JP5795896B2 - Organic electroluminescent material and organic electroluminescent device using the same - Google Patents

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本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料(以下、有機EL材料と呼ぶこともある)および有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼ぶこともある)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent material (hereinafter also referred to as an organic EL material) and an organic electroluminescent element (hereinafter also referred to as an organic EL element).

有機EL素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が、また陰極から電子が、それぞれ発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子及び三重項励起子が25%:75%の割合で生成する。発光原理に従って分類した場合、蛍光型では、一重項励起子による発光を用いるため、有機EL素子の内部量子効率は25%が限界といわれている。一方、燐光型では、三重項励起子による発光を用いるため、一重項励起子から項間交差が効率的に行われた場合には内部量子効率が100%まで高められることが知られている。   When a voltage is applied to the organic EL element, holes from the anode and electrons from the cathode are injected into the light emitting layer. Then, in the light emitting layer, the injected holes and electrons are recombined to form excitons. At this time, singlet excitons and triplet excitons are generated at a ratio of 25%: 75% according to the statistical rule of electron spin. When classified according to the light emission principle, the fluorescence type uses light emitted from singlet excitons, and therefore the internal quantum efficiency of the organic EL element is said to be limited to 25%. On the other hand, in the phosphorescent type, since light emission by triplet excitons is used, it is known that the internal quantum efficiency can be increased to 100% when intersystem crossing is efficiently performed from singlet excitons.

従来、有機EL素子においては、蛍光型、及び燐光型の発光メカニズムに応じ、最適な素子設計がなされてきた。特に燐光型の有機EL素子については、その発光特性から、蛍光素子技術の単純な転用では高性能な素子が得られないことが知られている。その理由は、一般的に以下のように考えられている。
まず、燐光発光は、三重項励起子を利用した発光であるため、発光層に用いる化合物のエネルギーギャップが大きくなくてはならない。何故なら、ある化合物の一重項エネルギー(最低励起一重項状態と基底状態とのエネルギー差をいう。)の値は、通常、その化合物の三重項エネルギー(最低励起三重項状態と基底状態とのエネルギー差をいう。)の値よりも大きいからである。
従って、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に素子内に閉じ込めるためには、まず、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーよりも大きな三重項エネルギーを有するホスト材料を発光層に用いなければならない。さらに、発光層に隣接する電子輸送層及び正孔輸送層を設ける際に、電子輸送層及び正孔輸送層にも燐光発光性ドーパント材料よりも大きな三重項エネルギーを有する化合物を用いなければならない。このように、従来の有機EL素子の素子設計思想に基づく場合、蛍光型の有機EL素子に用いる化合物と比べて、より大きなエネルギーギャップを有する化合物を燐光型の有機EL素子に用いることにつながり、有機EL素子全体の駆動電圧が上昇する。
Conventionally, in an organic EL element, an optimal element design has been made according to a light emission mechanism of a fluorescent type and a phosphorescent type. In particular, it is known that phosphorescent organic EL elements cannot obtain high-performance elements by simple diversion of fluorescent element technology because of their light emission characteristics. The reason is generally considered as follows.
First, since phosphorescence emission is emission using triplet excitons, the energy gap of the compound used in the light emitting layer must be large. This is because the value of the singlet energy of a compound (the energy difference between the lowest excited singlet state and the ground state) is usually the triplet energy of the compound (the energy between the lowest excited triplet state and the ground state). This is because it is larger than the value of the difference.
Therefore, in order to efficiently confine the triplet energy of the phosphorescent dopant material in the device, first, a host material having a triplet energy larger than the triplet energy of the phosphorescent dopant material must be used for the light emitting layer. I must. Further, when providing the electron transport layer and the hole transport layer adjacent to the light emitting layer, a compound having a triplet energy larger than that of the phosphorescent dopant material must be used for the electron transport layer and the hole transport layer. Thus, when based on the element design concept of the conventional organic EL element, it leads to using a compound having a larger energy gap for the phosphorescent organic EL element as compared with the compound used for the fluorescent organic EL element. The drive voltage of the whole organic EL element rises.

また、蛍光素子で有用であった酸化耐性や還元耐性の高い炭化水素系の化合物はπ電子雲の広がりが大きいため、エネルギーギャップが小さい。そのため、燐光型の有機EL素子では、このような炭化水素系の化合物が選択され難く、酸素や窒素などのヘテロ原子を含んだ有機化合物が選択され、その結果、燐光型の有機EL素子は、蛍光型の有機EL素子と比較して寿命が短いという問題を有する。   In addition, hydrocarbon compounds with high oxidation resistance and reduction resistance, which are useful in fluorescent elements, have a large energy gap due to a large spread of π electron clouds. Therefore, in the phosphorescent organic EL element, such a hydrocarbon compound is difficult to select, and an organic compound containing a hetero atom such as oxygen or nitrogen is selected. As a result, the phosphorescent organic EL element is There is a problem that the lifetime is shorter than that of a fluorescent organic EL element.

さらに、燐光発光性ドーパント材料の三重項励起子の励起子緩和速度が一重項励起子と比較して非常に長いことも素子性能に大きな影響を与える。即ち、一重項励起子からの発光は、発光に繋がる緩和速度が速いため、発光層の周辺層(例えば、正孔輸送層や電子輸送層)への励起子の拡散が起きにくく、効率的な発光が期待される。一方、三重項励起子からの発光は、スピン禁制であり緩和速度が遅いため、周辺層への励起子の拡散が起きやすく、特定の燐光発光性化合物以外からは熱的なエネルギー失活が起きてしまう。つまり、蛍光型の有機EL素子と比較して、電子及び正孔の再結合領域のコントロールがより重要となる。
以上のような理由より、燐光型の有機EL素子の高性能化においては、蛍光型の有機EL素子と異なる材料選択及び素子設計が必要となる。
Furthermore, the fact that the exciton relaxation rate of the triplet exciton of the phosphorescent dopant material is much longer than that of the singlet exciton also greatly affects the device performance. That is, since light emitted from singlet excitons has a high relaxation rate that leads to light emission, the diffusion of excitons to the peripheral layers of the light-emitting layer (for example, a hole transport layer or an electron transport layer) hardly occurs and is efficient. Light emission is expected. On the other hand, light emission from triplet excitons is spin-forbidden and has a slow relaxation rate, so that excitons are likely to diffuse to the peripheral layer, and thermal energy deactivation occurs from other than specific phosphorescent compounds. End up. That is, control of the recombination region of electrons and holes is more important than the fluorescent organic EL element.
For the above reasons, in order to improve the performance of phosphorescent organic EL elements, material selection and element design different from those of fluorescent organic EL elements are required.

有機EL材料を開示する文献としては、例えば、特許文献1〜3が挙げられる。
特許文献1には、炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子で架橋したπ共役ヘテロアセン骨格を有する多環系化合物、及びそれを用いた有機EL素子が開示されており、その発明の効果としては、高発光効率化と長寿命化が記載されている。
特許文献2には、ターフェニレン骨格を炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等で架橋させた構造を母骨格とする有機EL化合物及び、それを用いた有機EL素子が開示されており、その発明の効果としては、高発光効率化と長寿命化が記載されている。
特許文献3には、電子及び正孔の輸送性能を有するインデノカルバゾール誘導体及びそれを用いた有機EL素子が開示されている。また、前記インデノカルバゾール誘導体が発光層及び/又は電荷輸送層に特に有用である旨の記載がある。
As literature which discloses organic EL material, patent documents 1-3 are mentioned, for example.
Patent Document 1 discloses a polycyclic compound having a π-conjugated heteroacene skeleton bridged by a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and an organic EL device using the same, and the effects of the invention are disclosed. Describes a high luminous efficiency and long life.
Patent Document 2 discloses an organic EL compound having a structure obtained by crosslinking a terphenylene skeleton with a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and the like, and an organic EL element using the same. As an effect of the invention, high luminous efficiency and long life are described.
Patent Document 3 discloses an indenocarbazole derivative having electron and hole transport performance and an organic EL device using the indenocarbazole derivative. Further, there is a description that the indenocarbazole derivative is particularly useful for a light emitting layer and / or a charge transport layer.

WO2009/148015WO2009 / 148015 WO2010/107244WO2010 / 107244 WO2010/136109WO2010 / 136109

本発明は、駆動電圧が低く、発光効率が高く、長寿命である有機EL素子を実現するための有機EL材料を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the organic EL material for implement | achieving the organic EL element with a low drive voltage, high luminous efficiency, and long lifetime.

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ターフェニレン骨格を炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等で架橋させた構造を母骨格とする化合物の中でも、ターフェニレン骨格の1つ目のベンゼン環と2つ目のベンゼン環が窒素原子で架橋され、2つ目のベンゼン環と3つ目のベンゼン環が酸素原子で架橋された構造を母骨格とする化合物であって、前記窒素原子が含窒素6員環(ピリジン、ジアジン、又はトリアジン)と直接的又は間接的に連結しており、かつ、前記含窒素6員環がさらに特定の基と連結している化合物、を有機EL材料として用いることにより前記目的を達成することを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have obtained a structure in which a structure obtained by crosslinking a terphenylene skeleton with a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc. is used as a mother skeleton, The mother skeleton is a structure in which the first and second benzene rings of the terphenylene skeleton are bridged by nitrogen atoms, and the second and third benzene rings are bridged by oxygen atoms. The nitrogen atom is directly or indirectly linked to a nitrogen-containing 6-membered ring (pyridine, diazine, or triazine), and the nitrogen-containing 6-membered ring is further linked to a specific group. It was found that the above-mentioned object was achieved by using the compound as an organic EL material, and the present invention was completed.

すなわち、本発明は、式(1)で表される有機エレクトロルミネッセンス材料を提供するものである。   That is, this invention provides the organic electroluminescent material represented by Formula (1).

Figure 0005795896
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[式(1)において、
mは、1〜4の整数を表し;
Harは、式(2A)で表される部分構造と式(2B)で表される部分構造とを組み合わせてなる1価の基を表し;
Lは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜13の2価の芳香族複素環基を表し;
Azは、式(3)で表される(m+1)価の基を表し;
Arは、以下の(S1)及び(S2)からなる群から選ばれる一価の基を表し、Arが複数ある場合には、それぞれのArは互いに同じでも、異なってもよい。
(S1)置換もしくは無置換の環形成炭素数12〜24の1価の芳香族炭化水素基
(S2)式(5)で表わされる1価の基]
[In Formula (1),
m represents an integer of 1 to 4;
Har represents a monovalent group formed by combining the partial structure represented by the formula (2A) and the partial structure represented by the formula (2B);
L is a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group having 5 to 13 ring atoms. Represents;
Az represents a (m + 1) -valent group represented by the formula (3);
Ar represents a monovalent group selected from the group consisting of the following (S1) and (S2), and when there are a plurality of Ar, each Ar may be the same as or different from each other.
(S1) Substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 12 to 24 ring carbon atoms (S2) Monovalent group represented by formula (5)]

Figure 0005795896
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[式(2A)及び(2B)において、
aは、0〜4の整数を表し;
bは、0〜2の整数を表し;
cは、0〜4の整数を表し;
Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、置換基を表し;
1は、Lとの結合手を表し;
2つの*2は、式(2A)の1位及び2位の炭素との、2位及び3位の炭素との、又は3位及び4位の炭素との結合手を表す。]
[In the formulas (2A) and (2B)
a represents an integer of 0 to 4;
b represents an integer of 0 to 2;
c represents an integer of 0 to 4;
Ra 1 to Ra 3 each independently represents a substituent;
* 1 represents a bond with L;
Two * 2 represents a 1-position and the carbon in position 2, with the carbon of the 2 and 3 positions, or positions 3 and 4 of the bond to the carbon of formula (2A). ]

Figure 0005795896
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[式(3)において、
1〜Y5のうち1つは、C−*3を表し;
1〜Y5のうちm個は、C−*4を表し;
1〜Y5のうちC−*3及びC−*4のいずれも表わさないものは、それぞれ独立に、C−Rb1又は窒素原子を表し;
Rb1は、水素原子又は置換基を表し;
3は、Lとの結合手を表し;
4は、Arとの結合手を表す。]
[In Formula (3),
One of Y 1 to Y 5 represents C- * 3 ;
M of Y 1 to Y 5 represents C- * 4 ;
Y 1 to Y 5 which do not represent any of C- * 3 and C- * 4 each independently represent C-Rb 1 or a nitrogen atom;
Rb 1 represents a hydrogen atom or a substituent;
* 3 represents a bond with L;
* 4 represents a bond with Ar. ]

Figure 0005795896
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[式(5)において、
s及びtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し;
1は、O又はSを表し;
Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、又は環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基を表し;
1及びQ2は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の環形成原子数5〜12の環を表し;
5は、Azとの結合手を表す。]
[In Formula (5),
s and t each independently represents an integer of 0 to 3;
X 1 represents O or S;
Rc 1 and Rc 2 are each independently a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms. Alkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, haloalkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, silyl group, alkylsilyl group of 1 to 10 carbon atoms, monovalent aromatic carbonization of 6 to 30 ring carbon atoms A hydrogen group, an arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 ring atoms;
Q 1 and Q 2 each independently represents a saturated or unsaturated ring having 5 to 12 ring atoms;
* 5 represents a bond with Az. ]

さらに、本発明は、陰極と陽極の間に発光層を含む複数の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層のうち少なくとも1層が上記有機エレクトロルミネッセンス材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。   Furthermore, the present invention provides an organic electroluminescent device having a plurality of organic thin film layers including a light emitting layer between a cathode and an anode, wherein at least one of the organic thin film layers includes the organic electroluminescent material. Is.

本発明によれば、駆動電圧が低く、発光効率が高く、長寿命である有機EL素子及びそれを実現する有機EL材料を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic EL element having a low driving voltage, a high luminous efficiency, and a long lifetime, and an organic EL material that realizes the organic EL element.

図1は本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic EL element of the present invention.

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数a〜bのX基」という表現における「炭素数a〜b」は、X基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、X基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。   In the present specification, “carbon number ab” in the expression “substituted or unsubstituted X group having carbon number ab” represents the number of carbons when X group is unsubstituted, When the group is substituted, the carbon number of the substituent is not included.

(有機EL材料)
本発明の有機EL材料は、式(1)で表される。
(Organic EL material)
The organic EL material of the present invention is represented by the formula (1).

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(1)において、mは1〜4の整数を表し;Harは、式(2A)で表される部分構造と式(2B)で表される部分構造とを組み合わせてなる1価の基を表し;Lは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜13の2価の芳香族複素環基を表し;Azは、式(3)で表される(m+1)価の基を表し;Arは、以下の(S1)及び(S2)からなる群から選ばれる一価の基を表し、Arが複数ある場合には、それぞれのArは互いに同じでも、異なってもよい。
(S1)置換もしくは無置換の環形成炭素数12〜24の1価の芳香族炭化水素基
(S2)式(5)で表わされる1価の基
In the formula (1), m represents an integer of 1 to 4; Har represents a monovalent group formed by combining the partial structure represented by the formula (2A) and the partial structure represented by the formula (2B). L represents a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group having 5 to 13 ring atoms. Az represents a (m + 1) -valent group represented by formula (3); Ar represents a monovalent group selected from the group consisting of the following (S1) and (S2); When there are a plurality of Ar, each Ar may be the same as or different from each other.
(S1) A substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 12 to 24 ring carbon atoms (S2) A monovalent group represented by the formula (5)

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(2A)及び(2B)において、aは、0〜4の整数を表し;bは、0〜2の整数を表し;cは、0〜4の整数を表し;Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、置換基を表し;*1は、Lとの結合手を表し;2つの*2は、式(2A)の1位及び2位の炭素との、2位及び3位の炭素との、又は3位及び4位の炭素との結合手を表す。 In the formulas (2A) and (2B), a represents an integer of 0 to 4; b represents an integer of 0 to 2; c represents an integer of 0 to 4; Ra 1 to Ra 3 are each independently represents a substituent; * 1 represents a bond to L; 2 two * 2, the 1-position and 2-position carbons of the formula (2A), and the 2-position and 3-position carbon Or a bond with the 3rd and 4th carbons.

Figure 0005795896
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式(3)において、Y1〜Y5のうち1つは、C−*3を表し;Y1〜Y5のうちm個は、C−*4を表し;Y1〜Y5のうちC−*3及びC−*4のいずれも表わさないものは、それぞれ独立に、C−Rb1又は窒素原子を表し;Rb1は、水素原子又は置換基を表し;*3は、Lとの結合手を表し;*4は、Arとの結合手を表す。 In the formula (3), one of Y 1 to Y 5 is C-* 3 a represents; m pieces of Y 1 to Y 5 represents a C-* 4; of Y 1 to Y 5 C - * 3 and C-* 4 of not represent any independently represent a C-Rb 1 or a nitrogen atom; Rb 1 represents a hydrogen atom or a substituent; * 3, the bond between L * 4 represents a bond with Ar.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(5)において、s及びtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し;X1は、O又はSを表し;Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、又は環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基を表し;Q1及びQ2は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の環形成原子数5〜12の環を表し;*5は、Azとの結合手を表す。 In formula (5), s and t each independently represent an integer of 0 to 3; X 1 represents O or S; Rc 1 and Rc 2 each independently represent a halogen atom, a cyano group, C1-C20 alkyl group, C2-C20 alkenyl group, C3-C20 cycloalkyl group, C1-C20 alkoxy group, C1-C20 haloalkyl group, C1-C1 20 haloalkoxy groups, silyl groups, alkylsilyl groups having 1 to 10 carbon atoms, monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 30 ring carbon atoms, arylsilyl groups having 6 to 30 carbon atoms, and 7 to 7 carbon atoms 30 represents an aralkyl group or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 ring atoms; Q 1 and Q 2 are each independently a saturated or unsaturated ring having 5 to 12 ring atoms; * 5 represents a bond with Az.

式(1)のHarについて、以下に説明する。
Harは、式(2A)で表される部分構造と式(2B)で表される部分構造とを組み合わせてなる1価の基を表す。
The Har of the formula (1) will be described below.
Har represents a monovalent group formed by combining the partial structure represented by the formula (2A) and the partial structure represented by the formula (2B).

Figure 0005795896
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式(2A)及び(2B)において、aは、0〜4の整数を表し;bは、0〜2の整数を表し;cは、0〜4の整数を表し;Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、置換基を表し;*1は、Lとの結合手を表し;2つの*2は、式(2A)の1位及び2位の炭素との、2位及び3位の炭素との、又は3位及び4位の炭素との結合手を表す。
なお、aが0である場合とは、ベンゼン環上にRa1が置換していない(即ち、無置換である)ことを意味する。bやcが0である場合についても、同様である。
また、置換基であるRa2は、*2に連結していない炭素原子上に置換することができるものであり、*2に連結する炭素原子上には置換しない。
In the formulas (2A) and (2B), a represents an integer of 0 to 4; b represents an integer of 0 to 2; c represents an integer of 0 to 4; Ra 1 to Ra 3 are each independently represents a substituent; * 1 represents a bond to L; 2 two * 2, the 1-position and 2-position carbons of the formula (2A), and the 2-position and 3-position carbon Or a bond with the 3rd and 4th carbons.
The case where a is 0 means that Ra 1 is not substituted on the benzene ring (that is, unsubstituted). The same applies when b and c are 0.
Also, Ra 2 is a substituted group, * 2 are those that can be substituted on the linked non carbon atoms, not substituted on the carbon atom linked to the * 2.

aは、0〜4の整数であり、好ましくは0〜1である。bは0〜2の整数であり、好ましくは0〜1である。cは、0〜4の整数であり、好ましくは0〜1である。
1は結合手を表し、Lと連結する。ただし、Lが単結合である場合は、実質的には*1はAzと連結することを意味する。
2は結合手を表し、2つの*2が式(2A)のカルバゾール構造の1位及び2位の炭素と、2位及び3位の炭素と、又は3位及び4位の炭素と連結する。これにより式(2A)の部分構造と式(2B)の部分構造が連結し、1価の基を形成される。
a is an integer of 0 to 4, preferably 0 to 1. b is an integer of 0-2, preferably 0-1. c is an integer of 0 to 4, preferably 0 to 1.
* 1 represents a bond and is linked to L. However, when L is a single bond, it means that * 1 is substantially connected to Az.
* 2 represents a bond, two * 2 is connected to the 1-position and 2-position carbons of the carbazole structure of formula (2A), and the 2-position and 3-position carbon, or a 3-position and 4-position carbons . Thereby, the partial structure of formula (2A) and the partial structure of formula (2B) are linked to form a monovalent group.

Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、置換基を表し、当該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数7〜30のアラルキル基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基が例示される。
Ra1〜Ra3は、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基である。
Ra 1 to Ra 3 each independently represents a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted carbon number of 2 -20 alkenyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted Or an unsubstituted haloalkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a silyl group, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group having 6 to 30 ring carbon atoms. Hydrocarbon group, substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and substituted or unsubstituted ring former A monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 are exemplified.
Ra 1 to Ra 3 are preferably a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 ring carbon atoms.

Ra1が複数ある場合(即ち、a=2〜4の場合)には、それぞれのRa1は互いに同じでも、異なってもよい。
Ra2が複数ある場合(即ち、b=2の場合)には、それぞれのRa2は互いに同じでも、異なってもよい。
Ra3が複数ある場合(即ち、c=2〜4の場合)には、それぞれのRa3は互いに同じでも、異なってもよい。
When there are a plurality of Ra 1 (ie, when a = 2 to 4), each Ra 1 may be the same as or different from each other.
When there are a plurality of Ra 2 (that is, when b = 2), each Ra 2 may be the same as or different from each other.
When there are a plurality of Ra 3 (that is, when c = 2 to 4), each Ra 3 may be the same as or different from each other.

Ra1〜Ra3によって表されるハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。 Examples of the halogen atom represented by Ra 1 to Ra 3 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, preferably a fluorine atom.

Ra1〜Ra3によって表されるアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、ネオペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−ペンチルヘキシル基、1−ブチルペンチル基、1−ヘプチルオクチル基、及び3−メチルペンチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、t−ブチル基、エチル基、n-プロピル基、及びイソプロピル基である。 Examples of the alkyl group represented by Ra 1 to Ra 3 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n- Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n- Pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group And 3-methylpentyl group, and the like, preferably methyl group, t-butyl group, ethyl group, n-propyl group, and isopropyl group.

Ra1〜Ra3によって表されるアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基、1,3−ブタンジエニル基、1−メチルビニル基、1−メチルアリル基、2−メチルアリル基、1,1−ジメチルアリル基、1,2−ジメチルアリル基等が挙げられ、好ましくは、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、及び3−ブテニル基である。 Examples of the alkenyl group represented by Ra 1 to Ra 3 are vinyl group, allyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 1,3-butanedienyl group, 1-methylvinyl group, 1-methylallyl group, 2-methylallyl group, 1,1-dimethylallyl group, 1,2-dimethylallyl group and the like can be mentioned, preferably vinyl group, allyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, and 3-butenyl group.

Ra1〜Ra3によって表されるシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられ、好ましくは、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基である。 Examples of the cycloalkyl group represented by Ra 1 to Ra 3 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, and the like, preferably a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

Ra1〜Ra3によって表されるアルコキシ基の例としては、−OY(ただしYは前記のアルキル基)で表される基が挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、及びプロポキシ基である。 Examples of the alkoxy group represented by Ra 1 to Ra 3 include a group represented by —OY (where Y is the above alkyl group), preferably a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group. .

Ra1〜Ra3によって表されるハロアルキル基の例としては、前記のアルキル基の少なくとも1つの水素原子をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられ、好ましくは、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエチル基、及び1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル基である。 Examples of the haloalkyl group represented by Ra 1 to Ra 3 are obtained by substituting at least one hydrogen atom of the alkyl group with a halogen atom selected from a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Groups, preferably trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl group, and 1,1,1,3,3, 3-hexafluoro-2-propyl group.

Ra1〜Ra3によって表されるハロアルコキシ基の例としては、−OY’(ただしY’は前記のハロアルキル基)で表される基が挙げられ、好ましくは、トリフルオロメトキシ基、2,2,2−トリフルオロエトキシ基、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエトキシ基、及び1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基である。 Examples of the haloalkoxy group represented by Ra 1 to Ra 3 include a group represented by —OY ′ (where Y ′ is the above haloalkyl group), preferably a trifluoromethoxy group, 2,2 , 2-trifluoroethoxy group, 1,1,2,2,2-pentafluoroethoxy group, and 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propoxy group.

Ra1〜Ra3によって表されるアルキルシリル基の例としては、−SiH2R、−SiHR2、又は−SiR3(ただしRは前記のアルキル基であり、2又は3個のRは同一でも異なっていてもよい)で表される基が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、及びt−ブチルジメチルシリル基である。 Examples of alkylsilyl group represented by ra 1 to Ra 3 is, -SiH 2 R, -SiHR 2, or -SiR 3 (wherein R is an alkyl group of the two or three R can be the same And may be different from each other, preferably a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, and a t-butyldimethylsilyl group.

Ra1〜Ra3によって表される1価の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、ジベンゾフルオランテニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、トリフェニレニル基、ベンゾトリフェニレニル基、ジベンゾトリフェニレニル基、ナフトトリフェニレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ピセニル基、及びビナフチル基等が挙げられる。 Examples of monovalent aromatic hydrocarbon groups represented by Ra 1 to Ra 3 include phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, terphenyl group, quarterphenyl group, fluorenyl group, fluoranthenyl group, benzofluorane Tenenyl group, dibenzofluoranthenyl group, phenanthrenyl group, benzophenanthrenyl group, triphenylenyl group, benzotriphenylenyl group, dibenzotriphenylenyl group, naphthotriphenylenyl group, chrysenyl group, benzochrysenyl group, picenyl group, and Binaphthyl group etc. are mentioned.

Ra1〜Ra3によって表されるアリールシリル基の例としては、−SiH2R’、−SiHR’2、又は−SiR’3(ただしR’は前記の1価の芳香族炭化水素基であり、2又は3個のR’は同一でも異なっていてもよい)で表される基が挙げられ、好ましくは、トリフェニルシリル基である。 Examples of the arylsilyl group represented by Ra 1 to Ra 3 include —SiH 2 R ′, —SiHR ′ 2 , and —SiR ′ 3 (where R ′ is a monovalent aromatic hydrocarbon group described above). 2 or 3 R ′ may be the same or different), and is preferably a triphenylsilyl group.

Ra1〜Ra3によって表されるアラルキル基の例としては、前記アルキル基の1つの水素原子を前記1価の芳香族炭化水素基で置換して得られる炭素数が7〜30の基が挙げられ、好ましくは、ベンジル基及びナフチルメチル基である。 Examples of the aralkyl group represented by Ra 1 to Ra 3 include groups having 7 to 30 carbon atoms obtained by substituting one hydrogen atom of the alkyl group with the monovalent aromatic hydrocarbon group. Preferably, they are a benzyl group and a naphthylmethyl group.

Ra1〜Ra3によって表される1価の芳香族複素環基としては、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、及びキサンテニル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent aromatic heterocyclic group represented by Ra 1 to Ra 3 include pyrrolyl group, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, oxazolyl group, Thiazolyl, pyrazolyl, isoxazolyl, isothiazolyl, oxadiazolyl, thiadiazolyl, triazolyl, indolyl, isoindolyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, benzothiophenyl, indolizinyl, quinolidinyl, quinolyl, Isoquinolyl group, cinnolyl group, phthalazinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, benzimidazolyl group, benzoxazolyl group, benzthiazolyl group, indazolyl group, benzisoxazolyl group, benzisothiazolyl group Carbazolyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, phenothiazinyl group, phenoxazinyl group, and xanthenyl group.

上記及び後述する「置換もしくは無置換」という表現における任意の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、または環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基が挙げられる。これら任意の置換基の具体例は上記したものと同様である。また、これら任意の置換基は複数でもよく、複数の場合は互いに同一でも異なっていてもよい。   As an arbitrary substituent in the expression “substituted or unsubstituted” described above and below, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and an alkyl group having 3 to 20 carbon atoms. A cycloalkyl group, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a silyl group, an alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a ring forming carbon number of 6 A monovalent aromatic hydrocarbon group having 30 to 30 carbon atoms, an arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 ring atoms. It is done. Specific examples of these optional substituents are the same as those described above. These optional substituents may be plural, and when plural, they may be the same as or different from each other.

Harの具体的な構造としては、式(2−1)〜(2−6)で表される1価の基が挙げられる。この中でも、式(2−1)〜(2−2)で表される1価の基が好ましい。   Specific examples of the structure of Har include monovalent groups represented by formulas (2-1) to (2-6). Among these, monovalent groups represented by formulas (2-1) to (2-2) are preferable.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(2−1)〜(2−6)において、a、b、Ra1、Ra2及び*1は、それぞれ式(2A)のa、b、Ra1、Ra2及び*1と同義であり;c及びRa3は、それぞれ式(2B)のc及びRa3と同義である。 In the formula (2-1) ~ (2-6), a, b, Ra 1, Ra 2 and * 1 are a respective formulas (2A), b, and Ra 1, Ra 2 and * 1 synonymous ; c and Ra 3 are the same meaning as c and Ra 3 each formula (2B).

式(1)のAzについて、以下に説明する。
Azは、式(3)で表される(m+1)価の基を表す。
Az in the formula (1) will be described below.
Az represents an (m + 1) -valent group represented by the formula (3).

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(3)において、Y1〜Y5のうち1つは、C−*3を表し;Y1〜Y5のうちm個は、C−*4を表し;Y1〜Y5のうちC−*3及びC−*4のいずれも表わさないものは、それぞれ独立に、C−Rb1又は窒素原子を表し;Rb1は、水素原子又は置換基を表し;*3は、L又はHarとの結合手を表し;*4は、Arとの結合手を表す。 In the formula (3), one of Y 1 to Y 5 is C-* 3 a represents; m pieces of Y 1 to Y 5 represents a C-* 4; of Y 1 to Y 5 C - * 3 and C-* 4 of not represent any independently represent a C-Rb 1 or a nitrogen atom; Rb 1 represents a hydrogen atom or a substituent; * 3, and L or Har * 4 represents a bond with Ar.

Rb1は、水素原子又は置換基を表し、当該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数7〜30のアラルキル基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基が例示される。
Rb1が複数ある場合には、それぞれのRb1は互いに同じでも、異なってもよい。
Rb1によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例としては、Ra1〜Ra3によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例と同様のものが挙げられる。
Rb1は、好ましくは、水素原子又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基であり、より好ましくは水素原子又はフェニル基である。
Rb 1 represents a hydrogen atom or a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. Group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted A haloalkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a silyl group, a substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 ring carbon atoms, A substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring atom number of 3 to 30 Monovalent aromatic heterocyclic groups.
When the Rb 1 there are a plurality, also each of Rb 1 are the same as each other or may be different.
A halogen atom represented by Rb 1 , an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, an alkylsilyl group, a monovalent aromatic hydrocarbon group, an arylsilyl group, an aralkyl group, and Specific examples of the monovalent aromatic heterocyclic group include a halogen atom represented by Ra 1 to Ra 3 , an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, an alkylsilyl group, Examples thereof are the same as specific examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group, arylsilyl group, aralkyl group, and monovalent aromatic heterocyclic group.
Rb 1 is preferably a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 ring carbon atoms, and more preferably a hydrogen atom or a phenyl group.

Azの具体的な構造としては、式(3−1)で表される(m1+1)価の基、式(3−2)〜(3−4)で表される(m2+1)価の基、式(3−5)〜(3−7)で表される(m3+1)価の基、及び式(3−8)〜(3−10)で表される2価の基が挙げられる。この中でも、式(3−2)で表される(m2+1)価の基及び式(3−5)で表される(m3+1)価の基が好ましい。 As a specific structure of Az is represented by the formula (3-1) (m 1 +1) valent group, represented by the formula (3-2) ~ (3-4) ( m 2 +1) valent A (m 3 +1) -valent group represented by formulas (3-5) to (3-7), and a divalent group represented by formulas (3-8) to (3-10) Can be mentioned. Among these, the (m 2 +1) -valent group represented by the formula (3-2) and the (m 3 +1) -valent group represented by the formula (3-5) are preferable.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(3−1)〜(3−10)において、m1は、1〜4の整数を表し;m2は、1〜3の整数を表し;m3は、1〜2の整数を表し;Rb1、*3及び*4は、それぞれ式(3)のRb1、*3及び*4はと同義である。
1は好ましくは1〜2であり、m2は好ましくは1〜2である。
In formulas (3-1) to (3-10), m 1 represents an integer of 1 to 4; m 2 represents an integer of 1 to 3 ; m 3 represents an integer of 1 to 2; Rb 1, * 3 and * 4, Rb 1, respectively formula (3), * 3 and * 4 are dove synonymous.
m 1 is preferably 1-2, and m 2 is preferably 1-2.

式(3−2)で表される(m2+1)価の基の中でも、好ましくは式(3−2−1)で表される(m2+1)価の基であり、より好ましくは式(3−2−1A)及び(3−2−1B)のいずれかで表される3価の基である。 Among the represented by (m 2 +1) valent group in the formula (3-2) is preferably represented by the formula (3-2-1) (m 2 +1) valent group, more preferably the formula It is a trivalent group represented by either (3-2-1A) or (3-2-1B).

Figure 0005795896
Figure 0005795896

式(3−2−1)、(3−2−1A)及び(3−2−1B)において、m2、Rb1、*3及び*4は、それぞれ式(3−2)のm2、Rb1、*3及び*4と同義である。 In the formulas (3-2-1), (3-2-1A), and (3-2-1B), m 2 , Rb 1 , * 3, and * 4 represent m 2 in the formula (3-2), rb 1, is synonymous with * 3 and * 4.

式(1)のLについて、以下に説明する。
Lは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜13の2価の芳香族複素環基を表し、好ましくは単結合である。
L in Formula (1) will be described below.
L is a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group having 5 to 13 ring atoms. And preferably a single bond.

Lで表される2価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、及びビフェニリレン基等が挙げられる、
Lで表される2価の芳香族複素環基としては、ピロールジイル基、フリレン基、チエニレン基、ピリジニレン基、ピリダジニレン基、ピリミジニレン基、ピラジニレン基、トリアジニレン基、イミダゾリレン基、オキサゾリレン基、チアゾリレン基、ピラゾリレン基、イソオキサゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、チアジアゾリレン基、トリアゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、イソベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、インドリジニレン基、キノリジニレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、シンノリレン基、フタラジニレン基、キナゾリニレン基、キノキサリニレン基、ベンズイミダゾリレン基、ベンズオキサゾリレン基、ベンズチアゾリレン基、インダゾリレン基、ベンズイソキサゾリレン基、ベンズイソチアゾリレン基、カルバゾリレン基、ジベンゾフラニレン基、及びジベンゾチオフェニレン基等が挙げられる。
Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group represented by L include a phenylene group, a naphthylene group, and a biphenylylene group.
Examples of the divalent aromatic heterocyclic group represented by L include pyrroldiyl group, furylene group, thienylene group, pyridinylene group, pyridazinylene group, pyrimidinylene group, pyrazinylene group, triazinylene group, imidazolylene group, oxazolylene group, thiazolylene group, pyrazolylene group. Group, isoxazolylene group, isothiazolylene group, oxadiazolylene group, thiadiazolylene group, triazolylene group, indoleylene group, isoindoleylene group, benzofuranylene group, isobenzofuranylene group, benzothiophenylene group, indolizinylene group, quinolidinylene group Group, quinolylene group, isoquinolylene group, cinnolinylene group, phthalazinylene group, quinazolinylene group, quinoxalinylene group, benzimidazolylene group, benzoxazolylene group, benzthiazolylene group, indazo Ren group, benzisoxazolyl alkylene group, benzisothiazolyl alkylene group, carbazolylene group, dibenzo furanyl alkylene group, and a dibenzothiophenyl phenylene group and the like.

式(1)のm及びArについて、以下に説明する。
mは1〜4の整数であり、好ましくは1〜2である。
Arは、以下の(S1)及び(S2)からなる群から選ばれる一価の基を表す。
(S1)置換もしくは無置換の環形成炭素数12〜24の1価の芳香族炭化水素基
(S2)式(5)で表わされる1価の基
M and Ar in the formula (1) will be described below.
m is an integer of 1-4, Preferably it is 1-2.
Ar represents a monovalent group selected from the group consisting of the following (S1) and (S2).
(S1) A substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 12 to 24 ring carbon atoms (S2) A monovalent group represented by the formula (5)

Figure 0005795896
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式(5)において、s及びtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し;X1は、O又はSを表し;Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、又は環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基を表し;Q1及びQ2は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の環形成原子数5〜12の環を表し;*5は、Azとの結合手を表す。 In formula (5), s and t each independently represent an integer of 0 to 3; X 1 represents O or S; Rc 1 and Rc 2 each independently represent a halogen atom, a cyano group, C1-C20 alkyl group, C2-C20 alkenyl group, C3-C20 cycloalkyl group, C1-C20 alkoxy group, C1-C20 haloalkyl group, C1-C1 20 haloalkoxy groups, silyl groups, alkylsilyl groups having 1 to 10 carbon atoms, monovalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 30 ring carbon atoms, arylsilyl groups having 6 to 30 carbon atoms, and 7 to 7 carbon atoms 30 represents an aralkyl group or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 ring atoms; Q 1 and Q 2 are each independently a saturated or unsaturated ring having 5 to 12 ring atoms; * 5 represents a bond with Az.

本発明の有機EL材料は、Az(アジン)ユニットの先に、Arとして上記の特定の基を導入することにより、LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)が広がり、アフィニティ(電子親和力)が大きくなる。したがって、当該有機EL材料を有機EL素子に用いた場合(特に、発光層に用いた場合)、有機EL材料の電子親和力(Af)が大きいので、発光層への電子の注入性が改善されて低電圧化し、正孔輸送層に突き抜ける電子が少なくなる。これにより、有機EL素子の外部量子収率が向上するとともに、寿命が改善される。
また、Az(アジン)ユニットに特定の基を導入することで、本発明の有機EL材料のガラス転移点が大きくなり、得られる素子の耐熱性が向上するとともに、素子化のための蒸着プロセスが安定化する。
Arが複数ある場合(即ち、m=2〜4の場合)には、それぞれのArは互いに同じでも、異なってもよい。異なっている場合には、式(1)の有機EL材料の対称性が低下することで材料の結晶化が抑制され、当該材料を用いて形成した薄膜の安定性が向上する。その結果、有機EL素子をより長寿命化させることが期待できる。
In the organic EL material of the present invention, by introducing the specific group as Ar before the Az (azine) unit, LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) spreads and the affinity (electron affinity) increases. Therefore, when the organic EL material is used in an organic EL element (particularly when used in the light emitting layer), the electron affinity (Af) of the organic EL material is large, so that the electron injection property into the light emitting layer is improved. The voltage is lowered and fewer electrons penetrate through the hole transport layer. Thereby, the external quantum yield of the organic EL element is improved and the lifetime is improved.
Moreover, by introducing a specific group into the Az (azine) unit, the glass transition point of the organic EL material of the present invention is increased, the heat resistance of the resulting device is improved, and the vapor deposition process for device formation is improved. Stabilize.
When there are a plurality of Ars (that is, when m = 2 to 4), each Ar may be the same as or different from each other. When they are different from each other, the symmetry of the organic EL material of the formula (1) is reduced, so that the crystallization of the material is suppressed, and the stability of the thin film formed using the material is improved. As a result, it can be expected that the organic EL element will have a longer lifetime.

上述の(S1)としては、式(4−1)〜(4−4)で表される1価の基が好ましい。   As the above (S1), monovalent groups represented by formulas (4-1) to (4-4) are preferable.

Figure 0005795896
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式(4−1)〜(4−4)において、pは、1〜3の整数を表し;qは、1又は2の整数を表し;d、f、g、k及びvは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し;e、h、j及びlは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表し;i及びuは、0〜3の整数を表し;Rc3〜Rc13は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、又は環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基を表し;Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し;*5は、Azとの結合手を表す。
なお、dが0である場合とは、ベンゼン環上にRc3が置換していない(即ち、無置換である)ことを意味する。e〜l、u及びvが0である場合についても、同様である。
In formulas (4-1) to (4-4), p represents an integer of 1 to 3; q represents an integer of 1 or 2, and d, f, g, k and v are each independently E, h, j and l each independently represents an integer of 0 to 5; i and u each represents an integer of 0 to 3; Rc 3 to Rc 13 are Independently, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and 1 carbon atom -20 haloalkyl group, haloalkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, silyl group, alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms, monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 ring carbon atoms, 6 to 6 carbon atoms 30 arylsilyl groups, 7 to 30 aralkyl groups, or monovalent 3 to 30 ring atoms It represents an aromatic heterocyclic group; Rb 2 and Rb 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent; * 5 represents a bond to Az.
The case where d is 0 means that Rc 3 is not substituted on the benzene ring (that is, unsubstituted). The same applies to cases where e to l, u, and v are 0.

pは好ましくは1〜2である。
d、e,f、g、h,i,j,k、l、u及びvは、好ましくは0〜1である。
Rc3〜Rc13によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例としては、Ra1〜Ra3によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例と同様のものが挙げられる。
p is preferably 1-2.
d, e, f, g, h, i, j, k, l, u and v are preferably 0 to 1.
Rc 3 halogen atoms represented by to Rc 13, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, an alkylsilyl group, a monovalent aromatic hydrocarbon group, an aryl silyl group, an aralkyl Specific examples of the group and the monovalent aromatic heterocyclic group include a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, an alkyl represented by Ra 1 to Ra 3 . Examples thereof are the same as specific examples of the silyl group, monovalent aromatic hydrocarbon group, arylsilyl group, aralkyl group, and monovalent aromatic heterocyclic group.

Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、当該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜20のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜20のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数7〜30のアラルキル基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基が例示される。
Rb2及びRb3によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例としては、Ra1〜Ra3によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例と同様のものが挙げられる。
Rb2及びRb3は、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基であり、より好ましくはメチル基である。
Rb 2 and Rb 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, the substituent, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted An alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted haloalkyl having 1 to 20 carbon atoms Group, substituted or unsubstituted haloalkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, silyl group, substituted or unsubstituted alkylsilyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted monovalent group having 6 to 30 ring carbon atoms Aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and substituted or unsubstituted Examples thereof include monovalent aromatic heterocyclic groups having 3 to 30 ring atoms.
Halogen atom represented by Rb 2 and Rb 3, alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, haloalkyl group, haloalkoxy group, alkylsilyl group, a monovalent aromatic hydrocarbon group, an aryl silyl group, an aralkyl Specific examples of the group and the monovalent aromatic heterocyclic group include a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, an alkyl represented by Ra 1 to Ra 3 . Examples thereof are the same as specific examples of the silyl group, monovalent aromatic hydrocarbon group, arylsilyl group, aralkyl group, and monovalent aromatic heterocyclic group.
Rb 2 and Rb 3 are preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and more preferably a methyl group.

上述の(S2)について、式(5)における各符号の好適な様態は以下の通りである。
s及びtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し、好ましくは0〜1である。
1は、O又はSを表し、化合物の安定性から、好ましくはOである。
Rc1及びRc2によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例としては、Ra1〜Ra3によって表されるハロゲン原子,アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、1価の芳香族炭化水素基、アリールシリル基、アラルキル基、及び1価の芳香族複素環基の具体例と同様のものが挙げられる。
With regard to the above (S2), the preferred mode of each symbol in the formula (5) is as follows.
s and t each independently represent an integer of 0 to 3, preferably 0 to 1.
X 1 represents O or S, and is preferably O from the stability of the compound.
Halogen atom, alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, haloalkyl group, haloalkoxy group, alkylsilyl group, monovalent aromatic hydrocarbon group, arylsilyl group, aralkyl represented by Rc 1 and Rc 2 Specific examples of the group and the monovalent aromatic heterocyclic group include a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, a haloalkoxy group, an alkyl represented by Ra 1 to Ra 3 . Examples thereof are the same as specific examples of the silyl group, monovalent aromatic hydrocarbon group, arylsilyl group, aralkyl group, and monovalent aromatic heterocyclic group.

1及びQ2よって表される飽和もしくは不飽和の環形成原子数5〜12の環としては、環形成原子数5〜12の飽和脂肪族環、環形成原子数5〜12の不飽和脂肪族環、環形成原子数5〜12の芳香族炭化水素環、及び環形成原子数5〜12の芳香族複素環等が挙げられ、環形成原子数5〜12の芳香族炭化水素環及び環形成原子数5〜12の芳香族複素環が好ましく、環形成原子数5〜12の芳香族炭化水素環より好ましい。
芳香族炭化水素環の具体例としてはベンゼン環が例示され、芳香族複素環の具体例としてはフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環及びピリジン環が例示される。
Examples of the saturated or unsaturated ring having 5 to 12 ring atoms represented by Q 1 and Q 2 include a saturated aliphatic ring having 5 to 12 ring atoms and an unsaturated fat having 5 to 12 ring atoms. Examples include aromatic rings, aromatic hydrocarbon rings having 5 to 12 ring atoms, and aromatic heterocycles having 5 to 12 ring atoms, and aromatic hydrocarbon rings and rings having 5 to 12 ring atoms. An aromatic heterocyclic ring having 5 to 12 atoms is preferable, and an aromatic hydrocarbon ring having 5 to 12 ring atoms is more preferable.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon ring include a benzene ring, and specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, and a pyridine ring.

上述の(S2)の中でも、式(5−1)で表される1価の基が好ましい。   Among the above (S2), a monovalent group represented by the formula (5-1) is preferable.

Figure 0005795896
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式(5−1)において、s、t、X1、Rc1、Rc2及び*5は、それぞれ式(5)のs、t、X1、Rc1、Rc2及び*5と同義である。 In the formula (5-1), s, t, X 1, Rc 1, Rc 2 and * 5 are the s of each formula (5), t, and X 1, Rc 1, Rc 2 and * 5 synonymous .

Arの好適な具体例としては、以下の1価の基を例示することができるが、これらに限定されるわけではない。   Preferable specific examples of Ar include, but are not limited to, the following monovalent groups.

Figure 0005795896
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上記の具体例において、*5は、Azとの結合手を表す。   In the above specific example, * 5 represents a bond with Az.

本発明の式(1)で表される有機EL素子材料の具体例を以下に示すが、本発明は、これら例示化合物に限定されるものではない。   Specific examples of the organic EL element material represented by the formula (1) of the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these exemplified compounds.

Figure 0005795896
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Figure 0005795896
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(有機EL素子)
次に、本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子は、陰極と陽極の間に発光層を含む複数の有機薄膜層を有し、この有機薄膜層のうちの少なくとも1層が前述した本発明の有機EL材料を含むことを特徴とする。本発明の有機EL材料が、本発明の有機EL素子の有機薄膜層のうちの少なくとも一層に含有されることで、有機EL素子の低駆動電圧化、高発光効率化、長寿命化が期待できる。
本発明の有機EL材料が含まれる有機薄膜層の例としては、発光層、スペース層、及び障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の有機EL材料は、特に、発光層のホスト材料として含まれることが好ましい。また、発光層が燐光発光材料を含有することが好ましい。
(Organic EL device)
Next, the organic EL element of the present invention will be described.
The organic EL element of the present invention has a plurality of organic thin film layers including a light emitting layer between a cathode and an anode, and at least one of the organic thin film layers includes the above-described organic EL material of the present invention. Features. When the organic EL material of the present invention is contained in at least one of the organic thin film layers of the organic EL element of the present invention, the organic EL element can be expected to have low driving voltage, high luminous efficiency, and long life. .
Examples of the organic thin film layer containing the organic EL material of the present invention include, but are not limited to, a light emitting layer, a space layer, and a barrier layer. The organic EL material of the present invention is particularly preferably contained as a host material for the light emitting layer. The light emitting layer preferably contains a phosphorescent light emitting material.

本発明の有機EL素子は、燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光/燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。   The organic EL element of the present invention may be a phosphorescent monochromatic light emitting element, a fluorescent / phosphorescent white light emitting element, a simple type having a single light emitting unit, It may be a tandem type having the light emitting unit. Here, the “light emitting unit” refers to a minimum unit that includes one or more organic layers, one of which is a light emitting layer, and can emit light by recombination of injected holes and electrons.

従って、シンプル型有機EL素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
(1)陽極/発光ユニット/陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。
(a)正孔輸送層/発光層(/電子輸送層)
(b)正孔輸送層/第一燐光発光層/第二燐光発光層(/電子輸送層)
(c)正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/蛍光発光層(/電子輸送層)
(d)正孔輸送層/第一燐光発光層/第二燐光発光層/スペース層/蛍光発光層(/電子輸送層)
(e)正孔輸送層/第一燐光発光層/スペース層/第二燐光発光層/スペース層/蛍光発光層(/電子輸送層)
(f)正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/第一蛍光発光層/第二蛍光発光層(/電子輸送層)
Accordingly, typical element configurations of simple organic EL elements include the following element configurations.
(1) Anode / light emitting unit / cathode The above light emitting unit may be a laminated type having a plurality of phosphorescent light emitting layers and fluorescent light emitting layers. In that case, the light emitting unit is generated by a phosphorescent light emitting layer between the light emitting layers. In order to prevent the excitons from diffusing into the fluorescent light emitting layer, a space layer may be provided. A typical layer structure of the light emitting unit is shown below.
(A) Hole transport layer / light emitting layer (/ electron transport layer)
(B) Hole transport layer / first phosphorescent light emitting layer / second phosphorescent light emitting layer (/ electron transport layer)
(C) Hole transport layer / phosphorescent layer / space layer / fluorescent layer (/ electron transport layer)
(D) Hole transport layer / first phosphorescent light emitting layer / second phosphorescent light emitting layer / space layer / fluorescent light emitting layer (/ electron transport layer)
(E) Hole transport layer / first phosphorescent light emitting layer / space layer / second phosphorescent light emitting layer / space layer / fluorescent light emitting layer (/ electron transport layer)
(F) Hole transport layer / phosphorescent layer / space layer / first fluorescent layer / second fluorescent layer (/ electron transport layer)

上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光層(d)において、正孔輸送層/第一燐光発光層(赤色発光)/第二燐光発光層(緑色発光)/スペース層/蛍光発光層(青色発光)/電子輸送層といった層構成が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
Each phosphorescent or fluorescent light-emitting layer may have a different emission color. Specifically, in the laminated light emitting layer (d), hole transport layer / first phosphorescent light emitting layer (red light emitting) / second phosphorescent light emitting layer (green light emitting) / space layer / fluorescent light emitting layer (blue light emitting) / A layer structure such as an electron transport layer can be used.
An electron barrier layer may be appropriately provided between each light emitting layer and the hole transport layer or space layer. Further, a hole blocking layer may be appropriately provided between each light emitting layer and the electron transport layer. By providing an electron barrier layer or a hole barrier layer, electrons or holes can be confined in the light emitting layer, the recombination probability of charges in the light emitting layer can be increased, and the light emission efficiency can be improved.

タンデム型有機EL素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
(2)陽極/第一発光ユニット/中間層/第二発光ユニット/陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットと同様のものを選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに正孔を、第二発光ユニットに電子を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
The following element structure can be mentioned as a typical element structure of a tandem type organic EL element.
(2) Anode / first light emitting unit / intermediate layer / second light emitting unit / cathode Here, as the first light emitting unit and the second light emitting unit, for example, the same light emitting unit as that described above is selected independently. can do.
The intermediate layer is generally called an intermediate electrode, an intermediate conductive layer, a charge generation layer, an electron extraction layer, a connection layer, or an intermediate insulating layer, and holes are provided to the first light emitting unit and electrons are provided to the second light emitting unit. A known material structure to be supplied can be used.

図1に、本発明の有機EL素子の一例の概略構成を示す。有機EL素子1は、基板2、陽極3、陰極4、及び該陽極3と陰極4との間に配置された発光ユニット10とを有する。発光ユニット10は、燐光ホスト材料と燐光ドーパントを含む少なくとも1つの燐光発光層を含む発光層5を有する。発光層5と陽極3との間に正孔輸送層6等、発光層5と陰極4との間に電子輸送層7等を形成してもよい。また、発光層5の陽極3側に電子障壁層を、発光層5の陰極4側に正孔障壁層を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層5に閉じ込めて、発光層5における励起子の生成確率を高めることができる。   In FIG. 1, schematic structure of an example of the organic EL element of this invention is shown. The organic EL element 1 includes a substrate 2, an anode 3, a cathode 4, and a light emitting unit 10 disposed between the anode 3 and the cathode 4. The light emitting unit 10 includes a light emitting layer 5 including at least one phosphorescent light emitting layer including a phosphorescent host material and a phosphorescent dopant. A hole transport layer 6 or the like may be formed between the light emitting layer 5 and the anode 3, and an electron transport layer 7 or the like may be formed between the light emitting layer 5 and the cathode 4. Further, an electron barrier layer may be provided on the anode 3 side of the light emitting layer 5, and a hole barrier layer may be provided on the cathode 4 side of the light emitting layer 5. Thereby, electrons and holes can be confined in the light emitting layer 5, and the exciton generation probability in the light emitting layer 5 can be increased.

なお、本明細書において、蛍光ドーパントと組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を構成する材料を意味し、蛍光発光層を構成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。   In this specification, a host combined with a fluorescent dopant is referred to as a fluorescent host, and a host combined with a phosphorescent dopant is referred to as a phosphorescent host. The fluorescent host and the phosphorescent host are not distinguished only by the molecular structure. That is, the phosphorescent host means a material constituting a phosphorescent light emitting layer containing a phosphorescent dopant, and does not mean that it cannot be used as a material constituting a fluorescent light emitting layer. The same applies to the fluorescent host.

(基板)
本発明の有機EL素子は、透光性基板上に作製する。透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400nm〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものを挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。
(substrate)
The organic EL element of the present invention is produced on a translucent substrate. The light-transmitting substrate is a substrate that supports the organic EL element, and is preferably a smooth substrate having a light transmittance in the visible region of 400 nm to 700 nm of 50% or more. Specifically, a glass plate, a polymer plate, etc. are mentioned. Examples of the glass plate include those using soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz and the like as raw materials. Examples of the polymer plate include those using polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like as raw materials.

(陽極)
有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選択される。
(anode)
The anode of the organic EL element plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and it is effective to use a material having a work function of 4.5 eV or more. Specific examples of the anode material include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), indium zinc oxide, gold, silver, platinum, copper, and the like. The anode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. When light emitted from the light emitting layer is extracted from the anode, it is preferable that the transmittance of light in the visible region of the anode is greater than 10%. The sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. The film thickness of the anode depends on the material, but is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 nm to 200 nm.

(陰極)
陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、必要に応じて、陰極側から発光を取り出してもよい。
(cathode)
The cathode plays a role of injecting electrons into the electron injection layer, the electron transport layer or the light emitting layer, and is preferably formed of a material having a small work function. The cathode material is not particularly limited, and specifically, indium, aluminum, magnesium, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, aluminum-lithium alloy, aluminum-scandium-lithium alloy, magnesium-silver alloy and the like can be used. Similarly to the anode, the cathode can be produced by forming a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering. Moreover, you may take out light emission from the cathode side as needed.

(発光層)
発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。
燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
(Light emitting layer)
An organic layer having a light emitting function, and when a doping system is employed, includes a host material and a dopant material. At this time, the host material mainly has a function of encouraging recombination of electrons and holes and confining excitons in the light emitting layer, and the dopant material efficiently emits excitons obtained by recombination. It has a function.
In the case of a phosphorescent element, the host material mainly has a function of confining excitons generated by the dopant in the light emitting layer.

ここで、上記発光層は、例えば、電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせるなどして、発光層内のキャリアバランスを調整するダブルホスト(ホスト・コホストともいう)を採用してもよい。
また、量子収率の高いドーパント材料を二種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光するダブルドーパントを採用してもよい。具体的には、ホスト、赤色ドーパント及び緑色ドーパントを共蒸着することによって、発光層を共通化して黄色発光を実現する態様が挙げられる。
Here, the light emitting layer employs, for example, a double host (also referred to as host / cohost) that adjusts the carrier balance in the light emitting layer by combining an electron transporting host and a hole transporting host. Also good.
Moreover, you may employ | adopt the double dopant from which each dopant light-emits by putting in 2 or more types of dopant materials with a high quantum yield. Specifically, a mode in which yellow emission is realized by co-evaporating a host, a red dopant, and a green dopant to make the light emitting layer common is used.

上記発光層は、複数の発光層を積層した積層体とすることで、発光層界面に電子と正孔を蓄積させて、再結合領域を発光層界面に集中させて、量子効率を向上させることができる。   The above light-emitting layer is a laminate in which a plurality of light-emitting layers are stacked, so that electrons and holes are accumulated at the light-emitting layer interface, and the recombination region is concentrated at the light-emitting layer interface to improve quantum efficiency. Can do.

発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。   The ease of injecting holes into the light emitting layer may be different from the ease of injecting electrons, and the hole transport ability and electron transport ability expressed by the mobility of holes and electrons in the light emitting layer may be different. May be different.

発光層は、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の方法により形成することができる。また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かした溶液をスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。   A light emitting layer can be formed by well-known methods, such as a vapor deposition method, a spin coat method, LB method, for example. The light emitting layer can also be formed by thinning a solution obtained by dissolving a binder such as a resin and a material compound in a solvent by a spin coating method or the like.

発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。   The light emitting layer is preferably a molecular deposited film. The molecular deposited film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gas phase state or a film formed by solidifying from a material compound in a solution state or a liquid phase state. The thin film (molecular accumulation film) formed by the LB method can be classified by the difference in the aggregation structure and the higher-order structure, and the functional difference resulting therefrom.

発光層を形成する燐光ドーパント(燐光発光材料)は三重項励状態から発光することのできる化合物であり、三重項励状態から発光する限り特に限定されないが、Ir,Pt,Os,Au,Cu,Re及びRuから選択される少なくとも一つの金属と配位子とを含む有機金属錯体であることが好ましい。前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、Ir,Os及びPtから選ばれる金属原子を含有する金属錯体が好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体がより好ましく、イリジウム錯体及び白金錯体がさらに好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が特に好ましい。   The phosphorescent dopant (phosphorescent material) that forms the light emitting layer is a compound that can emit light from the triplet excited state, and is not particularly limited as long as it emits light from the triplet excited state, but Ir, Pt, Os, Au, Cu, An organometallic complex containing at least one metal selected from Re and Ru and a ligand is preferable. The ligand preferably has an ortho metal bond. A metal complex containing a metal atom selected from Ir, Os and Pt is preferred in that the phosphorescent quantum yield is high and the external quantum efficiency of the light emitting device can be further improved, and an iridium complex, an osmium complex, or a platinum complex. Are more preferable, iridium complexes and platinum complexes are more preferable, and orthometalated iridium complexes are particularly preferable.

燐光ドーパントの発光層における含有量は特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.1〜70質量%が好ましく、1〜30質量%がより好ましい。燐光ドーパントの含有量が0.1質量%以上であると十分な発光が得られ、70質量%以下であると濃度消光を避けることができる。   There is no restriction | limiting in particular in content in the light emitting layer of a phosphorescent dopant, Although it can select suitably according to the objective, For example, 0.1-70 mass% is preferable and 1-30 mass% is more preferable. If the phosphorescent dopant content is 0.1% by mass or more, sufficient light emission can be obtained, and if it is 70% by mass or less, concentration quenching can be avoided.

好ましい有機金属錯体の具体例を、以下に示す。   Specific examples of preferable organometallic complexes are shown below.

Figure 0005795896
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燐光ホストは、燐光ドーパントの三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることにより、燐光ドーパントを効率的に発光させる機能を有する化合物である。本発明の有機EL材料は燐光ホストとして有用であるが、本発明の有機EL材料以外の化合物も、燐光ホストとして、上記目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の有機EL材料とそれ以外の化合物を同一の発光層内の燐光ホスト材料として併用してもよいし、複数の発光層がある場合には、そのうちの一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の有機EL材料を用い、別の一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の有機EL材料以外の化合物を用いてもよい。また、本発明の有機EL材料は発光層以外の有機層にも使用しうるものであり、その場合には発光層の燐光ホストとして、本発明の有機EL材料以外の化合物を用いてもよい。
The phosphorescent host is a compound having a function of efficiently emitting the phosphorescent dopant by efficiently confining the triplet energy of the phosphorescent dopant in the light emitting layer. Although the organic EL material of the present invention is useful as a phosphorescent host, a compound other than the organic EL material of the present invention can be appropriately selected as the phosphorescent host depending on the purpose.
The organic EL material of the present invention and other compounds may be used in combination as a phosphorescent host material in the same light emitting layer. When there are a plurality of light emitting layers, the phosphorescent host material of one of the light emitting layers is used. The organic EL material of the present invention may be used, and a compound other than the organic EL material of the present invention may be used as the phosphorescent host material of another light emitting layer. In addition, the organic EL material of the present invention can be used for organic layers other than the light emitting layer, and in that case, a compound other than the organic EL material of the present invention may be used as the phosphorescent host of the light emitting layer.

本発明の有機EL材料以外の化合物で、燐光ホストとして好適な化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。燐光ホストは単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。   Specific examples of compounds other than the organic EL material of the present invention and suitable as a phosphorescent host include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives. , Phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds , Anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives , Metal complexes of heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as styrylpyrazine derivatives, naphthaleneperylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, metal complexes having benzoxazole and benzothiazole as ligands Polymers such as metal complex polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, etc. Compounds and the like. A phosphorescent host may be used independently and may use 2 or more types together. Specific examples include the following compounds.

Figure 0005795896
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発光層の膜厚は、好ましくは5〜50nm、より好ましくは7〜50nm、さらに好ましくは10〜50nmである。5nm以上であると発光層の形成が容易であり、50nm以下であると駆動電圧の上昇が避けられる。   The thickness of the light emitting layer is preferably 5 to 50 nm, more preferably 7 to 50 nm, and still more preferably 10 to 50 nm. When the thickness is 5 nm or more, it is easy to form a light emitting layer, and when the thickness is 50 nm or less, an increase in driving voltage is avoided.

(電子供与性ドーパント)
本発明の有機EL素子は、陰極と発光ユニットとの界面領域に電子供与性ドーパントを有することも好ましい。このような構成によれば、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。ここで、電子供与性ドーパントとは、仕事関数3.8eV以下の金属を含有するものをいい、その具体例としては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
(Electron donating dopant)
The organic EL device of the present invention preferably has an electron donating dopant in the interface region between the cathode and the light emitting unit. According to such a configuration, it is possible to improve the light emission luminance and extend the life of the organic EL element. Here, the electron donating dopant means a material containing a metal having a work function of 3.8 eV or less, and specific examples thereof include alkali metals, alkali metal complexes, alkali metal compounds, alkaline earth metals, alkaline earths. Examples thereof include at least one selected from metal complexes, alkaline earth metal compounds, rare earth metals, rare earth metal complexes, rare earth metal compounds, and the like.

アルカリ金属としては、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)、Cs(仕事関数:1.95eV)等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはK、Rb、Cs、さらに好ましくはRb又はCsであり、最も好ましくはCsである。アルカリ土類金属としては、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0eV〜2.5eV)、Ba(仕事関数:2.52eV)等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、Sc、Y、Ce、Tb、Yb等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。   Examples of the alkali metal include Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), Rb (work function: 2.16 eV), Cs (work function: 1.95 eV), and the like. A function of 2.9 eV or less is particularly preferable. Of these, K, Rb, and Cs are preferred, Rb and Cs are more preferred, and Cs is most preferred. Examples of the alkaline earth metal include Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 eV to 2.5 eV), Ba (work function: 2.52 eV), and the like. The thing below 9 eV is especially preferable. Examples of rare earth metals include Sc, Y, Ce, Tb, Yb, and the like, and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable.

アルカリ金属化合物としては、Li2O、Cs2O、K2O等のアルカリ酸化物、LiF、NaF、CsF、KF等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、LiF、Li2O、NaFが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、BaO、SrO、CaO及びこれらを混合したBaxSr1-xO(0<x<1)、BaxCa1-xO(0<x<1)等が挙げられ、BaO、SrO、CaOが好ましい。希土類金属化合物としては、YbF3、ScF3、ScO3、Y23、Ce23、GdF3、TbF3等が挙げられ、YbF3、ScF3、TbF3が好ましい。 Examples of the alkali metal compound include alkali oxides such as Li 2 O, Cs 2 O, and K 2 O, and alkali halides such as LiF, NaF, CsF, and KF, and LiF, Li 2 O, and NaF are preferable. Examples of the alkaline earth metal compound include BaO, SrO, CaO, and Ba x Sr 1-x O (0 <x <1), Ba x Ca 1-x O (0 <x <1) mixed with these. BaO, SrO, and CaO are preferable. The rare earth metal compound, YbF 3, ScF 3, ScO 3, Y 2 O 3, Ce 2 O 3, GdF 3, TbF 3 and the like, YbF 3, ScF 3, TbF 3 are preferable.

アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。   The alkali metal complex, alkaline earth metal complex, and rare earth metal complex are not particularly limited as long as each metal ion contains at least one of an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion, and a rare earth metal ion. The ligands include quinolinol, benzoquinolinol, acridinol, phenanthridinol, hydroxyphenyl oxazole, hydroxyphenyl thiazole, hydroxydiaryl thiadiazole, hydroxydiaryl thiadiazole, hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzimidazole, hydroxybenzotriazole, Hydroxyfulborane, bipyridyl, phenanthroline, phthalocyanine, porphyrin, cyclopentadiene, β-diketones, azomethines, and derivatives thereof are preferred, but not limited thereto.

電子供与性ドーパントの添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成すると好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する有機化合物(発光材料や電子注入材料)を同時に蒸着させ、有機化合物に電子供与性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機化合物:電子供与性ドーパント=100:1〜1:100、好ましくは5:1〜1:5である。   As an addition form of the electron donating dopant, it is preferable to form a layered or island shape in the interface region. As a forming method, while depositing an electron donating dopant by resistance heating vapor deposition, an organic compound (light emitting material or electron injecting material) that forms an interface region is simultaneously deposited, and the electron donating dopant is dispersed in the organic compound. Is preferred. The dispersion concentration is organic compound: electron-donating dopant = 100: 1 to 1: 100, preferably 5: 1 to 1: 5 in molar ratio.

電子供与性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み0.1nm〜15nmで形成する。電子供与性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み0.05nm〜1nmで形成する。
本発明の有機EL素子における、主成分と電子供与性ドーパントの割合は、モル比で主成分:電子供与性ドーパント=5:1〜1:5であると好ましく、2:1〜1:2であるとさらに好ましい。
In the case where the electron donating dopant is formed in a layered form, after forming the light emitting material or the electron injecting material, which is an organic layer at the interface, in a layered form, the reducing dopant is vapor-deposited by a resistance heating vapor deposition method. .1 nm to 15 nm. When the electron donating dopant is formed in an island shape, after forming the light emitting material and the electron injecting material, which are organic layers at the interface, in an island shape, the electron donating dopant is deposited by resistance heating vapor deposition alone, preferably The island is formed with a thickness of 0.05 nm to 1 nm.
In the organic EL device of the present invention, the ratio of the main component to the electron donating dopant is preferably in the molar ratio of main component: electron donating dopant = 5: 1 to 1: 5, and 2: 1 to 1: 2. More preferably.

(電子輸送層)
発光層と陰極との間に形成される有機層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有する。電子輸送層が複数層で構成される場合、陰極に近い有機層を電子注入層と定義することがある。電子注入層は、陰極から電子を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。
(Electron transport layer)
An organic layer formed between the light emitting layer and the cathode, and has a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer. When the electron transport layer is composed of a plurality of layers, an organic layer close to the cathode may be defined as an electron injection layer. The electron injection layer has a function of efficiently injecting electrons from the cathode into the organic layer unit.

電子輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を1個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素6員環もしくは5員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素6員環もしくは5員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式(A)で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。
As the electron transporting material used for the electron transporting layer, an aromatic heterocyclic compound containing one or more heteroatoms in the molecule is preferably used, and a nitrogen-containing ring derivative is particularly preferable. The nitrogen-containing ring derivative is preferably an aromatic ring having a nitrogen-containing 6-membered ring or 5-membered ring skeleton, or a condensed aromatic ring compound having a nitrogen-containing 6-membered ring or 5-membered ring skeleton.
As this nitrogen-containing ring derivative, for example, a nitrogen-containing ring metal chelate complex represented by the following formula (A) is preferable.

Figure 0005795896
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式(A)におけるR2〜R7は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数1〜40の炭化水素基、炭素数1〜40のアルコキシ基、炭素数数6〜50のアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、または、環形成炭素数5〜50の芳香族複素環基であり、これらは置換されていてもよい。 R 2 to R 7 in formula (A) are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms. , An aryloxy group having 6 to 50 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group, or an aromatic heterocyclic group having 5 to 50 ring carbon atoms, which may be substituted.

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。   Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like.

置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基が挙げられる。
アルキルアミノ基及びアラルキルアミノ基は−NQ12と表される。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアラルキル基を表す。Q1及びQ2の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。
アリールアミノ基は−NAr1Ar2と表され、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、炭素数6〜50の非縮合芳香族炭化水素基及び縮合芳香族炭化水素基を表す。Ar1及びAr2の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。
Examples of the amino group which may be substituted include an alkylamino group, an arylamino group and an aralkylamino group.
The alkylamino group and the aralkylamino group are represented as —NQ 1 Q 2 . Q 1 and Q 2 each independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aralkyl group having 1 to 20 carbon atoms. One of Q 1 and Q 2 may be a hydrogen atom or a deuterium atom.
The arylamino group is represented as —NAr 1 Ar 2, and Ar 1 and Ar 2 each independently represent a non-condensed aromatic hydrocarbon group and a condensed aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms. One of Ar 1 and Ar 2 may be a hydrogen atom or a deuterium atom.

炭素数1〜40の炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基を含む。   The hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms includes an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, and an aralkyl group.

アルコキシカルボニル基は−COOY’と表され、Y’は炭素数1〜20のアルキル基を表す。   The alkoxycarbonyl group is represented as —COOY ′, and Y ′ represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

Mは、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)又はインジウム(In)であり、Inであると好ましい。   M is aluminum (Al), gallium (Ga) or indium (In), and is preferably In.

Lは、下記式(A’)又は(A”)で表される基である。   L is a group represented by the following formula (A ′) or (A ″).

Figure 0005795896
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式(A’)中、R8〜R12は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、または置換もしくは無置換の炭素数1〜40の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。また、前記式(A”)中、R13〜R27は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数1〜40の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。 In formula (A ′), R 8 to R 12 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms, and groups adjacent to each other are cyclic structures May be formed. In the formula (A ″), R 13 to R 27 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms, and groups adjacent to each other are An annular structure may be formed.

式(A’)及び式(A”)のR8〜R12及びR13〜R27が示す炭素数1〜40の炭化水素基は、前記式(A)中のR2〜R7が示す炭化水素基と同様である。また、R8〜R12及びR13〜R27の互いに隣接する基が環状構造を形成した場合の2価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−2,2’−ジイル基、ジフェニルエタン−3,3’−ジイル基、ジフェニルプロパン−4,4’−ジイル基等が挙げられる。 The hydrocarbon group having 1 to 40 carbon atoms represented by R 8 to R 12 and R 13 to R 27 in the formula (A ′) and the formula (A ″) is represented by R 2 to R 7 in the formula (A). The divalent groups in the case where the adjacent groups of R 8 to R 12 and R 13 to R 27 form a cyclic structure include tetramethylene, pentamethylene, hexa Examples include methylene group, diphenylmethane-2,2′-diyl group, diphenylethane-3,3′-diyl group, diphenylpropane-4,4′-diyl group and the like.

電子輸送層に用いられる電子伝達性化合物としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。   As the electron transport compound used for the electron transport layer, 8-hydroxyquinoline or a metal complex of its derivative, an oxadiazole derivative, and a nitrogen-containing heterocyclic derivative are preferable. As a specific example of the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, a metal chelate oxinoid compound containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline), for example, tris (8-quinolinol) aluminum is used. Can do. And as an oxadiazole derivative, the following can be mentioned.

Figure 0005795896
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前記式中、Ar17、Ar18、Ar19、Ar21、Ar22及びAr25は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数6〜50の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ar17とAr18、Ar19とAr21、Ar22とAr25は、たがいに同一でも異なっていてもよい。芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基などが挙げられる。これらの置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。 In the above formula, Ar 17 , Ar 18 , Ar 19 , Ar 21 , Ar 22 and Ar 25 each represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or condensed aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms, Ar 17 and Ar 18 , Ar 19 and Ar 21 , Ar 22 and Ar 25 may be the same or different. Examples of the aromatic hydrocarbon group or the condensed aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, and a pyrenyl group. Examples of these substituents include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group.

Ar20、Ar23及びAr24は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数6〜50の2価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ar23とAr24は、たがいに同一でも異なっていてもよい。2価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。これらの置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。 Ar 20 , Ar 23, and Ar 24 each represent a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group or condensed aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms, and Ar 23 and Ar 24 are identical to each other. But it can be different. Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group or condensed aromatic hydrocarbon group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthranylene group, a peryleneylene group, and a pyrenylene group. Examples of these substituents include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group.

これらの電子伝達性化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。   As these electron transfer compounds, those having good thin film forming properties are preferably used. Specific examples of these electron transfer compounds include the following.

Figure 0005795896
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電子伝達性化合物としての含窒素複素環誘導体は、以下の一般式を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体でない含窒素化合物が挙げられる。例えば、下記式(B)に示す骨格を含有する5員環もしくは6員環や、下記式(C)に示す構造のものが挙げられる。   The nitrogen-containing heterocyclic derivative as the electron transfer compound is a nitrogen-containing heterocyclic derivative composed of an organic compound having the following general formula, and includes a nitrogen-containing compound that is not a metal complex. Examples thereof include a 5-membered ring or 6-membered ring containing a skeleton represented by the following formula (B) and a structure represented by the following formula (C).

Figure 0005795896
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前記式(C)中、Xは炭素原子もしくは窒素原子を表す。Z1ならびにZ2は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。 In the formula (C), X represents a carbon atom or a nitrogen atom. Z 1 and Z 2 each independently represents an atomic group capable of forming a nitrogen-containing heterocycle.

含窒素複素環誘導体は、さらに好ましくは、5員環もしくは6員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記式(B)と(C)もしくは上記式(B)と下記式(D)を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物が好ましい。   The nitrogen-containing heterocyclic derivative is more preferably an organic compound having a nitrogen-containing aromatic polycyclic group consisting of a 5-membered ring or a 6-membered ring. Further, in the case of such a nitrogen-containing aromatic polycyclic group having a plurality of nitrogen atoms, the nitrogen-containing compound having a skeleton in which the above formulas (B) and (C) or the above formula (B) and the following formula (D) are combined. Aromatic polycyclic organic compounds are preferred.

Figure 0005795896
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前記の含窒素芳香多環有機化合物の含窒素基は、例えば、以下の一般式で表される含窒素複素環基から選択される。   The nitrogen-containing group of the nitrogen-containing aromatic polycyclic organic compound is selected from, for example, nitrogen-containing heterocyclic groups represented by the following general formula.

Figure 0005795896
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前記各式中、Rは、炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、炭素数3〜40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルキル基、または炭素数1〜20のアルコキシ基であり、nは0〜5の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のRは互いに同一又は異なっていてもよい。   In each of the above formulas, R is an aromatic hydrocarbon group or condensed aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group or condensed aromatic heterocyclic group having 3 to 40 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atoms. 20 is an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, n is an integer of 0 to 5, and when n is an integer of 2 or more, a plurality of R may be the same or different from each other.

さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。
HAr−L1−Ar1−Ar2
Furthermore, preferred specific compounds include nitrogen-containing heterocyclic derivatives represented by the following formula.
HAr-L 1 -Ar 1 -Ar 2

前記式中、HArは、置換もしくは無置換の炭素数3〜40の含窒素複素環基であり、L1は単結合、置換もしくは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基であり、Ar1は置換もしくは無置換の炭素数6〜40の2価の芳香族炭化水素基であり、Ar2は置換もしくは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。 In the above formula, HAr is a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic group having 3 to 40 carbon atoms, and L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms or a condensed group. An aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 40 carbon atoms or a condensed aromatic heterocyclic group, and Ar 1 is a substituted or unsubstituted divalent aromatic group having 6 to 40 carbon atoms Ar 2 is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms, a condensed aromatic hydrocarbon group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 40 carbon atoms Or it is a condensed aromatic heterocyclic group.

HArは、例えば、下記の群から選択される。   HAr is selected from the following group, for example.

Figure 0005795896
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1は、例えば、下記の群から選択される。 L 1 is selected from the following group, for example.

Figure 0005795896
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Ar1は、例えば、下記のアリールアントラニル基から選択される。 Ar 1 is selected from, for example, the following arylanthranyl groups.

Figure 0005795896
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前記式中、R1〜R14は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基であり、Ar3は、置換もしくは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。また、R1〜R8は、いずれも水素原子又は重水素原子である含窒素複素環誘導体であってもよい。 In the above formula, R 1 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkyl group having 6 to 40 carbon atoms. An aryloxy group, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms or a condensed aromatic hydrocarbon group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 40 carbon atoms or a condensed aromatic complex; Ar 3 is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 carbon atoms, a condensed aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 3 to 40 carbon atoms, or A condensed aromatic heterocyclic group. Further, R 1 to R 8 may be nitrogen-containing heterocyclic derivatives each of which is a hydrogen atom or a deuterium atom.

Ar2は、例えば、下記の群から選択される。 Ar 2 is selected from the following group, for example.

Figure 0005795896
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電子伝達性化合物としての含窒素芳香多環有機化合物には、この他、下記の化合物も好適に用いられる。   In addition to these, the following compounds are also preferably used as the nitrogen-containing aromatic polycyclic organic compound as the electron transfer compound.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

前記式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20の脂肪族基、置換もしくは無置換の炭素数3〜20の脂肪族式環基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50の芳香族環基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50の複素環基を表し、X1、X2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはジシアノメチレン基を表す。 In the above formula, R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms. And a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 50 carbon atoms, and X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom Represents a sulfur atom or a dicyanomethylene group.

また、電子伝達性化合物として、下記の化合物も好適に用いられる。   In addition, the following compounds are also preferably used as the electron transfer compound.

Figure 0005795896
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前記式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同一のまたは異なる基であって、下記式で表される芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基である。 In the above formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different groups, and are an aromatic hydrocarbon group or a condensed aromatic hydrocarbon group represented by the following formula.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

前記式中、R5、R6、R7、R8及びR9は互いに同一または異なる基であって、水素原子、重水素原子、飽和もしくは不飽和の炭素数1〜20のアルコキシル基、飽和もしくは不飽和の炭素数1〜20のアルキル基、アミノ基、または炭素数1〜20のアルキルアミノ基である。R5、R6、R7、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子、重水素原子以外の基である。 In the above formula, R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are the same or different from each other, and are a hydrogen atom, a deuterium atom, a saturated or unsaturated C 1-20 alkoxyl group, a saturated group. Alternatively, it is an unsaturated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an amino group, or an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms. At least one of R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 is a group other than a hydrogen atom or a deuterium atom.

さらに、電子伝達性化合物は、該含窒素複素環基または含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。   Further, the electron transport compound may be a polymer compound containing the nitrogen-containing heterocyclic group or the nitrogen-containing heterocyclic derivative.

本発明の有機EL素子の電子輸送層は、下記式(60)〜(62)で表される含窒素複素環誘導体を少なくとも1種含むことが特に好ましい。   The electron transport layer of the organic EL device of the present invention particularly preferably contains at least one nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the following formulas (60) to (62).

Figure 0005795896
Figure 0005795896

(式中、Z1、Z2及びZ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基である。
nは、0〜5の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のR1は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する2つのR1同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の炭化水素環を形成していてもよい。
Ar1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50のヘテロアリール基である。
Ar2は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50のヘテロアリール基である。
但し、Ar1、Ar2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数10〜50の縮合芳香族炭化水素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数9〜50の縮合芳香族複素環基である。
Ar3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50のヘテロアリーレン基である。
1、L2及びL3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数9〜50の2価の縮合芳香族複素環基である。)
(In the formula, Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently a nitrogen atom or a carbon atom.
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 ring atoms, substituted or unsubstituted carbon They are a C1-C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1-C20 haloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group.
n is an integer of 0 to 5, and when n is an integer of 2 or more, the plurality of R 1 may be the same or different from each other. Further, two adjacent R 1 's may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring.
Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 ring atoms.
Ar 2 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted Alternatively, it is an unsubstituted aryl group having 6 to 50 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 ring atoms.
However, either Ar 1 or Ar 2 is a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring group having 10 to 50 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted condensed aromatic group having 9 to 50 ring atoms. It is a heterocyclic group.
Ar 3 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 50 ring atoms.
L 1 , L 2, and L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent ring having 9 to 50 ring atoms. A condensed aromatic heterocyclic group. )

環形成炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基などが挙げられる。
環形成原子数5〜50のヘテロアリール基としては、ピローリル基、フリル基、チエニル基、シローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、べンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、セレノフェニル基、オキサジアゾリル基、トリアゾーリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、イミダゾ[1,2−a]ピリジニル基、イミダゾ[1,2−a]ピリミジニル基などが挙げられる。
炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基などが挙げられる。
炭素数1〜20のハロアルキル基としては、前記アルキル基の1又は2以上の水素原子をフッ素、塩素、ヨウ素および臭素から選ばれる少なくとも1のハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられる。
炭素数1〜20のアルコキシ基としては、前記アルキル基をアルキル部位としては有する基が挙げられる。
環形成炭素数6〜50のアリーレン基としては、前記アリール基から水素原子1個を除去して得られる基が挙げられる。
環形成原子数9〜50の2価の縮合芳香族複素環基としては、前記ヘテロアリール基として記載した縮合芳香族複素環基から水素原子1個を除去して得られる基が挙げられる。
Examples of the aryl group having 6 to 50 ring carbon atoms include phenyl, naphthyl, anthryl, phenanthryl, naphthacenyl, chrysenyl, pyrenyl, biphenyl, terphenyl, tolyl, fluoranthenyl, fluorenyl Group and the like.
Examples of heteroaryl groups having 5 to 50 ring atoms include pyrrolyl, furyl, thienyl, silolyl, pyridyl, quinolyl, isoquinolyl, benzofuryl, imidazolyl, pyrimidyl, carbazolyl, selenophenyl Group, oxadiazolyl group, triazolyl group, pyrazinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinoxalinyl group, acridinyl group, imidazo [1,2-a] pyridinyl group, imidazo [1,2-a] pyrimidinyl group and the like.
Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.
Examples of the haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms include groups obtained by substituting one or more hydrogen atoms of the alkyl group with at least one halogen atom selected from fluorine, chlorine, iodine and bromine.
Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include groups having the alkyl group as an alkyl moiety.
Examples of the arylene group having 6 to 50 ring carbon atoms include a group obtained by removing one hydrogen atom from the aryl group.
Examples of the divalent condensed aromatic heterocyclic group having 9 to 50 ring atoms include groups obtained by removing one hydrogen atom from the condensed aromatic heterocyclic group described as the heteroaryl group.

電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1nm〜100nmである。   Although the film thickness of an electron carrying layer is not specifically limited, Preferably it is 1 nm-100 nm.

また、電子輸送層に隣接して設けることができる電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。   Moreover, it is preferable to use an insulator or a semiconductor as an inorganic compound in addition to the nitrogen-containing ring derivative as a component of the electron injection layer that can be provided adjacent to the electron transport layer. If the electron injection layer is made of an insulator or a semiconductor, current leakage can be effectively prevented and the electron injection property can be improved.

このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Li2O、K2O、Na2S、Na2Se及びNa2Oが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及びCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及びNaCl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及びBeF2等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。 As such an insulator, it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides. If the electron injection layer is composed of these alkali metal chalcogenides or the like, it is preferable in that the electron injection property can be further improved. Specifically, preferable alkali metal chalcogenides include, for example, Li 2 O, K 2 O, Na 2 S, Na 2 Se, and Na 2 O, and preferable alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO. , SrO, BeO, BaS and CaSe. Further, preferable alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl. Examples of preferable alkaline earth metal halides include fluorides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 and BeF 2 , and halides other than fluorides.

また、半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。   Further, as a semiconductor, an oxide, nitride, or oxynitride containing at least one element of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn. One kind alone or a combination of two or more kinds of products may be mentioned. In addition, the inorganic compound constituting the electron injection layer is preferably a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron injection layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, and pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides.

このような絶縁体又は半導体を使用する場合、その層の好ましい厚みは、0.1nm〜15nm程度である。また、本発明における電子注入層は、前述の電子供与性ドーパントを含有していても好ましい。   When such an insulator or semiconductor is used, the preferred thickness of the layer is about 0.1 nm to 15 nm. Further, the electron injection layer in the present invention is preferable even if it contains the above-mentioned electron donating dopant.

(正孔輸送層)
発光層と陽極との間に形成される有機層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有する。正孔輸送層が複数層で構成される場合、陽極に近い有機層を正孔注入層と定義することがある。正孔注入層は、陽極から正孔を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。
(Hole transport layer)
An organic layer formed between the light emitting layer and the anode, and has a function of transporting holes from the anode to the light emitting layer. When the hole transport layer is composed of a plurality of layers, an organic layer close to the anode may be defined as a hole injection layer. The hole injection layer has a function of efficiently injecting holes from the anode into the organic layer unit.

正孔輸送層を形成する他の材料としては、芳香族アミン化合物、例えば、下記一般式(I)で表される芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。   As another material for forming the hole transport layer, an aromatic amine compound, for example, an aromatic amine derivative represented by the following general formula (I) is preferably used.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

前記一般式(I)において、Ar1〜Ar4は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、または、それら芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基と芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基が結合した基を表す。
また、前記一般式(I)において、Lは置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基を表す。
In the general formula (I), Ar 1 to Ar 4 are substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon groups having 6 to 50 ring carbon atoms or condensed aromatic hydrocarbon groups, substituted or unsubstituted ring forming atoms 5 -50 aromatic heterocyclic group or condensed aromatic heterocyclic group, or a group in which the aromatic hydrocarbon group or condensed aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group or condensed aromatic heterocyclic group are bonded. .
In the general formula (I), L represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or condensed aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring forming atom number of 5 to 5. Represents 50 aromatic heterocyclic groups or condensed aromatic heterocyclic groups.

一般式(I)の化合物の具体例を以下に記す。   Specific examples of the compound of the general formula (I) are described below.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

また、下記式(II)の芳香族アミンも正孔輸送層の形成に好適に用いられる。 In addition, an aromatic amine of the following formula (II) is also preferably used for forming the hole transport layer.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

前記式(II)において、Ar1〜Ar3の定義は前記一般式(I)のAr1〜Ar4の定義と同様である。以下に一般式(II)の化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。 In the formula (II), the definitions of Ar 1 to Ar 3 are the same as the definitions of Ar 1 to Ar 4 in the general formula (I). Specific examples of the compound of the general formula (II) are shown below, but are not limited thereto.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

本発明の有機EL素子の正孔輸送層は第1正孔輸送層(陽極側)と第2正孔輸送層(陰極側)の2層構造にしてもよい。   The hole transport layer of the organic EL device of the present invention may have a two-layer structure of a first hole transport layer (anode side) and a second hole transport layer (cathode side).

正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、10〜200nmであるのが好ましい。   Although the film thickness of a positive hole transport layer is not specifically limited, It is preferable that it is 10-200 nm.

本発明の有機EL素子では、正孔輸送層または第1正孔輸送層の陽極側に電子受容性化合物を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。   In the organic EL device of the present invention, a layer containing an electron accepting compound may be bonded to the positive hole transport layer or the anode side of the first hole transport layer. This is expected to reduce drive voltage and manufacturing costs.

前記電子受容性化合物としては下記式(10)で表される化合物が好ましい。   The electron accepting compound is preferably a compound represented by the following formula (10).

Figure 0005795896
Figure 0005795896

(上記式(10)中、R7〜R12は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、−CONH2、カルボキシル基、又は−COOR13(R13は炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数3〜20のシクロアルキル基)を表す。ただし、R7及びR8、R9及びR10、及びR11及びR12の1又は2以上の対が一緒になって−CO−O−CO−で示される基を表してもよい。) (In the formula (10), R 7 ~R 12 may be the same or different, each independently cyano, -CONH 2, alkyl carboxyl group, or -COOR 13 (R 13 having 1 to 20 carbon atoms Group or a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, provided that one or more pairs of R 7 and R 8 , R 9 and R 10 , and R 11 and R 12 are combined together to form —CO—. A group represented by O—CO— may be represented.)

13としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。 Examples of R 13 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

電子受容性化合物を含有する層の膜厚は特に限定されないが、5〜20nmであるのが好ましい。   The thickness of the layer containing the electron-accepting compound is not particularly limited, but is preferably 5 to 20 nm.

(n/pドーピング)
上述の正孔輸送層や電子輸送層においては、特許第3695714号明細書に記載されているように、ドナー性材料のドーピング(n)やアクセプター性材料のドーピング(p)により、キャリア注入能を調整することができる。
nドーピングの代表例としては、電子輸送材料にLiやCs等の金属をドーピングする方法が挙げられ、pドーピングの代表例としては、正孔輸送材料にF4TCNQ等のアクセプター材料をドーピングする方法が挙げられる。
(N / p doping)
In the hole transport layer and the electron transport layer described above, as described in Japanese Patent No. 3695714, the carrier injection ability is improved by doping the donor material (n) and acceptor material (p). Can be adjusted.
A typical example of n doping is a method of doping an electron transport material with a metal such as Li or Cs. A typical example of p doping is a method of doping an acceptor material such as F 4 TCNQ into a hole transport material. Is mentioned.

(スペース層)
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが2.6eV以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
(Space layer)
For example, when the fluorescent layer and the phosphorescent layer are laminated, the space layer is a fluorescent layer for the purpose of adjusting the carrier balance so that excitons generated in the phosphorescent layer are not diffused into the fluorescent layer. It is a layer provided between the layer and the phosphorescent light emitting layer. In addition, the space layer can be provided between the plurality of phosphorescent light emitting layers.
Since the space layer is provided between the light emitting layers, a material having both electron transport properties and hole transport properties is preferable. In order to prevent diffusion of triplet energy in the adjacent phosphorescent light emitting layer, the triplet energy is preferably 2.6 eV or more. Examples of the material used for the space layer include the same materials as those used for the above-described hole transport layer.

(障壁層)
本発明の有機EL素子は、発光層に隣接する部分に、電子障壁層、正孔障壁層、トリプレット障壁層といった障壁層を有することが好ましい。ここで、電子障壁層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔障壁層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。
トリプレット障壁層は、後述するように、発光層で生成する三重項励起子が、周辺の層へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の発光ドーパント以外の電子輸送層の分子上でのエネルギー失活を抑制する機能を有する。
トリプレット障壁層を設ける場合、発光層中の燐光発光性ドーパントの三重項エネルギーをET d、トリプレット障壁層として用いる化合物の三重項エネルギーをET TBとすると、ET d<ET TBのエネルギー大小関係であれば、エネルギー関係上、燐光発光性ドーパントの三重項励起子が閉じ込められ(他分子へ移動できなくなり)、該ドーパント上で発光する以外のエネルギー失活経路が断たれ、高効率に発光することができると推測される。ただし、ET d<ET TBの関係が成り立つ場合であってもこのエネルギー差ΔET=ET TB−ET dが小さい場合には、実際の素子駆動環境である室温程度の環境下では、周辺の熱エネルギーにより吸熱的にこのエネルギー差ΔETを乗り越えて三重項励起子が他分子へ移動することが可能であると考えられる。特に燐光発光の場合は蛍光発光に比べて励起子寿命が長いため、相対的に吸熱的励起子移動過程の影響が現れやすくなる。室温の熱エネルギーに対してこのエネルギー差ΔETは大きい程好ましく、0.1eV以上であるとさらに好ましく、0.2eV以上であると特に好ましい。
(Barrier layer)
The organic EL device of the present invention preferably has a barrier layer such as an electron barrier layer, a hole barrier layer, or a triplet barrier layer in a portion adjacent to the light emitting layer. Here, the electron barrier layer is a layer that prevents electrons from leaking from the light emitting layer to the hole transport layer, and the hole barrier layer is a layer that prevents holes from leaking from the light emitting layer to the electron transport layer. is there.
As will be described later, the triplet barrier layer prevents the triplet excitons generated in the light emitting layer from diffusing into the surrounding layers, and confines the triplet excitons in the light emitting layer, thereby emitting the triplet excitons. It has a function of suppressing energy deactivation on the molecule of the electron transport layer other than the dopant.
When providing the triplet barrier layer, the triplet energy E T d of the phosphorescent dopant in the light emitting layer and the triplet energy of the compound used as a triplet barrier layer and E T TB, energy E T d <E T TB If the size relationship is large, the triplet exciton of the phosphorescent dopant is confined (cannot move to other molecules) in terms of energy, and the energy deactivation path other than light emission on the dopant is interrupted, resulting in high efficiency. It is estimated that light can be emitted. However, even if the relationship of E T d <E T TB is satisfied, if this energy difference ΔE T = E T TB −E T d is small, under the environment of room temperature, which is the actual element driving environment, , endothermically triplet excitons overcame this energy difference Delta] E T by thermal energy near is considered to be possible to move to another molecule. In particular, in the case of phosphorescence emission, the exciton lifetime is longer than that of fluorescence emission, so that the influence of the endothermic exciton transfer process is likely to appear. The energy difference ΔE T is preferably as large as possible relative to the thermal energy at room temperature, more preferably 0.1 eV or more, and particularly preferably 0.2 eV or more.

本発明における三重項エネルギーとは、以下のようにして測定する。
まず、試料をEPA溶媒(ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2(容積比))に10μmol/Lで溶解させ、燐光測定用試料とする。この燐光測定用試料を石英セルに入れ、温度77Kで励起光を照射し、放射される燐光の燐光スペクトルを測定する。これを基に換算式ET(eV)=1239.85/λedgeによって求めた値と定義する。「λedge」とは、縦軸に燐光強度、横軸に波長をとって、燐光スペクトルを表したときに、燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値(単位:nm)を意味する。
発光層のホスト材料としては、Ab−Ah≦0.1eVとなるものが好ましい。ここで、Abは障壁層材料のアフィニティを表し、Ahは発光層ホスト材料のアフィニティを表す。
本発明におけるアフィニティAf(電子親和力)とは、材料の分子に電子を一つ与えた時に放出または吸収されるエネルギーをいい、放出の場合は正、吸収の場合は負と定義する。アフィニティAfは、イオン化ポテンシャルIpと光学エネルギーギャップEg(S)とにより次のように規定する。
Af=Ip−Eg(S)
ここで、イオン化ポテンシャルIpは、各材料の化合物から電子を取り去ってイオン化するために要するエネルギーを意味し、本発明では大気中光電子分光装置(AC−3、理研計器株式会社製)で測定した正の符号を持つ値である。
光学エネルギーギャップEg(S)は、伝導レベルと価電子レベルとの差をいい、本発明では各材料のジクロロメタン希薄溶液の紫外・可視光吸収スペクトルの長波長側接線とベースライン(吸収ゼロ)との交点の波長値をエネルギーに換算して求めた正の符号を持つ値である。
また、トリプレット障壁層を構成する材料の電子移動度は、電界強度0.04〜0.5MV/cmの範囲において、10-6cm2/Vs以上であることが望ましい。有機材料の電子移動度の測定方法としては、Time of Flight法等幾つかの方法が知られているが、ここではインピーダンス分光法で決定される電子移動度をいう。
電子注入層は、電界強度0.04〜0.5MV/cmの範囲において、10-6cm2/Vs以上であることが望ましい。これにより陰極からの電子輸送層への電子注入が促進され、ひいては隣接する障壁層、発光層への電子注入も促進し、より低電圧での駆動を可能にするためである。
The triplet energy in the present invention is measured as follows.
First, a sample is dissolved in EPA solvent (diethyl ether: isopentane: ethanol = 5: 5: 2 (volume ratio)) at 10 μmol / L to obtain a sample for phosphorescence measurement. This phosphorescence measurement sample is put in a quartz cell, irradiated with excitation light at a temperature of 77 K, and the phosphorescence spectrum of the emitted phosphorescence is measured. Based on this, it is defined as a value obtained by a conversion formula E T (eV) = 1239.85 / λ edge . “Λ edge ” means that when the phosphorescence spectrum is expressed by taking the phosphorescence intensity on the vertical axis and the wavelength on the horizontal axis, a tangent line is drawn with respect to the rising edge on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum. It means the wavelength value (unit: nm) at the intersection.
As the host material of the light emitting layer, those satisfying A b −A h ≦ 0.1 eV are preferable. Here, A b represents the affinity of the barrier layer material, and A h represents the affinity of the light emitting layer host material.
The affinity Af (electron affinity) in the present invention refers to energy released or absorbed when one electron is given to a molecule of the material, and is defined as positive in the case of emission and negative in the case of absorption. The affinity Af is defined as follows by the ionization potential Ip and the optical energy gap Eg (S).
Af = Ip-Eg (S)
Here, the ionization potential Ip means the energy required to remove and ionize electrons from the compound of each material. In the present invention, the ionization potential Ip is a positive value measured with an atmospheric photoelectron spectrometer (AC-3, manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.). It is a value with the sign of.
The optical energy gap Eg (S) refers to the difference between the conduction level and the valence level. This is a value having a positive sign obtained by converting the wavelength value of the intersection point into energy.
Further, the electron mobility of the material constituting the triplet barrier layer is preferably 10 −6 cm 2 / Vs or more in the range of the electric field strength of 0.04 to 0.5 MV / cm. As a method for measuring the electron mobility of an organic material, several methods such as the Time of Flight method are known. Here, the electron mobility is determined by impedance spectroscopy.
The electron injection layer is desirably 10 −6 cm 2 / Vs or more in the range of electric field strength of 0.04 to 0.5 MV / cm. This facilitates the injection of electrons from the cathode into the electron transport layer, and also promotes the injection of electrons into the adjacent barrier layer and the light emitting layer, thereby enabling driving at a lower voltage.

次に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated further in detail using an Example, this invention is not limited to the following Example.

[中間体1〜12の合成]
(1)中間体1の合成

Figure 0005795896
[Synthesis of Intermediates 1-12]
(1) Synthesis of intermediate 1
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、ジベンゾフラン780g(4.64mol)を脱水THF6Lに溶かし、ドライアイス/メタノールで冷却し、1.65Mのn−ブチルリチウムを3L滴下した。滴下後、室温に戻し、5時間反応させた後、再び冷却して、1,2−ジブロモエタンを600mL滴下し、再び室温に戻し、15時間反応させた。
次に、反応液を10Lの氷水に投入し、塩化メチレンにて抽出し、塩化メチレン層を10%炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムにて乾燥して、濃縮した。
次に、THF/メタノール溶媒にてカラムクロマトを実施し、収率60%、収量691gの4−ブロモジベンゾフランを得た。
In an Ar atmosphere, 780 g (4.64 mol) of dibenzofuran was dissolved in 6 L of dehydrated THF, cooled with dry ice / methanol, and 3 L of 1.65 M n-butyllithium was added dropwise. After dropping, the temperature was returned to room temperature, reacted for 5 hours, cooled again, and 600 mL of 1,2-dibromoethane was added dropwise, returned to room temperature, and reacted for 15 hours.
Next, the reaction solution was poured into 10 L of ice water and extracted with methylene chloride, and the methylene chloride layer was washed with 10% aqueous potassium carbonate solution and saturated brine, dried over magnesium sulfate, and concentrated.
Next, column chromatography was performed with a THF / methanol solvent to obtain 4-bromodibenzofuran with a yield of 60% and a yield of 691 g.

次に、Ar雰囲気中、4−ブロモジベンゾフラン494g(2mol)を脱水THF6Lに溶かし、ドライアイス/メタノールで冷却し、1.58Mのn−ブチルリチウムを1.5L滴下した。滴下後、30分攪拌し、ホウ酸トリイソピル1137gを滴下し、室温に戻し、15時間反応させた。
次に、水3L、酢酸エチル3Lを反応液に加え、酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥して、濃縮した。
得られた結晶をトルエン/ヘプタンで再結晶し、収率84%、収量356gのジベンゾフラン−4−ボロン酸を得た。
Next, 494 g (2 mol) of 4-bromodibenzofuran was dissolved in 6 L of dehydrated THF in an Ar atmosphere, cooled with dry ice / methanol, and 1.5 L of 1.58 M n-butyllithium was added dropwise. After dropping, the mixture was stirred for 30 minutes, 1137 g of triisopyr borate was added dropwise, returned to room temperature, and reacted for 15 hours.
Next, 3 L of water and 3 L of ethyl acetate were added to the reaction solution, and the ethyl acetate layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate, and concentrated.
The obtained crystals were recrystallized with toluene / heptane to obtain dibenzofuran-4-boronic acid in a yield of 84% and a yield of 356 g.

次に、Ar雰囲気中、1−ブロモ−2−ニトロベンゼンを280g(1.39mol)、ジベンゾフラン−4−ボロン酸を323g(1.53mol)、Pd(PPh34を32g(0.028mol)、トルエンを6L、2M炭酸ナトリウム水溶液を2.1L仕込み、昇温し、86℃にて、15時間攪拌した。
反応終了後、水3Lを加えて分液し、トルエン層を濃縮し、ヘプタン/トルエンの展開溶媒にて、カラムクロマトを実施し、収率70%、収量337gの中間体1−1を得た。
Next, in an Ar atmosphere, 280 g (1.39 mol) of 1-bromo-2-nitrobenzene, 323 g (1.53 mol) of dibenzofuran-4-boronic acid, 32 g (0.028 mol) of Pd (PPh 3 ) 4 , 6 L of toluene and 2.1 L of 2M sodium carbonate aqueous solution were charged, the temperature was raised, and the mixture was stirred at 86 ° C. for 15 hours.
After completion of the reaction, 3 L of water was added for liquid separation, the toluene layer was concentrated, and column chromatography was performed with a developing solvent of heptane / toluene to obtain Intermediate 1-1 having a yield of 70% and a yield of 337 g. .

次に、Ar雰囲気中、中間体1−1を337g(1.16mol)、トリフェニルホスフィンを764g(2.91mol)、o−ジクロロベンゼンを2L仕込み、190℃にて、10時間攪拌した。
反応液を濃縮し、メタノール1.5Lを加え、結晶を析出させ、ろ別した。
トルエンで、加熱洗浄して、収率53%、収量157gの中間体1を得た。
Next, 337 g (1.16 mol) of the intermediate 1-1, 764 g (2.91 mol) of triphenylphosphine and 2 L of o-dichlorobenzene were charged in an Ar atmosphere, and the mixture was stirred at 190 ° C. for 10 hours.
The reaction solution was concentrated, 1.5 L of methanol was added, crystals were precipitated, and filtered off.
Washing with toluene was carried out to obtain Intermediate 1 having a yield of 53% and a yield of 157 g.

(2)中間体2の合成

Figure 0005795896
(2) Synthesis of intermediate 2
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、4−ブロモジベンゾフランを166g(0.67mol)、2−クロロアニリンを84g(0.66mol)、t−ブトキシナトリウムを73g(0.76mol)、Pd2(dba)3を10g(0.011mol)、rac−BINAPを27g(0.044mol)、トルエンを2.3L仕込み、80℃で3時間反応させた。
反応液を水洗後、トルエン層を濃縮し、ヘキサン/トルエンを展開溶媒として、カラムクロマトを実施し、収率64%、収量126gの中間体2−1を得た。
166 g (0.67 mol) of 4-bromodibenzofuran, 84 g (0.66 mol) of 2-chloroaniline, 73 g (0.76 mol) of t-butoxy sodium, and 10 g (0) of Pd 2 (dba) 3 in an Ar atmosphere 0.011 mol), 27 g (0.044 mol) of rac-BINAP and 2.3 L of toluene were charged and reacted at 80 ° C. for 3 hours.
After washing the reaction solution with water, the toluene layer was concentrated, and column chromatography was carried out using hexane / toluene as a developing solvent to obtain an intermediate 2-1 having a yield of 64% and a yield of 126 g.

次に、Ar雰囲気中、中間体2−1を126g(0.43mol)、炭酸カリウムを119g(0.86mol)、酢酸パラジウムを2.9g(0.013mol)、PCy3−HBF4を9.5g(0.026mol)、ジメチルアセトアミドを860mL仕込み、130℃で3時間反応させた。
反応液を濃縮し、固体をトルエンで3回洗浄して、収率50%、収量55.3gの中間体2を得た。
Next, in an Ar atmosphere, 126 g (0.43 mol) of intermediate 2-1; 119 g (0.86 mol) of potassium carbonate; 2.9 g (0.013 mol) of palladium acetate; and PCy 3 -HBF 4 of 9. 5 g (0.026 mol) and 860 mL of dimethylacetamide were charged and reacted at 130 ° C. for 3 hours.
The reaction solution was concentrated, and the solid was washed with toluene three times to obtain Intermediate 2 with a yield of 50% and a yield of 55.3 g.

(3)中間体3の合成

Figure 0005795896
(3) Synthesis of intermediate 3
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、4−ブロモビフェニル1160g(4.96mol)を脱水THF8.3Lに溶かし、ドライアイス/メタノールで冷却し、1.58Mのn−ブチルリチウムを6L滴下した。滴下後、30分攪拌し、ホウ酸トリイソピル1867g(9.92mol)を滴下し、室温に戻し、15時間反応させた。
以下、中間体1の合成において、ジベンゾフラン−4−ボロン酸の合成と同様に後処理を実施して、収率95%、収量934gの中間体3−1を得た。
In an Ar atmosphere, 1160 g (4.96 mol) of 4-bromobiphenyl was dissolved in 8.3 L of dehydrated THF, cooled with dry ice / methanol, and 6 L of 1.58 M n-butyllithium was added dropwise. After the dropping, the mixture was stirred for 30 minutes, and 1867 g (9.92 mol) of triisopyr borate was added dropwise, returned to room temperature, and reacted for 15 hours.
Hereinafter, in the synthesis of Intermediate 1, post-treatment was performed in the same manner as in the synthesis of dibenzofuran-4-boronic acid to obtain Intermediate 3-1 with a yield of 95% and a yield of 934 g.

Ar雰囲気中、2,4,6−トリクロロピリミジンを430.5g(2.35mol)、中間体3−1を906g(4.58mol)、炭酸ナトリウムを1497g(14.1mol)、Pd(PPh34を108.5g(0.094mol)、ジメトキシエタンを4.3L、水を9.6L仕込み、80℃で2時間反応させた。
反応液をトルエン抽出後、濃縮し、トルエンにて再結晶して、収率28%、収量270gの中間体3を得た。
In an Ar atmosphere, 430.5 g (2.35 mol) of 2,4,6-trichloropyrimidine, 906 g (4.58 mol) of intermediate 3-1, 1497 g (14.1 mol) of sodium carbonate, Pd (PPh 3 ) 108.5 g (0.094 mol) of 4 was charged with 4.3 L of dimethoxyethane and 9.6 L of water, and the mixture was reacted at 80 ° C. for 2 hours.
The reaction solution was extracted with toluene, concentrated, and recrystallized with toluene to obtain Intermediate 3 with a yield of 28% and a yield of 270 g.

(4)中間体4の合成

Figure 0005795896
(4) Synthesis of intermediate 4
Figure 0005795896

Ar雰囲気、氷冷中、Mg184g(7.6mol)を、脱水THF18mL中、ヨウ素0.18gにて活性化し、4−ブロモビフェニル1472g(6.32mol)を脱水THF5.9Lに溶かして、滴下し、中間体4−1のグリニヤール試薬を調製した。   In an Ar atmosphere, ice-cooled, 184 g (7.6 mol) of Mg was activated with 0.18 g of iodine in 18 mL of dehydrated THF, and 1472 g (6.32 mol) of 4-bromobiphenyl was dissolved in 5.9 L of dehydrated THF, and added dropwise. A Grignard reagent of Intermediate 4-1 was prepared.

次に、シアヌル酸クロリド466g(2.53mol)を脱水THF4.7Lに溶かして調整した溶液に、室温で、前記グリニヤール試薬を滴下し、14時間反応させた。
水で反応液を処理した後、トルエンで抽出し、トルエンでのカラムクロマト、ジメトキシエタン等で再結晶して、収率8%、収量78gで中間体4を得た。
Next, the Grignard reagent was added dropwise at room temperature to a solution prepared by dissolving 466 g (2.53 mol) of cyanuric chloride in 4.7 L of dehydrated THF and allowed to react for 14 hours.
The reaction solution was treated with water, extracted with toluene, and recrystallized with column chromatography with toluene, dimethoxyethane, etc. to obtain Intermediate 4 in a yield of 8% and a yield of 78 g.

(5)中間体5の合成

Figure 0005795896
(5) Synthesis of intermediate 5
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、2,4,6−トリクロロピリミジンを430.5g(2.35mol)、フェニルボロン酸を286g(2.35mol)、炭酸ナトリウムを1497g(14.1mol)、Pd(PPh34を108.5g(0.094mol)、ジメトキシエタンを4.3L、水を9.6L仕込み、80℃で2時間反応させた。
反応液をトルエン抽出後、濃縮し、トルエンにて再結晶して、収率30%、収量159gの中間体5−1を得た。
In an Ar atmosphere, 430.5 g (2.35 mol) of 2,4,6-trichloropyrimidine, 286 g (2.35 mol) of phenylboronic acid, 1497 g (14.1 mol) of sodium carbonate, and Pd (PPh 3 ) 4 108.5 g (0.094 mol), 4.3 L of dimethoxyethane and 9.6 L of water were charged and reacted at 80 ° C. for 2 hours.
The reaction solution was extracted with toluene, concentrated, and recrystallized with toluene to obtain Intermediate 5-1 with a yield of 30% and a yield of 159 g.

次に、Ar雰囲気中、中間体5−1を159g(0.71mol)、9,9−ジメチルフルオレン−2−ボロン酸を169g(0.71mol)、炭酸ナトリウムを226g(2.1mol)、Pd(PPh34を16.4g(0.014mol)、ジメトキシエタンを1.1L、水を2.3L仕込み、80℃で2時間反応させた。
反応液をトルエン抽出後、濃縮し、トルエンにて再結晶して、収率50%、収量135gの中間体5を得た。
Next, in an Ar atmosphere, 159 g (0.71 mol) of intermediate 5-1; 169 g (0.71 mol) of 9,9-dimethylfluorene-2-boronic acid; 226 g (2.1 mol) of sodium carbonate; Pd (PPh 3 ) 4 (16.4 g, 0.014 mol), dimethoxyethane (1.1 L), and water (2.3 L) were charged and reacted at 80 ° C. for 2 hours.
The reaction solution was extracted with toluene, concentrated, and recrystallized with toluene to obtain Intermediate 5 with a yield of 50% and a yield of 135 g.

(6)中間体6の合成

Figure 0005795896
(6) Synthesis of intermediate 6
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、2,4,6−トリクロロピリミジンを430.5g(2.35mol)、9,9−ジメチルフルオレン−2−ボロン酸を1090g(4.58mol)、炭酸ナトリウムを1497g(14.1mol)、Pd(PPh34を108.5g(0.094mol)、ジメトキシエタンを4.3L、水を9.6L仕込み、80℃で2時間反応させた。
反応液をトルエン抽出後、濃縮し、トルエンにて再結晶して、収率25%、収量293gの中間体6を得た。
In Ar atmosphere, 43,4 g (2.35 mol) of 2,4,6-trichloropyrimidine, 1090 g (4.58 mol) of 9,9-dimethylfluorene-2-boronic acid, and 1497 g (14.1 mol) of sodium carbonate , 108.5 g (0.094 mol) of Pd (PPh 3 ) 4 , 4.3 L of dimethoxyethane, and 9.6 L of water were charged and reacted at 80 ° C. for 2 hours.
The reaction solution was extracted with toluene, concentrated, and recrystallized with toluene to obtain an intermediate 6 having a yield of 25% and a yield of 293 g.

(7)中間体7の合成

Figure 0005795896
(7) Synthesis of intermediate 7
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、中間体5−1を159g(0.71mol)、ジベンゾフラン−4−ボロン酸を151g(0.71mol)、炭酸ナトリウムを226g(2.1mol)、Pd(PPh34を16.4g(0.014mol)、ジメトキシエタンを1.1L、水を2.3L仕込み、80℃で2時間反応させた。
反応液をトルエン抽出後、濃縮し、トルエンにて再結晶して、収率48%、収量122gの中間体7を得た。
In an Ar atmosphere, 159 g (0.71 mol) of intermediate 5-1; 151 g (0.71 mol) of dibenzofuran-4-boronic acid; 226 g (2.1 mol) of sodium carbonate; and Pd (PPh 3 ) 4 of 16. 4 g (0.014 mol), 1.1 L of dimethoxyethane and 2.3 L of water were charged, and reacted at 80 ° C. for 2 hours.
The reaction solution was extracted with toluene, concentrated, and recrystallized with toluene to obtain Intermediate 7 having a yield of 48% and a yield of 122 g.

(8)中間体8の合成

Figure 0005795896
(8) Synthesis of intermediate 8
Figure 0005795896

Ar雰囲気中、2,4,6−トリクロロピリミジンを430.5g(2.35mol)、ジベンゾフラン−4−ボロン酸を971g(4.58mol)、炭酸ナトリウムを1497g(14.1mol)、Pd(PPh34を108.5g(0.094mol)、ジメトキシエタンを4.3L、水を9.6L仕込み、80℃で2時間反応させた。
反応液をトルエン抽出後、濃縮し、トルエンにて再結晶して、収率27%、収量284gの中間体8を得た。
In an Ar atmosphere, 430.5 g (2.35 mol) of 2,4,6-trichloropyrimidine, 971 g (4.58 mol) of dibenzofuran-4-boronic acid, 1497 g (14.1 mol) of sodium carbonate, Pd (PPh 3 4 ) 108.5 g (0.094 mol), 4.3 L dimethoxyethane, and 9.6 L water were charged and reacted at 80 ° C. for 2 hours.
The reaction solution was extracted with toluene, concentrated, and recrystallized with toluene to obtain Intermediate 8 with a yield of 27% and a yield of 284 g.

(9)中間体9の合成

Figure 0005795896
(9) Synthesis of intermediate 9
Figure 0005795896

ジベンゾフラン−4−ボロン酸の代わりに、ジベンゾフラン−2−ボロン酸を用いたこと以外は中間体7の合成方法と同様の合成方法で、中間体9を合成した。   Intermediate 9 was synthesized by the same synthesis method as that for intermediate 7 except that dibenzofuran-2-boronic acid was used instead of dibenzofuran-4-boronic acid.

(10)中間体10の合成

Figure 0005795896
(10) Synthesis of intermediate 10
Figure 0005795896

ジベンゾフラン−4−ボロン酸の代わりに、ジベンゾフラン−2−ボロン酸を用いたこと以外は中間体8の合成方法と同様の合成方法で、中間体10を合成した。   Intermediate 10 was synthesized by the same synthesis method as that for intermediate 8 except that dibenzofuran-2-boronic acid was used instead of dibenzofuran-4-boronic acid.

(11)中間体11合成

Figure 0005795896
(11) Synthesis of intermediate 11
Figure 0005795896

4−ブロモベンズアルデヒド15g(81mmol)をエタノール300mLに溶かし、4−アセチルビフェニルを16.3g(83mmol)、28%ナトリウムメトキシドメタノール溶液を15g(81mmol)加え、室温で7時間撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、メタノールで洗浄し、中間体11−1を収率41%、収量12.1g得た。   4-Bromobenzaldehyde (15 g, 81 mmol) was dissolved in ethanol (300 mL), 4-acetylbiphenyl (16.3 g, 83 mmol) and 28% sodium methoxide methanol solution (15 g, 81 mmol) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 7 hours. After completion of the reaction, the precipitated solid was filtered and washed with methanol, yielding 41% yield and 12.1 g yield of Intermediate 11-1.

中間体11−1を12.1g(33mmol)、エタノール80mLに溶かし、ベン
ズアミジン塩酸塩を5.2g(34mmol)、水酸化ナトリウムを2.6g(65mmol
)加え、15時間加熱環流した。反応終了後、室温まで冷却し、析出した結晶をろ別し
、水、メタノールで洗浄し、中間体11を収率27%、収量4.1gを得た。
Intermediate 11-1 was dissolved in 12.1 g (33 mmol) and ethanol 80 mL, benzamidine hydrochloride 5.2 g (34 mmol), sodium hydroxide 2.6 g (65 mmol)
) And heated to reflux for 15 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the precipitated crystals were separated by filtration and washed with water and methanol to obtain Intermediate 11 in a yield of 27% and a yield of 4.1 g.


(12)中間体12の合成

Figure 0005795896

(12) Synthesis of intermediate 12
Figure 0005795896

ジベンゾフラン−4−ボロン酸の代わりに、ジベンゾチオフェン−4−ボロン酸を用いたこと以外中間体8の合成方法と同様の合成方法で、中間体12を合成した。   Intermediate 12 was synthesized by the same synthesis method as that for intermediate 8 except that dibenzothiophene-4-boronic acid was used instead of dibenzofuran-4-boronic acid.

実施例1
(化合物1の合成)
Ar雰囲気中、Pd2(dba)3を4.0g(4.37mmol)、t−Bu3P−HBF4を2.54g(8.76mmol)、脱水キシレンを900mL仕込み、30分攪拌した。その後、中間体1を38.9g(150mmol)、中間体3を62.9g(150mmol)、脱水キシレン80mLに溶かして滴下し、110℃まで温度を上げ、t−ブトキシナトリウムを19.6g添加した。130℃で2時間反応後、析出した固体をろ別して、キシレンでの洗浄と、キシレンでの再結晶をおこない、化合物1を収率75%、収量72gを得た。
化合物1は、MS、1H−NMRにて同定した。
Example 1
(Synthesis of Compound 1)
In an Ar atmosphere, 4.0 g (4.37 mmol) of Pd 2 (dba) 3 , 2.54 g (8.76 mmol) of t-Bu 3 P-HBF 4 and 900 mL of dehydrated xylene were charged and stirred for 30 minutes. Thereafter, 38.9 g (150 mmol) of the intermediate 1 and 62.9 g (150 mmol) of the intermediate 3 and 80 mL of dehydrated xylene were added dropwise, the temperature was raised to 110 ° C., and 19.6 g of sodium t-butoxy was added. . After reacting at 130 ° C. for 2 hours, the precipitated solid was filtered off, washed with xylene and recrystallized with xylene to obtain Compound 1 in a yield of 75% and a yield of 72 g.
Compound 1 was identified by MS, 1 H-NMR.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

実施例2〜11
(化合物2〜化合物11の合成)
合成に用いる中間体を表1に示すように変更したこと以外は実施例1と同様の合成方法で、化合物2〜11を合成した。
Examples 2-11
(Synthesis of Compound 2 to Compound 11)
Compounds 2 to 11 were synthesized by the same synthesis method as in Example 1 except that the intermediates used in the synthesis were changed as shown in Table 1.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

Figure 0005795896
Figure 0005795896

実施例12
(有機EL素子1の作製)
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極(陽極)付きガラス基板(ジオマティック(株)社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、化合物HT1を積層した。これにより、厚さ5nmの正孔注入層を形成した。
この正孔注入層上に、化合物HT2を蒸着して、厚さ260nmの正孔輸送層を形成した。このようにして、正孔注入層及び正孔輸送層で構成される正孔輸送帯域を形成した。
この正孔輸送帯域上に燐光ホストとして実施例1で合成した化合物1と、燐光発光性ドーパントとしてのIr(piq)3と、を共蒸着した。これにより、燐光発光を示す厚さ40nmの発光層を形成した。なお、発光層におけるIr(piq)3の濃度は5質量%とした。
次に、発光層上に、化合物ET1を蒸着した。これにより、厚さ20nmの障壁層を形成した。
そして、この障壁層上に、化合物Liqを蒸着して、厚さ1nmの電子注入層を形成した。このようにして、障壁層及び電子注入層で構成される電子輸送帯域を形成した。
さらに、電子輸送帯域上に、金属アルミニウム(Al)を蒸着し、厚さ80nmの陰極を形成した。
以上により、有機EL素子1を作製した。
Example 12
(Preparation of organic EL element 1)
A glass substrate with an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm (manufactured by Geomatic Co., Ltd.) was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes and then UV ozone cleaning for 30 minutes. . The glass substrate with the transparent electrode line after the cleaning was mounted on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and the compound HT1 was first laminated so as to cover the transparent electrode on the surface on which the transparent electrode line was formed. Thereby, a hole injection layer having a thickness of 5 nm was formed.
On this hole injection layer, the compound HT2 was vapor-deposited to form a 260 nm thick hole transport layer. In this way, a hole transport zone composed of the hole injection layer and the hole transport layer was formed.
On this hole transport zone, the compound 1 synthesized in Example 1 as a phosphorescent host and Ir (piq) 3 as a phosphorescent dopant were co-evaporated. As a result, a light emitting layer having a thickness of 40 nm showing phosphorescence was formed. The concentration of Ir (piq) 3 in the light emitting layer was 5% by mass.
Next, the compound ET1 was vapor-deposited on the light emitting layer. Thereby, a barrier layer having a thickness of 20 nm was formed.
And on this barrier layer, compound Liq was vapor-deposited and the 1-nm-thick electron injection layer was formed. In this way, an electron transport zone composed of the barrier layer and the electron injection layer was formed.
Furthermore, metal aluminum (Al) was vapor-deposited on the electron transport zone to form a cathode having a thickness of 80 nm.
The organic EL element 1 was produced by the above.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

実施例13〜22
(有機EL素子2〜11の作製)
燐光ホストとして、化合物1に代えて化合物2〜11をそれぞれ用いたこと以外は実施例11と同様の作製方法で、有機EL素子2〜11を作製した。
Examples 13-22
(Preparation of organic EL elements 2 to 11)
Organic EL elements 2 to 11 were produced in the same manner as in Example 11 except that compounds 2 to 11 were used instead of compound 1 as the phosphorescent host.

比較例1
(有機EL素子12の作製)
燐光ホストとして、化合物1に代えて国際公開特許WO2010/136109号公報記載の下記化合物12を用いた以外は実施例12と同様の作製方法で、有機EL素子12を作製した。
Comparative Example 1
(Preparation of organic EL element 12)
An organic EL device 12 was produced in the same manner as in Example 12 except that the following compound 12 described in International Publication No. WO2010 / 136109 was used in place of compound 1 as the phosphorescent host.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

(有機EL素子の評価方法)
上記の各実施例および比較例で作製した有機EL素子を、直流電流駆動により発光させ、電流密度10mA/cm2における電圧、外部量子効率、および、寿命(初期輝度2000nit、輝度10%減すなわち1800nitまで輝度が低下するまでの時間(LT90))を測定した。測定結果を表2に示す。
なお、各素子の色度は、CIEx=0.68,CIEy=0.32であった。
(Method for evaluating organic EL element)
The organic EL devices produced in the above examples and comparative examples were caused to emit light by direct current driving, and the voltage at a current density of 10 mA / cm 2 , the external quantum efficiency, and the lifetime (initial luminance 2000 nit, luminance decreased 10%, ie 1800 nit). The time until the brightness decreases to (LT90)) was measured. The measurement results are shown in Table 2.
The chromaticity of each element was CIEx = 0.68 and CIEy = 0.32.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

表3に化合物1と化合物12の材料の物性値を示す。   Table 3 shows physical property values of the materials of Compound 1 and Compound 12.

Figure 0005795896
Figure 0005795896

本発明の化合物は、Az(アジン)ユニットに特定の基を導入することにより、LUMOが広がり、アフィニティ(電子親和力)が大きくなる。これにより、発光層への電子の注入性が改善されて低電圧化し、正孔輸送層(HT2)への電子の突き抜けが減ったことで、外部量子収率の向上とともに、寿命が改善されたと考えられる。   In the compound of the present invention, by introducing a specific group into the Az (azine) unit, LUMO is expanded and affinity (electron affinity) is increased. As a result, the injection property of electrons into the light emitting layer is improved, the voltage is lowered, and the penetration of electrons into the hole transport layer (HT2) is reduced, thereby improving the external quantum yield and improving the lifetime. Conceivable.

以上詳細に説明したように、本発明の有機EL材料を有機EL素子に利用すると、駆動電圧が低く、発光効率が高く、かつ寿命の長い有機EL素子が得られる。このため、本発明の有機EL素子は、各種電子機器の光源等として極めて有用である。   As described above in detail, when the organic EL material of the present invention is used for an organic EL element, an organic EL element having a low driving voltage, a high luminous efficiency, and a long lifetime can be obtained. For this reason, the organic EL element of the present invention is extremely useful as a light source for various electronic devices.

Claims (13)

式(1)で表される有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[式(1)において、
mは、1〜4の整数を表し;
Harは、式(2A)で表される部分構造と式(2B)で表される部分構造とを組み合わせてなる1価の基を表し;
Lは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜13の2価の芳香族複素環基を表し;
Azは、式(3)で表される(m+1)価の基を表し;
Arは、以下の(S1)及び(S2)からなる群から選ばれる一価の基を表し、Arが複数ある場合には、それぞれのArは互いに同じでも、異なってもよい。
(S1)置換もしくは無置換の環形成炭素数12〜24の1価の芳香族炭化水素基
(S2)式(5)で表わされる1価の基]
Figure 0005795896
[式(2A)及び(2B)において、
aは、0〜4の整数を表し;
bは、0〜2の整数を表し;
cは、0〜4の整数を表し;
Ra〜Raは、それぞれ独立に、置換基を表し;
は、Lとの結合手を表し;
2つの*は、式(2A)の1位及び2位の炭素との、2位及び3位の炭素との、又は3位及び4位の炭素との結合手を表す。]
Figure 0005795896
[式(3)において、
〜Yのうち1つは、C−*を表し;
〜Yのうちm個は、C−*を表し;
〜YのうちC−*及びC−*のいずれも表わさないものは、それぞれ独立に、C−Rb又は窒素原子を表し;
Rbは、水素原子又は置換基を表し;
は、Lとの結合手を表し;
は、Arとの結合手を表す。]
Figure 0005795896
[式(5)において、
s及びtは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し;
は、O又はSを表し;
Rc及びRcは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、又は環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基を表し;
及びQは、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の環形成原子数5〜12の環を表し;
は、Azとの結合手を表す。]
ただし、式(1)は、下記化合物となる場合は無い。
Figure 0005795896
Figure 0005795896
The organic electroluminescent material represented by Formula (1).
Figure 0005795896
[In Formula (1),
m represents an integer of 1 to 4;
Har represents a monovalent group formed by combining the partial structure represented by the formula (2A) and the partial structure represented by the formula (2B);
L is a single bond, a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group having 5 to 13 ring atoms. Represents;
Az represents a (m + 1) -valent group represented by the formula (3);
Ar represents a monovalent group selected from the group consisting of the following (S1) and (S2), and when there are a plurality of Ar, each Ar may be the same as or different from each other.
(S1) Substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 12 to 24 ring carbon atoms (S2) Monovalent group represented by formula (5)]
Figure 0005795896
[In the formulas (2A) and (2B)
a represents an integer of 0 to 4;
b represents an integer of 0 to 2;
c represents an integer of 0 to 4;
Ra 1 to Ra 3 each independently represents a substituent;
* 1 represents a bond with L;
Two * 2 represents a 1-position and the carbon in position 2, with the carbon of the 2 and 3 positions, or positions 3 and 4 of the bond to the carbon of formula (2A). ]
Figure 0005795896
[In Formula (3),
One of Y 1 to Y 5 represents C- * 3 ;
M of Y 1 to Y 5 represents C- * 4 ;
Y 1 to Y 5 that do not represent any of C- * 3 and C- * 4 each independently represent C-Rb 1 or a nitrogen atom;
Rb 1 represents a hydrogen atom or a substituent;
* 3 represents a bond with L;
* 4 represents a bond with Ar. ]
Figure 0005795896
[In Formula (5),
s and t each independently represents an integer of 0 to 3;
X 1 represents O or S;
Rc 1 and Rc 2 are each independently a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms. Alkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, haloalkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, silyl group, alkylsilyl group of 1 to 10 carbon atoms, monovalent aromatic carbonization of 6 to 30 ring carbon atoms A hydrogen group, an arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 ring atoms;
Q 1 and Q 2 each independently represents a saturated or unsaturated ring having 5 to 12 ring atoms;
* 5 represents a bond with Az. ]
However, Formula (1) does not become the following compound.
Figure 0005795896
Figure 0005795896
前記(S1)が、式(4−1)〜(4−4)のいずれかで表される1価の基である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896


[式(4−1)〜(4−4)において、
pは、1〜3の整数を表し;
qは、1又は2の整数を表し;
d、f、g、k及びvは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し;
e、h、j及びlは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表し;
i及びuは、0〜3の整数を表し;
Rc3〜Rc13は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のハロアルコキシ基、シリル基、炭素数1〜10のアルキルシリル基、環形成炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基、炭素数6〜30のアリールシリル基、炭素数7〜30のアラルキル基、又は環形成原子数3〜30の1価の芳香族複素環基を表し;
Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し;
5は、Azとの結合手を表す。]
The organic electroluminescent material according to claim 1, wherein (S1) is a monovalent group represented by any one of formulas (4-1) to (4-4).
Figure 0005795896


[In the formulas (4-1) to (4-4),
p represents an integer of 1 to 3;
q represents an integer of 1 or 2;
d, f, g, k and v each independently represents an integer of 0 to 4;
e, h, j and l each independently represent an integer of 0 to 5;
i and u represent an integer of 0 to 3;
Rc 3 to Rc 13 are each independently a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, or 1 to 20 carbon atoms. Alkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, haloalkoxy group of 1 to 20 carbon atoms, silyl group, alkylsilyl group of 1 to 10 carbon atoms, monovalent aromatic carbonization of 6 to 30 ring carbon atoms A hydrogen group, an arylsilyl group having 6 to 30 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a monovalent aromatic heterocyclic group having 3 to 30 ring atoms;
Rb 2 and Rb 3 each independently represents a hydrogen atom or a substituent;
* 5 represents a bond with Az. ]
前記(S2)が、式(5−1)で表される1価の基である、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[式(5−1)において、s、t、X1、Rc1、Rc2及び*5は、それぞれ式(5)のs、t、X1、Rc1、Rc2及び*5と同義である。]
The organic electroluminescent material according to claim 1 or 2, wherein the (S2) is a monovalent group represented by the formula (5-1).
Figure 0005795896
[In the formula (5-1), s, t, X 1, Rc 1, Rc 2 and * 5, s of each formula (5), t, in X 1, Rc 1, Rc 2 and * 5 synonymous is there. ]
Arが、下記の1価の基から選択される、請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[*5は、Azとの結合手を表す。]
The organic electroluminescent material according to claim 1, wherein Ar is selected from the following monovalent groups.
Figure 0005795896
[* 5 represents a bond with Az. ]
Harが、式(2−1)〜(2−2)のいずれかで表される1価の基である、請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[式(2−1)〜(2−2)において、
a、b、Ra1、Ra2及び*1は、それぞれ式(2A)のa、b、Ra1、Ra2及び*1と同義であり;
c及びRa3は、それぞれ式(2B)のc及びRa3と同義である。]
The organic electroluminescent material according to any one of claims 1 to 4, wherein Har is a monovalent group represented by any one of formulas (2-1) to (2-2).
Figure 0005795896
[In the formulas (2-1) to (2-2),
a, b, Ra 1, Ra 2 and * 1 are a respective formulas (2A), b, and Ra 1, Ra 2 and * 1 synonymous;
c and Ra 3 are the same meaning as c and Ra 3 each formula (2B). ]
Azが、式(3−2)で表される(m2+1)価の基、又は式(3−5)で表される(m3+1)価の基である、請求項1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[式(3−2)及び(3−5)において、
2は、1〜3の整数を表し;
3は、1〜2の整数を表し;
Rb1、*3及び*4は、それぞれ式(3)のRb1、*3及び*4と同義である。]
Az is a (m 2 +1) -valent group represented by the formula (3-2) or a (m 3 +1) -valent group represented by the formula (3-5). The organic electroluminescent material in any one.
Figure 0005795896
[In the formulas (3-2) and (3-5),
m 2 represents an integer of 1 to 3;
m 3 represents an integer of 1 to 2;
Rb 1, * 3 and * 4, Rb 1, respectively formula (3) has the same meaning as * 3 and * 4. ]
式(3−2)で表される(m2+1)価の基が、式(3−2−1)で表される(m2+1)価の基である、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[式(3−2−1)において、m2、Rb1、*3及び*4は、それぞれ式(3−2)のm2、Rb1、*3及び*4と同義である。]
The organic group according to claim 6, wherein the (m 2 +1) -valent group represented by the formula (3-2) is a (m 2 +1) -valent group represented by the formula (3-2-1). Electroluminescent material.
Figure 0005795896
[In the formula (3-2-1), m 2, Rb 1, * 3 and * 4, m 2, Rb 1, respectively formula (3-2) has the same meaning as * 3 and * 4. ]
式(3−2−1)で表される(m2+1)価の基が、式(3−2−1A)及び(3−2−1B)のいずれかで表される3価の基である、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
Figure 0005795896
[式(3−2−1A)及び(3−2−1B)において、Rb1、*3及び*4は、それぞれ式(3−2)のRb1、*3及び*4と同義である。]
The (m 2 +1) -valent group represented by the formula (3-2-1) is a trivalent group represented by any one of the formulas (3-2-1A) and (3-2-1B) The organic electroluminescent material according to claim 7.
Figure 0005795896
[In formula (3-2-1A) and (3-2-1B), Rb 1, * 3 and * 4, Rb 1, respectively formula (3-2) has the same meaning as * 3 and * 4. ]
Lが単結合である、請求項1〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。   The organic electroluminescent material according to claim 1, wherein L is a single bond. 陰極と陽極の間に発光層を含む複数の有機薄膜層を有し、
前記有機薄膜層のうち少なくとも1層が請求項1〜9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
Having a plurality of organic thin film layers including a light emitting layer between a cathode and an anode;
The organic electroluminescent element in which at least 1 layer contains the organic electroluminescent material in any one of Claims 1-9 among the said organic thin film layers.
前記発光層が前記有機エレクトロルミネッセンス材料をホスト材料として含む、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 10, wherein the light emitting layer includes the organic electroluminescent material as a host material. 前記発光層が燐光発光材料を含有する、請求項10又は11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 10 or 11, wherein the light emitting layer contains a phosphorescent material. 前記燐光発光材料がイリジウム(Ir),オスミウム(Os)、白金(Pt)から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である、請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent device according to claim 12, wherein the phosphorescent material is an orthometalated complex of metal atoms selected from iridium (Ir), osmium (Os), and platinum (Pt).
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