JP5903224B2 - Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method. - Google Patents

Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method. Download PDF

Info

Publication number
JP5903224B2
JP5903224B2 JP2011135672A JP2011135672A JP5903224B2 JP 5903224 B2 JP5903224 B2 JP 5903224B2 JP 2011135672 A JP2011135672 A JP 2011135672A JP 2011135672 A JP2011135672 A JP 2011135672A JP 5903224 B2 JP5903224 B2 JP 5903224B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
carbon atoms
atom
preferable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011135672A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013001850A (en
Inventor
内海 義之
義之 内海
尚宏 太宰
尚宏 太宰
岩下 淳
淳 岩下
健理 昆野
健理 昆野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2011135672A priority Critical patent/JP5903224B2/en
Priority to KR1020137033833A priority patent/KR101884497B1/en
Priority to US14/126,535 priority patent/US9097971B2/en
Priority to TW101121681A priority patent/TWI614230B/en
Priority to PCT/JP2012/065389 priority patent/WO2012173235A1/en
Publication of JP2013001850A publication Critical patent/JP2013001850A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5903224B2 publication Critical patent/JP5903224B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、ラジカル重合開始剤として有用な新規化合物、該化合物からなるラジカル重合開始剤、該化合物の製造方法、レジスト組成物用として有用な新規重合体、該重合体を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a novel compound useful as a radical polymerization initiator, a radical polymerization initiator comprising the compound, a method for producing the compound, a novel polymer useful as a resist composition, a resist composition containing the polymer, And a resist pattern forming method using the resist composition.

リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、所定のパターンが形成されたマスクを介して、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。
露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長(高エネルギー)の電子線、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
In lithography technology, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, and the resist film is selectively exposed to light such as light or an electron beam through a mask on which a predetermined pattern is formed. And a development process is performed to form a resist pattern having a predetermined shape on the resist film.
A resist material in which the exposed portion changes to a property that dissolves in the developer is referred to as a positive type, and a resist material that changes to a property in which the exposed portion does not dissolve in the developer is referred to as a negative type.
In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, pattern miniaturization has been rapidly progressing due to advances in lithography technology.
As a technique for miniaturization, the exposure light source is generally shortened in wavelength (increased energy). Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has started. Further, studies have been made on electron beams having shorter wavelengths (higher energy) than these excimer lasers, EUV (extreme ultraviolet rays), X-rays, and the like.

レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
たとえば上記現像液がアルカリ現像液(アルカリ現像プロセス)の場合、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(ベース樹脂)と、酸発生剤成分とを含有するものが一般的に用いられている。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、露光部において、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用により樹脂成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大して、露光部がアルカリ現像液に対して可溶となる。そして、未露光部がパターンとして残るポジ型パターンが形成される。ここで、前記ベース樹脂は、酸の作用により樹脂の極性が高くなるものが用いられ、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する一方で、有機溶剤に対する溶解性は低下する。そのため、アルカリ現像プロセスでなく、有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いたプロセス(以下、溶剤現像プロセス、またはネガ型現像プロセスということがある)を適用すると、露光部では、相対的に有機系現像液に対する溶解性が低下するため、該溶剤現像プロセスにおいては、レジスト膜の未露光部が有機系現像液により溶解、除去されて、露光部がパターンとして残るネガ型のレジストパターンが形成される。たとえば特許文献1には、ネガ型現像プロセスが提案されている。
Resist materials are required to have lithography characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing a pattern with fine dimensions.
As a resist material satisfying such requirements, a chemically amplified resist composition containing a base material component whose solubility in a developing solution is changed by the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure is used. ing.
For example, when the developer is an alkali developer (alkaline development process), the positive chemically amplified resist composition includes a resin component (base resin) whose solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid, an acid Those containing a generator component are generally used. When a resist film formed using such a resist composition is selectively exposed at the time of resist pattern formation, an acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the alkali developer of the resin component is generated by the action of the acid. As a result, the exposed area becomes soluble in an alkaline developer. Then, a positive pattern in which an unexposed portion remains as a pattern is formed. Here, as the base resin, a resin whose polarity is increased by the action of an acid is used, and the solubility in an alkali developer is increased while the solubility in an organic solvent is decreased. Therefore, when a process using a developer containing an organic solvent (organic developer) (hereinafter sometimes referred to as a solvent development process or a negative development process) is applied instead of an alkali development process, Therefore, in the solvent development process, the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed by the organic developer, and the exposed portion remains as a pattern in the solvent development process. Is formed. For example, Patent Document 1 proposes a negative development process.

現在、ArFエキシマレーザーリソグラフィー等において使用されるレジスト組成物のベース樹脂としては、193nm付近における透明性に優れることから、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂(アクリル系樹脂)などが一般的に用いられている(たとえば、特許文献2参照)。   Currently, as a base resin of a resist composition used in ArF excimer laser lithography and the like, a resin (acrylic resin) having a structural unit derived from a (meth) acrylate ester in its main chain because of its excellent transparency near 193 nm. And the like are generally used (see, for example, Patent Document 2).

ベース樹脂に用いられるポリマーは通常、様々な機能を有するモノマーをラジカル重合することにより製造される。ラジカル重合における重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)やジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)等のアゾ系重合開始剤が一般に用いられている。
アゾ系重合開始剤は、熱又は光によって分解して窒素ガスとラジカルとを生じ、該ラジカルがモノマーと付加重合することによってポリマーが合成される。そのため、合成されたポリマーの末端には、アゾ系重合開始剤の部分構造が導入されている。
近年では、ポリマー末端に導入される重合開始剤の部分構造に着目し、該部分構造として機能性基である塩基解離性基を用いた重合開始剤、及び該重合開始剤を用いて得られる重合体が開示されている(特許文献3参照)。
The polymer used for the base resin is usually produced by radical polymerization of monomers having various functions. As the polymerization initiator in radical polymerization, azo polymerization initiators such as azobisisobutyronitrile (AIBN) and dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) are generally used.
The azo polymerization initiator is decomposed by heat or light to generate nitrogen gas and radicals, and the radicals are addition-polymerized with monomers to synthesize a polymer. Therefore, a partial structure of an azo polymerization initiator is introduced at the end of the synthesized polymer.
In recent years, paying attention to the partial structure of a polymerization initiator introduced into the polymer terminal, a polymerization initiator using a base-dissociable group that is a functional group as the partial structure, and a weight obtained by using the polymerization initiator. Coalescence is disclosed (see Patent Document 3).

特開2008−292975号公報JP 2008-292975 A 特開2003−241385号公報JP 2003-241385 A 特開2010−37528号公報JP 2010-37528 A

今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が予想されるなか、リソグラフィー用途に使用できる新規な材料に対する要求がある。たとえばパターンの微細化が進むにつれ、レジスト材料にも、感度や解像性は勿論のこと、その他、ラフネス(ラインパターンであればLWR(ラインワイズラフネス:ライン幅の不均一性)等、ホールパターンであれば真円性等)、MEF、ELマージン等の種々のリソグラフィー特性やパターン形状の向上が求められる。しかしながら特許文献2〜3記載のベース樹脂を用いた場合にも、リソグラフィー特性やパターン形状に関しては未だ改良の余地があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、該重合体の製造に用いるラジカル重合開始剤として有用な新規化合物、該化合物の製造方法、該化合物からなるラジカル重合開始剤、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。
In the future, there is a demand for new materials that can be used for lithography applications as further advancement of lithography technology and expansion of application fields are expected. For example, as the pattern becomes finer, the resist material has not only sensitivity and resolution, but also roughness (in the case of a line pattern, LWR (line width roughness: line width non-uniformity)) and other hole patterns. Therefore, improvement in various lithography characteristics such as roundness, MEF, EL margin, and pattern shape is required. However, even when the base resins described in Patent Documents 2 to 3 are used, there is still room for improvement with respect to lithography characteristics and pattern shapes.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a resist composition excellent in lithography characteristics and pattern shape, a novel polymer useful for the resist composition, and initiation of radical polymerization used in the production of the polymer It is an object of the present invention to provide a novel compound useful as an agent, a method for producing the compound, a radical polymerization initiator comprising the compound, and a resist pattern forming method using the resist composition.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、下記一般式(I)で表される化合物である。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
That is, the first aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (I).

Figure 0005903224
[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zはシアノ基ある。Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1〜3の整数である。Qは(p+1)価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、q、rはそれぞれ独立に0又は1であり、Aは金属カチオン又は有機カチオンである。式中の複数のR、Z、X、p、Q、R、q、r、Aはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and Z is a cyano group . X is a divalent linking group, and at least one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) — It is at the end that contacts Q. p is an integer of 1 to 3. Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1. R 2 is a single bond, an alkylene group which may have a substituent, or an aromatic group which may have a substituent, q and r are each independently 0 or 1, and A + is It is a metal cation or an organic cation. A plurality of R 1 , Z, X, p, Q, R 2 , q, r, and A + in the formula may be the same or different. ]

本発明の第二の態様は、前記第一の態様の化合物からなるラジカル重合開始剤である。
本発明の第三の態様は、前記第一の態様の化合物の製造方法であって、下記一般式(i−1)で表される化合物と、下記一般式(i−2)で表される化合物とを反応させる工程を含む製造方法である。
The second aspect of the present invention is a radical polymerization initiator comprising the compound of the first aspect.
3rd aspect of this invention is a manufacturing method of the compound of said 1st aspect, Comprising: The compound represented with the following general formula (i-1), and represented with the following general formula (i-2) It is a manufacturing method including the process with which a compound is made to react.

Figure 0005903224
[式中、R、Z、X、Q、p、q、R、r、Aはそれぞれ前記同様であり、B、Bはそれぞれ独立にH又はOHである。式中の複数のR、Z、X、p、Q、Bはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 , Z, X, Q, p, q, R 2 , r, and A + are the same as defined above, and B 1 and B 2 are each independently H or OH. A plurality of R 1 , Z, X, p, Q, and B 1 in the formula may be the same or different. ]

本発明の第四の態様は、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式(I−1)で表される基を有する重合体である。   The fourth aspect of the present invention is a polymer having a group represented by the following general formula (I-1) at at least one end of the main chain.

Figure 0005903224
[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zはシアノ基ある。Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1〜3の整数である。Qは(p+1)価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、q、rはそれぞれ独立に0又は1であり、Mは有機カチオンである。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and Z is a cyano group . X is a divalent linking group, and at least one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) — It is at the end that contacts Q. p is an integer of 1 to 3. Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1. R 2 is a single bond, an optionally substituted alkylene group, or an optionally substituted aromatic group, q and r are each independently 0 or 1, and M + is Organic cation. ]

本発明の第五の態様は、第四の態様の重合体を含有するレジスト組成物である。
本発明の第六の態様は、前記第五の態様のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。
A fifth aspect of the present invention is a resist composition containing the polymer of the fourth aspect.
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the fifth aspect, a step of exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern It is a resist pattern formation method including the process of forming.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステル」における、置換基としてはハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。
α位の炭素原子に結合していてもよい置換基における、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
α位の炭素原子に結合していてもよい置換基における、炭素数1〜5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
また、該置換基における、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の「置換基における、炭素数1〜5のアルキル基」の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、該置換基におけるヒドロキシアルキル基として具体的には、上記の「置換基における、炭素数1〜5のアルキル基」の水素原子の一部又は全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。
本発明において、かかるα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基であることが最も好ましい。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, “aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
Unless otherwise specified, the “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups.
The “alkylene group” includes linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
The “halogenated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
“Fluorinated alkyl group” or “fluorinated alkylene group” refers to a group in which part or all of the hydrogen atoms of an alkyl group or alkylene group are substituted with fluorine atoms.
“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
“Acrylic acid ester” is a compound in which the hydrogen atom at the carboxy group terminal of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
“A structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
The substituent in the “acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent” includes a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a halogen atom having 1 to 5 carbon atoms. Alkyl group, hydroxyalkyl group and the like. Note that the α-position (α-position carbon atom) of a structural unit derived from an acrylate ester means a carbon atom to which a carbonyl group is bonded, unless otherwise specified.
Examples of the halogen atom in the substituent which may be bonded to the α-position carbon atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Specific examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in the substituent which may be bonded to the α-position carbon atom include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, Examples thereof include linear or branched alkyl groups such as tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, and neopentyl group.
Further, as the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in the substituent, a part or all of the hydrogen atoms in the above-mentioned “alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in the substituent” are halogen atoms. And a group substituted with. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Specific examples of the hydroxyalkyl group in the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms in the above-mentioned “alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in the substituent” are substituted with a hydroxy group. .
In the present invention, it is preferable that a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is bonded to the α-position carbon atom. It is more preferably a C 1-5 alkyl group or a C 1-5 fluorinated alkyl group, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group from the viewpoint of industrial availability.
“Exposure” is a concept including general irradiation of radiation.

本発明によれば、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、該重合体の製造に用いるラジカル重合開始剤として有用な新規化合物、該化合物の製造方法、該化合物からなるラジカル重合開始剤、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。   According to the present invention, a resist composition excellent in lithography characteristics and pattern shape, a novel polymer useful for the resist composition, a novel compound useful as a radical polymerization initiator used in the production of the polymer, A production method, a radical polymerization initiator comprising the compound, and a resist pattern forming method using the resist composition can be provided.

≪化合物≫
本発明の第一の態様の化合物は、下記一般式(I)で表される化合物(以下、「化合物(I)」ということがある。)である。
≪Compound≫
The compound of the first aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I)”).

Figure 0005903224
[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基であり、RとZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1〜3の整数である。Qは(p+1)価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、q、rはそれぞれ独立に0又は1であり、Aは金属カチオン又は有機カチオンである。式中の複数のR、Z、X、p、Q、R、q、r、Aはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, Z is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a cyano group, and R 1 and Z are bonded to each other to form a ring. You may do it. X is a divalent linking group, and at least one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) — It is at the end that contacts Q. p is an integer of 1 to 3. Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1. R 2 is a single bond, an alkylene group which may have a substituent, or an aromatic group which may have a substituent, q and r are each independently 0 or 1, and A + is It is a metal cation or an organic cation. A plurality of R 1 , Z, X, p, Q, R 2 , q, r, and A + in the formula may be the same or different. ]

式(I)中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基である。炭素数1〜10の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよいが、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、1価の脂肪族飽和炭化水素基(アルキル基)であることがより好ましい。
前記アルキル基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜8が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜2が最も好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn−ブチル基が好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜5が好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基又はtert−ブチル基であることが最も好ましい。
構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基)、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜8であることが好ましく、4〜6であることがより好ましい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1つ以上の水素原子を除いた基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
In formula (I), R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. The hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, preferably an aliphatic hydrocarbon group, and a monovalent aliphatic group. More preferably, it is a group saturated hydrocarbon group (alkyl group).
More specifically, examples of the alkyl group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.
The linear alkyl group preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and most preferably 1 to 2 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is particularly preferable.
The branched alkyl group preferably has 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include an isopropyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and the like, and an isopropyl group or a tert-butyl group is most preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring), and the cyclic aliphatic hydrocarbon group is the chain described above. And a group that is bonded to the terminal of the chain-like aliphatic hydrocarbon group or intervenes in the middle of the chain-like aliphatic hydrocarbon group.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 8 carbon atoms, and more preferably 4 to 6 carbon atoms. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

式(I)中、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基(−CN)である。
Zの炭素数1〜10の炭化水素基としては、上記Rの炭素数1〜10の炭化水素基と同様のものが挙げられる。
In formula (I), Z is a C1-C10 hydrocarbon group or a cyano group (-CN).
Examples of the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms Z, the same as the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms of the R 1 can be mentioned.

また、本発明においてRとZとがそれぞれ独立に直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であって、Rの末端とZの末端とが相互に結合して環を形成していてもよい。形成する環としては、炭素数3〜8の環が好ましく、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン又はシクロオクタンが好ましい。
なかでも、本発明におけるR、Zとしては、メチル基とメチル基との組み合わせ;エチル基とエチル基との組み合わせ;メチル基とシアノ基との組み合わせ;エチル基とシアノ基との組み合わせ;相互に結合して形成したシクロペンタンから2つの炭素原子を除いた基が好ましく、Rがメチル基であり、Zがシアノ基であることが特に好ましい。
なお、式(I)中の複数のR、Zは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
In the present invention, R 1 and Z are each independently a linear or branched alkyl group, and the end of R 1 and the end of Z may be bonded to each other to form a ring. Good. As the ring to be formed, a ring having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane or cyclooctane is preferable.
Among them, R 1 and Z in the present invention include a combination of a methyl group and a methyl group; a combination of an ethyl group and an ethyl group; a combination of a methyl group and a cyano group; a combination of an ethyl group and a cyano group; A group in which two carbon atoms are removed from cyclopentane formed by bonding to is preferable, R 1 is a methyl group, and Z is particularly preferably a cyano group.
In addition, although several R < 1 >, Z in Formula (I) may be same or different, it is preferable industrially the same.

式(I)中、Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。式中のQと接する末端とは、Qが単結合の場合は、式(I)中の−(C(=O)−O)−、R、−CF−又はSO と接する末端を意味する。Xの2価の連結基は、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかのみからなるものであってもよい。また、Xは、式中のQと接する末端以外に−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、又は−NH−C(=NH)−を有していてもよい。
Xの2価の連結基としては、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、又は−NH−C(=NH)−のみからなるもの;置換基を有していていもよい2価の炭化水素基、又はへテロ原子を含む2価の連結基と、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、又は−NH−C(=NH)−との組み合わせからなるもの等が挙げられる。
In Formula (I), X is a divalent linking group, and is any one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) —. At least at the end in contact with Q in the formula. The terminal in contact with Q in the formula is in contact with — (C (═O) —O) q —, R 2 , —CF 2 — or SO 3 in formula (I) when Q is a single bond. It means the end. Even if the bivalent coupling group of X consists only of -O-C (= O)-, -NH-C (= O)-, and -NH-C (= NH)-. Good. X may have —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, or —NH—C (═NH) — in addition to the terminal in contact with Q in the formula. Good.
The divalent linking group of X includes only —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, or —NH—C (═NH) —; An optionally divalent hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom, and -O-C (= O)-, -NH-C (= O)-, or -NH-C ( ═NH) — and the like.

(置換基を有していてもよい2価の炭化水素基)
本発明において炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。
置換基を有していてもよい2価の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
(Divalent hydrocarbon group which may have a substituent)
In the present invention, the hydrocarbon group having “substituent” means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with groups or atoms other than hydrogen atoms.
The divalent hydrocarbon group which may have a substituent may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.
The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

2価の炭化水素基における、前記脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8がより好ましく、1〜5がさらに好ましく、1〜2が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group in the divalent hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like. It is done.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, still more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to 2.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The chain-like aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and the cyclic aliphatic hydrocarbon group includes the chain described above. And a group that is bonded to the terminal of the chain-like aliphatic hydrocarbon group or intervenes in the middle of the chain-like aliphatic hydrocarbon group.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetra And cyclododecane.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

2価の炭化水素基における、前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、1価の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに1つ除いた2価の芳香族炭化水素基;当該2価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された芳香族炭化水素基;ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等で、かつ、その芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに1つ除いた芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group in the divalent hydrocarbon group include monovalent groups such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. A divalent aromatic hydrocarbon group obtained by removing one hydrogen atom from the nucleus of the aromatic hydrocarbon of the aromatic hydrocarbon group; a part of carbon atoms constituting the ring of the divalent aromatic hydrocarbon group Is an aromatic hydrocarbon group substituted with a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom; benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthyl An arylalkyl group such as an ethyl group, and an aromatic hydrocarbon group obtained by further removing one hydrogen atom from the nucleus of the aromatic hydrocarbon.
The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

(へテロ原子を含む2価の連結基)
前記ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−、−NH−C(=NH)−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、「−A−O(酸素原子)−B−(ただし、AおよびBはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。)」、または、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組み合わせ等が挙げられる。置換基を有していてもよい2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状、分岐鎖状、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が好ましい。
(Divalent linking group containing hetero atom)
Examples of the divalent linking group containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O—, —C ( ═O) —NH—, —NH—, —NH—C (═NH) — (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), —S—, —S (= O) 2 —, —S (═O) 2 —O—, “—A—O (oxygen atom) —B— (wherein A and B may each independently have a substituent) Or a combination of a divalent hydrocarbon group which may have a substituent and a divalent linking group containing a hetero atom. Examples of the divalent hydrocarbon group which may have a substituent include those similar to the hydrocarbon group which may have a substituent described above, and may be linear, branched, or structural An aliphatic hydrocarbon group containing a ring therein is preferred.

上記−NH−の場合における置換基(アルキル基、アシル基等)の炭素数としては1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜5であることが特に好ましい。
上記「A−O−B」である場合、AおよびBは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。
In the case of -NH-, the substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms. It is particularly preferred.
In the case of “A-O-B”, A and B are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.

Aにおける炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
Aにおける脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Aにおける脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。これらは上記同様である。
なかでもAとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数2〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、エチレン基が最も好ましい。
The hydrocarbon group in A may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.
The aliphatic hydrocarbon group for A may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group for A include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure. These are the same as above.
Among these, as A, a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 2 to 5 carbon atoms is further preferable, and an ethylene group is most preferable.

Bにおける炭化水素基としては、前記Aで挙げたものと同様の2価の炭化水素基が挙げられる。
Bとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基またはアルキルメチレン基が特に好ましい。
アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
Examples of the hydrocarbon group for B include the same divalent hydrocarbon groups as those described above for A.
B is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, particularly preferably a methylene group or an alkylmethylene group.
The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

本発明におけるXが−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかのみからなる場合、Xとしては、−O−C(=O)−又は−NH−C(=O)−であることが好ましい。このとき、−O−C(=O)−中の炭素原子(C)、又は−NH−C(=O)−中の炭素原子(C)が、R、Zと結合した炭素原子と直接結合することが好ましい。
また、Xが上述したような2価の基と、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかとの組み合わせである場合、Xとしては炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基と、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかとの組み合わせであることが好ましく;メチレン基、エチレン基、及び−NH−を含む2価の連結基から選ばれる1つ以上の連結基と、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかとの組み合わせであることがより好ましく;エチレン基、−O−C(=O)−、及び−NH−C(=O)−から選ばれる2つ以上の基の組み合わせであることが特に好ましい。
なお、式(I)中の複数のXは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
When X in the present invention is composed only of any of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) —, X is —O— C (═O) — or —NH—C (═O) — is preferable. At this time, the carbon atom (C) in —O—C (═O) — or the carbon atom (C) in —NH—C (═O) — is directly bonded to the carbon atom bonded to R 1 and Z. Bonding is preferred.
In addition, X is a combination of the above-described divalent group and any one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) —. In some cases, X is a linear or branched aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, or a divalent linking group containing a hetero atom, -O-C (= O)-, -NH. A combination with any one of —C (═O) — and —NH—C (═NH) — is preferable; 1 selected from a divalent linking group containing a methylene group, an ethylene group, and —NH—. More preferably, it is a combination of one or more linking groups and any one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) —; Particularly preferred is a combination of two or more groups selected from the group, —O—C (═O) —, and —NH—C (═O) —. Arbitrariness.
In addition, although several X in Formula (I) may be the same or different, it is preferable industrially the same.

式(I)中、pは1〜3の整数である。pを2又は3とすることにより、1化合物あたりのSO の比率を高めることができる。そのため該化合物をラジカル重合開始剤として用いた場合に得られる重合体中の、酸として機能・発生し得るスルホン酸部位(SO )の割合が高まり、酸発生能が向上する。
本発明においてpとしては1であることが好ましい。
なお、式(I)中の複数のpは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
In formula (I), p is an integer of 1-3. By setting p to 2 or 3, the ratio of SO 3 per compound can be increased. Therefore, the ratio of the sulfonic acid moiety (SO 3 ) that can function and generate as an acid in the polymer obtained when the compound is used as a radical polymerization initiator is increased, and the acid generating ability is improved.
In the present invention, p is preferably 1.
In addition, although several p in Formula (I) may be the same or different, it is preferable that it is the same industrially.

式(I)中、Qは(p+1)価の炭化水素基であって、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。
pが1の場合、Qは単結合又は2価の炭化水素基となる。2価の炭化水素基としては、上記Xで挙げた「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」のうち、置換基を有しないものと同様のものが挙げられる。なかでもpが1の場合のQとしては、単結合、又は2価の脂肪族炭化水素基であることが好ましく、単結合、又は鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、単結合、又はメチレン基若しくははエチレン基がさらに好ましく、単結合又はエチレン基が特に好ましい。
In formula (I), Q is a (p + 1) valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1.
When p is 1, Q is a single bond or a divalent hydrocarbon group. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to those having no substituent among the “divalent hydrocarbon groups optionally having a substituent” mentioned in X above. In particular, when p is 1, Q is preferably a single bond or a divalent aliphatic hydrocarbon group, more preferably a single bond or a chain or branched alkylene group, a single bond, Or a methylene group or an ethylene group is more preferable, and a single bond or an ethylene group is particularly preferable.

また、pが2の場合、Qは3価の炭化水素基となり、pが3の場合、Qは4価の炭化水素基となる。3価又は4価の炭化水素基としては、上記Xで挙げた「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」のうち、置換基を有しない2価の炭化水素基からさらに水素原子を1つ又は2つ除いたものが挙げられ、なかでも3価又は4価の脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
Qが(p+1)価の炭化水素基の場合の具体例を以下に示す。
なお、式(I)中の複数のQは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
When p is 2, Q is a trivalent hydrocarbon group, and when p is 3, Q is a tetravalent hydrocarbon group. As the trivalent or tetravalent hydrocarbon group, among the “divalent hydrocarbon group optionally having substituent (s)” mentioned in X above, a divalent hydrocarbon group having no substituent is further selected. The thing remove | excluding one or two hydrogen atoms is mentioned, Especially, it is preferable that it is a trivalent or tetravalent aliphatic hydrocarbon group.
Specific examples in the case where Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group are shown below.
In addition, although several Q in Formula (I) may be the same or different, it is preferable industrially the same.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

式(I)中、qは0又は1である。qが0の場合とは、式中の−(C(=O)−O)−が単結合であることを意味する。
本発明においてqとしては、上述したXの2価の連結基が−O−C(=O)−を有しない場合には1であることが好ましく、上述したXの2価の連結基が−O−C(=O)−を有する場合には0であることが好ましい。
なお、式(I)中の複数のqは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
In the formula (I), q is 0 or 1. The case where q is 0 means that-(C (= O) -O) q- in the formula is a single bond.
In the present invention, q is preferably 1 when the divalent linking group of X described above does not have —O—C (═O) —, and the divalent linking group of X described above is — When it has O—C (═O) —, it is preferably 0.
In addition, although several q in Formula (I) may be the same or different, it is preferable that it is the same industrially.

式(I)中、Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基である。
のアルキレン基は、鎖状であっても環状であってもよい。このようなアルキレン基としては、Xの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基において上述した「直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基」、「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」と同様のものが挙げられる。なかでも、Rのアルキレン基としては、炭素数1〜10の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基又はエチレン基が好ましい。
In formula (I), R 2 is a single bond, an alkylene group which may have a substituent, or an aromatic group which may have a substituent.
The alkylene group for R 2 may be linear or cyclic. Examples of such an alkylene group include the above-mentioned “linear or branched aliphatic hydrocarbon group” and “ring in the structure” in the divalent hydrocarbon group which may have a substituent of X. The same thing as "the aliphatic hydrocarbon group to contain" is mentioned. Among them, the alkylene group R 2, preferably a linear alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a methylene group or an ethylene group is preferred.

の置換基を有していてもよい芳香族基は、芳香族炭化水素基であってもよく、環構造に炭素原子以外の原子を含む芳香族基(複素環化合物)であってもよい。
芳香族炭化水素基としては、Xの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基において上述した「芳香族炭化水素基」と同様のものが挙げられ、Rの芳香族炭化水素基としては、フェニル基又はナフチル基からさらに水素原子を1つ以上除いた基が好ましい。Rの芳香族炭化水素基は、その水素原子の一部又は全部が炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等で置換されていてもよく、フッ素原子で置換されていることが好ましい。
環構造に炭素原子以外の原子を含む芳香族基としては、キノリン、ピリジン、オキソール、イミダゾール等の複素環から水素原子を2つ以上除いた基が好ましい。
なかでもRとしては、単結合又は置換基を有していてもよい芳香族基であることが好ましい。
なお、式(I)中の複数のRは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
The aromatic group which may have a substituent for R 2 may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic group (heterocyclic compound) containing an atom other than a carbon atom in the ring structure. Good.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include the same “aromatic hydrocarbon group” as described above in the divalent hydrocarbon group which may have a substituent of X, and the aromatic hydrocarbon of R 2 As the group, a group obtained by further removing one or more hydrogen atoms from a phenyl group or a naphthyl group is preferable. The aromatic hydrocarbon group for R 2 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, or an oxygen atom. It may be substituted with (═O) or the like, and is preferably substituted with a fluorine atom.
As the aromatic group containing an atom other than a carbon atom in the ring structure, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from a heterocyclic ring such as quinoline, pyridine, oxol, and imidazole is preferable.
Among these, R 2 is preferably an aromatic group which may have a single bond or a substituent.
In addition, although several R < 2 > in Formula (I) may be same or different, it is preferable that it is the same industrially.

式(I)中、rは0又は1である。rが0の場合とは、式中の−(CF−が単結合であることを意味する。
本発明においてrとしては、上述したRが単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基である場合には1であることが好ましく、上述したRが置換基を有していてもよい芳香族基である場合には0であることが好ましい。
なお、式(I)中の複数のrは同じであっても異なっていてもよいが、工業上同じであることが好ましい。
In the formula (I), r is 0 or 1. The case where r is 0 means that — (CF 2 ) r — in the formula is a single bond.
In the present invention, r is preferably 1 when R 2 described above is a single bond or an alkylene group which may have a substituent, and R 2 described above has a substituent. In the case of a good aromatic group, 0 is preferable.
In addition, although several r in Formula (I) may be the same or different, it is preferable industrially the same.

化合物(I)としては、下記一般式(I1)〜(I5)で表される化合物が好ましい。   As the compound (I), compounds represented by the following general formulas (I1) to (I5) are preferable.

Figure 0005903224
[式中、R、Z、Q、p、Aは前記同様である。X01は単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R21は単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基であり、X02は置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R22は置換基を有していてもよい芳香族基である。式中の複数のR、Z、Q、p、A、X01、R21、X02、R22はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 , Z, Q, p and A + are the same as described above. X 01 is an alkylene group which may have a single bond or a substituent, R 21 is an alkylene group which may have a single bond or a substituent, and X 02 has a substituent. R 22 is an aromatic group which may have a substituent. A plurality of R 1 , Z, Q, p, A + , X 01 , R 21 , X 02 , R 22 in the formula may be the same or different. ]

式(I1)〜(I5)中、R、Z、Q、p、Aは前記同様である。
式(I1)〜(I5)中、X01は単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基である。置換基を有していてもよいアルキレン基としては、上記Xの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基における、「直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基」、「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」と同様のものが挙げられる。
01としては、単結合又はエチレン基が特に好ましい。
In formulas (I1) to (I5), R 1 , Z, Q, p and A + are the same as described above.
Wherein (I1) ~ (I5), X 01 is an alkylene group which may have a single bond or a substituent. As the alkylene group which may have a substituent, the “linear or branched aliphatic hydrocarbon group” in the divalent hydrocarbon group which may have a substituent of the above X, The same thing as "the aliphatic hydrocarbon group which contains a ring in a structure" is mentioned.
X 01 is particularly preferably a single bond or an ethylene group.

式(I1)〜(I3)中、R21は単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基である。R21の置換基を有していてもよいアルキレン基は、Rの置換基を有していてもよいアルキレン基と同様である。
21としては、単結合又はメチレン基が特に好ましい。
In formulas (I1) to (I3), R 21 represents a single bond or an alkylene group which may have a substituent. The alkylene group which may have a substituent for R 21 is the same as the alkylene group which may have a substituent for R 2 .
R 21 is particularly preferably a single bond or a methylene group.

式(I3)中、X02は置換基を有していてもよいアルキレン基であって、上記Xの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基における、「直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基」、「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」と同様のものが挙げられる。
02としては、エチレン基が特に好ましい。
In the formula (I3), X 02 is an alkylene group which may have a substituent, and in the divalent hydrocarbon group which may have a substituent of X, “linear or branched Examples thereof include those similar to “chain aliphatic hydrocarbon group” and “aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure”.
X 02 is particularly preferably an ethylene group.

式(I4)〜(I5)中、R22は置換基を有していてもよい芳香族基である。R22の置換基を有していてもよい芳香族基は、Rの置換基を有していてもよい芳香族基と同様である。
22としては、フェニル基若しくはナフチル基から水素原子を1つ以上除いた基、又は、キノリンから水素原子を2つ以上除いた基が特に好ましい。
In formulas (I4) to (I5), R 22 is an aromatic group which may have a substituent. The aromatic group which may have a substituent for R 22 is the same as the aromatic group which may have a substituent for R 2 .
R 22 is particularly preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a phenyl group or a naphthyl group, or a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from quinoline.

以下に、上記式(I1)〜(I5)で表される化合物の具体例を示す。下記式中、Aは前記同様であって、詳細は後述する。 Specific examples of the compounds represented by the above formulas (I1) to (I5) are shown below. In the following formula, A + is the same as described above, and details will be described later.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

式(I)中、Aは金属カチオン又は有機カチオンである。
が有機カチオンである場合、化合物(I)は、露光により酸を発生する酸発生能を有することができるため、該化合物をラジカル重合開始剤として用いた場合に得られる重合体に酸発生能を付与することができる。後述するようにこのような重合体はレジスト組成物に好適に用いることができる。
また、Aが金属カチオンである場合、該化合物(I)は、重合体に酸発生能を付与することができるラジカル重合開始剤用化合物の、中間体化合物として用いることができる。
In the formula (I), A + is a metal cation or an organic cation.
When A + is an organic cation, the compound (I) can have an acid generating ability to generate an acid upon exposure. Therefore, an acid is generated in a polymer obtained when the compound is used as a radical polymerization initiator. Ability can be granted. As will be described later, such a polymer can be suitably used for a resist composition.
When A + is a metal cation, the compound (I) can be used as an intermediate compound of a compound for a radical polymerization initiator that can impart acid generating ability to the polymer.

(金属カチオン)
の金属カチオンとしては、特に限定されるものではないが、アルカリ金属イオンであることが好ましく、具体的にはナトリウムイオン、リチウムイオン、カリウムイオン等が挙げられ、ナトリウムイオン又はリチウムイオンであることがより好ましい。
(Metal cation)
The metal cation of A + is not particularly limited, but is preferably an alkali metal ion, and specifically includes sodium ion, lithium ion, potassium ion and the like, and is sodium ion or lithium ion. It is more preferable.

(有機カチオン)
の有機カチオンは特に限定されるものではなく、例えば、従来、レジスト組成物のクエンチャーに用いられる光分解性塩基や、レジスト組成物のオニウム系酸発生剤等のカチオン部として知られている有機カチオンを用いることができる。
の有機カチオンとして例えば、下記一般式(c−1)や(c−2)で表されるカチオン部を用いることができる。
(Organic cation)
The organic cation of A + is not particularly limited. For example, it is conventionally known as a cation moiety such as a photodegradable base used for a resist composition quencher or an onium-based acid generator of a resist composition. Organic cations can be used.
As the organic cation of A + , for example, a cation moiety represented by the following general formula (c-1) or (c-2) can be used.

Figure 0005903224
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式(c−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]
Figure 0005903224
Wherein, R 1 "~R 3", R 5 "~R 6" each independently represents an aryl group or an alkyl group; one of R 1 "~R 3" in the formula (c-1), Any two may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. ]

式(c−1)中、R”〜R”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。なお、式(c−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表すことが好ましい。R”〜R”のうち、2以上がアリール基であることがより好ましく、R”〜R”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
In formula (c-1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. In addition, any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (c-1) may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
Moreover, it is preferable that at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group. Among R 1 "~R 3", more preferably 2 or more is an aryl group, it is particularly desirable that all of R 1 "~R 3" are aryl groups.

”〜R”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
The aryl group for R 1 ″ to R 3 ″ is not particularly limited, and is, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, in which part or all of the hydrogen atoms are alkyl groups, alkoxy groups It may or may not be substituted with a group, a halogen atom, a hydroxyl group or the like.
The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
The alkyl group that may be substituted for the hydrogen atom of the aryl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. Is most preferred.
As the alkoxy group that may be substituted for the hydrogen atom of the aryl group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, A tert-butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
The halogen atom that may be substituted with the hydrogen atom of the aryl group is preferably a fluorine atom.

”〜R”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。 The alkyl group for R 1 "~R 3", is not particularly limited, for example, linear C1-10, branched or cyclic alkyl group, and the like. It is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decyl group. A methyl group is preferable because it is excellent in resolution and can be synthesized at low cost.

式(c−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、5〜7員環を形成していることが特に好ましい。
式(c−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (c-1) are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, a 3 to 10 membered ring is formed including the sulfur atom. It is preferable that a 5- to 7-membered ring is formed.
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (c-1) are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, the remaining one may be an aryl group preferable. Examples of the aryl group include the same aryl groups as those described above for R 1 ″ to R 3 ″.

式(c−1)で表されるカチオン部の好ましいものとしては、下記式(I−1−1)〜(I−1−32)で表されるカチオン部が挙げられる。   Preferable examples of the cation moiety represented by the formula (c-1) include cation moieties represented by the following formulas (I-1-1) to (I-1-32).

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

式(I−1−19)、(I−1−20)中、R50は、酸解離性溶解抑制基を含む基であり、後述する式(p1)、(p1−1)若しくは(p2)で表される基、又は、−R91−C(=O)−O−の酸素原子に、後述する式(1−1)〜(1−9)若しくは(2−1)〜(2−6)が結合した基であることが好ましい。ここで、R91は、単結合又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基としては、炭素数1〜5であることが好ましい。 In formulas (I-1-19) and (I-1-20), R 50 is a group containing an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and will be described later in formula (p1), (p1-1) or (p2). Or an oxygen atom of —R 91 —C (═O) —O— represented by formulas (1-1) to (1-9) or (2-1) to (2-6) described later ) Is preferably a bonded group. Here, R 91 is a single bond or a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 5 carbon atoms.

式(I−1−21)中、Wは、2価の連結基であり、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものが挙げられ、なかでも、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂肪族環式基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがさらに好ましい。   In the formula (I-1-21), W is a divalent linking group, and examples thereof include the same as the divalent linking group for X in the formula (I). It is preferably a branched alkylene group, a divalent aliphatic cyclic group, or a divalent linking group containing a hetero atom, more preferably a linear or branched alkylene group. More preferably, it is a chain alkylene group.

式(I−1−22)中、Rはフッ素化アルキル基であり、無置換のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。該無置換のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。 In Formula (I-1-22), R f is a fluorinated alkyl group, and is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted alkyl group are substituted with fluorine atoms. As this unsubstituted alkyl group, a linear or branched alkyl group is preferable, and a linear alkyl group is more preferable.

式(I−1−23)中、Qは2価の連結基であり、R51はカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基である。
Qの2価の連結基としては、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものが挙げられ、アルキレン基、エステル結合を含む2価の連結基であることが好ましく、なかでも、アルキレン基、−R92−C(=O)−O−R93−[R92、R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。]であることがより好ましい。
51はカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基であって、有機基としては、芳香族炭化水素基であっても脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基としては、後述するXと同様のものが挙げられる。なかでも、R51のカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基としては、脂肪族炭化水素基が好ましく、その中でも嵩高い脂肪族炭化水素基であることがより好ましく、環状の飽和炭化水素基であることがさらに好ましい。R51の好ましいものとしては、後述する(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)で表される基、後述するXと同様の基、単環式基又は多環式基に結合した水素原子が酸素原子(=O)で置換された基等が挙げられる。
In formula (I-1-23), Q is a divalent linking group, and R 51 is an organic group having a carbonyl group, an ester bond, or a sulfonyl group.
Examples of the divalent linking group for Q include the same as the divalent linking group for X in the formula (I), and an alkylene group and a divalent linking group containing an ester bond are preferable. Among them, an alkylene group, -R 92 -C (= O) -O-R 93 - is [R 92 an alkylene group R 93 are each independently. ] Is more preferable.
R 51 is an organic group having a carbonyl group, an ester bond, or a sulfonyl group, and the organic group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. Examples of the aromatic hydrocarbon group and the aliphatic hydrocarbon group include those similar to X 3 described later. Among them, the organic group having a carbonyl group, an ester bond or a sulfonyl group of R 51 is preferably an aliphatic hydrocarbon group, more preferably a bulky aliphatic hydrocarbon group, and a cyclic saturated carbonization. More preferably, it is a hydrogen group. R 51 is preferably a group represented by (L1) to (L6) or (S1) to (S4) described later, a group similar to X 3 described later, a monocyclic group or a polycyclic group. And a group in which the bonded hydrogen atom is substituted with an oxygen atom (═O).

式(I−1−24)、(I−1−25)中、R52は、酸解離性基ではない炭素数4〜10のアルキル基である。R52としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。 In the formulas (I-1-24) and (I-1-25), R 52 is an alkyl group having 4 to 10 carbon atoms that is not an acid dissociable group. As R 52 , a linear or branched alkyl group is preferable, and a linear alkyl group is more preferable.

式(I−1−26)中、R53は塩基解離性部位を有する2価の基であり、R54は2価の連結基であり、R55は酸解離性基を有する基である。
ここで、R53の塩基解離性部位とは、アルカリ現像液(具体的には、23℃において、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)の作用により解離する部位のことを指す。該塩基解離性部位が解離することにより、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。アルカリ現像液としては、一般的にリソグラフィー分野において用いられているものであってよい。塩基解離性部位は、23℃で、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の作用により解離することが好ましい。
また、R53は、塩基解離性部位だけで構成された基であってもよく、塩基解離性部位と、塩基で解離しない基または原子とが結合して構成された基であってもよい。
53が有する塩基解離性部位としては、エステル結合(−C(=O)−O−)が最も好ましい。
53が有する、塩基で解離しない基または原子としては、たとえば、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものや、これら連結基の組み合わせ(ただし、塩基で解離するものを除く)が挙げられる。ここで「連結基の組み合わせ」とは、連結基同士が結合して構成された2価の基のことを指す。なかでも、アルキレン基と、ヘテロ原子を含む2価の連結基との組み合わせが好ましい。ただし、ヘテロ原子は、塩基解離性部位のうち塩基の作用で結合が切断される原子には隣接しないことが好ましい。
前記アルキレン基は、前記式(I)中のXの説明中の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基と同様である。
また、前記ヘテロ原子は、酸素原子であることが特に好ましい。
上記の中でも、R53は、塩基解離性部位と、塩基で解離しない基または原子とが結合して構成された基であることが好ましい。
In formula (I-1-26), R 53 is a divalent group having a base dissociable site, R 54 is a divalent linking group, and R 55 is a group having an acid dissociable group.
Here, the base dissociable part of R 53 refers to a part dissociated by the action of an alkali developer (specifically, a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C.). Dissociation of the base dissociable portion increases solubility in an alkali developer. The alkali developer may be one generally used in the lithography field. The base dissociable portion is preferably dissociated at 23 ° C. by the action of a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.
R 53 may be a group composed only of a base dissociable site, or may be a group composed of a base dissociable site and a group or atom that is not dissociated by a base.
As the base dissociable portion of R 53 , an ester bond (—C (═O) —O—) is most preferable.
Examples of the group or atom that R 53 does not dissociate with a base include, for example, the same divalent linking groups as X in the formula (I), and combinations of these linking groups (however, those that dissociate with a base) Are excluded). Here, the “combination of linking groups” refers to a divalent group formed by bonding of linking groups. Of these, a combination of an alkylene group and a divalent linking group containing a hetero atom is preferable. However, the heteroatom is preferably not adjacent to an atom whose bond is broken by the action of the base in the base dissociable portion.
The alkylene group is the same as the linear or branched alkylene group in the description of X in the formula (I).
The heteroatom is particularly preferably an oxygen atom.
Among the above, R 53 is preferably a group composed of a base dissociable portion and a group or atom that is not dissociated by a base.

54は2価の連結基であり、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでもアルキレン基または2価の脂肪族環式基が好ましく、アルキレン基が特に好ましい。
55は酸解離性基を有する基である。
ここで、酸解離性基とは、酸の作用により解離しうる有機基であり、このようなものであれば特に限定されないが、例えば、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものが挙げられる。具体的には、後述する構成単位(a1)において挙げる酸解離性溶解抑制基と同様であり、環状または鎖状の第3級アルキルエステル型酸解離性基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが挙げられ、これらの中でも、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
また、酸解離性基を有する基は、酸解離性基そのものであってもよく、酸解離性基と、酸で解離しない基または原子(酸解離性基が解離した後も酸発生剤に結合したままの基または原子)とが結合して構成された基であってもよい。ここで、酸で解離しない基または原子としては、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものが挙げられる。
R 54 is a divalent linking group, and examples thereof include the same as the divalent linking group for X in the formula (I). Of these, an alkylene group or a divalent aliphatic cyclic group is preferable, and an alkylene group is particularly preferable.
R 55 is a group having an acid dissociable group.
Here, the acid dissociable group is an organic group that can be dissociated by the action of an acid, and is not particularly limited as long as it is such as, for example, until now, acid dissociation of a base resin for a chemically amplified resist And those proposed as soluble dissolution inhibiting groups. Specifically, it is the same as the acid dissociable, dissolution inhibiting group described in the structural unit (a1) described later, and is a cyclic or chain tertiary alkyl ester type acid dissociable group; an acetal type acid dissociation such as an alkoxyalkyl group A tertiary alkyl ester type acid dissociable group is preferable among them.
In addition, the group having an acid dissociable group may be the acid dissociable group itself, and the acid dissociable group and a group or atom that is not dissociated by an acid (bonded to the acid generator even after the acid dissociable group is dissociated). Or a group formed by bonding to an as-is group or atom). Here, examples of the group or atom that does not dissociate with an acid include the same divalent linking groups as X in the formula (I).

式(I−1−27)中、Wは単結合または2価の連結基であり、tは0又は1であり、R62は酸によって解離しない基(以下、「酸非解離性基」という。)である。
の2価の連結基としては、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでもWとしては、単結合であることが好ましい。
tは、0であることが好ましい。
62の酸非解離性基としては、酸の作用により解離しない基であれば特に限定されないが、酸によって解離しない、置換基を有していてもよい炭化水素基であることが好ましく、置換基を有していてもよい環式炭化水素基であることがより好ましく、アダマンタンから1個の水素原子を除いた基であることがさらに好ましい。
In Formula (I-1-27), W 2 is a single bond or a divalent linking group, t is 0 or 1, and R 62 is a group that is not dissociated by an acid (hereinafter referred to as “acid non-dissociable group”). It is said.)
Examples of the divalent linking group for W 2 include those similar to the divalent linking group for X in the formula (I). Among these, W 2 is preferably a single bond.
t is preferably 0.
The acid non-dissociable group for R 62 is not particularly limited as long as it is a group that does not dissociate by the action of an acid, but is preferably a hydrocarbon group that does not dissociate by an acid and may have a substituent. A cyclic hydrocarbon group which may have a group is more preferable, and a group obtained by removing one hydrogen atom from adamantane is further preferable.

式(I−1−28)、(I−1−29)中、R、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基であり、uは1〜3の整数であり、1または2が最も好ましい。 In formulas (I-1-28) and (I-1-29), R 9 and R 10 are each independently a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group or a group having 1 to 5 carbon atoms. An alkyl group, an alkoxy group, and a hydroxyl group, u is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is most preferable.

式(I−1−30)中、Y10は置換基を有していてもよい炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基を表し;R56およびR57はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、R56とR57とは互いに結合して環を形成してもよく;Y11およびY12はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Y11とY12とは互いに結合して環を形成してもよい。
10は、置換基を有していてもよい炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基を表す。Y10が炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基であることにより、解像性、LWR、露光余裕度(ELマージン)、レジストパターン形状などのリソグラフィー特性が良好なものとなる。
10としては、−C(R56)(R57)−C(=O)−O−と環状の第3級アルキルエステルを形成する基が挙げられる。
ここでいう「第3級アルキルエステル」とは、−C(R56)(R57)−C(=O)−O−の末端の酸素原子に、炭素数5以上の環状の炭化水素基における第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、当該酸素原子と当該第3級炭素原子との間で結合が切断される。
なお、前記環状の炭化水素基は置換基を有していてもよく、この置換基中の炭素原子は「炭素数5以上」の炭素数には含まない。
In formula (I-1-30), Y 10 represents a cyclic hydrocarbon group having 5 or more carbon atoms which may have a substituent, and represents an acid dissociable group which can be dissociated by the action of an acid; R 56 and R 57 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and R 56 and R 57 may be bonded to each other to form a ring; Y 11 and Y 12 are each independently an alkyl group. Represents a group or an aryl group, and Y 11 and Y 12 may be bonded to each other to form a ring.
Y 10 represents an acid-dissociable group which is a cyclic hydrocarbon group having 5 or more carbon atoms which may have a substituent and can be dissociated by the action of an acid. Y 10 is a cyclic hydrocarbon group having 5 or more carbon atoms and is an acid dissociable group that can be dissociated by the action of an acid, so that resolution, LWR, exposure margin (EL margin), resist pattern shape, etc. The lithography properties of the film are good.
Y 10 includes a group that forms a cyclic tertiary alkyl ester with —C (R 56 ) (R 57 ) —C (═O) —O—.
The term “tertiary alkyl ester” as used herein refers to a cyclic hydrocarbon group having 5 or more carbon atoms on the terminal oxygen atom of —C (R 56 ) (R 57 ) —C (═O) —O—. A structure in which a tertiary carbon atom is bonded is shown. In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, the bond is broken between the oxygen atom and the tertiary carbon atom.
The cyclic hydrocarbon group may have a substituent, and the carbon atom in the substituent is not included in the carbon number of “5 or more carbon atoms”.

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基が挙げられ、多環式基であることが好ましい。
かかる「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
Examples of the “aliphatic cyclic group” include a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity, and a polycyclic group is preferable.
Such an “aliphatic cyclic group” may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like. Is mentioned.
Examples of the aliphatic cyclic group include a monocycloalkane which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; bicycloalkane, tricyclo Examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as an alkane or tetracycloalkane. More specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. .

56およびR57は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。
56およびR57のアルキル基又はアリール基は、それぞれ、前記R”〜R”のアルキル基又はアリール基と同様のものが挙げられる。また、R56とR57とは、前記R”〜R”と同様に、互いに結合して環を形成してもよい
上記の中でも、R56およびR57は、いずれも水素原子であることが特に好ましい。
R 56 and R 57 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group.
Examples of the alkyl group or aryl group for R 56 and R 57 are the same as the alkyl group or aryl group for R 1 ″ to R 3 ″. Further, R 56 and R 57 may be bonded to each other to form a ring in the same manner as R 1 ″ to R 3 ″. Among the above, R 56 and R 57 are both hydrogen atoms. It is particularly preferred.

11およびY12は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。
11およびY12におけるアルキル基又はアリール基は、それぞれ、前記R”〜R”におけるアルキル基又はアリール基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Y11およびY12は、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが特に好ましい。また、Y11とY12とは、前記R”〜R”と同様に、互いに結合して環を形成してもよい。
Y 11 and Y 12 each independently represents an alkyl group or an aryl group.
Examples of the alkyl group or aryl group for Y 11 and Y 12 include the same alkyl groups or aryl groups as those described above for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, Y 11 and Y 12 are particularly preferably each a phenyl group or a naphthyl group. Y 11 and Y 12 may be bonded to each other to form a ring in the same manner as R 1 ″ to R 3 ″.

式(I−1−31)中、R58は、脂肪族環式基であり;R59は、単結合または置換基を有していてもよいアルキレン基であり;R60は、置換基を有していてもよいアリーレン基であり;R61は、置換基を有していてもよい炭素数4または5のアルキレン基である。
58の脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよいが、多環式基であることが好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
59の置換基を有していてもよいアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、なかでも、単結合、または炭素数1〜3のアルキレン基が好ましい。
60のアリーレン基としては、炭素数6〜20が好ましく、6〜14がより好ましく、炭素数6〜10がさらに好ましい。このようなアリーレン基としては、たとえば、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基が挙げられ、安価に合成可能なことから、フェニレン基、ナフチレン基が好ましい。
In the formula (I-1-31), R 58 is an aliphatic cyclic group; R 59 is a single bond or an alkylene group which may have a substituent; R 60 is a substituent. R 61 is an alkylene group having 4 or 5 carbon atoms which may have a substituent.
The aliphatic cyclic group for R 58 may be a monocyclic group or a polycyclic group, but is preferably a polycyclic group, and includes one or more polycycloalkanes. A group in which a hydrogen atom is removed is preferred, and a group in which one or more hydrogen atoms are removed from adamantane is most preferred.
The alkylene group which may have a substituent R 59, preferably a linear or branched alkylene group, and among them, a single bond, or preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.
The arylene group for R 60 preferably has 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 14 carbon atoms, and still more preferably 6 to 10 carbon atoms. Examples of such an arylene group include a phenylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, and a phenanthrylene group, and a phenylene group and a naphthylene group are preferable because they can be synthesized at low cost.

式(I−1−32)中、R01はアリーレン基またはアルキレン基であり、R02、R03はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基であり、R02、R03は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、R01〜R03のうち少なくとも1つは、アリーレン基またはアリール基であり、Wはn価の連結基であり、nは2または3である。
01のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリーレン基であって、該アリーレン基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよいものが挙げられ、R01のアルキレン基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基等が挙げられる。
02、R03のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよいものが挙げられ、R02、R03のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。
の2価の連結基としては、上記Y22の2価の連結基と同様のものが挙げられ、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わさった基が好ましい。
の3価の連結基としては、アリーレン基に3個のカルボニル基が組み合わさった基が好ましい。
In Formula (I-1-32), R 01 is an arylene group or an alkylene group, R 02 and R 03 are each independently an aryl group or an alkyl group, and R 02 and R 03 are bonded to each other to form a compound A ring may be formed together with the sulfur atom therein, and at least one of R 01 to R 03 is an arylene group or an aryl group, W 1 is an n-valent linking group, and n is 2 or 3 It is.
The arylene group R 01, not particularly limited, for example, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, said arylene groups, part or all of the hydrogen atoms, those may be substituted The alkylene group for R 01 is not particularly limited, and examples thereof include linear, branched or cyclic alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms.
The aryl group for R 02 and R 03 is not particularly limited, and may be, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and the aryl group may have part or all of its hydrogen atoms substituted. There are no particular restrictions on the alkyl group of R 02 and R 03 , and examples include linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms.
Examples of the divalent linking group for W 1 include the same divalent linking groups as those described above for Y 22 , which may be linear, branched or cyclic, and cyclic. preferable. Of these, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of the arylene group is preferable.
The trivalent linking group for W 1 is preferably a group in which three carbonyl groups are combined with an arylene group.

式(c−2)中、R”〜R”は、それぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R”〜R”のすべてが、アリール基であることが好ましい。
”〜R”のアリール基としては、R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
”〜R”のアルキル基としては、R”〜R”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、R”〜R”は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。
In formula (c-2), R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. At least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group. It is preferable that all of R 5 ″ to R 6 ″ are aryl groups.
As the aryl group for R 5 ″ to R 6 ″, the same as the aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
Examples of the alkyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same as the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, it is most preferable that R 5 ″ to R 6 ″ are all phenyl groups.

また、Aの有機カチオンとしては、下記一般式(c−3)で表される有機カチオンも挙げられる。 Moreover, as an organic cation of A +, the organic cation represented by the following general formula (c-3) is also mentioned.

Figure 0005903224
[式中、R44〜R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n〜nはそれぞれ独立して0〜3の整数であり、nは0〜2の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 44 to R 46 are each independently an alkyl group, acetyl group, alkoxy group, carboxy group, hydroxyl group or hydroxyalkyl group; n 4 to n 5 are each independently an integer of 0 to 3; There, n 6 is an integer of 0-2. ]

44〜R46において、アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、又はtert−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
44〜R46に付された符号n〜nが2以上の整数である場合、複数のR41〜R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
In R 44 to R 46, the alkyl group is preferably an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, more preferably an linear or branched alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl radical, n A butyl group or a tert-butyl group is particularly preferable.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
When the symbols n 1 to n 6 attached to R 44 to R 46 are integers of 2 or more, the plurality of R 41 to R 46 may be the same or different.
n 4 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
n 5 is preferably 0 or 1, more preferably 0.
n 6 is preferably 0 or 1, more preferably 1.

本発明において、化合物(I)としては前記式(I1)〜(I5)で表される化合物が好ましく、(I1)で表される化合物が特に好ましい。また、Aの有機カチオンとしては、前記式(c−1)〜(c−3)で表される有機カチオンが好ましく、前記式(c−1)で表される有機カチオンが特に好ましい。
本発明の化合物(I)の製造方法は特に限定されるものではないが、具体的には第三の態様として後述する。
In the present invention, as the compound (I), compounds represented by the above formulas (I1) to (I5) are preferable, and a compound represented by (I1) is particularly preferable. Moreover, as an organic cation of A <+>, the organic cation represented by the said Formula (c-1)-(c-3) is preferable, and the organic cation represented by the said Formula (c-1) is especially preferable.
Although the manufacturing method of compound (I) of this invention is not specifically limited, It mentions later as a 3rd aspect concretely.

≪ラジカル重合開始剤≫
本発明の第二の態様のラジカル重合開始剤は、前記一般式(I)で表される第一の態様の化合物(化合物(I))からなるものである。
当該ラジカル重合開始剤は、高分子化合物を合成するラジカル重合反応において、単量体を重合させるための重合開始剤として用いることができる。また、本発明のラジカル重合開始剤は、前記一般式(I)中のAとして有機カチオンを有する場合に酸発生能を有し、該酸発生能を重合により得られる化合物に付与することができる。そのため、本発明のラジカル重合開始剤は、化学増幅型レジスト組成物に用いられる重合体のラジカル重合に好適に用いることができる。
該ラジカル重合開始剤によりラジカル重合させる単量体は、ラジカル重合可能なものであればよく、製造しようとする重合体に応じて適宜選択される。本発明のラジカル重合開始剤により重合させる単量体としては、アクリル酸エステル系単量体、ビニル系単量体、又はスチレン系単量体が好ましく、特に、アクリル酸エステル系単量体が好ましい。アクリル酸エステル系単量体としては、たとえば後述する構成単位(a1)〜(a3)等を誘導する単量体が挙げられる。
≪Radical polymerization initiator≫
The radical polymerization initiator according to the second aspect of the present invention comprises the compound according to the first aspect (compound (I)) represented by the general formula (I).
The radical polymerization initiator can be used as a polymerization initiator for polymerizing monomers in a radical polymerization reaction for synthesizing a polymer compound. In addition, the radical polymerization initiator of the present invention has an acid generating ability when it has an organic cation as A + in the general formula (I), and can impart the acid generating ability to a compound obtained by polymerization. it can. Therefore, the radical polymerization initiator of the present invention can be suitably used for radical polymerization of a polymer used in a chemically amplified resist composition.
The monomer to be radically polymerized by the radical polymerization initiator is not particularly limited as long as it is capable of radical polymerization, and is appropriately selected according to the polymer to be produced. As a monomer to be polymerized by the radical polymerization initiator of the present invention, an acrylate monomer, a vinyl monomer, or a styrene monomer is preferable, and an acrylate monomer is particularly preferable. . Examples of the acrylate monomer include monomers that induce structural units (a1) to (a3) described later.

≪化合物の製造方法≫
本発明の第三の態様は、前記一般式(I)で表される第一の態様の化合物(化合物(I))の製造方法であって、下記一般式(i−1)で表される化合物(以下、「化合物(i−1)」ということがある。)と、下記一般式(i−2)で表される化合物(以下、「化合物(i−2)」ということがある。)とを反応させる工程を含む。
≪Method for producing compound≫
The third aspect of the present invention is a process for producing the compound of the first aspect represented by the general formula (I) (compound (I)), which is represented by the following general formula (i-1). A compound (hereinafter sometimes referred to as “compound (i-1)”) and a compound represented by the following general formula (i-2) (hereinafter sometimes referred to as “compound (i-2)”) And a step of reacting.

Figure 0005903224
[式中、R、Z、X、Q、p、q、R、r、Aはそれぞれ前記同様であり、B、Bはそれぞれ独立にH又はOHである。式中の複数のR、Z、X、p、Q、Bはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 , Z, X, Q, p, q, R 2 , r, and A + are the same as defined above, and B 1 and B 2 are each independently H or OH. A plurality of R 1 , Z, X, p, Q, and B 1 in the formula may be the same or different. ]

本発明の化合物の製造方法は、化合物(i−1)と(i−2)とを反応させる工程を含むものであれば特に限定されるものではないが、例えば、化合物(i−1)と化合物(i−2)とを適切な条件下で反応させることにより、化合物(I)を製造することができる。   Although the manufacturing method of the compound of this invention will not be specifically limited if the process of making a compound (i-1) and (i-2) react is included, For example, a compound (i-1) and Compound (I) can be produced by reacting compound (i-2) with appropriate conditions.

式(i−1)中、R、Z、X、Q、pは前記同様であり、BはH又はOHである。QがBと結合した末端に酸素原子を有する場合や、Qが単結合であり、且つXがBと結合した末端に酸素原子を有する場合、BはHであることが好ましい。一方、QがBと結合した末端に酸素原子を有しない場合や、Qが単結合であり、且つXがBと結合した末端に酸素原子を有しない場合、BはOHであることが好ましい。
式(i−2)中、q、R、r、Aは前記同様であり、BはH又はOHである。qが1である場合、BはHであることが好ましい。一方、qが0である場合、BはOHであることが好ましい。
In formula (i-1), R 1 , Z, X, Q, and p are the same as described above, and B 1 is H or OH. And if Q is an oxygen atom at the terminal bound to B 1, Q is a single bond, and when X is an oxygen atom at the terminal bound to B 1, it is preferred that B 1 represents an H. On the other hand, and if Q does not have an oxygen atom at the terminal bound to B 1, Q is a single bond, and if X does not have an oxygen atom at the terminal bound to B 1, it B 1 represents an OH Is preferred.
In formula (i-2), q, R 2 , r and A + are the same as described above, and B 2 is H or OH. When q is 1, B 2 is preferably H. On the other hand, when q is 0, B 2 is preferably OH.

化合物(i−1)、化合物(i−2)としては、それぞれ、市販のものを用いてもよく、合成してもよい。
化合物(i−1)と化合物(i−2)とを反応させ、化合物(I)を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、縮合剤や塩基の存在下で、化合物(i−2)と化合物(i−1)とを有機溶媒中で反応させた後に、反応混合物を洗浄、回収することにより、実施できる。
As compound (i-1) and compound (i-2), commercially available compounds may be used or synthesized.
The method for obtaining compound (I) by reacting compound (i-1) with compound (i-2) is not particularly limited. For example, compound (i-2) in the presence of a condensing agent or a base is used. And the compound (i-1) are reacted in an organic solvent, and then the reaction mixture is washed and recovered.

上記反応における縮合剤は、特に限定されるものではなく、例えばジイソプロピルカルボジイミド等のカルボジイミド基を含む化合物が挙げられ、これらは1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。その使用量は化合物(i−2)1モルに対して0.01〜10モル程度が好ましい。
上記反応における塩基は、特に限定されるものではなく、炭酸カリウム、トリエチルアミン等の3級アミン、ピリジン等の芳香族系アミン等が挙げられ、これらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。塩基の使用量は、通常、化合物(i−2)1モルに対して0.01〜10モル程度が好ましい。
上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン等の塩素化炭化水素溶媒が好ましく、使用量は、化合物(i−2)に対して、0.5〜100質量部であることが好ましく、0.5〜20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。
上記反応における化合物(i−2)の使用量は、pが1である場合は通常、化合物(i−1)1モルに対して0.5〜5モル程度が好ましく、0.8〜4モル程度がより好ましい。
The condensing agent in the said reaction is not specifically limited, For example, the compound containing carbodiimide groups, such as diisopropyl carbodiimide, is mentioned, These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. The amount to be used is preferably about 0.01 to 10 mol per 1 mol of compound (i-2).
The base in the above reaction is not particularly limited, and examples thereof include tertiary amines such as potassium carbonate and triethylamine, and aromatic amines such as pyridine. These may be used alone. More than one species may be used in combination. The amount of the base used is usually preferably about 0.01 to 10 mol with respect to 1 mol of compound (i-2).
As the organic solvent in the above reaction, a chlorinated hydrocarbon solvent such as dichloromethane is preferable, and the amount used is preferably 0.5 to 100 parts by mass with respect to compound (i-2). More preferably, it is 20 parts by mass. A solvent may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
When p is 1, the amount of compound (i-2) used in the above reaction is usually preferably about 0.5 to 5 mol, preferably 0.8 to 4 mol, relative to 1 mol of compound (i-1). The degree is more preferable.

上記反応における反応時間は、化合物(i−1)と化合物(i−2)との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1〜80時間が好ましく、3〜60時間がより好ましい。
上記反応における反応温度は、20℃〜200℃が好ましく、20℃〜150℃程度がより好ましい。
The reaction time in the above reaction varies depending on the reactivity between the compound (i-1) and the compound (i-2), the reaction temperature, etc., but is usually preferably 1 to 80 hours, more preferably 3 to 60 hours. .
The reaction temperature in the above reaction is preferably 20 ° C to 200 ° C, more preferably about 20 ° C to 150 ° C.

反応終了後、反応液中の化合物(I)を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。   After completion of the reaction, the compound (I) in the reaction solution may be isolated and purified. For isolation and purification, conventionally known methods can be used. For example, concentration, solvent extraction, distillation, crystallization, recrystallization, chromatography, etc. can be used alone or in combination of two or more thereof. it can.

上記のようにして得られる化合物(I)の構造は、H−核磁気共鳴(NMR)スペクトル法、13C−NMRスペクトル法、19F−NMRスペクトル法、赤外線吸収(IR)スペクトル法、質量分析(MS)法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。 The structure of the compound (I) obtained as described above is as follows: 1 H-nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum method, 13 C-NMR spectrum method, 19 F-NMR spectrum method, infrared absorption (IR) spectrum method, mass It can be confirmed by a general organic analysis method such as analysis (MS) method, elemental analysis method or X-ray crystal diffraction method.

≪重合体≫
本発明の第四の態様は、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式(I−1)で表される基を有する重合体である。
≪Polymer≫
The fourth aspect of the present invention is a polymer having a group represented by the following general formula (I-1) at at least one end of the main chain.

Figure 0005903224
[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基であり、RとZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1〜3の整数である。Qは(p+1)価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、q、rはそれぞれ独立に0又は1であり、Mは有機カチオンである。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, Z is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a cyano group, and R 1 and Z are bonded to each other to form a ring. You may do it. X is a divalent linking group, and at least one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) — It is at the end that contacts Q. p is an integer of 1 to 3. Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1. R 2 is a single bond, an optionally substituted alkylene group, or an optionally substituted aromatic group, q and r are each independently 0 or 1, and M + is Organic cation. ]

式(I−1)中、R、Z、X、p、Q、R、q、rは、第一の態様の化合物において説明した式(I)中のR、Z、X、p、Q、R、q、rと同じである。
式(I−1)中、Mは有機カチオンであって、第一の態様の化合物において説明した式(I)中のAの有機カチオンと同じである。
In the formula (I-1), R 1 , Z, X, p, Q, R 2 , q, and r are R 1 , Z, X, p in the formula (I) described in the compound of the first aspect. , Q, R 2 , q, r.
In formula (I-1), M + is an organic cation and is the same as the organic cation of A + in formula (I) described in the compound of the first embodiment.

本発明の重合体は、末端基(I−1)を有することから、露光により酸を発生する酸発生能を有する。すなわち、末端基(I−1)においては、末端にスルホニウム塩部位を有することにより、露光によりスルホン酸が発生する。   Since the polymer of the present invention has a terminal group (I-1), it has an acid generating ability to generate an acid upon exposure. That is, the terminal group (I-1) has a sulfonium salt moiety at the terminal, so that sulfonic acid is generated by exposure.

本発明の重合体は、主鎖の少なくとも一方の末端に末端基(I−1)を有するものであればよく、他の構成(たとえば当該重合体を構成する構成単位)については当該重合体の用途に応じて、公知のものが利用できる。
本発明の重合体は、レジスト組成物用として有用である。当該本発明の重合体が配合されるレジスト組成物としては、特に限定されないが、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有する化学増幅型のレジスト組成物が好適である。
本発明の重合体は、特に、化学増幅型のレジスト組成物の基材成分として、又は、該レジスト組成物に任意に配合される添加剤成分として有用であって、基材成分として用いられることが特に好ましい。基材成分として用いられる重合体の構成について、詳しくは、後述する本発明の第五の態様のレジスト組成物の(A1)成分にて説明する。
The polymer of the present invention only needs to have a terminal group (I-1) at at least one end of the main chain. Depending on the application, known ones can be used.
The polymer of the present invention is useful for a resist composition. The resist composition to which the polymer of the present invention is blended is not particularly limited, but includes a base material component whose solubility in an alkali developer is changed by the action of an acid, and an acid generator component that generates an acid upon exposure. A chemically amplified resist composition is preferable.
The polymer of the present invention is particularly useful as a base component of a chemically amplified resist composition or as an additive component arbitrarily blended in the resist composition, and used as a base component. Is particularly preferred. The configuration of the polymer used as the base component will be described in detail in the component (A1) of the resist composition of the fifth aspect of the present invention described later.

主鎖の少なくとも一方の末端に末端基(I−1)を有する本発明の重合体の製造方法としては、上述した本発明の第二の態様のラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合により所望の単量体を重合させる方法が好ましい。すなわち、本発明の第四の態様の重合体は、本発明の第二の態様のラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合により得られるラジカル重合体であることが好ましい。
ラジカル重合させる単量体としては、ラジカル重合可能なものであればよく、製造しようとする重合体に応じて、該重合体を構成する構成単位を誘導する単量体が適宜選択される。
ラジカル重合は、ラジカル重合開始剤として本発明のラジカル重合開始剤を用いる以外は公知の方法を利用して実施できる。
ラジカル重合の際、本発明のラジカル重合開始剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
As the method for producing the polymer of the present invention having the terminal group (I-1) at at least one end of the main chain, a desired method is obtained by radical polymerization using the radical polymerization initiator of the second aspect of the present invention described above. A method of polymerizing monomers is preferred. That is, the polymer of the fourth aspect of the present invention is preferably a radical polymer obtained by radical polymerization using the radical polymerization initiator of the second aspect of the present invention.
The monomer to be radically polymerized is not particularly limited as long as it can be radically polymerized, and a monomer for deriving a structural unit constituting the polymer is appropriately selected according to the polymer to be produced.
The radical polymerization can be carried out using a known method except that the radical polymerization initiator of the present invention is used as a radical polymerization initiator.
In radical polymerization, the radical polymerization initiator of the present invention may be used alone or in combination of two or more.

なお、本発明の第二の態様のラジカル重合開始剤が、カチオン部であるAとして金属カチオンを有する場合は、予め該ラジカル重合開始剤と所望の有機カチオンを有するオニウム塩との間で塩交換することにより、有機カチオンであるMを有するラジカル重合開始剤を得ることができる。塩交換は常法により行うことができる。 In addition, when the radical polymerization initiator of the second aspect of the present invention has a metal cation as A + which is a cation part, a salt is previously formed between the radical polymerization initiator and an onium salt having a desired organic cation. By exchanging, a radical polymerization initiator having M + which is an organic cation can be obtained. Salt exchange can be performed by a conventional method.

また、本発明の重合体の別の製造方法として、下記一般式(I0)で表される化合物(I0)をラジカル重合開始剤として用いることにより、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式(I−01)で表される基を有する重合体(前駆体重合体)を得て、該前駆体重合体の主鎖の末端基に「−(OCO)−R−(CF−SO 」(q、R、r、Aは前記と同じである。)を導入する(主鎖末端の水素原子を置換する)方法が挙げられる。
化合物(I−01)としては公知のものが利用できる。
「−(OCO)−R−(CF−SO 」の導入は、従来公知の方法を利用して行うことができ、たとえば、前駆体重合体と、下記一般式(i−02)で表される化合物(i−02)とを反応させることにより実施できる。該反応は、第三の態様の化合物(I)の製造方法で説明した方法と同様にして実施できる。
Further, as another method for producing the polymer of the present invention, by using the compound (I0) represented by the following general formula (I0) as a radical polymerization initiator, the following general formula ( polymer having a group represented by I-01) (to give a precursor polymer), the precursor to the main chain terminal groups of the body weight polymer "- (OCO) q -R 2 - (CF 2) r -SO 3 - A + ”(q, R 2 , r, A + are the same as described above) is introduced (a hydrogen atom at the end of the main chain is replaced).
As compound (I-01), known compounds can be used.
"- (OCO) q -R 2 - (CF 2) r -SO 3 - A + " introduction can be carried out by a conventional method, for example, precursor polymer and the following general formula ( It can be carried out by reacting the compound (i-02) represented by i-02). The reaction can be carried out in the same manner as described in the method for producing compound (I) of the third aspect.

Figure 0005903224
[式中、R、Z、X、Q、p、q、R、r、M、B、Bはそれぞれ前記同様である。]
Figure 0005903224
[Wherein R 1 , Z, X, Q, p, q, R 2 , r, M + , B 1 and B 2 are the same as defined above. ]

≪レジスト組成物≫
本発明の第五の態様のレジスト組成物は、前記第四の態様の重合体を含有するものである。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、本発明の重合体を含有することにより、露光により酸を発生する機能を有する。
そのため、該レジスト膜は、本発明の重合体を含むことで、別途酸発生剤を含有しない場合にも、酸の作用により溶解性が変化する成分を用いてパターンを形成することが可能となる。また、本発明の重合体の他に酸発生剤を含有する場合にも、本発明の重合体を含有しない場合に比して感度を向上させることができる。
≪Resist composition≫
The resist composition according to the fifth aspect of the present invention contains the polymer according to the fourth aspect. A resist film formed using such a resist composition has a function of generating an acid upon exposure by containing the polymer of the present invention.
Therefore, when the resist film contains the polymer of the present invention, it is possible to form a pattern using a component whose solubility is changed by the action of an acid even when an acid generator is not included separately. . Moreover, also when it contains an acid generator other than the polymer of this invention, a sensitivity can be improved compared with the case where the polymer of this invention is not contained.

本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよい。
本明細書においては、露光部が溶解除去されるポジ型パターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型パターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。
The resist composition of the present invention may be a negative resist composition or a positive resist composition.
In this specification, a resist composition that forms a positive pattern in which an exposed portion is dissolved and removed is referred to as a positive resist composition, and a resist composition that forms a negative pattern in which an unexposed portion is dissolved and removed is referred to as a negative. This is referred to as a type resist composition.

また、本発明のレジスト組成物は、非化学増幅型であってもよく、化学増幅型であってもよい。本発明においては、特に、化学増幅型のレジスト組成物が、レジストパターンを高感度、高解像性で形成できることから好ましい。
通常、化学増幅型のレジスト組成物としては、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するものが一般的である。かかるレジスト組成物に対して露光を行うと、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性が変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を用いて形成されたレジスト膜を選択的に露光すると、露光部の現像液に対する溶解性が変化(ポジ型の場合は増大、ネガ型の場合は減少)する一方で、未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性は変化しないため、これを現像することによりレジストパターンが形成される。
Further, the resist composition of the present invention may be a non-chemical amplification type or a chemical amplification type. In the present invention, a chemically amplified resist composition is particularly preferable because a resist pattern can be formed with high sensitivity and high resolution.
In general, a chemically amplified resist composition generally contains a base material component whose solubility in a developer is changed by the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure. When the resist composition is exposed, an acid is generated from the acid generator component, and the solubility of the base component in the developer is changed by the action of the acid. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film formed using the resist composition is selectively exposed, the solubility of the exposed portion in the developer changes (increased in the case of positive type, and in the case of negative type). On the other hand, since the solubility of the unexposed portion in the alkaline developer does not change, the resist pattern is formed by developing this.

上述のように、化学増幅型のレジスト組成物においては、通常、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分が用いられる。
ここで、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる「分子量が500以上の有機化合物」は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、「分子量」としてはGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に「樹脂」ということがある。
As described above, in the chemically amplified resist composition, a base material component whose solubility in a developer is changed by the action of an acid is usually used.
Here, the “base material component” is an organic compound having a film forming ability, and an organic compound having a molecular weight of 500 or more is preferably used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved and a nano-level resist pattern is easily formed. “Organic compounds having a molecular weight of 500 or more” used as the base component are roughly classified into non-polymers and polymers. As the non-polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, a nonpolymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 is referred to as a low molecular compound. As the polymer, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used. Hereinafter, a polymer having a molecular weight of 1000 or more is referred to as a polymer compound. In the case of a polymer compound, the “molecular weight” is a polystyrene-reduced mass average molecular weight measured by GPC (gel permeation chromatography). Hereinafter, the polymer compound may be simply referred to as “resin”.

本発明のレジスト組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分を構成する樹脂として、本発明の第四の態様の重合体を含有していてもよく;該基材成分を構成する樹脂の他に、本発明の第四の態様の重合体を含有していてもよい。すなわち、本発明のレジスト組成物に用いる重合体は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するものであってもよく、それ以外のものであってもよい。
なかでも、本発明のレジスト組成物に用いる本発明の重合体は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、且つ、基材成分として用いられるものであることが好ましい。上述の様に第四の態様の重合体は、その末端に酸の作用によりスルホン酸を発生する酸発生能を有する。それに加えて該重合体が酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するものであることにより、露光により発生する酸と、重合体中の酸による溶解性変化に寄与する部位(具体的には例えば、後述する構成単位(a1)等)とがレジスト膜中で均一に分布し、露光部では該重合体から均一に酸が発生して該重合体自身の溶解性が好適に変化することで、良好なリソグラフィー特性を得ることができる。
The resist composition of the present invention may contain the polymer of the fourth aspect of the present invention as a resin constituting the base component whose solubility in the developer is changed by the action of an acid; In addition to the resin constituting the component, the polymer of the fourth aspect of the present invention may be contained. That is, the polymer used in the resist composition of the present invention may be one whose solubility in a developer is changed by the action of an acid, or may be other than that.
Especially, it is preferable that the polymer of this invention used for the resist composition of this invention changes the solubility with respect to a developing solution by the effect | action of an acid, and is used as a base-material component. As described above, the polymer of the fourth aspect has an acid generating ability to generate sulfonic acid by the action of an acid at the terminal. In addition, since the solubility of the polymer in the developer is changed by the action of an acid, the acid generated by exposure and the site contributing to the solubility change by the acid in the polymer (specifically, For example, a structural unit (a1) described later) is uniformly distributed in the resist film, and an acid is uniformly generated from the polymer in the exposed portion, so that the solubility of the polymer itself is suitably changed. Good lithography characteristics can be obtained.

すなわち、本発明のレジスト組成物としては、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、露光により酸を発生する基材成分(A)(以下、「(A)成分」という。)を含有し、前記(A)成分が第四の態様の重合体を含有することが好ましい。以下、本発明の重合体を(A)成分として含有するレジスト組成物について説明する。   That is, the resist composition of the present invention contains a base component (A) (hereinafter referred to as “component (A)”) that changes its solubility in a developing solution by the action of an acid and generates an acid upon exposure. And it is preferable that the said (A) component contains the polymer of a 4th aspect. Hereinafter, the resist composition containing the polymer of the present invention as the component (A) will be described.

<(A)成分>
本発明のレジスト組成物がアルカリ現像プロセスにおいてネガ型パターンを形成する「アルカリ現像プロセス用ネガ型レジスト組成物」である場合、(A)成分としてはアルカリ現像液に可溶性の基材成分が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。
かかるアルカリ現像プロセス用ネガ型レジスト組成物は、露光により(A)成分が含有する本発明の重合体等から酸が発生すると、当該酸が作用して基材成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、アルカリ現像液に対して難溶性へ変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ネガ型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる。
アルカリ現像プロセス用ネガ型レジスト組成物の(A)成分としては、通常、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂(以下「アルカリ可溶性樹脂」という。)が用いられる。
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば特開2000−206694号公報に開示されている、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、またはα−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸のアルキルエステル(好ましくは炭素数1〜5のアルキルエステル)から選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005−336452号公報、特開2006−317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル樹脂;特開2006−259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。
なお、前記α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基(好ましくは炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基)が結合しているα−ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。
架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1〜50質量部であることが好ましい。
<(A) component>
When the resist composition of the present invention is a “negative resist composition for an alkali development process” that forms a negative pattern in an alkali development process, a base component that is soluble in an alkali developer is used as the component (A). Furthermore, a crosslinking agent component is blended.
When an acid is generated from the polymer of the present invention contained in the component (A) by exposure, the negative resist composition for alkali development process acts between the base component and the crosslinking agent component when the acid acts. Crosslinking occurs and changes to poorly soluble in an alkaline developer. Therefore, in the formation of a resist pattern, when a resist film obtained by applying the negative resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion turns into poorly soluble in an alkaline developer, while not yet exposed. Since the exposed portion remains soluble in the alkali developer and does not change, a resist pattern can be formed by alkali development.
As the component (A) of the negative resist composition for an alkali development process, a resin that is soluble in an alkali developer (hereinafter referred to as “alkali-soluble resin”) is usually used.
Examples of the alkali-soluble resin include α- (hydroxyalkyl) acrylic acid or α- (hydroxyalkyl) acrylic acid alkyl ester (preferably having 1 to 5 carbon atoms) disclosed in, for example, JP-A-2000-206694. A resin having a unit derived from at least one selected from alkyl ester); a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position having a sulfonamide group, which is disclosed in US Pat. No. 6,949,325, is substituted with a substituent. Acrylic resin or polycycloolefin resin that may be contained; disclosed in US Pat. No. 6,949,325; The hydrogen atom bonded to the atom may be substituted with a substituent. Le resin; Japanese Patent disclosed in 2006-259582, JP-polycycloolefin resins having fluorinated alcohol, with minimal swelling can formation of a satisfactory resist pattern.
The α- (hydroxyalkyl) acrylic acid is a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom to which the carboxy group is bonded, among the acrylic acid in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. One or both of acrylic acid having an atom bonded thereto and α-hydroxyalkylacrylic acid having a hydroxyalkyl group (preferably a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms) bonded to the α-position carbon atom are shown. .
As the crosslinking agent component, for example, it is usually preferable to use an amino crosslinking agent such as glycoluril having a methylol group or an alkoxymethyl group, a melamine crosslinking agent, or the like because a good resist pattern with less swelling can be formed. It is preferable that the compounding quantity of a crosslinking agent component is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of alkali-soluble resin.

本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型パターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型パターンを形成するレジスト組成物である場合、(A)成分としては、酸の作用により極性が増大する基材成分(A0)(以下「(A0)成分」という。)を用いることが好ましい。(A0)成分を用いることにより、露光前後で基材成分の極性が変化するため、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。
アルカリ現像プロセスを適用する場合、該(A0)成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光により(A)成分が含有する本発明の重合体等から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型パターンが形成できる。
また、溶剤現像プロセスを適用する場合は、該(A0)成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光により(A)成分が含有する本発明の重合体(A1)等から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大して有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型パターンが形成できる。
When the resist composition of the present invention is a resist composition that forms a positive pattern in an alkali development process and a negative pattern in a solvent development process, the component (A) has increased polarity due to the action of an acid. It is preferable to use the base material component (A0) (hereinafter referred to as “(A0) component”). By using the component (A0), the polarity of the base material component changes before and after exposure, so that good development contrast can be obtained not only in the alkali development process but also in the solvent development process.
When the alkali development process is applied, the component (A0) is hardly soluble in an alkali developer before exposure, and when acid is generated from the polymer of the present invention contained in the component (A) by exposure, The polarity is increased by the action of the acid, and the solubility in an alkaline developer is increased. Therefore, in the formation of a resist pattern, when a resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion changes from slightly soluble to soluble in an alkaline developer. Since the unexposed portion remains hardly soluble in alkali and does not change, a positive pattern can be formed by alkali development.
When applying a solvent development process, the component (A0) is highly soluble in an organic developer before exposure, and the polymer (A1) of the present invention contains the component (A) upon exposure. When an acid is generated from such as, the polarity is increased by the action of the acid, and the solubility in an organic developer is decreased. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on the support is selectively exposed, the exposed portion changes from soluble to poorly soluble in an organic developer. On the other hand, since the unexposed portion remains soluble and does not change, by developing with an organic developer, a contrast can be provided between the exposed portion and the unexposed portion, and a negative pattern can be formed.

本発明のレジスト組成物において、(A)成分は、酸の作用により極性が増大する基材成分((A0)成分)であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。
また、本発明のレジスト組成物において、(A)成分が含有する本発明の重合体が、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であることが好ましい。すなわち、本発明の(A)成分は、酸の作用により極性が増大し、本発明の重合体からなる樹脂成分(A1)(以下「(A1)成分」ということがある。)を有することが好ましい。
In the resist composition of the present invention, the component (A) is preferably a base material component ((A0) component) whose polarity is increased by the action of an acid. That is, the resist composition of the present invention is preferably a chemically amplified resist composition that becomes positive in the alkali development process and negative in the solvent development process.
In the resist composition of the present invention, the polymer of the present invention contained in the component (A) is preferably a resin component whose polarity is increased by the action of an acid. That is, the component (A) of the present invention has a resin component (A1) (hereinafter sometimes referred to as “component (A1)”) made of the polymer of the present invention, having increased polarity due to the action of an acid. preferable.

[(A1)成分]
(A1)成分としては、主鎖の少なくとも一方の末端に、前記末端基(I−1)を有するものであればよく、この末端基以外の構成については、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている樹脂成分(ベース樹脂)と同様の構成を採用することができる。
本発明において、(A1)成分としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有するものが好ましい。
本発明のレジスト組成物においては、特に、(A1)成分が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有することが好ましい。
また、(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、−SO−含有環式基を含む構成単位、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、ラクトン含有環式基を含む構成単位からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位(a2)を有することが好ましい。
また、(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、又は構成単位(a1)及び(a2)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)を有することが好ましい。
[(A1) component]
The component (A1) may be any component as long as it has the terminal group (I-1) at at least one end of the main chain. The components other than the terminal group are usually groups for chemically amplified resists. The same configuration as the resin component (base resin) used as the material component can be employed.
In the present invention, the component (A1) preferably has a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent.
In the resist composition of the present invention, in particular, the component (A1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent, It is preferable to have a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid.
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. A structural unit derived from an acrylate ester containing an —SO 2 — containing cyclic group and a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position, which may be substituted with a substituent, It is preferable to have at least one structural unit (a2) selected from the group consisting of structural units containing a containing cyclic group.
In addition to the structural unit (a1) or the structural units (a1) and (a2), the component (A1) further has a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom substituted with a substituent. The structural unit may be a structural unit derived from an acrylate ester which may be included and includes a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.

(構成単位(a1))
構成単位(a1)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。
「酸分解性基」は、露光により本発明の重合体(A1)等から発生する酸等の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SOH)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下、OH含有極性基ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基(たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
「酸解離性基」は、酸(露光により本発明の重合体(A1)から発生する酸等)の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。結果、(A1)成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、アルカリ現像プロセスを適用する場合であれば、相対的に、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。他方、溶剤現像プロセスを適用する場合であれば、有機溶剤を含有する有機系現像液に対する溶解性が減少する。
(Structural unit (a1))
The structural unit (a1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and the acid decomposition whose polarity is increased by the action of an acid A structural unit containing a sex group.
The “acid-decomposable group” has an acid-decomposability that at least a part of bonds in the structure of the acid-decomposable group can be cleaved by the action of an acid generated from the polymer (A1) of the present invention by exposure. It is group which has.
Examples of the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid include a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (—SO 3 H), and the like. Among these, a polar group containing —OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as OH-containing polar group) is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
More specifically, examples of the acid-decomposable group include a group in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid-dissociable group).
The “acid-dissociable group” means at least between the acid-dissociable group and an atom adjacent to the acid-dissociable group by the action of an acid (such as an acid generated from the polymer (A1) of the present invention by exposure). It is a group having acid dissociability that can be cleaved. The acid-dissociable group constituting the acid-decomposable group needs to be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group. Is dissociated, a polar group having a polarity higher than that of the acid dissociable group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. Due to the increase in polarity, the solubility in an alkaline developer is relatively increased if an alkali development process is applied. On the other hand, if a solvent development process is applied, the solubility in an organic developer containing an organic solvent is reduced.

構成単位(a1)における酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。   As the acid dissociable group in the structural unit (a1), those proposed so far as the acid dissociable group of the base resin for a chemically amplified resist can be used. In general, a group that forms a cyclic or chain tertiary alkyl ester with a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like; an acetal-type acid dissociable group such as an alkoxyalkyl group is widely known.

ここで、「第3級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成されることによって、(A1)成分の極性が増大する。
なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第3級アルキルエステル型酸解離性基」という。
第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。
Here, the “tertiary alkyl ester” is an ester formed by replacing a hydrogen atom of a carboxy group with a chain or cyclic alkyl group, and the carbonyloxy group (—C (═O ) -O-) shows a structure in which the tertiary carbon atom of the chain-like or cyclic alkyl group is bonded to the terminal oxygen atom. In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, a bond is cut between an oxygen atom and a tertiary carbon atom to form a carboxy group, thereby increasing the polarity of the component (A1).
The chain or cyclic alkyl group may have a substituent.
Hereinafter, a group that is acid dissociable by constituting a carboxy group and a tertiary alkyl ester is referred to as a “tertiary alkyl ester type acid dissociable group” for convenience.
Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable group include an aliphatic branched acid dissociable group and an acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group.

ここで、本特許請求の範囲及び明細書における「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。
「脂肪族分岐鎖状酸解離性基」の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。
また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、炭素数4〜8の第3級アルキル基が好ましく、具体的にはtert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−ヘプチル基等が挙げられる。
Here, the term “aliphatic branched” in the claims and the specification means that it has a branched structure having no aromaticity.
The structure of the “aliphatic branched acid dissociable group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group.
The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
As the aliphatic branched acid dissociable group, a tertiary alkyl group having 4 to 8 carbon atoms is preferable, and specific examples thereof include a tert-butyl group, a tert-pentyl group, and a tert-heptyl group.

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
構成単位(a1)における「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
「脂肪族環式基」の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。「脂肪族環式基」は、多環式基であることが好ましい。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
The “aliphatic cyclic group” means a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The “aliphatic cyclic group” in the structural unit (a1) may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like. Is mentioned.
The basic ring structure excluding the substituent of the “aliphatic cyclic group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated. The “aliphatic cyclic group” is preferably a polycyclic group.
Examples of the aliphatic cyclic group include a monocycloalkane, a bicycloalkane, and a tricyclo which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group. Examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as an alkane or tetracycloalkane. More specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. .

脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には、下記一般式(1−1)〜(1−9)で示す基の様な、2−メチル−2−アダマンチル基や、2−エチル−2−アダマンチル基等が挙げられる。
また、脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、下記一般式(2−1)〜(2−6)で示す基の様に、アダマンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。
Examples of the acid-dissociable group containing an aliphatic cyclic group include a group having a tertiary carbon atom on the ring skeleton of a cyclic alkyl group. Examples thereof include 2-methyl-2-adamantyl group and 2-ethyl-2-adamantyl group such as those represented by 1) to (1-9).
As the aliphatic branched acid dissociable group, adamantyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, norbornyl group, tricyclodecyl group as shown in the following general formulas (2-1) to (2-6) And a group having an aliphatic cyclic group such as a tetracyclododecyl group and a branched alkylene group having a tertiary carbon atom bonded thereto.

Figure 0005903224
[式中、R14はアルキル基であり、gは0〜8の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 14 represents an alkyl group, and g represents an integer of 0 to 8. ]

Figure 0005903224
[式中、R15、R16はそれぞれ独立してアルキル基(直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1〜5である)を示す。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 15 and R 16 each independently represents an alkyl group (which may be linear or branched, and preferably has 1 to 5 carbon atoms). ]

上記R14のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましい。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜5であることが好ましく、1〜4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、3〜5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。
gは0〜3の整数が好ましく、1〜3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。
15〜R16のアルキル基としては、R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。
また、式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。
The alkyl group for R 14 is preferably a linear or branched alkyl group.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4, and still more preferably 1 or 2. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like, and isopropyl group is most preferable.
g is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 1 to 3, and still more preferably 1 or 2.
Examples of the alkyl group for R 15 to R 16 include the same alkyl groups as those for R 14 .
In the formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a part of the carbon atoms constituting the ring is substituted with an etheric oxygen atom (—O—). May be.
In formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a hydrogen atom bonded to a carbon atom constituting the ring may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, and a fluorinated alkyl group.

「アセタール型酸解離性基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成されることによって(A1)成分の極性が増大する。
アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(p1)で表される基が挙げられる。
The “acetal-type acid dissociable group” is generally bonded to an oxygen atom by substituting a hydrogen atom at the terminal of an OH-containing polar group such as a carboxy group or a hydroxyl group. Then, when an acid is generated by exposure, this acid acts to break the bond between the acetal type acid dissociable group and the oxygen atom to which the acetal type acid dissociable group is bonded, and a carboxy group, a hydroxyl group, etc. By forming the OH-containing polar group, the polarity of the component (A1) is increased.
Examples of the acetal type acid dissociable group include a group represented by the following general formula (p1).

Figure 0005903224
[式中、R’、R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、n01は0〜3の整数を表し、Yは炭素数1〜5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 ′ and R 2 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n01 represents an integer of 0 to 3 and Y 1 represents an alkyl having 1 to 5 carbon atoms. Represents a group or an aliphatic cyclic group. ]

上記式中、n01は、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
’、R’の炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、R’,R’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基(p1)が、下記一般式(p1−1)で表される基であることが好ましい。
In the above formula, n01 is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 1 ′ and R 2 ′ include the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R, and a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is the most preferable. preferable.
In the present invention, it is preferable that at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. That is, the acid dissociable group (p1) is preferably a group represented by the following general formula (p1-1).

Figure 0005903224
[式中、R’、n01、Yは上記と同様である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 ′, n01 and Y 1 are the same as described above. ]

の炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられる。
の脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環または多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基」と同様のものが例示できる。
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Y 1 include the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R.
As the aliphatic cyclic group for Y 1 , it can be appropriately selected from monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups conventionally proposed in a number of ArF resists and the like. The same thing as a "cyclic group" can be illustrated.

また、アセタール型酸解離性基としては、下記一般式(p2)で示される基も挙げられる。   Examples of the acetal type acid dissociable group also include a group represented by the following general formula (p2).

Figure 0005903224
[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 17 and R 18 each independently represent a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom, and R 19 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. Alternatively, R 17 and R 19 may be each independently a linear or branched alkylene group, and the end of R 17 and the end of R 19 may be bonded to form a ring. ]

17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特に、R17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は、好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれでもよい。
19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
19が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式においては、R17及びR19が、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基)であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。
この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
In R 17 and R 18 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group. In particular, it is preferable that one of R 17 and R 18 is a hydrogen atom and the other is a methyl group.
R 19 is a linear, branched or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 15 carbon atoms, and may be any of linear, branched or cyclic.
When R 19 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 19 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, are included. Examples include a group excluding a hydrogen atom. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
In the above formula, R 17 and R 19 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and the end of R 19 and R 17 The terminal may be bonded.
In this case, a cyclic group is formed by R 17 , R 19 , the oxygen atom to which R 19 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 17 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

構成単位(a1)としては、下記一般式(a1−0−1)で表される構成単位および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いることが好ましい。   As the structural unit (a1), one or more selected from the group consisting of structural units represented by the following general formula (a1-0-1) and structural units represented by the following general formula (a1-0-2): Is preferably used.

Figure 0005903224
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し、X’は酸解離性基を示す。]
Figure 0005903224
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and X 1 ′ represents an acid dissociable group. ]

Figure 0005903224
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し、X’は酸解離性基を示し、Yは2価の連結基を示す。]
Figure 0005903224
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, X 2 ′ represents an acid dissociable group, and Y 2 represents a divalent linking group. Indicates. ]

一般式(a1−0−1)において、Rは前記同様である。
’は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、例えば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
In general formula (a1-0-1), R is the same as defined above.
X 1 ′ is not particularly limited as long as it is an acid dissociable group, and examples thereof include the above-described tertiary alkyl ester type acid dissociable groups, acetal type acid dissociable groups, and the like. Alkyl ester type acid dissociable groups are preferred.

一般式(a1−0−2)において、Rは上記と同様である。
’は、式(a1−0−1)中のX’と同様である。
の2価の連結基としては、前記式(I)中のXの2価の連結基と同様のものが挙げられる。
In general formula (a1-0-2), R is the same as defined above.
X 2 ′ is the same as X 1 ′ in formula (a1-0-1).
Examples of the divalent linking group for Y 2 include those similar to the divalent linking group for X in the formula (I).

構成単位(a1)として、より具体的には、下記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a1) include structural units represented by the following general formulas (a1-1) to (a1-4).

Figure 0005903224
[式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表し、Yは炭素数1〜5のアルキル基、または脂肪族環式基を表し;n01は0〜3の整数を表し;Yは2価の連結基を表し;Rは前記と同じであり、R’、R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表す。]
Figure 0005903224
[Wherein, X ′ represents a tertiary alkyl ester type acid dissociable group, Y 1 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or an aliphatic cyclic group; n01 represents an integer of 0 to 3] Y 2 represents a divalent linking group; R is the same as defined above; R 1 ′ and R 2 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; ]

前記式中、X’は、前記X’において例示した第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。
’、R’、n01、Yとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性基」の説明において挙げた一般式(p1)におけるR’、R’、n01、Yと同様のものが挙げられる。
としては、上述の一般式(a1−0−2)におけるYと同様のものが挙げられる。
In the above formula, X ′ is the same as the tertiary alkyl ester-type acid dissociable group exemplified in X 1 ′.
R 1 ', R 2', as is n01, Y 1, respectively, R 1 in the general formula listed in the description of "acetal-type acid dissociable group" described above (p1) ', R 2' , n01, Y 1 The same thing is mentioned.
The Y 2, the same groups as those described above for Y 2 in the general formula (a1-0-2).

以下に、上記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位の具体例を示す。
以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.
In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

構成単位(a1)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
その中でも、一般式(a1−1)、(a1−2)または(a1−3)で表される構成単位が好ましく、具体的には(a1−1−1)〜(a1−1−4)、(a1−1−20)〜(a1−1−23)、(a1−2−1)〜(a1−2−24)および(a1−3−25)〜(a1−3−28)からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。
さらに、構成単位(a1)としては、特に式(a1−1−1)〜式(a1−1−3)および(a1−1−26)の構成単位を包括する下記一般式(a1−1−01)で表されるもの、式(a1−1−16)〜(a1−1−17)、式(a1−1−20)〜(a1−1−23)及び(a1−1−32)の構成単位を包括する下記一般式(a1−1−02)で表されるもの、式(a1−2−3)、(a1−2−6)及び(a1−2−7)の構成単位を包括する下記一般式(a1−1−03)で表されるもの、式(a1−2−3)、(a1−2−6)及び(a1−2−7)の構成単位を包括する下記一般式(a1−1−04)で表されるもの、式(a1−3−25)〜(a1−3−26)の構成単位を包括する下記一般式(a1−3−01)で表されるもの、式(a1−3−27)〜(a1−3−28)の構成単位を包括する下記一般式(a1−3−02)、又は式(a1−3−29)〜(a1−3−30)の構成単位を包括する下記一般式(a1−3−03)で表されるものも好ましい。
As the structural unit (a1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Among these, the structural unit represented by general formula (a1-1), (a1-2) or (a1-3) is preferable, and specifically, (a1-1-1) to (a1-1-4). , (A1-1-20) to (a1-1-23), (a1-2-1) to (a1-2-24) and (a1-3-25) to (a1-3-28) It is more preferable to use at least one selected from the group.
Furthermore, as the structural unit (a1), in particular, the following general formula (a1-1-1-) including structural units of the formulas (a1-1-1) to (a1-1-3) and (a1-1-26) 01), formulas (a1-1-16) to (a1-1-17), formulas (a1-1-20) to (a1-1-23) and (a1-1-32) Comprehensive structural units including structural units represented by the following general formula (a1-1-02), formulas (a1-2-3), (a1-2-6) and (a1-2-7) Represented by the following general formula (a1-1-03), the following general formula including the structural units of the formulas (a1-2-3), (a1-2-6) and (a1-2-7) What is represented by (a1-1-04), and is represented by the following general formula (a1-3-01) including the structural units of formulas (a1-3-25) to (a1-3-26) The following general formula (a1-3-02) or structural formulas (a1-3-29) to (a1-3) including structural units of formulas (a1-3-27) to (a1-3-28) What is represented by the following general formula (a1-3-03) including the structural unit of -30) is also preferable.

Figure 0005903224
[式中、Rはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し、R11は炭素数1〜5のアルキル基を示す。R12は炭素数1〜7のアルキル基を示す。hは1〜6の整数を表す。R、R’、R2’、n01、R15、R16は前記同様である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 11 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 12 represents an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms. h represents an integer of 1 to 6. R, R 1 ′, R 2 ′ , n01, R 15 , and R 16 are the same as described above. ]

一般式(a1−1−01)において、Rについては上記と同様である。R11の炭素数1〜5のアルキル基はRにおける炭素数1〜5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。 In general formula (a1-1-01), R is the same as defined above. The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 11 is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R, and is preferably a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group.

一般式(a1−1−02)において、Rについては上記と同様である。R12の炭素数1〜5のアルキル基はRにおける炭素数1〜5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。hは、1または2が好ましく、2が最も好ましい。
一般式(a1−1−03)において、R、R’、R2’、n01については上記と同様である。
一般式(a1−1−04)において、R、R15、R16については上記と同様である。
In general formula (a1-1-02), R is the same as defined above. The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 12 is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R, and is preferably a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group. h is preferably 1 or 2, and most preferably 2.
In general formula (a1-1-03), R, R 1 ′, R 2 ′ , and n01 are the same as described above.
In general formula (a1-1-04), R, R 15 and R 16 are the same as described above.

Figure 0005903224
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し;R14は前記同様であり、R13は水素原子またはメチル基であり、aは1〜10の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R 14 is the same as described above; R 13 is a hydrogen atom or a methyl group; a is an integer of 1-10. ]

Figure 0005903224
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し;R14は前記同様であり、R13は水素原子またはメチル基であり、aは1〜10の整数であり、n’は1〜6の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R 14 is the same as described above; R 13 is a hydrogen atom or a methyl group; a is an integer of 1 to 10, and n ′ is an integer of 1 to 6. ]

Figure 0005903224
[式中、Rは前記と同じであり、Y’およびY”はそれぞれ独立して2価の連結基であり、X’は酸解離性基であり、nは0〜3の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R is the same as defined above, Y 2 ′ and Y 2 ″ are each independently a divalent linking group, X ′ is an acid-dissociable group, and n is an integer of 0 to 3] is there.]

前記一般式(a1−3−01)〜(a1−3−03)において、Rについては上記と同様である。
13は、水素原子が好ましい。
n’は、1または2が好ましく、2が最も好ましい。
aは、1〜8の整数が好ましく、2〜5の整数が特に好ましく、2が最も好ましい。
’、Y”における2価の連結基としては、前記一般式(a1−3)におけるYと同様のものが挙げられる。
’としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
”としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
X’における酸解離性基は、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基であることが好ましく、上述した環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基がより好ましく、中でも、前記一般式(1−1)で表される基が好ましい。
nは0〜3の整数であり、nは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。
In the general formulas (a1-3-01) to (a1-3-03), R is the same as described above.
R 13 is preferably a hydrogen atom.
n ′ is preferably 1 or 2, and most preferably 2.
a is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 2 to 5, and most preferably 2.
Examples of the divalent linking group in Y 2 ′ and Y 2 ″ include the same groups as Y 2 in the general formula (a1-3).
Y 2 ′ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and even more preferably a linear alkylene group. Among these, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Y 2 ″ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and still more preferably a linear alkylene group. A linear alkylene group of 1 to 5 is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Examples of the acid-dissociable group for X ′ include the same groups as described above, preferably a tertiary alkyl ester-type acid-dissociable group, and a tertiary carbon atom on the ring skeleton of the cyclic alkyl group described above. The group represented by formula (1-1) is particularly preferable.
n is an integer of 0 to 3, and n is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.

(A1)成分中、構成単位(a1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対し、5〜80モル%が好ましく、10〜75モル%がより好ましく、15〜70モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。   In the component (A1), the proportion of the structural unit (a1) is preferably from 5 to 80 mol%, more preferably from 10 to 75 mol%, more preferably from 15 to 70 mol%, based on all structural units constituting the component (A1). Is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, a pattern can be easily obtained when the resist composition is used, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

(構成単位(a2))
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、−SO−含有環式基を含む構成単位(以下、構成単位(a2)という。)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、ラクトン含有環式基を含む構成単位(以下、構成単位(a2)という。)からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位である。
構成単位(a2)は、−SO−含有環式基又はラクトン環式基を含むことにより、当該(A1)成分を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有する現像液(特にアルカリ現像プロセスの場合)との親和性を高める等により、リソグラフィー特性の向上に寄与する。
(Structural unit (a2))
The structural unit (a2) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a —SO 2 — containing cyclic group. A structural unit derived from a structural unit (hereinafter referred to as a structural unit (a2 S )) and an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, It is at least one structural unit selected from the group consisting of structural units containing a cyclic group (hereinafter referred to as structural unit (a2 L )).
When the structural unit (a2) contains a —SO 2 — containing cyclic group or a lactone cyclic group, the adhesion of the resist film formed using the resist composition containing the component (A1) to the substrate And increase the affinity with a developer containing water (especially in the case of an alkali development process), thereby contributing to the improvement of lithography properties.

・構成単位(a2):
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、−SO−含有環式基を含む構成単位である。
ここで、−SO−含有環式基とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するサルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。
−SO−含有環式基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、4〜20であることが好ましく、4〜15であることがより好ましく、4〜12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。
−SO−含有環式基は、−SO−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO−含有脂肪族環式基である。
−SO−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO−または−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH−が−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH−CH−が−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。
該脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
-Structural unit (a2 S ):
The structural unit (a2 S ) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and the —SO 2 -containing cyclic group is Containing unit.
Here, -SO 2 - and containing cyclic group, -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - in the sulfur atom (S) Are cyclic groups that form part of the ring skeleton of the cyclic group. The ring containing —SO 2 — in the ring skeleton is counted as the first ring, and when it is only the ring, it is a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is a polycyclic group regardless of the structure. Called. The —SO 2 — containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.
The —SO 2 — containing cyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 4 to 12 carbon atoms. . However, the carbon number is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the carbon number in the substituent.
The —SO 2 — containing cyclic group may be an —SO 2 — containing aliphatic cyclic group or an —SO 2 — containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.
The —SO 2 -containing aliphatic cyclic group includes at least a hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 — or —O—SO 2 —. One group is excluded. More specifically, a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which —CH 2 — constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 —, —CH 2 — constituting the ring And a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 — is substituted with —O—SO 2 —.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane. , Tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

−SO−含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
前記−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。
R”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1〜6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。
−SO−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。
The —SO 2 — containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group, a cyano group, and the like. Is mentioned.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, the group couple | bonded with the oxygen atom (-O-) to the alkyl group quoted as the alkyl group as the said substituent is mentioned.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group for the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent are substituted with the halogen atom. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
R ″ in —COOR ″ and —OC (═O) R ″ is a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group. preferable.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Alternatively, one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group. More specifically, one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Group.
The hydroxyalkyl group as the substituent is preferably one having 1 to 6 carbon atoms. Specifically, at least one of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent is substituted with a hydroxyl group. Group.
More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (3-1) to (3-4).

Figure 0005903224
[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0〜2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基である。]
Figure 0005903224
[In the formula, A ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 to 2, and R 27 is an alkyl group. , An alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group, and R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group.]

前記一般式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。
A’における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。
A’としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
zは0〜2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。
zが2である場合、複数のR27はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
以下に、前記一般式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。
In the general formulas (3-1) to (3-4), A ′ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—), An oxygen atom or a sulfur atom.
The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′ is preferably a linear or branched alkylene group, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.
When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, such as —O—CH 2. -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like.
A ′ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
z may be any of 0 to 2, and is most preferably 0.
When z is 2, the plurality of R 27 may be the same or different.
As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in R 27 , the —SO 2 — containing cyclic group has the above-mentioned, respectively. And the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups as those which may be substituted.
Below, the specific cyclic group represented by the said general formula (3-1)-(3-4) is illustrated. In the formula, “Ac” represents an acetyl group.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

−SO−含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式(3−1)で表される基が好ましく、前記化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)および(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 Among the above, the —SO 2 -containing cyclic group is preferably a group represented by the general formula (3-1), and the chemical formulas (3-1-1), (3-1-18), ( It is more preferable to use at least one selected from the group consisting of groups represented by any of 3-3-1) and (3-4-1), and represented by the chemical formula (3-1-1). Are most preferred.

構成単位(a2)の例として、より具体的には、下記一般式(a2−0)で表される構成単位が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a2 S ) include structural units represented by general formula (a2-0) shown below.

Figure 0005903224
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R28は−SO−含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 28 represents a —SO 2 — containing cyclic group, and R 29 represents a single bond. Or it is a bivalent coupling group. ]

式(a2−0)中、Rは前記と同様である。
28は、前記で挙げた−SO−含有環式基と同様である。
29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記式(I)中のXにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。
該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Yにおける脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:−R30−C(=O)−O−[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(a2)は、下記一般式(a2−0−1)で表される構成単位であることが好ましい。
In formula (a2-0), R is the same as defined above.
R 28 is the same as the —SO 2 — containing cyclic group mentioned above.
R 29 may be a single bond or a divalent linking group. Since it is excellent in the effect of this invention, it is preferable that it is a bivalent coupling group.
The divalent linking group for R 29 is not particularly limited, and examples thereof include those similar to the divalent linking group for X in the formula (I). Among these, those containing an alkylene group or an ester bond (—C (═O) —O—) are preferable.
The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Specifically, the same as the linear alkylene group and the branched alkylene group mentioned as the aliphatic hydrocarbon group for Y 2 can be used.
As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the general formula: —R 30 —C (═O) —O— [wherein R 30 is a divalent linking group. ] Is preferable. That is, the structural unit (a2 S ) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-0-1).

Figure 0005903224
[式中、RおよびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R and R 28 are the same as defined above, and R 30 is a divalent linking group. ]

30としては、特に限定されず、たとえば、前記式(I)中のXにおいての2価の連結基と同様のものが挙げられる。
30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。
該直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、前記式(I)中のXにおいて好ましいものとして挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
上記の中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH)−、−C(CH−または−C(CHCH−が特に好ましい。
酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前記式−A−O−B−、−[A−C(=O)−O]−B−または−A−O−C(=O)−B−で表される基がより好ましい。
なかでも、式−A−O−C(=O)−B−で表される基が好ましく、−(CH−C(=O)−O−(CH−で表される基が特に好ましい。cは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。dは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。
R 30 is not particularly limited, and examples thereof include the same divalent linking groups as X in the formula (I).
The divalent linking group for R 30 is preferably a linear or branched alkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a divalent linking group containing a hetero atom.
Examples of the linear or branched alkylene group, the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the divalent linking group containing a hetero atom are preferable as X in the formula (I). Examples thereof include linear or branched alkylene groups, aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure, and divalent linking groups containing a hetero atom.
Among these, a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.
As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable.
As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 — or —C (CH 3 ) 2 CH 2 — is particularly preferable.
The divalent linking group containing an oxygen atom is preferably a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond, and the above formulas -A-O-B-,-[A-C (= O) -O] m A group represented by —B— or —A—O—C (═O) —B— is more preferable.
Among them, preferred is a group represented by the formula -A-O-C (= O ) -B-, - represented by - (CH 2) c -C ( = O) -O- (CH 2) d The group is particularly preferred. c is an integer of 1 to 5, and 1 or 2 is preferable. d is an integer of 1-5, and 1 or 2 is preferable.

構成単位(a2)としては、特に、下記一般式(a2−1−11)または(a2−1−12)で表される構成単位が好ましく、式(a2−1−12)で表される構成単位がより好ましい。 As the structural unit (a2 S ), a structural unit represented by general formula (a2-1-11) or (a2-1-12) shown below is particularly desirable, and represented by formula (a2-1-12) A structural unit is more preferable.

Figure 0005903224
[式中、R、A’、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005903224
[Wherein, R, A ′, R 27 , z and R 30 are the same as defined above. ]

式(a2−1−11)中、A’はメチレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましい。
30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
式(a2−1−12)で表される構成単位としては、特に、下記一般式(a2−1−12a)または(a2−1−12b)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a2-1-11), A ′ is preferably a methylene group, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—).
R 30 is preferably a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom. As the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom in R 30, the linear or branched alkylene group mentioned above and a divalent linking group containing an oxygen atom are mentioned. Examples are the same as the linking group.
As the structural unit represented by formula (a2-1-12), a structural unit represented by general formula (a2-1-12a) or (a2-1-12b) shown below is particularly desirable.

Figure 0005903224
[式中、RおよびA’はそれぞれ前記と同じであり、c〜eはそれぞれ独立に1〜3の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R and A ′ are the same as defined above, and c to e are each independently an integer of 1 to 3.] ]

・構成単位(a2):
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、ラクトン含有環式基を含む構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に−O−C(O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
構成単位(a2)におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
構成単位(a2)の例としては、たとえば前記一般式(a2−0)中のR28をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位が挙げられる。
-Structural unit (a2 L ):
The structural unit (a2 L ) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a lactone-containing cyclic group It is.
Here, the lactone-containing cyclic group refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing —O—C (O) — in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring. When only the lactone ring is present, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The lactone cyclic group in the structural unit (a2 L ) is not particularly limited, and any one can be used. Specifically, the lactone-containing monocyclic group is a group obtained by removing one hydrogen atom from a 4- to 6-membered ring lactone, such as a group obtained by removing one hydrogen atom from β-propionolactone, or γ-butyrolactone. Examples thereof include a group in which one hydrogen atom has been removed and a group in which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.
Examples of the structural unit (a2 L ) include those obtained by substituting R 28 in the general formula (a2-0) with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, the following general formula (a2- The structural unit represented by 1)-(a2-5) is mentioned.

Figure 0005903224
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基または−COOR”であり、R”は水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、s”は0〜2の整数であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R ′ is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, carbon An alkoxy group of 1 to 5 or —COOR ″, R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group; R 29 is a single bond or a divalent linking group, and s ″ is an integer of 0 to 2; A ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom; m is 0 or 1. ]

一般式(a2−1)〜(a2−5)におけるRは、前記同様である。
R’の炭素数1〜5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。
R’の炭素数1〜5のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が挙げられる。
R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
R”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
A”としては、前記一般式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−がより好ましい。炭素数1〜5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
29は、前記一般式(a2−0)中のR29と同様である。
式(a2−1)中、s”は1〜2であることが好ましい。
以下に、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
R in the general formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as described above.
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R ′ include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms of R ′ include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group.
R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.
The alkyl group in R ″ may be linear, branched or cyclic.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Or a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Etc.
Examples of A ″ include the same as A ′ in the general formula (3-1). A ″ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (— S-) is preferable, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O- is more preferable. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferably a methylene group or dimethylmethylene group, and most preferably a methylene group.
R 29 is the same as R 29 in the aforementioned general formula (a2-0).
In formula (a2-1), s ″ is preferably 1 to 2.
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

構成単位(a2)としては、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式(a2−1)〜(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式(a2−1)または(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。
なかでも、前記式(a2−1−1)、(a2−1−2)、(a2−2−1)、(a2−2−7)、(a2−2−12)、(a2−2−14)、(a2−3−1)、(a2−3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
As the structural unit (a2 L ), at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and the general formula (a2-1) to More preferably, at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3) is selected from the group consisting of structural units represented by the general formula (a2-1) or (a2-3) Particularly preferred is at least one of the above.
Among them, the formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-7), (a2-2-12), (a2-2-2-) 14), (a2-3-1), at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3-5) is preferred.

また、構成単位(a2)としては、下記式(a2−6)〜(a2−7)で表される構成単位も好ましい。 Moreover, as the structural unit (a2 L ), structural units represented by the following formulas (a2-6) to (a2-7) are also preferable.

Figure 0005903224
[式中、R、R29は前記同様である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R and R 29 are the same as defined above. ]

(A1)成分において、構成単位(a2)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。たとえば構成単位(a2)として、構成単位(a2)のみを用いてもよく、構成単位(a2)のみを用いてもよく、それらを併用してもよい。また、構成単位(a2)または構成単位(a2)として、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the component (A1), as the structural unit (a2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. For example, as the structural unit (a2), only the structural unit (a2 S ) may be used, or only the structural unit (a2 L ) may be used, or they may be used in combination. As the structural unit (a2 S ) or the structural unit (a2 L ), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(A1)成分中、構成単位(a2)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜80モル%であることが好ましく、10〜70モル%であることがより好ましく、10〜65モル%であることがさらに好ましく、10〜60モル%が特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。   In the component (A1), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol%, and preferably 10 to 70 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). Is more preferable, it is more preferable that it is 10-65 mol%, and 10-60 mol% is especially preferable. By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a2) can be sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units, such as various kinds of DOF, CDU, etc. The lithography characteristics and pattern shape of the film are improved.

(構成単位(a3))
構成単位(a3)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位である。
(A1)成分が構成単位(a3)を有することにより、(A)成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、多環式の脂肪族炭化水素基(多環式基)が挙げられる。
該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は7〜30であることが好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。
(Structural unit (a3))
The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group It is a structural unit.
When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) increases, which contributes to the improvement of resolution.
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom. A hydroxyl group is particularly preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) and a polycyclic aliphatic hydrocarbon group (polycyclic group). It is done.
As the polycyclic group, for example, a resin for a resist composition for ArF excimer laser can be appropriately selected from among many proposed ones. The polycyclic group preferably has 7 to 30 carbon atoms.
Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or an alkyl group is substituted with a fluorine atom Is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, there are groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane. Industrially preferable.

構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式(a3−1)で表される構成単位、下記式(a3−2)で表される構成単位、下記式(a3−3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。   The structural unit (a3) is derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. When the hydrocarbon group is a polycyclic group, the structural unit represented by the following formula (a3-1), the structural unit represented by the following formula (a3-2), and the following formula The structural unit represented by (a3-3) is preferable.

Figure 0005903224
[式中、Rは前記と同じであり、jは1〜3の整数であり、kは1〜3の整数であり、t’は1〜3の整数であり、lは1〜5の整数であり、sは1〜3の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t ′ is an integer of 1 to 3, and l is an integer of 1 to 5] And s is an integer of 1 to 3. ]

式(a3−1)中、jは1または2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
jは1であることが好ましく、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが特に好ましい。
In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
j is preferably 1, and a hydroxyl group bonded to the 3-position of the adamantyl group is particularly preferred.

式(a3−2)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。   In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

式(a3−3)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5または6位に結合していることが好ましい。   In formula (a3-3), t ′ is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. In these, a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is preferably bonded to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

構成単位(a3)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分が構成単位(a3)を含有する場合、(A1)成分中の構成単位(a3)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位に対し、1〜50モル%であることが好ましく、3〜45モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a3)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
As the structural unit (a3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the component (A1) contains the structural unit (a3), the proportion of the structural unit (a3) in the component (A1) is 1 to 50 mol% with respect to all the structural units constituting the component (A1). It is preferably 3 to 45 mol%, more preferably 5 to 40 mol%. By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a3) can be sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

(その他の構成単位)
(A1)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位(a1)〜(a3)以外の他の構成単位(以下、構成単位(a4)という。)を含んでいてもよい。
構成単位(a4)は、上述の構成単位(a1)〜(a3)に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
構成単位(a4)としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含み、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、スチレン単量体、ビニルナフタレン単量体から誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位(a1)の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−5)の構造のものを例示することができる。
(Other structural units)
The component (A1) may contain other structural units (hereinafter referred to as structural unit (a4)) other than the structural units (a1) to (a3) as long as the effects of the present invention are not impaired.
The structural unit (a4) is not particularly limited as long as it is another structural unit that is not classified into the structural units (a1) to (a3) described above, and is for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably ArF excimer). A number of hitherto known materials can be used for resist resins such as lasers.
As the structural unit (a4), for example, an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group is included, and the structural unit (a4) is derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. A structural unit derived from a structural unit, a styrene monomer, a vinyl naphthalene monomer, or the like is preferable. Examples of the polycyclic group include those exemplified in the case of the structural unit (a1), and for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). A number of hitherto known materials can be used as the resin component of the resist composition.
In particular, at least one selected from a tricyclodecanyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecanyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Specific examples of the structural unit (a4) include those represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-5).

Figure 0005903224
[式中、Rは前記と同じである。]
Figure 0005903224
[Wherein, R is the same as defined above. ]

構成単位(a4)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
構成単位(a4)を(A1)成分に含有させる場合、構成単位(a4)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、1〜20モル%が好ましく、1〜15モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましい。
As the structural unit (a4), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the structural unit (a4) is contained in the component (A1), the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 20 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). 15 mol% is more preferable and 1-10 mol% is further more preferable.

(A1)成分は、上記構成単位(a1)を含有する共重合体であることが好ましく、上記構成単位(a1)及び(a2)を含有する共重合体であることがより好ましい。
かかる共重合体としては、構成単位(a1)及び(a2)からなる共重合体;構成単位(a1)及び(a3)からなる共重合体;構成単位(a1)、(a2)及び(a3)からなる共重合体等が例示できる。
本発明において、(A1)成分としては、特に下記一般式(A1−11)〜(A1−23)に示す構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。下記一般式中、R、R11〜R16、R29、s”、R1’、R2’、n01、j、e、A’、a、hはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。
The component (A1) is preferably a copolymer containing the structural unit (a1), and more preferably a copolymer containing the structural units (a1) and (a2).
Examples of such a copolymer include a copolymer composed of structural units (a1) and (a2); a copolymer composed of structural units (a1) and (a3); a structural unit (a1), (a2) and (a3). Examples of such a copolymer include:
In the present invention, the component (A1) preferably includes a combination of structural units represented by the following general formulas (A1-11) to (A1-23). In the following general formula, R, R 11 to R 16 , R 29 , s ″, R 1 ′ , R 2 ′ , n01, j, e, A ′, a, and h are the same as defined above. A plurality of R may be the same or different.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

(A1)成分に含有される高分子化合物の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜40000がより好ましく、2500〜30000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、(A1)成分に含有される高分子化合物の分散度(Mw/Mn)は、特に限定されるものではなく、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.2〜2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) of the polymer compound contained in the component (A1) is not particularly limited, preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 40000. Preferably, 2500 to 30000 is most preferable. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
Moreover, the dispersity (Mw / Mn) of the polymer compound contained in the component (A1) is not particularly limited, and is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0. Preferably, 1.2 to 2.5 is most preferable. In addition, Mn shows a number average molecular weight.

(A)成分において、(A1)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。
(A)成分中の(A1)成分の割合は、(A)成分の総質量に対し、25質量%以上が好ましく、50質量%以上がより好ましく、75質量%以上がさらに好ましく、100質量%であってもよい。該割合が25質量%以上であると、リソグラフィー特性等の効果が向上する。
(A1)成分は、当該(A1)成分を構成する各構成単位を誘導する単量体を、上述したように本発明のラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合によって重合させることにより製造することができる。各構成単位を誘導する単量体(モノマー)は合成してもよく、市販のものを用いてもよい。
In the component (A), as the component (A1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The proportion of the component (A1) in the component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, still more preferably 75% by mass or more, and 100% by mass with respect to the total mass of the component (A). It may be. When the ratio is 25% by mass or more, effects such as lithography characteristics are improved.
The component (A1) can be produced by polymerizing a monomer that induces each structural unit constituting the component (A1) by radical polymerization using the radical polymerization initiator of the present invention as described above. it can. Monomers (monomers) for deriving each structural unit may be synthesized or commercially available.

[(A2)成分]
本発明のレジスト組成物は、(A)成分として、前記(A1)成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(以下「(A2)成分」という。)を含有してもよい。
(A2)成分としては、分子量が500以上2500未満であって、上述の(A1)成分の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。
(A2)成分は、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。
かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2〜6核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を2〜6個有するフェノール化合物が、解像性、LWRに優れることから好ましい。
酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。
[(A2) component]
In the resist composition of the present invention, as a component (A), a base material component (hereinafter referred to as “component (A2)”) which does not correspond to the component (A1) and whose solubility in a developing solution is changed by the action of an acid. You may contain.
The component (A2) is preferably a low molecular compound having a molecular weight of 500 or more and less than 2500 and having an acid dissociable group and a hydrophilic group as exemplified in the description of the component (A1). Specific examples include those in which some of the hydrogen atoms of the hydroxyl group of the compound having a plurality of phenol skeletons are substituted with the acid dissociable group.
The component (A2) is, for example, a part of the hydrogen atom of the hydroxyl group of a low molecular weight phenol compound known as a sensitizer in a non-chemically amplified g-line or i-line resist or a heat resistance improver. Those substituted with a functional group are preferred and can be arbitrarily used.
Examples of such low molecular weight phenol compounds include bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl). ) Propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ′, 4′-trihydroxyphenyl) propane, tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-) 3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3, 4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyph Phenylmethane, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxy-6-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl- 4-hydroxy-6-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, Examples include 2 to 6 nuclei of formalin condensates of phenols such as phenol, m-cresol, p-cresol and xylenol. Of course, it is not limited to these. In particular, a phenol compound having 2 to 6 triphenylmethane skeletons is preferable because of excellent resolution and LWR.
The acid dissociable group is not particularly limited, and examples thereof include those described above.

また、(A2)成分としては、上記(A1)成分に該当しない樹脂成分を用いることも好ましい。(A1)成分に該当しない樹脂成分として具体的には、本発明の第四の態様の重合体に該当しないもの、例えば、本発明の第二の態様のラジカル重合開始剤を用いずに、他の公知のラジカル重合開始剤を用いて製造された重合体が挙げられる。該重合体の構成は特に限定されるものではないが、例えば上記構成単位(a1)〜(a3)を有するものが好ましい。
(A2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Moreover, it is also preferable to use the resin component which does not correspond to the said (A1) component as (A2) component. Specifically, the resin component not corresponding to the component (A1) does not correspond to the polymer of the fourth aspect of the present invention, for example, other than the radical polymerization initiator of the second aspect of the present invention. And a polymer produced using a known radical polymerization initiator. Although the structure of this polymer is not specifically limited, For example, what has the said structural unit (a1)-(a3) is preferable.
(A2) A component may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

本発明のレジスト組成物において、(A)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明のレジスト組成物中、(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。
In the resist composition of the present invention, as the component (A), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the resist composition of the present invention, the content of the component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

<任意成分>
本発明のレジスト組成物は、さらに、放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、(B)成分という。)を含有していてもよい。
本発明のレジスト組成物が(B)成分を含有する場合、(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式(b−1)または(b−2)で表される化合物を用いることができる。
<Optional component>
The resist composition of the present invention may further contain an acid generator component (B) (hereinafter referred to as (B) component) that generates an acid upon irradiation with radiation.
When the resist composition of the present invention contains the component (B), the component (B) is not particularly limited, and it is possible to use what has been proposed as an acid generator for chemically amplified resists. it can. Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, poly (bissulfonyl) diazomethanes, and the like. There are various known diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators, and the like.
As the onium salt acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2) can be used.

Figure 0005903224
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式(b−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R”は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表し;R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group; among R 1 ″ to R 3 ″ in formula (b-1), Any two may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula; R 4 ″ may be an optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group; And at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group, and at least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group.]

式(b−1)中のR”〜R”、式(b−2)中のR”〜R”は、それぞれ、前記式(c−1)中のR”〜R”、前記式(c−2)中のR”〜R”と同じである。 R 1 ″ to R 3 ″ in Formula (b-1) and R 5 ″ to R 6 ″ in Formula (b-2) are respectively R 1 ″ to R 3 in Formula (c-1). ", The same as R 5 " to R 6 "in the formula (c-2).

式(b−1)〜(b−2)中、R”は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。
”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであっても良い。
前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
”におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合(ハロゲン化率(%))が、10〜100%であることが好ましく、50〜100%であることが好ましく、100%が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。
前記R”におけるアリール基は、炭素数6〜20のアリール基であることが好ましい。
前記R”におけるアルケニル基は、炭素数2〜10のアルケニル基であることが好ましい。
前記R”において、「置換基を有していても良い」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の他の原子または基)で置換されていても良いことを意味する。
”における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
In formulas (b-1) to (b-2), R 4 ″ represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group which may have a substituent.
The alkyl group for R 4 ″ may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
The cyclic alkyl group preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
Examples of the halogenated alkyl group for R 4 ″ include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the linear, branched, or cyclic alkyl group have been substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
In the halogenated alkyl group, the ratio of the number of halogen atoms to the total number of halogen atoms and hydrogen atoms contained in the halogenated alkyl group (halogenation rate (%)) is preferably 10 to 100%. 50 to 100% is preferable, and 100% is most preferable. The higher the halogenation rate, the better the acid strength.
The aryl group for R 4 ″ is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group in R 4 ″ is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
In the above R 4 ″, “optionally substituted” means one of hydrogen atoms in the linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group. It means that part or all may be substituted with a substituent (an atom or group other than a hydrogen atom).
The number of substituents in R 4 ″ may be one or two or more.

前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X−Q−[式中、Qは酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
Examples of the substituent include a halogen atom, a heteroatom, an alkyl group, and a formula: X 3 -Q 1- [wherein Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom, and X 3 represents a substituent. It is a C3-C30 hydrocarbon group which may have. ] Etc. which are represented by these.
Examples of the halogen atom and alkyl group include the same groups as those described above for R 4 ″ as the halogen atom and alkyl group in the halogenated alkyl group.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.

−Q−で表される基において、Qは酸素原子を含む2価の連結基である。
は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合;−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−(式中、R91〜R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。)等が挙げられる。
91〜R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−または−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−が好ましい。
In the group represented by X 3 -Q 1- , Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom.
Q 1 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond; —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), and an amide bond (—C (═O) —NH. -), A carbonyl group (-C (= O)-), a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group such as a carbonate bond (-O-C (= O) -O-); the non-hydrocarbon oxygen atom Examples include a combination of a containing linking group and an alkylene group.
Examples of the combination include —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) —O—R 93 —O—C (═O) — , R 91 to R 93 are each independently an alkylene group.) And the like.
The alkylene group for R 91 to R 93 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 — and the like. Alkylethylene groups; trimethylene groups (n-propylene groups) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; alkyls such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 — trimethylene; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 C 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Q 1 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and in particular, —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) — or —C (═O) — O—R 93 —O—C (═O) — is preferred.

−Q−で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
In the group represented by X 3 -Q 1- , the hydrocarbon group for X 3 may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
における「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for X 3 may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In X 3 , the aliphatic hydrocarbon group may be a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and hydrogen constituting the aliphatic hydrocarbon group A part or all of the atoms may be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in X 3 is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed of only the hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than the hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. —, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, — S (= O) 2 —O— and the like can be mentioned. When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), and a cyano group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)等が挙げられる。
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
When the aliphatic cyclic group does not contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, the aliphatic cyclic group is preferably a polycyclic group, and has one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Excluded groups are preferred, and most preferred are groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane.
When the aliphatic cyclic group includes a substituent containing a hetero atom in the ring structure, examples of the substituent containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —S—. , —S (═O) 2 — and —S (═O) 2 —O— are preferable. Specific examples of the aliphatic cyclic group include the following formulas (L1) to (L6), (S1) to (S4), and the like.

Figure 0005903224
[式中、Q”は炭素数1〜5のアルキレン基、−O−、−S−、−O−R94−または−S−R95−であり、R94およびR95はそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]
Figure 0005903224
[Wherein, Q ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, —O—, —S—, —O—R 94 — or —S—R 95 —, wherein R 94 and R 95 are each independently carbon. An alkylene group of 1 to 5 and m is an integer of 0 or 1.]

式中、Q”、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91〜R93におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。
これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
In the formula, examples of the alkylene group for Q ″, R 94 and R 95 include the same alkylene groups as those described above for R 91 to R 93 .
In these aliphatic cyclic groups, a part of hydrogen atoms bonded to carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
As said alkyl group, a C1-C5 alkyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.
Examples of the alkoxy group and the halogen atom are the same as those exemplified as the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms.

本発明において、Xは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記(L2)〜(L6)、(S3)〜(S4)等が好ましい。
In the present invention, X 3 is preferably a cyclic group which may have a substituent. The cyclic group may be an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. It is preferably an aliphatic cyclic group that may be used.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a naphthyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent.
As the aliphatic cyclic group which may have a substituent, a polycyclic aliphatic cyclic group which may have a substituent is preferable. The polycyclic aliphatic cyclic group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane, the above (L2) to (L6), (S3) to (S4), and the like.

本発明において、R”は、置換基としてX−Q−を有することが好ましい。この場合、R”としては、X−Q−Y10−[式中、QおよびXは前記と同じであり、Y10は置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。
−Q−Y10−で表される基において、Y10のアルキレン基としては、前記Qで挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。
フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
10として、具体的には、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CF(CFCF)−、−C(CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−、−CF(CFCFCF)−、−C(CF)(CFCF)−;−CHF−、−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−、−CH(CF)CH−、−CH(CFCF)−、−C(CH)(CF)−、−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CH(CF)CHCH−、−CHCH(CF)CH−、−CH(CF)CH(CF)−、−C(CFCH−;−CH−、−CHCH−、−CHCHCH−、−CH(CH)CH−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−CHCHCHCH−、−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCHCH)−、−C(CH)(CHCH)−等が挙げられる。
In the present invention, R 4 ″ preferably has X 3 -Q 1- as a substituent. In this case, R 4 ″ may be X 3 -Q 1 -Y 10- [wherein Q 1 and X 1 3 is the same as above, and Y 10 is an optionally substituted alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or an optionally substituted fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. . ] Is preferable.
In the group represented by X 3 -Q 1 -Y 10- , the alkylene group for Y 10 includes the same alkylene groups as those described above for Q 1 having 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the fluorinated alkylene group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group have been substituted with fluorine atoms.
As Y 10, specifically, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, -C (CF 3) 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3 ) —, —C (CF 3 ) 2 CF 2 —, —CF (CF 2 CF 3 ) CF 2 —, —CF (CF 2 CF 2 CF 3 ) —, —C (CF 3 ) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 2 CF 3) -, - C ( CH 3) (CF 3) -, - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 3) CH (CF 3) -, - C ( CF 3) 2 CH 2 -; - CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3 ) — and the like.

10としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−;−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−;−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CHCFCFCF−等を挙げることができる。
これらの中でも、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、又はCHCFCF−が好ましく、−CF−、−CFCF−又は−CFCFCF−がより好ましく、−CF−が特に好ましい。
Y 10 is preferably a fluorinated alkylene group, and particularly preferably a fluorinated alkylene group in which the carbon atom bonded to the adjacent sulfur atom is fluorinated. Examples of such fluorinated alkylene group, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, -CF (CF 2 CF 3) CF 2 -; - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -; - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 — and the like can be mentioned.
Of these, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, or CH 2 CF 2 CF 2 - is preferable, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 - or -CF 2 CF 2 CF 2 - is more preferable, -CF 2 - is particularly preferred.

前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。
The alkylene group or fluorinated alkylene group may have a substituent. An alkylene group or a fluorinated alkylene group has a “substituent” means that part or all of the hydrogen atom or fluorine atom in the alkylene group or fluorinated alkylene group is substituted with an atom or group other than a hydrogen atom and a fluorine atom. Means that
Examples of the substituent that the alkylene group or fluorinated alkylene group may have include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydroxyl group.

式(b−1)、(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部をメタンスルホネート、n−プロパンスルホネート、n−ブタンスルホネート、n−オクタンスルホネート、1−アダマンタンスルホネート、2−ノルボルナンスルホネート、d−カンファー−10−スルホネート等のアルキルスルホネート、ベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、p−トルエンスルホネート等の芳香族スルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。
Specific examples of the onium salt acid generators represented by formulas (b-1) and (b-2) include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium. Trifluoromethane sulfonate or nonafluorobutane sulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its Nonafluorobutanesulfonate, dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptaful Lopropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of monophenyldimethylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; trifluoromethanesulfonate of diphenylmonomethylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate (4-methylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate , Trifluoromethanesulfonate of tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium, its heptafluoropropane Sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, di (1-naphthyl) phenyl sulphonium trifluoromethane sulphonate, its heptafluoropropane sulphonate or its nonafluorobutane sulphonate; 1-phenyltetrahydrothiophenium trifluoromethane sulphonate, its heptafluoropropane sulphonate Or nonafluorobutanesulfonate thereof; 1- (4-methylphenyl) ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-ethoxynaphthalene-1- Yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonaflu 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1-phenyltetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate , Its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl -4-Hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanes Honeto or nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-methylphenyl) trifluoromethanesulfonate tetrahydrothiophenium Pila chloride, heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, and the like.
In addition, the anion part of these onium salts is an alkyl sulfonate such as methanesulfonate, n-propanesulfonate, n-butanesulfonate, n-octanesulfonate, 1-adamantanesulfonate, 2-norbornanesulfonate, d-camphor-10-sulfonate, An onium salt substituted with an aromatic sulfonate such as benzene sulfonate, perfluorobenzene sulfonate, or p-toluene sulfonate can also be used.

また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式(b1)〜(b9)のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。   Moreover, the onium salt which replaced the anion part of these onium salts by the anion part represented by either of following formula (b1)-(b9) can also be used.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
[式中、pは1〜3の整数であり、q1〜q2はそれぞれ独立に1〜5の整数であり、q3は1〜12の整数であり、t3は1〜3の整数であり、r1〜r2はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、gは1〜20の整数であり、Rは置換基であり、n1〜n6はそれぞれ独立に0または1であり、v0〜v6はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、w1〜w6はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、Q”は前記と同じである。]
Figure 0005903224
[Wherein p is an integer of 1 to 3, q1 to q2 are each independently an integer of 1 to 5, q3 is an integer of 1 to 12, t3 is an integer of 1 to 3, and r1 ~ R2 are each independently an integer of 0 to 3, g is an integer of 1 to 20, R 7 is a substituent, n1 to n6 are each independently 0 or 1, and v0 to v6 are each Are independently an integer of 0 to 3, w1 to w6 are each independently an integer of 0 to 3, and Q ″ is the same as above.]

の置換基としては、前記X03において、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
に付された符号(r1〜r2、w1〜w6)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のRはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
As the substituent for R 7, the same as those mentioned as the substituent that the aliphatic hydrocarbon group may have and the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have in X 03 above. Is mentioned.
Code (r1 and r2, W1 to W6) attached to R 7 when is an integer of 2 or more, a plurality of the R 7 groups may be the same, respectively, may be different.

また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部を下記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は(b−1)又は(b−2)と同様)。   Moreover, as an onium salt type | system | group acid generator, in the said general formula (b-1) or (b-2), an anion part is represented by the following general formula (b-3) or (b-4). An onium salt-based acid generator replaced with can also be used (the cation moiety is the same as (b-1) or (b-2)).

Figure 0005903224
[式中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基を表す。]
Figure 0005903224
[Wherein X ″ represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; Y ″ and Z ″ each independently represent at least one hydrogen atom as a fluorine atom; Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and substituted with

X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2〜6であり、好ましくは炭素数3〜5、最も好ましくは炭素数3である。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。
該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
X ″ is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, Most preferably, it has 3 carbon atoms.
Y ″ and Z ″ are each independently a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, preferably Has 1 to 7 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms.
The carbon number of the alkylene group of X ″ or the carbon number of the alkyl group of Y ″ and Z ″ is preferably as small as possible because the solubility in the resist solvent is good within the above carbon number range.
In addition, in the alkylene group of X ″ or the alkyl group of Y ″ and Z ″, as the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms increases, the strength of the acid increases, and high-energy light or electron beam of 200 nm or less This is preferable because the transparency to the surface is improved.
The proportion of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. A perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group.

また、前記式(c−3)で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。式(c−3)で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式(b−1)または(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部(R”SO )等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部等が挙げられる。 Moreover, the sulfonium salt which has a cation part represented by the said Formula (c-3) can also be used as an onium salt type | system | group acid generator. The anion part of the sulfonium salt having a cation part represented by the formula (c-3) is not particularly limited, and may be the same as the anion part of the onium salt acid generators proposed so far. Examples of the anion moiety include fluorinated alkyl sulfonate ions such as the anion moiety (R 4 ″ SO 3 ) of the onium salt acid generator represented by the general formula (b-1) or (b-2). The anion part represented by the general formula (b-3) or (b-4) and the like.

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式(B−1)で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。   In this specification, the oxime sulfonate acid generator is a compound having at least one group represented by the following general formula (B-1), and has a property of generating an acid upon irradiation with radiation. is there. Such oxime sulfonate-based acid generators are frequently used for chemically amplified resist compositions, and can be arbitrarily selected and used.

Figure 0005903224
[式(B−1)中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]
Figure 0005903224
[In formula (B-1), R 31 and R 32 each independently represents an organic group. ]

31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
The organic groups of R 31 and R 32 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.
As the organic group for R 31, a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, “having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or aryl group are substituted with a substituent.
As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is more preferable, C1-C6 is especially preferable, and C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is particularly preferable. The partially halogenated alkyl group means an alkyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an alkyl group substituted with Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or completely halogenated aryl group is particularly preferable. The partially halogenated aryl group means an aryl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated aryl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an aryl group substituted with.
R 31 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms having no substituent or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
As the organic group for R 32, a linear, branched, or cyclic alkyl group, aryl group, or cyano group is preferable. As the alkyl group and aryl group for R 32, the same alkyl groups and aryl groups as those described above for R 31 can be used.
R 32 is particularly preferably a cyano group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having no substituent, or a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式(B−2)または(B−3)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the oxime sulfonate-based acid generator include compounds represented by the following general formula (B-2) or (B-3).

Figure 0005903224
[式(B−2)中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。]
Figure 0005903224
[In Formula (B-2), R 33 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 34 is an aryl group. R 35 represents an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. ]

Figure 0005903224
[式(B−3)中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。p”は2または3である。]
Figure 0005903224
[In Formula (B-3), R 36 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 37 is a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group. R38 is an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. p ″ is 2 or 3.]

前記一般式(B−2)において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが特に好ましい。
34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 33 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and carbon atoms. Numbers 1 to 6 are most preferable.
R 33 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 33 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred.
As the aryl group of R 34 , one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a phenanthryl group. And a heteroaryl group in which a part of carbon atoms constituting the ring of these groups is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Among these, a fluorenyl group is preferable.
The aryl group of R 34 may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.
R 35 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 35 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred is the strength of the acid generated. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which a hydrogen atom is 100% fluorine-substituted.

前記一般式(B−3)において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は、好ましくは2である。
In the general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 36 is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33. Is mentioned.
Examples of the divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group for R 37 include groups obtained by further removing one or two hydrogen atoms from the aryl group for R 34 .
Examples of the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 38 include the same alkyl groups or halogenated alkyl groups as those having no substituent of R 35 .
p ″ is preferably 2.

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット(65〜86頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitrobenzenesulfonyloxy). Imino) -benzylcyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-chlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyl) Oxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, α- ( 2-Chlorobenzenesulfonyloxyimino) 4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclo Pentenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctene Acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propyl Sulfonyloxyimino) -propylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- ( Ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclope Nthenyl acetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile , Α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoro Methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p- Butoxy phenylacetonitrile, alpha-(propylsulfonyl oxyimino)-p-methylphenyl acetonitrile, alpha-like (methylsulfonyloxyimino)-p-bromophenyl acetonitrile.
Further, an oxime sulfonate-based acid generator disclosed in JP-A-9-208554 (paragraphs [0012] to [0014] [Chemical 18] to [Chemical 19]), pamphlet of International Publication No. 04/074242, An oxime sulfonate-based acid generator disclosed in Examples 1 to 40) on pages 65 to 86 can also be suitably used.
Moreover, the following can be illustrated as a suitable thing.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Further, diazomethane acid generators disclosed in JP-A-11-035551, JP-A-11-035552, and JP-A-11-035573 can also be suitably used.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane and 1,4-bis (phenylsulfonyldiazo) disclosed in JP-A-11-322707. Methylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3 -Bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, etc. Door can be.

(B)成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト組成物が(B)成分を含有する場合、(B)成分としては、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。
本発明のレジスト組成物が(B)成分を含有する場合、本発明のレジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜50質量部が好ましく、1〜40質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
(B) As a component, these acid generators may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
When the resist composition of the present invention contains the component (B), it is preferable to use an onium salt acid generator having a fluorinated alkyl sulfonate ion as an anion as the component (B).
When the resist composition of the present invention contains the component (B), the content of the component (B) in the resist composition of the present invention is 0.5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). Preferably, 1-40 mass parts is more preferable. By setting it within the above range, pattern formation is sufficiently performed. Moreover, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

本発明のレジスト組成物においては、任意の成分として、さらに、含窒素有機化合物成分(D)(以下「(D)成分」という。)を含有することが好ましい。
この(D)成分は、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記(B)成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5〜10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ−n−ペンチルアミン又はトリ−n−オクチルアミンが特に好ましい。
The resist composition of the present invention preferably further contains a nitrogen-containing organic compound component (D) (hereinafter referred to as “component (D)”) as an optional component.
The component (D) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion control agent, that is, a quencher that traps the acid generated from the component (B) by exposure, and a wide variety of components have already been proposed. Therefore, any known one may be used. Of these, aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred.
An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include an amine (alkyl amine or alkyl alcohol amine) or a cyclic amine in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms.
Specific examples of alkylamines and alkyl alcohol amines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di- -Dialkylamines such as n-heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine , Trialkylamines such as tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, tri-n-dodecylamine; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, Li isopropanolamine, di -n- octanol amines, alkyl alcohol amines tri -n- octanol amine. Among these, a trialkylamine having 5 to 10 carbon atoms is more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferable.

環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.

その他の脂肪族アミンとしては、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。   Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2 -(1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2- (2-hydroxy Ethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate and the like, and triethanolamine triacetate is preferable.

また、(D)成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6−ジイソプロピルアニリン、N−tert−ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。
Moreover, you may use an aromatic amine as (D) component.
Aromatic amines include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, diphenylamine, triphenylamine, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxy. And carbonylpyrrolidine.

(D)成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。
(D) A component may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
(D) component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. By setting the content in the above range, the resist pattern shape, the stability over time and the like are improved.

本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下、(E)成分という。)を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸およびその誘導体としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
(E)成分としては、サリチル酸が特に好ましい。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(E)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
The resist composition of the present invention comprises, as optional components, an organic carboxylic acid, a phosphorus oxo acid, and derivatives thereof for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, retention stability over time, and the like. At least one compound (E) selected from the group (hereinafter referred to as component (E)) can be contained.
As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
Examples of phosphorus oxo acids and derivatives thereof include phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid and the like, and among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of the oxo acid derivative of phosphorus include esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like.
Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.
Examples of the phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters such as phenylphosphinic acid.
As the component (E), salicylic acid is particularly preferable.
(E) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
(E) A component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

<(F)成分>
レジスト組成物には、レジスト膜に撥水性を付与するために、フッ素添加剤(以下、「(F)成分」という。)を含有させることができる。(F)成分としては、例えば、特開2010−002870号公報に記載の含フッ素高分子化合物を用いることができる。
(F)成分としてより具体的には、下記式(f1−1)で表される構成単位(f1)を有する重合体が挙げられる。かかる重合体としては、構成単位(f1)のみからなる重合体(ホモポリマー);下記式(f1)で表される構成単位と、前記構成単位(a1)との共重合体;下記式(f1)で表される構成単位と、アクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と、前記構成単位(a1)との共重合体、であることが好ましい。ここで、下記式(f1)で表される構成単位と共重合される前記構成単位(a1)としては、前記式(a1−1)で表される構成単位が好ましく、前記式(a1−1−32)で表される構成単位が特に好ましい。
<(F) component>
The resist composition can contain a fluorine additive (hereinafter referred to as “component (F)”) to impart water repellency to the resist film. As the component (F), for example, a fluorine-containing polymer compound described in JP 2010-002870 A can be used.
More specifically, examples of the component (F) include a polymer having a structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1). Examples of such a polymer include a polymer consisting of only the structural unit (f1) (homopolymer); a copolymer of the structural unit represented by the following formula (f1) and the structural unit (a1); ), A copolymer of the structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the structural unit (a1). Here, as the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit represented by the following formula (f1), the structural unit represented by the formula (a1-1) is preferable, and the formula (a1-1) The structural unit represented by -32) is particularly preferable.

Figure 0005903224
[式中、Rは前記同様であり、R51およびR52はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を表し、複数のR51またはR52は同じであっても異なっていてもよい。a1は1〜5の整数であり、R”はフッ素原子を含む有機基である。]
Figure 0005903224
[Wherein, R is as defined above, and R 51 and R 52 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, A plurality of R 51 or R 52 may be the same or different. a1 is an integer of 1 to 5, and R 2 ″ is an organic group containing a fluorine atom.]

式(f1−1)中、Rは前記同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
式(f1−1)中、R51、R52のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。R51、R52の炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましい。R51、R52の炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、上記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。なかでもR51、R52としては、水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、またはエチル基が好ましい。
式(f1−1)中、a1は1〜5の整数であって、1〜3の整数が好ましく、1又は2であることがより好ましい。
In formula (f1-1), R is the same as described above. R is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In formula (f1-1), examples of the halogen atom for R 51 and R 52 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. The alkyl group of 1 to 5 carbon atoms for R 51, R 52, the same alkyl group of 1 to 5 carbon atoms in the R, and a methyl group or an ethyl group is preferred. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 51 and R 52 include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with a halogen atom. Can be mentioned. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. The Above all R 51, R 52, a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms is preferable, a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or an ethyl group, preferred.
In formula (f1-1), a1 is an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

式(f1−1)中、R2”はフッ素原子を含む有機基であって、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。
フッ素原子を含む炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよく、炭素数は1〜20であることが好ましく、炭素数1〜15であることがより好ましく、炭素数1〜10が特に好ましい。
また、フッ素原子を含む炭化水素基は、当該炭化水素基における水素原子の25%以上がフッ素化されていることが好ましく、50%以上がフッ素化されていることがより好ましく、60%以上がフッ素化されていることが、浸漬露光時のレジスト膜の疎水性が高まることから、特に好ましい。
なかでも、R2”としては、炭素数1〜5のフッ素化炭化水素基が特に好ましく、メチル基、−CH−CF、−CH−CF−CF、−CH(CF、−CH−CH−CF、−CH−CH−CF−CF−CF−CFが最も好ましい。
In formula (f1-1), R 2 ″ is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.
The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms. The carbon number of 1 to 10 is particularly preferable.
The hydrocarbon group containing a fluorine atom preferably has 25% or more of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group fluorinated, more preferably 50% or more fluorinated, and 60% or more. Fluorination is particularly preferable because the hydrophobicity of the resist film during immersion exposure is increased.
Among them, as R 2 ″ , a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms is particularly preferable, and a methyl group, —CH 2 —CF 3 , —CH 2 —CF 2 —CF 3 , —CH (CF 3 ) 2 , —CH 2 —CH 2 —CF 3 , —CH 2 —CH 2 —CF 2 —CF 2 —CF 2 —CF 3 are most preferred.

(F)成分が含フッ素高分子化合物(重合体)である場合の(F)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、5000〜40000がより好ましく、10000〜30000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、(F)成分が含フッ素高分子化合物である場合の(F)成分の分散度(Mw/Mn)は、特に限定されるものではなく、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.2〜2.5が最も好ましい。
なお、Mnは数平均分子量を示す。
When the component (F) is a fluorine-containing polymer compound (polymer), the mass average molecular weight (Mw) of the component (F) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) is not particularly limited, 1000-50000 are preferable, 5000-40000 are more preferable, and 10000-30000 are the most preferable. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
Further, the dispersity (Mw / Mn) of the component (F) when the component (F) is a fluorine-containing polymer compound is not particularly limited, and is preferably 1.0 to 5.0. 0 to 3.0 are more preferable, and 1.2 to 2.5 are most preferable.
In addition, Mn shows a number average molecular weight.

また、(F)成分が含フッ素高分子化合物である場合、例えば、各構成単位を誘導するモノマーを、ジメチル−2,2−アゾビス(2−メチルプロピオネート)(V−601)、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって該(F)成分を得ることができる。また、該重合の際に、たとえばHS−CH−CH−CH−C(CF−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、ディフェクトの低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
各構成単位を誘導するモノマーは、それぞれ、市販のものを用いてもよく、公知の方法に製造したものを用いてもよい。
Further, when the component (F) is a fluorine-containing polymer compound, for example, a monomer for deriving each structural unit is dimethyl-2,2-azobis (2-methylpropionate) (V-601), azobis. The component (F) can be obtained by polymerization by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as isobutyronitrile (AIBN). In the polymerization, for example, a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination, so that —C (CF 3 ) is terminally used. A 2- OH group may be introduced. As described above, a copolymer into which a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom is introduced has reduced defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). Effective for reduction.
As the monomer for deriving each structural unit, a commercially available monomer may be used, or a monomer produced by a known method may be used.

(F)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(F)成分は、(A)成分100質量部あたり0.5〜10質量部の割合で用いられる。
(F) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
(F) A component is used in the ratio of 0.5-10 mass parts per 100 mass parts of (A) component.

本発明のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。   The resist composition of the present invention further contains miscible additives as desired, for example, an additional resin for improving the performance of the resist film, a surfactant, a dissolution inhibitor, and a plasticizer for improving coatability. Stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, and the like can be added as appropriate.

本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤(以下、(S)成分ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
たとえば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド(DMSO)などを挙げることができる。
The resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as (S) component).
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution. Conventionally, any one of known solvents for chemically amplified resists can be used. Two or more types can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; Monohydric alcohols; compounds having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl of the polyhydric alcohols or compound having the ester bond Ethers such as ether, monopropyl ether, monobutyl ether and other monoalkyl ethers and monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a combination [in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether , Dibenzyl ether, phenetole, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene, etc. Examples of the solvent include dimethyl sulfoxide (DMSO).

これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ELが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
さらに、(S)成分として、その他には、PGMEAとシクロヘキサノンとの混合溶剤、又はPGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。この場合、前者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:シクロヘキサノン=95〜5:10〜90とされ、後者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:PGME:シクロヘキサノン=35〜55:20〜40:15〜35とされる。
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and EL are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range.
More specifically, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3.
In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
Furthermore, as the component (S), a mixed solvent of PGMEA and cyclohexanone or a mixed solvent of PGMEA, PGME and cyclohexanone is also preferable. In this case, the mixing ratio of the former is preferably PGMEA: cyclohexanone = 95-5: 10-90, and the mixing ratio of the latter is preferably PGMEA: PGME: cyclohexanone = 35-55. : 20-40: 15-35.

(S)成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となるように用いられる。   (S) The usage-amount of a component is not specifically limited, It is a density | concentration which can be apply | coated to a board | substrate etc., and is suitably set according to a coating film thickness. Generally, it is used so that the solid content concentration of the resist composition is in the range of 1 to 20% by mass, preferably 2 to 15% by mass.

本発明によれば、感度、ELマージン、LWR等のリソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物を得ることができる。
上記効果が得られる理由は明らかではないが、本発明のレジスト組成物が含有する重合体は、露光により酸を発生する末端基(I−1)を有する。そのため、露光部においては該重合体の末端から酸が発生することで、感度が向上すると考えられる。また、酸発生能を有する基を重合体が有することにより、(B)成分として挙げたような低分子化合物の酸発生剤のみを用いた場合と比べて、発生する酸の過度の拡散を抑制することができるため、上記の様な効果が得られると推察される。
According to the present invention, a resist composition having excellent lithography properties such as sensitivity, EL margin, LWR, and pattern shape can be obtained.
The reason why the above effect is obtained is not clear, but the polymer contained in the resist composition of the present invention has an end group (I-1) that generates an acid upon exposure. Therefore, it is considered that the sensitivity is improved by generating an acid from the terminal of the polymer in the exposed portion. In addition, the polymer has a group capable of generating an acid, thereby suppressing excessive diffusion of the generated acid as compared with the case of using only a low molecular weight acid generator such as the component (B). Therefore, it is assumed that the above effects can be obtained.

また、本発明のレジスト組成物が含有する重合体が、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する(A1)成分である場合であれば、露光により酸を発生する末端基(I−1)が(A1)成分と共にレジスト膜内で均一に分布し、露光部では該末端基(I−1)から均一に酸が発生することで、露光部の(A1)成分中の酸分解性基が均一に開裂し、上記効果が特に良好に得られると考えられる。また、(A1)成分が露光により酸を発生する基(I−1)を有することにより、酸分解性基と発生する酸とが比較的近くに存在することとなり、酸による分解反応が起こりやすくなるため、上記効果が特に顕著になると推察される。   Further, when the polymer contained in the resist composition of the present invention is a component (A1) whose solubility in a developing solution is changed by the action of an acid, a terminal group (I-1) that generates an acid upon exposure. ) Are uniformly distributed in the resist film together with the component (A1), and an acid is uniformly generated from the terminal group (I-1) in the exposed portion, whereby an acid-decomposable group in the component (A1) in the exposed portion. Is cleaved uniformly, and the above effect is considered to be obtained particularly well. In addition, since the component (A1) has a group (I-1) that generates an acid upon exposure, the acid-decomposable group and the generated acid are relatively close to each other, and a decomposition reaction due to the acid is likely to occur. Therefore, it is speculated that the above effect is particularly remarkable.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明の第六の態様であるレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明の第五の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まず支持体上に、前記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80〜150℃の温度条件下、プレベーク(ポストアプライベーク(PAB))を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施し、これに例えば電子線描画機などにより、電子線(EB)を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80〜150℃の温度条件下、PEB(露光後加熱)を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。次いで、これを現像処理する。
アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を用いてアルカリ現像処理を行う。
また、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を用いて現像処理を行う。この有機溶剤としては、(A)成分(露光前の(A)成分)を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられ、なかでもエステル系溶剤が好ましい。エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。
現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。アルカリ現像プロセス後の場合は純水を用いた水リンスが好ましい。溶剤現像プロセス後の場合は、上記で挙げた有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
その後は乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。
≪Resist pattern formation method≫
A resist pattern forming method according to a sixth aspect of the present invention includes a step of forming a resist film on a support using the resist composition according to the fifth aspect of the present invention, a step of exposing the resist film, And a step of developing the resist film to form a resist pattern.
The resist pattern forming method of the present invention can be performed, for example, as follows.
That is, first, the resist composition is coated on a support with a spinner or the like, and pre-baked (post-apply bake (PAB)) for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds, at a temperature of 80 to 150 ° C. Then, after selectively exposing an electron beam (EB) through a desired mask pattern by an electron beam drawing machine or the like, PEB (post-exposure heating) is 40 to 120 at a temperature of 80 to 150 ° C. Second, preferably 60-90 seconds. Next, this is developed.
In the case of an alkali development process, an alkali development treatment is performed using an alkali developer, for example, a 0.1 to 10% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution.
In the case of a solvent development process, development processing is performed using an organic solvent. The organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the component (A) (component (A) before exposure), and can be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples include ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, and other polar solvents, hydrocarbon solvents, and the like, with ester solvents being preferred. As the ester solvent, butyl acetate is preferred.
A rinsing treatment is preferably performed after the development treatment. In the case of an alkali development process, water rinsing using pure water is preferable. In the case of the solvent development process, it is preferable to use a rinse solution containing the organic solvent mentioned above.
Thereafter, drying is performed. In some cases, a baking process (post-bake) may be performed after the development process. In this way, a resist pattern faithful to the mask pattern can be obtained.

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)が挙げられる。
The support is not particularly limited, and a conventionally known one can be used, and examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
Further, the support may be a substrate in which an inorganic and / or organic film is provided on the above-described substrate. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include an organic antireflection film (organic BARC).

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EB又はEUVに対してより有効であり、ArFエキシマレーザーに対して特に有効である。
The wavelength used for exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation.
The resist composition of the present invention is more effective for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, and particularly effective for ArF excimer laser.

レジスト膜の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光であってもよい。
液浸露光では、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズとウェーハ上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たした状態で露光を行う。
より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で、所望のマスクパターンを介して露光(浸漬露光)することによって実施できる。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
The exposure of the resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be immersion exposure.
In immersion exposure, at the time of exposure, a solvent (having a refractive index larger than the refractive index of air) is formed between a lens and a resist film on the wafer, which is conventionally filled with an inert gas such as air or nitrogen. Exposure is performed in a state filled with the immersion medium.
More specifically, the immersion exposure is a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than the refractive index of air between the resist film obtained as described above and the lowermost lens of the exposure apparatus. And in that state, exposure can be performed through a desired mask pattern (immersion exposure).
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film exposed by the immersion exposure is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferred, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferred. It is preferable that the fluorinated inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).
As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.

次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
なお、NMRによる分析において、H−NMRの内部標準および13C−NMRの内部標準はテトラメチルシラン(TMS)である。19F−NMRの内部標準はヘキサフルオロベンゼンである(但し、ヘキサフルオロベンゼンのピークを−160ppmとした)。
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.
In the analysis by NMR, the internal standard of 1 H-NMR and the internal standard of 13 C-NMR is tetramethylsilane (TMS). The internal standard of 19 F-NMR is hexafluorobenzene (however, the peak of hexafluorobenzene was set to −160 ppm).

[合成例1:化合物Anion−Aの合成]
窒素雰囲気下、ACVA(28.0g)とAnion−a(36.8g)とをジクロロメタン(280g)へ添加し室温で攪拌した。そこへジイソプロピルカルボジイミド(27.8g)を添加して10分間攪拌した。その後、触媒としてジメチルアミノピリジン(2.44g)を添加し、30℃で24時間反応を行った。その懸濁した反応溶液へt−ブチルメチルエーテル(1400g)を添加し30分間攪拌した後、析出した目的物をろ別し、乾燥することによってAnion−Aを20.8g得た。
得られた化合物はNMR測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
H−NMR(400MHz,DMSO−d6):δ(ppm)=4.61(dt,4H,CH2CF2),2.40−2.65(m,8H,CH2CH2),1.72(s,6H,CH3),1.66(s,6H,CH3).
19F−NMR(376MHz,DMSO−d6):δ(ppm)=−111.4.
上記の結果から、Anion−Aが下記構造を有することが確認できた。
[Synthesis Example 1: Synthesis of Compound Anion-A]
Under a nitrogen atmosphere, ACVA (28.0 g) and Anion-a (36.8 g) were added to dichloromethane (280 g) and stirred at room temperature. Diisopropylcarbodiimide (27.8 g) was added thereto and stirred for 10 minutes. Thereafter, dimethylaminopyridine (2.44 g) was added as a catalyst and reacted at 30 ° C. for 24 hours. T-Butyl methyl ether (1400 g) was added to the suspended reaction solution and stirred for 30 minutes, and then the precipitated target product was filtered off and dried to obtain 20.8 g of Anion-A.
The obtained compound was subjected to NMR measurement, and the structure was identified from the following results.
1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d6): δ (ppm) = 4.61 (dt, 4H, CH2CF2), 2.40-2.65 (m, 8H, CH2CH2), 1.72 (s, 6H) , CH3), 1.66 (s, 6H, CH3).
19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d6): δ (ppm) = − 111.4.
From the above results, it was confirmed that Anion-A had the following structure.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[合成例2:化合物(I−A)の合成]
ビーカーへTPS−Br(10.50g),Anion−A(8.70g),ジクロロメタン(155.0g)及び純水(78.0g)を添加し、室温で1時間攪拌した。その後分液した後、ジクロロメタン層を純水(78.0g)で水洗を繰り返し、有機層を減圧下で濃縮することにより化合物(I−A)を白色固体として13.80g得た。
得られた化合物はNMR測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
H−NMR(400MHz,DMSO−d6):δ(ppm)=7.78−7.90(m,30H,ArH),4.61(dt,4H,CH2CF2),2.40−2.65(m,8H,CH2CH2),1.72(s,6H,CH3),1.66(s,6H,CH3).
19F−NMR(376MHz,DMSO−d6):δ(ppm)=−111.4.
上記の結果から、化合(I−A)が下記構造を有することが確認できた。
[Synthesis Example 2: Synthesis of Compound (IA)]
TPS-Br (10.50 g), Anion-A (8.70 g), dichloromethane (155.0 g) and pure water (78.0 g) were added to the beaker, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After liquid separation, the dichloromethane layer was repeatedly washed with pure water (78.0 g), and the organic layer was concentrated under reduced pressure to obtain 13.80 g of compound (IA) as a white solid.
The obtained compound was subjected to NMR measurement, and the structure was identified from the following results.
1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d6): δ (ppm) = 7.78-7.90 (m, 30H, ArH), 4.61 (dt, 4H, CH 2 CF 2), 2.40-2.65 (M, 8H, CH2CH2), 1.72 (s, 6H, CH3), 1.66 (s, 6H, CH3).
19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d6): δ (ppm) = − 111.4.
From the above results, it was confirmed that the compound (IA) had the following structure.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[合成例3〜55]化合物(I−B)〜(I−BB)の合成
上記合成例2において、TPS−Br(カチオン)を、以下の表1〜18に示すもの(等モル量)にそれぞれ変更して合成したこと以外は同様の操作を行った。これにより、表1〜18に示す化合物(I−B)〜(I−BB)を得た。
各化合物について、NMRによる分析を行い、その結果を表1〜18に併記した。
[Synthesis Examples 3 to 55] Synthesis of Compounds (IB) to (I-BB) In Synthesis Example 2 described above, TPS-Br (cation) was changed to those shown in the following Tables 1 to 18 (equal molar amount). The same operation was performed except that they were synthesized by changing each. Thereby, the compounds (IB) to (I-BB) shown in Tables 1 to 18 were obtained.
Each compound was analyzed by NMR, and the results are shown in Tables 1-18.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[ポリマー合成例1]高分子化合物1の合成
温度計、還流管、攪拌機、窒素導入管を繋いだフラスコに、窒素雰囲気下で、γ−ブチロラクトンを11.2g入れ、攪拌しながら内温を85℃に上げた。
3.0g(17.6mmol)のモノマー(1)、4.4g(17.6mmol)のモノマー(2)、2.1g(8.8mmol)のモノマー(3)を、50.0gのγ−ブチロラクトンに溶解させた。この溶液に、ラジカル重合開始剤として上記化合物(I−A)を0.71g添加し溶解させた。
この混合溶液を一定速度で4時間かけてフラスコ中に滴下し、その後1時間加熱攪拌し、反応液を室温まで冷却した。
得られた反応重合液を大量のメタノール/水混合溶液に滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体をろ別、メタノール/水混合溶液にて洗浄した後、減圧乾燥を経て目的物である高分子化合物1を6.5g得た。
この高分子化合物についてGPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は10,150であり、分子量分散度(Mw/Mn)は1.78であった。
また、13C−NMRにより求められた共重合体の組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))は、l/m/n=36/40/24であった。
[Polymer Synthesis Example 1] Synthesis of Polymer Compound 1 11.2 g of γ-butyrolactone was placed in a flask connected with a thermometer, a reflux tube, a stirrer, and a nitrogen introduction tube under a nitrogen atmosphere, and the internal temperature was 85 while stirring. Raised to ° C.
3.0 g (17.6 mmol) of monomer (1), 4.4 g (17.6 mmol) of monomer (2), 2.1 g (8.8 mmol) of monomer (3) and 50.0 g of γ-butyrolactone Dissolved in. To this solution, 0.71 g of the compound (IA) as a radical polymerization initiator was added and dissolved.
This mixed solution was dropped into the flask at a constant rate over 4 hours, and then heated and stirred for 1 hour to cool the reaction solution to room temperature.
The obtained reaction polymerization solution was dropped into a large amount of methanol / water mixed solution to precipitate a polymer, and the precipitated white powder was filtered, washed with a methanol / water mixed solution, and then dried under reduced pressure. As a result, 6.5 g of the target polymer compound 1 was obtained.
The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement for this polymer compound was 10,150, and the molecular weight dispersity (Mw / Mn) was 1.78.
Moreover, the composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) of the copolymer determined by 13 C-NMR was 1 / m / n = 36/40/24.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[ポリマー合成例2〜38]高分子化合物2〜38の合成
高分子化合物2〜38は、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導する下記モノマー(1)〜(17)を表19〜22に示すモル比で用い、且つ、ラジカル重合開始剤として表19〜22に示すものをポリマー合成例1と等モルで用いた以外は、上記ポリマー合成例1と同様にして製造した。ラジカル重合開始剤V−601、ACVAの構造は下記式に示す通りである。
得られた高分子化合物2〜38の質量平均分子量(Mw)及び分子量分散量(Mw/Mn)を表19〜22に併記する。
[Polymer Synthesis Examples 2 to 38] Synthesis of Polymer Compounds 2 to 38 Polymer compounds 2 to 38 are represented by the following monomers (1) to (17) that derive structural units constituting each polymer compound. The polymer was produced in the same manner as in Polymer Synthesis Example 1 except that the radical polymerization initiator shown in Tables 19 to 22 was used in an equimolar amount with Polymer Synthesis Example 1. The structures of radical polymerization initiators V-601 and ACVA are as shown in the following formula.
The mass average molecular weight (Mw) and the molecular weight dispersion (Mw / Mn) of the obtained polymer compounds 2 to 38 are also shown in Tables 19 to 22.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[実施例1〜28、比較例1〜17]
表23〜25に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。
[Examples 1 to 28, Comparative Examples 1 to 17]
Each component shown in Tables 23 to 25 was mixed and dissolved to prepare a positive resist composition.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

表23〜25中の各略号は以下の意味を有する。また、[ ]内の数値は配合量(質量部)である。
(A)−1〜(A)−38:上記高分子化合物1〜38。
(B)−1:下記化合物(B)−1。
(B)−2:下記化合物(B)−2。
(D)−1:トリ−n−オクチルアミン。
(E)−1:サリチル酸。
(F)−1:下記高分子化合物(F)−1[l/m=77/23(モル比)、Mw=23000、Mw/Mn=1.61、ラジカル重合開始剤V−601でラジカル重合して製造された重合体。]。
(F)−2:下記高分子化合物(F)−2[l=100(モル比)、Mw=22000、Mw/Mn=1.58、ラジカル重合開始剤V−601でラジカル重合して製造された重合体。]。
(S)−1:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=45/30/25(質量比)の混合溶剤。
Each abbreviation in Tables 23 to 25 has the following meaning. Moreover, the numerical value in [] is a compounding quantity (mass part).
(A) -1 to (A) -38: The above polymer compounds 1 to 38.
(B) -1: The following compound (B) -1.
(B) -2: The following compound (B) -2.
(D) -1: tri-n-octylamine.
(E) -1: salicylic acid.
(F) -1: the following polymer compound (F) -1 [l / m = 77/23 (molar ratio), Mw = 23000, Mw / Mn = 1.61, radical polymerization with radical polymerization initiator V-601 A polymer produced by ].
(F) -2: produced by radical polymerization with the following polymer compound (F) -2 [l = 100 (molar ratio), Mw = 22000, Mw / Mn = 1.58, radical polymerization initiator V-601. Polymer. ].
(S) -1: PGMEA / PGME / cyclohexanone = 45/30/25 (mass ratio) mixed solvent.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[レジストパターンの形成1]
12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ARC95」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205℃、90秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚90nmの有機系反射防止膜を形成した。
そして、該有機系反射防止膜上に、各例のポジ型レジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で表26〜27に示す温度で60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。
次に、ArF液浸露光装置NSR−S609B(ニコン社製;NA(開口数)=1.07,Dipole(in/out:0.78/0.97)、w/POLANO)により、ArFエキシマレーザー(193nm)を、マスクパターンをを介して選択的に照射した。
そして、表26〜27に示す温度で60秒間のPEB処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液「NMD−3」(商品名、東京応化工業社製)で10秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。
続いて、ホットプレート上で100℃、45秒間のポストベークを行った。
その結果、比較例16を除くいずれの例においても、ライン幅50nm、ピッチ100nmの1:1ラインアンドスペース(LS)パターンが形成された(比較例16はパターンが形成されなかった)。
該LSパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm;感度)を求めた。その結果を表26〜27に併記する。
[Formation of resist pattern 1]
An organic antireflection film composition “ARC95” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) is applied onto a 12-inch silicon wafer using a spinner, and baked at 205 ° C. for 90 seconds on a hot plate and dried. Thereby, an organic antireflection film having a thickness of 90 nm was formed.
Then, the positive resist composition of each example is applied onto the organic antireflection film using a spinner, and prebaked (PAB) on the hot plate at the temperatures shown in Tables 26 to 27 for 60 seconds. By performing the treatment and drying, a resist film having a thickness of 100 nm was formed.
Next, an ArF excimer laser was used with an ArF immersion exposure apparatus NSR-S609B (manufactured by Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 1.07, Dipole (in / out: 0.78 / 0.97), w / POLANO). (193 nm) was selectively irradiated through the mask pattern.
And the PEB process for 60 second was performed at the temperature shown to Tables 26-27, and also 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution "NMD-3" (brand name, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 degreeC. Manufactured for 10 seconds, rinsed with pure water for 15 seconds, and shaken and dried.
Subsequently, post-baking was performed on a hot plate at 100 ° C. for 45 seconds.
As a result, in all examples except Comparative Example 16, a 1: 1 line and space (LS) pattern having a line width of 50 nm and a pitch of 100 nm was formed (Comparative Example 16 had no pattern formed).
The optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2 ; sensitivity) for forming the LS pattern was determined. The results are also shown in Tables 26-27.

[露光余裕度(ELマージン)の評価]
前記EopでLSパターンのラインがターゲット寸法(ライン幅50nm)の±5%(47.5nm〜52.5nm)の範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン(単位:%)を求めた。その結果を表26〜27に示す。
ELマージン(%)=(|E1−E2|/EOP)×100
E1:ライン幅47.5nmのLSパターンが形成された際の露光量(mJ/cm
E2:ライン幅52.5nmのLSパターンを形成された際の露光量(mJ/cm
なお、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。
[Evaluation of exposure margin (EL margin)]
In Eop, the exposure amount when the line of the LS pattern is formed within a range of ± 5% (47.5 nm to 52.5 nm) of the target dimension (line width 50 nm) is obtained, and the EL margin (unit: %). The results are shown in Tables 26-27.
EL margin (%) = (| E1-E2 | / EOP) × 100
E1: Exposure amount (mJ / cm 2 ) when an LS pattern having a line width of 47.5 nm was formed
E2: exposure amount (mJ / cm 2 ) when an LS pattern having a line width of 52.5 nm was formed
Note that the larger the value of the EL margin, the smaller the change amount of the pattern size accompanying the change in the exposure amount.

[マスクエラーファクタ(MEF)の評価]
上記レジストパターンの形成と同じ手順に従い、前記Eopにおいて、ライン幅50nm、ピッチ100nmのLSパターンをターゲットとするマスクパターンと、ライン幅55nm、ピッチ100nmのLSパターンをターゲットとするマスクパターンとを用いてそれぞれLSパターンを形成し、以下の式からMEFの値を求めた。その結果を表26〜27に示す。
MEF=|CD55−CD50|/|MD55−MD50|
上記式中、CD50、CD55は、それぞれ、ライン幅50nm、55mをターゲットとするマスクパターンを用いて形成されたLSパターンの実際のライン幅(nm)である。MD50、MD55は、それぞれ、当該マスクパターンがターゲットとするライン幅(nm)であり、MD50=50nm、MD55=55nmである。
このMEFの値が1に近いほど、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成されたことを示す。
[Evaluation of mask error factor (MEF)]
According to the same procedure as the formation of the resist pattern, in the Eop, a mask pattern targeting a LS pattern with a line width of 50 nm and a pitch of 100 nm and a mask pattern targeting a LS pattern with a line width of 55 nm and a pitch of 100 nm are used. Each LS pattern was formed, and the MEF value was determined from the following equation. The results are shown in Tables 26-27.
MEF = | CD55-CD50 | / | MD55-MD50 |
In the above formula, CD50 and CD55 are the actual line widths (nm) of the LS pattern formed using the mask pattern targeting the line widths of 50 nm and 55 m, respectively. MD50 and MD55 are line widths (nm) targeted by the mask pattern, respectively, and MD50 = 50 nm and MD55 = 55 nm.
The closer this MEF value is to 1, the more the resist pattern faithful to the mask pattern is formed.

[LWR(ラインワイズラフネス)評価]
前記Eopで形成されたライン幅50nm、ピッチ100nmのLSパターンにおいて、測長SEM(走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)により、スペース幅を、スペースの長手方向に400箇所測定し、その結果から標準偏差(s)の3倍値(3s)を求め、400箇所の3sについて平均化した値を、LWRを示す尺度として算出した。その結果を表26〜27に示す。
この3sの値が小さいほど、その線幅のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。
[LWR (line width roughness) evaluation]
In the LS pattern having a line width of 50 nm and a pitch of 100 nm formed by the Eop, the space width is changed by a length measuring SEM (scanning electron microscope, acceleration voltage 300 V, product name: S-9380, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). 400 points were measured in the longitudinal direction, and a triple value (3s) of the standard deviation (s) was obtained from the result, and a value averaged for 3s at 400 points was calculated as a scale indicating LWR. The results are shown in Tables 26-27.
A smaller value of 3s means that the roughness of the line width is smaller, and an LS pattern having a more uniform width is obtained.

[パターン形状評価]
前記Eopにおいて形成されたパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡(商品名:SU−8000、日立ハイテクノロジー社製)を用いて観察し、その形状を以下の基準で評価した。結果を表26〜27に示す。
○:矩形性が高く、良好である。
△:ややT−top形状である。
[Pattern shape evaluation]
The cross-sectional shape of the pattern formed in the Eop was observed using a scanning electron microscope (trade name: SU-8000, manufactured by Hitachi High-Technology Corporation), and the shape was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 26 to 27.
○: The rectangularity is high and good.
Δ: Slightly T-top shape.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

Figure 0005903224
Figure 0005903224

表26〜27の結果から、本発明に係る実施例1〜28のレジスト組成物は、比較例1〜17のレジスト組成物に比べて、高感度であり、且つ、ELマージン、MEF、LWR等のリソグラフィー特性及びパターン形状に優れることが確認できた。   From the results of Tables 26 to 27, the resist compositions of Examples 1 to 28 according to the present invention have higher sensitivity than the resist compositions of Comparative Examples 1 to 17, and EL margin, MEF, LWR, etc. It was confirmed that the lithographic characteristics and pattern shape were excellent.

[実施例29、比較例18〜19]
表28に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。
[Example 29, Comparative Examples 18 to 19]
Each component shown in Table 28 was mixed and dissolved to prepare a positive resist composition.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

表28中の各略号中、(A)−1、(A)−24、(A)−25、(D)−1、(E)−1及び(S)−1は前記同様であり、(B)−3は下記化合物(B)−3を意味する。また、[ ]内の数値は配合量(質量部)である。   In each abbreviation in Table 28, (A) -1, (A) -24, (A) -25, (D) -1, (E) -1 and (S) -1 are the same as above, B) -3 means the following compound (B) -3. Moreover, the numerical value in [] is a compounding quantity (mass part).

Figure 0005903224
Figure 0005903224

[レジストパターンの形成2]
各例のポジ型レジスト組成物を、90℃にて36秒間のヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチのシリコンウェーハ上に、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で表29に示す温度で60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚60nmのレジスト膜を形成した。
次いで、前記レジスト膜に対し、電子線描画機HL−800D(VSB)(Hitachi社製)を用い、加速電圧70kVにて露光を行い、表29に示す温度で60秒間のPEB処理を行い、さらに23℃にてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38質量%水溶液(商品名:NMD−3、東京応化工業(株)製)を用いて60秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。
続いて、ホットプレート上で100℃、60秒間のポストベークを行った。
その結果、いずれの例においても、ライン幅100nm、ピッチ200nmの1:1LSパターンが形成された。
該LSパターンが形成される最適露光量Eop(μC/cm;感度)を求め、該EopにおけるELマージン(10%)、LWR、形状について上記と同様に評価を行った。結果を表29に示す。
[Formation of resist pattern 2]
The positive resist composition of each example was applied onto an 8-inch silicon wafer that had been subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment at 90 ° C. for 36 seconds using a spinner. A resist film having a film thickness of 60 nm was formed by performing pre-baking (PAB) treatment at the temperature shown in FIG.
Next, the resist film is exposed using an electron beam lithography machine HL-800D (VSB) (manufactured by Hitachi) at an acceleration voltage of 70 kV, and subjected to PEB treatment at a temperature shown in Table 29 for 60 seconds. At 23 ° C., alkali development was performed for 60 seconds using a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (trade name: NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and 15% using pure water. Water rinsing was performed for 2 seconds, followed by shaking off and drying.
Subsequently, post-baking was performed on a hot plate at 100 ° C. for 60 seconds.
As a result, in each example, a 1: 1 LS pattern having a line width of 100 nm and a pitch of 200 nm was formed.
The optimum exposure dose Eop (μC / cm 2 ; sensitivity) for forming the LS pattern was determined, and the EL margin (10%), LWR, and shape in the Eop were evaluated in the same manner as described above. The results are shown in Table 29.

Figure 0005903224
Figure 0005903224

表29の結果から、本発明に係る実施例29のレジスト組成物は、比較例18〜19のレジスト組成物に比べて、高感度であり、且つ、ELマージン、LER等のリソグラフィー特性及びパターン形状に優れることが確認できた。   From the results of Table 29, the resist composition of Example 29 according to the present invention has higher sensitivity than the resist compositions of Comparative Examples 18 to 19, and has lithography characteristics such as EL margin and LER, and pattern shape. It was confirmed that it was excellent.

Claims (10)

下記一般式(I)で表される化合物。
Figure 0005903224
[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zはシアノ基である。Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1〜3の整数である。Qは(p+1)価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、q、rはそれぞれ独立に0又は1であり、Aは金属カチオン又は有機カチオンである。式中の複数のR、Z、X、p、Q、R、q、r、Aはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
The compound represented by the following general formula (I).
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and Z is a cyano group. X is a divalent linking group, and at least one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) — It is at the end that contacts Q. p is an integer of 1 to 3. Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1. R 2 is a single bond, an alkylene group which may have a substituent, or an aromatic group which may have a substituent, q and r are each independently 0 or 1, and A + is It is a metal cation or an organic cation. A plurality of R 1 , Z, X, p, Q, R 2 , q, r, and A + in the formula may be the same or different. ]
請求項1に記載の化合物からなるラジカル重合開始剤。   A radical polymerization initiator comprising the compound according to claim 1. 請求項1に記載の化合物の製造方法であって、
下記一般式(i−1)で表される化合物と、下記一般式(i−2)で表される化合物とを反応させる工程を含む製造方法。
Figure 0005903224
[式中、R、Z、X、Q、p、q、R、r、Aはそれぞれ前記同様であり、B、Bはそれぞれ独立にH又はOHである。式中の複数のR、Z、X、p、Q、Bはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
It is a manufacturing method of the compound of Claim 1, Comprising:
The manufacturing method including the process with which the compound represented with the following general formula (i-1) and the compound represented with the following general formula (i-2) are made to react.
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 , Z, X, Q, p, q, R 2 , r, and A + are the same as defined above, and B 1 and B 2 are each independently H or OH. A plurality of R 1 , Z, X, p, Q, and B 1 in the formula may be the same or different. ]
主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式(I−1)で表される基を有する重合体。
Figure 0005903224
[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zはシアノ基である。Xは2価の連結基であって、−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−、及び−NH−C(=NH)−のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1〜3の整数である。Qは(p+1)価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。Rは単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、q、rはそれぞれ独立に0又は1であり、Mは有機カチオンである。]
A polymer having a group represented by the following general formula (I-1) at at least one end of the main chain.
Figure 0005903224
[Wherein, R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and Z is a cyano group. X is a divalent linking group, and at least one of —O—C (═O) —, —NH—C (═O) —, and —NH—C (═NH) — It is at the end that contacts Q. p is an integer of 1 to 3. Q is a (p + 1) -valent hydrocarbon group, and Q may be a single bond only when p is 1. R 2 is a single bond, an optionally substituted alkylene group, or an optionally substituted aromatic group, q and r are each independently 0 or 1, and M + is Organic cation. ]
請求項4に記載の重合体を含有するレジスト組成物。 A resist composition containing the polymer according to claim 4 . 前記重合体が、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する請求項に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 5 , wherein the solubility of the polymer in a developer is changed by the action of an acid. 酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、露光により酸を発生する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、請求項4に記載の重合体を含有するレジスト組成物。
A resist composition containing a base material component (A) that changes the solubility in a developer by the action of an acid and generates an acid upon exposure, and an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure,
The resist composition in which the base material component (A) contains the polymer according to claim 4 .
前記重合体が、酸の作用により極性が増大する請求項に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 7 , wherein the polymer increases in polarity by the action of an acid. 前記重合体が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する請求項に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 8 , wherein the polymer has a structural unit (a1) derived from an acrylate ester containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid. 請求項のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 A step of forming a resist film on a support using the resist composition according to any one of claims 5 to 9 , a step of exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern A resist pattern forming method including the step of:
JP2011135672A 2011-06-17 2011-06-17 Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method. Active JP5903224B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011135672A JP5903224B2 (en) 2011-06-17 2011-06-17 Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method.
KR1020137033833A KR101884497B1 (en) 2011-06-17 2012-06-15 Compound, radical polymerization initiator, method for producing compound, polymer, resist composition, and methiod for forming resist pattern
US14/126,535 US9097971B2 (en) 2011-06-17 2012-06-15 Compound, radical polymerization initiator, method for producing compound, polymer, resist composition, and method for forming resist pattern
TW101121681A TWI614230B (en) 2011-06-17 2012-06-15 Compound, radical polymerization initiator, method of producing compound, polymer, resist composition, method of forming resist pattern
PCT/JP2012/065389 WO2012173235A1 (en) 2011-06-17 2012-06-15 Compound, radical polymerization initiator, method for producing compound, polymer, resist composition, and method for forming resist pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011135672A JP5903224B2 (en) 2011-06-17 2011-06-17 Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013001850A JP2013001850A (en) 2013-01-07
JP5903224B2 true JP5903224B2 (en) 2016-04-13

Family

ID=47670752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011135672A Active JP5903224B2 (en) 2011-06-17 2011-06-17 Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method.

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5903224B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5708402B2 (en) * 2011-09-26 2015-04-30 Jsr株式会社 Photoresist composition and resist pattern forming method
JP6013218B2 (en) * 2012-02-28 2016-10-25 信越化学工業株式会社 Acid generator, chemically amplified resist material, and pattern forming method
JP6617459B2 (en) * 2014-07-31 2019-12-11 住友化学株式会社 Resist composition
WO2017115680A1 (en) * 2015-12-28 2017-07-06 東洋合成工業株式会社 Polymer, radiation-sensitive composition, compound, and method for manufacturing device
CN115917431A (en) * 2020-06-10 2023-04-04 富士胶片株式会社 Actinic-ray-or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and method for manufacturing electronic device
KR20230072421A (en) 2021-11-17 2023-05-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Positive resist composition and pattern forming process
KR20230073103A (en) 2021-11-18 2023-05-25 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Positive resist composition and pattern forming process
JP2023077400A (en) 2021-11-24 2023-06-05 信越化学工業株式会社 Positive resist material and pattern forming process

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1233582A (en) * 1959-04-20 1960-10-12 Rhone Poulenc Sa Sulphonated azonitriles
JPH0665310A (en) * 1992-08-20 1994-03-08 Sanshin Chem Ind Co Ltd Polymerization initiator and method for polymerization
US20020055124A1 (en) * 1998-09-23 2002-05-09 The Scripps Research Institute Soluble support for organic synthesis
JP5398194B2 (en) * 2008-07-09 2014-01-29 東京応化工業株式会社 Resist polymer, resist composition, and resist pattern forming method
JP5201363B2 (en) * 2008-08-28 2013-06-05 信越化学工業株式会社 Sulfonium salt and polymer compound having polymerizable anion, resist material and pattern forming method
JP5401910B2 (en) * 2008-10-17 2014-01-29 セントラル硝子株式会社 Fluorine-containing sulfone salts having a polymerizable anion and method for producing the same, fluorine-containing resin, resist composition, and pattern forming method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013001850A (en) 2013-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5732306B2 (en) Compound, polymer compound, acid generator, resist composition, resist pattern forming method
JP5232663B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound and compound
JP5398246B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5677127B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5178220B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5767845B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound
JP2012121838A (en) Novel compound
JP5903224B2 (en) Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, resist pattern formation method.
JP2013035942A (en) Polymer, resist composition, and method for forming resist pattern
JP5422210B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5325519B2 (en) Positive resist composition, polymer compound, and resist pattern forming method
JP5736189B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound
JP5398272B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5743835B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5568254B2 (en) Positive resist composition, resist pattern forming method, polymer compound, compound
JP5401051B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method and novel compound
JP5978055B2 (en) Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, and resist pattern formation method
WO2012173235A1 (en) Compound, radical polymerization initiator, method for producing compound, polymer, resist composition, and method for forming resist pattern
JP5658546B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound
JP5145027B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5412244B2 (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5322711B2 (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2010210714A (en) Resist composition, and method of forming resist pattern
JP5227685B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP2013023594A (en) Polymer, resist composition, and resist pattern forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150303

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150428

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20150430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150818

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150918

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20150924

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160314

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5903224

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150