JP6059927B2 - Wafer processing method - Google Patents
Wafer processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6059927B2 JP6059927B2 JP2012204863A JP2012204863A JP6059927B2 JP 6059927 B2 JP6059927 B2 JP 6059927B2 JP 2012204863 A JP2012204863 A JP 2012204863A JP 2012204863 A JP2012204863 A JP 2012204863A JP 6059927 B2 JP6059927 B2 JP 6059927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- protective film
- laser beam
- processing method
- mixed resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 36
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 49
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明はウエーハの表面からアブレーション加工を施すウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for performing ablation processing from the surface of a wafer.
近年、半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどのウエーハを分割する方法として、ウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギが集中してデブリと称する粘着性のある飛沫が発生し、飛散したデブリがウエーハのデバイス表面に付着し、デバイスの品質を低下させるという新たな問題が生じる。このようなデブリの問題を解決するために、ウエーハの加工面に水溶性のポリビニールアルコール等の保護膜を被覆し、保護膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。保護膜は水溶性であるため、レーザー光線照射後に、洗浄水で洗浄し保護膜と共にデブリを除去している。 In recent years, as a method of dividing a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer, a laser processing groove is formed by irradiating a laser beam along a street formed on the wafer, and a mechanical braking device is formed along the laser processing groove. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1). However, when a laser beam is irradiated along the street of the wafer, thermal energy is concentrated in the irradiated area, and sticky splashes called debris are generated. The scattered debris adheres to the device surface of the wafer, and the device A new problem of degrading quality arises. In order to solve the problem of debris, there has been proposed a laser processing method in which a processing surface of a wafer is covered with a protective film such as water-soluble polyvinyl alcohol, and the wafer is irradiated with a laser beam through the protective film. (For example, refer to Patent Document 2). Since the protective film is water-soluble, the debris is removed together with the protective film by washing with washing water after the laser beam irradiation.
しかし、ウエーハの表面状態によっては、水溶性の保護膜を洗浄するのに時間を要し、生産性が悪いという問題がある。 However, depending on the surface state of the wafer, there is a problem that it takes time to clean the water-soluble protective film, resulting in poor productivity.
本発明の目的は、レーザー光線照射後の保護膜の除去に時間を要さず生産性を向上可能なウエーハの加工方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of improving productivity without requiring time for removing a protective film after laser beam irradiation.
上述した課題を解決し目的を達成するために、請求項１記載の本発明に係るウエーハの加工方法は、表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すウエーハの加工方法であって、外部刺激により硬化する樹脂に該レーザー光線の波長に対して吸収性を有する粉末を混入した混合樹脂をウエーハの表面に塗布し、該混合樹脂に外部刺激を与えて硬化させ、ウエーハ表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後に、該保護膜側から該レーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工を施すレーザー光線照射工程と、該レーザー光線照射工程を実施した後に、該保護膜全面に渡って剥離用の粘着テープを貼着し、該粘着テープと共に該保護膜をウエーハ表面から剥離する剥離工程と、を備え、該保護膜形成工程は、シート状の剥離材に該混合樹脂を塗布し、平坦な面上に剥離材を載置し、該混合樹脂にウエーハの表面を重ねて、ウエーハを該面に向けて押圧して、該混合樹脂をウエーハの表面に一様の厚みに塗布することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer processing method according to the present invention as set forth in claim 1 divides a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned on a surface by division lines. A wafer processing method for performing ablation processing by irradiating a laser beam along a predetermined line, wherein a mixed resin obtained by mixing a resin that is cured by an external stimulus with a powder having absorbability with respect to the wavelength of the laser beam is used. And applying the external stimulus to the mixed resin to cure it, forming a protective film on the wafer surface, and performing the protective film forming process, and then splitting the laser beam from the protective film side After performing the laser beam irradiation step of performing ablation processing by irradiating along the planned line, and after performing the laser beam irradiation step, the entire surface of the protective film And adhering the adhesive tape for peeling I comprises a peeling step of peeling the protective film from the wafer surface with the adhesive tape, and the protective film forming step, applying the mixed resin into a sheet-like release material Then, a release material is placed on a flat surface, the wafer surface is overlaid on the mixed resin, the wafer is pressed against the surface, and the mixed resin is applied to the wafer surface with a uniform thickness. characterized in that it.
また、上記ウエーハの加工方法において、前記粉末は、Ｆｅ２Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＳｉＯ２及びＳｎＯからなる群から選択された金属酸化物を含むことが好ましい。 In the wafer processing method, the powder may contain a metal oxide selected from the group consisting of Fe 2 O 3 , ZnO, TiO 2 , CeO 2 , CuO, Cu 2 O, SiO 2 and SnO. preferable.
本発明のウエーハの加工方法によると、レーザー光線の波長に対して吸収性を有する粉末を混入した混合樹脂をウエーハ表面に塗布し、混合樹脂を硬化させることで保護膜を形成しているので、レーザー光線が金属酸化物などを含んだ粉末に吸収されて保護膜がバンドギャップエネルギーに達する。そして、保護膜がバンドギャップエネルギーに達することにより、保護膜の原子の結合力が破壊されて、連鎖的にウエーハ表面に形成されたＬｏｗ−ｋ膜などの表面膜及びウエーハ自体もバンドギャップエネルギーに達する。したがって、レーザー光線のエネルギーの拡散及び反射が抑制されて、ウエーハのアブレーション加工が効率的に円滑に施されるという効果を奏する。 According to the wafer processing method of the present invention, a protective resin is formed by applying a mixed resin mixed with powder having absorptivity to the wavelength of the laser beam to the wafer surface and curing the mixed resin. Is absorbed by the powder containing the metal oxide and the protective film reaches the band gap energy. Then, when the protective film reaches the band gap energy, the bonding force of atoms of the protective film is destroyed, and the surface film such as a low-k film formed on the wafer surface in a chain and the wafer itself also become the band gap energy. Reach. Therefore, the diffusion and reflection of the laser beam energy are suppressed, and the wafer is ablated efficiently and smoothly.
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.
本実施形態に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と呼ぶ）を、図１から図７に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る加工方法によりアブレーション加工が施されるウエーハを示す斜視図であり、図２は、実施形態に係る加工方法の保護膜形成工程の一部の工程を示す斜視図であり、図３は、実施形態に係る加工方法の保護膜形成工程の図２に示された工程の次工程を示す断面図であり、図４は、実施形態に係る加工方法の保護膜形成工程の図３に示された工程の次工程を示す断面図であり、図５は、実施形態に係る加工方法のレーザー光線照射工程の概要を示す断面図であり、図６（ａ）は、実施形態に係る加工方法の分割工程の加工前の概要を示す断面図であり、図６（ｂ）は、実施形態に係る加工方法の分割工程の加工後の概要を示す断面図であり、図７は、実施形態に係る加工方法の剥離工程の概要を示す断面図である。 A wafer processing method (hereinafter simply referred to as a processing method) according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view showing a wafer to be ablated by the processing method according to the embodiment, and FIG. 2 is a perspective view showing a part of the protective film forming step of the processing method according to the embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the next step of the step shown in FIG. 2 of the protective film forming step of the processing method according to the embodiment, and FIG. 4 is the protective film forming step of the processing method according to the embodiment. FIG. 5 is a sectional view showing the next step of the step shown in FIG. 3, FIG. 5 is a sectional view showing an outline of the laser beam irradiation step of the processing method according to the embodiment, and FIG. FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating the outline after the dividing process of the processing method according to the embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the outline after the dividing process of the processing method according to the embodiment. It is sectional drawing which shows the outline | summary of the peeling process of the processing method which concerns on embodiment.
本実施形態に係る加工方法は、図１に示すウエーハＷを分割予定ラインＳに沿ってレーザー光線Ｌ（図５に示す）を照射してアブレーション加工を施して、個々のデバイスＤに分割する加工方法である。なお、本実施形態に係る加工方法により個々のデバイスＤに分割される加工対象としてのウエーハＷは、本実施形態では、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＡｌＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ基板などの円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。また、本発明では、ウエーハＷは、表面に半導体が積層されたＡｌ２Ｏ３などで構成された基板を含む。ウエーハＷは、図１に示すように、表面ＷＳに分割予定ラインＳによって区画された複数の領域にデバイスＤが形成されている。また、ウエーハＷの表面ＷＳには、層間絶縁膜材料としてＬｏｗ−ｋ材料（主に、ポーラス材料）で構成された図示しないいわゆるＬｏｗ−ｋ膜などの表面膜が形成されている。 The processing method according to the present embodiment is a processing method in which the wafer W shown in FIG. 1 is irradiated with a laser beam L (shown in FIG. 5) along the planned division line S to perform ablation processing and divided into individual devices D. It is. In this embodiment, the wafer W as a processing target divided into the individual devices D by the processing method according to the present embodiment is Si, SiGe, Ge, AlN, InAlN, InN, GaN, InGaN, SiC, GaAs. A disk-shaped semiconductor wafer such as a substrate or an optical device wafer. In the present invention, the wafer W includes a substrate made of Al 2 O 3 or the like having a semiconductor laminated on the surface. As shown in FIG. 1, the wafer W has devices D formed in a plurality of regions partitioned by a division line S on the surface WS. On the surface WS of the wafer W, a surface film such as a so-called Low-k film (not shown) made of a Low-k material (mainly a porous material) is formed as an interlayer insulating film material.
本実施形態に係る加工方法は、保護膜形成工程と、レーザー光線照射工程と、分割工程と、剥離工程とを備える。 The processing method according to the present embodiment includes a protective film forming step, a laser beam irradiation step, a dividing step, and a peeling step.
本実施形態に係る加工方法は、まず、保護膜形成工程において、図２に示すように、合成樹脂で構成されたシート状の剥離材Ｅに所定量の混合樹脂Ｊを塗布し、混合樹脂ＪにウエーハＷの表面ＷＳを相対させる。なお、剥離材Ｅは、紫外線Ｖ（図４に示す）などの光を透過する合成樹脂で構成されている。また、混合樹脂Ｊは、外部刺激により硬化する樹脂に粉末を混入したものである。なお、本実施形態では、混合樹脂Ｊを構成する樹脂は、外部刺激としての紫外線Ｖなどの光が照射されることにより硬化する樹脂である。また、樹脂に混入される粉末は、レーザー光線Ｌの波長に対して吸収性を有する粉末であって、粒径が０．２μｍ以下の粉末である。本発明では、粉末は、Ｆｅ２Ｏ3、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＳｉＯ２及びＳｎＯからなる群から選択された少なくとも一以上の金属酸化物を含んだ粉末である。また、混合樹脂Ｊは、当該混合樹脂Ｊ全体の質量のうちの３％以上でかつ３０％以下の質量の前述した粉末を含有している。 In the processing method according to the present embodiment, first, in the protective film forming step, as shown in FIG. The surface WS of the wafer W is opposed to the wafer W. Note that the release material E is made of a synthetic resin that transmits light such as ultraviolet rays V (shown in FIG. 4). The mixed resin J is obtained by mixing powder into a resin that is cured by an external stimulus. In the present embodiment, the resin constituting the mixed resin J is a resin that cures when irradiated with light such as ultraviolet rays V as an external stimulus. Further, the powder mixed in the resin is a powder having an absorptivity with respect to the wavelength of the laser beam L and having a particle size of 0.2 μm or less. In the present invention, the powder is a powder containing at least one metal oxide selected from the group consisting of Fe 2 O 3 , ZnO, TiO 2 , CeO 2 , CuO, Cu 2 O, SiO 2 and SnO. . Further, the mixed resin J contains the above-described powder having a mass of 3% or more and 30% or less of the total mass of the mixed resin J.
その後、図３に示すように、プレス加工装置１の載置型２の平坦な上面２ａ上に剥離材Ｅを載置し、剥離材Ｅに塗布された混合樹脂ＪにウエーハＷの表面ＷＳを重ね、ウエーハＷをプレス加工装置１の押圧型３により所定のストローク載置型２に向けて押圧する。なお、押圧型３のウエーハＷの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに当接する押圧面３ａは、上面２ａと平行な平坦な面に形成されている。このために、剥離材ＥとウエーハＷの表面ＷＳとの間に挟みこまれた混合樹脂Ｊは、予め定められた一様の厚みに形成される。こうして、ウエーハＷの表面ＷＳに混合樹脂Ｊを塗布する。
After that, as shown in FIG. 3, the release material E is placed on the flat
そして、図４に示すように、剥離材Ｅを紫外線照射手段４の複数の紫外線ランプ４ａと相対させて、紫外線照射手段４の複数の紫外線ランプ４ａから紫外線Ｖを発光させて、剥離材Ｅを介してウエーハＷの表面ＷＳ側に紫外線Ｖを照射し、ウエーハＷの表面ＷＳ上の混合樹脂Ｊを硬化させる。なお、紫外線照射手段４の複数の紫外線ランプ４ａから混合樹脂Ｊに照射された紫外線Ｖは、混合樹脂Ｊ内の粉末に吸収されるが、紫外線Ｖを吸収した粉末により、混合樹脂Ｊの硬化が妨げられることがない。こうして、混合樹脂Ｊに外部刺激を与えて硬化させ、硬化した混合樹脂ＪによりウエーハＷ表面ＷＳに保護膜Ｐを形成する。そして、外縁部に環状フレームＦ（図５に示す）が貼着した粘着テープＴ（図５に示す）をウエーハＷの裏面ＷＲに貼着し、剥離材ＥをウエーハＷの表面ＷＳ上の保護膜Ｐから剥離する。そして、レーザー光線照射工程に進む。
Then, as shown in FIG. 4, the release material E is opposed to the plurality of
レーザー光線照射工程では、保護膜形成工程を実施した後に、図５に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに貼着された粘着テープＴをレーザー加工装置５のチャックテーブル６に載置し、粘着テープＴを介してチャックテーブル６にウエーハＷを保持する。そして、チャックテーブル６とレーザー光線照射手段７とを分割予定ラインＳに沿って相対的に所定の加工送り速度で移動させながら、図５に示すように、保護膜Ｐ側からレーザー光線照射手段７からレーザー光線Ｌを分割予定ラインＳに沿ってウエーハＷの表面ＷＳに照射する。 In the laser beam irradiation process, after carrying out the protective film forming process, as shown in FIG. 5, the adhesive tape T adhered to the back surface WR of the wafer W is placed on the chuck table 6 of the laser processing apparatus 5, and the adhesive tape The wafer W is held on the chuck table 6 via T. Then, while moving the chuck table 6 and the laser beam irradiation means 7 along the scheduled division line S at a predetermined processing feed rate, the laser beam irradiation means 7 from the laser beam irradiation means 7 from the protective film P side as shown in FIG. L is irradiated to the surface WS of the wafer W along the division line S.
なお、レーザー加工装置５のチャックテーブル６は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを粘着テープＴを介して吸引することで保持するものである。また、レーザー加工装置５のレーザー光線照射手段７は、光源としてのＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器から発振されたレーザー光線Ｌを照射するものであって、ウエーハＷの種類、加工形態などにより適宜選択することができる。本実施形態では、レーザー加工装置５のレーザー光線照射手段７は、ＹＡＧレーザー発振器で発振された波長が３５５ｎｍ（以下）のレーザー光線ＬをウエーハＷの表面ＷＳに向けて照射する。 The chuck table 6 of the laser processing apparatus 5 has a disk shape in which a portion constituting the surface is made of porous ceramic or the like, and is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown) and mounted on the surface. The placed wafer W is held by being sucked through the adhesive tape T. The laser beam irradiation means 7 of the laser processing apparatus 5 irradiates a laser beam L oscillated from a YAG laser oscillator or a YVO laser oscillator as a light source, and is appropriately selected depending on the type of wafer W, the processing form, and the like. Can do. In the present embodiment, the laser beam irradiation means 7 of the laser processing apparatus 5 irradiates the surface WS of the wafer W with a laser beam L having a wavelength of 355 nm (below) oscillated by a YAG laser oscillator.
すると、ウエーハＷの表面ＷＳに照射されたレーザー光線Ｌが、保護膜Ｐを構成する混合樹脂Ｊの金属酸化物で構成された粉末に吸収されて、バンドギャップエネルギーに達して、分子の結合力が破壊されることによって連鎖的にウエーハＷの表面ＷＳもバンドギャップエネルギーに達する。そして、レーザー光線Ｌが照射された分割予定ラインＳには、ウエーハＷ及び保護膜Ｐの一部が昇華して、アブレーション加工が施されて、レーザー加工溝Ｍ（図６（ａ）に示す）が形成される。すべての分割予定ラインＳにアブレーション加工を施して、レーザー加工溝Ｍを形成すると、分割工程に進む。 Then, the laser beam L irradiated to the surface WS of the wafer W is absorbed by the powder composed of the metal oxide of the mixed resin J constituting the protective film P, reaches the band gap energy, and the molecular bonding force is increased. By being destroyed, the surface WS of the wafer W also reaches the band gap energy. Then, on the planned division line S irradiated with the laser beam L, a part of the wafer W and the protective film P is sublimated and subjected to ablation processing to form a laser processing groove M (shown in FIG. 6A). It is formed. When ablation processing is performed on all the division lines S to form the laser processing grooves M, the process proceeds to the division process.
分割工程では、図６（ａ）に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳ上の保護膜Ｐをメカニカルブレーキング装置８の一対の支持刃９上に配置し、ウエーハＷの裏面ＷＲ上に押圧刃１０を配置する。このとき、分割対象となる分割予定ラインＳに設けられたレーザー加工溝Ｍ上に押圧刃１０を配置し、分割対象となる分割予定ラインＳに設けられたレーザー加工溝Ｍの両側に一対の支持刃９を配置する。そして、支持刃９とウエーハＷの表面ＷＳ上の保護膜Ｐとの接点を支点として、押圧刃１０によってウエーハＷに外力を付与することにより、分割予定ラインＳに沿ってウエーハＷを変位させる。これにより、ウエーハＷが、図６（ｂ）に示すように、分割対象となる分割予定ラインＳに設けられたレーザー加工溝Ｍに沿って破断される。分割工程では、分割予定ラインＳに設けられたレーザー加工溝Ｍに沿って、順にウエーハＷを破断させて、ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する。そして、剥離工程に進む。
In the dividing step, as shown in FIG. 6A, the protective film P on the surface WS of the wafer W is disposed on the pair of support blades 9 of the mechanical braking device 8, and the pressing blade is placed on the back surface WR of the wafer W. 10 is arranged. At this time, the
剥離工程では、レーザー光線照射工程を実施した後に、分割予定ラインＳに沿って分割された保護膜Ｐ全面に渡って保護膜Ｐ剥離用の粘着テープＡを貼着する。そして、剥離用の粘着テープＡの端をウエーハＷの表面ＷＳに沿って移動させるなどして、図７に示すように、粘着テープＡと共に保護膜ＰをウエーハＷ表面ＷＳから剥離する。 In the peeling process, after performing the laser beam irradiation process, the adhesive tape A for peeling the protective film P is pasted over the entire surface of the protective film P divided along the division line S. Then, the protective film P together with the adhesive tape A is peeled off from the wafer W surface WS as shown in FIG. 7 by moving the end of the peeling adhesive tape A along the surface WS of the wafer W.
以上のように、本実施形態に係る加工方法は、レーザー光線Ｌの波長に対して吸収性を有する粉末を混入した混合樹脂ＪをウエーハＷの表面ＷＳに塗布し、混合樹脂Ｊを硬化させることで保護膜Ｐを形成しているので、レーザー光線Ｌが金属酸化物などを含んだ粉末に吸収されて保護膜Ｐがバンドギャップエネルギーに達する。そして、保護膜Ｐがバンドギャップエネルギーに達することにより、保護膜Ｐの原子の結合力が破壊されて、連鎖的にウエーハＷ表面に形成されたＬｏｗ−ｋ膜などの表面膜及びウエーハＷ自体もバンドギャップエネルギーに達する。したがって、レーザー光線Ｌのエネルギーの拡散及び反射が抑制されて、ウエーハＷのアブレーション加工を効率的に円滑に施すことができる。 As described above, the processing method according to the present embodiment is performed by applying the mixed resin J mixed with powder having absorbability with respect to the wavelength of the laser beam L to the surface WS of the wafer W and curing the mixed resin J. Since the protective film P is formed, the laser beam L is absorbed by the powder containing the metal oxide and the protective film P reaches the band gap energy. When the protective film P reaches the band gap energy, the bonding force of the atoms of the protective film P is destroyed, and the surface film such as the Low-k film formed on the surface of the wafer W and the wafer W itself are also formed. Reach band gap energy. Therefore, the diffusion and reflection of the energy of the laser beam L are suppressed, and the wafer W can be ablated efficiently and smoothly.
また、保護膜形成工程において、混合樹脂Ｊを硬化させて保護膜Ｐを形成するので、剥離時には粘着テープＡなどを保護膜Ｐに貼着し、粘着テープＡなどと共に剥離させることで、保護膜Ｐを瞬時に剥離することができる。したがって、レーザー光線Ｌの照射後の保護膜Ｐの除去に時間を要さず生産性を向上可能である。 Further, in the protective film forming step, the mixed resin J is cured to form the protective film P. At the time of peeling, the adhesive tape A or the like is attached to the protective film P and is peeled off together with the adhesive tape A or the like. P can be peeled off instantaneously. Therefore, productivity can be improved without requiring time for removing the protective film P after irradiation with the laser beam L.
さらに、混合樹脂Ｊが塗布された剥離材ＥにウエーハＷの表面ＷＳを重ねるなどしてウエーハＷの表面ＷＳに混合樹脂Ｊを塗布するので、ウエーハＷを軸心回りに回転させながら混合樹脂Ｊを塗布する必要がない。したがって、所謂スピンテーブルなどを用いて、混合樹脂Ｊを塗布することがないので、保護膜Ｐの形成に用いられない無駄となる混合樹脂Ｊの量を削減することができる。 Further, since the mixed resin J is applied to the surface WS of the wafer W by superimposing the surface WS of the wafer W on the release material E to which the mixed resin J is applied, the mixed resin J is rotated while the wafer W is rotated about the axis. There is no need to apply. Therefore, since the mixed resin J is not applied using a so-called spin table or the like, it is possible to reduce the amount of wasted mixed resin J that is not used for forming the protective film P.
また、混合樹脂Ｊが硬化して保護膜Ｐが構成されているので、保護膜Ｐを除去する際には、剥離用の粘着テープＡを保護膜Ｐに付着し、粘着テープＡと共に保護膜Ｐを除去できるので、保護膜Ｐを除去する際に、ウエーハＷを軸心回りに回転させながら洗浄液を吹き付ける必要がない。したがって、所謂スピンテーブルなどを用いて、保護膜Ｐを除去することがないので、保護膜Ｐの形成及び除去にスピンテーブルなどを用いる必要が生じることなく、レーザー光線Ｌの照射後の保護膜Ｐの除去に時間を要さず生産性を向上可能である。 Moreover, since the mixed resin J is cured to form the protective film P, when removing the protective film P, the adhesive tape A for peeling is attached to the protective film P, and the protective film P together with the adhesive tape A is attached. Therefore, when removing the protective film P, it is not necessary to spray the cleaning liquid while rotating the wafer W around the axis. Therefore, since the protective film P is not removed using a so-called spin table or the like, it is not necessary to use a spin table or the like for forming and removing the protective film P, and the protective film P after the irradiation with the laser beam L is not required. Productivity can be improved without requiring time for removal.
本実施形態に係る加工方法では、分割工程後に剥離工程を実施しているが、本発明では、レーザー光線照射工程を行い、剥離工程を行なった後に、分割工程を実施しても良い。また、本発明では、分割工程では、支持刃９や押圧刃１０を備えたメカニカルブレーキング装置８を用いることなく、デバイスＤ間の間隔をウエーハＷの表面ＷＳに沿って拡大させる所謂エキスパンドブレーキング装置を用いて、ウエーハＷを分割予定ラインＳに沿って個々のデバイスＤに分割しても良い。
In the processing method according to the present embodiment, the peeling step is performed after the dividing step. However, in the present invention, the dividing step may be performed after performing the laser beam irradiation step and performing the peeling step. Further, in the present invention, in the dividing step, so-called expand braking is performed in which the interval between the devices D is expanded along the surface WS of the wafer W without using the mechanical braking device 8 including the support blade 9 and the
また、本実施形態に係る加工方法では、混合樹脂Ｊを構成する樹脂として、紫外線Ｖが照射されると硬化する樹脂を用いている。しかしながら、本発明では、混合樹脂Ｊを構成する樹脂として、外部刺激として、加熱されたり、可視光線が照射されることで硬化する熱硬化性樹脂の光硬化性樹脂を用いても良い。 Further, in the processing method according to the present embodiment, as the resin constituting the mixed resin J, a resin that cures when irradiated with ultraviolet rays V is used. However, in the present invention, as the resin constituting the mixed resin J, a thermosetting resin that is cured by being heated or irradiated with visible light may be used as an external stimulus.
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
Ｗ ウエーハ
ＷＳ 表面
Ｄ デバイス
Ｓ 分割予定ライン
Ｊ 混合樹脂
Ｐ 保護膜
Ｌ レーザー光線
Ａ 剥離用の粘着テープ
W Wafer WS Surface D Device S Divided line J Mixed resin P Protective film L Laser beam A Peeling adhesive tape
Claims (2)
外部刺激により硬化する樹脂に該レーザー光線の波長に対して吸収性を有する粉末を混入した混合樹脂をウエーハの表面に塗布し、該混合樹脂に外部刺激を与えて硬化させ、ウエーハ表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程を実施した後に、該保護膜側から該レーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工を施すレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程を実施した後に、該保護膜全面に渡って剥離用の粘着テープを貼着し、該粘着テープと共に該保護膜をウエーハ表面から剥離する剥離工程と、
を備え、
該保護膜形成工程は、シート状の剥離材に該混合樹脂を塗布し、平坦な面上に剥離材を載置し、該混合樹脂にウエーハの表面を重ねて、ウエーハを該面に向けて押圧して、該混合樹脂をウエーハの表面に一様の厚みに塗布する
ウエーハの加工方法。 A wafer processing method for performing ablation processing by irradiating a wafer having a device formed in a plurality of regions partitioned by a predetermined division line on a surface and irradiating a laser beam along the predetermined division line,
A mixed resin in which a powder that absorbs the wavelength of the laser beam is mixed into a resin that is cured by an external stimulus is applied to the surface of the wafer, the mixed resin is cured by applying an external stimulus, and a protective film is formed on the surface of the wafer. A protective film forming step to be formed;
After performing the protective film forming step, a laser beam irradiation step of performing ablation processing by irradiating the laser beam from the protective film side along the planned division line;
After performing the laser beam irradiation step, the adhesive tape for peeling is pasted over the entire surface of the protective film, and the peeling step of peeling the protective film from the wafer surface together with the adhesive tape;
Equipped with a,
In the protective film forming step, the mixed resin is applied to a sheet-like release material, the release material is placed on a flat surface, the wafer surface is overlaid on the mixed resin, and the wafer is directed to the surface. A wafer processing method in which the mixed resin is applied to the surface of the wafer to a uniform thickness by pressing .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012204863A JP6059927B2 (en) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012204863A JP6059927B2 (en) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | Wafer processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014060290A JP2014060290A (en) | 2014-04-03 |
| JP6059927B2 true JP6059927B2 (en) | 2017-01-11 |
Family
ID=50616503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012204863A Active JP6059927B2 (en) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | Wafer processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6059927B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108422101B (en) * | 2018-04-12 | 2020-04-14 | 无锡奥夫特光学技术有限公司 | Cutting method of sapphire optical window |
| CN108582529B (en) * | 2018-04-13 | 2020-05-05 | 无锡奥夫特光学技术有限公司 | Cutting method of optical window |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214587A (en) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US6867065B2 (en) * | 2002-07-03 | 2005-03-15 | Tessera, Inc. | Method of making a microelectronic assembly |
| JP4471632B2 (en) * | 2003-11-18 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2006253402A (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2010192616A (en) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of forming protective film and method of processing wafer |
-
2012
- 2012-09-18 JP JP2012204863A patent/JP6059927B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014060290A (en) | 2014-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102217032B1 (en) | Lift-off method | |
| JP6325279B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP5766530B2 (en) | Processing method of optical device wafer | |
| JP6013806B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2019175976A (en) | Element chip manufacturing method | |
| JP2005032903A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| TW201926567A (en) | Method of manufacturing glass interposer | |
| JP6671794B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP5975763B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP6067348B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7016445B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP6059927B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP5961047B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP5995599B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2015204367A (en) | Processing method of optical device wafer | |
| JP6144028B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP6057616B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2016051779A (en) | Bonding method of wafer and peeling method of bonded workpiece | |
| JP4553878B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2022175944A (en) | Manufacturing method of device chip | |
| JP5559623B2 (en) | Split method | |
| JP2017050444A (en) | Method for peeling optical device layer | |
| JP6246497B2 (en) | Processing method | |
| JP2013021209A (en) | Method for processing wafer | |
| JP5995597B2 (en) | Wafer processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150810 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160726 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160923 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161212 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6059927 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |