JP6041389B2 - Light modulator - Google Patents
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Description
本発明は、応力の印加により光変調を行う光変調器に関する。 The present invention relates to an optical modulator that performs optical modulation by applying stress.
光通信の大容量化に伴い、基幹網に加えて加入者網においても光通信の高速化が求められている。光通信の高速化には、光変調などを行う光能動素子の高速化が重要となる。現在、小型化および低消費電力化などの要望から、化合物半導体を用いた光能動素子が主に用いられている。しかしながら、加入者網の装置に適用するためには、低コストであることが重要であり、高価な化合物半導体を用いた光能動素子ではなく、シリコン系材料を用いた光能動素子の開発が進んでいる。 With the increase in capacity of optical communication, speeding up of optical communication is required not only in the backbone network but also in the subscriber network. To increase the speed of optical communication, it is important to increase the speed of an optical active element that performs optical modulation. At present, optically active elements using compound semiconductors are mainly used because of demands for miniaturization and low power consumption. However, in order to apply to subscriber network devices, it is important that the cost is low, and development of an optical active element using a silicon-based material is progressing instead of an optical active element using an expensive compound semiconductor. It is out.
シリコン系材料を用いた光能動素子には、例えば、キャリア注入による自由電子吸収を用いた光吸収素子がある(特許文献1参照)。また、マッハツェンダー干渉計を用いた素子もある(特許文献2参照)。また、ゲルマニウムの電界吸収効果を用いた光変調器もある(非特許文献1参照)。これらのなかで、キャリア注入およびマッハツェンダー干渉計を用いた技術では、消費電力が大きく、低消費電力に対応させることが困難である。電界吸収効果を利用する技術では、低消費電力化が可能であるが、ゲルマニウムの光吸収端が1650nm以上の長波長域であり、通信波長帯から外れるため、光通信に用いることは困難と考えられていた。 As an optical active element using a silicon-based material, for example, there is a light absorbing element using free electron absorption by carrier injection (see Patent Document 1). There is also an element using a Mach-Zehnder interferometer (see Patent Document 2). In addition, there is an optical modulator using the electric field absorption effect of germanium (see Non-Patent Document 1). Among these, the technique using carrier injection and a Mach-Zehnder interferometer consumes a large amount of power, and it is difficult to cope with low power consumption. The technology using the electro-absorption effect can reduce the power consumption, but the light absorption edge of germanium has a long wavelength region of 1650 nm or more and is out of the communication wavelength band, so it is considered difficult to use for optical communication. It was done.
これに対し近年、量子効果を用いることで、ゲルマニウムの光吸収端を光通信波長帯まで拡張する技術が提案されている。この技術によれば、加入者網でも使用可能な低コストの光変調器が、低消費電力で実現できる可能性がある。ただし、変調可能な光帯域は波長数nmと広くなく、光通信波長帯のなかでC帯およびL帯をカバーするためには、10種類以上の量子井戸構造を作り分けることになる。 On the other hand, in recent years, a technique for extending the light absorption edge of germanium to the optical communication wavelength band by using the quantum effect has been proposed. According to this technology, there is a possibility that a low-cost optical modulator that can be used even in a subscriber network can be realized with low power consumption. However, the optical band that can be modulated is not as wide as a few nm, and in order to cover the C band and the L band in the optical communication wavelength band, 10 or more types of quantum well structures are separately formed.
これに対し、1つの素子でより広い光変調帯域を得る技術が提案されている(特許文献3参照)。この技術では、変位可能とした片持ち梁に上記構成とした光能動素子を形成し、この光能動素子に応力を印加することで、より広い光変調領域を得るようにしている。また、片持ち梁の構造を調整することで、より小さな駆動電圧で梁を変形可能とし、低消費電力化する技術も提案されている。この技術では、梁を駆動するための可動電極形成部と、梁を支持する支持部との間の応力が集中する領域に、上記素子を配置している。この領域を、平面視でより細い構造として変形しやすくすることで、より小さな駆動電圧で梁を変形可能とし、低消費電力化を図っている。 On the other hand, a technique for obtaining a wider light modulation band with one element has been proposed (see Patent Document 3). In this technique, an optical active element having the above-described configuration is formed on a cantilever beam that can be displaced, and stress is applied to the optical active element to obtain a wider light modulation region. In addition, a technique has been proposed in which the beam can be deformed with a smaller driving voltage and the power consumption can be reduced by adjusting the structure of the cantilever. In this technique, the element is arranged in a region where stress is concentrated between the movable electrode forming portion for driving the beam and the support portion for supporting the beam. By making this region easier to deform as a finer structure in plan view, the beam can be deformed with a smaller driving voltage, thereby reducing power consumption.
しかしながら、上述した技術では、平面視で細い構造とした部分と支持部との間隔が、製造上の制約により正確に設定できず、量子効果を用いたゲルマニウムから構成した光能動素子を配置した箇所に、効率的に応力を集中させることが妨げられるという問題がある。 However, in the above-described technique, the space between the thin portion in plan view and the support portion cannot be accurately set due to manufacturing restrictions, and the place where the photoactive element composed of germanium using the quantum effect is disposed In addition, there is a problem that it is difficult to concentrate stress efficiently.
上述した技術において、効果的にバンド端を制御するためには、応力集中が重要となる。応力集中の方法として、片持ち梁の固定端に、上述したようなより細いくびれを設けるようにしている。しかしながら、くびれを設けたとしても、固定端の位置とくびれの位置が一致していないと、応力集中の効果は期待できない。 In the technique described above, stress concentration is important in order to effectively control the band edge. As a stress concentration method, a narrower neck as described above is provided at the fixed end of the cantilever. However, even if a constriction is provided, the effect of stress concentration cannot be expected unless the position of the fixed end coincides with the position of the constriction.
光通信用デバイスの小型化、低コスト化に対応できるプラットフォームとして、シリコンフォトニクスが期待されている。シリコンフォトニクス上で上述したような応力印加可変帯域変調器を実現するためには、シリコンから構成した梁に、シリコン光導波路を装荷し、このシリコン光導波路上に形成したゲルマニウムの電界吸収効果を用いるのが有望である。 Silicon photonics is expected as a platform that can be used to reduce the size and cost of optical communication devices. In order to realize the stress applied variable band modulator as described above on silicon photonics, a silicon optical waveguide is loaded on a beam made of silicon, and the electric field absorption effect of germanium formed on the silicon optical waveguide is used. It is promising.
このような梁構造の実現には、SOI(Silicon on Insulator)基板を用い、表面シリコン層で梁の形状を形成し、埋め込み酸化層(BOX層)を犠牲層として除去する作製方法がとられる。BOX層の除去は、一般的に、フッ酸によるウェットエッチングが用いられる。ドライエッチングでは、表面シリコン層の下のシリコン酸化膜(BOX層)が除去できないため、回り込みエッチング可能な上述したウェットエッチングが適用される。 In order to realize such a beam structure, a manufacturing method is used in which an SOI (Silicon on Insulator) substrate is used, a beam shape is formed with a surface silicon layer, and a buried oxide layer (BOX layer) is removed as a sacrificial layer. In general, wet etching using hydrofluoric acid is used to remove the BOX layer. In dry etching, since the silicon oxide film (BOX layer) under the surface silicon layer cannot be removed, the above-described wet etching capable of wraparound etching is applied.
ここで、フッ酸によるシリコン酸化膜のウェットエッチングは、エッチングが等方的に進行する。このため、表面シリコン層で梁構造を作製する際に、この下の十分に厚いBOX層を完全にエッチングしようとすると、梁の固定端よりも深くエッチングされてしまう(アンダーカット)という制約があった。アンダーカットは、梁の固定端と梁のくびれ部との距離を拡大してしまうため、くびれ部に対する効率的な応力集中の妨げとなる。 Here, the wet etching of the silicon oxide film with hydrofluoric acid proceeds isotropically. For this reason, when fabricating a beam structure with a surface silicon layer, if a sufficiently thick BOX layer underneath is to be etched completely, the beam structure is etched deeper than the fixed end of the beam (undercut). It was. The undercut increases the distance between the fixed end of the beam and the constricted portion of the beam, which hinders efficient stress concentration on the constricted portion.
アンダーカットを減らす方法として、梁に小さな穴を数多く形成し、これらの穴からフッ酸を浸入させて下層のBOX層をエッチングする方法がある。この方法によれば、アンダーカットを最小限に抑えることが可能となる。しかしながら、例えば、主応力方向と直交する軸に穴が並ぶような場合は、穴近傍に応力が集中してしまい、本来の目的であった梁固定端付近(くびれ部)に応力が集中できないという問題が発生する。この状態では、光能動素子に効率的に応力が集中できない。 As a method for reducing the undercut, there is a method in which a large number of small holes are formed in the beam, and hydrofluoric acid is infiltrated from these holes to etch the lower BOX layer. According to this method, the undercut can be minimized. However, for example, when holes are arranged on an axis orthogonal to the main stress direction, stress concentrates near the hole, and stress cannot be concentrated near the beam fixing end (neck portion), which was the original purpose. A problem occurs. In this state, stress cannot be efficiently concentrated on the optical active element.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、梁構造の上に形成した光能動素子に、梁構造を変位させることで応力を印加して光変調を行う光変調器において、光能動素子に効率的に応力が集中できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and is a light that modulates light by applying stress by displacing the beam structure to an optical active element formed on the beam structure. It is an object of the modulator to allow stress to be concentrated efficiently on the optical active element.
本発明に係る光変調器は、基板の上に形成された支持層および支持層の上に形成された可動部形成層を加工することで形成した光変調器であって、可動部形成層を加工することで形成されて基板の上に離間して配置され、複数の貫通穴を備える可動構造体と、可動部形成層を加工することで形成された固定部と、可動部形成層を加工することで形成されて可動構造体の一端と固定部とを連結するくびれ部と、可動部形成層に対する選択的なエッチングにより支持層を加工することで固定部の下の領域に形成されて固定部を基板の上に支持する支持部と、可動構造体の上に形成された可動電極と、基板の上に形成されて可動電極を基板の側に引き寄せるための固定電極と、固定部からくびれ部を経由して可動構造体の上にかけて形成された光導波路と、くびれ部の箇所で光導波路の上に形成されて印加された応力により光変調を行う光能動素子とを備え、平面視で、くびれ部の幅は、可動構造体の幅より小さく形成され、複数の貫通穴は、正三角形,正四角形,正六角形のいずれかを基本格子の形状とする格子の格子点に配置された状態に配列されている。 An optical modulator according to the present invention is an optical modulator formed by processing a support layer formed on a substrate and a movable part forming layer formed on the support layer, and the movable part forming layer is A movable structure formed by processing and spaced apart on a substrate and provided with a plurality of through holes, a fixed portion formed by processing the movable portion forming layer, and a movable portion forming layer are processed. The constricted portion that is formed by connecting the one end of the movable structure and the fixed portion, and the support layer is processed by selective etching with respect to the movable portion forming layer to be formed and fixed in the region below the fixed portion. A support part for supporting the part on the substrate, a movable electrode formed on the movable structure, a fixed electrode formed on the substrate for drawing the movable electrode toward the substrate, and a constriction from the fixed part Light formed over the movable structure via the part A path and an optical active element that is formed on the optical waveguide at the constricted portion and modulates light by the applied stress, and the width of the constricted portion is smaller than the width of the movable structure in plan view. The plurality of through holes are arranged in a state of being arranged at lattice points of a lattice having a regular triangular shape, a regular square shape, or a regular hexagonal shape as a basic lattice shape.
上記光変調器において、隣り合う貫通穴の間隔は、固定部に近いほど小さくされているようにしてもよい。 In the optical modulator, the interval between adjacent through holes may be made smaller as the distance from the fixed portion is closer.
上記光変調器において、固定部からみて可動構造体が形成されている方向に対し、基本格子の辺が傾く状態とされている。 In the optical modulator, to the direction in which the movable structure when viewed from the fixed portion is formed, that is a state in which the sides of the lattice element is inclined.
以上説明したことにより、本発明によれば、梁構造の上に形成した光能動素子に、梁構造を変位させることで応力を印加して光変調を行う光変調器において、光能動素子に効率的に応力が集中できるようになるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, in an optical modulator that modulates light by applying stress by displacing the beam structure to the optical active element formed on the beam structure, the optical active element has an efficiency. Therefore, an excellent effect that stress can be concentrated can be obtained.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態における光変調器の構成を示す斜視図である。この光変調器は、基板101の上に形成された支持層102および支持層102の上に形成された可動部形成層103を加工することで形成したものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an optical modulator according to an embodiment of the present invention. This optical modulator is formed by processing the
まず、可動部形成層103を加工することで形成されて基板101の上に離間して配置された可動構造体104と、可動部形成層103を加工することで形成された固定部106と、可動部形成層103を加工することで形成されて可動構造体104の一端と固定部106とを連結するくびれ部107とを備える。
First, a
また、可動部形成層103に対する選択的なエッチングにより支持層102を加工することで固定部106の下の領域に形成されて固定部106を基板101の上に支持する支持部105を備える。固定部106が、支持部105の上に固定された状態となる。
Further, the
可動構造体104,固定部106,くびれ部107は、可動部形成層103を加工することで一体に形成されている。くびれ部107の幅は、平面視で、可動構造体104の幅より小さく形成されている。
The
例えば、基板101,支持層102,可動部形成層103は、よく知られたSOI基板であり、厚さ0.2μm程度の表面シリコン層が可動部形成層103であり、厚さ2〜3μm程度の埋め込み酸化層が支持層102である。従って、フッ酸によるウェットエッチングによれば、可動部形成層103に対する選択的なエッチングにより支持層102を加工することができる。
For example, the
また、可動構造体104の上に形成された可動電極108を備える。ここで、基板101を、不純物を導入したシリコンから構成することで、基板101を電極として用いることができる。この場合、基板101が、可動電極108を基板101の側に引き寄せるための固定電極となる。可動電極108は、一部のくびれ部107を経由して固定部106の上に引き出された配線110に接続している。なお、基板101とは別に固定電極を形成する場合、平面視で、可動電極108に重なる位置、言い換えると、可動構造体104を投影した領域の基板101上に固定電極が形成されていればよい。
In addition, a
また、固定部106からくびれ部107を経由して可動構造体104の上にかけて形成された光導波路111と、くびれ部107の箇所で光導波路111の上に形成されて印加された応力により光変調を行う光能動素子112とを備える。光能動素子112は、光導波路111を導波する光信号の変調を行う。
In addition, the
光導波路111は、可動構造体104の上で進行方向が曲げられ、光導波路111の両端は、固定部106の上に配置されている。光導波路111は、リブ型導波路である。光導波路111の一端より入射した光信号は、まず、分割形成されているいずれかのくびれ部107の上の光能動素子112が形成されている箇所を通過する。次いで、可動構造体104の上の曲げられている部分の光導波路111で進行方向を180°変更する。次いで、他のいずれかのくびれ部107の上の光能動素子112が形成されている箇所を通過し、光導波路111の他端より出射する。
The traveling direction of the
光能動素子112は、ゲルマニウムからなる層厚10nm程度の井戸層と、シリコンとゲルマニウムとの混晶からなる層厚10nm程度の障壁層とから構成された量子井戸構造を備える。この構成とした光能動素子112は、応力が加わると、井戸層を構成するゲルマニウムのバンドギャップを波長に換算して100nm可変することができる。従って、光能動素子112は、応力が加わることで、吸収する光波長を変更することができる。
The optical
上述した光変調器では、可動電極108と、基板101の間に電位差が生じるように電圧を印加することで、可動電極108と基板101との間に静電引力を発生させ、可動構造体104を基板101の側に近づけるように変位させることができる。このとき、可動構造体104およびくびれ部107が変形し応力を発生する。ここで発生する応力は、固定部106により近い箇所に配置され、幅が狭く形成されたくびれ部107に集中するようになる。また、印加する電圧を変化させることで、可動構造体104の変位量を変化させることができる。
In the optical modulator described above, by applying a voltage so that a potential difference is generated between the
このようにして応力が集中するくびれ部107の上に光能動素子112が形成されているので、上述したように可動構造体104に対して静電引力を発生させることで、光能動素子112に応力(引っ張り歪み)を加えることができ、結果として、光能動素子112における透過光波長を変更(変調)することができる。なお、上述した光変調器の構成については、特願2012−159617を参照されたい。
Since the optical
上述したように動作する光変調器において、実施の形態では、可動構造体104に、複数の貫通穴141を備え、複数の貫通穴141は、正三角形,正四角形(正方形),正六角形のいずれかを基本格子の形状とする格子の格子点に配置された状態に配列されているところに特徴がある。貫通穴141は、可動部形成層103に対する選択的なエッチングにより支持層102を加工するときに用いるエッチャント(フッ酸)を、可動部形成層103(可動構造体104)より下層に浸入させるための穴である。なお、図1において、各貫通穴141の間に示す点線は、格子の状態を説明するための仮想の線であり、実際には存在しない。これは、図2,図3,図4,図5,図6,図7においても同様である。
In the optical modulator that operates as described above, in the embodiment, the
貫通穴141は可動構造体104を貫通しており、ここからフッ酸が浸入し、酸化シリコンからなる支持層102をエッチングすることができる。貫通穴141の径は、50nm程度以上であれば良い。この穴径であれば、フッ酸が浸入可能である。複数の貫通穴141は、可動構造体104の全域に、均等に配列されているとよい。
The through-
上述した光変調器の製造について簡単に説明する。まず、SOI基板を用意する。SOI基板の基体部が基板101であり、埋め込み酸化層が支持層102であり、表面シリコン層が可動部形成層103である。初めに、公知のリソグラフィー技術、エッチング技術および成膜技術により光導波路111および光能動素子112を形成する。可動部形成層103の上に公知の成膜技術によりフッ酸耐性のある金からなる金属層を形成した後、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術により金属層をパターニングすることで、可動電極108および配線110を形成する。
The manufacture of the above-described optical modulator will be briefly described. First, an SOI substrate is prepared. The base portion of the SOI substrate is the
次いで、公知のリソグラフィー技術により、可動構造体104,固定部106,およびくびれ部107を形成するためのマスクパターンを形成する。このとき、マスクパターンの可動構造体104とする領域に、貫通穴141に対応する複数の穴部を備えるものとする。このように形成したマスクパターンを用い、公知のドライエッチング技術により可動部形成層103をパターニングすることで、可動構造体104,固定部106,およびくびれ部107が形成できる。また、複数の貫通穴141が形成できる。この場合、可動電極108の部分においては、貫通穴141は、可動電極108も貫通している。
Next, a mask pattern for forming the
上述したように可動構造体104,固定部106,およびくびれ部107を形成した後、用いたマスクパターンを除去する。次に、可動構造体104およびくびれ部107の周囲の開口領域、また、貫通穴141を通してフッ酸を支持層102に作用させることで、固定部106の下部領域以外の支持層102を選択的にエッチング除去する。
After the
このエッチングにより、可動構造体104およびくびれ部107の下部の支持層102は除去され、可動構造体104およびくびれ部107は、基板101より離間した状態となる。また、上述したウェットエッチングでは、等方的にエッチングされるため、固定部106の端部下部も、ある程度エッチングされアンダーカットが生じる。
By this etching, the
しかしながら、可動構造体104に複数の貫通穴141が形成され、ここからも支持層102に対してフッ酸が作用するので、可動構造体104の下部の支持層102が、貫通穴141がない場合に比較してより迅速にエッチング除去されるようになる。この結果、可動構造体104およびくびれ部107の中空構造が、より短時間のエッチングで実現できるようになり、結果として、上述したアンダーカットの量を減らすことができる。アンダーカットの量が減らせれば、前述したくびれ部107に対する応力集中が、より効率的になされるようになる。
However, since a plurality of through
ところで、貫通穴141は、例えば、上述したように六角形格子で配置している。正六角形の基本格子を有するハニカム構造は、建築材料などで高強度かつ高剛性の多孔材料として知られている。このため、この配置で複数の貫通穴141を形成しても、可動構造体104の強度および剛性を著しく損なうことがない。
By the way, the through
ここで、厚さdのシリコン酸化膜(支持層102)を完全に除去するためには、フッ酸浸入用の貫通穴141の間隔を、厚さd以下に設定する必要がある。1辺がdの長さを持つ六角格子の格子間隔は√3dであることから、六角格子の頂点にフッ酸浸入用穴を配置する場合、図2の平面図に示す六角格子の格子間隔xは、支持層102の厚さの√3倍以下であればよい。
Here, in order to completely remove the silicon oxide film (support layer 102) having the thickness d, it is necessary to set the interval between the hydrofluoric acid intrusion through
格子間隔xを小さくとると剛性が低下するので、応力集中を促すことも可能となる。従って、図3に示すように、まず、可動構造体104の固定部106から遠いところでは、支持層102の厚さの√3倍の格子寸法で複数の貫通穴141を配置する。また、固定部106に近づくにつれて小さい格子寸法で複数の貫通穴142を配置する。隣り合う貫通穴142の間隔を、固定部106に近いほど小さくされているようにする。これらの構成とすることで、くびれ部107における応力集中を増強させることも可能となる。
If the lattice spacing x is reduced, the rigidity is lowered, so that stress concentration can be promoted. Therefore, as shown in FIG. 3, first, a plurality of through
また、貫通穴141の配置は、六角形格子のほかに、図4に示すように四角形格子としてもよい。このように、基本格子の形状を正方形とした四角形格子の格子点に複数の貫通穴141が配置される構成では、格子の辺が、固定部106からみて可動構造体104が形成されている方向と、平行または直交する構成もある。この場合、変位する可動構造体104に発生する主応力方向が上述した方向であり、この主応力方向に垂直な方向に貫通穴141が配列される状態となる。この状態では、剛性が低下するため、図5に示すように、固定部106からみて可動構造体104が形成されている方向に対し、四角格子(基本格子)の辺が傾く状態とするとよい。
In addition to the hexagonal lattice, the arrangement of the through
また、貫通穴141の配置は、図6に示すように三角形格子としてもよい。このように、基本格子の形状を正三角形とした三角形格子の格子点に複数の貫通穴141が配置される構成では、格子の辺が、固定部106からみて可動構造体104が形成されている方向と、直交する構成もある。この場合、変位する可動構造体104に発生する主応力方向が上述した方向であり、この主応力方向に垂直な方向に貫通穴141が配列される状態となる。この状態では、剛性が低下するため、図7に示すように、固定部106からみて可動構造体104が形成されている方向に対し、三角格子(基本格子)の辺が傾く状態とするとよい。
Further, the arrangement of the through
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、貫通孔は、くびれ部に形成されていてもよい。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and many modifications and combinations can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious. For example, the through hole may be formed in the constricted portion.
101…基板、102…支持層、103…可動部形成層、104…可動構造体、105…支持部、106…固定部、107…くびれ部、108…可動電極、110…配線、111…光導波路、112…光能動素子、141…貫通穴。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記可動部形成層を加工することで形成されて前記基板の上に離間して配置され、複数の貫通穴を備える可動構造体と、
前記可動部形成層を加工することで形成された固定部と、
前記可動部形成層を加工することで形成されて前記可動構造体の一端と前記固定部とを連結するくびれ部と、
前記可動部形成層に対する選択的なエッチングにより前記支持層を加工することで前記固定部の下の領域に形成されて前記固定部を前記基板の上に支持する支持部と、
前記可動構造体の上に形成された可動電極と、
前記基板の上に形成されて前記可動電極を前記基板の側に引き寄せるための固定電極と、
前記固定部から前記くびれ部を経由して前記可動構造体の上にかけて形成された光導波路と、
前記くびれ部の箇所で前記光導波路の上に形成されて印加された応力により光変調を行う光能動素子と
を備え、
平面視で、前記くびれ部の幅は、前記可動構造体の幅より小さく形成され、
複数の前記貫通穴は、正三角形,正四角形,正六角形のいずれかを基本格子の形状とする格子の格子点に配置された状態に配列され、
前記固定部からみて前記可動構造体が形成されている方向に対して前記基本格子の辺が傾く状態とされていることを特徴とする光変調器。 An optical modulator formed by processing a support layer formed on a substrate and a movable part forming layer formed on the support layer,
A movable structure formed by processing the movable part forming layer and spaced apart on the substrate, the movable structure including a plurality of through holes;
A fixed part formed by processing the movable part forming layer;
A constriction formed by processing the movable part forming layer and connecting one end of the movable structure and the fixed part;
A support part that is formed in a region under the fixed part by processing the support layer by selective etching with respect to the movable part forming layer and supports the fixed part on the substrate;
A movable electrode formed on the movable structure;
A fixed electrode formed on the substrate for pulling the movable electrode toward the substrate;
An optical waveguide formed over the movable structure via the constricted portion from the fixed portion;
An optical active element that is formed on the optical waveguide at the constricted portion and modulates light by applied stress, and
In a plan view, the width of the constricted portion is formed smaller than the width of the movable structure,
The plurality of through-holes are arranged in a state of being arranged at lattice points of a lattice having a regular triangle, a regular square, or a regular hexagon as a basic lattice shape ,
An optical modulator characterized in that a side of the basic grating is inclined with respect to a direction in which the movable structure is formed as viewed from the fixed portion .
隣り合う前記貫通穴の間隔は、前記固定部に近いほど小さくされていることを特徴とする光変調器。 The optical modulator of claim 1, wherein
An optical modulator characterized in that the interval between the adjacent through holes is made smaller as it is closer to the fixed part.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015025937A JP2015025937A (en) | 2015-02-05 |
JP6041389B2 true JP6041389B2 (en) | 2016-12-07 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013155267A Active JP6041389B2 (en) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | Light modulator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6041389B2 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3716241B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-11-16 | サンテック株式会社 | MEMS device and optical attenuator, optical switch, and optical scanner using the same |
JP5586103B2 (en) * | 2009-08-28 | 2014-09-10 | 国立大学法人 東京大学 | Optical element |
JP5858476B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-02-10 | 日本電信電話株式会社 | Optical element |
-
2013
- 2013-07-26 JP JP2013155267A patent/JP6041389B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015025937A (en) | 2015-02-05 |
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