JP5780363B2 - Composite interconnect technology - Google Patents
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Description
この開示は概して集積回路パッケージングに関する。 This disclosure relates generally to integrated circuit packaging.
集積回路(IC)パッケージングは、半導体装置の製造の最終段階であると考えることができる。製造プロセスのこの工程において、ICチップが基板上にマウントされて、ICパッケージが形成される。様々な種類のICパッケージの例は、デュアルインラインパッケージ(DIP)、ピングリッドアレイ(PGA)パッケージ、リードレスチップキャリア(LCC)パッケージ、表面実装パッケージ、スモールアウトライン集積回路(SOIC)パッケージ、プラスチックリード付きチップキャリア(PLCC)パッケージ、プラスチッククワッドフラットパック(PQFP)パッケージ、薄型スモールアウトラインパッケージ(TSOP)、及びボールグリッドアレイ(BGA)パッケージを含む。フリップチップ型ボールグリッドアレイ(FCBGA)パッケージでは、チップは上下逆にひっくり返されてBGA基板に接合される。 Integrated circuit (IC) packaging can be considered the final step in the manufacture of semiconductor devices. In this step of the manufacturing process, an IC chip is mounted on a substrate to form an IC package. Examples of different types of IC packages include dual in-line packages (DIP), pin grid array (PGA) packages, leadless chip carrier (LCC) packages, surface mount packages, small outline integrated circuit (SOIC) packages, plastic leads Includes chip carrier (PLCC) package, plastic quad flat pack (PQFP) package, thin small outline package (TSOP), and ball grid array (BGA) package. In a flip chip ball grid array (FCBGA) package, the chip is turned upside down and bonded to a BGA substrate.
開示の実施形態は、複合インターコネクト技術を提供する。 The disclosed embodiments provide composite interconnect technology.
一態様において、集積回路(IC)チップと基板との間のインターコネクト構造は複数の材料を有する。 In one aspect, an interconnect structure between an integrated circuit (IC) chip and a substrate comprises a plurality of materials.
集積回路(IC)パッケージングの段階において、様々な好適な実装技術を用いて基板上にICチップがマウントされて、ICパッケージが形成される。図1は一例に係るICパッケージ100を示しており、ICパッケージ100は、基板120上にマウントされたICチップ110を有している。ICチップ110はシリコンで構築されることがあり、基板120はセラミック又はプラスチックで構築されることがある。特定の実施形態において、ICチップ110は基板120上にはんだ付けされることができ、はんだ材料は錫−鉛、錫−銀、等々であり得る。
At the stage of integrated circuit (IC) packaging, IC chips are mounted on a substrate using a variety of suitable mounting techniques to form an IC package. FIG. 1 shows an
特定の材料は、熱膨張率及びヤング率を含む様々な特性を有する。熱膨張は、温度変化に応じて体積変化するという物の性質である。例えば、或る材料は、加熱されると膨張し、冷却されると収縮し得る。各材料の熱膨張量は、その熱膨張係数(CTE)によって測られ得る。熱膨張係数は、材料の膨張度合いを温度変化で割ったものとして定義される。固体の物体に力が印可されるとき、その物体は応力を被り得る。応力は、印可される力と物体の断面積との比として測られ得る。応力による固体の変形が歪みである。固体の物体が被る応力及び歪みは、応力−歪み曲線を用いて表現され得る。固体力学において、任意の点における応力−歪み曲線の傾きは接線係数と呼ばれている。応力−歪み曲線の最初の直線部分の接線係数はヤング率と呼ばれる(この名は19世紀の英国人科学者であるトマス・ヤングに由来する)。ヤング率は、引張係数としても知られており、フックの法則が成立する応力範囲での一軸性歪みに対する一軸応力の比として定義される。 Certain materials have various properties including coefficient of thermal expansion and Young's modulus. Thermal expansion is a property of a substance that changes in volume in response to temperature changes. For example, certain materials may expand when heated and contract when cooled. The amount of thermal expansion of each material can be measured by its coefficient of thermal expansion (CTE). The coefficient of thermal expansion is defined as the degree of material expansion divided by the temperature change. When a force is applied to a solid object, the object can undergo stress. Stress can be measured as the ratio between the applied force and the cross-sectional area of the object. The deformation of a solid due to stress is distortion. The stress and strain experienced by a solid object can be expressed using a stress-strain curve. In solid mechanics, the slope of the stress-strain curve at any point is called the tangent coefficient. The tangential coefficient of the first linear part of the stress-strain curve is called Young's modulus (this name comes from Thomas Young, a 19th century British scientist). Young's modulus, also known as the tensile modulus, is defined as the ratio of uniaxial stress to uniaxial strain in the stress range where Hooke's law is valid.
異なる材料は異なるCTEを有する。同様に、異なる材料からなる物体は、異なる接線係数、ひいては、異なる応力−歪み曲線を有する。例えば、図1において、シリコンは比較的低いCTEを有するので、ICチップ110は(例えば、はんだ付けプロセス中に)加熱されても僅かに膨張するのみである。一方、プラスチックは比較的高いCTEを有し、故に、基板120は加熱されると更に大きく膨張する。従って、ICチップ110及び基板が共に冷却されると、図2に示すように、ICチップ110は基板120より少ししか収縮しない。これは、ICパッケージ100内に熱機械応力を生じさせる。熱機械応力は、ICチップ110が(例えば、接合中の)結合温度から室温まで冷却されるにつれて次第に高くなる。
Different materials have different CTEs. Similarly, objects made of different materials have different tangent coefficients and thus different stress-strain curves. For example, in FIG. 1, since silicon has a relatively low CTE,
フリップチップ技術のICパッケージングの1つの種類に、図3に例示するようなピラー式パッケージングがある。ピラー式パッケージングを用いると、特定の実施形態において、ピラーとも呼ばれる多数のインターコネクト(相互接続)構造130がICチップ110上に形成され得る。各インターコネクト構造130の他方の端部は基板120にはんだ付けされている。それに代えて、特定の実施形態において、基板120上に多数のインターコネクト構造130が形成されて、ICチップ110に各インターコネクト構造130の他方の端部がはんだ付けされてもよい。
One type of flip chip technology IC packaging is pillar packaging as illustrated in FIG. With pillar packaging, a number of
特定の実施形態において、各インターコネクト構造130は、例えば銅などの単一の材料で構築される。銅は接合中に球形状につぶれないので、銅ピラーによるパッケージングは微細なピッチにおいて有利である。しかしながら、銅は、例えば錫−銀などの典型的なはんだ材料より遥かに高い接線係数を有しており、故に、銅ピラーによるパッケージングは、従来のはんだバンプによるパッケージングより高い熱機械応力を誘起する傾向にある。
In certain embodiments, each
特定の実施形態は、ICチップと基板との間の各インターコネクト構造を、単一の材料に代えて複数の材料を用いて構築する。そのようなインターコネクト構造は、複合(ハイブリッド)インターコネクト構造と称され得る。如何なる数の異なる材料を用いてインターコネクト構造を構築してもよい。特定の実施形態は、複数の異なる材料を、例えばCTE及び接線係数など、それらの性質及び特性に関して互いに補完するように選択し得る。例えば、インターコネクト構造が2つの異なる材料で構築される場合、一方の材料が比較的高いCTEを有しながら他方の材料は比較的低いCTEを有するようにしてもよく、あるいは、一方の材料が比較的高い剛性を有しながら他方の材料は比較的低い剛性を有するようにしてもよい。複数の材料の組み合わせは、ICチップの熱機械応力を低減する助けとなり得る。特定の実施形態は、使用される複数の材料の空間的な位置を最適化することによって、熱機械応力を低減し得る。 Certain embodiments construct each interconnect structure between the IC chip and the substrate using multiple materials instead of a single material. Such an interconnect structure may be referred to as a composite (hybrid) interconnect structure. Any number of different materials may be used to construct the interconnect structure. Certain embodiments may select a plurality of different materials to complement each other with respect to their properties and properties, such as CTE and tangent coefficient. For example, if the interconnect structure is constructed of two different materials, one material may have a relatively high CTE while the other material has a relatively low CTE, or one material may be compared The other material may have a relatively low rigidity while having a relatively high rigidity. The combination of multiple materials can help reduce the thermomechanical stress of the IC chip. Certain embodiments may reduce thermomechanical stress by optimizing the spatial location of the multiple materials used.
図4は、異なる材料で構築されたインターコネクト構造の例を示している。インターコネクト構造410は、例えば銅(例えば、電気めっきにより形成)など、単一材料で構築されている。インターコネクト構造420は、例えば第1の材料としての銅と第2の材料としての金、銅−錫合金、若しくは錫−銀合金(例えば、電気めっきにより形成)など、2つの異なる材料で構築されている。インターコネクト構造430は、3つの異なる材料で構築されている。インターコネクト構造440は、4つの異なる材料で構築されている。なお、単一のインターコネクト構造内に異なる量の異なる材料が存在していてもよい。
FIG. 4 shows an example of an interconnect structure constructed with different materials. The
図5は、2つの異なる材料を用いてインターコネクト構造を構築する方法の一例を示している。図5は2つの材料を有する場合を例示するに過ぎず、このプロセスは3つ以上の材料を有するインターコネクト構造を構築する場合にも適用可能である。図6は、図5に示すステップの説明を助けるために使用するものであり、一例に係るインターコネクト構造600を示している。
FIG. 5 shows an example of a method for constructing an interconnect structure using two different materials. FIG. 5 only illustrates the case with two materials, and this process is also applicable when building an interconnect structure with more than two materials. FIG. 6 is used to help explain the steps shown in FIG. 5 and shows an
所与のインターコネクト構造に対し、特定の実施形態は、ステップ501に示すように、該インターコネクト構造をn個のセクション(部分)に分割し得る。n個のセクションは相等しい厚さを有していてもよいし、有していなくてもよい。特定の実施形態において、nは1より大きい数であり、実験に基づいて選択され得る。nが過大(例えば、100より大きい)である場合、このプロセスは長い計算時間を必要とし得る。nが過小(例えば、4以下)である場合、最終結果が満足のいかないものになることがある。特定の実施形態において、nは2で割り切れる数(例えば、6、8、10、・・・)である。特定の実施形態において、インターコネクト構造を構築するために使用される材料の数が多いほど、大きいnが好ましい。実験に基づき、2つの材料の場合、10と20との間の数(例えば、12)が、nの良い選択となり得る。例示の目的で、図6Aに示すように、インターコネクト構造600を8個のセクションに分割する。
For a given interconnect structure, certain embodiments may divide the interconnect structure into n sections as shown in
特定の実施形態は、ステップ503に示すように、インターコネクト構造のn個すべてのセクションに第1の材料(例えば、銅)を割り当て得る。インターコネクト構造600の場合、8個すべてのセクションに同じ第1の材料が割り当てられる(図6A)。そして、特定の実施形態は、ステップ503に示すように、このインターコネクト構造に対応する現在の応力レベル(すなわち、n個すべてのセクションに同じ第1の材料を割り当てたインターコネクト構造に対応する応力レベル)を記録し得る。一部の例において、記録される応力レベルは、破砕が起こり得る位置(例えば、チップ上の集積回路、又はピラー自体)でのものである。
Certain embodiments may assign a first material (eg, copper) to all n sections of the interconnect structure, as shown in
第1の材料を有するn個のセクションの各々に対し、特定の実施形態は、ステップ505に示すように、一度に一セクションずつ、そのセクションに第2の材料を割り当て、現在の構造を有するインターコネクト構造に対応する応力レベルを決定し得る。インターコネクト構造600の場合、この時点(図6A)で、8個すべてのセクションが第1の材料を有している。先ず一番目に、セクション1のみを第2の材料で置き換え、セクション2−8は依然として第1の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション2のみを第2の材料で置き換え、セクション1及び3−8は依然として第1の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション3のみを第2の材料で置き換え、セクション1−2及び4−8は依然として第1の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。同様に続けて、最後に、セクション8のみを第2の材料で置き換え、セクション1−7は依然として第1の材料を有するようにして、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。8個の異なる構成が存在し、故に、8個の異なる応力レベルが決定される。
For each of the n sections having the first material, a particular embodiment assigns a second material to the section, one section at a time, as shown in
特定の実施形態は、ステップ507に示すように、第2の材料を割り当てられたときにステップ5の上述のケースの中で最低の応力レベルをインターコネクト構造に与えるセクションを決定し得る。換言すれば、ステップ505の上述のケースの中で最低の応力レベルを有する構成が決定される。例えば、インターコネクト構造600について、上述の8個の構成の中で、セクション3が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−8が第1の材料を有する構成(図6B)が最低の応力レベルを与えると仮定する。
Certain embodiments, as shown in
特定の実施形態は、ステップ509に示すように、この現時点で最低の応力レベルを、先に記録された応力レベルと比較して、この現時点で最低の応力レベルが先に記録された応力レベルより低いかを決定し得る。インターコネクト構造600の場合、セクション3が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−8が第1の材料を有する構成に対応する応力レベル(すなわち、現時点で最低の応力レベル、図6B)が、8個すべてのセクションが第1の材料を有する構成に対応する応力レベル(すなわち、先に記録された応力レベル、図6A)と比較される。
Certain embodiments compare this current lowest stress level to a previously recorded stress level, as shown in
現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベルより低い場合(ステップ509で”YES”)、特定の実施形態は、ステップ511に示すように、現時点で最低の応力レベルに対応するセクションを第2の材料に変更し、且つ現時点で最低の応力レベルを記録し得る。インターコネクト構造600について、セクション3が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−8が第1の材料を有する構成(図6B)に対応する応力レベルが、8個すべてのセクションが第1の材料を有する構成(図6A)に対応する応力レベルより低いと仮定する。セクション3が第2の材料に変更され(図6B)、この構成に対応する応力レベルが記録される。
If the current lowest stress level is lower than the previously recorded stress level (“YES” in step 509), the particular embodiment is the section corresponding to the current lowest stress level, as shown in
特定の実施形態は、別の繰り返しでステップ505、507、509及び511を反復し得る。インターコネクト構造600の場合、第2の繰り返しの開始時、セクション3は既に第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−8は依然として第1の材料を有しており(図6B)、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この時点では、7個のセクションが依然として第1の材料を有している。依然として第1の材料を有する各セクションが、一度に一セクションずつ、第2の材料を割り当てられ、各構成に対応する応力レベルが決定される(ステップ505)。先ず一番目に、セクション1のみを第2の材料で置き換え、セクション2及び4−8は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション2のみを第2の材料で置き換え、セクション1及び4−8は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション4のみを第2の材料で置き換え、セクション1−2及び5−8は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。そして同様に続けられる。この第2の繰り返しでは、7個のセクション(すなわち、セクション1−2及び4−8)が第1の材料を有しており、故に、7個の異なる構成と7個の対応する応力レベルとが存在する。これら7個の構成の中から、現時点で最低の応力レベルを有する構成が決定される(ステップ507)。セクション3及び7が第2の材料を有し且つセクション1−2、4−6及び8が第1の材料を有する構成(図6C)が現時点で最低の応力レベルを与えると仮定する。この現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベル(すなわち、セクション3が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−8が第1の材料を有する構成(図6B)に対応する応力レベル)と比較される(ステップ509)。
Certain embodiments may repeat
インターコネクト構造600について、セクション3及び7が第2の材料を有し且つセクション1−2、4−6及び8が第1の材料を有する構成(図6C)に対応する現時点で最低の応力レベルが、セクション3が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−8が第1の材料を有する構成(図6B)に対応する先に記録された応力レベルより低いと仮定する。ここで、セクション7が第2の材料に変更され(図6C)、この構成に対応する応力レベルが記録される(ステップ511)。
For
もう一度、ステップ505、507、509及び511が反復されてもよい。インターコネクト構造600の場合、第3の繰り返しの開始時、セクション3及び7は既に第2の材料を有し且つセクション1−2、4−6及び8は依然として第1の材料を有しており(図6C)、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この時点では、6個のセクションが依然として第1の材料を有している。依然として第1の材料を有する各セクションが、一度に一セクションずつ、第2の材料を割り当てられ、各構成に対応する応力レベルが決定される(ステップ505)。先ず一番目に、セクション1のみを第2の材料で置き換え、セクション2、4−6及び8は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3及び7は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション2のみを第2の材料で置き換え、セクション1、4−6及び8は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3及び7は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション4のみを第2の材料で置き換え、セクション1−2、5−6及び8は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3及び7は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。そして同様に続けられる。この第3の繰り返しでは、6個のセクション(すなわち、セクション1−2、4−6及び8)が第1の材料を有しており、故に、6個の異なる構成と6個の対応する応力レベルとが存在する。これら6個の構成の中から、現時点で最低の応力レベルを有する構成が決定される(ステップ507)。セクション3及び7−8が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−6が第1の材料を有する構成(図6D)が現時点で最低の応力レベルを与えると仮定する。この現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベル(すなわち、セクション3及び7が第2の材料を有し且つセクション1−2、4−6及び8が第1の材料を有する構成(図6C)に対応する応力レベル)と比較される(ステップ509)。
Once again, steps 505, 507, 509 and 511 may be repeated. For
インターコネクト構造600について、セクション3及び7−8が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−6が第1の材料を有する構成(図6D)に対応する現時点で最低の応力レベルが、セクション3及び7が第2の材料を有し且つセクション1−2、4−6及び8が第1の材料を有する構成(図6C)に対応する先に記録された応力レベルより低いと仮定する。ここで、セクション8が第2の材料に変更され(図6D)、この構成に対応する応力レベルが記録される(ステップ511)。
For
もう一度、ステップ505、507、509及び511が反復されてもよい。インターコネクト構造600の場合、第4の繰り返しの開始時、セクション3及び7−8は既に第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−6は依然として第1の材料を有しており(図6D)、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この時点では、5個のセクションが依然として第1の材料を有している。依然として第1の材料を有する各セクションが、一度に一セクションずつ、第2の材料を割り当てられ、各構成に対応する応力レベルが決定される(ステップ505)。先ず一番目に、セクション1のみを第2の材料で置き換え、セクション2及び4−6は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3及び7−8は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。二番目に、セクション2のみを第2の材料で置き換え、セクション1及び4−6は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3及び7−8は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。三番目に、セクション4のみを第2の材料で置き換え、セクション1−2及び5−6は依然として第1の材料を有するようにして(セクション3及び7−8は既に第2の材料を有している)、この構成のインターコネクト構造600に対応する応力レベルが決定される。そして同様に続けられる。この第4の繰り返しでは、5個のセクション(すなわち、セクション1−2及び4−6)が第1の材料を有しており、故に、5個の異なる構成と5個の対応する応力レベルとが存在する。これら5個の構成の中から、現時点で最低の応力レベルを有する構成が決定される(ステップ507)。セクション3−4及び7−8が第2の材料を有し且つセクション1−2及び5−6が第1の材料を有する構成が現時点で最低の応力レベルを与えると仮定する。この現時点で最低の応力レベルが、先に記録された応力レベル(すなわち、セクション3及び7−8が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−6が第1の材料を有する構成(図6D)に対応する応力レベル)と比較される(ステップ509)。
Once again, steps 505, 507, 509 and 511 may be repeated. For
インターコネクト構造600について、セクション3−4及び7−8が第2の材料を有し且つセクション1−2及び5−6が第1の材料を有する構成に対応する現時点で最低の応力レベルが、セクション3及び7−8が第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−6が第1の材料を有する構成(図6D)に対応する先に記録された応力レベルより高い、あるいは等しいと仮定する。特定の実施形態において、この反復プロセスは終了する(ステップ509で”NO”)。なお、セクション4は第2の材料に変更されない。何故なら、そうすることは、インターコネクト構造600に対応する応力レベルを低下させることの助けとならないからである。
For
なお、各繰り返しにおいて、現時点で第1の材料を有するセクションの数は常にn以下である。すなわち、各繰り返し現在、m個のセクションが第1の材料を有する場合、m≦nである。 Note that in each iteration, the number of sections having the first material at the present time is always n or less. That is, if each section currently has m sections having the first material, m ≦ n.
特定の実施形態は、反復プロセス(ステップ505、507、509、511)が終了した時点で、ステップ513に示すように、インターコネクト構造のn個のセクションの全てがなおも同じ第1の材料を有しているかを検証し得る。そうである場合(ステップ513で”YES”)、これが意味することは、第1の材料のみを有するインターコネクト構造(例えば、図6A)が最低の応力レベルを与えるということである。その場合、特定の実施形態は、ステップ515に示すように、第1の材料のみで構築される(すなわち、複数の材料の組み合わせはない)ようにインターコネクト構造を最終決定し得る。逆の場合(ステップ513で”NO”)、特定の実施形態は、ステップ517に示すように、第2の材料を有するセクションに隣接した、第1の材料を有するセクションが存在するかを決定する。そうである場合(ステップ517で”YES”)、特定の実施形態は、ステップ519に示すように、そのような各セクションを更にテストし得る。
In certain embodiments, upon completion of the iterative process (
特定の実施形態において、より多数のセクションは、より良好な結果をもたらし得る。しかしながら、より多数のセクションはしばしば、より長い計算時間を必要とする。故に、特定の実施形態は更に、特にnが比較的小さいとき、最終結果の品質を保証するために、第2の材料を有するセクションに隣接した依然として第1の材料を有するセクションをテストし得る。 In certain embodiments, a larger number of sections may yield better results. However, a larger number of sections often requires longer computation times. Thus, certain embodiments may further test a section still having the first material adjacent to the section having the second material to ensure the quality of the final result, particularly when n is relatively small.
インターコネクト構造600の場合、反復プロセスの終了時、セクション3及び7−8は第2の材料を有し且つセクション1−2及び4−6は第1の材料を有しており(図6D)、この構成に対応する応力レベルが記録されている。この場合、8個すべてのセクションがなおも第1の材料を有するわけではない。さらに、第1の材料を有するものであるセクション2及び4が、第2の材料を有するものであるセクション3に隣接している。また、第1の材料を有するものであるセクション6が、第2の材料を有するものであるセクション7に隣接している。故に、セクション2、4及び6の各々がテストされる必要がある。
For
第1に、セクション3に隣接するセクション2及び4について検討する。セクション3に関してセクション2及び4を独立にテストするために、セクション3が第1の材料に戻される(図6E)。セクション2に第2の材料が割り当てられ(図6F)、この構成に対応する応力レベルが決定される。そして、セクション2が第1の材料に戻され、且つセクション4に第2の材料が割り当てられ(図6G)、この構成に対応する応力レベルが決定される。図6D、6F及び6Gそれぞれの3つの構成の3つの応力レベルが互いに比較され、これら3つの中で最低の応力レベルを有する構成が選択され、それに対応する応力レベルが記録される。 First, consider sections 2 and 4 adjacent to section 3. To test sections 2 and 4 independently for section 3, section 3 is returned to the first material (FIG. 6E). Section 2 is assigned a second material (FIG. 6F) and the stress level corresponding to this configuration is determined. Section 2 is then returned to the first material, and the second material is assigned to section 4 (FIG. 6G), and the stress level corresponding to this configuration is determined. The three stress levels of each of the three configurations of FIGS. 6D, 6F, and 6G are compared to each other, and the configuration having the lowest stress level among these three is selected and the corresponding stress level is recorded.
第2に、セクション7に隣接するセクション6について検討する。セクション7に関してセクション6を独立にテストするために、セクション7が第1の材料に戻される(図6H)。セクション6に第2の材料が割り当てられ(図6I)、この構成に対応する応力レベルが決定される。この応力レベルが、図6Dの構成に対応する応力レベルと比較され、低い方の応力レベルを有する構成が選択され、それに対応する応力レベルが記録される。 Second, consider section 6 adjacent to section 7. To test section 6 independently with respect to section 7, section 7 is returned to the first material (FIG. 6H). Section 6 is assigned a second material (FIG. 6I) and the stress level corresponding to this configuration is determined. This stress level is compared to the stress level corresponding to the configuration of FIG. 6D, the configuration having the lower stress level is selected, and the corresponding stress level is recorded.
インターコネクト構造600の場合、ステップ519の効果は、図6D、6F、6G及び6Iそれぞれに示される4つの構成の4つの応力レベルが互いに比較され、これら4つの中で最低の応力レベルを有する構成が選択されることである。この構成がインターコネクト構造600の最終結果である。
For
異なるインターコネクト構造に対し、図5に示したプロセスは、2つの材料の異なる構成をもたらし得る。2つの材料を用いて構築されるインターコネクト構造の構成の幾つかの例を図7に示す。なお、1つのインターコネクト構造内で異なる量の2つの材料が存在してもよく、2つの材料はインターコネクト構造の複数のセクションの中で交互にされ得る。 For different interconnect structures, the process shown in FIG. 5 can result in different configurations of the two materials. Some examples of the structure of an interconnect structure constructed using two materials are shown in FIG. Note that there may be different amounts of two materials within one interconnect structure, and the two materials may be alternated in multiple sections of the interconnect structure.
特定の実施形態は、1つ以上のコンピュータシステム上で実現され得る。特定の実施形態において、図5に示したプロセスは、非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体に格納されてコンピュータシステム上で実行されるコンピュータプログラムとして実現され得る。図8は、一例に係るコンピュータシステム800を示している。特定の実施形態において、1つ以上のコンピュータシステム800が、ここに記載あるいは図示した1つ以上の方法の1つ以上のステップを実行する。特定の実施形態において、1つ以上のコンピュータシステム800が、ここに記載あるいは図示した機能を提供する。特定の実施形態において、1つ以上のコンピュータシステム800上で起動されるソフトウェアが、ここに記載あるいは図示した1つ以上の方法の1つ以上のステップを実行し、あるいは、ここに記載あるいは図示した機能を提供する。特定の実施形態は、1つ以上のコンピュータシステム800の1つ以上の部分を含む。
Particular embodiments may be implemented on one or more computer systems. In certain embodiments, the process illustrated in FIG. 5 may be implemented as a computer program stored on a non-transitory computer readable medium and executed on a computer system. FIG. 8 illustrates an
この開示は、如何なる好適な数のコンピュータシステム800をも意図している。この開示は、如何なる物理形態を採るコンピュータシステム800をも意図している。非限定的な一例として、コンピュータシステム800は、組込型コンピュータシステム、システム・オン・チップ(SOC)、シングルボード・コンピュータシステム(SBC)(例えば、コンピュータ・オン・モジュール(COM)若しくはシステム・オン・モジュール(SOM)など)、デスクトップ型コンピュータシステム、ラップトップ型又はノート型のコンピュータシステム、対話式キオスク端末、メインフレーム、メッシュ状コンピュータシステム、携帯電話、携帯情報端末(PDA)、サーバ、又はこれらの2つ以上の組み合わせとし得る。必要に応じて、コンピュータシステム800は、単一あるいは分散型の;複数の位置にまたがる;複数の機械にまたがる;あるいはクラウド(1つ以上のネットワーク内に1つ以上のクラウド要素を含み得る)内の;1つ以上のコンピュータシステム800を含んでいてもよい。必要に応じて、1つ以上のコンピュータシステム800は、ここに記載あるいは図示した1つ以上の方法の1つ以上のステップを、空間的あるいは時間的な実質的な制約なく実行し得る。非限定的な一例として、1つ以上のコンピュータシステム800は、ここに記載あるいは図示した1つ以上の方法の1つ以上のステップを、リアルタイムあるいはバッチモードで実行し得る。必要に応じて、1つ以上のコンピュータシステム800は、相異なる時点で、あるいは相異なる位置で、ここに記載あるいは図示した1つ以上の方法の1つ以上のステップを実行してもよい。
This disclosure contemplates any suitable number of
特定の実施形態において、コンピュータシステム800は、プロセッサ802、メモリ804、ストレージ806、入力/出力(I/O)インタフェース808、通信インタフェース810、及びバス812を含んでいる。この開示は、特定の構成にされた特定数の特定の構成要素を有する特定のコンピュータシステムを図示して説明しているが、この開示は、如何なる好適配置にされた如何なる好適数の如何なる好適構成要素を有する如何なる好適なコンピュータシステムをも意図している。
In certain embodiments,
特定の実施形態において、プロセッサ802は、例えばコンピュータプログラムを構築する命令などの命令を実行するハードウェアを含む。非限定的な一例として、命令を実行するために、プロセッサ802は、内部レジスタ、内部キャッシュ、メモリ804、又はストレージ806から命令を取り出し(すなわち、フェッチし);それを復号化して実行し;その後、1つ以上の結果を内部レジスタ、内部キャッシュ、メモリ804、又はストレージ806に書き込み得る。特定の実施形態において、プロセッサ802は、データ、命令又はアドレス用の1つ以上の内部キャッシュを含み得る。この開示は、プロセッサ802が必要に応じて、如何なる好適数の如何なる好適な内部キャッシュを含むことも意図している。非限定的な一例として、プロセッサ802は、1つ以上の命令キャッシュと、1つ以上のデータキャッシュと、1つ以上のトランスレーション・ルックアサイド・バッファ(TLB)とを含み得る。命令キャッシュ内の命令は、メモリ804又はストレージ806内の命令の複製としてもよく、命令キャッシュは、プロセッサ802によるこれら命令の取り出しを高速化し得る。データキャッシュ内のデータは、メモリ804又はストレージ806内の、プロセッサ802にて実行されている命令が処理すべきデータの複製;プロセッサ802にて実行される後続の命令によるアクセスのための、あるいはメモリ804又はストレージ806に書き込むための、プロセッサ802にて実行された以前の命令の結果;又はその他の好適データとし得る。データキャッシュは、プロセッサ802による読み出し処理又は書き込み処理を高速化し得る。TLBは、プロセッサ802のために仮想アドレス変換を高速化し得る。特定の実施形態において、プロセッサ802は、データ、命令又はアドレス用の1つ以上の内部レジスタを含み得る。この開示は、プロセッサ802が適宜、如何なる好適数の如何なる好適な内部レジスタを含むことをも意図している。必要に応じて、プロセッサ802は、1つ以上の演算論理ユニット(ALU)を含んでいてもよく;マルチコアプロセッサであってもよく;あるいは1つ以上のプロセッサ802を含んでいてもよい。この開示は特定のプロセッサを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なプロセッサをも意図している。
In particular embodiments,
特定の実施形態において、メモリ804は、プロセッサ802が実行する命令、又はプロセッサ802が処理するデータを格納するメインメモリを含む。非限定的な一例として、コンピュータシステム800はストレージ806又は別のソース(例えば、別のコンピュータシステム800など)からメモリ804に命令をロードし得る。その後、プロセッサ802は、メモリ804から内部レジスタ又は内部キャッシュに命令をロードし得る。命令を実行するため、プロセッサ802は、内部レジスタ又は内部キャッシュから命令を取り出し、取り出した命令を復号化する。命令の実行中又は実行後、プロセッサ802は、1つ以上の結果(中間結果又は最終結果とし得る)を内部レジスタ又は内部キャッシュに書き込み得る。そして、プロセッサ802は、それらの結果のうちの1つ以上をメモリ804に書き込み得る。特定の実施形態において、プロセッサ802は、1つ以上の内部レジスタ若しくは内部キャッシュ又はメモリ804内の命令のみを実行してもよく(ストレージ806又はその他の場所の命令を実行するのとは異なる)、また、1つ以上の内部レジスタ若しくは内部キャッシュ又はメモリ804内のデータのみを処理してもよい(ストレージ806又はその他の場所のデータを処理するのとは異なる)。1つ以上のメモリバス812(各々がアドレスバス及びデータバスを含み得る)が、プロセッサ802をメモリ804に結合してもよい。バス812は、後述のように、1つ以上のメモリバスを含み得る。特定の実施形態において、1つ以上のメモリ管理装置(MMU)が、プロセッサ802とメモリ804との間に存在し、プロセッサ802により要求されるメモリ804へのアクセスを容易にし得る。特定の実施形態において、メモリ804は、ランダムアクセスメモリ(RAM)を含む。このRAMは、適当であれば、揮発性メモリであってもよい。必要に応じて、このRAMはダイナミックRAM(DRAM)又はスタティックRAM(SRAM)にされ得る。また、必要に応じて、このRAMは、シングルポート又はマルチポートのRAMにされ得る。この開示は、如何なる好適なRAMをも意図している。メモリ804は、必要に応じて、1つ以上のメモリ804を含んでいてもよい。この開示は特定のメモリを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なメモリをも意図している。
In particular embodiments,
特定の実施形態において、ストレージ806は、データ又は命令用の大容量記憶装置を含む。非限定的な一例として、ストレージ806は、HDD、フロッピー(登録商標)ディスクドライブ、フラッシュメモリ、光ディスク、磁気光ディスク、磁気テープ、若しくはユニバーサル・シリアル・バス(USB)ドライブ、又はこれらの2つ以上の組み合わせを含み得る。ストレージ806は、必要に応じて、リムーバブル(取り外し可能)あるいは非リムーバブル(すなわち、固定)のメディアを含み得る。ストレージ806は、必要に応じて、コンピュータシステム800の内部にあってもよいし、外部にあってもよい。特定の実施形態において、ストレージ806は、不揮発性のソリッドステートメモリである。特定の実施形態において、ストレージ806は、読み出し専用メモリ(ROM)を含む。必要に応じて、このROMは、マスクプログラムされたROM、プログラマブルROM(PROM)、消去可能PROM(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、電気的消去再書込可能ROM(EAROM)、若しくはフラッシュメモリ、又はこれらの2つ以上の組み合わせとし得る。この開示は、如何なる好適な物理形態を有する大容量記憶装置806をも意図している。ストレージ806は、必要に応じて、プロセッサ802とストレージ806との間での通信を容易にする1つ以上のストレージ制御装置を含み得る。必要に応じて、ストレージ806は1つ以上のストレージ806を含んでいてもよい。この開示は特定のストレージを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なストレージをも意図している。
In certain embodiments,
特定の実施形態において、I/Oインタフェース808は、コンピュータシステム800と1つ以上のI/O装置との間での通信のための1つ以上のインタフェースを提供するハードウェア、ソフトウェア、又はこれら双方を含む。コンピュータシステム800は、必要に応じて、これらI/O装置のうちの1つ以上を含んでいてもよい。これらI/O装置のうちの1つ以上は、個人とコンピュータシステム800との間での通信を可能にし得る。非限定的な一例として、I/O装置は、キーボード、キーパッド、マイク、モニタ、マウス、プリンタ、スキャナ、スピーカ、スチルカメラ、スタイラスペン、タブレット、タッチスクリーン、トラックボール、ビデオカメラ、その他の好適なI/O装置、又はこれらの2つ以上の組み合わせを含み得る。I/O装置は、1つ以上のセンサを含んでいてもよい。この開示は、如何なる好適なI/O装置、及びそれ用の如何なる好適なI/Oインタフェース808をも意図している。必要に応じて、I/Oインタフェース808は、プロセッサ802がこれらのI/O装置のうちの1つ以上を駆動することを可能にする1つ以上の装置又はソフトウェアドライバを含んでいてもよい。I/Oインタフェース808は、必要に応じて、1つ以上のインタフェース808を含んでいてもよい。この開示は特定のI/Oインタフェースを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なI/Oインタフェースをも意図している。
In certain embodiments, the I /
特定の実施形態において、通信インタフェース810は、コンピュータシステム800と、1つ以上のその他のコンピュータシステム若しくは1つ以上のネットワークとの間での通信(例えば、パケットベースの通信など)のための1つ以上のインタフェースを提供するハードウェア、ソフトウェア、又はこれら双方を含む。非限定的な一例として、通信インタフェース810は、イーサネット(登録商標)若しくはその他のワイヤベースのネットワークと通信するためのネットワークインタフェースコントローラ(NIC)若しくはネットワークアダプタ、又は例えばWi−Fiネットワークなどの無線ネットワークと通信するための無線NIC(WNIC)若しくは無線アダプタを含み得る。この開示は、如何なる好適なネットワーク及びそれ用の如何なる好適な通信インタフェース810をも意図している。非限定的な一例として、コンピュータシステム800は、アドホックネットワーク、パーソナルエリアネットワーク(PAN)、ローカルエリアネットワーク(LAN)、ワイドエリアネットワーク(WAN)、メトロポリタンエリアネットワーク(MAN)、若しくはインターネットの1つ以上の部分、又はこれらの2つ以上の組み合わせと通信し得る。これらのネットワークのうちの1つ以上の1つ以上の部分は、有線であってもよいし、無線であってもよい。一例として、コンピュータシステム800は、無線PAN(WPAN)(例えば、ブルートゥース(登録商標)WPANなど)、Wi−Fiネットワーク、Wi−MAXネットワーク、携帯電話ネットワーク(例えば、グローバル・システム・フォー・モバイル・コミュニケーションズ(GSM(登録商標))ネットワークなど)、若しくはその他の好適な無線ネットワーク、又はこれらの2つ以上の組み合わせと通信し得る。コンピュータシステム800は、必要に応じて、これらのネットワークの何れかのための如何なる好適な通信インタフェース810を含んでいてもよい。この開示は特定の通信インタフェースを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適な通信インタフェースをも意図している。
In certain embodiments, the
特定の実施形態において、バス812は、コンピュータシステム800の構成要素を相互に結合するための、ハードウェア、ソフトウェア、又はこれら双方を含む。非限定的な一例として、バス812は、アクセラレーテッド・グラフィクス・ポート(AGP)若しくはその他のグラフィック専用バス、EISA(Extended Industry Standard Architecture)バス、フロントサイドバス(FSB)、ハイパートランスポート(HT)インターコネクト、業界標準アーキテクチャ(ISA)バス、インフィニバンド・インターコネクト、LPC(low-pin-count)バス、メモリバス、マイクロ・チャネル・アーキテクチャ(MCA)バス、コンピュータ用拡張バスアーキテクチャ(PCI)バス、PCIエクスプレス(PCI−X)バス、シリアルATA(SATA)バス、VLB(Video Electronics Standards Association local)バス、若しくはその他の好適なバス、又はこれらの2つ以上の組み合わせを含み得る。バス812は、必要に応じて、1つ以上のバス812を含んでいてもよい。この開示は特定のバスを図示して説明しているが、この開示は如何なる好適なバス又はインターコネクトをも意図している。
In particular embodiments,
ここで、コンピュータ読み取り可能記憶媒体への言及は、1つ以上の一過性でない有形のコンピュータ読み取り可能記憶媒体保有構造をも包含するものである。非限定的な一例として、コンピュータ読み取り可能記憶媒体は、必要に応じて、半導体ベースあるいはその他の集積回路(IC)(例えば、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(FPGA)、又は特定用途向けIC(ASIC)など)、ハードディスク、HDD、ハイブリッド式ハードドライブ(HHD)、光ディスク、光ディスクドライブ(ODD)、磁気光ディスク、磁気光ドライブ、フロッピー(登録商標)ディスク、フロッピーディスクドライブ(FDD)、磁気テープ、ホログラフィック記憶媒体、ソリッドステートドライブ(SSD)、RAMドライブ、セキュアデジタル(SD)カード、セキュアデジタルドライブ、若しくはその他の好適なコンピュータ読み取り可能記憶媒体、又はこれらの2つ以上の組み合わせを含み得る。コンピュータ読み取り可能な一過性でない記憶媒体は、必要に応じて、揮発性、不揮発性、又は揮発性と不揮発性との組み合わせとし得る。 Here, reference to a computer-readable storage medium includes one or more non-transitory tangible computer-readable storage medium holding structures. As a non-limiting example, a computer readable storage medium may be a semiconductor-based or other integrated circuit (IC), such as a field programmable gate array (FPGA), or an application specific IC (ASIC), as appropriate. ), Etc.), hard disk, HDD, hybrid hard drive (HHD), optical disk, optical disk drive (ODD), magnetic optical disk, magnetic optical drive, floppy disk, floppy disk drive (FDD), magnetic tape, holographic Storage medium, solid state drive (SSD), RAM drive, secure digital (SD) card, secure digital drive, or other suitable computer readable storage medium, or a combination of two or more thereof It may include. The computer-readable non-transitory storage medium can be volatile, non-volatile, or a combination of volatile and non-volatile, as appropriate.
この開示は、何らかの好適なストレージを実現する1つ以上のコンピュータ読み取り可能記憶媒体を意図している。特定の実施形態において、コンピュータ読み取り可能記憶媒体は、必要に応じて、プロセッサ802の1つ以上の部分(例えば、1つ以上の内部レジスタ若しくはキャッシュなど)、メモリ804の1つ以上の部分、ストレージ806の1つ以上の部分、又はこれらの組み合わせを実現してもよい。特定の実施形態において、コンピュータ読み取り可能記憶媒体はRAM又はROMを実現する。特定の実施形態において、コンピュータ読み取り可能記憶媒体は揮発性あるいは永続的なメモリを実現する。特定の実施形態において、1つ以上のコンピュータ読み取り可能記憶媒体がソフトウェアを具現化する。ここで、ソフトウェアへの言及は適宜、1つ以上のアプリケーション、バイトコード、1つ以上のコンピュータプログラム、1つ以上の実行ファイル、1つ以上の命令、ロジック、機械語、1つ以上のスクリプト、又はソースコードを包含するものであり、この逆もまた然りである。特定の実施形態において、ソフトウェアは、1つ以上のアプリケーション・プログラミング・インタフェース(API)を含む。この開示は、如何なる好適なプログラミング言語又は複数のプログラミング言語の組み合わせで書き込まれ、あるいはその他の方法で表現された、如何なる好適なソフトウェアをも意図している。特定の実施形態において、ソフトウェアはソースコード又はオブジェクトコードとして表現され得る。特定の実施形態において、ソフトウェアは、例えばC、Perl又はこれらの好適な拡張版など、より高級(高水準)なプログラミング言語で表現される。特定の実施形態において、ソフトウェアは、例えばアセンブリ言語(又は機械語)など、より低水準のプログラミング言語で表現される。特定の実施形態において、ソフトウェアはJAVA(登録商標)、C又はC++で表現される。特定の実施形態において、ソフトウェアはハイパーテキスト・マークアップ言語(HTML)、拡張マークアップ言語(XML)、又はその他の好適なマークアップ言語で表現される。
This disclosure contemplates one or more computer readable storage media that implement any suitable storage. In certain embodiments, the computer-readable storage medium may optionally include one or more portions of processor 802 (eg, one or more internal registers or caches), one or more portions of
ここでは、“又は”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、両立的なものであって排他的なものではない。故に、“A又はB”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、“A、B、又は双方”を意味する。また、“及び”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、結合及びそれぞれの双方である。故に、ここでは、“A及びB”は、その他のことが明示的或いは文脈的に指し示されない限り、“結合的あるいは個別的にA及びB”を意味する。 As used herein, “or” is compatible and not exclusive unless otherwise indicated explicitly or contextually. Thus, “A or B” means “A, B, or both” unless otherwise explicitly or contextually indicated. Also, “and” are both combined and both, unless explicitly stated otherwise or contextually. Thus, herein, “A and B” means “coupled or individually A and B” unless otherwise explicitly or contextually indicated.
この開示は、ここで例示した実施形態への、当業者に理解されるであろう全ての変更、代用、変形、改変及び改良を包含するものである。同様に、添付の請求項は適宜、ここで例示した実施形態への当業者に理解されるであろう全ての変更、代用、変形、改変及び改良を包含するものである。また、特定の機能を実行するように適応され、構成され、可能にされ、設定され、有効にされ、動作可能にされ、あるいは動作する装置若しくはシステム又はそれらの構成要素への、請求項中での参照は、装置、システム又は構成要素がそのように適応、構成、可能化、設定、有効化、動作可能化あるいは動作される限り、それ又はその特定機能が活性化され、オンにされ、あるいは解除されようとなかろうと、その装置、システム又は構成要素を包含するものである。 This disclosure is intended to cover all modifications, substitutions, variations, modifications and improvements to the embodiments illustrated herein that would be understood by one of ordinary skill in the art. Similarly, the appended claims are intended to cover all modifications, substitutions, variations, modifications and improvements as appropriate to those skilled in the art to the embodiments illustrated herein as appropriate. Also in the claims to a device or system or component thereof adapted, configured, enabled, configured, enabled, enabled or operating to perform a particular function Reference to the device, system or component is activated, turned on, or turned on as long as the device, system or component is so adapted, configured, enabled, configured, enabled, enabled or operated, or It is intended to encompass the device, system or component whether released or not.
Claims (13)
各インターコネクト構造を構築することが、
前記インターコネクト構造をn個のセクションに分割することと、
前記n個のセクションの全てに第1の材料を与えることと、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを記録することと、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベル以上になるまで:
m≦nとして、前記第1の材料を現在有するm個のセクションの各々に対して、
そのセクションに第2の材料を割り当て、且つ
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、
決定されたm個の応力レベルから、最低の応力レベルを選択し、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記m個のセクションのうちの前記選択された最低の応力レベルに対応するセクションに前記第2の材料を与え、且つ
前記選択された最低の応力レベルを記録する、
ことを繰り返すことと、
を有する、
方法。 Having one or more interconnect structures between an integrated circuit (IC) chip and a substrate, each interconnect structure having a plurality of materials;
Building each interconnect structure
Dividing the interconnect structure into n sections;
Providing a first material for all of the n sections;
Recording the current stress level corresponding to the interconnect structure;
Until the lowest selected stress level is greater than or equal to the recorded stress level:
For each of the m sections currently having the first material, where m ≦ n,
Assign a second material to the section and determine a current stress level corresponding to the interconnect structure;
From the determined m stress levels, select the lowest stress level,
If the lowest selected stress level is lower than the recorded stress level,
Applying the second material to a section of the m sections corresponding to the selected lowest stress level, and recording the selected lowest stress level;
Repeating that,
Having
METHODS.
隣接する前記第1の材料を有する第1のセクションと前記第2の材料を有する第2のセクションとの各対に対して、
前記第1のセクションに前記第2の材料を割り当て、
前記第2のセクションに前記第1の材料を割り当て、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、且つ
決定された現在の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記第1のセクションに前記第2の材料を与え、
前記第2のセクションに前記第1の材料を与え、且つ
該決定された現在の応力レベルを記録する、
ことを有する、請求項1に記載の方法。 Building each interconnect structure further includes when at least one of the n sections has the second material:
For each pair of adjacent first section having the first material and second section having the second material,
Assigning the second material to the first section;
Assigning the first material to the second section;
Determining a current stress level corresponding to the interconnect structure, and if the determined current stress level is lower than the recorded stress level;
Providing the first section with the second material;
Applying the first material to the second section and recording the determined current stress level;
The method of claim 1 , comprising:
前記ICチップが、各インターコネクト構造の一端を前記基板にはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項1に記載の方法。 The one or more interconnect structures are formed on the IC chip, and the IC chip is connected to the substrate by soldering one end of each interconnect structure to the substrate;
The method of claim 1.
前記ICチップが、各インターコネクト構造の一端を前記ICチップにはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項1に記載の方法。 The one or more interconnect structures are formed on the substrate, and the IC chip is connected to the substrate by soldering one end of each interconnect structure to the IC chip;
The method of claim 1.
各インターコネクト構造は複数の材料を有し、
各インターコネクト構造を構築することが、
前記インターコネクト構造をn個のセクションに分割することと、
前記n個のセクションの全てに第1の材料を与えることと、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを記録することと、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベル以上になるまで:
m≦nとして、前記第1の材料を現在有するm個のセクションの各々に対して、
そのセクションに第2の材料を割り当て、且つ
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、
決定されたm個の応力レベルから、最低の応力レベルを選択し、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記m個のセクションのうちの前記選択された最低の応力レベルに対応するセクションに前記第2の材料を与え、且つ
前記選択された最低の応力レベルを記録する、
ことを繰り返すことと、
を有する、
記憶媒体。 A computer readable storage medium having software stored therein, wherein the software builds one or more interconnect structures between an integrated circuit (IC) chip and a substrate when executed by one or more computer systems. Act to
Each interconnect structure has multiple materials,
Building each interconnect structure
Dividing the interconnect structure into n sections;
Providing a first material for all of the n sections;
Recording the current stress level corresponding to the interconnect structure;
Until the lowest selected stress level is greater than or equal to the recorded stress level:
For each of the m sections currently having the first material, where m ≦ n,
Assign a second material to the section and determine a current stress level corresponding to the interconnect structure;
From the determined m stress levels, select the lowest stress level,
If the lowest selected stress level is lower than the recorded stress level,
Applying the second material to a section of the m sections corresponding to the selected lowest stress level, and recording the selected lowest stress level;
Repeating that,
Having
Serial憶媒body.
隣接する前記第1の材料を有する第1のセクションと前記第2の材料を有する第2のセクションとの各対に対して、
前記第1のセクションに前記第2の材料を割り当て、
前記第2のセクションに前記第1の材料を割り当て、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、且つ
決定された現在の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記第1のセクションに前記第2の材料を与え、
前記第2のセクションに前記第1の材料を与え、且つ
該決定された現在の応力レベルを記録する、
ことを有する、請求項7に記載の記憶媒体。 Building each interconnect structure further includes when at least one of the n sections has the second material:
For each pair of adjacent first section having the first material and second section having the second material,
Assigning the second material to the first section;
Assigning the first material to the second section;
Determining a current stress level corresponding to the interconnect structure, and if the determined current stress level is lower than the recorded stress level;
Providing the first section with the second material;
Applying the first material to the second section and recording the determined current stress level;
The storage medium according to claim 7 .
前記ICチップが、各インターコネクト構造の一端を前記基板にはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項7に記載の記憶媒体。 The one or more interconnect structures are formed on the IC chip, and the IC chip is connected to the substrate by soldering one end of each interconnect structure to the substrate;
The storage medium according to claim 7 .
前記ICチップが、各インターコネクト構造の一端を前記ICチップにはんだ付けすることによって、前記基板に接続される、
請求項7に記載の記憶媒体。 The one or more interconnect structures are formed on the substrate, and the IC chip is connected to the substrate by soldering one end of each interconnect structure to the IC chip;
The storage medium according to claim 7 .
各インターコネクト構造は複数の材料を有し、
前記構築する手段は、ソフトウェアを格納したコンピュータ読み取り可能記憶媒体を含み、前記ソフトウェアは、1つ以上のコンピュータシステムによって実行されるときに、前記集積回路(IC)チップと前記基板との間の前記1つ以上のインターコネクト構造を構築するよう作用し、
各インターコネクト構造を構築することが、
前記インターコネクト構造をn個のセクションに分割することと、
前記n個のセクションの全てに第1の材料を与えることと、
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを記録することと、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベル以上になるまで:
m≦nとして、前記第1の材料を現在有するm個のセクションの各々に対して、
そのセクションに第2の材料を割り当て、且つ
該インターコネクト構造に対応する現在の応力レベルを決定し、
決定されたm個の応力レベルから、最低の応力レベルを選択し、
選択された最低の応力レベルが、記録されている応力レベルより低い場合に、
前記m個のセクションのうちの前記選択された最低の応力レベルに対応するセクションに前記第2の材料を与え、且つ
前記選択された最低の応力レベルを記録する、
ことを繰り返すことと、
を有する、
システム。
A system for have a means for constructing one or more interconnect structure between the integrated circuit (IC) chip and the substrate,
Each interconnect structure have a plurality of materials,
The means for constructing includes a computer readable storage medium having software stored thereon, the software between the integrated circuit (IC) chip and the substrate when executed by one or more computer systems. Acts to build one or more interconnect structures,
Building each interconnect structure
Dividing the interconnect structure into n sections;
Providing a first material for all of the n sections;
Recording the current stress level corresponding to the interconnect structure;
Until the lowest selected stress level is greater than or equal to the recorded stress level:
For each of the m sections currently having the first material, where m ≦ n,
Assign a second material to the section, and
Determining a current stress level corresponding to the interconnect structure;
From the determined m stress levels, select the lowest stress level,
If the lowest selected stress level is lower than the recorded stress level,
Providing the second material to a section of the m sections corresponding to the selected lowest stress level; and
Record the selected minimum stress level;
Repeating that,
Having
system.
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