JP6011082B2 - Salt and resist composition - Google Patents

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本発明は、レジスト組成物用酸発生剤用の新規な塩、当該塩を含有するレジスト組成物などに関する。   The present invention relates to a novel salt for an acid generator for a resist composition, a resist composition containing the salt, and the like.

リソグラフィー技術を用いた半導体の微細加工に用いられるレジスト組成物(化学増幅型レジスト組成物)は、酸発生剤と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有する。   A resist composition (chemically amplified resist composition) used for microfabrication of a semiconductor using a lithography technique is insoluble or hardly soluble in an acid generator and an alkaline aqueous solution, and can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid. Containing resin.

かかるレジスト組成物用酸発生剤として例えば、特許文献1には、以下の式(Z1)で表される塩が記載されている。

Figure 0006011082
As such an acid generator for resist compositions, for example, Patent Document 1 describes a salt represented by the following formula (Z1).
Figure 0006011082

特開2008−181119号公報JP 2008-181119 A

半導体の微細加工では、より微細なレジストパターンを製造し得るレジスト組成物(解像度に優れたレジスト組成物)が望まれている。したがって、本発明の目的は、レジスト組成物の酸発生剤として用いたときに、解像度に優れたレジスト組成物を実現できる新規な塩、及び当該塩を含有するレジスト組成物を提供することにある。   In semiconductor microfabrication, a resist composition (resist composition excellent in resolution) capable of producing a finer resist pattern is desired. Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel salt capable of realizing a resist composition having excellent resolution when used as an acid generator of a resist composition, and a resist composition containing the salt. .

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(I)で表される塩。

Figure 0006011082
[式(I)中、
は、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。
及びXは、それぞれ独立に、炭素数1〜12の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
は、有機アニオンを表す。]
〔2〕前記式(I)のX及びXがそれぞれ独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基である、前記〔1〕記載の塩。
〔3〕前記式(I)のRが、置換基を有してもよいフェニル基である、前記〔1〕又は〔2〕記載の塩。
〔4〕前記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の塩と、
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。
〔5〕さらに、塩基性化合物を含有する、前記〔4〕記載のレジスト組成物。
〔6〕(1)前記〔4〕又は〔5〕のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を、現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] A salt represented by the formula (I).
Figure 0006011082
[In the formula (I),
R 1 represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent.
R 2 represents a hydrogen atom or a hydroxy group.
X 1 and X 2 each independently represent a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group is an oxygen atom or a carbonyl It may be replaced with a group.
A represents an organic anion. ]
[2] The salt according to [1], wherein X 1 and X 2 in the formula (I) are each independently an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
[3] The salt according to [1] or [2], wherein R 1 in the formula (I) is a phenyl group which may have a substituent.
[4] The salt according to any one of [1] to [3],
A resist composition containing a resin that is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and that can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.
[5] The resist composition according to [4], further containing a basic compound.
[6] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [4] or [5] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:

酸発生剤として本発明の塩を含有するレジスト組成物を用いれば、解像度に優れ、微細なレジストパターンを製造することができる。   If a resist composition containing the salt of the present invention is used as the acid generator, a fine resist pattern with excellent resolution can be produced.

本発明の塩は、式(I)で表される塩(以下、場合により、「塩(I)」という。)である。

Figure 0006011082
[式(I)中、
は、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。
及びXは、それぞれ独立に、炭素数1〜12の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
は、有機アニオンを表す。] The salt of the present invention is a salt represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “salt (I)”).
Figure 0006011082
[In the formula (I),
R 1 represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent.
R 2 represents a hydrogen atom or a hydroxy group.
X 1 and X 2 each independently represent a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group is an oxygen atom or a carbonyl It may be replaced with a group.
A represents an organic anion. ]

は、置換基を有してもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基、フルオレニル基などのアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が好ましく、フェニル基及びナフチル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。置換基としては、炭素数1〜12の1価の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が挙げられる。炭素数1〜12の1価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の炭素数1〜12のアルキル基、および、以下の式(KA−1)〜(KA−10)、(KA−13)、(KA−14)、(KA−16)および(KA−20)〜(KA−22)で表される飽和環状炭化水素から水素原子を1個取り去ることにより形成される基が挙げられる。

Figure 0006011082

Figure 0006011082
置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましい。 R 1 represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent. Examples of the aromatic hydrocarbon group include aryl groups such as a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, and a fluorenyl group. A phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group are preferable, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable. More preferred is a phenyl group. Examples of the substituent include a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and a hydroxy group. Examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, and octyl. Group, decyl group, alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as dodecyl group, and the following formulas (KA-1) to (KA-10), (KA-13), (KA-14), (KA-) 16) and a group formed by removing one hydrogen atom from the saturated cyclic hydrocarbon represented by (KA-20) to (KA-22).
Figure 0006011082

Figure 0006011082
As a substituent, a C1-C6 alkyl group is preferable and a C1-C4 alkyl group is more preferable.

及びXは、それぞれ独立に、炭素数1〜12の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。2価の脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の炭素数1〜12のアルカンジイル基、上記式(KA−1)〜(KA−10)、(KA−13)、(KA−14)、(KA−16)および(KA−20)〜(KA−22)で表される飽和環状炭化水素から水素原子を2個取り去ることにより形成される基(2価の飽和の脂環式炭化水素基)、および、前記アルカンジイル基と前記2価の飽和の脂環式炭化水素基とを組み合わせることにより形成される炭素数1〜12の基が挙げられる。 X 1 and X 2 each independently represents a C 1-12 divalent aliphatic saturated hydrocarbon group. Examples of the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane-1,5. -Diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane -1,11-diyl group, dodecane-1,12-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,3- Carbon number such as diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group 1-12 alkanediyl groups, the above formula (KA 1) to (KA-10), (KA-13), (KA-14), (KA-16) and a hydrogen atom from a saturated cyclic hydrocarbon represented by (KA-20) to (KA-22) It is formed by combining a group formed by removing two (a divalent saturated alicyclic hydrocarbon group), and the alkanediyl group and the divalent saturated alicyclic hydrocarbon group. C1-C12 group is mentioned.

及びXの脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、例えば、エーテル結合やエステル結合などにより中断された脂肪族飽和炭化水素基であってもよい。 The methylene group constituting the aliphatic saturated hydrocarbon group of X 1 and X 2 may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group, for example, an aliphatic saturated hydrocarbon group interrupted by an ether bond or an ester bond. There may be.

塩(I)を構成する有機カチオンの具体例としては、以下の式(I−c−1)〜式(I−c−12)で表される有機カチオンが挙げられる。

Figure 0006011082
Specific examples of the organic cation constituting the salt (I) include organic cations represented by the following formulas (Ic-1) to (Ic-12).
Figure 0006011082

塩(I)を構成する有機アニオン(A)としては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンが挙げられる。これらの中でも、スルホン酸アニオンが好ましく、式(I−A)で表されるスルホン酸アニオンがより好ましい。

Figure 0006011082
[式(I−A)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。] Examples of the organic anion (A ) constituting the salt (I) include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion. Among these, a sulfonate anion is preferable, and a sulfonate anion represented by the formula (IA) is more preferable.
Figure 0006011082
[In the formula (IA),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. May be.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group. ]

1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。Q及びQはそれぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、Q及びQはともにフッ素原子であることがさらに好ましい。 Examples of the perfluoroalkyl group of Q 1 and Q 2 include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl group and perfluoro group. A hexyl group is mentioned. Q 1 and Q 2 are each independently preferably a fluorine atom or a trifluoromethyl group, and both Q 1 and Q 2 are more preferably a fluorine atom.

b1の2価の脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基などの炭素数1〜17のアルカンジイル基、上記式(KA−1)〜(KA−22)で表される飽和環状炭化水素から水素原子を2個取り去ることにより形成される基(2価の飽和の脂環式炭化水素基)、および、前記アルカンジイル基と前記2価の飽和の脂環式炭化水素基とを組み合わせることにより形成される炭素数1〜17の基が挙げられる。 As the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group for L b1 , a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, a pentane- 1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl Group, undecane-1,11-diyl group, dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1 , 16-diyl group, heptadecane-1,17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,3-diyl group , 2-methylpro 1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group and the like, alkanediyl having 1 to 17 carbon atoms A group formed by removing two hydrogen atoms from a saturated cyclic hydrocarbon represented by the above formulas (KA-1) to (KA-22) (a divalent saturated alicyclic hydrocarbon group), And a group having 1 to 17 carbon atoms formed by combining the alkanediyl group and the divalent saturated alicyclic hydrocarbon group.

b1の2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基の具体例としては、例えば、以下の式(b1−1)〜式(b1−7)のいずれかで表される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式(b1−1)又は式(b1−3)で表される基である。なお、式(b1−1)〜式(b1−7)において、*は、結合手を示し、左側の結合手*は、C(Q1)(Q2)の炭素原子と結合し、右側の結合手*はYの炭素原子と結合している。

Figure 0006011082
式(b1−1)〜式(b1−7)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。
b5は、単結合又は炭素数1〜14の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b6は、炭素数1〜15の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb5及びLb6の合計炭素数の上限は15である。
b7は、単結合又は炭素数1〜15の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b8は、炭素数1〜16の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb7及びLb8の合計炭素数の上限は16である。
b9は、単結合又は炭素数1〜13の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b10は、炭素数1〜14の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は14である。
b11及びLb12は、単結合又は炭素数1〜11の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b13は、炭素数1〜12の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb11、Lb12及びLb13の合計炭素数の上限は12である。
b14及びLb15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜13の脂肪族飽和炭化水素基を表す。Lb16は、炭素数1〜14の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb14、Lb15及びLb16の合計炭素数の上限は14である。 Specific examples of the group in which the methylene group constituting the divalent aliphatic saturated hydrocarbon group of L b1 is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include, for example, the following formulas (b1-1) to (b1-7) ) Or a group represented by any of the above. L b1 is preferably a group represented by any one of formulas (b1-1) to (b1-4), more preferably represented by formula (b1-1) or formula (b1-3). It is a group. In the formulas (b1-1) to (b1-7), * indicates a bond, the left bond * is bonded to a carbon atom of C (Q 1 ) (Q 2 ), and The bond * is bonded to the carbon atom of Y.
Figure 0006011082
In formula (b1-1) to formula (b1-7),
L b2 represents a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b6 represents an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b5 and L b6 is 15.
L b7 represents a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b8 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 16 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b7 and L b8 is 16.
L b9 represents a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b10 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b9 and L b10 is 14.
L b11 and L b12 represent a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
L b13 represents an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 , L b12 and L b13 is 12.
L b14 and L b15 each independently represent a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. L b16 represents an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b14 , L b15 and L b16 is 14.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.
Figure 0006011082

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.
Figure 0006011082

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.
Figure 0006011082

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.
Figure 0006011082

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.
Figure 0006011082

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.
Figure 0006011082

式(b1−7)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-7) include the following.
Figure 0006011082

Yがアルキル基である場合、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ペンタデシル基、ヘキシルデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基などが挙げられ、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。また、当該アルキル基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。
Yが脂環式炭化水素基である場合、その具体例としては、前記式(KA−1)〜(KA−22)で表される飽和環状炭化水素から水素原子を1個取り去ることにより形成される基が挙げられ、当該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。中でも、Yの脂環式炭化水素基としては、以下の式(Y1)〜式(Y11)で表される基が好ましく、当該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わった基としては、以下の式(Y12)〜式(Y26)で表される基が好ましい。

Figure 0006011082
When Y is an alkyl group, specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group. Group, dodecyl group, hexadecyl group, pentadecyl group, hexyldecyl group, heptadecyl group, octadecyl group and the like, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. Further, the methylene group constituting the alkyl group may be replaced with an oxygen atom, a carbonyl group or a sulfonyl group.
When Y is an alicyclic hydrocarbon group, specific examples thereof are formed by removing one hydrogen atom from the saturated cyclic hydrocarbon represented by the formulas (KA-1) to (KA-22). The methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. Among them, as the alicyclic hydrocarbon group of Y, groups represented by the following formulas (Y1) to (Y11) are preferable, and the methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group is an oxygen atom, carbonyl As a group replaced with a group or a sulfonyl group, groups represented by the following formulas (Y12) to (Y26) are preferable.
Figure 0006011082

以上示したYの具体例の中でも、Yは脂環式炭化水素基であると好ましく、式(Y1)〜式(Y26)のいずれかの脂環式炭化水素基が好ましい。さらにいえば、式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基がより好ましく、式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基がさらに好ましく、式(Y11)又は式(Y14)で表される基が特に好ましい。   Among the specific examples of Y shown above, Y is preferably an alicyclic hydrocarbon group, and any of the alicyclic hydrocarbon groups of formulas (Y1) to (Y26) is preferable. Further, a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19) is more preferable, and a group represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15), or formula (Y19) is more preferable. More preferred is a group represented by the formula (Y11) or the formula (Y14).

Yのアルキル基及び脂環式炭化水素基が任意に有する置換基としては、例えば、ハロゲン原子;ヒドロキシ基;ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルコキシ基;アルキル基、脂環式炭化水素基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。Yがアルキル基である場合、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基を置換基として有していてもよく、Yが脂環式炭化水素基である場合、アルキル基を置換基として有していてもよい。 Examples of the substituent that the alkyl group of Y and the alicyclic hydrocarbon group optionally have include, for example, a halogen atom; a hydroxy group; a C 1-12 alkoxy group optionally having a halogen atom or a hydroxy group; Group, alicyclic hydrocarbon group, halogen atom or hydroxy group optionally having 6 to 18 carbon atoms, alkyl group, halogen atom or hydroxy group An aralkyl group having 7 to 21 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, a glycidyloxy group, or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms) Represents an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, j2 represents an integer of 0 to 4). When Y is an alkyl group, it may have an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms as a substituent, and when Y is an alicyclic hydrocarbon group, it has an alkyl group as a substituent. You may do it.

前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基及びヘキトキシ基などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。
前記芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基及び2−メチル−6−エチルフェニルなどが挙げられる。
前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基などが挙げられる。
前記アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned.
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group, and a hexoxy group, and these may be linear or branched.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, Biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl and the like can be mentioned.
Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, trityl group, naphthylmethyl group, and naphthylethyl group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.

好ましい式(I−A)で表されるアニオンとしては、以下の式(b−1−1)〜式(b−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。

Figure 0006011082
式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるアニオンにおいて、Lb2は前記と同じ意味であり、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。ここに示すアニオンは、特開2010−204646号公報に記載されている。 Preferable examples of the anion represented by the formula (IA) include anions represented by the following formulas (b-1-1) to (b-1-9).
Figure 0006011082
In the anions represented by formula (b1-1-1) to formula (b1-1-9), L b2 has the same meaning as described above, and R b2 and R b3 each independently have 1 to 4 carbon atoms. Represents an alkyl group (preferably a methyl group). The anions shown here are described in JP2010-204646A.

さらに好ましいアニオンは、以下に示すアニオンである。

Figure 0006011082
More preferred anions are the following anions.
Figure 0006011082

塩(I)は、上述の有機カチオンと、上述のアニオンとの任意の組み合わせである。その具体例を表1、表2及び表3に示す。   The salt (I) is an arbitrary combination of the above organic cation and the above anion. Specific examples are shown in Tables 1, 2 and 3.

Figure 0006011082
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

表1〜表3に示した塩(I)の中でも、以下に示す塩が好ましい。これらは後述する塩(I)の製造方法により、入手が容易な原料を用いることにより、当該塩(I)を製造し易い点でも好ましいものである。

Figure 0006011082
Among the salts (I) shown in Tables 1 to 3, the following salts are preferable. These are also preferable in that the salt (I) can be easily produced by using a raw material that can be easily obtained by the method for producing the salt (I) described later.
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

塩(I)は、例えば、式(I−a)で表される塩と、式(I−b)で表される化合物とを、触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

Figure 0006011082
(式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。)
触媒としては、安息香酸銅(II)などが挙げられ、溶剤としては、モノクロロベンゼンなどが挙げられる。 The salt (I) is produced, for example, by reacting a salt represented by the formula (Ia) and a compound represented by the formula (Ib) in a solvent in the presence of a catalyst. Can do.
Figure 0006011082
(In the formula, all symbols have the same meaning as described above.)
Examples of the catalyst include copper (II) benzoate, and examples of the solvent include monochlorobenzene.

式(I−a)で表される塩としては、以下で表される塩が挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the salt represented by the formula (Ia) include salts represented by the following.
Figure 0006011082

式(I−b)で表される化合物は、以下で表される化合物が挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the compound represented by the formula (Ib) include the following compounds.
Figure 0006011082

続いて、本発明のレジスト組成物について、説明する。本発明のレジスト組成物は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂(以下、場合により「樹脂(A)」という。)と、前記塩(I)とを含有する。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物(以下、場合により「塩基性化合物(C)」という。)及び溶剤(以下、場合により「溶剤(D)」という。)を含有していることが好ましい。
Next, the resist composition of the present invention will be described. The resist composition of the present invention is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution and can be dissolved in an aqueous alkaline solution by the action of an acid (hereinafter, sometimes referred to as “resin (A)”) and the salt (I). Containing.
The resist composition of the present invention further contains a basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”) and a solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (D)”). It is preferable.

本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 In the present specification, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having a "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " structure of To do. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。
脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基(脂肪族飽和炭化水素基)が好ましい。
The hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group includes both a chain type and a cyclic type, and includes a combination of a chain type and an alicyclic aliphatic hydrocarbon group unless otherwise defined. Further, these aliphatic hydrocarbon groups may contain a carbon-carbon double bond in a part thereof, but a saturated group (aliphatic saturated hydrocarbon group) is preferable.

<樹脂(A)>
樹脂(A)は上述のとおり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性(以下、場合により「酸作用特性」という。)を有するものである。なお、「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
<Resin (A)>
As described above, the resin (A) is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and has a characteristic that it becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid (hereinafter, sometimes referred to as “acidic action characteristic”). Note that “can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid” means “insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before contact with an acid, but soluble in an alkaline aqueous solution after contact with an acid”. Means.

酸作用特性を有する樹脂(A)は、その分子内に酸に不安定な基(以下、場合により「酸不安定基」という。)を有する。このような樹脂(A)は、酸不安定基を有するモノマー(以下、このモノマーを場合により「モノマー(a1)」といい、該モノマー(a1)由来の構造単位を「構造単位(a1)」という。)を重合することによって製造できる。酸作用特性を有する樹脂(A)を製造する際には、モノマー(a1)を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The resin (A) having acid action characteristics has an acid labile group (hereinafter, sometimes referred to as “acid labile group”) in its molecule. Such a resin (A) is a monomer having an acid labile group (hereinafter, this monomer is sometimes referred to as “monomer (a1)”, and the structural unit derived from the monomer (a1) is referred to as “structural unit (a1)”. Can be produced by polymerization. In producing the resin (A) having acid action characteristics, the monomer (a1) may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

<酸不安定基>
「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸不安定基としては、例えば、式(1)で表される基(酸不安定基(1))、式(2)で表される基(酸不安定基(2))などが挙げられる。

Figure 0006011082
[式(1)中、
a1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。] <Acid labile group>
The “acid labile group” means a group that has a leaving group, and the leaving group is removed by contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) (acid labile group (1)) and a group represented by the formula (2) (acid labile group (2)). .
Figure 0006011082
[In Formula (1),
R a1 to R a3 each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or R a1 and R a2 are bonded to each other to form 2 to 2 carbon atoms. 20 divalent hydrocarbon groups are formed. * Represents a bond. ]

Figure 0006011082
[式(2)中、
a1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の1価の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。該1価の炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子に置き換わってもよい。*は結合手を表す。]
Figure 0006011082
[In Formula (2),
R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or R a3 ′ a2 ′ and R a3 ′ combine with each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. The monovalent hydrocarbon group and the methylene group constituting the divalent hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a sulfur atom. * Represents a bond. ]

酸不安定基(1)のRa1〜Ra3のアルキル基及び脂環式炭化水素基は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。ただし、該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3〜16の範囲である。 The alkyl groups and alicyclic hydrocarbon groups represented by R a1 to R a3 of the acid labile group (1) include those already exemplified in each carbon number range. However, carbon number of this alicyclic hydrocarbon group becomes like this. Preferably it is the range of 3-16.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合とは、−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)で表される基が、以下のいずれかの基となる場合である。該2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは3〜12の範囲である。

Figure 0006011082
When R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group, the group represented by —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) is any of the following groups: This is the case. The carbon number of the divalent hydrocarbon group is preferably in the range of 3-12.
Figure 0006011082

酸不安定基(1)としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブチル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2が結合することで、アダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。 Examples of the acid labile group (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), groups in which R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert-butyl groups), 2-alkyl An adamantane-2-yloxycarbonyl group (in formula (1), R a1 and R a2 combine to form an adamantyl ring, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantan-1-yl ) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

酸不安定基(2)のRa1’及びRa2’の炭化水素基は、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基などである。これらの基もすでに例示したもののうち、炭素数20以下の範囲で同じものを含む。ただし、Ra1'及びRa2'のうち少なくとも1つは水素原子であると好ましい。 Examples of the R a1 ′ and R a2 ′ hydrocarbon groups of the acid labile group (2) include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group. Among these groups, the same groups are included in the range having 20 or less carbon atoms. However, at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is preferably a hydrogen atom.

酸不安定基(2)の具体例としては、以下の基が挙げられる。

Figure 0006011082
Specific examples of the acid labile group (2) include the following groups.
Figure 0006011082

モノマー(a1)は、酸不安定基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーが好ましく、酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーがさらに好ましい。   The monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and a carbon-carbon double bond, and more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

なかでも、酸不安定基(1)及び/又は酸不安定基(2)を有するモノマー(a1)が好ましく、酸不安定基(1)及び/又は酸不安定基(2)を有する(メタ)アクリル系モノマーが特に好ましい。   Among them, the monomer (a1) having an acid labile group (1) and / or an acid labile group (2) is preferable, and having an acid labile group (1) and / or an acid labile group (2) (meta ) Acrylic monomers are particularly preferred.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するモノマー(a1)が好ましい。このようなモノマー(a1)を用いて得られる樹脂(A)は、脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するものとなるので、該樹脂(A)を含有する本レジスト組成物の解像度がより一層良好となる傾向がある。   Of the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, the monomer (a1) having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms is preferred. Since the resin (A) obtained using such a monomer (a1) has a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group, the resist composition containing the resin (A) The resolution tends to be even better.

<好適な構造単位(a1)>
かかる脂環式炭化水素基を有するモノマー(a1)を用いて得られる好適な樹脂(A)について、さらに詳述する。該樹脂(A)の中でも、式(a1−1)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a1−1)」という。)又は式(a1−2)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a1−2)」という。)を有する樹脂(A)が好ましい。かかる樹脂(A)には、構造単位(a1−1)を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位(a1−2)を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位(a1−1)と構造単位(a1−2)とを合わせて有していてもよい。

Figure 0006011082
[式(a1−1)中、
a1は、酸素原子又は*−O−(CH2k1−CO−O−(k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。)で表される基を表す。
a4は、水素原子又はメチル基を表す。
a6は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
式(a1−2)中、
a2は、酸素原子又は*−O−(CH2k1−CO−O−(k1は前記と同義である。)で表される基を表す。
a5は、水素原子又はメチル基を表す。
a7は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。] <Preferred structural unit (a1)>
A suitable resin (A) obtained using the monomer (a1) having such an alicyclic hydrocarbon group will be described in more detail. Among the resins (A), a structural unit represented by the formula (a1-1) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1-1)”) or a structural unit represented by the formula (a1-2) A resin (A) having (hereinafter referred to as “structural unit (a1-2)” in some cases) is preferable. Such resin (A) may have the structural unit (a1-1) as a single species, may have a plurality of types, or may have the structural unit (a1-2) as a single species. In addition, a plurality of types may be included, and the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) may be combined.
Figure 0006011082
[In the formula (a1-1),
L a1 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O— (k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group). Represent.
R a4 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
In formula (a1-2),
L a2 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O— (k1 is as defined above).
R a5 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a7 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1〜4の整数である*−O−(CH2k1−CO−O−で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は*−O−CH2−CO−O−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基であり、この炭素数の上限以下の範囲で、すでに例示したものと同じものを含む。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は、好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, wherein k1 is an integer of 1 to 4, more preferably an oxygen atom. or * -O-CH 2 -CO-O- and, still more preferably an oxygen atom.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Of the aliphatic hydrocarbon groups of R a6 and R a7 , preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, and within the range of the upper limit of the carbon number, Includes the same as those already exemplified. The aliphatic hydrocarbon groups for R a6 and R a7 are each independently preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 8 or less carbon atoms, more preferably an alkyl group having 6 or less carbon atoms. Or it is an alicyclic hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

構造単位(a1−1)としては、以下の式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)のいずれかで表される構造単位が好ましく、式(a1−1−1)〜(a1−1−4)のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

Figure 0006011082
As the structural unit (a1-1), structural units represented by any of the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-8) are preferable, and the structural units (a1-1-1) to (a1-1-1) The structural unit represented by any one of (a1-1-4) is more preferable.
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

これらの構造単位(a1−1)を誘導し得るモノマー(a1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたものなどが挙げられる。   Examples of the monomer (a1) from which these structural units (a1-1) can be derived include those described in JP-A No. 2010-204646.

一方、構造単位(a1−2)としては、以下の式(a1−2−1)〜式(a1−2−6)のいずれかで表される構造単位が好ましい。これらのなかでも、式(a1−2−1)〜式(a1−2−4)及び式(a1−2−9)〜式(a1−2−10)で表される構造単位がより好ましく、式(a1−2−3)又は(a1−2−9)で表される構造単位がさらに好ましい。

Figure 0006011082
On the other hand, the structural unit (a1-2) is preferably a structural unit represented by any of the following formulas (a1-2-1) to (a1-2-6). Among these, structural units represented by formula (a1-2-1) to formula (a1-2-4) and formula (a1-2-9) to formula (a1-2-10) are more preferable, The structural unit represented by the formula (a1-2-3) or (a1-2-9) is more preferable.
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

構造単位(a1−2)を誘導し得るモノマー(a1)としては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート及び1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the monomer (a1) capable of deriving the structural unit (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethyl. Examples include cycloheptan-1-yl (meth) acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate.

樹脂(A)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を有する場合、これらの合計含有割合は、該樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、10〜95モル%の範囲が好ましく、15〜90モル%の範囲がより好ましく、20〜85モル%の範囲がさらに好ましく、20〜60モル%の範囲が特に好ましい。また、構造単位(a1)として、アダマンチル基を有する構造単位(a1)(特に好ましくは、構造単位(a1−1))を有する場合には、樹脂(A)中の構造単位(a1)の合計(100モル%)に対して、アダマンチル基を有する構造単位(a1)が15モル%以上であることが好ましい。このような含有割合で、アダマンチル基を有する構造単位(a1)を有する樹脂(A)は、該樹脂(A)を含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が良好となる傾向がある。なお、構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)の合計含有割合を、上述の範囲にするためには、樹脂(A)を製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を誘導するモノマーの使用量を調整すればよい。   When the resin (A) has the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), the total content thereof is based on the total structural unit (100 mol%) of the resin (A). The range of 10 to 95 mol% is preferable, the range of 15 to 90 mol% is more preferable, the range of 20 to 85 mol% is more preferable, and the range of 20 to 60 mol% is particularly preferable. When the structural unit (a1) has a structural unit (a1) having an adamantyl group (particularly preferably, the structural unit (a1-1)), the total of the structural units (a1) in the resin (A) The structural unit (a1) having an adamantyl group is preferably 15 mol% or more with respect to (100 mol%). With such a content ratio, the resin (A) having the structural unit (a1) having an adamantyl group tends to have good dry etching resistance of a resist pattern produced from the resist composition containing the resin (A). There is. In addition, in order to make the total content rate of a structural unit (a1-1) and / or a structural unit (a1-2) into the above-mentioned range, when manufacturing resin (A), it is with respect to the usage-amount of all monomers. What is necessary is just to adjust the usage-amount of the monomer which induces | guides | derives a structural unit (a1-1) and / or a structural unit (a1-2).

これらの中でも構造単位(a1−1)を樹脂(A)が有していると特に好ましい。   Among these, it is particularly preferable that the resin (A) has the structural unit (a1-1).

樹脂(A)は、好適な構造単位(a1)である構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)以外の構造単位(a1)を有していてもよい。以下、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)以外の構造単位(a1)を、当該構造単位(a1)を誘導するモノマー(a1)を示すことで説明する。   The resin (A) may have a structural unit (a1) other than the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) which are suitable structural units (a1). Hereinafter, the structural unit (a1) other than the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) will be described by showing a monomer (a1) that derives the structural unit (a1).

樹脂(A)は、以下の式(a1−3)で表されるモノマー(以下、場合により「モノマー(a1−3)」という。)に由来する構造単位(a1)を有していてもよい。該モノマー(a1−3)に由来する構造単位(a1)を有する樹脂(A)は、その主鎖に剛直なノルボルナン環を含むものとなるので、このような樹脂(A)を含有する本発明のレジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造できる傾向がある。

Figure 0006011082
式(a1−3)中、
a9は、水素原子、置換基(例えばヒドロキシ基)を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は−COORa13で表される基を表し、Ra13は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して環を形成している。該脂肪族炭化水素基及に含まれる水素原子はヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。 The resin (A) may have a structural unit (a1) derived from a monomer represented by the following formula (a1-3) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1-3)”). . Since the resin (A) having the structural unit (a1) derived from the monomer (a1-3) contains a rigid norbornane ring in its main chain, the present invention containing such a resin (A) This resist composition tends to produce a resist pattern having excellent dry etching resistance.
Figure 0006011082
In formula (a1-3),
R a9 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms which may have a substituent (for example, a hydroxy group), a carboxy group, a cyano group, or a group represented by —COOR a13. , R a13 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group or the like, and constitutes the aliphatic hydrocarbon group The methylene group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group. R a10 , R a11 and R a12 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or R a10 and R a11 are bonded to each other to form a ring. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group or the like, and the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.

a9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は典型的には、置換基を有していてもよいアルキル基であり、かかるアルキル基のうち、置換基を有さないアルキル基は、その炭素数が1〜8の範囲ですでに例示したものを含む。置換基、特にヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基(アルキル基)としては例えば、ヒドロキシメチル基及び2−ヒドロキシエチル基などである。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基及び2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。 The aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent of R a9 is typically an alkyl group which may have a substituent, and among these alkyl groups, an alkyl having no substituent The group includes those already exemplified in the range of 1 to 8 carbon atoms. Examples of the substituent, particularly the aliphatic hydrocarbon group (alkyl group) having a hydroxy group include a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group. Examples of R a13 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group, and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.

a10〜Ra12の脂肪族炭化水素基も典型的には、アルキル基であり、その具体例はRa9の場合と同じである。Ra10とRa11とが結合し、これらが結合する炭素原子とともに形成される環は、シクロへキサン環及びアダマンタン環などである。 The aliphatic hydrocarbon groups of R a10 to R a12 are also typically alkyl groups, and specific examples thereof are the same as those of R a9 . The ring formed by combining R a10 and R a11 together with the carbon atom to which they are bonded includes a cyclohexane ring and an adamantane ring.

モノマー(a1−3)の具体例は、特開2010−204646号公報に記載されている。これらの中でも、以下の式(a1−3−1)、式(a1−3−2)、式(a1−3−3)及び式(a1−3−4)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−3−2)又は(a1−3−4)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−3−2)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 0006011082
Specific examples of the monomer (a1-3) are described in JP-A No. 2010-204646. Among these, monomers represented by the following formula (a1-3-1), formula (a1-3-2), formula (a1-3-3) and formula (a1-3-4) are preferable, The monomer represented by the formula (a1-3-2) or (a1-3-4) is more preferable, and the monomer represented by the formula (a1-3-2) is more preferable.
Figure 0006011082

樹脂(A)が、モノマー(a1−3)に由来する構造単位(a1)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%の範囲が好ましく、15〜90モル%の範囲がより好ましく、20〜85モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has the structural unit (a1) derived from the monomer (a1-3), the content ratio is preferably in the range of 10 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). The range of 15-90 mol% is more preferable, and the range of 20-85 mol% is more preferable.

樹脂(A)は以下の式(a1−4)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−4)」という場合がある。)に由来する構造単位(a1)を有していてもよい。

Figure 0006011082
式(a1−4)中、
10は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
は0〜4の整数を表す。
11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、lが2以上である場合、複数のR11は互いに同一であっても異なってもよい。
12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
a2は、置換基を有していてもよい炭素数1〜17の脂肪族炭化水素基又は単結合を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は−N(R)−(ただし、Rは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す)で表される基に置き換わっていてもよい。
a3は、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の炭化水素基を表す。 The resin (A) may have a structural unit (a1) derived from a monomer represented by the following formula (a1-4) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1-4)”).
Figure 0006011082
In formula (a1-4),
R 10 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
l a represents an integer of 0 to 4;
R 11 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. In the case where l a is 2 or more, a plurality of R 11 may be the same as or different from each other.
R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
X a2 represents an optionally substituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms or a single bond, and the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group includes an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl A group, a sulfonyl group, or a group represented by —N (R c ) — (wherein R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms) may be substituted.
Y a3 represents an optionally substituted hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.

「ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基」のうち、アルキル基としては、前記したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、フッ素原子を有するアルキル基が好ましい。その具体例としては、例えば、塩(I)のQ及びQで説明したペルフルオロアルキル基などである。これらの中でも、R10としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
11のアルコキシ基としては、前記したものと同様のものが挙げられる。中でも、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
11のアシル基及びアシルオキシ基としては、それぞれ前記したものと同様のものが挙げられる。
12及びR13の炭化水素基としては、前記した脂肪族飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。Ya3の炭化水素基としては、前記した脂肪族飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
a2の脂肪族炭化水素基は2価の鎖式炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基又は、鎖式炭化水素基と脂環式炭化水素基とが組み合わさった2価の基であり、それぞれ前記したものと同様のものが挙げられる。
Among the “alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom”, examples of the alkyl group include those described above. As the alkyl group having a halogen atom, an alkyl group having a fluorine atom is preferable. Specific examples thereof include the perfluoroalkyl group described in Q 1 and Q 2 of the salt (I). Among these, as R < 10 >, a C1-C4 alkyl group is preferable, a methyl group and an ethyl group are more preferable, and a methyl group is especially preferable.
Examples of the alkoxy group for R 11 include the same groups as described above. Especially, a C1-C4 alkoxy group is preferable, a methoxy group and an ethoxy group are more preferable, and a methoxy group is especially preferable.
Examples of the acyl group and acyloxy group for R 11 are the same as those described above.
Examples of the hydrocarbon group for R 12 and R 13 include the same as the above-described aliphatic saturated hydrocarbon group and aromatic hydrocarbon group. As the hydrocarbon group for Y a3 , those similar to the aforementioned aliphatic saturated hydrocarbon group and aromatic hydrocarbon group can be mentioned.
The aliphatic hydrocarbon group of X a2 is a divalent chain hydrocarbon group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent group in which a chain hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group are combined. And the same as those described above.

モノマー(a1−4)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、以下の式(a1−4−1)〜式(a1−4−7)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−4−1)〜式(a1−4−5)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

Figure 0006011082
As a monomer (a1-4), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Among these, monomers represented by the following formulas (a1-4-1) to (a1-4-7) are preferable, and represented by formulas (a1-4-1) to (a1-4-5), respectively. More preferred is a monomer.
Figure 0006011082

樹脂(A)がモノマー(a1−4)に由来する構造単位(a1)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%の範囲が好ましく、15〜90モル%の範囲がより好ましく、20〜85モル%の範囲が特に好ましい。   When the resin (A) has a structural unit (a1) derived from the monomer (a1-4), the content ratio is preferably in the range of 10 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). The range of 15 to 90 mol% is more preferable, and the range of 20 to 85 mol% is particularly preferable.

他のモノマー(a1)としては、例えば、式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。

Figure 0006011082
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
〜Lは、酸素原子、硫黄原子又は*−O−(CH2k4−CO−O−で表される基を表す。ここで、k4は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手である。
1’は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
s1及びs1’は、それぞれ独立して、0〜4の整数を表す。 As the other monomer (a1), for example, a monomer represented by the formula (a1-5) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1-5)”) may be used.
Figure 0006011082
In formula (a1-5),
R 31 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
L 3 to L 5 represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a group represented by * —O— (CH 2 ) k4 —CO—O—. Here, k4 represents an integer of 1 to 7, and * is a bond with a carbonyl group (—CO—).
Z 1 ′ is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the methylene group contained in the alkanediyl group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
s1 and s1 ′ each independently represents an integer of 0 to 4.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
は、酸素原子が好ましい。
及びLは、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であると好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
1’は、単結合又は*−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 5 is preferably an oxygen atom.
One of L 3 and L 4 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z 1 ′ is preferably a single bond or * —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、以下のモノマーが挙げられる。

Figure 0006011082
Examples of the monomer (a1-5) include the following monomers.
Figure 0006011082

樹脂(A)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、1〜95モル%の範囲が好ましく、3〜90モル%の範囲がより好ましく、5〜85モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content thereof is in the range of 1 to 95 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) of the resin (A). Is preferable, the range of 3-90 mol% is more preferable, and the range of 5-85 mol% is further more preferable.

<酸安定構造単位>
樹脂(A)は、酸不安定基を含む構造単位(a1)に加え、酸不安定基を有さない構造単位(以下、場合により「酸安定構造単位」といい、該酸安定構造単位を誘導し得るモノマーを、「酸安定モノマー」という。)を有していると好ましい。該樹脂(A)中、酸安定構造単位は1種のみを有していてもよく、複数種を有していてもよい。
<Acid stable structural unit>
Resin (A) is a structural unit having no acid labile group in addition to the structural unit (a1) containing an acid labile group (hereinafter referred to as “acid stable structural unit” in some cases). The derivatizable monomer is preferably referred to as “acid-stable monomer”). In the resin (A), the acid stable structural unit may have only one type, or may have a plurality of types.

樹脂(A)が酸安定構造単位を有する場合、構造単位(a1)の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位(a1)の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、〔構造単位(a1)〕/〔酸安定構造単位〕で表して、好ましくは10〜80モル%/90〜20モル%であり、より好ましくは20〜60モル%/80〜40モル%である。このようにすると、樹脂(A)を含有する本発明のレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好になる傾向がある。   When the resin (A) has an acid stable structural unit, the content ratio of the acid stable structural unit may be determined based on the content ratio of the structural unit (a1). The ratio of the content ratio of the structural unit (a1) and the content ratio of the acid-stable structural unit is represented by [structural unit (a1)] / [acid-stable structural unit], and preferably 10 to 80 mol% / 90 to It is 20 mol%, More preferably, it is 20-60 mol% / 80-40 mol%. If it does in this way, there exists a tendency for the dry etching tolerance of the resist pattern obtained from the resist composition of this invention containing resin (A) to become still better.

次に、酸安定構造単位のうち、好ましいものを説明する。
酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位(以下、場合により「酸安定構造単位(a2)」という。)及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位(以下、場合により「酸安定構造単位(a3)」という。)を有する樹脂(A)は、当該樹脂(A)を含有する本発明のレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間の密着性に優れるため、良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。
Next, a preferable thing is demonstrated among an acid stable structural unit.
The acid stable structural unit is preferably a structural unit having a hydroxy group or a lactone ring. An acid stable structural unit having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable structural unit (a2)”) and / or an acid stable structural unit having a lactone ring (hereinafter sometimes referred to as “acid stable structural unit (a3)”) The resin (A) having a composition) is a coating film formed on the substrate when the resist composition of the present invention containing the resin (A) is applied to the substrate, or a composition layer obtained from the coating film. However, since it has excellent adhesion to the substrate, a resist pattern can be produced with good resolution.

<酸安定構造単位(a2)>
酸安定構造単位(a2)を樹脂(A)に導入する場合、当該樹脂(A)を含有する本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位(a2)を選択することができる。すなわち、本発明のレジスト組成物を、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)を露光源とする露光、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位(a2)として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位(a2−0)を樹脂(A)に導入することが好ましい。
一方、短波長のArFエキシマレーザ(波長:193nm)を露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位(a2)として、後述の式(a2−1)で表される酸安定構造単位を樹脂(A)に導入することが好ましい。このように、樹脂(A)が有する酸安定構造単位(a2)は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂(A)が有する酸安定構造単位(a2)は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位(a2)1種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位(a2)2種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位(a2)と、それ以外の酸安定構造単位(a2)とを組み合わせて有していてもよい。
<Acid stable structural unit (a2)>
When the acid stable structural unit (a2) is introduced into the resin (A), a suitable acid may be used depending on the type of exposure source when producing a resist pattern from the resist composition of the present invention containing the resin (A). A stable structural unit (a2) can be selected. That is, when the resist composition of the present invention is used for exposure using a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm) as an exposure source, or exposure using a high energy beam such as an electron beam or EUV light as an exposure source, an acid stable structure is used. As the unit (a2), an acid stable structural unit (a2-0) having a phenolic hydroxy group is preferably introduced into the resin (A).
On the other hand, when using exposure using a short wavelength ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) as an exposure source, an acid stable structural unit represented by the formula (a2-1) described later is used as the acid stable structural unit (a2). It is preferable to introduce into the resin (A). Thus, each of the acid stable structural units (a2) possessed by the resin (A) can be selected according to the exposure source used in producing the resist pattern. a2) may have only one type of acid stable structural unit (a2) suitable for the type of exposure source, and two or more types of acid stable structural unit (a2) suitable for the type of exposure source. Or an acid stable structural unit (a2) suitable for the type of exposure source and a combination of other acid stable structural units (a2).

酸安定構造単位(a2)の具体例の1つは、以下の式(a2−1)で表されるもの(以下、場合により「酸安定構造単位(a2−1)」という。)である。

Figure 0006011082
式(a2−1)中、
a3は、酸素原子又は*−O−(CH2k2−CO−O−(k2は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手を表す。)で表される基を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。 One specific example of the acid stable structural unit (a2) is one represented by the following formula (a2-1) (hereinafter sometimes referred to as “acid stable structural unit (a2-1)”).
Figure 0006011082
In formula (a2-1),
L a3 is an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O— (k2 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group (—CO—)). Represents the group represented.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

a3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1〜4の整数である*−O−(CH2k2−CO−O−で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、*−O−CH2−CO−O−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
L a3 is preferably an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—, wherein k2 is an integer of 1 to 4, and more preferably an oxygen atom or * —O—CH 2 —CO—O—, and more preferably an oxygen atom.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

酸安定構造単位(a2−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 0006011082
As an acid stable structural unit (a2-1), the following are mentioned, for example.
Figure 0006011082

以上、例示した酸安定構造単位(a2−1)は、例えば、特開2010−204646号公報に記載された酸安定モノマーから誘導される。これらの中でも、式(a2−1−1)、式(a2−1−2)、式(a2−1−3)又は式(a2−1−4)のいずれかで表される酸安定構造単位がより好ましく、式(a2−1−1)又は(a2−1−3)で表される酸安定構造単位がさらに好ましい。   As described above, the exemplified acid stable structural unit (a2-1) is derived from, for example, an acid stable monomer described in JP-A No. 2010-204646. Among these, the acid stable structural unit represented by any one of formula (a2-1-1), formula (a2-1-2), formula (a2-1-3), or formula (a2-1-4) Are more preferable, and an acid stable structural unit represented by the formula (a2-1-1) or (a2-1-3) is more preferable.

樹脂(A)が酸安定構造単位(a2−1)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位に対して、3〜45モル%の範囲が好ましく、5〜40モル%の範囲がより好ましく、5〜35モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has an acid stable structural unit (a2-1), the content ratio is preferably in the range of 3 to 45 mol%, and 5 to 40 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). Is more preferable, and the range of 5 to 35 mol% is more preferable.

次に、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位のうち、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位について説明する。該酸安定構造単位は、以下の式(a2−0)で表されるもの(以下、場合により「酸安定構造単位(a2−0)」という。)が好ましい。

Figure 0006011082
式(a2−0)中、
a30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31の全部又は一部は同じであってもよい。 Next, the acid stable structural unit which has a phenolic hydroxy group among the acid stable structural units which have a hydroxy group is demonstrated. The acid stable structural unit is preferably one represented by the following formula (a2-0) (hereinafter sometimes referred to as “acid stable structural unit (a2-0)”).
Figure 0006011082
In formula (a2-0),
R a30 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
R a31 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyloxy group, or Represents a methacryloyloxy group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer of 2 or more, all or some of the plurality of R a31 may be the same.

a30の「ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基」における「炭素数1〜6のアルキル基」としては、前記したものと同様のものが挙げられる。「ハロゲン原子を有する炭素数1〜6のアルキル基」とは、該炭素数1〜6のアルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換されたものである。ハロゲン原子としては、前記したものと同様のものが挙げられる。これらのうち、Ra30は、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
a31のアルコキシ基の具体例としては、前記したものと同様のものが挙げられ、Ra31は、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。
maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。
Examples of the “alkyl group having 1 to 6 carbon atoms” in the “alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom” for R a30 include the same ones as described above. The “C 1-6 alkyl group having a halogen atom” is one in which at least a part of the hydrogen atoms contained in the C 1-6 alkyl group is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom are the same as those described above. Among these, R a30 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and even more preferably a hydrogen atom.
Specific examples of the alkoxy group for R a31 include the same ones as described above, and R a31 is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methoxy group and an ethoxy group, and further a methoxy group. preferable.
ma is preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.
ma is preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.

酸安定構造単位(a2−0)の中でも、以下の式(a2−0−1)、式(a2−0−2)、式(a2−0−3)又は式(a2−0−4)で表されるものが好ましい。かかる構造単位を誘導し得る酸安定モノマーは、例えば、特開2010−204634号公報に記載されている。

Figure 0006011082
Among the acid stable structural units (a2-0), the following formula (a2-0-1), formula (a2-0-2), formula (a2-0-3) or formula (a2-0-4) Those represented are preferred. An acid stable monomer capable of deriving such a structural unit is described in, for example, JP 2010-204634 A.
Figure 0006011082

p−ヒドロキシスチレンやp−ヒドロキシ−α−メチルスチレンといった酸安定構造単位(a2−0)を誘導し得る酸安定モノマー[以下、場合により「酸安定モノマー(a2)」という。]を、樹脂(A)製造に用いることにより、式(a2−0−1)又は式(a2−0−2)で表される酸安定構造単位(a2−0)を、樹脂(A)に導入することができるが、該酸安定モノマー(a2)にあるフェノール性ヒドロキシ基を例えば、アセチル基のような保護基で保護し、保護化酸安定モノマー(a2)とした後、この保護化酸安定モノマー(a2)を用いて樹脂(A)を製造することもできる。保護化酸安定モノマー(a2)に由来する構造単位を有する樹脂を脱保護処理して、保護基を脱離することにより、酸安定構造単位(a2−0)を有する樹脂(A)を製造できる。ただし、脱保護処理を実施する際には、他の構造単位(a1)を著しく損なわないようにして、該脱保護処理を実施する必要がある。   Acid-stable monomer capable of deriving acid-stable structural unit (a2-0) such as p-hydroxystyrene and p-hydroxy-α-methylstyrene [hereinafter referred to as “acid-stable monomer (a2)” in some cases. ] In the production of the resin (A), the acid stable structural unit (a2-0) represented by the formula (a2-0-1) or the formula (a2-0-2) is converted into the resin (A). After the phenolic hydroxy group in the acid stable monomer (a2) is protected with a protecting group such as an acetyl group to form a protected acid stable monomer (a2), the protected acid Resin (A) can also be manufactured using a stable monomer (a2). A resin (A) having an acid-stable structural unit (a2-0) can be produced by deprotecting a resin having a structural unit derived from the protected acid-stable monomer (a2) and removing the protecting group. . However, when carrying out the deprotection treatment, it is necessary to carry out the deprotection treatment without significantly damaging the other structural unit (a1).

樹脂(A)が酸安定構造単位(a2−0)を有する場合、その含有割合は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、5〜90モル%の範囲が好ましく、10〜85モル%の範囲がより好ましく、15〜80モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has an acid stable structural unit (a2-0), the content ratio is preferably in the range of 5 to 90 mol% with respect to the total structural unit (100 mol%) of the resin (A). The range of 10-85 mol% is more preferable, and the range of 15-80 mol% is further more preferable.

<酸安定構造単位(a3)>
酸安定構造単位(a3)が有するラクトン環は例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環及びδ−バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
<Acid stable structural unit (a3)>
The lactone ring included in the acid stable structural unit (a3) may be monocyclic such as β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring and δ-valerolactone ring, and the monocyclic lactone ring and other rings Or a condensed ring. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring and a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and another ring are preferable.

酸安定構造単位(a3)は好ましくは、以下の式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表されるものである。樹脂(A)は、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式(a3−1)で表されるものを「酸安定構造単位(a3−1)」という場合があり、式(a3−2)で表されるものを「酸安定構造単位(a3−2)」という場合があり、式(a3−3)で表されるものを「酸安定構造単位(a3−3)」という場合がある。

Figure 0006011082
[式(a3−1)中、
a4は、酸素原子又は*−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a18は、水素原子又はメチル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a21は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21の全部又は一部は同じであってもよい。
式(a3−2)中、
a5は、酸素原子又は*−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a19は、水素原子又はメチル基を表す。
q1は、0〜3の整数を表す。
a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22の全部又は一部は同じであってもよい。
式(a3−3)中、
a6は、酸素原子又は*−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a20は、水素原子又はメチル基を表す。
r1は、0〜3の整数を表す。
a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23の全部又は一部は同じであってもよい。] The acid stable structural unit (a3) is preferably one represented by the following formula (a3-1), formula (a3-2) or formula (a3-3). Resin (A) may have only 1 type among these, and may have 2 or more types. In the following description, what is represented by formula (a3-1) may be referred to as “acid-stable structural unit (a3-1)”, and what is represented by formula (a3-2) is “acid In some cases, it is referred to as “stable structural unit (a3-2)”, and what is represented by the formula (a3-3) may be referred to as “acid stable structural unit (a3-3)”.
Figure 0006011082
[In the formula (a3-1),
L a4 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a18 represents a hydrogen atom or a methyl group.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a21 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and when p1 is 2 or more, all or some of the plurality of R a21 may be the same.
In formula (a3-2),
L a5 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a19 represents a hydrogen atom or a methyl group.
q1 represents an integer of 0 to 3.
R a22 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and when q1 is 2 or more, all or some of the plurality of R a22 may be the same.
In formula (a3-3),
L a6 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a20 represents a hydrogen atom or a methyl group.
r1 represents an integer of 0 to 3.
R a23 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. When r1 is 2 or more, all or some of the plurality of R a23 may be the same. ]

式(a3−1)〜式(a3−3)において、La4〜La6は、式(a2−1)のLa3で説明したものと同じものが挙げられる。
a4〜La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1〜4の整数である*−O−(CH2k3−CO−O−で表される基が好ましく、酸素原子及び、*−O−CH2−CO−O−がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1、q1及びr1は、好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。なお、p1が2である場合、2つのRa21は互いに同一でも異なっていてもよく、q1が2である場合、2つのRa22は互いに同一でも異なっていてもよく、r1が2である場合、2つのRa23は互いに同一でも異なっていてもよい。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are the same as those described for L a3 in formula (a2-1).
L a4 to L a6 are each independently an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— in which k3 is an integer of 1 to 4, preferably an oxygen atom and * —O—CH 2 —CO—O— is more preferable, and an oxygen atom is more preferable.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1, q1 and r1 are preferably integers of 0 to 2, more preferably 0 or 1. When p1 is 2, two R a21 may be the same as or different from each other. When q1 is 2, two R a22 may be the same as or different from each other, and r1 is 2. Two R a23 may be the same or different from each other.

以下、酸安定構造単位(a3−1)、酸安定構造単位(a3−2)及び酸安定構造単位(a3−3)の各々の好適例を示す。   Hereinafter, preferred examples of the acid stable structural unit (a3-1), the acid stable structural unit (a3-2), and the acid stable structural unit (a3-3) will be shown.

酸安定構造単位(a3−1)の好適例は、以下の式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−1−3)又は式(a3−1−4)で表されるものである。

Figure 0006011082
Preferred examples of the acid stable structural unit (a3-1) include the following formula (a3-1-1), formula (a3-1-2), formula (a3-1-3) or formula (a3-1-4). ).
Figure 0006011082

酸安定構造単位(a3−2)の好適例は、以下の式(a3−2−1)、式(a3−2−2)、式(a3−2−3)又は式(a3−2−4)で表されるものである。

Figure 0006011082
Preferred examples of the acid stable structural unit (a3-2) include the following formula (a3-2-1), formula (a3-2-2), formula (a3-2-3), or formula (a3-2-4). ).
Figure 0006011082

酸安定構造単位(a3−3)の好適例は、以下の式(a3−3−1)、式(a3−3−2)、式(a3−3−3)又は式(a3−3−4)で表されるものである。

Figure 0006011082
Preferred examples of the acid stable structural unit (a3-3) include the following formula (a3-3-1), formula (a3-3-2), formula (a3-3-3) or formula (a3-3-4). ).
Figure 0006011082

酸安定構造単位(a3−1)、酸安定構造単位(a3−2)及び酸安定構造単位(a3−3)は、特開2010−204646号公報に記載された酸安定モノマーにより誘導できる。上記の酸安定構造単位(a3)の具体例の中でも、式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−2−3)、式(a3−2−4)で表される酸安定構造単位がより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表される酸安定構造単位がさらに好ましい。   The acid stable structural unit (a3-1), the acid stable structural unit (a3-2), and the acid stable structural unit (a3-3) can be derived from an acid stable monomer described in JP 2010-204646 A. Among the specific examples of the acid stable structural unit (a3), the formula (a3-1-1), the formula (a3-1-2), the formula (a3-2-3), and the formula (a3-2-4) Is more preferable, and the acid stable structural unit represented by Formula (a3-1-1) or Formula (a3-2-3) is more preferable.

樹脂(A)が、酸安定構造単位(a3)を有する場合、その合計含有割合は、該樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、5〜70モル%の範囲が好ましく、10〜65モル%の範囲がより好ましく、10〜60モル%の範囲がさらに好ましい。
また、モノマー(a3−1)に由来する構造単位、モノマー(a3−2)に由来する構造単位及びモノマー(a3−3)に由来する構造単位それぞれの含有量は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、5〜60モル%が好ましく、5〜50モル%の範囲がより好ましく、10〜50モル%の範囲がさらに好ましい。
When the resin (A) has an acid stable structural unit (a3), the total content is preferably in the range of 5 to 70 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) of the resin (A). The range of 10 to 65 mol% is more preferable, and the range of 10 to 60 mol% is more preferable.
The content of each of the structural unit derived from the monomer (a3-1), the structural unit derived from the monomer (a3-2), and the structural unit derived from the monomer (a3-3) is the total structure of the resin (A). 5-60 mol% is preferable with respect to a unit (100 mol%), the range of 5-50 mol% is more preferable, and the range of 10-50 mol% is more preferable.

<その他の酸安定構造単位>
樹脂(A)が有する酸安定構造単位として、好適な酸安定構造単位(a2)及び酸安定構造単位(a3)を説明したが、当該樹脂(A)は酸安定構造単位(a2)及び酸安定構造単位(a3)以外の酸安定構造単位を有していてもよい。ここで、酸安定構造単位(a2)及び酸安定構造単位(a3)以外の酸安定構造単位(a4)という。以下、この酸安定構造単位(a4)を、当該酸安定構造単位(a4)を誘導し得る酸安定モノマー(以下、場合により「酸安定モノマー(a4)」という。)を示すことで説明する。
<Other acid stable structural units>
The preferred acid stable structural unit (a2) and acid stable structural unit (a3) have been described as the acid stable structural unit possessed by the resin (A). However, the resin (A) contains the acid stable structural unit (a2) and the acid stable structural unit. It may have an acid stable structural unit other than the structural unit (a3). Here, the acid stable structural unit (a4) other than the acid stable structural unit (a2) and the acid stable structural unit (a3) is referred to. Hereinafter, the acid-stable structural unit (a4) will be described by showing an acid-stable monomer (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer (a4)”) from which the acid-stable structural unit (a4) can be derived.

酸安定モノマー(a4)の具体例は例えば、以下の式(a4−1)で表されるモノマー(以下、場合により「モノマー(a4−1)」という。)である。

Figure 0006011082
[式(a4−1)中、
41は、水素原子又はメチル基を表す。
41は、式(a4−g1)で表される基を表す。
Figure 0006011082
(式(a4−g1)中、
ssは0〜2の整数を表す。
40及びA41は、それぞれ独立に、炭素数1〜5の脂肪族炭化水素基を表す。
ssが2のとき、複数存在するA40は、互いに同一であるか相異なる。
40は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
ssが2のとき、複数存在するX40は、互いに同一であるか相異なる。)
42は、フッ素原子を有する炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。]
41の脂肪族炭化水素基は、典型的にはアルカンジイル基であり、当該アルカンジイル基は直鎖状であっても、分岐していてもよい。当該アルカンジイル基は炭素数1〜5の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも、A41としては、炭素数1〜4のアルカンジイル基がより好ましく、エチレン基がさらに好ましい。 A specific example of the acid stable monomer (a4) is, for example, a monomer represented by the following formula (a4-1) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a4-1)”).
Figure 0006011082
[In the formula (a4-1),
R 41 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 41 represents a group represented by the formula (a4-g1).
Figure 0006011082
(In the formula (a4-g1),
ss represents an integer of 0-2.
A 40 and A 41 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms.
When ss is 2, a plurality of A 40 are the same or different from each other.
X 40 represents an oxygen atom, a carbonyl group, a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group.
When ss is 2, a plurality of X 40 are the same or different from each other. )
R 42 represents a C 1-18 aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom, and the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. ]
The aliphatic hydrocarbon group for A 41 is typically an alkanediyl group, and the alkanediyl group may be linear or branched. The alkanediyl group includes those already exemplified in the range of 1 to 5 carbon atoms. Among them, as A 41 , an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and an ethylene group is more preferable.

式(a4−g1)で表される基(以下「基(a4−g1)」という場合がある)の具体例を以下に示す。各具体例において、*は結合手を表す。なお、当該基(a4−g1)が酸素原子及びカルボニル基をともに有する場合には、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基の形式で有していると好ましい。   Specific examples of the group represented by the formula (a4-g1) (hereinafter may be referred to as “group (a4-g1)”) are shown below. In each specific example, * represents a bond. In addition, when the said group (a4-g1) has both an oxygen atom and a carbonyl group, it is preferable to have in the form of a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group.

酸素原子を有する基(a4−g1)としては、

Figure 0006011082
などが挙げられる。 As the group having an oxygen atom (a4-g1),
Figure 0006011082
Etc.

カルボニル基を有する基(a4−g1)としては、

Figure 0006011082
などが挙げられる。 As the group having a carbonyl group (a4-g1),
Figure 0006011082
Etc.

カルボニルオキシ基を有する基(a4−g1)としては、

Figure 0006011082
などが挙げられる。 As the group having a carbonyloxy group (a4-g1),
Figure 0006011082
Etc.

オキシカルボニル基を有する基(a4−g1)としては、

Figure 0006011082
などが挙げられる。 As the group having an oxycarbonyl group (a4-g1),
Figure 0006011082
Etc.

42は、脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子のうち少なくとも一つがフッ素原子で置き換わった基である。脂肪族炭化水素基は、部分的に炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、炭素−炭素不飽和結合を有さない脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。脂肪族飽和炭化水素基としては、アルキル基(直鎖及び分岐状)及び脂環式炭化水素基並びにアルキル基及び脂環式炭化水素基を組み合わせた脂肪族炭化水素基などが挙げられる。 R 42 is a group in which at least one of the hydrogen atoms contained in the aliphatic hydrocarbon group is replaced with a fluorine atom. The aliphatic hydrocarbon group may partially have a carbon-carbon unsaturated bond, but an aliphatic saturated hydrocarbon group having no carbon-carbon unsaturated bond is preferable. Examples of the aliphatic saturated hydrocarbon group include alkyl groups (straight and branched) and alicyclic hydrocarbon groups, and aliphatic hydrocarbon groups obtained by combining alkyl groups and alicyclic hydrocarbon groups.

42のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基を具体的に示すと、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1−ビス(トリフルオロ)メチル−2,2,2−トリフルオロエチル基、2−(ペルフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロシクロペンチル基、2−(ペルフルオロブチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。 Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom of R 42 include a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 2,2,2- Trifluoroethyl group, perfluoroethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl ) -1,2,2,2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, 1 , 1,2,2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1-bis (trifluoro) methyl-2,2,2-trifluoroethyl group, 2- Perfluoropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5 -Decafluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, perfluoropentyl group, perfluorocyclopentyl group, 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 1 , 1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluoro Examples include a hexyl group, a perfluorocyclohexyl group, a perfluoropentylmethyl group, and a perfluorohexyl group.

42の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、式(a−g2)で表される基(以下、場合により「基(a−g2)」という。)が挙げられる。

Figure 0006011082
(式(a−g2)中、
13は、フッ素原子を有していてもよい炭素数1〜15の2価の脂肪族炭化水素基を表す。
12は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
14は、フッ素原子を有していてもよい炭素数1〜15の1価の脂肪族炭化水素基を表す。
但し、A13又はA14の少なくともいずれかはフッ素原子を有するものであり、A13及びA14の炭素数の合計は17以下である。) Examples of the group in which the methylene group constituting the aliphatic hydrocarbon group of R 42 is replaced by an oxygen atom or a carbonyl group include a group represented by the formula (a-g2) (hereinafter, “group (a-g2 ) ”)).
Figure 0006011082
(In the formula (a-g2),
A 13 represents a C 1-15 divalent aliphatic hydrocarbon group which may have a fluorine atom.
X 12 represents an oxygen atom, a carbonyl group, a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group.
A 14 represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms which may have a fluorine atom.
Provided that at least one of A 13 or A 14 are those having a fluorine atom, the total number of carbon atoms of A 13 and A 14 is 17 or less. )

13がフッ素原子を有する2価の脂肪族炭化水素基である場合、当該脂肪族炭化水素基は典型的には、フッ素原子を有するアルカンジイル基及びフッ素原子を有する2価の脂環式炭化水素基(好ましくは、フッ素原子を有するシクロアルカンジイル基)が挙げられる。フッ素原子を有するアルカンジイル基は、アルカンジイル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものであり、フッ素原子を有する2価の脂環式炭化水素基とは、2価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものである。 When A 13 is a divalent aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom, the aliphatic hydrocarbon group is typically an alkanediyl group having a fluorine atom and a divalent alicyclic carbon having a fluorine atom. Examples thereof include a hydrogen group (preferably a cycloalkanediyl group having a fluorine atom). The alkanediyl group having a fluorine atom is one in which part or all of the hydrogen atoms contained in the alkanediyl group are substituted with a fluorine atom, and the divalent alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom is 2 Some or all of the hydrogen atoms contained in the valent alicyclic hydrocarbon group are substituted with fluorine atoms.

ここでモノマー(a4−1)を、R42がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、A41がエチレン基である場合の具体例で示すと、以下の式(a4−1−1)〜式(a4−1−22)で表されるモノマーが挙げられる。

Figure 0006011082
Here, when the monomer (a4-1) is shown as a specific example in the case where R 42 is an aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom and A 41 is an ethylene group, the following formula (a4-1-1) To a monomer represented by Formula (a4-1-22).
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

42のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基は、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子で置換されたペルフルオロアルキル基(例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基など)又はシクロアルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子で置換されたペルフルオロシクロアルキル基が好ましい。 The aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom of R 42 is a perfluoroalkyl group in which all of the hydrogen atoms contained in the alkyl group are substituted with fluorine atoms (for example, a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorobutyl group). Group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl group, perfluoroheptyl group and perfluorooctyl group) or a perfluorocycloalkyl group in which all hydrogen atoms contained in the cycloalkyl group are substituted with fluorine atoms.

42が、ペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基である化合物は、上述の式(a4−1−3)、式(a4−1−4)、式(a4−1−7)、式(a4−1−8)、式(a4−1−11)、式(a4−1−12)、式(a4−1−15)、式(a4−1−16)、式(a4−1−19)、式(a4−1−20)、式(a4−1−21)及び式(a4−1−22)のいずれかで表される化合物が該当する。 The compound in which R 42 is a perfluoroalkyl group or a perfluorocycloalkyl group includes the above-described formula (a4-1-3), formula (a4-1-4), formula (a4-1-7), and formula (a4- 1-8), formula (a4-1-11), formula (a4-1-12), formula (a4-1-15), formula (a4-1-16), formula (a4-1-19), A compound represented by any one of formula (a4-1-20), formula (a4-1-21) and formula (a4-1-22) is applicable.

42としては、ペルフルオロアルキル基がより好ましい。さらに好ましくは、炭素数が1〜6のペルフルオロアルキル基であり、さらにより好ましくは、炭素数1〜3のペルフルオロアルキル基である。 R 42 is more preferably a perfluoroalkyl group. More preferably, it is a C1-C6 perfluoroalkyl group, More preferably, it is a C1-C3 perfluoroalkyl group.

42が、式(a−g2)で表される基であるモノマー(a4−1)は、以下の式(a4−1’)で表される(以下、場合により「モノマー(a4−1’)」という)。

Figure 0006011082
[式(a4−1’)中、すべての符号はいずれも、前記と同義である。] The monomer (a4-1) in which R 42 is a group represented by the formula (a-g2) is represented by the following formula (a4-1 ′) (hereinafter, “monomer (a4-1 ′” ) ").
Figure 0006011082
[In the formula (a4-1 ′), all symbols are as defined above. ]

モノマー(a4−1’)において、A13及びA14はともにフッ素原子を有することもあるが、A13がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるか、または、A14がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるものが好ましい。さらに、A13がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるものが好ましく、なかでも、A13はフッ素原子を有するアルカンジイル基であるものがより好ましく、ペルフルオロアルカンジイル基であるものがさらに好ましい。「ペルフルオロアルカンジイル基」とは、水素原子の全部がフッ素原子に置換されたアルカンジイル基をいう。 In the monomer (a4-1 ′), both A 13 and A 14 may have a fluorine atom, but A 13 is an aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom, or A 14 has a fluorine atom. What is an aliphatic hydrocarbon group is preferable. Further, it is preferable that A 13 is an aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom, among them, A 13 is more preferable alkanediyl group having a fluorine atom, and more preferred is a perfluoro alkanediyl group . The “perfluoroalkanediyl group” refers to an alkanediyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

42がペルフルオロアルカンジイル基であり、A41がエチレン基であるモノマー(a4−1’)としては、以下の式(a4−1’−1)〜式(a4−1’−46)でそれぞれ表されるモノマーが挙げられる。

Figure 0006011082
The monomer (a4-1 ′) in which R 42 is a perfluoroalkanediyl group and A 41 is an ethylene group is represented by the following formulas (a4-1′-1) to (a4-1′-46), respectively. And monomers represented.
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

13及びA14の炭素数は、それらの合計が17以下である範囲で任意に選択されるが、A13の炭素数は1〜6が好ましく、1〜3がより好ましい。一方、A14の炭素数は4〜15が好ましく、5〜12がより好ましい。さらに好ましいA14は、炭素数6〜12の脂環式炭化水素基であり、シクロヘキシル基及びアダマンチル基がさらにより好ましい。 The number of carbon atoms of A 13 and A 14 is their sum is arbitrarily selected in the range of 17 or less, the number of carbon atoms of A 13 are members preferably 1-6, 1-3 is more preferable. On the other hand, the number of carbon atoms of A 14 is preferably 4 to 15, 5 to 12 is more preferable. Further preferred A 14 is an alicyclic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, and a cyclohexyl group and an adamantyl group are even more preferred.

基(a−g2)を、A13がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、A14がシクロヘキシル基又はアダマンチル基である場合の好適例で示すと、以下のとおりである。

Figure 0006011082
The group (a-g2) is as follows when A 13 is an aliphatic hydrocarbon group having a fluorine atom and A 14 is a cyclohexyl group or an adamantyl group.
Figure 0006011082

Figure 0006011082

このような基(a−g2)を有するモノマー(a4−1’)は、上述した具体例の中では、式(a4−1’−7)〜式(a4−1’−42)でそれぞれ表されるものが該当する。
Figure 0006011082

Among the specific examples described above, the monomer (a4-1 ′) having such a group (a-g2) is represented by formula (a4-1′-7) to formula (a4-1′-42), respectively. Applicable.

樹脂(A)がモノマー(a4−1)に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位(100モル%)に対して、1〜20モル%の範囲が好ましく、2〜15モル%の範囲がより好ましく、3〜10モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a4-1), the content thereof ranges from 1 to 20 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) of the resin (A). Preferably, the range of 2-15 mol% is more preferable, and the range of 3-10 mol% is more preferable.

<樹脂(A)の製造方法>
樹脂(A)は、構造単位(a1)を誘導するモノマー(a1)を、さらに好ましくは、該モノマー(a1)と、酸安定モノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を誘導するモノマー(a1)と、酸安定構造単位(a2)及び/又は酸安定構造単位(a3)を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものである。また、必要に応じて酸安定モノマーとしてモノマー(a4−1)を用いることもできる。なお、本発明のレジスト組成物を例えば、EUV露光用として用いるうえでは、構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を誘導するモノマー(a1)と、酸安定構造単位(a2−0)を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものを挙げることができる。
樹脂(A)は、構造単位(a1)として、アダマンチル基を有する構造単位(a1−1)を有することがさらに好ましい。樹脂(A)は、上述したようなモノマーを公知の重合法(例えばラジカル重合法)に供し、重合(共重合)することにより製造できる。
一方、樹脂(X)は好ましくは、モノマー(a4−1)〔モノマー(a4−1’)〕を公知の重合法に供して重合させたものであり、かかる重合〔樹脂(X)の製造〕には、モノマー(a4−1)〔モノマー(a4−1’)〕に加えて、他の酸安定モノマー[例えば、酸安定構造単位(a2)又は酸安定構造単位(a3)を誘導するモノマー]を用い、これらを共重合させたものであってもよい。
<Method for producing resin (A)>
The resin (A) is obtained by copolymerizing the monomer (a1) for deriving the structural unit (a1), more preferably the monomer (a1) and an acid stable monomer, and more preferably the structural unit. (A1-1) and / or monomer (a1) for deriving structural unit (a1-2) and acid-stable monomer for deriving acid-stable structural unit (a2) and / or acid-stable structural unit (a3) Polymerized. Moreover, a monomer (a4-1) can also be used as an acid stable monomer as needed. For example, when the resist composition of the present invention is used for EUV exposure, the monomer (a1) that induces the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), an acid stable structural unit ( Examples include those obtained by copolymerization with an acid-stable monomer that derives a2-0).
The resin (A) more preferably has a structural unit (a1-1) having an adamantyl group as the structural unit (a1). The resin (A) can be produced by subjecting the monomer as described above to a known polymerization method (for example, radical polymerization method) and polymerizing (copolymerizing) it.
On the other hand, the resin (X) is preferably obtained by polymerizing the monomer (a4-1) [monomer (a4-1 ′)] by a known polymerization method, and this polymerization [production of resin (X)] In addition to monomer (a4-1) [monomer (a4-1 ′)], other acid-stable monomers [for example, monomers that induce acid-stable structural units (a2) or acid-stable structural units (a3)] These may be copolymerized using these.

樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下)である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。
一方、樹脂(X)を本発明のレジスト組成物に用いる場合、当該樹脂(X)の重量平均分子量は、好ましくは、8,000以上(より好ましくは10,000以上)、80,000以下(より好ましくは60,000以下)である。かかる樹脂(X)の重量平均分子量の測定手段は、樹脂(A)の場合と同様である。
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more) and 50,000 or less (more preferably 30,000 or less). In addition, the weight average molecular weight here is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis. Detailed analysis conditions for this analysis are described in the Examples of the present application.
On the other hand, when the resin (X) is used in the resist composition of the present invention, the weight average molecular weight of the resin (X) is preferably 8,000 or more (more preferably 10,000 or more), 80,000 or less ( More preferably, it is 60,000 or less. The means for measuring the weight average molecular weight of the resin (X) is the same as that for the resin (A).

<塩(I)以外の酸発生剤>
本発明のレジスト組成物は、単独種又は複数種の塩(I)を、酸発生剤として含有するが、本発明のレジスト組成物は、塩(I)以外の酸発生剤をさらに含有してもよい。塩(I)以外の酸発生剤としては、イオン性酸発生剤でも、非イオン性発生剤でもよいが、イオン性酸発生剤であると好ましい。以下、本レジスト組成物に含有することができる、塩(I)以外の酸発生剤を場合により、「酸発生剤(B)」という。
<Acid generator other than salt (I)>
Although the resist composition of the present invention contains one or more salts (I) as an acid generator, the resist composition of the present invention further contains an acid generator other than the salt (I). Also good. The acid generator other than the salt (I) may be an ionic acid generator or a nonionic generator, but is preferably an ionic acid generator. Hereinafter, the acid generator other than the salt (I) that can be contained in the resist composition is sometimes referred to as “acid generator (B)”.

酸発生剤(B)としては、例えば、式(B1−1)〜式(B1−20)で表されるものが挙げられる。中でもトリアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)及び式(B1−14)でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。

Figure 0006011082
As an acid generator (B), what is represented by a formula (B1-1)-a formula (B1-20) is mentioned, for example. Among them, those containing a triarylsulfonium cation are preferable. Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-3), Formula (B1-6), Formula (B1-7), Formula (B1- 11), the salt represented by Formula (B1-12), Formula (B1-13), and Formula (B1-14), respectively, is more preferable.
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

Figure 0006011082
Figure 0006011082

<塩基性化合物(C)>
本発明のレジスト組成物が任意に含有する塩基性化合物(C)は、当技術分野でクエンチャーと呼ばれるものである。塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)で表される化合物〜式(C8)で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (C)>
The basic compound (C) optionally contained in the resist composition of the present invention is called a quencher in the art. The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

Figure 0006011082
[式(C1)中、
c1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 0006011082
[In the formula (C1),
R c1 , R c2 and R c3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group The hydrogen atom contained is substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. It may be. ]

Figure 0006011082
[式(C1−1)中、
c2及びRc3は、前記と同義である。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4の全部又は一部は同じであってもよい。]
Figure 0006011082
[In the formula (C1-1),
R c2 and R c3 are as defined above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c4 may be the same. ]

Figure 0006011082
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、
c5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9の全部又は一部は同じであってもよい。]
Figure 0006011082
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4),
R c5 , R c6 , R c7 and R c8 are each independently synonymous with R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c9 may be the same. ]

Figure 0006011082
[式(C5)及び式(C6)中、
c10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同義である「。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14の全部又は一部は同じであってもよい。p3が2以上であるとき、複数のRc15の全部又は一部は同じであってもよい。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0006011082
[In Formula (C5) and Formula (C6),
R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 are each independently synonymous with R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 are each independently synonymous with R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3. When o3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c14 may be the same. When p3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c15 may be the same.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 0006011082
[式(C7)及び式(C8)中、
c18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18の全部又は一部は同じであってもよい。r3が2以上であるとき、複数のRc19の全部又は一部は同じであってもよい。s3が2以上であるとき、複数のRc20の全部又は一部は同じであってもよい。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0006011082
[In Formula (C7) and Formula (C8),
R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently has the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c18 may be the same. When r3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c19 may be the same. When s3 is 2 or more, all or some of the plurality of R c20 may be the same.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン及び4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、より好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples thereof include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, and 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane. Propyl aniline, and more preferably include include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール及び4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン及び4−メチルピリジンなどが挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Examples include ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, and choline.

<溶剤(D)>
本発明のレジスト組成物が溶剤(D)を含有する場合、当該溶剤(D)は、塩(I)や樹脂(A)などの種類及びその量に応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本発明のレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。
<Solvent (D)>
When the resist composition of the present invention contains a solvent (D), the solvent (D) depends on the type and amount of the salt (I), the resin (A), etc. An optimum one can be appropriately selected from the viewpoint that the coating property when the resist composition of the present invention is coated on the substrate is improved.

溶剤(D)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。溶剤(D)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the solvent (D) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and Examples thereof include esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone. A solvent (D) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

<その他の成分>
本発明のレジスト組成物は、塩(I)及び樹脂(A)、好ましくは、さらに塩基性化合物(C)及び溶剤(D)を含有するものであるが、必要に応じて用いられる塩基性化合物(C)及び溶剤(D)以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を「成分(F)」という場合がある。かかる成分(F)としては、本技術分野で公知の添加剤、例えば、、樹脂(A)以外の高分子化合物、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。
<Other ingredients>
The resist composition of the present invention contains a salt (I) and a resin (A), preferably further containing a basic compound (C) and a solvent (D), but is used as necessary. You may contain structural components other than (C) and a solvent (D). This component may be referred to as “component (F)”. Examples of the component (F) include additives known in the art, for example, polymer compounds other than the resin (A), sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers and dyes. .

<本発明のレジスト組成物の調製方法>
本発明のレジスト組成物は、通常、溶剤(D)の存在下で、塩(I)及び樹脂(A)を混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり必要に応じて酸発生剤(B)、塩基性化合物(C)及び/又は成分(F)を混合してもよい。塩基性化合物(C)を混合することが好ましい。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂(A)などの種類や樹脂(A)などの溶剤(D)に対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
本発明のレジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量を選択することにより、本発明のレジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。
<Method for Preparing Resist Composition of the Present Invention>
The resist composition of the present invention can be usually prepared by mixing the salt (I) and the resin (A) in the presence of the solvent (D). Furthermore, you may mix an acid generator (B), a basic compound (C), and / or a component (F) as needed as above-mentioned. It is preferable to mix the basic compound (C). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select the suitable temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the solubility with respect to solvent (D), such as a kind (resin (A)), such as resin (A). An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
By selecting the amount of each component used when preparing the resist composition of the present invention, the content of each component in the resist composition of the present invention can be adjusted.

本発明のレジスト組成物における塩(I)の含有割合は、本発明のレジスト組成物の固形分に対して、好ましくは40質量%以下、より好ましくは35質量%以下であり、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上である。なお、ここでいう固形分とは、本レジスト組成物から溶剤(D)を取り除いたものの合計をいう。該固形分は、本レジスト組成物を液体クロマトグラフィーやガスクロマトグラフィーなどの分析に供することにより求めることができる。   The content ratio of the salt (I) in the resist composition of the present invention is preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less, and preferably 1% by mass with respect to the solid content of the resist composition of the present invention. % Or more, more preferably 3% by mass or more. In addition, solid content here means the sum total of what remove | excluded the solvent (D) from this resist composition. The solid content can be determined by subjecting the resist composition to analysis such as liquid chromatography and gas chromatography.

本発明のレジスト組成物が、塩(I)に加え、塩(I)以外の他の酸発生剤を含有する場合、酸発生剤全量100質量部に対して、塩(I)は10質量部以上であると好ましく、30質量部以上であると特に好ましい。   When the resist composition of the present invention contains an acid generator other than the salt (I) in addition to the salt (I), the salt (I) is 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acid generator. It is preferable that it is above, and it is particularly preferable that it is 30 parts by mass or more.

本発明のレジスト組成物における樹脂(A)の含有割合は、本発明のレジスト組成物の固形分を基準に好ましい範囲が定められる。具体的は、該固形分の質量を基準として、樹脂(A)は80質量%以上であることが好ましい。なお、本発明のレジスト組成物は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で樹脂(A)以外の樹脂、すなわち、前記酸作用特性を有しない樹脂(以下、場合により「樹脂(X)」という。)を含有させることもできる。当該樹脂(X)は、好ましくはその分子内にフッ素原子を有するものであり、さらに好ましくは、フッ素原子を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有するものである。より具体的に、この樹脂(X)を例示すると、前記モノマー(a4−1)に由来する構造単位を有する樹脂(X)を挙げることができる。この場合の樹脂(X)において、モノマー(a4−1)に由来する構造単位の含有割合は、樹脂(X)の全構造単位に対して、70〜100モル%の範囲が好ましく、80〜100モル%の範囲がより好ましく、90〜100モル%の範囲がさらに好ましい。   A preferable range of the content ratio of the resin (A) in the resist composition of the present invention is determined based on the solid content of the resist composition of the present invention. Specifically, the resin (A) is preferably 80% by mass or more based on the mass of the solid content. The resist composition of the present invention is a resin other than the resin (A), that is, a resin not having the above-mentioned acid action characteristics (hereinafter referred to as “resin (X)” as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. .) Can also be included. The resin (X) preferably has a fluorine atom in its molecule, and more preferably has a structural unit derived from an acid-stable monomer having a fluorine atom. More specifically, when this resin (X) is exemplified, a resin (X) having a structural unit derived from the monomer (a4-1) can be exemplified. In the resin (X) in this case, the content ratio of the structural unit derived from the monomer (a4-1) is preferably in the range of 70 to 100 mol% with respect to all the structural units of the resin (X), and 80 to 100 The range of mol% is more preferable, and the range of 90 to 100 mol% is more preferable.

本発明のレジスト組成物に樹脂(A)と樹脂(X)とを含有させる場合、本発明のレジスト組成物における樹脂(X)の含有割合は、本発明のレジスト組成物の固形分量を基準に、0.1〜10質量%程度が好ましく、0.3〜5質量%程度がより好ましく、0.5〜3質量%程度がさらに好ましい。   When the resin composition (A) and the resin (X) are contained in the resist composition of the present invention, the content ratio of the resin (X) in the resist composition of the present invention is based on the solid content of the resist composition of the present invention. About 0.1-10 mass% is preferable, About 0.3-5 mass% is more preferable, About 0.5-3 mass% is further more preferable.

本発明のレジスト組成物に塩基性化合物(C)を含有させる場合、その含有割合は、本発明のレジスト組成物の固形分に対して、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   When the basic composition (C) is contained in the resist composition of the present invention, the content ratio is preferably about 0.01 to 5% by mass with respect to the solid content of the resist composition of the present invention. More preferably, it is about 0.01-3 mass%, Especially preferably, it is about 0.01-1 mass%.

本発明のレジスト組成物に溶剤(D)を含有させる場合、その含有割合は、本発明のレジスト組成物の総質量に対して、90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。   When the solvent (D) is contained in the resist composition of the present invention, the content ratio is 90% by mass or more, preferably 92% by mass or more, more preferably 94%, based on the total mass of the resist composition of the present invention. For example, it is 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less.

本発明のレジスト組成物に成分(F)を含有させる場合、該成分(F)の種類に応じて、適切な含有量を調節可能である。   When the component (F) is contained in the resist composition of the present invention, an appropriate content can be adjusted according to the type of the component (F).

このように、塩(I)を含む酸発生剤及び樹脂(A)、さらに必要に応じて用いられる塩基性化合物(C)、溶剤(D)及び成分(F)の各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。   As described above, the acid generator and the resin (A) containing the salt (I), and the basic compound (C), the solvent (D) and the component (F), which are used as necessary, are mixed at a preferable content. Then, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

<レジストパターンの製造方法>
溶剤(D)を含有する本発明のレジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を具体的に示すと、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を、現像する工程
を含む方法を挙げることができる。以下、ここに示す工程の各々を、「工程(1)」〜「工程(5)」のようにいう。
<Method for producing resist pattern>
Specifically showing a method for producing a resist pattern using the resist composition of the present invention containing a solvent (D),
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
Examples of the method include (4) a step of heating the composition layer after exposure and (5) a step of developing the composition layer after heating. Hereinafter, each of the steps shown here is referred to as “step (1)” to “step (5)”.

工程(1)における本発明のレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件(塗布条件)を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本発明のレジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本発明のレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成したりしておいてもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。   The application of the resist composition of the present invention on the substrate in the step (1) can be performed by a coating apparatus widely used for applying a resist material for semiconductor microfabrication, such as a spin coater. Thus, a coating film made of a resist composition is formed on the substrate. The film thickness of the coating film can be adjusted by variously adjusting the conditions (coating conditions) of the coating apparatus, and by applying an appropriate preliminary experiment, the coating film can be applied to have a desired film thickness. You can choose the conditions. As the substrate before applying the resist composition of the present invention, various substrates to be subjected to fine processing can be selected. Before applying the resist composition of the present invention, the substrate may be washed or an antireflection film may be formed. For example, a commercially available composition for an organic antireflection film can be used for forming the antireflection film.

工程(2)においては、基板上に塗布された本発明のレジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させて、溶剤(D)を除去する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段(いわゆるプリベーク)、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。乾燥条件は、本発明のレジスト組成物に含まれる溶剤(D)の種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる加熱手段の場合、該ホットプレートの表面温度を50〜200℃程度の範囲にして行うことが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1〜1.0×10Pa程度にして行うことが好ましい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。 In the step (2), the resist composition of the present invention applied on the substrate, that is, the coating film is dried to remove the solvent (D). Drying is performed, for example, by evaporating the solvent from the coating film by heating means using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), decompressing means using a decompressing device, or by combining these means. Is called. The drying conditions can be selected according to the type of the solvent (D) contained in the resist composition of the present invention. For example, in the case of a heating means using a hot plate, the surface temperature of the hot plate is in the range of about 50 to 200 ° C. It is preferable to carry out. In the decompression means, it is preferable to enclose the substrate on which the coating film is formed in an appropriate decompressor, and then set the internal pressure of the decompressor to about 1 to 1.0 × 10 5 Pa. Thus, the composition layer is formed on the substrate by removing the solvent from the coating film.

工程(3)は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光する工程である。露光には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスク(フォトマスク)を介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光(EUV)を照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。
マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分(露光部)及び露光されていない部分(未露光部)が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる塩(I)及び酸発生剤(B)が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、「アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂」が有する樹脂(A)にある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じるため、露光部の組成物層にある上記樹脂(A)はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、上記樹脂(A)はアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。
Step (3) is a step of exposing the composition layer, and preferably a step of exposing the composition layer using an exposure machine. The exposure is performed through a mask (photomask) on which a desired pattern to be finely processed is formed. As an exposure light source of the exposure machine, an ultraviolet light source such as a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength 193 nm), an F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), or a solid-state laser light source (YAG In addition, various lasers such as a laser beam from a laser beam from a semiconductor laser or the like to emit a harmonic laser beam in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region can be used. The exposure machine may be an immersion exposure machine. The exposure machine may irradiate an electron beam or extreme ultraviolet light (EUV). In this specification, irradiating these radiations may be collectively referred to as “exposure”.
By exposing through a mask, the composition layer has an exposed portion (exposed portion) and an unexposed portion (unexposed portion). In the composition layer of the exposed portion, the salt (I) and the acid generator (B) contained in the composition layer generate an acid upon receiving exposure energy, and further, by the action with the generated acid, “insoluble in an alkaline aqueous solution”. Alternatively, since the acid labile group in the resin (A) of the resin which is hardly soluble and becomes soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid generates a hydrophilic group by a deprotection reaction, A certain resin (A) becomes soluble in an alkaline aqueous solution. On the other hand, since the exposure energy is not received in the unexposed area, the resin (A) remains insoluble or hardly soluble in the alkaline aqueous solution. Since the composition layer in the exposed portion and the composition layer in the unexposed portion are significantly different in solubility in an alkaline aqueous solution, a resist pattern can be formed by development with the alkaline aqueous solution.

工程(4)においては、露光後の組成物層に加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)が行われる。かかる加熱処理は前記工程(2)で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。なお、工程(4)において、ホットプレートを用いる加熱手段を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50〜200℃程度が好ましく、70〜150℃程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。   In step (4), the composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking). Such heat treatment is preferably the heating means using the hot plate shown in the step (2). In addition, when performing the heating means using a hot plate in the step (4), the surface temperature of the hot plate is preferably about 50 to 200 ° C, more preferably about 70 to 150 ° C. The deprotection reaction is promoted by the heat treatment.

工程(5)は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像する。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は、基板に残るため、当該基板上にレジストパターンが製造される。
前記アルカリ水溶液としては、「アルカリ現像液」と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
Step (5) is a step of developing the heated composition layer, and preferably the heated composition layer is developed with a developing device. In the step of developing, when the composition layer after heating is brought into contact with an alkaline aqueous solution, the exposed composition layer is dissolved and removed in the alkaline aqueous solution, and the unexposed composition layer remains on the substrate. A resist pattern is manufactured on the substrate.
As the alkaline aqueous solution, those known in this technical field called “alkaline developer” can be used. Examples of the alkaline aqueous solution include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and an aqueous solution of (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).

現像後、好ましくは超純水などでリンス処理を行うことが好ましい。さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。   After the development, it is preferable to perform a rinsing treatment with ultrapure water or the like. Furthermore, it is preferable to remove moisture remaining on the substrate and the resist pattern.

以上のような工程(1)〜工程(5)を含むレジストパターン製造方法によれば、優れた解像度で微細なレジストパターンを製造することができる。   According to the resist pattern manufacturing method including the steps (1) to (5) as described above, a fine resist pattern can be manufactured with an excellent resolution.

<用途>
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物として好適である。
<Application>
The resist composition of the present invention is suitable as a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) irradiation, or a resist composition for EUV exposure. is there.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す「%」及び「部」は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(東ソー株式会社製HLC−8120GPC型、カラムは”TSKgel Multipore HXL−M”3本、溶媒はテトラヒドロフラン)により求めた値である。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing the content and the amount used are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC type manufactured by Tosoh Corporation, three columns are “TSKgel Multipore HXL-M”, and the solvent is tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

化合物の構造は、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型)を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「MASS」で示す。   The structure of the compound was confirmed by measuring the molecular peak using mass spectrometry (LC is model 1100 manufactured by Agilent, and MASS is LC / MSD manufactured by Agilent). In the following examples, the value of this molecular peak is indicated by “MASS”.

実施例1[式(I−23)で表される塩の合成]

Figure 0006011082
式(I−23−a)で表される塩2.98部、式(I−23−b)で表される化合物0.50部及びモノクロロベンゼン24部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(I−23−c)で表される安息香酸銅0.03部を添加し、100℃程度まで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、得られた濃縮物に、クロロホルム45部及びイオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗操作を5回繰り返した。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20.90部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、上澄液除去後の残渣をさらに濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解した後、濃縮することにより、式(I−23)で表される塩1.42部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 255.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1 Example 1 [Synthesis of salt represented by formula (I-23)]
Figure 0006011082
A reactor was charged with 2.98 parts of the salt represented by the formula (I-23-a), 0.50 parts of the compound represented by the formula (I-23-b) and 24 parts of monochlorobenzene at 23 ° C. Stir for minutes. Thereafter, 0.03 part of copper benzoate represented by the formula (I-23-c) was added, the temperature was raised to about 100 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After concentrating the obtained reaction product, 45 parts of chloroform and 11.25 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 11.25 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was repeated 5 times. After the collected organic layer was filtered, the obtained filtrate was concentrated. To the obtained concentrate, 20.90 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred. The resulting supernatant was removed, and the residue after removing the supernatant was further concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and then concentrated to obtain 1.42 parts of the salt represented by the formula (I-23).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 255.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

実施例2[式(I−30)で表される塩の合成]

Figure 0006011082
式(I−30−a)で表される塩2.98部、式(I−30−b)で表される化合物0.43部及びモノクロロベンゼン24部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(I−23−c)で表される安息香酸銅0.03部を添加し、100℃程度まで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、得られた濃縮物に、クロロホルム45部及びイオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗操作をさらに5回繰り返した。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20.12部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、上澄液除去後の残渣をさらに濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解した後、濃縮することにより、式(I−30)で表される塩1.24部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 239.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1 Example 2 [Synthesis of salt represented by formula (I-30)]
Figure 0006011082
A reactor was charged with 2.98 parts of the salt represented by the formula (I-30-a), 0.43 parts of the compound represented by the formula (I-30-b) and 24 parts of monochlorobenzene at 30 ° C. Stir for minutes. Thereafter, 0.03 part of copper benzoate represented by the formula (I-23-c) was added, the temperature was raised to about 100 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After concentrating the obtained reaction product, 45 parts of chloroform and 11.25 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 11.25 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was further repeated 5 times. After the collected organic layer was filtered, the obtained filtrate was concentrated. To the obtained concentrate, 20.12 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred. The resulting supernatant was removed, and the residue after removing the supernatant was further concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and then concentrated to obtain 1.24 parts of the salt represented by the formula (I-30).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 239.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

実施例3[式(I−1)で表される塩の合成]

Figure 0006011082
式(I−1−a)で表される塩2.98部、式(I−1−b)で表される化合物0.60部及びモノクロロベンゼン24部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(I−1−c)で表される安息香酸銅0.04部を添加し、100℃程度まで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、得られた濃縮物に、クロロホルム45部及びイオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗操作をさらに5回繰り返した。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル19.98部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、上澄液除去後の残渣をさらに濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解した後、濃縮することにより、式(I−1)で表される塩1.11部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 199.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.1 Example 3 [Synthesis of a salt represented by the formula (I-1)]
Figure 0006011082
2.98 parts of a salt represented by the formula (I-1-a), 0.60 part of a compound represented by the formula (I-1-b) and 24 parts of monochlorobenzene were charged into a reactor, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 parts. Stir for minutes. Thereafter, 0.04 part of copper benzoate represented by the formula (I-1-c) was added, the temperature was raised to about 100 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After concentrating the obtained reaction product, 45 parts of chloroform and 11.25 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 11.25 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was further repeated 5 times. After the collected organic layer was filtered, the obtained filtrate was concentrated. To the resulting concentrate, 19.98 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred. The resulting supernatant was removed, and the residue after removing the supernatant was further concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and then concentrated to obtain 1.11 parts of the salt represented by the formula (I-1).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 199.1
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.1

実施例4[式(I−2)で表される塩の合成]

Figure 0006011082
式(I−2−a)で表される塩2.98部、式(I−2−b)で表される化合物0.58部及びモノクロロベンゼン24部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(I−2−c)で表される安息香酸銅0.04部を添加し、100℃程度まで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、得られた濃縮物に、クロロホルム40部及びイオン交換水10部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水10部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗操作をさらに5回繰り返した。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、上澄液除去後の残渣をさらに濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解した後、濃縮することにより、式(I−2)で表される塩1.01部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 199.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1 Example 4 [Synthesis of salt represented by formula (I-2)]
Figure 0006011082
2.98 parts of a salt represented by the formula (I-2-a), 0.58 parts of a compound represented by the formula (I-2-b) and 24 parts of monochlorobenzene were charged into a reactor, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 parts. Stir for minutes. Thereafter, 0.04 part of copper benzoate represented by the formula (I-2-c) was added, the temperature was raised to about 100 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After concentrating the obtained reaction product, 40 parts of chloroform and 10 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 10 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was further repeated 5 times. After the collected organic layer was filtered, the obtained filtrate was concentrated. 20 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting concentrate and stirred. The resulting supernatant was removed, and the residue after removing the supernatant was further concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and then concentrated to obtain 1.01 part of a salt represented by the formula (I-2).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 199.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

実施例5[式(I−37)で表される塩の合成]

Figure 0006011082
式(I−37−a)で表される塩2.98部、式(I−37−b)で表される化合物0.43部及びモノクロロベンゼン24部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(I−37−c)で表される安息香酸銅0.03部を添加し、100℃程度まで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、得られた濃縮物に、クロロホルム45部及びイオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水11.25部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗操作をさらに5回繰り返した。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20.12部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、上澄液除去後の残渣をさらに濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解した後、濃縮することにより、式(I−37)で表される塩1.24部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 183.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1 Example 5 [Synthesis of salt represented by formula (I-37)]
Figure 0006011082
A reactor was charged with 2.98 parts of a salt represented by the formula (I-37-a), 0.43 parts of a compound represented by the formula (I-37-b) and 24 parts of monochlorobenzene at 30 ° C. Stir for minutes. Thereafter, 0.03 part of copper benzoate represented by the formula (I-37-c) was added, the temperature was raised to about 100 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After concentrating the obtained reaction product, 45 parts of chloroform and 11.25 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate, followed by stirring at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 11.25 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was further repeated 5 times. After the collected organic layer was filtered, the obtained filtrate was concentrated. To the obtained concentrate, 20.12 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred. The resulting supernatant was removed, and the residue after removing the supernatant was further concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and then concentrated to obtain 1.24 parts of the salt represented by the formula (I-37).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 183.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

実施例6[式(I−24)で表される塩の合成]

Figure 0006011082
式(I−24−a)で表される塩2.91部、式(I−24−b)で表される化合物0.50部及びモノクロロベンゼン25部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(I−24−c)で表される安息香酸銅0.03部を添加し、100℃程度まで昇温した後、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、得られた濃縮物に、クロロホルム50部及びイオン交換水15部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水15部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗操作を5回繰り返した。回収された有機層をろ過した後、得られたろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、tert−ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、上澄液除去後の残渣をさらに濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解した後、濃縮することにより、式(I−24)で表される塩1.22部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 255.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.0 Example 6 [Synthesis of salt represented by formula (I-24)]
Figure 0006011082
2.91 parts of a salt represented by the formula (I-24-a), 0.50 part of a compound represented by the formula (I-24-b) and 25 parts of monochlorobenzene were charged into a reactor, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 parts. Stir for minutes. Thereafter, 0.03 part of copper benzoate represented by the formula (I-24-c) was added, the temperature was raised to about 100 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After concentrating the obtained reaction product, 50 parts of chloroform and 15 parts of ion-exchanged water were added to the obtained concentrate and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. To the obtained organic layer, 15 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated and obtained the organic layer. This washing operation was repeated 5 times. After the collected organic layer was filtered, the obtained filtrate was concentrated. 20 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting concentrate and stirred. The resulting supernatant was removed, and the residue after removing the supernatant was further concentrated. The obtained concentrate was dissolved in acetonitrile and then concentrated to obtain 1.22 parts of the salt represented by the formula (I-24).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 255.1
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

樹脂(A)の合成
樹脂(A)の合成に使用したモノマーを下記に示す。

Figure 0006011082
以下、これらのモノマーをその式番号に応じて、「モノマー(a1−1−2)」などという。 Synthesis of Resin (A) Monomers used for the synthesis of resin (A) are shown below.
Figure 0006011082
Hereinafter, these monomers are referred to as “monomer (a1-1-2)” or the like according to the formula number.

合成例1:〔樹脂A1の合成〕
モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−3)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−3)を、そのモル比〔モノマー(a1−1−3):モノマー(a1−2−3):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1):モノマー(a3−2−3)〕が、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00mol%と3.00mol%となるように添加した。これを73℃で約5時間加熱することにより重合した。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(質量比メタノール:水=4:1)に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が8.1×10である樹脂A1を収率65%で得た。この樹脂A1は、モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−3)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)、モノマー(a3−2−3)に各々由来する、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006011082
Synthesis Example 1: [Synthesis of Resin A1]
The monomer (a1-1-3), the monomer (a1-2-3), the monomer (a2-1-1), the monomer (a3-1-1) and the monomer (a3-2-3) are mixed in a molar ratio [ Monomer (a1-1-3): monomer (a1-2-3): monomer (a2-1-1): monomer (a3-1-1): monomer (a3-2-3)] is 30:14 : 6: 20: 30 The mixture was further mixed, and 1.5 mass times of dioxane was further mixed with this monomer mixture with respect to the total mass of all monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were respectively added to 1.00 mol% and 3.00 mol% with respect to the total number of moles of all monomers. It added so that it might become. This was polymerized by heating at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the polymerization reaction solution was poured into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (mass ratio methanol: water = 4: 1) to precipitate the resin. This resin was filtered and collected. It is again dissolved in dioxane, poured into a mixed solvent of a large amount of methanol and water to precipitate the resin, and the precipitated resin is filtered and collected twice to perform reprecipitation purification, and the weight average molecular weight is 8 Resin A1 of .1 × 10 3 was obtained with a yield of 65%. This resin A1 is a monomer (a1-1-3), a monomer (a1-2-3), a monomer (a2-1-1), a monomer (a3-1-1), and a monomer (a3-2-3). Each of these has the following structural units.
Figure 0006011082

合成例2:〔樹脂A2の合成〕
モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−2−3)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−3)を、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a1−2−3):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1):モノマー(a3−2−3)〕が、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00mol%と3.00mol%となるように添加した。これを73℃で約5時間加熱することにより重合した。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(質量比メタノール:水=4:1)に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が7.8×10である樹脂A2を収率68%で得た。この樹脂A2は、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−2−3)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)、モノマー(a3−2−3)に各々由来する、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006011082
Synthesis Example 2: [Synthesis of Resin A2]
Monomer (a1-1-2), monomer (a1-2-3), monomer (a2-1-1), monomer (a3-1-1) and monomer (a3-2-3) are mixed in a molar ratio [ Monomer (a1-1-2): monomer (a1-2-3): monomer (a2-1-1): monomer (a3-1-1): monomer (a3-2-3)] is 30:14 : 6: 20: 30 The mixture was further mixed, and 1.5 mass times of dioxane was further mixed with this monomer mixture with respect to the total mass of all monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were respectively added to 1.00 mol% and 3.00 mol% with respect to the total number of moles of all monomers. It added so that it might become. This was polymerized by heating at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the polymerization reaction solution was poured into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (mass ratio methanol: water = 4: 1) to precipitate the resin. This resin was filtered and collected. Again, it is dissolved in dioxane, poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and the precipitated resin is filtered and collected twice to perform reprecipitation purification, and the weight average molecular weight is 7 Resin A2 of .8 × 10 3 was obtained with a yield of 68%. This resin A2 is a monomer (a1-1-2), a monomer (a1-2-3), a monomer (a2-1-1), a monomer (a3-1-1), and a monomer (a3-2-3). Each of these has the following structural units.
Figure 0006011082

合成例3:〔樹脂A3の合成〕
モノマー(1−1−2)、モノマー(a2−1−1)及びモノマー(a3−1−1)を、そのモル比〔モノマー(1−1−2):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1)〕が、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを80℃で約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(質量比メタノール:水=4:1)に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、得られた樹脂を、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×10である樹脂A3を収率60%で得た。この樹脂A3は、モノマー(1−1−2)、モノマー(a2−1−1)及びモノマー(a3−1−1)に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものである。

Figure 0006011082
Synthesis Example 3: [Synthesis of Resin A3]
Monomer (1-1-2), monomer (a2-1-1) and monomer (a3-1-1) are mixed in a molar ratio [monomer (1-1-2): monomer (a2-1-1): Monomer (a3-1-1)] was mixed so as to be 50:25:25, and 1.5 mass times dioxane was further mixed with respect to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. Then, this was heated at 80 ° C. for about 8 hours to carry out polymerization. Thereafter, the polymerization reaction solution was poured into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (mass ratio methanol: water = 4: 1) to precipitate the resin. This resin was filtered and collected. Again, the obtained resin is dissolved in dioxane, poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and the precipitated resin is filtered and recovered three times for reprecipitation purification. A resin A3 having a weight average molecular weight of about 9.2 × 10 3 was obtained in a yield of 60%. This resin A3 has structural units derived from the following monomers derived from the monomer (1-1-2), the monomer (a2-1-1) and the monomer (a3-1-1), respectively. .
Figure 0006011082

合成例4〔樹脂A4の合成〕
モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−2−3)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−2−3)及びモノマー(a3−1−1)を、そのモル比(モノマー(a1−1−2):モノマー(a1−2−3):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−2−3):モノマー(a3−1−1))が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×10の共重合体A4を収率78%で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006011082
Synthesis Example 4 [Synthesis of Resin A4]
Monomer (a1-1-2), monomer (a1-2-3), monomer (a2-1-1), monomer (a3-2-3) and monomer (a3-1-1) are mixed in a molar ratio ( Monomer (a1-1-2): Monomer (a1-2-3): Monomer (a2-1-1): Monomer (a3-2-3): Monomer (a3-1-1)) is 30:14 : 6: 20: 30 The mixture was mixed and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.2. A × 10 3 copolymer A4 was obtained with a yield of 78%. This resin A4 has the following structural units.
Figure 0006011082

合成例5〔樹脂A5の合成〕
モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−5−1)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−2−3)及びモノマー(a3−1−1)を、そのモル比(モノマー(a1−1−2):モノマー(a1−5−1):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−2−3):モノマー(a3−1−1))が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×10の共重合体A5を収率78%で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006011082
Synthesis Example 5 [Synthesis of Resin A5]
Monomer (a1-1-2), monomer (a1-5-1), monomer (a2-1-1), monomer (a3-2-3) and monomer (a3-1-1) are mixed in a molar ratio ( Monomer (a1-1-2): Monomer (a1-5-1): Monomer (a2-1-1): Monomer (a3-2-3): Monomer (a3-1-1)) is 30:14 : 6: 20: 30 The mixture was mixed and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.2. A × 10 3 copolymer A5 was obtained with a yield of 78%. This resin A5 has the following structural units.
Figure 0006011082

合成例6〔樹脂X1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a4−1−7)を用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.7mol%及び2.1mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×10の樹脂X1を収率77%で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006011082
Synthesis Example 6 [Synthesis of Resin X1]
Monomer (a4-1-7) was used as a monomer, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. Azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the solution in an amount of 0.7 mol% and 2.1 mol%, respectively, with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was again dissolved in dioxane, and the solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent was precipitated twice, and the resin was filtered twice. 8 × 10 4 resin X1 was obtained with a yield of 77%. This resin X1 has the following structural units.
Figure 0006011082

実施例7〜22、比較例1
<レジスト組成物の調製>
表4に示すように、各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
Examples 7-22, Comparative Example 1
<Preparation of resist composition>
As shown in Table 4, each component was mixed and dissolved, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<酸発生剤>
I−23:式(I−23)で表される塩
I−30:式(I−30)で表される塩
I−1 :式(I−1)で表される塩
I−2 :式(I−2)で表される塩
I−37:式(I−37)で表される塩)
I−24:式(I−24)で表される塩
酸発生剤B1−3:

Figure 0006011082
酸発生剤Z1:
Figure 0006011082
<Acid generator>
I-23: salt represented by formula (I-23) I-30: salt represented by formula (I-30) I-1: salt represented by formula (I-1) I-2: formula Salt represented by (I-2) I-37: Salt represented by formula (I-37))
I-24: Hydrochloric acid generator B1-3 represented by formula (I-24):
Figure 0006011082
Acid generator Z1:
Figure 0006011082

<樹脂>
A1:樹脂A1
A2:樹脂A2
A3:樹脂A3
A4:樹脂A4
A5:樹脂A5
X1:樹脂X1
<塩基性化合物(C):クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン
<Resin>
A1: Resin A1
A2: Resin A2
A3: Resin A3
A4: Resin A4
A5: Resin A5
X1: Resin X1
<Basic compound (C): quencher>
C1: 2,6-Diisopropylaniline

Figure 0006011082
Figure 0006011082

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
2−ヘプタノン 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts 2-heptanone 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<レジストパターンの製造及びその評価>
12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚78nmの有機反射防止膜を形成した。得られた有機反射防止膜の上に、表1に示すレジスト組成物の各々を、乾燥(プリベーク)後の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物を塗布したウェハを、ダイレクトホットプレートで、表4の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベーク(PB)した。得られたウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、HTM P90L45 DipoleX35 Y偏光 s=0.985/0.875]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表4の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク(PEB)を行った。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Manufacture of resist pattern and its evaluation>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] is applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form a film on the wafer An organic antireflection film having a thickness of 78 nm was formed. On the obtained organic antireflection film, each of the resist compositions shown in Table 1 was spin-coated so that the film thickness after drying (prebaking) was 110 nm.
The wafer coated with the resist composition was pre-baked (PB) with a direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 4 for 60 seconds. An exposure amount of the obtained wafer using an ArF excimer laser stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, HTM P90L45 Dipole X35 Y-polarized light s = 0.985 / 0.875] The line-and-space pattern was subjected to immersion exposure by changing stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 4 for 60 seconds. Further, paddle development was performed for 60 seconds with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution to obtain a resist pattern.

各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。   In forming a resist pattern from each resist composition, an exposure amount at which the line width of a 50 nm line-and-space pattern is 1: 1 is defined as effective sensitivity.

解像度評価:実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、45nmを解像しているものを「g」(good)、43nmを解像しているものを「e」(excellent)、45nmを解像していないか、解像しているがトップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは「b」(bad)とする3水準で評価した。結果を表5に示す。なお、括弧内の数値は、解像度を示す。 Resolution evaluation: In the effective sensitivity, the resist pattern is observed with a scanning electron microscope, the resolution of 45 nm is “g” (good), the resolution of 43 nm is “e” (excellent), The case where 45 nm was not resolved or was resolved but the top was round, there was tailing, or pattern collapse was observed was evaluated at three levels, “b” (bad). The results are shown in Table 5. The numerical value in parentheses indicates the resolution.

Figure 0006011082
Figure 0006011082

本発明の式(I)で表される塩は、酸発生剤として好適であり、かかる式(I)で表される塩を含むレジスト組成物は、優れた解像度でレジストパターンを製造することができる。そのため、本発明のレジスト組成物は、半導体の微細加工に有用である。   The salt represented by the formula (I) of the present invention is suitable as an acid generator, and the resist composition containing the salt represented by the formula (I) can produce a resist pattern with excellent resolution. it can. Therefore, the resist composition of the present invention is useful for fine processing of semiconductors.

Claims (7)

式(I)で表される塩。

Figure 0006011082

[式(I)中、
は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
、ヒドロキシ基を表す。
及びXは、それぞれ独立に、炭素数1〜12のアルカンジイル基を表す。
は、有機アニオンを表す。]
A salt represented by the formula (I).

Figure 0006011082

[In the formula (I),
R 1 represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms which may be substituted with an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or a hydroxy group .
R 2 represents a human Dorokishi group.
X 1 and X 2 each independently represents an alkanediyl group having 1 to 12 carbon atoms.
A represents an organic anion. ]
前記式(I)のX及びXがそれぞれ独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基である請求項1記載の塩。 The salt according to claim 1, wherein X 1 and X 2 in the formula (I) are each independently an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. 前記式(I)のRが、置換基を有してもよいフェニル基である請求項1又は2記載の塩。 The salt according to claim 1 or 2, wherein R 1 in the formula (I) is a phenyl group which may have a substituent. 請求項1〜3のいずれか記載の塩と、
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。
The salt according to any one of claims 1 to 3,
A resist composition containing a resin that is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and that can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.
さらに、塩基性化合物を含有する請求項4記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition of Claim 4 containing a basic compound. さらに、溶剤を含有する請求項4又は5記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition of Claim 4 or 5 containing a solvent. (1)請求項4〜6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を、現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 4-6 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
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JP5223260B2 (en) * 2006-08-02 2013-06-26 住友化学株式会社 Salt for acid generator of chemically amplified resist composition
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