JP5661973B2 - Method for manufacturing phase shift mask - Google Patents
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Description
本発明は、位相シフトマスクの製造方法に関し、より詳しくは、フラットパネルディスプレイ(以下「FPD」という)の製造に適したものに関する。 The present invention relates to a method for producing a position-phase Shifutomasu click, and more particularly, to those suitable for the manufacture of flat panel displays (hereinafter referred to as "FPD").
半導体デバイスやFPDの製造工程では、シリコンやガラス等からなる基板に形成されたレジスト膜に微細パターンを露光、転写するために位相シフトマスクが用いられている。FPD用のガラス基板は半導体用のシリコン基板に比べて大面積であることから、FPD用の基板に対して十分な露光光量で露光するために、g線、h線及びi線の複合波長の露光光が用いられている。このような露光光を用いる場合、従来より、エッジ強調型の位相シフトマスクが用いられている(例えば、特許文献1参照)。 In the manufacturing process of a semiconductor device or FPD, a phase shift mask is used to expose and transfer a fine pattern onto a resist film formed on a substrate made of silicon, glass, or the like. Since the glass substrate for FPD has a larger area than the silicon substrate for semiconductor, in order to expose the FPD substrate with a sufficient amount of exposure light, the composite wavelength of g-line, h-line and i-line Exposure light is used. When such exposure light is used, an edge-enhanced phase shift mask has been conventionally used (see, for example, Patent Document 1).
然し、上記従来例のものでは、透明基板上に遮光層を成膜し、この遮光層をエッチングしてパターニングし、パターニングした遮光層を覆うように位相シフト層を成膜し、この位相シフト層をエッチングしてパターニングすることにより位相シフトマスクが製造される。このように成膜とパターニングとを交互に行うと、装置間の搬送時間や処理待ち時間が長くなり生産効率が著しく低下する。しかも、所定の開口パターンを持つ単一のマスク越しに、位相シフト層と遮光層とを連続してエッチングすることができず、マスク(レジストパターン)を2回形成する必要があり、製造工程数が多くなる。従って、高い量産性で位相シフトマスクを製造できないという問題があった。 However, in the above conventional example, a light shielding layer is formed on a transparent substrate, this light shielding layer is etched and patterned, and a phase shift layer is formed so as to cover the patterned light shielding layer. The phase shift mask is manufactured by etching and patterning. When film formation and patterning are alternately performed in this way, the transfer time between the apparatuses and the processing waiting time become long, and the production efficiency is remarkably lowered. In addition, the phase shift layer and the light shielding layer cannot be continuously etched through a single mask having a predetermined opening pattern, and it is necessary to form a mask (resist pattern) twice. Will increase. Therefore, there is a problem that the phase shift mask cannot be manufactured with high mass productivity.
本発明は、以上の点に鑑み、エッジ強調型の位相シフトマスクを高い量産性で製造するのに適した位相シフトマスクの製造方法を提供することをその課題とする。 In view of the above points, and its object is to provide a position phase Shifutomasu click method of manufacturing suitable for producing a phase shift mask of the edge emphasis type with high productivity.
上記課題を解決するために、透明基板と、透明基板の表面に形成された、Crを主成分とする位相シフト層と、透明基板から位相シフト層に向かう方向を上とし、位相シフト層上に形成された、Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及びHfから選択された少なくとも1種の金属を主成分とするエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された、Crを主成分とする遮光層とを備える位相シフトマスクブランクスから位相シフトマスクを製造する本発明の位相シフトマスクの製造方法は、遮光層上に所定の開口パターンを持つ単一のマスクを形成する工程と、この形成したマスク越しに前記遮光層と前記エッチングストッパー層とを順次エッチングし遮光パターンとエッチングストッパーパターンを形成する工程と、前記マスク越しに前記位相シフト層をエッチングし位相シフトパターンを形成すると共に、前記遮光パターンを更にエッチングして遮光パターンの開口幅を前記位相シフトパターンの開口幅よりも広くする工程と、前記エッチングストッパーパターンを更にエッチングしてエッチングストッパーパターンの開口幅を前記位相シフトパターンの開口幅よりも広くする工程とを含むことを特徴とする。この場合、前記エッチングストッパー層のエッチングに硝酸を含むエッチング液を用いることが好ましい。 In order to solve the above-mentioned problems, a transparent substrate, a phase shift layer mainly composed of Cr formed on the surface of the transparent substrate, and a direction from the transparent substrate toward the phase shift layer are on the phase shift layer. Formed on the etching stopper layer, an etching stopper layer mainly composed of at least one metal selected from Ni, Co, Fe, Ti, Si, Al, Nb, Mo, W and Hf. The phase shift mask manufacturing method of the present invention for manufacturing a phase shift mask from a phase shift mask blank comprising a light shielding layer containing Cr as a main component forms a single mask having a predetermined opening pattern on the light shielding layer. And sequentially etching the light shielding layer and the etching stopper layer through the formed mask to form a light shielding pattern and an etching stopper pattern. And that step, to form a etching the phase shift layer on the mask over the phase shift pattern together, a step wider than the opening width of the phase shift pattern the opening width of the light-shielding pattern further etching the light-shielding pattern And further etching the etching stopper pattern to make the opening width of the etching stopper pattern wider than the opening width of the phase shift pattern . In this case, it is preferable to use an etching solution containing nitric acid for etching the etching stopper layer.
上記によれば、位相シフトマスクブランクスの遮光層上に所定の開口パターンを持つ単一のマスクとしてレジストパターンを形成する場合を例に説明すると、このレジストパターン越しに遮光層をエッチングすることで、所定幅の遮光パターンが形成される。さらに、上記レジストパターン越しにエッチングストッパ層をエッチングすることで、エッチングストッパーパターンが形成される。このとき、遮光パターンの側面は露出しているが、遮光パターンはエッチングストッパーパターンとは異なる材料で構成されるためエッチングされず、遮光パターンとエッチングストッパーパターンとが同一幅となる。次いで、上記レジストパターン越しに位相シフト層をエッチングすることで、エッチングストッパーパターンと同一幅の位相シフトパターンが形成される。このとき、位相シフトパターンと同じCr系の材料で構成される遮光パターンもエッチングされるため、位相シフトパターンの幅よりも遮光パターンの開口幅が広くなる。最後に、エッチングストッパーパターンを更にエッチングすることで、遮光パターンとエッチングストッパーパターンとが同一幅となる。以上の工程を経ることにより、遮光パターンの開口幅が位相シフトパターンの開口幅よりも広いエッジ強調型の位相シフトマスクが得られる。尚、レジストパターンは、位相シフトパターンの形成後であれば任意のタイミングで除去できる。このように、単一のマスク越しに位相シフトマスクブランクスをパターニングするだけで位相シフトマスクを製造できるため、従来例のごとく成膜とパターニングを交互に行う場合に比べて効率よく製造でき、しかも、従来例に比べて製造工程数を減らすことができることから、高い量産性で位相シフトマスクを製造できる。 According to the above, the case where the resist pattern is formed as a single mask having a predetermined opening pattern on the light shielding layer of the phase shift mask blanks will be described as an example, by etching the light shielding layer over the resist pattern, A light shielding pattern having a predetermined width is formed. Further, the etching stopper pattern is formed by etching the etching stopper layer through the resist pattern. At this time, although the side surface of the light shielding pattern is exposed, the light shielding pattern is made of a material different from that of the etching stopper pattern, so that the light shielding pattern and the etching stopper pattern have the same width. Next, the phase shift layer having the same width as the etching stopper pattern is formed by etching the phase shift layer through the resist pattern. At this time, since the light shielding pattern made of the same Cr-based material as the phase shift pattern is also etched, the opening width of the light shielding pattern becomes wider than the width of the phase shift pattern. Finally, by further etching the etching stopper pattern, the light shielding pattern and the etching stopper pattern have the same width. Through the above steps, an edge-enhanced phase shift mask in which the opening width of the light shielding pattern is wider than the opening width of the phase shift pattern is obtained. The resist pattern can be removed at any timing after the phase shift pattern is formed. Thus, since the phase shift mask can be manufactured simply by patterning the phase shift mask blanks through a single mask, it can be manufactured more efficiently than when the film formation and patterning are alternately performed as in the conventional example, Since the number of manufacturing steps can be reduced as compared with the conventional example, the phase shift mask can be manufactured with high mass productivity.
本発明において、Crを主成分とした位相シフト層は、上記Crの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物から選択される何れか1種で構成され、位相シフト効果が十分に発揮される膜厚に設定される。このような位相シフト効果が十分に発揮される膜厚を有するためには、エッチング時間が遮光層のエッチング時間に対して1倍を越えるように長くなってしまうが、各層間の付着強度が十分高いことから、ラインラフネスが概直線状であり、かつ、パターン断面が概垂直となる、フォトマスクとして良好なパターンの形成を行うことが可能となる。 In the present invention, the phase shift layer containing Cr as a main component is composed of any one selected from the oxides, nitrides, carbides, oxynitrides, carbonitrides, and oxycarbonitrides of the Cr, The film thickness is set so that the phase shift effect is sufficiently exhibited. In order to have such a film thickness that the phase shift effect can be sufficiently exerted, the etching time becomes longer than 1 time with respect to the etching time of the light shielding layer, but the adhesion strength between the layers is sufficient. Since it is high, it is possible to form a favorable pattern as a photomask having a substantially straight line roughness and a substantially vertical pattern cross section.
また、エッチングストッパー層としてNiを含む膜を使用することで、Crを含む遮光膜およびCrを含む位相シフト層との付着強度を十分高めることができる。このため、ウェットエッチング液にて遮光層、エッチングストッパー層及び位相シフト層をエッチングするときに、遮光層とエッチングストッパー層との界面や、エッチングストッパー層と位相シフト層との界面からエッチング液がしみ込まないので、形成される遮光パターン、位相シフトパターンのCD精度を高めることができ、かつ、膜の断面形状をフォトマスクにとって良好な垂直に近い形状とすることができる。 Further, by using a film containing Ni as the etching stopper layer, the adhesion strength between the light shielding film containing Cr and the phase shift layer containing Cr can be sufficiently increased. For this reason, when the light shielding layer, the etching stopper layer, and the phase shift layer are etched with the wet etching liquid, the etching liquid penetrates from the interface between the light shielding layer and the etching stopper layer or the interface between the etching stopper layer and the phase shift layer. Therefore, the CD accuracy of the formed light-shielding pattern and phase shift pattern can be increased, and the cross-sectional shape of the film can be made to be a shape close to a favorable vertical for the photomask.
図1を参照して、MBは、本発明の実施形態の位相シフトマスクブランクスである。位相シフトマスクブランクスMBは、透明基板Sと、この透明基板S上に形成された位相シフト層11と、位相シフト層11上に形成されたエッチングストッパ層12と、このエッチングストッパ層12上に形成された遮光層13とで構成される。
Referring to FIG. 1, MB is a phase shift mask blank according to an embodiment of the present invention. The phase shift mask blanks MB is formed on the transparent substrate S, the
透明基板Sとしてはガラス基板を用いることができる。位相シフト層11及び遮光層13は、Crを主成分とするものであり、具体的には、Cr単体、並びにCrの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物から選択される1つで構成することができ、また、これらの中から選択される2種以上を積層して構成することもできる。位相シフト層11は、300nm以上500nm以下の波長領域の何れかの光(例えば、波長365nmのi線)に対して180°の位相差をもたせることが可能な厚さ(例えば、90〜170nm)で形成される。遮光層13は、所定の光学特性が得られる厚み(例えば、80nm〜200nm)で形成される。エッチングストッパ層12としては、Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及びHfから選択された少なくとも1種の金属を主成分とするものを用いることができ、例えば、Ni−Ti−Nb−Mo膜を用いることができる。これら位相シフト層11、エッチングストッパ層12及び遮光層13は、例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、レーザ蒸着法、ALD法等により成膜できる。
As the transparent substrate S, a glass substrate can be used. The
上記位相シフトマスクブランクスMBは、例えば、ガラス基板S上に、DCスパッタリング法を用いて、Crを主成分とする位相シフト層11、Niを主成分とするエッチングストッパ層12及びCrを主成分とする遮光層13を順に成膜することで製造される。以下、上記位相シフトマスクブランクスMBから位相シフトマスクMを製造する位相シフトマスクの製造方法について説明する。
The phase shift mask blanks MB includes, for example, a
図2(a)に示すように、上記位相シフトマスクブランクスMBの最上層である遮光層13上に、リソグラフィ技術を用いて、所定の開口を持つ単一のマスクとして、レジストパターンRPを形成する。次いで、図2(b)に示すように、このレジストパターンRP越しに第1エッチング液を用いて遮光層13をウェットエッチングする。第1エッチング液としては、硝酸セリウム第2アンモニウムを含むエッチング液を用いることができ、例えば、硝酸や過塩素酸等の酸を含有する硝酸セリウム第2アンモニウムを用いることが好ましい。ここで、エッチングストッパ層12は第1エッチング液に対して高い耐性を有するため、遮光層13のみがパターニングされて遮光パターン13aが形成される。次いで、上記レジストパターンRP越しに第2エッチング液を用いてエッチングストッパ層12をウェットエッチングする。第2エッチング液としては、硝酸に酢酸、過塩素酸、過酸化水素水及び塩酸から選択した少なくとも1種を添加したものを好適に用いることができる。ここで、遮光層13及び位相シフト層11は第2エッチング液に対して高い耐性を有するため、エッチングストッパ層12のみがパターニングされてエッチングストッパーパターン12aが形成される。
As shown in FIG. 2A, a resist pattern RP is formed as a single mask having a predetermined opening on the
次いで、図2(c)に示すように、上記レジストパターンRP越しに上記第1エッチング液を用いて位相シフト層11をウェットエッチングする。ここで、遮光パターン13aは位相シフト層11と同じCr系材料で構成され、遮光パターン13aの側面は露出しているため、位相シフト層11がパターニングされて位相シフトパターン11aが形成されると共に遮光パターン13aもエッチングされる。その結果、位相シフトパターン11aの開口幅d1よりも遮光パターン13aの開口幅d2が広くなる。
Next, as shown in FIG. 2C, the
そして、図2(d)に示すように、上記第2エッチング液を用いてエッチングストッパーパターン12aを更にウェットエッチングする。これにより、エッチングストッパーパターン12bの開口幅が遮光パターン13bの開口幅d2と同一にされる。
Then, as shown in FIG. 2D, the
最後に、レジストパターンRPを除去すると、図2(e)に示すように、位相シフトパターン11aの開口幅d1よりも遮光パターン13b(及びエッチングストッパーパターン12b)の開口幅d2が広いエッジ強調型の位相シフトマスクMが得られる。レジストパターンRPの除去には、公知のレジスト剥離液を用いることができるため、ここでは詳細な説明を省略する。
Finally, when the resist pattern RP is removed, as shown in FIG. 2E, the edge-enhanced type in which the opening width d2 of the
尚、遮光パターン13bの外側に露出する位相シフトパターン11aの幅(d2−d1)は、位相シフト層11をウェットエッチングするときの遮光パターン13aのエッチング速度によって決まる。ここで、この遮光パターン13aのエッチング速度は、遮光層13の組成やエッチングストッパー層12と遮光層13との界面状態の影響を受ける。例えば、遮光層13をクロムを主成分とした層と酸化クロムを主成分とした層との2層の膜で構成した場合に、クロムを主成分とした層のクロム成分の比率を高くすればエッチング速度を高くできる一方で、クロム成分の比率を低くすればエッチング速度を低くできる。遮光パターン13aのエッチング量としては、例えば、200nm〜1000nmの範囲内で設定できる。
The width (d2-d1) of the
上記実施形態によれば、透明基板S上に、位相シフト層11、エッチングストッパー層12及び遮光層13をこの順で積層して位相シフトマスクブランクスMBを構成した。この位相シフトマスクブランクスMBの遮光層13上にレジストパターンRPを形成し、このレジストパターンRP越しに各層をウェットエッチングすることで、エッジ強調型の位相シフトマスクMを製造できる。従って、成膜とエッチングを繰り返す従来例に比べて製造工程数を減らすことができると共に生産効率を高めることができるため、高い量産性で位相シフトマスクMを製造できる。
According to the above embodiment, the phase shift mask blanks MB are configured by laminating the
また、位相シフト層11は、Crの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物から選択される何れか1種で構成され、位相シフト効果が十分に発揮される膜厚を有する。このような位相シフト効果が十分に発揮される膜厚を有するためには、エッチング時間が遮光層13のエッチング時間に対して1倍を越えるように長くなってしまうが、各層間の付着強度が十分高いことから、ラインラフネスが概直線状であり、かつ、パターン断面が概垂直となる、フォトマスクとして良好なパターンの形成を行うことが可能となる。
The
また、エッチングストッパー層12としてNiを含む膜を使用することで、Crを含む遮光層13およびCrを含む位相シフト層11との付着強度を十分高めることができる。このため、ウェットエッチング液にて遮光層13、エッチングストッパー層12及び位相シフト層11をエッチングするときに、遮光層13とエッチングストッパー層12の界面や、エッチングストッパー層12と位相シフト層11の界面からエッチング液がしみ込まないので、形成される遮光パターン13b、位相シフトパターン11aのCD精度を高めることができ、かつ、膜の断面形状をフォトマスクにとって良好な垂直に近い形状とすることができる。
Moreover, by using a film containing Ni as the
上記効果を確認するため、次の実験を行った。即ち、ガラス基板S上に、スパッタリング法により、位相シフト層11たるクロムの酸化窒化炭化膜を120nmの厚さで成膜し、エッチングストッパー層12たるNi−Ti−Nb−Mo膜を30nmの厚さで成膜し、遮光層13たるクロム主成分の層と酸化クロム主成分の層との2層で構成される膜を100nmの合計厚さで成膜して、位相シフトマスクブランクスMBを得た。この位相シフトマスクブランクスMB上にレジストパターンRPを形成し、このレジストパターンRP越しに硝酸セリウム第2アンモニウムと過塩素酸との混合エッチング液を用いて遮光層13をエッチングして遮光パターン13aを形成し、さらに硝酸と過塩素酸との混合エッチング液を用いてエッチングストッパー層12をエッチングしてエッチングストッパーパターン12aを形成した。次いで、上記レジストパターンRP越しに硝酸セリウム第2アンモニウムと過塩素酸との混合エッチング液を用いて位相シフト層11をエッチングして位相シフトパターン11aを形成すると共に遮光パターン13aをサイドエッチングして遮光パターン13bを形成した。次いで、硝酸と過塩素酸との混合エッチング液を用いてエッチングストッパーパターン12aをエッチングしてエッチングストッパーパターン12bを形成し、レジストパターンRPを除去することで、エッジ強調型の位相シフトマスクMを得た。このようにして得た位相シフトマスクMを用い、g線、h線及びi線の複合波長の露光光を用いて露光し、露光されたパターンの線幅を測定し、目標線幅(2.5μm)に対するずれを求めた結果、10%程度に抑えられることができることが確認された。これにより、高い量産性で製造可能な位相シフトマスクMをFPD用に使用可能であることが判った。
In order to confirm the above effect, the following experiment was conducted. That is, on the glass substrate S, a chromium oxynitride carbide film as the
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、エッチングストッパーパターン12を形成した後にレジストパターンRPを除去する場合について説明したが、位相シフト層11のエッチング後であればどのタイミングで除去してもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the resist pattern RP is removed after the
MB…位相シフトマスクブランクス、S…ガラス基板(透明基板)、11…位相シフト層、11a…位相シフトパターン、12…エッチングストッパー層、12a,12b…エッチングストッパーパターン、13…遮光層、13a,13b…遮光パターン。 MB ... phase shift mask blanks, S ... glass substrate (transparent substrate), 11 ... phase shift layer, 11a ... phase shift pattern, 12 ... etching stopper layer, 12a, 12b ... etching stopper pattern, 13 ... light shielding layer, 13a, 13b ... light-shielding pattern.
Claims (2)
遮光層上に所定の開口パターンを持つ単一のマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層と前記エッチングストッパー層とを順次エッチングし遮光パターンとエッチングストッパーパターンを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をエッチングし位相シフトパターンを形成すると共に、前記遮光パターンを更にエッチングして遮光パターンの開口幅を前記位相シフトパターンの開口幅よりも広くする工程と、
前記エッチングストッパーパターンを更にエッチングしてエッチングストッパーパターンの開口幅を前記位相シフトパターンの開口幅よりも広くする工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 A transparent substrate, a phase shift layer mainly composed of Cr formed on the surface of the transparent substrate, and a direction from the transparent substrate toward the phase shift layer, and formed on the phase shift layer, Ni, Co, An etching stopper layer mainly composed of at least one metal selected from Fe, Ti, Si, Al, Nb, Mo, W and Hf, and a light shielding material mainly composed of Cr formed on the etching stopper layer. A phase shift mask blank comprising a phase shift mask blank comprising a layer ,
Forming a single mask having a predetermined opening pattern on the light shielding layer;
Etching the light shielding layer and the etching stopper layer sequentially through the formed mask to form a light shielding pattern and an etching stopper pattern;
When etched to form a phase shift pattern the phase shift layer on the mask over both the steps of wider than the opening width of the phase shift pattern the opening width of the light-shielding pattern further etching the light-shielding pattern,
And a step of further etching the etching stopper pattern to make the opening width of the etching stopper pattern wider than the opening width of the phase shift pattern .
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KR102170424B1 (en) * | 2017-06-28 | 2020-10-27 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | Mask blanks, phase shift masks, halftone masks, manufacturing method of mask blanks, and manufacturing method of phase shift masks |
JP6998181B2 (en) * | 2017-11-14 | 2022-02-04 | アルバック成膜株式会社 | Mask blank, phase shift mask and its manufacturing method |
JP6756796B2 (en) * | 2018-10-09 | 2020-09-16 | アルバック成膜株式会社 | Mask blanks, halftone masks, manufacturing method |
KR102598440B1 (en) * | 2019-12-20 | 2023-11-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | Phase-Shift Blankmask and Photomask for use in Flat Panel Display |
JP6987912B2 (en) | 2020-03-16 | 2022-01-05 | アルバック成膜株式会社 | Mask blanks, phase shift mask, manufacturing method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203374A (en) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Clean Surface Gijutsu:Kk | Halftone blank |
JP2008304942A (en) * | 2002-03-01 | 2008-12-18 | Hoya Corp | Method of manufacturing halftone type phase shift mask blank |
JP2010128003A (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Ulvac Seimaku Kk | Halftone mask, halftone mask blank, method for manufacturing halftone mask, and method for manufacturing halftone mask blank |
JP2011013283A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | Method for producing phase shift mask, method for manufacturing flat panel display, and phase shift mask |
JP2011075607A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Ulvac Japan Ltd | Photomask blank, photomask, and method for manufacturing photomask |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5682493B2 (en) * | 2010-08-04 | 2015-03-11 | 信越化学工業株式会社 | Binary photomask blank and method for manufacturing binary photomask |
-
2013
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008304942A (en) * | 2002-03-01 | 2008-12-18 | Hoya Corp | Method of manufacturing halftone type phase shift mask blank |
JP2008203374A (en) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Clean Surface Gijutsu:Kk | Halftone blank |
JP2010128003A (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Ulvac Seimaku Kk | Halftone mask, halftone mask blank, method for manufacturing halftone mask, and method for manufacturing halftone mask blank |
JP2011013283A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | Method for producing phase shift mask, method for manufacturing flat panel display, and phase shift mask |
JP2011075607A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Ulvac Japan Ltd | Photomask blank, photomask, and method for manufacturing photomask |
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