JP5653187B2 - Duplexer - Google Patents

Duplexer Download PDF

Info

Publication number
JP5653187B2
JP5653187B2 JP2010258181A JP2010258181A JP5653187B2 JP 5653187 B2 JP5653187 B2 JP 5653187B2 JP 2010258181 A JP2010258181 A JP 2010258181A JP 2010258181 A JP2010258181 A JP 2010258181A JP 5653187 B2 JP5653187 B2 JP 5653187B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
conductor layer
transmission
electrically connected
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010258181A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012109865A (en
Inventor
堤 潤
潤 堤
匡郁 岩城
匡郁 岩城
中村 浩
浩 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP2010258181A priority Critical patent/JP5653187B2/en
Priority to US13/291,269 priority patent/US8907740B2/en
Priority to CN201110366224.0A priority patent/CN102571030B/en
Publication of JP2012109865A publication Critical patent/JP2012109865A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5653187B2 publication Critical patent/JP5653187B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706Duplexers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0504Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0514Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H03H9/0523Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0557Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Description

本発明は分波器に関する。   The present invention relates to a duplexer.

携帯電話に代表される移動体通信端末が広く普及している。近年、端末のマルチバンド化が進む一方で、端末には小型化も要求されている。このため、端末に用いられる分波器等にも小型化が強く要求されている。しかしながら、分波器を小型化した場合、送信端子と受信端子とのアイソレーションが劣化する可能性がある。従って、分波器には、小型化と良好なアイソレーションとの両立が求められる。   Mobile communication terminals represented by mobile phones are widely used. In recent years, terminals have become multiband, and terminals are also required to be downsized. For this reason, downsizing and the like used in terminals are also strongly required. However, when the duplexer is downsized, the isolation between the transmission terminal and the reception terminal may deteriorate. Therefore, the duplexer is required to achieve both miniaturization and good isolation.

特許文献1には、配線間に仕切り用グランドパターンを備える技術が開示されている。特許文献2及び特許文献3には、SAW(Surface Acoustic Wave:弾性表面波)チップを絶縁性基板にフリップチップ実装し、絶縁性基板上に形成された環状電極によりSAWチップを封止する技術が開示されている。   Patent Document 1 discloses a technique including a partition ground pattern between wirings. In Patent Document 2 and Patent Document 3, a SAW (Surface Acoustic Wave) chip is flip-chip mounted on an insulating substrate, and the SAW chip is sealed with an annular electrode formed on the insulating substrate. It is disclosed.

特開2006−180192号公報JP 2006-180192 A 特開2006−80921号公報JP 2006-80921 A 特開2006−66978号公報JP 2006-66978 A

特許文献1記載の技術では、配線と仕切り用グランドパターンとの間の距離を大きくするため、送信端子と受信端子間のアイソレーションの確保が不十分となる可能性があった。特許文献2記載の技術、及び特許文献3記載の技術では、環状電極を設けたことにより、アイソレーションが劣化することがあった。本願発明は上記課題に鑑み、高アイソレーションを得ることが可能な分波器を提供することを目的とする。   In the technique described in Patent Document 1, since the distance between the wiring and the partition ground pattern is increased, there is a possibility that the isolation between the transmission terminal and the reception terminal is insufficiently secured. In the technique described in Patent Document 2 and the technique described in Patent Document 3, isolation may be deteriorated by providing the annular electrode. In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a duplexer capable of obtaining high isolation.

本発明は、上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載し、下面に前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの各々と電気的に接続するフットパッド層を有する絶縁性基板と、前記上面に設けられ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記上面に設けられ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、前記上面に設けられ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器である。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。 The present invention includes a transmission filter and a reception filter on an upper surface, an insulating substrate having a foot pad layer electrically connected to each of the transmission filter and the reception filter on a lower surface, and the transmission substrate provided on the upper surface. A transmission pad electrically connected to the filter; a reception pad provided on the upper surface and electrically connected to the reception filter; and a transmission pad and the reception pad provided on the upper surface. The annular electrode is provided in a region along a short path of the path connecting the transmitting pad and the receiving pad of the annular electrode, the grounding foot pad included in the foot pad layer, and the annular electrode. If, anda via wiring for connecting the ground to the foot pad and electrically, the via interconnection and connection areas of the annular electrode, the bi of the annular electrode Wiring than regions other than the connected region, Ru demultiplexer der, wherein the wider. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面に送信フィルタ及び受信フィルタの各々と電気的に接続するフットパッド層を備え、前記上面に前記送信フィルタ及び前記受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、を具備し、前記上部導体層及び前記フットパッド層は、電解メッキにより形成されたメッキ層を含み、
各々が、前記絶縁性基板の内部に設けられ、かつ前記絶縁性基板の端部まで延び、前記上部導体層及び前記フットパッド層と電気的に接続された、前記電解メッキを行うための給電に用いられる複数の給電線を備え、前記複数の給電線のうち、前記送信用パッド又は前記受信用パッドと電気的に接続され、かつ前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う方向に延びる領域と重なる給電線は1本であることを特徴とする分波器である。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。
The present invention includes an upper conductive layer on the upper surface, a foot pad layer electrically connected to each of the transmission filter and the reception filter on the lower surface, and an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface. A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter; a reception pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the reception filter; and the upper conductor. An annular electrode that is included in a layer and surrounds the transmitting pad and the receiving pad, and the upper conductor layer and the foot pad layer include a plating layer formed by electrolytic plating,
Each is provided inside the insulating substrate and extends to an end portion of the insulating substrate, and is electrically connected to the upper conductor layer and the foot pad layer to supply power for the electrolytic plating. A plurality of power supply lines used, of the plurality of power supply lines, electrically connected to the transmission pad or the reception pad, and the transmission electrode and the reception pad of the annular electrode; feed line that overlaps a region extending along the short path of the path connecting the Ru duplexer der, which is a one. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、前記配線は、前記絶縁性基板の上面から見て前記環状電極の前記配線の最も近い領域とは平行ではなく、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器である。本発明によれば、高アイソレーションを得ることが可能となる。 The present invention includes an upper conductive layer on the upper surface, a foot pad layer on the lower surface, an internal conductive layer inside, an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface, and the upper conductive layer. A transmission pad electrically connected to the transmission filter, a reception pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the reception filter, and the transmission pad and the reception pad . and signal pads is at least one, the included in the upper conductor layer, and an annular electrode surrounding the transmission pad and the receiving pad, included in the footpad layer, through the signal pad, the transmitting a filter and at least one electrically connected to the signal foot pad is of the reception filter, a ground foot pad included in the footpad layer, the inner conductor layer Rarely, a wiring electrically connected to the footpad for the signal pads and the signal, the annular electrode, provided in a region along the short path of the route connecting between the transmission pad and the receiving pad The annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad, and the wiring is a region closest to the wiring of the annular electrode when viewed from the top surface of the insulating substrate. parallel is rather than the via wiring and connection areas of the annular electrode, than said region other than the via wiring and connection regions where the annular electrode is the demultiplexer, wherein the wider . According to the present invention, high isolation can be obtained.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、前記内部導体層と前記上面との間における前記絶縁性基板の厚さは、前記内部導体層と前記下面との間における前記絶縁性基板の厚さよりも大きく、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器である。本発明によれば、高アイソレーションを得ることが可能となる。 The present invention includes an upper conductive layer on the upper surface, a foot pad layer on the lower surface, an internal conductive layer inside, an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface, and the upper conductive layer. A transmission pad electrically connected to the transmission filter, a reception pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the reception filter, and the transmission pad and the reception pad . and signal pads is at least one, the included in the upper conductor layer, and an annular electrode surrounding the transmission pad and the receiving pad, included in the footpad layer, through the signal pad, the transmitting a filter and at least one electrically connected to the signal foot pad is of the reception filter, a ground foot pad included in the footpad layer, the inner conductor layer Rarely, a wiring electrically connected to the footpad for the signal pads and the signal, the annular electrode, provided in a region along the short path of the route connecting between the transmission pad and the receiving pad The annular electrode and via wiring electrically connected to the grounding foot pad, and the thickness of the insulating substrate between the inner conductor layer and the upper surface is the inner conductor layer the much larger than the thickness of the insulating substrate between the said lower surface, the via interconnection and connection areas of the annular electrode, than the region other than the via wiring and connected areas of the annular electrode, the width Is a demultiplexer characterized by its wide . According to the present invention, high isolation can be obtained.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に第1内部導体層および第2内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、前記第1内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された第1配線と、前記第2内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された第2配線と、前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、前記第1内部導体層と前記第2内部導体層とのうち、前記第1配線と前記第2配線とのうち長い方の配線を含む内部導体層と前記上面との間における前記絶縁性基板の厚さは、前記内部導体層と前記下面との間における前記絶縁性基板の厚さよりも大きく、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器である。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。 The present invention includes an insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, a first inner conductor layer and a second inner conductor layer are provided therein, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface. A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter; a reception pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the reception filter; A signal pad that is at least one of a credit pad and the receiving pad, an annular electrode that is included in the upper conductor layer and surrounds the transmitting pad and the receiving pad, and is included in the foot pad layer, and the signal A signal foot pad that is electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via a pad, and a grounding foot pad included in the foot pad layer. Included in the first internal conductor layer, and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad, and included in the second internal conductor layer, the signal pad and A second wiring electrically connected to the signal foot pad; and the annular electrode provided in a region along a short path of paths connecting the transmitting pad and the receiving pad; A via wiring electrically connected to the grounding foot pad, and the longer one of the first wiring and the second wiring among the first inner conductor layer and the second inner conductor layer. The thickness of the insulating substrate between the inner conductor layer including the other wiring and the upper surface is larger than the thickness of the insulating substrate between the inner conductor layer and the lower surface, and the annular electrode The area connected to the via wiring Than the via wiring and a region other than the connected region of the annular electrode, Ru demultiplexer der, wherein the wider. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、前記配線は、前記絶縁性基板の上面から見て前記環状電極と重ならず、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器である。本発明によれば、高アイソレーションを得ることが可能となる。 The present invention includes an upper conductive layer on the upper surface, a foot pad layer on the lower surface, an internal conductive layer inside, an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface, and the upper conductive layer. A transmission pad electrically connected to the transmission filter, a reception pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the reception filter, and the transmission pad and the reception pad . and signal pads is at least one, the included in the upper conductor layer, and an annular electrode surrounding the transmission pad and the receiving pad, included in the footpad layer, through the signal pad, the transmitting a filter and at least one electrically connected to the signal foot pad is of the reception filter, a ground foot pad included in the footpad layer, the inner conductor layer Rarely, a wiring electrically connected to the footpad for the signal pads and the signal, the annular electrode, provided in a region along the short path of the route connecting between the transmission pad and the receiving pad The annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad, and the wiring does not overlap the annular electrode when viewed from the upper surface of the insulating substrate, and the annular electrode The duplexer is characterized in that the region connected to the via wiring is wider than the region other than the region connected to the via wiring of the annular electrode . According to the present invention, high isolation can be obtained.

上記構成において、前記絶縁性基板の上面から見て前記環状電極と重ならないように設けられ、前記配線と電気的に接続された別のビア配線を具備する構成とすることができる。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。 In the above configuration, another via wiring that is provided so as not to overlap the annular electrode when viewed from the top surface of the insulating substrate and is electrically connected to the wiring can be provided. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

上記構成において、前記信号用パッドは前記受信用パッドであり、前記信号用フットパッドは受信用フットパッドである構成とすることができる。 In the above configuration, the signal pads is the receiving pad, the signal foot pad may be configured to be received foot pad.

上記構成において、前記受信用パッドは、複数の受信用パッドであり
前記信号用パッドは、前記複数の受信用パッドのうち、前記送信用パッドに近い受信用パッドである構成とすることができる。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。
In the above configuration, the receiving pad is a plurality of receiving pads,
The signal pad may be a reception pad that is close to the transmission pad among the plurality of reception pads. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

上記構成において、前記信号用パッドは前記送信用パッドであり、
前記信号用フットパッドは送信用フットパッドである構成とすることができる。
In the above configuration, the signal pads is the transmission pad,
The signal foot pad may be a transmission foot pad.

上記構成において、前記信号用パッドは、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを含み、複数の前記信号用フットパッドは、送信用フットパッド及び受信用フットパッドを含む構成とすることができる。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。 In the above configuration, the signal pads may include the transmission pad and the receiving pads, foot pads for a plurality of said signals may be configured to include a transmission foot pad and the foot pad receiving. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

上記構成において、前記上部導体層及び前記フットパッド層は、無電解メッキにより形成されたメッキ層を含む構成とすることができる。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。   The said structure WHEREIN: The said upper conductor layer and the said foot pad layer can be set as the structure containing the plating layer formed by electroless plating. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記信号用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、を具備し、前記上部導体層及び前記フットパッド層は、電解メッキにより形成されたメッキ層を含み、前記上部導体層は、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドを含み、前記内部導体層に含まれ、かつ前記絶縁性基板の端部まで延び、前記配線と電気的に接続された、前記電解メッキを行うための給電に用いられる給電線を備え、1本の前記配線と電気的に接続され、かつ前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路の方向に延びる領域と重なる前記給電線は1本であることを特徴とする分波器である。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。 The present invention includes an upper conductive layer on the upper surface, a foot pad layer on the lower surface, an internal conductive layer inside, an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface, and the upper conductive layer. A signal pad electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter, included in the upper conductor layer, an annular electrode surrounding the signal pad, and included in the foot pad layer, A signal foot pad electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad; the signal pad and the signal foot pad included in the internal conductor layer; comprising a wiring electrically connected to the said upper conductor layer and the foot pad layer includes a plated layer formed by electroless plating, the upper conductor layer A transmission pad electrically connected to the transmission filter, and a reception pad electrically connected to the reception filter. The transmission pad is included in the inner conductor layer and extends to an end of the insulating substrate. A power supply line electrically connected to the wiring and used for power supply for performing the electrolytic plating; and the transmission pad of the annular electrode, electrically connected to the one wiring the feed line overlapping the region extending in the direction of the short path of the path connecting the said receiving pad has Ru duplexer der, which is a one. According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

本発明は、上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用パッドと、前記上部導体層に含まれ、前記信号用パッドを囲む環状電極と、前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、を具備し、前記上部導体層及び前記フットパッド層は、電解メッキにより形成されたメッキ層を含み、前記上部導体層は、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドを含み、各々が、前記内部導体層に含まれ、かつ前記絶縁性基板の端部まで延び、前記配線と電気的に接続された、前記電解メッキを行うための給電に用いられる複数の給電線を備え、前記複数の給電線のうち、前記送信用パッドと電気的に接続された給電線と、前記受信用パッドと電気的に接続された給電線とは、前記絶縁性基板の異なる辺において、前記絶縁性基板の端部に達することを特徴とする分波器である。この構成によれば、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。 The present invention includes an upper conductive layer on the upper surface, a foot pad layer on the lower surface, an internal conductive layer inside, an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface, and the upper conductive layer. A signal pad electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter, included in the upper conductor layer, an annular electrode surrounding the signal pad, and included in the foot pad layer, A signal foot pad electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad; the signal pad and the signal foot pad included in the internal conductor layer; comprising a wiring electrically connected to the said upper conductor layer and the foot pad layer includes a plated layer formed by electroless plating, the upper conductor layer A transmission pad electrically connected to the transmission filter, and a reception pad electrically connected to the reception filter, each included in the inner conductor layer and an end of the insulating substrate A plurality of power supply lines that are used for power supply for performing the electrolytic plating, and are electrically connected to the transmission pad among the plurality of power supply lines. a feed line was, the the receiving pad and electrically connected to the feed line, in different sides of the insulating substrate, Ru duplexer der, characterized in that reaches the end of the insulating substrate . According to this configuration, high isolation can be obtained more effectively.

上記構成において、前記環状電極は、前記絶縁性基板の外周に沿って設けられている構成とすることができる。この構成によれば、分波器の小型化が可能となる。   The said structure WHEREIN: The said cyclic | annular electrode can be set as the structure provided along the outer periphery of the said insulating substrate. According to this configuration, the duplexer can be miniaturized.

本発明によれば、高アイソレーションを得ることが可能な分波器を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a duplexer capable of obtaining high isolation.

図1(a)は、RFブロックを例示する図である。図1(b)は、フィルタを少なくしたRFブロックを例示する図である。FIG. 1A is a diagram illustrating an RF block. FIG. 1B is a diagram illustrating an RF block with fewer filters. 図2(a)は、分波器を例示するブロック図であり、図2(b)は、分波器を例示する断面図である。FIG. 2A is a block diagram illustrating a duplexer, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating the duplexer. 図3(a)は、分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図であり、図3(b)は、分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する平面図である。FIG. 3A is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer, and FIG. 3B illustrates the first inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer. It is a top view illustrated. 図4(a)は、分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図であり、図4(b)は、分波器が備える絶縁性基板の下部導体層を例示する平面図である。FIG. 4A is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer, and FIG. 4B illustrates the lower conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer. It is a top view illustrated. 図5は、送信用パッド−受信用パッド間の磁界を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a magnetic field between a transmission pad and a reception pad. 図6(a)は、実施例1に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図であり、図6(b)は、実施例1に係る分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する平面図である。FIG. 6A is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the first embodiment, and FIG. 6B is the insulation included in the duplexer according to the first embodiment. It is a top view which illustrates the 1st internal conductor layer in a conductive substrate. 図7(a)及び図7(b)は、実施例1に係る分波器のアイソレーションの計算結果を示す図である。FIG. 7A and FIG. 7B are diagrams illustrating the calculation results of the isolation of the duplexer according to the first embodiment. 図8は、実施例1の変形例に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図である。FIG. 8 is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the modification of the first embodiment. 図9(a)は、実施例2に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図であり、図9(b)は、実施例2に係る分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する平面図である。FIG. 9A is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the second embodiment, and FIG. 9B is the insulation included in the duplexer according to the second embodiment. It is a top view which illustrates the 1st internal conductor layer in a conductive substrate. 図10は、実施例2に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図である。FIG. 10 is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the second embodiment. 図11(a)及び図11(b)は、実施例2に係る分波器のアイソレーションの計算結果を示す図である。FIGS. 11A and 11B are diagrams illustrating calculation results of isolation of the duplexer according to the second embodiment. 図12は、実施例3に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図である。FIG. 12 is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the third embodiment. 図13は、実施例4に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図である。FIG. 13 is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the fourth embodiment. 図14(a)は、実施例5に係る分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する上面図であり、図14(b)は、実施例5に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する上面図である。FIG. 14A is a top view illustrating the first inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the fifth embodiment, and FIG. 14B is a duplexer according to the fifth embodiment. It is a top view which illustrates the 2nd inner conductor layer in an insulating substrate with which is provided. 図15は、実施例5に係る分波器が備える絶縁性基板を例示する断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating an insulating substrate included in the duplexer according to the fifth embodiment. 図16(a)は、実施例6に係る分波器が備える絶縁性基板の下部導体層を例示する平面図であり、図16(b)は、実施例6に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図である。FIG. 16A is a plan view illustrating the lower conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the sixth embodiment, and FIG. 16B is the insulation included in the duplexer according to the sixth embodiment. It is a top view which illustrates the upper conductor layer of a conductive substrate. 図17は、別の構成を有する環状電極を有する絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図である。FIG. 17 is a plan view illustrating an upper conductor layer of an insulating substrate having an annular electrode having another configuration.

図面を用いて、本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず分波器を用いた装置及び分波器について説明する。装置の例として、RF(Radio Frequency)ブロックの構成について説明する。図1(a)及び図1(b)は、RFブロックを例示する図である。   First, an apparatus using a duplexer and a duplexer will be described. As an example of the apparatus, a configuration of an RF (Radio Frequency) block will be described. FIG. 1A and FIG. 1B are diagrams illustrating RF blocks.

図1(a)に示すように、RFブロック90は、分波器100、アンテナ104、アンプ106、110、116、124、及び126、受信段間フィルタ108、ミキサ112及び120、ローパスフィルタ114及び122、局部発振器118、並びに送信段間フィルタ128、を備える。RFブロックは、例えば携帯電話用のRFブロックであり、例えばW−CDMA(Wideband Code Divided Multiple Access) Band1方式に対応している。W−CDMA Band1方式の受信帯域は2110〜2170MHz、送信帯域は1920〜1980MHzに位置する。   As shown in FIG. 1A, the RF block 90 includes a duplexer 100, an antenna 104, amplifiers 106, 110, 116, 124, and 126, a reception interstage filter 108, mixers 112 and 120, a low-pass filter 114, and 122, a local oscillator 118, and a transmission interstage filter 128. The RF block is an RF block for a mobile phone, for example, and corresponds to, for example, a W-CDMA (Wideband Code Divided Multiple Access) Band1 system. The reception band of the W-CDMA Band1 system is located at 2110 to 2170 MHz, and the transmission band is located at 1920 to 1980 MHz.

分波器100は受信フィルタF1及び送信フィルタF2を備え、アンテナ104に接続されている。受信フィルタF1の通過帯域は、例えばWCDMA Band1方式の受信帯域と同一の周波数帯域に位置する。送信フィルタF2の通過帯域は、例えばWCDMA Band1方式の送信帯域と同一の周波数帯域に位置する。アンテナ104は信号を受信する。アンテナ104が受信した信号は、分波器100が備える受信フィルタF1に入力される。受信フィルタF1は、入力された信号のうち、周波数が受信フィルタF1の通過帯域内に位置する信号を通過させ、アンプ106に出力する。周波数が受信フィルタF1の通過帯域外に位置する信号は抑圧される。アンプ106は信号を増幅し、受信段間フィルタ108に出力する。受信段間フィルタ108は、例えば平衡入力端子及び平衡出力端子を有する。受信段間フィルタ108は、受信フィルタF1と同様に信号のフィルタリングを行い、アンプ110に信号を出力する。受信段間フィルタ108は、2つの出力端子を介して、アンプ110に信号を出力する。アンプ110は信号を増幅し、2つの出力端子から信号を出力する。アンプ110が出力した2つの信号の各々は、ミキサ112及び120の各々に入力される。局部発振器118は、ローカル信号をミキサ112及び120に出力する。ミキサ112に入力されるローカル信号と、ミキサ120に入力されるローカル信号とでは、位相が90°異なる。ミキサ112及び120の各々は、アンプ110から入力された信号とローカル信号とを混合し、信号の周波数をダウンコンバートする。ミキサ112が出力する信号は、ローパスフィルタ114において高周波成分が除去された後、アンプ116に入力される。ミキサ112が出力する信号は、ローパスフィルタ122において高周波成分が除去された後、アンプ124に入力される。アンプ116及びアンプ124は、信号を増幅して出力する。   The duplexer 100 includes a reception filter F1 and a transmission filter F2, and is connected to the antenna 104. The pass band of the reception filter F1 is located in the same frequency band as the reception band of the WCDMA Band 1 system, for example. The pass band of the transmission filter F2 is located in the same frequency band as, for example, the transmission band of the WCDMA Band 1 method. The antenna 104 receives a signal. The signal received by the antenna 104 is input to the reception filter F1 provided in the duplexer 100. The reception filter F1 passes a signal having a frequency within the pass band of the reception filter F1 among the input signals, and outputs the signal to the amplifier 106. A signal whose frequency is outside the pass band of the reception filter F1 is suppressed. The amplifier 106 amplifies the signal and outputs it to the reception interstage filter 108. The reception interstage filter 108 has, for example, a balanced input terminal and a balanced output terminal. The reception interstage filter 108 performs signal filtering similarly to the reception filter F <b> 1, and outputs a signal to the amplifier 110. The reception interstage filter 108 outputs a signal to the amplifier 110 via two output terminals. The amplifier 110 amplifies the signal and outputs the signal from the two output terminals. Each of the two signals output from the amplifier 110 is input to each of the mixers 112 and 120. The local oscillator 118 outputs a local signal to the mixers 112 and 120. A phase difference between the local signal input to the mixer 112 and the local signal input to the mixer 120 is 90 °. Each of the mixers 112 and 120 mixes the signal input from the amplifier 110 and the local signal, and down-converts the frequency of the signal. The signal output from the mixer 112 is input to the amplifier 116 after high frequency components are removed by the low-pass filter 114. The signal output from the mixer 112 is input to the amplifier 124 after high frequency components are removed by the low-pass filter 122. The amplifier 116 and the amplifier 124 amplify and output the signal.

トランスミッタ130は、送信信号を生成し、送信段間フィルタ128に出力する。送信段間フィルタ128は、例えば不平衡入力端子と不平衡出力端子とを有する。送信段間フィルタ128は、信号をフィルタリングした後、アンプ126に信号を出力する。アンプ126は信号を増幅し、分波器100に出力する。分波器100が備える送信フィルタF2は、例えば不平衡入力端子と不平衡出力端子とを有する。送信フィルタF2は、周波数が送信フィルタF2の通過帯域内に位置する信号を通過させ、アンテナ104に出力する。周波数が送信フィルタF2の通過帯域外に位置する信号は抑圧される。アンテナ104は信号を送信する。   The transmitter 130 generates a transmission signal and outputs it to the transmission interstage filter 128. The transmission interstage filter 128 has, for example, an unbalanced input terminal and an unbalanced output terminal. The transmission interstage filter 128 outputs the signal to the amplifier 126 after filtering the signal. The amplifier 126 amplifies the signal and outputs it to the duplexer 100. The transmission filter F2 included in the duplexer 100 has, for example, an unbalanced input terminal and an unbalanced output terminal. The transmission filter F2 passes a signal whose frequency is within the pass band of the transmission filter F2, and outputs the signal to the antenna 104. A signal whose frequency is outside the pass band of the transmission filter F2 is suppressed. The antenna 104 transmits a signal.

RFブロックの小型化のためには、部品点数を少なくして、構成を簡略化することが好ましい。図1(b)はフィルタを少なくしたRFブロックを例示する図である。   In order to reduce the size of the RF block, it is preferable to simplify the configuration by reducing the number of parts. FIG. 1B is a diagram illustrating an RF block with fewer filters.

図1(b)に示すように、RFブロック90aは、図1(a)に示したRFブロック90から受信段間フィルタ108及び送信段間フィルタ128を取り除いた構成を有する。分波器100が備える受信フィルタF1は、アンプ106に接続された2つの平衡出力端子を有する。アンプ106は、入力された2つの信号を増幅し、2つの出力端子から信号を出力する。アンプ106から出力された信号は、受信段間フィルタ108を介さずにアンプ110に入力され、アンプ110においてさらに増幅される。また、トランスミッタ130から出力された信号は、送信段間フィルタ128を介さずにアンプ126に入力される。   As illustrated in FIG. 1B, the RF block 90a has a configuration in which the reception interstage filter 108 and the transmission interstage filter 128 are removed from the RF block 90 illustrated in FIG. The reception filter F1 included in the duplexer 100 has two balanced output terminals connected to the amplifier 106. The amplifier 106 amplifies the two input signals and outputs signals from the two output terminals. The signal output from the amplifier 106 is input to the amplifier 110 without passing through the inter-reception stage filter 108, and further amplified by the amplifier 110. The signal output from the transmitter 130 is input to the amplifier 126 without passing through the transmission interstage filter 128.

図1(b)のように、受信段間フィルタ108及び送信段間フィルタ128を取り除くことで、RFブロックの小型化が可能となる。しかし、フィルタの数を減らした場合、信号の抑圧度が劣化する恐れがある。このため、分波器100には性能の向上が求められる。具体的には、受信フィルタF1及び送信フィルタF2には、抑圧度の向上が要求される。抑圧度向上のためには、分波器100の受信端子と送信端子との間で、高アイソレーションを得ることが重要となる。特に、受信フィルタF1と送信フィルタF2とを1パッケージとして形成した場合には、フィルタ間の距離が小さくなるため、分波器は小型化されるが、送信端子と受信端子との間で、アイソレーションの劣化が生じる可能性もある。   As shown in FIG. 1B, the RF block can be downsized by removing the reception interstage filter 108 and the transmission interstage filter 128. However, if the number of filters is reduced, the degree of signal suppression may be degraded. For this reason, the duplexer 100 is required to have improved performance. Specifically, the reception filter F1 and the transmission filter F2 are required to improve the degree of suppression. In order to improve the degree of suppression, it is important to obtain high isolation between the reception terminal and the transmission terminal of the duplexer 100. In particular, when the reception filter F1 and the transmission filter F2 are formed as one package, the distance between the filters is reduced, so that the duplexer is reduced in size. However, the isolator is isolated between the transmission terminal and the reception terminal. Deterioration may occur.

次に分波器の具体的な構成について説明する。図2(a)は、分波器を例示するブロック図であり、図2(b)は、分波器を例示する断面図である。   Next, a specific configuration of the duplexer will be described. FIG. 2A is a block diagram illustrating a duplexer, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating the duplexer.

図2(a)に示すように、分波器100は受信フィルタF1及び送信フィルタF2を備える。受信フィルタF1の一端はアンテナ端子Antに接続されている。送信フィルタF2の一端はアンテナ端子Antに接続されている。受信フィルタF1及び送信フィルタF2とアンテナ端子Ant間は、配線L1により接続されている。受信フィルタF1の他端は、配線L2及びL3を介して、受信端子Rx1及びRx2に接続されている。送信フィルタF2の他端は、配線L4を介して、送信端子Txに接続されている。受信端子Rx1及びRx2は、平衡端子であり、図1(b)に示したアンプ106に接続される。送信端子Txは、不平衡端子であり、図1(b)に示したアンプ126に接続される。アンテナ端子Antは、アンテナ104に接続される。後述するように、配線L1、L2、L3及びL4は、絶縁性基板が有するパッド、フットパッド、配線、及びビア配線により形成される。   As shown in FIG. 2A, the duplexer 100 includes a reception filter F1 and a transmission filter F2. One end of the reception filter F1 is connected to the antenna terminal Ant. One end of the transmission filter F2 is connected to the antenna terminal Ant. The reception filter F1 and the transmission filter F2 and the antenna terminal Ant are connected by a wiring L1. The other end of the reception filter F1 is connected to reception terminals Rx1 and Rx2 via wirings L2 and L3. The other end of the transmission filter F2 is connected to the transmission terminal Tx via the wiring L4. The receiving terminals Rx1 and Rx2 are balanced terminals and are connected to the amplifier 106 shown in FIG. The transmission terminal Tx is an unbalanced terminal and is connected to the amplifier 126 shown in FIG. The antenna terminal Ant is connected to the antenna 104. As will be described later, the wirings L1, L2, L3, and L4 are formed by pads, foot pads, wirings, and via wirings included in the insulating substrate.

図2(b)に示すように、分波器100は、受信フィルタF1、送信フィルタF2、絶縁性基板10、リッド12、封止部14、上部導体層20、第1内部導体層22、第2内部導体層24、フットパッド層26、及びビア配線28を備える。リッド12は例えばコバール等の金属からなる。封止部14は、例えばSn−Pb等の半田からなる。絶縁性基板10は、第1層10−1、第2層10−2、及び第3層10−3の3つのセラミック層等の絶縁層を積層して形成される、多層構造の絶縁性基板である。各層は、例えば酸化アルミニウム(Al)等のセラミックからなる。 As shown in FIG. 2B, the duplexer 100 includes the reception filter F1, the transmission filter F2, the insulating substrate 10, the lid 12, the sealing portion 14, the upper conductor layer 20, the first inner conductor layer 22, the first 2 includes an inner conductor layer 24, a foot pad layer 26, and a via wiring 28. The lid 12 is made of a metal such as Kovar. The sealing portion 14 is made of solder such as Sn—Pb. The insulating substrate 10 is formed by laminating insulating layers such as three ceramic layers such as a first layer 10-1, a second layer 10-2, and a third layer 10-3. It is. Each layer, for example made of a ceramic such as aluminum oxide (Al 2 O 3).

第1層10−1の上面には、上部導体層20が設けられている。第1層10−1と第2層10−2との間には、第1内部導体層22が設けられている。第2層10−2と第3層10−3との間には、第2内部導体層24が設けられている。第3層10−3の下面には、フットパッド層26が設けられている。このように、絶縁性基板10の上面に上部導体層20が、内部に第1内部導体層22及び第2内部導体層が、下面にフットパッド層26が、それぞれ設けられている。各層は、絶縁性基板10の厚み方向(図中の上下方向)に延びるビア配線28により、電気的に接続されている。第1内部導体層22及び第2内部導体層24、及びビア配線28は、例えば銀(Ag)、銅(Cu)、又はタングステン(W)等の金属からなる。また、上部導体層20及びフットパッド層26は、例えば銀(Ag)、銅(Cu)、又はタングステン(W)等の金属からなる導体層と、金属層の上に形成された金(Au)、又はニッケル(Ni)等の金属からなるメッキ層を有する。導体層は例えば印刷により形成され、メッキ層は例えば電解メッキにより形成される。   An upper conductor layer 20 is provided on the upper surface of the first layer 10-1. A first internal conductor layer 22 is provided between the first layer 10-1 and the second layer 10-2. A second inner conductor layer 24 is provided between the second layer 10-2 and the third layer 10-3. A foot pad layer 26 is provided on the lower surface of the third layer 10-3. As described above, the upper conductor layer 20 is provided on the upper surface of the insulating substrate 10, the first inner conductor layer 22 and the second inner conductor layer are provided therein, and the foot pad layer 26 is provided on the lower surface. Each layer is electrically connected by a via wiring 28 extending in the thickness direction of the insulating substrate 10 (vertical direction in the figure). The first inner conductor layer 22, the second inner conductor layer 24, and the via wiring 28 are made of metal such as silver (Ag), copper (Cu), or tungsten (W), for example. The upper conductor layer 20 and the foot pad layer 26 include a conductor layer made of a metal such as silver (Ag), copper (Cu), or tungsten (W), and gold (Au) formed on the metal layer. Or a plating layer made of a metal such as nickel (Ni). The conductor layer is formed by, for example, printing, and the plating layer is formed by, for example, electrolytic plating.

受信フィルタF1及び送信フィルタF2は、絶縁性基板10の上面に例えばフリップチップ実装されている。受信フィルタF1及び送信フィルタF2は、例えば金、又は半田等の金属からなるバンプにより、上部導体層20と電気的に接続される。受信フィルタF1及び送信フィルタF2は、リッド12及び封止部14により封止される。具体的には、受信フィルタF1及び送信フィルタF2の上にはリッド12が設けられ、絶縁性基板10とリッド12との間には、封止部14が設けられている。上部導体層20は、絶縁性基板10の外周に添って形成された環状電極30を有する。封止部14は、環状電極30とリッドとを接合する。これにより、受信フィルタF1及び送信フィルタF2は、気密性高く封止される。このように、環状電極30は、封止のために用いられる。このとき、封止部14は、受信フィルタF1及び送信フィルタF2とは電気的に接続しない。   The reception filter F1 and the transmission filter F2 are, for example, flip-chip mounted on the upper surface of the insulating substrate 10. The reception filter F1 and the transmission filter F2 are electrically connected to the upper conductor layer 20 by bumps made of metal such as gold or solder. The reception filter F1 and the transmission filter F2 are sealed by the lid 12 and the sealing unit 14. Specifically, a lid 12 is provided on the reception filter F <b> 1 and the transmission filter F <b> 2, and a sealing portion 14 is provided between the insulating substrate 10 and the lid 12. The upper conductor layer 20 has an annular electrode 30 formed along the outer periphery of the insulating substrate 10. The sealing portion 14 joins the annular electrode 30 and the lid. Thereby, the reception filter F1 and the transmission filter F2 are sealed with high airtightness. Thus, the annular electrode 30 is used for sealing. At this time, the sealing unit 14 is not electrically connected to the reception filter F1 and the transmission filter F2.

次に、絶縁性基板10に設けられた各層について詳しく説明する。図3(a)は、分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図であり、図3(b)は、分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する平面図である。図4(a)は、分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図であり、図4(b)は、分波器が備える絶縁性基板の下部導体層を例示する平面図である。図中の格子斜線は、紙面の奥行き方向に延びるビア配線28を表す。   Next, each layer provided on the insulating substrate 10 will be described in detail. FIG. 3A is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer, and FIG. 3B illustrates the first inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer. It is a top view illustrated. FIG. 4A is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer, and FIG. 4B illustrates the lower conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer. It is a top view illustrated. The grid diagonal lines in the figure represent the via wiring 28 extending in the depth direction of the drawing.

図3(a)に示すように、絶縁性基板10の第1層10−1の上面には上部導体層20が設けられている。上部導体層20は、環状電極30、受信用パッド32a及び32b、送信用パッド34(信号用パッド)、接地用パッド36a、36b及び36c、並びにアンテナ用パッド38を含む。図3(a)中の破線は受信フィルタF1が搭載される領域を示し、点線は送信フィルタF2が搭載される領域を示す。受信フィルタF1は、2つの受信用パッド32a及び32b、接地用パッド36a、並びにアンテナ用パッド38と電気的に接続される。受信用パッド32a及び32bは、平衡端子として機能する。送信フィルタF2は、送信用パッド34、接地用パッド36b及び36c、並びにアンテナ用パッド38と電気的に接続される。アンテナ用パッド38は、受信フィルタF1と送信フィルタF2とで共通化されている。環状電極30の幅(線幅)は、W1で一定である。環状電極30は、絶縁性基板10の外周に沿って設けられている。言い換えれば、環状電極30は、絶縁性基板10の端部に接している。環状電極30は、受信用パッド32a及び32b、送信用パッド34、接地用パッド36a、36b及び36c、並びにアンテナ用パッド38を囲む。また環状電極30は、封止部14(図2(b)参照)と接触する。また、上部導体層20は、第1層10−1を貫通するビア配線28を通じて、第1内部導体層22と電気的に接続されている。   As shown in FIG. 3A, the upper conductor layer 20 is provided on the upper surface of the first layer 10-1 of the insulating substrate 10. The upper conductor layer 20 includes an annular electrode 30, receiving pads 32 a and 32 b, a transmitting pad 34 (signal pad), ground pads 36 a, 36 b and 36 c, and an antenna pad 38. A broken line in FIG. 3A indicates a region where the reception filter F1 is mounted, and a dotted line indicates a region where the transmission filter F2 is mounted. The reception filter F1 is electrically connected to the two reception pads 32a and 32b, the ground pad 36a, and the antenna pad 38. The receiving pads 32a and 32b function as balanced terminals. The transmission filter F2 is electrically connected to the transmission pad 34, the ground pads 36b and 36c, and the antenna pad 38. The antenna pad 38 is shared by the reception filter F1 and the transmission filter F2. The width (line width) of the annular electrode 30 is constant at W1. The annular electrode 30 is provided along the outer periphery of the insulating substrate 10. In other words, the annular electrode 30 is in contact with the end of the insulating substrate 10. The annular electrode 30 surrounds the receiving pads 32a and 32b, the transmitting pad 34, the grounding pads 36a, 36b and 36c, and the antenna pad 38. The annular electrode 30 is in contact with the sealing portion 14 (see FIG. 2B). The upper conductor layer 20 is electrically connected to the first inner conductor layer 22 through the via wiring 28 that penetrates the first layer 10-1.

図3(b)に示すように、第2層10−2の上面には、第1内部導体層22が設けられている。第1内部導体層22は、受信用配線40a及び40b、送信用配線42、接地用配線44a、44b及び44c、並びにアンテナ用配線46を含む。図3(a)に示した上部導体層20が備える受信用パッド32aは、第1層10−1を貫通するビア配線28を介して、図3(b)に示した第1内部導体層22が備える受信用配線40aと電気的に接続されている。受信用パッド32bは、ビア配線28を介して、受信用配線40bと電気的に接続されている。送信用パッド34は、ビア配線28を介して、送信用配線42と電気的に接続されている。環状電極30は、ビア配線28を介して、接地用配線44a及び44cと電気的に接続されている。接地用パッド36aは、ビア配線28を介して、接地用配線44aと電気的に接続されている。接地用パッド36b及び36cは、ビア配線28を介して、接地用配線44bと電気的に接続されている。アンテナ用パッド38は、ビア配線28を介して、アンテナ用配線46と電気的に接続されている。また、第1内部導体層22は、第2層10−2を貫通するビア配線28を通じて、第2内部導体層24と電気的に接続されている。図中の破線は、絶縁性基板10を上から見た場合に、環状電極30が重なる領域を示す。各配線及びビア配線と、環状電極30との関係は、実施例2において説明する。また、領域30c及び30dについても実施例2において説明する。   As shown in FIG. 3B, the first inner conductor layer 22 is provided on the upper surface of the second layer 10-2. The first inner conductor layer 22 includes reception wirings 40a and 40b, transmission wiring 42, grounding wirings 44a, 44b and 44c, and antenna wiring 46. The receiving pad 32a included in the upper conductor layer 20 shown in FIG. 3A is connected to the first inner conductor layer 22 shown in FIG. 3B via the via wiring 28 penetrating the first layer 10-1. Are electrically connected to the receiving wiring 40a. The receiving pad 32b is electrically connected to the receiving wiring 40b through the via wiring 28. The transmission pad 34 is electrically connected to the transmission wiring 42 via the via wiring 28. The annular electrode 30 is electrically connected to the ground wirings 44 a and 44 c through the via wiring 28. The grounding pad 36 a is electrically connected to the grounding wiring 44 a through the via wiring 28. The ground pads 36 b and 36 c are electrically connected to the ground wiring 44 b through the via wiring 28. The antenna pad 38 is electrically connected to the antenna wiring 46 through the via wiring 28. The first inner conductor layer 22 is electrically connected to the second inner conductor layer 24 through a via wiring 28 that penetrates the second layer 10-2. A broken line in the figure indicates a region where the annular electrode 30 overlaps when the insulating substrate 10 is viewed from above. The relationship between each wiring and via wiring and the annular electrode 30 will be described in the second embodiment. Further, the regions 30c and 30d will be described in the second embodiment.

図4(a)に示すように、第3層10−3上面には、第2内部導体層24が設けられている。第2内部導体層24は、給電線29、受信用配線50a及び50b、送信用配線52、接地用配線54a、54b、54c、54d及び54e、並びにアンテナ用配線56を含む。図3(b)に示した第1内部導体層22が備える受信用配線40aは、第2層10−2を貫通するビア配線28を介して、図4(a)に示した受信用配線50aと電気的に接続されている。受信用配線40bは、複数のビア配線28のうちビア配線28bを介して、受信用配線50bと電気的に接続されている。送信用配線42は、複数のビア配線28のうちビア配線28cを介して、送信用配線52と電気的に接続されている。接地用配線44aは、ビア配線28を介して、接地用配線54aと電気的に接続されている。接地用配線44bは、ビア配線28を介して、接地用配線54bと電気的に接続されている。接地用配線44cは、ビア配線28を介して、接地用配線54cと電気的に接続されている。アンテナ用配線46は、ビア配線28を介して、アンテナ用配線56と電気的に接続されている。   As shown in FIG. 4A, the second inner conductor layer 24 is provided on the upper surface of the third layer 10-3. The second inner conductor layer 24 includes a feeder line 29, receiving wirings 50a and 50b, transmitting wiring 52, grounding wirings 54a, 54b, 54c, 54d and 54e, and antenna wiring 56. The receiving wiring 40a included in the first inner conductor layer 22 shown in FIG. 3B is connected to the receiving wiring 50a shown in FIG. 4A via the via wiring 28 penetrating the second layer 10-2. And are electrically connected. The reception wiring 40b is electrically connected to the reception wiring 50b through the via wiring 28b among the plurality of via wirings 28. The transmission wiring 42 is electrically connected to the transmission wiring 52 via the via wiring 28 c among the plurality of via wirings 28. The ground wiring 44 a is electrically connected to the ground wiring 54 a through the via wiring 28. The ground wiring 44 b is electrically connected to the ground wiring 54 b through the via wiring 28. The ground wiring 44 c is electrically connected to the ground wiring 54 c through the via wiring 28. The antenna wiring 46 is electrically connected to the antenna wiring 56 through the via wiring 28.

また、受信用配線50a及び50b、送信用配線52、接地用配線54a、54c、54d及び54e、並びにアンテナ用配線56の各々は、絶縁性基板10の端部まで延びた給電線29と、電気的に接続されている。給電線29は、例えば受信用配線50a及び50b、送信用配線52、接地用配線54a、54c、54d及び54e、並びにアンテナ用配線56等と同じ金属層からなる。給電線29は、上部導体層20及びフットパッド層26にメッキ層を形成する電解メッキ工程において、給電するために用いられる。なお、複数の給電線29のうち、受信用配線50aに接続されたものを給電線29a、受信用配線50bに接続されたものを給電線29b、送信用配線52に接続されたものを給電線29cとする。図中に示した、環状電極30の領域30b、及び給電線29b及び29cについては、実施例2において説明する。辺10a及び10bについては実施例3において説明する。ここでは、図4(b)を参照して、絶縁性基板10の構成についての説明を続ける。第2内部導体層24は、第3層10−3を貫通するビア配線28を介してフットパッド層26と電気的に接続されている。   In addition, each of the receiving wirings 50a and 50b, the transmitting wiring 52, the grounding wirings 54a, 54c, 54d and 54e, and the antenna wiring 56 is connected to the feeder line 29 extending to the end of the insulating substrate 10 and the electric wiring 29. Connected. The feeder line 29 is made of, for example, the same metal layer as the reception wirings 50a and 50b, the transmission wiring 52, the grounding wirings 54a, 54c, 54d and 54e, the antenna wiring 56, and the like. The power supply line 29 is used for supplying power in an electrolytic plating process in which a plating layer is formed on the upper conductor layer 20 and the foot pad layer 26. Of the plurality of power supply lines 29, the power supply line 29a is connected to the reception wiring 50a, the power supply line 29b is connected to the reception wiring 50b, and the power supply line is connected to the transmission wiring 52. 29c. The region 30b of the annular electrode 30 and the power supply lines 29b and 29c shown in the drawing will be described in the second embodiment. Sides 10a and 10b will be described in the third embodiment. Here, the description of the configuration of the insulating substrate 10 will be continued with reference to FIG. The second inner conductor layer 24 is electrically connected to the foot pad layer 26 via a via wiring 28 that penetrates the third layer 10-3.

図4(b)に示すように、第3層10−3の下面にはフットパッド層26が設けられている。なお、図4(b)では第3層10−3を透視し、第3層10−3の下面を図示している。フットパッド層26は、受信用フットパッド60a及び60b、送信用フットパッド62(信号用フットパッド)、接地用フットパッド64a、64b、64c、64d及び64e、並びにアンテナ用フットパッド66を含む。図4(a)に示した第2内部導体層24が備える受信用配線50aは、第3層10−3を貫通するビア配線28を介して、図4(b)に示したフットパッド層26が備える受信用フットパッド60aと電気的に接続されている。受信用配線50bは、複数のビア配線28のうちビア配線28bを介して、受信用フットパッド60bと電気的に接続されている。送信用配線52は、複数のビア配線28のうちビア配線28cを介して、送信用フットパッド62と電気的に接続されている。接地用配線54aは、ビア配線28を介して、接地用フットパッド64a及び64bと電気的に接続されている。接地用配線54bは、ビア配線28を介して、接地用フットパッド64aと電気的に接続されている。接地用配線54cは、ビア配線28を介して、接地用フットパッド64cと電気的に接続されている。接地用配線54dは、ビア配線28を介して、接地用フットパッド64dと電気的に接続されている。接地用配線54eは、ビア配線28を介して、接地用フットパッド64eと電気的に接続されている。アンテナ用配線56は、ビア配線28を介して、アンテナ用フットパッド66と電気的に接続されている。   As shown in FIG. 4B, a foot pad layer 26 is provided on the lower surface of the third layer 10-3. In FIG. 4B, the third layer 10-3 is seen through, and the lower surface of the third layer 10-3 is illustrated. The foot pad layer 26 includes reception foot pads 60a and 60b, a transmission foot pad 62 (signal foot pad), grounding foot pads 64a, 64b, 64c, 64d and 64e, and an antenna foot pad 66. The receiving wiring 50a provided in the second inner conductor layer 24 shown in FIG. 4A is provided via the via wiring 28 penetrating the third layer 10-3, and the foot pad layer 26 shown in FIG. 4B. Is electrically connected to a receiving foot pad 60a. The reception wiring 50b is electrically connected to the reception foot pad 60b through the via wiring 28b among the plurality of via wirings 28. The transmission wiring 52 is electrically connected to the transmission foot pad 62 via the via wiring 28 c among the plurality of via wirings 28. The ground wiring 54 a is electrically connected to the ground foot pads 64 a and 64 b through the via wiring 28. The grounding wiring 54 b is electrically connected to the grounding foot pad 64 a through the via wiring 28. The ground wiring 54 c is electrically connected to the ground foot pad 64 c through the via wiring 28. The grounding wiring 54d is electrically connected to the grounding foot pad 64d through the via wiring 28. The ground wiring 54 e is electrically connected to the ground foot pad 64 e through the via wiring 28. The antenna wiring 56 is electrically connected to the antenna foot pad 66 through the via wiring 28.

図4(b)に示した受信用フットパッド60a及び60bは、図2(a)に示した受信端子Rx1及びRx2に相当する。送信用フットパッド62は、送信端子Txに相当する。アンテナ用フットパッド66は、アンテナ端子Antに相当する。アンテナ用パッド38、ビア配線28、アンテナ用配線46及び56は、図2(a)に示した配線L1に相当する。受信用パッド32a、ビア配線28、受信用配線40a及び50aは、図2(a)に示した配線L2に相当する。受信用パッド32b、ビア配線28b、受信用配線40b及び50bは、図2(a)に示した配線L3に相当する。送信フィルタF2と送信用フットパッド62とを接続する、送信用パッド34、ビア配線28c、送信用配線42及び52は、図2(a)に示した配線L4に相当する。   The reception foot pads 60a and 60b shown in FIG. 4B correspond to the reception terminals Rx1 and Rx2 shown in FIG. The transmission foot pad 62 corresponds to the transmission terminal Tx. The antenna foot pad 66 corresponds to the antenna terminal Ant. The antenna pad 38, the via wiring 28, and the antenna wirings 46 and 56 correspond to the wiring L1 shown in FIG. The receiving pad 32a, the via wiring 28, and the receiving wirings 40a and 50a correspond to the wiring L2 shown in FIG. The receiving pad 32b, the via wiring 28b, and the receiving wirings 40b and 50b correspond to the wiring L3 shown in FIG. The transmission pad 34, the via wiring 28c, and the transmission wirings 42 and 52 that connect the transmission filter F2 and the transmission foot pad 62 correspond to the wiring L4 shown in FIG.

図2(b)から図4(b)に示したように、受信フィルタF1と送信フィルタF2とを同一の絶縁性基板10にフリップチップ実装し、1パッケージとするとことで、分波器の小型化が可能となる。また、絶縁性基板10の内部に導体層を形成することで、絶縁性基板10の大型化は抑制され、分波器の小型化を図ることができる。さらに、環状電極30を絶縁性基板10の外周に沿って形成し、封止部14を環状電極30と接合させることで、気密性の高い封止をすることができる。しかしながら、受信フィルタF1と送信フィルタF2とを同一の絶縁性基板10に搭載するため、受信フィルタF1と送信フィルタF2との距離が小さくなる。また、1つの絶縁性基板内に多くのパッド、フットパッド、配線、及びビア配線が設けられる。このため、パッド間の距離、及びフットパッド間の距離が小さくなる。従って、送信端子Tx−受信端子Rx間のアイソレーションが劣化する恐れが大きくなる。また後述するように、環状電極30が設けられていることにより、特にアイソレーションが劣化しやすくなる。   As shown in FIG. 2B to FIG. 4B, the reception filter F1 and the transmission filter F2 are flip-chip mounted on the same insulating substrate 10 to form one package. Can be realized. In addition, by forming a conductor layer inside the insulating substrate 10, an increase in the size of the insulating substrate 10 is suppressed, and the duplexer can be reduced in size. Further, by forming the annular electrode 30 along the outer periphery of the insulating substrate 10 and joining the sealing portion 14 to the annular electrode 30, sealing with high airtightness can be performed. However, since the reception filter F1 and the transmission filter F2 are mounted on the same insulating substrate 10, the distance between the reception filter F1 and the transmission filter F2 is reduced. In addition, many pads, foot pads, wirings, and via wirings are provided in one insulating substrate. For this reason, the distance between pads and the distance between foot pads are reduced. Therefore, the possibility that the isolation between the transmission terminal Tx and the reception terminal Rx deteriorates increases. Further, as will be described later, the provision of the annular electrode 30 makes it particularly easy for the isolation to deteriorate.

発明者は、アイソレーション劣化の原因を検証するため、絶縁性基板10に発生する磁界を測定する実験を行った。実験では、受信フィルタF1及び送信フィルタF2が実装されていない絶縁性基板10をサンプルとして用いた。絶縁性基板10を実験装置に配置し、送信用フットパッド62に、周波数が1920MHzであり、パワーが0dBmの信号を入力して、絶縁性基板10の上面に生じる磁界を測定した。図5は、絶縁性基板の上面に生じた磁界を示す模式図である。図中の実線は、同一の大きさを有する磁界を表す線である。図中の破線は、絶縁性基板10が配置された領域を示す線である。点線の丸印は、信号が入力された送信用フットパッド62、及び送信用パッド34の位置を示す。   The inventor conducted an experiment to measure the magnetic field generated in the insulating substrate 10 in order to verify the cause of the deterioration of isolation. In the experiment, the insulating substrate 10 on which the reception filter F1 and the transmission filter F2 are not mounted is used as a sample. The insulating substrate 10 was placed in an experimental apparatus, a signal having a frequency of 1920 MHz and a power of 0 dBm was input to the transmission foot pad 62, and a magnetic field generated on the upper surface of the insulating substrate 10 was measured. FIG. 5 is a schematic diagram showing a magnetic field generated on the upper surface of the insulating substrate. Solid lines in the figure are lines representing magnetic fields having the same magnitude. A broken line in the figure is a line indicating a region where the insulating substrate 10 is disposed. The dotted circles indicate the positions of the transmission foot pad 62 and the transmission pad 34 to which signals are input.

図5に実線で示すように、送信用パッド34に近い方から、磁界の強さは、−99.0dBm、−97.0dBm、−95.7dBm、−93.0dBmであった。このように、送信用パッド34が位置する絶縁性基板10の右下の領域から磁界が発生した。磁界は送信用パッド34に近いほど強かった。特に絶縁性基板10の外周に沿った方向では強い磁界が観測された。磁界が発生した原因について考察する。   As indicated by the solid line in FIG. 5, the magnetic field strengths were -99.0 dBm, -97.0 dBm, -95.7 dBm, and -93.0 dBm from the side closer to the transmission pad 34. Thus, a magnetic field was generated from the lower right region of the insulating substrate 10 where the transmission pad 34 is located. The magnetic field was stronger as it was closer to the transmission pad 34. In particular, a strong magnetic field was observed in the direction along the outer periphery of the insulating substrate 10. Consider the cause of the magnetic field.

絶縁性基板10の下面に設けられた送信用フットパッド62(図4(b)参照)に入力された信号は、ビア配線28、送信用配線42及び52を介して、絶縁性基板10の上面に設けられた送信用パッド34(図3(a)参照)に到達する。送信用パッド34に到達した信号と、環状電極30との間で静電結合及び電磁結合の一方、又は両方が生じる。この結果、環状電極30に電流が流れる(図5の矢印参照)。環状電極30に電流が流れると、環状電極30の周辺には磁界が発生する。図5の左方向に延びる環状電極30に電流が流れると、静電結合により受信用パッド32a及び32bに電流が流れる。また、環状電極30に電流が流れることで、受信用パッド32a及び32b(図3(a)参照)付近の領域においても、磁界が発生する。このとき、電磁結合により、受信用パッド32a及び32bに電流が流れる。この結果、受信用パッド32a及び32bと、送信用パッド34との間のアイソレーションが劣化する。これにより、受信用フットパッド60a及び60bと、送信用フットパッド62間のアイソレーションが劣化する。図5に示すように、送信用パッド34に近いほど磁界は強い。従って、複数の受信用パッド32a及び32bのうち、送信用パッド34に近い受信用パッド32bの方が磁界の影響を受けやすい。従って、送信用フットパッド62−受信用フットパッド60b間のアイソレーションは特に劣化しやすい。   A signal input to the transmission foot pad 62 (see FIG. 4B) provided on the lower surface of the insulating substrate 10 is transmitted to the upper surface of the insulating substrate 10 via the via wiring 28 and the transmission wirings 42 and 52. To the transmission pad 34 (see FIG. 3A). One or both of electrostatic coupling and electromagnetic coupling occur between the signal reaching the transmission pad 34 and the annular electrode 30. As a result, a current flows through the annular electrode 30 (see arrow in FIG. 5). When a current flows through the annular electrode 30, a magnetic field is generated around the annular electrode 30. When a current flows through the annular electrode 30 extending in the left direction in FIG. 5, a current flows through the receiving pads 32a and 32b due to electrostatic coupling. In addition, when a current flows through the annular electrode 30, a magnetic field is generated even in a region near the receiving pads 32 a and 32 b (see FIG. 3A). At this time, current flows through the receiving pads 32a and 32b due to electromagnetic coupling. As a result, the isolation between the receiving pads 32a and 32b and the transmitting pad 34 deteriorates. As a result, the isolation between the reception foot pads 60a and 60b and the transmission foot pad 62 deteriorates. As shown in FIG. 5, the closer to the transmission pad 34, the stronger the magnetic field. Therefore, among the plurality of receiving pads 32a and 32b, the receiving pad 32b closer to the transmitting pad 34 is more susceptible to the influence of the magnetic field. Therefore, the isolation between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60b is particularly likely to deteriorate.

実施例1は、アイソレーションを改善するために、環状電極30にビア配線を増設する例である。図6(a)は、実施例1に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図であり、図6(b)は、実施例1に係る分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する平面図である。図3(a)から図4(b)において既述した構成と同じ構成については説明を省略する。   The first embodiment is an example in which via wiring is added to the annular electrode 30 in order to improve isolation. FIG. 6A is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the first embodiment, and FIG. 6B is the insulation included in the duplexer according to the first embodiment. It is a top view which illustrates the 1st internal conductor layer in a conductive substrate. The description of the same configuration as that already described in FIGS. 3A to 4B is omitted.

図6(a)に示すように、第1層10−1の環状電極30には、ビア配線28aが接続されている。ビア配線28aは、環状電極30の、受信用パッド32bと送信用パッド34とを結ぶ経路のうち短い経路A(図中の矢印参照)に沿った領域30aに設けられている。環状電極30のビア配線28aが設けられた部分の幅W2は、環状電極30のビア配線28aが設けられていない部分の幅W1よりも大きい。   As shown in FIG. 6A, a via wiring 28a is connected to the annular electrode 30 of the first layer 10-1. The via wiring 28 a is provided in the region 30 a along the short path A (see the arrow in the drawing) of the ring electrode 30 that connects the reception pad 32 b and the transmission pad 34. The width W2 of the portion of the annular electrode 30 where the via wiring 28a is provided is larger than the width W1 of the portion of the annular electrode 30 where the via wiring 28a is not provided.

図6(b)に示すように、ビア配線28aは、第1層10−1を貫通し、第1内部導体層22が有する接地用配線44dと電気的に接続されている。接地用配線44dは、ビア配線28aを介して、第2内部導体層24が有する接地用配線54e、及びフットパッド層26が有する接地用フットパッド64eと電気的に接続されている。つまり、環状電極30は、ビア配線28aを介して接地されている。このように、実施例1に係る分波器は、ビア配線28a及び接地用配線44dを増設し、環状電極30の幅を変更した以外は、図3(a)から図4(b)に示した分波器と同じ構成である。   As shown in FIG. 6B, the via wiring 28a penetrates the first layer 10-1, and is electrically connected to the ground wiring 44d included in the first internal conductor layer 22. The ground wiring 44d is electrically connected to the ground wiring 54e included in the second internal conductor layer 24 and the ground foot pad 64e included in the foot pad layer 26 via the via wiring 28a. That is, the annular electrode 30 is grounded via the via wiring 28a. As described above, the duplexer according to the first embodiment is shown in FIGS. 3A to 4B except that the via wiring 28a and the ground wiring 44d are added and the width of the annular electrode 30 is changed. The same configuration as that of the duplexer.

次に実施例1に係る分波器のアイソレーションを計算したシミュレーションについて説明する。シミュレーションでは、図2(a)に示したように、分波器をアンテナ104に接続し、送信端子Tx(図4(b)の送信用フットパッド62に相当)から信号を入力した際の、受信端子Rx1及びRx2(図4(b)の受信用フットパッド60a及び60bに相当)の各々から出力される信号を計算した。図3(a)から図4(b)に示す絶縁性基板10を有する分波器を比較例として、実施例1と比較例とで、計算結果を比較した。受信フィルタF1としては、SAW共振器とダブルモード結合型SAWフィルタ(DMS:Double Mode SAW filter)を組み合わせたフィルタを用いた。送信フィルタF2としてはラダー型SAWフィルタを用いた。分波器のパッケージの大きさは2.0×1.6mm、厚さは0.55mmとした。受信フィルタF1の通過帯域はW−CDMA Band1方式の受信帯域とし、送信フィルタF2の通過帯域はW−CDMA Band1方式の送信帯域とした。通過帯域の具体的な数値を以下に示す。
受信フィルタF1の通過帯域:2110〜2170MHz
送信フィルタF2の通過帯域:1920〜1980MHz
Next, a simulation for calculating the isolation of the duplexer according to the first embodiment will be described. In the simulation, as shown in FIG. 2A, a duplexer is connected to the antenna 104, and a signal is input from the transmission terminal Tx (corresponding to the transmission foot pad 62 in FIG. 4B). Signals output from each of the receiving terminals Rx1 and Rx2 (corresponding to the receiving foot pads 60a and 60b in FIG. 4B) were calculated. Using the duplexer having the insulating substrate 10 shown in FIGS. 3A to 4B as a comparative example, the calculation results were compared between Example 1 and the comparative example. As the reception filter F1, a filter in which a SAW resonator and a double mode coupled SAW filter (DMS: Double Mode SAW filter) are combined is used. A ladder-type SAW filter was used as the transmission filter F2. The size of the duplexer package was 2.0 × 1.6 mm, and the thickness was 0.55 mm. The pass band of the reception filter F1 is a reception band of the W-CDMA Band 1 method, and the pass band of the transmission filter F2 is a transmission band of the W-CDMA Band 1 method. Specific numerical values of the passband are shown below.
Pass band of the reception filter F1: 2110 to 2170 MHz
Pass band of transmission filter F2: 1920 to 1980 MHz

図7(a)及び図7(b)は、実施例1に係る分波器のアイソレーションの計算結果を示す図である。図7(a)は受信用フットパッド60aから出力される信号の計算結果を示す図であり、図7(b)は受信用フットパッド60bから出力される信号の計算結果を示す図である。横軸は周波数、縦軸は減衰量をそれぞれ示す。減衰量は、送信用フットパッドから受信用フットパッドへ漏洩する信号の大きさを表す。また実線は実施例1に係る分波器、破線は比較例に係る分波器、それぞれにおける結果を示す。   FIG. 7A and FIG. 7B are diagrams illustrating the calculation results of the isolation of the duplexer according to the first embodiment. FIG. 7A is a diagram illustrating a calculation result of a signal output from the reception foot pad 60a, and FIG. 7B is a diagram illustrating a calculation result of a signal output from the reception foot pad 60b. The horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents attenuation. The attenuation amount represents the magnitude of a signal leaking from the transmission foot pad to the reception foot pad. Further, the solid line indicates the result of the duplexer according to the first embodiment, and the broken line indicates the result of the duplexer according to the comparative example.

図7(a)に示すように、比較例よりも実施例1の方が、信号が抑圧された。特に送信帯域において信号が抑圧された。信号の抑圧は、送信用フットパッド62−受信用フットパッド60a間のアイソレーションが改善されたことを示している。送信フィルタF2の通過帯域である1920〜1980MHzの周波数帯域では、信号が大きく抑圧された。   As shown in FIG. 7A, the signal was suppressed in Example 1 than in the comparative example. In particular, the signal was suppressed in the transmission band. The signal suppression indicates that the isolation between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60a is improved. In the frequency band of 1920-1980 MHz, which is the pass band of the transmission filter F2, the signal was greatly suppressed.

図7(b)に示すように、比較例よりも実施例1の方が、送信用フットパッド62−受信用フットパッド60b間のアイソレーションは改善された。また、図7(a)の結果と比較して、より広い周波数帯域にわたって、信号の抑圧が大きくなった。   As shown in FIG. 7B, the isolation between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60b is improved in the first embodiment than in the comparative example. In addition, as compared with the result of FIG. 7A, the signal suppression is increased over a wider frequency band.

実施例1によれば、環状電極30の、受信用パッド32bと送信用パッド34とを結ぶ経路のうち短い経路Aに沿う領域30aに、接地用フットパッド64eと電気的に接続されたビア配線28aが設けられている。このため、送信信号に起因して環状電極30に流れる電流は、ビア配線28aを通じて接地用フットパッド64eに流れ込む。これにより環状電極30に流れる電流が小さくなるため、電流に起因する磁界も小さくなる。従って、受信用パッド32a及び32b付近に発生する磁界も小さくなる。このように、環状電極30を流れる電流が小さくなるため、環状電極30を流れる電流と受信用パッド32a及び32bとの静電結合及び電磁結合が抑制される。この結果、受信用フットパッド60a及び60bと送信用フットパッド62との間で、高アイソレーションを得ることが可能となる。   According to the first embodiment, via wiring electrically connected to the grounding foot pad 64e in the region 30a along the short path A among the paths connecting the receiving pad 32b and the transmitting pad 34 of the annular electrode 30. 28a is provided. For this reason, the current flowing through the annular electrode 30 due to the transmission signal flows into the grounding foot pad 64e through the via wiring 28a. As a result, the current flowing through the annular electrode 30 is reduced, and the magnetic field caused by the current is also reduced. Accordingly, the magnetic field generated near the receiving pads 32a and 32b is also reduced. As described above, since the current flowing through the annular electrode 30 is reduced, electrostatic coupling and electromagnetic coupling between the current flowing through the annular electrode 30 and the receiving pads 32a and 32b are suppressed. As a result, high isolation can be obtained between the reception foot pads 60 a and 60 b and the transmission foot pad 62.

図5に示したように、送信用パッド34に近いほど磁界は強くなる。このため、送信用フットパッド62−受信用フットパッド60b間のアイソレーションは劣化しやすい。図6(a)に示したように、実施例1では、ビア配線28aは、複数の受信用パッド32a及び32bのうち送信用パッド34に近い受信用パッド32bと、送信用パッド34との間に設けられる。環状電極30を流れる電流はビア配線28aに流れるため、受信用パッド32b付近に到達する電流は少なくなる。従って、受信用パッド32b付近に発生する磁界が小さくなり、送信用フットパッド62−受信用フットパッド60b間のアイソレーションが改善する。環状電極30に増設されるビア配線28aは1つに限定されず、2つ以上でもよい。   As shown in FIG. 5, the closer to the transmission pad 34, the stronger the magnetic field. For this reason, the isolation between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60b tends to deteriorate. As shown in FIG. 6A, in the first embodiment, the via wiring 28a is provided between the receiving pad 32b near the transmitting pad 34 and the transmitting pad 34 among the plurality of receiving pads 32a and 32b. Is provided. Since the current flowing through the annular electrode 30 flows through the via wiring 28a, the current reaching the vicinity of the receiving pad 32b is reduced. Therefore, the magnetic field generated near the reception pad 32b is reduced, and the isolation between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60b is improved. The via wiring 28a added to the annular electrode 30 is not limited to one and may be two or more.

環状電極30のビア配線28aが設けられた部分の幅W2は、環状電極30のビア配線28aが設けられていない部分の幅W1よりも大きい。言い換えれば、ビア配線28aを設ける場合でも、ビア配線28aが設けられていない部分の幅W1を大きくしなくてもよく、例えば比較例の場合と同一とすることができる。このため、環状電極30を流れる電流が増大することが抑制され、磁界の抑制も可能となる。   The width W2 of the portion of the annular electrode 30 where the via wiring 28a is provided is larger than the width W1 of the portion of the annular electrode 30 where the via wiring 28a is not provided. In other words, even when the via wiring 28a is provided, it is not necessary to increase the width W1 of the portion where the via wiring 28a is not provided. For example, it can be the same as in the comparative example. For this reason, it is suppressed that the electric current which flows through the annular electrode 30 increases, and suppression of a magnetic field is also attained.

絶縁性基板10は、上から見た場合、例えば長方形である。図3(a)において、受信用パッド32a及び32bは左下の角、送信用パッド34は右下の角、アンテナ用パッド38は上辺付近に位置するとした。しかし、各パッドの位置は変更可能である。また、絶縁性基板10は例えば正方形や、四角形以外の多角形等、他の形としてもよい。   The insulating substrate 10 is, for example, rectangular when viewed from above. In FIG. 3A, the receiving pads 32a and 32b are positioned at the lower left corner, the transmitting pad 34 is positioned at the lower right corner, and the antenna pad 38 is positioned near the upper side. However, the position of each pad can be changed. The insulating substrate 10 may have other shapes such as a square or a polygon other than a quadrangle.

次に実施例1の変形例について説明する。図8は、実施例1の変形例に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図である。図6(a)及び図6(b)において既述した構成と同じ構成については説明を省略する。   Next, a modification of the first embodiment will be described. FIG. 8 is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the modification of the first embodiment. The description of the same configuration as that already described in FIGS. 6A and 6B is omitted.

図8に示すように、環状電極30の、受信用パッド32bと送信用パッド34とを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域30aに、接地用フットパッドと電気的に接続されたビア配線28aが設けられている。また、環状電極30のビア配線28aが設けられた辺の幅は、W2で一定である。幅W2は、環状電極30のビア配線28aが設けられていない辺の幅W1よりも大きい。実施例1の変形例によれば、実施例1と同様に、高アイソレーションの確保が可能となる。しかしながら、環状電極30のビア配線28aが設けられた辺の幅W2が、他の辺の幅W1よりも大きい。従って、環状電極30を流れる電流が大きくなる可能性がある。環状電極302を流れる電流を抑制し、より効果的に高アイソレーションを得るためには、図6(a)に示したように、環状電極30のビア配線28aが設けられた部分の幅を大きくすることが好ましい。   As shown in FIG. 8, via wiring 28 a electrically connected to the grounding foot pad is provided in a region 30 a along the short path among the paths connecting the reception pad 32 b and the transmission pad 34 of the annular electrode 30. Is provided. The width of the side where the via wiring 28a of the annular electrode 30 is provided is constant at W2. The width W2 is larger than the width W1 of the side where the via wiring 28a of the annular electrode 30 is not provided. According to the modification of the first embodiment, high isolation can be ensured as in the first embodiment. However, the width W2 of the side where the via wiring 28a of the annular electrode 30 is provided is larger than the width W1 of the other side. Therefore, the current flowing through the annular electrode 30 may increase. In order to suppress the current flowing through the annular electrode 302 and obtain high isolation more effectively, as shown in FIG. 6A, the width of the portion of the annular electrode 30 provided with the via wiring 28a is increased. It is preferable to do.

実施例2は、絶縁性基板10内部の導体層の構成を変更する例である。まず、図3(a)から図4(b)に示した導体層の問題点について説明する。   Example 2 is an example in which the configuration of the conductor layer inside the insulating substrate 10 is changed. First, problems of the conductor layers shown in FIGS. 3A to 4B will be described.

図3(b)に示すように、受信用配線40bの一部は、環状電極30の受信用配線40bに最も近い領域30b(図中の矢印及び一点鎖線参照)と平行である。図5に示したように、環状電極30付近には磁界が発生する。受信用配線40bと環状電極30とが平行である場合、環状電極30付近に発生する磁界によって、受信用配線40bに電流が流れやすくなる。このように、環状電極30を流れる電流は、受信用配線40bと結合しやすくなる。送信用配線42の一部は、環状電極30の送信用配線42に最も近い領域30c(図中の矢印及び一点鎖線参照)と平行である。このため、環状電極30を流れる電流は、送信用配線42と結合しやすい。   As shown in FIG. 3B, a part of the reception wiring 40b is parallel to the region 30b (see the arrow and the alternate long and short dash line in the drawing) closest to the reception wiring 40b of the annular electrode 30. As shown in FIG. 5, a magnetic field is generated in the vicinity of the annular electrode 30. When the receiving wiring 40b and the annular electrode 30 are parallel, a current easily flows through the receiving wiring 40b due to a magnetic field generated in the vicinity of the annular electrode 30. In this way, the current flowing through the annular electrode 30 is easily coupled to the receiving wiring 40b. A part of the transmission wiring 42 is parallel to the region 30c (see the arrow and the alternate long and short dash line in the drawing) of the annular electrode 30 closest to the transmission wiring 42. For this reason, the current flowing through the annular electrode 30 is likely to be coupled to the transmission wiring 42.

また絶縁性基板10を上から見た場合、受信用配線40bの一部、及び送信用配線42の一部は、環状電極30と重なっている。図5に示したように、環状電極30に近い領域ほど磁界は強い。このため、環状電極30と受信用配線40bとの距離が小さいほど、受信用配線40bへの磁界の影響は大きくなる。また、静電結合も大きくなる。このことは、送信用配線42についても同様である。このように、受信用配線40b及び送信用配線42は、環状電極30と重なる部分を有するため、環状電極30と電磁的又は静電的に結合しやすい。さらに、受信用配線40bに接続されたビア配線28bの一部、及び送信用配線40に接続されたビア配線28cの一部は、環状電極30と重なっている。このため、環状電極30と、ビア配線28b及び28cとの電磁結合又は静電結合は大きくなる。以上のように、環状電極30を流れる電流と、受信用配線40b、送信用配線42、及びビア配線28b及び28c、の各々とは、結合しやすくなる。   When the insulating substrate 10 is viewed from above, a part of the reception wiring 40 b and a part of the transmission wiring 42 overlap the annular electrode 30. As shown in FIG. 5, the region closer to the annular electrode 30 has a stronger magnetic field. For this reason, the smaller the distance between the annular electrode 30 and the receiving wire 40b, the greater the influence of the magnetic field on the receiving wire 40b. In addition, electrostatic coupling is increased. The same applies to the transmission wiring 42. As described above, since the reception wiring 40b and the transmission wiring 42 have portions overlapping the annular electrode 30, they are easily coupled to the annular electrode 30 electromagnetically or electrostatically. Further, a part of the via wiring 28 b connected to the reception wiring 40 b and a part of the via wiring 28 c connected to the transmission wiring 40 overlap the annular electrode 30. For this reason, the electromagnetic coupling or the electrostatic coupling between the annular electrode 30 and the via wirings 28b and 28c is increased. As described above, the current flowing through the annular electrode 30 and each of the reception wiring 40b, the transmission wiring 42, and the via wirings 28b and 28c are easily coupled.

図4(a)に示すように、絶縁性基板10を上から見た場合、受信用配線50bの一部、及び送信用配線52の一部は、環状電極30と重なっている。さらに、受信用配線50bに接続されたビア配線28bの一部、送信用配線50に接続されたビア配線28cの一部は、環状電極30と重なっている。このため、環状電極30を流れる電流が、受信用配線50b、送信用配線52、及びビア配線28b及び28cの各々と結合しやすくなる。この結果、アイソレーションが劣化する。   As shown in FIG. 4A, when the insulating substrate 10 is viewed from above, a part of the reception wiring 50 b and a part of the transmission wiring 52 overlap the annular electrode 30. Further, a part of the via wiring 28 b connected to the reception wiring 50 b and a part of the via wiring 28 c connected to the transmission wiring 50 overlap the annular electrode 30. For this reason, the current flowing through the annular electrode 30 is easily coupled to each of the reception wiring 50b, the transmission wiring 52, and the via wirings 28b and 28c. As a result, isolation is degraded.

図4(a)に示した、給電線29a、29b、及び29cは、電解メッキの際の給電に用いられるものであり、受信用パッド32bと受信用フットパッド60b、又は送信用パッド34と送信用フットパッド62とを接続する配線ではない。つまり、給電線29a、29b、及び29cは、受信信号又は送信信号を伝送するための配線ではない。このため、給電線29a、29b、及び29cがアイソレーションに与える影響は、受信用配線50b及び送信用配線52がアイソレーションに与える影響よりも小さい。しかしながら、給電線間に結合が生じ、アイソレーションが悪化することがある。絶縁性基板10の受信用パッド32bと送信用パッド34とを結ぶ経路のうち短い経路Aの方向に延びる領域を領域30dとする(図中の矢印及び一点鎖線参照)。つまり領域30dは、環状電極30の辺であって、図6(a)に示した領域30aが属する辺である。複数の給電線29のうち、受信用配線50bに接続された2本の給電線29b、及び送信用配線52に接続された給電線29cは、環状電極30の領域30dと重なっている。図5に示したように、送信信号が入力されると、送信用配線52と環状電極30が電磁結合又は静電結合することで、環状電極30に電流が流れ、環状電極30付近に磁界が発生する。図4(a)のように給電線29cが環状電極30に重なっている場合、給電線29cと環状電極30との距離が近くなる。このため、送信用フットパッド64に入力された信号がより環状電極30に結合しやすくなる。結合によって生じた電流は環状電極30の領域30dを流れ、別の給電線29b付近に磁界を発生させる。磁界が発生することにより、給電線29bに電流が流れる。このように、給電線29b及び29cが環状電極30と重なっている場合、環状電極30を介して、送信用フットパッド62と受信用フットパッド60b間の結合がより大きくなる。この結果、アイソレーションが劣化する可能性がある。   The power supply lines 29a, 29b, and 29c shown in FIG. 4A are used for power supply during electroplating, and are connected to the reception pad 32b and the reception foot pad 60b or the transmission pad 34. It is not a wiring connecting the trust foot pad 62. That is, the power supply lines 29a, 29b, and 29c are not wirings for transmitting reception signals or transmission signals. For this reason, the influence of the power supply lines 29a, 29b, and 29c on the isolation is smaller than the influence of the reception wiring 50b and the transmission wiring 52 on the isolation. However, coupling may occur between the feeder lines, and isolation may deteriorate. Of the paths connecting the reception pad 32b and the transmission pad 34 of the insulating substrate 10, the area extending in the direction of the short path A is defined as an area 30d (see the arrow and the alternate long and short dash line in the figure). That is, the region 30d is a side of the annular electrode 30 and to which the region 30a shown in FIG. 6A belongs. Among the plurality of power supply lines 29, two power supply lines 29 b connected to the reception wiring 50 b and power supply line 29 c connected to the transmission wiring 52 overlap the region 30 d of the annular electrode 30. As shown in FIG. 5, when a transmission signal is input, the transmission wiring 52 and the annular electrode 30 are electromagnetically or electrostatically coupled, so that a current flows through the annular electrode 30 and a magnetic field is generated in the vicinity of the annular electrode 30. Occur. When the feeder line 29c overlaps the annular electrode 30 as shown in FIG. 4A, the distance between the feeder line 29c and the annular electrode 30 is reduced. For this reason, the signal input to the transmission foot pad 64 is more easily coupled to the annular electrode 30. The current generated by the coupling flows through the region 30d of the annular electrode 30 and generates a magnetic field near another feeder line 29b. When a magnetic field is generated, a current flows through the feeder line 29b. Thus, when the feeder lines 29 b and 29 c overlap with the annular electrode 30, the coupling between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60 b is further increased through the annular electrode 30. As a result, isolation may deteriorate.

実施例2では、第1内部導体層22及び第2内部導体層24各々の構成を変更する。図9(a)は、実施例2に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図であり、図9(b)は、実施例2に係る分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する平面図である。図10は、実施例2に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図である。フットパッド層26は、例えば図4(b)に示したものと同じである。図3(a)から図4(b)において既述した構成については説明を省略する。   In Example 2, the configuration of each of the first inner conductor layer 22 and the second inner conductor layer 24 is changed. FIG. 9A is a plan view illustrating the upper conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the second embodiment, and FIG. 9B is the insulation included in the duplexer according to the second embodiment. It is a top view which illustrates the 1st internal conductor layer in a conductive substrate. FIG. 10 is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the second embodiment. The foot pad layer 26 is the same as that shown in FIG. 4B, for example. The description of the configuration already described in FIGS. 3A to 4B is omitted.

図9(a)に示すように、図6(a)の場合と比較して、送信用パッド34の配置が変更されている。送信用パッド34を除いて、上部導体層20は図6(a)の例と同じ構成である。   As shown in FIG. 9A, the arrangement of the transmission pad 34 is changed as compared with the case of FIG. Except for the transmission pad 34, the upper conductor layer 20 has the same configuration as the example of FIG.

図9(b)に示すように、受信用配線40bは、ビア配線28bと接続されており、絶縁性基板10の平面方向に延びる部分は有していない。このように、絶縁性基板10を上から見た場合、受信用配線40bは、環状電極30の領域30bと平行になっていない。また、受信用配線40b、及びビア配線28bは、環状電極30と重ならない。送信用配線42は、図中の左右方向に延びる部分を有する。また、環状電極30の送信用配線42と最も近い領域30cは、送信用配線42の右側に位置している。従って、送信用配線42は、環状電極30の領域30cと平行になっていない。また、送信用配線42はビア配線28cと接続されている。絶縁性基板10を上から見た場合、送信用配線42、及びビア配線28cは、環状電極30と重ならない。   As illustrated in FIG. 9B, the reception wiring 40 b is connected to the via wiring 28 b and does not have a portion extending in the planar direction of the insulating substrate 10. Thus, when the insulating substrate 10 is viewed from above, the receiving wiring 40 b is not parallel to the region 30 b of the annular electrode 30. Further, the reception wiring 40 b and the via wiring 28 b do not overlap with the annular electrode 30. The transmission wiring 42 has a portion extending in the left-right direction in the drawing. The region 30 c closest to the transmission wire 42 of the annular electrode 30 is located on the right side of the transmission wire 42. Therefore, the transmission wiring 42 is not parallel to the region 30 c of the annular electrode 30. Further, the transmission wiring 42 is connected to the via wiring 28c. When the insulating substrate 10 is viewed from above, the transmission wiring 42 and the via wiring 28 c do not overlap with the annular electrode 30.

図10に示すように、受信用配線50bはビア配線28dと接続され、送信用配線52はビア配線28eと接続されている。受信用配線50bは、環状電極30の受信用配線50bと最も近い領域30e(図中の矢印及び一点鎖線参照)と平行になっていない。絶縁性基板10を上から見た場合、受信用配線50bは、環状電極30と重ならない。また送信用配線52は、環状電極30の送信用配線52と最も近い領域30f(図中の矢印及び一点鎖線参照)と平行になっていない。絶縁性基板10を上から見た場合、送信用配線52は、環状電極30と重ならない。ビア配線28d及び28eは、環状電極30と重ならない。その一方で、受信用配線50bに接続された給電線29bは環状電極30と重なる。送信用配線52に接続された給電線29c及び29dは、環状電極30と重なる。しかし既述したように、給電線29b、29c及び29dは、電解メッキの際の給電に用いられるものであり、受信用パッド32bと受信用フットパッド60b、又は送信用パッド34と送信用フットパッド62とを接続する配線ではない。つまり、給電線29b、29c及び29dは、受信信号又は送信信号を流すための配線ではない。このため、給電線のアイソレーションへの影響は小さい。   As shown in FIG. 10, the reception wiring 50b is connected to the via wiring 28d, and the transmission wiring 52 is connected to the via wiring 28e. The reception wiring 50b is not parallel to the region 30e closest to the reception wiring 50b of the annular electrode 30 (see the arrow and the alternate long and short dash line in the drawing). When the insulating substrate 10 is viewed from above, the receiving wiring 50 b does not overlap the annular electrode 30. Further, the transmission wiring 52 is not parallel to the region 30 f (see the arrow and the alternate long and short dash line in the drawing) closest to the transmission wiring 52 of the annular electrode 30. When the insulating substrate 10 is viewed from above, the transmission wiring 52 does not overlap the annular electrode 30. The via wirings 28 d and 28 e do not overlap with the annular electrode 30. On the other hand, the power supply line 29 b connected to the reception wiring 50 b overlaps the annular electrode 30. Feed lines 29 c and 29 d connected to the transmission wiring 52 overlap the annular electrode 30. However, as described above, the power supply lines 29b, 29c, and 29d are used for power supply during electrolytic plating, and the reception pad 32b and the reception foot pad 60b, or the transmission pad 34 and the transmission foot pad. It is not a wiring for connecting 62. That is, the power supply lines 29b, 29c, and 29d are not wirings for flowing reception signals or transmission signals. For this reason, the influence on the isolation of the feeder is small.

給電線29b及び給電線29cは、環状電極30の領域30dと重なる。このように、受信用配線50bと接続され、領域30dと重なる給電線は、給電線29bの1本である。また、送信用配線42と接続され、領域30dと重なる給電線は、給電線29cの1本である。なお、給電線29dは、送信用配線42に接続されているが、領域30dと重ならない。2本の給電線29aは、受信用配線40aに接続されているが、領域30dと重ならない。図9(a)から図10に示すように、実施例2に係る分波器は、配線及びビア配線の配置を変更した以外、実施例1に係る分波器と同じ構成である。   The power supply line 29 b and the power supply line 29 c overlap with the region 30 d of the annular electrode 30. Thus, the power supply line connected to the reception wiring 50b and overlapping the region 30d is one power supply line 29b. Further, the power supply line connected to the transmission wiring 42 and overlapping the region 30d is one power supply line 29c. The power supply line 29d is connected to the transmission wiring 42 but does not overlap the region 30d. The two power supply lines 29a are connected to the reception wiring 40a, but do not overlap with the region 30d. As shown in FIGS. 9A to 10, the duplexer according to the second embodiment has the same configuration as the duplexer according to the first embodiment except that the arrangement of the wiring and the via wiring is changed.

次に実施例2に係る分波器のアイソレーションを計算したシミュレーションについて説明する。シミュレーションでは、送信端子Tx(図4(b)の送信用フットパッド62に相当)から信号を入力した際の、受信端子Rx1及びRx2(図4(b)の受信用フットパッド60a及び60bに相当)各々から出力される信号を計算した。受信フィルタF1としては、SAW共振器とダブルモード結合型SAWフィルタを組み合わせたフィルタを用いた。送信フィルタF2としてはラダー型SAWフィルタを用いた。分波器のパッケージの大きさは2.0×1.6mm、厚さは0.55mmとした。受信フィルタF1の通過帯域はW−CDMA Band1方式の受信帯域とし、送信フィルタF2の通過帯域はW−CDMA Band1方式の送信帯域とした。実施例1と実施例2とで、計算結果を比較した。なお既述したように、実施例1における第1内部導体層22及び第2内部導体層24は、ビア配線28a及び接地用配線44dを増設した以外、図3(b)及び図4(a)に示したものと同じである。   Next, a simulation for calculating the isolation of the duplexer according to the second embodiment will be described. In the simulation, when receiving a signal from the transmission terminal Tx (corresponding to the transmission foot pad 62 in FIG. 4B), the reception terminals Rx1 and Rx2 (corresponding to the reception foot pads 60a and 60b in FIG. 4B). ) The signal output from each was calculated. As the reception filter F1, a filter combining a SAW resonator and a double mode coupled SAW filter was used. A ladder-type SAW filter was used as the transmission filter F2. The size of the duplexer package was 2.0 × 1.6 mm, and the thickness was 0.55 mm. The pass band of the reception filter F1 is a reception band of the W-CDMA Band 1 method, and the pass band of the transmission filter F2 is a transmission band of the W-CDMA Band 1 method. The calculation results were compared between Example 1 and Example 2. As described above, the first inner conductor layer 22 and the second inner conductor layer 24 in the first embodiment are the same as those shown in FIGS. 3B and 4A except that the via wiring 28a and the ground wiring 44d are added. It is the same as shown in.

図11(a)及び図11(b)は、実施例2に係る分波器のアイソレーションの計算結果を示す図である。図11(a)は受信用フットパッド60aから出力される信号の計算結果を示す図であり、図11(b)は受信用フットパッド60bから出力される信号の計算結果を示す図である。横軸は周波数、縦軸は減衰量をそれぞれ示す。また実線は実施例2に係る分波器、破線は実施例1に係る分波器、それぞれにおける結果を示す。   FIGS. 11A and 11B are diagrams illustrating calculation results of isolation of the duplexer according to the second embodiment. FIG. 11A is a diagram illustrating a calculation result of a signal output from the reception foot pad 60a, and FIG. 11B is a diagram illustrating a calculation result of a signal output from the reception foot pad 60b. The horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents attenuation. Further, the solid line indicates the result of the duplexer according to the second embodiment, and the broken line indicates the result of the duplexer according to the first embodiment.

図11(a)に示すように、実施例1よりも実施例2の方が、信号が抑圧された。信号の抑圧は、送信用フットパッド62−受信用フットパッド60a間のアイソレーションが改善されたことを示している。   As shown in FIG. 11A, the signal is suppressed in the second embodiment than in the first embodiment. The signal suppression indicates that the isolation between the transmission foot pad 62 and the reception foot pad 60a is improved.

図11(b)に示すように、実施例1よりも実施例2の方が、信号が抑圧された。特にW−CDMA Band1方式の受信帯域である1920〜1980MHzの周波数帯域では、信号が大きく抑圧された。また、図11(a)の結果と比較して、より広い周波数帯域にわたって、信号の抑圧が大きくなった。   As shown in FIG. 11B, the signal was suppressed in the second embodiment than in the first embodiment. In particular, in the frequency band of 1920 to 1980 MHz, which is the reception band of the W-CDMA Band 1 system, the signal is greatly suppressed. In addition, as compared with the result of FIG. 11A, the suppression of the signal is increased over a wider frequency band.

実施例2によれば、受信用配線40b及び50b、送信用配線42及び52の4つの配線の各々は、環状電極30の当該4つの配線の各々と最も近い領域と平行ではない。このため、よって、受信用配線40b及び50b、送信用配線42及び52の各々には、環状電極30付近に発生する磁界に起因する電流が流れにくくなる。従って、環状電極30を流れる電流と、受信用配線40b及び50b、送信用配線42及び52の各々との結合が抑制される。この結果、受信用フットパッド60a及び60bと送信用フットパッド62との間で、高アイソレーションを得ることができる。   According to the second embodiment, each of the four wirings of the reception wirings 40 b and 50 b and the transmission wirings 42 and 52 is not parallel to the region closest to each of the four wirings of the annular electrode 30. For this reason, current due to the magnetic field generated in the vicinity of the annular electrode 30 is unlikely to flow through each of the reception wirings 40b and 50b and the transmission wirings 42 and 52. Therefore, the coupling between the current flowing through the annular electrode 30 and each of the receiving wires 40b and 50b and the transmitting wires 42 and 52 is suppressed. As a result, high isolation can be obtained between the reception foot pads 60 a and 60 b and the transmission foot pad 62.

図9(b)及び図10に示したように、受信用配線40b及び50b、並びに送信用配線42及び52の各々は、環状電極30と重ならない。つまり、受信用配線40b及び50b、並びに送信用配線42及び52の各々と、環状電極30との距離が大きくなる。このため、受信用配線40b及び50b、送信用配線42及び52の各々は、磁界の影響を受けにくくなる。従って、環状電極30を流れる電流と、受信用配線40b及び50b、並びに送信用配線42及び52の各々との結合が抑制され、高アイソレーションを得ることができる。また、絶縁性基板10を上から見た場合、ビア配線28b、28c、28d及び28eは、環状電極30と重ならない。従って、環状電極30を流れる電流と、ビア配線28b、28c、28d及び28eの各々との結合が抑制され、高アイソレーションを得ることができる。   As shown in FIGS. 9B and 10, each of the reception wirings 40 b and 50 b and the transmission wirings 42 and 52 does not overlap the annular electrode 30. That is, the distance between each of the reception wirings 40b and 50b and the transmission wirings 42 and 52 and the annular electrode 30 is increased. For this reason, each of the reception wirings 40b and 50b and the transmission wirings 42 and 52 is not easily affected by the magnetic field. Therefore, the coupling between the current flowing through the annular electrode 30 and each of the reception wirings 40b and 50b and the transmission wirings 42 and 52 is suppressed, and high isolation can be obtained. Further, when the insulating substrate 10 is viewed from above, the via wirings 28 b, 28 c, 28 d and 28 e do not overlap with the annular electrode 30. Therefore, the coupling between the current flowing through the annular electrode 30 and each of the via wirings 28b, 28c, 28d and 28e is suppressed, and high isolation can be obtained.

既述したように、給電線29b、29c及び29dは、受信用配線40b及び50b、並びに送信用配線42及び52よりも、アイソレーションに与える影響は小さい。しかしながら、給電線29が環状電極30を流れる電流と結合することにより、アイソレーションに影響を与えることもある。実施例2では図10に示すように、受信用配線50bに接続され、かつ領域30dと重なる給電線は、給電線29bの1本である。送信用配線52に接続され、かつ領域30dと重なる給電線は、給電線29cの1本である。言い換えれば、受信用パッド32bに接続され、かつ領域30dと重なる給電線は、給電線29bの1本である。言い換えれば、送信用パッド34に接続され、かつ領域30dと重なる給電線は、給電線29cの1本である。従って、例えば図4(a)のように、2本の給電線29bと、給電線29cとが領域30dと重なる場合より、給電線29bと給電線29cとの結合を抑制することができる。この結果、より効果的に高アイソレーションを得ることができる。   As described above, the power supply lines 29b, 29c, and 29d have less influence on the isolation than the reception wirings 40b and 50b and the transmission wirings 42 and 52. However, the power supply line 29 may be coupled to the current flowing through the annular electrode 30 to affect the isolation. In the second embodiment, as shown in FIG. 10, the power supply line connected to the reception wiring 50b and overlapping the region 30d is one power supply line 29b. The feed line connected to the transmission wiring 52 and overlapping the region 30d is one of the feed lines 29c. In other words, the feed line connected to the reception pad 32b and overlapping the region 30d is one of the feed lines 29b. In other words, the feed line connected to the transmission pad 34 and overlapping the region 30d is one of the feed lines 29c. Therefore, for example, as shown in FIG. 4A, the coupling between the power supply line 29b and the power supply line 29c can be suppressed as compared with the case where the two power supply lines 29b and the power supply line 29c overlap the region 30d. As a result, high isolation can be obtained more effectively.

図5において説明したように、送信用パッド34に近いほど磁界は強い。従って、送信用パッド34に近い受信用パッド32bの方が磁界の影響を受けやすい。実施例2では、受信用パッド32bに接続された、受信用配線40b及び50b、ビア配線28b及び28d、並びに給電線29c、各々の配置を変更した。この結果、アイソレーションをより効果的に改善することができる。   As described with reference to FIG. 5, the closer to the transmission pad 34, the stronger the magnetic field. Therefore, the receiving pad 32b closer to the transmitting pad 34 is more susceptible to the influence of the magnetic field. In the second embodiment, the arrangement of the reception wirings 40b and 50b, the via wirings 28b and 28d, and the power supply line 29c connected to the reception pad 32b is changed. As a result, isolation can be improved more effectively.

なお、受信用パッド32aに接続された受信用配線40a及び50aの各々が、環状電極30の各々の配線に最も近い領域と平行でないとしてもよい。また、受信用配線40a及び50aが、環状電極30と重ならないとしてもよい。さらに、受信用配線40a及び50aに接続されたビア配線28が、環状電極30と重ならないとしてもよい。このように、受信用パッド32aに接続された受信用配線40a及び50a、並びにビア配線28の配置を変更してもよい。また、受信用配線40a及び50a、並びに受信用配線40a及び50aに接続されたビア配線28、各々の配置を変更し、かつ受信用配線40b及び50b、並びにビア配線28b及び28d、各々の配置を変更しないとしてもよい。つまり、受信用パッド32aに接続された受信用配線及びビア配線と、受信用パッド32bに接続された受信用配線及びビア配線との、少なくとも一方の配置を変更すればよい。ただし、効果的に高アイソレーションを得るためには、送信用パッド34に近い受信用パッド32bに接続された、受信用配線及びビア配線の配置を変更することが好ましい。また受信用パッドは1つでもよく、この場合は、1つの受信用パッドに接続された受信用配線及びビア配線の配置を変更すればよい。   Note that each of the reception wirings 40 a and 50 a connected to the reception pad 32 a may not be parallel to the region closest to each wiring of the annular electrode 30. Further, the reception wirings 40 a and 50 a may not overlap with the annular electrode 30. Furthermore, the via wiring 28 connected to the receiving wirings 40 a and 50 a may not overlap the annular electrode 30. As described above, the arrangement of the reception wirings 40a and 50a connected to the reception pad 32a and the via wiring 28 may be changed. Also, the receiving wirings 40a and 50a, the via wirings 28 connected to the receiving wirings 40a and 50a, the respective arrangements are changed, and the receiving wirings 40b and 50b and the via wirings 28b and 28d are arranged respectively. It may not be changed. That is, the arrangement of at least one of the reception wiring and via wiring connected to the reception pad 32a and the reception wiring and via wiring connected to the reception pad 32b may be changed. However, in order to effectively obtain high isolation, it is preferable to change the arrangement of the reception wiring and the via wiring connected to the reception pad 32b close to the transmission pad 34. Further, the number of reception pads may be one, and in this case, the arrangement of reception wirings and via wirings connected to one reception pad may be changed.

また、受信用配線40b及び50b、並びにビア配線28b及び28d各々の配置を変更し、送信用配線42及び52並びにビア配線28c及び28e各々の配置を変更しないとしてもよい。さらに、送信用配線42及び52、並びにビア配線28c及び28e各々の配置を変更し、受信用配線40b及び50b並びにビア配線28b及び28d各々の配置を変更しないとしてもよい。以上のように、受信用パッド32a及び32b、並びに送信用パッド34の少なくとも1つと電気的に接続された配線(受信用配線又は送信用配線)が、環状電極30の当該配線に最も近い領域と平行でなければよい。また受信用パッド32a及び32b、並びに送信用パッド34の少なくとも1つと電気的に接続された配線が、環状電極30と重ならなければよい。さらに受信用パッド32a及び32b、並びに送信用パッド34の少なくとも1つと電気的に接続されたビア配線が、環状電極30と重ならなければよい。   Further, the arrangement of the reception wirings 40b and 50b and the via wirings 28b and 28d may be changed, and the arrangement of the transmission wirings 42 and 52 and the via wirings 28c and 28e may not be changed. Further, the arrangement of the transmission wirings 42 and 52 and the via wirings 28c and 28e may be changed, and the arrangement of the reception wirings 40b and 50b and the via wirings 28b and 28d may not be changed. As described above, the wiring (reception wiring or transmission wiring) electrically connected to at least one of the reception pads 32a and 32b and the transmission pad 34 is a region closest to the wiring of the annular electrode 30. It doesn't have to be parallel. The wiring electrically connected to at least one of the reception pads 32 a and 32 b and the transmission pad 34 may not overlap with the annular electrode 30. Furthermore, the via wiring electrically connected to at least one of the receiving pads 32 a and 32 b and the transmitting pad 34 may not overlap the annular electrode 30.

受信用配線50bに接続された1本の給電線29bが領域30dと重なり、送信用配線52に接続された給電線29cは領域30dと重ならないとしてもよい。また、給電線29cが領域30dと重なり、給電線29bは領域30dと重ならないとしてもよい。このように、受信用配線50bに接続された1本の給電線29b、及び送信用配線52に接続された1本の給電線29cの少なくとも一方が領域30dと重なり、他方は領域30dと重ならないとしてもよい。言い換えれば、受信用パッド32b又は送信用パッド34のいずれか一方と電気的に接続され、かつ領域30dと重なる給電線は1本とすればよい。上部導体層20は図9(a)に示したもの以外に、例えば図3(a)に示したものを用いてもよい。ただし、より効果的に高アイソレーションを得るためには、図9(a)に示したように、ビア配線28aを有する上部導体層20を用いることが好ましい。   One power supply line 29b connected to the reception wiring 50b may overlap the region 30d, and the power supply line 29c connected to the transmission wiring 52 may not overlap the region 30d. Further, the power supply line 29c may overlap with the region 30d, and the power supply line 29b may not overlap with the region 30d. As described above, at least one of the one power supply line 29b connected to the reception wiring 50b and the one power supply line 29c connected to the transmission wiring 52 overlaps the region 30d, and the other does not overlap the region 30d. It is good. In other words, it is only necessary to provide one power supply line that is electrically connected to either the reception pad 32b or the transmission pad 34 and overlaps the region 30d. For example, the upper conductor layer 20 shown in FIG. 3A may be used in addition to the one shown in FIG. However, in order to obtain high isolation more effectively, it is preferable to use the upper conductor layer 20 having the via wiring 28a, as shown in FIG.

実施例3は、給電線の配置を変更する例である。まず、図4(a)を参照して、給電線間の結合によるアイソレーションの劣化について説明する。   Example 3 is an example in which the arrangement of the feeder lines is changed. First, with reference to FIG. 4A, description will be given of deterioration of isolation due to coupling between power supply lines.

既述したように、複数の給電線は、環状電極30を通じて結合することがある。図4(a)に示すように、受信用配線50bに接続された給電線29b、及び送信用配線52に接続された給電線29cは、絶縁性基板10の辺10b(図中の下辺)において絶縁性基板10の端部に達する。このため、給電線29bと給電線29cとが、環状電極30を介して結合しやすい。この結果、アイソレーションが劣化する可能性がある。   As described above, the plurality of power supply lines may be coupled through the annular electrode 30. As shown in FIG. 4A, the power supply line 29b connected to the reception wiring 50b and the power supply line 29c connected to the transmission wiring 52 are on the side 10b (lower side in the figure) of the insulating substrate 10. The end of the insulating substrate 10 is reached. For this reason, the power supply line 29 b and the power supply line 29 c are easily coupled via the annular electrode 30. As a result, isolation may deteriorate.

次に実施例3に係る分波器について説明する。図12は、実施例3に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図である。上部導体層20は、例えば図9(a)に示したものと同じである。第1内部導体層22は、例えば図9(b)に示したものと同じである。フットパッド層26は、例えば図4(b)に示したものと同じである。なお、接地用配線54c及び54d、アンテナ用配線56の構成が、図4(a)の構成と異なる。しかし、接地用配線54c及び54d、アンテナ用配線56の構成を、例えば図4(a)と同じとしてもよい。   Next, a duplexer according to the third embodiment will be described. FIG. 12 is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the third embodiment. The upper conductor layer 20 is the same as that shown in FIG. The first inner conductor layer 22 is the same as that shown in FIG. 9B, for example. The foot pad layer 26 is the same as that shown in FIG. 4B, for example. Note that the configurations of the ground wirings 54c and 54d and the antenna wiring 56 are different from the configuration of FIG. However, the configurations of the ground wirings 54c and 54d and the antenna wiring 56 may be the same as those shown in FIG. 4A, for example.

図12に示すように、給電線29a及び給電線29bは、絶縁性基板10の辺10a(図中の左辺0)において、絶縁性基板10の端部に達する。給電線29cは、絶縁性基板10の別の辺10c(図中の右辺)において、絶縁性基板10の端部に達する。受信用配線50a接続された給電線29a、及び受信用配線50bに接続された給電線29bと、送信用配線52に接続された給電線29cとは、互いに異なる辺において絶縁性基板10の端部に達する。このため、給電線29a及び29bと、給電線29cとの距離が大きくなる。この結果、受信用フットパッド60a及び60bと送信用フットパッド62との間で、高アイソレーションを得ることが可能となる。   As shown in FIG. 12, the power supply line 29 a and the power supply line 29 b reach the end of the insulating substrate 10 at the side 10 a of the insulating substrate 10 (the left side 0 in the drawing). The power supply line 29 c reaches the end of the insulating substrate 10 on another side 10 c (the right side in the drawing) of the insulating substrate 10. The power supply line 29a connected to the reception wiring 50a, the power supply line 29b connected to the reception wiring 50b, and the power supply line 29c connected to the transmission wiring 52 are at the ends of the insulating substrate 10 at different sides. To reach. For this reason, the distance between the feeder lines 29a and 29b and the feeder line 29c increases. As a result, high isolation can be obtained between the reception foot pads 60 a and 60 b and the transmission foot pad 62.

また例えば、給電線29a及び29bは辺10aにおいて絶縁性基板10の端部に達し、給電線29cが辺10bにおいて端部に達するとしてもよい。ただし、高アイソレーションを得るためには給電線間の距離が大きいことが好ましい。従って、給電線29a及び29bと、給電線29cとは、辺10a及び辺10bのような対向する辺において、絶縁性基板10の端部に達することが好ましい。また、受信用配線が1本である場合も同様に、給電線が異なる辺において絶縁性基板10の端部に達すればよい。上部導体層20は図6(a)に示したものを用いたが、例えば図3(a)に示したものを用いてもよい。ただし、より効果的に高アイソレーションを得るためには、図6(a)に示した上部導体層20を用いることが好ましい。   Further, for example, the power supply lines 29a and 29b may reach the end of the insulating substrate 10 at the side 10a, and the power supply line 29c may reach the end at the side 10b. However, in order to obtain high isolation, it is preferable that the distance between the feeder lines is large. Therefore, it is preferable that the power supply lines 29a and 29b and the power supply line 29c reach the end of the insulating substrate 10 at opposite sides such as the side 10a and the side 10b. Similarly, when there is only one reception wiring, it is only necessary to reach the end portion of the insulating substrate 10 at a side where the power supply line is different. Although the upper conductor layer 20 shown in FIG. 6A is used, for example, the upper conductor layer 20 shown in FIG. 3A may be used. However, in order to obtain high isolation more effectively, it is preferable to use the upper conductor layer 20 shown in FIG.

実施例4は、無電解メッキによりメッキ層を形成する例である。既述したように、上部導体層20及びフットパッド層26は、保護層としてメッキ層を含む。メッキ層を形成するために電解メッキを行う場合、給電のために給電線29を用いる(例えば図4(b)参照)。給電線29は、絶縁性基板10の端部に達するため環状電極30と重なる。このため、環状電極30を流れる電流と、給電線29とが結合して、アイソレーションが劣化する恐れがある。   Example 4 is an example in which a plating layer is formed by electroless plating. As described above, the upper conductor layer 20 and the foot pad layer 26 include a plating layer as a protective layer. When electrolytic plating is performed to form a plating layer, a power supply line 29 is used for power supply (see, for example, FIG. 4B). Since the feeder line 29 reaches the end of the insulating substrate 10, it overlaps the annular electrode 30. For this reason, there is a possibility that the current flowing through the annular electrode 30 and the feeder line 29 are coupled to each other and the isolation is deteriorated.

実施例4では、メッキ層を無電解メッキにより設けるとした。図13は、実施例4に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する平面図である。。上部導体層20は、例えば図9(a)に示したものと同じである。第1内部導体層22は、例えば図9(b)に示したものと同じである。フットパッド層26は、例えば図4(b)に示したものと同じである。   In Example 4, the plating layer was provided by electroless plating. FIG. 13 is a plan view illustrating the second inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the fourth embodiment. . The upper conductor layer 20 is the same as that shown in FIG. The first inner conductor layer 22 is the same as that shown in FIG. 9B, for example. The foot pad layer 26 is the same as that shown in FIG. 4B, for example.

図13に示すように、第2内部導体層24には給電線が含まれない。つまり、第2層10−2と第3層10−3との間には、受信用配線50a及び50b、又は送信用配線52のいずれかと接続され、かつ環状電極30と重なるような導体は設けられていない。また、上部導体層20、第1内部導体層22、及びフットパッド層26も給電線を含まない(図3(a)、図3(b)及び図4(b)参照)。   As shown in FIG. 13, the second inner conductor layer 24 does not include a feeder line. That is, between the second layer 10-2 and the third layer 10-3, there is provided a conductor that is connected to either the receiving wirings 50a and 50b or the transmitting wiring 52 and overlaps the annular electrode 30. It is not done. Further, the upper conductor layer 20, the first inner conductor layer 22, and the foot pad layer 26 also do not include a power supply line (see FIGS. 3A, 3B, and 4B).

実施例4によれば、上部導体層20及びフットパッド層26はメッキ層を含んでおり、メッキ層は無電解メッキにより形成される。このため、環状電極30と重なる給電線を設けなくてよい。従って、環状電極30を流れる電流と給電線との結合が抑制され、受信用フットパッド60a及び60bと送信用フットパッド62との間で、高アイソレーションを得ることが可能となる。   According to the fourth embodiment, the upper conductor layer 20 and the foot pad layer 26 include a plating layer, and the plating layer is formed by electroless plating. For this reason, it is not necessary to provide a feeder line overlapping the annular electrode 30. Therefore, the coupling between the current flowing through the annular electrode 30 and the power supply line is suppressed, and high isolation can be obtained between the reception foot pads 60 a and 60 b and the transmission foot pad 62.

上部導体層20として、図6(a)に示したものを用いたが、例えば図3(a)に示したものを用いてもよい。ただし、より効果的に高アイソレーションを得るためには、図6(a)に示した上部導体層20を用いることが好ましい。また、図13に示した第2内部導体層24以外に、例えば図4(a)又は図10に示した第2内部導体層24から、給電線を取り除いたものを用いてもよい。効果的に高アイソレーションを得るためには、図10に示したように、受信用配線50a及び送信用配線52、ビア配線28d及び28eの配置を変更したものを用いることが好ましい。   As the upper conductor layer 20, the one shown in FIG. 6A is used, but for example, the one shown in FIG. 3A may be used. However, in order to obtain high isolation more effectively, it is preferable to use the upper conductor layer 20 shown in FIG. In addition to the second inner conductor layer 24 shown in FIG. 13, for example, a member obtained by removing the feeder from the second inner conductor layer 24 shown in FIG. 4A or 10 may be used. In order to obtain high isolation effectively, it is preferable to use the one in which the arrangement of the reception wiring 50a, the transmission wiring 52, and the via wirings 28d and 28e is changed as shown in FIG.

実施例5は、導体層間の距離を変更する例である。図14(a)は、実施例5に係る分波器が備える絶縁性基板内の第1内部導体層を例示する上面図であり、図14(b)は、実施例5に係る分波器が備える絶縁性基板内の第2内部導体層を例示する上面図である。上部導体層20は、例えば図9(a)に示したものと同じである。フットパッド層26は、例えば図4(b)に示したものと同じである。   Example 5 is an example in which the distance between conductor layers is changed. FIG. 14A is a top view illustrating the first inner conductor layer in the insulating substrate included in the duplexer according to the fifth embodiment, and FIG. 14B is a duplexer according to the fifth embodiment. It is a top view which illustrates the 2nd inner conductor layer in an insulating substrate with which is provided. The upper conductor layer 20 is the same as that shown in FIG. The foot pad layer 26 is the same as that shown in FIG. 4B, for example.

図14(a)に示すように、第1内部導体層22(別の導体層)に含まれる受信用配線40a及び40b、並びに送信用配線42の各々(別の配線)は、ビア配線28と接続するための配線であり、絶縁性基板10の平面方向に延びる部分は有していない。   As shown in FIG. 14A, each of the reception wirings 40a and 40b and the transmission wiring 42 included in the first inner conductor layer 22 (another conductor layer) (another wiring) is connected to the via wiring 28. The wiring for connection does not have a portion extending in the planar direction of the insulating substrate 10.

図14(b)に示すように、第2内部導体層24(内部導体層)に含まれる受信用配線50a及び50b、送信用配線52の各々(配線)は、絶縁性基板10の平面方向に延びる部分を有する。このため、受信用配線50aは受信用配線40aよりも長い。受信用配線50bは受信用配線40bよりも長い。送信用配線52は送信用配線42よりも長い。このように、第2内部導体層24は、受信用配線のうち最長の受信用配線、及び送信用配線のうち最長の送信用配線を有する導体層である。   As shown in FIG. 14B, each of the reception wirings 50 a and 50 b and the transmission wiring 52 (wiring) included in the second inner conductor layer 24 (inner conductor layer) is in the plane direction of the insulating substrate 10. It has an extending part. For this reason, the receiving wiring 50a is longer than the receiving wiring 40a. The reception wiring 50b is longer than the reception wiring 40b. The transmission wiring 52 is longer than the transmission wiring 42. As described above, the second inner conductor layer 24 is a conductor layer having the longest reception wiring among the reception wirings and the longest transmission wiring among the transmission wirings.

図15は、実施例5に係る分波器が備える絶縁性基板を例示する断面図である。図15に示すように、第2内部導体層24と絶縁性基板10の上面との間における絶縁性基板10の厚さT1は、第2内部導体層24から絶縁性基板10の下面との間における絶縁性基板10の厚さT2より大きい。言い換えれば、絶縁性基板10の厚さ方向において、第2内部導体層24と上部導体層20との距離が、第2内部導体層24とフットパッド層26との距離よりも大きい。受信用配線50a及び50b、並びに送信用配線52の各々と環状電極30との距離は大きい。従って、実施例5によれば、環状電極30を流れる電流と、受信用配線50a及び50b、並びに送信用配線52とは結合しにくくなる。この結果、受信用フットパッド60a及び60bと送信用フットパッド62との間で、高アイソレーションを得ることが可能となる。   FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating an insulating substrate included in the duplexer according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 15, the thickness T <b> 1 of the insulating substrate 10 between the second inner conductor layer 24 and the upper surface of the insulating substrate 10 is between the second inner conductor layer 24 and the lower surface of the insulating substrate 10. It is larger than the thickness T2 of the insulating substrate 10 in FIG. In other words, in the thickness direction of the insulating substrate 10, the distance between the second inner conductor layer 24 and the upper conductor layer 20 is greater than the distance between the second inner conductor layer 24 and the foot pad layer 26. The distance between each of the receiving wires 50a and 50b and the transmitting wire 52 and the annular electrode 30 is large. Therefore, according to the fifth embodiment, it is difficult to combine the current flowing through the annular electrode 30 with the reception wirings 50a and 50b and the transmission wiring 52. As a result, high isolation can be obtained between the reception foot pads 60 a and 60 b and the transmission foot pad 62.

配線が長いほど、磁界にさらされる部分も長くなり、磁界の影響を受けやすくなる。第2内部導体層24が有する受信用配線50a及び50b、送信用配線52の各々は、第1内部導体層22が有する受信用配線40a及び40b、並びに送信用配線42の各々よりも長いため、より磁界の影響を受けやすい。言い換えれば、受信用配線50a及び50b、送信用配線52は、環状電極30を流れる電流と結合しやすい。実施例5では、長い配線を有する第2内部導体層24と環状電極30との距離を大きくするため、より効果的に高アイソレーションを得ることが可能となる。   The longer the wiring, the longer the portion exposed to the magnetic field and the more susceptible to the magnetic field. Since each of the reception wirings 50a and 50b and the transmission wiring 52 included in the second internal conductor layer 24 is longer than each of the reception wirings 40a and 40b and the transmission wiring 42 included in the first internal conductor layer 22, More susceptible to magnetic fields. In other words, the reception wirings 50 a and 50 b and the transmission wiring 52 are likely to be combined with the current flowing through the annular electrode 30. In Example 5, since the distance between the second inner conductor layer 24 having a long wiring and the annular electrode 30 is increased, high isolation can be obtained more effectively.

例えば、受信用配線のうち最長の受信用配線、及び送信用配線のうち最長の送信用配線を有する導体層が第1内部導体層22である場合、第1内部導体層22と絶縁性基板10の上面との間における絶縁性基板10の厚さを、第1内部導体層22と絶縁性基板10の下面との間における絶縁性基板10の厚さよりも大きくすればよい。また例えば、第1内部導体層22が、最長の送信用配線及び最長の受信用配線のいずれか一方を有し、第2内部導体層24が最長の送信用配線及び最長の受信用配線のいずれか他方を有する場合もある。この場合、第1内部導体層22と絶縁性基板10の上面との間における絶縁性基板10の厚さを、第1内部導体層22と絶縁性基板10の下面との間における絶縁性基板10の厚さよりも大きくする。また、第2内部導体層24と絶縁性基板10の上面との間における絶縁性基板10の厚さを、第2内部導体層24と絶縁性基板10の下面との間における絶縁性基板10の厚さよりも大きくすればよい。内部導体層が3つ以上の場合でも、上記と同様にすればよい。さらに、内部導体層が1つの場合、1つの導体層と絶縁性基板10の上面との間における絶縁性基板10の厚さを、1つの内部導体層22と絶縁性基板10の下面との間における絶縁性基板10の厚さよりも大きくすればよい。   For example, when the conductor layer having the longest receiving wire among the receiving wires and the longest transmitting wire among the transmitting wires is the first inner conductor layer 22, the first inner conductor layer 22 and the insulating substrate 10. The thickness of the insulating substrate 10 between the upper surface and the upper surface of the insulating substrate 10 may be larger than the thickness of the insulating substrate 10 between the first inner conductor layer 22 and the lower surface of the insulating substrate 10. Further, for example, the first inner conductor layer 22 has one of the longest transmission wiring and the longest reception wiring, and the second inner conductor layer 24 has either the longest transmission wiring or the longest reception wiring. Or have the other. In this case, the thickness of the insulating substrate 10 between the first inner conductor layer 22 and the upper surface of the insulating substrate 10 is set to be the insulating substrate 10 between the first inner conductor layer 22 and the lower surface of the insulating substrate 10. Make it larger than the thickness. In addition, the thickness of the insulating substrate 10 between the second inner conductor layer 24 and the upper surface of the insulating substrate 10 is set to be the thickness of the insulating substrate 10 between the second inner conductor layer 24 and the lower surface of the insulating substrate 10. It may be larger than the thickness. Even when there are three or more internal conductor layers, the same process as described above may be used. Further, when there is one inner conductor layer, the thickness of the insulating substrate 10 between one conductor layer and the upper surface of the insulating substrate 10 is set between one inner conductor layer 22 and the lower surface of the insulating substrate 10. The thickness may be larger than the thickness of the insulating substrate 10 in FIG.

上部導体層20は図6(a)に示したものを用いたが、例えば図3(a)に示したものを用いてもよい。ただし、より効果的に高アイソレーションを得るためには、図6(a)に示した上部導体層20を用いることが好ましい。また、第2内部導体層24は、実施例2と同様に、配線、ビア配線、及び給電線の配置を変更したものを採用した。構成はこれに限定されず、例えば図4(a)に示したような第2内部導体層24を採用してもよい。ただし、効果的に高アイソレーションを得るためには、図14(b)に示したような第2内部導体層24を採用することが好ましい。   Although the upper conductor layer 20 shown in FIG. 6A is used, for example, the upper conductor layer 20 shown in FIG. 3A may be used. However, in order to obtain high isolation more effectively, it is preferable to use the upper conductor layer 20 shown in FIG. In addition, the second inner conductor layer 24 was changed in the arrangement of the wiring, the via wiring, and the feeder line as in the second embodiment. The configuration is not limited to this, and for example, a second inner conductor layer 24 as shown in FIG. However, in order to effectively obtain high isolation, it is preferable to employ the second inner conductor layer 24 as shown in FIG.

実施例6は、フットパッドの位置を変更する例である。図16(a)は、実施例6に係る分波器が備える絶縁性基板の下部導体層を例示する平面図であり、図16(b)は、実施例6に係る分波器が備える絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図である。   Example 6 is an example in which the position of the foot pad is changed. FIG. 16A is a plan view illustrating the lower conductor layer of the insulating substrate included in the duplexer according to the sixth embodiment, and FIG. 16B is the insulation included in the duplexer according to the sixth embodiment. It is a top view which illustrates the upper conductor layer of a conductive substrate.

図16(a)に示すように、フットパッド層26が備える受信用フットパッド60aは、絶縁性基板10の辺10aに沿って設けられている。受信用フットパッド60bは、絶縁性基板10の辺10aと辺10bとが交わる角付近に設けられている。送信用フットパッド62は、絶縁性基板10の辺10cに沿って設けられている。言い換えれば、図4(b)の場合から、送信用フットパッド62の位置を辺10cの中央付近に変更した。このように、受信用フットパッド60a及び60bと、送信用フットパッド62とは、絶縁性基板10の異なる辺に沿って設けられている。この結果、受信用フットパッド60a及び60bと、送信用フットパッド62との距離が大きくなる。   As shown in FIG. 16A, the receiving foot pad 60 a included in the foot pad layer 26 is provided along the side 10 a of the insulating substrate 10. The receiving foot pad 60b is provided near the corner where the side 10a and the side 10b of the insulating substrate 10 intersect. The transmission foot pad 62 is provided along the side 10 c of the insulating substrate 10. In other words, from the case of FIG. 4B, the position of the transmission foot pad 62 is changed to the vicinity of the center of the side 10c. Thus, the receiving foot pads 60 a and 60 b and the transmitting foot pad 62 are provided along different sides of the insulating substrate 10. As a result, the distance between the reception foot pads 60a and 60b and the transmission foot pad 62 increases.

図16(b)に示すように、送信用フットパッド62の位置を変更したことに伴い、上部導体層20が備える送信用パッド34の位置も変更される。具体的には、図6(a)において辺10bと辺10cとが交わる角付近(図16(b)中の破線の楕円)に設けられていた送信用パッド34が、辺10cの中央付近に設けられる。このため、受信用パッド32a及び32bと、送信用パッド34との距離が大きくなる。この結果、高アイソレーションの確保が可能となる。また、受信用パッド32a及び32bと、送信用パッド34との間において、環状電極30は曲がる。環状電極30が曲がることで、環状電極30を流れる電流に損失が生じる。この結果、受信用フットパッド60a及び60bと送信用フットパッド62との間で、高アイソレーションを得ることが可能となる。   As shown in FIG. 16B, the position of the transmission pad 34 included in the upper conductor layer 20 is also changed in accordance with the change in the position of the transmission foot pad 62. Specifically, the transmission pad 34 provided in the vicinity of the corner where the side 10b and the side 10c intersect in FIG. 6A (the dashed ellipse in FIG. 16B) is near the center of the side 10c. Provided. For this reason, the distance between the receiving pads 32a and 32b and the transmitting pad 34 is increased. As a result, high isolation can be ensured. Further, the annular electrode 30 bends between the receiving pads 32 a and 32 b and the transmitting pad 34. Bending the annular electrode 30 causes a loss in the current flowing through the annular electrode 30. As a result, high isolation can be obtained between the reception foot pads 60 a and 60 b and the transmission foot pad 62.

図16(a)に示した構成以外でも、受信用フットパッド60a及び60bと、送信用フットパッド62とが異なる辺に沿って設けられていればよい。このとき、高アイソレーション確保のためには、受信用フットパッド60a及び60bと、送信用フットパッド62との距離が大きくなることが好ましい。このため、例えば図16(a)に示したように、受信用フットパッド60aと送信用フットパッド62とが、接地用フットパッド64aを挟んで対向することが好ましい。また、例えば送信用フットパッド62が、受信用フットパッド60bと対角線で結ばれるような位置(例えば図16(b)の接地用フットパッド64cの位置)に設けられるとしてもよい。   In addition to the configuration shown in FIG. 16A, the reception foot pads 60a and 60b and the transmission foot pad 62 may be provided along different sides. At this time, in order to ensure high isolation, it is preferable that the distance between the receiving foot pads 60a and 60b and the transmitting foot pad 62 is increased. Therefore, for example, as shown in FIG. 16A, it is preferable that the reception foot pad 60a and the transmission foot pad 62 face each other with the grounding foot pad 64a interposed therebetween. Further, for example, the transmission foot pad 62 may be provided at a position (for example, the position of the grounding foot pad 64c in FIG. 16B) that is diagonally connected to the reception foot pad 60b.

上部導体層20として、図6(a)に示したものを用いたが、例えば図3(a)に示したものを用いてもよい。ただし、より効果的に高アイソレーションを得るためには、図6(a)に示した上部導体層20を用いることが好ましい。また、第2内部導体層24としては、例えば図4(a)又は図10に示した第2内部導体層24のどちらを用いてもよい。ただし、効果的に高アイソレーションを得るためには、図10に示したものが好ましい。   As the upper conductor layer 20, the one shown in FIG. 6A is used, but for example, the one shown in FIG. 3A may be used. However, in order to obtain high isolation more effectively, it is preferable to use the upper conductor layer 20 shown in FIG. As the second inner conductor layer 24, for example, either the second inner conductor layer 24 shown in FIG. 4A or FIG. 10 may be used. However, in order to effectively obtain high isolation, the one shown in FIG. 10 is preferable.

次に、環状電極30が設けられる位置について説明する。図2(b)及び図3(a)において説明したように、環状電極30は封止のために用いられる。封止のためには、環状電極30が、受信用パッド32a及び32b、送信用パッド34、接地用パッド36a、36b及び36c、並びにアンテナ用パッド38を囲んでいればよい。このため、環状電極30は、実施例で説明した構成とは別の構成を有するとしてもよい。   Next, the position where the annular electrode 30 is provided will be described. As described in FIGS. 2B and 3A, the annular electrode 30 is used for sealing. For sealing, the annular electrode 30 may surround the receiving pads 32a and 32b, the transmitting pad 34, the grounding pads 36a, 36b and 36c, and the antenna pad 38. For this reason, the annular electrode 30 may have a configuration different from the configuration described in the embodiment.

図17は、別の構成を有する環状電極を有する絶縁性基板の上部導体層を例示する平面図である。図の簡略化のため、受信用パッド32a及び32b、送信用パッド34、接地用パッド36a、36b及び36c、並びにアンテナ用パッド38は省略して図示した。   FIG. 17 is a plan view illustrating an upper conductor layer of an insulating substrate having an annular electrode having another configuration. For simplification of the drawing, the receiving pads 32a and 32b, the transmitting pad 34, the grounding pads 36a, 36b and 36c, and the antenna pad 38 are omitted.

図17に示すように、環状電極30は、絶縁性基板10の外周から距離Xの位置に設けられている。環状電極30は、受信用パッド32a及び32b、送信用パッド34、接地用パッド36a、36b及び36c、並びにアンテナ用パッド38を囲んでいる。従って、気密封止は可能である。しかしながら、環状電極30が絶縁性基板10の外周に沿っていないため、環状電極30と絶縁性基板10の外周との間に、スペースが生じる。このようなスペースは、分波器の小型化の妨げとなる。従って、分波器の小型化のためには、例えば図6(a)、図8、図9(a)及び図16(b)に例示したように、環状電極30は絶縁性基板10の外周に沿って設けられていることが好ましい。また実施例では環状電極30がリング状である例を示したが、環状電極30はリング状でなくてもよい。つまり、環状電極30に切れ目が設けられていてもよい。   As shown in FIG. 17, the annular electrode 30 is provided at a distance X from the outer periphery of the insulating substrate 10. The annular electrode 30 surrounds the receiving pads 32a and 32b, the transmitting pad 34, the grounding pads 36a, 36b and 36c, and the antenna pad 38. Therefore, hermetic sealing is possible. However, since the annular electrode 30 is not along the outer periphery of the insulating substrate 10, a space is generated between the annular electrode 30 and the outer periphery of the insulating substrate 10. Such a space hinders the size reduction of the duplexer. Accordingly, in order to reduce the size of the duplexer, for example, as illustrated in FIGS. 6A, 8, 9 A and 16 B, the annular electrode 30 is formed on the outer periphery of the insulating substrate 10. It is preferable that it is provided along. Moreover, although the example in which the annular electrode 30 has a ring shape has been described in the embodiments, the annular electrode 30 may not have a ring shape. That is, the annular electrode 30 may be provided with a cut.

受信フィルタF1及び送信フィルタF2としては、例えば圧電絶縁性基板にIDT(Inter Digital Transducer)を形成したSAWフィルタ、又は弾性境界波フィルタ、さらに圧電薄膜共振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)を用いたフィルタを採用することができる。実施例では、分波器がW−CDMA Band1方式に対応するとしたが、例えばW−CDMA Band2方式、GSM(Global System for Mobile Communication)方式等、他の通信方式に対応しているとしてもよい。   As the reception filter F1 and the transmission filter F2, for example, a SAW filter in which an IDT (Inter Digital Transducer) is formed on a piezoelectric insulating substrate, a boundary acoustic wave filter, or a piezoelectric thin film resonator (FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator) is used. A filter can be employed. In the embodiment, the duplexer is compatible with the W-CDMA Band 1 system, but may be compatible with other communication systems such as the W-CDMA Band 2 system and the GSM (Global System for Mobile Communication) system.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

絶縁性基板 10
辺 10a、10b、10c
封止部 14
上部導体層 20
第1内部導体層 22
第2内部導体層 24
フットパッド層 26
ビア配線 28、28a、28b、28c
給電線 29、29a、29b、29c、29d
環状電極 30
領域 30a、30b、30c、30d、30e、30f
受信用パッド 32a、32b
送信用パッド 34
接地用パッド 36a、36b、36c
アンテナ用パッド 38
受信用配線 40a、40b、50a、50b
送信用配線 42、52
接地用配線 44a、44b、44c、54a、54b、54c、54d、54e
アンテナ用配線 46、56
受信用フットパッド 60a、60b
送信用フットパッド 62
接地用フットパッド 64a、64b、64c、64d、64e
分波器 100
アンテナ端子 Ant
受信フィルタ F1
送信フィルタ F2
Insulating substrate 10
Side 10a, 10b, 10c
Sealing part 14
Upper conductor layer 20
First inner conductor layer 22
Second inner conductor layer 24
Footpad layer 26
Via wiring 28, 28a, 28b, 28c
Feed line 29, 29a, 29b, 29c, 29d
Annular electrode 30
Region 30a, 30b, 30c, 30d, 30e, 30f
Reception pad 32a, 32b
Transmission pad 34
Grounding pads 36a, 36b, 36c
Antenna pad 38
Receiving wiring 40a, 40b, 50a, 50b
Transmission wiring 42, 52
Grounding wiring 44a, 44b, 44c, 54a, 54b, 54c, 54d, 54e
Antenna wiring 46, 56
Reception foot pad 60a, 60b
Foot pad for transmission 62
Grounding foot pads 64a, 64b, 64c, 64d, 64e
Demultiplexer 100
Antenna terminal Ant
Receive filter F1
Transmission filter F2

Claims (15)

上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載し、下面に前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの各々と電気的に接続するフットパッド層を有する絶縁性基板と、
前記上面に設けられ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、
前記上面に設けられ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、
前記上面に設けられ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、
前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、
前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器
An insulating substrate having a foot pad layer mounted on the upper surface with a transmission filter and a reception filter and electrically connected to each of the transmission filter and the reception filter on the lower surface;
A transmission pad provided on the upper surface and electrically connected to the transmission filter;
A receiving pad provided on the upper surface and electrically connected to the receiving filter;
An annular electrode provided on the upper surface and surrounding the transmitting pad and the receiving pad;
A grounding footpad included in the footpad layer;
The annular electrode is provided in a region along a short path among the paths connecting the transmitting pad and the receiving pad, and the annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad, Equipped,
The via wiring and connection areas of the annular electrode, a duplexer said than the via wiring and a region other than the connected region of the annular electrode, characterized in that wider.
上面に上部導体層を備え、下面に送信フィルタ及び受信フィルタの各々と電気的に接続するフットパッド層を備え、前記上面に前記送信フィルタ及び前記受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、
を具備し、
前記上部導体層及び前記フットパッド層は、電解メッキにより形成されたメッキ層を含み、
各々が、前記絶縁性基板の内部に設けられ、かつ前記絶縁性基板の端部まで延び、前記上部導体層及び前記フットパッド層と電気的に接続された、前記電解メッキを行うための給電に用いられる複数の給電線を備え、
前記複数の給電線のうち、前記送信用パッド又は前記受信用パッドと電気的に接続され、かつ前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う方向に延びる領域と重なる給電線は1本であることを特徴とする分波器
An upper conductor layer on the upper surface, a foot pad layer electrically connected to each of the transmission filter and the reception filter on the lower surface, an insulating substrate on which the transmission filter and the reception filter are mounted on the upper surface;
A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter;
A receiving pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the receiving filter;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the transmitting pad and the receiving pad;
Comprising
The upper conductor layer and the foot pad layer include a plating layer formed by electrolytic plating,
Each is provided inside the insulating substrate and extends to an end portion of the insulating substrate, and is electrically connected to the upper conductor layer and the foot pad layer to supply power for the electrolytic plating. With multiple feed lines used,
Of the plurality of power supply lines, a direction that is electrically connected to the transmission pad or the reception pad and that is along a short path of the annular electrode that connects the transmission pad and the reception pad. A duplexer characterized in that there is one feeder line that overlaps the region extending in the direction.
上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、
前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、
前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、
前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、
前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、
前記配線は、前記絶縁性基板の上面から見て前記環状電極の前記配線の最も近い領域とは平行ではなく、
前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器。
An insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, an inner conductor layer is provided on an inner surface, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface;
A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter;
A receiving pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the receiving filter;
A signal pad that is at least one of the transmission pad and the reception pad;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the transmitting pad and the receiving pad;
A signal foot pad included in the foot pad layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad;
A grounding footpad included in the footpad layer;
A wiring included in the inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
The annular electrode is provided in a region along a short path among the paths connecting the transmitting pad and the receiving pad, and the annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad , Equipped,
The wiring is above parallel to the closest region of the wiring of the annular electrode when viewed from the upper surface of the insulating substrate rather than,
The duplexer, wherein a region of the annular electrode connected to the via wiring is wider than a region other than a region of the annular electrode connected to the via wiring .
上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、
前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、
前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、
前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、
前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、
前記内部導体層と前記上面との間における前記絶縁性基板の厚さは、前記内部導体層と前記下面との間における前記絶縁性基板の厚さよりも大きく、
前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器。
An insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, an inner conductor layer is provided on an inner surface, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface;
A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter;
A receiving pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the receiving filter;
A signal pad that is at least one of the transmission pad and the reception pad;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the transmitting pad and the receiving pad;
A signal foot pad included in the foot pad layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad;
A grounding footpad included in the footpad layer;
A wiring included in the inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
The annular electrode is provided in a region along a short path among the paths connecting the transmitting pad and the receiving pad, and the annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad , Equipped,
Wherein the insulating thickness of the substrate between the inner conductor layer and the upper surface is much larger than the thickness of the insulating substrate between the said lower surface and said inner conductor layer,
The duplexer, wherein a region of the annular electrode connected to the via wiring is wider than a region other than a region of the annular electrode connected to the via wiring .
上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に第1内部導体層および第2内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、
前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、
前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、
前記第1内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された第1配線と、
前記第2内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された第2配線と、
前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、
前記第1内部導体層と前記第2内部導体層とのうち、前記第1配線と前記第2配線とのうち長い方の配線を含む内部導体層と前記上面との間における前記絶縁性基板の厚さは、前記内部導体層と前記下面との間における前記絶縁性基板の厚さよりも大きく、
前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器
An insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, a first inner conductor layer and a second inner conductor layer are provided therein, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface;
A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter;
A receiving pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the receiving filter;
A signal pad that is at least one of the transmission pad and the reception pad;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the transmitting pad and the receiving pad;
A signal foot pad included in the foot pad layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad;
A grounding footpad included in the footpad layer;
A first wiring included in the first inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
A second wiring included in the second inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
The annular electrode is provided in a region along a short path among the paths connecting the transmitting pad and the receiving pad, and the annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad, Equipped,
Of the first inner conductor layer and the second inner conductor layer, the insulating substrate between the upper surface and the inner conductor layer including the longer one of the first wiring and the second wiring. The thickness is greater than the thickness of the insulating substrate between the inner conductor layer and the lower surface,
The via wiring and connection areas of the annular electrode, a duplexer said than the via wiring and a region other than the connected region of the annular electrode, characterized in that wider.
上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドと、
前記送信用パッド及び前記受信用パッドの少なくとも一方である信号用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、
前記フットパッド層に含まれる接地用フットパッドと、
前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、
前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路に沿う領域に設けられ、前記環状電極と、前記接地用フットパッドと電気的に接続するビア配線と、を具備し、
前記配線は、前記絶縁性基板の上面から見て前記環状電極と重ならず、
前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域は、前記環状電極の前記ビア配線と接続された領域以外の領域よりも、幅が広いことを特徴とする分波器。
An insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, an inner conductor layer is provided on an inner surface, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface;
A transmission pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the transmission filter;
A receiving pad included in the upper conductor layer and electrically connected to the receiving filter;
A signal pad that is at least one of the transmission pad and the reception pad;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the transmitting pad and the receiving pad;
A signal foot pad included in the foot pad layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad;
A grounding footpad included in the footpad layer;
A wiring included in the inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
The annular electrode is provided in a region along a short path among the paths connecting the transmitting pad and the receiving pad, and the annular electrode and a via wiring electrically connected to the grounding foot pad , Equipped,
The wiring does not overlap the annular electrode when viewed from the top surface of the insulating substrate ,
The duplexer, wherein a region of the annular electrode connected to the via wiring is wider than a region other than a region of the annular electrode connected to the via wiring .
前記絶縁性基板の上面から見て前記環状電極と重ならないように設けられ、前記配線と電気的に接続された別のビア配線を具備することを特徴とする請求項3から6いずれか一項記載の分波器。 7. The device according to claim 3 , further comprising another via wiring that is provided so as not to overlap the annular electrode when viewed from the upper surface of the insulating substrate and is electrically connected to the wiring. The duplexer described. 前記信号用パッドは前記受信用パッドであり、
前記信号用フットパッドは受信用フットパッドであることを特徴とする請求項3から7いずれか一項記載の分波器。
The signal pads are the receiving pad,
8. The duplexer according to claim 3, wherein the signal foot pad is a reception foot pad.
前記受信用パッドは、複数の受信用パッドであり
前記信号用パッドは、前記複数の受信用パッドのうち、前記送信用パッドに近い受信用パッドであることを特徴とする請求3から7いずれか一項記載の分波器。
The receiving pad is a plurality of receiving pads,
The duplexer according to any one of claims 3 to 7 , wherein the signal pad is a reception pad that is close to the transmission pad among the plurality of reception pads.
前記信号用パッドは前記送信用パッドであり、
前記信号用フットパッドは送信用フットパッドであることを特徴とする請求項3から7いずれか一項記載の分波器。
The signal pads are the transmission pad,
8. The duplexer according to claim 3, wherein the signal foot pad is a transmission foot pad.
前記信号用パッドは、前記送信用パッド及び前記受信用パッドを含み、
複数の前記信号用フットパッドは、送信用フットパッド及び受信用フットパッドを含むことを特徴とする請求項3から7いずれか一項記載の分波器。
The signal pads may include the transmission pad and the receiving pad,
The duplexer according to any one of claims 3 to 7 , wherein the plurality of signal foot pads include a transmission foot pad and a reception foot pad.
前記上部導体層及び前記フットパッド層は、無電解メッキにより形成されたメッキ層を含むことを特徴とする請求項3から11いずれか一項記載の分波器。 The duplexer according to any one of claims 3 to 11, wherein the upper conductor layer and the foot pad layer include a plating layer formed by electroless plating. 上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記信号用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、
前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、を具備し、
前記上部導体層及び前記フットパッド層は、電解メッキにより形成されたメッキ層を含み、
前記上部導体層は、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドを含み、
前記内部導体層に含まれ、かつ前記絶縁性基板の端部まで延び、前記配線と電気的に接続された、前記電解メッキを行うための給電に用いられる給電線を備え、
1本の前記配線と電気的に接続され、かつ前記環状電極の、前記送信用パッドと前記受信用パッドとを結ぶ経路のうち短い経路の方向に延びる領域と重なる前記給電線は1本であることを特徴とする分波器
An insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, an inner conductor layer is provided on an inner surface, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface;
A signal pad included in the upper conductor layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the signal pad;
A signal foot pad included in the foot pad layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad;
A wiring included in the inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
The upper conductor layer and the foot pad layer include a plating layer formed by electrolytic plating,
The upper conductor layer includes a transmission pad electrically connected to the transmission filter, and a reception pad electrically connected to the reception filter,
A power supply line that is included in the inner conductor layer and extends to an end of the insulating substrate and is electrically connected to the wiring and used for power supply for performing the electrolytic plating;
There is one feeding line that is electrically connected to one of the wirings and overlaps with a region of the annular electrode that extends in the direction of a short path among the paths connecting the transmitting pad and the receiving pad. A duplexer characterized by that .
上面に上部導体層を備え、下面にフットパッド層を備え、内部に内部導体層を備え、前記上面に送信フィルタ及び受信フィルタを搭載する絶縁性基板と、
前記上部導体層に含まれ、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用パッドと、
前記上部導体層に含まれ、前記信号用パッドを囲む環状電極と、
前記フットパッド層に含まれ、前記信号用パッドを介して、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方と電気的に接続される信号用フットパッドと、
前記内部導体層に含まれ、前記信号用パッド及び前記信号用フットパッドと電気的に接続された配線と、を具備し、
前記上部導体層及び前記フットパッド層は、電解メッキにより形成されたメッキ層を含み、
前記上部導体層は、前記送信フィルタと電気的に接続される送信用パッドと、前記受信フィルタと電気的に接続される受信用パッドを含み、
各々が、前記内部導体層に含まれ、かつ前記絶縁性基板の端部まで延び、前記配線と電気的に接続された、前記電解メッキを行うための給電に用いられる複数の給電線を備え、
前記複数の給電線のうち、前記送信用パッドと電気的に接続された給電線と、前記受信用パッドと電気的に接続された給電線とは、前記絶縁性基板の異なる辺において、前記絶縁性基板の端部に達することを特徴とする分波器
An insulating substrate on which an upper conductor layer is provided on an upper surface, a foot pad layer is provided on a lower surface, an inner conductor layer is provided on an inner surface, and a transmission filter and a reception filter are mounted on the upper surface;
A signal pad included in the upper conductor layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter;
An annular electrode included in the upper conductor layer and surrounding the signal pad;
A signal foot pad included in the foot pad layer and electrically connected to at least one of the transmission filter and the reception filter via the signal pad;
A wiring included in the inner conductor layer and electrically connected to the signal pad and the signal foot pad;
The upper conductor layer and the foot pad layer include a plating layer formed by electrolytic plating,
The upper conductor layer includes a transmission pad electrically connected to the transmission filter, and a reception pad electrically connected to the reception filter,
Each includes a plurality of power supply lines that are included in the inner conductor layer, extend to the end of the insulating substrate, and are electrically connected to the wiring and used for power supply for the electrolytic plating,
Among the plurality of power supply lines, a power supply line electrically connected to the transmission pad and a power supply line electrically connected to the reception pad are separated from each other at different sides of the insulating substrate. A branching filter that reaches the end of a conductive substrate.
前記環状電極は、前記絶縁性基板の外周に沿って設けられていることを特徴とする請求項1から14いずれか一項記載の分波器。 It said annular electrode, the duplexer of claims 1 to 14, wherein any one, characterized in that is provided along the outer periphery of the insulating substrate.
JP2010258181A 2010-11-18 2010-11-18 Duplexer Active JP5653187B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010258181A JP5653187B2 (en) 2010-11-18 2010-11-18 Duplexer
US13/291,269 US8907740B2 (en) 2010-11-18 2011-11-08 Duplexer
CN201110366224.0A CN102571030B (en) 2010-11-18 2011-11-17 Duplexer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010258181A JP5653187B2 (en) 2010-11-18 2010-11-18 Duplexer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012109865A JP2012109865A (en) 2012-06-07
JP5653187B2 true JP5653187B2 (en) 2015-01-14

Family

ID=46063810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010258181A Active JP5653187B2 (en) 2010-11-18 2010-11-18 Duplexer

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8907740B2 (en)
JP (1) JP5653187B2 (en)
CN (1) CN102571030B (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010047031A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 株式会社 村田製作所 Electronic component and method for manufacturing the same
JP5583612B2 (en) * 2011-01-31 2014-09-03 太陽誘電株式会社 Duplexer
US9793874B2 (en) * 2014-05-28 2017-10-17 Avago Technologies General Ip Singapore (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator with electrical interconnect disposed in underlying dielectric
CN113556096B (en) * 2021-07-26 2024-03-19 苏州汉天下电子有限公司 Packaging substrate for duplexer and duplexer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040263386A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 King Thomas M. Satellite positioning system receivers and methods
US7298231B2 (en) 2004-05-27 2007-11-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
WO2006006343A1 (en) 2004-07-14 2006-01-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
JP4518870B2 (en) * 2004-08-24 2010-08-04 京セラ株式会社 Surface acoustic wave device and communication device
JP4412123B2 (en) 2004-09-09 2010-02-10 エプソントヨコム株式会社 Surface acoustic wave device
JP4091043B2 (en) 2004-12-22 2008-05-28 富士通メディアデバイス株式会社 Duplexer
WO2009028683A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Kyocera Corporation Electronic parts

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012109865A (en) 2012-06-07
CN102571030B (en) 2015-01-07
US20120126912A1 (en) 2012-05-24
US8907740B2 (en) 2014-12-09
CN102571030A (en) 2012-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111355495B (en) High frequency module
JP5777694B2 (en) Duplexer, duplexer module and communication device
JP5334924B2 (en) Demultiplexer, communication module component, and communication device
JP6057024B2 (en) High frequency module
US20200211998A1 (en) Radio-frequency module and communication device
JP5230270B2 (en) Duplexer and wireless communication equipment
KR100697767B1 (en) Antenna duplexer and electronic device
JP4926179B2 (en) Circuit board for duplexer device, duplexer, and communication apparatus
CN213213452U (en) High-frequency module and communication device
JP5583977B2 (en) Filter, duplexer, communication module, and communication device
JP2009296508A (en) Branching filter
JP4781969B2 (en) Circuit board for duplexer device, duplexer, and communication apparatus
JP2006014296A (en) Surface acoustic wave device and communication device
US9070963B2 (en) Duplexer
CN213213454U (en) High-frequency module and communication device
JP5653187B2 (en) Duplexer
JP5583612B2 (en) Duplexer
CN112751583B (en) High-frequency module and communication device
US8766744B2 (en) Duplexer and electronic device having the same
CN213879808U (en) High-frequency module and communication device
JP3710445B2 (en) Antenna duplexer
JP5937477B2 (en) Demultiplexer and communication module parts
JP6250935B2 (en) High frequency module
US20230112175A1 (en) Radio-frequency module and communication device
CN116918256A (en) High-frequency module and communication device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131007

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5653187

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250