JP5967832B2 - Semiconductor power converter - Google Patents

Semiconductor power converter Download PDF

Info

Publication number
JP5967832B2
JP5967832B2 JP2013124641A JP2013124641A JP5967832B2 JP 5967832 B2 JP5967832 B2 JP 5967832B2 JP 2013124641 A JP2013124641 A JP 2013124641A JP 2013124641 A JP2013124641 A JP 2013124641A JP 5967832 B2 JP5967832 B2 JP 5967832B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
converter
inverter
phase
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013124641A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015002575A (en
Inventor
裕貴 酒井
裕貴 酒井
鈴木 寛充
寛充 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Original Assignee
Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp filed Critical Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Priority to JP2013124641A priority Critical patent/JP5967832B2/en
Publication of JP2015002575A publication Critical patent/JP2015002575A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5967832B2 publication Critical patent/JP5967832B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Description

この発明は半導体電力変換装置に関し、特に被試験装置の健全性を確認することが可能な半導体電力変換装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor power converter, and more particularly to a semiconductor power converter capable of confirming the soundness of a device under test.

従来、電動機などを負荷として駆動する半導体電力変換装置においては、必要に応じてその主回路の健全性を確認する試験が行われる。半導体電力変換装置において主回路の健全性を確認するためには、電流定格と電圧定格の両者を満たす負荷設備を用意すれば良いが、半導体電力変換装置が大容量になると、このような大容量の負荷設備を用意するのは経済性の面で得策ではない。このため、2台の半導体電力変換装置の交流出力同士を互いに接続し、一方の半導体電力変換装置を交流電圧源として動作させ、他方の半導体電力変換装置を電流制御器として動作させることによって等価試験を行う手法が提案されている(例えば特許文献1参照。)。   Conventionally, in a semiconductor power conversion device that drives an electric motor or the like as a load, a test for confirming the soundness of the main circuit is performed as necessary. In order to confirm the soundness of the main circuit in a semiconductor power conversion device, it is sufficient to prepare a load facility that satisfies both the current rating and the voltage rating. It is not a good idea in terms of economy to prepare the load equipment. For this reason, the AC outputs of two semiconductor power converters are connected to each other, one semiconductor power converter is operated as an AC voltage source, and the other semiconductor power converter is operated as a current controller. There has been proposed a technique for performing (see, for example, Patent Document 1).

特開2003−219662号公報(第4−5頁、図1)Japanese Patent Laying-Open No. 2003-219661 (page 4-5, FIG. 1)

特許文献1に示された手法は、2台の半導体電力変換装置のうち1台を被試験装置、他の1台を試験設備としたとき、試験設備の定格を最小限とすることができる有効な手法である。しかしながら、出力周波数を上昇させたとき、電流制御の応答が追従できないという問題があった。   The technique disclosed in Patent Document 1 is effective in minimizing the rating of test equipment when one of the two semiconductor power converters is a device under test and the other is a test equipment. It is a technique. However, when the output frequency is increased, there is a problem that the response of the current control cannot follow.

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、出力周波数を上昇させても電流制御の応答が可能となる半導体電力変換装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor power converter capable of responding to current control even when the output frequency is increased.

上記目的を達成するために、本発明の半導体電力変換装置は、交流を直流に変換する第1のコンバータとこの直流を交流に変換する第1のインバータとから成る被試験装置の交流出力を試験設備に接続し、制御装置によって制御することによって被試験装置を所望の入力、出力で試験を行うようにした半導体電力変換装置であって、前記試験設備は、交流電圧を入力とする第2のコンバータと、前記第2のコンバータの直流出力を交流に変換し、この交流出力を、交流リアクトルを介して前記第1のインバータの交流出力と接続する第2のインバータと、前記交流リアクトルに流れる電流を検出する電流検出器とを具備し、前記制御装置は、電圧基準が第1のゲインを介して与えられ、変換位相入力に応じて第1の交流電圧基準を出力する第1の変換器と、前記電圧基準が第2のゲインを介して与えられ、変換位相入力に応じて第2の交流電圧基準を出力する第2の変換器と、前記第1の交流電圧基準をPWM制御して前記第1のインバータにゲート信号を供給する第1のPWM信号発生器と、前記第2の交流電圧基準をPWM制御して前記第2のインバータにゲート信号を供給する第2のPWM信号発生器と、周波数基準を入力とし、出力の位相基準を変換位相として前記第1の変換器に与えるようにした積分器と、電流基準と、前記電流検出器で検出された電流を直流量に変換した値との差分を入力とし、この入力が最小となるように位相差指令を出力する電流制御器とを有し、前記位相基準と前記位相差指令の差分を変換位相として前記第2の変換器に与えるようにしたことを特徴としている。   In order to achieve the above object, a semiconductor power conversion device according to the present invention tests an AC output of a device under test including a first converter that converts alternating current into direct current and a first inverter that converts this direct current into alternating current. A semiconductor power converter connected to equipment and controlled by a control device to test the device under test with a desired input and output, wherein the test equipment receives a second AC voltage A converter, a second inverter that converts the direct current output of the second converter into alternating current, and connects the alternating current output to the alternating current output of the first inverter via an alternating current reactor; and a current that flows through the alternating current reactor And a controller for outputting a first AC voltage reference in response to a conversion phase input, the voltage reference being provided via a first gain. A second converter that outputs a second AC voltage reference in response to a conversion phase input, and PWM converts the first AC voltage reference. A first PWM signal generator for controlling and supplying a gate signal to the first inverter; and a second PWM for controlling the second AC voltage reference by PWM and supplying the gate signal to the second inverter. A signal generator, an integrator having a frequency reference as an input and an output phase reference as a conversion phase to the first converter; a current reference; and a current detected by the current detector as a direct current amount And a current controller that outputs a phase difference command so that the input is minimized, and the difference between the phase reference and the phase difference command is used as a conversion phase to change the second value. To give to the converter It is characterized.

この発明によれば、出力周波数を上昇させても電流制御の応答が可能となる半導体電力変換装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor power converter capable of responding to current control even when the output frequency is increased.

本発明の実施例1に係る半導体電力変換装置の回路構成図。1 is a circuit configuration diagram of a semiconductor power conversion device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例1に係る半導体電力変換装置の制御装置の内部ブロック構成図。The internal block block diagram of the control apparatus of the semiconductor power converter device which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例2に係る半導体電力変換装置の制御装置の内部ブロック構成図。The internal block block diagram of the control apparatus of the semiconductor power converter device which concerns on Example 2 of this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

以下、本発明の実施例1に係る半導体電力変換装置を図1及び図2を参照して説明する。   Hereinafter, a semiconductor power conversion device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図1は、本発明の実施例1に係る半導体電力変換装置の基本回路構成図であり、図2は図1における制御部の内部ブロック構成図である。 1 is a basic circuit configuration diagram of a semiconductor power conversion device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an internal block configuration diagram of a control unit in FIG.

図1において可変電圧の交流電源1から試験設備2の3相コンバータ21に所望の電圧が給電される。試験設備2は他に、単相インバータ22、3相インバータ23、3相フィルタ24、交流リアクトル25を有している。3相コンバータ21の直流出力は単相インバータ22の直流リンクに接続されると共に3相インバータ23の直流リンクにも接続されている。単相インバータ22の交流側は交流リアクトル25を介して被試験装置3の単相インバータ32の交流端子に接続されている。被試験装置3は他に3相コンバータ31を有している。3相インバータ23の交流端子は交流フィルタ24を介して3相コンバータ31の交流端子に接続されている。   In FIG. 1, a desired voltage is supplied from a variable voltage AC power source 1 to a three-phase converter 21 of a test facility 2. In addition, the test facility 2 includes a single-phase inverter 22, a three-phase inverter 23, a three-phase filter 24, and an AC reactor 25. The DC output of the three-phase converter 21 is connected to the DC link of the single-phase inverter 22 and is also connected to the DC link of the three-phase inverter 23. The AC side of the single-phase inverter 22 is connected to the AC terminal of the single-phase inverter 32 of the device under test 3 via the AC reactor 25. The device under test 3 has a three-phase converter 31 in addition. The AC terminal of the three-phase inverter 23 is connected to the AC terminal of the three-phase converter 31 via the AC filter 24.

単相インバータ22及び単相インバータ32は共にスイッチング素子をブリッジ接続した構成であり、これらのスイッチング素子には制御装置4からオンオフ信号が与えられている。また、交流リアクトル4に流れる電流は電流検出器26によって検出され、電流フィードバックとして制御装置4に与えられている。このような図1に示す構成で、被試験装置3に対して所望の入力電圧、入力周波数、出力電圧、出力周波数及び出力電流を与えることが可能となり、被試験装置3の等価試験が可能となる。   Both the single-phase inverter 22 and the single-phase inverter 32 have a configuration in which switching elements are bridge-connected, and an ON / OFF signal is given to the switching elements from the control device 4. Further, the current flowing through the AC reactor 4 is detected by the current detector 26 and is given to the control device 4 as current feedback. With the configuration shown in FIG. 1, it is possible to give a desired input voltage, input frequency, output voltage, output frequency, and output current to the device under test 3, and an equivalent test of the device under test 3 is possible. Become.

制御装置4の内部構成について図2を参照して以下説明する。   The internal configuration of the control device 4 will be described below with reference to FIG.

実施例1における制御装置4は、被試験装置3の出力が与えられた周波数基準f*、電圧基準V*、電流基準i*となるように被試験装置3の単相インバータ32及び試験設備2の単相インバータ22を制御する。尚、被試験装置3の入力電圧及び入力周波数は、3相インバータ23の出力をオープンループで制御することによって与えることができる。 The control device 4 in the first embodiment includes the single-phase inverter 32 and the test equipment 2 of the device under test 3 so that the output of the device under test 3 is the frequency reference f *, voltage reference V *, and current reference i *. The single-phase inverter 22 is controlled. The input voltage and input frequency of the device under test 3 can be given by controlling the output of the three-phase inverter 23 in an open loop.

図2に示すように、積分器41が与えられた周波数基準f*を積分することによって位相基準θ*を出力する。また電圧基準V*は、ゲイン42により増幅されて変換器44に、同様にゲイン43により増幅されて変換器45に与えられる。この実施例1においてはゲイン42とゲイン43は同一増幅率を有している。変換器44の位相入力には位相基準θ*が与えられる。これにより変換器44は位相θ*を有する交流電圧基準Vuを出力する。この交流電圧基準VuはPWM信号発生器46によってPWMのゲート信号に変換されて、被試験装置3の単相インバータ32を構成するスイッチング素子に与えられる。これにより被試験装置3の単相インバータ32から所望の周波数と振幅の単相交流電圧が出力される。   As shown in FIG. 2, the integrator 41 outputs a phase reference θ * by integrating a given frequency reference f *. The voltage reference V * is amplified by the gain 42 and supplied to the converter 44. Similarly, the voltage reference V * is amplified by the gain 43 and supplied to the converter 45. In the first embodiment, the gain 42 and the gain 43 have the same amplification factor. A phase reference θ * is given to the phase input of the converter 44. Thereby, the converter 44 outputs the AC voltage reference Vu having the phase θ *. The AC voltage reference Vu is converted into a PWM gate signal by the PWM signal generator 46 and supplied to the switching elements constituting the single-phase inverter 32 of the device under test 3. As a result, a single-phase AC voltage having a desired frequency and amplitude is output from the single-phase inverter 32 of the device under test 3.

一方、電流検出器26で検出した電流フィードバックIfを、RMS変換器48を介して実効値(振幅値)に変換し、その値と電流基準I*との差分を電流制御器49に与える。このような構成を採用することにより電流制御の基準値を直流量とする事ができ、周波数基準f*が上昇しても電流制御器49の応答には無関係とする事が可能となる。また、本願においては、電流制御器49は負荷変動に敏感に応答する必要はないため、例えばその応答時間を秒のオーダーとすることができる。従ってRMS変換器48の変換遅れ時間は全く問題とならない。   On the other hand, the current feedback If detected by the current detector 26 is converted into an effective value (amplitude value) via the RMS converter 48, and the difference between the value and the current reference I * is given to the current controller 49. By adopting such a configuration, the reference value of the current control can be set to a direct current amount, and even if the frequency reference f * increases, it can be made irrelevant to the response of the current controller 49. In the present application, since the current controller 49 does not need to respond sensitively to load fluctuations, for example, the response time can be on the order of seconds. Therefore, the conversion delay time of the RMS converter 48 is not a problem at all.

上記により電流制御が行われ、この実施例1においては、電流制御器49は入力の偏差が最小となるように位相差指令θdを出力する。位相差指令θdと、位相基準θ*の差分が変換器45に位相入力として与えられ、変換器45はこの位相で位相回転変換された1相分の交流電圧基準Vxを出力する。この交流電圧基準Vxは、PWM信号発生器47によってPWMのゲート信号に変換されて、試験設備2の単相インバータ22を構成するスイッチング素子に与えられる。   Current control is performed as described above. In the first embodiment, the current controller 49 outputs the phase difference command θd so that the input deviation is minimized. The difference between the phase difference command θd and the phase reference θ * is given to the converter 45 as a phase input, and the converter 45 outputs an AC voltage reference Vx for one phase that has been subjected to phase rotation conversion at this phase. This AC voltage reference Vx is converted into a PWM gate signal by the PWM signal generator 47 and applied to the switching elements constituting the single-phase inverter 22 of the test facility 2.

以上の構成によって、交流リアクトル25に流れる電流すなわちインバータ32の出力電流を所望の電流基準I*となるように制御することが可能となる。   With the above configuration, it is possible to control the current flowing through the AC reactor 25, that is, the output current of the inverter 32, to a desired current reference I *.

以下、本発明の実施例2に係る半導体電力変換装置を、図3を参照して説明する。   Hereinafter, a semiconductor power conversion device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図3は本発明の実施例2に係る半導体電力変換装置の制御装置4Aの内部ブロック構成図である。この実施例2の各部について、図2の本発明の実施例1に係る半導体電力変換装置の制御装置4の内部ブロック構成図の各部と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。この実施例2が実施例1と異なる点は、電流制御器49の出力を電圧補正指令とし、この電圧補正指令に応じてゲイン43Aの増幅率を調整するように構成した点、また変換器45の位相入力を、位相基準θ*から力率基準φ*を減算した値とした点である。 FIG. 3 is an internal block configuration diagram of the control device 4A of the semiconductor power conversion device according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the same parts as those in the internal block configuration diagram of the control device 4 of the semiconductor power conversion device according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. The second embodiment differs from the first embodiment in that the output of the current controller 49 is used as a voltage correction command, and the gain of the gain 43A is adjusted according to the voltage correction command. The phase input is a value obtained by subtracting the power factor reference φ * from the phase reference θ *.

実施例1においては、ゲイン42とゲイン43の増幅率は同一としてインバータ32とインバータ22の交流出力電圧の大きさを一致させ、電流制御器49の出力である位相差指令に応じて変換器45の位相入力を調整することによってインバータ32の出力電流を所望の電流基準I*となるようにした。これに対してこの実施例2は、変換器45の位相入力を、位相基準θ*から力率基準φ*を減算した値に固定することによって単相インバータ32と単相インバータ22の出力電圧の位相差を固定し、単相インバータ22の出力電圧の大きさを調整することによって単相インバータ32の出力電流が所望の電流基準I*となるようにしている。このように構成すれば、被試験装置3の単相インバータ32を所望の力率で試験を行うことが可能となる。すなわち、力率基準φ*=0と設定すれば、単相インバータ32と単相インバータ22の出力電圧の位相差をゼロとし、単相インバータ22の電圧振幅を調整するだけで単相インバータ32の出力電流が所望の電流基準I*とすることが可能となる。   In the first embodiment, the gains of the gain 42 and the gain 43 are the same, and the magnitudes of the AC output voltages of the inverter 32 and the inverter 22 are made to coincide with each other. By adjusting the phase input, the output current of the inverter 32 is set to the desired current reference I *. On the other hand, in the second embodiment, the phase input of the converter 45 is fixed to a value obtained by subtracting the power factor reference φ * from the phase reference θ * to thereby adjust the output voltages of the single-phase inverter 32 and the single-phase inverter 22. By fixing the phase difference and adjusting the magnitude of the output voltage of the single-phase inverter 22, the output current of the single-phase inverter 32 becomes the desired current reference I *. If comprised in this way, it will become possible to test the single phase inverter 32 of the to-be-tested apparatus 3 with a desired power factor. That is, if the power factor reference φ * = 0 is set, the phase difference between the output voltages of the single-phase inverter 32 and the single-phase inverter 22 is set to zero, and the voltage amplitude of the single-phase inverter 22 is simply adjusted. The output current can be the desired current reference I *.

以上本発明の2つの実施例を説明したが、これは例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although two embodiments of the present invention have been described above, they are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. The novel embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

例えば、インバータ22及びインバータ32を単相出力として説明したが、両者が3相出力であっても本願は成立する。この場合は電流検出器で検出した電流をd軸電流(無効電流)とq軸電流(有効電流)に展開し、これらの電流が夫々所望の電流基準となるように独立して制御し、その結果で変換器45の入力位相またはゲイン43Aの増幅率またはその両方を制御するように構成すれば良い。   For example, although the inverter 22 and the inverter 32 have been described as single-phase outputs, the present application is established even if both are three-phase outputs. In this case, the current detected by the current detector is developed into a d-axis current (reactive current) and a q-axis current (active current), and these currents are independently controlled so as to be a desired current reference, respectively. As a result, the input phase of the converter 45 and / or the gain of the gain 43A may be controlled.

また、試験設備2におけるインバータ23と交流フィルタ24は必ずしも備えている必要は無く、コンバータ31の給電は外部の交流電源から行う構成としても良い。すなわちコンバータ31の入力周波数を可変とする必要がなければ、交流電源1から給電するようにしても良い。   In addition, the inverter 23 and the AC filter 24 in the test facility 2 are not necessarily provided, and the converter 31 may be fed from an external AC power source. That is, if the input frequency of the converter 31 does not need to be variable, power may be supplied from the AC power source 1.

また、実施例で使用したRMS変換器については、交流電流の瞬時値を直流量に変換するものであれば良く、例えば電流の絶対値の平均値、あるいはゼロピーク値に変換する変換器としても良い。   In addition, the RMS converter used in the embodiment may be any converter that converts an instantaneous value of an alternating current into a direct current amount, and may be a converter that converts, for example, an average value of an absolute value of current or a zero peak value. .

1 交流電源
2 試験設備
3 被試験装置
4、4A 制御装置
21 3相コンバータ
22 単相インバータ
23 3相インバータ
24 交流フィルタ
25 交流リアクトル
26 電流検出器
31 3相コンバータ
32 単相インバータ
41 積分器
42、43、43A ゲイン
44、45 変換器
46、47 PWM信号発生器
48 RMS変換器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 AC power supply 2 Test equipment 3 Device under test 4, 4A Control device 21 Three-phase converter 22 Single-phase inverter 23 Three-phase inverter 24 AC filter 25 AC reactor 26 Current detector 31 Three-phase converter 32 Single-phase inverter 41 Integrator 42, 43, 43A Gain 44, 45 Converter 46, 47 PWM signal generator 48 RMS converter

Claims (5)

交流を直流に変換する第1のコンバータとこの直流を交流に変換する第1のインバータとから成る被試験装置の交流出力を試験設備に接続し、制御装置によって制御することによって被試験装置を所望の入力、出力で試験を行うようにした半導体電力変換装置であって、
前記試験設備は、
交流電圧を入力とする第2のコンバータと、
前記第2のコンバータの直流出力を交流に変換し、この交流出力を、交流リアクトルを介して前記第1のインバータの交流出力と接続する第2のインバータと、
前記交流リアクトルに流れる電流を検出する電流検出器と
を具備し、
前記制御装置は、
電圧基準が第1のゲインを介して与えられ、位相入力に応じて第1の交流電圧基準を出力する第1の変換器と、
前記電圧基準が第2のゲインを介して与えられ、位相入力に応じて第2の交流電圧基準を出力する第2の変換器と、
前記第1の交流電圧基準をPWM制御して前記第1のインバータにゲート信号を供給する第1のPWM信号発生器と、
前記第2の交流電圧基準をPWM制御して前記第2のインバータにゲート信号を供給する第2のPWM信号発生器と、
周波数基準を入力とし、出力の位相基準を位相入力として前記第1の変換器に与えるようにした積分器と、
電流基準と、前記電流検出器で検出された電流を直流量に変換した値との差分を入力とし、この入力が最小となるように位相差指令を出力する電流制御器と
を有し、
前記位相基準と前記位相差指令の差分を位相入力として前記第2の変換器に与えるようにしたことを特徴とする半導体電力変換装置。
A device under test is desired by connecting an AC output of a device under test comprising a first converter for converting alternating current to direct current and a first inverter for converting direct current to alternating current to a test facility and controlling the device by a control device. A semiconductor power conversion device that performs a test with inputs and outputs of
The test equipment is
A second converter that receives an AC voltage;
A second inverter that converts the direct current output of the second converter into alternating current and connects the alternating current output to the alternating current output of the first inverter via an alternating current reactor;
A current detector for detecting a current flowing through the AC reactor;
The control device includes:
A first converter that provides a voltage reference via a first gain and outputs a first AC voltage reference in response to a phase input;
A second converter, wherein the voltage reference is provided via a second gain and outputs a second AC voltage reference in response to a phase input;
A first PWM signal generator for PWM-controlling the first AC voltage reference and supplying a gate signal to the first inverter;
A second PWM signal generator for PWM-controlling the second AC voltage reference and supplying a gate signal to the second inverter;
An integrator having a frequency reference as an input and an output phase reference as a phase input to the first converter;
A difference between a current reference and a value obtained by converting the current detected by the current detector into a DC amount as an input, and a current controller that outputs a phase difference command so that the input is minimized,
A semiconductor power conversion device, wherein a difference between the phase reference and the phase difference command is given to the second converter as a phase input.
交流を直流に変換する第1のコンバータとこの直流を交流に変換する第1のインバータとから成る被試験装置の交流出力を試験設備に接続し、制御装置によって制御することによって被試験装置を所望の入力、出力で試験を行うようにした半導体電力変換装置であって、
前記試験設備は、
可変交流電圧を入力とする第2のコンバータと、
前記第2のコンバータの直流出力を交流に変換し、この交流出力を、交流リアクトルを介して前記第1のインバータの交流出力と接続する第2のインバータと、
前記交流リアクトルに流れる電流を検出する電流検出器と
を具備し、
前記制御装置は、
電圧基準が第1のゲインを介して与えられ、位相入力に応じて第1の交流電圧基準を出力する第1の変換器と、
前記電圧基準が、増幅率が可変の第2のゲインを介して与えられ、位相入力に応じて第2の交流電圧基準を出力する第2の変換器と、
前記第1の交流電圧基準をPWM制御して前記第1のインバータにゲート信号を供給する第1のPWM信号発生器と、
前記第2の交流電圧基準をPWM制御して前記第2のインバータにゲート信号を供給する第2のPWM信号発生器と、
周波数基準を入力とし、出力の位相基準を位相入力として前記第1の変換器に与えるようにした積分器と、
電流基準と、前記電流検出器で検出された電流を直流量に変換した値との差分を入力とし、この入力が最小となるように電圧補正指令を出力する電流制御器と
を有し、
力率基準と前記位相基準との差分を位相入力として前記第2の変換器に与えるようにすると共に、前記電圧補正指令に従って前記第2のゲインの増幅率を調整するようにしたことを特徴とする半導体電力変換装置。
A device under test is desired by connecting an AC output of a device under test comprising a first converter for converting alternating current to direct current and a first inverter for converting direct current to alternating current to a test facility and controlling the device by a control device. A semiconductor power conversion device that performs a test with inputs and outputs of
The test equipment is
A second converter that receives a variable AC voltage;
A second inverter that converts the direct current output of the second converter into alternating current and connects the alternating current output to the alternating current output of the first inverter via an alternating current reactor;
A current detector for detecting a current flowing through the AC reactor;
The control device includes:
A first converter that provides a voltage reference via a first gain and outputs a first AC voltage reference in response to a phase input;
A second converter, wherein the voltage reference is provided via a second gain having a variable gain, and outputs a second AC voltage reference in response to a phase input;
A first PWM signal generator for PWM-controlling the first AC voltage reference and supplying a gate signal to the first inverter;
A second PWM signal generator for PWM-controlling the second AC voltage reference and supplying a gate signal to the second inverter;
An integrator having a frequency reference as an input and an output phase reference as a phase input to the first converter;
A difference between a current reference and a value obtained by converting the current detected by the current detector into a direct current amount, and a current controller that outputs a voltage correction command so that the input is minimized;
The difference between the power factor reference and the phase reference is given to the second converter as a phase input, and the amplification factor of the second gain is adjusted according to the voltage correction command. Semiconductor power conversion device.
前記試験設備は、
前記第2のコンバータの直流出力を交流に変換し、この交流出力を、交流フィルタを介して出力する第3のインバータを更に備え、
前記交流フィルタの出力を前記第1のコンバータに給電するようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体電力変換装置。
The test equipment is
A third inverter that converts the direct current output of the second converter into alternating current and outputs the alternating current output through an alternating current filter;
3. The semiconductor power conversion device according to claim 1, wherein an output of the AC filter is supplied to the first converter. 4.
前記第1のインバータ及び前記第2のインバータは共に単相出力インバータであることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体電力変換装置。   4. The semiconductor power conversion device according to claim 1, wherein both the first inverter and the second inverter are single-phase output inverters. 5. 前記電流の直流量は電流のRMS値であることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の半導体電力変換装置。   5. The semiconductor power conversion device according to claim 1, wherein the direct current amount of the current is an RMS value of the current. 6.
JP2013124641A 2013-06-13 2013-06-13 Semiconductor power converter Active JP5967832B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013124641A JP5967832B2 (en) 2013-06-13 2013-06-13 Semiconductor power converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013124641A JP5967832B2 (en) 2013-06-13 2013-06-13 Semiconductor power converter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015002575A JP2015002575A (en) 2015-01-05
JP5967832B2 true JP5967832B2 (en) 2016-08-10

Family

ID=52296811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013124641A Active JP5967832B2 (en) 2013-06-13 2013-06-13 Semiconductor power converter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5967832B2 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2923507B1 (en) * 1998-08-24 1999-07-26 山菱電機株式会社 Inverter test equipment
JP2003219662A (en) * 2002-01-16 2003-07-31 Toshiba Corp Semiconductor power converter
JP2005130671A (en) * 2003-10-27 2005-05-19 Shinko Electric Co Ltd Inverter tester
DE102005048464B4 (en) * 2005-10-07 2014-11-06 Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh Method and apparatus for simulating an inductive load

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015002575A (en) 2015-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10509079B2 (en) Inverter test apparatus
JP5822732B2 (en) 3-level power converter
EP2020740B1 (en) Power converter
JP6069165B2 (en) Unbalance compensator
US8503206B2 (en) Single-phase voltage source DC-AC power converter and three-phase voltage source DC-AC power converter
JP2012205325A (en) Distributed power supply system
JP6076222B2 (en) Power converter
JP2009219263A (en) Single-phase voltage type ac-dc converter
JP2018129963A (en) Controller of power converter
JPWO2019097605A1 (en) Power conversion system
JP2009201248A (en) Clamp power conversion apparatus
JP2009106017A (en) Active filter function device
JP5351390B2 (en) Power converter
KR20160053336A (en) Device and method about controlling neutral point voltage of 3-level power conversion apparatus
JP2008086127A (en) Parallel operation system for inverter apparatuses
JP5115730B2 (en) PWM converter device
JP5967832B2 (en) Semiconductor power converter
JP6802278B2 (en) Power supply system
JP2009153297A (en) Controller of self-excited converter
Rajesh et al. A shunt active power filter for 12 pulse converter using source current detection approach
JP5169396B2 (en) Power converter control circuit
JP5768957B2 (en) Control device for three-phase V-connection inverter
JPH05111164A (en) Power converter
JP6018792B2 (en) Power converter control method
WO2015008401A1 (en) Control device for three-phase four-wire inverter

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20150330

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150803

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160422

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160518

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160701

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160704

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5967832

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250