JP5934570B2 - Luminescent material and organic EL device - Google Patents

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本発明は、発光材料およびそれを用いた有機EL素子に関する。   The present invention relates to a light emitting material and an organic EL device using the same.

フラットディスプレイパネルや照明装置に用いられる発光素子として、有機EL素子が注目されている。有機EL素子は、発光層を構成する材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができる。具体的には、有機発光性化合物は、置換基導入等による誘導体化により励起ならびに発光波長を変化させることができる。そのため、発光性を示す新規な基本骨格構造(キー構造)の発見は多様な発展をもたらすことから、精力的に研究がおこなわれている。   An organic EL element has attracted attention as a light emitting element used in a flat display panel or a lighting device. The organic EL element can emit light of various wavelengths by appropriately selecting the material constituting the light emitting layer. Specifically, the organic light-emitting compound can change the excitation and emission wavelength by derivatization by introducing a substituent or the like. For this reason, the discovery of a novel basic skeleton structure (key structure) exhibiting luminescent properties brings about various developments, and research has been conducted energetically.

青色発光材料としては、例えば、ペリレンやジスチリルアリーレンが知られており、これまでに多数のジスチリルアリーレン誘導体が、青色発光素子、あるいは混色法による白色発光素子材料として開発されている(例えば特許文献1および特許文献2)。しかしながら、ジスチリルアリーレン誘導体は、溶液中では高い発光量子効率を示すものの、固体状態では消光を引き起こし、発光量子効率が低下する傾向がある。そのため、発光材料が固体状の薄膜として用いられる有機EL素子においては、ジスチリルアリーレン誘導体のように固体状態で消光を生じる化合物は、他の化合物(ホスト材料)にドーパントとして添加して用いられている。一方、特許文献3では、特定の置換基を有するテトラフェニルエテン誘導体が、固体状態で高い発光効率を有することが開示されている。   For example, perylene and distyrylarylene are known as blue light-emitting materials, and many distyrylarylene derivatives have been developed as blue light-emitting elements or white light-emitting element materials by a color mixing method (for example, patents). Literature 1 and Patent literature 2). However, although a distyrylarylene derivative exhibits high emission quantum efficiency in a solution, it tends to cause quenching in the solid state and decrease emission quantum efficiency. Therefore, in an organic EL device in which a luminescent material is used as a solid thin film, a compound that causes quenching in a solid state, such as a distyrylarylene derivative, is used as a dopant added to another compound (host material). Yes. On the other hand, Patent Document 3 discloses that a tetraphenylethene derivative having a specific substituent has high luminous efficiency in a solid state.

特開2000−7604号公報JP 2000-7604 A 特開2009−10408号公報JP 2009-10408 A 国際公開第2010/047335号International Publication No. 2010/047335

上記のように、テトラフェニルエテン誘導体を発光材料として適用できることについての基本的な知見が得られている。しかし、これまで、テトラフェニルエテン誘導体を有機EL素子の発光材料として応用した例は存在せず、実用化に際してどのような課題が存在するかも明らかではなかった。   As described above, basic knowledge has been obtained that a tetraphenylethene derivative can be applied as a light-emitting material. However, there has been no example in which a tetraphenylethene derivative is applied as a light emitting material of an organic EL device, and it has not been clear what problems exist in practical use.

このような現状に鑑み、本発明者らは、特定の置換基を有するテトラフェニルエテン誘導体の薄膜からなる発光層を備える有機EL素子を作製し、評価を行ったところ、EL素子の発光が確認された。一方、当該素子は、既に実用化されている有機EL素子に比して、発光効率が低く、駆動電流密度を高めると素子破壊が生じることから、高輝度化が困難であることが判明した。また、特定の置換基を有するテトラフェニルエテン誘導体は、真空蒸着製膜時に結晶化を生じやすく、発光層の膜厚が5nmを超えると有機EL素子が発光しないという問題があることが判明した。   In view of such a current situation, the present inventors manufactured and evaluated an organic EL element including a light emitting layer made of a thin film of a tetraphenylethene derivative having a specific substituent, and confirmed that the EL element emitted light. It was done. On the other hand, it has been found that it is difficult to increase the luminance of the element because the luminous efficiency is lower than that of an organic EL element that has already been put into practical use, and the element is destroyed when the drive current density is increased. Further, it has been found that the tetraphenylethene derivative having a specific substituent is likely to be crystallized at the time of vacuum vapor deposition, and the organic EL element does not emit light when the thickness of the light emitting layer exceeds 5 nm.

このような新たな課題に鑑み、本発明は、特定の置換基を有するテトラフェニルエテン誘導体を用いて、発光強度の高い発光材料を得ること、および当該発光材料を利用した有機EL素子を提供することを目的とする。   In view of such a new problem, the present invention provides a light-emitting material having high emission intensity using a tetraphenylethene derivative having a specific substituent, and provides an organic EL element using the light-emitting material. For the purpose.

本発明者らが検討の結果、ホスト材料として他の発光材料を用い、テトラフェニルエテン誘導体をドーパント化合物として含有する発光材料が、高い発光強度を示すことを見出し、本発明に至った。   As a result of investigations by the present inventors, it has been found that a light emitting material using another light emitting material as a host material and containing a tetraphenylethene derivative as a dopant compound exhibits high light emission intensity, and has led to the present invention.

本発明は、ホスト化合物およびドーパント化合物を含有する発光材料に関する。本発明の発光材料は、前記ホスト化合物が、アントラセン誘導体であり、前記ドーパント化合物が、下記一般式(1Z)または(1E)で表されるテトラフェニルエテン誘導体である。   The present invention relates to a light emitting material containing a host compound and a dopant compound. In the light-emitting material of the present invention, the host compound is an anthracene derivative, and the dopant compound is a tetraphenylethene derivative represented by the following general formula (1Z) or (1E).

Figure 0005934570
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上記式(1Z)および(1E)において、Rは電子供与性基であり、Rは電子求引性基である。 In the above formulas (1Z) and (1E), R 1 is an electron donating group and R 2 is an electron withdrawing group.

本発明の発光材料は、アントラセン誘導体100重量部に対して、前記テトラフェニルエテン誘導体を合計1重量部〜50重量部含有することが好ましい。   The luminescent material of the present invention preferably contains a total of 1 to 50 parts by weight of the tetraphenylethene derivative with respect to 100 parts by weight of the anthracene derivative.

さらに、本発明は、発光層として発光材料を含有する有機EL素子に関する。   Furthermore, this invention relates to the organic EL element containing a luminescent material as a light emitting layer.

本発明の発光材料を用いることで、発光効率に優れる有機EL素子を提供することができる。   By using the light emitting material of the present invention, an organic EL device having excellent light emission efficiency can be provided.

有機EL装置の層構成の一例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an example of layer composition of an organic EL device. 図1の有機EL装置における有機EL素子の層構成の一例を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the layer structure of the organic EL element in the organic EL apparatus of FIG. 実施例および比較例の有機EL素子の電流密度10mA/cmにおける発光強度スペクトルである。It is the light emission intensity spectrum in the current density of 10 mA / cm < 2 > of the organic EL element of an Example and a comparative example. 図3の各発光強度スペクトルを発光極大波長における強度で規格化したものである。Each emission intensity spectrum of FIG. 3 is normalized by the intensity at the emission maximum wavelength. 実施例および比較例の有機EL素子の輝度を電流密度に対してプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the brightness | luminance of the organic EL element of the Example and the comparative example with respect to the current density.

本発明の発光材料は、ホスト化合物としてのアントラセン誘導体を含有し、ドーパント化合物として下記一般式(1E)または(1Z)で表されるテトラフェニルエテン誘導体を含有する。   The light emitting material of the present invention contains an anthracene derivative as a host compound, and contains a tetraphenylethene derivative represented by the following general formula (1E) or (1Z) as a dopant compound.

Figure 0005934570
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[ドーパント化合物]
上記一般式(1Z)で表される化合物と上記一般式(1E)で表される化合物は幾何異性体(シス−トランス異性体)であり、一般式(1Z)がZ体、一般式(1E)がE体である。本発明の発光材料において、ドーパント化合物は、Z体またはE体のいずれか単独であってもよく、両者の混合物であってもよい。一般に、上記のE体とZ体は、1:1の混合物として得られる。本発明においては、これらの混合物をE体またはZ体の単体に分離精製せずとも混合物の状態で発光材料のドーパントとして使用することができる。ドーパント化合物がE体とZ体の混合物である場合、その混合比率は特に限定されない。工業的観点からは、E体とZ体の等量混合物が好適に用いられる。なお、E体とZ体の等量混合物は、混合比率が厳密に1:1のものに限定されるものではなく、例えば混合比率が4:6〜6:4の範囲であればよい。
以下、ドーパント化合物としてのテトラフェニルエテン誘導体の置換基RおよびRについて説明する。
[Dopant compound]
The compound represented by the general formula (1Z) and the compound represented by the general formula (1E) are geometric isomers (cis-trans isomers), and the general formula (1Z) is a Z isomer and the general formula (1E ) Is the E body. In the luminescent material of the present invention, the dopant compound may be either Z-form or E-form alone, or may be a mixture of both. In general, the E and Z forms are obtained as a 1: 1 mixture. In the present invention, these mixtures can be used as a dopant of the light emitting material in the state of the mixture without separating and purifying them into E form or Z form alone. When the dopant compound is a mixture of the E body and the Z body, the mixing ratio is not particularly limited. From an industrial point of view, an equivalent mixture of E-form and Z-form is preferably used. In addition, the equivalence mixture of E body and Z body is not limited to the one whose mixing ratio is strictly 1: 1, for example, the mixing ratio may be in the range of 4: 6 to 6: 4.
Hereinafter, the substituents R 1 and R 2 of the tetraphenylethene derivative as the dopant compound will be described.

は、電子供与性(電子押出し性)の高い置換基である。Rとしては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、置換基を有していてもよいアミノ基、窒素含有飽和複素環基、およびトリオルガノシリル基等が挙げられる。 R 1 is a substituent having a high electron donating property (electron extrudability). Examples of R 1 include a lower alkyl group, a lower alkoxy group, a lower alkylthio group, an amino group which may have a substituent, a nitrogen-containing saturated heterocyclic group, and a triorganosilyl group.

前記低級アルキル基としては、炭素数1〜6、好ましくは炭素数1〜4の直鎖状または分岐を有するアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、1−エチルプロピル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、1,2,2−トリメチルプロピル基、3,3−ジメチルブチル基、2−エチルブチル基、イソヘキシル基、3−メチルペンチル基、等が挙げられる。   Examples of the lower alkyl group include linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, 1-ethylpropyl group, isopentyl group , Neopentyl group, n-hexyl group, 1,2,2-trimethylpropyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, isohexyl group, 3-methylpentyl group, and the like.

前記低級アルコキシ基としては、炭素数1〜6、より好ましくは炭素数1〜4の、直鎖状または分岐を有するアルコキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、3−メチルペンチルオキシ基、等が挙げられる。   Examples of the lower alkoxy group include linear or branched alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, sec-butoxy group, n-pentyloxy group, isopentyloxy group, neo A pentyloxy group, an n-hexyloxy group, an isohexyloxy group, a 3-methylpentyloxy group, and the like can be given.

前記低級アルキルチオ基としては、炭素数1〜6、好ましくは炭素数1〜4の直鎖状または分岐を有するアルキルチオ基が挙げられる。具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基等が挙げられる。   Examples of the lower alkylthio group include linear or branched alkylthio groups having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, an isopropylthio group, an n-butylthio group, a tert-butylthio group, an n-pentylthio group, and an n-hexylthio group.

前記置換基有していてもよいアミノ基は、−NHの他、1個または2個の置換基を有するものであってもよい。アミノ基が水素結合を形成し得る場合、濃度消光を生じ、発光効率が低下する傾向がある。そのため、前記アミノ基は、2個の置換基を有するものが好ましい。アミノ基が2個の置換基を有する場合、これらは同一でもよく、異なっていてもよい。置換基としては、アリール基および前記例示の低級アルキル基を挙げることができ、中でもアリール基が好ましい。すなわち、置換基を有していてもよいアミノ基としては、ジアリールアミノ基が特に好ましい。 The amino group which may have a substituent may have 1 or 2 substituents in addition to —NH 2 . When an amino group can form a hydrogen bond, concentration quenching occurs and the light emission efficiency tends to decrease. Therefore, the amino group preferably has two substituents. When the amino group has two substituents, these may be the same or different. Examples of the substituent include an aryl group and the lower alkyl group exemplified above, and among them, an aryl group is preferable. That is, as the amino group which may have a substituent, a diarylamino group is particularly preferable.

前記窒素含有飽和複素環基としては、他のヘテロ原子、例えば酸素原子、硫黄原子が含まれていてもよい5又は6員環の含窒素複素環基を挙げることができる。より具体的には、ピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、チオモルホリノ基等が挙げられる。   Examples of the nitrogen-containing saturated heterocyclic group include 5- or 6-membered nitrogen-containing heterocyclic groups which may contain other heteroatoms such as oxygen atoms and sulfur atoms. More specifically, pyrrolidino group, piperidino group, piperazinyl group, morpholino group, thiomorpholino group and the like can be mentioned.

前記トリオルガノシリル基としては、トリメチルシリル基、ジメチルビニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ジメチル(tert-ブチル)シリル基,メチルジビニルシリル基、メチルフェニルビニルシリル基、トリビニルシリル基、トリエチルシリル基、エトキシジメチルシリル基等が挙げられる。   Examples of the triorganosilyl group include trimethylsilyl group, dimethylvinylsilyl group, dimethylphenylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, dimethyl (tert-butyl) silyl group, methyldivinylsilyl group, methylphenylvinylsilyl group, and trivinylsilyl group. , Triethylsilyl group, ethoxydimethylsilyl group and the like.

は、電子求引性の高い置換基である。Rとしては、ハロゲン、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アルキルカルボニル基、低級アルコキシカルボニル基、ホルミル基、置換基を有してもよいアミノカルボニル基、置換基を有していてもよいカルバモイル基、シアノ基およびニトロ基等が挙げられる。一重項から三重項への項間交差による蛍光消光を抑制し、高発光効率の材料を得る観点から、Rは、ハロゲン、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアミノカルボニル基およびシアノ基のいずれかであることが好ましい。 R 2 is a substituent having a high electron withdrawing property. R 2 is halogen, a halogen-substituted lower alkyl group, a lower alkylcarbonyl group, a lower alkoxycarbonyl group, a formyl group, an aminocarbonyl group which may have a substituent, a carbamoyl group which may have a substituent, A cyano group, a nitro group, etc. are mentioned. From the viewpoint of suppressing fluorescence quenching due to intersystem crossing from a singlet to a triplet and obtaining a material with high luminous efficiency, R 2 has a halogen, a halogen-substituted lower alkyl group, a lower alkoxycarbonyl group, and a substituent. It is preferably either an aminocarbonyl group or a cyano group.

前記ハロゲンとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子が挙げられる。これらのハロゲンの中でも、一重項から三重項への項間交差による蛍光消光を抑制する観点からは、フッ素原子または塩素原子が好ましい。   Examples of the halogen include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Among these halogens, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable from the viewpoint of suppressing fluorescence quenching due to intersystem crossing from a singlet to a triplet.

前記ハロゲン置換低級アルキル基としては、1〜5個、より好ましくは1〜3個のハロゲン原子で置換された前記例示の低級アルキル基を挙げることができる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、ジクロロフルオロメチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、2−フルオロエチル基、2−クロロエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、3−クロロプロピル基、2−クロロプロピル基、3−ブロモプロピル基、4,4,4−トリフルオロブチル基、4,4,4,3,3−ペンタフルオロブチル基、4−クロロブチル基、4−ブロモブチル基、2−クロロブチル基、5,5,5−トリフルオロペンチル基、5−クロロペンチル基、6,6,6−トリフルオロヘキシル基、6−クロロヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、等が挙げられる。   Examples of the halogen-substituted lower alkyl group include the exemplified lower alkyl groups substituted with 1 to 5, more preferably 1 to 3, halogen atoms. Specifically, fluoromethyl group, difluoromethyl group, trifluoromethyl group, chloromethyl group, dichloromethyl group, trichloromethyl group, bromomethyl group, dibromomethyl group, dichlorofluoromethyl group, 2,2-difluoroethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, pentafluoroethyl group, 2-fluoroethyl group, 2-chloroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, heptafluoropropyl group, 2,2,3,3 , 3-pentafluoropropyl group, heptafluoroisopropyl group, 3-chloropropyl group, 2-chloropropyl group, 3-bromopropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 4,4,4,3, 3-pentafluorobutyl group, 4-chlorobutyl group, 4-bromobutyl group, 2-chlorobutyl group, 5, 5, 5 Trifluoro-pentyl group, 5-chloropentyl group, 6,6,6-trifluoro hexyl, 6-chloro-hexyl group, perfluorohexyl group, and the like.

前記低級アルコキシカルボニル基としては、低級アルコキシ部分が前記例示の低級アルコキシ基であるアルコキシカルボニル基を挙げることができる。具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、3−メチルペンチルオキシカルボニル基等が挙げられる。   Examples of the lower alkoxycarbonyl group include alkoxycarbonyl groups in which the lower alkoxy moiety is the lower alkoxy group exemplified above. Specifically, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group, sec-butoxycarbonyl group, n-pentyl Examples include oxycarbonyl group, neopentyloxy group, n-hexyloxycarbonyl group, isohexyloxycarbonyl group, 3-methylpentyloxycarbonyl group and the like.

前記置換基を有してもよいアミノカルボニル基としては、アミノ基部分が前記例示の置換基を有していてもよいアミノ基であるアミノカルボニル基を挙げることができる。具体的には、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、エチルメチルアミノカルボニル基、ジアリールアミノカルボニル基等を挙げることができる。   Examples of the aminocarbonyl group which may have a substituent include an aminocarbonyl group whose amino group portion is an amino group which may have the exemplified substituent. Specific examples include a dimethylaminocarbonyl group, a diethylaminocarbonyl group, an ethylmethylaminocarbonyl group, a diarylaminocarbonyl group, and the like.

ドーパント化合物として用いられるテトラフェニルエテン誘導体は、フェニル環上に電子供与性の置換基Rと電子求引性の置換基Rとを有し、分子平面内のπ電子密度が局在化することで、500nmよりも短波長に発光極大を有する青色発光材料とすることができる。すなわち、上記一般式(1Z)および(1E)で表されるテトラフェニルエテン誘導体は、置換基の種類によって、材料の発光特性を変化させることができる。 The tetraphenylethene derivative used as a dopant compound has an electron-donating substituent R 1 and an electron-withdrawing substituent R 2 on the phenyl ring, and the π-electron density in the molecular plane is localized. Thus, a blue light emitting material having a light emission maximum at a wavelength shorter than 500 nm can be obtained. That is, the tetraphenylethene derivative represented by the general formulas (1Z) and (1E) can change the light emission characteristics of the material depending on the type of the substituent.

500nmよりも短波長に発光極大を有する青色発光材料を得る観点から、Rとしては、ジアリールアミノ基や低級アルコキシ基等が好ましく、低級アルコキシ基が特に好ましい。Rとしては、フルオロ基、トリフルオロメチル基、およびシアノ基等が好ましい。 From the viewpoint of obtaining a blue light emitting material having an emission maximum at a wavelength shorter than 500 nm, R 1 is preferably a diarylamino group, a lower alkoxy group, or the like, and particularly preferably a lower alkoxy group. R 2 is preferably a fluoro group, a trifluoromethyl group, a cyano group, or the like.

(合成方法)
上記テトラフェニルエテン誘導体の合成方法は特に限定されず、各種公知の反応を組み合わせて、目的の化合物を得ることができる。例えば、Rがメトキシ基であり、Rがトリフルオロメチル基である、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンは、下記スキームで示すように、ベンゾフェノン誘導体を出発原料として、マクマリーカップリングにより得られる。
(Synthesis method)
The method for synthesizing the tetraphenylethene derivative is not particularly limited, and a target compound can be obtained by combining various known reactions. For example, bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene, where R 1 is a methoxy group and R 2 is a trifluoromethyl group, starts with a benzophenone derivative as shown in the following scheme: As a raw material, it is obtained by McMurray coupling.

Figure 0005934570
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上記スキームにおいて、出発原料は、公知の化合物であるか、あるいは公知の方法(例えばSynthetic Communications, 1998, 28, 1065.に記載の方法)により製造される。なお、上記反応スキームでは、E体とZ体の等量混合物が得られるが、反応後にクロマトグラフィー等で処理することにより、それぞれを分離精製することもできる。   In the above scheme, the starting material is a known compound or is produced by a known method (for example, a method described in Synthetic Communications, 1998, 28, 1065.). In the above reaction scheme, an equivalent mixture of E-form and Z-form is obtained, but each can be separated and purified by treating with chromatography or the like after the reaction.

[ホスト化合物]
ホスト化合物となるアントラセン誘導体としては、発光材料として使用可能なものであれば特に限定されず、各種公知の化合物が用いられる。例としては、9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(略称:ADN)、2‐tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(略称:TBADN)、2−メチル−9,10−ビス(ナフタレン−2−イル)アントラセン(略称:MADN)、2,2’−ジ(9,10−ジフェニルアントラセン)(略称:TPBA)、4,4’−ジ(10−(ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル)ビフェニル(略称:BUBH−3)、等が挙げられる。
[Host compound]
The anthracene derivative serving as the host compound is not particularly limited as long as it can be used as a light emitting material, and various known compounds can be used. Examples include 9,10-di (naphth-2-yl) anthracene (abbreviation: ADN), 2-tert-butyl-9,10-di (naphth-2-yl) anthracene (abbreviation: TBADN), 2- Methyl-9,10-bis (naphthalen-2-yl) anthracene (abbreviation: MADN), 2,2'-di (9,10-diphenylanthracene) (abbreviation: TPBA), 4,4'-di (10- (Naphthalen-1-yl) anthracen-9-yl) biphenyl (abbreviation: BUBH-3), and the like.

本発明の発光材料における、アントラセン誘導体(ホスト化合物)に対するテトラフェニルエテン誘導体(ドーパント化合物)の添加割合は特に限定されない。テトラフェニルエテン誘導体の含有量は、好ましくは、アントラセン誘導体100重量部に対して、1〜50重量部、より好ましくは2〜20重量部、さらに好ましくは2.5〜15重量部、特に好ましくは3〜10重量部である。なお、ドーパント化合物が、前記一般式(1Z)で表される化合物(Z体)と上記一般式(1E)で表される化合物(E体)の混合物である場合、両者を合計した含有量が前記範囲であることが好ましい。   The addition ratio of the tetraphenylethene derivative (dopant compound) to the anthracene derivative (host compound) in the light emitting material of the present invention is not particularly limited. The content of the tetraphenylethene derivative is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight, still more preferably 2.5 to 15 parts by weight, particularly preferably 100 parts by weight of the anthracene derivative. 3 to 10 parts by weight. In addition, when a dopant compound is a mixture of the compound (Z body) represented by the said general formula (1Z), and the compound (E body) represented by the said general formula (1E), content which totaled both has the content. It is preferable that it is the said range.

本発明の発光材料では、特定の置換基を有するテトラフェニルエテン誘導体をドーパント化合物として用いることで、当該化合物を単独で用いた場合に比して、発光効率が向上するとともに、発光波長が短波長化(ブルーシフト)する傾向がある。例えば、後に実施例および比較例を用いて示すように、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンが単独で発光材料として用いられる場合は、470〜480nmの長波長(青色)領域に発光ピークが存在する。これに対して、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンをドーパント化合物として用いた場合は、445〜455nmのより短波長側に発光ピークが存在する。   In the light-emitting material of the present invention, by using a tetraphenylethene derivative having a specific substituent as a dopant compound, the light emission efficiency is improved and the emission wavelength is shorter than when the compound is used alone. There is a tendency to become blue (blue shift). For example, as shown later using Examples and Comparative Examples, when bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene is used alone as a light emitting material, a long wavelength of 470 to 480 nm ( There is an emission peak in the blue region. On the other hand, when bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene is used as a dopant compound, an emission peak exists on the shorter wavelength side of 445 to 455 nm.

また、テトラフェニルエテン誘導体がドーパント化合物として用いられる場合は、発光スペクトルの半値幅が小さくなるとともに、駆動電流密度が高い場合でも、高電流発光効率が維持される。本発明の発光材料では、ホスト材料であるアントラセン誘導体からテトラフェニルエテン誘導体へのエネルギー移動が十分に行われており、両者が機能的に相互作用しているといえる。   In addition, when a tetraphenylethene derivative is used as a dopant compound, the half-value width of the emission spectrum is reduced, and high current emission efficiency is maintained even when the drive current density is high. In the light-emitting material of the present invention, energy transfer from the anthracene derivative which is the host material to the tetraphenylethene derivative is sufficiently performed, and it can be said that the two are functionally interacting.

本発明の発光材料は、アントラセン誘導体(ホスト化合物)とテトラフェニルエテン誘導体(ドーパント化合物)以外の成分をさらに含有していてもよい。他の成分の例としては、電子輸送性を示す化合物が挙げられる。電子輸送性を示す化合物としては、電子輸送層15を構成する材料として後に例示するもの等が用いられる。   The light emitting material of the present invention may further contain components other than the anthracene derivative (host compound) and the tetraphenylethene derivative (dopant compound). Examples of other components include compounds that exhibit electron transport properties. As the compound exhibiting the electron transporting property, those exemplified later as the material constituting the electron transporting layer 15 are used.

本発明の発光材料を製造する方法としては、基板等の支持体上に成膜し、薄膜として取得する方法が挙げられる。代表的には、アントラセン誘導体とテトラフェニルエテン誘導体とを共蒸着する方法が用いられる。   Examples of the method for producing the light emitting material of the present invention include a method of forming a film on a support such as a substrate and obtaining it as a thin film. Typically, a method of co-evaporating an anthracene derivative and a tetraphenylethene derivative is used.

[有機EL素子]
本発明の有機EL素子は、陽極4および陰極6からなる一対の電極の間に少なくとも発光層を備え、発光層が上記した本発明の発光材料を有するものである。図1は、有機EL装置の層構成の一例である。図1に示される有機EL装置は、透明基板3側から光が取り出される、「ボトムエミッション型」と称される構成である。有機EL装置1は、透明基板3上に、有機EL素子2を有し、有機EL素子は、封止部7によって封止されている。有機EL素子2は、透明電極層(陽極)4および裏面電極層(陰極)6からなる一対の電極間に、機能層5を有する。
[Organic EL device]
The organic EL device of the present invention comprises at least a light emitting layer between a pair of electrodes composed of an anode 4 and a cathode 6, and the light emitting layer has the above-described light emitting material of the present invention. FIG. 1 is an example of a layer configuration of an organic EL device. The organic EL device shown in FIG. 1 has a configuration called “bottom emission type” in which light is extracted from the transparent substrate 3 side. The organic EL device 1 has an organic EL element 2 on a transparent substrate 3, and the organic EL element is sealed by a sealing portion 7. The organic EL element 2 has a functional layer 5 between a pair of electrodes composed of a transparent electrode layer (anode) 4 and a back electrode layer (cathode) 6.

機能層5は、複数の有機化合物薄膜が積層されたものである。図2は、機能層5の層構成の一例である。図2に示される有機EL素子2において、機能層5は、正孔注入層10、正孔輸送層11、発光層12、電子輸送層15、および電子注入層16を有する。すなわち、有機EL素子2において、発光層12は、透明電極層4と裏面電極層6との間に位置している。   The functional layer 5 is formed by laminating a plurality of organic compound thin films. FIG. 2 is an example of a layer configuration of the functional layer 5. In the organic EL element 2 shown in FIG. 2, the functional layer 5 includes a hole injection layer 10, a hole transport layer 11, a light emitting layer 12, an electron transport layer 15, and an electron injection layer 16. That is, in the organic EL element 2, the light emitting layer 12 is located between the transparent electrode layer 4 and the back electrode layer 6.

(透明基板)
透明基板3は、透光性を有する材料からなるものであれば特に限定はない。図1に示す実施形態では、透明基板3側から光が取り出されるため(ボトムエミッション方式)、透明基板3は可視光域における透過率が80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。透明基板3としては、ガラス基板、フレキシブルな透明フィルム基板等を使用してもよい。なお、有機EL装置がトップエミッション方式を採用する場合、基板は不透明なものであってもよい。
(Transparent substrate)
The transparent substrate 3 is not particularly limited as long as it is made of a material having translucency. In the embodiment shown in FIG. 1, since light is extracted from the transparent substrate 3 side (bottom emission method), the transparent substrate 3 preferably has a transmittance in the visible light region of 80% or more, and 90% or more. Is more preferable, and it is further more preferable that it is 95% or more. As the transparent substrate 3, a glass substrate, a flexible transparent film substrate, or the like may be used. When the organic EL device adopts a top emission method, the substrate may be opaque.

(透明電極)
透明基板3上には、透明電極層(陽極)4が積層される。透明電極層4を構成する材料は特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO)、インジウム・亜鉛酸化物(IZO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)等の材料からなるものが挙げられる。中でも、発光層12からの光の取出し効率や、電極のパターニングの容易性の観点からは、ITOあるいはIZOが好ましく用いられる。
(Transparent electrode)
A transparent electrode layer (anode) 4 is laminated on the transparent substrate 3. The material which comprises the transparent electrode layer 4 is not specifically limited, A well-known thing can be used. Examples thereof include those made of materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Among these, ITO or IZO is preferably used from the viewpoint of the light extraction efficiency from the light emitting layer 12 and the ease of electrode patterning.

透明電極層4には、必要に応じて、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、ホウ素、ニオブ等の1種以上のドーパントがドーピングされていてもよい。透明電極層4の透過率は、可視光域における透過率が70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。透明電極層4は、例えば、スパッタ法やCVD法等のドライプロセスによって透明基板3上に形成される。透明電極層4の膜厚は、光の透過性や電気伝導度を考慮して適宜選択すればよいが、例えば80〜300nmであり、好ましくは100〜150nm、より好ましくは120〜150nmである。   The transparent electrode layer 4 may be doped with one or more dopants such as aluminum, gallium, silicon, boron, and niobium as necessary. The transmittance of the transparent electrode layer 4 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more in the visible light region. The transparent electrode layer 4 is formed on the transparent substrate 3 by a dry process such as sputtering or CVD. The film thickness of the transparent electrode layer 4 may be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 80 to 300 nm, preferably 100 to 150 nm, and more preferably 120 to 150 nm.

(正孔注入層)
透明電極層4上には、正孔注入層10が積層されている。正孔注入層10としては特に限定はなく、有機EL素子の正孔注入層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化マンガン等の金属酸化物が挙げられる。その他、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノ−キノジメタン(略称:F4−TCNQ)が挙げられる。さらに、三酸化モリブデンとN,N−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−フェニルベンジジン(略称:NPB)との混合層を正孔注入層10として採用することができる。
(Hole injection layer)
A hole injection layer 10 is stacked on the transparent electrode layer 4. The hole injection layer 10 is not particularly limited, and a known material used as the hole injection layer of the organic EL element can be employed. Examples thereof include metal oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, and manganese oxide. In addition, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane (abbreviation: F4-TCNQ) can be given. Further, a mixed layer of molybdenum trioxide and N, N-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-phenylbenzidine (abbreviation: NPB) can be employed as the hole injection layer 10.

正孔注入層10は、例えば、真空蒸着法によって形成される。正孔注入層10の膜厚は光の干渉効果やリーク電流の抑制効果等を考慮して適宜選択すればよいが、好ましくは10nm以上、より好ましくは30nm以上である。   The hole injection layer 10 is formed by, for example, a vacuum evaporation method. The thickness of the hole injection layer 10 may be appropriately selected in consideration of the light interference effect, the leakage current suppression effect, and the like, but is preferably 10 nm or more, and more preferably 30 nm or more.

(正孔輸送層)
正孔注入層10上には、正孔輸送層11が積層されている。正孔輸送層11としては特に限定はなく、有機EL素子の正孔輸送層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、下記一般式(2)で表されるアリールアミン系化合物が挙げられる。
(Hole transport layer)
A hole transport layer 11 is stacked on the hole injection layer 10. There is no limitation in particular as the positive hole transport layer 11, The well-known material used as a positive hole transport layer of an organic EL element is employable. Examples thereof include arylamine compounds represented by the following general formula (2).

Figure 0005934570
上記式(2)中、Ar1、Ar2およびAr3は、それぞれ独立に置換基を有してよい芳香族炭化水素基を示す。
Figure 0005934570
In the above formula (2), Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.

このようなアリールアミン系化合物の具体例としては、N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノフェニル、N,N'−ジフェニル−N,N'−ジ(3−メチルフェニル)−4,4'−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、N,N,N',N'−テトラ−p−トリル−4,4'−ジアミノビフェニル、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン、N,N'−ジフェニル−N,N'−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4'−ジアミノビフェニル、N,N,N',N’−テトラフェニル−4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、4−N,N'−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4'−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン、N,N,N−N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4'−[4(ジ−p−トリアミノ)スチリル]スチルベン、N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノ−ビフェニルN−フェニルスカルバゾール、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]p−ターフェニル、4,4'−ビス[N−(3−アセナフテニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ナフタレン、4,4'−ビス[N−(9−アントリン)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(1−アントリル)−N−フェニルアミノ]p−タ−フェニル、4,4'−ビス[N−(2−フェナントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(8−フルオランテニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(2−ピレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(2−ペリレニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(1−コロネニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、2,6−ビス[ジ−(1−ナフチル)アミノ]ナフタレン、2,6−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ナフタレン、4,4'−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]タ−フェニル、4,4'−ビス{N−フェニル−N−[4−(1−ナフチル)フェニル]アミノ}ビフェニル、4,4'−ビス[N−フェニル−N−(2−ピレニル)アミノ]ビフェニル、2,6−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]フルオレン、4,4'−ビス[N−フェニル−N−(2−ピレニル)アミノ]ビフェニル、2,6−ビス[N,N−ジ−p−トリアミノ]ターフェニル、ビス(N−1−ナフチル)(N−2−ナフチル)アミン、等が挙げられる。   Specific examples of such arylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3- Methylphenyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4 ′ -Diaminobiphenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N , N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-bis (diphenylamino) quadriphenyl, 4-N, N′-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3-methoxy-4'- , N-diphenylaminostilbenzene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-di-p-triphenyl) cyclohexane, 1, 1-bis (4-di-p-triaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, N, N, N-N-tri (p-tolyl) amine 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[4 (di-p-triamino) styryl] stilbene, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diamino-biphenyl N— Phenylscarbazole, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] p-ter Phenyl, 4,4′-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene, 4,4′- Bis [N- (9-anthrin) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (1-anthryl) -N-phenylamino] p-terphenyl, 4,4′-bis [ N- (2-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (8-fluoranthenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (2 -Pyrenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-colonenyl) -N- Phenylamino] biphenyl, 2, -Bis [di- (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] naphthalene, 4,4'-bis [N, N- Di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4,4′-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) phenyl] amino} biphenyl, 4,4′-bis [N-phenyl- N- (2-pyrenyl) amino] biphenyl, 2,6-bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] fluorene, 4,4′-bis [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) amino ] Biphenyl, 2,6-bis [N, N-di-p-triamino] terphenyl, bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine, and the like.

正孔輸送層11は、例えば、真空蒸着法によって形成される。   The hole transport layer 11 is formed by, for example, a vacuum deposition method.

(発光層)
正孔輸送層11上には、発光層12が積層されている。発光層12は、上記した本発明の発光材料、すなわち、ホスト化合物としてのアントラセン誘導体にテトラフェニルエテン誘導体がドープされた発光材料を主成分として構成されている。発光層12を成膜する方法としては、アントラセン誘導体とテトラフェニルエテン誘導体とを同時に堆積させる方法が挙げられる。具体的には、真空蒸着法を用い、アントラセン誘導体とテトラフェニルエテン誘導体とを共蒸着させる方法が挙げられる。この際、ホスト化合物とドーパント化合物の蒸着速度を制御することにより、所望の蒸着比(ドープ濃度)を実現することができる。真空蒸着法以外の方法としては、発光材料を含む溶液を塗布する方法(コート法、印刷法等)や転写法(レーザー転写、熱転写等)が挙げられる。
(Light emitting layer)
A light emitting layer 12 is laminated on the hole transport layer 11. The light-emitting layer 12 is mainly composed of the above-described light-emitting material of the present invention, that is, a light-emitting material in which a tetraphenylethene derivative is doped into an anthracene derivative as a host compound. Examples of a method for forming the light emitting layer 12 include a method in which an anthracene derivative and a tetraphenylethene derivative are simultaneously deposited. Specifically, a method of co-evaporating an anthracene derivative and a tetraphenylethene derivative using a vacuum vapor deposition method can be given. At this time, a desired vapor deposition ratio (dope concentration) can be realized by controlling the vapor deposition rates of the host compound and the dopant compound. Examples of methods other than the vacuum deposition method include a method of applying a solution containing a light emitting material (a coating method, a printing method, etc.) and a transfer method (laser transfer, thermal transfer, etc.).

発光層12の膜厚は、電流効率等を考慮して適宜選択すればよい。発光層の膜厚は、例えば5nm〜400nmであり、好ましくは7nm〜350nm、より好ましくは10nm〜250nmである。なお、テトラフェニルエテン誘導体を単独のホスト化合物として用いた場合、上記の膜厚を有する良質なアモルファス膜を得ることが困難となる傾向がある。これに対して、テトラフェニルエテン誘導体をドーパント化合物として用いる本発明の構成によれば、上記膜厚でも発光層として適する良質のアモルファス膜が得られやすい。   The thickness of the light emitting layer 12 may be appropriately selected in consideration of current efficiency and the like. The film thickness of the light emitting layer is, for example, 5 nm to 400 nm, preferably 7 nm to 350 nm, and more preferably 10 nm to 250 nm. When a tetraphenylethene derivative is used as a single host compound, it tends to be difficult to obtain a high-quality amorphous film having the above film thickness. On the other hand, according to the configuration of the present invention using a tetraphenylethene derivative as a dopant compound, it is easy to obtain a high-quality amorphous film suitable as a light emitting layer even with the above film thickness.

(電子輸送層)
発光層12上には、電子輸送層15が積層されている。電子輸送層15の材料は特に限定されず、有機EL素子の電子輸送層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(略称:Alq)や1,3−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]ベンゼン(略称:Bpy−OXD)、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(略称:Bphen)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンジントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(略称:TPBi)、2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチフフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−tert−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、等が挙げられる。
(Electron transport layer)
An electron transport layer 15 is stacked on the light emitting layer 12. The material of the electron transport layer 15 is not specifically limited, The well-known material used as an electron transport layer of an organic EL element is employable. For example, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ) or 1,3-bis [2- (2,2′-bipyridin-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl ] Benzene (abbreviation: Bpy-OXD), 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (abbreviation: Bphen), 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-benzynetriyl) -tris ( 1-phenyl-1-H-benzimidazole) (abbreviation: TPBi), 2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butyphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), Bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq), 3- (4-biphenyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4 Triazole (abbreviation: TAZ), and the like.

電子輸送層15は、例えば、真空蒸着法によって形成される。電子輸送層15の膜厚は干渉効果や移動度等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば10〜100nmであり、好ましくは20〜80nm、より好ましくは40〜60nmである。   The electron transport layer 15 is formed by, for example, a vacuum evaporation method. The film thickness of the electron transport layer 15 may be appropriately selected in consideration of interference effects, mobility, and the like, but is, for example, 10 to 100 nm, preferably 20 to 80 nm, and more preferably 40 to 60 nm.

(電子注入層)
電子輸送層15上には、電子注入層16が積層されている。電子注入層16としては特に限定はなく、有機EL素子の電子注入層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、Li等のアルカリ金属;Mg、Ca等のアルカリ土類金属;前記金属を1種類以上含む合金;前記金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物;並びにこれらの混合物が挙げられる。具体的には、8−ヒドロキシキノリノラト(リチウム)(Liq)、フッ化リチウム(LiF)等が例示される。
(Electron injection layer)
An electron injection layer 16 is stacked on the electron transport layer 15. The electron injection layer 16 is not particularly limited, and a known material used as the electron injection layer of the organic EL element can be used. Examples thereof include alkali metals such as Li; alkaline earth metals such as Mg and Ca; alloys containing one or more of the metals; oxides, halides, and carbonates of the metals; and mixtures thereof. Specific examples include 8-hydroxyquinolinolato (lithium) (Liq) and lithium fluoride (LiF).

電子注入層16は、例えば、真空蒸着法によって形成される。電子注入層16の膜厚は移動度等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば0.1〜5nmであり、好ましくは0.5〜3nm、より好ましくは1〜2nmである。   The electron injection layer 16 is formed by, for example, a vacuum evaporation method. The thickness of the electron injection layer 16 may be appropriately selected in consideration of mobility and the like, and is, for example, 0.1 to 5 nm, preferably 0.5 to 3 nm, and more preferably 1 to 2 nm.

(裏面電極層)
電子注入層16上には、裏面電極層(陰極)6が積層されている。裏面電極層6に用いられる材料は、好ましくは仕事関数が小さい金属、またはこれらを含む合金、金属酸化物等が用いられる。例えば、アルカリ金属ではLi等であり、アルカリ土類金属ではMg,Ca等が例示される。また希土類金属等からなる金属単体、あるいはこれらの金属とAl,In,Ag等の合金等が用いられうる。また、特開2001−102175号公報等に開示された技術を使用して、陰極に接する有機層をアルカリ土類金属イオン、アルカリ金属イオンからなる群から選択される少なくとも1種を含む有機金属錯体化合物を用いて構成する場合、該錯体化合物中に含有される金属イオンを真空中で金属に還元する金属、例えばAl,Zr,Ti,Si等もしくはこれらの金属を含有する合金を用いることもできる。
(Back electrode layer)
A back electrode layer (cathode) 6 is stacked on the electron injection layer 16. The material used for the back electrode layer 6 is preferably a metal having a low work function, or an alloy or metal oxide containing these metals. For example, the alkali metal is Li or the like, and the alkaline earth metal is Mg or Ca. In addition, a simple metal made of rare earth metal or the like, or an alloy such as Al, In, or Ag with these metals can be used. In addition, an organic metal complex containing at least one selected from the group consisting of alkaline earth metal ions and alkali metal ions as an organic layer in contact with the cathode, using the technology disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-102175 In the case of using a compound, a metal that reduces metal ions contained in the complex compound to a metal in a vacuum, such as Al, Zr, Ti, Si, or an alloy containing these metals can also be used. .

本実施形態の有機EL素子2は、上記のように、透明基板3上に形成された透明電極層4上に、真空蒸着法等の手法により、正孔注入層10、正孔輸送層11、発光層12、電子輸送層15、電子注入層16、および裏面電極層6を順次積層することにより製造することができる。このようにして製造された有機EL素子2は、封止部7を設けることによって封止され、有機EL装置1となる。   As described above, the organic EL element 2 of the present embodiment has the hole injection layer 10, the hole transport layer 11, and the like formed on the transparent electrode layer 4 formed on the transparent substrate 3 by a technique such as vacuum deposition. It can be manufactured by sequentially laminating the light emitting layer 12, the electron transport layer 15, the electron injection layer 16, and the back electrode layer 6. The organic EL element 2 manufactured in this way is sealed by providing the sealing portion 7 to become the organic EL device 1.

上記は、機能層5が5つの層からなる構成について説明したが、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、正孔注入層10、正孔輸送層11、電子輸送層15、電子注入層16の一部または全部が省略された構成でもよい。さらに、発光層12の前後に正孔阻止層や電子阻止層が設けられていてもよい。   Although the above demonstrated the structure in which the functional layer 5 consists of five layers, this invention is not limited to the said embodiment. For example, a configuration in which some or all of the hole injection layer 10, the hole transport layer 11, the electron transport layer 15, and the electron injection layer 16 are omitted may be employed. Further, a hole blocking layer or an electron blocking layer may be provided before and after the light emitting layer 12.

本発明の有機EL素子は、有機EL照明や有機EL表示装置等に好適に用いられる。有機EL照明は、住宅等の一般照明のみならず、液晶表示装置のバックライト、デジタルスチルカメラ等の電子機器や内視鏡用の光源、画像処理等の医療分野、露光装置や通信設備等の産業機器等の特殊照明としての応用も可能である。   The organic EL element of the present invention is suitably used for organic EL lighting, organic EL display devices and the like. Organic EL lighting is used not only for general lighting such as houses, but also for backlights of liquid crystal display devices, electronic devices such as digital still cameras, light sources for endoscopes, medical fields such as image processing, exposure devices, communication equipment, etc. Application as special lighting for industrial equipment is also possible.

以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

[合成例]
撹拌子および還流冷却器を備えるシュレンク(20mL)に、亜鉛粉末(0.65g,10mmol)、ピリジン(0.20mL,2.5mmol)およびTHF(4mL)をアルゴン雰囲気下導入した。混合物を0℃に冷却し、ここに四塩化チタン(0.30mL,2.7mmol)を注射器でゆっくり加えた。生じた懸濁液を1時間還流した。混合物を再度0℃に冷却したのち、ここに4−ブロモ−4’−(トリフルオロメチル)ベンゾフェノン(0.33g,1.0mmol)を加えて、21時間還流した。混合物を室温に戻してフロリジルのショートカラムで酢酸エチルを使って濾過した。濾液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機溶媒を減圧留去して得た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、1,2−ビス(4−ブロモフェニル)−1,2−ビス[4−(トリフルオロメチル)フェニル]エテン(0.28g,収率90%)を、E/Z比が約1:1の混合物として得た。
[Synthesis example]
Zinc powder (0.65 g, 10 mmol), pyridine (0.20 mL, 2.5 mmol) and THF (4 mL) were introduced into Schlenk (20 mL) equipped with a stir bar and a reflux condenser under an argon atmosphere. The mixture was cooled to 0 ° C. and titanium tetrachloride (0.30 mL, 2.7 mmol) was slowly added thereto with a syringe. The resulting suspension was refluxed for 1 hour. After the mixture was cooled again to 0 ° C., 4-bromo-4 ′-(trifluoromethyl) benzophenone (0.33 g, 1.0 mmol) was added thereto and refluxed for 21 hours. The mixture was allowed to cool to room temperature and filtered through a short column of Florisil with ethyl acetate. The filtrate was washed with saturated brine and dried over anhydrous magnesium sulfate. The crude product obtained by distilling off the organic solvent under reduced pressure was purified by silica gel column chromatography to obtain 1,2-bis (4-bromophenyl) -1,2-bis [4- (trifluoromethyl) phenyl]. Ethene (0.28 g, 90% yield) was obtained as a mixture with an E / Z ratio of approximately 1: 1.

撹拌子および還流冷却器を備えるシュレンク(20mL)に1,2−ビス(4−ブロモフェニル)−1,2−ビス[4−(トリフルオロメチル)フェニル]エテン(0.25g,0.4mmol)、ヨウ化銅(7.6mg,0.04mmol)、ナトリウムメトキシド(5Mメタノール溶液1.6mL,8.0mmol)、ジメチルホルムアミド(1.2mL)および酢酸エチル(1.2mL)をアルゴン雰囲気下導入した。混合物を100℃で17時間加熱した。飽和塩化アンモニウム水溶液(2mL)を加えて反応を停止し、水層をジクロロメタン(3mL×3回)で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、エバポレーターで有機溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、下記式(3Z)および(3E)で表される1,2−ビス[4−(トリフルオロメチル)フェニル]−1,2−ビス(4−メトキシフェニル)エテンをE/Z比約1:1の混合物として得た(0.11g,収率51%)。   1,2-bis (4-bromophenyl) -1,2-bis [4- (trifluoromethyl) phenyl] ethene (0.25 g, 0.4 mmol) to Schlenk (20 mL) equipped with stir bar and reflux condenser. , Copper iodide (7.6 mg, 0.04 mmol), sodium methoxide (5 M methanol solution 1.6 mL, 8.0 mmol), dimethylformamide (1.2 mL) and ethyl acetate (1.2 mL) were introduced under an argon atmosphere. did. The mixture was heated at 100 ° C. for 17 hours. Saturated aqueous ammonium chloride solution (2 mL) was added to stop the reaction, and the aqueous layer was extracted with dichloromethane (3 mL × 3 times). The organic layer was washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the organic solvent was distilled off with an evaporator. The obtained crude product was purified by silica gel column chromatography to obtain 1,2-bis [4- (trifluoromethyl) phenyl] -1,2-bis represented by the following formulas (3Z) and (3E). (4-Methoxyphenyl) ethene was obtained as a mixture with an E / Z ratio of about 1: 1 (0.11 g, yield 51%).

Figure 0005934570
Figure 0005934570

[実施例1]
パターニングされたITO電極(膜厚150nm)を有するガラス基板上に、以下の手順で、2mm×2mmの発光領域を有するボトムエミッション型評価素子を作製した。
[Example 1]
On a glass substrate having a patterned ITO electrode (film thickness 150 nm), a bottom emission type evaluation element having a light emitting region of 2 mm × 2 mm was produced by the following procedure.

ITO電極(陽極)上に、三酸化モリブデン(MoO)とホール輸送材料(保土谷化学工業株式会社製 EL−301)を共蒸着し、正孔注入層(膜厚60nm)を形成した。正孔注入層の上に、EL−301を真空蒸着し、正孔輸送層(膜厚20nm)を形成した。次に、正孔輸送層の上に、アントラセン誘導体(SFC社製 SH03)と、上記製造例で得られたビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンとを共蒸着し、発光層(膜厚20nm)を形成した。ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンのドープ濃度は、アントラセン誘導体100重量部に対して5重量部とした。 On the ITO electrode (anode), molybdenum trioxide (MoO 3 ) and a hole transport material (EL-301 manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) were co-evaporated to form a hole injection layer (film thickness 60 nm). On the hole injection layer, EL-301 was vacuum-deposited to form a hole transport layer (film thickness 20 nm). Next, an anthracene derivative (SH03 manufactured by SFC) and bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene obtained in the above production example were co-deposited on the hole transport layer. A light emitting layer (film thickness 20 nm) was formed. The doping concentration of bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene was 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the anthracene derivative.

発光層の上に、電子輸送材料(メルク社製 ETM−033)を真空蒸着し、電子輸送層(40nm)を形成した。次に、電子輸送層の上に、LiFを真空蒸着し、電子注入層(膜厚10nm)を形成した。電子注入層上に、陰極として、アルミニウムを150nmの膜厚で成膜した。   An electron transport material (ETM-033 manufactured by Merck & Co., Inc.) was vacuum-deposited on the light emitting layer to form an electron transport layer (40 nm). Next, LiF was vacuum-deposited on the electron transport layer to form an electron injection layer (film thickness: 10 nm). On the electron injection layer, aluminum was formed to a thickness of 150 nm as a cathode.

陰極を形成後、不活性下のグローブボックスに、蒸着成膜後の有機EL素子を移動し、ガラスキャップにUV硬化樹脂を塗布し、基板とキャップを貼り合わせた。UV照射後、貼り合わせた基板を大気圧下に取り出し、電流を通電して、電流−電圧−輝度(I−V−L)特性および発光強度スペクトルを測定した。   After forming the cathode, the organic EL element after vapor deposition was moved to an inert glove box, a UV curable resin was applied to the glass cap, and the substrate and the cap were bonded together. After the UV irradiation, the bonded substrates were taken out under atmospheric pressure, a current was applied, and current-voltage-luminance (IVL) characteristics and emission intensity spectra were measured.

[実施例2]
上記実施例1の発光層の形成において、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンのドープ濃度を、アントラセン誘導体100重量部に対して7重量部とした。それ以外は実施例1と同様にして、評価素子を作製し、I−V−L特性および発光強度スペクトルを測定した。
[Example 2]
In the formation of the light emitting layer of Example 1, the doping concentration of bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene was 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the anthracene derivative. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the evaluation element, and measured the IV characteristic and the light emission intensity spectrum.

[比較例1]
上記実施例1の発光層の形成において、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンのみを真空蒸着して発光層(膜厚5nm)を形成した。それ以外は実施例1と同様にして、評価素子を作製し、I−V−L特性および発光強度スペクトルを測定した。
[Comparative Example 1]
In the formation of the light emitting layer of Example 1, only the bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene was vacuum deposited to form a light emitting layer (film thickness 5 nm). Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the evaluation element, and measured the IV characteristic and the light emission intensity spectrum.

[比較例2]
上記実施例1の発光層の形成において、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンを用いず、アントラセン誘導体のみを真空蒸着して発光層(膜厚20nm)を形成した。それ以外は実施例1と同様にして、評価素子を作製し、I−V−L特性を測定した。
[Comparative Example 2]
In the formation of the light-emitting layer in Example 1, the light-emitting layer (thickness 20 nm) was formed by vacuum deposition of only the anthracene derivative without using bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene. . Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the evaluation element and measured the IVL characteristic.

[評価結果]
各実施例および比較例の有機EL素子を輝度2000cd/m2の光量とした場合の電流効率(cd/A)を表1に示す。また、各有機EL素子の電流密度10mA/cmにおける発光強度スペクトルを図3に、各発光強度スペクトルを発光極大波長における強度(ピーク強度)で規格化したものを図4に示す。また、実施例2および比較例1の有機EL素子の輝度を電流密度に対してプロットしたグラフを図5に示す。
[Evaluation results]
Table 1 shows the current efficiency (cd / A) in the case where the organic EL elements of the examples and the comparative examples have a luminance of 2000 cd / m 2 . Moreover, the emission intensity spectrum of each organic EL element at a current density of 10 mA / cm 2 is shown in FIG. 3, and each emission intensity spectrum normalized by the intensity (peak intensity) at the emission maximum wavelength is shown in FIG. Moreover, the graph which plotted the brightness | luminance of the organic EL element of Example 2 and the comparative example 1 with respect to the current density is shown in FIG.

Figure 0005934570
Figure 0005934570

表1から明らかなように、アントラセン誘導体をホスト化合物とし、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンをドーパントとして用いた実施例の有機EL素子は、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンを単独で用いた比較例1の有機EL素子に比して、約1.5倍の発光効率を有している。また、実施例の有機EL素子は、アントラセン誘導体を単独で用いた比較例2の素子に比して、2倍以上の発光効率を有している。実施例1と実施例2との対比によれば、ドーパント化合物の含有量を高めることで、発光効率の上昇がみられた。   As is apparent from Table 1, the organic EL device of the example using an anthracene derivative as a host compound and bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene as a dopant is bis (4-methoxy). Compared to the organic EL device of Comparative Example 1 using phenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene alone, it has a luminous efficiency of about 1.5 times. Moreover, the organic EL element of an Example has the luminous efficiency of 2 times or more compared with the element of the comparative example 2 which used the anthracene derivative independently. According to the comparison between Example 1 and Example 2, an increase in luminous efficiency was observed by increasing the content of the dopant compound.

このように、テトラフェニルエテン誘導体がドーパント化合物として用いられる場合は、テトラフェニルエテン誘導体単体の場合およびアントラセン誘導体単体の場合のいずれに比しても高い発光効率を示し、発光効率の濃度依存がみられている。また、図3,4によれば、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンをドーパントとして用いた場合は、単体で発光材料として用いた場合に比して、発光極大波長が波長化(ブルーシフト)するとともに、スペクトル幅(半値幅)が小さくなっている。これらの結果から、本発明の発光材料では、ホスト材料であるアントラセン誘導体からテトラフェニルエテン誘導体のエネルギー移動が十分に行われることで、発光効率が向上したものと考えられる。   Thus, when a tetraphenylethene derivative is used as a dopant compound, it exhibits high luminous efficiency compared to either the case of a tetraphenylethene derivative alone or the case of an anthracene derivative alone, and the concentration dependence of the luminous efficiency is observed. It has been. Moreover, according to FIGS. 3 and 4, when bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene is used as a dopant, the light emission maximum is larger than when the light emitting material is used alone. As the wavelength becomes wavelength (blue shift), the spectrum width (half-value width) becomes smaller. From these results, it is considered that the luminous efficiency of the light emitting material of the present invention is improved by sufficiently transferring the energy of the tetraphenylethene derivative from the anthracene derivative as the host material.

図5に示すように、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンを単独で用いた比較例1は、電流密度の上昇とともに電流効率が低下し、電流密度300mA/cmで素子破壊が生じた。これに対して、ビス(4−メトキシフェニル)ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)エテンがドーパントとして用いられた実施例2では、比較例1に比して電流効率の低下が抑制されており、電流密度を1000mA/cmまで上昇させた場合でも、高い発光効率を示した。 As shown in FIG. 5, in Comparative Example 1 using bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene alone, the current efficiency decreases as the current density increases, and the current density is 300 mA / cm. 2 caused device breakdown. On the other hand, in Example 2 in which bis (4-methoxyphenyl) bis (4-trifluoromethylphenyl) ethene was used as a dopant, a decrease in current efficiency was suppressed compared to Comparative Example 1, Even when the current density was increased to 1000 mA / cm 2 , high luminous efficiency was exhibited.

以上のように、本発明の発光材料は、従来の発光材料に比して高発光効率であるとともに、スペクトルの半値幅が小さい。さらに、本発明の発光材料は、高電流密度(高電圧)で駆動した場合においても、電流密度効率の低下が少なく、有機EL素子への実用に適しているといえる。   As described above, the light-emitting material of the present invention has high luminous efficiency and a small spectrum half-value width as compared with conventional light-emitting materials. Furthermore, the light-emitting material of the present invention is suitable for practical use as an organic EL element because it has little decrease in current density efficiency even when driven at a high current density (high voltage).

2 有機EL素子
4 透明電極層(陽極)
5 機能層
6 裏面電極層(陰極)
12 発光層
2 Organic EL element 4 Transparent electrode layer (anode)
5 Functional layer 6 Back electrode layer (cathode)
12 Light emitting layer

Claims (3)

青色ホスト化合物およびドーパント化合物を含有し、500nmよりも短波長に発光極大を有する青色発光材料であって、
記ドーパント化合物が、下記一般式(1Z)または(1E)で表されるテトラフェニルエテン誘導体であり、
Figure 0005934570
式(1Z)および(1E)中、Rは、炭素数1〜6の低級アルコキシ基であり、は、1〜5個のハロゲン置換された炭素数1〜6の低級アルキル基であり、
前記青色ホスト化合物がアントラセン誘導体である、発光材料。
A blue light-emitting material containing a blue host compound and a dopant compound and having a light emission maximum at a wavelength shorter than 500 nm ,
Before SL dopant compound, Ri tetraphenyl ethene derivatives der represented by the following general formula (1Z) or (1E),
Figure 0005934570
Wherein (1Z) and (1E), R 1 is a lower alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, R 2 is a 1-5 halogens substituted lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms Yes,
A light emitting material, wherein the blue host compound is an anthracene derivative.
前記アントラセン誘導体100重量部に対して、前記テトラフェニルエテン誘導体を合計1重量部〜50重量部含有する、請求項1に記載の発光材料。   The luminescent material according to claim 1, wherein the tetraphenylethene derivative is contained in a total amount of 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the anthracene derivative. 陽極および陰極からなる一対の電極の間に少なくとも発光層を備える有機EL素子であって、前記発光層が、請求項1または2に記載の発光材料を有する有機EL素子。 An organic EL device comprising at least a light emitting layer between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, the light-emitting layer, the organic EL element having a light-emitting material according to claim 1 or 2.
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