JP5919918B2 - Memory control apparatus and mask timing control method - Google Patents
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Description
本発明は、ソースシンクロナス方式のデータ受信に関し、特に、DDR(Double Data Rate)方式のSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)(以下、DDR−SDRAMという。)などのメモリ回路のリードデータの受信回路のためのメモリ制御装置と、メモリ回路のリードデータを取り込むためのストローブ信号を制御するマスク信号のためのマスクタイミング制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE
DDR−SDRAMは、双方向のデータバス、ストローブ信号を用いライト動作及びリード動作を行う。リード動作時は、ストローブ信号がハイインピーダンス状態(以下、Hi−Z状態という。)からプリアンブルと呼ばれる状態を経て、必要なストローブエッジの組(立ち上がりと立ち下がり)が必要分の複数組出力され、最後にポストアンブルと呼ばれる状態を経てHi−Zに戻る。リードデータの受信回路は、プリアンブルの状態を検知してデータ受信に必要なストローブ信号のエッジをクロックとして取り込む必要がある。 The DDR-SDRAM performs a write operation and a read operation using a bidirectional data bus and a strobe signal. During the read operation, the strobe signal is output from a high impedance state (hereinafter referred to as Hi-Z state) through a state called a preamble, and a plurality of necessary sets of strobe edges (rising and falling) are output as necessary, Finally, the state returns to Hi-Z through a state called postamble. The read data receiving circuit needs to detect the preamble state and capture the edge of the strobe signal necessary for data reception as a clock.
例えば、特許文献1においては、単一の読出し動作でDQSイネーブル信号の最適なタイミングを決定するスナップショットデータトレーニングの方法が提供される。ここで、まずグレイコードカウントのシーケンスをメモリに書き込み、次いで単一のバーストでそれを読み出すことで実現する。コントローラは、コマンドが発行された時点から一定間隔で読出しバーストをサンプリングし、周回遅延を決定する。簡単な真理値表の検索により、通常読出しに対する最適のDQSイネーブルのタイミングを決定する。通常の読出し動作中、イネーブルされたDQS信号の第1のポジティブエッジを使用して、コマンドが発行されるたびにイネーブルされたカウンタをサンプリングすることが好ましい。カウンタサンプルが変化した場合、これはタイミングの変動が生じたことを示すが、DQSイネーブル信号を調整して変動を補正し、DQSプリアンブルの中央に合わせた位置に保つことができる。
For example,
また、特許文献2においては、ストローブ信号を取り込むタイミングを決める目的で、メモリに対して遅延調整用のダミーのリードコマンドを発行し、メモリから出力されるデータ信号及びデータストローブ信号を用いてプリアンブル期間を検出し、データを取り込むタイミングを調整する回路構成が開示されている。
Further, in
しかしながら、今までのストローブ信号を取り込む手段は、メモリの初期化シーケンス時に実施されることが前提となっており、デバイスが動作することによって発生する電圧/温度変化の影響を受けて、プリアンブル期間が変動した場合、リード期間でストローブ信号が取り込めない問題があった。 However, the conventional means for capturing the strobe signal is assumed to be performed during the initialization sequence of the memory, and the preamble period is affected by the voltage / temperature change caused by the operation of the device. When it fluctuates, there is a problem that the strobe signal cannot be captured in the read period.
特許文献2においても、上記デバイスが動作することによって発生する電圧/温度変化の影響を受けプリアンブル期間が変動した場合、リード期間でストローブ信号を取り込むという問題を解消できない。
Also in
本発明の目的は以上の問題点を解決し、メモリ初期化時に検出されたプリアンブル期間がメモリ動作中に変動した際も、メモリのリード期間でストローブ信号を取り込むことができるメモリ制御装置、並びに、ストローブ信号を制御するマスク信号のためのマスクタイミング制御方法を提供することにある。 An object of the present invention is to solve the above problems, and a memory control device that can capture a strobe signal during a memory read period even when a preamble period detected during memory initialization fluctuates during memory operation, and It is an object to provide a mask timing control method for a mask signal for controlling a strobe signal.
第1の発明に係るメモリ制御装置は、メモリ回路から読み出されたデータを、メモリリード期間以外に上記メモリ回路から発生されるストローブ信号に同期して受信するように制御する同期式のメモリ制御装置において、
マスク信号を生成するマスク信号生成回路と、互いに縦続に接続された複数の遅延素子とを備え、上記マスク信号を上記複数の遅延素子により順次遅延させ、上記複数の遅延素子の段数に対応した遅延量の複数のタイミングを有するマスク信号を生成するマスク生成回路と、
上記ストローブ信号を上記マスク信号と論理積をして得られた信号を用いて、上記マスク信号を所定の複数のタイミングで検出して、検出した複数の検出データからなるデータを出力するタイミング測定回路と、
上記メモリ回路の動作中において、上記タイミング測定回路から出力されるデータと、上記マスク信号のL期間の所定の期待値及びH期間の所定の期待値とを比較して各比較結果を示すデータを出力する比較回路と、
上記メモリ回路の動作中において、上記比較回路からのデータに基づいて、上記マスク信号の変化タイミングを補正する補正制御回路とを備えたことを特徴とする。
A memory control device according to a first aspect of the present invention is a synchronous memory control for controlling so that data read from a memory circuit is received in synchronization with a strobe signal generated from the memory circuit during a period other than the memory read period. In the device
A mask signal generating circuit for generating a mask signal; and a plurality of delay elements connected in cascade with each other, the mask signal being sequentially delayed by the plurality of delay elements, and a delay corresponding to the number of stages of the plurality of delay elements A mask generating circuit for generating a mask signal having a plurality of timings of an amount;
A timing measurement circuit for detecting the mask signal at a plurality of predetermined timings using a signal obtained by ANDing the strobe signal with the mask signal, and outputting data composed of the detected plurality of detection data When,
During operation of the memory circuit, data indicating the data output from the upper Symbol timing measurement circuit, each comparison result is compared with a predetermined expected value of the predetermined expected value and H period the L period of the mask signal A comparison circuit that outputs
And a correction control circuit for correcting the change timing of the mask signal based on data from the comparison circuit during the operation of the memory circuit .
第2の発明に係るメモリ制御装置のためのマスクタイミング制御方法は、メモリ回路から読み出されたデータを、メモリリード期間以外に上記メモリ回路から発生されるストローブ信号に同期して受信するように制御する同期式のメモリ制御装置のためのマスクタイミング制御方法において、
上記メモリ制御装置は、
マスク信号を生成するマスク信号生成回路と、互いに縦続に接続された複数の遅延素子とを備え、上記マスク信号を上記複数の遅延素子により順次遅延させ、上記複数の遅延素子の段数に対応した遅延量の複数のタイミングを有するマスク信号を生成するマスク生成回路と、
上記ストローブ信号を上記マスク信号と論理積をして得られた信号を用いて、上記マスク信号を所定の複数のタイミングで検出して、検出した複数の検出データからなるデータを出力するタイミング測定回路とを備え、
上記マスクタイミング制御方法は、
上記メモリ回路の動作中において、上記タイミング測定回路から出力されるデータと、上記マスク信号のL期間の所定の期待値及びH期間の所定の期待値とを比較して各比較結果を示すデータを出力するステップと、
上記メモリ回路の動作中において、上記各比較結果を示すデータに基づいて、上記マスク信号の変化タイミングを補正するステップとを含むことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a mask timing control method for a memory control device, wherein data read from a memory circuit is received in synchronization with a strobe signal generated from the memory circuit other than a memory read period. In a mask timing control method for a synchronous memory control device to be controlled,
The memory control device
A mask signal generating circuit for generating a mask signal; and a plurality of delay elements connected in cascade with each other, the mask signal being sequentially delayed by the plurality of delay elements, and a delay corresponding to the number of stages of the plurality of delay elements A mask generating circuit for generating a mask signal having a plurality of timings of an amount;
A timing measurement circuit for detecting the mask signal at a plurality of predetermined timings using a signal obtained by ANDing the strobe signal with the mask signal, and outputting data composed of the detected plurality of detection data And
The mask timing control method is as follows:
During the operation of the memory circuit, data output from the timing measurement circuit is compared with a predetermined expected value for the L period and a predetermined expected value for the H period of the mask signal, and data indicating each comparison result is obtained. Output step;
And correcting the change timing of the mask signal based on the data indicating the comparison results during the operation of the memory circuit .
従って、本発明によれば、メモリ動作中のプリアンブル期間の変動を検出し、ストローブ信号を取り込むタイミングを補正するので、メモリ初期化時に検出されたプリアンブル期間がメモリ動作中に変動した場合でも、リード期間のみストローブ信号を取り込むことができる。 Therefore, according to the present invention, the fluctuation of the preamble period during the memory operation is detected and the timing for capturing the strobe signal is corrected. Therefore, even if the preamble period detected at the time of memory initialization changes during the memory operation, A strobe signal can be captured only during the period.
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each following embodiment, the same code | symbol is attached | subjected about the same component.
図1は本発明の一実施形態に係るメモリ制御装置1を含むメモリ制御システムの構成を示すブロック図である。メモリ制御装置1は、タイミング補正回路10を含み、タイミング補正回路10は、メモリリード期間でストローブ信号を取り込む処理に際して、プリアンブルのL期間とプリアンブル後のH期間をメモリリード期間中に常にモニターし、ローレベルベル期間(以下、L期間という。)とハイレベル期間(以下、H期間という。)の割合が決められた値を超えた際にフラグを立て、メモリリードが発生しない期間でストローブ信号を取り込むタイミングを補正変更することを特徴としている。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a memory control system including a
図1において、メモリ制御装置1は、ソースシンクロナス方式でDDR−SDRAM(以下、SDRAMという。)2に対するクロック及びその他のメモリ制御信号を発生するコマンド制御回路20とともに、SDRAM2に対してデータを書き込み、もしくはSDRAM2からデータを読み出すことを制御する。内部クロックCLKはコマンド制御回路20及びメモリ制御装置1に入力され、例えば外部コントローラのCPU(図示せず。内部コントローラであってもよい。)からの制御信号がコマンド制御回路20及びメモリ制御装置1内のマスク生成回路11等に入力される。コマンド制御回路20は、上記CPUからの制御信号に基づいてデータ読み出しのためのリードコマンドを発行する場合、特有のレイテンシ(SDRAM2のCL値に対応する。)に対応したタイミングでマスク生成回路11に対してマスク信号MSK生成のトリガ信号TRIを発生してマスク生成回路11に出力する。また、コマンド制御回路20はメモリクロックを発生してSDRAM2に出力するとともに、その他のメモリ制御信号を発生してSDRAM2に出力する。
In FIG. 1, the
SDRAM2からのストローブ信号DQS,DQSBは信号バッファ15を介してストローブ信号DQSのみとなり、マスク用アンドゲート12を介してファーストエッジ検出回路14及びリードデータ制御回路21に入力される。アンドゲート12は、入力されるストローブ信号DQSをマスク信号MSKに基づいてマスクして、マスク後ストローブ信号dqs_mskを発生してリードデータ制御回路10及びファーストエッジ検出回路14に出力する。リードデータ制御回路10は公知の回路であって、SDRAM2からのデータDQをストローブ信号DQSのタイミングでラッチして読み出すように制御する。なお、16はSDRAM2への出力信号用の信号バッファである。
The strobe signals DQS and DQSB from the
図1において、マスク生成回路11はクロックCLKに基づいて動作し、リードストローブ信号DQSに対して、後述する補正制御回路19からの遅延補正数データdelay_numに基づき補正しつつ、リード期間以外をマスクするマスク信号mask_nを生成してタイミング測定回路13に出力するとともに、アンドゲート12を介してファーストエッジ検出回路14及びリードデータ制御回路21に出力する。タイミング測定回路13は、ファーストエッジ検出回路14からのマスクエッジ信号dqs_msk_edgeに基づいて、マスク信号mask_nのアサートタイミングを測定してその測定結果のデータをメモリ制御データとして例えばCPU(図示せず。)などに出力する。ファーストエッジ検出回路14は、マスク信号mask_nによってマスクされたリードストローブ信号dqs_mskの最初の立上りを検出して、検出タイミングを示すマスクエッジ信号dqs_msk_edgeを生成してタイミング測定回路13に出力する。L期間比較器18は、タイミング測定回路13からのメモリ制御データからL期間の長さを測定して、測定結果を示す比較結果データl_cmp_outを補正制御回路19に出力する。また、H期間比較器17は、タイミング測定回路13からのメモリ制御データからH期間の長さを測定して、測定結果を示す比較結果データh_cmp_outを補正制御回路19に出力する。補正制御回路19は、L期間比較器18からのデータl_cmp_out及びH期間比較器17からのデータh_cmp_outに基づいて、マスク信号の補正量を決定して補正量を示す遅延補正数データdelay_numをマスク生成回路11に出力する。これに応答して、補正制御回路19は、メモリのコマンド制御回路20よりライト、もしくはリフレッシュを発行するタイミングの制御信号を受信して当該補正量を更新する。
In FIG. 1, a
図2は図1のメモリ制御装置1においてストローブ信号DQSを取り込むタイミングを示すタイミングチャートである。図1から明らかなように、マスク信号dqs_mskは、リードストローブ信号DQSをアンドゲート12によりマスク信号mask_nと論理積して得られた信号である。マスク信号mask_nは、ストローブ信号DQSのプリアンブル期間にローレベル(L)からハイレベル(H)に遷移し、リード期間の最後のパルスの立下りでローレベル(L)に遷移します。こうすることで、ストローブ信号DQSのハイインピーダンス期間を回路内部へ取り込まないようにしている。
FIG. 2 is a timing chart showing the timing for taking in the strobe signal DQS in the
図3は図1のタイミング測定回路13の構成を示す回路図である。図3において、タイミング測定回路13は、互いに縦続接続された複数N個の遅延素子41−0〜41−(N−1)と、各遅延素子41−0〜41−(N−1)の前後の端子からのデータをマスクエッジ信号dqs_msk_edgeのタイミングで取り込んでデータQ0〜QNを出力する複数(N+1)個の遅延型フリップフロップ42−0〜42−Nと、マスクエッジ信号dqs_msk_edgeをバッファする信号バッファ43と、マスク信号msk_nを所定逓倍数だけ逓倍してクロックとして各遅延素子41−0〜41−(N−1)に出力する逓倍器44とを備えて構成される。ここで、マスクエッジ信号dqs_msk_edgeは、マスク信号dqs_mskの最初の立上りでローレベル(L)からハイレベル(H)になる信号である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of the
図4は図3のタイミング測定回路13の動作を示す各信号のタイミングチャートである。図4において、マスク信号mask_nは、逓倍器44からのクロックに基づいて動作する各遅延素子41−0〜41−(N−1)によって各所定の遅延時間だけ遅延され、マスクエッジ信号dqs_msk_edgeの立上りで各フリップフロップ42−0〜42−Nにより取り込まれる。ここで、各フリップフロップ42−0〜42−Nからの出力データがQ0〜QNとなる。なお、本実施形態では、複数の遅延素子41−0〜41−(N−1)により実施しているが、可能ならば位相をずらした高速クロックによってマスク信号mask_nを取り込んでもよい。
FIG. 4 is a timing chart of each signal showing the operation of the
図5は図1のマスク生成回路11の構成を示す回路図である。図5において、マスク生成回路11は、マスク信号生成回路51と、互いに縦続接続された複数N個の遅延素子52−1〜52−Nと、マスク信号生成回路51及び各遅延素子52−1〜52−Nからの出力信号のうち1つの信号を、遅延補正数データdelay_numに基づいて選択してマスク信号mask_nとして出力するマルチプレクサ53とを備えて構成される。ここで、マスク信号生成回路51は、メモリのリードタイミングでマスク信号を生成し、各遅延素子52−1〜52−Nによって遅延させる。さらに、遅延補正数データdelay_numに基づいて上記複数の出力信号のうちの1つを選択してマスク信号mask_nとして出力する。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the
図6は図1のL期間比較器18とH期間比較器17の動作を説明するための図である。タイミング測定回路13からのメモリ制御データは、マスク信号mask_nがどのタイミングでローレベル(L)からハイレベル(H)に遷移したかを示している。H比較器17は、タイミング測定回路13からのメモリ制御データがハイレベル(H)であることを期待する期間をH比較パラメータ(データ)として与え、図6に示すように、メモリ制御データをH比較パラメータと比較し、H比較パラメータが示す期待期間のうち、0の数を比較結果データh_cmp_outとして出力し、比較結果データh_cmp_outが0であれば、期待期間でマスク信号mask_nはハイレベル(H)であったことを示す。また、L比較器18は、タイミング測定回路13からのメモリ制御データがローレベル(L)であることを期待する期間をL比較パラーメータ(データ)として与え、図6に示すように、メモリ制御データをL比較パラメータと比較し、L比較パラメータが示す期待期間のうち、1の数を比較結果データl_cmp_outとして出力する。比較結果データl_cmp_outが0であれば、期待期間でマスク信号mask_nがローレベル(L)であったことを示す。図6では、比較結果データl_cmp_out=2なので、期待するより早く、マスク信号mask_nがハイレベル(H)に遷移していることを示している。2つの比較結果データh_cmp_out,l_cmp_outともに0であれば、マスク信号のタイミング補正は不要であり、そうでなければタイミング補正が必要となる。
FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the
図7は図1の補正制御回路19の動作を示す各信号のタイミングチャートである。図7において、wr_com_trgは、メモリ制御回路1がライトコマンドを発行するタイミングを示す信号であって、コマンド制御回路20によって発生される。比較結果データl_cmp_outが0から2へ変化したことにより、マスク信号mask_nの遅延量を増やす必要があることを検知する。遅延量更新のタイミングは、リード最中でないことが望ましいので、図7ではライトコマンド発行のタイミングで補正量を示す遅延補正数データdelay_numを更新する。
FIG. 7 is a timing chart of each signal showing the operation of the
以上の図7の実施形態においては、ライトコマンド発行のタイミングで更新しているが、リフレッシュなどリード以外の別のコマンド発行のタイミングで更新してもよい。 In the embodiment of FIG. 7 described above, the update is performed at the write command issuance timing, but the update may be performed at another command issuance timing other than the read such as refresh.
図8は変形例に係る補正制御回路19の構成を示すブロック図である。図8の変形例は、補正制御回路19に温度センサ入力端子を設けて温度センサ61からの温度情報に基づいてマスク信号の補正制御を行うことを特徴としている。
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of the
図7で説明したようにリード以外のコマンド発行時に、遅延補正数データdelay_numを調整する方法をとった場合、遅延補正数データdelay_numを更新後、しばらくアイドル状態が続き、デバイスの温度が低下した場合、遅延補正数データdelay_numの値が適正でなくなっている可能性がある。そこで、温度センサ61を搭載し、リード時は、温度センサ61からの温度情報と、比較器17,18の比較結果データとを使って補正値テーブルを作成して補正値テーブルメモリ60mに格納しておく。そして、動作時には、温度センサ61からの温度情報に基づいて、リード時に登録しておいた補正値テーブルメモリ60m内のテーブル値(温度情報に対応する)を選択し、遅延補正数データdelay_numを更新する。このようにすることで、アイドル状態が長く続く場合でも適正な値に補正可能である。また、電源電圧の変化による遅延変動を考慮したい場合は、温度センサ61に加え、電圧センサを用いてよい。すなわち、温度情報や電源電圧の変化などの遅延変動パラメータに基づいて遅延補正数データdelay_numを補正することができる。
As described with reference to FIG. 7, when the method of adjusting the delay correction number data delay_num is used when a command other than read is issued, the idle temperature continues for a while after the delay correction number data delay_num is updated, and the temperature of the device decreases. There is a possibility that the value of the delay correction number data delay_num is not appropriate. Therefore, the
以上の実施形態においては、DDR−SDRAMに適用しているが、本発明はこれに限らず、その他の種類のメモリ回路に提供することができる。 In the above embodiment, the present invention is applied to the DDR-SDRAM. However, the present invention is not limited to this and can be provided to other types of memory circuits.
以上詳述したように、本発明によれば、メモリ動作中のプリアンブル期間の変動を検出し、ストローブ信号を取り込むタイミングを補正するので、メモリ初期化時に検出されたプリアンブル期間がメモリ動作中に変動した場合でも、リード期間のみストローブ信号を取り込むことができる。 As described above in detail, according to the present invention, since the fluctuation of the preamble period during the memory operation is detected and the timing for taking in the strobe signal is corrected, the preamble period detected at the time of memory initialization varies during the memory operation. Even in this case, the strobe signal can be captured only during the read period.
1…メモリ制御装置、
2…DDR−SDRAM(SDRAM)、
10…タイミング補正回路、
11…マスク生成回路、
12…アンドゲート、
13…タイミング測定回路、
14…ファーストエッジ検出回路、
15,16…信号バッファ、
20…コマンド制御回路、
21…リードデータ制御回路、
41−0〜41−(N−1)…遅延素子、
42−0〜42−N…遅延型フリップフロップ、
43…信号バッファ、
51…マスク信号生成回路、
52−1〜52−N…遅延素子、
53…マルチプレクサ、
60…コントローラ、
60m…補正値テーブルメモリ、
61…温度センサ。
1 ... Memory control device,
2. DDR-SDRAM (SDRAM),
10: Timing correction circuit,
11 ... Mask generation circuit,
12 ... Andgate,
13 ... Timing measurement circuit,
14: First edge detection circuit,
15, 16 ... signal buffer,
20 ... Command control circuit,
21: Read data control circuit,
41-0 to 41- (N-1) ... delay elements,
42-0 to 42-N ... delay type flip-flops,
43 ... Signal buffer,
51. Mask signal generation circuit,
52-1 to 52-N ... delay elements,
53 ... Multiplexer,
60 ... Controller,
60m ... correction value table memory,
61 ... Temperature sensor.
Claims (5)
マスク信号を生成するマスク信号生成回路と、互いに縦続に接続された複数の第1の遅延素子とを備え、上記マスク信号を上記複数の第1の遅延素子により順次遅延させ、上記複数の第1の遅延素子の段数に対応した遅延量の複数のタイミングを有するマスク信号を生成するマスク生成回路と、
上記ストローブ信号を上記マスク信号と論理積をして得られた信号を用いて、上記マスク信号を所定の複数のタイミングで検出して、検出した複数の検出データからなるデータを出力するタイミング測定回路と、
上記メモリ回路の動作中において、上記タイミング測定回路から出力されるデータと、上記マスク信号のL期間の所定の期待値及びH期間の所定の期待値とを比較して各比較結果を示すデータを出力する比較回路と、
上記メモリ回路の動作中において、上記比較回路からのデータに基づいて、上記マスク信号の変化タイミングを補正する補正制御回路とを備えたことを特徴とするメモリ制御回路。 In a synchronous memory control device that controls to read data read from a memory circuit in synchronization with a strobe signal generated from the memory circuit other than the memory read period,
A mask signal generating circuit for generating a mask signal; and a plurality of first delay elements connected in cascade to each other, the mask signal being sequentially delayed by the plurality of first delay elements, and the plurality of first delay elements A mask generation circuit for generating a mask signal having a plurality of timings of delay amounts corresponding to the number of stages of the delay elements;
A timing measurement circuit for detecting the mask signal at a plurality of predetermined timings using a signal obtained by ANDing the strobe signal with the mask signal, and outputting data composed of the detected plurality of detection data When,
During operation of the memory circuit, data indicating the data output from the upper Symbol timing measurement circuit, each comparison result is compared with a predetermined expected value of the predetermined expected value and H period L period of the mask signal A comparison circuit that outputs
A memory control circuit comprising: a correction control circuit that corrects a change timing of the mask signal based on data from the comparison circuit during operation of the memory circuit.
(1)互いに縦続接続されかつ上記マスク信号を逓倍したクロックにより駆動される複数の第2の遅延素子に、上記マスク信号を入力し、
(2)上記ストローブ信号を上記マスク信号と論理積をして得られた信号のタイミングにおいて、上記マスク信号を上記複数の第2の遅延素子を用いて上記複数のタイミングで検出することで、検出した複数の検出データからなるデータを出力することを特徴とする請求項1記載のメモリ制御回路。 The timing measurement circuit
(1) The mask signal is input to a plurality of second delay elements that are cascade-connected to each other and driven by a clock obtained by multiplying the mask signal.
(2) Detection is performed by detecting the mask signal at the plurality of timings using the plurality of second delay elements at the timing of the signal obtained by ANDing the strobe signal with the mask signal. the memory control circuit according to claim 1, wherein the outputting the data comprising a plurality of detection data.
上記メモリ制御装置は、
マスク信号を生成するマスク信号生成回路と、互いに縦続に接続された複数の遅延素子とを備え、上記マスク信号を上記複数の遅延素子により順次遅延させ、上記複数の遅延素子の段数に対応した遅延量の複数のタイミングを有するマスク信号を生成するマスク生成回路と、
上記ストローブ信号を上記マスク信号と論理積をして得られた信号を用いて、上記マスク信号を所定の複数のタイミングで検出して、検出した複数の検出データからなるデータを出力するタイミング測定回路とを備え、
上記マスクタイミング制御方法は、
上記メモリ回路の動作中において、上記タイミング測定回路から出力されるデータと、上記マスク信号のL期間の所定の期待値及びH期間の所定の期待値とを比較して各比較結果を示すデータを出力するステップと、
上記メモリ回路の動作中において、上記各比較結果を示すデータに基づいて、上記マスク信号の変化タイミングを補正するステップとを含むことを特徴とするメモリ制御回路のためのマスクタイミング制御方法。 In a mask timing control method for a synchronous memory control device for controlling to read data read from a memory circuit in synchronization with a strobe signal generated from the memory circuit other than the memory read period,
The memory control device
A mask signal generating circuit for generating a mask signal; and a plurality of delay elements connected in cascade with each other, the mask signal being sequentially delayed by the plurality of delay elements, and a delay corresponding to the number of stages of the plurality of delay elements A mask generating circuit for generating a mask signal having a plurality of timings of an amount;
A timing measurement circuit for detecting the mask signal at a plurality of predetermined timings using a signal obtained by ANDing the strobe signal with the mask signal, and outputting data composed of the detected plurality of detection data And
The mask timing control method is as follows:
During the operation of the memory circuit, data output from the timing measurement circuit is compared with a predetermined expected value for the L period and a predetermined expected value for the H period of the mask signal, and data indicating each comparison result is obtained. Output step;
A mask timing control method for the memory control circuit, comprising: correcting the change timing of the mask signal based on data indicating each comparison result during the operation of the memory circuit .
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