JP5716821B2 - Heteroacene derivatives, precursor compounds thereof, and methods for producing the same - Google Patents

Heteroacene derivatives, precursor compounds thereof, and methods for producing the same Download PDF

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Description

本発明は、有機半導体等の電子材料への展開が可能なヘテロアセン誘導体、その用途及びその製造方法に関する。さらに本発明は、該ヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体及びジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体並びにそれらの製造方法に関する。   The present invention relates to a heteroacene derivative that can be developed into an electronic material such as an organic semiconductor, its use, and a production method thereof. The present invention further relates to di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivatives and di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivatives, which are precursor compounds of the heteroacene derivative, and methods for producing them.

有機薄膜トランジスタに代表される有機半導体デバイスは、省エネルギー、低コスト及びフレキシブルといった無機半導体デバイスにはない特徴を有することから近年注目されるようになった。この有機半導体デバイスは有機半導体活性相、基板、絶縁相、電極等数種類の材料から構成されるが、中でも電荷のキャリアー移動を担う有機半導体活性相は該デバイスの中心的な役割を有している。この有機半導体活性相を構成する有機材料のキャリアー移動能により有機半導体デバイス性能が左右される。   Organic semiconductor devices typified by organic thin film transistors have recently attracted attention because they have features not found in inorganic semiconductor devices such as energy saving, low cost, and flexibility. This organic semiconductor device is composed of several kinds of materials such as an organic semiconductor active phase, a substrate, an insulating phase, and an electrode. Among them, the organic semiconductor active phase responsible for charge carrier movement has a central role of the device. . The organic semiconductor device performance is affected by the carrier mobility of the organic material constituting the organic semiconductor active phase.

有機半導体活性相を作製する方法としては一般的に、高温真空下、有機材料を気化させて実施する真空蒸着法及び有機材料を適当な溶媒に溶解させその溶液を塗布する塗布法が知られている。塗布法においては、塗布は高温高真空条件を用いることなく印刷技術を用いても実施することができる。そのため、塗布法は印刷によりデバイス作製の大幅な製造コストの削減を図ることができることから、経済的に好ましいプロセスである。しかし、従来、有機半導体デバイスとして性能が高い材料ほど塗布法で有機半導体活性相を形成することが困難になるという問題があった。   As a method for producing an organic semiconductor active phase, there are generally known a vacuum deposition method in which an organic material is vaporized under a high temperature vacuum and a coating method in which the organic material is dissolved in an appropriate solvent and applied. Yes. In the coating method, the coating can be carried out using a printing technique without using high temperature and high vacuum conditions. Therefore, the coating method is an economically preferable process because it can greatly reduce the manufacturing cost of device fabrication by printing. However, conventionally, there has been a problem that a material having higher performance as an organic semiconductor device has a difficulty in forming an organic semiconductor active phase by a coating method.

例えば、ペンタセン等の結晶性材料はアモルファスシリコン並みの高いキャリアー移動度を有し、優れた有機半導体デバイス特性を発現することが報告されている(例えば、非特許文献1参照)。又、ペンタセン等のポリアセンを溶解させ塗布法で有機半導体デバイスを製造する試みも報告されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、ペンタセンはその強い凝集性のため溶解性が低く、塗布法を適用するためには高温加熱等の条件が必要とされ、さらにペンタセンの溶液は極めて容易に空気酸化されることから、塗布法の適用はプロセス的、経済的に困難を伴うものであった。また、ポリ−(3−ヘキシルチオフェン)等の自己組織化材料は溶媒に可溶であり、塗布法による有機半導体デバイス作製が報告されてはいるが、キャリアー移動度が結晶性低分子化合物より1桁低いことから(例えば、非特許文献2参照)、得られた有機半導体デバイスの特性が低いという問題があった。   For example, it has been reported that a crystalline material such as pentacene has a carrier mobility as high as that of amorphous silicon and exhibits excellent organic semiconductor device characteristics (for example, see Non-Patent Document 1). An attempt to manufacture an organic semiconductor device by a coating method by dissolving polyacene such as pentacene has also been reported (see, for example, Patent Document 1). However, pentacene has low cohesion due to its strong cohesiveness, and conditions such as high-temperature heating are required to apply the coating method, and the solution of pentacene is very easily oxidized by air. The application of was difficult in terms of process and economy. Self-assembled materials such as poly- (3-hexylthiophene) are soluble in a solvent, and although organic semiconductor device fabrication by a coating method has been reported, the carrier mobility is 1 lower than that of a crystalline low molecular compound. Since it is a little lower (for example, refer nonpatent literature 2), there was a problem that the characteristic of the obtained organic semiconductor device was low.

またジナフト環とチエノチオフェン環が縮環したヘテロアセンが報告されているが、分子長軸が短いことと溶解性が低いという問題があった(例えば、非特許文献3参照)。   Further, heteroacene in which a dinaphtho ring and a thienothiophene ring are condensed has been reported, but there are problems that the molecular long axis is short and the solubility is low (for example, see Non-Patent Document 3).

WO2003/016599号WO2003 / 016599

「ジャーナル オブ アプライドフィジックス」、(米国)、2002年、92巻、5259−5263頁“Journal of Applied Physics” (USA), 2002, 92, 5259-5263. 「サイエンス」、(米国)、1998年、280巻、1741−1744頁“Science”, (USA), 1998, 280, 1741-1744. 「ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティー」、(米国)、2007年、129巻、2224−2225頁“Journal of American Chemical Society” (USA), 2007, 129, 2224-2225.

そこで、本発明は上記の従来技術が有する問題点に鑑み、優れた耐酸化性を有し、塗布法による有機半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供することを目的とする。さらに、本発明は該ヘテロアセン誘導体の前駆体として有用なジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体及びジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体並びにそれらの製造方法を提供することをも目的とする。   Therefore, in view of the problems of the above-described conventional technology, the present invention has a heteroacene derivative having excellent oxidation resistance and capable of forming an organic semiconductor active phase by a coating method, and an oxidation resistant organic semiconductor material using the same. An object of the present invention is to provide an organic thin film. Another object of the present invention is to provide di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivatives and di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivatives useful as precursors of the heteroacene derivatives, and methods for producing them.

本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討の結果、本発明の新規なヘテロアセン誘導体を見出した。加えて、該ヘテロアセン誘導体は分子長軸が長いことから性能に優れると同時に耐酸化性にも優れ、さらに塗布法の適用が可能であること、及び結晶性の薄膜を容易に安定して作製することができることから、該ヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料及びその有機薄膜を見出し、本発明を完成するに到った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found a novel heteroacene derivative of the present invention. In addition, since the heteroacene derivative has a long molecular long axis, it has excellent performance and at the same time excellent oxidation resistance, can be applied by a coating method, and can easily produce a crystalline thin film stably. Therefore, the present inventors have found an oxidation-resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative and an organic thin film thereof and completed the present invention.

さらに本発明者らは、該ヘテロアセン誘導体を効率的に製造することができる新規な前駆化合物、即ち特定のジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体及びジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体を見出し、且つ係るジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体及びジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体を効率的に製造する方法を見出し本発明を完成するに到った。   Furthermore, the present inventors have found a novel precursor compound capable of efficiently producing the heteroacene derivative, namely a specific di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative and di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative, and The inventors have found a method for efficiently producing such di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivatives and di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivatives, and have completed the present invention.

以下に本発明を詳細に説明する。説明はヘテロアセン誘導体及びその製造方法、該ヘテロアセン誘導体の前駆体であるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体及びジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体及びそれらの製造方法、並びに該ヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料及びその有機薄膜について述べる。   The present invention is described in detail below. The description includes a heteroacene derivative and a process for producing the same, a di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative and a di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative which are precursors of the heteroacene derivative and a process for producing them, and oxidation resistance including the heteroacene derivative The conductive organic semiconductor material and the organic thin film thereof will be described.

(ヘテロアセン誘導体)
本発明のヘテロアセン誘導体は下記一般式(1)で示される。
(Heteroacene derivative)
The heteroacene derivative of the present invention is represented by the following general formula (1).

Figure 0005716821
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[(ここで、T及びTは同一又は異なって、硫黄原子、セレン原子、テルル原子を示し、環A及びBは同一又は異なって、下記一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有する。そして、本発明は、一般式(A−2)で示される構造であることを特徴とする。) [Wherein T 1 and T 2 are the same or different and each represents a sulfur atom, a selenium atom or a tellurium atom, and rings A and B are the same or different, and the following general formulas (A-1) and (A-2 Or a structure represented by (A-3), and the present invention is characterized by a structure represented by formula (A-2).)

Figure 0005716821
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Figure 0005716821
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Figure 0005716821
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(ここで、置換基R〜Rは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数4〜30のアリール基、炭素数2〜30のアルケニル基、炭素数2〜30のアルキニル基を示し、nは0又は1の整数である。ただし、nが0の場合、置換基R〜Rは同時に水素の場合を除く。)
本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の置換基について述べる。
(Wherein the substituents R 1 to R 8 are the same or different, a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, It indicates an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, n is an integer of 0 or 1. However, when n is 0, the substituents R 1 to R 4 except in the case of simultaneously hydrogen.)
The substituent of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

置換基R〜Rにおける炭素数1〜30のアルキル基は、特に限定はなく、例えばメチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、2−エチルヘキシル基等の鎖状アルキル基;シクロオクチル基等の環状アルキル基;トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロドデシル基、パーフルオロオクタデシル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロシクロオクチル基等のパーフルオロアルキル基;ペンタデカフルオロオクチル基、オクタデカフルオロデシル基、2−エチルパーフルオロヘキシル基等の一部の水素がフッ素に置換されたハロゲン化アルキル基を挙げることができ、好ましくは炭素数6〜30のアルキル基であり、より好ましくはドデシル基、オクタデシル基、パーフルオロドデシル基、パーフルオロオクタデシル基であり、特に好ましくはドデシル基、パーフルオロドデシル基である。 The alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in the substituents R 1 to R 8 is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, a propyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a neopentyl group, a hexyl group, a heptyl group, Chain alkyl groups such as octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, 2-ethylhexyl group; cyclic such as cyclooctyl group Alkyl group; perfluoroalkyl group such as trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorooctyl group, perfluorododecyl group, perfluorooctadecyl group, perfluorocyclohexyl group, perfluorocyclooctyl group; pentadecafluorooctyl group , Octadeca Fluoro A halogenated alkyl group in which a part of hydrogen such as a decyl group and a 2-ethylperfluorohexyl group is substituted with fluorine can be mentioned, preferably an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably a dodecyl group. , Octadecyl group, perfluorododecyl group and perfluorooctadecyl group, particularly preferably dodecyl group and perfluorododecyl group.

置換基R〜Rにおける炭素数4〜30のアリール基は、特に限定はなく、例えばフェニル基、p−トリル基、p−(オクチル)フェニル基、p−(ドデシル)フェニル基、p−(シクロヘキシル)フェニル基、m−(オクチル)フェニル基、m−(ドデシル)フェニル基、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、p−(トリフルオロメチル)フェニル基、p−(パーフルオロオクチル)フェニル基、p−(パーフルオロドデシル)フェニル基、m−(パーフルオロドデシル)フェニル基、2−チエニル基、5−(ドデシル)−2−チエニル基、2,2’−ビチエニル−5−基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−パーフルオロナフチル基、アントラセニル基等を挙げることができ、好ましくはフェニル基、p−(オクチル)フェニル基、p−(パーフルオロオクチル)フェニル基、5−(ドデシル)−2−チエニル基等であり、特に好ましくはフェニル基である。 The aryl group having 4 to 30 carbon atoms in the substituents R 1 to R 8 is not particularly limited, and examples thereof include a phenyl group, p-tolyl group, p- (octyl) phenyl group, p- (dodecyl) phenyl group, p- (Cyclohexyl) phenyl group, m- (octyl) phenyl group, m- (dodecyl) phenyl group, p-fluorophenyl group, pentafluorophenyl group, p- (trifluoromethyl) phenyl group, p- (perfluorooctyl) Phenyl group, p- (perfluorododecyl) phenyl group, m- (perfluorododecyl) phenyl group, 2-thienyl group, 5- (dodecyl) -2-thienyl group, 2,2′-bithienyl-5-group, List biphenyl group, perfluorobiphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-perfluoronaphthyl group, anthracenyl group, etc. Preferably a phenyl group, a p- (octyl) phenyl group, a p- (perfluorooctyl) phenyl group, a 5- (dodecyl) -2-thienyl group, and more preferably a phenyl group.

置換基R〜Rにおける、炭素数2〜30のアルケニル基は、特に限定はなく、例えばエテニル基、メチルエテニル基、イソプロピルエテニル基、tert−ブチルエテニル基、(オクチル)エテニル基、(デシル)エテニル基、(ドデシル)エテニル基、(トリフルオロメチル)エテニル基、(パーフルオロオクチル)エテニル基、(パーフルオロデシル)エテニル基、(パーフルオロドデシル)エテニル基、フェニルエテニル基、{p−(ヘキシル)フェニル}エテニル基、{p−(オクチル)フェニル}エテニル基、{p−(ドデシル)フェニル}エテニル基、{m−(ドデシル)フェニル}エテニル基、2−フェニル−1,2−ジフルオロエテニル基、2−フェニル−1,2−ジメチルエテニル基、ジフェニルエテニル基、トリフェニルエテニル基、ナフチルエテニル基、アントラセニルエテニル基、ベンジルエテニル基、フェニル(メチル)エテニル基、(パーフルオロフェニル)エテニル基、{p−(トリフルオロメチル)フェニル}エテニル基、{5−(ヘキシル)チエニル−2−}エテニル基、{5−(パーフルオロヘキシル)チエニル−2−}エテニル基等を挙げることができ、好ましくは(オクチル)エテニル基、(デシル)エテニル基、(パーフルオロオクチル)エテニル基、(パーフルオロデシル)エテニル基等である。なお、該炭素数2〜30のアルケニル基はトランス体及びシス体の何れであってもよく、またそれらの任意の割合の混合物であってもよい。 The alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms in the substituents R 1 to R 8 is not particularly limited. For example, ethenyl group, methyl ethenyl group, isopropyl ethenyl group, tert-butylethenyl group, (octyl) ethenyl group, (decyl) Ethenyl, (dodecyl) ethenyl, (trifluoromethyl) ethenyl, (perfluorooctyl) ethenyl, (perfluorodecyl) ethenyl, (perfluorododecyl) ethenyl, phenylethenyl, {p- ( (Hexyl) phenyl} ethenyl group, {p- (octyl) phenyl} ethenyl group, {p- (dodecyl) phenyl} ethenyl group, {m- (dodecyl) phenyl} ethenyl group, 2-phenyl-1,2-difluoroe Tenenyl group, 2-phenyl-1,2-dimethylethenyl group, diphenylethenyl group, triphenyl group Enylethenyl, naphthylethenyl, anthracenylethenyl, benzylethenyl, phenyl (methyl) ethenyl, (perfluorophenyl) ethenyl, {p- (trifluoromethyl) phenyl} ethenyl, {5- (hexyl) ) Thienyl-2-} ethenyl group, {5- (perfluorohexyl) thienyl-2-} ethenyl group, etc., preferably (octyl) ethenyl group, (decyl) ethenyl group, (perfluorooctyl) An ethenyl group, a (perfluorodecyl) ethenyl group, and the like. The alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms may be either a trans isomer or a cis isomer, or may be a mixture of any ratio thereof.

置換基R〜Rにおける、炭素数2〜30のアルキニル基は、特に限定はなく、例えばエチニル基、メチルエチニル基、イソプロピルエチニル基、tert−ブチルエチニル基、(オクチル)エチニル基、(デシル)エチニル基、(トリフルオロメチル)エチニル基、(パーフルオロオクチル)エチニル基、(パーフルオロデシル)エチニル基、フェニルエチニル基、{p−(オクチル)フェニル}エチニル基、{p−(ドデシル)フェニル}エチニル基、{m−(ドデシル)フェニル}エチニル基、ナフチルエチニル基、アントラセニルエチニル基、ベンジルエチニル基、パーフルオロフェニルエチニル基、{p−(トリフルオロメチル)フェニル}エチニル基、{p−(パーフルオロオクチル)フェニル}エチニル基、{p−(パーフルオロドデシル)フェニル}エチニル基、{m−(パーフルオロドデシル)フェニル}エチニル基、5−(ヘキシル)チエニル−2−}エチニル基、{5−(パーフルオロヘキシル)チエニル−2−}エチニル基等を挙げることができ、好ましくは(オクチル)エチニル基、(デシル)エチニル基、(パーフルオロオクチル)エチニル基、(パーフルオロデシル)エチニル基等である。 The alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms in the substituents R 1 to R 8 is not particularly limited. For example, ethynyl group, methylethynyl group, isopropylethynyl group, tert-butylethynyl group, (octyl) ethynyl group, (decyl) ) Ethynyl group, (trifluoromethyl) ethynyl group, (perfluorooctyl) ethynyl group, (perfluorodecyl) ethynyl group, phenylethynyl group, {p- (octyl) phenyl} ethynyl group, {p- (dodecyl) phenyl } Ethynyl group, {m- (dodecyl) phenyl} ethynyl group, naphthylethynyl group, anthracenylethynyl group, benzylethynyl group, perfluorophenylethynyl group, {p- (trifluoromethyl) phenyl} ethynyl group, {p -(Perfluorooctyl) phenyl} ethynyl group, {p- (per (Luorododecyl) phenyl} ethynyl group, {m- (perfluorododecyl) phenyl} ethynyl group, 5- (hexyl) thienyl-2-} ethynyl group, {5- (perfluorohexyl) thienyl-2-} ethynyl group, etc. Preferred examples include (octyl) ethynyl group, (decyl) ethynyl group, (perfluorooctyl) ethynyl group, (perfluorodecyl) ethynyl group, and the like.

これらの置換基R〜Rの中でも、特に水素原子、フッ素原子、炭素数7〜30のアルキル基、炭素数2〜30のアルキニル基が好ましく、さらに水素原子、フッ素原子、ドデシル基、オクタデシル基、パーフルオロドデシル基、パーフルオロオクタデシル基、(デシル)エチニル基、(パーフルオロデシル)エチニル基等が好ましい。 Among these substituents R 1 to R 8, a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms are particularly preferable, and a hydrogen atom, a fluorine atom, a dodecyl group, and octadecyl are preferred. Group, perfluorododecyl group, perfluorooctadecyl group, (decyl) ethynyl group, (perfluorodecyl) ethynyl group and the like are preferable.

置換基T及びTは、硫黄原子、セレン原子、テルル原子であり、その中でも好ましくは硫黄原子である。 The substituents T 1 and T 2 are a sulfur atom, a selenium atom, and a tellurium atom, and among them, a sulfur atom is preferable.

一般式(1)における(A−1)中のnは0又は1の整数であり、その中でも好ましくは1である。   N in (A-1) in the general formula (1) is an integer of 0 or 1, and preferably 1 among them.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の置換基R〜Rの置換様式として、R及びRが、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数4〜30のアリール基、炭素数2〜30のアルケニル基、及び炭素数2〜30のアルキニル基からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の基であり、且つR及びRが、同一又は異なって、水素原子及びフッ素原子からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の基であることが好ましい。また、置換基Rは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数4〜30のアリール基、炭素数2〜30のアルケニル基、及び炭素数2〜30のアルキニル基からなる群から選ばれる基であり、且つRが、水素原子及び炭素数7〜30のアルキル基、からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の基であることが好ましい。さらに、置換基R及びRは、同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数7〜30のアルキル基、炭素数4〜30のアリール基、炭素数2〜30のアルケニル基からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の基であることが好ましい。 As the substitution pattern of the substituents R 1 to R 8 of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention, R 1 and R 2 are the same or different, and a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, It is at least one group selected from the group consisting of an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, and an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, and R 3 and R 4 are the same Or, it is preferably at least one group selected from the group consisting of a hydrogen atom and a fluorine atom. The substituent R 5 is a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, and an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms. And R 6 is preferably at least one group selected from the group consisting of a hydrogen atom and an alkyl group having 7 to 30 carbon atoms. Further, the substituents R 7 and R 8 are the same or different and are each composed of a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms. It is preferably at least one group selected from the group.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の環A及びBについて述べる。環A及びBは同一又は異なって、一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−1)、(A−2)で示される構造が好ましい。特に、環A及びBが同時に一般式(A−1)又は(A−2)で示される構造であることが好ましい。さらに環A及びBは、一般式(A−1)でnが1である構造が特に好ましい。また、環A及びBの一方が、一般式(A−3)で示される構造である場合、もう一方は、(A−1)で示される環であることが好ましい。そして、本発明は、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の環A及びBが一般式(A−2)で示される構造であることを特徴とする。また、環A及びBが一般式(A−2)の構造の場合、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の構造としては、下記一般式(12)で示されるものであることが好ましい。   The rings A and B of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described. Rings A and B are the same or different and have a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), among which general formulas (A-1), (A -2) is preferred. In particular, it is preferable that the rings A and B have the structure represented by the general formula (A-1) or (A-2) at the same time. Rings A and B particularly preferably have a structure in which n is 1 in formula (A-1). Moreover, when one of the rings A and B has a structure represented by the general formula (A-3), the other is preferably a ring represented by (A-1). The present invention is characterized in that the rings A and B of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) have a structure represented by the general formula (A-2). When rings A and B have the structure of general formula (A-2), the structure of the heteroacene derivative represented by general formula (1) is preferably that represented by the following general formula (12).

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(ここで、置換基T、T、R、及びRは、一般式(1)で示される置換基と同意義を示す。)
これらの中でも本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は、該ヘテロアセン誘導体及び該ヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料及びその有機薄膜が、高い耐酸化性及びキャリアー移動度を発現することから、以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましく、
(Here, the substituents T 1 , T 2 , R 5 , and R 6 have the same meaning as the substituent represented by the general formula (1).)
Among these, the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is such that the heteroacene derivative, the oxidation-resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative, and the organic thin film thereof exhibit high oxidation resistance and carrier mobility. Therefore, the following compounds, wherein the rings A and B are the same or different and have the structure represented by the general formula (A-2), are preferred,

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特に好ましくは以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造の化合物である。 Particularly preferred are the following compounds, wherein the rings A and B are the same or different and have a structure represented by the general formula (A-2).

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(ジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体)
次に、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体について述べる。
(Di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivatives)
Next, a di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative that is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体は下記一般式(2)で示される。   The di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative which is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is represented by the following general formula (2).

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(ここで、置換基R及びR10は炭素数1〜8のアルキル基を示し、置換基T及びT並びに環A及びBは一般式(1)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
置換基R及びR10における炭素数1〜8のアルキル基は、特に限定はなく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ベンジル基を挙げることができ、好ましくはメチル基、ベンジル基であり、より好ましくはメチル基である。
(Here, the substituents R 9 and R 10 represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the substituents T 1 and T 2 and rings A and B are the same as the substituent and ring represented by the general formula (1) Shows significance.)
The alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the substituents R 9 and R 10 is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a benzyl group, preferably a methyl group and a benzyl group. Group, more preferably a methyl group.

一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の環A及びBについて述べる。環A及びBは一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−1)又は(A−3)で示される構造が好ましい。さらに環A及びBは、一般式(A−1)でnが1である構造が特に好ましい。そして、本発明において、環A及びBが一般式(A−2)で示される構造であることが最も好ましい。   The rings A and B of the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) will be described. Rings A and B have a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), and among them, represented by general formula (A-1) or (A-3) The structure is preferred. Rings A and B particularly preferably have a structure in which n is 1 in formula (A-1). In the present invention, the rings A and B are most preferably a structure represented by the general formula (A-2).

本発明の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体としては、以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましく、   The di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) of the present invention is the following compound, wherein the rings A and B are the same or different and represented by the general formula (A-2) Compounds having a structure are preferred,

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特に好ましくは以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造の化合物である。 Particularly preferred are the following compounds, wherein the rings A and B are the same or different and have a structure represented by the general formula (A-2).

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(ジハロジアリールエチン誘導体)
次に、本発明の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の原料化合物であるジハロジアリールエチン誘導体について述べる。
(Dihalodiaryl ethyne derivatives)
Next, the dihalodiaryl ethyne derivative which is a raw material compound of the di (alkylchalcogeno) diaryl ethyne derivative represented by the general formula (2) of the present invention will be described.

本発明の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の原料化合物であるジハロジアリールエチン誘導体は下記一般式(3)で示される。   The dihalodiaryl ethyne derivative which is a raw material compound of the di (alkylchalcogeno) diaryl ethyne derivative represented by the general formula (2) of the present invention is represented by the following general formula (3).

Figure 0005716821
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(ここで、置換基X及びXは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、環A及びBは一般式(2)で示される環と同意義を示す。)
置換基X及びXは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素原子、ヨウ素原子であり、特に好ましくはいずれも臭素原子である。
(Here, the substituents X 1 and X 2 represent a bromine atom, an iodine atom, and a chlorine atom, and the rings A and B have the same meaning as the ring represented by the general formula (2).)
The substituents X 1 and X 2 represent a bromine atom, an iodine atom or a chlorine atom, preferably a bromine atom or an iodine atom, and particularly preferably a bromine atom.

一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体の環A及びBについて述べる。環A及びBは一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−1)又は(A−3)で示される構造が好ましい。そして、本発明において、環A及びBが一般式(A−2)で示される構造であることが最も好ましい。   The rings A and B of the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) will be described. Rings A and B have a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), and among them, represented by general formula (A-1) or (A-3) The structure is preferred. In the present invention, the rings A and B are most preferably a structure represented by the general formula (A-2).

本発明の一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体としては、以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましく、   The dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) of the present invention is the following compound, wherein the rings A and B are the same or different and have the structure represented by the general formula (A-2) Is preferred,

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特に好ましくは以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造の化合物である。 Particularly preferred are the following compounds, wherein the rings A and B are the same or different and have a structure represented by the general formula (A-2).

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(ジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体)
次に、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体について述べる。
(Di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivatives)
Next, a di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative that is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジ(アルキル
カルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体は下記一般式(4)で示される。
The di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative which is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is represented by the following general formula (4).

Figure 0005716821
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(ここで、置換基R11及びR12は炭素数1〜8のアルキル基を示し、置換基T及びT並びに環A及びBは一般式(1)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
置換基R11及びR12における炭素数1〜8のアルキル基は、特に限定はなく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ベンジル基を挙げることができ、好ましくはメチル基、ベンジル基であり、より好ましくはメチル基である。
(Here, the substituents R 11 and R 12 represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the substituents T 1 and T 2 and rings A and B are the same as the substituent and ring represented by the general formula (1) Shows significance.)
The alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the substituents R 11 and R 12 is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a benzyl group, preferably a methyl group and a benzyl group. Group, more preferably a methyl group.

一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体の環A及びBについて述べる。環A及びBは一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−1)で示される構造が好ましい。さらに環A及びBは、一般式(A−1)でnが1である構造が特に好ましい。そして、本発明において、環A及びBが一般式(A−2)で示される構造であることが最も好ましい。   The rings A and B of the di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) will be described. Rings A and B have a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), and among them, a structure represented by general formula (A-1) is preferable. Rings A and B particularly preferably have a structure in which n is 1 in formula (A-1). In the present invention, the rings A and B are most preferably a structure represented by the general formula (A-2).

なお、一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体は好ましくはトランス体であるが、トランス体及びシス体の何れであってもよく、またそれらの任意の割合の混合物であってもよい。   The di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) is preferably a trans isomer, but may be either a trans isomer or a cis isomer, and a mixture of any ratio thereof. There may be.

本発明の一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体としては、以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましく、   The di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) of the present invention is the following compound, wherein the rings A and B are the same or different and represented by the general formula (A-2) Compounds having a structure are preferred,

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特に好ましくは以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造の化合物である。 Particularly preferred are the following compounds, wherein the rings A and B are the same or different and have a structure represented by the general formula (A-2).

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(ホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体)
次に、本発明の一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体の原料化合物であるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体について述べる。
(Formyl (alkyl chalcogeno) arene derivative)
Next, the formyl (alkyl chalcogeno) arene derivative, which is a raw material compound of the di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) of the present invention, will be described.

本発明の一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体の原料化合物であるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は下記一般式(5)で示される。   The formyl (alkylchalcogeno) arene derivative, which is a raw material compound of the di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) of the present invention, is represented by the following general formula (5).

Figure 0005716821
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(ここで、置換基R11及びT並びに環Aは一般式(4)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の環Aについて述べる。環Aは一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−1)で示される構造が好ましい。さらに環Aは、一般式(A−1)でnが1である構造が特に好ましい。そして、本発明において、環Aが一般式(A−2)で示される構造であることが最も好ましい。
(Here, the substituents R 11 and T 1 and ring A have the same meaning as the substituent and ring represented by formula (4).)
The ring A of the formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) will be described. Ring A has a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), and among them, a structure represented by general formula (A-1) is preferable. Further, ring A particularly preferably has a structure in which n is 1 in formula (A-1). In the present invention, the ring A is most preferably a structure represented by the general formula (A-2).

本発明の一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体としては、以下の化合物であって、環Aが一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましい。   The formyl (alkyl chalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) of the present invention is preferably the following compound, wherein the ring A has a structure represented by the general formula (A-2).

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(ハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体)
次に、本発明の一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の原料化合物であるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体について述べる。
(Halo (alkylchalcogeno) arene derivatives)
Next, a halo (alkylchalcogeno) arene derivative that is a raw material compound of the formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) of the present invention will be described.

本発明の一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の原料化合物であるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は下記一般式(6)で示される。   The halo (alkylchalcogeno) arene derivative, which is a raw material compound of the formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) of the present invention, is represented by the following general formula (6).

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(ここで、置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、置換基R11及びT並びに環Aは一般式(5)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素、ヨウ素であり、また一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は、そのXが臭素及びヨウ素の任意の割合の混合物であってもよい。
(Here, the substituent X 3 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom, and the substituents R 11 and T 1 and ring A have the same meaning as the substituent and ring represented by the general formula (5).)
The substituent X 3 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom, preferably bromine or iodine, and the halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) has an X 3 of bromine and iodine. It may be a mixture of any ratio.

一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の環Aについて述べる。環Aは一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−1)で示される構造が好ましい。さらに環Aは、一般式(A−1)でnが1である構造が特に好ましい。そして、本発明において、環Aが一般式(A−2)で示される構造であることが最も好ましい。   The ring A of the halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) will be described. Ring A has a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), and among them, a structure represented by general formula (A-1) is preferable. Further, ring A particularly preferably has a structure in which n is 1 in formula (A-1). In the present invention, the ring A is most preferably a structure represented by the general formula (A-2).

本発明の一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体としては、以下の化合物であって、環Aが一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましい。   The halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) of the present invention is preferably the following compound, wherein the ring A has a structure represented by the general formula (A-2).

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(ジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体)
次に、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体について述べる。
(Dihalochalcogenophenylaryl derivatives)
Next, a dihalochalcogenophenylaryl derivative that is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体は下記一般式(7)で示される。   The dihalochalcogenophenylaryl derivative which is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is represented by the following general formula (7).

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(ここで、置換基X及びXは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、置換基T並びに環A及びBは一般式(1)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素原子、ヨウ素原子であり、特に好ましくは臭素原子である。置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素原子、ヨウ素原子であり、特に好ましくはヨウ素原子である。
(Here, the substituents X 2 and X 4 represent a bromine atom, an iodine atom, and a chlorine atom, and the substituent T 1 and the rings A and B have the same meaning as the substituent and the ring represented by the general formula (1). .)
Substituents X 2 is a bromine atom, an iodine atom, shows a chlorine atom, preferably a bromine atom, an iodine atom, particularly preferably a bromine atom. Substituent X 4 is a bromine atom, an iodine atom, shows a chlorine atom, preferably a bromine atom, an iodine atom, particularly preferably a iodine atom.

一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体の環A及びBについて述べる。環A及びBは一般式(A−1)、(A−2)、又は(A−3)で示される構造を有し、その中でも一般式(A−2)で示される構造が好ましい。そして、本発明において、環A及びBが一般式(A−2)で示される構造であることが最も好ましい。   The rings A and B of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) will be described. Rings A and B have a structure represented by general formula (A-1), (A-2), or (A-3), and among them, a structure represented by general formula (A-2) is preferable. In the present invention, the rings A and B are most preferably a structure represented by the general formula (A-2).

本発明の一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体としては、以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましく、   The dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) of the present invention is the following compound, wherein the rings A and B are the same or different and have the structure represented by the general formula (A-2). Certain compounds are preferred,

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特に好ましくは以下の化合物であって、環A及びBが同一又は異なって、一般式(A−2)で示される構造の化合物である。 Particularly preferred are the following compounds, wherein the rings A and B are the same or different and have a structure represented by the general formula (A-2).

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(ヘテロアセン誘導体の製造方法)
本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing heteroacene derivative)
A method for producing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は、一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体をハロゲン誘導体と反応させることにより製造することができる。   The heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention can be produced by reacting the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) with a halogen derivative.

該ハロゲン誘導体は不飽和結合をハロゲン化できるものであれば特に限定はなく、例えばヨウ素、臭素、塩素、N−ヨードスクシンイミド(以下、NISと略す)、N−ブロモスクシンイミド(以下、NBSと略す)、N−クロロスクシンイミド(以下、NCSと略す)等を挙げることができ、好ましくはヨウ素、臭素であり、特に好ましくはヨウ素である。該ハロゲン誘導体の使用量は一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体1当量に対し、0.9〜30当量が好ましく、さらに好ましくは1.5〜20当量、特に好ましくは2〜15当量である。   The halogen derivative is not particularly limited as long as it can halogenate an unsaturated bond. For example, iodine, bromine, chlorine, N-iodosuccinimide (hereinafter abbreviated as NIS), N-bromosuccinimide (hereinafter abbreviated as NBS). N-chlorosuccinimide (hereinafter abbreviated as NCS) and the like, preferably iodine and bromine, particularly preferably iodine. The amount of the halogen derivative used is preferably from 0.9 to 30 equivalents, more preferably from 1.5 to 20 equivalents, particularly preferably from 1 equivalent of the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2). Is 2 to 15 equivalents.

該ハロゲン誘導体との反応は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン(以下、THFと略す)、ジエチルエーテル(以下、エーテルと略す)、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、特に好ましくは、ジクロロメタン、クロロホルムである。又、これら溶剤は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該反応の温度は20〜150℃で行うことが好ましく、特に好ましくは30〜70℃である。反応時間は1〜24時間が好ましく、特に好ましくは2〜12時間である。なお、該反応の進行は、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The reaction with the halogen derivative is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited. For example, dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as THF), diethyl ether (hereinafter ether) Abbreviation), methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, toluene, hexane, cyclohexane and the like, particularly preferably dichloromethane and chloroform. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The reaction temperature is preferably 20 to 150 ° C, particularly preferably 30 to 70 ° C. The reaction time is preferably 1 to 24 hours, particularly preferably 2 to 12 hours. The progress of the reaction can be monitored by analyzing with thin layer chromatography or gas chromatography.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の別の製造方法について述べる。   Another method for producing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は、一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体をハロゲン誘導体と反応させることにより製造することができる。   The heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention can be produced by reacting the di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) with a halogen derivative.

該ハロゲン誘導体は不飽和結合をハロゲン化できるものであれば特に限定はなく、例えばヨウ素、臭素、塩素、NIS、NBS、NCS等を挙げることができ、好ましくはヨウ素、臭素であり、特に好ましくはヨウ素である。該ハロゲン誘導体の使用量は一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体1当量に対し、0.9〜30当量が好ましく、さらに好ましくは1.5〜20当量、特に好ましくは2〜15当量である。   The halogen derivative is not particularly limited as long as the unsaturated bond can be halogenated, and examples thereof include iodine, bromine, chlorine, NIS, NBS, NCS, etc., preferably iodine and bromine, particularly preferably. It is iodine. The amount of the halogen derivative used is preferably from 0.9 to 30 equivalents, more preferably from 1.5 to 20 equivalents, particularly preferably from 1 equivalent of the di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4). Is 2 to 15 equivalents.

該ハロゲン誘導体との反応は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、THF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、特に好ましくは、ジクロロメタン、クロロホルムである。又、これら溶剤は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該反応の温度は20〜150℃で行うことが好ましく、特に好ましくは30〜70℃である。反応時間は1〜24時間が好ましく、特に好ましくは2〜12時間である。なお、該反応の進行は、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The reaction with the halogen derivative is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited. For example, dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether. , Ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, toluene, hexane, cyclohexane and the like, particularly preferably dichloromethane and chloroform. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The reaction temperature is preferably 20 to 150 ° C, particularly preferably 30 to 70 ° C. The reaction time is preferably 1 to 24 hours, particularly preferably 2 to 12 hours. The progress of the reaction can be monitored by analyzing with thin layer chromatography or gas chromatography.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体のもう一つ別の製造方法について述べる。   Another method for producing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体をメタル化剤を用いてメタル化し、ビス(フェニルスルホニル)スルフィド、2塩化硫黄、硫黄、あるいはセレンと反応させることにより製造することができる。   The heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is obtained by metallizing a dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) using a metallizing agent to produce bis (phenylsulfonyl) sulfide, sulfur dichloride. , Sulfur, or selenium.

なお、ここでメタル化とは、一般式(7)におけるX及びXの両方あるいはいずれか一方のみをメタルに置換することを意味する。 Here, metalation means that both or one of X 2 and X 4 in the general formula (7) is replaced with metal.

一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体をメタル化する場合、用いるメタル化剤は、一般式(7)におけるX及び/又はXをメタルに置換することができるものである限り特に限定はなく、例えばn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、メチルリチウム、ヘキシルリチウム等のアルキルリチウム;フェニルリチウム、p−tert−ブチルフェニルリチウム、p−メトキシフェニルリチウム、p−フルオロフェニルリチウム等のアリールリチウム;リチウムジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド等のリチウムアミド;リチウムパウダー等のリチウム金属;メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド、tert−ブチルマグネシウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミド等のアルキルグリニャール試薬;マグネシウム金属;亜鉛金属等を挙げることができ、好ましくはアルキルリチウム、アルキルグリニャール試薬であり、特に好ましくはn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、イソプロピルマグネシウムブロミド、シクロヘキシルマグネシウムブロミドである。一般式(7)におけるX及びXの両方をメタルに置換する場合は、好ましくはアルキルリチウムを用いて実施することができ、一般式(7)におけるX及びXのいずれか一方のみをメタルに置換する場合は、好ましくはアルキルグリニャール試薬を用いて実施することができる。 When the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) is metalated, the metalating agent used is one that can replace X 2 and / or X 4 in the general formula (7) with a metal. As long as there is no limitation, for example, n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium, methyllithium, alkyllithium such as hexyllithium; phenyllithium, p-tert-butylphenyllithium, p-methoxyphenyllithium, Aryl lithium such as p-fluorophenyl lithium; lithium amide such as lithium diisopropylamide and lithium hexamethyldisilazide; lithium metal such as lithium powder; methylmagnesium bromide, ethylmagnesium bromide, isopropylmagnesium bromide Alkyl Grignard reagents such as isopropylmagnesium chloride, tert-butylmagnesium chloride, cyclohexylmagnesium bromide; magnesium metal; zinc metal and the like, preferably alkyllithium and alkylgrignard reagents, particularly preferably n-butyllithium , Sec-butyllithium, tert-butyllithium, isopropylmagnesium bromide, cyclohexylmagnesium bromide. When both X 2 and X 4 in the general formula (7) are substituted with metal, it can be preferably carried out using alkyllithium, and only one of X 2 and X 4 in the general formula (7) can be used. In the case of substituting with metal, it can be preferably carried out using an alkyl Grignard reagent.

該メタル化剤の使用量は一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体1当量に対し、0.9〜4.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.1〜3.0当量、特に好ましくは1.1〜2.5当量である。また、一般式(7)におけるX及びXの両方をメタルに置換する場合のメタル化剤の使用量は、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体1当量に対し、1.9〜4.0当量が好ましく、さらに好ましくは2.0〜3.0当量であり、一般式(7)におけるX及びXのいずれか一方のみをメタルに置換する場合のメタル化剤の使用量は、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体1当量に対し、0.9〜2.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.0〜1.6当量である。 The amount of the metallizing agent used is preferably 0.9 to 4.0 equivalents, more preferably 1.1 to 3.0 equivalents, relative to 1 equivalent of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7). Particularly preferred is 1.1 to 2.5 equivalents. Further, the amount of the metalating agent used when substituting both X 2 and X 4 in the general formula (7) with a metal is 1 equivalent of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7). 1.9 to 4.0 equivalents by weight, more preferably 2.0 to 3.0 equivalents, metalation when replacing one of X 2 and X 4 only to the metal in the general formula (7) The amount of the agent used is preferably 0.9 to 2.0 equivalents, more preferably 1.0 to 1.6 equivalents per equivalent of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7). .

該メタル化は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、特に好ましくはTHF、エーテルである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該メタル化の温度は−90〜60℃で行うことが好ましく、特に好ましくは−80〜30℃である。反応時間は1〜240分が好ましく、特に好ましくは10〜120分である。なお、メタル化の進行は、反応液の一部を取り出し、水で反応を停止させた後、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The metallization is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, toluene, hexane, cyclohexane, and the like, and particularly preferably THF and ether. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The metallization temperature is preferably −90 to 60 ° C., particularly preferably −80 to 30 ° C. The reaction time is preferably 1 to 240 minutes, particularly preferably 10 to 120 minutes. The progress of metalation can be monitored by taking out a part of the reaction solution, stopping the reaction with water, and then analyzing by thin layer chromatography or gas chromatography.

該メタル化は、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体に、メタル化剤を添加しても良いし、メタル化剤に一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体を添加するいずれの方法を用いても実施することができる。   In the metalation, a metallating agent may be added to the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7), or the dihalochalcogenophenyl represented by the general formula (7) is used as the metallating agent. Any method of adding an aryl derivative may be used.

該メタル化により生成したメタル塩は、次いでカルコゲン反応剤であるビス(フェニルスルホニル)スルフィド、2塩化硫黄、硫黄、あるいはセレン、テルルと反応させることにより、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体が得られるものである。係るカルコゲン反応剤との反応は、前記メタル化により生成したメタル塩を含む反応混合物に前記カルコゲン反応剤を添加する方法;生成したメタル塩を含む反応混合物を前記カルコゲン反応剤に添加する方法のいずれを用いてもよい。   The metal salt formed by the metalation is then reacted with bis (phenylsulfonyl) sulfide, which is a chalcogen reagent, sulfur dichloride, sulfur, selenium or tellurium, so that the heteroacene derivative represented by the general formula (1) is obtained. It is obtained. The reaction with the chalcogen reactant may be any one of a method of adding the chalcogen reactant to the reaction mixture containing the metal salt generated by the metalation; and a method of adding the reaction mixture containing the generated metal salt to the chalcogen reactant. May be used.

なお、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体におけるX及びXの両方をメタルに置換した場合、用いるカルコゲン反応剤は好ましくはビス(フェニルスルホニル)スルフィド、2塩化硫黄であり、一般式(7)におけるX及びXのいずれか一方をメタルに置換した場合、用いるカルコゲン反応剤は好ましくは硫黄、セレンである。 In addition, when both X 2 and X 4 in the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) are substituted with metal, the chalcogen reactant used is preferably bis (phenylsulfonyl) sulfide or sulfur dichloride. Yes, when any one of X 2 and X 4 in the general formula (7) is substituted with metal, the chalcogen reactant used is preferably sulfur or selenium.

メタル化により生成したメタル塩とカルコゲン反応剤と反応させる際には、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグライム、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、好ましくはTHF、エーテルである。用いるカルコゲン反応剤の量は、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体1当量に対し、0.8〜1.4当量が好ましく、特に好ましくは0.9〜1.2当量である。該反応剤との反応温度は−90〜50℃が好ましく、特に好ましくは−80〜30℃であり、反応時間は0.5〜30時間が好ましく、特に好ましくは1〜18時間である。   When reacting the metal salt produced by metalation with the chalcogen reactant, it is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diglyme, dioxane, toluene, hexane, and cyclohexane, and preferably THF and ether. The amount of the chalcogen reactant used is preferably 0.8 to 1.4 equivalents, particularly preferably 0.9 to 1.2 equivalents, relative to 1 equivalent of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7). It is. The reaction temperature with the reactant is preferably -90 to 50 ° C, particularly preferably -80 to 30 ° C, and the reaction time is preferably 0.5 to 30 hours, particularly preferably 1 to 18 hours.

一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体におけるX及びXのいずれか一方のみをメタルに置換する場合は、前記カルコゲン反応剤との反応後、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体へと変換するために、さらに加熱することが好ましい。 In the case where only one of X 2 and X 4 in the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) is substituted with a metal, it is represented by the general formula (1) after the reaction with the chalcogen reagent. In order to convert to a heteroacene derivative, further heating is preferable.

該加熱は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばN−メチルピロリドン(以下、NMPと略す)、N,N−ジメチルホルムアミド(以下、DMFと略す)、ジメチルスルホキシド、水、エタノール、THF、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグライム、ジオキサン、トルエン等であり、好ましくはTHF、エーテルである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該加熱の反応温度は60〜200℃が好ましく、特に好ましくは80〜180℃であり、反応時間は1〜20時間が好ましく、特に好ましくは2〜15時間である。   The heating is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited. For example, N-methylpyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP), N, N-dimethylformamide (hereinafter abbreviated as DMF), dimethyl sulfoxide, water, ethanol, THF, ethylene glycol dimethyl ether, diglyme, Dioxane, toluene and the like, preferably THF and ether. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The heating reaction temperature is preferably 60 to 200 ° C., particularly preferably 80 to 180 ° C., and the reaction time is preferably 1 to 20 hours, particularly preferably 2 to 15 hours.

なお、該加熱では反応系中に塩基を存在させることもできる。この場合の塩基の種類としては特に限定はなく、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸カリウム、りん酸ナトリウム、ナトリウムtert−ブトキサイド、カリウムtert−ブトキサイド、フッ化カリウム等の無機塩基;1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、ジイソプロピルアミン、ピリジン等の有機塩基を好適なものとして挙げることができる。これらの塩基の使用量は一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体1当量に対し、1.0〜10.0当量が好ましく、特に好ましくは1.5〜4.0当量である。   In the heating, a base can be present in the reaction system. The type of base in this case is not particularly limited, and examples thereof include sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, potassium phosphate, sodium phosphate, sodium tert-butoxide, potassium tert-butoxide, and potassium fluoride. 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, triethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, ethylenediamine, Preferable examples include organic bases such as N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, diisopropylamine and pyridine. The amount of these bases used is preferably 1.0-10.0 equivalents, particularly preferably 1.5-4.0 equivalents, relative to 1 equivalent of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7). is there.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の製造は、好ましくは窒素又はアルゴン等の不活性雰囲気下で実施する。   The production of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is preferably carried out under an inert atmosphere such as nitrogen or argon.

また、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法は、例えば、「ジャーナル オブ ヘテロサイクリック ケミストリィー」、1998年、35巻、725−726頁に記載の2,2’−ジブロモジフェニルアセチレン(本発明の一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体に相当)をtert−ブチルリチウムでリチオ化し、硫黄あるいはセレンと反応させる方法で実施することもできる。   The method for producing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) is, for example, 2,2′-dibromodiphenylacetylene described in “Journal of Heterocyclic Chemistry”, 1998, Vol. 35, pages 725-726. It can also be carried out by a method of lithiation with tert-butyllithium (corresponding to a dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3) of the present invention) and reacting with sulfur or selenium.

かくして得られた、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

(ジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の製造方法)
次に、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物である一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative)
Next, a method for producing a di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) which is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体は一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体をメタル化剤を用いてメタル化し、ジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドと反応させることで製造することができる。   The di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) of the present invention is metallized using a metallizing agent to the dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3) to obtain a dialkyldisulfide and / or dialkyl. It can be produced by reacting with diselenide.

なお、ここでメタル化とは、一般式(3)におけるX及びXをそれぞれメタルに置換することを意味する。 Here, metallization means that X 1 and X 2 in the general formula (3) are each replaced with metal.

一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体をメタル化する場合、用いるメタル化剤は、一般式(3)におけるX及びXをメタルに置換することができるものである限り特に限定はなく、例えばn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、メチルリチウム、ヘキシルリチウム等のアルキルリチウム;フェニルリチウム、p−tert−ブチルフェニルリチウム、p−メトキシフェニルリチウム、p−フルオロフェニルリチウム等のアリールリチウム;リチウムジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド等のリチウムアミド;リチウムパウダー等のリチウム金属;メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド、tert−ブチルマグネシウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミド等のアルキルグリニャール試薬;マグネシウム金属;亜鉛金属等を挙げることができ、好ましくはアルキルリチウム、アルキルグリニャール試薬であり、特に好ましくはn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウムである。 When the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) is metalated, the metallizing agent used is particularly limited as long as X 1 and X 2 in the general formula (3) can be substituted with metal. For example, alkyllithium such as n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium, methyllithium, hexyllithium; phenyllithium, p-tert-butylphenyllithium, p-methoxyphenyllithium, p-fluorophenyl Aryl lithium such as lithium; lithium amide such as lithium diisopropylamide and lithium hexamethyldisilazide; lithium metal such as lithium powder; methylmagnesium bromide, ethylmagnesium bromide, isopropylmagnesium bromide, isopropyl Alkyl Grignard reagents such as gnesium chloride, tert-butylmagnesium chloride, cyclohexylmagnesium bromide; magnesium metal; zinc metal and the like can be mentioned, preferably alkyllithium and alkylgrignard reagents, particularly preferably n-butyllithium, sec -Butyllithium, tert-butyllithium.

該メタル化剤の使用量は一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体1当量に対し、1.5〜5.0当量が好ましく、さらに好ましくは2.0〜4.5当量、特に好ましくは2.2〜4.2当量である。   The amount of the metallizing agent used is preferably 1.5 to 5.0 equivalents, more preferably 2.0 to 4.5 equivalents, particularly preferably 1 equivalent of the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3). Preferably it is 2.2-4.2 equivalent.

該メタル化は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、特に好ましくはTHF、エーテルである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該メタル化の温度は−90〜30℃で行うことが好ましく、特に好ましくは−80〜20℃である。反応時間は1〜240分が好ましく、特に好ましくは10〜120分である。なお、メタル化の進行は、反応液の一部を取り出し、水で反応を停止させた後、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The metallization is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, toluene, hexane, cyclohexane, and the like, and particularly preferably THF and ether. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The metallization temperature is preferably −90 to 30 ° C., particularly preferably −80 to 20 ° C. The reaction time is preferably 1 to 240 minutes, particularly preferably 10 to 120 minutes. The progress of metalation can be monitored by taking out a part of the reaction solution, stopping the reaction with water, and then analyzing by thin layer chromatography or gas chromatography.

該メタル化は、一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体に、メタル化剤を添加しても良いし、メタル化剤に一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体を添加するいずれの方法を用いても実施することができる。   In the metalation, a metallizing agent may be added to the dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3), or a dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3) may be added to the metallizing agent. Any method can be used.

該メタル化により生成したメタル塩は、次いでジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドと反応させることにより、一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体が得られるものである。係る反応は、前記メタル化により生成したメタル塩を含む反応混合物に前記ジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドを添加する方法;生成したメタル塩を含む反応混合物を前記ジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドに添加する方法のいずれを用いてもよい。   The metal salt produced by the metalation is then reacted with dialkyl disulfide and / or dialkyl diselenide to obtain a di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2). The reaction includes a method of adding the dialkyl disulfide and / or dialkyl diselenide to the reaction mixture containing the metal salt produced by the metalation; the reaction mixture containing the produced metal salt is added to the dialkyl disulfide and / or dialkyl diselede. Any method of adding to the nido may be used.

メタル化により生成したメタル塩とジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドと反応させる際には、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグライム、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、好ましくはTHF、エーテルである。用いるジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドの量は、一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体1当量に対し、1.5〜5.0当量が好ましく、さらに好ましくは2.0〜4.0当量である。該反応剤との反応温度は−90〜30℃が好ましく、特に好ましくは−80〜20℃であり、反応時間は0.5〜10時間が好ましく、特に好ましくは1〜5時間である。   The reaction between the metal salt formed by metalation and dialkyl disulfide and / or dialkyl diselenide is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diglyme, dioxane, toluene, hexane, and cyclohexane, and preferably THF and ether. The amount of the dialkyl disulfide and / or dialkyl diselenide to be used is preferably 1.5 to 5.0 equivalents, more preferably 2.0 to 1 equivalent to 1 equivalent of the dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3). 4.0 equivalents. The reaction temperature with the reactant is preferably -90 to 30 ° C, particularly preferably -80 to 20 ° C, and the reaction time is preferably 0.5 to 10 hours, particularly preferably 1 to 5 hours.

かくして得られた、本発明の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) of the present invention thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

(ジハロジアリールエチン誘導体の製造方法)
次に、本発明の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の原料として用いられる一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing dihalodiarylethine derivative)
Next, a method for producing the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) used as a raw material for the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) of the present invention will be described.

本発明の一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体は下記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させた後、脱トリアルキルシリル処理し、得られた下記一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体と下記一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体をパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることにより製造することができる。なお、一般式(8)と一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体が同じ化合物であっても良い。   In the dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3) of the present invention, a 2,3-dihaloarene derivative represented by the following general formula (8) and a trialkylsilylacetylene were reacted in the presence of palladium and / or nickel catalyst. Thereafter, detrialkylsilyl treatment was performed, and the resulting 2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the following general formula (9) and the 2,3-dihaloarene derivative represented by the following general formula (10) were converted into palladium and / or It can manufacture by making it react in nickel catalyst presence. The 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and the general formula (10) may be the same compound.

Figure 0005716821
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(ここで、置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示す。置換基X並びに環Aは一般式(3)で示される置換基及び環と同意義を示す。) (Here, the substituent X 3 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom. The substituent X 1 and the ring A have the same meaning as the substituent and the ring represented by the general formula (3).)

Figure 0005716821
Figure 0005716821

(ここで、置換基X並びに環Aは一般式(3)で示される置換基及び環と同意義を示す。) (Here, the substituent X 1 and ring A have the same meaning as the substituent and ring represented by formula (3).)

Figure 0005716821
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(ここで、置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示す。置換基X並びに環Bは一般式(3)で示される置換基及び環と同意義を示す。)
また、一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体のもう一つの製造方法として、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とアセチレン又はトリメチルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることでジハロジアリールエチン誘導体を製造することもできる。
(Here, the substituent X 5 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom. The substituent X 2 and the ring B have the same meanings as the substituent and the ring represented by the general formula (3).)
As another method for producing the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3), the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and acetylene or trimethylsilylacetylene are present in the presence of a palladium and / or nickel catalyst. Dihalodiaryl ethyne derivatives can also be produced by reaction under the following conditions.

本発明の一般式(8)及び(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体の置換基について、述べる。   The substituents of the 2,3-dihaloarene derivatives represented by the general formulas (8) and (10) of the present invention will be described.

一般式(8)の置換基Xは、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素原子及びヨウ素原子であり、さらに好ましくはヨウ素原子である。 Substituent X 3 in the general formula (8), a bromine atom, an iodine atom, shows a chlorine atom, preferably a bromine atom and an iodine atom, more preferably an iodine atom.

一般式(10)の置換基Xは、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素原子及びヨウ素原子であり、さらに好ましくはヨウ素原子である。 The substituent X 5 in the general formula (10) represents a bromine atom, an iodine atom or a chlorine atom, preferably a bromine atom or an iodine atom, and more preferably an iodine atom.

具体的な一般式(8)及び一般式(10)で示される化合物としては、例えば2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジオクチルアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジデシルアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジペンタデシルアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6−ドデシル−7−フルオロアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−7−ドデシル−6−フルオロアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(デシルエチニル)アントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロデシルエチニル)アントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラセン、2,3−ジブロモ−6−オクチルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−デシルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−ドデシルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−ペンタデシルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−(パーフルオロドデシル)ベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−(パーフルオロオクタデシル)ベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−4,6−ジデシルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−4,6−ジドデシルベンゾチオフェン等が挙げられ、その中でも2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラセン、2,3−ジブロモ−6−ドデシルベンゾチオフェン、2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェンからなる群より選択される化合物のうち、環A又はBが一般式(A−2)で示される構造である化合物が好ましい。   Specific examples of the compound represented by the general formula (8) and the general formula (10) include 2-bromo-3-iodo-6,7-dioctylanthracene, 2-bromo-3-iodo-6,7-di. Decylanthracene, 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene, 2-bromo-3-iodo-6,7-dipentadecylanthracene, 2-bromo-3-iodo-6-dodecyl-7- Fluoroanthracene, 2-bromo-3-iodo-7-dodecyl-6-fluoroanthracene, 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthracene, 2-bromo-3-iodo-6 7-di (decylethynyl) anthracene, 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorodecylethynyl) anthracene, 2-bromo-3-iodo-6 7-diphenylanthracene, 2,3-dibromo-6-octylbenzothiophene, 2,3-dibromo-6-decylbenzothiophene, 2,3-dibromo-6-dodecylbenzothiophene, 2,3-dibromo-6-penta Decylbenzothiophene, 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene, 2,3-dibromo-6- (perfluorododecyl) benzothiophene, 2,3-dibromo-6- (perfluorooctadecyl) benzothiophene, 2, 3-dibromo-4,6-didecylbenzothiophene, 2,3-dibromo-4,6-didodecylbenzothiophene, etc., among which 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene, 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthracene, 2 Among the compounds selected from the group consisting of 3-dibromo-6-dodecylbenzothiophene and 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene, ring A or B is a structure represented by the general formula (A-2) Compounds are preferred.

一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体は、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させた後、脱トリアルキルシリル処理することで得ることができる。   The 2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9) was obtained by reacting the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) with a trialkylsilylacetylene in the presence of palladium and / or a nickel catalyst. Thereafter, it can be obtained by detrialkylsilyl treatment.

一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応に用いる触媒はパラジウム及び/又はニッケル触媒であれば特に限定はなく、例えばテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム/トリフェニルホスフィン混合物、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム、ジアセタトビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロ(1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン)パラジウム、ジクロロ(1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン)パラジウム、酢酸パラジウム/トリフェニルホスフィン混合物、酢酸パラジウム/トリ(o−トリル)ホスフィン混合物、酢酸パラジウム/トリ−tert−ブチルホスフィン混合物、酢酸パラジウム/2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)−1,1’−ビフェニル混合物、ジクロロ(エチレンジアミン)パラジウム、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)パラジウム、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)パラジウム/トリフェニルホスフィン混合物等のパラジウム触媒;ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、ジクロロ(1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン)ニッケル、ジクロロ(1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン)ニッケル、ジクロロ(エチレンジアミン)ニッケル、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)ニッケル、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチルプロパンジアミン)ニッケル、ジクロロ(N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン)ニッケル/トリフェニルホスフィン混合物、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル/トリフェニルホスフィン混合物等のニッケル触媒;を挙げることができる。中でも、好ましい触媒はパラジウム化合物であり、特に好ましい触媒はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムである。又、これら触媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。   The catalyst used for the reaction of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and the trialkylsilylacetylene is not particularly limited as long as it is a palladium and / or nickel catalyst. For example, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, tris ( Dibenzylideneacetone) dipalladium / triphenylphosphine mixture, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (acetonitrile) palladium, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium, diacetatobis (triphenylphosphine) palladium, dichloro (1,2 -Bis (diphenylphosphino) ethane) palladium, dichloro (1,3-bis (diphenylphosphino) propane) palladium, palladium acetate / triphenylphosphine mixture, acetic acid Radium / tri (o-tolyl) phosphine mixture, palladium acetate / tri-tert-butylphosphine mixture, palladium acetate / 2- (dicyclohexylphosphino) -1,1′-biphenyl mixture, dichloro (ethylenediamine) palladium, dichloro (N , N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine) palladium, dichloro (N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine) palladium / triphenylphosphine mixture and other palladium catalysts; dichlorobis (triphenylphosphine) nickel, Dichloro (1,2-bis (diphenylphosphino) ethane) nickel, dichloro (1,3-bis (diphenylphosphino) propane) nickel, dichloro (ethylenediamine) nickel, dichloro (N, N, N ', N'- Tet Methylethylenediamine) nickel, dichloro (N, N, N ′, N′-tetramethylpropanediamine) nickel, dichloro (N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine) nickel / triphenylphosphine mixture, bis (1 , 5-cyclooctadiene) nickel catalyst such as nickel / triphenylphosphine mixture; Among these, a preferable catalyst is a palladium compound, and particularly preferable catalysts are tetrakis (triphenylphosphine) palladium and dichlorobis (triphenylphosphine) palladium. These catalysts may be used alone or as a mixture of two or more.

一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させる際には、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒に特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、エタノール、水、DMF、NMP、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピペリジン、ピロリジン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン等を挙げることができ、又、これら溶剤は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良く、例えばTHF/ジイソプロピルアミン、THF/トリエチルアミン、トルエン/ピペリジン、トルエン/水、ジイソプロピルアミン/トルエン/水、トルエン/エタノール/水のような2乃至3成分系でも使用することができる。   When the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) is reacted with the trialkylsilylacetylene in the presence of palladium and / or nickel catalyst, it is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited. For example, THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, benzene, toluene, xylene, hexane, cyclohexane, ethanol, water, DMF, NMP, triethylamine , Tributylamine, piperidine, pyrrolidine, diethylamine, diisopropylamine and the like, and these solvents may be used alone or as a mixture of two or more thereof. For example, THF / diisopropylamine, THF / triethylamine, toluene / Two to three component systems such as piperidine, toluene / water, diisopropylamine / toluene / water, toluene / ethanol / water can also be used.

パラジウム触媒、ニッケル触媒の使用量は一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体1モルに対し、0.05〜10モル%が好ましく、特に好ましくは0.1〜5モル%である。   The amount of the palladium catalyst and nickel catalyst used is preferably 0.05 to 10 mol%, particularly preferably 0.1 to 5 mol%, relative to 1 mol of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8). .

トリアルキルシリルアセチレンの使用量は一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体1当量に対し、0.4〜1.8当量が好ましく、さらに好ましくは0.4〜1.6当量、特に好ましくは0.5〜1.2当量である。トリアルキルシリルアセチレンしては、例えばトリメチルシリルアセチレン、トリエチルシリルアセチレン、トリイソプロピルシリルアセチレン、トリブチルシリルアセチレン等を挙げることができ、好ましくはトリメチルシリルアセチレンである。   The amount of trialkylsilylacetylene used is preferably 0.4 to 1.8 equivalents, more preferably 0.4 to 1.6 equivalents, relative to 1 equivalent of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8). Particularly preferred is 0.5 to 1.2 equivalents. Examples of the trialkylsilylacetylene include trimethylsilylacetylene, triethylsilylacetylene, triisopropylsilylacetylene, tributylsilylacetylene and the like, and trimethylsilylacetylene is preferable.

なお、反応系中に銅化合物を存在させることが好ましい。該銅化合物しては特に限定はなく、例えば塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、酢酸銅(I)等の1価銅;塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅(II)、酢酸銅(II)、アセチルアセトナート銅(II)等の2価銅等を挙げることができる。その中でも好ましくは1価銅であり、特に好ましくはヨウ化銅(I)である。これらの銅化合物の使用量は該パラジウム及び/又はニッケル触媒1当量に対し、0.5〜4.0当量が好ましく、特に好ましくは0.6〜2.0当量である。   In addition, it is preferable to make a copper compound exist in a reaction system. The copper compound is not particularly limited. For example, monovalent copper such as copper (I) chloride, copper (I) bromide, copper (I) iodide, copper (I) acetate; copper (II) chloride, odor Examples thereof include divalent copper such as copper (II) iodide, copper (II) iodide, copper (II) acetate, and copper (II) acetylacetonate. Among them, monovalent copper is preferable, and copper (I) iodide is particularly preferable. The amount of these copper compounds used is preferably 0.5 to 4.0 equivalents, particularly preferably 0.6 to 2.0 equivalents, per equivalent of the palladium and / or nickel catalyst.

反応の際の温度は10〜120℃が好ましく、さらに好ましくは20〜80℃、特に好ましくは20〜60℃であり、反応時間は1〜96時間が好ましく、特に好ましくは2〜72時間である。   The temperature during the reaction is preferably 10 to 120 ° C, more preferably 20 to 80 ° C, particularly preferably 20 to 60 ° C, and the reaction time is preferably 1 to 96 hours, particularly preferably 2 to 72 hours. .

なお、反応系中に塩基を存在させることもできる。この場合の塩基の種類としては特に限定はなく、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸カリウム、りん酸ナトリウム、ナトリウムtert−ブトキサイド、カリウムtert−ブトキサイド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等の無機塩基;1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、ジイソプロピルアミン、ピリジン、テトラブチルアンモニウムフルオライド等の有機塩基を好適なものとして挙げることができる。これらの塩基の使用量は一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン1当量に対し、0.4〜10.0当量が好ましく、特に好ましくは0.5〜4.0当量である。さらにこれらの塩基と併用し、相間移動触媒を用いることもできる。相間移動触媒の種類は特に限定はなく、例えばトリオクチルメチルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムクロライド、セチルピリジニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド等を好適なものとして挙げることができる。これらの相間移動触媒の使用量は一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン1当量に対し、0.1〜1.5当量が好ましく、特に好ましくは0.2〜0.8当量である。   A base can also be present in the reaction system. There are no particular limitations on the type of base in this case. For example, sodium carbonate, sodium bicarbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, potassium phosphate, sodium phosphate, sodium tert-butoxide, potassium tert-butoxide, potassium fluoride, fluoride. Inorganic bases such as sodium chloride and cesium fluoride; 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, triethylamine, trimethylamine, tri Preferable examples include organic bases such as propylamine, tributylamine, ethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, diisopropylamine, pyridine, and tetrabutylammonium fluoride. The amount of these bases used is preferably 0.4 to 10.0 equivalents, particularly preferably 0.5 to 4.0 equivalents, relative to 1 equivalent of 2,3-dihaloarene represented by the general formula (8). Furthermore, a phase transfer catalyst can be used in combination with these bases. The type of the phase transfer catalyst is not particularly limited, and examples thereof include trioctylmethylammonium chloride, tetrabutylammonium chloride, cetylpyridinium chloride, benzyltrimethylammonium chloride and the like. The amount of these phase transfer catalysts used is preferably 0.1 to 1.5 equivalents, particularly preferably 0.2 to 0.8 equivalents, relative to 1 equivalent of 2,3-dihaloarene represented by the general formula (8). is there.

さらに反応系中にトリフェニルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィン等のホスフィンを存在させることもできる。これらのホスフィンの使用量は、該パラジウム及び/又はニッケル触媒1当量に対し、0.9〜5.0当量が好ましく、特に好ましくは1.0〜3.0当量である。   Furthermore, phosphines such as triphenylphosphine and tri (o-tolyl) phosphine can be present in the reaction system. The amount of these phosphines used is preferably 0.9 to 5.0 equivalents, particularly preferably 1.0 to 3.0 equivalents, relative to 1 equivalent of the palladium and / or nickel catalyst.

また、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させる方法は、例えば、「シンレット」、2004年、165−168頁に記載されている方法で実施することもできる。   A method of reacting the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) with a trialkylsilylacetylene in the presence of a palladium and / or nickel catalyst is described in, for example, “Sinlet”, 2004, pages 165-168. It can also be carried out in the manner described.

かくして得られた、2−トリアルキルシリルエチニル−3−ハロアレーン誘導体はトリアルキルシリル基を脱離(脱トリアルキルシリル処理)することで一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体へ変換することができる。トリアルキルシリル基を脱離する方法としては、無機塩基あるいはフッ素化物を用いて実施することができる。該無機塩基としては、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を挙げることができ、好ましくは炭酸カリウムである。一方、該フッ素化物としては、例えばテトラブチルアンモニウムフルオライド、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等を挙げることができ、好ましくはテトラブチルアンモニウムフルオライドである。無機塩基あるいはフッ素化物の使用量は、2−トリアルキルシリルエチニル−3−ハロアレーン誘導体1当量に対し、0.8〜7当量が好ましく、特に好ましくは1.0〜4.0当量である。該脱トリアルキルシリル化反応は好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒に特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、エタノール、メタノール、水、DMF、NMP、トリエチルアミン、ピペリジン、ピロリジン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン等を挙げることができ、又、これら溶剤は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良く、例えばエーテル/メタノール、トルエン/水、トルエン/エタノール/水のような2乃至3成分系でも使用することができる。反応の際の温度は−10〜90℃が好ましく、さらに好ましくは0〜60℃、特に好ましくは20〜50℃であり、反応時間は1〜10時間が好ましく、特に好ましくは2〜4時間である。なお該脱トリアルキルシリル化反応は、例えば、「シンレット」、2004年、165−168頁に記載のメタノール/エーテル中、炭酸カリウムで処理する方法で実施することもできる。   The 2-trialkylsilylethynyl-3-haloarene derivative thus obtained is a 2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9) by eliminating the trialkylsilyl group (detrialkylsilyl treatment). Can be converted to The method for removing the trialkylsilyl group can be carried out using an inorganic base or a fluoride. Examples of the inorganic base include potassium carbonate, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydroxide, sodium hydroxide and the like, and potassium carbonate is preferable. On the other hand, examples of the fluoride include tetrabutylammonium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride and the like, and tetrabutylammonium fluoride is preferable. The amount of the inorganic base or fluorinated compound used is preferably 0.8 to 7 equivalents, particularly preferably 1.0 to 4.0 equivalents, relative to 1 equivalent of the 2-trialkylsilylethynyl-3-haloarene derivative. The detrialkylsilylation reaction is preferably carried out in a solvent. There are no particular limitations on the solvent used, for example, THF, ether, methyl-tert-butyl ether, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, toluene, xylene, hexane, cyclohexane, ethanol, methanol, water, DMF, NMP, triethylamine, piperidine, pyrrolidine, diethylamine. In addition, one or a mixture of two or more of these solvents may be used, for example, 2 to 3 components such as ether / methanol, toluene / water, toluene / ethanol / water. It can also be used in systems. The temperature during the reaction is preferably −10 to 90 ° C., more preferably 0 to 60 ° C., particularly preferably 20 to 50 ° C., and the reaction time is preferably 1 to 10 hours, particularly preferably 2 to 4 hours. is there. The detrialkylsilylation reaction can also be carried out by a method of treating with potassium carbonate in methanol / ether described in “Sinlet”, 2004, pages 165-168.

かくして得られた、一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体は、精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。また、単離精製することなく次の反応の原料として使用することもできる。   The 2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9) thus obtained can be purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation. Moreover, it can also be used as a raw material for the next reaction without isolation and purification.

次に一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体と一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体をパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させる。該反応に用いる触媒はパラジウム及び/又はニッケル触媒であれば特に限定はなく、上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応で用いたパラジウム及びニッケル触媒と同様の触媒を挙げることができる。これらの触媒の使用量、溶媒、反応条件、並びに銅化合物、塩基、ホスフィン等の添加物も上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応と同様の、使用量、物質、条件を適用することができる。なお、一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体の使用量は一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体1当量に対し、0.8〜2.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.0〜1.6当量、特に好ましくは1.0〜1.3当量である。   Next, the 2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9) and the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (10) are reacted in the presence of a palladium and / or nickel catalyst. The catalyst used in the reaction is not particularly limited as long as it is a palladium and / or nickel catalyst, and the palladium and nickel catalyst used in the reaction of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and the trialkylsilylacetylene. The same catalyst can be mentioned. The amount of these catalysts used, solvent, reaction conditions, and additives such as copper compounds, bases, and phosphines are the same as in the reaction of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) with trialkylsilylacetylene. Use amount, substance and conditions can be applied. The amount of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (10) is 0.8 to 2.0 equivalents relative to 1 equivalent of the 2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9). Preferably, it is 1.0-1.6 equivalent, More preferably, it is 1.0-1.3 equivalent.

上記で述べた一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体の製造方法は、環AとBがそれぞれ同一又は異なる場合の一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体の製造方法であるが、環AとBがそれぞれ同一の場合のみの一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体の製造方法について以下に述べる。   The method for producing the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) described above is a method for producing the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) when the rings A and B are the same or different. However, the production method of the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) only when the rings A and B are the same will be described below.

即ち、一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体のもう一つの製造方法である一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とアセチレン又はトリメチルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることでジハロジアリールエチン誘導体を製造することができる。   That is, the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8), which is another production method of the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3), and acetylene or trimethylsilylacetylene are present in a palladium and / or nickel catalyst. Dihalodiaryl ethyne derivatives can be produced by reaction under the following conditions.

該反応に用いる触媒は、パラジウム及び/又はニッケル触媒であれば特に限定はなく、上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応で用いたパラジウム及びニッケル触媒と同様の触媒を挙げることができる。これらの触媒の使用量、溶媒、反応条件、並びに銅化合物、塩基、ホスフィン等の添加物も上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応と同様の、使用量、物質、条件を適用することができる。なお、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体の使用量はアセチレン又はトリメチルシリルアセチレン1当量に対し、1.6〜3.2当量が好ましく、さらに好ましくは1.8〜2.8当量、特に好ましくは1.9〜2.4当量である。   The catalyst used in the reaction is not particularly limited as long as it is a palladium and / or nickel catalyst, and the palladium and nickel catalyst used in the reaction of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and the trialkylsilylacetylene. And the same catalyst. The amount of these catalysts used, solvent, reaction conditions, and additives such as copper compounds, bases, and phosphines are the same as in the reaction of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) with trialkylsilylacetylene. Use amount, substance and conditions can be applied. The amount of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) is preferably 1.6 to 3.2 equivalents, more preferably 1.8 to 2.8 with respect to 1 equivalent of acetylene or trimethylsilylacetylene. The equivalent amount, particularly preferably 1.9 to 2.4 equivalents.

また、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させる方法は、例えば、「ジャーナル オブ ヘテロサイクリック ケミストリィー」、1998年、35巻、725−726頁に記載されているo−ブロモヨードベンゼンとアセチレンをカップリングする方法で実施することもでき、また、2,3−ジハロアレーン誘導体とトリメチルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させる方法は、例えば、「ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティー」(米国)、2006年、128巻、3044−3050頁に記載されている4−ブロモビフェニルとトリメチルシリルアセチレンをカップリングする方法で実施することもできる。   In addition, a method of reacting the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and acetylene in the presence of a palladium and / or nickel catalyst is, for example, “Journal of Heterocyclic Chemistry”, 1998, Vol. 35. , Pages 725 to 726, and a method of coupling o-bromoiodobenzene and acetylene, and a 2,3-dihaloarene derivative and trimethylsilylacetylene in the presence of a palladium and / or nickel catalyst. For example, the reaction may be performed by a method of coupling 4-bromobiphenyl and trimethylsilylacetylene described in “Journal of American Chemical Society” (USA), 2006, Vol. 128, pages 3044-3050. so That.

なお、一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体は、アセチレンの代わりにビス(トリ−n−ブチルスタンニル)アセチレンを用い、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることによっても製造することができる。   The dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3) uses bis (tri-n-butylstannyl) acetylene instead of acetylene, and the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) Can also be produced by reacting in the presence of a palladium and / or nickel catalyst.

かくして得られた、本発明の一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) of the present invention thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

(ジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体の製造方法)
次に、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の前駆化合物である一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative)
Next, a method for producing a di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4), which is a precursor compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention, will be described.

本発明の一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体は一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体を塩化チタンと還元剤から成る反応剤と反応させることで製造することができる。   The di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) of the present invention is obtained by reacting a formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) with a reagent comprising titanium chloride and a reducing agent. Can be manufactured.

該反応における塩化チタンは、特に限定はなく、4塩化チタン又は3塩化チタンであることが好ましい。   The titanium chloride in the reaction is not particularly limited and is preferably titanium tetrachloride or titanium trichloride.

該反応における還元剤は、塩化チタンを3価乃至0価チタンに還元することができるものであれば特に限定はなく、例えば亜鉛、銅、鉄、リチウム、ナトリウム、カリウム、水素化リチウムアルミニウム等を挙げることができ、好ましくは亜鉛、銅、鉄であり、特に好ましくは亜鉛である。   The reducing agent in the reaction is not particularly limited as long as it can reduce titanium chloride to trivalent to zerovalent titanium. For example, zinc, copper, iron, lithium, sodium, potassium, lithium aluminum hydride, etc. Zinc, copper and iron are preferable, and zinc is particularly preferable.

該還元剤の使用量は塩化チタン1当量に対し、0.5〜15当量が好ましく、さらに好ましくは1.0〜12当量、特に好ましくは3.0〜10当量である。   The amount of the reducing agent used is preferably 0.5 to 15 equivalents, more preferably 1.0 to 12 equivalents, and particularly preferably 3.0 to 10 equivalents with respect to 1 equivalent of titanium chloride.

塩化チタンの使用量は一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体1当量に対し、0.8〜5.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.1〜4.0当量、特に好ましくは1.1〜3.0当量である。   The amount of titanium chloride used is preferably 0.8 to 5.0 equivalents, more preferably 1.1 to 4.0 equivalents, based on 1 equivalent of the formyl (alkyl chalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5). Particularly preferred is 1.1 to 3.0 equivalents.

該反応化は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、特に好ましくはTHF、エーテルである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該メタル化の温度は0〜120℃で行うことが好ましく、特に好ましくは20〜80℃である。反応時間は1〜24時間が好ましく、特に好ましくは2〜15時間である。なお、反応の進行は、反応液の一部を取り出し、水で反応を停止させた後、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The reaction is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, toluene, hexane, cyclohexane, and the like, and particularly preferably THF and ether. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The metalation temperature is preferably 0 to 120 ° C, particularly preferably 20 to 80 ° C. The reaction time is preferably 1 to 24 hours, particularly preferably 2 to 15 hours. The progress of the reaction can be monitored by taking out a part of the reaction solution, stopping the reaction with water, and then analyzing by thin layer chromatography or gas chromatography.

なお該反応は、予め塩化チタンと還元剤を混合加熱した後、一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体を添加しても良いし、一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体と塩化チタンの混合物に還元剤を添加するいずれの方法を用いても実施することができる。   In this reaction, after mixing and heating titanium chloride and a reducing agent in advance, a formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by general formula (5) may be added, or formyl represented by general formula (5) Any method of adding a reducing agent to a mixture of an (alkylchalcogeno) arene derivative and titanium chloride can be used.

かくして得られた、本発明の一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) of the present invention thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

(ホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の製造方法)
次に、一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体の原料化合物であるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing formyl (alkylchalcogeno) arene derivative)
Next, a method for producing a formyl (alkylchalcogeno) arene derivative which is a raw material compound of a di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative represented by the general formula (4) will be described.

一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体をメタル化剤を用いてメタル化し、DMFと反応させることで製造することができる。   The formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) is produced by metallizing the halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) using a metallizing agent and reacting with DMF. can do.

なお、ここでメタル化とは、一般式(6)におけるXをメタルに置換することを意味する。 Here, metalation means that X 3 in the general formula (6) is replaced with metal.

一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体をメタル化する場合、用いるメタル化剤は、一般式(6)におけるXをメタルに置換することができるものである限り特に限定はなく、例えばn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、メチルリチウム、ヘキシルリチウム等のアルキルリチウム;リチウムジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド等のリチウムアミド;リチウムパウダー等のリチウム金属;メチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムブロマイミド、イソプロピルマグネシウムブロミド、イソプロピルマグネシウムクロリド、tert−ブチルマグネシウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミド等のアルキルグリニャール試薬;マグネシウム金属;亜鉛金属等を挙げることができ、好ましくはアルキルリチウム、アルキルグリニャール試薬であり、特に好ましくはn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウムである。 When the halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) is metalated, the metalating agent used is particularly limited as long as X 3 in the general formula (6) can be substituted with metal. For example, alkyllithium such as n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium, methyllithium and hexyllithium; lithiumamide such as lithium diisopropylamide and lithium hexamethyldisilazide; lithium metal such as lithium powder An alkyl Grignard reagent such as methylmagnesium bromide, ethylmagnesium bromimide, isopropylmagnesium bromide, isopropylmagnesium chloride, tert-butylmagnesium chloride, cyclohexylmagnesium bromide; Cium metal; zinc metal and the like can be mentioned, and alkyl lithium and alkyl Grignard reagents are preferable, and n-butyl lithium, sec-butyl lithium and tert-butyl lithium are particularly preferable.

該メタル化剤の使用量は一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体1当量に対し、1.0〜3.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.5〜2.2当量、特に好ましくは1.7〜2.1当量である。   The amount of the metallizing agent used is preferably 1.0 to 3.0 equivalents, more preferably 1.5 to 2.2 relative to 1 equivalent of the halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6). Equivalents, particularly preferably 1.7 to 2.1 equivalents.

該メタル化は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ヘキサン等であり、特に好ましくはTHF、エーテルである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該メタル化の温度は−90〜30℃で行うことが好ましく、特に好ましくは−80〜20℃である。反応時間は1〜60分が好ましく、特に好ましくは10〜30分である。なお、メタル化の進行は、反応液の一部を取り出し、水で反応を停止させた後、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The metallization is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, hexane, and the like, and particularly preferably THF and ether. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The metallization temperature is preferably −90 to 30 ° C., particularly preferably −80 to 20 ° C. The reaction time is preferably 1 to 60 minutes, particularly preferably 10 to 30 minutes. The progress of metalation can be monitored by taking out a part of the reaction solution, stopping the reaction with water, and then analyzing by thin layer chromatography or gas chromatography.

該メタル化により生成したメタル塩は、次いでDMFと反応させることにより、一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体を得ることができる。メタル化により生成したメタル塩とDMFと反応させる際には、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばTHF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ヘキサン等であり、好ましくはTHF、エーテルである。用いるDMFの量は、一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体1当量に対し、1.0〜3.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.5〜2.2当量である。DMFとの反応温度は−90〜30℃が好ましく、特に好ましくは−80〜20℃であり、反応時間は0.5〜8時間が好ましく、特に好ましくは1〜4時間である。   The metal salt produced by the metalation is then reacted with DMF to obtain a formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5). When reacting the metal salt formed by metalation with DMF, it is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, hexane and the like, preferably THF and ether. The amount of DMF used is preferably 1.0 to 3.0 equivalents, more preferably 1.5 to 2.2 equivalents per equivalent of the halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6). is there. The reaction temperature with DMF is preferably −90 to 30 ° C., particularly preferably −80 to 20 ° C., and the reaction time is preferably 0.5 to 8 hours, particularly preferably 1 to 4 hours.

かくして得られた、一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

(ハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の製造方法)
次に、本発明の一般式(5)で示されるホルミル(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の原料化合物であるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing halo (alkylchalcogeno) arene derivative)
Next, a method for producing a halo (alkylchalcogeno) arene derivative, which is a raw material compound of the formyl (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (5) of the present invention, will be described.

本発明の一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体と下記一般式(11)で示されるメタルカルコゲノアルコキシドを反応させることで製造することができる。   The halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) of the present invention reacts with a 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and a metal chalcogenoalkoxide represented by the following general formula (11). Can be manufactured.

11 (11)
(ここで、Mはアルカリ金属を示し、置換基R11及びTは一般式(6)で示される置換基と同意義を示す。)
一般式(11)で示されるメタルカルコゲノアルコキシドにおけるMは、アルカリ金属であり、具体的にはナトリウム、リチウム、カリウム、セシウムを示し、好ましくは、ナトリウム、リチウムである。一般式(11)で示される具体的な化合物としては、例えばナトリウムチオメトキシド、リチウムチオメトキシド、カリウムチオメトキシド、セシウウムチオメトキシド、ナトリウムチオエトキシド、ナトリウムチオベンジルオキシド、ナトリウムセレノメトキシド、リチウムセレノメトキシド、ナトリウムセレノベンジルオキシドであり、好ましくはナトリウムチオメトキシド、ナトリウムチオベンジルオキシド、ナトリウムセレノメトキシドであり、特に好ましくはナトリウムチオメトキシドである。
R 11 T 1 M 1 (11)
(Here, M 1 represents an alkali metal, and the substituents R 11 and T 1 have the same meaning as the substituent represented by the general formula (6).)
M 1 in the metal chalcogenoalkoxide represented by the general formula (11) is an alkali metal, specifically, sodium, lithium, potassium, or cesium, and preferably sodium or lithium. Specific examples of the compound represented by the general formula (11) include sodium thiomethoxide, lithium thiomethoxide, potassium thiomethoxide, cesium thiomethoxide, sodium thioethoxide, sodium thiobenzyl oxide, sodium selenomethoxy. , Lithium selenomethoxide and sodium selenobenzyl oxide, preferably sodium thiomethoxide, sodium thiobenzyl oxide and sodium selenomethoxide, particularly preferably sodium thiomethoxide.

該メタルカルコゲノアルコキシド化剤の使用量は一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体1当量に対し、0.9〜2.1当量が好ましく、さらに好ましくは1.4〜1.7当量、特に好ましくは1.2〜1.5当量である。   The amount of the metal chalcogenoalkoxylating agent used is preferably 0.9 to 2.1 equivalents, more preferably 1.4 to 1.1, with respect to 1 equivalent of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8). 7 equivalents, particularly preferably 1.2 to 1.5 equivalents.

該メタルカルコゲノアルコキシドとの反応は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばNMP、DMF、THF、エーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、ジメチオルスルホキシド、トルエン、ヘキサン等であり、特に好ましくはNMP、DMF、ジオキサンである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該反応の温度は10〜100℃で行うことが好ましく、特に好ましくは20〜80℃である。反応時間は0.5〜6時間が好ましく、特に好ましくは1〜4時間である。なお、該反応の進行は、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The reaction with the metal chalcogeno alkoxide is preferably carried out in a solvent. The solvent used is not particularly limited, and examples thereof include NMP, DMF, THF, ether, ethyl tert-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, dimethylthiol sulfoxide, toluene, hexane, and the like, and particularly preferably NMP, DMF, dioxane. . These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The reaction temperature is preferably 10 to 100 ° C, particularly preferably 20 to 80 ° C. The reaction time is preferably 0.5 to 6 hours, particularly preferably 1 to 4 hours. The progress of the reaction can be monitored by analyzing with thin layer chromatography or gas chromatography.

かくして得られた、一般式(6)で示されるハロ(アルキルカルコゲノ)アレーン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The halo (alkylchalcogeno) arene derivative represented by the general formula (6) thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

なお、一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体は、例えば、特開2008/81494号公報に記載されている2,3−ジハロキノン誘導体の水素化ジイソブチルアルミニウムによる還元反応を用いて製造することができる。   The 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) is produced by, for example, using a reduction reaction of a 2,3-dihaloquinone derivative with diisobutylaluminum hydride described in JP2008 / 81494A. can do.

(ジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体の製造方法)
次に、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の原料化合物であるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing dihalochalcogenophenylaryl derivative)
Next, a method for producing a dihalochalcogenophenylaryl derivative that is a raw material compound of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) will be described.

一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体は、例えば下記一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体と下記一般式(14)で示される3−ハロアリール金属試薬をパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることにより製造することができる。   The dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) includes, for example, a dihalochalcogenophene derivative represented by the following general formula (13) and a 3-haloaryl metal reagent represented by the following general formula (14) as palladium. And / or by reacting in the presence of a nickel catalyst.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

(ここで、置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示す。置換基X及びT、並びに環Aは一般式(7)で示される置換基及び環と同意義を示す。) (Here, the substituent X 6 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom. The substituents X 4 and T 1 , and ring A have the same meaning as the substituent and ring represented by the general formula (7). )

Figure 0005716821
Figure 0005716821

(ここで、Mはマグネシウム、ホウ素、亜鉛、錫、ケイ素のハロゲン化物;ハイドロオキシド;アルコキシド;アルキル化物を示し、置換基X並びにB環は、一般式(7)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
一般式(13)及び(14)について、さらに述べる。
(Wherein M 2 represents a halide of magnesium, boron, zinc, tin, and silicon; a hydroxide; an alkoxide; an alkylated product, and the substituent X 2 and the B ring represent a substituent represented by the general formula (7) and It shows the same meaning as a ring.)
General formulas (13) and (14) will be further described.

一般式(13)の置換基Xは、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、好ましくは臭素原子及びヨウ素原子であり、さらに好ましくはヨウ素原子である。 The substituent X 6 in the general formula (13) represents a bromine atom, an iodine atom or a chlorine atom, preferably a bromine atom or an iodine atom, and more preferably an iodine atom.

一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体の例としては、以下の化合物が好ましい。   As examples of the dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13), the following compounds are preferable.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

一般式(14)の置換基Mはマグネシウム、ホウ素、亜鉛、錫、ケイ素のハロゲン化物;ハイドロオキシド;アルコキシド;アルキル化物であり、上記のパラジウム及び/又はニッケル触媒により脱離され、パラジウム及び/又はニッケルと置換できる基である限り特に限定はなく、例えばMgCl、MgBr、B(OH)、B(OMe)、テトラメチルジオキサボロラニル基、ZnCl、ZnBr、ZnI、Sn(Bu−n)、Si(OMe)等を挙げることができ、好ましくはZnCl、B(OH)、Si(OMe)である。 The substituent M 2 in the general formula (14) is a halide of magnesium, boron, zinc, tin, or silicon; a hydroxide; an alkoxide; an alkylated product, and is eliminated by the palladium and / or nickel catalyst described above. or it is not particularly limited as long as it is a group which can be substituted with nickel, for example MgCl, MgBr, B (OH) 2, B (OMe) 2, tetramethyl dioxaborolanyl group, ZnCl, ZnBr, ZnI, Sn (Bu- n) 3 , Si (OMe) 3 and the like can be mentioned, and ZnCl, B (OH) 2 and Si (OMe) 3 are preferable.

そして、具体的な一般式(14)で示される化合物としては、例えば3−ブロモ−6−ドデシルベンゾチエニル−2−ジンククロリド、3−ブロモ−6−オクタデシルベンゾチエニル−2−トリメトキシシラン、3−ブロモ−6,7−ジドデシルアントラセニルボロン酸、3−ブロモ−6,7−ジペンタデシルアントラセニル−2−ボロン酸等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (14) include 3-bromo-6-dodecylbenzothienyl-2-zinc chloride, 3-bromo-6-octadecylbenzothienyl-2-trimethoxysilane, 3 -Bromo-6,7-didodecylanthracenylboronic acid, 3-bromo-6,7-dipentadecylanthracenyl-2-boronic acid and the like.

なお、一般式(14)で示される3−ハロアリール金属試薬は、例えば、それらの原料となる一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体をイソプロピルマグネシウムブロミド等のグリニャール試薬あるいはn−ブチルリチウム等の有機リチウム試薬によりハロゲン/金属交換反応を行った後、塩化亜鉛、トリメトキシボラン、トリ(イソプロポキシ)ボラン、2−イソプロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン、テトラメトキシシラン等と反応させることで好適に調製することができる。また、一般式(6)、(7)の置換基M、MがSi(OMe)又はSi(OEt)の場合、それらの原料となるアリールジハロゲン置換体とPd又はRh触媒を用いたトリアルコキシシランとの反応によっても調製することができる。なお、グリニャール試薬によるハロゲン/金属交換反応は、例えば「ジャーナル オブ オルガニック ケミストリィー」、2000年、65巻、4618−4634頁」に記載されている方法を用いることもできる。 The 3-haloaryl metal reagent represented by the general formula (14) is, for example, a 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (10) used as a raw material thereof or a Grignard reagent such as isopropylmagnesium bromide or n-butyl. After halogen / metal exchange reaction with an organic lithium reagent such as lithium, zinc chloride, trimethoxyborane, tri (isopropoxy) borane, 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3 , 2-dioxaborolane, tetramethoxysilane and the like. In addition, when the substituents M 1 and M 2 in the general formulas (6) and (7) are Si (OMe) 3 or Si (OEt) 3 , aryl dihalogen substituents and Pd or Rh catalysts as raw materials thereof are used. It can also be prepared by reaction with a trialkoxysilane. For the halogen / metal exchange reaction using the Grignard reagent, for example, the method described in “Journal of Organic Chemistry”, 2000, 65, 4618-4634 can also be used.

該触媒反応に用いる触媒は、パラジウム及び/又はニッケル触媒であれば特に限定はなく、上記一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体の製造で上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応で用いたパラジウム及びニッケル触媒と同様の触媒を挙げることができる。これらの触媒の使用量、溶媒、反応条件、並びに銅化合物、塩基、ホスフィン等の添加物も上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンの反応と同様の、使用量、物質、条件を適用することができる。なお、一般式(14)で示される3−ハロアリール金属試薬の使用量は一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体1当量に対し、0.9〜2.0当量が好ましく、さらに好ましくは1.1〜1.5当量、特に好ましくは1.1〜1.3当量である。   The catalyst used for the catalytic reaction is not particularly limited as long as it is a palladium and / or nickel catalyst. In the production of the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3), 2, Mention may be made of the same catalysts as the palladium and nickel catalysts used in the reaction of the 3-dihaloarene derivative and the trialkylsilylacetylene. The amount of these catalysts used, solvent, reaction conditions, and additives such as copper compounds, bases, and phosphines are the same as in the reaction of the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) with trialkylsilylacetylene. Use amount, substance and conditions can be applied. The amount of the 3-haloaryl metal reagent represented by the general formula (14) is preferably 0.9 to 2.0 equivalents relative to 1 equivalent of the dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13), and Preferably it is 1.1-1.5 equivalent, Most preferably, it is 1.1-1.3 equivalent.

また、一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体と一般式(14)で示される3−ハロアリール金属試薬の反応における炭素−炭素結合は、一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体の2位(置換基Xが結合している位置)に形成される。これは一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体の2位の反応性が極めて高いことに基づくものである。 The carbon-carbon bond in the reaction of the dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13) and the 3-haloaryl metal reagent represented by the general formula (14) is the dihalochalcone represented by the general formula (13). It is formed at the 2-position of the genophene derivative (position where the substituent X 7 is bonded). This is based on the extremely high reactivity at the 2-position of the dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13).

さらに一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体は、一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体とグリニャール試薬あるいはn−ブチルリチウム等の有機リチウム試薬によりハロゲン/金属交換反応で置換基Xをメタル化した後、一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることにより製造することもできる。 Further, the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) can be used for halogen / metal exchange with a dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13) and an organic lithium reagent such as Grignard reagent or n-butyllithium. It can also be produced by metallizing the substituent X 7 by a reaction and then reacting it with a 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (10) in the presence of a palladium and / or nickel catalyst.

かくして得られた、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

(ジハロカルコゲノフェン誘導体の製造方法)
次に、一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体の原料化合物であるジハロカルコゲノフェン誘導体の製造方法について述べる。
(Method for producing dihalochalcogenophene derivative)
Next, a method for producing a dihalochalcogenophene derivative which is a raw material compound of the dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) will be described.

一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体は、例えば下記一般式(15)で示されるハロ(トリメチルシリル)カルコゲノフェン誘導体とハロゲン誘導体を反応させることにより製造することができる。   The dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13) can be produced, for example, by reacting a halo (trimethylsilyl) chalcogenophene derivative represented by the following general formula (15) with a halogen derivative.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

(ここで、置換基X及びT、並びに環Aは一般式(13)で示される置換基及び環と同意義を示す。)
該ハロゲン誘導体は、一般式(15)のトリメチルシリル基をハロゲン原子に置換することができるものであれば特に限定はなく、例えば1塩化ヨウ素、1臭化ヨウ素、ヨウ素、臭素、塩素、NIS、NBS、NCS等であり、好ましくは1塩化ヨウ素、1臭化ヨウ素であり、特に好ましくは1塩化ヨウ素である。
(Here, the substituents X 4 and T 1 and ring A have the same meanings as the substituent and ring represented by formula (13).)
The halogen derivative is not particularly limited as long as the trimethylsilyl group of the general formula (15) can be substituted with a halogen atom. For example, iodine monochloride, iodine bromide, iodine, bromine, chlorine, NIS, NBS NCS, etc., preferably iodine monochloride and iodine bromide, particularly preferably iodine monochloride.

該ハロゲン誘導体の使用量は一般式(15)で示されるハロ(トリメチルシリル)カルコゲノフェン誘導体1当量に対し、0.9〜1.5量が好ましく、さらに好ましくは1.0〜1.2当量である。   The amount of the halogen derivative used is preferably 0.9 to 1.5, more preferably 1.0 to 1.2 equivalents per 1 equivalent of the halo (trimethylsilyl) chalcogenophene derivative represented by the general formula (15). .

該ハロゲン誘導体との反応は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、クロロベンゼン、THF、エーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、トルエン、ヘキサン等であり、特に好ましくはジクロロメタン、クロロホルムである。又、これら溶媒は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該反応の温度は−20〜50℃で行うことが好ましく、特に好ましくは−10〜30℃である。反応時間は0.5〜6時間が好ましく、特に好ましくは1〜4時間である。なお、該反応の進行は、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The reaction with the halogen derivative is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, chlorobenzene, THF, ether, ethyl-tert-butyl ether, toluene, hexane, and the like. Preferred are dichloromethane and chloroform. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The temperature of the reaction is preferably -20 to 50 ° C, particularly preferably -10 to 30 ° C. The reaction time is preferably 0.5 to 6 hours, particularly preferably 1 to 4 hours. The progress of the reaction can be monitored by analyzing with thin layer chromatography or gas chromatography.

かくして得られた、一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体は、さらに精製することができる。精製する方法は特に限定はなく、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶化、あるいは昇華による方法を挙げることができる。   The dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13) thus obtained can be further purified. The method for purification is not particularly limited, and examples thereof include column chromatography, recrystallization, or sublimation.

一方、一般式(13)で示されるジハロカルコゲノフェン誘導体の原料である一般式(15)で示されるハロ(トリメチルシリル)カルコゲノフェン誘導体は、下記一般式(16)で示される(アルキルカルコゲニル)(トリメチルシリルエチニル)アレーン誘導体とハロゲン誘導体を反応させることにより製造することができる。   On the other hand, a halo (trimethylsilyl) chalcogenophene derivative represented by the general formula (15), which is a raw material of the dihalochalcogenophene derivative represented by the general formula (13), is represented by the following general formula (16) (alkylchalcogenyl). ) (Trimethylsilylethynyl) arene derivative and halogen derivative can be reacted.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

(ここで、置換基R13は炭素数1〜8のアルキル基を示し、置換基T及び環Aは一般式(15)で示される置換基及び環と同意義を示す。)
置換基R13における炭素数1〜8のアルキル基は、特に限定はなく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ベンジル基を挙げることができ、好ましくはメチル基、ベンジル基であり、より好ましくはメチル基である。
(Here, the substituent R 13 represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the substituent T 1 and ring A have the same meaning as the substituent and ring represented by the general formula (15).)
The alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the substituent R 13 is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a benzyl group, preferably a methyl group and a benzyl group. More preferably, it is a methyl group.

該ハロゲン誘導体は不飽和結合をハロゲン化できるものであれば特に限定はなく、例えばヨウ素、臭素、塩素、NIS、NBS、NCS等を挙げることができ、好ましくはヨウ素、臭素であり、特に好ましくはヨウ素である。該ハロゲン誘導体の使用量は一般式(16)で示される(アルキルカルコゲニル)(トリメチルシリルエチニル)アレーン誘導体1当量に対し、0.9〜1.6当量が好ましく、さらに好ましくは1.0〜1.3当量である。   The halogen derivative is not particularly limited as long as the unsaturated bond can be halogenated, and examples thereof include iodine, bromine, chlorine, NIS, NBS, NCS, etc., preferably iodine and bromine, particularly preferably. It is iodine. The amount of the halogen derivative used is preferably 0.9 to 1.6 equivalents, more preferably 1.0 to 1 equivalent to 1 equivalent of the (alkylchalcogenyl) (trimethylsilylethynyl) arene derivative represented by the general formula (16). 1.3 equivalents.

該ハロゲン化は、好ましくは溶媒中で実施する。用いる溶媒は特に限定はなく、例えばジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、THF、エーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、エチル−tert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等であり、特に好ましくは、ジクロロメタン、クロロホルムである。又、これら溶剤は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。該ハロゲン化の温度は0〜80℃で行うことが好ましく、特に好ましくは20〜60℃である。反応時間は1〜24時間が好ましく、特に好ましくは2〜12時間である。なお、ハロゲン化の進行は、薄層クロマトグラフィーあるいはガスクロマトグラフィーで分析することで監視することができる。   The halogenation is preferably carried out in a solvent. The solvent to be used is not particularly limited. For example, dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, THF, ether, methyl-tert-butyl ether, ethyl-tert-butyl ether. , Ethylene glycol dimethyl ether, dioxane, toluene, hexane, cyclohexane and the like, particularly preferably dichloromethane and chloroform. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The halogenation temperature is preferably 0 to 80 ° C., particularly preferably 20 to 60 ° C. The reaction time is preferably 1 to 24 hours, particularly preferably 2 to 12 hours. The progress of halogenation can be monitored by analysis by thin layer chromatography or gas chromatography.

なお、一般式(16)で示される(アルキルカルコゲニル)(トリメチルシリルエチニル)アレーン誘導体は、例えば2−トリメチルシリルエチニル−3−ハロアレーン誘導体をメタル化剤を用いてメタル化し、ジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドと反応させることで製造することができる。本反応の反応条件は、上記一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体を製造する場合と同様の反応条件を適用することができる。さらに該2−トリメチルシリルエチニル−3−ハロアレーン誘導体は、上記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリメチルシリルアセチレンのパラジウム触媒反応(薗頭カップリング)により調製することができる。この反応の触媒及び条件は、上記一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体を製造する場合と同様の触媒及び条件を適用することができる。   In addition, the (alkylchalcogenyl) (trimethylsilylethynyl) arene derivative represented by the general formula (16) is obtained by metallizing a 2-trimethylsilylethynyl-3-haloarene derivative using a metallizing agent, for example, and dialkyldisulfide and / or dialkyl. It can be produced by reacting with diselenide. As the reaction conditions for this reaction, the same reaction conditions as those for producing the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) can be applied. Further, the 2-trimethylsilylethynyl-3-haloarene derivative can be prepared by a palladium-catalyzed reaction (Sonogashira coupling) of a 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) and trimethylsilylacetylene. As the catalyst and conditions for this reaction, the same catalyst and conditions as in the production of the dihalodiarylethyne derivative represented by the general formula (3) can be applied.

(耐酸化性有機半導体材料)
次に、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料について述べる。該耐酸化性有機半導体材料は溶剤への溶解性、耐酸化性に優れ、好適な塗布性を有する。該耐酸化性有機半導体材料は本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を溶剤に溶解することにより製造することができる。
(Oxidation-resistant organic semiconductor materials)
Next, an oxidation resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described. The oxidation-resistant organic semiconductor material is excellent in solubility in a solvent and oxidation resistance, and has suitable coating properties. The oxidation-resistant organic semiconductor material can be produced by dissolving the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention in a solvent.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の溶解に用いる溶剤は、特に限定はなく、例えばo−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン、トリクロロベンゼン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶剤;THF、ジオキサン等のエーテル系溶剤;トルエン、キシレン、メシチレン、ビフェニル、エチルベンゼン、オクチルベンゼン等の芳香族の炭化水素系溶剤;酢酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶剤;DMF、NMP等のアミド系溶
剤;等が挙げられる。又、これら溶剤は1種若しくは2種以上の混合物を用いても良い。中でも、好ましくはクロロベンゼン、トルエン等である。
The solvent used for dissolving the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is not particularly limited. For example, o-dichlorobenzene, chlorobenzene, trichlorobenzene, 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2- Halogen solvents such as tetrachloroethane, chloroform and dichloromethane; ether solvents such as THF and dioxane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, biphenyl, ethylbenzene and octylbenzene; ethyl acetate, γ-butyrolactone, etc. Ester solvents; amide solvents such as DMF and NMP; and the like. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more. Of these, chlorobenzene, toluene and the like are preferable.

上記に挙げた溶剤と一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を混合攪拌することにより、一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料となるものである。混合攪拌する際の温度は10〜150℃が好ましく、特に好ましくは20〜100℃である。混合攪拌する際の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の濃度は、溶剤及び温度により変えることができ、0.01〜10.0重量%であることが好ましい。溶液の調製は空気中でも実施することができるが、好ましくは窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で調製する。   By mixing and stirring the above-mentioned solvent and the heteroacene derivative represented by the general formula (1), an oxidation-resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) is obtained. The temperature at the time of mixing and stirring is preferably 10 to 150 ° C, particularly preferably 20 to 100 ° C. The density | concentration of the heteroacene derivative shown by General formula (1) at the time of mixing and stirring can be changed with a solvent and temperature, and it is preferable that it is 0.01-10.0 weight%. The solution can be prepared in air, but is preferably prepared in an inert atmosphere such as nitrogen or argon.

一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料の耐酸化性の評価は、該溶液を所定時間、空気と接触させる方法で実施することができる。まず用いる溶剤は予め脱気しておき、溶存酸素を除去する。空気との接触時間は、温度により適宜選択することができ、0.5分〜3時間が好適である。酸化の進行は、溶液の色の変化並びに薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー、及びガスクロマトグラフィー(GC)−マススペクトル(GCMS)分析による酸化物の検出により行うことができる。   Evaluation of the oxidation resistance of the oxidation-resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) can be performed by a method in which the solution is brought into contact with air for a predetermined time. First, the solvent to be used is degassed in advance to remove dissolved oxygen. The contact time with air can be appropriately selected depending on the temperature, and is preferably 0.5 minutes to 3 hours. Oxidation can proceed by changing the color of the solution and detecting oxides by thin layer chromatography, gas chromatography, and gas chromatography (GC) -mass spectrum (GCMS) analysis.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料は、用いられる一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体自体が適度の凝集性を有することから比較的に低温で溶剤へ溶解でき、且つ耐酸化性があることから、塗布法による有機薄膜の製造に好適に適用できる。即ち、雰囲気から厳密に空気を除く必要がないことから塗布工程を簡略化することができる。塗布は空気中でも実施できるが、好ましくは溶剤の乾燥を考慮して窒素気流下で行う。なお、好適な塗布性を得るために、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料の粘度は、0.005〜20ポアズの範囲にあることが好ましい。   The oxidation-resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention has a relatively low temperature because the heteroacene derivative itself represented by the general formula (1) used has appropriate cohesiveness. Since it can be dissolved in a solvent and has oxidation resistance, it can be suitably applied to the production of an organic thin film by a coating method. That is, since it is not necessary to strictly remove air from the atmosphere, the coating process can be simplified. The coating can be carried out in the air, but is preferably performed under a nitrogen stream in consideration of drying of the solvent. In order to obtain suitable coating properties, the viscosity of the oxidation-resistant organic semiconductor material containing the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is preferably in the range of 0.005 to 20 poise.

(有機薄膜)
次に本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を含む耐酸化性有機半導体材料を用いた有機薄膜について述べる。係る有機薄膜は上記の耐酸化性有機半導体材料(溶液)の再結晶化若しくは基板への塗布により製造することができ、特に基板への塗布により製造することが好ましい。そして、基板への塗布により製造することにより、基板上に形成される有機薄膜となるものである。
(Organic thin film)
Next, an organic thin film using an oxidation-resistant organic semiconductor material containing a heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention will be described. Such an organic thin film can be produced by recrystallization of the above-mentioned oxidation-resistant organic semiconductor material (solution) or application to a substrate, and it is particularly preferred to produce it by application to a substrate. And it becomes an organic thin film formed on a board | substrate by manufacturing by application | coating to a board | substrate.

再結晶化による薄膜は、前記耐酸化性有機半導体材料を冷却することで形成することができる。有機薄膜を冷却する時の雰囲気は、窒素、アルゴン等の不活性ガス又は空気下で行うことが好ましく、特に窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。該溶液中の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の濃度は、特に限定はなく、例えば0.01〜10.0重量%である。冷却は60〜150℃の温度から−20〜60℃が好ましく、特に好ましくは−10℃〜40℃の間に冷却することにより好適に実施することができる。またこのようにして製造した結晶状の有機薄膜を適当な基板の上に張り合わせる、即ちラミネーション等により基板上に製造することもできる。再結晶化により得られる有機薄膜の膜厚は特に限定はなく、好ましくは50nm〜2mm、特に好ましくは1〜500μmである。   The thin film by recrystallization can be formed by cooling the oxidation-resistant organic semiconductor material. The atmosphere for cooling the organic thin film is preferably carried out under an inert gas such as nitrogen or argon or under air, particularly preferably under an inert gas such as nitrogen or argon. The concentration of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) in the solution is not particularly limited and is, for example, 0.01 to 10.0% by weight. Cooling is preferably performed at a temperature of 60 to 150 ° C. to −20 to 60 ° C., particularly preferably by cooling between −10 ° C. and 40 ° C. In addition, the crystalline organic thin film thus produced can be laminated on an appropriate substrate, that is, produced on the substrate by lamination or the like. The thickness of the organic thin film obtained by recrystallization is not particularly limited, and is preferably 50 nm to 2 mm, particularly preferably 1 to 500 μm.

基板への塗布による有機薄膜の製造は、前記耐酸化性有機半導体材料を基板上に塗布した後、加熱、気流及び自然乾燥等の方法により溶剤を気化させることで実施することができる。該溶液中の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の濃度は、特に限定はなく、例えば0.01〜10.0重量%であることが好ましい。塗布温度は特に限定はなく、例えば20〜150℃の間で好適に実施することができる。塗布の具体的方法は特に限定はなく、公知の方法、例えばスピンコート、キャストコート及びディップコート等を用いることができる。さらにスクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等の印刷技術を用いても作製することが可能である。使用する基板の材料は特に限定はなく、結晶性、非結晶性の種々の材料を用いることができる。基板の具体例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ(ジイソプロピルフマル酸)、ポリ(ジエチルフマル酸)、ポリ(ジイソプロピルマレイン酸)等のプラスチック基板;ガラス、石英、酸化アルミニウム、シリコン、酸化シリコン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウム錫酸化物等の無機材料基板;金、銅、クロム、チタン、アルミニウム等の金属基板を好適に用いることができる。またこれらの基板の表面は、例えばオクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、β−フェネチルトリクロロシラン等のシラン類;ヘキサメチルジシラザン等のシリルアミン類で修飾処理したものであっても使用することができる。さらに、基板は絶縁性あるいは誘電性を有する材料であっても良い。塗布した後の溶剤の乾燥は、常圧若しくは減圧で除去することができる、又、加熱、窒素気流により乾燥してもよい。さらに、溶剤の気化速度を調節することで本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体の結晶成長を制御することができる。基板への塗布により得られる有機薄膜の膜厚は特に限定はなく、好ましくは1nm〜100μm、特に好ましくは10nm〜20μmである。   The production of the organic thin film by application to the substrate can be performed by applying the oxidation-resistant organic semiconductor material on the substrate and then evaporating the solvent by a method such as heating, air flow, and natural drying. The concentration of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) in the solution is not particularly limited, and is preferably 0.01 to 10.0% by weight, for example. There is no particular limitation on the coating temperature, and for example, it can be suitably carried out between 20 and 150 ° C. The specific method of application is not particularly limited, and known methods such as spin coating, cast coating, and dip coating can be used. Further, it can be produced by using a printing technique such as screen printing, ink jet printing, or gravure printing. The material of the substrate to be used is not particularly limited, and various crystalline and non-crystalline materials can be used. Specific examples of the substrate include, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymethyl methacrylate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, cyclic polyolefin, polyimide, polycarbonate, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, poly (diisopropyl fumaric acid), poly (diethyl fumaric acid). ), Plastic substrates such as poly (diisopropylmaleic acid); inorganic material substrates such as glass, quartz, aluminum oxide, silicon, silicon oxide, tantalum dioxide, tantalum pentoxide, indium tin oxide; gold, copper, chromium, titanium, A metal substrate such as aluminum can be suitably used. Also, the surface of these substrates is used even if it is modified with silanes such as octadecyltrichlorosilane, octyltrichlorosilane, octadecyltrimethoxysilane, and β-phenethyltrichlorosilane; and silylamines such as hexamethyldisilazane. can do. Further, the substrate may be made of an insulating or dielectric material. Drying of the solvent after coating can be removed under normal pressure or reduced pressure, or it may be dried by heating or a nitrogen stream. Furthermore, crystal growth of the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention can be controlled by adjusting the evaporation rate of the solvent. The film thickness of the organic thin film obtained by application | coating to a board | substrate does not have limitation in particular, Preferably it is 1 nm-100 micrometers, Especially preferably, it is 10 nm-20 micrometers.

また、該有機薄膜は塗布乾燥後、40〜120℃にアニーリングすることも可能である。   The organic thin film can be annealed at 40 to 120 ° C. after coating and drying.

本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は平面剛直性の高い分子構造を有することから、優れた半導体特性を与えることが期待できる。又、該ヘテロアセン誘導体はトルエンあるいはクロロベンゼン等の溶媒に溶解し、溶液状態にあっても容易に空気酸化されることはない。従って、塗布法により半導体薄膜を容易に作成できる。したがって、本発明の一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体は、電子ペーパー、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイ、ICタグ用等のトランジスタの有機半導体活性相用途;有機ELディスプレイ材料;有機半導体レーザー材料;有機薄膜太陽電池材料;フォトニック結晶材料等の電子材料に利用することができる。   Since the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention has a molecular structure with high planar rigidity, it can be expected to give excellent semiconductor characteristics. Further, the heteroacene derivative is dissolved in a solvent such as toluene or chlorobenzene, and is not easily oxidized by air even in a solution state. Therefore, a semiconductor thin film can be easily formed by a coating method. Therefore, the heteroacene derivative represented by the general formula (1) of the present invention is used in an organic semiconductor active phase of a transistor such as an electronic paper, an organic EL display, a liquid crystal display, and an IC tag; an organic EL display material; an organic semiconductor laser material; Organic thin-film solar cell materials; can be used for electronic materials such as photonic crystal materials.

分子長軸が長いことから高性能且つ優れた耐酸化性を有し、塗布法による有機半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体及びその用途を提供する。さらに、該ヘテロアセン誘導体の前駆化合物であるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体及びジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体誘導体及びそれらの製造方法をも提供する。   Provided are a heteroacene derivative having high performance and excellent oxidation resistance due to a long molecular long axis, and capable of forming an organic semiconductor active phase by a coating method, and uses thereof. Furthermore, the present invention also provides di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivatives and di (alkylchalcogeno) diarylethylene derivative derivatives, which are precursor compounds of the heteroacene derivative, and methods for producing them.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.

生成物の同定にはH−NMRスペクトル及びマススペクトルを用いた。なお、H−NMRスペクトルは日本電子製JEOL GSX−270WB(270MHz)を用いた。マススペクトル(MS)は日本電子製JEOL JMS−700を用いて、試料を直接導入し、電子衝突(EI)法(70エレクトロンボルト)又はFAB法(6キロエレクトロンボルト、キセノンガス、マトリックス(2−ニトロフェニルオクチルエーテル)で測定した。 For the identification of the product, 1 H-NMR spectrum and mass spectrum were used. For the 1 H-NMR spectrum, JEOL GSX-270WB (270 MHz) manufactured by JEOL Ltd. was used. The mass spectrum (MS) is obtained by directly introducing a sample using JEOL JMS-700 manufactured by JEOL, and by electron impact (EI) method (70 electron volts) or FAB method (6 kiloelectron volts, xenon gas, matrix (2- Nitrophenyl octyl ether).

反応の進行の確認等は薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー(GC)、あるいはガスクロマトグラフィー−マススペクトル(GCMS)分析を用いた。   For confirmation of the progress of the reaction, etc., thin layer chromatography, gas chromatography (GC), or gas chromatography-mass spectrum (GCMS) analysis was used.

ガスクロマトグラフィー分析
装置 島津GC14B
カラム J&Wサイエンティフィック社製、DB−1,30m
ガスクロマトグラフィー−マススペクトル分析
装置 パーキンエルマーオートシステムXL(MS部;ターボマスゴールド)
カラム J&Wサイエンティフィック社製、DB−1,30m
反応用の試薬及び溶媒は、断りのない限り市販品を用いた。なお、グリニャール試薬あるいはブチルリチウム等の有機金属試薬を用いた場合は、市販の脱水溶媒をそのまま用いた。
Gas chromatography analyzer Shimadzu GC14B
Column J & W Scientific, DB-1, 30m
Gas chromatography-mass spectrum analyzer Perkin Elmer Auto System XL (MS part; Turbomass Gold)
Column J & W Scientific, DB-1, 30m
Commercially available reagents and solvents for reaction were used unless otherwise specified. When a Grignard reagent or an organometallic reagent such as butyl lithium was used, a commercially available dehydrated solvent was used as it was.

合成例1 (4−ブロモ−5−ヨード無水フタル酸の合成)
4−ブロモ−5−ヨード無水フタル酸は「ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー」(米国)、1951年、16巻、1577−1581頁を参考に、以下の様に合成した。
Synthesis Example 1 (Synthesis of 4-bromo-5-iodophthalic anhydride)
4-Bromo-5-iodophthalic anhydride was synthesized as follows with reference to “Journal of Organic Chemistry” (USA), 1951, Vol. 16, pp. 1577-1581.

4−ブロモフタルイミド(東京化成工業製)9.95g(44.0mmol)を窒素ガスで置換した50mlの二口ナスフラスコに入れた。次いでヨウ素5.87g(23.1mmol)及び10%発煙硫酸(ヨツハタ化学工業製)12mlを加え、90℃で23時間反応を行った。反応混合物を室温に冷やして氷に注ぎ入れた後、ガラスフィルターでろ過し、黄色固体12.8gを得た。得られた固体を濃硫酸35mlに溶解させ、130℃で5時間反応を行った。反応混合物を氷冷後、氷水を加えて析出した固体をろ過し、フタル酸誘導体の固体13.8gを得た。次に得られた固体を、水酸化ナトリウム3.6gを水18mlに溶かした水溶液に室温で溶かした。この塩基性水溶液に酢酸を加えpHを3〜4に調整し、析出するフタル酸誘導体のモノナトリウム塩の白色沈殿をろ過した。得られた白色固体を水に懸濁させ、濃塩酸でpHを1以下にし、再びフタル酸誘導体として白色固体6.45gを得た。この固体をトルエン48mlに溶かし、無水酢酸8.7g(85.7mmol)を加え、105℃で4時間反応を行った。反応液を減圧濃縮して白色固体5.87gを得た。この固体をトルエンで再結晶精製し、目的の4−ブロモ−5−ヨード無水フタル酸を5.13g(14.5mmol)を得た(収率33%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.51(s,1H),8.23(s,1H)。
MS m/z: 353(M,100%),309(M−CO,18%),282(M−C,10%),155(M−C−I,16%),74(M−C−I−Br,32%)。
4-Bromophthalimide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 9.95 g (44.0 mmol) was placed in a 50 ml two-necked eggplant flask substituted with nitrogen gas. Subsequently, 5.87 g (23.1 mmol) of iodine and 12 ml of 10% fuming sulfuric acid (manufactured by Yotsuhata Chemical Industry) were added, and the reaction was performed at 90 ° C. for 23 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and poured into ice, and then filtered through a glass filter to obtain 12.8 g of a yellow solid. The obtained solid was dissolved in 35 ml of concentrated sulfuric acid and reacted at 130 ° C. for 5 hours. The reaction mixture was ice-cooled, ice water was added and the precipitated solid was filtered to obtain 13.8 g of a phthalic acid derivative solid. Next, the obtained solid was dissolved in an aqueous solution obtained by dissolving 3.6 g of sodium hydroxide in 18 ml of water at room temperature. Acetic acid was added to this basic aqueous solution to adjust the pH to 3 to 4, and the white precipitate of the monosodium salt of the phthalic acid derivative was filtered. The obtained white solid was suspended in water, the pH was adjusted to 1 or less with concentrated hydrochloric acid, and 6.45 g of a white solid was obtained again as a phthalic acid derivative. This solid was dissolved in 48 ml of toluene, 8.7 g (85.7 mmol) of acetic anhydride was added, and the reaction was performed at 105 ° C. for 4 hours. The reaction solution was concentrated under reduced pressure to obtain 5.87 g of a white solid. This solid was recrystallized and purified with toluene to obtain 5.13 g (14.5 mmol) of the desired 4-bromo-5-iodophthalic anhydride (yield 33%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.51 (s, 1H), 8.23 (s, 1H).
MS m / z: 353 (M +, 100%), 309 (M + -CO 2, 18%), 282 (M + -C 2 O 3, 10%), 155 (M + -C 2 O 3 - I, 16%), 74 ( M + -C 2 O 3 -I-Br, 32%).

合成例2 (1,2―ジドデシルベンゼンの合成)
1,2−ジドデシルベンゼンは「日本化学会誌」1989年、983−987頁に従い以下の様に合成した。
Synthesis Example 2 (Synthesis of 1,2-didodecylbenzene)
1,2-didodecylbenzene was synthesized as follows according to “The Chemical Society of Japan”, 1989, pages 983-987.

1,2−ジクロロベンゼン2.22g(15.1mmol)、ジクロロ〔1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン〕ニッケル(東京化成工業製)131mg(0.24mmol)、エーテル12mlの混合液にドデシルマグネシウムブロミド(シグマ−アルドリッチ製、1.0mol/lエーテル溶液)45ml(45.0mmol)を窒素雰囲気中0℃で滴下した。35℃で20時間反応を行い、反応混合物を0℃に冷やして希塩酸を加え、エーテルで抽出した。エーテル溶液を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順に洗浄し、塩化カルシウムで乾燥させた。得られた液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン)及び減圧蒸留で精製し、目的の1,2―ジドデシルベンゼンを5.56g(13.4mmol)を得た(収率88%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.11(m,4H),2.59(t,J=7.8Hz,4H),1.55(m,4H),1.26(m,36H),0.88(t,J=6.8Hz,6H)。
MS m/z: 414(M,100%),260(M−C1123,71%),106(M−C2246,98%)。
Dodecyl was added to a mixture of 2.22 g (15.1 mmol) of 1,2-dichlorobenzene, 131 mg (0.24 mmol) of dichloro [1,3-bis (diphenylphosphino) propane] nickel (Tokyo Chemical Industry) and 12 ml of ether. 45 ml (45.0 mmol) of magnesium bromide (manufactured by Sigma-Aldrich, 1.0 mol / l ether solution) was added dropwise at 0 ° C. in a nitrogen atmosphere. The reaction was performed at 35 ° C. for 20 hours, the reaction mixture was cooled to 0 ° C., diluted hydrochloric acid was added, and the mixture was extracted with ether. The ether solution was washed with water, a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and water in this order, and dried over calcium chloride. The resulting liquid was purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane) and vacuum distillation to obtain 5.56 g (13.4 mmol) of the desired 1,2-didodecylbenzene (yield 88%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.11 (m, 4H), 2.59 (t, J = 7.8 Hz, 4H), 1.55 (m, 4H), 1.26 ( m, 36H), 0.88 (t, J = 6.8 Hz, 6H).
MS m / z: 414 (M +, 100%), 260 (M + -C 11 H 23, 71%), 106 (M + -C 22 H 46, 98%).

合成例3 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラキノンの合成)
2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラキノンは「ベリヒテ」(独国)、1933年、66B巻、1876−1891頁を参考に以下の様に合成した。
Synthesis Example 3 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthraquinone)
2-Bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthraquinone was synthesized as follows with reference to “Berichte” (Germany), 1933, 66B, pages 1876-1891.

合成例1で得られた4−ブロモ−5−ヨード無水フタル酸2.82g(8.00mmol)、合成例2で得られた1,2−ジドデシルベンゼン3.32g(8.00mmol)、テトラクロロエタン5.0mlの混合液に塩化アルミニウム2.41g(18.1mmol)を加え、室温で3時間反応を行った。水を加えてクエンチし、さらに水洗浄を行い、加熱真空乾燥後、白色固体を6.2g得た。得られた固体に濃硫酸44mlを添加し、80℃で1時間反応した。反応混合物を氷に注ぎ入れ、析出した固体をろ過して水で洗浄した。乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル,10:1)及びヘプタンからの再結晶で精製し、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラキノンの固体4.20g(5.60mmol)を得た(収率70%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.73(s,1H),8.45(s,1H),8.05(s,2H),2.75(m,4H),1.62(m,4H),1.26(m,36H),0.88(m,6H)。
MS m/z: 750(M,100%),440(M−C2246,8%),313(M−C2246I,2%),233(M−C2246IBr,1%)。
4-Bromo-5-iodophthalic anhydride 2.82 g (8.00 mmol) obtained in Synthesis Example 1, 3.32 g (8.00 mmol) of 1,2-didodecylbenzene obtained in Synthesis Example 2, tetra To a mixed solution of 5.0 ml of chloroethane, 2.41 g (18.1 mmol) of aluminum chloride was added and reacted at room temperature for 3 hours. The reaction was quenched by adding water, and further washed with water. After heating and vacuum drying, 6.2 g of a white solid was obtained. 44 ml of concentrated sulfuric acid was added to the obtained solid and reacted at 80 ° C. for 1 hour. The reaction mixture was poured into ice, and the precipitated solid was filtered and washed with water. After drying, the product was purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane / ethyl acetate, 10: 1) and recrystallization from heptane, and a solid of 2.20 g of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthraquinone. (5.60 mmol) was obtained (yield 70%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.73 (s, 1H), 8.45 (s, 1H), 8.05 (s, 2H), 2.75 (m, 4H), 1 .62 (m, 4H), 1.26 (m, 36H), 0.88 (m, 6H).
MS m / z: 750 (M +, 100%), 440 (M + -C 22 H 46, 8%), 313 (M + -C 22 H 46 I, 2%), 233 (M + -C 22 H 46 IBr, 1%).

合成例4 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセンの合成)(一般式(8)及び(10)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例3で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラキノン1.10g(1.47mmol)を入れた。次いでTHF17mlを加え、水素化ジイソブチルアルミニウム(関東化学製、0.99mol/l、トルエン溶液)4.0ml(4.0mmol)を加え、室温で1.5時間反応を行った。次いで反応混合物に6M塩酸水溶液10mlを加え、65℃で3時間反応を行った。反応混合物を室温まで冷やし、エーテルで抽出した。エーテル溶液を飽和食塩水で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥、減圧濃縮し、得られた残渣に再びTHF17mlを加え、水素化ジイソブチルアルミニウム4.0ml(4.0mmol)を加え、室温で1.5時間反応を行った。次いで反応混合物に6M塩酸水溶液10mlを加え、3時間反応を行った。反応混合物を室温まで冷やし、エーテルで抽出した。エーテル溶液を飽和食塩水で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン)で精製し、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセンの黄色固体を629mg(0.87mmol)得た(収率59%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.55(s,1H),8.27(s,1H),8.16(s,1H),8.15(s,1H),7.72(s,2H),2.78(m,4H),1.71(m,4H),1.27(m,36H),0.88(m,6H)。
MS m/z: 720(M,100%),410(M−C2246,16%),283(M−C2246−I,4%),203(M−C2246−I−Br,5)。
Synthesis Example 4 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene) (Synthesis of compounds of general formulas (8) and (10))
Under a nitrogen atmosphere, 1.10 g (1.47 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthraquinone synthesized in Synthesis Example 3 was placed in a 100 ml Schlenk reaction vessel. Next, 17 ml of THF was added, 4.0 ml (4.0 mmol) of diisobutylaluminum hydride (manufactured by Kanto Chemical Co., 0.99 mol / l, toluene solution) was added, and the reaction was performed at room temperature for 1.5 hours. Subsequently, 10 ml of 6M hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction mixture, and the reaction was performed at 65 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with ether. The ether solution was washed with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. To the obtained residue was again added 17 ml of THF, 4.0 ml (4.0 mmol) of diisobutylaluminum hydride was added, and 1.5 ml at room temperature. Time reaction was performed. Subsequently, 10 ml of 6M hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction mixture, and reaction was performed for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with ether. The ether solution was washed with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and dried under reduced pressure. Purification by silica gel column chromatography (eluent: hexane) gave 629 mg (0.87 mmol) of a yellow solid of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene (yield 59%).
1 H NMR (CDCl 3, 22 ℃): δ = 8.55 (s, 1H), 8.27 (s, 1H), 8.16 (s, 1H), 8.15 (s, 1H), 7 .72 (s, 2H), 2.78 (m, 4H), 1.71 (m, 4H), 1.27 (m, 36H), 0.88 (m, 6H).
MS m / z: 720 (M +, 100%), 410 (M + -C 22 H 46, 16%), 283 (M + -C 22 H 46 -I, 4%), 203 (M + -C 22 H 46 -I-Br, 5 ).

実施例1 (ジブロモ(テトラドデシル)ジアントリルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例4で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン(一般式(8)の化合物)625mg(0.868mmol)、THF4ml、及びジイソプロピルアミン12mlを添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)30.5mg(0.043mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)19.8mg(0.10mmol)、及びトリメチルシリルアセチレン(和光純薬工業製)0.15ml(1.05mmol)を添加した。この混合物を26℃で16時間反応を実施した。反応混合物を減圧濃縮し溶媒を留去し、さらに真空乾燥した。得られた残渣にトルエンを添加し、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.06ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相をシリカゲルに通過させた(溶媒;トルエン)。溶出液を減圧濃縮し、得られた残渣608mg(2−トリメチルシリルエチニル−3−ブロモ−6,7−ジドデシルアントラセンを主成分とする)にメタノール8ml及び炭酸カリウム360mg(2.60mmol)を添加し、室温で10時間反応させた(脱トリアルキリシリル処理)。反応混合物を減圧濃縮し溶媒を留去し、さらに真空乾燥した。得られた残渣にエーテルを添加し水で洗浄した。有機相を減圧濃縮し、2−エチニル−3−ブロモ−6,7−ジドデシルアントラセン(一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体)を主成分とする550mgの粘調物を得た。
Example 1 (Synthesis of dibromo (tetradodecyl) dianthrylethine) (Synthesis of dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 625 mg (0.868 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene (a compound of the general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 4 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 4 ml of THF, and diisopropyl 12 ml of amine was added. Further, 30.5 mg (0.043 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 19.8 mg (0.10 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), and trimethylsilylacetylene ( 0.15 ml (1.05 mmol) of Wako Pure Chemical Industries) was added. The mixture was reacted at 26 ° C. for 16 hours. The reaction mixture was concentrated under reduced pressure, the solvent was distilled off, and further dried under vacuum. Toluene was added to the obtained residue, 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.06 ml) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was passed through silica gel (solvent: toluene). The eluate was concentrated under reduced pressure, and 8 ml of methanol and 360 mg (2.60 mmol) of potassium carbonate were added to 608 mg of the resulting residue (based on 2-trimethylsilylethynyl-3-bromo-6,7-didodecylanthracene). And allowed to react at room temperature for 10 hours (detrialkylylsilyl treatment). The reaction mixture was concentrated under reduced pressure, the solvent was distilled off, and further dried under vacuum. Ether was added to the resulting residue and washed with water. The organic phase was concentrated under reduced pressure, and 550 mg of a viscous product containing 2-ethynyl-3-bromo-6,7-didodecylanthracene (2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9)) as a main component Got.

得られた2−エチニル−3−ブロモ−6,7−ジドデシルアントラセンを主成分とする550mgの粘調物にTHF4ml、及びジイソプロピルアミン12mlを添加した。ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)29.0mg(0.041mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)19.4mg(0.10mmol)、及び合成例4で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン(一般式(10)の化合物)630mg(0.875mmol)を添加した。この混合物を26℃で16時間反応を実施した。反応混合物を減圧濃縮し溶媒を留去し、さらに真空乾燥した。得られた残渣にトルエンを添加し、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.06ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:塩化メチレン=10:1)、ジブロモ(テトラドデシル)ジアントリルエチンの黄色固体724mgを得た(収率69%)。
FABMS m/z: 1210(M,100%),1130(M−Br,8)。
4 ml of THF and 12 ml of diisopropylamine were added to 550 mg of a viscous product mainly composed of 2-ethynyl-3-bromo-6,7-didodecylanthracene. In dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 29.0 mg (0.041 mmol), copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 19.4 mg (0.10 mmol), and Synthesis Example 4 630 mg (0.875 mmol) of synthesized 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene (compound of general formula (10)) was added. The mixture was reacted at 26 ° C. for 16 hours. The reaction mixture was concentrated under reduced pressure, the solvent was distilled off, and further dried under vacuum. Toluene was added to the obtained residue, 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.06 ml) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was concentrated under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: methylene chloride = 10: 1) to obtain 724 mg of dibromo (tetradodecyl) dianthrylethine as a yellow solid ( Yield 69%).
FABMS m / z: 1210 (M + , 100%), 1130 (M + -Br, 8).

MS測定より、ジブロモ(テトラドデシル)ジアントリルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From MS measurement, it was confirmed that dibromo (tetradodecyl) dianthrylethine was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
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実施例2 (ジブロモ(テトラドデシル)ジアントラセニルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例4で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン(一般式(8)の化合物)879mg(1.22mmol)、トルエン6ml、及びピペリジン5mlを添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)16.8mg(0.024mmol)、及びヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)10.0mg(0.053mmol)を添加した。この混合物を60℃に加熱し、アセチレンのガスを溶液中に浸したディップチューブを通してゆっくりと導入しながら1.5時間反応を実施した。アセチレンのガスの導入を停止後、さらに3時間反応を継続した。室温に冷却後トルエンを添加し、水で洗浄した。有機相を、5%硫酸水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた有機相に、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.06ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:塩化メチレン=10:1)、ジブロモ(テトラドデシル)ジアントリルエチンの黄色固体530mgを得た(収率72%)。
Example 2 (Synthesis of dibromo (tetradodecyl) dianthracenylethine) (dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 879 mg (1.22 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 4 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 6 ml of toluene, and 5 ml piperidine was added. Further, 16.8 mg (0.024 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 10.0 mg (0.053 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) were added. The mixture was heated to 60 ° C., and the reaction was carried out for 1.5 hours while slowly introducing an acetylene gas through a dip tube immersed in the solution. After stopping the introduction of the acetylene gas, the reaction was continued for another 3 hours. After cooling to room temperature, toluene was added and washed with water. The organic phase was washed with 5% sulfuric acid aqueous solution, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine in this order. A 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.06 ml) was added to the obtained organic phase, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: methylene chloride = 10: 1) to obtain 530 mg of dibromo (tetradodecyl) dianthrylethine as a yellow solid (yield 72%).

実施例3 (ジブロモ(テトラドデシル)ジアントリルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例4で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン(一般式(8)の化合物)454mg(0.631mmol)、トリメチルシリルアセチレン31.0mg(0.315mmol)、ジイソプロピルアミン5ml、トルエン2ml、水4.4mg(0.246mmol)、及び1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン57.7mg(0.379mmol)(東京化成工業製)を添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)22.1mg(0.032mmol)、及びヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)16.8mg(0.088mmol)を添加した。この混合物を60℃に加熱し、20時間反応を継続した。室温に冷却後トルエンを添加し、水で洗浄した。有機相を、5%硫酸水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた有機相に、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.06ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:塩化メチレン=10:1)、ジブロモ(テトラドデシル)ジアントリルエチンの黄色固体126mgを得た(収率33%)。
Example 3 (Synthesis of dibromo (tetradodecyl) dianthrylethine) (dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 454 mg (0.631 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 4 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, trimethylsilylacetylene 31. 0 mg (0.315 mmol), diisopropylamine 5 ml, toluene 2 ml, water 4.4 mg (0.246 mmol), and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene 57.7 mg (0.379 mmol) ( Tokyo Chemical Industry) was added. Further, 22.1 mg (0.032 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 16.8 mg (0.088 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) were added. The mixture was heated to 60 ° C. and the reaction was continued for 20 hours. After cooling to room temperature, toluene was added and washed with water. The organic phase was washed with 5% sulfuric acid aqueous solution, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine in this order. A 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.06 ml) was added to the obtained organic phase, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: methylene chloride = 10: 1) to obtain 126 mg of dibromo (tetradodecyl) dianthrylethine as a yellow solid (yield 33%).

合成例5 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−(ドデシル)フルオロアントラセンの合成)(一般式(8)及び(10)の化合物の合成)
合成例2で1,2−ジクロロベンゼンの代わりに、1−クロロ−2−フルオロベンゼン(東京化成工業製)を用いた以外は合成例2と同じ操作を繰り返して1−ドデシル−2−フルオロベンゼンを合成した。この1−ドデシル−2−フルオロベンゼンと合成例1で得られた4−ブロモ−5−ヨードフタル酸無水物を用い、合成例3と同じ操作を繰り返し2−ブロモ−3−ヨード−6,7−(ドデシル)フルオロアントラキノンを得、さらに合成例4と同じ操作を繰り返して、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−(ドデシル)フルオロアントラセンへ変換した。
Synthesis Example 5 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7- (dodecyl) fluoroanthracene) (Synthesis of compounds of general formulas (8) and (10))
The same operation as in Synthesis Example 2 was repeated except that 1-chloro-2-fluorobenzene (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was used instead of 1,2-dichlorobenzene in Synthesis Example 2, and 1-dodecyl-2-fluorobenzene was repeated. Was synthesized. Using this 1-dodecyl-2-fluorobenzene and 4-bromo-5-iodophthalic anhydride obtained in Synthesis Example 1, the same operation as in Synthesis Example 3 was repeated and 2-bromo-3-iodo-6,7- (Dodecyl) fluoroanthraquinone was obtained, and further the same operation as in Synthesis Example 4 was repeated to convert to 2-bromo-3-iodo-6,7- (dodecyl) fluoroanthracene.

実施例4 (ジブロモジフルオロ(ジドデシル)ジアントリルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例5で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6−ドデシル−7−フルオロアントラセン(一般式(8)の化合物)464mg(0.815mmol)、トルエン4ml、及びピペリジン3mlを添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)14.5mg(0.021mmol)、及びヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)8.4mg(0.044mmol)を添加した。この混合物を60℃に加熱し、アセチレンのガスを溶液中に浸したディップチューブを通してゆっくりと導入しながら1.5時間反応を実施した。アセチレンのガスの導入を停止後、さらに3時間反応を継続した。室温に冷却後トルエンを添加し、水で洗浄した。有機相を、5%硫酸水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた有機相に、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.06ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:塩化メチレン=10:1)、ジブロモジフルオロ(ジドデシル)ジアントリルエチンの異性体の混合物からなる黄色固体237mgを得た(収率64%)。
FABMS m/z: 909(M,100%),829(M−Br,7).
MS測定より、ジブロモジフルオロ(ジドデシル)ジアントリルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。
Example 4 (Synthesis of dibromodifluoro (didodecyl) dianthrylethine) (dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 464 mg (0.815 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6-dodecyl-7-fluoroanthracene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 5 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 4 ml of toluene, And 3 ml of piperidine was added. Further, 14.5 mg (0.021 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 8.4 mg (0.044 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) were added. The mixture was heated to 60 ° C., and the reaction was carried out for 1.5 hours while slowly introducing an acetylene gas through a dip tube immersed in the solution. After stopping the introduction of the acetylene gas, the reaction was continued for another 3 hours. After cooling to room temperature, toluene was added and washed with water. The organic phase was washed with 5% sulfuric acid aqueous solution, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine in this order. A 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.06 ml) was added to the obtained organic phase, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: methylene chloride = 10: 1) to obtain 237 mg of a yellow solid composed of a mixture of isomers of dibromodifluoro (didodecyl) dianthrylethine (yield: 64). %).
FABMS m / z: 909 (M + , 100%), 829 (M + -Br, 7).
From the MS measurement, it was confirmed that dibromodifluoro (didodecyl) dianthrylethine was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

合成例6 (4−ブロモ−1,2−ジヨードベンゼンの合成)
100mlシュレンク反応容器に、1,2−ジヨードベンゼン(東京化成工業製)5.56g(16.8mmol)及びジクロロメタン30mlを添加し、0℃に冷却した。鉄粉(シグマ−アルドリッチ製)67mg及びヨウ素10mg(0.04mmol)を添加後、臭素0.87ml(17mmol)を滴下した。0℃で8時間撹拌後、亜硫酸水素ナトリウム水溶液を添加し、反応を停止させた。有機相を水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をTHF/メタノールから2回再結晶化し、4−ブロモ−1,2−ジヨードベンゼン4.94gの白色結晶を得た(収率72%)。
Synthesis Example 6 (Synthesis of 4-bromo-1,2-diiodobenzene)
To a 100 ml Schlenk reaction vessel, 5.56 g (16.8 mmol) of 1,2-diiodobenzene (manufactured by Tokyo Chemical Industry) and 30 ml of dichloromethane were added and cooled to 0 ° C. After adding 67 mg of iron powder (manufactured by Sigma-Aldrich) and 10 mg (0.04 mmol) of iodine, 0.87 ml (17 mmol) of bromine was added dropwise. After stirring at 0 ° C. for 8 hours, an aqueous sodium hydrogen sulfite solution was added to stop the reaction. The organic phase was washed with water and dried over anhydrous sodium sulfate. After concentration under reduced pressure, the resulting residue was recrystallized twice from THF / methanol to obtain 4.94 g of white crystals of 4-bromo-1,2-diiodobenzene (yield 72%).

合成例7 (4−ブロモ−1,2−(パーフルオロドデシル)ベンゼンの合成)
4−ブロモ−1,2−(パーフルオロドデシル)ベンゼンは、「ジャーナル オブ フルオリン ケミストリィー」、1989年、43巻、207−228頁を参考に次のように合成した。
Synthesis Example 7 (Synthesis of 4-bromo-1,2- (perfluorododecyl) benzene)
4-Bromo-1,2- (perfluorododecyl) benzene was synthesized as follows with reference to “Journal of Fluorine Chemistry”, 1989, 43, 207-228.

窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に、銅粉(カッパーブロンズ)(シグマ−アルドリッチ製)2.85g(44.8mmol)、パーフルオロドデシルアイオダイド(シンクエスト製)18.4g(24.6mmol)、合成例6で合成した4−ブロモ−1,2−ジヨードベンゼン4.58g(11.2mmol)、及びジメチルスルホキシド18mlを添加し、125℃に加熱し、8時間反応させた。室温に冷却後、水を添加し反応を停止させた。さらにエーテルを添加し、混合物をセライトを用いて濾過した。濾液をエーテル抽出し、合わせた有機相を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒:ヘキサン)、4−ブロモ−1,2−(パーフルオロドデシル)ベンゼンの無色の液体6.24gを得た(収率40%)。   In a 100 ml Schlenk reaction vessel under a nitrogen atmosphere, 2.85 g (44.8 mmol) of copper powder (copper bronze) (manufactured by Sigma-Aldrich), 18.4 g (24.6 mmol) of perfluorododecyl iodide (manufactured by Synquest), 4.58 g (11.2 mmol) of 4-bromo-1,2-diiodobenzene synthesized in Synthesis Example 6 and 18 ml of dimethyl sulfoxide were added, heated to 125 ° C., and reacted for 8 hours. After cooling to room temperature, water was added to stop the reaction. More ether was added and the mixture was filtered through celite. The filtrate was extracted with ether, and the combined organic phases were washed with water and dried over anhydrous magnesium sulfate. After concentration under reduced pressure, the resulting residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 6.24 g of 4-bromo-1,2- (perfluorododecyl) benzene as a colorless liquid (yield 40). %).

合成例8 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラキノンの合成)
窒素雰囲気下、300mlシュレンク反応容器に、合成例7で得られた4−ブロモ−1,2−(パーフルオロドデシル)ベンゼン6.11g(4.39mmol)及びTHF80mlを添加した。この溶液を−50℃に冷却し、イソプロピルマグネシウムブロミド(関東化学製、0.65M)のTHF溶液6.8ml(4.4mmol)を滴下した。−50℃で30分熟成後、ここに合成例1で合成した4−ブロモ−5−ヨード無水フタル酸1.48g(4.20mmol)とTHF20mlからなる溶液を滴下した。反応混合物を一晩かけて室温まで昇温した後、氷冷し3M塩酸水溶液を添加した。エーテルで抽出し、合わせた有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃縮し、白色固体7.00g得た。得られた固体に濃硫酸40mlを添加し、80℃で12時間反応した。反応混合物を氷に注ぎ入れ、析出した固体をろ過して水で洗浄した。乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液;ヘキサン:塩化メチレン=15:1)及びヘプタンからの再結晶で精製し、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラキノンの固体1.86g(1.13mmol)を得た(収率27%)。
Synthesis Example 8 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthraquinone)
Under a nitrogen atmosphere, 6.11 g (4.39 mmol) of 4-bromo-1,2- (perfluorododecyl) benzene obtained in Synthesis Example 7 and 80 ml of THF were added to a 300 ml Schlenk reaction vessel. The solution was cooled to −50 ° C., and 6.8 ml (4.4 mmol) of a THF solution of isopropyl magnesium bromide (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., 0.65 M) was added dropwise. After aging at −50 ° C. for 30 minutes, a solution consisting of 1.48 g (4.20 mmol) of 4-bromo-5-iodophthalic anhydride synthesized in Synthesis Example 1 and 20 ml of THF was added dropwise thereto. The reaction mixture was allowed to warm to room temperature overnight, then cooled on ice and 3M aqueous hydrochloric acid was added. The mixture was extracted with ether, and the combined organic phases were washed with saturated brine and dried over anhydrous magnesium sulfate. Concentration under reduced pressure gave 7.00 g of a white solid. Concentrated sulfuric acid (40 ml) was added to the obtained solid and reacted at 80 ° C. for 12 hours. The reaction mixture was poured into ice, and the precipitated solid was filtered and washed with water. After drying, it was purified by silica gel column chromatography (eluent; hexane: methylene chloride = 15: 1) and recrystallization from heptane, and 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthraquinone was purified. 1.86 g (1.13 mmol) of solid was obtained (27% yield).

合成例9 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラセンの合成)(一般式(8)及び(10)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例8で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラキノン1.81g(1.10mmol)を入れた。次いでTHF15mlを加え、水素化ジイソブチルアルミニウム(関東化学製、0.99mol/l、トルエン溶液)3.5ml(3.5mmol)を加え、室温で1.5時間反応を行った。次いで反応混合物に6M塩酸水溶液10mlを加え、65℃で3時間反応を行った。反応混合物を室温まで冷やし、エーテルで抽出した。エーテル溶液を飽和食塩水で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣に再びTHF15mlを加え、水素化ジイソブチルアルミニウム3.5ml(3.5mmol)を加え、室温で1.5時間反応を行った。次いで反応混合物に6M塩酸水溶液10mlを加え、3時間反応を行った。反応混合物を室温まで冷やし、エーテルで抽出した。エーテル溶液を飽和食塩水で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン)で精製し、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラセンの黄色固体1.12gを得た(収率63%)。
Synthesis Example 9 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthracene) (Synthesis of compounds of general formulas (8) and (10))
Under a nitrogen atmosphere, 1.81 g (1.10 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthraquinone synthesized in Synthesis Example 8 was placed in a 100 ml Schlenk reaction vessel. Next, 15 ml of THF was added, 3.5 ml (3.5 mmol) of diisobutylaluminum hydride (manufactured by Kanto Chemical Co., 0.99 mol / l, toluene solution) was added, and the reaction was performed at room temperature for 1.5 hours. Subsequently, 10 ml of 6M hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction mixture, and the reaction was performed at 65 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with ether. The ether solution was washed with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. To the obtained residue, 15 ml of THF was added again, 3.5 ml (3.5 mmol) of diisobutylaluminum hydride was added, and the reaction was performed at room temperature for 1.5 hours. Subsequently, 10 ml of 6M hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction mixture, and reaction was performed for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with ether. The ether solution was washed with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and dried under reduced pressure. Purification by silica gel column chromatography (eluent: hexane) gave 1.12 g of a yellow solid of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthracene (yield 63%).

実施例5 (ジブロモテトラ(パーフルオロドデシル)ジアントラセニルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例9で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(パーフルオロドデシル)アントラセン(一般式(8)の化合物)1.07g(0.661mmol)、トルエン7ml、及びピペリジン6mlを添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)23.2mg(0.033mmol)、及びヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)13.2mg(0.069mmol)を添加した。この混合物を60℃に加熱し、アセチレンのガスを溶液中に浸したディップチューブを通してゆっくりと導入しながら1.5時間反応を実施した。アセチレンのガスの導入を停止後、さらに3時間反応を継続した。室温に冷却後トルエンを添加し、水で洗浄した。有機相を、5%硫酸水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた有機相に、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.08ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:塩化メチレン=20:1)、ジブロモテトラ(パーフルオロドデシル)ジアントリルエチンの黄色固体407mgを得た(収率41%)。
FABMS m/z: 3009(M,100%)。
Example 5 (Synthesis of dibromotetra (perfluorododecyl) dianthracenylethine) (dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 1.07 g (0.661 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (perfluorododecyl) anthracene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 9 in a 100 ml Schlenk reaction vessel ), 7 ml of toluene, and 6 ml of piperidine. Further, 23.2 mg (0.033 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 13.2 mg (0.069 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) were added. The mixture was heated to 60 ° C., and the reaction was carried out for 1.5 hours while slowly introducing an acetylene gas through a dip tube immersed in the solution. After stopping the introduction of the acetylene gas, the reaction was continued for another 3 hours. After cooling to room temperature, toluene was added and washed with water. The organic phase was washed with 5% sulfuric acid aqueous solution, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine in this order. A 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.08 ml) was added to the obtained organic phase, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: methylene chloride = 20: 1) to obtain 407 mg of dibromotetra (perfluorododecyl) dianthrylethine as a yellow solid (yield 41%).
FABMS m / z: 3009 (M + , 100%).

MS測定より、ジブロモテトラ(パーフルオロドデシル)ジアントリルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From MS measurement, it was confirmed that dibromotetra (perfluorododecyl) dianthrylethine was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
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合成例10 (4−ブロモ−1,2−ジフェニルベンゼンの合成)
窒素雰囲気下、200mlシュレンク反応容器に、合成例6で得られた4−ブロモ−1,2−ジヨードベンゼン2.15g(5.25mmol)にジヒドロキシフェニルボラン(和光純薬工業製)1.47g(12.1mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(東京化成工業製)458mg(0.40mmol)、炭酸ナトリウム3.34g(31.5mmol)、トルエン42ml、エタノール10.5ml、水13.3mlを加え、80℃で29時間反応させた。1M塩酸水溶液を加えて反応をクエンチし、トルエンで抽出した後、有機層を水洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン)で精製して目的の4−ブロモ−1,2−ジフェニルベンゼン1.46g(4.72mmol)を得た(収率90%)。
Synthesis Example 10 (Synthesis of 4-bromo-1,2-diphenylbenzene)
Under a nitrogen atmosphere, in a 200 ml Schlenk reaction vessel, 2.47 g (5.25 mmol) of 4-bromo-1,2-diiodobenzene obtained in Synthesis Example 6 and 1.47 g of dihydroxyphenylborane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (12.1 mmol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 458 mg (0.40 mmol), sodium carbonate 3.34 g (31.5 mmol), toluene 42 ml, ethanol 10.5 ml, water 13.3 ml. In addition, the mixture was reacted at 80 ° C. for 29 hours. The reaction was quenched with 1M aqueous hydrochloric acid and extracted with toluene. The organic layer was washed with water and dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane) to obtain 1.46 g (4.72 mmol) of the desired 4-bromo-1,2-diphenylbenzene (yield 90%). .

合成例11 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラキノンの合成)
窒素雰囲気下、300mlシュレンク反応容器に、合成例10で得られた4−ブロモ−1,2−ジフェニルベンゼン1.46g(4.72mmol)を入れた。次いでTHF28mlを加えて−78℃に冷却し、n−ブチルリチウム(関東化学製、1.59mol/l、ヘキサン溶液)3.0ml(4.77mmol)を加え、30分間反応させた。次いで合成例1で合成した4−ブロモ−5−ヨード無水フタル酸1.66g(4.72mmol)を加え、室温まで昇温した。水を加えてクエンチし得られた固体を濾過し、さらに水洗浄を行い、加熱真空乾燥後白色固体3.2gを得た。得られた固体に濃硫酸26mlを添加し、80℃で1時間反応した。反応混合物を氷に注ぎ入れ、析出した固体をろ過して水で洗浄した。乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/塩化メチレン,10:1)及びヘプタンからの再結晶で精製し、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラキノンの黄色固体298mg(0.53mmol)得た(収率11%)。
Synthesis Example 11 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-diphenylanthraquinone)
Under a nitrogen atmosphere, 1.46 g (4.72 mmol) of 4-bromo-1,2-diphenylbenzene obtained in Synthesis Example 10 was placed in a 300 ml Schlenk reaction vessel. Next, 28 ml of THF was added and cooled to −78 ° C., and 3.0 ml (4.77 mmol) of n-butyllithium (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., 1.59 mol / l, hexane solution) was added and reacted for 30 minutes. Next, 1.66 g (4.72 mmol) of 4-bromo-5-iodophthalic anhydride synthesized in Synthesis Example 1 was added, and the temperature was raised to room temperature. The solid obtained by quenching by adding water was filtered, washed with water, and dried under heating in vacuum to obtain 3.2 g of a white solid. 26 ml of concentrated sulfuric acid was added to the obtained solid and reacted at 80 ° C. for 1 hour. The reaction mixture was poured into ice, and the precipitated solid was filtered and washed with water. After drying, the residue was purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane / methylene chloride, 10: 1) and recrystallization from heptane to give 298 mg (0 mg of a yellow solid of 2-bromo-3-iodo-6,7-diphenylanthraquinone. .53 mmol) (yield 11%).

合成例12 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラセンの合成)(一般式(8)及び(10)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、50mlシュレンク反応容器に、合成例11で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラキノン243mg(0.43mmol)及びTHF5mlを加えた。水素化ジイソブチルアルミニウム(関東化学製、0.99mol/l、トルエン溶液)1.20ml(1.20mmol)を滴下し、室温で1.5時間還元反応を行った。この反応混合物に6M塩酸水溶液3mlを加え、65℃で3時間脱水反応を行った。反応混合物を室温まで冷やし、エーテルで抽出した。エーテル溶液を飽和食塩水で洗浄して、無水硫酸ナトリウムで乾燥、減圧濃縮し、得られた残渣に再びTHF5mlを加え、水素化ジイソブチルアルミニウム(関東化学製、0.99mol/l、トルエン溶液)1.20ml(1.20mmol)を加え、室温で1.5時間還元反応を行った。次いで反応混合物に6M塩酸水溶液3mlを加え、3時間脱水反応を行った。反応混合物を室温まで冷やし、エーテルで抽出した。エーテル溶液を飽和食塩水で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン)で精製し、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラセンの黄色固体128mg(0.239mmol)を得た(収率56%)。
Synthesis Example 12 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-diphenylanthracene) (Synthesis of compounds of general formulas (8) and (10))
Under a nitrogen atmosphere, 243 mg (0.43 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-diphenylanthraquinone synthesized in Synthesis Example 11 and 5 ml of THF were added to a 50 ml Schlenk reaction vessel. 1.20 ml (1.20 mmol) of diisobutylaluminum hydride (manufactured by Kanto Chemical Co., 0.99 mol / l, toluene solution) was added dropwise, and a reduction reaction was performed at room temperature for 1.5 hours. To this reaction mixture, 3 ml of 6M aqueous hydrochloric acid was added, and dehydration reaction was performed at 65 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with ether. The ether solution was washed with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. To the obtained residue was added 5 ml of THF again, and diisobutylaluminum hydride (manufactured by Kanto Chemical Co., 0.99 mol / l, toluene solution) 1 20 ml (1.20 mmol) was added, and a reduction reaction was performed at room temperature for 1.5 hours. Subsequently, 3 ml of 6M hydrochloric acid aqueous solution was added to the reaction mixture, and dehydration reaction was performed for 3 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with ether. The ether solution was washed with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. Purification by silica gel column chromatography (eluent: hexane) gave 128 mg (0.239 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-diphenylanthracene as a yellow solid (yield 56%).

実施例6 (ジブロモテトラフェニルジアントリルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例12で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジフェニルアントラセン(一般式(8)の化合物)128mg(0.239mmol)、トルエン4ml、及びピペリジン3mlを添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)8.4mg(0.012mmol)、及びヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)4.8mg(0.025mmol)を添加した。この混合物を60℃に加熱し、アセチレンのガスを溶液中に浸したディップチューブを通してゆっくりと導入しながら1.5時間反応を実施した。アセチレンのガスの導入を停止後、さらに3時間反応を継続した。室温に冷却後トルエンを添加し、水で洗浄した。有機相を、5%硫酸水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた有機相に、70%tert−ブチルハイドロパーオキサイド溶液(和光純薬工業製)(0.06ml)を添加し、室温で1時間撹拌した。この溶液を水洗浄し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:塩化メチレン=10:1)、ジブロモテトラフェニルジアントリルエチンの黄色固体66mgを得た(収率66%)。
FABMS m/z: 841(M,100%),761(M−Br,7)。
Example 6 (Synthesis of dibromotetraphenyl dianthryl ethyne) (dihalodiaryl ethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 128 mg (0.239 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-diphenylanthracene synthesized in Synthesis Example 12 (0.239 mmol), 4 ml of toluene, and piperidine 3 ml was added. Further, 8.4 mg (0.012 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 4.8 mg (0.025 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) were added. The mixture was heated to 60 ° C., and the reaction was carried out for 1.5 hours while slowly introducing an acetylene gas through a dip tube immersed in the solution. After stopping the introduction of the acetylene gas, the reaction was continued for another 3 hours. After cooling to room temperature, toluene was added and washed with water. The organic phase was washed with 5% sulfuric acid aqueous solution, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine in this order. A 70% tert-butyl hydroperoxide solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.06 ml) was added to the obtained organic phase, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. This solution was washed with water, and the organic phase was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: methylene chloride = 10: 1) to obtain 66 mg of dibromotetraphenyldianthrylethine as a yellow solid (yield 66%).
FABMS m / z: 841 (M + , 100%), 761 (M + -Br, 7).

MS測定より、ジブロモテトラフェニルジアントリルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From the MS measurement, it was confirmed that dibromotetraphenyl dianthrylethine was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

合成例13 (2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンの合成)(一般式(8)及び(10)の化合物の合成)
合成例2でドデシルマグネシウムブロミドの代わりに、ペンタデシルマグネシウムブロミド(エーテル中、1−ブロモペンタデカンとマグネシウムから調製)を用いた以外は合成例2と同じ操作を繰り返して1,2−ジ(ペンタデシル)ベンゼンを合成した。この1,2−ジ(ペンタデシル)ベンゼンと合成例1で得られた4−ブロモ−5−ヨードフタル酸無水物を用い、合成例3と同じ操作を繰り返し2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(ペンタデシル)フルオロアントラキノンを得、さらに合成例4と同じ操作を繰り返して、2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンへ変換した。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.55(s,1H),8.27(s,1H),8.16(s,1H),8.15(s,1H),7.72(s,2H),2.78(m,4H),1.71(m,4H),1.27(m,36H),0.88(m,6H)。
MS m/z: 720(M,100%),410(M−C2246,16%),283(M−C2246−I,4%),203(M−C2246−I−Br,5%)。
Synthesis Example 13 (Synthesis of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (pentadecyl) anthracene) (Synthesis of compounds of general formulas (8) and (10))
The same procedure as in Synthesis Example 2 was repeated except that pentadecylmagnesium bromide (prepared from 1-bromopentadecane and magnesium in ether) was used instead of dodecylmagnesium bromide in Synthesis Example 2, and 1,2-di (pentadecyl) was repeated. Benzene was synthesized. Using this 1,2-di (pentadecyl) benzene and 4-bromo-5-iodophthalic anhydride obtained in Synthesis Example 1, the same operation as in Synthesis Example 3 was repeated and 2-bromo-3-iodo-6,7 -Di (pentadecyl) fluoroanthraquinone was obtained, and further the same operation as in Synthesis Example 4 was repeated to convert to 2-bromo-3-iodo-6,7-di (pentadecyl) anthracene.
1 H NMR (CDCl 3, 22 ℃): δ = 8.55 (s, 1H), 8.27 (s, 1H), 8.16 (s, 1H), 8.15 (s, 1H), 7 .72 (s, 2H), 2.78 (m, 4H), 1.71 (m, 4H), 1.27 (m, 36H), 0.88 (m, 6H).
MS m / z: 720 (M +, 100%), 410 (M + -C 22 H 46, 16%), 283 (M + -C 22 H 46 -I, 4%), 203 (M + -C 22 H 46 -I-Br, 5 %).

実施例7 (ジブロモテトラ(ペンタデシル)ジアントリルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例13で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン(一般式(8)の化合物)201mg(0.250mmol)、THF5ml、及びジイソプロピルアミン12mlを添加した。さらにジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)8.5mg(0.0074mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)3.4mg(0.018mmol)、及びトリメチルシリルアセチレン(和光純薬工業製)0.035ml(0.25mmol)を添加した。この混合物を26℃で1.5時間、50℃で3時間、及び60℃で1時間反応を実施した。反応混合物をシリカゲル濾過(溶媒;トルエン)し溶媒を留去後、さらに真空乾燥した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、2−トリメチルシリルエチニル−3−ブロモ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン143mgを得た(収率74%)。ここへメタノール2.5ml、THF5ml、及び炭酸カリウム53mg(0.383mmol)を添加し、室温で1.5時間反応させた(脱トリアルキリシリル処理)。反応混合物にトルエンを添加し水で洗浄した。有機相を減圧濃縮し、2−エチニル−3−ブロモ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン(一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体)を主成分とする130mgの橙色固体を得た。
Example 7 (Synthesis of dibromotetra (pentadecyl) dianthrylethine) (Synthesis of dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 201 mg (0.250 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (pentadecyl) anthracene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 13 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 5 ml of THF, And 12 ml of diisopropylamine was added. Furthermore, 8.5 mg (0.0074 mmol) of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 3.4 mg (0.018 mmol) of copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), and trimethylsilylacetylene ( 0.035 ml (0.25 mmol) of Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The mixture was reacted at 26 ° C. for 1.5 hours, 50 ° C. for 3 hours, and 60 ° C. for 1 hour. The reaction mixture was filtered through silica gel (solvent; toluene), the solvent was distilled off, and the residue was further dried in vacuum. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 143 mg of 2-trimethylsilylethynyl-3-bromo-6,7-di (pentadecyl) anthracene (yield 74%). Methanol 2.5 ml, THF 5 ml, and potassium carbonate 53 mg (0.383 mmol) were added here, and it was made to react at room temperature for 1.5 hours (detrialkylylsilyl treatment). Toluene was added to the reaction mixture and washed with water. The organic phase was concentrated under reduced pressure, and 130 mg of orange having 2-ethynyl-3-bromo-6,7-di (pentadecyl) anthracene (2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9)) as a main component A solid was obtained.

得られた2−エチニル−3−ブロモ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンを主成分とする130mgの固体にトルエン5ml、及びトリエチルアミン1mlを添加した。テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(東京化成工業製)6.7mg(0.0058mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)2.8mg(0.015mmol)、及び合成例13で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン(一般式(10)の化合物)149mg(0.185mmol)を添加した。この混合物を26℃で24時間反応を実施した。反応混合物をシリカゲル濾過(溶媒;トルエン)し、溶媒を留去後、さらに真空乾燥した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;熱ヘプタン)、ジブロモテトラ(ペンタデシル)ジアントリルエチンの黄色固体201mgを得た(収率82%)。
H NMR(重トルエン,80℃):δ=8.28(s,2H),8.11(s,2H),7.98(s,2H),7.87(s,2H),7.66(s,4H),2.81(t,J=7.5Hz,8H),1.81−1.70(m,8H),1.55−1.11(m,96H),0.86(t,J=5.8Hz,12H)。
FABMS m/z: 1375(M)。
To 130 mg of a solid containing 2-ethynyl-3-bromo-6,7-di (pentadecyl) anthracene as a main component, 5 ml of toluene and 1 ml of triethylamine were added. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 6.7 mg (0.0058 mmol), copper (I) iodide (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 2.8 mg (0.015 mmol), and synthesis example 13 149 mg (0.185 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (pentadecyl) anthracene (compound of general formula (10)) was added. The mixture was reacted at 26 ° C. for 24 hours. The reaction mixture was filtered through silica gel (solvent; toluene), and the solvent was distilled off, followed by vacuum drying. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hot heptane) to obtain 201 mg of dibromotetra (pentadecyl) dianthrylethine as a yellow solid (yield 82%).
1 H NMR (deuterium toluene, 80 ° C.): δ = 8.28 (s, 2H), 8.11 (s, 2H), 7.98 (s, 2H), 7.87 (s, 2H), 7 .66 (s, 4H), 2.81 (t, J = 7.5 Hz, 8H), 1.81-1.70 (m, 8H), 1.55-1.11 (m, 96H), 0 .86 (t, J = 5.8 Hz, 12H).
FABMS m / z: 1375 (M + ).

MS測定より、ジブロモテトラ(ペンタデシル)ジアントリルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From the MS measurement, it was confirmed that dibromotetra (pentadecyl) dianthrylethine was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
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合成例14 (4−ブロモ−5−ヨード−1,2―ジドデシルベンゼンの合成)(一般式(8)及び(10)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例2で合成した1,2−ジドデシルベンゼン2.95g(12.0mmol)、過ヨウ素酸・2水和物684mg(3.00mmol)、ヨウ素1.62g(6.36mmol)、酢酸6.9ml、水1.4ml、及び硫酸0.21mlを添加した。65℃で6時間撹拌後、室温まで冷却後、亜硫酸水素ナトリウム水溶液を添加し、反応を停止させた。ジクロロメタンで抽出し、有機相を水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、3.73gの液体を得た。この液体の3.47gにジクロロメタン20mlを添加し、0℃に冷却した。鉄粉(シグマ−アルドリッチ製)67mg及びヨウ素10mg(0.04mmol)を添加後、臭素0.48ml(9.37mmol)を滴下した。0℃で2時間撹拌後、亜硫酸水素ナトリウム水溶液を添加し、反応を停止させた。有機相を水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルを用いて濾過し、濾液を濃縮後、−78℃下でヘキサン再結晶精製を行い、4−ブロモ−5−ヨード−1,2―ジドデシルベンゼンを得た(3.14g、収率75%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.59(s,1H),7.37(s,1H),2.58−2.40(m,4H),1.57−1.45(m,4H),1.42−1.23(m,36H),0.90(t,J=6.6Hz,6H)。
Synthesis Example 14 (Synthesis of 4-bromo-5-iodo-1,2-didodecylbenzene) (Synthesis of compounds of general formulas (8) and (10))
Under a nitrogen atmosphere, 1.95 g (12.0 mmol) of 1,2-didodecylbenzene synthesized in Synthesis Example 2 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 684 mg (3.00 mmol) of periodic acid dihydrate, 1.62 g of iodine (6.36 mmol), 6.9 ml acetic acid, 1.4 ml water, and 0.21 ml sulfuric acid were added. After stirring at 65 ° C. for 6 hours and cooling to room temperature, an aqueous sodium hydrogen sulfite solution was added to stop the reaction. Extraction was performed with dichloromethane, and the organic phase was washed with water and then dried over anhydrous sodium sulfate. The organic phase was concentrated under reduced pressure, and the resulting residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 3.73 g of a liquid. To 3.47 g of this liquid, 20 ml of dichloromethane was added and cooled to 0 ° C. After adding 67 mg of iron powder (manufactured by Sigma-Aldrich) and 10 mg (0.04 mmol) of iodine, 0.48 ml (9.37 mmol) of bromine was added dropwise. After stirring at 0 ° C. for 2 hours, an aqueous sodium hydrogen sulfite solution was added to stop the reaction. The organic phase was washed with water and dried over anhydrous sodium sulfate. After concentration under reduced pressure, the resulting residue was filtered using silica gel, and the filtrate was concentrated and then recrystallized and purified with hexane at −78 ° C. to obtain 4-bromo-5-iodo-1,2-didodecylbenzene. (3.14 g, 75% yield).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.59 (s, 1H), 7.37 (s, 1H), 2.58-2.40 (m, 4H), 1.57-1. 45 (m, 4H), 1.42-1.23 (m, 36H), 0.90 (t, J = 6.6 Hz, 6H).

実施例8 (ジブロモテトラ(ドデシル)ジフェニルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例14で合成した4−ブロモ−5−ヨード−1,2―ジドデシルベンゼン(一般式(8)の化合物)353mg(0.570mmol)、トルエン12ml、及びトリエチルアミン2mlを添加した。さらにテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(東京化成工業製)20.0mg(0.017mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)6.5mg(0.034mmol)、及びトリメチルシリルアセチレン(和光純薬工業製)0.080ml(55.6mg、0.566mmol)を添加した。この混合物を50℃で7時間反応を実施した。反応混合物を室温に冷却し、テトラブチルアンモニウムフルオリド(シグマ−アルドリッチ製、1.0mol/l、THF溶液)1.0ml(1.0mmol)を添加し、室温で1時間撹拌することで脱トリアルキリシリル処理を行い、3−エチニル−4−ブロモ−1,2―ジドデシルベンゼン(一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体)を調製した。ここへ合成例14で合成した4−ブロモ−5−ヨード−1,2―ジドデシルベンゼン(一般式(10)の化合物)353mg(0.570mmol)を添加した。この混合物を26℃で16時間、さらに40℃で2時間反応を実施した。トルエン及び飽和食塩水を添加し、分相後、有機相を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘプタン)、ジブロモテトラ(ドデシル)ジフェニルエチンの白色固体396mgを得た(収率69%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.365(s,2H),7.355(s,2H),2.56−2.42(m,8H),1.61−1.42(m,8H),1.26(m,72H),0.88(t,J=6.9Hz,12H)。
MS m/z:1009(M,100%),929(M−Br,15),849(M−2Br,1)。
Example 8 (Synthesis of dibromotetra (dodecyl) diphenylethyne) (Synthesis of dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 353 mg (0.570 mmol) of 4-bromo-5-iodo-1,2-didodecylbenzene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 14 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 12 ml of toluene, and 2 ml of triethylamine was added. Furthermore, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 20.0 mg (0.017 mmol), copper iodide (I) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 6.5 mg (0.034 mmol), and trimethylsilylacetylene (Japanese 0.080 ml (55.6 mg, 0.566 mmol) from Kojun Pharmaceutical Co., Ltd. was added. The mixture was reacted at 50 ° C. for 7 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature, 1.0 ml (1.0 mmol) of tetrabutylammonium fluoride (manufactured by Sigma-Aldrich, 1.0 mol / l, THF solution) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour for detrialization. It was treated with xylyl to prepare 3-ethynyl-4-bromo-1,2-didodecylbenzene (2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9)). To this was added 353 mg (0.570 mmol) of 4-bromo-5-iodo-1,2-didodecylbenzene (compound of general formula (10)) synthesized in Synthesis Example 14. This mixture was reacted at 26 ° C. for 16 hours and further at 40 ° C. for 2 hours. Toluene and saturated brine were added, and after phase separation, the organic phase was concentrated under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography (solvent; heptane) to obtain 396 mg of dibromotetra (dodecyl) diphenylethyne as a white solid (yield) 69%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.365 (s, 2H), 7.355 (s, 2H), 2.56-2.42 (m, 8H), 1.61-1. 42 (m, 8H), 1.26 (m, 72H), 0.88 (t, J = 6.9 Hz, 12H).
MS m / z: 1009 (M + , 100%), 929 (M + -Br, 15), 849 (M + -2Br, 1).

NMR及びMS測定より、ジブロモテトラ(ドデシル)ジフェニルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR and MS measurements, it was confirmed that dibromotetra (dodecyl) diphenylethyne was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例9 (ジブロモテトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例14で合成した4−ブロモ−5−ヨード−1,2―ジドデシルベンゼン(一般式(8)の化合物)309mg(0.500mmol)、トルエン11ml、及びトリエチルアミン2mlを添加した。さらにテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(東京化成工業製)17.0mg(0.015mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)5.7mg(0.030mmol)、及びトリメチルシリルアセチレン(和光純薬工業製)0.070ml(48.7mg、0.496mmol)を添加した。この混合物を50℃で7時間反応を実施した。反応混合物を室温に冷却し、テトラブチルアンモニウムフルオリド(シグマ−アルドリッチ製、1.0mol/l、THF溶液)1.0ml(1.0mmol)を添加し、室温で1時間撹拌することで脱トリアルキリシリル処理を行い、3−エチニル−4−ブロモ−1,2―ジドデシルベンゼン(一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体)を調製した。ここへ合成例4で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジドデシルアントラセン(一般式(10)の化合物)309mg(0.500mmol)を添加した。この混合物を26℃で16時間、さらに40℃で2時間反応を実施した。トルエン及び飽和食塩水を添加し、分相後、有機相を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘプタン)、ジブロモテトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチンの白色固体351mgを得た(収率63%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.26(s,1H),8.25(s,1H),8.23(s,1H),8.17(s,1H),7.73(s,2H),7.43(s,1H),7.40(s,1H),2.84−2.72(m,4H),2.65−2.49(m,4H),1.80−1.63(m,4H),1.63−1.48(m,4H),1.48−1.08(m、72H),0.88(t,J=6.5Hz,12H)。
Example 9 (Synthesis of dibromotetra (dodecyl) anthrylphenylethyne) (Synthesis of dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
Under a nitrogen atmosphere, 309 mg (0.500 mmol) of 4-bromo-5-iodo-1,2-didodecylbenzene (compound of general formula (8)) synthesized in Synthesis Example 14 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 11 ml of toluene, and 2 ml of triethylamine was added. Furthermore, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 17.0 mg (0.015 mmol), copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.7 mg (0.030 mmol), and trimethylsilylacetylene (Japanese 0.070 ml (48.7 mg, 0.496 mmol) manufactured by Kojun Pharmaceutical Co., Ltd. was added. The mixture was reacted at 50 ° C. for 7 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature, 1.0 ml (1.0 mmol) of tetrabutylammonium fluoride (manufactured by Sigma-Aldrich, 1.0 mol / l, THF solution) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour for detrialization. It was treated with xylyl to prepare 3-ethynyl-4-bromo-1,2-didodecylbenzene (2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9)). 309 mg (0.500 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-didodecylanthracene (compound of general formula (10)) synthesized in Synthesis Example 4 was added thereto. This mixture was reacted at 26 ° C. for 16 hours and further at 40 ° C. for 2 hours. Toluene and saturated brine were added, and after phase separation, the organic phase was concentrated under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography (solvent; heptane) to obtain 351 mg of dibromotetra (dodecyl) anthrylphenylethyne as a white solid ( Yield 63%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.26 (s, 1H), 8.25 (s, 1H), 8.23 (s, 1H), 8.17 (s, 1H), 7 .73 (s, 2H), 7.43 (s, 1H), 7.40 (s, 1H), 2.84-2.72 (m, 4H), 2.65-2.49 (m, 4H) ), 1.80-1.63 (m, 4H), 1.63-1.48 (m, 4H), 1.48-1.08 (m, 72H), 0.88 (t, J = 6) .5Hz, 12H).

NMRより、ジブロモテトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR, it was confirmed that dibromotetra (dodecyl) anthrylphenylethyne was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例10 (ジブロモジ(ベンゾチエニル)エチンの合成)(一般式(3)のジハロジアリールエチン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に2,3−ジブロモベンゾチオフェン(シグマ−アルドリッチ製)(一般式(8)の化合物)500mg(1.71mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)24.9mg(0.035mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)13.5mg(0.071mmol)、THF6ml、及びトリエチルアミン3mlを添加した。さらに及びトリメチルシリルアセチレン(和光純薬工業製)198mg(2.01mmol)を添加した。この混合物を室温(27℃)で17時間反応を実施した。反応混合物にテトラブチルアンモニウムフルオリド(シグマ−アルドリッチ製、1.0mol/lTHF溶液)2.0ml(2.0mmol)を添加し、室温で1時間撹拌することで脱トリアルキリシリル処理を行い、2−エチニル−3−ブロモベンゾチオフェン(一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体)を調製した。ここへ2,3−ジブロモベンゾチオフェン(シグマ−アルドリッチ製)(一般式(10)の化合物)500mg(1.71mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)20.4mg(0.029mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)13.0mg(0.068mmol)を添加した。この混合物を室温で5日間撹拌した。トルエン及び3M塩酸水溶液を添加し、分相後、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:トルエン=30:1〜5:1)、さらにヘプタン:トルエン=5:2の溶媒から再結晶精製を行い、ジブロモジ(ベンゾチエニル)エチンの黄色固体289mgを得た(収率38%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.87−7.76(m,4H),7.54−7.44(m,4H)。
Example 10 (Synthesis of dibromodi (benzothienyl) ethyne) (Synthesis of dihalodiarylethyne derivative of general formula (3))
In a 100 ml Schlenk reaction vessel under a nitrogen atmosphere, 2,3-dibromobenzothiophene (manufactured by Sigma-Aldrich) (compound of general formula (8)) 500 mg (1.71 mmol), dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 24.9 mg (0.035 mmol), copper (I) iodide (Wako Pure Chemical Industries) 13.5 mg (0.071 mmol), THF 6 ml, and triethylamine 3 ml were added. Further, 198 mg (2.01 mmol) of trimethylsilylacetylene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The mixture was reacted at room temperature (27 ° C.) for 17 hours. To the reaction mixture, 2.0 ml (2.0 mmol) of tetrabutylammonium fluoride (manufactured by Sigma-Aldrich, 1.0 mol / l THF solution) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour for detrialkylylsilyl treatment. -Ethynyl-3-bromobenzothiophene (2-ethynyl-3-haloarene derivative represented by the general formula (9)) was prepared. 2,3-dibromobenzothiophene (manufactured by Sigma-Aldrich) (compound of general formula (10)) 500 mg (1.71 mmol), dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 20.4 mg (0 0.029 mmol) and 13.0 mg (0.068 mmol) of copper (I) iodide (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added. The mixture was stirred at room temperature for 5 days. Toluene and 3M aqueous hydrochloric acid were added, and after phase separation, the organic phase was washed with water and dried over anhydrous sodium sulfate. The organic phase is concentrated under reduced pressure, and the resulting residue is purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: toluene = 30: 1 to 5: 1), and further purified by recrystallization from a solvent of heptane: toluene = 5: 2. And 289 mg of dibromodi (benzothienyl) ethyne yellow solid was obtained (yield 38%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.87-7.76 (m, 4H), 7.54-7.44 (m, 4H).

NMR測定より、ジブロモジ(ベンゾチエニル)エチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that dibromodi (benzothienyl) ethyne was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例11 (ジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)ジフェニルエチンの合成)(一般式(2)のジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例8で合成したジブロモテトラ(ドデシル)ジフェニルエチン(一般式(3)の化合物)85mg(0.085mmol)及びエーテル4mlを添加した。0℃でn−ブチルリチウム(関東化学製、1.61mol/l、ヘキサン溶液)0.21ml(0.34mmol)を滴下し、0℃で30分間撹拌した。0℃でジメチルジスルフィド(和光純薬工業製)32.4mg(0.344mmol)を添加した。0℃で1時間撹拌後、水及びクロロホルムを添加し、分相した。有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:クロロホルム=10:1)、ジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)ジフェニルエチンの白色固体60mgを得た(収率75%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.31(s,2H),6.97(s,2H ),2.62−2.51(m,8H),2.51(s,6H),1.62−1.45(m,8H),1.44−1.12(m、72H),0.88(t,J=6.9Hz,12H)。
MS m/z:944(M+1,17%),928(M−CH,100),913(M−2CH,14)。
Example 11 (Synthesis of di (methylthio) tetra (dodecyl) diphenylethyne) (Synthesis of di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative of general formula (2))
Under a nitrogen atmosphere, 85 mg (0.085 mmol) of dibromotetra (dodecyl) diphenylethyne (the compound of the general formula (3)) synthesized in Example 8 and 4 ml of ether were added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. At 0 ° C., 0.21 ml (0.34 mmol) of n-butyllithium (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., 1.61 mol / l, hexane solution) was added dropwise and stirred at 0 ° C. for 30 minutes. At 0 ° C., 32.4 mg (0.344 mmol) of dimethyl disulfide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. After stirring at 0 ° C. for 1 hour, water and chloroform were added and the phases were separated. The organic phase was washed with water, dried over anhydrous sodium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: chloroform = 10: 1) to obtain 60 mg of white solid of di (methylthio) tetra (dodecyl) diphenylethyne (yield 75%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.31 (s, 2H), 6.97 (s, 2H), 2.62-2.51 (m, 8H), 2.51 (s, 6H), 1.62-1.45 (m, 8H), 1.44-1.12 (m, 72H), 0.88 (t, J = 6.9 Hz, 12H).
MS m / z: 944 (M + +1,17%), 928 (M + -CH 3, 100), 913 (M + -2CH 3, 14).

NMR測定及びMS測定より、ジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)ジフェニルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement and MS measurement, it was confirmed that di (methylthio) tetra (dodecyl) diphenylethyne was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例12 (テトラ(ドデシル)ベンゾチエノベンゾチオフェンの合成)(一般式(1)のヘテロアセン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例11で合成したジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)ジフェニルエチン(一般式(2)の化合物)57mg(0.060mmol)、テトラクロロエタン6ml、及びヨウ素307mg(1.21mmol)を添加した。得られた混合物を100℃で3日間撹拌した。室温に冷却後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液及びジクロロメタンを添加し、分相した。有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、テトラ(ドデシル)ベンゾチエノベンゾチオフェンの白色固体19mgを得た(収率35%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.65(s,2H),7.59(s,2H),2.71(m,8H),1.65(m,8H),1.26(m,72H),0.88(t,J−7.0Hz,12H)。
Example 12 (Synthesis of tetra (dodecyl) benzothienobenzothiophene) (Synthesis of heteroacene derivative of general formula (1))
Under a nitrogen atmosphere, in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 57 mg (0.060 mmol) of di (methylthio) tetra (dodecyl) diphenylethyne (compound of general formula (2)) synthesized in Example 11, 6 ml of tetrachloroethane, and 307 mg of iodine (1 .21 mmol) was added. The resulting mixture was stirred at 100 ° C. for 3 days. After cooling to room temperature, a saturated aqueous sodium thiosulfate solution and dichloromethane were added, and the phases were separated. The organic phase was washed with water, dried over anhydrous sodium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane) to obtain 19 mg of tetra (dodecyl) benzothienobenzothiophene as a white solid (yield 35%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.65 (s, 2H), 7.59 (s, 2H), 2.71 (m, 8H), 1.65 (m, 8H), 1 .26 (m, 72H), 0.88 (t, J-7.0 Hz, 12H).

NMR測定より、テトラ(ドデシル)ベンゾチエノベンゾチオフェンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that tetra (dodecyl) benzothienobenzothiophene was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例13 (ジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチンの合成)(一般式(2)のジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の合成)
実施例11でジブロモテトラ(ドデシル)ジフェニルエチンの代わりに実施例9で合成したジブロモテトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチン(一般式(3)の化合物)を用いた以外は実施例11と同様な操作を繰り返して、ジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチンの黄色固体を得た(収率57%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.18(s,2H),8.13(s,1H),7.70(s,1H),7.68(s,1H),7.55(s,1H),7.39(s,1H),7.00(s,1H),2.77(t,J=7.6Hz,4H),2.63(s,3H),2.58(t,J=7.6Hz,4H),2.55(s,3H),1.79−1.45(m,8H),1.44−1.12(m,72H),0.88(t,J=6.1Hz,12H)。
Example 13 (Synthesis of di (methylthio) tetra (dodecyl) anthrylphenylethyne) (Synthesis of di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative of general formula (2))
The same operation as in Example 11 except that dibromotetra (dodecyl) anthrylphenylethine (compound of general formula (3)) synthesized in Example 9 was used instead of dibromotetra (dodecyl) diphenylethine in Example 11. To obtain a yellow solid of di (methylthio) tetra (dodecyl) anthrylphenylethyne (yield 57%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.18 (s, 2H), 8.13 (s, 1H), 7.70 (s, 1H), 7.68 (s, 1H), 7 .55 (s, 1H), 7.39 (s, 1H), 7.00 (s, 1H), 2.77 (t, J = 7.6 Hz, 4H), 2.63 (s, 3H), 2.58 (t, J = 7.6 Hz, 4H), 2.55 (s, 3H), 1.79-1.45 (m, 8H), 1.44-1.12 (m, 72H), 0.88 (t, J = 6.1 Hz, 12H).

NMR測定より、ジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that di (methylthio) tetra (dodecyl) anthrylphenylethyne was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例14 (テトラ(ドデシル)アントラチエノベンゾチオフェンの合成)(一般式(1)のヘテロアセン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例13で合成したジ(メチルチオ)テトラ(ドデシル)アントリルフェニルエチン(一般式(2)の化合物)105mg(0.101mmol)、テトラクロロエタン8ml、及びヨウ素840mg(3.31mmol)を添加した。得られた混合物を100℃で17時間撹拌した。室温に冷却後、飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液及びクロロホルムを添加し、分相した。有機相を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、テトラ(ドデシル)アントラチエノベンゾチオフェンの橙色固体24mgを得た(収率24%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.47(s,1H),8.46(s,1H),8.41(s,1H),8.38(s,1H),7.77(s,2H),7.70(s,1H),7.62(s,1H),2.81(t,J=6.5Hz,4H),2.76(t,J=6.5Hz,4H),1.80−1.57(m,8H),1.53−1.08(m,72H),0.88(t,J=6.5Hz,12H)。
H NMRスペクトルを図1に示した。
Example 14 (Synthesis of tetra (dodecyl) anthrachienobenzothiophene) (Synthesis of heteroacene derivative of general formula (1))
Under a nitrogen atmosphere, the di (methylthio) tetra (dodecyl) anthrylphenylethyne (compound of general formula (2)) 105 mg (0.101 mmol), tetrachloroethane 8 ml, and iodine 840 mg synthesized in Example 13 in a 100 ml Schlenk reaction vessel. (3.31 mmol) was added. The resulting mixture was stirred at 100 ° C. for 17 hours. After cooling to room temperature, a saturated aqueous sodium bisulfite solution and chloroform were added, and the phases were separated. The organic phase was washed with water, dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 24 mg of an orange solid of tetra (dodecyl) anthrachienobenzothiophene (yield 24%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.47 (s, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.41 (s, 1H), 8.38 (s, 1H), 7 .77 (s, 2H), 7.70 (s, 1H), 7.62 (s, 1H), 2.81 (t, J = 6.5 Hz, 4H), 2.76 (t, J = 6) .5 Hz, 4H), 1.80-1.57 (m, 8H), 1.53-1.08 (m, 72H), 0.88 (t, J = 6.5 Hz, 12H).
The 1 H NMR spectrum is shown in FIG.

NMR測定より、テトラ(ドデシル)アントラチエノベンゾチオフェンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that tetra (dodecyl) anthrachienobenzothiophene was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例15 (ジ(メチルチオ)ジ(ベンゾチエニル)エチンの合成)(一般式(2)のジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の合成)
実施例11でジブロモテトラ(ドデシル)ジフェニルエチンの代わりに実施例10で合成したジブロモジ(ベンゾチエニル)エチン(一般式(3)の化合物)を用いた以外は実施例11と同様な操作を繰り返して、ジ(メチルチオ)ジ(ベンゾチエニル)エチンの黄色固体を得た(収率83%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=7.92−7.86(m,2H),7.72−7.67(m,2H),7.38−7.33(m,4H),2.58(s,6H)。
Example 15 (Synthesis of di (methylthio) di (benzothienyl) ethyne) (Synthesis of di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative of general formula (2))
The same operation as in Example 11 was repeated except that dibromodi (benzothienyl) ethine (compound of general formula (3)) synthesized in Example 10 was used instead of dibromotetra (dodecyl) diphenylethine in Example 11. A yellow solid of di (methylthio) di (benzothienyl) ethyne was obtained (83% yield).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 7.92-7.86 (m, 2H), 7.72-7.67 (m, 2H), 7.38-7.33 (m, 4H) ), 2.58 (s, 6H).

NMR測定より、ジ(メチルチオ)ジ(ベンゾチエニル)エチンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that di (methylthio) di (benzothienyl) ethyne was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例16 (2−ブロモ(ヨード)−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンの合成)(一般式(6)のハロ(アルキルカルコゲニル)アレーン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例13で合成した2−ブロモ−3−ヨード−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン(一般式(8)の化合物)502mg(0.625mmol)、ナトリウムチオメトキシド(シグマ−アルドリッチ製)(一般式(11)の化合物)48.3mg(0.687mmol)、及びNMP5mlを添加した。この混合物を40℃で8時間反応させた後、水及びトルエンを添加し、分相した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、さらにヘキサンから再結晶精製を実施し、2−ブロモ(ヨード)−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンの黄色固体326mgを得た(収率70%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.48(s,0.5H),8.17(s,0.5H),8.16(s,0.5H),8.14(s,1H),8.11(s,0.5H),7.70(s,1H),7.69(s,1H),7.55(s,0.5H),7.52(s,0.5H),2.78(t,J=7.8Hz,4H),2.60(s,1.5H),2.58(s,1.5H),1.73−1.62(m,4H),1.53−1.10(m,48H),0.88(t,J=6.6Hz,6H)。
Example 16 (Synthesis of 2-bromo (iodo) -3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene) (Synthesis of halo (alkylchalcogenyl) arene derivative of general formula (6))
Under a nitrogen atmosphere, 502 mg (0.625 mmol) of 2-bromo-3-iodo-6,7-di (pentadecyl) anthracene synthesized in Synthesis Example 13 (0.625 mmol), sodium thiol in a 100 ml Schlenk reaction vessel 48.3 mg (0.687 mmol) of methoxide (manufactured by Sigma-Aldrich) (compound of general formula (11)) and 5 ml of NMP were added. After making this mixture react at 40 degreeC for 8 hours, water and toluene were added and phase-separated. The organic phase was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane), and further recrystallized from hexane to give yellow 2-bromo (iodo) -3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene. 326 mg of solid was obtained (70% yield).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.48 (s, 0.5H), 8.17 (s, 0.5H), 8.16 (s, 0.5H), 8.14 ( s, 1H), 8.11 (s, 0.5H), 7.70 (s, 1H), 7.69 (s, 1H), 7.55 (s, 0.5H), 7.52 (s 0.5H), 2.78 (t, J = 7.8 Hz, 4H), 2.60 (s, 1.5H), 2.58 (s, 1.5H), 1.73-1.62. (M, 4H), 1.53-1.10 (m, 48H), 0.88 (t, J = 6.6 Hz, 6H).

NMR測定より、2−ブロモ−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンと2−ヨード−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンの1:1の混合物であることを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that this was a 1: 1 mixture of 2-bromo-3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene and 2-iodo-3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene. did. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例17 (2−ホルミル−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンの合成)(一般式(5)のホルミル(アルキルカルコゲニル)アレーン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例16で合成した2−ブロモ(ヨード)−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン(一般式(6)の化合物)150mg(0.200mmol)及びTHF10mlを添加した。この混合物を−58℃に冷却し、n−ブチルリチウム(関東化学製、1.61mol/l、ヘキサン溶液)0.25ml(0.40mmol)を滴下し、−58℃で8分間撹拌した。そこへDMF47.2mg(0.646mmol)を添加し、−58℃で20分間反応させた後、1M塩酸水溶液を添加し、反応をクエンチした。水及びトルエンを添加し、分相後、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:クロロホルム=1:1からクロロホルム)、2−ホルミル−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンの黄色固体118mgを得た(収率87%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=10.34(s,1H),8.46(s,1H),8.41(s,1H),8.19(s,1H),7.76(s,1H),7.73(s,1H),7.66(s,1H),2.80(t,J=7.0Hz,4H),2.61(s,3H),1.79−1.65(m,4H),1.55−1.10(m,48H),0.88(t,J=6.6Hz,6H)。
Example 17 (Synthesis of 2-formyl-3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene) (Synthesis of formyl (alkylchalcogenyl) arene derivative of general formula (5))
150 mg (0.200 mmol) of 2-bromo (iodo) -3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene (compound of general formula (6)) synthesized in Example 16 in a 100 ml Schlenk reaction vessel under nitrogen atmosphere And 10 ml of THF were added. The mixture was cooled to −58 ° C., 0.25 ml (0.40 mmol) of n-butyllithium (manufactured by Kanto Chemical Co., 1.61 mol / l, hexane solution) was added dropwise, and the mixture was stirred at −58 ° C. for 8 minutes. DMF47.2mg (0.646mmol) was added there, and it was made to react at -58 degreeC for 20 minutes, Then, 1M hydrochloric acid aqueous solution was added and reaction was quenched. Water and toluene were added, and after phase separation, the organic phase was dried over anhydrous sodium sulfate and concentrated under reduced pressure. The resulting residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: chloroform = 1: 1 to chloroform) to obtain 118 mg of 2-formyl-3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene as a yellow solid. (Yield 87%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 10.34 (s, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.41 (s, 1H), 8.19 (s, 1H), 7 .76 (s, 1H), 7.73 (s, 1H), 7.66 (s, 1H), 2.80 (t, J = 7.0 Hz, 4H), 2.61 (s, 3H), 1.79-1.65 (m, 4H), 1.55-1.10 (m, 48H), 0.88 (t, J = 6.6 Hz, 6H).

NMR測定より、2−ホルミル−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From the NMR measurement, it was confirmed that 2-formyl-3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例18 (テトラ(ペンタデシル)ジ(メチルチオ)ジアントリルエチレンの合成)(一般式(4)のジ(アルキルカルコゲニル)ジアリールエチレン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に亜鉛粉末39.5mg(0.604mmol)、THF1ml、及び4塩化チタン56.9mg(0.30mmol)の順に添加した。得られた混合物を1.5時間加熱還流した後、室温に冷却し、実施例17で合成した2−ホルミル−3−メチルチオ−6,7−ジ(ペンタデシル)アントラセン(一般式(5)の化合物)135mg(0.200mmol)とTHF5mlからなる溶液を添加した。得られた混合物を4時間加熱還流した後、室温に冷却し、飽和炭酸カリウム水溶液を添加し、1時間撹拌した。得られた反応液をセライト濾過し、濾液を分相し、水相をトルエンで抽出した。合わせた有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン:クロロホルム=4:1)、さらにヘプタンから再結晶精製し、テトラ(ペンタデシル)ジ(メチルチオ)ジアントリルエチレンの黄色固体26.4mgを得た(収率20%)。
H NMR(CDCl,22℃):δ=8.31(s,2H),8.23(s,2H),8.18(s,2H),7.73(s,4H),7.72(s,4H),2.80(t,J=7.7Hz,8H),2.64(s,6H),1.81−1.62(m,8H),1.53−1.12(m,96H),0.88(t,J=6.1Hz,12H)。
Example 18 (Synthesis of tetra (pentadecyl) di (methylthio) dianthrylethylene) (Synthesis of di (alkylchalcogenyl) diarylethylene derivative of general formula (4))
Under a nitrogen atmosphere, 39.5 mg (0.604 mmol) of zinc powder, 1 ml of THF, and 56.9 mg (0.30 mmol) of titanium tetrachloride were sequentially added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. The resulting mixture was heated to reflux for 1.5 hours, cooled to room temperature, and 2-formyl-3-methylthio-6,7-di (pentadecyl) anthracene synthesized in Example 17 (compound of general formula (5)). ) A solution consisting of 135 mg (0.200 mmol) and 5 ml of THF was added. The resulting mixture was heated to reflux for 4 hours, then cooled to room temperature, a saturated aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was stirred for 1 hour. The resulting reaction solution was filtered through Celite, the filtrate was phase-separated, and the aqueous phase was extracted with toluene. The combined organic phases were dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane: chloroform = 4: 1), and further recrystallized and purified from heptane to obtain 26.4 mg of tetra (pentadecyl) di (methylthio) dianthrylethylene as a yellow solid. Obtained (yield 20%).
1 H NMR (CDCl 3 , 22 ° C.): δ = 8.31 (s, 2H), 8.23 (s, 2H), 8.18 (s, 2H), 7.73 (s, 4H), 7 .72 (s, 4H), 2.80 (t, J = 7.7 Hz, 8H), 2.64 (s, 6H), 1.81-1.62 (m, 8H), 1.53-1 .12 (m, 96H), 0.88 (t, J = 6.1 Hz, 12H).

NMR測定より、テトラ(ペンタデシル)ジ(メチルチオ)ジアントリルエチレンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that tetra (pentadecyl) di (methylthio) dianthrylethylene was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例19 (テトラ(ペンタデシル)アントラチエノアントラチオフェンの合成)(一般式(1)のヘテロアセン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例18で合成したテトラ(ペンタデシル)ジ(メチルチオ)ジアントリルエチレン36.3mg(0.0276mmol)(一般式(4)の化合物)、ヨウ素225mg(0.886mmol)、及びクロロホルム2.5mlを添加した。得られた混合物を加熱還流下で20時間反応を行った。室温に冷却後、飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、全体を濾過した。フィルター上に残った固体を水、クロロホルムで洗浄し、さらにトルエンから再結晶精製し、テトラ(ペンタデシル)アントラチエノアントラチオフェンの赤色固体6.0mgを得た(収率17%)。
H NMR(CDCl,50℃):δ=8.47(s,4H),8.41(s,2H),8.37(s,2H),7.76(s,4H),2.81(t,J=7.8Hz,8H),1.82−1.66(m,8H),1.58−1.10(m,96H),0.88(t,J=6.6Hz,12H)。
H NMRスペクトルを図2に示した。
Example 19 (Synthesis of tetra (pentadecyl) anthrachienoanthrathiophene) (Synthesis of heteroacene derivative of general formula (1))
Under a nitrogen atmosphere, 36.3 mg (0.0276 mmol) of tetra (pentadecyl) di (methylthio) dianthrylethylene synthesized in Example 18 in a 100 ml Schlenk reaction vessel (compound of general formula (4)), 225 mg (0.886 mmol) of iodine ), And 2.5 ml of chloroform were added. The resulting mixture was reacted for 20 hours under heating to reflux. After cooling to room temperature, it was washed with a saturated aqueous sodium hydrogen sulfite solution, and the whole was filtered. The solid remaining on the filter was washed with water and chloroform, and further recrystallized and purified from toluene to obtain 6.0 mg of tetra (pentadecyl) anthracenoenoanthrathiophene red solid (yield 17%).
1 H NMR (CDCl 3 , 50 ° C.): δ = 8.47 (s, 4H), 8.41 (s, 2H), 8.37 (s, 2H), 7.76 (s, 4H), 2 .81 (t, J = 7.8 Hz, 8H), 1.82-1.66 (m, 8H), 1.58-1.10 (m, 96H), 0.88 (t, J = 6. 6Hz, 12H).
The 1 H NMR spectrum is shown in FIG.

NMR測定より、テトラ(ペンタデシル)アントラチエノアントラチオフェンが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From NMR measurement, it was confirmed that tetra (pentadecyl) anthrhienoanthrathiophene was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

合成例15 (2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェンの合成)
1)2,3−ジブロモ−6−オクタデカノイルベンゾチオフェンの合成
窒素雰囲気下、200ml二口ナスにオクタデカノイルクロライド(シグマ−アルドリッチ製)7.50ml(6.75g、22.3mmol)及びジクロロメタン50mlを加えた。−15℃に冷却した後、塩化アルミニウム(和光純薬工業製)2.76g(20.7mmol)を添加した。−15℃で30分間攪拌後、−25℃に冷却し、2,3−ジブロモベンゾチオフェン(シグマ−アルドリッチ製)5.02g(17.1mmol)を添加し、−25℃で3日間反応させた後、水を加えて反応を停止させた。ジクロロメタンを添加後分相し、有機相を水で洗浄した。有機相に飽和炭酸ナトリウム水溶液を添加し、一昼夜撹拌することでオクタデカン酸をナトリウム塩とした。分相し、有機相を減圧濃縮した。得られた残渣をショートシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘプタンからヘプタン:トルエン=3:1)、さらにヘプタンから再結晶精製することで2,3−ジブロモ−6−オクタデカノイルベンゾチオフェンの白色固体3.91gを得た(収率41%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=8.33(s,1H),8.00(dd,J=8.5Hz,1.4Hz,1H),7.80(d,J=8.4Hz,1H),3.02(t,J=7.6Hz,2H),1.77(m,2H),1.26(m,28H),0.88(t、J=8.1Hz,3H)。
MS m/z: 558(M,18%),479(M−Br+1,8%),334(M−C1633+1,100%)。
Synthesis Example 15 (Synthesis of 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene)
1) Synthesis of 2,3-dibromo-6-octadecanoylbenzothiophene Under nitrogen atmosphere, 200 ml two-necked eggplant with octadecanoyl chloride (manufactured by Sigma-Aldrich) 7.50 ml (6.75 g, 22.3 mmol) and dichloromethane 50 ml was added. After cooling to −15 ° C., 2.76 g (20.7 mmol) of aluminum chloride (Wako Pure Chemical Industries) was added. After stirring at −15 ° C. for 30 minutes, the mixture was cooled to −25 ° C., 5.02 g (17.1 mmol) of 2,3-dibromobenzothiophene (manufactured by Sigma-Aldrich) was added, and the mixture was reacted at −25 ° C. for 3 days. Thereafter, water was added to stop the reaction. After adding dichloromethane, the phases were separated and the organic phase was washed with water. Saturated aqueous sodium carbonate solution was added to the organic phase, and the mixture was stirred overnight to convert octadecanoic acid into a sodium salt. The phases were separated and the organic phase was concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by short silica gel column chromatography (solvent; heptane to heptane: toluene = 3: 1), and further recrystallized from heptane to obtain 2,3-dibromo-6-octadecanoylbenzothiophene. 3.91 g of white solid was obtained (yield 41%).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 8.33 (s, 1H), 8.00 (dd, J = 8.5 Hz, 1.4 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 8 .4 Hz, 1H), 3.02 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.77 (m, 2H), 1.26 (m, 28H), 0.88 (t, J = 8.1 Hz) , 3H).
MS m / z: 558 (M +, 18%), 479 (M + -Br + 1,8%), 334 (M + -C 16 H 33 + 1,100%).

2)2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェンの合成
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例15の1)で合成した2,3−ジブロモ−6−オクタデカノイルベンゾチオフェン2.18g(3.90mmol)及びトリフルオロ酢酸(和光純薬工業製)5mlを添加した。室温でトリエチルシラン(信越化学製)1.5mlを滴下した。得られた混合物を60℃で4時間反応後、減圧濃縮した。残渣を120パスカル、100℃で真空加熱し、低沸分を除去した。残渣に2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェンの白色固体2.11gを得た(収率99%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=7.63(d,J=8.1Hz,1H),7.50(d,J=1.1Hz,1H),7.24(dd,J=8.1Hz,1.4Hz,1H),2.71(t,J=8.1Hz,2H),1.65(m,2H),1.25(m,30H),0.88(t、J=8.1Hz,3H)。
2) Synthesis of 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene 2.18 g of 2,3-dibromo-6-octadecanoylbenzothiophene synthesized in 1) of Synthesis Example 15 in a 100 ml Schlenk reaction vessel under a nitrogen atmosphere ( 3.90 mmol) and 5 ml of trifluoroacetic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added. 1.5 ml of triethylsilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical) was added dropwise at room temperature. The resulting mixture was reacted at 60 ° C. for 4 hours and then concentrated under reduced pressure. The residue was heated under vacuum at 120 Pascal and 100 ° C. to remove the low boiling point. 2.11 g of a white solid of 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene was obtained in the residue (99% yield).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 7.63 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.50 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 7.24 (dd, J = 8.1 Hz, 1.4 Hz, 1 H), 2.71 (t, J = 8.1 Hz, 2 H), 1.65 (m, 2 H), 1.25 (m, 30 H), 0.88 (t J = 8.1 Hz, 3H).

合成例16 (3−ブロモ−2−トリメチルシリルエチニル−6−オクタデシルベンゾチオフェンの合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例15で合成した2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェン351mg(0.644mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(和光純薬工業製)4.2mg(0.0060mmol)、ヨウ化銅(I)(和光純薬工業製)0.8mg(0.0042mmol)、THF4ml、及びトリエチルアミン3mlを添加した。さらに及びトリメチルシリルアセチレン(和光純薬工業製)72.3mg(0.736mmol)を添加した。この混合物を室温で15時間反応を実施した。得られた混合物を氷冷し、3M塩酸水溶液及びトルエンを添加し、分相した。得られた有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、3−ブロモ−2−トリメチルシリルエチニル−6−オクタデシルベンゾチオフェンの白色固体345mgを得た(収率95%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=7.66(d,J=8.1Hz,1H),7.52(d,J=1.1Hz,1H),7.27(dd,J=8.1Hz,1.4Hz,1H),2.72(t,J=8.1Hz,2H),1.65(m,2H),1.25(m,30H),0.88(t、J=8.1Hz,3H),0.30(s,9H)。
Synthesis Example 16 (Synthesis of 3-bromo-2-trimethylsilylethynyl-6-octadecylbenzothiophene)
Under a nitrogen atmosphere, 351 mg (0.644 mmol) of 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene synthesized in Synthesis Example 15 in a 100 ml Schlenk reaction vessel, 4.2 mg of dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (0.0060 mmol), copper (I) iodide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.8 mg (0.0042 mmol), THF 4 ml, and triethylamine 3 ml were added. Further, 72.3 mg (0.736 mmol) of trimethylsilylacetylene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added. The mixture was reacted at room temperature for 15 hours. The obtained mixture was ice-cooled, 3M aqueous hydrochloric acid and toluene were added, and the phases were separated. The obtained organic phase was washed with water, dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane) to obtain 345 mg of white solid of 3-bromo-2-trimethylsilylethynyl-6-octadecylbenzothiophene (yield 95%).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 7.66 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.52 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 7.27 (dd, J = 8.1 Hz, 1.4 Hz, 1 H), 2.72 (t, J = 8.1 Hz, 2 H), 1.65 (m, 2 H), 1.25 (m, 30 H), 0.88 (t , J = 8.1 Hz, 3H), 0.30 (s, 9H).

合成例17 (3−メチルチオ−2−トリメチルシリルエチニル−6−オクタデシルベンゾチオフェンの合成)(一般式(16)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例16で合成した3−ブロモ−2−トリメチルシリルエチニル−6−オクタデシルベンゾチオフェン345mg(0.614mmol)及びTHF7mlを添加した。得られた混合物を−74℃に冷却し、tert−ブチルリチウム(関東化学製、1.46mol/l、ペンタン溶液)0.84ml(1.22mmol)を滴下した。−74℃で20分間攪拌後、ジメチルジスルフィド(シグマ−アルドリッチ製)115mg(1.22mmol)を滴下した。−74℃で1.5時間攪拌後、3M塩酸水溶液を加えて反応をクエンチした。水及びトルエンを添加し、分相後、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、3−メチルチオ−2−トリメチルシリルエチニル−6−オクタデシルベンゾチオフェンの白色固体278mgを得た(収率86%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=7.80(d,J=8.1Hz,1H),7.52(d,J=1.1Hz,1H),7.23(dd,J=8.1Hz,1.4Hz,1H),2.71(t,J=8.1Hz,2H),2.55(s,3H),1.65(m,2H),1.25(m,30H),0.88(t、J=8.1Hz,3H),0.30(s,9H)。
Synthesis Example 17 (Synthesis of 3-methylthio-2-trimethylsilylethynyl-6-octadecylbenzothiophene) (Synthesis of compound of general formula (16))
Under a nitrogen atmosphere, 345 mg (0.614 mmol) of 3-bromo-2-trimethylsilylethynyl-6-octadecylbenzothiophene synthesized in Synthesis Example 16 and 7 ml of THF were added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. The obtained mixture was cooled to −74 ° C., and 0.84 ml (1.22 mmol) of tert-butyllithium (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., 1.46 mol / l, pentane solution) was added dropwise. After stirring at −74 ° C. for 20 minutes, 115 mg (1.22 mmol) of dimethyl disulfide (manufactured by Sigma-Aldrich) was added dropwise. After stirring at -74 ° C for 1.5 hours, 3M aqueous hydrochloric acid was added to quench the reaction. Water and toluene were added, and after phase separation, the organic phase was washed with water, dried over anhydrous sodium sulfate, and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 278 mg of 3-methylthio-2-trimethylsilylethynyl-6-octadecylbenzothiophene as a white solid (yield 86%).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 7.80 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.52 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 7.23 (dd, J = 8.1 Hz, 1.4 Hz, 1 H), 2.71 (t, J = 8.1 Hz, 2 H), 2.55 (s, 3 H), 1.65 (m, 2 H), 1.25 (m , 30H), 0.88 (t, J = 8.1 Hz, 3H), 0.30 (s, 9H).

合成例18 (3−ヨード−2−トリメチルシリル(オクタデシル)ベンゾチエノチオフェンの合成)(一般式(15)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例17で合成した3−メチルチオ−2−トリメチルシリルエチニル−6−オクタデシルベンゾチオフェン277mg(0.525mmol)及びジクロロメタン14mlを添加した。得られた混合物にヨウ素146mg(0.577mmol)を添加し、40℃で10時間攪拌した。反応混合物を室温に冷却し、チオ硫酸ナトリウム水溶液を添加後、分相し、有機相を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮後、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、3−ヨード−2−トリメチルシリル(オクタデシル)ベンゾチエノチオフェンの無色オイル283mgを得た(収率84%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=7.68(d,J=8.1Hz,1H),7.63(d,J=1.1Hz,1H),7.23(dd,J=8.1Hz,1.4Hz,1H),2.72(t,J=8.1Hz,2H),1.67(m,2H),1.25(m,30H),0.88(t、J=8.1Hz,3H),0.49(s,9H)。
Synthesis Example 18 (Synthesis of 3-iodo-2-trimethylsilyl (octadecyl) benzothienothiophene) (Synthesis of compound of general formula (15))
Under a nitrogen atmosphere, 277 mg (0.525 mmol) of 3-methylthio-2-trimethylsilylethynyl-6-octadecylbenzothiophene synthesized in Synthesis Example 17 and 14 ml of dichloromethane were added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. To the obtained mixture, 146 mg (0.577 mmol) of iodine was added and stirred at 40 ° C. for 10 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature, an aqueous sodium thiosulfate solution was added, phase separation was performed, and the organic phase was washed with water and dried over anhydrous sodium sulfate. After concentration under reduced pressure, the resulting residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 283 mg of colorless oil of 3-iodo-2-trimethylsilyl (octadecyl) benzothienothiophene (yield 84%).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 7.68 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.63 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 7.23 (dd, J = 8.1 Hz, 1.4 Hz, 1 H), 2.72 (t, J = 8.1 Hz, 2 H), 1.67 (m, 2 H), 1.25 (m, 30 H), 0.88 (t , J = 8.1 Hz, 3H), 0.49 (s, 9H).

合成例19 (2,3−ジヨード(オクタデシル)ベンゾチエノチオフェンの合成)(一般式(13)の化合物の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例18で合成した3−ヨード−2−トリメチルシリル(オクタデシル)ベンゾチエノチオフェン283mg(0.441mmol)及びジクロロメタン12mlを添加した。得られた混合物を氷冷し、1塩化ヨウ素(シグマ−アルドリッチ製、1.0mol/l、ジクロロメタン溶液)0.49ml(0.49mmol)を添加し、室温で5時間攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、残渣をヘプタンから再結晶精製し、2,3−ジヨード(オクタデシル)ベンゾチエノチオフェンの淡黄色固体288mg(0.415mmol)を得た(収率94%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=7.63(brs,1H),7.62(d,J=8.1Hz,1H),7.23(d,J=8.1Hz,1H),2.73(t,J=8.1Hz,2H),1.67(m,2H),1.25(m,30H),0.88(t、J=8.1Hz,3H)。
Synthesis Example 19 (Synthesis of 2,3-diiodo (octadecyl) benzothienothiophene) (Synthesis of compound of general formula (13))
Under a nitrogen atmosphere, 283 mg (0.441 mmol) of 3-iodo-2-trimethylsilyl (octadecyl) benzothienothiophene synthesized in Synthesis Example 18 and 12 ml of dichloromethane were added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. The obtained mixture was ice-cooled, 0.49 ml (0.49 mmol) of iodine monochloride (manufactured by Sigma-Aldrich, 1.0 mol / l, dichloromethane solution) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours. The obtained reaction mixture was concentrated under reduced pressure, and the residue was recrystallized and purified from heptane to obtain 288 mg (0.415 mmol) of a light yellow solid of 2,3-diiodo (octadecyl) benzothienothiophene (yield 94%).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 7.63 (brs, 1H), 7.62 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.23 (d, J = 8.1 Hz, 1H) ), 2.73 (t, J = 8.1 Hz, 2H), 1.67 (m, 2H), 1.25 (m, 30H), 0.88 (t, J = 8.1 Hz, 3H).

実施例20 (ブロモヨードジ(オクタデシル)ベンゾチエノチエニルベンゾチエニルの合成)(一般式(7)のジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例15で合成した2,3−ジブロモ−6−オクタデシルベンゾチオフェン(一般式(10)の化合物)237mg(0.434mmol)及びTHF15mlを添加した。得られた混合物を−72℃に冷却し、イソプロピルマグネシウムブロミド(東京化成工業製、0.78mmol/l、THF溶液)1.1ml(0.86mmol)を添加し、3.5時間かけて−28℃まで昇温させた。再度−72℃に冷却し、塩化亜鉛(シグマ−アルドリッチ製、1.0mmol/l、エーテル溶液)0.9ml(0.9mmol)を添加した。ゆっくりと室温まで昇温させた後、混合物を減圧濃縮した。得られた残渣(一般式(14)の化合物)に、合成例19で合成した2,3−ジヨード(オクタデシル)ベンゾチエノチオフェン(一般式(13)の化合物)200mg(0.288mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(東京化成工業製)16.5mg(0.014mmol)、及びTHF8mlを添加した。この混合物を65℃で5時間反応を実施した。得られた反応混合物を室温に冷却後、3M塩酸水溶液を添加し、反応をクエンチした。ここへトルエンを添加し、分相後、有機相を水で洗浄し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、ブロモヨードジ(オクタデシル)ベンゾチエノチエニルベンゾチエニルの淡黄色固体151mgを得た(収率51%)。
H NMR(CDCl,23℃):δ=7.81(d,J=8.1Hz,1H),7.69(d,J=8.1Hz,1H),7.59(s,1H),7.46(s,1H),7.29(dd,J=8.1Hz,1.4Hz,1H),7.24(dd,J=8.1Hz,1.4Hz,1H),2.74(m,4H),1.65(m,4H),1.25(m,60H),0.88(m,6H)。
Example 20 (Synthesis of bromoiododi (octadecyl) benzothienothienylbenzothienyl) (Synthesis of dihalochalcogenophenylaryl derivative of general formula (7))
Under a nitrogen atmosphere, 237 mg (0.434 mmol) of 2,3-dibromo-6-octadecylbenzothiophene (the compound of general formula (10)) synthesized in Synthesis Example 15 and 15 ml of THF were added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. The obtained mixture was cooled to −72 ° C., and 1.1 ml (0.86 mmol) of isopropylmagnesium bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 0.78 mmol / l, THF solution) was added, and −28 over 3.5 hours. The temperature was raised to ° C. The mixture was cooled again to −72 ° C., and 0.9 ml (0.9 mmol) of zinc chloride (manufactured by Sigma-Aldrich, 1.0 mmol / l, ether solution) was added. After slowly warming to room temperature, the mixture was concentrated under reduced pressure. To the obtained residue (compound of general formula (14)), 200 mg (0.288 mmol) of 2,3-diiodo (octadecyl) benzothienothiophene (compound of general formula (13)) synthesized in Synthesis Example 19 and tetrakis ( 16.5 mg (0.014 mmol) of triphenylphosphine) palladium (manufactured by Tokyo Chemical Industry) and 8 ml of THF were added. The mixture was reacted at 65 ° C. for 5 hours. After cooling the obtained reaction mixture to room temperature, 3M aqueous hydrochloric acid was added to quench the reaction. Toluene was added thereto, and after phase separation, the organic phase was washed with water and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (solvent; hexane) to obtain 151 mg of a light yellow solid of bromoiododi (octadecyl) benzothienothienylbenzothienyl (yield 51%).
1 H NMR (CDCl 3 , 23 ° C.): δ = 7.81 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.69 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.59 (s, 1H ), 7.46 (s, 1H), 7.29 (dd, J = 8.1 Hz, 1.4 Hz, 1H), 7.24 (dd, J = 8.1 Hz, 1.4 Hz, 1H), 2 .74 (m, 4H), 1.65 (m, 4H), 1.25 (m, 60H), 0.88 (m, 6H).

NMR測定より、ブロモヨードジ(オクタデシル)ベンゾチエノチエニルベンゾチエニルが得られたことを確認した。なお、その構造式を下記に示す。   From the NMR measurement, it was confirmed that bromoiododi (octadecyl) benzothienothienylbenzothienyl was obtained. The structural formula is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例21 (ジ(オクタデシル)ジ(ベンゾチエノ)チエノチオフェンの合成)(一般式(1)のヘテロアセン誘導体の合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例20で合成したブロモヨードジ(オクタデシル)ベンゾチエノチエニルベンゾチエニル(一般式(7)の化合物)1111mg(0.107mmol)及びエーテル6mlを添加した。得られた混合物を0℃に冷却し、n−ブチルリチウム(関東化学製、1.61mol/l、ペンタン溶液)0.28ml(0.45mmol)を滴下した。0℃で30分間攪拌後、−72℃に冷却し、ビス(フェニルスルホニル)スルフィド(アクロス製)42.8mg(0.136mmol)を投入した。一晩かけて室温まで昇温後、水及びトルエンを添加し、分相した。得られた有機相を水で洗浄後、減圧濃縮した。得られた残渣をヘキサンで洗浄し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(溶媒;ヘキサン)、ジ(オクタデシル)ジ(ベンゾチエノ)チエノチオフェンを含む黄色固体45mgを得た。
Example 21 (Synthesis of di (octadecyl) di (benzothieno) thienothiophene) (Synthesis of heteroacene derivative of general formula (1))
Under a nitrogen atmosphere, 1111 mg (0.107 mmol) of bromoiododi (octadecyl) benzothienothienylbenzothienyl (compound of general formula (7)) synthesized in Example 20 and 6 ml of ether were added to a 100 ml Schlenk reaction vessel. The obtained mixture was cooled to 0 ° C., and 0.28 ml (0.45 mmol) of n-butyllithium (manufactured by Kanto Chemical Co., 1.61 mol / l, pentane solution) was added dropwise. After stirring at 0 ° C. for 30 minutes, the mixture was cooled to −72 ° C., and 42.8 mg (0.136 mmol) of bis (phenylsulfonyl) sulfide (manufactured by Acros) was added. After raising the temperature to room temperature overnight, water and toluene were added and the phases were separated. The obtained organic phase was washed with water and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was washed with hexane, and the residue was purified by silica gel column chromatography (solvent: hexane) to obtain 45 mg of a yellow solid containing di (octadecyl) di (benzothieno) thienothiophene.

ジ(オクタデシル)ジ(ベンゾチエノ)チエノチオフェンの構造式を下記に示す。   The structural formula of di (octadecyl) di (benzothieno) thienothiophene is shown below.

Figure 0005716821
Figure 0005716821

実施例22 (耐酸化性有機半導体材料の合成及びその耐酸化性評価)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク容器にトルエン5.4gを添加し、凍結(液体窒素)−減圧−窒素置換−融解から成るサイクルを3回繰り返すことで溶存酸素を除去した。そこへ実施例19で得られたテトラ(ペンタデシル)ジアントリルチエノチオフェンの赤色固体7.1mgを添加し、60℃に加熱し溶解させ、テトラ(ペンタデシル)ジアントリルチエノチオフェンを含む耐酸化性有機半導体材料を合成した(赤色溶液)。次に、このシュレンク容器の上部の栓を開け、10分間、外気に接触させることで空気を導入(耐酸化性評価)し、さらに60℃で撹拌したが、色の変化は見られなかった。したがって、色の変化が見られなかったことから、耐酸化性に優れるものであった。さらにこの溶液を70℃、1時間、撹拌下で空気と接触させても溶液の色の変化は見られず、耐酸化性に優れるものであった。
Example 22 (Synthesis of oxidation-resistant organic semiconductor material and evaluation of oxidation resistance)
Under a nitrogen atmosphere, 5.4 g of toluene was added to a 100 ml Schlenk container, and dissolved oxygen was removed by repeating the cycle consisting of freezing (liquid nitrogen) -depressurization-nitrogen replacement-thawing three times. Thereto, 7.1 mg of the red solid of tetra (pentadecyl) dianthrylthienothiophene obtained in Example 19 was added, heated to 60 ° C. to dissolve, and the oxidation-resistant organic semiconductor containing tetra (pentadecyl) dianthrylthienothiophene The material was synthesized (red solution). Next, the upper stopper of the Schlenk container was opened and air was introduced (oxidation resistance evaluation) by bringing it into contact with the outside air for 10 minutes, followed by stirring at 60 ° C., but no color change was observed. Therefore, since no color change was observed, the oxidation resistance was excellent. Further, even when this solution was brought into contact with air at 70 ° C. for 1 hour under stirring, no change in the color of the solution was observed, and the oxidation resistance was excellent.

実施例23 (有機薄膜の作製)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク容器に実施例19で得られたテトラ(ペンタデシル)ジアントリルチエノチオフェンの赤色固体6.5mgをトルエン15gと混合し、70℃で1時間撹拌し、テトラ(ペンタデシル)ジアントリルチエノチオフェンの赤色溶液を調製した(ヘテロアセンを含む耐酸化性有機半導体材料の合成)。
Example 23 (Preparation of organic thin film)
Under a nitrogen atmosphere, 6.5 mg of the red solid of tetra (pentadecyl) dianthrylthienothiophene obtained in Example 19 was mixed with 15 g of toluene in a 100 ml Schlenk container, stirred at 70 ° C. for 1 hour, and tetra (pentadecyl) dianthryl. A red solution of thienothiophene was prepared (synthesis of oxidation-resistant organic semiconductor material containing heteroacene).

窒素雰囲気下、凹面のあるガラス基板を70℃に加熱し、この基板上に上記の溶液をスポイトを用いて塗布し常圧下で乾燥し、膜厚230nmの有機薄膜を作製した。   Under a nitrogen atmosphere, a concave glass substrate was heated to 70 ° C., and the above solution was applied onto the substrate using a dropper and dried under normal pressure to produce an organic thin film having a thickness of 230 nm.

比較例1 (耐酸化性評価)
ペンタセンを用いて耐酸化性を評価した。
Comparative Example 1 (Oxidation resistance evaluation)
The oxidation resistance was evaluated using pentacene.

窒素雰囲気下、20mlシュレンク容器にo−ジクロロベンゼン2.9gを添加し、凍結(液体窒素)−減圧−窒素置換−融解から成るサイクルを3回繰り返すことで溶存酸素を除去した。そこへペンタセン(東京化成工業製)2.5mgを添加し、120℃に加熱し溶解させると赤紫色溶液となった。次にこのシュレンク容器の上部の栓を開け、1分間、外気に接触させることで空気を導入し、さらに120℃で撹拌した。ガスクロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィー−マススペクトル(GCMS)分析から、6,13−ペンタセンキノンが生成していることがわかった。   Under a nitrogen atmosphere, 2.9 g of o-dichlorobenzene was added to a 20 ml Schlenk container, and dissolved oxygen was removed by repeating the cycle consisting of freezing (liquid nitrogen), reduced pressure, nitrogen substitution, and thawing three times. Thereto was added 2.5 mg of pentacene (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and when heated to 120 ° C. and dissolved, a reddish purple solution was obtained. Next, the stopper at the top of the Schlenk container was opened, air was introduced by contact with outside air for 1 minute, and the mixture was further stirred at 120 ° C. From gas chromatography and gas chromatography-mass spectrum (GCMS) analysis, it was found that 6,13-pentacenequinone was produced.

さらにこの溶液を120℃、1時間、撹拌下で空気と接触させると溶液の色が黄に変化していた。ガスクロマトグラフィー分析から、6,13−ペンタセンキノンの生成が増加していることがわかった。   Further, when this solution was brought into contact with air at 120 ° C. for 1 hour under stirring, the color of the solution changed to yellow. Gas chromatographic analysis showed increased production of 6,13-pentacenequinone.

したがって、溶液の色の変化及び6,13−ペンタセンキノンが生成していることから、酸化が進行しており、耐酸化性に劣るものであった。   Therefore, since the change in the color of the solution and 6,13-pentacenequinone were produced, the oxidation proceeded and the oxidation resistance was poor.

比較例2 (有機薄膜の作製)
「ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティー」、(米国)、2007年、129巻、2224−2225頁に記載のジナフト[2,3−b:2’,3’−f]チエノ[3,2−b]チオフェン(DNTT)を用いて有機薄膜の作製を評価した。
Comparative Example 2 (Preparation of organic thin film)
Dinaphtho [2,3-b: 2 ′, 3′-f] thieno [3,2-b] thiophene described in “Journal of American Chemical Society” (USA), 2007, 129, 2224-2225. The production of the organic thin film was evaluated using (DNTT).

窒素雰囲気下、100mlシュレンク容器にトルエン15gを添加し、凍結(液体窒素)−減圧−窒素置換−融解から成るサイクルを3回繰り返すことで溶存酸素を除去した。そこへDNTT6.0mgを添加し、110℃で1時間撹拌したが、わずかに溶解したのみでほとんどが固体として残存し、溶解性に劣るものであった。   Under a nitrogen atmosphere, 15 g of toluene was added to a 100 ml Schlenk container, and dissolved oxygen was removed by repeating the cycle consisting of freezing (liquid nitrogen) -depressurization-nitrogen replacement-thawing three times. DNTT 6.0mg was added there, and it stirred at 110 degreeC for 1 hour, However, It melt | dissolved only slightly and most remained as solid and it was inferior to solubility.

また窒素雰囲気下、凹面のあるガラス基板を70℃に加熱し、この基板上に上記の溶液部分をスポイトを用いて塗布し常圧下で乾燥した。しかし、材料がある部分とない部分が存在し、均一な膜は得られず、塗布による薄膜作製は困難であった。   In addition, a glass substrate having a concave surface was heated to 70 ° C. in a nitrogen atmosphere, and the above solution portion was applied onto the substrate using a dropper and dried under normal pressure. However, there are portions where the material is present and portions where the material is not present, and a uniform film cannot be obtained, making it difficult to produce a thin film by coating.

実施例14で合成したテトラ(ドデシル)アントラチエノベンゾチオフェンのH NMRスペクトル 1 H NMR spectrum of tetra (dodecyl) anthrachienobenzothiophene synthesized in Example 14 実施例19で合成したテトラ(ペンタデシル)アントラチエノアントラチオフェンのH NMRスペクトル 1 H NMR spectrum of tetra (pentadecyl) anthrhienoanthrathiophene synthesized in Example 19

Claims (16)

下記一般式(1)で示されることを特徴とするヘテロアセン誘導体。
Figure 0005716821
[(ここで、T及びTは同一又は異なって、硫黄原子、セレン原子、テルル原子を示し、環A及びBは同一又は異なって、下記一般式(A−2)で示される構造を有する。)
Figure 0005716821
(ここで、置換基R又はRは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数4〜30のアリール基、炭素数2〜30のアルケニル基、炭素数2〜30のアルキニル基を示す。)]
A heteroacene derivative represented by the following general formula (1):
Figure 0005716821
[Wherein T 1 and T 2 are the same or different and each represents a sulfur atom, a selenium atom or a tellurium atom, and the rings A and B are the same or different, each having a structure represented by the following general formula (A-2). Have)
Figure 0005716821
(Wherein the substituents R 5 or R 6 are the same or different and are a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aryl group having 4 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, Represents an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms.)]
及びTが硫黄原子であることを特徴とする請求項1に記載のヘテロアセン誘導体。 The heteroacene derivative according to claim 1, wherein T 1 and T 2 are sulfur atoms. 下記一般式(2)で示されることを特徴とするジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体。
Figure 0005716821
(ここで、置換基R及びR10は炭素数1〜8のアルキル基を示し、置換基T及びT並びに環A及びBは請求項1に記載の一般式(1)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
A di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the following general formula (2):
Figure 0005716821
(Here, the substituents R 9 and R 10 represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the substituents T 1 and T 2 and rings A and B are represented by the general formula (1) according to claim 1. (It has the same meaning as the substituent and ring.)
下記一般式(3)で示されることを特徴とするジハロジアリールエチン誘導体。
Figure 0005716821
(ここで、置換基X及びXは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、環A及びBは請求項3に記載の一般式(2)で示される環と同意義を示す。)
A dihalodiarylethyne derivative represented by the following general formula (3):
Figure 0005716821
(Here, the substituents X 1 and X 2 represent a bromine atom, an iodine atom, and a chlorine atom, and the rings A and B have the same meaning as the ring represented by the general formula (2) according to claim 3).
下記一般式(7)で示されることを特徴とするジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体。
Figure 0005716821
(ここで、X及びXは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示し、置換基T並びに環A及びBは請求項1に記載の一般式(1)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
A dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the following general formula (7):
Figure 0005716821
(Wherein X 2 and X 4 represent a bromine atom, an iodine atom, and a chlorine atom, the substituent T 1 and the rings A and B represent the substituent and the ring represented by the general formula (1) according to claim 1; It shows the same significance.)
請求項3に記載の一般式(2)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体をハロゲン誘導体と反応させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のヘテロアセン誘導体の製造方法。 The method for producing a heteroacene derivative according to claim 1 or 2, wherein the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative represented by the general formula (2) according to claim 3 is reacted with a halogen derivative. 下記一般式(4)で示されるジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチレン誘導体をハロゲン誘導体と反応させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のヘテロアセン誘導体の製造方法。
Figure 0005716821
(ここで、置換基R 11 及びR 12 は炭素数1〜8のアルキル基を示し、T 及びT 並びに環A及びBは請求項1に記載の一般式(1)で示される置換基並びに環と同意義を示す。)
Method for producing a heteroacene derivative according to claim 1 or claim 2 di (alkyl chalcogenopyryloarylidene) diaryl ethylene derivative comprising reacting a halogen derivative represented by the following general formula (4).
Figure 0005716821
(Wherein the substituents R 11 and R 12 represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and T 1 and T 2 and rings A and B are substituents represented by the general formula (1) according to claim 1. And the same meaning as the ring.)
請求項に記載の一般式(7)で示されるジハロカルコゲノフェニルアリール誘導体をメタル化剤を用いてメタル化し、ビス(フェニルスルホニル)スルフィド、2塩化硫黄、硫黄、あるいはセレンと反応させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のヘテロアセン誘導体の製造方法。 The dihalochalcogenophenylaryl derivative represented by the general formula (7) according to claim 5 is metallated using a metallizing agent and reacted with bis (phenylsulfonyl) sulfide, sulfur dichloride, sulfur or selenium. The method for producing a heteroacene derivative according to claim 1 or 2, wherein: メタル化剤としてアルキルリチウムを用いることを特徴とする請求項に記載のヘテロアセン誘導体の製造方法。 The method for producing a heteroacene derivative according to claim 8 , wherein alkyllithium is used as the metallizing agent. メタル化剤としてグリニャール試薬を用いることを特徴とする請求項に記載のヘテロアセン誘導体の製造方法。 The method for producing a heteroacene derivative according to claim 8 , wherein a Grignard reagent is used as the metallizing agent. 請求項4に記載の一般式(3)で示されるジハロジアリールエチン誘導体をメタル化剤を用いてメタル化し、ジアルキルジスルフィド及び/又はジアルキルジセレニドと反応させることを特徴とする請求項3に記載のジ(アルキルカルコゲノ)ジアリールエチン誘導体の製造方法。 The dihalodiarylethine derivative represented by the general formula (3) according to claim 4 is metallated using a metallizing agent and reacted with a dialkyl disulfide and / or a dialkyl diselenide. A process for producing the di (alkylchalcogeno) diarylethyne derivative. 下記一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とトリアルキルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させた後、脱トリアルキルシリル処理し、得られた下記一般式(9)で示される2−エチニル−3−ハロアレーン誘導体と下記一般式(10)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体をパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項4に記載のジハロジアリールエチン誘導体の製造方法。
Figure 0005716821
(ここで、置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示す。置換基X並びに環Aは請求項4に記載の一般式(3)で示される置換基及び環と同意義を示す。)
Figure 0005716821
(ここで、置換基X並びに環Aは請求項4に記載の一般式(3)で示される置換基及び環と同意義を示す。)
Figure 0005716821
(ここで、置換基Xは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子を示す。置換基X並びに環Bは請求項4に記載の一般式(3)で示される置換基及び環と同意義を示す。)
A 2,3-dihaloarene derivative represented by the following general formula (8) and a trialkylsilylacetylene are reacted in the presence of palladium and / or nickel catalyst, followed by detrialkylsilyl treatment, and the resulting general formula (9 5) and a 2,3-dihaloarene derivative represented by the following general formula (10) are reacted in the presence of a palladium and / or nickel catalyst. Of producing a dihalodiarylethyne derivative.
Figure 0005716821
(Here, the substituent X 3 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom. The substituent X 1 and the ring A have the same meaning as the substituent and the ring represented by the general formula (3) of claim 4. Show.)
Figure 0005716821
(Here, the substituent X 1 and the ring A have the same meaning as the substituent and the ring represented by the general formula (3) described in claim 4).
Figure 0005716821
(Here, the substituent X 5 represents a bromine atom, an iodine atom, or a chlorine atom. The substituent X 2 and the ring B have the same meaning as the substituent and the ring represented by the general formula (3) described in claim 4. Show.)
請求項12に記載の一般式(8)で示される2,3−ジハロアレーン誘導体とアセチレン又はトリメチルシリルアセチレンをパラジウム及び/又はニッケル触媒存在下で反応させることを特徴とする請求項4に記載のジハロジアリールエチン誘導体の製造方法。 The dihalo of claim 4, wherein the 2,3-dihaloarene derivative represented by the general formula (8) according to claim 12 is reacted with acetylene or trimethylsilylacetylene in the presence of palladium and / or nickel catalyst. A method for producing a diarylethine derivative. 請求項1又は請求項2に記載のヘテロアセン誘導体を含むことを特徴とする耐酸化性有機半導体材料。 An oxidation-resistant organic semiconductor material comprising the heteroacene derivative according to claim 1. 請求項14に記載の耐酸化性有機半導体材料を用いることを特徴とする有機薄膜。 An organic thin film using the oxidation-resistant organic semiconductor material according to claim 14 . 有機薄膜が基板上に形成されることを特徴とする請求項15に記載の有機薄膜。 The organic thin film according to claim 15 , wherein the organic thin film is formed on a substrate.
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