron beam lithography apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013032269A JP6063767B2 (en) | 2013-02-21 | 2013-02-21 | Failure diagnosis method for electron beam drawing apparatus, electron beam drawing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013032269A JP6063767B2 (en) | 2013-02-21 | 2013-02-21 | Failure diagnosis method for electron beam drawing apparatus, electron beam drawing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014165202A JP2014165202A (en) | 2014-09-08 |
JP6063767B2 true JP6063767B2 (en) | 2017-01-18 |
Family
ID=51615583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013032269A Expired - Fee Related JP6063767B2 (en) | 2013-02-21 | 2013-02-21 | Failure diagnosis method for electron beam drawing apparatus, electron beam drawing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6063767B2 (en) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3291591B2 (en) * | 1992-11-11 | 2002-06-10 | 東芝機械株式会社 | Charged particle beam drawing exposure method and apparatus |
JP3504059B2 (en) * | 1996-03-22 | 2004-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | Method for manufacturing solid state device |
US7772574B2 (en) * | 2004-11-17 | 2010-08-10 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus |
JP4881074B2 (en) * | 2006-05-30 | 2012-02-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Drawing circuit self-diagnosis method of charged beam drawing apparatus and charged beam drawing apparatus |
JP4994129B2 (en) * | 2007-07-02 | 2012-08-08 | 日本電子株式会社 | Proximity effect correction calculation method and apparatus in charged particle beam drawing apparatus |
JP5709676B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-04-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
-
2013
- 2013-02-21 JP JP2013032269A patent/JP6063767B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014165202A (en) | 2014-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841710B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
JP2004064069A (en) | Wavefront aberration correction apparatus and exposure apparatus | |
US9535335B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
TWI466160B (en) | A charged particle beam printing method, a charged particle beam printing program and a charged particle beam printing apparatus | |
US7804581B2 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
US8421040B2 (en) | Writing apparatus and writing method | |
JP2003068622A (en) | Aligner, control method thereof, and method of manufacturing device | |
JP6679722B2 (en) | Lithographic apparatus and method | |
JP6063767B2 (en) | Failure diagnosis method for electron beam drawing apparatus, electron beam drawing apparatus | |
KR102481770B1 (en) | Alignment mark positioning technology in lithography process | |
JP5865980B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
JP5497584B2 (en) | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method | |
US9581893B2 (en) | Mask manufacturing method, mask substrate, and charged beam drawing method | |
JP2014154710A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US20230107036A1 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
JP5879234B2 (en) | Mask drawing apparatus and electron beam correction method | |
JP2018113371A (en) | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method | |
JP2022110461A (en) | Charged particle beam drawing device and adjustment method thereof | |
JP2012208185A (en) | Resist inspection apparatus and defect inspection method of mask substrate | |
JP2006086387A (en) | Substrates transfer system, exposure equipment, and substrates transfer method | |
JP2023054751A (en) | Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing apparatus | |
JPH04352410A (en) | Manufacture of semiconductor | |
JP2016001761A (en) | Semiconductor manufacturing system | |
JP5812642B2 (en) | Charged particle beam drawing method and article manufacturing method using the same | |
JP2017139455A (en) | Pattern formation method and article manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6063767 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |