JP5716858B2 - Printed wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、マイクロ波、ミリ波の導波路構造、及びそれを備えるプリント配線板に関し、特に電磁波伝播を抑制するエレクトロマグネティックバンドギャップ(EBG)構造、及びそれを備えるプリント配線板に関する。   The present invention relates to a microwave and millimeter wave waveguide structure and a printed wiring board including the same, and more particularly to an electromagnetic band gap (EBG) structure that suppresses propagation of electromagnetic waves and a printed wiring board including the same.

近年、導体パッチ等を周期的に配列させることで、電磁波の周波数分散を人工的に制御する方法が提案されている。このような構造のうち、周波数分散にバンドギャップを有するように構成された構造は、EBG構造と呼ばれ、プリント基板やデバイスパッケージ基板における不要ノイズの伝播を抑制するフィルタとしての応用が期待されている。   In recent years, a method for artificially controlling the frequency dispersion of electromagnetic waves by periodically arranging conductor patches and the like has been proposed. Among such structures, a structure configured to have a band gap in frequency dispersion is called an EBG structure, and is expected to be applied as a filter that suppresses the propagation of unnecessary noise on printed circuit boards and device package substrates. Yes.

従来、平行平板間を伝播するノイズの抑制を目的としたEBG構造として、例えば特許文献1に記載されている構造が知られている。このEBG構造は、平行平板間の第3層に設けられ、平行平板の一方の導体プレーンとの間でキャパシタンスを持つように構成された導体パッチと、前記導体パッチと平行平板の他方の導体プレーンとを接続する導体ビアと、からなるアドミタンス部を有し、このアドミタンス部が平行平板に沿って1次元又は2次元に周期的に配置されている。このEBG構造によれば、アドミタンス部がインダクタンス性となる周波数帯にバンドギャップが出現するため、アドミタンス部のLC直列共振周波数を制御することによってバンドギャップ帯域を設計することができる。
しかしながら、上記したEBG構造では十分なキャパシタンスやインダクタンスを確保するため、導体パッチの面積を大きくしたり、導体ビアを長くしたりする必要があり、小型化が困難という課題があった。
そこで、従来、例えば特許文献2に記載されているように、チップキャパシタを表面実装して、導体プレーンと導体パッチの間に並列に接続する構造が提案されている。この構造によれば、導体パッチの面積を大きくすることなくキャパシタンスを増加させている。
Conventionally, for example, a structure described in Patent Document 1 is known as an EBG structure aimed at suppressing noise propagating between parallel plates. This EBG structure is provided in a third layer between parallel flat plates, and is configured to have a capacitance between one conductor plane of the parallel plates and the conductor patch and the other conductor plane of the parallel plates. And an admittance portion composed of conductive vias that connect to each other, and the admittance portion is periodically arranged in one or two dimensions along a parallel plate. According to this EBG structure, since a band gap appears in a frequency band in which the admittance part becomes inductive, the band gap band can be designed by controlling the LC series resonance frequency of the admittance part.
However, in the above-described EBG structure, in order to ensure sufficient capacitance and inductance, it is necessary to increase the area of the conductor patch or lengthen the conductor via, and there is a problem that miniaturization is difficult.
Thus, conventionally, as described in Patent Document 2, for example, a structure in which a chip capacitor is surface-mounted and connected in parallel between a conductor plane and a conductor patch has been proposed. According to this structure, the capacitance is increased without increasing the area of the conductor patch.

米国特許出願公開第2005/0195051A1号明細書US Patent Application Publication No. 2005 / 0195051A1 米国特許出願公開第2005/0205292A1号明細書US Patent Application Publication No. 2005 / 0205292A1

しかしながら、上記した特許文献2のようにチップキャパシタを使用する場合、部品点数が増えるため、製造コストが増加する問題点がある。   However, when a chip capacitor is used as in Patent Document 2 described above, there is a problem that the manufacturing cost increases because the number of parts increases.

本発明はかかる課題を解決するためになされたものであり、小型化可能なEBG構造(導波路構造)を、チップ部品を用いることなく低コストに実現し提供すること、およびそれを用いたプリント基板やパッケージ基板(プリント配線板)、および電子装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and can provide an EBG structure (waveguide structure) that can be miniaturized at low cost without using a chip component, and a print using the EBG structure. It is an object to provide a substrate, a package substrate (printed wiring board), and an electronic device.

本発明に係る導波路構造は、少なくとも、平行に配設された第1、第2の導体プレーンと単位構造とを備えている。単位構造は、前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、該第2の導体プレーンをリターンパスとし、一端がオープン端となっている伝送線路と、該伝送線路の他端と前記第1の導体プレーンとを電気的に接続する導体ビアと、を有する。この単位構造は複数配列されている。   The waveguide structure according to the present invention includes at least first and second conductor planes and a unit structure arranged in parallel. The unit structure is disposed in a different layer from the first conductor plane and the second conductor plane, the transmission line having the second conductor plane as a return path and one end being an open end, and the transmission A conductor via for electrically connecting the other end of the line and the first conductor plane; A plurality of unit structures are arranged.

このように、本発明に係る導波路構造は、従来キャパシタンス成分とインダクタンス成分で構成されていたアドミタンス部に、オープンスタブ(オープン端)を有する点が特徴的である。オープンスタブはスタブ長に依存するインピーダンス変換効果によって、特定周波数帯でインダクタンス性となるため、スタブ長を調整することで所望の周波数帯にバンドギャップを生じさせることができる。バンドギャップの低周波化にはスタブ長を長くする必要があるが、必ずしも面積を必要としないため、従来技術に比べて実装面積を大幅に削減することができる。また本発明のEBG構造では、チップ部品を使用しないため、製造工程・コストを低減することが可能となる。   As described above, the waveguide structure according to the present invention is characterized in that it has an open stub (open end) in the admittance portion that has been conventionally constituted by a capacitance component and an inductance component. Since the open stub becomes inductive in a specific frequency band due to an impedance conversion effect that depends on the stub length, a band gap can be generated in a desired frequency band by adjusting the stub length. Although it is necessary to increase the stub length in order to reduce the frequency of the band gap, since the area is not necessarily required, the mounting area can be greatly reduced as compared with the prior art. In addition, since the EBG structure of the present invention does not use chip parts, it is possible to reduce the manufacturing process and cost.

また、本発明に係る導波路構造は、前記伝送線路が、前記第2の導体プレーンに対して、前記第1の導体プレーンの反対側に設けられ、前記第2の導体プレーンの前記導体ビアに対応した位置にクリアランスが設けられていることで、前記第2の導体プレーンと前記導体ビアとが電気的に切り離されていることが好ましい。   In the waveguide structure according to the present invention, the transmission line is provided on the opposite side of the first conductor plane with respect to the second conductor plane, and is formed in the conductor via of the second conductor plane. It is preferable that the second conductor plane and the conductor via are electrically separated by providing a clearance at a corresponding position.

また、本発明に係る導波路構造は、前記伝送線路が誘電体層によって覆われていることが好ましい。   In the waveguide structure according to the present invention, the transmission line is preferably covered with a dielectric layer.

また、本発明に係る導波路構造は、前記伝送線路が、前記第1の導体プレーンと前記第2の導体プレーンとで挟まれた領域の内側に設けられていることが好ましい。   In the waveguide structure according to the present invention, it is preferable that the transmission line is provided inside a region sandwiched between the first conductor plane and the second conductor plane.

また、本発明に係る導波路構造は、単位構造が、前記第1の導体プレーンと前記2の導体プレーンとの間に配設され、該第2の導体プレーンをリターンパスとする第1の伝送線路と、前記第2の導体プレーンに対して前記第1の導体プレーンの反対側に設けられ、前記第2の導体プレーンをリターンパスとし、一端がオープン端となっている第2の伝送線路と、前記第1の伝送線路の一端と前記第1の導体プレーンとを電気的に接続する第1の導体ビアと、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する第2の導体ビアと、を有しており、この単位構造が1次元又は2次元に周期的に配列されており、前記第2の導体プレーンの前記第2の導体ビアに対応した位置にクリアランスが設けられていることで、前記第2の導体プレーンと前記第2の導体ビアとが電気的に切り離されている構成であってもよい。   In the waveguide structure according to the present invention, the unit structure is disposed between the first conductor plane and the second conductor plane, and the first transmission using the second conductor plane as a return path. A second transmission line provided on the opposite side of the first conductor plane with respect to the second conductor plane, the second conductor plane serving as a return path, and one end being an open end; , A first conductor via for electrically connecting one end of the first transmission line and the first conductor plane, the other end of the first transmission line, and the other end of the second transmission line, The second conductor vias of the second conductor plane, wherein the unit structures are periodically arranged one-dimensionally or two-dimensionally. With a clearance provided at a position corresponding to Said two conductive plane second conductive via may be configured to have electrically disconnected.

また、本発明に係る導波路構造は、単位構造が、前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、前記第1の導体プレーンをリターンパスとし、一端がオープン端となっている第1の伝送線路と、前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、該第2の導体プレーンをリターンパスとし、一端がオープン端となっている第2の伝送線路と、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する導体ビアと、を有しており、この単位構造が1次元又は2次元に周期的に配列されている構成であってもよい。   In the waveguide structure according to the present invention, the unit structure is arranged in a different layer from the first conductor plane and the second conductor plane, the first conductor plane is used as a return path, and one end is open. The first transmission line that is the end, and the first conductor plane and the second conductor plane are arranged in a different layer, the second conductor plane serves as a return path, and one end is an open end. A second transmission line, and a conductor via that electrically connects the other end of the first transmission line and the other end of the second transmission line. The structure arranged periodically in two dimensions or two dimensions may be used.

また、本発明に係る導波路構造は、前記第1の伝送線路及び前記第2の伝送線路のうちの少なくとも一方が、前記第1の導体プレーンと前記第2の導体プレーンとで挟まれた領域の外側に配設され、前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンのうちの少なくとも一方の前記導体ビアに対応した位置にクリアランスが設けられていることで、前記第1の導体プレーンと前記導体ビア、及び前記第2の導体プレーンと前記導体ビアとが電気的に切り離されていることが好ましい。   In the waveguide structure according to the present invention, at least one of the first transmission line and the second transmission line is a region sandwiched between the first conductor plane and the second conductor plane. The clearance is provided at a position corresponding to the conductor via of at least one of the first conductor plane and the second conductor plane. It is preferable that the conductor via, the second conductor plane, and the conductor via are electrically separated.

また、本発明に係る導波路構造は、単位構造が、前記第1の導体プレーンと前記2の導体プレーンとの間に配設され、該第2の導体プレーンをリターンパスとする第1の伝送線路と、前記第2の導体プレーンに対して前記第1の導体プレーンの反対側に設けられ、前記第2の導体プレーンをリターンパスとし、一端がオープン端となっている第2の伝送線路と、前記第1の導体プレーンと前記第1の伝送線路との間に配設され、前記第1の導体プレーンをリターンパスとする第3の伝送線路と、前記第1の導体プレーンに対して前記第2の導体プレーンの反対側に設けられ、前記第1の導体プレーンをリターンパスとし、一端がオープン端となっている第4の伝送線路と、前記第1の伝送線路の一端と前記第3の伝送線路の一端とを電気的に接続する第1の導体ビアと、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する第2の導体ビアと、前記第3の伝送線路の他端と前記第4の伝送線路の他端とを電気的に接続する第3の導体ビアと、を有しており、この単位構造が1次元又は2次元に周期的に配列されており、前記第1の導体プレーンの前記第3の導体ビアに対応する位置にクリアランスが設けられるとともに、前記第2の導体プレーンの前記第2の導体ビアに対応する位置にクリアランスが設けられることで、前記第1の導体プレーンと前記第3の導体ビアとが電気的に切り離されているとともに、前記第2の導体プレーンと前記第2の導体ビアとが電気的に切り離されている構成であってもよい。   In the waveguide structure according to the present invention, the unit structure is disposed between the first conductor plane and the second conductor plane, and the first transmission using the second conductor plane as a return path. A second transmission line provided on the opposite side of the first conductor plane with respect to the second conductor plane, the second conductor plane serving as a return path, and one end being an open end; A third transmission line disposed between the first conductor plane and the first transmission line and having the first conductor plane as a return path, and the first conductor plane with respect to the first conductor plane. A fourth transmission line provided on the opposite side of the second conductor plane, having the first conductor plane as a return path and one end being an open end, one end of the first transmission line, and the third Electrically connect one end of the transmission line A first conductive via that continues, a second conductive via that electrically connects the other end of the first transmission line and the other end of the second transmission line, and other than the third transmission line A third conductor via that electrically connects the end and the other end of the fourth transmission line, the unit structure is periodically arranged in one or two dimensions, A clearance is provided at a position corresponding to the third conductor via of the first conductor plane, and a clearance is provided at a position corresponding to the second conductor via of the second conductor plane. One conductor plane and the third conductor via may be electrically separated from each other, and the second conductor plane and the second conductor via may be electrically separated from each other. .

また、本発明に係る導波路構造は、前記伝送線路のうち少なくとも1つが直線形状であり、隣接する前記導体ビアを結ぶ線分と前記伝送線路とが一定の角度を持って配設されることが好ましい。   In the waveguide structure according to the present invention, at least one of the transmission lines is linear, and a line segment connecting the adjacent conductor vias and the transmission line are arranged at a certain angle. Is preferred.

また、本発明に係る導波路構造は、前記伝送線路のうち少なくとも1つがスパイラル形状であってもよい。   In the waveguide structure according to the present invention, at least one of the transmission lines may have a spiral shape.

また、本発明に係る導波路構造は、前記伝送線路のうち少なくとも1つがミアンダ形状であってもよい。   In the waveguide structure according to the present invention, at least one of the transmission lines may have a meander shape.

また、本発明に係るプリント配線板は、上記した何れかの構成の導波路構造を備えることを特徴としている。
なお、本発明におけるプリント配線板は、電子部品が実装されていない状態のプリント基板、及び電子部品が実装された状態のパッケージ基板の双方を含む概念とする。
The printed wiring board according to the present invention is characterized by including the waveguide structure having any one of the above-described configurations.
In addition, the printed wiring board in the present invention has a concept including both a printed circuit board in which electronic components are not mounted and a package substrate in which electronic components are mounted.

また、本発明に係るプリント配線板は、前記オープン端の伝送線路長が異なる複数の導波路構造が備えられ、該複数の導波路構造のバンドギャップ帯にずれが生じていることが好ましい。   The printed wiring board according to the present invention is preferably provided with a plurality of waveguide structures having different transmission line lengths at the open ends, and the band gap bands of the plurality of waveguide structures are shifted.

本発明によれば、小型化が可能であり、さらに製造コストを低減することが可能である導波路構造、およびそれを用いたプリント配線板を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the waveguide structure which can be reduced in size and can further reduce manufacturing cost, and a printed wiring board using the same can be provided.

本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating 1st Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態を説明するためのEBG構造の平面図である。It is a top view of an EBG structure for explaining a 1st embodiment of a waveguide structure concerning the present invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態を説明するための等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram for explaining the first embodiment of the waveguide structure according to the present invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態を説明するためのプロット図である。FIG. 2 is a plot diagram for explaining a first embodiment of a waveguide structure according to the present invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態を説明するための計算結果の図である。FIG. 6 is a diagram of calculation results for explaining the first embodiment of the waveguide structure according to the present invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 1st Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の平面図である。It is a top view of the EBG structure for demonstrating the modification of 1st Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態を説明するためのEBG構造の平面図である。It is a top view of an EBG structure for explaining a 1st embodiment of a waveguide structure concerning the present invention. 本発明に係る導波路構造の第2の実施の形態を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating 2nd Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第2の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 2nd Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第3の実施の形態を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating 3rd Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第3の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 3rd Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第4の実施の形態を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating 4th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第4の実施の形態を説明するための等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram for demonstrating 4th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第4の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 4th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第4の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 4th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第5の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 5th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第5の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の平面図である。It is a top view of the EBG structure for demonstrating the modification of 5th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第5の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の断面図である。It is sectional drawing of the EBG structure for demonstrating the modification of 5th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係る導波路構造の第5の実施の形態の変形例を説明するためのEBG構造の平面図である。It is a top view of the EBG structure for demonstrating the modification of 5th Embodiment of the waveguide structure which concerns on this invention. 本発明に係るプリント配線板の第1の実施の形態を説明するためのプリント基板の平面図である。1 is a plan view of a printed circuit board for explaining a first embodiment of a printed wiring board according to the present invention. 本発明に係るプリント配線板の第1の実施の形態を説明するためのプリント基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board for demonstrating 1st Embodiment of the printed wiring board which concerns on this invention. 本発明に係るプリント配線板の第1の実施の形態の変形例を説明するためのプリント基板の平面図である。It is a top view of the printed circuit board for demonstrating the modification of 1st Embodiment of the printed wiring board which concerns on this invention. 本発明に係るプリント配線板の第1の実施の形態を説明するためのプリント基板の平面図である。1 is a plan view of a printed circuit board for explaining a first embodiment of a printed wiring board according to the present invention. 本発明に係るプリント配線板の第2の実施の形態の変形例を説明するためのプリント基板の平面図である。It is a top view of the printed circuit board for demonstrating the modification of 2nd Embodiment of the printed wiring board which concerns on this invention. 本発明に係るプリント配線板の第2の実施の形態の変形例を説明するためのプリント基板の平面図である。It is a top view of the printed circuit board for demonstrating the modification of 2nd Embodiment of the printed wiring board which concerns on this invention.

以下、本発明に係る導波路構造およびプリント配線板の実施の形態について、図面に基いて説明する。
なお、下記の実施の形態では、基板厚さ方向(図1における縦方向)を「厚さ方向」とする。
Embodiments of a waveguide structure and a printed wiring board according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
In the following embodiment, the substrate thickness direction (vertical direction in FIG. 1) is referred to as the “thickness direction”.

[第1の実施の形態]
まず、本発明に係る導波路構造の第1の実施の形態の構成について、図1、図2に基いて説明する。
図1は本実施の形態のEBG構造の断面図を示す。図2は本実施の形態の平面図である。図1は図2に示すA−A´間の断面図である。
本実施の形態のEBG構造(導波路構造)は、平行平板型導波路構造であり、図1に示すように、厚さ方向に間隔をあけて平行に配設された第1、第2の導体プレーン1,2と、後述する単位構造3と、を備えている。単位構造3は、第1の導体プレーン1及び第2の導体プレーン2と異なる層に配設された伝送線路4と、その伝送線路4の他端と第1の導体プレーン1とを電気的に接続する導体ビア5と、を有している。
[First Embodiment]
First, the configuration of the first embodiment of the waveguide structure according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 shows a cross-sectional view of the EBG structure of the present embodiment. FIG. 2 is a plan view of the present embodiment. 1 is a cross-sectional view taken along a line AA ′ shown in FIG.
The EBG structure (waveguide structure) of the present embodiment is a parallel plate type waveguide structure. As shown in FIG. 1, the first and second EBG structures are arranged in parallel with a gap in the thickness direction. Conductor planes 1 and 2 and a unit structure 3 to be described later are provided. The unit structure 3 electrically connects the transmission line 4 disposed on a different layer from the first conductor plane 1 and the second conductor plane 2, and the other end of the transmission line 4 and the first conductor plane 1. And a conductor via 5 to be connected.

詳しく説明すると、EBG構造には、第1の誘電体層6と、第1の誘電体層6の厚さ方向の一方側(上側)に積層された第2の誘電体層7と、が備えられており、第1の誘電体層6の厚さ方向の他方側(下面)に第1の導体プレーン1が配設されており、第1の誘電体層6と第2の誘電体層7との間に第2の導体プレーン2が配設されている。また、導体ビア5は、厚さ方向に延設されており、第2の導体プレーン2の一方側(上面)から第1の導体プレーン1の他方側(下面)にかけて延設されている。また、第2の誘電体層7の厚さ方向の一方側(上面)に伝送線路4が配設されている。つまり、伝送線路4は、第2の導体プレーン2に対して第1の導体プレーン1の厚さ方向の反対側に配設されている。   More specifically, the EBG structure includes a first dielectric layer 6 and a second dielectric layer 7 stacked on one side (upper side) in the thickness direction of the first dielectric layer 6. The first conductor plane 1 is disposed on the other side (lower surface) in the thickness direction of the first dielectric layer 6, and the first dielectric layer 6 and the second dielectric layer 7 are disposed. The second conductor plane 2 is disposed between the two. The conductor via 5 extends in the thickness direction and extends from one side (upper surface) of the second conductor plane 2 to the other side (lower surface) of the first conductor plane 1. The transmission line 4 is disposed on one side (upper surface) in the thickness direction of the second dielectric layer 7. That is, the transmission line 4 is disposed on the opposite side of the thickness direction of the first conductor plane 1 with respect to the second conductor plane 2.

伝送線路4は、第2の導体プレーン2をリターンパスとする伝送線路であり、一端(図1における右側の端部)がオープン端となっており、伝送線路4がオープンスタブとして機能するように構成されている。伝送線路4の他端(図1における左側の端部)には、同一平面上に形成されたパッド8が電気的に接続されており、このパッド8と第1の導体プレーン1とは、厚さ方向に延設された導体ビア5を介して電気的に接続されている。第2の導体プレーン2には、導体ビア5に対応する位置にクリアランス9が設けられており、このクリアランス9によって導体ビア5と第2の導体プレーン2とが電気的に切り離されて電気的に接触していない状態となっている。   The transmission line 4 is a transmission line having the second conductor plane 2 as a return path, and one end (the right end in FIG. 1) is an open end so that the transmission line 4 functions as an open stub. It is configured. A pad 8 formed on the same plane is electrically connected to the other end (the left end in FIG. 1) of the transmission line 4, and the pad 8 and the first conductor plane 1 are thick. They are electrically connected through conductor vias 5 extending in the vertical direction. The second conductor plane 2 is provided with a clearance 9 at a position corresponding to the conductor via 5, and the conductor via 5 and the second conductor plane 2 are electrically separated by this clearance 9 to electrically There is no contact.

上記したEBG構造では、前記した伝送線路4、パッド8及び導体ビア5がアドミタンス部として機能し、このアドミタンス部と前記したクリアランス9を有する単位構造を、独立なベクトルA=(A1, A2)、およびB=(B1,B2)、で定義される、xy平面上の格子点に少なくともひとつ以上を周期的に配置させた構造をとる。本実施の形態では、最も基本的な格子点として、図2に示すA=(a,0)、B=(0,a)の正方格子の場合を例に説明する。本実施の形態では、伝送線路4がA=(a,0)、B=(0,a)と一定の角度をなしており、周囲のクリアランス9等と干渉することなく、伝送線路の長さdを長くとることが可能である。なお厳密には、図2の点線Y−Y´で定義される断面内には伝送線路4が含まれないが、Y−Y´間における断面図、図1では説明の便宜から伝送線路4を点線で図示した。また、図2は説明の便宜から第2の誘電体層7を透視して、第2の導体プレーン2を図示した。   In the above-described EBG structure, the transmission line 4, the pad 8, and the conductor via 5 function as an admittance part. And B = (B1, B2), and has a structure in which at least one is periodically arranged at lattice points on the xy plane. In the present embodiment, the case of a square lattice of A = (a, 0) and B = (0, a) shown in FIG. 2 will be described as an example as the most basic lattice point. In this embodiment, the transmission line 4 is at a constant angle with A = (a, 0) and B = (0, a), and the length of the transmission line is not interfered with the surrounding clearance 9 or the like. It is possible to make d long. Strictly speaking, the transmission line 4 is not included in the cross section defined by the dotted line YY ′ in FIG. 2, but the transmission line 4 is illustrated in FIG. Illustrated with dotted lines. FIG. 2 shows the second conductor plane 2 through the second dielectric layer 7 for convenience of explanation.

次に上記したEBG構造の基本的な動作原理を説明する。
図3は、図2におけるx軸またはy軸に沿った方向の等価回路である。図4は、並列アドミタンス部のアドミタンスの虚部をプロットしたものである。図5は、本実施の形態におけるEBG構造中を伝播する電磁波の挿入損失の計算結果である。
Next, the basic operation principle of the above-described EBG structure will be described.
FIG. 3 is an equivalent circuit in the direction along the x-axis or y-axis in FIG. FIG. 4 is a plot of the imaginary part of the admittance of the parallel admittance part. FIG. 5 shows the calculation result of the insertion loss of the electromagnetic wave propagating through the EBG structure in the present embodiment.

図3に示すように、本実施の形態の等価回路繰り返し単位10は、直列インピーダンス部11と並列アドミタンス部12とで構成される。直列インピーダンス部11は、前記第1、第2の導体プレーン1,2がつくるインダクタンス13からなる。並列アドミタンス部12は、前記第1、第2の導体プレーン1,2がつくるキャパシタンス14と、前記導体ビア5のつくるインダクタンス15と、伝送線路4とからなる。この等価回路繰り返し単位10が周期的に少なくとも1つ以上接続されることにより、本実施の形態のEBG構造の等価回路が形成される。   As shown in FIG. 3, the equivalent circuit repeating unit 10 according to the present embodiment includes a series impedance unit 11 and a parallel admittance unit 12. The series impedance unit 11 includes an inductance 13 formed by the first and second conductor planes 1 and 2. The parallel admittance unit 12 includes a capacitance 14 formed by the first and second conductor planes 1 and 2, an inductance 15 formed by the conductor via 5, and a transmission line 4. By connecting at least one equivalent circuit repeating unit 10 periodically, an equivalent circuit of the EBG structure of the present embodiment is formed.

本実施の形態のEBG構造では、前記並列アドミタンス部12がインダクタンス性を示す周波数帯にバンドギャップが生じる。並列アドミタンス部12のアドミタンスは次式(1)で表される。   In the EBG structure of the present embodiment, a band gap occurs in the frequency band where the parallel admittance unit 12 exhibits inductance. The admittance of the parallel admittance unit 12 is expressed by the following equation (1).

パッド側から見た伝送線路4の入力インピーダンスは、次式(2)で表される。   The input impedance of the transmission line 4 viewed from the pad side is expressed by the following equation (2).

図4には、前記式(1)および式(2)から計算されるアドミタンスの虚部の周波数依存性16が示されている。計算にあたり使用したパラメータは、キャパシタンス14が0.73pF、インダクタンス15が0.22nH、伝送線路4の特性インピーダンスが20.25Ω、伝送線路4の線路長dが7.5mm、伝送線路4の実効比誘電率が 3.47である。伝送線路4はオープン端のため、伝送線路4の終端抵抗は無限大とした。アドミタンスは伝送線路4におけるインピーダンス変換効果により、キャパシタンス性( Im(Y) > 0 )とインダクタンス性( Im(Y) < 0 )が周期的に入れ替わる。図4の周波数帯域17がIm(Y) が負になり、インダクタンス性を示す周波数帯である。したがって、この周波数帯域17でバンドギャップが生じることが予想される。   FIG. 4 shows the frequency dependence 16 of the imaginary part of the admittance calculated from the equations (1) and (2). The parameters used in the calculation are: capacitance 14 is 0.73 pF, inductance 15 is 0.22 nH, transmission line 4 has a characteristic impedance of 20.25Ω, transmission line 4 has a line length d of 7.5 mm, and transmission line 4 has an effective relative dielectric constant of 3.47. It is. Since the transmission line 4 is an open end, the termination resistance of the transmission line 4 is infinite. Admittance is periodically switched between capacitance (Im (Y)> 0) and inductance (Im (Y) <0) due to the impedance conversion effect in the transmission line 4. The frequency band 17 in FIG. 4 is a frequency band in which Im (Y) becomes negative and exhibits inductance. Therefore, a band gap is expected to occur in this frequency band 17.

本実施の形態のEBG構造では前記の等価回路繰り返し単位10に対応した物理構造を、一定の格子間隔aで定義されるxy平面の格子点上に周期的に配置させる。このため厳密には、図3の等価回路繰り返し単位10に対して周期境界条件を課すことで、構造の周期性を考慮したバンドギャップ帯域を計算する必要がある。図5は、格子間隔をa=3mmとしたとき、本実施の形態のEBG構造中を距離7×aだけ伝播する電磁波の挿入損失(S21)を計算した結果である。図5に示す点線18は、等価回路繰り返し単位10に周期境界条件を課して計算した結果を表す。回路パラメータは図4の計算と同一である。図5に示す実線19は、3次元電磁界解析による数値計算の結果を表す。電磁界解析モデルの構造寸法は、第1の誘電体層6の厚さt=400μm、第2の誘電体層7の厚さh=60μm、導体ビア5の幅b=300μm、伝送線路4の線路長d =7.5mmとした。図5をみれば等価回路計算のバンドギャップ帯域は、電磁界解析結果とほぼ一致している。   In the EBG structure of the present embodiment, the physical structure corresponding to the equivalent circuit repeating unit 10 is periodically arranged on lattice points on the xy plane defined by a constant lattice interval a. Therefore, strictly speaking, it is necessary to calculate a band gap band considering the periodicity of the structure by imposing a periodic boundary condition on the equivalent circuit repeating unit 10 of FIG. FIG. 5 shows the calculation result of the insertion loss (S21) of the electromagnetic wave propagating through the EBG structure of the present embodiment by a distance of 7 × a when the lattice spacing is a = 3 mm. A dotted line 18 shown in FIG. 5 represents a result calculated by imposing a periodic boundary condition on the equivalent circuit repeating unit 10. The circuit parameters are the same as in the calculation of FIG. A solid line 19 shown in FIG. 5 represents the result of numerical calculation by three-dimensional electromagnetic field analysis. The structural dimensions of the electromagnetic field analysis model are as follows: the thickness t of the first dielectric layer 6 = 400 μm, the thickness h of the second dielectric layer 7 = 60 μm, the width b of the conductor via 5 = 300 μm, and the transmission line 4 The line length d was set to 7.5 mm. If FIG. 5 is seen, the band gap band of equivalent circuit calculation will correspond with the electromagnetic field analysis result substantially.

図5の厳密な計算によるバンドギャップ周波数帯は、図4で示した周波数帯域17ともほぼ一致する。このことから、本実施の形態のEBG構造のバンドギャップ周波数帯はアドミタンスの周波数特性でおおよそ説明出来ることがわかる。並列アドミタンス部12のアドミタンスは上記した式(1)、式(2)で決定されることから、これらの式中のパラメータを適切に設計することによってバンドギャップ帯域を所望の周波数帯にもってくることができる。特に伝送線路長dは設計自由度が高いため、伝送線路長dを変化させることにより、容易にバンドギャップ帯域を制御することが可能である。バンドギャップ帯域を低周波化するには伝送線路長dを長くする必要があるが、必ずしも面積は必要としないため、本実施の形態のEBG構造を採用することによって実装面積を削減することが可能である。また、本実施の形態のEBG構造はチップ部品を必要としないため、従来技術と比べて製造コストを低減することができる。   The bandgap frequency band obtained by the strict calculation shown in FIG. 5 substantially matches the frequency band 17 shown in FIG. From this, it can be seen that the band gap frequency band of the EBG structure of the present embodiment can be roughly explained by the frequency characteristics of admittance. Since the admittance of the parallel admittance unit 12 is determined by the above equations (1) and (2), the band gap band can be brought to a desired frequency band by appropriately designing the parameters in these equations. Can do. In particular, since the transmission line length d has a high degree of design freedom, the band gap band can be easily controlled by changing the transmission line length d. To reduce the band gap band, the transmission line length d needs to be increased. However, since the area is not necessarily required, the mounting area can be reduced by adopting the EBG structure of the present embodiment. It is. Further, since the EBG structure of the present embodiment does not require a chip part, the manufacturing cost can be reduced as compared with the prior art.

なお、上述した第1の実施の形態では、図1に示すように、伝送線路4の上部に構造がない場合を示したが、本発明は、伝送線路4の上部に構造があってもよい。例えば、図6に示すように、伝送線路4の上部に、更なる誘電体層(第3の誘電体層20)を設けている。この第3の誘電体層20を設けることにより、伝送線路4の実効比誘電率を増加させることができる。式(2)によれば、伝送線路4の実効比誘電率が大きいほど伝送線路4におけるインピーダンス変換効果も顕著になることから、伝送線路長dを長くすることなくバンドギャップ帯域を低周波化することが可能である。したがって、バンドギャップ帯域の低周波化を目的にする場合、更なる誘電体層20として比誘電率の大きな誘電体材料を用いることが好ましい。ただし、バンドギャップ帯域の低周波化を目的とせず、更に上部に層を積層していく場合は、どのような誘電体材料を用いてもよい。   In the first embodiment described above, as shown in FIG. 1, the case where there is no structure above the transmission line 4 is shown, but the present invention may have a structure above the transmission line 4. . For example, as shown in FIG. 6, a further dielectric layer (third dielectric layer 20) is provided on the transmission line 4. By providing the third dielectric layer 20, the effective relative dielectric constant of the transmission line 4 can be increased. According to equation (2), the larger the effective relative permittivity of the transmission line 4 is, the more remarkable the impedance conversion effect in the transmission line 4 is. Therefore, the frequency of the band gap band is lowered without increasing the transmission line length d. It is possible. Therefore, when aiming at lowering the frequency of the band gap band, it is preferable to use a dielectric material having a large relative dielectric constant as the further dielectric layer 20. However, any dielectric material may be used when the layer is further laminated on the upper part without aiming at lowering the frequency of the band gap band.

また、伝送線路4は一端がオープン端になっており、他端がパッド8に接続されていれば、どのような配置・形状でも本発明の本質的な効果に何ら影響を与えるものではない。したがって、上述した第1の実施の形態では、図2に示すように、伝送線路4が周囲のクリアランス9等と干渉しないようにx軸、y軸と一定の角度をなすように配置した場合を示したが、クリアランス9等との干渉がなければ、当然軸と平行に配置してもよい。具体的に説明すると、上述した第1の実施の形態では、図2に示すように伝送線路4が直線形状の場合を示したが、本発明は、例えば、図7(a)に示すようなスパイラル形状や、図7(b)に示すようなミアンダ形状としてもよい。この場合、小さい実装面積で伝送線路長dを確保することが可能となる。   Moreover, as long as one end of the transmission line 4 is an open end and the other end is connected to the pad 8, any arrangement and shape will not affect the essential effects of the present invention. Therefore, in the first embodiment described above, as shown in FIG. 2, the transmission line 4 is arranged so as to form a certain angle with the x axis and the y axis so as not to interfere with the surrounding clearance 9 and the like. Although shown, if there is no interference with the clearance 9 or the like, it may naturally be arranged parallel to the axis. Specifically, in the above-described first embodiment, the transmission line 4 has a linear shape as shown in FIG. 2, but the present invention is, for example, as shown in FIG. A spiral shape or a meander shape as shown in FIG. In this case, the transmission line length d can be secured with a small mounting area.

また、伝送線路4は、必ずしも、図2のようにすべての単位構造3で、配置・形状をそろえる必要はない。例えば、図8に示すように、表面に実装された部品Xを避けるように
配線することで、高密度な実装が可能となる。
また、図2では単位構造3を周期的に配置する格子として、正方格子の例を示したが、格子形状は必ずしも正方格子に限らない。たとえば、三角格子や1次元周期配列でも、同様の効果を得ることができる。
なお、ここでは、導体ビア5と伝送線路4の接続部にパッド8を設けた構造を示しているが、これは製造上の都合によるものであり、パッド8のない構造であっても本発明の本質的な効果に何ら影響を与えるものではない。
Further, the transmission line 4 does not necessarily have to be arranged and shaped in all the unit structures 3 as shown in FIG. For example, as shown in FIG. 8, high-density mounting is possible by wiring so as to avoid the component X mounted on the surface.
In FIG. 2, an example of a square lattice is shown as a lattice in which the unit structures 3 are periodically arranged. However, the lattice shape is not necessarily limited to a square lattice. For example, the same effect can be obtained with a triangular lattice or a one-dimensional periodic array.
Here, the structure in which the pad 8 is provided at the connection portion between the conductor via 5 and the transmission line 4 is shown for the convenience of manufacturing, and the structure without the pad 8 is also used in the present invention. It has no effect on the essential effects of.

[第2の実施の形態]
次に、本発明に係る導波路構造の第2の実施の形態の構成について、図9に基いて説明する。
図9は本実施の形態のEBG構造の断面図である。
なお、本実施の形態のEBG構造は、上述した第1の実施の形態のEBG構造の変形例であり、上述した第1の実施の形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, the configuration of the second embodiment of the waveguide structure according to the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the EBG structure of the present embodiment.
The EBG structure of the present embodiment is a modification of the EBG structure of the first embodiment described above, and the same components as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and described. Is omitted.

本実施の形態のEBG構造は、図9に示すように、伝送線路104が、第1の導体プレーン1と第2の導体プレーン2とで挟まれた領域の内側に設けられている。詳しく説明すると、本実施の形態のEBG構造は、第1の誘電体層6の厚さ方向の他方側(下面)に第1の導体プレーン1が配設され、第2の誘電体層7の厚さ方向の一方側(上面)に第2の
導体プレーン2が配設されている。第1の誘電体層6と第2の誘電体層7に挟まれた中間
層には、第2の導体プレーン2をリターンパスとする伝送線路104が配置されている。この伝送線路104は、第1の実施の形態における伝送線路4と同様に、その一端がオープン端となっており、オープンスタブとして機能する。伝送線路104の他端は、同一平面にあるパッド8に接続されており、パッド8と前記第1の導体プレーン1は導体ビア105を介して電気的に接続されている。また、上述した第1の実施の形態と同様に、前記伝送線路104、パッド8、および導体ビア105がアドミタンス部として機能し、前記アドミタンス部と第2の導体プレーン2に設けられたクリアランス9とが単位構造3となる。本実施の形態における単位構造3の配置および伝送線路104の配置・形状は、上述した第1の実施の形態と同様である。
In the EBG structure of the present embodiment, as shown in FIG. 9, the transmission line 104 is provided inside a region sandwiched between the first conductor plane 1 and the second conductor plane 2. More specifically, in the EBG structure of the present embodiment, the first conductor plane 1 is disposed on the other side (lower surface) of the first dielectric layer 6 in the thickness direction, and the second dielectric layer 7 The second conductor plane 2 is disposed on one side (upper surface) in the thickness direction. In an intermediate layer sandwiched between the first dielectric layer 6 and the second dielectric layer 7, a transmission line 104 having the second conductor plane 2 as a return path is disposed. Similar to the transmission line 4 in the first embodiment, one end of the transmission line 104 is an open end, and functions as an open stub. The other end of the transmission line 104 is connected to a pad 8 on the same plane, and the pad 8 and the first conductor plane 1 are electrically connected via a conductor via 105. Similarly to the first embodiment described above, the transmission line 104, the pad 8, and the conductor via 105 function as an admittance part, and the clearance 9 provided in the admittance part and the second conductor plane 2 Is unit structure 3. The arrangement of the unit structures 3 and the arrangement / shape of the transmission line 104 in the present embodiment are the same as those in the first embodiment described above.

本実施の形態のEBG構造では、伝送線路104が2つの導体プレーン1,2によって遮蔽されるため、伝送線路104から外部への不要な電磁波放射を低減することができる。
なお、上述した第2の実施の形態では、図9に示すように、導体ビア105が貫通ビアの場合を示したが、パッド8と第1の導体プレーン1とが電気的に接続されていれば、必ずしも貫通ビアである必要はない。例えば、図10に示すように、非貫通ビアの導体ビア105´が設けられていても本発明の効果に何ら影響を与えない。図10に示すEBG構造の場合は、第2の導体プレーン2にクリアランス9を設ける必要がないため、クリアランス9の部分から外部への電磁波放射を無くすことができる。
In the EBG structure of the present embodiment, since the transmission line 104 is shielded by the two conductor planes 1 and 2, unnecessary electromagnetic radiation from the transmission line 104 to the outside can be reduced.
In the second embodiment described above, as shown in FIG. 9, the conductor via 105 is a through via, but the pad 8 and the first conductor plane 1 are electrically connected. For example, it is not necessarily a through via. For example, as shown in FIG. 10, the effect of the present invention is not affected at all even if a non-through via conductor via 105 ′ is provided. In the case of the EBG structure shown in FIG. 10, since it is not necessary to provide the clearance 9 in the second conductor plane 2, electromagnetic wave radiation from the portion of the clearance 9 to the outside can be eliminated.

[第3の実施の形態]
次に、本発明に係る導波路構造の第3の実施の形態の構成について、図11に基いて説明する。
図11は本実施の形態のEBG構造の断面図である。
なお、本実施の形態のEBG構造は、上述した第2の実施の形態のEBG構造の変形例であり、上述した第2の実施の形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略する。
[Third Embodiment]
Next, the configuration of the third embodiment of the waveguide structure according to the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 11 is a cross-sectional view of the EBG structure of the present embodiment.
The EBG structure of the present embodiment is a modification of the EBG structure of the second embodiment described above, and the same components as those of the second embodiment described above are denoted by the same reference numerals and described. Is omitted.

本実施の形態のEBG構造は、図11に示すように、第1の導体プレーン1と第2の導体プレーン2との間に配設された第1の伝送線路204Aと、第2の導体プレーン2に対して第1の導体プレーン1の反対側に配設された第2の伝送線路204Bと、第1の伝送線路204Aの一端(図11における左側の端部)と第1の導体プレーン1とを電気的に接続する第1の導体ビア205Aと、第1の伝送線路204Aの他端(図11における右側の端部)と第2の伝送線路204Bの他端とを電気的に接続する第2の導体ビア205Bと、を有する単位構造203を備えている。   As shown in FIG. 11, the EBG structure of the present embodiment includes a first transmission line 204A disposed between the first conductor plane 1 and the second conductor plane 2, and a second conductor plane. 2, the second transmission line 204 </ b> B disposed on the opposite side of the first conductor plane 1, one end of the first transmission line 204 </ b> A (the left end in FIG. 11), and the first conductor plane 1. The first conductor via 205A is electrically connected to the other end of the first transmission line 204A (the right end in FIG. 11) and the other end of the second transmission line 204B is electrically connected. A unit structure 203 having a second conductor via 205B is provided.

詳しく説明すると、本実施の形態は、上述した第2の実施の形態と同様に、第1の誘電体層6の厚さ方向の他方側(下面)に第1の導体プレーン1が配設され、第2の誘電体層7の厚さ方向の一方側(上面)に第2の導体プレーン2が配設されている。また、第2の誘電体層7の厚さ方向の一方側(上面)には、第2の導体プレーン2を覆う第3の誘電体層(表層誘電体層220)が積層されている。また、上述した第2の実施の形態における伝送線路104の位置(第1の誘電体層6と第2の誘電体層7との間)に第1の伝送線路204Aが配設されており、前記した表層誘電体層220の厚さ方向の一方側(上面)に、一端がオープン端の第2の伝送線路204Bが配設されている。第1の伝送線路204Aは、第2の導体プレーン2をリターンパスとする伝送線路であり、第1の伝送線路204Aの両端には、同一平面状に形成されたパッド8A,8Bがそれぞれ電気的に接続されている。また、第2の伝送線路204Bは、第2の導体プレーン2をリターンパスとする伝送線路であり、第2の伝送線路204Bの一端は、オープン端となっており、第2の伝送線路204Bがオープンスタブとして機能するように構成されている。また、第2の伝送線路204Bの他端は、同一平面状に形成されたパッド8が電気的に接続されている。   More specifically, in the present embodiment, the first conductor plane 1 is disposed on the other side (lower surface) in the thickness direction of the first dielectric layer 6 as in the second embodiment described above. The second conductor plane 2 is disposed on one side (upper surface) in the thickness direction of the second dielectric layer 7. A third dielectric layer (surface dielectric layer 220) that covers the second conductor plane 2 is laminated on one side (upper surface) in the thickness direction of the second dielectric layer 7. In addition, the first transmission line 204A is disposed at the position of the transmission line 104 (between the first dielectric layer 6 and the second dielectric layer 7) in the second embodiment described above, On the one side (upper surface) in the thickness direction of the surface dielectric layer 220, the second transmission line 204B having one open end is disposed. The first transmission line 204A is a transmission line having the second conductor plane 2 as a return path, and pads 8A and 8B formed in the same plane are electrically connected to both ends of the first transmission line 204A, respectively. It is connected to the. The second transmission line 204B is a transmission line having the second conductor plane 2 as a return path, one end of the second transmission line 204B is an open end, and the second transmission line 204B is It is configured to function as an open stub. The other end of the second transmission line 204B is electrically connected to the pad 8 formed in the same plane.

第1の伝送線路204Aの一端に設けられたパッド8Aと第1の導体プレーン1とは、厚さ方向に延設された第1の導体ビア205Aを介して電気的に接続されている。また、第1の伝送線路204Aの他端に設けられたパッド8Bと第2の伝送線路204Bの他端に設けられたパッド8とは、厚さ方向に延設された第2の導体ビア205Bを介して電気的に接続されている。第2の導体プレーン2には、第2の導体ビア205Bに対応する位置にクリアランス9が設けられており、このクリアランス9によって第2の導体ビア205Bと第2の導体プレーン2とが電気的に切り離されて電気的に接触していない状態となっている。   The pad 8A provided at one end of the first transmission line 204A and the first conductor plane 1 are electrically connected via a first conductor via 205A extending in the thickness direction. Also, the pad 8B provided at the other end of the first transmission line 204A and the pad 8 provided at the other end of the second transmission line 204B are the second conductor vias 205B extending in the thickness direction. It is electrically connected via. The second conductor plane 2 is provided with a clearance 9 at a position corresponding to the second conductor via 205B. With this clearance 9, the second conductor via 205B and the second conductor plane 2 are electrically connected. It is separated and is not in electrical contact.

本実施の形態のEBG構造では、中間層の第1の伝送線路204Aと、表層の第2の伝送線路204Bとがひとつのオープンスタブとして機能するため、小さい実装面積で十分な伝送線路長dを確保することが可能となる。   In the EBG structure of the present embodiment, the first transmission line 204A in the intermediate layer and the second transmission line 204B in the surface layer function as one open stub, so that a sufficient transmission line length d can be achieved with a small mounting area. It can be secured.

なお、第1の伝送線路204A及び第2の伝送線路204Bの配置および形状は、第1、第2の実施の形態と同様に、さまざまなパターンが考えられる。たとえばスパイラル形状やミアンダ形状としてもよい。これにより、より小さい面積で実装可能なEBG構造を提供することができる。
また、上述した第3の実施の形態では、図11に示すように、第1、第2の導体ビア205A,205Bとして非貫通ビアを用いた場合を示したが、貫通ビアを用いることも当然可能である。例えば、図12に示すように、第2の導体ビア205Bとして貫通ビアの第2の導体ビア205B´を設けることも可能である。図12に示すEBG構造では、第1の導体プレーン1の、第2の導体ビア205B´に対応した位置に、クリアランス9を設けて、前記第1の導体プレーン1と第2の導体ビア2との電気的な接続を避けている。また、同様に第1の導体ビア205Aに貫通ビアを用いることも可能である。
In addition, the arrangement | positioning and shape of 204 A of 1st transmission lines and the 2nd transmission line 204B can consider various patterns similarly to 1st, 2nd Embodiment. For example, a spiral shape or a meander shape may be used. Thereby, an EBG structure that can be mounted in a smaller area can be provided.
In the above-described third embodiment, as shown in FIG. 11, the case where non-through vias are used as the first and second conductor vias 205A and 205B is shown. Is possible. For example, as shown in FIG. 12, it is also possible to provide a second conductor via 205B ′ as a through via as the second conductor via 205B. In the EBG structure shown in FIG. 12, a clearance 9 is provided at a position corresponding to the second conductor via 205B ′ of the first conductor plane 1, and the first conductor plane 1 and the second conductor via 2 Avoid electrical connections. Similarly, a through via can be used as the first conductor via 205A.

[第4の実施の形態]
次に、本発明に係る導波路構造の第4の実施の形態の構成について、図13に基いて説明する。
図13は本実施の形態のEBG構造の断面図である。
なお、本実施の形態のEBG構造は、上述した第1の実施の形態のEBG構造の変形例であり、上述した第1の実施の形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, the configuration of the fourth embodiment of the waveguide structure according to the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 13 is a cross-sectional view of the EBG structure of the present embodiment.
The EBG structure of the present embodiment is a modification of the EBG structure of the first embodiment described above, and the same components as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and described. Is omitted.

上述した第1乃至第3の実施の形態のEBG構造では、平行平板型導波路を構成する第1、第2の導体プレーン1,2のうち、第2の導体プレーン2側にのみ伝送線路4,104,204A,204Bが設けられており、これらの伝送線路4,104,204A,204Bは第2の導体プレーン2をリターンパスとする構成となっているが、本実施の形態では、第1、第2の導体プレーン1,2にそれぞれ伝送線路304A,304Bが設けられている。すなわち、本実施の形態のEBG構造は、第1の実施の形態のEBG構造を上下方向に鏡面対称にした構成となっており、図13に示すように、第1、第2の導体プレーン1,2と異なる層に配設され、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第1の伝送線路304Aと、第1、第2の導体プレーン1,2と異なる層に配設され、第2の導体プレーン2をリターンパスとする第2の伝送線路304Bと、第1、第2の伝送線路304A,304Bの端部同士を電気的に接続する導体ビア305と、を有する単位構造303を備えている。   In the EBG structure according to the first to third embodiments described above, the transmission line 4 is provided only on the second conductor plane 2 side of the first and second conductor planes 1 and 2 constituting the parallel plate waveguide. , 104, 204A, and 204B are provided, and these transmission lines 4, 104, 204A, and 204B are configured to use the second conductor plane 2 as a return path. Transmission lines 304A and 304B are provided on the second conductor planes 1 and 2, respectively. That is, the EBG structure of the present embodiment has a configuration in which the EBG structure of the first embodiment is mirror-symmetrical in the vertical direction, and as shown in FIG. 13, the first and second conductor planes 1 The first transmission line 304A having the first conductor plane 1 as a return path and the first and second conductor planes 1 and 2 are disposed in different layers. A unit structure 303 having a second transmission line 304B having the conductor plane 2 as a return path and a conductor via 305 that electrically connects the ends of the first and second transmission lines 304A and 304B. ing.

詳しく説明すると、本実施の形態は、上述した第1の実施の形態と同様に、第1の誘電体層6の厚さ方向の他方側(下面)に第1の導体プレーン1が配設され、第1の誘電体層6と第2の誘電体層7との間に第2の導体プレーン2が配設されている。また、第1の誘電体層6の厚さ方向の他方側(下面)には、第1の導体プレーン1を覆う第3の誘電体層(裏層誘電体層320)が積層されている。裏層誘電体層320の厚さ方向の他方側(下面)には、第1の伝送線路304Aが配設されており、表層の第2の誘電体層7の厚さ方向の一方側(上面)には、第2の伝送線路304Bが配設されている。つまり、第1の伝送線路304A及び第2の伝送線路304Bが、第1の導体プレーン1と第2の導体プレーン2とで挟まれた領域の外側にそれぞれ配設されている。   More specifically, in the present embodiment, the first conductor plane 1 is disposed on the other side (lower surface) in the thickness direction of the first dielectric layer 6 as in the first embodiment described above. The second conductor plane 2 is disposed between the first dielectric layer 6 and the second dielectric layer 7. A third dielectric layer (back dielectric layer 320) that covers the first conductor plane 1 is laminated on the other side (lower surface) in the thickness direction of the first dielectric layer 6. A first transmission line 304A is disposed on the other side (lower surface) in the thickness direction of the back dielectric layer 320, and one side (upper surface) in the thickness direction of the second dielectric layer 7 on the surface layer. ) Is provided with a second transmission line 304B. That is, the first transmission line 304 </ b> A and the second transmission line 304 </ b> B are respectively disposed outside the region sandwiched between the first conductor plane 1 and the second conductor plane 2.

前記した第1の伝送線路304Aの一端(図13における右側の端部)及び第2の伝送線路304Bの一端は、それぞれオープン端となっており、第1、第2の伝送線路304A,304Bがそれぞれオープンスタブとして機能するように構成されている。一方、1の伝送線路304Aの他端(図13における左側の端部)及び第2の伝送線路304Bの他端には、同一平面状に形成されたパッド8がそれぞれ電気的に接続されている。伝送線
路304A側のパッド8と第2の伝送線路304B側のパッド8とは、厚さ方向に延設された導体ビア305を介して電気的に接続されている。第1、第2の導体プレーン1,2には、導体ビア305に対応する位置にクリアランス9がそれぞれ設けられており、これらのクリアランス9によって導体ビア305と第1、第2の導体プレーン1,2とが電気的に切り離されて電気的に接触していない状態となっている。
One end of the first transmission line 304A (the right end in FIG. 13) and one end of the second transmission line 304B are open ends, and the first and second transmission lines 304A and 304B are connected to each other. Each is configured to function as an open stub. On the other hand, a pad 8 formed in the same plane is electrically connected to the other end of the one transmission line 304A (the left end in FIG. 13) and the other end of the second transmission line 304B. . The pad 8 on the transmission line 304A side and the pad 8 on the second transmission line 304B side are electrically connected through a conductor via 305 extending in the thickness direction. The first and second conductor planes 1 and 2 are respectively provided with clearances 9 at positions corresponding to the conductor vias 305, and the conductor vias 305 and the first and second conductor planes 1 and 2 are provided by these clearances 9. 2 is electrically disconnected and is not in electrical contact.

図14は本実施の形態のEBG構造の等価回路である。
図14に示すように、本実施の形態の等価回路繰り返し単位310は、直列インピーダンス部311と並列アドミタンス部312とで構成される。直列インピーダンス部311は、第1の実施の形態と同様に前記第1、第2の導体プレーン1,2がつくるインダクタンス313からなる。並列アドミタンス部312は、前記第1、第2の導体プレーン1,2がつくるキャパシタンス314と、前記導体ビア305のつくるインダクタンス315と、第1、第2の伝送線路304A,304Bと、からなる。本実施の形態の並列アドミタンス部312は、第1の実施の形態の並列アドミタンス部12にさらに、第2の伝送線路304Bによるオープンスタブが直列に接続された回路となる。本実施の形態の場合も、第1の実施の形態の場合と全く同様に、並列アドミタンス部312のアドミタンスが負となる周波数帯域にバンドギャップが生じる。
FIG. 14 is an equivalent circuit of the EBG structure of the present embodiment.
As shown in FIG. 14, the equivalent circuit repeat unit 310 of the present embodiment includes a series impedance unit 311 and a parallel admittance unit 312. The series impedance unit 311 includes an inductance 313 formed by the first and second conductor planes 1 and 2 as in the first embodiment. The parallel admittance unit 312 includes a capacitance 314 formed by the first and second conductor planes 1 and 2, an inductance 315 formed by the conductor via 305, and first and second transmission lines 304A and 304B. The parallel admittance unit 312 according to the present embodiment is a circuit in which an open stub by the second transmission line 304B is further connected in series to the parallel admittance unit 12 according to the first embodiment. Also in the case of the present embodiment, a band gap is generated in a frequency band in which the admittance of the parallel admittance unit 312 is negative, just as in the case of the first embodiment.

なお、上述した第4の実施の形態のEBG構造は、第1の実施の形態のEBG構造を上下方向に鏡面対称にした構成となっているが、上述した第2、第3の実施の形態のEBG構造を上下方向に鏡面対称にした構成とすることも可能である。   The EBG structure of the fourth embodiment described above has a configuration in which the EBG structure of the first embodiment is mirror-symmetrical in the vertical direction, but the second and third embodiments described above. It is also possible to adopt a configuration in which the EBG structure is mirror-symmetrical in the vertical direction.

具体的に説明すると、図15に示すように、第2の実施の形態のEBG構造を元として、第1の導体プレーン1と第1の誘電体層6との間に第3の誘電体層120を介在させ、この第3の誘電体層120と第1の誘電体層6との間に、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第1の伝送線路104Aが配設されており、第1の誘電体層6と第2の誘電体層7との間に、第2の導体プレーン2をリターンパスとする第2の伝送線路104Bが配設されている。これら第1、第2の伝送線路104A,104Bは、一端はそれぞれオープン端となっており、他端にはパッド8がそれぞれ電気的に接続されており、第1、第2の伝送線路104A,104Bのパッド8同士は非貫通ビアの導体ビア105´を介して電気的に接続されている。   Specifically, as shown in FIG. 15, the third dielectric layer is formed between the first conductor plane 1 and the first dielectric layer 6 based on the EBG structure of the second embodiment. The first transmission line 104A having the first conductor plane 1 as a return path is disposed between the third dielectric layer 120 and the first dielectric layer 6, with the 120 interposed. Between the first dielectric layer 6 and the second dielectric layer 7, a second transmission line 104B having the second conductor plane 2 as a return path is disposed. One end of each of the first and second transmission lines 104A and 104B is an open end, and the pad 8 is electrically connected to the other end, and the first and second transmission lines 104A and 104B are connected to each other. The pads 8 of 104B are electrically connected to each other through a non-through via conductor via 105 ′.

また、図16に示すように、第3の実施の形態のEBG構造を元として、第1の導体プレーン1と第1の誘電体層6との間に第3の誘電体層320Aを介在させ、第3の誘電体層320Aの厚さ方向の他方側(下面)には、第1の導体プレーン1を覆う裏層誘電体層
320Bが積層されている。そして、第1の導体プレーン1と第1の伝送線路204Aとの間、具体的には、第1の誘電体層6と第3の誘電体層320Aとの間に、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第3の伝送線路204Cが配設されている。また、第1の導体プレーン1に対して第2の導体プレーン2の反対側、具体的には、裏層誘電体層320B”の厚さ方向の他方側(下面)に、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第4の伝送線路204Dが配設されている。第3の伝送線路204Cの両端には、同一平面状に形成されたパッド8A,8Bがそれぞれ電気的に接続されている。第4の伝送線路204Dの一端は、オープン端となっており、第2の伝送線路204Bの他端は、同一平面状に形成されたパッド8が電気的に接続されている。
Further, as shown in FIG. 16, a third dielectric layer 320A is interposed between the first conductor plane 1 and the first dielectric layer 6 based on the EBG structure of the third embodiment. On the other side (lower surface) in the thickness direction of the third dielectric layer 320A, a back dielectric layer 320B that covers the first conductor plane 1 is laminated. The first conductor plane 1 is between the first conductor plane 1 and the first transmission line 204A, specifically between the first dielectric layer 6 and the third dielectric layer 320A. A third transmission line 204 </ b> C is provided with a return path as a return path. Further, the first conductor plane 1 is disposed on the opposite side of the second conductor plane 2 with respect to the first conductor plane 1, specifically, on the other side (lower surface) in the thickness direction of the back layer dielectric layer 320B ″. A fourth transmission line 204D is provided with a return path of 1. Pads 8A and 8B formed in the same plane are electrically connected to both ends of the third transmission line 204C, respectively. One end of the fourth transmission line 204D is an open end, and the other end of the second transmission line 204B is electrically connected to a pad 8 formed in the same plane.

第1の伝送線路204Aの一端に設けられたパッド8Aと第3の伝送線路204Cの一端に設けられたパッド8Aとは、厚さ方向に延設された第1の導体ビア205Aを介して電気的に接続されている。また、第3の伝送線路204Cの他端に設けられたパッド8Bと第4の伝送線路204Dの他端に設けられたパッド8とは、厚さ方向に延設された第3の導体ビア205Cを介して電気的に接続されている。第1の導体プレーン1には、第3の導体ビア205Cに対応する位置にクリアランス9が設けられており、このクリアランス9によって第3の導体ビア205Cと第1の導体プレーン1とが電気的に切り離されて電気的に接触していない状態となっている。   The pad 8A provided at one end of the first transmission line 204A and the pad 8A provided at one end of the third transmission line 204C are electrically connected via a first conductor via 205A extending in the thickness direction. Connected. In addition, the pad 8B provided at the other end of the third transmission line 204C and the pad 8 provided at the other end of the fourth transmission line 204D are provided with a third conductor via 205C extending in the thickness direction. It is electrically connected via. The first conductor plane 1 is provided with a clearance 9 at a position corresponding to the third conductor via 205C. The clearance 9 electrically connects the third conductor via 205C and the first conductor plane 1 to each other. It is separated and is not in electrical contact.

なお、図13、図15、図16に示すように、上下方向に鏡面対称なEBG構造について説明したが、必ずしも対称構造である必要はない。例えば、第1の伝送線路304Aが直線形状であり、第2の伝送線路304Bがスパイラル形状というように、両者が全く異なる形状となる構造も考えられる。またさらに、前記第2の誘電体層7と裏層誘電体層320の厚さが異なる構造も考えられる。この場合は、第1の伝送線路304Aの実効比誘電率と、第2の伝送線路304Bの実効比誘電率とが異なる値となる点に注意が必要である。   In addition, as shown in FIG. 13, FIG. 15, FIG. 16, the EBG structure that is mirror-symmetrical in the vertical direction has been described, but it is not always necessary to have a symmetrical structure. For example, a structure in which the first transmission line 304A has a linear shape and the second transmission line 304B has a spiral shape, such that the two are completely different is also conceivable. Furthermore, a structure in which the second dielectric layer 7 and the back dielectric layer 320 have different thicknesses is also conceivable. In this case, it should be noted that the effective relative permittivity of the first transmission line 304A and the effective relative permittivity of the second transmission line 304B are different values.

[第5の実施の形態]
次に、本発明に係る導波路構造の第5の実施の形態の構成について、図17に基いて説明する。
図17は本実施の形態のEBG構造の断面図であり、図18は本実施の形態のEBG構造の平面図である。図17は図18に示すB−B´間の断面図である。
なお、本実施の形態のEBG構造は、上述した第4の実施の形態のEBG構造の変形例であり、上述した第4の実施の形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略する。
[Fifth Embodiment]
Next, the configuration of the fifth embodiment of the waveguide structure according to the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 17 is a cross-sectional view of the EBG structure of the present embodiment, and FIG. 18 is a plan view of the EBG structure of the present embodiment. 17 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ shown in FIG.
The EBG structure of the present embodiment is a modification of the EBG structure of the fourth embodiment described above, and the same reference numerals are given to the same configurations as those of the fourth embodiment described above. Is omitted.

本実施の形態のEBG構造は、図13に示す上述した第4の実施の形態のEBG構造では、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第1の伝送線路304Aの端部と、第2の導体プレーン2をリターンパスとする第2の伝送線路304Bの端部と、が導体ビア305を介して電気的に接続されているが、第5の実施の形態では、図17に示すように、
第2の導体プレーン2をリターンパスとする第2の伝送線路304Bの端部が第1の導体ビア405Aを介して第1の導体プレーン1に電気的に接続されているとともに、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第1の伝送線路304Aの端部が第2の導体ビア405Bを介して第2の導体プレーン2に電気的に接続されている。つまり、本実施の形態における単位構造403は、第1の導体プレーン1と第2の伝送線路304Bの端部とを電気的に接続する第1の導体ビア405Aと、第2の導体プレーン2と第1の伝送線路304Aの端部とを電気的に接続する第2の導体ビア405Bと、を有している。
The EBG structure of the present embodiment is the same as the EBG structure of the above-described fourth embodiment shown in FIG. 13, and the end of the first transmission line 304 </ b> A having the first conductor plane 1 as a return path, and the second The end portion of the second transmission line 304B having the conductor plane 2 as a return path is electrically connected via the conductor via 305. In the fifth embodiment, as shown in FIG. ,
The end of the second transmission line 304B having the second conductor plane 2 as a return path is electrically connected to the first conductor plane 1 via the first conductor via 405A, and the first conductor An end portion of the first transmission line 304A having the plane 1 as a return path is electrically connected to the second conductor plane 2 via the second conductor via 405B. That is, the unit structure 403 in the present embodiment includes the first conductor via 405A that electrically connects the first conductor plane 1 and the end of the second transmission line 304B, and the second conductor plane 2. And a second conductor via 405B that electrically connects the end of the first transmission line 304A.

詳しく説明すると、本実施の形態は、上述した第4の実施の形態と同様に、第1の誘電体層6の厚さ方向の他方側(下面)に裏層誘電体層320が積層され、第1の誘電体層6と裏層誘電体層320との間に第1の導体プレーン1が配設され、第1の誘電体層6と第2の誘電体層7との間に第2の導体プレーン2が配設されている。また、また、ている。裏層誘電体層320の厚さ方向の他方側(下面)には、第1の伝送線路304Aが配設されており、表層の第2の誘電体層7の厚さ方向の一方側(上面)には、第2の伝送線路304Bが配設されている。   More specifically, in the present embodiment, the back dielectric layer 320 is laminated on the other side (lower surface) in the thickness direction of the first dielectric layer 6, as in the fourth embodiment described above. The first conductor plane 1 is disposed between the first dielectric layer 6 and the back dielectric layer 320, and the second conductor layer 1 is disposed between the first dielectric layer 6 and the second dielectric layer 7. The conductor plane 2 is disposed. Also also. A first transmission line 304A is disposed on the other side (lower surface) in the thickness direction of the back dielectric layer 320, and one side (upper surface) in the thickness direction of the second dielectric layer 7 on the surface layer. ) Is provided with a second transmission line 304B.

第1、第2の伝送線路304A,304Bの他端(図17における左側の端部)にはパッド8がそれぞれ電気的に接続されているが、第1の伝送線路304Aのパッド8と第2の伝送線路304Bのパッド8とは、平面視において互いにずれた位置(重ならない位置)に配設されている。そして、第1の導体プレーン1と第2の伝送線路304Bのパッド8とは第1の導体ビア405Aを介して電気的に接続されているとともに、第2の導体プレーン2と第1の伝送線路304Aのパッド8とは第2の導体ビア405Bを介して電気的に接続されている。つまり、第1の伝送線路304Aとパッド8と第2の導体ビア405Bとからなる第1のアドミタンス部と、第2の伝送線路304Bとパッド8と第1の導体ビア405Aとからなる第2のアドミタンス部と、が備えられており、この第2のアドミタンス部は、図18に示すように平面視において、第1のアドミタンス部をxy平面上でA/2+B/2=(a/2,a/2)だけ平行移動させ、さらに、上下方向に反転させた位置に配設されている。   The pad 8 is electrically connected to the other end (the left end portion in FIG. 17) of the first and second transmission lines 304A and 304B, respectively. The pad 8 of the transmission line 304B is disposed at a position shifted (not overlapped) with each other in plan view. The first conductor plane 1 and the pad 8 of the second transmission line 304B are electrically connected via the first conductor via 405A, and the second conductor plane 2 and the first transmission line. The pad 8 of 304A is electrically connected through the second conductor via 405B. That is, the first admittance portion including the first transmission line 304A, the pad 8, and the second conductor via 405B, and the second admittance portion including the second transmission line 304B, the pad 8, and the first conductor via 405A. As shown in FIG. 18, the second admittance unit is configured so that the first admittance unit is A / 2 + B / 2 = (a / 2, a on the xy plane in a plan view as shown in FIG. / 2) is moved in parallel, and is further disposed at a position inverted in the vertical direction.

本実施の形態のEBG構造によれば、図18の平面図に示すとおり、より高密度にアドミタンス部を配置することが可能となり、EBG構造の実装面積を低減することが可能となる。   According to the EBG structure of the present embodiment, as shown in the plan view of FIG. 18, the admittance portions can be arranged with higher density, and the mounting area of the EBG structure can be reduced.

なお、上述した第5の実施の形態のEBG構造は、図13に示すEBG構造を変形させた構成となっているが、図15に示すEBG構造を同様に変形させることも可能である。 具体的に説明すると、図19に示すように、図15に示すEBG構造を元として、第2の導体プレーン2をリターンパスとする第2の伝送線路104Bの端部が、第1の導体ビア105Aを介して第1の導体プレーン1に電気的に接続されているとともに、第1の導体プレーン1をリターンパスとする第1の伝送線路104Aの端部が、第2の導体ビア105Bを介して第2の導体プレーン2に電気的に接続されている。
さらに、第1、第2の伝送線路のうちの何れか一方を第1、第2の導体プレーン1,2の間の領域の内側に配設するとともに他方を前記領域の外側に配設した非対称構造において、第2の伝送線路の端部を第1の導体ビアを介して第1の導体プレーン1に電気的に接続するとともに、第1の伝送線路の端部を第2の導体ビアを介して第2の導体プレーン2に電気的に接続した構成であってもよい。
Note that the EBG structure of the fifth embodiment described above has a configuration in which the EBG structure shown in FIG. 13 is modified, but the EBG structure shown in FIG. 15 can be similarly modified. Specifically, as shown in FIG. 19, based on the EBG structure shown in FIG. 15, the end of the second transmission line 104B having the second conductor plane 2 as a return path is the first conductor via. The first transmission line 104A having the first conductor plane 1 as a return path is electrically connected to the first conductor plane 1 via the first conductor plane 1 via the second conductor via 105B. And electrically connected to the second conductor plane 2.
Furthermore, one of the first and second transmission lines is disposed inside the region between the first and second conductor planes 1 and 2, and the other is disposed outside the region. In the structure, the end of the second transmission line is electrically connected to the first conductor plane 1 via the first conductor via, and the end of the first transmission line is connected to the first conductor via 1 via the second conductor via. In this case, the second conductor plane 2 may be electrically connected.

また、図18に示すように、本実施の形態では、第1、第2の伝送線路304A,304Bが直線形状の場合を示したが、他の実施の形態同様、どのような形状でもよい。例えば、図20に示すようにスパイラル形状としてもよい。
また、必ずしも第1、第2の伝送線路304A,304Bの形状をそろえる必要はなく、例えば、一方は直線形状、他方はスパイラル形状といった組み合わせも考えられる。
また、ここでは正方格子の場合を例に説明したが、当然一般の格子に対しても同様の構造を実現できる。
Further, as shown in FIG. 18, in the present embodiment, the first and second transmission lines 304A and 304B are shown in a straight line shape, but may have any shape as in the other embodiments. For example, a spiral shape may be used as shown in FIG.
The first and second transmission lines 304A and 304B do not necessarily have the same shape. For example, a combination of a linear shape on one side and a spiral shape on the other side is conceivable.
Although the case of a square lattice has been described as an example here, naturally a similar structure can be realized for a general lattice.

次に、本発明に係るプリント配線板の第1の実施の形態について、図21、図22に基いて説明する。
図21は本実施の形態におけるプリント配線板の平面図であり、図22は図21に示すC−C´間の断面図である。
Next, a first embodiment of the printed wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 21 is a plan view of the printed wiring board in the present embodiment, and FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the line CC 'shown in FIG.

本実施の形態におけるプリント配線板は、上記したEBG構造を内蔵したプリント基板50である。詳しく説明すると、図21、図22に示すように、プリント基板50は、少なくとも、グランドプレーン51と、電源プレーン52と、ノイズ源となるデバイス53と、ノイズの影響を受けやすいデバイス54と、それらデバイス53,54の間に配置されるEBG領域55とを備える。図22に示すように、ノイズ源となるデバイス53およびノイズの影響を受けやすいデバイス54は、いずれも前記グランドプレーン51と前記電源プレーン52に接続されている。また、グランドプレーン51と電源プレーン52は平行平板型導波路を形成している。通常のプリント基板ではノイズ源となるデバイス53から生じたノイズが、前記平行平板型導波路を伝播して、ノイズの影響を受けやすいデバイス54に入ることで、誤動作等を引き起こす。本実施の形態のプリント基板50では、図21に示すように、ノイズ伝播経路を遮断するように、EBG領域55に本発明のEBG構造を配置することで、デバイス53,54間のノイズ伝播を抑制できる。これにより、ノイズの影響を受けやすいデバイス54の誤動作を抑制することが可能となる。   The printed wiring board in the present embodiment is a printed board 50 incorporating the above-described EBG structure. More specifically, as shown in FIGS. 21 and 22, the printed circuit board 50 includes at least a ground plane 51, a power supply plane 52, a noise source device 53, a noise-sensitive device 54, and the like. And an EBG region 55 disposed between the devices 53 and 54. As shown in FIG. 22, a device 53 that is a noise source and a device 54 that is susceptible to noise are both connected to the ground plane 51 and the power plane 52. In addition, the ground plane 51 and the power plane 52 form a parallel plate type waveguide. In a normal printed circuit board, noise generated from the device 53 serving as a noise source propagates through the parallel plate waveguide and enters the device 54 that is easily affected by noise, thereby causing malfunction or the like. In the printed circuit board 50 according to the present embodiment, as shown in FIG. 21, the EBG structure of the present invention is arranged in the EBG region 55 so as to block the noise propagation path, so that the noise propagation between the devices 53 and 54 is prevented. Can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress malfunction of the device 54 that is easily affected by noise.

なお、図22では第1の実施の形態のEBG構造を用いた例を示したが、当然、本発明の他の実施の形態のEBG構造を用いることもできる。
また、図21では、EBG領域55を帯状に設けた場合を示したが、EBG領域55はノイズ伝播経路を遮断できればどのような配置でもよい。たとえば図23に示すように、ノイズの影響を受けやすいデバイス54を囲むようにEBG領域55を設けることも可能である。
また、ここでは本発明のEBG構造をプリント基板50に搭載した場合を示したが、本発明の対象は必ずしもプリント基板50に限らない。たとえば、デバイスのパッケージ基板などに本発明のEBG構造を設けることも考えられる。
Although FIG. 22 shows an example using the EBG structure of the first embodiment, it is obvious that the EBG structure of another embodiment of the present invention can also be used.
FIG. 21 shows the case where the EBG region 55 is provided in a strip shape, but the EBG region 55 may be arranged in any manner as long as the noise propagation path can be blocked. For example, as shown in FIG. 23, it is also possible to provide an EBG region 55 so as to surround a device 54 that is susceptible to noise.
Although the case where the EBG structure of the present invention is mounted on the printed circuit board 50 is shown here, the object of the present invention is not necessarily limited to the printed circuit board 50. For example, it is conceivable to provide the EBG structure of the present invention on a package substrate of a device.

次に、本発明に係るプリント配線板の第2の実施の形態について、図24に基いて説明する。
図24は本実施の形態におけるプリント配線板の平面図である。
なお、上述した第1の実施の形態と同様の構成については同様の符号を付して説明を省略する。
Next, a second embodiment of the printed wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 24 is a plan view of the printed wiring board in the present embodiment.
In addition, about the structure similar to 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

本実施の形態におけるプリント基板50は、オープン端の伝送線路長dが異なる複数の導波路構造が備えられ、これら複数の導波路構造のバンドギャップ帯にずれが生じている。
詳しく説明すると、図24に示すように、プリント基板50は、上述した第1の実施の形態と同様、少なくともグランドプレーン51と、電源プレーン52と、ノイズ源となるデバイス53と、ノイズの影響を受けやすいデバイス54とを備える。本実施の形態は、ノイズ伝播経路を遮断するように設けられたEBG領域55に、第1のEBG構造56および第2のEBG構造57を配置してデイバス53,54間のノイズ伝播を抑制する。第1のEBG構造56と第2のEBG構造B57とが、ノイズ伝播方向に並べて配置されている。第1のEBG構造56と第2のEBG構造57とはそれぞれオープンスタブの伝送線路長dが異なっており、バンドギャップ周波数帯も異なる。このため、第1のEBG構造56と第2のEBG構造57とのバンドギャップ帯がずれるように伝送線路長dを設計することにより、単一のEBG構造では実現できない非常に広帯域なバンドギャップを、EBG領域55全体で実現することが可能となる。
The printed circuit board 50 in the present embodiment is provided with a plurality of waveguide structures having different transmission line lengths d at the open ends, and the band gap bands of the plurality of waveguide structures are shifted.
More specifically, as shown in FIG. 24, the printed circuit board 50 has at least a ground plane 51, a power plane 52, a device 53 as a noise source, and the influence of noise, as in the first embodiment described above. And an easily accessible device 54. In the present embodiment, the first EBG structure 56 and the second EBG structure 57 are arranged in the EBG region 55 provided so as to block the noise propagation path, thereby suppressing noise propagation between the devices 53 and 54. . The first EBG structure 56 and the second EBG structure B57 are arranged side by side in the noise propagation direction. The first EBG structure 56 and the second EBG structure 57 have different transmission line lengths d of open stubs and different band gap frequency bands. For this reason, by designing the transmission line length d so that the band gap band between the first EBG structure 56 and the second EBG structure 57 is shifted, a very wide band gap that cannot be realized with a single EBG structure is obtained. Thus, it can be realized in the entire EBG region 55.

なお、図25に示すように、第1のEBG構造156と第2のEBG構造157とがノイズ伝播方向に対して交互に配置された縞状に配置されていてもよい。
また、図26に示すように、第1のEBG構造156と第2のEBG構造157とが格子状(市松模様状)に配置されていてもよい。
いずれの配置でもEBG領域55全体として、広いバンドギャップ帯域を実現することが可能である。
その他に、第1のEBG構造と第2のEBG構造とが混合して配置されていれば、他の配置を採用してもよい。また、さらに広いバンドギャップ帯域が必要な場合は、バンドギャップ帯域をずらしたEBG構造をさらに混合して配置すればよい。
In addition, as shown in FIG. 25, the 1st EBG structure 156 and the 2nd EBG structure 157 may be arrange | positioned at the stripe form arrange | positioned alternately with respect to the noise propagation direction.
Moreover, as shown in FIG. 26, the 1st EBG structure 156 and the 2nd EBG structure 157 may be arrange | positioned at the grid | lattice form (checkered pattern shape).
In any arrangement, a wide band gap band can be realized as the whole EBG region 55.
In addition, other arrangements may be employed as long as the first EBG structure and the second EBG structure are mixed and arranged. If a wider band gap band is required, EBG structures with shifted band gap bands may be further mixed and arranged.

その他、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した変形例を適宜組み合わせてもよい。   In addition, in the range which does not deviate from the main point of this invention, it is possible to replace suitably the component in above-mentioned embodiment with a well-known component, and you may combine the above-mentioned modification suitably.

1 第1の導体プレーン
2 第2の導体プレーン
3 単位構造
4 伝送線路
5 導体ビア
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st conductor plane 2 2nd conductor plane 3 Unit structure 4 Transmission line 5 Conductor via

Claims (6)

少なくとも、
平行に配設された第1、第2の導体プレーンと、
前記 第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、一端がオープン端となっている伝送線路、および、該伝送線路の他端と前記第1の導体プレーンとを電気的に接続する導体ビア、を有する単位構造と、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンに接続されたデバイスと、
を備え、
前記単位構造が、少なくとも平面視で前記デバイスの周囲を囲むように複数配列されていることを特徴とするプリント配線板。
at least,
First and second conductor planes arranged in parallel;
A transmission line disposed on a different layer from the first conductor plane and the second conductor plane and having an open end at one end, and electrically connecting the other end of the transmission line and the first conductor plane. A unit structure having conductive vias connected to each other;
Devices connected to the first conductor plane and the second conductor plane;
With
A plurality of the unit structures are arranged so as to surround the periphery of the device at least in a plan view.
少なくとも、
平行に配設された第1、第2の導体プレーンと、
前記第1の導体プレーンと前記第2の導体プレーンとの間に配設され、該第2の導体プレーンをリターンパスとする第1の伝送線路、前記第2の導体プレーンに対して前記第1の導体プレーンの反対側に設けられ、一端がオープン端となっている第2の伝送線路、前記第1の伝送線路の一端と前記第1の導体プレーンとを電気的に接続する第1の導体ビア、および、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する第2の導体ビア、を有する単位構造と、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンに接続されたデバイスと、
を備え、
前記単位構造が、平面視で前記デバイスの周囲を囲むように複数配列されていることを特徴とするプリント配線板。
at least,
First and second conductor planes arranged in parallel;
A first transmission line disposed between the first conductor plane and the second conductor plane and having the second conductor plane as a return path, and the first conductor line with respect to the second conductor plane. A second transmission line provided on the opposite side of the first conductor plane and having an open end at one end, and a first conductor for electrically connecting one end of the first transmission line and the first conductor plane. A unit structure having a via and a second conductor via for electrically connecting the other end of the first transmission line and the other end of the second transmission line;
Devices connected to the first conductor plane and the second conductor plane;
With
A printed wiring board, wherein a plurality of the unit structures are arranged so as to surround the periphery of the device in plan view.
少なくとも、
平行に配設された第1、第2の導体プレーンと、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、一端がオープン端となっている第1の伝送線路、前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、一端がオープン端となっている第2の伝送線路、および、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する導体ビア、を有する単位構造と、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンに接続されたデバイスと、
を備え、
前記単位構造が、平面視で前記デバイスの周囲を囲むように複数配列されていることを特徴とするプリント配線板。
at least,
First and second conductor planes arranged in parallel;
Different from the first transmission line, the first conductor plane, and the second conductor plane, which are disposed in a different layer from the first conductor plane and the second conductor plane, and one end of which is an open end. A second transmission line disposed in the layer and having an open end at one end, and a conductor via for electrically connecting the other end of the first transmission line and the other end of the second transmission line A unit structure having
Devices connected to the first conductor plane and the second conductor plane;
With
A printed wiring board, wherein a plurality of the unit structures are arranged so as to surround the periphery of the device in plan view.
少なくとも、
平行に配設された第1、第2の導体プレーンと、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、一端がオープン端となっている伝送線路、および、該伝送線路の他端と前記第1の導体プレーンとを電気的に接続する導体ビア、を有する単位構造と、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンに接続された第1のデバイスと第2のデバイスと、
を備え、
該単位構造が、平面視で前記第1と第2のデバイスの間のノイズ伝搬経路を遮るように複数配列されていることを特徴とするプリント配線板。
at least,
First and second conductor planes arranged in parallel;
A transmission line disposed on a different layer from the first conductor plane and the second conductor plane and having an open end at one end, and electrically connecting the other end of the transmission line and the first conductor plane. A unit structure having conductive vias connected to each other;
A first device and a second device connected to the first conductor plane and the second conductor plane;
With
A printed wiring board, wherein a plurality of the unit structures are arranged so as to block a noise propagation path between the first and second devices in plan view.
少なくとも、
平行に配設された第1、第2の導体プレーンと、
前記第1の導体プレーンと前記第2の導体プレーンとの間に配設され、該第2の導体プレーンをリターンパスとする第1の伝送線路、前記第2の導体プレーンに対して前記第1の導体プレーンの反対側に設けられ、一端がオープン端となっている第2の伝送線路、前記第1の伝送線路の一端と前記第1の導体プレーンとを電気的に接続する第1の導体ビア、および、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する第2の導体ビア、を有する単位構造と、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンに接続された第1のデバイスと第2のデバイスと、
を備え、
該単位構造が、平面視で前記第1と第2のデバイスの間のノイズ伝搬経路を遮るように複数配列されていることを特徴とするプリント配線板。
at least,
First and second conductor planes arranged in parallel;
A first transmission line disposed between the first conductor plane and the second conductor plane and having the second conductor plane as a return path, and the first conductor line with respect to the second conductor plane. A second transmission line provided on the opposite side of the first conductor plane and having an open end at one end, and a first conductor for electrically connecting one end of the first transmission line and the first conductor plane. A unit structure having a via and a second conductor via for electrically connecting the other end of the first transmission line and the other end of the second transmission line;
A first device and a second device connected to the first conductor plane and the second conductor plane;
With
A printed wiring board, wherein a plurality of the unit structures are arranged so as to block a noise propagation path between the first and second devices in plan view.
少なくとも、
平行に配設された第1、第2の導体プレーンと、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、一端がオープン端となっている第1の伝送線路、前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンと異なる層に配設され、一端がオープン端となっている第2の伝送線路、および、前記第1の伝送線路の他端と前記第2の伝送線路の他端とを電気的に接続する導体ビア、を有する単位構造と、
前記第1の導体プレーン及び前記第2の導体プレーンに接続された第1のデバイスと第2のデバイスと、
を備え、
該単位構造が、平面視で前記第1と第2のデバイスの間のノイズ伝搬経路を遮るように複数配列されていることを特徴とするプリント配線板。
at least,
First and second conductor planes arranged in parallel;
Different from the first transmission line, the first conductor plane, and the second conductor plane, which are disposed in a different layer from the first conductor plane and the second conductor plane, and one end of which is an open end. A second transmission line disposed in the layer and having an open end at one end, and a conductor via for electrically connecting the other end of the first transmission line and the other end of the second transmission line A unit structure having
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