JP6018660B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device.
図１２には、表示装置用ドライバとしてＣＯＦ（Chip On Film）法を適用して作製された従来の半導体装置１００Ａの構成の一例が示されている。 FIG. 12 shows an example of the configuration of a conventional semiconductor device 100A manufactured by applying a COF (Chip On Film) method as a display device driver.
同図に示されるように、この半導体装置１００Ａは、ＩＣ（Integrated Circuit）チップとして構成された半導体素子１２と、基板として機能するフィルムにより構成された絶縁性フィルム１８とを有しており、半導体素子１２が絶縁性フィルム１８に搭載されることにより構成されている。 As shown in the figure, the semiconductor device 100A includes a semiconductor element 12 configured as an IC (Integrated Circuit) chip and an insulating film 18 configured by a film functioning as a substrate. The element 12 is configured by being mounted on the insulating film 18.
半導体素子１２には、各々予め定められた位置に配置された４つの抵抗器８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄが直列接続されて構成され、当該半導体素子１２から表示装置に対して出力する出力電圧の基準となるリファレンス電圧を生成する抵抗ラダー８０が備えられている。また、半導体素子１２には、当該半導体素子１２の第１の辺に沿って形成された５つの抵抗ラダー用電極８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，８２ｅが備えられている。更に、半導体素子１２には、抵抗ラダー用電極８２ａ及び抵抗ラダー用電極８２ｅと抵抗ラダー８０の上記直列接続の端部とを接続する半導体素子内部配線８６と、抵抗ラダー用電極８２ｂ〜８２ｄと抵抗ラダー８０の上記直列接続の中間接続部とを接続する半導体素子内部配線８８とが備えられている。なお、抵抗ラダー用電極８２ａの表面上にはＡｕ（金）バンプ８４ａが、抵抗ラダー用電極８２ｂの表面上にはＡｕバンプ８４ｂが、抵抗ラダー用電極８２ｃの表面上にはＡｕバンプ８４ｃが、抵抗ラダー用電極８２ｄの表面上にはＡｕバンプ８４ｄが、抵抗ラダー用電極８２ｅの表面上にはＡｕバンプ８４ｅが、各々設けられている。 The semiconductor element 12 includes four resistors 80 a, 80 b, 80 c, and 80 d arranged at predetermined positions, which are connected in series, and the output voltage output from the semiconductor element 12 to the display device. A resistor ladder 80 that generates a reference voltage serving as a reference is provided. The semiconductor element 12 includes five resistance ladder electrodes 82a, 82b, 82c, 82d, and 82e formed along the first side of the semiconductor element 12. Further, the semiconductor element 12 includes a resistance ladder electrode 82a, a resistance ladder electrode 82e, and the series connection end of the resistance ladder 80, the semiconductor element internal wiring 86, the resistance ladder electrodes 82b to 82d, and the resistance. A semiconductor element internal wiring 88 for connecting the ladder 80 with the intermediate connection portion connected in series is provided. The Au (gold) bump 84a is formed on the surface of the resistance ladder electrode 82a, the Au bump 84b is formed on the surface of the resistance ladder electrode 82b, and the Au bump 84c is formed on the surface of the resistance ladder electrode 82c. An Au bump 84d is provided on the surface of the resistance ladder electrode 82d, and an Au bump 84e is provided on the surface of the resistance ladder electrode 82e.
一方、絶縁性フィルム１８には、当該絶縁性フィルム１８の半導体素子１２が搭載されない非搭載領域に設けられ、外部接続用端子として機能する入力側アウターリード２２及び出力側アウターリード２４が備えられている。また、絶縁性フィルム１８には、絶縁性フィルム１８の半導体素子１２が搭載される搭載領域に形成され、対応する抵抗ラダー用電極８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，８２ｅに接続される抵抗ラダー用接続ノード２１ａと、上記非搭載領域から上記搭載領域にわたって形成され、入力側アウターリード２２と抵抗ラダー用接続ノード２１ａとを接続する抵抗ラダー用接続パターン２１とが備えられている。 On the other hand, the insulating film 18 is provided with an input-side outer lead 22 and an output-side outer lead 24 that are provided in a non-mounting region in which the semiconductor element 12 of the insulating film 18 is not mounted and function as external connection terminals. Yes. Further, the insulating film 18 is formed in a mounting region where the semiconductor element 12 of the insulating film 18 is mounted, and connected to the corresponding resistance ladder electrodes 82a, 82b, 82c, 82d, 82e. A node 21a and a resistance ladder connection pattern 21 formed from the non-mounting region to the mounting region and connecting the input-side outer lead 22 and the resistor ladder connection node 21a are provided.
半導体装置１００Ａでは、入力側アウターリード２２より信号を入力し、半導体素子１２内において所定の変換を施した後、出力側アウターリード２４より変換後の信号を出力する。なお、図１２では、錯綜を回避するために、半導体素子１２の内部回路については抵抗ラダー８０のみを図示し、その他の内部回路（例えば、ロジック部、レベル変換部、ラッチ部、ＤＡ変換部、階調電圧生成部等）の図示は省略している。 In the semiconductor device 100 </ b> A, a signal is input from the input-side outer lead 22, subjected to predetermined conversion in the semiconductor element 12, and then the converted signal is output from the output-side outer lead 24. In FIG. 12, in order to avoid complications, only the resistance ladder 80 is illustrated for the internal circuit of the semiconductor element 12, and other internal circuits (for example, a logic unit, a level conversion unit, a latch unit, a DA conversion unit, The illustration of the gradation voltage generator and the like is omitted.
図１２にも示されるように、一般的に抵抗ラダーは、半導体素子１２の短辺と領域の都合上、折り曲げられた配置となる。また、図１２に示される抵抗ラダーは一例として図１３に示される回路構成となるが、この回路の特性を変動させないために半導体素子内部配線８６と半導体素子内部配線８８、特に半導体素子内部配線８６のインピーダンスを極力低くする必要があり、このために半導体素子内部配線８６及び半導体素子内部配線８８の配線幅を太くする必要があり、この結果として半導体素子１２の面積を大きくする必要がある、という問題があった。 As shown in FIG. 12, the resistance ladder is generally bent for convenience of the short side and region of the semiconductor element 12. The resistance ladder shown in FIG. 12 has the circuit configuration shown in FIG. 13 as an example. In order not to change the characteristics of this circuit, the semiconductor element internal wiring 86 and the semiconductor element internal wiring 88, particularly the semiconductor element internal wiring 86 are used. Therefore, it is necessary to increase the wiring width of the semiconductor element internal wiring 86 and the semiconductor element internal wiring 88, and as a result, the area of the semiconductor element 12 needs to be increased. There was a problem.
この問題を解決するために適用できる技術として、特許文献１には、半導体装置の小型化及び軽量化を実現することを目的として、基板上に形成された配線パターンと半導体素子上の周辺部における第１接続端子形成領域に形成された第１接続端子とを接続することで半導体素子を基板上に実装してなる半導体装置において、上記半導体素子上に、上記第１接続端子形成領域外にも、上記半導体素子に信号を入力あるいは上記半導体素子から信号を出力する第２接続端子を備え、かつ上記基板上に、上記第２接続端子と上記配線パターンとを接続する、および／または、上記第２接続端子と別の第２接続端子とを接続する接続用配線を備えることを特徴とする技術が開示されている。 As a technique that can be applied to solve this problem, Patent Document 1 discloses that a wiring pattern formed on a substrate and a peripheral part on a semiconductor element are formed in order to realize a reduction in size and weight of a semiconductor device. In a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a substrate by connecting to a first connection terminal formed in a first connection terminal formation region, the semiconductor device is also on the semiconductor element and outside the first connection terminal formation region. A second connection terminal for inputting a signal to the semiconductor element or outputting a signal from the semiconductor element, and connecting the second connection terminal and the wiring pattern on the substrate; and / or A technique is disclosed that includes a connection wiring for connecting the two connection terminals to another second connection terminal.
この技術によれば、半導体素子回路と配線パターンとの接続を接続用配線でも行うことができるため、表面又は内部で引き回していた配線を接続用配線で代用することができる結果、半導体素子の小型化及び軽量化を実現することができる。 According to this technique, since the connection between the semiconductor element circuit and the wiring pattern can be performed also with the connection wiring, the wiring routed on the surface or inside can be substituted with the connection wiring. And weight reduction can be realized.
しかしながら、上記特許文献１に開示されている技術では、半導体素子回路からの出力に対しての配線を減らすことは可能となるものの、半導体素子に対して入力される信号に関して何ら考慮されているものではなかった。特に、半導体素子上の周辺部に対して第１接続端子を形成する、という既成概念の基では半導体素子の小型化に対して不十分であった。 However, in the technique disclosed in Patent Document 1 described above, although it is possible to reduce the wiring for the output from the semiconductor element circuit, the signal input to the semiconductor element is considered at all It wasn't. In particular, the existing concept of forming the first connection terminal on the peripheral portion on the semiconductor element is insufficient for miniaturization of the semiconductor element.
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、半導体素子を、より小型化することができる半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can further reduce the size of a semiconductor element.
上記目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置は、外部入力端子及び外部出力端子と、前記外部入力端子と前記外部出力端子の各々に接続された複数の配線パターンと、が形成された基板上に矩形の半導体素子を搭載した半導体装置であって、前記半導体素子は、前記半導体素子の表面の第１の辺に沿って形成された複数の第１電極と、前記表面の第１の辺に対向する辺に沿って形成された複数の第２電極と、前記半導体素子に設けられた機能ブロックの近傍に形成され、前記機能ブロックに対して電力を供給する第３電極と、前記複数の第１電極の各々と前記第３電極とを接続する前記半導体素子の内部に設けられた内部配線と、を備え、前記複数の配線パターンは、前記外部入力端子と前記複数の第１電極の各々とを接続する第１の配線パターンと、前記外部出力端子と前記複数の第２電極の各々とを接続する第２の配線パターンと、前記複数の第１電極の各々と前記第３電極とを接続する第３の配線パターンと、を備え、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極は、前記半導体素子の外縁部に沿って形成されることを特徴とする。 To achieve the above object, a semiconductor device according to claim 1, formed with an external input terminal and an external output terminal, and the external input terminal and the external output terminal of each plurality of which are connected to the wiring pattern, the A semiconductor device having a rectangular semiconductor element mounted on a formed substrate, wherein the semiconductor element includes a plurality of first electrodes formed along a first side of a surface of the semiconductor element, and a first electrode of the surface. A plurality of second electrodes formed along a side facing one side, a third electrode formed in the vicinity of a functional block provided in the semiconductor element, and supplying power to the functional block ; Internal wiring provided inside the semiconductor element for connecting each of the plurality of first electrodes and the third electrode, and the plurality of wiring patterns include the external input terminal and the plurality of first electrodes. connecting the respective electrodes And first wiring pattern, a second wiring pattern for connecting the each of the external output terminals and the plurality of second electrodes, a third for connecting the third electrode and each of the plurality of first electrode A wiring pattern, wherein the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are formed along an outer edge portion of the semiconductor element.
このように、請求項１に記載の半導体装置によれば、半導体素子に対し、半導体素子の表面の第１の辺に沿って形成された複数の第１電極と、表面の第１の辺に対向する辺に沿って形成された複数の第２電極と、半導体素子に設けられた機能ブロックの近傍に形成され、機能ブロックに対して電力を供給する第３電極と、複数の第１電極の各々と第３電極とを接続する半導体素子の内部に設けられた内部配線と、を設ける一方、基板に対し、複数の配線パターンとして、外部入力端子と複数の第１電極の各々とを接続する第１の配線パターンと、外部出力端子と複数の第２電極の各々とを接続する第２の配線パターンと、複数の第１電極の各々と第３電極とを接続する第３の配線パターンと、を設け、複数の第１電極と複数の第２電極を、半導体素子の外縁部に沿って形成しているので、半導体素子を、より小型化することができる。 Thus, according to the semiconductor device of claim 1, with respect to the semiconductor element, the plurality of first electrodes formed along the first side of the surface of the semiconductor element, and the first side of the surface a plurality of second electrodes formed along a side facing, is formed in the vicinity of the functional blocks provided in the semiconductor device, and a third electrode for supplying power to the functional blocks, the plurality of first electrode while providing an internal wiring provided inside the semiconductor device for connecting the respective third electrode, to the substrate, a plurality of wiring patterns, connecting the respective external input terminals and a plurality of first electrode a first wiring pattern, the third wiring pattern for connecting the second wiring pattern for connecting the respective external output terminals and a plurality of second electrodes, each of the plurality of first electrodes and the third electrode A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes Since the formed along the outer edge of the body element, the semiconductor element can be more compact.
本発明の半導体装置によれば、半導体素子を、より小型化することができる、という効果が得られる。 According to the semiconductor device of the present invention, an effect that the semiconductor element can be further reduced in size can be obtained.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
［第１の実施の形態］
図１及び図２には、表示装置用ドライバとしてＣＯＦ（Chip On Film）法を適用して作製された、本実施の形態に係る半導体装置１０Ａの構成が示されている。なお、図１は半導体装置１０Ａの構成を示す平面図であり、図２（Ａ）は半導体装置１０Ａのグランド配線に関する部分の構成を示す平面図であり、図２（Ｂ）は半導体装置１０Ａの電源配線に関する部分の構成を示す平面図である。
[First Embodiment]
1 and 2 show a configuration of a semiconductor device 10A according to the present embodiment manufactured by applying a COF (Chip On Film) method as a display device driver. 1 is a plan view showing a configuration of the semiconductor device 10A, FIG. 2A is a plan view showing a configuration of a portion related to the ground wiring of the semiconductor device 10A, and FIG. 2B is a plan view of the semiconductor device 10A. It is a top view which shows the structure of the part regarding power supply wiring.
図１及び図２に示されるように、この半導体装置１０Ａは、ＩＣ（Integrated Circuit）チップとして構成された半導体素子１２と、基板として機能するフィルム（テープ）により構成された絶縁性フィルム１８とを有しており、半導体素子１２が絶縁性フィルム１８に搭載されることにより構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, this semiconductor device 10A includes a semiconductor element 12 configured as an IC (Integrated Circuit) chip and an insulating film 18 configured by a film (tape) functioning as a substrate. The semiconductor element 12 is configured by being mounted on the insulating film 18.
略矩形の半導体素子１２には、当該半導体素子１２の表面の第１の辺に沿って形成されたグランドレベル入力用の電極であるグランド端子電極（アルミパッド）１４ａと、グランド端子電極１４ａの表面上に設けられたＡｕ（金）バンプ１６ａと、当該半導体素子１２の上記第１の辺に沿って形成された電源入力用の電極である電源端子電極（アルミパッド）１４ｂと、電源端子電極１４ｂの表面上に設けられたＡｕバンプ１６ｂとが備えられている。グランド端子電極１４ａと電源端子電極１４ｂとを総称して第１電極１４と呼ぶ。また、半導体素子１２には、当該半導体素子１２の上記第１の辺の対辺に沿って形成された信号出力用の電極であるドライバ出力端子電極（アルミパッド）２５と、ドライバ出力端子電極２５の表面上に設けられたＡｕバンプ２６と、半導体素子内部グランド配線２８ａと、半導体素子内部電源配線２８ｂと、上記第１の辺の対辺に沿って形成され、各々予め定められた表示装置を駆動させる信号を出力する半導体素子内部出力部３０Ａ〜半導体素子内部出力部３０Ｄとが備えられている。半導体素子内部グランド配線２８ａと半導体素子内部電源配線２８ｂを総称して内部電源配線２８と呼ぶ。また、ドライバ出力端子電極２５を第２電極２５とも呼ぶ。なお、半導体素子内部グランド配線２８ａ及び半導体素子内部電源配線２８ｂは、半導体素子１２の全般に設けられており、そのうち半導体素子内部出力部３０近傍では上記第１の辺の対辺に沿っている。 The substantially rectangular semiconductor element 12 includes a ground terminal electrode (aluminum pad) 14a which is an electrode for ground level input formed along the first side of the surface of the semiconductor element 12, and the surface of the ground terminal electrode 14a. An Au (gold) bump 16a provided on the power supply terminal, a power supply terminal electrode (aluminum pad) 14b which is an electrode for power supply input formed along the first side of the semiconductor element 12, and a power supply terminal electrode 14b Au bumps 16b provided on the surface of the substrate. The ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b are collectively referred to as the first electrode 14. The semiconductor element 12 includes a driver output terminal electrode (aluminum pad) 25 that is an electrode for signal output formed along the opposite side of the first side of the semiconductor element 12, and a driver output terminal electrode 25. The Au bumps 26 provided on the surface, the semiconductor element internal ground wiring 28a, the semiconductor element internal power supply wiring 28b, and the first side are formed along the opposite side to drive a predetermined display device. A semiconductor element internal output unit 30A to a semiconductor element internal output unit 30D that output signals are provided. The semiconductor element internal ground wiring 28 a and the semiconductor element internal power supply wiring 28 b are collectively referred to as an internal power supply wiring 28. The driver output terminal electrode 25 is also referred to as a second electrode 25. The semiconductor element internal ground wiring 28 a and the semiconductor element internal power supply wiring 28 b are provided throughout the semiconductor element 12, and in the vicinity of the semiconductor element internal output unit 30, the semiconductor element internal ground wiring 28 a and the semiconductor element internal power supply wiring 28 b are along the opposite side of the first side.
一方、絶縁性フィルム１８には、半導体素子１２が搭載される搭載領域と、搭載領域の外周に規定される非搭載領域が定義されている。ここで、半導体素子１２が矩形であるため、ここで定義される搭載領域も矩形を意味する。特にドライバＩＣの場合、長方形型であることがほとんどであり、以下、長辺の方向を長手方向と定義する。 On the other hand, the insulating film 18 defines a mounting area on which the semiconductor element 12 is mounted and a non-mounting area defined on the outer periphery of the mounting area. Here, since the semiconductor element 12 is rectangular, the mounting area defined here also means rectangular. In particular, in the case of a driver IC, it is almost rectangular, and hereinafter, the direction of the long side is defined as the longitudinal direction.
絶縁性フィルム１８上には、ドライバＩＣを制御する制御ＩＣ（例えばタイミングコントローラ等）からの信号が入力される入力側アウターリード（外部入力端子）２２と、表示装置（ＬＣＤパネル等）へ搭載され信号を出力する出力側アウターリード（外部出力端子）２４とが、非搭載領域に形成されている。 The insulating film 18 is mounted on an input-side outer lead (external input terminal) 22 to which a signal from a control IC (for example, a timing controller) that controls the driver IC is input and a display device (LCD panel or the like). An output-side outer lead (external output terminal) 24 that outputs a signal is formed in the non-mounting area.
また、絶縁性フィルム１８上の搭載領域には、第１接続ノード１９ａ、第２接続ノード２０ａ、および第３接続ノード５４ａが形成されている。 In the mounting region on the insulating film 18, a first connection node 19a, a second connection node 20a, and a third connection node 54a are formed.
ここで、第１接続ノード１９ａは、矩形の搭載領域に規定される第１の辺に沿って設けられている。また、第２接続ノード２０ａは、上記第１の辺の対辺に沿って設けられている。さらに、第３接続ノード５４ａは、搭載領域において、第１接続ノード１９ａおよび第２接続ノード２０ａの内側に設けられている。本実施の形態では、第３接続ノード５４ａは第２接続ノード２０ａ近傍に形成されているとも表現することができる。 Here, the first connection node 19a is provided along the first side defined in the rectangular mounting region. The second connection node 20a is provided along the opposite side of the first side. Further, the third connection node 54a is provided inside the first connection node 19a and the second connection node 20a in the mounting region. In the present embodiment, the third connection node 54a can also be expressed as being formed in the vicinity of the second connection node 20a.
さらに絶縁性フィルム１８上には、金属配線パターン（第１〜３接続パターン）１９，２０，５４が形成されている。金属配線パターン１９は、第１接続ノード１９ａと入力側アウターリード２２を接続する。金属配線パターン２０は、第２接続ノード２０ａと出力側アウターリード２４を接続する。金属配線パターン５４は、第１接続ノード１９ａと第３接続ノード５４ａを接続するものである。なお、各アウターリード、金属配線パターン及び接続ノードは、必要に応じて一体形成されるものである。 Furthermore, metal wiring patterns (first to third connection patterns) 19, 20, 54 are formed on the insulating film 18. The metal wiring pattern 19 connects the first connection node 19 a and the input side outer lead 22. The metal wiring pattern 20 connects the second connection node 20 a and the output side outer lead 24. The metal wiring pattern 54 connects the first connection node 19a and the third connection node 54a. Each outer lead, the metal wiring pattern, and the connection node are integrally formed as necessary.
ここで、Ａｕバンプ１６ａ，１６ｂ，２６は、半導体素子１２の外周に沿って設けられた電極１４ａ，１４ｂ，２５上に設けられており、半導体素子１２が絶縁性フィルム１８に搭載された状態において、金属配線パターン１９，２０、及び当該金属配線パターン１９，２０の一部に設けられた第１接続ノード１９ａまたは第２接続ノード２０ａを介して、Ａｕバンプ１６ａ，１６ｂは入力側アウターリード２２に、Ａｕバンプ２６は出力側アウターリード２４に、各々電気的に接続される。このように、第１接続ノード１９ａは、半導体素子１２に設けられたＡｕバンプ及び当該Ａｕバンプが設けられた端子電極に電気的に接続されるものであるので、上記搭載領域に形成されると共に、半導体素子内部グランド配線２８ａ又は半導体素子内部電源配線２８ｂに電気的に接続される。 Here, the Au bumps 16 a, 16 b, and 26 are provided on the electrodes 14 a, 14 b, and 25 provided along the outer periphery of the semiconductor element 12, and the semiconductor element 12 is mounted on the insulating film 18. The Au bumps 16a and 16b are connected to the input-side outer leads 22 through the metal wiring patterns 19 and 20 and the first connection node 19a or the second connection node 20a provided in a part of the metal wiring patterns 19 and 20, respectively. The Au bumps 26 are electrically connected to the output-side outer leads 24, respectively. As described above, the first connection node 19a is electrically connected to the Au bump provided in the semiconductor element 12 and the terminal electrode provided with the Au bump, and thus is formed in the mounting region. The semiconductor element internal ground wiring 28a or the semiconductor element internal power supply wiring 28b is electrically connected.
また、半導体素子１２では、各Ａｕバンプの下に設けられた端子電極と、半導体素子１２の内部回路とが、当該半導体素子１２の内部配線により電気的に接続されている。 In the semiconductor element 12, the terminal electrode provided under each Au bump and the internal circuit of the semiconductor element 12 are electrically connected by the internal wiring of the semiconductor element 12.
また、グランド端子電極１４ａは半導体素子内部グランド配線２８ａに、電源端子電極１４ｂは半導体素子内部電源配線２８ｂに、各々電気的に接続されている。これにより、半導体素子内部グランド配線２８ａ及び半導体素子内部電源配線２８ｂは、第１接続ノード１９ａ及び金属配線パターン１９を介して入力側アウターリード２２に電気的に接続されている。 The ground terminal electrode 14a is electrically connected to the semiconductor element internal ground wiring 28a, and the power supply terminal electrode 14b is electrically connected to the semiconductor element internal power wiring 28b. Thus, the semiconductor element internal ground wiring 28 a and the semiconductor element internal power supply wiring 28 b are electrically connected to the input-side outer lead 22 via the first connection node 19 a and the metal wiring pattern 19.
半導体装置１０Ａでは、入力側アウターリード２２より信号を入力し、半導体素子１２内において所定の変換を施した後、出力側アウターリード２４より変換後の信号を出力する。なお、図１及び図２では、錯綜を回避するために、半導体素子１２の内部回路（各機能ブロック）については半導体素子内部出力部３０Ａ〜半導体素子内部出力部３０Ｄのみを図示し、その他の内部回路（例えば、ロジック部、レベル変換部、ラッチ部、ＤＡ変換部、階調電圧生成部等）の図示は省略している。 In the semiconductor device 10 </ b> A, a signal is input from the input-side outer lead 22, subjected to predetermined conversion in the semiconductor element 12, and then the converted signal is output from the output-side outer lead 24. 1 and 2, only the semiconductor element internal output unit 30A to the semiconductor element internal output unit 30D are illustrated for the internal circuit (each functional block) of the semiconductor element 12 in order to avoid complications. Illustration of circuits (for example, a logic unit, a level conversion unit, a latch unit, a DA conversion unit, a gradation voltage generation unit, etc.) is omitted.
また、半導体素子内部出力部３０Ａ〜半導体素子内部出力部３０Ｄは一般的にオペアンプを主構成要素として構成される。以下、出力部を総称して半導体素子内部出力部３０として、当該半導体素子内部出力部３０について説明する。 In addition, the semiconductor element internal output unit 30A to the semiconductor element internal output unit 30D generally include an operational amplifier as a main component. Hereinafter, the semiconductor element internal output unit 30 will be described as the semiconductor element internal output unit 30 as a generic name of the output unit.
半導体素子内部出力部３０は一般的に、対応するドライバ出力端子電極２５の数と同等かそれ以上のオペアンプが設けられるものである。ドライバ出力端子電極２５の数が非常に多いため、設計上、半導体素子内部出力部３０Ａ〜Ｄのようにブロックに分けられている。７２０チャネルの出力を有するドライバＩＣの場合、４分割される結果、半導体素子内部出力部３０Ａは１８０チャネルに相当するオペアンプが設けられている。なお、正極及び負極の駆動を別々のオペアンプで行う場合は、チャネル数の数倍のオペアンプが形成されている場合もある。ここでは、上記オペアンプの集合体を一つの出力部として表している。半導体素子内部出力部３０は、ドライバ出力端子電極２５の近傍に設けられている。 The semiconductor element internal output unit 30 is generally provided with an operational amplifier equal to or more than the number of corresponding driver output terminal electrodes 25. Since the number of the driver output terminal electrodes 25 is very large, it is divided into blocks like the semiconductor element internal output portions 30A to 30D by design. In the case of a driver IC having an output of 720 channels, as a result of being divided into four, the semiconductor element internal output unit 30A is provided with an operational amplifier corresponding to 180 channels. Note that in the case where the positive and negative electrodes are driven by separate operational amplifiers, operational amplifiers that are several times the number of channels may be formed. Here, the aggregate of the operational amplifiers is represented as one output unit. The semiconductor element internal output unit 30 is provided in the vicinity of the driver output terminal electrode 25.
なお、半導体素子内部出力部３０Ｂと半導体素子内部出力部３０Ｃとの間は図面上、他の半導体素子内部出力部３０間よりも広い空間が確保されているが、ここには、階調電圧生成回路等の各種機能ブロックが配置される。 Note that, in the drawing, a larger space is secured between the semiconductor element internal output unit 30B and the semiconductor element internal output unit 30C than between the other semiconductor element internal output units 30. Various functional blocks such as circuits are arranged.
ここで、本実施の形態に係る半導体素子１２には、その表面で、かつ半導体素子内部出力部３０Ａ〜３０Ｄの近傍に、グランド端子電極５２ａと、電源端子電極５２ｂとが形成されている。ここで、グランド端子電極５２ａ上にはグランド用半導体素子表面Ａｕバンプ５０ａが形成されており、電源端子電極５２ｂ上には電源用半導体素子表面Ａｕバンプ５０ｂが形成されている。なお、以下では、グランド端子電極５２ａ及び電源端子電極５２ｂを総称して第３電極５２という。なお、上記半導体素子内部出力部の近傍とは、最も近くに存在する機能ブロックが半導体素子内部出力部である位置や、半導体内部出力部の外周に位置することを意味する。 Here, in the semiconductor element 12 according to the present embodiment, the ground terminal electrode 52a and the power supply terminal electrode 52b are formed on the surface and in the vicinity of the semiconductor element internal output portions 30A to 30D. Here, the ground semiconductor element surface Au bump 50a is formed on the ground terminal electrode 52a, and the power semiconductor element surface Au bump 50b is formed on the power terminal electrode 52b. Hereinafter, the ground terminal electrode 52a and the power supply terminal electrode 52b are collectively referred to as the third electrode 52. The vicinity of the semiconductor element internal output unit means that the closest functional block is located at the semiconductor element internal output unit or at the outer periphery of the semiconductor internal output unit.
ここで、第３電極５２は、ドライバ出力端子電極２５の近傍に設けられているとも表現することが可能である。さらに言い換えると第３電極５２は、半導体素子内部出力部３０の外周に設けられている。また、場合によっては、半導体素子内部出力部３０Ａと半導体素子内部出力部３０Ｂのブロック間に設けられることもある。ここで、第３電極５２は、複数設けられている方が望ましい。複数の第３電極５２は、それぞれ金属配線パターン５４により、グランド端子電極５２ａ間、あるいは電源端子電極５２ｂ間で共通接続される。第３電極５２が複数設けられる位置としては、半導体素子１２の中央部と、出力部３０のブロック間、及び半導体素子１２の表面の短辺に相当する側辺近傍等である。半導体素子１２の長手方向の左右においてそれぞれ設けられることも望ましい。 Here, the third electrode 52 can also be expressed as being provided in the vicinity of the driver output terminal electrode 25. In other words, the third electrode 52 is provided on the outer periphery of the semiconductor element internal output unit 30. In some cases, it may be provided between the blocks of the semiconductor element internal output unit 30A and the semiconductor element internal output unit 30B. Here, it is desirable to provide a plurality of third electrodes 52. The plurality of third electrodes 52 are commonly connected between the ground terminal electrodes 52a or between the power supply terminal electrodes 52b by the metal wiring patterns 54, respectively. The positions where a plurality of third electrodes 52 are provided are the central portion of the semiconductor element 12, between the blocks of the output unit 30, and the vicinity of the side corresponding to the short side of the surface of the semiconductor element 12. It is also desirable to provide the semiconductor element 12 on the left and right in the longitudinal direction.
ここで、上記共通接続された金属配線パターン５４は、長手方向に直線的に配置されている部分を有する。また、グランド端子電極５２ａ間を共通接続した金属配線パターン５４と、電源端子電極５２ｂ間を共通接続した金属配線パターン５４は、半導体素子内部出力部３０を挟むように配置されている。言い換えるとグランド端子電極５２ａ間を共通接続した金属配線パターン５４と、電源端子電極５２ｂ間を共通接続した金属配線パターン５４との間に出力部３０が位置する。さらに、共通接続した金属配線パターン５４は、半導体素子内部グランド配線２８ａ及び半導体素子内部電源配線２８ｂの近傍に配置されている。なお、半導体素子内部グランド配線２８ａ及び半導体素子内部電源配線２８ｂも長手方向に延在して設けられている。 Here, the commonly connected metal wiring pattern 54 has a portion arranged linearly in the longitudinal direction. The metal wiring pattern 54 commonly connected between the ground terminal electrodes 52 a and the metal wiring pattern 54 commonly connected between the power supply terminal electrodes 52 b are arranged so as to sandwich the semiconductor element internal output portion 30. In other words, the output unit 30 is located between the metal wiring pattern 54 commonly connected between the ground terminal electrodes 52a and the metal wiring pattern 54 commonly connected between the power supply terminal electrodes 52b. Further, the commonly connected metal wiring pattern 54 is disposed in the vicinity of the semiconductor element internal ground wiring 28a and the semiconductor element internal power supply wiring 28b. The semiconductor element internal ground wiring 28a and the semiconductor element internal power supply wiring 28b are also provided extending in the longitudinal direction.
第１電極であるグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂは、半導体素子１２の上記第１の辺に沿って複数設けられている。言い換えると、長手方向において、上記第１の辺を２分割した左右にそれぞれグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂが設けられている。ここで、電源端子電極１４ｂは、グランド端子電極１４ａよりも中央寄りに配置されている。また、電源端子電極１４ｂと接続される金属配線パターン５４は、半導体素子１２の中央近傍を経由して、電源端子電極５２ｂ間を共通接続した金属配線パターン５４と接続されている。 A plurality of ground terminal electrodes 14 a and power supply terminal electrodes 14 b as first electrodes are provided along the first side of the semiconductor element 12. In other words, in the longitudinal direction, the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b are respectively provided on the left and right sides of the first side divided into two. Here, the power terminal electrode 14b is disposed closer to the center than the ground terminal electrode 14a. Further, the metal wiring pattern 54 connected to the power supply terminal electrode 14 b is connected to the metal wiring pattern 54 that connects the power supply terminal electrodes 52 b in common through the vicinity of the center of the semiconductor element 12.
更に、グランド端子電極１４ａとグランド端子電極５２ａは半導体素子内部グランド配線２８ａにより接続され、電源端子電極１４ｂと電源端子電極５２ｂは半導体素子内部電源配線２８ｂにより接続されている。 Further, the ground terminal electrode 14a and the ground terminal electrode 52a are connected by a semiconductor element internal ground wiring 28a, and the power supply terminal electrode 14b and the power supply terminal electrode 52b are connected by a semiconductor element internal power supply wiring 28b.
一方、絶縁性フィルム１８には、半導体素子１２が搭載された状態で、当該半導体素子１２のＡｕバンプ１６ａとグランド用半導体素子表面Ａｕバンプ５０ａとの間を電気的に接続すると共に、Ａｕバンプ１６ｂと電源用半導体素子表面Ａｕバンプ５０ｂとの間を電気的に接続する金属配線パターン５４が形成されている。従って、半導体素子１２が絶縁性フィルム１８に搭載された状態で、金属配線パターン５４の一部に設けられた第３接続ノード５４ａがグランド端子電極５２ａ又は電源端子電極５２ｂに電気的に接続される結果、グランド端子電極１４ａとグランド端子電極５２ａ、及び電源端子電極１４ｂと電源端子電極５２ｂが電気的に接続される。なお、一般に、金属配線パターン５４は、Ｃｕ（銅）等の比較的導電率の高い導電性物質により形成されるので、当該金属配線パターン５４による抵抗は半導体素子の内部に形成されるアルミに比べて非常に低い。 On the other hand, while the semiconductor element 12 is mounted on the insulating film 18, the Au bump 16a of the semiconductor element 12 and the ground semiconductor element surface Au bump 50a are electrically connected and the Au bump 16b. And a metal wiring pattern 54 that electrically connects the power supply semiconductor element surface Au bump 50b. Therefore, in a state where the semiconductor element 12 is mounted on the insulating film 18, the third connection node 54a provided in a part of the metal wiring pattern 54 is electrically connected to the ground terminal electrode 52a or the power supply terminal electrode 52b. As a result, the ground terminal electrode 14a and the ground terminal electrode 52a, and the power supply terminal electrode 14b and the power supply terminal electrode 52b are electrically connected. In general, the metal wiring pattern 54 is formed of a conductive material having a relatively high conductivity such as Cu (copper). Therefore, the resistance of the metal wiring pattern 54 is higher than that of aluminum formed in the semiconductor element. And very low.
なお、本実施の形態に係る半導体装置１０Ａの製造は、一例として特許文献１に開示されている技術等、従来既知の技術により行うことができるため、ここでの説明は省略する。 The manufacture of the semiconductor device 10A according to the present embodiment can be performed by a conventionally known technique such as the technique disclosed in Patent Document 1 as an example, and thus the description thereof is omitted here.
このように、本実施の形態によれば、半導体素子１２の機能ブロック近傍に第３電極５２を配置し、基板である絶縁フィルム１８に設けられた入力側アウターリード２２と接続された金属配線パターン１９及び金属配線パターン５４を設け、金属配線パターン５４と第３電極５２を接続することにより機能ブロックに均一に電源を供給することが可能となる。特に、精度が求められる半導体素子内部出力部３０近傍に第３電極５２を配置し、第３電極５２と内部電源配線２８とを接続することにより、第１電極１４から内部電源配線２８を介して出力部３０へ電源を供給する経路と第３電極５２から内部電源配線２８を介して出力部３０へ電源を供給する経路とを確保することができ、内部電源配線２８の領域を減らしたとしても実質的に抵抗値を同等又は低減することが可能となる。よって内部電源配線２８の低減による半導体素子１２の面積を小さくすることと、半導体素子１２の性能の維持とを実現することが可能となる。また、実質的に内部電源配線２８の抵抗値の低減により発熱量を低減することができる。 As described above, according to the present embodiment, the third electrode 52 is disposed in the vicinity of the functional block of the semiconductor element 12, and the metal wiring pattern connected to the input-side outer lead 22 provided on the insulating film 18 that is the substrate. 19 and the metal wiring pattern 54 are provided, and by connecting the metal wiring pattern 54 and the third electrode 52, it is possible to uniformly supply power to the functional blocks. In particular, the third electrode 52 is disposed in the vicinity of the semiconductor element internal output unit 30 where accuracy is required, and the third electrode 52 and the internal power supply wiring 28 are connected, so that the first electrode 14 and the internal power supply wiring 28 are connected. A path for supplying power to the output unit 30 and a path for supplying power from the third electrode 52 to the output unit 30 via the internal power supply wiring 28 can be secured, and even if the area of the internal power supply wiring 28 is reduced. The resistance value can be substantially equalized or reduced. Therefore, it is possible to reduce the area of the semiconductor element 12 by reducing the internal power supply wiring 28 and to maintain the performance of the semiconductor element 12. In addition, the amount of heat generated can be reduced by substantially reducing the resistance value of the internal power supply wiring 28.
また、このとき、半導体素子１２内の電源配線を削除することなく用いており、表示装置用ドライバとしての特性が変化することを抑制することができるため、当該特性の変化に対応するための各種調整が不要となる結果、効率的に設計することができる。 At this time, the power supply wiring in the semiconductor element 12 is used without being deleted, and it is possible to suppress a change in the characteristics as the driver for the display device. As a result of eliminating the need for adjustment, it is possible to design efficiently.
また、電源端子電極５２ｂに接続される金属配線パターン５４を、ドライバ出力端子電極２５の近傍及び半導体素子内部出力部３０の近傍まで配置したことで、より効果的に電源電圧の変動を抑制することを可能とする。半導体素子１２の左右においてそれぞれ上記構成を設け、さらに共通接続することで、より一層内部電源配線２８の抵抗値を下げることを可能とし、均一に電源を供給できる効果が増す。金属配線パターン５４を半導体素子１２の中央部を経由させることにより、本実施の形態を実現可能とする。さらに半導体素子内部出力部３０近傍に第３電極５２を設け、金属配線パターン５４で接続していることにより、特に発熱量が高い半導体素子内部出力部３０の熱を伝導する役割が期待できる。 Further, by arranging the metal wiring pattern 54 connected to the power supply terminal electrode 52b to the vicinity of the driver output terminal electrode 25 and the vicinity of the semiconductor element internal output unit 30, the fluctuation of the power supply voltage can be more effectively suppressed. Is possible. By providing the above-described configuration on the left and right sides of the semiconductor element 12 and further connecting them in common, it is possible to further reduce the resistance value of the internal power supply wiring 28 and increase the effect of supplying power uniformly. The present embodiment can be realized by passing the metal wiring pattern 54 through the central portion of the semiconductor element 12. Furthermore, by providing the third electrode 52 in the vicinity of the semiconductor element internal output portion 30 and connecting with the metal wiring pattern 54, a role of conducting heat of the semiconductor element internal output portion 30 having a particularly high calorific value can be expected.
なお、本実施の形態の構成を有する絶縁性フィルム１８を用いることで効率的な設計を可能とする。 In addition, efficient design is enabled by using the insulating film 18 having the configuration of the present embodiment.
［第２の実施の形態］
図３及び図４には、表示装置用ドライバとしてＣＯＦ法を適用して作製された、本実施の形態に係る半導体装置１０Ｂの構成が示されている。なお、図３は半導体装置１０Ｂの構成を示す平面図であり、図４（Ａ）は半導体装置１０Ｂのグランド配線に関する部分の構成を示す平面図であり、図４（Ｂ）は半導体装置１０Ｂの電源配線に関する部分の構成を示す平面図である。なお、図３及び図４における図１及び図２と同一の構成要素については図１及び図２と同一の符号を付して、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
3 and 4 show a configuration of a semiconductor device 10B according to the present embodiment manufactured by applying the COF method as a display device driver. 3 is a plan view showing a configuration of the semiconductor device 10B, FIG. 4A is a plan view showing a configuration of a portion related to the ground wiring of the semiconductor device 10B, and FIG. 4B is a plan view of the semiconductor device 10B. It is a top view which shows the structure of the part regarding power supply wiring. 3 and 4 that are the same as those in FIGS. 1 and 2 are assigned the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2, and descriptions thereof are omitted.
半導体装置１０Ｂには、当該半導体素子１２の上記第１の辺に沿って形成された信号入力用の電極である第１接続端子６２ａ及び第２接続端子６２ｂと、第１接続端子６２ａの表面上に設けられたＡｕ（金）バンプ６０ａ及び第２接続端子６２ｂの表面上に設けられたＡｕ（金）バンプ６０ｂとが備えられている。なお、第１接続端子６２ａ及び第２接続端子６２ｂは電源端子電極１４ｂの近傍に設けられている。 The semiconductor device 10B includes a first connection terminal 62a and a second connection terminal 62b, which are electrodes for signal input formed along the first side of the semiconductor element 12, and a surface of the first connection terminal 62a. And an Au (gold) bump 60b provided on the surface of the second connection terminal 62b. The first connection terminal 62a and the second connection terminal 62b are provided in the vicinity of the power supply terminal electrode 14b.
一方、絶縁性フィルム１８上の搭載領域には、信号入力用接続ノード５４ｂが形成されている。信号入力用接続ノード５４ｂは、上記第１の辺に沿って設けられている。 On the other hand, a signal input connection node 54 b is formed in the mounting region on the insulating film 18. The signal input connection node 54b is provided along the first side.
さらに絶縁性フィルム１８上には、信号入力用接続ノード５４ｂと入力用アウターリード２２を接続する金属配線パターン１９及び金属配線パターン５４が形成されている。なお、入力アウターリード２２、各金属配線パターン及び信号入力用接続ノード５４ｂは、必要に応じて一体形成されるものである。 Further, a metal wiring pattern 19 and a metal wiring pattern 54 that connect the signal input connection node 54 b and the input outer lead 22 are formed on the insulating film 18. The input outer lead 22, each metal wiring pattern, and the signal input connection node 54b are integrally formed as necessary.
ここで、Ａｕバンプ６０ａ及びＡｕバンプ６０ｂは、半導体素子１２の外周に沿って設けられた第１接続端子６２ａ上及び第２接続端子６２ｂ上に設けられており、半導体素子１２が絶縁性フィルム１８に搭載された状態において、金属配線パターン１９、金属配線パターン５４、及び当該金属配線パターン５４の一部に設けられた信号入力用接続ノード５４ｂを介して入力側アウターリード２２に電気的に接続される。このように、信号入力用接続ノード５４ｂは、半導体素子１２に設けられたＡｕバンプ６０ａ，６０ｂ及び当該Ａｕバンプが設けられた第１接続端子６２ａ及び第２接続端子６２ｂに電気的に接続されるものであるので、上記搭載領域に形成される。 Here, the Au bump 60 a and the Au bump 60 b are provided on the first connection terminal 62 a and the second connection terminal 62 b provided along the outer periphery of the semiconductor element 12, and the semiconductor element 12 is formed on the insulating film 18. Are electrically connected to the input-side outer lead 22 via the metal wiring pattern 19, the metal wiring pattern 54, and the signal input connection node 54 b provided in a part of the metal wiring pattern 54. The As described above, the signal input connection node 54b is electrically connected to the Au bumps 60a and 60b provided in the semiconductor element 12 and the first connection terminal 62a and the second connection terminal 62b provided with the Au bump. Therefore, it is formed in the mounting area.
なお、半導体素子１２では、各Ａｕバンプ６０ａ，６０ｂの下に設けられた第１接続端子６２ａ及び第２接続端子６２ｂと、半導体素子１２の内部回路とが、当該半導体素子１２の内部配線により電気的に接続されている。 In the semiconductor element 12, the first connection terminal 62 a and the second connection terminal 62 b provided under the Au bumps 60 a and 60 b and the internal circuit of the semiconductor element 12 are electrically connected by the internal wiring of the semiconductor element 12. Connected.
また、半導体装置１０Ｂでは、半導体素子の長手方向中央部より左側に、信号入力用接続ノード５４ｂと入力用アウターリード２２を接続する金属配線パターン１９及び金属配線パターン５４（以下、「左側入力信号配線パターン」という。）、第１接続端子６２ａ、グランド端子電極５２ａ、及び電源端子電極５２ｂが配置されると共に、長手方向中央部より右側に、信号入力用接続ノード５４ｂと入力用アウターリード２２を接続する金属配線パターン１９及び金属配線パターン５４（以下、「右側入力信号配線パターン」という。）、第２接続端子６２ｂ、グランド端子電極５２ａ、及び電源端子電極５２ｂが配置されている。 In the semiconductor device 10B, the metal wiring pattern 19 and the metal wiring pattern 54 (hereinafter referred to as “left-side input signal wiring”) connecting the signal input connection node 54b and the input outer lead 22 to the left of the longitudinal center of the semiconductor element. The first connection terminal 62a, the ground terminal electrode 52a, and the power supply terminal electrode 52b are disposed, and the signal input connection node 54b and the input outer lead 22 are connected to the right side from the center in the longitudinal direction. A metal wiring pattern 19 and a metal wiring pattern 54 (hereinafter referred to as “right input signal wiring pattern”), a second connection terminal 62b, a ground terminal electrode 52a, and a power supply terminal electrode 52b are disposed.
ここで、絶縁性フィルム１８では、左側入力信号配線パターンと、入力アウターリード２２と長手方向左側のグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂとを接続する金属配線パターンは列を成して配置されると共に、左側入力信号配線パターンが、入力アウターリード２２と長手方向左側のグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂとを接続する金属配線パターンの外側（左側）に配置されている。また、右側入力信号配線パターンと、入力アウターリード２２と長手方向右側のグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂとを接続する金属配線パターンは列を成して配置されると共に、右側入力信号配線パターンが、入力アウターリード２２と長手方向右側のグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂとを接続する金属配線パターンの外側（右側）に配置されている。 Here, in the insulating film 18, the left input signal wiring pattern and the metal wiring pattern connecting the input outer lead 22 and the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b on the left in the longitudinal direction are arranged in a row. At the same time, the left input signal wiring pattern is arranged on the outer side (left side) of the metal wiring pattern that connects the input outer lead 22 to the left ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b in the longitudinal direction. The right input signal wiring pattern and the metal wiring pattern that connects the input outer lead 22 and the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b on the right in the longitudinal direction are arranged in a row and the right input signal wiring pattern. Is disposed outside (on the right side) of the metal wiring pattern that connects the input outer lead 22 with the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b on the right side in the longitudinal direction.
また、第１接続端子６２ａ及び第２接続端子６２ｂは、共にグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂよりも上記第１の辺の中央部側に配置されており、左側入力信号配線パターンは、上記第１の辺から見て、長手方向左側のグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂよりも外側（左側）に配置されており、右側入力信号配線パターンは、上記第１の辺から見て、長手方向右側のグランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂよりも外側（右側）に配置されている。 The first connection terminal 62a and the second connection terminal 62b are both disposed closer to the center of the first side than the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b. When viewed from the first side, it is arranged outside (left side) the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b on the left side in the longitudinal direction, and the right input signal wiring pattern is long when viewed from the first side. It is arranged outside (on the right side) the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b on the right side in the direction.
ここで、絶縁性フィルム１８では、長手方向左側のグランド端子電極１４ａとグランド端子電極５２ａとを接続する金属配線パターン（以下、「左側グランド配線パターン」という。）と、長手方向左側の電源端子電極１４ｂと電源端子電極５２ｂとを接続する金属配線パターン（以下、「左側電源配線パターン」という。）が、左側入力信号配線パターンを迂回するように配置される一方、長手方向右側のグランド端子電極１４ａとグランド端子電極５２ａとを接続する金属配線パターン（以下、「右側グランド配線パターン」という。）と、長手方向右側の電源端子電極１４ｂと電源端子電極５２ｂとを接続する金属配線パターン（以下、「右側電源配線パターン」という。）が、右側入力信号配線パターンを迂回するように配置されている。 Here, in the insulating film 18, a metal wiring pattern (hereinafter referred to as “left ground wiring pattern”) that connects the ground terminal electrode 14 a on the left side in the longitudinal direction and the ground terminal electrode 52 a, and a power supply terminal electrode on the left side in the longitudinal direction. A metal wiring pattern (hereinafter referred to as a “left power supply wiring pattern”) connecting the power supply terminal electrode 52b and the power supply terminal electrode 52b is arranged so as to bypass the left input signal wiring pattern, while the ground terminal electrode 14a on the right side in the longitudinal direction. And a ground wiring electrode 52a (hereinafter referred to as "right ground wiring pattern") and a metal wiring pattern (hereinafter referred to as "right ground wiring pattern") that connects the power terminal electrode 14b and power terminal electrode 52b on the right in the longitudinal direction. Right power supply wiring pattern ") is arranged to bypass the right input signal wiring pattern. That.
また、絶縁性フィルム１８では、左側グランド配線パターン及び左側電源配線パターンによるインピーダンスと、右側グランド配線パターン及び右側電源配線パターンによるインピーダンスとが互いに等しくなるように調整されている。 Further, the insulating film 18 is adjusted so that the impedance due to the left ground wiring pattern and the left power supply wiring pattern and the impedance due to the right ground wiring pattern and the right power supply wiring pattern are equal to each other.
なお、図３及び図４（Ｂ）に示されるように、左側電源配線パターンを構成する金属配線パターン１９と金属配線パターン５４、及び右側電源配線パターンを構成する金属配線パターン１９と金属配線パターン５４は、一部で一体形成されると共に、上記非搭載領域上を経由して電源端子電極５２ｂに接続されている。 3 and 4B, the metal wiring pattern 19 and the metal wiring pattern 54 constituting the left power supply wiring pattern, and the metal wiring pattern 19 and the metal wiring pattern 54 constituting the right power supply wiring pattern. Are integrally formed in part and connected to the power supply terminal electrode 52b via the non-mounting area.
このように、本実施の形態の構成をとることで、第１の実施の形態の効果に加えて、既存のドライバＩＣのピン配置と搭載パネル側のピン配置が異なる場合でも、基板の設計のみで対応することが可能となる。言い換えると、従来の半導体素子１２のレイアウト設計等にかかっていた時間に比較して、設計にかかる時間を格段に短くすることが可能となる。特に、左側グランド配線パターン及び左側電源配線パターンが第１接続端子６２ａ及び左側入力信号配線パターンを迂回し、右側グランド配線パターン及び右側電源配線パターンが第２接続端子６２ｂ及び右側入力信号配線パターンを迂回することで、グランド端子電極５２ａ及び電源端子電極５２ｂとの接続が可能となる。また、半導体素子１２の左右で、それぞれ左側グランド配線パターン及び左側電源配線パターンによるインピーダンスと、右側グランド配線パターン及び右側電源配線パターンによるインピーダンスを揃えたことで、左右で均一に電源供給することを可能とし、ピン間のばらつきを、より一層低減することを可能とする。 As described above, by adopting the configuration of this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, even when the pin arrangement of the existing driver IC and the pin arrangement on the mounting panel side are different, only the design of the board is performed. It becomes possible to cope with. In other words, the time required for the design can be significantly shortened as compared with the time required for the layout design of the conventional semiconductor element 12. In particular, the left ground wiring pattern and the left power supply wiring pattern bypass the first connection terminal 62a and the left input signal wiring pattern, and the right ground wiring pattern and the right power supply wiring pattern bypass the second connection terminal 62b and the right input signal wiring pattern. As a result, the ground terminal electrode 52a and the power supply terminal electrode 52b can be connected. In addition, the left and right sides of the semiconductor element 12 can be supplied with power evenly by aligning the impedance of the left ground wiring pattern and the left power supply wiring pattern with the impedance of the right ground wiring pattern and the right power supply wiring pattern. It is possible to further reduce the variation between pins.
［第３の実施の形態］
図５及び図６には、表示装置用ドライバとしてＣＯＦ法を適用して作製された、本実施の形態に係る半導体装置１０Ｃの構成が示されている。なお、図５は半導体装置１０Ｃの構成を示す平面図であり、図６（Ａ）は半導体装置１０Ｃのグランド配線に関する部分の構成を示す平面図であり、図６（Ｂ）は半導体装置１０Ｃの電源配線に関する部分の構成を示す平面図である。なお、図５及び図６における図１及び図２と同一の構成要素については図１及び図２と同一の符号を付して、その説明を省略する。
[Third Embodiment]
5 and 6 show a configuration of a semiconductor device 10C according to the present embodiment manufactured by applying the COF method as a display device driver. 5 is a plan view showing a configuration of the semiconductor device 10C, FIG. 6A is a plan view showing a configuration of a portion related to the ground wiring of the semiconductor device 10C, and FIG. 6B is a plan view of the semiconductor device 10C. It is a top view which shows the structure of the part regarding power supply wiring. Components in FIG. 5 and FIG. 6 that are the same as in FIG. 1 and FIG. 2 are assigned the same reference numerals as in FIG. 1 and FIG.
本実施の形態に係る半導体装置１０Ｃでは、グランド端子電極１４ａ及び電源端子電極１４ｂが、上記第１の辺に沿って交互に配置されている。詳細に説明すると、グランド端子電極１４ａと電源端子電極１４ｂは、２つが隣り合って配置される。隣り合って配置されるグランド端子電極１４ａと電源端子電極１４ｂを一組の電源電極対１５とすると、第１の辺の中央部から左右にそれぞれ２組の電源電極対１５が配置される。一組のグランド端子電極１４ａと電源端子電極１４ｂは、グランド端子電極１４ａより電源端子電極１４ｂの方が第１の辺の中央部に近く配置されている。左右のそれぞれ２組の電源電極対１５間は、他の電極が形成されてもよい。例えば基準電圧が入力される電極等である。 In the semiconductor device 10C according to the present embodiment, the ground terminal electrodes 14a and the power supply terminal electrodes 14b are alternately arranged along the first side. More specifically, two ground terminal electrodes 14a and two power supply terminal electrodes 14b are arranged adjacent to each other. Assuming that the ground terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 14b arranged adjacent to each other constitute a pair of power supply electrode pairs 15, two power supply electrode pairs 15 are arranged on the left and right sides from the center of the first side. The pair of ground terminal electrode 14a and power supply terminal electrode 14b are arranged such that the power supply terminal electrode 14b is closer to the center of the first side than the ground terminal electrode 14a. Another electrode may be formed between the two pairs of power supply electrodes 15 on the left and right. For example, an electrode to which a reference voltage is input.
ここで、本実施の形態に係る絶縁性フィルム１８では、グランド端子電極１４ａとグランド端子電極５２ａとを接続する金属配線パターンが半導体内部出力部３０の外周を囲うように配置されると共に、電源端子電極１４ｂと電源端子電極５２ｂとを接続する金属配線パターンが半導体内部出力部３０の外周を囲うように配置されている。詳細には、半導体素子１２の長手方向における左右において、金属配線パターンはそれぞれ３つの部分から構成される。例えば、半導体素子１２の左側部分を例に説明する。第２電極２５と第３電極５２間に形成され、第２電極２５近傍に長手方向に直線的に形成された金属配線パターン５４の第１部分３１と、半導体素子１２の長手方向において左側に配置された２組の電源電極対１５のうち、第１の辺の中央部１７寄りのグランド端子電極１４ａと半導体素子１２の中央部１７を経由して第１部分３１と接続される第２部分３２と、半導体素子１２の長手方向において左側に配置された２組の電源電極対１５のうち他方であるグランド端子電極１４ａが搭載領域から非搭載領域を経由して第１部分３１と接続される第３部分３３から金属配線パターンは構成される。前述の第１〜３部分を総合すると出力部３０の外周を囲うように配置されている。なお、半導体素子１２の右側部分も同様に３つの部分から構成され、左右それぞれの第１部分３１は共通接続されている。 Here, in the insulating film 18 according to the present embodiment, the metal wiring pattern that connects the ground terminal electrode 14 a and the ground terminal electrode 52 a is disposed so as to surround the outer periphery of the semiconductor internal output unit 30, and the power supply terminal A metal wiring pattern that connects the electrode 14b and the power supply terminal electrode 52b is disposed so as to surround the outer periphery of the semiconductor internal output unit 30. Specifically, each of the metal wiring patterns is composed of three parts on the left and right sides in the longitudinal direction of the semiconductor element 12. For example, the left side portion of the semiconductor element 12 will be described as an example. A first portion 31 of a metal wiring pattern 54 formed between the second electrode 25 and the third electrode 52 and linearly formed in the longitudinal direction in the vicinity of the second electrode 25 and disposed on the left side in the longitudinal direction of the semiconductor element 12 Among the two sets of power supply electrode pairs 15, the second portion 32 connected to the first portion 31 via the ground terminal electrode 14 a near the central portion 17 of the first side and the central portion 17 of the semiconductor element 12. The ground terminal electrode 14a, which is the other of the two power supply electrode pairs 15 arranged on the left side in the longitudinal direction of the semiconductor element 12, is connected to the first portion 31 from the mounting region via the non-mounting region. A metal wiring pattern is constituted by the three portions 33. When the above first to third portions are combined, they are arranged so as to surround the outer periphery of the output unit 30. The right portion of the semiconductor element 12 is similarly composed of three portions, and the first portions 31 on the left and right sides are commonly connected.
このように、本実施の形態をとることで、半導体素子１２の左右においてそれぞれ２組の電源電極対を有するピン配置であっても、第１の実施の形態の効果を得ることを可能とする。また、グランド端子電極１４ａとグランド端子電極５２ａとを接続する金属配線パターンが半導体内部出力部３０の外周を囲うように配置されると共に、電源端子電極１４ｂと電源端子電極５２ｂとを接続する金属配線パターンが半導体内部出力部３０の外周を囲うように配置されているので、均一に電源供給することを可能とし、ピン間のばらつきを、より一層低減することを可能とする。 As described above, by adopting the present embodiment, it is possible to obtain the effects of the first embodiment even if the pin arrangement has two power supply electrode pairs on the left and right sides of the semiconductor element 12. . In addition, a metal wiring pattern that connects the ground terminal electrode 14a and the ground terminal electrode 52a is disposed so as to surround the outer periphery of the semiconductor internal output portion 30, and a metal wiring that connects the power terminal electrode 14b and the power terminal electrode 52b. Since the pattern is arranged so as to surround the outer periphery of the semiconductor internal output unit 30, it is possible to supply power uniformly and further reduce variation between pins.
［第４の実施の形態］
図７には、表示装置用ドライバとしてＣＯＦ法を適用して作製された、本実施の形態に係る半導体装置１０Ｄの概略構成が示されている。なお、同図における図１と同一の構成要素には図１と同一の符号を付して、その説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 7 shows a schematic configuration of a semiconductor device 10D according to the present embodiment, which is manufactured by applying the COF method as a display device driver. Note that the same components in FIG. 1 as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.
同図に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１０Ｄは、半導体素子１２の長手方向の略中央部に電圧生成部９０が設けられている。 As shown in the figure, in the semiconductor device 10D according to the present embodiment, a voltage generation unit 90 is provided at a substantially central portion of the semiconductor element 12 in the longitudinal direction.
この電圧生成部９０は、入力側アウターリード２２と、抵抗ラダー用接続パターン２１及び金属パターン５４とを介して印加された基準電圧間を抵抗ラダーによって分圧することにより、複数の階調電圧を生成するものである。 The voltage generator 90 generates a plurality of gradation voltages by dividing a reference voltage applied via the input-side outer lead 22, the resistance ladder connection pattern 21 and the metal pattern 54 with a resistance ladder. To do.
ここで、本実施の形態に係る半導体装置１０Ｄでは、半導体素子１２の周辺部に抵抗ラダー用の端子電極を設けることなく、抵抗ラダーの近傍に端子電極を設ける一方、絶縁性フィルム１８に対し、当該端子電極と入力側アウターリード２２とを、抵抗ラダー用接続パターン２１及び金属パターン５４を介して直接接続している。このため、半導体素子１２の周辺部に抵抗ラダー用の端子電極を設ける場合に比較して、半導体素子１２を小型化することができる。 Here, in the semiconductor device 10D according to the present embodiment, the terminal electrode is provided in the vicinity of the resistance ladder without providing the terminal electrode for the resistance ladder in the peripheral portion of the semiconductor element 12, while the insulating film 18 is The terminal electrode and the input-side outer lead 22 are directly connected via the resistance ladder connection pattern 21 and the metal pattern 54. For this reason, the semiconductor element 12 can be reduced in size as compared with the case where a terminal electrode for resistance ladder is provided in the peripheral portion of the semiconductor element 12.
なお、同図におけるデコーダ３１Ａ〜３１Ｄは、各々半導体素子内部出力部３０Ａ〜半導体素子内部出力部３０Ｄの何れか１つと１対１で対応し、電圧生成部９０によって生成された階調電圧を用いて、対応する半導体素子内部出力部で適用する信号を生成するものである。 Note that each of the decoders 31A to 31D in the figure corresponds to any one of the semiconductor element internal output unit 30A to the semiconductor element internal output unit 30D on a one-to-one basis, and uses the gradation voltage generated by the voltage generation unit 90. Thus, a signal to be applied at a corresponding semiconductor element internal output unit is generated.
図８には、電圧生成部９０の詳細構成が示されている。なお、同図における図１と同一の構成要素には図１と同一の符号を付して、その説明を省略する。 FIG. 8 shows a detailed configuration of the voltage generation unit 90. Note that the same components in FIG. 1 as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.
同図に示されるように、電圧生成部９０には、各々予め定められた位置に配置された４つの抵抗器８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄが直列接続されて構成され、当該半導体素子１２から表示装置に対して出力する出力電圧の基準となる階調電圧を生成する抵抗ラダー８０が備えられている。 As shown in the figure, the voltage generator 90 is constituted by four resistors 80 a, 80 b, 80 c, 80 d, which are arranged at predetermined positions, connected in series, and displayed from the semiconductor element 12. A resistor ladder 80 is provided that generates a gradation voltage that is a reference for an output voltage output to the apparatus.
ここで、電圧生成部９０には、抵抗ラダー８０の近傍に形成された５つの抵抗ラダー用電極８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，８２ｅが備えられている。また、電圧生成部９０には、抵抗ラダー用電極８２ａ及び抵抗ラダー用電極８２ｅと抵抗ラダー８０の上記直列接続の端部とを接続する半導体素子内部配線８６と、抵抗ラダー用電極８２ｂ〜８２ｄと抵抗ラダー８０の上記直列接続の中間接続部とを接続する半導体素子内部配線８８とが備えられている。なお、抵抗ラダー用電極８２ａの表面上にはＡｕ（金）バンプ８４ａが、抵抗ラダー用電極８２ｂの表面上にはＡｕバンプ８４ｂが、抵抗ラダー用電極８２ｃの表面上にはＡｕバンプ８４ｃが、抵抗ラダー用電極８２ｄの表面上にはＡｕバンプ８４ｄが、抵抗ラダー用電極８２ｅの表面上にはＡｕバンプ８４ｅが、各々設けられている。 Here, the voltage generation unit 90 includes five resistance ladder electrodes 82 a, 82 b, 82 c, 82 d, and 82 e formed in the vicinity of the resistance ladder 80. Further, the voltage generator 90 includes a resistance ladder electrode 82a, a resistance ladder electrode 82e, and the semiconductor element internal wiring 86 that connects the end portions of the resistance ladder 80 connected in series, and resistance ladder electrodes 82b to 82d. A semiconductor element internal wiring 88 for connecting the series connection intermediate connection portion of the resistance ladder 80 is provided. The Au (gold) bump 84a is formed on the surface of the resistance ladder electrode 82a, the Au bump 84b is formed on the surface of the resistance ladder electrode 82b, and the Au bump 84c is formed on the surface of the resistance ladder electrode 82c. An Au bump 84d is provided on the surface of the resistance ladder electrode 82d, and an Au bump 84e is provided on the surface of the resistance ladder electrode 82e.
一方、絶縁性フィルム１８には、上記搭載領域に形成され、対応する抵抗ラダー用電極８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，８２ｅに接続される抵抗ラダー用接続ノード２１ａと、上記非搭載領域から上記搭載領域にわたって形成され、入力側アウターリード２２と抵抗ラダー用接続ノード２１ａとを接続する抵抗ラダー用接続パターン２１及び金属配線パターン５４とが備えられている。 On the other hand, the insulating film 18 is formed in the mounting area and connected to the corresponding resistance ladder electrodes 82a, 82b, 82c, 82d, and 82e, and the resistance ladder connection node 21a and the mounting area from the non-mounting area. A resistor ladder connection pattern 21 and a metal wiring pattern 54 that are formed over the region and connect the input side outer lead 22 and the resistor ladder connection node 21a are provided.
半導体装置１０Ｄでは、入力側アウターリード２２より信号を入力し、半導体素子１２内において所定の変換を施した後、出力側アウターリード２４より変換後の信号を出力する。なお、図８では、錯綜を回避するために、半導体素子１２の内部回路については抵抗ラダー８０のみを図示し、その他の内部回路（例えば、ロジック部、レベル変換部、ラッチ部、ＤＡ変換部、階調電圧生成部等の図示は省略している。 In the semiconductor device 10 </ b> D, a signal is input from the input side outer lead 22, subjected to predetermined conversion in the semiconductor element 12, and then the converted signal is output from the output side outer lead 24. In FIG. 8, in order to avoid complications, only the resistance ladder 80 is illustrated for the internal circuit of the semiconductor element 12, and other internal circuits (for example, a logic unit, a level conversion unit, a latch unit, a DA conversion unit, Illustration of the gradation voltage generator and the like is omitted.
このように、本実施の形態によれば、Ａｕバンプ８４ａ〜８４ｅ、及びその下に各々設けられる抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅを、各々に接続される抵抗ラダー８０の近傍に配置し、入力側アウターリード２２とＡｕバンプ８４ａ〜８４ｅの接続状態を変化させないように半導体素子上金属配線パターン５４を回り込むように配線しているので、抵抗ラダー８０とＡｕバンプ８４ａ〜８４ｅの物理的距離を縮め、半導体素子内部配線８６及び半導体素子内部配線８８のインピーダンスを低下させることができる結果、半導体素子内部配線８６及び半導体素子内部配線８８の配線領域を縮小することができる。要するに、半導体素子１２の面積を小さくすることができる。言い換えれば、半導体素子内部出力部３０より出力される電圧の基となる電圧を生成する電圧生成部９０に入力される基準電圧を、より変動のない形で供給することを可能とし、更には、半導体素子内部の配線領域の縮小に寄与することで、半導体素子の面積を縮小することができる。 As described above, according to the present embodiment, the Au bumps 84a to 84e and the resistor ladder electrodes 82a to 82e provided below the Au bumps 84a to 84e are arranged in the vicinity of the resistor ladder 80 connected to each of the Au bumps 84a to 84e. Since wiring is performed so as to wrap around the metal wiring pattern 54 on the semiconductor element so as not to change the connection state between the outer lead 22 and the Au bumps 84a to 84e, the physical distance between the resistance ladder 80 and the Au bumps 84a to 84e is reduced. As a result of the impedance of the semiconductor element internal wiring 86 and the semiconductor element internal wiring 88 being reduced, the wiring areas of the semiconductor element internal wiring 86 and the semiconductor element internal wiring 88 can be reduced. In short, the area of the semiconductor element 12 can be reduced. In other words, it is possible to supply the reference voltage input to the voltage generation unit 90 that generates the voltage that is the basis of the voltage output from the semiconductor element internal output unit 30, in a form without more fluctuations, By contributing to the reduction of the wiring region inside the semiconductor element, the area of the semiconductor element can be reduced.
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention, and embodiments to which such modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention.
また、上記の実施の形態は、クレーム（請求項）にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 The above embodiments do not limit the invention according to the claims (claims), and all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution means of the invention. Is not limited. The embodiments described above include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. Even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, as long as an effect is obtained, a configuration from which these some constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.
例えば、上記第４の実施の形態では、本発明の半導体装置の一例として図８に示される半導体装置１０Ｄを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図９に示される半導体装置１０Ｅや、図１０に示される半導体装置１０Ｆを適用することもできる。図１０では、図８や図９とは異なって、基準電圧入力電極８３が設けられている。望ましくは設けられない方が、基準電圧入力電極８３を設けるための領域を確保する必要がなく、面積が少なくすむが、必要に応じて設けることを排除するものではないことを説明する図でもある。なお、図９及び図１０では、図８に示されるものと同一の役割を有するものには図８と同一の符号を付している。これらの場合にも、上記第４の実施の形態と同様の効果を奏することができる。 For example, in the fourth embodiment, the case where the semiconductor device 10D shown in FIG. 8 is applied as an example of the semiconductor device of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to this, for example, The semiconductor device 10E shown in FIG. 9 and the semiconductor device 10F shown in FIG. 10 can also be applied. 10, unlike FIG. 8 and FIG. 9, a reference voltage input electrode 83 is provided. It is also a diagram for explaining that it is not necessary to secure a region for providing the reference voltage input electrode 83 and the area can be reduced if it is not desirably provided, but it does not exclude providing it as necessary. . 9 and 10, the same reference numerals as those in FIG. 8 are given to those having the same role as that shown in FIG. In these cases, the same effects as those of the fourth embodiment can be obtained.
また、上記第１の実施の形態〜第４の実施の形態は、組み合わせて適用することができることは言うまでもない。 Needless to say, the first to fourth embodiments can be applied in combination.
図１１には、上記第３の実施の形態と上記第４の実施の形態を組み合わせた場合の半導体装置の構成例が示されている。図１１では、テープ基板を図示していないが、図上に記載された配線はすべてテープ基板上に形成されているものである。 FIG. 11 shows a configuration example of a semiconductor device when the third embodiment and the fourth embodiment are combined. In FIG. 11, the tape substrate is not shown, but all the wirings described in the drawing are formed on the tape substrate.
同図に示されるように、この構成例では、電圧生成部９０として、電圧生成部９０Ａ及び電圧生成部９０Ｂの２つが設けられている。電圧生成部９０の詳細は図８〜１０に示された内容である。電圧生成部９０Ａと電圧生成部９０Ｂとの間の領域９２は、出力部３０や電圧生成部９０を除く他の機能ブロックが配置される領域である。 As shown in the figure, in this configuration example, two voltage generation units 90A and 90B are provided as the voltage generation unit 90. Details of the voltage generation unit 90 are the contents shown in FIGS. A region 92 between the voltage generation unit 90A and the voltage generation unit 90B is a region where other functional blocks excluding the output unit 30 and the voltage generation unit 90 are arranged.
ここで、半導体素子内部出力部３０Ａ〜ＤはそれぞれＰチャネルＭＯＳ−ＦＥＴにより構成されたＰデコーダとＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴにより構成されたＮデコーダのいずれかで選択された階調電圧を出力する。そして、電圧生成部９０Ａは上記ＰチャネルＭＯＳ−ＦＥＴにより構成されたデコーダに入力する階調電圧を生成するものとされており、電圧生成部９０Ｂは上記ＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴにより構成されたデコーダに入力する階調電圧を生成するものとされている。 Here, the semiconductor element internal output units 30A to 30D output the gradation voltages selected by either the P decoder constituted by the P channel MOS-FET or the N decoder constituted by the N channel MOS-FET. The voltage generator 90A generates a gradation voltage to be input to the decoder composed of the P-channel MOS-FET, and the voltage generator 90B is connected to the decoder composed of the N-channel MOS-FET. The gradation voltage to be input is generated.
一般に、８ビット（２５６階調）の表示が可能なドライバであれば、電圧生成部９０Ａ及び電圧生成部９０Ｂで、それぞれ２５６階調分の電圧が生成されており、各々に基準電圧が９個或いは１１個程度供給される。 In general, in a driver capable of displaying 8-bit (256 gradations), the voltage generation unit 90A and the voltage generation unit 90B respectively generate voltages for 256 gradations, and each has nine reference voltages. Or about 11 pieces are supplied.
また、この半導体素子１２には、第１の辺に沿って、出力用電極形成領域９８Ａ、入力用電極形成領域９８Ｂ、及び入力用電極非形成領域９８Ｃの３つの領域が設けられている。入力用電極非形成領域９８Ｃは、入力用電極形成領域９８Ｂ間に設けられるものである。特に入力用電極形成領域９８Ｂに設けられた第１電極（グランド端子電極又は電源端子電極）間に入力用電極非形成領域９８Ｃは設けられる。この場合、入力用電極非形成領域９８Ｃに対応する基板上の領域を介して、入力側アウターリードと抵抗ラダー用電極８２とを、金属配線パターン５４（ＶＧＭＡ）で接続することになる。 The semiconductor element 12 is provided with three regions along the first side: an output electrode formation region 98A, an input electrode formation region 98B, and an input electrode non-formation region 98C. The input electrode non-forming region 98C is provided between the input electrode forming regions 98B. In particular, the input electrode non-forming region 98C is provided between the first electrodes (ground terminal electrode or power supply terminal electrode) provided in the input electrode forming region 98B. In this case, the input-side outer lead and the resistance ladder electrode 82 are connected by the metal wiring pattern 54 (VGMA) through a region on the substrate corresponding to the input electrode non-forming region 98C.
また、図１１に示す金属配線パターン５４は特徴的な形状をしている。特に電源端子電極１４ａと電源端子電極５２とを接続する金属配線パターン５４（Ｖｄｄ）について以下にその構造を説明する。金属配線パターン５４（Ｖｄｄ）は、出力部３０の近傍に配置された電源端子電極５２それぞれを共通接続する共通接続部９４と、電源端子電極１４ａと共通接続部９４とを接続し、内部電源配線のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部９６とから構成される。インピーダンス調整部９６は、共通接続部９４との接続を最短距離で結ばず、半導体素子１２の角部から最も近い電源端子電極５２aに近づくように共通接続部９４と接続される。言い換えると、出力部３０のうち半導体素子１２の長手方向における端部の出力部３０Ｄ（又は半導体素子１２の左側の場合出力部３０Ａ）に近づくように共通接続部９４と接続される。本構成をとることにより、出力部３０Ｃと出力部３０Ｄとの電源の均一性をさらに高く保つことが可能となる。 Further, the metal wiring pattern 54 shown in FIG. 11 has a characteristic shape. In particular, the structure of the metal wiring pattern 54 (Vdd) connecting the power supply terminal electrode 14a and the power supply terminal electrode 52 will be described below. The metal wiring pattern 54 (Vdd) connects the common connection portion 94 that commonly connects the power supply terminal electrodes 52 arranged in the vicinity of the output portion 30, the power supply terminal electrode 14 a, and the common connection portion 94. And an impedance adjusting unit 96 for adjusting the impedance of the. The impedance adjustment unit 96 is connected to the common connection unit 94 so as not to connect the common connection unit 94 with the shortest distance but to approach the power supply terminal electrode 52a closest to the corner of the semiconductor element 12. In other words, the output part 30 is connected to the common connection part 94 so as to approach the output part 30D at the end of the semiconductor element 12 in the longitudinal direction (or the output part 30A in the case of the left side of the semiconductor element 12). By adopting this configuration, it becomes possible to keep the uniformity of the power supplies of the output unit 30C and the output unit 30D even higher.
なお、第１の実施の形態と第４の実施の形態を、同図に示されるように組み合わせた場合には、半導体素子１２の左右にそれぞれ配置された２個の電源電極対のいずれか一方を使用して第１の実施の形態に相当する配線パターン５４を配置することで実現が可能である。 When the first embodiment and the fourth embodiment are combined as shown in the figure, one of the two power supply electrode pairs respectively arranged on the left and right sides of the semiconductor element 12 This can be realized by arranging the wiring pattern 54 corresponding to the first embodiment by using.
同様に、上記第１の実施の形態〜第３の実施の形態の複数を組み合わせて適用することもできる。これらの場合、組み合わせた実施の形態によって奏することのできる全ての効果を得ることができる。 Similarly, a plurality of the first to third embodiments can be applied in combination. In these cases, all the effects that can be achieved by the combined embodiment can be obtained.
また、上記各実施の形態における各種Ａｕバンプの数は一例であり、他の数とすることができることも言うまでもない。この場合も、上記各実施の形態と同様の効果を奏することができる。 In addition, it goes without saying that the number of various Au bumps in each of the above embodiments is merely an example, and may be any other number. Also in this case, the same effects as those of the above embodiments can be obtained.
また、上記各実施の形態では、対象とする表示装置を特に限定しなかったが、当該表示装置として、液晶ディスプレイ装置、プラズマ・ディスプレイ装置、有機ＥＬディスプレイ装置等の各種ディスプレイ装置に適用することができる。 In each of the above embodiments, the target display device is not particularly limited. However, the display device can be applied to various display devices such as a liquid crystal display device, a plasma display device, and an organic EL display device. it can.
また、上記各実施の形態では、バンプの材質としてＡｕを適用した場合について説明したが、他の金属を適用することができることも言うまでもない。 In each of the above-described embodiments, the case where Au is applied as the bump material has been described, but it is needless to say that other metals can be applied.
また、上記第１〜第３の実施の形態では、半導体素子内部出力部を半導体素子内部出力部３０Ａ〜３０Ｄの４つのブロックに分けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の数のブロックに分ける形態とすることができることも言うまでもない。この場合も、上記各実施の形態と同様の効果を奏することができる。 Moreover, although the said 1st-3rd embodiment demonstrated the case where the semiconductor element internal output part was divided into four blocks of semiconductor element internal output parts 30A-30D, this invention is limited to this. However, it goes without saying that it can be divided into other numbers of blocks. Also in this case, the same effects as those of the above embodiments can be obtained.
また、上記第４の実施の形態では、抵抗ラダーを４つのブロックに分けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の数のブロックに分ける形態とすることができることも言うまでもない。この場合も、上記第４の実施の形態と同様の効果を奏することができる。 In the fourth embodiment, the case where the resistance ladder is divided into four blocks has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be divided into other numbers of blocks. Not to mention what you can do. Also in this case, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained.
１０Ａ〜１０Ｇ 半導体装置
１２ 半導体素子
１４ａ グランド端子電極
１４ｂ 電源端子電極
１６ａ Ａｕバンプ
１６ｂ Ａｕバンプ
１８ 絶縁性フィルム（基板）
１９ 金属配線パターン
１９ａ 第１接続ノード
２０ 金属配線パターン
２０ａ 第２接続ノード
２１ 抵抗ラダー用接続パターン（基準電圧用配線パターン）
２１ａ 抵抗ラダー用接続ノード
２２ 入力側アウターリード（外部入力端子）
２４ 出力側アウターリード（外部出力端子）
２５ ドライバ出力端子電極
２６ Ａｕバンプ
２８ａ 半導体素子内部グランド配線
２８ｂ 半導体素子内部電源配線
３０Ａ〜３０Ｄ 半導体素子内部出力部
５０ａ グランド用半導体素子表面Ａｕバンプ
５０ｂ 電源用半導体素子表面Ａｕバンプ
５２ａ グランド端子電極
５２ｂ 電源端子電極
５４ 金属配線パターン
５４ａ 第３接続ノード
５４ｂ 信号入力用接続ノード
６２ａ 第１接続端子
６２ｂ 第２接続端子
８０ 抵抗ラダー
８０ａ〜８０ｄ 抵抗器
８２ａ〜８２ｅ 抵抗ラダー用電極
８４ａ〜８４ｅ Ａｕバンプ
８６ 半導体素子内部配線
８８ 半導体素子内部配線
１００Ａ 半導体装置
10A to 10G Semiconductor device 12 Semiconductor element 14a Ground terminal electrode 14b Power supply terminal electrode 16a Au bump 16b Au bump 18 Insulating film (substrate)
19 metal wiring pattern 19a first connection node 20 metal wiring pattern 20a second connection node 21 resistor ladder connection pattern (reference voltage wiring pattern)
21a Connection node for resistance ladder 22 Input side outer lead (external input terminal)
24 Output side outer lead (external output terminal)
25 Driver output terminal electrode 26 Au bump 28a Semiconductor device internal ground wiring 28b Semiconductor device internal power supply wiring 30A to 30D Semiconductor device internal output section 50a Ground semiconductor device surface Au bump 50b Power supply semiconductor device surface Au bump 52a Ground terminal electrode 52b Power supply Terminal electrode 54 Metal wiring pattern 54a Third connection node 54b Signal input connection node 62a First connection terminal 62b Second connection terminal 80 Resistance ladder 80a to 80d Resistor 82a to 82e Resistance ladder electrode 84a to 84e Au bump 86 Semiconductor element Internal wiring 88 Semiconductor element internal wiring 100A Semiconductor device
Claims (12)
前記半導体素子は、
前記半導体素子の表面の第１の辺に沿って形成された複数の第１電極と、
前記表面の第１の辺に対向する辺に沿って形成された複数の第２電極と、
前記半導体素子に設けられた機能ブロックの近傍に形成され、前記機能ブロックに対して電力を供給する第３電極と、
前記複数の第１電極の各々と前記第３電極とを接続する前記半導体素子の内部に設けられた内部配線と、を備え、
前記複数の配線パターンは、
前記外部入力端子と前記複数の第１電極の各々とを接続する第１の配線パターンと、
前記外部出力端子と前記複数の第２電極の各々とを接続する第２の配線パターンと、
前記複数の第１電極の各々と前記第３電極とを接続する第３の配線パターンと、を備え、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極は、前記半導体素子の外縁部に沿って形成されることを特徴とする半導体装置。 An external input and terminal and an external output terminal, a semiconductor device equipped with a plurality of wiring patterns, wherein connected to the external input terminals to each of the external output terminal, a rectangular semiconductor element on a substrate is formed,
The semiconductor element is
A plurality of first electrodes formed along a first side of the surface of the semiconductor element ;
A plurality of second electrodes formed along a side opposite to the first side of the surface;
A third electrode formed in the vicinity of the functional block provided in the semiconductor element and supplying power to the functional block ;
An internal wiring provided inside the semiconductor element that connects each of the plurality of first electrodes and the third electrode, and
The plurality of wiring patterns are
A first wiring pattern for connecting the each of the external input terminals and the plurality of first electrodes,
A second wiring pattern for connecting the each of the external output terminals and the plurality of second electrodes,
And a third wiring pattern for connecting with each of the plurality of first electrode and the third electrode,
The plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are formed along an outer edge portion of the semiconductor element.
前記第３電極は、複数設けられ、前記複数の第３電極は、第２電源電極と第２グランド電極とから構成され、
前記機能ブロックは、オペアンプを有する出力部であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。 The plurality of first electrodes includes a first power supply electrode and a first ground electrode,
Before Symbol third electrode, provided in plurality, the plurality of third electrodes is composed of a second power supply electrode and the second ground electrode,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the functional block is an output unit including an operational amplifier.
複数の前記第２電源電極及び複数の前記第２グランド電極の少なくとも一方の電極間は、前記第３の配線パターンで接続されていることを特徴とする請求項４〜請求項６の何れか１項に記載の半導体装置。 At least one of the second power supply electrode and the second ground electrode is composed of a plurality,
7. The device according to claim 4, wherein at least one of the plurality of second power supply electrodes and the plurality of second ground electrodes is connected by the third wiring pattern. 8. The semiconductor device according to item.
複数の前記第２電源電極間を接続する前記第３の配線パターンと複数の前記第２グランド電極間を接続する前記第３の配線パターンは、前記内部電源配線と前記内部グランド配線が形成される領域を避けて配置されていることを特徴とする請求項７〜請求項９の何れか１項に記載の半導体装置。 The internal wiring is composed of an internal power supply wiring and an internal ground wiring extending in the longitudinal direction of the semiconductor element,
In the third wiring pattern connecting the plurality of second power supply electrodes and the third wiring pattern connecting the plurality of second ground electrodes, the internal power supply wiring and the internal ground wiring are formed. The semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor device is disposed so as to avoid a region.
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