JP5946321B2 - How to apply protective tape - Google Patents

How to apply protective tape Download PDF

Info

Publication number
JP5946321B2
JP5946321B2 JP2012113245A JP2012113245A JP5946321B2 JP 5946321 B2 JP5946321 B2 JP 5946321B2 JP 2012113245 A JP2012113245 A JP 2012113245A JP 2012113245 A JP2012113245 A JP 2012113245A JP 5946321 B2 JP5946321 B2 JP 5946321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
protective tape
mark
adhesive layer
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012113245A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013239671A (en
Inventor
香織 重田
香織 重田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2012113245A priority Critical patent/JP5946321B2/en
Publication of JP2013239671A publication Critical patent/JP2013239671A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5946321B2 publication Critical patent/JP5946321B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着方法に関する。   The present invention relates to a protective tape attaching method for attaching a protective tape to a surface of a wafer.

IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用されている。   A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. A dividing line is cut by a cutting device (dicing device) to be divided into individual devices, and the divided devices are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに研削できる。   A grinding apparatus for grinding a back surface of a wafer includes a chuck table for holding a wafer, and a grinding means on which a grinding wheel having a grinding wheel for grinding the wafer held on the chuck table is rotatably mounted. The wafer can be ground to a desired thickness with high accuracy.

研削装置によってウエーハの裏面を研削する際に、表面に形成されたデバイスを保護するためにウエーハの表面には保護テープが貼着される。研削が終了してウエーハの表面から保護テープを剥離すると、粘着層の一部がデバイスの表面に残存してデバイスのバンプ、ボンディングパッド等を汚染して断線を招いたり、CCD等の撮像素子の撮像性能を低下させたり、MEMSにあっては保護テープを剥離する際マイクロマシンを破壊する恐れがあるという問題がある。   When the back surface of the wafer is ground by the grinding apparatus, a protective tape is attached to the surface of the wafer in order to protect the device formed on the surface. When grinding is finished and the protective tape is peeled off from the wafer surface, part of the adhesive layer remains on the device surface, contaminating the device bumps, bonding pads, etc. In the case of MEMS, there is a problem that the micromachine may be destroyed when the protective tape is peeled off in the case of MEMS.

そこで、ウエーハの外周余剰領域に対応する領域にのみ環状の粘着層を有し、デバイス領域に対応する領域には粘着層を有しない保護テープが特開2001−196404号公報で提案されている。   In view of this, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-196404 has proposed a protective tape having an annular adhesive layer only in a region corresponding to the outer peripheral surplus region of the wafer and no adhesive layer in a region corresponding to the device region.

特開2001−196404号公報JP 2001-196404 A

しかし、環状の粘着層を有する保護テープにあっては、ウエーハの外周部に対応して保護テープの外周部を位置付けて保護テープをウエーハに貼着することは困難であり、粘着層がウエーハの外周からはみ出したり、デバイス領域に付着するといった問題がある。   However, in a protective tape having an annular adhesive layer, it is difficult to position the outer peripheral portion of the protective tape corresponding to the outer peripheral portion of the wafer and attach the protective tape to the wafer. There is a problem that it protrudes from the outer periphery or adheres to the device region.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの外周部に対応した外周部のみに環状の粘着層を有する保護テープを位置決めしてウエーハに容易に貼着可能な保護テープ貼着方法を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and the object of the present invention is to easily position the protective tape having an annular adhesive layer only on the outer peripheral portion corresponding to the outer peripheral portion of the wafer to the wafer. It is providing the protective tape sticking method which can be stuck.

本発明によると、ウエーハの直径に対応した直径を有し、ウエーハの外周部に対応する外周部にのみ環状の粘着層が配設された保護テープをウエーハに貼着する保護テープ貼着方法であって、ウエーハの外周部に複数の第1マークを形成する第1マーク形成工程と、保護テープの粘着層に該第1マークに対応した複数の第2マークを形成する第2マーク形成工程と、ウエーハの該第1マークと保護テープの該第2マークとを合致させてウエーハに保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、を備え、該第1マークは突起から構成され、該第2マークは該突起が挿入される凹部から構成されることを特徴とする保護テープ貼着方法が提供される。 According to the present invention, in the protective tape attaching method, the protective tape having a diameter corresponding to the diameter of the wafer and having the annular adhesive layer disposed only on the outer peripheral portion corresponding to the outer peripheral portion of the wafer is attached to the wafer. A first mark forming step of forming a plurality of first marks on the outer peripheral portion of the wafer; and a second mark forming step of forming a plurality of second marks corresponding to the first marks on the adhesive layer of the protective tape; A protective tape attaching step of attaching the protective tape to the wafer by matching the first mark of the wafer and the second mark of the protective tape, wherein the first mark comprises a protrusion, The 2 mark is composed of a recess into which the protrusion is inserted, and a protective tape attaching method is provided.

本発明の保護テープの貼着方法は、ウエーハに形成した第1マークに保護テープに形成した第2マークを合わせてウエーハに保護テープを貼着するようにしたので、ウエーハの外周部に対応して保護テープの外周部に配設された環状粘着層を確実にウエーハに貼着することができ、粘着層がウエーハの外周からはみ出したり、デバイス領域に付着するといった問題を解消できる。   The method for adhering the protective tape of the present invention is such that the protective tape is adhered to the wafer by aligning the second mark formed on the protective tape with the first mark formed on the wafer. Thus, the annular adhesive layer disposed on the outer peripheral portion of the protective tape can be securely attached to the wafer, and the problem that the adhesive layer protrudes from the outer periphery of the wafer or adheres to the device region can be solved.

本発明実施形態に係る半導体ウエーハの表面側斜視図である。1 is a front perspective view of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. 本発明実施形態に係る保護テープの斜視図である。It is a perspective view of the protective tape which concerns on this invention embodiment. 図2のIII−III線断面図である。It is the III-III sectional view taken on the line of FIG. 本発明の保護テープ貼着方法を説明する分解斜視図である。It is a disassembled perspective view explaining the protective tape sticking method of this invention. ウエーハの表面に貼着された保護テープをチャックテーブルで吸引保持した状態の一部断面側面図である。It is a partial cross section side view of the state where the protection tape stuck on the surface of the wafer was sucked and held by the chuck table. 研削工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a grinding process.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態に係る半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称することがある)11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a front side perspective view of a semiconductor wafer 11 according to an embodiment of the present invention. A semiconductor wafer (hereinafter sometimes abbreviated as a wafer) 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of division lines (streets) 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a. A device 15 such as an IC or LSI is formed in each region partitioned by a plurality of streets 13.

このように構成されたウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平坦部に備えている。ウエーハの外周縁には円弧状の面取り部11eが形成されている。   The wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed and an outer peripheral surplus region 19 surrounding the device region 17 on a flat portion of the surface thereof. An arc-shaped chamfer 11e is formed on the outer peripheral edge of the wafer.

21はシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。更に、ウエーハ11の外周余剰領域19には、第1マークとしての複数の(本実施形態では2個)突起23が形成されている。   Reference numeral 21 denotes a notch as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer. Furthermore, a plurality of (two in this embodiment) protrusions 23 are formed as first marks in the outer peripheral surplus region 19 of the wafer 11.

図2を参照すると、本発明実施形態に係る保護テープ10の斜視図が示されている。保護テープ10は、貼着されるウエーハ11の直径と概略同一の直径を有する基材シート12と、基材シート12の外周部に配設された環状の粘着層14とから構成される。   Referring to FIG. 2, a perspective view of the protective tape 10 according to the embodiment of the present invention is shown. The protective tape 10 includes a base sheet 12 having a diameter substantially the same as the diameter of the wafer 11 to be stuck, and an annular adhesive layer 14 disposed on the outer periphery of the base sheet 12.

図3を参照すると、基材シート12はポリエチレン塩化ビニル、ポリオレフィン等の樹脂から形成されており、環状の粘着層14は例えばアクリル系、ゴム系の糊から形成されている。更に、本実施形態の保護テープ10は、ウエーハ11の2個の突起23に対応した第2マークとしての2個の穴又は凹部16を環状の粘着層14部分に有している。   Referring to FIG. 3, the base sheet 12 is formed from a resin such as polyethylene vinyl chloride or polyolefin, and the annular adhesive layer 14 is formed from, for example, an acrylic or rubber paste. Furthermore, the protective tape 10 of this embodiment has two holes or recesses 16 as second marks corresponding to the two protrusions 23 of the wafer 11 in the annular adhesive layer 14 portion.

上述した実施形態では、突起23及び穴16をそれぞれ2個形成しているが、突起23及び穴16を対応させて3個以上形成するようにしてもよい。更に、保護テープ10の環状の粘着層16部分に突起を形成し、ウエーハ11に突起に対応する穴を形成するようにしてもよい。   In the embodiment described above, two protrusions 23 and two holes 16 are formed, but three or more protrusions 23 and holes 16 may be formed in correspondence. Further, protrusions may be formed in the annular adhesive layer 16 portion of the protective tape 10 and holes corresponding to the protrusions may be formed in the wafer 11.

本発明の保護テープの貼着方法では、図4に示すように、保護テープ10に形成された穴16をウエーハ11に形成された突起23に合致させて、保護テープ10をウエーハ11の表面11aに貼着する。   In the method for attaching the protective tape of the present invention, as shown in FIG. 4, the hole 16 formed in the protective tape 10 is aligned with the protrusion 23 formed on the wafer 11, and the protective tape 10 is attached to the surface 11 a of the wafer 11. Adhere to.

このように保護テープ10の穴16中にウエーハ11の突起23が挿入されるように保護テープ10をウエーハ11の表面11aに貼着することにより、環状の粘着層16をウエーハ11の外周部に確実に貼着することができ、粘着層14がウエーハ11の外周からはみ出したり、デバイス領域17に付着するといった問題を解消できる。   By sticking the protective tape 10 to the surface 11 a of the wafer 11 so that the protrusions 23 of the wafer 11 are inserted into the holes 16 of the protective tape 10 in this way, the annular adhesive layer 16 is attached to the outer periphery of the wafer 11. The adhesive layer 14 can be reliably adhered, and the problem that the adhesive layer 14 protrudes from the outer periphery of the wafer 11 or adheres to the device region 17 can be solved.

保護テープ10をウエーハ11の表面11aに貼着した後、ウエーハ11の裏面11bを研削して所定の仕上げ厚みにウエーハ11を薄化する研削工程を実施する。研削工程では、図5及び図6に示すように、ウエーハ11の表面11aに貼着された保護テープ10側を研削装置のチャックテーブル22で吸引保持し、ウエーハ11の裏面11bを露出させる。   After adhering the protective tape 10 to the front surface 11a of the wafer 11, a grinding process is performed in which the back surface 11b of the wafer 11 is ground to thin the wafer 11 to a predetermined finished thickness. In the grinding process, as shown in FIGS. 5 and 6, the protective tape 10 side attached to the front surface 11 a of the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 22 of the grinding device to expose the back surface 11 b of the wafer 11.

研削装置の研削ユニット24は、モーターにより回転駆動されるスピンドル26と、スピンドル26の先端に固定されたホイールマウント28と、このホイールマウント28に複数のねじ32で着脱可能に装着された研削ホイール30とを含んでいる。研削ホイール30は、環状基台34の自由端部(下端部)にダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石36が固着されて構成されている。   The grinding unit 24 of the grinding apparatus includes a spindle 26 that is rotationally driven by a motor, a wheel mount 28 that is fixed to the tip of the spindle 26, and a grinding wheel 30 that is detachably attached to the wheel mount 28 with a plurality of screws 32. Including. The grinding wheel 30 is configured by fixing a plurality of grinding stones 36 in which diamond abrasive grains are hardened by vitrified bond or the like to a free end (lower end) of an annular base 34.

研削ステップでは、チャックテーブル22を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール30をチャックテーブル22と同一方向に、即ち矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して研削砥石36をウエーハ11の裏面11bに接触させる。   In the grinding step, while rotating the chuck table 22 in the direction of arrow a at, for example, 300 rpm, the grinding wheel 30 is rotated in the same direction as the chuck table 22, that is, in the direction of arrow b at, for example, 6000 rpm. Driven to bring the grinding wheel 36 into contact with the back surface 11 b of the wafer 11.

そして、研削ホイール30を所定の研削送り速度(例えば3〜5μm/秒)で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の研削を実施する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハ11を仕上げ厚み、例えば100μmに仕上げる。   Then, the grinding wheel 30 is ground and fed by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed (for example, 3 to 5 μm / second), and the wafer 11 is ground. While measuring the thickness of the wafer 11 with a contact-type thickness measurement gauge (not shown), the wafer 11 is finished to a finished thickness, for example, 100 μm.

研削工程が終了すると、ウエーハ11の表面11aから保護テープ10を剥離するが、保護テープ10は環状の粘着層14でウエーハ11の外周余剰領域19に貼着されているだけなので、デバイス領域17に粘着層が付着することがなく、粘着層の残滓によってデバイス領域17が汚染されることが防止される。また、外周余剰領域19にのみ保護テープ10が貼着されるため、保護テープ10の剥離が容易となる。   When the grinding process is completed, the protective tape 10 is peeled off from the surface 11a of the wafer 11. However, the protective tape 10 is merely attached to the outer peripheral surplus area 19 of the wafer 11 with the annular adhesive layer 14, so The adhesive layer is not attached, and the device region 17 is prevented from being contaminated by the residue of the adhesive layer. Moreover, since the protective tape 10 is affixed only to the outer periphery surplus area | region 19, peeling of the protective tape 10 becomes easy.

10 保護テープ
11 半導体ウエーハ
12 基材シート
14 環状の粘着層
15 デバイス
16 穴(凹部)
17 デバイス領域
19 外周余剰領域
23 突起
30 研削ホイール
36 研削砥石
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Protective tape 11 Semiconductor wafer 12 Base material sheet 14 Annular adhesion layer 15 Device 16 Hole (concave)
17 Device region 19 Peripheral surplus region 23 Protrusion 30 Grinding wheel 36 Grinding wheel

Claims (1)

ウエーハの直径に対応した直径を有し、ウエーハの外周部に対応する外周部にのみ環状の粘着層が配設された保護テープをウエーハに貼着する保護テープ貼着方法であって、
ウエーハの外周部に複数の第1マークを形成する第1マーク形成工程と、
保護テープの粘着層に該第1マークに対応した複数の第2マークを形成する第2マーク形成工程と、
ウエーハの該第1マークと保護テープの該第2マークとを合致させてウエーハに保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、を備え、
該第1マークは突起から構成され、該第2マークは該突起が挿入される凹部から構成されることを特徴とする保護テープ貼着方法。
A protective tape attaching method for attaching a protective tape having a diameter corresponding to the diameter of a wafer and having an annular adhesive layer disposed only on the outer peripheral portion corresponding to the outer peripheral portion of the wafer to the wafer,
A first mark forming step of forming a plurality of first marks on the outer periphery of the wafer;
A second mark forming step of forming a plurality of second marks corresponding to the first mark on the adhesive layer of the protective tape;
A protective tape attaching step of attaching the protective tape to the wafer by matching the first mark of the wafer and the second mark of the protective tape,
The protective tape sticking method, wherein the first mark is constituted by a protrusion, and the second mark is constituted by a recess into which the protrusion is inserted .
JP2012113245A 2012-05-17 2012-05-17 How to apply protective tape Active JP5946321B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012113245A JP5946321B2 (en) 2012-05-17 2012-05-17 How to apply protective tape

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012113245A JP5946321B2 (en) 2012-05-17 2012-05-17 How to apply protective tape

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013239671A JP2013239671A (en) 2013-11-28
JP5946321B2 true JP5946321B2 (en) 2016-07-06

Family

ID=49764434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012113245A Active JP5946321B2 (en) 2012-05-17 2012-05-17 How to apply protective tape

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5946321B2 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3097619B2 (en) * 1997-10-02 2000-10-10 日本電気株式会社 Method of manufacturing field emission cold cathode
JP2010027686A (en) * 2008-07-15 2010-02-04 Lintec Corp Surface protecting sheet and method for grinding semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013239671A (en) 2013-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102432506B1 (en) Wafer processing method and intermediate member
JP6344971B2 (en) Support plate, support plate forming method and wafer processing method
JP2013247135A (en) Wafer processing method
JP2015217461A (en) Processing method of wafer
JP2011124266A (en) Method of processing wafer
JP6824583B2 (en) Wafer processing method
JP5946321B2 (en) How to apply protective tape
KR20110063293A (en) Method for processing wafer
JP6016569B2 (en) Method of peeling surface protection tape
JP5907805B2 (en) Surface protection tape and wafer processing method
JP2011124260A (en) Wafer processing method
JP6045426B2 (en) Wafer transfer method and surface protection member
JP6230354B2 (en) Device wafer processing method
JP2011143495A (en) Grinding device
JP5441579B2 (en) Workpiece support sheet
JP2014007332A (en) Method for processing wafer
JP2010021344A (en) Protective tape and method of grinding wafer
JP2023144397A (en) Alignment method for wafer
JP5558300B2 (en) Auxiliary jig for pasting adhesive sheets
JP2018120953A (en) Processing method for wafer
JP2013235911A (en) Protective member
JP2011124262A (en) Method of processing wafer
JP2011124261A (en) Wafer processing method
JP2015228475A (en) Processing method of wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160531

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160531

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5946321

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250