JP5751123B2 - Temperature control system for motor control - Google Patents

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Description

本発明は、モータ制御用温度モニタシステムに係り、特に、モータ制御を行うインバータ又はコンバータを駆動するうえで用いるキャリア周波数を温度に応じて制限するのにその温度を精度よく検出するうえで好適なモータ制御用温度モニタシステムに関する。   The present invention relates to a temperature monitoring system for motor control, and is particularly suitable for accurately detecting the temperature to limit the carrier frequency used for driving an inverter or converter that performs motor control according to the temperature. The present invention relates to a motor control temperature monitoring system.

従来、半導体モジュールの温度を検出する温度モニタシステムが知られている(例えば、特許文献1参照)。この温度モニタシステムは、半導体モジュールが搭載されているモータ制御を行うインバータやコンバータに生ずる温度を検出するシステムであって、その温度検出を行うための温度センスダイオードを備えている。この温度センスダイオードは、上記のインバータやコンバータに生ずる温度に応じた信号を出力する。温度センスダイオードから出力された信号は、モータ制御を行う制御装置に送られる。制御装置は、温度センスダイオードの出力信号に基づいてインバータやコンバータの温度を検出し、その検出したインバータやコンバータの温度が所定の限界温度に達したと判定した場合に、インバータやコンバータの出力電流を減じる制限制御を実行する。   Conventionally, a temperature monitoring system that detects the temperature of a semiconductor module is known (see, for example, Patent Document 1). This temperature monitoring system is a system that detects a temperature generated in an inverter or converter that performs motor control on which a semiconductor module is mounted, and includes a temperature sensing diode for detecting the temperature. The temperature sensing diode outputs a signal corresponding to the temperature generated in the inverter or converter. The signal output from the temperature sensing diode is sent to a control device that performs motor control. When the control device detects the temperature of the inverter or converter based on the output signal of the temperature sense diode and determines that the detected temperature of the inverter or converter has reached a predetermined limit temperature, the output current of the inverter or converter Execute limit control to reduce.

また、検出対象が同一であるセンサを複数用意して、それら複数のセンサの検出値に基づいて所定の制御を実行する冗長系システムが知られている(例えば、特許文献2参照)。この冗長系システムにおいては、複数のセンサの検出値が互いに比較されてセンサの異常が判定される。   Also, a redundant system that prepares a plurality of sensors having the same detection target and executes predetermined control based on detection values of the plurality of sensors is known (see, for example, Patent Document 2). In this redundant system, detection values of a plurality of sensors are compared with each other to determine a sensor abnormality.

特開2008−51775号公報JP 2008-51775 A 特開2009−96338号公報JP 2009-96338 A

ところで、モータ制御を行うインバータやコンバータに生ずる温度を冗長系システムを用いて検出しようとする場合、上記特許文献1記載のシステムに上記特許文献2記載の技術を適用することが考えられる。しかし、上記特許文献2記載の技術では、複数のセンサからなる冗長系が所定の制御を実行するうえでどのように利用されているかが明らかでないので、上記したモータ制御が精度の高い温度に基づいて行われない可能性がある。   By the way, when trying to detect the temperature generated in the inverter or converter that performs motor control using a redundant system, it is conceivable to apply the technique described in Patent Document 2 to the system described in Patent Document 1. However, in the technique described in Patent Document 2, it is not clear how a redundant system composed of a plurality of sensors is used for executing predetermined control. Therefore, the motor control described above is based on a highly accurate temperature. May not be done.

本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、モータ制御の正確性・信頼性を確保すべく、インバータ又はコンバータに生ずる温度について精度の高いモニタを実現するモータ制御用温度モニタシステムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and a motor control temperature monitoring system that realizes high-precision monitoring of the temperature generated in an inverter or converter in order to ensure the accuracy and reliability of motor control. The purpose is to provide.

上記の目的は、モータ制御を行うインバータ又はコンバータに生ずる温度に応じた信号を出力する温度センスダイオードと、前記温度センスダイオードの出力信号を前記温度を高精度に示す高精度信号に変換する変換手段と、前記温度センスダイオードの出力信号を処理して前記温度として第1の温度を検出する第1の温度検出手段と、前記変換手段により得られた前記高精度信号を処理して前記温度として第2の温度を検出する第2の温度検出手段と、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度又は前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度に応じて、前記インバータ又は前記コンバータを駆動するうえで用いるキャリア周波数を制限するキャリア周波数制限手段と、前記キャリア周波数に基づいて前記温度が入ると予想される予想温度範囲を設定する予想温度範囲設定手段と、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度及び前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度のうち、前記予想温度範囲設定手段により設定される前記予想温度範囲内に入る温度を、前記キャリア周波数制限手段において用いる前記温度として選択する温度選択手段と、を備えるモータ制御用温度モニタシステムにより達成される。 The above object is to provide a temperature sense diode that outputs a signal corresponding to a temperature generated in an inverter or converter that performs motor control, and a conversion means that converts the output signal of the temperature sense diode into a high-accuracy signal that indicates the temperature with high accuracy. When, the as the temperature and the first temperature sensing means sensing diode by processing the output signal of detecting a first temperature of the temperature, the processing the high-precision signal obtained by the conversion means temperature a second temperature detecting means for detecting a second temperature, in response to the second temperature detected by the first temperature or the second temperature detecting means is detected by said first temperature detecting means Carrier frequency limiting means for limiting a carrier frequency used for driving the inverter or the converter, and the temperature based on the carrier frequency. The expected temperature range setting means for setting a predicted temperature range is expected to fall, the second detected by the first temperature and the second temperature detecting means is detected by said first temperature detecting means of temperature, the predicted temperature range the expected temperature input Ru temperature within the range set by the setting means, the carrier motor control temperature monitor comprising a temperature selection means, the selecting as the temperature used in the frequency limiting means Achieved by the system.

本発明によれば、モータ制御の正確性・信頼性を確保すべく、インバータ又はコンバータに生ずる温度について精度の高いモニタを実現することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in order to ensure the accuracy and reliability of motor control, a highly accurate monitor can be realized about the temperature which arises in an inverter or a converter.

本発明の一実施例であるモータ制御用温度モニタシステムの構成図である。It is a block diagram of the temperature monitor system for motor control which is one Example of this invention. モータ制御に用いられるキャリア周波数と限界温度との関係を表した図である。It is a figure showing the relationship between the carrier frequency used for motor control, and a limit temperature. 本実施例のモータ制御用温度モニタシステムにおいて用いられる温度選択のための状態遷移図である。It is a state transition diagram for temperature selection used in the temperature monitor system for motor control of a present Example. 図3に示す状態遷移図に表した状態間の遷移条件を表した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a transition condition between states illustrated in the state transition diagram illustrated in FIG. 3. 本実施例のモータ制御用温度モニタシステムにおいて温度センスダイオードの出力に基づく電圧AD値及びデューティ比が共に用いられる状態で温度を選択するうえで実行される制御ルーチンの一例のフローチャートである。It is a flowchart of an example of a control routine executed when selecting a temperature in a state where a voltage AD value based on an output of a temperature sense diode and a duty ratio are both used in the motor control temperature monitoring system of the present embodiment. 本実施例のモータ制御用温度モニタシステムにおいてキャリア周波数に基づいて温度が入ると予想される予想温度範囲を設定する手法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the method of setting the expected temperature range which temperature is estimated to enter based on a carrier frequency in the temperature monitor system for motor control of a present Example.

以下、図面を用いて、本発明に係るモータ制御用温度モニタシステムの具体的な実施の形態について説明する。   Hereinafter, specific embodiments of a temperature monitoring system for motor control according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施例であるモータ制御用温度モニタシステム(以下、単に温度モニタシステムと称す)10の構成図を示す。また、図2は、モータ制御に用いられるキャリア周波数と限界温度との関係を表した図を示す。本実施例の温度モニタシステム10は、例えば、特に電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HV)などに搭載されるモータに用いられるインバータ12及び昇圧コンバータ14に生ずる温度をモニタするためのシステムである。   FIG. 1 is a configuration diagram of a motor control temperature monitoring system (hereinafter simply referred to as a temperature monitoring system) 10 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a relationship between the carrier frequency used for motor control and the limit temperature. The temperature monitoring system 10 of the present embodiment is a system for monitoring the temperature generated in the inverter 12 and the boost converter 14 used in a motor mounted in, for example, an electric vehicle (EV) or a hybrid vehicle (HV). .

インバータ12及び昇圧コンバータ14はそれぞれ、複数の半導体素子(例えば、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などのトランジスタ)により構成されている。昇圧コンバータ14は、2つの半導体素子のスイッチング駆動により、直流のバッテリ電圧を所定電圧まで昇圧する変換器であると共に、また、バッテリ充電時には所定電圧をバッテリ電圧まで降圧する変換器である。また、インバータ12は、6つの半導体素子のスイッチング駆動により、昇圧コンバータ14により昇圧された高電圧の直流電流とモータの交流電流との変換を行う電力変換器である。   Each of the inverter 12 and the boost converter 14 is composed of a plurality of semiconductor elements (for example, transistors such as IGBT (insulated gate bipolar transistor)). Boost converter 14 is a converter that boosts a DC battery voltage to a predetermined voltage by switching driving of two semiconductor elements, and is a converter that steps down the predetermined voltage to the battery voltage when the battery is charged. The inverter 12 is a power converter that converts a high-voltage direct current boosted by the boost converter 14 and an alternating current of the motor by switching driving of six semiconductor elements.

インバータ12及び昇圧コンバータ14の各半導体素子には、マイコン16を搭載するモータ・ジェネレータ制御用電子制御ユニット(以下、MG−ECUと称す。)18が接続されている。MG−ECU18のマイコン16は、モータを制御するうえでインバータ12及び昇圧コンバータ14の半導体素子のPWM駆動を行う。   Each semiconductor element of the inverter 12 and the boost converter 14 is connected to a motor / generator control electronic control unit (hereinafter referred to as MG-ECU) 18 in which a microcomputer 16 is mounted. The microcomputer 16 of the MG-ECU 18 performs PWM driving of the semiconductor elements of the inverter 12 and the boost converter 14 when controlling the motor.

尚、マイコン16は、そのPWM制御において、インバータ12又は昇圧コンバータ14に生ずる温度が所定の限界温度を超えている場合(すなわち、制限領域内にある場合)に、そのインバータ12又は昇圧コンバータ14の温度上昇を抑制すべく、そのインバータ12又は昇圧コンバータ14を駆動するうえで用いるキャリア周波数を制限する制限制御を実行する。キャリア周波数と所定の限界温度との関係は、図2に示す如く、インバータ12又は昇圧コンバータ14のハード構成に起因した制約による上限範囲内において、キャリア周波数が高いほど所定の限界温度が低く、キャリア周波数が低いほど所定の限界温度が高くなるように設定されており、リニアに変化するものである。尚、このキャリア周波数と所定の限界温度との関係は、リニアに変化するものに代えて、階段状に変化するものとしてもよい。   In the PWM control, when the temperature generated in the inverter 12 or the boost converter 14 exceeds a predetermined limit temperature (that is, in the limit region), the microcomputer 16 In order to suppress the temperature rise, limit control for limiting the carrier frequency used for driving the inverter 12 or the boost converter 14 is executed. As shown in FIG. 2, the relationship between the carrier frequency and the predetermined limit temperature is within the upper limit range due to the hardware configuration of the inverter 12 or the boost converter 14, and the higher the carrier frequency, the lower the predetermined limit temperature. The predetermined limit temperature is set higher as the frequency is lower and changes linearly. The relationship between the carrier frequency and the predetermined limit temperature may be changed stepwise instead of linearly.

上記のキャリア周波数の制限は、例えば、キャリア周波数がある値Xにあるとき、インバータ12又は昇圧コンバータ14の温度がそのキャリア周波数Xに対応する所定の限界温度を超えた温度Tである場合は、キャリア周波数を値Xからその温度Tを所定の限界温度とする値Yへ低下させるものである。   For example, when the carrier frequency is at a certain value X, when the temperature of the inverter 12 or the boost converter 14 is a temperature T that exceeds a predetermined limit temperature corresponding to the carrier frequency X, The carrier frequency is lowered from the value X to a value Y having the temperature T as a predetermined limit temperature.

温度モニタシステム10は、インバータ12に生ずる温度を検出するための温度センスダイオード20、及び、昇圧コンバータ14に生ずる温度を検出するための温度センスダイオード22を備えている。温度センスダイオード20は、インバータ12を構成する半導体素子に設けられており、また、温度センスダイオード22は、昇圧コンバータ14を構成する半導体素子に設けられている。温度センスダイオード20,22はそれぞれ、半導体素子の温度が高くなるほど出力電圧が小さくなる出力特性を有している。   The temperature monitor system 10 includes a temperature sense diode 20 for detecting a temperature generated in the inverter 12 and a temperature sense diode 22 for detecting a temperature generated in the boost converter 14. The temperature sense diode 20 is provided in a semiconductor element that constitutes the inverter 12, and the temperature sense diode 22 is provided in a semiconductor element that constitutes the boost converter 14. Each of the temperature sense diodes 20 and 22 has an output characteristic that the output voltage decreases as the temperature of the semiconductor element increases.

温度センスダイオード20の出力電圧は、電圧AD値にデジタル変換された後にMG−ECU18のマイコン16に入力される。また、温度センスダイオード20の出力電圧は、IC24で半導体素子の温度をデューティ比で表したデューティ信号に変換された後にマイコン16に入力される。IC24は、例えば、半導体素子の温度が所定の温度を超えると、デューティ比が100%から減少を開始して温度上昇に対して直線的に減少するようなデューティ信号(PWM出力)を発生する。IC24の発生するデューティ信号が表す温度は、温度センスダイオード20の出力をデジタル変換した電圧AD値が表す温度よりも高精度である。   The output voltage of the temperature sense diode 20 is digitally converted into a voltage AD value and then input to the microcomputer 16 of the MG-ECU 18. Further, the output voltage of the temperature sense diode 20 is input to the microcomputer 16 after being converted into a duty signal in which the temperature of the semiconductor element is expressed by a duty ratio by the IC 24. For example, when the temperature of the semiconductor element exceeds a predetermined temperature, the IC 24 generates a duty signal (PWM output) such that the duty ratio starts decreasing from 100% and linearly decreases with respect to the temperature increase. The temperature represented by the duty signal generated by the IC 24 is more accurate than the temperature represented by the voltage AD value obtained by digitally converting the output of the temperature sensing diode 20.

温度センスダイオード22の出力電圧も同様に、電圧AD値にデジタル変換された後にマイコン16に入力される。また、温度センスダイオード22の出力電圧は、IC26で半導体素子の温度をデューティ比で表したデューティ信号に変換された後にマイコン16に入力される。IC26は、上記のIC24と同様に、例えば、半導体素子の温度が所定の温度を超えると、デューティ比が100%から減少を開始してその半導体素子の温度上昇に対して直線的に減少するようなデューティ信号(PWM出力)を発生する。IC26の発生するデューティ信号が表す温度は、温度センスダイオード22の出力をデジタル変換した電圧AD値が表す温度よりも高精度である。   Similarly, the output voltage of the temperature sense diode 22 is digitally converted to a voltage AD value and then input to the microcomputer 16. The output voltage of the temperature sense diode 22 is input to the microcomputer 16 after the IC 26 converts the temperature of the semiconductor element into a duty signal representing the duty ratio. Similar to the IC 24, for example, when the temperature of the semiconductor element exceeds a predetermined temperature, the IC 26 starts decreasing from 100% and linearly decreases with respect to the temperature increase of the semiconductor element. A duty signal (PWM output) is generated. The temperature represented by the duty signal generated by the IC 26 is more accurate than the temperature represented by the voltage AD value obtained by digitally converting the output of the temperature sensing diode 22.

マイコン16は、定期的(所定時間ごと)に、温度センスダイオード20からの電圧AD値に基づいてインバータ12に生ずる温度を検出すると共に、温度センスダイオード20(具体的には、IC24)からのデューティ比に基づいて、インバータ12に生ずる温度を検出する。マイコン16は、インバータ12の温度検出結果に基づいてそのインバータ12の温度をある程度正確に検出することができない異常(例えば、インバータ12自体やIC24,インバータ12とマイコン16との間の電線などの故障や断線など)が生じているか否かを判別する。また、後述の如く、それらの検出した温度の何れかをインバータ12に生じている温度として選択して、その選択した温度を用いてインバータ12を駆動するうえで用いるキャリア周波数を制限する上記の制限制御を実行する。   The microcomputer 16 detects the temperature generated in the inverter 12 based on the voltage AD value from the temperature sense diode 20 at regular intervals (every predetermined time), and the duty from the temperature sense diode 20 (specifically, IC 24). Based on the ratio, the temperature generated in the inverter 12 is detected. The microcomputer 16 cannot detect the temperature of the inverter 12 with a certain degree of accuracy based on the temperature detection result of the inverter 12 (for example, a failure of the inverter 12 itself, the IC 24, an electric wire between the inverter 12 and the microcomputer 16 or the like). Whether or not a disconnection or the like has occurred. In addition, as described later, any one of the detected temperatures is selected as a temperature generated in the inverter 12, and the above-described restriction for limiting the carrier frequency used to drive the inverter 12 using the selected temperature. Execute control.

また、マイコン16は、温度センスダイオード22からの電圧AD値に基づいて昇圧コンバータ14に生ずる温度を検出すると共に、温度センスダイオード22からのデューティ比に基づいて、昇圧コンバータ14に生ずる温度を検出する。マイコン16は、昇圧コンバータ14の温度検出結果に基づいてその昇圧コンバータ14をある程度正確に検出することができない異常(例えば、昇圧コンバータ14自体やIC26,昇圧コンバータ14とマイコン16との間の電線などの故障や断線など)が生じているか否かを判別する。また、後述の如く、それらの検出した温度のうち何れかを昇圧コンバータ14に生じている温度として選択して、その選択した温度を用いて昇圧コンバータ14を駆動するうえで用いるキャリア周波数を制限する上記の制限制御を実行する。   The microcomputer 16 detects the temperature generated in the boost converter 14 based on the voltage AD value from the temperature sense diode 22 and detects the temperature generated in the boost converter 14 based on the duty ratio from the temperature sense diode 22. . The microcomputer 16 cannot detect the boost converter 14 with a certain degree of accuracy based on the temperature detection result of the boost converter 14 (for example, the boost converter 14 itself or the IC 26, an electric wire between the boost converter 14 and the microcomputer 16, etc.). Whether or not a failure or disconnection occurs). Further, as will be described later, any one of these detected temperatures is selected as a temperature generated in the boost converter 14, and the carrier frequency used to drive the boost converter 14 using the selected temperature is limited. The above limit control is executed.

以下、図3〜図6を参照して、本実施例の温度モニタシステム10において温度選択を行うための手法を説明する。尚、インバータ12に生ずる温度を検出するための温度センスダイオード20側の処理と、昇圧コンバータ14に生ずる温度を検出するための温度センスダイオード22側の処理と、は検出対象が異なるところを除いて他に異なるところがないため、以下では、温度センスダイオード20側の処理についてのみ説明する。   Hereinafter, a method for performing temperature selection in the temperature monitoring system 10 of this embodiment will be described with reference to FIGS. The process on the temperature sense diode 20 side for detecting the temperature generated in the inverter 12 and the process on the temperature sense diode 22 side for detecting the temperature generated in the boost converter 14 are different except that the detection target is different. Since there is no other difference, only the process on the temperature sensing diode 20 side will be described below.

図3は、本実施例の温度モニタシステム10において用いられる温度選択のための状態遷移図を示す。図4は、図3に示す状態遷移図に表した状態間の遷移条件を表した図を示す。図5は、本実施例の温度モニタシステム10において温度センスダイオード20の出力に基づく電圧AD値及びデューティ比が共に用いられる状態で温度を選択するうえで実行される制御ルーチンの一例のフローチャートを示す。また、図6は、本実施例の温度モニタシステム10においてキャリア周波数に基づいて温度が入ると予想される予想温度範囲を設定する手法を説明するための図を示す。   FIG. 3 shows a state transition diagram for temperature selection used in the temperature monitoring system 10 of the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing transition conditions between states shown in the state transition diagram shown in FIG. FIG. 5 shows a flowchart of an example of a control routine executed in selecting a temperature in a state where both the voltage AD value and the duty ratio based on the output of the temperature sensing diode 20 are used in the temperature monitoring system 10 of the present embodiment. . FIG. 6 is a diagram for explaining a method for setting an expected temperature range in which the temperature is expected to enter based on the carrier frequency in the temperature monitoring system 10 of the present embodiment.

本実施例の温度モニタシステム10において、マイコン16は、温度センスダイオード20からの電圧AD値によるインバータ12の温度検出結果に基づいてインバータ12に生じている温度をある程度正確に検出することができない異常が生じているか否かを判別すると共に、温度センスダイオード20からのデューティ比によるインバータ12の温度検出結果に基づいてインバータ12に生じている温度をある程度正確に検出することができない異常が生じているか否かを判別する。これらの異常判別は、温度センスダイオード20からの電圧AD値又はディーティ比がインバータ12の温度を表す値としてとり得る正常な範囲内にあるか否かに基づいて行われるものとすればよい。   In the temperature monitoring system 10 of the present embodiment, the microcomputer 16 cannot detect the temperature generated in the inverter 12 with some accuracy based on the temperature detection result of the inverter 12 based on the voltage AD value from the temperature sensing diode 20. Whether or not there is an abnormality in which the temperature generated in the inverter 12 cannot be detected to some extent accurately based on the temperature detection result of the inverter 12 based on the duty ratio from the temperature sense diode 20. Determine whether or not. These abnormality determinations may be performed based on whether or not the voltage AD value or duty ratio from the temperature sense diode 20 is within a normal range that can be taken as a value representing the temperature of the inverter 12.

そして、マイコン16は、電圧AD値に基づく異常判別の結果及びデューティ比に基づく異常判別の結果が共に異常を示すものであるときは、温度センスダイオード20によるインバータ12の温度検出ができなかったと判定し、例えばインバータ12の駆動制御についてフェールセーフ処理(例えば、キャリア周波数を所定のフェールセーフ値に制限する制限制御や車両運転者へのランプ点灯による異常通報など)を行う。   The microcomputer 16 determines that the temperature sensing diode 20 has not been able to detect the temperature of the inverter 12 when both the abnormality determination result based on the voltage AD value and the abnormality determination result based on the duty ratio indicate abnormality. For example, fail-safe processing (for example, limit control for limiting the carrier frequency to a predetermined fail-safe value, abnormality notification due to lamp lighting to the vehicle driver, etc.) is performed for drive control of the inverter 12.

一方、電圧AD値に基づく異常判別の結果及びデューティ比に基づく異常判別の結果のうち少なくとも何れか一方が正常を示すものであるときは、以下の如く、電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうちの何れかをインバータ12に生じている温度として選択して、その選択した温度に基づいてインバータ12のキャリア周波数を制限する制限制御を実行する。   On the other hand, when at least one of the abnormality determination result based on the voltage AD value and the abnormality determination result based on the duty ratio is normal, the temperature and the duty ratio based on the voltage AD value are set as follows. One of the base temperatures is selected as a temperature generated in the inverter 12, and limit control is performed to limit the carrier frequency of the inverter 12 based on the selected temperature.

マイコン16がインバータ12のキャリア周波数を制限する制限制御を実行するか否かを決定するために用いる温度を選択する状態(以下、温度選択状態と称す)としては、図3に示す如く、(A)温度センスダイオード20の出力に基づくデューティ比に基づいて検出される温度のみを用いる状態(以下、デューティ比状態と称す)と、(B)温度センスダイオード20の出力に基づく電圧AD値に基づいて検出される温度のみを用いる状態(以下、電圧AD値状態と称す)と、(C)それらデューティ比に基づく温度及び電圧AD値に基づく温度の双方を用いる状態(以下、併用状態と称す)と、の何れかがある。マイコン16は、上記の温度選択状態をデューティ比状態Aと電圧AD値状態Bと併用状態Cとの間で遷移させる。   As shown in FIG. 3, the microcomputer 16 selects a temperature used to determine whether or not to execute the limiting control for limiting the carrier frequency of the inverter 12 (hereinafter referred to as a temperature selection state), as shown in FIG. ) Based on the state using only the temperature detected based on the duty ratio based on the output of the temperature sense diode 20 (hereinafter referred to as the duty ratio state) and (B) the voltage AD value based on the output of the temperature sense diode 20. A state using only the detected temperature (hereinafter referred to as a voltage AD value state), and (C) a state using both a temperature based on the duty ratio and a temperature based on the voltage AD value (hereinafter referred to as a combined state). There is either. The microcomputer 16 changes the temperature selection state between the duty ratio state A, the voltage AD value state B, and the combined state C.

具体的には図4に示す如く、マイコン16は、温度選択状態がデューティ比状態Aであるときに、温度センスダイオード20からの電圧AD値が正常範囲内にあることでその異常判別結果が正常を示すものである一方、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にないことでその異常判別結果が異常を示すものであるNo.(1)条件が成立すると、温度選択状態をディーティ比状態Aから電圧AD値状態Bへ遷移させる。かかる電圧AD値状態Bでは、マイコン16は、温度センスダイオード20からの電圧AD値に基づいて検出する温度をインバータ12に生じている温度として選択し、インバータ12の温度を算出する。そして、その算出した温度を上記のキャリア周波数の制限制御の実行如何決定のために用いる。   Specifically, as shown in FIG. 4, when the temperature selection state is the duty ratio state A, the microcomputer 16 indicates that the abnormality determination result is normal because the voltage AD value from the temperature sense diode 20 is within the normal range. On the other hand, when the duty ratio from the temperature sensing diode 20 is not within the normal range, the abnormality determination result indicates abnormality. (1) When the condition is satisfied, the temperature selection state is changed from the duty ratio state A to the voltage AD value state B. In the voltage AD value state B, the microcomputer 16 selects the temperature detected based on the voltage AD value from the temperature sense diode 20 as the temperature generated in the inverter 12 and calculates the temperature of the inverter 12. Then, the calculated temperature is used to determine whether or not to execute the above-described carrier frequency limit control.

また、温度選択状態が電圧AD値状態Bであるときに、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にあることでその異常判別結果が正常を示すものであるNo.(2)条件が成立すると、温度選択状態を電圧AD値状態Bからディーティ比状態Aへ遷移させる。かかるディーティ比状態Aでは、マイコン16は、温度センスダイオード20からのデューティ比に基づいて検出する温度をインバータ12に生じている温度として選択し、インバータ12の温度を算出する。そして、その算出した温度を上記のキャリア周波数の制限制御の実行如何決定のために用いる。   Further, when the temperature selection state is the voltage AD value state B, the duty ratio from the temperature sense diode 20 is within the normal range, so that the abnormality determination result indicates normal. (2) When the condition is satisfied, the temperature selection state is changed from the voltage AD value state B to the duty ratio state A. In the duty ratio state A, the microcomputer 16 selects the temperature detected based on the duty ratio from the temperature sense diode 20 as the temperature generated in the inverter 12 and calculates the temperature of the inverter 12. Then, the calculated temperature is used to determine whether or not to execute the above-described carrier frequency limit control.

マイコン16は、温度選択状態がデューティ比状態Aであるときに、温度センスダイオード20からのデューティ比及び電圧AD値が共に正常範囲内にあることでそれらの異常判別結果が共に正常を示すものであると、更に、インバータ12のキャリア周波数の現在値が、現時点で選択・算出するインバータ12の温度に応じたキャリア周波数の上限値(すなわち、制限領域と非制限領域との境界)近傍にあるか否か(具体的には、その上限値には達しないがその上限値まで所定値未満となる値に達しているか否か)を判別する。すなわち、現時点で選択・算出するインバータ12の温度が、インバータ12のキャリア周波数の現在値に応じた所定の限界温度近傍にあるか否かを判別する。   When the temperature selection state is the duty ratio state A, the microcomputer 16 indicates that both the duty ratio from the temperature sensing diode 20 and the voltage AD value are within the normal range, and both of the abnormality determination results indicate normality. If there is, the current value of the carrier frequency of the inverter 12 is in the vicinity of the upper limit value of the carrier frequency corresponding to the temperature of the inverter 12 selected / calculated at the present time (that is, the boundary between the restricted region and the non-restricted region). (Specifically, whether or not the upper limit value has been reached but has reached a value that is less than a predetermined value up to the upper limit value). That is, it is determined whether or not the temperature of the inverter 12 selected / calculated at the present time is in the vicinity of a predetermined limit temperature corresponding to the current value of the carrier frequency of the inverter 12.

そして、そのキャリア周波数の現在値が温度に応じた上限値近傍にないと判別する場合は、温度選択状態をそのままデューティ状態Aに維持する。一方、そのキャリア周波数の現在値が温度に応じた上限値近傍にあると判別するNo.(3)条件が成立すると、温度選択状態をディーティ比状態Aから併用状態Cへ遷移させる。かかる併用状態Cでは、マイコン16は、温度センスダイオード20からの電圧AD値及びデューティ比に基づいてそれぞれ温度を検出すると共に(ステップ100,102)、インバータ12の温度が入ると予想される予想温度範囲を設定する(ステップ104)。   When it is determined that the current value of the carrier frequency is not near the upper limit value corresponding to the temperature, the temperature selection state is maintained in the duty state A as it is. On the other hand, it is determined that the current value of the carrier frequency is near the upper limit value according to the temperature. (3) When the condition is satisfied, the temperature selection state is changed from the duty ratio state A to the combined state C. In the combined state C, the microcomputer 16 detects the temperature based on the voltage AD value and the duty ratio from the temperature sensing diode 20 (steps 100 and 102), and the expected temperature at which the temperature of the inverter 12 is expected to enter. A range is set (step 104).

一般に、インバータ12の温度は、そのキャリア周波数が低くなるほど比例して低くなり、そのキャリア周波数が高くなるほど比例して高くなる。この点、キャリア周波数の過去値(前回値)から現在値(今回値)までの時間的変化と温度の過去値(前回値)とに基づいて、温度の現在値(今回値)を推定することが可能である。例えば、図6(A)に示す如く、キャリア周波数が過去値から現在値にかけて上昇するときは、温度の現在値が温度の過去値よりも高い位置にあるある程度の幅を持った予想温度範囲内にあると推定できる。また、図6(B)に示す如く、キャリア周波数が過去値から現在値にかけてあまり変化しないときは、温度の現在値が温度の過去値とほぼ同位置にあるある程度の幅を持った予想温度範囲内にあると推定できる。更に、図6(C)に示す如く、キャリア周波数が過去値から現在値にかけて下降するときは、温度の現在値が温度の過去値よりも低い位置にあるある程度の幅を持った予想温度範囲内にあると推定できる。   In general, the temperature of the inverter 12 decreases proportionally as the carrier frequency decreases, and increases proportionally as the carrier frequency increases. In this regard, the current temperature value (current value) is estimated based on the temporal change from the previous value (previous value) of the carrier frequency to the current value (current value) and the past value (previous value) of the temperature. Is possible. For example, as shown in FIG. 6A, when the carrier frequency increases from the past value to the current value, the current temperature value is within an expected temperature range having a certain range at a position higher than the past temperature value. It can be estimated that Further, as shown in FIG. 6B, when the carrier frequency does not change much from the past value to the present value, an expected temperature range having a certain range in which the present temperature value is substantially in the same position as the past temperature value. It can be estimated that it is within. Further, as shown in FIG. 6C, when the carrier frequency falls from the past value to the present value, the present temperature value falls within an expected temperature range having a certain range at a position lower than the past temperature value. It can be estimated that

そこで、マイコン16は、併用状態Cにおいて、インバータ12を駆動するうえで用いるキャリア周波数の現在値を特定すると、そのキャリア周波数をメモリに一時記憶する。また、マイコン16は、各温度選択状態においてインバータ12に生ずる温度を選択したとき、その温度をメモリに一時記憶する。尚、これらキャリア周波数及び温度のメモリへの一時記憶は、キャリア周波数及び温度がそれぞれ時系列的に少なくとも2つ得られる時間分だけ継続することとすればよい。マイコン16は、キャリア周波数の過去値(具体的には、現在から所定時間過去に得た前回値)から現在値(今回値)までの変化量を算出すると共に、そのキャリア周波数の過去値と同じ時点での温度の過去値をメモリから抽出する。   Therefore, when the microcomputer 16 specifies the current value of the carrier frequency used for driving the inverter 12 in the combined state C, the microcomputer 16 temporarily stores the carrier frequency in the memory. Further, when the microcomputer 16 selects a temperature generated in the inverter 12 in each temperature selection state, the microcomputer 16 temporarily stores the temperature in the memory. The temporary storage of the carrier frequency and temperature in the memory may be continued for a time period during which at least two carrier frequencies and temperatures are obtained in time series. The microcomputer 16 calculates the amount of change from the past value of the carrier frequency (specifically, the previous value obtained in the past for a predetermined time from the present) to the current value (current value), and is the same as the past value of the carrier frequency. The past temperature value at the time is extracted from the memory.

マイコン16は、併用状態Cにおいて、上記の如く算出したキャリア周波数の過去値から現在値までの変化量と、上記の如く抽出した温度の過去値と、に基づいて、そのキャリア周波数の現在値と同じ時点でインバータ12の温度が入ると予想される予想温度範囲を設定する(ステップ104)。この予想温度範囲は、キャリア周波数の過去値から現在値までの変化量が大きいほど温度の過去値から離れた位置に設定されることとすればよい。また、この予想温度範囲の幅は、様々なバラツキを考慮して設定されればよく、また、キャリア周波数の過去値から現在値までの変化量に関係なく一定であってもよいが、その変化量が大きくなるほど大きくされることとしてもよい。   In the combined state C, the microcomputer 16 determines the current value of the carrier frequency based on the amount of change from the previous value of the carrier frequency calculated as described above to the current value and the past value of the temperature extracted as described above. An expected temperature range in which the temperature of the inverter 12 is expected to enter at the same time is set (step 104). The expected temperature range may be set at a position farther from the past temperature value as the amount of change from the past value to the current value of the carrier frequency increases. The width of the expected temperature range may be set in consideration of various variations, and may be constant regardless of the amount of change from the past value to the current value of the carrier frequency. It may be increased as the amount increases.

マイコン16は、併用状態Cにおいて、上記の如く、温度センスダイオード20からの電圧AD値及びデューティ比に基づいてそれぞれ温度を検出し、かつ、上記の如く予想温度範囲を設定すると、それらの電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度がその予想温度範囲内に入っているか否かを判別する。そして、電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうちその予想温度範囲内に入っている温度を、インバータ12に生じている温度として選択し、インバータ12のキャリア周波数の制限制御の実行如何を決定するために用いる(ステップ106)。尚、電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度が共に予想温度範囲内に入っている場合は、高精度の温度を表すデューティ比に基づく温度をインバータ12に生じている温度として選択することとすればよい。   In the combined state C, the microcomputer 16 detects the temperature based on the voltage AD value and the duty ratio from the temperature sensing diode 20 as described above, and sets the expected temperature range as described above. It is determined whether the temperature based on the value and the temperature based on the duty ratio are within the expected temperature range. Then, the temperature within the expected temperature range is selected as the temperature generated in the inverter 12 among the temperature based on the voltage AD value and the temperature based on the duty ratio, and whether or not the carrier frequency limit control of the inverter 12 is executed. Is used to determine (step 106). When both the temperature based on the voltage AD value and the temperature based on the duty ratio are within the expected temperature range, the temperature based on the duty ratio representing the highly accurate temperature is selected as the temperature generated in the inverter 12. And it is sufficient.

また、マイコン16は、温度選択状態が併用状態Cであるとき、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にあることでその異常判別結果が正常を示すものでありかつ電圧AD値が正常範囲内にないことでその異常判別結果が異常を示すものであり、又は、インバータ12のキャリア周波数の現在値が現時点でのインバータ12の温度に応じた上限値近傍にないNo.(4)条件が成立するか否かを判別する。その判別の結果、デューティ比に基づく異常判別結果が正常を示すものでありかつ電圧AD値に基づく異常判別結果が異常を示すものであり、又は、キャリア周波数の現在値が現時点での温度に応じた上限値近傍にないことでNo.(4)条件が成立すると、温度選択状態を併用状態Cからディーティ比状態Aへ遷移させる。かかるデューティ比状態Aでは、マイコン16は、温度センスダイオード20からのデューティ比に基づいて検出する温度をインバータ12に生じている温度として選択し、インバータ12の温度を算出する。   Further, when the temperature selection state is the combined state C, the microcomputer 16 indicates that the abnormality determination result is normal and the voltage AD value is normal because the duty ratio from the temperature sense diode 20 is within the normal range. If the result is not within the range, the abnormality determination result indicates an abnormality, or the current value of the carrier frequency of the inverter 12 is not near the upper limit value according to the temperature of the inverter 12 at the present time. (4) It is determined whether or not the condition is satisfied. As a result of the determination, the abnormality determination result based on the duty ratio indicates normality and the abnormality determination result based on the voltage AD value indicates abnormality, or the current value of the carrier frequency depends on the current temperature. No. near the upper limit. (4) When the condition is satisfied, the temperature selection state is changed from the combined state C to the duty ratio state A. In the duty ratio state A, the microcomputer 16 selects the temperature detected based on the duty ratio from the temperature sense diode 20 as the temperature generated in the inverter 12 and calculates the temperature of the inverter 12.

一方、温度選択状態が併用状態Cであるときに、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にないことでその異常判別結果が異常を示すものであるNo.(5)条件が成立すると、温度選択状態を併用状態Cから電圧AD値状態Bへ遷移させる。かかる電圧AD値状態Bでは、マイコン16は、温度センスダイオード20からの電圧AD値に基づいて検出する温度をインバータ12に生じている温度として選択し、インバータ12の温度を算出する。   On the other hand, when the temperature selection state is the combination state C, the duty ratio from the temperature sensing diode 20 is not within the normal range, and the abnormality determination result indicates an abnormality. (5) When the condition is established, the temperature selection state is changed from the combined state C to the voltage AD value state B. In the voltage AD value state B, the microcomputer 16 selects the temperature detected based on the voltage AD value from the temperature sense diode 20 as the temperature generated in the inverter 12 and calculates the temperature of the inverter 12.

更に、マイコン16は、温度選択状態がデューティ比状態、電圧AD値状態B、又は併用状態Cであるときに、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にないことでその異常判別結果が異常を示すものでありかつ温度センスダイオード20からの電圧AD値が正常範囲内にないことでその異常判別結果が異常を示すものであるNo.(6)条件が成立すると、温度選択状態を各状態A,B,Cから温度センスダイオード20によるインバータ12の温度検出ができない異常状態へ遷移させて、上記の如くインバータ12の駆動制御についてフェールセーフ処理を行う。   Further, when the temperature selection state is the duty ratio state, the voltage AD value state B, or the combined state C, the microcomputer 16 determines that the abnormality determination result is that the duty ratio from the temperature sense diode 20 is not within the normal range. No. which indicates an abnormality and the abnormality discrimination result indicates an abnormality because the voltage AD value from the temperature sensing diode 20 is not within the normal range. (6) When the condition is satisfied, the temperature selection state is changed from each of the states A, B, and C to an abnormal state where the temperature of the inverter 12 cannot be detected by the temperature sense diode 20, and the drive control of the inverter 12 is failed-safe as described above. Process.

尚、この温度選択状態が異常状態であるときに、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にあることでその異常判別結果が正常を示すものであり又は温度センスダイオード20からの電圧AD値が正常範囲内にあることでその異常判別結果が正常を示すものであるNo.(7)条件が成立すると、温度選択状態を異常状態から状態A,B,Cへ適宜遷移させる。   When the temperature selection state is an abnormal state, the duty ratio from the temperature sense diode 20 is within the normal range, and the abnormality determination result indicates normality or the voltage AD from the temperature sense diode 20 When the value is within the normal range, the abnormality determination result indicates normal. (7) When the condition is satisfied, the temperature selection state is appropriately changed from the abnormal state to the states A, B, and C.

このように、本実施例の温度モニタシステム10においては、温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内にあるときは、通常、温度選択状態がデューティ比状態Aであることで、温度センスダイオード20からの電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうちデューティ比に基づく温度を、インバータ12に生じている温度として選択することができ、インバータ12のキャリア周波数の制限制御に用いることができる。   As described above, in the temperature monitoring system 10 of the present embodiment, when the duty ratio from the temperature sense diode 20 is within the normal range, the temperature selection state is normally the duty ratio state A. The temperature based on the duty ratio among the temperature based on the voltage AD value from 20 and the temperature based on the duty ratio can be selected as the temperature generated in the inverter 12, and can be used for the carrier frequency limiting control of the inverter 12. it can.

温度センスダイオード20からのデューティ比は、電圧AD値よりもインバータ12の温度を高精度に表している。従って、本実施例によれば、通常は、デューティ比に基づいて検出される高精度の温度がインバータ12に生じている温度として選択されるので、インバータ12の温度が所定の限界温度を超えた場合に実行されるキャリア周波数の制限制御の実行如何を精度よく決定することが可能である。   The duty ratio from the temperature sense diode 20 represents the temperature of the inverter 12 with higher accuracy than the voltage AD value. Therefore, according to the present embodiment, normally, the high-accuracy temperature detected based on the duty ratio is selected as the temperature generated in the inverter 12, so that the temperature of the inverter 12 exceeds a predetermined limit temperature. In this case, it is possible to accurately determine whether or not the carrier frequency limit control is executed.

一方、IC24の故障などに起因して温度センスダイオード20からのデューティ比が正常範囲内になくなったときにも、温度センスダイオード20からの電圧AD値が正常範囲内にあれば、温度選択状態が電圧AD値状態Bへ遷移するので、温度センスダイオード20からの電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうち電圧AD値に基づく温度を、インバータ12に生じている温度として選択することができ、インバータ12のキャリア周波数の制限制御に用いることができる。   On the other hand, when the duty ratio from the temperature sense diode 20 is not within the normal range due to a failure of the IC 24 or the like, if the voltage AD value from the temperature sense diode 20 is within the normal range, the temperature selection state is Since the transition is made to the voltage AD value state B, the temperature based on the voltage AD value out of the temperature based on the voltage AD value from the temperature sense diode 20 and the temperature based on the duty ratio can be selected as the temperature generated in the inverter 12. And can be used for limiting control of the carrier frequency of the inverter 12.

従って、本実施例によれば、IC24の故障などが生じたときにも、電圧AD値が正常範囲内にある限り、電圧AD値に基づいて検出される温度がインバータ12に生じている温度として選択されることでインバータ12の温度選択が継続されるので、インバータ12の温度選択が不可能となる事態を回避することができ、インバータ12の温度に基づくキャリア周波数の制限制御を実行継続することが可能である。この点、インバータ12のキャリア周波数の制限制御の実行如何を決定するのに用いるインバータ12の温度を選択・算出するうえで、温度センスダイオード20からの電圧AD値及びデューティ比を用いた2重系システムを構築することが可能である。   Therefore, according to the present embodiment, even when a failure of the IC 24 occurs, as long as the voltage AD value is within the normal range, the temperature detected based on the voltage AD value is the temperature generated in the inverter 12. Since the selection of the temperature of the inverter 12 is continued by being selected, a situation in which the temperature selection of the inverter 12 becomes impossible can be avoided, and the carrier frequency limit control based on the temperature of the inverter 12 can be continued. Is possible. In this respect, a dual system using the voltage AD value and the duty ratio from the temperature sensing diode 20 is used to select and calculate the temperature of the inverter 12 used to determine whether or not the carrier frequency limiting control of the inverter 12 is executed. It is possible to build a system.

また、本実施例の温度モニタシステム10においては、温度センスダイオード20からのデューティ比及び電圧AD値が共に正常範囲内にありかつインバータ12のキャリア周波数が温度に応じた上限値近傍にあるときは、温度選択状態が併用状態Cとなることで、そのキャリア周波数の過去値から現在値までの変化と温度の過去値とに基づいてインバータ12の温度の現在値が入ると予想される予想温度範囲を設定したうえで、温度センスダイオード20からの電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうちその予想温度範囲内に入る温度を、インバータ12に生じている温度として選択することができ、インバータ12のキャリア周波数の制限制御に用いることができる。   Further, in the temperature monitoring system 10 of the present embodiment, when the duty ratio and the voltage AD value from the temperature sensing diode 20 are both in the normal range and the carrier frequency of the inverter 12 is in the vicinity of the upper limit value corresponding to the temperature. The expected temperature range in which the current value of the inverter 12 is expected to enter based on the change from the previous value of the carrier frequency to the current value and the past value of the temperature when the temperature selection state becomes the combined state C. , A temperature that falls within the expected temperature range among the temperature based on the voltage AD value from the temperature sense diode 20 and the temperature based on the duty ratio can be selected as the temperature generated in the inverter 12, It can be used for carrier frequency limiting control of the inverter 12.

上記の如く、インバータ12の温度は、インバータ12のキャリア周波数が高くなるほど比例して高くなるので、その温度の現在値は、キャリア周波数の過去値から現在値までの時間的変化と温度の過去値とから推定されることが可能である。従って、本実施例によれば、温度センスダイオード20からのデューティ比及び電圧AD値が共に正常範囲内にありかつインバータ12のキャリア周波数が温度に応じた上限値近傍にあるとき(すなわち、温度選択状態が併用状態Cであるとき)は、電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうちキャリア周波数の時間的変化と温度の過去値とから定まる予想温度範囲内に入る温度がインバータ12に生じている温度として選択されるので、インバータ12の温度を選択・算出するうえでより精度が高く信頼性の向上した温度モニタを実現することが可能である。   As described above, since the temperature of the inverter 12 increases proportionally as the carrier frequency of the inverter 12 increases, the current value of the temperature is a temporal change from the past value of the carrier frequency to the present value and the past value of the temperature. It can be estimated from Therefore, according to this embodiment, when the duty ratio and the voltage AD value from the temperature sensing diode 20 are both within the normal range and the carrier frequency of the inverter 12 is in the vicinity of the upper limit value corresponding to the temperature (that is, the temperature selection). When the state is the combined state C), the temperature within the expected temperature range determined from the temporal change of the carrier frequency and the past temperature value among the temperature based on the voltage AD value and the temperature based on the duty ratio is input to the inverter 12. Since it is selected as the generated temperature, it is possible to realize a temperature monitor with higher accuracy and improved reliability in selecting and calculating the temperature of the inverter 12.

このため、インバータ12のキャリア周波数が温度に応じた上限値近傍にあって温度選択状態が併用状態Cであるときに、インバータ12の温度が所定の限界温度を超えた場合に実行されるインバータ12のキャリア周波数の制限制御の実行如何を精度よく決定することができる。この点、インバータ12の温度上昇に起因したそのインバータ12を構成する半導体素子などの部品の故障の未然防止を確実に実現することができると共に、また、インバータ12を構成する半導体素子などの耐性温度とキャリア周波数の制限制御に用いる閾値としての所定の限界温度との間に大きなマージンを設けることは不要であるので、インバータ12の耐性温度を緩和することができ、その結果として、車載部品の低コスト化を図ることができる。   Therefore, when the carrier frequency of the inverter 12 is in the vicinity of the upper limit value corresponding to the temperature and the temperature selection state is the combined state C, the inverter 12 that is executed when the temperature of the inverter 12 exceeds a predetermined limit temperature. It is possible to accurately determine whether the carrier frequency limit control is executed. In this respect, it is possible to reliably prevent failure of components such as the semiconductor elements constituting the inverter 12 due to the temperature rise of the inverter 12 and tolerate the temperature resistance of the semiconductor elements constituting the inverter 12. And a predetermined marginal temperature as a threshold used for carrier frequency limit control need not be provided with a large margin, so that the tolerable temperature of the inverter 12 can be relaxed. Cost can be reduced.

更に、本実施例の温度モニタシステム10においては、インバータ12のキャリア周波数の制限制御の実行如何を決定するのに用いるインバータ12の温度を選択・算出するうえで温度センスダイオード20からの電圧AD値及びデューティ比を用いた2重系システムが、IC24などの故障時に選択的に利用されるだけでなく、正常時にも選択的に利用される。   Further, in the temperature monitoring system 10 of this embodiment, the voltage AD value from the temperature sensing diode 20 is used to select and calculate the temperature of the inverter 12 used to determine whether or not the carrier frequency limiting control of the inverter 12 is executed. In addition, the dual system using the duty ratio is selectively used not only when the IC 24 or the like fails but also selectively during normal operation.

具体的には、温度センスダイオード20からの電圧AD値及びデューティ比の何れか一方が正常範囲内にあるときは、その正常範囲内にあるものに基づく温度がインバータ12の温度として選択される。また、電圧AD値及びデューティ比の双方が正常範囲内にあるときは、原則として、温度を高精度に表すディーティ比に基づく温度がインバータ12の温度として選択される一方、更にインバータ12のキャリア周波数がそのキャリア周波数の制限制御を実行するうえで信頼性が要求される領域にあるときに限っては、電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうち所定の予想温度範囲内に入る温度がインバータ12の温度として選択される。   Specifically, when either one of the voltage AD value from the temperature sensing diode 20 and the duty ratio are within the normal range, the temperature based on the voltage AD value and the duty ratio is selected as the temperature of the inverter 12. When both the voltage AD value and the duty ratio are within the normal range, in principle, the temperature based on the duty ratio that represents the temperature with high accuracy is selected as the temperature of the inverter 12, while the carrier frequency of the inverter 12 is further increased. Is within the predetermined expected temperature range out of the temperature based on the voltage AD value and the temperature based on the duty ratio, only when it is in a region where reliability is required to execute the limit control of the carrier frequency. Is selected as the temperature of the inverter 12.

従って、本実施例によれば、上記の2重系システムを、故障対応だけでなく、インバータ12のキャリア周波数の制限制御を実行するうえでの信頼性向上対応にも利用することができる。また、電圧AD値及びデューティ比の双方が正常範囲内にあるときに常に所定の予想温度範囲内に入る温度をインバータ12の温度として選択する構成に比べて、予想温度範囲の設定処理及びその後の温度選択処理を行う機会が限定されるので、インバータ12の温度選択を行ううえで或いはインバータ12のキャリア周波数の制限制御を実行するうえで処理負荷が増加するのを抑えることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the above-described dual system can be used not only for failure handling but also for reliability improvement in executing limit control of the carrier frequency of the inverter 12. Compared to the configuration in which the temperature that always falls within the predetermined expected temperature range when both the voltage AD value and the duty ratio are within the normal range is selected as the temperature of the inverter 12, the setting process of the expected temperature range and the subsequent steps Since the opportunity to perform the temperature selection process is limited, it is possible to suppress an increase in the processing load when performing the temperature selection of the inverter 12 or when performing the limit control of the carrier frequency of the inverter 12.

尚、本実施例の温度モニタシステム10は、昇圧コンバータ14側すなわち温度センスダイオード22側でもインバータ12側すなわち温度センスダイオード20側の処理と同様の処理を実行するので、昇圧コンバータ14側でもインバータ12側の効果と同様の効果を得ることができる。   The temperature monitoring system 10 of the present embodiment executes the same processing as the processing on the boost converter 14 side, that is, the temperature sense diode 22 side, and also on the inverter 12 side, that is, the temperature sense diode 20 side. The same effect as the side effect can be obtained.

ところで、上記の実施例においては、IC24,26が特許請求の範囲に記載した「変換手段」に、マイコン16が温度センスダイオード20,22からの電圧AD値に基づいてインバータ12又は昇圧コンバータ14の温度を検出することが特許請求の範囲に記載した「第1の温度検出手段」に、マイコン16がIC24,26からのデューティ比に基づいてインバータ12又は昇圧コンバータ14の温度を検出することが特許請求の範囲に記載した「第2の温度検出手段」に、マイコン16がインバータ12又は昇圧コンバータ14の温度が所定の限界温度を超えた場合に所定のインバータ12又は昇圧コンバータ14のキャリア周波数を制限する制限制御を実行することが特許請求の範囲に記載した「キャリア周波数制限手段」に、マイコン16がインバータ12又は昇圧コンバータ14のキャリア周波数の過去値から現在値までの変化と温度の過去値とに基づいてインバータ12の温度の現在値が入ると予想される予想温度範囲を設定することが特許請求の範囲に記載した「予想温度範囲設定手段」に、マイコン16が電圧AD値に基づく温度及びデューティ比に基づく温度のうち予想温度範囲内に入る温度をインバータ又は昇圧コンバータ14の温度として選択することが特許請求の範囲に記載した「温度選択手段」に、それぞれ相当している。   By the way, in the above embodiment, the ICs 24 and 26 are replaced with the “conversion means” described in the claims, and the microcomputer 16 is connected to the inverter 12 or the boost converter 14 based on the voltage AD value from the temperature sense diodes 20 and 22. According to the “first temperature detecting means” described in the claims, the microcomputer 16 detects the temperature of the inverter 12 or the boost converter 14 based on the duty ratio from the ICs 24 and 26. In the “second temperature detection means” described in the claims, the microcomputer 16 limits the carrier frequency of the predetermined inverter 12 or boost converter 14 when the temperature of the inverter 12 or boost converter 14 exceeds a predetermined limit temperature. In order to execute the limiting control, the “carrier frequency limiting means” described in the claims The controller 16 sets an expected temperature range in which the current value of the inverter 12 is expected to enter based on the change from the past value to the current value of the carrier frequency of the inverter 12 or the boost converter 14 and the past value of the temperature. In the “expected temperature range setting means” described in the claims, the temperature at which the microcomputer 16 falls within the expected temperature range among the temperature based on the voltage AD value and the temperature based on the duty ratio is set as the temperature of the inverter or boost converter 14. The selection corresponds to the “temperature selection means” described in the claims.

また、上記の実施例においては、インバータ12又は昇圧コンバータ14に生ずる温度が所定の限界温度を超えている場合に、そのインバータ12又は昇圧コンバータ14を駆動するうえで用いるキャリア周波数を制限する制限制御を実行するが、キャリア周波数の制限制御はこれに限定されるものではなく、インバータ12又は昇圧コンバータ14に生ずる温度に応じてキャリア周波数を制限するものであればよく、例えば、その温度が高いほどキャリア周波数を下げ、その温度が所定の限界温度に達した場合にキャリア周波数をその時点におけるものから一律に下げ、又はその温度が所定の限界温度を超えている状態が継続する場合に単位時間ごとにキャリア周波数を所定数ずつ下げるものであってもよい。   Further, in the above embodiment, when the temperature generated in the inverter 12 or the boost converter 14 exceeds a predetermined limit temperature, the limit control that limits the carrier frequency used for driving the inverter 12 or the boost converter 14. However, the carrier frequency limit control is not limited to this, and any carrier frequency may be limited depending on the temperature generated in the inverter 12 or the boost converter 14, for example, the higher the temperature, the higher the temperature. When the carrier frequency is lowered and the temperature reaches a predetermined limit temperature, the carrier frequency is uniformly lowered from that at that time, or when the temperature continues to exceed the predetermined limit temperature every unit time Alternatively, the carrier frequency may be lowered by a predetermined number.

また、キャリア周波数の制限制御は、インバータ12又は昇圧コンバータ14に生ずる温度に応じてキャリア周波数の上限値を下げるものであってもよい。例えば、温度が高いほどキャリア周波数の上限値を低くすることで、キャリア周波数をその上限値範囲(すなわち、非制限領域)内に設定するものであってもよい。この場合、キャリア周波数の上限値と温度との関係は、図2に示す如くリニアに変化するものであってもよいが、階段状に変化するものであってもよい。   Further, the carrier frequency restriction control may be one that lowers the upper limit value of the carrier frequency in accordance with the temperature generated in the inverter 12 or the boost converter 14. For example, the carrier frequency may be set within the upper limit value range (that is, the unrestricted region) by lowering the upper limit value of the carrier frequency as the temperature is higher. In this case, the relationship between the upper limit value of the carrier frequency and the temperature may change linearly as shown in FIG. 2, or may change stepwise.

また、上記の実施例においては、IC24,26で温度センスダイオード20,22の出力を半導体素子の温度をデューティ比で表したディーティ信号に変換することで、温度を高精度に示す高精度信号を出力することとしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の手法で温度を高精度に示す高精度信号を出力するものに適用することとしてもよい。   In the above embodiment, the IC 24, 26 converts the output of the temperature sensing diodes 20, 22 into a duty signal in which the temperature of the semiconductor element is represented by a duty ratio, thereby generating a high-accuracy signal indicating the temperature with high accuracy. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to one that outputs a high-accuracy signal indicating the temperature with high accuracy by another method.

更に、上記の実施例においては、インバータ12又は昇圧コンバータ14に生ずる温度についての精度の高いモニタを、インバータ12側の処理及び昇圧コンバータ14側の処理の双方で行うものであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、何れか一方においてのみ行うものであってもよい。   Further, in the above embodiment, high-accuracy monitoring of the temperature generated in the inverter 12 or the boost converter 14 is performed by both the processing on the inverter 12 side and the processing on the boost converter 14 side. It is not limited to this, and it may be performed only in either one.

10 モータ制御用温度モニタシステム
12 インバータ
14 昇圧コンバータ
16 マイコン
18 MG−ECU
20,22 温度センスダイオード
24,26 IC
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Motor control temperature monitoring system 12 Inverter 14 Boost converter 16 Microcomputer 18 MG-ECU
20, 22 Temperature sense diode 24, 26 IC

Claims (8)

モータ制御を行うインバータ又はコンバータに生ずる温度に応じた信号を出力する温度センスダイオードと、
前記温度センスダイオードの出力信号を前記温度を高精度に示す高精度信号に変換する変換手段と、
前記温度センスダイオードの出力信号を処理して前記温度として第1の温度を検出する第1の温度検出手段と、
前記変換手段により得られた前記高精度信号を処理して前記温度として第2の温度を検出する第2の温度検出手段と、
前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度又は前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度に応じて、前記インバータ又は前記コンバータを駆動するうえで用いるキャリア周波数を制限するキャリア周波数制限手段と、
前記キャリア周波数に基づいて前記温度が入ると予想される予想温度範囲を設定する予想温度範囲設定手段と、
前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度及び前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度のうち、前記予想温度範囲設定手段により設定される前記予想温度範囲内に入る温度を、前記キャリア周波数制限手段において用いる前記温度として選択する温度選択手段と、
を備えることを特徴とするモータ制御用温度モニタシステム。
A temperature sensing diode that outputs a signal corresponding to the temperature generated in the inverter or converter that performs motor control;
Conversion means for converting the output signal of the temperature sensing diode into a high precision signal indicating the temperature with high precision;
First temperature detecting means for processing an output signal of the temperature sensing diode and detecting a first temperature as the temperature ;
Second temperature detecting means for processing the high-accuracy signal obtained by the converting means and detecting a second temperature as the temperature ;
In response to the second temperature detected by the first temperature or the second temperature detecting means is detected by said first temperature detecting means, the carrier frequency used in order to drive the inverter or the converter Carrier frequency limiting means for limiting
An expected temperature range setting means for setting an expected temperature range where the temperature is expected to enter based on the carrier frequency;
Of the second temperature detected by said first temperature and said second temperature detecting means is detected by said first temperature sensing means, the expected temperature range to be set by the expected temperature range setting means a temperature selection means for the incoming Ru temperature, is selected as the temperature used in the carrier frequency limiting means within,
A temperature monitoring system for motor control, comprising:
前記キャリア周波数制限手段は、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度又は前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度が所定の限界温度を超えている場合に、前記キャリア周波数を低くすることを特徴とする請求項1記載のモータ制御用温度モニタシステム。 The carrier frequency limiting means, when the second temperature detected by the first temperature or the second temperature detecting means is detected by said first temperature detecting means exceeds a predetermined limit temperature 2. The motor control temperature monitoring system according to claim 1, wherein the carrier frequency is lowered. 前記キャリア周波数制限手段は、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度又は前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度が高いほど、前記キャリア周波数の上限値を低くすることを特徴とする請求項1記載のモータ制御用温度モニタシステム。 The carrier frequency limiting means, as the second temperature is higher, which is detected by the first temperature or the second temperature detecting means is detected by said first temperature sensing means, the upper limit of the carrier frequency The temperature monitoring system for motor control according to claim 1, wherein the temperature is lowered. 前記予想温度範囲設定手段は、前記キャリア周波数の過去値から現在値までの変化と前記温度の過去値とに基づいて前記予想温度範囲を設定することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載のモータ制御用温度モニタシステム。   4. The predicted temperature range setting means sets the predicted temperature range based on a change from a past value to a present value of the carrier frequency and a past value of the temperature. The temperature monitoring system for motor control according to one item. 前記温度選択手段は、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度及び前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度が共に前記予想温度範囲内に入る場合は、前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度を前記キャリア周波数制限手段において用いる前記温度として選択することを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項記載のモータ制御用温度モニタシステム。 It said temperature selection means, when the second temperature detected by said first temperature and said second temperature detecting means is detected by said first temperature detecting means are both fall within the expected temperature range , claims 1 to motor control according to one of 4 the second temperature detected by the second temperature detecting means and selects as the temperature used in the carrier frequency limiting means Temperature monitoring system. 前記温度選択手段は、また、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度及び前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度のうち、所定の正常範囲に入る温度を、前記キャリア周波数制限手段において用いる前記温度として選択することを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載のモータ制御用温度モニタシステム。 The temperature selection means also of the second temperature detected by the first of the first detected by the temperature detecting means of the temperature and the second temperature sensing means, enter a predetermined normal range It claims 1 to 5 temperature monitoring system for motor control according to one of and selects as the temperature used in that the temperature, the carrier frequency limiting means. 前記温度選択手段は、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度及び前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度が共に前記所定の正常範囲内に入る場合において、前記キャリア周波数が温度に応じた制限領域と非制限領域との境界近傍にないときは、前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度を前記キャリア周波数制限手段において用いる前記温度として選択し、一方、前記キャリア周波数が温度に応じた制限領域と非制限領域との境界近傍にあるときは、前記第1の温度検出手段により検出される前記第1の温度及び前記第2の温度検出手段により検出される前記第2の温度のうち、前記予想温度範囲設定手段により設定される前記予想温度範囲内に入る温度を、前記キャリア周波数制限手段において用いる前記温度として選択することを特徴とする請求項6記載のモータ制御用温度モニタシステム。 It said temperature selection means, when the first of the first detected by the temperature detecting means of the temperature and the second temperature detected by said second temperature detecting means are both entered in the predetermined normal range in, when not in the vicinity of the boundary between the carrier confinement region and a non-restricted area where frequency corresponding to the temperature is used the second temperature detected by said second temperature detecting means at said carrier frequency limiting means is selected as the temperature, whereas, when said carrier frequency is in the vicinity of the boundary between the restricted area and the non-restricted area according to temperature, said first temperature and said detected by the first temperature detecting means of the second temperature detected by the second temperature detecting means, the expected temperature input Ru temperature within the range set by the expected temperature range setting means, the carrier frequency limiting means Temperature monitoring system for motor control according to claim 6, wherein the selecting as the temperature used Oite. 前記変換手段は、前記温度センスダイオードの出力信号を前記高精度信号としての前記温度をデューティ比で表したデューティ信号に変換することを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項記載のモータ制御用温度モニタシステム。   The motor according to any one of claims 1 to 7, wherein the conversion means converts an output signal of the temperature sensing diode into a duty signal representing the temperature as the high-precision signal by a duty ratio. Temperature monitoring system for control.
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