JP5833948B2 - Resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

Resist composition and method for producing resist pattern Download PDF

Info

Publication number
JP5833948B2
JP5833948B2 JP2012033547A JP2012033547A JP5833948B2 JP 5833948 B2 JP5833948 B2 JP 5833948B2 JP 2012033547 A JP2012033547 A JP 2012033547A JP 2012033547 A JP2012033547 A JP 2012033547A JP 5833948 B2 JP5833948 B2 JP 5833948B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
formula
carbon atoms
resin
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012033547A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012190013A (en
Inventor
市川 幸司
幸司 市川
釜淵 明
明 釜淵
亨柱 金
亨柱 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2012033547A priority Critical patent/JP5833948B2/en
Publication of JP2012190013A publication Critical patent/JP2012190013A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5833948B2 publication Critical patent/JP5833948B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。   The present invention relates to a resist composition, a method for producing a resist pattern using the resist composition, and the like.

特許文献1には、式(u−A)で表される構造単位及び式(u−B)で表される構造単位からなる樹脂と、式(u−C)で表される構造単位、式(u−D)で表される構造単位及び式(u−B)で表される構造単位からなる樹脂と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物が記載されている。

Figure 0005833948
In Patent Document 1, a resin composed of a structural unit represented by the formula (u-A) and a structural unit represented by the formula (u-B), a structural unit represented by the formula (u-C), and a formula A resist composition containing a resin composed of a structural unit represented by (u-D) and a structural unit represented by formula (u-B), an acid generator, and a solvent is described.
Figure 0005833948

特開2010−197413号公報JP 2010-197413 A

従来のレジスト組成物によって形成したレジストパターンにおいては、CD(Critical Dimension)均一性が必ずしも満足できない場合や、欠陥の発生数が極めて多い場合があった。   In a resist pattern formed by a conventional resist composition, CD (Critical Dimension) uniformity may not always be satisfied, or the number of defects generated may be extremely large.

本発明は、以下の発明を含む。
[1](A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、
(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び、
(B)酸発生剤を含有するレジスト組成物。

Figure 0005833948
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
Figure 0005833948
[式(II)中、
環Tは、置換基を有していてもよい炭素数3〜34のスルトン環を表す。
は、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルカンジイル基又は式(a−1)で表される基を表す。
Figure 0005833948
(式(a−1)中、
sは0又は1の整数を表す。
10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、イミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニルイミノ基又はイミノカルボニル基を表す。
10、A11及びA12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。ただし、A10、A11及びA12の炭素数の合計は6以下である。)
は、単結合又はカルボニル基を表す。
は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。]
[2]式(I)におけるR2が、炭素数1〜6のフッ化アルキル基である[1]記載のレジスト組成物。
[3]式(I)におけるAが、炭素数2〜4のアルカンジイル基である[1]又は[2]記載のレジスト組成物。
[4]式(II)におけるTが、多環式のスルトン環である[1]〜[3]のいずれか記載のレジスト組成物。
[5]式(II)におけるTが、式(T1)で表される環である[1]〜[4]のいずれか記載のレジスト組成物。
Figure 0005833948
[式(T1)中、
は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキシ基、シアノ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシドキシ基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基あるいは炭素数2〜4のアシル基を表す。
mは、0〜11である。
*は、酸素原子との結合手を表す。]
[6]式(II)におけるZが、カルボニル基である[1]〜[5]のいずれか記載のレジスト組成物。
[7]式(II)におけるZが、メチレン基である[1]〜[6]のいずれか記載のレジスト組成物。
[8]さらに溶剤を含有する上記[1]〜[7]のいずれか記載のレジスト組成物。
[9](1)上記[1]〜[8]のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] (A1) a resin having a structural unit represented by formula (I),
(A2) a resin having a structural unit represented by the formula (II), insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid;
(B) A resist composition containing an acid generator.
Figure 0005833948
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]
Figure 0005833948
[In the formula (II),
Ring T 1 represents a C3-C34 sultone ring which may have a substituent.
Z 1 represents a C1-C6 alkanediyl group which may have a substituent or a group represented by the formula (a-1).
Figure 0005833948
(In the formula (a-1),
s represents an integer of 0 or 1.
X 10 and X 11 each independently represent an oxygen atom, an imino group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a carbonylimino group or an iminocarbonyl group.
A 10 , A 11 and A 12 each independently represent a C 1-5 divalent aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent. However, the total number of carbon atoms of A 10 , A 11 and A 12 is 6 or less. )
Z 2 represents a single bond or a carbonyl group.
R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom. ]
[2] The resist composition according to [1], wherein R 2 in formula (I) is a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
[3] The resist composition according to [1] or [2], wherein A 1 in formula (I) is an alkanediyl group having 2 to 4 carbon atoms.
[4] The resist composition according to any one of [1] to [3], wherein T 1 in formula (II) is a polycyclic sultone ring.
[5] The resist composition according to any one of [1] to [4], wherein T 1 in formula (II) is a ring represented by formula (T1).
Figure 0005833948
[In the formula (T1),
R 4 is a C 1-12 alkyl group optionally having a halogen atom or a hydroxy group, a halogen atom, a hydroxy group, an oxy group, a cyano group, a C 1-12 alkoxy group, a C 6-12 12 represents an aryl group having 7 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, a glycidoxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms.
m is 0-11.
* Represents a bond with an oxygen atom. ]
[6] The resist composition according to any one of [1] to [5], wherein Z 2 in formula (II) is a carbonyl group.
[7] The resist composition according to any one of [1] to [6], wherein Z 1 in formula (II) is a methylene group.
[8] The resist composition according to any one of [1] to [7], further containing a solvent.
[9] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [8] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising: a step of heating the composition layer after exposure; and (5) a step of developing the composition layer after heating.

本発明は、さらに以下の発明を含む。
[10]式(I)におけるA1が、エチレン基である[1]又は[2]記載のレジスト組成物。
The present invention further includes the following inventions.
[10] The resist composition according to [1] or [2], wherein A 1 in formula (I) is an ethylene group.

本発明のレジスト組成物によれば、CD均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造することができる。   According to the resist composition of the present invention, a resist pattern with good CD uniformity and few defects can be produced.

本明細書では、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 In this specification, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having the structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " To do. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
(A)樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)及び、
(B)酸発生剤(以下「酸発生剤(B)という場合がある」を含有する。
ここで、樹脂(A)は以下の樹脂を含む。
(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、
(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂。
本発明のレジスト組成物は、さらに(E)溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある)を含有していることが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物(C)を含有していることが好ましい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
(A) resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and
(B) An acid generator (hereinafter may be referred to as “acid generator (B)”).
Here, the resin (A) includes the following resins.
(A1) a resin having a structural unit represented by formula (I),
(A2) A resin having a structural unit represented by the formula (II), insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid.
The resist composition of the present invention preferably further contains (E) a solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (E)”).
The resist composition of the present invention preferably further contains a basic compound (C).

〈樹脂(A)〉
本発明のレジスト組成物に含有されている樹脂(A)は、上述した樹脂(A1)及び(A2)を含み、後述するような、樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂が含まれていてもよい。
<Resin (A)>
The resin (A) contained in the resist composition of the present invention includes the resins (A1) and (A2) described above, and includes resins other than the resins (A1) and (A2) as described later. May be.

〈樹脂(A1)〉
樹脂(A1)は、式(I)で表される構造単位(以下「構造単位(I)」という場合がある)を有する。

Figure 0005833948
[式(I)中、
1は、水素原子又はメチル基を表す。
1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。] <Resin (A1)>
The resin (A1) has a structural unit represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I)”).
Figure 0005833948
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]

式(I)において、A1のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;1−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、1−メチルブタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。 In the formula (I), as the alkanediyl group of A 1 , methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane- Linear alkanediyl groups such as 1,5-diyl group and hexane-1,6-diyl group; 1-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2- Examples thereof include branched alkanediyl groups such as methylpropane-1,2-diyl group, 1-methylbutane-1,4-diyl group, and 2-methylbutane-1,4-diyl group.

2の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせを含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。
The hydrocarbon group for R 2 includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group, and the aliphatic hydrocarbon group includes a chain type, a cyclic type, and a combination thereof. As the aliphatic hydrocarbon group, an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group are preferable.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. .
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a methyl group. Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, and cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, and norbornyl. Group, methylnorbornyl group and isobornyl group.

2のフッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
具体的には、フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1−ビス(トリフルオロ)メチル−2,2,2−トリフルオロエチル基、2−(ペルフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2−(ペルフルオロブチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group having a fluorine atom for R 2 include an alkyl group having a fluorine atom and an alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom.
Specifically, as the alkyl group having a fluorine atom, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, Perfluoroethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl) -1,2 , 2,2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, 1,1,2, 2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1-bis (trifluoro) methyl-2,2,2-trifluoroethyl group, 2- (perfluoro (Ropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5- Decafluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, perfluoropentyl group, 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 1,1,2, 2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorohexyl group, perfluoropentyl Examples thereof include fluorinated alkyl groups such as a methyl group and a perfluorohexyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom include fluorinated cycloalkyl groups such as a perfluorocyclohexyl group and a perfluoroadamantyl group.

式(I)においては、A1は、炭素数2〜4のアルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
2としては、炭素数1〜6のフッ化アルキル基が好ましい。
構造単位(I)としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
In formula (I), A 1 is preferably an alkanediyl group having 2 to 4 carbon atoms, more preferably an ethylene group.
R 2 is preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Examples of the structural unit (I) include the following.
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

上記の構造単位において、Rに相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(I)の具体例として挙げることができる。 In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 1 is replaced by a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (I).

構造単位(I)は、式(I’)で表される化合物(以下、「化合物(I’)」という場合がある)から誘導される。

Figure 0005833948
[式(I’)中、R1、A1及びR2は、上記と同じ意味を表す。] The structural unit (I) is derived from a compound represented by the formula (I ′) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I ′)”).
Figure 0005833948
[In formula (I ′), R 1 , A 1 and R 2 represent the same meaning as described above. ]

化合物(I’)は、例えば以下の反応により製造することができる。

Figure 0005833948
[式中、R1、A1及びR2は、上記と同じ意味を表す。]
式(I’−1)で表される化合物と式(I’−2)で表される化合物とを、塩基性触媒の存在下で反応させることにより、化合物(I’)が得られる。この反応は、通常、溶媒の存在下で行われ、溶媒としては、テトラヒドロフランなどが用いられる。塩基性触媒としては、ピリジンなどを用いればよい。
式(I’−1)で表される化合物としては、市販品が挙げられる。市販品としては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられる。
式(I’−2)で表される化合物は、Rの種類に応じて、対応するカルボン酸を無水物へと変換することで得ることができる。市販品としては、ヘプタフルオロ酪酸無水物などが挙げられる。 Compound (I ′) can be produced, for example, by the following reaction.
Figure 0005833948
[Wherein R 1 , A 1 and R 2 represent the same meaning as described above. ]
Compound (I ′) is obtained by reacting the compound represented by formula (I′-1) with the compound represented by formula (I′-2) in the presence of a basic catalyst. This reaction is usually performed in the presence of a solvent, and tetrahydrofuran or the like is used as the solvent. As the basic catalyst, pyridine or the like may be used.
A commercial item is mentioned as a compound represented by a formula (I'-1). Examples of commercially available products include hydroxyethyl methacrylate.
The compound represented by the formula (I′-2) can be obtained by converting the corresponding carboxylic acid into an anhydride depending on the type of R 2 . Commercially available products include heptafluorobutyric anhydride.

樹脂(A1)は、構造単位(I)と異なる構造単位を有していてもよい。
構造単位(I)とは異なる構造単位としては、後述する酸不安定構造単位(a1)、後述する酸安定モノマーに由来する構造単位、式(IIIA)で表される構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位、後述する式(II)で表される構造単位等が挙げられる。好ましくは式(IIIA)で表される構造単位である。
The resin (A1) may have a structural unit different from the structural unit (I).
As the structural unit different from the structural unit (I), an acid labile structural unit (a1) described later, a structural unit derived from an acid stable monomer described later, a structural unit represented by the formula (IIIA), and used in this field And a structural unit derived from a known monomer, a structural unit represented by the formula (II) described later, and the like. A structural unit represented by the formula (IIIA) is preferable.

Figure 0005833948
[式(IIIA)中、
11は、水素原子又はメチル基を表す。
環Wは、炭素数6〜10の炭化水素環を表す。
12は、−O−、−CO−O−又は−O−CO−(は環Wとの結合手を表す)を表す。
12は、フッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
Figure 0005833948
[In the formula (IIIA),
R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group.
Ring W 2 represents a hydrocarbon ring having 6 to 10 carbon atoms.
A 12 represents —O—, * —CO—O—, or * —O—CO— ( * represents a bond to ring W 1 ).
R 12 represents a C 1-6 alkyl group having a fluorine atom. ]

炭化水素環としては、例えば、脂環式炭化水素環が挙げられ、好ましくは、飽和の脂環式炭化水素環である。
飽和の脂環式炭化水素環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

Figure 0005833948
As a hydrocarbon ring, an alicyclic hydrocarbon ring is mentioned, for example, Preferably, it is a saturated alicyclic hydrocarbon ring.
Examples of the saturated alicyclic hydrocarbon ring include the following rings.
Figure 0005833948

環Wとしては、例えば、アダマンタン環又はシクロヘキサン環が好ましく、アダマンタン環がより好ましい。
12のフッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、上述したフッ化アルキル基及び下記の基が挙げられる。

Figure 0005833948
As the ring W 2 , for example, an adamantane ring or a cyclohexane ring is preferable, and an adamantane ring is more preferable.
The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and having a fluorine atom in R 12, for example, fluorinated alkyl groups and the following groups mentioned above.
Figure 0005833948

式(IIIA)で表される構造単位としては、例えば、以下で表される構造単位が好ましい。

Figure 0005833948
上記の構造単位において、R11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(IIIA)の具体例として挙げることができる。
中でも、式(IIIA−1)で表される構造単位又はR11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が特に好ましい。 As the structural unit represented by the formula (IIIA), for example, the structural unit represented by the following is preferable.
Figure 0005833948
In the structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (IIIA).
Among these, a structural unit represented by the formula (IIIA-1) or a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 is replaced with a hydrogen atom is particularly preferable.

樹脂(A1)中の構造単位(I)の含有割合は、樹脂(A1)の全構造単位に対して、5〜100モル%の範囲が好ましく、10〜100モル%の範囲がより好ましく、50〜100モル%の範囲がさらに好ましく、80〜100モル%の範囲がとりわけ好ましく、実質的に構造単位(I)のみであることが特に好ましい。構造単位(I)の含有割合が前記の範囲内であると、優れたCD均一性を有するとともに、特に、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できる。
樹脂(A1)が構造単位(IIIA)を有する場合、樹脂(A1)中の構造単位(IIIA)の含有割合は、樹脂(A1)の全構造単位に対して、1〜95モル%の範囲が好ましく、2〜80モル%の範囲がより好ましく、5〜70モル%の範囲がさらに好ましく、5〜50モル%の範囲がとりわけ好ましく、5〜30モル%の範囲が特に好ましい。
このような含有割合で構造単位(I)及び/又は(IIIA)を有する樹脂(A1)は、樹脂(A1)製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物(I’)、構造単位(III)を誘導するモノマーの使用モル量を調節することにより製造することができる。
The content ratio of the structural unit (I) in the resin (A1) is preferably in the range of 5 to 100 mol%, more preferably in the range of 10 to 100 mol%, based on all the structural units of the resin (A1). The range of ˜100 mol% is further preferred, the range of 80˜100 mol% is particularly preferred, and it is particularly preferred that only substantially the structural unit (I) is present. When the content ratio of the structural unit (I) is within the above range, it is possible to produce a resist pattern that has excellent CD uniformity and particularly has few defects.
When the resin (A1) has the structural unit (IIIA), the content ratio of the structural unit (IIIA) in the resin (A1) is in the range of 1 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A1). The range of 2 to 80 mol% is more preferable, the range of 5 to 70 mol% is more preferable, the range of 5 to 50 mol% is particularly preferable, and the range of 5 to 30 mol% is particularly preferable.
Resin (A1) having structural units (I) and / or (IIIA) in such a content ratio is compound (I ′), structural unit (III) relative to the total molar amount of all monomers used in the production of resin (A1). It can be produced by adjusting the molar amount of the monomer used for deriving.

樹脂(A1)を構成する各構造単位(I)及び/又は(IIIA)は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて、さらに、任意に、後述する酸不安定構造単位(a1)、酸安定モノマー及び当該分野で公知のモノマーから誘導される構造単位の1種以上を組み合わせて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A1)の重量平均分子量は、好ましくは、5,000以上(より好ましくは7,000以上、さらに好ましくは10,000以上)、80,000以下(より好ましくは50,000以下、さらに好ましくは30,000以下)である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。
Each structural unit (I) and / or (IIIA) constituting the resin (A1) is a single type or a combination of two or more types, and optionally, an acid labile structural unit (a1) described later, an acid stable It can be produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) by combining a monomer and one or more structural units derived from monomers known in the art.
The weight average molecular weight of the resin (A1) is preferably 5,000 or more (more preferably 7,000 or more, more preferably 10,000 or more), 80,000 or less (more preferably 50,000 or less, further preferably Is 30,000 or less). A weight average molecular weight is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis, and the detailed analysis conditions of this analysis are explained in full detail in the Example of this application.

〈樹脂(A2)〉
樹脂(A2)は、式(II)で表される構造単位(以下「構造単位(II)」という場合がある)を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る。

Figure 0005833948
[式(II)中、
環Tは、置換基を有していてもよい炭素数3〜34のスルトン環を表す。
は、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルカンジイル基又は式(a−1)で表される基を表す。
Figure 0005833948
(式(a−1)中、
sは0又は1の整数を表す。
10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、イミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニルイミノ基又はイミノカルボニル基を表す。
10、A11及びA12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。ただし、A10、A11及びA12の炭素数の合計は6以下である。)
は、単結合又はカルボニル基を表す。
は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。] <Resin (A2)>
The resin (A2) has a structural unit represented by the formula (II) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (II)”), is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and is alkaline aqueous solution by the action of an acid. Can be dissolved.
Figure 0005833948
[In the formula (II),
Ring T 1 represents a C3-C34 sultone ring which may have a substituent.
Z 1 represents a C1-C6 alkanediyl group which may have a substituent or a group represented by the formula (a-1).
Figure 0005833948
(In the formula (a-1),
s represents an integer of 0 or 1.
X 10 and X 11 each independently represent an oxygen atom, an imino group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a carbonylimino group or an iminocarbonyl group.
A 10 , A 11 and A 12 each independently represent a C 1-5 divalent aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent. However, the total number of carbon atoms of A 10 , A 11 and A 12 is 6 or less. )
Z 2 represents a single bond or a carbonyl group.
R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom. ]

ここで、「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、樹脂(A2)が、酸不安定基(以下「酸不安定基」という場合がある)を有し、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。
樹脂(A2)は、さらに、構造単位(II)とは異なる構造単位を有し、この異なる構造単位が酸不安定基を有する。つまり、樹脂(A2)は、構造単位(II)に加えて、酸不安定基を有するモノマー(以下「酸不安定モノマー(a1)」という場合がある)に由来する構造単位(以下「酸不安定構造単位(a1)」という場合がある)を有する。
また、樹脂(A2)は、上述した性質を備える限り、酸に不安定な基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)に由来する構造単位、当該分野で公知のモノマーから誘導される構造単位、上述した構造単位(I)及び式(IIIA)で表される構造単位を含んでいてもよい。
樹脂(A2)は、樹脂(A1)と互いに異なる別個の樹脂であってもよいし、式(I)で表される構造単位及び式(II)で表される構造単位を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であってもよい。
Here, “can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid” means that the resin (A2) has an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile group”) and is in contact with an acid. Means insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, but becomes soluble in an alkaline aqueous solution after contact with an acid.
The resin (A2) further has a structural unit different from the structural unit (II), and this different structural unit has an acid labile group. That is, the resin (A2) includes a structural unit derived from a monomer having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile monomer (a1)”) in addition to the structural unit (II). Stable structural unit (a1) ”.
In addition, as long as the resin (A2) has the above-described properties, the resin (A2) is a structural unit derived from a monomer having no acid-labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer”), a monomer known in the art And the structural unit represented by the structural unit (I) and the formula (IIIA) described above may be included.
The resin (A2) may be a different resin different from the resin (A1), or has a structural unit represented by the formula (I) and a structural unit represented by the formula (II), and an alkali. A resin that is insoluble or hardly soluble in an aqueous solution and can be dissolved in an alkaline aqueous solution by the action of an acid may be used.

式(II)の環Tにおけるスルトン環とは、環を構成する原子団として、−SO−O−を含む環をいう。
スルトン環としては、例えば、以下の式(T−1)、式(T−2)、式(T−3)及び式(T−4)のいずれかで表される環が挙げられる。スルトン環は、単環式であってもよいが、多環式であることが好ましい。多環式のスルトン環とは、環を構成する原子団として−SO−O−を含む縮合環をいう。なお、スルトン環は、式(T−2)で表される環のように、環を構成する原子団として、−SO−O−以外に、さらにヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子が挙げられ、なかでも、好ましくは酸素原子である。

Figure 0005833948
スルトン環が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキシ基、シアノ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシジルオキシ基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基あるいは炭素数2〜4のアシル基等が挙げられる。 The sultone ring in the ring T 1 of the formula (II) refers to a ring containing —SO 2 —O— as an atomic group constituting the ring.
Examples of the sultone ring include rings represented by any of the following formulas (T 1 -1), (T 1 -2), (T 1 -3), and (T 1 -4). It is done. The sultone ring may be monocyclic but is preferably polycyclic. The polycyclic sultone ring refers to a condensed ring containing —SO 2 —O— as an atomic group constituting the ring. Incidentally, sultone ring, as the ring represented by the formula (T 1 -2), as an atomic group forming a ring, other than -SO 2 -O-, may contain a further hetero atom. Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom, and among them, an oxygen atom is preferable.
Figure 0005833948
Examples of the substituent that the sultone ring may have include an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms that may have a halogen atom or a hydroxy group, a halogen atom, a hydroxy group, an oxy group, a cyano group, and 1 carbon atom. -12 alkoxy group, C6-C12 aryl group, C7-C12 aralkyl group, glycidyloxy group, C2-C12 alkoxycarbonyl group or C2-C4 acyl group. .

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
ハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基等が挙げられる。
ヒドロキシ基を有するアルキル基は、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基などが挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基がさらに結合した基が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などが挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.
Examples of the alkyl group having a halogen atom include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl group, A trichloromethyl group, a tribromomethyl group, a triiodomethyl group, etc. are mentioned.
Examples of the alkyl group having a hydroxy group include a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Aryl groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl, phenanthryl. Group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl and the like.
Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include groups in which a carbonyl group is further bonded to an alkoxy group such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.

式(T−1)〜式(T−4)においては、アルキル基は、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、メチル基が好ましい。
ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有するアルキル基としては、好ましくは、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びトリフルオロメチル基等である。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数6以下が好ましく、メトキシカルボニル基がさらに好ましい。
なお、スルトン環としては、構造単位(II)を誘導し得る化合物の製造が容易であるという観点から、上述した置換基を有さないスルトン環が好ましい。
In the formula (T 1 -1) to the formula (T 1 -4), the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and is preferably a methyl group.
The alkyl group having a halogen atom or a hydroxy group is preferably a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a trifluoromethyl group, or the like.
The alkoxycarbonyl group preferably has 6 or less carbon atoms, and more preferably a methoxycarbonyl group.
In addition, as a sultone ring, the sultone ring which does not have a substituent mentioned above from a viewpoint that manufacture of the compound which can derive | lead-out structural unit (II) is easy is preferable.

環Tとしては、以下の式(T1’)で表される基が好ましい。

Figure 0005833948
[式(T1’)中、
12は、酸素原子、硫黄原子又はメチレン基を表す。
は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキシ基、シアノ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシジルオキシ基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基あるいは炭素数2〜4のアシル基を表す。
m’は、0〜10である。
*は、酸素原子との結合手を表す。] The ring T 1 is preferably a group represented by the following formula (T1 ′).
Figure 0005833948
[In the formula (T1 ′),
Z 12 represents an oxygen atom, a sulfur atom or a methylene group.
R 4 is a C 1-12 alkyl group optionally having a halogen atom or a hydroxy group, a halogen atom, a hydroxy group, an oxy group, a cyano group, a C 1-12 alkoxy group, a C 6-12 12 represents an aryl group having 12 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, a glycidyloxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms.
m ′ is 0-10.
* Represents a bond with an oxygen atom. ]

12は、好ましくは酸素原子又はメチレン基であり、メチレン基がより好ましい。
つまり、環Tとしては、式(T1)で表される基がより好ましい。

Figure 0005833948
[式(T1)中、
は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキシ基、シアノ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシドジルオキシ基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基あるいは炭素数2〜4のアシル基を表す。
mは、0〜11である。
*は、酸素原子との結合手を表す。] Z 12 is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.
That is, the ring T 1 is more preferably a group represented by the formula (T1).
Figure 0005833948
[In the formula (T1),
R 4 is a C 1-12 alkyl group optionally having a halogen atom or a hydroxy group, a halogen atom, a hydroxy group, an oxy group, a cyano group, a C 1-12 alkoxy group, a C 6-12 It represents a 12 aryl group, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, a glycidyloxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms.
m is 0-11.
* Represents a bond with an oxygen atom. ]

なお、式(T1’)及び式(T1)においては、m及びm’は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。   In the formula (T1 ′) and the formula (T1), m and m ′ are preferably 0 or 1, and more preferably 0.

式(T1’)及び式(T1)としては、例えば、以下の基が挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the formula (T1 ′) and the formula (T1) include the following groups.
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
のアルカンジイル基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げられる。
基(a−1)は、X10及びX11のように、酸素原子、イミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニルイミノ基又はイミノカルボニル基等の原子又は原子団を含む。
基(a−1)におけるA10、A11及びA12の2価の脂肪族炭化水素基としては、アルカンジイル基が挙げられる。この2価の脂肪族炭化水素基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げられる。
なお、以下に示す基(a−1)の具体例においては、その左右を式(II)に合わせて記載しており、左側でS原子と結合し、右側でZと結合することを示す。
Examples of the alkanediyl group of Z 1 include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane-1,5-diyl group. , A straight-chain alkanediyl group such as hexane-1,6-diyl group; butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group And branched alkanediyl groups such as pentane-1,4-diyl group and 2-methylbutane-1,4-diyl group.
Examples of the substituent for the alkanediyl group of Z 1 include a hydroxy group and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
The group (a-1) includes an atom or an atomic group such as an oxygen atom, an imino group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a carbonylimino group, or an iminocarbonyl group, as in X 10 and X 11 .
Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group represented by A 10 , A 11, and A 12 in the group (a-1) include alkanediyl groups. Examples of the substituent in the divalent aliphatic hydrocarbon group include a hydroxy group and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
In the specific example of the group (a-1) shown below, the right and left sides are described in accordance with the formula (II), which indicates that the left side is bonded to the S atom and the right side is bonded to Z 2. .

酸素原子を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having an oxygen atom,
Figure 0005833948
Etc.

イミノ基を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having an imino group,
Figure 0005833948
Etc.

カルボニル基を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having a carbonyl group,
Figure 0005833948
Etc.

カルボニルオキシ基を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having a carbonyloxy group,
Figure 0005833948
Etc.

オキシカルボニル基を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having an oxycarbonyl group,
Figure 0005833948
Etc.

カルボニルイミノ基を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having a carbonylimino group,
Figure 0005833948
Etc.

イミノカルボニル基を有する基(a−1)としては、

Figure 0005833948
などが挙げられる。 As the group (a-1) having an iminocarbonyl group,
Figure 0005833948
Etc.

構造単位(II)においては、Zは、炭素数1〜6のアルカンジイル基が好ましく、炭素数1〜4のアルカンジイル基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
は、カルボニル基が好ましい。
は、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。
In the structural unit (II), Z 1 is preferably an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, and further preferably a methylene group.
Z 2 is preferably a carbonyl group.
R 3 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

構造単位(II)の具体例を以下に示す。

Figure 0005833948
Specific examples of the structural unit (II) are shown below.
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
式(aa−1)〜式(aa−24)のいずれかで表される構造単位(II)の具体例において、以下に示す部分構造(M)を、以下に示す部分構造(A1)に置き換えたものも構造単位(II)の具体例として挙げることができる。
Figure 0005833948
Figure 0005833948
In the specific example of the structural unit (II) represented by any one of the formulas (aa-1) to (aa-24), the partial structure (M) shown below is replaced with the partial structure (A1) shown below. Can also be mentioned as specific examples of the structural unit (II).
Figure 0005833948

構造単位(II)は、以下の式(II’)で表される化合物(以下「化合物(II’)という」から誘導される。

Figure 0005833948
[式(II’)中の符号はいずれも、前記と同義である。] The structural unit (II) is derived from a compound represented by the following formula (II ′) (hereinafter referred to as “compound (II ′)”).
Figure 0005833948
[All the symbols in formula (II ′) have the same meanings as described above. ]

化合物(II’)は、以下の製造方法又はこれに準じた方法によって製造することができる。
化合物(II’)のうち、Xが酸素原子、Zがカルボニル基である化合物(aa1)は、式(aa1−a)で表される化合物と式(aa1−b)で表される化合物とを、脱水結合剤及び塩基触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。
ここで用いる脱水結合剤としては、1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカルボジイミド塩酸塩が好ましい。塩基触媒とは、ジメチルアミノピリジンを用いることが好ましい。溶剤としては、テトラヒドロフランが好ましく用いられる。

Figure 0005833948
Compound (II ′) can be produced by the following production method or a method analogous thereto.
Among the compounds (II ′), the compound (aa1) in which X 2 is an oxygen atom and Z 1 is a carbonyl group is a compound represented by the formula (aa1-a) and a compound represented by the formula (aa1-b) Can be obtained by reacting in a solvent in the presence of a dehydrating binder and a base catalyst.
The dehydrating binder used here is preferably 1- (3-dimethylaminopropyl) -3-ethylcarbodiimide hydrochloride. As the base catalyst, dimethylaminopyridine is preferably used. Tetrahydrofuran is preferably used as the solvent.
Figure 0005833948

化合物(aa1−b)としては、上述の式(T−1)〜式(T−4)のいずれかで表される環において、これらの環を構成する水素原子の1つがヒドロキシ基に置換された化合物などが挙げられる。このように化合物(aa1−b)を選択すれば、種々のスルトン環を有する化合物(II)を製造することができる。
化合物(aa1−b)の代表例として、市場から容易に入手できるものを例示すると、以下に示すものが挙げられる。

Figure 0005833948
As the compound (aa1-b), in the ring represented by any of the above formulas (T 1 -1) to (T 1 -4), one of hydrogen atoms constituting these rings is a hydroxy group Examples include substituted compounds. Thus, if compound (aa1-b) is selected, compound (II) which has various sultone rings can be manufactured.
As typical examples of the compound (aa1-b), those readily available from the market are exemplified.
Figure 0005833948

化合物(aa1−a)は、公知の方法により製造することができる。例えば、式(aa1−c)で表される化合物と式(aa1−d)で表される化合物とを、塩基触媒の存在下、溶剤中で反応させる方法を挙げることができる。ここで用いる塩基触媒としてはトリエチルアミン、ジメチルアミノピリジンが好ましく、溶剤としては、アセトニトリルが好ましい。

Figure 0005833948
式(aa1−c)で表される化合物としては、チオグリコール酸などが挙げられる。このチオグリコール酸は市場から容易に入手できる。
式(aa1−d)で表される化合物としては、無水メタクリル酸などが挙げられる。この無水メタクリル酸は市場から容易に入手できる。 Compound (aa1-a) can be produced by a known method. For example, the method of making the compound represented by a formula (aa1-c) and the compound represented by a formula (aa1-d) react in a solvent in presence of a base catalyst can be mentioned. The base catalyst used here is preferably triethylamine or dimethylaminopyridine, and the solvent is preferably acetonitrile.
Figure 0005833948
Examples of the compound represented by the formula (aa1-c) include thioglycolic acid. This thioglycolic acid is readily available from the market.
Examples of the compound represented by the formula (aa1-d) include methacrylic anhydride. This methacrylic anhydride is readily available from the market.

以上のような製造方法から、種々の化合物(II’)を製造することができる。化合物(II’)としては、以下に示す化合物が挙げられる。

Figure 0005833948
Various compounds (II ′) can be produced from the production method as described above. Examples of the compound (II ′) include the compounds shown below.
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

構造単位(II)の含有割合は、樹脂(A2)の全構造単位(100モル%)に対して、2〜40モル%の範囲が好ましく、3〜35モル%の範囲がより好ましく、5〜30モル%の範囲がさらに好ましい。このような含有割合で構造単位(II)を有する樹脂(A2)は、樹脂(A2)製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物(II’)の使用モル量を調節することにより製造することができる。   The content of the structural unit (II) is preferably in the range of 2 to 40 mol%, more preferably in the range of 3 to 35 mol%, with respect to the total structural units (100 mol%) of the resin (A2). The range of 30 mol% is more preferable. Resin (A2) having structural unit (II) in such a content ratio is produced by adjusting the amount of compound (II ′) used relative to the total amount of all monomers used in the production of resin (A2). Can do.

〈酸不安定構造単位(a1)〉
「酸に不安定な基」とは、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基などが挙げられる。
<Acid unstable structural unit (a1)>
The “acid-labile group” means a group having a leaving group and leaving the leaving group upon contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

Figure 0005833948
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
Figure 0005833948
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び前記2価の炭化水素基に含まれる−CH−は、−O―又は―S−で置き換わってもよい。
Figure 0005833948
In Expression (1), R a1 ~R a3 each independently represent a cycloaliphatic hydrocarbon radical of the alkyl group or 3 to 20 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms, R a1 and R a2 are each Bonding to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
Figure 0005833948
[In formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-.

脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。

Figure 0005833948
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, and dimethylcyclohexane. Examples thereof include a cycloalkyl group such as a hexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, a methylnorbornyl group, and the following groups.
Figure 0005833948

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、例えば、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。

Figure 0005833948
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms.
Figure 0005833948

式(1)においては、Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。
式(1)で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。
In Formula (1), the alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.
Examples of the acid labile group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert- Butoxycarbonyl group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (Adamantan-1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

炭化水素基としては、上述したように、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
a2’及びRa3’が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、式(I)におけるRの炭化水素基から水素原子を1個取り去った基が挙げられる。
式(2)においては、Ra1’及びRa2’のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
式(2)で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group as described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include a group in which one hydrogen atom has been removed from the hydrocarbon group of R 2 in formula (I).
In the formula (2), it is preferable that at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups.
Figure 0005833948

酸不安定モノマー(a1)は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The acid labile monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and a carbon-carbon double bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマーを重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。   Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If a resin obtained by polymerizing an acid labile monomer having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist can be improved.

酸不安定基と脂環式炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーから誘導される構造単位(a1)として、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位又は式(a1−2)で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。以下、これら構造単位を、それぞれ、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)という場合がある。   As the structural unit (a1) derived from a (meth) acrylic monomer having an acid labile group and an alicyclic hydrocarbon group, the structural unit represented by the formula (a1-1) or the formula (a1- 2). These may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, these structural units may be referred to as a structural unit (a1-1) and a structural unit (a1-2), respectively.

Figure 0005833948
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
Figure 0005833948
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、上記と同様のものが挙げられる。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group for R a6 and R a7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group. The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group for R a6 and R a7 may be monocyclic or polycyclic, and examples thereof are the same as those described above.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

式(a1−1)で表される構造単位を誘導するとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a1−1−1)〜(a1−1−8)で表されるモノマーが好ましく、下式(a1−1−1)〜(a1−1−4)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 0005833948
Examples of deriving the structural unit represented by the formula (a1-1) include monomers described in JP2010-204646A. Monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-8) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a1-1-1) to (a1-1-4) are more preferred. .
Figure 0005833948

式(a1−2)で表される構造単位を誘導するモノマーとしては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。下式(a1−2−1)〜(a1−2−6)で表されるモノマーが好ましく、下式(a1−2−3)〜(a1−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a1−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 0005833948
Examples of the monomer for deriving the structural unit represented by the formula (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1- Examples include ethylcycloheptan-1-yl (meth) acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and the like. Monomers represented by the following formulas (a1-2-1) to (a1-2-6) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a1-2-3) to (a1-2-4) are more preferred. A monomer represented by the following formula (a1-2-3) is more preferable.
Figure 0005833948

樹脂(A2)が式(a1−1)で表される構造単位を誘導する及び/又は式(a1−2)で表される構造単位を誘導するに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When the resin (A2) contains a structural unit derived from deriving a structural unit represented by the formula (a1-1) and / or deriving a structural unit represented by the formula (a1-2), the sum of these Content rate is 10-95 mol% normally with respect to all the structural units of resin (A2), Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

他の構造単位(a1)を誘導するモノマーとしては、例えば、酸不安定基(2)を有する(メタ)アクリル系モノマーである式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。本発明のレジスト組成物に、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する樹脂(A2)を用いると、得られるレジストパターンは、欠陥の発生が少ない傾向がある。

Figure 0005833948
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
〜Lは、酸素原子、硫黄原子又は−O−(CH2k1−CO−O−で表される基を表す。ここで、k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手である。
1aは、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
s1及びs1’は、それぞれ独立して、0〜4の整数を表す。 Examples of the monomer for deriving the other structural unit (a1) include a monomer represented by the formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (2) (hereinafter referred to as “monomer (a1)”. −5) ”may be used. When the resin (A2) having a structural unit derived from the monomer (a1-5) is used for the resist composition of the present invention, the resulting resist pattern tends to have few defects.
Figure 0005833948
In formula (a1-5),
R 31 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
L 1 to L 3 represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—. Here, k1 represents an integer of 1 to 7, and * is a bond with a carbonyl group (—CO—).
Z 1a is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the methylene group contained in the alkanediyl group may be replaced with an oxy group or a carbonyl group.
s1 and s1 ′ each independently represents an integer of 0 to 4.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
は、酸素原子が好ましい。
及びLは、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であると好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
1aは、単結合又は−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 1 is preferably an oxygen atom.
One of L 2 and L 3 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z 1a is preferably a single bond or —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

Figure 0005833948
As a monomer (a1-5), the following monomers are mentioned, for example.
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

樹脂(A2)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂(A2)の全構造単位(100モル%)に対して、1〜50モル%の範囲が好ましく、3〜45モル%の範囲がより好ましく、5〜40モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A2) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content ratio is in the range of 1 to 50 mol% with respect to all the structural units (100 mol%) of the resin (A2). Is preferable, the range of 3-45 mol% is more preferable, and the range of 5-40 mol% is further more preferable.

〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という場合がある)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という場合がある)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。
<Acid stable monomer>
As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Acid-stable monomer having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or acid-stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid-stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit derived from (sometimes) is used, the resolution of the resist and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2−0)を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV light, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a phenolic hydroxy which is a hydroxystyrene. The acid-stable monomer (a2-0) having a group is used. When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1). use. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。

Figure 0005833948
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。 Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
Figure 0005833948
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer of 1-4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a2−1−1)〜(a2−1−6)で表されるモノマーが好ましく、下式(a2−1−1)〜(a2−1−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a2−1−1)又は(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 0005833948
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers represented by the following formulas (a2-1-1) to (a2-1-6) are preferred, and monomers represented by the following formulas (a2-1-1) to (a2-1-4) are more preferred. A monomer represented by the following formula (a2-1-1) or (a2-1-3) is more preferable.
Figure 0005833948

樹脂(A2)が式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常3〜40モル%であり、好ましくは5〜35モル%であり、より好ましくは5〜30モル%である。   When the resin (A2) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 3 to 40 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2). , Preferably it is 5-35 mol%, More preferably, it is 5-30 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

Figure 0005833948
式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。
p1が2以上のとき、複数のRa21は、同一でも異なってもよく、q1が2以上のとき、複数のRa22は、同一でも異なってもよく、r1が2以上のとき、複数のRa23は、同一でも異なってもよい。
Figure 0005833948
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3.
When p1 is 2 or more, the plurality of R a21 may be the same or different. When q1 is 2 or more, the plurality of R a22 may be the same or different. When r1 is 2 or more, a plurality of R a21 a23 may be the same or different.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are preferably each independently —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, More preferably, it is -O-. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式(a3−1−1)〜(a3−1−4)、(a3−2−1)〜(a3−2−4)、(a3−3−1)〜(a3−3−4)で表されるモノマーが好ましく、下式(a3−1−1)〜(a3−1−2)、(a3−2−3)〜(a3−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、下式(a3−1−1)又は(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. In the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-4), (a3-2-1) to (a3-2-4), (a3-3-1) to (a3-3-4) Monomers represented by the following formulas (a3-1-1) to (a3-1-2) and (a3-2-3) to (a3-2-4) are more preferred, A monomer represented by formula (a3-1-1) or (a3-2-3) is more preferable.

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

樹脂(A2)がラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは15〜60モル%である。   When the resin (A2) includes a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring, the content is usually 5 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2), Preferably it is 10-65 mol%, More preferably, it is 15-60 mol%.

樹脂(A2)が、酸不安定モノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位(a1)は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。
アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に酸不安定構造単位(a1−1))の含有率は、好ましくは酸不安定構造単位(a1)に対して15モル%以上である。アダマンチル基を有する構造単位の比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
When the resin (A2) is a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer, the structural unit (a1) derived from the acid labile monomer (a1) is 100 mol% of all structural units. On the other hand, it is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 60 mol%.
The content of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly, the acid labile structural unit (a1-1)) is preferably 15 mol% or more based on the acid labile structural unit (a1). When the ratio of the structural unit having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist is improved.

樹脂(A2)は、好ましくは、式(II’)で表されるモノマーと、酸不安定モノマー(a1)と、酸安定モノマーとの共重合体である。この共重合体において、酸不安定構造単位(a1)を誘導するモノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(構造単位(a1−1)を誘導するモノマー)及びシクロへキシル基を有するモノマー(構造単位(a1−2)を誘導するモノマー)の少なくとも1種(さらに好ましくはアダマンチル基を有する構造単位(a1−1)を誘導するモノマー)である。また、酸安定モノマーは、好ましくは、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)である。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。   The resin (A2) is preferably a copolymer of a monomer represented by the formula (II ′), an acid labile monomer (a1), and an acid stable monomer. In this copolymer, the monomer (a1) for deriving the acid labile structural unit (a1) is more preferably a monomer having an adamantyl group (a monomer for deriving the structural unit (a1-1)) and a cyclohexyl group. At least one monomer (more preferably a monomer that induces a structural unit (a1-1) having an adamantyl group). The acid stable monomer is preferably an acid stable monomer (a2) having a hydroxy group and / or an acid stable monomer (a3) having a lactone ring. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, and the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is more preferably a γ-butyrolactone ring. The acid-stable monomer (a3-1) and the acid-stable monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring.

樹脂(A2)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A2)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
樹脂(A1)及び樹脂(A2)は、樹脂(A)において、例えば、0.01:10〜5:10、好ましくは0.05:10〜3:10、より好ましくは0.1:10〜2:10、特に好ましくは0.2:10〜1:10(質量比)で含有されている。
Each structural unit constituting the resin (A2) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A2) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, further preferably 15,000 or less).
Resin (A1) and resin (A2) in resin (A) are, for example, 0.01: 10 to 5:10, preferably 0.05: 10 to 3:10, more preferably 0.1: 10. It is contained at 2:10, particularly preferably 0.2: 10 to 1:10 (mass ratio).

〈樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂〉
本発明のレジスト組成物には、上述した樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂、例えば、上述した酸不安定構造単位(a1)、酸安定モノマーに由来する構造単位の他、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂が含有されていてもよい。
本発明のレジスト組成物が、樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂を含む場合、これらの含有率は、本発明のレジスト組成物に含まれる樹脂(A)の合計量に対して、通常0.1〜50質量%であり、好ましくは0.5〜30質量%であり、より好ましくは1〜20質量%である。
本発明のレジスト組成物においては、樹脂の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中80質量%以上である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
<Resin other than resin (A1) and (A2)>
The resist composition of the present invention includes resins other than the above-described resins (A1) and (A2), for example, the above-described acid-labile structural unit (a1), structural units derived from an acid-stable monomer, A resin composed of a structural unit derived from a known monomer used may be contained.
When the resist composition of this invention contains resin other than resin (A1) and (A2), these content rates are normal with respect to the total amount of resin (A) contained in the resist composition of this invention. It is 0.1-50 mass%, Preferably it is 0.5-30 mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.
In the resist composition of the present invention, the resin content is preferably 80% by mass or more in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈酸発生剤(B)〉
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
<Acid generator (B)>
The acid generator (B) is classified into a nonionic type and an ionic type, and any of them may be used in the resist composition of the present invention. Nonionic acid generators include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonates), sulfones (e.g. disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. The ionic acid generator is typically an onium salt containing an onium cation (for example, diazonium salt, phosphonium salt, sulfonium salt, iodonium salt). Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

酸発生剤(B)としては、例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。   Examples of the acid generator (B) include JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029, U.S. Pat. No. 3,779,778, U.S. Pat. No. 3,849,137, German Patent 3914407, European Patent 126,712. A compound capable of generating an acid by radiation described in No. etc. can be used.

酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表されるスルホン酸塩である。   The acid generator (B) is preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably a sulfonate represented by the formula (B1).

Figure 0005833948
[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
Figure 0005833948
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group is replaced by —O— or —CO—. May be.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the alkyl group and the above —CH 2 — contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]

ペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式(B1)では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorosec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, a perfluoropentyl group, and a perfluorohexyl group. Can be mentioned.
In formula (B1), Q 1 and Q 2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイルに、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic saturated hydrocarbon group, and two or more of these groups. May be combined.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, etc.) is added to the linear alkanediyl. Those having a side chain, for example, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group Branched alkanediyl groups such as 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

b1の飽和炭化水素基に含まれる−CH−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−6)が挙げられる。なお、式(b1−1)〜式(b1−6)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、左側でC(Q1)(Q2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−6)の具体例も同様である。 Examples of the group in which —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group of L b1 is replaced by —O— or —CO— include formula (b1-1) to formula (b1-6). Incidentally, the formula (b1-1) ~ formula (b1-6) are described together the left and right in the equation (B1), the left C (Q 1) (Q 2 ) - bound to, the right side Combines with -Y. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-6).

Figure 0005833948
式(b1−1)〜式(b1−6)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。
b5は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16である。
b8は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
b9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は12である。
中でも、Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれか、より好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)、さらに好ましくは式(b1−1)で表される2価の基であり、特に好ましくは、Lb2が単結合又は−CH−である式(b1−1)で表される2価の基である。
Figure 0005833948
In formula (b1-1) to formula (b1-6),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b6 and L b7 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b6 and L b7 is 16.
L b8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b9 and L b10 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b9 and L b10 is 12.
Among them, L b1 is preferably any one of formula (b1-1) to formula (b1-4), more preferably formula (b1-1) or formula (b1-2), and still more preferably formula (b1-1). And particularly preferably a divalent group represented by the formula (b1-1) in which L b2 is a single bond or —CH 2 —.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.
Figure 0005833948

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.
Figure 0005833948

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.
Figure 0005833948

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.
Figure 0005833948

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.
Figure 0005833948

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.
Figure 0005833948

Yのアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜6のアルキル基が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す)などが挙げられる。
Yの置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。
As an alkyl group of Y, Preferably, a C1-C6 alkyl group is mentioned.
Examples of the substituent for the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group include a halogen atom, a hydroxy group, an oxo group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxy group-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and 3 carbon atoms. -16 alicyclic hydrocarbon group, C1-C12 alkoxy group, C6-C18 aromatic hydrocarbon group, C7-C21 aralkyl group, C2-C4 acyl group, glycidyl An oxy group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or 6 carbon atoms) Represents an aromatic hydrocarbon group of -18. J2 represents an integer of 0-4).
The alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, aralkyl group, and the like, which are substituents for Y, may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxy group, and an oxo group.

ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Examples of the hydroxy group-containing alkyl group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Examples of the aralkyl group include benzyl, phenethyl, phenylpropyl, trityl, naphthylmethyl group, naphthylethyl group and the like.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式(Y1)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。

Figure 0005833948
In particular, examples of the alicyclic hydrocarbon group for Y include groups represented by formulas (Y1) to (Y26).
Figure 0005833948

なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15) or formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0005833948
Examples of Y include the following.
Figure 0005833948

なお、Yがアルキル基であり、かつLb1が炭素数1〜17の2価の脂肪族炭化水素基である場合、Yと結合する該2価の脂肪族炭化水素基のメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていることが好ましい。この場合、Yのアルキル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わらない。 When Y is an alkyl group and L b1 is a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, the methylene group of the divalent aliphatic hydrocarbon group bonded to Y is oxygen It is preferably replaced by an atom or a carbonyl group. In this case, the methylene group constituting the alkyl group of Y is not replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.

Yは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは置換基(例えば、オキソ基、ヒドロキシ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, more preferably a substituent (for example, an oxo group, a hydroxy group, etc.). A good adamantyl group, more preferably an adamantyl group, a hydroxyadamantyl group or an oxoadamantyl group.

式(B1)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(b1−1−1)〜式(b1−1−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、符号の定義は上記と同じ意味であり、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。
式(B1)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
The sulfonate anion in the salt represented by the formula (B1) is preferably an anion represented by the formula (b1-1-1) to the formula (b1-1-1-9). In the following formulas, the definitions of the symbols have the same meaning as described above, and the substituents R b2 and R b3 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group).
Specific examples of the sulfonate anion in the salt represented by the formula (B1) include the anions described in JP 2010-204646 A.

Figure 0005833948
Figure 0005833948

酸発生剤(B)に含まれるカチオンは、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。   Examples of the cation contained in the acid generator (B) include organic onium cations such as organic sulfonium cation, organic iodonium cation, organic ammonium cation, benzothiazolium cation, and organic phosphonium cation, and preferably organic sulfonium cation. Or it is an organic iodonium cation, More preferably, it is an aryl sulfonium cation.

式(B1)中のZ+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表される。 Z + in formula (B1) is preferably represented by any of formula (b2-1) to formula (b2-4).

Figure 0005833948
Figure 0005833948

式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4〜Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基及び炭素数6〜18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を有していてもよい。
b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。m2が2以上のとき、複数のRb7は同一でも異なってもよく、n2が2以上のとき、複数のRb8は同一でも異なってもよい。
b9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜18のアルキル基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表すか、Rb9とRb10とは、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成する。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
b11は、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
b9〜Rb11のアルキル基は、好ましくは炭素数1〜12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜18、より好ましくは炭素数4〜12である。
b12は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
b11とRb12は、それらが結合する−CH−CO−とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよい。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
In formula (b2-1) to formula (b2-4),
R b4 to R b6 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and among these hydrocarbon groups, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and an alicyclic carbonization having 3 to 18 carbon atoms. A hydrogen group and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms are preferred. The alkyl group may have a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon group includes a halogen atom and a carbon number. The aromatic hydrocarbon group may have 2 to 4 acyl groups or glycidyloxy groups, and the aromatic hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an alicyclic group having 3 to 18 carbon atoms. You may have a hydrocarbon group or a C1-C12 alkoxy group.
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5. When m2 is 2 or more, the plurality of R b7 may be the same or different, and when n2 is 2 or more, the plurality of R b8 may be the same or different.
R b9 and R b10 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or R b9 and R b10 are a sulfur atom to which they are bonded. Together with each other to form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring). The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.
R b11 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
The alkyl group of R b9 to R b11 preferably has 1 to 12 carbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms.
R b12 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkylcarbonyloxy group having 1 to 12 carbon atoms. May be substituted.
R b11 and R b12 may form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with —CH—CO— to which they are bonded. The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.

b13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b11は、−S−又は−O−を表す。
o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2が2以上のとき、複数のRb13は同一でも異なってもよく、p2が2以上のとき、複数のRb14は同一でも異なってもよく、q2が2以上のとき、複数のRb15は同一でも異なってもよく、r2が2以上のとき、複数のRb16は同一でも異なってもよく、s2が2以上のとき、複数のRb17は同一でも異なってもよく、t2が2以上のとき、複数のRb18は、同一でも異なってもよい。
R b13 to R b18 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
L b11 represents -S- or -O-.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, the plurality of R b13 may be the same or different. When p2 is 2 or more, the plurality of R b14 may be the same or different. When q2 is 2 or more, the plurality of R b15 is When r2 is 2 or more, a plurality of R b16 may be the same or different. When s2 is 2 or more, a plurality of R b17 may be the same or different, and t2 is 2 or more. Sometimes, the plurality of R b18 may be the same or different.

アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

式(b2−1)〜式(b2−4)では、アルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、及びイソボルニル基が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、好ましくは、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基が挙げられる。
置換基が芳香族炭化水素基であるアルキル基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。
b9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
b11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
In the formulas (b2-1) to (b2-4), the alkyl group is preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, or a tert-butyl group. Group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group.
The alicyclic hydrocarbon group is preferably a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclodecyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, or 1- (adamantan-1-yl). ) Alkane-1-yl group and isobornyl group.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, or a biphenylyl group. And a naphthyl group.
Examples of the alkyl group (aralkyl group) whose substituent is an aromatic hydrocarbon group include a benzyl group.
Examples of the ring formed by R b9 and R b10 include a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium ring.
Examples of the ring formed by R b11 and R b12 include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、好ましくは、カチオン(b2−1)であり、より好ましくは、式(b2−1−1)で表されるカチオンであり、特に好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=0、x2=1であり、Rb21がメチル基である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。)である。 Among the cations (b2-1) to (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, and the cation represented by the formula (b2-1-1) is more preferable. Are triphenylsulfonium cations (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0), diphenyltolylsulfonium cations (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = 0, x2 = 1 And R b21 is a methyl group.) Or a tolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 1, and R b19 , R b20 and R b21 are all methyl. Group.)

Figure 0005833948
式(b2−1−1)中、
b19〜Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基、アルコキシ基及び脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。
v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。
v2が2以上のとき、複数のRb19は同一でも異なってもよく同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なってもよい同一又は相異なる。
なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。
Figure 0005833948
In formula (b2-1-1),
R b19 to R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or an alicyclic ring having 3 to 18 carbon atoms. The alkyl group, alkoxy group and alicyclic hydrocarbon group are a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, carbon It may be substituted with an acyl group or a glycidyloxy group of 2-4.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, a plurality of R b19 may be the same or different, and when w2 is 2 or more, a plurality of R b20 are the same or different, and when x2 is 2 or more, a plurality of R b19 b21 may be the same or different and may be the same or different.
Among them, R b19 , R b20 and R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is a group.

カチオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。   Specific examples of the cation include those described in JP2010-204646A.

酸発生剤(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが挙げられる。   The acid generator (B1) is a combination of the above-described sulfonate anion and organic cation. The above-mentioned anion and cation can be arbitrarily combined, and preferably a combination of any one of anion (b1-1-1) to anion (b1-1-9) and cation (b2-1-1), and A combination of any one of anions (b1-1-3) to (b1-1-5) and a cation (b2-3) may be mentioned.

酸発生剤(B1)としては、好ましくは、式(B1−1)〜式(B1−17)で表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤(B1−1)、(B1−2)、式(B1−3)、(B1−6)、式(B1−7)、(B1−11)、(B1−12)、(B1−13)及び(B1−14)が挙げられる。   The acid generator (B1) is preferably a salt represented by the formula (B1-1) to the formula (B1-17), more preferably an acid containing a triphenylsulfonium cation or a tolylsulfonium cation. Generator (B1-1), (B1-2), Formula (B1-3), (B1-6), Formula (B1-7), (B1-11), (B1-12), (B1-13) ) And (B1-14).

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

Figure 0005833948
Figure 0005833948

酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。
本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤(B)は、単独でも複数種の酸発生剤を含有していてもよい。
The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 30 parts by mass or less (more preferably 25 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Part or less).
In the resist composition of the present invention, the acid generator (B) may contain a single acid generator or a plurality of acid generators.

〈溶剤(E)〉
本発明のレジスト組成物に含有される溶剤(E)の含有率は、例えばレジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content rate of the solvent (E) contained in the resist composition of this invention is 90 mass% or more in a resist composition, for example, Preferably it is 92 mass% or more, More preferably, it is 94 mass% or more, for example, 99.9. It is not more than mass%, preferably not more than 99 mass%. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may contain 1 type independently, and may contain 2 or more types.

〈塩基性化合物(C)〉
塩基性化合物(C)はクエンチャーとして作用する化合物である。
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)で表される化合物〜式(C8)で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (C)>
The basic compound (C) is a compound that acts as a quencher.
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

Figure 0005833948
[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 0005833948
[In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

Figure 0005833948
[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一でも異なってもよい。]
Figure 0005833948
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 may be the same or different. ]

Figure 0005833948
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は同一でも異なってもよい。]
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
Figure 0005833948
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 may be the same or different. ]
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

Figure 0005833948
[式(C5)及び式(C6)中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は同一でも異なってもよい。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0005833948
[In Formula (C5) and Formula (C6), R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when o3 or p3 is 2 or more, each of the plurality of R c14 and R c15 may be the same or different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 0005833948
[式(C7)及び式(C8)中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。
q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は同一でも異なってもよい。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0005833948
Wherein (C7) and formula (C8), R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represents an integer of 0 to 3.
q3, when r3 and s3 is 2 or more, each of a plurality of R c18, R c19 and R c 20 may be the same or different.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably based on the solid content of the resist composition. It is about 0.01-1 mass%.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

<レジスト組成物の調製>
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)及び酸発生剤(B)、並びに必要に応じて用いられる溶剤(E)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention is obtained by mixing the resin (A) and the acid generator (B), and the solvent (E), basic compound (C) and other components (F) used as necessary. Can be prepared. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) The process of heating the composition layer after exposure, (5) The process of developing the composition layer after a heating is included.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行い、溶剤が除去された組成物層を形成する。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が好ましい。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking) or using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C., for example. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), electron beams, and ultra-ultraviolet light ( Use various types such as those that irradiate EUV) and those that emit laser light from a far ultraviolet region or vacuum ultraviolet region by converting the wavelength of laser light from a solid-state laser light source (such as YAG or semiconductor laser). Can do.

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)する。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using an alkali developer using a developing device.
The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適である。
<Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly a liquid. It is suitable as a resist composition for immersion exposure.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂(A)の組成比(樹脂(A)製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂(A)に対する共重合比)は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified. The composition ratio of the resin (A) (copolymerization ratio of the structural unit derived from each monomer used for the production of the resin (A) to the resin (A)) is the amount of unreacted monomer in the reaction liquid after the polymerization is finished. It measured using the chromatography, and computed by calculating | requiring the monomer amount used for superposition | polymerization from the obtained result. The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography. The analysis conditions for gel permeation chromatography are as follows.
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

合成例1〔式(K)で表される化合物の合成〕

Figure 0005833948
式(K−2)で表される化合物10.00部、テトラヒドロフラン40.00部及びピリジン7.29部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(K−1)で表される化合物33.08部を、1時間かけて添加した後、更に、温度を上げ、23℃に到達した時点で、同温度で3時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル361.51部及び5%塩酸水溶液20.19部を加え、23℃で30分間攪拌した。攪拌後、静置し、分液した。回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液81.42部を加え、23℃で30分間攪拌した後、静置、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水90.38部を加え、23℃で30分間攪拌した後、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮し、式(K)で表される化合物23.40部を得た。
MS(質量分析):326.0(分子イオンピーク) Synthesis Example 1 [Synthesis of Compound Represented by Formula (K)]
Figure 0005833948
10.00 parts of the compound represented by the formula (K-2), 40.00 parts of tetrahydrofuran and 7.29 parts of pyridine were charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 33.08 parts of the compound represented by the formula (K-1) was added to the obtained mixture over 1 hour, and then the temperature was further increased to reach 23 ° C. And stirred at the same temperature for 3 hours. To the obtained reaction product, 361.51 parts of ethyl acetate and 20.19 parts of 5% aqueous hydrochloric acid solution were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. After stirring, the mixture was allowed to stand and separated. To the recovered organic layer, 81.42 parts of a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then allowed to stand and liquid-separated to recover the organic layer. To the collected organic layer, 90.38 parts of ion-exchanged water was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, then allowed to stand and liquid-separated to wash the organic layer with water. This washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated to obtain 23.40 parts of a compound represented by the formula (K).
MS (mass spectrometry): 326.0 (molecular ion peak)

合成例2〔式(H)で表される化合物の合成〕

Figure 0005833948
式(H−2)で表される化合物88.00部、メチルイソブチルケトン616.00部及びピリジン60.98部を、23℃で30分間攪拌混合し、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(H−1)で表される化合物199.17部を、1時間かけて添加した後、更に、10℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物に、n−へプタン1446.22部及び2%塩酸水溶液703.41部を加え、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、2%塩酸水溶液337.64部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水361.56部を仕込み23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液443.92部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を回収した。このような洗浄操作を2回繰り返した。回収された有機層に、イオン交換水361.56部を仕込み、23℃で30分間攪拌、静置した後、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。回収された有機層を濃縮し式(H)で表される化合物163.65部を得た。
MS(質量分析):276.0(分子イオンピーク) Synthesis Example 2 [Synthesis of Compound Represented by Formula (H)]
Figure 0005833948
88.00 parts of the compound represented by the formula (H-2), 616.00 parts of methyl isobutyl ketone and 60.98 parts of pyridine were stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes and cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 199.17 parts of the compound represented by formula (H-1) was added to the obtained mixture over 1 hour, and the temperature was further increased to about 10 ° C. For 1 hour. To the resultant reaction product, 1446.22 parts of n-heptane and 703.41 parts of 2% aqueous hydrochloric acid were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer recovered by standing and liquid separation was charged with 337.64 parts of 2% aqueous hydrochloric acid and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer was recovered by standing and liquid separation. To the recovered organic layer, 361.56 parts of ion-exchanged water was charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. The recovered organic layer was charged with 443.92 parts of 10% aqueous potassium carbonate solution, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to recover the organic layer. Such washing operation was repeated twice. 361.56 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer, stirred and left at 23 ° C. for 30 minutes, and then separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The collected organic layer was concentrated to obtain 163.65 parts of a compound represented by the formula (H).
MS (mass spectrometry): 276.0 (molecular ion peak)

合成例3〔式(O)で表される化合物の合成〕

Figure 0005833948
式(O−2)で表される化合物30.00部、メチルイソブチルケトン210.00部及びピリジン18.00部を、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(O−1)で表される化合物48.50部を、1時間かけて添加した後、更に、5℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を、酢酸エチル630部、5%塩酸水溶液99.68部及びイオン交換水126部に添加し、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液86.50部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を2回繰り返した。回収された有機層に、イオン交換水157.50部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮し式(O)で表される化合物27.61部を得た。
MS(質量分析):354.1(分子イオンピーク) Synthesis Example 3 [Synthesis of Compound Represented by Formula (O)]
Figure 0005833948
30.00 parts of the compound represented by the formula (O-2), 210.00 parts of methyl isobutyl ketone and 18.00 parts of pyridine were stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 48.50 parts of the compound represented by the formula (O-1) was added to the obtained mixture over 1 hour, and then the temperature was further increased to about 5 ° C. For 1 hour. The obtained reaction product was added to 630 parts of ethyl acetate, 99.68 parts of 5% aqueous hydrochloric acid solution and 126 parts of ion-exchanged water, and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer recovered by standing and separating was charged with 86.50 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and allowed to stand and separate to wash the organic layer. Such washing operation was repeated twice. The recovered organic layer was charged with 157.50 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated to obtain 27.61 parts of a compound represented by the formula (O).
MS (mass spectrometry): 354.1 (molecular ion peak)

合成例4〔式(P)で表される化合物の合成〕

Figure 0005833948
式(P−2)で表される化合物27.34部、メチルイソブチルケトン190.00部及びピリジン18.00部を、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(P−1)で表される化合物48.50部を、1時間かけて添加した後、更に、5℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物を、酢酸エチル570部、5%塩酸水溶液99.68部及びイオン交換水126部に添加し、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液86.50部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を2回繰り返した。回収された有機層に、イオン交換水150部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮し式(P)で表される化合物23.89部を得た。
MS(質量分析):340.1(分子イオンピーク) Synthesis Example 4 [Synthesis of Compound Represented by Formula (P)]
Figure 0005833948
27.34 parts of the compound represented by the formula (P-2), 190.00 parts of methyl isobutyl ketone and 18.00 parts of pyridine were stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 48.50 parts of the compound represented by the formula (P-1) was added to the obtained mixture over 1 hour, and then the temperature was further increased to about 5 ° C. For 1 hour. The obtained reaction product was added to 570 parts of ethyl acetate, 99.68 parts of 5% aqueous hydrochloric acid solution and 126 parts of ion-exchanged water, and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer recovered by standing and separating was charged with 86.50 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and allowed to stand and separate to wash the organic layer. Such washing operation was repeated twice. The recovered organic layer was charged with 150 parts of ion exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated to obtain 23.89 parts of a compound represented by the formula (P).
MS (mass spectrometry): 340.1 (molecular ion peak)

合成例5〔式(M)で表される化合物の合成〕

Figure 0005833948
式(M−1)で表される化合物25.00部、トリエチルアミン57.79部、ジメチルアミノピリジン0.03部及びアセトニトリル250部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した後、2℃に冷却した。この混合物に、温度5℃以下に保った状態下で、式(M−2)で表される化合物51.00部を30分かけて滴下した。滴下後の混合物を2℃で30分間攪拌し、23℃程度まで昇温し、同温度で1時間攪拌した。得られた反応混合物にイオン交換水25部を添加攪拌し、濃縮した。濃縮物に、クロロホルム250部及びイオン交換水125部を添加・攪拌し、分液することにより有機層を水洗した。同様の水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮することにより、式(M−3)で表される化合物3.58部を得た。 Synthesis Example 5 [Synthesis of Compound Represented by Formula (M)]
Figure 0005833948
25.00 parts of the compound represented by the formula (M-1), 57.79 parts of triethylamine, 0.03 part of dimethylaminopyridine and 250 parts of acetonitrile were charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then 2 ° C. Cooled to. To this mixture, 51.00 parts of the compound represented by the formula (M-2) was added dropwise over 30 minutes while keeping the temperature at 5 ° C. or lower. The mixture after dropping was stirred at 2 ° C. for 30 minutes, heated to about 23 ° C., and stirred at the same temperature for 1 hour. To the resulting reaction mixture, 25 parts of ion-exchanged water was added, stirred and concentrated. To the concentrate, 250 parts of chloroform and 125 parts of ion-exchanged water were added and stirred, followed by liquid separation to wash the organic layer with water. The same water washing operation was repeated three times. The collected organic layer was concentrated to obtain 3.58 parts of a compound represented by the formula (M-3).

Figure 0005833948
式(M−4)で表される化合物3.00部、式(M−5)で表される化合物4.73部、ジメチルアミノピリジン0.003部及びテトラヒドロフラン30部を、反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌し、2℃に冷却した。この混合物に、温度5℃以下に保った状態下で、式(M−3)で表される化合物2.76部及びテトラヒドロフラン13.78部を30分かけて滴下した。滴下後の混合物を2℃で1時間攪拌し、23℃程度まで昇温し、同温度で20時間攪拌した。得られた反応混合物にイオン交換水15部を添加攪拌し、濃縮した。濃縮物に、酢酸エチル30部を添加・攪拌し、分液することにより有機層を回収した。得られた有機層に、イオン交換水30部を添加し、30分間攪拌した後、静置・分液した。回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液30部を加え、23℃で30分間攪拌し、水層を分液・除去した。回収された有機層に、1N塩酸30部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、水層を分液・除去した。回収された有機層を濃縮することにより、式(M)で表される化合物2.78部を得た。
MS(質量分析):332.0(分子イオンピーク)
Figure 0005833948
A reactor is charged with 3.00 parts of a compound represented by the formula (M-4), 4.73 parts of a compound represented by the formula (M-5), 0.003 part of dimethylaminopyridine and 30 parts of tetrahydrofuran. The mixture was stirred at 23 ° C for 30 minutes and cooled to 2 ° C. To this mixture, 2.76 parts of the compound represented by the formula (M-3) and 13.78 parts of tetrahydrofuran were added dropwise over 30 minutes while maintaining the temperature at 5 ° C. or lower. The mixture after dropping was stirred at 2 ° C. for 1 hour, heated to about 23 ° C., and stirred at the same temperature for 20 hours. To the resulting reaction mixture, 15 parts of ion-exchanged water was added, stirred and concentrated. To the concentrate, 30 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the organic layer was recovered by liquid separation. To the obtained organic layer, 30 parts of ion-exchanged water was added and stirred for 30 minutes, and then allowed to stand and separate. To the collected organic layer, 30 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the aqueous layer was separated and removed. To the recovered organic layer, 30 parts of 1N hydrochloric acid was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, the aqueous layer was separated and removed. The recovered organic layer was concentrated to obtain 2.78 parts of the compound represented by the formula (M).
MS (mass spectrometry): 332.0 (molecular ion peak)

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物(モノマー)を下記に示す。以下、これらのモノマーを「モノマー(A)」〜「モノマー(Q)」という。

Figure 0005833948
Resin Synthesis The compounds (monomers) used in the resin synthesis are shown below. Hereinafter, these monomers are referred to as “monomer (A)” to “monomer (Q)”.
Figure 0005833948

合成例6〔樹脂A1−1の合成〕
モノマーとして、モノマー(H)を用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.7mol%及び2.1mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×10の樹脂A1−1(共重合体)を収率77%で得た。この樹脂A1−1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 6 [Synthesis of Resin A1-1]
Monomer (H) was used as a monomer, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 0.7 mol% and 2.1 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), respectively, as initiators were added with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 1.8. × 10 4 resin A1-1 (copolymer) was obtained in 77% yield. This resin A1-1 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例7〔樹脂A1−2の合成〕
モノマーとして、モノマー(K)及びモノマー(I)を用い、そのモル比(モノマー(H):モノマー(I))が90:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを72℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.3×10の樹脂A1−2(共重合体)を収率70%で得た。この樹脂A1−2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 7 [Synthesis of Resin A1-2]
Monomer (K) and monomer (I) are used as monomers and mixed so that the molar ratio (monomer (H): monomer (I)) is 90:10. Dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 72 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-2 (copolymer) having a weight average molecular weight of 1.3 × 10 4 in a yield of 70%. Got in. This resin A1-2 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例8〔樹脂A1−3の合成〕
モノマーとして、モノマー(L)を用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.7mol%及び2.1mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.9×10の樹脂A1−3(共重合体)を収率73%で得た。この樹脂A1−3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 8 [Synthesis of Resin A1-3]
The monomer (L) was used as a monomer, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 0.7 mol% and 2.1 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), respectively, as initiators were added with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered twice, and the weight average molecular weight was 1.9. × 10 4 resin A1-3 (copolymer) was obtained in 73% yield. This resin A1-3 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例9〔樹脂A1−4の合成〕
モノマーとして、モノマー(M)を用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.7mol%及び2.1mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×10の樹脂A1−4(共重合体)を収率76%で得た。この樹脂A1−4は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 9 [Synthesis of Resin A1-4]
Monomer (M) was used as a monomer, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 0.7 mol% and 2.1 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), respectively, as initiators were added with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 1.8. × 10 4 resin A1-4 (copolymer) was obtained in 76% yield. This resin A1-4 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例10〔樹脂A2−1の合成〕
モノマーとして、モノマー(A)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(C)、モノマー(M)を、そのモル比〔モノマー(A):モノマー(E):モノマー(B):モノマー(C):モノマー(M)〕が32:7:8:43:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.4×10の樹脂A2−1(共重合体)を収率84%で得た。この樹脂A2−1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 10 [Synthesis of Resin A2-1]
As a monomer, a monomer (A), a monomer (E), a monomer (B), a monomer (C), and a monomer (M) are mixed in a molar ratio [monomer (A): monomer (E): monomer (B): monomer ( C): monomer (M)] was 32: 7: 8: 43: 10, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and a solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent was precipitated, and the resin was filtered twice. The weight-average molecular weight was 8.4. × 10 3 of the resin A2-1 (copolymer) was obtained in 84% yield. This resin A2-1 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例11〔樹脂A2−2の合成〕
モノマーとして、モノマー(D)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(C)、モノマー(M)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(E):モノマー(B):モノマー(C):モノマー(M)〕が35:10:6:37:12となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.1×10の樹脂A2−2(共重合体)を収率60%で得た。この樹脂A2−2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 11 [Synthesis of Resin A2-2]
As a monomer, a monomer (D), a monomer (E), a monomer (B), a monomer (C), and a monomer (M) are mixed in a molar ratio [monomer (D): monomer (E): monomer (B): monomer ( C): monomer (M)] was mixed at 35: 10: 6: 37: 12, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and the weight average molecular weight was 8.1. × 10 3 of the resin A2-2 (copolymer) was obtained in 60% yield. This resin A2-2 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例12〔樹脂A2−3の合成〕
モノマーとして、モノマー(A)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(F)、モノマー(C)、モノマー(M)を、そのモル比〔モノマー(A):モノマー(E):モノマー(B):モノマー(F):モノマー(C):モノマー(M)〕が32:7:8:10:33:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.8×10の樹脂A2−3(共重合体)を収率75%で得た。この樹脂A2−3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 12 [Synthesis of Resin A2-3]
As a monomer, a monomer (A), a monomer (E), a monomer (B), a monomer (F), a monomer (C), and a monomer (M) are mixed in a molar ratio [monomer (A): monomer (E): monomer ( B): monomer (F): monomer (C): monomer (M)] is mixed to 32: 7: 8: 10: 33: 10, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount is added. Solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.8. × 10 3 of the resin A2-3 (copolymer) was obtained in 75% yield. This resin A2-3 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例13〔樹脂A2−4の合成〕
モノマーとして、モノマー(D)、モノマー(Q)、モノマー(B)、モノマー(C)、モノマー(M)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(Q):モノマー(B):モノマー(C):モノマー(M)〕が35:10:6:37:12となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.5×10の樹脂A2−4(共重合体)を収率62%で得た。この樹脂A2−4は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 13 [Synthesis of Resin A2-4]
As a monomer, the monomer (D), the monomer (Q), the monomer (B), the monomer (C), and the monomer (M) are mixed in a molar ratio [monomer (D): monomer (Q): monomer (B): monomer ( C): monomer (M)] was mixed at 35: 10: 6: 37: 12, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.5. × 10 3 of the resin A2-4 (copolymer) was obtained in 62% yield. This resin A2-4 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例14〔樹脂X1の合成〕
モノマーとして、モノマー(G)、モノマー(C)及びモノマー(B)を用い、そのモル比(モノマー(G):モノマー(C):モノマー(B))が35:45:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1.0mol%及び3.0mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×10の樹脂X1(共重合体)を収率75%で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 14 [Synthesis of Resin X1]
Monomer (G), monomer (C), and monomer (B) are used as the monomers and mixed so that the molar ratio (monomer (G): monomer (C): monomer (B)) is 35:45:20. Then, 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to make a solution. To the solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added at 1.0 mol% and 3.0 mol%, respectively, with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.0. A × 10 3 resin X1 (copolymer) was obtained in a yield of 75%. This resin X1 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例15〔樹脂X2の合成〕
モノマーとして、モノマー(J)及びモノマー(G)を用い、そのモル比(モノマー(J):モノマー(G))が80:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.5mol%及び1.5mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量2.8×10の樹脂X2(共重合体)を収率70%で得た。この樹脂X2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 15 [Synthesis of Resin X2]
As the monomer, the monomer (J) and the monomer (G) are used and mixed so that the molar ratio (monomer (J): monomer (G)) is 80:20. Dioxane was added to make a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.5 mol% and 1.5 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 70 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 2.8. A × 10 4 resin X2 (copolymer) was obtained in a yield of 70%. This resin X2 has the following structural units.
Figure 0005833948

合成例16〔樹脂X3の合成〕
モノマーとして、モノマー(A)、モノマー(L)、モノマー(N)を、そのモル比〔モノマー(A):モノマー(L):モノマー(N)〕が52.6:15.8:31.6となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを78℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×10の樹脂X3(共重合体)を収率68%で得た。この樹脂X3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0005833948
Synthesis Example 16 [Synthesis of Resin X3]
As the monomer, the monomer (A), the monomer (L), and the monomer (N) have a molar ratio [monomer (A): monomer (L): monomer (N)] of 52.6: 15.8: 31.6. The mixture was mixed so that 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 78 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.3. A x10 3 resin X3 (copolymer) was obtained in a yield of 68%. This resin X3 has the following structural units.
Figure 0005833948

<レジスト組成物の調製>
以下に示す成分の各々を表1に示す質量部で溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in a solvent in parts by mass shown in Table 1, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 0005833948
Figure 0005833948

<樹脂>
上述した合成例で合成した樹脂
<酸発生剤>
B1:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成

Figure 0005833948
B2:WO2008/99869号の実施例及び、特開2010−26478の実施例に従って合成
Figure 0005833948
B3:特開2005−221721の実施例に従って合成
Figure 0005833948
B4: 特開2010−44342の実施例に従って合成
Figure 0005833948
<Resin>
Resin synthesized in the above synthesis example <Acid generator>
B1: Synthesis according to the example of JP 2010-152341 A
Figure 0005833948
B2: synthesized according to examples of WO2008 / 99869 and JP2010-26478
Figure 0005833948
B3: synthesized according to the example of JP-A-2005-221721
Figure 0005833948
B4: Synthesis according to the example of JP2010-44342
Figure 0005833948

<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
2−ヘプタノン 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts 2-heptanone 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<レジスト組成物の液浸露光評価>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚78nmの有機反射防止膜を形成した。
次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥(プリベーク)後の膜厚が85nmとなるように塗布(スピンコート)した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ100nm/ホール径70nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間、加熱(ポストエキスポジャーベーク処理)した。次いでこのシリコンウェハを、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Immersion exposure evaluation of resist composition>
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic reflective film having a thickness of 78 nm on the wafer. A prevention film was formed.
Next, the resist composition was applied (spin coated) on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 85 nm. After coating, the silicon wafer was pre-baked on a direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 1 for 60 seconds to form a composition layer. ArF excimer stepper for immersion exposure (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light) on a silicon wafer on which the composition layer is formed, and a contact hole pattern (hole pitch 100 nm) Using a mask for forming a hole diameter of 70 nm), the exposure amount was changed stepwise to perform exposure. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, the silicon wafer was heated (post-exposure baking process) on a hot plate at a temperature described in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds. Next, this silicon wafer was subjected to paddle development for 60 seconds with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to obtain a resist pattern.

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。   In the resist pattern obtained after development, the exposure amount at which the hole diameter formed using the mask was 55 nm was defined as the effective sensitivity.

<CD均一性(CDU)評価>
実効感度において、前記マスクで形成したパターンのホール径を、一つのホールにつき24回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。前記マスクで同一シリコンウェハ上に形成された400個のホールについて、平均ホール径を測定し、これらを母集団として標準偏差を求めた。
標準偏差が1.85nm未満の場合を「◎」、
標準偏差が1.85nm以上2.00nm未満の場合を「○」、
標準偏差が2.00nm以上の場合を「×」として判断した。
その結果を表2に示す。括弧内の数値は標準偏差(nm)を示す。
<Evaluation of CD uniformity (CDU)>
In terms of effective sensitivity, the hole diameter of the pattern formed by the mask was measured 24 times per hole, and the average value was taken as the average hole diameter of one hole. The average hole diameter was measured for 400 holes formed on the same silicon wafer with the mask, and the standard deviation was determined using these as the population.
When the standard deviation is less than 1.85 nm,
When the standard deviation is 1.85 nm or more and less than 2.00 nm, “◯”,
The case where the standard deviation was 2.00 nm or more was judged as “x”.
The results are shown in Table 2. Numerical values in parentheses indicate standard deviation (nm).

<欠陥評価>
12インチのシリコン製ウェハ(基板)に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が0.15μmとなるように塗布(スピンコート)した。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベーク(PB)し、ウェハ上に組成物層を形成した。
このようにして組成物層を形成したウェハに、現像機[ACT−12;東京エレクトロン(株)製]を用いて、60秒間、水リンスを行った。
その後、欠陥検査装置[KLA−2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。その結果を表2に示す。
<Defect evaluation>
The resist composition was applied (spin coated) to a 12-inch silicon wafer (substrate) so that the film thickness after drying was 0.15 μm. After coating, the composition layer was formed on the wafer by pre-baking (PB) for 60 seconds on the direct hot plate at the temperature shown in the PB column of Table 1.
The wafer on which the composition layer was formed in this manner was subjected to water rinsing for 60 seconds using a developing machine [ACT-12; manufactured by Tokyo Electron Ltd.].
Thereafter, the number of defects on the wafer was measured using a defect inspection apparatus [KLA-2360; manufactured by KLA Tencor]. The results are shown in Table 2.

Figure 0005833948
Figure 0005833948

本発明の樹脂を含有するレジスト組成物によれば、CD均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造することができる。   According to the resist composition containing the resin of the present invention, a resist pattern having good CD uniformity and few defects can be produced.

Claims (9)

(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、
(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び、
(B)酸発生剤を含有するレジスト組成物。
Figure 0005833948
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
Figure 0005833948
[式(II)中、
環Tは、置換基を有していてもよい炭素数3〜34のスルトン環を表す。
は、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルカンジイル基又は式(a−1)で表される基を表す。
Figure 0005833948
(式(a−1)中、
sは0又は1の整数を表す。
10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、イミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニルイミノ基又はイミノカルボニル基を表す。
10、A11及びA12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。ただし、A10、A11及びA12の炭素数の合計は6以下である。)
は、単結合又はカルボニル基を表す。
は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。]
(A1) a resin having a structural unit represented by formula (I),
(A2) a resin having a structural unit represented by the formula (II), insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and soluble in an alkaline aqueous solution by the action of an acid;
(B) A resist composition containing an acid generator.
Figure 0005833948
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 2 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]
Figure 0005833948
[In the formula (II),
Ring T 1 represents a C3-C34 sultone ring which may have a substituent.
Z 1 represents a C1-C6 alkanediyl group which may have a substituent or a group represented by the formula (a-1).
Figure 0005833948
(In the formula (a-1),
s represents an integer of 0 or 1.
X 10 and X 11 each independently represent an oxygen atom, an imino group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, a carbonylimino group or an iminocarbonyl group.
A 10 , A 11 and A 12 each independently represent a C 1-5 divalent aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent. However, the total number of carbon atoms of A 10 , A 11 and A 12 is 6 or less. )
Z 2 represents a single bond or a carbonyl group.
R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom. ]
式(I)におけるR2が、炭素数1〜6のフッ化アルキル基である請求項1記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein R 2 in formula (I) is a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. 式(I)におけるAが、炭素数2〜4のアルカンジイル基である請求項1又は2記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1 or 2, wherein A 1 in formula (I) is an alkanediyl group having 2 to 4 carbon atoms. 式(II)における環Tが、多環式のスルトン環である請求項1〜3のいずれか記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein the ring T 1 in the formula (II) is a polycyclic sultone ring. 式(II)における環Tが、式(T1)で表される環である請求項1〜4のいずれか記載のレジスト組成物。
Figure 0005833948
[式(T1)中、
は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキシ基、シアノ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基、グリシジルオキシ基、炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基あるいは炭素数2〜4のアシル基を表す。
mは、0〜11である。
*は、酸素原子との結合手を表す。]
The resist composition according to claim 1, wherein the ring T 1 in the formula (II) is a ring represented by the formula (T1).
Figure 0005833948
[In the formula (T1),
R 4 is a C 1-12 alkyl group optionally having a halogen atom or a hydroxy group, a halogen atom, a hydroxy group, an oxy group, a cyano group, a C 1-12 alkoxy group, a C 6-12 12 represents an aryl group having 12 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, a glycidyloxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms.
m is 0-11.
* Represents a bond with an oxygen atom. ]
式(II)におけるZが、カルボニル基である請求項1〜5のいずれか記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein Z 2 in formula (II) is a carbonyl group. 式(II)におけるZが、メチレン基である請求項1〜6のいずれか記載のレジスト組成物。 Z 1 in Formula (II) is a methylene group, The resist composition in any one of Claims 1-6. さらに溶剤を含有する請求項1〜7のいずれか記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition in any one of Claims 1-7 containing a solvent. (1)請求項1〜8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 1-8 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
JP2012033547A 2011-02-25 2012-02-20 Resist composition and method for producing resist pattern Active JP5833948B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012033547A JP5833948B2 (en) 2011-02-25 2012-02-20 Resist composition and method for producing resist pattern

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011039445 2011-02-25
JP2011039445 2011-02-25
JP2012033547A JP5833948B2 (en) 2011-02-25 2012-02-20 Resist composition and method for producing resist pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012190013A JP2012190013A (en) 2012-10-04
JP5833948B2 true JP5833948B2 (en) 2015-12-16

Family

ID=47083167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012033547A Active JP5833948B2 (en) 2011-02-25 2012-02-20 Resist composition and method for producing resist pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5833948B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6261878B2 (en) * 2012-05-15 2018-01-17 住友化学株式会社 Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6261947B2 (en) * 2012-11-15 2018-01-17 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP6670591B2 (en) * 2014-11-11 2020-03-25 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP7125294B2 (en) * 2018-07-13 2022-08-24 東京応化工業株式会社 Chemically amplified photosensitive composition, photosensitive dry film, method for producing photosensitive dry film, method for producing patterned resist film, sensitizer, and method for sensitizing chemically amplified photosensitive composition

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08202038A (en) * 1995-01-20 1996-08-09 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition
JP3949479B2 (en) * 2002-03-25 2007-07-25 富士フイルム株式会社 Positive resist composition
JP4848910B2 (en) * 2006-09-28 2011-12-28 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition polymer and radiation-sensitive resin composition
JP5308896B2 (en) * 2009-03-06 2013-10-09 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
TWI524136B (en) * 2009-09-18 2016-03-01 Jsr Corp Sensitive radiation linear resin composition, photoresist pattern formation method, polymer and polymerizable compound
JP2011095623A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition for liquid immersion exposure and pattern forming method
JP5788407B2 (en) * 2009-12-11 2015-09-30 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions containing base-reactive components and methods for photolithography
JP5439154B2 (en) * 2009-12-15 2014-03-12 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5934502B2 (en) * 2011-01-12 2016-06-15 住友化学株式会社 Resin, resist composition, and resist pattern manufacturing method
JP5840146B2 (en) * 2011-01-17 2016-01-06 株式会社クラレ Vinylsulfonic acid ester derivative, polymer compound and photoresist composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012190013A (en) 2012-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5947051B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5829939B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5841453B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5947052B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5947053B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6013798B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6034026B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5829941B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5829943B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6013799B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5833948B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5829942B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6039279B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6163798B2 (en) Compound, resin, resist composition, and method for producing resist pattern
JP6034025B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5856528B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5866099B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5856529B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6001278B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP6039280B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5864341B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5894028B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5864342B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5973210B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5956800B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151027

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151028

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151030

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5833948

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350