JP5635259B2 - Dual-band antenna array and RF front end for automotive radar - Google Patents

Dual-band antenna array and RF front end for automotive radar Download PDF

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Description

本特許出願は、2008年4月4日出願の「3次元集積自動車用レーダーおよびその製造方法」と題され、本譲受人に譲渡され、かつここに参照によって明示的に組み込まれる同時継続中の米国出願第12/098,283号に基づいて優先権を主張し、かつその部分継続出願である。   This patent application is entitled “Three Dimensional Integrated Vehicle Radar and its Manufacturing Method” filed Apr. 4, 2008, assigned to the assignee and expressly incorporated herein by reference. Claimed priority based on US application Ser. No. 12 / 098,283, and is a partial continuation application thereof.

本発明は、低コストの3次元集積自動車用レーダーおよびその製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、自動車用レーダーのデュアルバンドアンテナアレイおよびRFフロントエンドに関し、このRFフロントエンドは長距離狭帯域レーダーと短距離超広帯域レーダーとを結合するものである。   The present invention relates to a low-cost three-dimensional integrated automobile radar and a manufacturing method thereof. More particularly, the present invention relates to a dual-band antenna array and RF front end for automotive radar, which combines a long-range narrowband radar and a short-range ultra-wideband radar.

自動車用レーダーシステムは、現在、多くの高級車に備え付けられている。自動車用レーダーシステムは、過去数年にわたり、交通条件に合わせて自動車の速度を検知しかつ調整するために、知的走行制御システムと共に用いられてきた。今日、自動車用レーダーシステムは、衝突回避のために自動車の周囲をモニタするための能動的安全装置と共に使用されている。現在の自動車用レーダーシステムは、長距離用(適応走行制御および衝突警告のために)および短距離用(衝突前、衝突緩和、駐車支援、見えない場所の検出等)に分けられる。例えば24GHz短距離レーダーシステムおよび77GHz長距離レーダーシステムの、典型的には15×15×15cmの大きさの二個あるいはそれ以上のレーダーシステムが、長距離および短距離検出を提供するために使用される。   Automotive radar systems are currently installed in many luxury vehicles. Over the past few years, automotive radar systems have been used with intelligent cruise control systems to detect and adjust the speed of a vehicle to meet traffic conditions. Today, automotive radar systems are used with active safety devices to monitor the surroundings of a vehicle for collision avoidance. Current automotive radar systems are divided into long distance (for adaptive cruise control and collision warning) and short distance (pre-collision, collision mitigation, parking assistance, invisible location detection, etc.). Two or more radar systems, typically 15 × 15 × 15 cm in size, for example 24 GHz short range radar system and 77 GHz long range radar system, are used to provide long range and short range detection. The

従来の自動車用レーダーシステムは幾つかの欠点を有している。例えば、従来では複数のレーダーシステムが別個に自動車に取付けられるので、かなりのスペースが必要であり、無駄が多い。レーダーシステムを追加する毎に、各レーダーシステムの実装および組立てのコストが増加する。各レーダーシステムを適正に動作させるために、各レーダーシステムの上部に配置する機材は、その機材がRFに対して透明であるように注意して選択する必要がある。複数のRF透明領域が車両のフロント、サイドおよびリアにおいて必要であるため、多重レーダーシステムのコストはさらに増加する。このように、レーダーシステムの数が増加すると、実装、組立て、取付けおよび機材コストが増加する。   Conventional automotive radar systems have several drawbacks. For example, conventionally, since a plurality of radar systems are separately attached to a vehicle, a considerable space is required and wasteful. Each additional radar system increases the cost of mounting and assembly of each radar system. In order for each radar system to operate properly, the equipment placed on top of each radar system must be carefully selected so that the equipment is transparent to RF. The cost of multiple radar systems is further increased because multiple RF transparent areas are required at the front, side and rear of the vehicle. Thus, as the number of radar systems increases, mounting, assembly, installation and equipment costs increase.

本発明がなされた時点での、本発明に関連する技術の一般的水準を示す文献として、以下の特許文献1乃至3が存在する。The following patent documents 1 to 3 exist as documents showing the general level of the technology related to the present invention at the time of the present invention.

米国特許第7187334号U.S. Pat. No. 7,187,334 米国特許第7109922号U.S. Pat. No. 7,109,922 米国特許第6686867号US Pat. No. 6,668,867

従って、デュアルバンドアンテナアレイと、長距離狭帯域レーダーおよび短距離超広域レーダーを結合するRFフロントエンドとを有する、低コストの3次元集積自動車用レーダーに対する必要性が、この技術分野において存在する。   Accordingly, there is a need in the art for a low cost three-dimensional integrated automotive radar having a dual band antenna array and an RF front end that combines long range narrowband radar and short range ultra wide area radar.

本発明は、デュアルバンドアンテナアレイと、長距離狭帯域レーダー(例えば、77GHz)および短距離超広域レーダー(例えば、24GHz)を結合するRFフロントエンドと、を形成する、低コストでコンパクトな3−D集積自動車用レーダーである。このコンパクトな3−D集積自動車用レーダーは、製造、組立ておよび取付けコストを著しく減少する。さらに、3−DRF組立て技術を使用することによって、アンテナとチップ間での必要な接続数および移行数が最小化され、そのためレーダーのノイズおよび感度が改善される。さらに、コンパクトな3−D集積自動車用レーダーは、車両上に、レーダーセンサを取付けるために必要な空間(例えば、フロントおよびリアバンパー)、配線および車両上の複数の位置におけるRF透明機材を減らす。   The present invention forms a dual-band antenna array and an RF front end that couples long-range narrowband radar (eg, 77 GHz) and short-range ultra-wide area radar (eg, 24 GHz), and is a low-cost, compact 3- D-integrated automotive radar. This compact 3-D integrated automotive radar significantly reduces manufacturing, assembly and installation costs. In addition, the use of 3-DRF assembly techniques minimizes the number of connections and transitions required between the antenna and the chip, thus improving radar noise and sensitivity. Further, the compact 3-D integrated automotive radar reduces the space required to mount radar sensors on the vehicle (eg, front and rear bumpers), wiring, and RF transparent equipment at multiple locations on the vehicle.

一実施形態において、自動車用レーダーは、上面および底面を有する印刷回路基板、この印刷回路基板の底面にマウントされたプロセッサ、印刷回路基板の上面に形成された第2の液晶ポリマー層、第2の液晶ポリマー層上に印刷されかつパッチを有する第2のマイクロストリップアレイ、第2の液晶ポリマー層上に形成された第1の液晶ポリマー層、第1の液晶ポリマー層上に印刷されかつ有孔パッチを有する第1のマイクロストリップアレイ、および第2の液晶ポリマー層の底面に接続されかつ第1の周波数の信号を第1のマイクロストリップアレイに送信し第2の周波数の信号を第2のマイクロストリップアレイに送信するように構成された送受信モジュール、を備えている。   In one embodiment, an automotive radar includes a printed circuit board having a top surface and a bottom surface, a processor mounted on the bottom surface of the printed circuit board, a second liquid crystal polymer layer formed on the top surface of the printed circuit board, a second A second microstrip array printed on the liquid crystal polymer layer and having a patch, a first liquid crystal polymer layer formed on the second liquid crystal polymer layer, a patch printed on the first liquid crystal polymer layer and a perforated patch And a first microstrip array connected to the bottom surface of the second liquid crystal polymer layer and transmitting a first frequency signal to the first microstrip array and transmitting a second frequency signal to the second microstrip A transceiver module configured to transmit to the array.

他の実施形態において、自動車用レーダーは、上面、底面および空洞を有する印刷回路基板、印刷回路基板の上面に配置されかつ複数のパッチを有する下部層、および複数のパッチに接続されかつ下部層上に配置された下部マイクロストリップフィード、を備えている。この自動車用レーダーはさらに、下部層の上に配置されかつ複数のパッチを露出するように複数の孔を備えた1個のパッチを有する上部層と、パッチに接続されかつ上部層上に配置された上部マイクロストリップフィード(給電体)と、および印刷回路基板の空洞中に配置されかつ第1の周波数を有する第1の信号を上部マイクロストリップフィードに送信し、第2の周波数を有する第2の信号を下部マイクロストリップフィードに送信するように構成された送信モジュールと、を備えている。   In another embodiment, an automotive radar includes a printed circuit board having a top surface, a bottom surface and a cavity, a bottom layer disposed on the top surface of the printed circuit board and having a plurality of patches, and connected to the plurality of patches and on the bottom layer. A lower microstrip feed, arranged in The automotive radar further includes an upper layer disposed on the lower layer and having a single patch with a plurality of holes to expose the plurality of patches, and connected to the patch and disposed on the upper layer. An upper microstrip feed and a first signal disposed in the printed circuit board cavity and having a first frequency to the upper microstrip feed and having a second frequency A transmission module configured to transmit the signal to the lower microstrip feed.

本発明の特徴、目的および利益は、図面と共に以下に述べる詳細な説明から、より明らかになるであろう。   The features, objects and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description set forth below when taken in conjunction with the drawings.

本発明の一実施形態に係る低コスト、コンパクトレーダーの斜視図であり、このレーダーは、共通の接地板(グランドプレーン)上に配置された少なくとも2個の結合層で構成されたデュアルバンドアレイを有する3次元集積構造を利用する。1 is a perspective view of a low-cost, compact radar according to an embodiment of the present invention, which includes a dual-band array composed of at least two coupling layers disposed on a common ground plane (ground plane). A three-dimensional integrated structure is used. 本発明の一実施形態に係る低コスト、コンパクトレーダーの上面図であり、このレーダーは、共通の接地板上に配置された少なくとも2個の結合層で構成されたデュアルバンドアレイを有する3次元集積構造を利用する。1 is a top view of a low-cost, compact radar according to an embodiment of the present invention, the radar having a three-dimensional integration with a dual-band array composed of at least two coupling layers disposed on a common ground plane Use structure. 本発明の一実施形態に係る低コスト、コンパクトレーダーの展開図であり、このレーダーは、共通の接地板上に配置された少なくとも2個の結合層で構成されたデュアルバンドアレイを有する3次元集積構造を利用する。1 is a development view of a low-cost, compact radar according to an embodiment of the present invention, the radar having a three-dimensional integration having a dual-band array composed of at least two coupling layers disposed on a common ground plane. Use structure. 本発明の一実施形態に係るレーダーの3−D集積デュアルバンドRFフロントエンドの断面図であり、このレーダーは印刷回路基板(PCB)上に形成されている。1 is a cross-sectional view of a radar 3-D integrated dual band RF front end according to one embodiment of the present invention, the radar being formed on a printed circuit board (PCB). 本発明の他の実施形態に係るレーダーの3−D集積デュアルバンドRFフロントエンドの断面図であり、このレーダーにおいて、第2の層がPCBに直接取付けられておりかつ実装されたT/Rモジュールが第2の層の底面にフリップチップにより取付けられている。FIG. 4 is a cross-sectional view of a radar 3-D integrated dual-band RF front end according to another embodiment of the present invention, in which the second layer is directly attached to the PCB and mounted T / R module Is attached to the bottom surface of the second layer by flip chip. 本発明の一実施形態に係るビアフェンスの断面図であり、このビアフェンスは、第1のパッチアレイと第2のパッチアレイとの間の分離を提供するために用いられる。1 is a cross-sectional view of a via fence according to an embodiment of the present invention, which is used to provide separation between a first patch array and a second patch array. 本発明の一実施形態に係るビアフェンスの上面図であり、このビアフェンスは、第1のパッチアレイと第2のパッチアレイとの間の分離を提供するために用いられる。1 is a top view of a via fence according to an embodiment of the present invention, which is used to provide separation between a first patch array and a second patch array. FIG. 本発明の他の実施形態に係るレーダーの3−D集積デュアルバンドRFフロントエンドの断面図であり、このレーダーは77GHzパッチアレイの下側に位置する77GHz開口フィードを有している。FIG. 4 is a cross-sectional view of a radar 3-D integrated dual-band RF front end according to another embodiment of the present invention, the radar having a 77 GHz aperture feed located on the underside of a 77 GHz patch array.

本発明の種々の特徴の実施形態を実現する装置、システムおよび方法について、以下に図面を参照して説明する。図面およびそれに関連する説明は、本発明の幾つかの実施形態を説明するために提供されるものであって、本発明の範囲を限定するものではない。各図面において、参照番号は、参照された要素間の対応を示すために再使用される。この開示のために、用語“パッチ”は用語“アンテナ”と同義的に用いられている。   Apparatus, systems, and methods that implement embodiments of various features of the invention are described below with reference to the drawings. The drawings and the associated description are provided to illustrate some embodiments of the invention and are not intended to limit the scope of the invention. In each drawing, reference numbers are re-used to indicate correspondence between referenced elements. For the purposes of this disclosure, the term “patch” is used synonymously with the term “antenna”.

図1、2および3は、低コストコンパクトレーダー100の斜視図、上面図および展開図であり、このレーダー100は、本発明の一実施形態に従って、共通接地面120上に配置された少なくとも2個の結合層106および107によって形成されたデュアルバンドアレイ105を有する、3次元集積構造を利用している。デュアルバンドアレイ105は、第1の層106(例えば、最上層あるいは上部層)と第2の層107(例えば下部層)とを含んでいる。一実施形態では、第1の層106と第2の層107は共に結合され、それぞれ約4ミル(101,6μm)の厚さを有している。第1の層106と第2の層107は、液晶ポリマー(LCP)、低温同時焼結セラミック(LTCC)、パリレンN誘電体、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)セラミック、PTFEグラスファイバ材料、あるいは多層構造を形成するために積層可能な薄膜(約2−4ミル厚(50,8−101,6μm))の金属化層を形成可能なその他の全ての材料、によって形成することができる。レーダー100は、ハードウエア、ソフトウエア、ファームウエア、ミドルウエア、マイクロコードあるいはこれらの組み合わせの全て、を使用して実現することができる。一個またはそれ以上の要素の位置を変えおよび/または結合することが可能で、さらに他のレーダーを本発明の精神および範囲を維持しながらレーダー100に代わって使用することができる。本発明の精神および範囲を維持しながら、レーダー100に要素を追加することができ、あるいは取り除くことができる。   FIGS. 1, 2 and 3 are perspective, top and exploded views of a low cost compact radar 100, wherein the radar 100 is arranged on a common ground plane 120 in accordance with an embodiment of the present invention. A three-dimensional integrated structure having a dual band array 105 formed by the coupling layers 106 and 107 is used. The dual band array 105 includes a first layer 106 (for example, an uppermost layer or an upper layer) and a second layer 107 (for example, a lower layer). In one embodiment, the first layer 106 and the second layer 107 are bonded together and each have a thickness of about 4 mils (101, 6 μm). The first layer 106 and the second layer 107 may be liquid crystal polymer (LCP), low temperature co-sintered ceramic (LTCC), parylene N dielectric, polytetrafluoroethylene (PTFE) ceramic, PTFE glass fiber material, or multilayer structure. Can be formed by any other material capable of forming a metallized layer of a thin film (approximately 2-4 mils thick (50, 8-101, 6 μm)) that can be laminated. Radar 100 can be implemented using hardware, software, firmware, middleware, microcode, or any combination thereof. One or more elements can be repositioned and / or combined, and other radars can be used in place of the radar 100 while maintaining the spirit and scope of the present invention. Elements can be added to or removed from the radar 100 while maintaining the spirit and scope of the present invention.

第1の層106は、24GHz動作の直列マイクロストリップパッチアレイ110を有している。パッチアレイ110は一個またはそれ以上の有孔パッチ111(即ち、アンテナ)を含んでおり、このパッチにおいてそれぞれの孔即ち開口112は約1.4ミリ角の開口であり、この開口は、第2の層107にあるいはその上に位置する77GHzパッチ113(即ち、アンテナ)を露出させる。なお、第2の層107は、77GHz動作の直列マイクロストリップパッチアレイ115を有している。77GHz直列マイクロストリップパッチアレイ115は、第2の層107上に印刷されていても良い。一実施形態では、各有孔パッチ111は約3.6ミリ角であり、各パッチ113は約1.2ミリ角である。パッチ111は、コネクタ114を介して相互に接続されている。各開口112の大きさは、パッチ111および113の放射効率において最も影響が小さいように、最適化されている。   The first layer 106 has a series microstrip patch array 110 operating at 24 GHz. The patch array 110 includes one or more perforated patches 111 (ie, antennas) in which each hole or aperture 112 is an approximately 1.4 mm square aperture, which is a second 77 GHz patch 113 (i.e., antenna) located at or above layer 107 is exposed. The second layer 107 has a serial microstrip patch array 115 operating at 77 GHz. The 77 GHz series microstrip patch array 115 may be printed on the second layer 107. In one embodiment, each perforated patch 111 is about 3.6 mm square and each patch 113 is about 1.2 mm square. The patches 111 are connected to each other via a connector 114. The size of each opening 112 is optimized so as to have the least influence on the radiation efficiency of the patches 111 and 113.

格子ローブを無くしかつサイドローブを低いレベルに保つために、第1のパッチアレイ110と第2のパッチアレイ115との間の間隔はλ0/2である。ここで、λ0は、24GHzおよび77GHzそれぞれの自由空間波長である。二つの波長間の比(77/24≒3)に基づいて、四個の77GHzパッチ113が、一個の24GHzパッチ111の外側境界内に配置されている。さらに、二個の77GHzパッチ113が隣接する二つの24GHzパッチ111間に配置されている。 In order to keep grating lobes eliminated and the side lobe to a low level, the first patch array 110 spacing between the second patch array 115 is a lambda 0/2. Here, λ 0 is a free space wavelength of 24 GHz and 77 GHz, respectively. Based on the ratio between the two wavelengths (77 / 24≈3), four 77 GHz patches 113 are arranged within the outer boundary of one 24 GHz patch 111. Further, two 77 GHz patches 113 are arranged between two adjacent 24 GHz patches 111.

図4は、本発明の一実施形態に従って、印刷回路基板(PCB)109上に形成されたレーダー100の3−D集積デュアルバンドRFフロントエンドの断面図である。一実施形態では、パッケージング層108がPCB109上に形成されている。パッケージング層108はLCPで形成され、かつT/Rモジュール141を実装するために使用される。例えば、パッケージング層108は、T/Rモジュール141を保持する空洞140を有していても良い。さらに、IFフィルタをパッケージング層108に埋め込んでもあるいはその上に形成しても良い。一実施形態では、T/Rモジュール141は両方の周波数あるいは多重周波数で使用することができる。   FIG. 4 is a cross-sectional view of a 3-D integrated dual band RF front end of a radar 100 formed on a printed circuit board (PCB) 109 according to one embodiment of the invention. In one embodiment, a packaging layer 108 is formed on the PCB 109. The packaging layer 108 is formed of LCP and is used for mounting the T / R module 141. For example, the packaging layer 108 may have a cavity 140 that holds the T / R module 141. Further, the IF filter may be embedded in or formed on the packaging layer 108. In one embodiment, the T / R module 141 can be used at both frequencies or multiple frequencies.

第2の層107は、77GHzアレイ113とT/Rモジュール基板120との間に形成されても良い。第2のパッチ113のアレイは、第2の層107の上、あるいはその層の一部として形成される。マイクロストリップフィード122は、第2のパッチ113のアレイをT/Rモジュール141に接続する。マイクロストリップフィード122は、第2のビア124を介してT/Rモジュール141に移行する。第1の層106は、マイクロストリップフィード122および/または第2の層107の上に形成されても良い。第1の孔あきパッチ111(例えば、24GHzパッチ)のアレイは、第1の層106の上にあるいはその層の一部として形成されても良い。第1の層106上の孔112は比較的障害の無い放射を第2のパッチ113(例えば、77GHzパッチ)のアレイから通過させる。一実施形態では、それぞれの孔112は角(つの)状の開口(即ち、角の下部の円周が角の上部の円周よりも小さい、ホーン形状)であり、これによって各パッチ113の放射効率を改善する。マイクロストリップフィード121は、第1のパッチ111のアレイをT/Rモジュール141に接続する。マイクロストリップフィード121は、第1のビア123を介してT/Rモジュール141に移行し、かつ、第1の層106上に形成され、あるいは第1の層106の一部として形成されても良い。第1の層106は、24GHz直列パッチアレイ110とマイクロストリップフィード121を含んでいても良い。マイクロストリップフィード121とマイクロストリップフィード122は、フィードコネクタのネットワークあるいはラインを含んでいても良い。 The second layer 107 may be formed between the 77 GHz array 113 and the T / R module substrate 120. The array of second patches 113 is formed on or as part of the second layer 107. The microstrip feed 122 connects the second array of patches 113 to the T / R module 141. The microstrip feed 122 moves to the T / R module 141 via the second via 124. The first layer 106 may be formed on the microstrip feed 122 and / or the second layer 107. An array of first perforated patches 111 (eg, 24 GHz patches) may be formed on or as part of the first layer 106. The holes 112 on the first layer 106 allow relatively unobstructed radiation to pass from the second patch 113 (eg, 77 GHz patch) array. In one embodiment, each of the holes 112 are square (one) shaped openings (i.e., the lower portion of the circumference of the corner is smaller than the circumference of the upper corner, horn shape), which by the radiation of each patch 113 Improve efficiency. A microstrip feed 121 connects the array of first patches 111 to the T / R module 141. The microstrip feed 121 moves to the T / R module 141 via the first via 123 and may be formed on the first layer 106 or may be formed as part of the first layer 106. . The first layer 106 may include a 24 GHz series patch array 110 and a microstrip feed 121. The microstrip feed 121 and the microstrip feed 122 may include a network or line of feed connectors.

第1の層106は一個またはそれ以上のマイクロストリップフィード121を有し、第2の層107は一個またはそれ以上のマイクロストリップフィード122を有している。マイクロストリップフィード121および122は、それぞれ、第1および第2の層106、107への接続体として使用される。一実施形態では、パッチアレイ110および115はマイクロストリップパッチアンテナを備えている。   The first layer 106 has one or more microstrip feeds 121 and the second layer 107 has one or more microstrip feeds 122. Microstrip feeds 121 and 122 are used as connections to first and second layers 106 and 107, respectively. In one embodiment, the patch arrays 110 and 115 comprise microstrip patch antennas.

複数のチップおよび/または部品160(例えば、2個のシリコン−ゲルマニウム(SIGe)BiCMOSチップ)を、PCB109の底面119上に取付けても良い。複数のチップおよび/または部品160は、以下の一個またはそれ以上を含んでいても良い:デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、デジタルクロック、温度制御装置、メモリ、マイクロプロセッサ、ダイナミックリンクライブラリ、DCポート、データポート、電圧制御発振器、PLL等。複数のチップおよび/または部品160は、ワイヤレスリンクあるいはPCB109上のコネクタ、トレースあるいはワイヤを介して相互に接続されていても良い。T/Rモジュール141からの出力信号170(即ち、デジタル、DC、IFあるいはRF信号)を、貫通ビア165(またはワイヤレスで接続されて)を使用して複数のチップおよび/または部品160に直接接続しても良い。   Multiple chips and / or components 160 (eg, two silicon-germanium (SIGe) BiCMOS chips) may be mounted on the bottom surface 119 of the PCB 109. The plurality of chips and / or components 160 may include one or more of the following: digital signal processor (DSP), digital clock, temperature controller, memory, microprocessor, dynamic link library, DC port, data Port, voltage controlled oscillator, PLL, etc. Multiple chips and / or components 160 may be connected to each other via connectors, traces or wires on a wireless link or PCB 109. Output signal 170 (ie, digital, DC, IF or RF signal) from T / R module 141 is directly connected to multiple chips and / or components 160 using through vias 165 (or connected wirelessly). You may do it.

T/Rモジュール141は、第2の層107の底面上にフリップチップ結合あるいは取付けしても良い。フリップチップ移行は、寄生インダクタンスが非常に小さくかつ従来のワイヤボンドに比べてロスが小さい。複数の放熱ビア162が、T/Rモジュール141に直接接続されており、第1および第2の層106、107を介して(熱を)通過させる。複数の放熱ビア162はT/Rモジュール141から熱を除去し、この熱を、第1の層106の上部表面116上に位置する排熱領域163に移送するために使用される。   The T / R module 141 may be flip-chip bonded or attached on the bottom surface of the second layer 107. Flip chip transfer has very low parasitic inductance and low loss compared to conventional wire bonds. A plurality of heat dissipation vias 162 are directly connected to the T / R module 141 and allow (heat) to pass through the first and second layers 106 and 107. The plurality of heat dissipation vias 162 are used to remove heat from the T / R module 141 and transfer this heat to the heat removal area 163 located on the upper surface 116 of the first layer 106.

図5は、レーダー200の3−D集積デュアルバンドRFフロントエンドの断面図であって、このレーダー200では、本発明の他の実施形態に従って、第2の層107がPCB109に直接取付けられており、パッケージされたT/Rモジュール141が第2の層107の底面117にフリップチップマウントされている。実装されたT/Rモジュール141からの出力信号170(例えば、デジタル、DC,IFまたはRF信号)を、ワイヤボンド166(あるいはワイヤレス接続)を使用して複数のチップおよび/または部品160に直接接続しても良い。この実施形態では、T/Rモジュール141は予めパッケージされており、それによって追加のLCP層(例えば、図4の108)は必要ない。   FIG. 5 is a cross-sectional view of a 3-D integrated dual-band RF front end of a radar 200 in which a second layer 107 is directly attached to a PCB 109 according to another embodiment of the present invention. The packaged T / R module 141 is flip-chip mounted on the bottom surface 117 of the second layer 107. Output signals 170 (eg, digital, DC, IF or RF signals) from the mounted T / R module 141 are directly connected to multiple chips and / or components 160 using wire bonds 166 (or wireless connections). You may do it. In this embodiment, the T / R module 141 is prepackaged so that no additional LCP layer (eg, 108 in FIG. 4) is required.

図6Aおよび6Bは、ビアフェンス190(即ち、直線に沿って配置された複数のビア195)の断面図および上面図である。このビアフェンス190は、本発明に従って、第1のパッチアレイ110と第2のパッチアレイ115との間の分離に使用される。ビアフェンス190は二つの周波数間で高い分離を確実にする。ビア195は距離Dだけ離れていても良く、ここでDは、バンドギャップフィルタを形成するために変化し得る。バンドギャップ効果を得るために、ビア195に加えて、接地面120上に周期的構造をエッチングすることができる。これらのバンドギャップ効果の結果として、77GHz移行ライン上の24GHz信号をフィルタして除去することができ、またその逆も可能である。   6A and 6B are a cross-sectional view and a top view of a via fence 190 (ie, a plurality of vias 195 arranged along a straight line). This via fence 190 is used for separation between the first patch array 110 and the second patch array 115 in accordance with the present invention. Via fence 190 ensures a high separation between the two frequencies. Vias 195 may be separated by a distance D, where D may vary to form a bandgap filter. In order to obtain a band gap effect, a periodic structure can be etched on the ground plane 120 in addition to the via 195. As a result of these bandgap effects, the 24 GHz signal on the 77 GHz transition line can be filtered out and vice versa.

図7は、本発明の他の実施形態に係るレーダー300の3−D集積デュアルバンドRFフロントエンドの断面図である。このレーダー300は、77GHzパッチアレイ115の下側に配置される77GHz開口フィードアレイ133を有している。特に、複数の開口133が接地面120上に形成され、各開口133は77GHzパッチ113の下方に形成される。接地面120は、第2の層107の底面117上に形成されあるいは配置される。一実施形態では、77GHz開口フィードアレイ133は、77GHzマイクロストリップフィードアレイ122の場所と置き換えられ、77GHzマイクロストリップフィードアレイ122は第3の層103の底面上に取付けられあるいは印刷される。第3の層103は第1、第2の層106、107と類似している。従って、接地面120が24GHzパッチアレイ110を77GHzパッチアレイ115から分離し、それによって、24GHzラインと77GHzライン間の漏洩を最小とする、即ち減少させる。   FIG. 7 is a cross-sectional view of a 3-D integrated dual-band RF front end of a radar 300 according to another embodiment of the present invention. The radar 300 has a 77 GHz aperture feed array 133 disposed below the 77 GHz patch array 115. In particular, a plurality of openings 133 are formed on the ground plane 120, and each opening 133 is formed below the 77 GHz patch 113. The ground plane 120 is formed or disposed on the bottom surface 117 of the second layer 107. In one embodiment, the 77 GHz aperture feed array 133 is replaced with the location of the 77 GHz microstrip feed array 122, which is attached or printed on the bottom surface of the third layer 103. The third layer 103 is similar to the first and second layers 106 and 107. Accordingly, the ground plane 120 separates the 24 GHz patch array 110 from the 77 GHz patch array 115, thereby minimizing or reducing leakage between the 24 GHz line and the 77 GHz line.

マイクロストリップフィード121は、第1の層106を第1(例えば24GHz)の送受信(T/R)モジュール141に接続するために使用され、マイクロストリップフィード122は第2の層107を第2(例えば77GHz)のT/Rモジュール142に接続するために使用される。第1のT/Rモジュール141は第1の層106の上面116上に形成されあるいは配置され、第1のマイクロストリップフィード121に接続されていても良い。第2のT/Rモジュール142は、第3の層103の底面104上に形成されあるいは配置され、第2のマイクロストリップ122と接続されていても良い。第1のT/Rモジュール141は複数のチップおよび/または部品にビア172を使用して接続され、第2のT/Rモジュール142はワイヤボンド166を使用して複数のチップおよび/または部品160に接続されている。放熱ストラップ162が、第1および第2のT/Rモジュール141、142から熱を取り除き、その熱をレーダー300の側面に配置された排熱領域163に輸送するために使用される。   The microstrip feed 121 is used to connect the first layer 106 to a first (eg 24 GHz) transmit / receive (T / R) module 141, and the microstrip feed 122 connects the second layer 107 to a second (eg 77 GHz) T / R module 142. The first T / R module 141 may be formed or disposed on the upper surface 116 of the first layer 106 and connected to the first microstrip feed 121. The second T / R module 142 may be formed or disposed on the bottom surface 104 of the third layer 103 and connected to the second microstrip 122. The first T / R module 141 is connected to a plurality of chips and / or components using vias 172, and the second T / R module 142 is connected to a plurality of chips and / or components 160 using wire bonds 166. It is connected to the. A heat dissipation strap 162 is used to remove heat from the first and second T / R modules 141, 142 and transport the heat to a waste heat area 163 located on the side of the radar 300.

パッチアレイ110は、例えばマイクロストリップベースの配信ネットワークを介して、第1のT/Rモジュール141に接続され、パッチアレイ115は、例えばマイクロストリップベースの配信ネットワークを介して、第2のT/Rモジュール142に接続される。第1および第2のT/Rモジュール141および142は、T/Rモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)またはシリコン−ゲルマニウム(SiGe)BiCMOSチップであっても良く、これらは、以下の一またはそれ以上を含んでいる:T/Rスイッチ、低ノイズ増幅器(LNA)、可変利得増幅器(VGA)、電力増幅器(PA)、移相器、混合器、中間周波数(IF)増幅器、およびアナログ−デジタル(A/D)変換器。第1および第2のT/Rモジュール141および142は、一個のT/Rモジュール141に組み合わされても良い。第1のT/Rモジュール141は第1の周波数の信号(例えば、24GHz信号)を生成し、第2のT/Rモジュール142は第2の周波数の信号(例えば、77GHz信号)を生成しても良い。あるいは、以下に説明する一個またはそれ以上のチップまたは部品160が第1、第2の周波数の信号を生成することもできる。   The patch array 110 is connected to the first T / R module 141 via, for example, a microstrip-based distribution network, and the patch array 115 is connected to the second T / R, for example, via a microstrip-based distribution network. Connected to module 142. The first and second T / R modules 141 and 142 may be T / R monolithic microwave integrated circuits (MMIC) or silicon-germanium (SiGe) BiCMOS chips, which are one or more of the following: Includes: T / R switch, low noise amplifier (LNA), variable gain amplifier (VGA), power amplifier (PA), phase shifter, mixer, intermediate frequency (IF) amplifier, and analog-digital (A / D) Converter. The first and second T / R modules 141 and 142 may be combined into one T / R module 141. The first T / R module 141 generates a first frequency signal (for example, a 24 GHz signal), and the second T / R module 142 generates a second frequency signal (for example, a 77 GHz signal). Also good. Alternatively, one or more chips or components 160, described below, can generate first and second frequency signals.

当業者は、ここに開示された事例と関連して記載されている種々の説明的な論理ブロック、モジュール、およびアルゴリズムステップが、電子的ハードウエア、コンピュータソフトウエアあるいはこれらの組み合わせによって実現可能であることを理解するであろう。ハードウエアとソフトウエアのこのような互換性を明瞭に説明するために、種々の説明的な部品、ブロック、モジュール、回路およびステップを、上記においてそれらの機能の観点から一般的に説明している。このような機能をハードウエアとしてあるいはソフトウエアとして実現するかに関しては、特定の応用およびシステム全体に果たされた設計上の制約に依存する。熟練した技術者であれば、特定の応用それぞれに、様々な方法で記載された機能を実現することができるであろう。しかしながら、このような実行の決断は、開示された装置および方法の範囲から逸脱するものとして解釈されるべきではない。   Those skilled in the art can implement the various illustrative logic blocks, modules, and algorithm steps described in connection with the examples disclosed herein by electronic hardware, computer software, or combinations thereof. You will understand that. To clearly illustrate this interchangeability of hardware and software, various illustrative components, blocks, modules, circuits, and steps are generally described above in terms of their functionality. . Whether such functions are implemented as hardware or software depends upon the particular application and design constraints imposed on the overall system. A skilled engineer would be able to implement the functions described in various ways for each specific application. However, such implementation decisions should not be construed as departing from the scope of the disclosed apparatus and method.

ここに開示された事例と関連して記載されている、種々の説明的な論理ブロック、モジュールおよび回路は、汎用プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)あるいはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウエアコンポーネント、またはここに記載された機能を実行するように設計されたこれらの全ての組み合わせ、によって実現されかつ実施される。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであって良いが、しかしその代わりに、プロセッサは従来の全てのプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラまたはステートマシンであっても良い。プロセッサはさらに、計算装置、例えば、DSPとマイクロプロセッサ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと関連した一個またはそれ以上のマイクロプロセッサ、あるいはその他の全てのこのような構成、の組み合わせによって実現が可能である。   The various illustrative logic blocks, modules and circuits described in connection with the examples disclosed herein are general purpose processors, digital signal processors (DSPs), application specific integrated circuits (ASICs), field programmable gates. Realized and implemented by an array (FPGA) or other programmable logic device, discrete gate or transistor logic, discrete hardware components, or any combination of these designed to perform the functions described herein . A general purpose processor may be a microprocessor, but in the alternative, the processor may be any conventional processor, controller, microcontroller, or state machine. The processor can also be implemented by a combination of computing devices, eg, a DSP and a microprocessor, a plurality of microprocessors, one or more microprocessors associated with a DSP core, or any other such configuration. .

ここに開示した事例に関係して記載されている方法またはアルゴリズムのステップは、直接ハードウエアによって、プロセッサによって実行されるソフトウエアモジュールによって、あるいはこれらの二つの組み合わせによって実現することが可能である。ソフトウエアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスター、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、あるいはこの分野で周知の記録媒体中に存在するようにしても良い。典型的な記憶媒体は、プロセッサが記録媒体から情報を読み出し、情報を書き込むことができるように、プロセッサと結合されている。あるいは、記憶媒体はプロセッサに一体化されていても良い。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路(ASIC)中に組み込んでも良い。ASICはワイヤレスモデム中に存在していても良い。あるいは、プロセッサおよび記憶媒体は、ワイヤレスモデム中に独立の部品として存在していても良い。   The method or algorithm steps described in connection with the examples disclosed herein can be implemented directly by hardware, by software modules executed by a processor, or by a combination of the two. The software module may exist in a RAM memory, a flash memory, a ROM memory, an EPROM memory, an EEPROM memory, a register, a hard disk, a removable disk, a CD-ROM, or a recording medium known in this field. A typical storage medium is coupled to the processor such that the processor can read information from, and write information to, the recording medium. In the alternative, the storage medium may be integral to the processor. The processor and the storage medium may be incorporated into an application specific integrated circuit (ASIC). The ASIC may be present in the wireless modem. In the alternative, the processor and the storage medium may reside as discrete components in a wireless modem.

開示された事例の上記記載は、全ての当業者が開示された方法および装置を製造しかつ使用することを可能にするべく提供されている。これらの事例に対する種々の変更は、当業者が容易に理解することができるものであり、ここに開示した原理は、開示した方法および装置の精神および範囲を逸脱することなく他の事例に適用することができる。記載した実施形態は、全ての点において説明のためであり本発明を限定するものではなく、従って、本発明の範囲は上記記載よりもむしろ添付の請求の範囲によって示されるものである。請求の範囲の意味および等価の範囲内の全ての変更は、その範囲内であるとして受け入れられるべきである。   The above description of the disclosed examples is provided to enable any person skilled in the art to make and use the disclosed methods and apparatus. Various modifications to these examples will be readily apparent to those skilled in the art, and the principles disclosed herein may be applied to other examples without departing from the spirit and scope of the disclosed methods and apparatus. be able to. The described embodiments are illustrative in all respects and do not limit the invention, so the scope of the invention is indicated by the appended claims rather than the foregoing description. All changes that come within the meaning and range of equivalency of the claims are to be accepted as being within the scope.

105 デュアルバンドアレイ
106 第1の層
107 第2の層
110 第1のマイクロストリップパッチアレイ
111 有孔パッチ
112 開口
113 パッチ
115 第2のマイクロストリップパッチアレイ
120 接地面
105 Dual-band array 106 First layer 107 Second layer 110 First microstrip patch array 111 Perforated patch 112 Opening 113 Patch 115 Second microstrip patch array 120 Ground plane

Claims (19)

上面と底面を有する印刷回路基板と、
前記印刷回路基板の底面に取付けられたプロセッサであって、前記プロセッサは第1の周波数の信号と第2の周波数の信号を生成するように構成されたプロセッサと、
前記印刷回路基板の前記上面上に形成された第2の液晶ポリマー層と、
前記第2の液晶ポリマー層上に印刷されかつ前記第2の周波数で動作するパッチを有する第2のマイクロストリップアレイと、
前記第2の液晶ポリマー層上に形成された第1の液晶ポリマー層と、
前記第1の液晶ポリマー層上に印刷されかつ前記第1の周波数で動作する有孔パッチを有する第1のマイクロストリップアレイであって、前記有孔パッチは、前記第2のマイクロストリップアレイの前記パッチを露出させるべく形成された開口を有する、前記第1のマイクロストリップアレイと、および
前記第2の液晶ポリマー層の底面に接続された送信/受信モジュールであって、前記プロセッサに接続され、さらに前記第1のマイクロストリップアレイに前記第1の周波数の信号を送信し、前記第2の周波数の信号を前記第2のマイクロストリップアレイに送信するように構成された送信/受信モジュールと、を備える、自動車用レーダー。
A printed circuit board having a top surface and a bottom surface;
A processor mounted on a bottom surface of the printed circuit board, wherein the processor is configured to generate a first frequency signal and a second frequency signal;
A second liquid crystal polymer layer formed on the top surface of the printed circuit board;
A second microstrip array having patches printed on the second liquid crystal polymer layer and operating at the second frequency;
A first liquid crystal polymer layer formed on the second liquid crystal polymer layer;
A first microstrip array having a perforated patch printed on the first liquid crystal polymer layer and operating at the first frequency, wherein the perforated patch is the first microstrip array A transmitter / receiver module connected to the bottom surface of the first microstrip array and the second liquid crystal polymer layer, having an opening formed to expose a patch, and connected to the processor; A transmit / receive module configured to transmit a signal of the first frequency to the first microstrip array and transmit a signal of the second frequency to the second microstrip array. , Automotive radar.
請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記パッチは前記有孔パッチの直下に配置される、自動車用レーダー。   The automotive radar according to claim 1, wherein the patch is disposed directly below the perforated patch. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記送信/受信モジュールは、前記第2の液晶ポリマー層の底面にフリップチップマウントされている、自動車用レーダー。   2. The automotive radar according to claim 1, wherein the transmission / reception module is flip-chip mounted on a bottom surface of the second liquid crystal polymer layer. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、さらに、前記送信/受信モジュールから熱を取り除くために前記送信/受信モジュールに直接接続された複数の排熱ビアを供える、自動車用レーダー。   2. The automotive radar of claim 1, further comprising a plurality of heat exhaust vias directly connected to the transmit / receive module to remove heat from the transmit / receive module. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記第1の液晶ポリマー層は前記第2の液晶ポリマー層に結合されている、自動車用レーダー。   2. The automotive radar according to claim 1, wherein the first liquid crystal polymer layer is coupled to the second liquid crystal polymer layer. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記第2の周波数の信号は前記有孔パッチを介して前記パッチから送信される、自動車用レーダー。   The automotive radar according to claim 1, wherein the second frequency signal is transmitted from the patch through the perforated patch. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記送信/受信モジュールは、前記第1の周波数の信号を送信するための第1の送信/受信モジュールと、前記第2の周波数の信号を送信するための第2の送信/受信モジュールとを含む、自動車用レーダー。   2. The radar for an automobile according to claim 1, wherein the transmission / reception module transmits a first transmission / reception module for transmitting the signal of the first frequency and a signal of the second frequency. And a second transmission / reception module. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記第1の周波数の信号は約24GHzであり、前記第2の周波数の信号は約77GHzである、自動車用レーダー。   The automotive radar according to claim 1, wherein the first frequency signal is about 24 GHz and the second frequency signal is about 77 GHz. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記有孔パッチの開口を介した放射効率を改善する為に、前記有孔パッチの開口部はホーン形状に形成され、前記有孔パッチの下部に相当する、前記ホーンの下部の円周は、前記有孔パッチの上部に相当する、前記ホーンの上部の円周よりも小さい、自動車用レーダー。 2. The automotive radar according to claim 1, wherein an opening of the perforated patch is formed in a horn shape and corresponds to a lower portion of the perforated patch in order to improve radiation efficiency through the opening of the perforated patch. to, the circumference of the lower portion of said horn, corresponds to the top of the perforated patch, less than the circumference of the upper portion of said horn, radar for automobiles. 請求項1に記載の自動車用レーダーにおいて、前記送信/受信モジュールは、SiGeBiCMOSチップおよび全シリコンCMOSチップからなるグループから選択される、自動車用レーダー。   The automotive radar of claim 1, wherein the transmit / receive module is selected from the group consisting of a SiGeBiCMOS chip and an all-silicon CMOS chip. 請求項1に記載の自動車用レーダーは更に、前記印刷回路基板の底面にマウントされ且つ電圧制御発振器を含むSiGeBiCMOSチップを備え、当該自動車用レーダーは更に、前記第2の液晶ポリマー層と前記印刷回路基板との間に位置する接地面を備え、前記接地面は前記SiGeBiCMOSチップによって生成されたノイズを分離する、自動車用レーダー。   The automotive radar according to claim 1, further comprising a SiGeBiCMOS chip mounted on a bottom surface of the printed circuit board and including a voltage controlled oscillator, the automotive radar further comprising the second liquid crystal polymer layer and the printed circuit. An automotive radar comprising a ground plane located between a substrate and the ground plane separating noise generated by the SiGeBiCMOS chip. 上面と底面を有する印刷回路基板と、
空洞を有しかつ前記印刷回路基板の上面に配置されたパッケージング層と、
前記パッケージング層上に配置されかつ第2の周波数で動作する複数のパッチを有する下部層と、
前記複数のパッチに接続されかつ前記下部層上に配置された下部マイクロストリップフィードと、
前記下部層上に位置しかつ前記複数のパッチを露出するための複数の孔を備え、かつ第1の周波数で動作する有孔パッチを有する上部層と、
前記上部層に位置しかつ前記有孔パッチに接続された上部マイクロストリップフィードと、さらに
前記パッケージング層の前記空洞内に配置され、さらに、前記第1の周波数を有する第1の信号を前記上部マイクロストリップフィードに送信しかつ前記第2の周波数を有する第2の信号を前記下部マイクロストリップフィードに送信するように構成された、送信モジュールと、を備える自動車用レーダー。
A printed circuit board having a top surface and a bottom surface;
A packaging layer having a cavity and disposed on an upper surface of the printed circuit board;
A lower layer having a plurality of patches disposed on the packaging layer and operating at a second frequency;
A lower microstrip feed connected to the plurality of patches and disposed on the lower layer;
An upper layer located on the lower layer and having a plurality of holes for exposing the plurality of patches and having a perforated patch operating at a first frequency;
An upper microstrip feed located in the upper layer and connected to the perforated patch, and further disposed in the cavity of the packaging layer, and further comprising a first signal having the first frequency An automotive radar comprising: a transmission module configured to transmit to a microstrip feed and to transmit a second signal having the second frequency to the lower microstrip feed.
請求項12に記載の自動車用レーダーであって、前記パッケージング層、前記下部層および前記上部層はそれぞれ、液晶ポリマー、低温同時焼結セラミック、パリレンN誘電体、PTFEセラミックおよびPTFEグラスファイバ材料からなるグループから選択された材料で形成される、自動車用レーダー。   13. The automotive radar according to claim 12, wherein the packaging layer, the lower layer, and the upper layer are each composed of a liquid crystal polymer, a low temperature co-sintered ceramic, a parylene N dielectric, a PTFE ceramic, and a PTFE glass fiber material. Automotive radar formed of a material selected from the group consisting of 請求項12に記載の自動車用レーダーであって、前記送信モジュールは、SiGeBiCMOSチップおよび全シリコンCMOSチップからなるグループから選択される、自動車用レーダー。   13. The automotive radar according to claim 12, wherein the transmission module is selected from the group consisting of a SiGeBiCMOS chip and an all silicon CMOS chip. 請求項12に記載の自動車用レーダーであって、前記第2の信号は、前記複数の孔を介して前記複数のパッチから送信される、自動車用レーダー。   13. The automotive radar according to claim 12, wherein the second signal is transmitted from the plurality of patches through the plurality of holes. 請求項12に記載の自動車用レーダーであって、前記送信モジュールは、第1の信号を送信するための第1の送信モジュールと、前記第2の信号を送信するための第2の送信モジュールを含む、自動車用レーダー。   13. The automotive radar according to claim 12, wherein the transmission module includes a first transmission module for transmitting a first signal and a second transmission module for transmitting the second signal. Including automotive radar. 請求項12に記載の自動車用レーダーであって、前記第1の周波数は約24GHzであり、前記第2の周波数は約77GHzである、自動車用レーダー。   13. The automotive radar according to claim 12, wherein the first frequency is about 24 GHz and the second frequency is about 77 GHz. 請求項12に記載の自動車用レーダーであって、さらに、前記送信モジュールから熱を取り除くために前記送信モジュールに直接接続された複数の排熱ビアを供える、自動車用レーダー。   13. The automotive radar according to claim 12, further comprising a plurality of exhaust heat vias directly connected to the transmission module to remove heat from the transmission module. 上面と底面と空洞を有する印刷回路基板と、
第2の周波数で動作する複数のパッチを有しかつ前記印刷回路基板の前記上面上に配置された、下部層と、
前記複数のパッチに接続されかつ前記下部層上に配置された下部マイクロストリップフィードと、
前記複数のパッチを露出する複数の孔を備え、第1の周波数で動作する有孔パッチを有し、かつ前記下部層上に配置された上部層と、
前記有孔パッチに接続されかつ前記上部層上に配置される上部マイクロストリップフィードと、さらに、
前記印刷回路基板の前記空洞内に配置され、前記第1の周波数を有する第1の信号を前記上部マイクロストリップフィードに送信し、前記第2の周波数を有する第2の信号を前記下部マイクロストリップフィードに送信するように構成された、送信モジュールと、を備える自動車用レーダー。
A printed circuit board having a top surface, a bottom surface and a cavity;
A lower layer having a plurality of patches operating at a second frequency and disposed on the upper surface of the printed circuit board;
A lower microstrip feed connected to the plurality of patches and disposed on the lower layer;
An upper layer comprising a plurality of holes exposing the plurality of patches, having a perforated patch operating at a first frequency, and disposed on the lower layer;
An upper microstrip feed connected to the perforated patch and disposed on the upper layer; and
A first signal disposed within the cavity of the printed circuit board and having the first frequency is transmitted to the upper microstrip feed, and a second signal having the second frequency is transmitted to the lower microstrip feed. An automotive radar comprising: a transmission module configured to transmit to.
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