JP5677133B2 - Waveguide feeder - Google Patents

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Description

この発明は、高い組立性を有する導波管給電部に関するものである。   The present invention relates to a waveguide feeder having high assemblability.

誘電体で形成される導波管給電部は、例えば、射出成形技術を用いて成形されることがあるが、図15に示すように、1つの給電部から同位相の信号を多くの放射素子に分配するために、分配部等がトーナメント配列されているものがある(例えば、特許文献1を参照)。
このような構造の導波管給電部を1次元のアクティブフェーズドアレーアンテナに適用する場合、当該アレーアンテナを金属部品で構成する場合と比べて軽量化を図ることができる。また、誘電率の観点で小形化に寄与することができる。
また、型を用いる射出成形技術を採用することで、量産時には低コストを図ることができる。
また、導波管形状であるため、樹脂多層基板で引き回すよりも低損失であり、また、給電部と素子アンテナを一体的に成形することが可能であるため、組立コストの低減を図ることができる。
A waveguide feeding unit formed of a dielectric material may be molded using, for example, an injection molding technique. As shown in FIG. In order to distribute the images, there are those in which distribution units and the like are arranged in a tournament (see, for example, Patent Document 1).
When the waveguide feeding portion having such a structure is applied to a one-dimensional active phased array antenna, the weight can be reduced as compared with the case where the array antenna is formed of metal parts. Moreover, it can contribute to size reduction from a viewpoint of dielectric constant.
In addition, by adopting an injection molding technique using a mold, low cost can be achieved during mass production.
In addition, since it has a waveguide shape, the loss is lower than when it is routed with a resin multilayer substrate, and the feeding portion and the element antenna can be integrally formed, so that the assembly cost can be reduced. it can.

特開2008−271498号公報(段落番号[0010]、図1)JP 2008-271498 A (paragraph number [0010], FIG. 1)

従来の導波管給電部は以上のように構成されているので、1次元のアクティブフェーズドアレーアンテナに適用する場合、各分岐部において構造が保持される。しかし、分配数が多い場合、特に根元の分岐部では機械的な剛性を保つことができず、先端の放射素子の間隔を保持することができない課題があった。
また、先端の放射素子を保持するためには、別の支持構造が必要となり、部品点数が増加する課題があった。
さらに、2次元のアクティブフェーズドアレーアンテナに適用する場合、1素子毎に、1つの能動回路(増幅器・移相器)が必要になるため、給電線路は全て分割される。そのため、素子数だけ給電線路が必要になるため部品点数が増加する。また、給電線路の位置を固定する支持構造が別途必要になるため、組立性が著しく劣化する課題があった。
Since the conventional waveguide feeder is configured as described above, the structure is held at each branch when applied to a one-dimensional active phased array antenna. However, when the number of distributions is large, mechanical rigidity cannot be maintained particularly at the root branch portion, and there is a problem that the distance between the distal radiating elements cannot be maintained.
Moreover, in order to hold | maintain the radiation | emission element of a front-end | tip, another support structure was needed and the subject that a number of parts increased occurred.
Further, when applied to a two-dimensional active phased array antenna, since one active circuit (amplifier / phase shifter) is required for each element, all feed lines are divided. For this reason, the number of parts increases because the number of elements requires as many feed lines. Further, since a separate support structure for fixing the position of the feeder line is required, there is a problem that the assemblability is significantly deteriorated.

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、特別な支持構造を用意することなく、高い剛性を保つことができる導波管給電部を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a waveguide feeding portion that can maintain high rigidity without preparing a special support structure.

この発明に係る導波管給電部は、内部には誘電体が充填され、入出力部分を除く周囲には導体めっきが施されている複数の主導波管と、主導波管の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有する副導波管とを備え、その副導波管が複数の主導波管の間に配置されており、その副導波管の一端がいずれかの主導波管の壁面に接続され、その副導波管の他端が上記主導波管と別の主導波管の壁面に接続されているようにしたものである。   The waveguide feeder according to the present invention includes a plurality of main waveguides that are filled with a dielectric and are plated with a conductor around the input / output portion, and a transmission frequency band of the main waveguide. A sub-waveguide having a high cut-off frequency, and the sub-waveguide is disposed between the plurality of main waveguides, and one end of the sub-waveguide is attached to a wall surface of one of the main waveguides. The other end of the sub-waveguide is connected to the wall surface of the main waveguide different from the main waveguide.

この発明によれば、内部には誘電体が充填され、入出力部分を除く周囲には導体めっきが施されている複数の主導波管と、主導波管の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有する副導波管とを備え、その副導波管が複数の主導波管の間に配置されており、その副導波管の一端がいずれかの主導波管の壁面に接続され、その副導波管の他端が上記主導波管と別の主導波管の壁面に接続されているように構成したので、特別な支持構造を用意することなく、高い剛性を保つことができる効果がある。   According to the present invention, a plurality of main waveguides that are filled with a dielectric and conductor-plated around the input and output portions, and have a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide. The sub-waveguide is disposed between the plurality of main waveguides, and one end of the sub-waveguide is connected to the wall surface of one of the main waveguides. Since the other end of the waveguide is connected to the wall surface of the main waveguide different from the main waveguide, there is an effect that high rigidity can be maintained without preparing a special support structure. .

この発明の実施の形態1による導波管給電部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the waveguide electric power feeding part by Embodiment 1 of this invention. 主導波管1の開口部を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing an opening of the main waveguide 1. FIG. 導波管ブリッジ4の径を変化させた場合の導波管給電部の反射特性とアイソレーション特性を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the reflection characteristic and isolation characteristic of a waveguide electric power feeding part at the time of changing the diameter of the waveguide bridge 4. FIG. この発明の実施の形態1による他の導波管給電部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other waveguide electric power feeding part by Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態2による導波管給電部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the waveguide electric power feeding part by Embodiment 2 of this invention. 導波管給電部の入出力部2,3での反射特性が改善される原理を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principle by which the reflection characteristic in the input-output parts 2 and 3 of a waveguide electric power feeding part is improved. 2本の主導波管1の間に導波管ブリッジ4が1本接続された場合と2本接続された場合の入出力部2aの反射特性を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the reflective characteristic of the input-output part 2a when one waveguide bridge 4 is connected between the two main waveguides 1, and when two are connected. 図5の導波管給電部と別の構造の導波管給電部を示す構成図である。It is a block diagram which shows the waveguide feed part of another structure from the waveguide feed part of FIG. この発明の実施の形態3による導波管給電部を示す構成図である。It is a block diagram which shows the waveguide electric power feeding part by Embodiment 3 of this invention. 主導波管1aに導波管ブリッジ6a,6bが配置され、主導波管1cに導波管ブリッジ6c,6dが配置されている導波管給電部を示す構成図である。It is a block diagram which shows the waveguide electric power feeding part by which the waveguide bridges 6a and 6b are arrange | positioned at the main waveguide 1a, and the waveguide bridges 6c and 6d are arrange | positioned at the main waveguide 1c. この発明の実施の形態4による導波管給電部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the waveguide electric power feeding part by Embodiment 4 of this invention. 図11の導波管給電部を上から見た上面図である。It is the top view which looked at the waveguide electric power feeding part of FIG. 11 from the top. この発明の実施の形態5による導波管給電部を示す構成図である。It is a block diagram which shows the waveguide electric power feeding part by Embodiment 5 of this invention. 図13の導波管給電部における導波管ブリッジ8の配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows arrangement | positioning of the waveguide bridge | bridging 8 in the waveguide electric power feeding part of FIG. 特許文献1に開示されている導波管給電部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the waveguide electric power feeding part currently disclosed by patent document 1. FIG.

実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による導波管給電部を示す斜視図である。
図1において、主導波管1a,1b(以後、主導波管1a,1bを総称して、主導波管1と表記することがある)は内部には誘電体が充填され、周囲には導体めっきが施されている小形・軽量な導波管である。
即ち、主導波管1は樹脂によって一体成形された後、入出力部2a,2b,3a,3b(以後、入出力部2a,2bを総称して入出力部2、入出力部3a,3bを総称して入出力部3と表記することがある)を除く樹脂表面に導体めっきが施されている樹脂導波管である。
なお、主導波管1a,1bは素子アンテナと一体化される。
Embodiment 1 FIG.
1 is a perspective view showing a waveguide feeding portion according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1, main waveguides 1a and 1b (hereinafter, the main waveguides 1a and 1b may be collectively referred to as main waveguide 1) are filled with a dielectric, and the surroundings are plated with a conductor. It is a small and lightweight waveguide that has been applied.
That is, after the main waveguide 1 is integrally formed of resin, the input / output units 2a, 2b, 3a, 3b (hereinafter, the input / output units 2a, 2b are collectively referred to as the input / output unit 2, the input / output units 3a, 3b). This is a resin waveguide in which conductor plating is applied to the resin surface (except for the case where the input / output unit 3 may be collectively referred to).
The main waveguides 1a and 1b are integrated with the element antenna.

副導波管である導波管ブリッジ4は樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
なお、導波管ブリッジ4は主導波管1aと主導波管1bの間に配置されており、導波管ブリッジ4の一端が主導波管1aの壁面に接続され、導波管ブリッジ4の他端が主導波管1bの壁面に接続されている。
The waveguide bridge 4, which is a sub-waveguide, is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 4 is disposed between the main waveguide 1a and the main waveguide 1b, and one end of the waveguide bridge 4 is connected to the wall surface of the main waveguide 1a. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1b.

図2は主導波管1の開口部を示す断面図である。
図2の例では、主導波管1の開口部である入出力部2,3の寸法は“a×b”であり、主導波管1の周囲には導体めっき5が施されている。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the opening of the main waveguide 1.
In the example of FIG. 2, the dimensions of the input / output portions 2 and 3 that are openings of the main waveguide 1 are “a × b”, and the conductor plating 5 is applied around the main waveguide 1.

図1の導波管給電部では、主導波管1a,1bが図2に示すような開口部を有する矩形導波管であり、導波管ブリッジ4が円筒形導波管である例を示しているが、主導波管1a,1bが円筒形導波管であってもよいし、導波管ブリッジ4が矩形導波管であってもよい。
また、図1の導波管給電部では、導波管ブリッジ4が、主導波管1a,1bの幅広面中央に配置されているが、幅広面中央からずれて配置されていてもよい。
In the waveguide feeding section of FIG. 1, the main waveguides 1a and 1b are rectangular waveguides having openings as shown in FIG. 2, and the waveguide bridge 4 is a cylindrical waveguide. However, the main waveguides 1a and 1b may be cylindrical waveguides, and the waveguide bridge 4 may be a rectangular waveguide.
Further, in the waveguide feeding section of FIG. 1, the waveguide bridge 4 is disposed at the center of the wide surface of the main waveguides 1a and 1b, but may be disposed at a position shifted from the center of the wide surface.

図3は導波管ブリッジ4の径を変化させた場合の導波管給電部の反射特性とアイソレーション特性を示す説明図である。
横軸は主導波管1a,1bの開口部のa寸法で正規化している。
図3から明らかなように、導波管ブリッジ4の径が小さければ小さいほど、導波管給電部の反射特性とアイソレーション特性が良好であるが、主導波管1a,1bの支持構造として剛性を確保する必要がある。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the reflection characteristics and isolation characteristics of the waveguide feeding section when the diameter of the waveguide bridge 4 is changed.
The horizontal axis is normalized by the a dimension of the openings of the main waveguides 1a and 1b.
As is clear from FIG. 3, the smaller the diameter of the waveguide bridge 4 is, the better the reflection characteristics and isolation characteristics of the waveguide feeding portion are. However, the support structure for the main waveguides 1a and 1b is more rigid. It is necessary to ensure.

図1の導波管給電部は、平面構造であるが、主導波管1aと主導波管1bが平行である必要はなく、図4に示すように、主導波管1aと主導波管1bがねじれの位置に配置されていてもよい。
このようなねじれの位置は、主導波管1が2本である場合に限るものではなく、主導波管1が3本以上である場合も同様である。
また、主導波管1a,1b及び導波管ブリッジ4は、共に直線状である必要はない。
1 has a planar structure, the main waveguide 1a and the main waveguide 1b do not need to be parallel, and as shown in FIG. 4, the main waveguide 1a and the main waveguide 1b You may arrange | position in the position of a twist.
The position of such a twist is not limited to the case where there are two main waveguides 1, and the same applies when there are three or more main waveguides 1.
Further, the main waveguides 1a and 1b and the waveguide bridge 4 do not have to be linear.

この実施の形態1では、内部が誘電体で形成されている複数の主導波管1の間に導波管ブリッジ4が配置されているが、導波管ブリッジ4は、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有しているので、主導波管1により伝送される電磁波が導波管ブリッジ4によって伝送されることはない。
このため、複数の主導波管1は、導波管ブリッジ4が物理的に接続されながらも、電気的には接続されていない状態と等価であるので、導波管ブリッジ4が主導波管1の電気的特性に影響を与えることはほとんどなく、機械的な剛性が高められる。
したがって、複数の主導波管1を固定するための特別な支持構造が不要となり、高い組立性を実現することができる。
In the first embodiment, the waveguide bridge 4 is arranged between the plurality of main waveguides 1 each having a dielectric formed therein. The waveguide bridge 4 is transmitted through the main waveguide 1. Since the cutoff frequency is higher than the frequency band, the electromagnetic wave transmitted by the main waveguide 1 is not transmitted by the waveguide bridge 4.
For this reason, the plurality of main waveguides 1 are equivalent to a state in which the waveguide bridge 4 is physically connected but not electrically connected. Therefore, the waveguide bridge 4 is the main waveguide 1. The mechanical properties are hardly affected and the mechanical rigidity is increased.
Therefore, a special support structure for fixing the plurality of main waveguides 1 is not required, and high assemblability can be realized.

実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2による導波管給電部を示す斜視図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
導波管ブリッジ4aは図1の導波管ブリッジ4と同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ4aは主導波管1aと主導波管1bの間に配置されており、導波管ブリッジ4aの一端が主導波管1aの壁面に接続され、導波管ブリッジ4aの他端が主導波管1bの壁面に接続されている。
Embodiment 2. FIG.
5 is a perspective view showing a waveguide feeding portion according to Embodiment 2 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
The waveguide bridge 4 a is integrally formed of resin, like the waveguide bridge 4 of FIG. 1, and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 4a is disposed between the main waveguide 1a and the main waveguide 1b, and one end of the waveguide bridge 4a is connected to the wall surface of the main waveguide 1a. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1b.

導波管ブリッジ4bは導波管ブリッジ4aと同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ4bは主導波管1aと主導波管1bの間に配置されており、導波管ブリッジ4bの一端が主導波管1aの壁面に接続され、導波管ブリッジ4bの他端が主導波管1bの壁面に接続されている。
なお、導波管ブリッジ4aと導波管ブリッジ4b(以後、導波管ブリッジ4a,4bを総称して、導波管ブリッジ4と表記することがある)は、主導波管1a,1bの管軸方向において、主導波管1a,1bの伝送周波数帯域の中心周波数における管内波長λgの4分の1の奇数倍の長さだけ離れて配置されている。
図5の例では、導波管ブリッジ4aと導波管ブリッジ4bは、λg/4の間隔で配置されている。
Similarly to the waveguide bridge 4a, the waveguide bridge 4b is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 4b is disposed between the main waveguide 1a and the main waveguide 1b, and one end of the waveguide bridge 4b is connected to the wall surface of the main waveguide 1a. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1b.
The waveguide bridge 4a and the waveguide bridge 4b (hereinafter, the waveguide bridges 4a and 4b may be collectively referred to as the waveguide bridge 4) are the tubes of the main waveguides 1a and 1b. In the axial direction, they are spaced apart by a length that is an odd multiple of one-fourth of the guide wavelength λg at the center frequency of the transmission frequency band of the main waveguides 1a and 1b.
In the example of FIG. 5, the waveguide bridge 4a and the waveguide bridge 4b are arranged at an interval of λg / 4.

導波管ブリッジ4aと導波管ブリッジ4bがλg/4の間隔で配置されることで、導波管ブリッジ4による導波管給電部の剛性が向上するとともに、入出力部2,3における反射特性が改善される。   By arranging the waveguide bridge 4a and the waveguide bridge 4b at an interval of λg / 4, the rigidity of the waveguide feeding portion by the waveguide bridge 4 is improved, and the reflection at the input / output portions 2 and 3 is improved. The characteristics are improved.

図6は導波管給電部の入出力部2,3での反射特性が改善される原理を示す説明図である。
図6では、点Aが主導波管1aと導波管ブリッジ4aの交点を表しており、点Bが主導波管1aと導波管ブリッジ4bの交点を表している。
同様に、点Cが主導波管1bと導波管ブリッジ4aの交点を表しており、点Dが主導波管1bと導波管ブリッジ4bの交点を表している。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing the principle that the reflection characteristics at the input / output units 2 and 3 of the waveguide feeding unit are improved.
In FIG. 6, point A represents the intersection of the main waveguide 1a and the waveguide bridge 4a, and point B represents the intersection of the main waveguide 1a and the waveguide bridge 4b.
Similarly, the point C represents the intersection between the main waveguide 1b and the waveguide bridge 4a, and the point D represents the intersection between the main waveguide 1b and the waveguide bridge 4b.

導波管ブリッジ4a,4bは、主導波管1a,1bの伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有しているが、構造の不連続部である点A,点B,点C,点Dにおいて、電磁波が幾らかは反射する。
ここで、点Aにおける反射係数をΓA、点Bにおける反射係数をΓB、反射係数ΓAの大きさを|ΓA|、反射係数ΓBの大きさを|ΓB|とする。
この場合、構造が同じで、点Aと点B間の通過損失が極めて小さければ、|ΓA|=|ΓB|となる。
|ΓA|=|ΓB|であるとき、点Aと点Bの距離がλg/4の奇数倍であれば、往復で180度の奇数倍の位相差が生じ、点Aにおける反射波と点Bにおける反射波が逆位相で重なることから、合成波の振幅が“0”になる。
The waveguide bridges 4a and 4b have a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguides 1a and 1b, but at points A, B, C, and D, which are discontinuous portions of the structure. Some electromagnetic waves are reflected.
Here, the reflection coefficient at point A is ΓA, the reflection coefficient at point B is ΓB, the magnitude of reflection coefficient ΓA is | ΓA |, and the magnitude of reflection coefficient ΓB is | ΓB |.
In this case, if the structure is the same and the passage loss between the points A and B is extremely small, | ΓA | = | ΓB |.
When | ΓA | = | ΓB |, if the distance between point A and point B is an odd multiple of λg / 4, a phase difference of an odd multiple of 180 degrees occurs in the round trip, and the reflected wave at point A and point B Since the reflected waves at are overlapped with opposite phases, the amplitude of the synthesized wave becomes “0”.

図7は2本の主導波管1の間に導波管ブリッジ4が1本接続された場合と2本接続された場合の入出力部2aの反射特性を示す説明図である。
図7より、周波数が47GHzであるとき、入出力部2aにおける反射特性が大きく改善されていることが分かる。反射特性の改善は入出力部2b,3a,3bにおいても同様である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing the reflection characteristics of the input / output unit 2a when one waveguide bridge 4 is connected between two main waveguides 1 and when two are connected.
From FIG. 7, it can be seen that when the frequency is 47 GHz, the reflection characteristics in the input / output unit 2a are greatly improved. The improvement of the reflection characteristics is the same in the input / output units 2b, 3a, 3b.

図5の例では、直線状の主導波管1が2本配置されているものを示しているが、直線状の主導波管1が3本配置されていてもよい。また、主導波管1が曲がっていてもよい。
また、主導波管の長さが長い場合は、入出力部2a,3aに導波管ブリッジ4a,4bを接続するとともに、入出力部2b,3bに導波管ブリッジ4a,4bを接続するようにしてもよい。
In the example of FIG. 5, two linear main waveguides 1 are shown, but three linear main waveguides 1 may be arranged. Further, the main waveguide 1 may be bent.
When the main waveguide is long, the waveguide bridges 4a and 4b are connected to the input / output units 2a and 3a, and the waveguide bridges 4a and 4b are connected to the input / output units 2b and 3b. It may be.

図8は図5の導波管給電部と別の構造の導波管給電部を示す構成図である。
図8の導波管給電部では、8本の主導波管1a〜1hが2回折れ曲がり、入出力部2,3のそれぞれに、λg/4の間隔で2本の導波管ブリッジ4a,4bが配置されている。
この場合も、図5の導波管給電部と同様に、導波管給電部の剛性を高めることができるとともに、入出力部2,3における反射特性を改善することができる効果を奏する。
FIG. 8 is a block diagram showing a waveguide feeder having a structure different from that of FIG.
In the waveguide feeding section of FIG. 8, the eight main waveguides 1a to 1h are bent twice, and two waveguide bridges 4a and 4b are respectively provided at the input / output sections 2 and 3 at intervals of λg / 4. Is arranged.
Also in this case, as in the case of the waveguide power supply unit in FIG. 5, the rigidity of the waveguide power supply unit can be increased and the reflection characteristics in the input / output units 2 and 3 can be improved.

実施の形態3.
図9はこの発明の実施の形態3による導波管給電部を示す構成図であり、図において、図5と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
導波管ブリッジ4cは導波管ブリッジ4aと同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ4cは主導波管1bと主導波管1cの間に配置されており、導波管ブリッジ4cの一端が主導波管1bの壁面に接続され、導波管ブリッジ4cの他端が主導波管1cの壁面に接続されている。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 9 is a block diagram showing a waveguide feeding portion according to Embodiment 3 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
Similarly to the waveguide bridge 4a, the waveguide bridge 4c is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 4c is disposed between the main waveguide 1b and the main waveguide 1c, and one end of the waveguide bridge 4c is connected to the wall surface of the main waveguide 1b. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1c.

導波管ブリッジ4dは導波管ブリッジ4cと同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ4dは主導波管1bと主導波管1cの間に配置されており、導波管ブリッジ4dの一端が主導波管1bの壁面に接続され、導波管ブリッジ4dの他端が主導波管1cの壁面に接続されている。
なお、導波管ブリッジ4cと導波管ブリッジ4dは、主導波管1b,1cの管軸方向において、主導波管1b,1cの伝送周波数帯域の中心周波数における管内波長λgの4分の1の奇数倍の長さだけ離れて配置されている。
図9の例では、導波管ブリッジ4bと導波管ブリッジ4cは、λg/4の間隔で配置されている。
Similarly to the waveguide bridge 4c, the waveguide bridge 4d is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 4d is disposed between the main waveguide 1b and the main waveguide 1c, and one end of the waveguide bridge 4d is connected to the wall surface of the main waveguide 1b. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1c.
The waveguide bridge 4c and the waveguide bridge 4d are one-fourth of the guide wavelength λg at the center frequency of the transmission frequency band of the main waveguides 1b and 1c in the tube axis direction of the main waveguides 1b and 1c. They are spaced apart by an odd number of times.
In the example of FIG. 9, the waveguide bridge 4b and the waveguide bridge 4c are arranged at an interval of λg / 4.

図9の導波管給電部では、主導波管1a,1b,1cが横一列に配置されており、主導波管1aと主導波管1cには、左右対称に2本の導波管ブリッジ4が接続されているが、主導波管1bには、左右両側に2本の導波管ブリッジ4が接続されている。
そのため、主導波管1a,1b,1cにおける導波管ブリッジ4の接続点での反射係数が異なり、その結果として、入出力部2a〜2c,3a〜3cでの反射特性にばらつきが生じる。
導波管給電部での特性ばらつきがアンテナ特性に与える影響を最小限とするためには、図10に示すように、主導波管1aの図中左側に導波管ブリッジ6a,6bを配置し、主導波管1cの図中右側に導波管ブリッジ6c,6dを配置すればよい。
これにより、各接続点における反射係数が揃い、入出力部2a〜2c,3a〜3cでの反射特性のばらつきが低減される。
In the waveguide feeding section of FIG. 9, the main waveguides 1a, 1b, and 1c are arranged in a horizontal row, and the two waveguide bridges 4 are symmetrically provided between the main waveguide 1a and the main waveguide 1c. Are connected, but two waveguide bridges 4 are connected to the left and right sides of the main waveguide 1b.
Therefore, the reflection coefficients at the connection points of the waveguide bridges 4 in the main waveguides 1a, 1b, and 1c are different. As a result, the reflection characteristics of the input / output units 2a to 2c and 3a to 3c vary.
In order to minimize the influence of variation in characteristics at the waveguide feeding section on the antenna characteristics, waveguide bridges 6a and 6b are arranged on the left side of the main waveguide 1a in the drawing as shown in FIG. The waveguide bridges 6c and 6d may be arranged on the right side of the main waveguide 1c in the drawing.
Thereby, the reflection coefficients at the respective connection points are uniform, and variations in the reflection characteristics at the input / output units 2a to 2c and 3a to 3c are reduced.

この実施の形態3では、直線状の主導波管1が3本配置されているものを示しているが、本数を制限するものではなく、主導波管1を4本以上配置する場合でも、各主導波管1に接続される導波管ブリッジ4(または、6)の本数及び形状が一致しており、主導波管1及び導波管ブリッジ4(または、6)の位置関係が軸対称形又は回転対称形であれば、各接続点における反射係数が揃い、入出力部2,3での反射特性のばらつきが低減される。   In the third embodiment, three linear main waveguides 1 are shown. However, the number of main waveguides 1 is not limited. Even when four or more main waveguides 1 are arranged, The number and shape of the waveguide bridges 4 (or 6) connected to the main waveguide 1 are the same, and the positional relationship between the main waveguide 1 and the waveguide bridge 4 (or 6) is axisymmetric. Or if it is a rotationally symmetrical form, the reflection coefficient in each connection point will be equal, and the dispersion | variation in the reflection characteristic in the input-output parts 2 and 3 will be reduced.

実施の形態4.
図11はこの発明の実施の形態4による導波管給電部を示す斜視図であり、図12は図11の導波管給電部を上から見た上面図である。
図11の導波管給電部では、上面から見た場合、図12に示すように、3本の円筒形の主導波管1a〜1cが三角形に配置されている。
図11,12において、導波管ブリッジ7aは図1の導波管ブリッジ4と同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ7aは主導波管1aと主導波管1bの間に配置されており、導波管ブリッジ7aの一端が主導波管1aの壁面に接続され、導波管ブリッジ7aの他端が主導波管1bの壁面に接続されている。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 11 is a perspective view showing a waveguide feeding portion according to Embodiment 4 of the present invention, and FIG. 12 is a top view of the waveguide feeding portion of FIG. 11 as viewed from above.
11, when viewed from the top, as shown in FIG. 12, three cylindrical main waveguides 1a to 1c are arranged in a triangle.
In FIGS. 11 and 12, the waveguide bridge 7a is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1 in the same manner as the waveguide bridge 4 in FIG. .
The waveguide bridge 7a is disposed between the main waveguide 1a and the main waveguide 1b, and one end of the waveguide bridge 7a is connected to the wall surface of the main waveguide 1a. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1b.

導波管ブリッジ7bは導波管ブリッジ7aと同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ7bは主導波管1bと主導波管1cの間に配置されており、導波管ブリッジ7bの一端が主導波管1bの壁面に接続され、導波管ブリッジ7bの他端が主導波管1cの壁面に接続されている。
導波管ブリッジ7cは導波管ブリッジ7aと同様に、樹脂によって一体成形されており、主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
また、導波管ブリッジ7cは主導波管1cと主導波管1aの間に配置されており、導波管ブリッジ7cの一端が主導波管1cの壁面に接続され、導波管ブリッジ7cの他端が主導波管1aの壁面に接続されている。
Similarly to the waveguide bridge 7a, the waveguide bridge 7b is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 7b is disposed between the main waveguide 1b and the main waveguide 1c, and one end of the waveguide bridge 7b is connected to the wall surface of the main waveguide 1b. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1c.
Similarly to the waveguide bridge 7a, the waveguide bridge 7c is integrally formed of resin and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1.
The waveguide bridge 7c is disposed between the main waveguide 1c and the main waveguide 1a, and one end of the waveguide bridge 7c is connected to the wall surface of the main waveguide 1c. The end is connected to the wall surface of the main waveguide 1a.

図11の導波管給電部では、主導波管1a〜1c及び導波管ブリッジ7a〜7cが、導波管給電部の中心点を中心にして、120°の回転対称形になっているため(図12を参照)、導波管ブリッジ7a〜7cの接続点における反射係数が一致する。
これにより、各接続点における反射係数が揃い、入出力部2a〜2c,3a〜3cでの反射特性のばらつきが低減される。
In the waveguide feeding portion of FIG. 11, the main waveguides 1a to 1c and the waveguide bridges 7a to 7c are rotationally symmetric at 120 ° with the center point of the waveguide feeding portion as the center. (See FIG. 12), the reflection coefficients at the connection points of the waveguide bridges 7a to 7c coincide.
Thereby, the reflection coefficients at the respective connection points are uniform, and variations in the reflection characteristics at the input / output units 2a to 2c and 3a to 3c are reduced.

この実施の形態4では、円筒形の主導波管1が3本配置されているものを示しているが、本数を制限するものではなく、主導波管1を4本以上配置する場合でも、各主導波管1に接続される導波管ブリッジ7の本数及び形状が一致しており、主導波管1及び導波管ブリッジ7の位置関係が軸対称形又は回転対称形であれば、各接続点における反射係数が揃い、入出力部2,3での反射特性のばらつきが低減される。   In the fourth embodiment, three cylindrical main waveguides 1 are shown. However, the number of main waveguides 1 is not limited, and even when four or more main waveguides 1 are arranged, If the number and shape of the waveguide bridges 7 connected to the main waveguide 1 are the same and the positional relationship between the main waveguide 1 and the waveguide bridge 7 is axially symmetric or rotationally symmetric, each connection The reflection coefficients at the points are uniform, and variations in reflection characteristics at the input / output units 2 and 3 are reduced.

アレーアンテナでは、三角配列や四角配列が用いられることが多いが、図11の導波管給電部の入出力部2a〜2c,3a〜3cに素子アンテナが一体成形された樹脂導波管ホーンアンテナは、別の支持構造を追加することなく、位置ばらつきが少ない素子配置が可能になる。 In the array antenna, a triangular array or a square array is often used, but a resin waveguide horn antenna in which element antennas are integrally formed in the input / output sections 2a to 2c and 3a to 3c of the waveguide feeding section in FIG. The element arrangement with little positional variation is possible without adding another support structure.

実施の形態5.
図13はこの発明の実施の形態5による導波管給電部を示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
導波管ブリッジ8は図1の導波管ブリッジ4と同様に、主導波管1と樹脂によって一体成形されており、矩形導波管である主導波管1の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有している。
導波管ブリッジ8は矩形導波管である主導波管1の幅広面中央に配置されている。
図14は図13の導波管給電部における導波管ブリッジ8の配置を示す説明図である。
Embodiment 5 FIG.
13 is a block diagram showing a waveguide feeding portion according to Embodiment 5 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
The waveguide bridge 8 is integrally formed with the main waveguide 1 and resin, like the waveguide bridge 4 of FIG. 1, and has a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide 1 which is a rectangular waveguide. have.
The waveguide bridge 8 is disposed at the center of the wide surface of the main waveguide 1 which is a rectangular waveguide.
FIG. 14 is an explanatory view showing the arrangement of the waveguide bridges 8 in the waveguide feeding section of FIG.

上記実施の形態2のように、反射特性の改善を目的として、導波管ブリッジ4a,4bをλg/4の間隔で2本配置する場合、射出成形の製造法では実現することができないことがある。
即ち、ミリ波帯においては、λg/4が短く(εr=2.3の誘電体材料の場合、47GHzでλg/4=1.44mm)、導波管ブリッジ4a,4bの開口寸法がφ1mmの場合、2本の導波管ブリッジ4a,4bの隙間が0.5mm未満となるため、射出成形の製造法では実現できないことがある。
When the two waveguide bridges 4a and 4b are arranged at an interval of λg / 4 for the purpose of improving the reflection characteristics as in the second embodiment, it cannot be realized by the injection molding manufacturing method. is there.
That is, in the millimeter wave band, λg / 4 is short (in the case of a dielectric material with εr = 2.3, λg / 4 = 1.44 mm at 47 GHz), and the opening dimensions of the waveguide bridges 4a and 4b are φ1 mm. In this case, since the gap between the two waveguide bridges 4a and 4b is less than 0.5 mm, it may not be realized by the injection molding manufacturing method.

この実施の形態5では、2本の導波管ブリッジ4a,4bを一体化することで、製造上の問題を回避するようにしている。
2本の導波管ブリッジ4a,4bを一体化する場合、入出力部2,3における主導波管1のインピーダンスをZ0、導波管ブリッジ8の端部8aから端部8bまでの主導波管1のインピーダンスをZ1とすると、導波管ブリッジ8の端部8aにおける反射係数ΓEと、導波管ブリッジ8の端部8bにおける反射係数ΓFは、下記のようになる。
ΓE=(Z0−Z1)/(Z0+Z1)
ΓF=(Z1−Z0)/(Z1+Z0)
このため、導波管ブリッジ8の端部8aにおける反射係数ΓEと端部8bにおける反射係数ΓFとは、振幅が同じで位相が反転する。
In the fifth embodiment, manufacturing problems are avoided by integrating the two waveguide bridges 4a and 4b.
When the two waveguide bridges 4a and 4b are integrated, the impedance of the main waveguide 1 in the input / output units 2 and 3 is Z0, and the main waveguide from the end 8a to the end 8b of the waveguide bridge 8 is used. When the impedance of 1 is Z1, the reflection coefficient ΓE at the end 8a of the waveguide bridge 8 and the reflection coefficient ΓF at the end 8b of the waveguide bridge 8 are as follows.
ΓE = (Z0−Z1) / (Z0 + Z1)
ΓF = (Z1−Z0) / (Z1 + Z0)
For this reason, the reflection coefficient ΓE at the end portion 8a of the waveguide bridge 8 and the reflection coefficient ΓF at the end portion 8b have the same amplitude and are inverted in phase.

導波管ブリッジ8の端部8a,8bにおいて、反射を改善するためには、反射係数ΓEと反射係数ΓFの位相が“180°+n×360°”だけ異なることが条件になる。
そのため、往復分の位相差が反転する条件は、長さLを通過する位相をθとすると、下記の式(1)のようになる。
180°+2θ=180°+n×360°(n=0、1、2、・・・) (1)
したがって、構造上θ≠0であるため、n=1を選べば、θ=180°となり、長さLはλg/2となる。
In order to improve reflection at the end portions 8a and 8b of the waveguide bridge 8, it is necessary that the phases of the reflection coefficient ΓE and the reflection coefficient ΓF differ by “180 ° + n × 360 °”.
For this reason, the condition for reversing the phase difference for the round trip is expressed by the following equation (1), where θ is the phase passing through the length L.
180 ° + 2θ = 180 ° + n × 360 ° (n = 0, 1, 2,...) (1)
Therefore, since θ ≠ 0 in terms of structure, if n = 1 is selected, θ = 180 ° and the length L is λg / 2.

しかも、導波管ブリッジ8が主導波管1の軸方向にλg/2の長さを有していても、矩形導波管の幅広面中央に配置される限り、主導波管1のTE10モードの電界分布より、導波管ブリッジ8の中央部8cと中央部8dが同電位になる。
そのため、導波管ブリッジ8が、主導波管1のTE10モードを伝送する導波路として働くことはなく、隣接する導波管給電部とのアイソレーションが確保される。
これにより、図11の導波管給電部では、製造限界を回避して剛性を保つことができるとともに、反射特性を改善することができる。
Moreover, even if the waveguide bridge 8 has a length of λg / 2 in the axial direction of the main waveguide 1, the TE10 mode of the main waveguide 1 is sufficient as long as it is arranged at the center of the wide surface of the rectangular waveguide. Therefore, the central portion 8c and the central portion 8d of the waveguide bridge 8 have the same potential.
Therefore, the waveguide bridge 8 does not work as a waveguide that transmits the TE10 mode of the main waveguide 1, and isolation from the adjacent waveguide feeder is ensured.
As a result, the waveguide power feeding section of FIG. 11 can maintain the rigidity by avoiding the manufacturing limit, and can improve the reflection characteristics.

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。   In the present invention, within the scope of the invention, any combination of the embodiments, or any modification of any component in each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible. .

1a〜1h 主導波管、2a〜2c,3a〜3c 入出力部、4,4a〜4d,6a〜6d,7a〜7c 導波管ブリッジ(副導波管)、5 導体めっき、8 導波管ブリッジ(副導波管)、8a,8b 導波管ブリッジ8の端部、8c,8d 導波管ブリッジ8の中央部。   1a to 1h Main waveguide, 2a to 2c, 3a to 3c I / O section, 4, 4a to 4d, 6a to 6d, 7a to 7c Waveguide bridge (sub waveguide), 5 conductor plating, 8 waveguide Bridge (sub-waveguide), 8a, 8b End portion of the waveguide bridge 8, 8c, 8d Center portion of the waveguide bridge 8.

Claims (7)

内部には誘電体が充填され、入出力部分を除く周囲には導体めっきが施されている複数の主導波管と、上記主導波管の伝送周波数帯域より高いカットオフ周波数を有する副導波管とを備え、
上記副導波管が複数の上記主導波管の間に配置されており、上記副導波管の一端がいずれかの上記主導波管の壁面に接続され、上記副導波管の他端が上記主導波管と別の上記主導波管の壁面に接続されていることを特徴とする導波管給電部。
A plurality of main waveguides that are filled with a dielectric and are plated with a conductor around the input / output portion, and a sub-waveguide having a cutoff frequency higher than the transmission frequency band of the main waveguide And
The sub waveguide is disposed between said main waveguide of multiple, one end of the sub-wave tube is connected to the wall surface of any of the above main waveguide, the other end of the sub-wave tube There waveguide feed section, characterized in that it is connected to the wall surface of the main waveguide and another of the main waveguide.
上記主導波管の伝送周波数帯域の中心周波数における管内波長の4分の1の奇数倍の間隔で、上記主導波管の管軸方向に複数の上記副導波管が配置されていることを特徴とする請求項1記載の導波管給電部。 Characterized in that one of the odd multiple of spacing of a quarter of the guide wavelength, a plurality of the sub-wave tube to the tube axis direction of the main waveguide is located at the center frequency of the transmission frequency band of the main waveguide The waveguide feeding portion according to claim 1. 3本以上の上記主導波管が配置される場合、各上記主導波管に接続される上記副導波管の本数及び形状が一致しており、上記主導波管及び上記副導波管の位置関係が軸対称形又は回転対称形であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の導波管給電部。 If three or more of the main waveguide are arranged, each of which the number of the main waveguide said sub waveguide which is connected to and shape match, the position of the main waveguide and the sub waveguide 3. The waveguide feeding portion according to claim 1, wherein the relationship is axially symmetric or rotationally symmetric. 上記主導波管の入力側及び出力側の双方に上記副導波管が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の導波管給電部。 Waveguide feeding unit according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the sub waveguide is arranged on both the input side and the output side of the main waveguide. 上記主導波管が矩形導波管である場合、上記副導波管が上記矩形導波管の幅広面中央に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の導波管給電部。 If the main waveguide has a rectangular waveguide, any of claims 1 to 4, the sub-wave tube is characterized in that it is arranged on the wide surface center of the rectangular waveguide 2. A waveguide feeding unit according to item 1. 上記主導波管の管軸方向に対して、上記主導波管の伝送周波数帯域の中心周波数における管内波長の2分の1の整数倍の長さを有する上記副導波管が配置されていることを特徴とする請求項5記載の導波管給電部。 To the tube axis direction of the main waveguide, that the sub-wave tube having a one-half of an integral multiple of the length of the guide wavelength at the center frequency of the transmission frequency band of the main waveguide is located The waveguide power feeding unit according to claim 5, wherein: 複数の上記主導波管の上記入出力部分が素子アンテナと一体成形されていることを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載の導波管給電部。 Waveguide feeding unit according to any one of claims 1 to 6 in which the input and output portions of the plurality of the main waveguide is characterized in that it is integrally molded with the antenna element.
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