JP5948951B2 - Ultrasonic device, ultrasonic probe, electronic device and diagnostic device - Google Patents
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Description
本発明は、超音波装置、超音波プローブ、電子機器及び診断装置等に関する。 The present invention relates to an ultrasonic device, an ultrasonic probe, an electronic device, a diagnostic device, and the like.
対象物に向けて超音波を照射し、対象物内部における音響インピーダンスの異なる界面からの反射波を受信するための装置として、例えば人体の内部を検査するための超音波診断装置が知られている。超音波診断装置に用いられる超音波装置（超音波プローブ）として、特許文献１には圧電素子をマトリックスアレイ状に配列して超音波ビームを放射させる手法が開示されている。しかしながらこの手法では、ビームのスキャン方向は１方向に限定されるなどの問題があった。 2. Description of the Related Art As an apparatus for irradiating ultrasonic waves toward an object and receiving reflected waves from interfaces with different acoustic impedances inside the object, for example, an ultrasonic diagnostic apparatus for inspecting the inside of a human body is known . As an ultrasonic apparatus (ultrasonic probe) used in an ultrasonic diagnostic apparatus, Patent Document 1 discloses a technique in which piezoelectric elements are arranged in a matrix array to emit an ultrasonic beam. However, this method has a problem that the beam scanning direction is limited to one direction.
本発明の幾つかの態様によれば、簡素な構成で効率的な走査ができる超音波装置、超音波プローブ、電子機器及び診断装置等を提供できる。 According to some aspects of the present invention, it is possible to provide an ultrasonic device, an ultrasonic probe, an electronic device, a diagnostic device, and the like that can perform efficient scanning with a simple configuration.
本発明の一態様は、超音波素子アレイと、第１の方向に沿って配線される第１の配線とを含み、前記超音波素子アレイは、各超音波素子列において複数の超音波素子が前記第１の方向に沿って配置される第１の超音波素子列〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の超音波素子列と、前記第１の方向に沿って配線される第１の駆動電極線〜第ｎの駆動電極線と、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配線される第１のコモン電極線〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のコモン電極線とを有し、前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列は、前記第２の方向に沿って配置され、前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列のうちの、第ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎである整数）の超音波素子列を構成する前記複数の超音波素子がそれぞれ有する第１の電極は、前記第１の駆動電極線〜前記第ｎの駆動電極線のうちの第ｊの駆動電極線に接続され、前記第ｊの超音波素子列を構成する前記複数の超音波素子がそれぞれ有する第２の電極は、前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線のうちのいずれかに接続され、前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線は、前記第１の配線に共通接続される超音波装置に関係する。 One embodiment of the present invention includes an ultrasonic element array and a first wiring wired along a first direction, and the ultrasonic element array includes a plurality of ultrasonic elements in each ultrasonic element row. 1st ultrasonic element row | line | column arrange | positioned along the said 1st direction-nth (n is an integer greater than or equal to 2) ultrasonic element row | line | column, and the 1st wired along the said 1st direction Driving electrode line to n-th driving electrode line and first common electrode line to m-th (m is an integer of 2 or more) common electrodes wired along a second direction intersecting the first direction The first ultrasonic element array to the nth ultrasonic element array are arranged along the second direction, and the first ultrasonic element array to the nth ultrasonic element line Among the plurality of ultrasonic elements, each of the plurality of ultrasonic elements constituting the jth ultrasonic element array (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n). Are connected to the jth drive electrode line among the first drive electrode line to the nth drive electrode line, and the plurality of ultrasonic elements constituting the jth ultrasonic element array are Each of the second electrodes is connected to any one of the first common electrode line to the m-th common electrode line, and the first common electrode line to the m-th common electrode line are The present invention relates to an ultrasonic device commonly connected to the first wiring.
本発明の一態様によれば、超音波素子アレイにおいて、第ｊの超音波素子列を第ｊの駆動電極線によって駆動することができるから、各超音波素子を独立に駆動するよりも配線本数が少なくなり、超音波装置の構成を簡素にすることができる。 According to one aspect of the present invention, in the ultrasonic element array, the j-th ultrasonic element row can be driven by the j-th drive electrode line, so that the number of wirings can be increased as compared with driving each ultrasonic element independently. Therefore, the configuration of the ultrasonic device can be simplified.
また本発明の一態様では、前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列の前記各超音波素子列は、前記複数の超音波素子として、前記第１の方向に沿って配置される第１の超音波素子〜第ｍの超音波素子を有し、前記第１の超音波素子〜前記第ｍの超音波素子のうちの第ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍである整数）の超音波素子が有する前記第２の電極は、前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線のうちの第ｉのコモン電極線に接続されてもよい。 In the aspect of the invention, each of the ultrasonic element arrays of the first to nth ultrasonic element arrays may be the plurality of ultrasonic elements along the first direction. The first ultrasonic element to the m-th ultrasonic element are arranged, and i (i is 1 ≦ i ≦ m) of the first to m-th ultrasonic elements. The second electrode included in the (integer) ultrasonic element may be connected to an i-th common electrode line among the first common electrode line to the m-th common electrode line.
このようにすれば、複数の超音波素子をｍ行ｎ列のマトリックスアレイ状に配置することができる。そして第ｉ行第ｊ列の超音波素子の第１の電極は第ｊの駆動電極線に接続され、第２の電極は第ｉのコモン電極線に接続されるから、各超音波素子を独立に駆動するよりも配線本数が少なくなり、超音波装置の構成を簡素にすることができる。 In this way, a plurality of ultrasonic elements can be arranged in a matrix array of m rows and n columns. The first electrode of the ultrasonic element in the i-th row and j-th column is connected to the j-th drive electrode line, and the second electrode is connected to the i-th common electrode line. Therefore, the number of wirings can be reduced as compared with the case of driving the ultrasonic device, and the configuration of the ultrasonic apparatus can be simplified.
また本発明の一態様では、前記第１の配線の一端に接続される第１のスイッチ回路を含み、前記第１のスイッチ回路は、オン状態である場合には、前記第１の配線にコモン電圧を供給し、オフ状態である場合には、前記第１の配線に前記コモン電圧を非供給にしてもよい。 In one embodiment of the present invention, the semiconductor device includes a first switch circuit connected to one end of the first wiring, and the first switch circuit is common to the first wiring when the first switching circuit is in an on state. When the voltage is supplied and the circuit is in the off state, the common voltage may not be supplied to the first wiring.
このようにすれば、第１の配線の一端にコモン電圧を供給し、或いはコモン電圧を非供給にすることができるから、超音波素子を駆動する際のコモン電極線の電圧変動を第１の配線の一端側と他端側とで変化させることができる。 In this way, the common voltage can be supplied to one end of the first wiring, or the common voltage can be not supplied. Therefore, the voltage fluctuation of the common electrode line when the ultrasonic element is driven is changed to the first voltage. It can be changed between one end side and the other end side of the wiring.
また本発明の一態様では、前記第１の配線の他端に接続される第２のスイッチ回路を含み、前記第２のスイッチ回路は、オン状態である場合には、前記第１の配線に前記コモン電圧を供給し、オフ状態である場合には、前記第１の配線に前記コモン電圧を非供給にしてもよい。 In one embodiment of the present invention, the semiconductor device includes a second switch circuit connected to the other end of the first wiring. When the second switch circuit is in an on state, the first wiring is connected to the first wiring. When the common voltage is supplied and in the off state, the common voltage may not be supplied to the first wiring.
このようにすれば、第１の配線の他端にコモン電圧を供給し、或いはコモン電圧を非供給にすることができるから、超音波素子を駆動する際のコモン電極線の電圧変動を第１の配線の一端側から他端側に向かって徐々に大きく、又は小さくさせることができる。その結果、列内の超音波素子に印加される電圧を一端側から他端側に向かって徐々に小さく、又は大きくすることができるから、放射される超音波のビームのピーク位置を列の中心から一端側又は他端側へシフトさせることができる。 In this way, the common voltage can be supplied to the other end of the first wiring, or the common voltage can be not supplied. Therefore, the voltage fluctuation of the common electrode line when driving the ultrasonic element is the first. The wiring can be gradually increased or decreased from one end side to the other end side. As a result, the voltage applied to the ultrasonic elements in the column can be gradually decreased or increased from one end side to the other end side, so that the peak position of the emitted ultrasonic beam is the center of the column. To one end side or the other end side.
また本発明の一態様では、前記第１のスイッチ回路及び前記第２のスイッチ回路のオン・オフを制御するスイッチ信号生成回路を含み、前記スイッチ信号生成回路は、第１の状態では、前記第１のスイッチ回路をオン状態にして前記第２のスイッチ回路をオフ状態にし、第２の状態では、前記第１のスイッチ回路をオフ状態にして前記第２のスイッチ回路をオン状態にしてもよい。 In one embodiment of the present invention, it further includes a switch signal generation circuit that controls on / off of the first switch circuit and the second switch circuit. One switch circuit may be turned on to turn the second switch circuit off, and in the second state, the first switch circuit may be turned off to turn the second switch circuit on. .
このようにすれば、スイッチ信号生成回路の制御に基づいて、放射される超音波のビームのピーク位置を列の中心から一端側又は他端側へシフトさせることができる。 According to this configuration, the peak position of the emitted ultrasonic beam can be shifted from the center of the column to one end side or the other end side based on the control of the switch signal generation circuit.
また本発明の一態様では、前記第１のスイッチ回路は、前記コモン電圧として第１のコモン電圧を、前記第１の配線に供給する第１のスイッチ素子と、前記コモン電圧として前記第１のコモン電圧とは異なる第２のコモン電圧を、前記第１の配線に供給する第２のスイッチ素子とを有してもよい。 In the aspect of the invention, the first switch circuit includes a first switch element that supplies the first wiring with the first common voltage as the common voltage, and the first switch circuit with the first voltage as the common voltage. You may have the 2nd switch element which supplies the 2nd common voltage different from a common voltage to said 1st wiring.
このようにすれば、第１、第２のスイッチ素子をそれぞれオン・オフすることで、第１の配線の一端側から他端側に向かって徐々に電圧が高くなる、又は低くなる電圧勾配が生じる。こうすることで、列内の超音波素子に印加される電圧を一端側から他端側に向かって徐々に小さく、又は大きくすることができるから、放射される超音波のビームのピーク位置を列の中心から一端側又は他端側へシフトさせることができる。 In this way, by turning on and off each of the first and second switch elements, the voltage gradient gradually increases or decreases from one end side to the other end side of the first wiring. Arise. By doing so, the voltage applied to the ultrasonic elements in the column can be gradually decreased or increased from one end side to the other end side, so that the peak position of the emitted ultrasonic beam is changed to the column. Can be shifted from the center to one end side or the other end side.
また本発明の一態様では、前記第１のスイッチ回路は、第１の抵抗素子と、前記第１の抵抗素子と直列に接続される第１のスイッチ素子と、前記第１の抵抗素子とは異なる抵抗値を有する第２の抵抗素子と、前記第２の抵抗素子と直列に接続される第２のスイッチ素子とを有してもよい。 In one embodiment of the present invention, the first switch circuit includes a first resistance element, a first switch element connected in series with the first resistance element, and the first resistance element. You may have the 2nd resistive element which has a different resistance value, and the 2nd switch element connected in series with the said 2nd resistive element.
このようにすれば、第１、第２のスイッチ素子をそれぞれオン・オフすることで、第１の配線の一端に接続される抵抗素子の抵抗値を可変に設定することができる。こうすることで、列内の超音波素子に印加される電圧を一端側から他端側に向かって徐々に小さく、又は大きくすることができるから、放射される超音波のビームのピーク位置を列の中心から一端側又は他端側へシフトさせることができる。 In this way, the resistance value of the resistance element connected to one end of the first wiring can be variably set by turning on and off the first and second switch elements, respectively. By doing so, the voltage applied to the ultrasonic elements in the column can be gradually decreased or increased from one end side to the other end side, so that the peak position of the emitted ultrasonic beam is changed to the column. Can be shifted from the center to one end side or the other end side.
また本発明の一態様では、前記第１の配線にコモン電圧を供給するコモン電圧供給回路を含み、前記コモン電圧供給回路は、前記第１の配線の両端にコモン電圧を供給する、或いは一端にコモン電圧を供給し、他端にコモン電圧を非供給にしてもよい。 In one embodiment of the present invention, a common voltage supply circuit that supplies a common voltage to the first wiring is provided, and the common voltage supply circuit supplies a common voltage to both ends of the first wiring, or to one end. The common voltage may be supplied and the common voltage may not be supplied to the other end.
このようにすれば、列内の超音波素子に印加される電圧を一端側から他端側に向かって徐々に小さく、又は大きくすることができるから、放射される超音波のビームのピーク位置を列の中心から一端側又は他端側へシフトさせることができる。 In this way, the voltage applied to the ultrasonic elements in the row can be gradually decreased or increased from one end side to the other end side, so that the peak position of the emitted ultrasonic beam can be determined. It is possible to shift from the center of the column to one end side or the other end side.
また本発明の一態様では、前記コモン電圧供給回路は、前記第１の配線の一端と他端とにそれぞれ異なる電圧のコモン電圧を供給してもよい。 In the aspect of the invention, the common voltage supply circuit may supply different common voltages to one end and the other end of the first wiring.
このようにすれば、第１の配線の一端側から他端側に向かって徐々に電圧が高くなる、又は低くなる電圧勾配が生じるから、放射される超音波のビームのピーク位置を列の中心から一端側又は他端側へシフトさせることができる。 In this way, since a voltage gradient is generated in which the voltage gradually increases or decreases from one end side to the other end side of the first wiring, the peak position of the emitted ultrasonic beam is set to the center of the column. To one end side or the other end side.
また本発明の一態様では、前記第１の方向はスライス方向であり、前記第２の方向は位相走査のスキャン方向であってもよい。 In the aspect of the invention, the first direction may be a slice direction, and the second direction may be a scan direction of phase scanning.
このようにすれば、超音波ビームの第１の方向における位置を可変に設定することでスライス面の位置を可変に設定し、設定されたスライス面に沿って第２の方向に超音波ビームをスキャンすることができる。その結果、簡素な構成で２次元的なスキャンなどが可能になる。 In this way, the position of the slice surface is variably set by variably setting the position of the ultrasonic beam in the first direction, and the ultrasonic beam is moved in the second direction along the set slice surface. Can be scanned. As a result, two-dimensional scanning can be performed with a simple configuration.
また本発明の一態様では、前記超音波素子アレイは、アレイ状に配置された複数の開口を有する基板を含み、前記複数の開口の各開口ごとに設けられる前記各超音波素子は、前記各開口を塞ぐ振動膜と、前記振動膜の上に設けられる圧電素子部とを有し、前記圧電素子部は、前記振動膜の上に設けられる下部電極と、前記下部電極の少なくとも一部を覆うように設けられる圧電体膜と、前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように設けられる上部電極とを有し、前記第１の電極は、前記上部電極及び前記下部電極の一方であり、前記第２の電極は、前記上部電極及び前記下部電極の他方であってもよい。 In one embodiment of the present invention, the ultrasonic element array includes a substrate having a plurality of openings arranged in an array, and each of the ultrasonic elements provided for each opening of the plurality of openings includes A vibration film that closes the opening; and a piezoelectric element portion provided on the vibration film, the piezoelectric element portion covering a lower electrode provided on the vibration film and at least a part of the lower electrode. And the upper electrode provided so as to cover at least a part of the piezoelectric film, and the first electrode is one of the upper electrode and the lower electrode, The second electrode may be the other of the upper electrode and the lower electrode.
このようにすれば、第１の電極の電圧と第２の電極の電圧との電圧差が圧電体膜に印加されるから、電圧差を変化させることで圧電体膜が伸縮し、超音波を発生させることができる。 In this way, since the voltage difference between the voltage of the first electrode and the voltage of the second electrode is applied to the piezoelectric film, changing the voltage difference expands and contracts the piezoelectric film, Can be generated.
本発明の他の態様は、上記いずれかに記載の超音波装置を含む超音波プローブに関係する。 Another aspect of the present invention relates to an ultrasonic probe including any of the ultrasonic devices described above.
本発明の他の態様は、上記いずれかに記載の超音波装置を含む電子機器に関係する。 Another aspect of the present invention relates to an electronic apparatus including the ultrasonic device according to any one of the above.
本発明の他の態様は、上記いずれかに記載の超音波装置と、表示用画像データを表示する表示部とを含む診断装置に関係する。 Another aspect of the present invention relates to a diagnostic apparatus including any one of the above-described ultrasonic apparatuses and a display unit that displays display image data.
本発明の他の態様によれば、超音波ビームのピーク位置をスライス方向に関して可変に設定することができるから、超音波ビームのスライス面を可変に設定することができる。その結果、簡素な構成で２次元的なスキャンが可能になり、超音波エコー画像を効率的に取得することなどが可能になる。 According to another aspect of the present invention, since the peak position of the ultrasonic beam can be set variably with respect to the slice direction, the slice plane of the ultrasonic beam can be set variably. As a result, two-dimensional scanning can be performed with a simple configuration, and an ultrasonic echo image can be efficiently acquired.
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.
１．超音波素子
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に本実施形態の超音波装置に含まれる超音波素子ＵＥの基本的な構成例を示す。本実施形態の超音波素子ＵＥは、振動膜（メンブレン、支持部材）ＭＢと、圧電素子部とを有する。圧電素子部は、下部電極（第１電極層）ＥＬ１、圧電体膜（圧電体層）ＰＥ、上部電極（第２電極層）ＥＬ２を有する。なお、本実施形態の超音波素子ＵＥは図１の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
1. Ultrasonic Element FIGS. 1A and 1B show a basic configuration example of the ultrasonic element UE included in the ultrasonic apparatus of the present embodiment. The ultrasonic element UE of the present embodiment includes a vibration film (membrane, support member) MB and a piezoelectric element unit. The piezoelectric element portion includes a lower electrode (first electrode layer) EL1, a piezoelectric film (piezoelectric layer) PE, and an upper electrode (second electrode layer) EL2. Note that the ultrasonic element UE of the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 1, and various components such as omitting some of the components, replacing them with other components, and adding other components. Variations are possible.
図１（Ａ）は、基板（シリコン基板）ＳＵＢに形成された超音波素子ＵＥの、素子形成面側の基板に垂直な方向から見た平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’に沿った断面を示す断面図である。 FIG. 1A is a plan view of an ultrasonic element UE formed on a substrate (silicon substrate) SUB, as viewed from a direction perpendicular to the substrate on the element formation surface side. FIG. 1B is a cross-sectional view showing a cross section along A-A ′ of FIG.
第１電極層ＥＬ１は、振動膜ＭＢの上層に例えば金属薄膜で形成される。この第１電極層ＥＬ１は、図１（Ａ）に示すように素子形成領域の外側へ延長され、隣接する超音波素子ＵＥに接続される配線であってもよい。 The first electrode layer EL1 is formed of, for example, a metal thin film on the vibration film MB. As shown in FIG. 1A, the first electrode layer EL1 may be a wiring that extends to the outside of the element formation region and is connected to the adjacent ultrasonic element UE.
圧電体膜ＰＥは、例えばＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）薄膜により形成され、第１電極層ＥＬ１の少なくとも一部を覆うように設けられる。なお、圧電体膜ＰＥの材料は、ＰＺＴに限定されるものではなく、例えばチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ、Ｌａ）ＴｉＯ３）などを用いてもよい。 The piezoelectric film PE is formed of, for example, a PZT (lead zirconate titanate) thin film, and is provided so as to cover at least a part of the first electrode layer EL1. The material of the piezoelectric film PE is not limited to PZT. For example, lead titanate (PbTiO 3 ), lead zirconate (PbZrO 3 ), lead lanthanum titanate ((Pb, La) TiO 3 ), etc. May be used.
第２電極層ＥＬ２は、例えば金属薄膜で形成され、圧電体膜ＰＥの少なくとも一部を覆うように設けられる。この第２電極層ＥＬ２は、図１（Ａ）に示すように素子形成領域の外側へ延長され、隣接する超音波素子ＵＥに接続される配線であってもよい。 The second electrode layer EL2 is formed of, for example, a metal thin film, and is provided so as to cover at least a part of the piezoelectric film PE. As shown in FIG. 1A, the second electrode layer EL2 may be a wiring that extends outside the element formation region and is connected to the adjacent ultrasonic element UE.
振動膜（メンブレン）ＭＢは、例えばＳｉＯ２薄膜とＺｒＯ２薄膜との２層構造により開口ＣＡＶを塞ぐように設けられる。この振動膜ＭＢは、圧電体膜ＰＥ及び第１、第２電極層ＥＬ１、ＥＬ２を支持すると共に、圧電体膜ＰＥの伸縮に従って振動し、超音波を発生させることができる。 The vibration film (membrane) MB is provided so as to close the opening CAV by, for example, a two-layer structure of a SiO 2 thin film and a ZrO 2 thin film. The vibration film MB supports the piezoelectric film PE and the first and second electrode layers EL1 and EL2, and can vibrate according to the expansion and contraction of the piezoelectric film PE to generate ultrasonic waves.
開口（空洞領域）ＣＡＶは、シリコン基板ＳＵＢの裏面（素子が形成されない面）側から反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等によりエッチングすることで形成される。この空洞領域ＣＡＶの開口部ＯＰより超音波が放射される。 The opening (cavity region) CAV is formed by etching by reactive ion etching (RIE) or the like from the back surface (surface on which no element is formed) side of the silicon substrate SUB. Ultrasonic waves are radiated from the opening OP of the cavity region CAV.
超音波素子ＵＥの第１の電極は、第１電極層ＥＬ１により形成され、第２の電極は、第２電極層ＥＬ２により形成される。具体的には、第１電極層ＥＬ１のうちの圧電体膜ＰＥに覆われた部分が第１の電極を形成し、第２電極層ＥＬ２のうちの圧電体膜ＰＥを覆う部分が第２の電極を形成する。即ち、圧電体膜ＰＥは、第１の電極と第２の電極に挟まれて設けられる。 The first electrode of the ultrasonic element UE is formed by the first electrode layer EL1, and the second electrode is formed by the second electrode layer EL2. Specifically, the portion of the first electrode layer EL1 covered with the piezoelectric film PE forms the first electrode, and the portion of the second electrode layer EL2 that covers the piezoelectric film PE is the second electrode. An electrode is formed. That is, the piezoelectric film PE is provided between the first electrode and the second electrode.
圧電体膜ＰＥは、第１の電極と第２の電極との間、即ち第１電極層ＥＬ１と第２電極層ＥＬ２との間に電圧が印加されることで、面内方向に伸縮する。圧電体膜ＰＥの一方の面は第１電極層ＥＬ１を介して振動膜ＭＢに接合されているが、他方の面には第２電極層ＥＬ２が形成されるものの、第２電極層ＥＬ２上には他の層が形成されない。そのため圧電体膜ＰＥの振動膜ＭＢ側が伸縮しにくく、第２電極層ＥＬ２側が伸縮し易くなる。従って、圧電体膜ＰＥに電圧を印加すると、空洞領域ＣＡＶ側に凸となる撓みが生じ、振動膜ＭＢを撓ませる。圧電体膜ＰＥに交流電圧を印加することで、振動膜ＭＢが膜厚方向に対して振動し、この振動膜ＭＢの振動により超音波が開口部ＯＰから放射される。圧電体膜ＰＥに印加される電圧は、例えば１０〜３０Ｖであり、周波数は例えば１〜１０ＭＨｚである。 The piezoelectric film PE expands and contracts in the in-plane direction when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, that is, between the first electrode layer EL1 and the second electrode layer EL2. One surface of the piezoelectric film PE is joined to the vibration film MB via the first electrode layer EL1, but the second electrode layer EL2 is formed on the other surface, but on the second electrode layer EL2. No other layers are formed. Therefore, the vibration film MB side of the piezoelectric film PE is not easily expanded and contracted, and the second electrode layer EL2 side is easily expanded and contracted. Therefore, when a voltage is applied to the piezoelectric film PE, a convex bend is generated on the cavity region CAV side, and the vibration film MB is bent. By applying an AC voltage to the piezoelectric film PE, the vibration film MB vibrates in the film thickness direction, and an ultrasonic wave is radiated from the opening OP by the vibration of the vibration film MB. The voltage applied to the piezoelectric film PE is, for example, 10 to 30 V, and the frequency is, for example, 1 to 10 MHz.
２．超音波装置
図２に、本実施形態の超音波装置２００の第１の構成例を示す。第１の構成例の超音波装置２００は、超音波素子アレイ１００、第１の配線ＣＣＬ、スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、及びスイッチ信号生成回路１１０を含む。超音波素子アレイ１００は、基板ＳＵＢ、第１の超音波素子列〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の超音波素子列ＵＥＣ１〜ＵＥＣｎ、第１〜第ｎの駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬｎ、第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬｍを含む。図２では、例としてｍ＝８、ｎ＝１２の場合を示すが、これ以外の値であってもよい。なお、本実施形態の超音波装置２００は図２の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
2. Ultrasonic Device FIG. 2 shows a first configuration example of the ultrasonic device 200 of the present embodiment. The ultrasonic device 200 of the first configuration example includes an ultrasonic element array 100, a first wiring CCL, switch circuits SW1 and SW2, and a switch signal generation circuit 110. The ultrasonic element array 100 includes a substrate SUB, first ultrasonic element array to n-th (n is an integer of 2 or more) ultrasonic element arrays UEC1 to UECn, first to nth drive electrode lines DL1 to DLn, First to m-th (m is an integer of 2 or more) common electrode lines CL1 to CLm are included. FIG. 2 shows a case where m = 8 and n = 12, as an example, but other values may be used. Note that the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment is not limited to the configuration in FIG. 2, and various components such as omitting some of the components, replacing them with other components, and adding other components. Variations are possible.
基板ＳＵＢは、図１に示したように、アレイ状に配置された複数の開口ＣＡＶを有する。 As shown in FIG. 1, the substrate SUB has a plurality of openings CAV arranged in an array.
第１〜第ｎの超音波素子列ＵＥＣ１〜ＵＥＣｎは、複数の開口の各開口ごとに、第１の方向Ｄ１に沿って配置される複数の超音波素子ＵＥをそれぞれ有する。具体的には、各超音波素子列ＵＥＣは、複数の超音波素子が第１の方向Ｄ１に沿って配置される第１の超音波素子〜第ｍの超音波素子を有する。 The first to nth ultrasonic element rows UEC1 to UECn respectively include a plurality of ultrasonic elements UE arranged along the first direction D1 for each of the plurality of openings. Specifically, each ultrasonic element row UEC includes a first ultrasonic element to an m-th ultrasonic element in which a plurality of ultrasonic elements are arranged along the first direction D1.
超音波素子ＵＥは、例えば図１（Ａ）、図２（Ｂ）に示した構成とすることができる。なお、以下の説明において、超音波素子ＵＥのアレイ内での位置を特定する場合には、例えば第４行第６列に位置する超音波素子をＵＥ４６と表記する。例えば第６の超音波素子列ＵＥＣ６は、ＵＥ１６、ＵＥ２６、・・・ＵＥ７６、ＵＥ８６の８個の超音波素子を含む。 The ultrasonic element UE can be configured as shown in FIGS. 1A and 2B, for example. In the following description, when specifying the position of the ultrasonic element UE in the array, for example, the ultrasonic element positioned in the fourth row and sixth column is denoted as UE46. For example, the sixth ultrasonic element array UEC6 includes eight ultrasonic elements UE16, UE26,... UE76, UE86.
第１〜第８（広義には第ｍ）のコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８は、超音波素子アレイ１００において第１の方向Ｄ１に交差する第２の方向Ｄ２に沿って配線される。第ｊの超音波素子列ＵＥＣｊを構成する複数の超音波素子がそれぞれ有する第２の電極は、第１〜第ｍのコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬｍのうちのいずれかに接続される。具体的には、例えば図２に示すように、第１〜第８のコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８のうちの第ｉ（ｉは１≦ｉ≦８である整数）のコモン電極線ＣＬｉは、各超音波素子列ＵＥＣの第ｉの超音波素子ＵＥが有する第２の電極に接続される。 First to eighth (mth in a broad sense) common electrode lines CL <b> 1 to CL <b> 8 are wired along a second direction D <b> 2 that intersects the first direction D <b> 1 in the ultrasonic element array 100. The second electrodes respectively included in the plurality of ultrasonic elements constituting the jth ultrasonic element array UECj are connected to any one of the first to mth common electrode lines CL1 to CLm. Specifically, for example, as shown in FIG. 2, the i-th common electrode line CLi (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ 8) among the first to eighth common electrode lines CL1 to CL8 is The i-th ultrasonic element UE of the ultrasonic element row UEC is connected to the second electrode.
第１〜第１２（広義には第ｎ）の駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２は、超音波素子アレイ１００において第１の方向Ｄ１に沿って配線される。第１〜第１２の駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２のうちの第ｊ（ｊは１≦ｊ≦１２である整数）の駆動電極線ＤＬｊは、第ｊの超音波素子列ＵＥＣｊを構成する複数の超音波素子がそれぞれ有する第１の電極に接続される。 The first to twelfth (nth in a broad sense) drive electrode lines DL <b> 1 to DL <b> 12 are wired along the first direction D <b> 1 in the ultrasonic element array 100. Among the first to twelfth drive electrode lines DL1 to DL12, the j-th drive electrode line DLj (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ 12) is a plurality of superstructures constituting the jth ultrasonic element array UECj. Each of the acoustic wave elements is connected to a first electrode.
具体的には、例えば図２に示す超音波素子ＵＥ１１については、第１の電極が第１の駆動電極線ＤＬ１に接続され、第２の電極が第１のコモン電極線ＣＬ１に接続される。また、例えば図２に示す超音波素子ＵＥ４６については、第１の電極が第６の駆動電極線ＤＬ６に接続され、第２の電極が第４のコモン電極ＣＬ４に接続される。 Specifically, for example, for the ultrasonic element UE11 shown in FIG. 2, the first electrode is connected to the first drive electrode line DL1, and the second electrode is connected to the first common electrode line CL1. For example, for the ultrasonic element UE46 shown in FIG. 2, the first electrode is connected to the sixth drive electrode line DL6, and the second electrode is connected to the fourth common electrode CL4.
超音波素子ＵＥの配置は、図２に示すｍ行ｎ列のマトリックス配置に限定されない。例えば奇数番目の超音波素子列にｍ個の超音波素子が配置され、偶数番目の超音波素子列にｍ−１個の超音波素子が配置される、いわゆる千鳥配置であってもよい。 The arrangement of the ultrasonic elements UE is not limited to the m-row / n-column matrix arrangement shown in FIG. For example, a so-called staggered arrangement in which m ultrasonic elements are arranged in an odd-numbered ultrasonic element array and m−1 ultrasonic elements are arranged in an even-numbered ultrasonic element array may be employed.
第１の配線ＣＣＬは、第１〜第８のコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８に共通接続され、第１の方向Ｄ１に沿って配線される。なお、以下の説明では、第１の配線ＣＣＬを共通コモン電極線ともよぶ。 The first wiring CCL is commonly connected to the first to eighth common electrode lines CL1 to CL8 and wired along the first direction D1. In the following description, the first wiring CCL is also referred to as a common common electrode line.
第１のスイッチ回路ＳＷ１は、共通コモン電極線（第１の配線）ＣＣＬの一端に接続され、オン状態である場合には、共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、オフ状態である場合には、共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを非供給にする。例えば図２では、スイッチ回路ＳＷ１は共通コモン電極線ＣＣＬの一端（ＣＬ１に近い方の端）に接続され、オン状態時に共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを供給する。 When the first switch circuit SW1 is connected to one end of the common common electrode line (first wiring) CCL and is in an on state, the first switch circuit SW1 supplies the common voltage VCOM to the common common electrode line CCL and is in an off state. In this case, the common voltage VCOM is not supplied to the common common electrode line CCL. For example, in FIG. 2, the switch circuit SW1 is connected to one end (the end closer to CL1) of the common common electrode line CCL, and supplies the common voltage VCOM to the common common electrode line CCL in the on state.
また第２のスイッチ回路ＳＷ２は、共通コモン電極線ＣＣＬの他端に接続され、オン状態である場合には、共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、オフ状態である場合には、共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを非供給にする。例えば図２では、第２のスイッチ回路ＳＷ２は共通コモン電極線ＣＣＬの他端（ＣＬ８に近い方の端）に接続され、オン状態時に共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを供給する。 The second switch circuit SW2 is connected to the other end of the common common electrode line CCL and supplies the common voltage VCOM to the common common electrode line CCL when the second switch circuit SW2 is in the on state. The common voltage VCOM is not supplied to the common common electrode line CCL. For example, in FIG. 2, the second switch circuit SW2 is connected to the other end (the end closer to CL8) of the common common electrode line CCL, and supplies the common voltage VCOM to the common common electrode line CCL in the on state.
図２に示す構成例では、第１、第２のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２が超音波装置２００に含まれているが、超音波装置２００と分離して設けてもよい。例えば、後述する図１０の超音波ヘッドユニット２２０、或いは超音波プローブ３００に設けてもよい。 In the configuration example illustrated in FIG. 2, the first and second switch circuits SW <b> 1 and SW <b> 2 are included in the ultrasonic device 200, but may be provided separately from the ultrasonic device 200. For example, you may provide in the ultrasonic head unit 220 of FIG.
スイッチ信号生成回路１１０は、第１のスイッチ回路ＳＷ１及び第２のスイッチ回路ＳＷ２のオン・オフを制御する。具体的には、スイッチ信号生成回路１１０は、第１の状態では、第１のスイッチ回路ＳＷ１をオン状態にして第２のスイッチ回路ＳＷ２をオフ状態にし、第２の状態では、第１のスイッチ回路ＳＷ１をオフ状態にして第２のスイッチ回路ＳＷ２をオン状態にする。さらに第３の状態では、第１のスイッチ回路ＳＷ１及び第２のスイッチ回路ＳＷ２の両方をオン状態にする。スイッチ信号生成回路１１０は、例えばＣＭＯＳロジック回路などにより実現することができる。 The switch signal generation circuit 110 controls on / off of the first switch circuit SW1 and the second switch circuit SW2. Specifically, the switch signal generation circuit 110 turns on the first switch circuit SW1 and turns off the second switch circuit SW2 in the first state, and turns off the first switch circuit SW2 in the second state. The circuit SW1 is turned off and the second switch circuit SW2 is turned on. Further, in the third state, both the first switch circuit SW1 and the second switch circuit SW2 are turned on. The switch signal generation circuit 110 can be realized by a CMOS logic circuit, for example.
コモン電圧ＶＣＯＭは、一定の直流電圧であって、必ずしも接地電位（グランド電位、０Ｖ）である必要はない。 The common voltage VCOM is a constant DC voltage, and is not necessarily a ground potential (ground potential, 0 V).
図２に示す構成例では、スイッチ信号生成回路１１０が超音波装置２００に含まれているが、超音波装置２００と分離して設けてもよい。例えば、後述する図１０の超音波ヘッドユニット２２０、或いは超音波プローブ３００に設けてもよい。 In the configuration example illustrated in FIG. 2, the switch signal generation circuit 110 is included in the ultrasonic device 200, but may be provided separately from the ultrasonic device 200. For example, you may provide in the ultrasonic head unit 220 of FIG.
駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２には、図示していない駆動回路により、所定の周波数で電圧が変化する駆動信号がそれぞれ供給される。駆動信号電圧とコモン電圧ＶＣＯＭとの差の電圧が各超音波素子ＵＥに印加され、所定の周波数の超音波が放射される。例えば、図２の超音波素子ＵＥ１１には、駆動電極線ＤＬ１に供給される駆動信号電圧Ｖ（ＤＬ１）とコモン電圧ＶＣＯＭとの差Ｖ（ＤＬ１）−ＶＣＯＭが印加される。同様に、超音波素子ＵＥ４６には、駆動電極線ＤＬ６に供給される駆動信号電圧Ｖ（ＤＬ６）とコモン電圧ＶＣＯＭとの差Ｖ（ＤＬ６）−ＶＣＯＭが印加される。 A drive signal whose voltage changes at a predetermined frequency is supplied to the drive electrode lines DL1 to DL12 by a drive circuit (not shown). A difference voltage between the drive signal voltage and the common voltage VCOM is applied to each ultrasonic element UE, and ultrasonic waves having a predetermined frequency are emitted. For example, the difference V (DL1) −VCOM between the drive signal voltage V (DL1) supplied to the drive electrode line DL1 and the common voltage VCOM is applied to the ultrasonic element UE11 in FIG. Similarly, the difference V (DL6) −VCOM between the drive signal voltage V (DL6) supplied to the drive electrode line DL6 and the common voltage VCOM is applied to the ultrasonic element UE46.
駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２に供給される１２の駆動信号の位相が一致している場合には、各超音波素子からそれぞれ放射される超音波が合成されて、超音波素子アレイ１００に垂直な方向（アレイ面の法線方向）に放射される超音波が形成される。一方、駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２に供給される１２の駆動信号が互いに位相差をもつ場合には、合成された超音波は位相差に応じてアレイ面の法線方向からずれた方向に放射される。この現象を利用すれば、各駆動信号の位相差を変化させることで超音波の放射方向を変化させることができる。各駆動信号の位相差を制御することで、超音波の放射方向（ビーム方向）を走査することを「位相走査」と呼ぶ。 When the phases of the twelve drive signals supplied to the drive electrode lines DL <b> 1 to DL <b> 12 coincide with each other, the ultrasonic waves radiated from the respective ultrasonic elements are combined and are perpendicular to the ultrasonic element array 100. Ultrasonic waves radiated in the (normal direction of the array surface) are formed. On the other hand, when the twelve drive signals supplied to the drive electrode lines DL1 to DL12 have a phase difference with each other, the synthesized ultrasonic wave is radiated in a direction shifted from the normal direction of the array surface according to the phase difference. The If this phenomenon is used, the radiation direction of the ultrasonic wave can be changed by changing the phase difference of each drive signal. Scanning the radiation direction (beam direction) of ultrasonic waves by controlling the phase difference of each drive signal is called “phase scanning”.
図３は、位相走査を説明する図である。簡単にするために、図３では４個の超音波素子ＵＥ１〜ＵＥ４について説明する。ＵＥ１〜ＵＥ４は、等間隔ｄで配置されている。そして供給される駆動信号の位相はＵＥ１が最も早く、ＵＥ２、ＵＥ３、ＵＥ４の順に所定の位相差だけ位相が遅くなる。即ち、駆動信号は、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３、ＵＥ４の順に所定の時間差を伴って供給される。 FIG. 3 is a diagram for explaining phase scanning. For simplicity, FIG. 3 illustrates four ultrasonic elements UE1 to UE4. UE1 to UE4 are arranged at equal intervals d. The phase of the supplied drive signal is the earliest in UE1, and the phase is delayed by a predetermined phase difference in the order of UE2, UE3, and UE4. That is, the drive signal is supplied with a predetermined time difference in the order of UE1, UE2, UE3, and UE4.
図３には、各超音波素子ＵＥ１〜ＵＥ４から放射された超音波の或る時刻における波面Ｗ１〜Ｗ４を示す。各超音波素子から放射された超音波は合成されて、合成された超音波の波面ＷＴを形成する。この波面ＷＴの放線方向ＤＴが合成された超音波の放射方向（ビーム方向）となる。ビーム方向ＤＴとアレイ面の法線方向との成す角度θｓは、
ｓｉｎθｓ＝ｃ×Δｔ／ｄ （１）
で与えられる。ここでｃは音速、Δｔは駆動信号の時間差、ｄは素子間隔である。
FIG. 3 shows wavefronts W1 to W4 of ultrasonic waves emitted from the ultrasonic elements UE1 to UE4 at a certain time. The ultrasonic waves radiated from the respective ultrasonic elements are combined to form a wavefront WT of the combined ultrasonic wave. The ray direction DT of the wavefront WT becomes the synthesized ultrasonic radiation direction (beam direction). The angle θs formed by the beam direction DT and the normal direction of the array surface is
sin θs = c × Δt / d (1)
Given in. Here, c is the speed of sound, Δt is the time difference of the drive signals, and d is the element spacing.
このように位相走査、即ち各超音波素子に供給する駆動信号の位相差（時間差）を変化させることで、ビーム方向を変化させることができる。具体的には、例えば図２に示す構成例では、駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２のそれぞれに供給する駆動信号の位相差（時間差）を変化させることで、ビーム方向を第２の方向Ｄ２に沿って走査（スキャン）させることができる。即ち、第２の方向Ｄ２は位相走査のスキャン方向であり、第１の方向Ｄ１はスライス方向である。 Thus, the beam direction can be changed by changing the phase difference (time difference) of the drive signals supplied to each ultrasonic element, that is, phase scanning. Specifically, for example, in the configuration example shown in FIG. 2, the beam direction is changed along the second direction D2 by changing the phase difference (time difference) of the drive signals supplied to the drive electrode lines DL1 to DL12. It can be scanned. That is, the second direction D2 is the scan direction of the phase scanning, and the first direction D1 is the slice direction.
次に、共通コモン電極線ＣＣＬの一端及び他端に接続されるスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２の効果について説明する。 Next, effects of the switch circuits SW1 and SW2 connected to one end and the other end of the common common electrode line CCL will be described.
図４に、共通コモン電極線ＣＣＬ及び超音波素子アレイ１００の等価回路の一例を示す。共通コモン電極線ＣＣＬの一端のノードをＮＡ、他端のノードをＮＢとする。 FIG. 4 shows an example of an equivalent circuit of the common common electrode line CCL and the ultrasonic element array 100. The node at one end of the common common electrode line CCL is denoted by NA, and the node at the other end is denoted by NB.
図４に示すように、共通コモン電極線ＣＣＬは配線抵抗ＲＥ１、ＲＥ２、Ｒ１〜Ｒ７を含む。ＲＥ１は一端のノードＮＡとコモン電極線ＣＬ１の接続ノードとの間の配線抵抗を示し、ＲＥ２は他端のノードＮＢとコモン電極線ＣＬ８との間の配線抵抗を示す。Ｒ１〜Ｒ７はコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８との各接続ノード間の配線抵抗を示す。また、各超音波素子ＵＥは電気的にはキャパシターＣＥとみなすことができる。 As shown in FIG. 4, the common common electrode line CCL includes wiring resistances RE1, RE2, and R1 to R7. RE1 indicates a wiring resistance between the node NA at one end and the connection node of the common electrode line CL1, and RE2 indicates a wiring resistance between the node NB at the other end and the common electrode line CL8. R1 to R7 indicate wiring resistances between the connection nodes with the common electrode lines CL1 to CL8. Each ultrasonic element UE can be electrically regarded as a capacitor CE.
供給されるコモン電圧ＶＣＯＭは一定の電圧に保持されているから、直流的にはコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧は同一の電圧ＶＣＯＭに保持されている。しかし駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬ１２に供給される駆動信号は交流成分を含むから、その電圧変動が超音波素子ＵＥのキャパシターＣＥを介してコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧を一時的に変動させる。ノードＮＡ（又はノードＮＢ）からそのコモン電極線との接続ノードまでの配線抵抗値が大きいほど、コモン電極線の電圧変動は大きくなる。 Since the supplied common voltage VCOM is held at a constant voltage, the voltages of the common electrode lines CL1 to CL8 are held at the same voltage VCOM in terms of DC. However, since the drive signal supplied to the drive electrode lines DL1 to DL12 includes an AC component, the voltage change temporarily changes the voltages of the common electrode lines CL1 to CL8 via the capacitor CE of the ultrasonic element UE. As the wiring resistance value from the node NA (or the node NB) to the connection node with the common electrode line increases, the voltage variation of the common electrode line increases.
例えば、ＳＷ１がオン状態、ＳＷ２がオフ状態である場合には、ノードＮＡにコモン電圧ＶＣＯＭが供給され、ノードＮＢにはコモン電圧ＶＣＯＭが供給されないから、ＣＬ１の電圧変動よりもＣＬ８の電圧変動の方が大きくなる。具体的には、例えば駆動電極線ＤＬ１の電圧が上昇することで、ＤＬ１に接続されるキャパシターＣＥ（超音波素子ＵＥ）を介してコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧も一時的に上昇するが、その変動量はＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に大きくなる。同様にＤＬ１の電圧が降下する時には、ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧も一時的に降下するが、その変動量はＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に大きくなる。 For example, when SW1 is on and SW2 is off, the common voltage VCOM is supplied to the node NA and the common voltage VCOM is not supplied to the node NB. Will be bigger. Specifically, for example, when the voltage of the drive electrode line DL1 increases, the voltages of the common electrode lines CL1 to CL8 also temporarily increase via the capacitor CE (ultrasonic element UE) connected to DL1. The amount of variation gradually increases from CL1 to CL8. Similarly, when the voltage of DL1 drops, the voltages of CL1 to CL8 also temporarily drop, but the fluctuation amount gradually increases from CL1 to CL8.
超音波素子に印加される電圧は、駆動信号電圧とコモン電極線電圧との差であるから、ＤＬ１に接続された８個の超音波素子のうち、ＣＬ１に接続されたＵＥ１１に印加される電圧が最も大きく、ＣＬ８に接続された超音波素子ＵＥ８１に印加される電圧が最も小さくなる。超音波素子ＵＥに印加される電圧が大きいほど、放射される超音波の強度が大きくなるから、ＵＥ１１から放射される超音波強度が最も大きく、ＵＥ８１に向かって超音波強度が徐々に小さくなる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ１側にシフトすることになる。 Since the voltage applied to the ultrasonic element is the difference between the drive signal voltage and the common electrode line voltage, of the eight ultrasonic elements connected to DL1, the voltage applied to UE11 connected to CL1 Is the largest, and the voltage applied to the ultrasonic element UE81 connected to CL8 is the smallest. As the voltage applied to the ultrasonic element UE increases, the intensity of the emitted ultrasonic wave increases, so that the ultrasonic intensity emitted from the UE 11 is the highest and the ultrasonic intensity gradually decreases toward the UE 81. As a result, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL1 side.
上記とは反対に、ＳＷ１がオフ状態、ＳＷ２がオン状態である場合には、ノードＮＢにコモン電圧ＶＣＯＭが供給され、ノードＮＡにはコモン電圧ＶＣＯＭが供給されないから、ＵＥ１１から放射される超音波強度が最も小さく、ＵＥ８１に向かって超音波強度が徐々に大きくなる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対するビームのピークは中心からＣＬ８側にシフトすることになる。 On the contrary, when SW1 is in the off state and SW2 is in the on state, the common voltage VCOM is supplied to the node NB and the common voltage VCOM is not supplied to the node NA. The intensity is the smallest, and the ultrasonic intensity gradually increases toward the UE 81. As a result, the peak of the beam with respect to the slice direction D1 of the synthesized ultrasonic wave is shifted from the center to the CL8 side.
また、ＳＷ１、ＳＷ２が共にオン状態である場合には、ノードＮＡとノードＮＢの両方にコモン電圧ＶＣＯＭが供給されるから、コモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧変動量はＣＬ１側とＣＬ８側で対称となるから、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対するビームのピークは中心に位置する。 Further, when both SW1 and SW2 are in the on state, the common voltage VCOM is supplied to both the node NA and the node NB, and therefore the voltage fluctuation amount of the common electrode lines CL1 to CL8 is symmetric between the CL1 side and the CL8 side. Therefore, the peak of the beam with respect to the slice direction D1 of the synthesized ultrasonic wave is located at the center.
このように本実施形態の超音波装置２００の第１の構成例（図２）によれば、スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２をオン状態又はオフ状態にすることで、スライス方向Ｄ１に対するビームのピーク位置を中心、或いは中心からＣＬ１側又はＣＬ８側へシフトした位置に設定することができる。こうすることで、超音波ビームのピーク位置をスライス方向に関して可変に設定することができるから、超音波ビームのスライス面を可変に設定することができる。 As described above, according to the first configuration example (FIG. 2) of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment, the peak position of the beam with respect to the slice direction D1 is set by turning the switch circuits SW1 and SW2 on or off. It can be set at the center or a position shifted from the center to the CL1 side or the CL8 side. By doing so, the peak position of the ultrasonic beam can be set variably with respect to the slice direction, so that the slice plane of the ultrasonic beam can be set variably.
図５に、本実施形態の超音波装置２００の第２の構成例を示す。第２の構成例の超音波装置２００は、超音波素子アレイ１００、第１の配線ＣＣＬ、スイッチ回路ＳＷ１、抵抗素子ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＢ及びスイッチ信号生成回路１１０を含む。図５では、例としてｍ＝８、ｎ＝１２の場合を示すが、これ以外の値であってもよい。なお、本実施形態の超音波装置２００は図５の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。 FIG. 5 shows a second configuration example of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment. The ultrasonic apparatus 200 of the second configuration example includes an ultrasonic element array 100, a first wiring CCL, a switch circuit SW1, resistance elements RA1, RA2, RA3, RB, and a switch signal generation circuit 110. FIG. 5 shows an example where m = 8 and n = 12, but other values may be used. Note that the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 5, and various components such as omitting some of the components, replacing them with other components, and adding other components. Variations are possible.
超音波素子アレイ１００及び第１の配線（共通コモン電極線）ＣＣＬは、第１の構成例（図２）と同じであるから、ここでは詳細な説明を省略する。 Since the ultrasonic element array 100 and the first wiring (common common electrode line) CCL are the same as those in the first configuration example (FIG. 2), detailed description thereof is omitted here.
第２の構成例では、スイッチ回路ＳＷ１は複数のスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を含み、それぞれが異なる抵抗値を有する複数の抵抗素子ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３と直列に接続される。スイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれオンすることで、抵抗素子ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３を介してコモン電圧ＶＣＯＭが共通コモン電極線ＣＣＬの一端のノードＮＡにそれぞれ供給される。 In the second configuration example, the switch circuit SW1 includes a plurality of switch elements S1, S2, and S3, and is connected in series with a plurality of resistance elements RA1, RA2, and RA3 each having a different resistance value. By turning on the switch elements S1, S2, and S3, the common voltage VCOM is supplied to the node NA at one end of the common common electrode line CCL via the resistance elements RA1, RA2, and RA3.
抵抗素子ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３は、互いに抵抗値が異なり、各抵抗素子の一端はスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３にそれぞれ接続され、他端は共通コモン電極線ＣＣＬの一端のノードＮＡに共通接続される。抵抗素子ＲＢは、一端がコモン電圧ノードＶＣＯＭに、他端が共通コモン電極線ＣＣＬの他端のノードＮＢに接続される。 The resistance elements RA1, RA2, and RA3 have different resistance values. One end of each resistance element is connected to the switch elements S1, S2, and S3, and the other end is commonly connected to a node NA at one end of the common common electrode line CCL. The The resistance element RB has one end connected to the common voltage node VCOM and the other end connected to the node NB at the other end of the common common electrode line CCL.
スイッチ信号生成回路１１０は、スイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のオン・オフを制御する。図示していないが、スイッチ信号生成回路１１０からスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３へオン・オフ制御のための制御信号が出力される。 The switch signal generation circuit 110 controls on / off of the switch elements S1, S2, and S3. Although not shown, a control signal for on / off control is output from the switch signal generation circuit 110 to the switch elements S1, S2, and S3.
例えば各抵抗素子の抵抗値が、ＲＡ１＜ＲＡ２＜ＲＡ３、ＲＢ＝ＲＡ２である場合について、第２の構成例の動作を説明する。 For example, the operation of the second configuration example will be described in the case where the resistance value of each resistance element is RA1 <RA2 <RA3 and RB = RA2.
Ｓ２がオンであり、Ｓ１、Ｓ３がオフである場合には、ノードＮＡとノードＮＢには同じ抵抗値の抵抗素子を介してコモン電圧ＶＣＯＭが供給される。従って、上述したようにコモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧変動量はＣＬ１側とＣＬ８側で対称となるから、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対するビームのピークは中心に位置する。 When S2 is on and S1 and S3 are off, the common voltage VCOM is supplied to the node NA and the node NB via resistance elements having the same resistance value. Therefore, as described above, the voltage fluctuation amount of the common electrode lines CL1 to CL8 is symmetric between the CL1 side and the CL8 side, and thus the peak of the beam with respect to the slice direction D1 of the synthesized ultrasonic wave is located at the center.
Ｓ１がオンであり、Ｓ２、Ｓ３がオフである場合には、ノードＮＢにはノードＮＡよりも高い抵抗値の抵抗素子を介してＶＣＯＭが供給される。従って、コモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧変動量はＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に大きくなる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ１側にシフトする。 When S1 is on and S2 and S3 are off, VCOM is supplied to the node NB via a resistance element having a resistance value higher than that of the node NA. Accordingly, the voltage fluctuation amount of the common electrode lines CL1 to CL8 gradually increases from CL1 to CL8. As a result, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL1 side.
反対に、Ｓ３がオンであり、Ｓ１、Ｓ２がオフである場合には、ノードＮＡにはノードＮＢよりも高い抵抗値の抵抗素子を介してＶＣＯＭが供給される。従って、コモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧変動量はＣＬ８からＣＬ１に向かって徐々に大きくなる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ８側にシフトする。 Conversely, when S3 is on and S1 and S2 are off, VCOM is supplied to the node NA via a resistance element having a resistance value higher than that of the node NB. Accordingly, the voltage fluctuation amount of the common electrode lines CL1 to CL8 gradually increases from CL8 toward CL1. As a result, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL8 side.
このように本実施形態の超音波装置２００の第２の構成例によれば、スイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をオン・オフすることで、スライス方向Ｄ１に対するビームのピーク位置を中心、或いは中心からＣＬ１側又はＣＬ８側にシフトした位置に設定することができる。 As described above, according to the second configuration example of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment, the switch elements S1, S2, and S3 are turned on and off, so that the peak position of the beam with respect to the slice direction D1 is at the center or from the center. The position can be set shifted to the CL1 side or the CL8 side.
なお、図５の構成例では、第１のスイッチ回路ＳＷ１が複数のスイッチ素子を含むが、第２のスイッチ素子ＳＷ２が複数のスイッチ素子を含む構成にしてもよい。 In the configuration example of FIG. 5, the first switch circuit SW1 includes a plurality of switch elements, but the second switch element SW2 may include a plurality of switch elements.
図６に、本実施形態の超音波装置２００の第３の構成例を示す。第３の構成例の超音波装置２００は、超音波素子アレイ１００、第１の配線ＣＣＬ、スイッチ回路ＳＷ１及びスイッチ信号生成回路１１０を含む。図６では、例としてｍ＝８、ｎ＝１２の場合を示すが、これ以外の値であってもよい。なお、本実施形態の超音波装置２００は図６の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。 FIG. 6 shows a third configuration example of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment. The ultrasonic device 200 of the third configuration example includes an ultrasonic element array 100, a first wiring CCL, a switch circuit SW1, and a switch signal generation circuit 110. FIG. 6 shows a case where m = 8 and n = 12, as an example, but other values may be used. Note that the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 6, and various components such as omitting some of the components, replacing them with other components, and adding other components. Variations are possible.
超音波素子アレイ１００及び第１の配線（共通コモン電極線）ＣＣＬは、第１の構成例（図２）と同じであるから、ここでは詳細な説明を省略する。 Since the ultrasonic element array 100 and the first wiring (common common electrode line) CCL are the same as those in the first configuration example (FIG. 2), detailed description thereof is omitted here.
第３の構成例では、スイッチ回路ＳＷ１は複数のスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を含み、電圧の異なるコモン電圧ＶＣＯＭ１、ＶＣＯＭ２、ＶＣＯＭ３をそれぞれ供給する。スイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれオンすることで、コモン電圧ＶＣＯＭ１、ＶＣＯＭ２、ＶＣＯＭ３が共通コモン電極線ＣＣＬの一端のノードＮＡに供給される。 In the third configuration example, the switch circuit SW1 includes a plurality of switch elements S1, S2, and S3, and supplies common voltages VCOM1, VCOM2, and VCOM3 having different voltages, respectively. By turning on the switch elements S1, S2, and S3, the common voltages VCOM1, VCOM2, and VCOM3 are supplied to the node NA at one end of the common common electrode line CCL.
スイッチ信号生成回路１１０は、スイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３のオン・オフを制御する。図示していないが、スイッチ信号生成回路１１０からスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３へオン・オフ制御のための制御信号が出力される。 The switch signal generation circuit 110 controls on / off of the switch elements S1, S2, and S3. Although not shown, a control signal for on / off control is output from the switch signal generation circuit 110 to the switch elements S1, S2, and S3.
コモン電圧ＶＣＯＭ１、ＶＣＯＭ２、ＶＣＯＭ３の電圧値が、ＶＣＯＭ１＜ＶＣＯＭ２＜ＶＣＯＭ３である場合について、第３の構成例の動作を説明する。 An operation of the third configuration example will be described in the case where the voltage values of the common voltages VCOM1, VCOM2, and VCOM3 are VCOM1 <VCOM2 <VCOM3.
Ｓ１がオンであり、Ｓ２、Ｓ３がオフである場合には、ノードＮＡにはＶＣＯＭ１が供給され、ノードＮＢにはＶＣＯＭ１より高い電圧ＶＣＯＭ２が供給される。従って、ＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に電圧が高くなる電圧勾配が生じる。超音波素子ＵＥに印加される電圧は駆動信号電圧とコモン電極線電圧との差であるから、ＣＬ８側よりもＣＬ１側の方が超音波素子ＵＥに印加される電圧が大きくなる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ１側にシフトする。 When S1 is on and S2 and S3 are off, VCOM1 is supplied to the node NA, and a voltage VCOM2 higher than VCOM1 is supplied to the node NB. Therefore, a voltage gradient is generated in which the voltage gradually increases from CL1 to CL8. Since the voltage applied to the ultrasonic element UE is the difference between the drive signal voltage and the common electrode line voltage, the voltage applied to the ultrasonic element UE is larger on the CL1 side than on the CL8 side. As a result, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL1 side.
一方、Ｓ３がオンであり、Ｓ１、Ｓ２がオフである場合には、ノードＮＡにはＶＣＯＭ３が供給され、ノードＮＢにはＶＣＯＭ１より低い電圧ＶＣＯＭ２が供給される。従って、ＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に電圧が低くなる電圧勾配が生じて、ＣＬ１側よりもＣＬ８側の方が超音波素子ＵＥに印加される電圧が大きくなる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ８側にシフトする。 On the other hand, when S3 is on and S1 and S2 are off, VCOM3 is supplied to the node NA, and a voltage VCOM2 lower than VCOM1 is supplied to the node NB. Therefore, a voltage gradient is generated in which the voltage gradually decreases from CL1 to CL8, and the voltage applied to the ultrasonic element UE on the CL8 side becomes larger than the CL1 side. As a result, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL8 side.
またＳ２がオンであり、Ｓ１、Ｓ３がオフである場合には、ノードＮＡとノードＮＢには同じ電圧のコモン電圧ＶＣＯＭ２が供給される。コモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧はＣＬ１側とＣＬ８側とで同一であるから、超音波素子ＵＥに印加される電圧もＣＬ１側とＣＬ８側とで同一になる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対するビームのピークは中心に位置する。 When S2 is on and S1 and S3 are off, the common voltage VCOM2 having the same voltage is supplied to the node NA and the node NB. Since the voltages of the common electrode lines CL1 to CL8 are the same on the CL1 side and the CL8 side, the voltage applied to the ultrasonic element UE is also the same on the CL1 side and the CL8 side. As a result, the peak of the beam with respect to the slice direction D1 of the synthesized ultrasonic wave is located at the center.
このように本実施形態の超音波装置２００の第３の構成例によれば、スイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をオン・オフすることで、スライス方向Ｄ１に対するビームのピーク位置を中心、或いは中心からＣＬ１側又はＣＬ８側にシフトした位置に設定することができる。 As described above, according to the third configuration example of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment, the switch elements S1, S2, and S3 are turned on and off, so that the peak position of the beam with respect to the slice direction D1 is at the center or from the center. The position can be set shifted to the CL1 side or the CL8 side.
なお、図６の構成例では、第１のスイッチ回路ＳＷ１が複数のスイッチ素子を含むが、第２のスイッチ素子ＳＷ２が複数のスイッチ素子を含む構成にしてもよい。 In the configuration example of FIG. 6, the first switch circuit SW1 includes a plurality of switch elements, but the second switch element SW2 may include a plurality of switch elements.
図７に、本実施形態の超音波装置２００の第４の構成例を示す。第４の構成例の超音波装置２００は、超音波素子アレイ１００、第１の配線ＣＣＬ及びコモン電圧供給回路１２０を含む。図７では、例としてｍ＝８、ｎ＝１２の場合を示すが、これ以外の値であってもよい。なお、本実施形態の超音波装置２００は図７の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。 FIG. 7 shows a fourth configuration example of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment. The ultrasonic device 200 of the fourth configuration example includes an ultrasonic element array 100, a first wiring CCL, and a common voltage supply circuit 120. FIG. 7 shows a case where m = 8 and n = 12, as an example, but other values may be used. Note that the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 7, and various components such as omitting some of the components, replacing them with other components, and adding other components. Variations are possible.
超音波素子アレイ１００及び第１の配線（共通コモン電極線）ＣＣＬは、第１の構成例（図２）と同じであるから、ここでは詳細な説明を省略する。 Since the ultrasonic element array 100 and the first wiring (common common electrode line) CCL are the same as those in the first configuration example (FIG. 2), detailed description thereof is omitted here.
第４の構成例では、共通コモン電極線ＣＣＬにコモン電圧ＶＣＯＭを供給するコモン電圧供給回路１２０を含む。コモン電圧供給回路１２０は、共通コモン電極線ＣＣＬの両端（ノードＮＡ及びノードＮＢ）にコモン電圧ＶＣＯＭを供給する、或いは一端にコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、他端にコモン電圧ＶＣＯＭを非供給にすることができる。また、コモン電圧供給回路１２０は、共通コモン電極線ＣＣＬの一端（ノードＮＡ）と他端（ノードＮＢ）とにそれぞれ異なる電圧のコモン電圧ＶＣＯＭ１、ＶＣＯＭ２を供給することもできる。 The fourth configuration example includes a common voltage supply circuit 120 that supplies a common voltage VCOM to the common common electrode line CCL. The common voltage supply circuit 120 supplies the common voltage VCOM to both ends (node NA and node NB) of the common common electrode line CCL, or supplies the common voltage VCOM to one end and does not supply the common voltage VCOM to the other end. be able to. The common voltage supply circuit 120 can also supply common voltages VCOM1 and VCOM2 having different voltages to one end (node NA) and the other end (node NB) of the common common electrode line CCL.
ノードＮＡとノードＮＢに共に同じ電圧のコモン電圧ＶＣＯＭを供給する場合には、コモン電極線ＣＬ１〜ＣＬ８の電圧はＣＬ１側とＣＬ８側とで同一であるから、超音波素子ＵＥに印加される電圧もＣＬ１側とＣＬ８側とで同一になる。その結果、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対するビームのピークは中心に位置する。 When the common voltage VCOM having the same voltage is supplied to both the node NA and the node NB, the voltages of the common electrode lines CL1 to CL8 are the same on the CL1 side and the CL8 side, and thus the voltage applied to the ultrasonic element UE. Is the same on the CL1 side and the CL8 side. As a result, the peak of the beam with respect to the slice direction D1 of the synthesized ultrasonic wave is located at the center.
ノードＮＡにコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、ノードＮＢにはコモン電圧ＶＣＯＭを供給しない場合には、上述した第１の構成例においてＳＷ１をオン、ＳＷ２をオフに設定する場合と同様になる。従って、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ１側にシフトする。 The case where the common voltage VCOM is supplied to the node NA and the common voltage VCOM is not supplied to the node NB is the same as the case where SW1 is turned on and SW2 is turned off in the first configuration example described above. Therefore, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL1 side.
一方、ノードＮＢにコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、ノードＮＡにはコモン電圧ＶＣＯＭを供給しない場合には、上述した第１の構成例においてＳＷ１をオフ、ＳＷ２をオンに設定する場合と同様になる。従って、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対するビームのピークは中心からＣＬ８側にシフトする。 On the other hand, when the common voltage VCOM is supplied to the node NB and the common voltage VCOM is not supplied to the node NA, it is the same as the case where SW1 is turned off and SW2 is turned on in the first configuration example described above. Accordingly, the peak of the beam with respect to the slice direction D1 of the synthesized ultrasonic wave is shifted from the center to the CL8 side.
また、ノードＮＡにＶＣＯＭ１を供給し、ノードＮＢにＶＣＯＭ１より高い電圧ＶＣＯＭ２を供給する場合には、ＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に電圧が高くなる電圧勾配が生じる。その結果、第３の構成例で説明したように、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ１側にシフトする。 In addition, when VCOM1 is supplied to the node NA and a voltage VCOM2 higher than VCOM1 is supplied to the node NB, a voltage gradient is generated in which the voltage gradually increases from CL1 to CL8. As a result, as described in the third configuration example, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL1 side.
一方、ノードＮＡにＶＣＯＭ１を供給し、ノードＮＢにＶＣＯＭ１より低い電圧ＶＣＯＭ２を供給する場合には、ＣＬ１からＣＬ８に向かって徐々に電圧が低くなる電圧勾配が生じる。その結果、第３の構成例で説明したように、合成された超音波のスライス方向Ｄ１に対する強度のピーク（ビームのピーク）は中心からＣＬ８側にシフトする。 On the other hand, when VCOM1 is supplied to the node NA and a voltage VCOM2 lower than VCOM1 is supplied to the node NB, a voltage gradient is generated in which the voltage gradually decreases from CL1 to CL8. As a result, as described in the third configuration example, the intensity peak (beam peak) of the synthesized ultrasonic wave in the slice direction D1 shifts from the center to the CL8 side.
このように本実施形態の超音波装置２００の第４の構成例によれば、スライス方向Ｄ１に対するビームのピーク位置を中心、或いは中心からＣＬ１側又はＣＬ８側にシフトした位置に設定することができる。さらに２つのコモン電圧ＶＣＯＭ１、ＶＣＯＭ２の一方又は両方の電圧を可変に設定することで、ビームのピーク位置を可変に設定することができる。 As described above, according to the fourth configuration example of the ultrasonic apparatus 200 of the present embodiment, the peak position of the beam with respect to the slice direction D1 can be set to the center or a position shifted from the center to the CL1 side or the CL8 side. . Further, by setting one or both of the two common voltages VCOM1 and VCOM2 to be variable, the peak position of the beam can be set to be variable.
図８（Ａ）、図８（Ｂ）には、列内の超音波素子に印加される電圧のシミュレーション結果を示す。このシミュレーションは、１列に１０個の超音波素子が配置される場合について、駆動周波数３．５ＭＨｚで行った。図８（Ａ）は共通コモン電極線ＣＣＬの両端からコモン電圧ＶＣＯＭを供給する場合、図８（Ｂ）は共通コモン電極線ＣＣＬの一端からコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、他端にはコモン電圧ＶＣＯＭを供給しない場合を示す。 FIG. 8A and FIG. 8B show the simulation results of the voltage applied to the ultrasonic elements in the row. This simulation was performed at a driving frequency of 3.5 MHz in the case where 10 ultrasonic elements are arranged in one row. FIG. 8A shows a case where the common voltage VCOM is supplied from both ends of the common common electrode line CCL. FIG. 8B shows a case where the common voltage VCOM is supplied from one end of the common common electrode line CCL, and the common voltage VCOM is supplied to the other end. The case where no is supplied is shown.
図８（Ａ）から分かるように、共通コモン電極線ＣＣＬの両端からコモン電圧ＶＣＯＭを供給する場合では、超音波素子に印加される電圧は中央の素子を中心として対称になる。
一方、図８（Ｂ）から分かるように、共通コモン電極線ＣＣＬの一端からコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、他端にはコモン電圧ＶＣＯＭを供給しない場合では、印加電圧は一端側で最も大きく他端側に向かって減少する。
As can be seen from FIG. 8A, when the common voltage VCOM is supplied from both ends of the common common electrode line CCL, the voltage applied to the ultrasonic element is symmetric about the central element.
On the other hand, as can be seen from FIG. 8B, when the common voltage VCOM is supplied from one end of the common common electrode line CCL and the common voltage VCOM is not supplied to the other end, the applied voltage is the largest at the one end side and the other end. Decrease toward the side.
図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、１列１０個の超音波素子から放射される超音波（周波数３．５ＭＨｚ）の音圧分布のシミュレーション結果である。図９（Ａ）は共通コモン電極線ＣＣＬの両端からコモン電圧ＶＣＯＭを供給する場合、図９（Ｂ）は共通コモン電極線ＣＣＬの一端からコモン電圧ＶＣＯＭを供給し、他端にはコモン電圧ＶＣＯＭを供給しない場合を示す。 FIG. 9A and FIG. 9B are simulation results of sound pressure distribution of ultrasonic waves (frequency 3.5 MHz) emitted from ten ultrasonic elements in a row. FIG. 9A shows a case where the common voltage VCOM is supplied from both ends of the common common electrode line CCL. FIG. 9B shows a case where the common voltage VCOM is supplied from one end of the common common electrode line CCL, and the common voltage VCOM is supplied to the other end. The case where no is supplied is shown.
図９（Ａ）から分かるように、両端からＶＣＯＭを供給する場合では、音圧のピークは列の中央に位置している。一方、図８（Ｂ）から分かるように、一端からＶＣＯＭを供給し、他端にはコモン電圧ＶＣＯＭを供給しない場合では、音圧のピークは列の中央から一端側にシフトしている。 As can be seen from FIG. 9A, when VCOM is supplied from both ends, the peak of the sound pressure is located at the center of the column. On the other hand, as can be seen from FIG. 8B, when VCOM is supplied from one end and the common voltage VCOM is not supplied to the other end, the peak of the sound pressure is shifted from the center of the column to one end side.
以上説明したように、本実施形態の超音波装置２００によれば、放射される超音波のビームのピーク位置をスライス方向に関して可変に設定することができる。こうすることで、ビームのスライス面を可変に設定することができるから、例えば超音波診断装置等に用いた場合に、簡素な構成で２次元的なスキャンが可能になる。その結果、超音波エコー画像を効率的に取得することなどが可能になる。 As described above, according to the ultrasonic device 200 of the present embodiment, the peak position of the emitted ultrasonic beam can be variably set with respect to the slice direction. In this way, since the slice plane of the beam can be variably set, for example, when used in an ultrasonic diagnostic apparatus, a two-dimensional scan can be performed with a simple configuration. As a result, it is possible to efficiently acquire an ultrasonic echo image.
本実施形態の超音波装置２００によらずに２次元的なスキャンを実現しようとすると、超音波素子アレイの各超音波素子を個別に駆動する必要があるため、素子数の多いアレイでは駆動電極線の配線が困難になる。例えばｍ行ｎ列のアレイの場合にはｍ×ｎ本の駆動電極線が必要であり、アレイ内で素子を迂回しながら配線を引き回すことはレイアウト上の大きな問題となる。これに対して、本実施形態の超音波装置２００では、上述したようにｎ本の駆動電極線でよいから、上記の問題は生じない。 If two-dimensional scanning is to be realized without using the ultrasonic device 200 of the present embodiment, each ultrasonic element in the ultrasonic element array needs to be individually driven. Wire wiring becomes difficult. For example, in the case of an array of m rows and n columns, m × n drive electrode lines are required, and routing the wiring while detouring the elements in the array is a serious problem in layout. On the other hand, in the ultrasonic apparatus 200 of this embodiment, since the n drive electrode lines are sufficient as described above, the above problem does not occur.
３．超音波プローブ及び診断装置
図１０に、本実施形態の超音波装置２００を含む超音波プローブ３００及び診断装置（電子機器）４００の基本的な構成例を示す。超音波プローブ３００は、超音波ヘッドユニット２２０、マルチプレクサーＭＵＸ、駆動信号発生器ＨＶ＿Ｐ、制御回路ＣＮＴＬ、送受信切換スイッチＴ／Ｒ＿ＳＷ、アナログフロントエンドＡＦＥを含む。超音波ヘッドユニット２２０は、超音波装置２００及び接続部２１０を含む。
3. Ultrasonic Probe and Diagnostic Device FIG. 10 shows a basic configuration example of an ultrasonic probe 300 and a diagnostic device (electronic device) 400 including the ultrasonic device 200 of the present embodiment. The ultrasonic probe 300 includes an ultrasonic head unit 220, a multiplexer MUX, a drive signal generator HV_P, a control circuit CNTL, a transmission / reception changeover switch T / R_SW, and an analog front end AFE. The ultrasonic head unit 220 includes an ultrasonic device 200 and a connection unit 210.
超音波ヘッドユニット２２０は、接続部２１０を介して脱着可能であり、診断対象に合わせて交換することができる。接続部２１０は、超音波ヘッドユニット２２０と超音波ヘッドユニット２２０本体とを電気的に接続するためのものであって、例えばフレキシブル基板とコネクターなどで構成することができる。 The ultrasonic head unit 220 is detachable through the connection unit 210 and can be exchanged according to the diagnosis target. The connection unit 210 is for electrically connecting the ultrasonic head unit 220 and the main body of the ultrasonic head unit 220, and can be constituted by, for example, a flexible substrate and a connector.
マルチプレクサーＭＵＸは、駆動信号及び受信信号のチャネル切換を行う。例えば駆動信号発生器ＨＶ＿Ｐ、送受信切換スイッチＴ／Ｒ＿ＳＷ及びアナログフロントエンドＡＦＥが８チャネル分の信号に対応する構成である場合には、マルチプレクサーＭＵＸがこの８チャネル分の信号を超音波素子アレイ１００の駆動電極線ＤＬ１〜ＤＬｎに分配する。 The multiplexer MUX performs channel switching between the drive signal and the reception signal. For example, when the drive signal generator HV_P, the transmission / reception selector switch T / R_SW, and the analog front end AFE are configured to correspond to signals for eight channels, the multiplexer MUX outputs the signals for the eight channels to the ultrasonic element array 100. Are distributed to the drive electrode lines DL1 to DLn.
駆動信号発生器ＨＶ＿Ｐは、制御回路ＣＮＴＬの制御に基づいて、超音波素子ＵＥを駆動するための信号（パルス）を生成する。 The drive signal generator HV_P generates a signal (pulse) for driving the ultrasonic element UE based on the control of the control circuit CNTL.
送受信切換スイッチＴ／Ｒ＿ＳＷは、送信時及び受信時の信号の切換を行う。受信時にはマルチプレクサーＭＵＸとアナログフロントエンドＡＦＥとを電気的に接続して、超音波ヘッドユニット２２０からの受信信号をアナログフロントエンドＡＦＥに出力する。送信時には、マルチプレクサーＭＵＸとアナログフロントエンドＡＦＥとを電気的に非接続にして、駆動信号がアナログフロントエンドＡＦＥに入力することを防止する。 The transmission / reception change-over switch T / R_SW performs signal switching at the time of transmission and reception. At the time of reception, the multiplexer MUX and the analog front end AFE are electrically connected to output a reception signal from the ultrasonic head unit 220 to the analog front end AFE. At the time of transmission, the multiplexer MUX and the analog front end AFE are electrically disconnected to prevent the drive signal from being input to the analog front end AFE.
アナログフロントエンドＡＦＥは、受信信号の増幅、ゲイン設定、周波数設定、Ａ／Ｄ変換（アナログ／デジタル変換）などを行い、検出データ（検出情報）として処理部３２０に出力する。アナログフロントエンドＡＦＥは、例えば低雑音増幅器、電圧制御アッテネーター、プログラマブルゲインアンプ、ローパスフィルター、Ａ／Ｄコンバーターなどで構成することができる。 The analog front end AFE performs amplification, gain setting, frequency setting, A / D conversion (analog / digital conversion), and the like of the received signal, and outputs the detection data (detection information) to the processing unit 320. The analog front end AFE can be composed of, for example, a low noise amplifier, a voltage control attenuator, a programmable gain amplifier, a low pass filter, an A / D converter, and the like.
制御回路ＣＮＴＬは、駆動信号発生器ＨＶ＿Ｐに対して駆動信号の位相、周波数の制御を行い、アナログフロントエンドＡＦＥに対して受信信号の周波数設定の制御を行う。制御回路ＣＮＴＬは、例えばＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）で実現することができる。 The control circuit CNTL controls the phase and frequency of the drive signal for the drive signal generator HV_P, and controls the frequency setting of the received signal for the analog front end AFE. The control circuit CNTL can be realized by, for example, an FPGA (Field-Programmable Gate Array).
診断装置４００は、超音波プローブ３００、制御部３１０、処理部３２０、ＵＩ（ユーザーインターフェース）部３３０、表示部３４０を含む。 The diagnostic apparatus 400 includes an ultrasonic probe 300, a control unit 310, a processing unit 320, a UI (user interface) unit 330, and a display unit 340.
制御部３１０は、超音波プローブ３００に対して超音波の送受信制御を行い、処理部３２０に対して検出データの画像処理等の制御を行う。処理部３２０は、アナログフロントエンドＡＦＥからの検出データを受けて、必要な画像処理や表示用画像データの生成などを行う。ＵＩ（ユーザーインターフェース）部３３０は、ユーザーの行う操作（例えばタッチパネル操作など）に基づいて制御部３１０に必要な命令（コマンド）を出力する。表示部３４０は、例えば液晶ディスプレイ等であって、処理部３２０からの表示用画像データを表示する。 The control unit 310 performs ultrasonic wave transmission / reception control on the ultrasonic probe 300 and controls the processing unit 320 such as image processing of detection data. The processing unit 320 receives detection data from the analog front end AFE and performs necessary image processing, generation of display image data, and the like. A UI (user interface) unit 330 outputs necessary commands (commands) to the control unit 310 based on an operation (for example, a touch panel operation) performed by the user. The display unit 340 is a liquid crystal display, for example, and displays the display image data from the processing unit 320.
なお、以上のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また超音波装置、超音波プローブ、電子機器及び診断装置の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. For example, a term described at least once together with a different term having a broader meaning or the same meaning in the specification or the drawings can be replaced with the different term in any part of the specification or the drawings. Further, the configurations and operations of the ultrasonic device, the ultrasonic probe, the electronic device, and the diagnostic device are not limited to those described in this embodiment, and various modifications can be made.
１００ 超音波素子アレイ、１１０ スイッチ信号生成回路、
１２０ コモン電圧供給回路、２００ 超音波装置、２１０ 接続部、
２２０ 超音波ヘッドユニット、３００ 超音波プローブ、３１０ 制御部、
３２０ 処理部、３３０ ＵＩ部、３４０ 表示部、
ＵＥ 超音波素子、ＣＬ１〜ＣＬ８ コモン電極線、ＤＬ１〜ＤＬ１２ 駆動電極線、
ＣＣＬ 第１の配線（共通コモン電極線）、ＶＣＯＭ コモン電圧
100 ultrasonic element array, 110 switch signal generation circuit,
120 common voltage supply circuit, 200 ultrasonic device, 210 connection,
220 ultrasonic head unit, 300 ultrasonic probe, 310 control unit,
320 processing unit, 330 UI unit, 340 display unit,
UE ultrasonic element, CL1-CL8 common electrode line, DL1-DL12 drive electrode line,
CCL 1st wiring (common common electrode line), VCOM common voltage
Claims (13)
第１の方向に沿って配線される第１の配線と、
前記第１の配線の一端に接続される第１のスイッチ回路とを含み、
前記超音波素子アレイは、
各超音波素子列において複数の超音波素子が前記第１の方向に沿って配置される第１の超音波素子列〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の超音波素子列と、
前記第１の方向に沿って配線される第１の駆動電極線〜第ｎの駆動電極線と、
前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配線される第１のコモン電極線〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のコモン電極線とを有し、
前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列は、前記第２の方向に沿って配置され、
前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列のうちの、第ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎである整数）の超音波素子列を構成する前記複数の超音波素子がそれぞれ有する第１の電極は、前記第１の駆動電極線〜前記第ｎの駆動電極線のうちの第ｊの駆動電極線に接続され、
前記第ｊの超音波素子列を構成する前記複数の超音波素子がそれぞれ有する第２の電極は、前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線のうちのいずれかに接続され、
前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線は、前記第１の配線に共通接続され、
前記第１のスイッチ回路は、
オン状態である場合には、前記第１の配線にコモン電圧を供給し、
オフ状態である場合には、前記第１の配線に前記コモン電圧を非供給にすることを特徴とする超音波装置。 An ultrasonic element array;
A first wiring routed along a first direction ;
A first switch circuit connected to one end of the first wiring ,
The ultrasonic element array is:
In each ultrasonic element row, a plurality of ultrasonic elements are arranged along the first direction to a first ultrasonic element row to n-th (n is an integer of 2 or more) ultrasonic element rows;
A first drive electrode line to an nth drive electrode line wired along the first direction;
A first common electrode line wired along a second direction crossing the first direction to an m-th (m is an integer of 2 or more) common electrode line;
The first ultrasonic element array to the nth ultrasonic element array are arranged along the second direction,
Among the first ultrasonic element array to the nth ultrasonic element array, the plurality of ultrasonic elements constituting the jth ultrasonic element array (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n). Each of the first electrodes is connected to a jth drive electrode line among the first drive electrode line to the nth drive electrode line,
A second electrode of each of the plurality of ultrasonic elements constituting the j-th ultrasonic element row is connected to any one of the first common electrode line to the m-th common electrode line;
The first common electrode line to the m-th common electrode line are commonly connected to the first wiring ,
The first switch circuit includes:
When in the on state, a common voltage is supplied to the first wiring,
An ultrasonic apparatus , wherein the common voltage is not supplied to the first wiring when it is in an off state .
前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列の前記各超音波素子列は、
前記複数の超音波素子として、
前記第１の方向に沿って配置される第１の超音波素子〜第ｍの超音波素子を有し、
前記第１の超音波素子〜前記第ｍの超音波素子のうちの第ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍである整数）の超音波素子が有する前記第２の電極は、前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線のうちの第ｉのコモン電極線に接続されることを特徴とする超音波装置。 In claim 1,
Each ultrasonic element row of the first ultrasonic element row to the nth ultrasonic element row is:
As the plurality of ultrasonic elements,
Having a first ultrasonic element to an m-th ultrasonic element arranged along the first direction,
The second electrode of the i-th ultrasonic element (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) of the first to m-th ultrasonic elements is the first common. An ultrasonic apparatus connected to an i-th common electrode line among electrode lines to the m-th common electrode line.
前記第１の配線の他端に接続される第２のスイッチ回路を含み、
前記第２のスイッチ回路は、
オン状態である場合には、前記第１の配線に前記コモン電圧を供給し、
オフ状態である場合には、前記第１の配線に前記コモン電圧を非供給にすることを特徴とする超音波装置。 In claim 1 or 2 ,
A second switch circuit connected to the other end of the first wiring;
The second switch circuit includes:
When in an on state, the common voltage is supplied to the first wiring,
An ultrasonic apparatus, wherein the common voltage is not supplied to the first wiring when it is in an off state.
前記第１のスイッチ回路及び前記第２のスイッチ回路のオン・オフを制御するスイッチ信号生成回路を含み、
前記スイッチ信号生成回路は、
第１の状態では、前記第１のスイッチ回路をオン状態にして前記第２のスイッチ回路をオフ状態にし、
第２の状態では、前記第１のスイッチ回路をオフ状態にして前記第２のスイッチ回路をオン状態にすることを特徴とする超音波装置。 In claim 3 ,
A switch signal generation circuit for controlling on / off of the first switch circuit and the second switch circuit;
The switch signal generation circuit includes:
In the first state, the first switch circuit is turned on and the second switch circuit is turned off.
In the second state, the ultrasonic device is characterized in that the first switch circuit is turned off and the second switch circuit is turned on.
前記第１のスイッチ回路は、
前記コモン電圧として第１のコモン電圧を、前記第１の配線に供給する第１のスイッチ素子と、
前記コモン電圧として前記第１のコモン電圧とは異なる第２のコモン電圧を、前記第１の配線に供給する第２のスイッチ素子とを有することを特徴とする超音波装置。 In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
The first switch circuit includes:
A first switch element that supplies a first common voltage as the common voltage to the first wiring;
An ultrasonic apparatus comprising: a second switch element that supplies a second common voltage different from the first common voltage to the first wiring as the common voltage.
前記第１のスイッチ回路は、
第１の抵抗素子と、
前記第１の抵抗素子と直列に接続される第１のスイッチ素子と、
前記第１の抵抗素子とは異なる抵抗値を有する第２の抵抗素子と、
前記第２の抵抗素子と直列に接続される第２のスイッチ素子とを有することを特徴とする超音波装置。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The first switch circuit includes:
A first resistance element;
A first switch element connected in series with the first resistive element;
A second resistance element having a resistance value different from that of the first resistance element;
An ultrasonic device comprising: a second switch element connected in series with the second resistance element.
第１の方向に沿って配線される第１の配線と、
前記第１の配線にコモン電圧を供給するコモン電圧供給回路とを含み、
前記超音波素子アレイは、
各超音波素子列において複数の超音波素子が前記第１の方向に沿って配置される第１の超音波素子列〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の超音波素子列と、
前記第１の方向に沿って配線される第１の駆動電極線〜第ｎの駆動電極線と、
前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配線される第１のコモン電極線〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のコモン電極線とを有し、
前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列は、前記第２の方向に沿って配置され、
前記第１の超音波素子列〜前記第ｎの超音波素子列のうちの、第ｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎである整数）の超音波素子列を構成する前記複数の超音波素子がそれぞれ有する第１の電極は、前記第１の駆動電極線〜前記第ｎの駆動電極線のうちの第ｊの駆動電極線に接続され、
前記第ｊの超音波素子列を構成する前記複数の超音波素子がそれぞれ有する第２の電極は、前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線のうちのいずれかに接続され、
前記第１のコモン電極線〜前記第ｍのコモン電極線は、前記第１の配線に共通接続され、
前記コモン電圧供給回路は、
前記第１の配線の両端にコモン電圧を供給する、或いは一端にコモン電圧を供給し、他端にコモン電圧を非供給にすることを特徴とする超音波装置。 An ultrasonic element array;
A first wiring routed along a first direction ;
A common voltage supply circuit for supplying a common voltage to the first wiring ,
The ultrasonic element array is:
In each ultrasonic element row, a plurality of ultrasonic elements are arranged along the first direction to a first ultrasonic element row to n-th (n is an integer of 2 or more) ultrasonic element rows;
A first drive electrode line to an nth drive electrode line wired along the first direction;
A first common electrode line wired along a second direction crossing the first direction to an m-th (m is an integer of 2 or more) common electrode line;
The first ultrasonic element array to the nth ultrasonic element array are arranged along the second direction,
Among the first ultrasonic element array to the nth ultrasonic element array, the plurality of ultrasonic elements constituting the jth ultrasonic element array (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n). Each of the first electrodes is connected to a jth drive electrode line among the first drive electrode line to the nth drive electrode line,
A second electrode of each of the plurality of ultrasonic elements constituting the j-th ultrasonic element row is connected to any one of the first common electrode line to the m-th common electrode line;
The first common electrode line to the m-th common electrode line are commonly connected to the first wiring ,
The common voltage supply circuit is:
An ultrasonic apparatus, wherein a common voltage is supplied to both ends of the first wiring, or a common voltage is supplied to one end and no common voltage is supplied to the other end .
前記コモン電圧供給回路は、
前記第１の配線の一端と他端とにそれぞれ異なる電圧のコモン電圧を供給することを特徴とする超音波装置。 In claim 7 ,
The common voltage supply circuit is:
An ultrasonic apparatus, wherein common voltages having different voltages are respectively supplied to one end and the other end of the first wiring.
前記第１の方向はスライス方向であり、
前記第２の方向は位相走査のスキャン方向であることを特徴とする超音波装置。 In any one of Claims 1 thru | or 8 .
The first direction is a slice direction;
The ultrasonic apparatus according to claim 2, wherein the second direction is a scanning direction of phase scanning.
前記超音波素子アレイは、アレイ状に配置された複数の開口を有する基板を含み、
前記複数の開口の各開口ごとに設けられる前記各超音波素子は、
前記各開口を塞ぐ振動膜と、
前記振動膜の上に設けられる圧電素子部とを有し、
前記圧電素子部は、
前記振動膜の上に設けられる下部電極と、
前記下部電極の少なくとも一部を覆うように設けられる圧電体膜と、
前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように設けられる上部電極とを有し、
前記第１の電極は、前記上部電極及び前記下部電極の一方であり、
前記第２の電極は、前記上部電極及び前記下部電極の他方であることを特徴とする超音波装置。 In any one of Claims 1 thru | or 9 ,
The ultrasonic element array includes a substrate having a plurality of openings arranged in an array,
Each ultrasonic element provided for each opening of the plurality of openings,
A vibrating membrane that closes each opening;
A piezoelectric element portion provided on the vibrating membrane;
The piezoelectric element portion is
A lower electrode provided on the vibrating membrane;
A piezoelectric film provided to cover at least a part of the lower electrode;
An upper electrode provided to cover at least a part of the piezoelectric film,
The first electrode is one of the upper electrode and the lower electrode;
The ultrasonic device according to claim 2, wherein the second electrode is the other of the upper electrode and the lower electrode.
表示用画像データを表示する表示部とを含むことを特徴とする診断装置。 The ultrasonic device according to any one of claims 1 to 10 ,
And a display unit that displays the display image data.
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| JP2012038359A JP5948951B2 (en) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | Ultrasonic device, ultrasonic probe, electronic device and diagnostic device |
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