JP5695832B2 - Chemically amplified photoresist composition and pattern forming method - Google Patents

Chemically amplified photoresist composition and pattern forming method Download PDF

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本発明は、化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法に関し、より詳細には、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に用いられるポジ型の化学増幅型フォトレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a chemically amplified photoresist composition and a pattern forming method. More specifically, the present invention relates to a positive type used in semiconductor microfabrication, manufacturing of circuit boards such as liquid crystals and thermal heads, and other photofabrication processes. The present invention relates to a chemically amplified photoresist composition and a pattern forming method using the same.

特許文献1には、ガラス転移温度が5℃以上異なる、アクリル酸誘導体モノマーに由来する構造単位及びメタクリル酸誘導体モノマーに由来する構造単位の少なくともいずれかを含有し、さらに脂環構造及び酸の作用により分解しアルカリ現像液への溶解性を増加させる基を含有する樹脂を少なくとも2種と活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。   Patent Document 1 contains at least one of a structural unit derived from an acrylic acid derivative monomer and a structural unit derived from a methacrylic acid derivative monomer, the glass transition temperature of which differs by 5 ° C. or more, and further has an alicyclic structure and an action of an acid. Describes a positive resist composition containing at least two types of resins containing a group that decomposes and increases the solubility in an alkaline developer and a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.

特開2004−302198号公報JP 2004-302198 A

従来の化学増幅型フォトレジスト組成物では、得られるパターンのラインエッジラフネス及び露光マージンが必ずしも満足できるものではない場合があった。   In the conventional chemically amplified photoresist composition, the line edge roughness and exposure margin of the obtained pattern may not always be satisfactory.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(B1)で表される酸発生剤と樹脂(A1)と樹脂(A2)とを含有し、
樹脂(A1)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
樹脂(A2)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
式(1)〜式(6)のいずれかを満たす化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a1):酸の作用によりアルカリ可溶となるC6〜C20飽和環状炭化水素基を有するアクリル系モノマー、
(a2):水酸基で置換されたアダマンチル基を有するアクリル系モノマー
(a3):ラクトン環を有するアクリル系モノマー
/T≦0.995 (1)
1.005≦S/T (2)
/T≦0.995 (3)
1.005≦S/T (4)
/T≦0.995 (5)
1.005≦S/T (6)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
[式(B1)中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1〜C6ペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は2価のC1〜C17飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基の−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよいC1〜C18脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC3〜C18飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
The present invention includes the following inventions.
[1] An acid generator represented by the formula (B1), a resin (A1), and a resin (A2) are contained.
Resin (A1) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Resin (A2) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
A chemically amplified photoresist composition satisfying any one of formulas (1) to (6).
(A1): an acrylic monomer having a C 6 to C 20 saturated cyclic hydrocarbon group that becomes alkali-soluble by the action of an acid,
(A2): Acrylic monomer having an adamantyl group substituted with a hydroxyl group (a3): Acrylic monomer having a lactone ring S 1 / T 1 ≦ 0.995 (1)
1.005 ≦ S 1 / T 1 (2)
S 2 / T 2 ≦ 0.995 (3)
1.005 ≦ S 2 / T 2 (4)
S 3 / T 3 ≦ 0.995 (5)
1.005 ≦ S 3 / T 3 (6)
S 1 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
S 2 : Charge amount (mol) of (a2) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol in resin (A1)
S 3 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
T 1 : In resin (A2), charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A2) is 100 mol
T 2 : In the resin (A2), the charged amount (mol) of (a2) when the total charged monomer amount of the resin (A2) is 100 mol
T 3 : Charge amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol in resin (A2)
[In Formula (B1), Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — of the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents a C 1 to C 18 aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or a C 3 to C 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, and the aliphatic hydrocarbon —CH 2 — contained in the group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]

〔2〕(a1)が、式(a1−1)で表されるモノマー又は式(a1−2)で表されるモノマーである〔1〕記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、C1〜C脂肪族炭化水素基又はC〜C10飽和環状炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。]
[2] The chemically amplified photoresist composition according to [1], wherein (a1) is a monomer represented by formula (a1-1) or a monomer represented by formula (a1-2).
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent a C 1 to C 8 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 10 saturated cyclic hydrocarbon group.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10. ]

〔3〕式(a1−1)で表されるモノマーが、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート、2−エチル−2−アダマンチルアクリレート、2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート、2−イソプロピル−2−アダマンチルアクリレート又は2−イソプロピル−2−アダマンチルメタクリレートである〔2〕記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [3] The monomer represented by the formula (a1-1) is 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl The chemically amplified photoresist composition according to [2], which is methacrylate, 2-isopropyl-2-adamantyl acrylate, or 2-isopropyl-2-adamantyl methacrylate.

〔4〕式(a1−2)で表されるモノマーが、1−エチル−1−シクロヘキシルアクリレート又は1−エチル−1−シクロヘキシルメタクリレートである〔2〕記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [4] The chemically amplified photoresist composition according to [2], wherein the monomer represented by the formula (a1-2) is 1-ethyl-1-cyclohexyl acrylate or 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate.

〔5〕(a2)が、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート又は3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートである〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [5] (a2) is 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl acrylate or 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate [ The chemically amplified photoresist composition according to any one of 1] to [4].

〔6〕(a2)が、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート又は3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートである〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [6] The chemically amplified photoresist composition according to any one of [1] to [5], wherein (a2) is 3,5-dihydroxy-1-adamantyl acrylate or 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate. .

〔7〕(a3)が、式(a3−1)で表されるモノマー、式(a3−2)で表されるモノマー又は式(a3−3)で表されるモノマーである〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
[式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表し、k3は1〜7の整数を表し、は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、C1〜C脂肪族炭化水素基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又はC1〜C脂肪族炭化水素基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。]
[7] (a3) is a monomer represented by formula (a3-1), a monomer represented by formula (a3-2), or a monomer represented by formula (a3-3) [1] to [ 6] The chemically amplified photoresist composition according to any one of [6].
[In Formula (a3-1)-Formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, k3 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents a C 1 to C 4 aliphatic hydrocarbon group.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or a C 1 -C 4 aliphatic hydrocarbon group.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1, q1 or r1 is 2 or more, a plurality of R a21 , R a22 or R a23 may be the same as or different from each other. ]

〔8〕S及びTの差が5モル%以上である〔1〕〜〔7〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [8] the difference S 1 and T 1 is 5 mol% or more [1] to chemically amplified photoresist composition according to any one of [7].

〔9〕樹脂(A1)が、(a1)、(a2)、(a3)及び(a4)を仕込み、重合させて得られる樹脂である〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a4):(a1)、(a2)及び(a3)とは異なるアクリル系モノマー
[9] The chemical amplification type according to any one of [1] to [8], wherein the resin (A1) is a resin obtained by charging and polymerizing (a1), (a2), (a3) and (a4) Photoresist composition.
(A4): Acrylic monomer different from (a1), (a2) and (a3)

〔10〕樹脂(A2)が、(a1)、(a2)、(a3)及び(a4)を仕込み、重合させて得られる樹脂である〔1〕〜〔9〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a4):(a1)、(a2)及び(a3)とは異なるアクリル系モノマー
[10] The chemical amplification type according to any one of [1] to [9], wherein the resin (A2) is a resin obtained by charging and polymerizing (a1), (a2), (a3) and (a4) Photoresist composition.
(A4): Acrylic monomer different from (a1), (a2) and (a3)

〔11〕Zがアリールスルホニウムカチオンであ〔1〕〜〔10〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [11] The chemically amplified photoresist composition according to any one of [1] to [10], wherein Z + is an arylsulfonium cation.

〔12〕Yが、アダマンチル基、オキソ−アダマンチル基又はシクロヘキシル基を有する基である〔1〕〜〔11〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [12] The chemically amplified photoresist composition according to any one of [1] to [11], wherein Y 1 is a group having an adamantyl group, an oxo-adamantyl group, or a cyclohexyl group.

〔13〕酸発生剤の含有量が、樹脂の合計量100質量部に対して、1〜20質量部である〔1〕〜〔12〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [13] The chemically amplified photoresist composition according to any one of [1] to [12], wherein the content of the acid generator is 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the resin.

〔14〕さらに窒素含有塩基性化合物を含む〔1〕〜〔13〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [14] The chemically amplified photoresist composition according to any one of [1] to [13], further comprising a nitrogen-containing basic compound.

〔15〕窒素含有塩基性化合物が、ジイソプロピルアニリンである〔14〕記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 [15] The chemically amplified photoresist composition according to [14], wherein the nitrogen-containing basic compound is diisopropylaniline.

〔16〕上記〔1〕〜〔15〕のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
組成物層に露光機を用いて露光する工程、
露光後の組成物層を加熱する工程、
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
[16] A step of applying the chemically amplified photoresist composition according to any one of [1] to [15] on a substrate,
Removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
Exposing the composition layer using an exposure machine;
Heating the composition layer after exposure,
The pattern formation method characterized by including the process of developing the composition layer after a heating using a image development apparatus.

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネス及び露光マージンを有するパターンを形成することができる。   According to the chemically amplified photoresist composition of the present invention, a pattern having excellent line edge roughness and exposure margin can be formed.

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物(以下、単に「レジスト組成物」という場合がある)は、式(B1)で表される酸発生剤と樹脂(A1)と樹脂(A2)とを含む。
なお、本明細書では、特に断りのない限り、各置換基の例示は、炭素数を適宜選択しながら、同様の置換基を有するいずれの化学構造を有する化合物等においても適用される。また、直鎖又は分岐の双方をとることができるものは、そのいずれをも含む。
The chemically amplified photoresist composition of the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “resist composition”) includes an acid generator represented by the formula (B1), a resin (A1), and a resin (A2). .
In the present specification, unless otherwise specified, examples of each substituent are applied to a compound having any chemical structure having the same substituent while appropriately selecting the number of carbon atoms. Moreover, the thing which can take both a linear or branched includes both.

〈樹脂〉
樹脂(A1)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
樹脂(A2)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
式(1)〜式(6)のいずれかを満たす。
(a1):酸の作用によりアルカリ可溶となるC6〜C20飽和環状炭化水素基を有するアクリル系モノマー、
(a2):水酸基で置換されたアダマンチル基を有するアクリル系モノマー
(a3):ラクトン環を有するアクリル系モノマー
/T≦0.995 (1)
1.005≦S/T (2)
/T≦0.995 (3)
1.005≦S/T (4)
/T≦0.995 (5)
1.005≦S/T (6)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
<resin>
Resin (A1) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Resin (A2) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Satisfy any one of the formulas (1) to (6).
(A1): an acrylic monomer having a C 6 to C 20 saturated cyclic hydrocarbon group that becomes alkali-soluble by the action of an acid,
(A2): Acrylic monomer having an adamantyl group substituted with a hydroxyl group (a3): Acrylic monomer having a lactone ring S 1 / T 1 ≦ 0.995 (1)
1.005 ≦ S 1 / T 1 (2)
S 2 / T 2 ≦ 0.995 (3)
1.005 ≦ S 2 / T 2 (4)
S 3 / T 3 ≦ 0.995 (5)
1.005 ≦ S 3 / T 3 (6)
S 1 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
S 2 : Charge amount (mol) of (a2) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol in resin (A1)
S 3 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
T 1 : In resin (A2), charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A2) is 100 mol
T 2 : In the resin (A2), the charged amount (mol) of (a2) when the total charged monomer amount of the resin (A2) is 100 mol
T 3 : Charge amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol in resin (A2)

樹脂の重量平均分子量は、樹脂の合成において、合成条件、例えば、反応時間や反応温度を変えることにより、調整することができる。   The weight average molecular weight of the resin can be adjusted by changing synthesis conditions such as reaction time and reaction temperature in the synthesis of the resin.

飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、例えば、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基)などの単環式の飽和環状炭化水素基;縮合した芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えば、ヒドロナフチル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基)などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環、シクロヘキサン環)又は多環(例えば、デカヒドロナフタレン環)とが縮合した基又は橋かけ環同士が縮合した基;これらが組み合わせられた基(メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基)等が挙げられる。
The saturated cyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, for example, a cycloalkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, A monocyclic saturated cyclic hydrocarbon group such as a cyclooctyl group; a group obtained by hydrogenating a condensed aromatic hydrocarbon group (for example, a hydronaphthyl group), a bridged cyclic hydrocarbon group (for example, an adamantyl group, Norbornyl group, methylnorbornyl group) and the like. Further, a group in which a bridging ring (for example, norbornane ring) and a single ring (for example, cycloheptane ring, cyclohexane ring) or polycyclic (for example, decahydronaphthalene ring) or a bridging ring are condensed as described below. Groups; groups in which these are combined (methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, methylnorbornyl group) and the like.

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。   As aromatic hydrocarbon group, phenyl group, naphthyl group, anthranyl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, biphenyl Groups, anthryl groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.

(a1)としては、例えば、式(a1−1)で表されるモノマー又は式(a1−2)で表されるモノマーが挙げられる。   Examples of (a1) include a monomer represented by formula (a1-1) or a monomer represented by formula (a1-2).

式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表す。但しLa1及びLa2で列挙した−O−等は、それぞれ、左側で式(a1−1)及び式(a1−2)の−CO−と結合し、右側でアダマンチル基又はシクロへキシル基と結合することを意味する。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、C1〜C8脂肪族炭化水素基又はC3〜C10飽和環状炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
In formula (a1-1) and formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, and k1 represents an integer of 1 to 7. However, —O— and the like enumerated for L a1 and L a2 are respectively bonded to —CO— of the formula (a1-1) and the formula (a1-2) on the left side, and to an adamantyl group or cyclohexyl group on the right side. Means to join.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent a C 1 to C 8 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 10 saturated cyclic hydrocarbon group.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.

脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、1−メチルエチル基(イソプロピル基)、n−ブチル基、1,1−ジメチルエチル基(tert−ブチル基)、2,2−ジメチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1,2−ジメチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、n−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、n−ヘキシル基、1−プロピルブチル基、ペンチル基、1−メチルペンチル基、1,4−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などのアルキル基が挙げられる。   Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, 1-methylethyl group (isopropyl group), n-butyl group, 1,1-dimethylethyl group (tert-butyl group), 2,2-dimethylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 1-ethylpropyl group, n-pentyl group, 1-methylbutyl Group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, n-hexyl group, 1-propylbutyl group, pentyl group, 1-methylpentyl group, 1,4-dimethylhexyl group, heptyl group, 1-methylheptyl group, octyl And alkyl groups such as nonyl, decyl, undecyl, and dodecyl groups.

式(a1−1)及び式(a1−2)においては、La1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくはC以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくはC以下、より好ましくはC以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
In the formula (a1-1) and the formula (a1-2), L a1 and L a2 are preferably, -O- or -O- (CH 2) f1 -CO- O- and is (wherein f1 is 1 to 4), and more preferably -O-.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
The aliphatic hydrocarbon group for R a6 and R a7 is preferably C 6 or less. Saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 8 or less, more preferably C 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.

アダマンチル基を有するモノマー(a1−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート及び2−イソプロピル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。   As a monomer (a1-1) which has an adamantyl group, the following are mentioned, for example. Among them, 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate and 2-isopropyl-2-adamantyl (meth) acrylate are preferable, and those in the form of methacrylate are more preferable.

シクロへキシル基を有するモノマー(a1−2)としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、1−エチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレートが好ましく、1−エチル−1−シクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。   As a monomer (a1-2) which has a cyclohexyl group, the following are mentioned, for example. Among these, 1-ethyl-1-cyclohexyl (meth) acrylate is preferable, and 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate is more preferable.

樹脂における(a1)に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The content of the structural unit derived from (a1) in the resin is usually from 10 to 95 mol%, preferably from 15 to 90 mol%, more preferably from 20 to 85 mol%, in all units of the resin. .

(a2)水酸基(ただし、カルボキシル基の−OH基は除く)で置換されたアダマンチル基を有するアクリル系モノマーとしては、例えば、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。   (A2) Examples of the acrylic monomer having an adamantyl group substituted with a hydroxyl group (excluding the —OH group of the carboxyl group) include a monomer represented by the formula (a2-1).

式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート及び(メタ)アクリル酸1−(3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチルが好ましく、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート及び3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレートがより好ましく、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート及び3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートがさらに好ましい。   As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the following are mentioned, for example. Among them, 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, and 1- (3,5-dihydroxy-1-adamantyloxycarbonyl) methyl (meth) acrylate are Preferably, 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate are more preferable, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate Is more preferable.

樹脂における式(a2)に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常3〜40モル%であり、好ましくは5〜35モル%であり、より好ましくは5〜30モル%である。   The content of the structural unit derived from the formula (a2) in the resin is usually from 3 to 40 mol%, preferably from 5 to 35 mol%, more preferably from 5 to 30 mol% in all the units of the resin. is there.

(a3)ラクトン環含有アクリル系モノマーとしては、式(a3−1)で表されるモノマー、式(a3−2)で表されるモノマー又は式(a3−3)で表されるモノマーが挙げられる。   Examples of the (a3) lactone ring-containing acrylic monomer include a monomer represented by the formula (a3-1), a monomer represented by the formula (a3-2), or a monomer represented by the formula (a3-3). .

式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、C1〜C4脂肪族炭化水素基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又はC1〜C4脂肪族炭化水素基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents a C 1 to C 4 aliphatic hydrocarbon group.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or a C 1 -C 4 aliphatic hydrocarbon group.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1, q1 or r1 is 2 or more, a plurality of R a21 , R a22 or R a23 may be the same as or different from each other.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6としては、La3で説明したものが挙げられる。
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−、−O−(CH2d1−CO−O−であることが好ましく(前記d1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。但しLa4〜La6で列挙した−O−等は、それぞれ、左側で式(a3−1)〜式(a3−3)の−CO−と結合し、右側でラクトン環と結合することを意味する。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a3-1) to the formula (a3-3), examples of L a4 to L a6 include those described for L a3 .
L a4 to L a6 are each independently preferably —O—, —O— (CH 2 ) d1 —CO—O— (wherein d1 is an integer of 1 to 4), more preferably -O-. However, —O— and the like enumerated in L a4 to L a6 mean that they are bonded to —CO— of the formula (a3-1) to the formula (a3-3) on the left side and to the lactone ring on the right side. To do.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。   Examples of the acid stable monomer (a3-1) having a γ-butyrolactone ring include the following.

γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。   As the acid stable monomer (a3-1) having a γ-butyrolactone ring, an acid labile monomer can also be exemplified. For example, the following are mentioned.

γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)としては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the acid stable monomer (a3-2) having a condensed ring of γ-butyrolactone ring and norbornane ring include the following.

γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有するモノマー(a3−2)として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。   As the monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring, an acid labile monomer can be exemplified. For example, the following are mentioned.

γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有するモノマー(a3−3)としては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the monomer (a3-3) having a condensed ring of γ-butyrolactone ring and cyclohexane ring include the following.

(a3)の中でも、(メタ)アクリル酸(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロ−2−オキソ−3−フリル、(メタ)アクリル酸2−(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。 Among (a3), (meth) acrylic acid (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yl, (meth) acrylic acid tetrahydro-2-oxo- 3-furyl, 2- (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yloxy) -2-oxoethyl (meth) acrylic acid is preferred, in the form of methacrylate Is more preferable.

樹脂における(a3)に由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常5〜50モル%であり、好ましくは10〜45モル%であり、より好ましくは15〜40モル%である。   The content of the structural unit derived from (a3) in the resin is usually 5 to 50 mol%, preferably 10 to 45 mol%, more preferably 15 to 40 mol% in all the units of the resin. .

樹脂(A1)及び樹脂(A2)の重量平均分子量が、好ましくは1,000以上100,000以下であり、より好ましくは2,000以上50,000以下であり、さらに好ましくは2,500以上30,000以下である。
なお、重量平均分子量は、例えば、GPC法によって測定した値であり、具体的には実施例において記載した測定条件により測定されたものなどが挙げられる。
The weight average molecular weight of the resin (A1) and the resin (A2) is preferably 1,000 or more and 100,000 or less, more preferably 2,000 or more and 50,000 or less, and further preferably 2,500 or more and 30. , 000 or less.
In addition, a weight average molecular weight is the value measured by GPC method, for example, Specifically, what was measured on the measurement conditions described in the Example, etc. are mentioned.

(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂(A1)及び(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂(A2)は、式(1)〜式(6)のいずれかを満たすことが好ましい。
(a1):酸の作用によりアルカリ可溶となるC6〜C20飽和環状炭化水素基を有するアクリル系モノマー、
(a2):水酸基で置換されたアダマンチル基を有するアクリル系モノマー
(a3):ラクトン環を有するアクリル系モノマー
/T≦0.995 (1)
1.005≦S/T (2)
/T≦0.995 (3)
1.005≦S/T (4)
/T≦0.995 (5)
1.005≦S/T (6)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モル%としたときの(a1)の仕込み量(モル%)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モル%としたときの(a2)の仕込み量(モル%)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モル%としたときの(a3)の仕込み量(モル%)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モル%としたときの(a1)の仕込み量(モル%)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モル%としたときの(a2)の仕込み量(モル%)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モル%としたときの(a3)の仕込み量(モル%)
Resin (A1) obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3) (A1) and (a1), (a2) and (a3) polymerized (A2) are represented by formulas (1) to It is preferable to satisfy any of the formula (6).
(A1): an acrylic monomer having a C 6 to C 20 saturated cyclic hydrocarbon group that becomes alkali-soluble by the action of an acid,
(A2): Acrylic monomer having an adamantyl group substituted with a hydroxyl group (a3): Acrylic monomer having a lactone ring S 1 / T 1 ≦ 0.995 (1)
1.005 ≦ S 1 / T 1 (2)
S 2 / T 2 ≦ 0.995 (3)
1.005 ≦ S 2 / T 2 (4)
S 3 / T 3 ≦ 0.995 (5)
1.005 ≦ S 3 / T 3 (6)
S 1 : Charge amount (mol%) of (a1) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol% in resin (A1)
S 2 : Charge amount (mol%) of (a2) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol% in resin (A1)
S 3 : Charge amount (mol%) of (a3) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol% in resin (A1)
T 1 : Charge amount (mol%) of (a1) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol% in resin (A2)
T 2 : Charge amount (mol%) of (a2) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol% in resin (A2)
T 3 : Charge amount (mol%) of (a3) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol% in resin (A2)

なかでも、S/T、S/T、S/Tのいずれかが、0.95以下または1.05以上であることが好ましく、0.9以下または1.1以上であることがより好ましい。
特に、S/Tが、0.95以下または1.05以上であることが好ましく、0.9以下または1.1以上であることがより好ましい。
Among them, any one of S 1 / T 1 , S 2 / T 2 , and S 3 / T 3 is preferably 0.95 or less or 1.05 or more, and 0.9 or less or 1.1 or more. More preferably.
In particular, S 1 / T 1 is preferably 0.95 or less or 1.05 or more, and more preferably 0.9 or less or 1.1 or more.

本発明のレジスト組成物は、樹脂(A1)及び樹脂(A2)とは異なる他の樹脂をさらに含有していてもよい。   The resist composition of the present invention may further contain another resin different from the resin (A1) and the resin (A2).

〈式(I)で表される酸発生剤(以下「酸発生剤(B)」という場合がある)〉
[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1〜C6ペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は2価のC1〜C17飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよいC1〜C18脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC3〜C18飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
<Acid generator represented by formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B)”)>
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1 to C 6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group is replaced by —O— or —CO—. Also good.
Y represents a C 1 to C 18 aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or a C 3 to C 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, and the aliphatic hydrocarbon —CH 2 — contained in the group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]

ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式(B1)では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluoro tert-butyl group, a perfluoropentyl group, and a perfluorohexyl group. It is done.
In formula (B1), Q 1 and Q 2 are each independently preferably a perfluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルキレン基、分岐状アルキレン基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2−プロピリデン基等の直鎖状アルキレン基;
直鎖状アルキレンに、アルキル基(特に、C1〜C4アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,2−プロピレン基、1−メチル−1,4−ブチレン基、2−メチル−1,4−ブチレン基等の分岐状アルキレン;
1,3−シクロブチレン基、1,3−シクロペンチレン基、1,4−シクロヘキシレン基、1,5−シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基である単環式の飽和環状炭化水素基;
1,4−ノルボルニレン基、2,5−ノルボルニレン基、1,5−アダマンチレン基、2,6−アダマンチレン基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group include a linear alkylene group, a branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic saturated cyclic hydrocarbon group, and a combination of two or more of these groups But you can.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkylene groups such as 17-diyl group, methylidene group, ethylidene group, propylidene group, 2-propylidene group;
A straight-chain alkylene, an alkyl group (in particular, C 1 -C 4 alkyl group, e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec- butyl group, tert- butyl group, etc.) the side chain of For example, 1-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,2-propylene group, 1-methyl-1,4-butylene group Branched alkylene such as 2-methyl-1,4-butylene group;
Monocyclic saturated cyclic hydrocarbon groups which are cycloalkylene groups such as 1,3-cyclobutylene group, 1,3-cyclopentylene group, 1,4-cyclohexylene group, 1,5-cyclooctylene group;
Examples thereof include polycyclic saturated cyclic hydrocarbon groups such as 1,4-norbornylene group, 2,5-norbornylene group, 1,5-adamantylene group, 2,6-adamantylene group and the like.

b1の飽和炭化水素基に含まれる−CH−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−6)が挙げられる。Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれか、さらに好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)が挙げられる。なお、式(b1−1)〜式(b1−6)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、左側でC(Q1)(Q2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−6)の具体例も同様である。 Examples of the group in which —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group of L b1 is replaced by —O— or —CO— include formula (b1-1) to formula (b1-6). L b1 is preferably any one of formulas (b1-1) to (b1-4), more preferably formula (b1-1) or formula (b1-2). Incidentally, the formula (b1-1) ~ formula (b1-6) are described together the left and right in the equation (B1), the left C (Q 1) (Q 2 ) - bound to, the right side Combines with -Y. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-6).

式(b1−1)〜式(b1−6)中、
b2は、単結合又はC1〜C15アルキレン基を表す。
b3は、単結合又はC1〜C12アルキレン基を表す。
b4は、C1〜C13アルキレン基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。
b5は、C1〜C15アルキレン基を表す。
b6及びLb7は、それぞれ独立に、C1〜C15アルキレン基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16である。
b8は、C1〜C14アルキレン基を表す。
b9は、C1〜C11アルキレン基を表す。
b10は、C1〜C11飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は12である。
中でも、式(b1−1)で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又は−CH−である式(b1−1)で表される2価の基がより好ましい。
In formula (b1-1) to formula (b1-6),
L b2 represents a single bond or a C 1 to C 15 alkylene group.
L b3 represents a single bond or a C 1 to C 12 alkylene group.
L b4 represents a C 1 to C 13 alkylene group. However, the upper limit of the carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents a C 1 to C 15 alkylene group.
L b6 and L b7 each independently represent a C 1 to C 15 alkylene group. However, the upper limit of the carbon number of L b6 and L b7 is 16.
L b8 represents a C 1 to C 14 alkylene group.
L b9 represents a C 1 to C 11 alkylene group.
L b10 represents a C 1 to C 11 saturated hydrocarbon group. However, the upper limit of the carbon number of L b9 and L b10 is 12.
Among these, a divalent group represented by the formula (b1-1) is preferable, and a divalent group represented by the formula (b1-1) in which L b2 is a single bond or —CH 2 — is more preferable.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.

b1の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、C6〜C18芳香族炭化水素基、C7〜C21アラルキル基、C2〜C4アシル基又はグリシジルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
The saturated hydrocarbon group for L b1 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group, a C 7 to C 21 aralkyl group, a C 2 to C 4 acyl group, and a glycidyloxy group. .
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
Examples of the aralkyl group include benzyl, phenethyl, phenylpropyl, trityl, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, and the like.
Examples of the acyl group include acetyl, propionyl, butyryl and the like.

Yの脂肪族炭化水素基としては、C1〜C6アルキル基が好ましい。
脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子(但しフッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、オキソ基、C1〜C12脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有C1〜C12脂肪族炭化水素基、C3〜C16飽和環状炭化水素基、C1〜C12アルコキシ基、C6〜C18芳香族炭化水素基、C7〜C21アラルキル基、C2〜C4アシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、C1〜C16脂肪族炭化水素基、C3〜C16飽和環状炭化水素基或いはC6〜C18芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。
ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブチトキシ基、tert−ブチトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。
Yの脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基における−CH−が−O−、−SO−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、エーテル結合又は環状エーテル結合(−CH−が−O−で置き換わった基)、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基(−CH−が−CO−で置き換わった基)、スルトン環基(隣り合う2つの−CH−が、それぞれ、−O−又は−SO−で置き換わった基)又はラクトン環基(隣り合う2つの−CH−が、それぞれ、−O−又は−CO−で置き換わった基)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group of Y, C 1 ~C 6 alkyl group is preferable.
Examples of the substituent of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group include a halogen atom (excluding a fluorine atom), a hydroxy group, an oxo group, a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group, and a hydroxy group-containing C. 1 -C 12 aliphatic hydrocarbon group, C 3 -C 16 saturated cyclic hydrocarbon group, C 1 -C 12 alkoxy groups, C 6 -C 18 aromatic hydrocarbon group, C 7 -C 21 aralkyl group, C 2 -C 4 acyl group, glycidyloxy group, or - (CH 2) j2 -O- CO-R b1 group (wherein, R b1 is, C 1 -C 16 aliphatic hydrocarbon group, C 3 -C 16 saturated cyclic Represents a hydrocarbon group or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group, j2 represents an integer of 0 to 4, and the like. The aliphatic hydrocarbon group, saturated cyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, aralkyl group, and the like, which are substituents for Y, may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxy group, and an oxo group.
Examples of the hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentoxy group, n-hexoxy group, heptoxy group, Examples include octoxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
Examples of the group in which —CH 2 — in the aliphatic hydrocarbon group and saturated cyclic hydrocarbon group of Y is replaced by —O—, —SO 2 — or —CO— include, for example, an ether bond or a cyclic ether bond (—CH 2 -Is a group in which -O- is substituted), a saturated cyclic hydrocarbon group having an oxo group (a group in which -CH 2 -is replaced by -CO-), and a sultone ring group (two adjacent -CH 2- groups are , —O— or —SO 2 —) or a lactone ring group (groups in which two adjacent —CH 2 — are replaced by —O— or —CO—, respectively).

特に、Yの飽和環状炭化水素基としては、式(Y1)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。
In particular, examples of the saturated cyclic hydrocarbon group for Y include groups represented by formulas (Y1) to (Y26).

飽和環状炭化水素基は、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   The saturated cyclic hydrocarbon group is preferably a group represented by any of the formulas (Y1) to (Y19), and more preferably the formula (Y11), the formula (Y14), the formula (Y15), or the formula (Y19 ), More preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aliphatic hydrocarbon group, include the following.

ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y that is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group include the following.

芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group, include the following.

−(CH2j2−O−CO−Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y that is a saturated cyclic hydrocarbon group in which the — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group is substituted include the following.

Yは、好ましくは置換基(例えば、オキソ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an adamantyl group which may have a substituent (for example, an oxo group or the like), more preferably an adamantyl group or an oxoadamantyl group.

式(B1)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、置換基Lb1が式(b1−1)である以下の式(b1−1−1)〜式(b1−1−1−9)で表されるアニオンが好ましい。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立にC1〜C4脂肪族炭化水素基(好ましくは、メチル基)を表す。 Examples of the sulfonate anion in the salt represented by the formula (B1) include, for example, the following formulas (b1-1-1) to (b1-1-1-) in which the substituent L b1 is the formula (b1-1). The anion represented by 9) is preferred. In the following formulae, the definition of the substituent has the same meaning as described above, and the substituents R b2 and R b3 each independently represent a C 1 to C 4 aliphatic hydrocarbon group (preferably a methyl group).

式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)中、
、Q及びLb2は、前記と同じ意味である。
b2及びRb3は、それぞれ独立にC1〜C4脂肪族炭化水素基(好ましくはメチル基)を表す。
In formula (b1-1-1) to formula (b1-1-9),
Q 1 , Q 2 and L b2 have the same meaning as described above.
R b2 and R b3 each independently represent a C 1 to C 4 aliphatic hydrocarbon group (preferably a methyl group).

脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Saturated cyclic substituted with a sulfonate anion or an aliphatic hydrocarbon group containing Y which is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted saturated cyclic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (b1-1) Examples of the sulfonate anion containing Y which is a hydrocarbon group and the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

−(CH2j2−O−CO−Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
As the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group and a divalent group represented by the formula (b1-1), For example, the following are mentioned.

ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (b1-1) include the following: Things.

芳香族炭化水素基又はアラルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group or an aralkyl group and a divalent group represented by the formula (b1-1) include the following. It is done.

環状エーテルであるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a cyclic ether and the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

ラクトン環であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a lactone ring and the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

オキソ基を有する飽和環状炭化水素であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon having an oxo group and a divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

スルトン環であるYと式(b1−1)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the sulfonate anion containing Y which is a sultone ring and the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Saturated cyclic substituted with a sulfonate anion or an aliphatic hydrocarbon group containing Y which is an aliphatic hydrocarbon group or an unsubstituted saturated cyclic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (b1-2) Examples of the sulfonate anion containing Y which is a hydrocarbon group and the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

−(CH2j2−O−CO−Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。 As the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group and a divalent group represented by the formula (b1-2), For example, the following are mentioned.

ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (b1-2) include the following: Things.

芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aromatic hydrocarbon group, and a divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

環状エーテルであるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a cyclic ether and the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

ラクトン環であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a lactone ring and the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

オキソ基を有するYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y having an oxo group and the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

スルトン環であるYと式(b1−2)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a sultone ring and the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

脂肪族炭化水素基又は無置換のYと式(b1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Y which is an aliphatic hydrocarbon group or a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a sulfonate anion or an aliphatic hydrocarbon group containing an unsubstituted Y and a divalent group represented by the formula (b1-3) Examples of the sulfonate anion containing the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an alkoxy group, and a divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (b1-3) include the following: Things.

オキソ基を有するYと式(b1−3)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y having an oxo group and the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y, which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an aliphatic hydrocarbon group, and a divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with an alkoxy group and a divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group substituted with a hydroxy group or a hydroxy group-containing aliphatic hydrocarbon group and a divalent group represented by the formula (b1-4) include the following: Things.

オキソ基を有する飽和環状炭化水素基であるYと式(b1−4)で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion containing Y which is a saturated cyclic hydrocarbon group having an oxo group and a divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

なかでも、式(b1−1)で表される2価の基を有する以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。
Among these, the following sulfonate anions having a divalent group represented by the formula (b1-1) are more preferable.

酸発生剤(B)に含まれるカチオンは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。   Examples of the cation contained in the acid generator (B) include an onium cation such as a sulfonium cation, an iodonium cation, an ammonium cation, a benzothiazolium cation, and a phosphonium cation. Among these, a sulfonium cation and an iodonium cation are preferable, and an arylsulfonium cation is more preferable.

式(B1)中のZ+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表される。 Z + in formula (B1) is preferably represented by any of formula (b2-1) to formula (b2-4).

これらの式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4〜Rb6は、それぞれ独立に、C1〜C30脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC6〜C18芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、C1〜C12アルコキシ基又はC6〜C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2〜C4アシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1〜C36脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基で置換されていてもよい。
In these formulas (b2-1) to (b2-4),
R b4 to R b6 each independently represent a C 1 to C 30 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group, or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, a C 1 to C 12 alkoxy group or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group, and the saturated cyclic hydrocarbon group is a halogen atom, C 2 -C 4 acyl group or glycidyloxy group may be substituted with, the aromatic hydrocarbon group, a halogen atom, hydroxy group, C 1 -C 36 aliphatic hydrocarbon group, C 3 -C 36 saturated cyclic hydrocarbon hydrogen radical or C 1 -C 12 alkoxy group may be substituted.

b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1〜C12脂肪族炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group or a C 1 to C 12 alkoxy group.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5.

b9及びRb10は、それぞれ独立に、C1〜C36脂肪族炭化水素基又はC3〜C36飽和環状炭化水素基を表す。
b11は、水素原子、C1〜C36脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基或いはC6〜C18芳香族炭化水素基を表す。
b9〜Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C36、より好ましくはC〜C12である。
b12は、C1〜C12脂肪族炭化水素基、C3〜C18飽和環状炭化水素基或いはC6〜C18芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、C1〜C12脂肪族炭化水素基、C1〜C12アルコキシ基、C3〜C18飽和環状炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
b9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよく、これらの環の−CH−は、−O−、−S−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
R b9 and R b10 each independently represent a C 1 to C 36 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group.
R b11 represents a hydrogen atom, a C 1 to C 36 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group, or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group for R b9 to R b11 is preferably C 1 to C 12 , and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 3 to C 36 , more preferably C 4 to C 12 .
R b12 represents a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 18 saturated cyclic hydrocarbon group, or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group. The aromatic hydrocarbon groups, C 1 -C 12 aliphatic hydrocarbon group, C 1 -C 12 alkoxy group, C 3 -C 18 saturated cyclic hydrocarbon group or alkylcarbonyloxy group may be substituted.
R b9 and R b10 , and R b11 and R b12 may be independently bonded to each other to form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring), These rings —CH 2 — may be replaced by —O—, —S— or —CO—.

b13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1〜C12脂肪族炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
b11は、−S−又は−O−を表す。
o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2〜t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13〜Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
R b13 to R b18 each independently represents a hydroxy group, a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group or a C 1 to C 12 alkoxy group.
L b11 represents -S- or -O-.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When any of o2 to t2 is 2, any of the plurality of R b13 to R b18 may be the same as or different from each other.

アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基である。
好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、及びイソボルニル基である。
好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。
置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。
b9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
b11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
Preferred aliphatic hydrocarbon groups are methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, octyl and 2-ethylhexyl. It is.
Preferred saturated cyclic hydrocarbon groups are cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclodecyl group, 2-alkyl-2-adamantyl group, 1- (1-adamantyl) -1-alkyl group, And an isobornyl group.
Preferred aromatic hydrocarbon groups are phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, biphenylyl group, naphthyl group. It is.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group (aralkyl group) whose substituent is an aromatic hydrocarbon group include a benzyl group.
Examples of the ring formed by R b9 and R b10 include a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium ring.
Examples of the ring formed by R b11 and R b12 include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、カチオン(b2−1)が好ましく、式(b2−1−1)で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)がさらに好ましい。   Among the cations (b2-1) to (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, the cation represented by the formula (b2-1-1) is more preferable, and the triphenylsulfonium cation (formula (b2) In (1-1), v2 = w2 = x2 = 0) is more preferable.

式(b2−1−1)中、
b19〜Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、C1〜C36脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C36である。
前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、C1〜C12アルコキシ基又はC6〜C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2〜C4アシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。
v2〜x2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。v2〜x2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19〜Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。
なかでも、Rb19〜Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、C1〜C12アルキル基、又はC1〜C12アルコキシ基である。
In formula (b2-1-1),
R b19 to R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, a C 1 to C 36 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group, or a C 1 to C 12 represents an alkoxy group.
The aliphatic hydrocarbon group is preferably C 1 to C 12 , and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 4 to C 36 .
The aliphatic hydrocarbon group, hydroxy group, may be substituted by C 1 -C 12 alkoxy or C 6 -C 18 aromatic hydrocarbon group.
The saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, a C 2 -C 4 acyl group or a glycidyloxy group.
v2 to x2 each independently represents an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1). When any one of v2 to x2 is 2 or more, any one of the plurality of R b19 to R b21 may be the same as or different from each other.
Among these, R b19 to R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, a C 1 to C 12 alkyl group, or a C 1 to C 12 alkoxy group.

カチオン(b2−1−1)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (b2-1-1) include the following.

カチオン(b2−2)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (b2-2) include the following.

カチオン(b2−3)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (b2-3) include the following.

カチオン(b2−4)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (b2-4) include the following.

酸発生剤(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが好ましい。   The acid generator (B1) is a combination of the above-described sulfonate anion and organic cation. The above-mentioned anion and cation can be arbitrarily combined, but any one of anion (b1-1-1) to anion (b1-1-9) and a cation (b2-1-1), and an anion ( A combination of any one of b1-1-3) to (b1-1-5) and a cation (b2-3) is preferable.

好ましい酸発生剤(B1)は、式(B1−1)〜式(B1−17)で表されるものである。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤(B1−1)、(B1−2)、(B1−6)、(B1−11)、(B1−12)、(B1−13)及び(B1−14)がより好ましい。   Preferred acid generators (B1) are those represented by formula (B1-1) to formula (B1-17). Among them, acid generators (B1-1), (B1-2), (B1-6), (B1-11), (B1-12), (B1-13) and (B1-14) containing a triphenylsulfonium cation ) Is more preferable.

酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A1)及び樹脂(A2)の合計量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。   The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the resin (A1) and the resin (A2). Part or less (more preferably 25 parts by weight or less).

〈塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物(C)を含有していることが適している。
塩基性化合物(C)の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01〜1質量%程度であることが好ましい。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The resist composition of the present invention suitably contains a basic compound (C).
The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 1% by mass based on the solid content of the resist composition.

塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物(例えば、アミン)である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、1級アミン、2級アミン及び3級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物(C)として、式(C2)で表される芳香族アミン、特に式(C2−1)で表されるアニリンが挙げられる。   The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound (for example, an amine). The amine may be an aliphatic amine or an aromatic amine. As the aliphatic amine, any of primary amine, secondary amine and tertiary amine can be used. The aromatic amine may be any of an amino group bonded to an aromatic ring such as aniline and a heteroaromatic amine such as pyridine. Preferable basic compound (C) includes an aromatic amine represented by the formula (C2), particularly an aniline represented by the formula (C2-1).

ここで、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。
c5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基)、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し前記脂肪族炭化水素基、前記飽和環状炭化水素基又は前記芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又はC1〜C6アルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、C1〜C4アルキル基で置換されていてもよい。
前記脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくはC〜C10程度である。
c7は、脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基)、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の水素原子は、上記と同様の置換基を有していてもよい。
m3は0〜3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。
c7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくはC〜C程度である。
Here, Ar c1 represents an aromatic hydrocarbon group.
R c5 and R c6 each independently represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkyl group or a cycloalkyl group), a saturated cyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. However the aliphatic hydrocarbon group, a hydrogen atom of the saturated cyclic hydrocarbon group or the aromatic hydrocarbon group, hydroxy group, amino group, or a C 1 -C 6 alkoxy group may be substituted with the amino group may be substituted by C 1 -C 4 alkyl group.
The aliphatic hydrocarbon group is preferably about C 1 to C 6 , the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably about C 5 to C 10 , and the aromatic hydrocarbon group is preferably C 6 it is a ~C about 10.
R c7 represents an aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkyl group or a cycloalkyl group), an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group. However, the hydrogen atom of an aliphatic hydrocarbon group, an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group may have a substituent similar to the above.
m3 represents an integer of 0 to 3. When m3 is 2 or more, the plurality of R c7 may be the same as or different from each other.
Aliphatic hydrocarbon group R c7, preferable number of carbon atoms of the saturated cyclic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group are the same as above, an alkoxy group of R c7 is independently in, preferably about C 1 -C 6.

芳香族アミン(C2)としては、例えば、1−ナフチルアミン及び2−ナフチルアミンなどが挙げられる。
アニリン(C2−1)としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
中でもジイソプロピルアニリン(特に2,6−ジイソプロピルアニリン)が好ましい。
Examples of the aromatic amine (C2) include 1-naphthylamine and 2-naphthylamine.
Examples of aniline (C2-1) include aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.
Of these, diisopropylaniline (particularly 2,6-diisopropylaniline) is preferable.

塩基性化合物(C)としては、式(C3)〜式(C11)で表される化合物が挙げられる。
ここで、
c8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。
窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11〜Rc14、Rc16〜Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。
芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23〜Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。
o3〜u3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。o3〜u3のいずれかが2以上であるとき、それぞれ、複数のRc20〜Rc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
c15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。
c15の脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C程度であり、アルカノイル基は、好ましくはC〜C程度である。
c1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキレン基)、−CO−、−C(=NH)−、−C(=NRc3)−、−S−、−S−S−又はこれらの組合せを表す。前記2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C程度である。
c3は、C1〜C4アルキル基を表す。
Examples of the basic compound (C) include compounds represented by the formulas (C3) to (C11).
here,
R c8 represents any of the groups described for R c7 above.
R c9 , R c10 , R c11 to R c14 , R c16 to R c19 and R c22 bonded to the nitrogen atom each independently represent any of the groups described for R c5 and R c6 .
R c20 , R c21 and R c23 to R c28 bonded to the aromatic carbon each independently represents any of the groups described for R c7 .
o3 to u3 each independently represents an integer of 0 to 3. When any of o3 to u3 is 2 or more, any of the plurality of R c20 to R c28 may be the same as or different from each other.
R c15 represents an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group or an alkanoyl group.
n3 represents an integer of 0 to 8. When n3 is 2 or more, the plurality of R c15 may be the same as or different from each other.
The aliphatic hydrocarbon group for R c15 is preferably about C 1 to C 6 , the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably about C 3 to C 6 , and the alkanoyl group is preferably C 2 to C 6. Degree.
L c1 and L c2 are each independently a divalent aliphatic hydrocarbon group (preferably an alkylene group), —CO—, —C (═NH) —, —C (═NR c3 ) —, —S—. , -SS- or a combination thereof. The divalent aliphatic hydrocarbon group is preferably about C 1 to C 6 .
R c3 represents a C 1 -C 4 alkyl group.

化合物(C3)としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。   Examples of the compound (C3) include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, Tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctyl Amine, methyl dinonyl amine, methyl didecyl amine, ethyl dibutyl amine, ethyl dipentyl amine, ethyl di Silamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylene Examples include diamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and the like.

化合物(C4)としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。
化合物(C5)としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。
化合物(C6)としては、例えば、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
化合物(C7)としては、例えば、2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
化合物(C8)としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
化合物(C9)としては、例えば、ピリジン、4−メチルピリジンなどが挙げられる。
化合物(C10)としては、例えば、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。
化合物(C11)としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。
Examples of the compound (C4) include piperazine.
Examples of the compound (C5) include morpholine.
Examples of the compound (C6) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound (C7) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound (C8) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound (C9) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound (C10) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, and 1,2-di. (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide, 4, 4'-dipyridyl disulfide, 2,2'-dipyridylamine, 2,2'-dipicolylamine and the like can be mentioned.
Examples of the compound (C11) include bipyridine.

〈溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤(E)を、組成物中90質量%以上の量で含有していてもよい。溶剤(E)を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤(E)の含有量は、組成物中90質量%以上(好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上)、99.9質量%以下(好ましくは99質量%以下)である。
溶剤(E)の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (sometimes referred to as "solvent (E)")
The resist composition of the present invention may contain the solvent (E) in an amount of 90% by mass or more in the composition. The resist composition of the present invention containing the solvent (E) is suitable for producing a thin film resist. The content of the solvent (E) is 90% by mass or more (preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more) and 99.9% by mass or less (preferably 99% by mass or less) in the composition.
The content of the solvent (E) can be measured by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, for example, sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes and the like can be used.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
組成物層に露光機を用いて露光する工程、
露光後の組成物層を加熱する工程、
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
A step of applying the above-described resist composition of the present invention on a substrate;
Removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
Exposing the composition layer using an exposure machine;
Heating the composition layer after exposure,
A step of developing the heated composition layer using a developing device is included.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が例示される。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が例示される。 The removal of the solvent is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate or by using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. As for the temperature in this case, about 50-200 degreeC is illustrated, for example. The pressure is exemplified by about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. The exposure light source emits ultraviolet laser light such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser, etc.) Various types of laser beam can be used, such as those that convert the wavelength of the laser beam from) to radiate a harmonic laser beam in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region.

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
The composition layer after the exposure is subjected to heat treatment for promoting the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using an alkali developer using a developing device.
The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、従来品と同等以上の解像度を示し、良好なラインエッジラフネス及び優れた露光マージンを与えるため、ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィならびにArF液浸露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。また、液浸露光のほか、ドライ露光にも用いることができる。さらに、ダブルイメージング用にも用いることができ、工業的に有用である。
<Application>
The chemically amplified resist composition of the present invention exhibits a resolution equal to or higher than that of conventional products, and provides good line edge roughness and an excellent exposure margin. Therefore, it is suitable for excimer laser lithography such as ArF and KrF and ArF immersion exposure lithography. It can be used as a suitable chemically amplified photoresist composition. In addition to immersion exposure, it can also be used for dry exposure. Furthermore, it can be used for double imaging and is industrially useful.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり質量基準である。また、重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified. The weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard product.

装置;HLC−8120GPC(東ソー(株)製)
カラム:TSKgel Multipore HXL−M 3本+ ガードカラム(東ソー(株)製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー(株)製)
分散度は、重量平均分子量Mw/数平均分子量Mnを意味する。数平均分子量は、RI又はUV検出にてポリスチレン換算で測定することができる。
Apparatus: HLC-8120GPC (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: 3 TSKgel Multipore HXL-M + guard column (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μL
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)
The degree of dispersion means weight average molecular weight Mw / number average molecular weight Mn. The number average molecular weight can be measured in terms of polystyrene by RI or UV detection.

また、化合物の構造は、NMR(GX−270型又はEX−270型;日本電子(株)製)、質量分析(LC:Agilent製1100型、MASS:Agilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)を用いて確認された。   The structure of the compound is NMR (GX-270 type or EX-270 type; manufactured by JEOL Ltd.), mass spectrometry (LC: Agilent 1100 type, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF. Type).

(酸発生剤B1の合成)
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部及びイオン交換水150部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。得られた混合物を100℃で3時間還流し、冷却し、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩164.4部(無機塩含有、純度62.7%)を得た。得られたジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩1.9部(純度62.7%)及びN,N−ジメチルホルムアミド9.5部に、1,1’−カルボニルジイミダゾール1.0部を添加し、2時間撹拌して混合物を調製した。
(Synthesis of acid generator B1)
To 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 150 parts of ion-exchanged water, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The resulting mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 164.4 parts of sodium difluorosulfoacetate (containing inorganic salt, purity 62.7%). To 1.9 parts (purity 62.7%) of difluorosulfoacetic acid sodium salt and 9.5 parts of N, N-dimethylformamide, 1.0 part of 1,1′-carbonyldiimidazole was added for 2 hours. A mixture was prepared by stirring.

一方、3−ヒドロキシアダマンチルメタノール1.1部及びN,N−ジメチルホルムアミド5.5部に、水素化ナトリウム0.2部を添加し、2時間撹拌した。この溶液に、前記の混合物を添加した。得られた混合物を15時間撹拌し、生成したジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステルナトリウム塩を含む溶液をそのまま次の反応に用いた。   On the other hand, 0.2 part of sodium hydride was added to 1.1 parts of 3-hydroxyadamantyl methanol and 5.5 parts of N, N-dimethylformamide, and stirred for 2 hours. To this solution was added the above mixture. The obtained mixture was stirred for 15 hours, and the resulting solution containing difluorosulfoacetate-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester sodium salt was used as it was in the next reaction.

得られたジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステルナトリウム塩を含む溶液に、クロロホルム17.2部及び14.8%トリフェニルスルホニウムクロライド水溶液2.9部を添加した。15時間撹拌した後、分液して有機層を回収した。次いで、残った水層をクロロホルム6.5部で抽出することにより有機層を回収した。さらに残った水層に、前記の抽出操作を繰り返して行い、さらに有機層を回収した。
前記の各有機層を合せた後、イオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を濃縮した。濃縮物にtert−ブチルメチルエーテル5.0部を添加し、撹拌し、濾過することにより白色固体として酸発生剤B1を0.2部得た。
To the obtained solution containing difluorosulfoacetate-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester sodium salt, 17.2 parts of chloroform and 2.9 parts of 14.8% aqueous triphenylsulfonium chloride were added. After stirring for 15 hours, the organic layer was recovered by liquid separation. Subsequently, the remaining aqueous layer was extracted with 6.5 parts of chloroform to recover the organic layer. Further, the above extraction operation was repeated on the remaining aqueous layer, and the organic layer was further recovered.
The organic layers were combined and then washed with ion exchange water. Thereafter, the obtained organic layer was concentrated. To the concentrate, 5.0 parts of tert-butyl methyl ether was added, stirred, and filtered to obtain 0.2 parts of acid generator B1 as a white solid.

(酸発生剤B2の合成)
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部及びイオン交換水250部を氷浴しながら、これに30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。得られた混合物を100℃で3時間還流し、冷却し、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩164.8部を得た(無機塩含有、純度62.6%)。得られたジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩5.0部(純度62.6%)、4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部及びエチルベンゼン100部を仕込み、濃硫酸0.8部を加え、これを30時間加熱還流した。得られた混合物を冷却し、濾過して固形物を回収した。これをtert−ブチルメチルエーテルで洗浄し、ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステルナトリウム塩5.5部を得た。H−NMRによる純度分析の結果、その純度は35.6%であった。
(Synthesis of acid generator B2)
While adding 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 250 parts of ion-exchanged water in an ice bath, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise thereto. The resulting mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The resulting solution was concentrated to obtain 164.8 parts of sodium difluorosulfoacetate (containing inorganic salt, purity 62.6%). The obtained sodium difluorosulfoacetate salt 5.0 parts (purity 62.6%), 4-oxo-1-adamantanol 2.6 parts and ethylbenzene 100 parts were added, concentrated sulfuric acid 0.8 part was added, Heated to reflux for 30 hours. The resulting mixture was cooled and filtered to recover the solid. This was washed with tert-butyl methyl ether to obtain 5.5 parts of difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt. As a result of purity analysis by 1 H-NMR, the purity was 35.6%.

得られたジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステルナトリウム塩5.4部(純度35.6%)を、アセトニトリル16部及びイオン交換水16部に加えた。これに、トリフェニルスルホニウムクロライド1.7部、アセトニトリル5部及びイオン交換水5部を添加した。これを15時間撹拌し、濃縮し、クロロホルム142部で抽出し、分液して有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層をさらに濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル24部でリパルプすることにより白色固体として酸発生剤B2を1.7部得た。   5.4 parts (purity 35.6%) of the obtained difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt was added to 16 parts acetonitrile and 16 parts ion-exchanged water. To this, 1.7 parts of triphenylsulfonium chloride, 5 parts of acetonitrile and 5 parts of ion-exchanged water were added. This was stirred for 15 hours, concentrated, extracted with 142 parts of chloroform, and separated to recover the organic layer. The collected organic layer was washed with ion-exchanged water, and the obtained organic layer was further concentrated. The concentrated solution was repulped with 24 parts of tert-butyl methyl ether to obtain 1.7 parts of acid generator B2 as a white solid.

(酸発生剤B3の合成)
3−ヒドロキシ−1−アダマンタンカルボン酸3.51部、無水THF75部を仕込み23℃で30分間攪拌した。次いで、カルボニルジイミダゾール2.89部、無水THF50部の混合溶液を23℃で滴下し、23℃で4時間攪拌した。得られた反応液を、2,2−ジフルオロ−2−スルホエタノールのナトリウム塩6.04部(純度60%)、無水THF50部の混合液中に54〜60℃で、25分間で滴下し、65℃で18時間加熱し、冷却し、ろ過した。得られたろ液を濃縮し、濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、ナトリウム 3−ヒドロキシ−1−アダマンチルカルボニルオキシメチルジフルオロメタンスルホナート2.99部を得た。
ナトリウム 3−ヒドロキシ−1−アダマンチルカルボニルオキシメチルジフルオロメタンスルホナート1.0部、クロロホルム30部を仕込み23℃で30分間攪拌した。次いで、塩化トリフェニルスルホニウム(13.1%水溶液)6.3部を23℃で12時間攪拌し、分液を行った。有機層にイオン交換水10部を添加、分液水洗を行った。この操作を3回行った。その後、硫酸マグネシウム1部を添加、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮して、化合物(B3)1.6部を得た。
(Synthesis of acid generator B3)
3.51 parts of 3-hydroxy-1-adamantanecarboxylic acid and 75 parts of anhydrous THF were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Next, a mixed solution of 2.89 parts of carbonyldiimidazole and 50 parts of anhydrous THF was added dropwise at 23 ° C., and the mixture was stirred at 23 ° C. for 4 hours. The obtained reaction solution was dropped into a mixed solution of 2,2-difluoro-2-sulfoethanol sodium salt 6.04 parts (purity 60%) and anhydrous THF 50 parts at 54-60 ° C. over 25 minutes, Heated at 65 ° C. for 18 hours, cooled and filtered. The obtained filtrate was concentrated, and the concentrate was fractionated into a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain sodium 3-hydroxy-1-adamantylcarbonyloxymethyldifluoromethanesulfone. 2.99 parts of nat were obtained.
Sodium 3-hydroxy-1-adamantylcarbonyloxymethyldifluoromethanesulfonate (1.0 part) and chloroform (30 parts) were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Next, 6.3 parts of triphenylsulfonium chloride (13.1% aqueous solution) was stirred at 23 ° C. for 12 hours, and liquid separation was performed. 10 parts of ion-exchanged water was added to the organic layer, followed by liquid separation washing. This operation was performed three times. Then, 1 part of magnesium sulfate was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated to obtain 1.6 parts of compound (B3).

本実施例に用いたモノマーは、下記の通りである。
The monomers used in this example are as follows.

〔樹脂A1の合成〕
モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比25:15:25:35の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを77.5℃で約5時間加熱した。
その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7200である共重合体を収率80%で得た。得られた共重合体を樹脂A1とした。
[Synthesis of Resin A1]
Monomer A, monomer B, monomer C and monomer D were charged at a molar ratio of 25: 15: 25: 35, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 77.5 ° C. for about 5 hours.
Thereafter, the reaction solution was purified by performing the operation of pouring into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 7200 in a yield of 80. %. The obtained copolymer was named resin A1.

〔樹脂A2の合成〕
モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比35:12:23:30の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを78℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8000である共重合体を収率70%で得た。得られた共重合体を樹脂A2とした。
[Synthesis of Resin A2]
Monomer A, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 35: 12: 23: 30, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 78 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 8,000 in a yield of 70. %. The obtained copolymer was named resin A2.

〔樹脂A3の合成〕
モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比43:6:21:30の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、2.6質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを87℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約3700である共重合体を収率81%で得た。得られた共重合体を樹脂A3とした。
[Synthesis of Resin A3]
Monomer A, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 43: 6: 21: 30, and 2.6 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 87 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by performing an operation of pouring it into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 3700 in a yield of 81. %. The obtained copolymer was designated as resin A3.

〔樹脂A4の合成〕
モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比42:6:21:31の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、0.65mol%と1.95mol%との割合で添加し、これを60℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約20000である共重合体を収率84%で得た。得られた共重合体を樹脂A4とした。
[Synthesis of Resin A4]
Monomer A, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 42: 6: 21: 31, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were 0.65 mol% and 1.95 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. And heated at 60 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 20,000 in a yield of 84. %. The resulting copolymer was designated as resin A4.

また、以下のモノマーを用いて樹脂を合成した。
〔樹脂A5の合成〕
モノマーF、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比28:14:6:21:31の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8200である共重合体を収率79%で得た。得られた共重合体を樹脂A5とした。
Resins were synthesized using the following monomers.
[Synthesis of Resin A5]
Monomer F, monomer E, monomer B, monomer C and monomer D are charged in a molar ratio of 28: 14: 6: 21: 31, and then 1.5 mass times dioxane with respect to the total mass of all monomers. Was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 8200 in a yield of 79. %. The obtained copolymer was designated as resin A5.

〔樹脂A6の合成〕
モノマーF、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比40:7.5:7.5:31:14の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを72℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8300である共重合体を収率72%で得た。得られた共重合体を樹脂A6とした。
[Synthesis of Resin A6]
Monomer F, monomer E, monomer B, monomer C and monomer D are charged in a molar ratio of 40: 7.5: 7.5: 31: 14, and then 1.5% relative to the total mass of all monomers. Mass times dioxane was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 72 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 8300 in a yield of 72. %. The obtained copolymer was designated as resin A6.

〔樹脂A7の合成〕
モノマーF、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比60:11:8:9:12の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.0質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを68℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約6000である共重合体を収率72%で得た。得られた共重合体を樹脂A7とした。
[Synthesis of Resin A7]
Monomer F, monomer E, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 60: 11: 8: 9: 12, and then 1.0 mass times dioxane with respect to the total mass of all monomers. Was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 68 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 6000 in a yield of 72. %. The obtained copolymer was named resin A7.

さらに、以下のモノマーを用いて樹脂を合成した。
〔樹脂A8の合成〕
モノマーF、モノマーG、モノマーB及びモノマーCを、モル比66:7:8:19の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.0質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7400である共重合体を収率69%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A8とした。
Further, a resin was synthesized using the following monomers.
[Synthesis of Resin A8]
Monomer F, monomer G, monomer B and monomer C were charged in a molar ratio of 66: 7: 8: 19, and then 1.0 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 7400 in a yield of 69. %. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A8.

〔樹脂A9の合成〕
モノマーF、モノマーG、モノマーB及びモノマーCを、モル比55:5:8:32の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.0質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを72℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約9600である共重合体を収率74%で得た。得られた共重合体を樹脂A9とした。
[Synthesis of Resin A9]
Monomer F, monomer G, monomer B and monomer C were charged in a molar ratio of 55: 5: 8: 32, and then 1.0 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 72 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 9600 in a yield of 74. %. The obtained copolymer was named resin A9.

〔樹脂A10の合成〕
モノマーF、モノマーG、モノマーB及びモノマーCを、モル比50:5:8:37の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.0質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを72℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約10300である共重合体を収率77%で得た。得られた共重合体を樹脂A10とした。
[Synthesis of Resin A10]
Monomer F, monomer G, monomer B and monomer C were charged in a molar ratio of 50: 5: 8: 37, and then 1.0 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 72 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 10300 in a yield of 77. %. The obtained copolymer was named resin A10.

さらに、以下のモノマーを用いて樹脂を合成した。
〔樹脂A11の合成〕
モノマーA、モノマーH、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比25:15:6:22:32の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計重量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを75℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約10000である共重合体を収率81%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A11とした。
Further, a resin was synthesized using the following monomers.
[Synthesis of Resin A11]
Monomer A, Monomer H, Monomer B, Monomer C and Monomer D are charged in a molar ratio of 25: 15: 6: 22: 32, and then 1.5 mass times dioxane with respect to the total weight of all monomers. Was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 75 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 10,000 in a yield of 81. %. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A11.

さらに、以下のモノマーを用いて樹脂を合成した。
〔樹脂A12の合成〕
モノマーF、モノマーG、モノマーB、モノマーC、モノマーD及びモノマーIを、モル比67:8:7:6:5:7の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計重量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを71℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約6100である共重合体を収率59%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A12とした。
Further, a resin was synthesized using the following monomers.
[Synthesis of Resin A12]
Monomer F, monomer G, monomer B, monomer C, monomer D and monomer I are charged in a molar ratio of 67: 8: 7: 6: 5: 7, and then 1. 5 mass times dioxane was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 71 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 6100 in a yield of 59. %. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A12.

〔樹脂A13の合成〕
モノマーF、モノマーB、モノマーC、モノマーD及びモノマーJを、モル比60:8:4:4:24の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計重量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。
その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8300である共重合体を収率61%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A13とした。
[Synthesis of Resin A13]
Monomer F, monomer B, monomer C, monomer D and monomer J are charged in a molar ratio of 60: 8: 4: 4: 24, and then 1.5 mass times dioxane with respect to the total weight of all monomers. Was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 73 ° C. for about 5 hours.
Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 8300 in a yield of 61. %. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A13.

〔樹脂A14の合成〕
モノマーA、モノマーB、モノマーC及びモノマーKを、モル比47:5:8:40の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計重量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを75℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(7:3)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約9600である共重合体を収率62%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A14とした。
[Synthesis of Resin A14]
Monomer A, monomer B, monomer C and monomer K were charged in a molar ratio of 47: 5: 8: 40, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total weight of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 75 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (7: 3) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 9600 in a yield of 62. %. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A14.

〔樹脂A15の合成〕
モノマーA、モノマーE、モノマーB、モノマーC及びモノマーJを、モル比38:22:6:14:20の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計重量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(7:3)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約9000である共重合体を収率77%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A15とした。
[Synthesis of Resin A15]
Monomer A, Monomer E, Monomer B, Monomer C and Monomer J are charged in a molar ratio of 38: 22: 6: 14: 20, and then 1.5 mass times dioxane with respect to the total weight of all monomers. Was added. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution was purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (7: 3) and precipitating three times to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of about 9000 in a yield of 77. %. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer represented by the following formula, and this was designated as resin A15.

〔樹脂H1及びH2の合成〕
特開2004−302198号公報記載の合成例2樹脂(1−2)と同様にして樹脂H1を、同合成例11樹脂(7−2)と同様にして樹脂H2を、それぞれ、合成した。樹脂H1の重量平均分子量は約11,540であり、樹脂H2の重量平均分子量は約3270であった。
[Synthesis of Resins H1 and H2]
Resin H1 was synthesized in the same manner as Synthesis Example 2 resin (1-2) described in JP-A-2004-302198, and Resin H2 was synthesized in the same manner as Synthesis Example 11 resin (7-2). The weight average molecular weight of the resin H1 was about 11,540, and the weight average molecular weight of the resin H2 was about 3270.

樹脂の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの各モノマーの仕込み量(モル)、重量平均分子量(Mw)を表1に示す。   Table 1 shows the charged amount (mol) and the weight average molecular weight (Mw) of each monomer when the total charged monomer amount of the resin is 100 mol.

実施例及び比較例
表2に示すように、上記で合成した成分及び以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。各実施例で使用した2種の樹脂のS/T、S/T、S/T、重量平均分子量の差(ΔMw)を表3に示す。
Examples and Comparative Examples etc. As shown in Table 2, the components synthesized above and the following components were mixed and dissolved, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition. did. Table 3 shows S 1 / T 1 , S 2 / T 2 , S 3 / T 3 , and the difference in weight average molecular weight (ΔMw ) of the two resins used in each Example.

<酸発生剤>
B4:トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホナート
<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン
C2:1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−7−ウンデセン
C3:4−ジメチルアミノピリジン
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Acid generator>
B4: Triphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate <basic compound: quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline C2: 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene C3: 4-dimethylaminopyridine <solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts 2-heptanone 20.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。
次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表4の「PB」欄に記載の温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハに、ArFエキシマステッパー〔FPA5000−AS3;(株)キャノン製、NA=0.75、2/3Annular〕用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表4の「PEB」欄に記載の温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 78 nm. Formed.
Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 0.15 μm.
After applying the resist composition, it was pre-baked on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PB” column of Table 4. Each of the wafers on which the resist films were formed in this manner was subjected to line and space by using an ArF excimer stepper [FPA5000-AS3; manufactured by Canon Inc., NA = 0.75, 2/3 Annular], changing the exposure stepwise. The pattern was exposed.
After exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds at a temperature described in the “PEB” column of Table 4 on a hot plate, and paddle development was further performed for 60 seconds with an aqueous 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide solution. .
The dark field pattern after development on the organic antireflection film substrate was observed with a scanning electron microscope.

なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層(遮光層)をベースとしてライン状にガラス面(透光部)が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。実効感度:100nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で示した。   The dark field pattern referred to here is obtained by exposure and development through a reticle having a glass surface (translucent portion) formed in a line form on the outside with a chromium layer (light-shielding layer) as a base, and thus exposure development. The rest is a pattern in which the resist layer around the line and space pattern is left. Effective sensitivity: The exposure amount at which a 100 nm line and space pattern is 1: 1 is shown.

ラインエッジラフネス評価(LER):リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、比較例1を基準(△で表記)とし、これと比較して、滑らかになっているものを良好として○で表記し、同等であるものを△で表記し、滑らかでなくなっているものを不良として×で表記した。
露光マージン評価:100nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で露光した際の感度と線幅のグラフを作成し、比較例を基準(△で表記)とし、これと比較して、グラフの傾きが緩いものを○、グラフの傾きが同等か又は急なものを×として判断した。
Line edge roughness evaluation (LER): The surface of the resist pattern after the lithography process is observed with a scanning electron microscope, and Comparative Example 1 is used as a reference (indicated by Δ). Good is indicated by ○, equivalent is indicated by Δ, and those that are not smooth are indicated by × as defective.
Exposure margin evaluation: Create a graph of sensitivity and line width when exposed at an exposure amount at which a 100 nm line and space pattern is 1: 1, and use a comparative example as a reference (indicated by Δ). A case where the slope of the graph was gentle was judged as ◯, and a case where the slope of the graph was the same or steep was judged as ×.

シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。
次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表5の「PEB」欄に記載の温度で60秒間プリベークした。
このようにしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハに、ArFエキシマステッパー〔XT:1900Gi;ASML製、NA=1.35〕用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表5の「PEB」欄に記載の温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。
さらに、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 78 nm. Formed.
Next, the resist solution was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 0.15 μm. After applying the resist solution, pre-baking was performed for 60 seconds on a direct hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 5.
Each wafer on which the resist film was formed in this way was exposed to a line and space pattern using an ArF excimer stepper [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35] while changing the exposure amount stepwise.
After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 5.
Further, paddle development was performed for 60 seconds with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.

有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表5に示した。なお、ここでいうダークフィールドパターンは、上述したとおりである。実効感度:70nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で示した。   The dark field pattern after development on the organic antireflection film substrate was observed with a scanning electron microscope. The results are shown in Table 5. Note that the dark field pattern here is as described above. Effective sensitivity: 70 nm line and space pattern is shown as an exposure amount that becomes 1: 1.

形状評価:70nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で露光し、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、比較例1を基準(△で表記)とし、これよりも矩形でパターン形状が良好なものを○、同等であるものを△で表記し、トップが張っているまたは裾引きが見られるものを不良として×で表記した。   Shape evaluation: 70 nm line and space pattern is exposed at an exposure amount of 1: 1, the resist pattern is observed with a scanning electron microscope, and Comparative Example 1 is used as a reference (denoted by Δ), and the pattern is more rectangular than this. Good shapes were indicated by ◯, equivalent ones were indicated by △, and those having a top or skirting were indicated by × as defective.

ラインエッジラフネス評価(LER):リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、比較例を基準(△で表記)とし、これよりも滑らかになっているものを○、同等であるものを△で表記し、滑らかでなくなっているものを不良として×で表記した。
Line edge roughness evaluation (LER): The resist pattern wall surface after the lithography process is observed with a scanning electron microscope, and a comparative example is used as a reference (indicated by Δ). Some were marked with Δ, and those that were not smooth were marked with x.

本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる。   According to the chemically amplified photoresist composition of the present invention, a pattern having excellent line edge roughness can be formed.

Claims (16)

式(B1)で表される酸発生剤と樹脂(A1)と樹脂(A2)とを含有し、
樹脂(A1)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
樹脂(A2)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
式(1)〜式(6)のいずれかを満たし、
樹脂(A1)及び樹脂(A2)の重量平均分子量がそれぞれ2500以上であり、かつ樹脂(A1)と樹脂(A2)との重量平均分子量の差が3500以上である化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a1):酸の作用によりアルカリ可溶となるC6〜C20飽和環状炭化水素基を有するアクリル系モノマー、
(a2):3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート又は3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートである水酸基で置換されたアダマンチル基を有するアクリル系モノマー
(a3):ラクトン環を有するアクリル系モノマー
/T≦0.995 (1)
1.005≦S/T (2)
/T≦0.995 (3)
1.005≦S/T (4)
/T≦0.995 (5)
1.005≦S/T (6)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
[式(B1)中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1〜C6ペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は2価のC1〜C17飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基の−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよいC1〜C18脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC3〜C18飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
Containing an acid generator represented by formula (B1), a resin (A1) and a resin (A2);
Resin (A1) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Resin (A2) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Satisfy any of the formulas (1) to (6),
A chemically amplified photoresist composition in which the weight average molecular weights of the resin (A1) and the resin (A2) are each 2500 or more, and the difference in weight average molecular weight between the resin (A1) and the resin (A2) is 3500 or more.
(A1): an acrylic monomer having a C 6 to C 20 saturated cyclic hydrocarbon group that becomes alkali-soluble by the action of an acid,
(A2): an acrylic monomer having an adamantyl group substituted with a hydroxyl group which is 3,5-dihydroxy-1-adamantyl acrylate or 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate (a3): an acrylic monomer having a lactone ring S 1 / T 1 ≦ 0.995 (1)
1.005 ≦ S 1 / T 1 (2)
S 2 / T 2 ≦ 0.995 (3)
1.005 ≦ S 2 / T 2 (4)
S 3 / T 3 ≦ 0.995 (5)
1.005 ≦ S 3 / T 3 (6)
S 1 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
S 2 : Charge amount (mol) of (a2) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol in resin (A1)
S 3 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
T 1 : In resin (A2), charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A2) is 100 mol
T 2 : In the resin (A2), the charged amount (mol) of (a2) when the total charged monomer amount of the resin (A2) is 100 mol
T 3 : Charge amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol in resin (A2)
[In Formula (B1), Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — of the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents a C 1 to C 18 aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or a C 3 to C 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, and the aliphatic hydrocarbon —CH 2 — contained in the group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]
式(B1)で表される酸発生剤と樹脂(A1)と樹脂(A2)とを含有し、
樹脂(A1)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
樹脂(A2)が、(a1)、(a2)及び(a3)を重合させて得られる樹脂であり、
式(1)〜式(6)のいずれかを満たし、
樹脂(A1)及び樹脂(A2)の重量平均分子量がそれぞれ2500以上であり、かつ樹脂(A1)と樹脂(A2)との重量平均分子量の差が3500以上である化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a1):式(a1−1)で表されるモノマー又は式(a1−2)で表される、酸の作用によりアルカリ可溶となるC 6 〜C 20 飽和環状炭化水素基を有するアクリル系モノマーであり、前記式(a1−2)で表されるモノマーが、1−エチル−1−シクロヘキシルアクリレート又は1−エチル−1−シクロヘキシルメタクリレートであり、
(a2):水酸基で置換されたアダマンチル基を有するアクリル系モノマー
(a3):ラクトン環を有するアクリル系モノマー
/T ≦0.995 (1)
1.005≦S /T (2)
/T ≦0.995 (3)
1.005≦S /T (4)
/T ≦0.995 (5)
1.005≦S /T (6)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A1)において、樹脂(A1)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a1)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a2)の仕込み量(モル)
:樹脂(A2)において、樹脂(A2)の仕込みモノマー全量を100モルとしたときの(a3)の仕込み量(モル)
[式(B1)中、Q 1 及びQ 2 は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC 1 〜C 6 ペルフルオロアルキル基を表す。
b1 は、単結合又は2価のC 1 〜C 17 飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基の−CH −は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよいC 1 〜C 18 脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよいC 3 〜C 18 飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる−CH −は、−O−、−SO −又は−CO−で置き換わっていてもよい。
+ は、有機カチオンを表す。]
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、C1〜C脂肪族炭化水素基又はC〜C10飽和環状炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。]
Containing an acid generator represented by formula (B1), a resin (A1) and a resin (A2);
Resin (A1) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Resin (A2) is a resin obtained by polymerizing (a1), (a2) and (a3),
Satisfy any of the formulas (1) to (6),
A chemically amplified photoresist composition in which the weight average molecular weights of the resin (A1) and the resin (A2) are each 2500 or more, and the difference in weight average molecular weight between the resin (A1) and the resin (A2) is 3500 or more.
(A1): A monomer represented by the formula (a1-1) or an acrylic type having a C 6 to C 20 saturated cyclic hydrocarbon group represented by the formula (a1-2) that is alkali-soluble by the action of an acid. The monomer represented by the formula (a1-2) is 1-ethyl-1-cyclohexyl acrylate or 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate;
(A2): Acrylic monomer having an adamantyl group substituted with a hydroxyl group
(A3): Acrylic monomer having a lactone ring
S 1 / T 1 ≦ 0.995 (1)
1.005 ≦ S 1 / T 1 (2)
S 2 / T 2 ≦ 0.995 (3)
1.005 ≦ S 2 / T 2 (4)
S 3 / T 3 ≦ 0.995 (5)
1.005 ≦ S 3 / T 3 (6)
S 1 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
S 2 : Charge amount (mol) of (a2) when the total amount of charged monomers of resin (A1) is 100 mol in resin (A1)
S 3 : In resin (A1), the charged amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomer of resin (A1) is 100 mol
T 1 : In resin (A2), charged amount (mol) of (a1) when the total amount of charged monomer of resin (A2) is 100 mol
T 2 : In the resin (A2), the charged amount (mol) of (a2) when the total charged monomer amount of the resin (A2) is 100 mol
T 3 : Charge amount (mol) of (a3) when the total amount of charged monomers of resin (A2) is 100 mol in resin (A2)
[In Formula (B1), Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — of the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents a C 1 to C 18 aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or a C 3 to C 18 saturated cyclic hydrocarbon group which may have a substituent, and the aliphatic hydrocarbon —CH 2 contained in the group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent a C 1 to C 8 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 10 saturated cyclic hydrocarbon group.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10. ]
式(a1−1)で表されるモノマーが、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート、2−エチル−2−アダマンチルアクリレート、2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート、2−イソプロピル−2−アダマンチルアクリレート又は2−イソプロピル−2−アダマンチルメタクリレートである請求項1又は2記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 The monomer represented by the formula (a1-1) is 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 2 The chemically amplified photoresist composition according to claim 1 or 2, which is -isopropyl-2-adamantyl acrylate or 2-isopropyl-2-adamantyl methacrylate. 式(a1−2)で表されるモノマーが、1−エチル−1−シクロヘキシルアクリレート又は1−エチル−1−シクロヘキシルメタクリレートである請求項2記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。   The chemically amplified photoresist composition according to claim 2, wherein the monomer represented by the formula (a1-2) is 1-ethyl-1-cyclohexyl acrylate or 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate. (a2)が、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート又は3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートである請求項〜4のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 (A2) is 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, 3,5-dihydroxy-1-claims 2 to a adamantyl acrylate or 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate 5. The chemically amplified photoresist composition according to any one of 4 above. (a2)が、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート又は3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートである請求項記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 The chemically amplified photoresist composition according to claim 5 , wherein (a2) is 3,5-dihydroxy-1-adamantyl acrylate or 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate. (a3)が、式(a3−1)で表されるモノマー、式(a3−2)で表されるモノマー又は式(a3−3)で表されるモノマーである請求項1〜6のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
[式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表し、k3は1〜7の整数を表し、は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、C1〜C脂肪族炭化水素基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又はC1〜C脂肪族炭化水素基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。]
7. (a3) is a monomer represented by formula (a3-1), a monomer represented by formula (a3-2), or a monomer represented by formula (a3-3), The chemically amplified photoresist composition described.
[In Formula (a3-1)-Formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, k3 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents a C 1 to C 4 aliphatic hydrocarbon group.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or a C 1 -C 4 aliphatic hydrocarbon group.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1, q1 or r1 is 2 or more, a plurality of R a21 , R a22 or R a23 may be the same as or different from each other. ]
及びTの差が5モル%以上である請求項1〜7のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 The chemically amplified photoresist composition according to claim 1, wherein a difference between S 1 and T 1 is 5 mol% or more. 樹脂(A1)が、(a1)、(a2)、(a3)及び(a4)を仕込み、重合させて得られる樹脂である請求項1〜8のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a4):(a1)、(a2)及び(a3)とは異なるアクリル系モノマー。
The chemically amplified photoresist composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the resin (A1) is a resin obtained by charging (a1), (a2), (a3) and (a4) and polymerizing the resin (A1).
(A4): An acrylic monomer different from (a1), (a2) and (a3).
樹脂(A2)が、(a1)、(a2)、(a3)及び(a4)を仕込み、重合させて得られる樹脂である請求項1〜9のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。
(a4):(a1)、(a2)及び(a3)とは異なるアクリル系モノマー。
The chemically amplified photoresist composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the resin (A2) is a resin obtained by charging and polymerizing (a1), (a2), (a3) and (a4).
(A4): An acrylic monomer different from (a1), (a2) and (a3).
がアリールスルホニウムカチオンである請求項1〜10のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 The chemically amplified photoresist composition according to any one of claims 1 to 10, wherein Z + is an arylsulfonium cation. が、アダマンチル基、オキソ−アダマンチル基又はシクロヘキシル基を有する基である請求項1〜11のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。 The chemically amplified photoresist composition according to claim 1 , wherein Y 1 is a group having an adamantyl group, an oxo-adamantyl group, or a cyclohexyl group. 酸発生剤の含有量が、樹脂の合計量100質量部に対して、1〜20質量部である請求項1〜12のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。   The chemically amplified photoresist composition according to any one of claims 1 to 12, wherein the content of the acid generator is 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the resin. さらに窒素含有塩基性化合物を含む請求項1〜13のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。   Furthermore, the chemical amplification type photoresist composition in any one of Claims 1-13 containing a nitrogen-containing basic compound. 窒素含有塩基性化合物が、ジイソプロピルアニリンである請求項14記載の化学増幅型フォトレジスト組成物。   The chemically amplified photoresist composition according to claim 14, wherein the nitrogen-containing basic compound is diisopropylaniline. 請求項1〜15のいずれか記載の化学増幅型フォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
組成物層に露光機を用いて露光する工程、
露光後の組成物層を加熱する工程、
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Applying the chemically amplified photoresist composition according to claim 1 on a substrate;
Removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
Exposing the composition layer using an exposure machine;
Heating the composition layer after exposure,
The pattern formation method characterized by including the process of developing the composition layer after a heating using a image development apparatus.
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