JP5609035B2 - Manufacturing method of liquid crystal material - Google Patents

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本発明は高い比抵抗値を有する液晶材料の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a liquid crystal material having a high specific resistance value.

液晶表示素子は液晶テレビ、携帯電話やパソコンなどをはじめとする民生用途から産業用途まで広く使用されるようになった。これらは製品寿命が数年から十数年と比較的長く、この間正常に動作するために、これに使用する液晶材料には高い安定性が求められる。液晶材料の代表的な安定性の指標として比抵抗値がある。液晶表示素子が正常に動作するためには、それに使用する液晶材料の比抵抗値が十分高くなければならならず、また経時劣化も抑えなければならない。   Liquid crystal display elements have come to be widely used from consumer applications such as liquid crystal televisions, mobile phones and personal computers to industrial applications. These products have a relatively long product life of several years to several tens of years, and operate normally during this period. Therefore, liquid crystal materials used for these products are required to have high stability. A specific stability index of a liquid crystal material is a specific resistance value. In order for a liquid crystal display element to operate normally, the specific resistance value of the liquid crystal material used for the liquid crystal display element must be sufficiently high, and deterioration over time must be suppressed.

液晶材料の安定性を向上させるために、これまで多くの研究がなされてきた。例えば、液晶材料中の水分や金属イオンを除去する方法として、液晶材料をシリカゲルと接触させる方法(特許文献1参照)、活性アルミナと接触させる方法(特許文献2参照)、イオン交換樹脂で処理する方法(特許文献3参照)、ゼオライトと接触させる方法(特許文献4参照)が開示されている。更に、対向する一対の電極間に液晶化合物を入れ、電界をかけることにより、電界による移動度の比較的大きなNa、K等の金属イオンや、SO 2−、NO 、Cl等のイオン性不純物を除去する方法等(特許文献5〜7参照)が開示されている。これら精製法は既に液晶材料に含まれる不純物を除去するための方法である。 Many studies have been made so far to improve the stability of liquid crystal materials. For example, as a method for removing moisture and metal ions in the liquid crystal material, a method of bringing the liquid crystal material into contact with silica gel (see Patent Document 1), a method of bringing into contact with activated alumina (see Patent Document 2), and treatment with an ion exchange resin. A method (see Patent Document 3) and a method of contacting with zeolite (see Patent Document 4) are disclosed. Furthermore, by inserting a liquid crystal compound between a pair of electrodes facing each other and applying an electric field, metal ions such as Na + and K + having relatively high mobility due to the electric field, SO 4 2− , NO 3 , Cl − and the like. And the like (see Patent Documents 5 to 7). These purification methods are methods for removing impurities already contained in the liquid crystal material.

一方、液晶材料に対する要求は高速応答化や高コントラスト化など多岐に渡る。これら物性は単独の化合物では達成することができず、複数の液晶化合物を混合し、液晶組成物として要求に対応している。その際、各液晶化合物を正確に秤量し、その混合比を目標値に正しく合わせることが重要である。混合比に誤差が生じると物性が変化してしまい、要求を満たす液晶組成物を調製できないからである。   On the other hand, there are various demands for liquid crystal materials such as high-speed response and high contrast. These physical properties cannot be achieved by a single compound, and a plurality of liquid crystal compounds are mixed to meet the demand as a liquid crystal composition. At that time, it is important that each liquid crystal compound is accurately weighed and its mixing ratio is adjusted to the target value. This is because if an error occurs in the mixing ratio, the physical properties change, and a liquid crystal composition that satisfies the requirements cannot be prepared.

ここで、液晶化合物の多くは室温では固体である。このため溶媒に溶けた溶液状態の液晶化合物から溶媒をほぼ留去すると一気に結晶化が進行し、全体が一体の固体となってしまう。液晶化合物は完全に溶媒を留去せずに使用すると、安定性が低下する等の不具合を生じるため望ましくない。このため、減圧下で液晶化合物の結晶中に取り込まれた溶媒を除去する必要がある。しかし、その得られた固体の塊が大きいと内部に取り込まれた溶媒が揮発せず除去することができない。また、液晶組成物の調製時の秤量を塊を砕きながら行わなければならないため、極めて作業が困難となり、秤量の正確性も確保できない。これに対し、液晶化合物を粉体として調製すると、溶媒の留去も秤量時の微調整も容易となる。しかし先に示した精製法は液晶材料を液晶状態あるいは溶液状態で処理するものであり、処理後に得られる液晶化合物は粉体とならない。   Here, many liquid crystal compounds are solid at room temperature. For this reason, when the solvent is almost distilled off from the liquid crystal compound in a solution state dissolved in the solvent, crystallization proceeds at a stretch and the whole becomes an integral solid. If the liquid crystal compound is used without completely distilling off the solvent, the liquid crystal compound is not desirable because it causes problems such as reduced stability. For this reason, it is necessary to remove the solvent taken into the crystal of the liquid crystal compound under reduced pressure. However, if the obtained solid mass is large, the solvent taken in does not volatilize and cannot be removed. Further, since the weighing at the time of preparing the liquid crystal composition must be performed while crushing the lump, the operation becomes extremely difficult, and the weighing accuracy cannot be ensured. On the other hand, when the liquid crystal compound is prepared as a powder, it is easy to distill off the solvent and make fine adjustments during weighing. However, the purification method described above involves treating a liquid crystal material in a liquid crystal state or a solution state, and the liquid crystal compound obtained after the treatment does not become powder.

液晶化合物を簡便に粉体として得るためには再結晶が有効であり、実際に液晶化合物を再結晶で精製する例は数多くある(特許文献8)。再結晶は、化合物を溶媒に溶かし、温度差や溶媒の蒸発、溶媒の混合比の変化等による溶解度の差などを利用して結晶を析出させ、それをろ取することにより行う。この際結晶の析出速度等を調整することにより、均一で細かな結晶を得ることができる。このように得られた粉体の液晶化合物は粒子が細かいため溶媒の留去を容易に行うことができ、また容易に掬うことができるため、秤量が容易であり、添加量の細かな調節もできる。しかし再結晶工程においてしばしば問題となるのが静電気の発生である。   In order to easily obtain a liquid crystal compound as a powder, recrystallization is effective, and there are many examples in which a liquid crystal compound is actually purified by recrystallization (Patent Document 8). Recrystallization is performed by dissolving a compound in a solvent, precipitating crystals using a difference in solubility due to a temperature difference, evaporation of the solvent, a change in the mixing ratio of the solvent, and the like, and filtering it. At this time, uniform and fine crystals can be obtained by adjusting the deposition rate of the crystals. The powdered liquid crystal compound thus obtained has fine particles, so that the solvent can be easily distilled off and can be easily swollen, so that weighing is easy and fine adjustment of the addition amount is possible. it can. However, generation of static electricity is often a problem in the recrystallization process.

高い比抵抗値を有する液晶材料を得るためには、それを構成する各液晶化合物も高い比抵抗値を有している必要があり、秤量前の最終工程として再結晶を行う場合、品質上の要求から、その再結晶後の液晶化合物は高い比抵抗値を有していなければならない。高い比抵抗値を有する液晶化合物を再結晶により得るためには、特にヘキサン、ヘプタンやトルエン等の導電率の低い溶媒から再結晶を行うと良いことが知られている。しかし、これら導電率の低い溶媒を使用すると、結晶析出、撹拌及びろ過等の際に発生した静電気が帯電し、着火性の放電により火災等の重大災害を発生する恐れがある。これら安全性を高めるためには、導電率の高い溶媒を使用し、静電気の帯電を抑えることが有用である。しかし、導電率の高い溶媒は一般的にイオン成分等を溶解しやすいため、これら成分の影響により再結晶後の液晶化合物の比抵抗値が実用レベルに達しないとの問題がある。このように再結晶により高い比抵抗値を有する液晶化合物を得る安全で実用的な方法が切望されているものの、具体的な解決手段はこれまでに報告されていない。   In order to obtain a liquid crystal material having a high specific resistance value, each liquid crystal compound that constitutes the liquid crystal compound must also have a high specific resistance value. When recrystallization is performed as a final step before weighing, From the requirement, the liquid crystal compound after the recrystallization must have a high specific resistance value. In order to obtain a liquid crystal compound having a high specific resistance value by recrystallization, it is known that recrystallization is particularly preferably performed from a solvent having a low conductivity such as hexane, heptane or toluene. However, when these solvents with low conductivity are used, static electricity generated during crystal precipitation, stirring, filtration, etc. is charged, and there is a risk of causing a serious disaster such as a fire due to ignitable discharge. In order to enhance the safety, it is useful to use a solvent having a high conductivity and suppress electrostatic charge. However, a solvent having a high conductivity generally tends to dissolve ionic components and the like, so that there is a problem that the specific resistance value of the liquid crystal compound after recrystallization does not reach a practical level due to the influence of these components. Thus, although a safe and practical method for obtaining a liquid crystal compound having a high specific resistance value by recrystallization is eagerly desired, no specific solution has been reported so far.

特開昭62−210420号公報JP-A-62-210420 特開昭58−1774号公報Japanese Patent Laid-Open No. 58-1774 特開昭52−59081号公報JP 52-59081 A 特開昭63−261224号公報JP 63-261224 A 特開昭50−108186号公報Japanese Patent Laid-Open No. 50-108186 特開昭51−11069号公報Japanese Patent Laid-Open No. 51-11069 特開平4−86812号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-86812 特開2007−176818号公報JP 2007-176818 A

再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の、安全性の高い製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物を提供することであり、高い比抵抗値を有する液晶化合物を得る安全性の高い再結晶方法を提供することである。   It is to provide a highly safe production method of a liquid crystal compound having a high specific resistance value by recrystallization operation, and to provide a liquid crystal composition using the liquid crystal compound obtained by this production method. An object of the present invention is to provide a highly safe recrystallization method for obtaining a liquid crystal compound having a specific resistance value.

本願発明者らは本願発明の対象化合物に関し鋭意検討した結果、特定の製造方法により前述の課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies on the target compound of the present invention, the present inventors have found that the above-described problems can be solved by a specific production method, and have completed the present invention.

本願発明は、(i)一般式(1)   The present invention relates to (i) the general formula (1)

Figure 0005609035
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(式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表し、
aは1、2又は3を表し、
及びAはそれぞれ独立に(a) トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のメチレン基又は隣接していない2個以上のメチレン基は−O−又は−S−に置き換えられてもよい)、
(b) 1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は窒素原子に置き換えられてもよい)、3,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン基、及び
(c) 1,4−ビシクロ(2.2.2)オクチレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン-2,6−ジイル基、クロマン−2,6−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基(a)、基(b)又は基(c)に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、Aが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良く、
は単結合、−CHCH−、−CH=CH−、−CHO−、−OCH−、−CFO−、−OCF−、−COO−又は−OCO−を表すが、複数存在するZは同一であっても異なっていても良く、
は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表す。)で表される化合物の比抵抗値を、式(A−1)及び(A−2)
(In the formula, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms,
a represents 1, 2 or 3;
A 1 and A 2 are each independently (a) a trans-1,4-cyclohexylene group (one methylene group present in this group or two or more methylene groups not adjacent to each other is —O— or May be replaced by -S-),
(B) a 1,4-phenylene group (one —CH═ present in the group or two or more non-adjacent —CH═ may be replaced by a nitrogen atom), 3,5-difluoro -1,4-phenylene group, and (c) 1,4-bicyclo (2.2.2) octylene group, naphthalene-2,6-diyl group, decahydronaphthalene-2,6-diyl group, and 1,2 , 3,4-tetrahydronaphthalene-2,6-diyl group, a group selected from the group consisting of chroman-2,6-diyl group, the group (a), group (b) or group (c) The hydrogen atoms contained in each may be substituted with a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group or a chlorine atom, and when a plurality of A 1 are present, they may be the same or different. ,
Z 1 is a single bond, -CH 2 CH 2 -, - CH = CH -, - CH 2 O -, - OCH 2 -, - CF 2 O -, - OCF 2 -, - represents a COO- or -OCO- However, a plurality of Z 1 may be the same or different,
Y 1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or carbon. The alkenyloxy group of number 2-6 is represented. The specific resistance value of the compound represented by formula (A-1) and (A-2)

Figure 0005609035
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を各50質量%ずつ含み、比抵抗値が1.0×1013Ω・m以上である液晶組成物(M−1)に、一般式(1)で表される化合物を20質量%添加した液晶組成物の比抵抗値と定義し、該一般式(1)で表される化合物の比抵抗値が8.0×1011Ω・m未満である場合において、一般式(1)で表される化合物をリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.0ppb以下であるアルコール類溶媒、ケトン類溶媒、エステル類溶媒、エーテル類溶媒又はニトリル類溶媒から選択される単一又は混合溶媒を用いて再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去することによる、再結晶後の一般式(1)で表される化合物の比抵抗値が8.0×1011Ω・m以上を示す結晶状態の一般式(1)で表される化合物の製造方法、(ii)その際に行う再結晶方法、(iii)本願製造方法により得られた液晶化合物を加え液晶状態とした液晶組成物を提供する。 20% by mass of the compound represented by the general formula (1) was added to the liquid crystal composition (M-1) having a specific resistance value of 1.0 × 10 13 Ω · m or more. When the specific resistance value of the compound represented by the general formula (1) is less than 8.0 × 10 11 Ω · m, it is defined by the general formula (1). Alcohol compounds, ketone solvents, ester solvents, ether solvents or nitrile solvents in which the total concentration of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion is 1.0 ppb or less. The specific resistance value of the compound represented by the general formula (1) after recrystallization is 8 by distilling off the solvent used for recrystallization after recrystallization using a single or mixed solvent selected from .0x1 Process for producing a compound represented by the general formula of the crystalline state shown over 11 Ω · m (1), (ii) recrystallization method performed when the liquid crystal is added a liquid crystal compound obtained by (iii) the present production method A liquid crystal composition in a state is provided.

本願発明の製造方法により、高い比抵抗値を有する液晶化合物を安全な再結晶操作により得ることができるようになる。よって、本願発明により長期間使用可能な液晶表示素子を作成するための液晶組成物を得ることが可能となった点において有用である。更に、再結晶操作中の災害危険性が減少する点において有用である。   By the production method of the present invention, a liquid crystal compound having a high specific resistance value can be obtained by a safe recrystallization operation. Therefore, the present invention is useful in that a liquid crystal composition for producing a liquid crystal display element that can be used for a long period of time can be obtained. Furthermore, it is useful in that the risk of disaster during the recrystallization operation is reduced.

一般式(1)において、A又はAのうち少なくとも一つは群(A) In the general formula (1), at least one of A 1 and A 2 is a group (A)

Figure 0005609035
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又は群(B) Or group (B)

Figure 0005609035
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から選ぶのが好ましい。さらに群(B)の中では、 It is preferable to select from. In group (B),

Figure 0005609035
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がより好ましい。 Is more preferable.

又はAのうち少なくとも一つを群(A)から選んだ場合、Aを群(A)から選ぶことが好ましい。 When at least one of A 1 or A 2 is selected from the group (A), it is preferable to select A 2 from the group (A).

又はAのうち少なくとも一つを群(A)から選んだ場合、Yはフッ素原子が好ましく、Rはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましく、Zは単結合、−CHCH−、−CFO−又は−OCF−が好ましい。 When at least one of A 1 and A 2 is selected from the group (A), Y 1 is preferably a fluorine atom, R 1 is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group or a pentyl group, and Z 1 Is preferably a single bond, —CH 2 CH 2 —, —CF 2 O— or —OCF 2 —.

又はAのうち少なくとも一つを群(B)から選んだ場合、R及びYはそれぞれ独立的に炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表すが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、3−ブテニルオキシ基及び4−ペンテニルオキシ基が好ましく、Zは単結合、−CHCH−、−CHO−、−OCH−、−CFO−又はOCF−が好ましい。 When at least one of A 1 and A 2 is selected from the group (B), R 1 and Y 1 are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, or a carbon number Represents an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms or an alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, but includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a vinyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, pentoxy group, 3-butenyloxy and 4-pentenyl group are preferable, Z 1 is a single bond, -CH 2 CH 2 -, - CH 2 O -, - OCH 2 -, - CF 2 O- or OCF 2 - are preferable.

比抵抗値が1.0×1013Ω・m以上である液晶組成物(M−1)に、一般式(1)で表される化合物を20質量%添加した液晶組成物の比抵抗値が8.0×1011Ω・m未満である場合、一般式(1)で表される化合物を含む液晶組成物を使用した液晶表示素子は表示不良を起こすことがあるのに対し、(M−1)に一般式(1)で表される化合物を20質量%添加した液晶組成物の比抵抗値が8.0×1011Ω・m以上である場合にはそのようなことは起きず、長期間の使用でも問題なく動作する。より高い信頼性を得るためには比抵抗値を高くすることが望ましいが、比抵抗値を上げるため、精製工程を繰り返すと収率の低下を招き、安価に製造することが出来なくなる。このため、実用的には、比抵抗値が1.0×1013Ω・m以上である液晶組成物(M−1)に、精製後の一般式(1)で表される化合物を20質量%添加した液晶組成物の比抵抗値は8.0×1011Ω・mが好ましく、1.0×1012Ω・mが好ましく、5.0×1012Ω・mが好ましく、1.0×1013Ω・mが好ましい。この比抵抗値は高いほど好ましいが、液晶化合物は有機物であり、限界がある。 The specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% by mass of the compound represented by the general formula (1) to the liquid crystal composition (M-1) having a specific resistance value of 1.0 × 10 13 Ω · m or more is obtained. In the case of less than 8.0 × 10 11 Ω · m, a liquid crystal display device using a liquid crystal composition containing the compound represented by the general formula (1) may cause a display defect. When the specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% by mass of the compound represented by the general formula (1) to 1) is 8.0 × 10 11 Ω · m or more, such a situation does not occur. Operates without problems even for long-term use. In order to obtain higher reliability, it is desirable to increase the specific resistance value. However, if the refining process is repeated in order to increase the specific resistance value, the yield will be reduced and it will not be possible to manufacture at low cost. Therefore, practically, 20 mass of the compound represented by the general formula (1) after purification is added to the liquid crystal composition (M-1) having a specific resistance value of 1.0 × 10 13 Ω · m or more. % Is preferably 8.0 × 10 11 Ω · m, preferably 1.0 × 10 12 Ω · m, preferably 5.0 × 10 12 Ω · m, 1.0 × 10 13 Ω · m is preferable. This specific resistance value is preferably as high as possible, but the liquid crystal compound is organic and has its limitations.

本願発明に使用する精製前の一般式(1)で表される化合物は比抵抗値が十分高い場合本願精製を行う必要がない。また、あまりに低いと本願発明を数回繰り返す必要が出てくる。このため、下限値として9.9×1011Ω・mが好ましく、8.0×1011Ω・mが好ましく、5.0×1011Ω・mが好ましく、1.0×1011Ω・mが好ましく、1.0×1010Ω・mが好ましく、1.0×10Ω・mが好ましく、1.0×10Ω・mが好ましく、上限値として9.9×1011Ω・mが好ましく、8.0×1011Ω・mが好ましく、5.0×1011Ω・mが好ましく、1.0×1011Ω・mが好ましく、1.0×1010Ω・mが好ましく、1.0×10Ω・mが好ましく、1.0×10Ω・mが好ましい。 When the specific resistance value of the compound represented by the general formula (1) before purification used in the present invention has a sufficiently high specific value, it is not necessary to perform the present purification. If it is too low, the present invention needs to be repeated several times. Therefore, the lower limit is preferably 9.9 × 10 11 Ω · m, preferably 8.0 × 10 11 Ω · m, more preferably 5.0 × 10 11 Ω · m, and 1.0 × 10 11 Ω · m. m is preferable, 1.0 × 10 10 Ω · m is preferable, 1.0 × 10 9 Ω · m is preferable, 1.0 × 10 8 Ω · m is preferable, and the upper limit value is 9.9 × 10 11 Ω M is preferable, 8.0 × 10 11 Ω · m is preferable, 5.0 × 10 11 Ω · m is preferable, 1.0 × 10 11 Ω · m is preferable, and 1.0 × 10 10 Ω · m is preferable. Is preferable, 1.0 × 10 9 Ω · m is preferable, and 1.0 × 10 8 Ω · m is preferable.

再結晶を行う前に、使用に耐えるほどの純度を有していれば他の精製方法や再結晶を行う必要はないが、十分な純度の液晶化合物を得るためには、事前に他の精製方法や再結晶を行っておくことが好ましい。また、本願発明に使用する精製前の一般式(1)で表される化合物は化学的な純度としては特に規定はないが、本願発明の精製後に他の精製をせず使用するため、高い方が望ましく、ガスクロマトグラフィー(カラム:DB−1、キャリアーガス:ヘリウム)の面積比で95%以上のものを使用することが好ましく、97%以上が望ましく、99%以上が望ましく、99.5%以上が望ましく、99.8%以上が更に望ましい。この際、比抵抗値を低下させる恐れのない化合物や、既に特性が確認されておりその影響が確認され許容できる濃度が規定されているような化合物は化学純度決定においては一般式(1)で表される化合物に含めてもよい。   Before recrystallization, it is not necessary to perform other purification methods or recrystallization as long as it has sufficient purity to withstand use. However, in order to obtain a liquid crystal compound with sufficient purity, other purification methods must be used in advance. It is preferable to carry out the method and recrystallization. In addition, the compound represented by the general formula (1) before purification used in the present invention is not particularly defined as chemical purity, but it is used without any other purification after the purification of the present invention. It is preferable to use a gas chromatography (column: DB-1, carrier gas: helium) with an area ratio of 95% or more, preferably 97% or more, more preferably 99% or more, and 99.5%. The above is desirable, and 99.8% or more is more desirable. At this time, a compound that does not cause a decrease in specific resistance value, or a compound whose characteristics have already been confirmed and whose influence has been confirmed and an allowable concentration is defined is represented by the general formula (1) in the determination of chemical purity. You may include in the compound represented.

また、再結晶を行う前にカラムクロマトグラフィーを行い、比抵抗値の低下の原因となるイオン性不純物を除くことが好ましい。カラムクロマトグラフィーに使用する精製剤としてはシリカゲル、アルミナ又はそれらの両方を使用するのが好ましい。その際に使用する展開溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン又はトルエンから選択される単一又は混合溶媒が好ましい。   Moreover, it is preferable to perform column chromatography before recrystallization to remove ionic impurities that cause a decrease in specific resistance value. It is preferable to use silica gel, alumina, or both as a purification agent used for column chromatography. The developing solvent used at that time is preferably a single or mixed solvent selected from hexane, heptane or toluene.

再結晶にはリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.0ppb以下の溶媒を使用すればよいが、その調製方法は問わない。使用しようとする溶媒の上記濃度の総和が1.0ppbを超える場合には、例えばイオン交換樹脂で処理することにより、1.0ppb以下とすることができる。   For recrystallization, a solvent having a total concentration of lithium ions, sodium ions, ammonium ions, potassium ions, magnesium ions and calcium ions of 1.0 ppb or less may be used, but the preparation method is not limited. When the sum of the above concentrations of the solvent to be used exceeds 1.0 ppb, it can be reduced to 1.0 ppb or less by treating with an ion exchange resin, for example.

再結晶に使用する溶媒の種類としては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、アセトン、2−ブタノン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチル−t−ブチルエーテル、アセトニトリル又はプロピオニトリルから選択される単一又は混合溶媒が好ましく、メタノール、エタノール、アセトン又は2−ブタノンから選択される単一又は混合溶媒がより好ましい。   The solvent used for recrystallization is selected from methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, acetone, 2-butanone, ethyl acetate, diethyl ether, tetrahydrofuran, methyl-t-butyl ether, acetonitrile or propionitrile. Single or mixed solvents are preferred, and single or mixed solvents selected from methanol, ethanol, acetone or 2-butanone are more preferred.

再結晶は一般式(1)で表される化合物を溶媒に溶解させた後、溶解させた際の温度より低い温度に冷却して行うことができる。化合物は完全に溶解させることが好ましいが、その後の晶析、ろ過の作業に支障がない範囲においては未溶解の部分が残っても良い。冷却の際は、急冷してもよいし徐冷してもよい。冷却後は温度を一定に保っても良いし、更に冷却しながら結晶を析出させていっても良い。また、結晶を析出させる際は攪拌を行っても良いし、静置してもよい。結晶の大きさをそろえ、結晶サイズをあまり大きくしない場合には攪拌したほうが好ましい。また、別の再結晶の方法として、一般式(1)で表される化合物を溶解性の高い溶媒に溶解させた後、溶解性の低い溶媒を加えて晶析させて行うこともできる。   Recrystallization can be performed by dissolving the compound represented by the general formula (1) in a solvent and then cooling to a temperature lower than the temperature at which it was dissolved. Although it is preferable to completely dissolve the compound, an undissolved portion may remain within the range in which the subsequent crystallization and filtration operations are not hindered. In cooling, it may be cooled rapidly or slowly. After cooling, the temperature may be kept constant, or crystals may be precipitated while further cooling. Moreover, when precipitating a crystal | crystallization, you may stir or may stand still. Stirring is preferred when the crystal sizes are aligned and the crystal size is not too large. As another recrystallization method, the compound represented by the general formula (1) can be dissolved in a highly soluble solvent, and then added with a solvent having low solubility for crystallization.

再結晶後の溶媒の留去は、減圧下に室温で又は加熱しながら行うことができる。この際に、加熱手段に特に制限はなく、設定温度から数度の範囲で制御できる方法であれば如何なる方法をとることもできる。実施の容易性から温調を備え溶液を満たした容器に液晶化合物を入れた容器を浸す方法や該容器をマントルヒーター等で加熱する方法、更に液晶化合物を乗せた棚に加熱した液体を流す流路を設けこれにより加熱する方法が挙げられる。また、溶媒を留去する際には気化熱により液晶化合物が冷却されるので温度低下を低減することを目的として加熱していない溶液により前記手段を行うこともできる。また、これら方法を用いず、温度制御しないで溶媒を留去することも可能である。作業時間の短縮のために、下限温度を20℃とすることが好ましく、30℃とすることが好ましく、35℃とすることが好ましく、40℃とすることが更に好ましい。上限温度としては、温度を上げると溶媒の留去速度は上がるため高い方が好ましいが、あまり高温とすると液晶化合物の分解や酸化等が起こり好ましくない。また、融点以上に加熱してしまうと乾燥後に室温まで冷却するとすべてが一体の固体となり、粉体として得られないため好ましくない。このため、融点未満が好ましく、60℃が好ましく、55℃が好ましく、50℃が好ましく、45℃が好ましく、40℃が好ましい。溶媒留去時は液晶化合物を入れた容器や棚を静止させていても良いし、動かしていても良い。しかし、効率の点から回転や振動させることが好ましい。   The solvent after the recrystallization can be distilled off under reduced pressure at room temperature or with heating. At this time, the heating means is not particularly limited, and any method can be adopted as long as it can be controlled within a range of several degrees from the set temperature. For ease of implementation, a method of immersing a container filled with a liquid crystal compound in a temperature-controlled container filled with a solution, a method of heating the container with a mantle heater or the like, and a flow of flowing heated liquid on a shelf loaded with a liquid crystal compound The method of providing a path and heating by this is mentioned. Further, when the solvent is distilled off, the liquid crystal compound is cooled by the heat of vaporization, so that the above-mentioned means can be carried out with an unheated solution for the purpose of reducing the temperature drop. It is also possible to remove the solvent without using these methods and without controlling the temperature. In order to shorten the working time, the lower limit temperature is preferably 20 ° C, preferably 30 ° C, preferably 35 ° C, and more preferably 40 ° C. The upper limit temperature is preferably higher because the solvent distillation rate increases when the temperature is raised, but if the temperature is too high, decomposition or oxidation of the liquid crystal compound occurs, which is not preferred. Further, heating to a temperature higher than the melting point is not preferable because when it is cooled to room temperature after drying, it becomes an integral solid and cannot be obtained as a powder. For this reason, less than melting | fusing point is preferable, 60 degreeC is preferable, 55 degreeC is preferable, 50 degreeC is preferable, 45 degreeC is preferable and 40 degreeC is preferable. When the solvent is distilled off, the container or shelf containing the liquid crystal compound may be stationary or may be moved. However, it is preferable to rotate or vibrate from the viewpoint of efficiency.

本願発明の製造方法により得られた結晶及び本願発明の結晶は、その後更に他の精製を行わずに他の液晶化合物と混合し、液晶組成物を調製する。液晶組成物とした後は必要に応じろ過や吸着剤による処理を行っても良い。   The crystal obtained by the production method of the present invention and the crystal of the present invention are then mixed with another liquid crystal compound without further purification to prepare a liquid crystal composition. After forming the liquid crystal composition, filtration or treatment with an adsorbent may be performed as necessary.

液晶化合物には再結晶に使用した溶媒が含まれないことが好ましいが、液晶組成物とした際に悪影響を及ぼさない濃度以下であれば良い。その濃度は200ppm以下が好ましく、100ppm以下が好ましく、50ppm以下が好ましく、20ppm以下が更に好ましい。   It is preferable that the liquid crystal compound does not contain the solvent used for recrystallization, but it may be any concentration that does not adversely affect the liquid crystal composition. The concentration is preferably 200 ppm or less, preferably 100 ppm or less, preferably 50 ppm or less, and more preferably 20 ppm or less.

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。溶媒中のイオン濃度の分析にはイオンクロマトグラフを使用し、絶対検量線法によりリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度を算出した。液晶組成物の比抵抗値は、測定用セルに液晶組成物を入れ、電圧(DC)1V印加時の抵抗値を25℃にて測定して得た。
(実施例1) 式(1−1)で表される化合物の再結晶(1)
式(A−1)及び(A−2)
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is further explained in full detail, this invention is not limited to these Examples. Further, “%” in the compositions of the following examples and comparative examples means “mass%”. An ion chromatograph was used for analysis of the ion concentration in the solvent, and the concentrations of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion were calculated by an absolute calibration curve method. The specific resistance value of the liquid crystal composition was obtained by putting the liquid crystal composition in a measurement cell and measuring the resistance value when a voltage (DC) of 1 V was applied at 25 ° C.
Example 1 Recrystallization of Compound Represented by Formula (1-1) (1)
Formula (A-1) and (A-2)

Figure 0005609035
Figure 0005609035

を各50%ずつ含む、比抵抗値が1.0×1013Ω・mである液晶組成物(M−1)に、式(1−1) In a liquid crystal composition (M-1) having a specific resistance of 1.0 × 10 13 Ω · m,

Figure 0005609035
Figure 0005609035

で表される化合物を20%添加した液晶組成物の比抵抗値は1.0×1011Ω・mであった。この式(1−1)で表される化合物25gをカラムクロマトグラフィー(充填剤:シリカゲル及びアルミナ、展開溶媒:ヘキサン)で精製し、溶媒を減圧下に留去した。残渣をリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.13ppbであるアセトン50mLに溶解し、5℃で10分間撹拌して晶析させた後−18℃の冷凍庫内で16時間静置した。結晶分をろ取するため、フィルター付きのヌッチェに注いだ。フィルター上に得られた結晶の帯電電位を測定したところ、0.0kVであり、静電気の帯電は見られなかった。得られた結晶をナスフラスコに移し、真空ポンプにより減圧し(266Pa)、ナスフラスコを回転させながら溶媒を留去した。この際、40℃の湯浴にフラスコを浸し、温度制御を行った。20時間後、式(1−1)で表される化合物22.9gを粉末状の結晶として得た。得られた式(1−1)で表される化合物を比抵抗値が1.0×1013Ω・mである液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は1.4×1012Ω・mであった。 The specific resistance value of the liquid crystal composition to which 20% of the compound represented by the formula was added was 1.0 × 10 11 Ω · m. 25 g of the compound represented by the formula (1-1) was purified by column chromatography (filler: silica gel and alumina, developing solvent: hexane), and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was dissolved in 50 mL of acetone having a total concentration of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion of 0.13 ppb, and was crystallized by stirring at 5 ° C. for 10 minutes. It was allowed to stand for 16 hours in a freezer at 0 ° C. To filter out the crystals, it was poured into Nutsche with a filter. When the charge potential of the crystal obtained on the filter was measured, it was 0.0 kV, and no electrostatic charge was observed. The obtained crystals were transferred to an eggplant flask, depressurized with a vacuum pump (266 Pa), and the solvent was distilled off while rotating the eggplant flask. At this time, the flask was immersed in a 40 ° C. hot water bath to control the temperature. After 20 hours, 22.9 g of the compound represented by the formula (1-1) was obtained as powder crystals. The specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% of the obtained compound represented by the formula (1-1) to the liquid crystal composition (M-1) having a specific resistance value of 1.0 × 10 13 Ω · m. Was 1.4 × 10 12 Ω · m.

(比較例1) 式(1−1)で表される化合物の再結晶(2)
実施例1において、再結晶にリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.35ppbであるアセトンを使用し、同様の操作を行った。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は6.0×1011Ω・mであった。
(Comparative Example 1) Recrystallization of the compound represented by the formula (1-1) (2)
In Example 1, the same operation was performed using acetone whose total concentration of lithium ions, sodium ions, ammonium ions, potassium ions, magnesium ions and calcium ions was 1.35 ppb for recrystallization. The specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% of the compound represented by the formula (1-1) to the liquid crystal composition (M-1) was 6.0 × 10 11 Ω · m.

(比較例2) 式(1−1)で表される化合物の再結晶(3)
実施例1において、再結晶にヘキサンを使用して同様の操作を行ったところ、ろ取した結晶の帯電電位の絶対値は22.0kV以上であった。この帯電した結晶が導体との間にブラシ放電を発生した場合、ヘキサンの最小着火エネルギー(0.24mJ)と同等以上の放電エネルギーになると推定される。そのため、条件が重なると溶媒のヘキサンに引火する危険がある。また、ろ過の際に金属製の器具を使用した場合、接地の不備があると、静電誘導、電荷分離等により金属製の器具に不安定な電荷が発生し、着火性の火花放電を起こす可能性が考えられ、非常に危険である。
(Comparative example 2) Recrystallization (3) of the compound represented by the formula (1-1)
In Example 1, the same operation was performed using hexane for recrystallization. As a result, the absolute value of the charging potential of the filtered crystal was 22.0 kV or more. When this charged crystal generates a brush discharge with the conductor, it is estimated that the discharge energy is equal to or higher than the minimum ignition energy (0.24 mJ) of hexane. Therefore, if the conditions overlap, there is a danger of igniting the solvent hexane. In addition, when using a metal instrument during filtration, if there is a lack of grounding, an unstable charge is generated in the metal instrument due to electrostatic induction, charge separation, etc., causing an ignitable spark discharge. The possibility is considered and it is very dangerous.

(実施例2)式(1−1)で表される化合物の再結晶(4)
実施例1において、再結晶にリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.20ppbであるエタノール50mLを使用し、同様の操作を行った。ろ過時の結晶の帯電電位は0.0kVであり、収量は23.9gであった。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は2.0×1012Ω・mであった。
Example 2 Recrystallization of Compound Represented by Formula (1-1) (4)
In Example 1, 50 mL of ethanol having a total concentration of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion of 0.20 ppb was used for recrystallization, and the same operation was performed. The charged potential of the crystal during filtration was 0.0 kV, and the yield was 23.9 g. The specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% of the compound represented by the formula (1-1) to the liquid crystal composition (M-1) was 2.0 × 10 12 Ω · m.

(実施例3)式(1−1)で表される化合物の再結晶(5)
実施例1において、再結晶にリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.13ppbであるアセトン25mL及びリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.20ppbであるエタノール25mLからなる混合溶媒を使用し、同様の操作を行った。ろ過時の結晶の帯電電位は0.0kVであり、収量は23.6gであった。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は2.0×1012Ω・mであった。
Example 3 Recrystallization of Compound Represented by Formula (1-1) (5)
In Example 1, 25 mL of acetone having a total concentration of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion of 0.13 ppb and lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, The same operation was performed using a mixed solvent composed of 25 mL of ethanol having a total concentration of magnesium ions and calcium ions of 0.20 ppb. The charged potential of the crystal during filtration was 0.0 kV, and the yield was 23.6 g. The specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% of the compound represented by the formula (1-1) to the liquid crystal composition (M-1) was 2.0 × 10 12 Ω · m.

(実施例4)イオン交換樹脂による溶媒の処理
リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.56ppbであるアセトン100mL及びリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.84ppbであるエタノール100mLからなる混合溶媒Aを調製した。ガラス製クロマトグラフ管に陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂の混合物5gを充填し、混合溶媒A50mLを通液してイオン交換樹脂を洗浄した。その後、混合溶媒A150mLを通液して清浄なガラスフラスコに採取した。得られた混合溶媒を分析したところ、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和は0.15ppbであった。この混合溶媒を使用し、実施例1記載の方法と同様の操作を行った。ろ過時の結晶の帯電電位は0.0kVであり、収量は23.4gであった。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は1.1×1012Ω・mであった。
Example 4 Treatment of Solvent with Ion Exchange Resin 100 mL of acetone with a total concentration of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion of 1.56 ppb and lithium ion, sodium ion and ammonium ion A mixed solvent A consisting of 100 mL of ethanol having a total concentration of potassium ion, magnesium ion and calcium ion of 1.84 ppb was prepared. A glass chromatograph tube was filled with 5 g of a mixture of a cation exchange resin and an anion exchange resin, and 50 mL of the mixed solvent A was passed through to wash the ion exchange resin. Thereafter, 150 mL of the mixed solvent A was passed through and collected in a clean glass flask. When the obtained mixed solvent was analyzed, the total concentration of lithium ions, sodium ions, ammonium ions, potassium ions, magnesium ions and calcium ions was 0.15 ppb. Using this mixed solvent, the same operation as in the method described in Example 1 was performed. The charged potential of the crystal during filtration was 0.0 kV, and the yield was 23.4 g. The specific resistance value of the liquid crystal composition obtained by adding 20% of the compound represented by the formula (1-1) to the liquid crystal composition (M-1) was 1.1 × 10 12 Ω · m.

(実施例5)
実施例1において、式(1−1)で表される化合物の代わりに下表に示す化合物を用い、同様の操作を行った。なお表中の比抵抗値は、それぞれの化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物のものである。
(Example 5)
In Example 1, the same operation was performed using the compounds shown in the following table instead of the compound represented by Formula (1-1). In addition, the specific resistance value in a table | surface is a thing of the liquid crystal composition which added 20% of each compound to the liquid crystal composition (M-1).

Figure 0005609035
Figure 0005609035

Claims (14)

一般式(1)
Figure 0005609035
(式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表し、
aは1、2又は3を表し、
及びAはそれぞれ独立に(a) トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のメチレン基又は隣接していない2個以上のメチレン基は−O−又は−S−に置き換えられてもよい)、
(b) 1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は窒素原子に置き換えられてもよい)、3,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン基、及び
(c) 1,4−ビシクロ(2.2.2)オクチレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン-2,6−ジイル基、クロマン−2,6−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基(a)、基(b)又は基(c)に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、Aが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良く、
は単結合、−CHCH−、−CH=CH−、−CHO−、−OCH−、−CFO−、−OCF−、−COO−又は−OCO−を表すが、複数存在するZは同一であっても異なっていても良く、
は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表す。)で表される化合物の比抵抗値を、式(A−1)及び(A−2)
Figure 0005609035
を各50質量%ずつ含み、比抵抗値が1.0×1013Ω・m以上である液晶組成物(M−1)に、一般式(1)で表される化合物を20質量%添加した液晶組成物の比抵抗値と定義し、該一般式(1)で表される化合物の比抵抗値が8.0×1011Ω・m未満である場合において、一般式(1)で表される化合物をリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.0ppb以下であるアルコール類溶媒、ケトン類溶媒、エステル類溶媒、エーテル類溶媒又はニトリル類溶媒から選択される単一又は混合溶媒を用いて再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去することによる、再結晶後の一般式(1)で表される化合物の比抵抗値が8.0×1011Ω・m以上を示す結晶状態の一般式(1)で表される化合物の製造方法。
General formula (1)
Figure 0005609035
(In the formula, R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms,
a represents 1, 2 or 3;
A 1 and A 2 are each independently (a) a trans-1,4-cyclohexylene group (one methylene group present in this group or two or more methylene groups not adjacent to each other is —O— or -S-))
(B) a 1,4-phenylene group (one —CH═ present in the group or two or more non-adjacent —CH═ may be replaced by a nitrogen atom), 3,5-difluoro -1,4-phenylene group, and (c) 1,4-bicyclo (2.2.2) octylene group, naphthalene-2,6-diyl group, decahydronaphthalene-2,6-diyl group, and 1,2 , 3,4-tetrahydronaphthalene-2,6-diyl group, a group selected from the group consisting of chroman-2,6-diyl group, the group (a), group (b) or group (c) The hydrogen atoms contained in each may be substituted with a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group or a chlorine atom, and when a plurality of A 1 are present, they may be the same or different. ,
Z 1 is a single bond, -CH 2 CH 2 -, - CH = CH -, - CH 2 O -, - OCH 2 -, - CF 2 O -, - OCF 2 -, - represents a COO- or -OCO- However, a plurality of Z 1 may be the same or different,
Y 1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or carbon. The alkenyloxy group of number 2-6 is represented. The specific resistance value of the compound represented by formula (A-1) and (A-2)
Figure 0005609035
20% by mass of the compound represented by the general formula (1) was added to the liquid crystal composition (M-1) having a specific resistance value of 1.0 × 10 13 Ω · m or more. When the specific resistance value of the compound represented by the general formula (1) is less than 8.0 × 10 11 Ω · m, it is defined by the general formula (1). Alcohol compounds, ketone solvents, ester solvents, ether solvents or nitrile solvents in which the total concentration of lithium ion, sodium ion, ammonium ion, potassium ion, magnesium ion and calcium ion is 1.0 ppb or less. The specific resistance value of the compound represented by the general formula (1) after recrystallization is 8 by distilling off the solvent used for recrystallization after recrystallization using a single or mixed solvent selected from .0x1 Method for producing a compound represented by the general formula of the crystalline state shown over 11 Ω · m (1).
一般式(1)において、A又はAのうち少なくとも1つが
Figure 0005609035
を表す請求項1記載の製造方法。
In general formula (1), at least one of A 1 and A 2 is
Figure 0005609035
The manufacturing method of Claim 1 showing.
一般式(1)において、Yがフッ素原子を表す請求項1又は2記載の製造方法。 The production method according to claim 1 or 2, wherein Y 1 in the general formula (1) represents a fluorine atom. 一般式(1)において、Rがメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基であり、Zは単結合、−CHCH−、−CFO−又は−OCF−を表す請求項1、2又は3のいずれかに記載の製造方法。 In General Formula (1), R 1 is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, or a pentyl group, and Z 1 is a single bond, —CH 2 CH 2 —, —CF 2 O—, or —OCF 2 —. The production method according to claim 1, which represents 一般式(1)において、A又はAのうち少なくとも1つが
Figure 0005609035
を表す請求項1記載の製造方法。
In general formula (1), at least one of A 1 and A 2 is
Figure 0005609035
The manufacturing method of Claim 1 showing.
一般式(1)においてR及びYがそれぞれ独立的にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、3−ブテニルオキシ基又は4−ペンテニルオキシ基を表し、Zが単結合、−CHCH−、−CHO−又は−OCH−を表す請求項1又は5記載の製造方法。 In the general formula (1), R 1 and Y 1 are each independently methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, vinyl, methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentoxy, 3 - represents a butenyloxy group or a 4-pentenyl group, Z 1 is a single bond, -CH 2 CH 2 -, - CH 2 O- or -OCH 2 - the method of claim 1 or 5, wherein represents the. 一般式(1)においてA又はAのうち少なくとも1つが
Figure 0005609035
を表す請求項1又は6記載の製造方法。
In general formula (1), at least one of A 1 and A 2 is
Figure 0005609035
The manufacturing method of Claim 1 or 6 showing.
再結晶に使用する溶媒がメタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、アセトン、2−ブタノン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチル−t−ブチルエーテル、アセトニトリル又はプロピオニトリルから選択される単一又は混合溶媒である請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法。 A single solvent selected from methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, acetone, 2-butanone, ethyl acetate, diethyl ether, tetrahydrofuran, methyl-t-butyl ether, acetonitrile or propionitrile. Or it is a mixed solvent, The manufacturing method in any one of Claims 1-7. 再結晶に使用する溶媒がメタノール、エタノール、アセトン又は2−ブタノンから選択される単一又は混合溶媒である請求項8記載の製造方法。 The production method according to claim 8, wherein the solvent used for recrystallization is a single or mixed solvent selected from methanol, ethanol, acetone or 2-butanone. 請求項1〜9のいずれかに記載の製造方法を行う前に一般式(1)で表される化合物をカラムクロマトグラフィーにより精製することを特徴とする製造方法。 The manufacturing method characterized by refine | purifying the compound represented by General formula (1) by column chromatography before performing the manufacturing method in any one of Claims 1-9. イオン交換樹脂で処理した溶媒を再結晶に使用することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。 The method according to claim 1, wherein a solvent treated with an ion exchange resin is used for recrystallization. 再結晶後の一般式(1)で表される化合物の比抵抗値が1.0×1012Ω・m以上を示す請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法。 The manufacturing method in any one of Claims 1-11 in which the specific resistance value of the compound represented by General formula (1) after recrystallization shows 1.0 * 10 < 12 > (omega | ohm) * m or more. 請求項1〜12のいずれかに記載の方法により製造された一般式(1)で表される化合物を含有する液晶組成物の製造方法 The manufacturing method of the liquid-crystal composition containing the compound represented by General formula (1) manufactured by the method in any one of Claims 1-12. 請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法を実施する際に行う再結晶方法。 The recrystallization method performed when implementing the manufacturing method in any one of Claims 1-12.
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