JP5725494B2 - 有機半導体材料並びに有機半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、この有機半導体材料は、大気中や溶媒中で不安定である。すなわち、大気中や溶媒中に放置すると、酸化等により分解し、一両日で半導体としての性能を失う。
また、この材料を用いて作成した半導体装置は、その移動度が小さい。従って、特性として必ずしも優れた半導体装置を作成することができない。
さらに、この材料を用いて薄膜の形成を行う場合、薄膜中の結晶は3次的に成長するために、膜は凹凸の多いものになり、トランジスタとしての性能は低いものとならざるを得ない。
薄膜の形成を行う場合、二次元的に成長が起こり、凹凸が少なく優れたトランジスタ性能を達成することが可能な有機半導体材料を提供することを目的とする。
また、経時的変化も無く、優れた移動度を示す半導体装置を提供することを目的とする。
下記の式1で表される有機半導体材料である。
(式1)
R1は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基である。
R2は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基である。
請求項1記載の有機半導体材料を用いて半導体層を形成した有機半導体装置である。
参考発明として、下記の式2の表される有機半導体材料である。
(式2)
R1は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基である。
R2は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基である。
本発明の半導体材料は、大気中あるいは溶媒中に長期保存しても酸化されない。
本発明の半導体装置は、大気中においても半導体特性が劣化しない。
本発明の半導体材料は、溶媒と接触させても特性が変化しない。
本発明の半導体材料は、蒸着法などのドライプロセスのみならず、溶液を塗布して乾燥させるドロップキャスト法、スピンコート法、インクジェット法などの印刷法などのウエットプロセスにより特性の劣化の生じない膜の形成が可能である。
本例では、有機半導体材料としてDSTT(2,5’-ジスチリルチエノ[3,2-b]チオフェン:2,5’-Distyril-thieno[3,2-b]thiophene)及びその誘導体の4種類を用いた。
すなわち、式1におけるRとして次の4種類の材料を用いた。
R=H
R=ブチル(Butyl)
R=ヘキシル(Hexyl)
R=オクチル(Octyl)
粉末である有機半導体材料を坩堝に投入し、基板が配置された真空室内において蒸着を行うことにより有機半導体薄膜を形成した。
基板温度は30℃とした。
(実施例2)
本例では、薄膜形成時の基板温度を80℃とした。他の点は実施例1と同様である。
(実施例3)
本例では、有機半導体材料としてDS2TT(5,5’-ジスチリル2,2’-ビチエノ[3,2-b]チオフェン:5,5’-Distyril-2,2'bithieno[3,2-b]thiophene)及びその誘導体の4種類を用いた。すなわち、式2におけるRとして次の4種類の材料を用いた。
R=H
R=ブチル(Butyl)
R=ヘキシル(Hexyl)
R=オクチル(Octyl)
他の点は実施例1と同様とした。
(実施例4)
本例では、薄膜形成時の基板温度を80℃とした。他の点は実施例3と同様とした。
(比較例)
材料として(化1)で示したDS2Tを用いた。他の点は、実施例2と同様とした。
[評価]
(AFM観察:膜表面形状)
成膜後の膜表面をAFM(原子間力顕微鏡)で観察した。
それぞれの観察結果を図1〜図4に示す。
図1は実施例1、図2は実施例2、図3は実施例3、図4は実施例4をそれぞれ示している。
DSTT(non-alkyl)、DS2TT(non-alkyl)の場合は、三次元的な成長をしている。それに対して、アルキルが付いた誘導体の場合には、二次元的な成長を示している。
DSTT、DS2TT(Non-alkyl)の場合は、図5の左側に示す状態で成長している。すなわち、三次元的に成長しており、表面は凹凸状態となっている。それに対し、誘導体の場合には、図5の右側に示すように二次元的に成長しており表面の凹凸も少ない。
特に図3に示すように、アルキルを付加した誘導体は、DS2TT(Non-alkyl)に比べ、粒が小さいにもかかわらず、後に示す移動度において優れた特性と示している。従って、粒径を」大きくすればより優れた特性が期待される。
なお、粒径を大きくするためには、基板温度を上げる、蒸着速度を遅くする、成膜時に大きな磁場をかけるなどの手法をとればよい。
(XRD:X線回折)
膜をXRD(X線回折装置)により回折した。その結果を図6、図7に示す。
図6,7において、aで示した線は基板温度30℃の場合を示し、bで示した線は基板温度80℃の場合を示している。
アルキル基Rの鎖長が長くなるほどピーク間間隔が小さくなっており、層状に膜が形成されていることがわかる。
(トランジスタ特性)
図8に示す構成のトランジスタを作成し、その移動度を調べた。その結果、以下の移動度が得られた。
・DSTT(実施例1、2)
単位:m(cm2/Vs)
R=H (non-alkyl) 4.35×10-3 m(cm2/Vs)
R=ブチル(Butyl) 2.67×10-2 m(cm2/Vs)
R=ヘキシル(Hexyl) 4.08×10-3 m(cm2/Vs)
R=オクチル(Octyl) 9.88×10-3 m(cm2/Vs)
・DS2TT(実施例3,4)
単位:m(cm2/Vs)
R=H (non-alkyl) 3.95×10-2 m(cm2/Vs)
R=ブチル(Butyl) 6.8×10-2 m(cm2/Vs)
R=ヘキシル(Hexyl) 4.08×10-2 m(cm2/Vs)
R=オクチル(Octyl) 1.88×10-2 m(cm2/Vs)
(耐酸化特性)
実施例1、実施例3、比較例で用いた有機半導体材料を、有機溶媒に溶解させ、そのまま大気中に放置し経時変化を調べた。
比較例(DS2T)については、2日後に酸化が始まった。
それに対して、実施例1、実施例3で用いた有機半導体材料は30日経過した後にも酸化が生じていなかった。
従って、実施例1,3で用いた材料は、溶液を塗布して乾燥させるドロップキャスト法やスピンコート法その他の印刷法によっても薄膜の形成が可能であることがわかる。
また、半導体特性として移動度の経時変化を大気中で調査したところ、比較例の場合は、2日経過後に移動度の低下が認められたが、実施例1,3で用いた材料の場合は、30日経過後においても移動度の低下は認められなかった。
なお、移動度の結果を表1に示す。
Claims (2)
- 下記の式1で表される有機半導体材料。
(式1)
R1は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基である。
R2は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はオクチル基である。
- 請求項1記載の有機半導体材料を用いて半導体層を形成した有機半導体装置。
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