JP5972215B2 - Improvements on reconfigurable antennas - Google Patents

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Description

本発明は、新規なスイッチを含むマイクロ電子機械(MEMS)コンポーネントを組み込むワイヤレス通信に使用するための再構成可能なアンテナに関する。   The present invention relates to a reconfigurable antenna for use in wireless communications incorporating micro-electromechanical (MEMS) components including novel switches.

常に変わる環境伝達特性に動的に適応することができるワイヤレス通信システムは、通信応用の次世代のためのキーである。   Wireless communication systems that can dynamically adapt to ever-changing environmental transfer characteristics are key for the next generation of communication applications.

アンテナは、電波を送受信するので、いかなるワイヤレス機器の中でも極めて重要なコンポーネントである。アンテナは、伝送ラインから自由空間への、およびその逆の、マッチングデバイスとして作動する。理想アンテナは、1つ以上の所定の方向からアンテナに供給している伝送ラインからの全ての入射電力を放出する。アンテナの性能は、大部分のワイヤレスデバイスの性能を決定づけて、それ故、システムの重要な一部である。   An antenna is an extremely important component in any wireless device because it transmits and receives radio waves. The antenna operates as a matching device from the transmission line to free space and vice versa. An ideal antenna emits all incident power from a transmission line that feeds the antenna from one or more predetermined directions. Antenna performance determines the performance of most wireless devices and is therefore an important part of the system.

アンテナの構成は、インピーダンスおよびVSWR(電圧定在波比)、振幅アンテナ指向性図、3dBのビーム幅、指向性、ゲイン、分極およびバンド幅を含むアンテナの属性を決定する。アンテナの構成が異なれば、別々のアンテナ属性を有する。   The antenna configuration determines the antenna attributes including impedance and VSWR (voltage standing wave ratio), amplitude antenna directivity diagram, 3 dB beamwidth, directivity, gain, polarization and bandwidth. Different antenna configurations have different antenna attributes.

再構成可能なアンテナは、その物理的構造を変えることによって、その放射、分極および周波数特性を変えるものである。再構成可能なアンテナの概念は、高性能なアンテナとは基本的に異なるものである。   A reconfigurable antenna changes its radiation, polarization and frequency characteristics by changing its physical structure. The concept of a reconfigurable antenna is fundamentally different from a high performance antenna.

高性能なまたは適応できるアンテナは、概して標準のモノポール、ダイポールまたはパッチである素子のアンテナアレイである。信号プロセッサは、いくつかの状況を満たすアンテナ指向性図(radiation pattern)、すなわちアレイの空間応答、を結果として変えるために、信号の加重するおよび組み合わせる素子によって、個々のアンテナ素子との間で時間領域信号を操作するために用いられる。これは、ヌルがノイズまたは干渉源の方向に配置されると共に、電磁エネルギーが所望の信号の方向に焦点を合わせられるビーム形成のキーコンセプトである。   A high performance or adaptable antenna is an antenna array of elements that are typically standard monopoles, dipoles or patches. The signal processor is capable of time to and from individual antenna elements by means of signal weighting and combining elements to change the antenna radiation pattern, ie the spatial response of the array, which meets several situations. Used to manipulate region signals. This is a key concept of beamforming where the null is placed in the direction of the noise or interference source and the electromagnetic energy is focused in the direction of the desired signal.

パッチ・アンテナは、接地面にある誘電体基板上の金属パッチからなる。アンテナは、マイクロストリップ・ラインまたは同軸ケーブル線によって供給される。マイクロストリップ・パッチ・アンテナは、ほぼλ/2(λはガイド波長)をその次元の1つに有する共振型の放射器である。 The patch antenna consists of a metal patch on a dielectric substrate on the ground plane. The antenna is supplied by a microstrip line or a coaxial cable line. A microstrip patch antenna is a resonant radiator having approximately λ g / 2 (λ g is a guide wavelength) in one of its dimensions.

パッチは、そのz方向に沿っているパッチに対して垂直な電界を有する共振空洞として作用する。磁気空洞は、パッチの4つの縁部で消える接線成分を有する。この構造は、パッチの縁部で基板よりも上に露出する漏れ磁界から放射する。マイクロストリップ・アンテナは、多くの形状(例えば、四角、円、楕円、三角、または環状)に製作されることができる。   The patch acts as a resonant cavity with an electric field perpendicular to the patch along its z direction. The magnetic cavity has a tangential component that disappears at the four edges of the patch. This structure radiates from a stray field that is exposed above the substrate at the edge of the patch. Microstrip antennas can be made in many shapes (eg, square, circle, ellipse, triangle, or ring).

マイクロストリップ・パッチ・アンテナは、それらのロープロファイルおよび、それ故、共形性、軽量さ、低い生産コスト、堅牢性、そして、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)および光電子集積回路(OEIC)技術との互換性を含む、他のアンテナ構造を上回るいくつかの既知の利点を有する。   Microstrip patch antennas have low profile and hence conformality, light weight, low production cost, robustness, and microwave monolithic integrated circuit (MMIC) and optoelectronic integrated circuit (OEIC) technology. It has several known advantages over other antenna structures, including:

マイクロ電子機械システム(MEMS)スイッチは、無線周波伝送ラインにおいて回路の短絡または開放を達成するために機械的移動を使用するデバイスである。RF MEMSスイッチは、無線周波からミリ波(0.1〜100GHz)で作動して、無線周波通信システムの基本構造ブロックを形成するように設計される特定のマイクロ機械スイッチである。機械的移動のために要求される力は、例えば、静電気、マグネトスタティック、圧電、または熱設計を使用して得られることができるが、それだけではない。   A microelectromechanical system (MEMS) switch is a device that uses mechanical movement to achieve a short circuit or open circuit in a radio frequency transmission line. An RF MEMS switch is a specific micromechanical switch designed to operate from radio frequency to millimeter waves (0.1-100 GHz) to form the basic building block of a radio frequency communication system. The force required for mechanical movement can be obtained using, for example, electrostatic, magnetostatic, piezoelectric, or thermal designs, but not only.

ピン(p−i−n)ダイオードまたはFETスイッチを上回るMEMSスイッチの利点は、以下の通りである。
・極低消費電力:静電気作動は、きわめて低い電力消費(開閉サイクルあたり10〜100nJ)のため、いかなる電流も消費しない。
・極高絶縁:RF MEMS直列スイッチは、エアギャップを有して製作されて、したがって、0.1〜40GHzで優れた絶縁に結びつく極低オフ状態キャパシタンス(2〜4fF)を有する。
・極低挿入損失:RF MEMS直列分流器スイッチは、最高40GHzまで0.1dBの挿入損失を有する。
・相互変調製品:MEMSスイッチは、非常に線形のデバイスであり、したがって、極低相互変調製品に結びつく。それらの性能は、ピン(p−i−n)またはFETスイッチよりも約30dB良好である。
・極低コスト:RF MEMSスイッチは、表面(またはバルク状)マイクロマシン加工技術を使用して製作されて、そして、水晶、パイレックス(登録商標)、低温コファイアード・セラミック(low temperature cofired ceramic;LTCC)、メカニカルグレード高抵抗率シリコン(mechanical−grade high−resistivity silicon)、またはガリウム砒素基板上に構築されることができる。
The advantages of MEMS switches over pin (p-i-n) diodes or FET switches are as follows.
Extremely low power consumption: electrostatic operation does not consume any current due to extremely low power consumption (10-100 nJ per switching cycle).
Very high isolation: RF MEMS series switches are fabricated with air gaps and thus have very low off-state capacitance (2-4 fF) that leads to excellent isolation at 0.1-40 GHz.
Very low insertion loss: RF MEMS series shunt switch has an insertion loss of 0.1 dB up to 40 GHz.
• Intermodulation products: MEMS switches are very linear devices and therefore lead to very low intermodulation products. Their performance is about 30 dB better than a pin (p-i-n) or FET switch.
Extremely low cost: RF MEMS switches are fabricated using surface (or bulk) micromachining technology and are made of quartz, Pyrex (R), low temperature cofired ceramic (LTCC) ), Mechanical-grade high-resistivity silicon, or gallium arsenide substrates.

MEMSスイッチは、以下のように分類されることができる。
・RF回路構成−直列または並列。
・機械構造−片持ち構造またはエアブリッジ構造。
・接触形態−容量性(金属−絶縁体−金属)抵抗性(金属−金属)。
MEMS switches can be classified as follows.
RF circuit configuration-series or parallel.
-Mechanical structure-cantilever structure or air bridge structure.
Contact form-capacitive (metal-insulator-metal) resistance (metal-metal).

図1および図2は、誘電体膜69によって被覆される伝送ライン67よりも上方に架設される薄い金属ブリッジ65からなる典型的なMEMS容量スイッチ63を示す。このMEMS容量スイッチは、コプレーナ導波路(CPW)またはマイクロストリップ・トポロジに組み込まれることができる。従来の容量スイッチは、2枚の金属層(ブリッジおよびtライン)の間に誘電体の層を有する。   FIGS. 1 and 2 show a typical MEMS capacitive switch 63 consisting of a thin metal bridge 65 laid above a transmission line 67 covered by a dielectric film 69. This MEMS capacitive switch can be incorporated into a coplanar waveguide (CPW) or microstrip topology. A conventional capacitive switch has a dielectric layer between two metal layers (bridge and t-line).

CPW構成において、MEMSスイッチの固定部は、CPW接地面に接続される。図2に示すように、直流電圧がMEMSブリッジとマイクロ波ラインとの間に印加されるときに、MEMSブリッジを誘電層上に変形させて、ブリッジキャパシタンスを30〜100倍増加させる静電気(または他の)力が存在する。このキャパシタンスは、tラインをグラウンドに接続して、マイクロ波周波数で短絡を行い、そして、反射するスイッチに結びつく。バイアス電圧が除去されるときに、MEMSスイッチは、ブリッジの復元するスプリング力のためにその最初の位置に戻る。   In the CPW configuration, the fixed part of the MEMS switch is connected to the CPW ground plane. As shown in FIG. 2, when a DC voltage is applied between the MEMS bridge and the microwave line, the MEMS bridge is deformed onto the dielectric layer to increase static capacitance (or others) by 30 to 100 times. Power) exists. This capacitance connects the t-line to ground, shorts at the microwave frequency and leads to a reflective switch. When the bias voltage is removed, the MEMS switch returns to its initial position due to the restoring spring force of the bridge.

RF MEMSスイッチは、それらが最高120GHzまで非常に低い挿入損失および高いQを有するので、再構成可能なネットワーク、アンテナおよびサブシステムにおいて用いられる。加えて、それらは、高性能同調フィルタ、高効率アンテナ、および低損失マッチング・ネットワークに使用する低定誘電率基板に組み込まれることができる。   RF MEMS switches are used in reconfigurable networks, antennas and subsystems because they have very low insertion loss and high Q up to 120 GHz. In addition, they can be incorporated into low constant dielectric substrates for use in high performance tuned filters, high efficiency antennas, and low loss matching networks.

RF MEMSスイッチは、超低損失切替えを提供して、10〜120kΩの抵抗線を使用して制御されることができる。このことは、RF MEMSスイッチのためのバイアス・ネットワークが、アンテナ指向性図を妨害しなくて、劣化させないことを意味する。バイアス・ネットワークは、いかなる電力も消費しない。そして、このことは大きいアンテナアレイにとって重要である。   RF MEMS switches can be controlled using 10-120 kΩ resistance lines, providing ultra-low loss switching. This means that the bias network for the RF MEMS switch does not disturb or degrade the antenna directivity diagram. The bias network does not consume any power. This is important for large antenna arrays.

根底にある機構は、2次元に配列されるコンパクトMEMS片持ち構造スイッチである。その配列の中のスイッチは、個々に作動することができる。配列における個々のマイクロスイッチのアドレス可能性は、回路配線を修正する手段を提供して、したがって回路素子のふるまいの微調整または完全な再構成を許容する。   The underlying mechanism is a compact MEMS cantilever switch arranged in two dimensions. The switches in the array can be actuated individually. The addressability of the individual microswitches in the array provides a means to modify the circuit wiring, thus allowing fine tuning or complete reconfiguration of circuit element behavior.

典型的なMEMSスイッチは、50〜100V(これらは、正確な構成および材料系に応じて有意により低くもより高くもありえる)の典型的なプルダウン電圧を要求する。このことは、ソフトウエアに制御される直流MEMSスイッチを使用することを広い範囲でカバーする。   A typical MEMS switch requires a typical pull-down voltage of 50-100 V (which can be significantly lower or higher depending on the exact configuration and material system). This broadly covers the use of DC MEMS switches controlled by software.

カリフォルニア大学のアーヴィンは、MEMSスイッチを介して接続されることができる個々のアンテナ素子の配列を有するピクセルアンテナ概念の使用を提案した。周波数の再構成可能性は、単にアンテナのサイズを変えることによって達成される。25ピクセルを選択することによって、6.4GHzよりも高い動作周波数が得られるが、一方、4.1GHzよりも低い周波数は、全64ピクセルを選択することによって得られる。   The University of California, Irvine proposed the use of a pixel antenna concept with an array of individual antenna elements that can be connected via a MEMS switch. Frequency reconfigurability is achieved simply by changing the size of the antenna. By selecting 25 pixels, an operating frequency higher than 6.4 GHz is obtained, while frequencies lower than 4.1 GHz are obtained by selecting all 64 pixels.

本発明の目的は、改良された再構成可能なMEMSアンテナを提供することにある。   It is an object of the present invention to provide an improved reconfigurable MEMS antenna.

本発明の第1の態様によれば、電磁波を送信および/または受信する装置であって:基板;基板の第1の面に実装される1つ以上のアンテナ;基板の第2の面に位置する1つ以上のマイクロ電子機械(MEMS)スイッチ;MEMSスイッチをアンテナに有効に接続するために基板を通って延びるコネクタ;を含む装置が提供される。   According to a first aspect of the invention, an apparatus for transmitting and / or receiving electromagnetic waves comprising: a substrate; one or more antennas mounted on a first surface of the substrate; located on a second surface of the substrate An apparatus is provided that includes one or more microelectromechanical (MEMS) switches that; and a connector that extends through the substrate to effectively connect the MEMS switch to the antenna.

好ましくは、基板は、半導体層および少なくとも1つの絶縁層を含む。   Preferably, the substrate includes a semiconductor layer and at least one insulating layer.

好ましくは、少なくとも1つの絶縁層は、アンテナのための基板を形成する。   Preferably, the at least one insulating layer forms a substrate for the antenna.

好ましくは、基板は、アンテナからMEMSスイッチを保護するのに適している。   Preferably, the substrate is suitable for protecting the MEMS switch from the antenna.

好ましくは、MEMSスイッチおよびアンテナは、共通接地を有する。   Preferably, the MEMS switch and the antenna have a common ground.

好ましくは、共通接地は、半導体層を含む。   Preferably, the common ground includes a semiconductor layer.

好ましくは、アンテナは、パターン化された金属面を含む。   Preferably, the antenna includes a patterned metal surface.

好ましくは、パターン化された金属面は、スパイラルを含む。   Preferably, the patterned metal surface includes a spiral.

好ましくは、スパイラルは、カーブする。   Preferably, the spiral is curved.

好ましくは、アンテナは、複数のアンテナ素子を含む。   Preferably, the antenna includes a plurality of antenna elements.

好ましくは、アンテナ素子は、接続される。   Preferably, the antenna elements are connected.

好ましくは、1つ以上のアンテナ素子は、オンまたはオフを切替えられることができる。   Preferably, one or more antenna elements can be switched on or off.

好ましくは、1つ以上のアンテナ素子は、装置の動作周波数を制御するためにオンまたはオフを切替えられることができる。   Preferably, one or more antenna elements can be switched on or off to control the operating frequency of the device.

好ましくは、MEMSスイッチは、容量スイッチである。   Preferably, the MEMS switch is a capacitive switch.

好ましくは、MEMSスイッチは、アンテナへの入力またはアンテナからの出力の位相を変えるように動作する。   Preferably, the MEMS switch operates to change the phase of the input to or output from the antenna.

好ましくは、MEMSスイッチが:基板;第1の導電層:基板に付着して、基板の上にブリッジ構造を形成する材料:基板から離隔した材料の表面に付着する第2の導電層;を含み、材料は、第2の導電層に対する機械的支持として、および、誘電体として作用する。   Preferably, the MEMS switch includes: a substrate; a first conductive layer: a material that adheres to the substrate and forms a bridge structure on the substrate: a second conductive layer that adheres to a surface of the material spaced from the substrate. The material acts as a mechanical support for the second conductive layer and as a dielectric.

好ましくは、材料は、力の適用に応じて曲がり、これにより、MEMSスイッチの容量を変えるのに適している。   Preferably, the material bends in response to the application of force and is thus suitable for changing the capacitance of the MEMS switch.

好ましくは、材料は、第1および第2の導電層間の電圧印加に応じて曲がり、これにより、MEMSスイッチの容量を変えるのに適している。   Preferably, the material bends in response to voltage application between the first and second conductive layers, and is thus suitable for changing the capacitance of the MEMS switch.

好ましくは、材料は、4.5GPa未満の弾性ヤング率を有する。   Preferably the material has an elastic Young's modulus of less than 4.5 GPa.

好ましくは、材料は、1MHzで2以上の誘電率を有する。   Preferably, the material has a dielectric constant of 2 or greater at 1 MHz.

好ましくは、材料は、ポリマーである。   Preferably the material is a polymer.

好ましくは、材料は、パラキシリレンに由来する。   Preferably the material is derived from paraxylylene.

より好ましくは、材料は、ポリ−モノクロロ−パラキシリレンである。   More preferably, the material is poly-monochloro-paraxylylene.

オプションとして、材料は、ポリ−パラキシリレンである。   Optionally, the material is poly-paraxylylene.

好ましくは、第2の導電層は、金属である。   Preferably, the second conductive layer is a metal.

より好ましくは、第2の導電層は、アルミニウムを含む。   More preferably, the second conductive layer includes aluminum.

好ましくは、MEMSスイッチは、基板に載置されるコプレーナ導波路をさらに含む。   Preferably, the MEMS switch further includes a coplanar waveguide mounted on the substrate.

オプションとして、MEMSスイッチは、マイクロストリップ・トポロジにおいて集積される。   Optionally, the MEMS switch is integrated in a microstrip topology.

好ましくは、ブリッジ構造は、ブリッジの機械的性質および、それが印加電圧に応じて移動する方法を変えるために形成される梁を含む。   Preferably, the bridge structure includes a beam formed to change the mechanical properties of the bridge and how it moves in response to the applied voltage.

好ましくは、梁は、対称形である。   Preferably the beam is symmetrical.

オプションとして、梁は、非対称形である。   Optionally, the beam is asymmetric.

好ましくは、梁は、蛇行する屈曲を含む。   Preferably, the beam includes a meandering bend.

梁の形状によって、梁は、電圧の適用に応じて予め定められた方法で捻れるかまたは曲がってもよい。   Depending on the shape of the beam, the beam may be twisted or bent in a predetermined manner depending on the application of voltage.

好ましくは、MEMSスイッチは、供給(給電)ラインまたは信号経路に電磁気デバイスを接続および分離するために用いられる。   Preferably, MEMS switches are used to connect and disconnect electromagnetic devices to supply (power supply) lines or signal paths.

好ましくは、MEMSスイッチは、供給(給電)ライン上の信号の位相を変えるために用いられる。   Preferably, the MEMS switch is used to change the phase of the signal on the supply (feed) line.

好ましくは、印加電圧による位相の変化は、予め定められた電圧範囲を超えて実質的に線形である。   Preferably, the change in phase due to the applied voltage is substantially linear beyond a predetermined voltage range.

好ましくは、複数のMEMSスイッチは、印加電圧の適用に応じて0〜360°の制御可能な位相シフトを提供するために組み合わされることができる。   Preferably, a plurality of MEMS switches can be combined to provide a controllable phase shift of 0-360 ° depending on the application of the applied voltage.

好ましくは、コネクタは、スルーホールまたはバイアである。   Preferably, the connector is a through hole or a via.

好ましくは、コネクタは、それに対して付着される導電性材料を含む。   Preferably, the connector includes a conductive material attached thereto.

好ましくは、装置は、MEMSスイッチでまたはその近くで装置に取り付けられる集積回路をさらに含む。   Preferably, the device further comprises an integrated circuit attached to the device at or near the MEMS switch.

好ましくは、集積回路は、CMOS回路を含む。   Preferably, the integrated circuit includes a CMOS circuit.

好ましくは、CMOS回路は、CMOS無線受信機(radio)を含む。   Preferably, the CMOS circuit includes a CMOS radio receiver (radio).

好ましくは、複数のアンテナ素子は、各々が第1のアンテナ構成を有する複数の第1のアンテナ素子を含み、そしてさらに、各々が第2のアンテナ構成を有する複数の第2のアンテナ素子を含み、第1のアンテナ構成と第2のアンテナ構成とは相違する、アンテナアレイを含む。   Preferably, the plurality of antenna elements includes a plurality of first antenna elements each having a first antenna configuration, and further includes a plurality of second antenna elements each having a second antenna configuration; The first antenna configuration and the second antenna configuration include an antenna array that is different.

好ましくは、第2のアンテナ構成は、第1のアンテナ構成の変形を含む。   Preferably, the second antenna configuration includes a modification of the first antenna configuration.

好ましくは、変形は、回転、反転、スケーリングおよび歪みの少なくとも1つを含む。   Preferably, the deformation includes at least one of rotation, inversion, scaling and distortion.

好ましくは、複数の第1のアンテナ素子は、複数の第2のアンテナ素子と交互配置される。   Preferably, the plurality of first antenna elements are alternately arranged with the plurality of second antenna elements.

好ましくは、アンテナアレイは、第1および第2のアンテナ素子を含む第1の素子グループ、および、第1の素子グループの変形を含む第2の素子グループ、を含む。   Preferably, the antenna array includes a first element group including first and second antenna elements, and a second element group including a modification of the first element group.

好ましくは、変形は、反転を含む。   Preferably, the deformation includes inversion.

本発明の第2の態様によれば、電磁波を送信および/または受信する装置であって:各々が第1のアンテナ構成を有する複数の第1のアンテナ素子を含み、そしてさらに、各々が第2のアンテナ構成を有する複数の第2のアンテナ素子を含み、第1のアンテナ構成と第2のアンテナ構成とは相違するアンテナアレイ;および、アンテナアレイを構成するために1つ以上のアンテナ素子のオンまたはオフを切替えるように動作可能な1つ以上のスイッチ、を含む装置が提供される。   According to a second aspect of the present invention, an apparatus for transmitting and / or receiving electromagnetic waves, comprising: a plurality of first antenna elements each having a first antenna configuration, and each further comprising a second An antenna array having a plurality of second antenna elements having different antenna configurations, wherein the first antenna configuration is different from the second antenna configuration; and one or more antenna elements are turned on to form the antenna array Alternatively, an apparatus is provided that includes one or more switches operable to switch off.

好ましくは、第2のアンテナ構成は、第1のアンテナ構成の変形を含む。   Preferably, the second antenna configuration includes a modification of the first antenna configuration.

好ましくは、変形は、回転、反転、スケーリングおよび歪みの少なくとも1つを含む。   Preferably, the deformation includes at least one of rotation, inversion, scaling and distortion.

好ましくは、複数の第1のアンテナ素子は、複数の第2のアンテナ素子と交互配置される。   Preferably, the plurality of first antenna elements are alternately arranged with the plurality of second antenna elements.

好ましくは、アンテナアレイは、第1および第2のアンテナ素子を含む第1の素子グループ、および、第1の素子グループの変形を含む第2の素子グループ、を含む。   Preferably, the antenna array includes a first element group including first and second antenna elements, and a second element group including a modification of the first element group.

好ましくは、変形は、反転を含む。   Preferably, the deformation includes inversion.

本発明は、添付の図面を参照して例としてのみ記述される。
図1は、既知のMEMS容量ブリッジの線図である。 図2は、電圧が適用されている既知のMEMS容量ブリッジの線図である。 図3は、本発明のデバイスの第1実施形態を示す。 図4は、対称形の蛇行するサポートを有するデバイスの第2実施形態を示す。 図5は、非対称形の蛇行するサポートを有すること以外は図4と同様のデバイスを示す。 図6は、本発明のデバイスのための印加電圧に対する位相をプロットしたグラフである。 図7aは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図7bは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図7cは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図7dは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図7eは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図7fは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図7gは、本発明の装置を構成するプロセスを示す。 図8は、本発明の装置の表面に搭載する複数のアンテナを示す。 図9は、支持基板の不存在下で、アンテナ容量ブリッジMEMSスイッチおよびスルーホールを示す。 図10は、支持基板の不存在下で、複数のアンテナおよびMEMSスイッチを示す。 図11は、MEMSスイッチおよび入力/出力トラックを示す。 図12は、本発明のMEMSスイッチブリッジの斜視図である。 図13は、図11の装置をより詳細に示す図である。 図14は、本発明のCMOS再構成可能な無線受信機(radio)を示す。 図15は、本発明のCMOS再構成可能な無線受信機の斜視図である。 図16は、図14および15の再構成可能な無線受信機の各種の層を示す側面図である。 図17は、さらなるアンテナの実施形態を示す。 図18は、支持基板の不存在下で、バイアとともに図17のアンテナの図を示す。 図19は、4種類のアンテナ素子を有する不均一なマイクロ・アンテナのアレイを示す。 図20は、同じ形状を有するが、アレイの別々の場所で回転によって変わる各素子を有する、均一なアレイの例を示す。 図21は、同じ形状を有するが、アレイの別々の場所で回転によって変わる各素子を有する、均一なアレイの例を示す。 図22は、4種類の別々のアンテナを有する不均一なアレイの例を示す。 図23は、4つの繰り返されおよび回転されるグループにおける2種類の別々のアンテナを有する不均一なアレイの例を示す。 図24は、4つの繰り返されるグループにおける2種類の別々のアンテナを有する不均一なアレイの例を示す。 図25は、マルチプルの分極を提供するための均一なアレイの例を示す。 図26は、マルチプルの分極を提供するための不均一なアレイの例を示す。 図27は、別々のアンテナ設計の同種の配列の組合せを有する不均一なアレイの例を示す。 図28は、同種のアンテナ設計の同種の配列の組合せを有する不均一なアレイの例を示す。 図29は、すべての可能な分極を有して、同種の配列の組合せを有する不均一なアレイの例を示す。
The invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram of a known MEMS capacitive bridge. FIG. 2 is a diagram of a known MEMS capacitive bridge to which a voltage is applied. FIG. 3 shows a first embodiment of the device of the present invention. FIG. 4 shows a second embodiment of a device having a symmetrical meandering support. FIG. 5 shows a device similar to FIG. 4 except that it has an asymmetrical serpentine support. FIG. 6 is a graph plotting phase against applied voltage for the device of the present invention. FIG. 7a shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 7b shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 7c shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 7d shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 7e shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 7f shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 7g shows the process of constructing the device of the present invention. FIG. 8 shows a plurality of antennas mounted on the surface of the device of the present invention. FIG. 9 shows the antenna capacitive bridge MEMS switch and through hole in the absence of a support substrate. FIG. 10 shows multiple antennas and MEMS switches in the absence of a support substrate. FIG. 11 shows a MEMS switch and input / output tracks. FIG. 12 is a perspective view of the MEMS switch bridge of the present invention. FIG. 13 shows the apparatus of FIG. 11 in more detail. FIG. 14 shows a CMOS reconfigurable radio receiver (radio) of the present invention. FIG. 15 is a perspective view of a CMOS reconfigurable radio receiver of the present invention. FIG. 16 is a side view showing the various layers of the reconfigurable radio receiver of FIGS. 14 and 15. FIG. 17 shows a further antenna embodiment. FIG. 18 shows a diagram of the antenna of FIG. 17 with vias in the absence of a support substrate. FIG. 19 shows an array of non-uniform micro antennas with four types of antenna elements. FIG. 20 shows an example of a uniform array having the same shape but with each element changing with rotation at different locations in the array. FIG. 21 shows an example of a uniform array having the same shape but with each element changing with rotation at different locations in the array. FIG. 22 shows an example of a non-uniform array with four separate antennas. FIG. 23 shows an example of a non-uniform array with two different antennas in four repeated and rotated groups. FIG. 24 shows an example of a non-uniform array with two separate antennas in four repeated groups. FIG. 25 shows an example of a uniform array to provide multiple polarizations. FIG. 26 shows an example of a non-uniform array to provide multiple polarizations. FIG. 27 shows an example of a non-uniform array having a homogeneous array combination of different antenna designs. FIG. 28 shows an example of a non-uniform array having a homogeneous array combination of homogeneous antenna designs. FIG. 29 shows an example of a heterogeneous array with all possible polarizations and having a homogenous array combination.

図3は、本発明のデバイスの実施形態を示す。デバイス15は、高分子層19によって形成されるブリッジ構造全体に延びる最上位の金属層17を含む。高分子層は、ポリ・モノクロロ・パラキシレン(パリレン−C)を含む。   FIG. 3 shows an embodiment of the device of the present invention. The device 15 includes a top metal layer 17 that extends through the entire bridge structure formed by the polymer layer 19. The polymer layer contains poly-monochloro-para-xylene (parylene-C).

高分子層19の下方の空間は、コプレーナ導波路23および基板21上の第2のプレート75を収容している。全体の支持される距離Lは、コプレーナ導波路の幅である距離W、および、等しくてかつ、コプレーナ導波路の両縁部とポリマー19の直立部分との間の残りの距離を提供する距離Gによって、提供される。   The space below the polymer layer 19 accommodates the coplanar waveguide 23 and the second plate 75 on the substrate 21. The overall supported distance L is a distance W that is the width of the coplanar waveguide and a distance G that is equal and provides the remaining distance between the edges of the coplanar waveguide and the upstanding portion of the polymer 19. Provided by.

パリレンは、MEMSの製作における防水材料として、一般に使われる。それは、超低ばね定数(すなわち、高い弾性)を有するプラスチックのようなポリマーである。パリレン−Cは、それがコーティング材料としてのその通常の用途と関連した柔軟性、絶縁耐力および他の属性の適切な程度を含んでいたので、本発明の本実施形態において使われた。パリレン−Cは、ガス状のモノマーからの固体コーティングとしてポリマーを形成する真空蒸着したプラスチックフィルムである。それは、優れた耐食性を提供して、それを宇宙および軍事利用に適するように作成する軽量で、応力フリーで、そして耐放射線性である。パリレン−Cは、2.8GPaのヤング率を有して、従って、電圧の印加によるデバイスの変形によって曲がることが可能な極めてフレキシブルな材料である。   Parylene is commonly used as a waterproof material in MEMS fabrication. It is a plastic-like polymer with a very low spring constant (ie high elasticity). Parylene-C was used in this embodiment of the present invention because it included the appropriate degree of flexibility, dielectric strength and other attributes associated with its normal use as a coating material. Parylene-C is a vacuum-deposited plastic film that forms a polymer as a solid coating from gaseous monomers. It is lightweight, stress free, and radiation resistant that provides excellent corrosion resistance and makes it suitable for space and military applications. Parylene-C has a Young's modulus of 2.8 GPa and is therefore a very flexible material that can be bent by deformation of the device upon application of a voltage.

一次ブリッジ材料としてパリレンを使用することは、MEMSデバイスのブリッジを非常にフレキシブルに作成して、ブリッジを下げるために比較的低い駆動電圧を要求する。このことは、MEMSデバイスを制御するために低電力が必要であることを意味する。パリレンの使用によって、単一の素子(任意の特定の調整された周波数のための動的に構成可能な無線周波数位相シフタ)の作成を可能にする。無線周波数デバイスの全体の属性を変化させるために、この種の移相器(位相シフタ)素子の配列は、組み立てられることができて、個々に対処されることができる。例えばアンテナ素子を取り付けることによって、固定された動作のための、または周波数の再構成可能な範囲のいずれか一方のフェーズドアレイ(整相列)を形成する。   Using parylene as the primary bridge material makes the bridge of the MEMS device very flexible and requires a relatively low drive voltage to lower the bridge. This means that low power is required to control the MEMS device. The use of parylene allows the creation of a single element, a dynamically configurable radio frequency phase shifter for any particular tuned frequency. In order to change the overall attributes of the radio frequency device, an array of this type of phase shifter element can be assembled and addressed individually. For example, by attaching antenna elements, a phased array is formed, either for fixed operation or in a reconfigurable range of frequencies.

パリレンの使用は、ブリッジの強度部材を提供する。従来のMEMSブリッジは、図1に示すように、金属ブリッジを使用して、そして、容量スイッチのための誘電体を提供するために底部プレート上に絶縁層を有する。典型的なMEMSブリッジと比較して、本発明の好ましい実施形態では、絶縁層は、底部プレートから上部プレートへ移動する。これは、MEMSデバイスの2枚の金属層の間に絶縁層を提供して、下記の金属トラック上の絶縁の必要性を除去する。好ましい実施形態は、ブリッジの高さを変化させることによってキャパシタンスを変えるために、可変の誘電体として空気を使用し、そして、一定の誘電材料としてパリレンを使用する。パリレンをブリッジの一次材料に選ぶことは、また、上部金属層として非常に薄い金属フィルムを有することをサポートする。これは、非常にフレキシブルなMEMSデバイスの製作を容易にする。   The use of parylene provides a strength member for the bridge. A conventional MEMS bridge uses a metal bridge as shown in FIG. 1 and has an insulating layer on the bottom plate to provide a dielectric for the capacitive switch. Compared to a typical MEMS bridge, in a preferred embodiment of the present invention, the insulating layer moves from the bottom plate to the top plate. This provides an insulating layer between the two metal layers of the MEMS device, eliminating the need for insulation on the metal tracks described below. The preferred embodiment uses air as the variable dielectric and parylene as the constant dielectric material to change the capacitance by changing the height of the bridge. Choosing parylene as the primary material for the bridge also supports having a very thin metal film as the top metal layer. This facilitates the production of very flexible MEMS devices.

図4は、基板33および、基板を実質的に二分するために基板の長さに沿って延びる蛇行する屈曲35、37を含む、対称形の蛇行するブリッジ設計31を示す。蛇行する屈曲は、支持体43によって上昇位置に支持される。固体プレート41は、梁の中心部を形成して、そのいずれの端部でも、蛇行する屈曲35、37に取り付けられる。CPW39は、プレート41の下方に支持されて、隙間によってプレート41から分離される。   FIG. 4 shows a symmetrical serpentine bridge design 31 that includes a substrate 33 and serpentine bends 35, 37 that extend along the length of the substrate to substantially bisect the substrate. The meandering bend is supported by the support 43 in the raised position. The solid plate 41 forms the center of the beam and is attached to meandering bends 35 and 37 at either end. The CPW 39 is supported below the plate 41 and separated from the plate 41 by a gap.

図5は、図4と同様の構造のスイッチの他の実施形態を示す。それは、基板53と、蛇行する梁55と、CPW57と、プレート59と、支持体61とを含む。非対称構造は、ブリッジに電圧の印加による捻れを生じさせることがありえる。電圧の印加が制御可能な方法で梁を移動することができる所で、他の梁および屈曲ジオメトリは想定される。   FIG. 5 shows another embodiment of a switch having the same structure as FIG. It includes a substrate 53, a meandering beam 55, a CPW 57, a plate 59 and a support 61. The asymmetric structure can cause the bridge to twist due to the application of voltage. Other beam and bend geometries are envisaged where the beam can be moved in a manner where the application of voltage can be controlled.

図6は、本発明のデバイスのための印加電圧84に対する位相82のグラフ80である。曲線86は、位相変化が本来は指数関数的で、および制御可能であることを示す。加えて、低い電圧で、この曲線はほぼ線形である。本発明の好ましい実施態様において、移相器制御は、5つのこの種のデバイスを使用して実現される。その場合、蓄積効果によって、360°までの位相シフトが、0V〜14Vの印加電圧によって達成されることができる。   FIG. 6 is a graph 80 of phase 82 versus applied voltage 84 for a device of the present invention. Curve 86 shows that the phase change is inherently exponential and controllable. In addition, at low voltages, this curve is almost linear. In a preferred embodiment of the invention, phase shifter control is achieved using five such devices. In that case, due to the accumulation effect, a phase shift up to 360 ° can be achieved with an applied voltage of 0V to 14V.

本発明の上記のデバイスは、伝送ライン上の信号の位相を変える、低電力、低電圧作動のMEMSスイッチを提供する。その使用は、各ユニットが電気的に制御されることができる分散型のMEMS伝送ライン(DTML)に延長されることができる。   The above device of the present invention provides a low power, low voltage operated MEMS switch that changes the phase of the signal on the transmission line. Its use can be extended to distributed MEMS transmission lines (DTML) where each unit can be electrically controlled.

図7a〜7gは、本発明の装置を作成するプロセスを示す。図7aは、nタイプのシリコン半導体基板12を示す。図7bの14は、絶縁層16を有するnタイプのシリコン基板12を示す。図7cは、絶縁層16を有するnタイプのシリコン基板12および、これらの層を通るスルーホールまたはバイアを示す。   Figures 7a-7g illustrate the process of making the device of the present invention. FIG. 7 a shows an n-type silicon semiconductor substrate 12. Reference numeral 14 in FIG. 7 b shows an n-type silicon substrate 12 having an insulating layer 16. FIG. 7 c shows an n-type silicon substrate 12 with an insulating layer 16 and through holes or vias through these layers.

図7dは、絶縁層の上に形成される金属コーティングを有する図7cの装置を示す。金属コーティング24は、本発明のアンテナを形成する。図7eは、シリコン基板のアンテナ24とは反対側の表面上に追加的な高分子層28を有する図7dの装置を示す。図7fの30は、高分子層28の上に堆積(deposit)される金属層32を示す。図7gは、階層構造から一旦エッチングされたMEMS容量スイッチの構造を示す。   FIG. 7d shows the device of FIG. 7c with a metal coating formed on the insulating layer. Metal coating 24 forms the antenna of the present invention. FIG. 7 e shows the device of FIG. 7 d with an additional polymer layer 28 on the surface of the silicon substrate opposite the antenna 24. Reference numeral 30 in FIG. 7 f shows a metal layer 32 deposited on the polymer layer 28. FIG. 7g shows the structure of the MEMS capacitive switch once etched from the hierarchical structure.

図8の34は、アンテナ36が基板38上に金属面から形成されている本発明による装置の表面を示す。   8 in FIG. 8 shows the surface of the device according to the invention in which the antenna 36 is formed on a substrate 38 from a metal surface.

電磁伝送の多数の応用は、大部分の電磁スペクトルの探査および利用を必要とした。周波数のこの全部の範囲をカバーするために、さらなる実施形態は、性能がそれらの電気的特性、物理的次元および動作周波数に対して不変量である低インピーダンスアンテナを利用する。   Many applications of electromagnetic transmission required exploration and utilization of the majority of the electromagnetic spectrum. To cover this entire range of frequencies, further embodiments utilize low impedance antennas whose performance is invariant to their electrical properties, physical dimensions and operating frequency.

この種の低インピーダンスアンテナは、角度および、打ちきり位置で無視できるまで電流が構造に沿って減衰する要求によって、完全に特徴づけられる。放射および減衰を発生するために、電荷は加速されなければならず、そして、電荷が進行している方向に導体がカーブするかまたは正常に屈曲するときに、これは起きる。したがって、スパイラルの曲率は、広いバンド幅を超える周波数から独立した動作を提供する。   This type of low impedance antenna is completely characterized by the angle and the requirement that the current attenuate along the structure until negligible at the strike position. In order to generate radiation and decay, the charge must be accelerated and this occurs when the conductor curves or bends normally in the direction in which the charge travels. Thus, the curvature of the spiral provides operation independent of frequencies beyond a wide bandwidth.

このカーブするスパイラル設計(図示せず)の利点は、この種の低インピーダンスのアンテナアレイが、ビーム形成のためのMEMSデバイスと連動して使われることができることである。ビームの全体のアンテナ指向性図は、所望の方向に向けることができる。MEMSデバイスは、動作する周波数の全範囲を超えて各アンテナに供給されている信号の位相を個々に制御するために使用される。そして、アンテナ指向性図の指向性を適応させるだけの利点ではなく、同時にアレイの動作周波数も与える。アレイの周波数および方向適応性の両者を同時に提供するための、アレイ内での各アンテナの位相のこの精密制御は、本実施形態の新しい特徴である。   An advantage of this curved spiral design (not shown) is that this type of low impedance antenna array can be used in conjunction with a MEMS device for beamforming. The overall antenna directivity diagram of the beam can be oriented in the desired direction. MEMS devices are used to individually control the phase of the signal being supplied to each antenna over the full range of operating frequencies. And not only the advantage of adapting the directivity of the antenna directivity diagram, but also the operating frequency of the array is given. This precise control of the phase of each antenna in the array to provide both array frequency and direction flexibility simultaneously is a new feature of this embodiment.

図9は、基板の不存在下における本発明の装置を示す。この図は、本発明の特定の特徴を明らかにするために作成された。この例では、アンテナ36は、基板(図示せず)の一側に配置される。そして、デバイスの片側から反対側まで基板を通して電導パスを形成するスルーホールまたはバイア48によって、MEMSコンデンサ容量ブリッジ44および伝送ライン42に接続される。   FIG. 9 shows the apparatus of the present invention in the absence of a substrate. This diagram was created to demonstrate certain features of the invention. In this example, the antenna 36 is disposed on one side of a substrate (not shown). It is then connected to the MEMS capacitor capacitance bridge 44 and the transmission line 42 by through holes or vias 48 that form a conductive path through the substrate from one side of the device to the opposite side.

アンテナから受信されまたは送信される電磁放射からMEMSスイッチを保護するために、このようにして本発明の装置を作成することは、有利である。   In order to protect the MEMS switch from electromagnetic radiation received or transmitted from the antenna, it is advantageous to make the device of the invention in this way.

従来技術においては、半導体基板上にMEMSおよびアンテナをモノリシック的に製作することが可能でないことが分かっている。これは、アンテナと接地面の間に形成される基板および表面波の高い誘電率に起因する。本発明は、ウエハの裏側上にMEMSを有して、そして、アンテナおよびMEMSは共通接地を有する。アンテナは、ごくわずかな後方散乱しか有しないように設計されている。接地面の後方エリアを越えて、表面電流はなく、ごくわずかな電磁界しかない。   In the prior art, it has been found that MEMS and antennas cannot be fabricated monolithically on a semiconductor substrate. This is due to the high dielectric constant of the substrate and the surface wave formed between the antenna and the ground plane. The present invention has a MEMS on the back side of the wafer, and the antenna and the MEMS have a common ground. The antenna is designed to have very little backscatter. There is no surface current and very little electromagnetic field beyond the area behind the ground plane.

図10は、4つの別個のMEMSスイッチ54、56、58および60が、4つの別個のアンテナ62、64、66および68に接続される、本発明のさらなる実施形態である。伝送ライン52は、アンテナを通しての入力および出力を提供する。MEMSスイッチ54、56、58および60は、個々のアンテナ62、64、66および68の各々を、伝送に入っていくかまたは伝送から出てくるかを切替えるために、そして、または電磁信号を受信するために、制御可能である。これは、アンテナを通して送信する信号の位相を変えるために、MEMSスイッチへの入力を制御することによって達成される。   FIG. 10 is a further embodiment of the invention in which four separate MEMS switches 54, 56, 58 and 60 are connected to four separate antennas 62, 64, 66 and 68. Transmission line 52 provides input and output through the antenna. MEMS switches 54, 56, 58 and 60 are used to switch each of the individual antennas 62, 64, 66 and 68 to enter or leave the transmission and / or receive electromagnetic signals. In order to be controllable. This is accomplished by controlling the input to the MEMS switch to change the phase of the signal transmitted through the antenna.

図11〜13は、詳細の程度を変化させてデバイスを示す。図11は、基板38の一側上で伝送ライン42に接続される各MEMSスイッチ54、56、58および60を単に示す。図12は、伝送ライン42に接続される多くの個々の容量スイッチ46を含むブリッジ回路54を示す。図13のより詳細な図は、前と同じように、伝送ライン42に接続される容量スイッチ46を示す。   Figures 11-13 show the devices with varying degrees of detail. FIG. 11 simply shows each MEMS switch 54, 56, 58 and 60 connected to the transmission line 42 on one side of the substrate 38. FIG. 12 shows a bridge circuit 54 that includes a number of individual capacitive switches 46 connected to the transmission line 42. The more detailed view of FIG. 13 shows the capacitive switch 46 connected to the transmission line 42 as before.

図14は、CMOS再構成可能な無線チップが、MEMSスイッチを含む基板の側面に接続される本発明のさらなる実施形態を示す。   FIG. 14 shows a further embodiment of the invention in which a CMOS reconfigurable wireless chip is connected to the side of the substrate containing the MEMS switch.

図15および図16は、このデバイスの階層構造を示す。それは、一方の端面上のCMOS無線3および、他方の端面上のアンテナ05を含む。これらの面間に、絶縁層7、シリコン層09、絶縁物11およびMEMSデバイス13を含む複数の層が存在する。   15 and 16 show the hierarchical structure of this device. It includes a CMOS radio 3 on one end face and an antenna 05 on the other end face. Between these surfaces are a plurality of layers including the insulating layer 7, the silicon layer 09, the insulator 11 and the MEMS device 13.

本発明のデバイスを作成するプロセスは、図7a〜7gに関して記述される。   The process of making the device of the present invention is described with respect to FIGS.

絶縁材料16は、高導電性シリコンウエハ12上に200〜500μmの厚みで堆積(deposit)される。正確な深さは、アンテナの応用に依存する。   The insulating material 16 is deposited on the highly conductive silicon wafer 12 to a thickness of 200 to 500 μm. The exact depth depends on the antenna application.

金属プローブのためのスルーホール20は、形成されて、それから、デバイスの裏側を明かすために基板12から慎重に解放される。裏側はそれから、銅24によって厚み1μmの電気メッキを施される。そして、直径20μmのプローブが形成される。銅24は、フォトレジストによってマスキングされて、そして、図8に示すように所望の形状のアンテナを形成するために露出される。   A through hole 20 for the metal probe is formed and then carefully released from the substrate 12 to reveal the back side of the device. The back side is then electroplated with copper 24 to a thickness of 1 μm. Then, a probe having a diameter of 20 μm is formed. Copper 24 is masked with photoresist and exposed to form the desired shaped antenna as shown in FIG.

MEMS構造28、32は、最上層にパターン化される。これらのMEMSデバイスは、スイッチ、移相器およびマッチング回路の役割を担い、そして、再構成可能なMEMS応用デバイスを作成する。   The MEMS structures 28, 32 are patterned on the top layer. These MEMS devices serve as switches, phase shifters and matching circuits and create reconfigurable MEMS application devices.

従って、MEMSデバイスがウエハの反対側に組み立てられる一方、完全なアンテナまたは大きいアンテナアレイが、シリコンウエハの一方側に組み込まれることができる。MEMSを反対側に有することは、アンテナからの放射の干渉を減らして、そして、無線周波数およびMEMS制御回路の3D統合も単純化する。   Thus, a complete antenna or large antenna array can be incorporated on one side of a silicon wafer while the MEMS device is assembled on the opposite side of the wafer. Having a MEMS on the other side reduces the interference of radiation from the antenna and also simplifies 3D integration of radio frequency and MEMS control circuitry.

これは、無線周波数および他のモジュールとともに同じチップ上に再構成可能なアンテナを有することによって、新しい次元をシステム・オンチップに加える。これは、無線周波およびアンテナ給電間の近距離のため、損失を減らして、そして、システム全体の効率を最大にして、そして、消費電力を減らす。本発明は、マルチバンド通信のための再構成可能なマイクロ・アンテナアレイを作り上げるために、マルチ周波数能力およびフェーズドアレイ・ネットワークを有するマルチバンド・アンテナの統合化を許容する。アンテナアレイは、指向性、周波数、位相および分極において再構成可能である。   This adds a new dimension to the system on chip by having a reconfigurable antenna on the same chip along with radio frequency and other modules. This reduces losses and maximizes overall system efficiency and reduces power consumption due to the short distance between radio frequency and antenna feed. The present invention allows the integration of multi-band antennas with multi-frequency capabilities and phased array networks to create a reconfigurable micro-antenna array for multi-band communications. The antenna array is reconfigurable in directivity, frequency, phase and polarization.

図17は、アンテナの次元を有するさらなるアンテナの実施形態90の平面図を示す。この実施形態は、低電力を有して、多数の周波数で良好に動作して、動作の範囲以上の一貫した性能を有する。   FIG. 17 shows a plan view of a further antenna embodiment 90 having antenna dimensions. This embodiment has low power, operates well at multiple frequencies, and has consistent performance over the range of operation.

図18は、また、支持基板の不存在下で示されるバイア91を有する図17のアンテナ90を示す。   18 also shows the antenna 90 of FIG. 17 with vias 91 shown in the absence of a support substrate.

図19は、各々が別々の構成を有する4種類のアンテナ素子101、102、103および104を有する不均一なマイクロ・アンテナアレイ100を示す。アンテナアレイ100を構成するために1つ以上のアンテナ素子のオン/オフ動作を切替えるように操作可能なMEMSスイッチは、図示されない。   FIG. 19 shows a non-uniform micro-antenna array 100 having four types of antenna elements 101, 102, 103 and 104, each having a different configuration. A MEMS switch operable to switch on / off operation of one or more antenna elements to form the antenna array 100 is not shown.

再構成可能なアンテナアレイ100は、アレイ100全体に繰り返される素子グループ101〜104を有する。また、素子101のアレイは、より大きいアレイ100の全体で素子102のアレイと交互配置される。   The reconfigurable antenna array 100 has element groups 101 to 104 that are repeated throughout the array 100. Also, the array of elements 101 is interleaved with the array of elements 102 throughout the larger array 100.

均一なまたは不均一なアンテナアレイ構造は、4mm未満のアンテナ・サイズによって実現されてもよい。アンテナアレイは、1、2、3、4、またはそれ以上の別々の種類のアンテナ(例えば、ヘリカル、スパイラル、その他)を含んでもよい。アンテナアレイ装置は、チェスのようなアレイ構造から、反復アンテナ・コアのより大きいアレイまで、すべての種類の形状および配置をカバーしてもよい。これは、滑らかなビーム形成および、多くの周波数帯域に対して含む範囲を許容して、さらにまた、単一の分極(垂直、水平、右回り円、および左回り円)から、同じアレイにおいて可能な全ての分極までを許容する。 A uniform or non-uniform antenna array structure may be realized with an antenna size of less than 4 mm 2 . The antenna array may include 1, 2, 3, 4, or more different types of antennas (eg, helical, spiral, etc.). Antenna array devices may cover all kinds of shapes and arrangements, from chess-like array structures to larger arrays of repeating antenna cores. This allows for smooth beamforming and a range to cover for many frequency bands, and also from a single polarization (vertical, horizontal, clockwise circle, and counterclockwise circle), possible in the same array Up to all polarizations.

別々の方向において同じパターンの組合せを含む、図19に示されるアレイのバリエーションは、右巻きおよび左巻きの両方の分極、ならびに、水平および垂直の分極の順序を提供する。アンテナアレイは、大きい周波数スペクトル、分極、および空間ダイバーシティの範囲を提供する。   The variation of the array shown in FIG. 19, including combinations of the same pattern in different directions, provides both right-handed and left-handed polarization, as well as horizontal and vertical polarization order. An antenna array provides a large frequency spectrum, polarization, and spatial diversity range.

さまざまなアンテナアレイ構造は、さらなる図に関して後述される。   Various antenna array structures are described below with respect to further figures.

図20および図21は、各素子が同じ形状を有しているが、アレイにおける別々の場所では回転によって変わる、均一なアレイの例を示す。   20 and 21 show examples of uniform arrays where each element has the same shape, but varies with rotation at different locations in the array.

図22は、4種類の別々のアンテナを有する不均一なアレイの例を示す。それは、図19に示すものと同様であるが、各グループは、アレイ全体に水平に繰り返されるにつれて回転によって変わる。各素子グループの垂直の繰り返しは、いかなる変化(ちょうど転位)も関係しないので、4つの各行は4つの同一グループの積み重ねを含む。   FIG. 22 shows an example of a non-uniform array with four separate antennas. It is similar to that shown in FIG. 19, but each group changes with rotation as it is repeated horizontally across the array. Since the vertical repetition of each element group does not involve any change (just a dislocation), each of the four rows contains a stack of four identical groups.

図23は、4つのグループにおいて2種類の別々のアンテナを有する不均一なアレイの例を示す。4つの素子グループの各々が、アレイ全体に水平に4回転して存在する。図22と同様に、各素子グループの垂直の繰り返しは、いかなる変化(ちょうど転位)も関係しない。   FIG. 23 shows an example of a non-uniform array with two separate antennas in four groups. Each of the four element groups is present in four horizontal rotations throughout the array. Similar to FIG. 22, the vertical repetition of each element group does not involve any change (just dislocations).

図24は、4つの素子グループの各々がアレイ全体で変わらない、2種類の別々のアンテナを有する不均一なアレイの例を示す。   FIG. 24 shows an example of a non-uniform array with two separate antennas where each of the four element groups does not change throughout the array.

図25は、図17の基本素子の別々の回転を使用して、多数の分極を提供するための均一なアレイの例を示す。アンテナの各々の四分区間は、他の四分区間と同一である。   FIG. 25 shows an example of a uniform array to provide multiple polarizations using separate rotations of the basic element of FIG. Each quadrant of the antenna is identical to the other quadrants.

図26は、図17の基本素子の別々の回転および反転を使用して、多数の分極を提供するための不均一なアレイの例を示す。各四分区間がその最も近くに隣接する四分区間の反転であるように、アンテナの各半分は中心線のまわりに反転される。スパイラルなアンテナ素子の反転は別々のアンテナ・タイプを作成するので、アレイは不均一である。   FIG. 26 shows an example of a non-uniform array to provide multiple polarizations using separate rotations and inversions of the basic elements of FIG. Each half of the antenna is inverted around the centerline so that each quadrant is an inversion of its nearest neighboring quadrant. Since the inversion of the spiral antenna element creates separate antenna types, the array is non-uniform.

回転および反転によるアンテナ素子の変形が図に示されるにもかかわらず、スケーリングおよび歪みのような他の変形が、別々のアンテナ素子構成を提供するために用いられてもよい。   Although variations of antenna elements due to rotation and inversion are shown in the figure, other variations such as scaling and distortion may be used to provide separate antenna element configurations.

図27は、別々のアンテナ設計の均一なアレイの組合せを有する不均一なアレイの例を示す。   FIG. 27 shows an example of a non-uniform array having a uniform array combination of separate antenna designs.

図28は、同様のアンテナ設計の均一なアレイの組合せを有する不均一なアレイの例を示す。各四分区間がその最も近くに隣接する四分区間の反転であるように、アンテナの各半分は中心線のまわりに反転される。   FIG. 28 shows an example of a non-uniform array having a uniform array combination of similar antenna designs. Each half of the antenna is inverted around the centerline so that each quadrant is an inversion of its nearest neighboring quadrant.

図29は、すべての可能な分極を有する4×4の均一なアレイの組合せを有する不均一なアレイの例を示す。これは、より大きいアレイサイズ(例えばレーダー)のための応用に適している。   FIG. 29 shows an example of a non-uniform array having a combination of 4 × 4 uniform arrays with all possible polarizations. This is suitable for applications for larger array sizes (eg radar).

本発明のアンテナアレイは、高指向性とともに周波数スペクトル範囲、およびマルチプル分極能力を同時に最大にするために使われる。このアレイは、干渉を最小にして、効率を最大にするために、各々に関してさまざまな方向に置かれる多くの異なる放射素子を含んでもよい。不均一なアンテナアレイは、民間用および軍用の両方の応用のより広い範囲の要求を満たす。   The antenna array of the present invention is used to simultaneously maximize frequency spectral range and multiple polarization capability with high directivity. The array may include many different radiating elements placed in various directions with respect to each other to minimize interference and maximize efficiency. A non-uniform antenna array meets a wider range of requirements for both civilian and military applications.

各素子のサイズはミリメートルのオーダーであり、この種の小さいアンテナ素子のアレイは、サイズによって逆に制限されず、したがって、アレイにおいて多数の素子を使用する可能性を許容する。アレイの構造ならびに、その要素タイプ(不均一な及び均一な)、配置およびそれらの個数の選択は、目標とする応用、周波数範囲および要求される分極、必要な位相シフト、供給(給電)システム(feed system)の電力処理容量およびチップの実装によって支配される。   The size of each element is on the order of millimeters, and this type of array of small antenna elements is not constrained by size, and thus allows the possibility of using multiple elements in the array. The structure of the array and its element type (non-uniform and uniform), placement and selection of their number is dependent on the target application, frequency range and required polarization, required phase shift, supply (feed) system ( It is governed by the power processing capacity of the feed system) and the chip implementation.

一般に、アンテナアレイには、別々のアレイ要素の間に固有の干渉問題がある。しかしながら、本発明のアレイは、いかなる与えられた周波数でも干渉効果を減らすために個々の素子のオン/オフ動作を切替える能力を有する。   In general, antenna arrays have inherent interference problems between separate array elements. However, the array of the present invention has the ability to switch on / off operation of individual elements to reduce the interference effect at any given frequency.

アレイにおける素子の設置は、電磁放射のさまざまな分極を提供することができる。これは水平、垂直、右回り円、および左回り円の分極の間で変化することができる。アレイ素子の適切な設置によって、アレイは、同じアレイ上で各種の分極を達成することができる。   The placement of elements in the array can provide various polarizations of electromagnetic radiation. This can vary between horizontal, vertical, clockwise and counterclockwise circular polarizations. With proper placement of the array elements, the arrays can achieve various polarizations on the same array.

設計は、MEMS移相器のネットワークを介して制御される放射素子に分配される無線周波数から、単一の供給(給電)を引き出してもよい。これは、システムが、ビームの指向性を変化させることによって所望の信号のための最大の信号対ノイズ比(SNR)を検出しようにする無線周波数端を単純化する。   The design may derive a single supply (feed) from the radio frequency distributed to the radiating elements controlled via a network of MEMS phase shifters. This simplifies the radio frequency edge where the system attempts to detect the maximum signal-to-noise ratio (SNR) for the desired signal by changing the beam directivity.

再構成可能なMEMSの応用によって、ミニチュアの低電力適応アンテナの考えが達成可能であり、そして、継ぎ目のない再構成可能なSoC構造(SoC fabric)によって、我々が単一のプラットホーム上に多くのアプリケーションを構築することができる。適応アンテナアレイは、それらの環境の認識を有して、そして、干渉を減らし、および所望の信号受信を最大にするために、それらの信号の方向に自動的に適応する。   With the application of reconfigurable MEMS, the idea of a miniature low power adaptive antenna can be achieved, and with a seamless reconfigurable SoC structure (SoC fabric) we have many on a single platform You can build an application. Adaptive antenna arrays have awareness of their environment and automatically adapt to the direction of their signals to reduce interference and maximize desired signal reception.

本発明は、900,1800MHzでのGSM(登録商標)、2GHzでの3G、2.4GHzでのWLAN/ブルートゥース、5GHzでのWLAN、および10〜66GHzでのWiMAX、のための単一システムを実現するために、マルチ標準、マルチ周波数通信のために使われることができる。これらすべてのキーとなる通信システムの利用が可能であることは、ユーザの要求であり、本発明は、ユーザに単一のデバイス上の完全なスペクトルの利点を具備させる。   The present invention realizes a single system for GSM® at 900, 1800 MHz, 3 G at 2 GHz, WLAN / Bluetooth at 2.4 GHz, WLAN at 5 GHz, and WiMAX at 10-66 GHz. Can be used for multi-standard, multi-frequency communication. The availability of all these key communication systems is a user requirement and the present invention allows the user to have the full spectrum advantage on a single device.

交換的デバイスであるアンテナは、マイクロ波を送信および受信するときに同じ特性を有する。それゆえに、通信のために主に使われるアンテナは、空間基準のセンサに対して適用されることもできる。受動的なマイクロ波の検出は、その視野の中で自然に発せられるマイクロ波エネルギーを検出する、熱の検出と同様の概念である。この発せられるエネルギーは、発している対象物または表面の温度および水分の属性に関連がある。   An antenna that is an interchangeable device has the same characteristics when transmitting and receiving microwaves. Therefore, antennas used primarily for communication can also be applied to spatial reference sensors. Passive microwave detection is a concept similar to heat detection that detects the microwave energy that is naturally emitted within the field of view. This emitted energy is related to the temperature and moisture attributes of the emitting object or surface.

自動車用レーダーデバイスは、現在、ヨーロッパおよびアメリカ合衆国(米国)において使用する多くの輸送用および高級な乗員用の自動車に出現している。これらのデバイスは、他の乗物の後方との間の距離を制御するために自動車のアクセルおよび/またはブレーキを作動させることができる、高度な巡行制御システムにおいて使用される。この種のシステムの例は、BMWの「アクティブ・クルーズ・コントロール(Active Cruise Control)」、ジャガーの「アダプティブ・クルーズ・コントロール(Adaptive Cruise Control)」、およびダイムラー・ベンツの「ディストロニック(Distronic)」システムである。これらのシステムの使用が、将来では平凡になることが予期される。   Automotive radar devices are now appearing in many transportation and luxury passenger vehicles used in Europe and the United States (USA). These devices are used in advanced cruise control systems that can actuate the vehicle's accelerator and / or brake to control the distance between the backs of other vehicles. Examples of this type of system include BMW's "Active Cruise Control", Jaguar's "Adaptive Cruise Control", and Daimler-Benz's "Distronic". System. The use of these systems is expected to become mediocre in the future.

多くの乗物輸入業者は、オーストラリアに知的な巡行制御システムを有する車両を持ってこようと探求している。提案システムは、周波数範囲76〜77GHzで動作するパルス変調レーダーデバイスを利用する。欧州郵便電気通信主管庁会議(CEPT)は、43の欧州規制当局を努める。CEPTは、欧州無線通信委員会(ERC)決議(92)02[2]で、非排他的ベース上の乗物レーダーシステムに76〜77GHzの帯域が指定されなければならないことを決定した。米連邦通信委員会(FCC)[3]規制は、米国内で乗物レーダーシステムとして使用される乗物搭載のフィールド妨害センサのための46.7〜46.9GHzおよび76.0〜77.0GHzの周波数帯域の使用を支持する。国際電気通信連合(ITU)の推奨ITU R M.1310[4]は、自動車レーダーシステムによって将来使用する60〜61GHzおよび76〜77GHzの帯域のためのものである。この目的のための日本の総務省(MPT)による60〜61GHzの帯域および76〜77GHzの帯域の適用は、「60〜61GHzおよび76〜77GHzの帯域で動作する低電力短レンジ乗物レーダー装置」の標準案の提案を承認した、アジア太平洋電気通信標準化プログラム(ASTAP)と同様のものである。   Many vehicle importers are seeking to bring vehicles with intelligent cruise control systems to Australia. The proposed system utilizes a pulse modulated radar device that operates in the frequency range of 76-77 GHz. The European Postal and Telecommunications Administration Commission (CEPT) will work for 43 European regulatory authorities. CEPT decided in the European Radio Communications Commission (ERC) resolution (92) 02 [2] that a band of 76-77 GHz must be specified for vehicle radar systems on a non-exclusive basis. The Federal Communications Commission (FCC) [3] regulations stipulate frequencies of 46.7-46.9 GHz and 76.0-77.0 GHz for vehicle-mounted field jamming sensors used as vehicle radar systems in the United States. Support the use of bandwidth. Recommended ITU RM by the International Telecommunication Union (ITU). 1310 [4] is for 60-61 GHz and 76-77 GHz bands for future use by automotive radar systems. The application of the 60-61 GHz band and the 76-77 GHz band by the Japanese Ministry of Internal Affairs and Communications (MPT) for this purpose is the "low power short range vehicle radar system operating in the 60-61 GHz and 76-77 GHz bands" Similar to the Asia Pacific Telecommunication Standardization Program (ASTAP), which approved the proposal for the standard.

表2は、自動車レーダーの使用法がサポートされるさまざまな周波数帯域(海外の組織によって)の概要である。
サポートされる周波数帯域 組織
76〜77GHz CEPT(ヨーロッパ)
76〜77GHz ETSI(ヨーロッパ)
46.7〜46.9GHz、76〜77GHz FCC(米国)
60〜61GHz、76〜77GHz ITU
60〜61GHz、76〜77GHz MPT(日本)
Table 2 summarizes the various frequency bands (depending on the overseas organization) that support the use of automotive radar.
Supported frequency band organization 76-77GHz CEPT (Europe)
76-77GHz ETSI (Europe)
46.7-46.9 GHz, 76-77 GHz FCC (USA)
60-61GHz, 76-77GHz ITU
60-61GHz, 76-77GHz MPT (Japan)

マルチモード・レーダー(MMR)は、多くの軍用の乗物、特に航空機のための一次作戦センサである。それは、それらにマルチプルの目標を追跡して走査する能力を与え、そして、低消費電力で、軽量で、および広帯域動作が可能でなければならない。   Multimode radar (MMR) is the primary operational sensor for many military vehicles, especially aircraft. It gives them the ability to track and scan multiple targets and be capable of low power consumption, light weight, and broadband operation.

この種のアプリケーションに本発明の再構成可能なアンテナを使用することは有利である。それは、マルチモード・レーダーにおける効率的なオペレーションのためのビームのマルチプル走査を作成するために、より大きいアレイに拡大されることができる。単一アンテナの次元が4mm未満であるから、この種の小さいMEMSアンテナアレイは、この種の厳しいアプリケーションのための低消費電力、軽量デバイスを与える。 It is advantageous to use the reconfigurable antenna of the present invention for this type of application. It can be expanded into larger arrays to create multiple scans of the beam for efficient operation in multimode radar. Since the dimensions of a single antenna are less than 4 mm 2 , this type of small MEMS antenna array provides a low power, lightweight device for this type of demanding application.

単一の3インチ・シリコンウエハは、現在の設計(以下に示すように)で200以上の素子を集積することができる。より大きなアンテナの各セクターは、アプリケーションによって必要に応じて、マルチプルの目標を同時に追跡して走査するための別々のモードで作動することができる。   A single 3 inch silicon wafer can integrate over 200 devices with the current design (as shown below). Each sector of the larger antenna can operate in a separate mode to simultaneously track and scan multiple targets as required by the application.

ミニチュア・サイズのため、我々は、各々が多くの周波数で機能する不均一なアンテナアレイを実現することができる。このアレイは、全体として、周波数の全部の範囲をカバーする。それゆえに、単一ウエハの実現について、我々は、目標の広帯域の走査および狭いベースの追跡を提供する1〜1500GHzの周波数をカバーすることができる。これは、単一デバイスによる軍用のアプリケーションおよびマルチプルの目標追跡に理想的である。   Because of the miniature size, we can realize a heterogeneous antenna array, each functioning at many frequencies. This array as a whole covers the entire range of frequencies. Therefore, for a single wafer implementation we can cover a frequency of 1-1500 GHz which provides targeted broadband scanning and narrow base tracking. This is ideal for military applications and multiple target tracking with a single device.

合成開口レーダー(SAR)とは、航空機または衛星に搭載されてその飛行航路に沿って移動するにつれて、レーダーによって受信される信号(エコー)を組み合わせることによって、非常に長いアンテナを合成するために用いる技術をいう。開口は、画像を形成するために用いられる反射エネルギーを集めるために用いる開口部を意味する。   Synthetic aperture radar (SAR) is used to synthesize very long antennas by combining signals (echoes) received by the radar as it is mounted on an aircraft or satellite and moves along its flight path. Refers to technology. By aperture is meant an aperture used to collect the reflected energy used to form the image.

SARシステムは、高解像度イメージを提供するために、レーダー信号の長レンジの伝達特性、および、現代のデジタル電子工学の複合した情報処理能力を利用する。合成開口レーダーは、1日の時刻および大気条件上の最小限の制約条件のため、そして、地形の固有の応答およびレーダー周波数に対する文化的目標のため、写真的なおよび他の光学イメージング能力を補完する。   The SAR system utilizes the long range transfer characteristics of radar signals and the combined information processing capabilities of modern digital electronics to provide high resolution images. Synthetic Aperture Radar complements photographic and other optical imaging capabilities due to minimal constraints on time of day and atmospheric conditions, and cultural targets for terrain's inherent response and radar frequency To do.

合成開口レーダー技術は、鉱物の探査のための地質学者に対する地形構造的情報、環境保護主義者に対する水上の石油流出境界、ナビゲータに対する海面状態および氷災害予想図、ならびに、軍用作戦に対する偵察および目標化情報、を提供した。本発明の多くの他の応用または可能な用途がある。より低コストの電子機器が、より小さいスケールの用途のための経済的なSAR技術をちょうど作成し始めているので、これらのいくつか(特に民間人)は、まだ適切に調査されなかった。   Synthetic aperture radar technology provides topographical information for geologists for mineral exploration, water spill boundaries for environmentalists, sea level and ice disaster prediction maps for navigators, and reconnaissance and targeting for military operations Information, provided. There are many other applications or possible uses of the present invention. Some of these (especially civilians) have not yet been adequately investigated as lower cost electronics are just beginning to create economical SAR technology for smaller scale applications.

本発明は、低消費電力で、堅牢で、小型化されるSARデバイスのバージョンを作り出すために、本明細書において記述されるさまざまなアレイ構造を使用しているSAR周波数をカバーすることができる。   The present invention can cover SAR frequencies using the various array structures described herein to create SAR device versions that are low power, robust and miniaturized.

受動的なマイクロ波リモートセンシングの応用は、気象学、水文学および海洋学を含む。今日使用する大部分の地球観察衛星は、マイクロ波スペクトルの固定帯域に従って機能する非常に特殊なレーダー・サブシステムをもたらす。これらは、我々の再構成可能な設計の目標範囲内に収まるP、L、S、CおよびXバンドである。   Passive microwave remote sensing applications include meteorology, hydrology and oceanography. Most earth observation satellites used today provide a very specialized radar subsystem that functions according to a fixed band of the microwave spectrum. These are the P, L, S, C and X bands that fall within the target range of our reconfigurable design.

現在、軍用分野および民間用分野において、肉体に着用できるアンテナに対する関心がある。本発明は、小さくて、高速データマイクロ波中継および検出のための多数の周波数をカバーする再構成可能なアンテナを提供する。パーソナル通信および検出のための再構成可能なアンテナの設計は、デバイスの非常に役立つ応用として識別されることができる。   There is currently an interest in antennas that can be worn on the body in the military and civilian fields. The present invention provides a reconfigurable antenna that is small and covers multiple frequencies for high speed data microwave relay and detection. The design of a reconfigurable antenna for personal communication and detection can be identified as a very useful application of the device.

この種の適応アンテナへの応用は、通信に制限されず、医療にも応用される。マイクロ波共鳴療法(MRT)のための高周波マイクロ波を生成するために使用するアンテナは、臨床試験において乳癌を十分に治療した。それらはまた、伝統的な東洋医学を現代の技術に混合する鍼治療と同様の生物物理学的な治療のためにも使用された。いずれの場合においても、相対的サイズ、低消費電力、設計コストおよび、CMOS技術との比較的容易な統合化のため、位相アレイアンテナが使用される。   The application to this type of adaptive antenna is not limited to communication, but is also applied to medicine. The antenna used to generate high frequency microwaves for microwave resonance therapy (MRT) has well treated breast cancer in clinical trials. They have also been used for biophysical treatments similar to acupuncture that mix traditional oriental medicine with modern technology. In either case, phased array antennas are used due to their relative size, low power consumption, design cost, and relatively easy integration with CMOS technology.

改良および修正は、本明細書の請求の範囲から逸脱せずに、本明細書において組み込まれることができる。   Improvements and modifications can be incorporated herein without departing from the scope of the claims herein.

Claims (4)

電磁波を送信および/または受信する装置であって、
伝送ラインと、
第1のアンテナ構成をそれぞれ有する複数の第1のアンテナ素子および第2のアンテナ構成をそれぞれ有する複数の第2のアンテナ素子を含み、前記第1のアンテナ構成と前記第2のアンテナ構成とが相違しているアンテナアレイと、
前記アンテナアレイを構成するために、1つ以上の前記アンテナ素子をオンまたはオフに切替えることができる1つ以上のスイッチと、を含み、
ここで、前記アンテナ素子をオンまたはオフに切替えることは、容量性スイッチによる高周波的な接地動作を含んでおり、
前記第2のアンテナ構成が、前記第1のアンテナ構成の回転および反転の少なくとも1つを含む変形を含み、
前記伝送ラインは、前記1つ以上のスイッチのうちの1つを介して、前記第1のアンテナ素子および前記第2のアンテナ素子の各々を直接接続可能である、装置。
A device for transmitting and / or receiving electromagnetic waves,
A transmission line;
A plurality of first antenna elements each having a first antenna configuration and a plurality of second antenna elements each having a second antenna configuration are included, and the first antenna configuration and the second antenna configuration are different. An antenna array,
One or more switches capable of switching one or more of the antenna elements on or off to configure the antenna array;
Here, switching the antenna element on or off includes a high-frequency grounding operation by a capacitive switch,
The second antenna configuration includes a variation including at least one of rotation and inversion of the first antenna configuration;
The transmission line is capable of directly connecting each of the first antenna element and the second antenna element via one of the one or more switches.
前記複数の第1のアンテナ素子が前記複数の第2のアンテナ素子と交互配置される、請求項に記載の装置。 Wherein the plurality of first antenna elements are disposed alternately with the plurality of second antenna elements, according to claim 1. 前記アンテナアレイが、第1および第2のアンテナ素子を含む第1の素子グループ、および、前記第1の素子グループの変形を含む第2の素子グループ、を含む、請求項1からのいずれか1項に記載の装置。 The antenna array, the first element group including first and second antenna elements, and a second element group, which includes a deformation of the first element group, one of claims 1 to 2 The apparatus according to item 1. 前記変形が反転を含む、請求項に記載の装置。 The apparatus of claim 3 , wherein the deformation comprises inversion.
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