JP5672920B2

JP5672920B2 - Pellicle and exposure apparatus

Info

Publication number: JP5672920B2
Application number: JP2010226041A
Authority: JP
Inventors: 陽坂田
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2010-10-05
Filing date: 2010-10-05
Publication date: 2015-02-18
Anticipated expiration: 2030-10-05
Also published as: JP2012078729A

Description

本発明は、ペリクル及び露光装置に関し、特にフォトマスクの保護に用いられるペリクル及び当該フォトマスクに形成された電子回路パターンを基板に転写するための露光装置に関する。 The present invention relates to a pellicle and an exposure apparatus, and more particularly to a pellicle used for protecting a photomask and an exposure apparatus for transferring an electronic circuit pattern formed on the photomask to a substrate.

半導体向けやＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示装置）向けのフォトマスクにおいて、マスク表面に形成された電子回路パターン上に微小な粒子等の異物や汚れが付着していると、リソグラフィ法と呼ばれる露光転写において回路の断線などの問題が発生する。この問題に対して、光学的な結像焦点の原理を利用したペリクルと呼ばれる保護手段が用いられ、広く採用されている。 In photomasks for semiconductors and LCDs (Liquid Crystal Displays), if foreign particles such as fine particles or dirt adhere to the electronic circuit pattern formed on the mask surface, exposure called lithography is performed. Problems such as circuit disconnection occur in transfer. For this problem, a protection means called a pellicle using the principle of optical imaging focus is used and widely adopted.

ペリクル付きフォトマスクとしては、例えば特許文献１に記載の技術がある。この技術は、ペリクル膜を保持し、該ペリクル膜とフォトマスク基板との間を封じるペリクルフレームの上端面及び下端面のうち少なくとも一つの端面の全周に、連続して凹状の溝を設けるものである。これにより、ペリクル膜と膜接着剤との接着力を向上させ、ペリクル膜内の局所的なシワやパーティクルの発生を防止する。
ところで、ペリクルは、マスク表面に異物などの汚れが無い状態を検査機などにより確認した後にマスク面に貼り付けられる。一方で、ペリクル自体については、マスクへの貼り付け前に異物検査は行われず、マスクに搭載された後に光学的な反射散乱手法による検査にてペリクル表面への異物の有無を確認している。 As a photomask with a pellicle, there is a technique described in Patent Document 1, for example. In this technique, a concave groove is continuously formed on the entire circumference of at least one of the upper end surface and the lower end surface of the pellicle frame that holds the pellicle film and seals between the pellicle film and the photomask substrate. It is. Thereby, the adhesive force between the pellicle film and the film adhesive is improved, and local wrinkles and particles in the pellicle film are prevented from being generated.
By the way, the pellicle is affixed to the mask surface after confirming that the mask surface is free of dirt such as foreign matter by an inspection machine or the like. On the other hand, the pellicle itself is not subjected to foreign matter inspection before being attached to the mask, and after being mounted on the mask, the presence or absence of foreign matter on the pellicle surface is confirmed by inspection using an optical reflection / scattering technique.

近年、“くもり”ないし“ヘイズ（Ｈａｚｅ）”と呼ばれる成長性欠陥が、ペリクルをマスクに貼り付ける有機物系接着剤からのアウトガスと露光光との反応により、新たにペリクル面に発生する現象が認められている。ペリクルは露光光学系において、焦点深度の特性によりペリクル面上の遮光性異物はシリコン基板に転写しない。しかしながら、透明性異物であった場合は、異物の屈折率により位相シフトマスクにおいては位相欠陥となってしまう。ところが、上記従来の光学的手段による検査では、異物が光学的な散乱が無い透明性異物であると検出できない。
また、上記のようにして発生した異物は、シリコンウエハに転写露光された半導体回路の断線で発見される場合が多い。そのため、露光機の一部に検査機を併設し、ペリクル付きフォトマスクのマスク表面の異物を検査するものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。 In recent years, a growth defect called “cloudy” or “haze” has been newly observed on the pellicle surface due to the reaction between the outgas from the organic adhesive that attaches the pellicle to the mask and the exposure light. It has been. In the exposure optical system, the light-shielding foreign matter on the pellicle surface is not transferred to the silicon substrate in the exposure optical system. However, in the case of a transparent foreign material, a phase defect occurs in the phase shift mask due to the refractive index of the foreign material. However, the inspection by the conventional optical means cannot detect that the foreign material is a transparent foreign material without optical scattering.
Further, the foreign matter generated as described above is often found by disconnection of a semiconductor circuit transferred and exposed on a silicon wafer. For this reason, there has been proposed an inspection machine provided in part of an exposure machine for inspecting foreign matters on the mask surface of a photomask with a pellicle (see, for example, Patent Document 2).

特許第４３５８６８３号明細書Japanese Patent No. 4358683 特開２００１−１５９６１３号公報JP 2001-159613 A

しかしながら、上記特許文献２に記載の従来技術にあっては、搬送アームによってマスクを収納部からマスクステージへ搬送する途中で検査機に移送し、異物検査を行った後にマスクをマスクステージに搭載する構成である。また、マスクの面上に一側から検査用のレーザー光を照射し、レーザー光がマスク表面上の異物に照射されて生じた散乱光を受光することでマスク表面上の異物の有無および位置を検出するものである。そのため、マスクステージにマスクを搭載した状態でペリクル上の透明性異物を検査することは不可能であった。
そこで、本発明は、露光機内のマスクステージにマスクを装着した状態で、ペリクル上の透明性異物の検査を行うことができるペリクル及び露光装置を提供することを課題としている。 However, in the prior art described in Patent Document 2, the mask is transferred to the inspection machine while the mask is being transferred from the storage unit to the mask stage by the transfer arm, and the mask is mounted on the mask stage after performing the foreign substance inspection. It is a configuration. In addition, a laser beam for inspection is irradiated from one side onto the mask surface, and the presence and position of foreign matter on the mask surface are detected by receiving scattered light generated by the laser light being irradiated onto the foreign matter on the mask surface. It is to detect. Therefore, it was impossible to inspect the transparent foreign matter on the pellicle with the mask mounted on the mask stage.
Therefore, an object of the present invention is to provide a pellicle and an exposure apparatus that can inspect a transparent foreign matter on a pellicle in a state where a mask is mounted on a mask stage in an exposure machine.

上記課題を解決するために、請求項１に係るペリクルは、転写用パターンが形成されたマスク基板の表面と所定間隔をおいて張設されるペリクル膜と、前記マスク基板に装着されて前記ペリクル膜を保持するペリクルフレームと、を備えるペリクルであって、弾性表面波を励起し前記ペリクル膜の表面上を伝搬させる第１櫛歯電極と、前記第１櫛歯電極によって励起された弾性表面波を受信し、受信した前記弾性表面波に応じた信号を出力する第２櫛歯電極とを対向配置した弾性表面波素子を備えることを特徴としている。 In order to solve the above-mentioned problem, a pellicle according to claim 1 is a pellicle film stretched at a predetermined interval from a surface of a mask substrate on which a transfer pattern is formed, and the pellicle mounted on the mask substrate. A pellicle having a pellicle frame for holding a film, the first comb electrode for exciting a surface acoustic wave and propagating the surface of the pellicle film, and the surface acoustic wave excited by the first comb electrode And a surface acoustic wave element in which a second comb-tooth electrode that outputs a signal corresponding to the received surface acoustic wave is disposed opposite to each other.

また、請求項２に係るペリクルは、請求項１に係る発明において、前記弾性表面波素子は、前記ペリクルフレームに設置されていることを特徴としている。
さらに、請求項３に係るペリクルは、請求項１又は２に係る発明において、前記ペリクルフレームに、前記弾性表面波素子の入出力端子を設置することを特徴としている。
また、請求項４に係るペリクルは、請求項１〜３の何れかに係る発明において、前記弾性表面波素子を、前記ペリクルフレームに複数備えることを特徴としている。
また、請求項５に係るペリクルは、請求項１〜４の何れかに係る発明において、前記ペリクル膜は、樹脂、珪素薄板、石英、金属及び金属酸化物の少なくとも１つから形成される単層または複数層の膜であることを特徴としている。 A pellicle according to a second aspect is the invention according to the first aspect, wherein the surface acoustic wave element is installed on the pellicle frame.
Furthermore, the pellicle according to claim 3 is characterized in that, in the invention according to claim 1 or 2, the input / output terminals of the surface acoustic wave element are installed in the pellicle frame.
A pellicle according to a fourth aspect of the present invention is the invention according to any one of the first to third aspects, wherein the pellicle frame includes a plurality of the surface acoustic wave elements.
The pellicle according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the pellicle film is a single layer formed of at least one of resin, silicon thin plate, quartz, metal, and metal oxide. Alternatively, it is a multi-layer film.

さらにまた、請求項６に係る露光装置は、露光光を照射する露光光源と、前記露光光源からの露光光を受ける位置に配置され、前記請求項１〜５の何れかに係るペリクルを装着したフォトマスクを載置するためのフォトマスク台と、前記フォトマスクを前記フォトマスク台に載置した状態で、前記弾性表面波素子を駆動する駆動手段と、前記駆動手段で前記弾性表面波素子を駆動したときに前記弾性表面波素子が出力する信号に基づいて、前記ペリクル膜の表面上の異物検査を行う異物検査手段と、を備えることを特徴としている。
また、請求項７に係る露光装置は、請求項６に係る発明において、前記フォトマスク台は、真空環境に配置されていることを特徴としている。 Furthermore, an exposure apparatus according to claim 6 is disposed at an exposure light source for irradiating exposure light and a position for receiving exposure light from the exposure light source, and the pellicle according to any one of claims 1 to 5 is mounted. A photomask base for mounting a photomask; a driving means for driving the surface acoustic wave element in a state where the photomask is mounted on the photomask base; and the surface acoustic wave element is driven by the driving means. Foreign matter inspection means for inspecting foreign matter on the surface of the pellicle film based on a signal output from the surface acoustic wave element when driven is provided.
According to a seventh aspect of the present invention, in the invention according to the sixth aspect, the photomask table is arranged in a vacuum environment.

請求項１に係る発明よれば、ペリクル膜の表面上を伝搬する弾性表面波によって、ペリクル膜上の異物の有無を検査することができる。このように、ペリクル膜表面の異物検査に弾性表面波素子を用いるので、異物の組成や光学特性を問わず適切に異物検査を行うことができる。また、異物検査環境の制限がないため、例えば、露光装置のマスクステージ上に当該ペリクルを装着したマスクを設置した状態などでも、異物検査が可能となる。 According to the first aspect of the present invention, the presence or absence of foreign matter on the pellicle film can be inspected by the surface acoustic wave propagating on the surface of the pellicle film. As described above, since the surface acoustic wave element is used for the foreign matter inspection on the surface of the pellicle film, the foreign matter inspection can be appropriately performed regardless of the composition and optical characteristics of the foreign matter. Further, since there is no restriction on the foreign matter inspection environment, foreign matter inspection is possible even in a state where, for example, a mask with the pellicle mounted thereon is placed on the mask stage of the exposure apparatus.

また、請求項２に係る発明によれば、弾性表面波素子をペリクルフレームに設けるので、ペリクル単体でもペリクルをフォトマスクに装着した状態でも異物検査を行うことができる。
さらに、請求項３に係る発明によれば、弾性表面波素子の入出力端子をペリクルフレームに設けるので、ペリクル単体でもペリクルをフォトマスクに装着した状態でも容易に弾性表面波素子を駆動させることができる。 According to the second aspect of the present invention, since the surface acoustic wave element is provided on the pellicle frame, the foreign matter can be inspected even when the pellicle alone or the pellicle is mounted on the photomask.
Further, according to the invention of claim 3, since the input / output terminals of the surface acoustic wave element are provided on the pellicle frame, the surface acoustic wave element can be easily driven regardless of the pellicle alone or the pellicle mounted on the photomask. it can.

また、請求項４に係る発明によれば、弾性表面波素子をペリクルフレームに複数設けるので、ペリクル膜の表面上の異物の位置を特定することができる。
また、請求項５に係る発明によれば、樹脂や珪素薄板、石英、金属、金属酸化物からなる単層もしくは複数層のペリクル膜を用いた場合であっても、適切に異物検査が可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, since a plurality of surface acoustic wave elements are provided on the pellicle frame, the position of a foreign substance on the surface of the pellicle film can be specified.
Further, according to the invention according to claim 5, it is possible to appropriately inspect foreign matter even when a single layer or a plurality of pellicle films made of resin, silicon thin plate, quartz, metal, or metal oxide are used. Become.

さらにまた、請求項６に係る発明によれば、マスクステージにマスクを装着した状態で異物検査を行うので、従来のように異物検査機にマスクを移送する行程を別途設ける必要がなく、効率が良い。
また、請求項７に係る発明によれば、マスクステージを真空環境に設けるので、異物の侵入を抑制した環境で異物検査及び露光転写を行うことができる。 Furthermore, according to the invention of claim 6, since the foreign substance inspection is performed with the mask mounted on the mask stage, there is no need to provide a separate process for transferring the mask to the foreign substance inspection machine as in the prior art. good.
According to the seventh aspect of the present invention, since the mask stage is provided in a vacuum environment, foreign matter inspection and exposure transfer can be performed in an environment in which foreign matter is prevented from entering.

第１の実施形態におけるペリクル５０の構造を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a structure of a pellicle 50 in a first embodiment. 第１の実施形態におけるペリクル５０の構造を示す平面図である。2 is a plan view showing a structure of a pellicle 50 in the first embodiment. FIG. 第２の実施形態のペリクル５０及び異物検査部の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pellicle 50 and foreign material inspection part of 2nd Embodiment. ＣＰＵ８１で実行するマップ作成処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the map creation process procedure performed with CPU81. ＣＰＵ８１で実行する異物検査処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the foreign material inspection process procedure performed with CPU81. 異物発生位置の特定方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the identification method of a foreign material generation position. 第３の実施形態の露光機１００及び異物検査ユニット２００を示す構成図である。It is a block diagram which shows the exposure machine 100 and the foreign material inspection unit 200 of 3rd Embodiment.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明に係るペリクルは、半導体やＬＣＤ等の露光工程で使用されるフォトマスク（レチクルなどを含む）の保護に用いられるものである。
（第１の実施形態）
（構成）
図１は、本発明におけるペリクルの構造を示す断面図である。また、図２は、本発明におけるペリクルの構造を示す平面図である。なお、図２では、説明の便宜上、後述するペリクルフレームの対向する２つの側面を平面展開した図としている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
The pellicle according to the present invention is used for protecting a photomask (including a reticle and the like) used in an exposure process such as a semiconductor or an LCD.
(First embodiment)
(Constitution)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a pellicle according to the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the structure of the pellicle according to the present invention. In FIG. 2, for convenience of explanation, two opposing side surfaces of a pellicle frame, which will be described later, are shown in a plane development.

図中、符号５０はペリクルである。ペリクル５０は、ペリクル膜５１と、ペリクルフレーム５２と、絶縁性弾性粘着剤５３とを備える。このペリクル５０は、図示しないフォトマスク基板の露光時に転写される半導体回路パターン（転写用パターン）が形成された面（パターン面）に、絶縁性弾性粘着剤５３によって接合される。すなわち、ペリクル膜５１は、マスク基板のパターン面とペリクルフレーム５２の高さに相当する間隔をおいて張設される。そして、ペリクルフレーム５２は、ペリクル膜５１を保持すると共に、ペリクル膜５１とフォトマスク基板との間を封じる構成となっている。 In the figure, reference numeral 50 denotes a pellicle. The pellicle 50 includes a pellicle film 51, a pellicle frame 52, and an insulating elastic adhesive 53. The pellicle 50 is bonded by an insulating elastic adhesive 53 to a surface (pattern surface) on which a semiconductor circuit pattern (transfer pattern) to be transferred at the time of exposure of a photomask substrate (not shown) is formed. That is, the pellicle film 51 is stretched at an interval corresponding to the height of the pattern surface of the mask substrate and the pellicle frame 52. The pellicle frame 52 holds the pellicle film 51 and seals between the pellicle film 51 and the photomask substrate.

ペリクル膜５１としては、樹脂や珪素薄板、石英、金属、金属酸化物等からなる単層または複数層の膜、もしくは薄板状の膜を用いる。
ペリクルフレーム５２は、例えば石英基板や珪素基板で形成する。ペリクルフレーム５２は、対向する側面のうち一方の側面に弾性表面波素子２０Ａを備え、他方の側面に弾性表面波素子２０Ｂを備える。弾性表面波素子２０Ａは、ペリクル膜５１の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる送信側の素子である。弾性表面波素子２０Ｂは、弾性表面波素子２０Ａからペリクル膜５１の表面上を伝搬した弾性表面波を受信する受信側の素子である。これら弾性表面波素子２０Ａ及び２０Ｂを１組として扱う。なお、弾性表面波素子２０Ａと弾性表面波素子２０Ｂとは同一構造を有する。 As the pellicle film 51, a single layer or a plurality of layers made of resin, silicon thin plate, quartz, metal, metal oxide, or the like, or a thin plate-like film is used.
The pellicle frame 52 is formed of, for example, a quartz substrate or a silicon substrate. The pellicle frame 52 includes a surface acoustic wave element 20A on one of the opposing side surfaces, and a surface acoustic wave element 20B on the other side. The surface acoustic wave element 20 A is an element on the transmission side that generates surface acoustic waves that propagate on the surface of the pellicle film 51. The surface acoustic wave element 20B is an element on the receiving side that receives the surface acoustic wave propagated from the surface acoustic wave element 20A on the surface of the pellicle film 51. These surface acoustic wave elements 20A and 20B are treated as one set. The surface acoustic wave element 20A and the surface acoustic wave element 20B have the same structure.

弾性表面波素子２０Ａ及び２０Ｂは、それぞれ圧電基板２１と、櫛歯電極２２とを含む。圧電基板２１は、タンタリウム酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶などで形成する。櫛歯電極２２は、アルミニウムなどの電気導電性金属で形成した公知のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｅｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極構造を有する。
弾性表面波素子２０Ａの櫛歯電極（第１櫛歯電極）２２には電極２３（電極２３Ａ及び電極２３Ｂ）が接続されており、弾性表面波素子２０Ｂの櫛歯電極（第２櫛歯電極）２２には電極２４（電極２４Ａ及び電極２４Ｂ）が接続されている。弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂにおける櫛歯電極２２は、それぞれ櫛歯電極２２Ａと櫛歯電極２２Ｂとで構成されており、圧電基板２１上に櫛歯電極２２Ａ，２２Ｂが互いの電極が噛み合うように対向して配置されている。 The surface acoustic wave elements 20 A and 20 B each include a piezoelectric substrate 21 and a comb electrode 22. The piezoelectric substrate 21 is formed of a lithium tantalate single crystal, a lithium niobate single crystal, or the like. The comb-teeth electrode 22 has a known IDT (Inter Digital Transducer) electrode structure formed of an electrically conductive metal such as aluminum.
An electrode 23 (electrode 23A and electrode 23B) is connected to the comb electrode (first comb electrode) 22 of the surface acoustic wave element 20A, and the comb electrode (second comb electrode) of the surface acoustic wave element 20B. 22 is connected to an electrode 24 (electrode 24A and electrode 24B). The comb-teeth electrodes 22 in the surface acoustic wave elements 20A and 20B are respectively composed of a comb-teeth electrode 22A and a comb-teeth electrode 22B, and the comb-teeth electrodes 22A and 22B are engaged with each other on the piezoelectric substrate 21. Opposed to each other.

そして、弾性表面波素子２０Ａにおける櫛歯電極２２Ａに電極２３Ａを接続し、櫛歯電極２２Ｂに電極２３Ｂを接続する。同様に、弾性表面波素子２０Ｂにおける櫛歯電極２２Ａに電極２４Ａを接続し、櫛歯電極２２Ｂに電極２４Ｂを接続する。
この電極２３から弾性表面波素子２０Ａへの電気信号供給を行い、電極２４から弾性表面波素子２０Ｂの電気信号出力を得るようになっている。つまり、電極２３及び２４は、弾性表面波素子２０Ａ及び２０Ｂの入出力端子として機能する。電極２３には、電源６０から信号線６１を介して電気信号が印加される。 Then, the electrode 23A is connected to the comb electrode 22A in the surface acoustic wave element 20A, and the electrode 23B is connected to the comb electrode 22B. Similarly, the electrode 24A is connected to the comb electrode 22A in the surface acoustic wave element 20B, and the electrode 24B is connected to the comb electrode 22B.
An electric signal is supplied from the electrode 23 to the surface acoustic wave element 20A, and an electric signal output of the surface acoustic wave element 20B is obtained from the electrode 24. That is, the electrodes 23 and 24 function as input / output terminals of the surface acoustic wave elements 20A and 20B. An electric signal is applied to the electrode 23 from the power source 60 through the signal line 61.

絶縁性弾性粘着剤５３は、ペリクル膜５１の表面上を伝搬すべき弾性表面波が、フォトマスク基板を介して伝播することを防ぐ役割も果たしている。
このように、弾性表面波素子２０Ａと弾性表面波素子２０Ｂとは、ペリクル膜５１が弾性表面波素子２０Ａと弾性表面波素子２０Ｂとの間に配置されるよう、ペリクルフレーム５２の対向する側面にそれぞれ設ける。すなわち、弾性表面波素子２０Ａの櫛歯電極２２と弾性表面波素子２０Ｂの櫛歯電極２２とを、弾性表面波が伝搬する伝搬領域を挟んで対向配置し、その伝搬領域内にペリクル膜５１が配置されるようにする。 The insulating elastic adhesive 53 also serves to prevent the surface acoustic wave that should propagate on the surface of the pellicle film 51 from propagating through the photomask substrate.
As described above, the surface acoustic wave element 20A and the surface acoustic wave element 20B are formed on the opposite side surfaces of the pellicle frame 52 so that the pellicle film 51 is disposed between the surface acoustic wave element 20A and the surface acoustic wave element 20B. Provide each. That is, the comb-teeth electrode 22 of the surface acoustic wave element 20A and the comb-teeth electrode 22 of the surface acoustic wave element 20B are arranged to face each other across a propagation region in which the surface acoustic wave propagates, and the pellicle film 51 is located in the propagation region. To be placed.

このような構成により、電極２３から弾性表面波素子２０Ａの櫛歯電極２２に高周波電力を印加すると、弾性表面波素子２０Ａの櫛歯電極２２Ａ，２２Ｂ間に電界が発生し、弾性表面波が励起する。この弾性表面波は弾性表面波素子２０Ａからペリクル膜５１の表面上を伝搬して弾性表面波素子２０Ｂに到達する。すると、弾性表面波素子２０Ｂの櫛歯電極２２により、この弾性表面波が電気信号に変換される。このようにして得られた電気信号出力に基づいて、ペリクル膜５１上に存在する異物Ｄを検知可能となっている。 With such a configuration, when high frequency power is applied from the electrode 23 to the comb electrode 22 of the surface acoustic wave element 20A, an electric field is generated between the comb electrodes 22A and 22B of the surface acoustic wave element 20A, and the surface acoustic wave is excited. To do. The surface acoustic wave propagates from the surface acoustic wave element 20A onto the surface of the pellicle film 51 and reaches the surface acoustic wave element 20B. Then, the surface acoustic wave is converted into an electric signal by the comb-teeth electrode 22 of the surface acoustic wave element 20B. Based on the electrical signal output thus obtained, the foreign matter D present on the pellicle film 51 can be detected.

（動作）
次に、第１の実施形態の動作について説明する。
先ず、電源６０から信号線６１を介して電極２３Ａ、２３Ｂへ電極周期長に相当する周波数を有する電気信号（電力）を印加する。すると、圧電効果により、弾性表面波素子２０Ａの櫛歯電極２２Ａ、２２Ｂ間に互いに逆位相の歪が生じ、弾性表面波が励起される。この弾性表面波は、図１及び図２の矢印で示す方向に、ペリクル膜５１の表面上を伝搬する。 (Operation)
Next, the operation of the first embodiment will be described.
First, an electric signal (electric power) having a frequency corresponding to the electrode period length is applied from the power source 60 to the electrodes 23A and 23B via the signal line 61. Then, due to the piezoelectric effect, distortions having opposite phases occur between the comb-tooth electrodes 22A and 22B of the surface acoustic wave element 20A, and the surface acoustic waves are excited. This surface acoustic wave propagates on the surface of the pellicle film 51 in the direction indicated by the arrows in FIGS.

ペリクル膜５１を伝搬する弾性表面波のうち、受信側素子である弾性表面波素子２０Ｂの櫛歯電極２２の示す電極周期長に等しい波長の弾性表面波のみが、弾性表面波素子２０Ｂの櫛歯電極２２Ａ、２２Ｂに歪をきたし、当該歪によって励起された電荷が電極２４Ａ、２４Ｂを介して電気信号として取り出される。
このとき、弾性表面波のマスク基板１０表面上の矢印で示す伝搬経路上に異物Ｄが存在すると、その振幅の減衰や異物の物質密度に伴う位相変化が生じる。つまり、受信側素子からは、結果として異物Ｄが存在しない場合とは異なる電気信号が得られる。したがって、得られた電気信号により異物Ｄの有無が検知できる。 Of the surface acoustic waves propagating through the pellicle film 51, only the surface acoustic waves having a wavelength equal to the electrode period length indicated by the comb-teeth electrode 22 of the surface acoustic wave element 20B which is the receiving side element are comb teeth of the surface acoustic wave element 20B. The electrodes 22A and 22B are distorted, and the electric charges excited by the distortion are taken out as electrical signals through the electrodes 24A and 24B.
At this time, if the foreign matter D exists on the propagation path indicated by the arrow on the surface of the mask substrate 10 of the surface acoustic wave, a phase change occurs due to the attenuation of the amplitude or the substance density of the foreign matter. That is, as a result, an electric signal different from the case where the foreign substance D does not exist is obtained from the receiving side element. Therefore, the presence or absence of the foreign matter D can be detected from the obtained electrical signal.

一般に、ペリクルは、マスク表面に異物などの汚れが無い状態を確認した後でマスク表面に装着される。一方で、ペリクル自体については、マスクに装着された後に光学的な反射散乱手法による検査にてペリクル表面への異物の有無が確認される。ところが、このような光学的手段による異物検査では、異物が光学的な散乱が無い透明性異物であると適切に検出できない。
これに対して、本実施形態では、弾性表面波素子を用いてペリクル膜の表面上の異物検査を行うので、弾性表面波に変化をもたらす異物であれば、その組成や光学特性を問わず適切に検出することができる。 In general, the pellicle is mounted on the mask surface after confirming that the mask surface is free from dirt such as foreign matter. On the other hand, regarding the pellicle itself, the presence or absence of foreign matter on the pellicle surface is confirmed by inspection using an optical reflection / scattering method after being mounted on the mask. However, in the foreign matter inspection by such an optical means, the foreign matter cannot be appropriately detected as a transparent foreign matter without optical scattering.
On the other hand, in the present embodiment, since the foreign matter on the surface of the pellicle film is inspected using the surface acoustic wave element, any foreign matter that causes a change in the surface acoustic wave is appropriate regardless of its composition and optical characteristics. Can be detected.

（効果）
このように、第１の実施形態では、ペリクル膜の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させると共にこれを受信可能な弾性表面波素子を備えるので、当該弾性表面波によってペリクル膜の表面上の異物の有無を検査することができる。
また、弾性表面波素子と弾性表面波素子の入出力端子とをペリクルフレームに設けるので、ペリクル単体でもペリクルをフォトマスク基板に装着した状態でも、確実に弾性表面波素子を駆動することができ、適切に異物検査を行うことができる。 (effect)
As described above, in the first embodiment, the surface acoustic wave element that can generate and receive the surface acoustic wave propagating on the surface of the pellicle film is provided. The presence or absence of foreign matter can be inspected.
In addition, since the surface acoustic wave element and the input / output terminals of the surface acoustic wave element are provided on the pellicle frame, the surface acoustic wave element can be reliably driven even when the pellicle alone or the pellicle is mounted on the photomask substrate. Foreign matter inspection can be performed appropriately.

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
この第２の実施形態は、前述した第１の実施形態において、ペリクルフレーム５２に弾性表面波素子を１組のみ設置しているのに対し、ペリクルフレーム５２に複数組の弾性表面波素子を設置し、ペリクル膜５１上に発生した異物の位置を特定可能とするようにしたものである。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the second embodiment, only one set of surface acoustic wave elements is provided on the pellicle frame 52 in the first embodiment, whereas a plurality of sets of surface acoustic wave elements are provided on the pellicle frame 52. In addition, the position of the foreign matter generated on the pellicle film 51 can be specified.

（構成）
図３は、第２の実施形態のペリクル５０及びペリクル膜５１の異物検査部の構造を示す図である。この図３では、説明の便宜上、ペリクルフレーム５２の４つの側面を平面展開した図としている。
図３に示すように、複数組の弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂを、Ｘ，Ｙ方向にそれぞれ設置する。ここでは、Ｘ，Ｙ方向にそれぞれｎ組の弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂを設置した場合について説明する。なお、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂの組数は、Ｘ方向とＹ方向とで異なる数としてもよい。 (Constitution)
FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of the foreign matter inspection unit of the pellicle 50 and the pellicle film 51 according to the second embodiment. In FIG. 3, for convenience of explanation, the four side surfaces of the pellicle frame 52 are developed in a plane.
As shown in FIG. 3, a plurality of sets of surface acoustic wave elements 20A and 20B are installed in the X and Y directions, respectively. Here, a case where n sets of surface acoustic wave elements 20A and 20B are installed in the X and Y directions will be described. The number of sets of the surface acoustic wave elements 20A and 20B may be different in the X direction and the Y direction.

Ｙ方向に並設した電極２３にはスイッチアレイ６３を接続し、Ｙ方向に並設した電極２４にはスイッチアレイ６４を接続する。スイッチアレイ６３はｎ個のスイッチＹｉ１〜Ｙｉｎで構成され、スイッチアレイ６４はｎ個のスイッチＹｏ１〜Ｙｏｎで構成されている。各スイッチはＣＰＵ８１によって個別にオン／オフ制御される。スイッチアレイ６３のスイッチをオン／オフすることで電極２３と電源６０との間の信号線を導通／切断し、スイッチアレイ６４のスイッチをオン／オフすることで電極２４と後述するＹ増幅器６８との間の信号線を導通／切断する。 A switch array 63 is connected to the electrodes 23 arranged in parallel in the Y direction, and a switch array 64 is connected to the electrodes 24 arranged in parallel in the Y direction. The switch array 63 is composed of n switches Yi1 to Yin, and the switch array 64 is composed of n switches Yo1 to Yon. Each switch is individually turned on / off by the CPU 81. By turning on / off the switch of the switch array 63, the signal line between the electrode 23 and the power source 60 is made conductive / disconnected. The signal line between is conductive / disconnected.

同様に、Ｘ方向に並設した電極２３にはスイッチアレイ６５を接続し、Ｘ方向に並設した電極２４にはスイッチアレイ６６を接続する。スイッチアレイ６５はｎ個のスイッチＸｉ１〜Ｘｉｎで構成され、スイッチアレイ６６はｎ個のスイッチＸｏ１〜Ｘｏｎで構成されている。各スイッチはＣＰＵ８１によって個別にオン／オフ制御される。スイッチアレイ６５のスイッチをオン／オフすることで電極２３と電源６０との間の信号線を導通／切断し、スイッチアレイ６６のスイッチをオン／オフすることで電極２４と後述するＸ増幅器６７との間の信号線を導通／切断する。 Similarly, a switch array 65 is connected to the electrodes 23 arranged in parallel in the X direction, and a switch array 66 is connected to the electrodes 24 arranged in parallel in the X direction. The switch array 65 is composed of n switches Xi1 to Xin, and the switch array 66 is composed of n switches Xo1 to Xon. Each switch is individually turned on / off by the CPU 81. By turning on / off the switch of the switch array 65, the signal line between the electrode 23 and the power source 60 is made conductive / disconnected. The signal line between is conductive / disconnected.

ＣＰＵ８１は、スイッチアレイ６３〜６６のオン／オフ制御指令に加えて、電源６０への電力供給指令、Ｘ増幅器６７及びＹ増幅器６８への電流増幅指令を出力する。また、このＣＰＵ８１には、ペリクル膜５１上の異物検査を行った結果（異物付着の有無）等を表示する表示器８２と、上記異物検査における処理結果等を記憶するメモリ８３Ａ，８３Ｂが接続されている。
スイッチアレイ６３〜６６、電源６０、Ｘ増幅器６７、Ｙ増幅器６８、Ｘ検波器６９、Ｙ検波器７０、ＣＰＵ８１、表示器８２、メモリ８３Ａ及びメモリ８３Ｂでペリクル膜５１の異物検査部を構成している。 In addition to the on / off control commands for the switch arrays 63 to 66, the CPU 81 outputs a power supply command to the power supply 60 and a current amplification command to the X amplifier 67 and the Y amplifier 68. Further, the CPU 81 is connected with a display 82 for displaying the result of foreign matter inspection on the pellicle film 51 (presence / absence of foreign matter adhesion) and the like, and memories 83A and 83B for storing the processing result and the like in the foreign matter inspection. ing.
The switch arrays 63 to 66, the power supply 60, the X amplifier 67, the Y amplifier 68, the X detector 69, the Y detector 70, the CPU 81, the display 82, the memory 83A, and the memory 83B constitute a foreign matter inspection unit for the pellicle film 51. Yes.

図４は、ＣＰＵ８１で実行するマップ作成処理手順を示すフローチャートである。
この異物検査処理では、先ずステップＳ１で、ＣＰＵ８１は、カウント値Ｎを初期値＝１にセットし、ステップＳ２に移行する。
ステップＳ２では、ＣＰＵ８１は、カウント値Ｎに応じて、スイッチアレイ６５のスイッチＸｉＮとスイッチアレイ６６のスイッチＸｏＮとをオン状態とし、ステップＳ３に移行する。 FIG. 4 is a flowchart showing a map creation processing procedure executed by the CPU 81.
In this foreign matter inspection process, first, in step S1, the CPU 81 sets the count value N to an initial value = 1, and proceeds to step S2.
In step S2, the CPU 81 turns on the switch XiN of the switch array 65 and the switch XoN of the switch array 66 according to the count value N, and proceeds to step S3.

ステップＳ３では、ＣＰＵ８１は、電源６０に対して電力供給指令を出力しステップＳ４に移行する。これにより、電源６０から供給された電気信号（電力）が前記ステップＳ２でオン状態としたスイッチＸｉＮを介して当該スイッチＸｉＮに接続された電極２３に印加される。
ステップＳ４では、ＣＰＵ８１は、Ｘ増幅器６７に対して電流増幅指令を出力する。これにより、前記ステップＳ２でオン状態としたスイッチＸｏＮを介して当該スイッチＸｏＮに接続された電極２４に発生した電流を増幅する。増幅した電流はＸ検波器６９で受信し、その後Ａ／Ｄコンバータ９１で信号レベルを階調化した数値に変換する。このとき、ＣＰＵ８１は、Ａ／Ｄコンバータ９１から出力する数値データを取得する。 In step S3, the CPU 81 outputs a power supply command to the power supply 60, and proceeds to step S4. Thereby, the electric signal (electric power) supplied from the power source 60 is applied to the electrode 23 connected to the switch XiN through the switch XiN which is turned on in the step S2.
In step S 4, the CPU 81 outputs a current amplification command to the X amplifier 67. As a result, the current generated in the electrode 24 connected to the switch XoN is amplified via the switch XoN turned on in step S2. The amplified current is received by the X detector 69, and then converted to a gradation value by the A / D converter 91. At this time, the CPU 81 acquires numerical data output from the A / D converter 91.

次に、ステップＳ５では、ＣＰＵ８１は、前記ステップＳ４で取得したＡ／Ｄコンバータ９１からの出力データをメモリ８３Ａに蓄積する。また、このとき、ＣＰＵ８１は、カウント値Ｎに応じて、スイッチアレイ６５のスイッチＸｉＮとスイッチアレイ６６のスイッチＸｏＮとをオフ状態とする。
次に、ステップＳ６では、ＣＰＵ８１は、カウント値ＮをインクリメントしてからステップＳ７に移行し、このステップＳ７でカウント値Ｎがスイッチアレイ６５に設けたスイッチＸｉの数ｎを超えたか否かを判定する。そして、Ｎ≦ｎである場合には前記ステップＳ２に移行し、Ｎ＞ｎである場合にはステップＳ８に移行する。 Next, in step S5, the CPU 81 stores the output data from the A / D converter 91 acquired in step S4 in the memory 83A. At this time, the CPU 81 turns off the switch XiN of the switch array 65 and the switch XoN of the switch array 66 according to the count value N.
Next, in step S6, the CPU 81 increments the count value N and then proceeds to step S7. In step S7, the CPU 81 determines whether or not the count value N exceeds the number n of the switches Xi provided in the switch array 65. To do. If N ≦ n, the process proceeds to step S2. If N> n, the process proceeds to step S8.

ステップＳ８では、ＣＰＵ８１は、カウント値Ｎを初期値＝１にセットし、ステップＳ９に移行する。
ステップＳ９では、ＣＰＵ８１は、カウント値Ｎに応じて、スイッチアレイ６３のスイッチＹｉＮとスイッチアレイ６４のスイッチＹｏＮとをオン状態とし、ステップＳ１０に移行する。
ステップＳ１０では、ＣＰＵ８１は、電源６０に対して電力供給指令を出力しステップＳ１１に移行する。これにより、電源６０から供給された電気信号（電力）が前記ステップＳ９でオン状態としたスイッチＹｉＮを介して当該スイッチＹｉＮに接続された電極２３に印加される。 In step S8, the CPU 81 sets the count value N to an initial value = 1, and proceeds to step S9.
In step S9, the CPU 81 turns on the switch YiN of the switch array 63 and the switch YoN of the switch array 64 according to the count value N, and proceeds to step S10.
In step S10, the CPU 81 outputs a power supply command to the power supply 60 and proceeds to step S11. Thereby, the electric signal (electric power) supplied from the power supply 60 is applied to the electrode 23 connected to the switch YiN through the switch YiN which is turned on in the step S9.

ステップＳ１１では、ＣＰＵ８１は、Ｙ増幅器６８に対して電流増幅指令を出力する。これにより、前記ステップＳ９でオン状態としたスイッチＹｏＮを介して当該スイッチＹｏＮに接続された電極２４に発生した電流を増幅する。増幅した電流はＹ検波器７０で受信し、その後Ａ／Ｄコンバータ９２で信号レベルを階調化した数値に変換する。このとき、ＣＰＵ８１は、Ａ／Ｄコンバータ９２から出力する数値データを取得する。 In step S 11, the CPU 81 outputs a current amplification command to the Y amplifier 68. As a result, the current generated in the electrode 24 connected to the switch YoN is amplified via the switch YoN turned on in step S9. The amplified current is received by the Y detector 70, and then the signal level is converted into a gradation value by the A / D converter 92. At this time, the CPU 81 acquires numerical data output from the A / D converter 92.

次に、ステップＳ１２では、ＣＰＵ８１は、前記ステップＳ１１で取得したＡ／Ｄコンバータ９２からの出力データをメモリ８３Ａに蓄積する。また、このとき、ＣＰＵ８１は、カウント値Ｎに応じて、スイッチアレイ６３のスイッチＹｉＮとスイッチアレイ６４のスイッチＹｏＮとをオフ状態とする。
次に、ステップＳ１３では、ＣＰＵ８１は、カウント値ＮをインクリメントしてからステップＳ１４に移行し、このステップＳ１４でカウント値Ｎがスイッチアレイ６３に設けたスイッチＹｉの数ｎを超えたか否かを判定する。そして、Ｎ≦ｎである場合には前記ステップＳ９に移行し、Ｎ＞ｎである場合にはステップＳ１５に移行する。 Next, in step S12, the CPU 81 accumulates output data from the A / D converter 92 acquired in step S11 in the memory 83A. At this time, the CPU 81 turns off the switch YiN of the switch array 63 and the switch YoN of the switch array 64 according to the count value N.
Next, in step S13, the CPU 81 increments the count value N and then proceeds to step S14. In this step S14, the CPU 81 determines whether or not the count value N exceeds the number n of switches Yi provided in the switch array 63. To do. If N ≦ n, the process proceeds to step S9. If N> n, the process proceeds to step S15.

ステップＳ１５では、ＣＰＵ８１は、メモリ８３Ａに蓄積されたＡ／Ｄコンバータ９１及び９２で階調化した信号レベルを、Ｘ，Ｙマップに展開し、これをメモリ８３Ａに格納してからマップ作成処理を終了する。
ＣＰＵ８１は、図４に示すマップ作成処理を、ある一定期間を経てマスク検査を所望する時期に再度実行する。このとき、前記ステップＳ５及びＳ１２では、データをメモリ８３Ｂに蓄積する。また、前記ステップＳ１５では、メモリ８３Ｂに蓄積されたＡ／Ｄコンバータ９１及び９２で階調化した信号レベルを、Ｘ，Ｙマップに展開し、これをメモリ８３Ｂに格納する。 In step S15, the CPU 81 develops the signal levels gradationized by the A / D converters 91 and 92 stored in the memory 83A into an X, Y map, stores this in the memory 83A, and then executes map creation processing. finish.
The CPU 81 executes the map creation process shown in FIG. 4 again at a time when mask inspection is desired after a certain period of time. At this time, in steps S5 and S12, data is stored in the memory 83B. In step S15, the signal levels gradationized by the A / D converters 91 and 92 stored in the memory 83B are developed into X and Y maps and stored in the memory 83B.

上述したマップ作成処理を実行することでメモリ８３Ａ及び８３ＢにＸ，Ｙマップが格納されると、ＣＰＵ８１は図５に示す異物検査処理を実行する。
この異物検査処理では、ステップＳ２１で、ＣＰＵ８１は、メモリ８３Ａに格納された図６（ａ）に示すＸ，Ｙマップを読み出し、ステップＳ２２に移行する。
ステップＳ２２では、ＣＰＵ８１は、メモリ８３Ｂに格納された図６（ｂ）に示すＸ，Ｙマップを読み出し、ステップＳ２３に移行する。 If the X and Y maps are stored in the memories 83A and 83B by executing the map creation process described above, the CPU 81 executes the foreign substance inspection process shown in FIG.
In this foreign matter inspection process, in step S21, the CPU 81 reads the X, Y map shown in FIG. 6A stored in the memory 83A, and proceeds to step S22.
In step S22, the CPU 81 reads the X, Y map shown in FIG. 6B stored in the memory 83B, and proceeds to step S23.

ステップＳ２３では、ＣＰＵ８１は、前記ステップＳ２１で取得したメモリ８３ＡのＸ，Ｙマップと、前記ステップＳ２２で取得したメモリ８３ＢのＸ，Ｙマップとの差分を計算し、図６（ｃ）に示す差分マップＣを作成する。
そして、ステップＳ２４に移行して、ＣＰＵ８１は、前記ステップＳ２３で作成した差分マップＣをもとに異物の有無判断を行って異物検査処理を終了する。ここでは、差分マップＣにおいてゼロ以外を示す座標が存在するか否かを確認し、ゼロ以外を示した座標からペリクル膜５１上で欠陥が発生した位置を特定する。 In step S23, the CPU 81 calculates the difference between the X and Y map of the memory 83A acquired in step S21 and the X and Y map of the memory 83B acquired in step S22, and the difference shown in FIG. Create map C.
Then, the process proceeds to step S24, where the CPU 81 determines the presence / absence of a foreign substance based on the difference map C created in step S23 and ends the foreign substance inspection process. Here, it is confirmed whether or not coordinates indicating non-zero exist in the difference map C, and the position where the defect has occurred on the pellicle film 51 is specified from the coordinates indicating non-zero.

（動作）
次に、第２の実施形態の動作について説明する。
先ず、ＣＰＵ８１は、信号線７２を介してオン／オフ制御指令を出力することで、スイッチアレイ６５の１組目のスイッチＸｉ１及びスイッチアレイ６６の１組目のスイッチＸｏ１をオン状態とする（図４のステップＳ２）。続いてＣＰＵ８１は、電源６０に対して電力供給指令を出力する（ステップＳ３）。このとき、スイッチＸｉ１に接続された１組目の弾性表面波素子２０Ａが発振し、弾性表面波が対向する１組目の弾性表面波素子２０Ｂに到達して、電荷が発生する。 (Operation)
Next, the operation of the second embodiment will be described.
First, the CPU 81 outputs an on / off control command via the signal line 72 to turn on the first set of switches Xi1 of the switch array 65 and the first set of switches Xo1 of the switch array 66 (FIG. 4 step S2). Subsequently, the CPU 81 outputs a power supply command to the power supply 60 (step S3). At this time, the first set of surface acoustic wave elements 20A connected to the switch Xi1 oscillates, and the surface acoustic waves reach the first set of surface acoustic wave elements 20B facing each other to generate electric charges.

すると、ＣＰＵ８１は、信号線７１を介してＸ増幅器６７へ電流増幅指令を出力し、スイッチアレイ６６の１組目のスイッチＸｏ１に接続された弾性表面波素子２０Ｂの電極２４に発生した電流を増幅する（ステップＳ４）。増幅した電流はＸ検波器６９で受信される。その受信した信号は、Ａ／Ｄコンバータ９１で信号レベルを階調化した数値に変換される。ＣＰＵ８１は、これをメモリ８３Ａに蓄積する（ステップＳ５）。また、ＣＰＵ８１は、信号線７２を介してオン／オフ制御指令を出力することで、スイッチアレイ６５の１組目のスイッチＸｉ１及びスイッチアレイ６６の１組目のスイッチＸｏ１をオフ状態とする。 Then, the CPU 81 outputs a current amplification command to the X amplifier 67 via the signal line 71, and amplifies the current generated at the electrode 24 of the surface acoustic wave element 20B connected to the first set of switches Xo1 of the switch array 66. (Step S4). The amplified current is received by the X detector 69. The received signal is converted by the A / D converter 91 into a numerical value obtained by gradationizing the signal level. The CPU 81 accumulates this in the memory 83A (step S5). Further, the CPU 81 outputs an on / off control command via the signal line 72 to turn off the first set of switches Xi1 of the switch array 65 and the first set of switches Xo1 of the switch array 66.

次に、ＣＰＵ８１は、信号線７２を介してオン／オフ制御指令を出力することで、スイッチアレイ６５の２組目のスイッチＸｉ１及びスイッチアレイ６６の２組目のスイッチＸｏ１をオン状態とする（ステップＳ２）。そして、上記１組目の動作と同様に、電源６０から電力を供給することで２組目の弾性表面波素子２０Ａを発振させ、弾性表面波を対向する２組目の弾性表面波素子２０Ｂに伝搬させる（ステップＳ３）。このとき発生した電流をＸ増幅器６７、Ｘ検波器６９及びＡ／Ｄコンバータ９１で信号処理し（ステップＳ４）、その結果をメモリ８３Ａに蓄積する（ステップＳ５）。 Next, the CPU 81 outputs an on / off control command via the signal line 72 to turn on the second set of switches Xi1 of the switch array 65 and the second set of switches Xo1 of the switch array 66 ( Step S2). Similarly to the operation of the first set, by supplying power from the power source 60, the second set of surface acoustic wave elements 20A is oscillated, and the surface acoustic waves are applied to the opposing second set of surface acoustic wave elements 20B. Propagate (step S3). The current generated at this time is signal-processed by the X amplifier 67, the X detector 69 and the A / D converter 91 (step S4), and the result is stored in the memory 83A (step S5).

以上の動作をｎ組目のスイッチＸｉｎに至るまで繰り返し実行する。また、Ｙ方向に関しても同様に、Ｙｉ１からＹｉｎに至るまで上記の動作を繰り返し実行する（ステップＳ９〜Ｓ１２）。そして、ＣＰＵ８１は、メモリ８３Ａに蓄積されたデータをもとに図６（ａ）に示すＸ，Ｙマップを作成し、これをメモリ８３Ａに格納する（ステップＳ１５）。 The above operation is repeated until reaching the n-th set of switches Xin. Similarly, in the Y direction, the above operation is repeatedly executed from Yi1 to Yin (steps S9 to S12). Then, the CPU 81 creates an X, Y map shown in FIG. 6A based on the data accumulated in the memory 83A, and stores this in the memory 83A (step S15).

その後、ある一定期間を経たとき、ＣＰＵ８１は図４のマップ作成処理を再度実行する。その際にも、先ずＸ方向について１組目からｎ組目まで順次弾性表面波素子２０Ａを発振し、励起された弾性表面波を対向する１組目からｎ組目までの弾性表面波素子２０Ｂへ順次伝搬する。そして、そのときＡ／Ｄコンバータ９１から得られた信号レベルをメモリ８３Ｂに蓄積していく。 Thereafter, when a certain period of time elapses, the CPU 81 executes the map creation process of FIG. 4 again. Also in this case, the surface acoustic wave element 20A is first oscillated sequentially from the first group to the nth group in the X direction, and the excited surface acoustic waves are opposed to the first to nth surface acoustic wave elements 20B. Propagate sequentially. At that time, the signal level obtained from the A / D converter 91 is accumulated in the memory 83B.

次に、Ｙ方向についても同様に、１組目からｎ組目まで順次弾性表面波素子２０Ａを発振し、励起された弾性表面波を対向する１組目からｎ組目までの弾性表面波素子２０Ｂへ順次伝搬する。そして、そのときＡ／Ｄコンバータ９２から得られた信号レベルをメモリ８３Ｂに蓄積していく。そして、メモリ８３Ｂに蓄積された上記データをもとに図６（ｂ）に示すＸ，Ｙマップを作成し、これをメモリ８３Ｂに格納する。 Next, similarly in the Y direction, the surface acoustic wave elements 20A sequentially oscillate from the first set to the nth set, and the excited surface acoustic waves face each other from the first set to the nth set. Propagate sequentially to 20B. At that time, the signal level obtained from the A / D converter 92 is stored in the memory 83B. Then, the X and Y maps shown in FIG. 6B are created based on the data accumulated in the memory 83B and stored in the memory 83B.

すると、ＣＰＵ８１は、メモリ８３Ａとメモリ８３Ｂとにそれぞれ格納されたＸ，Ｙマップを読み出し（図５のステップＳ２１，Ｓ２２）、各Ｘ，Ｙマップの差分を計算して差分マップＣを作成する（ステップＳ２３）。このとき、例えば、ペリクル膜５１上に異物等の欠陥が発生していない場合には、メモリ８３Ａに格納されたＸ，Ｙマップと、メモリ８３Ｂに格納されたＸ，Ｙマップとは同一であり、差分マップＣはすべての座標においてゼロとなる。
一方、ペリクル膜５１上に異物等の欠陥が発生している場合、差分マップＣでゼロ以外を示す座標が確認される。したがって、その座標から欠陥が発生した位置を特定できる（ステップＳ２４）。 Then, the CPU 81 reads the X and Y maps respectively stored in the memory 83A and the memory 83B (steps S21 and S22 in FIG. 5), calculates the difference between the X and Y maps, and creates the difference map C ( Step S23). At this time, for example, when a defect such as a foreign substance has not occurred on the pellicle film 51, the X, Y map stored in the memory 83A and the X, Y map stored in the memory 83B are the same. The difference map C is zero at all coordinates.
On the other hand, when a defect such as a foreign substance has occurred on the pellicle film 51, coordinates indicating non-zero are confirmed on the difference map C. Therefore, the position where the defect has occurred can be specified from the coordinates (step S24).

（効果）
このように、第２の実施形態では、弾性表面波素子をペリクルフレームに複数組設置する。このとき、弾性表面波の伝搬方向が互いに直交する２方向となるように、弾性表面波素子をＸ方向とＹ方向とに並設するので、ペリクル膜の表面上に異物等の欠陥が発生している場合には、その位置を確実に特定することができる。 (effect)
Thus, in the second embodiment, a plurality of surface acoustic wave elements are installed on the pellicle frame. At this time, the surface acoustic wave elements are arranged side by side in the X direction and the Y direction so that the propagation directions of the surface acoustic waves are in two directions orthogonal to each other, so that defects such as foreign matters are generated on the surface of the pellicle film. If it is, the position can be reliably specified.

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
この第３の実施形態は、ペリクル膜５１の異物検査ユニットを露光機に搭載し、露光機のマスクステージにペリクル５０を装着したフォトマスクを載置した状態で、異物検査を行えるようにしたものである。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In the third embodiment, a foreign substance inspection unit for the pellicle film 51 is mounted on an exposure machine, and a foreign substance inspection can be performed with a photomask having a pellicle 50 mounted on the mask stage of the exposure machine. It is.

（構成）
図７は、第３の実施形態の露光機１００及び異物検査ユニット２００を示す構成図である。
この図７に示すように、露光機１００は、光源１０１と、集光光学系１０２と、マスクステージ１０３と、投影光学系１０４と、ウェハステージ１０５と、を含んで構成される。
光源１０１は、露光光を集光光学系１０２に対して照射する。この光源１０１としては、例えば波長２５７ｎｍのＫｒＦレーザー、１９３ｎｍのＡｒＦレーザー、１５７ｎｍのＦ２レーザー，１３．５ｎｍのＥＵＶ放射光源などを用いることができる。 (Constitution)
FIG. 7 is a block diagram showing the exposure apparatus 100 and the foreign matter inspection unit 200 according to the third embodiment.
As shown in FIG. 7, the exposure apparatus 100 includes a light source 101, a condensing optical system 102, a mask stage 103, a projection optical system 104, and a wafer stage 105.
The light source 101 irradiates the condensing optical system 102 with exposure light. As the light source 101, for example, a KrF laser with a wavelength of 257 nm, an ArF laser with 193 nm, an F2 laser with 157 nm, an EUV radiation source with 13.5 nm, or the like can be used.

集光光学系１０２は、光源１０１の下方に配置され、光源１０１から照射された露光光が入射するようになっている。この集光光学系１０２は、光源１０１から照射された露光光を集光し、マスクステージ１０３が把持したフォトマスク１に照射する。
ここで、フォトマスク１には、そのパターン面にペリクル５０が装着されているものとする。 The condensing optical system 102 is disposed below the light source 101 so that exposure light emitted from the light source 101 is incident thereon. The condensing optical system 102 condenses the exposure light emitted from the light source 101 and irradiates the photomask 1 held by the mask stage 103.
Here, it is assumed that the pellicle 50 is mounted on the pattern surface of the photomask 1.

マスクステージ１０３の下方には投影光学系１０４を配置し、投影光学系１０４の下方にはウェハステージ１０５を配置する。ウェハステージ１０５には、ウェハが載置される。フォトマスク１を経た光は、投影光学系１０４によりウェハに、例えば４分の１で縮小投影される。
マスクステージ１０３の一部には前述したスイッチアレイ６３〜６６を形成する。これらスイッチアレイ６３〜６６は、フォトマスク１をマスクステージ１０３に載置した際に、ペリクルフレーム５２のＸ，Ｙ方向にそれぞれ配置された弾性表面波素子２０Ａ及び２０Ｂの電極２３及び２４に、それぞれ接続可能となっている。 A projection optical system 104 is disposed below the mask stage 103, and a wafer stage 105 is disposed below the projection optical system 104. A wafer is placed on the wafer stage 105. The light passing through the photomask 1 is reduced and projected onto the wafer by the projection optical system 104, for example, at a quarter.
The switch arrays 63 to 66 described above are formed on a part of the mask stage 103. These switch arrays 63 to 66 are respectively applied to the electrodes 23 and 24 of the surface acoustic wave elements 20A and 20B arranged in the X and Y directions of the pellicle frame 52 when the photomask 1 is placed on the mask stage 103, respectively. Connection is possible.

異物検査ユニット２００は、露光機１００外部に設けられており、電源供給線及び信号線によって露光機１００と接続されている。この異物検査ユニット２００は、電源６０、Ｘ増幅器６７、Ｙ増幅器６８、Ｘ検波器６９、Ｙ検波器７０、ＣＰＵ８１、表示器８２、メモリ８３Ａ，８３Ｂを備え、これらの構成は前述した第２の実施形態における異物検査部の各手段の構成と同一である。
なお、光源１０１が露光光源に対応し、マスクステージ１０３がフォトマスク台に対応し、スイッチアレイ６３〜６６が駆動手段に対応し、図４及び図５の処理が異物検査手段に対応している。 The foreign matter inspection unit 200 is provided outside the exposure apparatus 100 and is connected to the exposure apparatus 100 through a power supply line and a signal line. The foreign substance inspection unit 200 includes a power source 60, an X amplifier 67, a Y amplifier 68, an X detector 69, a Y detector 70, a CPU 81, a display 82, and memories 83A and 83B. It is the same as the structure of each means of the foreign material inspection part in the embodiment.
The light source 101 corresponds to the exposure light source, the mask stage 103 corresponds to the photomask base, the switch arrays 63 to 66 correspond to the driving means, and the processes in FIGS. 4 and 5 correspond to the foreign matter inspection means. .

（動作）
次に、第３の実施形態について説明する。
先ず、露光機１００のマスクステージ１０３にフォトマスク１を載置する。次に、ウェハステージ１０５にウェハを載置し、露光を開始する。ここでは、光源１０１から露光光を照射することで、フォトマスク１に形成された半導体回路パターンをウェハに転写する。
このとき、フォトマスク１をマスクステージ１０３に載置した状態で、ＣＰＵ８１は、図４に示すマップ作成処理および図５に示す異物検査処理を実行する。これにより、上述した差分マップＣを得て、異物付着の有無を判断すると共に異物が付着している場合にはその位置を特定し、その結果を表示器８２に表示する。 (Operation)
Next, a third embodiment will be described.
First, the photomask 1 is placed on the mask stage 103 of the exposure apparatus 100. Next, a wafer is mounted on the wafer stage 105, and exposure is started. Here, the semiconductor circuit pattern formed on the photomask 1 is transferred to the wafer by irradiating exposure light from the light source 101.
At this time, with the photomask 1 placed on the mask stage 103, the CPU 81 executes the map creation process shown in FIG. 4 and the foreign substance inspection process shown in FIG. As a result, the above-described difference map C is obtained, the presence / absence of foreign matter is determined, and when the foreign matter is attached, the position is specified, and the result is displayed on the display 82.

なお、弾性表面波は大気中のみならず、真空中でもマスク基板１０表面上を伝搬する。したがって、フォトマスク１が真空環境に保持される波長１３．５ｎｍを用いたＥＵＶ露光機中でも使用が可能である。
ところで、近年、“くもり”ないし“ヘイズ(Ｈａｚｅ)”と呼ばれる成長性欠陥が新たにペリクル面に発生する現象が認められており、このようなマスク使用時において発生した異物等は、シリコンウエハに露光転写された半導体回路の断線で発見される場合が多い。
本実施形態では、露光機１００のマスクステージ１０３にフォトマスク１を装着した状態でペリクル膜５１上に発生した異物を検査することができるので、上記のように半導体回路の断線が発生する前に異物が有ることを検知し、適切に対処することができる。 The surface acoustic wave propagates on the surface of the mask substrate 10 not only in the atmosphere but also in a vacuum. Therefore, the photomask 1 can be used even in an EUV exposure machine using a wavelength of 13.5 nm that is maintained in a vacuum environment.
By the way, recently, a phenomenon in which a growth defect called “cloudy” or “haze” is newly generated on the pellicle surface has been recognized. It is often found by disconnection of an exposed and transferred semiconductor circuit.
In the present embodiment, since foreign matter generated on the pellicle film 51 can be inspected with the photomask 1 mounted on the mask stage 103 of the exposure apparatus 100, before the disconnection of the semiconductor circuit occurs as described above. It is possible to detect the presence of foreign matter and take appropriate measures.

（効果）
このように、第３の実施形態では、露光機のマスクステージにフォトマスクを載置した状態で異物検査を行うことが可能である。そのため、一連の露光転写動作において異物検査を行うことができる。したがって、従来のように、フォトマスクをマスクステージとは異なる検査スペースに移送し、異物検査を行ってからフォトマスクをマスクステージに載置して露光転写を行う必要がなく、効率化が図れる。
また、真空環境にマスクステージを設置した露光機においても、マスクステージにフォトマスクを載置した状態で異物検査を行うことができるので、異物の侵入を抑制した状態で異物検査及び露光転写を行うことができる。 (effect)
As described above, in the third embodiment, it is possible to perform the foreign substance inspection in a state where the photomask is placed on the mask stage of the exposure machine. Therefore, foreign matter inspection can be performed in a series of exposure transfer operations. Therefore, unlike the prior art, it is not necessary to transfer the photomask to an inspection space different from that of the mask stage, perform foreign matter inspection, place the photomask on the mask stage, and perform exposure transfer, thereby improving efficiency.
In addition, in an exposure machine in which a mask stage is installed in a vacuum environment, foreign matter inspection can be performed with a photomask placed on the mask stage, so foreign matter inspection and exposure transfer are performed with the entry of foreign matter suppressed. be able to.

（変形例）
なお、上記第３の実施形態においては、異物検査ユニット２００を露光機１００の外部に設ける場合について説明したが、露光機１００の内部にその一機能として包含することもできる。
また、上記第３の実施形態においては、露光機１００は、フォトマスク１を透過する屈折光学系とした構造とする場合について説明したが、反射系の構造とすることもできる。 (Modification)
In the third embodiment, the case where the foreign matter inspection unit 200 is provided outside the exposure apparatus 100 has been described. However, the exposure apparatus 100 may include the foreign substance inspection unit 200 as one function thereof.
In the third embodiment, the exposure apparatus 100 has been described as having a refractive optical system structure that transmits the photomask 1. However, the exposure apparatus 100 may have a reflective structure.

１…フォトマスク、２０Ａ，２０Ｂ…弾性表面波素子、２１…圧電基板、２２（２２Ａ，２２Ｂ）…櫛歯電極、２３（２３Ａ，２３Ｂ）…電極（入力側）、２４（２４Ａ，２４Ｂ）…電極（出力側）、５０…ペリクル、５１…ペリクル膜、５２…ペリクルフレーム、５３…絶縁性弾性粘着剤、６０…電源、６１…信号線、６３〜６６…スイッチアレイ、６７…Ｘ増幅器、６８…Ｙ増幅器、６９…Ｘ検波器、７０…Ｙ検波器、７１，７２…信号線、８１…ＣＰＵ、８２…表示器、９１…Ａ／Ｄ変換器、９２…Ａ／Ｄ変換器、１００…露光機、１０１…光源、１０２…集光光学系、１０３…マスクステージ、１０４…投影光学系、１０５…ウェハ、２００…異物検査ユニット、Ｄ…異物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photomask, 20A, 20B ... Surface acoustic wave element, 21 ... Piezoelectric substrate, 22 (22A, 22B) ... Comb electrode, 23 (23A, 23B) ... Electrode (input side), 24 (24A, 24B) ... Electrode (output side), 50 ... pellicle, 51 ... pellicle film, 52 ... pellicle frame, 53 ... insulating elastic adhesive, 60 ... power source, 61 ... signal line, 63-66 ... switch array, 67 ... X amplifier, 68 ... Y amplifier, 69 ... X detector, 70 ... Y detector, 71, 72 ... signal line, 81 ... CPU, 82 ... display, 91 ... A / D converter, 92 ... A / D converter, 100 ... Exposure machine 101 ... Light source 102 ... Condensing optical system 103 ... Mask stage 104 ... Projection optical system 105 ... Wafer 200 ... Foreign matter inspection unit D ... Foreign matter

Claims

A pellicle comprising a pellicle film stretched at a predetermined interval from a surface of a mask substrate on which a transfer pattern is formed, and a pellicle frame that is attached to the mask substrate and holds the pellicle film,
A first comb electrodes for exciting a surface acoustic wave propagating on the surface of the pellicle film, receives the excited surface acoustic wave by said first comb electrodes, a signal corresponding to the surface acoustic waves received A pellicle comprising a surface acoustic wave element in which an output second comb-tooth electrode is arranged to face each other.

The pellicle according to claim 1, wherein the surface acoustic wave element is installed on the pellicle frame.

The pellicle according to claim 1 or 2, wherein an input / output terminal of the surface acoustic wave element is installed on the pellicle frame.

The pellicle according to any one of claims 1 to 3, wherein the pellicle frame includes a plurality of the surface acoustic wave elements.

5. The pellicle film according to claim 1, wherein the pellicle film is a single layer or a plurality of layers formed of at least one of resin, silicon thin plate, quartz, metal, and metal oxide. The pellicle described.

An exposure light source for irradiating exposure light;
A photomask base for placing a photomask mounted with the pellicle according to any one of claims 1 to 5, which is disposed at a position to receive exposure light from the exposure light source,
Driving means for driving the surface acoustic wave element in a state where the photomask is placed on the photomask table;
Foreign matter inspection means for inspecting foreign matter on the surface of the pellicle film based on a signal output from the surface acoustic wave element when the surface acoustic wave element is driven by the driving means. Exposure device.

The exposure apparatus according to claim 6, wherein the photomask table is disposed in a vacuum environment.