JP5675189B2 - Functional films for organic electronic devices - Google Patents

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Description

本発明は、有機電子素子用機能性膜、該機能性膜を使用する有機電子素子に関する。   The present invention relates to a functional film for an organic electronic device and an organic electronic device using the functional film.

近年、有機ELデバイスに代表される有機電子デバイスが注目されている。有機電子デバイスとしては低電力化によって無機電子デバイスよりも省電力が可能と考えられているが、金属から有機材料および有機材料から別の有機材料への電荷の注入と、有機材料そのものの導電性の低さによって、低電力化は十分には実現されていない。   In recent years, organic electronic devices represented by organic EL devices have attracted attention. Organic electronic devices are thought to be able to save more power than inorganic electronic devices by reducing power consumption, but the injection of charges from metals to organic materials and from organic materials to other organic materials and the conductivity of organic materials themselves The low power consumption has not been sufficiently realized.

そこで本発明は、有機電子デバイスの低電力化、すなわち高効率化を実現しうる優れた有機電子素子用機能性膜を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an excellent functional film for an organic electronic device that can realize low power, that is, high efficiency of an organic electronic device.

本発明者らは、上記課題が、
下式(1)で表される化合物と、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、La、Ce、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、PbおよびBiからなる群から選ばれる遷移金属(以下、「特定遷移金属」という)の金属塩との組み合わせであって、
その光の吸収スペクトルを一階微分形で表した曲線が、240nm〜400nmの波長範囲に有する最小値に対してその4分の1よりも小さい極小値を430nm〜800nmの範囲に有しない組み合わせを含む有機電子素子用機能性膜。
The present inventors have solved the above problem.
A compound represented by the following formula (1), Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, In, Sn, A transition metal selected from the group consisting of Sb, La, Ce, Eu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb and Bi (hereinafter referred to as “specific transition metal”) A combination with a metal salt,
A combination in which the curve representing the absorption spectrum of the light in the first-order differential form does not have a minimum value smaller than a quarter of the minimum value in the wavelength range of 240 nm to 400 nm in the range of 430 nm to 800 nm. A functional film for organic electronic devices.

(ここで、Arはn価の共役基を表し、Jは前記金属塩を構成する金属イオンに配位可能な原子を1個以上8個以下有する1価の配位基であり、nは2以上20以下の整数を表し、複数のJは同一でも異なっていてもよい。) (Wherein Ar represents an n-valent conjugated group, J represents a monovalent coordination group having 1 to 8 atoms capable of coordinating to the metal ions constituting the metal salt, and n is 2 Represents an integer of 20 or less, and a plurality of J may be the same or different.)

以下、該発明に関連した他の発明とともに、これら発明の代表的な好ましい実施形態を挙げる。   Hereinafter, typical preferred embodiments of these inventions will be listed together with other inventions related to the invention.

上記機能性膜に一実施形態として、前記の式(1)で表される化合物と金属塩とからなる組み合わせが、該化合物と該金属イオンとで形成された錯体を含む機能性膜を提供する。   As an embodiment of the functional film, a functional film in which a combination of the compound represented by the formula (1) and a metal salt includes a complex formed of the compound and the metal ion is provided. .

上記の機能性膜において、前記の式(1)で表される化合物/前記金属イオンのモル比が0.3〜5.0であることが好ましい。   In the above functional film, the molar ratio of the compound represented by the formula (1) / the metal ion is preferably 0.3 to 5.0.

上記の配位基Jが有する前記配位可能な原子は炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはそれらの2種以上の組み合わせであることが好ましく、特に窒素原子であることが好ましい。   The coordinating atom contained in the coordination group J is preferably a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a combination of two or more thereof, particularly preferably a nitrogen atom.

上記の配位基Jが前記金属イオンに配位可能な原子を1〜3個有することが好ましい。   The coordinating group J preferably has 1 to 3 atoms capable of coordinating with the metal ion.

配位基Jはビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基であることが好ましい。   The coordinating group J is preferably a bipyridyl group, a terpyridyl group or a phenanthrolinyl group.

前記の共役基Arは芳香族炭化水素基であることが好ましい。なかでも、共役基Arがフェニレン基、フルオレンジイル基またはそれらの組み合わせであることがより好ましい。   The conjugated group Ar is preferably an aromatic hydrocarbon group. Among these, it is more preferable that the conjugated group Ar is a phenylene group, a fluorenediyl group, or a combination thereof.

前記遷移金属の金属塩は亜鉛、クロムまたはマンガンの塩であることが好ましい。中でも亜鉛塩であることがより好ましい。   The metal salt of the transition metal is preferably a zinc, chromium or manganese salt. Of these, zinc salts are more preferred.

本発明は、第二に、上記の機能性膜からなる有機電子素子用電荷注入層を提供する。   Secondly, the present invention provides a charge injection layer for an organic electronic device comprising the above functional film.

本発明は、第三に、上記の機能性膜からなる有機電子素子用電荷移動層を提供する。   Thirdly, the present invention provides a charge transfer layer for an organic electronic device comprising the above functional film.

本発明は、第四に、上記の機能性膜と、該機能性膜の両側のおのおのに直接にまたは少なくとも一つの別の層を介して設けられた少なくとも一つの電極とを備えた(すなわち、有機電子素子としては、少なくとも二つの電極を備えた)有機電子素子を提供する。   Fourthly, the present invention comprises the above functional membrane and at least one electrode provided directly on each side of the functional membrane or via at least one other layer (ie, An organic electronic device (provided with at least two electrodes) is provided.

該有機電子素子としては、有機発光素子、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等をあげることができる。   Examples of the organic electronic element include an organic light emitting element, an organic transistor element, and an organic photoelectric conversion element.

上記有機電子素子の好ましい一実施形態として、該機能性膜と、該機能性膜の少なくとも片側に設けられた少なくとも一つの電極と、該機能性膜及び該電極の間に設けられた少なくとも一層の発光層を有し、発光性である有機電子素子を提供する。   As a preferred embodiment of the organic electronic device, the functional film, at least one electrode provided on at least one side of the functional film, and at least one layer provided between the functional film and the electrode. Provided is an organic electronic element having a light emitting layer and emitting light.

本発明は第五に、下記の式(2)で表されるフルオレン系化合物を提供する。   Fifthly, the present invention provides a fluorene compound represented by the following formula (2).

(式中、Jは前記の特定遷移金属の金属イオンに配位可能な原子を1個以上8個以下有する1価の配位基であり、Rは1価の炭化水素基である。2個のRは、同一であっても異なっていてもよい。2個のJは同一であっても異なっていてもよい。)
上記のフルオレン系化合物において、Jがビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基であるものが好ましい。
(In the formula, J is a monovalent coordination group having 1 to 8 atoms capable of coordinating to the metal ion of the specific transition metal, and R is a monovalent hydrocarbon group. The Rs in each may be the same or different, and two Js may be the same or different.)
In the above fluorene-based compound, those in which J is a bipyridyl group, a terpyridyl group or a phenanthrolinyl group are preferred.

さらに、本発明は、第六に、新規化合物として、式(2)で表されるフルオレン系化合物と特定遷移金属の塩とからなる錯体を提供する。   Furthermore, the present invention sixthly provides a complex comprising a fluorene compound represented by the formula (2) and a salt of a specific transition metal as a novel compound.

該錯体において、上記特定遷移金属の塩は亜鉛塩、クロム塩またはマンガン塩であることが好ましく、さらに亜鉛塩であることが特に好ましい。その具体例として下記の式(3)で表される繰返し単位を有する錯体を提供する。   In the complex, the salt of the specific transition metal is preferably a zinc salt, a chromium salt or a manganese salt, and more preferably a zinc salt. As a specific example thereof, a complex having a repeating unit represented by the following formula (3) is provided.

(式中、Jは亜鉛イオンに配位可能な原子を1〜3個有する1価の配位基であり、Rは1価の炭化水素基であり、(AN)n−はn価の対アニオン(但し、nは1または2の整数)であり、破線は1〜3本の配位結合を示す。)
式(3)において、Jはビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基であることが好ましい。Rはアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基であることが好ましい。
(Wherein J 1 is a monovalent coordination group having 1 to 3 atoms capable of coordinating with a zinc ion, R is a monovalent hydrocarbon group, and (AN) n- is an n-valent group) Counter anion (where n is an integer of 1 or 2), and a broken line indicates 1 to 3 coordination bonds.)
In the formula (3), J 1 is preferably a bipyridyl group, a terpyridyl group or a phenanthrolinyl group. R is preferably an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group.

本発明の有機電子素子用機能性膜では、式(1)で表される化合物と特定遷移金属の塩とからなる組み合わせが良好な導電性を示し、金属電極などからの電荷の注入性および電荷の移動性を高める。該組み合わせは、金属原子と有機物間に形成される配位結合により生じる金属錯体の状態にある場合が確認されたが、常に金属錯体の状態にあるとは限らない。それにも関わらず、いずれにせよ、該組み合わせが分子間ネットワークを形成し、金属電極などからの電荷の注入性および電荷の移動性を高める。そのため、本発明の有機電子素子用機能性膜は、有機電子デバイスにおいて、電荷注入層、電荷輸送層またはその両方の機能を兼ね備える層として極めて有用であり、例えば発光効率などの効率を高めるものである。したがって、該機能性膜は、有機発光素子、有機トランジスタ、有機太陽電池等の製造に有用となる。   In the functional film for an organic electronic device of the present invention, the combination of the compound represented by the formula (1) and a salt of a specific transition metal exhibits good conductivity, and the charge injection property and charge from a metal electrode or the like Increase mobility. Although it has been confirmed that the combination is in the state of a metal complex generated by a coordinate bond formed between a metal atom and an organic substance, it is not always in the state of a metal complex. Nevertheless, in any case, the combination forms an intermolecular network and enhances the charge injectability and charge mobility from a metal electrode or the like. Therefore, the functional film for organic electronic elements of the present invention is extremely useful as a layer having the functions of a charge injection layer, a charge transport layer, or both in an organic electronic device, and increases the efficiency of, for example, light emission efficiency. is there. Therefore, the functional film is useful for the production of organic light-emitting elements, organic transistors, organic solar cells and the like.

本発明を説明するための、(A)は仮想的な吸収スペクトルを示し、(B)はその一階微分曲線を示す。For explaining the present invention, (A) shows a virtual absorption spectrum, and (B) shows its first derivative curve. 実施例1で得られた化合物X−Znの吸収スペクトル(A)、その一階微分曲線(B)およびそれをスムージング処理した曲線(C)を示す。The absorption spectrum (A) of the compound X-Zn obtained in Example 1, its first derivative curve (B), and the curve (C) which smoothed it are shown. 比較例1で得られた化合物X−Coの吸収スペクトル(A)、その一階微分曲線(B)およびそれをスムージング処理した曲線(C)を示す。The absorption spectrum (A) of the compound X-Co obtained in Comparative Example 1, its first derivative curve (B), and the curve (C) obtained by smoothing it are shown.

次に、本発明を詳細に説明する。   Next, the present invention will be described in detail.

式(1)におけるJで表される「配位基」とは、上記金属イオンに配位可能な原子(以下、「配位原子」という)を1個以上8個以下、構成原子として含む基を意味する。配位基Jを構成する原子の数は配位原子を含めて2個以上500個以下であり、好ましくは6個以上200個以下であり、より好ましくは6個以上100個以下であり、さらに好ましくは8個以上70個以下である。配位原子の数は1個以上8個以下であるが、1個以上6個以下が好ましく、1個以上4個以下がより好ましく、1個以上3個以下が特に好ましい。   The “coordinating group” represented by J in the formula (1) is a group containing from 1 to 8 atoms that can coordinate to the metal ion (hereinafter referred to as “coordinating atoms”) as constituent atoms. Means. The number of atoms constituting the coordinating group J is 2 or more and 500 or less including the coordination atom, preferably 6 or more and 200 or less, more preferably 6 or more and 100 or less, Preferably they are 8 or more and 70 or less. The number of coordination atoms is 1 or more and 8 or less, preferably 1 or more and 6 or less, more preferably 1 or more and 4 or less, and particularly preferably 1 or more and 3 or less.

「配位原子」は、一組の孤立電子対を有して金属塩中の金属イオンに配位可能な状態の原子であり、炭素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子があげられる。ひとつの配位基Jに含まれる配位原子は、原子種として単一種でも複数種であってもよく、窒素原子、酸素原子および硫黄原子が好ましく、窒素原子および酸素原子がより好ましく、窒素原子がさらに好ましい。   The “coordinating atom” is an atom having a pair of lone electrons and capable of coordinating with a metal ion in a metal salt, and includes a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. Coordination atoms contained in one coordination group J may be a single species or a plurality of species as atomic species, preferably nitrogen atoms, oxygen atoms and sulfur atoms, more preferably nitrogen atoms and oxygen atoms, nitrogen atoms. Is more preferable.

本発明におけるJの配位基の例は、下に示す化合物の任意のHを1個取り去ることにより生じる残基である。1個のHを取り去られる前の原化合物は、下に例示の化合物のおのおのにおいて、取り去られるH以外の別の1つ以上のHがRで置換されたものでもよい。ここで、Rは下に例示する通りであり、ひとつの化合物に複数の置換基Rが存在する場合にはそれらは同一でも異なっていてもよい。この例示の中では、bipy、phen、およびtpyから任意のHを一個取り去ることによりそれぞれ生じるビピリジル基、フェナントロリニル基およびターピリジル基(以下、本明細書においては、これらの三種の基を総じて「ターピリジル基等」ともいう)がJとして好ましい。 Examples of coordinating groups of J in the present invention is a residue caused by removing one arbitrary H a compound shown below. Hara compound before taken away one H a, in each of the exemplary compounds under another one of the non-H a taken away more H a may be those substituted with R a. Here, R a is as exemplified below, and when a plurality of substituents R a are present in one compound, they may be the same or different. In this exemplary, bipy, phen, and each caused a bipyridyl group by removing one arbitrary H a from tpy, phenanthrolinyl group and terpyridyl group (hereinafter, in this specification, these three types of group J is generally preferred as “terpyridyl group or the like”.

上記Raは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基(即ち、アラルキル基)、1価の複素環基、炭化水素オキシ基、炭化水素二置換アミノ基、炭化水素メルカプト基、炭化水素カルボニル基、炭化水素オキシカルボニル基、炭化水素二置換アミノカルボニル基、又は炭化水素スルホニル基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。Raとしては、好ましくはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、1価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、1価の複素環基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基である。 R a is an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group (that is, an aralkyl group), a monovalent heterocyclic group, a hydrocarbon oxy group, a hydrocarbon disubstituted amino group, a hydrocarbon mercapto group, a hydrocarbon carbonyl group, It is a hydrocarbon oxycarbonyl group, a hydrocarbon disubstituted aminocarbonyl group, or a hydrocarbon sulfonyl group. These groups may have a substituent. R a is preferably an alkyl group, aryl group, arylalkyl group, or monovalent heterocyclic group, more preferably an alkyl group, aryl group, arylalkyl group, or monovalent heterocyclic group, still more preferably. Is an alkyl group or an aryl group.

ここで、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素原子数が通常1〜20であり、好ましくは炭素原子数1〜15であり、より好ましくは1〜10であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられ、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基が好ましい。Raが複数存在する場合には、2つのアルキル基どうしが結合してアルキレン基を形成することにより環を形成してもよい。 Here, the alkyl group may be linear, branched or cyclic, and usually has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl Group, perfluorooctyl group, from the viewpoint of device characteristics, ease of synthesis, etc., methyl group, ethyl group, propyl group, - propyl group, butyl group, i- butyl, t- butyl group, a pentyl group, an isoamyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group, decyl group, 3,7-dimethyl octyl group are preferable. When a plurality of R a are present, a ring may be formed by combining two alkyl groups to form an alkylene group.

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレン基等を介して結合したものも含まれる。アリール基は、全炭素原子数が通常6〜60であり、好ましくは7〜48である。その具体例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられ、これらはさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、置換アミノ基などの置換基を有していてもよい。これらの有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、炭素原子数1〜12のアルキル基、炭素原子数1〜12のアルコキシ基、およびアルキルオキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上を置換基として有するフェニル基が好ましく、その具体例としては、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、4−プロピルフェニル基、メシチル基、4−i−プロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、4−i−ブチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基、4−ペンチルフェニル基、4−イソアミルフェニル基、4−ヘキシルフェニル基、2,6−ジメチル−4−t−ブチルフェニル基、2,5−ジ(t−ブチル)フェニル基、4−ヘプチルフェニル基、4−オクチルフェニル基、4−ノニルフェニル基、4−デシルフェニル基、4−ドデシルフェニル基、3−メチルオキシフェニル基、4−メチルオキシフェニル基、3,5−ジメチルオキシフェニル基、4−プロピルオキシフェニル基、4−i−プロピルオキシフェニル基、4−ブチルオキシフェニル基、4−i−ブチルオキシフェニル基、4−t−ブチルオキシフェニル基、4−ヘキシルオキシフェニル基、3,5−ジヘキシルオキシフェニル基、4−ヘプチルオキシフェニル基、4−オクチルオキシフェニル基、4−ノニルオキシフェニル基、4−(メトキシメトキシ)フェニル基、3−(メトキシメトキシ)フェニル基、4−(2−エトキシ−エトキシ)フェニル基、3−(2−エトキシ−エトキシ)フェニル基、3,5−ビス(2−エトキシ−エトキシ)フェニル基、3−メトキシカルボニルフェニル基、4−メトキシカルボニルフェニル基、3,5−ジメトキシカルボニルフェニル基、3−エトキシカルボニルフェニル基、4−エトキシカルボニルフェニル基、3−エチルオキシカルボニル−4−メトキシフェニル基、3−エチルオキシカルボニル−4−エトキシフェニル基、3−エチルオキシカルボニル−4−ヘキシルオキシフェニル基、4−ジフェニルアミノフェニル基が挙げられる。   An aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, having a condensed ring, or having two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or via a vinylene group Is also included. The aryl group generally has 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthracenyl group, a 2-anthracenyl group, a 9-anthracenyl group, and a pentafluorophenyl group, and these further include an alkyl group and an alkoxy group. And may have a substituent such as an alkyloxycarbonyl group or a substituted amino group. From the viewpoint of solubility in these organic solvents, device characteristics, easiness of synthesis, etc., it consists of an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and an alkyloxycarbonyl group. A phenyl group having at least one selected from the group as a substituent is preferred, and specific examples thereof include 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 3,5-dimethylphenyl group, 4-propylphenyl group, mesityl. Group, 4-i-propylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-i-butylphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 4-pentylphenyl group, 4-isoamylphenyl group, 4-hexylphenyl group, 2,6-dimethyl-4-t-butylphenyl group, 2,5-di (t-butyl) phenyl group, 4-heptylphenyl group, 4-octylpheny Group, 4-nonylphenyl group, 4-decylphenyl group, 4-dodecylphenyl group, 3-methyloxyphenyl group, 4-methyloxyphenyl group, 3,5-dimethyloxyphenyl group, 4-propyloxyphenyl group, 4-i-propyloxyphenyl group, 4-butyloxyphenyl group, 4-i-butyloxyphenyl group, 4-t-butyloxyphenyl group, 4-hexyloxyphenyl group, 3,5-dihexyloxyphenyl group, 4-heptyloxyphenyl group, 4-octyloxyphenyl group, 4-nonyloxyphenyl group, 4- (methoxymethoxy) phenyl group, 3- (methoxymethoxy) phenyl group, 4- (2-ethoxy-ethoxy) phenyl group 3- (2-Ethoxy-ethoxy) phenyl group, 3,5-bis (2-ethoxy-ethoxy) Enyl group, 3-methoxycarbonylphenyl group, 4-methoxycarbonylphenyl group, 3,5-dimethoxycarbonylphenyl group, 3-ethoxycarbonylphenyl group, 4-ethoxycarbonylphenyl group, 3-ethyloxycarbonyl-4-methoxyphenyl Group, 3-ethyloxycarbonyl-4-ethoxyphenyl group, 3-ethyloxycarbonyl-4-hexyloxyphenyl group, 4-diphenylaminophenyl group.

アリールアルキル基は、炭素原子数が通常7〜60であり、好ましくは7〜48であり、その具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキル基が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基が好ましい。 Arylalkyl group, number of carbon atoms of usually 7 to 60, preferably 7 to 48, and examples thereof include phenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkyl groups and the like, organic solubility, device properties to solvents, from the viewpoint of easiness of synthesis, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl Groups are preferred.

1価の複素環基とは、複素環式化合物の複素環に結合した水素原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素原子数は通常4〜60であり、好ましくは4〜20である。なお、複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。ここに複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が例示され、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基が好ましい。 The monovalent heterocyclic group means the remaining atomic group excluding one hydrogen atom bonded to the heterocyclic ring of the heterocyclic compound, and usually has 4 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. is there. The number of carbon atoms in the heterocyclic group does not include the number of carbon atoms in the substituent. Here, the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also heteroatoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus and boron in the ring. Say. Specifically, a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, C 1 -C 12 alkyl pyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group and the like, a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, a C 1 -C 12 alkyl pyridyl group are preferable.

本発明において、「共役基」とは相互に共役関係にある2個以上のπ結合(即ち、二重結合および三重結合)を含む基を意味する。   In the present invention, the “conjugated group” means a group containing two or more π bonds (that is, a double bond and a triple bond) that are conjugated to each other.

式(1)におけるn価の共役基としては、n価の芳香族基、n価の共役脂肪族炭化水素基が例示できる。式(1)におけるn価の共役基としては、さらに、芳香族基、有橋多環式芳香族基および共役脂肪族炭化水素基からなる群から2〜20個を選び結合させてなるn価の基も例示できる。nは2以上20以下の整数を表すが、2以上12以下が好ましく、2以上6以下がより好ましく、2以上4以下がさらに好ましく、2および3が特に好ましく、2がとりわけ好ましい。   Examples of the n-valent conjugated group in Formula (1) include an n-valent aromatic group and an n-valent conjugated aliphatic hydrocarbon group. As the n-valent conjugated group in the formula (1), an n-valence formed by further selecting 2 to 20 groups from the group consisting of an aromatic group, a bridged polycyclic aromatic group and a conjugated aliphatic hydrocarbon group. The group of can also be illustrated. n represents an integer of 2 to 20, preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, particularly preferably 2 and 3, and particularly preferably 2.

ここでn価の芳香族基とは、芳香族化合物(置換もしくは非置換の芳香族炭素環式化合物および置換もしくは非置換の芳香族複素環式化合物)の環に結合する水素原子がn個脱離して生ずる残基である。該芳香族基は、炭素原子数が通常6〜60であり、好ましくは6〜48であり、より好ましくは6〜30であり、さらに好ましくは6〜25であり、特に好ましくは6〜20である。該炭素原子数は置換基の炭素原子数は含まない。置換基としては、Rとして上述したものが挙げられる。 Here, the n-valent aromatic group means n hydrogen atoms bonded to the ring of the aromatic compound (substituted or unsubstituted aromatic carbocyclic compound and substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic compound). It is a residue that occurs separately. The aromatic group usually has 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 48, more preferably 6 to 30, still more preferably 6 to 25, and particularly preferably 6 to 20. is there. The number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms of the substituent. Examples of the substituent include those described above for Ra .

上記芳香族化合物の具体例としては、下記式(A−1)〜(A−38)で表される芳香族化合物および(B−1)〜(B−10)で表される芳香族化合物が挙げられる。好ましくは式(A−1)〜(A−8)、(A−12)、(A−13)、(A−18)、(A−20)〜(A−24)、(A−28)〜(A−38)および(B−1)〜(B−8)で表される芳香族化合物であり、より好ましくは式(A−1)〜(A−8)、(A−13)、(A−20)〜(A−24)、(B−1)〜(B−5)および(B−8)で表される芳香族化合物であり、さらに好ましくは式(A−1)〜(A−3)、(A−13)および(A−20)〜(A−24)で表される芳香族化合物であり、特に好ましくは式(A−1)〜(A−3)および(A−13)で表される芳香族化合物である。   Specific examples of the aromatic compound include aromatic compounds represented by the following formulas (A-1) to (A-38) and aromatic compounds represented by (B-1) to (B-10). Can be mentioned. Preferably Formula (A-1)-(A-8), (A-12), (A-13), (A-18), (A-20)-(A-24), (A-28) To (A-38) and (B-1) to (B-8), more preferably aromatic compounds represented by formulas (A-1) to (A-8), (A-13), Aromatic compounds represented by (A-20) to (A-24), (B-1) to (B-5) and (B-8), more preferably Formulas (A-1) to ( A-3), (A-13) and aromatic compounds represented by (A-20) to (A-24), particularly preferably formulas (A-1) to (A-3) and (A -13) is an aromatic compound.

(上記の式中において、Rは前記の通りである。) (In the above formula, R a is as described above.)

n価の芳香族基の例として、n価の有橋多環式芳香族基も挙げられる。n価の有橋多環式芳香族基は、有橋多環式芳香族化合物に結合する水素原子がn個脱離して生ずる残基である。   Examples of the n-valent aromatic group also include an n-valent bridged polycyclic aromatic group. The n-valent bridged polycyclic aromatic group is a residue generated by elimination of n hydrogen atoms bonded to the bridged polycyclic aromatic compound.

上記の有橋多環式芳香族化合物の具体例としては、下記式(C−1)〜(C−24)のものが挙げられる。これらの例示化合物を構成する環に結合した水素原子の一部または全部が置換基Rで置換されていてもよい。置換基Rとしては、Rについて既に述べた説明、例示が当てはまる。好ましくは式(C−1)〜(C−14)、(C−16)、(C−21)および(C−22)で表される有橋多環式芳香族化合物であり、より好ましくは(C−1)〜(C−13)で表される有橋多環式芳香族化合物であり、さらに好ましくは(C−1)および(C−2)で表される有橋多環式芳香族化合物であり、特に好ましくは(C−1)で表される有橋多環式芳香族化合物である。 Specific examples of the bridged polycyclic aromatic compound include those represented by the following formulas (C-1) to (C-24). Some or all of the hydrogen atoms bonded to the rings constituting these exemplary compounds may be substituted with the substituent Rb . As the substituent R b , the explanations and illustrations already described for R a are applicable. Preferred are bridged polycyclic aromatic compounds represented by formulas (C-1) to (C-14), (C-16), (C-21) and (C-22), more preferably A bridged polycyclic aromatic compound represented by (C-1) to (C-13), more preferably a bridged polycyclic aroma represented by (C-1) and (C-2). And particularly preferably a bridged polycyclic aromatic compound represented by (C-1).

(上記の式中において、Rは前記の通りである。)
(In the above formula, R a is as described above.)

ここでn価の共役脂肪族炭化水素基とは、共役脂肪族炭化水素化合物のsp混成炭素またはsp混成炭素に結合する水素原子がn個脱離して生ずる基である。 Here, the n-valent conjugated aliphatic hydrocarbon group is a group formed by elimination of n hydrogen atoms bonded to sp 2 hybrid carbon or sp hybrid carbon of a conjugated aliphatic hydrocarbon compound.

上記の共役脂肪族炭化水素化合物の具体例としては、下記式(D−1)〜(D−12)で表される共役脂肪族炭化水素化合物が挙げられ、好ましくは式(D−1)〜(D−8)で表される共役脂肪族炭化水素化合物であり、より好ましくは(D−1)〜(D−4)で表される共役脂肪族炭化水素化合物であり、さらに好ましくは(D−1)、(D−2)で表される共役脂肪族炭化水素化合物であり、特に好ましくは(D−1)で表される共役脂肪族炭化水素化合物である。   Specific examples of the conjugated aliphatic hydrocarbon compound include conjugated aliphatic hydrocarbon compounds represented by the following formulas (D-1) to (D-12), preferably the formula (D-1) to It is a conjugated aliphatic hydrocarbon compound represented by (D-8), more preferably a conjugated aliphatic hydrocarbon compound represented by (D-1) to (D-4), and more preferably (D -1) and conjugated aliphatic hydrocarbon compounds represented by (D-2), particularly preferably conjugated aliphatic hydrocarbon compounds represented by (D-1).

式(1)で表される化合物は、本発明の式(1)で表される化合物と金属塩とからなる組み合わせにおいて配位子として作用し錯体を形成する。該式(1)で表される化合物の例として下記式(H−1)〜(H−112)のものが挙げられ、好ましくは式(H−1)〜(H−16)、(H−17)〜(H−47)、(H−51)〜(H−57)、(H−59)〜(H−62)および(H−64)〜(H−112)で表される配位子(以下H−D群)であり、より好ましくは式(H−1)〜(H−8)、(H−10)、(H−12)、(H−14)〜(H−15)、(H−18)〜(H−21)、(H−23)、(H−24)、(H−26)〜(H−30)、(H−72)〜(H−75)、(H−77)〜(H−84)、(H−86)〜(H−88)、(H−92)、(H−93)、(H−96)、(H−100)〜(H−103)および(H−105)〜(H−112)で表される配位子(以下H−C群)であり、さらに好ましくは式(H−1)、(H−2)、(H−4)、(H−6)、(H−8)、(H−15)、(H−18)〜(H−20)、(H−26)〜(H−30)、(H−72)、(H−74)、(H−79)、(H−83)、(H−86)〜(H−88)、(H−92)、(H−100)、(H−101)、(H−103)、(H−105)〜(H−107)、および(H−109)〜(H−112)で表される配位子(以下H−B群)であり、特に好ましくは式(H−1)および(H−28)〜(H−30)で表される配位子(以下H−A群)である。   The compound represented by the formula (1) acts as a ligand to form a complex in the combination of the compound represented by the formula (1) of the present invention and a metal salt. Examples of the compound represented by the formula (1) include those of the following formulas (H-1) to (H-112), preferably formulas (H-1) to (H-16), (H— 17) to (H-47), (H-51) to (H-57), (H-59) to (H-62) and (H-64) to (H-112) Child (hereinafter referred to as HD group), more preferably formulas (H-1) to (H-8), (H-10), (H-12), (H-14) to (H-15). , (H-18) to (H-21), (H-23), (H-24), (H-26) to (H-30), (H-72) to (H-75), ( H-77) to (H-84), (H-86) to (H-88), (H-92), (H-93), (H-96), (H-100) to (H- 103) and the coordination represented by (H-105) to (H-112) (Hereinafter referred to as HC group), more preferably formulas (H-1), (H-2), (H-4), (H-6), (H-8), (H-15), (H-18) to (H-20), (H-26) to (H-30), (H-72), (H-74), (H-79), (H-83), (H -86) to (H-88), (H-92), (H-100), (H-101), (H-103), (H-105) to (H-107), and (H- 109) to (H-112) (hereinafter referred to as group H-B), particularly preferably represented by formulas (H-1) and (H-28) to (H-30). It is a ligand (hereinafter referred to as HA group).

本発明で用いられる金属塩は、特定遷移金属の金属カチオンとアニオンからなる塩である。金属カチオンは電気的に中性な金属原子から電子を1〜7個取り除いてなるイオンである。本発明において好ましい、電気的に中性な金属原子を、元素記号を用いて例示すると、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、La、Ce、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、PbおよびBiが挙げられ、中でもTi、V、Cr、Mn、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、PtおよびHg(以下M−D群)が好ましく、Cr、Mn、Zn、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、W、Re、Os、IrおよびPt(以下M−C群)がより好ましく、Cr、Mn、Zn、Mo、Ru、Pd、Ag、およびCd(以下M−B群)がさらに好ましく、Zn、Cr、Mn、Ru、Rh、PdおよびAg(以下M−A群)が特に好ましく、Zn、CrおよびMnがさらに特に好ましい。   The metal salt used in the present invention is a salt composed of a metal cation and an anion of a specific transition metal. A metal cation is an ion formed by removing 1 to 7 electrons from an electrically neutral metal atom. Examples of electrically neutral metal atoms preferable in the present invention using element symbols are Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ru. , Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, La, Ce, Eu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb and Bi, among which Ti, V , Cr, Mn, Zn, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Hg (hereinafter referred to as MD group) are preferable, Cr, Mn, Zn, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, W, Re, Os, Ir, and Pt (hereinafter referred to as “MC group”) are more preferable, and Cr, Mn, Zn, Mo, Ru, Pd, Ag, and Cd (hereinafter referred to as “Cd”) M-B group) is more preferable, Zn, Cr, Mn, Ru Rh, Pd and Ag (hereinafter M-A group) are particularly preferred, Zn, Cr and Mn are more particularly preferred.

本発明で用いられる金属カチオンは上記に例示された電気的に中性な特定遷移金属の金属原子を元素記号から電子を1〜7個取り除いて生成するイオンが例示でき、中でもAl3+、Sc3+、Ti4+、V3+、V5+、Cr2+、Cr3+、Mn2+、Mn3+、Zn2+、Ga3+、Ge2+、Ge4+、Y3+、Zr4+、Nb3+、Nb5+、Mo4+、Mo6+、Ru4+、Pd、Ag、Cd2+、In3+、Sn2+、Sn4+、Sb3+、La3+、Ce3+、Ce4+、Eu3+、Hf4+、Ta5+、W6+、Re6+、Os2+、Os4+、Ir4+、Pt2+、Pt4+、Hg、Hg2+、Tl、Tl3+、Pb2+、Pb4+およびBi3+(以下I−D群)が好ましく、Sc3+、Ti4+、V3+、V5+、Cr2+、Cr3+、Mn2+、Mn3+、Zn2+、Y3+、Zr4+、Nb3+、Nb5+、Mo4+、Mo6+、Ru4+、Pd、Ag、Cd2+、Hf4+、Ta5+、W6+、Re6+、Os2+、Os4+、Ir4+、Pt2+およびPt4+(以下I−C群)がより好ましく、Cr2+、Cr3+、Mn2+、Mn3+、Zn2+、Mo4+、Mo6+、Ru4+、Pd、Ag、Cd2+、Ta5+、W6+、Re6+、Os2+、Os4+、Ir4+、Pt2+およびPt4+(以下I−B群)がさらに好ましく、Cr2+、Cr3+、Mn2+、Mn3+、Zn2+、Mo4+、Mo6+、Ru4+、PdおよびAg(以下I−A群)が特に好ましく、Zn2+、Cr2+およびMn2+がとりわけ好ましい。 Examples of the metal cation used in the present invention include ions generated by removing 1 to 7 electrons from the element symbol of the electrically neutral metal atoms of the specific transition metal exemplified above. Among them, Al 3+ , Sc 3+ , Ti 4+ , V 3+ , V 5+ , Cr 2+ , Cr 3+ , Mn 2+ , Mn 3+ , Zn 2+ , Ga 3+ , Ge 2+ , Ge 4+ , Y 3+ , Zr 4+ , Nb 3+ , Nb 5+ , Mo 4+ 6+, Ru 4+, Pd +, Ag +, Cd 2+, In 3+, Sn 2+, Sn 4+, Sb 3+, La 3+, Ce 3+, Ce 4+, Eu 3+, Hf 4+, Ta 5+, W 6+, Re 6+, Os 2+ , Os 4+ , Ir 4+ , Pt 2+ , Pt 4+ , Hg + , Hg 2+ , Tl + , Tl 3+ , Pb 2+ , Pb 4+ and Bi 3+ (hereinafter referred to as ID group) is preferred, Sc 3+ , Ti 4+ , V 3+ , V 5+ , Cr 2+ , Cr 3+ , Mn 2+ , Mn 3+ , Zn 2+ , Y 3+ , Zr 4+ , Nb 3+ , Nb 5+ , Mo 4+ , Mo 6+ , Ru 4+ , Pd + , Ag + , Cd 2+ , Hf 4+ , Ta 5+ , W 6+ , Re 6+ , Os 2+ , Os 4+ , Ir 4+ , Pt 2+ and Pt 4+ ), More preferably Cr 2+ , Cr 3+ , Mn 2+ , Mn 3+ , Zn 2+ , Mo 4+ , Mo 6+ , Ru 4+ , Pd + , Ag + , Cd 2+ , Ta 5+ , W 6+ , Re 6+ , Os 2+ , Os 4+ , Ir 4+ , Pt 2+ and Pt 4+ (hereinafter referred to as group IB ) are more preferable, Cr 2+ , Cr 3+ , Mn 2+ , Mn 3+ , Zn 2+ , Mo 4+ , Mo 6+ , Ru 4+ , Pd + and Ag + (hereinafter referred to as group IA) are particularly preferable, and Zn 2+ , Cr 2+ and Mn 2+ are particularly preferable.

本発明の、式(1)で表される化合物と金属塩とからなる組み合わせにおいて、式(1)の化合物と金属イオンとは配位結合を形成することは分析により確認されている。この際に生じる錯イオンの対イオンであるアニオンとしては、使用する金属塩により、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫化物イオン、酸化物イオン、水酸化物イオン、水素化物イオン、亜硫酸イオン、リン酸イオン、シアン化物イオン、酢酸イオン、炭酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸水素イオン、トリフルオロ酢酸イオン、チオシアン化物イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、アセチルアセトナート、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンおよびテトラフェニルホウ酸イオンが挙げられる。本発明の組み合わせに含まれるアニオンの種類の数は6種以下1種以上が好ましく、4種以下1種以上がより好ましく、3種以下1種以上がさらに好ましく、2種以下1種以上が特に好ましい。   It has been confirmed by analysis that the compound of the formula (1) and the metal ion form a coordinate bond in the combination of the compound represented by the formula (1) and the metal salt of the present invention. Depending on the metal salt used, the anion which is the counter ion of the complex ion generated here is fluoride ion, chloride ion, bromide ion, iodide ion, sulfide ion, oxide ion, hydroxide ion, hydrogen Fluoride ion, sulfite ion, phosphate ion, cyanide ion, acetate ion, carbonate ion, sulfate ion, nitrate ion, bicarbonate ion, trifluoroacetate ion, thiocyanide ion, trifluoromethanesulfonate ion, acetylacetonate, tetra Fluoroborate ions, hexafluorophosphate ions, and tetraphenylborate ions. The number of types of anions contained in the combination of the present invention is preferably 6 or less, more preferably 1 or more, 4 or less, more preferably 1 or more, more preferably 3 or less, and more preferably 1 or more. preferable.

本発明は式(1)で表される構造を有する配位子と、金属イオンとの組み合わせとしては、H−C群から選ばれる少なくとも1種の配位子とI−C群から選ばれる少なくとも1種のカチオンとを含む組み合わせが好ましく、H−B群から選ばれる少なくとも1種の配位子とI−B群から選ばれる少なくとも1種のカチオンとを含む組み合わせがより好ましく、H−B群から選ばれる少なくとも1種とI−A群から選ばれる少なくとも1種とを含む組み合わせがさらに好ましく、H−A群から選ばれる少なくとも1種の配位子とI−A群から選ばれる少なくとも1種のカチオンとを含む組み合わせが特に好ましい。上記各群それぞれより選ばれる種の数は6種以下1種以上が好ましく、4種以下1種以上がより好ましく、3種以下1種以上がさらに好ましく、2種以下1種以上が特に好ましい。   In the present invention, the combination of the ligand having the structure represented by the formula (1) and the metal ion is at least one selected from the HC group and at least selected from the IC group. A combination containing one kind of cation is preferable, and a combination containing at least one kind of ligand selected from the HB group and at least one kind of cation selected from the IB group is more preferable, and the HB group. And a combination containing at least one selected from the group IA and at least one selected from the group IA and at least one selected from the group IA. The combination containing the cation of is especially preferable. The number of species selected from each of the above groups is preferably 6 or less, more preferably 1 or more, 4 or less, more preferably 3 or less and 1 or more, and particularly preferably 2 or less and 1 or more.

本発明に用いられる組み合わせにおいて、式(1)で表される構造を有する配位子と金属カチオンとの間に配位結合が生成される。この結合の生成反応は可逆的であり、溶媒に溶解させたり、熱を与えることによって結合が切れる場合があるが、特に固体状態では結合は十分に強く、[−配位子−金属カチオン−]の繰り返しが連続してネットワークが形成され、配位子と金属カチオンとの間での電荷の授受が起こることによってネットワーク内での電荷の移動がなめらかに起こる。特にArが3価以上であると、このネットワークが三次元的に構築されることになる。したがって本発明に用いられる組み合わせは導電性の高い材料となる。   In the combination used in the present invention, a coordination bond is generated between the ligand having the structure represented by the formula (1) and the metal cation. The bond formation reaction is reversible, and the bond may be broken by dissolving in a solvent or applying heat, but the bond is strong enough particularly in the solid state, and [-ligand-metal cation-] As a result of the repetition of the above, a network is formed, and charge transfer between the ligand and the metal cation occurs, so that the movement of charges within the network occurs smoothly. In particular, when Ar is trivalent or higher, this network is constructed three-dimensionally. Therefore, the combination used in the present invention is a highly conductive material.

上記ネットワークは高分子化合物としてみることができる。一般的な高分子化合物と同様に取り扱うことが可能な場合があり、溶媒に溶かしてGPC測定もしくはTOF−MS測定によって分子量を求めることができる場合がある。しかし、上記のように該組み合わせ中で形成される配位結合は切れ易いため分子量を求めることは困難であり、固体状態にあるときと溶液状態にあるときでも異なることもある。求めることができた場合でも測定方法およびその条件によって得られる分子量は異なる場合がある。   The network can be viewed as a polymer compound. In some cases, it can be handled in the same manner as a general polymer compound, and in some cases, the molecular weight can be obtained by GPC measurement or TOF-MS measurement after dissolving in a solvent. However, as described above, the coordination bond formed in the combination is easy to break, so it is difficult to determine the molecular weight, and it may be different between the solid state and the solution state. Even when it can be obtained, the molecular weight obtained may differ depending on the measurement method and its conditions.

本発明に用いられる式(1)の化合物と金属塩とからなる組み合わせにおいては、「その吸収スペクトルを一階微分形で表した曲線が、240nm〜400nmの波長範囲に有する最小値に対してその4分の1よりも小さい極小値を430nm〜800nmの範囲に有しない」ことが必要である。一般的に、配位子と金属カチオンとの間での配位結合が生成すると、特異な可視光吸収性が通常生じる。しかし、可視光領域(約430nm〜約800nmの範囲)における吸収は弱いかまたは吸収がない方が配位子と金属カチオンの間の配位結合がほどよく弱くなり、組み合わせの導電性が高い。上記の吸収スペクトルの一階微分曲線についての要件は、このことを一般的に表現したものである。ただし、スペクトルの一階微分形は、半値幅5nm未満のピークはノイズであるので、そのようなピークが無くなるようにスムージングをかける必要がある。   In the combination consisting of the compound of the formula (1) and the metal salt used in the present invention, “the curve representing the absorption spectrum in the first derivative form has its minimum value in the wavelength range of 240 nm to 400 nm. It is necessary not to have a local minimum value less than a quarter in the range of 430 nm to 800 nm. In general, when a coordination bond is formed between a ligand and a metal cation, specific visible light absorption usually occurs. However, the absorption in the visible light region (in the range of about 430 nm to about 800 nm) is weak or no absorption, the coordination bond between the ligand and the metal cation is moderately weak, and the conductivity of the combination is high. The above requirement for the first derivative curve of the absorption spectrum is a general representation of this. However, in the first-order differential form of the spectrum, since a peak with a half width of less than 5 nm is noise, it is necessary to apply smoothing so that such a peak disappears.

本発明においてこのように吸収スペクトルの一階微分曲線により可視領域における吸収の有無を評価することが合理的であることをより詳しく説明する。吸光スペクトルにおいて、ある膜のある波長範囲に吸収が少ないことを一義的に定義することは難しい。膜厚が変われば光の吸収は多くなり、さらに、膜表面と、膜と基板の界面における反射の具合の影響があるので、溶液を測定する場合のように吸光係数を求めることはできない。別の方法として、ある波長における吸光度を基準としての吸光度の該基準値に対する比で評価する(即ち、小さいほど吸収が少ないと評価する)ことが考えられるが、本発明の場合には、配位結合由来の特異な可視光吸収の程度を対象としているので、配位子となる化合物が独自に有する吸収は除外されなければならない。すなわち、可視光の波長範囲での吸収のピークの有無が重要である。しかし、ある波長をピークとする光の吸収は一般に一定範囲の分布があるので、ある吸収が他の吸収の裾に重なりその極大吸収(ピーク)が隠れてしまうことが多い。図1の(A)は仮想的な吸収スペクトルを示すが、320nm、400nmおよび490nmにピークを有する三つの吸収を100:30:15で足し合わせたスペクトルのシミュレーションを示している。490nmの光は可視光であり、本発明での議論の対象であるが、490nmに吸収極大は認められない。種々のスペクトルの解析において、このような結果が得られることは珍しくない。このような場合にはスペクトルの一階微分形を用いて解析することが合理的である場合がある。例えばESR(電子スピン共鳴)スペクトルからラジカルの構造を特定する目的で、一階微分形を用いるのは常套手段として周知である。これは一階微分形によってピークの存在が明らかになるためである。図1の(B)には一階微分形を示した。490nmのピークが、波長の位置はわずかに短い側あるいは長い側にシフトするものの、一階微分曲線において極大および極小として明確に顕れる。そこで、一階微分曲線の極小値を用いて、配位結合由来の吸収の有無を評価することが合理的である。   In the present invention, it will be described in more detail that it is reasonable to evaluate the presence or absence of absorption in the visible region based on the first derivative curve of the absorption spectrum. In an absorption spectrum, it is difficult to uniquely define that there is little absorption in a certain wavelength range of a certain film. If the film thickness changes, light absorption increases, and further, there is an influence of reflection at the film surface and the interface between the film and the substrate, so that the extinction coefficient cannot be obtained as in the case of measuring a solution. As another method, it is conceivable to evaluate the absorbance at a certain wavelength by the ratio of the absorbance with respect to the reference value (that is, the smaller the absorbance, the less the absorption is evaluated). Since the target is a specific degree of visible light absorption derived from binding, the absorption that the compound serving as the ligand has must be excluded. That is, the presence or absence of an absorption peak in the visible light wavelength range is important. However, since the absorption of light having a peak at a certain wavelength generally has a distribution within a certain range, the maximum absorption (peak) is often hidden because one absorption overlaps the bottom of another absorption. FIG. 1A shows a hypothetical absorption spectrum, and shows a simulation of a spectrum in which three absorptions having peaks at 320 nm, 400 nm, and 490 nm are added at 100: 30: 15. Light at 490 nm is visible light and is the subject of discussion in the present invention, but no absorption maximum is observed at 490 nm. It is not uncommon for such a result to be obtained in the analysis of various spectra. In such a case, it may be reasonable to analyze using the first derivative form of the spectrum. For example, for the purpose of specifying the structure of a radical from an ESR (electron spin resonance) spectrum, it is well known as a conventional means to use a first-order differential form. This is because the existence of a peak becomes clear by the first-order differential form. FIG. 1B shows a first-order differential form. The peak at 490 nm clearly appears as a maximum and a minimum in the first derivative curve, although the wavelength position is shifted slightly shorter or longer. Therefore, it is reasonable to evaluate the presence or absence of absorption derived from coordination bonds using the minimum value of the first derivative curve.

仮想的な吸収スペクトルを示す図1の(A)を用いて具体的に説明する。吸収スペクトルにおける波長wでの強度を関数F(w)で表すと、その一階微分形はdF(w)/dwで表される。これを図示したものが図1の(B)である。微分形スペクトルにおけるa点は366nmにあり、240nm〜400nmでの最小値(−0.0105)である。これに対しb点は534nmにある極小値(−0.0024)である。この値は、240nm〜400nmでの最小値(−0.0105)の4分の1(−0.0026)以下ではない。したがって、図1の吸収スペクトルの場合、その一階微分形において、240nm〜400nmでの最小値に対してその4分の1以下である極小値が430nm〜800nmの範囲に存在せず、本発明の条件を満たしている。   This will be specifically described with reference to FIG. 1A showing a virtual absorption spectrum. When the intensity at the wavelength w in the absorption spectrum is represented by a function F (w), the first-order differential form is represented by dF (w) / dw. This is illustrated in FIG. The point a in the differential spectrum is at 366 nm, which is the minimum value (−0.0105) at 240 nm to 400 nm. On the other hand, the point b is a minimum value (−0.0024) at 534 nm. This value is not less than a quarter (-0.0026) of the minimum value (-0.0105) at 240 nm to 400 nm. Therefore, in the case of the absorption spectrum of FIG. 1, in the first-order differential form, there is no minimum value that is equal to or less than a quarter of the minimum value at 240 nm to 400 nm in the range of 430 nm to 800 nm. Meet the conditions.

本発明に用いられる組み合わせの吸収スペクトルは、石英ガラス板上に該組み合わせを通常溶液状態で塗布して塗膜を形成し、汎用の紫外可視吸収スペクトル測定装置で観測することができる。   The absorption spectrum of the combination used in the present invention can be observed with a general-purpose ultraviolet-visible absorption spectrum measuring apparatus by coating the combination in a normal solution state on a quartz glass plate to form a coating film.

例えば、有機発光素子において、発光層からの発光と同等の発光が本発明の機能性膜から出てしまうと、素子として望まない色の光が出ることになる。従って、本発明の機能性膜は、素子中において発光層以上に光らないことが好ましく、発光層に対して10分の1以上に光らないことがより好ましく、発光層に対して50分の1以上に光らないことが特に好ましい。これは素子の発光スペクトルを測定することで、発光層からの発光と比較することで確認することができる。   For example, in an organic light emitting device, if light emission equivalent to light emitted from the light emitting layer is emitted from the functional film of the present invention, light having an undesired color as the device is emitted. Therefore, the functional film of the present invention preferably does not shine more than the light emitting layer in the element, more preferably does not shine more than 1/10 of the light emitting layer, and 1/50 of the light emitting layer. It is particularly preferable that it does not shine any more. This can be confirmed by measuring the emission spectrum of the device and comparing it with the light emission from the light emitting layer.

本発明の機能性膜は、該組み合わせを含み、膜厚は1nm以上10μm以下が好ましく、1nm以上1μm以下がより好ましく、1nm以上100nm以下が特に好ましい。   The functional film of the present invention includes the combination, and the film thickness is preferably 1 nm to 10 μm, more preferably 1 nm to 1 μm, and particularly preferably 1 nm to 100 nm.

<任意的成分>
本発明の機能性膜は、所要の成分を通常溶媒に溶解した液状組成物として塗布、乾燥することにより形成することができる。該組成物には上記の組み合わせ以外の他の成分を必要に応じて配合することができる。
<Optional ingredients>
The functional film of the present invention can be formed by applying and drying a required composition as a liquid composition usually dissolved in a solvent. In the composition, other components other than the above combinations can be blended as necessary.

該組成物には、機能性膜に導電性以外の機能を付与するために目的に応じた添加物を添加してもよい。例えば、強靭性、柔軟性、演色性、高屈折性、低屈折性、耐熱性、対酸素安定性、耐候性、耐水性、耐湿性および他の材料との接着性などの性質を向上するために、分子量50〜100万の有機化合物やその他の添加剤(例えば、色素、可塑剤、硬化剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤、ラジカル補足剤、漂白剤、界面活性剤、接着剤)、樹脂繊維、金属粒子(合金および金属酸化物を含む)、金属ナノファイバー(合金および金属酸化物を含む)、炭素材料(繊維、カーボンナノファイバー、フラーレン、ケッチェンブラックなど)、ガラス繊維、およびアルカリ金属塩が挙げられる。組成物が上記添加物を含むことによって、結果的に機能性膜が可視光の吸収を有するようになってもよい。   In order to impart a function other than conductivity to the functional film, an additive depending on the purpose may be added to the composition. For example, to improve properties such as toughness, flexibility, color rendering, high refraction, low refraction, heat resistance, oxygen stability, weather resistance, water resistance, moisture resistance and adhesion to other materials In addition, organic compounds having a molecular weight of 500 to 1,000,000 and other additives (for example, dyes, plasticizers, curing agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, radical scavengers, bleaching agents, surfactants, adhesives), resins Fibers, metal particles (including alloys and metal oxides), metal nanofibers (including alloys and metal oxides), carbon materials (fibers, carbon nanofibers, fullerenes, ketjen black, etc.), glass fibers, and alkali metals Salt. As a result, the functional film may have absorption of visible light by the composition containing the additive.

上記の液状組成物は、素子作製時において液状である組成物を意味し、典型的には、常圧(即ち、1気圧)、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。   The above liquid composition means a composition that is liquid at the time of device fabrication, and typically means a liquid at normal pressure (ie, 1 atm) and 25 ° C. The liquid composition is generally called an ink, an ink composition, a solution or the like.

液状組成物は、他の正孔輸送材料、他の電子輸送材料、安定剤、粘度および/または表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。   The liquid composition may contain other hole transport materials, other electron transport materials, stabilizers, additives for adjusting viscosity and / or surface tension, antioxidants, and the like. Each of these optional components may be used alone or in combination of two or more.

上記他の正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)およびその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)およびその誘導体等が挙げられる。   Examples of the other hole transport materials include polyvinyl carbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amines in the side chain or main chain, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. , Polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof, and the like.

上記他の電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体等が挙げられる。   Examples of the other electron transport materials include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, Examples include diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, and the like.

上記安定剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。   Examples of the stabilizer include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants.

上記粘度および/または表面張力を調節するための添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の化合物(増粘剤)や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。   Additives for adjusting the viscosity and / or surface tension include high molecular weight compounds (thickeners) for increasing viscosity, poor solvents, low molecular weight compounds for decreasing viscosity, and for decreasing surface tension. These surfactants and the like may be used in appropriate combination.

上記高分子量の化合物としては、電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。上記高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は50万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。   The high molecular weight compound may be any compound that does not inhibit charge transport, and is usually soluble in the solvent of the liquid composition. As the high molecular weight compound, high molecular weight polystyrene, high molecular weight polymethyl methacrylate, or the like can be used. The high molecular weight compound preferably has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of 500,000 or more, more preferably 1,000,000 or more. A poor solvent can also be used as a thickener.

上記酸化防止剤としては、電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。酸化防止剤を用いることにより、上記組成物、溶媒の保存安定性を改善し得る。   The antioxidant is not particularly limited as long as it does not inhibit charge transport. When the composition contains a solvent, it is usually soluble in the solvent. Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants. By using an antioxidant, the storage stability of the composition and the solvent can be improved.

液状組成物が他の正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の該正孔輸送材料の割合は、通常、1〜80重量%であり、好ましくは5〜60重量%である。また、本発明で用いられる液状組成物が他の電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の該電子輸送材料の割合は、通常、1〜80重量%であり、好ましくは5〜60重量%である。   When the liquid composition contains another hole transport material, the ratio of the hole transport material in the liquid composition is usually 1 to 80% by weight, preferably 5 to 60% by weight. is there. When the liquid composition used in the present invention contains other electron transporting material, the ratio of the electron transporting material in the liquid composition is usually 1 to 80% by weight, preferably 5 ~ 60% by weight.

本発明の機能性膜を上記液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、50〜150℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10-3Pa程度に減圧して乾燥させてもよい。 When the functional film of the present invention is formed using the above liquid composition, it is only necessary to remove the solvent by drying after applying the liquid composition, and when the charge transporting material or the light emitting material is mixed. Since a similar method can be applied, the method is very advantageous in manufacturing. In addition, in the case of drying, you may dry in the state heated at about 50-150 degreeC, and may be dried under reduced pressure to about 10 <-3 > Pa.

液状組成物を用いた成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。   For film formation using a liquid composition, spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, slit coating, cap coating Coating methods such as a method, a capillary coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method can be used.

液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、1〜99.9重量%であり、好ましくは60〜99.9重量%であり、より好ましく90〜99.8重量%である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sが好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sが好ましい。   The ratio of the solvent in the liquid composition is usually 1 to 99.9% by weight, preferably 60 to 99.9% by weight, more preferably 90 to 99.8% by weight, based on the total weight of the liquid composition. It is. Although the viscosity of the liquid composition varies depending on the printing method, it is preferably 0.5 to 500 mPa · s at 25 ° C. When the liquid composition passes through a discharge device, such as an ink jet printing method, clogging or flight bending during discharge In order to prevent this, the viscosity is preferably 0.5 to 20 mPa · s at 25 ° C.

液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解または分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、1種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。上記溶媒のうち、ベンゼン環を1個以上含む構造を有し、かつ融点が0℃以下、沸点が100℃以上である有機溶媒を1種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、n−プロピルベンゼン、i−プロピルベンゼン、n−ブチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、s−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、1−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、n−ヘプチルシクロヘキサン、n−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、2−プロピルシクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−オクタノン、2−ノナノン、2−デカノン、ジシクロヘキシルケトンがより好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも1種類を含むことが更に好ましい。   As the solvent contained in the liquid composition, those capable of dissolving or dispersing components other than the solvent in the liquid composition are preferable. Examples of the solvent include chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorinated solvents such as chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, toluene, xylene, and trimethyl. Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and mesitylene, aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane, Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl benzoate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether Polyethylene alcohol and its derivatives such as ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, etc. Examples thereof include alcohol-based solvents, sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide, and amide-based solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These solvents may be used alone or in combination. Among the above solvents, from the viewpoint of viscosity, film formability, etc., it contains at least one organic solvent having a structure containing one or more benzene rings and having a melting point of 0 ° C. or lower and a boiling point of 100 ° C. or higher. preferable. Solvents include aromatic hydrocarbon solvents and aliphatic hydrocarbon solvents from the viewpoints of solubility in organic solvents other than the solvent in the liquid composition, uniformity during film formation, viscosity characteristics, etc. Ester solvents and ketone solvents are preferred, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, trimethylbenzene, mesitylene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, n-butylbenzene, i-butylbenzene, s-butylbenzene, anisole , Ethoxybenzene, 1-methylnaphthalene, cyclohexane, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, bicyclohexyl, cyclohexenylcyclohexanone, n-heptylcyclohexane, n-hexylcyclohexane, methylbenzoate, 2-propylcyclohexanone, 2-heptanone, - heptanone, 4-heptanone, 2-octanone, 2-nonanone, 2-decanone, more preferably dicyclohexyl ketone, xylene, anisole, mesitylene, cyclohexylbenzene, it is further preferable to contain at least one of bicyclohexyl methyl benzoate.

液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、2種類以上が好ましく、2〜3種類がより好ましく、2種類が特に好ましい。   As for the kind of solvent contained in a liquid composition, 2 or more types are preferable from viewpoints of film-forming property, element characteristics, etc., 2-3 types are more preferable, and 2 types are especially preferable.

液状組成物に2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの1種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、1種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることが好ましく、1種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶媒に溶解することが好ましく、2種類の溶媒のうちの1種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶解することが好ましい。   When two kinds of solvents are contained in the liquid composition, one of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, it is preferable that one type of solvent has a boiling point of 180 ° C. or higher, and the other one type of solvent preferably has a boiling point of less than 180 ° C. One type of solvent has a boiling point of 200 ° C. More preferably, the solvent has a boiling point of less than 180 ° C. Further, from the viewpoint of viscosity, at 60 ° C., it is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent, and one of the two solvents has 25 ° C. It is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition dissolves.

液状組成物に3種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの1〜2種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、3種類の溶媒のうちの少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃未満の溶媒であることが好ましく、3種類の溶媒のうちの少なくとも1種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃未満の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、3種類の溶媒のうちの2種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶媒に溶解することが好ましく、3種類の溶媒のうちの1種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶媒に溶解することが好ましい。   When the liquid composition contains three kinds of solvents, one or two kinds of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, at least one of the three solvents is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, and at least one solvent is preferably a solvent having a boiling point of less than 180 ° C. At least one of the types of solvents is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less, and at least one of the solvents is more preferably a solvent having a boiling point of less than 180 ° C. Further, from the viewpoint of viscosity, it is preferable that two of the three types of solvents have 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition dissolved at 60 ° C. in the solvent. Of these solvents, it is preferable that 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent at 25 ° C.

液状組成物に2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度および成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量%であることが好ましく、50〜90重量%であることがより好ましく、65〜85重量%であることがさらに好ましい。   When two or more kinds of solvents are contained in the liquid composition, the solvent having the highest boiling point is 40 to 90% by weight of the total solvent contained in the liquid composition from the viewpoint of viscosity and film formability. Preferably, it is 50 to 90% by weight, more preferably 65 to 85% by weight.

<用途>
本発明の機能性膜は、導電性を有し、有機電子素子に、例えば電荷輸送層、電荷注入層として使用することができる。
<Application>
The functional film of the present invention has conductivity, and can be used for an organic electronic device, for example, as a charge transport layer or a charge injection layer.

該有機電子素子は、上述したように、該機能性膜と、該機能性膜の両側のおのおのに直接にまたは少なくとも一つの別の層を介して設けられた少なくとも一つの電極とを備えた素子として構成される。即ち、このような有機電子素子では、機能性膜の両側に少なくとも一個ずつの電極を有する。   As described above, the organic electronic element includes the functional film and at least one electrode provided directly on each side of the functional film or via at least one other layer. Configured as That is, such an organic electronic element has at least one electrode on each side of the functional film.

該有機電子素子としては、例えば有機発光素子、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子が挙げられる。   Examples of the organic electronic element include an organic light emitting element, an organic transistor element, and an organic photoelectric conversion element.

本発明の機能性膜は、表面抵抗が1KΩ/□以下であることが好ましい。該機能性膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω/□以下であることがより好ましく、10Ω/□以下であることがさらに好ましい。   The functional film of the present invention preferably has a surface resistance of 1 KΩ / □ or less. The electrical conductivity can be increased by doping the functional film with a Lewis acid, an ionic compound, or the like. The surface resistance is more preferably 100Ω / □ or less, and further preferably 10Ω / □ or less.

該機能性膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは10-5cm2/V/秒以上であり、より好ましくは10-3cm2/V/秒以上であり、さらに好ましくは10-1cm2/V/秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、SiO2等の絶縁膜とゲート電極とを形成したSi基板上に有機半導体薄膜を形成し、Au等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。 The functional film has a larger electron mobility or hole mobility, preferably 10 −5 cm 2 / V / second or more, more preferably 10 −3 cm 2 / V / second or more. More preferably, it is 10 −1 cm 2 / V / second or more. In addition, an organic transistor can be manufactured using an organic semiconductor thin film. Specifically, an organic transistor can be formed by forming an organic semiconductor thin film on a Si substrate on which an insulating film such as SiO 2 and a gate electrode are formed, and forming a source electrode and a drain electrode with Au or the like. .

・有機トランジスタ:
有機トランジスタ素子は、上記機能性膜を含む有機トランジスタ素子である。以下、有機トランジスタ素子の一態様である電界効果トランジスタ素子を説明する。
・ Organic transistors:
The organic transistor element is an organic transistor element including the functional film. Hereinafter, the field effect transistor element which is one aspect | mode of an organic transistor element is demonstrated.

本発明の機能性膜は、電界効果トランジスタ素子の材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。電界効果トランジスタ素子の構造としては、通常は、ソース電極およびドレイン電極が組成物からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。   The functional film of the present invention can be suitably used as a material for a field effect transistor element, particularly as an active layer. As a structure of a field effect transistor element, a source electrode and a drain electrode are usually provided in contact with an active layer made of a composition, and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween. That's fine.

電界効果トランジスタ素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。   The field effect transistor element is usually formed on a support substrate. As the support substrate, a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.

電界効果トランジスタ素子は、公知の方法、例えば、特開平5-110069号公報に記載の方法により製造することができる。   The field effect transistor element can be manufactured by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069.

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。   In forming the active layer, it is advantageous and preferable to use an organic solvent-soluble polymer compound. For film formation from a solution in which an organic solvent-soluble polymer compound is dissolved in a solvent, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method Application methods such as dip coating, slit coating, cap coating, capillary coating, spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, ink jet printing, and nozzle coating can be used.

電界効果トランジスタ素子を作製後、封止してなる封止電界効果トランジスタ素子が好ましい。これにより、電界効果トランジスタ素子が、大気から遮断され、電界効果トランジスタ素子の特性の低下を抑えることができる。   A sealed field effect transistor element obtained by sealing after producing a field effect transistor element is preferable. Thereby, the field effect transistor element is cut off from the atmosphere, and the deterioration of the characteristics of the field effect transistor element can be suppressed.

封止方法としては、紫外線(UV)硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをUV硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため電界効果トランジスタ素子を作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく(例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中で)行うことが好ましい。   Examples of the sealing method include a method of covering with an ultraviolet (UV) curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiONx film, or the like, a method of bonding a glass plate or a film with a UV curable resin, a thermosetting resin, or the like. In order to effectively cut off from the atmosphere, it is preferable to carry out the steps after the production of the field effect transistor element until sealing, without exposing it to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in vacuum).

・有機光電変換素子:
本発明の機能性膜は有機光電変換素子(例えば、太陽電池)に用いることができる。
・ Organic photoelectric conversion element:
The functional film of this invention can be used for an organic photoelectric conversion element (for example, solar cell).

該機能性膜は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するpnへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。   The functional film is used as a material for an organic photoelectric conversion element, particularly as an organic semiconductor layer of a Schottky barrier type element utilizing an interface between an organic semiconductor and a metal, and an interface between an organic semiconductor and an inorganic semiconductor or between organic semiconductors. It can be suitably used as an organic semiconductor layer of a pn heterojunction element to be used.

さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子(分散支持体)として、好適に用いることができる。   Furthermore, as an electron-donating polymer and an electron-accepting polymer in a bulk heterojunction device with an increased donor-acceptor contact area, an organic photoelectric conversion device using a polymer / low-molecular composite system, for example, electron accepting It can be suitably used as an electron donating conjugated polymer (dispersion support) of a bulk heterojunction organic photoelectric conversion element in which a fullerene derivative is dispersed as a body.

有機光電変換素子の構造としては、例えば、pnへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ITO上に、p型半導体層を形成し、さらに、n型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。   As the structure of the organic photoelectric conversion element, for example, in a pn heterojunction type element, a p-type semiconductor layer is formed on an ohmic electrode, for example, ITO, and an n-type semiconductor layer is further stacked thereon. It is sufficient that an ohmic electrode is provided.

有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。   The organic photoelectric conversion element is usually formed on a support substrate. As the support substrate, a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.

有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記載の方法やScience,270,1789(1995)に記載の方法により製造することができる。   The organic photoelectric conversion element can be produced by a known method, for example, the method described in Synth. Met., 102, 982 (1999) or the method described in Science, 270, 1789 (1995).

・発光素子:
本発明の機能性膜は発光素子に用いることができる。
-Light emitting element:
The functional film of the present invention can be used for a light emitting device.

発光素子は、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層および/または該電極間に設けられる電荷輸送層とを有する。本発明の機能性膜は、かかる発光素子において、(1)陰極と発光層との間に電子輸送層として、(2)陽極と発光層との間に正孔輸送層として、(3)陰極と発光層との間に電子輸送層として、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層として、用いられる。   The light emitting element has an electrode composed of an anode and a cathode, and a light emitting layer provided between the electrodes and / or a charge transport layer provided between the electrodes. In the light emitting device, the functional film of the present invention includes (1) an electron transport layer between the cathode and the light emitting layer, (2) a hole transport layer between the anode and the light emitting layer, and (3) a cathode. Between the anode and the light emitting layer and as a hole transport layer between the anode and the light emitting layer.

より具体的には、以下のa)〜c)の構造が例示される。
a)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
b)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
c)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は隣接して積層されている各層の境界を示す。以下同じ。)
More specifically, the following structures a) to c) are exemplified.
a) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode b) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode c) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (where / is adjacent) (Shown below are the boundaries of each layer stacked.)

上記発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に2層以上用いてもよい。また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合もある。   The light emitting layer is a layer having a function of emitting light, the hole transporting layer is a layer having a function of transporting holes, and the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons. . The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently. In addition, the hole transport layer adjacent to the light emitting layer may be referred to as an interlayer layer.

発光層の成膜方法としては、溶液からの成膜による方法が挙げられる。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。なお、この溶液からの成膜は、後述の正孔輸送層、電子輸送層の成膜にも有用である。   Examples of the method for forming the light emitting layer include a method using film formation from a solution. For film formation from solution, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, cap coating method, capillary Coating methods such as a coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method can be used. The film formation from this solution is also useful for the film formation of a hole transport layer and an electron transport layer described later.

発光素子の作製の際に、本発明の機能性膜を形成するには、上記液状組成物を用い、該液状組成物を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上有利である。   In order to form the functional film of the present invention in the production of a light-emitting device, the liquid composition described above is used, and it is only necessary to remove the solvent by drying after applying the liquid composition. The same technique can be applied even when the materials are mixed, which is advantageous in manufacturing.

発光層の膜厚は、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the light emitting layer may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency have appropriate values, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

発光素子が正孔輸送層を有する場合、該正孔輸送層を本発明の機能性膜で形成することができる。このとき、他の正孔輸送材料を必要に応じて添加できることは上述した通りである。   When the light emitting element has a hole transport layer, the hole transport layer can be formed of the functional film of the present invention. At this time, as described above, other hole transport materials can be added as necessary.

正孔輸送層の成膜方法としては、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が挙げられる。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が挙げられる。   As a film formation method of the hole transport layer, in the case of a low molecular hole transport material, a method by film formation from a mixed solution with a polymer binder may be mentioned. In addition, in the case of a polymer hole transport material, a method by film formation from a solution is exemplified.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。   As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those showing no strong absorption against visible light are suitably used. Examples of the polymer binder include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.

正孔輸送層の膜厚は、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the hole transport layer may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency have appropriate values, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. is there.

発光素子が電子輸送層を有する場合、該電子輸送材料を本発明の機能性膜で形成することができる。このとき、他の電子輸送材料を必要に応じて添加できることは上述した通りである。   When the light-emitting element has an electron transport layer, the electron transport material can be formed using the functional film of the present invention. At this time, as described above, other electron transport materials can be added as necessary.

電子輸送層の成膜方法としては、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。   As a method for forming an electron transport layer, a low molecular weight electron transport material is formed by vacuum deposition from a powder or a film is formed from a solution or a molten state, and a polymer electron transport material is formed from a solution or a molten state. The method by is mentioned. In film formation from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)およびその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)およびその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。   As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those not strongly absorbing visible light are suitably used. Examples of the polymer binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof, Examples include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.

電子輸送層の膜厚は、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。   The film thickness of the electron transport layer may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency have appropriate values, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm. .

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層(正孔注入層、電子注入層)と呼ぶことがある。本発明の機能性膜はこのような電荷注入層として用いることができる。   Further, among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having a function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly charge injection layers (hole injection layers). , Sometimes referred to as an electron injection layer). The functional film of the present invention can be used as such a charge injection layer.

さらに、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して上記の電荷注入層または絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。本発明の機能性膜はこのような電荷注入層や電荷輸送層として用いることができる。   Further, in order to improve the adhesion with the electrode and the charge injection from the electrode, the charge injection layer or the insulating layer may be provided adjacent to the electrode, and the adhesion at the interface is improved and mixing is prevented. For example, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer. The functional film of the present invention can be used as such a charge injection layer or a charge transport layer.

積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して選択すればよい。   The order and number of layers to be stacked, and the thickness of each layer may be selected in consideration of light emission efficiency and element lifetime.

本発明の機能性膜を電荷注入層として設けた発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子が挙げられる。   Examples of the light emitting device provided with the functional film of the present invention as a charge injection layer include a light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the cathode and a light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the anode.

例えば、具体的には、以下のd)〜o)の構造が挙げられる。
d)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
e)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
f)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
i)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極
k)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
l)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極
n)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
o)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
For example, the following structures d) to o) are specifically mentioned.
d) Anode / charge injection layer / light emitting layer / cathode
e) Anode / light emitting layer / charge injection layer / cathode
f) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode
g) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode
h) Anode / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode
i) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode
j) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge transport layer / cathode
k) Anode / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode
l) Anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode
m) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge transport layer / cathode
n) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode
o) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。   The charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, provided between the anode and the hole transport layer, and has an ionization potential of an intermediate value between the anode material and the hole transport material contained in the hole transport layer. Examples thereof include a layer including a material having a material, a layer including a material provided between the cathode and the electron transport layer, and having a material having an intermediate electron affinity between the cathode material and the electron transport material included in the electron transport layer.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5〜103S/cmであることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5〜102S/cmがより好ましく、10-5〜101S/cmがさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を10-5〜103S/cmとするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。 When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 to 10 3 S / cm, and the leakage current between the light emitting pixels is reduced. Therefore, 10 −5 to 10 2 S / cm is more preferable, and 10 −5 to 10 1 S / cm is more preferable. Usually, in order to set the electric conductivity of the conductive polymer to 10 −5 to 10 3 S / cm, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions.

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。   The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and examples of cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, and tetrabutylammonium ions.

電荷注入層の膜厚は、例えば、1nm〜100nmであり、2nm〜50nmが好ましい。   The thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.

本発明の機能性膜からなる電荷注入層に必要に応じて用いる他の材料としては、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン(銅フタロシアニン等)、カーボン等が挙げられる。   Other materials used as necessary for the charge injection layer comprising the functional film of the present invention include polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene and derivatives thereof. Derivatives, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanine (copper phthalocyanine, etc.), carbon and the like.

絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、0.1〜20nmであり、好ましくは0.5〜10nm、より好ましくは1〜5nmである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた発光素子が挙げられる。   The insulating layer has a function of facilitating charge injection. The average thickness of this insulating layer is usually 0.1 to 20 nm, preferably 0.5 to 10 nm, more preferably 1 to 5 nm. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. Examples of the light emitting element provided with an insulating layer include a light emitting element provided with an insulating layer adjacent to the cathode and a light emitting element provided with an insulating layer adjacent to the anode.

具体的には、例えば、以下のp)〜x)の構造が挙げられる。
p)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
q)陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
r)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
s)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
t)陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
u)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
v)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
w)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
x)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
Specific examples include the following structures p) to x).
p) Anode / insulating layer / hole transporting layer / light emitting layer / cathode
q) Anode / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer / cathode
r) Anode / insulating layer / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer / cathode
s) Anode / insulating layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
t) Anode / light-emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode
u) Anode / insulating layer / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode
v) Anode / insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode
w) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode
x) Anode / insulating layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / insulating layer / cathode

発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。   The substrate for forming the light-emitting element may be any substrate that does not chemically change when the electrode is formed and the organic layer is formed, and examples thereof include substrates such as glass, plastic, polymer film, and silicon. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.

通常は、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。   Usually, it is preferable that at least one of the electrode composed of an anode and a cathode is transparent or translucent, and the anode side is transparent or translucent.

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜、NESAや、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。   As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and indium tin oxide (ITO), indium, which are composites thereof. A film made of a conductive inorganic compound composed of zinc / oxide or the like, NESA, gold, platinum, silver, copper or the like is used, and ITO, indium / zinc / oxide, or tin oxide is preferable. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Moreover, you may use organic transparent conductive films, such as polyaniline and its derivative (s), polythiophene, and its derivative (s) as this anode.

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、例えば、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the anode is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm in consideration of light transmittance and electric conductivity.

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。   In order to facilitate charge injection, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon, or the like, or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided on the anode. .

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、およびそれらのうち2種以上の合金、あるいはそれらのうち1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1種以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。   As a material for the cathode, a material having a small work function is preferable, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, Metals such as europium, terbium, ytterbium, and two or more kinds thereof, or one or more of them, and one of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, and tin An alloy with a seed or more, graphite, a graphite intercalation compound, or the like is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、例えば、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the cathode is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm in consideration of electric conductivity and durability.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および/または保護カバーを装着することが好ましい。   As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. Further, a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided between the cathode and the organic material layer, and the light emitting element is protected after the cathode is manufactured. A protective layer may be attached. In order to use the light-emitting element stably for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or a protective cover in order to protect the element from the outside.

該保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか1種以上の方策をとることが好ましい。   As the protective layer, resins, metal oxides, metal fluorides, metal borides and the like can be used. Further, as the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method of sealing the cover by bonding it to the element substrate with a thermosetting resin or a photocurable resin is preferable. Used for. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and moisture adsorbed in the manufacturing process by installing a desiccant such as barium oxide in the space. It becomes easy to suppress giving an image to an element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.

本発明の発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置(例えば、バックライト等)、フラットパネルディスプレイ等の表示装置等に用いることができる。   The light-emitting element of the present invention can be used in a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a liquid crystal display device (for example, a backlight), a display device such as a flat panel display, and the like.

本発明の発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、上記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。   In order to obtain planar light emission using the light emitting element of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non-light-emitting. There are a method of emitting light and a method of forming either one of the anode or the cathode or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any one of these methods and arranging several electrodes so that they can be turned on and off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multicolor display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymer compounds having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively, or may be actively driven in combination with a TFT or the like. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、上記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または面状の照明用光源として好適に用いることができる。例えば照明用光源には白色発光、赤色発光、緑色発光または青色発光等の発光色が挙げられる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。   Furthermore, the planar light emitting element is self-luminous and thin, and can be suitably used as a planar light source for backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. For example, the illumination light source includes light emission colors such as white light emission, red light emission, green light emission, and blue light emission. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

ところで、本発明により提供される上記の式(2)で表されるフルオレン系化合物において、Jは特定遷移金属の金属イオンに配位可能な原子(具体的には、上述したように、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはそれらの2種以上の組み合わせが挙げられ、窒素原子が好ましい。)を1個以上8個以下有する1価の配位基であり、また、式(3)で表される繰返し単位において、Jは亜鉛イオンに配位可能な原子を1〜3個有する1価の配位基であり、具体的には、ビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基であることが好ましく、ターピリジル基であることがより好ましい。また、Rで表される1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ドデシル基、ペンタデシル基等の炭素原子数1〜15のアルキル基が好ましく、1〜12のアルキル基がより好ましく、6〜10のアルキル基が特に好ましい。具体的にはヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデカニル基が特に好ましい。二つのRは同一でも異なってもよい。 By the way, in the fluorene compound represented by the above formula (2) provided by the present invention, J is an atom capable of coordinating to a metal ion of a specific transition metal (specifically, as described above, a carbon atom , A nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a combination of two or more thereof, preferably a nitrogen atom.) And a monovalent coordination group having 1 to 8 inclusive, and the formula (3) Wherein J 1 is a monovalent coordination group having 1 to 3 atoms capable of coordinating with a zinc ion, specifically, a bipyridyl group, a terpyridyl group or a phenanthrolinyl group. And a terpyridyl group is more preferable. Examples of the monovalent hydrocarbon group represented by R include methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group. C1-C15 alkyl groups, such as dodecyl group and pentadecyl group, are preferred, 1-12 alkyl groups are more preferred, and 6-10 alkyl groups are particularly preferred. Specifically, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decanyl group are particularly preferable. Two Rs may be the same or different.

さらに、本発明は、式(2)で表されるフルオレン系化合物と特定遷移金属の金属塩とからなる錯体を提供する。   Furthermore, the present invention provides a complex comprising a fluorene compound represented by the formula (2) and a metal salt of a specific transition metal.

該錯体において、特定遷移金属塩の金属塩として好ましい例は上述した通りであり、特に亜鉛塩、クロム塩、マンガン塩であることが好ましく、さらに亜鉛塩が好ましい。その具体例として下記の式(3)で表される繰返し単位を有する錯体を提供する。   In the complex, preferred examples of the metal salt of the specific transition metal salt are as described above. In particular, zinc salts, chromium salts, and manganese salts are preferable, and zinc salts are more preferable. As a specific example thereof, a complex having a repeating unit represented by the following formula (3) is provided.

(式中、Jは亜鉛イオンに配位可能な原子を1〜3個有する1価の配位基であり、Rは1価の炭化水素基であり、(AN)n−はn価の対アニオン(但し、nは1または2の整数)であり、破線は1〜3本の配位結合を示す。2個のRは、同一であっても異なっていてもよい。2個のJ1は同一であっても異なっていてもよい。) (Wherein J 1 is a monovalent coordination group having 1 to 3 atoms capable of coordinating with a zinc ion, R is a monovalent hydrocarbon group, and (AN) n- is an n-valent group) It is a counter anion (where n is an integer of 1 or 2), and the broken line represents 1 to 3 coordination bonds, and two Rs may be the same or different. 1 may be the same or different.)

式(3)において、Jはビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基であることが好ましい。二つのRは同一でも異なってもよく、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基が好ましく、中でも、式(2)について説明したように、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ドデシル基、ペンタデシル基等の炭素原子数1〜15のアルキル基がより好ましく、1〜12のアルキル基が更に好ましく、6〜10のアルキル基が特に好ましく、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデカニル基がとりわけ好ましい。 In the formula (3), J 1 is preferably a bipyridyl group, a terpyridyl group or a phenanthrolinyl group. The two Rs may be the same or different, and are preferably an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group. Among them, as explained for the formula (2), a methyl group, an ethyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group Group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decanyl group, a dodecyl group, a pentadecyl group and the like, more preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, 6-10 alkyl groups are particularly preferred, with hexyl, heptyl, octyl, nonyl and decanyl being particularly preferred.

以下、本発明について、実施例を用いて具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely using an Example, this invention is not limited to these at all.

〔合成例1〕
(2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボラン)の合成)
窒素置換気流下で、2,7−ジブロモ−9,9−ジオクチルフルオレン80g(0.15 mol)を取り、1.08 Lのメチル−t−ブチルエーテルに溶解させた。−78 ℃まで冷却した後、n−ブチルリチウム(15重量%ヘキサン溶液) 240mL (0.38 mol)を滴下し、0 ℃で2時間撹拌し再び−78℃まで冷却した。続いてボロン酸トリイソプロピル71.3g (0.38 mol)を滴下し室温で一晩放置した。反応液を0℃まで冷却した後、撹拌しながらイオン交換水(300mL)を滴下し、30分撹拌した後に30分静置して濃縮した。残渣を0℃まで冷却し35重量%塩酸80 mLをイオン交換水1Lで希釈した塩酸水溶液を注いで加水分解を行い、トルエンで抽出し濃縮し、窒素気流下で硫酸マグネシウム164.1g(0.34 mol)を添加した。その後、エチレングリコール51.08g(0.823mol)滴下し、室温で2時間撹拌した。反応終了後はろ過により硫酸マグネシウムを除去、溶媒を留去することで粘液状の粗生成物22gを得た。ヘキサン/アセトニトリルから再結晶をおこない、粉末状の生成物を得た。これをH−NMRの測定に供し、下記のデータが得られた。これに基づいて、生成物は、2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボラン)であると同定した。
[Synthesis Example 1]
(Synthesis of 2,2 ′-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl) bis (1,3,2-dioxaborane))
Under a nitrogen purge, 80 g (0.15 mol) of 2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene was taken and dissolved in 1.08 L of methyl-t-butyl ether. After cooling to −78 ° C., 240 mL (0.38 mol) of n-butyllithium (15 wt% hexane solution) was added dropwise, stirred at 0 ° C. for 2 hours, and then cooled to −78 ° C. again. Subsequently, 71.3 g (0.38 mol) of triisopropyl boronate was added dropwise and left overnight at room temperature. After cooling the reaction solution to 0 ° C., ion-exchanged water (300 mL) was added dropwise with stirring, stirred for 30 minutes, and then allowed to stand for 30 minutes and concentrated. The residue was cooled to 0 ° C., hydrolyzed by pouring a hydrochloric acid aqueous solution obtained by diluting 80 mL of 35% by weight hydrochloric acid with 1 L of ion-exchanged water, extracted with toluene, concentrated, and 164.1 g (0.00%) of magnesium sulfate under a nitrogen stream. 34 mol) was added. Thereafter, 51.08 g (0.823 mol) of ethylene glycol was added dropwise and stirred at room temperature for 2 hours. After completion of the reaction, magnesium sulfate was removed by filtration, and the solvent was distilled off to obtain 22 g of a viscous liquid crude product. Recrystallization from hexane / acetonitrile gave a powdery product. This was subjected to 1 H-NMR measurement, and the following data was obtained. Based on this, the product was identified as 2,2 ′-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl) bis (1,3,2-dioxaborane).

H−NMR (ppm/300MHz,CDCl) 0.5(4H),0.8(6H),1.0〜1.3(4H),2.0(4H),4.4(8H)7.7〜7.8(6H) 1 H-NMR (ppm / 300 MHz, CDCl 3 ) 0.5 (4H), 0.8 (6H), 1.0 to 1.3 (4H), 2.0 (4H), 4.4 (8H) 7.7 to 7.8 (6H)

〔合成例2〕
4’−ブロモ−2,2’:6’,2’’−ターピリジン(TCI社製)1.70g(5.45mmol)と2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボラン)1.16g(2.18mmol)をAliquat336(アルドリッチ社製)0.14gとテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(アルドリッチ社製)0.20g(0.17mmol)の存在下でテトラヒドロフラン(THF)68.0mL中でアルゴン雰囲気下で攪拌した。そこに炭酸ナトリウム1.385gの水溶液34.0mLを滴下し、3時間40分還流させた。冷却後、水洗しアセトニトリルに沈殿させ、濾過後、乾燥させて、粉末状の生成物を得た。これをH−NMRの測定に供し、下記のデータが得られた。これに基づいて、生成物は、下記の式で表される化合物(以下、「化合物X」という)であることを同定した。収量1.009g、収率54.3%。
[Synthesis Example 2]
4′-bromo-2,2 ′: 6 ′, 2 ″ -terpyridine (manufactured by TCI) 1.70 g (5.45 mmol) and 2,2 ′-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2, 7-diyl) bis (1,3,2-dioxaborane) 1.16 g (2.18 mmol) Aliquat 336 (Aldrich) 0.14 g and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (Aldrich) 0.20 g (0 .17 mmol) in tetrahydrofuran (THF) 68.0 mL under argon atmosphere. Thereto, 34.0 mL of an aqueous solution of 1.385 g of sodium carbonate was added dropwise and refluxed for 3 hours and 40 minutes. After cooling, it was washed with water, precipitated in acetonitrile, filtered and dried to obtain a powdered product. This was subjected to 1 H-NMR measurement, and the following data was obtained. Based on this, the product was identified as a compound represented by the following formula (hereinafter referred to as “Compound X”). Yield 1.009 g, yield 54.3%.

H−NMR(ppm/300MHz,CDCl): 0.6〜0.8(10H),1.0〜1.2(20H),2.2(4H),7.4(4H),7.8〜8.0(10H),8.7(4H),8.8(8H) 1 H-NMR (ppm / 300 MHz, CDCl 3 ): 0.6 to 0.8 (10H), 1.0 to 1.2 (20H), 2.2 (4H), 7.4 (4H), 7 .8 to 8.0 (10H), 8.7 (4H), 8.8 (8H)

〔実施例1〕
化合物X0.17g(0.20mmol)をトルエンに溶解させて205mLとした溶液に、酢酸亜鉛二水和物0.045g(0.20mmol)のメタノール溶液13mLを滴下し、100℃で3時間攪拌し、濃縮後に酢酸エチルに沈殿させ、遠心分離機で生成物を分離し、乾燥させた。下記式で表される化合物(以下、「化合物X−Zn」という)として、収量0.082g、収率39%。
[Example 1]
To a solution prepared by dissolving 0.17 g (0.20 mmol) of Compound X in toluene to 205 mL, 13 mL of a methanol solution of 0.045 g (0.20 mmol) of zinc acetate dihydrate was added dropwise and stirred at 100 ° C. for 3 hours. After concentration, it was precipitated in ethyl acetate, and the product was separated by a centrifuge and dried. As a compound represented by the following formula (hereinafter referred to as “compound X-Zn”), the yield was 0.082 g, and the yield was 39%.

上記のようにして得られた化合物Xと金属塩との反応生成物についてH−NMR測定を行ったところ、下記のデータが得られた。これにより、該生成物中に配位結合が生成し、化合物X−Znが含まれていることを確認した。 When 1 H-NMR measurement was performed on the reaction product of compound X and metal salt obtained as described above, the following data was obtained. Thereby, a coordination bond was generated in the product, and it was confirmed that compound X-Zn was contained.

H−NMR (ppm/300MHz,CDCl) 0.7〜0.9(10H),1.0〜1.2(20H),2.2(4H),7.6(4H),7.7(2H),7.8(2H),7.9〜8.1(6H),8.3(4H),8.4(4H),9.1(4H) 1 H-NMR (ppm / 300 MHz, CDCl 3 ) 0.7 to 0.9 (10H), 1.0 to 1.2 (20H), 2.2 (4H), 7.6 (4H), 7. 7 (2H), 7.8 (2H), 7.9-8.1 (6H), 8.3 (4H), 8.4 (4H), 9.1 (4H)

(式中、nは繰返し数を示す。) (In the formula, n represents the number of repetitions.)

・吸収スペクトルの測定:
得られた化合物X−Znを含む生成物1.5mgをメタノール1mLに溶かしスピンコート法によって厚さ10nmの膜を石英ガラス上に作製し、吸収スペクトルを測定した。図2に、そのスペクトルを(A)として示し、その一階微分曲線を(B)として、そして、それにスムージングを施した曲線を(C)として示す。(C)に示した曲線において、240nm〜400nmの範囲の最小値は247nmにおける−0.00213であり、その四分の一である−0.00053よりも小さい極小値は430nm〜800nmの範囲に認められない。
・ Measurement of absorption spectrum:
1.5 mg of the product containing the obtained compound X-Zn was dissolved in 1 mL of methanol, a 10 nm-thick film was formed on quartz glass by spin coating, and the absorption spectrum was measured. FIG. 2 shows its spectrum as (A), its first derivative curve as (B), and its smoothed curve as (C). In the curve shown in (C), the minimum value in the range of 240 nm to 400 nm is −0.00213 at 247 nm, and the minimum value smaller than −0.00053, which is a quarter, is in the range of 430 nm to 800 nm. unacceptable.

〔比較例1〕
化合物X0.17g(0.20mmol)をトルエンに溶解させて205mLとした溶液に、酢酸コバルト四水和物0.050g(0.20mmol)をメタノールに溶解させて15mLとした溶液を滴下し、100℃で2時間半攪拌し、濃縮後にテトラヒドロフランに滴下して生成物を沈殿させ、上澄みを捨て、酢酸エチルで分散させて、遠心分離機で生成物を分離し、乾燥させた。下記の化合物X−Coとして、収量0.015g、収率7.3%。
[Comparative Example 1]
To a solution prepared by dissolving 0.17 g (0.20 mmol) of Compound X in toluene to 205 mL, a solution prepared by dissolving 0.050 g (0.20 mmol) of cobalt acetate tetrahydrate in methanol to 15 mL was added dropwise. The mixture was stirred for 2 hours and a half at 0 ° C., concentrated and added dropwise to tetrahydrofuran to precipitate the product. The supernatant was discarded, dispersed in ethyl acetate, and the product was separated by a centrifuge and dried. As the following compound X-Co, the yield was 0.015 g, and the yield was 7.3%.

上記のようにして得られた化合物Xと金属塩との反応生成物についてH−NMR測定を行ったところ、下記のデータが得られた。これにより、該生成物中に配位結合が生成し、下記の式で表される化合物(以下、「化合物X−Co」という)が含まれていることを確認した。 When 1 H-NMR measurement was performed on the reaction product of compound X and metal salt obtained as described above, the following data was obtained. Thereby, it was confirmed that a coordination bond was generated in the product and a compound represented by the following formula (hereinafter referred to as “compound X-Co”) was included.

(式中、nは繰返し数を示す。) (In the formula, n represents the number of repetitions.)

・吸収スペクトルの測定:
得られた化合物X−Coを含む生成物について、実施例1と同様にして膜を作製し、吸収スペクトルを測定した。図3に、得られた吸収スペクトル(A)として示し、その一階微分曲線を(B)として、そして、それにスムージングを施した曲線を(C)として示す。曲線(C)において、240nmから400nmの範囲の最小値は249nmにおける−0.00224であり、その四分の一である−0.00056よりも小さい極小値−0.00058が波長430nmの位置に認められる。
・ Measurement of absorption spectrum:
About the product containing the obtained compound X-Co, the film | membrane was produced like Example 1 and the absorption spectrum was measured. FIG. 3 shows the obtained absorption spectrum (A), its first derivative curve as (B), and the smoothed curve as (C). In curve (C), the minimum value in the range from 240 nm to 400 nm is −0.00224 at 249 nm, and a minimum value −0.00058 smaller than −0.00056, which is a quarter of the minimum value, is at the wavelength 430 nm. Is recognized.

〔実施例2〕
−有機発光素子の製造−
陽極としてITOが成膜されパターニングされたガラス基板のITO陽極上に、正孔注入材料溶液としてポリ(3,4‐エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルホン酸溶液(スタルクヴイテック(株)製、商品名「Baytron」)を用いて乾燥後の膜厚が60nmになるようにスピンコート法により塗布し、塗膜を形成した。この塗膜を形成した基板を200℃で10分加熱して、正孔注入層を形成した。
[Example 2]
-Manufacture of organic light emitting devices-
Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (made by Stark Vitec Co., Ltd.) as a hole injection material solution on the ITO anode of a glass substrate patterned and patterned with ITO as the anode Using the name “Baytron”), the coating film was formed by spin coating so that the film thickness after drying was 60 nm. The substrate on which this coating film was formed was heated at 200 ° C. for 10 minutes to form a hole injection layer.

次に、繰り返し単位として2価の芳香族アミン残基および架橋基を含む重合体(WO2005/052027に記載のP1を0.6重量%有するキシレン溶液を調製し、上記基板上に形成した正孔注入層の上にスピンコート法により塗布し、塗膜を形成した。この基板を200℃で15分間加熱し、塗膜を不溶化させて正孔輸送層を形成した。   Next, a polymer containing a divalent aromatic amine residue and a crosslinking group as a repeating unit (a xylene solution having 0.6% by weight of P1 described in WO2005 / 052027 was prepared, and holes formed on the substrate were formed. A coating film was formed on the injection layer by spin coating, and the substrate was heated at 200 ° C. for 15 minutes to insolubilize the coating film to form a hole transport layer.

次に発光高分子材料であるBP361(サメイション(株)製)を1.3重量%含有するキシレン溶液を調製し、上記正孔輸送層を形成した基板の正孔輸送層の上にスピンコート法により塗布し、塗膜を形成した。この基板を130℃で15分間加熱し、発光層を形成した。   Next, a xylene solution containing 1.3% by weight of BP361 (manufactured by Summation Co., Ltd.), which is a light emitting polymer material, is prepared, and spin coating is performed on the hole transport layer of the substrate on which the hole transport layer is formed. Was applied to form a coating film. This substrate was heated at 130 ° C. for 15 minutes to form a light emitting layer.

次に化合物X−Zn1.5mgをメタノール1mLに溶かし、上記発光層を形成した基板の発光層の上にスピンコート法により塗布し、塗膜を形成した。この基板を130℃で15分間加熱し電子注入層を形成した。   Next, 1.5 mg of compound X-Zn was dissolved in 1 mL of methanol, and applied by spin coating on the light emitting layer of the substrate on which the light emitting layer had been formed to form a coating film. This substrate was heated at 130 ° C. for 15 minutes to form an electron injection layer.

上記電子注入層を形成した基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によってAlを80nm成膜し、陰極を形成し、有機発光素子1を得た。   The substrate on which the electron injection layer was formed was inserted into a vacuum apparatus, and an Al film was formed to a thickness of 80 nm by a vacuum deposition method, a cathode was formed, and an organic light emitting device 1 was obtained.

〔比較例2〕
化合物X−Znの代わりに化合物X−Coを用いた以外は、実施例2と同様に操作し、有機発光素子2を得た。
[Comparative Example 2]
Organic light-emitting device 2 was obtained in the same manner as in Example 2 except that compound X-Co was used instead of compound X-Zn.

〔比較例3〕
化合物X−Znを含む層を形成しなかった以外は、実施例2と同様に操作し、有機発光素子3を得た。
[Comparative Example 3]
An organic light emitting device 3 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the layer containing Compound X-Zn was not formed.

〔素子評価〕
上記で得られた有機発光素子1、2および3のおのおのに、10Vの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。結果を表1に示す。
(Element evaluation)
A forward voltage of 10 V was applied to each of the organic light emitting devices 1, 2 and 3 obtained above, and the light emission luminance and the light emission efficiency were measured. The results are shown in Table 1.

表1から明らかなように、本発明の機能性膜を含む有機発光素子は、前記機能性膜を含まない電界発光素子に比べ、発光輝度・発光効率ともに顕著に優れる。これは、発光層への電荷の注入性および/または電荷の輸送性が向上したためである。   As can be seen from Table 1, the organic light emitting device including the functional film of the present invention is significantly superior in light emission luminance and light emission efficiency as compared with the electroluminescent device not including the functional film. This is because charge injection into the light emitting layer and / or charge transport is improved.

本発明の機能性膜は、例えば、有機発光素子、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等の有機電子素子の電荷注入層や電荷輸送層として有用である。   The functional film of the present invention is useful as, for example, a charge injection layer or a charge transport layer of an organic electronic device such as an organic light emitting device, an organic transistor device, or an organic photoelectric conversion device.

Claims (18)

下式(1)で表される化合物と、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、La、Ce、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、PbおよびBiからなる群から選ばれる遷移金属の金属塩との組み合わせであって、
その光の吸収スペクトルを一階微分形で表した曲線が、240nm〜400nmの波長範囲に有する最小値に対してその4分の1よりも小さい極小値を430nm〜800nmの範囲に有しない組み合わせを含む有機電子素子用機能性膜。
(ここで、Arはn価の共役基を表し、Jは前記金属塩を構成する金属イオンに配位可能な原子を1個以上8個以下有する1価の配位基であり、nは2以上20以下の整数を表し、複数のJは同一でも異なっていてもよい。)
A compound represented by the following formula (1), Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, In, Sn, A combination with a metal salt of a transition metal selected from the group consisting of Sb, La, Ce, Eu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb and Bi,
A combination in which the curve representing the absorption spectrum of the light in the first-order differential form does not have a minimum value smaller than a quarter of the minimum value in the wavelength range of 240 nm to 400 nm in the range of 430 nm to 800 nm. A functional film for organic electronic devices.
(Wherein Ar represents an n-valent conjugated group, J represents a monovalent coordination group having 1 to 8 atoms capable of coordinating to the metal ions constituting the metal salt, and n is 2 Represents an integer of 20 or less, and a plurality of J may be the same or different.)
請求項1に記載の機能性膜であって、前記の式(1)で表される化合物と前記金属塩とからなる組み合わせが、該化合物と該金属イオンとで形成された錯体を含む機能性膜。   The functional film according to claim 1, wherein the combination of the compound represented by the formula (1) and the metal salt includes a complex formed by the compound and the metal ion. film. 請求項1または2に記載の機能性膜であって、前記の式(1)で表される化合物/前記金属イオンのモル比が0.3〜5.0である機能性膜。   3. The functional film according to claim 1, wherein a molar ratio of the compound represented by the formula (1) / the metal ion is 0.3 to 5.0. 4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の機能性膜であって、配位基Jが有する前記配位可能な原子が炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはそれらの2種以上の組み合わせである機能性膜。   It is a functional film of any one of Claims 1-3, Comprising: The said atom which can be coordinated which the coordinating group J has is a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or those 2 types or more A functional membrane that is a combination of 請求項4に記載の機能性膜であって、配位基Jが有する前記配位可能な原子が窒素原子である機能性膜。   5. The functional film according to claim 4, wherein the coordinating atom of the coordination group J is a nitrogen atom. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の機能性膜であって、前記の金属イオンに配位基Jが配位可能な原子を1〜3個有する機能性膜。   The functional film according to claim 1, wherein the functional film has 1 to 3 atoms capable of coordinating with a coordination group J on the metal ion. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の機能性膜であって、配位基Jがビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基である機能性膜。   The functional film according to claim 1, wherein the coordination group J is a bipyridyl group, a terpyridyl group, or a phenanthrolinyl group. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の機能性膜であって、共役基Arが芳香族炭化水素基である機能性膜。   The functional film according to claim 1, wherein the conjugated group Ar is an aromatic hydrocarbon group. 請求項8に記載の機能性膜であって、共役基Arがフェニレン基、フルオレンジイル基またはそれらの組み合わせを含む機能性膜。   The functional film according to claim 8, wherein the conjugated group Ar includes a phenylene group, a fluorenediyl group, or a combination thereof. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の機能性膜からなる有機電子素子用電荷注入層。   The charge injection layer for organic electronic elements which consists of a functional film of any one of Claims 1-9. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の機能性膜からなる有機電子素子用電荷移動層。   The charge transfer layer for organic electronic elements which consists of a functional film of any one of Claims 1-9. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の機能性膜と、該機能性膜の両側のおのおのに直接にまたは少なくとも一つの別の層を介して設けられた少なくとも一つの電極とを備えた有機電子素子。   A functional membrane according to any one of claims 1 to 9, and at least one electrode provided directly on each of both sides of the functional membrane or via at least one other layer. Organic electronic device. 有機発光素子、有機トランジスタ素子または有機光電変換素子である請求項12に記載の有機電子素子。   The organic electronic device according to claim 12, which is an organic light emitting device, an organic transistor device, or an organic photoelectric conversion device. 請求項12または13に記載の有機電子素子であって、該機能性膜と、該機能性膜の少なくとも片側に設けられた少なくとも一つの電極と、該機能性膜及び該電極の間に設けられた少なくとも一層の発光層を有し、発光性である有機電子素子。   14. The organic electronic device according to claim 12, wherein the functional film, at least one electrode provided on at least one side of the functional film, and the functional film and the electrode are provided. An organic electronic device having at least one light emitting layer and having light emitting properties. 下記の式(2’)で表されるフルオレン系化合物。
(式中、J’ターピリジル基であり、Rは1価の炭化水素基である。2個のRは、同一であっても異なっていてもよい。2個のJ’は同一であっても異なっていてもよい。)
A fluorene compound represented by the following formula (2 ′) .
(In the formula, J ′ is a terpyridyl group , R is a monovalent hydrocarbon group. Two R's may be the same or different. The two J ′ are the same, May be different.)
下記の式(2)で表されるフルオレン系化合物と、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、La、Ce、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、PbおよびBiからなる群から選ばれる遷移金属の金属塩とからなる錯体。
(式中、JはAl、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、La、Ce、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、PbおよびBiからなる群から選ばれる遷移金属の金属イオンに配位可能な原子を1個以上8個以下有する1価の配位子であり、Rは1価の炭化水素基である。2個のRは、同一であっても異なっていてもよい。2個のJは同一であっても異なっていてもよい。)
The fluorene compound represented by the following formula (2) and Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, In , Sn, Sb, La, Ce, Eu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, and a complex composed of a metal salt of a transition metal selected from the group consisting of Bi.
(Where J is Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, La, Ce, 1 to 8 atoms that can coordinate to a metal ion of a transition metal selected from the group consisting of Eu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, and Bi A monovalent ligand, R is a monovalent hydrocarbon group, two Rs may be the same or different, and two Js may be the same or different May be good.)
請求項16に記載の錯体であって、下記の式(3)で表される繰返し単位を有する錯体。

(式中、Jは亜鉛イオンに配位可能な原子を1〜3個有する1価の配位基であり、Rは1価の炭化水素基であり、(AN)n−はn価の対アニオン(但し、nは1または2の整数)であり、破線は1〜3本の配位結合を示す。2個のRは、同一であっても異なっていてもよい。2個のJ1は同一であっても異なっていてもよい。)
The complex according to claim 16 , wherein the complex has a repeating unit represented by the following formula (3).

(Wherein J 1 is a monovalent coordination group having 1 to 3 atoms capable of coordinating with a zinc ion, R is a monovalent hydrocarbon group, and (AN) n- is an n-valent group) It is a counter anion (where n is an integer of 1 or 2), and the broken line represents 1 to 3 coordination bonds, and two Rs may be the same or different. 1 may be the same or different.)
請求項17に記載の錯体であって、Jがビピリジル基、ターピリジル基またはフェナントロリニル基である錯体。 A complex according to claim 17, complex J 1 is a bipyridyl group, terpyridyl group or phenanthrolinyl group.
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