JP6022878B2 - Laminate manufacturing method and separation layer forming apparatus - Google Patents

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本発明は、基板と支持体とが積層された積層体の製造方法、および分離層形成装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a laminate in which a substrate and a support are laminated, and a separation layer forming apparatus.

近年、ICカード、携帯電話などの電子機器の薄型化、小型化、軽量化などが要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となるウエハ基板の厚さ(膜厚)は現状では125μm〜150μmであるが、次世代のチップ用には25μm〜50μmにしなければならないといわれている。したがって、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。   In recent years, electronic devices such as IC cards and mobile phones have been required to be thinner, smaller, and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used as a semiconductor chip to be incorporated. For this reason, the thickness (film thickness) of the wafer substrate on which the semiconductor chip is based is currently 125 μm to 150 μm, but it is said that it must be 25 μm to 50 μm for the next generation chip. Therefore, in order to obtain a wafer substrate having the above film thickness, a wafer substrate thinning step is indispensable.

ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板に支持体を貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。そして、製造プロセス後に、ウエハ基板を支持体から分離する。したがって、製造プロセス中は、ウエハ基板と支持体とが強固に接着していることが好ましいが、製造プロセス後には、支持体からウエハ基板を円滑に分離できることが好ましい。   Since the strength of the wafer substrate decreases due to the thinning of the wafer substrate, a circuit is formed on the wafer substrate while automatically supporting the substrate while the support is bonded to the wafer substrate to prevent damage to the thinned wafer substrate. Etc. are mounted. Then, after the manufacturing process, the wafer substrate is separated from the support. Therefore, it is preferable that the wafer substrate and the support are firmly bonded during the manufacturing process, but it is preferable that the wafer substrate can be smoothly separated from the support after the manufacturing process.

ウエハ基板と支持体とを強固に接着した場合、接着材料によっては、ウエハ基板上に実装した構造物を破損させることなく、ウエハ基板から支持体を分離することは困難である。したがって、製造プロセス中にはウエハ基板と支持体との強固な接着を実現しつつ、製造プロセス後にはウエハ基板上に実装した素子を破損させることなく分離するという、非常に困難な仮止め技術の開発が求められている。   When the wafer substrate and the support are firmly bonded, depending on the adhesive material, it is difficult to separate the support from the wafer substrate without damaging the structure mounted on the wafer substrate. Therefore, it is an extremely difficult temporary fixing technology that realizes strong adhesion between the wafer substrate and the support during the manufacturing process and separates the elements mounted on the wafer substrate without damaging them after the manufacturing process. Development is required.

半導体ウエハに支持体を貼り合わせ、半導体ウエハを処理した後、支持体を分離するような半導体チップの製造方法として、特許文献1に記載のような方法が知られている。特許文献1に記載の方法においては、光透過性の支持体と半導体ウエハとを、支持体側に設けられた光熱変換層と接着層とを介して貼り合わせ、半導体ウエハを処理した後、支持体側から放射エネルギーを照射することによって光熱変換層を分解して、支持体から半導体ウエハを分離する。   As a method for manufacturing a semiconductor chip in which a support is bonded to a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is processed, and then the support is separated, a method described in Patent Document 1 is known. In the method described in Patent Document 1, a light-transmitting support and a semiconductor wafer are bonded together via a photothermal conversion layer and an adhesive layer provided on the support, and after the semiconductor wafer is processed, the support side The photothermal conversion layer is decomposed by irradiating radiant energy from the substrate to separate the semiconductor wafer from the support.

また、特許文献2に記載の積層体においては、光電変換層を構成する材料に、熱処理により自己架橋しうる官能基を分子内に持つ熱分解性樹脂や、紫外線・可視光で架橋可能な熱分解性樹脂或いはその前駆体を配合することで、光電変換層の耐薬品性を向上させている。   In addition, in the laminate described in Patent Document 2, the material constituting the photoelectric conversion layer is a thermally decomposable resin having a functional group capable of self-crosslinking by heat treatment in the molecule, or heat that can be cross-linked by ultraviolet or visible light. The chemical resistance of the photoelectric conversion layer is improved by blending a degradable resin or a precursor thereof.

特開2005−159155号公報(2005年6月16日公開)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-159155 (released on June 16, 2005) 特開2004−64040号公報(2004年2月26日公開)JP 2004-64040 A (published February 26, 2004) 特開平9−50897号公報(1997年2月18日公開)JP 9-50897 A (published February 18, 1997)

本発明者らの知見によれば、支持体上に分離層を形成し、当該分離層にウエハを貼り合わせた積層体に対して様々な処理を行なう際に、処理において用いた薬品等によって、部分的に分離層が変質して支持体から剥がれてしまうケースが起こり得る。   According to the knowledge of the present inventors, when a separation layer is formed on a support and various treatments are performed on a laminate in which a wafer is bonded to the separation layer, depending on the chemicals used in the treatment, There may be a case where the separation layer is partially denatured and peeled off from the support.

例えば、レジスト剥離工程等で、高温且つ長時間、極性溶媒を含む剥離液(例えば、N−メチル−2−ピロリドンのような非プロトン性溶媒を含む剥離液)に積層体が曝されると、積層体のエッジ端面から剥離液が浸透し、当該部分において分離層が支持体から剥がれてしまう場合がある。   For example, when the laminate is exposed to a stripping solution containing a polar solvent (for example, a stripping solution containing an aprotic solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone) at a high temperature and for a long time in a resist stripping step or the like, The stripping solution may permeate from the edge end surface of the laminate, and the separation layer may be peeled off from the support at the portion.

このように、処理の途中で分離層が剥がれるとウエハにクラックが入ったり、割れたり、凹凸が発生したりするため、次工程に進むことができない。   As described above, if the separation layer is peeled off during the process, the wafer is cracked, cracked, or uneven, and the process cannot proceed.

本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、支持体上に分離層を形成し、当該分離層にウエハを貼り合わせた積層体に対して所望の処理を行なう際に、分離層が支持体から剥離することを抑制するために、耐薬品性に優れる積層体の製造方法、およびそのために用いる分離層形成装置を提供することを主たる目的とする。   The present invention has been made in view of such problems. When a separation layer is formed on a support and a desired structure is applied to a laminate in which a wafer is bonded to the separation layer, the separation is performed. In order to suppress the peeling of the layer from the support, the main object is to provide a method for producing a laminate excellent in chemical resistance and a separation layer forming apparatus used therefor.

上記課題を解決するために、本発明に係る製造方法は、基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層を備えた積層体の製造方法であって、排気孔を有する反応室内において、上記支持体が上記排気孔よりも鉛直下方に位置した状態で、プラズマCVD法により該支持体上に上記分離層を形成する分離層形成工程を包含していることを特徴としている。   In order to solve the above-described problems, a manufacturing method according to the present invention includes a substrate, a light-transmitting support that supports the substrate, and the substrate and the support. A method of manufacturing a laminate including a separation layer that is altered by absorbing irradiated light, wherein the support is positioned vertically below the exhaust hole in a reaction chamber having an exhaust hole. A separation layer forming step of forming the separation layer on the support by plasma CVD is included.

また、本発明に係る分離層形成装置は、光透過性の支持体上に、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層をプラズマCVD法により形成する分離層形成装置であって、排気孔を有する反応室と、該反応室内において、該支持体を載置するための載置台と、を備えており、該排気孔は、該載置台に対して1mm以上、鉛直上方に配置されていることを特徴としている。   In addition, the separation layer forming apparatus according to the present invention forms a separation layer on a light-transmitting support by a plasma CVD method, wherein the separation layer is altered by absorbing light irradiated through the support. An apparatus comprising: a reaction chamber having an exhaust hole; and a mounting table for mounting the support in the reaction chamber, wherein the exhaust hole is 1 mm or more with respect to the mounting table. It is characterized by being arranged vertically upward.

本発明によれば、耐薬品性に優れ、積層体に対して所望の処理を行なう際に分離層が支持体から剥離することを好適に抑制することができる積層体を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can be excellent in chemical resistance and can provide the laminated body which can suppress suitably that a separated layer peels from a support body when performing a desired process with respect to a laminated body.

本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically each process of the manufacturing method of the laminated body which concerns on one Embodiment of this invention. (a)は、本発明の一実施形態に係る積層体を示す断面図およびその部分拡大図を示し、(b)は、従来技術に係る積層体を示す断面図およびその部分拡大図を示す。(A) shows sectional drawing and its partial enlarged view which show the laminated body which concerns on one Embodiment of this invention, (b) shows sectional drawing which shows the laminated body which concerns on a prior art, and its partial enlarged view. (a)は、本実施形態における分離層形成工程において用いる分離層製造装置の一構成例を示す断面図であり、(b)はその排気孔と支持体との位置関係を示す図である。(A) is sectional drawing which shows the example of 1 structure of the separation layer manufacturing apparatus used in the separation layer formation process in this embodiment, (b) is a figure which shows the positional relationship of the exhaust hole and a support body. (a)は、分離層製造装置の参考構成例を示す断面図であり、(b)はその排気孔と支持体との位置関係を示す図である。(A) is sectional drawing which shows the reference structural example of a separated layer manufacturing apparatus, (b) is a figure which shows the positional relationship of the exhaust hole and a support body.

<積層体の製造方法>
本発明の一実施形態に係る製造方法を、図1および図2を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る積層体の製造方法の各工程を模式的に示す図である。また、図2の(a)は、本実施形態に係る積層体1を示す断面図およびその部分拡大図を示す。また、図2の(b)は、従来技術に係る積層体2を示す断面図およびその部分拡大図を示す。
<Method for producing laminate>
A manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a diagram schematically showing each step of the method for manufacturing a laminate according to the present embodiment. Moreover, (a) of FIG. 2 shows sectional drawing which shows the laminated body 1 which concerns on this embodiment, and its partial enlarged view. FIG. 2B shows a cross-sectional view and a partially enlarged view showing the laminate 2 according to the prior art.

本実施形態に係る積層体の製造方法で製造する積層体1は、支持体12、表面処理膜14、分離層15、接着層13、および、基板11がこの順に積層されてなる(図2の(a)参照)。図1に示すように、本実施形態に係る積層体の製造方法は、支持体12の分離層が設けられる表面を疎水化する表面処理工程(図1の(1))、表面処理工程後に、支持体12上に分離層15を形成する分離層形成工程(図1の(2))、基板11上に接着層13を形成する接着層形成工程(図1の(3))、および基板11と支持体12とを、接着層13および分離層15を介して貼り合わせる積層工程を包含している。但し、表面処理工程は省略することもできる。その場合、表面処理膜14は形成されない。   A laminate 1 manufactured by the method for manufacturing a laminate according to the present embodiment includes a support 12, a surface treatment film 14, a separation layer 15, an adhesive layer 13, and a substrate 11 stacked in this order (see FIG. 2). (See (a)). As shown in FIG. 1, the manufacturing method of the laminated body which concerns on this embodiment is the surface treatment process ((1) of FIG. 1) which hydrophobizes the surface in which the separation layer of the support body 12 is provided, and after a surface treatment process, A separation layer forming step (FIG. 1 (2)) for forming the separation layer 15 on the support 12, an adhesive layer forming step ((3) in FIG. 1) for forming the adhesive layer 13 on the substrate 11, and the substrate 11 And the support 12 are included in a lamination process in which the adhesive layer 13 and the separation layer 15 are bonded together. However, the surface treatment step can be omitted. In that case, the surface treatment film 14 is not formed.

〔表面処理工程〕
本実施形態に係る積層体の製造方法における表面処理工程は、表面が親水性であって基板11を支持する光透過性の支持体12の少なくとも分離層15が設けられる表面を疎水化する工程である。
[Surface treatment process]
The surface treatment step in the method for manufacturing a laminate according to the present embodiment is a step of hydrophobizing the surface on which at least the separation layer 15 of the light-transmissive support 12 that supports the substrate 11 is provided and has a hydrophilic surface. is there.

従来の積層体の製造方法では、支持体12として、ガラスからなる支持体を使用する場合、該支持体12の表面に対する水の接触角は、10〜20°以下という低い値を採る。特に酸素プラズマ処理されたガラスからなる支持体12の表面に対する水の接触角は、0〜5°というさらに低い値を採る。これに対して、分離層15に用いられる材料は疎水性である。本発明の発明者らは、ここに着目して、これが積層体における分離層の破損を起こす一因であることを突き止めた。そして、本発明者らは、表面処理工程によって親水性のガラスからなる支持体1を表面処理することで疎水性の表面処理膜14を設けて、支持体12と分離層15との親和性を高めることで、分離層15の剥離による支持体1への悪影響を低減し得ることを見出した。   In the conventional manufacturing method of a laminated body, when using the support body which consists of glass as the support body 12, the contact angle of the water with respect to the surface of this support body 12 takes a low value of 10-20 degrees or less. In particular, the contact angle of water with the surface of the support 12 made of glass subjected to oxygen plasma treatment takes a lower value of 0 to 5 °. In contrast, the material used for the separation layer 15 is hydrophobic. The inventors of the present invention pay attention to this point and have found that this is one factor causing the breakage of the separation layer in the laminate. Then, the present inventors provide a hydrophobic surface treatment film 14 by surface-treating the support 1 made of hydrophilic glass by a surface treatment process, and thereby improve the affinity between the support 12 and the separation layer 15. It has been found that by increasing, the adverse effect on the support 1 due to the separation of the separation layer 15 can be reduced.

すなわち、支持体12と分離層15との親和性を高めることにより、積層体1に対して薬品処理等の所望の処理を行なう際に、分離層15が支持体12から剥離することを抑制することができる。   That is, by increasing the affinity between the support 12 and the separation layer 15, the separation layer 15 is prevented from peeling off from the support 12 when a desired treatment such as a chemical treatment is performed on the laminate 1. be able to.

なお、分離層15の材料自身の耐薬品性が向上しているのではないため、支持体12の分離工程後における支持体12上に付着した分離層15の残渣を容易に洗浄できるという効果を奏する。つまり、本発明に係る積層体は、分離層の薬品による破損を解消しつつ、該分離層の洗浄の容易さを維持するという、相反する利益を両立できる。これは従来の積層体のような、分離層(光熱変換層)自身の耐薬品性を向上させるという方法では、両立し得ない効果である。   In addition, since the chemical resistance of the material of the separation layer 15 itself is not improved, an effect that the residue of the separation layer 15 attached on the support 12 after the separation process of the support 12 can be easily washed. Play. That is, the laminate according to the present invention can achieve the conflicting benefits of maintaining the ease of cleaning the separation layer while eliminating breakage of the separation layer due to chemicals. This is an effect that cannot be achieved by a method of improving the chemical resistance of the separation layer (photothermal conversion layer) itself as in the conventional laminate.

表面処理工程では、好ましくは、上記表面に対する水の接触角が50°以上となるように当該表面を疎水性化する。これにより、支持体12と分離層15との親和性を十分に向上させることができる。   In the surface treatment step, the surface is preferably hydrophobized so that the contact angle of water with the surface is 50 ° or more. Thereby, the affinity between the support 12 and the separation layer 15 can be sufficiently improved.

(支持体)
支持体12は、基板11を支持する支持体であり、光透過性を有している。そのため、積層体10の外から支持体12に向けて光が照射されたときに、該光が支持体12を通過して分離層15に到達する。また、支持体12は、必ずしも全ての光を透過させる必要はなく、分離層15に吸収されるべき(所定の波長を有している)光を透過させることができればよい。
(Support)
The support 12 is a support that supports the substrate 11 and has light transmittance. Therefore, when light is irradiated from the outside of the laminated body 10 toward the support body 12, the light passes through the support body 12 and reaches the separation layer 15. Further, the support 12 does not necessarily need to transmit all the light, and it is sufficient that the support 12 can transmit the light to be absorbed by the separation layer 15 (having a predetermined wavelength).

支持体12は、基板11を支持するものであり、基板11の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板11の破損または変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。以上のような観点から、支持体12としては、ガラス、シリコン、アクリル樹脂からなるもの等が挙げられる。   The support 12 supports the substrate 11 and may have a strength necessary for preventing the substrate 11 from being damaged or deformed during processes such as thinning, transporting, and mounting of the substrate 11. From the above viewpoint, examples of the support 12 include those made of glass, silicon, and acrylic resin.

なお、支持体12は、親水性の物質からなり、例えば、ガラスからなるものを使用する場合、該支持体12の表面に対する水の接触角は、10〜20°以下という低い値を採る。特に酸素プラズマ処理されたガラスからなる支持体12の表面に対する水の接触角は、0〜5°というさらに低い値を採る。   In addition, the support body 12 consists of a hydrophilic substance, for example, when using what consists of glass, the contact angle of the water with respect to the surface of this support body 12 takes a low value of 10-20 degrees or less. In particular, the contact angle of water with the surface of the support 12 made of glass subjected to oxygen plasma treatment takes a lower value of 0 to 5 °.

表面処理膜14を形成する表面処理剤としては、支持体12の表面を疎水化し得るものであれば特に限定されないが、例えば、シリル化剤、ポリマーコーティング剤等を用いることができ、特に好ましくは、ヘキサメチルジシラザンを用いることができる。以下に各表面処理剤についての説明を行なう。   The surface treatment agent for forming the surface treatment film 14 is not particularly limited as long as the surface of the support 12 can be hydrophobized. For example, a silylating agent, a polymer coating agent, and the like can be used, and particularly preferably. Hexamethyldisilazane can be used. Each surface treatment agent will be described below.

(シリル化剤)
本発明に係る表面処理工程における表面処理剤に使用されるシリル化剤としては、特に限定されず、従来公知のあらゆるシリル化剤を用いることができる。このようなシリル化剤としては、例えば、下記一般式(1)で表される置換基を有するシリル化剤を用いることができる。
(Silylating agent)
The silylating agent used in the surface treatment agent in the surface treatment step according to the present invention is not particularly limited, and any conventionally known silylating agent can be used. As such a silylating agent, for example, a silylating agent having a substituent represented by the following general formula (1) can be used.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(1)中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、含窒素基または有機基を表す。但し、R1、R2およびR3に含まれる炭素原子の合計の個数は1個以上である。)
上記一般式(1)で表される置換基を有するシリル化剤として、より具体的には、下記一般式(2)〜(8)で表されるシリル化剤を用いることができる。
(In the general formula (1), R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitrogen-containing group or an organic group, provided that they are included in R 1 , R 2 and R 3. (The total number of carbon atoms is one or more.)
More specifically, as the silylating agent having a substituent represented by the general formula (1), silylating agents represented by the following general formulas (2) to (8) can be used.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(2)中、R1、R2およびR3は、上記一般式(1)と同様であり、Rは、水素原子、または飽和若しくは不飽和アルキル基を表し、R5は、水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、アセチル基、または飽和若しくは不飽和ヘテロシクロアルキル基を表す。R4およびR5は、互いに結合して窒素原子を有する飽和または不飽和へテロシクロアルキル基を形成してもよい。) (In the general formula (2), R 1 , R 2 and R 3 are the same as in the general formula (1), R 4 represents a hydrogen atom or a saturated or unsaturated alkyl group, and R 5 represents Represents a hydrogen atom, a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an acetyl group, or a saturated or unsaturated heterocycloalkyl group, and R 4 and R 5 are saturated with a nitrogen atom bonded to each other. Or an unsaturated heterocycloalkyl group may be formed.)

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(3)中、R1、R2およびR3は、上記一般式(1)と同様であり、R6は、水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、またはジメチルシリル基を表し、R7、R8およびR9は、それぞれ独立に水素原子または有機基を表す。但し、R7、R8およびR9に含まれる炭素原子の合計の個数は1個以上である。) (In the general formula (3), R 1 , R 2 and R 3 are the same as in the general formula (1), R 6 represents a hydrogen atom, a methyl group, a trimethylsilyl group, or a dimethylsilyl group, R 7 , R 8 and R 9 each independently represents a hydrogen atom or an organic group, provided that the total number of carbon atoms contained in R 7 , R 8 and R 9 is 1 or more.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(4)中、R1、R2およびR3は、上記一般式(1)と同様であり、Xは、O、CHR22、CHOR22、CR2222、またはNR23を表し、R10およびR22はそれぞれ独立に水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシロキシ基、アルコキシ基、フェニル基、フェニルエチル基、またはアセチル基を表し、R23は、水素原子、アルキル基、またはトリアルキルシリル基を表す。) (In the general formula (4), R 1 , R 2 and R 3 are the same as those in the general formula (1), and X represents O, CHR 22 , CHOR 22 , CR 22 R 22 , or NR 23 . R 10 and R 22 each independently represent a hydrogen atom, a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, a trialkylsilyl group, a trialkylsiloxy group, an alkoxy group, a phenyl group, a phenylethyl group, or Represents an acetyl group, and R 23 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a trialkylsilyl group.)

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(5)中、R1、R2およびR3は、上記一般式(1)と同様であり、R6は、上記一般式(3)と同様であり、R11は、水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、トリフルオロメチル基、またはトリアルキルシリルアミノ基を表す。) (In the general formula (5), R 1 , R 2 and R 3 are the same as in the general formula (1), R 6 is the same as in the general formula (3), and R 11 is hydrogen. Represents an atom, a saturated or unsaturated alkyl group, a trifluoromethyl group, or a trialkylsilylamino group.)

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(6)中、R12およびR13は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表し、R12およびR13の少なくとも一つは、トリアルキルシリル基を表す。) (In the general formula (6), R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a trialkylsilyl group, and at least one of R 12 and R 13 represents a trialkylsilyl group. )

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(7)中、R14はトリアルキルシリル基を表し、R15およびR16は、それぞれ独立に水素原子または有機基を表す。) (In the general formula (7), R 14 represents a trialkylsilyl group, and R 15 and R 16 each independently represents a hydrogen atom or an organic group.)

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(8)中、R1、R2およびR3は、上記一般式(1)と同様であり、R17は、有機基を表し、R18は、存在しないか、存在する場合、−SiR242526を表す。R24、R25およびR26は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、含窒素基または有機基を表し、R24、R25またはR26の何れか一つは、R1、R2またはR3の何れか一つと窒素原子を介して結合してイミノ基を形成してもよい。)
上記式(2)で表されるシリル化剤としては、N,N−ジメチルアミノトリメチルシラン、N,N−ジメチルアミノジメチルシラン、N,N−ジメチルアミノモノメチルシラン、N,N−ジエチルアミノトリメチルシラン、t−ブチルアミノトリメチルシラン、アリルアミノトリメチルシラン、トリメチルシリルアセタミド、N,N−ジメチルアミノジメチルビニルシラン、N,N−ジメチルアミノジメチルプロピルシラン、N,N−ジメチルアミノジメチルオクチルシラン、N,N−ジメチルアミノジメチルフェニルエチルシラン、N,N−ジメチルアミノジメチルフェニルシラン、N,N−ジメチルアミノジメチル−t−ブチルシラン、N,N−ジメチルアミノトリエチルシラン、トリメチルシラナミン等が挙げられる。
(In the general formula (8), R 1 , R 2 and R 3 are the same as in the general formula (1), R 17 represents an organic group, and R 18 is not present or present. , —SiR 24 R 25 R 26 , R 24 , R 25 and R 26 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a nitrogen-containing group or an organic group, and any one of R 24 , R 25 and R 26 One may combine with any one of R 1 , R 2 or R 3 via a nitrogen atom to form an imino group.)
Examples of the silylating agent represented by the above formula (2) include N, N-dimethylaminotrimethylsilane, N, N-dimethylaminodimethylsilane, N, N-dimethylaminomonomethylsilane, N, N-diethylaminotrimethylsilane, t-butylaminotrimethylsilane, allylaminotrimethylsilane, trimethylsilylacetamide, N, N-dimethylaminodimethylvinylsilane, N, N-dimethylaminodimethylpropylsilane, N, N-dimethylaminodimethyloctylsilane, N, N- Examples thereof include dimethylaminodimethylphenylethylsilane, N, N-dimethylaminodimethylphenylsilane, N, N-dimethylaminodimethyl-t-butylsilane, N, N-dimethylaminotriethylsilane, and trimethylsilanamine.

上記式(3)で表されるシリル化剤としては、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、N−メチルヘキサメチルジシラザン、1,1,3,3−テトラメチルジシラザン、1,3−ジメチルジシラザン、1,2−ジ−N−オクチルテトラメチルジシラザン、1,2−ジビニルテトラメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、トリス(ジメチルシリル)アミン、トリス(トリメチルシリル)アミン、ペンタメチルエチルジシラザン、ペンタメチルビニルジシラザン、ペンタメチルプロピルジシラザン、ペンタメチルフェニルエチルジシラザン、ペンタメチル−t−ブチルジシラザン、ペンタメチルフェニルジシラザン、トリメチルトリエチルジシラザン等が挙げられる。   As the silylating agent represented by the above formula (3), hexamethyldisilazane (HMDS), N-methylhexamethyldisilazane, 1,1,3,3-tetramethyldisilazane, 1,3-dimethyldi Silazane, 1,2-di-N-octyltetramethyldisilazane, 1,2-divinyltetramethyldisilazane, heptamethyldisilazane, nonamethyltrisilazane, tris (dimethylsilyl) amine, tris (trimethylsilyl) amine, penta Examples thereof include methylethyl disilazane, pentamethylvinyl disilazane, pentamethylpropyl disilazane, pentamethylphenylethyl disilazane, pentamethyl-t-butyldisilazane, pentamethylphenyl disilazane, and trimethyltriethyldisilazane.

上記式(4)で表されるシリル化剤としては、トリメチルシリルアセテート、ジメチルシリルアセテート、モノメチルシリルアセテート、トリメチルシリルプロピオネート、トリメチルシリルブチレート、トリメチルシリルオキシ−3−ペンテン−2−オン等が挙げられる。   Examples of the silylating agent represented by the above formula (4) include trimethylsilyl acetate, dimethylsilyl acetate, monomethylsilyl acetate, trimethylsilylpropionate, trimethylsilylbutyrate, trimethylsilyloxy-3-penten-2-one, and the like.

上記式(5)で表されるシリル化剤としては、ビス(トリメチルシリル)尿素、N−トリメチルシリルアセトアミド、N−メチル−N−トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド等が挙げられる。   Examples of the silylating agent represented by the above formula (5) include bis (trimethylsilyl) urea, N-trimethylsilylacetamide, N-methyl-N-trimethylsilyltrifluoroacetamide and the like.

上記式(6)で表される化合物としては、ビス(トリメチルシリル)トリフルオロアセトアミド等が挙げられ、上記式(7)で表される化合物としては、2−トリメチルシロキシペンタ−2−エン−4−オン等が挙げられる。上記式(8)で表される化合物としては、1,2−ビス(ジメチルクロロシリル)エタン、t−ブチルジメチルクロロシラン、2,2,5,5−テトラメチル−2,5−ジシラ−1−アザシクロペンタン等が挙げられる。   Examples of the compound represented by the above formula (6) include bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide and the like, and examples of the compound represented by the above formula (7) include 2-trimethylsiloxypent-2-ene-4- ON etc. are mentioned. Examples of the compound represented by the above formula (8) include 1,2-bis (dimethylchlorosilyl) ethane, t-butyldimethylchlorosilane, 2,2,5,5-tetramethyl-2,5-disila-1- And azacyclopentane.

また、シリル化剤として環状シラザン化合物を使用することもできる。この環状シラザン化合物としては、2,2,5,5−テトラメチル−2,5−ジシラ−1−アザシクロペンタン、2,2,6,6−テトラメチル−2,6−ジシラ−1−アザシクロヘキサン等の環状ジシラザン化合物、2,2,4,4,6,6−ヘキサメチルシクロトリシラザン、2,4,6−トリメチル−2,4,6−トリビニルシクロトリシラザン等の環状トリシラザン化合物、および2,2,4,4,6,6,8,8−オクタメチルシクロテトラシラザン等の環状テトラシラザン化合物等が挙げられる。   Moreover, a cyclic silazane compound can also be used as a silylating agent. As this cyclic silazane compound, 2,2,5,5-tetramethyl-2,5-disila-1-azacyclopentane, 2,2,6,6-tetramethyl-2,6-disila-1-aza Cyclic disilazane compounds such as cyclohexane, cyclic trisilazane compounds such as 2,2,4,4,6,6-hexamethylcyclotrisilazane, 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trivinylcyclotrisilazane, And cyclic tetrasilazane compounds such as 2,2,4,4,6,6,8,8-octamethylcyclotetrasilazane.

上記に例示したシリル化剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。   The silylating agents exemplified above can be used alone or in admixture of two or more.

また、上記シリル化剤に対し、シリル化複素環化合物を添加することもできる。シリル化複素環化合物は、上記シリル化剤(例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS))による支持体12の表面のシリル化を、触媒作用により促進することができる。また、その触媒作用によって支持体12の表面を高度に疎水化することができる。   A silylated heterocyclic compound can also be added to the silylating agent. The silylated heterocyclic compound can promote the silylation of the surface of the support 12 by the silylating agent (for example, hexamethyldisilazane (HMDS)) by catalytic action. Further, the surface of the support 12 can be highly hydrophobized by the catalytic action.

表面処理工程における表面処理剤に使用されるシリル化複素環化合物は、シリル基に複素環基が結合した構造を有する化合物である。このような化合物としては、下記一般式(9)のような化合物が例示される。   The silylated heterocyclic compound used for the surface treatment agent in the surface treatment step is a compound having a structure in which a heterocyclic group is bonded to a silyl group. Examples of such a compound include compounds represented by the following general formula (9).

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(上記一般式(9)中、R19、R20およびR21は、それぞれ独立に水素原子または有機基を表す。但し、R19、R20およびR21のうち少なくとも一つは有機基を表す。Aは、複素環基を表し、置換基を有していてもよい。)
シリル化複素環化合物は、上記一般式(9)中のAが窒素原子を有するシリル化窒素含有複素環化合物であることが好ましい。また、シリル化複素環化合物は、上記一般式(1)中のAが芳香性を有する化合物であることが好ましい。上記一般式(9)中のAが芳香性を有することにより、表面処理剤で処理された支持体12の表面の疎水性を大きくすることができる。
(In the above general formula (9), R 19 , R 20 and R 21 each independently represents a hydrogen atom or an organic group, provided that at least one of R 19 , R 20 and R 21 represents an organic group. A represents a heterocyclic group, which may have a substituent.
The silylated heterocyclic compound is preferably a silylated nitrogen-containing heterocyclic compound in which A in the general formula (9) has a nitrogen atom. The silylated heterocyclic compound is preferably a compound in which A in the general formula (1) has aromaticity. When A in the general formula (9) has aromaticity, the hydrophobicity of the surface of the support 12 treated with the surface treatment agent can be increased.

また、シリル化複素環化合物は、上記一般式(9)中のAが窒素原子を有する芳香環であることが、入手性および支持体12の表面に大きな疎水性を付与できるという観点から特に好ましい。このようなシリル化複素環化合物としては、シリル化イミダゾール化合物、シリル化トリアゾール化合物が例示される。   In addition, the silylated heterocyclic compound is particularly preferable from the viewpoint of availability and that the surface of the support 12 can be provided with a large hydrophobicity, in which A in the general formula (9) is an aromatic ring having a nitrogen atom. . Examples of such silylated heterocyclic compounds include silylated imidazole compounds and silylated triazole compounds.

表面処理剤で使用されるシリル化複素環化合物としては、モノメチルシリルイミダゾール、ジメチルシリルイミダゾール、トリメチルシリルイミダゾール、モノメチルシリルトリアゾール、ジメチルシリルトリアゾール、トリメチルシリルトリアゾール等が例示される。これらのシリル化複素環化合物は、単独または2種以上を混合して使用することができる。   Examples of the silylated heterocyclic compound used in the surface treatment agent include monomethylsilylimidazole, dimethylsilylimidazole, trimethylsilylimidazole, monomethylsilyltriazole, dimethylsilyltriazole, trimethylsilyltriazole and the like. These silylated heterocyclic compounds can be used alone or in admixture of two or more.

溶剤としては、シリル化剤およびシリル化複素環化合物を溶解できるものであれば、特に限定されずに従来公知の溶剤を使用することができる。   The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the silylating agent and the silylated heterocyclic compound, and a conventionally known solvent can be used.

具体的には、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチル)スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシメチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシエチル−2−ピロリドン等のラクタム類;1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類;ジメチルグリコール、ジメチルジグリコール、ジメチルトリグリコール、メチルエチルジグリコール、ジエチルグリコール等のジアルキルグリコールエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等の(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等の他のエーテル類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン等のケトン類;2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル等の乳酸アルキルエステル類;2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸−n−プロピル、酢酸−i−プロピル、酢酸−n−ブチル、酢酸−i−ブチル、ギ酸−n−ペンチル、酢酸−i−ペンチル、プロピオン酸−n−ブチル、酪酸エチル、酪酸−n−プロピル、酪酸−i−プロピル、酪酸−n−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸−n−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−オキソブタン酸エチル等の他のエステル類;β−プロピロラクトン、γ−ブチロラクトン、δ−ペンチロラクトン等のラクトン類、p−メンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、テルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン等のテルペン類;等が挙げられる。これらの溶剤は、単独または2種以上を混合して使用することができる。   Specifically, sulfoxides such as dimethylsulfoxide; sulfones such as dimethylsulfone, diethylsulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, tetramethylenesulfone; N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, N, N -Amides such as dimethylacetamide, N-methylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl-2 -Lactams such as pyrrolidone and N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diisopropyl-2-imidazolidi Non-imidazolidinones such as dimethyl glycol, dimethyl Dialkyl glycol ethers such as glycol, dimethyl triglycol, methyl ethyl diglycol and diethyl glycol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl Ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono- n-propyl ether , Propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol (Poly) alkylene glycol monoalkyl ethers such as monoethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate (Poly) alkylene glycol monoalkyl ether acetates such as dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, dipropyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, diisoamyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, etc. Other ethers; ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone and 3-heptanone; alkyl lactates such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate; 2-hydroxy-2-methylpropion Acid ethyl, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3-ethoxyprop Methyl onate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate , Ethyl acetate, acetic acid-n-propyl, acetic acid-i-propyl, acetic acid-n-butyl, acetic acid-i-butyl, formic acid-n-pentyl, acetic acid-i-pentyl, propionic acid-n-butyl, ethyl butyrate, Others such as n-propyl butyrate, i-propyl butyrate, n-butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl 2-oxobutanoate Esters: Lactones such as β-propyrolactone, γ-butyrolactone, δ-pentyrolactone, p- Pentane, diphenyl-menthane, limonene, terpinene, bornane, norbornane, terpenes such as pinane; and the like. These solvents can be used alone or in admixture of two or more.

なお、ジシラザンを表面処理剤として使用する場合、5または6員環のラクトン化合物を溶剤として使用することが好ましい。中でも、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、δ−ヘキサノラクトンおよびγ−ヘキサノラクトンからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。これらの溶剤は、単独または2種以上を組み合わせて使用することができる。上記で列挙した溶剤成分の中でも、γ−ブチロラクトンが工業上の入手し易さの面で特に好ましく使用される。   In addition, when using disilazane as a surface treating agent, it is preferable to use a 5- or 6-membered lactone compound as a solvent. Among these, at least one selected from the group consisting of γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, δ-hexanolactone and γ-hexanolactone is preferable. These solvents can be used alone or in combination of two or more. Among the solvent components listed above, γ-butyrolactone is particularly preferably used in terms of industrial availability.

表面処理剤に溶剤を含有させる場合、表面処理剤に含まれるシリル化剤およびシリル化複素環化合物の合計の濃度が0.1質量%以上であることが実用上好ましい。   When the surface treatment agent contains a solvent, it is practically preferable that the total concentration of the silylating agent and the silylated heterocyclic compound contained in the surface treatment agent is 0.1% by mass or more.

シリル化剤による表面処理工程は、支持体12の表面に上記表面処理剤を曝露させ、支持体12の表面を処理する工程である。   The surface treatment step using a silylating agent is a step of treating the surface of the support 12 by exposing the surface treatment agent to the surface of the support 12.

支持体12の表面に表面処理剤を曝露する方法としては、従来公知の方法を特に制限なく使用することができ、例えば、表面処理剤を気化させて蒸気とし、その蒸気を支持体12の表面に接触させる方法、表面処理剤をスピンコート法や浸漬法等により支持体12の表面に接触させる方法等が挙げられる。このような操作により、支持体12の表面がシリル化されて支持体12に疎水性の表面処理膜14を形成することで、分離層15の支持体12に対する親和性を向上させることができる。   As a method for exposing the surface treatment agent to the surface of the support 12, a conventionally known method can be used without particular limitation. For example, the surface treatment agent is vaporized to form a vapor, and the vapor is used as the surface of the support 12. And a method of bringing the surface treatment agent into contact with the surface of the support 12 by a spin coating method, a dipping method, or the like. By such an operation, the affinity of the separation layer 15 for the support 12 can be improved by silylating the surface of the support 12 and forming the hydrophobic surface treatment film 14 on the support 12.

(ポリマーコーティング)
また、本実施形態の表面処理工程において用いる表面処理剤として、支持体12と分離層15との間に設けられる表面処理膜14を形成するために、質量平均分子量が1,000〜50,000であるエポキシ樹脂を含有するポリマーコーティングを使用してもよい。
(Polymer coating)
Moreover, in order to form the surface treatment film | membrane 14 provided between the support body 12 and the separation layer 15 as a surface treatment agent used in the surface treatment process of this embodiment, a mass average molecular weight is 1,000-50,000. A polymer coating containing an epoxy resin may be used.

上記「エポキシ樹脂」は、1分子中にエポキシ基を2個以上もつ比較的低分子のポリマー(プレポリマー)、およびそのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を包含する。   The “epoxy resin” includes a relatively low molecular weight polymer (prepolymer) having two or more epoxy groups in one molecule, and a thermosetting resin generated by a ring-opening reaction of the epoxy group.

上記エポキシ樹脂(以下「(G)成分」という。)は、質量平均分子量が1,000〜50,000であり、2,000〜40,000であることが好ましく、3,000〜30,000であることがより好ましく、3,000〜20,000が最も好ましい。   The epoxy resin (hereinafter referred to as “component (G)”) has a mass average molecular weight of 1,000 to 50,000, preferably 2,000 to 40,000, and 3,000 to 30,000. Is more preferable, and 3,000 to 20,000 is most preferable.

(G)成分の質量平均分子量が上記範囲であることにより、支持体と良好に貼り合わされた表面処理膜を形成でき、支持体12との親和性に優れる。   When the weight average molecular weight of the component (G) is in the above range, a surface-treated film that is well bonded to the support can be formed, and the affinity with the support 12 is excellent.

該質量平均分子量が下限値以上であると、支持体12との架橋効率が高まり、支持体12と表面処理膜とが強固に貼り合わされる。また、表面処理剤として(G)成分を有機溶剤に溶解してなる溶液を用いた際に、該溶液は適度な粘度を有し、支持体12上に該溶液を均一に塗布しやすくなる。一方、上限値以下であることにより、該溶液の粘度増加が抑えられ、支持体上に該溶液を均一に塗布しやすくなる。   When the mass average molecular weight is not less than the lower limit, the crosslinking efficiency with the support 12 is increased, and the support 12 and the surface treatment film are firmly bonded. Further, when a solution obtained by dissolving the component (G) in an organic solvent is used as the surface treatment agent, the solution has an appropriate viscosity, and the solution can be easily applied uniformly on the support 12. On the other hand, by being below the upper limit, an increase in the viscosity of the solution is suppressed, and it becomes easy to uniformly apply the solution on the support.

上記において「質量平均分子量」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準の値を示す。以下、該質量平均分子量をMwと表すことがある。   In the above, “mass average molecular weight” indicates a value in terms of polystyrene conversion by gel permeation chromatography. Hereinafter, the mass average molecular weight may be expressed as Mw.

(G)成分としては、支持体12の表面を疎水化することから、未開環のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が好ましく、例えば、下記一般式(g0−1)で表されるエポキシ基が高分子化合物の主鎖の途中に存在して該エポキシ基の炭素原子が主鎖の一部を形成しているもの;下記一般式(g0−2)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているもの、下記一般式(g0−2)で表されるエポキシ基が高分子化合物の主鎖の末端を形成しているもの;下記一般式(g0−3)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているもの、下記一般式(g0−3)で表されるエポキシ基が高分子化合物の主鎖の末端を形成しているもの;下記一般式(g0−4)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているもの、下記一般式(g0−4)で表されるエポキシ基が高分子化合物の主鎖の末端を形成しているもの;下記一般式(g0−5)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているもの、下記一般式(g0−5)で表されるエポキシ基が高分子化合物の主鎖の末端を形成しているもの等が挙げられる。   As the component (G), an epoxy resin having an unopened epoxy group is preferable because the surface of the support 12 is hydrophobized. For example, an epoxy group represented by the following general formula (g0-1) is a polymer. A compound in which the carbon atom of the epoxy group forms part of the main chain in the middle of the main chain of the compound; the epoxy group represented by the following general formula (g0-2) is a side chain of the polymer compound In which the epoxy group represented by the following general formula (g0-2) forms the terminal of the main chain of the polymer compound; the epoxy represented by the following general formula (g0-3) The group contained in the side chain of the polymer compound, the epoxy group represented by the following general formula (g0-3) forming the terminal of the main chain of the polymer compound; the following general formula (g0 -4) is contained in the side chain of the polymer compound The epoxy group represented by the following general formula (g0-4) forms the terminal of the main chain of the polymer compound; the epoxy group represented by the following general formula (g0-5) is the polymer compound The thing contained in the side chain, the thing in which the epoxy group represented by the following general formula (g0-5) forms the terminal of the principal chain of a high molecular compound, etc. are mentioned.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、R63およびR64はそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基である。R66〜R68はそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基である。R66a、R69aおよびR69bはそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基であり、g4は1〜20の整数であり、g5は1〜20の整数である。)
上記式(g0−1)中、R63およびR64は、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基である。R63およびR64におけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。なかでも、R63およびR64は、それぞれ、水素原子またはメチル基が好ましい。
Wherein R 63 and R 64 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. R 66 to R 68 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. R 66a , R 69a and R 69b are each Independently a hydrogen atom or an alkyl group, g4 is an integer of 1-20, and g5 is an integer of 1-20.)
In the above formula (g0-1), R 63 and R 64 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group for R 63 and R 64 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. Of these, R 63 and R 64 are each preferably a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(g0−2)中、R66〜R68は、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基である。R66〜R68におけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。なかでも、R66は、水素原子またはメチル基が好ましく;R67〜R68は、それぞれ、水素原子またはメチル基が好ましく、何れも水素原子であることが特に好ましい。 In the above formula (g0-2), R 66 to R 68 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group for R 66 to R 68 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. Among these, R 66 is preferably a hydrogen atom or a methyl group; R 67 to R 68 are each preferably a hydrogen atom or a methyl group, and particularly preferably all are hydrogen atoms.

上記式(g0−3)中、R66a、R69aおよびR69bは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基である。R66a、R69aおよびR69bにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。なかでも、R66aは、水素原子またはメチル基が好ましく;R69aおよびR69bは、それぞれ、水素原子またはメチル基が好ましく、何れも水素原子であることが特に好ましい。 In the above formula (g0-3), R 66a , R 69a and R 69b are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group in R 66a , R 69a and R 69b is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group. Among these, R 66a is preferably a hydrogen atom or a methyl group; R 69a and R 69b are each preferably a hydrogen atom or a methyl group, and particularly preferably both are hydrogen atoms.

g4は1〜20の整数であり、1〜5であることが好ましく、1または2であることがより好ましく、2であることが最も好ましい。   g4 is an integer of 1 to 20, preferably 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 2.

g5は1〜20の整数であり、1〜5であることが好ましく、1または2であることがより好ましく、1であることが最も好ましい。   g5 is an integer of 1 to 20, preferably 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

上記のなかでも、一般式(g0−1)で表されるエポキシ基が高分子化合物の主鎖の途中に存在して該エポキシ基の炭素原子が主鎖の一部を形成しているもの、一般式(g0−2)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているもの、一般式(g0−3)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているもの、一般式(g0−4)で表されるエポキシ基が高分子化合物の側鎖に含まれているものが好ましい。   Among the above, the epoxy group represented by the general formula (g0-1) is present in the middle of the main chain of the polymer compound, and the carbon atom of the epoxy group forms part of the main chain. An epoxy group represented by the general formula (g0-2) is contained in the side chain of the polymer compound, and an epoxy group represented by the general formula (g0-3) is contained in the side chain of the polymer compound. And those having an epoxy group represented by the general formula (g0-4) in the side chain of the polymer compound are preferred.

(G)成分の好適なものとして、より具体的には、エポキシ基を含む構成単位(g1)の繰り返し構造を有するものが挙げられる。   More preferable examples of the component (G) include those having a repeating structure of the structural unit (g1) containing an epoxy group.

この繰り返し構造を有するものは、質量平均分子量が1,000〜50,000の範囲内が、支持体12と分離層15の親和性が向上することから、好ましい。   Those having this repeating structure are preferably in the range of 1,000 to 50,000 because the affinity between the support 12 and the separation layer 15 is improved.

エポキシ基を含む構成単位(g1)は、特に限定されず、例えば、エポキシ基を含む有機基からなり、該エポキシ基の炭素原子が主鎖の一部を形成している構成単位が挙げられる。   The structural unit (g1) containing an epoxy group is not particularly limited, and examples thereof include a structural unit composed of an organic group containing an epoxy group, and a carbon atom of the epoxy group forming part of the main chain.

これ以外の構成単位(g1)としては、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位、アクリル酸エステルから誘導される構成単位、または主鎖が環状型の構成単位(以下「主鎖環状型構成単位」という。)であってもよく、これらの中では、アクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。   Other structural units (g1) include a structural unit derived from hydroxystyrene, a structural unit derived from an acrylate ester, or a structural unit having a cyclic main chain (hereinafter referred to as “main-chain cyclic structural unit”). Among these, a structural unit derived from an acrylate ester is preferable.

ここで、本明細書および本特許請求の範囲において「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。   Here, in the present specification and claims, the “structural unit derived from hydroxystyrene” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of hydroxystyrene.

「ヒドロキシスチレン」とは、ヒドロキシスチレン、およびヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。なお、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位のα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことを意味する。   “Hydroxystyrene” is a concept that includes hydroxystyrene and those in which the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene is substituted with another substituent such as an alkyl group, and derivatives thereof. Note that the α-position (α-position carbon atom) of a structural unit derived from hydroxystyrene means a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

ヒドロキシスチレンにおいて、α位の置換基としてのアルキル基として、具体的には炭素数1〜5のアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。   Specific examples of the alkyl group as a substituent at the α-position in hydroxystyrene include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and an isobutyl group. , T-butyl groups, pentyl groups, isopentyl groups, neopentyl groups, and the like, and linear or branched alkyl groups.

「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。   “A structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.

また、本明細書において「主鎖環状型構成単位」とは、単環または多環式の環構造を有し、該環構造の環上の少なくとも1つ、好ましくは2つ以上の炭素原子が主鎖を構成する構成単位をいう。   In the present specification, the “main chain cyclic structural unit” has a monocyclic or polycyclic ring structure, and at least one, preferably two or more carbon atoms on the ring of the ring structure. A structural unit constituting the main chain.

「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合しているものも含む概念とする。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。   “Acrylic acid esters” include those in which a hydrogen atom is bonded to the carbon atom at the α-position, and those in which a substituent (atom or group other than a hydrogen atom) is bonded to the carbon atom in the α-position. Include concepts. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Note that the α-position (α-position carbon atom) of a structural unit derived from an acrylate ester means a carbon atom to which a carbonyl group is bonded, unless otherwise specified.

アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としての炭素数1〜5のアルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの低級の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。   In the acrylic ester, the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as the substituent at the α-position, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl And a lower linear or branched alkyl group such as a group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group.

また、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、上記「α位の置換基としての炭素数1〜5のアルキル基」の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。   Further, as the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, a part or all of the hydrogen atoms in the above-mentioned “alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent at the α-position” are substituted with halogen atoms Group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。   The α-position of the acrylate ester is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Are more preferably an alkyl group or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group in terms of industrial availability.

構成単位(g1)としては、例えば、下記一般式(g1−1)〜(g1−4)で表される構成単位、特開2003−076012号公報の段落[0012]〜[0042]に開示されている化合物から誘導される構成単位などが挙げられる。   As the structural unit (g1), for example, structural units represented by the following general formulas (g1-1) to (g1-4) are disclosed in paragraphs [0012] to [0042] of JP-A-2003-076012. And a structural unit derived from the compound.

なかでも、支持体12の表面を疎水化する効果に優れることから、下記一般式(g1−1)〜(g1−4)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。   Especially, since it is excellent in the effect which hydrophobizes the surface of the support body 12, it contains at least 1 type selected from the group which consists of a structural unit represented by the following general formula (g1-1)-(g1-4). Is preferred.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、R61およびR62はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、R63およびR64はそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基である。Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R65は置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、R66〜R68はそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基である。R65aは置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、R66a、R69aおよびR69bはそれぞれ独立して水素原子またはアルキル基であり、g4は1〜20の整数であり、g5は1〜20の整数である。R65bは置換基を有していてもよい二価の炭化水素基である。)
上記式(g1−1)中、R61およびR62は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい二価の炭化水素基である。
(In the formula, R 61 and R 62 each independently represent a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and R 63 and R 64 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 65 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and R 66 R 68 is each independently a hydrogen atom or an alkyl group, R 65a is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and R 66a , R 69a and R 69b are each independently A hydrogen atom or an alkyl group, g4 is an integer of 1 to 20, and g5 is an integer of 1 to 20. R 65b is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.
In the above formula (g1-1), R 61 and R 62 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.

該炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。   The term “having a substituent” for the hydrocarbon group means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with groups or atoms other than hydrogen atoms.

61またはR62において、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。 In R 61 or R 62 , the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

「脂肪族炭化水素基」は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。   “Aliphatic hydrocarbon group” means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

61またはR62における脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、その構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。 Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group for R 61 or R 62 include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure thereof.

直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8がより好ましく、1〜5がさらに好ましく、1〜2が最も好ましい。   The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, still more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to 2.

直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。 As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.

分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CH−CH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。 As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - - CH 2 CH (CH 3) CH 2 alkyltetramethylene groups such as; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 - , - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 Alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group, etc. and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基(以下「鎖状の脂肪族炭化水素基」という。)は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。   The linear or branched aliphatic hydrocarbon group (hereinafter referred to as “chain aliphatic hydrocarbon group”) may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (═O).

その構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子2個以上を除いた基)、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するかまたは鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。   Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and the cyclic aliphatic hydrocarbon group described above. And a group that is bonded to the terminal of the chained aliphatic hydrocarbon group or intervenes in the middle of the chained aliphatic hydrocarbon group.

環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic group, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic group, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, and tricyclodecane. And tetracyclododecane.

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (= O).

61またはR62における芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、1価の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに1つ除いた2価の芳香族炭化水素基;該2価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された芳香族炭化水素基;ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等で、かつ、その芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに1つ除いた芳香族炭化水素基等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon group in R 61 or R 62 include monovalent aromatic groups such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. A divalent aromatic hydrocarbon group obtained by further removing one hydrogen atom from the nucleus of the aromatic hydrocarbon of the hydrocarbon group; a part of carbon atoms constituting the ring of the divalent aromatic hydrocarbon group is an oxygen atom , Aromatic hydrocarbon groups substituted with heteroatoms such as sulfur atoms and nitrogen atoms; benzyl groups, phenethyl groups, 1-naphthylmethyl groups, 2-naphthylmethyl groups, 1-naphthylethyl groups, 2-naphthylethyl groups, etc. And an aromatic hydrocarbon group obtained by further removing one hydrogen atom from the nucleus of the aromatic hydrocarbon.

芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。   The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

61またはR62としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基が最も好ましい。 R 61 or R 62 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group. preferable.

上記式(g1−1)中、R63およびR64は、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基である。 In the above formula (g1-1), R 63 and R 64 are each independently hydrogen atom or an alkyl group.

63およびR64におけるアルキル基は、上記式(g0−1)における説明と同様である。 The alkyl group in R 63 and R 64 is the same as described in the above formula (g0-1).

なかでも、R63およびR64は、それぞれ、水素原子またはメチル基が好ましい。 Of these, R 63 and R 64 are each preferably a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(g1−2)中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。   In said formula (g1-2), R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group.

Rのアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてもよい炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基と同様である。   The alkyl group or halogenated alkyl group of R is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be bonded to the α-position of the acrylate ester.

なかでも、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましい。   Among these, R is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(g1−2)中、R65は、置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、上記式(g1−1)におけるR61およびR62と同様のものが挙げられ、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基が最も好ましい。 In the above formula (g1-2), R 65 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and examples thereof include those similar to R 61 and R 62 in the above formula (g1-1). A linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a methylene group is most preferable.

上記式(g1−2)中、R66〜R68は、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基である。R66〜R68におけるアルキル基は、上記式(g0−2)における説明と同様である。 In the above formula (g1-2), R 66 to R 68 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group in R 66 to R 68 is the same as described in the above formula (g0-2).

なかでも、R66〜R68は、それぞれ、水素原子またはメチル基が好ましい。 Among these, R 66 to R 68 are each preferably a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(g1−3)中、R65aは、置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、上記式(g1−2)におけるR65と同様のものが挙げられ、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基が最も好ましい。 In the above formula (g1-3), R 65a is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and examples thereof include those similar to R 65 in the above formula (g1-2). A chain aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is further preferable, and a methylene group is most preferable.

上記式(g1−3)中、R66a、R69aおよびR69bは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基である。R66a、R69aおよびR69bにおけるアルキル基は、上記式(g0−3)における説明と同様である。なかでも、R66〜R68は、それぞれ、水素原子またはメチル基が好ましい。 In the above formula (g1-3), R 66a , R 69a and R 69b are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group in R 66a , R 69a and R 69b is the same as that described in the above formula (g0-3). Among these, R 66 to R 68 are each preferably a hydrogen atom or a methyl group.

g4およびg5は、何れも、上記式(g0−3)における説明と同じである。   g4 and g5 are both the same as in the above formula (g0-3).

上記式(g1−4)中、R65bは、置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、上記式(g1−2)におけるR65と同様のものが挙げられ、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基が最も好ましい。 In the above formula (g1-4), R 65b is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and examples thereof include those similar to R 65 in the above formula (g1-2). A chain aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is further preferable, and a methylene group is most preferable.

以下に、上記一般式(g1−1)〜(g1−4)で表される構成単位の具体例を示す。   Specific examples of the structural units represented by the general formulas (g1-1) to (g1-4) are shown below.

以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。   In the following formulas, Rα represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0006022878
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Figure 0006022878
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Figure 0006022878
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(G)成分においては、構成単位(g1)の1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   In the component (G), one type of structural unit (g1) may be used alone, or two or more types may be used in combination.

上記のなかでも、(G)成分としては、上記式(g1−1)で表される構成単位を有すもの、上記の式(g1−2)または式(g1−3)で表される構成単位を有するものが好ましい。   Among these, as the component (G), a component having a structural unit represented by the above formula (g1-1), a structure represented by the above formula (g1-2) or the formula (g1-3) Those having units are preferred.

上記式(g1−1)で表される構成単位を用いる場合、(G)成分は、該式(g1−1)で表される構成単位の1種の繰り返しからなる重合体(ホモポリマー)であることが好ましい。   When the structural unit represented by the formula (g1-1) is used, the component (G) is a polymer (homopolymer) composed of one type of repeating structural unit represented by the formula (g1-1). Preferably there is.

上記の式(g1−2)または式(g1−3)で表される構成単位を用いる場合、(G)成分は、該式(g1−2)で表される構成単位と、後述のその他の構成単位とを有する共重合体(コポリマー);該式(g1−3)で表される構成単位と、後述のその他の構成単位とを有する共重合体(コポリマー);該式(g1−2)で表される構成単位と、該式(g1−3)で表される構成単位とを有する共重合体(コポリマー);該式(g1−2)で表される構成単位と、該式(g1−3)で表される構成単位と、後述のその他の構成単位とを有する共重合体(コポリマー)であることが好ましい。   When the structural unit represented by the above formula (g1-2) or formula (g1-3) is used, the component (G) is composed of the structural unit represented by the formula (g1-2) and the other units described below. A copolymer (copolymer) having a structural unit; a copolymer (copolymer) having a structural unit represented by the formula (g1-3) and other structural units described later; the formula (g1-2) A copolymer having a structural unit represented by formula (g1-3) and a structural unit represented by formula (g1-3); a structural unit represented by formula (g1-2); It is preferable that it is a copolymer (copolymer) which has the structural unit represented by -3) and the other structural unit mentioned later.

(G)成分中、構成単位(g1)の割合は、(G)成分を構成する全構成単位の合計に対して10モル%以上であることが好ましく、20モル%以上であることがより好ましく、30モル%以上であることがさらに好ましく、35モル%以上であることが特に好ましく、100モル%であってもよい。   In the component (G), the proportion of the structural unit (g1) is preferably 10 mol% or more, more preferably 20 mol% or more, based on the total of all the structural units constituting the component (G). 30 mol% or more is more preferable, 35 mol% or more is particularly preferable, and 100 mol% may be used.

構成単位(g1)の割合が下限値以上であると、支持体12との架橋効率が高まり、分離層15との親和性がより高くなる。   When the proportion of the structural unit (g1) is at least the lower limit value, the crosslinking efficiency with the support 12 is increased and the affinity with the separation layer 15 is further increased.

(G)成分が共重合体(コポリマー)である場合、構成単位(g1)の割合は、(G)成分を構成する全構成単位の合計に対して10〜80モル%であることが好ましく、20〜80モル%であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましい。   When the component (G) is a copolymer (copolymer), the proportion of the structural unit (g1) is preferably 10 to 80 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (G). More preferably, it is 20-80 mol%, and it is further more preferable that it is 30-80 mol%.

構成単位(g1)の割合が上記範囲内であれば、支持体12との架橋効率が高まり、支持体12と分離層15との親和性がより高くなる。   When the proportion of the structural unit (g1) is within the above range, the crosslinking efficiency with the support 12 is increased, and the affinity between the support 12 and the separation layer 15 is further increased.

(G)成分は、支持体12表面の疎水化効果を損なわない範囲で、必要に応じて上記構成単位(g1)以外のその他構成単位(g2)を有していてもよい。   The component (G) may have other structural units (g2) other than the structural unit (g1) as necessary as long as the hydrophobic effect on the surface of the support 12 is not impaired.

かかるその他構成単位(g2)としては、特に限定されるものではなく、上記構成単位(g1)を誘導する化合物と共重合可能な化合物から誘導される構成単位が好ましい。   The other structural unit (g2) is not particularly limited, and a structural unit derived from a compound copolymerizable with the compound that derives the structural unit (g1) is preferable.

かかるその他構成単位(g2)として、具体的には、例えば、アクリル酸から誘導される構成単位、メタクリル酸から誘導される構成単位(以下、これらをまとめて「構成単位(g21)」という。);アクリル酸メチル若しくはアクリル酸エチル等のアクリル酸アルキル(好ましくは、該アルキルの炭素数1〜5である。)から誘導される構成単位(以下「構成単位(g22)」という。);メタクリル酸メチル若しくはメタクリル酸エチル等のメタクリル酸アルキル(好ましくは、該アルキルの炭素数1〜5である。)から誘導される構成単位(以下「構成単位(g23)」という。);後述する(A1−1)成分についての説明における構成単位(a1)〜(a4)などが好適なものとして挙げられる。構成単位(a1)〜(a4)のなかでも、支持体12から分離層15が剥離することをより抑制できることから、構成単位(a1)、(a2)、(a4)がより好ましく、構成単位(a4)がさらに好ましい。   Specific examples of the other structural unit (g2) include, for example, a structural unit derived from acrylic acid and a structural unit derived from methacrylic acid (hereinafter collectively referred to as “structural unit (g21)”). A structural unit derived from an alkyl acrylate such as methyl acrylate or ethyl acrylate (preferably the alkyl having 1 to 5 carbon atoms) (hereinafter referred to as “structural unit (g22)”); methacrylic acid A structural unit derived from alkyl methacrylate such as methyl or ethyl methacrylate (preferably having 1 to 5 carbon atoms of the alkyl) (hereinafter referred to as “structural unit (g23)”); 1) The structural units (a1) to (a4) and the like in the description of the component are preferable. Among the structural units (a1) to (a4), since the separation layer 15 can be further prevented from peeling from the support 12, the structural units (a1), (a2), and (a4) are more preferable, and the structural unit ( a4) is more preferred.

(G)成分においては、構成単位(g2)の1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   In the component (G), one type of structural unit (g2) may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(G)成分中、構成単位(g2)の割合は、(G)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜30モル%であることが好ましく、5〜25モル%であることがより好ましく、10〜20モル%であることがさらに好ましい。   In the component (G), the proportion of the structural unit (g2) is preferably 1 to 30 mol%, and preferably 5 to 25 mol%, based on the total of all the structural units constituting the component (G). More preferably, it is 10-20 mol%, and it is still more preferable.

構成単位(g2)の割合が上記範囲内であれば、支持体12と分離層15の親和性は良好に維持される。   When the proportion of the structural unit (g2) is within the above range, the affinity between the support 12 and the separation layer 15 is maintained well.

表面処理剤において、(G)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   In the surface treatment agent, as the component (G), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

本発明において、(G)成分は、例えば、構成単位(g1)の繰り返しからなる重合体(ホモポリマー)、構成単位(g1)と構成単位(g2)とを有する共重合体(コポリマー)が好適なものとして挙げられる。   In the present invention, the component (G) is preferably, for example, a polymer (homopolymer) composed of repeating structural units (g1) or a copolymer (copolymer) having structural units (g1) and structural units (g2). It is mentioned as a thing.

かかる共重合体(コポリマー)として、具体的には、構成単位(g1)と構成単位(g21)とを有する共重合体が好適なものとして挙げられる。   Specific examples of such a copolymer (copolymer) include a copolymer having a structural unit (g1) and a structural unit (g21).

かかる(G)成分としては、下記の様な構成単位を有するエポキシ樹脂が特に好ましい。   As this (G) component, the epoxy resin which has the following structural units is especially preferable.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、g6およびg7はそれぞれ独立して1〜5の整数である。)
上記式(G−1)で表されるエポキシ樹脂は、該式(G−1)で表される構成単位の繰り返しからなるホモポリマーである。
(In the formula, g6 and g7 are each independently an integer of 1 to 5.)
The epoxy resin represented by the formula (G-1) is a homopolymer composed of repeating structural units represented by the formula (G-1).

上記式中、g6およびg7は、それぞれ独立して、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましく、g6およびg7の何れも1であることが特に好ましい。   In the above formula, g6 and g7 are each independently preferably 1 or 2, more preferably 1, and particularly preferably both g6 and g7 are 1.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、複数のRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。g8は1〜5の整数であり、Rβはアルキル基である。)
上記式中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましい。
(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different. G8 is 1) An integer of ˜5, and R β is an alkyl group.)
In the above formula, R is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

g8は、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましい。   g8 is preferably 1 or 2, and more preferably 1.

R1は、炭素数1〜5のアルキル基であることが好ましく、メチル基またはエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。   R1 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably a methyl group.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、Rは上記と同じであり、複数のRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。g8は上記と同じである。g9は1〜5の整数であり、g4およびg5はそれぞれ上記と同じである。)
上記式中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましい。
(In the formula, R is the same as above, and a plurality of R may be the same or different. G8 is the same as above. G9 is an integer of 1 to 5, and g4 and g5 are Each is the same as above.)
In the above formula, R is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

g8は、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましい。   g8 is preferably 1 or 2, and more preferably 1.

g9は、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましい。   g9 is preferably 1 or 2, and more preferably 1.

g4は、1または2であることが好ましく、2であることがより好ましい。   g4 is preferably 1 or 2, and more preferably 2.

g5は、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましい。   g5 is preferably 1 or 2, and more preferably 1.

構成単位(g1)の繰り返し構造を有する重合体(ホモポリマー)または共重合体(コポリマー)は、所望する構成単位を誘導するモノマーを、例えば、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、アゾビスイソ酪酸ジメチル等のラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。   The polymer (homopolymer) or copolymer (copolymer) having a repeating structure of the structural unit (g1) is a monomer derived from a desired structural unit, such as azobisisobutyronitrile (AIBN), dimethyl azobisisobutyrate. It can obtain by making it superpose | polymerize by well-known radical polymerization etc. which used radical polymerization initiators, such as.

(G)成分の分散度(Mw/Mn)は、1.0〜6.5が好ましく、1.5〜6がより好ましく、1.5〜5が最も好ましい。なお、「Mn」は数平均分子量を示す。   The dispersity (Mw / Mn) of the component (G) is preferably 1.0 to 6.5, more preferably 1.5 to 6, and most preferably 1.5 to 5. “Mn” represents a number average molecular weight.

表面処理剤中、(G)成分の含有量は、0.010〜0.050質量%であることが好ましく、0.010〜0.040質量%であることがより好ましく、0.015〜0.035質量%であることがさらに好ましい。   In the surface treatment agent, the content of the component (G) is preferably 0.010 to 0.050% by mass, more preferably 0.010 to 0.040% by mass, and 0.015 to 0%. More preferably, it is 0.035 mass%.

(G)成分の含有量が下限値以上であると、支持体12と分離層15の親和性がより高くなる。また、表面処理剤として(G)成分を有機溶剤に溶解してなる溶液を用いた際に、該溶液は適度な粘度を有し、支持体上に該溶液を均一に塗布しやすくなる。一方、上限値以下であると、該溶液の粘度増加が抑えられ、支持体上に該溶液を均一に塗布しやすくなる。   When the content of the component (G) is equal to or higher than the lower limit, the affinity between the support 12 and the separation layer 15 becomes higher. Further, when a solution obtained by dissolving the component (G) in an organic solvent is used as the surface treatment agent, the solution has an appropriate viscosity, and it becomes easy to uniformly apply the solution on the support. On the other hand, when the amount is not more than the upper limit, an increase in the viscosity of the solution is suppressed, and the solution can be easily applied uniformly on the support.

表面処理剤は、上記(G)成分以外のその他成分を含有してもよい。   The surface treatment agent may contain other components other than the component (G).

その他成分としては、例えば、有機溶剤、界面活性剤等が挙げられる。   Examples of other components include organic solvents and surfactants.

有機溶剤としては、(G)成分を溶解して均一な溶液とすることができるものであればよく、例えば、一般的な化学増幅型レジスト組成物の有機溶剤として用いられているものが挙げられる。   Any organic solvent may be used as long as it can dissolve the component (G) to form a uniform solution, and examples thereof include those used as organic solvents for general chemical amplification resist compositions. .

この有機溶剤は、例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類または上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい); ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などが挙げられる。   Examples of the organic solvent include lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, di- Polyhydric alcohols such as propylene glycol; compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, the polyhydric alcohols or compounds having the ester bond Monoalkyl ethers such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having an ether bond such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred among them; cyclic ethers such as dioxane; , Methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, etc .; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl Ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetole, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitile And aromatic organic solvents and the like.

有機溶剤は、一種単独で用いてもよく、二種以上の混合溶剤として用いてもよい。   An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used as a 2 or more types of mixed solvent.

表面処理剤は、(G)成分を含有して表面処理膜を形成し得るものであればその形態は特に限定されず、例えば、(G)成分を有機溶剤に溶解してなる溶液として用いるものであってもよく、その溶液を乾燥してなるシート状物として用いるものであってもよい。   The form of the surface treatment agent is not particularly limited as long as it contains the (G) component and can form a surface treatment film. For example, the surface treatment agent is used as a solution obtained by dissolving the (G) component in an organic solvent. It may be used as a sheet-like product obtained by drying the solution.

該表面処理剤に含まれるエポキシ樹脂の好適なものとしては、支持体12と分離層15の親和性がより良好となることから、上記構成単位(g1)の繰り返し構造を有するものが挙げられ、上記構成単位(g1)の割合が、該エポキシ樹脂を構成する全構成単位の合計に対して10モル%以上であるものが好ましい。   Suitable examples of the epoxy resin contained in the surface treatment agent include those having a repeating structure of the structural unit (g1) because the affinity between the support 12 and the separation layer 15 becomes better. What the ratio of the said structural unit (g1) is 10 mol% or more with respect to the sum total of all the structural units which comprise this epoxy resin is preferable.

また、上記構成単位(g1)のなかで好適なものとしては、支持体12と分離層15の親和性が特に良好となることから、上記一般式(g1−1)〜(g1−4)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。   Moreover, as a suitable thing in the said structural unit (g1), since the affinity of the support body 12 and the separation layer 15 becomes especially favorable, it is the said General formula (g1-1)-(g1-4). Examples thereof include at least one selected from the group consisting of the structural units represented.

支持体上に、表面処理剤を用いて表面処理膜を形成する方法は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。   The method for forming the surface treatment film on the support using the surface treatment agent is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.

例えば表面処理剤として(G)成分を有機溶剤に溶解してなる溶液((G)成分溶液)を用いる場合、支持体12上に、(G)成分溶液を、スピンナー等を用いる従来公知の方法により塗布してベーク処理を施し、有機溶剤を揮発させることにより表面処理膜を形成できる。   For example, when a solution ((G) component solution) obtained by dissolving the (G) component in an organic solvent is used as the surface treating agent, a conventionally known method using the spinner or the like on the support 12 with the (G) component solution. It is possible to form a surface treatment film by applying and baking, and volatilizing the organic solvent.

ベーク処理におけるベーク温度は80〜400℃であることが好ましく、180〜300℃であることがより好ましく、ベーク処理時間は15〜120秒間であることが好ましく、30〜90秒間であることがより好ましい。   The baking temperature in the baking treatment is preferably 80 to 400 ° C, more preferably 180 to 300 ° C, the baking treatment time is preferably 15 to 120 seconds, and more preferably 30 to 90 seconds. preferable.

表面処理剤に用いるエポキシ樹脂が上記一般式(g1−1)で表される構成単位を有するものである場合、上記ベーク温度は150〜300℃であることが好ましく、180〜300℃であることがより好ましい。   When the epoxy resin used for the surface treatment agent has the structural unit represented by the general formula (g1-1), the baking temperature is preferably 150 to 300 ° C, and preferably 180 to 300 ° C. Is more preferable.

表面処理剤に用いるエポキシ樹脂が上記一般式(g1−2)で表される構成単位、上記一般式(g1−3)で表される構成単位または上記一般式(g1−4)で表される構成単位を有するものである場合、上記ベーク温度は85〜350℃であることが好ましく、120〜300℃であることがより好ましい。   The epoxy resin used for the surface treatment agent is represented by the structural unit represented by the general formula (g1-2), the structural unit represented by the general formula (g1-3), or the general formula (g1-4). When it has a structural unit, the baking temperature is preferably 85 to 350 ° C, and more preferably 120 to 300 ° C.

上記の何れのベーク温度も上記範囲内であると、支持体12の表面を特に好適に疎水化することができる。   When any of the above baking temperatures is within the above range, the surface of the support 12 can be particularly preferably hydrophobized.

表面処理膜の厚さは、好ましくは0.01〜3.5nm、より好ましくは0.3〜2.5nmである。表面処理膜の厚さを上記範囲内とすることにより、支持体12表面を十分に疎水化して、支持体12と分離層15との親和性をより高めることができる。   The thickness of the surface treatment film is preferably 0.01 to 3.5 nm, more preferably 0.3 to 2.5 nm. By setting the thickness of the surface treatment film within the above range, the surface of the support 12 can be sufficiently hydrophobized and the affinity between the support 12 and the separation layer 15 can be further increased.

〔分離層形成工程〕
本実施形態に係る積層体の製造方法における分離層形成工程は、上記表面処理工程によって表面処理された上記支持体12の、疎水化された上記表面上の表面処理膜14の上に分離層15を形成する工程である。
[Separation layer forming step]
In the separation layer forming step in the laminate manufacturing method according to the present embodiment, the separation layer 15 is formed on the hydrophobized surface treatment film 14 on the surface of the support 12 surface-treated in the surface treatment step. Is a step of forming.

(分離層)
分離層15は、支持体12を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。本明細書において、分離層15が「変質する」とは、分離層15をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、または分離層15と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層15の変質の結果として、分離層15は、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体12を持ち上げるなど)ことによって、分離層15が破壊されて、支持体12と基板11とを容易に分離することができる。
(Separation layer)
The separation layer 15 is a layer formed of a material that changes quality by absorbing light irradiated through the support 12. In the present specification, the “deterioration” of the separation layer 15 is a phenomenon in which the separation layer 15 can be broken by receiving a slight external force, or a state in which the adhesive force with the layer in contact with the separation layer 15 is reduced. means. As a result of the alteration of the separation layer 15 caused by absorbing light, the separation layer 15 loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 12), the separation layer 15 is broken, and the support 12 and the substrate 11 can be easily separated.

また、分離層15の変質は、吸収した光のエネルギーによる(発熱性または非発熱性の)分解、架橋、立体配置の変化または官能基の解離(そして、これらにともなう分離層の硬化、脱ガス、収縮または膨張)等であり得る。分離層15の変質は、分離層15を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、分離層15の変質の種類は、分離層15を構成する材料の種類に応じて変化し得る。   Further, the alteration of the separation layer 15 is caused by decomposition (exothermic or non-exothermic), cross-linking, configuration change or dissociation of functional groups (and curing of the separation layer and degassing caused by these). , Contraction or expansion) and the like. The alteration of the separation layer 15 occurs as a result of light absorption by the material constituting the separation layer 15. Therefore, the type of alteration of the separation layer 15 can be changed according to the type of material constituting the separation layer 15.

分離層15は、支持体12における、接着層13を介して基板11が貼り合わされる側の表面に設けられている。すなわち、分離層15は、表面処理膜14と接着層13との間に設けられている。   The separation layer 15 is provided on the surface of the support 12 on the side where the substrate 11 is bonded via the adhesive layer 13. That is, the separation layer 15 is provided between the surface treatment film 14 and the adhesive layer 13.

分離層15の厚さは、例えば、0.05〜50μmであることがより好ましく、0.3〜1μmであることがさらに好ましい。分離層15の厚さが0.05〜50μmの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射および低エネルギーの光の照射によって、分離層15に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層15の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。   For example, the thickness of the separation layer 15 is more preferably 0.05 to 50 μm, and further preferably 0.3 to 1 μm. If the thickness of the separation layer 15 is within the range of 0.05 to 50 μm, desired alteration can be caused in the separation layer 15 by short-time light irradiation and low-energy light irradiation. The thickness of the separation layer 15 is particularly preferably within a range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

なお、積層体10において、分離層15と支持体12との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層15への光の入射を妨げることなく、積層体10に好ましい性質などを付与する層を、適宜追加することができる。分離層15を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層15を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。   In the laminate 10, another layer may be further formed between the separation layer 15 and the support 12. In this case, the other layer should just be comprised from the material which permeate | transmits light. Thereby, a layer imparting preferable properties to the stacked body 10 can be appropriately added without hindering the incidence of light on the separation layer 15. The wavelength of light that can be used varies depending on the type of material constituting the separation layer 15. Therefore, the material constituting the other layer does not need to transmit all light, and can be appropriately selected from materials capable of transmitting light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 15.

また、分離層15は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層15を形成してもよい。また、分離層15における接着層13に対向する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、分離層15の形成が容易に行なえ、且つ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。   In addition, the separation layer 15 is preferably formed only from a material having a structure that absorbs light, but the material does not have a structure that absorbs light as long as the essential characteristics of the present invention are not impaired. May be added to form the separation layer 15. In addition, it is preferable that the surface of the separation layer 15 facing the adhesive layer 13 is flat (unevenness is not formed), so that the separation layer 15 can be easily formed and even when pasted. It becomes possible to paste on.

分離層15は、以下に示すような分離層15を構成する材料を予めフィルム状に形成したものを支持体12に貼り合わせて用いてもよいし、支持体12上に分離層15を構成する材料を塗布してフィルム状に固化したものを用いてもよい。支持体12上に分離層15を構成する材料を塗布する方法は、分離層15を構成する材料の種類に応じて、化学気相成長(CVD)法による堆積等の従来公知の方法から適宜選択することができる。   As the separation layer 15, a material that forms the separation layer 15 as described below may be used by bonding it to the support 12 in advance, or the separation layer 15 may be formed on the support 12. You may use what applied the material and solidified in the film form. The method of applying the material constituting the separation layer 15 on the support 12 is appropriately selected from conventionally known methods such as deposition by a chemical vapor deposition (CVD) method according to the type of material constituting the separation layer 15. can do.

分離層15は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、分離層15を変質させるために分離層15に照射される光は、レーザから照射されたものであってもよい。分離層15に照射する光を発射するレーザの例としては、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光等が挙げられる。分離層15に照射する光を発射するレーザは、分離層15を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層15を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。 The separation layer 15 may be altered by absorbing light emitted from the laser. In other words, the light irradiated to the separation layer 15 in order to change the quality of the separation layer 15 may be emitted from a laser. Examples of lasers that emit light to irradiate the separation layer 15 include solid lasers such as YAG lasers, Libby lasers, glass lasers, YVO 4 lasers, LD lasers, fiber lasers, liquid lasers such as dye lasers, CO 2 lasers, and excimers. Examples thereof include a gas laser such as a laser, an Ar laser, and a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser and a free electron laser, or a non-laser beam. The laser that emits light for irradiating the separation layer 15 can be appropriately selected according to the material constituting the separation layer 15 and irradiates light having a wavelength that can alter the material constituting the separation layer 15. The laser to be selected may be selected.

(フルオロカーボン)
分離層15は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層15は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体12を持ち上げるなど)ことによって、分離層15が破壊されて、支持体12と基板11とを容易に分離することができる。
(Fluorocarbon)
The separation layer 15 may be made of a fluorocarbon. Since the separation layer 15 is composed of fluorocarbon, the separation layer 15 is altered by absorbing light. As a result, the separation layer 15 loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 12), the separation layer 15 is broken, and the support 12 and the substrate 11 can be easily separated.

また、一つの観点からいえば、分離層15を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD法によって好適に成膜され得る。なお、フルオロカーボンは、CxFy(パーフルオロカーボン)およびCxHyFz(x、yおよびzは整数)を含み、これらに限定されないが、例えば、CHF、CH、C、C、C、C等で有り得る。また、分離層15を構成するために用いるフルオロカーボンに対して、必要に応じて窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、アルカン、アルケンなどの炭化水素、および、酸素、二酸化炭素、水素を添加してもよい。また、これらのガスを複数混合して用いてもよい(フルオロカーボン、水素、窒素の混合ガス等)。また、分離層15は、単一種のフルオロカーボンから構成されていてもよいし、2種類以上のフルオロカーボンから構成されていてもよい。 Moreover, from one viewpoint, the fluorocarbon constituting the separation layer 15 can be suitably formed by a plasma CVD method. In addition, fluorocarbon includes CxFy (perfluorocarbon) and CxHyFz (x, y, and z are integers), but is not limited thereto, for example, CHF 3 , CH 2 F 2 , C 2 H 2 F 2 , C 4 F 8 , C 2 F 6 , C 5 F 8 and the like. Further, an inert gas such as nitrogen, helium and argon, a hydrocarbon such as alkane and alkene, and oxygen, carbon dioxide and hydrogen are added to the fluorocarbon used for constituting the separation layer 15 as necessary. May be. Further, a mixture of these gases may be used (a mixed gas of fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, etc.). Further, the separation layer 15 may be composed of a single kind of fluorocarbon, or may be composed of two or more kinds of fluorocarbon.

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層15に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層15における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。   The fluorocarbon absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in a range that is absorbed by the fluorocarbon used in the separation layer 15, the fluorocarbon can be suitably altered. The light absorption rate in the separation layer 15 is preferably 80% or more.

分離層15に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の範囲のものを用いることができる。 As light to irradiate the separation layer 15, depending on the wavelength that can be absorbed by the fluorocarbon, for example, YAG laser, Libby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, liquid laser such as fiber laser, liquid laser such as dye laser, etc. A gas laser such as a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, or a He—Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, or a non-laser beam may be used as appropriate. The wavelength at which the fluorocarbon can be altered is not limited to this, but for example, a wavelength in the range of 600 nm or less can be used.

(光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体)
分離層15は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層15は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体12を持ち上げるなど)ことによって、分離層15が破壊されて、支持体12と基板11とを容易に分離することができる。
(Polymer containing light-absorbing structure in its repeating unit)
The separation layer 15 may contain a polymer containing a light-absorbing structure in its repeating unit. The polymer is altered by irradiation with light. The alteration of the polymer occurs when the structure absorbs the irradiated light. The separation layer 15 has lost its strength or adhesion before being irradiated with light as a result of the alteration of the polymer. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 12), the separation layer 15 is broken, and the support 12 and the substrate 11 can be easily separated.

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換もしくは非置換のベンゼン環、縮合環または複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、または上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造もしくはジフェニルアミン構造であり得る。   The above-mentioned structure having light absorptivity is a chemical structure that absorbs light and alters a polymer containing the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group including a conjugated π electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, condensed ring, or heterocyclic ring. More specifically, the structure may be a cardo structure, or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure present in the side chain of the polymer.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。   When the structure is present in the side chain of the polymer, the structure can be represented by the following formula:

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、R30はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基またはN(R31)(R32)であり(ここで、R31およびR32はそれぞれ独立して、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基である)、Zは、存在しないか、または−CO−、−SO−、−SO−もしくは−NH−であり、kは0または1〜5の整数である。)
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、または(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
(In the formula, each R 30 is independently an alkyl group, aryl group, halogen, hydroxyl group, ketone group, sulfoxide group, sulfone group or N (R 31 ) (R 32 ) (where R 31 and R 32 is each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), Z is absent or is —CO—, —SO 2 —, —SO— or —NH—, k Is 0 or an integer of 1 to 5.)
In addition, the polymer includes, for example, a repeating unit represented by any one of (a) to (d) among the following formulas, represented by (e), or represented by (f) Contains structure in its main chain.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(式中、lは1以上の整数であり、mは0または1〜2の整数であり、Xは、(a)〜(e)において上記の“化18”に示した式の何れかであり、(f)において上記の“化18”に示した式の何れかであるか、または存在せず、Y1およびY2はそれぞれ独立して、−CO−またはSO−である。lは好ましくは10以下の整数である。)
上記の“化18”に示されるベンゼン環、縮合環および複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレンおよび置換ピレンが挙げられる。例示した置換基が置換を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノおよびアリールアミノから選択される。
(In the formula, l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, and X is any one of the formulas shown in the above “Chemical Formula 18” in (a) to (e)). Yes, in (f), any of the formulas shown above for “Chemical Formula 18” or absent, and Y1 and Y2 are each independently —CO— or SO 2 —, preferably 1 Is an integer of 10 or less.)
Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring shown in the above “chemical formula 18” include phenyl, substituted phenyl, benzyl, substituted benzyl, naphthalene, substituted naphthalene, anthracene, substituted anthracene, anthraquinone, substituted anthraquinone, acridine, substituted Examples include acridine, azobenzene, substituted azobenzene, fluoride, substituted fluoride, fluoride, substituted fluoride, carbazole, substituted carbazole, N-alkylcarbazole, dibenzofuran, substituted dibenzofuran, phenanthrene, substituted phenanthrene, pyrene, and substituted pyrene. When the exemplified substituent has a substituent, the substituent is, for example, alkyl, aryl, halogen atom, alkoxy, nitro, aldehyde, cyano, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxylic acid, carboxylic acid Selected from esters, sulfonic acids, sulfonate esters, alkylamino and arylamino.

上記の“化18”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,6‐ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4‐ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3‐ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(2‐ヒドロキシフェニル)スルホン、およびビス(3,5‐ジメチル‐4‐ヒドロキシフェニル)スルホンなどが挙げられる。 Among the substituents represented by the above “chemical formula 18”, as an example of the fifth substituent having two phenyl groups and Z is —SO 2 —, bis (2, 4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,6-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (2-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) sulfone, and the like.

上記の“化18”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,3‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,3‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4‐ジヒドロキシ‐6‐メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,5‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,4‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,5‐ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4‐トリヒドロキシ‐6‐メチルフェニル)‐スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,3,4‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5‐クロロ‐2,4,6‐トリヒドロキシフェニル)スルホキシドなどが挙げられる。   Of the substituents represented by the above “Chemical Formula 18”, the fifth substituent having two phenyl groups, and Z is —SO—, includes bis (2,3 -Dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,3-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxy-6-methylphenyl) sulfoxide, bis (5 -Chloro-2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3 , 4-Trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3,4-trihydroxy-6-methylphenol) ) -Sulfoxide, bis (5-chloro-2,3,4-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,4,6-tri) Hydroxyphenyl) sulfoxide and the like.

上記の“化18”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−C(=O)−である場合の例としては、2,4‐ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4‐トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,5,6’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、2‐ヒドロキシ‐4‐メトキシベンゾフェノン、2‐ヒドロキシ‐4‐オクトキシベンゾフェノン、2‐ヒドロキシ‐4‐ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2’‐ジヒドロキシ‐4‐メトキシベンゾフェノン、2,6‐ジヒドロキシ‐4‐メトキシベンゾフェノン、2,2’‐ジヒドロキシ‐4,4’‐ジメトキシベンゾフェノン、4‐アミノ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジメチルアミノ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジエチルアミノ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジメチルアミノ‐4’‐メトキシ‐2’‐ヒドロキシベンゾフェノン、4‐ジメチルアミノ‐2’,4’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、および4‐ジメチルアミノ‐3’,4’‐ジヒドロキシベンゾフェノンなどが挙げられる。   Among the substituents represented by the above “Chemical Formula 18”, the fifth substituent having two phenyl groups and Z is —C (═O) — , 4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 5,6'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,6-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2 ' -Dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-amino-2'-hydroxybenzophenone, 4-di Tylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-diethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-4'-methoxy-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2 ', 4'-dihydroxybenzophenone, and 4 -Dimethylamino-3 ', 4'-dihydroxybenzophenone and the like.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層15の光の透過率が0.001〜10%になる範囲にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層15が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体10からの支持体12の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。   When the structure is present in the side chain of the polymer, the proportion of the repeating unit containing the structure in the polymer is such that the light transmittance of the separation layer 15 is 0.001 to 10%. It is in the range. If the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the separation layer 15 can sufficiently absorb light and can be reliably and rapidly altered. That is, it is easy to remove the support 12 from the laminate 10, and the light irradiation time necessary for the removal can be shortened.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、100〜2000nmであることがより好ましい。この範囲のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、100〜500nmである。例えば、上記構造は、好ましくは約300〜370nmの波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。   The said structure can absorb the light which has a wavelength of a desired range by selection of the kind. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the above structure is more preferably 100 to 2000 nm. Within this range, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is on the shorter wavelength side, for example, 100 to 500 nm. For example, the structure can alter the polymer containing the structure by absorbing ultraviolet light, preferably having a wavelength of about 300-370 nm.

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長:254nm〜436nm)、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)、ArFエキシマレーザ(波長:193nm)、F2エキシマレーザ(波長:157nm)、XeClレーザ(308nm)、XeFレーザ(波長:351nm)もしくは固体UVレーザ(波長:355nm)から発せられる光、またはg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)もしくはi線(波長:365nm)などである。   Light that can be absorbed by the above structure is, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm to 436 nm), a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), an F2 excimer laser (wavelength: 157 nm), or XeCl. Light emitted from laser (308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid-state UV laser (wavelength: 355 nm), or g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) or i-line (wavelength: 365 nm) Etc.

上述した分離層15は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層15はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、および支持体12の剥離性を向上し得る成分などが挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、および重合体の変質を妨げないか、または促進する、従来公知の物質または材料から適宜選択される。   Although the separation layer 15 described above contains a polymer containing the above structure as a repeating unit, the separation layer 15 may further contain components other than the polymer. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component that can improve the peelability of the support 12. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not hinder or promote the absorption of light by the above structure and the alteration of the polymer.

(無機物)
分離層15は、無機物からなっていてもよい。分離層15は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体12を持ち上げるなど)ことによって、分離層15が破壊されて、支持体12と基板11とを容易に分離することができる。
(Inorganic)
The separation layer 15 may be made of an inorganic material. The separation layer 15 is made of an inorganic material and is altered by absorbing light. As a result, the separation layer 15 loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 12), the separation layer 15 is broken, and the support 12 and the substrate 11 can be easily separated.

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物およびカーボンからなる群より選択される1種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、およびカーボンからなる群より選ばれる1種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。 The said inorganic substance should just be the structure which changes in quality by absorbing light, for example, can use 1 or more types of inorganic substances selected from the group which consists of a metal, a metal compound, and carbon suitably. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and can be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Exemplary of such inorganic include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2, SiN, Si 3 N 4, TiN, and carbon One or more inorganic substances selected from the group consisting of: Carbon is a concept that may include an allotrope of carbon, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotube, and the like.

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層15に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。   The inorganic material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within a range that is absorbed by the inorganic material used for the separation layer 15, the inorganic material can be suitably altered.

無機物からなる分離層15に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。 The light applied to the separation layer 15 made of an inorganic material may be, for example, a solid-state laser such as a YAG laser, Libby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, or fiber laser, or a dye laser, depending on the wavelength that the inorganic material can absorb. For example, a liquid laser such as a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, a He—Ne laser, or a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, or a non-laser beam may be used as appropriate.

無機物からなる分離層15は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、支持体12上に形成され得る。無機物からなる分離層15の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、0.05〜10μmの膜厚とすることがより好ましい。また、分離層15を構成する無機物からなる無機膜(例えば、金属膜)の両面または片面に予め接着剤を塗布し、支持体12および基板11に貼り付けてもよい。   The separation layer 15 made of an inorganic material can be formed on the support 12 by a known technique such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, or spin coating. The thickness of the separation layer 15 made of an inorganic material is not particularly limited as long as it is a film thickness that can sufficiently absorb the light to be used. For example, a film thickness of 0.05 to 10 μm is more preferable. Alternatively, an adhesive may be applied in advance to both sides or one side of an inorganic film (for example, a metal film) made of an inorganic material constituting the separation layer 15 and attached to the support 12 and the substrate 11.

なお、分離層15として金属膜を使用する場合には、分離層15の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層15の上下またはどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。   When a metal film is used as the separation layer 15, laser reflection or charging of the film may occur depending on conditions such as the film quality of the separation layer 15, the type of laser light source, and laser output. Therefore, it is preferable to take measures against them by providing an antireflection film or an antistatic film on the upper and lower sides of the separation layer 15 or on either one of them.

(赤外線吸収性の構造を有する化合物)
分離層15は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層15は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度または接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げるなど)ことによって、分離層15が破壊されて、支持体12と基板11とを容易に分離することができる。
(Compound having infrared absorbing structure)
The separation layer 15 may be formed of a compound having an infrared absorbing structure. The compound is altered by absorbing infrared rays. The separation layer 15 has lost its strength or adhesiveness before being irradiated with infrared rays as a result of the alteration of the compound. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer 15 is broken and the support 12 and the substrate 11 can be easily separated.

赤外線吸収性を有している構造または赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコールおよびフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3−ジケトンのエノール、o−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β−、γ−、δ−)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタンおよびチオフェノールおよびチオール酸などの硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Si−A結合(Aは、H、C、Oまたはハロゲン)、P−A結合(Aは、H、CまたはO)、またはTi−O結合であり得る。 Examples of the compound having an infrared absorptive structure or a compound having an infrared absorptive structure include alkanes and alkenes (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, ring Formula), alkyne (monosubstituted, disubstituted), monocyclic aromatic (benzene, monosubstituted, disubstituted, trisubstituted), alcohol and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bond, intermolecular hydrogen bond, saturated Secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic Carbonyl, 1,3-diketone enol, o-hydroxy aryl ketone, dialkyl aldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer Carboxylate anion), formate ester, acetate ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), aliphatic acid chloride, aromatic acid chloride, acid anhydride ( Conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, secondary amide, lactam, primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), secondary Tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, Isocyanate ester, thiocyanate ester, aliphatic isothiocyanate ester, aromatic isothiocyanate ester, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitroamine, nitrosamine, Acid ester, nitrite ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), mercaptan and sulfur compounds such as thiophenol and thiolic acid, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary Secondary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfate ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or halogen), P-A 2 bond (A 2 is H, C Or O), or Ti—O bonds.

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−CHCl、−CHBr、−CHI、−CF−、−CF、−CH=CF、−CF=CF、フッ化アリール、および塩化アリールなどが挙げられる。 As a structure containing halogen bond, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br , -CH 2 I, -CF 2 - - the carbon, - CF 3, -CH = CF 2, -CF = CF 2, fluoride Aryl chloride, and aryl chloride.

上記Si−A1結合を含む構造としては、SiH、SiH、SiH、Si−CH、Si−CH−、Si−C、SiO−脂肪族、Si−OCH、Si−OCHCH、Si−OC、Si−O−Si、Si−OH、SiF、SiF、およびSiFなどが挙げられる。Si−A結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格およびシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。 As a structure including the Si-A1 bonds, SiH, SiH 2, SiH 3 , Si-CH 3, Si-CH 2 -, Si-C 6 H 5, SiO- aliphatic, Si-OCH 3, Si- OCH 2 CH 3 , Si—OC 6 H 5 , Si—O—Si, Si—OH, SiF, SiF 2 , SiF 3 and the like. As a structure including a Si—A 1 bond, it is particularly preferable to form a siloxane skeleton and a silsesquioxane skeleton.

上記P−A結合を含む構造としては、PH、PH、P−CH、P−CH−、P−C、A −P−O(Aは脂肪族または芳香族)、(AO)3−P−O(Aはアルキル)、P−OCH、P−OCHCH、P−OC、P−O−P、P−OH、およびO=P−OHなどが挙げられる。 Examples of the structure containing the P—A 2 bond include PH, PH 2 , P—CH 3 , P—CH 2 —, P—C 6 H 5 , A 3 3— P—O (A 3 is aliphatic or aromatic. family), (A 4 O) 3 -P-O (A 4 alkyl), P-OCH 3, P -OCH 2 CH 3, P-OC 6 H 5, P-O-P, P-OH, and O = P-OH and the like are mentioned.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1μm〜20μmの範囲内であり、2μm〜15μmの範囲内をより好適に吸収できる。さらに、上記構造がSi−O結合、Si−C結合およびTi−O結合である場合には、9μm〜11μmの範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)−MS、IR、NMR、UVの併用−」(1992年発行)第146頁〜第151頁の記載を参照することができる。   The said structure can absorb the infrared rays which have the wavelength of a desired range by selection of the kind. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the above structure is, for example, in the range of 1 μm to 20 μm, and more preferably in the range of 2 μm to 15 μm. Further, when the structure is a Si—O bond, a Si—C bond, and a Ti—O bond, it can be in the range of 9 μm to 11 μm. In addition, those skilled in the art can easily understand the infrared wavelength that can be absorbed by each structure. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Document: SILVERSTEIN / BASSLER / MORRILL, “Identification method by spectrum of organic compound (5th edition) —Combination of MS, IR, NMR and UV” (published in 1992) The description on page 146 to page 151 can be referred to.

分離層15の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解でき、固化されて固層を形成できるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層15における化合物を効果的に変質させ、支持体12と基板11との分離を容易にするには、分離層15における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層15に赤外線を照射した際の赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層15における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。   As a compound having an infrared-absorbing structure used for forming the separation layer 15, among the compounds having the structure as described above, it can be dissolved in a solvent for coating and solidified to form a solid layer. As long as it is possible, there is no particular limitation. However, in order to effectively alter the compound in the separation layer 15 and facilitate separation of the support 12 and the substrate 11, the absorption of infrared rays in the separation layer 15 is large, that is, the separation layer 15 is irradiated with infrared rays. It is preferable that the infrared transmittance is low. Specifically, the infrared transmittance in the separation layer 15 is preferably lower than 90%, and the infrared transmittance is more preferably lower than 80%.

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(10)で表される繰り返し単位および下記化学式(11)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式(10)で表される繰り返し単位およびアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。   For example, as the compound having a siloxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (10) and a repeating unit represented by the following chemical formula (11), or A resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (10) and a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(化学式(11)中、R41は、水素、炭素数10以下のアルキル基、炭素数10以下のアルコキシ基である)
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(10)で表される繰り返し単位および下記化学式(12)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式(10)で表される繰り返し単位および下記化学式(12)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
(In the chemical formula (11), R 41 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms)
Among them, as a compound having a siloxane skeleton, t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane copolymer, which is a copolymer of the repeating unit represented by the chemical formula (10) and the repeating unit represented by the following chemical formula (12), is used. A polymer is more preferable, and a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the above formula (10) and a repeating unit represented by the following chemical formula (12) at 1: 1 is further preferable.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(13)で表される繰り返し単位および下記化学式(14)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。   As the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (13) and a repeating unit represented by the following chemical formula (14) can be used. .

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(化学式(13)中、R42は、水素または炭素数1以上、10以下のアルキル基であり、化学式(14)中、R43は、炭素数1以上、10以下のアルキル基、またはフェニル基である)
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特許文献4:特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特許文献5:特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特許文献6:特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)および特許文献7:特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用できる。
(In the chemical formula (13), R 42 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and in the chemical formula (14), R 43 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a phenyl group. Is)
As other compounds having a silsesquioxane skeleton, Patent Document 4: JP 2007-258663 A (published October 4, 2007), Patent Document 5: JP 2010-120901 A (2010). Published on June 3, 2009), Patent Document 6: JP 2009-263316 A (published on November 12, 2009) and Patent Document 7: JP 2009-263596 A (published on November 12, 2009). Each disclosed silsesquioxane resin can be suitably used.

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式(15)で表される繰り返し単位および下記化学式(16)で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式(15)で表される繰り返し単位および下記化学式(16)で表される繰り返し単位を7:3で含む共重合体がさらに好ましい。   Among these, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a repeating unit represented by the following chemical formula (15) and a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (16) are more preferable. A copolymer containing the repeating unit represented by the following chemical formula (16) and 7: 3 is more preferable.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、および籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。   The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a cage structure, but any structure may be used.

また、Ti−O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、およびチタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレートなどのアルコキシチタン;(ii)ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、およびプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)などのキレートチタン;(iii)i−CO−[−Ti(O−i−C−O−]n−i−C、およびn−CO−[−Ti(O−n−C−O−]n−n−Cなどのチタンポリマー;(iv)トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、および(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタンなどのアシレートチタン;(v)ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタンなどの水溶性チタン化合物などが挙げられる。 Examples of the compound containing a Ti—O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, and titanium-i-propoxyoctylene glycolate. (Ii) chelating titanium such as di-i-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, and propanedioxytitanium bis (ethylacetoacetate); (iii) i-C 3 H 7 O — [— Ti (O-i-C 3 H 7) 2 -O-] n-i-C 3 H 7, and n-C 4 H 9 O - [- Ti (O-n-C 4 H 9) 2 -O - titanium polymers such as n-n-C 4 H 9 ; (iv) tri -n- butoxy titanium monostearate, titanium stearate, di -i- propoxy Titanium diisostearate and acylate titanium such as (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy) tributoxytitanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxy-bis (triethanolaminato) titanium Is mentioned.

中でも、Ti−O結合を含む化合物としては、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC)2[OCN(COH))が好ましい。 Among them, as a compound containing a Ti—O bond, di-n-butoxy bis (triethanolaminato) titanium (Ti (OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferred.

上述した分離層15は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層15はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、および支持体12の剥離性を向上し得る成分などが挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、および化合物の変質を妨げないか、または促進する、従来公知の物質または材料から適宜選択される。   Although the separation layer 15 described above contains a compound having an infrared absorbing structure, the separation layer 15 may further contain a component other than the above compound. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component that can improve the peelability of the support 12. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not prevent or promote the absorption of infrared rays by the above structure and the alteration of the compound.

(赤外線吸収物質)
分離層15は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層15は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体12を持ち上げるなど)ことによって、分離層15が破壊されて、支持体12と基板11とを容易に分離することができる。
(Infrared absorbing material)
The separation layer 15 may contain an infrared absorbing material. The separation layer 15 is configured to contain an infrared absorbing material, so that the separation layer 15 is altered by absorbing light, and as a result, loses strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 12), the separation layer 15 is broken, and the support 12 and the substrate 11 can be easily separated.

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、またはアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層15に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層15に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。   The infrared absorbing material only needs to have a structure that is altered by absorbing infrared rays. For example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be suitably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the type. By irradiating the separation layer 15 with light having a wavelength in a range that is absorbed by the infrared absorbing material used for the separation layer 15, the infrared absorbing material can be suitably altered.

(分離層製造装置)
図3の(a)は、本実施形態における分離層形成工程において用いる分離層製造装置100の一構成例を示す断面図であり、(b)はその排気孔と支持体との位置関係を示す図である。分離層15の形成方法は、分離層15を構成する物質に応じて適宜選択すればよいが、特に、図3に示すように、排気孔109を有する反応室102内において、支持体12が排気孔109よりも鉛直下方に位置した状態で、プラズマCVD法により支持体12上に分離層15を形成することが好ましい。これにより、図2の(a)に示すように、表面に微細な凹凸のない均質で薄い分離層15が形成された積層体1を提供することができる。なお、本明細書において、「支持体12が排気孔109よりも鉛直下方に位置した状態」とは、支持体12の上面が、排気孔109の鉛直最下部よりも鉛直下方に位置した状態を指す。
(Separation layer production equipment)
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a configuration example of the separation layer manufacturing apparatus 100 used in the separation layer forming step in the present embodiment, and FIG. 3B shows the positional relationship between the exhaust holes and the support. FIG. The method for forming the separation layer 15 may be selected as appropriate according to the material constituting the separation layer 15, and in particular, as shown in FIG. 3, the support 12 is evacuated in a reaction chamber 102 having an exhaust hole 109. It is preferable to form the separation layer 15 on the support 12 by a plasma CVD method in a state vertically below the hole 109. Thereby, as shown to (a) of FIG. 2, the laminated body 1 by which the homogeneous thin thin layer 15 without the fine unevenness | corrugation was formed in the surface can be provided. In this specification, “the state in which the support 12 is positioned vertically below the exhaust hole 109” refers to the state in which the upper surface of the support 12 is positioned vertically below the vertical bottom of the exhaust hole 109. Point to.

これにより、図2の(a)に示すように、本実施形態に係る積層体1の分離層15では、図2の(b)に示すような従来技術に係る積層体2に比べ、積層体1の外部へ露出する部分を減少させることができる。そのため、分離層15は、薬品処理によって変質しにくくなる。その結果、積層体1に対して所望の処理を行なう際に、分離層15が支持体12から剥離することを抑制することができる。   Thereby, as shown to (a) of FIG. 2, in the separated layer 15 of the laminated body 1 which concerns on this embodiment, compared with the laminated body 2 which concerns on a prior art as shown to (b) of FIG. The part exposed to the outside of 1 can be reduced. Therefore, the separation layer 15 becomes difficult to be altered by chemical treatment. As a result, the separation layer 15 can be prevented from peeling from the support 12 when a desired treatment is performed on the laminate 1.

なお、分離層15の材料自身の耐薬品性が向上しているのではないため、支持体12の分離工程後における支持体12上に付着した分離層15の残渣を容易に洗浄できるという効果を奏する。つまり、本発明に係る積層体は、分離層の薬品による破損を解消しつつ、該分離層の洗浄の容易さを維持するという、相反する利益を両立できる。これは従来の積層体のような、分離層(光熱変換層)自身の耐薬品性を向上させるという方法では、両立し得ない効果である。   In addition, since the chemical resistance of the material of the separation layer 15 itself is not improved, an effect that the residue of the separation layer 15 attached on the support 12 after the separation process of the support 12 can be easily washed. Play. That is, the laminate according to the present invention can achieve the conflicting benefits of maintaining the ease of cleaning the separation layer while eliminating breakage of the separation layer due to chemicals. This is an effect that cannot be achieved by a method of improving the chemical resistance of the separation layer (photothermal conversion layer) itself as in the conventional laminate.

以上をより詳細に説明する。図4の(a)は、分離層製造装置の参考構成例を示す断面図であり、(b)はその排気孔と支持体との位置関係を示す図である。図4の(a)に示す分離層製造装置100’では、図4の(b)に示すように、排気孔109は、被処理物である支持体12と同じ高さにある。このような分離層製造装置100’を用いた場合、図2の(b)に示すように、分離層15は、支持体12の端部において厚く形成され、さらには支持体12の端面にまで成膜される。また、プラズマ中の活性種の固化物が、分離層15の上に乗ることで、分離層15の表面に微細な凹凸ができ、均質な分離層15を形成することが困難である。このため、積層体2における分離層15は、積層体2の外部へ露出する表面が広くなり、その結果、積層体2に対する薬品処理によって、支持体12の端面にまで形成された分離層15が変質し、その後の様々な工程において積層体2から支持体12が剥離するという問題がある。特許文献3に記載の従来技術に係るプラズマCVD装置では、排気孔は、被処理物である支持体よりも鉛直下方に設けられているが、同様の問題が生じる。   The above will be described in more detail. 4A is a cross-sectional view showing a reference configuration example of the separation layer manufacturing apparatus, and FIG. 4B is a view showing the positional relationship between the exhaust holes and the support. In the separation layer manufacturing apparatus 100 ′ shown in FIG. 4A, as shown in FIG. 4B, the exhaust hole 109 is at the same height as the support 12 that is the object to be processed. When such a separation layer manufacturing apparatus 100 ′ is used, as shown in FIG. 2B, the separation layer 15 is formed thick at the end of the support 12 and further to the end face of the support 12. A film is formed. Moreover, since the solidified product of the active species in the plasma rides on the separation layer 15, fine irregularities are formed on the surface of the separation layer 15, and it is difficult to form a uniform separation layer 15. For this reason, the separation layer 15 in the laminate 2 has a wider surface exposed to the outside of the laminate 2, and as a result, the separation layer 15 formed up to the end face of the support 12 by the chemical treatment for the laminate 2. There is a problem that the support 12 is peeled off from the laminate 2 in various processes after the change. In the plasma CVD apparatus according to the related art described in Patent Document 3, the exhaust hole is provided vertically below the support that is the object to be processed, but the same problem occurs.

ここで、本発明者らは、分離層形成装置の反応室内における気流に着目し、装置の各部材の形状および位置の変化が、反応室内の気流へ与える影響について鋭意検討した。その結果、分離層形成装置の反応室内部における排気孔の位置が、支持体12の表面の上部のプラズマによって生じた活性種の流れに大きく影響を与えることを見出した。そして、図3に示すような、排気孔109の鉛直最下部が、支持体12の上面よりも鉛直上方へ離れて設けられている分離層形成装置100を用いて分離層15を形成したところ、図2の(a)に示すように、分離層15は、支持体12の端部から支持体12の中央部まで均一な厚みで形成され、さらに支持体12の端面における分離層15の形成も低減された。また、表面に微細な凹凸のない均質な分離層15が形成された。これにより、積層体1の耐薬品性を向上することができた。特に、支持体12に対して上述した表面処理工程を実行し、かつ、上述した反応室を用いて分離層15を形成したときに、積層体1の耐薬品性が顕著に向上することが分かった。   Here, the present inventors paid attention to the airflow in the reaction chamber of the separation layer forming apparatus, and intensively studied the influence of changes in the shape and position of each member of the apparatus on the airflow in the reaction chamber. As a result, it has been found that the position of the exhaust hole in the reaction chamber of the separation layer forming apparatus greatly affects the flow of active species generated by the plasma above the surface of the support 12. Then, when the separation layer 15 is formed using the separation layer forming apparatus 100 in which the lowermost vertical part of the exhaust hole 109 is provided vertically apart from the upper surface of the support 12 as shown in FIG. As shown in FIG. 2A, the separation layer 15 is formed with a uniform thickness from the end of the support 12 to the center of the support 12, and the separation layer 15 is also formed on the end surface of the support 12. Reduced. In addition, a homogeneous separation layer 15 having no fine irregularities on the surface was formed. Thereby, the chemical resistance of the laminated body 1 was able to be improved. In particular, it is found that when the surface treatment step described above is performed on the support 12 and the separation layer 15 is formed using the reaction chamber described above, the chemical resistance of the laminate 1 is significantly improved. It was.

図3に示すように、分離層製造装置100は、反応室102を囲むように、ベース101、戴置台兼下部電極103、排気リング104、石英チャンバー胴部105、石英チャンバー上部106、および天板108を備えており、排気リング104に排気孔109が設けられている。   As shown in FIG. 3, the separation layer manufacturing apparatus 100 includes a base 101, a mounting table / lower electrode 103, an exhaust ring 104, a quartz chamber body 105, a quartz chamber upper part 106, and a top plate so as to surround the reaction chamber 102. 108, and an exhaust hole 109 is provided in the exhaust ring 104.

ベース101は、反応室102の側壁を構成する部材を支える支持部である。すなわち、ベース101には、排気リング104、石英チャンバー胴部105、石英チャンバー上部106、および天板108がこの順に重なっている。排気リング104には、反応室102から気体を排出するための排気孔109が設けられている。石英チャンバー胴部105および石英チャンバー上部106は、石英からなり、反応室102の側壁を構成している。石英チャンバー胴部105は筒形状を有し、石英チャンバー上部106は伏鉢形状を有しており、全体としてベルジャー型の構造を構成している。なお、当該形状は一例であり、本実施形態に係る分離層形成装置100の形状はこれに限定されない。   The base 101 is a support portion that supports members constituting the side wall of the reaction chamber 102. That is, the exhaust ring 104, the quartz chamber body 105, the quartz chamber upper part 106, and the top plate 108 overlap with the base 101 in this order. The exhaust ring 104 is provided with an exhaust hole 109 for exhausting gas from the reaction chamber 102. The quartz chamber body 105 and the quartz chamber upper portion 106 are made of quartz and constitute the side wall of the reaction chamber 102. The quartz chamber body 105 has a cylindrical shape, and the quartz chamber upper portion 106 has a bottom shape, and forms a bell jar structure as a whole. In addition, the said shape is an example and the shape of the separation layer forming apparatus 100 which concerns on this embodiment is not limited to this.

石英チャンバー上部106の外側には、コイル状の上部電極が備えられている。上部電極は、高周波電源に電気的に接続されている。また、石英チャンバー上部106の天頂部に天板108が被せられている。天板108には、反応室102に反応ガス等の気体を供給するためのガス供給口が設けられている。   A coiled upper electrode is provided outside the upper quartz chamber 106. The upper electrode is electrically connected to a high frequency power source. A top plate 108 is placed on the top of the quartz chamber upper portion 106. The top plate 108 is provided with a gas supply port for supplying a gas such as a reaction gas to the reaction chamber 102.

また、ベース101の鉛直下方には開口部が設けられており、当該開口部を塞ぐように戴置台兼下部電極103が取り付けられている。戴置台兼下部電極(載置台)103は、支持体12を載置するための載置台として機能するとともに、上部電極との間に電圧を印加する下部電極として機能する。戴置台兼下部電極103は、例えば、アルミニウム合金等の導電体から構成され、かつ接地されている。   Further, an opening is provided vertically below the base 101, and a mounting table / lower electrode 103 is attached so as to close the opening. The mounting table / lower electrode (mounting table) 103 functions as a mounting table for mounting the support 12 and also functions as a lower electrode for applying a voltage between the upper electrode and the mounting table. The mounting table / lower electrode 103 is made of, for example, a conductor such as an aluminum alloy and is grounded.

なお、戴置台兼下部電極103の上面から天板108の底面までの高さよりも、石英チャンバー胴部105の内周の直径の方が長いことが好ましい。   It is preferable that the diameter of the inner circumference of the quartz chamber body 105 is longer than the height from the upper surface of the mounting table / lower electrode 103 to the bottom surface of the top plate 108.

そして、反応室102内に、ガス供給口から分離層15を形成する材料となる反応ガスを導入するとともに、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することにより、プラズマを生じさせ、プラズマと共に生じる活性種によって分離層15が形成される。   Then, a reaction gas, which is a material for forming the separation layer 15, is introduced into the reaction chamber 102 from the gas supply port, and a voltage is applied between the upper electrode and the lower electrode to generate plasma, thereby generating plasma. The separation layer 15 is formed by the active species generated together.

ここで、図3の(b)に示すように、排気孔109が、戴置台兼下部電極103に対して1mm以上、鉛直上方に位置するように配置されている。なお、排気孔109が、戴置台兼下部電極103に対して1mm以上、鉛直上方に位置するとは、排気孔109の鉛直最下部が、戴置台兼下部電極103の上面に対して1mm以上、鉛直上方に位置することを意味する。ここで、通常使用される支持体12の厚みは0.7mm程度である。このため、排気孔109を、戴置台兼下部電極103に対して1mm以上、鉛直上方に配置することによって、戴置台兼下部電極103に載置された支持体12の上面(分離層15を形成される表面)を、排気孔109(の最下部)より鉛直下方に位置するように維持することができる。   Here, as shown in FIG. 3B, the exhaust hole 109 is disposed so as to be positioned 1 mm or more vertically above the mounting table / lower electrode 103. Note that the exhaust hole 109 is located 1 mm or more vertically above the mounting table / lower electrode 103. The vertical lowest part of the exhaust hole 109 is 1 mm or more perpendicular to the upper surface of the mounting table / lower electrode 103. It means to be located above. Here, the thickness of the support 12 that is usually used is about 0.7 mm. For this reason, the upper surface of the support 12 placed on the mounting table / lower electrode 103 (the separation layer 15 is formed) by disposing the exhaust hole 109 vertically above the mounting table / lower electrode 103 by 1 mm or more. Can be maintained so as to be positioned vertically below the exhaust hole 109 (the lowermost part).

このように、排気孔109を戴置台兼下部電極103に対して1mm以上、鉛直上方に設置することで、被処理物である支持体15の上面(分離層15が形成される表面)は、排気孔109(の最下部)より鉛直下方に位置することになる。これによって、分離層形成工程中に排気孔109に吸い寄せられるプラズマが、支持体15の端部および端面に滞留することを抑制することができる。また、排気孔109に吸い寄せられたプラズマ中の活性種の固化物が、分離層15に沈着することを抑制することができる。   Thus, by installing the exhaust hole 109 vertically above the mounting table and lower electrode 103 by 1 mm or more, the upper surface of the support 15 that is the object to be processed (the surface on which the separation layer 15 is formed) It is located vertically below the exhaust hole 109 (the lowermost part). Accordingly, it is possible to suppress the plasma sucked into the exhaust hole 109 during the separation layer forming step from staying at the end portion and the end surface of the support 15. Moreover, it is possible to suppress the solidified product of active species in the plasma sucked into the exhaust hole 109 from being deposited on the separation layer 15.

これらの効果によって、分離層形成装置100によって形成される分離層15は、支持体12の端部から支持体12の中央部まで均一な厚みで形成されるようになり、さらに支持体12の端面における分離層15の形成も低減されるようになる。また、表面に微細な凹凸のない均質な分離層15が形成できるようになる。   Due to these effects, the separation layer 15 formed by the separation layer forming apparatus 100 is formed with a uniform thickness from the end of the support 12 to the center of the support 12, and the end surface of the support 12. The formation of the separation layer 15 is also reduced. In addition, a homogeneous separation layer 15 having no fine irregularities on the surface can be formed.

なお、分離層形成工程では、分離層15を形成する支持体12の表面より鉛直上方に排気孔109を配置することにより、均質な分離層15の形成を達成している。そのため、その応用において、さらに薄い支持体12またはその他の基材上に、分離層15またはその他の材料の堆積層を形成する場合には、戴置台兼下部電極103に対して1mmより低い位置に排気孔109を配置しても、支持体12またはその他の基材の表面が排気孔109より鉛直下方に位置するならば、本発明の効果を生じ得ることは考慮されるべきである。   In the separation layer forming step, the uniform formation of the separation layer 15 is achieved by disposing the exhaust holes 109 vertically above the surface of the support 12 on which the separation layer 15 is formed. Therefore, in the application, when forming the separation layer 15 or a deposition layer of other materials on the thinner support 12 or other base material, the position is lower than 1 mm with respect to the mounting table / lower electrode 103. It should be considered that even if the exhaust hole 109 is arranged, the effect of the present invention can be produced if the surface of the support 12 or other base material is located vertically below the exhaust hole 109.

また、一実施形態において、反応室102の内壁(排気リング104の内壁)における排気孔109の鉛直下方には、絶縁リング(絶縁部材:図示しない。)を設けることもできる。絶縁リングは、反応室102の内壁が金属により構成されている場合、プラズマが反応室102の内壁周辺に集中することを防止することができる。これにより、より均質な分離層15を形成することができる。但し、絶縁リングを設けなくともよい。   In one embodiment, an insulating ring (insulating member: not shown) may be provided vertically below the exhaust hole 109 in the inner wall of the reaction chamber 102 (inner wall of the exhaust ring 104). The insulating ring can prevent the plasma from concentrating around the inner wall of the reaction chamber 102 when the inner wall of the reaction chamber 102 is made of metal. Thereby, a more uniform separation layer 15 can be formed. However, it is not necessary to provide an insulating ring.

また、排気孔109と支持体12との水平方向の距離は、1mm以上であることが好ましい。排気孔109と支持体12との水平方向に距離を1mm以上にすることでも、上記反応室内の気流は制御され、均質な分離層15を形成しやすくなるからである。そのため、排気孔109は、載置台兼下部電極103の端面よりも、1mm以上外側に位置していることが好ましい。これにより、支持体12に対して排気孔109の位置を確実に水平方向へ1mm以上離すことができる。   In addition, the horizontal distance between the exhaust hole 109 and the support 12 is preferably 1 mm or more. This is because even when the distance between the exhaust hole 109 and the support 12 is set to 1 mm or more in the horizontal direction, the air flow in the reaction chamber is controlled and the homogeneous separation layer 15 is easily formed. Therefore, it is preferable that the exhaust hole 109 is located outside by 1 mm or more from the end surface of the mounting table / lower electrode 103. Thereby, the position of the exhaust hole 109 can be reliably separated from the support 12 by 1 mm or more in the horizontal direction.

反応ガスは、形成する分離層15に応じて適宜選択すればよいが、例えば、一実施形態において、フッ化炭素ガスおよび炭化水素ガスの少なくとも何れかを含有するガスを用いることができる。フッ化炭素ガスおよび炭化水素ガスの少なくとも何れかを反応ガスとしてプラズマCVD法を実行することにより、分離層15を好適に形成することができる。   The reaction gas may be appropriately selected according to the separation layer 15 to be formed. For example, in one embodiment, a gas containing at least one of a fluorocarbon gas and a hydrocarbon gas can be used. By performing the plasma CVD method using at least one of a fluorocarbon gas and a hydrocarbon gas as a reaction gas, the separation layer 15 can be suitably formed.

フッ化炭素ガスの例示としては、CxFyおよびCxHyFzが挙げられ(x、yおよびzは自然数)、より詳細には、CHF、CH、C、C、C、C等が例示されるが、これらに限定されない。また、炭化水素ガスの例示としては、CH等のアルカン類、エチレン等のアルケン類、及びアセチレン等のアルキン類が挙げられる。 Examples of the fluorocarbon gas include CxFy and CxHyFz (x, y and z are natural numbers), and more specifically, CHF 3 , CH 2 F 2 , C 2 H 2 F 2 , C 4 F 8 , C 2 F 6 , C 5 F 8 and the like are exemplified, but not limited thereto. Examples of the hydrocarbon gas include alkanes such as CH 4 , alkenes such as ethylene, and alkynes such as acetylene.

また、反応ガスに、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、アルカン、アルケン、アルキンなどの炭化水素ガス、フッ化炭素ガス、水素、酸素等の添加ガスを1種類以上添加してもよい。添加ガスの添加量は特に限定されないが、例えば、水素を添加する場合には、これに限定されるものではないが、ガス全体に対して5%以上、20%以下の割合で添加することが好ましい。また、酸素は、これに限定されるものではないが、極めて微量を添加するか、または添加しないことが好ましい。   One or more kinds of inert gases such as nitrogen, helium and argon, hydrocarbon gases such as alkanes, alkenes and alkynes, fluorocarbon gases, hydrogen and oxygen may be added to the reaction gas. The addition amount of the additive gas is not particularly limited. For example, when hydrogen is added, it is not limited to this, but it may be added at a rate of 5% or more and 20% or less with respect to the entire gas. preferable. Further, oxygen is not limited to this, but it is preferable to add a very small amount or not.

なお、反応ガスは、フッ化炭素ガスを主成分としてもよく、この場合、添加ガスとして炭化水素ガスを含有させてもよい。原料ガス全体に対する添加ガスの含有量は、例えば、5%以上、20%以下とすることが好ましい。また逆に、反応ガスが、炭化水素ガスを主成分としている場合は、添加ガスとしてフッ化炭素ガスを含有させることが好ましい。なお、主成分とは、反応室102に供給するガス中において最も含有量(体積%)が多いガスを意味する。また、不活性ガスを適量添加することにより、反応ガスを好適に攪拌して、分離層15を均一に成膜することもできる。   The reaction gas may contain a fluorocarbon gas as a main component. In this case, a hydrocarbon gas may be contained as an additive gas. The content of the additive gas with respect to the entire raw material gas is preferably 5% or more and 20% or less, for example. Conversely, when the reaction gas is mainly composed of a hydrocarbon gas, it is preferable to contain a fluorocarbon gas as an additive gas. Note that the main component means a gas having the largest content (volume%) in the gas supplied to the reaction chamber 102. Further, by adding an appropriate amount of an inert gas, the reaction gas can be suitably stirred to form the separation layer 15 uniformly.

反応ガスの流量および反応室102内の圧力は、特に限定されず、種々の条件に設定すればよい。なお、反応ガスは、天板108に設けられたガス供給口から供給されるとともに、排気孔109からポンプ等によって排気されることが好ましい。   The flow rate of the reaction gas and the pressure in the reaction chamber 102 are not particularly limited, and may be set to various conditions. The reaction gas is preferably supplied from a gas supply port provided in the top plate 108 and exhausted from the exhaust hole 109 by a pump or the like.

プラズマCVD法実行時の反応室102内の目標温度は、特に限定されず、公知の温度を用いることができるが、100℃以上、300℃以下の範囲であることがより好ましく、200℃以上、250℃以下の範囲であることが特に好ましい。反応室102内の温度を、このような範囲に設定することにより、プラズマCVD法を好適に実行することができる。   The target temperature in the reaction chamber 102 at the time of performing the plasma CVD method is not particularly limited, and a known temperature can be used, but it is more preferably in a range of 100 ° C. or more and 300 ° C. or less, 200 ° C. or more, A range of 250 ° C. or lower is particularly preferable. By setting the temperature in the reaction chamber 102 in such a range, the plasma CVD method can be suitably executed.

また、石英チャンバー上部106に設けられた上部電極に印加する高周波電力は、これに限定するものではないが、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定することが好ましい。容量結合主体のプラズマ(Eモードプラズマ)は、一般にプラズマ密度が低い場合に発生し、誘導結合主体のプラズマ(Hモードプラズマ)は、一般にプラズマ密度が高い場合に発生する。EモードからHモードへの遷移は誘電電界に依存し、誘電電界がある値以上になると容量結合から誘導結合へ切り替る。この現象は一般に「モードジャンプ」または「密度ジャンプ」と呼ばれている。すなわち、モードジャンプを起こす電力以下で生じているプラズマがEモードプラズマであり、モードジャンプを起こす電力より大きい電力で生じているプラズマがHモードプラズマである(例えば、特許3852655号、特許4272654号等を参照のこと)。これにより、高品質な分離層15を形成することができる。   The high frequency power applied to the upper electrode provided in the quartz chamber upper portion 106 is not limited to this, but is preferably set to be larger than the power causing the mode jump. In general, capacitively coupled plasma (E-mode plasma) is generated when the plasma density is low, and inductively coupled plasma (H-mode plasma) is generally generated when the plasma density is high. The transition from the E mode to the H mode depends on the dielectric electric field, and when the dielectric electric field exceeds a certain value, the capacitive coupling is switched to the inductive coupling. This phenomenon is generally called “mode jump” or “density jump”. That is, plasma generated at a power lower than that causing mode jump is E-mode plasma, and plasma generated at a power higher than power causing mode jump is H-mode plasma (for example, Japanese Patent No. 3852655, Japanese Patent No. 4272654, etc.) checking). Thereby, a high-quality separation layer 15 can be formed.

〔接着層形成工程〕
本実施形態に係る積層体の製造方法における接着層形成工程は、基板11上に接着層13を形成する工程である。
[Adhesive layer forming step]
The adhesive layer forming step in the laminate manufacturing method according to the present embodiment is a step of forming the adhesive layer 13 on the substrate 11.

(基板)
基板11は、支持体12に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供されるものである。本実施形態では基板11はウエハであるが、本発明に係る積層体が備える基板は、ウエハに限定されず、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を採用することができる。また、基板11における接着層13側の面には、電気回路等の電子素子の微細構造が形成されていてもよい。
(substrate)
The substrate 11 is subjected to processes such as thinning and mounting while being supported by the support 12. In the present embodiment, the substrate 11 is a wafer, but the substrate included in the laminate according to the present invention is not limited to a wafer, and any substrate such as a thin film substrate or a flexible substrate can be employed. Further, a fine structure of an electronic element such as an electric circuit may be formed on the surface of the substrate 11 on the adhesive layer 13 side.

(接着層)
接着層13は、基板11をサポートプレート12に接着固定すると同時に、基板11の表面を覆って保護する構成である。よって、接着層は、基板11の加工または搬送の際に、サポートプレート12に対する基板11の固定、および基板11の保護すべき面の被覆を維持する接着性および強度を有している必要がある。一方で、サポートプレート12に対する基板11の固定が不要になったときに、基板11から容易に剥離または除去され得る必要がある。
(Adhesive layer)
The adhesive layer 13 is configured to cover and protect the surface of the substrate 11 at the same time as the substrate 11 is adhesively fixed to the support plate 12. Therefore, the adhesive layer needs to have adhesiveness and strength for maintaining the substrate 11 fixed to the support plate 12 and covering the surface to be protected of the substrate 11 when the substrate 11 is processed or transported. . On the other hand, when it becomes unnecessary to fix the substrate 11 to the support plate 12, it needs to be easily peeled or removed from the substrate 11.

したがって、接着層13は、通常は強固な接着性を有しており、何らかの処理によって接着性が低下するか、または特定の溶剤に対する可溶性を有する接着剤によって構成される。接着層13の厚さは、例えば、1〜200μmであることがより好ましく、10〜150μmであることがさらに好ましい。接着層13は、以下に示すような接着材料を、スピン塗布のような従来公知の方法により基板11上に塗布することによって、形成することができる。   Therefore, the adhesive layer 13 usually has strong adhesiveness, and the adhesive layer 13 is constituted by an adhesive whose adhesiveness is lowered by some treatment or has solubility in a specific solvent. The thickness of the adhesive layer 13 is more preferably, for example, 1 to 200 μm, and further preferably 10 to 150 μm. The adhesive layer 13 can be formed by applying an adhesive material as described below onto the substrate 11 by a conventionally known method such as spin coating.

接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキサン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が、本実施形態に係る接着層13を構成する接着剤として使用可能である。以下では、本実施の形態における接着層13が含有する樹脂の組成について説明する。   As the adhesive, for example, various adhesives known in the art such as acrylic, novolak, naphthoxan, hydrocarbon, polyimide, and elastomer are adhesives that constitute the adhesive layer 13 according to the present embodiment. It can be used. Below, the composition of resin which the contact bonding layer 13 in this Embodiment contains is demonstrated.

接着層13が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、またはこれらを組み合わせたものなどが挙げられる。   The resin contained in the adhesive layer 13 is not particularly limited as long as it has adhesiveness, and examples thereof include hydrocarbon resins, acrylic-styrene resins, maleimide resins, elastomer resins, and combinations thereof. It is done.

(炭化水素樹脂)
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー(以下、「樹脂(A)」ということがある)、ならびに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂(以下、「樹脂(B)」ということがある)等が挙げられるが、これに限定されない。
(Hydrocarbon resin)
The hydrocarbon resin is a resin that has a hydrocarbon skeleton and is obtained by polymerizing a monomer composition. As the hydrocarbon resin, a cycloolefin polymer (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and at least one resin selected from the group consisting of a terpene resin, a rosin resin and a petroleum resin (hereinafter referred to as “the resin (A)”). Resin (B) ”), and the like, but is not limited thereto.

樹脂(A)としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環(共)重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加(共)重合させた樹脂などが挙げられる。   The resin (A) may be a resin obtained by polymerizing a monomer component containing a cycloolefin monomer. Specific examples include a ring-opening (co) polymer of a monomer component containing a cycloolefin monomer, and a resin obtained by addition (co) polymerization of a monomer component containing a cycloolefin monomer.

樹脂(A)を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)置換体、アルケニル(ビニルなど)置換体、アルキリデン(エチリデンなど)置換体、アリール(フェニル、トリル、ナフチルなど)置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。   Examples of the cycloolefin monomer contained in the monomer component constituting the resin (A) include bicyclic compounds such as norbornene and norbornadiene, tricyclic compounds such as dicyclopentadiene and dihydroxypentadiene, and tetracyclododecene. Tetracycles, pentacycles such as cyclopentadiene trimer, heptacycles such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) substituted polyalkenyls, alkenyl (vinyl, etc.) Examples include substituted, alkylidene (such as ethylidene) substituted, aryl (such as phenyl, tolyl, naphthyl) substituted, and the like. Among these, norbornene-based monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl-substituted products thereof are preferable.

樹脂(A)を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、α−オレフィンなどが挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。   The monomer component constituting the resin (A) may contain another monomer copolymerizable with the above-described cycloolefin-based monomer, and preferably contains, for example, an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, and α-olefin. The alkene monomer may be linear or branched.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性(低い熱分解、熱重量減少性)の観点から好ましい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、5モル%以上であることが好ましく、10モル%以上であることがより好ましく、20モル%以上であることがさらに好ましい。また、樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性および溶液での経時安定性の観点からは80モル%以下であることが好ましく、70モル%以下であることがより好ましい。   Moreover, it is preferable from a viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition and thermal weight reduction property) to contain a cycloolefin monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and further preferably 20 mol% or more. preferable. Further, the ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability over time in a solution, More preferably, it is 70 mol% or less.

また、樹脂(A)を構成する単量体成分として、直鎖状または分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂(A)を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性および柔軟性の観点からは10〜90モル%であることが好ましく、20〜85モル%であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましい。   Moreover, you may contain a linear or branched alkene monomer as a monomer component which comprises resin (A). The ratio of the alkene monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility. 30 to 80 mol% is more preferable.

なお、樹脂(A)は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制するうえで好ましい。   The resin (A) is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer, at high temperatures. It is preferable for suppressing generation of gas.

単量体成分を重合する際の重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。   The polymerization method and polymerization conditions for polymerizing the monomer components are not particularly limited and may be appropriately set according to a conventional method.

樹脂(A)として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS」、三井化学株式会社製の「APEL」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR」および「ZEONEX」、JSR株式会社製の「ARTON」などが挙げられる。   Examples of commercially available products that can be used as the resin (A) include “TOPAS” manufactured by Polyplastics Co., Ltd., “APEL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., “ZEONOR” and “ZEONEX” manufactured by Zeon Corporation. And “ARTON” manufactured by JSR Corporation.

樹脂(A)のガラス転移点(Tg)は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることが特に好ましい。樹脂(A)のガラス転移点が60℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層の軟化をさらに抑制することができる。   The glass transition point (Tg) of the resin (A) is preferably 60 ° C. or higher, and particularly preferably 70 ° C. or higher. When the glass transition point of the resin (A) is 60 ° C. or higher, softening of the adhesive layer can be further suppressed when the laminate is exposed to a high temperature environment.

樹脂(B)は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族または芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。   The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of terpene resins, rosin resins and petroleum resins. Specifically, examples of the terpene resin include terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, hydrogenated terpene phenol resins, and the like. Examples of the rosin resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. Examples of petroleum resins include aliphatic or aromatic petroleum resins, hydrogenated petroleum resins, modified petroleum resins, alicyclic petroleum resins, coumarone-indene petroleum resins, and the like. Among these, hydrogenated terpene resins and hydrogenated petroleum resins are more preferable.

樹脂(B)の軟化点は特に限定されないが、80〜160℃であることが好ましい。樹脂(B)の軟化点が80℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層が軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂(B)の軟化点が160℃以下であると、積層体を剥離する際の剥離速度が良好なものとなる。   Although the softening point of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 80-160 degreeC. When the softening point of the resin (B) is 80 ° C. or higher, the adhesive layer can be prevented from being softened when the laminate is exposed to a high temperature environment, and adhesion failure does not occur. On the other hand, when the softening point of the resin (B) is 160 ° C. or less, the peeling rate when peeling the laminate is good.

樹脂(B)の分子量は特に限定されないが、300〜3000であることが好ましい。樹脂(B)の分子量が300以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂(B)の分子量が3000以下であると、積層体を剥離する際の剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂(B)の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。   Although the molecular weight of resin (B) is not specifically limited, It is preferable that it is 300-3000. When the molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance is sufficient, and the degassing amount is reduced under a high temperature environment. On the other hand, when the molecular weight of the resin (B) is 3000 or less, the peeling rate when peeling the laminate is good. In addition, the molecular weight of resin (B) in this embodiment means the molecular weight of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).

なお、樹脂として、樹脂(A)と樹脂(B)とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性および剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂(A)と樹脂(B)との混合割合としては、(A):(B)=80:20〜55:45(質量比)であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、および柔軟性に優れるので好ましい。   In addition, you may use what mixed resin (A) and resin (B) as resin. By mixing, heat resistance and peeling speed are improved. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is (A) :( B) = 80: 20 to 55:45 (mass ratio). It is preferable because of excellent resistance and flexibility.

(アクリル−スチレン系樹脂)
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレンまたはスチレンの誘導体と、(メタ)アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
(Acrylic-styrene resin)
Examples of the acryl-styrene resin include a resin obtained by polymerization using styrene or a styrene derivative and (meth) acrylic acid ester as monomers.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数15〜20のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がn−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコシル基等であるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。   Examples of the (meth) acrylic acid ester include a (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure, a (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and a (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring. . Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having 15 to 20 carbon atoms and an acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms. . As acrylic long-chain alkyl esters, acrylic or methacrylic acid whose alkyl group is n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group, etc. Examples include alkyl esters. The alkyl group may be branched.

炭素数1〜14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。   Examples of the acrylic alkyl ester having an alkyl group having 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in existing acrylic adhesives. For example, an alkyl group of acrylic acid or methacrylic acid in which the alkyl group is a methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, 2-ethylhexyl group, isooctyl group, isononyl group, isodecyl group, dodecyl group, lauryl group, tridecyl group, etc. Examples include esters.

脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、テトラシクロドデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートがより好ましい。   Examples of (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl. (Meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and the like can be mentioned, and isobornyl methacrylate and dicyclopentanyl (meth) acrylate are more preferable.

芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数1〜5の鎖状または分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。   The (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring is not particularly limited. Examples of the aromatic ring include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. A phenoxymethyl group, a phenoxyethyl group, and the like. The aromatic ring may have a chain or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.

(マレイミド系樹脂)
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−n−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−n−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−sec−ブチルマレイミド、N−t−ブチルマレイミド、N−n−ペンチルマレイミド、N−n−ヘキシルマレイミド、N−n−へプチルマレイミド、N−n−オクチルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−ステアリルマレイミドなどのアルキル基を有するマレイミド、N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−m−メチルフェニルマレイミド、N−o−メチルフェニルマレイミド、N−p−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
(Maleimide resin)
Examples of maleimide resins include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, Nn-butylmaleimide, N-isobutylmaleimide, N-sec as monomers. -Butylmaleimide, Nt-butylmaleimide, Nn-pentylmaleimide, Nn-hexylmaleimide, Nn-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-stearylmaleimide, etc. Maleimide having an aliphatic hydrocarbon group such as maleimide having an alkyl group, N-cyclopropylmaleimide, N-cyclobutylmaleimide, N-cyclopentylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-cycloheptylmaleimide, N-cyclooctylmaleimide, etc. N- phenylmaleimide, N-m-methylphenyl maleimide, N-o-methylphenyl maleimide, N-p-methyl resin obtained by polymerizing an aromatic maleimides such as having an aryl group of phenyl maleimide, and the like.

例えば、下記化学式(17)で表される繰り返し単位および下記化学式(18)で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。   For example, a cycloolefin copolymer, which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (17) and a repeating unit represented by the following chemical formula (18), can be used as the adhesive component resin.

Figure 0006022878
Figure 0006022878

(化学式(18)中、nは0または1〜3の整数である。)
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、APL 8008T、APL 8009T、およびAPL 6013T(全て三井化学株式会社製)などを使用できる。
(In chemical formula (18), n is 0 or an integer of 1-3.)
As such cycloolefin copolymer, APL 8008T, APL 8009T, APL 6013T (all manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and the like can be used.

なお、光硬化性樹脂(例えば、UV硬化性樹脂)以外の樹脂を用いて接着層13を形成することが好ましい。これは、光硬化性樹脂が、接着層13の剥離または除去の後に、基板11の微小な凹凸の周辺に残渣として残ってしまう場合があり得るからである。特に、特定の溶剤に溶解する接着剤が接着層13を構成する材料として好ましい。これは、基板11に物理的な力を加えることなく、接着層13を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層13の除去に際して、強度が低下した基板11からでさえ、基板11を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層13を除去することができる。   Note that the adhesive layer 13 is preferably formed using a resin other than a photocurable resin (for example, a UV curable resin). This is because the photocurable resin may remain as a residue around the minute irregularities of the substrate 11 after the adhesive layer 13 is peeled or removed. In particular, an adhesive that dissolves in a specific solvent is preferable as a material constituting the adhesive layer 13. This is because the adhesive layer 13 can be removed by dissolving it in a solvent without applying physical force to the substrate 11. Even when the adhesive layer 13 is removed, the adhesive layer 13 can be easily removed without damaging or deforming the substrate 11 even from the substrate 11 having a reduced strength.

上述した分離層、接着層を形成する際の希釈溶剤として、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数3から15の分岐状の炭化水素、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、d−リモネン、l−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。   As a diluting solvent for forming the separation layer and the adhesive layer described above, for example, hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, tridecane and the like linear hydrocarbons, carbon number 3 to 15 Branched hydrocarbons of the following: p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpine, 1,8-terpin, bornane, norbornane, pinane, tsujang, kalan, longifolene, geraniol, nerol, Linalool, citral, citronellol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineole, 1,8-cineole, Borneo Terpene solvents such as ru, carvone, ionone, thuyon, camphor, d-limonene, l-limonene, dipentene; lactones such as γ-butyrolactone; acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl Ketones such as isopentyl ketone and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate or dipropylene glycol monoacetate A compound having an ester bond such as a monomethyl ether, a monoethyl ether, a monopro of the polyhydric alcohol or the compound having an ester bond. Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having an ether bond such as monoalkyl ether such as pill ether and monobutyl ether or monophenyl ether (in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME ); Preferably cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methoxybutyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, Esters such as ethyl ethoxypropionate; fragrances such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether It can be exemplified system organic solvent.

(エラストマー)
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましい。接着剤として用いるエラストマーは、当該スチレン単位の含有量が14重量%以上、50重量%以下の範囲であることが好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であることが好ましい。
(Elastomer)
The elastomer preferably contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain. The elastomer used as the adhesive preferably has a styrene unit content in the range of 14% by weight to 50% by weight. Furthermore, the elastomer preferably has a weight average molecular weight in the range of 10,000 to 200,000.

エラストマーとしては、例えば、ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロックコポリマー(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー(SIS)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー(SBS)、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SBBS)、エチレン−プロピレンターポリマー(EPT)、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SEBS)、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー)(SEPS)、および、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SEEPS)等が挙げられる。   Examples of the elastomer include polystyrene-poly (ethylene / propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), and styrene-butadiene-butylene-styrene block. Copolymer (SBBS), ethylene-propylene terpolymer (EPT), hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) ) (SEPS) and styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS).

(その他の成分)
接着材料には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、酸化防止剤および界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
(Other ingredients)
The adhesive material may further contain other miscible substances as long as the essential characteristics of the present invention are not impaired. For example, various conventional additives such as additional resins, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, antioxidants and surfactants for improving the performance of the adhesive can be further used. .

〔積層工程〕
積層工程とは、基板11と支持体12を、基板11と支持体12との間に分離層15を備えるように接着層13を介して積層する工程をいう。
[Lamination process]
A lamination process means the process of laminating | stacking the board | substrate 11 and the support body 12 through the contact bonding layer 13 so that the separation layer 15 may be provided between the board | substrate 11 and the support body 12. FIG.

積層工程の具体的な方法としては、図1に示すように、基板11上の接着層13が形成された面と支持体12の分離層15が形成された面とを貼り合わせ、真空下でベークし圧着することで積層する工程が挙げられる。   As a specific method of the laminating process, as shown in FIG. 1, the surface of the substrate 11 on which the adhesive layer 13 is formed and the surface of the support 12 on which the separation layer 15 is formed are bonded together under vacuum. The process of laminating | stacking by baking and crimping | bonding is mentioned.

なお、本発明に係る積層体は、基板と支持体を、基板と支持体との間に分離層を備えるように接着層を介して積層されており、かつ上記支持体における少なくとも分離層が設けられる表面が、表面処理工程によって疎水性化されていれば、特に工程の順序は限定されない。   In the laminate according to the present invention, the substrate and the support are laminated via an adhesive layer so that a separation layer is provided between the substrate and the support, and at least the separation layer in the support is provided. The order of the steps is not particularly limited as long as the surface to be formed is made hydrophobic by the surface treatment step.

以上により,本実施形態に係る積層体1を製造することができる。積層体1は、(i)表面が親水性の支持体12における少なくとも分離層15が設けられる表面が疎水化されている(当該表面に表面処理膜14が設けられている)ことによって、支持体12と分離層15との親和性が向上しており、また、(ii)排気孔を有する反応室内において、支持体12が当該排気孔よりも鉛直下方に位置した状態で、プラズマCVD法により支持体12上に分離層15を形成されていることによって、表面に微細な凹凸のない均質で薄い分離層15を形成することができる。これにより、薬品耐性の向上した積層体1を提供することができる。   As described above, the laminate 1 according to this embodiment can be manufactured. The laminate 1 has a support body (i) in which at least the surface on which the separation layer 15 is provided in the support body 12 having a hydrophilic surface is hydrophobized (the surface treatment film 14 is provided on the surface). 12 and the separation layer 15 are improved, and (ii) in a reaction chamber having exhaust holes, the support 12 is supported by the plasma CVD method in a state vertically below the exhaust holes. By forming the separation layer 15 on the body 12, it is possible to form a uniform and thin separation layer 15 without fine irregularities on the surface. Thereby, the laminated body 1 with improved chemical resistance can be provided.

また、分離層15を成膜した支持体12がカセットに保存される場合、支持体12の端面に形成された分離層15が、カセットを汚染するという問題も、本実施形態に係る積層体では解消することができる。   In addition, when the support 12 on which the separation layer 15 is formed is stored in the cassette, the problem that the separation layer 15 formed on the end surface of the support 12 contaminates the cassette is also a problem with the laminate according to this embodiment. Can be resolved.

なお、本実施形態に係る積層体は、上記(i)および(ii)の両方の構成を備えていることが好ましいが、何れか一方のみを備えるものであってもよい。また、本実施形態に係る積層体の製造方法は、(iii)表面が親水性の支持体12における少なくとも分離層15が設けられる表面を疎水化する工程、および、(iv)排気孔を有する反応室内において、支持体12が当該排気孔よりも鉛直下方に位置した状態で、プラズマCVD法により支持体12上に分離層15を形成する工程の両方を包含していることが好ましいが、何れか一方のみを包含するものであってもよい。   In addition, although it is preferable that the laminated body which concerns on this embodiment is equipped with both the structures of said (i) and (ii), it may be provided only with either one. Moreover, the manufacturing method of the laminated body which concerns on this embodiment is (iii) the process of hydrophobizing the surface in which the separation layer 15 is provided in the support body 12 where the surface is hydrophilic, and (iv) the reaction which has an exhaust hole. It is preferable to include both of the steps of forming the separation layer 15 on the support 12 by the plasma CVD method with the support 12 positioned vertically below the exhaust hole in the room. It may include only one of them.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

〔実施例1〕
表面処理工程のためのシリル化剤としてヘキサメチルジシラン(HMDS)を用い、これをレジスト塗布装置SK−W80A(大日本スクリーン製造社製)のHMDS処理ユニットにセットし、80℃−10分間のベーパー加熱条件で、支持体(12インチガラス基板、厚さ700μm)の表面処理を行った(表面処理工程)。
[Example 1]
Hexamethyldisilane (HMDS) is used as a silylating agent for the surface treatment process, and this is set in a HMDS treatment unit of a resist coating apparatus SK-W80A (manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.), and a vapor at 80 ° C. for 10 minutes. Surface treatment of the support (12-inch glass substrate, thickness 700 μm) was performed under heating conditions (surface treatment step).

上記支持体の表面処理した面より、鉛直上方に16.5mm、水平方向に8.0mm離れるように、排気孔の位置が設定されたCVD装置の反応室内に、上記表面処理した支持体を設置した。   The surface-treated support is installed in the reaction chamber of the CVD apparatus in which the position of the exhaust hole is set so that the surface of the support is 16.5 mm vertically upward and 8.0 mm horizontally. did.

流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2800Wおよび成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ0.5μm)を上記支持体の表面処理をした面の上に形成した(分離層形成工程)。 Under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 700 mTorr, a high frequency power of 2800 W, and a film forming temperature of 240 ° C., the above-described fluorocarbon film (thickness 0.5 μm) as a separation layer is supported by the CVD method using C 4 F 8 as a reaction gas It formed on the surface which surface-treated the body (separation layer formation process).

つぎに、725μmの厚さの半導体ウエハ(12インチシリコンウエハ)基板上に、ベーク後に50μmの厚さになる量の炭化水素系の接着剤組成物「TZNR-A3007」(東京応化工業株式会社製)を塗布した。そして、90℃,160℃および220℃のそれぞれにおいて、段階的に15分間ずつベークして半導体ウエハ基板上に接着層を形成した(接着層形成工程)。そして、真空下220℃、4000Kgの条件で3分間、分離層を形成した支持体と貼り合せを行い積層体とした(積層工程)。   Next, a hydrocarbon-based adhesive composition “TZNR-A3007” (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) in an amount that becomes a thickness of 50 μm after baking on a 725 μm-thick semiconductor wafer (12-inch silicon wafer) substrate. ) Was applied. Then, each of 90 ° C., 160 ° C. and 220 ° C. was baked stepwise for 15 minutes to form an adhesive layer on the semiconductor wafer substrate (adhesive layer forming step). And it laminated | stacked with the support body which formed the separation layer for 3 minutes on 220 degreeC and 4000 kg conditions under vacuum, and was set as the laminated body (lamination process).

(薬品耐性評価)
ウエハを40μmまで研削して、剥離液としてNMP(N−メチル−2−ピロリドン)を用いた薬品耐性評価を行った。60℃に加温したNMPに上記積層体を10分間浸漬した後、目視による外観検査、並びに顕微鏡によるガラス側、基板側からのエッジ部の観察、によって剥がれ等の不具合がないか評価した。
(Chemical resistance evaluation)
The wafer was ground to 40 μm, and chemical resistance was evaluated using NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) as a stripping solution. After immersing the above laminate for 10 minutes in NMP heated to 60 ° C., it was evaluated whether there was a defect such as peeling by visual inspection and observation of the edge portion from the glass side and the substrate side by a microscope.

(加熱処理評価)
上述した薬品耐性評価後の積層体を、それぞれ、260℃のN環境下で30分間、加熱処理を行なった。その後、目視による外観検査、並びに顕微鏡によるガラス側、基板側からのエッジ部の観察によって、剥がれ等の不具合がないか評価した。
(Evaluation of heat treatment)
Each of the laminated bodies after the chemical resistance evaluation described above was subjected to heat treatment for 30 minutes in an N 2 environment at 260 ° C. Then, it was evaluated whether there was any defect such as peeling by visual inspection and observation of the edge portion from the glass side and the substrate side with a microscope.

実施例1の積層体では、薬品耐性評価および加熱処理評価ともに問題ない結果となった。   In the laminated body of Example 1, both the chemical resistance evaluation and the heat treatment evaluation were satisfactory.

〔実施例2〕
表面処理工程のためのポリマーコーティングとして、COUT200(エポキシ系ポリマーコーティング、東京応化工業株式会社製)を、支持体上に塗布し、240℃で60秒間のベーク処理を行い、乾燥することにより、厚さ220nmの表面処理膜を形成した。
[Example 2]
As a polymer coating for the surface treatment process, COUT200 (epoxy polymer coating, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on a support, baked at 240 ° C. for 60 seconds, and then dried. A surface treatment film having a thickness of 220 nm was formed.

上記支持体の表面処理した面より、鉛直上方に16.5mm、水平方向に8.0mm離れるように、排気孔の位置が設定されたCVD装置の反応室内に、上記表面処理した支持体を設置した。   The surface-treated support is installed in the reaction chamber of the CVD apparatus in which the position of the exhaust hole is set so that the surface of the support is 16.5 mm vertically upward and 8.0 mm horizontally. did.

流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2800Wおよび成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ0.5μm)を上記支持体の表面処理をした面の上に形成した(分離層形成工程)。 Under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 700 mTorr, a high frequency power of 2800 W, and a film forming temperature of 240 ° C., the above-described fluorocarbon film (thickness 0.5 μm) as a separation layer is supported by the CVD method using C 4 F 8 as a reaction gas It formed on the surface which surface-treated the body (separation layer formation process).

つぎに、725μmの厚さの半導体ウエハ基板上に、ベーク後に50μmの厚さになる量の炭化水素系の接着剤組成物「TZNR-A3007」(東京応化工業株式会社製)を塗布した。そして、90℃,160℃および220℃のそれぞれにおいて、段階的に15分間ずつベークして半導体ウエハ基板上に接着層を形成した(接着層形成工程)。そして、真空下220℃、4000Kgの条件で3分間、分離層を形成した支持体と貼り合せを行い積層体とした(積層工程)。   Next, a hydrocarbon-based adhesive composition “TZNR-A3007” (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on a semiconductor wafer substrate having a thickness of 725 μm so as to have a thickness of 50 μm after baking. Then, each of 90 ° C., 160 ° C. and 220 ° C. was baked stepwise for 15 minutes to form an adhesive layer on the semiconductor wafer substrate (adhesive layer forming step). And it laminated | stacked with the support body which formed the separation layer for 3 minutes on 220 degreeC and 4000 kg conditions under vacuum, and was set as the laminated body (lamination process).

(薬品耐性評価)
ウエハを40μmまで研削して、剥離液としてNMP(N−メチル−2−ピロリドン)を用いた薬品耐性評価を行った。60℃に加温したNMPに上記積層体を10分間浸漬した後、目視による外観検査、並びに顕微鏡によるガラス側、基板側からのエッジ部の観察、によって剥がれ等の不具合がないか評価した。
(Chemical resistance evaluation)
The wafer was ground to 40 μm, and chemical resistance was evaluated using NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) as a stripping solution. After immersing the above laminate for 10 minutes in NMP heated to 60 ° C., it was evaluated whether there was a defect such as peeling by visual inspection and observation of the edge portion from the glass side and the substrate side by a microscope.

(加熱処理評価)
上述した薬品耐性評価後の積層体を、それぞれ、260℃のN環境下で30分間、加熱処理を行なった。その後、目視による外観検査、並びに顕微鏡によるガラス側、基板側からのエッジ部の観察、によって剥がれ等の不具合がないか評価した。
(Evaluation of heat treatment)
Each of the laminated bodies after the chemical resistance evaluation described above was subjected to heat treatment for 30 minutes in an N 2 environment at 260 ° C. Then, it was evaluated for defects such as peeling by visual inspection and observation of the edge portion from the glass side and the substrate side with a microscope.

実施例2の積層体では、薬品耐性評価および加熱処理評価ともに問題ない結果となった。   In the laminate of Example 2, there was no problem in both chemical resistance evaluation and heat treatment evaluation.

本発明は、例えば、微細化された半導体装置の製造分野において好適に利用することができる。   The present invention can be suitably used, for example, in the field of manufacturing miniaturized semiconductor devices.

1 積層体
2 積層体
11 基板
12 支持体
13 接着層
14 表面処理膜
15 分離層
100 分離層形成装置
101 ベース
102 反応室
103 戴置台兼下部電極(載置台)
104 排気リング
105 石英チャンバー胴部
106 石英チャンバー上部
108 天板
109 排気孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laminated body 2 Laminated body 11 Board | substrate 12 Support body 13 Adhesive layer 14 Surface treatment film 15 Separation layer 100 Separation layer formation apparatus 101 Base 102 Reaction chamber 103 Mounting stand and lower electrode (mounting stand)
104 Exhaust ring 105 Quartz chamber body 106 Quartz chamber upper part 108 Top plate 109 Exhaust hole

Claims (7)

基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層を備えた積層体の製造方法であって、
排気孔を有する反応室内において、上記支持体が上記排気孔よりも鉛直下方に位置した状態で、プラズマCVD法により該支持体上に上記分離層を形成する分離層形成工程を包含しており、
上記反応室は、全体としてベルジャー型であり、上記排気孔は、当該反応室の内壁を構成している排気リングに設けられており、当該反応室の内壁の天頂部にガス供給口が設けられていることを特徴とする積層体の製造方法。
A substrate, a light-transmitting support that supports the substrate, and a separation layer that is provided between the substrate and the support and changes quality by absorbing light irradiated through the support. A method for producing a laminate,
A separation layer forming step of forming the separation layer on the support by a plasma CVD method in a state where the support is positioned vertically below the exhaust hole in a reaction chamber having an exhaust hole ;
The reaction chamber is of a bell jar type as a whole, and the exhaust hole is provided in an exhaust ring constituting the inner wall of the reaction chamber, and a gas supply port is provided at the top of the inner wall of the reaction chamber. A method for producing a laminate, characterized by comprising:
上記反応室内には、上記支持体を載置するための載置台が設けられており、
上記排気孔は、該載置台に対して1mm以上、鉛直上方に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の積層体の製造方法。
In the reaction chamber, a mounting table for mounting the support is provided,
The method for manufacturing a laminate according to claim 1, wherein the exhaust hole is disposed vertically above the mounting table by 1 mm or more.
上記反応室の内壁における上記排気孔の鉛直下方に、絶縁部材が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の積層体の製造方法。   The method for manufacturing a laminate according to claim 1, wherein an insulating member is provided vertically below the exhaust hole in the inner wall of the reaction chamber. 上記排気孔と上記支持体との水平方向の距離が、1mm以上であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の積層体の製造方法。   The method for producing a laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein a distance in a horizontal direction between the exhaust hole and the support is 1 mm or more. 上記分離層形成工程では、炭化水素ガスおよびフッ化炭素ガスの少なくとも何れかを含有する反応ガスを用いたプラズマCVD法により、上記分離層を形成することを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の積層体の製造方法。   5. The method according to claim 1, wherein in the separation layer forming step, the separation layer is formed by a plasma CVD method using a reaction gas containing at least one of a hydrocarbon gas and a fluorocarbon gas. The manufacturing method of the laminated body as described in any one. 光透過性の支持体上に、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層をプラズマCVD法により形成する分離層形成装置であって、
排気孔を有する反応室と、
該反応室内において、該支持体を載置するための載置台と、を備えており、
該排気孔は、該載置台に対して1mm以上、鉛直上方に配置されており、
上記反応室は、全体としてベルジャー型であり、上記排気孔は、当該反応室の内壁を構成している排気リングに設けられており、当該反応室の内壁の天頂部にガス供給口が設けられていることを特徴とする分離層形成装置。
A separation layer forming apparatus for forming, on a light transmissive support, a separation layer that is altered by absorbing light irradiated through the support by a plasma CVD method,
A reaction chamber having an exhaust hole;
A mounting table for mounting the support in the reaction chamber,
The exhaust hole is arranged 1 mm or more vertically above the mounting table ,
The reaction chamber is of a bell jar type as a whole, and the exhaust hole is provided in an exhaust ring constituting the inner wall of the reaction chamber, and a gas supply port is provided at the top of the inner wall of the reaction chamber. An apparatus for forming a separation layer.
上記反応室の内壁における上記排気孔の鉛直下方に、絶縁部材がさらに設けられていることを特徴とする請求項6に記載の分離層形成装置。   The separation layer forming apparatus according to claim 6, wherein an insulating member is further provided vertically below the exhaust hole in the inner wall of the reaction chamber.
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