JP5951210B2 - マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源 - Google Patents
マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源 Download PDFInfo
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Description
動作時に排気がなされるように適合されたコーティング・チャンバーと、
コーティングを形成するための材料を備えたターゲットを含むカソードと、
コーティング領域内でコーティングされる物体を支持するための支持材を有する1つまたは複数のコーティング領域と、
容器を備える統合したアノードおよび活性化反応性ガス源と
を備え、容器は、
電源のプラス出力に電気的に結合され、アノードが電子の好ましい帰路となるように電圧差をカソードに与えるためのアノードを備える容器の内部導電性表面と、
チャンバー壁から電気的に絶縁された容器の絶縁外面と、
コーティング・チャンバーと連通する容器内部への単一の開口部と、スパッタリング・ガスを単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に送り込むための容器に結合されているスパッタリング・ガスの供給源と、
反応性ガスを単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に送り込むための容器に結合されている反応性ガスの供給源と
を含む。
電源のプラス出力に電気的に結合され、アノードが電子の好ましい帰路となるように電圧差をカソードに与えるためのアノードを備える容器の内部導電性表面と、
チャンバー壁から電気的に絶縁された容器の絶縁外面と、
コーティング・チャンバーと連通する単一の開口部と、
スパッタリング・ガスを単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に送り込むための容器に結合されているスパッタリング・ガスの供給源と、
反応性ガスを単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に送り込むための容器に結合されている反応性ガスの供給源と
を含む。
1 ロード・ロック
2 コーティング・チャンバー
8 ポンプ
10 マグネトロン・スパッタ・コーティング・デバイス
12 カソード
14 ターゲット
14 遊星歯車駆動装置
16 キャリア
17 遊星歯車
17 基板
19 アノード容器
20 アノード容器、統合したアノードおよび活性化反応性ガス源
21 開口部
22 銅またはステンレス鋼
23 物体
25 プラス電源リード
26 外面
28 水冷パイプ
29 入口
32 チャンバー壁
33 絶縁体
36 反応性ガス源
44 ターゲットの表面の平面
46 表面の平面
Claims (7)
- マグネトロン・スパッタリング・デバイスであって、
動作時に排気がなされるように適合されたコーティング・チャンバーと、
コーティングを形成するための材料が配置されるターゲットを含むリング形状のカソードと、
前記ターゲットの上方の1つまたは複数の基板と、
前記リング形状のカソードの中心に配置される1つまたは複数の統合したアノードおよび活性化反応性ガス源と
を備え、各アノードおよび活性化反応性ガス源が容器を備え、
前記容器は、
電源のプラス出力に電気的に結合され、アノードとしておよび電子の好ましい帰路として働く内部導電性表面と、
前記コーティング・チャンバーのチャンバー壁から前記容器を電気的に絶縁する絶縁外面と、
前記容器内部から前記コーティング・チャンバーへガスを通すように構成された開口部と、
スパッタリング・ガスおよび反応性ガスを前記容器内へおよび前記開口部を通して前記コーティング・チャンバー内に入れるように構成された前記容器内部への1つまたは複数のガス入口と、
を含む、マグネトロン・スパッタリング・デバイス。 - 前記リング形状のカソードは、回転軸から一定の半径方向距離のところに配置され、前記1つまたは複数の基板は、動作時に前記1つまたは複数の基板が前記カソードの中心の真上を通るように同じ半径方向距離のところで前記回転軸の周りを回転する請求項1に記載のマグネトロン・スパッタリング・デバイス。
- 前記1つまたは複数の基板は、前記カソードの中心と一致する回転軸の周りを回転し、前記基板および前記1つまたは複数の統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、前記回転軸から同じ半径方向距離のところにすべて配置され、これにより動作時に前記基板は前記容器の前記開口部の真上を通る請求項1に記載のマグネトロン・スパッタリング・デバイス。
- 前記カソードならびに統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、回転軸から一定の半径方向距離のところに配置され、前記基板は、前記回転軸から同じ半径方向距離のところで回転し、これにより動作時に前記基板は前記カソードならびに前記統合したアノードおよび活性化反応性ガス源の真上を通る請求項1に記載のマグネトロン・スパッタリング・デバイス。
- 前記カソードは、回転軸から一定の半径方向距離のところに配置され、2つの統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、前記回転軸から前記カソードと同じ半径方向距離のところで前記カソードの両側に配置され、前記1つまたは複数の基板は、前記回転軸から前記カソードならびに前記2つの統合したアノードおよび活性化反応性ガス源と同じ半径方向距離のところで前記回転軸の周りを回転し、これにより動作時に前記1つまたは複数の基板は前記カソードならびに前記2つの統合したアノードおよび活性化反応性ガス源の真上を通る請求項1に記載のマグネトロン・スパッタリング・デバイス。
- 前記2つの統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、それぞれ連続運転する請求項5に記載のマグネトロン・スパッタリング・デバイス。
- 前記2つの統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、間欠的に動作し、1Hz以上のサイクルによりこれら2つの間で交互動作する請求項5に記載のマグネトロン・スパッタリング・デバイス。
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