JP5710738B2 - Liquid processing method, liquid processing apparatus, and storage medium - Google Patents

Liquid processing method, liquid processing apparatus, and storage medium Download PDF

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Description

本発明は、液処理方法、液処理装置および記憶媒体に関する。   The present invention relates to a liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a storage medium.

従来から、基板本体部(本体部)の表面側に微細な複数の凸状部が微細パターンとして形成された被処理基板(被処理体)に、純水などのリンス液を施し、当該被処理基板に対してリンス液を施した後で乾燥処理を施す液処理方法が知られている。しかしながら、このような液処理方法を用いた場合には、被処理基板に供給されたリンス液を乾燥する際に、基板本体部に突設された凸状部間でリンス液の表面張力が作用し、隣接する凸状部同士が引っ張られて倒壊してしまうことがある。   Conventionally, a rinsing liquid such as pure water is applied to a substrate to be processed (object to be processed) in which a plurality of fine convex portions are formed as a fine pattern on the surface side of the substrate body (main body portion), and the substrate is processed. A liquid processing method is known in which a rinsing liquid is applied to a substrate and then a drying process is performed. However, when such a liquid processing method is used, when the rinse liquid supplied to the substrate to be processed is dried, the surface tension of the rinse liquid acts between the convex portions protruding from the substrate body. However, adjacent convex portions may be pulled and collapsed.

このような凸状部の倒壊を防止するために、薬液を用いて被処理基板を洗浄し、純水を用いてこの薬液を除去し、その後、被処理基板表面に撥水性保護膜を形成する技術が知られている(特許文献1参照)。   In order to prevent such collapse of the convex portion, the substrate to be processed is cleaned using a chemical solution, the chemical solution is removed using pure water, and then a water-repellent protective film is formed on the surface of the substrate to be processed. A technique is known (see Patent Document 1).

特許第4403202号公報Japanese Patent No. 4403202

しかしながら、基板本体部の表面(下地面)および凸状部表面を全面的に撥水化した場合、凸状部のパターン形状等によっては、乾燥処理を行う際、リンス液が必ずしも被処理基板の面内で均一に乾燥するとは限らず、リンス液が乾燥した部分とリンス液で濡れた部分とが混在した状態となる場合がある。この場合、リンス液が乾燥した部分とリンス液で濡れた部分との間で、基板本体部上の凸状部に作用するリンス液の表面張力のバランスが崩れ、この結果、凸状部が倒壊するおそれがある。   However, when the surface of the substrate main body (base surface) and the surface of the convex portion are made entirely water-repellent, depending on the pattern shape or the like of the convex portion, the rinsing liquid is not necessarily applied to the substrate to be processed. It does not necessarily dry uniformly in the surface, and a portion where the rinse liquid is dried and a portion wetted with the rinse liquid may be mixed. In this case, the balance of the surface tension of the rinsing liquid acting on the convex portion on the substrate main body is lost between the portion where the rinse liquid is dried and the portion wetted with the rinse liquid. As a result, the convex portion collapses. There is a risk.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、リンス液を乾燥する際、リンス液が乾燥した部分とリンス液で濡れた部分とが混在することを防止し、凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。   The present invention has been made in consideration of such points, and when the rinse liquid is dried, the portion where the rinse liquid is dried and the portion wet with the rinse liquid are prevented from being mixed, and the convex portion Provided are a liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a storage medium that can prevent the liquid from collapsing.

本発明による基板処理方法は、本体部と、該本体部に突設された複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に下地面が形成された被処理体を処理する液処理方法において、前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程と、表面処理された前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを備えたことを特徴とする。   A substrate processing method according to the present invention includes a main body portion and a plurality of convex portions projecting from the main body portion, and a substrate having a base surface formed on the main body portion and between the convex portions. In a liquid treatment method for treating a treatment object, a surface treatment step for making the ground surface of the object to be treated hydrophilic and making the surface of the convex portion water repellent, and the surface-treated object to be treated A rinsing liquid supply step for supplying a rinsing liquid to the processing body and a drying step for removing the rinsing liquid from the object to be processed are provided.

本発明による基板処理装置は、本体部と、該本体部に突設された複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に下地面が形成された被処理体を処理する液処理装置において、前記被処理体を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された前記被処理体に対して表面処理を行う表面処理機構と、前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記表面処理機構および前記リンス液供給機構を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記表面処理機構を制御して、前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにし、前記リンス液供給機構を制御して、表面処理された前記被処理体に対して前記リンス液を供給することを特徴とする。   A substrate processing apparatus according to the present invention includes a main body portion and a plurality of convex portions projecting from the main body portion, and a substrate having a base surface formed on the main body portion and between the convex portions. In a liquid processing apparatus for processing a processing object, a substrate holding mechanism for holding the object to be processed, a surface processing mechanism for performing a surface treatment on the object to be processed held by the substrate holding mechanism, and the object to be processed A rinsing liquid supply mechanism for supplying a rinsing liquid to the surface, and a control unit for controlling the surface treatment mechanism and the rinsing liquid supply mechanism, wherein the control unit controls the surface treatment mechanism to perform the processing. The rinsing liquid is applied to the surface-treated object by controlling the rinsing liquid supply mechanism so that the base surface of the body becomes hydrophilic and the surface of the convex portion becomes water repellent. It is characterized by supplying.

本発明による記録媒体は、液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、前記液処理方法は、本体部と、該本体部に突設された複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に下地面が形成された被処理体を処理する液処理方法であって、前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程と、表面処理された前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを有することを特徴とする。   The recording medium according to the present invention is a storage medium storing a computer program for causing a liquid processing apparatus to execute a liquid processing method. The liquid processing method includes a main body portion and a plurality of convex shapes protruding from the main body portion. A liquid processing method for processing a target object on which the base surface is formed on the main body part and between the convex parts, wherein the base surface of the target object is hydrophilized, And a surface treatment step for making the surface of the convex portion water-repellent, a rinsing liquid supply step for supplying a rinsing liquid to the surface-treated object, and from the object to be treated And a drying step for removing the rinse liquid.

本発明によれば、被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程の前に、被処理体を表面処理する表面処理工程を設け、被処理体の下地面が親水化し、かつ凸状部表面が撥水化した状態となるようにしている。このことにより、被処理体からリンス液を除去する際、被処理体の面内でリンス液が乾燥した部分とリンス液で濡れた部分とが混在することを防止し、凸状部が倒壊することを防止することができる。   According to the present invention, the surface treatment process for surface-treating the object to be treated is provided before the rinse liquid supply process for supplying the rinse liquid to the object to be treated, so that the lower ground of the object to be treated becomes hydrophilic and convex. The surface of the shaped part is made water-repellent. As a result, when removing the rinsing liquid from the object to be processed, the portion where the rinsing liquid is dried and the part wet with the rinsing liquid are prevented from being mixed in the surface of the object to be processed, and the convex part collapses. This can be prevented.

本発明の一実施の形態における液処理方法に用いられる被処理基板(被処理体)を示す図である。It is a figure which shows the to-be-processed substrate (to-be-processed object) used for the liquid processing method in one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態による液処理装置の構成を示す側方断面図である。1 is a side sectional view showing a configuration of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態による液処理装置の構成を示す上方平面図である。1 is an upper plan view showing a configuration of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態による液処理方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the liquid processing method by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態による液処理方法の各工程における被処理基板の状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state of the to-be-processed substrate in each process of the liquid processing method by one embodiment of this invention. 被処理基板の凸状部が倒壊する原理を説明するための側方断面図である。It is a sectional side view for demonstrating the principle that the convex part of a to-be-processed substrate collapses. 被処理基板からリンス液を乾燥させて除去する際の被処理基板を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the to-be-processed substrate at the time of drying and removing the rinse liquid from a to-be-processed substrate. 本発明の一実施の形態の変形例による液処理方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the liquid processing method by the modification of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の変形例による液処理方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the liquid processing method by the modification of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の変形例による液処理装置の構成を示す上方平面図である。It is an upper top view which shows the structure of the liquid processing apparatus by the modification of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の変形例による液処理方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the liquid processing method by the modification of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態の変形例による液処理方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the liquid processing method by the modification of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態で用いられる被処理基板の別の態様を示す側方断面図である。It is side sectional drawing which shows another aspect of the to-be-processed substrate used by one embodiment of this invention. 比較例における、被処理基板からリンス液を乾燥させて除去する際の、被処理基板を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a to-be-processed substrate at the time of drying and removing the rinse liquid from a to-be-processed substrate in a comparative example.

以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図7を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

被処理体の構成
まず、図1(a)(b)により、本実施の形態による液処理方法において用いられる被処理基板(被処理体)の構成について説明する。図1(a)は、被処理基板の一部を示す概略平面図であり、図1(b)は、被処理基板の一部を示す概略断面図(図1(a)のI−I線断面図)である。
Configuration of the object to be processed First, the structure of the substrate to be processed (object to be processed) used in the liquid processing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a schematic plan view showing a part of a substrate to be processed, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view showing a part of the substrate to be processed (II line in FIG. 1A). FIG.

図1(a)(b)に示すように、本実施の形態による液処理方法に用いられる被処理基板(被処理体)Wは、平板状の基板本体部(本体部)Wと、基板本体部W上に突設された複数の凸状部Wとを有している。このうち各凸状部Wは、所定のパターンで基板本体部Wに形成されており、具体的にはそれぞれシリンダー(円筒)形状を有している。図1(a)に示すように、各凸状部Wは、平面から見て縦横に所定の間隔を空けて配置されている。 As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), a substrate to be processed (object to be processed) W used in the liquid processing method according to the present embodiment includes a plate-like substrate main body (main body) Wi and a substrate. and a plurality of convex portions W m which protrudes on the body portion W i. Among the convex portions W m is formed on the substrate body W i in a predetermined pattern, respectively specifically comprises a cylinder (cylindrical) shape. As shown in FIG. 1 (a), the convex portion W m are arranged at predetermined intervals in the vertical and horizontal as viewed from the plane.

また、基板本体部W上であって凸状部W間には、下地面Wが形成されている。基板本体部Wの下地面Wを構成する材料としては、例えばSiN、Si、SiO、などのSi系材料を挙げることができ、凸状部Wを構成する材料としては、例えばTiN(チタンナイトライド)、W(タングステン)、Hf(ハフニウム)、Poly−Siなどの金属系材料を挙げることができる。以下においては、当初、基板本体部Wの下地面Wが撥水性の材料(例えばSiN)からなり、凸状部Wの材料(例えばTiN)の表面が親水性である場合を例にとって説明するが、これに限定されるものではない。また、このような被処理基板Wとしては、半導体ウエハなどの被処理基板を例として挙げることができるが、これに限定されるものではない。 Further, between the convex portion W m a substrate main body W i, underlying surface W f is formed. Examples of the material constituting the underlying surface W f of the substrate body W i, for example SiN, Si, mention may be made of Si material of SiO 2, etc., as the material constituting the convex portion W m, for example TiN Examples thereof include metal materials such as (titanium nitride), W (tungsten), Hf (hafnium), and Poly-Si. In the following, initially, underlying surface W f of the substrate body W i consists of water-repellent material (e.g. SiN), a case where the surface of the convex portion W m of the material (e.g., TiN) is hydrophilic for example Although explained, it is not limited to this. Moreover, as such a to-be-processed substrate W, to-be-processed substrates, such as a semiconductor wafer, can be mentioned as an example, However, It is not limited to this.

液処理装置の構成
次に、図2および図3により、本実施の形態による液処理装置の構成について説明する。図2および図3は、本実施の形態による液処理装置を示す図である。
Next, the configuration of the liquid processing apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are diagrams showing a liquid processing apparatus according to the present embodiment.

図2に示すように、液処理装置10は、被処理基板Wを回転可能に保持する基板保持機構50を備えている。この基板保持機構50は、中空構造となった支持プレート51と、支持プレート51上に設けられ、被処理基板Wの基板本体部Wを保持して支持する支持部57とを有している。 As shown in FIG. 2, the liquid processing apparatus 10 includes a substrate holding mechanism 50 that rotatably holds a substrate W to be processed. The substrate holding mechanism 50 includes a support plate 51 which is a hollow structure, provided on the support plate 51, and a support portion 57 for supporting and holding the substrate body W i of the target substrate W .

また、支持プレート51の下面に、上下方向に延在するとともに中空構造となった回転軸52が連結されている。支持プレート51の中空内には、被処理基板Wの基板本体部Wの裏面(下面)に当接可能なリフトピン55aを有するリフトピンプレート55が配置されている。このリフトピンプレート55の下面には、回転軸52の中空内で上下方向に延びるリフト軸56が連結されている。 A rotating shaft 52 that extends in the vertical direction and has a hollow structure is connected to the lower surface of the support plate 51. The hollow of the support plate 51, are arranged lift pin plate 55 having a contact capable of lift pins 55a on the rear surface (lower surface) of the substrate body W i of the target substrate W. A lift shaft 56 extending in the vertical direction in the hollow of the rotary shaft 52 is connected to the lower surface of the lift pin plate 55.

またリフト軸56の下端部には、リフト軸56を上下方向に移動させるリフト駆動部45が設けられている。さらに、支持プレート51の周縁外方には、支持部57によって支持された被処理基板Wの周縁とその斜め上方を覆うためのカップ59が設けられている。なお、図2ではリフトピン55aが1つしか図示されていないが、実際には、リフトピンプレート55に3つのリフトピン55aが設けられている。   A lift driving unit 45 that moves the lift shaft 56 in the vertical direction is provided at the lower end of the lift shaft 56. Further, a cup 59 is provided outside the periphery of the support plate 51 to cover the periphery of the substrate W to be processed supported by the support portion 57 and the obliquely upper side thereof. In FIG. 2, only one lift pin 55 a is shown, but in reality, three lift pins 55 a are provided on the lift pin plate 55.

また、図2に示すように、液処理装置は、回転軸52の周縁外方に配置されたプーリ43と、このプーリ43に駆動ベルト42を介して駆動力を付与するモータ41とを有する回転駆動機構40を更に備えている。   Further, as shown in FIG. 2, the liquid processing apparatus includes a pulley 43 disposed on the outer periphery of the rotating shaft 52 and a motor 41 that applies a driving force to the pulley 43 via a driving belt 42. A drive mechanism 40 is further provided.

そして、この回転駆動機構40は、モータ41が回転軸52を回転させることにより、回転軸52を中心に支持部57を回転させ、この結果、基板保持機構50の支持部57によって保持されて支持された被処理基板Wを回転させるように構成されている。なお、回転軸52の周縁外方にはベアリング44が配置されている。   The rotation drive mechanism 40 rotates the support shaft 57 around the rotation shaft 52 when the motor 41 rotates the rotation shaft 52. As a result, the rotation drive mechanism 40 is supported and supported by the support portion 57 of the substrate holding mechanism 50. The processed substrate W is rotated. A bearing 44 is disposed on the outer periphery of the rotating shaft 52.

また、図3に示すように、液処理装置10は、基板保持機構50に保持された被処理基板Wに対して薬液、リンス液、および置換促進液を各々供給する薬液供給機構20、リンス液供給機構25、および置換促進液供給機構30を備えている。また、液処理装置10は、被処理基板Wに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Wの下地面(Si系材料、例えばSiN)がリンス液に対して親水化し、かつ凸状部表面(金属系材料、例えばTiN)がリンス液に対して撥水化した状態となるようにする表面処理機構70を更に備えている。   Further, as shown in FIG. 3, the liquid processing apparatus 10 includes a chemical liquid supply mechanism 20 that supplies a chemical liquid, a rinsing liquid, and a substitution accelerating liquid to the target substrate W held by the substrate holding mechanism 50, and a rinsing liquid. A supply mechanism 25 and a substitution promoting liquid supply mechanism 30 are provided. Further, the liquid processing apparatus 10 performs surface treatment on the substrate W to be processed, so that the lower ground (Si-based material, eg, SiN) of the substrate W to be processed becomes hydrophilic with respect to the rinsing liquid, and the convex portion A surface treatment mechanism 70 is further provided to make the surface (metallic material, for example, TiN) water repellent with respect to the rinsing liquid.

このうち薬液供給機構20は、基板保持機構50の支持部57によって支持された被処理基板Wに対して、薬液を供給するものである。この薬液供給機構20は、薬液を供給する薬液供給部21と、薬液供給部21から供給された薬液を案内する薬液供給管22と、薬液供給管22からの薬液を被処理基板Wに吐出する液供給ノズル23とを有している。なお、薬液供給管22の一部は液供給アーム11内を通過しており、液供給ノズル23は、当該液供給アーム11の端部に設けられている。なお、本実施の形態で用いられる薬液としては、例えば、希フッ酸(DHF)、硫酸過水(SPM)、アンモニア過水(SC1)などを挙げることができるが、これに限られるものではない。   Among these, the chemical solution supply mechanism 20 supplies the chemical solution to the substrate W to be processed supported by the support portion 57 of the substrate holding mechanism 50. The chemical solution supply mechanism 20 discharges the chemical solution supplied from the chemical solution supply pipe 22, the chemical solution supply pipe 22 that guides the chemical solution supplied from the chemical solution supply section 21, and the substrate to be processed W. And a liquid supply nozzle 23. A part of the chemical liquid supply pipe 22 passes through the liquid supply arm 11, and the liquid supply nozzle 23 is provided at the end of the liquid supply arm 11. Examples of the chemical solution used in the present embodiment include dilute hydrofluoric acid (DHF), sulfuric acid / hydrogen peroxide (SPM), and ammonia hydrogen peroxide (SC1), but are not limited thereto. .

また、リンス液供給機構25は、被処理基板Wに対してリンス液を供給するものであり、リンス液供給部26と、当該リンス液供給部26から供給されたリンス液を案内するリンス液供給管27とを有している。またリンス液供給管27の端部には上述した液供給ノズル23が連結されている。このリンス液供給管27の一部は、液供給アーム11内を通過している。なお、本実施の形態で用いられるリンス液としては、例えば純水(DIW)を用いることができるが、これに限られるものではない。   The rinse liquid supply mechanism 25 supplies a rinse liquid to the substrate W to be processed, and a rinse liquid supply that guides the rinse liquid supply unit 26 and the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply unit 26. Tube 27. The liquid supply nozzle 23 is connected to the end of the rinse liquid supply pipe 27. A part of the rinse liquid supply pipe 27 passes through the liquid supply arm 11. In addition, as a rinse liquid used in this Embodiment, although pure water (DIW) can be used, for example, it is not restricted to this.

また、置換促進液供給機構30は、被処理基板Wに対して置換促進液を供給するものであり、置換促進液供給部31と、当該置換促進液供給部31から供給された置換促進液を案内する置換促進液供給管32と、当該置換促進液供給管32の端部に連結された置換促進液供給ノズル33とを有している。この置換促進液供給管32の一部は、液供給アーム11内を通過している。なお、本実施の形態で用いられる置換促進液としては、例えばIPA(イソプロピルアルコール)、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)、HFE(ハイドロフルオロエーテル)などの両親媒性液を用いることができるが、これに限られるものではない。   The substitution promoting liquid supply mechanism 30 supplies a substitution promoting liquid to the substrate W to be processed. The substitution promoting liquid supply unit 31 and the substitution promoting liquid supplied from the substitution promoting liquid supply unit 31 are supplied. It has a substitution promoting liquid supply pipe 32 for guiding, and a substitution promoting liquid supply nozzle 33 connected to an end of the substitution promoting liquid supply pipe 32. A part of the substitution promoting liquid supply pipe 32 passes through the liquid supply arm 11. In addition, as a substitution acceleration | stimulation liquid used by this Embodiment, although amphiphilic liquids, such as IPA (isopropyl alcohol), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), HFE (hydrofluoroether), can be used, for example. It is not limited to this.

さらに図3に示すように、表面処理機構70は、親水処理液供給機構71と、撥水処理液供給機構75とを有している。   Further, as shown in FIG. 3, the surface treatment mechanism 70 includes a hydrophilic treatment liquid supply mechanism 71 and a water repellent treatment liquid supply mechanism 75.

このうち親水処理液供給機構71は、被処理基板Wの撥水性の下地面Wを親水化するための親水処理液を供給するものであり、親水処理液を供給する親水処理液供給部72と、親水処理液供給部72から供給された親水処理液を案内する親水処理液供給管73と、親水処理液供給管73に連結されるとともに液供給アーム11の端部に設けられた親水処理液供給ノズル74とを有している。なお、親水処理液供給管73の一部は、液供給アーム11内を通過する。本実施の形態で用いられる親水処理液としては、例えば、オゾン水を含む薬液や、SPMを含む薬液などを用いることができるが、これに限られるものではない。 Among hydrophilic treatment liquid supply mechanism 71 is for supplying the hydrophilic treatment liquid for hydrophilic underlying surface W f of the water repellency of the treated the substrate W, supplies to a hydrophilic treatment liquid hydrophilic treatment liquid supply unit 72 A hydrophilic treatment liquid supply pipe 73 for guiding the hydrophilic treatment liquid supplied from the hydrophilic treatment liquid supply unit 72; a hydrophilic treatment connected to the hydrophilic treatment liquid supply pipe 73 and provided at the end of the liquid supply arm 11; And a liquid supply nozzle 74. A part of the hydrophilic treatment liquid supply pipe 73 passes through the liquid supply arm 11. As the hydrophilic treatment liquid used in the present embodiment, for example, a chemical liquid containing ozone water, a chemical liquid containing SPM, or the like can be used, but the invention is not limited thereto.

一方、撥水処理液供給機構75は、被処理基板Wの親水性の凸状部Wの表面を撥水化するための撥水処理液を供給するものであり、撥水処理液を供給する撥水処理液供給部76と、撥水処理液供給部76から供給された撥水処理液を案内する撥水処理液供給管77と、撥水処理液供給管77に連結されるとともに液供給アーム11の端部に設けられた撥水処理液供給ノズル78とを有している。撥水処理液供給管77の一部は、液供給アーム11内を通過している。なお、本実施の形態で用いられる撥水処理液としては、例えば、ジメチルアミノトリメチルシラン(TMSDMA)、ジメチル(ジメチルアミノ)シラン(DMSDMA)、1,1,3,3−テトラメチルジシラン(TMDS)、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)などのシリル化剤や、フッ素ポリマー薬液や、界面活性剤などを含む薬液を用いることができるが、これに限られるものではない。 On the other hand, water-repellent liquid supply mechanism 75 is for supplying a water-repellent liquid for water repellent surface of the convex portion W m of the hydrophilic treated the substrate W, supplies the water-repellent liquid A water repellent treatment liquid supply section 76, a water repellent treatment liquid supply pipe 77 for guiding the water repellent treatment liquid supplied from the water repellent treatment liquid supply section 76, and a water repellent treatment liquid supply pipe 77 connected to the liquid. A water repellent treatment liquid supply nozzle 78 is provided at the end of the supply arm 11. A part of the water repellent treatment liquid supply pipe 77 passes through the liquid supply arm 11. Examples of the water repellent treatment liquid used in the present embodiment include dimethylaminotrimethylsilane (TMSDMA), dimethyl (dimethylamino) silane (DMSDMA), 1,1,3,3-tetramethyldisilane (TMDS). A silylating agent such as hexamethyldisilazane (HMDS), a chemical solution containing a fluoropolymer, a surfactant, or the like can be used, but is not limited thereto.

また、図3に示すように、液処理装置10は、液供給アーム11を揺動軸12を中心として水平方向(回転軸52に直交する方向)に揺動させる液供給アーム移動部13を有している。さらに、図2に示すように、液処理装置10は、当該液処理装置10自身、とりわけ薬液供給機構20、リンス液供給機構25、置換促進液供給機構30、回転駆動機構40、リフト駆動部45、基板保持機構50、および表面処理機構70を制御する制御部62も備えている。   As shown in FIG. 3, the liquid processing apparatus 10 has a liquid supply arm moving unit 13 that swings the liquid supply arm 11 in the horizontal direction (a direction orthogonal to the rotation shaft 52) around the swing shaft 12. doing. Further, as shown in FIG. 2, the liquid processing apparatus 10 includes the liquid processing apparatus 10 itself, in particular, the chemical liquid supply mechanism 20, the rinse liquid supply mechanism 25, the substitution promoting liquid supply mechanism 30, the rotation drive mechanism 40, and the lift drive unit 45. A control unit 62 that controls the substrate holding mechanism 50 and the surface treatment mechanism 70 is also provided.

ところで、本実施の形態においては、後述する液処理方法を液処理装置10に実行させるためのコンピュータプログラムが記憶媒体61に格納されている(図2参照)。そして、液処理装置は、当該記憶媒体61を受け付けるコンピュータ60も備えている。そして、制御部62は、コンピュータ60からの信号を受けて、液処理装置自身(より具体的には、薬液供給機構20、リンス液供給機構25、置換促進液供給機構30、回転駆動機構40、リフト駆動部45、基板保持機構50、および表面処理機構70等)を制御するように構成されている。なお、本願において記憶媒体61とは、例えば、CD、DVD、MD、ハードディスク、RAMなど、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体を意味している。   By the way, in the present embodiment, a computer program for causing the liquid processing apparatus 10 to execute a liquid processing method to be described later is stored in the storage medium 61 (see FIG. 2). The liquid processing apparatus also includes a computer 60 that receives the storage medium 61. And the control part 62 receives the signal from the computer 60, liquid processing apparatus itself (more specifically, the chemical | medical solution supply mechanism 20, the rinse liquid supply mechanism 25, the substitution promotion liquid supply mechanism 30, the rotation drive mechanism 40, The lift driving unit 45, the substrate holding mechanism 50, the surface treatment mechanism 70, and the like are configured to be controlled. In the present application, the storage medium 61 means a storage medium storing a computer program that operates on a computer, such as a CD, a DVD, an MD, a hard disk, and a RAM.

液処理装置を用いた液処理方法
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、具体的には上述した液処理装置を用いた液処理方法について説明する。なお、以下の各動作は、制御部62によって制御される。
Liquid Treatment Method Using Liquid Treatment Device Next, the operation of the present embodiment having such a configuration, specifically, the liquid treatment method using the above-described liquid treatment device will be described. The following operations are controlled by the control unit 62.

まず、リフト駆動部45によって、リフトピンプレート55が上方位置(搬送ロボット(図示せず)が被処理基板Wを受け渡す位置)に位置づけられる(上方位置づけ工程)。このとき、液供給アーム11は、支持プレート51の上方から外れた位置に位置している。   First, the lift drive unit 45 positions the lift pin plate 55 at the upper position (position where the transfer robot (not shown) delivers the substrate W to be processed) (upper positioning process). At this time, the liquid supply arm 11 is located at a position off the upper side of the support plate 51.

次に、リフトピンプレート55の3つのリフトピン55aによって、搬送ロボットから被処理基板Wが受け取られ、当該リフトピン55aによって被処理基板Wの裏面(下面)が支持される(受取工程)。   Next, the substrate to be processed W is received from the transfer robot by the three lift pins 55a of the lift pin plate 55, and the back surface (lower surface) of the substrate to be processed W is supported by the lift pins 55a (receiving step).

次に、リフト駆動部45によって、リフトピンプレート55が下方位置(被処理基板Wが薬液などによって処理される位置)に位置づけられる(下方位置づけ工程)(図2参照)。   Next, the lift drive unit 45 positions the lift pin plate 55 at a lower position (a position where the substrate W to be processed is processed with a chemical solution) (lower positioning step) (see FIG. 2).

このようにリフトピンプレート55が下方位置に位置づけられる間に、支持プレート51の支持部57によって、被処理基板Wの基板本体部Wが保持されるとともに支持される(支持工程)(図2参照)。このとき、被処理基板Wは、凸状部Wが上方に位置し、基板本体部Wが下方に位置するように位置づけられている(図1(b)参照)。 During this so that the lift pin plate 55 is positioned in the lower position, by the support portion 57 of the support plate 51, supported by (supporting step) together with the substrate body part W i of the target substrate W is held (see FIG. 2 ). At this time, the target substrate W is located above the convex portion W m, (see FIG. 1 (b)) of the substrate main body portion W i is positioned so as to be positioned downward.

またこのとき、液供給アーム移動部13によって、液供給アーム11が揺動軸12を中心として水平方向に移動されて、被処理基板Wの上方に液供給アーム11が移動させられる。   At this time, the liquid supply arm 11 is moved in the horizontal direction around the swing shaft 12 by the liquid supply arm moving unit 13, and the liquid supply arm 11 is moved above the substrate W to be processed.

次に、モータ41によって回転軸52が回転駆動されることによって、支持プレート51の支持部57で保持されて支持された被処理基板Wが回転する(回転工程)(図3の矢印A参照)。そして、このように被処理基板Wが回転している間に、以下の工程が行われる。   Next, when the rotating shaft 52 is rotationally driven by the motor 41, the substrate W to be processed held and supported by the support portion 57 of the support plate 51 rotates (rotation process) (see arrow A in FIG. 3). . And while the to-be-processed substrate W rotates in this way, the following processes are performed.

なお当初、被処理基板Wは、基板本体部W上であって、複数の凸状部W間に、例えばSiOからなる酸化膜Wが形成された状態となっている(図5(a)参照)。 Note Initially, the target substrate W is a substrate main body W i, between a plurality of convex portions W m, for example in a state of oxide film W o is formed consisting of SiO 2 (FIG. 5 (See (a)).

まず、薬液供給機構20によって、被処理基板Wに薬液が供給される(薬液供給工程S1)(図3および図4参照)。これにより、被処理基板Wの基板本体部W上に形成された酸化膜Wが選択的にエッチング除去される(図5(b)参照)。 First, a chemical solution is supplied to the substrate W to be processed by the chemical solution supply mechanism 20 (chemical solution supply step S1) (see FIGS. 3 and 4). Thus, the substrate main body portion W i on the formed oxide film W o of the substrate W is selectively etched away (see Figure 5 (b)).

次に、リンス液供給機構25から、薬液供給機構20によって薬液が供給された後の被処理基板Wの表面に、リンス液が供給される(リンス液供給工程S2)(図3および図4参照)。このようにリンス液を被処理基板Wに供給することにより、被処理基板Wにおける薬液の反応を停止するとともに、薬液を取り除くことができる。   Next, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply mechanism 25 to the surface of the substrate W to be processed after the chemical liquid is supplied by the chemical liquid supply mechanism 20 (rinse liquid supply step S2) (see FIGS. 3 and 4). ). By supplying the rinse liquid to the substrate to be processed W in this way, the reaction of the chemical liquid on the substrate to be processed W can be stopped and the chemical liquid can be removed.

次に、表面処理機構70の親水処理液供給機構71から、被処理基板Wの表面に、親水処理液が供給される(親水処理液供給工程S3)(図3および図4参照)。これにより、被処理基板Wの撥水性の下地面W(例えばSiN)が選択的に親水化される(図5(c)の太線部分参照)。なお、このようにして被処理基板Wの下地面Wが親水化されたとき、リンス液と下地面Wとの接触角が80°以上になることが好ましく、90°以上となることが更に好ましい。 Next, the hydrophilic treatment liquid is supplied from the hydrophilic treatment liquid supply mechanism 71 of the surface treatment mechanism 70 to the surface of the substrate W to be processed (hydrophilic treatment liquid supply step S3) (see FIGS. 3 and 4). As a result, the water-repellent ground W f (for example, SiN) of the substrate W to be processed is selectively hydrophilized (see the bold line portion in FIG. 5C). Incidentally, when the underlying surface W f of the thus treated substrate W is hydrophilic, it is preferable that the contact angle between the rinse solution and the underlying surface W f is at least 80 °, to be a least 90 ° Further preferred.

次に、置換促進液供給機構30から、親水処理液供給機構71によって親水処理液が供給された後の被処理基板Wの表面に、親水処理液を撥水処理液に置換するための置換促進液が供給される(置換促進液供給工程S4)(図3および図4参照)。なお、この置換促進液供給工程S4の前に、リンス液供給機構25から被処理基板Wの表面にリンス液が供給されても良い(リンス液供給工程)。   Next, replacement promotion for replacing the hydrophilic treatment liquid with the water repellent treatment liquid on the surface of the substrate W after the hydrophilic treatment liquid supply mechanism 71 supplies the hydrophilic treatment liquid from the substitution promotion liquid supply mechanism 30. Liquid is supplied (substitution promoting liquid supply step S4) (see FIGS. 3 and 4). In addition, before this substitution acceleration | stimulation liquid supply process S4, the rinse liquid may be supplied to the surface of the to-be-processed substrate W from the rinse liquid supply mechanism 25 (rinse liquid supply process).

次に、表面処理機構70の撥水処理液供給機構75から、被処理基板Wの表面に、撥水処理液が供給される(撥水処理液供給工程S5)(図3および図4参照)。これにより、被処理基板Wの、親水性となっている凸状部Wの表面(例えばTiN)が選択的に撥水化される(図5(d)の太線部分参照)。このとき被処理基板Wの下地面Wは親水化されたままの状態である。なお、このようにして被処理基板Wの凸状部Wの表面が撥水化されたとき、リンス液と凸状部Wとの接触角が30°以下になることが好ましく、20°以下となることが更に好ましく、10°以下となることが最も好ましい。 Next, the water repellent treatment liquid is supplied from the water repellent treatment liquid supply mechanism 75 of the surface treatment mechanism 70 to the surface of the substrate W to be processed (water repellent treatment liquid supply step S5) (see FIGS. 3 and 4). . Thus, to be processed the substrate W, the surface of the convex portion W m which is a hydrophilic (e.g., TiN) is selectively water-repellent (see bold lines in FIG. 5 (d)). Underlying surface W f in this case the target substrate W is in the state of being hydrophilic. Incidentally, when the surface of the convex portion W m of the thus substrate W is water-repellent, it is preferable that the contact angle between the rinsing liquid and the convex portion W m becomes 30 ° or less, 20 ° More preferably, it is more preferably 10 ° or less.

このように、親水処理液供給機構71からの親水処理液および撥水処理液供給機構75からの撥水処理液により、被処理基板Wの下地面Wが選択的に親水化され、かつ凸状部Wの表面が選択的に撥水化された状態となる。本実施の形態において、これら親水処理液供給工程S3と撥水処理液供給工程S5とにより、表面処理工程が構成されている。 Thus, the water-repellent liquid from hydrophilic treatment liquid and water-repellent liquid supply mechanism 75 from hydrophilic treatment liquid supply means 71, the underlying surface W f of the target substrate W is selectively hydrophilic and convex The surface of the W-shaped portion W m is selectively made water-repellent. In the present embodiment, the hydrophilic treatment liquid supply step S3 and the water repellent treatment liquid supply step S5 constitute a surface treatment step.

続いて、置換促進液供給機構30から、撥水処理液供給機構75によって撥水処理液が供給された後の被処理基板Wの表面に、撥水処理液をリンス液に置換するための置換促進液が供給される(置換促進液供給工程S6)(図3および図4参照)。   Subsequently, the replacement for replacing the water-repellent treatment liquid with the rinse liquid on the surface of the substrate W after the water-repellent treatment liquid supply mechanism 75 supplies the water-repellent treatment liquid from the substitution promoting liquid supply mechanism 30. The accelerating liquid is supplied (substitution accelerating liquid supplying step S6) (see FIGS. 3 and 4).

次に、リンス液供給部26から、被処理基板Wの表面に、リンス液が供給される(リンス液供給工程S7)(図3および図4参照)。   Next, a rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply unit 26 to the surface of the substrate W to be processed (rinsing liquid supply step S7) (see FIGS. 3 and 4).

なお、上述した薬液供給工程S1からリンス液供給工程S7までの間、被処理基板Wの凸状部Wが液面から露出しないようにしておく。 Incidentally, during the chemical liquid supply process S1 described above to rinsing liquid supplying step S7, keep as convex portion W m of the substrate to be processed W is not exposed from the liquid surface.

その後、リンス液供給部26からのリンス液の供給が停止され、次いで、モータ41の回転速度が上げられて、基板保持機構50が回転することにより被処理基板Wが乾燥される(乾燥工程S8)。これにより、リンス液が被処理基板Wの表面から除去される(図5(e)参照)。   Thereafter, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid supply unit 26 is stopped, the rotation speed of the motor 41 is then increased, and the substrate holding mechanism 50 is rotated to dry the substrate W to be processed (drying step S8). ). Thereby, the rinse liquid is removed from the surface of the substrate W to be processed (see FIG. 5E).

この結果、被処理基板Wがリンス液の液面から露出するが、凸状部Wの表面がリンス液に対して撥水化されているので、凸状部W間に働く表面張力を小さくすることができ、凸状部Wが倒壊することを防止することができる。また同時に、被処理基板Wの下地面Wがリンス液に対して親水化されているので、被処理基板Wの面内でリンス液が乾燥した部分とリンス液で濡れた部分とが混在することを防止し、凸状部Wが倒壊することを防止することができる。 As a result, although the target substrate W is exposed from the liquid surface of the rinsing liquid, the surface of the convex portion W m is water-repellent with respect to the rinsing liquid, the surface tension acting between the convex portion W m can be reduced, the convex portion W m can be prevented from being destroyed. At the same time, the underlying surface W f of the substrate W to be processed because it is hydrophilic with respect to the rinsing liquid, the wet part portion and rinsing liquid rinsing liquid in the plane of the substrate W is dried coexist it is possible to prevent the prevent the convex portion W m is collapsed it.

なお、上述のように被処理基板Wが回転して乾燥されている間に、液供給アーム移動部13によって、液供給アーム11が揺動軸12を中心として水平方向に移動されて、被処理基板Wの上方から外れた位置に液供給アーム11が移動させられる。   In addition, while the substrate to be processed W is rotated and dried as described above, the liquid supply arm 11 is moved in the horizontal direction around the swing shaft 12 by the liquid supply arm moving unit 13, so that the processing target is processed. The liquid supply arm 11 is moved to a position off the upper side of the substrate W.

次に、モータ41の回転が停止されて、被処理基板Wの回転が停止される(図3参照)。次に、リフト駆動部45によって、リフトピンプレート55が上方位置に位置づけられ、リフトピン55aによって被処理基板Wが持ち上げられる(上方位置づけ工程)。その後、搬送ロボットによって被処理基板Wが受け取られて搬出される(搬出工程)。   Next, the rotation of the motor 41 is stopped, and the rotation of the substrate W to be processed is stopped (see FIG. 3). Next, the lift pin plate 55 is positioned at the upper position by the lift driving unit 45, and the substrate W to be processed is lifted by the lift pins 55a (upper positioning process). Thereafter, the substrate W is received and carried out by the carrying robot (unloading step).

以上のように、本実施の形態によれば、リンス液を供給する工程(リンス液供給工程S7)の前に、被処理基板Wに親水処理液および撥水処理液を供給することにより(親水処理液供給工程S3および撥水処理液供給工程S5)、被処理基板Wの下地面Wが親水化し、かつ凸状部Wの表面が撥水化した状態となるようにしている。このことにより、凸状部Wの間で表面張力が働くことを防止することができる。また、被処理基板Wからリンス液を乾燥させて除去する際、被処理基板Wの面内でリンス液が乾燥した部分とリンス液で濡れた部分とが混在することを防止し、凸状部Wに作用するリンス液の表面張力のバランスが崩れることにより凸状部Wが倒壊することを防止することができる。 As described above, according to the present embodiment, before the step of supplying the rinsing liquid (rinsing liquid supply step S7), the hydrophilic treatment liquid and the water repellent treatment liquid are supplied to the substrate to be processed W (hydrophilicity). treatment liquid supplying step S3 and the water-repellent treatment liquid supply step S5), so that a state of the underlying surface W f of the target substrate W is hydrophilic, and the surface of the convex portion W m is water repellent. Thus, it is possible to prevent the surface tension acts between the convex portion W m. Further, when the rinsing liquid is removed by drying from the substrate to be processed W, the portion where the rinsing liquid is dried and the portion wetted with the rinsing liquid are prevented from being mixed in the surface of the substrate W to be processed. convex portion W m by collapse balanced surface tension of the rinsing liquid acting on W m can be prevented from being destroyed.

具体的には、凸状部W間にリンス液Rが存在する場合に凸状部Wを倒壊させようとする力Fは、以下の式によって導かれる(図6(a)参照)。

Figure 0005710738
Specifically, the force F that attempts to collapse the convex portion W m when rinsing liquid R between the convex portion W m is present, is guided by the following equation (see FIG. 6 (a)).
Figure 0005710738

ここで、γはリンス液Rと凸状部Wとの間の界面張力を意味し、θ(θ)はリンス液Rの凸状部Wの表面に対する傾斜角度を意味し、Hは凸状部Wの間のリンス液Rの液面高さを意味し、Dは凸状部Wの奥行きの長さを意味し(図示せず)、Sは凸状部W間の間隔を意味している(図6(a)参照)。 Here, γ means the interfacial tension between the rinse liquid R and the convex portion W m , θ (θ 1 ) means the inclination angle of the rinse liquid R with respect to the surface of the convex portion W m , and H is means a rinse liquid surface level of the R between the convex portion W m, D denotes the length in the depth of the convex portion W m (not shown), S is between the convex portion W m This means an interval (see FIG. 6A).

凸状部Wの表面が撥水化されていない場合には、リンス液Rが凸状部Wに引っ張られることで、図6(b)に示すように傾斜角度θが小さくなってしまう(cosθが大きくなってしまう)。この結果、凸状部Wを倒壊させようとする力Fが大きくなってしまい、凸状部Wが倒壊してしまう(図6(c)参照)。 If the surface of the convex portion W m is not water-repellent, by rinsing liquid R is pulled in the convex portion W m, the inclination angle theta 1 is decreased as shown in FIG. 6 (b) put away (cosθ 1 is increased). As a result, the force F that attempts to collapse the convex portion W m becomes large, the convex portion W m will be collapsed (see Figure 6 (c)).

これに対して、本実施の形態では、凸状部Wの表面が撥水処理液によって撥水化されているので、被処理基板Wが乾燥されていく過程で、リンス液Rの凸状部Wの表面に対する傾斜角度θを80°以上、または90°以上に保つことができ(図6(a)参照)、力Fを小さくすることができる。これにより、凸状部Wが倒壊されることを防止することができる。 In contrast, in the present embodiment, since the surface of the convex portion W m is water-repellent by the water-repellent treatment liquid, in the course of the target substrate W is gradually dried, convex rinsing liquid R The inclination angle θ 1 with respect to the surface of the portion W m can be maintained at 80 ° or more, or 90 ° or more (see FIG. 6A), and the force F can be reduced. Thus, it is possible to prevent the convex portion W m is collapsed.

また、本実施の形態では、被処理基板Wの下地面Wが親水化されているので、この親水性の下地面Wの界面張力が強くなり、被処理基板Wの下地面W上にリンス液が広がった状態を維持することができる。これにより、被処理基板Wからリンス液を乾燥させて除去する際(乾燥工程S8)、リンス液の液膜が親水化された下地面W上に広がる。そしてこの状態を維持したまま、徐々に液膜が薄くなるように被処理基板Wを乾燥させることができる。 In the present embodiment, since the lower ground W f of the substrate to be processed W is made hydrophilic, the interfacial tension of the hydrophilic lower ground W f is increased, and the upper surface W f of the substrate W to be processed is increased. It is possible to maintain a state in which the rinse liquid spreads. Accordingly, when removing by drying the rinsing liquid from the substrate W (drying step S8), the liquid film of the rinse liquid spreads on hydrophilized underlying surface W f. And while this state is maintained, the to-be-processed substrate W can be dried so that a liquid film may become thin gradually.

図7は、このようにリンス液を乾燥させて除去する際における(乾燥工程S8)、被処理基板Wの表面を示す概略断面図である。図7中、右方が被処理基板Wの中央部に対応しており、左方が被処理基板Wの周縁部に対応している(後述する図14についても同様)。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the surface of the substrate to be processed W when the rinse liquid is thus removed by drying (drying step S8). In FIG. 7, the right side corresponds to the central portion of the substrate to be processed W, and the left side corresponds to the peripheral portion of the substrate to be processed W (the same applies to FIG. 14 described later).

図7に示すように、被処理基板Wの下地面Wが親水化されているので、リンス液Rの液膜は、被処理基板Wの下地面W全体に広がり、被処理基板Wの面内でリンス液Rが乾燥した部分とリンス液Rで濡れた部分とが混在することはない。したがって、凸状部Wに作用するリンス液Rの表面張力のバランスが崩れることにより凸状部Wが倒壊することを防止することができる。また、被処理基板Wが回転する際の遠心力により、リンス液Rの液膜は、被処理基板Wの中央部で薄く、周縁部で厚くなるが、各凸状部W間においてはその厚みの差は極めて小さいので、凸状部Wが倒壊する現象は生じない。 As shown in FIG. 7, since the underlying surface W f of the substrate to be processed W is hydrophilic, the liquid film of rinsing liquid R is spread throughout the underlying surface W f of the target substrate W, the substrate to be processed W The portion where the rinse liquid R is dried in the surface and the portion wetted with the rinse liquid R are not mixed. Accordingly, the convex portion W m by the balance of the surface tension of the rinse liquid R that acts on the convex portion W m is lost can be prevented from being destroyed. Further, the centrifugal force when the target substrate W is rotated, the liquid film of rinsing liquid R is thin at the central portion of the substrate W, becomes thicker at the peripheral portion, between the convex portion W m is the since the difference in thickness is extremely small, the phenomenon that the convex portion W m is collapse does not occur.

さらに、上述したように、撥水処理液により凸状部Wの表面が撥水化した状態となっているので(撥水処理液供給工程S5)、リンス液Rの切れ方の違いにより凸状部Wを倒壊させようとする力が発生したとしても、その力はごくわずかであり、凸状部Wが倒壊することはない。 Further, as described above, since the surface of the convex portion W m is in the state of being water-repellent by the water-repellent treatment liquid (water-repellent liquid supplying step S5), the convex due to the difference in the way off of the rinse liquid R even force to collapse the Jo unit W m occurs, the force is negligible and, convex portion W m will not be destroyed.

他方、図14に示す比較例のように、被処理基板Wの下地面Wと凸状部Wの表面との両方を撥水化した場合、被処理基板W上にリンス液Rの液滴が生じてしまう。これにより、被処理基板Wの面内でリンス液Rが存在する部分とリンス液Rが存在しない部分とが混在し、凸状部Wに作用するリンス液Rの表面張力のバランスが崩れるので、凸状部Wが倒壊するおそれがある。また、リンス液Rの液滴は、被処理基板Wの中央部から周縁部に向けて移動するので(図14の矢印参照)、被処理基板Wの同一の場所でも、リンス液Rによって濡れたり乾いたりすることを繰り返すため、その度に凸状部Wに表面張力が働き、凸状部Wが倒壊するおそれがある。 On the other hand, as in the comparative example shown in FIG. 14, when both the lower ground W f of the substrate to be processed W and the surface of the convex portion W m are made water repellent, the liquid of the rinsing liquid R on the substrate to be processed W Drops are produced. Thus, a portion part and rinsing liquid R is present rinsing liquid R within the plane of the substrate to be processed W is absent are mixed, since the balance of the surface tension of the rinse liquid R that acts on the convex portion W m is lost , there is a possibility that the convex portion W m is collapsed. Further, since the droplet of the rinsing liquid R moves from the central portion of the substrate to be processed W toward the peripheral edge (see the arrow in FIG. 14), the droplets of the rinsing liquid R may be wetted by the rinsing liquid R even at the same location on the substrate to be processed W. to repeat that or dry, work surface tension in the convex portion W m each time, the convex portion W m there is a risk of collapse.

変形例
以下、本実施の形態の各変形例について、図8乃至図13を参照して説明する。図8乃至図13において、図1乃至図7に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Modified Examples Hereinafter, modified examples of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 13, the same parts as those of the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

上記では、表面処理工程において、親水処理液供給工程S3の後で、撥水処理液供給工程S5を行う態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、撥水処理液供給工程S5の後で、親水処理液供給工程S3が行われてもよい。すなわち、図8に示すように、薬液供給工程S1と乾燥工程S8の間において、リンス液供給工程S2、置換促進液供給工程S9、撥水処理液供給工程S5、置換促進液供給工程S4、親水処理液供給工程S3、およびリンス液供給工程S7を順次行ってもよい。   In the above description, the surface treatment process has been described using the aspect in which the water-repellent treatment liquid supply process S5 is performed after the hydrophilic treatment liquid supply process S3. However, the present invention is not limited to this, and the water-repellent treatment liquid supply process S5. Thereafter, the hydrophilic treatment liquid supply step S3 may be performed. That is, as shown in FIG. 8, between the chemical solution supplying step S1 and the drying step S8, a rinsing solution supplying step S2, a substitution accelerating solution supplying step S9, a water repellent treatment solution supplying step S5, a substitution accelerating solution supplying step S4, a hydrophilic The treatment liquid supply step S3 and the rinse liquid supply step S7 may be performed sequentially.

この場合にも、親水性の凸状部Wの表面を撥水処理液によって撥水化し、かつ、撥水性の下地面Wを親水処理液によって親水化することができるので、乾燥工程S8において凸状部Wが倒壊することを防止することができる。 In this case, the surface of the convex portion W m of the hydrophilic and water repellent by the water-repellent treatment liquid, and, since the underlying surface W f of the water repellency may be hydrophilic by hydrophilic treatment liquid, a drying step S8 convex portion W m can be prevented from being collapsed in.

あるいは、親水処理液供給工程S3と、撥水処理液供給工程S5とを別々に行うのではなく、表面処理工程において、下地面Wの親水化と、凸状部Wの表面の撥水化とを同時に行っても良い。すなわち、図9に示すように、薬液供給工程S1と乾燥工程S8の間において、リンス液供給工程S2、親水撥水処理液供給工程S10、およびリンス液供給工程S7を順次行っても良い。この場合、表面処理工程において、被処理基板Wに対して、撥水性の下地面Wを親水化することと、親水性の凸状部Wの表面を撥水化することとを同時に実行する親水撥水処理液を供給する(親水撥水処理液供給工程S10)。なお、このような親水撥水処理液としては、例えば界面活性剤を含む薬液を用いることができる。 Alternatively, the hydrophilic treatment liquid supplying step S3, instead of performing the water repellent treatment liquid supplying step S5 separately, in the surface treatment step, a hydrophilizing the underlying surface W f, water-repellent surface of the convex portion W m May be performed simultaneously. That is, as shown in FIG. 9, between the chemical liquid supply process S1 and the drying process S8, the rinse liquid supply process S2, the hydrophilic water-repellent treatment liquid supply process S10, and the rinse liquid supply process S7 may be sequentially performed. In this case, in the surface treatment step, performed on the processed the substrate W, the method comprising hydrophilic underlying surface W f of the water repellency, and to water-repellent surface of the convex portion W m of the hydrophilic simultaneously The hydrophilic water-repellent treatment liquid is supplied (hydrophilic water-repellent treatment liquid supply step S10). In addition, as such a hydrophilic water-repellent treatment liquid, for example, a chemical liquid containing a surfactant can be used.

このように、被処理基板Wに対して親水撥水処理液を供給する場合、図10に示すように、表面処理機構70は、撥水性の下地面Wを親水化することと、親水性の凸状部Wの表面を撥水化することとを同時に実行する親水撥水処理液を供給する親水撥水処理液供給機構81を有している。この場合、親水撥水処理液供給機構81は、親水撥水処理液を供給する親水撥水処理液供給部82と、親水撥水処理液供給部82から供給された親水撥水処理液を案内する親水撥水処理液供給管83と、親水撥水処理液供給管83に連結されるとともに液供給アーム11の端部に設けられた親水撥水処理液供給ノズル84とを有している。親水撥水処理液供給管83の一部は、液供給アーム11内を通過している。 Thus, when supplying a hydrophilic water-repellent treatment liquid onto the target substrate W, as shown in FIG. 10, the surface processing mechanism 70 are that the hydrophilic underlying surface W f of the water repellent, hydrophilic and the surface of the convex portion W m having a hydrophilic water-repellent liquid hydrophilic water-repellent liquid supply mechanism 81 supplies to perform the method comprising: water-repellent at the same time. In this case, the hydrophilic water-repellent treatment liquid supply mechanism 81 guides the hydrophilic water-repellent treatment liquid supply part 82 that supplies the hydrophilic water-repellent treatment liquid and the hydrophilic water-repellent treatment liquid supplied from the hydrophilic water-repellent treatment liquid supply part 82. A hydrophilic water-repellent treatment liquid supply pipe 83, and a hydrophilic water-repellent treatment liquid supply pipe 84 connected to the hydrophilic water-repellent treatment liquid supply pipe 83 and provided at the end of the liquid supply arm 11. A part of the hydrophilic water-repellent treatment liquid supply pipe 83 passes through the liquid supply arm 11.

この場合にも、親水撥水処理液により、撥水性の下地面Wを選択的に親水化し、かつ、親水性の凸状部Wの表面を選択的に撥水化することができるので、乾燥工程S8において凸状部Wが倒壊することを防止することができる。さらに、撥水性の下地面Wを親水化することと、親水性の凸状部Wの表面を撥水化することとを、1回の工程で効率良く実行することができる。 In this case, the hydrophilic water-repellent liquid, selectively hydrophilic underlying surface W f of the water repellency, and it is possible to selectively water-repellent surface of the convex portion W m of the hydrophilic , it is possible to prevent the convex portion W m is collapsed in the drying step S8. Furthermore, the method comprising hydrophilic underlying surface W f of the water repellency, and to water-repellent surface of the convex portion W m of the hydrophilic can be performed efficiently in one step.

ところで、上記では、当初、基板本体部Wの下地面Wが撥水性の材料(例えばSiN)からなり、凸状部Wの材料(例えばTiN)の表面が親水性となっている場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。 Incidentally, in the above, initially, if the underlying surface W f of the substrate body W i consists of water-repellent material (e.g. SiN), the surface of the convex portion W m of the material (e.g., TiN) is in the hydrophilic However, the present invention is not limited to this.

例えば、凸状部Wの材料の表面が親水性となる一方で、基板本体部Wの下地面Wが初めから親水性の材料からなる場合は、親水処理液供給工程S3を省略しても良い。すなわち、図11に示すように、薬液供給工程S1と乾燥工程S8の間において、リンス液供給工程S2、置換促進液供給工程S4、撥水処理液供給工程S5、置換促進液供給工程S6、およびリンス液供給工程S7を順次行っても良い。この場合、図3において、表面処理機構70のうち親水処理液供給機構71を省略しても良い。 For example, while the surface of the material of the convex portion W m is hydrophilic, if the underlying surface W f of the substrate body W i is made of hydrophilic material from the beginning, omitting a hydrophilic treatment liquid supply process S3 May be. That is, as shown in FIG. 11, between the chemical solution supplying step S1 and the drying step S8, a rinsing solution supplying step S2, a substitution accelerating solution supplying step S4, a water repellent treatment solution supplying step S5, a substitution accelerating solution supplying step S6, and The rinse liquid supply step S7 may be performed sequentially. In this case, the hydrophilic treatment liquid supply mechanism 71 may be omitted from the surface treatment mechanism 70 in FIG.

あるいは、基板本体部Wの下地面Wが撥水性の材料からなる一方で、凸状部Wの材料の表面が初めから撥水性である場合は、撥水処理液供給工程S5を省略しても良い。すなわち、図12に示すように、薬液供給工程S1と乾燥工程S8の間において、リンス液供給工程S2、親水処理液供給工程S3、およびリンス液供給工程S7を順次行っても良い。この場合、図3において、表面処理機構70のうち撥水処理液供給機構75を省略しても良い。 Alternatively, while the underlying surface W f of the substrate body W i is made of a material of water-repellent, when the surface of the material of the convex portion W m is water-repellent from the beginning, omitting a water-repellent treatment liquid supplying step S5 You may do it. That is, as shown in FIG. 12, between the chemical liquid supply process S1 and the drying process S8, the rinse liquid supply process S2, the hydrophilic treatment liquid supply process S3, and the rinse liquid supply process S7 may be sequentially performed. In this case, the water repellent treatment liquid supply mechanism 75 in the surface treatment mechanism 70 may be omitted in FIG.

ところで、上記では、被処理基板Wの各凸状部Wがそれぞれシリンダー(円筒)形状からなる態様を用いて説明したが(図1(a)(b)参照)、これに限られるものではない。例えば、図13(a)(b)に示すように、被処理基板Wの各凸状部Wが細長い板形状を有していても良い。このような被処理基板Wにおいても、乾燥工程S8で凸状部Wが倒壊することを防止することができる。なお、図13(a)は、被処理基板の一部を示す概略平面図であり、図13(b)は、被処理基板の一部を示す概略断面図(図13(a)のXIII−XIII線断面図)である。 Incidentally, in the above description with reference to embodiments in which each convex portion W m of the substrate W is made of a cylinder (cylindrical) shape, respectively (see FIG. 1 (a) (b)), limited to this Absent. For example, as shown in FIG. 13 (a) (b), the convex portion W m of the substrate to be processed W may have an elongated plate shape. In such treated the substrate W, the convex portion W m in the drying step S8 is able to prevent collapse. 13A is a schematic plan view showing a part of the substrate to be processed, and FIG. 13B is a schematic cross-sectional view showing a part of the substrate to be processed (XIII- in FIG. 13A). FIG.

W 被処理基板(被処理体)
基板本体部(本体部)
凸状部
下地面
10 液処理装置
11 液供給アーム
20 薬液供給機構
25 リンス液供給機構
30 置換促進液供給機構
40 回転駆動機構
50 基板保持機構
51 支持プレート
52 回転軸
56 リフト軸
57 支持部
60 コンピュータ
61 記憶媒体
62 制御部
70 表面処理機構
71 親水処理液供給機構
75 撥水処理液供給機構
81 親水撥水処理液供給機構
W Substrate (Subject)
Wi substrate body (main body)
W m convex portion W f base surface 10 liquid processing device 11 liquid supply arm 20 chemical liquid supply mechanism 25 rinse liquid supply mechanism 30 substitution acceleration liquid supply mechanism 40 rotation drive mechanism 50 substrate holding mechanism 51 support plate 52 rotation shaft 56 lift shaft 57 Support unit 60 Computer 61 Storage medium 62 Control unit 70 Surface treatment mechanism 71 Hydrophilic treatment liquid supply mechanism 75 Water repellent treatment liquid supply mechanism 81 Hydrophilic water repellent treatment liquid supply mechanism

Claims (10)

本体部と、該本体部に突設された親水性の複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に撥水性の下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法において、
前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程であって、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給工程と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給工程とを含む、表面処理工程と、
前記下地面を親水化し、かつ前記凸状部表面を撥水化した状態に表面処理された前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを備え、
前記親水処理液供給工程と前記撥水処理液供給工程との間に、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する、置換促進液供給工程が設けられ、
前記表面処理工程から前記リンス液供給工程までの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しないことを特徴とする液処理方法。
A main body and a plurality of hydrophilic convex portions projecting from the main body, and a water repellent ground is formed between the convex portions on the main body. In a liquid treatment method for treating a body,
A surface treatment step for making the ground surface of the object to be treated hydrophilic and making the surface of the convex portion water repellent, wherein the ground surface is water repellent to the object to be treated. A hydrophilic treatment liquid supplying step for supplying a hydrophilic treatment liquid for hydrophilizing, and a water repellent treatment liquid supply for supplying a water repellent treatment liquid for repelling the hydrophilic convex surface to the object to be treated A surface treatment process including a process;
A rinsing liquid supply step of supplying a rinsing liquid to the object to be treated which has been subjected to a surface treatment in a state where the base surface is hydrophilized and the surface of the convex portion is water repellent;
A drying step of removing the rinse liquid from the object to be processed,
A replacement accelerating liquid for replacing the hydrophilic treatment liquid and the water repellent treatment liquid with each other is supplied to the object to be processed between the hydrophilic treatment liquid supply step and the water repellent treatment liquid supply step. An accelerating liquid supply step is provided;
The liquid processing method characterized in that the convex portion of the object to be processed is not exposed from the liquid surface during the period from the surface treatment step to the rinse liquid supply step.
前記被処理体の各前記凸状部は、それぞれシリンダー形状を有することを特徴とする請求項1記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein each of the convex portions of the object to be processed has a cylinder shape. 前記下地面がSi系材料からなり、各前記凸状部が金属系材料からなることを特徴とする請求項1又は2記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein the base surface is made of a Si-based material, and each of the convex portions is made of a metal-based material. 前記置換促進液供給工程の前に、前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の液処理方法。The liquid treatment according to any one of claims 1 to 3, wherein a rinsing liquid supply step for supplying a rinsing liquid to the object to be processed is provided before the replacement accelerating liquid supply step. Method. 本体部と、該本体部に突設された親水性の複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に撥水性の下地面が形成された、被処理体を処理する液処理装置において、
前記被処理体を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された前記被処理体に対して表面処理を行う表面処理機構と、 前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記表面処理機構および前記リンス液供給機構を制御する制御部とを備え、
前記表面処理機構は、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給機構と、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する置換促進液供給機構と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給機構とを含み、
前記制御部は、
前記表面処理機構の前記親水処理液供給機構を制御して、前記被処理体の前記下地面が親水化した状態となるようにし、かつ前記表面処理機構の前記撥水処理液供給機構を制御して、前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにし、
前記リンス液供給機構を制御して、前記下地面を親水化し、かつ前記凸状部表面を撥水化した状態に表面処理された前記被処理体に対して前記リンス液を供給し、
前記親水処理液供給機構によって前記被処理体の前記下地面が親水化した状態にすることと、前記撥水処理液供給機構によって前記凸状部表面が撥水化した状態にすることとの間に、前記置換促進液供給機構を制御して、前記被処理体に対して置換促進液を供給し、
前記親水処理液供給機構により前記被処理体の前記下地面を親水化した状態にするとともに前記撥水処理液供給機構により前記凸状部表面を撥水化した状態にしてから、前記リンス液供給機構により前記被処理体に対して前記リンス液を供給するまでの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しないようにすることを特徴とする液処理装置。
A main body and a plurality of hydrophilic convex portions projecting from the main body, and a water repellent ground is formed between the convex portions on the main body. In a liquid treatment apparatus for treating the body,
A substrate holding mechanism for holding the object to be processed;
A surface treatment mechanism for performing a surface treatment on the object to be processed held by the substrate holding mechanism; a rinse liquid supply mechanism for supplying a rinse liquid to the object to be processed;
A controller that controls the surface treatment mechanism and the rinse liquid supply mechanism,
The surface treatment mechanism includes: a hydrophilic treatment liquid supply mechanism that supplies a hydrophilic treatment liquid that hydrophilizes the water-repellent base surface to the object to be treated; and a hydrophilic treatment liquid and a repellent property to the object to be treated. A replacement accelerating liquid supply mechanism that supplies a substitution accelerating liquid for substituting the water treatment liquid with each other, and a water repellent treatment liquid that repels the hydrophilic surface of the convex portion is supplied to the object to be processed. Including a water repellent treatment liquid supply mechanism,
The controller is
Controlling the hydrophilic treatment liquid supply mechanism of the surface treatment mechanism so that the base surface of the object to be treated is in a hydrophilic state, and controlling the water repellent treatment liquid supply mechanism of the surface treatment mechanism; In order for the surface of the convex part to be in a water-repellent state,
Controlling the rinsing liquid supply mechanism to supply the rinsing liquid to the object to be treated which has been subjected to a surface treatment in a state in which the base surface is hydrophilized and the convex surface is water repellent;
Between making the said base surface of the said to-be-processed body hydrophilic by the said hydrophilic treatment liquid supply mechanism, and making the said convex-shaped part surface water-repellent by the said water-repellent treatment liquid supply mechanism. In addition, the replacement acceleration liquid supply mechanism is controlled to supply the replacement acceleration liquid to the object to be processed.
Supplying the rinsing liquid after making the base surface of the object to be treated hydrophilic by the hydrophilic treatment liquid supply mechanism and making the surface of the convex portion water repellent by the water repellent treatment liquid supply mechanism The liquid processing apparatus, wherein the convex portion of the target object is not exposed from the liquid surface until the rinse liquid is supplied to the target object by a mechanism.
前記基板保持機構は、前記被処理体を回転可能に保持しており、前記制御部は、前記基板保持機構を制御して、前記基板保持機構を回転させることにより、前記被処理体から前記リンス液を除去することを特徴とする請求項記載の液処理装置。 The substrate holding mechanism rotatably holds the object to be processed, and the control unit controls the substrate holding mechanism to rotate the substrate holding mechanism, so that the rinse from the object to be processed is performed. The liquid processing apparatus according to claim 5, wherein the liquid is removed. 前記被処理体の各前記凸状部は、それぞれシリンダー形状を有することを特徴とする請求項又は記載の液処理装置。 The liquid processing apparatus according to claim 5 or 6 , wherein each of the convex portions of the object to be processed has a cylindrical shape. 前記下地面がSi系材料からなり、各前記凸状部が金属系材料からなることを特徴とする請求項乃至のいずれか一項記載の液処理装置。 It becomes the lower ground a Si-based material, the liquid processing apparatus of any one of claims 5 to 7 wherein each said convex portion is characterized in that it consists of metallic material. 前記制御部は、前記置換促進液供給機構が前記被処理体に対して置換促進液を供給する前に、前記リンス液供給機構を制御して、前記被処理体に対してリンス液を供給することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一項記載の液処理装置。The controller controls the rinsing liquid supply mechanism to supply the rinsing liquid to the object to be processed before the replacement accelerating liquid supply mechanism supplies the replacement accelerating liquid to the object to be processed. The liquid processing apparatus according to claim 5, wherein the apparatus is a liquid processing apparatus. 液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記液処理方法は、
本体部と、該本体部に突設された親水性の複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に撥水性の下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法であって、
前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程であって、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給工程と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給工程とを含む、表面処理工程と、
前記下地面を親水化し、かつ前記凸状部表面を撥水化した状態に表面処理された前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを有し、
前記親水処理液供給工程と前記撥水処理液供給工程との間に、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する、置換促進液供給工程が設けられ、
前記表面処理工程から前記リンス液供給工程までの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しないことを特徴とする記憶媒体。
In a storage medium storing a computer program for causing a liquid processing apparatus to execute a liquid processing method,
The liquid treatment method includes:
A main body and a plurality of hydrophilic convex portions projecting from the main body, and a water repellent ground is formed between the convex portions on the main body. A liquid treatment method for treating a body,
A surface treatment step for making the ground surface of the object to be treated hydrophilic and making the surface of the convex portion water repellent, wherein the ground surface is water repellent to the object to be treated. A hydrophilic treatment liquid supplying step for supplying a hydrophilic treatment liquid for hydrophilizing, and a water repellent treatment liquid supply for supplying a water repellent treatment liquid for repelling the hydrophilic convex surface to the object to be treated A surface treatment process including a process;
A rinsing liquid supply step of supplying a rinsing liquid to the object to be treated which has been subjected to a surface treatment in a state where the base surface is hydrophilized and the surface of the convex portion is water repellent;
A drying step of removing the rinse liquid from the object to be processed,
A replacement accelerating liquid for replacing the hydrophilic treatment liquid and the water repellent treatment liquid with each other is supplied to the object to be processed between the hydrophilic treatment liquid supply step and the water repellent treatment liquid supply step. An accelerating liquid supply step is provided;
The storage medium, wherein the convex portion of the object to be processed is not exposed from the liquid surface during the period from the surface treatment step to the rinse liquid supply step.
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