JP5836875B2

JP5836875B2 - 周波数選択板

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Publication number: JP5836875B2
Application number: JP2012097675A
Authority: JP
Inventors: 田中　泰; 泰田中; 西岡　泰弘; 泰弘西岡; 勇人荻野; 山本　和男; 和男山本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2012-04-23
Filing date: 2012-04-23
Publication date: 2015-12-24
Anticipated expiration: 2032-04-23
Also published as: JP2013225797A

Description

この発明は、特定の周波数帯の電磁波を反射または透過させる周波数選択板（以下、「ＦＳＳ」と称する）に関するものである。

ＦＳＳは、多周波共用反射鏡アンテナや、各種の通信システムの電波干渉対策などに幅広く応用されている。
一般に、ＦＳＳは、任意の形状を持つ素子（単位素子）を規則的に配置することで作られる。この単位素子は大きく分けて、金属板（ワイヤ、パッチ）とスロットの２つに区別される。
最初に、２種類のＦＳＳの違いについて説明する。

金属板の例として、ある１つのダイポールを想定する。
電磁波がダイポールに入射すると、その電磁波の波長がダイポールの２倍程度の大きさであれば、大きな電流がダイポール上に励起されて共振現象が起き、ダイポールから電磁波が再放射される。
このとき、ダイポールを透過した電磁波と再放射された電磁波（散乱波）は、お互い打ち消し合うために反射波のみが残る。
この現象は、共振周波数に近い帯域でしか起きないため、帯域外の周波数の電磁波は影響を受けずに透過する。
このような性質を有するダイポール等の金属板が周期的に配置されたＦＳＳは、特定の周波数帯域の電磁波のみを透過させないバンドストップフィルタとして作用する。

次に、上記のダイポールと同程度の大きさのスロットが空いている金属板を想定する。
電磁波がスロットに入射すると、ダイポールの場合とは逆に共振周波数付近の電磁波が通過する。また、共振周波数に近い帯域から外れた周波数の電磁波は金属板によって反射される。
これは、スロットが特定の帯域のみを通過させるバンドパスフィルタとして作用していると言える。

スロットで構成されているＦＳＳは、バンドパスフィルタの役割を果たしているが、金属板の大きさに対して、小さなスロットが１つだけ空けられていても、大きな効果は得られない。
そこで、多数のスロットを金属板の上に周期的に並べることで、金属板の全体にバンドパスフィルタの性能を持たせたものがスロット型のＦＳＳや、バンドパスＦＳＳである。
一般的に、ＦＳＳは、誘電体基板上にスロットが周期的に空いている金属板を配置するか、ワイヤやパッチを周期的に配置することで製作される。

上述のように、単純にパッチやスロットが周期的に配置されたパッシブ型のＦＳＳ（反射や透過周波数帯が不変のＦＳＳ）の研究開発に始まり、近年では、ＦＳＳの応用範囲の拡大や機能の向上を図るために、反射・透過周波数帯を時間的に切り替えることが可能なアクティブＦＳＳの研究開発も盛んになりつつある。
このようなアクティブＦＳＳが以下の特許文献１や非特許文献１，２に開示されている。

特許文献１に開示されているＦＳＳは、２枚のＦＳＳと、２枚のＦＳＳの間に存在する誘電体との位置関係を、機械駆動制御装置を用いて変えることで周波数特性を制御するものである。
即ち、このＦＳＳは、図１２に示すように、スロットや金属板等の単位素子１０２が周期的に配置されている２つのＦＳＳ１０１と、２つのＦＳＳ１０１の間に配置されている誘電体１０３と、ＦＳＳ１０１を機械的に駆動する制御装置１０４とを備えている。

制御装置１０４が、ＦＳＳ１０１を機械的に駆動することで、ＦＳＳ１０１と誘電体１０３の間に空間を作ると、その空間に新たな空気の層ができる。
このとき、入射された電磁波に対して、空気の作る電磁界は、ＦＳＳ１０１の生成する電磁界に影響を与える。また、この空間の一部又は全部に誘電体１０３とは別の誘電率を有する誘電体を配置すれば、その誘電体の作る電磁界も影響を及ぼすようになる。
これらの電磁界の影響によって、単位素子１０２の電気長が変わるため、反射・透過周波数が変化する。これが機械駆動制御を用いたアクティブＦＳＳの仕組みである。

非特許文献１に開示されているＦＳＳは、ＰＩＮＤｉｏｄｅを使用したアクティブＦＳＳである。
即ち、このＦＳＳは、図１３に示すように、誘電体基板１０５の上に、バイアス回路１０７及びダイオード１０８が接続されている単位素子１０６ａ，１０６ｂが周期的に敷き詰められていることを特徴としている。
印加電圧の有無によってダイオード１０８のＯＮ／ＯＦＦを調整することで、単位素子１０６ａ，１０６ｂの導通を制御することができる。
単位素子１０６ａ，１０６ｂは導通すると、１つの単位素子として動作して、共振周波数が変わるため、ＦＳＳの反射・透過周波数が変化する。

非特許文献２に開示されているＦＳＳでは、基板にフェライト（強磁性体）を利用している。
基板に磁力を掛けて透磁率が変わると、入射された電磁波によって基板にできる電磁界も変化する。この電磁界が入射された電磁波によって単位素子が作り出す電磁界に影響を与えるために、単位素子の電気長が変わり、反射・透過周波数が変化する。

特開２００５−２５２５６７号公報（段落番号［００１１］）

T. K. Chang、R.J.Langley、E. A. Parker"Active frequency-selective surfaces"、1996、IEEE Proc.-Microw. Antennas Propag.、Vol. 143、No. 1 T. K. Chang、R.J.Langley、E. A. Parker"Frequency selective surfaces on biased ferrite substrates"、1994、ELECTRONICS LETTERS、Vol. 30、No. 15

従来の周波数選択板は以上のように構成されているので、特許文献１の場合、構造物の形状が単純であれば、ＦＳＳを様々な方向に駆動させることも可能であるが、３次元の構造物の形状は複雑であり、３次元の構造物の表面等に機械駆動のＦＳＳを導入することは非常に困難である。また、ある程度の速度を持って移動する物体の表面を機械的に動かすことは現実的ではなく、移動体の表面等に機械駆動のＦＳＳを導入することは非常に困難である。したがって、ＦＳＳを製作できる形状に制限があるなどの課題があった。

また、非特許文献１の場合、個々の単位素子１０６を制御しようとすると、多くの配線が必要になるために、ＦＳＳの構造が非常に複雑になる上、これらの配線に電磁波が入射すると、大きな電流が誘起されて不要散乱を生じるため、ＦＳＳが作る電磁界が乱れてしまう課題があった。また、入射された電磁波によって誘起される電流がバイアス回路１０７の方に流れないようにするためには、アイソレーションを考慮しなければならず、ダイオード１０８による損失も存在する課題があった。

また、非特許文献２の場合、フェライトによる損失が大きく、ＦＳＳの透過係数の平均値が低いため、透過波が大きく減衰してしまう課題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、機械的な駆動や複雑な配線構造を用いずに、透過周波数を可変することができる低損失な周波数選択板を得ることを目的とする。

この発明に係る周波数選択板は、一面に複数の穴が規則的に空けられており、ガスが中空部に充填されている誘電体ケースと、誘電体ケースの一面に空けられている穴より大きな穴が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数の穴が、誘電体ケースの一面に空けられている複数の穴を包含する位置において、誘電体ケースの内面に貼り付けられている導体板と、導体板と接触しない位置で、誘電体ケースの中空部に設置されている２つの電極とを備え、その電極が電源に接続されているようにしたものである。

この発明によれば、一面に複数の穴が規則的に空けられており、ガスが中空部に充填されている誘電体ケースと、誘電体ケースの一面に空けられている穴より大きな穴が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数の穴が、誘電体ケースの一面に空けられている複数の穴を包含する位置において、誘電体ケースの内面に貼り付けられている導体板と、導体板と接触しない位置で、誘電体ケースの中空部に設置されている２つの電極とを備え、その電極が電源に接続されているように構成したので、機械的な駆動や複雑な配線構造を用いずに、透過周波数を可変することができる低損失な周波数選択板が得られる効果がある。

この発明の実施の形態１による周波数選択板を示す三面図である。反射率（｜Ｒ｜）、透過率（｜Ｔ｜）、損失（Ｌｏｓｓ）及び複素比誘電率ε_rの検証結果を示す説明図である。反射率（｜Ｒ｜）、透過率（｜Ｔ｜）、損失（Ｌｏｓｓ）及び複素比誘電率ε_rの検証結果を示す説明図である。電磁波がＦＳＳに入射される様子を示す説明図である。この発明の実施の形態１によるＦＳＳの金属板４及び中空誘電体１のスロット数をそれぞれ８個にして、制御電圧を電極６に印加したとき、中空誘電体板１の中空部３にできる電界強度分布のシミュレーション結果を示す説明図である。この発明の実施の形態２による周波数選択板を示す三面図である。この発明の実施の形態２によるＦＳＳの金属板４及び中空誘電体１のスロット数をそれぞれ８個にして、制御電圧を導体壁８に印加したとき、中空誘電体板１の中空部３にできる電界強度分布のシミュレーション結果を示す説明図である。この発明の実施の形態３による周波数選択板を示す三面図である。この発明の実施の形態３による周波数選択板の要部を示す斜視図である。制御電圧が上下の金属板４に印加されたとき、中空誘電体板１の中空部３にできる電界強度分布のシミュレーション結果を示す説明図である。この発明の実施の形態４による周波数選択板を示す構成図である。特許文献１に開示されているＦＳＳを示す斜視図である。非特許文献１に開示されているＦＳＳを示す斜視図である。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による周波数選択板を示す三面図である。
図１において、中空誘電体板１は上面（一面）に複数のスロット２（穴）が規則的に空けられており、ガスが中空部３に充填されている誘電体ケースである。
金属板４は中空誘電体板１の上面に空けられているスロット２より大きなスロット５（穴）が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数のスロット５が、中空誘電体板１の上面に空けられている複数のスロット２を包含する位置において、中空誘電体板１の内面に貼り付けられている導体板である。

スロット５の形状はどのような形でもよい。中空誘電体板１及び金属板４を法線方向から見た際に、スロット５の内側にスロット２が複数個包含されていてよい。
また、中空誘電体板１に使用する素材は、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリスチレン、変形ポリフェニレンエーテル、ポリテトラフルオロエチレンなど、低誘電損失かつ低誘電率の誘電体であれば、どのようなものでもよい。
中空誘電体板１の中空部３にはガスが充填されているが、このガスはプラズマ状態になりやすい分子（例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなど）の希ガスや空気である。
また、ガスの種類は１種類に限らず、複数種の混合ガスであってもよい。

２枚の電極６は金属板４と接触しない位置で、中空誘電体板１の中空部３に設置されており、金属線７を通じて、制御電圧を印加する外部電源と接続されている。
図１の例では、電極６が中空誘電体板１の内壁面に配置されているが、金属板４と接触していなければ、中空誘電体板１のどの内壁面に配置されていてもよい。
外部電源が制御電圧を電極６に印加することで、中空部３に充填されている希ガスの分子運動を励起して、プラズマを発生させることができる。印加する電圧によって内部のプラズマ密度が変化する。

中空部３の中に発生するプラズマの密度は、透過を制御したい周波数帯に応じて変化させるようにする。プラズマ状態の物質の周波数特性は、プラズマ周波数前後で大きく変化する。
例えば、対象となる入射波の周波数がプラズマ周波数以下であるならば、後述するように、その電磁波に対してプラズマは、金属的な性質を持つ物質として振舞うようになる。

発生するプラズマが低温・非磁化・衝突性の物である場合、その複素比誘電率及びプラズマ角周波数は、下記の非特許文献３に開示されているＤｒｕｄｅ分散の式によって表される。

式（１）（２）において、ε_ｒは複素比誘電率、ω_p（＝２πｆ_ｐ）はプラズマ角周波数である。また、ω（＝２πｆ）は、ＦＳＳに入射する電磁波の角周波数、νは衝突周波数、ｎ_ｅは電子密度、ｍ_ｅは電子質量、ｅは自由電子の電荷、ε_０は真空の誘電率、ｊは虚数単位である。
［非特許文献３］
R. J. Vidmar、“On the use of Atmospheric Pressure Plasmas as Electromagnetic Reflections and Absorbers”1990、IEEE Trans. Plasma Sci.、Vol. 18、No. 4

プラズマの計算例として、式（１）（２）によって、低温・非磁化・衝突性のプラズマの複素誘電率を計算し、この複素誘電率を持つ厚さ１５ｍｍの平板に対して、垂直に電磁波が入射された際に反射率（｜Ｒ｜）、透過率（｜Ｔ｜）、損失（Ｌｏｓｓ）がどのような周波数特性になるかを検証している。
図２及び図３は反射率（｜Ｒ｜）、透過率（｜Ｔ｜）、損失（Ｌｏｓｓ）及び複素比誘電率ε_rの検証結果を示す説明図である。

例えば、プラズマ周波数ｆ_pを１０ＧＨｚ（電子密度ｎ_eを約１．２４×１０^-18 ［ｍ^-3］）、衝突周波数νを１ＧＨｚとする場合、図２に示すように、プラズマ周波数ｆ_pよりもやや低い周波数以下では、反射率は−１ｄＢ以上となり、透過率は−１０ｄＢを下回る。また、損失も−１３ｄＢと低いものとなる。
したがって、上記のプラズマ周波数ｆ_pと衝突周波数νを仮定すると、プラズマ周波数ｆ_pの近傍以下の周波数を持つ入射波に対して、プラズマを金属としてみなすことができる。
また、図３に示すように、衝突周波数νを変えずに、プラズマ周波数ｆ_pを４０ＧＨｚ（電子密度ｎ_eを約１．９８×１０^-19 ［ｍ^-3］）程度に選べば、プラズマを金属として扱える周波数帯域も変わっていることがわかる。

次に図１のＦＳＳの基本的な動作原理について説明する。
図１のＦＳＳは、以下のような原理で、アクティブＦＳＳとして動作する。
まず、プラズマを生成していない場合（外部電源から制御電圧が電極６に印加されていない場合）は、図４に示すように、到来する入射電磁波によって、ＦＳＳの上面に配置されている金属板４上に大きな電流が誘起される。
このとき、透過周波数は、金属板４に空けられているスロット５の共振周波数によって決定される。

次に、中空誘電体板１の内壁面に配置されている電極６に対して、外部電源から金属線７を通じて制御電圧を印加することでプラズマを発生させると、プラズマ周波数ｆ_p以下の入射波に対してプラズマは金属として振舞うようになる。
したがって、プラズマ周波数ｆ_pが所望の透過周波数帯以上となるように、電極６に印加する制御電圧の電圧値を制御すれば、スロット２の大きさによって決定される共振周波数を持つ電磁波を透過させることができるＦＳＳの形成が可能になる。

また、外部から印加する電界が一様であれば、生成されるプラズマの電極に平行な方向の密度分布も一様になると考えられる。
プラズマの密度分布が一様になれば、図２及び図３に示している複素比誘電率ε_rの分布も一様になる。
複素比誘電率ε_rが一様に近ければ、プラズマ周波数ｆ_p以下の周波数の入射電磁波に対して、プラズマは、一様な密度分布の金属のように振舞うため、動作の制御が容易になる。以上の理由から、外部電源が制御電圧を電極６に印加することで、中空誘電体板１の中空部３にできる電界分布を知る必要がある。

ここで、図５はこの発明の実施の形態１によるＦＳＳの金属板４及び中空誘電体１のスロット数をそれぞれ８個にして、制御電圧を電極６に印加したとき、中空誘電体板１の中空部３にできる電界強度分布のシミュレーション結果を示す説明図である。
シミュレーション結果では、電極６の付近は強度の変動が大きいが、領域Ａは比較的均一な電界強度分布になる。
したがって、中空誘電体１に希ガスが充填されたときに領域Ａ内に生成されるプラズマは、その外側に生成されるものと比べて、均一に近い密度分布になると予想される。
このため、領域Ａに含まれている部分は、所望の動作を行うＦＳＳになると考えられる。

以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、上面に複数のスロット２が規則的に空けられており、ガスが中空部３に充填されている中空誘電体１と、中空誘電体１の上面に空けられているスロット２より大きなスロット５が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数のスロット５が、中空誘電体１の上面に空けられている複数のスロット２を包含する位置において、中空誘電体１の内面に貼り付けられている金属板４と、金属板４と接触しない位置で、中空誘電体１の内壁面に設置されている２つの電極６とを備え、その電極６が外部電源に接続されているように構成したので、機械的な駆動や複雑な配線構造を用いずに、透過周波数を可変することができる低損失なＦＳＳが得られる効果がある。

実施の形態２．
図６はこの発明の実施の形態２による周波数選択板を示す三面図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
導体壁８は金属板４が張り付けられている中空誘電体１の内面と直交する面を囲むように、中空誘電体１の中空部に設置されている。図６の例では、導体壁８が中空誘電体１の内面と直交する内壁面に配置されている。
なお、金属板４と導体壁８は、金属線７を通じて、外部電源と接続されている。

上記実施の形態１では、２枚の電極板６間に電位差を作り出すものを示したが、２枚の電極板６を実装する代わりに導体壁８を実装し、金属板４と導体壁８の間に電位差を作り出すようにしてもよい。
図６のＦＳＳの基本的な動作原理は、図１のＦＳＳの基本的な動作原理と同様であるが、中空誘電体板１の中空部３に生じる電界の分布が、図１のＦＳＳの電界分布と比較して、全体的に一様になるという点で相違している。

ここで、図７はこの発明の実施の形態２によるＦＳＳの金属板４及び中空誘電体１のスロット数をそれぞれ８個にして、制御電圧を導体壁８に印加したとき、中空誘電体板１の中空部３にできる電界強度分布のシミュレーション結果を示す説明図である。
図５のシミュレーション結果と比較して、図７のシミュレーション結果の方が、全体的に電界分布が一様になっていることが確認される。
したがって、図６のＦＳＳは、図１のＦＳＳと比較して、プラズマ周波数ｆ_p以下の周波数の電磁波に対して、一様な密度分布を持つ金属として振舞う範囲が広がるため、中空誘電体板１の中で、ＦＳＳとして利用可能な部分が増加する。

実施の形態３．
図８はこの発明の実施の形態３による周波数選択板を示す三面図であり、図９はこの発明の実施の形態３による周波数選択板の要部を示す斜視図である。
上記実施の形態１では、中空誘電体１の上側の内面に金属板４が貼り付けられているものを示したが、この実施の形態３では、中空誘電体１の上側の内面に金属板４（第１の導体板）が貼り付けられるほか、中空誘電体１の下側の内面にも金属板４（第２の導体板）が貼り付けられている。
ただし、中空誘電体１の下面には、複数のスロットが規則的に空けられており、第２の導体板である金属板４にも、複数のスロット（中空誘電体１の下面に空けられているスロットより大きなスロット）が規則的に空けられており、金属板４における複数のスロットが、中空誘電体１の下面に空けられている複数のスロット２を包含する位置において、中空誘電体１の内面に貼り付けられている。
また、この実施の形態３では、２枚の電極板６が実装されておらず、上下の金属板４が金属線７を通じて、外部電源と接続されている。

次に図８のＦＳＳの基本的な動作原理について説明する。
まず、外部電源から制御電圧が金属板４に印加されていない場合、ＦＳＳは上下の金属板４による２層の周波数選択板として動作する。
したがって、この２層のスロット５の共振周波数によって、ＦＳＳの透過周波数帯が決定される。

外部電源から制御電圧が上下の金属板４に印加されて、上下の金属板４の間に電位差が与えられた場合、上記実施の形態１の場合と同様に、プラズマ周波数ｆ_p以下の周波数の電磁波に対してプラズマは金属とみなせるため、入射される電磁波の周波数によってはスロット２による共振が起こる。
スロット２とスロット５は大きさが異なるため、プラズマ生成状態のＦＳＳは、プラズマが生成されていない金属板４のみのＦＳＳとは異なる透過周波数を持つＦＳＳとして動作する。

ここで、図１０は制御電圧が上下の金属板４に印加されたとき、中空誘電体板１の中空部３にできる電界強度分布のシミュレーション結果を示す説明図である。
この実施の形態３では、金属板４が中空部３のほぼ全面を上下から覆うような構造であるため、上記実施の形態１，２と比較して、中空部３に発生する電界分布の均一性が上がる。
この効果により、この実施の形態３では、上記実施の形態１，２と比較して、さらに均一な密度分布を持つプラズマを生成することができる。

実施の形態４．
図１１はこの発明の実施の形態４による周波数選択板を示す構成図である。
図１１において、ガス密度調整装置２１はガスの密度を調整する装置である。
中空誘電体板１に施されている接続孔２２には配管２３が接続されており、配管２３を通じて、中空誘電体板１の中空部３がガス密度調整装置２１と接続されている。
この実施の形態４は、上記実施の形態１〜３のいずれにも適用可能である。

図１１のＦＳＳの動作原理を説明する。
中空誘電体板１の中空部３に充填されているガスの密度は、ガス密度調整装置２１によって調整される。
中空誘電体板１の中空部３に発生するプラズマの密度分布は、電界分布以外に、ガスの密度分布にも依存する。
したがって、ガス密度調整装置２１がガスの密度を調整して、陽光柱と呼ばれる内部のプラズマ密度が一定の領域を広げることで、中空部３に発生するプラズマの密度をさらに均一化することができる。
このような構造とすることにより、上記実施の形態１〜３と比較して、プラズマ周波数ｆ_p以下の周波数の電磁波に対して、プラズマをさらに一様な密度分布を持つ金属板とみなすことができる。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

１中空誘電体板（誘電体ケース）、２スロット（穴）、３中空部、４金属板（導体板）、５スロット（穴）、６電極、７金属線、８導体壁、２１ガス密度調整装置、２２接続孔、２３配管、１０１ＦＳＳ、１０２単位素子、１０３誘電体、１０４制御装置、１０５誘電体基板、１０６ａ，１０６ｂ単位素子、１０７バイアス回路、１０８ダイオード。

Claims

一面に複数の穴が規則的に空けられており、ガスが中空部に充填されている誘電体ケースと、
上記誘電体ケースの一面に空けられている穴より大きな穴が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数の穴が、上記誘電体ケースの一面に空けられている複数の穴を包含する位置において、上記誘電体ケースの内面に貼り付けられている導体板と、
上記導体板と接触しない位置で、上記誘電体ケースの中空部に設置されている２つの電極とを備え、
上記電極が電源に接続されていることを特徴とする周波数選択板。
一面に複数の穴が規則的に空けられており、ガスが中空部に充填されている誘電体ケースと、
上記誘電体ケースの一面に空けられている穴より大きな穴が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数の穴が、上記誘電体ケースの一面に空けられている複数の穴を包含する位置において、上記誘電体ケースの内面に貼り付けられている導体板と、
上記導体板が張り付けられている上記誘電体ケースの内面と直交する面を囲むように、上記誘電体ケースの中空部に設置されている導体壁とを備え、
上記導体板と上記導体壁が電源に接続されていることを特徴とする周波数選択板。
二つの面に複数の穴が規則的に空けられており、ガスが中空部に充填されている誘電体ケースと、
上記誘電体ケースの一方の面に空けられている穴より大きな穴が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数の穴が、上記誘電体ケースの一方の面に空けられている複数の穴を包含する位置において、上記誘電体ケースの内面に貼り付けられている第１の導体板と、
上記誘電体ケースの他方の面に空けられている穴より大きな穴が規則的に空けられており、規則的に空けられている複数の穴が、上記誘電体ケースの他方の面に空けられている複数の穴を包含する位置において、上記誘電体ケースの内面に貼り付けられている第２の導体板とを備え、
上記第１の導体板と上記第２の導体板が電源に接続されていることを特徴とする周波数選択板。
ガスの密度を調整するガス密度調整装置が配管を通じて誘電体ケースの中空部と接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の周波数選択板。