JP5981588B1 - Coating method and coating apparatus - Google Patents
Coating method and coating apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP5981588B1 JP5981588B1 JP2015036605A JP2015036605A JP5981588B1 JP 5981588 B1 JP5981588 B1 JP 5981588B1 JP 2015036605 A JP2015036605 A JP 2015036605A JP 2015036605 A JP2015036605 A JP 2015036605A JP 5981588 B1 JP5981588 B1 JP 5981588B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- head
- application
- regions
- head body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 280
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 251
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 105
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 50
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 37
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 11
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N butyric acid octyl ester Natural products CCCCCCCCOC(=O)CCC PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- DMTNYYLGEBSTEJ-UHFFFAOYSA-N triphenylene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=C(N)C(N)=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 DMTNYYLGEBSTEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】塗布材料を複数の分割パターンに低コストでかつ精度よく塗布することを可能にした塗布方法を提供することにある。【解決手段】実施形態の塗布方法は、外面を有する長尺なヘッド本体11と、ヘッド本体11の外面に設けられた複数の塗布領域12と、ヘッド本体11の長尺方向と略直交する方向に沿って隣接する塗布領域12間に設けられた分離領域13とを備える塗布ヘッド10を用意する。塗布ヘッド10を基板2の塗布面2a上に所定の間隙を持って配置する。塗布ヘッド10と塗布面2aとの間に塗布材料3を供給し、複数の塗布領域12に跨って塗布材料3のメニスカス柱4を形成する。基板2を移動させ、メニスカス柱4を複数の塗布領域12に対応させて複数に分離させつつ塗布面に塗布する。【選択図】図7An object of the present invention is to provide a coating method capable of accurately coating a coating material on a plurality of divided patterns at low cost. A coating method according to an embodiment includes a long head body 11 having an outer surface, a plurality of coating regions 12 provided on the outer surface of the head body 11, and a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the head body 11. A coating head 10 including a separation region 13 provided between adjacent coating regions 12 is prepared. The coating head 10 is disposed on the coating surface 2a of the substrate 2 with a predetermined gap. The coating material 3 is supplied between the coating head 10 and the coating surface 2 a, and the meniscus column 4 of the coating material 3 is formed across a plurality of coating regions 12. The substrate 2 is moved, and the meniscus column 4 is applied to the application surface while being separated into a plurality of portions corresponding to the plurality of application regions 12. [Selection] Figure 7
Description
本発明の実施形態は、塗布方法および塗布装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a coating method and a coating apparatus.
有機半導体を用いた有機薄膜太陽電池は、活性層の形成に安価な塗布法を適用できることから、低コストの太陽電池として期待されている。有機薄膜太陽電池モジュールを構成するセルは、有機活性層を透明電極と対向電極とで挟持した構造を有している。透明電極は、一般的に導電性が低いため、セルの面積を大面積化するほど発生電荷を外部に取り出す効率が低下する。そこで、短冊状のセルを複数並べて形成すると共に、これら複数のセル間を直列に接続することが一般的である。 An organic thin-film solar cell using an organic semiconductor is expected as a low-cost solar cell because an inexpensive coating method can be applied to form an active layer. The cell constituting the organic thin film solar cell module has a structure in which an organic active layer is sandwiched between a transparent electrode and a counter electrode. Since the transparent electrode generally has low conductivity, the efficiency of extracting generated charges to the outside decreases as the cell area increases. Therefore, it is common to form a plurality of strip-shaped cells side by side and connect the plurality of cells in series.
上述した複数のセルを有する有機薄膜太陽電池モジュールを低コストで実現するためには、有機活性層を形成する塗布材料を複数に分割されたパターンに精度よく塗布することが求められる。さらに、有機活性層の膜厚は数10〜数100nmオーダーであるため、そのような非常に薄い層を精度よく形成することが求められる。しかしながら、従来の塗布法ではパターン化された複数の有機活性層を低コストで精度よく形成することができない。例えば、低コストで比較的大面積に極薄い層を印刷可能な塗布法としてメニスカス印刷法が知られている。しかし、従来のメニスカス印刷法では分割された複数の有機活性層パターンを低コストでかつ精度よく形成することができない。このようなことから、塗布材料を複数の分割パターンに塗布する技術の向上が求められている。 In order to realize the above-described organic thin-film solar cell module having a plurality of cells at a low cost, it is required to accurately apply a coating material for forming an organic active layer into a plurality of divided patterns. Furthermore, since the film thickness of the organic active layer is on the order of several tens to several hundreds of nm, it is required to form such a very thin layer with high accuracy. However, conventional coating methods cannot accurately form a plurality of patterned organic active layers at low cost. For example, a meniscus printing method is known as a coating method capable of printing an extremely thin layer on a relatively large area at a low cost. However, the conventional meniscus printing method cannot form a plurality of divided organic active layer patterns with low cost and high accuracy. For these reasons, there is a demand for improvement in technology for applying a coating material to a plurality of divided patterns.
本発明が解決しようとする課題は、塗布材料を複数の分割パターンに低コストでかつ精度よく塗布することを可能にした塗布方法および塗布装置を提供することにある。 The problem to be solved by the present invention is to provide a coating method and a coating apparatus capable of accurately coating a coating material on a plurality of divided patterns at low cost.
実施形態の塗布方法は、外面を有する長尺なヘッド本体と、前記ヘッド本体の長尺方向を複数に分割するように、ヘッド本体の外面に設けられた複数の塗布領域と、ヘッド本体の長尺方向と略直交する方向に向けて外面の少なくとも一部に沿って、隣接する塗布領域間に設けられた分離領域とを備える塗布ヘッドを用意する工程と、分離領域を塗布対象物の塗布面側に向けつつ、塗布ヘッドを塗布面上に所定の間隙を持って配置する工程と、塗布ヘッドと塗布面との間に塗布材料を供給し、複数の塗布領域に跨って塗布材料のメニスカス柱を形成する工程と、塗布ヘッドおよび塗布対象物の少なくとも一方を移動させ、メニスカス柱を複数の塗布領域に対応させて複数に分離させつつ塗布面に塗布する工程とを具備し、塗布材料は供給機構から供給され、供給機構の数は分離領域の数以下に設定されている。 The coating method according to the embodiment includes a long head body having an outer surface, a plurality of coating regions provided on the outer surface of the head body so as to divide the longitudinal direction of the head body into a plurality, and a length of the head body. A step of preparing a coating head including a separation region provided between adjacent coating regions along at least a part of the outer surface in a direction substantially perpendicular to the scale direction, and the separation region as a coating surface of the coating object A coating material is provided between the coating head and the coating surface, and the meniscus column of the coating material is straddled across a plurality of coating regions. forming a, by moving at least one of the coating head and the coating object, corresponding meniscus pillar into a plurality of coated regions comprising a step of applying the coated surface while separated into a plurality, the coating material is supplied Mechanism Is supplied, the number of supply mechanism is set to less than or equal to the number of isolation regions.
以下、実施形態の塗布方法および塗布装置について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a coating method and a coating apparatus according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
(第1の実施形態/塗布装置および塗布方法)
図1は第1の実施形態の塗布装置を示す正面図、図2は第1の実施形態の塗布装置を示す側面図である。図1および図2に示す塗布装置1は、塗布対象物である基板2の塗布面(表面)2aに液状の塗布材料3を塗布することによって、基板2上に所望形状の塗膜を形成するための装置である。塗布装置1は、塗布ヘッド10と、塗布対象物である基板2と塗布ヘッド10との間に塗布材料3を供給する供給機構20と、塗布ヘッド10および基板2の少なくとも一方を移動させる移動機構30とを具備している。
(First Embodiment / Coating Device and Coating Method)
FIG. 1 is a front view showing a coating apparatus according to the first embodiment, and FIG. 2 is a side view showing the coating apparatus according to the first embodiment. The
塗布ヘッド10は、図中x方向に長尺な略円柱形状を有するヘッド本体11を備えている。略円柱形状のヘッド本体11の外周面には、ヘッド本体11の長尺方向を複数に分割するように、複数の塗布領域12が設けられている。隣接する塗布領域12間には、ヘッド本体11の外周面の円周方向に沿って分離領域13が設けられている。図1および図2は略円柱形状を有するヘッド本体11を示しているが、ヘッド本体11の形状はこれに限られるものではない。ヘッド本体11は、例えば六角柱状のような多角柱状の形状を有していてもよい。このような場合、複数の塗布領域12はヘッド本体11の外面を長尺方向に複数に分割するように設けられる。分離領域13は、ヘッド本体11の長尺方向と略直交する方向に向けて外面に沿って設けられる。
The
ヘッド本体11の外周面は、長尺方向を複数に分割する複数の塗布領域12を有しており、これらにより例えば多連短冊状のパターンに分割された塗膜が形成される。複数の塗布領域12のそれぞれは、分割された塗膜の各パターンに対応している。分離領域13は、ヘッド本体11の外周面を複数の塗布領域12に分割するように設けられている。図1および図2に示す分離領域13は、ヘッド本体11の外周面の全周に沿って設けられているが、外周面の円周方向の一部のみに沿って設けられていてもよい。分離領域13は、ヘッド本体11の外周面の円周方向の少なくとも一部(長尺方向と略直交する方向に向けて外面の少なくとも一部)に沿って設けられていればよい。
The outer peripheral surface of the head
分離領域13は、後述する塗布材料3のメニスカス柱を、複数の塗布領域12に応じて複数に分離させる機能を有する。メニスカス柱の分離動作については、後に詳述する。分離領域13の具体的な構成としては、図3に示すくぼみ部14、図4に示す撥液部15、図5に示すくぼみ部14と撥液部15とを組み合わせた構造等が挙げられる。くぼみ部14は、ヘッド本体11の外周面から内部に向けて凹ませた形状を有する。図3(a)は塗布ヘッド10の正面図、図3(b)は図3(a)のX−X線に沿った断面図である。図4および図5も同様である。くぼみ部14の具体的な形状は、特に限定されるものではなく、V溝状、角溝状、丸溝状等を適用することができる。
The
撥液部15は、例えば塗布材料3に対してヘッド本体11の外周面より撥液性が高い材料の被膜を有する。撥液部15は、ヘッド本体11にそれより撥液性が高い部材を繋ぎ合わせて形成してもよい。撥液部15としての被膜(撥液被膜)は、塗布材料3やヘッド本体11の構成材料により選択された材料を用いて形成される。撥液被膜の形成材料としては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)のようなフッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂材料、フッ素樹脂を含む金属メッキ材料等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。撥液被膜は、ヘッド本体11の外周面に撥液材料をパターン化して製膜する方法、ヘッド本体11の外周面全体に撥液材料を製膜した後に、撥液性が不要な部分の膜を除去する方法等により形成することができる。撥液部15の形状は、塗布領域12に対して凸状または凹状であってもよいし、両領域間に段差がない平坦な形状であってもよい。
The
撥液部15としての被膜は、図5に示すように、くぼみ部14内に形成してもよい。この場合、撥液被膜はくぼみ部14の深さ方向の全部を埋めるように形成してもよいし、くぼみ部14の深さ方向の一部を埋めるように形成してもよい。さらに、撥液被膜がくぼみ部14から突出するように形成してもよい。くぼみ部14をヘッド本体11の外周面の円周方向の一部のみに沿って形成する場合、撥液部15としての被膜はくぼみ部14の円周方向における端部の微小領域のみに設けてもよい。撥液被膜を形成するくぼみ部14の形状は、V溝状、角溝状、丸溝状等のいずれであってもよい。
The film as the liquid
撥液部15としての被膜は、くぼみ部14内に撥液材料を選択的に埋め込む方法、くぼみ部14を有するヘッド本体11の外周面全体に撥液材料を製膜した後に、撥液性が不要な部分の膜を除去する方法等により形成することができる。例えば、深さdのくぼみ部14を有する円柱状のヘッド本体11の外周面全体に厚さtの撥液被膜を形成し、切削加工等で撥液被膜を削り量aで削り取る場合、削り量aがt<a<d−tを満足するように加工することで、所望の撥液部15を得ることができる。撥液材料の製膜方法は、撥液材料に応じて適宜選択され、例えば塗布法やメッキ法が適用される。
The film as the
供給機構20は、塗布ヘッド10と基板2の塗布面2aとの間に塗布材料3を供給する。供給機構20は、例えば微量の材料を正確に吐出することが可能なシリンジポンプ21を備えている。ただし、供給機構20はこれに限られるものではなく、微量材料の吐出に適した方法を用いることができる。移動機構30は、例えば塗布対象物である基板2が載置されるステージ31と、ステージ31の駆動機構32とを有している。ステージ31は、図中y方向に駆動機構32により移動可能とされている。駆動機構32は、ステージ31を図中z方向に移動させる機構を有していてもよい。移動機構30は、塗布ヘッド10を移動させるように構成してもよい。
The
次に、塗布装置1を用いて基板2に塗布材料3を塗布する工程について、図6ないし図8を参照して説明する。まず、塗布ヘッド10を基板2の塗布面2a上に所定の間隙を持って配置する。塗布ヘッド10は、分離領域13が塗布面2aを向くように配置される。分離領域13が外周面の全周にわたって設けられている場合には、単に塗布ヘッド10を塗布面2a上に所定の間隙を持って配置すればよい。分離領域13が外周面の一部に沿って設けられている場合には、分離領域13を有する領域が塗布面2aを向くように配置する。この状態で、塗布ヘッド10と基板2の塗布面2aとの間に供給機構20から塗布材料3を供給する(図6(a)および図7(a))。
Next, the process of applying the
供給機構20から供給された塗布材料3は、ヘッド本体11の外周面と塗布面2aとの間をx方向に濡れ広がり、さらに隣接する塗布領域12間に存在する分離領域13を乗り越えることによって、複数の塗布領域12に跨るメニスカス柱4を形成する。メニスカス柱4は、円弧状の曲面を有する柱状体であり、ヘッド本体11と基板2の塗布面2aとの間の間隙、塗布材料3の性質(粘度や表面張力等)、塗布材料3の供給量等に応じて所望の形状を有する。メニスカス柱4の形状、塗布材料3の粘度や表面張力のような性質、基板2の移動速度等に応じて、所望の膜厚を有する塗膜が形成される。
The
複数の塗布領域12に跨るメニスカス柱4を形成するにあたって、1つの供給機構20から複数の塗布領域12と塗布面2aとの間に塗布材料3を供給することが好ましい。1つの供給機構20から塗布材料3が供給される塗布領域12の数は、特に限定されるものではなく、複数であればよい。図1および図7では1つの供給機構20を示しているが、塗布領域12の数によっては複数の供給機構20を用いてもよい。この場合においても、供給機構20の数は塗布領域12の数より少なく設定することが好ましい。
In forming the
次に、ステージ31を駆動して基板2を一方向(y方向)に移動させることによって、図6(b)、図7(b)、および図8に示すように、塗布材料3を塗布面2aに塗布して塗膜5を形成する。基板2の移動当初は、くぼみ部14内に残っている塗布材料3、あるいは撥液部15と基板2の塗布面2aとの間に存在する塗布材料3によって、図8に示すようにベタ膜状となる。くぼみ部14内または撥液部15近辺の塗布材料3の基板2への移行が終了すると、分割されたパターン5Aが形成される。このように、ヘッド本体11の外周面に設けられた分離領域13によって、メニスカス柱4を複数の塗布領域12に応じて分離させつつ基板2の塗布面2aに塗布することができる。従って、複数の塗布領域12に応じた多連短冊状のパターン5Aを有する塗膜5を形成することが可能になる。
Next, the
塗布材料3を基板2の塗布面2aに塗布するために基板2を移動させる前に、ヘッド本体11と塗布面2aとの間の間隙を広げたり、また間隙の拡大と同時に基板2の移動を実施してもよい。塗布装置1が塗布ヘッド10の回転機構を有する場合には、間隙の拡大や基板2の移動と同時に、あるいはこれらとは別にヘッド本体11の回転を実施してもよい。このような工程を実施することによって、メニスカス柱4の分離を助長することができる。ヘッド本体11と塗布面2aとの間隙の拡大は、塗布ヘッド10の上昇、ステージ31の下降、あるいはヘッド本体11の偏心させた回転等により実施することができる。
Before moving the
分離領域13としてのくぼみ部14や撥液部15は、塗膜の分割パターン間の幅、塗布材料3の諸特性、ヘッド本体11と塗布面2aとの間の間隙等にもよるが、メニスカス柱4の分離作用を効果的に発揮させるために、ヘッド本体11の長手方向に対して0.1mm以上の幅を有することが好ましい。くぼみ部14や撥液部15の幅が0.1mm未満であると、メニスカス柱4の分離機能が不十分になるおそれがある。塗布の分割パターン間の幅を広くしたい場合(例えば10mm)には、例えば直径の大きな塗布ヘッド10を用い、分離領域13の円周方向の形状を、円周方向の端部の幅は狭くし(例えば0.1mm)、円周方向の中央部に向けて徐々に広く(例えば10mm)なるような形状にすることで対応可能である。さらに、くぼみ部14はヘッド本体11外周面から0.1mm以上の深さを有することが好ましい。このようなくぼみ部14を適用することによって、メニスカス柱4の分離作用およびパターン塗布性を高めることができる。
The
分離領域13をヘッド本体11の円周方向の一部のみに沿って形成する場合、部分的な分離領域13の円周方向に対する形成領域は、メニスカス柱4のニップ長に応じて設定することが好ましい。メニスカス柱4のニップ長(メニスカス柱4のヘッド本体11の外周面と接している部分の断面方向の幅)に対応する外周面の円周長をLnとしたとき、部分的な分離領域13の円周方向に対する形成領域Lは、円周長Lnを超えるように設定することが好ましい。分離領域13の形成領域Lが円周長Ln以下であると、メニスカス柱4の分離作用が低下するおそれがある。
When the
上述したように、複数の塗布領域12に跨るメニスカス柱4を分離領域13で複数の塗布領域12に応じて分離させることによって、複数の塗布領域12に応じた多連短冊状のパターン5Aを有する塗膜5を高精度に形成することができる。また、塗布装置1の装置構成としては、従来のメニスカス印刷用の塗布装置とほとんど変わらないため、装置コストの上昇等を招くこともない。従って、多連短冊状のパターン5Aを有する塗膜5を低コストでかつ高精度に形成することが可能になる。
As described above, the
さらに、1つの供給機構20で複数の塗布領域12に跨るメニスカス柱4を形成することによって、供給機構20の調整や位置合わせ作業の簡便化、塗布むらの抑制、余分な塗布材料の減量、供給機構20の個体差によるばらつきの改善、供給機構20の洗浄に必要な洗浄量の減少等を実現することができる。すなわち、複数の塗布領域にそれぞれシリンジポンプを配置した場合、多数のシリンジポンプが必要となる。このため、メニスカス柱への気泡の混入を防止するために、シリンジポンプ内に少量の塗布材料が残るように吐出させると、余分な塗布材料量が多くなる。シリンジポンプには個体差があるため、供給量にばらつきが生じやすくなる。シリンジポンプを洗浄する際に、洗浄液の必要量が多くなる。パターン塗布の塗布幅や塗布ピッチを変える場合、シリンジポンプの配置ピッチを変える必要があるが、塗布ピッチを狭くしようとしたときに、シリンジポンプ同志が干渉して並べられなかったり、また塗布ヘッドへのニードルの位置合わせが困難になる。さらに、ニードル部の位置に縦スジ状の塗布むらが発生しやすい。
Further, by forming the
複数の塗布領域12に対して1つのシリンジポンプ21のような供給機構20から塗布材料3を供給することによって、上述したような点を解消することができる。塗布幅や塗布ピッチを変えるときにおいても、供給機構20の調整が不要となる。供給機構20の配置ピッチを変える必要がない。かなり狭い塗布ピッチに対しても適用可能である。供給機構20の塗布ヘッド10に対する位置合わせ作業が簡便になる。また、縦スジ状の塗布むらの発生が抑制される。さらに、供給機構20の数を減らすことで、次のような効果が得られる。メニスカス柱への気泡の混入を防止する場合においても、余分な塗布材料の量が減らせる。供給機構20の個体差による塗布膜厚、塗布幅、塗布位置等のばらつきが改善される。供給機構20を洗浄する際に必要な洗浄液量が減らせる。
By supplying the
第1の実施形態の塗布装置1は、種々の変形が可能である。塗布材料3の供給機構20は、図9に示すように、例えば1つのシリンジポンプ21から吐出される塗布材料3の吐出口を複数に分割するマニホールド22を有していてもよい。塗布材料3の供給機構20には、シリンジポンプ方式に限らず、例えばスリットダイコート方式を適用してもよい。図10はスリットダイ23を備える供給機構20を示している。スリットダイ23は、先端が鋭角状のダイブロック24と、ダイブロック24内に設けられたスリット部25およびマニホールド部26とを有している。マニホールド部26には、図示しない給液ノズルが接続される。給液ノズルから供給された塗布材料3は、マニホールド部26を介してスリット部25の先端から塗布ヘッド10と基板2の塗布面2aとの間に供給される。
The
実施形態の塗布装置1は、複数の塗布領域12に跨る1つのメニスカス柱4を、複数の塗布領域12に応じて複数に分割する機構40を具備していてもよい。図11は1つのメニスカス柱4を複数に分割する機構の一例を示している。図11に示す分割機構40は、メニスカス柱4を複数に分割する分割部材41を備えている。塗布ヘッド10および分割機構40について、図11および図12を参照して説明する。図12において、(a)はヘッド本体11を分離領域13で切断した断面図、(b)は分割部材41の断面図、(c)はヘッド本体11と分割部材41とを重ね合せた状態を示す図、(d)はメニスカス柱4を分割するために分割部材41を移動させた状態を示す図である。
The
ヘッド本体11は、複数の塗布領域12を構成する複数の円柱部17と、これら円柱部17間を連結する軸部18とを備えている。軸部18の外周部分は、分離領域13を構成している。分割部材41は、円柱部17と略同一の断面形状と軸部18と略同一の幅とを有し、かつ分離領域13毎に設けられた分割部42と、これら複数の分割部42を連結しつつ移動させる連結部43とを備えている。分割部42には、ヘッド本体11の軸部18が挿通され、かつ分割部材41を円柱部17と重ねた状態から塗布面2aから離れる方向に移動させることが可能なように設けられた長穴44が設けられている。
The head
分割部材41を用いたメニスカス柱4の分割工程は、以下の通りである。まず、図11(a)および図12(c)に示すように、円柱部17と分割部42とが重なり合うように、ヘッド本体11に対して分割部材41を配置する。このような状態において、ヘッド本体11および分割部材41を基板2の塗布面2a上に所定の間隙を持って配置する。次いで、ヘッド本体11および分割部材41と基板2の塗布面2aとの間に塗布材料3を供給する。ヘッド本体11の分割領域13となる空間には、分割部42が配置されているため、塗布材料3は分割領域13となる空間内に侵入することなく、ヘッド本体11と基板2の塗布面2aとの間に複数の塗布領域12に跨るメニスカス柱4を形成する。
The dividing process of the
次に、図11(b)および図12(d)に示すように、分割部材41を塗布面2aから離れる方向(図中z方向)に移動させる。分割部42を移動させた後には、分割領域13となる空間が出現するため、この空間の出現に基づく毛管現象等によりメニスカス柱4が塗布領域12に応じて複数に分割される。分割部材41は、ヘッド本体11より塗布材料3に対して撥液性が高い材料で形成することが好ましい。このようにして、当初の1つのメニスカス柱4は、複数の塗布領域12に応じた複数のメニスカス柱4Aに分割される。この状態で基板2を一方向に移動させることによって、塗布材料3を基板2の塗布面2aに塗布する。メニスカス柱4は複数のメニスカス柱4Aに分割されているため、図8と同様に、多連短冊状のパターン5Aを有する塗膜5を形成することができる。
Next, as shown in FIGS. 11B and 12D, the dividing
(第2の実施形態/塗布装置および塗布方法)
次に、第2の実施形態の塗布方法および塗布装置について、図13を参照して説明する。図13は第2の実施形態の塗布装置51を示す正面図である。なお、図13に示す第2の実施形態の塗布装置51において、第1の実施形態と同一部分には同一符号を付し、それらの説明を一部省略する場合がある。また、図13では一部の構成の図示を省略しているが、基本的な構成は第1の実施形態と同様である。
Second Embodiment / Coating Device and Coating Method
Next, a coating method and a coating apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a front view showing a coating apparatus 51 according to the second embodiment. In addition, in the coating apparatus 51 of 2nd Embodiment shown in FIG. 13, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as 1st Embodiment, and those description may be abbreviate | omitted partially. Moreover, although illustration of a part of the configuration is omitted in FIG. 13, the basic configuration is the same as that of the first embodiment.
第2の実施形態の塗布装置51において、塗布ヘッド10は内部に塗布材料3の流路(連通孔)52が設けられたヘッド本体11を備えている。ヘッド本体11に設けられた複数の塗布領域12には、それぞれ流路52に接続されたスリット53が設けられている。スリット53は、塗布領域12の外面に開口されている。第2の実施形態の塗布ヘッド10は、ヘッド本体11が塗布材料3の流路52およびスリット53を有することを除いて、第1の実施形態の塗布ヘッド10と同様な構成を有している。
In the coating apparatus 51 of the second embodiment, the
ヘッド本体11の内部に設けられた塗布材料3の流路52は、塗布材料3を収容する塗布材料タンク54と供給配管55を介して接続されている。塗布材料タンク54は、重力方向に沿った上下方向に移動可能とされている。塗布材料タンク54および供給配管55は、塗布材料3の供給部を構成している。ヘッド本体11を基板2の塗布面2a上に所定の間隙を持って配置した状態で、塗布材料タンク54を上方に移動させると、塗布材料3が供給配管55および流路52を介してスリット53の開口から吐出される。スリット53は複数の塗布領域12毎に設けられているため、複数の塗布領域12と塗布面2aとの間にそれぞれメニスカス柱が形成される。この状態で基板2を一方向に移動させることによって、多連短冊状のパターンを有する塗膜を形成することができる。
A
第2の実施形態の塗布装置51では、塗布材料タンク54および供給配管55がヘッド本体11内に設けられた流路52やスリット53と共に、塗布材料3の供給機構20を構成している。第2の実施形態における供給機構20は、塗布材料3を複数の塗布領域12と塗布面2aとの間に塗布材料3のメニスカス柱をそれぞれ形成する機能を有している。
このような供給機構20を用いることによっても、複数の塗布領域12に応じた多連短冊状のパターンを有する塗膜を高精度に形成することができる。さらに、第1の実施形態と同様に、供給機構20の調整や位置合わせ作業の簡便化、余分な塗布材料の減量、シリンジポンプ等の供給機構の個体差によるばらつきの改善等を実現することが可能になる。
In the coating apparatus 51 of the second embodiment, the
Also by using such a
(第3の実施形態/有機薄膜太陽電池) (Third embodiment / organic thin film solar cell)
実施形態の塗布装置1およびそれを用いた塗布方法は、例えば有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法における有機活性層の形成工程に好適に用いられる。図14および図15は、実施形態の塗布方法が有機活性層の形成工程に適用される有機薄膜太陽電池モジュール100の一例を示している。なお、図15は対向電極の図示を省略している。図14および図15に示す有機薄膜太陽電池モジュール100は、直列接続された複数のセル部102A、102Bを有している。支持基板101上には、分離された複数の第1電極層103A、103Bが形成されている。第1電極層103A、103B上には、それぞれ光電変換層104A、104Bが形成されている。光電変換層104A、104B上には、それぞれ第2電極層105A、105Bが形成されている。セル部102Aの第2電極層105Aは、セル部102Bの第1電極層103Bと電気的に接続されている。
The
図14に示す有機薄膜太陽電池モジュール100において、光電変換層104には支持基板101側から太陽光や照明光等の光が照射される。光電変換層104は、例えばp型半導体とn型半導体とを含む有機活性層と、場合によって、第1電極層103と有機活性層との間に配置された、図示しない第1中間層(例えば電子輸送層)、および有機活性層と第2電極層105との間に配置された、図示しない第2中間層(例えば正孔輸送層)とを有している。光電変換層104に照射された光を有機活性層が吸収すると、p型半導体とn型半導体との相界面で電荷分離が生じることによって、電子とそれと対になる正孔とが生成される。有機活性層で生成された電子と正孔のうち、例えば電子は第1電極層103で捕集され、正孔は第2電極層105で捕集される。
In the organic thin film
支持基板101は、光透過性を有する材料により構成される。支持基板101の構成材料としては、無アルカリガラス、石英ガラス、サファイア等の無機材料、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー等の有機材料が挙げられる。
The
第1電極層103は、光透過性と導電性とを有する材料により構成される。第1電極層103の構成材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫(ITO)、フッ素がドープされた酸化錫(FTO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物(IGZO)等の導電性金属酸化物、金、白金、銀、銅、チタン、ジルコニウム、コバルト、ニッケル、インジウム、アルミニウム等の金属やそれら金属を含む合金、あるいはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)のような導電性高分子等が挙げられる。第1電極層103は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等により形成される。 The first electrode layer 103 is made of a material having optical transparency and conductivity. Constituent materials of the first electrode layer 103 include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), tin oxide doped with fluorine (FTO), indium-zinc oxide (IZO), indium-gallium. -Conductive metal oxides such as zinc oxide (IGZO), metals such as gold, platinum, silver, copper, titanium, zirconium, cobalt, nickel, indium, aluminum, alloys containing these metals, or poly (3,4) -Conductive polymers such as ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonic acid) (PEDOT / PSS). The first electrode layer 103 is formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, a coating method, or the like.
有機活性層は、照射された光により電荷分離を行う機能を有し、p型半導体とn型半導体とを含んでいる。p型半導体には、電子供与性を有する材料が用いられる。n型半導体には、電子受容性を有する材料が用いられる。有機活性層を構成するp型半導体およびn型半導体は、それらが共に有機材料であってもよいし、一方が有機材料であってもよい。 The organic active layer has a function of performing charge separation by irradiated light and includes a p-type semiconductor and an n-type semiconductor. For the p-type semiconductor, a material having an electron donating property is used. For the n-type semiconductor, an electron-accepting material is used. Both the p-type semiconductor and the n-type semiconductor constituting the organic active layer may be an organic material, or one of them may be an organic material.
有機活性層に含まれるp型半導体には、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体等を用いることができ、またこれらを併用してもよい。 The p-type semiconductor contained in the organic active layer includes polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, oligothiophene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polysilane And derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain, polyaniline and derivatives thereof, phthalocyanine derivatives, porphyrin and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene and derivatives thereof, etc. These may be used together.
有機活性層に含まれるn型半導体としては、フラーレンおよびフラーレン誘導体を用いることが好ましい。フラーレン誘導体は、フラーレン骨格を有するものであればよい。フラーレンおよびフラーレン誘導体としては、C60、C70、C76、C78、C84等のフラーレン、これらフラーレンの炭素原子の少なくとも一部が酸化された酸化フラーレン、フラーレン骨格の一部の炭素原子を任意の官能基で修飾した化合物、これら官能基同士が互いに結合して環を形成した化合物等が挙げられる。 As the n-type semiconductor contained in the organic active layer, fullerene and fullerene derivatives are preferably used. The fullerene derivative should just have a fullerene skeleton. Fullerenes and fullerene derivatives include fullerenes such as C 60 , C 70 , C 76 , C 78 , C 84 , fullerene oxides in which at least some of the carbon atoms of these fullerenes are oxidized, and some carbon atoms of the fullerene skeleton. Examples thereof include a compound modified with an arbitrary functional group, a compound in which these functional groups are bonded to each other to form a ring, and the like.
有機活性層は、例えばp型半導体材料とn型半導体材料との混合物を含むバルクヘテロ接合構造を有する。バルクヘテロ接合型の有機活性層は、p型半導体材料とn型半導体材料とのミクロ相分離構造を有する。有機活性層内において、p型半導体相とn型半導体相とは互いに相分離しており、ナノオーダーのpn接合を形成している。有機活性層が光を吸収すると、これらの相界面で正電荷(正孔)と負電荷(電子)とが分離され、各半導体を通って電極103、105に輸送される。 The organic active layer has a bulk heterojunction structure including, for example, a mixture of a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material. The bulk heterojunction organic active layer has a microphase separation structure of a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material. In the organic active layer, the p-type semiconductor phase and the n-type semiconductor phase are phase-separated from each other to form a nano-order pn junction. When the organic active layer absorbs light, positive charges (holes) and negative charges (electrons) are separated at these phase interfaces, and are transported to the electrodes 103 and 105 through each semiconductor.
バルクヘテロ接合型の有機活性層は、p型半導体とn型半導体を溶媒に溶解させた溶液を塗布材料として使用し、この塗布材料を第1電極層(透明電極)103等を有する支持基板(透明基板)101上に塗布することにより形成される。有機活性層を構成する塗布材料は、実施形態の塗布装置1およびそれを用いた塗布方法を適用して支持基板(透明基板)101上に塗布される。これによって、図15に示すような多連短冊状のパターンを有する光電変換層103A、103Bを、高精度にかつ低コストで形成することが可能になる。有機活性層の厚さは特に限定されないが、10nm〜1000nmが好ましい。
The bulk heterojunction organic active layer uses a solution obtained by dissolving a p-type semiconductor and an n-type semiconductor in a solvent as a coating material, and this coating material is used as a support substrate (transparent electrode) having a first electrode layer (transparent electrode) 103 and the like. Substrate) 101 is applied by coating. The coating material constituting the organic active layer is coated on the support substrate (transparent substrate) 101 by applying the
電子輸送層は、有機活性層で生成された正孔をブロックし、電子を選択的にかつ効率的に第1電極層103に輸送する機能を有する。電子輸送層の構成材料としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ガリウムのような金属酸化物、ポリエチレンイミンのような有機材料等が挙げられる。正孔輸送層は、有機活性層で生成された電子をブロックし、正孔を選択的にかつ効率的に第2電極層105に輸送する機能を有する。正孔輸送層の構成材料としては、PEDOT/PSS、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアセチレン、トリフェニレンジアミンポリピロール、ポリアニリンのような有機導電性ポリマー、酸化モリブデン、酸化バナジウムのような金属酸化物等が挙げられる。電子輸送層および正孔輸送層は、例えば真空蒸着法やスパッタ法のような真空成膜法、ゾルゲル法、塗布法等により形成される。 The electron transport layer has a function of blocking holes generated in the organic active layer and selectively and efficiently transporting electrons to the first electrode layer 103. Examples of the constituent material of the electron transport layer include metal oxides such as zinc oxide, titanium oxide, and gallium oxide, and organic materials such as polyethyleneimine. The hole transport layer has a function of blocking electrons generated in the organic active layer and transporting holes to the second electrode layer 105 selectively and efficiently. Examples of the constituent material of the hole transport layer include organic conductive polymers such as PEDOT / PSS, polythiophene, polypyrrole, polyacetylene, triphenylenediamine polypyrrole, and polyaniline, and metal oxides such as molybdenum oxide and vanadium oxide. The electron transport layer and the hole transport layer are formed by, for example, a vacuum film formation method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, a sol-gel method, a coating method, or the like.
第2電極層105は、導電性を有し、場合によっては光透過性を有する材料により構成される。第2電極層105の構成材料としては、例えば白金、金、銀、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、タングステン、チタン、ジルコニウム、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、バリウム、サマリウム、テルビウムのような金属、それらを含む合金、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)のような導電性金属酸化物、PEDOT/PSSのような導電性高分子、あるいはグラフェン、カーボンナノチューブのような炭素材料等が挙げられる。第2電極層105は、例えば真空蒸着法やスパッタ法のような真空成膜法、ゾルゲル法、塗布法等により形成される。 The second electrode layer 105 is made of a material having conductivity and, in some cases, light transmission. As the constituent material of the second electrode layer 105, for example, platinum, gold, silver, copper, nickel, cobalt, iron, manganese, tungsten, titanium, zirconium, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium, sodium, potassium, Metals such as rubidium, cesium, calcium, magnesium, barium, samarium and terbium, alloys containing them, conductive metal oxides such as indium-zinc oxide (IZO), conductive polymers such as PEDOT / PSS Or carbon materials such as graphene and carbon nanotubes. The second electrode layer 105 is formed by, for example, a vacuum film formation method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, a sol-gel method, a coating method, or the like.
なお、実施形態の塗布装置1およびそれを用いた塗布方法は、上述した有機薄膜太陽電池モジュールの有機活性層の形成工程に限らず、電子輸送層や正孔輸送層の形成工程、第1電極層や第2電極層の形成工程等、塗布法を適用する形成工程に適用可能である。さらに、有機薄膜太陽電池モジュールの製造工程に限らず、活性層に有機−無機ハイブリット構造を有するペロブスカイト半導体薄膜を用いたペロブスカイト太陽電池、ペロブスカイト半導体薄膜と有機半導体薄膜とを組み合わせた太陽電池等の製造工程に適用することができる。例えば、活性層に用いられるペロブスカイト半導体としては、(CH3NH3)BX3(BはPbやSn等の金属原子、XはI、Br、Cl等のハロゲン元素である)が知られている。さらに、太陽電池の製造工程に限らず、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)方式の照明やディスプレイのように、図8に示したような多連短冊状のパターン塗布が有用となる技術全般に対して適用することができる。
In addition, the
次に、実施例およびその評価結果について述べる。 Next, examples and evaluation results thereof will be described.
(実施例1)
直径が16mm、長さが302.4mmのSUS303製の円柱体の外周面に、幅が1.2mmのくぼみ部を均等間隔に22個形成することによって、23個の塗布領域(幅:12mm)を有する塗布ヘッドを製作した。くぼみ部の深さは0.5mmとした。くぼみ部は、塗布ヘッドの全周にわたって形成した。
Example 1
By forming 22 indentations with a width of 1.2 mm at equal intervals on the outer peripheral surface of a cylindrical body made of SUS303 having a diameter of 16 mm and a length of 302.4 mm, 23 coating areas (width: 12 mm) An application head having The depth of the recess was 0.5 mm. The recess was formed over the entire circumference of the coating head.
モノクロロベンゼン1mlに、8mgのPTB7([ポリ{4,8−ビス[(2−エチルヘキシル)オキシ]ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン−2,6−ジイル−1t−alt−3−フルオロ−2−[(2−エチルヘキシル)カルボニル]チエノ[3,4−b]チオフェン−4,6−ジイル}]/p型半導体)と、12mgのPC70BM([6,6]フェニルC71ブチル酸メチルエスター/n型半導体)とを分散させることによって、有機活性層の形成材料である塗布液を調製した。 To 1 ml of monochlorobenzene, 8 mg of PTB7 ([poly {4,8-bis [(2-ethylhexyl) oxy] benzo [1,2-b: 4,5-b ′] dithiophene-2,6-diyl-1t- alt-3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl) carbonyl] thieno [3,4-b] thiophene-4,6-diyl}] / p-type semiconductor) and 12 mg of PC70BM ([6,6] phenyl) (C71 methyl butyrate ester / n-type semiconductor) was dispersed to prepare a coating solution as a material for forming the organic active layer.
塗布液供給機構には、シリンジポンプを用いた。バレルはガラス製で、ニードルはステンレス製である。塗布対象物としては、ITO電極を有する無アルカリガラス基板を使用した。前処理としてUVオゾン洗浄したガラス基板と、前処理していないガラス基板とを用いたが、後述する効果に差異はなかった。 A syringe pump was used for the coating liquid supply mechanism. The barrel is made of glass and the needle is made of stainless steel. As an application target, an alkali-free glass substrate having an ITO electrode was used. As a pretreatment, a glass substrate cleaned with UV ozone and a glass substrate that was not pretreated were used, but there was no difference in the effects described later.
上述した塗布ヘッドを塗布対象物としてのガラス基板上に配置した。塗布ヘッドとガラス基板との間隙は0.88mmとした。3本のシリンジポンプを使用し、これらを塗布ヘッドの全幅に対してほぼ均等な配置となるように設置した。塗布液を3本合計で1.4ml吐出させ、塗布ヘッドの全幅に対して1つのメニスカス柱を形成した。この後、ガラス基板を一方向に移動させたところ、図8に示したような多連短冊状のパターンを有する塗膜を形成することができた。 The coating head described above was placed on a glass substrate as a coating object. The gap between the coating head and the glass substrate was 0.88 mm. Three syringe pumps were used, and these were installed so as to be almost evenly arranged with respect to the entire width of the coating head. A total of 1.4 ml of the coating solution was discharged to form one meniscus column for the entire width of the coating head. Thereafter, when the glass substrate was moved in one direction, a coating film having a multiple strip-like pattern as shown in FIG. 8 could be formed.
得られた多連短冊状の塗膜を観察したところ、パターン間が良好に分割されており、また形状精度に優れるものであった。さらに、有機活性層(塗膜)上にAg電極を蒸着法で形成して有機薄膜太陽電池を作製したところ、良好な特性を示すことが確認された。ここでは詳述していないが、ITO電極と有機活性層との間には電子輸送層を、また有機活性層とAg電極との間には正孔輸送層を形成した。 As a result of observing the obtained multiple strip-shaped coating film, the pattern was well divided and the shape accuracy was excellent. Furthermore, when an Ag electrode was formed on the organic active layer (coating film) by a vapor deposition method to produce an organic thin film solar cell, it was confirmed that good characteristics were exhibited. Although not described in detail here, an electron transport layer was formed between the ITO electrode and the organic active layer, and a hole transport layer was formed between the organic active layer and the Ag electrode.
(実施例2)
直径が16.2mm、長さが302.4mmのSUS303製の円柱体の外周面に、幅が1.2mm、深さが0.25mmのくぼみ部を均等間隔に22個形成した。くぼみ部は、塗布ヘッドの全周にわたって形成した。くぼみ部を有する円柱体の全面に対して撥液処理を行った。撥液処理は、PTFEコンパウンドメッキ(株式会社金属被膜研究所製)により実施した。メッキ厚は10μmとした。塗布ヘッドの最表面を切削法で0.11mm削ることによって、撥液部を形成した。0.25mmのくぼみ部内に製膜されためっき膜は削られることがない。このようにして、22個の撥液部と23個の塗布領域(幅:12mm)を有する塗布ヘッドを製作した。得られた塗布ヘッドを用いて、実施例1と同一条件で塗布液の塗布を実施したところ、実施例1と同様に良好な結果が得られた。
(Example 2)
Twenty-two indentations having a width of 1.2 mm and a depth of 0.25 mm were formed at equal intervals on the outer peripheral surface of a SUS303 cylinder having a diameter of 16.2 mm and a length of 302.4 mm. The recess was formed over the entire circumference of the coating head. The liquid repellent treatment was performed on the entire surface of the cylindrical body having a hollow portion. The liquid repellent treatment was performed by PTFE compound plating (manufactured by Metal Film Laboratory Co., Ltd.). The plating thickness was 10 μm. The liquid repellent part was formed by scraping the outermost surface of the coating head by 0.11 mm by a cutting method. The plating film formed in the 0.25 mm indentation is not scraped. In this way, a coating head having 22 liquid repellent portions and 23 coating areas (width: 12 mm) was manufactured. When the coating liquid was applied under the same conditions as in Example 1 using the resulting coating head, good results were obtained as in Example 1.
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 In addition, although several embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1,51…塗布装置、2…基板、3…塗布材料、4…メニスカス柱、5…塗膜、10…塗布ヘッド、11…ヘッド本体、12…塗布領域、13…分離領域、14…くぼみ部、15…撥液部、20…供給機構、30…移動機構、31…ステージ、32…ステージ駆動機構、41…分割部材、52…流路、53…スリット、54……塗布材料タンク。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記分離領域を塗布対象物の塗布面側に向けつつ、前記塗布ヘッドを前記塗布面上に所定の間隙を持って配置する工程と、
前記塗布ヘッドと前記塗布面との間に塗布材料を供給し、前記複数の塗布領域に跨って前記塗布材料のメニスカス柱を形成する工程と、
前記塗布ヘッドおよび前記塗布対象物の少なくとも一方を移動させ、前記メニスカス柱を前記複数の塗布領域に対応させて複数に分離させつつ前記塗布面に塗布する工程とを具備し、
前記塗布材料は供給機構から供給され、前記供給機構の数は前記分離領域の数以下に設定されている、塗布方法。 An elongated head body having an outer surface, a plurality of application regions provided on the outer surface of the head body so as to divide the longitudinal direction of the head body into a plurality, and a length direction of the head body. Providing an application head comprising a separation region provided between adjacent application regions along at least a portion of the outer surface in a direction orthogonal to each other;
Placing the application head on the application surface with a predetermined gap while directing the separation region toward the application surface of the application object;
Supplying a coating material between the coating head and the coating surface, and forming a meniscus column of the coating material across the plurality of coating regions;
Moving at least one of the coating head and the coating object, and applying the meniscus column to the coating surface while separating the meniscus column into a plurality corresponding to the plurality of coating regions ,
The coating method, wherein the coating material is supplied from a supply mechanism, and the number of the supply mechanisms is set to be equal to or less than the number of the separation regions .
前記複数の塗布領域に跨って塗布材料のメニスカス柱を形成するように、前記塗布ヘッドと塗布対象物の塗布面との間に塗布材料を供給する供給機構と、
前記メニスカス柱を前記複数の塗布領域に対応させて複数に分離させつつ前記塗布面に塗布するように、前記塗布ヘッドおよび前記塗布対象物の少なくとも一方を移動させる移動機構とを具備し、
前記供給機構の数は前記分離領域の数以下に設定されている、塗布装置。 An elongated head body having an outer surface, a plurality of application regions provided on the outer surface of the head body so as to divide the longitudinal direction of the head body into a plurality, and a length direction of the head body. An application head comprising: a separation region provided between adjacent application regions along at least a portion of the outer surface in a direction orthogonal to each other;
A supply mechanism for supplying a coating material between the coating head and a coating surface of a coating object so as to form a meniscus column of the coating material across the plurality of coating regions;
A moving mechanism that moves at least one of the application head and the application target so as to apply the meniscus column to the application surface while separating the meniscus column in correspondence with the application areas ;
The number of the supply mechanisms is a coating apparatus set to be equal to or less than the number of the separation regions .
前記複数の塗布領域と前記塗布面との間に塗布材料のメニスカス柱をそれぞれ形成するように、前記塗布ヘッドと塗布対象物の塗布面との間に塗布材料を供給する供給機構と、
前記複数のメニスカス柱から前記塗布材料を前記複数の塗布領域に応じて前記塗布面に塗布するように、前記塗布ヘッドおよび前記塗布対象物の少なくとも一方を移動させる移動機構とを具備し、
前記供給機構は、前記ヘッド本体内に前記長尺方向に沿って設けられた前記塗布材料の流路と、前記流路に接続され、前記塗布領域の外面に開口するように前記複数の塗布領域毎に設けられたスリットと、前記流路内に前記塗布材料を供給する供給部とを備える、塗布装置。 An elongated head body having an outer surface, a plurality of application regions provided on the outer surface of the head body so as to divide the longitudinal direction of the head body into a plurality, and a length direction of the head body. An application head comprising: a separation region provided between adjacent application regions along at least a portion of the outer surface in a direction orthogonal to each other;
A supply mechanism for supplying a coating material between the coating head and the coating surface of the coating object so as to form meniscus columns of the coating material between the plurality of coating regions and the coating surface,
A moving mechanism for moving at least one of the application head and the application object so as to apply the application material from the plurality of meniscus pillars to the application surface according to the application areas ;
The supply mechanism includes a flow path of the coating material provided along the longitudinal direction in the head body, and the plurality of coating areas connected to the flow path and open to an outer surface of the coating area. A coating apparatus comprising: a slit provided for each; and a supply unit that supplies the coating material into the flow path .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015036605A JP5981588B1 (en) | 2015-02-26 | 2015-02-26 | Coating method and coating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015036605A JP5981588B1 (en) | 2015-02-26 | 2015-02-26 | Coating method and coating apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5981588B1 true JP5981588B1 (en) | 2016-08-31 |
JP2016155113A JP2016155113A (en) | 2016-09-01 |
Family
ID=56820071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015036605A Active JP5981588B1 (en) | 2015-02-26 | 2015-02-26 | Coating method and coating apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5981588B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7077491B2 (en) * | 2020-03-09 | 2022-05-30 | 株式会社東芝 | Coating head, coating device and coating method |
WO2022185467A1 (en) * | 2021-03-04 | 2022-09-09 | 株式会社 東芝 | Coating apparatus and coating method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4258226B2 (en) * | 2003-02-26 | 2009-04-30 | カシオ計算機株式会社 | Manufacturing method of display device |
JP5323114B2 (en) * | 2011-03-17 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | Solar cell module |
-
2015
- 2015-02-26 JP JP2015036605A patent/JP5981588B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016155113A (en) | 2016-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5066347B2 (en) | Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof | |
US7126153B2 (en) | Organic transistor | |
US7781760B2 (en) | Thin film transistor, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP5981589B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
JP4733767B2 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and image display device | |
JP2007088471A (en) | Display apparatus and manufacturing method thereof | |
JP2008042043A (en) | Display device | |
JP2012508964A (en) | Method for manufacturing organic thin film transistors using a laser thermal transfer process | |
JP5897749B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
US8829494B2 (en) | Organic thin film transistor | |
Lee et al. | Large‐Scale Highly Aligned Nanowire Printing | |
JP5981588B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
JP2008182047A (en) | Transistor, transistor circuit, electro-optical device and electronic device | |
JP5981594B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
JP5868757B2 (en) | THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE | |
US10205110B2 (en) | Photoelectric conversion element and manufacturing method of photoelectric conversion element | |
KR101478879B1 (en) | A preparation method of a device comprising a charge generation layer with a micro-pattern | |
CN102142520A (en) | Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device | |
JP5981596B1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
Liu et al. | Direct Writing of Aligned Conjugated Polymer Micro-Ribbons for High-Performance Organic Electronics | |
JP5875880B2 (en) | Organic transistor | |
JP5981599B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
US20120132991A1 (en) | Organic thin-film transistor, and process for production thereof | |
JP4922244B2 (en) | Organic EL display panel and manufacturing method thereof | |
JP2013211446A (en) | Thin film transistor array and image display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160728 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5981588 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |