JP5804421B2 - Treatment method for suppressing alkali metal elution from glass lining surface, alkali metal elution suppression glass lining, and glass lining structure - Google Patents

Treatment method for suppressing alkali metal elution from glass lining surface, alkali metal elution suppression glass lining, and glass lining structure Download PDF

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本発明は、金属基材層と、下引きグラスライニング層(下引きGL層)と、最表層の上引きグラスライニング層(上引きGL層)とを有するグラスライニングについて、上引きGL層表面からのアルカリ金属の溶出を抑制するための処理方法に関する。また、本発明は、そのような処理方法によって得られるアルカリ金属溶出抑制グラスライニング(GL)、及び当該アルカリ金属溶出抑制GLから構成されるGL製構造物に関する。   The present invention relates to a glass lining having a metal substrate layer, an undercoating glass lining layer (undercoating GL layer), and an uppermost glass lining layer (overcoating GL layer) from the surface of the overcoating GL layer. The present invention relates to a treatment method for suppressing elution of alkali metal. Moreover, this invention relates to the structure made from GL comprised from the alkali metal elution suppression glass lining (GL) obtained by such a processing method, and the said alkali metal elution suppression GL.

シリカ質(SiO)を主成分とするガラス層を金属表面に強固に焼成結合したものが琺瑯で、そのうち、特に耐酸性、耐アルカリ性、耐熱性に優れているものをグラスライニング(GL)と呼ぶ。GL機器等に用いられるGLは、低炭素鋼板又はステンレス鋼板等の金属基材に下引き釉薬を焼き付けた後、高耐食性の上引き釉薬を焼き付けて製造される。 A glass layer mainly composed of siliceous (SiO 2 ) is firmly fired and bonded to the metal surface. Among them, glass lining (GL) is particularly excellent in acid resistance, alkali resistance and heat resistance. Call. GL used for GL devices and the like is manufactured by baking an undercoat glaze on a metal substrate such as a low-carbon steel plate or a stainless steel plate, and then baking an overcoat glaze with high corrosion resistance.

GL用のガラス層には、高い耐薬品性、金属基材との密着性、施工性等を得るために酸化カルシウム(CaO)、酸化ナトリウム(NaO)又は酸化カリウム(KO)のような様々な成分が含有されている。また、下引き釉薬及び上引き釉薬は、天然鉱物を原料として使用するため、意図して添加していない天然鉱物由来の成分も、微量ながら含有している。 The glass layer for GL is made of calcium oxide (CaO), sodium oxide (Na 2 O) or potassium oxide (K 2 O) in order to obtain high chemical resistance, adhesion to a metal substrate, workability, etc. Such various components are contained. Moreover, since the undercoat glaze and the overcoat glaze use natural minerals as raw materials, they contain a small amount of components derived from natural minerals that are not intentionally added.

GLに含まれる成分のうち、特に溶出しやすいのはNa(ナトリウムイオン)、K(カリウムイオン)又はLi(リチウムイオン)のようなアルカリ成分(アルカリ金属イオン)である。GL表層からは微量のアルカリ金属成分がイオンとして溶出するが、GL製構造物の内容物に微量に混入しても、通常であれば問題となることはない。しかし、半導体産業のように、GL製構造物内の生産物が超高純度を要求される分野であれば、GL層からの溶出した微量のアルカリ成分が、深刻なコンタミネーションを引き起こす場合がある。 Among the components contained in GL, those that are particularly easy to elute are alkali components (alkali metal ions) such as Na + (sodium ions), K + (potassium ions) or Li + (lithium ions). Although a trace amount of alkali metal components are eluted as ions from the GL surface layer, even if a trace amount is mixed into the contents of the GL structure, there is no problem if it is normal. However, if the product in the GL structure is a field where ultra-high purity is required, such as in the semiconductor industry, a trace amount of alkali components eluted from the GL layer may cause serious contamination. .

このため、GL製構造物のユーザーによっては、使用前にGL製構造物を酸洗浄し、脱アルカリ処理することによりアルカリ成分(アルカリ土類成分を含む、以下同じ)の溶出を少なくし、コンタミネーションを低減させている。   Therefore, depending on the user of the GL structure, the GL structure is acid-washed and dealkalized before use to reduce the elution of alkali components (including alkaline earth components, the same shall apply hereinafter). Nation is reduced.

特許文献1は、ソーダガラスのようなアルカリ含有ガラスからのアルカリ金属溶出を抑制するための手段として、無機ポリシラザンをアルカリ含有ガラス上に塗布し、200℃以上の温度で焼成することによりガラス保護膜を製造する方法を開示している。   Patent Document 1 discloses a glass protective film by applying inorganic polysilazane on an alkali-containing glass as a means for suppressing alkali metal elution from an alkali-containing glass such as soda glass and baking it at a temperature of 200 ° C. or higher. Is disclosed.

特許文献2は、GL層表面にSiO、ZrO、Crを硫酸アンモニウム水溶液でペースト状としたものを塗布し、300℃〜600℃で熱処理することにより、GL層中のアルカリ金属を熱拡散除去することを開示している。特許文献2は、GL層を脱アルカリ処理した後、ゾルゲル法によりシリカコーティング処理し、GL層からの金属イオン溶出を防止することも開示している。 In Patent Document 2, the surface of the GL layer is coated with a paste of SiO 2 , ZrO 2 , Cr 2 O 3 with an aqueous ammonium sulfate solution, and heat-treated at 300 ° C. to 600 ° C. The thermal diffusion removal is disclosed. Patent Document 2 also discloses that after the GL layer is dealkalized, it is subjected to silica coating by a sol-gel method to prevent elution of metal ions from the GL layer.

特許文献3は、GL表面からのアルカリ成分の溶出を抑制するために、金属基材及び2層のGL層から構成されるGLについて、上引きGL層表面(外表面)にSiO又はZrOを含むペーストを塗布し、加熱処理することによって脱アルカリ処理した後、PTFE層をさらに形成させる技術を開示している。 In Patent Document 3, in order to suppress elution of an alkaline component from the GL surface, with respect to GL composed of a metal substrate and two GL layers, SiO 2 or ZrO 2 is formed on the surface of the overcoat GL layer (outer surface). A technique is disclosed in which a PTFE layer is further formed after a dealkalization treatment is performed by applying a paste containing and heat-treating.

特開平4−132635号公報JP-A-4-132635 特開2001−131777号公報JP 2001-131777 A 特開2009−197252号公報JP 2009-197252 A

アルカリ金属溶出を抑制するために、GL製構造物を使用前に酸洗浄する方法も一般的であるが、アルカリ成分溶出低減効果が低く、効果がなくなってきた時は現地で再度、酸洗浄を行う必要があるため、大がかりな洗浄装置及び多量の酸溶液が必要である。また、洗浄後の廃酸の処理も必要になるため、処理スペース、洗浄コスト及び処理コストが高くならざるを得ない。   In order to suppress alkali metal elution, GL structures are generally washed with acid before use. However, when the effect of alkali component elution reduction is low and the effect has ceased, acid washing is performed again on site. A large cleaning device and a large amount of acid solution are required because of the need to do so. Further, since it is necessary to treat the waste acid after washing, the treatment space, washing cost and treatment cost are inevitably increased.

また、特許文献1の実施例には、500℃という高温でポリシラザンコート(ポリシラザン保護層)を焼成する方法しか開示されておらず、このような高温の焼成はGLのガラス転移点に近い温度であるため、グラス中に引っ張り応力が発生しグラスが割れやすくなるおそれがある。   Further, the example of Patent Document 1 only discloses a method of firing a polysilazane coat (polysilazane protective layer) at a high temperature of 500 ° C., and such high temperature firing is performed at a temperature close to the glass transition point of GL. Therefore, there is a possibility that tensile stress is generated in the glass and the glass is easily broken.

同様に、特許文献2に開示されているシリカコーティングも、500℃という高温で加熱処理しなければならないため、グラス中に引っ張り応力が発生し、グラスが割れやすくなるおそれがある。   Similarly, since the silica coating disclosed in Patent Document 2 must be heat-treated at a high temperature of 500 ° C., tensile stress is generated in the glass and the glass may be easily broken.

特許文献3の処理方法では、PTFEを使用するため高温環境下では使用できないという問題がある。   In the treatment method of Patent Document 3, since PTFE is used, there is a problem that it cannot be used in a high temperature environment.

本発明は、上引きGL層からのアルカリ金属溶出を効果的に抑制するためのGL処理方法、及びそのような処理方法によって得られるアルカリ金属溶出抑制GLの提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide a GL treatment method for effectively suppressing alkali metal elution from the overcoat GL layer, and an alkali metal elution suppression GL obtained by such a treatment method.

本発明者は、最表層となる上引きGL層からのアルカリ金属溶出を抑制するための方法について、鋭意検討した。その結果、最表層のGL層と、アンモニウム塩の溶融液とを接触させ、溶融液及びGL間に直流電圧を加えることによって、アンモニウムイオン(NH )、水素イオン(H)又はオキソニウムイオン(H)が上引きGL層へ移動し、上引きGL層の表面近傍のナトリウムイオン(Na)又はリチウムイオン(Li)のようなアルカリイオンが金属基材方向へ移動することを見出し、本発明を完成させるに至った。 The inventor has intensively studied a method for suppressing alkali metal elution from the overcoat GL layer as the outermost layer. As a result, by bringing the outermost GL layer into contact with the molten ammonium salt and applying a DC voltage between the molten liquid and GL, ammonium ions (NH 4 + ), hydrogen ions (H + ), or oxonium Ions (H 3 O + ) move to the overcoat GL layer, and alkali ions such as sodium ions (Na + ) or lithium ions (Li + ) near the surface of the overcoat GL layer move toward the metal substrate. As a result, the present invention has been completed.

具体的に、本発明は、
金属基材層と、下引きグラスライニング層と、最表層の上引きグラスライニング層とを有するグラスライニングについて、
(A)硫酸、又は
(B)少なくとも1種類のアンモニウム塩を含有する溶融液、
のいずれかと上引きグラスライニング層とを接触させ、かつ、硫酸又は前記溶融液と金属基材層とは接触させない状態で、
200℃以上に加熱した硫酸又は前記溶融液を正極側、金属基材層を負極側として直流電圧を加え、上引きグラスライニング層表面近傍のアルカリ金属を金属基材層側へと移動させ、硫酸又は溶融溶液中の1価の陽イオンをグラス中に導入することによって、上引きグラスライニング層表面からのアルカリ金属溶出を抑制する処理方法に関する。
Specifically, the present invention
About a glass lining having a metal substrate layer, an undercoating glass lining layer, and an uppermost glass lining layer,
(A) sulfuric acid, or (B) a melt containing at least one ammonium salt,
In a state where any of the above and the overlying glass lining layer are brought into contact with each other, and the sulfuric acid or the molten liquid and the metal base material layer are not brought into contact
Sulfuric acid heated to 200 ° C or higher or the molten liquid is applied to the positive electrode side, the direct current voltage is applied to the metal substrate layer as the negative electrode side, and the alkali metal near the surface of the overlying glass lining layer is moved toward the metal substrate layer Alternatively, the present invention relates to a treatment method that suppresses alkali metal elution from the surface of a top-coated glass lining layer by introducing monovalent cations in a molten solution into the glass.

200℃以上に加熱した硫酸又は、200℃以上に加熱して溶融させたアンモニウム塩と上引きGL層とを接触させ、硫酸又は溶融液を正極側、金属基材層を負極側として直流電圧を加えると、直流電圧により、上引きGL層表面近傍にあったNa、K又はLiのようなアルカリイオンは、金属基材方向、すなわち、上引きGL層表面から遠ざかるような方向へと移動される。その一方で、Na等が移動した後の電荷バランスを補うため、H+等の1価の陽イオンが上引きGL層表面へと導入される。その結果、GL層表面近傍のアルカリ金属の含有量が減少し、GL層表面からのアルカリ金属溶出が抑制される。 Sulfuric acid heated to 200 ° C or higher, or ammonium salt heated to 200 ° C or higher and molten GL layer are brought into contact with each other, and direct current voltage is applied with sulfuric acid or molten liquid on the positive electrode side and metal substrate layer on the negative electrode side. In addition, due to the direct current voltage, alkali ions such as Na + , K + or Li + near the surface of the overcoat GL layer are moved in the direction of the metal substrate, that is, away from the surface of the overcoat GL layer. Moved. On the other hand, monovalent cations such as H + are introduced to the surface of the overlying GL layer in order to supplement the charge balance after Na + and the like move. As a result, the alkali metal content in the vicinity of the GL layer surface is reduced, and alkali metal elution from the GL layer surface is suppressed.

溶融塩は、直流電圧を加える際の温度において、安定な溶融状態を維持できれよい。例えば、200℃に加熱して溶融させ、上引きGL層と接触させ、直流電圧を加える場合には、溶融塩は、200℃において安定な溶融状態であれば足りる。同様に、300℃に加熱して溶融させ、上引きGL層と接触させ、直流電圧を加える場合には、300℃において安定な溶融状態であれば足りる。   The molten salt may be able to maintain a stable molten state at the temperature at which a DC voltage is applied. For example, in the case where the molten salt is heated to 200 ° C., melted, brought into contact with the overcoat GL layer, and a DC voltage is applied, the molten salt may be in a stable molten state at 200 ° C. Similarly, when heated to 300 ° C. and melted, brought into contact with the overcoat GL layer, and a DC voltage is applied, a stable molten state at 300 ° C. is sufficient.

硫酸は、無水硫酸であることが好ましい。   The sulfuric acid is preferably anhydrous sulfuric acid.

前記アンモニウム塩は、硫酸アンモニウム及び硫酸水素アンモニウムの混合物であり、
該混合物における硫酸アンモニウムの硫酸水素アンモニウムに対する質量比は、1以上4以下であることが好ましい。アンモニウム塩が、200℃以上で安定な溶融状態とするためである。
The ammonium salt is a mixture of ammonium sulfate and ammonium hydrogen sulfate,
The mass ratio of ammonium sulfate to ammonium hydrogen sulfate in the mixture is preferably 1 or more and 4 or less. This is because the ammonium salt is in a stable molten state at 200 ° C. or higher.

前記上引きグラスライニング層は、Kを含有しない上引きグラスライニング層であることが好ましい。   The top glass lining layer is preferably a top glass lining layer not containing K.

イオン半径の大きなKが上引きGL層内を移動すると、上引きGL層内に発生する応力が大きいために、上引きGL層が剥離しやすくなるおそれがあるためである。Kを含有しない上引きGL層は、Kを含有しないガラスフリットを用いてGL層を形成させることによって得られる。 This is because when K + having a large ion radius moves in the overcoat GL layer, the stress generated in the overcoat GL layer is large, and thus the overcoat GL layer may be easily peeled off. The overlying GL layer not containing K is obtained by forming the GL layer using a glass frit containing no K.

また、本発明は、
金属基材層と、下引きGL層と、最表層の上引きGL層とを有するGLであって、
上引きGL層表面から1μm以下の厚み部分におけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量が、上引きGL層を構成するガラスフリットにおけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量の1/10以下であり、
前記上引きGL層がアンモニウムイオンを含有することを特徴とする、アルカリ金属溶出抑制GLに関する。
The present invention also provides:
A GL having a metal substrate layer, an undercoat GL layer, and an uppermost GL layer on the outermost layer,
Sodium from upper coating GL layer surface in the following portion with a thickness 1 [mu] m, the content of potassium and lithium state, and are less than 1/10 of the upper coating sodium in the glass frit constituting the GL layer, potassium and lithium content,
The overcoat GL layer contains ammonium ions, and relates to an alkali metal elution suppression GL.

本発明の処理方法によって処理されたGLは、上引きGL層表面近傍に水素イオン又はアンモニウムイオンが導入され、アルカリイオンが金属基材側へと移動している。上引きGL層表面からのアルカリ金属溶出を効果的に防止するためには、上引きGL層表面から1μm以下の厚み部分におけるNa、K及びLiの含有量が、上引きGL層を構成するガラスフリット中のアルカリ金属の含有量の目安として、Na、K及びLiの含有量の1/10以下であることが重要となる。   In the GL treated by the treatment method of the present invention, hydrogen ions or ammonium ions are introduced in the vicinity of the surface of the overcoat GL layer, and alkali ions move to the metal substrate side. In order to effectively prevent alkali metal elution from the surface of the overcoat GL layer, the content of Na, K and Li in the thickness portion of 1 μm or less from the surface of the overcoat GL layer is the glass constituting the overcoat GL layer. As a measure of the content of alkali metal in the frit, it is important that it is 1/10 or less of the content of Na, K and Li.

ここでいう「Na、K及びLiの含有量」とは、各元素の含有量mol濃度を意味し、GL中に含有されるアルカリ金属量の目安となる。   The “content of Na, K and Li” herein means the mol concentration of each element, and is a measure of the amount of alkali metal contained in GL.

本発明のアルカリ金属溶出抑制GLは、上引きGL層がKを含有しない上引きGL層であることが好ましい。   The alkali metal elution suppression GL of the present invention is preferably a top GL layer in which the top GL layer does not contain K.

また、本発明は、
金属基材層と、下引きGL層と、最表層の上引きGL層とを有するGLであって、
上引きGL層表面から1μm以下の厚み部分におけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量が、上引きGL層を構成するガラスフリットにおけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量の1/10以下であり、
上引きグラスライニング層がプロトン又はオキソニウムイオンの少なくとも一方を含有することを特徴とする、アルカリ金属溶出抑制GLに関する
The present invention also provides:
A GL having a metal substrate layer, an undercoat GL layer, and an uppermost GL layer on the outermost layer,
The content of sodium, potassium and lithium in the thickness portion of 1 μm or less from the surface of the overcoat GL layer is 1/10 or less of the content of sodium, potassium and lithium in the glass frit constituting the overcoat GL layer,
The present invention relates to an alkali metal elution suppression GL, wherein the overlying glass lining layer contains at least one of protons and oxonium ions.

本発明は、上記構成のアルカリ金属溶出抑制GLから構成されるGL構造物に関する。   The present invention relates to a GL structure including the alkali metal elution suppression GL having the above configuration.

本発明によれば、上引きGL層を有するGLについて、上引きGL層表面近傍のアルカリイオン含有量を減少させることによって、従来のアルカリ処理法と比較してアルカリ金属溶出を効果的に抑制し得る。本発明の方法は、既存のGL製品について適用可能である利点を有する。   According to the present invention, by reducing the alkali ion content in the vicinity of the surface of the overcoat GL layer for the GL having the overcoat GL layer, the alkali metal elution is effectively suppressed as compared with the conventional alkali treatment method. obtain. The method of the present invention has the advantage of being applicable to existing GL products.

本発明の処理方法の実施状態を説明する概念図を示す。The conceptual diagram explaining the implementation state of the processing method of this invention is shown. 本発明の処理方法における上引きGL層表面近傍のイオンの移動を説明する概念図を示す。The conceptual diagram explaining the movement of the ion near the surface of the overcoat GL layer in the processing method of this invention is shown. 試験例2のGLについて、表層から深さ方向に各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。The graph of the result of having measured distribution of each element from the surface layer to the depth direction about GL of the test example 2 is shown. 無水硫酸を用いて処理された試験例1のGLについて、表層から深さ方向に各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。The graph of the result of having measured distribution of each element from the surface layer to the depth direction about GL of Experiment 1 processed using anhydrous sulfuric acid is shown. 実施例2のGLについて、表層から深さ方向に各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。The graph of the result of having measured distribution of each element from the surface layer to the depth direction about GL of Example 2 is shown. 実施例3のGLについて、表層から深さ方向に各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。The graph of the result of having measured distribution of each element from the surface layer to the depth direction about GL of Example 3 is shown.

本発明の実施の形態について、以下に説明する。本発明は、以下の記載に限定されない。   Embodiments of the present invention will be described below. The present invention is not limited to the following description.

図1は、本発明の処理方法の実施状態を説明する概念図である。ここでは、アンモニウム塩を使用する実施形態について説明するが、アンモニウム塩に代えて硫酸を使用し、同様に操作することも可能である。   FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating an implementation state of the processing method of the present invention. Here, an embodiment using an ammonium salt will be described, but it is also possible to use sulfuric acid instead of the ammonium salt and operate in the same manner.

GL1は、金属基材2の上に下引きGL層3及び上引きGL層4が順に焼成されている。金属基材2の例は、鉄鋼又はステンレスである。下引きGL層3は、公知の下引きGL層用のガラスフリットを用い、公知の方法、例えば焼成法によって形成されることが可能である。同様に、上引きGL層は、公知の上引きGL層用のガラスフリットを用い、公知の方法によって形成されることが可能である。金属基材2、下引きGL層3及び上引きGL層4の厚みは、200℃以上に加熱した溶融塩(又は硫酸)と接触させた場合に直流電圧を印加可能であれば、特に限定されない。   In the GL 1, the undercoat GL layer 3 and the overcoat GL layer 4 are sequentially fired on the metal base 2. The example of the metal base material 2 is steel or stainless steel. The undercoat GL layer 3 can be formed by a known method, for example, a firing method, using a known glass frit for the undercoat GL layer. Similarly, the overcoat GL layer can be formed by a known method using a known glass frit for the overcoat GL layer. The thickness of the metal substrate 2, the undercoat GL layer 3, and the overcoat GL layer 4 is not particularly limited as long as a DC voltage can be applied when the metal base 2, the undercoat GL layer 4 is brought into contact with a molten salt (or sulfuric acid) heated to 200 ° C. or higher. .

GL1は、アルミナのような絶縁性の耐熱筒7(耐熱容器)に、ガスケット6を介して取り付けられる。このとき、上引きGL層4が耐熱容器7側となるように取り付ける。耐熱容器7の底部は開口しており、上引きGL層4の上面は、耐熱容器7の底部に露出している。   The GL 1 is attached to an insulating heat-resistant cylinder 7 (heat-resistant container) such as alumina via a gasket 6. At this time, the upper GL layer 4 is attached so as to be on the heat-resistant container 7 side. The bottom of the heat-resistant container 7 is open, and the upper surface of the overcoat GL layer 4 is exposed at the bottom of the heat-resistant container 7.

耐熱容器7内には、少なくとも1種類のアンモニウム塩5を供給する。アンモニウム塩5としては、硫酸アンモニウム及び硫酸水素アンモニウムの混合物が好ましい。このとき、硫酸アンモニウムの硫酸水素アンモニウムに対する質量比を1以上4以下となるように、両者を混合した混合物を使用することがより好ましい。アンモニウム塩5は、アンモニウム塩のみから構成されていてもよく、アンモニウム塩以外の成分も含有していてもよい。   At least one ammonium salt 5 is supplied into the heat-resistant container 7. As the ammonium salt 5, a mixture of ammonium sulfate and ammonium hydrogen sulfate is preferable. At this time, it is more preferable to use a mixture in which both are mixed such that the mass ratio of ammonium sulfate to ammonium hydrogen sulfate is 1 or more and 4 or less. The ammonium salt 5 may be composed of only an ammonium salt, and may contain components other than the ammonium salt.

金属基材2を負極側、耐熱容器7内が正極側となるように、負極8及び正極9を取り付け、直流電源10と接続する。その後、GL1及び耐熱容器7は、高温槽に入れられ、アンモニウム塩の溶融温度以上に加熱される。溶融温度は、200℃以上とする。そうすることにより、アンモニウム塩5が溶融して200℃以上の溶融液11となり、溶融液11と上引きGL層4が接触することになる。このとき、溶融液11と金属基材2とは接触しておらず、陽極9は、溶融液11と接触している。   A negative electrode 8 and a positive electrode 9 are attached so that the metal substrate 2 is on the negative electrode side and the inside of the heat-resistant container 7 is on the positive electrode side, and is connected to the DC power source 10. Then, GL1 and the heat-resistant container 7 are put into a high-temperature tank and heated to the melting temperature of the ammonium salt or higher. The melting temperature is 200 ° C. or higher. By doing so, the ammonium salt 5 melts to become a melt 11 at 200 ° C. or higher, and the melt 11 and the overcoat GL layer 4 come into contact with each other. At this time, the melt 11 and the metal substrate 2 are not in contact, and the anode 9 is in contact with the melt 11.

GL自体を200℃以上とすることによっても、ガラスの体積抵抗率が小さくなり電流が流れやすくなる。電流を流しやすくする観点から、溶融温度は200℃以上が好ましく、250℃以上がより好ましい。アンモニウム塩及びGLは、それぞれ電気ヒータのような加熱装置によって加熱されることが好ましい。   Even when the GL itself is set to 200 ° C. or higher, the volume resistivity of the glass is reduced and the current easily flows. From the viewpoint of facilitating current flow, the melting temperature is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher. The ammonium salt and GL are each preferably heated by a heating device such as an electric heater.

その後、負極8及び正極9間に直流電圧を加える。直流電圧は、100V以上1000V以下が好ましい。上述したように、アンモニウム塩5は、硫酸アンモニウム及び硫酸水素アンモニウムの混合物であり、該混合物における硫酸アンモニウムの硫酸水素アンモニウムに対する質量比は1以上4以下であることが好ましいが、その場合、直流電圧は100V以上1000V以下とすることが好ましく、100V以上600V以下とすることがより好ましい。
これは直流電圧が100V以下であると処理時間が長くなるためであり、1000V以上であると、耐熱容器の外表面等をリークして流れる電流が多くなり、効率が低下するためである。
Thereafter, a DC voltage is applied between the negative electrode 8 and the positive electrode 9. The DC voltage is preferably 100V or more and 1000V or less. As described above, the ammonium salt 5 is a mixture of ammonium sulfate and ammonium hydrogen sulfate, and the mass ratio of ammonium sulfate to ammonium hydrogen sulfate in the mixture is preferably 1 or more and 4 or less. In this case, the DC voltage is 100V. It is preferable to set it to 1000 V or less, and more preferable to set it to 100 V or more and 600 V or less.
This is because the processing time becomes longer when the DC voltage is 100 V or less, and when it is 1000 V or more, the current that leaks on the outer surface of the heat-resistant container increases, and the efficiency decreases.

上引きGL層4の厚み、処理するガラス中のアルカリ金属量、処理温度、処理電圧又は処理厚みにもよるが、本発明の処理方法は、1〜5時間以上行うことが好ましい。例えば、アルカリ金属量の含有量の合計が10〜20mol%のグラスを、本発明の処理方法によって200℃以上で処理する場合には、処理時間を2〜3時間とすることが好ましい。アルカリ金属溶出を効果的に抑制するためには、上引きGL層表面から1μm以下の厚み部分におけるNa、K及びLiの含有量が、上引きGL層を構成するガラスフリットにおけるNa及びLiの含有量の1/10以下となることが好ましいためである。   Although depending on the thickness of the overcoat GL layer 4, the amount of alkali metal in the glass to be processed, the processing temperature, the processing voltage, or the processing thickness, the processing method of the present invention is preferably performed for 1 to 5 hours or more. For example, when a glass having a total alkali metal content of 10 to 20 mol% is treated at 200 ° C. or higher by the treatment method of the present invention, the treatment time is preferably 2 to 3 hours. In order to effectively suppress alkali metal elution, the content of Na, K, and Li in the thickness portion of 1 μm or less from the surface of the overcoat GL layer is the content of Na and Li in the glass frit constituting the overcoat GL layer. This is because it is preferably 1/10 or less of the amount.

図2は、本発明の方法(溶融塩を使用する場合)における、上引きGL層近傍のイオンの移動を説明する概念図を示す。溶融液11には、NH 、H及びオキソニウムイオンHが含有されている。一方、上引きGL層4には、アルカリイオンとして、Na、K及びLiが主として含有されている。 FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating the movement of ions in the vicinity of the overcoat GL layer in the method of the present invention (when using a molten salt). The melt 11 contains NH 4 + , H + and oxonium ions H 3 O + . On the other hand, the overcoat GL layer 4 mainly contains Na + , K + and Li + as alkali ions.

負極8及び正極9間に直流電圧を加えると、上引きGL層4中のNa、K及びLiは、負極側である金属基材方向に移動する。そして、Na、K及びLiの替わりに、溶融液11中のNH 、H及びHが上引きGL層4の表面近傍のグラス層中に移動する。その結果、上引きGL層4表面近傍におけるNa、K及びLiが減少し、上引きGL層4からのアルカリ金属溶出が効果的に抑制され得る。 When a DC voltage is applied between the negative electrode 8 and the positive electrode 9, Na + , K + and Li + in the overcoat GL layer 4 move in the direction of the metal substrate on the negative electrode side. Then, instead of Na + , K + and Li + , NH 4 + , H + and H 3 O + in the melt 11 move into the glass layer near the surface of the overcoat GL layer 4. As a result, Na + , K + and Li + in the vicinity of the surface of the overcoat GL layer 4 are reduced, and alkali metal elution from the overcoat GL layer 4 can be effectively suppressed.

特に、アンモニウムイオンを含有する溶融塩を使用する場合、NH のイオン半径がNa等のアルカリ金属イオンのイオン半径が同程度であるため、Na等が移動した個所にNH が入り込むことによって、Na等のアルカリ金属イオンの移動によるGL層中の応力の変化を小さくすることができ、応力の変化によるグラスの割れ及び剥離を防ぐことができると共に、耐食性に優れた安定なGL層を形成することが可能となる。 In particular, when using a molten salt containing ammonium ions, for NH 4 + ion radius is an ion radius comparable alkali metal ions such as Na +, is NH 4 + in the places where such as Na + moves By entering, the change in stress in the GL layer due to the movement of alkali metal ions such as Na + can be reduced, and it is possible to prevent breakage and peeling of the glass due to the change in stress, and it is stable with excellent corrosion resistance. A GL layer can be formed.

なお、上引きGL層のガラスフリットのNa化合物、K化合物又はLi化合物を減らし、替わりにアンモニウム塩を添加し、上引きGL層を施工することによって、上引きGL層のアルカリ含有量を減少させてアルカリ金属溶出を抑制することも考え得る。しかし、この場合には、施工時の焼成によってアンモニウム塩が分解してしまうために、上引きGL層を形成することはできない。   In addition, by reducing the Na compound, K compound or Li compound of the glass frit of the overcoat GL layer, instead of adding an ammonium salt and constructing the overcoat GL layer, the alkali content of the overcoat GL layer is reduced. It is also conceivable to suppress alkali metal elution. However, in this case, the overlying GL layer cannot be formed because the ammonium salt is decomposed by firing during construction.

が上引きGL層4内を移動すると、イオン半径がNa及びLiと比較して極端に大きいため、上引きGL層4内部に発生する応力が大きくなり、上引きGL層4が剥離しやすくなるおそれがある。このため、本発明の処理方法は、上引きGL層4がKを含有しないGLへ適用することが好ましい。なお、ここでいう「Kを含有しないGL」とは、ガラスフリットにカリウム塩又はカリウム酸化物のような成分が積極的に含有されていないGLを意味し、ガラスフリット中に不可避的にKを含有するGLを意味しない。 When K + moves upper coating GL layer 4, since the ion radius is extremely large compared with the Na + and Li +, stress generated inside the upper coating GL layer 4 is increased, the upper coating GL layer 4 There is a risk of peeling. For this reason, it is preferable to apply the processing method of the present invention to the GL in which the overcoat GL layer 4 does not contain K + . Here, “GL containing no K” means GL in which a glass frit does not actively contain a component such as potassium salt or potassium oxide, and K is inevitably contained in the glass frit. Does not mean containing GL.

なお、無水硫酸を使用する場合には、上引きGL層4中のNa、K及びLiは、負極側である金属基材方向に移動し、無水硫酸中のHが上引きGL層4の表面近傍に移動する。 When sulfuric anhydride is used, Na + , K + and Li + in the overcoat GL layer 4 move toward the metal substrate on the negative electrode side, and H + in the anhydrous sulfuric acid is overcoated GL. Move to the vicinity of the surface of the layer 4.

[試験例1]
炭素鋼鋼板(SS400、厚み6mm、110mm×110mmのテストピース)上に、表1に示される組成のガラスフリットをスプレーによって0.2mmの厚みに施釉し、920℃で焼成した。なお、表1における数字の単位は、質量%である。
[Test Example 1]
On a carbon steel plate (SS400, thickness 6 mm, 110 mm × 110 mm test piece), a glass frit having the composition shown in Table 1 was applied by spraying to a thickness of 0.2 mm and fired at 920 ° C. In addition, the unit of the number in Table 1 is the mass%.

次に、下引きGL層の上に、表2の上引きGL(1)に示される組成のガラスフリットをスプレーによって1mmの厚みになるまで施釉し、850℃で焼成を複数回繰り返し行った。こうして得られた2層のGL層を有するGLを試験例1のGLとした。なお、表2における数字の単位は、質量%である。   Next, a glass frit having the composition shown in Table 2 undercoat GL (1) was applied onto the undercoat GL layer by spraying to a thickness of 1 mm, and firing was repeated a plurality of times at 850 ° C. The GL having the two GL layers thus obtained was designated as GL of Test Example 1. In addition, the unit of the number in Table 2 is mass%.

[試験例2]
表2の上引きGL(2)に示される組成のガラスフリットを使用する以外、試験例1と同様にして得られたGLを、試験例2のGLとした。
[Test Example 2]
The GL obtained in the same manner as in Test Example 1 was used as the GL of Test Example 2, except that the glass frit having the composition shown in Table 2 GL (2) was used.

(実施例1)
試験例1のGLについて、図1に示されるような装置を用いて、GL及び無水硫酸を200℃に加熱された状態で接触させた。直流電圧をかけて、トータルで3クーロン電荷が流れたことを確認し、上引きGL層表面近傍のNa、K及びLiをHによって置換(イオン交換)した。
(Example 1)
About GL of the test example 1, GL and sulfuric anhydride were contacted in the state heated at 200 degreeC using the apparatus as shown in FIG. A DC voltage was applied to confirm that a total of 3 coulomb charges flowed, and Na + , K + and Li + in the vicinity of the surface of the overcoat GL layer were replaced (ion exchange) with H + .

GL及び無水硫酸は、それぞれ電気ヒータ(図示せず)によって加熱された。また、回路中にクーロンメーターを設置することによって、電荷量を測定した。   GL and sulfuric anhydride were each heated by an electric heater (not shown). Moreover, the charge amount was measured by installing a coulomb meter in the circuit.

(実施例2)
試験例1のGLについて、図1に示されるような装置を用いて、アンモニウム塩として硫酸アンモニウムと硫酸水素アンモニウムを等モル混合した混合アンモニウム塩を用い、250℃で直流電圧をかけた。実施例1と同様に、クーロンメーターを用いてトータルで5クーロン電荷が流れたことを確認し、上引きGL層表面近傍のNa、K及びLiをNH によって置換(イオン交換)した。
(Example 2)
With respect to GL of Test Example 1, a DC voltage was applied at 250 ° C. using a mixed ammonium salt obtained by mixing equimolar amounts of ammonium sulfate and ammonium hydrogen sulfate as an ammonium salt using an apparatus as shown in FIG. As in Example 1, it was confirmed that a total of 5 coulomb charges flowed using a coulomb meter, and Na + , K + and Li + in the vicinity of the surface of the overcoat GL layer were replaced with NH 4 + (ion exchange). did.

(実施例3)
試験例2のGLについて、実施例2と同様にして直流電圧を加え、上引きGL層表面近傍のNa及びLiをNH によって置換(イオン交換)した。
(Example 3)
For GL of Test Example 2, a DC voltage was applied in the same manner as in Example 2, and Na + and Li + in the vicinity of the surface of the overcoat GL layer were substituted (ion exchange) with NH 4 + .

表面処理後のGLについて、低溶出寿命、イオン交換量、イオン厚み、及び低溶出寿命を測定した。表3は、それらの測定結果を示す。   For the GL after the surface treatment, a low elution life, an ion exchange amount, an ion thickness, and a low elution life were measured. Table 3 shows the measurement results.

ここで、イオン交換量とは、処理中に陽極/陰極間に流れた電流であり、電界を印加する回路にクーロンメーターを組み込んで測定した。イオン交換厚みとは、処理によって形成された、アルカリ金属成分が移動した層の厚みであり、グロー放電発光分光分析装置(GDOES)によって測定した。低溶出寿命とは、処理前のアルカリ金属溶出量相当まで溶出値が戻るまでの時間であり、110℃の精製水中に処理したサンプルを250時間暴露し、精製水中にGL層から溶出したアルカリ金属溶出量を測定することにより確認した。   Here, the ion exchange amount is a current flowing between the anode and the cathode during processing, and was measured by incorporating a coulomb meter in a circuit to which an electric field was applied. The ion exchange thickness is the thickness of the layer formed by the treatment, to which the alkali metal component has moved, and was measured by a glow discharge optical emission spectrometer (GDOES). The low elution life is the time until the elution value returns to the amount equivalent to the alkali metal elution amount before the treatment. The sample treated in 110 ° C. purified water is exposed for 250 hours, and the alkali metal eluted from the GL layer in the purified water. It confirmed by measuring the elution amount.

無水硫酸を使用する実施例1は、アンモニウム溶融塩を使用する実施例2及び3と比較すると、イオン交換量、イオン交換厚み及び低溶出寿命の値が半分程度であったが、試験例1のGL(無処理)も実用上は十分にアルカリ金属溶出が抑制されているといえる。   In Example 1 using anhydrous sulfuric acid, the values of ion exchange amount, ion exchange thickness and low elution lifetime were about half as compared with Examples 2 and 3 using ammonium molten salt. It can be said that GL (non-treatment) is sufficiently suppressed in practical use from the elution of alkali metal.

次に、試験例1のGL(未処理)及び実施例1〜3のGLは、GL面が内側となるように、oリングを介して精製水を入れたPTFE製シリンダー(筒状体)に取り付けられた。それぞれのGL面が精製水に接触した状態とし、オートクレーブ内で110℃、250時間保持された。その後、精製水中に溶出したNa,Li及びCa量は、誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP-MS)によって測定された各イオンの濃度である。表4は、それらの測定結果を示す。   Next, the GL (untreated) of Test Example 1 and the GLs of Examples 1 to 3 are placed in a PTFE cylinder (tubular body) containing purified water through an o-ring so that the GL surface is on the inside. Attached. Each GL surface was brought into contact with purified water, and kept in an autoclave at 110 ° C. for 250 hours. Thereafter, the amounts of Na, Li and Ca eluted in the purified water are the concentrations of each ion measured by an inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS). Table 4 shows the measurement results.

実施例1〜3のGLのNa,Li及びCaの3元素の溶出量は、各元素の測定方法における検出限界未満となった。表4より、本発明の処理方法であるアンモニウム塩処理は、無水硫酸を用いる処理方法と比較して、上引きGL層からのアルカリ金属溶出がさらに少ないことが確認された。   The elution amounts of GL Na, Li, and Ca in Examples 1 to 3 were less than the detection limit in the measurement method of each element. From Table 4, it was confirmed that the ammonium salt treatment, which is the treatment method of the present invention, further reduced alkali metal elution from the overcoat GL layer as compared with the treatment method using anhydrous sulfuric acid.

<グロー放電発光分光分析試験>
図3は、試験例2のGLについて、グロー放電発光分光分析装置(GDOES)を用いて、表層から深さ方向への各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。図3において、縦軸は各元素の相対的な存在強度(測定したGL表面からの深さの最も深い位置における特定元素の量を1としたときに、当該元素がどの程度存在しているかを相対的に表した数値)を表し、横軸は上引きGL表面からの深さ(厚み)を表す。後述する図4〜図6についても同様である。
<Glow discharge emission spectroscopic analysis test>
FIG. 3: shows the graph of the result of having measured distribution of each element from the surface layer to the depth direction about the GL of Test Example 2 using the glow discharge emission spectroscopic analyzer (GDOES). In FIG. 3, the vertical axis indicates the relative abundance of each element (how much the element is present when the amount of the specific element at the deepest position from the measured GL surface is 1). The numerical value expressed relatively), and the horizontal axis represents the depth (thickness) from the surface of the overdrawing GL. The same applies to FIGS. 4 to 6 described later.

一方、図4は、205℃に加熱されたGLと無水硫酸とを接触させること以外、実施例1と同様にして得られたGLについて、表層から深さ方向への各元素の分布を測定した結果のグラフである。図4より、無水硫酸を用いてイオン交換されることにより、GL表面から約1.5μmまでの上引きGL層には、Na及びLiがほとんど検出されないことが確認された。図4より、上引きグラスライニング層表面から1μm以下の厚み部分におけるNa及びLiの含有量は、上引きGL層を構成するガラスフリットのNa及びLiの含有量の1/10以下であった。   On the other hand, FIG. 4 measured the distribution of each element from the surface layer to the depth direction for GL obtained in the same manner as in Example 1 except that GL heated to 205 ° C. and sulfuric anhydride were contacted. It is a graph of a result. From FIG. 4, it was confirmed that Na and Li were hardly detected in the overlying GL layer from the GL surface to about 1.5 μm by ion exchange using sulfuric anhydride. From FIG. 4, the content of Na and Li in the thickness portion of 1 μm or less from the surface of the overcoated glass lining layer was 1/10 or less of the content of Na and Li in the glass frit constituting the overcoated GL layer.

なお、実施例1のGLについても、表層から深さ方向への各元素の分布を測定した結果、同様の結果が得られた。   In addition, also about GL of Example 1, as a result of measuring distribution of each element from a surface layer to a depth direction, the same result was obtained.

図5は、実施例2のGLについて、グロー放電発光分光分析装置(GDOES)を用いて、表層から深さ方向への各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。図5より、実施例2のGLは、GL表面から約4.0μmまでの上引きGL層には、Na及びLiがほとんど検出されないことが確認された。図5より、上引きグラスライニング層表面から1μm以下の厚み部分におけるNa及びLiの含有量は、上引きGL層を構成するガラスフリットのNa及びLiの含有量の1/10以下であった。   FIG. 5: shows the graph of the result of having measured distribution of each element from the surface layer to the depth direction about the GL of Example 2 using the glow discharge emission spectroscopic analyzer (GDOES). From FIG. 5, it was confirmed that the GL of Example 2 hardly detected Na and Li in the overlying GL layer from the GL surface to about 4.0 μm. From FIG. 5, the content of Na and Li in the thickness portion of 1 μm or less from the surface of the overcoated glass lining layer was 1/10 or less of the content of Na and Li in the glass frit constituting the overcoated GL layer.

図6は、実施例3のGLについて、グロー放電発光分光分析装置(GDOES)を用いて、表層から深さ方向への各元素の分布を測定した結果のグラフを示す。図6より、実施例3のGLは、GL表面から約6.0μmまでの上引きGL層には、Na及びLiがほとんど検出されないことが確認された。図6より、上引きグラスライニング層表面から1μm以下の厚み部分におけるNa及びLiの含有量は、上引きGL層を構成するガラスフリットのNa及びLiの含有量の1/10以下であった。   FIG. 6 shows a graph of the results of measuring the distribution of each element in the depth direction from the surface layer, using a glow discharge optical emission spectrometer (GDOES), for the GL of Example 3. From FIG. 6, it was confirmed that the GL of Example 3 hardly detected Na and Li in the overlying GL layer from the GL surface to about 6.0 μm. From FIG. 6, the content of Na and Li in the thickness portion of 1 μm or less from the surface of the overcoated glass lining layer was 1/10 or less of the content of Na and Li in the glass frit constituting the overcoated GL layer.

<GL層中のアンモニウム測定試験>
無処理のGL及び、実施例2のGLについて、X線光電子分光法(XPS)によりGL表面のガラス中のN(窒素)含有量(質量%)を測定した。その結果、無処理のGLではN含有量は0質量%であり、実施例2のGLでは3.57質量%であった。
<Ammonium measurement test in GL layer>
About untreated GL and GL of Example 2, N (nitrogen) content (mass%) in the glass on the surface of GL was measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). As a result, in the untreated GL, the N content was 0% by mass, and in the GL of Example 2, it was 3.57% by mass.

さらに、上記2種類のGLは、GL面が内側となるように、oリングを介して精製水を入れたPTFE製シリンダー(筒状体)に取り付けられた。それぞれのGL面が精製水に接触した状態とし、オートクレーブ内で110℃、600時間保持され、精製水中にGL層表面の溶出成分を溶出させた。その後、インドフェノールブルー吸光光度法によって、精製水中のアンモニウムイオン濃度を測定した。その結果、無処理のGLではNH 濃度が0mg/Lであったのに対して、実施例2のGLではNH 濃度が0.01mg/Lであり、GL層内にNH が取り込まれていることが確認された。 Furthermore, the above-mentioned two types of GL were attached to a PTFE cylinder (tubular body) containing purified water through an o-ring so that the GL surface was on the inside. Each GL surface was brought into contact with purified water, and kept in an autoclave at 110 ° C. for 600 hours to elute elution components on the surface of the GL layer in purified water. Thereafter, the ammonium ion concentration in the purified water was measured by indophenol blue absorptiometry. As a result, in the untreated GL, the NH 4 + concentration was 0 mg / L, whereas in the GL of Example 2, the NH 4 + concentration was 0.01 mg / L, and NH 4 + was present in the GL layer. It was confirmed that it was incorporated.

このように、本発明の処理方法をGLに適用することにより、アルカリ金属溶出の原因となる上引きGL層表面付近のアルカリ金属を減少させることができる。   Thus, by applying the treatment method of the present invention to GL, alkali metals near the surface of the overcoat GL layer, which cause alkali metal elution, can be reduced.

本発明は、半導体分野又は化学分野のように、GLから溶出するアルカリ金属(アルカリ金属イオン)が問題となるような製品を生産する技術分野において有用である。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful in a technical field for producing a product in which an alkali metal (alkali metal ion) eluted from GL becomes a problem, such as in the semiconductor field or the chemical field.

1:GL
2:金属基材
3:下引きGL層
4:上引きGL層
5:アンモニウム塩
6:ガスケット
7:耐熱筒(耐熱容器)
8:負極
9:正極
10:直流電源
11:溶融液
1: GL
2: Metal base material 3: Undercoat GL layer 4: Overcoat GL layer 5: Ammonium salt 6: Gasket 7: Heat-resistant cylinder (heat-resistant container)
8: Negative electrode 9: Positive electrode 10: DC power supply 11: Melt

Claims (7)

金属基材層と、下引きグラスライニング層と、上引きグラスライニング層とを有するグラスライニングについて、
(A)硫酸、又は
(B)少なくとも1種類のアンモニウム塩を含有する溶融液、
のいずれかと上引きグラスライニング層とを接触させ、かつ、硫酸又は前記溶融液と金属基材層とは接触させない状態で、
200℃以上に加熱した硫酸又は前記溶融液を正極側、金属基材層を負極側として直流電圧を加え、上引きグラスライニング層表面近傍のアルカリ金属を金属基材層側へと移動させ、硫酸又は溶融液中の1価の陽イオンをグラス中に導入することによって、上引きグラスライニング層表面からのアルカリ金属溶出を抑制する処理方法。
About glass lining having a metal substrate layer, an undercoating glass lining layer, and an overcoating glass lining layer,
(A) sulfuric acid, or (B) a melt containing at least one ammonium salt,
In a state where any of the above and the overlying glass lining layer are brought into contact with each other, and the sulfuric acid or the molten liquid and the metal substrate layer are not brought into contact with each other,
Sulfuric acid heated to 200 ° C or higher or the molten liquid is applied to the positive electrode side, the direct current voltage is applied to the metal substrate layer as the negative electrode side, and the alkali metal near the surface of the overlying glass lining layer is moved to the metal substrate layer side Or the processing method which suppresses the elution of the alkali metal from the surface of an upper glass lining layer by introduce | transducing the monovalent cation in a melt into glass.
前記アンモニウム塩が、硫酸アンモニウム及び硫酸水素アンモニウムの混合物であり、
該混合物における硫酸アンモニウムの硫酸水素アンモニウムに対する質量比が1以上4以下である、請求項1に記載の処理方法。
The ammonium salt is a mixture of ammonium sulfate and ammonium hydrogen sulfate;
The processing method according to claim 1, wherein a mass ratio of ammonium sulfate to ammonium hydrogen sulfate in the mixture is 1 or more and 4 or less.
前記上引きグラスライニング層がカリウムを含有しない上引きグラスライニング層である、請求項1又は2に記載の処理方法。   The processing method according to claim 1 or 2, wherein the upper glass lining layer is an upper glass lining layer not containing potassium. 金属基材層と、下引きグラスライニング層と、上引きグラスライニング層とを有するグラスライニングであって、
上引きグラスライニング層表面から1μm以下の厚み部分におけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量が、上引きグラスライニング層を構成するガラスフリットにおけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量の1/10以下であり、
前記上引きグラスライニング層がアンモニウムイオンを含有することを特徴とする、アルカリ金属溶出抑制グラスライニング。
A glass lining having a metal substrate layer, an undercoating glass lining layer, and an overcoating glass lining layer,
Sodium from upper coating glass lining layer surface in the following portion with a thickness 1 [mu] m, the content of potassium and lithium state, and are less than 1/10 of the upper coating sodium in the glass frit constituting the glass lining layer, potassium and lithium content ,
An alkali metal elution suppression glass lining, wherein the overlying glass lining layer contains ammonium ions .
金属基材層と、下引きグラスライニング層と、上引きグラスライニング層とを有するグラスライニングであって、
上引きグラスライニング層表面から1μm以下の厚み部分におけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量が、上引きグラスライニング層を構成するガラスフリットにおけるナトリウム、カリウム及びリチウムの含有量の1/10以下であり、
前記上引きグラスライニング層がプロトン又はオキソニウムイオンの少なくとも一方を含有することを特徴とする、アルカリ金属溶出抑制グラスライニング。
A glass lining having a metal substrate layer, an undercoating glass lining layer, and an overcoating glass lining layer,
Sodium from upper coating glass lining layer surface in the following portion with a thickness 1 [mu] m, the content of potassium and lithium state, and are less than 1/10 of the upper coating sodium in the glass frit constituting the glass lining layer, potassium and lithium content ,
An alkali metal elution suppression glass lining, wherein the overlying glass lining layer contains at least one of a proton and an oxonium ion .
前記上引きグラスライニング層がカリウムを含有しない上引きグラスライニング層である、請求項4又は5に記載のアルカリ金属溶出抑制グラスライニング。 The alkali metal elution suppression glass lining according to claim 4 or 5 , wherein the upper glass lining layer is an upper glass lining layer not containing potassium. 請求項4乃至6のいずれか1項に記載のアルカリ金属溶出抑制グラスライニングから構成されるグラスライニング構造物。 The glass lining structure comprised from the alkali metal elution suppression glass lining of any one of Claims 4 thru | or 6 .
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