JP5624932B2 - Organic light emitting device and light source device using the same - Google Patents

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Description

本発明は、有機発光装置及びこれを用いた光源装置に関する。   The present invention relates to an organic light emitting device and a light source device using the same.

従来例として、特許文献１には次のような技術が開示されている。なお、この技術は、電極に印加する電圧の変化に対して、色味の変化の少なく、かつ高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とするものである。   As a conventional example, Patent Document 1 discloses the following technique. In addition, this technique aims at providing the organic electroluminescent element which emits light with high efficiency with little change of a color with respect to the change of the voltage applied to an electrode.

特許文献１における有機ＥＬ素子は、基板と、陽極と、正孔注入層と、赤色発光層と、緑色発光層と、青色発光層と、陰極とがこの順で積層されて構成される。発光部は、赤色を発光する赤色発光層と、緑色発光層と、青色発光層とがこの順で積層されて構成され、発光する光のピーク波長が長い発光層ほど陽極側に配置される。   The organic EL element in Patent Document 1 is configured by laminating a substrate, an anode, a hole injection layer, a red light emitting layer, a green light emitting layer, a blue light emitting layer, and a cathode in this order. The light emitting unit is configured by stacking a red light emitting layer that emits red light, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer in this order, and a light emitting layer having a longer peak wavelength of emitted light is disposed on the anode side.

特開２００９−１８１７７４号公報JP 2009-181774 A

第一の発光層および第二の発光層の２層積層発光層の組合せにおいて、第一の発光層に第一のエミッタが添加され、第二の発光層に第二のエミッタが添加されている場合、電流密度の増大に伴い、第一のエミッタの発光色に近い色から第二のエミッタの発光色に近い色に変化する。   In the combination of the two-layer laminated light emitting layer of the first light emitting layer and the second light emitting layer, the first emitter is added to the first light emitting layer, and the second emitter is added to the second light emitting layer. In this case, as the current density increases, the color changes from a color close to the emission color of the first emitter to a color close to the emission color of the second emitter.

本発明は、電流密度の増大に伴う色度変化を低減できる有機発光装置及びこれを用いた光源装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an organic light-emitting device capable of reducing a change in chromaticity accompanying an increase in current density, and a light source device using the same.

上記課題を解決するための本発明の特徴は以下の通りである。
（１）基板と、基板の上に形成された第一の発光層，第二の発光層，第三の発光層および第四の発光層と、を有し、第一の発光層には第一のエミッタが添加され、第二の発光層には第二のエミッタが添加され、第三の発光層には第三一のエミッタおよび第三二のエミッタが添加され、第四の発光層には第四のエミッタが添加され、第一の発光層は第二の発光層に接し、第三の発光層は第四の発光層に接し、第一のエミッタの発光中心波長は、第二のエミッタの発光中心波長より大きく、第三一のエミッタの発光中心波長は、第三二のエミッタの発光中心波長より大きく、第三一のエミッタの発光中心波長は、第四のエミッタの発光中心波長より大きく、第一のエミッタの発光中心波長および第三一のエミッタの発光中心波長は、同じ波長領域に存在し、第二のエミッタの発光中心波長，第三二のエミッタの発光中心波長および第四のエミッタの発光中心波長は、同じ波長領域に存在する有機発光装置。
（２）上記（１）において、第二のエミッタの発光中心波長，第三二のエミッタの発光中心波長および第四のエミッタの発光中心波長は、青色領域に存在する有機発光装置。
（３）上記（１）において、第一のエミッタの発光中心波長および第三一のエミッタの発光中心波長は、赤色領域に存在し、第二のエミッタの発光中心波長，第三二のエミッタの発光中心波長および第四のエミッタの発光中心波長は、緑色領域に存在する有機発光装置。
（４）上記（１）において、第一のエミッタおよび第三一のエミッタは、同じ材料で構成され、第二のエミッタ，第三二のエミッタおよび第四のエミッタは同じ材料で構成される有機発光装置。
（５）上記（１）において、第三の発光層における第三一のエミッタの濃度（ｗｔ％）は、第三の発光層における第三二のエミッタの濃度（ｗｔ％）より小さい有機発光装置。
（６）上記（１）において、第三の発光層における第三二のエミッタの濃度（ｗｔ％）は、第一の発光層における第一のエミッタの濃度（ｗｔ％）および第二の発光層における第二のエミッタの濃度（ｗｔ％）より大きい有機発光装置。
（７）上記（１）において、第四の発光層には、エミッタとして第四のエミッタのみが添加される有機発光装置。
（８）上記（１）において、基板上に形成された第一の電極と、第一の電極上に形成された第二の電極と、を有し、第一の発光層，第二の発光層，第三の発光層および第四の発光層は第一の電極および第二の電極で挟持され、第一の電極から第二の電極に向かって、第一の発光層，第二の発光層，第三の発光層および第四の発光層の順に配置される有機発光装置。
（９）上記（８）において、第四の発光層および第二の電極の間に第五の発光層が形成され、第五の発光層に含まれるエミッタの発光領域は、第一のエミッタの発光領域および第二のエミッタの発光領域と異なる有機発光装置。
（１０）上記（１）において、基板上に形成された第一の電極と、第一の電極上に形成された第二の電極と、を有し、第一の発光層，第二の発光層，第三の発光層および第四の発光層は第一の電極および第二の電極で挟持され、第一の電極から第二の電極に向かって、第二の発光層，第一の発光層，第四の発光層および第三の発光層の順に配置される有機発光装置。
（１１）上記（１）において、第一の発光ユニットおよび第二の発光ユニットを有し、第一の発光ユニットは、第一の下部電極，第一の発光層，第二の発光層および第一の上部電極を有し、第二の発光ユニットは、第二の下部電極，第三の発光層，第四の発光層および第二の上部電極を有し、第一の上部電極および第一の下部電極の間に第一の発光層および第二の発光層が形成され、第二の上部電極および第二の下部電極の間に第三の発光層および第四の発光層が形成され、第一の上部電極および第二の下部電極が電気的に接続されることで、第一の発光ユニットおよび第二の発光ユニットは直列に接続される有機発光装置。
（１２）上記（１）において、第一の発光層および第三の発光層は同層に形成され、第二の発光層および第四の発光層は同層に形成される有機発光装置。
（１３）上記（１）において、第一の発光層の正孔移動度が第二の発光層の電子移動度より小さく、第三の発光層の正孔移動度が第四の発光層の電子移動度より大きい有機発光装置。
（１４）上記（１）において、第一の発光層の電子移動度が第二の発光層の正孔移動度より小さく、第三の発光層の電子移動度が第四の発光層の正孔移動度より大きい有機発光装置。
（１５）上記（１）において、第一のエミッタのＨＯＭＯと第二のエミッタのＨＯＭＯのエネルギー差が０.０から０.３ｅＶの範囲となる有機発光装置。
（１６）第一の電極と、第二の電極と、第一の電極及び第二の電極の間に形成された第一の発光層，第二の発光層，第三の発光層と、を有し、第一の発光層には第一のエミッタが添加され、第二の発光層には第二のエミッタが添加され、第三の発光層には第一のエミッタおよび第二のエミッタが添加され、第一の発光層と第二の発光層とが接し、第二の発光層と第三の発光層とが接し、第一のエミッタの発光中心波長が第二のエミッタの発光中心波長より大きい有機発光装置。
（１７）上記（１６）において、第一の発光層の正孔移動度が第二の発光層の電子移動度より小さく、第二の発光層の電子移動度が第三の発光層の正孔移動度より小さく、第一の発光層の電子移動度が第二の発光層の正孔移動度より小さく、第二の発光層の正孔移動度が第三の発光層の電子移動度より小さい有機発光装置。 The features of the present invention for solving the above-described problems are as follows.
(1) It has a substrate and a first light emitting layer, a second light emitting layer, a third light emitting layer and a fourth light emitting layer formed on the substrate. One emitter is added, a second emitter is added to the second light emitting layer, a third first emitter and a third emitter are added to the third light emitting layer, and the fourth light emitting layer is added to the fourth light emitting layer. The fourth emitter is added, the first light emitting layer is in contact with the second light emitting layer, the third light emitting layer is in contact with the fourth light emitting layer, and the emission center wavelength of the first emitter is the second light emitting layer. The emission center wavelength of the emitter is greater than the emission center wavelength of the third emitter, the emission center wavelength of the third emitter is greater than the emission center wavelength of the third emitter, and the emission center wavelength of the third emitter is the emission center wavelength of the fourth emitter. The emission center wavelength of the first emitter and the emission center wavelength of the third emitter are the same wavelength region. Exist, emission center wavelength of the second emitter, the emission center wavelength of the third and second emission center wavelength and fourth emitters are organic light-emitting device to be in the same wavelength region.
(2) The organic light emitting device according to (1), wherein the emission center wavelength of the second emitter, the emission center wavelength of the third emitter, and the emission center wavelength of the fourth emitter are in the blue region.
(3) In (1) above, the emission center wavelength of the first emitter and the emission center wavelength of the third emitter are in the red region, the emission center wavelength of the second emitter, The organic light emitting device in which the emission center wavelength and the emission center wavelength of the fourth emitter are in the green region.
(4) In the above (1), the first emitter and the third first emitter are made of the same material, and the second emitter, the third second emitter, and the fourth emitter are made of the same material. Light emitting device.
(5) In the above (1), the concentration (wt%) of the third emitter in the third light emitting layer is smaller than the concentration (wt%) of the third emitter in the third light emitting layer. .
(6) In the above (1), the concentration (wt%) of the third emitter in the third light emitting layer is the concentration (wt%) of the first emitter in the first light emitting layer and the second light emitting layer. The organic light-emitting device having a concentration greater than the concentration (wt%) of the second emitter in FIG.
(7) The organic light emitting device according to (1), wherein only the fourth emitter is added as an emitter to the fourth light emitting layer.
(8) In the above (1), it has a first electrode formed on the substrate and a second electrode formed on the first electrode. The layer, the third light emitting layer, and the fourth light emitting layer are sandwiched between the first electrode and the second electrode, and from the first electrode toward the second electrode, the first light emitting layer, the second light emitting layer An organic light emitting device in which a layer, a third light emitting layer, and a fourth light emitting layer are arranged in this order.
(9) In the above (8), a fifth light-emitting layer is formed between the fourth light-emitting layer and the second electrode, and the light-emitting region of the emitter included in the fifth light-emitting layer is the same as that of the first emitter. An organic light emitting device different from the light emitting region and the light emitting region of the second emitter.
(10) In the above (1), the first light-emitting layer and the second light-emitting element each include a first electrode formed on the substrate and a second electrode formed on the first electrode. The layer, the third light emitting layer, and the fourth light emitting layer are sandwiched between the first electrode and the second electrode, and the second light emitting layer, the first light emission are directed from the first electrode toward the second electrode. An organic light emitting device in which a layer, a fourth light emitting layer, and a third light emitting layer are arranged in this order.
(11) In the above (1), a first light emitting unit and a second light emitting unit are provided, and the first light emitting unit includes a first lower electrode, a first light emitting layer, a second light emitting layer, and a first light emitting unit. The second light emitting unit has a second lower electrode, a third light emitting layer, a fourth light emitting layer, and a second upper electrode, the first upper electrode and the first light emitting unit. A first light-emitting layer and a second light-emitting layer are formed between the lower electrodes, and a third light-emitting layer and a fourth light-emitting layer are formed between the second upper electrode and the second lower electrode, An organic light emitting device in which the first light emitting unit and the second light emitting unit are connected in series by electrically connecting the first upper electrode and the second lower electrode.
(12) The organic light emitting device according to (1), wherein the first light emitting layer and the third light emitting layer are formed in the same layer, and the second light emitting layer and the fourth light emitting layer are formed in the same layer.
(13) In the above (1), the hole mobility of the first light emitting layer is smaller than the electron mobility of the second light emitting layer, and the hole mobility of the third light emitting layer is the electron of the fourth light emitting layer. Organic light-emitting device with greater mobility.
(14) In the above (1), the electron mobility of the first light emitting layer is smaller than the hole mobility of the second light emitting layer, and the electron mobility of the third light emitting layer is the hole of the fourth light emitting layer. Organic light-emitting device with greater mobility.
(15) The organic light emitting device according to (1), wherein the energy difference between the HOMO of the first emitter and the HOMO of the second emitter is in the range of 0.0 to 0.3 eV.
(16) a first electrode, a second electrode, a first light emitting layer, a second light emitting layer, and a third light emitting layer formed between the first electrode and the second electrode, A first emitter is added to the first light emitting layer, a second emitter is added to the second light emitting layer, and a first emitter and a second emitter are added to the third light emitting layer. The first emission layer and the second emission layer are in contact, the second emission layer and the third emission layer are in contact, and the emission center wavelength of the first emitter is the emission center wavelength of the second emitter. Larger organic light emitting device.
(17) In the above (16), the hole mobility of the first light emitting layer is smaller than the electron mobility of the second light emitting layer, and the electron mobility of the second light emitting layer is the hole of the third light emitting layer. Less than the mobility, the electron mobility of the first light emitting layer is smaller than the hole mobility of the second light emitting layer, and the hole mobility of the second light emitting layer is smaller than the electron mobility of the third light emitting layer. Organic light emitting device.

本発明により、電流密度の増大に伴う色度変化を低減できる。上記した以外の課題，構成及び効果は以下の実施形態の説明により明らかにされる。   According to the present invention, a change in chromaticity accompanying an increase in current density can be reduced. Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of embodiments.

本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図。The OLED sectional view in one embodiment of the present invention. （ａ）本発明の一実施形態におけるエネルギー準位概念図、（ｂ）本発明の一実施形態におけるエネルギー準位概念図。(A) The energy level conceptual diagram in one Embodiment of this invention, (b) The energy level conceptual diagram in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図。The OLED sectional view in one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図。The OLED sectional view in one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図。The OLED sectional view in one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図。The OLED sectional view in one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図。The OLED sectional view in one embodiment of the present invention.

以下、図面等を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の説明は本願発明の内容の具体例を示すものであり、本願発明がこれらの説明に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。実施例を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following description shows specific examples of the contents of the present invention, and the present invention is not limited to these descriptions. Various modifications by those skilled in the art are within the scope of the technical idea disclosed in this specification. Changes and modifications are possible. In all the drawings for explaining the embodiments, the same reference numerals are given to those having the same function, and the repeated explanation thereof is omitted.

図１は有機発光素子の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図である。ＯＬＥＤ１１２は、基板１０１，第一の電極１０２，正孔輸送層１０３，第一の発光層１０４，第二の発光層１０５，電子輸送層１０８，電荷発生層１１３，正孔輸送層１０３，第三の発光層１０７，第四の発光層１４１，電子輸送層１０８，電荷発生層１１３，正孔輸送層１０３，第五の発光層１１８，電子輸送層１０８，第二の電極１０９で構成されており、この順に下から配置されている。第一の発光層１０４，第二の発光層１０５，第三の発光層１０７および第四の発光層１４１は第一の電極１０２および第二の電極１０９で挟持される。第五の発光層１１８が配置されている必要はない。ここで、第一の電極１０２を陰極となる反射電極、第二の電極１０９を陽極となる透明電極とすると、図１の有機発光素子は第二の電極１０９側から発光を取り出すトップエミッション型となる。また、第一の電極１０２を陽極となる透明電極、第二の電極１０９を陰極となる反射電極とすると、図１の有機発光素子は第一の電極１０２側から発光を取り出すボトムエミッション型となる。第一の基板１０１および第一の電極１０２、第一の電極１０２および正孔輸送層１０３、電子輸送層１０８および第二の電極１０９はそれぞれ接していても構わない。   FIG. 1 is a cross-sectional view of an OLED in an embodiment of an organic light emitting device. The OLED 112 includes a substrate 101, a first electrode 102, a hole transport layer 103, a first light emitting layer 104, a second light emitting layer 105, an electron transport layer 108, a charge generation layer 113, a hole transport layer 103, a third Light emitting layer 107, fourth light emitting layer 141, electron transport layer 108, charge generation layer 113, hole transport layer 103, fifth light emitting layer 118, electron transport layer 108, and second electrode 109. These are arranged from the bottom in this order. The first light-emitting layer 104, the second light-emitting layer 105, the third light-emitting layer 107, and the fourth light-emitting layer 141 are sandwiched between the first electrode 102 and the second electrode 109. The fifth light emitting layer 118 is not necessarily arranged. Here, when the first electrode 102 is a reflective electrode serving as a cathode and the second electrode 109 is a transparent electrode serving as an anode, the organic light-emitting device in FIG. 1 is a top emission type that extracts light emission from the second electrode 109 side. Become. Further, when the first electrode 102 is a transparent electrode serving as an anode and the second electrode 109 is a reflecting electrode serving as a cathode, the organic light emitting device in FIG. 1 is a bottom emission type in which light emission is extracted from the first electrode 102 side. . The first substrate 101 and the first electrode 102, the first electrode 102 and the hole transport layer 103, the electron transport layer 108 and the second electrode 109 may be in contact with each other.

＜基板＞
基板１０１として、ガラス基板が挙げられる。この他にも、基板１０１として用いられるものとしては金属基板、ＳｉＯ2，ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を形成したプラスチック基板等が挙げられる。金属基板材料としては、ステンレス，アロイなどの合金が挙げられる。プラスチック基板材料としては、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等が挙げられる。 <Board>
An example of the substrate 101 is a glass substrate. In addition, examples of the substrate 101 include a metal substrate, a plastic substrate on which an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, Al 2 O 3 is formed. Examples of the metal substrate material include alloys such as stainless steel and alloy. Examples of the plastic substrate material include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymethyl methacrylate, polysulfone, polycarbonate, and polyimide.

＜陽極＞
陽極材料としては、透明性と高い仕事関数を有する材料であれば用いることができる。具体的には、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの導電性酸化物や、薄いＡｇなどの仕事関数の大きい金属が挙げられる。電極のパターン形成は、一般的にはガラス等の基板上にホトリソグラフィーなどを用いて行うことができる。 <Anode>
As the anode material, any material having transparency and a high work function can be used. Specifically, conductive oxides such as ITO and IZO and metals having a large work function such as thin Ag can be used. In general, the electrode pattern can be formed on a substrate such as glass by using photolithography.

＜陰極＞
陰極材料は、発光層からの光を反射するための反射電極である。具体的には、ＬｉＦとＡｌの積層体やＭｇ：Ａｇ合金などが好適に用いられる。また、これらの材料に限定されるものではなく、例えばＬｉＦの代わりとして、Ｃｓ化合物，Ｂａ化合物，Ｃａ化合物などを用いることができる。電極のパターン形成は、一般的にはマスクを使用して、蒸着装置などを用いて行うことができる。 <Cathode>
The cathode material is a reflective electrode for reflecting light from the light emitting layer. Specifically, a laminate of LiF and Al, an Mg: Ag alloy, or the like is preferably used. Moreover, it is not limited to these materials, For example, Cs compound, Ba compound, Ca compound etc. can be used instead of LiF. The pattern formation of the electrode can be generally performed using a vapor deposition apparatus or the like using a mask.

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１０３とは、正孔１３６を輸送する機能を有する層である。正孔輸送材料として、下記〔化８〕のＮＰＢや下記〔化９〕のＴＡＰＣが望ましいが、これらの材料に限定されるものではない。また、上記のうち併用できる材料が１種または２種以上正孔輸送層１０３に含まれていてもよい。 <Hole transport layer>
The hole transport layer 103 is a layer having a function of transporting holes 136. As the hole transport material, NPB of the following [Chemical Formula 8] and TAPC of the following [Chemical Formula 9] are desirable, but are not limited to these materials. Moreover, the material which can be used together among the above may be contained in the hole transport layer 103 by 1 type (s) or 2 or more types.

Figure 0005624932
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正孔輸送層１０３を電子ブロッキング層、すなわち、発光層からの電子をブロッキングする機能を有する層、として使用してもよいし、電子ブロッキング層として使用した正孔輸送層１０３と本来正孔輸送層１０３として用いているものを併用してもよい。また、正孔輸送層１０３は正孔注入層と併用してもよい。   The hole transport layer 103 may be used as an electron blocking layer, that is, a layer having a function of blocking electrons from the light emitting layer, or the hole transport layer 103 used as the electron blocking layer and the original hole transport layer. What is used as 103 may be used in combination. The hole transport layer 103 may be used in combination with a hole injection layer.

＜正孔注入層＞
正孔注入層とは発光効率や寿命を改善する目的で使用される。また、特に必須ではないが、陽極の凹凸を緩和する目的で使用される。正孔注入層を単層もしくは複数層設けてもよい。正孔注入層としては、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））：ＰＳＳ（ポリスチレンスルホネート）等の導電性高分子が好ましい。その他にも、ポリピロール系やトリフェニルアミン系のポリマー材料を用いることができる。また、低分子（重量平均分子量１００００以下）材料系と組合せてよく用いられる、フタロシアニン類化合物やスターバーストアミン系化合物も適用可能である。 <Hole injection layer>
The hole injection layer is used for the purpose of improving luminous efficiency and lifetime. Moreover, although it is not essential, it is used for the purpose of relaxing the unevenness of the anode. A single hole injection layer or a plurality of hole injection layers may be provided. The hole injection layer is preferably a conductive polymer such as PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)): PSS (polystyrene sulfonate). In addition, polypyrrole-based or triphenylamine-based polymer materials can be used. Further, phthalocyanine compounds and starburst amine compounds that are often used in combination with a low molecular weight (weight average molecular weight 10,000 or less) material system are also applicable.

＜電子輸送層＞
電子輸送層１０８とは、電子１３５を輸送する機能を有する層である。電子輸送材料として、ＨＯＭＯ準位が深いという点で下記〔化１０〕の３ＴＰＹＭＢや下記〔化１１〕のＡｌｑ３が望ましいが、これらの材料に限定されるものではない。また、上記のうち併用できる材料が１種または２種以上電子輸送層１０８に含まれていてもよい。 <Electron transport layer>
The electron transport layer 108 is a layer having a function of transporting electrons 135. As the electron transport material, 3TPYMB of the following [Chemical Formula 10] and Alq3 of the following [Chemical Formula 11] are preferable in that the HOMO level is deep, but the material is not limited to these materials. Moreover, the material which can be used together among the above may be contained in the electron carrying layer 108 1 type, or 2 or more types.

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電子輸送層１０８を正孔ブロッキング層、すなわち、発光層からの正孔をブロッキングする機能を有する層、として使用してもよいし、正孔ブロッキング層として使用した電子輸送層１０８と本来電子輸送層１０８として用いているものを併用してもよい。また、電子輸送層１０８は電子注入層と併用してもよい。   The electron transport layer 108 may be used as a hole blocking layer, that is, a layer having a function of blocking holes from the light emitting layer, or the electron transport layer 108 used as the hole blocking layer and the original electron transport layer. What is used as 108 may be used in combination. Further, the electron transport layer 108 may be used in combination with an electron injection layer.

＜電子注入層＞
電子注入層は陰極から電子輸送層１０８への電子注入効率を向上させる。具体的には、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。 <Electron injection layer>
The electron injection layer improves the efficiency of electron injection from the cathode to the electron transport layer 108. Specifically, lithium fluoride, magnesium fluoride, calcium fluoride, strontium fluoride, barium fluoride, magnesium oxide, and aluminum oxide are desirable. Of course, the material is not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.

＜電荷発生層＞
電荷発生層１１３とは、電荷発生層１１３内部を等電位に保つ層である。自由キャリアを有するという点でＩＴＯ等の透明導電膜、Ｖ2Ｏ5，ＭｏＯ3，ＷＯ3等の無機酸化物、膜厚が１０ｎｍ以下の金属膜が望ましいが、これらの材料に限定されるものではない。 <Charge generation layer>
The charge generation layer 113 is a layer that maintains the inside of the charge generation layer 113 at an equipotential. In terms of having free carriers, a transparent conductive film such as ITO, an inorganic oxide such as V 2 O 5 , MoO 3 , and WO 3 and a metal film with a film thickness of 10 nm or less are desirable, but these materials are limited. is not.

図１の構成では、各発光ユニットが電荷発生層１１３を介して接続された構造を有するが、本発明は電荷発生層１１３を使用しない、通常の白色ＯＬＥＤにも適用可能である。例えば、第一の発光層１０４及び第二の発光層１０５の２層積層発光層と、第三の発光層１０７及び第四の発光層１４１の２層積層発光層を、バイポーラ輸送材料を介して接続する方法などがある。   In the configuration of FIG. 1, each light emitting unit has a structure connected via the charge generation layer 113, but the present invention is also applicable to a normal white OLED that does not use the charge generation layer 113. For example, a two-layer stacked light-emitting layer of a first light-emitting layer 104 and a second light-emitting layer 105 and a two-layer stacked light-emitting layer of a third light-emitting layer 107 and a fourth light-emitting layer 141 are connected via a bipolar transport material. There are ways to connect.

＜発光層＞
発光層（第一の発光層１０４，第二の発光層１０５，第三の発光層１０７，第四の発光層１４１，第五の発光層１１８）とは、電極などから注入されてくる電子１３５及び正孔１３６が再結合して発光する層である。発光する部分は発光層の層内であっても発光層と発光層に隣接する層との界面であってもよい。 <Light emitting layer>
The light-emitting layer (the first light-emitting layer 104, the second light-emitting layer 105, the third light-emitting layer 107, the fourth light-emitting layer 141, and the fifth light-emitting layer 118) is an electron 135 injected from an electrode or the like. And the hole 136 recombines and emits light. The portion that emits light may be within the layer of the light emitting layer or may be the interface between the light emitting layer and a layer adjacent to the light emitting layer.

第一の発光層１０４は発光層のホスト材料および第一のエミッタで構成される。第二の発光層１０５は発光層のホスト材料および第二のエミッタで構成される。第三の発光層１０７は発光層のホスト材料、第三一のエミッタ及び第三二のエミッタで構成される。第四の発光層１４１は発光層のホスト材料および第四のエミッタで構成される。第五の発光層１１８は発光層のホスト材料および第五のエミッタで構成される。   The first light emitting layer 104 is composed of a host material of the light emitting layer and a first emitter. The second light emitting layer 105 is composed of a host material of the light emitting layer and a second emitter. The third light emitting layer 107 is composed of a host material of the light emitting layer, a third first emitter and a third second emitter. The fourth light emitting layer 141 is composed of a host material of the light emitting layer and a fourth emitter. The fifth light emitting layer 118 is composed of the host material of the light emitting layer and the fifth emitter.

第一のエミッタの発光における中心波長は、第二のエミッタの発光における中心波長より大きいことが望ましい。第三一のエミッタの発光中心波長は、第三二のエミッタの発光中心波長より大きいことが望ましい。第三一のエミッタの発光中心波長は、第四のエミッタの発光中心波長より大きいことが望ましい。発光中心波長とは、エミッタの発光スペクトルの強度が最大となる波長のことである。エミッタの発光中心波長は、そのエミッタのみを含む発光層単膜のＰＬスペクトルを取得することにより、その強度が最大となる波長から測定できる。   The center wavelength in the light emission of the first emitter is preferably larger than the center wavelength in the light emission of the second emitter. The emission center wavelength of the third emitter is preferably larger than the emission center wavelength of the third emitter. The emission center wavelength of the third emitter is preferably larger than the emission center wavelength of the fourth emitter. The emission center wavelength is a wavelength at which the intensity of the emission spectrum of the emitter is maximized. The emission center wavelength of the emitter can be measured from the wavelength at which the intensity becomes maximum by acquiring the PL spectrum of the single light emitting layer film including only the emitter.

第一のエミッタの発光中心波長および前記第三一のエミッタの発光中心波長は、同じ波長領域に存在することが望ましい。第二のエミッタの発光中心波長，第三二のエミッタの発光中心波長および第四のエミッタの発光中心波長は、同じ波長領域に存在することが望ましい。   It is desirable that the emission center wavelength of the first emitter and the emission center wavelength of the third emitter be in the same wavelength region. It is desirable that the emission center wavelength of the second emitter, the emission center wavelength of the third and second emitters, and the emission center wavelength of the fourth emitter exist in the same wavelength region.

第三一のエミッタは、第一のエミッタと同じ材料であることが望ましい。第三二のエミッタおよび第四のエミッタは、第二のエミッタと同じ材料であることが望ましい。以下の説明では、第三一のエミッタが第一のエミッタと同じ材料、第三二のエミッタおよび第四のエミッタが第二のエミッタと同じ材料であるとする。   The third emitter is preferably the same material as the first emitter. The third second emitter and the fourth emitter are preferably the same material as the second emitter. In the following description, it is assumed that the third first emitter is the same material as the first emitter, and the third second emitter and the fourth emitter are the same material as the second emitter.

第一のエミッタの発光領域および第二のエミッタの発光領域の形態として以下に記載するが、これに限られない。
（１）第一のエミッタ＝赤色領域、第二のエミッタ＝緑色領域
（２）第一のエミッタ＝緑色領域、第二のエミッタ＝青色領域
（３）第一のエミッタ＝赤色領域、第二のエミッタ＝青色領域
（４）第一のエミッタ＝黄色領域、第二のエミッタ＝青色領域
（５）第一のエミッタ＝水色領域、第二のエミッタ＝青色領域
上記の発光領域のパターンとして、色度変化を低減でき、実用性の高いエミッタの組合せであるという理由により（１）が望ましい。（１）より色度変化を低減できるという理由により（３）がさらに望ましい。実用的なエミッタの組合せの中で最も色度変化を低減できるという理由により（２）が最も望ましい。 Although it describes below as a form of the light emission area | region of a 1st emitter, and the light emission area | region of a 2nd emitter, it is not restricted to this.
(1) first emitter = red region, second emitter = green region (2) first emitter = green region, second emitter = blue region (3) first emitter = red region, second Emitter = blue region (4) first emitter = yellow region, second emitter = blue region (5) first emitter = light blue region, second emitter = blue region As a pattern of the above light emitting region, chromaticity (1) is desirable because it is a combination of emitters that can reduce changes and has high practicality. (3) is more desirable because the change in chromaticity can be reduced more than (1). Of the practical emitter combinations, (2) is most desirable because it can reduce the chromaticity change most.

発光層のホスト材料とは、エミッタを固定化するために用いられる材料である。発光層のホスト材料として、下記〔化１〕のｍＣＰや下記〔化１２〕のＣＢＰが望ましいが、この材料に限定されるものではない。また、上記のうち併用できる材料が１種または２種以上が発光層に含まれていてもよい。   The host material of the light emitting layer is a material used for fixing the emitter. As the host material of the light emitting layer, mCP of the following [Chemical Formula 1] and CBP of the following [Chemical Formula 12] are desirable, but the material is not limited to this material. Moreover, the material which can be used together among the above 1 type (s) or 2 or more types may be contained in the light emitting layer.

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第五の発光層１１８に含まれるエミッタの発光領域は、第一のエミッタの発光領域および第二のエミッタの発光領域と異なることが望ましい。例えば、第一のエミッタの発光領域を赤色領域、第二のエミッタの発光領域を緑色領域、とした場合、第五の発光層１１８に含まれるエミッタの発光領域を青色領域とすることにより、ＯＬＥＤ１１２から白色光が出射される。   It is desirable that the light emitting region of the emitter included in the fifth light emitting layer 118 is different from the light emitting region of the first emitter and the light emitting region of the second emitter. For example, when the light emission region of the first emitter is a red region and the light emission region of the second emitter is a green region, the light emission region of the emitter included in the fifth light emitting layer 118 is a blue region, thereby making the OLED 112 From which white light is emitted.

エミッタとは、発光層のホスト材料にドープされる材料である。赤色燐光材料として、量子収率が高いという点で下記〔化２〕のＩｒ(２−ｐｈｑ)２ａｃａｃ，下記〔化３〕のＩｒ(ｐｉｑ)３，Ｉｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)などが望ましいが、これらの材料に限定されるものではない。緑色燐光材料として、量子収率が高いという点で下記〔化４〕のＩｒ(ｐｐｙ)２ａｃａｃ）、下記〔化５〕のＩｒ(ｐｐｙ)３などが望ましいが、これらの材料に限定されるものではない。青色燐光材料として、量子収率が高いという点で下記〔化６〕のＦＩｒ６、下記〔化７〕のFIrpicなどが望ましいが、これらの材料に限定されるものではない。また、上記のうち併用できる材料が１種または２種が発光層に含まれていてもよい。   The emitter is a material doped into the host material of the light emitting layer. As a red phosphorescent material, Ir (2-phq) 2acac of the following [Chemical Formula 2], Ir (piq) 3, Ir (piq) 2 (acac) of the following [Chemical Formula 3] and the like are desirable in terms of high quantum yield. However, it is not limited to these materials. The green phosphorescent material is preferably Ir (ppy) 2acac in the following [Chemical Formula 4] or Ir (ppy) 3 in the following [Chemical Formula 5] in terms of high quantum yield, but is limited to these materials. is not. As a blue phosphorescent material, FIr6 of the following [Chemical Formula 6] and FIrpic of the following [Chemical Formula 7] are desirable in terms of high quantum yield, but the material is not limited to these materials. Moreover, the material which can be used together among the above 1 type or 2 types may be contained in the light emitting layer.

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赤色燐光材料とは、６２０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下（赤色領域）の領域に発光極大波長を持つ赤色光成分を有する材料をいう。緑色燐光材料とは、４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下（緑色領域）の領域に発光極大波長を持つ緑色光成分を有する材料をいう。青色燐光材料とは、４９５ｎｍ以下（青色領域）の領域に発光極大波長を持つ青色光成分を有する材料をいう。黄色燐光材料とは、５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ以下（黄色領域）の領域に発光極大波長を持つ黄色光成分を有する材料をいう。   The red phosphorescent material refers to a material having a red light component having an emission maximum wavelength in a region of 620 nm or more and 750 nm or less (red region). The green phosphorescent material refers to a material having a green light component having an emission maximum wavelength in a region from 495 nm to 570 nm (green region). The blue phosphorescent material refers to a material having a blue light component having an emission maximum wavelength in a region of 495 nm or less (blue region). The yellow phosphorescent material refers to a material having a yellow light component having an emission maximum wavelength in a region of 570 nm to 590 nm (yellow region).

上記に記載された発光層のホスト材料およびエミッタを、例えば、スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法，スプレー法，インクジェット法，ペイント法等の公知の方法により発光層は成膜される。   The light emitting layer is formed by a known method such as a spin coating method, a casting method, an LB method, a spray method, an ink jet method, or a paint method using the host material and emitter of the light emitting layer described above.

図１において、第一の発光層１０４と第二の発光層１０５の２層積層発光層、第三の発光層１０７と第四の発光層１４１の２層積層発光層、及び第五の発光層１１８からのトータルの光が、ＯＬＥＤ１１４からの光となる。そのため、ＯＬＥＤ１１４から色度の電流密度依存性のない白色光を得るためには、下記の条件が考えられる。   In FIG. 1, a two-layer light-emitting layer of a first light-emitting layer 104 and a second light-emitting layer 105, a two-layer light-emitting layer of a third light-emitting layer 107 and a fourth light-emitting layer 141, and a fifth light-emitting layer The total light from 118 becomes light from the OLED 114. Therefore, in order to obtain white light from the OLED 114 that does not depend on the current density of chromaticity, the following conditions can be considered.

（１）二つの２層積層発光層を合わせた発光部の電流効率が電流密度に依存しないこと。
（２）第五の発光層１１８の電流効率が電流密度に依存しないこと。
（３）二つの２層積層発光層を合わせた発光部の電流効率の低下傾向と、第五の発光層１１８の電流効率の低下傾向とが、ある電流密度におけるトータルの光が常に一定色度の白色光を保つようなものであること。 (1) The current efficiency of the light-emitting portion obtained by combining two two-layer laminated light-emitting layers does not depend on the current density.
(2) The current efficiency of the fifth light emitting layer 118 does not depend on the current density.
(3) The tendency of the current efficiency of the light-emitting portion combining the two two-layered light-emitting layers to decrease and the tendency of the current efficiency of the fifth light-emitting layer 118 to decrease is that the total light at a certain current density is always constant chromaticity. To keep the white light.

上記（２）を満たすには、下記の条件が考えられる。
（２−１）高電流密度領域においても発光層に使用した材料が分解・劣化しないこと。
（２−２）キャリアが発光層内に閉じ込められること。
（２−３）発光層内に励起子が閉じ込められること。
（２−４）再結合領域が発光層内に平均的に分布すること。 The following conditions can be considered to satisfy the above (2).
(2-1) The material used for the light emitting layer should not be decomposed or deteriorated even in a high current density region.
(2-2) Carriers are confined in the light emitting layer.
(2-3) Excitons are confined in the light emitting layer.
(2-4) The recombination region is distributed on the average in the light emitting layer.

現実的には、上記の条件を完全に満たすケースは存在しないため、電流密度の増大に対し、色度変化が生じる。したがって、有機発光装置の使用用途に応じて、その色度変化を許容範囲内に抑える必要がある。本実施例は主に照明での使用を想定しており、色度変化は（ｘ，ｙ≦Δ０.０１）であることが望ましい。図１において第五の発光層１１８が存在しない場合は、必ずしも上記の（２）および（３）を考慮する必要はない。   Actually, since there is no case that completely satisfies the above-described conditions, a chromaticity change occurs as the current density increases. Therefore, it is necessary to suppress the change in chromaticity within an allowable range according to the use application of the organic light emitting device. The present embodiment mainly assumes use in illumination, and the change in chromaticity is preferably (x, y ≦ Δ0.01). In the case where the fifth light emitting layer 118 does not exist in FIG. 1, the above (2) and (3) are not necessarily considered.

図２（ａ）および図２（ｂ）に、本実施例におけるエネルギー準位概念図を示す。なお、本実施例は、図２（ａ）に示す２層積層発光層と図２（ｂ）に示す２層積層発光層とを合わせて使用することにより、色度の電流密度依存性を相殺するものである。   2A and 2B are conceptual diagrams of energy levels in this example. In this example, the current density dependence of chromaticity is offset by using the two-layer laminated light emitting layer shown in FIG. 2A and the two-layer laminated light emitting layer shown in FIG. To do.

ここで、各発光層の移動度の関係において以下の条件のうちいずれかを満たすことが望ましい。図２は、下記（１）の内容に対応している。   Here, it is desirable to satisfy one of the following conditions in relation to the mobility of each light emitting layer. FIG. 2 corresponds to the following (1).

（１）第一の発光層１０４の正孔移動度が第二の発光層１０５の電子移動度より小さく、第三の発光層１０７の正孔移動度が前記第四の発光層１４１の電子移動度より大きいこと。
（２）第一の発光層１０４の電子移動度が第二の発光層１０５の正孔移動度より小さく、第三の発光層１０７の電子移動度が第四の発光層１４１の正孔移動度より大きいこと。 (1) The hole mobility of the first light-emitting layer 104 is smaller than the electron mobility of the second light-emitting layer 105, and the hole mobility of the third light-emitting layer 107 is the electron mobility of the fourth light-emitting layer 141. Greater than degree.
(2) The electron mobility of the first light emitting layer 104 is smaller than the hole mobility of the second light emitting layer 105, and the electron mobility of the third light emitting layer 107 is the hole mobility of the fourth light emitting layer 141. Be bigger.

ここで、電子／正孔移動度とは、固体の物質中での電子／正孔の移動のしやすさを示す量であり、単位は一般的にはcm2／Ｖｓで表わされる。電子／正孔移動度は、ＴＯＦ法やＩＳ法で計測される。ＴＯＦ法とは、一方の電極側でシート状の電荷を光パルスで発生させ、電界によって反対側に掃引させて、過渡電流波形から走行時間を測定し、平均電界を利用して移動度を求める方法である。ＩＳ法とは、微小正弦波電圧信号を素子に印加し、その応答電流信号の振幅と位相から、印加電圧信号の周波数の関数としてインピーダンススペクトルを取得することにより、走行時間、すなわち移動度を算出する方法である。 Here, the electron / hole mobility is an amount indicating the ease of movement of electrons / holes in a solid substance, and the unit is generally represented by cm 2 / Vs. The electron / hole mobility is measured by the TOF method or the IS method. In the TOF method, a sheet-like electric charge is generated on one electrode side by a light pulse, swept to the opposite side by an electric field, travel time is measured from a transient current waveform, and mobility is obtained using an average electric field. Is the method. The IS method applies a small sine wave voltage signal to the element and calculates the travel time, ie, mobility, by obtaining the impedance spectrum as a function of the frequency of the applied voltage signal from the amplitude and phase of the response current signal. It is a method to do.

図２（ａ）は正孔輸送層１０３，第一の発光層１０４，第二の発光層１０５，電子輸送層１０８で構成される。図２（ａ）において、正孔輸送層１０３のＬＵＭＯ１２３，第一の発光層１０４のホスト材料のＬＵＭＯ１２４，第二の発光層１０５のホスト材料のＬＵＭＯ１２５，電子輸送層１０８のＬＵＭＯ１２６，正孔輸送層１０３のＨＯＭＯ１２７，第一の発光層１０４におけるホスト材料のＨＯＭＯ１２８，第二の発光層１０５におけるホスト材料のＨＯＭＯ１２９，電子輸送層１０８のＨＯＭＯ１３０，第一の発光層１０４における第一のエミッタのＬＵＭＯ１３１，第二の発光層１０５における第二のエミッタのＬＵＭＯ１３２，第一の発光層１０４における第一のエミッタのＨＯＭＯ１３３，第二の発光層１０５における第二のエミッタのＨＯＭＯ１３４が図示されている。   FIG. 2A includes a hole transport layer 103, a first light emitting layer 104, a second light emitting layer 105, and an electron transport layer 108. 2A, the LUMO 123 of the hole transport layer 103, the LUMO 124 of the host material of the first light emitting layer 104, the LUMO 125 of the host material of the second light emitting layer 105, the LUMO 126 of the electron transport layer 108, and the hole transport layer. HOMO 127 of 103, HOMO 128 of the host material in the first light emitting layer 104, HOMO 129 of the host material in the second light emitting layer 105, HOMO 130 of the electron transport layer 108, LUMO 131 of the first emitter in the first light emitting layer 104, A second emitter LUMO 132 in the second light-emitting layer 105, a first emitter HOMO 133 in the first light-emitting layer 104, and a second emitter HOMO 134 in the second light-emitting layer 105 are shown.

有機発光素子への電圧の印加により、正孔１３６は正孔輸送層１０３から第一の発光層１０４へ注入され、電子１３５は電子輸送層１０８から第二の発光層１０５へ注入される。電流密度の増大に伴い、第一のエミッタの発光色に近い色から第二のエミッタの発光色に近い色に変化することになる。電子１３５に対する第二の発光層１０５における第二のエミッタのＬＵＭＯ１３２より、正孔１３６に対する第一の発光層における第一のエミッタのＨＯＭＯ１３３の方が準位的に深い位置に存在するため、正孔１３６に対し強いトラップ性を有することになる。そのため、第一の発光層１０４における正孔１３６の移動度は、第二の発光層１０５における電子１３５の移動度より小さくなる。この結果、両キャリアは第一の発光層１０４と第二の発光層１０５の間の界面より第一の発光層１０４側においてより強く再結合が起こり、発光する。   By applying a voltage to the organic light emitting element, holes 136 are injected from the hole transport layer 103 to the first light emitting layer 104, and electrons 135 are injected from the electron transport layer 108 to the second light emitting layer 105. As the current density increases, the color changes from a color close to the emission color of the first emitter to a color close to the emission color of the second emitter. The HOMO 133 of the first emitter in the first luminescent layer with respect to the holes 136 is located at a deeper level than the LUMO 132 of the second emitter in the second luminescent layer 105 with respect to the electrons 135. 136 has a strong trapping property. Therefore, the mobility of holes 136 in the first light-emitting layer 104 is smaller than the mobility of electrons 135 in the second light-emitting layer 105. As a result, both carriers recombine more strongly on the first light emitting layer 104 side than the interface between the first light emitting layer 104 and the second light emitting layer 105, and emit light.

ところが、電流密度の増大に伴い、第一の発光層１０４における正孔１３６の移動度が上昇するため、再結合中心は第二の発光層１０５側に移動する。そのため、上記色度変化が生じる。   However, as the current density increases, the mobility of holes 136 in the first light-emitting layer 104 increases, so that the recombination center moves to the second light-emitting layer 105 side. Therefore, the chromaticity change occurs.

図２（ｂ）は正孔輸送層１０３，第三の発光層１０７，第四の発光層１４１，電子輸送層１０８で構成される。図２（ｂ）において、第三の発光層１０７における第二のエミッタのＬＵＭＯ１３７，第三の発光層１０７における第二のエミッタのＨＯＭＯ１３８，第三の発光層１０７における第一のエミッタのＬＵＭＯ１３９，第三の発光層１０７における第一のエミッタのＨＯＭＯ１４０，第四の発光層１４１における第二のエミッタのＬＵＭＯ１４２，第四の発光層１４１における第二のエミッタのＨＯＭＯ１４３が図示されている。   FIG. 2B includes a hole transport layer 103, a third light emitting layer 107, a fourth light emitting layer 141, and an electron transport layer 108. 2B, the second emitter LUMO 137 in the third light-emitting layer 107, the second emitter HOMO 138 in the third light-emitting layer 107, the first emitter LUMO 139 in the third light-emitting layer 107, the second A first emitter HOMO 140 in the third light-emitting layer 107, a second emitter LUMO 142 in the fourth light-emitting layer 141, and a second emitter HOMO 143 in the fourth light-emitting layer 141 are shown.

ここで、第三の発光層１０７には、第一のエミッタのみならず、アシストドーパントとして第二のエミッタが添加されているため、第三の発光層１０７における正孔１３６の移動度は、第四の発光層１４１における電子１３５の移動度より大きくなる。第四の発光層１４１にはアシストドーパントが含まれない、つまり、第四の発光層１４１にはエミッタとして第二のエミッタのみが添加されていることが望ましい。第四の発光層１４１にアシストドーパントをドープしても、第三の発光層１０７と第四の発光層１４１の移動度が異なり、移動度の上昇割合が第三の発光層１０７と第四の発光層１４１で異なるからである。   Here, since not only the first emitter but also the second emitter is added as an assist dopant to the third light emitting layer 107, the mobility of holes 136 in the third light emitting layer 107 is The mobility of the electrons 135 in the four light emitting layers 141 is larger. It is desirable that the fourth light emitting layer 141 contains no assist dopant, that is, only the second emitter is added as the emitter to the fourth light emitting layer 141. Even when the fourth light-emitting layer 141 is doped with an assist dopant, the mobility of the third light-emitting layer 107 and the fourth light-emitting layer 141 is different, and the rate of increase in mobility is the same as that of the third light-emitting layer 107 and the fourth light-emitting layer 141. This is because the light emitting layer 141 is different.

電流密度の増大に伴い、第四の発光層１４１における電子１３５の移動度が上昇し、発光色は第二のエミッタに比較的近い色から第一のエミッタに比較的近い色に変化することになる。   As the current density increases, the mobility of electrons 135 in the fourth light-emitting layer 141 increases, and the emission color changes from a color relatively close to the second emitter to a color relatively close to the first emitter. Become.

以上のように、図２（ａ）に示すような２層積層発光層と図２（ｂ）に示すような２層積層発光層を組合せて使用することにより、電流密度の変化に伴う色度変化が相殺され、色度変化を低減できる。   As described above, the chromaticity associated with the change in current density can be obtained by using a combination of the two-layered light emitting layer as shown in FIG. 2A and the two-layered light emitting layer as shown in FIG. 2B. The change is canceled out and the chromaticity change can be reduced.

発光する光のピーク波長が長い発光層ほど陽極側に配置する構成において、発光層に含まれるエミッタの要求特性は、発光する光のピーク波長が長い発光層に含まれるエミッタほどＬＵＭＯ準位及びＨＯＭＯ準位が低いことである。しかし、上記要求特性を満たす材料の組合せは、現実的にはかなり限定される。そのため、上記構成では、必ずしも発光効率の高いエミッタを使用した発光層の組合せが使用できるわけではないことが問題であった。それに対して、本実施例では、各発光層において使用可能なエミッタの組合せに普遍性をもたせることができる。   In the configuration in which the light emitting layer having a longer peak wavelength of emitted light is arranged on the anode side, the required characteristics of the emitter included in the light emitting layer are LUMO level and HOMO as the emitter included in the light emitting layer having a longer peak wavelength of emitted light. The level is low. However, the combination of materials that satisfy the above required characteristics is very limited in practice. Therefore, the above configuration has a problem in that a combination of light emitting layers using an emitter with high light emission efficiency cannot always be used. On the other hand, in this embodiment, universality can be given to combinations of emitters that can be used in each light emitting layer.

図３は、本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図である。図３に示した構成のように、第二の発光層１０５と第一の発光層１０４の２層積層発光層と、第四の発光層１４１と第三の発光層１０７の２層積層発光層の組合せによっても電流密度の変化に伴う色度変化を低減できる。   FIG. 3 is a cross-sectional view of an OLED according to an embodiment of the present invention. As in the configuration shown in FIG. 3, the two-layered light-emitting layer of the second light-emitting layer 105 and the first light-emitting layer 104, and the two-layered light-emitting layer of the fourth light-emitting layer 141 and the third light-emitting layer 107. The chromaticity change accompanying the change of the current density can be reduced also by the combination.

第二の発光層１０５と第一の発光層１０４の２層積層発光層の組合せでは、電流密度の増大に伴い、第一のエミッタの発光色に近い色から第二のエミッタの発光色に近い色に変化することになる。正孔１３６に対する第二の発光層１０５における第二のエミッタのＨＯＭＯ１３４より、電子１３５に対する第一の発光層１０４における第一のエミッタのＬＵＭＯ１３１の方が準位的に深い位置に存在するため、電子１３５に対し強いトラップ性を有することになる。そのため、第二の発光層１０５における電子１３５の移動度は、第一の発光層１０４における正孔１３６の移動度より小さくなる。この結果、両キャリアは第二の発光層１０５と第一の発光層１０４の間の界面より第一の発光層１０４側においてより強く再結合が起こり、発光する。   In the combination of the two-layer laminated light emitting layer of the second light emitting layer 105 and the first light emitting layer 104, as the current density increases, the color close to the light emission color of the first emitter is close to the light emission color of the second emitter. It will change to color. Since the LUMO 131 of the first emitter in the first light-emitting layer 104 for the electrons 135 exists at a deeper level than the HOMO 134 of the second emitter in the second light-emitting layer 105 for the holes 136, the electrons 135 has a strong trapping property. Therefore, the mobility of electrons 135 in the second light-emitting layer 105 is smaller than the mobility of holes 136 in the first light-emitting layer 104. As a result, both carriers recombine more strongly on the first light emitting layer 104 side than the interface between the second light emitting layer 105 and the first light emitting layer 104, and emit light.

ところが、電流密度の増大に伴い、第一の発光層１０４における電子１３５の移動度が上昇するため、再結合中心は第二の発光層１０５側に移動する。そのため、上記色度変化が生じる。第四の発光層１４１と第三の発光層１０７の２層積層発光層の組合せでは、電流密度の増大に伴い、第二のエミッタの発光色に近い色から第一のエミッタの発光色に近い色に変化することになる。したがって、これらの２層積層発光層を組合せて使用することにより、電流密度の変化に伴う色度変化が相殺され、色度変化を低減できる。   However, as the current density increases, the mobility of electrons 135 in the first light-emitting layer 104 increases, so that the recombination center moves to the second light-emitting layer 105 side. Therefore, the chromaticity change occurs. In the combination of the two-layered light emitting layer of the fourth light emitting layer 141 and the third light emitting layer 107, as the current density increases, the color close to the light emission color of the first emitter from the color close to the light emission color of the second emitter. It will change to color. Therefore, by using these two-layer laminated light emitting layers in combination, the change in chromaticity associated with the change in current density is offset, and the change in chromaticity can be reduced.

第一のエミッタのＨＯＭＯと第二のエミッタのＨＯＭＯのエネルギー差は０.０から０.３ｅＶの範囲が望ましい。これにより、第一のエミッタのＨＯＭＯ準位から第二のエミッタのＨＯＭＯ準位への正孔注入特性が良くなる。ここで、ＨＯＭＯとは、Highest Occupied Molecular Orbitalのことであり、最高被占軌道のことである。すなわち、電子が存在している軌道のうち、最もエネルギーが高い軌道のことを示す。ＨＯＭＯ準位は光分子分光法によって測定される。   The energy difference between the HOMO of the first emitter and the HOMO of the second emitter is preferably in the range of 0.0 to 0.3 eV. Thereby, the hole injection characteristic from the HOMO level of the first emitter to the HOMO level of the second emitter is improved. Here, HOMO is Highest Occupied Molecular Orbital and is the highest occupied orbit. That is, it indicates the orbit with the highest energy among the orbits in which electrons exist. The HOMO level is measured by photomolecular spectroscopy.

プロセス工程の削減による低コスト化の観点から、第一の発光層１０４及び第二の発光層１０５と第三の発光層１０７及び第四の発光層１４１とが同一平面上に直列構造で構成されることが望ましい。また、第一の発光層１０４及び第二の発光層１０５と第三の発光層１０７及び第四の発光層１４１とが並列構造で構成されてもよい。   From the viewpoint of cost reduction by reducing process steps, the first light-emitting layer 104 and the second light-emitting layer 105, the third light-emitting layer 107, and the fourth light-emitting layer 141 are configured in series on the same plane. It is desirable. Moreover, the 1st light emitting layer 104 and the 2nd light emitting layer 105, the 3rd light emitting layer 107, and the 4th light emitting layer 141 may be comprised by the parallel structure.

図４は本発明の一実施形態におけるＯＬＥＤ断面図である。図４の三層積層発光層構造においては、第一の発光層１０４と第二の発光層１０５と第三の発光層１０７からのトータルの光が、有機発光素子１１６からの光となる。ここで、各発光層の移動度の関係は、第一の発光層１０４の正孔移動度が第二の発光層１０５の電子移動度より小さく、第二の発光層１０５の電子移動度が第三の発光層１０７の正孔移動度より小さいこと、および、第一の発光層１０４の電子移動度が第二の発光層の正孔移動度より小さく、第二の発光層１０５の正孔移動度が第三の発光層１０７の電子移動度より小さいこと、が望ましい。図４の三層積層構造においても、第一の発光層１０４と第二の発光層１０５の組合せから一方の発光色（色度）の電流密度依存性が決定され、第二の発光層１０５と第三の発光層１０７の組合せからもう一方の発光色（色度）の電流密度依存性が決定される。両者の電流密度依存性が相反する場合には、発光色（色度）の電流密度依存性を相殺できる。   FIG. 4 is a cross-sectional view of an OLED in one embodiment of the present invention. In the three-layer stacked light emitting layer structure of FIG. 4, the total light from the first light emitting layer 104, the second light emitting layer 105, and the third light emitting layer 107 becomes light from the organic light emitting element 116. Here, the mobility of each light emitting layer is such that the hole mobility of the first light emitting layer 104 is smaller than the electron mobility of the second light emitting layer 105, and the electron mobility of the second light emitting layer 105 is the first. The hole mobility of the second light emitting layer 105 is smaller than the hole mobility of the third light emitting layer 107, and the electron mobility of the first light emitting layer 104 is smaller than the hole mobility of the second light emitting layer 105. It is desirable that the degree is smaller than the electron mobility of the third light emitting layer 107. Also in the three-layer stacked structure of FIG. 4, the current density dependency of one emission color (chromaticity) is determined from the combination of the first light emitting layer 104 and the second light emitting layer 105, and the second light emitting layer 105 From the combination of the third light emitting layer 107, the current density dependency of the other light emission color (chromaticity) is determined. In the case where the current density dependence between the two is contradictory, the current density dependence of the emission color (chromaticity) can be offset.

以下に具体的な実施例を示して、本願発明の内容をさらに詳細に説明する。   The present invention will be described in more detail with reference to specific examples.

実施例として、図１に示すＯＬＥＤ１１２を以下のようにして作製した。   As an example, the OLED 112 shown in FIG. 1 was produced as follows.

ガラス基板１０１上に第一の電極１０２であるＩＴＯ（１１０ｎｍ）がパターニングされたものを、アセトンに浸して１０分間超音波洗浄を行った。次に、純水を用いた超音波スピン洗浄機を用いて、純水洗浄及び回転乾燥を行った。その後、ホットプレートを用いて、大気雰囲気で基板を２００℃１０分間加熱した。加熱後、１０分間冷却し、ＵＶ／Ｏ3処理を照射強度８ｍＷ／cm2にて３０分間行った。 A glass substrate 101 patterned with ITO (110 nm) as the first electrode 102 was immersed in acetone and subjected to ultrasonic cleaning for 10 minutes. Next, pure water cleaning and rotary drying were performed using an ultrasonic spin cleaning machine using pure water. Thereafter, the substrate was heated at 200 ° C. for 10 minutes in an air atmosphere using a hot plate. After heating, it was cooled for 10 minutes, and UV / O 3 treatment was performed for 30 minutes at an irradiation intensity of 8 mW / cm 2 .

これらの処理を施した基板１０１のＩＴＯ上に、真空蒸着装置にて、正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は５９ｎｍであった。   On the ITO of the substrate 101 subjected to these treatments, TAPC was formed as the hole transport layer 103 by a vacuum deposition apparatus. The thickness of the hole transport layer 103 was 59 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第一の発光層１０４としてｍＣＰに第一のエミッタであるＩｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。Ｉｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)からの発光における中心波長は６２０ｎｍである。第一の発光層１０４の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer obtained by doping mCP with Ir (piq) 2 (acac) (10 wt%) as the first emitter was formed as the first light-emitting layer 104 on the hole transport layer 103. The central wavelength in light emission from Ir (piq) 2 (acac) is 620 nm. The film thickness of the first light emitting layer 104 was 20 nm.

次に、前記第一の発光層１０４上に第二の発光層１０５としてｍＣＰに第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。Ｉｒ（ｐｐｙ）３からの発光における中心波長は５１０ｎｍである。また、第一のエミッタのＨＯＭＯが５.１ｅＶであるのに対し、第二のエミッタのＨＯＭＯは５.６ｅＶである。第二の発光層１０５の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer in which mCP was doped with Ir (ppy) 3 (10 wt%) as the second emitter was formed as the second light emitting layer 105 on the first light emitting layer 104. The central wavelength in light emission from Ir (ppy) 3 is 510 nm. The HOMO of the first emitter is 5.1 eV, while the HOMO of the second emitter is 5.6 eV. The film thickness of the second light emitting layer 105 was 20 nm.

次に、第二の発光層１０５上に電子輸送層１０８としてＡｌｑ３を形成した。電子輸送層１０８の膜厚は４０ｎｍであった。   Next, Alq 3 was formed as the electron transport layer 108 on the second light-emitting layer 105. The film thickness of the electron transport layer 108 was 40 nm.

次に、電子輸送層１０８上に電荷発生層１１３としてＡｌｑ３とＬｉの共蒸着膜、及びＶ2Ｏ5を形成した。両者とも膜厚は５ｎｍであった。 Next, a co-deposited film of Alq3 and Li and V 2 O 5 were formed as the charge generation layer 113 on the electron transport layer 108. In both cases, the film thickness was 5 nm.

次に、電荷発生層１１３上に正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は２３ｎｍであった。   Next, TAPC was formed as the hole transport layer 103 on the charge generation layer 113. The thickness of the hole transport layer 103 was 23 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第三の発光層１０７としてｍＣＰに第一のエミッタであるＩｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)（３ｗｔ％）及び第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（２０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第三の発光層１０７の膜厚は２０ｎｍであった。上記のように第三の発光層１０７における第三一のエミッタの濃度（ｗｔ％）を第三の発光層１０７における第三二のエミッタの濃度（ｗｔ％）より小さくすることで、第三の発光層１０７におけるホストからアシストドーパントへのエネルギー移動、アシストドーパントから第一のエミッタおよび第二のエミッタへのエネルギー移動の効率が良くなる。また、第三の発光層１０７における第三二のエミッタの濃度（ｗｔ％）を、第一の発光層１０４における第一のエミッタの濃度（ｗｔ％）および第二の発光層１０５における第二のエミッタの濃度（ｗｔ％）より大きくすることで、発光効率を向上できる。   Next, Ir (piq) 2 (acac) (3 wt%) as the first emitter and Ir (ppy) 3 (as the second emitter) are formed on the hole transport layer 103 as the third light-emitting layer 107 in mCP. A layer doped with 20 wt%) was formed. The thickness of the third light emitting layer 107 was 20 nm. As described above, the concentration (wt%) of the third emitter in the third light emitting layer 107 is made smaller than the concentration (wt%) of the third emitter in the third light emitting layer 107, thereby The efficiency of energy transfer from the host to the assist dopant and energy transfer from the assist dopant to the first emitter and the second emitter in the light emitting layer 107 is improved. Further, the concentration (wt%) of the third emitter in the third light emitting layer 107 is set to the concentration (wt%) of the first emitter in the first light emitting layer 104 and the second emitter layer 105 in the second light emitting layer 105. Luminous efficiency can be improved by making it larger than the concentration (wt%) of the emitter.

次に、第三の発光層１０７上に第四の発光層１４１としてｍＣＰに第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第四の発光層１４１の膜厚は２０ｎｍであった。ここで、第一の発光層１０４の正孔移動度は第二の発光層１０５の電子移動度より小さく、第三の発光層１０７の正孔移動度は第四の発光層１４１の電子移動度より大きい。   Next, a layer obtained by doping mCP with Ir (ppy) 3 (10 wt%) as the second emitter was formed as the fourth light-emitting layer 141 on the third light-emitting layer 107. The film thickness of the fourth light emitting layer 141 was 20 nm. Here, the hole mobility of the first light-emitting layer 104 is smaller than the electron mobility of the second light-emitting layer 105, and the hole mobility of the third light-emitting layer 107 is the electron mobility of the fourth light-emitting layer 141. Greater than.

次に、前記第四の発光層１４１上に電子輸送層１０８としてＡｌｑ３を形成した。電子輸送層１０８の膜厚は４０ｎｍであった。   Next, Alq 3 was formed as the electron transport layer 108 on the fourth light-emitting layer 141. The film thickness of the electron transport layer 108 was 40 nm.

次に、電子輸送層１０８上に電荷発生層１１３としてＡｌｑ３とＬｉの共蒸着膜、及びＶ2Ｏ5を形成した。両者とも膜厚は５ｎｍであった。 Next, a co-deposited film of Alq3 and Li and V 2 O 5 were formed as the charge generation layer 113 on the electron transport layer 108. In both cases, the film thickness was 5 nm.

次に、電荷発生層１１３上に正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は９５ｎｍであった。   Next, TAPC was formed as the hole transport layer 103 on the charge generation layer 113. The thickness of the hole transport layer 103 was 95 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第五の発光層１１８としてＵＧＨ２にＦＩｒ６（２０ｗｔ％）をドープした層を形成した。ＦＩｒ６からの発光における中心波長は４６０ｎｍである。第五の発光層１１８の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer obtained by doping FIGH 6 (20 wt%) into UGH 2 was formed as the fifth light-emitting layer 118 on the hole transport layer 103. The central wavelength in light emission from FIr6 is 460 nm. The film thickness of the fifth light emitting layer 118 was 20 nm.

次に、第五の発光層１１８上に電子輸送層１０８として３ＴＰＹＭＢを形成した。電子輸送層１０８の膜厚は３０ｎｍであった。   Next, 3TPYMB was formed as the electron transport layer 108 on the fifth light-emitting layer 118. The film thickness of the electron transport layer 108 was 30 nm.

次に、電子輸送層１０８上に第二の電極１０９としてＬｉＦ／Ａｌを蒸着した。第二の電極１０９の膜厚は０.５／１５０ｎｍであった。   Next, LiF / Al was deposited as the second electrode 109 on the electron transport layer 108. The film thickness of the second electrode 109 was 0.5 / 150 nm.

最後に、封止剤の付いた封止缶を用いて封止を行い、有機発光素子のＯＬＥＤ１１２を作製した。   Finally, sealing was performed using a sealing can with a sealing agent, and an OLED 112 of an organic light emitting device was manufactured.

（比較例１）
比較例１として、発光層が単一のエミッタのみを含む場合の有機発光素子を作製した。なお、ＩＴＯ付き基板の洗浄プロセスは、実施例１と同様である。 (Comparative Example 1)
As Comparative Example 1, an organic light emitting device in which the light emitting layer includes only a single emitter was produced. The cleaning process for the ITO-attached substrate is the same as that in the first embodiment.

有機層及び電極の蒸着工程で、実施例１と異なる部分は、発光層の積層順である。実施例１では、第一の発光層１０４／第二の発光層１０５／第三の発光層１０７／第四の発光層１４１の順に積層したが、比較例１では、第一の発光層１０４／第二の発光層１０５／第一の発光層１０４／第二の発光層１０５の順に積層した。最後に、封止剤の付いた封止缶を用いて封止を行い、有機発光素子の比較例１を作製した。   In the vapor deposition process of the organic layer and the electrode, the part different from Example 1 is the order of stacking the light emitting layers. In Example 1, the first light-emitting layer 104 / second light-emitting layer 105 / third light-emitting layer 107 / fourth light-emitting layer 141 were stacked in this order, but in Comparative Example 1, the first light-emitting layer 104 / The second light emitting layer 105 / the first light emitting layer 104 / the second light emitting layer 105 were stacked in this order. Finally, it sealed using the sealing can with the sealing agent, and produced the comparative example 1 of the organic light emitting element.

＜有機発光装置の評価＞
ＯＬＥＤ１１２及び比較例１の色度の電流密度依存性評価を行った。デジタルソースメータ（ＨＰ社製４１４０Ｂ）を用いて、有機発光装置ＯＬＥＤ１１２に電圧を印加し、電流を同装置で、輝度，色度を輝度計（コニカミノルタ社製，ＬＳ−１１０）で測定した。その結果、ＯＬＥＤ１１２の色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３５８，０.４０７）、１ｍＡ／cm2の時（０.３５０，０.４１１）であり、色度変化は（Δ０.００８，Δ０.００４）であった。比較例１の色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３６０，０.４０５）、１ｍＡ／cm2の時（０.３４０，０.４２０）であり、色度変化は（Δ０.０２，Δ０.０１５）であった。 <Evaluation of organic light emitting device>
The current density dependence evaluation of the chromaticity of the OLED 112 and Comparative Example 1 was performed. Using a digital source meter (4140B manufactured by HP), a voltage was applied to the organic light emitting device OLED 112, the current was measured using the same device, and the luminance and chromaticity were measured using a luminance meter (manufactured by Konica Minolta, LS-110). As a result, the chromaticity of the OLED 112 is 0.1 mA / cm 2 (0.358, 0.407) and 1 mA / cm 2 (0.350, 0.411), and the chromaticity change is ( Δ0.008, Δ0.004). The chromaticity of Comparative Example 1 is 0.1 mA / cm 2 (0.360, 0.405) and 1 mA / cm 2 (0.340, 0.420), and the chromaticity change is (Δ0 0.02, Δ0.015).

このことから、実施例１は比較例１に比べ、色度変化が低減されていることがわかる。また、実施例１の色度変化は目標値（ｘ，ｙ≦０.０１）を満足するものである。   From this, it can be seen that the chromaticity change is reduced in Example 1 compared to Comparative Example 1. In addition, the change in chromaticity in Example 1 satisfies the target value (x, y ≦ 0.01).

前述した移動度の関係から、第一の発光層１０４と第二の発光層１０５の２層積層発光層は、電流密度の増大に対し、第二の発光層１０５の発光色、すなわち緑色が強くなる傾向を有する。一方、第三の発光層１０７と第四の発光層１４１の２層積層発光層は、電流密度の増大に対し、第三の発光層１０７の発光色、すなわち赤色が強くなる傾向を有する。したがって、これらの２層積層発光層を組み合わせたことにより、色度の電流密度依存性が相殺され、色度変化が大幅に抑制されたと考えられる。   From the above-described mobility relationship, the two-layer stacked light-emitting layer of the first light-emitting layer 104 and the second light-emitting layer 105 has a strong emission color of the second light-emitting layer 105, that is, green, as the current density increases. Tend to be. On the other hand, in the two-layer stacked light emitting layer of the third light emitting layer 107 and the fourth light emitting layer 141, the emission color of the third light emitting layer 107, that is, red tends to become stronger with respect to the increase in current density. Therefore, it is considered that the combination of these two-layer laminated light emitting layers offsets the current density dependency of chromaticity and greatly suppresses the change in chromaticity.

また、前述したＨＯＭＯの関係、つまり第一のエミッタのＨＯＭＯと第二のエミッタのＨＯＭＯがほぼ同レベルであることは、実施例１において、第一の発光層１０４と第二の発光層１０５の２層積層発光層が、電流密度の増大に対し、緑色が強くなる傾向を有することをより確実なものとする。なぜなら、第一のエミッタのＨＯＭＯと第二のエミッタのＨＯＭＯがほぼ同レベルであることは、電流密度の増大に伴い、第一のエミッタのＨＯＭＯ準位に蓄積した正孔が、第二のエミッタのＨＯＭＯ準位に伝搬する可能性を高める条件だからである。   In addition, the relationship between the HOMO described above, that is, the HOMO of the first emitter and the HOMO of the second emitter are substantially the same level in the first embodiment. It is more certain that the two-layered light emitting layer has a tendency for green to become stronger with increasing current density. This is because the HOMO of the first emitter and the HOMO of the second emitter are approximately at the same level, as the current density increases, the holes accumulated in the HOMO level of the first emitter This is because the condition increases the possibility of propagation to the HOMO level.

実施例２として、図３に示すＯＬＥＤ１１４を以下のようにして作製した。なお、ＩＴＯ付き基板の洗浄プロセスは、実施例１と同様である。   As Example 2, the OLED 114 shown in FIG. 3 was produced as follows. The cleaning process for the ITO-attached substrate is the same as that in the first embodiment.

有機層及び電極の蒸着工程で、実施例１と異なる部分は、発光層の積層順である。実施例２では、第二の発光層１０５／第一の発光層１０４／第四の発光層１４１／第三の発光層１０７の順に積層した。最後に、封止剤の付いた封止缶を用いて封止を行い、有機発光素子のＯＬＥＤ１１４を作製した。   In the vapor deposition process of the organic layer and the electrode, the part different from Example 1 is the order of stacking the light emitting layers. In Example 2, the second light emitting layer 105 / first light emitting layer 104 / fourth light emitting layer 1411 / third light emitting layer 107 were stacked in this order. Finally, sealing was performed using a sealing can with a sealing agent, and an OLED 114 of an organic light emitting device was manufactured.

＜有機発光装置の評価＞
評価方法は実施例１と同様である。その結果、色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３５３，０.４０８）、１ｍＡ／cm2の時（０.３４７，０.４１１）であり、色度変化は（Δ０.００６，Δ０.００３）であった。 <Evaluation of organic light emitting device>
The evaluation method is the same as in Example 1. As a result, the chromaticity is 0.1 mA / cm 2 (0.353, 0.408) and 1 mA / cm 2 (0.347, 0.411), and the chromaticity change is (Δ0.0. 006, Δ0.003).

実施例３として、図４に示すＯＬＥＤ１１６を以下のようにして作製した。なお、ＩＴＯ付き基板の洗浄プロセスは、実施例１と同様である。   As Example 3, the OLED 116 shown in FIG. 4 was produced as follows. The cleaning process for the ITO-attached substrate is the same as that in the first embodiment.

基板１０１のＩＴＯ上に、真空蒸着装置にて、正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は５９ｎｍであった。   On the ITO of the substrate 101, TAPC was formed as the hole transport layer 103 with a vacuum deposition apparatus. The thickness of the hole transport layer 103 was 59 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第一の発光層１０４としてｍＣＰに第一のエミッタであるRubrene（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。Rubreneからの発光における中心波長は５６０ｎｍである。第一の発光層１０４の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer in which mCP was doped with Rubrene (10 wt%) as the first emitter was formed as the first light-emitting layer 104 on the hole transport layer 103. The central wavelength in light emission from Rubrene is 560 nm. The film thickness of the first light emitting layer 104 was 20 nm.

次に、前記第一の発光層１０４上に第二の発光層１０５としてＵＧＨ２に第二のエミッタであるＦＩｒ６（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第二の発光層１０５の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer of UGH2 doped with FIr6 (10 wt%) as the second emitter was formed as the second light emitting layer 105 on the first light emitting layer 104. The film thickness of the second light emitting layer 105 was 20 nm.

次に、前記第二の発光層１０５上に第三の発光層１０７としてＵＧＨ２に第一のエミッタであるRubrene（３ｗｔ％）及び第二のエミッタＦＩｒ６（２０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第三の発光層１０７の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer in which UGH2 was doped with Rubrene (3 wt%) and the second emitter FIr6 (20 wt%) was formed on the second light emitting layer 105 as the third light emitting layer 107. The thickness of the third light emitting layer 107 was 20 nm.

次に、第三の発光層１０７上に電子輸送層１０８として３ＴＰＹＭＢを形成した。電子輸送層１０８の膜厚は３０ｎｍであった。   Next, 3TPYMB was formed as the electron transport layer 108 on the third light-emitting layer 107. The film thickness of the electron transport layer 108 was 30 nm.

次に、電子輸送層１０８上に第二の電極１０９としてＬｉＦ／Ａｌを蒸着した。第二の電極１０９の膜厚は０.５／１５０ｎｍであった。   Next, LiF / Al was deposited as the second electrode 109 on the electron transport layer 108. The film thickness of the second electrode 109 was 0.5 / 150 nm.

最後に、封止剤の付いた封止缶を用いて封止を行い、有機発光素子のＯＬＥＤ１１６を作製した。   Finally, sealing was performed using a sealing can with a sealing agent, and an OLED 116 of an organic light emitting device was manufactured.

＜有機発光装置の評価＞
評価方法は実施例１と同様である。その結果、色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３６７，０.３８９）、１ｍＡ／cm2の時（０.３６０，０.３９３）であり、色度変化は（Δ０.００７，Δ０.００４）であった。本実施例では電荷輸送層などの共通の層を一度で成膜可能なので、積層数を少なくできる。 <Evaluation of organic light emitting device>
The evaluation method is the same as in Example 1. As a result, the chromaticity is 0.1 mA / cm 2 (0.367, 0.389) and 1 mA / cm 2 (0.360, 0.393), and the chromaticity change is (Δ0.3. 007, Δ0.004). In this embodiment, since a common layer such as a charge transport layer can be formed at a time, the number of stacked layers can be reduced.

実施例４として、図５に示すＯＬＥＤ１１７を以下のようにして作製した。なお、ＩＴＯ付き基板の洗浄プロセスは、実施例１と同様である。   As Example 4, the OLED 117 shown in FIG. 5 was produced as follows. The cleaning process for the ITO-attached substrate is the same as that in the first embodiment.

有機層及び電極の蒸着工程で、実施例３と異なる部分は、発光層の積層順である。実施例４では、第三の発光層１０７／第二の発光層１０５／第一の発光層１０４の順に積層した。最後に、封止剤の付いた封止缶を用いて封止を行い、有機発光素子のＯＬＥＤ１１７を作製した。   In the vapor deposition process of the organic layer and the electrode, the part different from Example 3 is the order of stacking the light emitting layers. In Example 4, the third light-emitting layer 107 / second light-emitting layer 105 / first light-emitting layer 104 were stacked in this order. Finally, sealing was performed using a sealing can with a sealing agent, and an OLED 117 of an organic light emitting device was manufactured.

＜有機発光装置の評価＞
評価方法は実施例１と同様である。その結果、色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３６６，０.３８９）、１ｍＡ／cm2の時（０.３５９，０.３９２）であり、色度変化は（Δ０.００７，Δ０.００３）であった。 <Evaluation of organic light emitting device>
The evaluation method is the same as in Example 1. As a result, the chromaticity is 0.1 mA / cm 2 (0.366, 0.389) and 1 mA / cm 2 (0.359, 0.392), and the chromaticity change is (Δ0.3. 007, Δ0.003).

＜有機発光装置の作製＞
実施例として、図６に示すＯＬＥＤ２１８を以下のようにして作製した。なお、ＩＴＯ付き基板の洗浄プロセスは、実施例１と同様である。 <Production of organic light emitting device>
As an example, an OLED 218 shown in FIG. 6 was produced as follows. The cleaning process for the ITO-attached substrate is the same as that in the first embodiment.

洗浄処理を施した基板１０１上に第一の下部電極１１５−１，第二の下部電極１１５−２，第三の下部電極１１５−３を形成した。第一の下部電極１１５−１，第二の下部電極１１５−２，第三の下部電極１１５−３はＩＴＯで形成した。   A first lower electrode 115-1, a second lower electrode 115-2, and a third lower electrode 115-3 were formed on the substrate 101 subjected to the cleaning treatment. The first lower electrode 115-1, the second lower electrode 115-2, and the third lower electrode 115-3 were formed of ITO.

第一の下部電極１１５−１上に、真空蒸着装置にて、正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は４０ｎｍであった。   On the first lower electrode 115-1, TAPC was formed as the hole transport layer 103 by a vacuum deposition apparatus. The film thickness of the hole transport layer 103 was 40 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第一の発光層１０４としてｍＣＰに第一のエミッタであるＩｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第一の発光層１０４の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer obtained by doping mCP with Ir (piq) 2 (acac) (10 wt%) as the first emitter was formed as the first light-emitting layer 104 on the hole transport layer 103. The film thickness of the first light emitting layer 104 was 20 nm.

第一の発光層１０４上に第二の発光層１０５としてｍＣＰに第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第二の発光層１０５の膜厚は２０ｎｍであった。   A layer obtained by doping mCP with Ir (ppy) 3 (10 wt%) as the second emitter was formed as the second light-emitting layer 105 on the first light-emitting layer 104. The film thickness of the second light emitting layer 105 was 20 nm.

第二の発光層１０５上に電子輸送層１０８としてＡｌｑ３を形成した。電子輸送層１０８の膜厚は５５ｎｍであった。   Alq 3 was formed as the electron transport layer 108 on the second light-emitting layer 105. The film thickness of the electron transport layer 108 was 55 nm.

電子輸送層１０８上に第一の上部電極２１５−１としてＬｉＦ／Ａｌを蒸着した。第一の上部電極２１５−１の膜厚は０.５／１５０ｎｍであった。第一の下部電極１１５−１，第一の発光層１０４，第二の発光層１０５および第一の上部電極２１５−１で第一の発光ユニットとなる。図６において、正孔輸送層１０３上に第二の発光層１０５が形成され、第二の発光層１０５上に第一の発光層１０４が形成されていてもよい。   LiF / Al was deposited on the electron transport layer 108 as the first upper electrode 215-1. The film thickness of the first upper electrode 215-1 was 0.5 / 150 nm. The first lower electrode 115-1, the first light emitting layer 104, the second light emitting layer 105, and the first upper electrode 215-1 form a first light emitting unit. In FIG. 6, the second light emitting layer 105 may be formed on the hole transport layer 103, and the first light emitting layer 104 may be formed on the second light emitting layer 105.

第二の下部電極１１５−２上に、真空蒸着装置にて、正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は４０ｎｍであった。   On the second lower electrode 115-2, TAPC was formed as the hole transport layer 103 with a vacuum deposition apparatus. The film thickness of the hole transport layer 103 was 40 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第三の発光層１０７としてｍＣＰに第一のエミッタであるＩｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)（３ｗｔ％）及び第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（２０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第三の発光層１０７の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, Ir (piq) 2 (acac) (3 wt%) as the first emitter and Ir (ppy) 3 (as the second emitter) are formed on the hole transport layer 103 as the third light-emitting layer 107 in mCP. A layer doped with 20 wt%) was formed. The thickness of the third light emitting layer 107 was 20 nm.

第三の発光層１０７上に第四の発光層１４１としてｍＣＰに第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（１０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第四の発光層１４１の膜厚は２０ｎｍであった。   A layer obtained by doping mCP with Ir (ppy) 3 (10 wt%) as the second emitter was formed as the fourth light-emitting layer 141 on the third light-emitting layer 107. The film thickness of the fourth light emitting layer 141 was 20 nm.

第四の発光層１４１上に電子輸送層１０８としてＡｌｑ３を形成した。電子輸送層１０８の膜厚は５５ｎｍであった。   Alq3 was formed as the electron transport layer 108 on the fourth light-emitting layer 141. The film thickness of the electron transport layer 108 was 55 nm.

電子輸送層１０８上に第二の上部電極２１５−２としてＬｉＦ／Ａｌを蒸着した。第二の上部電極２１５−２は０.５／１５０ｎｍであった。第二の下部電極１１５−２，第三の発光層１０７，第四の発光層１４１および第二の上部電極２１５−２で第二の発光ユニットとなる。図６において、正孔輸送層１０３上に第四の発光層１４１が形成され、第四の発光層１４１上に第三の発光層１０７が形成されていてもよい。   LiF / Al was deposited on the electron transport layer 108 as the second upper electrode 215-2. The second upper electrode 215-2 was 0.5 / 150 nm. The second lower electrode 115-2, the third light emitting layer 107, the fourth light emitting layer 141, and the second upper electrode 215-2 constitute a second light emitting unit. In FIG. 6, the fourth light emitting layer 141 may be formed on the hole transport layer 103, and the third light emitting layer 107 may be formed on the fourth light emitting layer 141.

第三の下部電極１１５−３上に、真空蒸着装置にて、正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は４０ｎｍであった。   TAPC was formed as the hole transport layer 103 on the third lower electrode 115-3 by a vacuum vapor deposition apparatus. The film thickness of the hole transport layer 103 was 40 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第五の発光層１１８としてＵＧＨ２にＦＩｒ６（２０ｗｔ％）をドープした層を形成した。第五の発光層１１８の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, a layer obtained by doping FIGH 6 (20 wt%) into UGH 2 was formed as the fifth light-emitting layer 118 on the hole transport layer 103. The film thickness of the fifth light emitting layer 118 was 20 nm.

第五の発光層１１８上に電子輸送層１０８としてＡｌｑ３を形成した。電子輸送層１０８の膜厚は５５ｎｍであった。   Alq3 was formed as the electron transport layer 108 on the fifth light-emitting layer 118. The film thickness of the electron transport layer 108 was 55 nm.

電子輸送層１０８上に第三の上部電極２１５−３としてＬｉＦ／Ａｌを蒸着した。第三の上部電極２１５−３の膜厚は０.５／１５０ｎｍであった。第三の下部電極１１５−３、第五の発光層１１および第三の上部電極２１５−３で第三の発光ユニットとなる。本実施例において、第三の発光ユニットはなくてもよい。   LiF / Al was deposited on the electron transport layer 108 as the third upper electrode 215-3. The film thickness of the third upper electrode 215-3 was 0.5 / 150 nm. The third lower electrode 115-3, the fifth light emitting layer 11, and the third upper electrode 215-3 constitute a third light emitting unit. In the present embodiment, the third light emitting unit may not be provided.

最後に、封止剤の付いた封止缶を用いて封止を行い、有機発光素子のＯＬＥＤ２１８を作製した。第一の上部電極２１５−１および第二の下部電極１１５−２は電気的に接続されている。第二の上部電極２１５−２および第三の下部電極１１５−３は電気的に接続されている。これにより、第一の発光ユニット，第二の発光ユニットおよび第三の発光ユニットは直列に接続されることになる。   Finally, sealing was performed using a sealing can with a sealing agent, and an OLED 218 of an organic light emitting device was manufactured. The first upper electrode 215-1 and the second lower electrode 115-2 are electrically connected. The second upper electrode 215-2 and the third lower electrode 115-3 are electrically connected. Thereby, the first light emitting unit, the second light emitting unit, and the third light emitting unit are connected in series.

このように、直列構造とすることのメリットは、工程プロセス数の削減による低コスト化などが挙げられる。   Thus, the merit of using the serial structure includes cost reduction by reducing the number of process steps.

＜有機発光装置の評価＞
評価方法は実施例１と同様である。その結果、色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３４７，０.３９６）、１ｍＡ／cm2の時（０.３４０，０.４００）であり、色度変化は（Δ０.００７，Δ０.００４）であった。 <Evaluation of organic light emitting device>
The evaluation method is the same as in Example 1. As a result, the chromaticity is 0.1 mA / cm 2 (0.347, 0.396) and 1 mA / cm 2 (0.340, 0.400), and the chromaticity change is (Δ0.0. 007, Δ0.004).

＜有機発光装置の作製＞
実施例として、図７に示すＯＬＥＤ１１９作製は、ＯＬＥＤ１１６の作製方法において、第一の発光層１０４及び第三の発光層１０７、第二の発光層１０５及び第四の発光層１４１が並列構造となるように製作した。 <Production of organic light emitting device>
As an example, the OLED 119 shown in FIG. 7 is manufactured by the first light emitting layer 104 and the third light emitting layer 107, the second light emitting layer 105, and the fourth light emitting layer 141 in the method for manufacturing the OLED 116. Was produced as follows.

洗浄処理を施した基板１０１上に第三の下部電極１１５−３および第四の下部電極１１５−４を形成した。第三の発光ユニットの形成方法は実施例５と同様である。本実施例において、第三の発光ユニットはなくてもよい。   A third lower electrode 115-3 and a fourth lower electrode 115-4 were formed on the substrate 101 subjected to the cleaning treatment. The third light emitting unit is formed in the same manner as in the fifth embodiment. In the present embodiment, the third light emitting unit may not be provided.

第四の下部電極１１５−４上に、真空蒸着装置にて、正孔輸送層１０３としてＴＡＰＣを形成した。正孔輸送層１０３の膜厚は４０ｎｍであった。   On the fourth lower electrode 115-4, TAPC was formed as the hole transport layer 103 by a vacuum evaporation apparatus. The film thickness of the hole transport layer 103 was 40 nm.

次に、正孔輸送層１０３上に第一の発光層１０４および第三の発光層１０７を形成した。第一の発光層１０４および第三の発光層１０７は同層に形成されることになる。第一の発光層１０４は、ｍＣＰに第一のエミッタであるＩｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)（１０ｗｔ％）をドープした層であり、第一の発光層１０４の膜厚は２０ｎｍであった。第三の発光層１０７は、ｍＣＰに第一のエミッタであるＩｒ(ｐｉｑ)２(ａｃａｃ)（３ｗｔ％）及び第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（２０ｗｔ％）をドープした層であり、第三の発光層１０７の膜厚は２０ｎｍであった。   Next, the first light-emitting layer 104 and the third light-emitting layer 107 were formed over the hole transport layer 103. The first light emitting layer 104 and the third light emitting layer 107 are formed in the same layer. The first light-emitting layer 104 is a layer in which mCP is doped with Ir (piq) 2 (acac) (10 wt%) as the first emitter, and the thickness of the first light-emitting layer 104 is 20 nm. The third light emitting layer 107 is a layer in which mCP is doped with Ir (piq) 2 (acac) (3 wt%) as the first emitter and Ir (ppy) 3 (20 wt%) as the second emitter. The film thickness of the third light emitting layer 107 was 20 nm.

第一の発光層１０４および第三の発光層１０７上に第二の発光層１０５および第四の発光層１４１を形成した。第二の発光層１０５および第四の発光層１４１は同層に形成されることになる。第二の発光層１０５は、ｍＣＰに第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（１０ｗｔ％）をドープした層であり、第二の発光層１０５の膜厚は２０ｎｍであった。第四の発光層１４１は、ｍＣＰに第二のエミッタであるＩｒ(ｐｐｙ)３（１０ｗｔ％）をドープした層であり、第四の発光層１４１の膜厚は２０ｎｍであった。正孔輸送層１０３上に第二の発光層１０５および第四の発光層１４１を形成し、第二の発光層１０５および第四の発光層１４１上に第一の発光層１０４および第三の発光層１０７を形成してもよい。   A second light-emitting layer 105 and a fourth light-emitting layer 141 were formed over the first light-emitting layer 104 and the third light-emitting layer 107. The second light emitting layer 105 and the fourth light emitting layer 141 are formed in the same layer. The second light emitting layer 105 is a layer obtained by doping mCP with Ir (ppy) 3 (10 wt%) as the second emitter, and the thickness of the second light emitting layer 105 was 20 nm. The fourth light emitting layer 141 is a layer obtained by doping mCP with Ir (ppy) 3 (10 wt%) as the second emitter, and the thickness of the fourth light emitting layer 141 was 20 nm. The second light-emitting layer 105 and the fourth light-emitting layer 141 are formed on the hole-transport layer 103, and the first light-emitting layer 104 and the third light-emitting layer are formed on the second light-emitting layer 105 and the fourth light-emitting layer 141. The layer 107 may be formed.

第二の発光層１０５および第四の発光層１４１上に電子輸送層１０８としてＡｌｑ３を形成した。電子輸送層１０８の膜厚は５５ｎｍであった。   Alq3 was formed as the electron transporting layer 108 on the second light emitting layer 105 and the fourth light emitting layer 141. The film thickness of the electron transport layer 108 was 55 nm.

電子輸送層１０８上に第四の上部電極２１５−４としてＬｉＦ／Ａｌを蒸着した。第四の上部電極２１５−４の膜厚は０.５／１５０ｎｍであった。第四の下部電極１１５−４，第一の発光層１０４，第二の発光層１０５，第三の発光層１０７，第四の発光層１４１および第四の上部電極２１５−４で第四の発光ユニットとなる。   LiF / Al was vapor-deposited on the electron transport layer 108 as the fourth upper electrode 215-4. The film thickness of the fourth upper electrode 215-4 was 0.5 / 150 nm. The fourth lower electrode 115-4, the first light-emitting layer 104, the second light-emitting layer 105, the third light-emitting layer 107, the fourth light-emitting layer 141, and the fourth upper electrode 215-4 provide the fourth light emission. Become a unit.

第四の上部電極２１５−４および第三の下部電極１１５−３は電気的に接続されている。これにより、第三の発光ユニットおよび第四の発光ユニットは直列に接続されることになる。   The fourth upper electrode 215-4 and the third lower electrode 115-3 are electrically connected. Thereby, the third light emitting unit and the fourth light emitting unit are connected in series.

このように、並列構造とすることのメリットは、工程プロセス数の削減による低コスト化などが挙げられる。
＜有機発光装置の評価＞
評価方法は実施例１と同様である。その結果、色度は、０.１ｍＡ／cm2の時（０.３４５，０.３９５）、１ｍＡ／cm2の時（０.３４０，０.３９９）であり、色度変化は（Δ０.００５，Δ０.００４）であった。 As described above, the merit of the parallel structure includes cost reduction by reducing the number of process steps.
<Evaluation of organic light emitting device>
The evaluation method is the same as in Example 1. As a result, the chromaticity is 0.1 mA / cm 2 (0.345, 0.395), 1 mA / cm 2 (0.340, 0.399), and the chromaticity change is (Δ0. 005, Δ0.004).

１０１ 基板
１０２ 第一の電極
１０３ 正孔輸送層
１０４ 第一の発光層
１０５ 第二の発光層
１０７ 第三の発光層
１０８ 電子輸送層
１０９ 第二の電極
１１２，１１４，１１６，１１７ ＯＬＥＤ
１１３ 電荷発生層
１１５−１，１１５−２，１１５−３，１１５−４ 下部電極
１１８ 第五の発光層
１２３ 正孔輸送層のＬＵＭＯ
１２４ 第一の発光層のホスト材料のＬＵＭＯ
１２５ 第二の発光層のホスト材料のＬＵＭＯ
１２６ 電子輸送層のＬＵＭＯ
１２７ 正孔輸送層のＨＯＭＯ
１２８ 第一の発光層におけるホスト材料のＨＯＭＯ
１２９ 第二の発光層におけるホスト材料のＨＯＭＯ
１３０ 電子輸送層のＨＯＭＯ
１３１ 第一の発光層における第一のエミッタのＬＵＭＯ
１３２ 第二の発光層における第二のエミッタのＬＵＭＯ
１３３ 第一の発光層における第一のエミッタのＨＯＭＯ
１３４ 第二の発光層における第二のエミッタのＨＯＭＯ
１３５ 電子
１３６ 正孔
１３７ 第三の発光層における第二のエミッタのＬＵＭＯ
１３８ 第三の発光層における第二のエミッタのＨＯＭＯ
１３９ 第三の発光層における第一のエミッタのＬＵＭＯ
１４０ 第三の発光層における第一のエミッタのＨＯＭＯ
１４１ 第四の発光層
１４２ 第四の発光層における第二のエミッタのＬＵＭＯ
１４３ 第四の発光層における第二のエミッタのＨＯＭＯ DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Substrate 102 1st electrode 103 Hole transport layer 104 1st light emitting layer 105 2nd light emitting layer 107 3rd light emitting layer 108 Electron transport layer 109 2nd electrode 112,114,116,117 OLED
113 Charge generation layers 115-1, 115-2, 115-3, 115-4 Lower electrode 118 Fifth light emitting layer 123 LUMO of hole transport layer
124 LUMO of the host material of the first light emitting layer
125 LUMO of the host material of the second light emitting layer
126 LUMO of electron transport layer
127 HOMO of hole transport layer
128 HOMO of host material in first light emitting layer
129 HOMO of host material in second light emitting layer
130 HOMO of electron transport layer
131 LUMO of the first emitter in the first light emitting layer
132 LUMO of the second emitter in the second emissive layer
133 HOMO of the first emitter in the first light emitting layer
134 HOMO of second emitter in second light emitting layer
135 Electron 136 Hole 137 LUMO of the second emitter in the third emissive layer
138 HOMO of second emitter in third light emitting layer
139 LUMO of the first emitter in the third light emitting layer
140 HOMO of first emitter in third light emitting layer
141 Fourth light-emitting layer 142 LUMO of the second emitter in the fourth light-emitting layer
143 HOMO of the second emitter in the fourth light emitting layer

Claims (2)

第一の電極と、A first electrode;
第二の電極と、A second electrode;
前記第一の電極及び前記第二の電極の間に形成された第一の発光層，第二の発光層，第三の発光層と、を有し、A first light-emitting layer, a second light-emitting layer, and a third light-emitting layer formed between the first electrode and the second electrode,
前記第一の発光層には第一のエミッタが添加され、A first emitter is added to the first light emitting layer,
前記第二の発光層には第二のエミッタが添加され、A second emitter is added to the second light emitting layer,
前記第三の発光層には前記第一のエミッタおよび前記第二のエミッタが添加され、The first emitter and the second emitter are added to the third light emitting layer,
前記第一の発光層と前記第二の発光層とが接し、The first light emitting layer and the second light emitting layer are in contact with each other;
前記第二の発光層と前記第三の発光層とが接し、The second light-emitting layer and the third light-emitting layer are in contact with each other;
前記第一のエミッタの発光中心波長が前記第二のエミッタの発光中心波長より大きい有機発光装置。An organic light emitting device in which the emission center wavelength of the first emitter is larger than the emission center wavelength of the second emitter. 請求項１において、In claim 1,
前記第一の発光層の正孔移動度が前記第二の発光層の電子移動度より小さく、The hole mobility of the first light emitting layer is smaller than the electron mobility of the second light emitting layer,
前記第二の発光層の電子移動度が前記第三の発光層の正孔移動度より小さく、The electron mobility of the second light emitting layer is smaller than the hole mobility of the third light emitting layer,
前記第一の発光層の電子移動度が前記第二の発光層の正孔移動度より小さく、The electron mobility of the first light emitting layer is smaller than the hole mobility of the second light emitting layer,
前記第二の発光層の正孔移動度が前記第三の発光層の電子移動度より小さい有機発光装置。An organic light emitting device in which the hole mobility of the second light emitting layer is smaller than the electron mobility of the third light emitting layer.
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